NINT Information System
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| 휴가일수 | 사용일수 | 잔여일수 | ||
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| 이월 | 당해 | 계 | ||
| 일 | 일 | 0일 | 0일 | 0 일 |
| 구분 | 연간 교육 | 이수 시간 | 잔여 시간 |
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| 시간 |
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개인정보 수정
장비 리스트 관리 | 장비 리스트 관리
| 번호 | 장비명 | 모델명 | 사양 | 용도 | 일지 | 상태 | 관리 |
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| 171 | Furnace_TEL - 1 | Alpha-808SD | Only 8 | 습식열산화막 성장 |  |
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| 170 | Wet Station_Acid - 2 | 확산로 세정 | |
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| 169 | Furnace_Poly Si - 1 | Alpha-803SC | Only 8 | Poly-Si 증착 | |
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| 168 | Furnace_High T Anneal-1 | Alpha-808SD | Only 8 | Max.1250℃의 고온열처리 | |
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| 167 | Furnace_Dry Oxidation-1 | Alpha-808DN | Only 8 | 건식열산화막 성장 | |
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| 166 | Furnace_Pyro Oxidation System | Alpha-808SD | Only 8 | 습식열산화막 성장 | |
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| 165 | RTP for RTO | AST2800 | 8inch(Max) | RTO, 급속열처리, High-k 후처리 | |
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| 164 | RTP for Silicide | AST2800 | 8inch(Max) | Ti, Co, Ni Silicidation | |
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| 163 | High Current Implanter | Vision 200 | Only 8 | 고농도, 얕은 깊이의 불순물 주입 | |
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| 162 | Medium Current Implanter | E220HP | Only 8 | 저농도, 깊은 깊이의 불순물 주입 | |
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| 161 | CD-SEM | 9380II | 200/150mm | CD 측정 | |
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| 160 | Process Monitoring System | |
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| 159 | Spectroscopic Ellipsometer | M-2000 | 8 | 박막의 두께, 굴절율, 표면 거칠기, Band Gap Energy 등 측정 및 분석 | |
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| 158 | 4 Point Probe - 1 | CMT-SR2000N | up to 8 | Sheet Resistance Measurement | |
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| 157 | 3D Profiler | Wyko NT1100 | 0.5nm | 비접촉식 3차원 구조분석 | |
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| 156 | Stress Measurement System | 500TC | up to 8 | film stress measurement | |
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| 155 | Rs Measurement System | RS35s | 8 only | Sheet Resistance Measurement | |
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| 154 | HR FE-SEM (in Clean Room) | LEO SUPRA 35 | 1nm | 나노재료의 CD 및 형태관찰 | |
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| 153 | Alpha-Step (ME) | ALPHA-STEP IQ | 50nm~300um | WAFER 표면 위의 단 차가 있는 박막의 두께(수 Å 이상) 및 Step profile 측정. | |
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| 152 | Thickness Measurement_OP3260 | OP3260 | 8 | 패턴된 Wafer의 박막의 두께 측정 - Al2O3, Nitride, Oxide | |
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