Medium Current Implanter 장비일지

 기자재관리번호 : B0000055-082002-A0008
No 장비이용내역 이용내역 사용자 장비이용료
시작일 종료일 세부내용 기관명 부서(학과명) 성명 확정금액
1 2010-01-01 10시 11시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 43,200원
2 2010-01-01 13시 15시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 86,400원
3 2010-01-05 11시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 43,200원
4 2010-01-05 14시 15시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 43,200원
5 2010-01-07 11시 13시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 86,400원
6 2010-01-07 16시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 43,200원
7 2010-01-10 09시 10시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 43,200원
8 2010-01-10 09시 10시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 43,200원
9 2010-01-10 10시 11시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 43,200원
10 2010-01-12 10시 11시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 43,200원
11 2010-01-12 14시 15시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 43,200원
12 2010-01-12 15시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 86,400원
13 2010-01-13 11시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 43,200원
14 2010-01-13 14시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 86,400원
15 2010-01-15 16시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 43,200원
16 2010-01-17 11시 13시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 86,400원
17 2010-01-20 09시 10시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 43,200원
18 2010-01-22 10시 11시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 43,200원
19 2010-01-26 14시 15시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 43,200원
20 2010-01-27 10시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 86,400원
21 2010-01-28 14시 15시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 43,200원
22 2010-01-28 16시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 43,200원
23 2010-01-29 14시 15시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 43,200원
24 2010-02-01 10시 13시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 최선영 129,600원
25 2010-02-05 11시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 최선영 43,200원
26 2010-02-05 14시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 최선영 129,600원
27 2010-02-07 11시 13시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 최선영 86,400원
28 2010-02-10 10시 13시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 최선영 129,600원
29 2010-02-12 14시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 최선영 129,600원
30 2010-02-13 11시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 최선영 43,200원
31 2010-02-13 14시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 최선영 86,400원
32 2010-02-15 16시 19시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 최선영 129,600원
33 2010-02-20 09시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 최선영 129,600원
34 2010-02-27 10시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 최선영 86,400원
35 2010-02-28 14시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 최선영 129,600원
36 2010-03-02 13시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 135,000원
37 2010-03-04 15시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 270,000원
38 2010-03-05 16시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 135,000원
39 2010-03-08 13시 15시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 270,000원
40 2010-03-10 10시 11시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 135,000원
41 2010-03-11 14시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 270,000원
42 2010-03-23 16시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)powerasolution 생기팀 정형민 135,000원
43 2010-04-01 09시 10시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
44 2010-04-06 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
45 2010-04-07 11시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
46 2010-04-10 14시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
47 2010-04-13 11시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
48 2010-04-15 11시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
49 2010-04-16 09시 10시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
50 2010-04-19 14시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
51 2010-04-20 16시 11시 11 B IMPLANT 경북대학교 전자전기컴퓨터공학가 김민형 600,000원
52 2010-04-22 14시 15시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
53 2010-04-23 09시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
54 2010-05-03 10시 11시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
55 2010-05-05 15시 18시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
56 2010-05-07 13시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
57 2010-05-10 12시 15시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
58 2010-05-13 16시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
59 2010-05-14 15시 18시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
60 2010-05-17 14시 15시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
61 2010-05-19 15시 18시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
62 2010-05-24 16시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
63 2010-05-25 15시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
64 2010-05-28 20시 21시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
65 2010-05-31 13시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
66 2010-06-02 11시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
67 2010-06-04 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
68 2010-06-07 11시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
69 2010-06-09 11시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
70 2010-06-10 11시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
71 2010-06-11 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
72 2010-06-17 11시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
73 2010-06-21 11시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
74 2010-06-23 11시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
75 2010-06-25 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
76 2010-07-01 16시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
77 2010-07-05 16시 19시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
78 2010-07-06 16시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
79 2010-07-08 16시 19시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
80 2010-07-09 16시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
81 2010-07-13 16시 19시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
82 2010-07-15 16시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
83 2010-07-21 16시 19시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
84 2010-07-26 16시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
85 2010-07-30 16시 19시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
86 2010-08-03 09시 10시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
87 2010-08-04 10시 13시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
88 2010-08-06 10시 11시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
89 2010-08-10 10시 13시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
90 2010-08-12 10시 11시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
91 2010-08-13 10시 13시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
92 2010-08-17 10시 11시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
93 2010-08-20 10시 13시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
94 2010-08-25 10시 11시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
95 2010-08-26 14시 18시 implant 포항공과대학교 신소재공학과 곽창하 260,000원
96 2010-08-27 10시 13시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
97 2010-09-02 10시 11시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
98 2010-09-04 10시 13시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
99 2010-09-05 10시 11시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
100 2010-09-08 09시 18시 AR implantation 120Kev 3매, 140Kev 3매, 160Kev 3매 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 415,000원
101 2010-09-09 10시 13시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
102 2010-09-11 10시 11시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
103 2010-09-12 10시 13시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
104 2010-09-15 14시 18시 b implant 포항공과대학교 신소재공학과 곽창하 260,000원
105 2010-09-20 10시 11시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
106 2010-09-25 10시 13시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
107 2010-09-27 10시 11시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
108 2010-09-29 10시 13시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
109 2010-10-01 17시 18시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
110 2010-10-02 14시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
111 2010-10-04 17시 18시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
112 2010-10-06 17시 18시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
113 2010-10-07 14시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
114 2010-10-11 14시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
115 2010-10-13 09시 10시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
116 2010-10-19 13시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
117 2010-10-25 09시 18시 #1 : 1E13
#2,3 : 5E12
#4,5,6,7 : 1E12		 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 345,000원
118 2010-10-25 10시 12시 CD 측정 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술팀 김동협 90,000원
119 2010-10-27 09시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
120 2010-10-30 09시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
121 2010-11-02 16시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
122 2010-11-04 14시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
123 2010-11-07 14시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
124 2010-11-08 16시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
125 2010-11-10 16시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
126 2010-11-18 16시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
127 2010-11-22 14시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
128 2010-11-24 16시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
129 2010-11-27 14시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
130 2010-11-30 14시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
131 2010-12-22 09시 11시 Ar, 120keV, 1E13 (S1012-01) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 250,000원
132 2011-01-03 10시 11시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
133 2011-01-06 10시 13시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
134 2011-01-08 10시 11시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
135 2011-01-09 11시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
136 2011-01-10 11시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
137 2011-01-11 09시 11시 4-2-1 Ar Implant_100keV_1E14 (S1012-02) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 287,500원
138 2011-01-13 11시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
139 2011-01-17 11시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
140 2011-01-20 11시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
141 2011-01-22 11시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
142 2011-01-24 11시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
143 2011-02-02 12시 13시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
144 2011-02-04 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
145 2011-02-06 13시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
146 2011-02-10 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
147 2011-02-13 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
148 2011-02-16 13시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
149 2011-02-19 13시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
150 2011-02-22 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
151 2011-02-24 13시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
152 2011-02-28 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
153 2011-03-02 10시 11시 5-2-1 Ar Implant_100keV_1E14 (S03-0131) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 137,500원
154 2011-03-02 11시 12시 5-2-2 Ar Implant_150keV_1E14 (S03-0131) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 137,500원
155 2011-03-05 16시 19시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
156 2011-03-07 13시 16시 Implant 조건 Split 8ea 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 400,000원
157 2011-03-12 16시 19시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
158 2011-03-22 16시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
159 2011-03-24 14시 19시 8" pattern wafer P- Ion Implantation 지엠티 박은화 1,150,000원
160 2011-03-28 17시 20시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
161 2011-04-04 09시 12시 2-2-1 ISO Implant_Ar_55keV_1E14 (S05-0328) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 287,500원
162 2011-04-15 16시 17시 B, 80keV, 1E14 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 140,000원
163 2011-04-18 14시 16시 2-2-1 Ar Implant (S06-0331) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 287,500원
164 2011-04-25 09시 12시 8inch patterned wafer Ion Implantation 메이플세미컨덕터 정은식 1,000,000원
165 2011-04-27 09시 10시 2-2-1 Isolation Implant (S07-0425) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 287,500원
166 2011-05-04 13시 14시 2-2-1 Isolation Implant (S07a-0503) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 287,500원
167 2011-05-04 14시 15시 2-2-1 Isolation Implant (S08-0429) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 287,500원
168 2011-05-11 14시 16시 As, 50keV_100keV, 1E14_2E14 5회 연세대학교 신소재 공학과 구상모 325,000원
169 2011-05-16 13시 14시 2-2-1 Isolation Implant_Ar (S09-0512) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 287,500원
170 2011-05-25 13시 14시 2-2-1 Isolation Implant (S10-0518) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 287,500원
171 2011-06-01 11시 12시 2-2-1 ISO Ar Implant (S11-0526) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 287,500원
172 2011-06-07 14시 15시 Boron, 80KeV, 10E14 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 300,000원
173 2011-06-20 11시 12시 2-2-1 ISO Implant_Ar (S12-0609) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 287,500원
174 2011-06-23 13시 15시 2-2-1 ISO Implant_Ar (S13-0620) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 400,000원
175 2011-07-01 14시 15시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
176 2011-07-04 15시 16시 2-2-1 Isolation Ar Implant (S14-0629) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 437,500원
177 2011-07-05 14시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
178 2011-07-06 09시 10시 B, 80keV, 1E14, 2ea 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 180,000원
179 2011-07-07 14시 15시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
180 2011-07-09 14시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
181 2011-07-10 14시 15시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
182 2011-07-11 16시 17시 P_50keV_1E14_2회 한국전기연구원 전력반도체연구센터 나문경 180,000원
183 2011-07-15 14시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
184 2011-07-19 14시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
185 2011-07-21 14시 15시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
186 2011-07-23 14시 15시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
187 2011-07-29 13시 14시 2-2-1 Iso Implant_Ar (S14a-0725) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 250,000원
188 2011-07-29 14시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
189 2011-08-02 14시 15시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
190 2011-08-05 14시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
191 2011-08-08 15시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
192 2011-08-10 15시 18시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
193 2011-08-12 15시 17시 2-2-1 Isolation Implant (S18a-0809) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 437,500원
194 2011-08-15 15시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
195 2011-08-16 16시 17시 2-2-1 Isolation Implant (S19-0810) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 400,000원
196 2011-08-19 15시 18시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
197 2011-08-23 14시 15시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
198 2011-08-24 11시 12시 P, 100keV, 1E14, 2회 한국전기연구원 전력반도체연구센터 나문경 190,000원
199 2011-08-25 14시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
200 2011-08-26 14시 15시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
201 2011-08-28 14시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
202 2011-09-01 13시 15시 B, 100keV, 1E14 2회 한국전기연구원 전력반도체연구센터 나문경 190,000원
203 2011-09-05 13시 14시 2-2-1 Isolation Implant (S16b-0803) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 287,500원
204 2011-09-07 09시 10시 Boron_80keV_1E14 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 180,000원
205 2011-09-14 10시 11시 2-2-1 Isolation Implant (S20-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 362,500원
206 2011-09-14 15시 16시 2-2-1 Isolation implant (S17a-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 400,000원
207 2011-09-15 12시 13시 2-2-1 Isolation implant (S21-0909) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 325,000원
208 2011-10-10 10시 11시 0-3-1 Res. Implant_3E14 삼성전기 AMD랩 한승훈 250,000원
209 2011-10-10 11시 12시 0-3-1 Res. Implant_5E14 삼성전기 AMD랩 한승훈 350,000원
210 2011-10-10 12시 13시 0-3-1 Res. Implant_7E14 삼성전기 AMD랩 한승훈 450,000원
211 2011-10-10 13시 14시 0-3-1 Res. Implant_1.2E13_2.2E13_3.2E13 삼성전기 AMD랩 한승훈 250,000원
212 2011-10-10 14시 15시 Implant 삼성전기 AMD랩 한승훈 207,000원
213 2011-10-10 19시 20시 2-2-1 Isolation Ar Implant (S22-1004) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 400,000원
214 2011-10-17 19시 21시 2-2-1 Isolation Implant (S25-1004) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 437,500원
215 2011-10-18 18시 19시 2-2-1 Isolation Implant (S24-1013) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 325,000원
216 2011-10-19 19시 20시 2-2-1 Isolation Implant (S26-1017) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 325,000원
217 2011-11-02 09시 10시 2-2-1 Isolation Implant (S23-0928) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 250,000원
218 2011-11-11 16시 17시 IMplanter Boron 40Kev 1.2E13 진행 삼성전기 AMD랩 한승훈 200,000원
219 2011-11-14 15시 16시 2-2-1 Isolation Implant (S27-1103) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 250,000원
220 2011-11-15 14시 16시 Boron 40KeV Dose Split Test 3매 진행 삼성전기 AMD랩 한승훈 250,000원
221 2011-11-16 15시 16시 2-2-1 Isolation Implant (S28-1103) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 362,500원
222 2011-11-18 11시 12시 2-2-1 Isolation Implant (S29-1114) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 362,500원
223 2011-11-29 09시 11시 2-2-1 Isolation Implant (S30-1124) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 362,500원
224 2011-11-30 16시 17시 2-2-1 Isolation implant (S31-1128) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 362,500원
225 2011-12-07 09시 10시 2-2-1 Isolation Implant (S31-1128) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 362,500원
226 2011-12-08 13시 15시 삼성전기 Resister 4차 Test 진행
- Implanter 진행		 삼성전기 AMD랩 한승훈 100,000원
227 2011-12-27 17시 18시 2-2-1 Isolation Implant (S32-1206) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 212,500원
228 2012-01-02 13시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
229 2012-01-05 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
230 2012-01-06 11시 12시 Ar 100KeV 1E14 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 262,500원
231 2012-01-06 13시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
232 2012-01-09 09시 10시 100KeV 1E14 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
233 2012-01-10 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
234 2012-01-13 14시 16시 55Kev,100Kev 10E14 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
235 2012-01-18 13시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
236 2012-01-21 13시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
237 2012-01-23 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
238 2012-01-25 13시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
239 2012-01-26 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
240 2012-01-27 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
241 2012-02-02 11시 13시 2-2-1 Iso Ar Implant ★과청구로 인한 할인율 적용 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 0원
242 2012-02-02 19시 20시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
243 2012-02-07 19시 22시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
244 2012-02-08 19시 22시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
245 2012-02-09 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
246 2012-02-09 19시 20시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
247 2012-02-13 10시 13시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
248 2012-02-14 14시 15시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
249 2012-02-16 15시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
250 2012-02-16 19시 22시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
251 2012-02-23 19시 20시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
252 2012-03-08 20시 23시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
253 2012-03-13 20시 21시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
254 2012-03-14 20시 21시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
255 2012-03-15 20시 21시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
256 2012-03-16 20시 23시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
257 2012-03-20 20시 21시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
258 2012-03-22 20시 21시 고농도 doping(P+,N+,Back Imp) (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 45,000원
259 2012-03-23 20시 23시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
260 2012-03-26 20시 21시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
261 2012-03-27 20시 23시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
262 2012-03-30 11시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
263 2012-04-02 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
264 2012-04-03 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
265 2012-04-05 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
266 2012-04-06 13시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
267 2012-04-14 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
268 2012-04-18 13시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
269 2012-04-18 13시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
270 2012-04-19 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
271 2012-04-19 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
272 2012-04-25 13시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
273 2012-04-26 13시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
274 2012-05-03 13시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
275 2012-05-04 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
276 2012-05-09 13시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
277 2012-05-10 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
278 2012-05-15 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
279 2012-05-16 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
280 2012-05-16 13시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
281 2012-05-16 13시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
282 2012-05-21 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
283 2012-05-25 13시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
284 2012-05-25 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 405,000원
285 2012-06-06 11시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
286 2012-06-08 11시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
287 2012-06-13 11시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
288 2012-06-20 11시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
289 2012-06-21 11시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
290 2012-06-26 11시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 405,000원
291 2012-06-28 11시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
292 2012-06-28 11시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
293 2012-06-28 11시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
294 2012-06-29 11시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
295 2012-07-11 10시 11시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
296 2012-07-18 10시 13시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
297 2012-07-19 10시 13시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
298 2012-07-20 10시 13시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
299 2012-07-24 10시 13시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
300 2012-07-25 10시 11시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
301 2012-07-25 10시 13시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
302 2012-07-25 10시 11시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
303 2012-07-26 10시 11시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
304 2012-07-30 10시 11시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
305 2012-08-09 18시 21시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
306 2012-08-09 18시 21시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
307 2012-08-10 18시 21시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
308 2012-08-14 18시 19시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
309 2012-08-15 18시 19시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
310 2012-08-16 18시 21시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
311 2012-08-17 18시 19시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
312 2012-08-23 18시 21시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
313 2012-08-24 18시 19시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
314 2012-08-24 18시 19시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
315 2012-09-05 11시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
316 2012-09-06 11시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
317 2012-09-12 11시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
318 2012-09-13 11시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
319 2012-09-13 15시 18시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
320 2012-09-14 11시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
321 2012-09-14 11시 12시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
322 2012-09-19 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
323 2012-09-20 10시 11시 P+ Doping 진행
1. Energy : 30keV
2. Energy : 40keV		 연세대학교 신소재공학과 김병주 200,000원
324 2012-09-20 11시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
325 2012-09-26 11시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
326 2012-10-12 14시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 675,000원
327 2012-10-16 12시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 1,080,000원
328 2012-10-17 15시 16시 Ph Doping 30keV, 1E14 cm-2 연세대학교 신소재공학과 김병주 145,000원
329 2012-10-30 12시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 945,000원
330 2012-11-09 17시 20시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
331 2012-11-13 17시 20시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
332 2012-11-14 16시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
333 2012-11-14 17시 18시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
334 2012-11-15 15시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
335 2012-11-16 17시 18시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
336 2012-11-16 17시 18시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 135,000원
337 2012-11-16 17시 20시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
338 2012-11-19 17시 20시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
339 2012-11-21 17시 20시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
340 2012-11-22 14시 15시 MID Current Implater 진행 연세대학교 신소재공학과 김병주 150,000원
341 2012-12-12 10시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 945,000원
342 2012-12-18 15시 20시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 675,000원
343 2012-12-19 10시 18시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 1,080,000원
344 2012-12-24 10시 11시 2-2-1. ISO Implant
Implant_MC (Ar, 1E14, 100KeV)		 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 350,000원
345 2013-01-07 18시 19시 P, 30keV 1E14 진행 연세대학교 신소재공학과 김병주 150,000원
346 2013-01-08 10시 14시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 540,000원
347 2013-01-15 13시 18시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 675,000원
348 2013-01-21 13시 17시 고농도 doping(P+,N+,Back Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 540,000원
349 2013-01-24 13시 17시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 540,000원
350 2013-01-24 13시 16시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 405,000원
351 2013-02-06 16시 17시 2-2-1 Ar Implant LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 400,000원
352 2013-02-07 08시 19시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 1,485,000원
353 2013-02-21 09시 18시 저농도 doping(J-Imp,P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 1,215,000원
354 2013-03-11 14시 16시 2-2-1 ISO Ar Implant MC LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
355 2013-03-18 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 6,600,000원
356 2013-03-22 12시 15시 2-2-1 ISO Ar Implant LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 400,000원
357 2013-03-22 15시 16시 2-2-1 ISO Ar Implant LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 400,000원
358 2013-04-11 12시 14시 2-2-1 ISO Ar Implantation LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
359 2013-04-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 6,600,000원
360 2013-04-30 14시 16시 2-2-1 ISO Ar Implant LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 700,000원
361 2013-05-15 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
362 2013-05-31 9시 11시 2-2-1 ISO Ar Implant LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 1,300,000원
363 2013-06-15 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
364 2013-07-02 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,060,000원
365 2013-08-02 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,060,000원
366 2013-08-05 10시 12시 2-2-1 ISO Ar Implant LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 550,000원
367 2013-09-16 12시 14시 Dose : 1*10^14
Implantation energy (KeV) : 100

B,P Doping

서울시립대학교 물리학과 장승훈 300,000원
368 2013-09-16 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,060,000원
369 2013-10-07 11시 12시 Implant (B, 1E14, 60KeV) TE connectivity R&D 박봉현 250,000원
370 2013-10-08 10시 12시 P, 100keV, 1x10^14 2회 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 170,000원
371 2013-10-10 9시 17시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,060,000원
372 2013-10-24 12시 14시 2-2-1 ISO Ar Implant LG이노텍 차세대소자개발 서덕원 400,000원
373 2013-11-15 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
374 2013-11-21 12시 15시 2-2-1 ISO Ar Implant LG이노텍 차세대소자개발 서덕원 400,000원
375 2013-12-14 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
376 2014-01-14 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
377 2014-02-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
378 2014-03-11 10시 11시 2-1-1 Posphoruous Implant 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
379 2014-03-15 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
380 2014-03-25 12시 16시 Ar 6장 ( 60KeV, 1.0E14 )
P 8장 ( 100KeV, 1.8E12 )
B 4장 ( 40KeV, 1.0E14 )		 전북대학교 기계공학과 최재호 1,200,000원
381 2014-04-01 14시 16시 P 2장 ( 100KeV, 1.8E12 )
B 2장 ( 40KeV, 1.0E14 ) 		전북대학교 기계공학과 최재호 400,000원
382 2014-04-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
383 2014-04-16 9시 10시 2-1-1 ION implant 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
384 2014-05-09 6시 7시 2-1-1 ION Implant P, 40KeV, 1e12 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
385 2014-05-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
386 2014-05-15 8시 10시 2-2-1 ION implant P, 40KeV, 8E15 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 35,000원
387 2014-06-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
388 2014-07-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
389 2014-08-04 11시 15시 P, 40KeV, 1E13, 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 275,000원
390 2014-08-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
391 2014-09-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
392 2014-10-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
393 2014-11-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
394 2014-11-18 11시 16시 BIOFET6_2 1-3-1 MC_IMP P,40kev 1e12
1-3-2 MC_IMP P,40kev 1e13
1-3-4 MC_IMP P,40kev 1e14		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 205,000원
395 2014-11-18 16시 17시 biofet6_3 1-3-1 P,50Kev 1e13 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 170,000원
396 2014-11-26 11시 12시 1-3-1 ION implatation (BioFET 2차 추가 진행)
Phos. 40keV 1E12		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 94,500원
397 2014-12-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
398 2015-01-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
399 2015-02-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
400 2015-03-05 10시 11시 1-3-1 MCI P 50KeV,5e13 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
401 2015-03-05 9시 10시 1-3-1 MCI P,50Kev 1e13 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
402 2015-03-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
403 2015-04-29 15시 15시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
404 2015-05-02 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
405 2015-06-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
406 2015-06-26 10시 11시 3-2-1 IMP P,50Kev,5e13 전북대학교 전자공학부 김기현 240,000원
407 2015-07-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
408 2015-07-21 9시 12시 2-2-2 ISO Implant Ar Implant Implant_MC Ar, 1E14, 100KeV
포항공과대학교 기술지원팀 최경근 170,000원
409 2015-08-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
410 2015-08-21 9시 10시 1-4-2 Ch.IIP ION implant Posphoruous_IMP P 40Kev 1E13
포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 240,000원
411 2015-09-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
412 2015-10-08 15시 16시 2-2-2 ISO IMP Ar ,1E14, 100KeV 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 170,000원
413 2015-10-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
414 2015-11-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
415 2015-12-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
416 2016-01-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
417 2016-02-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
418 2016-03-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
419 2016-04-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
420 2016-05-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
421 2016-06-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
422 2016-07-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
423 2016-08-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
424 2016-09-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
425 2016-10-12 9시 12시 0-3-1 MCI Phosphorous 160keV 1E13 (주) 이너센서 이너센서 강문식 250,000원
426 2016-10-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
427 2016-11-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
428 2016-12-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
429 2017-01-13 9시 18시 저농도 doping(J-Imp, P-Imp)
 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 6,600,000원
430 2017-12-05 9시 18시 열전소자용 Implantation 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 850,000원
431 2018-01-30 16시 20시 Ar implantation
1E12, 1E14 각 1회		 순천대학교 인쇄전자공학과 곽준섭 500,000원
432 2018-05-09 15시 18시 2-2-1
11B 5.2E13 60keV 8매		 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 900,000원
433 2018-05-18 14시 16시 3-8-1 P 1E12 100KeV 7매(6+1) 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 825,000원
434 2018-05-30 14시 16시 4-5-1 GATE Pwell IMP 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 750,000원
435 2018-05-31 14시 15시 .. 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
436 2018-06-25 15시 17시 안녕하세요.
기종 선생님께 메일을 드린 DGIST 고민지 입니다.

Si 웨이퍼 위 SiO2 600nm 증착 후, 그 위에 포토리소그래피로 패터닝하여 PR 패턴을 만들어 갈 예정 입니다.

Boron, 50keV, 1e15 조건이 가능한지 문의 드립니다. (도즈량이 제한된다면 낮출 용의도 있습니다.)
메일과 함께 검토를 부탁드립니다.
감사합니다.

B 1E14 60K 6회(1flat 앞/뒤, 2flat 앞면만 각 2매)		 대구경북과학기술원(DGIST) 신물질과학 고민지 840,000원
437 2018-07-02 16시 18시 out-diffusion 방지용 screen oxide만 증착된 silicon wafer 조각

메일로 문의드린대로 dopant 종류 P, energy 100keV, dose량 1E15 /cm2로

이온 주입 의뢰드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 375,000원
438 2018-07-03 10시 12시 hard mask (SiO2 27nm) 증착된 Si wafer입니다.

어제 (18년 7월 2일) 의뢰드렸던 Phosphorus doping (40 keV, 5E14 dose)와 동일한 recipe로

이온 주입 의뢰드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 375,000원
439 2018-07-05 10시 12시 150keV Dose: 3E13(P) 1매
150keV Dose: 5E12(P) 2매
150keV Dose: 1E13(P) 2매		 주식회사 아르케 연구개발 사공성환 800,000원
440 2018-07-05 13시 17시 boron(11)
Energy 50 keV
Dose 1*10^15

6inch 3매 (5E14X2) total 6회		 대구경북과학기술원 에너지공학부 이양수 840,000원
441 2018-07-09 14시 17시 30keV Dose: 5E13(B) 5매 주식회사 아르케 연구개발 사공성환 800,000원
442 2018-07-11 10시 12시 6인치 웨이퍼에 SPM 클리닝 진행 후, 자연 산화막 제거를 위한 BOE 처리 후 택배 발송 드릴 예정 입니다.
웨이퍼 3장에 대하여, Boron, 40keV, 1E12, 1E13, 1E14/cm2으로 각각 도핑을 의뢰 드립니다.
감사합니다.		 대구경북과학기술원(DGIST) 신물질과학 고민지 570,000원
443 2018-07-12 13시 15시 SOI wafer의 device layer가 격자 무늬로 패터닝 되어 있습니다.

공정 조건입니다.
Concentration : 1.0 e 15
Energy : 180 kev(위의 농도 조건에서 최대한 큰 에너지)
 UNIST 물리학과 박명곤 480,000원
444 2018-07-19 17시 18시 2-2-1 RX implant 4매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 620,000원
445 2018-07-19 18시 19시 2-2-1 RX implant 5매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 700,000원
446 2018-08-06 12시 15시 2-2-1 Implant_MC Ar 5E14 80K 8매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 940,000원
447 2018-08-06 15시 17시 Wafer 절반 Photo Resist Coating 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 600,000원
448 2018-08-07 9시 10시 안녕하세요.
DGIST 고민지 입니다.

웨이퍼 2장의 앞면에 대하여 Boron, 60keV, 1E14로 각각 도핑을 의뢰드립니다.
자세한 사항은 메일로 말씀드리겠습니다.
감사합니다.

고민지 드림		 대구경북과학기술원(DGIST) 신물질과학 고민지 480,000원
449 2018-08-09 16시 18시 2-2-1 MC implanter 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 940,000원
450 2018-08-27 9시 11시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 940,000원
451 2018-09-04 16시 17시 2-2-1 Ar implanter 6매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 780,000원
452 2018-09-04 17시 18시 2-2-1 Ar implanter 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 780,000원
453 2018-09-10 13시 14시 Phosphorus, 200 KeV, 1e14/cm2, Implant 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 375,000원
454 2018-09-12 10시 13시 1 NLAD07-02-W03 727 B 80 2E+12
2 NLAD07-02-W04 727 B 80 5E+12
3 NLAD07-02-W05 727 B 80 1E+13
4 NLAD07-02-W06 727 B 80 5E+13
 삼성전자 기술원 Nano Electronics Lab 박진주 640,000원
455 2018-09-13 16시 18시 2-2-1 Ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 780,000원
456 2018-09-14 9시 12시 안녕하세요. 삼성전자 기술원 박진주입니다.
9매 Wafer에 대해 하기 조건으로 ion implant 진행 요청드립니다.
시편은 9/12 (목) 퀵서비스로 전달드릴 예정입니다.
flat zone 음각된 정보 기준으로 요청드리며, 완료시점에 퀵서비스를 보내드릴 수 있도록 미리 일정에 대해 알려주시면 감사하겠습니다.

1 / NLAD07-03-W06 / B, 80keV, 5E11ions/cm2
2 / NLAD07-03-W09 / B, 80keV, 2E12ions/cm2
3 / NLAD07-03-W10 / B, 80keV, 5E12ions/cm2
4 / NLAD07-03-W11 / B, 80keV, 1E13ions/cm2
5 / NLAD08-01-W05 / B, 80keV, 5E11ions/cm2
6 / NLAD08-01-W07 / B, 80keV, 2E12ions/cm2
7 / NLAD08-01-W08 / B, 80keV, 5E12ions/cm2
8 / NLAD08-01-W10 / B, 80keV, 8E12ions/cm2
9 / NLAD08-01-W12 / B, 80keV, 1E13ions/cm2
 삼성전자 기술원 Nano Electronics Lab 박진주 1,065,000원
457 2018-09-17 10시 12시 IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
458 2018-09-20 16시 18시 2-2-1 Ar 5E14 80K 6매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 780,000원
459 2018-09-28 15시 16시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 940,000원
460 2018-09-28 16시 18시 안녕하세요. 삼성전자 기술원 박진주입니다.
추석 이후 ion implant 진행 요청드리는 Wafer 5매에 대한 조건 전달드립니다.
시편은 명일 출발하여 아마 기사님께서 보관하고 계시다가 9/28일 오전에 기종 연구원님께 전달드릴 예정입니다.
감사합니다.


No. Lot ID 음각 Ion source 1차 IIP 2차 IIP 3차 IIP
Energy (keV) Dose (ions/cm2) Energy (keV) Dose (ions/cm2) Energy (keV) Dose (ions/cm2)
1 NLAD08-02-W02 B 80 5E+11 - - - -
2 NLAD08-02-W03 B 80 2E+12 - - - -
3 NLAD08-02-W04 B 80 2E+12 - - - -
4 NLAD08-02-W06 B 80 2E+12 60 5E+11 40 3E+11
5 NLAD08-02-W07 B 80 2E+12 60 1E+12 40 7E+11

4,5번 Wafer는 Wafer 1매에 3회에 걸친 implant를 요청드립니다.
 삼성전자 기술원 Nano Electronics Lab 박진주 1,365,000원
461 2018-09-28 16시 17시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 940,000원
462 2018-10-01 12시 15시 안녕하세요. 삼성전자 기술원 박진주입니다.
680um 8inch dummy Si wafer에 750um 조각시편이 붙어있는 구성이며, 4매입니다.
4번째 Wafer는 3회에 걸친 multi-IIP 진행 요청드립니다.

#1 Ion source: B, Energy: 80, dose: 2E12ions/cm2
#2 Ion source: B, Energy: 80, dose: 2E13ions/cm2
#3 Ion source: B, Energy: 80, dose: 2E14ions/cm2
#4 ① Ion source: B, Energy: 80, dose: 2E13ions/cm2 / ② Ion source: B, Energy: 60, dose: 5E12ions/cm2 / ③ Ion source: B, Energy: 40, dose: 1E12ions/cm2

감사합니다.		 삼성전자 기술원 Nano Electronics Lab 박진주 1,110,000원
463 2018-10-01 14시 16시 11B 3.1E13 120KEV 3매 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
464 2018-10-05 10시 12시 2-2-1 Ar implanter 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 620,000원
465 2018-10-16 15시 16시 AR 5E14 80K 6매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 780,000원
466 2018-10-16 16시 17시 AR 5E14 80K 6매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 780,000원
467 2018-10-22 9시 11시 2-2-1 Ar implanter 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 940,000원
468 2018-10-30 10시 14시 안녕하세요. 삼성전자 기술원 박진주입니다.
1매는 8inch 온장 wafer,
3매는 680um 8inch dummy Si wafer에 750um 조각시편이 붙어있는 구성입니다.
#4라 표기된 마지막 Wafer는 3회에 걸친 multi-IIP 진행 요청드립니다.


1. 온장 8'' WF_음각: NLAD09-01-W15 / ion souce : B, Energy : 80, dose : 5E11
2. 조각 부착 WF_(12조각) / ion souce : B, Energy : 80, dose : 5E11
3. 조각 부착 WF_(9조각) / ion souce : B, Energy : 80, dose : 2E12
4. 조각 부착 WF_(9조각) / ion souce : B, ① Energy : 80, dose : 2E12 ② Energy : 50, dose 8E11 ③ Energy : 30, dose 5E11

감사합니다.		 삼성전자 기술원 Nano Electronics Lab 박진주 1,110,000원
469 2018-10-30 16시 17시 2-2-1 Ar Implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 940,000원
470 2018-10-30 17시 18시 2-2-1 Ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 940,000원
471 2018-11-06 16시 17시 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 860,000원
472 2018-11-06 17시 18시 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 940,000원
473 2018-11-12 10시 11시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 780,000원
474 2018-11-13 13시 15시 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 700,000원
475 2018-11-15 14시 16시 P 1.838E12 200K T7 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
476 2018-11-26 12시 15시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 940,000원
477 2018-11-26 16시 17시 B 8.9E12 100K 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
478 2018-11-26 17시 18시 P 1.8E12 T7 200K 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
479 2018-11-29 10시 11시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 780,000원
480 2018-12-05 10시 11시 B 8.192E12 100K 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
481 2018-12-05 15시 17시 2-2-1 AR Implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 780,000원
482 2018-12-06 10시 12시 P 1.8E12 200K T7 R2 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
483 2018-12-10 16시 17시 B 8.192E12 100K 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
484 2018-12-12 10시 12시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 780,000원
485 2018-12-18 16시 17시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 780,000원
486 2018-12-18 17시 18시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 780,000원
487 2018-12-27 15시 17시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 940,000원
488 2018-12-28 13시 17시 AR 5E15 80K T0/7 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,105,000원
489 2019-01-02 16시 17시 2-2-1 rx implant ar implant mc 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
490 2019-01-07 15시 16시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 675,000원
491 2019-01-14 15시 16시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
492 2019-01-15 10시 15시 안녕하세요. 삼성전자 기술원 박진주입니다.
보내드릴 8inch Si wafer 4매는 680um 8inch dummy Si wafer에 750um 조각시편이 붙어있는 구성입니다.

1. ion souce : P, Energy : 100, dose : 2E12 ions/cm2
2. ion souce : P, Energy : 80, dose : 2E12 ions/cm2
3. ion souce : P, Energy : 58, dose : 2E12 ions/cm2
4. ion souce : P, Energy : 52, dose : 2E12 ions/cm2

조건에 문제가 없는지 확인 부탁드립니다.
감사합니다.		 삼성전자 기술원 Nano Electronics Lab 박진주 640,000원
493 2019-01-15 9시 17시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_T/F 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,300,000원
494 2019-01-17 17시 18시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
495 2019-01-17 18시 19시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
496 2019-01-17 9시 11시 Single
Ph implanter		 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
497 2019-01-18 13시 16시 Single
B implanter		 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
498 2019-01-18 16시 18시 2 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
499 2019-01-19 11시 13시 Single
Ph implanter		 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
500 2019-01-19 12시 14시 5 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
501 2019-01-19 13시 15시 Single
B implanter		 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
502 2019-01-20 12시 14시 9 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
503 2019-01-20 15시 17시 Single
B implanter		 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
504 2019-01-20 9시 11시 Single
Ph implanter		 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
505 2019-01-21 10시 12시 12 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
506 2019-01-21 14시 15시 Single
B implanter		 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
507 2019-01-21 17시 19시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
508 2019-01-21 9시 11시 Single
Ph implanter		 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
509 2019-01-22 10시 11시 Single
Ph implanter		 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
510 2019-01-22 13시 15시 16 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
511 2019-01-22 14시 18시 Single B implanter 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
512 2019-01-23 11시 13시 Single Ph implanter
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
513 2019-01-23 14시 17시 Single B implanter
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
514 2019-01-23 9시 11시 19 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
515 2019-01-24 10시 11시 Single Ph implanter 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
516 2019-01-24 14시 15시 Single B implanter
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
517 2019-01-24 16시 18시 26 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
518 2019-01-24 9시 11시 23 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
519 2019-01-25 10시 11시 Single Ph implanter
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
520 2019-01-25 10시 12시 30 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
521 2019-01-25 14시 15시 Single B implanter
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
522 2019-01-25 17시 19시 33 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
523 2019-01-26 10시 12시 37 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
524 2019-01-26 14시 16시 Single B implanter

 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
525 2019-01-26 15시 18시 40 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
526 2019-01-26 9시 11시 Single Ph implanter

 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
527 2019-01-28 11시 13시 44 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
528 2019-01-28 16시 18시 47 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
529 2019-01-28 9시 11시 Single Ph implanter
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
530 2019-01-29 10시 12시 51 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
531 2019-01-29 14시 16시 Single B implanter
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
532 2019-01-29 17시 19시 54 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
533 2019-01-29 9시 11시 Single Ph implanter
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
534 2019-01-30 16시 18시 58 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
535 2019-01-30 9시 11시 Single Ph implanter
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
536 2019-01-31 14시 16시 Single B implanter
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
537 2019-01-31 15시 17시 61 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
538 2019-01-31 16시 18시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 750,000원
539 2019-01-31 17시 19시 Single B implanter
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
540 2019-02-08 15시 18시 Single
P 40K 7.2E11		 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
541 2019-02-11 13시 15시 Double
64 P IMP		 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
542 2019-02-11 16시 18시 SINGLE 63 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
543 2019-02-11 18시 20시 Double 66 BIMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
544 2019-02-12 16시 18시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
545 2019-02-13 9시 11시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_thinfilm 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,300,000원
546 2019-02-21 17시 18시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
547 2019-02-25 20시 22시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
548 2019-03-04 13시 15시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
549 2019-03-04 17시 18시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
550 2019-03-05 14시 17시 안녕하세요. 삼성전자 기술원 박진주입니다.
보내드릴 8inch Si wafer 3매는 680um 8inch dummy Si wafer에 750um 두께의 조각시편이 붙어있는 구성입니다.
네임펜 마킹된 슬롯에 일치하도록 하기 공정 완료된 wafer를 꽂아주시기 바랍니다.

1. ion souce : Ar, Energy : 80keV, dose : 2E12 ions/cm2
2. ion souce : Ar, Energy : 90keV, dose : 2E12 ions/cm2
3. ion souce : Ar, Energy : 100keV, dose : 2E12 ions/cm2

조건에 문제가 없는지 확인 후 진행 부탁드립니다.
감사합니다.		 삼성전자 기술원 Nano Electronics Lab 박진주 540,000원
551 2019-03-07 14시 17시 안녕하세요. 삼성전자 기술원 박진주입니다.
5매 모두 B, 80keV, 2E12 ions/cm2 조건으로 Ion implant 요청드립니다.
시편은 금일 발송할 계획이며, 완료 시점에 전화주시면 퀵통해서 가져가겠습니다.
감사합니다.		 삼성전자 기술원 Nano Electronics Lab 박진주 700,000원
552 2019-03-11 21시 23시 2-2-1 Ar implanter 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
553 2019-03-15 9시 17시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Thin 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,300,000원
554 2019-03-19 14시 16시 안녕하세요. 삼성전자 기술원 박진주입니다.
하기 3가지 조건으로 ion implant 진행 요청드립니다.
1. bare Si에 조각시편 6개가 부착된 시편, Ar, 110keV, 2E12ions/cm2
2. bare Si에 조각시편 6개가 부착된 시편, Ar, 115keV, 2E12ions/cm2
3. 온장 wafer로 공정 진행된 시편 , Ar, 120keV, 2E12ions/cm2

감사합니다.		 삼성전자 기술원 Nano Electronics Lab 박진주 540,000원
555 2019-03-19 17시 19시 2-2-1 Ar Imp 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
556 2019-03-22 10시 12시 2-2-1 Ar imp 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
557 2019-03-22 13시 16시 안녕하세요. 삼성전자 기술원 박진주입니다.
모든 wafer 10매는 B, 80keV, 2E12ions/cm2 조건으로 Ion implant 진행 요청드립니다.
감사합니다.		 삼성전자 기술원 Nano Electronics Lab 박진주 1,100,000원
558 2019-03-26 10시 11시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
559 2019-03-27 16시 17시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
560 2019-04-01 17시 18시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
561 2019-04-04 13시 15시 2-2-1 Ar Imp 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
562 2019-04-08 17시 18시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
563 2019-04-16 17시 19시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
564 2019-04-17 9시 17시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_diff 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,300,000원
565 2019-04-22 13시 15시 2-2-1 Ar IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
566 2019-04-30 11시 12시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
567 2019-05-06 9시 11시 위로부터 프로필이 다음과 같습니다.
Al2O3 (10nm)/ SiO2 (300 nm)/ Si로 이뤄진 기판 1장 입니다.

Ar이온 implant를 하고싶습니다.

20 keV, 10^14/cm^2

40 keV, 10^14/cm^2으로 제작을 하고싶습니다.

Al2O3를 ALD공정으로 나노센터 이정익 선생님께 5월 3일 의뢰하였는데요. 이정익 선생님께 ALD된 샘플들 보관함을 받으신 다음에 거기서 기판 한 장에 공정을 진행해주시면 될 것 같습니다.
그 기판 한 장을 반절로 커팅하고 뒷면에 네임펜으로 20 keV 10^14/cm^2, 40 keV, 10^14/cm^2를 적어주시고 조각별로 각각 공정을 진행해 주실 수 있으신지요?

낮에 전화했을 때는 다른 분이 받으셨는데 공정진행이 가능할 것 같다고 하셨는데 혹시 변경사항이 있으시면 전화 주세요

이철훈 (010-3815-3417)입니다. 감사합니다.

 포항공과대학교 화학공학과 이철훈 390,000원
568 2019-05-09 17시 18시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
569 2019-05-10 14시 16시 2-2-1 Boron implant 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 810,000원
570 2019-05-15 9시 18시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Thin film 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,300,000원
571 2019-05-16 16시 17시 3-8-1 MC_IMP P 1E12 100K 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 810,000원
572 2019-05-20 11시 12시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 750,000원
573 2019-05-23 16시 17시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
574 2019-05-23 16시 17시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 675,000원
575 2019-05-29 16시 17시 4-5-1 MC_IMP 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 810,000원
576 2019-06-11 13시 16시 2 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
577 2019-06-12 13시 15시 5 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
578 2019-06-13 13시 16시 9 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
579 2019-06-14 13시 16시 12 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
580 2019-06-17 13시 16시 16 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
581 2019-06-18 13시 15시 19 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
582 2019-06-20 16시 18시 23 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
583 2019-06-20 9시 14시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,300,000원
584 2019-06-21 13시 14시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
585 2019-06-21 14시 16시 26 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
586 2019-06-24 14시 16시 30 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
587 2019-06-25 13시 15시 33 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
588 2019-06-26 13시 16시 37 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
589 2019-06-27 13시 15시 40 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
590 2019-06-28 13시 16시 44 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
591 2019-06-29 13시 16시 47 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
592 2019-07-01 13시 16시 51 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
593 2019-07-02 13시 16시 54 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
594 2019-07-02 16시 19시 5-5-1 P+ IMP 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,830,000원
595 2019-07-03 15시 18시 58 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
596 2019-07-04 13시 16시 61 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
597 2019-07-05 10시 12시 64 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
598 2019-07-05 15시 18시 66 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
599 2019-07-10 15시 16시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 750,000원
600 2019-07-11 14시 15시 2-2-1 Ar IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
601 2019-07-11 15시 16시 2-2-1 Ar IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
602 2019-07-17 14시 15시 2-2-1 Ar IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
603 2019-07-17 15시 16시 2-2-1 Ar IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
604 2019-07-17 9시 12시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,300,000원
605 2019-07-22 14시 15시 2-2-1 Ar IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 675,000원
606 2019-07-22 15시 16시 2-2-1 Ar IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
607 2019-07-24 13시 14시 Pt/W/Thermal silicon oxide/Undoped poly Silicon film(Silicon 기판)

Pt/W gate 전극을 implantation mask로 활용하고자 하며, source 및 drain N+ 형성을 목적으로 하고 있습니다.

요구 물질은 P(4e15, 100keV)이나, 장비 허용범위를 넘는 경우 알려주시면 감사하겠습니다.

-> P 5E14 100K 2회 진행		 포항공과대학교 신소재공학과 이상민 480,000원
608 2019-08-02 17시 18시 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 750,000원
609 2019-08-02 18시 19시 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 750,000원
610 2019-08-07 16시 17시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 750,000원
611 2019-08-07 17시 18시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 675,000원
612 2019-08-13 16시 17시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 750,000원
613 2019-08-16 10시 11시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 750,000원
614 2019-08-19 16시 18시 E: 45keV(PR=54.7nm) Dose: 5E13(P)
E: 50keV(PR=60.7nm) Dose: 5E13(P)		 주식회사 아르케 SIC 생산본부 노병훈 500,000원
615 2019-08-26 13시 19시 P 4E15 80K 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 2,340,000원
616 2019-08-26 9시 10시 차세대 실리콘 파워반도체 기술사업화 계약 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,300,000원
617 2019-08-27 14시 15시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 750,000원
618 2019-08-27 15시 16시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 525,000원
619 2019-08-30 10시 13시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
620 2019-08-30 13시 15시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
621 2019-09-03 14시 16시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
622 2019-09-09 15시 16시 2-2-1 AR IIMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
623 2019-09-09 16시 17시 2-2-1 AR IIMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
624 2019-09-10 10시 12시 2 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
625 2019-09-11 13시 15시 5 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
626 2019-09-17 15시 17시 2-2-1 Ar IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
627 2019-09-18 10시 15시 9 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
628 2019-09-18 16시 17시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
629 2019-09-19 17시 18시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
630 2019-09-19 17시 19시 12 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
631 2019-09-19 18시 19시 E: 45keV(PR=54.7nm)
Dose: 1E14(P)		 주식회사 아르케 SIC 생산본부 노병훈 600,000원
632 2019-09-23 10시 17시 Ion Implantation 공정 관련하여 의뢰 조건은 아래와 같습니다..

1. Sample size : 6inch Si 2장 (패턴 없는 Bare wafer 상태)
2. Source : phosphorus (P)
3. Energy : 30 keV -> 40keV
4. Dose : 5E15
5. Tilt/Twist angle : 0 deg

위와 같이 공정 의뢰 합니다.
감사합니다.		 AP시스템 연구소 김승환 1,300,000원
633 2019-09-23 17시 18시 16 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
634 2019-09-24 13시 16시 19 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
635 2019-09-26 15시 17시 26 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
636 2019-09-26 9시 12시 23 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
637 2019-09-27 13시 15시 30 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
638 2019-09-30 10시 12시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
639 2019-10-01 15시 17시 37 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
640 2019-10-01 9시 11시 33 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
641 2019-10-02 13시 15시 40 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
642 2019-10-07 15시 17시 44 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
643 2019-10-08 15시 16시 B 5E14 30keV 주식회사 아르케 SIC 생산본부 노병훈 500,000원
644 2019-10-08 16시 18시 47 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
645 2019-10-10 10시 12시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
646 2019-10-15 13시 15시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
647 2019-10-15 15시 17시 2 p imp 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
648 2019-10-16 13시 15시 5 B imp 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
649 2019-10-17 10시 11시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
650 2019-10-17 13시 15시 9 P imp 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
651 2019-10-18 10시 12시 12 B imp 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
652 2019-10-21 14시 16시 16 P imp 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
653 2019-10-22 13시 15시 19 B imp 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
654 2019-10-23 13시 15시 23 P imp 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
655 2019-10-24 14시 15시 26 B imp 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
656 2019-10-28 13시 15시 30 P imp 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
657 2019-10-28 15시 18시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
658 2019-10-29 13시 14시 33 B imp 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
659 2019-10-29 16시 17시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
660 2019-10-30 14시 16시 37 P imp 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
661 2019-10-31 13시 15시 40 B imp 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
662 2019-10-31 9시 11시 2 P imp 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
663 2019-11-01 13시 15시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
664 2019-11-01 14시 16시 44 P imp 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
665 2019-11-01 16시 18시 5 B imp 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
666 2019-11-04 10시 12시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
667 2019-11-04 13시 15시 47 B imp 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
668 2019-11-05 14시 15시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
669 2019-11-05 14시 16시 51 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
670 2019-11-06 13시 15시 54 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
671 2019-11-06 9시 10시 9 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
672 2019-11-07 13시 14시 12 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
673 2019-11-08 13시 14시 16 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
674 2019-11-11 14시 15시 19 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
675 2019-11-12 10시 11시 B IMP (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 555,000원
676 2019-11-12 13시 15시 23 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
677 2019-11-12 15시 16시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
678 2019-11-12 16시 18시 58 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
679 2019-11-14 13시 14시 26 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
680 2019-11-14 9시 11시 61 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
681 2019-11-14 9시 15시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 4,300,000원
682 2019-11-15 14시 15시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
683 2019-11-15 16시 17시 3-8-1 P IMP (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 555,000원
684 2019-11-15 9시 15시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 4,300,000원
685 2019-11-15 9시 10시 64 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
686 2019-11-20 10시 11시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
687 2019-11-21 10시 12시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
688 2019-11-21 17시 19시 66 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
689 2019-11-25 12시 13시 30 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
690 2019-11-26 14시 15시 poly-si channel 의 SOI structure 이용 포항공과대학교 신소재공학과 이종원 390,000원
691 2019-12-02 10시 11시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 500,000원
692 2019-12-02 10시 13시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 750,000원
693 2019-12-02 9시 11시 33 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
694 2019-12-02 9시 10시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
695 2019-12-04 9시 18시 5-2-1 P 1E16 110K 4매 (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 2,000,000원
696 2019-12-05 14시 16시 wafer size : 4" 4매, 4" (조각나있는 샘플) 1매로 총 5매
Dopant : B (boron)
Dose : 1E13
Energy : 30keV
입사방향 : 수직
샘플 rotation 진행		 국민대학교 화학과 고민지 800,000원
697 2019-12-05 16시 19시 5-5-1 B IMP (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 2,000,000원
698 2019-12-05 9시 10시 2 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
699 2019-12-06 16시 17시 5 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
700 2019-12-06 16시 17시 2-2-1 rx ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
701 2019-12-10 17시 19시 37 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
702 2019-12-11 14시 16시 40 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
703 2019-12-11 17시 18시 12 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
704 2019-12-11 9시 10시 9 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
705 2019-12-12 15시 17시 44 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
706 2019-12-13 13시 14시 47 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
707 2019-12-13 15시 16시 16 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
708 2019-12-13 9시 15시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 4,300,000원
709 2019-12-16 13시 14시 19 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
710 2019-12-16 15시 17시 51 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
711 2019-12-16 17시 18시 PR 코팅 된 조각 샘플 4개 공정 의뢰 합니다.
세부 공정 요청은 다음과 같습니다.
Dopant: phosphorus
Dose: 1e15 (P)
Energy: 60 keV		 포항공과대학교 신소재공학과 이종원 390,000원
712 2019-12-16 9시 15시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 4,300,000원
713 2019-12-17 13시 14시 54 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
714 2019-12-17 14시 16시 23 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
715 2019-12-17 16시 17시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 750,000원
716 2019-12-17 17시 18시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
717 2019-12-18 13시 14시 26 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
718 2020-01-02 12시 13시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
719 2020-01-02 14시 15시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
720 2020-01-02 15시 16시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
721 2020-01-02 17시 18시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 525,000원
722 2020-01-03 15시 16시 58 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
723 2020-01-03 9시 11시 30 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
724 2020-01-06 13시 14시 33 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
725 2020-01-06 16시 17시 61 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
726 2020-01-08 10시 11시 64 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
727 2020-01-08 16시 18시 66 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
728 2020-01-08 9시 10시 37 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
729 2020-01-09 9시 10시 40 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
730 2020-01-13 9시 15시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 4,300,000원
731 2020-01-14 14시 15시 44 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
732 2020-01-15 14시 15시 47 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
733 2020-01-15 17시 18시 2-2-1 Ar IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
734 2020-01-16 9시 15시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 4,300,000원
735 2020-01-20 14시 16시 51 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
736 2020-01-20 17시 18시 2-2-1 Ar IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 675,000원
737 2020-01-21 13시 14시 54 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
738 2020-01-28 13시 14시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
739 2020-01-28 14시 15시 2-2-1 rx implant ar implant 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
740 2020-01-30 10시 11시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
741 2020-01-30 11시 12시 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
742 2020-01-30 14시 16시 B 5E14 30K 주식회사 아르케 제조개발센터 사공성환 900,000원
743 2020-01-30 9시 10시 2-2-1 AR IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
744 2020-02-01 14시 15시 2 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
745 2020-02-01 15시 16시 2 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
746 2020-02-02 12시 13시 5 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
747 2020-02-02 13시 14시 5 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
748 2020-02-03 13시 14시 9 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
749 2020-02-03 14시 15시 9 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
750 2020-02-04 13시 14시 12 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
751 2020-02-04 14시 15시 12 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
752 2020-02-05 13시 14시 16 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
753 2020-02-05 14시 14시 16 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
754 2020-02-06 13시 15시 19 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
755 2020-02-08 12시 14시 23 P IMP 9.774E12 200KeV 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
756 2020-02-09 13시 14시 19 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
757 2020-02-09 14시 15시 26 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
758 2020-02-10 14시 15시 30 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
759 2020-02-10 14시 15시 30 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
760 2020-02-11 16시 17시 PR 코팅 된 조각 샘플 9개에 대한 공정 의뢰 합니다.
(4inch wafer 위에 모두 들어가도록 제작하였습니다.)

세부 공정 요청은 다음과 같습니다.
Dopant: Arsenic
Dose: 2E15 (As+)
Energy: 40 keV
=>변경내용
Dopant: Ph
Dose: 1E15
Energy: 40 keV

 포항공과대학교 신소재공학과 이종원 480,000원
761 2020-02-13 9시 15시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 4,300,000원
762 2020-02-14 13시 14시 33 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
763 2020-02-17 13시 15시 37 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
764 2020-02-17 9시 15시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 4,300,000원
765 2020-02-18 13시 15시 40 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
766 2020-02-18 14시 15시 26 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
767 2020-02-20 16시 18시 SS116 2-2-1 RX implant Ar imp 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
768 2020-02-20 9시 11시 44 P imp 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
769 2020-02-21 10시 12시 51 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
770 2020-02-26 13시 15시 30 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
771 2020-02-26 17시 19시 pGaN_ohmic SS117 2-2-1 Ar imp 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
772 2020-02-27 15시 16시 33 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
773 2020-02-28 9시 11시 Ar 80kev 5e14 imp dummy 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
774 2020-03-02 14시 15시 37 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
775 2020-03-02 14시 16시 2-2-1 Ar IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
776 2020-03-03 11시 12시 TFT_01 P+ 2-3-2 IMP B 36KeV 5E14 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 620,000원
777 2020-03-03 9시 11시 TFT_01 P+ 2-3-1 IMP B 36KeV 5E14 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 620,000원
778 2020-03-04 13시 14시 40 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
779 2020-03-04 9시 11시 Ar 80KeV 5e14 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,070,000원
780 2020-03-05 13시 14시 44 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
781 2020-03-06 13시 15시 47 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
782 2020-03-11 12시 14시 SS119_2-2-1 Ar IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
783 2020-03-12 16시 17시 Ar 80KeV 5E14 x 4매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
784 2020-03-13 9시 15시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 4,300,000원
785 2020-03-16 13시 14시 58 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
786 2020-03-16 9시 11시 Ar 80keV 5e14 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
787 2020-03-17 11시 12시 61 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
788 2020-03-17 12시 18시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 4,300,000원
789 2020-03-18 13시 14시 12 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
790 2020-03-19 13시 14시 16 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
791 2020-03-19 14시 15시 2-2-1 Ar IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 675,000원
792 2020-03-24 9시 11시 23 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
793 2020-03-26 10시 12시 2020.03.24 퀵 발송 자재 6매
Ar 80KeV 5e14		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
794 2020-03-26 15시 16시 33 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
795 2020-03-26 9시 10시 30 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
796 2020-03-27 13시 15시 TFT02 2-3-1 B 36keV 5e14 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
797 2020-03-27 15시 18시 TFT02 2-3-2 B 36keV 5e14 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
798 2020-03-30 9시 10시 2.0 Ar IIP 5E14 80KeV 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
799 2020-04-01 13시 14시 2-2-1 RX Implant Ar 5e14 x 4매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
800 2020-04-01 14시 15시 2-2-1 RX Implant Ar 5e14 x 8 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
801 2020-04-01 16시 18시 40 B IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
802 2020-04-02 9시 10시 1-2-1 IMP 1e-14, 50KeV 아모센스 개발팀 박종원 700,000원
803 2020-04-03 13시 14시 58 P IMP 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
804 2020-04-03 9시 12시 20200403_퀵 발송건 18매 Ar 80keV 5e14 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,560,000원
805 2020-04-09 10시 11시 2-2-1 RX Implant Ar 5E14 80KeV x 6매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 750,000원
806 2020-04-09 11시 12시 2-2-1 RX Implant Ar 5E14 80KeV x 4매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
807 2020-04-10 13시 15시 TFT 03 2-2-1 IMP B 36keV 5e14 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
808 2020-04-10 15시 18시 TFT 03 2-2-2 IMP B 36keV 5e14 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
809 2020-04-14 14시 15시 Ar IMP 5E14 8KeV x 6매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
810 2020-04-17 12시 18시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,300,000원
811 2020-04-24 18시 20시 2-2-1 Ar IMP Ar 80keV 5e14 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
812 2020-04-24 20시 22시 2-2-1 IMP B 36keV 5e14 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
813 2020-04-24 22시 24시 2-2-2 IMP B 36keV 5e14 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
814 2020-04-27 14시 15시 4/27일자 퀵 배송건에 대한 wafer 6매 Ar 80keV 4e15 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
815 2020-05-04 15시 16시 Ar IMP 5E14 80KeV x 6매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
816 2020-05-07 15시 16시 2-2-1 RX Implant Ar 5E14 80KeV x 5매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 675,000원
817 2020-05-08 13시 14시 2-2-1 Rx Implant Ar Implant 5E14 80KeV x 4매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
818 2020-05-08 9시 11시 안녕하세요
저번주 6인치 웨이퍼에 Ar이온 임플란트를 의뢰했던 이철훈입니다. (기판은 표면부터 Al2O3 (10nm)/SiO2(300 nm)/ Si wafer로 구성되어있습니다.)

가속전압은 30 KeV, 40KeV로 하고 dose는 10^14/cm^2으로 하고 싶습니다.

감사합니다.
 포항공과대학교 화학공학과 이철훈 780,000원
819 2020-05-13 9시 11시 Ar IIP 80KeV 5E14 x 6매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
820 2020-05-15 12시 18시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,300,000원
821 2020-05-15 9시 10시 Ar IMP Ar 80KeV 5E14 x 6매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
822 2020-05-18 14시 15시 2-2-1 RX Implant Ar 80KeV 5E14 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 750,000원
823 2020-05-18 9시 10시 2-2-1 RX Implant Ar Imp 80KeV 5E14 x 6매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 750,000원
824 2020-05-20 9시 10시 Ar IIP 80KeV 5E14 x 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
825 2020-05-29 13시 15시 2-2-1 IMP B 36keV 5e14 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
826 2020-05-29 15시 17시 2-2-2 IMP B 36keV 5e14 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
827 2020-06-05 9시 11시 AR IMP 80KeV 5E14 x 12매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,140,000원
828 2020-06-08 19시 20시 2-2-1 P+ IMP Boron 5E14 36KeV 2매 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 460,000원
829 2020-06-08 20시 21시 2-2-2 P+ IMP Boron 5E14 36KeV 2매 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 460,000원
830 2020-06-08 21시 22시 2-2-3 P+ IMP Boron 5E14 36KeV 2매 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 460,000원
831 2020-06-08 22시 23시 2-2-4 P+ IMP Boron 5E14 36KeV 2매 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 460,000원
832 2020-06-10 9시 10시 Ar IMP 80KeV 5E14 x 6매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
833 2020-06-15 12시 18시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,300,000원
834 2020-06-19 16시 17시 2-2-1 Ar IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 750,000원
835 2020-06-22 15시 17시 6/22일 퀵 M1GANP0631 6매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
836 2020-06-24 11시 13시 2-2-2 P+ IMP B 36keV 5E14 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
837 2020-06-24 13시 15시 2-2-3 P+ IMP B 36keV 5E14 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
838 2020-06-24 15시 18시 2-2-4 P+ IMP B 36keV 5E14 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
839 2020-06-24 17시 18시 6월24일 퀵 도착 6매 Ar 80keV 5E14 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
840 2020-06-24 18시 19시 2-2-1 Ar 80keV 5E14 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
841 2020-06-24 9시 11시 2-2-1 P+ IMP B 36keV 5E14 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
842 2020-07-01 13시 14시 안녕하세요. 삼성전자 종합기술원 박진주입니다. GaN on Si 조각시편 3개를 8inch wafer 1매에 부착하였으며, 오늘 오전 중 송부드릴 예정입니다. Ar, 40keV, 2E12ions/cm2, tilt angle 0도 조건으로 ion implant 부탁드립니다. 감사합니다.
=>Ar, 40keV, 6E12ions/cm2, tilt angle 0 진행		 삼성전자 기술원 Nano Electronics Lab 박진주 380,000원
843 2020-07-03 14시 15시 2-2-1 Rx Implant Ar 5E14 80KeV 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
844 2020-07-03 9시 10시 Ar IIP 80KeV 5E14 5ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 650,000원
845 2020-07-08 10시 12시 GaN on Si wafer에 PR이나 Ti로 patterning 되어있는 시편 삼성전자 기술원 Nano Electronics Lab 박진주 380,000원
846 2020-07-08 14시 17시 2-2-1 P+ IMP B 2e15 36KeV 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 460,000원
847 2020-07-08 14시 15시 2-2-2 P+ IMP B 2e15 36KeV 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 460,000원
848 2020-07-08 15시 16시 2-2-3 P+ IMP B 2e15 36KeV 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 460,000원
849 2020-07-08 16시 17시 2-2-4 P+ IMP B 2e15 36KeV 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 460,000원
850 2020-07-10 10시 11시 AR IIP 80KeV 5E14 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
851 2020-07-13 10시 11시 AR imp 80KeV 5e14 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
852 2020-07-13 11시 12시 2-2-1 Ar IMP 80KeV 5e14 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
853 2020-07-13 13시 14시 2-2-1 Ar IMP 80KeV 5e14 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
854 2020-07-15 12시 18시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,300,000원
855 2020-07-15 16시 17시 Ar IMP 5e14 80KeV 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
856 2020-07-21 10시 12시 안녕하세요. 삼성전자 기술원 박진주입니다.
해당 시편은 차주 월요일 (7/20) 송부드리겠습니다.
(pattern mask는 Ti이고, 그 위를 SiO2 30nm로 전면 증착)
대부분의 조건은 처음 진행해주신 내용과 동일한 Ar, 40keV, 6E12ions/cm2, tilt 0도 인데, 2매 조건이 달라서 상세 정보는 메일로 전달드리겠습니다. 감사합니다. 		삼성전자 기술원 Nano Electronics Lab 박진주 1,240,000원
857 2020-07-30 10시 12시 SS140 2--2-1 Ar IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 750,000원
858 2020-07-30 12시 13시 Ar IMP 5e14 80KeV 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
859 2020-07-31 14시 15시 2-2-1 RX Implant Ar IMP 5e14 80KeV 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
860 2020-08-05 9시 11시 안녕하세요. 삼성전자 기술원 박진주입니다.
해당 시편은 차주 월요일 (8/4) 송부드리겠습니다.
(pattern mask :Ti + SiO2)
조건은 Ar, 40keV, 6E12ions/cm2, tilt 0도 입니다. 메일로 추가 전달드리겠습니다. 감사합니다.		 삼성전자 기술원 Nano Electronics Lab 박진주 780,000원
861 2020-08-06 9시 11시 Ar 80keV 5E14 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
862 2020-08-11 9시 10시 AR 5e14 80KeV IMP 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 580,000원
863 2020-08-18 12시 18시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,300,000원
864 2020-08-21 15시 17시 SS142 2-2-1 Ar IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 750,000원
865 2020-08-21 17시 18시 SS143 2-2-1 Ar IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 750,000원
866 2020-08-24 13시 15시 TFT09번 2-2-1 IMP B 36keV 5e14 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
867 2020-08-24 15시 18시 TFT09번 2-2-2 IMP B 36keV 5e14 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
868 2020-08-25 16시 17시 Ar 80KeV 5e14 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
869 2020-08-26 10시 12시 2-4-1 B 36keV 5e14 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
870 2020-08-26 12시 14시 2-4-2 B 36keV 5e14 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
871 2020-08-27 10시 12시 M90 Ar IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
872 2020-09-03 9시 12시 4차 산업 연계형 나노기술인력양성
확산 교육		 나노융합기술원 교육홍보팀 이상민 1,300,000원
873 2020-09-08 13시 16시 4차 산업 연계형 나노기술인력양성
확산 교육		 나노융합기술원 교육홍보팀 이상민 1,300,000원
874 2020-09-16 11시 12시 2-2-1 P+ IMP B 5e14 36KeV 2ea 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
875 2020-09-16 12시 13시 2-2-2 P+ IMP B 5e14 36KeV 2ea 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
876 2020-09-16 13시 14시 2-2-3 P+ IMP B 5e14 36KeV 2ea 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
877 2020-09-16 14시 15시 2-2-4 P+ IMP B 5e14 36KeV 2ea 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
878 2020-09-18 12시 18시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,300,000원
879 2020-10-19 12시 18시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,300,000원
880 2020-10-28 13시 14시 2-2-1 IMP Boron, 5.0E14, 36keV, Tlit0 (1회) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
881 2020-10-28 13시 14시 2-2-2 IMP Boron, 5.0E14, 36keV, Tlit0 (2회) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
882 2020-10-28 15시 16시 2-2-3 IMP Boron, 5.0E14, 36keV, Tlit0 (3회) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
883 2020-10-28 17시 18시 2-2-4 IMP Boron, 5.0E14, 36keV, Tlit0 (4회) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
884 2020-11-02 10시 15시 Phosphorus 이온 주입 의뢰

dose 5e15 cm-2
energy 30 keV

웨이퍼 2장 주입 후 activation annealing 600도, 60초 의뢰

의뢰 내용

1) Medium current implantation (P doping, 30 keV, 5e15 dose) 2장
2) RTP (activation annealing (O2 flow X)) 600도 60초 조건 2장		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 500,000원
885 2020-11-02 13시 16시 SIMS 표준시편 제작 IMP 포항공과대학교 물리분석팀 김성규 1,450,000원
886 2020-11-06 10시 12시 2-2-1 B IMP_ 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
887 2020-11-06 12시 14시 2-2-2 B IMP_ 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
888 2020-11-06 14시 16시 2-2-3 B IMP_ 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
889 2020-11-06 16시 18시 2-2-4 B IMP_ 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
890 2020-11-10 10시 12시 M133_Ar imp 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
891 2020-11-19 12시 18시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,300,000원
892 2020-11-24 10시 11시 phosphorus (30 keV, 1e15 dose) implant 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 500,000원
893 2020-11-26 9시 11시 AR IMP Ar 80keV 5e14 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
894 2020-11-27 14시 17시 Ar IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
895 2020-12-04 10시 11시 Ion-implantation

Energy: 200 keV
Dose: 5E13 cm-2
Tilt: 7
Dopant: P		 아주대학교 전자공학과 박영서 400,000원
896 2020-12-10 10시 11시 2-2-1 Ar 80keV, 5E14 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
897 2020-12-15 15시 17시 2.0 Ar IIP 80keV 5E14 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
898 2020-12-15 16시 17시 2.0 Ar IIP 80keV 5E14 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
899 2020-12-15 9시 11시 Ph 200keV 5e14
Si 1매
SiC 조각 다수 2매		 포항공과대학교 물리분석팀 김성규 620,000원
900 2020-12-16 18시 19시 2-2-1 Ar 5E14 80keV 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
901 2020-12-16 19시 19시 2-2-1 Ar 5E14 80keV 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 600,000원
902 2020-12-16 19시 20시 2-2-1 Ar 5E14 80keV 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
903 2020-12-17 12시 18시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,300,000원
904 2020-12-18 18시 20시 Boron, 5.0E14 36keV, Tilt 0 (4회) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
905 2021-01-05 10시 11시 B IMP 포항공과대학교 NINT 김성규 486,000원
906 2021-01-05 9시 10시 Ph IMP 포항공과대학교 NINT 김성규 390,000원
907 2021-01-12 1시 1시 Boron implant SIMS 분석용 포항공과대학교 물리분석팀 김성규 438,000원
908 2021-01-18 12시 18시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,300,000원
909 2021-01-24 13시 15시 2-2-1 Boron, 5.0 E14 36KeV , Tilt 0
 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
910 2021-01-24 15시 17시 2-2-2 Boron, 5.0 E14 36KeV , Tilt 0
 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
911 2021-01-24 17시 19시 2-2-3 Boron, 5.0 E14 36KeV , Tilt 0
 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
912 2021-01-24 19시 21시 2-2-4 Boron, 5.0 E14 36KeV , Tilt 0 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
913 2021-01-27 11시 13시 2-2-3 Boron, 5.0 E14 36KeV , Tilt 0
 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
914 2021-01-27 13시 15시 2-2-4 Boron, 5.0 E14 36KeV , Tilt 0 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
915 2021-01-27 7시 9시 2-2-1 Boron, 5.0 E14 36KeV , Tilt 0
 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
916 2021-01-27 9시 11시 2-2-2 Boron, 5.0 E14 36KeV , Tilt 0
 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
917 2021-01-28 9시 10시 Sample: 4\" Ge wf. 2ea
공정 내용: Phosphorus 1e12 dose, 100 keV		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 470,000원
918 2021-02-01 16시 16시 패터닝을 위해 PR이 덮여있는 상태입니다.

두 시편 모두 한꺼번에 40keV, P+, 7 tilt, 1e15의 dose로 부탁드립니다.		 서울대학교 물리천문학부 박재민 500,000원
919 2021-02-08 13시 15시 BF2 50keV 5E14 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 555,000원
920 2021-02-18 12시 18시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,300,000원
921 2021-03-09 16시 17시 Phosphorus (5e11 dose, 30keV) 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 460,000원
922 2021-03-09 17시 18시 P doping
dose : 5e11 / energy : 100kV

<같은 연구실인 박익수 선배와 같은 조건으로 진행해주시면 감사하겠습니다.>		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 이동훈 460,000원
923 2021-03-15 11시 12시 2-2-1 Boron, 5.0 E14 36KeV , Tilt 0 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
924 2021-03-15 12시 13시 2-2-2 Boron, 5.0 E14 36KeV , Tilt 0 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
925 2021-03-15 13시 14시 2-2-3 Boron, 5.0 E14 36KeV , Tilt 0 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
926 2021-03-15 16시 17시 2-2-4 Boron, 5.0 E14 36KeV , Tilt 0 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
927 2021-03-18 12시 18시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,300,000원
928 2021-03-29 10시 11시 2-2-1 Boron, 5.0 E14 36KeV , Tilt 0 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
929 2021-03-29 11시 12시 2-2-2 Boron, 5.0 E14 36KeV , Tilt 0 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
930 2021-03-29 19시 20시 2-2-3 Boron, 5.0 E14 36KeV , Tilt 0 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
931 2021-03-29 19시 20시 2-2-4 Boron, 5.0 E14 36KeV , Tilt 0 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
932 2021-04-06 8시 18시 \"8인치 적외선 MEMS Sensor 제작공정\" 계약
 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 1,300,000원
933 2021-04-07 13시 14시 P low doping
dose : 5e11/cm2
energy : 100keV
(저번과 같은 low doped 조건입니다.)		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 이동훈 460,000원
934 2021-04-08 13시 15시 2-2-1 P+ IMP Dopant B, 5.0E14, 36keV 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
935 2021-04-08 15시 16시 2-2-2 P+ IMP Dopant B, 5.0E14, 36keV 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
936 2021-04-08 16시 17시 2-2-3 P+ IMP Dopant B, 5.0E14, 36keV 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
937 2021-04-08 17시 18시 2-2-4 P+ IMP Dopant B, 5.0E14, 36keV 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
938 2021-04-19 12시 18시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,300,000원
939 2021-04-23 9시 19시 U.E 공정계약 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 1,500,000원
940 2021-05-19 11시 17시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,300,000원
941 2021-06-15 10시 12시 Ar IMP 80keV 5e14 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 370,000원
942 2021-06-17 10시 12시 Ar IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 440,000원
943 2021-06-21 11시 17시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,300,000원
944 2021-07-19 13시 15시 2-2-1 Boron, 5.0 E14 36KeV , Tilt 0


3매		 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 525,000원
945 2021-07-19 15시 18시 2-2-2 Boron, 5.0 E14 36KeV , Tilt 0

3매		 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 525,000원
946 2021-07-20 12시 18시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,300,000원
947 2021-07-20 9시 12시 2-2-3 Boron, 5.0 E14 36KeV , Tilt 0

3매		 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 525,000원
948 2021-07-21 15시 18시 2-2-4 Boron, 5.0 E14 36KeV , Tilt 0

3매		 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 525,000원
949 2021-07-29 15시 16시 2-2-1 Rx implant Ar 5E14 6매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 750,000원
950 2021-08-05 9시 12시 M236(SP1H001: 6매): 2.0 Ar IIP 80keV5E14 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
951 2021-08-06 9시 12시 M237(SP1H002: 6매): 2.0 Ar IIP 80keV5E14 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
952 2021-08-11 10시 16시 2-2-1 Boron, 5.0E14 36keV, tilt 0
2-2-2 Boron, 5.0E14 36keV, tilt 0
2-2-3 Boron, 5.0E14 36keV, tilt 0
2-2-4 Boron, 5.0E14 36keV, tilt 0
 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 2,100,000원
953 2021-08-20 12시 18시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,300,000원
954 2021-08-23 14시 16시 M240(SP1H003:6매): 2.0 Ar IIP 80KeV 5E14 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
955 2021-08-23 16시 18시 M241(SQ1H001:6매): 2.0 Ar IIP 80KeV 5E14 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
956 2021-08-26 14시 15시 2-2-1 Ar 5E14 80keV 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 750,000원
957 2021-08-26 15시 16시 2.0 Ar IIP 80keV 5E14 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
958 2021-08-31 16시 17시 2.0 Ar IIP 80KeV 5E14 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
959 2021-09-01 14시 14시 4\\\" Ge wafer 4매
Ph doping (dose : 5e11/ energy : 40keV)

나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업, 전자과 이동훈(010.6763.7749)		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 700,000원
960 2021-09-07 10시 11시 2-2-1 Ar 5E14 80keV 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
961 2021-09-15 9시 10시 2-2-1 AR 5E14 80keV 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
962 2021-09-16 9시 10시 2-2-1 Ar 5E14 80keV 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
963 2021-09-17 12시 18시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,300,000원
964 2021-09-26 14시 17시 Wafer Condition: 6inch Silicon Wafer/PECVD Oxide 2um/LPCVD Poly-Si 1um
공정 의뢰 : phosphorus/80KeV/1e14(Dose) 3매 / 2회 진행[Target Dose: 1e15]		 싸니코전자(주) 개발팀 최주헌 900,000원
965 2021-09-28 14시 15시 2-2-1 Rx Implant Ar 5E14 80keV 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 650,000원
966 2021-09-29 15시 16시 2-2-1 RX Implant Ar 80keV 5E14 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 750,000원
967 2021-10-08 15시 16시 0-1-5 P, 50keV 1E15 (WF02,04,05,06) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,060,000원
968 2021-10-12 9시 11시 Ar IMP 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
969 2021-10-13 13시 15시 BF2 50kev 5E14 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 480,000원
970 2021-10-18 10시 11시 2-2-1 BF2 50keV, 5E14 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 660,000원
971 2021-10-18 16시 18시 Boron doping
Dose : 5E14
power : 36kev		 인하대학교 신소재공학과 김태원 400,000원
972 2021-10-19 11시 17시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,300,000원
973 2021-10-25 15시 16시 2.0 Ar IIP 80keV 5E14 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
974 2021-10-26 10시 11시 2.0 Ar IIP 80keV 5E14 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
975 2021-10-27 15시 16시 2-2-1 Rx implant Ar 5E14 80keV 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 675,000원
976 2021-11-11 16시 16시 2.0 Ar IIP 80keV 5E14 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 750,000원
977 2021-11-19 11시 17시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,300,000원
978 2021-11-25 10시 11시 2-2-1 Rx IMP Ar 5e14 80keV 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
979 2021-11-25 11시 12시 2-2-1 Rx IMP Ar 5e14 80keV 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
980 2021-12-01 10시 11시 2-2-1 Rx Implant Ar 5E14 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
981 2021-12-06 17시 10시 나노융합 소자공정 및 측정분석 실습교육과정(4.0021910.01)_나노 소자 공정 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,800,000원
982 2021-12-10 11시 17시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,800,000원
983 2021-12-13 9시 18시 나노융합기반고도화 사업_공정 테스트 주식회사 엔포마레 사업총괄 성재석 3,300,000원
984 2022-01-11 14시 18시 [21년도 전문인력양성 고급실습]
 나노융합기술원 사업지원팀 21년도 전문인력 5조 0원
985 2022-02-16 10시 11시 Bare w/f 2매 P40keV 5E14 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 480,000원
986 2022-02-16 14시 16시 w/f 3매 P40keV 1E15 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 1,140,000원
987 2022-02-25 10시 11시 2-2-1 Boron, 5.0 E14 36KeV , Tilt 0
삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 750,000원
988 2022-02-25 10시 11시 2-2-2 Boron, 5.0 E14 36KeV , Tilt 0
삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 750,000원
989 2022-02-25 11시 12시 2-2-3 Boron, 5.0 E14 36KeV , Tilt 0 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 750,000원
990 2022-02-25 13시 14시 2-2-4 Boron, 5.0 E14 36KeV , Tilt 0 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 750,000원
991 2022-03-02 13시 14시 1. 서울대학교 반도체공동연구소에서 사전 공정 진행됨.

2. 100 class CMOS 지역(clean)에서 진행되었으며 실리콘 기판 상에 HDPCVD oxide 200 nm / LPCVD 폴리실리콘 50 nm 증착된 상태에서 이온 주입 희망합니다.

3. 공정 조건은 다음과 같습니다.
- species: BF2+ (B+가 아니고 mass가 큰 BF2+ 희망)
- acceleration energy: 30 keV
- tilt: high-angle tilt가 가능하다면 45도 / 어렵다면 conventional 값 7도
- dose: 1e11을 희망함. 그러나 이 수준으로 낮은 값이 어렵다면 11승 오더 한에서 공정 가능한 최소값 주입 가능함. (2e11, 3e11, 5e11 등. 5e11 초과는 원하는 소자 특성을 얻을 수 없음)		 가천대학교 IT융합공학과 전자공학전공 조성재 600,000원
992 2022-03-04 15시 17시 Ion IMP (Split 조건 Test) 삼성디스플레이 선행제품연구팀 박후근 4,000,000원
993 2022-03-08 10시 11시 IMP 조건 Split -2 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
994 2022-03-08 11시 12시 IMP 조건 Split -3 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
995 2022-03-08 13시 14시 IMP 조건 Split -4

(B, 2.1~3.1E13 100KeV, T7)		 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
996 2022-03-08 14시 15시 IMP 조건 Split -5

(B, 2.1~3.1E13 100KeV, T7)		 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
997 2022-03-08 9시 10시 IMP 조건 Split -1 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
998 2022-03-10 10시 12시 JFET IMP (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
999 2022-03-14 10시 12시 Body Implant 1번조건 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
1000 2022-03-14 8시 10시 Body implant - 2번 조건 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
1001 2022-03-15 9시 12시 SRC Implant (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
1002 2022-03-18 10시 11시 IMP 조건 Split -1 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
1003 2022-03-18 11시 12시 IMP 조건 Split -2 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
1004 2022-03-18 11시 12시 IMP 조건 Split -3 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
1005 2022-03-21 14시 16시 JFET IMP (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
1006 2022-03-23 14시 16시 Body IMP (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
1007 2022-03-24 9시 11시 SRC IMP (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원