RTP for RTO 장비일지

 기자재관리번호 : B0000055-092005-A0002
No 장비이용내역 이용내역 사용자 장비이용료
시작일 종료일 세부내용 기관명 부서(학과명) 성명 확정금액
1 2010-01-19 13시 17시 RTO 18매 미리네솔라 연구소 김현진 900,000원
2 2010-03-05 09시 17시 RTP FOR RTO (SOLLAR SI WAFER) 한양대학교 전자통신공학부 박재근 1,000,000원
3 2010-03-24 13시 14시 RTP N2 SILICIDE 한양대학교 전자통신공학부 박재근 150,000원
4 2010-04-14 17시 18시 900도 4분 N2 ANNEAL 포항공과대학교 신소재 강기범 37,500원
5 2010-06-30 11시 12시 RTO 진행 전북대학교 전자공학부 김기현 112,000원
6 2010-09-09 19시 20시 Thermal oxide growth 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
7 2010-10-25 13시 15시 rtp for rto 한양대학교 전자컴퓨터통신공학부 백승욱 200,000원
8 2010-11-03 13시 15시 rto 1000도 전북대학교 전자공학부 김기현 144,000원
9 2010-11-04 11시 12시 rto 1000도 전북대학교 전자공학부 김기현 144,000원
10 2010-11-04 13시 14시 rto 1000도 포항공과대학교 전자전기 박찬훈 0원
11 2010-11-22 13시 14시 RTP for RTO 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 112,000원
12 2010-11-22 20시 21시 RTP for RTO 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 100,000원
13 2010-11-24 08시 09시 RTP for RTO 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 100,000원
14 2010-11-24 10시 11시 RTP for RTO 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 32,000원
15 2010-11-24 15시 16시 RTP for RTO 전북대학교 전자공학부 김기현 112,000원
16 2010-11-25 10시 12시 RTP for RTO 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 112,000원
17 2010-11-25 15시 16시 RTP for RTO 포항공과대학교 전자전기공학과 김성호 112,000원
18 2010-12-01 14시 15시 RTP for RTO 전북대학교 전자공학부 김기현 112,000원
19 2010-12-08 11시 12시 RTP for RTO 전북대학교 전자공학부 김기현 112,000원
20 2010-12-28 14시 15시 RTP for RTO 전북대학교 전자공학부 김기현 112,000원
21 2011-01-12 11시 13시 3-4-1 RTP_Silicide (S1012-02) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 287,500원
22 2011-01-12 15시 16시 Oxide 5nm 전북대학교 전자공학부 김기현 132,000원
23 2011-01-13 16시 17시 Oxide 5nm 전북대학교 전자공학부 김기현 132,000원
24 2011-01-18 17시 18시 Metal Hillock Test (450도 2ea) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 175,000원
25 2011-01-19 10시 11시 Metal Hillock Test (550도 2ea) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 175,000원
26 2011-01-19 16시 17시 Metal Hillock Test (700도 2ea) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 175,000원
27 2011-02-07 10시 11시 Al2O3 Wet-Etching Test (750도,30s, anneal) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 175,000원
28 2011-02-09 10시 12시 Al2O3 anneal CV 특성 평가_800도,850도,900도 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 302,500원
29 2011-02-10 10시 11시 Al2O3 Anneal Test_20nm 1ea 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 137,500원
30 2011-02-14 10시 11시 Al2O3 wet-etching_800도_10분 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 197,500원
31 2011-02-14 11시 14시 Al2O3 wet-etching_Furnace_800도_20분 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 237,500원
32 2011-02-21 13시 15시 3-4-1 Al2O3 Anneal_800도_10분 (S03-0131) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 362,500원
33 2011-02-28 13시 15시 4-4 RTP_550도_30초 (S03-0131) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 250,000원
34 2011-03-02 19시 20시 NWBioFET Gox 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 120,000원
35 2011-03-14 10시 11시 RTO Test_700도_800도 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
36 2011-03-14 14시 15시 Oxide growth(50A) 전북대학교 전자공학부 김기현 132,000원
37 2011-03-18 18시 19시 1000도, 40초 RTO 전북대학교 전자공학부 김기현 120,000원
38 2011-03-24 17시 18시 Oxide 5nm 전북대학교 전자공학부 김기현 132,000원
39 2011-03-25 17시 18시 5nm Ox 전북대학교 전자공학부 김기현 132,000원
40 2011-03-29 09시 10시 RTO 울산대학교 첨단소재공학부 김인섭 190,000원
41 2011-04-20 13시 15시 RTO 3ea 울산대학교 첨단소재공학부 김인섭 235,000원
42 2011-04-21 14시 16시 RTO Split 4ea 포항공과대학교 화공과 조기희 310,000원
43 2011-04-26 15시 16시 RTP 1100도, 60초 포항공과대학교 화학공학과 오유진 180,000원
44 2011-05-30 13시 14시 Oxide 200A_1150도, 100초 포항공과대학교 화공과 조기희 140,000원
45 2011-09-07 17시 18시 RTP 1100도 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 164,000원
46 2011-12-01 13시 14시 SiO2_annealing 포항공과대학교 전자과 백상원 140,000원
47 2011-12-02 21시 22시 3nm Oxide growth 전북대학교 전자공학부 김기현 120,000원
48 2012-02-06 13시 15시 RTP Ti Silicide (주)디엠에스 김성해 415,000원
49 2012-03-09 09시 12시 3-5-1 Dop Anneal 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 520,000원
50 2012-03-13 14시 15시 RTO 1000도 진행 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 132,000원
51 2012-03-14 14시 15시 RTO 1000 진행 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 196,000원
52 2012-03-19 15시 16시 K03

3-2-1 Dop anneal (P05번 진행) 선행 포함		 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 230,000원
53 2012-04-05 11시 13시 3-4-1 DOP Anneal RTO 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 390,000원
54 2012-05-17 13시 14시 3-2-1 DOP Anneal RTO 1000c 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 290,000원
55 2012-05-21 10시 11시 RTO 진행 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 132,000원
56 2012-08-28 10시 11시 RTO 진행하여 Oxide 성장 포항공과대학교 전자전기 박찬훈 132,000원
57 2012-08-30 11시 12시 3-4-2 DOP anneal 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 0원
58 2012-11-26 14시 16시 RTO 실습 Test 포항나노기술집적센터 이용자서비스팀 김병수 400,000원
59 2012-11-26 20시 21시 RTP for RTO 진행 (야간 사용) 전북대학교 전자공학부 김기현 140,000원
60 2012-12-11 09시 11시 특성화고 교육 진행 포항나노기술집적센터 이용자서비스팀 김병수 500,000원
61 2012-12-13 09시 11시 특성화고 교육 진행 포항나노기술집적센터 이용자서비스팀 김병수 500,000원
62 2012-12-13 18시 18시 3-4-2 DOP Anneal
RTP Ann 1000도 60초		 (주)아이엠헬스케어 이인제 440,000원
63 2012-12-14 18시 19시 RTO 진행 전북대학교 전자공학부 김기현 140,000원
64 2012-12-26 16시 17시 3-4-2 DOP Anneal
RTO Anneal (1000도 60초)		 (주)아이엠헬스케어 이인제 440,000원
65 2013-01-07 18시 20시 RTO 진행 (야간 사용) 전북대학교 전자공학부 김기현 180,000원
66 2013-01-08 18시 20시 RTO 진행(야간 사용) 전북대학교 전자공학부 김기현 140,000원
67 2013-01-22 18시 19시 RTO 진행 (야간 사용) 전북대학교 전자공학부 김기현 140,000원
68 2013-01-23 11시 12시 3-4-2. DOP Anneal
RTP Anneal (Test Wafer 포함)		 (주)아이엠헬스케어 이인제 440,000원
69 2013-02-12 09시 10시 3-5-1 GOX_anneal LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 350,000원
70 2013-02-14 14시 15시 1st IMD Thermal Damage Test
0-3-1. GOX Anneal		 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 350,000원
71 2013-04-16 12시 13시 3-5-1 GOX Anneal LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 400,000원
72 2013-05-02 11시 12시 SiO2 5nm 성장 전북대학교 전자공학부 김기현 132,000원
73 2013-05-02 22시 23시 Silicon nanowire gate oxidation 형성 test
(JNT / 이호준 / 010-2547-9641)		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 132,000원
74 2013-06-06 19시 20시 Gate oxide growth test (JNT/ 이호준 / 010-2547-9641) 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 128,000원
75 2013-06-10 16시 16시 5nm growth 전북대학교 전자공학부 김기현 128,000원
76 2013-07-09 16시 19시 5 nm Oxide growth 전북대학교 전자공학부 김기현 128,000원
77 2013-07-12 10시 12시 5nm Oxide 성장 전북대학교 전자공학부 김기현 135,000원
78 2013-07-15 15시 16시 thermal sio2 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 132,000원
79 2013-07-17 14시 15시 sio2 test 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 132,000원
80 2013-07-18 15시 16시 si oxidation 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 132,000원
81 2013-07-19 14시 15시 Gate Oxide (JNT/ 이호준 / 010-2547-9641) 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 156,000원
82 2013-07-24 13시 14시 Si pattern gate oxidation (JNT/이호준/010-2547-9641) 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 156,000원
83 2013-08-09 9시 10시 Gate oxidation (JNT/ 이호준 / 010-2547-9641)

포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 128,000원
84 2013-08-26 13시 14시 gate oxide 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 128,000원
85 2013-09-09 20시 21시 1000도씨 20초 전북대학교 전자공학부 김기현 156,000원
86 2013-09-11 11시 12시 1000도씨 20초 전북대학교 전자공학부 김기현 128,000원
87 2013-09-12 11시 12시 5nm oxide 증착 전북대학교 전자공학부 김기현 128,000원
88 2013-09-23 14시 17시 반복적인 high temp. annealing
Ar Purge, 1150C Anneal
1min 50회 사용		 서강대학교 기계공학과 김주현 2,600,000원
89 2013-09-23 17시 18시 50A Oxide 전북대학교 전자공학부 김기현 128,000원
90 2013-10-01 22시 23시 As ion implant 공정 진행 된 웨이퍼의 curing을 위하여 1000도 온도에서 20초간 annealing을 진행하고자 합니다. 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 128,000원
91 2013-10-02 11시 18시 반복적인 high temp. annealing
Ar Purge, 1150C Anneal
1min 50회 사용		 서강대학교 기계공학과 김주현 500,000원
92 2013-10-08 11시 12시 Poly Si 이 top layer인 기판에 200nm width를 가지는 Nanowire 패턴을 형성시키고 그위에 5nm 두께의 옥사이드를 성장시키기 위하여 RTO 수행 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 128,000원
93 2013-10-11 12시 15시 3-4-2 DOP Anneal (주)아이엠헬스케어 이인제 400,000원
94 2013-10-28 14시 14시 Solar wafer 의 RTP 처리에 의한 Bulk lifetime 변확 확인 LG전자 Solar 사업팀 도영구 700,000원
95 2013-11-05 9시 18시 1150C Ar Anneal 서강대학교 기계공학과 김주현 1,540,000원
96 2013-11-12 16시 17시 5nm oxide 성장 전북대학교 전자공학부 김기현 128,000원
97 2013-11-19 12시 14시 3-4-2 DOP Anneal RTO 150A (주)아이엠헬스케어 이인제 440,000원
98 2013-11-20 9시 10시 IIP공정이후 ion activation 및 curing을 위한 1000도 20초 RTA 진행 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 128,000원
99 2013-11-25 9시 13시 1. RTP 을 이용한 solar cell wafer 열처리 test
2. 실험 온도 : 1000℃		 LG전자 Solar 사업팀 도영구 1,100,000원
100 2013-12-24 13시 16시 SC22 (1-4-1) Gate Oxide Anneal, RTP(975C, 90sec) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 580,000원
101 2014-01-07 10시 11시 Dopant ion 주입 된 8인치 웨이퍼의 ion activation과 annealing을 위하여 RTA를 수행.
1000도 10초 조건		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 128,000원
102 2014-01-07 12시 13시 gate oxidation (non-metal) 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 184,000원
103 2014-01-08 11시 13시 3-4-2 DOP Anneal (주)아이엠헬스케어 이인제 480,000원
104 2014-01-09 10시 20시 Solar cell 용 Si-wafer 의 RTP 처리에 의한 bulk lifetime 거동 확인 LG전자 Solar 사업팀 도영구 900,000원
105 2014-01-16 10시 11시 IIP 공정 이후 annealing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 128,000원
106 2014-01-16 16시 18시 SC15 P-Doped Poly Rs 재현성 Test (1-5-1) Poly Anneal 8매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 420,000원
107 2014-01-17 15시 16시 SOI 웨이퍼 상에서 바이오센서를 제작할 때 implant를 통해 저항을 낮춘 후 주입된 이온들을 액티베이션 시키기 위한 열처리 (1000도씨 20초) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 156,000원
108 2014-01-20 13시 15시 SC23 Gate Oxide 최적화 (1-4-4) Gate oxide Anneal 3매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 220,000원
109 2014-01-21 17시 19시 Hall effect Measure Sample Test
(3-1-2) Contact Ni silicide 1회
(3-1-4) Contact anneal 1회		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 180,000원
110 2014-01-27 10시 11시 바이오센서 제작시 플라즈마 식각 공정 후 플라즈마에 의해 손상을 입은 표면을 제거하기 위하여 옥사이드를 1000도씨 5nm 성장 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 128,000원
111 2014-01-28 17시 18시 SiO2 5nm 성장 포항공과대학교 ITCE 박현진 128,000원
112 2014-02-24 17시 18시 주입된 불순물을 액티베이션 시키기 위한 열처리 포항공과대학교 ITCE 박현진 128,000원
113 2014-03-03 17시 18시 주입된 불순물을 열처리함으로써 애기베이션 시켜줌 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 168,000원
114 2014-03-11 11시 12시 2-2-1 RTP anneal 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
115 2014-03-17 15시 17시 웨이퍼 상에 저항을 낮추가 위해 주입된 불순물을 활성화시키기 위한 열처리 공정 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 324,000원
116 2014-03-20 17시 18시 금속산화막형성 경남대학교 전자공학과 최제훈 150,000원
117 2014-03-26 10시 11시 gate oxidation 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 184,000원
118 2014-03-28 14시 15시 IIP annealing을 위해 1000도씨 20초 조건으로 RTP를 이용하고자 합니다 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 205,000원
119 2014-04-01 10시 11시 RTO를 이용해 gate oxide 20 nm를 증착하고자 합니다. 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 170,000원
120 2014-04-01 11시 12시 Oxidation 전북대학교 전자공학부 김기현 128,000원
121 2014-04-01 21시 22시 게이트 절연막 형성을 위한 옥사이드 성장 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 156,000원
122 2014-04-03 14시 15시 bare Si 위에 oxide 20 nm 증착하기 위해 RTP 장비를 이용하고자 합니다.
1100C 2m30s 195A		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 170,000원
123 2014-04-08 14시 15시 SiC Graphene Cap 전기적 특성 평가
Anneal 975C 90sec 1매(1회)		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 135,000원
124 2014-04-14 17시 19시 Furnace 장비에서 RTO 장비로 변경 5매 10nm 성장.
 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 340,000원
125 2014-04-16 10시 12시 2-2-1 Annealing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 140,000원
126 2014-04-16 9시 10시 gate oxide deposition 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 184,000원
127 2014-04-22 16시 17시 2-4-1 Annealing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
128 2014-04-25 10시 11시 gate oxide 5nm 형성 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 184,000원
129 2014-04-25 14시 15시 Graphene Cap 전기적 특성 평가
Anneal Temp Split @500C, 750C 2회		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 170,000원
130 2014-04-28 11시 12시 1000도씨 20초 조건 implant annealing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 170,000원
131 2014-04-28 8시 9시 gate oxidation 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 128,000원
132 2014-04-29 16시 17시 옥사이드 5nm 성장 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 128,000원
133 2014-04-29 19시 20시 SiO2 5nm 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 128,000원
134 2014-05-09 8시 9시 2-2-1 Active Annealing, 1000C, 20s, N2 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
135 2014-05-12 19시 20시 Implant 진행 후 annealing 진행함
사용자: 박찬오		 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 128,000원
136 2014-05-15 13시 14시 2-4-1 Annealing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 170,000원
137 2014-05-15 16시 17시 Implantation 공정 진행 후 불순물을 액티베이션 시키기 위한 열처리 공정 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 128,000원
138 2014-05-15 17시 20시 1-3-1 Anneal Temp Split : Asdep/500C/750C/975C, 90sec 총4회 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 240,000원
139 2014-05-15 20시 21시 실리콘 웨이퍼 위에 성장시킨 산화막에 열처리 공정 진행 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 128,000원
140 2014-05-21 15시 16시 자연산화막 50A 성장 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 128,000원
141 2014-05-26 23시 24시 gate oxide 5nm 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 156,000원
142 2014-05-27 10시 11시 gate oxide 5nm 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 156,000원
143 2014-05-27 11시 12시 RTP 975C 90sec 1매 포항공과대학교 전자전기공학과 정윤영 140,000원
144 2014-05-27 23시 24시 Oxide 5nm 성장 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 128,000원
145 2014-05-28 9시 10시 gate oxide 5nm 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 128,000원
146 2014-06-08 23시 24시 gate oxidation 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 156,000원
147 2014-06-17 15시 16시 implantation 불순물 activation 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 240,000원
148 2014-06-25 13시 14시 gate oxide 형성 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 128,000원
149 2014-06-26 13시 14시 홍난기, 1150C 20s 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 240,000원
150 2014-07-01 14시 15시 1000C, 20s anneal 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 170,000원
151 2014-07-08 15시 16시 gate oxide 형성 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 156,000원
152 2014-07-08 16시 17시 RTP Anneal condition: 850C, 120sec
포항공과대학교 기술지원팀 최경근 415,000원
153 2014-07-17 13시 14시 gate oxidation 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 156,000원
154 2014-08-01 10시 12시 1-2-2 implantation annealing 1000c 20s 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 450,000원
155 2014-08-05 14시 17시 1000C 20s 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 275,000원
156 2014-08-14 13시 14시 gate oxidation 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 156,000원
157 2014-09-04 11시 12시 RTP 975 2min 2매 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 170,000원
158 2014-09-06 12시 14시 850C, 120s 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 135,000원
159 2014-09-12 11시 12시 Anneal 975C 2min 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 170,000원
160 2014-09-13 16시 18시 850c, 120s 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 135,000원
161 2014-09-15 14시 15시 gate oxide 형성 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 135,000원
162 2014-09-19 14시 15시 Al2O3 50nm 증착 후 975C 90sec 포항공과대학교 전자전기공학과 정윤영 140,000원
163 2014-09-23 10시 12시 Al annealing 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 240,000원
164 2014-10-01 13시 14시 2-6-1 Annealing RTP-RTO
1000도 10sec		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 175,000원
165 2014-10-14 16시 17시 2-2-3 Ion Implant RTP Ann
1000도 20초		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 205,000원
166 2014-10-16 13시 14시 Al2O3 Annealing Test 진행 (온도별 etch Test)
975도 90초 4장 진행		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 240,000원
167 2014-10-17 10시 12시 Al2O3 Anneal Test (Al2O3 Etch Test) - 2차 Test
Anneal Temp ,Time별 Split Test 진행		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 380,000원
168 2014-10-17 11시 12시 975C 1m 30s Anealing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
169 2014-10-24 13시 13시 8\" wafer 975C 30sec Aneal 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
170 2014-10-28 15시 17시 Split 3회@600,850,850C 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 143,500원
171 2014-10-30 11시 12시 Turner Oxide
1-5-1 anneal RTP 600C 60s		 포항공과대학교 화학공학과 송홍선 140,000원
172 2014-11-07 9시 13시 나노융합기술교육_Diffusion 3일차 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 1,000,000원
173 2014-11-19 15시 16시 biofet6_2 1-3-4 1000C 20s annealing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 205,000원
174 2014-11-19 17시 18시 biofet6_3 1-3-2 1000C 20s annealing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 170,000원
175 2014-11-20 17시 18시 3-2-1 MET1 Depo
RTP Anneal		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 170,000원
176 2014-11-21 10시 11시 RTA for dopant activation 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 184,000원
177 2014-11-26 13시 14시 1-3-4 ION Implantation (BioFET 2차 추가분)
RTP Ann		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
178 2014-12-22 8시 5시 RTP anneal 1150도
1번 wafer : 16회 2,3,4,5번 wafer : 20회 총 5장 진행		 서강대학교 기계공학과 김주현 6,230,000원
179 2015-01-15 10시 11시 Annealing (직접사용) 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 128,000원
180 2015-01-23 10시 12시 전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육(확산) 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 600,000원
181 2015-01-26 17시 18시 ion activation annealing 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 156,000원
182 2015-02-16 13시 15시 UE MEMS Sensor 3차 Run_Duffusion (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 1,000,000원
183 2015-02-17 9시 14시 Si 1150도 Anneral 진행 서강대학교 기계공학과 김주현 1,332,500원
184 2015-03-05 12시 13시 1-3-2 RTP ANN 100C 20sec 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
185 2015-03-05 16시 17시 1-3-3 RTP Ann 1000c 20sec(n2분위기) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
186 2015-03-11 11시 12시 3-2-1 RTP 500C 90SEC 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 135,000원
187 2015-03-11 15시 16시 3-2-2 RTP 700C 90SEC 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 135,000원
188 2015-03-20 14시 15시 1-5-1 Anneal 1000c 20sec 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
189 2015-03-20 16시 17시 2-2-1 500C 90SEC 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 135,000원
190 2015-03-20 17시 18시 2-2-2 700C 90SEC 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 135,000원
191 2015-03-25 13시 14시 3-5-1 RTP Ann 1000C 10sec 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
192 2015-03-25 15시 16시 3-5-1 RTP_Ann 1000C 10sec 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
193 2015-03-26 9시 11시 RTP Anneal
1000도 5분		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 0원
194 2015-04-03 10시 11시 700C 90sec Annealing _C04 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 135,000원
195 2015-04-13 15시 16시 Rapid Thermal Anealing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 0원
196 2015-04-21 13시 14시 SOI 8\" Oxidation Test
1-2-1 RTA 1000C 10s 		전북대학교 전자공학부 김기현 0원
197 2015-05-20 10시 11시 Ion implantation 공정 후 RTP 공정
SOI wafer 조각 시편 3매		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 170,000원
198 2015-05-26 9시 10시 Annealing
2min * 5 번 총 10분 진행		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 275,000원
199 2015-05-27 16시 17시 oxide hard mask 경화 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 128,000원
200 2015-06-02 10시 11시 1-2-3 RTA 975C 90sec 전북대학교 전자공학부 김기현 135,000원
201 2015-06-15 15시 16시 P doping annealing 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 128,000원
202 2015-06-18 10시 11시 dopant activation
2min, 2min, 2min, 2min, 2min		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 450,000원
203 2015-06-25 20시 21시 소자 annealing (1회) 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 128,000원
204 2015-06-25 9시 11시 1-2-2 Oxide Anneal 975c 90s 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 275,000원
205 2015-07-02 15시 16시 3-7-1 IMP Anneal 1000도 20초 전북대학교 전자공학부 김기현 240,000원
206 2015-07-10 1시 2시 device annealing (1회입니다. ) 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 128,000원
207 2015-07-21 15시 17시 7/21 1050C 30s Annealing (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 300,000원
208 2015-07-23 14시 16시 5-1-8 DIEL Gate dielectric RTP Ann. RTP_RTO N2 분위기, Temp: 975℃, 90sec, N2분위기
전북대학교 전자공학부 김기현 170,000원
209 2015-08-05 11시 13시 RTP Annealing 1050C 30s 위덕대학교 정보통신공학부 이재성 140,000원
210 2015-08-10 9시 10시 3-5-1 Rtp_sil 650C 60sec N2 분위기 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 170,000원
211 2015-08-17 14시 15시 8/18 1050C 30sec Annealing (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 200,000원
212 2015-08-20 9시 15시 1000C 2min Annealing 5회 (5매) 포항공과대학교 전자전기공학부 윤솔 975,000원
213 2015-08-21 11시 13시 1-4-3 Ch.IIP ION implant RTP Ann N2 분위기, Temp: 1000℃, 20sec

포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 240,000원
214 2015-08-27 14시 15시 6-4-1 RTP_Sil 650c 30sec Annealing (N2 분위기) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 170,000원
215 2015-08-27 16시 17시 ion implantation 후 Anealing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 205,000원
216 2015-09-03 13시 14시 Patterned SOI wafer Anealing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 205,000원
217 2015-09-04 13시 15시 3-5-1 RTP Ann 1000C 30sec 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 240,000원
218 2015-09-07 15시 16시 RTA 20초 진행 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 128,000원
219 2015-09-18 10시 12시 vertical nanowire RTO 통한 NW width size down 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 135,000원
220 2015-09-18 15시 16시 ion implant 후 annealing 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 128,000원
221 2015-09-22 16시 17시 1000C 20Sec Annealing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 240,000원
222 2015-09-23 14시 17시 전문인력양성사업 나노융합기술교육_확산 2조 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 1,200,000원
223 2015-09-25 11시 12시 5-2-2 RTP Annealing 975C 90sec 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 240,000원
224 2015-10-02 14시 15시 Channel Ion implantation 후 Anealing 공정 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 205,000원
225 2015-10-05 13시 18시 고효율 셀 제작용.
900도 30초 3장
900도 2분 3장
1000도 30초 3장
1000도 2분 3장
1000도 10분 3장 (15회 진행)		 LG전자 솔라 제품개발팀 정창욱 1,180,000원
226 2015-10-07 14시 16시 vertical NW thinning, wafer hardmask for implant 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 205,000원
227 2015-10-13 10시 14시 고효율 셀 제작용 샘플
1000도 2장
1100도 3장
1150도 3장		 LG전자 솔라 제품개발팀 정창욱 420,000원
228 2015-10-14 11시 12시 nanopillar hard mask oxidation 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 128,000원
229 2015-10-14 9시 11시 1000C 20sec 3매 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 205,000원
230 2015-10-15 13시 14시 3-5-1 RCSS GOX Anneal RTP RTP_Sil 650C, 60sec, N2
포항공과대학교 기술지원팀 최경근 170,000원
231 2015-10-20 14시 15시 RTA 1000C 20sec Annealing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 170,000원
232 2015-10-21 11시 12시 8inch Silicon RT-Annealing 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 128,000원
233 2015-10-21 14시 13시 Patterned SOI wafer 3ea
Conditions : 1,000C, 10sec, N2		 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 205,000원
234 2015-10-23 18시 20시 Anneailing 1000C 30sec 2매 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 200,000원
235 2015-10-23 9시 16시 고효율 Solar cell 제작용 LG전자 솔라 제품개발팀 정창욱 1,380,000원
236 2015-10-27 17시 18시 Temp : 975℃
Time: 90sec		 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 205,000원
237 2015-11-03 11시 12시 1000도 2min*5
1장당 5회씩 진행		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 660,000원
238 2015-11-04 10시 11시 6inch SOI wafer 2ea
6inch Q\'tz zig 사용		 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 170,000원
239 2015-11-10 14시 16시 1100도 30초 6장 진행 LG전자 솔라 제품개발팀 정창욱 340,000원
240 2015-11-12 14시 15시 DIEL Al2O3 deposition Oxide Anneal RTP Temp : 975℃ Time: 90sec
포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 125,000원
241 2015-11-12 15시 16시 RTP Annealing (for Al2O3)
Temp : 975℃ Time: 90sec		 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 170,000원
242 2015-11-20 16시 16시 1000C 20Sec Annealing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
243 2015-11-26 9시 11시 solar cell wafer RTO처리 (Temp split) LG전자 솔라 제품개발팀 정창욱 580,000원
244 2015-11-27 14시 15시 1000℃, 20sec, N2 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 170,000원
245 2015-12-04 10시 11시 6inch SOI wafer 1ea
1000℃, 10sec, N2		 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 135,000원
246 2015-12-10 13시 14시 1-4-2 Gate Anneal 750 90sec,975 90sec 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 170,000원
247 2015-12-10 14시 15시 SiO2 10nm 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 156,000원
248 2015-12-10 15시 16시 6inch SOI Wafer 1ea
1000℃, 10sec, N2		 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 135,000원
249 2015-12-14 14시 15시 6inch SOI Wafer 1EA 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 135,000원
250 2015-12-18 16시 17시 6inch 1ea
975C, 90sec		 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 128,000원
251 2015-12-18 9시 16시 900도 30초 진행 LG전자 솔라 제품개발팀 정창욱 1,420,000원
252 2015-12-21 20시 21시 RTA 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 128,000원
253 2015-12-24 9시 10시 N2 분위기, 1000도, 2 min + 2 min + 1min 총 5 min 수행
후면이 위로 가도록하고 진행		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 205,000원
254 2016-01-05 10시 11시 975C N2 분위기 1m30sec Annealing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
255 2016-01-07 9시 18시 금일 3매 진행 완료 했습니다. 메이플세미컨덕터 장비기술 2팀 이상철 0원
256 2016-01-07 9시 18시 BF3 Gas Medium / High Implant 후 RS 측정 확인을 위한 Annel 공정을 위한 목적 메이플세미컨덕터 장비기술 2팀 이상철 0원
257 2016-01-08 10시 11시 ALD annealing 650C 60sec 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 135,000원
258 2016-01-08 13시 16시 이온 주입 공정 후 RS 측정하기 위해 RTP 장비 사용 신청 합니다. 메이플세미컨덕터 (주) 장비기술팀 이승욱 0원
259 2016-01-11 14시 15시 1000C 20sec Annealing Test 조각 1ea 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
260 2016-01-11 16시 17시 975도 90sec 진행
LaF3(앞) 면이 위로 오도록 하고 진행 (기존 웨이퍼와 동일)
SiO2 만 올라가있는 bare wafer		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 135,000원
261 2016-01-12 7시 10시 Medium Current 설비 RS Data 검증 메이플세미컨덕터 (주) 장비기술팀 이승욱 0원
262 2016-01-13 7시 10시 Medium Current Implant 설비 RS Data 확보

1월말까지는 Daily 로 2매씩 진행할 계획입니다.		 메이플세미컨덕터 (주) 장비기술팀 이승욱 0원
263 2016-01-14 6시 9시 Medium Current Implant 설비 RS Data 수집 메이플세미컨덕터 (주) 장비기술팀 이승욱 0원
264 2016-01-15 6시 9시 Medium Current 설비 RS Data 확보 메이플세미컨덕터 (주) 장비기술팀 이승욱 0원
265 2016-01-16 9시 11시 Medium Current 설비 RS Data 모니터링 메이플세미컨덕터 (주) 장비기술팀 이승욱 0원
266 2016-01-17 13시 17시 2매 진행 예정입니다.
Medium IMP 후 RTP 공정 완료 시 RS 측정을 위함 입니다.		 메이플세미컨덕터 장비기술 2팀 이상철 0원
267 2016-01-18 10시 11시 Medium IMP 후 RS 특정 평가 목정 (2매진행) 메이플세미컨덕터 장비기술 2팀 이상철 0원
268 2016-01-18 16시 17시 Activation Anneal 1000도 20초 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
269 2016-01-19 7시 8시 Medium IMP 후 RS 특정 평가 목정 (2매진행) 메이플세미컨덕터 장비기술 2팀 이상철 0원
270 2016-01-20 7시 9시 Medium IMP 후 RS 특성 변화 확인으로 진행 2매 진행 예정 메이플세미컨덕터 장비기술 2팀 이상철 0원
271 2016-01-21 10시 11시 1000c 20sec N2 Annealing 조각 4매 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
272 2016-01-21 7시 9시 Medium IMP 후 RS 특성 변화 확인으로 진행 2매 진행 예정 메이플세미컨덕터 장비기술 2팀 이상철 0원
273 2016-01-22 7시 9시 Medium IMP 후 RS 특성 변화 확인으로 진행 2매 진행 예정 메이플세미컨덕터 장비기술 2팀 이상철 0원
274 2016-01-25 9시 10시 Medium IMP 진행 후 RS 특성 확인 1매 진행 메이플세미컨덕터 장비기술 2팀 이상철 0원
275 2016-01-29 10시 11시 1000C 20Sec o 2 분위기2매 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 119,000원
276 2016-02-01 7시 9시 Medium Current (E220HP) RS Data 모니터링 메이플세미컨덕터 (주) 장비기술팀 이승욱 0원
277 2016-02-04 12시 14시 High Current ( E-1000 ) 설비 RS Test 메이플세미컨덕터 (주) 장비기술팀 이승욱 0원
278 2016-02-04 15시 16시 annealing 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 128,000원
279 2016-02-05 7시 8시 High Current Implant RS Data Monitoring 메이플세미컨덕터 (주) 장비기술팀 이승욱 0원
280 2016-02-11 6시 9시 Medium Current 설비 RS Data 모니터링 메이플세미컨덕터 (주) 장비기술팀 이승욱 0원
281 2016-02-15 7시 8시 Medium Impant 후 RS 측정 1매 진행 메이플세미컨덕터 장비기술 2팀 이상철 0원
282 2016-02-22 8시 9시 Medium IMP 진행 후 RS 측정 1매 메이플세미컨덕터 장비기술 2팀 이상철 0원
283 2016-02-26 13시 14시 500c 2min annealing 5회 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 205,000원
284 2016-02-29 10시 11시 Medium Implant 후 RS 측정 1매 진행 메이플세미컨덕터 장비기술 2팀 이상철 0원
285 2016-03-10 12시 13시 FAN 내 Medium Current 설비 RS Test 메이플세미컨덕터 (주) 장비기술팀 이승욱 0원
286 2016-03-14 10시 11시 Medium Current RS 측정 메이플세미컨덕터 (주) 장비기술팀 이승욱 0원
287 2016-03-18 10시 11시 Advanced Process -1 Anneal 조건별 진행 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 205,000원
288 2016-03-18 12시 13시 Medium Current 설비 RS 검증 메이플세미컨덕터 (주) 장비기술팀 이승욱 0원
289 2016-03-21 15시 16시 active annealing 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 184,000원
290 2016-03-23 16시 17시 Medium Implant 설비 RS Test 메이플세미컨덕터 (주) 장비기술팀 이승욱 0원
291 2016-03-24 16시 17시 Medium Current RS Wafer 측정

기존 주 1회에서 당분간 Daily 1 회로 사용을 할 것 같습니다. 정확한 사항에 대하여 보고 후에
메일 보내 드리겠습니다.		 메이플세미컨덕터 (주) 장비기술팀 이승욱 0원
292 2016-03-28 14시 15시 Medium Current 설비 RS Test 메이플세미컨덕터 (주) 장비기술팀 이승욱 0원
293 2016-03-30 11시 12시 Medium Current RS 검증

오전 11시부터 12시 사이에 1장 진행됨으로 해당 시간대에 장비 사용이 필요하신 분은 사용하셔도
괜찮을 것 같습니다.		 메이플세미컨덕터 (주) 장비기술팀 이승욱 0원
294 2016-04-05 12시 13시 Medium Current 설비 RS Test 메이플세미컨덕터 (주) 장비기술팀 이승욱 0원
295 2016-04-07 14시 15시 Medium Current 설비 RS Check 메이플세미컨덕터 (주) 장비기술팀 이승욱 0원
296 2016-04-08 10시 11시 Medium Current 설비 RS 모니터링 메이플세미컨덕터 (주) 장비기술팀 이승욱 0원
297 2016-04-11 11시 12시 Medium Current RS Test 메이플세미컨덕터 (주) 장비기술팀 이승욱 0원
298 2016-04-11 9시 10시 조각 7매 Annealing 4/8 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
299 2016-04-12 10시 11시 Medium Current 설비 RS Test 메이플세미컨덕터 (주) 장비기술팀 이승욱 0원
300 2016-04-19 10시 11시 RS값 측정을위한 RTP 사용
 Maple Semiconducter Enginer 2Team 이영호 0원
301 2016-04-20 12시 13시 Al2o3 조각 Anneal 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
302 2016-05-03 15시 16시 etching hardmask성장 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 128,000원
303 2016-05-13 15시 16시 10나노 옥사이드 성장 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 0원
304 2016-06-03 12시 16시 1050C 2min x3 Annealing 7회 진행 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 835,000원
305 2016-06-09 16시 18시 rto 20nm 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 135,000원
306 2016-06-15 11시 12시 oxidation 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 128,000원
307 2016-06-22 13시 15시 나노융합 전문인력양성 교육 프로그램_Diffusion 위덕대학교 정보통신공학부 이재성 2,100,000원
308 2016-06-24 1시 2시 RTO 6nm 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 128,000원
309 2016-06-27 21시 22시 SAC oxidation 진행 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 128,000원
310 2016-06-28 20시 21시 thermal oxide 20nm 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 28,000원
311 2016-07-01 13시 17시 나노융합 전문인력양성 교육 프로그램_Diffusion 대구가톨릭대학교 전자공학과 김종재 2,500,000원
312 2016-07-05 12시 13시 RTA 1000.1 20sec 4ea 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 240,000원
313 2016-07-06 11시 12시 Dopant Activation Annealing 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 184,000원
314 2016-07-14 15시 16시 970도 90초 진행 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 170,000원
315 2016-07-19 15시 16시 annealing 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 184,000원
316 2016-07-19 23시 24시 RTO 20nm 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 128,000원
317 2016-07-26 23시 24시 RTO 20nm 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 128,000원
318 2016-07-27 21시 22시 RTO 20nm 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 128,000원
319 2016-07-29 11시 12시 6\" glass wafer Annealing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
320 2016-08-10 15시 16시 750C 1m30sec Annealing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 205,000원
321 2016-08-23 13시 15시 1000C 20Sec Annealing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
322 2016-09-02 12시 13시 1000도, 10 sec Annealing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 128,000원
323 2016-09-05 15시 16시 Annealing 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 128,000원
324 2016-09-20 15시 15시 25um Device layer / 400nm BOX / 400um handle 로 구성되어있는 SOI wafer에 25um층이 DRIE 되어있습니다.
이전 서강대학교 이정철교수님(김주현학생)연구실에서 진행했던방법과 동일하게 RTA를 진행하고자합니다.

1) RCA클리닝 진행이후
2) RTA 내부 클리닝후 이전레시피와 동일하게 공정부탁드립니다.
서강대학교 기계공학과 김석범 1,332,500원
325 2016-09-27 7시 8시 annealing 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 128,000원
326 2016-09-29 16시 17시 LOR Bilayer test 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 128,000원
327 2016-11-01 16시 17시 ion activation annealing at 1000℃ 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 128,000원
328 2016-11-03 15시 17시 1000c 10sec Annealing 2매 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 170,000원
329 2016-11-22 13시 15시 1000c 10s,20s Anneal 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 170,000원
330 2016-11-25 17시 18시 dopant activation annealing 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 128,000원
331 2016-12-05 14시 15시 annealing 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 128,000원
332 2016-12-05 20시 21시 SiO2 20nm 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 128,000원
333 2016-12-13 15시 16시 SiO2 20nm demosition 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 128,000원
334 2016-12-15 21시 22시 RTO 20nm 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 128,000원
335 2017-02-08 20시 21시 SiO2 20nm 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 128,000원
336 2017-02-16 14시 18시 Back Annealing 1100도 20초 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 128,000원
337 2017-02-17 9시 18시 SiC 기술사업화_Diffusion (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 2,100,000원
338 2017-03-24 10시 11시 thermal oxidation-nanowire diameter shirink 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 128,000원
339 2017-03-24 12시 14시 900 950 1000c N2 Annealing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 205,000원
340 2017-03-27 18시 20시 BioFET S/D annealing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 156,000원
341 2017-03-31 16시 18시 anneal 4회 서강대학교 전자공학과 이장우 300,000원
342 2017-04-18 12시 13시 1100도 2min Annealing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 130,000원
343 2017-05-12 16시 18시 3-2-1 3th Poly Cap Poly Anneal RTP 950℃, 90sec N2 분위기
포항공과대학교 기술지원팀 최경근 212,500원
344 2017-05-25 10시 11시 annealing (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 140,000원
345 2017-05-29 15시 18시 BioFET S/D Annealing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 130,000원
346 2017-06-02 13시 14시 Anneal 2회 서강대학교 전자공학과 이장우 200,000원
347 2017-06-02 9시 12시 0-2-9 0 Poly Poly Anneal RTP_RTA 3 RTA N2 분위기 950℃, 90sec

포항공과대학교 기술지원팀 최경근 212,500원
348 2017-06-09 14시 15시 RTA for activation annealing (580도, 63초) 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
349 2017-06-23 21시 22시 annealing (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 260,000원
350 2017-06-30 13시 17시 나노융합기술 전문인력양성 교육_Diffusion 대구대학교 중앙기기원 차정호 1,100,000원
351 2017-07-03 16시 18시 rTA 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 700,000원
352 2017-07-04 10시 11시 0-2-9 RTP_RTA 950도 90초 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 175,000원
353 2017-07-19 11시 12시 annealing 포항공과대학교 전기전자공학과 김성지 130,000원
354 2017-08-17 11시 12시 Oxidation 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 130,000원
355 2017-08-17 15시 16시 sample 3개는 550도에서 30초간

sample 2개는 600도에서 30초간		 포항공과대학교 신소재공학과 오승열 175,000원
356 2017-08-24 14시 15시 600도에서 30초간 RTP과정을 하려고 합니다. 포항공과대학교 신소재공학과 오승열 137,500원
357 2017-09-06 14시 15시 annealing할 물질은
Pt/TiN/HfO2/TiN/Si
W/HfO2/TiN/Si
Ir/HfO2/TiN/Si
입니다.

600, 700도에서 30초간 N2 분위기에서 annealing하고자 합니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 오승열 175,000원
358 2017-09-15 14시 15시 W/HfO2/TiN/Si stack annealing하려 합니다.

600도, 700도, 800도에서 30초간 진행하려 합니다.

분위기는 N2 분위기에서 진행합니다.

sample 개수는 24개 정도 되나 한번에 annealing을 진행해도 큰 상관 없습니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 오승열 212,500원
359 2017-09-18 15시 16시 RTP 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 160,000원
360 2017-10-11 17시 18시 1000, 10 sec, N2 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 130,000원
361 2017-10-13 13시 15시 3-4-2 DOP DOP Anneal Repcipe명: Temp: 1100℃, O2, Time: 60s 2회 120s 1회 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 250,000원
362 2017-10-13 14시 15시 W/HfO2/TiN/Si, TiN/HfO2/TiN/Si stack의 sample을

600, 700, 800도에서 30초간 annealing하려고 합니다.

annealing분위기는 N2 분위기 입니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 오승열 212,500원
363 2017-11-01 10시 13시 전문인력양성사업 교육_Diffusion 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,100,000원
364 2017-11-14 11시 12시 B / As / P dopant activation 실험 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 175,000원
365 2017-11-20 18시 19시 RTP after implant 포항공과대학교 전자전기공학과 최원영 130,000원
366 2017-11-28 12시 16시 activation annealing 3회 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 212,500원
367 2017-12-01 16시 17시 RTA 1000도 5sec 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 130,000원
368 2017-12-05 9시 16시 계명대학교 나노융합기술교육_Diffusion 계명대학교 화학공학과 서숭혁 1,100,000원
369 2017-12-06 9시 18시 1200V급 Trench형 SiC MOSFET 소자 개발 [4.0015452.01]_Oxidation 단위공정 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 600,000원
370 2017-12-27 19시 21시 RTA 진행 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 130,000원
371 2018-01-09 10시 18시 전문인력양성교육_소자공정_Diffusion 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,000,000원
372 2018-01-12 9시 12시 RTO Ox 20nm 선행 Test 1회
20nm 2회, 10nm 1회

Total : 4회

전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 340,000원
373 2018-01-15 15시 16시 RTA 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 160,000원
374 2018-01-16 19시 20시 1월 15일 추가사용 1회
1월 16일 사용예정 1회
총 2회 신청 부탁드립니다.		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 160,000원
375 2018-01-18 9시 11시 Annealing 6ea 서강대학교 전자공학과 이장우 0원
376 2018-01-24 16시 17시 950도 90초 3매 (SiC_sen 08) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 212,500원
377 2018-01-25 23시 24시 Oxidation 20nm (1150C) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 130,000원
378 2018-01-26 15시 16시 Wafer annealing 포항공과대학교 전자전기공학과 최원영 130,000원
379 2018-03-20 12시 13시 RTA 직접 사용 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 130,000원
380 2018-04-16 10시 12시 Annealing 9회 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 437,500원
381 2018-06-11 11시 13시 1100도 / 2 min / N2 분위기 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 130,000원
382 2018-07-11 16시 17시 3-4-2 RTO 진행 (선행 포함) 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 0원
383 2018-07-12 20시 21시 BioFET RTP 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 130,000원
384 2018-08-07 16시 17시 6-4-1 M0 Anneal split
550~600도 60초		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
385 2018-08-09 14시 15시 1000도 3초 진행 서강대학교 전자공학과 이장우 300,000원
386 2019-01-07 14시 15시 RTA (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 140,000원
387 2019-02-27 11시 12시 . (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 140,000원
388 2019-03-04 13시 14시 Poly-Si가 silica위에 증착되어있습니다. 975 도로 90초 부탁드립니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 140,000원
389 2019-03-11 13시 14시 975도에서 90초 부탁드립니다.
4인치 wafer 5장입니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 300,000원
390 2019-03-12 14시 15시 1100도 2분 선행 포함 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 350,000원
391 2019-03-15 16시 17시 Bio FET Dopant Activation 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 54,000원
392 2019-03-18 20시 21시 oxidation 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 84,000원
393 2019-03-21 19시 20시 . 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 60,000원
394 2019-03-26 17시 18시 dopant activation 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 228,000원
395 2019-03-29 15시 16시 900도에서 90초 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 140,000원
396 2019-04-15 11시 12시 5nm SiO2 growth 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 134,000원
397 2019-06-19 14시 15시 8-inch SOI Wafer 1,000 C, 10 sec, N2 분위기 Annealing 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 270,000원
398 2019-06-26 10시 13시 1100 C, 7 매 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 450,000원
399 2019-06-28 15시 16시 SiC RTO 나노융합기술원 포스텍-프라운호퍼 IISB 실용화연구센터 성민재 142,500원
400 2019-08-28 15시 17시 Si wafer 위 TiN/HZO/Pt 올라간 샘플에 4가지 조건의 RTA 부탁드립니다.
각각의 조건은 N2 condition에서 400 ℃ / 500 ℃ / 600 ℃ / 700 ℃ 로 2분씩입니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 박성민 260,000원
401 2019-09-05 10시 11시 3-1-4 RTO 경남대학교 전자공학과 김성진 200,000원
402 2019-10-22 14시 16시 Si 웨이퍼 위 HZO/TiN 스택에 700도, 800도 산소 환경에서 2분 어닐링 부탁드립니다. 포항공과대학교 전기전자공학부 고형민 190,000원
403 2019-11-05 10시 12시 SIC_gas senosr
3-1-4 RTO		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 227,500원
404 2019-11-14 14시 15시 Pt/HZO/TiN/Si 샘플에 700도 질소 환경/700도 산소 환경에서 1분 RTA 요청드립니다.
각 조건 당 6개 총 12개의 샘플입니다. 샘플 크기는 모두 2 cm x 2 cm입니다.		 포항공과대학교 전기전자공학부 고형민 190,000원
405 2019-12-10 10시 11시 나노 인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업 (주)아이제스트 연구개발팀 김성지 0원
406 2019-12-12 13시 14시 HfOx/TiN 패터닝 되어있는 조각 기판 RTP 처리하고자 합니다.

약 800도 - 900도에서 1분간 처리할 계획입니다.

당일 해당 시간에 샘플 들고 찾아뵙도록 하겠습니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 김익재 190,000원
407 2019-12-18 10시 11시 Si 웨이퍼 위 TiN/HZO/TiN 스택에 N2, 700도, 1 min / O2, 700도, 1 min 두 조건으로 RTA 부탁드립니다.
조건 별로 2 cm x 2 cm 샘플 6개입니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 박성민 180,000원
408 2019-12-19 17시 18시 SiO2/Si 기판 위에 HfO2/TiN 층을 패터닝 해놓은 기판입니다.

질소분위기 500 도, 600 도 1분 RTA 처리 진행하고자 합니다.

 포항공과대학교 신소재공학과 김익재 190,000원
409 2019-12-19 19시 21시 RTO 검증 시료
Silicide 5회		 (주)예스파워테크닉스 부설연구소 김기현 0원
410 2020-01-09 10시 11시 Oxygen 분위기, 1000 'C, 1 분 Oxide 형성 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 142,500원
411 2020-01-10 13시 14시 1. 1000 'C, Oxygen 분위기, 10 초
2. 1000 'C, Oxygen 분위기, 1 분		 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 168,000원
412 2020-01-13 10시 11시 1. 1000도, 10 sec, Oxygen 분위기
2. 1000도, 2 min, Oxygen 분위기		 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 185,000원
413 2020-01-14 13시 15시 RTO 검증 시료 (주)예스파워테크닉스 부설연구소 김기현 0원
414 2020-01-21 10시 11시 RTO
1,000도, 40초, Oxygen 분위기		 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 134,000원
415 2020-01-28 10시 12시 RTO 검증 시료
재현성 검증		 (주)예스파워테크닉스 부설연구소 김기현 0원
416 2020-02-03 14시 22시 20매 진행합니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
417 2020-02-04 13시 22시 RTP 20매 진행합니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
418 2020-02-06 14시 17시 4매 진행합니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
419 2020-02-06 17시 20시 3매 진행합니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
420 2020-02-11 9시 10시 RTO 3매 진행합니다 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
421 2020-02-13 15시 16시 700도/산소 환경에서 1분 RTA 부탁드립니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 박성민 40,000원
422 2020-02-13 9시 12시 나노인프라 활용 나노기술 응용제품 제작 지원사업 이코루미 연구소 김석근 0원
423 2020-02-14 9시 12시 나노인프라 활용 나노기술 응용제품 제작 지원사업 이코루미 연구소 김석근 0원
424 2020-02-18 16시 18시 RTP anneal 포항공과대학교 전자전기공학과 최원영 120,000원
425 2020-02-19 11시 14시 RTO 사용 신청합니다 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
426 2020-02-19 14시 18시 RTP사용 신청합니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
427 2020-05-22 16시 17시 RTA N2 분위기 1000 도 10 초 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 235,000원
428 2020-05-26 15시 16시 3-2-5 Gate Gox Oxidation RTO 900C 2min 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 142,500원
429 2020-05-28 9시 10시 SOI wafer : dopant anneal / 1050 도 30 초

 한국과학기술원 전기 및 전자공학부 박종우 200,000원
430 2020-06-01 11시 14시 어닐링 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 415,000원
431 2020-06-02 15시 16시 TEST Wafer 2장(전면) 먼저 어닐링 진행하려합니다. 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 190,000원
432 2020-06-16 17시 18시 1000도에서 60s RTA 요청드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 90,000원
433 2020-06-18 13시 14시 1000도에서 60초 RTA 부탁드리겠습니다. 감사합니다. [ SiO2(600nm) on Si 입니다 ] 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 90,000원
434 2020-06-26 16시 17시 Dopant activation 10,20,30sec split진행 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 235,000원
435 2020-07-22 10시 12시 SiO2 조건 RTO 1000℃ 60sec/30sec 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 190,000원
436 2020-07-23 15시 16시 1000도 30s 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 145,000원
437 2020-07-24 11시 12시 1000도 30s 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 280,000원
438 2020-07-29 10시 11시 RIST과제처리 포항공과대학교 전자전기공학부 신성환 134,000원
439 2020-07-29 13시 14시 RIST과제처리 포항공과대학교 전자전기공학부 신성환 168,000원
440 2020-07-30 1시 1시 [나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업]

wafer 정보
#1 : Bare wafer
#5 : Porous Si wafer

공정
Low Temp Oxidation
- #1 Bare wafer, #5 Porous Si wafer
- Temp. : 1,000도
- Time : 30 초

Oxide 두께 측정
- #1 Bare wafer (총 1매)		 더숨 연구소 허진석 200,000원
441 2020-07-31 11시 12시 [나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업]

wafer 정보
#1 Porous Si wafer

공정
-Temp. : 900도
- Time : 30초		 더숨 연구소 허진석 150,000원
442 2020-07-31 9시 10시 1. 8-inch Si Wafer: N2 분위기, 1000도, 20초
2. 8-inch SOI Wafer: N2 분위기, 1000도, 20초
3. 8-inch Si Wafer: N2 분위기, 1000도, 60초		 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 235,000원
443 2020-08-05 13시 15시 RTP 1000℃ 3sec 서강대학교 전자공학과 이장우 350,000원
444 2020-10-06 14시 16시 RTA 1050 도 10 초 한국과학기술원 전기 및 전자공학부 박종우 200,000원
445 2020-10-30 10시 12시 6-4-1 M0 Anneal RTP 600C 90sec 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
446 2020-12-01 9시 12시 [전문인력양성사업-MEMS센서 소자제작교육] RTP Anneal 나노융합기술원 사업지원팀 박진우 1,350,000원
447 2020-12-02 9시 12시 [전문인력양성사업-MEMS센서 소자제작교육] RTP Anneal 나노융합기술원 사업지원팀 박진우 1,350,000원
448 2020-12-03 9시 12시 [전문인력양성사업-MEMS센서 소자제작교육] RTP Anneal 나노융합기술원 사업지원팀 박진우 1,350,000원
449 2020-12-04 9시 12시 [전문인력양성사업-MEMS센서 소자제작교육] RTP Anneal 나노융합기술원 사업지원팀 박진우 1,350,000원
450 2020-12-17 10시 11시 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 235,000원
451 2020-12-28 14시 15시 Si wafer 1장으로 test 후
SOI wafer 3장 진행 예정		 포항공과대학교 전자전기공학과 최원영 142,500원
452 2020-12-29 15시 16시 SOI wafer 3장 포항공과대학교 전자전기공학과 최원영 227,500원
453 2021-01-07 14시 15시 1000C, 60sec 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 460,000원
454 2021-01-11 13시 14시 950도 30s 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 145,000원
455 2021-01-11 15시 16시 Al2O3 10 nm/SiO2 3nm/Si 샘플에 질소환경에서 1000℃, 1분간 RTA 부탁드립니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 박성민 142,500원
456 2021-01-14 10시 11시 RTP 공정 의뢰 드립니다.
8-inch SOI Wafer 4장
Recipe: 1000 도, 10 초, N2 분위기 조건으로 RTP 공정 진행을 부탁 드립니다.
시편은 장비 앞에 준비해두었습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 280,000원
457 2021-01-21 13시 15시 한국나노마이스터고등학교 반도체 공정 교육 - Diffusion 실습 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,100,000원
458 2021-01-26 11시 16시 전문인력양성사업 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 2,350,000원
459 2021-01-27 10시 13시 전문인력양성사업 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,300,000원
460 2021-01-29 9시 16시 전문인력양성사업 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,350,000원
461 2021-02-17 10시 17시 전문인력양성 나노소자공정 실습교육_확산 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 2,000,000원
462 2021-03-05 14시 15시 phosphorus activation annealing (600도 30초)
(O2 gas 없이 activation용 어닐링만 부탁드리겠습니다)		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 180,000원
463 2021-03-10 13시 14시 N2 Atmosphere
1050 ˚C
10s		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 이동훈 180,000원
464 2021-03-23 10시 11시 dopant activation anneal

4\\\" si wafer 2 매
(N2 Atmosphere
1050 ˚C 10s)		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 이동훈 180,000원
465 2021-03-29 9시 10시 Phosphorus activation annealing (1050도,10초)

총 4매 (Hard mask SiO2 10 nm/ Si 기판)		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 260,000원
466 2021-04-07 14시 15시 dopant activation annealing

4\" Si wafer 2ea
(N2 atmosphere, 1050도, 10초)		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 이동훈 140,000원
467 2021-04-07 8시 13시 \"8인치 적외선 MEMS Sensor 제작공정\" 계약 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 1,100,000원
468 2021-04-22 9시 15시 U.E 공정계약 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 1,100,000원
469 2021-05-17 9시 17시 공정계약02 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 3,600,000원
470 2021-06-07 11시 12시 후면 RTA
1000도 60s		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 227,500원
471 2021-06-21 9시 9시 공정계약03 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 3,600,000원
472 2021-07-21 10시 17시 공정계약04 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 3,600,000원
473 2021-08-10 10시 16시 대구카톨릭대학교 반도체 공정실습 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,160,000원
474 2021-08-18 10시 18시 공정계약05 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 3,600,000원
475 2021-09-01 15시 15시 4\\\" Ge wafer 4매
Dopant activation annealing
(N2 atmosphere 600도, 30초)

나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업, 전자과 이동훈(010.6763.7749)
 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 300,000원
476 2021-09-03 15시 16시 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 142,500원
477 2021-09-14 16시 10시 공정계약06 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 3,600,000원
478 2021-10-13 14시 15시 950C 90s
1000C 90s		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 190,000원
479 2021-10-19 9시 10시 3-1-2 1000C, 90sec N2 anneal 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 280,000원
480 2021-10-20 16시 13시 공정계약07 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 3,600,000원
481 2021-10-25 10시 12시 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 355,000원
482 2021-11-03 10시 13시 11/3~5 전문인력양성과정 MEMS 센서 소자제작교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,250,000원
483 2021-11-24 18시 16시 공정계약08 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 3,600,000원
484 2021-11-25 16시 17시 후면 RTA, 1000도, 60s 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 227,500원
485 2021-12-02 10시 11시 나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업], 전자과 신성환(010.9081.6590) 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 480,000원
486 2021-12-10 11시 12시 8\" SOI 7장
N2 분위기, 1000도, 10 초 조건 진행을 부탁 드립니다.
시편(Lot)은 장비 앞 테이블 위에 두었습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 397,500원
487 2021-12-14 10시 11시 SOI wafer 1 장
N2 분위기, 1000도, 10초 조건
공정 진행을 요청 드립니다.
시편은 RTP 장비 앞 테이블에 두었습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 142,500원
488 2021-12-15 15시 16시 1-2-1 950C,90sec annealing (Rs: 15-20옴) 템퍼스 생산기술팀 서영민 147,500원
489 2021-12-16 10시 11시 1-2-1 950C,90sec annealing 템퍼스 생산기술팀 서영민 290,000원
490 2021-12-20 9시 18시 나노융합기반고도화 사업_공정 테스트 (주)에코넷코리아 기획부서 (주)에코넷코리아 2,100,000원
491 2021-12-22 11시 9시 공정계약09 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 3,600,000원
492 2021-12-22 15시 16시 3-1-2 RTA N2 anneal 975C, 90sec (#2,#4 진행) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 190,000원
493 2021-12-30 15시 16시 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 185,000원
494 2022-01-13 1시 1시 RTO 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 185,000원
495 2022-01-20 13시 10시 나노융합 소자공정 및 측정분석 실습교육과정(4.0021910.01) 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,100,000원
496 2022-02-08 11시 12시 Non-metal RTO 진행 [4장, 전면]
- O2 : 10 slm
- Temp : 1000도
- Time : 30s

4장 모두 동일 조건으로 진행		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 270,000원
497 2022-02-09 11시 12시 RTA_전면 (2장)
- Non-metal 공정
- 전면 30nm Phosporus doped poly-silicon 박막 증착되어 있음
- N2 분위기
- 950도
- 30s
 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 185,000원
498 2022-02-09 14시 15시 RTO_전면 (5장)
- Non-metal 공정
- 전면 Silicon nanowire 형성
(박막증착X_오염처럼 보이는 것은 Etching으로 인한 것입니다)
- O2 : 10slm
- 1000도
- 30s		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 312,500원
499 2022-02-22 9시 11시 1000C 5sec 서강대학교 전자공학과 이장우 300,000원
500 2022-02-24 9시 10시 Non-metal RTA 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 142,500원
501 2022-03-15 9시 18시 나노 반도체 공정 마스터 과정 실습교육_LX세미콘 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,300,000원
502 2022-03-21 9시 13시 아이큐랩 \"Si 650V 파워반도체 제작 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 2,100,000원
503 2022-06-28 9시 16시 N2 anneal (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 1,500,000원
504 2022-07-04 8시 14시 대구대학교 나노 반도체공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,100,000원
505 2022-07-21 9시 11시 500℃ , 2min 삼성디스플레이 선행제품연구팀 김태균 220,000원
506 2022-07-27 16시 17시 1.2 RTA 삼성디스플레이 LED Lab 송영진 500,000원
507 2022-08-08 12시 13시 SDC_T01+03 RTP 삼성디스플레이 선행제품연구팀 김태균 500,000원
508 2022-08-12 15시 16시 SDC_T04 RTP 삼성디스플레이 선행제품연구팀 김태균 500,000원
509 2022-08-15 14시 18시 N2 anneal (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 2,100,000원
510 2022-09-12 12시 15시 N2 Anneal (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 1,600,000원
511 2022-10-10 12시 15시 N2 Anneal (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 2,600,000원
512 2022-10-10 16시 17시 3.0 RTA 삼성디스플레이 선행제품연구팀 김태균 260,000원
513 2022-11-01 14시 15시 1.0 RTP 삼성디스플레이 SDC硏 LED LAB 원치훈 380,000원
514 2022-11-04 16시 18시 3-1-2 RTA 975C/90s 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 280,000원
515 2022-11-07 16시 18시 RTA 삼성디스플레이 선행제품연구팀 김태균 300,000원
516 2022-11-14 12시 15시 전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,500,000원
517 2022-11-25 16시 17시 RTA (1000도 10초, N2 분위기) 서강대학교 전자공학과 이장우 200,000원
518 2022-12-12 12시 14시 2매 1000C 3sec 서강대학교 전자공학과 이장우 200,000원
519 2022-12-19 10시 18시 2022년 나노융합기반 고도화 사업 (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 2,430,000원
520 2022-12-26 8시 18시 전문인력사업 나노 소자공정&측정 일자리연계 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 3,600,000원
521 2023-01-10 10시 11시 1000deg, 20s 총 5장 포항공과대학교 전자전기공학부 신성환 312,500원
522 2023-01-12 13시 18시 부산대학교 반도체 공정교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,020,000원
523 2023-01-16 15시 14시 전문인력양성사업 나노소자공정 & 측정 일자리연계 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,700,000원
524 2023-01-24 13시 12시 Anneal (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 2,200,000원
525 2023-01-26 10시 12시 3-1-1 RTA 1050ºC/10sec 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 460,000원
526 2023-02-13 14시 16시 전문인력양성사업 나노소자공정 & 측정일자리연계 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,700,000원
527 2023-02-21 15시 12시 Anneal (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 1,800,000원
528 2023-03-13 17시 18시 RTP(500℃, 2min) 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 340,000원
529 2023-03-16 16시 17시 RTP(500℃, 2min) 삼성디스플레이 uLED Lab 이원호 580,000원
530 2023-04-03 14시 16시 RTP(650℃, 2min), RTP(600℃, 1min, O2) 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 296,000원
531 2023-04-11 15시 18시 3-1-1 RTA 1050ºC/10sec 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 292,000원
532 2023-04-18 14시 15시 조각 시편 3개 1050ºC/10sec 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 148,000원
533 2023-05-15 11시 12시 RTP 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 732,000원
534 2023-05-18 15시 16시 S1, S4 : 1000ºC/60sec
S2, S5 : 1000ºC/5sec
S3, S6 : 1015ºC/5sec		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 244,000원
535 2023-05-22 11시 12시 1-1-1 WF02, WF25 RTA 1000ºC/1min 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 권민규 196,000원
536 2023-05-23 16시 17시 RTP 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 196,000원
537 2023-05-25 14시 15시 1015ºC/10sec
1015ºC/30sec		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 196,000원
538 2023-05-30 14시 15시 1050ºC/10sec, 1015ºC/10sec 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 196,000원
539 2023-06-01 15시 14시 RTP 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,300,000원
540 2023-07-17 13시 13시 대구대학교 학부생 대상 반도체공정 몰입교육 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,180,000원
541 2023-08-01 14시 15시 RTP 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 840,000원
542 2023-08-11 10시 11시 나노융합기반 고도화사업, 전자과 손종민 (010-9766-0039)
 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 160,000원
543 2023-09-05 9시 18시 전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,500,000원
544 2023-09-06 14시 12시 경북 반도체 초격자 전문인력양성사업 반도체공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 900,000원
545 2023-10-16 9시 10시 glass 기판 3장 600C, 63s annealing 부탁드립니다 (non-metal) 포항공과대학교 전자전기공학과 손종민 154,000원
546 2023-11-07 13시 14시 조각 샘플 (non-metal) 1ea 600℃ 63sec annealing 부탁드립니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 손종민 154,000원
547 2023-11-15 14시 17시 전문인력양성사업 MEMS 센서소자제작 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,500,000원
548 2023-11-24 10시 12시 신청자: 손종민 (010-9766-0039)
glass substrate sample 3개 600C 63s activation 부탁드립니다.
glass+Si+SiO2, non-metal 샘플입니다.
박은진 연구원님께 샘플 전달드렸습니다.

TIPS 과제로 정산 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 154,000원
549 2023-11-30 9시 12시 SDC_U14 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 1,934,000원
550 2023-12-05 11시 12시 신청자: 손종민
샘플 3개 600C 63sec RTA 부탁드립니다. (Non metal)
박은진 연구원님께 샘플 전달드렸습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 154,000원
551 2023-12-06 15시 17시 이온 주입 후 dopant activation 목적으로 RTA 하려고 합니다.
실리콘에 Boron과 Phosphorus를 10 keV, 30keV로 주입하였으며
기존에 NNFC에서 하던 조건 (섭씨 1000도에서 1분 유지, 질소분위기)으로 진행하려고 합니다.
문제 시 국송현 (010-5114-2614)으로 연락 부탁드립니다.
감사합니다.		 한국과학기술원 전기및전자공학부 김상현교수님연구실 국송현 340,000원
552 2023-12-12 13시 16시 6-4-1 RTA 900℃/2min 삼성전자 DS 김태훈 0원
553 2023-12-12 9시 12시 6-4-1 RTA 900℃/2min
 삼성전자 DS 김태훈 0원
554 2024-01-08 10시 16시 전문인력양성사업 나노 소자공정&측정 일자리 연계 교육(12월). 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,600,000원
555 2024-01-29 9시 18시 포스텍 차세대반도체 공유혁신대학 나노반도체공정 실습교육 비용 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,250,000원
556 2024-06-25 10시 19시 포스텍 차세대공유혁신대학 나노 반도체공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,262,500원
557 2024-07-29 8시 22시 한국해양대학교 반도체공정 & 측정분석 연계 1차 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,037,500원
558 2024-08-23 9시 20시 대구대학교 나노 반도체공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,125,000원
559 2024-09-02 13시 16시 전문인력양성 나노 소자공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 5,250,000원
560 2024-09-11 9시 12시 4-3-3 1095℃/20sec 포항공과대학교 반도체공학과 이지원 280,000원
561 2024-10-08 13시 16시 8-2-5 RTP(1025℃, 10sec, N2) 포항공과대학교 반도체공학과 이지원 280,000원
562 2024-10-21 13시 13시 BGBM &LSA (BTP) SC004(4매) 삼성전자 DS 김태훈 6,834,750원
563 2024-12-02 10시 12시 [ICT 제품화 지원사업] 마이크로어낼리시스(주) 마이크로어낼리시스 (주) 안재훈 1,143,977원
564 2024-12-10 8시 12시 [ICT 제품화 지원사업] 에이아이박스 주식회사 개발팀 이주일 4,090,909원