NINT Information System
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| 휴가일수 | 사용일수 | 잔여일수 | ||
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| 이월 | 당해 | 계 | ||
| 일 | 일 | 0일 | 0일 | 0 일 |
| 구분 | 연간 교육 | 이수 시간 | 잔여 시간 |
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| 시간 |
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개인정보 수정
장비 리스트 관리 | 장비 리스트 관리
| 번호 | 장비명 | 모델명 | 사양 | 용도 | 일지 | 상태 | 관리 |
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| 211 | E-Beam Lithography System - 1 | ELS-7000 | 4㎚ @100㎸ | 4nm급 직접노광 |  |
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| 210 | E-Beam Lithography System - 2 | ELS-7800 | 8㎚ @80㎸ | 10nm급 고속 직접노광 | |
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| 209 | Laser Lithography System | DWL200 | Minimum Feature Size : 2㎛ | 7 inch, 6T 이하 Free Size 노광 (2,4,5,6 inch wafer, mask, etc.) | |
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| 208 | I-Line Stepper - 1 | NSR 2005 i10C | Only 8 | 미세 Pattern 형성용 | |
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| 207 | PR Track_TEL - 1 | MARK-7 | Only 8 | 미세공정 PR도포 및 현상용 | |
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| 206 | UV-IL System | EUV IL | undulator type, EUV 13.5 nm | 극자외선을 이용한 규칙적인 패턴의 제작 | |
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| 205 | PR Track_DAVID | Track | 4,6inch | 미세공정 PR도포 및 현상용 | |
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| 204 | Photo Base System | PR Spin Coater/Rinse & Dryer/Developer/Pt coater/Wet Station | |
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| 203 | PR Spin Coater_Sawatec | LSM 250 | 조각 ~ 8인지 | PR 도포 및 Bake 수동진행 | |
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| 202 | Rinse and Dryer | ST 250 | 8 | Wafer Clean 및 건조 | |
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| 201 | Developer | SAWATEC_Develop. | 8 | PR 현상 자동진행 | |
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| 200 | Pt coater | SC7640 | 조각 ~ 6인지 | Pt coating | |
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| 199 | Wet Station_Ebeam | HWC-MCP | up to 6 | 현상 및 세정(수동) | |
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| 198 | Atomic Layer Deposition (ALD) | Plus 200 | up to 8 | HfO2, Al2O3 원자층 금속증착 | |
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| 197 | UHV-CVD | Eureka 2000 | up to 8 | Si, Si-Ge Epi 형성 | |
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| 196 | Sputter_SNTEC | MSS5000 | 8inch(Max) | 금속박막증착(Al, Ti, Cr) | |
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| 195 | Metal Sputter (ME) | SPS-100 | 4inch(Max) | Ni-Cr alloy 증착 | |
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| 194 | Sputter_ENDURA - 1 | E5500 | 8inch, 6inch | Ag, Ni, Ti, 증착 자동진행 | |
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| 193 | AP-CVD | WJ-1000T | 8 only | ILD용 PSG 증착, 자동진행 | |
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| 192 | LP-CVD System | BJM100 | up to 8 | LP-CVD System | |
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