NINT Information System
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| 휴가일수 | 사용일수 | 잔여일수 | ||
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| 이월 | 당해 | 계 | ||
| 일 | 일 | 0일 | 0일 | 0 일 |
| 구분 | 연간 교육 | 이수 시간 | 잔여 시간 |
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| 시간 |
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개인정보 수정
장비 리스트 관리 | 장비 리스트 관리
| 번호 | 장비명 | 모델명 | 사양 | 용도 | 일지 | 상태 | 관리 |
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| 191 | LP-CVD | BJM100 | up to 8 | SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si |  |
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| 190 | Furnace Metal Anneal | PMF-200 | 8inch(Max) | 각종 Anneal 공정 진행(N2 분위기) Anneal Temperature 100℃~1000℃ | |
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| 189 | PE-CVD - 1 | HiDep-SC | up to 8 | SiN, SiO2, a-si 박막증착 | |
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| 188 | Sputter_ENDURA - 2 | E5500 | 8inch, 6inch | Al, Ti, TiN 증착, 자동진행 | |
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| 187 | PE-CVD - P5000 | P5000 | 8 only | SiN 박막증착, 8" 자동진행 | |
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| 186 | Dry Etcher_ICP | ㅡ | 6 | Metal 및 세라믹 건식 식각 | |
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| 185 | Dry Etcher_DMS | Silicon/metal hybrid etcher | 8 inch (Flat Type) | 20nm급 식각 | |
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| 184 | Dry Etcher_Oxide | Rainbow-4528 | 6inch (Flat Type) | Oxide Etch | |
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| 183 | Dry Etcher_Poly Si | Rainbow-4428 | Only 8 | Poly Si Etch | |
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| 182 | PR Asher_Fusion | 202ACU | Only 8 | BEOL 공정의 잔류 PR 제거 및 Etch | |
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| 181 | PR Asher_FEOL - 1 | DAS2000 | Only 8 | FEOL 공정의 잔류 PR 제거, DESCUM | |
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| 180 | Dry Etcher_Metal | TCP 9608 | Only 8 | Metal Etch | |
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| 179 | Wet Station_Acid System | HWC-MCP | up to 8 | SPM, SC-I(APM), SC-II(HPM), DHF, BOE, H3PO4, TMAH | |
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| 178 | Wet Station_Acid - 1 | HWC-MCP | up to 8 | APM/DHF/SPM, QDR | |
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| 177 | Spin Rinse Dryer | 8300S | up to 8 | 세정, Wet Etch, 현상 후 건조 | |
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| 176 | Wet Station_Pre Clean-I | WS-820L | 8 only | SC1세정, Hot QDR, 자동진행 | |
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| 175 | Wet Station_SPM | KJ-30000 | 8 only | SPM/APM/DHF, 자동진행 | |
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| 174 | Wet Station_Pre Clean | O-19 | 8 only | APM, DHF 자동진행 | |
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| 173 | Furnace_Low T Anneal | DD-803 | Only 8 | N2 Sinter, SOG Curing | |
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| 172 | Furnace_N+ Dopant Anneal | Alpha 808S | Only 8 | 고농도 N-type 불순물 열처리 | |
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