NINT 나노융합기술원

Dry Etcher_ICP 장비일지

기자재관리번호 : B0000055-062005-A0022

No	장비이용내역			이용내역		사용자	장비이용료
No	시작일	종료일	세부내용	기관명	부서(학과명)	성명	확정금액
1	2010-01-06 13시	16시	Poly-Si 2um etching Test, Nitride 3000A etching 2ea	부산대학교	기계공학부	김형훈	300,000원
2	2010-01-10 14시	15시	Oxide etching	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
3	2010-01-11 14시	16시	GaN 2um Etching	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
4	2010-01-12 11시	12시	Oxide 3000A etching	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
5	2010-01-12 15시	16시	GaN 2um etching	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
6	2010-01-14 18시	20시	GaN 2um Etching	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
7	2010-01-19 13시	16시	Quartz Etching	포항공과대학교	화학과	권성홍	375,000원
8	2010-01-20 16시	17시	GaN etch	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
9	2010-01-21 17시	18시	Nitride Etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김성호	0원
10	2010-01-26 10시	12시	Nitride Etching	부산대학교	기계공학부	차제명	180,000원
11	2010-01-28 10시	12시	Al 20A Dep & Etch	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	225,000원
12	2010-01-30 15시	16시	BioFET Etching	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
13	2010-01-31 15시	16시	BioFET Etching	포항공과대학교	전자전기공학과	김성호	0원
14	2010-02-01 15시	17시	Quartz Etching Test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
15	2010-02-02 13시	18시	Oxide Etch(pattern 5ea)	포항공과대학교	화학과	이윤희	300,000원
16	2010-02-03 09시	14시	Oxide Etch(pattern 5ea)	포항공과대학교	화학과	이윤희	300,000원
17	2010-02-04 16시	18시	GaN 2um Etching	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
18	2010-02-06 11시	13시	GaN Etching	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
19	2010-02-08 18시	19시	GaN etching	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
20	2010-02-09 10시	17시	Oxide Etching	대구경북과학기술원	나노바이오부	장환수	504,000원
21	2010-02-10 10시	18시	Oxide Etching	대구경북과학기술원	나노바이오부	장환수	630,000원
22	2010-02-10 18시	19시	Nitride Etch	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
23	2010-02-11 10시	12시	Nitride Etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김성호	0원
24	2010-02-11 12시	18시	Oxide Etching	대구경북과학기술원	나노바이오부	장환수	432,000원
25	2010-02-16 11시	13시	Nitride Etching	포항공과대학교	전자전기공학과	김성호	0원
26	2010-02-16 17시	19시	GaN etch	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
27	2010-02-17 13시	18시	Oxide Etching	대구경북과학기술원	나노바이오부	장환수	360,000원
28	2010-02-18 10시	15시	Oxide Etching	대구경북과학기술원	나노바이오부	장환수	450,000원
29	2010-02-22 16시	17시	GaN 전면 에칭	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
30	2010-02-23 10시	11시	Nitride etch	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
31	2010-02-25 14시	15시	GaN 전면에칭	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
32	2010-03-10 15시	16시	HSQ (E-Beam용 Negative PR) Ashing	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
33	2010-03-11 16시	17시	AR-N (E-Beam PR) Ashing Test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
34	2010-03-16 16시	17시	AR-N(E-Beam PR) Ashing	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
35	2010-03-17 10시	11시	AR-N(E-Beam PR) Ashing	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
36	2010-03-18 12시	18시	Oxide etching	대구경북과학기술원	나노바이오부	장환수	540,000원
37	2010-03-19 09시	12시	Oxide etching	대구경북과학기술원	나노바이오부	장환수	216,000원
38	2010-03-25 20시	22시	GaN etch	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
39	2010-03-30 13시	14시	Nitride etch	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
40	2010-04-06 11시	18시	SiO2 etching	대구경북과학기술원	나노바이오부	장환수	504,000원
41	2010-04-07 10시	12시	SiO2 etching	대구경북과학기술원	나노바이오부	장환수	144,000원
42	2010-04-07 12시	13시	Al etch test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
43	2010-04-08 13시	15시	Oxide Etch	부산대학교	정밀가공시스템전공(MEMS LAB)	김영욱	180,000원
44	2010-04-09 14시	15시	Nitride etch	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
45	2010-04-13 15시	16시	GaN etching	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
46	2010-04-19 14시	18시	Oxide Etching	대구경북과학기술원	나노바이오부	장환수	540,000원
47	2010-04-20 12시	18시	Oxide Etch	대구경북과학기술원	나노바이오부	장환수	432,000원
48	2010-04-21 10시	15시	Oxide Etching	대구경북과학기술원	나노바이오부	장환수	432,000원
49	2010-04-22 10시	12시	TaN C etching	포항공과대학교	화공과	김석훈	150,000원
50	2010-04-29 11시	12시	Al etching	포항공과대학교	물리학과	박종현	75,000원
51	2010-04-29 13시	15시	PR remove	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
52	2010-05-04 15시	16시	Nitride etch	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
53	2010-05-06 14시	16시	GaN etching	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
54	2010-05-07 11시	12시	Nitride etching	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	0원
55	2010-05-11 19시	21시	GaN etch	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	0원
56	2010-05-12 15시	17시	GaN etch	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	0원
57	2010-05-17 20시	21시	GaN Etch	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	0원
58	2010-05-18 11시	12시	SiO2 1500A Etch	부산대학교	정밀가공시스템전공(MEMS LAB)	김영욱	90,000원
59	2010-05-18 17시	18시	GaN	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	0원
60	2010-05-19 15시	16시	GaN Etch	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	0원
61	2010-05-24 14시	15시	GaN Etch	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	0원
62	2010-05-25 13시	15시	태양전지용 셀 에칭	조선대학교	전기공학과	류승한	200,000원
63	2010-05-26 17시	18시	GaN	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	0원
64	2010-05-26 19시	20시	Nitride etching	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	0원
65	2010-05-27 14시	18시	Oxide Etching	대구경북과학기술원	나노바이오부	장환수	360,000원
66	2010-05-28 09시	16시	Oxide Etching	대구경북과학기술원	나노바이오부	장환수	630,000원
67	2010-05-28 16시	17시	PR remove	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
68	2010-05-28 23시	24시	PR ashing	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	0원
69	2010-05-29 15시	17시	GaN etching	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	0원
70	2010-05-30 14시	16시	GaN etching	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	0원
71	2010-05-31 14시	18시	GaN etching	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	0원
72	2010-06-01 18시	21시	GaN etch(공정셋업)	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
73	2010-06-07 15시	16시	GaN etching(공정셋업)	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	0원
74	2010-06-07 16시	18시	Cr Etch Test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
75	2010-06-08 11시	12시	Cr Etching Test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
76	2010-06-08 14시	17시	Fe etching	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	320,000원
77	2010-06-08 20시	22시	Si Etching	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	80,000원
78	2010-06-09 14시	16시	GaN Etching(공정셋업)	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	0원
79	2010-06-09 16시	17시	GaN Etching(공정셋업)	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	0원
80	2010-06-10 13시	15시	Fe etching	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	240,000원
81	2010-06-10 15시	16시	Cr Etch (NIL)	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
82	2010-06-10 16시	17시	Quartz Etch	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
83	2010-06-10 19시	20시	GaN Etch(공정셋업)	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	0원
84	2010-06-14 10시	14시	Al etch test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
85	2010-06-14 15시	18시	Al 1.2um Etch Test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
86	2010-06-15 09시	11시	Al Etch Test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
87	2010-06-15 14시	15시	Cr Etch Test (NIL)	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
88	2010-06-16 09시	11시	Al 1.2um Etch Test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
89	2010-06-16 14시	16시	Al Etch test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
90	2010-06-17 09시	11시	Al 1.2um etch test (real)	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
91	2010-06-17 11시	12시	Cr Etch Test (NIL)	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
92	2010-06-17 23시	24시	PR remove	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	80,000원
93	2010-06-18 13시	14시	PR remmove	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	64,000원
94	2010-06-22 09시	11시	Fe Etch	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	240,000원
95	2010-06-23 10시	15시	Puming, Cleaning	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
96	2010-06-23 18시	19시	PR remove	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	40,000원
97	2010-06-24 11시	14시	Fe etch test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
98	2010-06-24 16시	17시	GaN Etch(공정셋업)	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
99	2010-06-25 10시	12시	Quartz etching test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
100	2010-06-28 13시	17시	Fe etching Test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
101	2010-06-28 20시	21시	PR remove	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	40,000원
102	2010-06-29 14시	16시	Al Etch & Quartz Etch & PR remove	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
103	2010-06-30 10시	12시	Fe etching Test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
104	2010-06-30 14시	17시	Cr, Quartz Etching Test (NIL)	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
105	2010-07-01 15시	17시	Al Etch_Quart Etch_PR remove	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
106	2010-07-05 14시	17시	Chuck exchange_Cleaning_Pumping	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
107	2010-07-06 10시	13시	Cr Etch_Quartz Etch_PR ashing (NIL)	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
108	2010-07-12 13시	17시	Cr + Quartz Etch (NIL)	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
109	2010-07-15 10시	18시	Oxide Etching	대구경북과학기술원	나노바이오부	장환수	720,000원
110	2010-07-16 01시	02시	Oxide etching (GaN Etch 공정개발)	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
111	2010-07-16 13시	15시	Al_Quartz Etch Test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
112	2010-07-16 15시	17시	GaN Etch Test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
113	2010-07-19 14시	16시	TaCN electrode etching	포항공과대학교	화학공학과	황인용	192,000원
114	2010-07-19 17시	18시	GaB Etching Test	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
115	2010-07-20 14시	17시	Fe Etching	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	400,000원
116	2010-07-21 09시	12시	Fe Etching	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	400,000원
117	2010-07-22 19시	20시	GaN Etching Test	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
118	2010-07-27 13시	16시	Cr / Qz etching	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
119	2010-07-28 16시	17시	TaCxNy 박막 식각	포항공과대학교	화공과	조기희	80,000원
120	2010-07-29 10시	15시	Dot Pattern, Cr_Qz Etch, PR_Cr Remove	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
121	2010-07-30 09시	14시	GaAs Etching (4um)	(주)옵토웰	반도체공정팀	홍영규	400,000원
122	2010-08-05 13시	16시	Teat Pattern_Pt_Al_GaN Etch Test	UNIST	전기전자컴퓨터공학부	고흥석	200,000원
123	2010-08-06 16시	18시	TaCN박막 etching	포항공과대학교	화학공학과	황인용	64,000원
124	2010-08-10 10시	12시	GaN Etch(Ni mask) : Pt_Al_GaN Etch Test	UNIST	전기전자컴퓨터공학부	고흥석	100,000원
125	2010-08-10 13시	17시	Quartz(6") Pattern_Etch_Cleaning_Measurement(나노코리아)	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
126	2010-08-13 10시	12시	E-Beam Pattern Qz Etch Test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
127	2010-08-20 15시	16시	TaCN 박막 식각	포항공과대학교	화공과	조기희	80,000원
128	2010-08-26 13시	15시	GaN etch (Au anneal : 2ea)	UNIST	전기전자컴퓨터공학부	고흥석	100,000원
129	2010-08-26 16시	17시	TaCxNy 박막 식각	포항공과대학교	화공과	조기희	128,000원
130	2010-08-31 13시	15시	Cr_Qz Etch	(주)디엠에스		김성해	320,000원
131	2010-09-01 14시	17시	Sample Cleaning	POSCO	표면처리연구그룹	조재동	320,000원
132	2010-09-02 15시	18시	Pt_Al_GaN Etch Test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
133	2010-09-03 10시	12시	Ni Etch Test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
134	2010-09-08 13시	16시	Oxide Etch	대구경북과학기술원	나노바이오부	장환수	450,000원
135	2010-09-09 13시	16시	Oxide Etch	대구경북과학기술원	나노바이오부	장환수	270,000원
136	2010-09-13 09시	11시	Qz Etch	(주)디엠에스		김성해	160,000원
137	2010-09-17 16시	17시	TaCN 식각	포항공과대학교	화공과	조기희	64,000원
138	2010-09-29 13시	16시	Al Etch	포항공과대학교	물리학과	박종현	240,000원
139	2010-10-04 10시	11시	Oxide Etch	포항공과대학교	가속기연구소	김종현	80,000원
140	2010-10-07 16시	17시	TaCN 식각	포항공과대학교	화공과	조기희	64,000원
141	2010-10-14 16시	17시	TaCN 식각	포항공과대학교	화공과	조기희	64,000원
142	2010-10-15 10시	11시	Oxide Etch	포항공과대학교	가속기연구소	김종현	80,000원
143	2010-10-21 16시	17시	TaCn 식각	포항공과대학교	화공과	조기희	64,000원
144	2010-11-01 10시	14시	Oxide Etch(7mask)	재료연구소	융합공정연구본부	나종주	720,000원
145	2010-11-01 16시	17시	TaCN 식각	포항공과대학교	화공과	조기희	64,000원
146	2010-11-03 10시	16시	Cr Etch(Pattern+Etch)	재료연구소	융합공정연구본부	나종주	1,170,000원
147	2010-11-04 16시	17시	TaCN etch	포항공과대학교	화공과	조기희	64,000원
148	2010-11-10 17시	18시	TaNC etching	포항공과대학교	화공과	조기희	64,000원
149	2010-11-18 16시	17시	TaCN Etch	포항공과대학교	화공과	조기희	64,000원
150	2010-11-24 13시	15시	Cr etch	(주)디엠에스		김성해	400,000원
151	2010-11-25 17시	18시	TaCN etch	포항공과대학교	화공과	조기희	64,000원
152	2010-12-01 17시	18시	TaCN etch	포항공과대학교	화공과	조기희	64,000원
153	2010-12-06 11시	14시	Cr_Qz etch	(주)디엠에스		김성해	640,000원
154	2010-12-06 15시	18시	Pattern + SiN 1um etching	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	320,000원
155	2010-12-07 09시	13시	Cr_Qz etch	(주)디엠에스		김성해	800,000원
156	2010-12-07 13시	15시	Cr_Qz etch	(주)디엠에스		김성해	344,000원
157	2010-12-13 10시	13시	Qz etching	포항공과대학교	화학과	이윤희	320,000원
158	2010-12-14 09시	15시	Qz etch(pattern)	포항공과대학교	화학과	이윤희	1,344,000원
159	2010-12-15 10시	11시	Oxide etch	재료연구소	내열재료연구실	윤대원	80,000원
160	2010-12-15 12시	14시	Qz etching	포항공과대학교	화학과	이윤희	240,000원
161	2010-12-15 17시	18시	TaCN etch	포항공과대학교	화공과	조기희	64,000원
162	2010-12-16 09시	10시	GaN etch(2.5um)	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	160,000원
163	2010-12-23 16시	17시	TaCN etch	포항공과대학교	화공과	조기희	64,000원
164	2010-12-28 16시	17시	Oxide 2000A etch	재료연구소	내열재료연구실	윤대원	80,000원
165	2011-01-06 12시	15시	Plasma etch	한국기계연구원 부설 재료연구소	기능재료연구본부	한병동	360,000원
166	2011-01-11 10시	12시	Su-8 remove test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
167	2011-01-12 16시	18시	Coating 물질 Plasma 처리	한국기계연구원 부설 재료연구소	기능재료연구본부	한병동	180,000원
168	2011-01-13 14시	15시	Oxide etch recipe	포항공과대학교	물리학과	이용우	80,000원
169	2011-01-13 16시	17시	SiO2 etch	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
170	2011-01-21 17시	18시	TaCN etch	포항공과대학교	화학공학과	황인용	64,000원
171	2011-01-25 15시	16시	Oxide 50nm etch	포항공과대학교	화학공학과	김현호	80,000원
172	2011-01-27 14시	15시	GaN etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	80,000원
173	2011-01-28 17시	18시	TaCN Etch	포항공과대학교	화공과	조기희	64,000원
174	2011-02-08 14시	16시	Al2O3 15nm_SiO2 100nm_O2 Plasma	포항공과대학교	화학공학과	김현호	192,000원
175	2011-02-11 11시	12시	GaN etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	80,000원
176	2011-02-16 09시	13시	Mask_II_Al etching	포항공과대학교	신소재공학과	유제원	640,000원
177	2011-02-17 16시	17시	TaCN etch	포항공과대학교	화공과	조기희	64,000원
178	2011-02-28 17시	18시	TaCN etching	포항공과대학교	화공과	조기희	64,000원
179	2011-03-08 13시	15시	Oxide 20nm 3ea	포항공과대학교	화공과	조기희	240,000원
180	2011-03-11 16시	17시	TaCN etch	포항공과대학교	화공과	조기희	64,000원
181	2011-03-15 09시	13시	CF4/Ar=45/15 etch 30min 2ea	한국기계연구원 부설 재료연구소	기능재료연구본부	한병동	270,000원
182	2011-03-16 09시	13시	Cl2/BCl3 gas etching (test 4ea, real 1ea)	한국기계연구원 부설 재료연구소	기능재료연구본부	한병동	540,000원
183	2011-03-18 16시	17시	TaCN etch	포항공과대학교	화공과	조기희	64,000원
184	2011-03-18 19시	20시	TaCN etch	포항공과대학교	화공과	조기희	64,000원
185	2011-03-21 10시	12시	PS bead reduction 3ea	포항공과대학교	신소재	유선영	160,000원
186	2011-03-22 10시	12시	PS bead reduction	포항공과대학교	신소재	유선영	160,000원
187	2011-03-22 13시	17시	세라믹 etching_30분_3회	한국기계연구원 부설 재료연구소	기능재료연구본부	한병동	360,000원
188	2011-03-23 10시	12시	Mask_etch	한국생산기술연구원	친환경청정기술센터	배민아	500,000원
189	2011-03-31 14시	16시	Oxide Etch	전북대학교	전자공학부	김기현	128,000원
190	2011-04-06 09시	13시	Oxide_Nitride Etch (mask)	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	800,000원
191	2011-04-12 13시	15시	Cr etching_Mask	포항공과대학교	기계공학과	박병규	240,000원
192	2011-04-17 15시	16시	Oxide, Nitride etching	전북대학교	전자공학부	김기현	128,000원
193	2011-04-22 09시	12시	Oxide etching_SPM_DGIST	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
194	2011-04-25 15시	17시	Oxide etch	포항공과대학교	신소재공학과	하우진	128,000원
195	2011-04-29 15시	16시	Oxide etching	포항공과대학교	신소재공학과	하우진	64,000원
196	2011-05-04 15시	16시	Oxide etching	포항공과대학교	신소재공학과	하우진	128,000원
197	2011-05-10 20시	21시	GaN etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	128,000원
198	2011-05-11 21시	22시	GaN etching	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	128,000원
199	2011-05-13 02시	03시	GaN etching	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
200	2011-05-14 16시	17시	Oxide etch	포항공과대학교	전자전기공학과	강대건	64,000원
201	2011-05-16 10시	12시	유기물 etch Test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
202	2011-05-17 19시	21시	Oxide etch	포항공과대학교	전자전기공학과	강대건	80,000원
203	2011-05-18 10시	11시	유기물 etching	포항공과대학교	화학공학과	윤원민	80,000원
204	2011-05-19 10시	11시	PS bead etching	포항공과대학교	신소재	유선영	80,000원
205	2011-05-19 16시	17시	TaCN etch	포항공과대학교	화학공학과	황인용	64,000원
206	2011-09-20 13시	15시	pattern etch	포항공과대학교	화학공학과	윤원민	192,000원
207	2011-09-21 14시	16시	pattern etch	포항공과대학교	화학공학과	윤원민	192,000원
208	2011-09-22 10시	12시	Pattern etch	포항공과대학교	화학공학과	윤원민	192,000원
209	2011-09-22 20시	22시	pattern etch	포항공과대학교	화학공학과	윤원민	128,000원
210	2011-09-23 10시	11시	Oxide etch	부경대학교	기계설계공학과	유동인	80,000원
211	2011-09-24 10시	17시	8" wafer trench etch	넥스원코퍼레이션		변응균	1,000,000원
212	2011-09-26 17시	18시	Oxide etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
213	2011-09-29 11시	12시	GaN etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
214	2011-09-30 16시	17시	TiN etch	포항공과대학교	ITCE	정새벽	64,000원
215	2011-10-05 09시	15시	Oxide etch	대구경북과학기술원	에너지연구부	백성호	0원
216	2011-10-05 15시	16시	TiN etching	포항공과대학교	ITCE	정새벽	64,000원
217	2011-10-06 09시	17시	Oxide etch	대구경북과학기술원	에너지연구부	백성호	0원
218	2011-10-17 16시	17시	TiN etch	포항공과대학교	ITCE	정새벽	64,000원
219	2011-10-17 20시	21시	TiN etch	포항공과대학교	ITCE	정새벽	40,000원
220	2011-10-26 18시	20시	etching	포항공과대학교	화학공학과	윤원민	192,000원
221	2011-10-31 09시	10시	Pattern etch	포항공과대학교	화학공학과	윤원민	64,000원
222	2011-11-14 14시	15시	GaN etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
223	2011-11-16 10시	12시	GaN etch 5ea	전북대학교	신소재공학부	조동섭	500,000원
224	2011-11-16 22시	23시	pattern etching	포항공과대학교	화학공학과	윤원민	64,000원
225	2011-11-17 10시	12시	GaN etch 4ea	전북대학교	신소재공학부	조동섭	400,000원
226	2011-11-22 12시	13시	pattern etch	포항공과대학교	화학공학과	윤원민	64,000원
227	2012-01-11 22시	23시	oxide etch, GaN etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	128,000원
228	2012-01-12 01시	02시	TiN etch	포항공과대학교	ITCE	정새벽	40,000원
229	2012-01-13 16시	17시	GaN Etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
230	2012-01-16 21시	22시	TiN Etch	포항공과대학교	ITCE	정새벽	40,000원
231	2012-01-18 14시	15시	TiN Etch	포항공과대학교	ITCE	정새벽	128,000원
232	2012-01-26 17시	18시	TiN etching	포항공과대학교	ITCE	정새벽	64,000원
233	2012-02-06 13시	15시	Mate Etch Test (Ti,Al,TiN)	(주)디엠에스		김성해	540,000원
234	2012-02-16 10시	12시	Oxide Etch : 2500 A --> 2700 A Target_선처리	대구경북과학기술원	에너지연구부	백성호	0원
235	2012-02-17 16시	18시	GaN Etch : 100nm Target	포항공과대학교	신소재공학과	김효은	80,000원
236	2012-02-21 09시	16시	Metal Etch Recipe 평가	(주)디엠에스		김성해	1,800,000원
237	2012-02-21 16시	18시	GaN Dry Etch : Sample 8개 --> 2 Charge	경북대학교	전자전기컴퓨터학부	이정희	200,000원
238	2012-02-23 14시	15시	GaN etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	128,000원
239	2012-02-24 10시	12시	GaN Etching : 7 min (5min 이상 진행)	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	160,000원
240	2012-02-28 10시	12시	GaN ETCH	포항공과대학교	첨단재료과학부	이환건	80,000원
241	2012-02-29 14시	17시	GaN : 1um (조각시료 13개) PSS TEST : 10min	포항공과대학교	첨단재료과학부	이환건	240,000원
242	2012-02-29 17시	18시	GaN ETCH : 2000 A	경북대학교	전자전기컴퓨터학부	이정희	80,000원
243	2012-03-01 19시	20시	TiN Etch	포항공과대학교	ITCE	정새벽	40,000원
244	2012-03-06 12시	18시	GaN Etch : 7 ea - 2300 Å	경북대학교	전자전기컴퓨터학부	이정희	300,000원
245	2012-03-06 19시	20시	Silicon etching test	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	40,000원
246	2012-03-08 14시	17시	GaN Etch : 1um Target 시료 : 16ea	포항공과대학교	첨단재료과학부	이환건	240,000원
247	2012-03-08 20시	21시	Dry Etching	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	40,000원
248	2012-05-07 14시	15시	계명대인력양성실습_1조	나노기술집적센터	구미분소	김두석	0원
249	2012-05-08 10시	15시	Quartz Etch 실습	나노기술집적센터	구미분소	김두석	0원
250	2012-05-08 15시	16시	계명대 인력양성사업 실습_2조	나노기술집적센터	구미분소	김두석	0원
251	2012-05-10 16시	17시	계명대 인력양성 실습_4조	나노기술집적센터	구미분소	김두석	0원
252	2012-05-11 13시	14시	1. Oxide Etch : 200nm 2. Al Etch : 20nm	포항공과대학교	화학공학과	김래호	160,000원
253	2012-05-11 14시	17시	Slide glass Etch : 2000 A (5매 : 2회 진행)	포항공과대학교	화학과	이윤희	160,000원
254	2012-05-14 14시	15시	1. Oxide Etch : 200nm 2. Al Etch : 20nm Over	포항공과대학교	화학공학과	김래호	160,000원
255	2012-05-22 10시	13시	1. Oxide 200nm Etch : 2회 2. Al 20nm Etch : 1회 --> SPLIT 진행	포항공과대학교	화학공학과	김래호	192,000원
256	2012-05-30 10시	11시	Al2O3 Etch 조건 평가	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	160,000원
257	2012-05-31 10시	12시	Al2O3 Etch	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
258	2012-06-01 20시	21시	Si etching test	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	40,000원
259	2012-06-04 11시	16시	GaN Etch 2.0um : 조각 2ea (기본 1um + 추가 1um) 3.0um : 조각 다수(기본 1um + 추가 2um)	경북대학교	전자전기컴퓨터학부	이정희	500,000원
260	2012-06-04 19시	20시	1. Oxide Dry Etch 2. Al Dry Etch	포항공과대학교	화학공학과	김래호	128,000원
261	2012-06-06 23시	24시	Silicon Etch	포항공과대학교	ITCE	정새벽	80,000원
262	2012-06-07 13시	19시	GaN Etch Split 1. 6000 A 2. 8000 A 3. 10000 A 4. 15000 A 5. 30000 A (1.0um 이상 진행 시 추가 비용 발생)	경북대학교	전자전기컴퓨터학부	이정희	700,000원
263	2012-06-08 10시	12시	Al2O3 Etching (조각 Sample)	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
264	2012-06-12 13시	16시	Slide glass etch	포항공과대학교	화학과	이윤희	320,000원
265	2012-06-13 19시	20시	GaN Etch	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	40,000원
266	2012-06-14 10시	15시	Slide glass etch	포항공과대학교	화학과	이윤희	320,000원
267	2012-06-14 17시	18시	GaN Etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	40,000원
268	2012-06-18 10시	13시	Slide glass etch	포항공과대학교	화학과	이윤희	320,000원
269	2012-06-18 15시	16시	PI etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
270	2012-06-18 16시	19시	GaN Etch 1) 2200 A : 2inch 3매 + 조각 Sample + GaN on Si Sample 2) 6000 A : 조각 Sample 3) 1.5um : 조각 Sample (1.0um 이상)	경북대학교	전자전기컴퓨터학부	이정희	800,000원
271	2012-06-18 19시	20시	PI etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
272	2012-06-18 20시	21시	Si Etch	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	40,000원
273	2012-06-19 10시	13시	GaN Etch 1) 500 A : 2inch 3매 + GaN on Si Sample 2) 1.5um : 조각 Sample (1.0um 초과)	경북대학교	전자전기컴퓨터학부	이정희	600,000원
274	2012-06-19 19시	20시	PI etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
275	2012-06-20 09시	13시	GaN Etch : 조각 Sample 다수 (3회 진행)	경북대학교	전자전기컴퓨터학부	이정희	300,000원
276	2012-06-21 11시	14시	Slide glass etch	포항공과대학교	화학과	이윤희	320,000원
277	2012-06-21 16시	17시	샘플 표면 에칭	포항공과대학교	화학공학과	김래호	128,000원
278	2012-06-22 10시	11시	샘플 표면 에칭	포항공과대학교	화학공학과	김래호	128,000원
279	2012-06-22 13시	15시	Slide glass etch	포항공과대학교	화학과	이윤희	320,000원
280	2012-06-26 10시	14시	Slide glass etch	포항공과대학교	화학과	이윤희	320,000원
281	2012-06-27 03시	04시	Oxide Etch	포항공과대학교	화학공학과	김래호	64,000원
282	2012-06-27 11시	13시	GaN Etch	경북대학교	전자전기컴퓨터학부	이정희	100,000원
283	2012-06-28 11시	12시	Al2o3 Etch	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
284	2012-06-28 21시	22시	Si Etch	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	40,000원
285	2012-06-29 13시	15시	Slide glass etch	포항공과대학교	화학과	이윤희	480,000원
286	2012-07-01 20시	21시	Sample Dry Etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
287	2012-07-02 10시	12시	Slide glass etch	포항공과대학교	화학과	이윤희	240,000원
288	2012-07-02 20시	21시	PI etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
289	2012-07-04 21시	22시	sample Etch	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	40,000원
290	2012-07-06 17시	18시	PI etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
291	2012-07-12 02시	03시	PI Etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
292	2012-07-13 14시	15시	u-GaN etching 1um	포항공과대학교	신소재공학과	김경준	80,000원
293	2012-07-13 16시	18시	GaN Etch : 조각 시편 6ea	부경대학교	차세대반도체공학전공	김동영	80,000원
294	2012-07-16 13시	14시	GaN etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
295	2012-07-16 21시	22시	GaN Etch	포항공과대학교	ITCE	정새벽	40,000원
296	2012-07-17 14시	16시	GaN Etch 1um	UNIST	전기전자컴퓨터공학부	고흥석	100,000원
297	2012-07-18 14시	15시	GaN Etch : 300nm, 800nm Split 진행 (3회)	포항공과대학교	신소재공학과	김경준	240,000원
298	2012-07-26 16시	18시	GaN 8000 A Etch 1) 3inch 2/3 2) MgO on GaN 3) GaN on Si : 조각 시료 다수	포항공과대학교	신소재공학과	김범준	240,000원
299	2012-07-27 14시	16시	Nitride 10000 A Etch	포항공과대학교	기계공학과	정화평	160,000원
300	2012-07-27 16시	17시	GaN etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
301	2012-07-30 21시	22시	Si etching test	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	40,000원
302	2012-07-31 10시	12시	Al2O3 Etch	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	160,000원
303	2012-08-01 20시	21시	나노 패턴 실리콘 에칭_조각	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
304	2012-08-02 14시	16시	GaN Etch : 조각 10개 --> 2회 진행	부경대학교	차세대반도체공학전공	김동영	160,000원
305	2012-08-02 16시	17시	GaN Etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
306	2012-08-03 10시	11시	2-2-1 Gate Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	100,000원
307	2012-08-06 13시	14시	ICP Etch	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
308	2012-08-07 14시	16시	GaN Etch 조각 6매 2회진행	부경대학교	차세대반도체공학전공	김동영	160,000원
309	2012-08-08 18시	20시	3-2-1 PDA Metal Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	100,000원
310	2012-08-08 21시	22시	샘플 에칭	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	40,000원
311	2012-08-09 14시	16시	GaN etching 275sec	부경대학교	차세대반도체공학전공	김동영	240,000원
312	2012-08-13 18시	19시	oxide etching	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
313	2012-08-14 01시	02시	SiO2 90nm Recipe #2, 80sec	포항공과대학교	ITCE	정새벽	40,000원
314	2012-08-16 22시	23시	Oxide Etching	포항공과대학교	ITCE	정새벽	40,000원
315	2012-08-21 13시	15시	SiO2 30nm etching	포항공과대학교	화학공학과	김현호	80,000원
316	2012-08-22 14시	18시	Nitride Etch	포항공과대학교	기계공학과	정화평	192,000원
317	2012-08-22 18시	19시	Si Etch	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
318	2012-08-22 20시	21시	PI etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
319	2012-08-23 09시	18시	Oxide etch	대구경북과학기술원	에너지연구부	백성호	1,046,000원
320	2012-08-23 23시	24시	Si Etch	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
321	2012-08-27 10시	12시	Al2O3 Etch	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
322	2012-08-27 12시	18시	특성화고 교육	나노융합기술원	공정기술팀	김수곤	1,500,000원
323	2012-08-27 20시	21시	GaN etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
324	2012-08-29 11시	12시	PI Etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
325	2012-08-29 13시	14시	Al2O3 Etch	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
326	2012-09-03 10시	16시	GaN Etch : 2000 A target (조각 샘플 & 2" Wafer : 3회 진행)	경북대학교	전자전기컴퓨터학부	이정희	300,000원
327	2012-09-05 19시	20시	Sample Etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
328	2012-09-07 15시	16시	Oxide etching	포항공과대학교	ITCE	정새벽	64,000원
329	2012-09-10 12시	17시	Metal TiN=300A/Al=3000A etching 1) 공정 조건 Test : Targetting & SEM 확인 2) 4inch wafer 6매 진행 (2ea:제외)	경북대학교 산학연구진흥과	전자전기컴퓨터학부	전성찬	400,000원
330	2012-09-10 20시	21시	PI etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
331	2012-09-13 01시	02시	oxide etching	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	40,000원
332	2012-09-14 14시	18시	GaN Etch : 4000 A Target (Test Sample 진행 & Main 진행)	경북대학교	강인만교수님연구실	서재화	100,000원
333	2012-09-19 10시	14시	Al2O3 Etch : 100sec/110sec Split	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	160,000원
334	2012-09-21 10시	11시	500nm, GaN etching	포항공과대학교	MSE	박준혁	80,000원
335	2012-09-21 14시	15시	Al2O3 Etch	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
336	2012-09-24 16시	17시	Oxide Etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
337	2012-09-25 14시	18시	GaN Etch : 조각 Sample 21ea (3회 진행)	부경대학교	차세대반도체공학전공	김동영	240,000원
338	2012-09-26 21시	22시	PI etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	40,000원
339	2012-10-05 10시	11시	Al2O3 Etching	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
340	2012-10-06 13시	14시	GaN Etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
341	2012-10-09 13시	14시	2-2-1 MET1 TiN Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
342	2012-10-09 15시	16시	GaN Etch	포항공과대학교	MSE	박준혁	80,000원
343	2012-10-09 16시	17시	1-2-1 Oxide 1um etch (GK03)	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	600,000원
344	2012-10-09 17시	19시	1-2-2 Oxide 3000A + SiN 1um etch (GK03)	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	1,200,000원
345	2012-10-10 14시	16시	GaN Etching : 4000 A	경북대학교	강인만교수님연구실	서재화	100,000원
346	2012-10-10 16시	18시	2-1-1 Isotropic Etch (GK03)	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	1,000,000원
347	2012-10-11 14시	17시	1-2-1 AKEY Etch (Nitride Etch)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	800,000원
348	2012-10-12 09시	11시	1-2-1 AKEY Etch (GaN)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	800,000원
349	2012-10-15 10시	12시	1-2-1 AKEY SiN Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
350	2012-10-15 13시	17시	Ti/Al Dry Etch	경북대학교 산학연구진흥과	전자전기컴퓨터학부	전성찬	300,000원
351	2012-10-15 17시	18시	1-2-2 AKEY GaN Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
352	2012-10-15 19시	20시	PI etch (PQR)	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
353	2012-10-17 15시	17시	2-2-1 ISO SiN Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	800,000원
354	2012-10-18 09시	11시	2-2-1 ISO GaN Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	800,000원
355	2012-10-22 10시	12시	GaN Etch : 4000 A	경북대학교	강인만교수님연구실	서재화	100,000원
356	2012-10-23 10시	11시	Al2O3 Etch	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
357	2012-10-23 15시	16시	GaN Etch	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
358	2012-10-23 16시	18시	GaN Etch	경북대학교	센서및디스플레이공학	안정일	100,000원
359	2012-10-24 01시	02시	oxide 100nm etching (야간사용)	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
360	2012-10-25 17시	18시	PI Etch	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
361	2012-10-26 10시	12시	GaN wafer 에칭	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	80,000원
362	2012-10-26 11시	18시	GaN Mesa Etching : 5.5um (1차) + 1.0um (2차) ( 기본 1회 : 1.0um --> 6회로 처리 ) ; Etching Profile 분석 (FE-SEM) & Oxide Wet (직접) 진행	경북대학교	전자전기컴퓨터학부	도승현	600,000원
363	2012-10-29 10시	13시	Nitride Etch : 1.0um	부경대학교	기계설계공학과	유동인	80,000원
364	2012-10-29 13시	15시	Metal etch	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	540,000원
365	2012-10-30 09시	11시	Grating etching	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	800,000원
366	2012-10-30 13시	15시	GaN Etch (Mesa)	경북대학교	전자전기컴퓨터학부	이정희	100,000원
367	2012-10-31 10시	13시	GaN Etch : 4000 A Target 조각 sample : 500 A Target 조각 sample	경북대학교	전자전기컴퓨터학부	이정희	300,000원
368	2012-11-02 11시	12시	GaN Etch	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
369	2012-11-05 17시	18시	Al2O3 Etch	포항공과대학교	화학과	박치범	80,000원
370	2012-11-06 22시	23시	샘플 에칭	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
371	2012-11-07 21시	22시	샘플 에칭	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
372	2012-11-08 10시	12시	Al2O3 , Oxide Etch	포항공과대학교	화학공학과	김현호	160,000원
373	2012-11-08 13시	14시	4-2-1 GATE TiN Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
374	2012-11-08 14시	15시	4-2-2 GATE Al2O3 Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
375	2012-11-09 15시	18시	Al & TiC Etch	영남대학교	신소재공학부	최상경	0원
376	2012-11-12 09시	14시	Grating etching Test	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	800,000원
377	2012-11-12 23시	24시	GaN etch (PQR)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	40,000원
378	2012-11-13 22시	23시	GaN etch (PQR) 김태희	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	40,000원
379	2012-11-14 13시	16시	Metal etch Test	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	500,000원
380	2012-11-14 21시	22시	GaN etch (PQR)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	40,000원
381	2012-11-15 13시	14시	4-2-1 MET1 TiN Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	200,000원
382	2012-11-16 10시	13시	Metal etch Test	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	500,000원
383	2012-11-16 14시	17시	Nitride Etch	포항공과대학교	기계공학과	정화평	128,000원
384	2012-11-20 10시	12시	6-2-1 MET1 Metal Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	300,000원
385	2012-11-22 10시	12시	Metal etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	500,000원
386	2012-11-22 13시	14시	7-2-1 M2OP SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	300,000원
387	2012-11-26 09시	13시	Etching (NCNT 사용료)	부경대학교	기계설계공학과	유동인	1,000,000원
388	2012-11-26 14시	16시	4-2-1 TiN Gate Etch Test : TiN Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	300,000원
389	2012-11-26 16시	19시	4-2-1 TiN Gate Etch Test : Al2O3 Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	300,000원
390	2012-11-27 11시	16시	Oxide & Nitride Etch 실습	나노기술집적센터	이용자서비스팀	김병수	1,000,000원
391	2012-11-28 14시	16시	nitride etch	포항공과대학교	기계공학과	정화평	128,000원
392	2012-12-05 09시	11시	Etch_포항TP 지원 심화교육	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	500,000원
393	2012-12-05 16시	18시	Nitiride Etch	포항공과대학교	기계공학과	정화평	128,000원
394	2012-12-06 13시	15시	4-2-1 MET1 TiN Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
395	2012-12-12 14시	16시	Nitirde Etch	포항공과대학교	기계공학과	정화평	64,000원
396	2012-12-13 22시	23시	SiO2 etch (PQR / 김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	40,000원
397	2012-12-26 11시	15시	Oxide Dry Etch	나노기술집적센터	이용자서비스팀	김병수	2,000,000원
398	2013-01-03 11시	14시	SiC, Oxide Etchrate Tuning Test	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	1,000,000원
399	2013-01-03 20시	21시	GaN etch / 김태희 (PQR)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	40,000원
400	2013-01-08 10시	12시	ET_Metal Etch 실습	포항나노기술집적센터	이용자서비스팀	김병수	500,000원
401	2013-01-08 13시	14시	4-2-1 Gate TiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
402	2013-01-08 14시	15시	4-2-2 Gate Al2O3 Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
403	2013-01-09 20시	21시	GaN etch (김태희 / PQR)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	64,000원
404	2013-01-10 10시	11시	1-2-1 AKEY Nit Dty Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
405	2013-01-10 11시	14시	1-2-2 AKEY GaN Dty Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
406	2013-01-10 16시	17시	SiN on TiN Etch Time Split (3 ea)	포항공과대학교	신소재공학과	최고드니	160,000원
407	2013-01-11 14시	16시	ET_Metal Etch 실습	포항나노기술집적센터	이용자서비스팀	김병수	500,000원
408	2013-01-14 19시	20시	SiO2 etch (PQR 김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	40,000원
409	2013-01-15 13시	14시	6-2-1 MET1 Metal Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	300,000원
410	2013-01-16 15시	18시	Nitride Etch	포항공과대학교	기계공학과	정화평	64,000원
411	2013-01-18 13시	14시	7-2-1 M2OP SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	300,000원
412	2013-01-21 11시	12시	7-4-0 MET2 Metal Pre Cleaning	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	300,000원
413	2013-01-22 17시	19시	4-2-1 MET1 Dry Etcher_Met	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
414	2013-01-23 10시	12시	ET_Metal etch 실습	포항나노기술집적센터	이용자서비스팀	김병수	1,000,000원
415	2013-01-23 19시	20시	SiO2 etch (PQR / 김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	40,000원
416	2013-01-24 10시	11시	Al2O3 Etch : 120 sec	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
417	2013-01-24 14시	16시	GaN Mesa Etch : 4000 A (조각 Sample)	경북대학교	강인만교수님연구실	서재화	100,000원
418	2013-01-25 15시	17시	Sample Etch	포항공과대학교	기계공학과	정화평	64,000원
419	2013-01-29 19시	20시	SiO2 etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	40,000원
420	2013-02-01 09시	10시	1-2-1 AKEY SiN Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
421	2013-02-01 10시	12시	1-2-2 AKEY GaN Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
422	2013-02-01 11시	12시	Al2O3 Etch : 130sec	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
423	2013-02-03 13시	14시	GaN etch (PQR / 김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	64,000원
424	2013-02-04 20시	21시	SiO2 etch (PQR / 김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	40,000원
425	2013-02-05 09시	10시	1-2-1 Akey etch_SiN	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
426	2013-02-05 10시	11시	1-2-2 Akey etch_GaN	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
427	2013-02-05 13시	15시	1-2-1 AKEY SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	700,000원
428	2013-02-05 15시	18시	1-2-2 AKEY GaN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	700,000원
429	2013-02-13 09시	11시	SiO2 Etch	포항공과대학교	화학공학과	이성규	64,000원
430	2013-02-13 11시	12시	4-2-1 Gate TiN Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
431	2013-02-13 13시	14시	4-2-3 Gate Al2O3 Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
432	2013-02-13 14시	16시	SiC_Oxide etch 평가	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	600,000원
433	2013-02-13 19시	20시	SiO2 etch (PQR / 김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	40,000원
434	2013-02-14 09시	12시	2-2-1 ISO GaN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	700,000원
435	2013-02-18 14시	16시	SiO2 Etch & Al Etch	포항공과대학교	화학공학과	이성규	64,000원
436	2013-02-19 10시	14시	SiC Dry Etch Unit Process Test	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	1,000,000원
437	2013-02-20 09시	10시	1-2-1 GATE TiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
438	2013-02-20 10시	11시	1-2-2 GATE Al2O3 Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
439	2013-02-20 11시	12시	6-2-1 MET1 Etch_Metal	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
440	2013-02-20 13시	14시	4-2-1 GATE TiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
441	2013-02-20 14시	15시	4-2-2 GATE Al2O3 Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
442	2013-02-25 18시	19시	7-2-1 M2OP Etch_SiN	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
443	2013-02-26 10시	16시	LGIT Metal Unit Process Eval. : Metal Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	900,000원
444	2013-02-26 16시	17시	7-4-0 MET2 Depo_Metal Pre Cleaning	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
445	2013-02-28 10시	12시	Al2O3 etching, SiO2 etching	포항공과대학교	화학공학과	이성규	128,000원
446	2013-03-05 10시	12시	4-2-1 MET1 Metal Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	700,000원
447	2013-03-06 11시	12시	GaN etch (김태희 / PQR)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	64,000원
448	2013-03-06 14시	15시	6-2-1 MET1 Metal Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	200,000원
449	2013-03-07 15시	17시	Al2O3 etching 후 SiO2 etching	포항공과대학교	화학공학과	이성규	64,000원
450	2013-03-08 14시	16시	Al2O3, SiO2 etching	포항공과대학교	화학공학과	이성규	128,000원
451	2013-03-08 9시	10시	Si etch	포항공과대학교	창의IT융합공학과	백창기	500,000원
452	2013-03-11 10시	11시	1-2-1 AKEY GaN Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
453	2013-03-11 9시	10시	1-2-1 AKEY SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
454	2013-03-12 10시	11시	1-2-2 AKEY GaN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
455	2013-03-13 10시	12시	ntride 1um	포항공과대학교	기계공학과	정화평	64,000원
456	2013-03-13 13시	15시	Oxide etch	포항공과대학교	창의IT융합공학과	백창기	400,000원
457	2013-03-18 10시	12시	1-2-2 AKEY GaN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
458	2013-03-18 12시	13시	1-2-1 AKEY SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
459	2013-03-18 14시	16시	1-2-2 AKEY GaN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
460	2013-03-18 16시	19시	Y2O3, Al2O3, ZrO3 Etch 평가	한국표준과학연구원	진공기술센터	윤주영	3,000,000원
461	2013-03-18 9시	10시	1-2-1 AKEY SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
462	2013-03-19 10시	15시	Sio2, Al, Al2O3 etching (2회 Etching)	포항공과대학교	화학공학과	이성규	128,000원
463	2013-03-19 15시	16시	7-2-1 M2OP SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	100,000원
464	2013-03-19 17시	18시	7-4-0 M2OP Metal Pre Cleaning	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	100,000원
465	2013-03-27 10시	13시	4-2-1 Gate TiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	300,000원
466	2013-03-27 14시	17시	4-2-2 Gate Al2O3 Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	300,000원
467	2013-04-01 9시	12시	5-2-1 MET1 Metal Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
468	2013-04-10 11시	15시	1-2-2 AKEY GaN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
469	2013-04-10 9시	11시	1-2-1 AKEY SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
470	2013-04-11 10시	12시	3-2-1 RCSS SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
471	2013-04-15 16시	18시	nitride etch	포항공과대학교	기계공학과	정화평	64,000원
472	2013-04-15 9시	18시	Recess New Chemical Etch Setup	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	900,000원
473	2013-04-17 10시	12시	Glass etch Test (New Condition)	포항공과대학교	기계공학과	정화평	80,000원
474	2013-04-18 14시	15시	Al2O3 에칭, 130초 에칭해주시면 됩니다	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
475	2013-04-18 15시	17시	4-2-1 GATE TiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
476	2013-04-18 17시	18시	4-2-2 GATE Al2O3 Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
477	2013-04-18 18시	21시	3-2-1 M1OP IMD Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
478	2013-04-23 13시	15시	SiO2, Al2O3 etching	포항공과대학교	화학공학과	이성규	128,000원
479	2013-04-24 10시	12시	4-2-1 MET1 Metal Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
480	2013-04-24 15시	18시	Al2O3, SiO2 etching	포항공과대학교	화학공학과	이성규	192,000원
481	2013-04-29 11시	15시	1-2-3 AKEY GaN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	1,000,000원
482	2013-04-29 9시	11시	1-2-1 AKEY SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	1,200,000원
483	2013-05-03 20시	21시	Si 100nm etching (JNT / 이호준)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	64,000원
484	2013-05-06 10시	16시	5-2-1 M1OP IMD1 Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
485	2013-05-06 16시	18시	nitride etching	포항공과대학교	기계공학과	정화평	64,000원
486	2013-05-07 10시	12시	3-2-1 RCSS SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
487	2013-05-07 12시	16시	4-2-1 M1OP IMD Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
488	2013-05-08 11시	12시	Al2O3 & Polymer Etching	포항공과대학교	화학공학과	현승	80,000원
489	2013-05-08 15시	17시	6-2-1 MET1 Metal Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
490	2013-05-12 12시	18시	7-4-1 M2OP MET2 Depo. Metal Precleaning	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
491	2013-05-13 10시	11시	4-2-2 Gate Al2O3 Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
492	2013-05-13 16시	18시	ntride 1um	포항공과대학교	기계공학과	정화평	64,000원
493	2013-05-13 9시	10시	4-2-1 Gate TiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
494	2013-05-13 9시	13시	7-2-1 M2OP SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
495	2013-05-14 9시	12시	5-2-1 MET1 Metal Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
496	2013-05-15 13시	18시	Etch (NCNT사용료)	포항공과대학교	기계공학과	제엽	1,000,000원
497	2013-05-20 10시	11시	5-2-1 M1OP SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
498	2013-05-20 13시	15시	6-2-1 MET1 Metal Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
499	2013-05-21 13시	17시	Dry Etch 진행 시 Polymer 발생 분석 #01-M1OP Etch, #02-MET1 Etch, #03-M2OP on Metal, #04-M2OP on Gate	LG이노텍	차세대소자개발	서덕원	400,000원
500	2013-05-22 11시	13시	7-2-2 M2OP SiO2 Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
501	2013-05-22 17시	18시	7-4-1 M2OP MET2 Depo. Metal Pre Cleaning	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
502	2013-05-22 9시	11시	7-2-1 M2OP SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
503	2013-05-27 11시	18시	GaN on Si : A-Key Nitiride Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	2,400,000원
504	2013-05-28 9시	18시	1-2-2 AKEY GaN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	2,000,000원
505	2013-05-29 9시	11시	1-2-2 AKEY GaN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
506	2013-06-03 20시	22시	O2 plasma 50W, O2 flow 40sccm, 70mTorr 20s/30s/40s	포항공과대학교	신소재공학과	홍현영	140,000원
507	2013-06-05 13시	14시	4-2-1 GATE TiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	200,000원
508	2013-06-05 14시	15시	4-2-2 GATE Al2O3 Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	200,000원
509	2013-06-07 10시	11시	50W O2 40sccm, 7x10^-2 torr, 40 sec 조건으로 1회사용	포항공과대학교	신소재공학과	홍현영	70,000원
510	2013-06-07 11시	12시	nitride etch	포항공과대학교	기계공학과	정화평	64,000원
511	2013-06-07 12시	14시	3-2-1 RCSS SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
512	2013-06-10 10시	14시	4-2-1 M1OP IMD Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
513	2013-06-10 14시	15시	SiN dry etching	포항공과대학교	첨단재료과학부	최지수	160,000원
514	2013-06-10 9시	10시	5-2-1 M1OP SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	200,000원
515	2013-06-12 21시	22시	50W O2 40sccm, 7x10^-2 torr, 40 sec 조건으로 1회사용	포항공과대학교	신소재공학과	홍현영	56,000원
516	2013-06-13 12시	13시	6-2-1 MET1 Metal Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	200,000원
517	2013-06-13 13시	15시	5-2-1 MET1 Metal Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
518	2013-06-17 10시	11시	4-2-1 GATE Metal Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	200,000원
519	2013-06-17 11시	13시	4-2-3 GATE Al2O3 Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	700,000원
520	2013-06-17 13시	14시	7-2-1 M2OP SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	200,000원
521	2013-06-17 14시	15시	7-2-2 M2OP SiO2 Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	200,000원
522	2013-06-17 9시	11시	4-2-1 GATE TiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
523	2013-06-18 13시	16시	5-2-1 M1OP SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
524	2013-06-18 15시	16시	7-4-1 M2OP Metal Pre Cleaning	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	200,000원
525	2013-06-18 16시	18시	nitride etch	포항공과대학교	기계공학과	정화평	64,000원
526	2013-06-19 10시	12시	SiN dry etching	포항공과대학교	첨단재료과학부	최지수	160,000원
527	2013-06-20 16시	17시	Al etch (김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
528	2013-06-24 9시	11시	6-2-1 MET1 Metal Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
529	2013-06-25 13시	15시	7-2-1 M2OP SiN Dry Etch(Oxide+LP Nit)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
530	2013-06-25 15시	16시	nitride 500nm etching	포항공과대학교	기계공학과	정화평	64,000원
531	2013-06-26 13시	14시	Al etch (김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
532	2013-06-26 16시	18시	nitride 500nm	포항공과대학교	기계공학과	정화평	64,000원
533	2013-07-01 22시	23시	O2 plasma 1회사용 조건: 50W, O2 gas 40sccm flow, 7X10^-2 Torr, 40s	포항공과대학교	신소재공학과	홍현영	56,000원
534	2013-07-03 14시	17시	Nitride 1.0um Dry Etch (Gecko Sample 제작)	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	160,000원
535	2013-07-03 9시	12시	3-2-1 RCSS SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
536	2013-07-04 10시	12시	Ti/Al etch	이코니	이코니	김준우	810,000원
537	2013-07-06 22시	23시	O2 plasma 1회사용 조건: 50W, O2 gas 40sccm flow, 7X10^-2 Torr,50s	포항공과대학교	신소재공학과	홍현영	56,000원
538	2013-07-08 9시	11시	3-2-1 M1OP IMD Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	700,000원
539	2013-07-09 11시	13시	4-2-3 GATE Al2O3 Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
540	2013-07-09 15시	16시	GaN etch (김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
541	2013-07-09 9시	11시	4-2-1 GATE TiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
542	2013-07-10 10시	12시	5-2-2 M1OP SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
543	2013-07-10 10시	11시	5-2-1 M1OP Al2O3 Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	200,000원
544	2013-07-10 24시	1시	O2 plasma 조건: 50W, O2 gas 40sccm flow, 7X10^-2 Torr, 40s	포항공과대학교	신소재공학과	홍현영	56,000원
545	2013-07-11 15시	17시	nitride etching	포항공과대학교	기계공학과	정화평	64,000원
546	2013-07-11 17시	20시	4-2-1 MET1 Metal Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	700,000원
547	2013-07-11 17시	20시	6-2-1 MET1 Metal Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
548	2013-08-08 10시	12시	6-2 Gate TiN Etch	LG이노텍	차세대소자개발	서덕원	300,000원
549	2013-08-08 13시	15시	6-2 Gate Al2O3 Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	300,000원
550	2013-08-08 22시	23시	Si 50nm target etching (JNT / 이호준)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
551	2013-08-12 14시	16시	7-2-1 M2OP SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	700,000원
552	2013-08-12 16시	17시	7-2-2 M2OP Al2O3 Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
553	2013-08-19 9시	10시	7-4-1 M2OP MET2 Metal Pre Cleaning	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	700,000원
554	2013-08-26 13시	13시	SiO2 etching ; 1.0um Target sample 2ea	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	80,000원
555	2013-08-26 9시	12시	3-2-1 RCSS SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
556	2013-08-29 10시	12시	4-2-1 GATE TiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
557	2013-09-02 11시	13시	5-2-2 M1OP SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발	서덕원	600,000원
558	2013-09-02 9시	11시	5-2-1 M1OP Al2O3 Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
559	2013-09-09 9시	12시	6-2-1 MET1 Metal Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
560	2013-09-10 12시	17시	7-2-1 M2OP SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
561	2013-09-10 15시	18시	SiO2 etching 1um(1.1um target 요청)	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
562	2013-09-10 16시	17시	7-2-2 M2OP Al2O3 Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	300,000원
563	2013-09-11 12시	13시	7-4-1 M2OP Metal Pre Cleaning	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
564	2013-09-12 10시	13시	GaN on Si, A-key Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	0원
565	2013-09-16 14시	17시	HfO2 etch rate test	서강대학교	전자공학과	이현국	200,000원
566	2013-09-24 13시	16시	PECVD SiO2 etching - 550nm target (2회 진행)	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	128,000원
567	2013-10-03 12시	13시	O2 plasma 조건: 50W, O2 gas 40sccm flow, 7X10^-2 Torr, 60s	포항공과대학교	신소재공학과	홍현영	56,000원
568	2013-10-04 16시	17시	GaN etch (김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
569	2013-10-06 15시	16시	O2 plasma 조건: 50W, O2 gas 40sccm flow, 7X10^-2 Torr,60s	포항공과대학교	신소재공학과	홍현영	56,000원
570	2013-10-07 15시	17시	Etch 공정교육 및 실습	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	400,000원
571	2013-10-08 13시	14시	Native Ox Remove	경북대학교		권유미	100,000원
572	2013-10-10 10시	14시	HfO2 etch	서강대학교	전자공학과	이현국	400,000원
573	2013-10-12 11시	12시	O2 plasma 조건: 50W, O2 gas 40sccm flow, 7X10^-2 Torr, 60s	포항공과대학교	신소재공학과	홍현영	56,000원
574	2013-10-16 13시	16시	SiO2 mask pattern 을 이용하여, GaAs pillar arrray 제조 (공정 진행을 위한 선행 평가)	울산과학기술대학교	친환경에너지공학부	엄한돈	270,000원
575	2013-10-16 22시	23시	oxide etching	전북대학교	전자공학부	김기현	56,000원
576	2013-10-18 13시	18시	NINT 포토, 에칭 단위공정 장비교육 실습 (AZ1512 coated)	전북대학교	전자공학부	김기현	280,000원
577	2013-10-18 18시	19시	O2 plasma 조건: 50W, O2 gas 40sccm flow, 7X10^-2 Torr, 40s	포항공과대학교	신소재공학과	홍현영	56,000원
578	2013-10-22 14시	16시	마이크로 실리콘 나이트라이드 식각 및 장비교육	포항공과대학교	기계공학과	윤재웅	80,000원
579	2013-10-24 10시	11시	HT성장한 SiN 에칭 1. 125nm 에칭 타겟 2. 225nm 에칭 타겟	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	160,000원
580	2013-10-25 13시	18시	HfO2 dry etch	서강대학교	전자공학과	이현국	600,000원
581	2013-10-28 11시	14시	1-2-2 AKEY GaN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
582	2013-10-28 9시	11시	1-2-1 AKEY SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
583	2013-10-29 10시	12시	3-2-1 RCSS SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
584	2013-10-31 15시	16시	1.2um GaN etching for expose n-GaN	포항공과대학교	신소재공학과	이승희	180,000원
585	2013-10-31 16시	20시	NiO nanostructure etching	포항공과대학교	신소재공학과	권현아	160,000원
586	2013-11-07 9시	14시	4-2-1 GATE TiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
587	2013-11-11 10시	11시	GaN~1.2um mesa etching	포항공과대학교	신소재공학과	이승희	80,000원
588	2013-11-11 11시	13시	5-2-1 M1OP Al2O3 Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
589	2013-11-11 13시	15시	5-2-2 M1OP SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
590	2013-11-13 14시	14시	HfO2 50A dry etch	서강대학교	전자공학과	이현국	100,000원
591	2013-11-14 9시	12시	6-2-1 MET1 Metal Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
592	2013-11-18 14시	17시	7-2-1 M2OP SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
593	2013-11-18 17시	18시	7-2-1 M2OP Al2O3 Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	100,000원
594	2013-11-19 14시	19시	7-4-1 MET2 Metal Pre Cleaning	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
595	2013-11-20 10시	12시	1-2-1 AKEY SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
596	2013-11-20 12시	14시	1-2-2 AKEY GaN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
597	2013-11-20 17시	19시	HfO2 dry etch	서강대학교	전자공학과	이현국	600,000원
598	2013-11-21 17시	18시	GaN ~1.2um target etching	포항공과대학교	신소재공학과	이승희	80,000원
599	2013-11-24 15시	16시	Al 1um etch (김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
600	2013-11-25 15시	17시	3-2-1 RCSS SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
601	2013-11-29 13시	16시	4-2-1 GATE TiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
602	2013-12-04 10시	12시	5-2-2 M1OP SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
603	2013-12-04 9시	10시	5-2-1 M1OP Al2O3 Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
604	2013-12-05 18시	19시	GaN Etch (김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
605	2013-12-06 16시	17시	SiO2 etch (김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
606	2013-12-09 10시	12시	6-2-1 MET1 Metal Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	0원
607	2013-12-18 20시	21시	SiO2 etching	포항공과대학교	ITCE	정새벽	56,000원
608	2013-12-19 10시	14시	7-2-1 M2OP SiN Dry Etch	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	0원
609	2013-12-25 23시	24시	GaN etch (김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
610	2014-01-02 14시	16시	HfO2 dry etch	서강대학교	전자공학과	전우영	200,000원
611	2014-01-03 10시	17시	Metal Wet Etch 후 발생된 Si Dust 처리를 위한 공정 Setup 평가 및 L30/L31 진행 - 단위 공정 평가 : Si Etch, SiN(PE/LP) Etch, Oxide Etch 단위 공정 평가 (11매) - Pattern Wafer 공정 평가 : ICP Etch Target 진행 후 FE-SEM 분석 (1매 & SEM 분석) - L30/L31 Main Run : Si Dust Etch 진행 (12매)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	0원
612	2014-01-08 15시	16시	SiO2 etch (김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
613	2014-01-09 14시	16시	나이트라이드 식각	포항공과대학교	기계공학과	윤재웅	80,000원
614	2014-01-14 14시	15시	SiO2(500 nm) on Si 에 플라즈마 처리를 통해 superhydrophilic surface를 만듬. 논문 조건(O2 20 sccm, SF6 20 sccm, Ar 5 sccm) main power 100W, bias 350W, 5 sec) 진행	한국생산기술연구원	스마트정형공정그룹	하정홍	80,000원
615	2014-01-18 16시	18시	nitride 식각	포항공과대학교	기계공학과	윤재웅	64,000원
616	2014-01-24 15시	17시	ITO (300nm) etching (on PET substrate) VO2(50nm, 100nm) etching (on TiO2 substrate)	포항공과대학교	신소재공학과	권현아	160,000원
617	2014-01-24 16시	17시	GaN etch 김태희	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
618	2014-01-25 22시	24시	nitride식각	포항공과대학교	기계공학과	윤재웅	64,000원
619	2014-01-27 10시	19시	ITO etching VO2 etching	포항공과대학교	신소재공학과	권현아	320,000원
620	2014-01-28 16시	17시	GaN etch 김태희	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
621	2014-02-03 14시	15시	GaN etch (김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
622	2014-02-04 10시	11시	SiO2 etching (400nm 에칭)	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	80,000원
623	2014-02-06 13시	14시	SiO2 etch 김태희	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
624	2014-02-06 14시	15시	SiN 200nm 에칭 서비스 이용 : 100000원	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	80,000원
625	2014-02-07 14시	17시	Al2O3 100nm, 500nm 각각 식각	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	160,000원
626	2014-02-07 18시	19시	SiO2 Etching	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	39,200원
627	2014-02-09 15시	18시	litho	포항공과대학교	기계공학과	윤재웅	64,000원
628	2014-02-12 11시	12시	Al2O3 100nm 식각	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
629	2014-02-24 17시	18시	Al2O3, 500nm 에칭 1개 100nm 조건이지만 높이를 줄이기 위해 250 초 가량 에칭 부탁드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	160,000원
630	2014-02-25 19시	21시	nitride 식각	포항공과대학교	기계공학과	윤재웅	64,000원
631	2014-02-26 21시	22시	SiO2 etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
632	2014-02-27 16시	17시	SiO2 etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
633	2014-03-04 11시	12시	SiO2 etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
634	2014-03-06 14시	17시	나이트라이드 식각	포항공과대학교	기계공학과	윤재웅	64,000원
635	2014-03-12 11시	12시	Al2O3 100nm 에칭	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
636	2014-03-14 15시	16시	GaN etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
637	2014-03-17 10시	11시	Al etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
638	2014-03-19 11시	12시	Al2O3 100nm 조건 에칭 150초 진행	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
639	2014-03-24 13시	15시	SiO2 Etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
640	2014-03-24 15시	16시	Al2O3 및 PDMS에칭	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	160,000원
641	2014-03-25 13시	17시	Si Etch : 1.0um	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	420,000원
642	2014-03-26 14시	15시	SiO2 etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
643	2014-03-28 15시	17시	CF4를 이용한 PDMS patterning	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
644	2014-04-01 15시	17시	PDMS 식각 평가	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	160,000원
645	2014-04-03 16시	17시	SiO2 Etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
646	2014-04-04 16시	18시	CF4 PDMS 구멍뚫는 조건으로 에칭 지난번에 말씀해 주신 조건을 샘플 케이스에 적어놓긴 했는데 맞는지 모르겠습니다.	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
647	2014-04-07 15시	17시	CF4 이용 Al2O3 100nm 에칭 2개 cone 구조 형성 실험 1개 자세한 내용은 종이에 적어두었습니다	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	240,000원
648	2014-04-08 14시	15시	CF4, PDMS cone 구조 형성 실험 60초 에칭	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
649	2014-04-08 15시	16시	SiN 100nm 에칭	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	80,000원
650	2014-04-08 9시	11시	LED etching GaN etching condition Time: 300sec (100/100/100 sec) - 3steps Target thickness (850 ~ 1150nm)	포항공과대학교	신소재공학과	이종원	80,000원
651	2014-04-11 10시	12시	TaN Etch 공정 개발	한양대학교	나노반도체공학과	송현민	100,000원
652	2014-04-15 21시	22시	GaN etching	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
653	2014-04-16 14시	18시	TaN Etch 평가	한양대학교	나노반도체공학과	송현민	400,000원
654	2014-04-17 13시	14시	Al2O3 500nm 에칭	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
655	2014-04-17 15시	16시	etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
656	2014-04-18 11시	12시	SiO2	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
657	2014-04-23 13시	14시	CF4를 이용한 1. 나노 기공 형성 실험 2. cone 모양 구조 형성 실험	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	160,000원
658	2014-04-23 16시	17시	SiN 100nm 에칭	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	160,000원
659	2014-04-23 19시	20시	oxide etching	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
660	2014-04-24 15시	16시	CF4 에칭을 통한 cone 구조 형성 실험 선생님 안녕하세요~ 이번에는 에칭 조건이 너무 강했는지 구조가 다 사라졌어요 보내드리는 오른쪽 아래 사진을 보면 거의 흔적만 남았어요 (SEM 이미지 첨부) 그리고 마스크가 덜 제거된 부분을 보면 웨이퍼 바닥까지 모두 에칭이 다 된 걸 확인할 수 있었습니다. (왼쪽 위 이미지) 그래서 어제 진행한 조건의 절반 조건(1/2) 하나, 절반에 절반 조건(1/4) 하나로 에칭해 비교해 보면 조건을 잡을 수 있지 않을까 싶은데요.. 생각보다 두께 감소가 너무 심해서,, 오늘 실험 해보고도 안되면 dot 크기를 좀 더 키우는 방향으로 실험해야 될 것 같아요 샘플은 동일한 샘플로 3개 공정 의뢰함에 넣어 두었습니다. 그럼 편하신 시간에 실험하시고 연락 부탁드립니다~	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	160,000원
661	2014-04-24 21시	22시	oxide etching	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
662	2014-04-25 11시	12시	나이트라이드 식각	포항공과대학교	기계공학과	윤재웅	64,000원
663	2014-04-25 12시	13시	SiO2 etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
664	2014-04-29 13시	14시	SiN 100nm 에칭	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	80,000원
665	2014-04-30 10시	12시	oxide etching	포항공과대학교	ITCE	정새벽	56,000원
666	2014-05-08 10시	11시	SiN 200nm 에칭 (조각 Sample 7ea, 2회 진행)	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	160,000원
667	2014-05-19 15시	16시	nitride 식각	포항공과대학교	기계공학과	윤재웅	64,000원
668	2014-05-20 10시	12시	1. Al2O3 500nm 에칭 2. cone 구조 형성 실험	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	240,000원
669	2014-05-21 10시	12시	TiO2 Etch Test	평화이엔지	디바이스개발팀	도준수	100,000원
670	2014-05-22 10시	11시	cone 구조 형성 실험	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	160,000원
671	2014-05-22 22시	23시	SiO2 etching	포항공과대학교	ITCE	정새벽	56,000원
672	2014-05-23 10시	11시	cone 구조 형성 실험	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	160,000원
673	2014-05-26 10시	11시	Cone 구조 형성 실험	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
674	2014-05-26 15시	17시	TiO2 Etch Test	평화이엔지	디바이스개발팀	도준수	100,000원
675	2014-05-27 13시	17시	Mo Film Etch 조건 평가	한양대학교	나노반도체공학과	송현민	500,000원
676	2014-05-28 11시	12시	나이트라이드 식각	포항공과대학교	기계공학과	윤재웅	0원
677	2014-05-28 17시	18시	Oxide etching	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
678	2014-06-09 10시	13시	1-2-1 Etch Test_Sapphire Etch ================================= 10mT, 900Ws, 200Wb, BCl3=75sccm	SSADT	경영지원	지이권	1,000,000원
679	2014-06-09 13시	15시	Al2O3 100nm 에칭	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	160,000원
680	2014-06-17 13시	14시	1-2-1 Cont SiN Etch				100,000원
681	2014-06-17 14시	15시	1-3-1 Cont Oxide Etch				100,000원
682	2014-06-19 10시	12시	Al2O3 100nm 식각	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	160,000원
683	2014-06-19 12시	15시	2-5-1 Metal Dry Etch				250,000원
684	2014-06-20 13시	14시	3-2-1 sensor Nitride Etch				100,000원
685	2014-06-20 14시	15시	3-3-1 sensor Oxide Etch				100,000원
686	2014-06-24 11시	12시	Al2O3 식각 및 구조 transfer 기존에 BCl3 150초로 실험하였는데 이번엔 200초로 실험 부탁드립니다~	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
687	2014-06-24 13시	17시	Etch Process_NO	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	900,000원
688	2014-06-25 20시	21시	oxide etching (10nm)	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
689	2014-06-26 10시	12시	TiN 60nm : Dry Etching	경북대학교	전자공학과	임기식	200,000원
690	2014-06-26 15시	17시	2-5-1 Metal Dry Etch				350,000원
691	2014-06-27 10시	13시	1-2-1 Etch Test_Sapphire Etch ================================= 10mT, 900Ws, 200Wb, BCl3=75sccm	SSADT	경영지원	지이권	1,000,000원
692	2014-06-30 13시	14시	Al2O3 100nm 에칭 : 조각 sample 2 회	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	160,000원
693	2014-06-30 14시	15시	SiN 250nm 에칭 (여유 에칭 depth 고려한 두께) 조각 Sample 4 + 1	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	80,000원
694	2014-07-01 10시	11시	CF4, 구멍파는 조건 polymer 160nm 정도	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
695	2014-07-01 21시	22시	SiO2 etching	포항공과대학교	ITCE	정새벽	56,000원
696	2014-07-02 13시	16시	Ti/Al etch - 1ea quartz etch - 1ea	부산대학교	기계공학부, 고종수 교수님 연구실	정임덕	180,000원
697	2014-07-03 10시	13시	2장은 PR 패터닝이 된 상태입니다. --> Glass 4 inch wafer : 1.0um Target Etch 진행	부산대학교	융학학부 하이브리드소재응용 전공	박성모	180,000원
698	2014-07-07 13시	15시	NK2014_etch	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	1,000,000원
699	2014-07-09 17시	18시	Al etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
700	2014-07-15 13시	16시	8inch 더미웨이퍼 중간에 (Al2O3 30nm/ HfO2 7nm/ Al2O3 7nm, 이 순서대로 올라가있습니다. 30nm가 탑) 순서대로 올라가있는 조각이 올라가있습니다. 이 조각의 HfO2 7nm 부분이 노출될때까지 etch를 하고싶습니다. 5장이 있으니, 기존에 장비에 있는 etch ratef를 기반으로 적당히 시간달리하여 진행해주셔서 그 조건을 알고싶습니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	이기환	400,000원
701	2014-07-15 16시	17시	SiN 300nm 에칭 (여유 에칭두께 포함)	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	80,000원
702	2014-07-18 10시	11시	BCl3 Al2O3 100nm 식각 100초 에칭 부탁드립니다	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
703	2014-07-22 10시	11시	BCl3, Al2O3 100nm 에칭 100초 실험했더니 약간 부족한 것 같아서, 120초 에칭부탁드립니다~	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
704	2014-07-24 13시	14시	Al etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
705	2014-07-28 13시	14시	SiN 300nm dry etching (여유 에칭 depth 고려한 두께)	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	80,000원
706	2014-07-29 13시	15시	quartz wafer 에 Ti/Al 증착 후 stepper lithography 로 패턴이 형성된 웨이퍼 입니다. Ti/Al Etch. quartz Etch.	부산대학교	기계공학부, 고종수 교수님 연구실	정임덕	180,000원
707	2014-08-26 15시	18시	Oxide 2500 Å target Etching	대구경북과학기술원	에너지연구부	백성호	450,000원
708	2014-08-27 10시	12시	1-3-1 PI Etching ====================== 10mTorr, 500Ws, 200Wb CF4:O2=10:30sccm	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	2,000,000원
709	2014-08-27 13시	15시	1-3-2 Nitride Etching ========================= 50mTorr, 300Ws, 100Wb CH3:Ar:O2=100:150:10sccm	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	2,000,000원
710	2014-08-28 10시	17시	Oxide 2500 Å Target Etching	대구경북과학기술원	에너지연구부	백성호	1,800,000원
711	2014-08-29 16시	17시	PS & PMMA on Oxide in si wafer patterning	포항공과대학교	화학공학과	이윤호	80,000원
712	2014-09-01 10시	11시	BCl3, Al2O3 100nm 에칭 120초 에칭 부탁드립니다~	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
713	2014-09-02 14시	15시	SiN 120nm/ SiO2 400nm 증착되어있는 wafer에 Litho를 진행하였습니다. patterning 된 pr에따라 SiO2 400nm만 ethcing litho는 stepper로 진행예정	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	400,000원
714	2014-09-11 10시	12시	CF4, 폴리머 구멍파는 실험, 80nm 식각 예전 실험 시 160nm식각에 170초 에칭했었는데 160nm 보다 조금 더 에칭되었습니다. 정확하게 80nm 에칭하고 싶은데 얼마나 에칭해야 할지 몰라서 80초 적어두었습니다.	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
715	2014-09-11 14시	15시	superhydrophilic surface silicon making	한국생산기술연구원	스마트정형공정그룹	하정홍	80,000원
716	2014-09-12 10시	11시	CF4 구조형성 실험 80초 에칭 시 50nm 전후로 식각되었습니다. 100초 정도 하면 80nm 전후로 되지 않을까합니다.	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
717	2014-09-16 10시	12시	CF4 구멍파는 조건 110초 에칭 부탁드립니다~	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
718	2014-09-18 10시	12시	Al2O3 100nm 식각, BCl3 120초 에칭 부탁드립니다~	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
719	2014-09-23 14시	17시	glass dry etching 을 통한 나노구조제작 : 1매 진행 - 30min (2회로 청구)	부산대학교	기계공학부, 고종수 교수님 연구실	정임덕	180,000원
720	2014-09-26 11시	12시	ICP etcing : 850 ~ 1200 nm Target (조각 Sample 3ea, 400sec Etch)	포항공과대학교	MSE	박준혁	80,000원
721	2014-10-07 10시	12시	BCl3, Al2O3 100nm 에칭 조건으로 120초 에칭 후 CF4 구멍파는 조건으로 110초 (80nm) 에칭 부탁드립니다~	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
722	2014-10-08 15시	17시	Glass ICP etch, 압력: 20 mATorr, bias power 35 W 조정 Time 30분 (2회로 산정)	부산대학교	기계공학부, 고종수 교수님 연구실	정임덕	180,000원
723	2014-10-14 11시	13시	2-5-1 Metal Dry Etching				400,000원
724	2014-10-16 10시	12시	1st Etch (과제번호:4.0011309.01)	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	700,000원
725	2014-10-17 10시	13시	Dry Etching Process =================== Pressure : 10mT Source Power : 1500W Bias Power : 500W BCl3 = 75sccm Process Time : 1000sec	SSADT	경영지원	지이권	500,000원
726	2014-10-20 10시	20시	Coated Etching Parts Test : 각 Sample 30min 진행 --> 추가 비용 발생 : 무게 측정 및 표면 분석 측정 진행 --> 추가 비용 발생	제일윈텍(주) 기술연구소	연구개발	권정철	1,460,000원
727	2014-10-20 14시	16시	2nd Etch (과제번호 4.0011309.01)	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	700,000원
728	2014-10-21 14시	16시	3rd Etch (과제번호 4.0011309.01)	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	700,000원
729	2014-10-22 10시	14시	Dry Etching Process (1wafer당 2회) ================================== Pressure : 10mT Source Power : 1500W Bias Power : 500W BCl3 = 75sccm Process Time : 1000sec	SSADT	경영지원	지이권	3,000,000원
730	2014-10-23 13시	15시	glass wafer 위에 PDMS patterning 한 wafer 를 이용하여 PDMS 식각실험	부산대학교	기계공학부, 고종수 교수님 연구실	정임덕	180,000원
731	2014-10-23 19시	20시	Al etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
732	2014-10-23 9시	11시	4th Etch Process_Si Etch (과제번호 4.0011309.01)	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	700,000원
733	2014-10-27 10시	14시	BioSensor Etch Test_Split	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	700,000원
734	2014-10-29 14시	18시	Metal Photo_Etch (과제:LED용 경량 Al소재개발(2.0006799.07))	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	700,000원
735	2014-11-04 13시	18시	나노융합기술교육_Etch 1일차	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	1,000,000원
736	2014-11-05 13시	16시	Al Etch	포항공과대학교	창의IT융합공학과	권지민	700,000원
737	2014-11-06 10시	13시	나노융합기술교육_Etch 2일차	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	1,000,000원
738	2014-11-06 14시	16시	PDMS coating 된 웨이퍼 건식 식각	부산대학교	기계공학부, 고종수 교수님 연구실	정임덕	90,000원
739	2014-11-07 9시	13시	나노융합기술교육_Etch 3일차	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	1,000,000원
740	2014-11-10 13시	15시	UE 공정수행 계약_Etch	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	1,000,000원
741	2014-11-14 11시	12시	SiO2 층을 패터닝 하기 위해	포항공과대학교	화학공학과	박철희	80,000원
742	2014-11-18 11시	12시	SiN/GaN/Sapphire	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	160,000원
743	2014-11-19 9시	18시	1차 Full Process_Etch	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	3,500,000원
744	2014-11-20 10시	12시	Nitride Dry Etching : 1000 A (접합반도체소자의 비파괴 검사 연구, 4.0011276.02)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	70,000원
745	2014-11-20 13시	15시	박판 경량 HS 제작용 Etch공정 (과제번호:2.0006799.07)	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	700,000원
746	2014-11-23 22시	23시	SiO2	포항공과대학교	ITCE	정새벽	56,000원
747	2014-11-24 13시	15시	PI film 위에 lithography 후 PDMS 를 채운 시편 PDMS 식각 실험	부산대학교	기계공학부, 고종수 교수님 연구실	정임덕	72,000원
748	2014-11-26 13시	17시	TaN Etching Test - Sample & 조건 Split 1차 : sample #1/#2 --> 장비 1/2 평가 (2회 --> 1조건은 Over Etching 예상으로 제외함) 2차 : Power 변경 1000/400 W --> 500/200 W : S#1 --> 2ea (Time Split) 3차 : Power 변경 500/200 W --> 350/100 W : S#1 --> 2ea (Time Split)	한양대학교	나노반도체공학과	송현민	500,000원
749	2014-12-03 14시	15시	전기적 특성 검토를 위한 Sample 제작	(주)피코셈	관리	김용국	1,000,000원
750	2014-12-05 14시	16시	Ni 기판위에 lithography 후 PDMS 코팅후 경화한 시편 PDMS ICP 식각	부산대학교	기계공학부, 고종수 교수님 연구실	정임덕	72,000원
751	2014-12-08 11시	12시	SiO2 에칭후 Metal 증착을 하기 위함입니다. 현재 상태는 Photolitho 후 develop 만 진행된 상태 입니다. --> Oxide 2000 A Target 식각 (Over Etch 포함)	포항공과대학교	화학과	이진호	128,000원
752	2014-12-09 14시	15시	실리콘 나이트라이드 200nm 2장 에칭 실리콘 옥사이드 300nm 1장 에칭 각 조건별 공정 조건 진행 --> Over Etch 포함	포항공과대학교	화학과	이진호	240,000원
753	2014-12-09 15시	17시	TiN Etching : 100 A / 200 A	금오공과대학교	신소재연구소	임기식	200,000원
754	2014-12-10 10시	12시	Grating Back Side Oxide Etch : 1.6um (2회)	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	0원
755	2014-12-15 14시	16시	박판 경량 HS 제작용 Etch공정 (과제번호:2.0006799.07)	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	350,000원
756	2014-12-16 10시	21시	Coating Material Etching Test Sample Etching & 무게 측정 & 표면 분석	제일윈텍(주) 기술연구소	연구개발	권정철	1,460,000원
757	2014-12-23 10시	12시	2014년도 WISET경북지역사업단 나노기술전문인력양성교육	포항공과대학교	나노융합기술원 사업지원팀	김병수	600,000원
758	2014-12-30 10시	11시	silicon nitride (5000 옹스트롱 식각)	포항공과대학교	기계공학과	윤재웅	64,000원
759	2015-01-05 14시	15시	SiN 에칭	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	80,000원
760	2015-01-06 11시	12시	2-5-1 Metal Dry Etch				100,000원
761	2015-01-07 11시	12시	etching으로 패턴을 제작하려고함 CF4 Base Etching : 20*20 조각 15ea --> 2회 (기본 7개/회)	포항공과대학교	화학공학과	박철희	160,000원
762	2015-01-09 10시	13시	UE MEMS Sensor 2차 Run_Etch	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	2,000,000원
763	2015-01-13 21시	22시	SiO2 etching	포항공과대학교	ITCE	정새벽	56,000원
764	2015-01-15 10시	11시	Oxide Etch : 1500 A --> 2000 A Target. 진행 (조각 Sample 6ea : 동시 진행)	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	80,000원
765	2015-01-16 9시	18시	Etching Effect 평가 : 20*20 8ea --> 14회 . Etching 전/후 무게 측정 . Etching 전/후 표면 분석	제일윈텍(주) 기술연구소	연구개발	권정철	1,460,000원
766	2015-01-19 13시	15시	전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육(Etch)	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	600,000원
767	2015-01-20 15시	17시	TiN Etch 20nm : 조각 Sample 3ea --> 동시 진행	금오공과대학교	신소재연구소	임기식	100,000원
768	2015-01-21 10시	11시	SiO2 200nm 에칭	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	80,000원
769	2015-01-22 10시	12시	전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육(Etch)	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	600,000원
770	2015-01-29 10시	12시	SC35_NO Anneal Test_Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	700,000원
771	2015-01-29 15시	19시	TaN Stack & Resist Etch 특성 평가	한양대학교	나노반도체공학과	송현민	900,000원
772	2015-02-01 10시	12시	실리콘 웨이퍼 패터닝이 목적입니다. 오준학 교수님 이윤호 학생 (010-9267-5255) 의 셈플입니다. 이번주까지 꼭 처리해야되는 셈플이여서 부탁드립니다. 지금부터 바로 셈플링을 하고 있는 상태이지만 셈플이 5시반쯤 도착할수도 있을것같습니다. 정말 죄송합니다. 감사합니다.	포항공과대학교	화학공학과	박철희	80,000원
773	2015-02-02 13시	15시	BCl3, Al2O3 100nm 에칭 조건으로 120초 에칭 부탁드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	160,000원
774	2015-02-03 10시	12시	CF4, 구멍파는 조건 130초 에칭 부탁드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
775	2015-02-03 13시	16시	UE MEMS Sensor 3차 Run_Etch	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	2,000,000원
776	2015-02-03 9시	10시	SiO2 에칭	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	80,000원
777	2015-02-11 16시	17시	BCl3, Al2O3 100nm 에칭 조건으로 120초 에칭 후 CF4, 구멍파는 조건 130초 에칭 부탁드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	160,000원
778	2015-02-25 11시	12시	Oxide Etch	경북대학교	전자공학과	임기식	200,000원
779	2015-03-02 10시	15시	Mo Dry Etch 공정 평가 Gas Factor Split 평가 : 3매(조각) 6inch Full wafer 진행 : 1매(6inch)	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유호천	280,000원
780	2015-03-04 13시	18시	Metal Etching #01/02 --> Al 1000 A, #03 --> Mo 1000 A/Ti 50 A (Main Lot)	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유호천	210,000원
781	2015-03-05 14시	15시	2-5-1 Metal Dry Etch				550,000원
782	2015-03-10 10시	12시	6-4-1 Passi ICP Ox Etch	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	0원
783	2015-03-10 20시	21시	SiO2 에칭	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
784	2015-03-13 14시	15시	Si wafer 식각용도 입니다.	포항공과대학교	화학공학과	이윤호	80,000원
785	2015-03-19 11시	12시	표면 유기물 처리 --> 3가지 샘플 : 2회로 처리	포항가속기연구소	빔라인부	이한구	160,000원
786	2015-03-23 13시	15시	Polymer Etching (장비 사용 교육 병행)	포항공과대학교	화학공학과	이윤호	80,000원
787	2015-03-23 16시	17시	GaN etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
788	2015-03-30 16시	17시	나노 패턴을 위한 폴리머와 SIO2 에칭	포항공과대학교	화학공학과	이윤호	64,000원
789	2015-04-06 13시	16시	HfO2 Etch : 50 A : Etchrate Test (2회 -> 1), Main -> 30"/35" (2)	서강대학교	전자공학과	전우영	300,000원
790	2015-04-09 13시	16시	Metal Dry Etch : 1.0um				200,000원
791	2015-04-15 14시	17시	HfO2 Etch : 6inch Etchrate Test 1매 + Main 5매 (Main 5매 청구 진행)	서강대학교	전자공학과	전우영	500,000원
792	2015-04-20 13시	18시	top에서 부터 Mo(300nm), IGZO(50nm), SiO2(dry thermal 100nm), Si wafer 로 stack Si wafer까지 etching	포항공과대학교	전자과	조용정	160,000원
793	2015-04-30 15시	16시	Mo 300nm etching (Active layer patterning) Mo 밑에는 IGZO 50nm (dry etching 결과 User 분석 후 다음 진행 Fedd back 예정)	포항공과대학교	전자과	조용정	80,000원
794	2015-05-08 15시	16시	Al etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
795	2015-05-08 16시	18시	<현재공정> gate를 hard mask로 Al2O3(33nm)/HfO2(7nm) etch 그아래 Al2O3(7nm)가 over etch 되어도 상관없습니다. (graphene memory 3차 runsheet 와 동일합니다.) Al2O3 ETch, HfO2 ETch 2회 진행	포항공과대학교	전자전기공학과	이기환	160,000원
796	2015-05-12 22시	23시	SiO2 etching	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
797	2015-05-18 10시	12시	Etch 공정 영향성 평가 : 조각 18ea	제일윈텍(주) 기술연구소	연구개발	권정철	1,460,000원
798	2015-05-19 16시	18시	Si 식각	포항공과대학교	화학공학과	이윤호	64,000원
799	2015-05-20 11시	12시	SiO2 에칭	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
800	2015-05-22 10시	11시	SiO2 에칭	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
801	2015-05-26 14시	15시	1-4-1 A Key Etch : Al2O3 380A Etch	포항공과대학교	전자전기공학과	이기환	160,000원
802	2015-05-26 15시	16시	1-4-1 A Key Etch : Al 1000A Etch	포항공과대학교	전자전기공학과	이기환	160,000원
803	2015-05-28 14시	15시	위에서부터 Mo/IGZO/SiO2/Si(300nm/50nm/100nm/525um) 으로 이루어져 있습니다. 저번에 170s로 공정 했었을때 총 600nm etching 되었습니다. 이번에는 400nm 정도 etching 했으면 합니다. 즉, Mo , IGZO 는 모두 etching 하고 SiO2 10~50nm정도 etching 되게 시간을 조절했으면 합니다. 공정 진행전에 010.4701.4723으로 연락 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	전자과	조용정	80,000원
804	2015-06-01 21시	22시	SiO2 etching	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
805	2015-06-02 13시	15시	UE MEMS Sensor 2nd 계약_Etch	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	1,000,000원
806	2015-06-02 16시	17시	위에서 부터 Mo/IGZO/SiO2/Si(300nm/50nm/100nm/525um) Mo 300nm dry etching (85")	포항공과대학교	전자과	조용정	80,000원
807	2015-06-03 14시	15시	Al etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
808	2015-06-12 14시	16시	SiO2 식각용으로 쓰려고 합니다.	포항공과대학교	화학공학과	이윤호	64,000원
809	2015-06-16 13시	14시	Al etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
810	2015-06-16 21시	24시	나이트라이드 식각	포항공과대학교	기계공학과	윤재웅	192,000원
811	2015-06-18 16시	18시	Si etch	(주)와이앤지	개발	심경주	500,000원
812	2015-06-18 22시	23시	SiO2 에칭	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
813	2015-06-22 20시	23시	나이트라이드 식각	포항공과대학교	기계공학과	윤재웅	64,000원
814	2015-06-23 17시	18시	Al etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
815	2015-06-26 21시	22시	SiO2 에칭	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
816	2015-06-29 10시	11시	oxide etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
817	2015-06-29 13시	14시	Al2O3 Etch	포항공과대학교	화학공학과	전금혜	80,000원
818	2015-07-01 10시	11시	SiO2 에칭	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
819	2015-07-06 10시	11시	GaN etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
820	2015-07-06 11시	14시	1-4 AKEY Etch Al2O3 70A , SiN 100A, Al2O3 100A, Al 1000A - 2매	포항공과대학교	전자전기공학과	이기환	640,000원
821	2015-07-07 12시	16시	1-4 AKEY Etch Al2O3 380A, Al 1000A - 1매 Al2O3 80A, SiN 100A, Al2O3 100A, Al 1000A - 1매	포항공과대학교	전자전기공학과	이기환	480,000원
822	2015-07-08 13시	16시	Ta/Mo vs PR Etchrate 선택비 평가	한양대학교	신소재공학과	장용주	800,000원
823	2015-07-10 13시	14시	GaN etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
824	2015-07-13 10시	11시	SiO2 etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
825	2015-07-13 11시	12시	1-2-1 AKEY SiN Dry Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
826	2015-07-13 12시	13시	1-2-2 AKEY GaN Dry Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
827	2015-07-14 23시	24시	oxide etch	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
828	2015-07-16 10시	11시	2-2-1 ISO SiN Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
829	2015-07-20 13시	17시	Etch 공정	메이플세미컨덕터(주) 포항지점	생산기술팀	김동협	1,000,000원
830	2015-07-21 9시	13시	포항TP_나노융합 전문인력 양성과정_Etch	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	2,000,000원
831	2015-07-23 14시	15시	Si etching	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
832	2015-07-27 11시	12시	SiO2 etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
833	2015-07-28 9시	14시	포항TP_나노융합 전문인력 양성과정_Etch	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	1,500,000원
834	2015-07-29 14시	18시	포항TP_나노융합 전문인력 양성과정_Etch	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	500,000원
835	2015-08-04 13시	15시	3-2-1 SiN Dry Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
836	2015-08-05 14시	15시	TiN Dry Etch : 5nm / 10nm / 20nm Split	금오공과대학교	신소재연구소	임기식	300,000원
837	2015-08-06 11시	15시	TA & PR Etchrate 평가 : 8 type * 2 ea --> Split 진행 8회 진행 --> 4회 청구 (공정 평가 관련)	한양대학교	신소재공학과	장용주	400,000원
838	2015-08-12 10시	11시	8. Split Gate_Gate (Al) Etch	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유호천	280,000원
839	2015-08-18 13시	14시	4-2-1 GATE TiN Dry Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
840	2015-08-18 16시	17시	3-3-1 Hardmask Oxide Etching	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	210,000원
841	2015-08-24 17시	18시	TiN 조각 6ea	경북대학교	전자공학과	임기식	200,000원
842	2015-08-25 15시	16시	1-2-1 AKEY GaN Dry Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
843	2015-08-26 23시	24시	SiO2 에칭	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
844	2015-08-27 9시	10시	6-2-1 MET1 Metal Dry Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	210,000원
845	2015-08-28 9시	10시	7-2-1 VIA SiN Dry Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	210,000원
846	2015-08-31 16시	17시	9-2-1 PAD SiN Dry Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	210,000원
847	2015-09-01 19시	20시	SiO2 에칭	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
848	2015-09-04 13시	14시	UE Cap Test _ Nitiride Etching 5매	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	500,000원
849	2015-09-05 16시	17시	SiO2 에칭	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
850	2015-09-08 10시	15시	1-3-1 Back Side Oxide Etch	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	280,000원
851	2015-09-13 14시	15시	SiO2 에칭	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
852	2015-09-15 11시	12시	Al etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
853	2015-09-15 13시	16시	3-5-1 Metal Al_Dry Etching				500,000원
854	2015-09-17 16시	17시	metal etch	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	100,000원
855	2015-09-22 13시	16시	전문인력양성사업 나노융합기술교육_Etch 2조	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	1,200,000원
856	2015-09-23 10시	13시	전문인력양성사업 나노융합기술교육_Etch 1조	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	1,200,000원
857	2015-09-23 16시	17시	5-2-1 Metal Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
858	2015-09-23 17시	18시	5-2-2 Gate Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
859	2015-09-23 18시	19시	5-2-3 Al2O3 Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
860	2015-09-23 19시	20시	5-2-4 SiN Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
861	2015-09-24 14시	17시	전문인력양성사업 나노융합기술교육_Etch 3조	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	1,200,000원
862	2015-09-25 10시	11시	6-2-1 MET 1 ETCH	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
863	2015-09-25 14시	15시	MET1 ETCH (5조각)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	70,000원
864	2015-10-06 10시	11시	1-2-1 AKEY SiN Dry Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	70,000원
865	2015-10-06 11시	13시	1-2-2 AKEY GaN Dry Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
866	2015-10-06 15시	17시	Al 2000 A Dry Etch	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유호천	0원
867	2015-10-07 17시	18시	2-2-1 ISO SiN Dry Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	70,000원
868	2015-10-12 15시	18시	AL2O3 vs Al Etchrate 평가	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유호천	0원
869	2015-10-13 14시	15시	Al 3000 A Dry Etch	부산대학교	기계공학부	장창욱	90,000원
870	2015-10-13 15시	16시	Oxide 5000 A Dry Etch	부산대학교	기계공학부	장창욱	90,000원
871	2015-10-14 14시	15시	SiN 300 nm / GXR 601 PR MASK	포항공과대학교	전자과	백상원	70,000원
872	2015-10-14 9시	10시	3-2-1 RCSS SiN Dry Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	70,000원
873	2015-10-16 10시	11시	TiN ETch	금오공과대학교	신소재연구소	임기식	100,000원
874	2015-10-16 11시	17시	3-2-1 Holke Etching Al2O3 1000 A	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유호천	340,000원
875	2015-10-16 17시	20시	4-2-1 TiN Gate Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
876	2015-10-22 18시	19시	6-2-1 M1 Metal Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
877	2015-10-22 9시	17시	4-2-1 VIA Al2O3 Dry Etch	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유호천	340,000원
878	2015-10-26 14시	16시	3-3-1 Oxide Etch	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	140,000원
879	2015-10-27 9시	18시	플라즈마 식각에 대한 영향성 평가	제일윈텍(주) 기술연구소	연구개발	권정철	1,460,000원
880	2015-10-28 15시	16시	위에서부터 Mo/IGZO/SiO2/Si(300nm/50nm/100nm/525um) 으로 이루어져 있습니다. 130 s dry etching 부탁드립니다. 공정의뢰함에 조용정이라고 적어 놓은 음박지로 쌓인 케리어를 넣어 뒀습니다. 2조각 한번엔 공정 진행 부탁드립니다. 공정 전에 010.4701.4723으로 전화 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자과	조용정	80,000원
881	2015-10-29 10시	11시	SiO2 1 um 식각 / GXR 601 masking	포항공과대학교	전자과	백상원	70,000원
882	2015-11-02 10시	16시	Oxide Etch : 10ea Metal Etch : 10ea	광진테크	대표	박광형	2,000,000원
883	2015-11-09 13시	18시	PSS Etch_Si Etch	SSADT	경영지원	지이권	2,000,000원
884	2015-11-12 13시	14시	10-4-1 MET2 Metal Pre Cleaning	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
885	2015-11-12 9시	12시	9-2-1 VIA SiN Dry Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	210,000원
886	2015-11-17 14시	15시	Polypropylene 필름 에칭 (O2 : cf4 = 6:1) : Thermal Compounder 유/무 진행	포항공과대학교	기계공학과	조한동	160,000원
887	2015-11-18 11시	12시	Mo 300nm dry etching	포항공과대학교	전자과	조용정	80,000원
888	2015-11-19 10시	15시	Al2O3 Etching	부산대학교	바이오소재과학과	양승윤	900,000원
889	2015-11-19 17시	18시	Al 2000A	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
890	2015-11-20 11시	12시	SiC 6inch Wafer Loading Test	(주)케이이씨	공정기술G	박선운	100,000원
891	2015-11-20 13시	14시	폴리프로필렌 필름 에칭	포항공과대학교	기계공학과	조한동	80,000원
892	2015-11-20 14시	18시	HfO2 film 의 에칭 테스트 (CF4+Ar) Etchrate Test : 3회 --> 1회로 처리 샘플 진행 : 3회	포항공과대학교	신소재공학과	이승희	320,000원
893	2015-11-20 16시	17시	15s / 25s Etch	경북대학교	전자공학과	임기식	200,000원
894	2015-11-23 13시	16시	3220 MEMS IR Sensor_2015/11	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	2,000,000원
895	2015-11-24 10시	12시	PSS Etch_Oxide Open	SSADT	경영지원	지이권	1,000,000원
896	2015-11-25 10시	18시	PSS Etch_Si Etch Process Tuning+PR Ashing	SSADT	경영지원	지이권	1,700,000원
897	2015-11-26 11시	12시	폴리프로필렌 필름 에칭	포항공과대학교	기계공학과	조한동	80,000원
898	2015-11-27 14시	17시	2015년도 WISET 경북지역사업단 나노기술전문인력 양성 교육	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	1,000,000원
899	2015-12-01 16시	17시	HfO2 etching (CF4+Ar)	포항공과대학교	신소재공학과	이승희	80,000원
900	2015-12-02 10시	15시	Si Etching 을 위한 Etch Profile 조절 평가 (Etch Profile 조절을 위한 Etch 공정 조건 중 Parameter 영향성 평가) 적용 과제 : 4.001278.01	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	910,000원
901	2015-12-09 13시	13시	LED etching GaN etching condition Time: 400sec (100/100/100/100) - 4 steps / Target thickness: 850~1150um --> 2회로 청구됨 (1회 기준 : 1.0um/300sec)	포항공과대학교	신소재공학과	이종원	160,000원
902	2015-12-14 10시	11시	PI, PP, PDMS 필름 에칭입니다.	포항공과대학교	기계공학과	조한동	80,000원
903	2015-12-14 11시	13시	grating etching	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	598,000원
904	2015-12-15 13시	15시	분석용_Etch	현대자동차	환경에너지연구팀	정영균	1,000,000원
905	2015-12-15 9시	13시	미래부 전문인력양성_소자공정 실습 (Etch)	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	1,000,000원
906	2015-12-21 13시	18시	미래부 전문인력양성_소자공정 실습 (Etch)	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	1,500,000원
907	2015-12-22 11시	15시	Hard Mask Al Etch : 5000 A	포항공과대학교	기계공학과	윤나리	210,000원
908	2015-12-22 15시	17시	Hard Mask Oxide Etch : 1000 A	포항공과대학교	기계공학과	윤나리	210,000원
909	2015-12-24 9시	11시	초기 개발 공정 조건	(주) 이너센서	연구개발전담부	우종창	1,000,000원
910	2015-12-28 13시	18시	미래부 전문인력양성_소자공정 실습 (Etch)	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	2,000,000원
911	2015-12-29 10시	13시	미래부 전문인력양성_소자공정 실습 (Etch)	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	1,000,000원
912	2016-01-11 10시	11시	SiN Etch (특허과제)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	70,000원
913	2016-01-11 9시	10시	Oxide Etch (특허과제)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	70,000원
914	2016-01-12 16시	18시	나노실리콘 기반 센서제작(4.0012738.01)_Etch	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	700,000원
915	2016-01-18 13시	15시	GaN Etching : 850 ~1150 nm (90sec * 4회)	포항공과대학교	MSE	박준혁	180,000원
916	2016-01-18 9시	10시	Si Deep Etching 용 Al Hard Mask Etching	포항공과대학교	전자과	백상원	70,000원
917	2016-01-20 16시	17시	GaN Etching : 조각 sample 2ea (137sec)	포항공과대학교	MSE	박준혁	160,000원
918	2016-01-27 18시	20시	GaN Etch Test (by Gabisa) : 1.0um Etch 를 위한 Test & Sample 진행	포항공과대학교	MSE	박준혁	180,000원
919	2016-01-28 14시	15시	Nitride 65 nm 식각	포항공과대학교	기계공학과	허영진	80,000원
920	2016-02-11 15시	18시	나노실리콘 기반 센서제작(4.0012738.01)_Etch	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	700,000원
921	2016-02-15 11시	12시	1-3-1 Al Etching	포항공과대학교	기계공학과	윤나리	140,000원
922	2016-02-15 11시	12시	1-3-1 PE 1000A	포항공과대학교	기계공학과	윤나리	140,000원
923	2016-03-24 9시	11시	Cu 표면 친수성 변환[과제번호:2.0007177.01]	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	400,000원
924	2016-03-25 10시	12시	나노실리콘 기반 센서제작(4.0012738.01)_Etch	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	450,000원
925	2016-03-28 15시	16시	Al 150 µm	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	128,000원
926	2016-04-04 10시	19시	Etch Plasma 영향성 평가 : 100min 적용	(주)맥테크	부설기술연구소	정종열	1,050,000원
927	2016-04-12 13시	18시	Plasma Etch 영향성 평가	(주)맥테크	부설기술연구소	정종열	1,050,000원
928	2016-04-25 14시	15시	Al etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	128,000원
929	2016-04-25 9시	14시	Plasma Etching 영향성 평가	(주)맥테크	부설기술연구소	정종열	1,050,000원
930	2016-05-02 12시	16시	Al_2000A Etching	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유호천	3,110,000원
931	2016-05-04 9시	13시	Al2O3 1000A Etching	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유호천	2,309,000원
932	2016-05-09 11시	12시	Al etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	128,000원
933	2016-05-09 15시	16시	Mo etching: sample 4/8 ea 진행	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	135,000원
934	2016-05-09 16시	17시	ITO Etch Test	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	135,000원
935	2016-05-10 16시	17시	ITO Etch 평가	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	135,000원
936	2016-05-11 10시	12시	Al2O3 etching test	포항공과대학교	신소재공학과	이승희	180,000원
937	2016-05-11 14시	15시	Al etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	128,000원
938	2016-05-11 15시	16시	Al 40nm 에칭	포항공과대학교	기계공학과	윤관호	135,000원
939	2016-05-11 16시	17시	ITO Etch 평가	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	170,000원
940	2016-05-13 11시	12시	Mo etching	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	135,000원
941	2016-05-16 9시	19시	Coated material Etch 평가	제일윈텍(주) 기술연구소	연구개발	권정철	1,400,000원
942	2016-05-19 11시	12시	TiO2 Etch (조각 5개)	경북대학교	전자공학과	임기식	150,000원
943	2016-05-24 13시	18시	나노융합 전문인력양성 교육 프로그램_Etch	계명대학교	화학공학과	서숭혁	2,500,000원
944	2016-05-25 10시	11시	Graphene/Al2O3/hBN/Al2O3 stack etching test	포항공과대학교	신소재공학과	이승희	140,000원
945	2016-05-26 13시	15시	1-2-1 Metal Etching	(주) 이너센서	이너센서	강문식	0원
946	2016-05-30 9시	10시	Al 40nm + Ti 3nm 에칭	포항공과대학교	기계공학과	윤관호	135,000원
947	2016-06-02 14시	17시	slide glass(oxide) 2um etch	포항공과대학교	기계공학과	정화평	140,000원
948	2016-06-09 1시	2시	o2 plasma treatment	포항공과대학교	ITCE	정새벽	128,000원
949	2016-06-09 13시	15시	TSV 공정용 Etch_과제번호:4.0012738.01	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	460,000원
950	2016-06-16 10시	17시	Ceramic Coating 재료에 대한 Plasma 영향성 평가 : Plasma on Time 1 Hr	(재)강원테크노파크	신소재사업단	김덕	1,480,000원
951	2016-06-22 13시	15시	나노융합 전문인력양성 교육 프로그램_Etch	위덕대학교	정보통신공학부	이재성	2,100,000원
952	2016-07-01 13시	17시	나노융합 전문인력양성 교육 프로그램_Etch	대구가톨릭대학교	전자공학과	김종재	2,500,000원
953	2016-07-06 10시	11시	Gr/Al2O3/hBN/Al2O3 stack etching **Al2O3두께 2종류 샘플: 2nm&2nm, 5nm&5nm	포항공과대학교	신소재공학과	이승희	260,000원
954	2016-07-14 16시	18시	Si Etch H.M Etch (Si Sample)	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	170,000원
955	2016-07-21 16시	17시	조각 샘플 10ea 식각 : 2회 진행	포항공과대학교	화학공학과	이윤호	180,000원
956	2016-07-22 14시	15시	Al etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	128,000원
957	2016-07-27 11시	13시	silicon nitride etch 500nm	포항공과대학교	기계공학과	정화평	132,000원
958	2016-07-29 9시	10시	실리콘 웨이퍼의 SiO2층 etching 입니다. 전에 항상 했던 조건으로 하고 싶습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	화학공학과	이윤호	140,000원
959	2016-08-01 14시	16시	AlGaN/GaN layer 200~300 nm 식각	전북대학교	반도체화학공학부	김정진	250,000원
960	2016-08-03 13시	14시	Al etch	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	128,000원
961	2016-08-10 14시	15시	hBN/Al2O3 etching test	포항공과대학교	신소재공학과	이승희	180,000원
962	2016-08-17 10시	11시	hBN/Al2O3 stack etching	포항공과대학교	신소재공학과	이승희	180,000원
963	2016-08-30 13시	18시	나노융합 전문인력양성 교육 프로그램_Etch	대구대학교	중앙기기원	차정호	2,000,000원
964	2016-09-09 13시	14시	Al2O3 20nm 식각 ( Al2O3 Layer 아래 al이 존재함)	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	140,000원
965	2016-09-12 11시	12시	실리콘 웨이퍼위에 유기물 코팅 된 소자 식각 요청합니다.	포항공과대학교	화학공학과	김홍기	300,000원
966	2016-09-21 10시	12시	유기물 층을 마스크로 해서 SiO2 식각을 하고 싶습니다.	포항공과대학교	화학공학과	이윤호	180,000원
967	2016-10-19 11시	12시	Al2O3 100nm Etching	부산대학교	바이오소재과학과	양승윤	145,000원
968	2016-10-21 15시	18시	SiC Bevel Etch Test	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	170,000원
969	2016-10-24 15시	18시	SiC Bevel Etch Test	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	170,000원
970	2016-10-25 13시	14시	표면 식각	위덕대학교	그린에너지공학부	김동현	140,000원
971	2016-10-25 15시	18시	SiC Bevel Etch Test	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	170,000원
972	2016-10-31 1시	13시	SiO2 및 Si 계열 물질 ,약 1um 에칭	포항공과대학교	화학공학과	이은광	140,000원
973	2016-10-31 10시	16시	Plasma Etch 영향성 평가 : CF4 Plasma 처리, 100분	(주)맥테크	부설기술연구소	정종열	1,050,000원
974	2016-11-02 10시	11시	표면 에칭	위덕대학교	그린에너지공학부	김동현	180,000원
975	2016-11-03 10시	12시	ITO Etch 공정 평가	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	170,000원
976	2016-11-03 14시	17시	나노융합 전문인력양성 교육_Etch	계명대학교	화학공학과	서숭혁	1,400,000원
977	2016-11-07 17시	18시	ITO Etching : 1500 A	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	135,000원
978	2016-11-15 16시	17시	InP기판위에 InGaAsP 300nm가 깔려있습니다. Cl2+BCl3 gas를 이용해 총 1.5um 정도 에칭진행하고자 합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	135,000원
979	2016-11-23 10시	11시	InGaAsP/InP 에칭 진행하려고 합니다. Cl2+BCl3로 1.5um-2um 정도 에칭 진행하려고 합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	135,000원
980	2016-11-24 13시	14시	ITO 100nm	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	170,000원
981	2016-12-07 15시	16시	ITO 150nm Etch	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	135,000원
982	2016-12-20 11시	12시	노광	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	205,000원
983	2016-12-21 15시	17시	플라즈마 건식 식각: Al2O3 thickness 500Å Target	(주)엔디디	기술연구	최은아	2,000,000원
984	2016-12-22 13시	15시	플라즈마 건식식각 : Oxide Etching	(주) 이너센서	이너센서	강문식	1,500,000원
985	2016-12-27 13시	15시	플라즈마 건식식각 : Al2O3 thickness 500Å Target	(주)엔디디	기술연구	최은아	2,000,000원
986	2017-01-10 10시	16시	나노소자공정실습교육_Etch	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	2,100,000원
987	2017-01-23 13시	18시	MEMS 기술사업화 계약_Etch	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	2,100,000원
988	2017-02-06 13시	18시	나노융합기술 전문인력양성프로그램_Etch	대구대학교	중앙기기원	차정호	1,700,000원
989	2017-02-09 9시	18시	SiC 기술사업화_Etch	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	1,400,000원
990	2017-02-21 10시	18시	MEMS 기술사업화 계약_Etch	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	2,600,000원
991	2017-02-24 15시	17시	Dry Etching	(주)엔디디	기술연구	최은아	1,000,000원
992	2017-04-12 14시	15시	Al위의 al2o3 20nm 에칭	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	142,500원
993	2017-05-19 16시	18시	ICP 120 s 정도 식각 진행 : 2회로 나누어 진행	포항공과대학교	화학공학과	이윤호	185,000원
994	2017-06-29 10시	18시	나노융합기술 전문인력양성 교육_Etch	대구대학교	중앙기기원	차정호	2,100,000원
995	2017-06-30 15시	17시	Al2O3 300A	(주)엔디디	기술연구	최은아	3,400,000원
996	2017-08-12 10시	14시	Sapphire Etch	(주)에스에스에이디티	연구기획팀	오은하	3,900,000원
997	2017-08-24 10시	13시	MEMS 기술사업화 계약_Etch	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	1,600,000원
998	2017-08-29 15시	17시	Al2O3 Etching	(주)엔디디	기술연구	최은아	3,000,000원
999	2017-09-07 9시	18시	MEMS 기술사업화 계약_Etch	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	2,600,000원
1000	2017-09-20 14시	15시	PS monolayer를 마스크로하여 ICP 에칭하고자합니다. (200 nm 두께 에칭)	포항공과대학교	화학공학과	김홍기	142,500원
1001	2017-09-25 13시	16시	기판 물질은 Al2O3이며 Al2O3-Y2O3 화합물로 코팅이 되어있는 시편 : Etching Test (CF4 Gas Base, 30min)	영남대학교	신소재공학과	MPL	342,500원
1002	2017-10-25 15시	17시	Al2O3 300A Etching	(주)엔디디	기술연구	최은아	1,000,000원
1003	2017-10-26 13시	15시	Oxide Dry Etching	포항공과대학교	IBB	정민규	142,500원
1004	2017-10-30 15시	17시	.	템퍼스	개발팀	조재익	500,000원
1005	2017-11-01 13시	16시	전문인력양성사업 교육_Etch	나노융합기술원	교육홍보팀	이현규	1,500,000원
1006	2017-11-13 13시	15시	Al2O3 raw material bulk-type sample, Al2O3 material bulk-type sample with YAG coating 실험 공정) 1. CF4 gas base 2. temp : 약 40도 부근 3. etching time : 30분	영남대학교	신소재공학과	MPL	342,500원
1007	2017-11-23 15시	17시	Al2O3 Etching	(주)엔디디	기술연구	최은아	4,000,000원
1008	2017-11-28 14시	18시	PDMS위에 깔린 monolayer PS beads를 일정크기 깎아내는 공정을 하고 싶습니다. plasma of oxygen and tetrafluoromethane (CF4) (40: 10 sccm) for 90 s at ICP power of 300 W and radio frequency (RF) power of 15 W. --> 40sec, 70sec	포항공과대학교	화학공학과	장준호	185,000원
1009	2017-11-28 9시	12시	CF4 Plasma Etching Test : 60min	연테크	기업부설연구소	김승래	1,000,000원
1010	2017-12-01 10시	17시	CF4 Base Plasma Etching : 30min / 60min	영남대학교	신소재공학과	MPL	885,000원
1011	2017-12-06 9시	17시	계명대학교 나노융합기술교육_Etch	계명대학교	화학공학과	서숭혁	2,100,000원
1012	2017-12-08 15시	17시	peoxide 2um etching	(주)기가레인	장비사업부	이길헌	400,000원
1013	2018-01-03 15시	17시	AL2O3 Etch	(주)엔디디	기술연구	최은아	1,100,000원
1014	2018-01-17 10시	18시	WISET 사업 교육_Etch	나노융합기술원	교육홍보팀	이현규	1,100,000원
1015	2018-02-02 15시	17시	Al2O3 300A	(주)엔디디	기술연구	최은아	1,700,000원
1016	2018-02-23 15시	17시	Al2O3 에칭	(주)엔디디	기술연구	최은아	1,500,000원
1017	2018-03-26 15시	17시	Al2O3 300A Etching	(주)엔디디	기술연구	최은아	2,000,000원
1018	2018-03-28 10시	16시	플라즈마 식각 Test 의뢰 (60분) --> RF on Time 에 따라 6회(\100,000/회)로 처리힘	(주)월덱스	연구소	김병국	700,000원
1019	2018-04-25 15시	17시	Al2O3 thickness 300A target	(주)엔디디	기술연구	최은아	2,300,000원
1020	2018-04-26 11시	12시	SiO2 식각을 하였던 방법으로 70 s 식각	포항공과대학교	화학공학과	이윤호	142,500원
1021	2018-05-14 13시	18시	ICP Etching 공정 장비 교육	나노융합기술원	교육홍보팀	이현규	750,000원
1022	2018-05-21 10시	15시	Plasma Etching 영향성 평가	(재)강원테크노파크	신소재사업단	김덕	1,480,000원
1023	2018-05-29 16시	17시	비욘드 아이즈(바우처)	비욘드아이즈	부설연구소	비욘드아이즈	200,000원
1024	2018-06-04 16시	18시	1st Oxide Etching , 3회 진행	(주)라디안큐바이오	바이오 R&D 센터	라디안큐바이오	450,000원
1025	2018-06-05 15시	16시	2nd Oxide Etching, 1회 2매	(주)라디안큐바이오	바이오 R&D 센터	라디안큐바이오	150,000원
1026	2018-06-11 10시	17시	Plasma Etching 영향성 평가 : 1 Hr	(재)강원테크노파크	신소재사업단	김덕	1,080,000원
1027	2018-06-27 10시	15시	Oxide 3000A, 1st 2nd Layer	(주)라디안큐바이오	바이오 R&D 센터	라디안큐바이오	760,000원
1028	2018-06-28 15시	17시	Al2O3 300A Etching	(주)엔디디	기술연구	최은아	3,000,000원
1029	2018-07-03 15시	16시	샘플 상태 : SiO2/Si 조각 샘플 위 PR patterning (DNR-L300 30) 공정 내용 : 현재 PR 2um 밑에 317 nm의 oxide층 제거	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	137,500원
1030	2018-07-04 9시	15시	Plasma Etching 영향성 평가 : 샘플 10개	제일윈텍(주) 기술연구소	연구개발	권정철	1,400,000원
1031	2018-07-16 9시	11시	세라믹 재료 Etching 영향성 평가 ; 1 시간	(재)강원테크노파크	신소재사업단	김덕	1,080,000원
1032	2018-08-22 15시	17시	Al2O3 300A Target	(주)엔디디	기술연구	최은아	2,300,000원
1033	2018-08-23 10시	17시	Transparent AlON(3ea) Y2O3(3ea) Mg-Spinel(3ea) Sapphire(3ea) Translucent Aumina(3ea) Sintered Al2O3(3ea) YAG coated CF4 Gas 를 이용한 ICP Plasma 60min/120min/180min (진행 조건 및 시간은 장비 조건에 따라 협의 요함)	영남대학교	신소재공학부	민지훈	2,250,000원
1034	2018-09-19 15시	17시	Al2O3 thickness 300A Target	(주)엔디디	기술연구	최은아	5,000,000원
1035	2018-10-04 9시	10시	SiO2를 300 nm 정도 etching SiO2 기판 위에 Cr나노 패턴을 마스크로 만들었구요, Cr이 없는 SiO2 부분을 300 nm 정도 etching	포항공과대학교	화학공학과	이윤호	142,500원
1036	2018-11-05 15시	16시	AZ Positive Photo resist사용 예정(이남걸 연구원에게 Photo litho. 의뢰 예정) Photo lithography는 11월 5일 오전(10시~12시)으로 의뢰 공정 신청하였습니다. 350nm etching 공정 일정 및 정보 관련하여 JTS 박동규 과장(010-6345-7577)과 컨택하시면 됩니다.	신라대학교	스마트전기전자공학부	최우창	150,000원
1037	2019-02-20 11시	16시	6매	(주)라디안큐바이오	바이오 R&D 센터	라디안큐바이오	550,000원
1038	2019-05-16 13시	15시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1039	2019-05-17 10시	12시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1040	2019-05-20 13시	15시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1041	2019-05-22 10시	12시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1042	2019-05-23 10시	12시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	400,000원
1043	2019-05-24 13시	15시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1044	2019-05-27 10시	12시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1045	2019-06-03 10시	12시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1046	2019-06-05 13시	15시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	400,000원
1047	2019-06-10 13시	15시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1048	2019-06-11 13시	15시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1049	2019-06-12 13시	15시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1050	2019-06-13 13시	15시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	400,000원
1051	2019-07-04 13시	15시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1052	2019-07-08 13시	15시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1053	2019-07-09 13시	15시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1054	2019-07-11 13시	15시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1055	2019-07-15 13시	15시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1056	2019-07-18 11시	17시	2 cm * 2 cm Si 2개, Glass 2개 Si02 350 nm 에칭 의뢰 합니다. P.S. 혹시 Liftoff layer로 사용하는 PMGI (Polydimethylglutarimide SF6)도 에칭이 가능한가요? 현재 Si02 밑에 PMGI 약 300 nm 깔려 있습니다. Si02 에칭을 진행한 뒤, SEM 촬영 후, PMGI도 에칭하기 위해 여쭤봅니다.	포항공과대학교	기계공학과	고병수	199,000원
1057	2019-07-19 10시	12시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1058	2019-08-01 10시	12시	1차 Dry Etch(2매씩 2회)	(주)라디안큐바이오	바이오 R&D센터 정인혜 전문연구원	최정명	370,000원
1059	2019-08-02 16시	18시	2차 Dry Etch(2매씩 2회)	(주)라디안큐바이오	바이오 R&D센터 정인혜 전문연구원	최정명	370,000원
1060	2019-08-05 13시	14시	3차 Dry Etch	(주)라디안큐바이오	바이오 R&D센터 정인혜 전문연구원	최정명	146,750원
1061	2019-08-06 13시	15시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	400,000원
1062	2019-08-06 16시	17시	4차 Dry Etch(2매씩 2회)	(주)라디안큐바이오	바이오 R&D센터 정인혜 전문연구원	최정명	370,000원
1063	2019-08-07 12시	15시	나노선 열전소자 제작(Isolation Etch_Ox_Si)	주식회사 싸이츠	기업부설연구소	백창기	0원
1064	2019-08-07 13시	15시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	400,000원
1065	2019-08-14 10시	12시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	400,000원
1066	2019-08-20 10시	12시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	400,000원
1067	2019-09-02 10시	12시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	500,000원
1068	2019-09-10 14시	16시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	400,000원
1069	2019-09-17 14시	16시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	400,000원
1070	2019-09-19 14시	16시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	400,000원
1071	2019-09-23 13시	15시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1072	2019-10-14 14시	16시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1073	2019-10-16 14시	16시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1074	2019-10-17 10시	11시	1-2 F_Via GaN etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	364,000원
1075	2019-10-21 13시	15시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1076	2019-10-22 13시	15시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1077	2019-10-23 13시	15시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1078	2019-10-24 13시	15시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1079	2019-10-31 9시	15시	4-2 ISO GaN 5um etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	2,720,000원
1080	2019-11-04 14시	16시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	400,000원
1081	2019-11-06 14시	16시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	400,000원
1082	2019-11-07 13시	15시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1083	2019-11-11 13시	15시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1084	2019-11-12 13시	15시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1085	2019-11-13 14시	16시	4-2 ISO GaN etch 4.5um	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	1,088,000원
1086	2019-11-27 9시	10시	OXIDE ETCH	(주)엔디디	기업부설연구소	이승헌	800,000원
1087	2019-11-28 10시	12시	1-2 GaN etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	320,000원
1088	2019-12-18 16시	18시	HZO/TiN 스택 위 TiN 50 nm 에칭 : 갯수 10개 이상으로 2회 진행	포항공과대학교	전자전기공학과	박성민	188,000원
1089	2019-12-19 9시	10시	SiN etch	(주)엔디디	기업부설연구소	이승헌	800,000원
1090	2019-12-20 9시	11시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,147,500원
1091	2020-01-07 9시	18시	나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
1092	2020-01-08 14시	18시	나노 인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	4,747,000원
1093	2020-01-08 9시	14시	나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업	글로비	글로비	글로비	0원
1094	2020-01-15 9시	14시	나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업	글로비	글로비	글로비	0원
1095	2020-01-16 9시	15시	나노 인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	4,746,000원
1096	2020-01-21 9시	18시	나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
1097	2020-01-22 9시	14시	나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업	글로비	글로비	글로비	0원
1098	2020-02-14 14시	15시	HZO/TiN 스택 위 TiN 50 nm 에칭 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	박성민	144,000원
1099	2020-02-17 9시	12시	나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업	(주)라디안큐바이오	바이오 R&D센터 정인혜 전문연구원	최정명	0원
1100	2020-03-26 13시	14시	Al2O3 etch	(주)엔디디	기업부설연구소	이승헌	1,000,000원
1101	2020-03-27 14시	15시	Oxide etch 10매	(주)엔디디	기업부설연구소	이승헌	1,000,000원
1102	2020-04-13 9시	10시	안녕하세요 TiN film 위에 PS mask가 pattern이 되어있고, 이를 식각을 하고 싶습니다. TiN 식각 60nm를 하고 싶습니다. 조각 샘플들 모두 한번에 공정 부탁드립니다. 감사드립니다 선생님.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	199,000원
1103	2020-04-23 14시	15시	안녕하세요 선생님. 항상 여쭤보는 내용에 대하여 친절하게 답변해주셔서 감사드립니다. 저번에 TiN etching에 대한 다른 조건이 잡혀있지 않아있다 하셔서 일단 기존의 방식의 구조에서 분석을 해보려고 합니다. 그래서 저번처럼 같은 조건으로 TiN 60 nm를 etching 해주시면 감사드리겠습니다! 조각들은 모두 같은 조건에서 진행해주시면 감사드리겠습니다! 항상 감사드립니다. 고명철 올림.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
1104	2020-04-29 10시	11시	안녕하세요 선생님 기존 공정대로 60 nm의 TiN을 etching 하고 싶습니다. 의뢰함에 샘플을 두고 왔습니다. 감사드립니다!	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
1105	2020-05-20 14시	16시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1106	2020-05-28 14시	16시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1107	2020-05-29 14시	16시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	400,000원
1108	2020-06-01 14시	16시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1109	2020-06-02 14시	16시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	400,000원
1110	2020-06-03 14시	16시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1111	2020-06-05 15시	16시	김병욱 선생님과 이야기 한 후 이미 완료된 공정입니다. 1) 50 nm Si etching 2) 100 nm Si etching	포항공과대학교	화학공학과	장준호	199,000원
1112	2020-06-08 14시	16시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1113	2020-06-16 9시	10시	Oxide dry etch	(주)엔디디	기업부설연구소	이승헌	1,100,000원
1114	2020-06-17 10시	11시	Al2O3 Dry etch	(주)엔디디	기업부설연구소	이승헌	1,100,000원
1115	2020-06-19 9시	10시	Al/SiO2 100 nm/100 nm dry etching 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	134,000원
1116	2020-06-23 10시	12시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1117	2020-06-26 14시	16시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1118	2020-07-03 14시	16시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1119	2020-07-06 14시	16시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	400,000원
1120	2020-07-07 14시	16시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	400,000원
1121	2020-07-08 13시	18시	Gas: CF4, O2 + Ar / Bias: 200, TCP: 1000 / Pressure: 10m Torr Etching time(RF time): 1hr Mask Sample 9 ea	한국세라믹기술원	Technical Ceramics CVD material 사업부	이희준	1,500,000원
1122	2020-07-09 14시	20시	Gas: CF4, O2 + Ar / Bias: 200, TCP: 1000 / Pressure: 10m Torr Etching time(RF time): 1hr Weight Sample 9 ea	한국세라믹기술원	Technical Ceramics CVD material 사업부	이희준	1,500,000원
1123	2020-07-10 14시	16시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	400,000원
1124	2020-07-15 10시	12시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1125	2020-07-17 10시	12시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	500,000원
1126	2020-07-22 10시	12시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1127	2020-07-27 10시	12시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	300,000원
1128	2020-07-30 10시	12시	Metal 및 세라믹 건식 식각	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	400,000원
1129	2020-08-28 9시	10시	TiN 20nm 위에 증착된 결정화 되어 있는 HZO(HfZrO2) 10nm를 dry etch 하여 3~5nm 수준으로 만들고 싶습니다. 조각 sample 4ea 를 각각 10초, 15초, 20초, 25초 dry etch 부탁드립니다. sample은 8/28 오전 9시 까지 sample 보관함에 가져다 놓겠습니다. 감사합니다.	포스텍 대학원	신소재공학	김형우	298,000원
1130	2020-11-19 15시	16시	[나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업], 전자과 윤주영 (010.2768.0418) Mo etch rate test 김수곤 선생님께 연락드렸습니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	이정수	155,000원
1131	2021-08-03 13시	15시	{나노융합기반 고도화사업} Lot ID: Module 목적: PH공정 etch test용 총 2장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	180,000원
1132	2021-08-27 1시	1시	안녕하세요 선생님 어제처럼 TiN 50nm etching	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
1133	2021-10-30 1시	22시	EYEQ_02	(주)칩스케이	연구개발팀	임진홍	2,000,000원
1134	2021-12-07 16시	17시	4-4-1 PC GaN etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원

장비 사용일지 출력

Dry Etcher_ICP 장비일지