NINT Information System
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| 휴가일수 | 사용일수 | 잔여일수 | ||
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| 이월 | 당해 | 계 | ||
| 일 | 일 | 0일 | 0일 | 0 일 |
| 구분 | 연간 교육 | 이수 시간 | 잔여 시간 |
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| 시간 |
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개인정보 수정
장비 리스트 관리 | 장비 리스트 관리
| 번호 | 장비명 | 모델명 | 사양 | 용도 | 일지 | 상태 | 관리 |
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| 91 | Furnace_High T Anneal-2 | ALPHA-805D | Only 8 | High Temp Aneal용 |  |
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| 90 | Furnace_High T Anneal-Ⅲ | ALPHA-805D | Only 8 | High Temp Aneal용 | |
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| 89 | Furnace_Dry Oxidation-2 | ALPHA-805D | Only 8 | High Temp Aneal용 | |
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| 88 | Furnace_TEL - 2 | ALPHA-805D | Only 8 | Back Side Aneal용 | |
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| 87 | Optical Microscopes - Photo | Olympus MX51 | 1000배,6 | Wafer의 표면 및 패턴 형상 관찰 | |
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| 86 | Optical Microscopes - Etch | Olympus MX51 | 1000배,6 | Wafer의 표면 및 패턴 형상 관찰 | |
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| 85 | Optical Microscopes - THinFilm | Olympus MX51 | 1000배,6 | Wafer의 표면 및 패턴 형상 관찰 | |
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| 84 | Optical Microscopes-Diffusion | Olympus MX51 | 1000배 | Wafer의 표면 및 패턴 형상 관찰 | |
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| 83 | Optical Microscopes-EBL | MX51 | up to 6 | Wafer의 표면 및 패턴 형상 관찰 | |
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| 82 | Physical Analysis Technical Support Services (Senior Researcher) | Physical Analysis Group | 물리분석 기술서비스 (기술 Know-how 등 Engineering Cost) | |
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| 81 | Physical Analysis Technical Support Services (Principal Researcher) | Physical Analysis Group | 물리분석 기술서비스 (기술 Know-how 등 Engineering Cost) | |
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| 80 | Semiconductor technical support service (Senior Researcher) | Semiconductor group | 공정기술서비스 (기술 Know-how 등 Engineering Cost) | |
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| 79 | Focused Ion Beam -Ⅱ(Helios 650 with EBSD) / FIB -Ⅱ | Helios, Hikari | Resolution 1nm (SEM), 5nm (Ion), ~1000point/s(EBSD) | 3차원 가공 및 구조, 성분의 입체적 분석, EBSD 분석 | |
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| 78 | UV/Vis/nIR Spectrometer | V-670 | 투과율 측정(UV/Vis/NiR 측정) | |
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| 77 | Furnace High Temp anneal_SiC | PFS-6000-25 | 4/6 Inch Wafer 겸용 | 1250℃ ~ 1850℃ 고온열처리 | |
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| 76 | 3D Conforcal Scanning Microscope (3DCSM) | OPTELICS HYMRID C3 | 표면형상 측정기능(최소측정단위:0.001 μm, 측정재현성:0.01 μm) | 비접촉 3D 형상측정 | |
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| 75 | E-beam Evaporator - 2 | KVE-4000 | 4,6,8인치 Lift-off 전용( 4,6인치 wafer : 10장/회 8인치 wafer: 6장/회) | Ag, Al, Au, Cr, Ti증착 (타 metal은 별도 문의) | |
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| 74 | 3D Atom Probe Tomography (LEAP4000X HR) | LEAP4000X HR | FWHM 1:1000, FWTM 1:475, FW1%M 1:275 Resolution: 0.2~0.4nm | 3차원원자성분위치측정 철강, 반도체, LED, 나노소재 위치정보 및 성분분석 | |
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| 73 | Furnace Oxidation_LEAD | VULCAN-V81RD | 800℃~1100℃ 에서의 건식/습식 산화 가능 ,4.6.8인치 wafer 가능 | Pyrogenic 방식의 Oxidation furnace로 고품질의 산화막 성장 가능하며, 1100℃의 고온으로 사용할 수 있다.(SiC Oxidation 가능) | |
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| 72 | High Resolution FE-SEM-Ⅱ (JSM 7800F PRIME with Dual EDS) | JSM-7800F Prime | Quad Detector(LED,UED,USD,BED), Super Hybrid Lens, Dual EDS | 나노재료의 표면 관찰(LED,UED,BED) 및 성분분석(EDS) , 단면 두께 관찰 | |
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