Furnace High Temp anneal_SiC 장비일지

기자재관리번호 : 000000
No 장비이용내역 이용내역 사용자 장비이용료
시작일 종료일 세부내용 기관명 부서(학과명) 성명 확정금액
1 2014-05-29 9시 14시 1700도 30분 SiC Activation anneal 진행 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 1,350,000원
2 2014-06-02 10시 18시 SC 31 Activation 진행 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,050,000원
3 2014-07-02 10시 15시 Si Anneal 진행
- 1150도 60분 진행
서강대학교 기계공학과 김주현 1,800,000원
4 2014-07-16 10시 14시 SiC 32 Post Anneal 진행
4-6-3 Activation Anneal
포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,050,000원
5 2014-07-23 9시 14시 1200 도 Si Anneal 진행 서강대학교 기계공학과 김주현 1,800,000원
6 2014-08-21 10시 20시 SC33_ Activation 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,050,000원
7 2014-09-23 13시 18시 2-1-2 Activation Anneal 1750도 30분 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,050,000원
8 2014-09-23 9시 13시 2-1-1 Activation Anneal 1700도 30분 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,050,000원
9 2014-09-24 17시 21시 4-6-3 activation anneal hta 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,050,000원
10 2014-10-23 9시 13시 4-6-3 Activation Anneal 1700℃ 30분 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,050,000원
11 2014-11-24 9시 13시 4-6-3 Activation Anneal 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,050,000원
12 2014-12-04 11시 15시 SiC Activation Anneal LG전자 System IC연구소 김웅선 1,200,000원
13 2014-12-11 14시 16시 4-6-3 Activation anneal
HTA 1700C 30min
포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,050,000원
14 2014-12-24 9시 13시 4-6-3 Activation Anneal
1700도 30분
포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,050,000원
15 2015-02-02 10시 12시 SC40 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
16 2015-02-17 9시 14시 sc-40
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
17 2015-02-25 11시 15시 Activation Anneal (1700C 30min) LG전자 SIC센터 ICS팀 최원석 1,440,000원
18 2015-04-10 10시 14시 activation
1700도 60min
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
19 2015-04-28 10시 15시 고온 열처리
1700도 60분
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
20 2015-07-08 9시 14시 SiC 조각 wafer 고온 어닐 및 PR burning
조각 sample 3ea
한국전자통신연구원(서강대학교) IT융합부품연구실(전자공학과) 조두형 1,500,000원
21 2015-07-14 10시 15시 1700도 60분 진행-7/14일 진행 건 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
22 2015-07-17 13시 18시 1700도 60분 진행-7/17일 진행건 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
23 2015-07-23 10시 14시 SiC 6인치 Activation Anneal 한국전자통신연구원(서강대학교) IT융합부품연구실(전자공학과) 조두형 1,500,000원
24 2015-08-28 10시 16시 Activation annealing
1700도 60분
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
25 2015-09-09 10시 15시 SiC Activation annealing
1700도 1시간
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
26 2015-09-22 11시 16시 activation anneal
1700도 60분
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
27 2015-09-23 9시 14시 1700도 60분 진행(9/11일 전기연구원 나문경씨) (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
28 2015-09-24 13시 18시 특허 과제(2.0007176.01) 관련 SiC 시편 전처리
Activation 1700도 30분 진행
포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,050,000원
29 2015-09-24 9시 24시 고온 anneal split 진행 LG 전자 ICS 팀 황의진 6,500,000원
30 2015-10-12 10시 14시 Activation annealing
1700도 60분
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
31 2015-10-13 10시 24시 1. Anneal Temp Split
2. Sac Oxidation And Strip
LG 전자 ICS 팀 황의진 4,800,000원
32 2015-10-15 10시 15시 activation annealing
1700도 30분
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
33 2015-10-20 10시 15시 activation annealing
1700도 60분
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
34 2015-10-21 10시 15시 activation annealing
1700도 60분
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
35 2015-11-26 10시 18시 SiC Anneal 진행(1700도 10분) 2회 및 Sac Dry Oxidaion 1회 진행
FE-SEM 확인
LG 전자 ICS 팀 황의진 2,660,000원
36 2015-11-27 10시 15시 activation annealing
1700도 60분
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
37 2015-12-10 11시 15시 Activation annealing
1700도 60분
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
38 2015-12-14 9시 16시 SiC 6인치 Activation Anneal
1. Anneal 전 Clean
2,. PR Capping
3. Activation Annea
4. Capping Layer 제거
5. Oxidation
6. Oxidation Strip
한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 2,830,000원
39 2015-12-17 13시 18시 1. 1700도 10분
2. Sac Oxidation
3. FE-SEM 확인
LG 전자 ICS 팀 황의진 1,610,000원
40 2015-12-21 11시 16시 activation aneal 1700도 60분 4장 진행 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
41 2015-12-22 12시 16시 activation anneal 1700도 60분 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
42 2016-01-07 9시 15시 1. 1700도 10분
2. 1700도 30분
3. Sac Oxidation
LG 전자 ICS 팀 황의진 2,580,000원
43 2016-01-14 10시 15시 SiC wafer 2장 1175도 10분 진행 (10%추가할인 적용) LG 전자 ICS 팀 황의진 1,050,000원
44 2016-01-19 18시 22시 SiC 웨이퍼 1700도 30분 (야간 긴급 진행) LG전자 SIC센터 ICS팀 김수진 1,200,000원
45 2016-02-12 10시 15시 Activation anneal 1700도 60분 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
46 2016-03-03 13시 16시 1700도 10분 진행 LG 전자 ICS 팀 황의진 1,050,000원
47 2016-03-14 13시 17시 1700도 10분 4인치 SiC 5장 진행 LG 전자 ICS 팀 황의진 1,050,000원
48 2016-03-21 11시 16시 activation annealing
1700도 60분
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
49 2016-03-24 13시 17시 1700도 10분 진행 LG 전자 ICS 팀 황의진 1,050,000원
50 2016-04-14 13시 24시 1700도 10분,6분,3분 진행 LG 전자 ICS 팀 황의진 3,150,000원
51 2016-04-27 9시 17시 고온 anneal 진행
1650도 10분
1600도 10분 진행
LG 전자 ICS 팀 황의진 2,100,000원
52 2016-05-09 11시 15시 1700도 10분 6장 진행 LG 전자 ICS 팀 황의진 1,050,000원
53 2016-05-13 10시 16시 activation annealing
1700도 60분
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
54 2016-05-19 14시 18시 activation annealing
1700도 60분
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
55 2016-05-24 13시 18시 SiC 6인치 1700도 90분 (주)케이이씨 연구소 송재진 1,800,000원
56 2016-06-10 9시 14시 1700도 30분 진행 한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 1,500,000원
57 2016-06-15 10시 15시 activation annealing (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,500,000원
58 2016-06-23 9시 14시 SiC 6인치 3장 진행 한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 1,500,000원
59 2016-06-30 12시 16시 1700도 10분 진행
(할인율 협의)
LG전자 ICS팀 김기민 1,050,000원
60 2016-07-08 10시 15시 activation annealing (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
61 2016-07-11 14시 18시 activation annealing
1700도 60분
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
62 2016-07-14 11시 15시 1700도 10분
(할인율 협의)
LG전자 ICS팀 김기민 1,050,000원
63 2016-07-22 11시 15시 activation annealing
1700도 60분
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
64 2016-07-25 11시 15시 activation anneal
1700도 60분
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
65 2016-08-06 9시 18시 1150℃의 고온열처리
메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술팀 김동협 5,300,000원
66 2016-08-06 9시 18시 1150℃의 고온열처리

메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술팀 김동협 0원
67 2016-08-16 10시 20시 activation annealing (SiC 기술 사업화 계약건)
1700도 60분 2회 진행
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 3,600,000원
68 2016-08-22 11시 15시 고온 어닐 공정 1700도 30분 한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 1,500,000원
69 2016-08-22 16시 21시 activation annealing (SiC 기술 사업화 계약건)
1700도 60분 1회 진행
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
70 2016-08-23 12시 21시 Temp Split Test
1000,1200,1400℃ 10분씩 진행
(할인율 협의)
LG 전자 ICS 팀 황의진 3,150,000원
71 2016-08-30 11시 16시 activation anneling
1700℃ 60분
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
72 2016-09-09 11시 15시 1700도 10분 진행
(할인율 협의 완료)
LG 전자 ICS 팀 황의진 1,050,000원
73 2016-09-20 10시 18시 activation annealing
1700℃ 60분 2회 진행
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 3,600,000원
74 2016-09-22 9시 13시 SiC 6인치 웨이퍼 고온 어닐 진행
1700℃ 30분 진행
한국전자통신연구원 GaN전력소자연구실 박준보 1,500,000원
75 2016-09-23 14시 18시 activation annealing
1700℃ 60분
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
76 2016-09-29 10시 15시 activation annealing
1700℃ 60분
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,800,000원
77 2016-10-05 14시 17시 1700도 30분 진행
(할인율 협의 완료)
LG전자 ICS팀 김기민 1,050,000원
78 2016-10-05 9시 18시 1150℃의 고온열처리
메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술2팀 남대호 12,050,000원
79 2016-10-10 12시 15시 1700℃ 10분
(할인율 협의)
LG 전자 ICS 팀 황의진 1,050,000원
80 2016-11-03 13시 16시 1700℃ 10분
(할인율 협의 완료)
LG전자 ICS팀 김기민 1,050,000원
81 2016-11-11 11시 15시 activation annealing 1700℃ 60분
(SiC 기술사업화 계약 장비)
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
82 2016-11-18 12시 16시 SiC 6인치 공정 진행
3. 고온 열처리
한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 1,500,000원
83 2016-11-23 10시 16시 1700C 1h Activation Anneal 4매

SiC 기술사업화 계약 1,800,000원
(주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
84 2016-11-30 11시 16시 activation annealing (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
85 2016-12-06 9시 18시 1150℃의 고온열처리
메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술팀 김동협 5,300,000원
86 2016-12-06 9시 18시 SiC 기술사업화 장비사용 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 5,000,000원
87 2016-12-09 10시 14시 고온어닐공정 한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 1,500,000원
88 2016-12-13 13시 17시 Roundng anneal LG전자 ICS팀 김기민 1,260,000원
89 2016-12-14 9시 13시 Activation anneal
1600도 60분
LG전자 ICS팀 김기민 1,260,000원
90 2016-12-15 13시 18시 SiC 기술사업화 장비사용 (7장 진행) (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
91 2016-12-19 10시 13시 Activation anneal 서강대학교 전자공학과 배동우 1,500,000원
92 2017-01-11 13시 18시 activation annealing, sic 기술사업화 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
93 2017-01-23 10시 11시 SiC 기술사업화_Diffusion (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 15,000,000원
94 2017-01-24 13시 16시 rounding anneal 9장
(할인율 협의)
LG전자 ICS팀 김기민 1,350,000원
95 2017-02-07 13시 16시 1500도 10분 진행
(할인율 협의)
LG전자 ICS팀 김기민 1,050,000원
96 2017-02-08 9시 18시 SiC 기술사업화_Diffusion (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 4,500,000원
97 2017-02-23 9시 14시 고온 어닐 공정 진행
1500,1700℃ 10분 (할인율 협의)
LG전자 ICS팀 김기민 2,100,000원
98 2017-02-27 13시 17시 SiC 과제 관련 1700℃ 60분 4장 진행 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 1,800,000원
99 2017-03-15 12시 15시 SiC Anneal 1700℃ 30분 서강대학교 전자공학과 배동우 1,500,000원
100 2017-04-04 10시 14시 고온어닐 한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 1,500,000원
101 2017-04-10 13시 16시 1500℃10분 6장
(할인율 협의)
LG전자 ICS팀 김기민 1,050,000원
102 2017-04-27 14시 18시 1500도 10분 10장 (할인율 협의) LG전자 ICS팀 김기민 1,350,000원
103 2017-05-15 11시 15시 3. 고온어닐공정 한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 1,500,000원
104 2017-06-14 9시 13시 1500도 10분 (할인율 협의) LG전자 ICS팀 김기민 1,350,000원
105 2017-06-15 10시 14시 1700도 30분 activation (할인율 협의) LG전자 SIC센터 ICS팀 김수진 1,050,000원
106 2017-06-27 10시 11시 SiC Diode 공정계약 50%_Diffusion 테크닉스(주) 연구개발 강예환 3,000,000원
107 2017-06-28 11시 14시 1700도 30분 진행(30% 할인 협의) LG전자 SIC센터 ICS팀 김수진 1,050,000원
108 2017-06-29 11시 15시 3. 고온어닐 공정
1600도 30분 진행
한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 1,500,000원
109 2017-07-10 10시 13시 1500도 10분 (할인율 협의) LG전자 SIC센터 ICS팀 김수진 1,050,000원
110 2017-07-13 11시 15시 3. 고온어닐 공정 한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 1,500,000원
111 2017-07-27 12시 16시 * 샘플제작 (1차)

이전진행 내역 : PR Coating

진행할 공정 : Activation
테크닉스(주) 연구개발 강예환 0원
112 2017-08-02 12시 16시 * 샘플제작 (2차)

이전공정내역 : BOE + SPM + APM

진행요청공정 : Activation
테크닉스(주) 연구개발 강예환 0원
113 2017-08-23 9시 16시 anneal 2회 진행(할인율 협의) LG전자 ICS팀 김기민 2,100,000원
114 2017-09-26 10시 14시 1700도 30분 (할인율 협의) LG전자 SIC센터 ICS팀 김수진 1,050,000원
115 2017-09-26 14시 18시 3. 고온어닐 공정 한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 1,500,000원
116 2017-10-16 10시 14시 3. HTA ETRI RF/전력부품연구그룹 문재경 1,500,000원
117 2017-10-23 10시 15시 열처리 공정 진행 (주)피앤테크 기술연구소 고진섭 1,800,000원
118 2017-11-03 9시 13시 3. 고온어닐 공정 한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 1,500,000원
119 2017-11-08 13시 18시 1700도 30분 (할인율 협의) LG전자 SIC센터 ICS팀 김수진 1,050,000원
120 2017-11-08 9시 13시 1500도 10분 10매 (할인율 협의) LG전자 ICS팀 김기민 1,350,000원
121 2017-11-22 10시 14시 1500도 10분(할인율 협의) LG전자 SIC센터 ICS팀 김수진 1,050,000원
122 2017-11-27 10시 14시 1700도 30분 Activation LG전자 SIC센터 ICS팀 김수진 1,050,000원
123 2017-11-27 18시 21시 1500도 10분 (할인율 협의) LG전자 SIC센터 ICS팀 김수진 1,500,000원
124 2017-11-28 9시 13시 1200V급 Trench형 SiC MOSFET 소자 개발 [4.0015452.01] 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 4,500,000원
125 2017-12-13 9시 13시 1200V급 Trench형 SiC MOSFET 소자 개발 [4.0015452.01]_Oxidation 단위공정 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 4,500,000원
126 2017-12-27 10시 14시 1500도 10분 15장 (할인율 협의) LG전자 ICS팀 김기민 1,350,000원
127 2018-01-11 10시 14시 1700도 60분 진행 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 1,650,000원
128 2018-02-12 12시 16시 ETRI SiC 6인치 Wafer 과제 수행
3. 고온어닐 공정
한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 0원
129 2018-03-14 1시 16시 1500도 10분 (할인율 30%협의) LG전자 ICS팀 김기민 2,100,000원
130 2018-03-26 11시 15시 SiC 과제 관련
3. Anneal
한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 0원
131 2018-03-29 10시 14시 1750도 30분 부산테크노파크 파워반도체상용화센터 전헌수 0원
132 2018-04-03 9시 15시 SiO2 Strip, BOE --> PR Coating(Burning) --> Activation Anneal, 1700℃, 1hr --> Ashing
광전자주식회사 SF개발1부 조민재 1,800,000원
133 2018-04-09 13시 18시 I32301D (2매), I32302D (2매)
Anneal 사용 신청합니다.
powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
134 2018-04-09 6시 10시 1500도 10분 (할인율 협의) LG전자 ICS팀 김기민 1,050,000원
135 2018-04-11 9시 13시 6인치 SiC wafer anneal 진행 (과제 수행) 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 0원
136 2018-04-12 9시 14시 프라운 호퍼 과제 관련
SiC 고온 어닐 1750도 30분
파워마스터반도체 주식회사 제품개발팀 김홍기 0원
137 2018-04-13 11시 15시 1500도 10분 6장 (할인율 협의) LG전자 ICS팀 김기민 1,350,000원
138 2018-04-19 9시 13시 1700도 30분 12장 (SiC 과제 관련) KEC 반도체기술 연구소 송인혁 0원
139 2018-04-20 9시 24시 SiC 과제 관련 6인치 2장 일괄 공정 진행
(Pre clean, PR coating, HTA, Ashing, Sac Oxidstion, Strip)
한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 0원
140 2018-04-25 11시 16시 TEST Wafer 1매 (SiC 기술 사업화 계약)
1700도 / 1시간
powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
141 2018-05-08 9시 10시 1700 ℃ 60분 진행 의뢰 합니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
142 2018-05-10 15시 17시 1700c 30min Annealing 조각 7매 (할인율 협의) LG전자 ICS팀 김기민 1,050,000원
143 2018-05-10 9시 14시 1500c 10min Annealing 4매 (할인율 협의) LG전자 ICS팀 김기민 1,050,000원
144 2018-05-11 10시 14시 1700도 30분 (할인율 협의) LG전자 SIC센터 ICS팀 김수진 1,050,000원
145 2018-05-28 9시 14시 HM050N120A0 (4매)
1700도, 60분 진행요청 입니다.(기술사업화 계약)
powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
146 2018-06-04 15시 16시 1700C 60분
2매 진행요청입니다.
powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
147 2018-06-11 9시 13시 1700C 1h / 1750 C 30min Annealing 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 1,125,000원
148 2018-06-18 13시 19시 SiO2 Strip, BOE --> PR Coating(Burning) --> Activation Anneal, 1700℃, 1hr --> Ashing 광전자주식회사 SF개발1부 조민재 1,800,000원
149 2018-06-20 9시 15시 HTA Process KEC 반도체기술 연구소 송인혁 0원
150 2018-06-28 9시 14시 1500C 10min 4 6매 (할인율 협의) LG전자 ICS팀 김기민 1,050,000원
151 2018-07-17 9시 10시 RT020065V1 (4매)
1700C,60m 진행 요청입니다.
powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
152 2018-07-19 11시 14시 1500C 10min 4 10매 (할인율 협의) LG전자 ICS팀 김기민 1,350,000원
153 2018-08-20 9시 14시 1700C 1h / 1750 C 30min Annealing 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 1,125,000원
154 2018-08-24 9시 15시 PD030120E1 5매
1700℃ 60min 진행입니다.
powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
155 2018-08-28 11시 15시 3. 고온어닐공정 트리노테크놀로지 연구소 정진영 1,500,000원
156 2018-09-03 9시 12시 1500도 10분 (할인율 협의) LG전자 ICS팀 김기민 1,050,000원
157 2018-09-06 9시 14시 HM050120A1
1700도 60분

5매
powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
158 2018-09-19 9시 12시 SiC trench 과제 과련 고온 어닐 진행 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 1,125,000원
159 2018-10-02 9시 18시 High Temp Anneal(Cap 처리 및 Strip)_ETRI_0219 [과제번호:4.0016318.01]
파워마스터반도체 주식회사 공정 기술팀 이원범 2,900,000원
160 2018-10-04 9시 14시 1700도 60분 광전자주식회사 SF개발1부 조민재 1,800,000원
161 2018-10-05 9시 18시 High Temp Anneal(Cap 처리 및 Strip)_ETRI_0327 [과제번호:4.0016318.01] 파워마스터반도체 주식회사 공정 기술팀 이원범 2,900,000원
162 2018-10-08 9시 18시 High Temp Anneal(Cap 처리 및 Strip)_KEC_0410 [과제번호:4.0016318.01] 파워마스터반도체 주식회사 공정 기술팀 이원범 1,500,000원
163 2018-10-09 9시 18시 High Temp Anneal(Cap 처리 및 Strip)_KEC_0418 [과제번호:4.0016318.01] 파워마스터반도체 주식회사 공정 기술팀 이원범 1,800,000원
164 2018-10-11 10시 18시 High Temp Anneal(Cap 처리 및 Strip)_ETRI_0420 [과제번호:4.0016318.01] 파워마스터반도체 주식회사 공정 기술팀 이원범 2,900,000원
165 2018-10-11 9시 10시 Test Wafer
1700도 60분
진행 요청입니다.
powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
166 2018-10-19 9시 18시 WF: 10매

1300,1400,1500,1600,1700 각각 2매
파워마스터반도체 주식회사 제품개발팀 김홍기 5,625,000원
167 2018-10-29 12시 13시 파워테크닉스
4매
어닐퍼니스 진행요청입니다.
powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
168 2018-10-29 13시 19시 1700 C, 60 min, 5매 광전자주식회사 SF개발1부 조민재 1,800,000원
169 2018-11-01 9시 15시 PD020065E0 5매 , PD013065E0 5매 1700℃ 60min 진행입니다.

powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
170 2018-11-05 9시 14시 1700℃ 60min 20매 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
171 2018-11-08 13시 18시 1매 1700도 60분 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
172 2018-11-12 9시 14시 1700 C, 30 min, 7매 LG전자 ICS팀 김기민 1,350,000원
173 2018-11-13 9시 10시 1700도 60분 진행요청입니다.
powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
174 2018-11-20 10시 17시 1500C, 10 min, 7매 LG전자 ICS팀 김기민 1,350,000원
175 2018-11-21 10시 18시 1700 ℃ 60min 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
176 2018-11-27 11시 17시 1500C, 10 min, 조각 LG전자 ICS팀 김기민 1,050,000원
177 2018-11-29 14시 19시 1700도 60분 광전자주식회사 SF개발1부 조민재 1,800,000원
178 2018-12-04 9시 18시 1500 C, 10 min LG전자 ICS팀 김기민 1,050,000원
179 2018-12-05 8시 18시 1700 C 30 min, 1500 C 10 min 2회 진행 LG전자 ICS팀 김기민 2,100,000원
180 2018-12-17 9시 14시 1700℃ 60min 8매 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
181 2018-12-18 9시 14시 1700℃ 60min 10매 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
182 2018-12-19 9시 14시 1700℃ 60min 10매 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
183 2018-12-20 9시 14시 1700℃ 60min 10 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
184 2019-02-13 10시 15시 30A 650v 10매
1700℃ 60min 입니다.
powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
185 2019-02-14 9시 15시 1700℃ 60min 부탁드립니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
186 2019-02-15 10시 18시 1700℃ 60min 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
187 2019-02-28 11시 15시 1700℃ 60min 입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
188 2019-03-11 9시 15시 1700℃ 60min 입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
189 2019-03-14 9시 15시 1700℃ 60min 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
190 2019-03-15 9시 15시 1700℃ 60min 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
191 2019-03-18 9시 15시 1700℃ 60min 10매 진행 바랍니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
192 2019-03-19 9시 15시 1700도 60min 9매 진행입니다 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
193 2019-03-20 9시 11시 10매 진행 부탁드립니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
194 2019-03-29 9시 12시 1700도 60min 10매 진행입니다 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
195 2019-04-01 9시 12시 1700도 60min 9매 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
196 2019-04-02 9시 15시 1700℃ 60min 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
197 2019-04-03 9시 15시 1700°C 60min입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
198 2019-04-08 9시 12시 1700°C 60min 10매입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
199 2019-04-09 9시 12시 1700°C 60min 10매입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
200 2019-04-10 9시 12시 1700°C 60min 10매입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
201 2019-04-11 9시 12시 1700°C 60min 10매입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
202 2019-04-12 9시 12시 1700°C 60min 10매입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
203 2019-04-24 13시 18시 1700℃ 60min 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
204 2019-04-29 19시 22시 10장입니다 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
205 2019-04-29 9시 12시 고온 어닐 1700도 30분 서강대학교 전자공학과 김태홍 1,500,000원
206 2019-04-30 15시 18시 부탁드립니다 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
207 2019-04-30 9시 15시 1700 C 30 min 파워마스터반도체 주식회사 제품개발팀 김홍기 1,350,000원
208 2019-05-02 9시 14시 1700c 60min 3매 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
209 2019-05-07 9시 14시 진행하겟습니다 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
210 2019-05-08 9시 15시 진행부탁드리겟습니다 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
211 2019-05-09 9시 16시 부탁드립니다 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
212 2019-05-10 9시 16시 10매입니다 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
213 2019-05-13 10시 15시 1700℃ 60min 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
214 2019-05-14 10시 15시 1700℃ 60min 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
215 2019-05-15 10시 15시 1700℃ 60min 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
216 2019-05-16 10시 15시 1700℃ 60min 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
217 2019-05-17 9시 12시 1700도 60min 2매 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
218 2019-05-20 9시 15시 10매 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
219 2019-05-21 9시 14시 8매 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
220 2019-05-22 9시 15시 1700도 60min 10매 진행합니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
221 2019-05-23 9시 15시 10매 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
222 2019-06-04 10시 15시 1700℃ 60min 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
223 2019-06-05 14시 18시 1700℃ 60min 10매 진행입니다 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
224 2019-06-10 9시 16시 1700℃ 60min 10매 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
225 2019-06-11 10시 15시 9매 입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
226 2019-06-12 9시 15시 10매 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
227 2019-06-13 9시 16시 1700℃ 60min 10매 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
228 2019-06-14 10시 15시 1700℃ 60min 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
229 2019-06-17 9시 17시 부탁드립니다 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
230 2019-06-21 2시 5시 1700c 60min 7매 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
231 2019-06-21 6시 12시 7매 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
232 2019-06-24 9시 15시 1700℃ 60min 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
233 2019-06-25 21시 2시 10매 진행 입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
234 2019-06-28 16시 19시 1700도 60분 3매 진행합니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
235 2019-07-03 13시 15시 1700℃ 30min 연세대학교 의료원 방사선종양학과 권나혜 1,500,000원
236 2019-07-08 10시 18시 고온 열처리_1750도 [과제번호:4.0018159.01] 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 2,550,000원
237 2019-07-16 10시 17시 1600 C, 20 min 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,350,000원
238 2019-07-22 10시 16시 진행하겟습니다 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
239 2019-07-23 9시 18시 고온 열처리_1750도 [과제번호:4.0018159.01] 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 2,550,000원
240 2019-08-02 9시 13시 나노선 열전소자 제작(Anneal 1000도, 90분) 주식회사 싸이츠 기업부설연구소 백창기 0원
241 2019-08-14 10시 17시 1700 C, 30 min 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 1,350,000원
242 2019-10-30 9시 16시 Trench 형 SiC MOSFET 소자 확산 공정 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 2,550,000원
243 2019-11-25 9시 24시 activation 서강대학교 전자공학과 김태홍 1,500,000원
244 2020-01-20 10시 11시 나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
245 2020-01-20 13시 14시 나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업 글로비 글로비 글로비 0원
246 2020-02-03 13시 17시 나노 인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
247 2020-02-07 9시 15시 나노 인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
248 2020-06-03 10시 18시 SiC MOSFET 평가용 고온열처리 공정 진행 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 2,550,000원
249 2020-06-29 10시 17시 SiC MOSFET 평가용 annealing 공정 진행 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,275,000원
250 2020-07-13 10시 17시 1650℃ 30분 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,275,000원
251 2020-10-02 12시 18시 4-4-1 Activation Anneal Ar, 1600C, 30min (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 1,500,000원
252 2020-10-05 14시 18시 4-4-1 Activation Anneal Ar, 1600C, 30min
나노융합기술원 프라운호퍼 실용화연구센터 김상조 1,350,000원
253 2020-10-15 9시 17시 SiC Trench MOSFET 단위공정평가 용 Annealing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,275,000원
254 2020-11-02 10시 17시 4-0-2 HT anneal 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 1,275,000원
255 2020-12-01 9시 16시 P+ IMP 후 High Temperature Annealing 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 1,275,000원
256 2021-03-29 9시 18시 1700C 40min 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,200,000원
257 2021-04-21 9시 16시 1700℃ 30min 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 1,200,000원
258 2021-07-19 9시 18시 1650C 35분 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,200,000원
259 2021-08-10 14시 17시 조각 3매 1700C 30min annealing 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 1,200,000원
260 2021-08-19 9시 18시 1650C 40min 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,200,000원
261 2021-09-07 10시 17시 SiC VD 01 3-3-1 HTA 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 1,200,000원
262 2021-09-15 14시 16시 1-5-1 1600C, 20min (4\" Half 1ea) 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 1,200,000원
263 2021-10-06 9시 18시 1650C 40min 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,200,000원
264 2021-10-07 14시 18시 1600C, 20min (4\\\" Half 1ea)

(*21/9/15과 동일)
포항공과대학교 기술지원팀 김성준 1,200,000원
265 2022-05-26 13시 13시 SiC NTD Schottky contacts annealing 1-2-1
1200C 30min
1800C 30min
포항공과대학교 기술지원팀 김성준 2,550,000원
266 2022-08-22 12시 18시 1-2-1 Anneal 1800C, 30min 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 1,275,000원
267 2022-08-23 15시 21시 1-2-3 Anneal 1800C, 90min 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 1,275,000원
268 2022-08-23 9시 15시 1-2-2 Anneal 1800C, 60min 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 1,275,000원
269 2022-08-24 9시 15시 1-2-4 Anneal 1700C, 90min 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 1,275,000원
270 2022-09-15 10시 23시 1-1-1 1750 ℃, 20 min, Ar ambient (조각 16매, 3회로 나누어 진행) 주식회사 엘엑스세미콘 소자팀 황준하 4,500,000원
271 2022-10-04 8시 14시 6-3-1 HTA 1700C/30min 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 1,500,000원
272 2022-10-05 10시 22시 1-2-1 HTA 1800C/120min 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 2,550,000원
273 2022-10-13 10시 16시 1-2-1 HTA 1800C/1hr 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 1,275,000원
274 2022-10-17 10시 16시 2-3-1 HTA 1700C/30min 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,200,000원
275 2022-11-21 14시 20시 1-1-1 1175C/20min Ar ambient 주식회사 엘엑스세미콘 소자팀 황준하 1,500,000원
276 2023-01-17 15시 21시 6-3-1 HTA 1700ºC/30min 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 1,500,000원
277 2023-01-18 10시 22시 1-2-1 1800ºC/30min 2회 진행
포항공과대학교 기술지원팀 김성준 0원
278 2023-03-09 15시 21시 장전 PR Coationg 후 Activation 진행 14매 (주)예스파워테크니스 공정기술팀 이정훈 1,900,000원
279 2023-06-21 11시 17시 1-3-1 HTA 1400ºC/30min 한국원자력연구원 입자빔이용연구부 김동석 2,000,000원
280 2023-07-04 16시 20시 HTA 1800ºC/30min 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 1,700,000원
281 2023-08-01 13시 18시 HTA 1800ºC/30min 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 1,700,000원
282 2023-09-15 14시 18시 6-3-1 HTA 1700ºC/30min 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 1,800,000원
283 2023-09-15 9시 13시 6-3-1 HTA 1700ºC/30min 삼성전자 DS 김태훈 0원
284 2023-10-11 10시 15시 1800ºC/30min 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 1,700,000원
285 2023-10-25 13시 15시 - Ion-implantation 진행이력. SiO2 증착 및 제거이력
- 공정온도 1700도, 30분
- Activation annealing전 단계로 capping 공정의뢰하였음.

한국에너지공과대학교 에너지신소재연구소 최병휘 2,000,000원
286 2024-01-17 15시 19시 임플란트 된 SiC 조각 4개 입니다.
2개는 N, 2개는 Al 임플란트 되어 있습니다.
carbon-cap은 증착되어 있지 않습니다.

1700℃, Ar, 30 min 진행해주시면 됩니다.
포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 최재용 1,800,000원
287 2024-01-23 15시 21시 7-2-3 HTA 1700℃/30min 삼성전자 DS 김태훈 0원
288 2024-01-23 9시 15시 7-2-3 HTA 1700℃/30min 삼성전자 DS 김태훈 0원
289 2024-02-01 10시 16시 3.0 HTA(1700℃, 30min, Ar) 포항공과대학교 선행기술팀 한성웅 1,800,000원
290 2024-02-22 16시 21시 7-2-5 HTA 1500℃/15min 삼성전자 DS 김태훈 1,800,000원
291 2024-02-22 9시 15시 7-2-3 HTA 1700℃/15min 삼성전자 DS 김태훈 1,800,000원
292 2024-03-27 9시 14시 7-2-3 HTA(1700℃, 30min, Ar) 삼성전자 DS 김태훈 0원
293 2024-03-28 9시 14시 1-2-2 (조각#02) HTA (1400℃, 5min, Ar) 삼성전자 DS 김태훈 2,000,000원
294 2024-04-08 13시 18시 7-2-3 HTA(1700℃/30min) 삼성전자 DS 김태훈 0원
295 2024-04-11 18시 23시 7-2-3 HTA(1700℃/30min) 삼성전자 DS 김태훈 0원
296 2024-04-16 13시 18시 (WF03, 04) 1-2-2 HTA(1400℃, 5min) 삼성전자 DS 김태훈 2,000,000원
297 2024-04-17 8시 12시 (WF01)1-2-1 HTA(1400℃/15min) 삼성전자 DS 김태훈 2,000,000원
298 2024-04-19 14시 20시 3-1-2 (#2) - HTA(1800℃, 30min, Ar) 포항공과대학교 선행기술팀 한성웅 1,600,000원
299 2024-04-19 8시 14시 3-1-1 (#1) - HTA(1700℃, 30min, Ar) 포항공과대학교 선행기술팀 한성웅 1,600,000원
300 2024-05-03 17시 21시 2-2-2 HTA(1400℃, 5min) 삼성전자 Power device팀 박종원 2,000,000원
301 2024-05-09 8시 14시 6-3-1 HTA(1700℃/30min) 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
302 2024-05-21 15시 22시 7-2-3 HTA(1700℃, 30min, Ar) 삼성전자 DS 김태훈 0원
303 2024-06-12 13시 18시 1-2-1 HTA(1800℃, 30min) 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 1,600,000원
304 2024-06-14 10시 15시 5-2-3 HTA(1700℃, 30min) 삼성전자 Power device팀 박종원 2,000,000원
305 2024-06-18 9시 15시 신청자 : 최재용 / 연락처 : 010-2123-3062 / 이메일 : jychoieee@postech.ac.kr
1700℃, Ar, 30 min 조건으로 HTA 진행 의뢰드립니다.
*ICT 제품화 지원사업*으로 정산 부탁드립니다.
(주)아이제스트 연구개발팀 길연호 2,000,000원
306 2024-07-04 14시 19시 보론만 주입된 인공다이아몬드 시편 2개와 SiO2가 증착된 인공다이아몬드 시편 1개로 총 3개 어닐링 진행하고 싶습니다.

1300도에서 1시간 어닐링 진행하고 싶습니다.
전북대학교 전자정보공학부 김인화 2,000,000원
307 2024-07-11 9시 14시 2-1-1 HTA(1300℃, 5min) 삼성전자 Power device팀 박종원 2,000,000원
308 2024-07-12 9시 14시 2-1-2 HTA(1400℃, 5min) 삼성전자 Power device팀 박종원 2,000,000원
309 2024-07-15 14시 20시 2-1-3 조각3 - HTA(1500℃, 5min) 삼성전자 Power device팀 박종원 2,000,000원
310 2024-07-16 9시 14시 2-1-4 조각4 - HTA(1600℃, 5min) 삼성전자 Power device팀 박종원 2,000,000원
311 2024-07-23 13시 18시 Al IMP (KERI) 삼성전자 Power device팀 박종원 4,281,250원
312 2024-07-23 8시 12시 Al IMP (KERI) 삼성전자 Power device팀 박종원 4,000,000원
313 2024-08-07 14시 19시 7-2-1 HTA(1650℃, 15min, Ar) 삼성전자 Power device팀 박종원 2,000,000원
314 2024-08-13 14시 19시 6-3-1 HTA(1700℃, 30min) 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,600,000원
315 2024-08-20 14시 18시 1-1-3 HTA(1600℃, 5min, Ar) 삼성전자 Power device팀 박종원 2,000,000원
316 2024-09-03 14시 19시 Al2O3(20nm)/SiC, HfO2(20nm)/SiC, uncapped SiC 조각 HTA 의뢰입니다.
2,3,4 번 조각 HTA 진행해 주시면 됩니다. 샘플 번호는 샘플 캐리어에 표기해 두었습니다.
1700 ℃, 30 min, Ar 에서 진행해주시면됩니다.
담당연구원:최재용/010-2123-3062
포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 1,600,000원
317 2024-09-04 14시 20시 1-5-1 (조각4, 9) - 1.5 HTA(1200℃, 30min) 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 1,600,000원
318 2024-09-05 13시 17시 1-5-2 (조각5, 10) - 1.5 HTA(1400℃, 30min) 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 1,600,000원
319 2024-09-06 11시 16시 1-5-3 (조각06, 11) - HTA(1600℃, 30min) 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 1,600,000원
320 2024-09-10 14시 19시 1-1-1 HTA(1800℃, 30min) 삼성전자 Power device팀 박종원 2,000,000원
321 2024-09-11 11시 16시 1-1-1 HTA(1700℃, 30min) 삼성전자 Power device팀 박종원 2,000,000원
322 2024-09-12 13시 20시 1450도로 1시간 어닐링 진행하고 싶습니다. 전북대학교 전자정보공학부 김인화 2,000,000원
323 2024-09-20 13시 20시 1-2-1 HTA(1800℃, 30min, Ar) 포항공과대학교 대학원 반도체대학원 박휘승 1,600,000원
324 2024-10-10 13시 21시 Al-implanted SiC 조각 8개 (2x2 ㎠)
Al-implanted SiC 조각 10개 (1x1 ㎠)
담당연구원 : 최재용/010-2123-3062/jychoieee@postech.ac.kr
포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 1,600,000원
325 2024-10-15 17시 24시 7-2-3 HTA(1700℃, 30min) 삼성전자 DS 김태훈 0원
326 2024-10-15 9시 17시 조건 : 1700 ℃, Ar, 30 min
샘플 : 1*1㎠ 3개, 2.1*2.1㎠ 1개
PR로 capping 되어 있는 SiC 샘플입니다.
담당연구원 : 최재용/010-2123-3062
포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 1,600,000원
327 2024-10-18 16시 24시 8-3-1 HTA(1700℃, 30min, Ar) 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 1,600,000원
328 2024-10-31 13시 20시 3-1-1 HTA(1850℃, 30min) 한국과학기술원 기계공학과 김태영 2,000,000원
329 2024-11-14 11시 16시 2-3-1 Activation(1700℃, 40min) 현대모비스 전력반도체팀 강민기 2,000,000원
330 2024-11-18 14시 20시 [WBG 과제_SiC Silicide 평가]
HTA(1700℃, 30min)
나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,600,000원