Furnace Oxidation_LEAD 장비일지 |
기자재관리번호 : - |
| No | 장비이용내역 | 이용내역 | 사용자 | 장비이용료 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 시작일 | 종료일 | 세부내용 | 기관명 | 부서(학과명) | 성명 | 확정금액 | |
| 1 | 2016-08-05 9시 | 18시 | Dry Oxidation |
메이플세미컨덕터(주) 포항지점 | 생산기술2팀 | 남대호 | 6,750,000원 |
| 2 | 2016-08-10 9시 | 18시 | Wet Oxidation |
메이플세미컨덕터(주) 포항지점 | 국재근 | 5,050,000원 | |
| 3 | 2016-08-23 18시 | 5시 | SiC Gate Oxidation | LG 전자 | ICS 팀 | 황의진 | 520,000원 |
| 4 | 2016-08-23 9시 | 14시 | 6인치 Si에 1000A oxide 성장 (50매) | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 630,000원 |
| 5 | 2016-08-29 13시 | 18시 | 나노융합 전문인력양성 교육 프로그램_Diffusion | 대구대학교 | 중앙기기원 | 차정호 | 4,500,000원 |
| 6 | 2016-09-06 9시 | 18시 | 1150℃의 고온열처리 |
메이플세미컨덕터(주) 포항지점 | 생산기술팀 | 김동협 | 4,950,000원 |
| 7 | 2016-09-10 9시 | 18시 | Wet Oxidation |
메이플세미컨덕터(주) 포항지점 | 최선영 | 4,950,000원 | |
| 8 | 2016-09-19 14시 | 18시 | 실리콘 산화막 성장 | 부산대학교 | 유기소재시스템공학과 | 조정형 | 1,260,000원 |
| 9 | 2016-09-20 9시 | 13시 | Wet Oxidation 3000Å | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 서명해 | 315,000원 |
| 10 | 2016-09-28 17시 | 22시 | Wet Oxidation 5000Å | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 서명해 | 315,000원 |
| 11 | 2016-10-06 10시 | 17시 | 미래부 나노융합기술교육_Diffusion | 나노융합기술원 | 교육홍보팀 | 김병수 | 3,400,000원 |
| 12 | 2016-10-07 9시 | 13시 | Thinning Oxidatin 110nm 성장 | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 임태욱 | 315,000원 |
| 13 | 2016-10-10 9시 | 18시 | Wet Oxidation |
메이플세미컨덕터(주) 포항지점 | 국재근 | 5,050,000원 | |
| 14 | 2016-10-12 14시 | 18시 | Dry Oxidatin 10분 | LG 전자 | ICS 팀 | 황의진 | 360,000원 |
| 15 | 2016-10-12 9시 | 14시 | Sacrificial Oxidation | LG 전자 | ICS 팀 | 황의진 | 440,000원 |
| 16 | 2016-10-24 14시 | 18시 | p-type 4inch 6ea 3000A oxidation |
포항공과대학교 | ITCE | 정새벽 | 315,000원 |
| 17 | 2016-10-27 17시 | 22시 | SiO2 6000A | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 서명해 | 315,000원 |
| 18 | 2016-10-28 13시 | 14시 | wet ox 5 nm | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 김동훈 | 315,000원 |
| 19 | 2016-11-01 14시 | 15시 | ox 5nm 800도 5분 |
포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 김동훈 | 315,000원 |
| 20 | 2016-11-03 9시 | 18시 | 나노융합 전문인력양성 교육_Diffusion | 계명대학교 | 화학공학과 | 서숭혁 | 4,500,000원 |
| 21 | 2016-11-06 9시 | 18시 | 1150℃의 고온열처리 |
메이플세미컨덕터(주) 포항지점 | 생산기술2팀 | 남대호 | 5,300,000원 |
| 22 | 2016-11-08 10시 | 14시 | ox 5nm 800도 5분 |
포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 김동훈 | 315,000원 |
| 23 | 2016-11-09 9시 | 14시 | ox 5nm | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 김동훈 | 315,000원 |
| 24 | 2016-11-10 16시 | 21시 | 3-2-1 ILD Depo SiC 1050 3시간 진행 |
포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 385,000원 |
| 25 | 2016-11-16 16시 | 24시 | wet ox_ 50 A target ( 850도 1m 30s) | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 김동훈 | 630,000원 |
| 26 | 2016-11-18 18시 | 24시 | SiC 6인치 공정 진행 8.Sac Oxidation |
한국전자통신연구원 | IT융합부품연구실 | 원종일 | 450,000원 |
| 27 | 2016-11-30 18시 | 18시 | Wet Oxidation |
메이플세미컨덕터(주) 포항지점 | 국재근 | 5,050,000원 | |
| 28 | 2016-12-05 9시 | 18시 | Dry Oxidation |
메이플세미컨덕터(주) 포항지점 | 생산기술2팀 | 남대호 | 6,750,000원 |
| 29 | 2016-12-10 9시 | 18시 | Wet Oxidation |
메이플세미컨덕터(주) 포항지점 | 국재근 | 5,050,000원 | |
| 30 | 2016-12-13 10시 | 18시 | SiC 기술사업화 장비사용 | (주)예스파워테크닉스 | 연구소 | 강예환 | 5,000,000원 |
| 31 | 2016-12-19 18시 | 22시 | ox 5nm | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 김동훈 | 315,000원 |
| 32 | 2016-12-20 11시 | 15시 | ox 5nm | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 김동훈 | 315,000원 |
| 33 | 2016-12-29 10시 | 16시 | Wet oxidation Thermal oxide 5nm taret |
포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 조현수 | 315,000원 |
| 34 | 2017-01-03 13시 | 17시 | Si wafer에 SiO2 산화막 5000 A(옹스트롱) 성장 | 경북대학교 | 정밀기계공학과 | 김동억 | 450,000원 |
| 35 | 2017-01-05 13시 | 13시 | 1150℃의 고온열처리 |
메이플세미컨덕터(주) 포항지점 | 생산기술2팀 | 남대호 | 12,050,000원 |
| 36 | 2017-01-06 9시 | 15시 | Wet Oxidation 1um 성장 (6인치 Si Test wafer 10장 + Si DSP 1장) 라멜라 그레이팅 bonding test 용 |
포항공과대학교 | 대외협력팀 | 김인철 | 980,000원 |
| 37 | 2017-01-10 10시 | 14시 | 나노소자공정실습교육_Diffusion | 나노융합기술원 | 교육홍보팀 | 김병수 | 900,000원 |
| 38 | 2017-01-10 16시 | 23시 | 3-2-1 ILD Depo Thermal oxide 1050 3hr |
포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 385,000원 |
| 39 | 2017-01-10 9시 | 18시 | Wet Oxidation |
메이플세미컨덕터(주) 포항지점 | 국재근 | 5,050,000원 | |
| 40 | 2017-01-12 1시 | 9시 | SiO2 6000A | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 서명해 | 315,000원 |
| 41 | 2017-01-17 9시 | 18시 | SiC 기술사업화_Diffusion | (주)예스파워테크닉스 | 연구소 | 강예환 | 3,900,000원 |
| 42 | 2017-01-23 16시 | 23시 | 0-1-2 Oxidation 1um Oxidation (2회로 청구) |
포항공과대학교 | 대외협력팀 | 김인철 | 630,000원 |
| 43 | 2017-01-31 17시 | 18시 | wet ox 5nm | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 김동훈 | 315,000원 |
| 44 | 2017-02-01 18시 | 20시 | Thermal oxide 20nm | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 조현수 | 315,000원 |
| 45 | 2017-02-02 9시 | 18시 | SiC 기술사업화_Diffusion | (주)예스파워테크닉스 | 연구소 | 강예환 | 6,500,000원 |
| 46 | 2017-02-07 13시 | 18시 | 나노융합기술 전문인력양성프로그램_Diffusion | 대구대학교 | 중앙기기원 | 차정호 | 1,350,000원 |
| 47 | 2017-02-08 15시 | 18시 | Thermal Ox 5nm | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 조현수 | 315,000원 |
| 48 | 2017-02-09 15시 | 4시 | SiC gate Oxidation | LG전자 | SIC센터 ICS팀 | 김수진 | 520,000원 |
| 49 | 2017-02-17 10시 | 13시 | 5 nm Thermal oxide 성장 | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 조현수 | 315,000원 |
| 50 | 2017-02-20 9시 | 17시 | 0-1-1 Oxide Depo 1100도 320분 |
포항공과대학교 | 대외협력팀 | 김인철 | 465,000원 |
| 51 | 2017-02-21 9시 | 21시 | 0-1-1 Oxidation 1100도 600분 |
포항공과대학교 | 대외협력팀 | 김인철 | 665,000원 |
| 52 | 2017-02-27 10시 | 15시 | thermal oxidation 300nm | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 이승호 | 315,000원 |
| 53 | 2017-02-28 11시 | 17시 | 1-4-1 Thermal 3000A | (주)니나노 | 기업부설연구소 | 박준영 | 0원 |
| 54 | 2017-03-02 18시 | 6시 | SiC 과제 진행 Gate Oxidation |
한국전기연구원 | 전력반도체연구센터 | 문정현 | 650,000원 |
| 55 | 2017-03-02 9시 | 16시 | SiC 과제 진행 Sac Oxidation |
한국전기연구원 | 전력반도체연구센터 | 문정현 | 550,000원 |
| 56 | 2017-03-09 17시 | 23시 | 3-2-1 ILD Depo Thermal Oxide | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 550,000원 |
| 57 | 2017-03-13 10시 | 14시 | thermal Ox 1000A 25매 | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 315,000원 |
| 58 | 2017-03-13 17시 | 23시 | SiO2 6000A | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 서명해 | 365,000원 |
| 59 | 2017-03-14 19시 | 24시 | 공정작업 끝난 후 신청입니다. - 포스텍 물리학과 하창우, 권기원 |
포항공과대학교 | 물리학과 | 하창우 | 315,000원 |
| 60 | 2017-03-14 9시 | 15시 | 0-1-1 Oxide depo | 포항공과대학교 | 대외협력팀 | 김인철 | 415,000원 |
| 61 | 2017-03-16 17시 | 20시 | Oxidation 1000Å | 포항공과대학교 | 대외협력팀 | 김인철 | 315,000원 |
| 62 | 2017-03-16 17시 | 18시 | ox 5nm | 포항공과대학교 | 전기전자공학과 | 김성지 | 315,000원 |
| 63 | 2017-03-20 16시 | 22시 | 300um Si SDP wafer : Oxidation 1um 성장 (추가 진행 건) | 포항공과대학교 | 대외협력팀 | 김인철 | 615,000원 |
| 64 | 2017-04-02 10시 | 10시 | thickness 1um | KEC | 반도체기술 연구소 | 송인혁 | 1,100,000원 |
| 65 | 2017-04-04 17시 | 24시 | Sac Oxidation | 한국전자통신연구원 | IT융합부품연구실 | 원종일 | 450,000원 |
| 66 | 2017-04-07 14시 | 15시 | ox 90nm | 포항공과대학교 | 전기전자공학과 | 김성지 | 337,500원 |
| 67 | 2017-04-11 14시 | 18시 | Wet Oxidation 100nm (6인치 Si 23장) | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 337,500원 |
| 68 | 2017-04-12 14시 | 18시 | wet ox 10nm | 포항공과대학교 | 전기전자공학과 | 김성지 | 337,500원 |
| 69 | 2017-04-13 14시 | 20시 | 3-2-1 ILD depo pyro oxidation 1050℃ 180분 |
포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 337,500원 |
| 70 | 2017-04-18 15시 | 20시 | Wet oxidation 20 nm | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 조현수 | 337,500원 |
| 71 | 2017-04-20 10시 | 16시 | Wet Oxidation 1um 증착 (220분) | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 437,500원 |
| 72 | 2017-04-24 9시 | 13시 | support waferr Oxidation | 포항공과대학교 | 대외협력팀 | 김인철 | 337,500원 |
| 73 | 2017-04-26 9시 | 20시 | SiC Dry Oxidation test (할인율 협의) | LG전자 | SIC센터 ICS팀 | 김수진 | 770,000원 |
| 74 | 2017-04-27 9시 | 24시 | SiC Dry/Wet Oxidation test (할인율 협의) | LG전자 | SIC센터 ICS팀 | 김수진 | 910,000원 |
| 75 | 2017-05-08 11시 | 16시 | ox 90nm | 포항공과대학교 | 전기전자공학과 | 김성지 | 337,500원 |
| 76 | 2017-05-11 9시 | 13시 | Pyro Oxidation 5nm | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 조현수 | 337,500원 |
| 77 | 2017-05-15 17시 | 24시 | 7.sac oxidation | 한국전자통신연구원 | IT융합부품연구실 | 원종일 | 450,000원 |
| 78 | 2017-05-16 17시 | 24시 | 3-2-1. SiC Oxidation | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 412,500원 |
| 79 | 2017-05-17 12시 | 17시 | Wet ox 90 nm (SOI 1장, Si 1장) | (주)아이엠헬스케어 | 바이오센서팀 | 유재우 | 450,000원 |
| 80 | 2017-05-29 18시 | 24시 | SiC Dry/wet oxidation | LG전자 | SIC센터 ICS팀 | 김수진 | 552,500원 |
| 81 | 2017-05-29 9시 | 17시 | SiC Dry oxidation | LG전자 | SIC센터 ICS팀 | 김수진 | 467,500원 |
| 82 | 2017-06-01 17시 | 18시 | oxidation | (주)아이엠헬스케어 | 바이오센서팀 | 유재우 | 450,000원 |
| 83 | 2017-06-08 17시 | 24시 | BioFET Gate dielectric SiO2 5 nm Growth |
포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 조현수 | 337,500원 |
| 84 | 2017-06-14 16시 | 20시 | Wet Oxidation 1200A 성장 10장 | 삼성디스플레이 | 연구소 | 최재혁 | 450,000원 |
| 85 | 2017-06-14 9시 | 14시 | wet ox 5nm | 포항공과대학교 | 전기전자공학과 | 김성지 | 337,500원 |
| 86 | 2017-06-15 10시 | 11시 | oxidation | 포항공과대학교 | 전기전자공학과 | 김성지 | 337,500원 |
| 87 | 2017-06-15 9시 | 15시 | 0-2-1 initial Oxidation |
(주) 이너센서 | 이너센서 | 강문식 | 550,000원 |
| 88 | 2017-06-21 1시 | 9시 | SiO2 6000A 성장 | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 서명해 | 337,500원 |
| 89 | 2017-06-21 18시 | 19시 | ox ~90nm | (주)아이엠헬스케어 | 바이오센서팀 | 유재우 | 450,000원 |
| 90 | 2017-06-26 10시 | 11시 | 5000A oxidation | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 김강현 | 457,500원 |
| 91 | 2017-06-27 17시 | 24시 | oxidation | (주)아이엠헬스케어 | 바이오센서팀 | 유재우 | 450,000원 |
| 92 | 2017-06-29 17시 | 23시 | 8. sac oxidation | 한국전자통신연구원 | IT융합부품연구실 | 원종일 | 450,000원 |
| 93 | 2017-06-30 10시 | 18시 | 나노융합기술 전문인력양성 교육_Diffusion | 대구대학교 | 중앙기기원 | 차정호 | 4,500,000원 |
| 94 | 2017-07-03 16시 | 21시 | Wet Oxidation 5000A | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 김강현 | 537,500원 |
| 95 | 2017-07-07 10시 | 14시 | Oxide 1000A 성장 | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 337,500원 |
| 96 | 2017-07-07 17시 | 21시 | Wet oxidation 50A growth | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 조현수 | 337,500원 |
| 97 | 2017-07-10 17시 | 24시 | ox 5nm | 포항공과대학교 | 전기전자공학과 | 김성지 | 337,500원 |
| 98 | 2017-07-13 17시 | 23시 | 8. sac Oxidation | 한국전자통신연구원 | IT융합부품연구실 | 원종일 | 550,000원 |
| 99 | 2017-07-19 13시 | 18시 | ox 5nm | 포항공과대학교 | 전기전자공학과 | 김성지 | 337,500원 |
| 100 | 2017-07-26 17시 | 7시 | Thermal Oxide 3000A | (주)니나노 | 기업부설연구소 | 박준영 | 570,000원 |
| 101 | 2017-08-02 9시 | 14시 | 2-1-1 Sac Oxidation 3000A | (주)네오나노텍 | 연구개발 | 김성훈 | 450,000원 |
| 102 | 2017-08-08 16시 | 22시 | 3-2-1 thermal Oxidation | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 412,500원 |
| 103 | 2017-08-17 10시 | 14시 | 5nm Oxidation | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 최원영 | 337,500원 |
| 104 | 2017-08-22 16시 | 22시 | Oxidation 6000A 1000℃ 160분 진행 |
포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 김강현 | 387,500원 |
| 105 | 2017-08-23 10시 | 18시 | MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 황현주 | 2,700,000원 |
| 106 | 2017-08-29 9시 | 19시 | 1200 ANNEAL | KEC | 기술2G | 김범수 | 650,000원 |
| 107 | 2017-09-06 10시 | 13시 | SiC Diode 공정계약_공정완료 잔금_Diffusion | 테크닉스(주) | 연구개발 | 강예환 | 2,600,000원 |
| 108 | 2017-09-07 13시 | 22시 | 고온 어닐 공정 진행 1. 900도 30분 2. 1100도 30분 |
위덕대학교 | 정보통신공학부 | 이재성 | 765,000원 |
| 109 | 2017-09-11 8시 | 13시 | 1. Oxidation | 한국전자통신연구원 | IT융합부품연구실 | 원종일 | 690,000원 |
| 110 | 2017-09-12 8시 | 18시 | 1050도 200분 | LG 이노텍 | 소자개발팀 | 정지철 | 550,000원 |
| 111 | 2017-09-18 17시 | 23시 | 3-2-1 Thermal oxidation 1050도 200분 |
포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 412,500원 |
| 112 | 2017-09-26 19시 | 2시 | 8.Sac Oxidation | 한국전자통신연구원 | IT융합부품연구실 | 원종일 | 550,000원 |
| 113 | 2017-09-28 17시 | 22시 | 6000A Oxidation 성장 | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 서명해 | 337,500원 |
| 114 | 2017-10-13 16시 | 22시 | SiC Oxidation | LG 이노텍 | 소자개발팀 | 정지철 | 550,000원 |
| 115 | 2017-10-16 18시 | 24시 | 8. Sac Oxidation | ETRI | RF/전력부품연구그룹 | 문재경 | 550,000원 |
| 116 | 2017-10-27 9시 | 13시 | Wety Oxidation 500nm | 포항공과대학교 | IBB | 정민규 | 382,500원 |
| 117 | 2017-11-01 9시 | 18시 | 바이오센서용 산화막성장 : 4.0014275.01-2-2-4 (시험분석료) | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 조현수 | 1,900,000원 |
| 118 | 2017-11-02 13시 | 18시 | 나노 SC 인력양성 교육_Diffusion | 포항공과대학교 | 교육사업부 | 백성기 | 2,000,000원 |
| 119 | 2017-11-02 9시 | 14시 | 0-3-3 thinning oxidation | 전자부품연구원 | 메디컬IT융합 | 이국녕 | 450,000원 |
| 120 | 2017-11-03 16시 | 23시 | 8. Sac Oxidation | 한국전자통신연구원 | IT융합부품연구실 | 원종일 | 550,000원 |
| 121 | 2017-11-08 9시 | 14시 | wet oxidation | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 조현수 | 337,500원 |
| 122 | 2017-11-13 13시 | 18시 | Wet Oxidation 850C Thermal Oxidation 5 nm |
포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 조현수 | 337,500원 |
| 123 | 2017-11-17 9시 | 17시 | 1175도 2시간 | LG전자 | SIC센터 ICS팀 | 김수진 | 467,500원 |
| 124 | 2017-11-27 21시 | 3시 | Sac Oxidation | LG전자 | SIC센터 ICS팀 | 김수진 | 632,500원 |
| 125 | 2017-12-01 10시 | 16시 | 5 nm Oxidation | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 최원영 | 337,500원 |
| 126 | 2017-12-01 16시 | 21시 | oxide 5 nm | 포항공과대학교 | 전기전자공학과 | 김성지 | 337,500원 |
| 127 | 2017-12-04 9시 | 18시 | 650V50A 저저항 Superjunction 파워 MOSFET 개발 및 상용화 [4.0015349.01]_Diffusion 단위공정 | 현대모비스 | 전력반도체팀 | 이정윤 | 900,000원 |
| 128 | 2017-12-05 9시 | 13시 | 1200V급 Trench형 SiC MOSFET 소자 개발 [4.0015452.01]_Diffusion 단위공정 | 현대모비스 | 전력반도체팀 | 이정윤 | 900,000원 |
| 129 | 2017-12-07 16시 | 22시 | SiC Oxidation | LG 이노텍 | 소자개발팀 | 정지철 | 550,000원 |
| 130 | 2017-12-08 10시 | 15시 | 110 nm Oxidation | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 최원영 | 337,500원 |
| 131 | 2017-12-11 17시 | 22시 | SiO2 110nm 성장 Test | 포항공과대학교 | 전기전자공학과 | 김성지 | 337,500원 |
| 132 | 2017-12-18 9시 | 19시 | 바이오센서용 Oxidation | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 조현수 | 1,350,000원 |
| 133 | 2017-12-21 16시 | 21시 | Pyro Oxidation | 포항공과대학교 | 전기전자공학과 | 김성지 | 337,500원 |
| 134 | 2018-01-09 9시 | 15시 | Oxidtion | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 유호천 | 0원 |
| 135 | 2018-01-15 15시 | 20시 | thermal Oxidation 성장 | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 675,000원 |
| 136 | 2018-01-17 1시 | 10시 | OX 100NM | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 337,500원 |
| 137 | 2018-01-23 12시 | 16시 | Ox 500nm | 주식회사 아르케 | 연구개발 | 사공성환 | 450,000원 |
| 138 | 2018-01-26 10시 | 16시 | oxidation | 포항공과대학교 | 전기전자공학과 | 김성지 | 337,500원 |
| 139 | 2018-01-29 16시 | 22시 | cleaning | 포항공과대학교 | 전기전자공학과 | 김성지 | 337,500원 |
| 140 | 2018-02-13 15시 | 21시 | ETRI SiC 6인치 Wafer 과제 수행 8. Sac Oxidation |
한국전자통신연구원 | IT융합부품연구실 | 원종일 | 0원 |
| 141 | 2018-02-14 9시 | 15시 | SiO2 90 nm | 포항공과대학교 | 전기전자공학과 | 김성지 | 337,500원 |
| 142 | 2018-02-21 14시 | 20시 | ox 5 nm | 포항공과대학교 | 전기전자공학과 | 김성지 | 337,500원 |
| 143 | 2018-02-28 11시 | 18시 | 문정현 박사님이 요청하신 조건으로 SiC wafer 2장 희생산화 공정 서비스 의뢰 드립니다. 오전10시에 도착해서 wafer SPM + native oxide remove 후 약 오전11시 정도 산화공정 시작할 예정 입니다. |
한국전기연구원 | 전력반도체연구센터 | 문정현 | 495,000원 |
| 144 | 2018-03-05 13시 | 20시 | 1150도 Dry 3시간 후 Wet 2시간 oxidation 공정 의뢰 드립니다. 오전에 클리닝 공정한 후, 13시에 샘플 전달 드리겠습니다. |
한국전기연구원 | 전력반도체연구센터 | 문정현 | 585,000원 |
| 145 | 2018-03-13 16시 | 21시 | Oxide 증착 | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 윤솔 | 675,000원 |
| 146 | 2018-03-20 13시 | 14시 | Oxide 1um 증착(기존 8인치 레시피 존재) | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 윤솔 | 675,000원 |
| 147 | 2018-03-22 16시 | 22시 | APD 1050도 180분 | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 412,500원 |
| 148 | 2018-03-26 18시 | 24시 | SiC 과제 관련 8. Sac Oxidation |
한국전자통신연구원 | IT융합부품연구실 | 원종일 | 0원 |
| 149 | 2018-03-26 9시 | 18시 | - Furnace 열처리를 통하여 SiO2 layer 5,000 A 증착 의뢰합니다. - 4 inch Si wafer 50장 (25장 * 2팩) |
포항공과대학교 | 기계공학과 | 박철민 | 765,000원 |
| 150 | 2018-04-04 16시 | 20시 | thinning Oxidation | 전자부품연구원 | 메디컬IT융합 | 이국녕 | 450,000원 |
| 151 | 2018-04-12 9시 | 14시 | Poly Si위에 thermal Oxidation 3000A | 포항공과대학교 | 대외협력팀 | 김인철 | 337,500원 |
| 152 | 2018-04-19 18시 | 24시 | SiC 과제 관련 POA 진행 (NO 열처리) 1200도 4시간 |
현대모비스 | 전력반도체팀 | 이정윤 | 712,500원 |
| 153 | 2018-04-19 9시 | 16시 | SiC 과제 관련 Gate Oxidsation Test 진행 | 현대모비스 | 전력반도체팀 | 이정윤 | 487,500원 |
| 154 | 2018-04-24 15시 | 20시 | 스펙은 동봉된 A4용지에 기입하였습니다. 요약하면, 4인치 silicon wafer 21장, 1um oxidation |
포항공과대학교 | 기계공학과 | 안홍민 | 765,000원 |
| 155 | 2018-04-25 9시 | 17시 | 10나노급 차세대 실리콘 나노선 개발 관련 Oxide 성장 | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 박태훈 | 675,000원 |
| 156 | 2018-04-26 14시 | 20시 | 새 SOI wafer입니다. 구매한 지는 1년이 넘었습니다. 드린 wafer 통에 모든 wafer를 클리닝해주시고 그 중 4장만 Oxidation 5000옹스트롬 두께로 부탁드립니다. |
포항공과대학교 | 기계공학과 | 김민정 | 382,500원 |
| 157 | 2018-05-02 16시 | 4시 | SiC NO 열처리 240분 (SiC 과제 관련) | KEC | 반도체기술 연구소 | 송인혁 | 0원 |
| 158 | 2018-05-09 9시 | 15시 | NO anneal 1200도 100분 (SiC 과제 관련 공정 진행) | 한국전자통신연구원 | IT융합부품연구실 | 원종일 | 0원 |
| 159 | 2018-05-11 9시 | 16시 | 3-2-2 Field Oxide 1.3um | 현대모비스 | 전력반도체팀 | 이정윤 | 675,000원 |
| 160 | 2018-05-14 13시 | 18시 | 1000c 15min Wet Ox 150nm Target | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 김동훈 | 337,500원 |
| 161 | 2018-05-14 9시 | 13시 | 300nm Oxidation | 포항공과대학교 | 입학사정관실 | 박슬기 | 382,500원 |
| 162 | 2018-05-16 9시 | 13시 | SiC_Trench Test | 현대모비스 | 전력반도체팀 | 이정윤 | 2,925,000원 |
| 163 | 2018-05-23 15시 | 20시 | 4-1-2 Gate Thermal Ox 1100c Dry 02 130min | 현대모비스 | 전력반도체팀 | 이정윤 | 337,500원 |
| 164 | 2018-06-01 15시 | 21시 | 3-2-1 Contact ILD Depo. Thermal oxide | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 412,500원 |
| 165 | 2018-06-01 9시 | 14시 | 4-7-1 P well diffusion 1100c Low O2 180min Tox 230+_ 50 A | 현대모비스 | 전력반도체팀 | 이정윤 | 755,000원 |
| 166 | 2018-06-04 17시 | 18시 | thermal oxidation 300 nm | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 박태훈 | 337,500원 |
| 167 | 2018-06-04 9시 | 10시 | Thermal Oxidation 3,000Å | (주)라디안큐바이오 | 바이오 R&D 센터 | 라디안큐바이오 | 225,000원 |
| 168 | 2018-06-05 9시 | 14시 | 5/16 Ox 진행건 분할청구 | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 박슬기 | 382,500원 |
| 169 | 2018-06-21 12시 | 18시 | Dry Ox | 한국전기연구원 | 전력반도체연구센터 | 석오균 | 495,000원 |
| 170 | 2018-06-22 10시 | 16시 | No anneal | KEC | 반도체기술 연구소 | 송인혁 | 0원 |
| 171 | 2018-07-09 9시 | 14시 | 물품 지원 | 파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 0원 |
| 172 | 2018-07-10 13시 | 18시 | Thermal Oxidation 3000A 2회 | (주)라디안큐바이오 | 바이오 R&D 센터 | 라디안큐바이오 | 720,000원 |
| 173 | 2018-07-20 9시 | 14시 | Wet Ox 3000A | (주)베프스 | 기획팀 | BEFS | 450,000원 |
| 174 | 2018-07-23 9시 | 15시 | Wet Ox 6000A | (주)베프스 | 기획팀 | BEFS | 500,000원 |
| 175 | 2018-08-20 9시 | 14시 | Dry ox 1150c 2hour | 한국전기연구원 | 전력반도체연구센터 | 석오균 | 495,000원 |
| 176 | 2018-08-21 15시 | 16시 | 5 nm SiO2 growth | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 최원영 | 337,500원 |
| 177 | 2018-08-23 13시 | 24시 | 8인치 Si wafer 2매 1,100 'C 6시간 총 2회씩 |
포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 조현수 | 1,350,000원 |
| 178 | 2018-08-27 15시 | 19시 | Nanowire patterning된 Si 3cm * 3cm 조각 샘플 공정 내용 : 40 nm dry oxidation |
포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 박익수 | 337,500원 |
| 179 | 2018-08-28 18시 | 1시 | 8. Sac Oxidation | 트리노테크놀로지 | 연구소 | 정진영 | 550,000원 |
| 180 | 2018-09-03 17시 | 24시 | Oxide 700 nm 증착 Temp split test 진행 |
포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 윤솔 | 537,500원 |
| 181 | 2018-09-03 9시 | 14시 | 1175도 120분 진행 | LG전자 | ICS팀 | 김기민 | 467,500원 |
| 182 | 2018-09-05 10시 | 15시 | SiO2 50 nm 성장 부탁드립니다. | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 김동훈 | 337,500원 |
| 183 | 2018-09-06 13시 | 18시 | Bio FET Gate Oxide 형성, 850 'C, Oxide, 50 Angstrom | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 곽현탁 | 337,500원 |
| 184 | 2018-09-07 9시 | 13시 | DENSIFY 900도 30분 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 0원 |
| 185 | 2018-09-10 15시 | 19시 | DENSIFY 900도 30분 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 0원 |
| 186 | 2018-09-12 10시 | 11시 | 8-inch Wafer N2 Ambient 1,100'C, 6hour*2 총 12 hour Annealing |
포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 곽현탁 | 1,350,000원 |
| 187 | 2018-09-14 13시 | 14시 | SiO2 10 nm Oxidation Wet oxidation 800 도, 17 min |
포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 최원영 | 337,500원 |
| 188 | 2018-09-18 9시 | 15시 | 1200도 NO anneal | 트리노테크놀로지 | 연구소 | 정진영 | 1,050,000원 |
| 189 | 2018-09-19 12시 | 21시 | SiC trench 과제관련 gate oxidation split 진행 Oxidation시간 변경 |
현대모비스 | 전력반도체팀 | 이정윤 | 975,000원 |
| 190 | 2018-09-20 11시 | 17시 | SiO2 50 nm growth | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 김동훈 | 337,500원 |
| 191 | 2018-10-02 9시 | 12시 | 950도 30분 reflow | LG전자 | ICS팀 | 김기민 | 382,500원 |
| 192 | 2018-10-03 9시 | 18시 | NO Anneal 120min_ETRI_0222 [과제번호:4.0016318.01] | 파워마스터반도체 주식회사 | 공정 기술팀 | 이원범 | 1,100,000원 |
| 193 | 2018-10-04 12시 | 16시 | 5 nm oxidation target Wet oxidation 800도 5분 |
포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 최원영 | 337,500원 |
| 194 | 2018-10-04 16시 | 21시 | Thermal Oxidation 500A | 파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 0원 |
| 195 | 2018-10-09 1시 | 5시 | ox 10nm | 포항공과대학교 | 전기전자공학과 | 김성지 | 337,500원 |
| 196 | 2018-10-12 9시 | 18시 | NO Anneal 240min_KEC_0502 [과제번호:4.0016318.01] | 파워마스터반도체 주식회사 | 공정 기술팀 | 이원범 | 1,350,000원 |
| 197 | 2018-10-16 11시 | 12시 | 5 nm targe toxide growth Wet oxidation 800도 5 min |
포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 최원영 | 337,500원 |
| 198 | 2018-10-16 16시 | 23시 | wet Ox 1.5um 성장 선행 Test | 파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 0원 |
| 199 | 2018-10-17 16시 | 23시 | Wet Ox 1.5um 5장 본장 | 파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 0원 |
| 200 | 2018-10-19 14시 | 18시 | Oxidation | 파워마스터반도체 주식회사 | 제품개발팀 | 김홍기 | 2,475,000원 |
| 201 | 2018-11-19 9시 | 17시 | 1175C, Dry 2hr, 2매 | LG전자 | ICS팀 | 김기민 | 467,500원 |
| 202 | 2018-11-20 9시 | 17시 | 1175 C, Dry+wet 2매 | LG전자 | ICS팀 | 김기민 | 552,500원 |
| 203 | 2018-11-21 14시 | 15시 | 720nm Oxide 증착 | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 윤솔 | 675,000원 |
| 204 | 2018-11-21 9시 | 13시 | 1175C, 2hr dry 7매 | LG전자 | ICS팀 | 김기민 | 467,500원 |
| 205 | 2018-11-27 9시 | 17시 | 1175C 2hr | LG전자 | ICS팀 | 김기민 | 467,500원 |
| 206 | 2018-12-04 9시 | 18시 | 1175 C, 2 hr | LG전자 | ICS팀 | 김기민 | 467,500원 |
| 207 | 2018-12-05 9시 | 13시 | Oxidation 2000A | (주)니나노 | 기업부설연구소 | 박준영 | 450,000원 |
| 208 | 2018-12-06 10시 | 18시 | 1175 C, 120 min | LG전자 | ICS팀 | 김기민 | 467,500원 |
| 209 | 2018-12-13 10시 | 13시 | 900도 90분 Densify 진행 | 파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 0원 |
| 210 | 2018-12-26 9시 | 16시 | wet oxidation 1000A | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 675,000원 |
| 211 | 2019-01-23 9시 | 24시 | 1175도 30분 | LG전자 | ICS팀 | 김기민 | 935,000원 |
| 212 | 2019-01-30 14시 | 18시 | Si wafer 5장 위 SiO2 5 nm thermal growth | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 박성민 | 337,500원 |
| 213 | 2019-02-12 9시 | 13시 | 500A GOx 성장 (single & double 30장) | 파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 0원 |
| 214 | 2019-02-15 9시 | 18시 | 1050 C 1 h | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 412,500원 |
| 215 | 2019-02-21 9시 | 12시 | Reflow 공정 진행 | LG전자 | ICS팀 | 김기민 | 382,500원 |
| 216 | 2019-02-22 11시 | 12시 | Thermal oxidation (SiO2) Wet oxidation Target : 920 A 조건 : 1000 ºC 9 min |
(주)아이엠헬스케어 | 바이오센서팀 | 유재우 | 450,000원 |
| 217 | 2019-03-02 9시 | 12시 | 0-2-1 therml oxidation | 탑런 연구소 | 신사업팀 | 주별진 | 0원 |
| 218 | 2019-03-19 15시 | 18시 | 950 C 30 min | LG전자 | ICS팀 | 김기민 | 427,500원 |
| 219 | 2019-04-05 10시 | 18시 | SiC dry oxidation 1150도 3시간 | 한국전기연구원 | 전력반도체연구단 차세대반도체연구센터 | 문정현 | 522,500원 |
| 220 | 2019-04-10 11시 | 20시 | 1회 | (주)네오나노텍 | 연구개발 | 김성훈 | 450,000원 |
| 221 | 2019-04-17 14시 | 16시 | 720 nm Thermal Oxide 증착 (Wet, 1,000 C / 220 s) | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 윤솔 | 382,500원 |
| 222 | 2019-04-19 9시 | 14시 | Densify 900도 30분 | 파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 0원 |
| 223 | 2019-04-22 10시 | 17시 | Wet Oxidation 5000A | 파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 0원 |
| 224 | 2019-04-25 8시 | 17시 | 1000 C dry 57 min 500V 20A DMOSFET |
나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 382,500원 |
| 225 | 2019-05-02 9시 | 17시 | Oxidation | 파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 0원 |
| 226 | 2019-05-07 9시 | 12시 | Oxidation 1um(8인치 25매) | 전북대학교 | 전자공학부 | 김기현 | 940,000원 |
| 227 | 2019-05-14 10시 | 18시 | Oxidation | 파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 0원 |
| 228 | 2019-05-14 18시 | 24시 | Oxidation | 파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 0원 |
| 229 | 2019-05-14 4시 | 10시 | Oxidation | 현대모비스 | 전력반도체팀 | 이정윤 | 382,500원 |
| 230 | 2019-05-15 10시 | 18시 | Oxidation | 현대모비스 | 전력반도체팀 | 이정윤 | 382,500원 |
| 231 | 2019-05-31 9시 | 13시 | 2000A | 파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 0원 |
| 232 | 2019-06-06 10시 | 17시 | MEMS Bio-Sensor 제작 | (주)아이제스트 | 연구개발팀 | 김성지 | 0원 |
| 233 | 2019-06-11 15시 | 16시 | Wet oxide 50 A 성장 | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 곽현탁 | 382,500원 |
| 234 | 2019-06-13 9시 | 17시 | 차세대 실리콘 나노선 개발 | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 조현수 | 0원 |
| 235 | 2019-06-26 9시 | 15시 | SiC gate Oxidation | 파워마스터반도체 주식회사 | 제품개발팀 | 김홍기 | 585,000원 |
| 236 | 2019-06-27 9시 | 17시 | gate oxide | 나노융합기술원 | 포스텍-프라운호퍼 IISB 실용화연구센터 | 성민재 | 552,500원 |
| 237 | 2019-06-28 16시 | 16시 | No Anneal 2회 진행 | 파워마스터반도체 주식회사 | 제품개발팀 | 김홍기 | 1,590,000원 |
| 238 | 2019-06-28 9시 | 13시 | SiC Oxidation | 나노융합기술원 | 포스텍-프라운호퍼 IISB 실용화연구센터 | 성민재 | 467,500원 |
| 239 | 2019-07-05 9시 | 10시 | 차세대 나노선 개발 | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 조현수 | 0원 |
| 240 | 2019-07-10 9시 | 18시 | NO anneal 1200도 180분 2회 진행 (10% NO, 100% NO) |
나노융합기술원 | 포스텍-프라운호퍼 IISB 실용화연구센터 | 성민재 | 935,000원 |
| 241 | 2019-07-11 7시 | 17시 | Wet Oxide 3000 A | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 유호천 | 405,000원 |
| 242 | 2019-07-15 11시 | 17시 | reflow | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 382,500원 |
| 243 | 2019-07-22 14시 | 18시 | Oxidation wafer는 2매입니다.(3매 아님) |
한국전기연구원 | 전력반도체연구센터 | 석오균 | 522,500원 |
| 244 | 2019-07-23 9시 | 10시 | 차세대 실리콘 나노선 개발 | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 조현수 | 0원 |
| 245 | 2019-07-25 13시 | 16시 | 나노선 열전소자 제작(VNP Passi_Oxidation) | 주식회사 싸이츠 | 기업부설연구소 | 백창기 | 0원 |
| 246 | 2019-07-29 9시 | 18시 | wet oxi 1000 C | LG전자 | 센서솔루션연구소 | 이성단 | 855,000원 |
| 247 | 2019-08-06 9시 | 14시 | NO 열처리 3시간 [과제번호:4.0018159.01] | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 2,135,000원 |
| 248 | 2019-08-07 9시 | 18시 | NO 열처리 [과제번호:4.0018159.01] | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 3,202,500원 |
| 249 | 2019-08-15 9시 | 10시 | 차세대 실리콘 나노선 개발 | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 조현수 | 0원 |
| 250 | 2019-08-26 13시 | 14시 | Wafer 2장 thermal oxidation Target 50 A |
(주)아이엠헬스케어 | 바이오센서팀 | 유재우 | 450,000원 |
| 251 | 2019-09-06 11시 | 24시 | SiC | 파워마스터반도체 주식회사 | 제품개발팀 | 김홍기 | 405,000원 |
| 252 | 2019-09-16 9시 | 19시 | Densify 100장 진행 50장 씩 2회 진행 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 0원 |
| 253 | 2019-09-17 9시 | 18시 | SiC 공정 Oxidation 진행 (과제 번호 4.0018159.01) | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 2,762,500원 |
| 254 | 2019-09-20 11시 | 18시 | SiO2(90nm) 성장 |
포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 서명해 | 382,500원 |
| 255 | 2019-09-24 13시 | 18시 | 전문인력양성사업-나노융합기술교육-확산 | 나노융합기술원 | 사업지원팀 | 박진우 | 1,350,000원 |
| 256 | 2019-09-25 9시 | 14시 | SiC oxidation | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 467,500원 |
| 257 | 2019-09-27 9시 | 15시 | Sac Oxidation | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 495,000원 |
| 258 | 2019-10-15 16시 | 17시 | SiC 공정 NO anneal (과제번호 4.0018159.01) | (주)유우일렉트로닉스 | (주)유우일렉트로닉스 | 박일몽 | 2,237,500원 |
| 259 | 2019-10-17 17시 | 18시 | SiC 공정 Thermal Oxide (과제번호 4.0018159.01) | (주)유우일렉트로닉스 | (주)유우일렉트로닉스 | 박일몽 | 2,762,500원 |
| 260 | 2019-10-23 9시 | 24시 | thermal Oxidation | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 382,500원 |
| 261 | 2019-11-01 9시 | 24시 | -SiO2 Dry Oxidation 10nm 증착 -가능한 신속한 진행 -필요시 공정 진행 전 상담 |
ETRI | ICT창의연구소 | 김종배 | 450,000원 |
| 262 | 2019-11-07 9시 | 17시 | 1000 C 57 min 3매 500 A target | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 382,500원 |
| 263 | 2019-11-11 9시 | 18시 | N 5, 10 | 파워마스터반도체 주식회사 | 제품개발팀 | 김홍기 | 990,000원 |
| 264 | 2019-11-12 9시 | 11시 | 열전소자 시험분석_VNP Passivation : 100A | 주식회사 싸이츠 | 기업부설연구소 | 백창기 | 450,000원 |
| 265 | 2019-11-15 10시 | 15시 | 1100 C, dry | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 382,500원 |
| 266 | 2019-11-15 16시 | 22시 | Dry 1000 C | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 382,500원 |
| 267 | 2019-11-19 10시 | 14시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 7,530,000원 |
| 268 | 2019-11-20 9시 | 24시 | pyro | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 382,500원 |
| 269 | 2019-11-21 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 9,900,000원 |
| 270 | 2019-11-27 10시 | 16시 | APD | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 467,500원 |
| 271 | 2019-11-27 9시 | 10시 | [나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업] 230nm target 공정비용 : 90만원 |
(주)아이제스트 | 연구개발팀 | 김성지 | 0원 |
| 272 | 2019-12-19 10시 | 14시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 7,530,000원 |
| 273 | 2019-12-19 2시 | 24시 | 900 C | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 382,500원 |
| 274 | 2019-12-20 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 9,900,000원 |
| 275 | 2020-01-02 13시 | 14시 | [나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업] 전자과 최원영 (010-5436-2518) 입니다. 8 in Si wafer 2장을 1500 A target 으로 thermal oxidation을 진행하려고 합니다. |
(주)아이제스트 | 연구개발팀 | 김성지 | 0원 |
| 276 | 2020-01-07 14시 | 15시 | [나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업] 전자과 최원영 (010-5436-2518) 입니다. 8 in Si wafer 3장 Target은 2,300 A 입니다. 감사합니다. |
(주)아이제스트 | 연구개발팀 | 김성지 | 0원 |
| 277 | 2020-01-08 11시 | 12시 | [나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업] 전자과 최원영 (010-5436-2518) 입니다. 8 in SOI wafer 3장, Si wafer 3장 해서 총 6장이구요, Target은 2,300 A 입니다. 감사합니다. |
(주)아이제스트 | 연구개발팀 | 김성지 | 0원 |
| 278 | 2020-01-17 10시 | 14시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 7,530,000원 |
| 279 | 2020-01-20 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 9,900,000원 |
| 280 | 2020-02-03 9시 | 18시 | 한국나노마이스터고 교육 1차, 2차, 3차_Diffusion | 나노융합기술원 | 사업지원팀 | 박진우 | 2,250,000원 |
| 281 | 2020-02-06 10시 | 11시 | Dry Oxidation, 1000 ℃, 6 시간 |
포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 곽현탁 | 382,500원 |
| 282 | 2020-02-10 10시 | 16시 | 6-0-2 NO(0.2) furnace Thermal oxidation | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 585,000원 |
| 283 | 2020-02-11 13시 | 18시 | wafer 양면에 산화막 식각패턴이 있고 Ion implantation(Boron) 진행되어 있습니다. 1100도에서 200분 Annealing 요청드립니다. |
부산대학교 | 기계공학부 | 탁형준 | 550,000원 |
| 284 | 2020-02-17 10시 | 14시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 7,530,000원 |
| 285 | 2020-02-20 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 9,900,000원 |
| 286 | 2020-02-20 11시 | 11시 | -SiO2 Dry Oxidation 10nm 증착 -가능한 신속한 진행 -필요시 공정 진행 전 상담 |
ETRI | ICT창의연구소 | 김종배 | 450,000원 |
| 287 | 2020-02-27 10시 | 19시 | SiC-T-1.5 / 6-2-1 / GATE OXIDE / NO ANNEAL | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 585,000원 |
| 288 | 2020-02-28 9시 | 15시 | SiC T 1.5 6-2-1 NO furnace 1175℃ 2hr | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 585,000원 |
| 289 | 2020-03-05 10시 | 16시 | SiC NO anneal | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 0원 |
| 290 | 2020-03-17 10시 | 14시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 7,530,000원 |
| 291 | 2020-03-18 11시 | 18시 | 3장의 c-Si SOI wafer 및 1장의 LPCVD 증착 undoped poly-Si wafer 에 대한 thermal oxidation 의뢰드립니다. 현재 SiO2 기판위에 c-Si 혹은 poly-Si 가 55nm 증착이 된 상태인데 표면에 50nm 의 SiO2 를 산화시켜 SiO2 (50nm)/ Si(~33nm) 의 기판을 형성하고자 합니다. |
포항공과대학교 | 신소재공학과 | 이종원 | 405,000원 |
| 292 | 2020-03-20 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 9,900,000원 |
| 293 | 2020-03-23 10시 | 17시 | wafer 산화막 성장 50매 | 파워마스터반도체 주식회사 | PMS | 박재호 | 0원 |
| 294 | 2020-04-01 15시 | 18시 | 0-3-1 thermal Oxidation 2000A | 아모센스 | 개발팀 | 박종원 | 450,000원 |
| 295 | 2020-04-01 9시 | 18시 | Oxidation 1,000Å 을 해주시기 바랍니다. | 파워마스터 반도체 주식회사 | 제조 & 공정기술팀 | 조성제 | 810,000원 |
| 296 | 2020-04-03 15시 | 18시 | 2-3-5 Anneal 950C / 30min | 아모센스 | 개발팀 | 박종원 | 450,000원 |
| 297 | 2020-04-03 9시 | 12시 | 1-3-2 Anneal 950C / 30min | 아모센스 | 개발팀 | 박종원 | 450,000원 |
| 298 | 2020-04-20 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 9,000,000원 |
| 299 | 2020-05-07 17시 | 18시 | Wet Oxide 50 A 성장 | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 곽현탁 | 405,000원 |
| 300 | 2020-05-14 9시 | 18시 | 950℃ 30분 O2 X 2회 950℃ 60분 O2 X 2회 |
포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 1,980,000원 |
| 301 | 2020-05-20 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 14,086,000원 |
| 302 | 2020-05-25 14시 | 22시 | Poly Si Oxidation 35nm SiC | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 495,000원 |
| 303 | 2020-05-26 15시 | 22시 | 7-1-2 densification 900C 30분 annealing | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 495,000원 |
| 304 | 2020-05-29 15시 | 19시 | 1-2-1_oxidation 100A test | 포항공과대학교 | 나노융합기술원 | 노한솔 | 495,000원 |
| 305 | 2020-06-02 10시 | 18시 | SiC SiO2진행 | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 495,000원 |
| 306 | 2020-06-03 9시 | 18시 | SiC SiO2 100A 및 Dry Oxidetion | 포항공과대학교 | 나노융합기술원 | 노한솔 | 1,980,000원 |
| 307 | 2020-06-08 10시 | 17시 | Lithography 공정 및 ICP etching 공정으로 depth 500nm 정도 되는 패턴의 Si 기판 위 SiO2 300nm 증착하고 싶습니다. 2인치 웨이퍼 5장입니다 NINT에서 사용하는 공정 조건으로 진행하고 싶습니다(공정 조건(온도, 시간 등)을 알고 싶습니다.) |
포항공과대학교 | 신소재공학과 | 김지예 | 405,000원 |
| 308 | 2020-06-10 10시 | 18시 | SiO2 5000A진행 | (주)이너센서 | R&D | 전찬종 | 405,000원 |
| 309 | 2020-06-18 13시 | 19시 | RIST 과제 처리 800ºC, 5min targer 5nm |
포항공과대학교 | 전자전기공학부 | 신성환 | 382,500원 |
| 310 | 2020-06-19 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 14,086,000원 |
| 311 | 2020-06-24 14시 | 18시 | Oxidation 3000A | 한국기계연구원 | 인쇄전자연구실 | 우규희 | 608,000원 |
| 312 | 2020-07-15 10시 | 18시 | 1000℃ time split, H2/O2 6:4비 | 포항공과대학교 | 나노융합기술원 | 노한솔 | 1,980,000원 |
| 313 | 2020-07-20 9시 | 16시 | Thermal oxidation 900A | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 조현수 | 405,000원 |
| 314 | 2020-07-21 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 14,086,000원 |
| 315 | 2020-07-22 10시 | 18시 | SiC 공정 NO 처리 | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 2,210,000원 |
| 316 | 2020-07-28 9시 | 17시 | Si wafer 20 장, SiO2 산화막 300 nm 형성 부탁드립니다. Si wafer 20 장 시편보관함에 보관해두었습니다. |
포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 성수원 | 382,500원 |
| 317 | 2020-07-31 15시 | 21시 | 8-inch Si Wafer Wet Oxide 5nm 성장 의뢰 드립니다. |
포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 곽현탁 | 405,000원 |
| 318 | 2020-08-10 13시 | 19시 | [나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업] wafer 정보 수량 : 3매 #1, 2 Bare wafer #3 Porous Si wafer 공정 -Temp. : 600도 -Time : 30 분 |
더숨 | 연구소 | 허진석 | 450,000원 |
| 319 | 2020-08-11 9시 | 16시 | Oxide Densify | 에스앤에스텍 | 신기술팀 | 박철균 | 225,000원 |
| 320 | 2020-08-12 14시 | 21시 | APS_23차 3-2-1 1050℃ 180min O2 | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 467,500원 |
| 321 | 2020-08-19 9시 | 18시 | SiC Gate Oxide 평가_NO | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 1,402,500원 |
| 322 | 2020-08-20 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 14,086,000원 |
| 323 | 2020-08-21 10시 | 17시 | 1000℃ 1hr N2 anneal | 에스앤에스텍 | 신기술팀 | 박철균 | 225,000원 |
| 324 | 2020-08-24 9시 | 18시 | SiC Gate Oxide 평가 | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 1,657,500원 |
| 325 | 2020-08-25 9시 | 10시 | wet oxidation (wet6 : dry4) 공정시간 split 7건 진행 | 포항공과대학교 | 나노융합기술원 | 노한솔 | 4,095,000원 |
| 326 | 2020-09-08 9시 | 15시 | 4차 산업 연계형 나노기술인력양성 확산 교육 |
나노융합기술원 | 교육홍보팀 | 이상민 | 900,000원 |
| 327 | 2020-09-14 13시 | 16시 | 4차 산업 연계형 나노기술인력양성 확산 교육 |
나노융합기술원 | 교육홍보팀 | 이상민 | 900,000원 |
| 328 | 2020-09-21 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 14,086,000원 |
| 329 | 2020-09-23 10시 | 18시 | 1. 샘플 정보 - 4 inch Silicon Wafer, 525um - 300nm (Dry Oxidation) SiO2 Pattern on Silicon 2.의뢰 공정 - 전처리 : SPM (H2SO4 + H2O2) Wafer에 SiO2 Pattern이 형성되어 있으므로 HF 처리 금지 - Dry 방식 Thermal Oxidation, 10nm SiO2 |
LG전자 | CTO 부문 센서(연)선행센서기반기술TP | 박형조 | 450,000원 |
| 330 | 2020-09-24 13시 | 22시 | 1150oC 3hr, dry oxidation | 한국전기연구원 | 전력반도체연구센터 | 나문경 | 550,000원 |
| 331 | 2020-10-05 12시 | 18시 | 4-5-1 Sacrificial Oxidation 1200C, 200A Target | (주)칩스케이 | 연구개발팀 | 임진홍 | 550,000원 |
| 332 | 2020-10-06 9시 | 14시 | SiC Trench MOSFET 단위공정평가 용 Oxidation | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 1,105,000원 |
| 333 | 2020-10-07 14시 | 20시 | 4-5-1 Sacrificial Oxidation 1200C, 200A Target |
나노융합기술원 | 프라운호퍼 실용화연구센터 | 김상조 | 495,000원 |
| 334 | 2020-10-08 14시 | 14시 | 1000℃ 180min wet 1000℃ 60min wet 1000℃ 50min wet 1000℃ 40min wet |
포항공과대학교 | 나노융합기술원 | 노한솔 | 2,340,000원 |
| 335 | 2020-10-14 18시 | 24시 | 3-2-1 oxidation 1050℃ 3h | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 467,500원 |
| 336 | 2020-10-14 9시 | 18시 | SiC 1000℃ 60min wet oxidation | 나노융합기술원 | 프라운호퍼 실용화연구센터 | 김상조 | 585,000원 |
| 337 | 2020-10-15 10시 | 18시 | SiC wafer NO10%(N2 1.8 : NO 0.2)1200℃ 240min | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 0원 |
| 338 | 2020-10-15 10시 | 18시 | SiC annealing | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 0원 |
| 339 | 2020-10-16 13시 | 18시 | 1-2-4 oxidation 2000A wet | (주)유우일렉트로닉스 | TIS생산사업부 | 김도현 | 405,000원 |
| 340 | 2020-10-19 10시 | 17시 | 유선상으로 말씀드린대로 이전 증착조건(300 nm)과 동일하게 oxidation 하고자 합니다. |
포항공과대학교 | 신소재공학과 | 김지예 | 405,000원 |
| 341 | 2020-10-20 10시 | 11시 | Dry Oxidation, Temperature: 1,000 'C, 10 min Oxide 10 nm 성장 의뢰 드립니다. |
포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 곽현탁 | 405,000원 |
| 342 | 2020-10-21 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 14,086,000원 |
| 343 | 2020-10-30 8시 | 20시 | SIO2 5500 | calient Technologies ,Inc | MEMS Technology | 장호연 | 450,000원 |
| 344 | 2020-11-19 18시 | 10시 | 1-1-1 Oxidation | (주) 이너센서 | 이너센서 | 강문식 | 555,000원 |
| 345 | 2020-11-20 9시 | 18시 | Wet Oxide 5 nm 성장 의뢰 드립니다. | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 곽현탁 | 405,000원 |
| 346 | 2020-11-25 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 14,086,000원 |
| 347 | 2020-12-01 10시 | 18시 | NO annealing | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 1,752,500원 |
| 348 | 2020-12-02 10시 | 18시 | Dry Oxidation, 1000 \'C 조건 Oxide 800 A (80 nm), 120 분 공정 의뢰 드립니다. |
포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 곽현탁 | 405,000원 |
| 349 | 2020-12-10 13시 | 15시 | trench Si 기판 wet oxidation wet oxidation조건 : 1000℃ 54분 입니다. 참고사항 : 54분 리얼 공정시간 이외 이전 스텝에서 약간의 pre oxi(only O2 gas)를 진행하고, 이후 oxi1에서(O2/H2 약간의 gas)넣어 분위기를 만들어주고 이후 oxi2 54분((O2/H2 set gas)분위기에서 진행후 cool down됩니다. 이전에 이조건으로 SiO2 약 300nm 증착하였습니다. 같은 조건으로 진행하고 싶습니다. |
포항공과대학교 | 신소재공학과 | 김지예 | 405,000원 |
| 350 | 2020-12-15 9시 | 18시 | SiC annealing | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 1,147,500원 |
| 351 | 2020-12-18 9시 | 18시 | dry oxidation | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 곽현탁 | 405,000원 |
| 352 | 2020-12-23 9시 | 16시 | Wet Oxidation, Oxide 5 nm 성장 의뢰 드립니다. (00도 4~5 분 5nm 성장 조건) 시편은 8인치 SOI Wafer 3장, p-type Si Wafer 1 장으로 총 4장 입니다. |
포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 곽현탁 | 405,000원 |
| 353 | 2020-12-24 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 14,086,000원 |
| 354 | 2021-01-20 9시 | 18시 | 전문인력양성교육 - 심화실습교육 4조 - 담당자 : 노한솔 연구원 SiC wafer oxidation 110A 진행 건 |
나노융합기술원 | 사업지원팀 | 전문인력4조 | 0원 |
| 355 | 2021-01-21 9시 | 18시 | 전문인력양성교육 - 심화실습교육 4조 - 담당자 : 노한솔 연구원 SiC wafer oxidation 100A 진행 건 |
나노융합기술원 | 사업지원팀 | 전문인력4조 | 0원 |
| 356 | 2021-01-22 10시 | 11시 | SOI Wafer 2장 Thermal Dry Oxidation, 1000 \'C, 5시간 30분 공정 의뢰 드립니다. |
포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 곽현탁 | 405,000원 |
| 357 | 2021-01-25 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 14,086,000원 |
| 358 | 2021-01-28 12시 | 19시 | 6-0-2 Thermal oxidation | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 467,500원 |
| 359 | 2021-01-29 9시 | 19시 | -SiO2 건식 박막 증착 -1500A oxidation |
ETRI | ICT창의연구소 | 김종배 | 450,000원 |
| 360 | 2021-02-03 9시 | 16시 | SiO2 100A | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 382,500원 |
| 361 | 2021-02-04 9시 | 12시 | 전문인력양성 실습교육_확산 | 나노융합기술원 | 교육홍보팀 | 이현규 | 2,700,000원 |
| 362 | 2021-02-05 9시 | 13시 | 대구가톨릭대학교 LINC사업단 반도체 공정 실습_확산 | 나노융합기술원 | 교육홍보팀 | 이현규 | 450,000원 |
| 363 | 2021-02-08 9시 | 18시 | 6-2-2 NO furnace_2hr | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 1,067,500원 |
| 364 | 2021-02-09 1시 | 1시 | 6-2-1 NO furnace_1hr | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 767,500원 |
| 365 | 2021-02-10 11시 | 11시 | 8. Oxidation 1000A | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 382,500원 |
| 366 | 2021-02-15 10시 | 16시 | 전문인력양성 나노소자공정 실습교육_확산 | 나노융합기술원 | 교육홍보팀 | 이현규 | 2,700,000원 |
| 367 | 2021-02-18 16시 | 10시 | 2. Oxidation 550nm target | calient Technologies ,Inc | MEMS Technology | 장호연 | 500,000원 |
| 368 | 2021-02-25 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 14,086,000원 |
| 369 | 2021-03-04 9시 | 15시 | N2 annealing | 주식회사 아르케 | 제조개발센터 | 사공성환 | 450,000원 |
| 370 | 2021-03-05 9시 | 18시 | 6-4-1 oxidation 1 매 | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 440,000원 |
| 371 | 2021-03-05 9시 | 18시 | NO annealing KEC 1200C 240min | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 1,640,000원 |
| 372 | 2021-03-09 15시 | 15시 | 0-1-3 Thermal oxidation 1um | 삼성전자 (종합기술원) | Nano Electronics Lab. | 황경욱 | 675,000원 |
| 373 | 2021-03-17 1시 | 1시 | 7-0-1 WF03,04 Target 1500A Oxidation | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 440,000원 |
| 374 | 2021-03-17 9시 | 13시 | N2 low temp. annealing | 주식회사 아르케 | 제조개발센터 | 사공성환 | 450,000원 |
| 375 | 2021-03-25 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 14,086,000원 |
| 376 | 2021-03-25 17시 | 17시 | 7-0-1 1500A Oxidation WF05 | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 440,000원 |
| 377 | 2021-03-31 14시 | 18시 | SiO2 산화막 300nm 요청 드립니다. 공정이 완료되면, 바로 E-Beam Evaporator-1으로 전달해주시면 감사하겠습니다. |
포항공과대학교 대학원 | IT융합공학과 | 김희수 | 405,000원 |
| 378 | 2021-03-31 9시 | 13시 | 8-0-2 N2 anneal 900C, 30min | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 440,000원 |
| 379 | 2021-04-02 17시 | 17시 | 0-1-3 wet thermal oxidation 1um | 삼성전자 (종합기술원) | Nano Electronics Lab. | 황경욱 | 675,000원 |
| 380 | 2021-04-06 9시 | 20시 | \"8인치 적외선 MEMS Sensor 제작공정\" 계약 |
(주)유우일렉트로닉스 | TIS생산사업부 | 김도현 | 3,100,000원 |
| 381 | 2021-04-15 9시 | 18시 | Oxidation 3000Å | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 360,000원 |
| 382 | 2021-04-26 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 18,000,000원 |
| 383 | 2021-04-27 16시 | 12시 | Wet oxidation 6:4 | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 520,000원 |
| 384 | 2021-05-11 17시 | 22시 | 2-5-2 N2 분위기 900C, 30min | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 440,000원 |
| 385 | 2021-05-14 9시 | 16시 | WET Oxidation 3000A | 리노공업 | 리노공업 | 곽영대 | 450,000원 |
| 386 | 2021-05-14 9시 | 17시 | 나노융합기반고도화사업 WET Oxidation 1um 25매씩 4회 진행 |
(주) 이너센서 | 이너센서 | 강문식 | 3,600,000원 |
| 387 | 2021-05-20 9시 | 17시 | 1200℃ 240min NO 10% annealing | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 1,640,000원 |
| 388 | 2021-05-21 9시 | 17시 | SiC NO gate oxidation 1175℃ 60min | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 740,000원 |
| 389 | 2021-05-26 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 18,000,000원 |
| 390 | 2021-06-07 10시 | 10시 | oxidation 2um | (주) 이너센서 | 이너센서 | 강문식 | 1,620,000원 |
| 391 | 2021-06-11 13시 | 20시 | 25ea 1um oxidation | (주) 이너센서 | 이너센서 | 강문식 | 810,000원 |
| 392 | 2021-06-14 11시 | 18시 | 25ea 1000A oxidation | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 360,000원 |
| 393 | 2021-06-15 17시 | 10시 | 2-1-1 Gate polyplug dry oxidation 1500A Target | (주)유우일렉트로닉스 | (주)유우일렉트로닉스 | 박일몽 | 440,000원 |
| 394 | 2021-06-21 10시 | 12시 | Lot ID: NDC21Y24W #1~#10 목적: CA공정 SiO2 산화막성장 2000Å 총 10장(계약 건) |
(주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 서준영 | 0원 |
| 395 | 2021-06-21 12시 | 13시 | Lot ID: NDC21Y24W #11~#20 목적: CA공정 SiO2 산화막성장 2000Å 총 10장(계약 건) |
(주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 서준영 | 0원 |
| 396 | 2021-06-21 17시 | 22시 | 0-6-1 N2 anneal 400C 30min (wf01,03,05) | 삼성종합기술원 | 기반기술랩 | 황선규 | 315,000원 |
| 397 | 2021-06-25 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 18,000,000원 |
| 398 | 2021-06-28 9시 | 14시 | N2 annealing 950C 30min | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 360,000원 |
| 399 | 2021-06-29 9시 | 24시 | 6\" 1um Oxidation (25매씩 2회) | (주)이너센서 | 경영, 연구소 | 강문식 | 1,620,000원 |
| 400 | 2021-07-14 13시 | 23시 | 1um Wet oxidation | (주) 이너센서 | 이너센서 | 강문식 | 810,000원 |
| 401 | 2021-07-15 12시 | 9시 | SOI WET Oxi 5000A | 포항공과대학교 | 대외협력팀 | 김인철 | 405,000원 |
| 402 | 2021-07-16 15시 | 20시 | 2-13-2 Densify 900C, 30min | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 440,000원 |
| 403 | 2021-07-21 10시 | 12시 | Lot ID: NDC21Y29W 목적: CA Oxi 공정 SiO2 3000Å Wet방식 성장 총 23장(계약 건) |
(주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 서준영 | 0원 |
| 404 | 2021-07-23 9시 | 18시 | oxidation 1um | (주) 이너센서 | 이너센서 | 강문식 | 810,000원 |
| 405 | 2021-07-26 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 18,000,000원 |
| 406 | 2021-08-09 9시 | 10시 | SBD02 Run_Diffusion_NO_Anneal [4.0021851.01] | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 1,040,000원 |
| 407 | 2021-08-12 11시 | 18시 | SiC 조각 1000C, 100min Wet oxidation (6:4) | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 520,000원 |
| 408 | 2021-08-18 9시 | 18시 | NO annealing 1200C 240min | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 1,640,000원 |
| 409 | 2021-08-19 9시 | 16시 | 4인치 Si 5장, SiO2 4nm oxidation 부탁드립니다. -전자과 전길수(010-5287-9314) -정윤영 교수님 공정 수업 영상 촬영하려합니다. |
포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 성수원 | 405,000원 |
| 410 | 2021-08-26 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 18,000,000원 |
| 411 | 2021-08-31 9시 | 15시 | [나노융합기반고도화사업] Wet Oxidation 3000A 5매 |
주식회사 엔포마레 | 사업총괄 | 성재석 | 695,000원 |
| 412 | 2021-09-08 9시 | 10시 | 나노융합고도화사업 | (주)칩스케이 | 연구개발팀 | 임진홍 | 2,700,000원 |
| 413 | 2021-09-09 9시 | 18시 | 3-5-2 1000C Wet Oxi 80A Target | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 520,000원 |
| 414 | 2021-09-10 16시 | 20시 | 4-1-5 ACT AREA Oxid densify 900C 30min | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 440,000원 |
| 415 | 2021-09-13 9시 | 18시 | NO annealing | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 1,640,000원 |
| 416 | 2021-09-17 13시 | 18시 | 5-1-4 1000C 100min | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 520,000원 |
| 417 | 2021-09-21 9시 | 9시 | SiC Trench Test 1.5(TT1.5) Lot_NO, Anneal 공정 | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 1,560,000원 |
| 418 | 2021-09-23 9시 | 18시 | 5-1-6 1175C 1hr NO(5%) | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 440,000원 |
| 419 | 2021-09-24 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 18,000,000원 |
| 420 | 2021-10-08 9시 | 14시 | 0-1-4 Oxidation thermal SiO2 100A | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 405,000원 |
| 421 | 2021-10-12 9시 | 12시 | SiC_TT02_Diffusion [4.0021875.01] | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 2,080,000원 |
| 422 | 2021-10-13 13시 | 19시 | Gate oxide 1000C 60min 6:4조건 | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 520,000원 |
| 423 | 2021-10-19 17시 | 23시 | 6\" 24매 Wafer Wet oxidation 1um | 울산과학기술원 | 기계공학과, 신흥주교수님 연구실 | 곽종현 | 900,000원 |
| 424 | 2021-10-20 11시 | 16시 | 6-1-3 Densify 900C, 30min | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 440,000원 |
| 425 | 2021-10-21 11시 | 11시 | Oxide 5000A depo 2회 | 나노콘 | 나노콘연구소 | 조윤빈 | 900,000원 |
| 426 | 2021-10-25 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 18,000,000원 |
| 427 | 2021-10-27 9시 | 18시 | EYEQ_02 | (주)칩스케이 | 연구개발팀 | 임진홍 | 2,700,000원 |
| 428 | 2021-11-10 18시 | 15시 | 선도연구시설 고도화 지원사업_Diffusion [4.0021961.01] | 나노융합기술원 | 대외협력팀 | 한동희 | 1,000,000원 |
| 429 | 2021-11-17 11시 | 12시 | Dry Oxidation, 1000도, 5시간 50분 공정 진행 의뢰 드립니다. OXIDATION SPLIT 4조건 진행 |
포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 곽현탁 | 1,530,000원 |
| 430 | 2021-11-17 9시 | 18시 | NO annealing 1200C 240분 | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 1,640,000원 |
| 431 | 2021-11-23 10시 | 11시 | LOT ID: NDC21Y46W #01~#20 (CAP Wafer) 목적: CA Hardmask 증착 SiO2 2000 A (계약 건) |
(주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 최준석 | 0원 |
| 432 | 2021-11-23 10시 | 15시 | EYEQ_03 | (주)칩스케이 | 연구개발팀 | 임진홍 | 3,600,000원 |
| 433 | 2021-11-25 10시 | 16시 | SiO2 산화막 650 nm 요청 드립니다. | 포항공과대학교 | 시스템생명공학부 | 유진희 | 505,000원 |
| 434 | 2021-11-25 9시 | 15시 | Thermal Oxide 5,000Å |
나노콘 | 나노콘연구소 | 조윤빈 | 810,000원 |
| 435 | 2021-11-26 9시 | 13시 | Thermal Oxide 5,000Å |
나노콘 | 나노콘연구소 | 조윤빈 | 810,000원 |
| 436 | 2021-11-26 9시 | 10시 | wet oxide 5 nm 성장 의뢰 드립니다. | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 곽현탁 | 382,500원 |
| 437 | 2021-11-29 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 18,000,000원 |
| 438 | 2021-12-09 1시 | 2시 | 8\" 웨이퍼 6 Lot에 대해 SiO2 300 nm 성장 부탁드립니다. | 충남대학교 | 전자공학과 | 송기우 | 8,700,000원 |
| 439 | 2021-12-10 10시 | 17시 | 0-1-4 initial oxidation thermal 900C, 20min | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 405,000원 |
| 440 | 2021-12-13 10시 | 16시 | 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약 |
파워마스터반도체 주식회사 | 제조 공정기술팀장 | 손춘배 | 9,075,645원 |
| 441 | 2021-12-16 9시 | 18시 | NO 10% POA 1200C 240분 | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 1,640,000원 |
| 442 | 2021-12-21 9시 | 18시 | Thermal Oxidation 5000A | 나노콘 | 나노콘연구소 | 조윤빈 | 810,000원 |
| 443 | 2021-12-22 9시 | 18시 | Thermal Oxidation 5000A | 나노콘 | 나노콘연구소 | 조윤빈 | 810,000원 |
| 444 | 2022-01-04 9시 | 16시 | Lot ID: NDC21Y51W 목적: SiO2 oxidaion Wet방식 2000Å 총 17장(계약 건) |
(주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 서준영 | 0원 |
| 445 | 2022-01-10 14시 | 18시 | [21년도 전문인력양성 고급실습교육] - 6인치 웨이퍼 2000A 2장 |
나노융합기술원 | 사업지원팀 | 21년도 전문인력 5조 | 0원 |
| 446 | 2022-01-19 15시 | 20시 | 2-1-3 Oxidation 1000C, 60min | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 520,000원 |
| 447 | 2022-01-24 10시 | 15시 | 나노융합 소자공정 및 측정분석 실습교육과정(4.0021910.01) | 나노융합기술원 | 교육홍보팀 | 김동기 | 2,700,000원 |
| 448 | 2022-01-24 15시 | 17시 | LOT ID: module 목적: test wafer Oxidation (총 25장) |
(주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 조기수 | 405,000원 |
| 449 | 2022-02-15 14시 | 20시 | 2-2-1 3 Piece (wf02, wf4-1, wf5-1) NO gas anneal 1hr | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 820,000원 |
| 450 | 2022-02-16 9시 | 18시 | 2-2-2 5% NO gas anneal 2hr (wf4-2, wf5-2) | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 1,120,000원 |
| 451 | 2022-02-21 10시 | 16시 | 전문인력양성사업 나노 소자공정 교육 | 나노융합기술원 | 교육홍보팀 | 김동기 | 1,800,000원 |
| 452 | 2022-03-07 10시 | 16시 | Oxidation 1000C, 3000A 12장 | (주)칩스케이 | 연구개발팀 | 임진홍 | 0원 |
| 453 | 2022-03-08 16시 | 21시 | 1200C, 15,000A | (주)칩스케이 | 연구개발팀 | 임진홍 | 0원 |
| 454 | 2022-03-09 10시 | 16시 | Pad oxide 1000C 500A | (주)칩스케이 | 연구개발팀 | 임진홍 | 0원 |
| 455 | 2022-03-10 12시 | 16시 | JFET Drive in (1150C, 120min) | (주)칩스케이 | 연구개발팀 | 임진홍 | 0원 |
| 456 | 2022-03-10 18시 | 22시 | TEL Gate Oxide 850C, 800A | (주)칩스케이 | 연구개발팀 | 임진홍 | 0원 |
| 457 | 2022-03-14 13시 | 18시 | Body Drive-in | (주)칩스케이 | 연구개발팀 | 임진홍 | 0원 |
| 458 | 2022-03-15 13시 | 18시 | NDR 850C 40min M2 | (주)칩스케이 | 연구개발팀 | 임진홍 | 0원 |
| 459 | 2022-03-17 9시 | 16시 | Oxidation 1000C, 3000A 6장 | (주)칩스케이 | 연구개발팀 | 임진홍 | 0원 |
| 460 | 2022-03-18 13시 | 19시 | Ring Drive - in 1200C, 300min | (주)칩스케이 | 연구개발팀 | 임진홍 | 0원 |
| 461 | 2022-03-21 09시 | 14시 | Pad Oxide 1000C, 58min | (주)칩스케이 | 연구개발팀 | 임진홍 | 0원 |
| 462 | 2022-03-21 11시 | 17시 | 6\" Oxidation 1000A 과제비 청구 | (주)에스제이컴퍼니 | 개발팀 | 박상준 | 590,000원 |
| 463 | 2022-03-22 9시 | 18시 | JFET Drive-in (split 1 - 120min / split 2 - 240min) | (주)칩스케이 | 연구개발팀 | 임진홍 | 0원 |
| 464 | 2022-03-23 16시 | 21시 | BODY Drive-in | (주)칩스케이 | 연구개발팀 | 임진홍 | 0원 |
| 465 | 2022-03-23 9시 | 14시 | TEL - Gate oxidation | (주)칩스케이 | 연구개발팀 | 임진홍 | 0원 |
| 466 | 2022-03-24 11시 | 16시 | NDR | (주)칩스케이 | 연구개발팀 | 임진홍 | 0원 |
| 467 | 2022-03-27 9시 | 18시 | 아이큐랩 \"Si 650V 파워반도체 제작 | (주)칩스케이 | 연구개발팀 | 임진홍 | 5,400,000원 |
| 468 | 2022-04-04 12시 | 18시 | LOT ID: NDC22Y12W 목적: Thermal Oxidation - Wet 방식 총 20장(계약건) |
(주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 조기수 | 0원 |
| 469 | 2022-04-07 14시 | 17시 | 1000도씨 Dry thermal oxidation, 3h (180m) 요청드립니다. | 포항공과대학교 | 창의IT융합공학과 | 유형석 | 382,500원 |
| 470 | 2022-05-11 14시 | 14시 | 아이큐랩 \\\"Si 650V 파워반도체 제작 | (주)칩스케이 | 연구개발팀 | 임진홍 | 4,500,000원 |
| 471 | 2022-05-18 10시 | 16시 | LOT ID: NDC22Y19W 목적: Thermal Oxidation - Wet 방식 총 20장(계약건) |
(주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 조기수 | 0원 |
| 472 | 2022-05-25 13시 | 20시 | 1. 1150도 2시간 anneal 공정 요청합니다. 2. wafer 이전 공정 내역 - Thermal oxide - LPCVD nitride - Implantation - Cleaning(SPM) |
(주)엘엠텍 | 연구 | 임승만 | 450,000원 |
| 473 | 2022-06-02 14시 | 19시 | 1-4-2 1000C,100min Oxidation | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 552,500원 |
| 474 | 2022-06-07 9시 | 18시 | SiC MOSFET 웨이퍼 NO POA 열처리 1200도 240분, NO(10%, 0.2SLM) + N2(90%, 1.8SLM) |
나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 1,720,000원 |
| 475 | 2022-06-08 15시 | 18시 | LOT ID: NDC22Y22W 목적: CA공정 Hard mask Thermal Oxidation - wet 방식 총 21장(계약건) |
(주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 조기수 | 0원 |
| 476 | 2022-06-20 10시 | 16시 | 국가나노인프라를 활용한 나노소자공정실습교육 | 나노융합기술원 | 교육홍보팀 | 김동기 | 3,300,000원 |
| 477 | 2022-06-21 10시 | 17시 | Wet Oxidation 2000A | (주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 최준석 | 3,600,000원 |
| 478 | 2022-06-23 9시 | 16시 | Initial Oxidation 3000A target | 리노공업 | 리노공업 | 곽영대 | 450,000원 |
| 479 | 2022-07-04 10시 | 18시 | Wet Oxidation | (주)칩스케이 | 연구개발팀 | 임진홍 | 7,200,000원 |
| 480 | 2022-07-12 7시 | 17시 | Wet oxidation | (주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 최준석 | 4,500,000원 |
| 481 | 2022-07-13 18시 | 19시 | LOT ID: Module 목적: Oxidation 총 25장 [나노융합기반 고도화사업] |
(주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 조기수 | 450,000원 |
| 482 | 2022-07-14 9시 | 17시 | 0-2-1 Thermal Oxidation 3000A | (주)에스제이컴퍼니 | 개발팀 | 박상준 | 800,000원 |
| 483 | 2022-07-18 10시 | 17시 | 대구대학교 나노 반도체공정 실습교육 | 나노융합기술원 | 교육홍보팀 | 김동기 | 3,600,000원 |
| 484 | 2022-07-26 16시 | 22시 | LOT ID: NDC22Y27W 목적: CA 공정 Hard Mask Oxidation 총 20장 (계약건) |
(주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 조기수 | 0원 |
| 485 | 2022-08-03 13시 | 14시 | LOT ID: NDC22Y30W 목적: CA Hard Mask Oxidation 총 20장 (계약건) |
(주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 조기수 | 0원 |
| 486 | 2022-08-08 10시 | 15시 | 전북대학교 반도체 소자 제작교육 | 나노융합기술원 | 교육홍보팀 | 김동기 | 2,400,000원 |
| 487 | 2022-08-09 10시 | 18시 | SiC_VD_02 2-1-2 Densification: 900도, 30분, N2분위기 | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 440,000원 |
| 488 | 2022-08-10 10시 | 24시 | wet oxidation | (주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 최준석 | 1,800,000원 |
| 489 | 2022-08-16 10시 | 18시 | thermal oxide lpcvd nitride 5매 N2 anneal |
(주)엘엠텍 | 연구 | 임승만 | 450,000원 |
| 490 | 2022-08-16 13시 | 18시 | 4H-SiC 표면에 열산화공정을 통한 산화막 형성 1200℃ 4hr |
포항공과대학교 | 선행기술팀 | 한성웅 | 1,170,000원 |
| 491 | 2022-08-19 10시 | 18시 | [나노융합기반 고도화사업], 전자과 성수원 (010.6786.0469) Si wafer 25 장, 300 nm oxidation 요청드립니다. |
포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 이정수 | 382,500원 |
| 492 | 2022-08-22 18시 | 1시 | 3-1-2 900℃ 30min densify | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 440,000원 |
| 493 | 2022-08-29 16시 | 23시 | 1-1-1 Thermal Oxidation 1000A | 포항공과대학교 대학원 | 전자전기공학과 | 권민규 | 382,500원 |
| 494 | 2022-09-06 13시 | 19시 | 4-1-2 Densify N2 Anneal 900C, 30min | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 440,000원 |
| 495 | 2022-09-07 16시 | 22시 | 1. wafer는 공정 지연이 없으면, 8/30일 대전에서 택배 발송 계획입니다. 2. Anneal 공정 의뢰 (wafer 공정 이력은 기존과 동일) - 공정 조건 : 1150도 (2시간) 3. 2 type wafer 전달(총 6장) - #1 ~ #5(5장) : SOI wafer(두께 : 400um) - #15(1장) : SSP wafer(두께 : 725um) 4. 공정 완료 후, 아래 주소로 택배 발송 부탁 드립니다. - 주소 : (34141) 대전광역시 유성구 대학로 291 나노종합기술원 - 받는사람 : 송종현 선임(010-4254-4960) |
(주)엘엠텍 | 연구 | 임승만 | 900,000원 |
| 496 | 2022-09-13 17시 | 23시 | SiC 1매 500A Oxidation (1175C/80min) | 주식회사 엘엑스세미콘 | 소자팀 | 김동균 | 1,300,000원 |
| 497 | 2022-09-19 15시 | 21시 | 5-1-2 Densification 900C/30min, N2분위기 | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 550,000원 |
| 498 | 2022-09-20 11시 | 17시 | K-Sensor 과제 Si wafer 4inch 25매(1LOT) 5000A 진행 |
포항공과대학교 | 대외협력팀 | 김인철 | 405,000원 |
| 499 | 2022-09-22 14시 | 20시 | 0-1-4 initial oxidation thermal 900C, 20min | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 382,500원 |
| 500 | 2022-09-27 14시 | 20시 | 1-1-1 Thermal Oxidation SiO2 1000A | 포항공과대학교 대학원 | 전자전기공학과 | 김승모 | 382,500원 |
| 501 | 2022-09-28 9시 | 10시 | LOT ID: Module 목적: Si substrate에 SiO2 산화막 성장(3000A) 총 25장 (NINT 구매) [나노융합기반 고도화사업] |
(주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 조기수 | 2,075,000원 |
| 502 | 2022-09-29 9시 | 1시 | 전북대학교 반도체 소자 제작교육 | 나노융합기술원 | 교육홍보팀 | 김동기 | 1,800,000원 |
| 503 | 2022-10-04 17시 | 23시 | 6-5-2 Thermal Oxidation 1000C, (Wet/Dry = 60/40) 100min | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 650,000원 |
| 504 | 2022-10-05 17시 | 23시 | LOT ID: NDC22Y39W 목적: Hard Mask Oxidation 총 20장 (계약건) |
(주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 조기수 | 0원 |
| 505 | 2022-10-06 10시 | 17시 | 7-1-5 Densification 900C/30min N2 분위기 | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 550,000원 |
| 506 | 2022-10-12 15시 | 21시 | 8-1-4 Thermal Oxidation (Wet/Dry = 60/40) (WF01, 02, 03) | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 650,000원 |
| 507 | 2022-10-13 10시 | 22시 | 8-1-4 Thermal Oxidation Target=550A (Wet/Dry = 60/40) (WF04, 05) | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 650,000원 |
| 508 | 2022-10-19 10시 | 17시 | 8-1-5 5% NO Furnace 1175C/1hr | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 950,000원 |
| 509 | 2022-10-20 10시 | 17시 | 3-1-2 Thermal Oxidation 1000C/100min (Wet/Dry=60:40) | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 520,000원 |
| 510 | 2022-10-21 15시 | 22시 | 3-2-2 Interface Oxidation 1200C/60min | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 1,040,000원 |
| 511 | 2022-10-31 10시 | 17시 | 3-2-4 Interface Oxidation 1200C/(Wet/Dry=60/40) | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 1,040,000원 |
| 512 | 2022-11-01 10시 | 17시 | 3-2-5 NO 5% 1175C/1hr | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 1,340,000원 |
| 513 | 2022-11-28 10시 | 10시 | 한국나노마이스터고 반도체 공정 실무 교원 연수 | 나노융합기술원 | 교육홍보팀 | 이현규 | 2,400,000원 |
| 514 | 2022-11-28 9시 | 16시 | 3000A Oxidation | 리노공업 | 리노공업 | 곽영대 | 450,000원 |
| 515 | 2022-12-09 15시 | 24시 | SiC NO Furnace 1175ºC/240min | (주)케이이씨 | DIS 개발팀 | 전석환 | 2,300,000원 |
| 516 | 2022-12-11 16시 | 22시 | 8-6-9 Furnace 850ºC/5min | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 650,000원 |
| 517 | 2022-12-12 1시 | 17시 | Wet Oxide 12,000A | 주식회사 아이큐랩 | 공정기술팀 | 김동현 | 900,000원 |
| 518 | 2022-12-12 9시 | 15시 | 8-6-9 Furnace 850ºC/5min | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 650,000원 |
| 519 | 2022-12-13 9시 | 10시 | LOT ID: NDC22Y47W 목적: Hard Mask Oxidation 총 10장 (계약건) |
(주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 조기수 | 0원 |
| 520 | 2022-12-14 15시 | 21시 | 9-1-3 Densification 900ºC/30min | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 550,000원 |
| 521 | 2022-12-14 17시 | 15시 | 1. NO : N2 = 2:8, 950C, 20min 2. NO : N2 = 2:8, 950C, 60min 3. NO : N2 = 2:8, 1000C, 20min 4. NO : N2 = 2:8, 1000C, 60min 각 1매씩 진행 요청드립니다. |
LG전자 | 센서솔루션연구소_광소자센서Task | 홍은주 | 3,000,000원 |
| 522 | 2022-12-14 9시 | 18시 | 2022년 나노융합기반 고도화 사업 | (주)엔디디 | 기업부설연구소 | 이승헌 | 1,800,000원 |
| 523 | 2022-12-14 9시 | 15시 | 9-1-3 Densification 900C/30min, N2분위기 | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 550,000원 |
| 524 | 2022-12-19 11시 | 17시 | LOT ID: NDC22Y47W 목적: Hard Mask Oxidation 총 10장 (계약건) |
(주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 조기수 | 0원 |
| 525 | 2022-12-26 9시 | 10시 | SiO Depo. (1.5um) |
동우화인캠(주) | 반도체소재2팀 | 윤수빈 | 1,925,000원 |
| 526 | 2023-01-03 1시 | 24시 | theraml Oxidation, wet, 50매 증착 | (주)이너센서 | 경영, 연구소 | 강문식 | 1,620,000원 |
| 527 | 2023-01-04 13시 | 19시 | 1,150℃ 240min N2/LO2 Drive-in 진행 |
주식회사 아이큐랩 | 생산기술 | 김희종 | 900,000원 |
| 528 | 2023-01-05 12시 | 16시 | 전문인력양성사업 나노소자공정 & 측정 일자리연계 교육 | 나노융합기술원 | 교육홍보팀 | 김동기 | 2,200,000원 |
| 529 | 2023-01-09 12시 | 16시 | Wet Oxidation | (주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 최준석 | 2,700,000원 |
| 530 | 2023-01-11 10시 | 19시 | SiC NO Furnace 1175℃/240min | (주)케이이씨 | 개발팀 | 우제욱 | 2,300,000원 |
| 531 | 2023-01-16 15시 | 21시 | LOT ID: NDC23Y02W 목적: Hard Mask Oxidation 총 20장 (계약 건) |
(주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 조기수 | 0원 |
| 532 | 2023-01-18 10시 | 19시 | 나노기술 전문인력 양성과정 | 나노융합기술원 | 확산 | 송종호 | 0원 |
| 533 | 2023-01-19 9시 | 16시 | 6-5-2 1000ºC/70min | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 550,000원 |
| 534 | 2023-01-20 10시 | 18시 | 나노기술 전문인력 양성과정 | 나노융합기술원 | 확산 | 송종호 | 0원 |
| 535 | 2023-01-25 10시 | 20시 | 나노기술 전문인력 양성과정 | 나노융합기술원 | 확산 | 송종호 | 0원 |
| 536 | 2023-01-26 16시 | 22시 | LOT ID: NDC23Y03W 목적: Hard Mask Oxidation 총 20장 (계약 건) |
(주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 조기수 | 0원 |
| 537 | 2023-01-26 9시 | 16시 | 나노기술 전문인력 양성과정 | 나노융합기술원 | 확산 | 송종호 | 0원 |
| 538 | 2023-02-06 15시 | 21시 | LOT ID: NDC23Y04W 목적: Hard Mask Oxidation 총 20장 (계약 건) |
(주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 조기수 | 0원 |
| 539 | 2023-02-13 11시 | 17시 | LOT ID: NDC23Y06W 목적: Hard Mask Oxidation 총 20장 (계약 건) |
(주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 조기수 | 0원 |
| 540 | 2023-02-14 15시 | 24시 | Wet Oxide 12,000A |
주식회사 아이큐랩 | 생산기술 | 김희종 | 900,000원 |
| 541 | 2023-02-20 10시 | 12시 | Wet Oxidation 3000A | (주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 최준석 | 2,700,000원 |
| 542 | 2023-02-20 12시 | 18시 | LOT ID: NDC23Y07W 목적: Hard Mask Oxidation 총 20장 (계약 건) |
(주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 조기수 | 0원 |
| 543 | 2023-03-07 9시 | 15시 | 900C, 9min, Wet Oxide 300A 조건 입니다. | 주식회사 아이큐랩 | 생산기술 | 김희종 | 450,000원 |
| 544 | 2023-03-09 13시 | 20시 | 조건 1.150°C 240min N2/LO2 입니다 | 주식회사 아이큐랩 | 생산기술 | 김희종 | 900,000원 |
| 545 | 2023-03-17 14시 | 20시 | 1-1-1 SiO2 50A | 포항공과대학교 대학원 | 전자전기공학과 | 김승모 | 400,000원 |
| 546 | 2023-03-21 15시 | 21시 | 900C, 9min, Wet Oxide 300A | 주식회사 아이큐랩 | 생산기술 | 김희종 | 450,000원 |
| 547 | 2023-03-28 13시 | 18시 | 조건 1150ºC , 240min , N2/LO2 입니다. | 주식회사 아이큐랩 | 생산기술 | 김희종 | 900,000원 |
| 548 | 2023-03-29 14시 | 21시 | 2-1-2 SiO2 1000A | 포항공과대학교 대학원 | 전자전기공학과 | 권민규 | 400,000원 |
| 549 | 2023-04-05 16시 | 24시 | 1,150℃,120\\\\\\\' N2 LowO2 입니다. | 주식회사 아이큐랩 | 생산기술 | 김희종 | 900,000원 |
| 550 | 2023-04-13 16시 | 23시 | Steam Oxidation / 1000ºC / 2000A / 수량은 12ea | 주식회사 아이큐랩 | 생산기술 | 김희종 | 450,000원 |
| 551 | 2023-04-19 14시 | 2시 | Wet oxide 12,000A 입니다 | 주식회사 아이큐랩 | 생산기술 | 김희종 | 900,000원 |
| 552 | 2023-04-24 14시 | 24시 | (Recipe #90) 1180ºC 300Min N2/LO2 | 주식회사 아이큐랩 | 생산기술 | 김희종 | 900,000원 |
| 553 | 2023-04-25 9시 | 15시 | LOT ID: Module 목적: Si substrate에 SiO2 산화막 성장_3000A(wet 방식) 총 25장 [나노융합기반 고도화사업] |
(주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 조기수 | 500,000원 |
| 554 | 2023-04-26 16시 | 22시 | Thermal Oxide 200A | 포항공과대학교 대학원 | 전자전기공학과 | 김승모 | 790,000원 |
| 555 | 2023-05-03 10시 | 20시 | Wet Oxidation / 1,050ºC / 12000A | 주식회사 아이큐랩 | 생산기술 | 김희종 | 900,000원 |
| 556 | 2023-05-08 9시 | 16시 | SiO2 50A | 포항공과대학교 대학원 | 전자전기공학과 | 김승모 | 920,000원 |
| 557 | 2023-05-15 10시 | 16시 | 8인치 실리콘 웨이퍼 2장 Wet oxide 5 nm 성장 공정 의뢰 |
포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 곽현탁 | 450,000원 |
| 558 | 2023-05-15 17시 | 18시 | 9장 HF 처리 후 DRY 1000℃ 공정 진행. 1000Å(100nm) - 3장 500Å (50nm) - 3장 200Å (20nm) - 3장 |
포항공과대학교 대학원 | 전자전기공학과 | 전재현 | 1,200,000원 |
| 559 | 2023-05-15 9시 | 13시 | Furnace Oxidation | 삼성디스플레이 | - | 여소영 | 2,610,000원 |
| 560 | 2023-05-22 14시 | 24시 | 1150C / 240min / N2/LO2 | 주식회사 아이큐랩 | 생산기술 | 김희종 | 900,000원 |
| 561 | 2023-05-23 10시 | 19시 | 어제 26장 신청 후 선 진행한 12장, 나머지 14장 입니다 1150C / 240min / N2 / LO2 |
주식회사 아이큐랩 | 생산기술 | 김희종 | 900,000원 |
| 562 | 2023-05-24 10시 | 19시 | 1150C / 120min / N2 / LO2 | 주식회사 아이큐랩 | 생산기술 | 김희종 | 900,000원 |
| 563 | 2023-06-12 14시 | 19시 | 1-1-1 SiO2 1000A | 포항공과대학교 대학원 | 전자전기공학과 | 김승모 | 530,000원 |
| 564 | 2023-06-15 17시 | 23시 | 850\\\'C 40min N2 |
주식회사 아이큐랩 | 생산기술 | 김희종 | 450,000원 |
| 565 | 2023-06-20 15시 | 21시 | 전자과 박성민 (010-2094-9607) 5~9 * 10^18 cm-3 정도로 도핑된 Si 웨이퍼에 3-4 nm 정도의 산화막을 형성 의뢰 드립니다. |
포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 윤주영 | 400,000원 |
| 566 | 2023-06-26 13시 | 18시 | 1,150C , 120min , N2 , LO2 | 주식회사 아이큐랩 | 생산기술 | 김희종 | 900,000원 |
| 567 | 2023-07-03 12시 | 12시 | 전문인력양성교육 나노 소자공정&일자리연계 교육(7월) | 나노융합기술원 | 교육홍보팀 | 김동기 | 2,000,000원 |
| 568 | 2023-07-04 16시 | 20시 | 850°C 40min N2 고도화사업비 |
주식회사 아이큐랩 | 생산기술 | 김희종 | 500,000원 |
| 569 | 2023-07-05 11시 | 17시 | LOT ID: NDC23Y26W 목적: Hard Mask Oxidation 총 20장 (계약 건) |
(주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 조기수 | 0원 |
| 570 | 2023-07-17 10시 | 17시 | (POSTECH 손종민) Oxidation [나노융합기반 고도화사업] |
포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 이정수 | 500,000원 |
| 571 | 2023-08-07 1시 | 17시 | 2-1-2 Densification 900ºC/30min | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 495,000원 |
| 572 | 2023-08-07 10시 | 1시 | 1-1-1 1100ºC/510min | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 1,820,000원 |
| 573 | 2023-08-07 17시 | 24시 | 2-1-2 Densification 900ºC/30min | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 574 | 2023-08-09 10시 | 18시 | 1-1-2 1100ºC/110min | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 1,170,000원 |
| 575 | 2023-08-17 17시 | 24시 | 3-1-2 Densify 900ºC/30min | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 576 | 2023-08-17 9시 | 17시 | 3-1-2 Densify 900ºC/30min | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 495,000원 |
| 577 | 2023-08-28 12시 | 18시 | 4-1-2 Densify 900ºC/30min | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 495,000원 |
| 578 | 2023-08-28 18시 | 24시 | 4-1-2 Densify 900ºC/30min | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 579 | 2023-08-29 17시 | 24시 | 조현영(010-3572-9940) Oxide 3nm~5nm | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 윤주영 | 400,000원 |
| 580 | 2023-08-30 10시 | 17시 | Oxidation 3000A | 리노공업 | 리노공업 | 곽영대 | 500,000원 |
| 581 | 2023-08-30 18시 | 1시 | LOT ID: Module 목적: Oxidation 3000A 총 25장 [나노융합기반 고도화사업] |
(주)유우일렉트로닉스 | FAB팀 | 조기수 | 500,000원 |
| 582 | 2023-08-31 9시 | 23시 | 1-1-2 Thermal Oxidation | 삼성종합기술원 | V-T/F | 양성석 | 1,040,000원 |
| 583 | 2023-09-01 17시 | 24시 | 2-1-3 Densify 900ºC/30min | 삼성종합기술원 | V-T/F | 양성석 | 400,000원 |
| 584 | 2023-09-01 9시 | 18시 | 1-1-3 5% NO Furnace 1175ºC/1hr | 삼성종합기술원 | V-T/F | 양성석 | 1,340,000원 |
| 585 | 2023-09-07 11시 | 18시 | 5-1-2 Densify 900ºC/30min | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 495,000원 |
| 586 | 2023-09-07 18시 | 24시 | 5-1-2 Densify 900ºC/30min | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 587 | 2023-09-11 10시 | 19시 | 1-1-4 Thermal Oxide 100A 1000ºC/110min | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 585,000원 |
| 588 | 2023-09-12 14시 | 18시 | Bare Si wafer(P type) 위에 700nm 두께의 Wet oxidation 공정을 요청드립니다. 웨이퍼 장 수는 총 25EA로 1 LOT 단위로 전달드리고자 합니다. 공정 후 진공 상태로 전달해주시면 감사하겠습니다. 신청자명 : 박상우 Mobile : 010-3042-7654 E-mail : hwawoo97@naver.com 배송지 주소 : 서울특별시 노원구 공릉로 232, 서울과학기술대학교 창조관 210호 |
서울과학기술대학교 | 지능형반도체공학과 | 박상우 | 500,000원 |
| 589 | 2023-09-14 10시 | 18시 | Thermal Oxidation 5000A | 나노콘 | 나노콘연구소 | 조윤빈 | 450,000원 |
| 590 | 2023-09-18 10시 | 18시 | 4 in Si wafer 위에 700nm 두께의 Wet oxidation 공정을 의뢰드립니다. 25EA(1 Lot) 공정을 의뢰드리며, 공정 이후 진공 상태로 전달해주시면 감사하겠습니다. 신청자명 : 박상우 E-mail : hwawoo97@naver.com Mobile : 010-3042-7654 배송지 주소 : 서울특별시 노원구 공릉로 232, 서울과학기술대학교 창조관 210호 (01811) |
서울과학기술대학교 | 지능형반도체공학과 | 박상우 | 500,000원 |
| 591 | 2023-09-20 17시 | 24시 | 6-5-3 Thermal Oxidation 80A | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 592 | 2023-09-20 9시 | 17시 | 6-5-3 Thermal Oxidation 80A | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 585,000원 |
| 593 | 2023-09-21 9시 | 18시 | 1-1-9 Oxi. 80A | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 885,000원 |
| 594 | 2023-09-22 10시 | 17시 | 7-1-5 Densify 900ºC/30min N2 분위기 | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 495,000원 |
| 595 | 2023-09-22 17시 | 24시 | 7-1-5 Densify 900ºC/30min N2 분위기 | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 596 | 2023-09-25 16시 | 24시 | TEOS E/R 평가용 | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 450,000원 |
| 597 | 2023-10-06 17시 | 24시 | 2-1-2 Densify 900ºC/30min | 삼성종합기술원 | V-T/F | 양성석 | 840,000원 |
| 598 | 2023-10-13 14시 | 24시 | NO Anneal | 현대모비스 | 전력반도체팀 | 이정윤 | 2,300,000원 |
| 599 | 2023-10-16 15시 | 22시 | Wet 1000A | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 최경근 | 450,000원 |
| 600 | 2023-10-17 16시 | 24시 | 2. Oxidation 5000A | 동서대학교 산학협력단 | 동서대학교 기계공학과 | 김호진 | 570,000원 |
| 601 | 2023-10-18 9시 | 23시 | (선행) WF01 8-1-4 Gox | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 1,170,000원 |
| 602 | 2023-10-19 10시 | 19시 | (선행) WF01 8-1-5 POA | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 1,537,000원 |
| 603 | 2023-10-20 20시 | 8시 | 8-1-4 Gox | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 604 | 2023-10-20 8시 | 20시 | 8-1-4 Gox | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 1,170,000원 |
| 605 | 2023-10-21 20시 | 8시 | 8-1-5 POA | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 606 | 2023-10-21 8시 | 20시 | 8-1-5 POA | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 1,537,000원 |
| 607 | 2023-10-23 9시 | 17시 | Dry 1100ºC/20min | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 900,000원 |
| 608 | 2023-10-24 17시 | 24시 | 2-3-2 Densify 900ºC/30min | 삼성종합기술원 | V-T/F | 양성석 | 400,000원 |
| 609 | 2023-10-24 9시 | 17시 | Dry 1100ºC/20min | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 990,000원 |
| 610 | 2023-10-27 18시 | 24시 | 8-6-6 PolySi Oxidation 850ºC/5min | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 585,000원 |
| 611 | 2023-10-28 1시 | 6시 | 8-6-6 PolySi Oxidation 850ºC/5min | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 612 | 2023-10-28 13시 | 19시 | 9-1-3 Densify 900ºC/30min | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 박범성 | 589,000원 |
| 613 | 2023-10-28 19시 | 1시 | 9-1-3 Densify 900ºC/30min | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 614 | 2023-10-29 9시 | 15시 | 0-3-2 Densify 900ºC/30min | 삼성종합기술원 | V-T/F | 양성석 | 400,000원 |
| 615 | 2023-10-30 17시 | 24시 | 패터닝된 SOI 웨이퍼의 산화막을 만드려고 합니다. 대략 500 nm 두께로 만들어주시면 될 것 같습니다. |
포항공과대학교 대학원 | 기계공학과 | 김영신 | 450,000원 |
| 616 | 2023-11-07 9시 | 18시 | 23-11-03 (금) wafer 전달드려 공정 부탁드립니다. wafer #1 : Wet oxidation 5000 A wafer #2 : Dry oxidation 1000 A |
한국생산기술연구원 | 첨단메카트로닉스연구그룹 | 노은식 | 1,000,000원 |
| 617 | 2023-11-09 10시 | 18시 | 1100℃, 120min sic 조각2매 진행 | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 1,170,000원 |
| 618 | 2023-11-17 11시 | 20시 | 1100℃/240min | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 1,755,000원 |
| 619 | 2023-11-20 10시 | 24시 | 1100℃/360min |
포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 1,755,000원 |
| 620 | 2023-11-27 15시 | 21시 | 2-4 Densify 900℃/30min | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 621 | 2023-11-27 9시 | 15시 | 2-4 Densify 900℃/30min | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 622 | 2023-12-01 13시 | 24시 | Wet 1100℃/240min | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 1,755,000원 |
| 623 | 2023-12-07 15시 | 21시 | 3-1-3 Densify | 삼성종합기술원 | V-T/F | 양성석 | 400,000원 |
| 624 | 2023-12-08 12시 | 18시 | 6-1-2 Densify 900℃/30min | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 625 | 2023-12-08 18시 | 24시 | 6-1-2 Densify 900℃/30min |
삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 626 | 2023-12-11 15시 | 21시 | 6-1-2 Densify 900℃/30min | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 627 | 2023-12-11 9시 | 15시 | 6-1-2 Densify 900℃/30min | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 628 | 2023-12-12 13시 | 19시 | Densify(900℃, 30min) | 나노융합기술원 | 대외협력팀 | 양웅석 | 495,000원 |
| 629 | 2023-12-15 11시 | 24시 | Wet 1100℃/360min | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 1,755,000원 |
| 630 | 2023-12-21 14시 | 21시 | 3~5 nm 산화막 형성 | 포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 윤주영 | 400,000원 |
| 631 | 2024-01-02 1시 | 12시 | 1-1-1 Gate Oxi. 1100℃/360min | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 1,755,000원 |
| 632 | 2024-01-02 12시 | 24시 | 2-1-1 Wet Oxi. 1100℃/360min | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 1,755,000원 |
| 633 | 2024-01-03 9시 | 21시 | 2-2-1 Dry Oxi. 1100℃/180min | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 1,755,000원 |
| 634 | 2024-01-04 9시 | 21시 | 2.3 POA(1175℃, 60min) | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 1,470,000원 |
| 635 | 2024-01-23 10시 | 12시 | 전문인력양성사업 교육생 장비 신청 | 나노융합기술원 | 교육홍보팀 | 이상민 | 0원 |
| 636 | 2024-01-24 17시 | 24시 | 7-3-2 1000℃/100min | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 637 | 2024-01-24 9시 | 17시 | 7-3-2 1000℃/100min | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 638 | 2024-01-25 16시 | 23시 | 8-1-1 Thermal Oxidation | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 639 | 2024-01-25 9시 | 16시 | 8-1-1 Thermal Oxidation | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 640 | 2024-01-29 18시 | 24시 | 8-2-3 Densify | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 641 | 2024-01-29 9시 | 18시 | 박막 프로젝트 | 나노융합기술원 | 종합실무과정교육생 | 정유빈 | 0원 |
| 642 | 2024-01-30 1시 | 6시 | 8-2-3 Densify | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 643 | 2024-01-30 17시 | 24시 | 9-1-4 Gate Oxidation | 삼성종합기술원 | V-T/F | 양성석 | 520,000원 |
| 644 | 2024-01-30 9시 | 17시 | 9-1-4 Gate Oxidation | 삼성종합기술원 | V-T/F | 양성석 | 520,000원 |
| 645 | 2024-02-02 11시 | 19시 | Wet 1,000Å | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 450,000원 |
| 646 | 2024-02-05 13시 | 20시 | Dry Oxi. | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 450,000원 |
| 647 | 2024-02-06 13시 | 20시 | 1-0-5 Densify 900℃/30min | 나노융합기술원 | 대외협력팀 | 양웅석 | 562,000원 |
| 648 | 2024-02-14 15시 | 23시 | 10nm SiO2 성장 - 자연산화막 제거 이후 연속적으로 진행되었으면 좋겠습니다. |
포항공과대학교 대학원 | 전자전기공학과 | 조민수 | 450,000원 |
| 649 | 2024-02-15 14시 | 24시 | 1.0 Thermal Oxidation 100Å | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 1,170,000원 |
| 650 | 2024-02-16 17시 | 24시 | 2매(WF#01,02) - 9.1 Thermal Oxidation 100Å | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 1,170,000원 |
| 651 | 2024-02-16 9시 | 17시 | WF#01,02(2매) - 9.1 Thermal Oxidation 100Å | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 1,170,000원 |
| 652 | 2024-03-05 12시 | 24시 | 1.0 Thermal Oxi. 550Å | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 1,560,000원 |
| 653 | 2024-03-06 12시 | 24시 | 1.0 POA 1hr | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 1,340,000원 |
| 654 | 2024-03-07 9시 | 21시 | 1.0 POA 2hr | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 1,640,000원 |
| 655 | 2024-03-11 15시 | 21시 | Dry Oxidation 500A 증착. sample은 엘립소미터 장비 옆에 4인치케리어에 있음. | 포항공과대학교 | 공정기술팀 | 박광진 | 400,000원 |
| 656 | 2024-03-12 13시 | 23시 | 9-1-4 Thermal Oxidation 1100℃/30min | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 1,300,000원 |
| 657 | 2024-03-13 10시 | 19시 | 9-1-4 Thermal Oxidation 1100℃/25min | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 1,300,000원 |
| 658 | 2024-03-18 13시 | 21시 | (SiC 조각 4개) 1000℃/85min | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 한성웅 | 520,000원 |
| 659 | 2024-03-19 12시 | 22시 | 전자과 박성민 (010-2094-9607) p type 웨이퍼 15장에 3-4 nm의 얇은 산화막 형성 의뢰합니다. |
포항공과대학교 | 전자전기공학과 | 윤주영 | 400,000원 |
| 660 | 2024-03-28 16시 | 24시 | 8-2-4 Densify(900℃/30min) | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 661 | 2024-03-28 9시 | 16시 | 7-3-2 Sac Oxidation (1000℃, 100Å) |
삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 662 | 2024-04-01 14시 | 24시 | (SiC 조각 3개) Oxidation(1100℃, 120min) | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 1,040,000원 |
| 663 | 2024-04-02 9시 | 21시 | (SiC 조각 3개) POA(1150℃, 60min) | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 1,340,000원 |
| 664 | 2024-04-03 13시 | 23시 | Sac Oxi. (1000℃, 150min) | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 650,000원 |
| 665 | 2024-04-04 14시 | 22시 | ICT 제품화 지원사업 1-1-1 Oxidation 1,000Å |
(주)엔디디 | 연구소 | 최영환 | 500,000원 |
| 666 | 2024-04-09 09시 | 19시 | 7-3-2 Sac Oxi. 1000℃/90min | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 667 | 2024-04-10 9시 | 19시 | 3-1-4 Gate Oxide | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 650,000원 |
| 668 | 2024-04-11 14시 | 24시 | 8-1-4 Oxi. 100Å (High Qurlity) | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 669 | 2024-04-12 10시 | 19시 | 8-2-3 Densify(900℃/30min) | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 670 | 2024-04-12 20시 | 10시 | 7-3-2 Sac Oxid, | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 671 | 2024-04-13 10시 | 22시 | 8-1-4 Oxidation 100Å(High Quality) | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 672 | 2024-04-14 11시 | 21시 | 8-2-3 Densify(900℃/30min) | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 673 | 2024-04-15 18시 | 8시 | 9-1-4 Gate Oxid.(1100℃/480min) | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 674 | 2024-04-16 8시 | 21시 | 9-1-5 POA(1150℃/2hr) | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 675 | 2024-04-17 15시 | 24시 | 1-2-3 Sac Oxid. | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 650,000원 |
| 676 | 2024-04-19 14시 | 20시 | 9-2-2 (WF01, 03) - POA(1175℃, 2hr) | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 1,900,000원 |
| 677 | 2024-04-19 20시 | 3시 | 10-1-2 Densify(900℃, 30min) | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 678 | 2024-04-19 8시 | 14시 | 9-2-2 (WF01, 03) - POA(1175℃, 2hr) | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 1,900,000원 |
| 679 | 2024-04-22 15시 | 24시 | 1-2-2 Anneal(950℃, 30min, N2) | 삼성전자 | Power device팀 | 박종원 | 590,000원 |
| 680 | 2024-05-07 13시 | 20시 | 800℃, 15min, O2 | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 한성웅 | 520,000원 |
| 681 | 2024-05-08 12시 | 16시 | 10-1-2 LPCVD Furnace : Densify(800℃/30min) | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 682 | 2024-05-08 16시 | 20시 | 10-1-2 LPCVD Furnace : Densify(800℃/30min) | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 550,000원 |
| 683 | 2024-05-08 20시 | 24시 | 10-1-2 LPCVD Furnace : Densify(800℃/30min) | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 550,000원 |
| 684 | 2024-05-08 4시 | 8시 | 1-2-2 Anneal(1100℃, 30min) | 삼성전자 | Power device팀 | 박종원 | 1,100,000원 |
| 685 | 2024-05-08 8시 | 12시 | 10-1-2 LPCVD Furnace : Densify(800℃/30min) | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 686 | 2024-05-09 14시 | 20시 | 5-2-0 Sac Oxi. | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 한성웅 | 520,000원 |
| 687 | 2024-05-09 8시 | 14시 | 6-5-2 Sac Oxi. | 트리노테크놀로지 | 경영지원팀 | 트리노테크놀로지 | 0원 |
| 688 | 2024-05-13 8시 | 15시 | 7-1-4 Densify(900℃/30min) | 트리노테크놀로지 | 경영지원팀 | 트리노테크놀로지 | 0원 |
| 689 | 2024-05-20 11시 | 24시 | 8-1-3 Gate Oxi. | 트리노테크놀로지 | 경영지원팀 | 트리노테크놀로지 | 0원 |
| 690 | 2024-05-22 18시 | 24시 | 7-3-2 Sac Oxi. | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 691 | 2024-05-22 8시 | 18시 | 8-1-4 POA | 트리노테크놀로지 | 경영지원팀 | 트리노테크놀로지 | 0원 |
| 692 | 2024-05-23 16시 | 24시 | 8-1-4 High Qual. Oxi. 100Å | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 693 | 2024-05-24 9시 | 20시 | SiO2 300 nm oxidation 공정 부탁드립니다. | 울산과학기술원 | 전기전자공학과 | 최유림 | 500,000원 |
| 694 | 2024-05-27 10시 | 20시 | 8inch Si wafer oxidation 요청드립니다. SiO2 layer 3000 A 성장을 요청드립니다. |
포항공과대학교 | 기계공학과 | 우현수 | 400,000원 |
| 695 | 2024-05-29 16시 | 24시 | 8-6-6 Wet Oxidation 200Å (850℃/5min) | 트리노테크놀로지 | 경영지원팀 | 트리노테크놀로지 | 0원 |
| 696 | 2024-05-29 8시 | 16시 | 8-2-3 Densify(900℃/30min) | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 697 | 2024-06-11 9시 | 22시 | 9-2-2 NO 5% Anneal (1175℃/2hr) | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 1,900,000원 |
| 698 | 2024-06-13 15시 | 3시 | 1-2-2 Activation (1100℃, 30min) | 삼성전자 | Power device팀 | 박종원 | 1,100,000원 |
| 699 | 2024-06-17 10시 | 17시 | 1-1-1 Oxidation 5,000Å ICT 제품화 지원사업 |
마이크로어낼리시스(주) | 마이크로어낼리시스 (주) | 안재훈 | 580,000원 |
| 700 | 2024-06-28 9시 | 18시 | Sac Oxi. | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 520,000원 |
| 701 | 2024-07-04 9시 | 20시 | 1-1-4 Gox | 삼성전자 | Power device팀 | 박종원 | 1,950,000원 |
| 702 | 2024-07-18 17시 | 24시 | Sac Oxi. (1000℃, 60min) | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 520,000원 |
| 703 | 2024-07-19 9시 | 17시 | 7-3-2 Sac Oxi. | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 704 | 2024-07-23 13시 | 22시 | 8-1-4 High Oxid. (1100℃/25min) | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 705 | 2024-07-29 13시 | 24시 | 3-1-1 Anneal(1100℃, 30min, N2) | 삼성전자 | Power device팀 | 박종원 | 1,100,000원 |
| 706 | 2024-07-30 14시 | 24시 | 1-2-1 1.2 Oxidation(1100℃, 60min) | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 1,040,000원 |
| 707 | 2024-07-31 14시 | 24시 | 1-2-2 POA(1150℃, 60min) | 포항공과대학교 | 기술지원팀 | 김성준 | 1,340,000원 |
| 708 | 2024-08-01 13시 | 22시 | 2-0-0 Oxidation 100Å | 포항공과대학교 대학원 | 반도체대학원 | 박휘승 | 520,000원 |
| 709 | 2024-08-02 13시 | 22시 | 2-0-1 POA(1100Å/1hr) | 포항공과대학교 대학원 | 반도체대학원 | 박휘승 | 1,340,000원 |
| 710 | 2024-08-05 8시 | 15시 | 8-2-3 Densify(900℃, 30min) | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 711 | 2024-08-06 15시 | 24시 | 9-1-4 GOX 500Å | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 712 | 2024-08-07 10시 | 22시 | 9-1-5 POA(1175℃, 2hr) | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 713 | 2024-08-08 14시 | 24시 | 2-2-2 1개(4) - 2.0 Oxidation 450Å | 포항공과대학교 대학원 | 반도체대학원 | 박휘승 | 1,040,000원 |
| 714 | 2024-08-14 8시 | 17시 | 6-5-2 Sac Oxid. | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 520,000원 |
| 715 | 2024-08-16 13시 | 19시 | 7-1-4 Densify(900℃, 30min) |
나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 440,000원 |
| 716 | 2024-08-19 13시 | 23시 | 2-2-2 GOx | 포항공과대학교 대학원 | 반도체대학원 | 박휘승 | 1,040,000원 |
| 717 | 2024-08-20 14시 | 24시 | 8-1-2 GOx Oxid. | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 1,040,000원 |
| 718 | 2024-08-21 19시 | 4시 | 2-2-3 POA(2hr) |
포항공과대학교 대학원 | 반도체대학원 | 박휘승 | 1,640,000원 |
| 719 | 2024-08-21 8시 | 19시 | 8-1-4 POA(1hr) | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 1,340,000원 |
| 720 | 2024-08-29 13시 | 21시 | 2-1-2 Oxidation | 포항공과대학교 | 반도체공학과 | 이지원 | 280,000원 |
| 721 | 2024-09-02 13시 | 20시 | 2-1-5 Densify(900℃, 30min, N2) | 포항공과대학교 | 반도체공학과 | 이지원 | 280,000원 |
| 722 | 2024-09-02 19시 | 3시 | 2-3-1 Oxidation 4,000Å | 포항공과대학교 | 반도체공학과 | 이지원 | 250,000원 |
| 723 | 2024-09-03 19시 | 4시 | 3-1-2 Sac. Oxidation 100Å | 포항공과대학교 | 반도체공학과 | 이지원 | 250,000원 |
| 724 | 2024-09-03 8시 | 17시 | 5-1-2 GOX 200Å | 포항공과대학교 | 반도체공학과 | 이지원 | 0원 |
| 725 | 2024-09-09 14시 | 22시 | 8-6-6 PolySi Oxid. | 나노융합기술원 | 기술지원팀 | 강민재 | 520,000원 |
| 726 | 2024-09-11 15시 | 22시 | 2-1-2 Sac Oxi. | 삼성전자 | Power device팀 | 박종원 | 650,000원 |
| 727 | 2024-09-12 15시 | 24시 | 5-1-3 GOX 150Å | 포항공과대학교 | 반도체공학과 | 이지원 | 250,000원 |
| 728 | 2024-09-13 16시 | 24시 | 3-1-2 POA 2hr | 삼성전자 | Power device팀 | 박종원 | 1,900,000원 |
| 729 | 2024-09-13 8시 | 16시 | 3-1-1 Gate Oxid. | 삼성전자 | Power device팀 | 박종원 | 1,300,000원 |
| 730 | 2024-09-19 8시 | 17시 | WF01 - 2-1-3 Densify | 나노융합기술원 | 대외협력팀 | 박영재 | 440,000원 |
| 731 | 2024-09-20 15시 | 23시 | 5-1-2 Oxid. 150Å | 포항공과대학교 | 반도체공학과 | 이지원 | 0원 |
| 732 | 2024-09-20 23시 | 10시 | 1-1-4 Oxid. 500Å | 삼성전자 | Power device팀 | 박종원 | 1,950,000원 |
| 733 | 2024-09-20 8시 | 15시 | WF02 - 2-1-3 Densify | 나노융합기술원 | 대외협력팀 | 박영재 | 440,000원 |
| 734 | 2024-09-23 10시 | 22시 | 1-1-4 Oxid. 500Å | 삼성전자 | Power device팀 | 박종원 | 1,950,000원 |
| 735 | 2024-09-24 10시 | 16시 | 7-1-3 Thermal Oxidation 150Å | 포항공과대학교 | 반도체공학과 | 이지원 | 250,000원 |
| 736 | 2024-09-24 18시 | 24시 | 1-4-1 Thermal Oxidation 100Å | 포항공과대학교 대학원 | 반도체대학원 | 박휘승 | 520,000원 |
| 737 | 2024-09-30 8시 | 20시 | 2-1-4 Dry Oxid. | 현대모비스 | 전력반도체팀 | 강민기 | 1,300,000원 |
| 738 | 2024-10-04 14시 | 22시 | 2-1-4 Densify(900℃, 30min) | 포항공과대학교 | 선행기술팀 | 한성웅 | 440,000원 |
| 739 | 2024-10-08 14시 | 22시 | 1-1-4 Dry Oxidation 50~100Å | 현대모비스 | 전력반도체팀 | 강민기 | 1,300,000원 |
| 740 | 2024-10-15 14시 | 22시 | 0-1-2 Oxidation 5,000Å | (주)모이모션 | (주) 모이모션 | 최정례 | 0원 |
| 741 | 2024-10-16 11시 | 20시 | 7-3-2 Sac. Oxide 100Å | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 742 | 2024-10-17 13시 | 24시 | 8-1-4 Oxidation 100Å | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 743 | 2024-10-18 15시 | 24시 | 8-2-3 Densify | 삼성전자 | DS | 김태훈 | 0원 |
| 744 | 2024-10-21 13시 | 24시 | 8-5-1 Thermal Oxidation 120A | 나노융합기술원 | 대외협력팀 | 박영재 | 1,040,000원 |
| 745 | 2024-10-22 13시 | 21시 | 9-1-6 (선행) Densify(900℃, 30min) | 나노융합기술원 | 대외협력팀 | 박영재 | 440,000원 |
| 746 | 2024-10-26 13시 | 22시 | 9-1-6 Densify(900℃, 30min) | 나노융합기술원 | 대외협력팀 | 박영재 | 440,000원 |
| 747 | 2024-10-30 8시 | 16시 | 2-2-1 Densify(900℃, 30min) | 나노융합기술원 | 대외협력팀 | 박영재 | 440,000원 |
| 748 | 2024-11-01 8시 | 15시 | 1.3 Densify (24.10.10) | 현대모비스 | 전력반도체팀 | 강민기 | 550,000원 |
| 749 | 2024-11-06 10시 | 19시 | 2-1-3 Oxidation 3,000Å | (주)모이모션 | (주) 모이모션 | 최정례 | 0원 |
| 750 | 2024-11-07 8시 | 17시 | Densify(900℃, 30min) | 나노융합기술원 | 대외협력팀 | 박영재 | 400,000원 |
| 751 | 2024-11-14 16시 | 24시 | 3-1-4 Dry Oxid. | 현대모비스 | 전력반도체팀 | 강민기 | 1,300,000원 |
| 752 | 2024-11-15 11시 | 19시 | 3-2-4 Densify | 현대모비스 | 전력반도체팀 | 강민기 | 1,375,000원 |
| 753 | 2024-11-19 18시 | 4시 | POA(1150℃, 2hr) | 현대모비스 | 전력반도체팀 | 강민기 | 3,850,000원 |
| 754 | 2024-11-20 16시 | 3시 | 1150\\\'C , 240분 , N2->1.8L , NO->0.2L 진행 G_ox 600A 필요 |
주식회사 아이큐랩 | 제품기술 | 민영미 | 2,080,000원 |
| 755 | 2024-11-28 10시 | 24시 | 1150℃ NO anneal 1hr | 부산대학교 | 반도체공동연구소 | 윤효원 | 1,600,000원 |
| 756 | 2024-11-28 23시 | 9시 | 1150℃ NO anneal 90min | 부산대학교 | 반도체공동연구소 | 윤효원 | 1,900,000원 |
| 757 | 2024-11-29 10시 | 24시 | 1150℃ NO anneal 2hr | 부산대학교 | 반도체공동연구소 | 윤효원 | 1,900,000원 |
| 758 | 2024-12-18 9시 | 18시 | ICT과제 참여 기업 청구 | 크리모 주식회사 | 경영지원팀 | 김기동 | 2,490,909원 |
| 759 | 2024-12-23 8시 | 22시 | [ICT 제품화 제원사업] 4inch Dry Oxidation 150ea |
알파그래핀 주식회사 | 알파그래핀 주식회사 | 이상경 | 7,500,000원 |