NINT 나노융합기술원

PE-CVD - 1 장비일지

기자재관리번호 : B0000055-092002-A0000

No	장비이용내역			이용내역		사용자	장비이용료
No	시작일	종료일	세부내용	기관명	부서(학과명)	성명	확정금액
1	2010-01-05 16시	17시	Oxide 500A dep.	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
2	2010-01-07 13시	14시	Oxide 500A Dep.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	0원
3	2010-01-09 09시	10시	Oxide 3000A Dep.	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
4	2010-01-10 13시	14시	Oxide 1um Dep.	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
5	2010-01-12 11시	12시	Oxide 3000A Dep.	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
6	2010-01-13 15시	16시	Oxide Dep.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	0원
7	2010-01-15 11시	12시	Nitride Dep.	포항공과대학교	전자전기공학과	김성호	0원
8	2010-01-15 22시	23시	Oxide 1um Dep	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
9	2010-01-18 13시	14시	Oxide Dep.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	0원
10	2010-01-21 14시	17시	Oxide 3000A(2ea), Nitride 4000A(6ea)	나노기술집적센터	팹운영	김헌우	0원
11	2010-01-21 17시	18시	Nitride Dep.	포항공과대학교	전자전기공학과	김성호	0원
12	2010-01-23 15시	17시	Nitride Dep.	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
13	2010-01-25 13시	15시	Oxide Dep.	나노기술집적센터	팹운영	김헌우	0원
14	2010-01-25 15시	18시	Nitride Dep.	나노기술집적센터	팹운영	김헌우	0원
15	2010-01-26 18시	19시	Nitride Dep	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
16	2010-01-27 10시	12시	Nitride Dep.	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
17	2010-01-28 11시	12시	Nitride Dep.	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
18	2010-01-30 14시	15시	Nitride Dep.	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
19	2010-02-01 10시	12시	Deposition	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	225,000원
20	2010-02-01 15시	17시	Nitride 4000A Dep.	나노기술집적센터	팹운영	김헌우	0원
21	2010-02-08 10시	13시	Oxide Dep	대구경북과학기술원	나노바이오부	장환수	220,000원
22	2010-02-10 13시	15시	Oxide Dep.	부산대학교	mems실험실	이상민	180,000원
23	2010-02-16 10시	15시	Oxide 3000A Dep.	대구경북과학기술원	나노바이오부	장환수	220,000원
24	2010-02-17 14시	15시	Si Dep	포항공과대학교	기계공학과	황광석	75,000원
25	2010-02-17 18시	19시	Oxide Dep.	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
26	2010-02-22 16시	17시	Nitride Dep.	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
27	2010-03-03 13시	15시	Si 나노입자 passivation	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	150,000원
28	2010-03-04 14시	16시	Si 나노입자 passivation	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	150,000원
29	2010-03-05 15시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
30	2010-03-08 10시	11시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
31	2010-03-08 10시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
32	2010-03-09 14시	16시	Si nanocrystal Passivation	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	150,000원
33	2010-03-10 13시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
34	2010-03-15 13시	14시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
35	2010-03-16 13시	16시	Si nanocrystal Passivation	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	225,000원
36	2010-03-23 14시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
37	2010-03-24 21시	22시	Oxide dep	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
38	2010-03-25 10시	11시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
39	2010-03-30 10시	11시	Nitride Dep	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
40	2010-04-01 09시	10시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
41	2010-04-06 13시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
42	2010-04-07 16시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
43	2010-04-07 20시	21시	Oxide 3000A dep	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
44	2010-04-08 12시	15시	Nitride 1000A (4ea)	포항공과대학교	기계공학과	박병규	300,000원
45	2010-04-09 10시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
46	2010-04-09 14시	15시	Nitride Dep.	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
47	2010-04-13 16시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
48	2010-04-15 11시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
49	2010-04-15 19시	20시	Oxide Dep	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
50	2010-04-16 09시	11시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
51	2010-04-19 13시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
52	2010-04-22 11시	12시	Nitride Dep	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
53	2010-04-22 14시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
54	2010-04-23 11시	13시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
55	2010-04-26 10시	12시	소수성=>친수성 Test	포항공과대학교	기계공학과	김동섭	0원
56	2010-04-27 17시	18시	Nitride Dep.	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
57	2010-04-28 11시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
58	2010-04-28 15시	18시	SiO2 Dep. (5000A, 10000A, 15000A)	탑엔지니어링		이상국	320,000원
59	2010-04-28 19시	20시	Nitride Dep.	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
60	2010-05-01 13시	14시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
61	2010-05-03 16시	17시	Nitride Dep.	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	0원
62	2010-05-04 13시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
63	2010-05-07 13시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
64	2010-05-10 15시	17시	Oxide, Nitride Dep.	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
65	2010-05-11 13시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
66	2010-05-13 16시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
67	2010-05-15 13시	14시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
68	2010-05-17 13시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
69	2010-05-19 15시	16시	Oxide Depo.	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	0원
70	2010-05-21 13시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
71	2010-05-22 13시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
72	2010-05-24 13시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
73	2010-05-26 17시	18시	Oxide Depo.	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	0원
74	2010-05-28 13시	14시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
75	2010-05-28 14시	16시	Deposition of low temperature SiO2 10000A	탑엔지니어링		이상국	240,000원
76	2010-06-01 17시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
77	2010-06-03 13시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
78	2010-06-07 13시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
79	2010-06-08 13시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
80	2010-06-10 10시	12시	Etch Mask	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	240,000원
81	2010-06-10 15시	16시	Oxide Dep.	포항공과대학교	전자전기	박찬훈	64,000원
82	2010-06-10 17시	18시	Oxide Dep.	탑엔지니어링		이상국	80,000원
83	2010-06-11 10시	11시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
84	2010-06-11 19시	20시	Oxide Depo.	포항공과대학교	전자전기	박찬훈	40,000원
85	2010-06-14 14시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
86	2010-06-15 10시	12시	Oxide Dep. (Etch Mask)	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	160,000원
87	2010-06-16 10시	13시	Oxide Dep.	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	320,000원
88	2010-06-21 13시	16시	Oxide Dep. (etch mask)	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	320,000원
89	2010-06-22 12시	14시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
90	2010-06-23 15시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
91	2010-06-24 13시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
92	2010-06-24 15시	16시	Oxide Dep.	포항공과대학교	전자전기	박찬훈	64,000원
93	2010-06-28 10시	12시	Oxide Dep.	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
94	2010-06-28 13시	15시	Nitride passivation	포항공과대학교	기계공학과	홍종간	240,000원
95	2010-06-28 15시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
96	2010-06-30 17시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
97	2010-07-01 14시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
98	2010-07-05 13시	15시	Oxide Dep.	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	160,000원
99	2010-07-05 15시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
100	2010-07-06 10시	12시	Nitride Dep.	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	160,000원
101	2010-07-07 14시	17시	Oxide Dep.(NIL)	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
102	2010-07-08 15시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
103	2010-07-09 15시	17시	Oxide Dep. (5000A)	포항공과대학교	기계공학과	이상규	160,000원
104	2010-07-12 15시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
105	2010-07-13 15시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
106	2010-07-16 15시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
107	2010-07-19 10시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
108	2010-07-19 14시	17시	Oxide Dep.	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	400,000원
109	2010-07-20 13시	17시	Oxide Dep.	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	480,000원
110	2010-07-21 15시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
111	2010-07-23 10시	11시	SiN 7000A Dep. (@50)	포항공과대학교	기계공학과	김형모	80,000원
112	2010-07-26 15시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
113	2010-07-28 15시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
114	2010-07-30 15시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
115	2010-08-02 11시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
116	2010-08-05 11시	14시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
117	2010-08-10 13시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
118	2010-08-11 13시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
119	2010-08-13 13시	14시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
120	2010-08-16 10시	15시	SiN 1200A (22ea)	메이플세미컨덕터(주) 포항지점	생산기술팀	김동협	0원
121	2010-08-18 13시	14시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
122	2010-08-20 13시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
123	2010-08-24 13시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
124	2010-08-26 10시	12시	SiO2 3000A	포항공과대학교	화학공학과	최현호	80,000원
125	2010-08-26 16시	17시	SiN Dep.	메이플세미컨덕터(주) 포항지점	생산기술팀	김동협	0원
126	2010-08-27 13시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
127	2010-08-28 13시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
128	2010-08-29 13시	14시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
129	2010-08-30 09시	12시	a-Si Depo Test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
130	2010-08-31 09시	11시	SiO2 1000A_1500A_2000A	포항공과대학교	가속기연구소	김종현	240,000원
131	2010-08-31 11시	13시	SiO2 3000A_SiN 4000A	포항공과대학교	화학공학과	최현호	160,000원
132	2010-09-01 10시	12시	SiN 1um	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	80,000원
133	2010-09-01 14시	18시	SiN Depo.	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	320,000원
134	2010-09-02 10시	14시	SiN 1.5um (2ea)	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	480,000원
135	2010-09-02 14시	16시	SiN 4000A	포항공과대학교	화학공학과	최현호	80,000원
136	2010-09-02 16시	18시	SiN Dep.	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	128,000원
137	2010-09-03 10시	12시	SiN 2000A Dep.	포항공과대학교	기계공학과	박병규	240,000원
138	2010-09-03 15시	19시	SiN(2um,2ea), SiO2(6000A), SiO2 test	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	448,000원
139	2010-09-04 15시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
140	2010-09-05 15시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
141	2010-09-06 15시	18시	SiN(2um), SiN_SiO2 Dep Test(3ea)	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	320,000원
142	2010-09-07 13시	17시	SiN(2um,2ea), SiO2 2ea	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	512,000원
143	2010-09-08 10시	11시	a-Si	포스텍	전자전기공학과	조정현	80,000원
144	2010-09-09 10시	12시	a-Si Dep Test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
145	2010-09-09 13시	17시	SiN(1um 2ea, 5000A,2500A), SiO2(2um, 500A)	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	576,000원
146	2010-09-10 16시	18시	SiN (1um,1ea)	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	128,000원
147	2010-09-10 17시	18시	SiN Dep.	메이플세미컨덕터(주) 포항지점	생산기술팀	김동협	0원
148	2010-09-11 10시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
149	2010-09-11 13시	15시	SiN Dep.	메이플세미컨덕터(주) 포항지점	생산기술팀	김동협	0원
150	2010-09-11 16시	19시	SiO2(3ea, 2um 1ea), SiN(1um 2ea)	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	576,000원
151	2010-09-12 20시	22시	SiO2(2um 1ea, 1000A 1ea), SiN(1um 1ea)	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	320,000원
152	2010-09-13 15시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
153	2010-09-14 10시	13시	SiN(1um 2ea, 5000A)	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	256,000원
154	2010-09-14 14시	16시	SiO2 3000A	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	80,000원
155	2010-09-15 09시	11시	a-Si Dep Test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
156	2010-09-15 13시	16시	SiN(1um 2ea, 5000A), SiO2 1ea	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	320,000원
157	2010-09-16 12시	14시	SiN (1um 2ea)	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	256,000원
158	2010-09-17 14시	16시	SiO2 1000A	포항공과대학교	가속기연구소	김종현	240,000원
159	2010-09-18 10시	11시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
160	2010-09-18 14시	17시	SiN (1um 1ea),SiO2 (1um 2ea)	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	256,000원
161	2010-09-19 10시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
162	2010-09-19 15시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
163	2010-09-25 15시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
164	2010-09-26 15시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
165	2010-09-27 12시	19시	SiN(2um 1ea, 5000Å 4ea), SiO2 (1000Å 2ea)	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	512,000원
166	2010-09-28 15시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
167	2010-09-29 12시	13시	SiN Dep.	포항공과대학교	전자전기공학과	김성호	64,000원
168	2010-09-30 18시	19시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
169	2010-10-01 11시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
170	2010-10-01 13시	15시	SiO2(1um 2ea), SiN(5000A)	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	320,000원
171	2010-10-02 11시	12시	SiN(5000A)	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	64,000원
172	2010-10-04 11시	14시	SiO2(1000A 3ea, 2000A 3ea)	포항공과대학교	가속기연구소	김종현	480,000원
173	2010-10-05 11시	12시	SiN 1000A	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	64,000원
174	2010-10-05 13시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
175	2010-10-06 15시	17시	SiN 2000A 2ea	포항공과대학교	기계공학과	박병규	160,000원
176	2010-10-07 11시	13시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
177	2010-10-08 13시	16시	SiO2(1.5um 1ea, 1um 2ea)	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	384,000원
178	2010-10-12 11시	13시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
179	2010-10-14 11시	13시	SiO2 (1um 2ea, 5000A 1ea)	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	256,000원
180	2010-10-15 11시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
181	2010-10-15 15시	17시	SiO2(1um 2ea)	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	128,000원
182	2010-10-16 17시	18시	SIO2 (1um 2ea)	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	128,000원
183	2010-10-18 11시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
184	2010-10-18 14시	17시	Oxide Dep	(주)디엠에스		김성해	480,000원
185	2010-10-19 14시	16시	Oxide Dep.	(주)디엠에스		김성해	320,000원
186	2010-10-20 11시	13시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
187	2010-10-22 11시	14시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
188	2010-10-23 16시	19시	SiO2 (1um 2ea), SiN(1um 2ea)	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	320,000원
189	2010-10-24 15시	16시	SiO2 5000A	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	64,000원
190	2010-10-25 09시	10시	SiO2 1000A (SEM image 평가용)	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
191	2010-10-25 10시	14시	SiO2 5000A	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	780,000원
192	2010-10-25 15시	17시	SiO2 (1um 2ea)	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	128,000원
193	2010-10-26 11시	13시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
194	2010-10-27 11시	13시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
195	2010-10-27 14시	16시	SiO2 (5000A 1ea, 2um 1ea)	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	192,000원
196	2010-10-28 15시	16시	SiO2 Dep.	포항공과대학교	신소재공학과	변선정	80,000원
197	2010-10-29 10시	11시	SiO Dep.	포항공과대학교	신소재	유선영	80,000원
198	2010-10-29 11시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
199	2010-11-01 10시	12시	a-Si Dep Test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
200	2010-11-01 14시	15시	SiO2 5000A	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	64,000원
201	2010-11-02 16시	17시	SiO2 2000A	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	64,000원
202	2010-11-03 12시	13시	SiO2 2000A	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	64,000원
203	2010-11-03 15시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
204	2010-11-05 10시	11시	SiO2 5000A	포항공과대학교	신소재공학과	임경근	80,000원
205	2010-11-06 15시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
206	2010-11-07 15시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
207	2010-11-08 09시	11시	SiO2 Dep.	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	160,000원
208	2010-11-08 13시	16시	Oxide Dep.	(주)디엠에스		김성해	400,000원
209	2010-11-08 19시	20시	SiO2 3000A	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	64,000원
210	2010-11-10 18시	19시	SiO2 5000A	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	64,000원
211	2010-11-11 15시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
212	2010-11-12 11시	14시	SiO2 (1500A 1ea, 1um 4ea)	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	320,000원
213	2010-11-13 15시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
214	2010-11-15 15시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
215	2010-11-16 18시	21시	SiO2 (1500A 1ea, 1um 4ea)	포항공과대학교	신소재공학과	김성준	320,000원
216	2010-11-17 20시	21시	SiO2 (1um 2ea)	포항공과대학교	신소재공학과	김성준	128,000원
217	2010-11-20 15시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
218	2010-11-23 15시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
219	2010-11-24 10시	12시	Oxide Dep.	포항공과대학교	전자전기	박찬훈	128,000원
220	2010-11-25 13시	15시	SiO2 (1um 2ea)	포항공과대학교	신소재공학과	김성준	128,000원
221	2010-11-26 15시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
222	2010-11-27 15시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
223	2010-11-29 10시	15시	Chamber cleaning	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
224	2010-11-29 20시	22시	SiO2 (1um 2ea)	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	128,000원
225	2010-11-30 09시	10시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
226	2010-11-30 10시	12시	SiN (1um 2ea)	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	160,000원
227	2010-12-06 12시	17시	SiO2 (2um 5ea)	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	640,000원
228	2010-12-17 10시	13시	SiN 2000A, 3ea	포항공과대학교	기계공학과	이남우	240,000원
229	2010-12-17 14시	15시	SiN 100A, 500A	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	64,000원
230	2010-12-20 09시	10시	SiO2 1um Dep.	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	160,000원
231	2010-12-24 15시	17시	SiO2 1.2um Dep (GaN wafer Stress release)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	225,000원
232	2010-12-28 11시	12시	SiO2 200A	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
233	2010-12-30 15시	18시	SiON 5ea	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	192,000원
234	2011-01-01 13시	16시	SiON 1um, 4ea	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	320,000원
235	2011-01-03 13시	17시	SiON(1um, 4ea), SiN(1um, 2ea)	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	512,000원
236	2011-01-03 17시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
237	2011-01-04 16시	17시	Oxide 20nm	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
238	2011-01-05 16시	19시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
239	2011-01-06 11시	12시	Oxide Depo.	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
240	2011-01-07 10시	12시	SiO2 3000A (50도)	포항공과대학교	신소재공학과	김태식	192,000원
241	2011-01-08 15시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
242	2011-01-08 18시	19시	Oxide depo.	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
243	2011-01-10 17시	19시	SiN 1um	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	64,000원
244	2011-01-11 10시	12시	SiN 1um	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	64,000원
245	2011-01-11 14시	16시	SiO2 depo. 장비교육 및 etch test	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
246	2011-01-13 17시	19시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
247	2011-01-14 17시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
248	2011-01-15 17시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
249	2011-01-17 17시	19시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
250	2011-01-19 17시	19시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
251	2011-01-23 17시	19시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
252	2011-01-24 17시	20시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
253	2011-01-26 10시	12시	SiN 2000A 2ea	포항공과대학교	기계공학과	이남우	160,000원
254	2011-01-26 16시	17시	SiN Depo.	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
255	2011-01-27 14시	16시	SiN 2000A 2ea	포항공과대학교	기계공학과	이남우	160,000원
256	2011-01-27 16시	18시	SiN Depo 3ea	전북대학교	전자공학부	김기현	192,000원
257	2011-01-28 13시	14시	SiN depo	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
258	2011-01-29 17시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
259	2011-02-02 15시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
260	2011-02-05 15시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
261	2011-02-07 13시	15시	SiO2 5000A	포항공과대학교	신소재공학과	임경근	128,000원
262	2011-02-07 15시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
263	2011-02-07 19시	21시	Al2O3 Wet-Etching Test (SiN 3000A)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	300,000원
264	2011-02-08 14시	15시	Oxide Dep	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
265	2011-02-09 16시	17시	Oxide depo.	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
266	2011-02-10 15시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
267	2011-02-12 16시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
268	2011-02-12 17시	18시	SiN 1.5um	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	128,000원
269	2011-02-16 13시	16시	Al2O3 Wet etch_SiO2 depo.	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	420,000원
270	2011-02-16 16시	18시	SiO2 3000A Depo Test (@350도)	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
271	2011-02-18 16시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
272	2011-02-19 17시	18시	SiN 1.5um	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	128,000원
273	2011-02-20 16시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
274	2011-02-21 16시	19시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
275	2011-02-22 09시	15시	SiO2(0.5um, 1um, 1.5um), SiN(0.5um, 1um, 1.5um)	포항나노기술집적센터	팹운영부	변창섭	960,000원
276	2011-02-24 16시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
277	2011-02-26 16시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
278	2011-02-27 16시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
279	2011-03-02 09시	11시	4-5-1 Oxide depo. (S03-0131)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	480,000원
280	2011-03-02 17시	18시	Nitride 1000A	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
281	2011-03-03 11시	13시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
282	2011-03-06 11시	14시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
283	2011-03-07 13시	14시	SiO2, SiN Test 교육	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
284	2011-03-08 11시	12시	SiN depo	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
285	2011-03-09 17시	18시	SiO2 1000A	서강대학교	전자공학과	장정식	100,000원
286	2011-03-10 10시	12시	7-4-1 Oxide Depo. (S03-0131)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	150,000원
287	2011-03-10 17시	18시	Nitride depo.	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
288	2011-03-11 09시	11시	Oxide etch 교육	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
289	2011-03-14 09시	18시	2-4-1 Al2O3 depo. (S04-0221)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	2,700,000원
290	2011-03-15 09시	12시	Al2O3 Wet etch Test_KNU Al2O3 depo(RTP 800도_10분)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	480,000원
291	2011-03-16 10시	13시	5-4-1 PE Oxide Depo. (S04-0221)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	600,000원
292	2011-03-17 11시	13시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
293	2011-03-21 15시	16시	SiN depo.	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
294	2011-03-22 11시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
295	2011-03-23 21시	22시	Nitride depo.	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
296	2011-03-24 10시	12시	SiO2 5000A	포항공과대학교	신소재공학과	임경근	192,000원
297	2011-03-24 16시	17시	Nitride depo.	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
298	2011-03-25 11시	13시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
299	2011-03-28 15시	16시	Oxide, Nitride depo.	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	128,000원
300	2011-03-29 10시	11시	SiN depo	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	64,000원
301	2011-03-29 14시	15시	Oxide 5000A_300도	STX solar	연구개발팀	박도혁	100,000원
302	2011-04-05 13시	17시	Oxide_Nitride Depo.	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	800,000원
303	2011-04-11 14시	16시	SiO2_5000A_300도_5회	경북대학교	전자전기컴퓨터학부	김학린	500,000원
304	2011-04-12 14시	16시	Oxide depo. (5000A_2ea, 1um_2ea)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	570,000원
305	2011-04-15 09시	12시	SiN RI Test	포항공과대학교	신소재공학과	오승재	0원
306	2011-04-18 09시	11시	4-4-1 Oxide Depo. (S05-0328)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	450,000원
307	2011-04-18 13시	14시	Oxide 1000A depo	LG디스플레이		김민철	240,000원
308	2011-04-18 14시	18시	3-4-1 Al2O3 30nm 2ea (S05-0328)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	900,000원
309	2011-04-19 09시	13시	3-4-1 Al2O3 30nm 2ea (S05-0328)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	900,000원
310	2011-05-02 09시	11시	5-4-1 Oxide Depo (S06-0331)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	480,000원
311	2011-05-02 11시	13시	Al2O3 wet etch test_Al2O3 25nm	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	375,000원
312	2011-05-02 13시	15시	Oxide depo. 6회	LG Display	연구센터	김재현	480,000원
313	2011-05-03 13시	14시	SiO2 5000A_300도	경북대학교	전자전기컴퓨터학부	주경일	100,000원
314	2011-05-04 10시	11시	SiN Depo	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	64,000원
315	2011-05-04 15시	16시	Oxide depo	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
316	2011-05-09 10시	11시	Nitride 3000A	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	80,000원
317	2011-05-11 16시	18시	SiO2 1um	포항공과대학교	기계공학과	이상규	160,000원
318	2011-05-12 09시	12시	보호막증착	대구경북과학기술원	중앙기기센터	이봉호	330,000원
319	2011-05-15 16시	17시	Oxide depo.	포항공과대학교	전자전기공학과	강대건	64,000원
320	2011-05-16 10시	11시	Oxide_Al etchant etch Test	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	105,000원
321	2011-05-18 11시	13시	4-4-1 Oxide Depo. (S07a-0503)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	480,000원
322	2011-05-19 09시	11시	4-4-1 Oxide Depo (S08-0429)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	450,000원
323	2011-05-19 16시	17시	Oxide 1000A depo	포항공과대학교	화학공학과	김현호	64,000원
324	2011-05-23 09시	11시	S08 Al2O3 25nm_ 800도_10분 anneal etch test	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	480,000원
325	2011-05-23 15시	17시	SiO2 depo	포항공과대학교	전자전기공학과	강대건	192,000원
326	2011-05-24 11시	13시	6-5-1 Nitride Depo. (S08-0429)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	480,000원
327	2011-05-25 13시	17시	SiO2 2um 양면 Depo.	포스코 기술연구원	전기강판연구그룹	권민석	640,000원
328	2011-05-26 09시	13시	Oxide Depo	대구경북과학기술원	중앙기기센터	이봉호	800,000원
329	2011-05-26 13시	15시	4-4-1 Oxide Depo. (S09-0512)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	480,000원
330	2011-05-27 10시	11시	SiO2 1000A_300도	포항공과대학교	신소재	강기범	80,000원
331	2011-05-30 09시	13시	Oxide_Nitride Depo	대구경북과학기술원	중앙기기센터	이봉호	1,000,000원
332	2011-05-30 13시	14시	SiN 100A_300도_6초	포항공과대학교	화공과	조기희	80,000원
333	2011-05-31 10시	12시	SiN 2000A_300도	포항공과대학교	기계공학과	박병규	160,000원
334	2011-05-31 15시	16시	SiO2 7000A_200도	포항공과대학교	MSE	송양희	80,000원
335	2011-06-02 09시	11시	8-5-1 Oxide Depo (S08-0429)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	480,000원
336	2011-06-03 09시	11시	8-5-1 Oxide Depo. (S08-0429)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	480,000원
337	2011-06-03 10시	12시	Nitride Depo	포항공과대학교	전자전기공학과	강대건	128,000원
338	2011-06-07 21시	22시	Oxide depo	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	40,000원
339	2011-06-08 16시	17시	Nitride depo	포항공과대학교	전자전기공학과	강대건	64,000원
340	2011-06-09 09시	10시	SiO2_SiN depo.	포항공과대학교	화공과	조기희	160,000원
341	2011-06-09 20시	21시	Oxide depo	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	40,000원
342	2011-06-10 10시	11시	SiO2 7000A_200도	포항공과대학교	MSE	송양희	80,000원
343	2011-06-10 11시	13시	4-4-1 Oxide Depo. (S10-0518)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	510,000원
344	2011-06-10 19시	20시	Oxide depo	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	40,000원
345	2011-06-14 14시	16시	4-4-1 Oxide Depo. (S11-0526)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	480,000원
346	2011-06-20 11시	12시	Oxide 7000A_200도	포항공과대학교	MSE	송양희	80,000원
347	2011-06-22 09시	10시	8-4-1 Oxide Depo. (S09-0512)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	150,000원
348	2011-06-22 10시	13시	Metal etch Test_Oxide depo	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	540,000원
349	2011-06-23 15시	16시	SiO2 50A_SiN50A_SiN 300A	포항공과대학교	화공과	조기희	240,000원
350	2011-06-26 18시	19시	Oxide depo	포항공과대학교	전자전기공학과	강대건	40,000원
351	2011-07-01 09시	15시	3-5-1 Al2O3 ALD (S12-0609)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	930,000원
352	2011-07-01 20시	21시	Nitride depo	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	80,000원
353	2011-07-02 11시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
354	2011-07-04 11시	14시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
355	2011-07-06 09시	11시	4-4-1 Oxide depo. (S12-0609)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	480,000원
356	2011-07-06 11시	13시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
357	2011-07-06 20시	21시	Oxide 1000A	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	40,000원
358	2011-07-07 11시	12시	Oxide depo	포항공과대학교	신소재공학과	김범준	64,000원
359	2011-07-07 12시	13시	Oxide depo	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	64,000원
360	2011-07-07 13시	15시	8-4-1 Oxide Depo (S10-0518)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	480,000원
361	2011-07-08 16시	17시	Nitride depo	포항공과대학교	전자전기공학과	강대건	64,000원
362	2011-07-09 11시	13시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
363	2011-07-10 11시	13시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
364	2011-07-11 11시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
365	2011-07-11 18시	21시	SM01_3-5 Al2O3 depo (S14a-0629)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	450,000원
366	2011-07-12 16시	18시	Nitride 2000A	전북대학교	전자공학부	김기현	192,000원
367	2011-07-14 11시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
368	2011-07-15 11시	14시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
369	2011-07-18 11시	13시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
370	2011-07-21 17시	18시	8-4-1 Oxide Depo (S12-0609)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	330,000원
371	2011-07-22 11시	13시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
372	2011-07-23 11시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
373	2011-07-26 15시	16시	Oxide 8000A_Nitride 8000A	포항공과대학교	신소재공학과	김효은	160,000원
374	2011-08-01 11시	14시	Chamber Cleaning	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
375	2011-08-02 14시	15시	SiO2 1000A (@200도)	경북대학교	전자전기컴퓨터학부	이정희	100,000원
376	2011-08-02 15시	19시	3-5-1 Al2O3 depo (S14a-0725)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	780,000원
377	2011-08-03 13시	14시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
378	2011-08-03 17시	18시	SiO2 3000A_200도_2ea	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	200,000원
379	2011-08-03 20시	21시	Nitride 1000A	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	40,000원
380	2011-08-04 10시	11시	Oxide depo	포항공과대학교	전자전기	박찬훈	64,000원
381	2011-08-05 14시	15시	SiO2, SiN depo	포항공과대학교	신소재공학과	김효은	160,000원
382	2011-08-05 15시	16시	SiO2 3000A_2ea	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	200,000원
383	2011-08-05 17시	20시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
384	2011-08-08 14시	15시	Oxide 2000A depo	경북대학교	전자전기컴퓨터학부	이정희	100,000원
385	2011-08-08 15시	17시	Oxide_Nitride depo.	전북대학교	전자공학부	김기현	128,000원
386	2011-08-09 09시	11시	4-4-1 Oxide depo. (S13-0620)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	600,000원
387	2011-08-09 11시	12시	4-4-1 Oxide depo. (S14a-0725)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	300,000원
388	2011-08-09 15시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
389	2011-08-11 15시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
390	2011-08-13 16시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
391	2011-08-16 10시	11시	Oxide depo	경북대학교	전자전기컴퓨터학부	이정희	100,000원
392	2011-08-16 16시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
393	2011-08-18 09시	10시	SiO2 Power Split_2ea	포항공과대학교	신소재공학과	김효은	128,000원
394	2011-08-19 16시	17시	Oxide depo	포항공과대학교	신소재공학과	김효은	64,000원
395	2011-08-19 17시	19시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
396	2011-08-22 14시	18시	S19_S18a Al2O3 250A 선행	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	510,000원
397	2011-08-22 18시	20시	SiO2 1um depo	포스코 기술연구원	전기강판연구그룹	고현석	320,000원
398	2011-08-22 21시	23시	4-4-1 Oxide depo (S19-0810)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	630,000원
399	2011-08-23 10시	12시	Oxide depo	경북대	전자전기 컴퓨터	최영찬	300,000원
400	2011-08-23 14시	15시	Oxide depo 2ea	포항공과대학교	신소재공학과	이일환	128,000원
401	2011-08-23 15시	17시	4-4-1 Oxide depo (S18a-0809)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	480,000원
402	2011-08-23 17시	20시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
403	2011-08-24 10시	12시	Oxide depo 2회(김동석)	경북대학교	전자전기컴퓨터학부	이정희	200,000원
404	2011-08-24 13시	15시	Oxide depo 5000A	포항공과대학교	신소재공학과	이현승	80,000원
405	2011-08-25 10시	11시	Oxide depo 5000A, 2회 (노희연)	경북대학교	전자전기컴퓨터학부	김학린	200,000원
406	2011-08-25 15시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
407	2011-08-26 15시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
408	2011-08-29 17시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
409	2011-08-30 11시	13시	8-4-1 Oxide depo (S13-0620)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	480,000원
410	2011-08-30 14시	15시	Nitride depo (부찬호)	경북대학교	전자전기컴퓨터학부	이정희	100,000원
411	2011-08-30 15시	16시	SiO2 5000A_300도 (노희연)	경북대학교	전자전기컴퓨터학부	김학린	100,000원
412	2011-08-30 16시	18시	SiO2 1um	포항공과대학교	DANE 첨단원자력공학부	김설하	160,000원
413	2011-09-01 09시	13시	Oxide depo Split (500A,1000A,5000A,1um,2um)	포스코 기술연구원	전기강판연구그룹	고현석	720,000원
414	2011-09-01 17시	18시	8-4-1 Oxide depo (S18a-0809)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	480,000원
415	2011-09-02 15시	17시	8-4-1 Oxide depo (S19-0810)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	630,000원
416	2011-09-05 16시	17시	Oxide depo	경북대학교	전자전기컴퓨터학부	이정희	200,000원
417	2011-09-05 17시	22시	3-5-1 Al2O3 ALD (S16b-0803)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	1,500,000원
418	2011-09-06 09시	11시	4-4-1 Oxide(01,04)_Nitride(02) depo (S16b-0803)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	510,000원
419	2011-09-07 16시	17시	Oxide depo	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	128,000원
420	2011-09-07 20시	21시	Oxide depo	전북대학교	전자공학부	김기현	120,000원
421	2011-09-08 15시	18시	SiO2(2um, 3um, 5000A), SiN(2um)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	1,125,000원
422	2011-09-14 12시	14시	2-4-1 Oxide Depo (S20-0901)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	630,000원
423	2011-09-15 13시	15시	2-4-1 Oxide depo (S21-0909)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	555,000원
424	2011-09-16 15시	18시	SiO2 1000A_3ea, 2000A_2ea	포항공과대학교	신소재공학과	김효은	256,000원
425	2011-09-19 09시	14시	3-5-1 Al2O3 depo (S20-0901)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	1,230,000원
426	2011-09-19 14시	15시	Oxide depo	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	64,000원
427	2011-09-20 08시	09시	4-4-1 Oxide depo (S20-0901)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	330,000원
428	2011-09-20 18시	19시	oxide depo	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
429	2011-09-22 09시	14시	Oxide 4ea, Nitride 4ea	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	800,000원
430	2011-09-23 09시	13시	SiO2 1000A, 5000A, 1um, 2um, 3um	포스코 기술연구원	전기강판연구그룹	고현석	1,120,000원
431	2011-09-23 13시	18시	3-5-1 Al2O3 ALD (S21-0909)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	750,000원
432	2011-09-23 18시	19시	Oxide depo	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
433	2011-09-26 09시	14시	Oxide depo (3um, 3ea)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	1,350,000원
434	2011-09-28 15시	16시	Oxide depo	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
435	2011-09-30 13시	15시	SiO2 200A_Al2O3 100A	포항공과대학교	화학공학과	오유진	160,000원
436	2011-10-03 10시	16시	3-5-1 Al2O3 ALD (S17a-0901)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	1,350,000원
437	2011-10-04 15시	16시	4-4-1 Oxide depo (S17a-0901)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	180,000원
438	2011-10-04 22시	23시	Nitrde depo	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
439	2011-10-05 10시	11시	8-4-1 Oxide depo (S20-0901)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	330,000원
440	2011-10-05 11시	13시	TiN etch(SF6)_Oxide depo	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	315,000원
441	2011-10-05 13시	14시	Oxide depo	포항공과대학교	전자전기공학과	강대건	64,000원
442	2011-10-07 12시	13시	Oxide, Nitride depo	전북대학교	전자공학부	김기현	128,000원
443	2011-10-08 14시	16시	Nitride depo	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
444	2011-10-10 09시	13시	SiO2 3um 2ea	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	900,000원
445	2011-10-10 16시	17시	Nitride depo	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
446	2011-10-10 19시	20시	Oxide depo	포항공과대학교	전자전기공학과	강대건	40,000원
447	2011-10-14 14시	15시	Nitride depo	포항공과대학교	전자전기공학과	조동환	64,000원
448	2011-10-14 20시	21시	Nitride depo	포항공과대학교	전자전기공학과	강대건	40,000원
449	2011-10-18 09시	16시	3-5-1 Al2O3 ALD (S25-1004)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	1,350,000원
450	2011-10-19 09시	18시	Oxide 3um depo_5ea	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	1,500,000원
451	2011-10-20 16시	17시	Oxide depo	포항공과대학교	신소재공학과	하우진	80,000원
452	2011-10-25 16시	22시	3-5-1 Al2O3 ALD (S26-1017)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	900,000원
453	2011-10-26 17시	19시	4-4-3 Oxide depo (S26-1017)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	525,000원
454	2011-10-27 09시	16시	SiO2 depo_100A,1000A,1um 16회	포스코 기술연구원	전기강판연구그룹	고현석	1,280,000원
455	2011-11-01 11시	17시	Nitride 1500A	주식회사 아르케	연구개발	사공성환	320,000원
456	2011-11-02 11시	14시	Nitride depo	부산대학교	기계공학부	김형훈	180,000원
457	2011-11-07 09시	12시	SM01_Oxide 500A depo	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	420,000원
458	2011-11-07 12시	16시	SM01_Al2O3 250A depo_2ea	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	960,000원
459	2011-11-08 09시	11시	SM02_Oxide 500A depo	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	525,000원
460	2011-11-08 13시	14시	Nitride 1500A	서강대학교	전자공학과	장정식	100,000원
461	2011-11-09 11시	13시	SM02_Oxide depo	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	375,000원
462	2011-11-09 16시	17시	Oxide 1000A	포항공과대학교	신소재공학과	하우진	80,000원
463	2011-11-14 15시	16시	4-4-1 Oxide depo (S23-0928)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	405,000원
464	2011-11-15 17시	19시	3-4 Gate Capping (S27-1103)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	510,000원
465	2011-11-21 18시	19시	Nitride depo	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
466	2011-11-22 10시	14시	SM04_SiN etch test_PE-SiN depo	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	1,290,000원
467	2011-11-22 18시	21시	Oxide depo	포항공과대학교	전자과	백상원	240,000원
468	2011-11-23 09시	11시	6-5-1 Oxide depo (S27-1103)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	405,000원
469	2011-11-23 19시	22시	Oxide depo	포항공과대학교	전자과	백상원	240,000원
470	2011-11-24 13시	14시	SiN depo	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
471	2011-11-28 09시	12시	SiO2 depo 10ea	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	1,000,000원
472	2011-11-28 13시	17시	Nitride depo 10ea	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	1,000,000원
473	2011-11-28 17시	19시	SM04_SiN etch test_SiN,SiO2 depo	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	780,000원
474	2011-12-05 10시	12시	6-5-1 Nitride depo (S23-0928)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	405,000원
475	2011-12-05 12시	14시	3-4-1 Gate capping Ox depo (S28-1103)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	630,000원
476	2011-12-05 14시	16시	3-1-1 Nitride depo (S29-1114)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	630,000원
477	2011-12-05 16시	17시	3-1-2 Oxide depo (S29-1114)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	600,000원
478	2011-12-05 20시	21시	Oxide depo	포항공과대학교	전자전기공학과	강대건	40,000원
479	2011-12-06 09시	14시	Oxide depo 1000A_13ea	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	1,365,000원
480	2011-12-06 15시	18시	SiO2 1000A depo_6ea	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	450,000원
481	2011-12-07 11시	13시	3-4-1 Gate capping_Nitride (S30-1124)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	450,000원
482	2011-12-07 13시	15시	3-1-1 Nitride 1000A depo (S31-1128)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	525,000원
483	2011-12-07 15시	16시	3-1-3 Oxide 200A depo (S31-1128)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	525,000원
484	2011-12-07 16시	17시	SiO2_100A_200A	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	128,000원
485	2011-12-09 09시	14시	Oxide_Nitride depo	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	1,600,000원
486	2011-12-09 17시	18시	Nitride depo	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
487	2011-12-11 21시	22시	Nitride depo	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
488	2011-12-13 09시	11시	Oxide depo	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	780,250원
489	2011-12-13 13시	17시	SiO2 1000A_3000A_5000A	포항나노기술집적센터	팹운영부	변창섭	900,000원
490	2011-12-13 21시	22시	Nitride depo	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
491	2011-12-16 10시	13시	Oxide depo	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	985,000원
492	2011-12-19 09시	12시	SiO2 1000A_2회, 1um_2회	포스코 기술연구원	전기강판연구그룹	고현석	480,000원
493	2011-12-19 22시	23시	Nitride_Oxide depo	전북대학교	전자공학부	김기현	80,000원
494	2011-12-20 09시	15시	SD metal test_Oxide depo 12ea	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	1,485,000원
495	2011-12-21 09시	11시	SD metal test_Oxide depo 3ea	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	315,000원
496	2011-12-21 11시	14시	GaN Oxide depo 12ea	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	900,000원
497	2011-12-26 12시	13시	8-4-1 Oxide depo (S23-0928)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	300,000원
498	2011-12-26 13시	15시	8-4-2 Nitride depo (S23-0928)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	600,000원
499	2011-12-26 20시	21시	Oxide depo	포항공과대학교	전자과	백상원	160,000원
500	2011-12-28 17시	19시	SiO2 2um depo	포항공과대학교	전자과	백상원	256,000원
501	2012-01-04 14시	16시	S32 4-4-1 Nitride Depo.	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	255,000원
502	2012-01-04 18시	19시	Oxide 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
503	2012-01-05 10시	11시	4-4-3 Oxcide Depo 200	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	330,000원
504	2012-01-05 15시	17시	3-4-1 PE-SIN Depo 1000 ★과청구로 인한 할인율 적용	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	200,000원
505	2012-01-07 15시	16시	SiO2 Dep 진행	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
506	2012-01-09 09시	10시	Sio2 1000	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	375,000원
507	2012-01-11 09시	11시	Oxcide Depo 1000	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	750,000원
508	2012-01-11 14시	15시	8-4-1 Oxcide Depo 2000	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	405,000원
509	2012-01-11 15시	16시	8-4-3 Nitride Depo 8000	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	405,000원
510	2012-01-11 20시	21시	Ox 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
511	2012-01-12 16시	17시	TiN 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
512	2012-01-13 13시	15시	6-5-1 Oxcide Depo 2500	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	330,000원
513	2012-01-16 11시	13시	PE Oxide 1000,3000,5000A 증착	나노융합기술원	공정지원팀	김동은	300,000원
514	2012-01-16 20시	21시	Oxide 3000 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
515	2012-01-17 12시	13시	Oxide 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	64,000원
516	2012-01-18 16시	17시	SiON 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	64,000원
517	2012-01-19 13시	18시	TiON 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	320,000원
518	2012-01-19 20시	21시	Oxide 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
519	2012-01-20 09시	12시	6-5-1 Nitride Depo 2500	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	705,000원
520	2012-01-20 14시	15시	Oixide 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	64,000원
521	2012-01-25 10시	12시	Nitride 1500A 증착	서강대학교	전자공학과	이기봉	100,000원
522	2012-01-25 15시	16시	Oxide 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
523	2012-01-26 19시	20시	Oxide 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	80,000원
524	2012-01-30 14시	18시	Oxide 증착	나노융합기술원	공정지원팀	김동은	200,000원
525	2012-01-30 18시	19시	Oxide 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	256,000원
526	2012-01-31 10시	12시	Oxide 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	256,000원
527	2012-02-01 14시	18시	Oxide 증착	나노융합기술원	공정지원팀	김동은	160,000원
528	2012-02-01 18시	19시	Oxide 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	128,000원
529	2012-02-02 10시	11시	Oxide 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	64,000원
530	2012-02-06 11시	19시	Oxide 증착	나노융합기술원	공정지원팀	김동은	320,000원
531	2012-02-06 21시	23시	SiON 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	384,000원
532	2012-02-07 10시	11시	Nitride 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	64,000원
533	2012-02-07 11시	12시	Oxide 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	64,000원
534	2012-02-07 14시	16시	Oxide 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	320,000원
535	2012-02-07 16시	17시	Oxide 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	128,000원
536	2012-02-07 19시	21시	Oxide 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	256,000원
537	2012-02-08 09시	10시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
538	2012-02-08 09시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
539	2012-02-08 10시	12시	3-4-1 Gate Capping PE-SIN Depo ★과청구로 인한 할인율 적용	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	0원
540	2012-02-08 12시	13시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
541	2012-02-09 09시	10시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
542	2012-02-09 13시	17시	SiO2 및 Si2N4 증착	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	1,200,000원
543	2012-02-09 19시	20시	SiO2 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	40,000원
544	2012-02-10 09시	11시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
545	2012-02-10 15시	16시	SiO2 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	64,000원
546	2012-02-13 19시	22시	Oxide 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	384,000원
547	2012-02-14 16시	17시	Oxide 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	128,000원
548	2012-02-15 09시	10시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
549	2012-02-15 15시	17시	Oxide 증착	포항공과대학교	ITCE	박현진	200,000원
550	2012-02-15 16시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
551	2012-02-15 21시	22시	Nitride 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	128,000원
552	2012-02-16 09시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
553	2012-02-16 09시	11시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
554	2012-02-18 09시	11시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
555	2012-02-20 10시	12시	Nitride 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	192,000원
556	2012-02-20 12시	14시	6-5-1 Nitride Depo. ★과청구로 인한 할인율 적용	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	0원
557	2012-02-20 18시	19시	Oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
558	2012-02-21 08시	09시	Nitride 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	64,000원
559	2012-02-21 09시	12시	Oxide 증착	나노융합기술원	공정지원팀	김동은	240,000원
560	2012-02-22 09시	11시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
561	2012-02-22 19시	23시	Oxide 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	384,000원
562	2012-02-23 21시	22시	nitride 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	40,000원
563	2012-02-24 09시	18시	Metal Etch Test 위한 Oxide 증착	(주)디엠에스		김성해	3,000,000원
564	2012-02-24 17시	19시	8-4-1 Oxide Depo.(2000A) ★과청구로 인한 할인율 적용	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	0원
565	2012-02-27 09시	10시	Nitride 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	64,000원
566	2012-02-27 13시	14시	NItride 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
567	2012-02-28 17시	18시	Oxide 증착	나노융합기술원	공정지원팀	김동은	80,000원
568	2012-02-28 19시	20시	Nitride 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
569	2012-03-05 19시	20시	절연막 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	128,000원
570	2012-03-06 15시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
571	2012-03-06 16시	19시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
572	2012-03-06 16시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
573	2012-03-06 20시	21시	절연막 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	40,000원
574	2012-03-07 09시	11시	절연막 증착	나노융합기술원	공정지원팀	김동은	160,000원
575	2012-03-07 12시	13시	절연막 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	64,000원
576	2012-03-07 16시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
577	2012-03-07 16시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
578	2012-03-07 21시	22시	절연막 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	128,000원
579	2012-03-08 20시	21시	절연막 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	120,000원
580	2012-03-09 10시	12시	절연막 증착	나노융합기술원	공정지원팀	김동은	400,000원
581	2012-03-12 16시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
582	2012-03-12 16시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
583	2012-03-12 20시	21시	절연막 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	64,000원
584	2012-03-13 16시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
585	2012-03-13 16시	17시	절연막 증착	포항공과대학교	ITCE	박현진	256,000원
586	2012-03-13 20시	21시	절연막 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	40,000원
587	2012-03-14 14시	15시	절연막 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	64,000원
588	2012-03-14 16시	19시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
589	2012-03-15 10시	11시	절연막 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	64,000원
590	2012-03-15 12시	13시	절연막 증착	포항공과대학교	ITCE	박현진	64,000원
591	2012-03-15 14시	15시	절연막 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	64,000원
592	2012-03-16 14시	17시	절연막 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	320,000원
593	2012-03-16 16시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
594	2012-03-19 13시	15시	절연막 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	128,000원
595	2012-03-19 16시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
596	2012-03-21 09시	11시	절연막 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	192,000원
597	2012-03-21 13시	14시	절연막 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	64,000원
598	2012-03-21 14시	18시	절연막 증착	나노융합기술원	공정지원팀	김동은	434,000원
599	2012-03-22 20시	21시	절연막 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	128,000원
600	2012-03-22 21시	22시	절연막 증착	포항공과대학교	ITCE	정새벽	40,000원
601	2012-03-26 21시	22시	절연막 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	128,000원
602	2012-03-28 10시	11시	절연막 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	128,000원
603	2012-03-28 12시	12시	Solar Cell Wafer 평가 SiO2 30매, SiN 35매 진행	stx솔라	연구개발팀	김덕열	5,850,000원
604	2012-03-29 13시	17시	SiN 증착 1매(1500A)	서강대학교	전자공학과	이기봉	100,000원
605	2012-03-29 21시	22시	절연막 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	128,000원
606	2012-04-03 17시	18시	절연막 증착	포항공과대학교	화학공학과	김래호	64,000원
607	2012-04-05 16시	17시	절연막 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	192,000원
608	2012-04-06 20시	21시	SiO2/SiNx Deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	40,000원
609	2012-04-10 11시	12시	절연막 증착	포항공과대학교	신소재공학과	김효은	64,000원
610	2012-04-10 13시	15시	절연막 증착	포항나노기술집적센터	팹운영부	변창섭	100,000원
611	2012-04-10 16시	17시	절연막 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	64,000원
612	2012-04-11 15시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
613	2012-04-11 19시	21시	절연막 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	80,000원
614	2012-04-12 15시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
615	2012-04-13 15시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
616	2012-04-13 16시	17시	절연막 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	128,000원
617	2012-04-16 20시	21시	절연막 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	40,000원
618	2012-04-18 15시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
619	2012-04-19 15시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
620	2012-04-19 15시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
621	2012-04-24 15시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
622	2012-04-25 10시	12시	SiO2 증착(시편 1매)	POSCO	기술연구원 미래제품연구그룹	손창영	80,000원
623	2012-04-25 15시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
624	2012-04-26 15시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
625	2012-04-26 17시	18시	절연막 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
626	2012-04-27 13시	14시	절연막 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	64,000원
627	2012-04-27 15시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
628	2012-04-27 15시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
629	2012-04-29 10시	11시	절연막 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	64,000원
630	2012-05-02 10시	11시	절연막 증착	포항공과대학교	신소재공학과	김효은	64,000원
631	2012-05-03 11시	12시	SiO2 100nm 1매	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	80,000원
632	2012-05-04 10시	12시	절연막 증착	포항공과대학교	기계공학과	이남우	80,000원
633	2012-05-04 12시	18시	절연막 증착	나노융합기술원	공정지원팀	김동은	640,000원
634	2012-05-08 14시	15시	Chuck Temp : 300C SiO2 100nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	80,000원
635	2012-05-08 17시	18시	절연막 증착	포항공과대학교	신소재공학과	김효은	64,000원
636	2012-05-09 01시	02시	절연막 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
637	2012-05-09 10시	13시	절연막 증착	나노융합기술원	공정지원팀	김동은	240,000원
638	2012-05-09 14시	15시	절연막 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	64,000원
639	2012-05-10 09시	12시	계명대 교육실습 사용 - Nitride 증착	나노기술집적센터	구미분소	김두석	0원
640	2012-05-11 11시	12시	절연막 증착	포항공과대학교	기계공학과	허준성	0원
641	2012-05-14 13시	15시	절연막 증착	서강대학교	전자공학과	이기봉	100,000원
642	2012-05-14 15시	16시	SiO2 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	80,000원
643	2012-05-14 16시	17시	절연막 증착	포항공과대학교	기계공학과	박병규	320,000원
644	2012-05-14 17시	18시	절연막 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	64,000원
645	2012-05-15 09시	12시	절연막 증착	나노융합기술원	공정지원팀	김동은	160,000원
646	2012-05-16 14시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
647	2012-05-16 14시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
648	2012-05-16 14시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
649	2012-05-16 15시	16시	절연막 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
650	2012-05-17 09시	11시	절연막 증착	나노융합기술원	공정지원팀	김동은	160,000원
651	2012-05-17 11시	12시	절연막 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
652	2012-05-17 14시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
653	2012-05-17 14시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
654	2012-05-21 11시	12시	절연막 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
655	2012-05-21 14시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
656	2012-05-22 09시	11시	절연막 증착	나노융합기술원	공정지원팀	김동은	160,000원
657	2012-05-22 14시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
658	2012-05-22 14시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
659	2012-05-22 14시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
660	2012-05-22 14시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
661	2012-05-23 13시	14시	절연막 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	80,000원
662	2012-05-23 14시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
663	2012-05-29 15시	16시	절연막 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
664	2012-05-29 16시	18시	절연막 증착	포항공과대학교	기계공학과	서영상	240,000원
665	2012-05-30 09시	12시	절연막 증착	나노융합기술원	공정지원팀	김동은	240,000원
666	2012-05-31 10시	12시	절연막 증착 SiN	포항공과대학교	기계공학과	조원주	64,000원
667	2012-06-01 15시	16시	절연막 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
668	2012-06-06 16시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
669	2012-06-07 16시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
670	2012-06-15 16시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
671	2012-06-20 16시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
672	2012-06-20 18시	20시	Oxide, Nitride Dep	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	1,500,000원
673	2012-06-21 18시	20시	Oxide, Nitride Dep	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	1,500,000원
674	2012-06-22 16시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
675	2012-06-25 16시	19시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
676	2012-06-26 16시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
677	2012-06-27 16시	19시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
678	2012-06-27 16시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
679	2012-06-28 16시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
680	2012-06-29 16시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
681	2012-07-02 15시	16시	SiO2 증착	포항공과대학교	ITCE	정새벽	128,000원
682	2012-07-02 20시	21시	절연막 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	80,000원
683	2012-07-02 21시	22시	절연막 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	40,000원
684	2012-07-04 11시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
685	2012-07-04 21시	22시	SiO2 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	160,000원
686	2012-07-05 19시	20시	SiO2 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
687	2012-07-06 11시	13시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
688	2012-07-06 17시	18시	SiO2 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	80,000원
689	2012-07-09 14시	15시	SiO2 증착	포항공과대학교	ITCE	박현진	128,000원
690	2012-07-11 11시	14시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
691	2012-07-11 11시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
692	2012-07-12 11시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
693	2012-07-16 12시	13시	절연막 증착	포항공과대학교	ITCE	정새벽	64,000원
694	2012-07-17 15시	16시	절연막 증착	포항공과대학교	ITCE	정새벽	64,000원
695	2012-07-18 11시	13시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
696	2012-07-18 16시	20시	Oxide, Nitride Dep	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	3,900,000원
697	2012-07-19 10시	12시	SiO2 증착	포항공과대학교	신소재공학과	임태석	80,000원
698	2012-07-19 11시	13시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
699	2012-07-19 11시	13시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
700	2012-07-20 09시	12시	SiO2 증착	부경대학교	기계설계공학과	유동인	80,000원
701	2012-07-21 11시	14시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
702	2012-07-23 14시	15시	SiO2 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
703	2012-07-23 14시	17시	Oxide, Nitride Dep	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	3,700,000원
704	2012-07-23 15시	16시	SiO2 1000A Low Temp 40s	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
705	2012-07-24 15시	16시	SiO2 증착	포항공과대학교	ITCE	정새벽	64,000원
706	2012-07-26 14시	17시	SiO2 500nm 증착 (시편 5ea) High-Temp	부경대학교	기계설계공학과	유동인	80,000원
707	2012-07-29 22시	23시	SiO2 증착	포항공과대학교	ITCE	정새벽	40,000원
708	2012-07-30 11시	13시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
709	2012-07-31 11시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
710	2012-08-01 13시	17시	전기 강판 시편 6매 증착	포스코 기술연구원	전기강판연구그룹	권민석	480,000원
711	2012-08-02 09시	13시	SiN 1um 1매	부경대학교	기계설계공학과	유동인	128,000원
712	2012-08-02 15시	16시	4-4-1 TE2 Oxide depo.	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	200,000원
713	2012-08-05 18시	19시	SiN High temp Process	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
714	2012-08-06 11시	12시	L05M ILD Depo 1매, SiN 5000A	LG이노텍	차세대소자개발	서덕원	100,000원
715	2012-08-07 20시	21시	절연막 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	40,000원
716	2012-08-08 13시	14시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
717	2012-08-10 13시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
718	2012-08-13 13시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
719	2012-08-13 22시	23시	절연막 증착	포항공과대학교	ITCE	정새벽	40,000원
720	2012-08-15 13시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
721	2012-08-15 14시	19시	Oxide, Nitride Dep	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	3,700,000원
722	2012-08-16 13시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
723	2012-08-20 12시	13시	SiO2 증착	포항공과대학교	전기전자공학과	김성지	64,000원
724	2012-08-20 14시	16시	특성화고 교육(절연막 증착)	파워마스터반도체 주식회사	공정기술팀	기종	200,000원
725	2012-08-21 13시	14시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
726	2012-08-21 13시	14시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
727	2012-08-21 13시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
728	2012-08-21 13시	15시	절연막 증착	포항공과대학교	기계공학과	조항진	80,000원
729	2012-08-21 14시	16시	Silicon Deep Etch test(2매) SiO2 5000A 증착	LG이노텍	차세대소자개발	서덕원	200,000원
730	2012-08-21 16시	17시	특성화고 교육(절연막 증착)	파워마스터반도체 주식회사	공정기술팀	기종	200,000원
731	2012-08-21 18시	19시	절연막 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
732	2012-08-21 21시	22시	절연막 증착	포항공과대학교	전기전자공학과	김성지	40,000원
733	2012-08-22 13시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
734	2012-08-22 14시	16시	특성화고 교육(절연막 증착)	파워마스터반도체 주식회사	공정기술팀	기종	200,000원
735	2012-08-23 14시	16시	특성화고 교육(절연막 증착)	파워마스터반도체 주식회사	공정기술팀	기종	200,000원
736	2012-08-24 14시	16시	특성화고 교육(절연막 증착)	파워마스터반도체 주식회사	공정기술팀	기종	200,000원
737	2012-08-27 13시	14시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
738	2012-08-27 14시	16시	특성화고 교육(절연막 증착)	파워마스터반도체 주식회사	공정기술팀	기종	200,000원
739	2012-08-28 13시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
740	2012-08-28 14시	16시	특성화고 교육(절연막 증착)	파워마스터반도체 주식회사	공정기술팀	기종	200,000원
741	2012-08-28 21시	22시	Oxide 100나노 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
742	2012-08-29 14시	16시	특성화고 교육(절연막 증착)	파워마스터반도체 주식회사	공정기술팀	기종	200,000원
743	2012-08-30 14시	16시	특성화고 교육(절연막 증착)	파워마스터반도체 주식회사	공정기술팀	기종	200,000원
744	2012-09-03 09시	11시	SiO2 2um 시편 1매 증착	포항나노기술집적센터	팹운영부	변창섭	400,000원
745	2012-09-03 14시	18시	L08M Recess Contact PEP Test ILD PE-SiN 4매(GaN 3매+STD 1매) Tox=3000A	LG이노텍	차세대소자개발	서덕원	400,000원
746	2012-09-05 10시	15시	SiO2 증착(10매)	엠프리시젼		문우영	1,000,000원
747	2012-09-05 22시	23시	절연막 증착(3um)	포항공과대학교	ITCE	정새벽	240,000원
748	2012-09-06 10시	15시	SiO2 증착(10매)	엠프리시젼		문우영	1,000,000원
749	2012-09-06 14시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	504,000원
750	2012-09-06 16시	18시	L09M SiO2, SiNx 1000A 매 진행	LG이노텍	차세대소자개발	서덕원	0원
751	2012-09-11 10시	13시	SiO2 High Temp 100nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	80,000원
752	2012-09-11 14시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	576,000원
753	2012-09-12 20시	21시	절연막 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	40,000원
754	2012-09-13 11시	12시	SiO2 증착 low temp	부경대학교	기계설계공학과	유동인	80,000원
755	2012-09-17 14시	18시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	360,000원
756	2012-09-18 09시	13시	TE2 Oxide depo.	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	1,700,000원
757	2012-09-18 13시	15시	SiO2 Low temp 2um 증착	포항나노기술집적센터	팹운영부	변창섭	400,000원
758	2012-09-19 16시	17시	절연막 증착	포항공과대학교	ITCE	박현진	256,000원
759	2012-09-20 14시	18시	L11M PE-Nit Depo. 7매 + STD 1매 Test	LG이노텍	차세대소자개발	서덕원	830,000원
760	2012-09-20 20시	20시	SiO2, SiNx 150nm 증착 각 1매	명지대학교	전자공학과	이재민	200,000원
761	2012-09-21 15시	16시	절연막 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	64,000원
762	2012-09-25 10시	13시	SiO2 100nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	80,000원
763	2012-09-25 13시	14시	SiO2 2um 증착	포항공과대학교	ITCE	박현진	128,000원
764	2012-09-25 19시	20시	SiO2 증착	부경대학교	기계설계공학과	유동인	64,000원
765	2012-10-04 13시	17시	L15M (Si Etch Test 1차) PE-Ox Depo. 5매 1um	LG 이노텍	TS 생산기술	오정훈	1,000,000원
766	2012-10-05 20시	21시	절연막 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	40,000원
767	2012-10-08 10시	16시	L14M PE-Nit Depo.	LG이노텍	차세대소자개발	서덕원	930,000원
768	2012-10-08 16시	19시	0-2-2 Start SiO2 1um (GK03)	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	1,200,000원
769	2012-10-09 09시	13시	0-2-3 Start SiO2 3000A + SiN 1um (GK03)	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	1,800,000원
770	2012-10-10 01시	02시	절연막 증착	부경대학교	기계설계공학과	유동인	64,000원
771	2012-10-10 10시	13시	절연막 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	80,000원
772	2012-10-11 10시	10시	절연막 증착 SiO2 80nm	포항공과대학교	전자전기공학과	이기환	80,000원
773	2012-10-12 17시	18시	T_ox= 3±??um	(주) 펨토펩	연구개발부	윤진성	600,000원
774	2012-10-17 16시	20시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	576,000원
775	2012-10-18 22시	23시	절연막 증착	포항공과대학교	WCU	김진만	64,000원
776	2012-10-19 14시	17시	LE03 TiN Gate Etch Test Nitride Depo 1000A 6매	LG이노텍	차세대소자개발	서덕원	720,000원
777	2012-10-19 17시	19시	LD01 ILD Depo 3매	LG이노텍	차세대소자개발	서덕원	300,000원
778	2012-10-19 21시	22시	절연막 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
779	2012-10-24 11시	14시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	504,000원
780	2012-10-24 20시	21시	절연막 증착	부경대학교	기계설계공학과	유동인	64,000원
781	2012-10-24 21시	22시	절연막 증착	포항공과대학교	ITCE	정새벽	40,000원
782	2012-10-25 13시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	360,000원
783	2012-10-29 09시	12시	Oxide depo	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	600,000원
784	2012-10-29 12시	18시	SC02 PWEL PEP 평가 Run(PE-Ox Depo.) 2um 5매	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	2,400,000원
785	2012-10-30 11시	12시	Oxide depo	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	400,000원
786	2012-10-30 12시	18시	SC02 PWEL PEP 평가 Run(PE-Ox Depo.) 2um 5매	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	2,000,000원
787	2012-10-31 01시	02시	절연막 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
788	2012-10-31 09시	17시	SC02 PWEL PEP 평가 Run(PE-Ox Depo.) 2um 5매	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	800,000원
789	2012-11-02 10시	12시	SiO2 증착 2inch 10매 25/50nm	포항공과대학교	MSE	박준혁	320,000원
790	2012-11-02 15시	16시	SiO2 & SiNx 증착 total 2회	포항공과대학교	기계공학과	박수청	160,000원
791	2012-11-06 10시	15시	L15M Recess Contact 2차 PE-Nit Depo. (8매)	LG이노텍	차세대소자개발	서덕원	800,000원
792	2012-11-06 16시	17시	절연막 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	64,000원
793	2012-11-06 22시	23시	절연막 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
794	2012-11-07 12시	15시	LT02 Electric Characteristics(ILD) ILD deposit SiO2 & SiN 각 2매	LG이노텍	차세대소자개발	서덕원	0원
795	2012-11-07 16시	17시	SiO2 High Temp 230nm 증착	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
796	2012-11-07 20시	21시	절연막 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
797	2012-11-08 09시	11시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
798	2012-11-08 18시	19시	절연막 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
799	2012-11-12 09시	16시	Oxide, Nitride depo	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	900,000원
800	2012-11-13 01시	02시	절연막 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	40,000원
801	2012-11-13 10시	16시	SC04 MET1 PEP 평가 Run PE-Ox Depo.(10매)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	1,000,000원
802	2012-11-13 16시	18시	L13 ILD First Full Run_1차 1st IMD Depo (PE-Nitride, 2000A, 4매)	LG이노텍	차세대소자개발	서덕원	400,000원
803	2012-11-14 09시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
804	2012-11-14 10시	12시	Oxide depo Test	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	500,000원
805	2012-11-14 14시	16시	SiNx Low Temp	포항공과대학교	기계공학과	박수청	64,000원
806	2012-11-15 13시	16시	Nitride depo Test	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	500,000원
807	2012-11-16 10시	16시	a-Si depo Test	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	1,000,000원
808	2012-11-19 10시	16시	SC03 CONT PEP 평가 Run ILD Depo.(1um, 9매)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	1,800,000원
809	2012-11-20 09시	11시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
810	2012-11-20 10시	13시	Oxide_Nitride depo	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	1,000,000원
811	2012-11-20 17시	18시	절연막 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	64,000원
812	2012-11-21 09시	10시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
813	2012-11-21 09시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
814	2012-11-21 22시	23시	절연막 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	40,000원
815	2012-11-22 09시	10시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
816	2012-11-23 09시	10시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
817	2012-11-26 09시	11시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
818	2012-11-26 11시	14시	Deposition (NCNT 사용료)	포항공과대학교	기계공학과	제엽	1,000,000원
819	2012-11-26 20시	21시	절연막 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
820	2012-11-27 09시	18시	특성화고 교육(NST2)	포항나노기술집적센터	이용자서비스팀	김병수	5,000,000원
821	2012-11-28 09시	11시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
822	2012-11-28 09시	11시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
823	2012-11-28 09시	10시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	72,000원
824	2012-11-29 14시	15시	절연막 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	128,000원
825	2012-11-30 20시	23시	SiO2 증착	포항공과대학교	기계공학과	박수청	64,000원
826	2012-12-04 10시	13시	Depo_포항TP 지원 심화교육	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	600,000원
827	2012-12-05 09시	11시	절연막 증착 3매	포항공과대학교	기계공학과	박수청	192,000원
828	2012-12-06 10시	14시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	288,000원
829	2012-12-10 13시	16시	SiC_Oxide depo	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	600,000원
830	2012-12-10 19시	20시	절연막 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	40,000원
831	2012-12-12 10시	13시	SiC_Oxide depo	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	600,000원
832	2012-12-14 16시	17시	절연막 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	128,000원
833	2012-12-14 20시	20시	절연막 증착	포항공과대학교	WCU	김진만	64,000원
834	2012-12-17 15시	16시	SiC 단위 공정 평가( BV_1um PE-Ox ILD ) -PE-Oxide 증착 : Tox=1㎛, Depo Time=490sec, High Temp Condition(Chuck=300℃, Coolant=25℃), 1매	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	200,000원
835	2012-12-17 18시	19시	절연막 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
836	2012-12-18 13시	14시	SiN 증착 3회	포항공과대학교	융합생명공학	서은석	192,000원
837	2012-12-19 10시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	432,000원
838	2012-12-20 08시	13시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	360,000원
839	2012-12-20 09시	14시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	360,000원
840	2012-12-20 14시	17시	특성화고 교육 실습_Nitride(SiNx) 10매	포항나노기술집적센터	이용자서비스팀	김병수	1,000,000원
841	2012-12-21 14시	17시	특성화고 교육 실습_Oxide(SiO2) 10매	포항나노기술집적센터	이용자서비스팀	김병수	1,000,000원
842	2012-12-22 10시	11시	절연막 증착	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
843	2012-12-24 18시	19시	절연막 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
844	2012-12-26 10시	11시	Array LED용 Oxide depo	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	270,000원
845	2013-01-02 09시	11시	SC06 GATE PEP 평가 Run(수정) Gate Oxidation PE-Ox 1000A WF05~08(4매)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	400,000원
846	2013-01-02 12시	14시	SiC 단위공정 PE-Ox Etch Rate 평가 PE-Oxide 1um 2매	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	400,000원
847	2013-01-02 15시	16시	절연막 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	80,000원
848	2013-01-03 10시	18시	Oxide 2um_10ea	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	2,000,000원
849	2013-01-04 01시	02시	절연막 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	80,000원
850	2013-01-07 10시	11시	SC08 PWEL PEP 평가 Run_SiC Wafer PE-Oxide(목표두께: 2um on 4inch SiC Wafer, 1매)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	400,000원
851	2013-01-07 12시	13시	절연막 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
852	2013-01-07 14시	15시	PE-Nit 3000A on GaN (1매)_Anneal Defect 평가용(서덕원 연구원 요청)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	100,000원
853	2013-01-07 22시	23시	절연막 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	40,000원
854	2013-01-08 16시	18시	L17M Recess Contact 평가 3차 ILD Depo PE-Nitride 1000A(6매 + Test 1매)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	740,000원
855	2013-01-09 11시	13시	L16 ILD First Full Run_2차 1st IMD Depo PE-Nitride 2000A(4매 + Test 1매)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	540,000원
856	2013-01-09 14시	16시	SiC 단위공정 평가_Poly-Si 공정 온도 조건 Test PE-Oxide 증착 4매 : Tox=1000Å, Depo Time=42sec, High Temp Condition(Chuck=300℃, Coolant=25℃)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	400,000원
857	2013-01-10 21시	22시	절연막 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	40,000원
858	2013-01-12 18시	19시	절연막 증착	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
859	2013-01-14 10시	13시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
860	2013-01-15 16시	17시	SiC 단위공정 평가 _ PE-Ox(1um) Step Coverage_SC06-WF08 1매 증착	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	200,000원
861	2013-01-16 10시	12시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	144,000원
862	2013-01-16 13시	16시	TF_박막증착 실습	포항나노기술집적센터	이용자서비스팀	김병수	1,000,000원
863	2013-01-17 10시	12시	L16 ILD First Full Run_2차 2nd IMD PE-Nit Depo 3000A(WF03~05 3매 + Test Wafer 1매)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	440,000원
864	2013-01-17 10시	13시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	216,000원
865	2013-01-17 17시	18시	절연막 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	64,000원
866	2013-01-18 13시	15시	TF_Oxide depo 실습	포항나노기술집적센터	이용자서비스팀	김병수	600,000원
867	2013-01-18 16시	17시	절연막 증착	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
868	2013-01-22 21시	22시	절연막 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	80,000원
869	2013-01-23 10시	14시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	288,000원
870	2013-01-23 20시	21시	절연막 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	40,000원
871	2013-01-24 10시	14시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	288,000원
872	2013-01-28 10시	12시	0-1-1 ILD Depo	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	1,000,000원
873	2013-01-28 13시	15시	SiC MOSFET Process 단위 공정 평가_ P-Doped Poly-Si (DOE) : Resistivity, Rs Uniformity 등 공정결과에 주요한 영향을 미치는 인자를 선별(Screening Test) - Starting Wafer 제작 관련 PE-Oxide 1000A 8매 증착	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	800,000원
874	2013-01-28 20시	21시	절연막 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	40,000원
875	2013-01-29 15시	17시	L19M Recess Contact 4차_0-2-1 PE-Nit Depo. 8매(WF01~07 + Test 1매)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	840,000원
876	2013-01-29 22시	23시	절연막 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	40,000원
877	2013-01-31 10시	11시	절연막 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	64,000원
878	2013-01-31 17시	21시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	288,000원
879	2013-02-01 14시	15시	절연막 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	64,000원
880	2013-02-04 15시	16시	절연막 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	64,000원
881	2013-02-05 10시	12시	절연막 증착	포항공과대학교	화학공학과	이성규	64,000원
882	2013-02-05 13시	16시	0-3-1 ILD depo	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	800,000원
883	2013-02-07 10시	12시	절연막 증착	포항공과대학교	화학공학과	이성규	64,000원
884	2013-02-07 10시	17시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	504,000원
885	2013-02-07 12시	18시	SC07 MET1 Step Coverage 개선 Run 0-3-1 PE-Ox Depo. 1um WF01~05 총 5매	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	1,000,000원
886	2013-02-12 12시	13시	절연막 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	64,000원
887	2013-02-12 13시	16시	SiC Start wafer Oxide depo	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	1,000,000원
888	2013-02-12 16시	18시	SiO2 2um 4매(8inch)	(주)예스파워테크닉스	R&D	양창헌	1,440,000원
889	2013-02-13 09시	12시	LE05 MET1 Etch Test 0-2-1 PE-Nitride, 목표두께: 2000A WF01~04, WF06~09 (8매) *WF06~09(4매) : 6" STD Wafer 투입	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	960,000원
890	2013-02-13 14시	15시	절연막 증착	포항공과대학교	화학공학과	봉효진	64,000원
891	2013-02-13 15시	17시	SC09 Ni Wet Etch 평가 Run 0-2-1 PE-Oxide, 목표두께: 3000A, Time: 126s WF01~07(7매)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	700,000원
892	2013-02-14 15시	16시	4-4-1 PE-Nit Depo.	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
893	2013-02-16 14시	16시	절연막 증착 1회	포항공과대학교	신소재공학과	민성용	64,000원
894	2013-02-18 14시	18시	SiO2 100nm 150C 4inch 1매	포항공과대학교	전자전기공학과	이기환	80,000원
895	2013-02-21 10시	15시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	360,000원
896	2013-02-25 13시	14시	6-5-1 PE-SiN Depo.	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
897	2013-02-25 14시	15시	SiO2 100nm 시편 9개 (1회)	포항공과대학교	신소재공학과	민성용	80,000원
898	2013-02-26 11시	15시	L18 ILD First Full Run_3차 (4-4-1) 1st IMD Depo PE-Nit Depo. 2000A 6매(Test, WF01, WF03~06)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	640,000원
899	2013-02-26 16시	18시	SiO2 2um 증착 2매(8inch Si, 4inch SiC wafer 각 1매)	(주)예스파워테크닉스	R&D	양창헌	720,000원
900	2013-02-27 08시	16시	Oxide, Nitride Dep	메이플세미컨덕터(주) 포항지점		국재근	576,000원
901	2013-02-27 16시	18시	LT03 1st IMD Thermal Damage Test (1-4-1) 1st IMD Depo PE-Ox & Nit (6회)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
902	2013-03-06 12시	13시	SiO2 3000A (PQR/김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	64,000원
903	2013-03-06 14시	15시	Oxide depo	포항공과대학교	창의IT융합공학과	백창기	400,000원
904	2013-03-07 23시	24시	2인치 실리콘 위에 SiO2 증착	삼성전자 종합기술원	기반기술 Lab.	박준혁	64,000원
905	2013-03-12 11시	12시	BV Measurement Test Wafer 제작	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	0원
906	2013-03-14 15시	16시	Oxide depo	포항공과대학교	창의IT융합공학과	백창기	260,000원
907	2013-03-18 10시	11시	L18 ILD First Full Run_3차 (6-5-1) 2nd IMD Depo PE-Nitride, 목표두께: 3000A 선행 포함 2매 진행	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	240,000원
908	2013-03-18 16시	17시	PE-Oxide 10nm, 50nm, 100nm 증착 6inch STD Si wafer 3매	포항공과대학교	창의IT융합공학과	백창기	360,000원
909	2013-03-19 10시	11시	SiO2 500nm 증착	포항공과대학교	화학공학과	봉효진	64,000원
910	2013-03-19 11시	14시	LE07 PE-Ox M1OP Etch Test (0-2-1)1st IMD Depo PE-Oxide, 목표두께: 2000A, 선행 포함 6매 진행	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	640,000원
911	2013-03-19 15시	17시	SiO2 2um on 8inch Si 2매 + SiO2 100A on 3inch SiC 1매	(주)예스파워테크닉스	R&D	양창헌	450,000원
912	2013-03-21 10시	12시	SiO2_18nm 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
913	2013-03-21 20시	21시	SiO2 1000A (PQR/김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	64,000원
914	2013-03-22 13시	14시	SiO2 400nm 증착	포항공과대학교	화학공학과	봉효진	64,000원
915	2013-03-23 17시	17시	SiO2 코팅	포항공과대학교	WCU	김진만	64,000원
916	2013-03-25 10시	12시	L21M Recess Contact 평가_5차 (3-4-1) 1st IMD Depo (WF1~3, WF6 SiN 2000A +WF4~5 SiO2 2000A+ 선행 SiN 1매) Total 7매 진행	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	740,000원
917	2013-03-25 13시	14시	단위공정 테스트, SiO2 2um 1매	(주)예스파워테크닉스	R&D	양창헌	144,000원
918	2013-03-25 20시	21시	PE-CVD_Oxidation_SiC_Power Group(Hyunjin)	포항공과대학교	전자과	백상원	128,000원
919	2013-03-26 14시	15시	연구개발 SiO2 1um 1매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	72,000원
920	2013-03-28 9시	10시	단위공정테스트/SiO2 증착	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	144,000원
921	2013-03-29 14시	15시	PE-CVD_Oxidation_Power Group_Hyunjin	포항공과대학교	전자과	백상원	64,000원
922	2013-04-01 11시	12시	연구개발, SiO2 증착 2매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	144,000원
923	2013-04-02 17시	18시	SiO2 1000A (김태희/PQR)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	64,000원
924	2013-04-03 13시	15시	LE09 RCSS_CF4 Etch Gas Test (0-2-1) PE-Ox Depo. 2000A 2매	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	200,000원
925	2013-04-04 9시	10시	연구개발	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	144,000원
926	2013-04-05 14시	15시	SiO2 50nm 증착	삼성전자 종합기술원	기반기술 Lab.	박준혁	64,000원
927	2013-04-05 16시	17시	SiN 100nm 증착 25번 웨이퍼	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	80,000원
928	2013-04-05 9시	10시	연구개발 / SiO2 2um 증착 1매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	144,000원
929	2013-04-10 10시	11시	LE10 Etch Polymer Test (0-2-1) 1st IMD Depo PE-Oxide, 목표두께: 2000A 2매	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	200,000원
930	2013-04-10 12시	13시	SiO2 500nm 증착	포항공과대학교	화학공학과	봉효진	64,000원
931	2013-04-11 13시	14시	LE10 Etch Polymer Test (0-4-1) 1st IMD Depo PE-Oxide, 목표두께: 2000A 1매	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	100,000원
932	2013-04-11 14시	15시	LE10 Etch Polymer Test (0-5-1) 2nd IMD Depo PE-Nitride, 목표두께: 3000A 2매	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	200,000원
933	2013-04-12 12시	13시	SiO2 5000A 1매	포항공과대학교	WCU	김진만	64,000원
934	2013-04-15 11시	12시	연구개발 SiO2 3um 증착 1매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	216,000원
935	2013-04-15 16시	17시	연구개발 SiO2 3um 1매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	216,000원
936	2013-04-16 11시	12시	sio2 depo 1um	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	64,000원
937	2013-04-16 14시	15시	SiO2 1000/2000/3000A 각 1매 + SiN 3000A 1매(총 4매)	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
938	2013-04-17 10시	12시	Geko Pad SiO2 5um 성장	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
939	2013-04-18 15시	16시	연구개발 SiO2 3um 1매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	216,000원
940	2013-04-19 10시	11시	연구개발 SiO2 3um 2매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	432,000원
941	2013-04-20 23시	24시	조각시편 10mm x 10mm 에 SiO2증착	포항공과대학교	WCU	김진만	64,000원
942	2013-04-22 20시	21시	SiO2 deposition	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
943	2013-04-23 10시	11시	연구개발 SiO2 2um 1매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	144,000원
944	2013-04-23 14시	17시	연구개발 SiO2 3um 3매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	648,000원
945	2013-04-23 9시	10시	SiO2 50nm 증착	포항공과대학교	화학공학과	이성규	64,000원
946	2013-04-25 15시	17시	SiO2 1000A, 3um 각 1매 증착	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	288,000원
947	2013-04-29 10시	13시	SiO2 증착(과제번호:4.0008635.02)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	320,000원
948	2013-04-29 15시	16시	Gecko Pad Sample 제작 : SiO2 1um 2매	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
949	2013-04-30 13시	14시	SIO2 500NM	포항공과대학교	화학공학과	봉효진	64,000원
950	2013-04-30 15시	16시	Gecko Pad Sample 제작 : SiO2 5um 1매	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
951	2013-05-03 11시	14시	L22 N-OFF Full Run_1차 (4-4-1) 1st IMD Depo PE-oixde, 목표두께: 2000A WF01~06 (6매)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
952	2013-05-03 15시	18시	L24M Recess ohmic 7차 (4-4-1) 1st IMD Depo PE-oixde, 목표두께: 2000A WF01~05, WF11(6매)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
953	2013-05-03 19시	20시	SiO2 18nm 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
954	2013-05-08 13시	15시	SiO2 증착(과제번호:4.0008635.02)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	240,000원
955	2013-05-09 10시	12시	연구개발 SiO2 3um 2매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	480,000원
956	2013-05-09 15시	17시	L22 N-OFF Full Run_1차 (6-5-1) 2nd IMD Depo PE-Nitride, 목표두께: 3000A 6매	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
957	2013-05-10 14시	15시	연구개발 PE-Ox 3um 1매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	240,000원
958	2013-05-10 17시	18시	연구개발 PE-Ox 3um 2매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	480,000원
959	2013-05-10 18시	21시	연구개발 PE-Ox 2um 1매 / 3um 2매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	640,000원
960	2013-05-12 15시	15시	SiO2 500um 1매	포항공과대학교	WCU	김진만	64,000원
961	2013-05-13 11시	13시	L25 ILD First Full Run_5차 (4-4-1) 1st IMD Depo PE-Oxide, 목표두께: 2000A 4매	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
962	2013-05-13 14시	18시	LT05 PE-Ox Depo.(1-1-1) Deposition Condition Splited WF01~07 7매	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	700,000원
963	2013-05-14 10시	11시	연구개발 SiO2 3um 1매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	240,000원
964	2013-05-14 11시	12시	연구개발 SiO2 3um 1매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	240,000원
965	2013-05-14 13시	18시	LT07 PE-Ox Reproducibility (1-1-2), (3-1-2) PE-Ox Depo. 300/350C 각 4매 총 8매	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	800,000원
966	2013-05-15 14시	17시	연구개발 SiO2 3um 3매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	720,000원
967	2013-05-16 13시	18시	Thinfilm (NCNT 사용료)	포항공과대학교	기계공학과	제엽	1,000,000원
968	2013-05-20 11시	12시	연구개발 SiO2 증착	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	80,000원
969	2013-05-21 19시	15시	MEMS센서 파운드리 기술 지원을 위한 기술정보 분석기술 확보 지원(4.0009012.01)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	500,000원
970	2013-05-21 20시	21시	Ti(25nm)/GaN(2um) SiO2 증착	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
971	2013-05-23 12시	13시	연구개발	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	160,000원
972	2013-05-28 11시	12시	연구개발 SiO2 3um 1매	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	240,000원
973	2013-05-28 9시	10시	연구개발 SiO2 3um 1매	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	240,000원
974	2013-05-29 16시	17시	연구개발 SiO2 2um 1매	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	160,000원
975	2013-05-31 13시	15시	연구개발 SiO2 3um 1매	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	240,000원
976	2013-05-31 16시	17시	연구개발 SiO2 2um 1매	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	160,000원
977	2013-06-05 13시	17시	L27M Recess ohmic 8차 (3-4-1) 1st IMD Depo PE-Oxide, 목표두께: 2000A WF06~10, WF22 (6매)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
978	2013-06-05 17시	18시	L25-1 ILD First Full Run_6차 (4-4-1) 1st IMD Depo PE-Oxide, 목표두께: 2000A WF05~06 2매	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	200,000원
979	2013-06-10 14시	15시	SiO2 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	56,000원
980	2013-06-14 13시	14시	L25-1 ILD First Full Run_6차 (6-5-1) 2nd IMD Depo PE-Nit Depo. 총2매 2회	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	200,000원
981	2013-06-14 16시	17시	Gecko PE-Oxide 2um 증착 총 2매 4회	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	320,000원
982	2013-06-17 10시	14시	L26 ILD First Full Run_6차 (4-4-1) 1st IMD Depo PE-Oxi Depo 총 6매 6회	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
983	2013-06-17 16시	17시	연구개발 SiO2 3um 1매 ★ 바우처 재신청 ★	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	0원
984	2013-06-17 21시	22시	Oxide 50nm 증착 (JNT / 이호준)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
985	2013-06-19 1시	2시	Oxide 1um 증착 Graphene 그룹(최보식:01071257256)	포항공과대학교	ITCE	정새벽	56,000원
986	2013-06-24 13시	16시	L26 ILD First Full Run_6차 (6-5-1) 2nd IMD Depo PE-Nit Depo. Test Wafer 포함 총 5매 5회	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	540,000원
987	2013-06-24 17시	19시	Oxidation_SiC_2um_Power_Hyunjin	포항공과대학교	전자과	백상원	112,000원
988	2013-06-25 16시	17시	★ 중기청 바우처로 30만원 결재 _ 김병수 ★	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	300,000원
989	2013-06-26 10시	11시	Gecko SiNx 1um 2매	포항나노기술집적센터	연구개발부	전영권	160,000원
990	2013-06-26 14시	15시	연구개발 SiO2 2um 직접 사용	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	200,000원
991	2013-07-01 11시	12시	연구개발 SiO2 2um 1매	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	200,000원
992	2013-07-02 10시	11시	연구개발 SiO2 0.5um 3매	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	300,000원
993	2013-07-03 10시	12시	Oxide depo	이코니	이코니	김준우	810,000원
994	2013-07-08 15시	17시	연구개발 SiO2 2um 3매	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	600,000원
995	2013-07-09 15시	16시	SiO2 1000A 김태희	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
996	2013-07-10 10시	11시	SiN 1um증착 Graphene그룹(최보식 01071257256)	포항공과대학교	ITCE	정새벽	70,000원
997	2013-07-10 2시	3시	Oxide 증착 (JNT / 이호준 / 010-2547-9641) 50nm	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
998	2013-07-11 11시	12시	sio2 depo	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	64,000원
999	2013-07-12 18시	20시	L28 ILD First Full Run_7차 (6-5-1) 2nd IMD Depo PE-Nit Depo. 총 5매 5회	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	530,000원
1000	2013-07-12 21시	22시	50nm SiO2 증착	삼성전자 종합기술원	기반기술 Lab.	박준혁	64,000원
1001	2013-07-17 8시	11시	H2 Plasma 처리를 통한 박막 특성 변화 실험(H2 분압 Split), 3회 차세대 나노융합 소재부품 상용화 지원(4.0009536.01)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	240,000원
1002	2013-07-18 14시	15시	SiO2 1000A (김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
1003	2013-07-18 17시	18시	시편제작 SiO2 500nm 2매	부경대학교	기계설계공학과	유동인	128,000원
1004	2013-07-22 14시	15시	si	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	64,000원
1005	2013-07-22 16시	17시	(High temperature 공정) SiO2 증착 (50nm) sapphire 기판 위 성장된 GaN 기반 LED에 SiO2 50nm를 증착하려 합니다.	부경대학교	차세대반도체공학전공	김동영	80,000원
1006	2013-07-22 9시	11시	H2 Plasma 처리를 통한 박막 특성 변화 실험(H2 Plasma Time Split), 3회 차세대 나노융합 소재부품 상용화 지원(4.0009536.01)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	240,000원
1007	2013-07-24 10시	11시	단위공정 개발 SiO2 2300nm 2매	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	400,000원
1008	2013-07-24 13시	14시	단위공정 개발 SiO2 700nm 4매	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	400,000원
1009	2013-07-26 10시	11시	단위공정 개발 SiO2 2.3um 1매	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	200,000원
1010	2013-07-26 11시	12시	SiO2 1000A (김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
1011	2013-07-29 11시	12시	단위공정 개발 SiO2 증착	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	300,000원
1012	2013-07-29 14시	15시	단위공정 개발 SiO2 증착 2.3um	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	200,000원
1013	2013-07-30 10시	15시	L29 Ohmic First Full Run_1차 (6-7-1) 2nd IMD Depo WF16,17,18,24 & 선행 Test Wafer 총5매	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	540,000원
1014	2013-07-31 13시	14시	SiO2 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	64,000원
1015	2013-08-01 9시	12시	SiO2 2um, 700nm 2매 (3회)증착	포항공과대학교	전자과	백상원	168,000원
1016	2013-08-02 13시	15시	SiO2 2um 2매 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	224,000원
1017	2013-08-02 20시	21시	SiO2 PECVD 증착 1um 2매	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
1018	2013-08-07 10시	12시	단위공정 (8/6) SiO2 2.3um 3매, (8/7) SiO2 2.3um 3매	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	1,200,000원
1019	2013-08-07 13시	14시	si3n4 depo	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	56,000원
1020	2013-08-07 23시	24시	시편제작 SiO2 0.5um 1매	부경대학교	기계설계공학과	유동인	64,000원
1021	2013-08-08 13시	15시	단위공정 (8/8) SiO2 2um 2매, (8/8) SiO2 2.3um 2매, (8/9) SiO2 2.3um 2매	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	1,200,000원
1022	2013-08-09 14시	17시	단위공정SiO2 2.3um 5매(8/12)	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	1,000,000원
1023	2013-08-09 17시	18시	L29 Ohmic First Full Run_1차 2nd IMD Depo PE-Nit Depo. WF 19, 20, 23 총 3매 3회	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	300,000원
1024	2013-08-10 21시	22시	SiO2 5000A 증착	부경대학교	기계설계공학과	유동인	64,000원
1025	2013-08-13 15시	16시	SiO2 50nm 증착 (JNT / 이호준) 010-2547-9641	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
1026	2013-08-19 16시	17시	단위공정 SiO2 2.3um 2매(8/14) 2.3um 3매(8/16) 0.7um 1매(8/19) 직접사용	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	1,200,000원
1027	2013-08-19 20시	21시	SiO2 5000A 증착	부경대학교	기계설계공학과	유동인	64,000원
1028	2013-08-20 10시	11시	si3n4	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	56,000원
1029	2013-08-20 13시	15시	단위공정SiO2 0.7um 1매(8/20) 2.3um 1매(8/20) 2.3um 1매(8/21)	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	200,000원
1030	2013-08-23 10시	11시	단위공정 SiO2 2um 1매(8/22)	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	400,000원
1031	2013-08-26 15시	17시	단위공정 SiO2 2um 2매(8/26)	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	400,000원
1032	2013-08-27 14시	15시	SiO2 1000A (김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
1033	2013-08-27 17시	18시	SiO2 on Si	포항공과대학교	ITCE	박현진	56,000원
1034	2013-08-29 10시	12시	si3n4 depo	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	112,000원
1035	2013-08-29 13시	15시	단위공정 SiO2 2.3um 1매(8/27) 2700A 2매(8/28) 0.7um 3매(8/29)	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	500,000원
1036	2013-08-30 14시	15시	si 절연막 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	112,000원
1037	2013-09-03 10시	11시	SiO2 50nm 증착 (JNT / 이호준 / 010-2547-9641) SiO2 High 레시피로 증착 부탁드립니다. (300도) 샘플은 오전 10시에 클린룸 내에서 전해 드리도록 하겠습니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
1038	2013-09-04 14시	15시	High temperature 공정으로 SiO2 증착 (두께 50nm) (sapphire 기판 위 성장된 AlGaN 기반 LED에 고품위 SiO2 50nm를 증착하려 합니다.)	부경대학교	차세대반도체공학전공	김동영	80,000원
1039	2013-09-05 10시	12시	단위공정 개발 SiO2 2.3um 2매(9/4)	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	400,000원
1040	2013-09-05 13시	14시	SiO2 1000A	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
1041	2013-09-05 14시	16시	SiO2 10nm, 2매(9/2), 500nm 3매(9/5) 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	280,000원
1042	2013-09-05 16시	17시	sio2 780A	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	56,000원
1043	2013-09-06 11시	13시	SiO2 1um 2매(9/6)	포항공과대학교	전자과	백상원	112,000원
1044	2013-09-09 13시	14시	si3n4 1450A	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	56,000원
1045	2013-09-09 17시	18시	SiO2 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	112,000원
1046	2013-09-09 9시	12시	L30 ILD First Full Run_8차 2nd IMD Depo PE-Nit Depo. 5000A 총 8매 6회	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	600,000원
1047	2013-09-10 14시	15시	SiO2 5000A 증착	부경대학교	기계설계공학과	유동인	64,000원
1048	2013-09-10 14시	17시	SiO2 2.3um 4매(9/10)	포항공과대학교	전자과	백상원	448,000원
1049	2013-09-11 10시	11시	옥사이드 10나노	전북대학교	전자공학부	김기현	56,000원
1050	2013-09-12 10시	12시	단위공정 SiO2 2.3um 1매(9/16)	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	400,000원
1051	2013-09-12 14시	15시	si3n4 depo	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	56,000원
1052	2013-09-13 18시	19시	SiO2 증착 (JNT / 이호준)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
1053	2013-09-16 15시	20시	단위공정 SiO2 2.3um 1매(9/16)	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	1,200,000원
1054	2013-09-16 17시	19시	SiO2 5000A 4매(9/16)	포항공과대학교	전자과	백상원	224,000원
1055	2013-09-23 11시	12시	pr patterning (si3n4)	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	56,000원
1056	2013-09-23 14시	15시	SiO2 증착(직접->서비스 변경)	부경대학교	차세대반도체공학전공	김동영	80,000원
1057	2013-09-23 16시	17시	SiO2 1000A (김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
1058	2013-09-24 8시	9시	sio2_500nm 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	56,000원
1059	2013-09-26 10시	11시	SiO2 증착	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
1060	2013-09-26 14시	15시	si3n4 deposition(450s)	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	56,000원
1061	2013-09-27 20시	21시	SiN 증착	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
1062	2013-09-30 13시	14시	단위공정 SiO2 2um 1매(9/30)	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	200,000원
1063	2013-10-02 20시	21시	SiO2 3000A	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
1064	2013-10-04 14시	15시	oxide_300nm_Hyunjin	포항공과대학교	ITCE	박현진	56,000원
1065	2013-10-04 17시	18시	SiO2 1000A (김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
1066	2013-10-04 17시	18시	SiO2 6000A 2매	경북대학교	전자공학과	이용수	200,000원
1067	2013-10-07 10시	11시	뒷면에 백금 히터있는 상태, 앞면에 SI02 5000A 증착	포항공과대학교	기계공학과	이기철	80,000원
1068	2013-10-07 13시	15시	Thinfilm 공정교육 및 실습	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	550,000원
1069	2013-10-08 14시	16시	5000um 증착	부경대학교	기계설계공학과	유동인	128,000원
1070	2013-10-09 10시	11시	sio2 2um 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	112,000원
1071	2013-10-10 11시	12시	si3n4	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	56,000원
1072	2013-10-10 14시	15시	SiN 200nm 증착	포항공과대학교	신소재공학과	이승희	80,000원
1073	2013-10-10 15시	18시	단위공정	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	800,000원
1074	2013-10-14 11시	12시	SiO2 1000A (김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
1075	2013-10-15 15시	16시	sio2 1um depo	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	56,000원
1076	2013-10-16 11시	12시	SiN 증착	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
1077	2013-10-17 15시	16시	SiNx ~200nm 증착	포항공과대학교	신소재공학과	이승희	80,000원
1078	2013-10-17 23시	23시	SiN 증착	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
1079	2013-10-18 10시	11시	SiNx 200nm 증착	포항공과대학교	신소재공학과	이승희	80,000원
1080	2013-10-20 17시	18시	SiN 증착	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
1081	2013-10-22 16시	17시	si3n4 depo to target 72nm for ARC	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	56,000원
1082	2013-10-22 19시	20시	SiO2 2um	포항공과대학교	전자과	백상원	112,000원
1083	2013-10-23 21시	22시	SiN 증착	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
1084	2013-10-24 14시	15시	SiN ~200nm 증착	포항공과대학교	신소재공학과	이승희	80,000원
1085	2013-10-24 15시	18시	Oxide depo	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	1,300,000원
1086	2013-10-29 13시	18시	SC10 Well Hard Mask Module 개발 ILD Depo. PE-Ox Depo. 총6매 12회	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	960,000원
1087	2013-10-30 21시	22시	SiO2 증착	부경대학교	차세대반도체공학전공	김동영	64,000원
1088	2013-11-04 15시	16시	SiO2 (1000A, 김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
1089	2013-11-04 16시	17시	SiN 200nm	포항공과대학교	신소재공학과	이승희	80,000원
1090	2013-11-06 11시	12시	SiO2 2um	한국전기연구원	전력반도체연구단 차세대반도체연구센터	문정현	180,000원
1091	2013-11-11 10시	12시	SiO2 1000A 2매	포항공과대학교	신소재공학과	이동훈	128,000원
1092	2013-11-11 14시	16시	PECVD SiO2 2um 증착 2매	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	360,000원
1093	2013-11-12 12시	14시	SiO2 증착 4um, 2um 2매 증착	포항공과대학교	신소재공학과	동완재	384,000원
1094	2013-11-12 16시	17시	si3n4 depo on si substrate	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	56,000원
1095	2013-11-14 10시	11시	SiN 200nm	포항공과대학교	신소재공학과	이승희	80,000원
1096	2013-11-15 11시	12시	SiN 50nm 증착	삼성전자 종합기술원	기반기술 Lab.	박준혁	64,000원
1097	2013-11-15 15시	18시	L31 ILD First Full Run_9차 2nd IMD Depo PE-Nit Depo. 총 8매 5회	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
1098	2013-11-15 9시	15시	Effect of Hydrogen Plasma Split Test(Gas ratio 및 온도 조건별) 7회	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	560,000원
1099	2013-11-18 14시	15시	G07 PE-Nitride 1um 총 3매 3회	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	240,000원
1100	2013-11-19 19시	20시	SiO2 200A 4매(11/19)	전북대학교	전자공학부	김기현	224,000원
1101	2013-11-20 13시	15시	이온주입공정용 두께 2um SiO2 hardmask형성	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1102	2013-11-22 17시	18시	SiO2 1000A 1매(11/22)	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	100,000원
1103	2013-11-24 22시	24시	SiO2 2um 3매(11/24)	포항공과대학교	신소재공학과	동완재	384,000원
1104	2013-11-29 15시	17시	SiO2 100A 3매 1um 1매(11/29)	포항공과대학교	전자과	백상원	224,000원
1105	2013-12-02 10시	11시	SiN 200nm 증착	포항공과대학교	신소재공학과	이승희	80,000원
1106	2013-12-03 15시	16시	SiO2 1000A (김태희)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
1107	2013-12-04 14시	15시	(12/4) SiO2 10nm 2매	포항공과대학교	전자과	백상원	112,000원
1108	2013-12-04 15시	16시	(12/4) SiO2 10nm 1매	포항공과대학교	전자과	백상원	56,000원
1109	2013-12-04 16시	18시	SiO2 2nm + SiNx 7nm 증착	포항공과대학교	화학공학과	박진주	160,000원
1110	2013-12-05 10시	11시	AAO template 위에 SiN 증착	포항공과대학교	화학공학과	현승	80,000원
1111	2013-12-05 13시	14시	(12/5) SiO2 2um 2매	포항공과대학교	전자과	백상원	224,000원
1112	2013-12-06 16시	17시	SiO2 50nm Si3N4 50nm 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	112,000원
1113	2013-12-09 11시	13시	(12/9) SiO2 2um 2매	포항공과대학교	전자과	백상원	224,000원
1114	2013-12-09 15시	17시	L32 ILD First Full Run_10차 2nd IMD Depo PE-Nit Depo. 5000A 총 5매 4회	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	0원
1115	2013-12-10 10시	13시	단위공정 테스트 1. 사용기간: 12/10 10:55~14:00 2. 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 960sec -Target Thickness : 2um 3. 공정 결과(13points) Total Thickness (Å) Average 20060.385 Min 19870.697 Max 20287.158 Std. Dev. 122.178 Uniformity(%) 0.609	파워큐브세미(주)	부설연구소	이명환	400,000원
1116	2013-12-10 17시	18시	sio2 3000A (PQR)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
1117	2013-12-12 11시	12시	deposit_SiO2_300nm	포항공과대학교	ITCE	박현진	56,000원
1118	2013-12-13 15시	15시	(1211) SiO2 1um 1매	포항공과대학교	전자과	백상원	56,000원
1119	2013-12-18 14시	17시	박막/세정 공정실습 (대구가톨릭대 나노인력양성) 인력양성 교육 건으로 할인율 20% 미적용	포항공과대학교	나노융합기술원 사업지원팀	김병수	1,000,000원
1120	2013-12-18 20시	21시	deposition_SiO2_130 nm	포항공과대학교	ITCE	박현진	56,000원
1121	2013-12-19 12시	13시	oxide 50nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
1122	2013-12-20 10시	11시	oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
1123	2013-12-20 13시	15시	1. SiC;20x20 4매 시편-> 9000A 증착 이전 공정: poly-Si 공정 2. SiC; 3\" quarter 2장, Si; 3\" quarter 2장-> 100A 증착 초기진행 시편	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1124	2013-12-20 15시	16시	deposit_SiO2	포항공과대학교	ITCE	박현진	56,000원
1125	2013-12-23 11시	17시	SC22 High-K 최적화 (1-2-1) Treatment, H2 Plasma, H2/Ar=80/10sccm 15min RF 250W 6매	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	480,000원
1126	2013-12-30 15시	16시	IIP 확산 방지층을 위하여 8인치 Si 웨이퍼 2매에 각각 SiO2 20nm 증착	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	140,000원
1127	2014-01-07 11시	12시	SC-14 Poly Rs 최적화 Test 2차 (1-5-1) Cap Oxide 1000A 2매	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	160,000원
1128	2014-01-07 17시	18시	alingn key etch만 진행된 시편, 2um 증착의뢰합니다.	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1129	2014-01-09 12시	13시	oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
1130	2014-01-09 14시	15시	SiO2 80증착	포항공과대학교	신소재공학과	이동훈	64,000원
1131	2014-01-09 15시	16시	SiO2 20nm 증착 3매	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	168,000원
1132	2014-01-14 13시	19시	SC12 Contact Metal Module Test(구조Run) 5-4-2 ILD Depo Pre-Cleaning 총 10매 1회	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	800,000원
1133	2014-01-15 9시	16시	SiON O2 Gas flowrate Split Test 5매	삼성종합기술원	TFTU	박용영	780,000원
1134	2014-01-16 13시	16시	SC15 P-Doped Poly Rs 재현성 Test (1-4-1) Cap Oxide 8매	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	640,000원
1135	2014-01-17 16시	17시	10nm SiO2 증착	포항공과대학교	ITCE	박현진	112,000원
1136	2014-01-20 11시	12시	SiO2 1000A 2회	경북대학교	전자공학과	임기식	200,000원
1137	2014-01-21 9시	12시	산화막증착 2um씩 3매(1/20) 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 1142sec -Target Thickness : 2um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	600,000원
1138	2014-01-22 11시	12시	SiO2 20nm 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	168,000원
1139	2014-01-22 13시	17시	산화막 증착 2um * 5매 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 1142sec -Target Thickness : 2um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	1,000,000원
1140	2014-01-22 17시	18시	SiO2 (50nm) 박막 증착 - 고온 성장 조건에서 진행.	부경대학교	차세대반도체공학전공	김동영	80,000원
1141	2014-01-23 16시	17시	SiO2 3000A 김태희	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
1142	2014-01-23 9시	12시	Oxide etch 2um * 2장 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 1142sec -Target Thickness : 2um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	400,000원
1143	2014-01-24 11시	12시	옥사이드 500nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	112,000원
1144	2014-01-27 15시	16시	SiO2 증착: 2um	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1145	2014-01-27 16시	20시	저온 PE-SiON Split Test(RF, Gas, Pressure) 15매	삼성종합기술원	TFTU	박용영	2,100,000원
1146	2014-01-28 10시	16시	단위공정 TEST를 위한 Oxide Depo 진행 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 1142sec -Target Thickness : 2.3um	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	640,000원
1147	2014-01-28 20시	21시	SiO2 deposition	포항공과대학교	신소재공학과	이동훈	64,000원
1148	2014-02-03 11시	12시	SiO2 증착	포항공과대학교	첨단재료과학부	성지호	80,000원
1149	2014-02-03 12시	13시	0-2-2 PE-Ox Deposition	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	480,000원
1150	2014-02-03 14시	16시	oxide depo 2um 2매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	320,000원
1151	2014-02-04 11시	12시	1-4-3 PWEL Mask_Oxide 2um dep (100,000원/1um)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	960,000원
1152	2014-02-04 16시	18시	2um oxide depo 2매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	320,000원
1153	2014-02-05 13시	14시	1. oxide 증착: 2um 2x2-3매, 3\"의 1/4-3매 2. oxide 증착: 100nm 3\"의 1/4-2매	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	270,000원
1154	2014-02-05 15시	18시	oxide 단위공정 TEST 2um 2매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	320,000원
1155	2014-02-05 18시	19시	SiO2 6000A 김태희	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
1156	2014-02-06 17시	18시	2-6-2 PWEL Mask_Oxide 2um Dep.	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	960,000원
1157	2014-02-06 17시	18시	SiO2 6000A 김태희	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
1158	2014-02-07 10시	15시	SC24 Low Temp High-K (1-2-1) Plasma Treatment 총 18매 -WF01~03, WF13~15 6매 -> H2 Plasma Treatment Split : H2/Ar=10/80,45/45,80/10sccm 15min @300C -WF05~07, WF17~19 6매 -> H2 Plasma Treatment Split : H2/Ar=10/80,45/45,80/10sccm 15min @200C -WF09~11, WF21~23 6매 -> O2 Plasma Treatment Split : O2/Ar=0/90,45/45,90/0sccm 15min @300C	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	1,440,000원
1159	2014-02-09 17시	18시	SiO2 6000A 김태희	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	56,000원
1160	2014-02-10 10시	12시	cover glass에 SiN 코팅을 하기 위해 2000A 5매	포항공과대학교	융합생명공학	서은석	400,000원
1161	2014-02-10 15시	17시	3-6-2 N+ PE Oxide 2um Depo	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	960,000원
1162	2014-02-11 13시	16시	Oxide 증착 2um 2매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	320,000원
1163	2014-02-12 9시	18시	PE-CVD : 저온 SiON 3차 실험 完(2/10~13) -Split(Gas, RF Power) Test 18매	삼성종합기술원	TFTU	박용영	2,520,000원
1164	2014-02-13 13시	14시	2um SiO2 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1165	2014-02-13 16시	18시	Oxide 증착 1um1장, 2um1장	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	240,000원
1166	2014-02-14 16시	17시	SiO2 2um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1167	2014-02-18 16시	17시	SiO2 2um 증착 2매	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	360,000원
1168	2014-02-18 9시	14시	Oxide 증착 1um*9장	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	720,000원
1169	2014-02-19 10시	12시	Oxide 증착 2um * 1장	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	160,000원
1170	2014-02-20 14시	15시	oxide 3um 증착	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	240,000원
1171	2014-02-25 10시	12시	oxide 0.7um depo 4매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	320,000원
1172	2014-02-25 13시	14시	SiO2 2um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1173	2014-02-26 10시	14시	Oxide 0.7um depo (2/27) SiO2 2um 2매 (2/28) SiO2 0.7um 1매 (2/28) SiO2 2um 3매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	880,000원
1174	2014-02-26 14시	18시	oxide 2.0um depo	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	400,000원
1175	2014-02-26 18시	19시	SiO2 6000A	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
1176	2014-02-27 10시	11시	PEOxide 20nm 증착 요청드립니다.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	140,000원
1177	2014-02-27 11시	12시	SiO2 증착	포항공과대학교	첨단재료과학부	성지호	80,000원
1178	2014-02-27 12시	13시	SiO2 6000A	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
1179	2014-02-27 13시	14시	SiO2 2um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1180	2014-02-28 11시	12시	SiO2 7000A 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	90,000원
1181	2014-03-03 10시	12시	oxide 2um depo (3/3) 2um 2매 (3/4) 2um 2매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	640,000원
1182	2014-03-03 12시	13시	1-2-1 PE_SiN 300A 2ea, 2000A 1ea	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	210,000원
1183	2014-03-03 13시	14시	SiO2 6000A	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
1184	2014-03-03 14시	18시	oxide 2.0um depo (3/1) 2um 2매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	320,000원
1185	2014-03-04 14시	17시	(3/4) SiO2 0.7um 5매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	400,000원
1186	2014-03-05 10시	14시	Implant 공정시 ion channeling 현상을 막기위한 SiO2 층 증착 High temp_SiO2 8초 (20nm)	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	420,000원
1187	2014-03-05 14시	15시	SiO2	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
1188	2014-03-10 13시	14시	1-2-1 PE_Oxide 200A Dep.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	70,000원
1189	2014-03-11 10시	12시	단위공정 TEST를 위한 oxide Depo 0.7um 2매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	160,000원
1190	2014-03-11 13시	14시	oxide 0.7um 1ea, 2.0um 2ea depo.	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	400,000원
1191	2014-03-12 10시	12시	SiO2 0.7um 2매(3/12)	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	160,000원
1192	2014-03-13 14시	15시	SiO2 6000A	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
1193	2014-03-18 14시	16시	Oxide 3um 1매, 1.7um 2매, 2um 2매 depo 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 1489/810/960sec -Target Thickness : 3/1/2um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	1,100,000원
1194	2014-03-19 14시	16시	Oxide 1.7um 3매, 2um 1매 depo 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 810/960sec -Target Thickness : 1.7/2um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	800,000원
1195	2014-03-20 10시	11시	Oxide 0.7 um depo 1매 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 330sec -Target Thickness : 0.7um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	100,000원
1196	2014-03-21 1시	1시	SiO2 2um 1매(3/20)	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1197	2014-03-21 16시	17시	SIO2 500nm 증착	포항공과대학교	화학공학과	봉효진	128,000원
1198	2014-03-21 9시	15시	PE-SiON 4차 Gas Ratio Split WF01~20 총 20매	삼성종합기술원	TFTU	박용영	2,800,000원
1199	2014-03-24 10시	12시	Oxide 2um depo 3매 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 960sec -Target Thickness : 2um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	600,000원
1200	2014-03-24 13시	15시	Oxide 0.7um depo 4매 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 330sec -Target Thickness : 0.7um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	400,000원
1201	2014-03-24 15시	16시	Oxide 1um depo 1매 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 475sec -Target Thickness : 1um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	100,000원
1202	2014-03-24 16시	17시	Oxide 0.7um depo 1매 -> 공정진행 X 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 330sec -Target Thickness : 0.7um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	0원
1203	2014-03-24 21시	22시	SIO2 50nm 증착	부경대학교	차세대반도체공학전공	김동영	64,000원
1204	2014-03-26 10시	12시	Oxide 1.7um Depo =============================== Oxide 1.7um depo 2매 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 810sec -Target Thickness : 1.7um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	400,000원
1205	2014-03-26 13시	18시	SC24 Low Temp High-K(재현성) (1-2-1) Plasma Treatment / 7회 H2 Plasma Treatment Split : H2/Ar=10/80,45/45,80/10sccm 15min @300C(4회) O2 Plasma Treatment Split : O2/Ar=0/90,45/45,70/20sccm 15min @300C(3회)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	490,000원
1206	2014-03-26 9시	10시	Oxide 1um Depo =============================== Oxide 1.7um depo 3매 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 810sec -Target Thickness : 1.7um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	600,000원
1207	2014-03-27 13시	14시	Oxide 2um Depo =============================== Oxide 2um depo 1매 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 960sec -Target Thickness : 2um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	200,000원
1208	2014-03-27 16시	17시	SiO2 6000A	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
1209	2014-03-27 9시	11시	Oxide 1.7um Depo =============================== Oxide 2um depo 3매 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 960sec -Target Thickness : 2um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	600,000원
1210	2014-03-28 11시	18시	Si3N4 - 20nm deposition on a wafer	포항공과대학교	화학공학과	이은호	80,000원
1211	2014-04-01 15시	16시	옥사이드 50 nm증착	금오공과대학교	신소재연구소	임기식	100,000원
1212	2014-04-02 10시	12시	oxide 0.7 depo =============================== Oxide 0.7um depo 2매 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 330sec -Target Thickness : 0.7um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	200,000원
1213	2014-04-02 13시	15시	oxide 0.7 depo =============================== Oxide 0.7um depo 2매 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 330sec -Target Thickness : 0.7um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	200,000원
1214	2014-04-02 15시	17시	실리콘 산화막 2um 증착 실리콘 산화막 10nm 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	270,000원
1215	2014-04-03 13시	14시	SiO2	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
1216	2014-04-04 17시	18시	SiO2 50nm	경북대학교	전자공학과	임기식	100,000원
1217	2014-04-04 9시	11시	Oxide 1.7um Depo 2매 =============================== Oxide 1.7um depo 2매 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 790sec -Target Thickness : 1.7um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	400,000원
1218	2014-04-07 11시	12시	Oxide 0.7um Depo 1매 =============================== Oxide 0.7um depo 1매 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 330sec -Target Thickness : 0.7um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	100,000원
1219	2014-04-07 14시	15시	SiO2 high xxx	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
1220	2014-04-07 20시	24시	SiO2 2um 4매	포항공과대학교	신소재공학과	동완재	512,000원
1221	2014-04-07 9시	11시	Oxide 2um Depo 2매 =============================== Oxide 2um depo 2매 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 960sec -Target Thickness : 2um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	400,000원
1222	2014-04-09 13시	14시	SiO2 2um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1223	2014-04-09 15시	17시	SiO2 조각 sample 4ea, 50,100,200nm 증착 총 3회	경북대학교	전자공학과	임기식	300,000원
1224	2014-04-10 11시	12시	SiO2 10nm 증착 1회 2um 증착 1회	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	270,000원
1225	2014-04-10 15시	16시	SiO2	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
1226	2014-04-14 12시	16시	Dry oxidation으로 SiO2 10nm만 증착된 상태입니다. 그 위에 Si3N4 10nm 증착후 SiO2 250nm 증착해주세요 (오차범위 5% 내외) 증착후 두께 정보를 보내주시면 감사하겠습니다. 공정완료후 추가 공정을 진행할 예정이므로 펩안에 보관해주시면 감사하겠습니다. ========================================================== PE-SiN 10nm Depo & Thickness measurement WF01~05 5매 PE-SiO2 250nm Depo & Thickness measurement WF01~05 5매	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	800,000원
1227	2014-04-14 13시	14시	Oxide depo (1.7um*2매) (4/7)공정진행 =============================== Oxide 1.7um depo 2매 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 816sec -Target Thickness : 1.7um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	400,000원
1228	2014-04-14 15시	16시	Oxide depo (2um*2매) (4/6)공정진행 =============================== Oxide 2um depo 2매 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 960sec -Target Thickness : 2um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	400,000원
1229	2014-04-14 17시	18시	SiO2	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
1230	2014-04-15 10시	12시	Oxide depo 0.7um2매(4/10), 2.5um1매(4/10) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 35/1250sec -Target Thickness : 0.07/2.5um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	500,000원
1231	2014-04-15 12시	13시	Tunnel oxide defect test (0-1-3) PE-Ox Depo. 3000A 1매 (0-4-1) Tunnel oxide 50A 1매	포항공과대학교	화학공학과	박진주	160,000원
1232	2014-04-15 13시	15시	Oxide depo 0.7um2매(4/11), 0.7um1매(4/12) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 330sec -Target Thickness : 0.7um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	300,000원
1233	2014-04-15 15시	17시	BiO FET_1차 Test RUN (1-2-1) PE-Oxide Depo 200A 2매	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	140,000원
1234	2014-04-15 17시	18시	Oxide depo 2.5um*1매 =============================== Oxide 2.5um depo 1매 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 1250sec -Target Thickness : 2.5um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	300,000원
1235	2014-04-15 9시	10시	Oxide depo 2.5um1매(4/7), 1.3um1매(4/8) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 1250/500sec -Target Thickness : 2.5/1.3um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	500,000원
1236	2014-04-16 15시	17시	Oxide depo 1.2um1회 (4/14), 2um2회 (4/15) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 600/960sec -Target Thickness : 1.2/2um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	600,000원
1237	2014-04-16 17시	18시	oxide 50nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
1238	2014-04-17 11시	12시	SiO2 100nm sample 1ea, 50nm sample 3ea 총 2회	경북대학교	전자공학과	임기식	200,000원
1239	2014-04-17 11시	12시	Sio2 2um증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1240	2014-04-18 13시	14시	Bio FET_1차 Test Run 1-5-1 Hard Mask PEOXIDE 200A 총 2매 2회	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	140,000원
1241	2014-04-18 9시	11시	Oxide depo 1.2um1회(4/14), 1.7um2회 (4/16) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 600/810sec -Target Thickness : 1.2/1.7um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	600,000원
1242	2014-04-21 13시	16시	PE-Oxide deposition 1.0um =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 560sec -Target Thickness : 1.0um	우암신소재산업	부설연구소	정해영	1,000,000원
1243	2014-04-22 13시	15시	Oxide depo 1.2um1회 (4/17), 1.2um1회 (4/18) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 600sec -Target Thickness : 1.2um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	400,000원
1244	2014-04-22 15시	16시	SiO2 100nm 증착	경북대학교	전자공학과	임기식	100,000원
1245	2014-04-22 9시	12시	Oxide depo 2um4회 (4/19), 2um2회 (4/20) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 960sec -Target Thickness : 2um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	1,200,000원
1246	2014-04-23 14시	17시	PE-Oxide deposition 0.5um =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 280sec -Target Thickness : 0.5um	우암신소재산업	부설연구소	정해영	1,000,000원
1247	2014-04-24 14시	17시	PE-Oxide deposition 1.0um =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 560sec -Target Thickness : 1.0um	우암신소재산업	부설연구소	정해영	1,000,000원
1248	2014-04-25 13시	15시	1. SiO2 7000A 증착 2. SiO2 9000A 증착 3. SiO2 2um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	360,000원
1249	2014-04-25 15시	18시	PE-Oxide deposition 1.0um =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 560sec -Target Thickness : 1.0um	우암신소재산업	부설연구소	정해영	1,000,000원
1250	2014-04-25 18시	19시	Oxide depo 1.7um1회(4/17), 1.7um1회(4/21), 2um*1회(4/19) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 800/960sec -Target Thickness : 1.7/2um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	600,000원
1251	2014-04-28 11시	12시	Oxide depo 1.2um*1회 =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 600sec -Target Thickness : 1.2um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	200,000원
1252	2014-04-28 12시	13시	SiO2 100nm sample 2ea with dummy sample 1ea	경북대학교	전자공학과	임기식	100,000원
1253	2014-04-28 13시	14시	SiC 2차 Test run (0-2-3) Initial Oxide PE-Ox Depo. 총 4매 4회	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
1254	2014-04-30 14시	15시	Oxide depo 2um*2회 (4/25) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 960sec -Target Thickness : 2um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	400,000원
1255	2014-05-07 13시	14시	Oxide depo 1.2um1회 (4/28) Oxide depo 1.2um1회 =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 600sec -Target Thickness : 1.2um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	200,000원
1256	2014-05-07 14시	15시	SiC 2차 Test run (1-4-3) PWEL Mask Formation PE-Ox Depo. 2um 총 2매 4회	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
1257	2014-05-08 14시	15시	Oxide depo 1.2um*1회 (5/7) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 600sec -Target Thickness : 1.2um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	200,000원
1258	2014-05-08 17시	18시	Bio FET_2차 Test run (1-2-1) Active formation PEOxide Depo 200A 총 4매 4회	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	280,000원
1259	2014-05-08 21시	22시	oxide 50nm	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
1260	2014-05-09 11시	12시	SiO2 2um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1261	2014-05-12 13시	14시	SiO2 100nm	경북대학교	전자공학과	임기식	100,000원
1262	2014-05-12 14시	17시	Oxide depo 1.2um1회(5/8), 1um 4회(5/9) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 600/480sec -Target Thickness : 1.2/1um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	600,000원
1263	2014-05-13 14시	15시	1-5-1 Hard Mask PE-Oxide 200A 2매	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	140,000원
1264	2014-05-14 15시	16시	SiO2 100nm	경북대학교	전자공학과	임기식	100,000원
1265	2014-05-15 13시	14시	SiO2 2um증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1266	2014-05-15 19시	21시	PECVD를 이용한 20nm 두께의 산화막 형성	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
1267	2014-05-16 9시	12시	PE-Oxide deposition 1.0um =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 560sec -Target Thickness : 1.0um	우암신소재산업	부설연구소	정해영	1,000,000원
1268	2014-05-17 22시	23시	SiO2 20nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
1269	2014-05-19 10시	12시	2-6-2 P+ Mask Depo PE-Ox Depo	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
1270	2014-05-19 10시	15시	Oxide depo 1.7um2매(5/14), 1.2um1매(5/14), 2um2매(5/15), 2um1매(5/16) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 660/560/960sec -Target Thickness : 1.7/1.2/2um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	1,200,000원
1271	2014-05-20 13시	15시	Oxide depo 0.4um1매, 2um2매 (5/19) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time :168/960sec -Target Thickness : 0.4/2um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	500,000원
1272	2014-05-20 19시	20시	oxide 100nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
1273	2014-05-21 21시	22시	oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1274	2014-05-22 12시	13시	oxide 100nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
1275	2014-05-22 13시	15시	si3n4 deposition for light reflectance measurement	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	56,000원
1276	2014-05-22 9시	11시	Oxide depo 0.7um1회, 1.2um1회(5/20) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time :294/500sec -Target Thickness : 0.7/1.2um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	300,000원
1277	2014-05-23 10시	11시	si3n4 deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	56,000원
1278	2014-05-26 14시	18시	SiN 25/45nm 각 3매, SiO2 250/450nm 각 3매 총 12매 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	960,000원
1279	2014-05-27 15시	16시	SiO2 100nm sample 3ea with test 1회	경북대학교	전자공학과	임기식	100,000원
1280	2014-05-27 20시	21시	SiO2 18nm depo.	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	280,000원
1281	2014-05-28 21시	22시	oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1282	2014-05-29 13시	14시	2x2cm 총 4장 SiO2 2um증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1283	2014-05-29 14시	18시	SiO2 2um 6매	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	1,080,000원
1284	2014-05-29 9시	14시	Oxide depo 1.7um1매(5/20), 2um1매(5/20), 0.4um1매(5/23), 2um1매(5/23), 100A*2매(5/26) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time :4/168/680/960sec -Target Thickness : 10nm/0.4/1.7/2um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	900,000원
1285	2014-06-02 10시	12시	SC32 PP Hard Mask 재작업	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
1286	2014-06-03 13시	16시	Oxide depo 2um1회(5/27), 1.7um4회(6/1) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 680/960sec -Target Thickness : 1.7/2um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	1,000,000원
1287	2014-06-04 15시	16시	SiO2 3000A 1회	포항공과대학교	ITCE	박현진	56,000원
1288	2014-06-04 16시	17시	oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
1289	2014-06-05 12시	14시	si3n4 deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	112,000원
1290	2014-06-05 9시	12시	Oxide depo 1.7um3회(6/2), 0.7um3회(6/3) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 810/40sec -Target Thickness : 1.7/0.7um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	900,000원
1291	2014-06-10 21시	22시	1	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1292	2014-06-11 13시	14시	si3n4 deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	56,000원
1293	2014-06-11 20시	21시	절연체 증착 SiO2 270nm	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1294	2014-06-12 21시	22시	SiO2 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1295	2014-06-14 15시	16시	SiN 200nm 증착	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
1296	2014-06-16 12시	13시	0-2-1 절연막 증착 Recipe: SiO2 High_xxxx , 300C, Oxide 목표두께: 5000A				100,000원
1297	2014-06-16 13시	14시	0-2-2 절연막 증착 Recipe: SiN High_xxxx , 300C, Nitride 목표두께: 7000A				100,000원
1298	2014-06-16 14시	18시	1-2-1 Plasma treatment - H2 Plasma Treatment Split : H2/Ar=10/80,45/45,80/10sccm 15min @150C - Ar Plasma Treatment Split : Ar=90sccm 5/15/20/30min @150C	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	490,000원
1299	2014-06-16 16시	18시	3-6-2 N+ Mask Depo. PE-Ox Depo. 2um 2매	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
1300	2014-06-17 15시	17시	SiO2 100, 50nm 총 2회	경북대학교	전자공학과	임기식	200,000원
1301	2014-06-17 21시	22시	sio2 20nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	280,000원
1302	2014-06-17 21시	22시	oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1303	2014-06-19 14시	17시	Oxide depo 1.7um*3매 (6/10, 6/11, 6/18) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 810sec -Target Thickness : 1.7um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	600,000원
1304	2014-06-20 13시	15시	Oxide depo 2um*2매(6/18) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 960sec -Target Thickness : 2um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	400,000원
1305	2014-06-23 13시	15시	Oxide depo 2um*1매 =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 960sec -Target Thickness : 2um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	200,000원
1306	2014-06-24 14시	15시	0-2-1 절연막 증착 Oxide Depo SiO2 5000A				200,000원
1307	2014-06-24 15시	16시	0-2-2 절연막 증착 Nitride Depo 7000A				200,000원
1308	2014-06-25 10시	13시	Oxide Process_NO	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	900,000원
1309	2014-06-27 11시	12시	SiO2 50nm	경북대학교	전자공학과	임기식	100,000원
1310	2014-06-30 14시	15시	100A 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	90,000원
1311	2014-06-30 15시	17시	SiO2 20nm #1,23 2매	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	140,000원
1312	2014-07-01 14시	15시	SiO2 2um증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1313	2014-07-01 17시	17시	0-2-3 Initial Oxide PE-Ox Depo 200A 2매	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
1314	2014-07-02 14시	15시	SiO2 7000A	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	90,000원
1315	2014-07-02 21시	22시	PECVD oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1316	2014-07-04 14시	15시	"Meterial: SiN, Target Thickness: 100nm, Stage Temp: 300C Recipe: SiN_High_xxxx, Depo Time:_45sec"	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	70,000원
1317	2014-07-04 9시	10시	Oxide depo 1.7um *1매 =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 810sec -Target Thickness : 1.7um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	200,000원
1318	2014-07-06 14시	15시	"Meterial: SiO2, Target Thickness: 100nm, Stage Temp: 300C Recipe: SiO2_High_xxxx, Depo Time:_45sec_"	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	210,000원
1319	2014-07-07 15시	17시	SiN 200nm 2회	포스텍	기계공학과	우윤호	160,000원
1320	2014-07-07 9시	11시	Oxide depo 1.7um1매(6/27), 1500A 1매(7/2) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 810/60sec -Target Thickness : 1.7/0.15um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	300,000원
1321	2014-07-08 12시	14시	1-4-3 PWEL Mask Formation PE-Ox Depo 2um 2매	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
1322	2014-07-08 15시	17시	PEOx 20nm wafer 5매	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	350,000원
1323	2014-07-10 10시	11시	시편제작 5000A sio2 5000A siN	부경대학교	기계설계공학과	유동인	128,000원
1324	2014-07-10 14시	15시	pe-oxdie 1000A	포항공과대학교	화학공학과	박진주	80,000원
1325	2014-07-11 13시	14시	oxide 100nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
1326	2014-07-15 11시	12시	SiO2 2um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1327	2014-07-18 9시	11시	SiN 2000A 2매	포스텍	기계공학과	우윤호	160,000원
1328	2014-07-21 12시	13시	oxide 20nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
1329	2014-07-21 15시	16시	oxide 2um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1330	2014-07-22 13시	14시	SiO2 2um depo(7/22) 2x2 5장	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1331	2014-07-22 9시	10시	Oxide depo 0.7um1매(7/14), 1um1매(7/17) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 310/460sec -Target Thickness : 0.7/1um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	200,000원
1332	2014-07-25 18시	19시	SiO2 50nm	경북대학교	전자공학과	임기식	100,000원
1333	2014-07-31 15시	16시	SiO2 표면위에 Al pattern이 올라가 있습니다. 패턴 위에 SiO2 5000A 증착 하려고 합니다.	부산대학교	기계공학부 에너지시스템전공	박창석	180,000원
1334	2014-08-04 11시	12시	PECVD oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	112,000원
1335	2014-08-05 10시	12시	Meterial: SiN, Target Thickness: 100nm, Stage Temp: 300C 2회 (4.0010321.01)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
1336	2014-08-05 11시	12시	SiN 2um 2매(1회)	pohang university of sci&tech	mechanical engineering department	Xiong Bin	240,000원
1337	2014-08-08 9시	12시	Oxide depo 1um5매(8/1), 2um1매(8/5), 2um*2매(8/6) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 460/960sec -Target Thickness : 1/2um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	1,100,000원
1338	2014-08-11 15시	16시	SiO2 50nm 1회	경북대학교	전자공학과	임기식	100,000원
1339	2014-08-11 15시	17시	2-6-2 P+ Mask Depo PE-Ox Depo 2um 2매 총 4회	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
1340	2014-08-13 9시	11시	Oxide depo 2.3um1매(8/11), 1um2매(8/12) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 1080/460sec -Target Thickness : 2.3/1um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	500,000원
1341	2014-08-14 15시	16시	oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1342	2014-08-19 12시	14시	5장의 wafer에 SiN 120nm , SiO2 400nm 연속증착 해주세요 wafer는 박막룸 선반 두번째 층에 있고 빨간 테이프위에 김강민 이라고 적혀있는 웨이퍼입니다. 뒤에서 5장(25번 slot부터)만 진행해 주세요. 지난번에 진행한 공정과 같은 조건으로 해주시면 감사하겠습니다. 지난번 조건으로 보내주신 사진 첨부합니다. 이번 공정도 공정조건과 결과두께를 첨부해 주시면 감사하겠습니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	800,000원
1343	2014-08-19 14시	16시	3-6-2 N+ Mask Depo PE-Ox Depo 2um 2매 총 4회	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
1344	2014-08-22 14시	16시	Oxide depo 3um*1매 (8/19) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 1280sec -Target Thickness : 3um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	300,000원
1345	2014-08-25 9시	11시	0-2-1 Pre Deposition. ==================== Nitride 3000A, 250도	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	1,500,000원
1346	2014-08-26 16시	17시	SiO2 3000A	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
1347	2014-08-29 9시	10시	Oxide depo 2um*2매 (8/25) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 960sec -Target Thickness : 2um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	400,000원
1348	2014-09-01 16시	18시	SiN 300nm 3매	포항공과대학교	신소재공학과	Wentao Xu	210,000원
1349	2014-09-01 9시	11시	Oxide depo 0.7um 2매(8/21), 0.7um2매(8/28) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 380sec -Target Thickness : 0.7um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	400,000원
1350	2014-09-02 9시	10시	Oxide depo 0.7um * 2매 (8/28) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 380sec -Target Thickness : 0.7um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	200,000원
1351	2014-09-04 17시	18시	1. SiC 10mm x 10mm 8매 1000A 증착(완료) 2. SiC 20mm x 20mm 5매 9000A 증착(샘플준비가 안되어 미진행함)	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	90,000원
1352	2014-09-04 9시	11시	Oxide depo 0.7um * 1매(9/1), 800A *4매(9/2) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 330/32sec -Target Thickness : 0.7/0.08um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	500,000원
1353	2014-09-05 11시	12시	SiO2 3000A	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
1354	2014-09-05 11시	13시	SiO2, SiN 100nm 각 1회	경북대학교	전자공학과	임기식	200,000원
1355	2014-09-05 14시	15시	oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1356	2014-09-15 17시	18시	SiO2 (김태희,최민수) 1um 2회	포항공과대학교	전자전기공학과	최민수	112,000원
1357	2014-09-15 9시	10시	Oxide depo 2um1매(9/4), 0.7um1매(9/11) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 960/330sec -Target Thickness : 2/0.7um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	300,000원
1358	2014-09-16 13시	14시	0-2-3 initial pe-oxide depo.	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	210,000원
1359	2014-09-16 15시	16시	SiO2 1um (김태희, 최민수)	포항공과대학교	전자전기공학과	최민수	56,000원
1360	2014-09-17 9시	11시	Oxide depo 2um*2매 (9/12) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 960sec -Target Thickness : 2um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	400,000원
1361	2014-09-19 15시	17시	1-4-2 PWEL Mask formation pe-ox	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
1362	2014-09-19 9시	12시	Oxide depo 0.7um4매(9/16), 2um1매(9/13) 2um1매, 2.7um2매(9/14) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 330/960/1120sec -Target Thickness : 0.7/2/2.7um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	1,600,000원
1363	2014-09-20 10시	15시	SiN split(40nm, 100nm, 200nm) total 8회	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	560,000원
1364	2014-09-22 10시	12시	저온 Nitride 증착	주식회사 아르케	SIC 생산본부	노병훈	500,000원
1365	2014-09-22 12시	14시	2-6-2 p mask depo. 2um	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
1366	2014-09-22 15시	16시	oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1367	2014-09-23 11시	13시	0-2-1 oxide depo. 5000A				400,000원
1368	2014-09-23 12시	14시	3-6-2 n mask depo. pe-ox 2um	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
1369	2014-09-23 12시	13시	2-2-1 hard mask pe-oxide	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	140,000원
1370	2014-09-23 13시	15시	0-2-2 nitride depo. 7000A				400,000원
1371	2014-09-25 11시	12시	SiO2 3000A	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
1372	2014-09-26 10시	12시	Oxide depo 2um * 4매 (9/24) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 960sec -Target Thickness : 2um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	800,000원
1373	2014-09-26 19시	20시	SiO2 50nm증착	포항공과대학교	MSE	박준혁	64,000원
1374	2014-09-29 10시	12시	0-2-3 pe-ox depo, 200A	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	210,000원
1375	2014-09-29 11시	14시	0-2-2 절연막 증착 pe-nitride	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	500,000원
1376	2014-09-30 14시	16시	sio2 5nm 증착	포항공과대학교	신소재공학과	김주호	80,000원
1377	2014-10-01 10시	14시	SiN 150nm deposit. on Si wafer	포항공과대학교	화학공학과	이은호	80,000원
1378	2014-10-02 13시	14시	Oxide depo 2um*1매 (9/29) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 960sec -Target Thickness : 2um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	200,000원
1379	2014-10-07 11시	12시	SiO2	포항공과대학교	WCU	김진만	64,000원
1380	2014-10-07 16시	18시	1-4-3 AKEY PWEL Mask formation pe-ox	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
1381	2014-10-07 9시	11시	2-1-1 pe-ox 200A	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	280,000원
1382	2014-10-08 14시	18시	0-2-1 oxide depo. 0-2-2 nitride depo.				800,000원
1383	2014-10-10 13시	14시	SiN 100nm 각 2회	경북대학교	전자공학과	임기식	200,000원
1384	2014-10-15 10시	11시	화학과 대학원생입니다. 월요일에 말씀 드렸던 PE-CVD를 이용해서 SiO2 를 10nm정도 처리해서 박막을 만들고 싶습니다. 온도는 말씀하셨던 50도씨나 100도씨 아래에서 공정을 진행했으면 좋겠습니다. 이것도 가능하시면 한번 보고 배웠으면 합니다. 가능하신지 궁금합니다.	포항공과대학교	화학	김웅	64,000원
1385	2014-10-16 16시	17시	SiO2	포항공과대학교	WCU	김진만	256,000원
1386	2014-10-20 13시	14시	2-6-2 p+ mask depo. 2um 2ea	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
1387	2014-10-21 11시	13시	3-6-2 n+ mask depo. pe-ox depo. 2um 2ea	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
1388	2014-10-22 21시	22시	sio2 5000A 증착	부경대학교	기계설계공학과	유동인	64,000원
1389	2014-10-22 9시	11시	Oxide depo 2um1매(9/29), 2um1매(10/6) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 960sec -Target Thickness : 2um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	400,000원
1390	2014-10-24 14시	15시	SiO2 5000A 증착	부경대학교	기계설계공학과	유동인	64,000원
1391	2014-10-25 17시	23시	Plasma Treatment Ar/H2=10/80(30min,300C,250W)(앞) → Evap(앞) : 가능한 no-time delay 총 6회	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	420,000원
1392	2014-10-28 16시	17시	0-1-3 pad oxide pe-ox 3000A	포항공과대학교	화학공학과	송홍선	80,000원
1393	2014-10-29 11시	12시	0-3-2 tnnel oxide pe-ox depo. 100A	포항공과대학교	화학공학과	송홍선	80,000원
1394	2014-10-29 17시	18시	SiO2 7000A/3000A 증착 2회	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1395	2014-11-03 9시	12시	Oxide depo 2um2매(10/22), 800A3매(10/23), 0.7um1매(10/23), 2um1매(10/24) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 32/330/960sec -Target Thickness : 0.08/0.7/2um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	1,000,000원
1396	2014-11-04 11시	12시	O2 plasma and SiO2 2000A	포항공과대학교	WCU	김진만	64,000원
1397	2014-11-04 16시	18시	0-2-3 initial oxide pe-ox depo.	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	210,000원
1398	2014-11-05 13시	15시	SiO2 50, 100nm 각 1회	경북대학교	전자공학과	임기식	200,000원
1399	2014-11-06 10시	13시	PH process SiN depo. 2500A 9ea	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	0원
1400	2014-11-06 13시	14시	SiN 증착	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	128,000원
1401	2014-11-06 17시	17시	SiO2 7000A/3000A 증착	한국전기연구원	전력반도체연구단 차세대반도체연구센터	문정현	0원
1402	2014-11-06 19시	20시	SiN	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
1403	2014-11-07 9시	12시	Oxide depo 2um 3매(10/31), 2um2매(11/5) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 960sec -Target Thickness : 2um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	1,000,000원
1404	2014-11-11 10시	12시	UE 공정수행 계약_Thinfilm	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	1,100,000원
1405	2014-11-11 9시	12시	OHO SiN 500A depo.	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	0원
1406	2014-11-12 16시	18시	5장의 wafer 위에 Si3N4 120nm/ SiO2 400nm 연속 증착 (4장진행)	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	640,000원
1407	2014-11-13 11시	12시	SiO2 2um deposition	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1408	2014-11-13 17시	18시	SiO2 7000A depo 2회	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1409	2014-11-14 10시	11시	SiO2 7000A depo 2매(Low D/R 7000A, 2Step 7000A)	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1410	2014-11-14 13시	15시	1-4-3 akey pwell mask formation pe-ox 2um	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
1411	2014-11-14 18시	19시	SiO2 20nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	168,000원
1412	2014-11-17 10시	11시	Oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1413	2014-11-17 11시	12시	1-2-1 IPP peoxide depo.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	140,000원
1414	2014-11-17 11시	12시	1-2-1 IPP peoxide depo.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	210,000원
1415	2014-11-18 10시	16시	oxide deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
1416	2014-11-18 18시	21시	OB process SiN depo. (선행포함)	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	0원
1417	2014-11-19 10시	16시	oxide deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
1418	2014-11-19 16시	17시	2-6-2 p+ mask depo. pe-ox 2um	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
1419	2014-11-19 21시	22시	시편제작(SiO2 1um)	부경대학교	기계설계공학과	유동인	64,000원
1420	2014-11-20 16시	17시	Oxide depo 0.7um*1매 (11/14) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 330sec -Target Thickness : 0.7um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	100,000원
1421	2014-11-20 9시	10시	SiO2 1um depo SiC 2x2 2장 SiC 1x1 3장	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	90,000원
1422	2014-11-21 12시	14시	3-6-2 n+ mask depo. pe-ox 2um	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
1423	2014-11-24 22시	23시	Oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1424	2014-11-25 15시	16시	1-2-1 IIP protect mask pe-ox 200A	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	70,000원
1425	2014-11-25 9시	15시	1차 Full Process_Thinfilm	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	2,500,000원
1426	2014-11-26 9시	12시	Oxide depo 0.7um1매 (11/19), 2um2매(11/19), 2um1매(11/20), 2um1매(11/21) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 330/960sec -Target Thickness : 0.7/2um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	900,000원
1427	2014-12-01 11시	12시	SiO2 50nm 1회	경북대학교	전자공학과	임기식	100,000원
1428	2014-12-01 12시	14시	BioFET_Oxide Deposition	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	488,000원
1429	2014-12-01 9시	10시	Oxide depo 200Å* 1매 (11/25) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 8sec -Target Thickness : 200A	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	100,000원
1430	2014-12-02 11시	12시	oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1431	2014-12-02 13시	15시	라멜라 그레이팅 제작을 위한 Oxide 증착 공정 (과제번호:4.011309.01)	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	700,000원
1432	2014-12-04 20시	21시	SiO2 1um 증착	부경대학교	기계설계공학과	유동인	64,000원
1433	2014-12-05 9시	10시	Oxide depo 0.7um1매(11/27), 1um1매(11/28) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 330/460sec -Target Thickness : 0.7/1.0nm	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	200,000원
1434	2014-12-08 20시	22시	SiO2 박막 증착	포항공과대학교	신소재공학과	동완재	64,000원
1435	2014-12-10 13시	15시	0-2-3 initial oxide pe-ox depo.	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	210,000원
1436	2014-12-10 15시	19시	0-2-1 pe-oxide depo. 0-2-2 pe-nitride depo.				800,000원
1437	2014-12-15 9시	10시	Oxide depo 2um1매(12/3), 1.7um1매(12/9) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 960/816sec -Target Thickness : 2/1.7nm	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	400,000원
1438	2014-12-16 17시	19시	1-4-3 akey pwel mask formation	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
1439	2014-12-16 21시	22시	oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1440	2014-12-17 13시	14시	1 um-thick SiO2 deposition	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	180,000원
1441	2014-12-17 9시	11시	Oxide depo 800Å*4매(12/10) =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 36sec -Target Thickness : 800A	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	400,000원
1442	2014-12-19 11시	13시	2-6-2 p+ mask depo. 2um 2ea	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
1443	2014-12-19 17시	19시	1-1-3 Gate oxide H2 Plasma Treatment@300C 2매	(주)소로나	관리	(주)소로나	200,000원
1444	2014-12-19 19시	21시	3-1-1 Passivation PE-Oxide 1um 2매	(주)소로나	관리	(주)소로나	200,000원
1445	2014-12-22 12시	14시	3-6-2 n+ mask depo. 2um 2ea	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
1446	2014-12-23 10시	12시	0-1-3 pad oxide	포항공과대학교	화학공학과	송홍선	80,000원
1447	2014-12-23 11시	13시	0-2-1 절연막 증착 oxide depo. 0-2-2 절연막 증착 nitride depo. 각 2장씩 진행				400,000원
1448	2014-12-24 13시	15시	SiN 5000A 1회	부경대학교	기계설계공학과	유동인	80,000원
1449	2014-12-24 9시	11시	Oxide depo 2um*2매 =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 960sec -Target Thickness : 2um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	400,000원
1450	2014-12-26 1시	2시	SiO2 증착	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
1451	2014-12-26 9시	11시	Oxide depo 2um*2매 =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 960sec -Target Thickness : 2um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	400,000원
1452	2014-12-29 9시	11시	Oxide depo 2um*2매 =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 960sec -Target Thickness : 2um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	400,000원
1453	2014-12-30 9시	11시	Oxide depo 2um*2매 =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 960sec -Target Thickness : 2um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	400,000원
1454	2015-01-01 13시	16시	1-4-1 plasma treatment 1-4-2 plasma treatment 1-4-3 plasma treatment	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	210,000원
1455	2015-01-02 10시	11시	6-2-1 passi layer depo.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	0원
1456	2015-01-08 15시	16시	SiO2 20nm	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	112,000원
1457	2015-01-09 15시	16시	연구책임자: 김오현 / 과제명: CVD GRAPHENE을 이용한 FET와 NONVOLATILE MEMORY /과제번호: 4.0011336 정산 담당자명: 조용정 / 정산 담당자 소속: 전자과 / 연락처 010-2997-4723 비고: Plasma Treatment sample 2ea 1회	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	80,000원
1458	2015-01-12 12시	13시	PE-CVD TREATMENT 조건은 이정윤 연구원님과 협의	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	80,000원
1459	2015-01-12 16시	17시	PECVD SiO2 20nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	112,000원
1460	2015-01-13 10시	14시	UE MEMS Sensor 2차 Run_Thinfilm	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	2,000,000원
1461	2015-01-15 10시	11시	oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
1462	2015-01-16 15시	16시	oxide deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
1463	2015-01-16 16시	17시	oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1464	2015-01-19 13시	15시	전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육(박막)	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	600,000원
1465	2015-01-21 10시	10시	SiO2 증착	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
1466	2015-01-21 11시	12시	SiO2 50nm 1회	경북대학교	전자공학과	임기식	100,000원
1467	2015-01-22 10시	11시	SiO2 증착 2um 1매 100nm 1매(Low Depo. rate)	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	270,000원
1468	2015-01-22 16시	17시	oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1469	2015-01-26 13시	13시	SiO2 100nm 증착	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
1470	2015-01-27 21시	22시	SiO2 (4.5 seconds)	포항공과대학교	WCU	김진만	64,000원
1471	2015-01-29 9시	12시	1-4-1 plasma treatment 1-4-2 plasma treatment 1-4-3 plasma treatment	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	210,000원
1472	2015-01-30 13시	16시	PE-SiN 150C 500nm 3매(4inch)	부경대학교	기계설계공학과	유동인	240,000원
1473	2015-01-30 19시	20시	SiO2 5000A 증착	부경대학교	기계설계공학과	유동인	64,000원
1474	2015-02-03 10시	14시	SiO2 20nm 증착 9매	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	0원
1475	2015-02-03 13시	14시	oxide 20nm 즡착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
1476	2015-02-04 13시	15시	BioFET_Oxide Depo	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	700,000원
1477	2015-02-05 12시	15시	PE-SiN 50C 500nm 3매(4inch)	부경대학교	기계설계공학과	유동인	240,000원
1478	2015-02-05 16시	17시	oxide 20nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1479	2015-02-05 9시	11시	2-3-1 insulator plasma treatment 2-4-1 insulator pe-ox	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
1480	2015-02-06 13시	15시	UE MEMS Sensor 3차 Run_Thinfilm	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	2,000,000원
1481	2015-02-09 15시	16시	SiO2 20nm 증착(직접 사용)	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	0원
1482	2015-02-10 14시	15시	Oxide etching pe-ox 500A	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1483	2015-02-11 15시	18시	1-4-1~3 Plasma treatment split 3회	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	210,000원
1484	2015-02-17 14시	15시	1-2-1 protect mask pe-ox	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	0원
1485	2015-02-23 13시	15시	BioFET_Oxide Depo	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	700,000원
1486	2015-02-23 16시	20시	0-2-1 절연막 증착 pe-oxide 0-2-2 절연막 증착 pe-nitride				800,000원
1487	2015-02-24 11시	13시	1-2-1 protect mask pe-ox	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	0원
1488	2015-02-25 14시	16시	BioFET_Oxide Depo	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	700,000원
1489	2015-03-02 13시	18시	Sample Layer THK Temp #6 SiO2 200nm 100C #7 SiO2 500nm 100C #8 SiO2 800nm 100C #9 SiO2 200nm 300C #10 SiO2 500nm 300C #11 SiO2 800nm 300C	포스코	성능연구그룹	정현주	480,000원
1490	2015-03-03 1시	2시	SiO2 증착	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
1491	2015-03-04 19시	20시	SiO2 3000A	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
1492	2015-03-06 1시	10시	SiC MOSFET 제작 PE-SiO2 2um deposition	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	180,000원
1493	2015-03-09 10시	12시	6-2-1 passi layer depo.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	0원
1494	2015-03-09 15시	16시	2-3-1 insulator pe-ox 300A 2ea	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
1495	2015-03-10 10시	11시	SiO2 High 2um 960sec deposition	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	180,000원
1496	2015-03-10 13시	16시	2차 CVD 실험 SiO2 Thickness & Temp split	포스코	성능연구그룹	정현주	480,000원
1497	2015-03-10 16시	17시	3-1-1 H2 Plasma Treatment 900sec	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
1498	2015-03-11 10시	11시	증착두께: 100A 시편: 4\" SiC 2매, 10x10mm 조각 SiC 4매	한국전기연구원	전력반도체연구센터	나문경	180,000원
1499	2015-03-17 11시	13시	4\" SiC wafer 2매 4\" Si wafer 2매 10x10mm SiC 조각시편 4 매 증착 두께: 모두 2um	한국전기연구원	전력반도체연구센터	나문경	720,000원
1500	2015-03-17 16시	17시	3-1-3 SD.IIP hard mask pe-ox	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	0원
1501	2015-03-17 16시	19시	3-1-3 SD.IIP hard mask pe-ox	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	0원
1502	2015-03-18 13시	14시	SiO2 2um depo SiC 1.5x1.5 cm 5EA (pe-ox 2um 3회진행)	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	540,000원
1503	2015-03-18 14시	17시	PE-SiN 100C 500nm 4매(4inch)	부경대학교	기계설계공학과	유동인	320,000원
1504	2015-03-18 22시	23시	O2 Plasma	포항공과대학교	WCU	김진만	64,000원
1505	2015-03-19 20시	22시	SiO2 deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	112,000원
1506	2015-03-19 9시	18시	SiO2 350nm 300C 1회 SiO2 2000nm 300C 1회(1회청구/1um) SiO2 500nm 300C 2회 SiO2 700nm 300C 2회 SiO2 1000nm 300C 3회 SiO2 1000nm 200C 1회	포스코	성능연구그룹	정현주	880,000원
1507	2015-03-20 10시	12시	1-2-1 insulator pe-nitride 2회 1-3-1 insulator pe-oxide 2회 2-1-1 plasma treatment 2회	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	420,000원
1508	2015-03-20 12시	13시	6-2-1 passi layer depo.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	0원
1509	2015-03-20 16시	17시	pe-ox 500A 2회	경북대학교	전자공학과	임기식	200,000원
1510	2015-03-23 15시	16시	SiO2 3000A	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
1511	2015-03-23 16시	18시	PEOxide 증착 100nm 전면 먼저 증착후(전면 passivation) 20nm 후면 증착(Ion Implant용) 전체 웨이퍼 수 4매 앞뒤 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	0원
1512	2015-03-24 10시	11시	한국전기연구원 석오균씨 대리 신청 -나노융합기술원 사업지원팀장- (100A 진행)	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	90,000원
1513	2015-03-24 15시	16시	2um-thick SiO2 증착 (2um 1회진행)	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	180,000원
1514	2015-03-25 10시	14시	2um 증착 4\" 2매 (2um 2회 = 4회청구)	한국전기연구원	전력반도체연구센터	나문경	360,000원
1515	2015-03-25 14시	15시	Deposit the oxide layer (1500 A)	포항공과대학교	기계공학과	원동준	70,000원
1516	2015-03-25 9시	10시	SiO2 100nm 샘플 증착 완료	경북대학교	전자공학과	임기식	100,000원
1517	2015-03-30 14시	16시	BioFET05_Oxide Deposition	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	700,000원
1518	2015-03-31 16시	18시	0-2-1 절연막 증착 oxide 0-2-2 절연막 증착 nitride				400,000원
1519	2015-04-01 9시	15시	SiN 100nm on GaN Epi(2inch) 25매	경북대학교	전자공학과	임기식	400,000원
1520	2015-04-02 14시	16시	pe-sin 30nm pe sio2 30nm pe h2 plasma treatment	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	210,000원
1521	2015-04-06 13시	14시	6-2-1 passi layer depo.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	0원
1522	2015-04-06 14시	16시	Ion Implatation 전 SiO2 Buffer Layer 증착	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	0원
1523	2015-04-06 17시	20시	oxide deposition 1000A	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
1524	2015-04-08 12시	13시	Oxide 1500 A 증착	포항공과대학교	기계공학과	원동준	140,000원
1525	2015-04-08 15시	16시	SiO2 2um deposition 1.4*1.4 cm 7EA	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1526	2015-04-10 16시	17시	SiO2 증착	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
1527	2015-04-14 10시	11시	SiO2 20nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	112,000원
1528	2015-04-16 10시	11시	SiO2 10 nm 증착 100A 1회 2um 1회	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	270,000원
1529	2015-04-16 17시	18시	2 um-thick SiO2 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	180,000원
1530	2015-04-22 12시	15시	1.4*1.4 cm 9EA SiO2 2um deposition	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1531	2015-04-23 11시	13시	Oxide 4000A 증착	포항공과대학교	기계공학과	원동준	70,000원
1532	2015-04-23 18시	20시	nitride 200n, sio2 1um deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
1533	2015-04-24 17시	21시	0-2-1 절연막 증착 0-2-2 절연막 증착				400,000원
1534	2015-04-27 10시	13시	SiO2 300nm deposition --> 이후 E-beam evaporator로 Al/Fe film deposition예정 *주의할점 Silicon wafer에 Pillar 구조체가 공정되있는 상태 (무지개빛이 나는 부분) Pillar 구조체 spec : diameter 2um gap between pillars 2um height 5um	한양대학교	화학과	오은결	200,000원
1535	2015-05-04 13시	14시	VW Oxide Test_SiN Depo	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	200,000원
1536	2015-05-04 15시	16시	Ion implantation을 위한 buffer layer(SiO2) 증착	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	0원
1537	2015-05-06 11시	12시	Oxide 2um 증착 4\" SiC 2매, 10x10(mm) 3매	한국전기연구원	전력반도체연구센터	나문경	360,000원
1538	2015-05-06 13시	14시	Ti Etch Target Test_SiN Depo	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	200,000원
1539	2015-05-07 11시	12시	SiN CVD 평가_SiN Depo	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	400,000원
1540	2015-05-08 9시	11시	Oxide depo 0.7um1매, 1um1매, 1.5um1매, 0.7um2매 =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 330/460/800sec -Target Thickness : 0.7/1/1.5um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	600,000원
1541	2015-05-11 21시	22시	SiO2 증착 (200nm)	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
1542	2015-05-12 10시	12시	oxide depo 0.7um1매, 1.7um1매, 2um1매, 2um2매, 2um*1매 =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 330/800/960sec -Target Thickness : 0.7/1.7/2um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	1,100,000원
1543	2015-05-13 10시	11시	2-3-1 graphene treatment	포항공과대학교	전자전기공학과	이기환	160,000원
1544	2015-05-13 11시	12시	1-1-3 gate oxide pe-sio2 depo.	포항공과대학교	화학공학과	송홍선	160,000원
1545	2015-05-13 13시	15시	SiO2 2um deposition 1.4*1.4 cm 4EA	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1546	2015-05-13 15시	17시	pe-sin 3000A 5ea	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	500,000원
1547	2015-05-13 9시	10시	Oxide depo 0.7um1매, 1.7um1매, 2um*1매 =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 330/800/960sec -Target Thickness : 0.7/1.7/2um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	500,000원
1548	2015-05-14 11시	12시	1, 2 순서대로 진행 1. 앞면 SiO2 1000A 증착 2. 뒷면 SiO2 200A 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	0원
1549	2015-05-14 9시	11시	Oxide depo 0.7um1매, 0.7um2매, 1.7um1매, 2um1매, 2um*1매 =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 330/800/960sec -Target Thickness : 0.7/1.7/2um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	900,000원
1550	2015-05-15 9시	11시	Oxide depo 0.7um3매, 1um1매, 1.5um1매, 2um1매, 2um*1매 =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 330/460/650/960sec -Target Thickness : 0.7/1.0/1.5/2um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	1,000,000원
1551	2015-05-18 22시	1시	sio2 8um 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	448,000원
1552	2015-05-19 18시	19시	oxide deposition 20nm	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
1553	2015-05-20 11시	12시	PEOxide 증착 순서대로 진행 1. 앞면 1000A (취소) 2. 뒷면 200A	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	140,000원
1554	2015-05-20 13시	14시	Oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1555	2015-05-21 11시	12시	SiN 300nm 10회(2inch)	한국전자통신연구원	광인터넷부품연구실	김덕준	1,000,000원
1556	2015-05-21 13시	14시	Oxide depo 1.2um1매, 700Å1매, 600Å1매, 500Å1매 =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 23/27/35/560sec -Target Thickness : 50/60/70nm, 1.2um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	500,000원
1557	2015-05-21 15시	16시	SiO2 증착	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
1558	2015-05-22 11시	12시	SiO2 200nm 1회	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	70,000원
1559	2015-05-22 9시	11시	Oxide depo 1.5um1매, 2.4um1매, 1.5um1매, 2um3매, 1.5um*1매 =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 690/960/1104sec -Target Thickness : 1.5/2/2.4um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	1,500,000원
1560	2015-05-26 11시	12시	SiO2 2um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	180,000원
1561	2015-05-26 16시	17시	Oxide depo 0.7um2매, 800Å1매 =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 330sec/35sec -Target Thickness : 0.7um/800A	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	300,000원
1562	2015-05-27 10시	12시	시편 표면 제작 SiO2 500nm 4inch 2매	포항공과대학교	기계공학과	노현우	160,000원
1563	2015-05-27 12시	9시	1 PE-CVD Meterial: SiO2, Target Thickness: 3um, Stage Temp: 100C #21,22 2매 3회 2 PE-CVD Meterial: SiO2, Target Thickness: 3um, Stage Temp: 200C #23,24 2매 3회 3 PE-CVD Meterial: SiO2, Target Thickness: 3um, Stage Temp: 300C #1~4 4매 3회 4 PE-CVD Meterial: SiO2, Target Thickness: 5um, Stage Temp: 300C #5~8 4매 5회 5 PE-CVD Meterial: SiO2, Target Thickness: 200nm, Stage Temp: 300C #9~11 #12~14 6매 2회 6 PE-CVD Meterial: SiO2, Target Thickness: 500nm, Stage Temp: 300C #15~17 #18~20 6매 2회 8 PE-CVD Meterial: SiO2, Target Thickness: 3um, Stage Temp: 300C #12~14 #18~20 6매 6회	포스코	성능연구그룹	정현주	1,920,000원
1564	2015-05-28 4시	6시	SiN 3um 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	168,000원
1565	2015-05-28 9시	10시	Oxide depo 2um2매, 2um1매, 2.4um1매, 39sec1매 =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 960/1152sec -Target Thickness : 2/2.4um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	1,000,000원
1566	2015-05-29 22시	23시	SiO2 증착	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
1567	2015-06-02 10시	12시	UE MEMS Sensor 2nd 계약_Thinfilm	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	1,000,000원
1568	2015-06-03 14시	15시	SiO2증착 2um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	180,000원
1569	2015-06-04 11시	16시	PE-CVD Meterial: SiO2, Target Thickness: 1um, Stage Temp: 300C (#1,2,3) PE-CVD Meterial: SiO2, Target Thickness: 1um, Stage Temp: 300C #3,4 PE-CVD Meterial: SiO2, Target Thickness: 1um, Stage Temp: 50C #5 PE-CVD Meterial: SiO2, Target Thickness: 0.5um, Stage Temp: 50C (#4),#6 총 4회 진행	포스코	성능연구그룹	정현주	320,000원
1570	2015-06-04 9시	10시	Oxide depo 2um*1매 =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 960sec -Target Thickness : 2um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	200,000원
1571	2015-06-05 13시	14시	3-1-3 NW hardmask peoxide	전북대학교	전자공학부	김기현	140,000원
1572	2015-06-05 13시	15시	SiO2 50nm 100nm 각 1회 조각 샘플	경북대학교	전자공학과	임기식	200,000원
1573	2015-06-05 17시	19시	oxide 20nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	112,000원
1574	2015-06-05 9시	10시	Oxide depo 800Å1매, 2um 1매, 1.5um * 1매 =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 36/720/960sec -Target Thickness : 800A/1.5/2um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	500,000원
1575	2015-06-09 13시	15시	200A	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	80,000원
1576	2015-06-10 13시	14시	SiO2 2um deposition	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1577	2015-06-11 16시	17시	SiO2 증착(1500A)	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
1578	2015-06-15 13시	23시	Case1 Sample7 Layer1 SiO2 200nm 11매(4회) Case1 Sample7 Layer3 SiO2 3um 5매(6회) Case1 Sample7 Layer3 SiO2 5um 3매(5회) Case1 Sample7 Layer3 SiO2 7um 3매(7회) Case1 Sample8 Layer1 SiO2 300nm 2매(1회) Case1 Sample9 Layer1 SiO2 400nm 5매(2회) Case1 Sample9 Layer3 SiO2 3um 5매(6회)	포스코	성능연구그룹	정현주	2,480,000원
1579	2015-06-16 13시	18시	Case3 Sample1 Layer1 SiO2 3um 2매(3회) Case3 Sample2 Layer1 SiO2 3um 2매(3회) Case3 Sample3 Layer1 SiO2 3um 3매(3회)	포스코	성능연구그룹	정현주	720,000원
1580	2015-06-17 19시	23시	Case1 Sample2 Layer1 SiO2 10nm 6매(2회) Case1 Sample2 Layer2 SiO2 3um 6매(6회)	포스코	성능연구그룹	정현주	640,000원
1581	2015-06-18 10시	11시	oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1582	2015-06-18 17시	18시	Case1 Sample1 Layer1 SiO2 50nm 2매(1회)-Al 증착 후 color 관찰	포스코	성능연구그룹	정현주	80,000원
1583	2015-06-19 15시	16시	0-2-3 bottom oxide 0-2-4 bottom oxide	포항공과대학교	전자전기공학과	이기환	320,000원
1584	2015-06-19 9시	10시	Oxide depo 2.4um * 1매 =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High -Depo Time : 1160sec -Target Thickness : 2.4um	메이플세미컨덕터(주)	신사업본부	최지영	300,000원
1585	2015-06-22 17시	18시	sio2 20nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
1586	2015-06-22 9시	16시	Case4 Sample1~3 Layer1 SiO2 20nm 3매(1회) Case4 Sample4~6 Layer1 SiO2 200nm 3매(1회) Case4 Sample1~3 Layer3 SiO2 7um 3매(7회) Case4 Sample4~6 Layer3 SiO2 7um 3매(7회)	포스코	성능연구그룹	정현주	1,280,000원
1587	2015-06-23 16시	18시	SiO2 100nm	전북대학교	전자공학부	김기현	140,000원
1588	2015-06-23 21시	22시	SiO2 증착	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
1589	2015-06-24 1시	2시	sio2 2000A	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
1590	2015-06-24 11시	13시	3-1-3 hard mask proxide	전북대학교	전자공학부	김기현	280,000원
1591	2015-06-24 13시	15시	ROIC2 Feasibility Test_Nitride Dep. ================================ 300도, Oxide 1000A + Nitride 2000A ================================ 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300C -Recipe Name : SiO2_High/UE 2-5 -Depo Time : 42/92sec -Target Thickness : 1000/200nm	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	1,600,000원
1592	2015-06-25 13시	16시	SiO2 2um증착	한국전기연구원	전력반도체연구단 차세대반도체연구센터	문정현	720,000원
1593	2015-06-25 16시	18시	맨 위 2장만 패턴 위에 Oxide 4000A 올려주세요. 패턴이 아래를 보게 보관해놨습니다.	포항공과대학교	기계공학과	원동준	140,000원
1594	2015-06-26 11시	12시	0-2-3 bottom oxide pe-cvd	포항공과대학교	전자전기공학과	이기환	80,000원
1595	2015-06-28 14시	15시	SiO2 300nm	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
1596	2015-07-01 10시	18시	SiN 3000A 1회 SiN 5um 1회 SiO2 Low Deposition Test 2000A 2매 SiO2 Low Deposition 5um 1회	포스코	성능연구그룹	정현주	1,040,000원
1597	2015-07-03 20시	21시	SiO2 3000A	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
1598	2015-07-06 9시	15시	PE-SiO2 Uniformity Test 1000A 6매 1um 3매 Process Pressure Split & Thickness Measurement	포스코	성능연구그룹	정현주	720,000원
1599	2015-07-07 9시	18시	3차실험 Sample 300도_thickness #(ea) A급 B급 기존 deposition 5 μm #01-A #01-B Low dep. rate 5 μm #02-A #02-B 10 nm Al 7nm #03-A #03-B 50 nm Al 7nm #04-A #04-B 100 nm Al 7nm #05-A #05-B 200 nm Al 7nm #06-A #06-B 400 nm Al 7nm #07-A #07-B 500 nm Al 7nm #08-A #08-B 700 nm Al 7nm 　 #09-B 900 nm Al 7nm 　 #10-B	포스코	성능연구그룹	정현주	1,152,000원
1600	2015-07-08 11시	12시	SiO2 1um deposition SiC 1EA Si dummy 3EA	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	90,000원
1601	2015-07-09 13시	16시	SiO2 depo 2um	한국전기연구원	전력반도체연구단 차세대반도체연구센터	문정현	900,000원
1602	2015-07-09 16시	17시	2-3-1 Graphene Graphene Treatment PECVD 07월 09일 1매 . 기판온도 50C !!!, Split : H2/Ar=X0/X0sccm XXmin, P: 30 m Torr, Power=250W, total : 90sccm	포항공과대학교	전자전기공학과	이기환	64,000원
1603	2015-07-09 20시	21시	Sio2 3000A	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
1604	2015-07-10 14시	16시	SiO2 depo 2um	한국전기연구원	전력반도체연구단 차세대반도체연구센터	문정현	360,000원
1605	2015-07-10 9시	16시	SiO2 low deposition on Mg sheet 20/40/5/70/120/150/170/200/250/450nm 각 1회(총 10회)	포스코	성능연구그룹	정현주	800,000원
1606	2015-07-14 13시	15시	UE_ROIC2_Feasibility Test_Nitride Depo. ====================================== Oxide 1000A+Nitride 2000A ================================ 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 300/250C -Recipe Name : SiO2_High/UE 2-5 -Depo Time : 42/92sec -Target Thickness : 1000/200nm	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	1,600,000원
1607	2015-07-14 15시	20시	SiO2 low deposition on Mg sheet(5차) 20/150/300/500/700/350nm 각 1회(총 6회)	포스코	성능연구그룹	정현주	480,000원
1608	2015-07-15 18시	10시	SiO2 deposition (7/15) SiO2 low deposition 500nm SiO2 low deposition 20nm SiO2 low deposition 350nm SiO2 High deposition 5um SiO2 low deposition 150nm SiO2 High deposition 5um SiO2 low deposition 20nm SiO2 High deposition 5um SiO2 low deposition 170nm (7/16) SiO2 High deposition 4um SiO2 low deposition 10nm SiO2 low deposition 180nm SiO2 low deposition 270nm SiO2 High deposition 4um SiO2 High deposition 4um SiO2 High deposition 4um SiO2 High deposition 4um SiO2 low deposition 280nm SiO2 High deposition 4um SiO2 High deposition 4um SiO2 High deposition 4um	포스코	성능연구그룹	정현주	4,720,000원
1609	2015-07-15 9시	18시	SiO2 High deposition on Mg sheet(5차) S-01,H-01 & S-02,H-02 5um 2회	포스코	성능연구그룹	정현주	800,000원
1610	2015-07-16 10시	11시	Oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1611	2015-07-16 11시	12시	SiN 100nm	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	70,000원
1612	2015-07-17 13시	15시	MEMS Sensor_단위공정 Test ============================ Oxide 1000A + Nitride 2000A	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	1,000,000원
1613	2015-07-21 13시	15시	SiO2 2um 증착 4inch 3매	한국전기연구원	전력반도체연구단 차세대반도체연구센터	문정현	540,000원
1614	2015-07-22 9시	10시	Low deposition 300도 / Interlayer (Al) / High deposition 300도 1 20 nm 12 nm 5 µm 2 100 nm 12 nm 5 µm 3 130 nm 12 nm 5 µm 4 160 nm 12 nm 5 µm 5 180 nm 12 nm 5 µm 6 200 nm 12 nm 5 µm 7 225 nm 12 nm 5 µm 8 250 nm 12 nm 5 µm 9 270 nm 12 nm 5 µm 10 300 nm 12 nm 5 µm 11 325nm 12 nm 5 µm 12 350 nm 12 nm 5 µm 13 400 nm 12 nm 5 µm 14 450 nm 12 nm 5 µm 샌딩 (1ea) & 헤어라인 (1ea)	포스코	성능연구그룹	정현주	6,720,000원
1615	2015-07-24 11시	12시	SiO2 deposition, 50 nm	포항공과대학교	신소재공학과	민성용	70,000원
1616	2015-07-24 15시	17시	7/24 E2nd-07 N2/H2 plasma treatment E2nd-08 N2/H2 plasma treatment	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
1617	2015-07-24 17시	18시	SiO2	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
1618	2015-07-28 10시	15시	Low deposition 300도 / Interlayer (Al) / High deposition 300도 1 20 nm 7nm 5 µm 2 100 nm 7 nm 5 µm 3 130 nm 7 nm 5 µm 4 160 nm 7 nm 5 µm 5 180 nm 7 nm 5 µm 6 200 nm 7 nm 5 µm 7 225 nm 7 nm 5 µm 8 250 nm 7 nm 5 µm 9 270 nm 7 nm 5 µm 10 300 nm 7 nm 5 µm 11 325nm 7 nm 5 µm 12 350 nm 7 nm 5 µm 13 400 nm 7 nm 5 µm 헤어라인 (1ea)	포스코	성능연구그룹	정현주	3,840,000원
1619	2015-08-03 14시	16시	앞면 1000A -> Passivation 뒷면 200A -> Hard mask 앞면 선 증착후 뒷면 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	700,000원
1620	2015-08-04 13시	14시	oxide 20nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
1621	2015-08-12 11시	12시	oxide_20nm deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	이승호	56,000원
1622	2015-08-12 16시	17시	6 inch Si test wafer에 silicon nitride 3000A 증착	연세대학교	반도체메모리공정연구실	박지우	100,000원
1623	2015-08-12 16시	16시	9차실험 #01 High deposition 100도 5µm #01 High deposition 200도 5µm #01 High deposition 300도 5µm #02 High deposition 300도 700mm #02 Low deposition 300도 700mm #03 High deposition 200도 700mm #03 Low deposition 200도 700mm #04 High deposition 300도 5µm #04 High deposition 300도 8µm	포스코	성능연구그룹	정현주	2,560,000원
1624	2015-08-14 10시	18시	날짜 장비 공정 매수 02월 24일 PE-CVD SiO2 0.7um 1 02월 24일 PE-CVD SiO2 2um 1 03월 30일 PE-CVD SiO2 1um 1 05월 19일 PE-CVD SiO2 2um 1 06월 03일 PE-CVD SiO2 2.4um 1 06월 11일 PE-CVD SiO2 0.7um 1 06월 18일 PE-CVD SiO2 2.4um 1 06월 18일 PE-CVD SiO2 2um 1 06월 19일 PE-CVD SiO2 800A 3 06월 23일 PE-CVD SiO2 0.7um 1 06월 23일 PE-CVD SiO2 2um 1 06월 30일 PE-CVD SiO2 800A 2 07월 08일 PE-CVD SiO2 1um 1 07월 09일 PE-CVD SiO2 800A 1 07월 13일 PE-CVD SiO2 2um 2 07월 14일 PE-CVD SiO2 2um 2	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	2,560,000원
1625	2015-08-17 14시	15시	(8/17) SiO2 2um 1회	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	160,000원
1626	2015-08-17 9시	12시	날짜 공정 매수 07월 27일 SiO2 0.7um 2 07월 28일 SiO2 2um 2 08월 04일 SiO2 0.7um 1 08월 05일 SiO2 0.7um 1 08월 07일 SiO2 2um 2 08월 10일 SiO2 2.4um 1 08월 14일 SiO2 0.7um 1 08월 14일 SiO2 2um 1	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	1,440,000원
1627	2015-08-18 9시	23시	8차 실험 SiO2 증착 Low deposition 300도/ High deposition 300도/ High deposition 300도 #01 120 nm 5 µm - #02 120 nm 7 µm - #03 120 nm 5µm - #04 120 nm 7µm - #05 200 nm 5 µm - #06 200 nm 5 µm - #07 200 nm 7µm - #08 270 nm 5 µm - #09 270 nm 5 µm - #10 270 nm 7µm - #11 460 nm 5 µm - #12 460 nm 5 µm - #13 460 nm 7µm - #14 200 nm 5 µm - #15 200 nm 7µm - #16 - 5 µm - #17 - 5 µm - #18 - 7µm - #19 1 µm 200nm 5 µm #20 200 nm 200nm -	포스코	성능연구그룹	정현주	3,920,000원
1628	2015-08-19 13시	15시	Oxide depo 2um 5매	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	900,000원
1629	2015-08-19 18시	20시	1-3-1 Ch.IIP Protect Mask pe-ox	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	400,000원
1630	2015-08-19 19시	21시	4-4-1 GATE IMD Depo.	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	210,000원
1631	2015-08-19 9시	12시	9차실험 SiO2 증착 #05 High deposition 300도 110nm Al7nm 5µm sample 3ea #05 High deposition 300도 110nm Al30nm 5µm sample 4ea #여분 Al E-Beam 적용 Test 200nm	포스코	성능연구그룹	정현주	1,520,000원
1632	2015-08-20 11시	15시	SiO2 0.7um 2um(8/21)	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	240,000원
1633	2015-08-20 16시	11시	10차 Al sample SiO2 High 10um SiO2 High 15um sample 각 2매 증착	포스코	성능연구그룹	정현주	2,000,000원
1634	2015-08-24 17시	18시	PE-SiN 3000A 6inch 2매 증착	연세대학교	신소재공학과	김영모	200,000원
1635	2015-08-25 10시	18시	연구 SiN 3000A 증착 6inch 15매 PE-SiN 공정 완료	연세대학교	반도체메모리공정연구실	박지우	1,500,000원
1636	2015-08-26 12시	15시	SiO2 2um 2매(8/26)	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	320,000원
1637	2015-08-26 20시	21시	SIO2 150nm 증착	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
1638	2015-08-27 11시	12시	3-1-3 SD.IIP Hard Mask proxide	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	280,000원
1639	2015-08-27 14시	23시	10-2,3차실험 #01 SiO2 200nm @100C 1회 #02 SiO2 200nm @200C 1회 #03 SiO2 200nm @300C 1회 #01,04,07 SiO2 8um @100C 1회 #02,05,08 SiO2 8um @200C 1회 #03,06,09 SiO2 8um @300C 1회 #07 SiO2 120nm @100C 1회 #08 SiO2 120nm @200C 1회 #09 SiO2 120nm @300C 1회	포스코	성능연구그룹	정현주	2,400,000원
1640	2015-08-27 15시	16시	6-5-1 M1 2nd IMD Depo PE-NIT Depo. 5000A 3ea	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	210,000원
1641	2015-08-27 9시	13시	10-1차실험 #01~03 SiO2 200nm 1회 #01,04,05 SiO2 5um 1회 #02 SiO2 10um 1회 #03 SiO2 15um 1회	포스코	성능연구그룹	정현주	2,480,000원
1642	2015-08-28 21시	22시	SiO2 증착	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
1643	2015-08-31 14시	15시	8-3-5 M2 PAD Depo. PE-Nit Depo 5000A 3ea	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	210,000원
1644	2015-08-31 17시	18시	Ion implantation 위한 Buffer oxide SiO2 20nm 증착 SOI wafer 3매	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	210,000원
1645	2015-08-31 2시	4시	SiO2 1.5um 증착 5매	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	800,000원
1646	2015-09-01 13시	15시	SiO2 depo 2um 3매	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	540,000원
1647	2015-09-01 15시	23시	11차 실험 #1-1 SiO2 100C 5um #1-2 SiO2 200C 5um #1-3 SiO2 300C 5um #2-1 SiO2 200C 8um	포스코	성능연구그룹	정현주	1,840,000원
1648	2015-09-01 9시	13시	SiO2 2um 2매(9/1)	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	320,000원
1649	2015-09-02 16시	18시	11차 실험 SiO2 200nm 200C 1회(black sample 2ea) SiO2 100nm 200C 1회(black sample 4ea)	포스코	성능연구그룹	정현주	160,000원
1650	2015-09-02 18시	23시	11차 실험 #4-1 SiO2 200nm + 8um 200C #4-2 SiO2 8um 200C #4-5 SiO2 8um 200C	포스코	성능연구그룹	정현주	720,000원
1651	2015-09-02 9시	16시	11차 실험 #3-1 SiO2 200nm + 8um 200C #3-2 SiO2 390nm + 8um 200C #3-3 SiO2 8um 200C #3-4 SiO2 500nm + 8um 200C	포스코	성능연구그룹	정현주	2,800,000원
1652	2015-09-03 10시	15시	11차 실험 #5-1 SiO2 4um + 4um 200C #5-2 SiO2 5um + 2um 200C #5-3 SiO2 1um + 7um 200C	포스코	성능연구그룹	정현주	1,840,000원
1653	2015-09-03 19시	20시	SiO2 증착 1500A 300C 1회	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
1654	2015-09-03 9시	10시	UE Cap 공정 SiN 3000A, 8ea =============================== 공정조건: -Chillier Temperature : 25C -Stage Temperature : 250C -Recipe Name : UE 2-5 -Target Thickness : 0.3um	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	800,000원
1655	2015-09-04 16시	17시	SiO2 20nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
1656	2015-09-04 19시	21시	SiO2 1um 1매(9/3)	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	80,000원
1657	2015-09-07 10시	12시	6-5-1 m1 2nd imd depo. 5000A	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	210,000원
1658	2015-09-08 11시	12시	SiN 7000Ådep (9/3) 2매	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	160,000원
1659	2015-09-08 12시	15시	Oxide Depo 1.4um (9/7) 2um (9/8)	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	320,000원
1660	2015-09-08 16시	24시	12-ES3차/sputtering 1-1,1-5 SiO2 3um 1-2,1-6 SiO2 5um 1-3 SiO2 7um 1-4,1-5,1-6 SiO2 2um 1-4 SiO2 1um	포스코	성능연구그룹	정현주	1,440,000원
1661	2015-09-09 12시	14시	silicon nitride 1800A depo 15매	연세대학교	반도체메모리공정연구실	박지우	1,500,000원
1662	2015-09-09 14시	15시	sio2 증착 2um 조각 1회	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1663	2015-09-09 15시	16시	SiN dep.2매	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	160,000원
1664	2015-09-10 10시	11시	Cover glass위에 silicon nitride coating처리를 한 후 methyl terminated SAM 처리를 하여 그 표면 위에 collagen(ECM)을 깔기 위한 전처리로써 사용하고자 합니다.	포항공과대학교	기계공학과	박성호	80,000원
1665	2015-09-10 11시	13시	0-2-1 fab-in 절연막 증착 pe-ox 5000A 0-2-2 fab-in 절연막 증착 pe-nitride 7000A				1,000,000원
1666	2015-09-10 14시	19시	Oxide Depo	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	200,000원
1667	2015-09-10 19시	20시	oxide 500Å/ SiN 500Å증착	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	160,000원
1668	2015-09-10 8시	10시	SiO2 200A 8inch 4매	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	280,000원
1669	2015-09-12 10시	11시	SiO2 증착	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
1670	2015-09-14 10시	11시	GaN 조각 pe-ox 2000A 런시트 변경전	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	70,000원
1671	2015-09-15 11시	13시	sio2 2um	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1672	2015-09-15 9시	11시	oxide 200Å/SiN 800Å	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	160,000원
1673	2015-09-16 13시	15시	4\" Si-1매 4\" SiC-2매 증착두께: 1um(2um 변경)	한국전기연구원	전력반도체연구센터	나문경	540,000원
1674	2015-09-17 11시	13시	PEOxide 뒷면 100nm	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	56,000원
1675	2015-09-17 16시	18시	PEOxide deposition(dhf etch issue로 재작업 진행)	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	112,000원
1676	2015-09-17 20시	13시	13차 실험 SiO2 200nm 300C 1회(hair sample 3ea) SiO2 500nm 300C 1회(hair sample 3ea) SiO2 5um 300C 1회(hair sample 3ea) SiO2 6um 300C 2회(hair sample 6ea) SiO2 7um 300C 1회(hair sample 3ea)	포스코	성능연구그룹	정현주	2,080,000원
1677	2015-09-18 9시	10시	oxide 200Å/SiN 800Å	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	160,000원
1678	2015-09-21 10시	11시	oxide 200Å/ SiNx 800Å	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	160,000원
1679	2015-09-21 13시	14시	SiN 1800A	연세대학교	신소재공학과	김영모	100,000원
1680	2015-09-21 14시	15시	Oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1681	2015-09-22 12시	17시	13차-PAC2차 #1-1 SiO2 7um #1-3 SiO2 200nm #1-4 SiO2 500nm	포스코	성능연구그룹	정현주	720,000원
1682	2015-09-23 11시	12시	Oxide 20nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이승호	168,000원
1683	2015-09-23 15시	16시	pe-ox 2um 1ea	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	160,000원
1684	2015-09-24 13시	14시	Oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1685	2015-09-24 13시	16시	pe-ox 2um 6ea(4inch)	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	1,260,000원
1686	2015-09-25 11시	12시	PEOxide depo.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	56,000원
1687	2015-09-25 14시	15시	Nitride 1800A증착 7매	연세대학교	반도체메모리공정연구실	박지우	700,000원
1688	2015-09-30 13시	15시	Buffer Oxide SiO2 20nm 증착	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	210,000원
1689	2015-10-01 14시	15시	Oxide 1um depo. Mo patterned	한국전기연구원	전력반도체연구센터	나문경	90,000원
1690	2015-10-01 14시	16시	pe-ox 2um 2ea	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	400,000원
1691	2015-10-02 16시	17시	Si 위에 골드층(150nm)이 올라가 있습니다. 이 위에 SiO2 150nm를 저온에서 증착하려고 합니다. (50도~100도)	포항공과대학교	기계공학과	김인기	80,000원
1692	2015-10-02 8시	12시	14-ES4차/sputtering #1 SiO2 130nm / #3 SiO2 225nm / #4 SiO2 225nm / #5 SiO2 340nm #6 SiO2 470nm / #7 SiO2 390nm / #8 SiO2 310nm / #9 SiO2 500nm	포스코	성능연구그룹	정현주	640,000원
1693	2015-10-05 16시	18시	Oxide Depo 2um	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	160,000원
1694	2015-10-05 8시	15시	15-ES4차/sputtering #1 SiO2 6um #2 SiO2 200nm / SiO2 6um #3 SiO2 225nm / SiO2 6um #6 SiO2 4um / SiO2 3um	포스코	성능연구그룹	정현주	2,160,000원
1695	2015-10-06 12시	17시	Oxide Depo 2.4um	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	240,000원
1696	2015-10-06 17시	18시	PECVD-Oxide 증착 1800A 2ea	포항공과대학교	전자전기공학과	이승호	112,000원
1697	2015-10-07 11시	16시	산화막증착 2um 2ea	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	320,000원
1698	2015-10-07 16시	17시	Buffer Oxide 20nm 증착 5ea	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	210,000원
1699	2015-10-09 10시	10시	16-ES4차/sputtering #1 SiO2 5um / SiO2 2um #2 SiO2 120nm / SiO2 5um #3 SiO2 200nm / SiO2 5um #4 SiO2 500nm / SiO2 5um #5 SiO2 700nm / SiO2 5um #6 SiO2 450nm / SiO2 5um	포스코	성능연구그룹	정현주	2,960,000원
1700	2015-10-12 11시	12시	SiO2 150nm 증착 (50도) 조각 2장	포항공과대학교	기계공학과	윤관호	80,000원
1701	2015-10-13 10시	13시	SIO2 1100A,1200A,1300A,1.5um	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	400,000원
1702	2015-10-13 14시	16시	후속공정 진행을 위한 SiO2 thin film 증착 SiO2 1.5um 4ea	LG전자	SIC연구소	이호중	640,000원
1703	2015-10-13 16시	17시	SiO2 120nm 2회 진행(ES, PAC)	포스코	성능연구그룹	정현주	160,000원
1704	2015-10-14 8시	17시	14-ES 4차/sputtering 5um 8회(#1,3,4,5,6,7,8,9)	포스코	성능연구그룹	정현주	3,200,000원
1705	2015-10-15 15시	16시	산화막증착 2um	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	160,000원
1706	2015-10-16 11시	12시	Patterned SOI Wafer 3장 PECVD-SiO2 : 200Å 재작업	포항공과대학교	미래IT융합연구원	김유미	0원
1707	2015-10-16 13시	14시	Oxide 3000A 증착	전북대학교	전자공학부	김기현	56,000원
1708	2015-10-16 18시	10시	18-ES5차/sputtering #1 SiO2 5um / SiO2 2um / Rework SiO2 5um #2 SiO2 120nm / SiO2 5um / Rework SiO2 120nm #3 SiO2 200nm / SiO2 5um #4 SiO2 500nm / SiO2 5um #5 SiO2 700nm / SiO2 5um #6 SiO2 450nm / SiO2 5um	포스코	성능연구그룹	정현주	3,440,000원
1709	2015-10-19 11시	17시	Oxide Depo 1300A 2ea	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	160,000원
1710	2015-10-19 17시	18시	4-4-1 GATE IMD Depo.(선행포함 3ea)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	210,000원
1711	2015-10-19 19시	21시	SiO2 3000A 6ea	전북대학교	전자공학부	김기현	660,000원
1712	2015-10-20 9시	10시	ROIC w/f SiN 3000 dep	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	160,000원
1713	2015-10-21 17시	13시	19-M1차 SiO2 400A / 1000A / 1100A / 1200A / 1600A / 1800A / 2000A / 2100A / 3500A / 3900A / 4500A / 1um = 12매 SiO2 5um = 12매(60회) 총 72회	포스코	성능연구그룹	정현주	5,760,000원
1714	2015-10-22 12시	13시	oxide 10nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
1715	2015-10-22 15시	16시	SOI wafer (6inch) 5ea SiO2 : 200A	포항공과대학교	미래IT융합연구원	김유미	280,000원
1716	2015-10-23 10시	12시	다음의 순서대로 진행 1) wafer 앞면 50nm PEOxide 증착 2) wafer 뒷면 20nm PEOxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	560,000원
1717	2015-10-23 13시	14시	oxide 50Å/SiN 950Å증착	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	320,000원
1718	2015-10-26 15시	16시	SOI wafer (6inch) 2ea SiO2 :200A	포항공과대학교	미래IT융합연구원	김유미	112,000원
1719	2015-10-26 18시	21시	Nitride 1800A 증착.	연세대학교	반도체메모리공정연구실	박지우	600,000원
1720	2015-10-26 21시	22시	nitride 증착	연세대학교	반도체메모리공정연구실	박지우	200,000원
1721	2015-10-26 22시	15시	20-M1 SiO2 40nm / 100nm / 110nm / 160nm / 180nm / 200nm / 210nm / 390nm / 450nm / 1um 10회 SiO2 5um 7ea = 35회	포스코	성능연구그룹	정현주	3,600,000원
1722	2015-10-28 13시	14시	ROIC w/f OHO SiNx 500Å	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	160,000원
1723	2015-10-28 16시	17시	석오균 박사님 SiO2 2um deposition 진행 예정입니다. test si wafer 2um 1ea sic wafer 2um 2ea 9/10 5000A 2ea	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	720,000원
1724	2015-10-28 22시	23시	SiO2 1um 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	56,000원
1725	2015-10-29 13시	17시	산화막증착 500A	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	80,000원
1726	2015-10-31 9시	23시	21차 M2 실험 1. SiO2 high 470nm/700nm 2. SiO2 low 30nm/470nm/500nm 3. SiO2 high 4um/6um 4. SiO2 middle 6um	포스코	성능연구그룹	정현주	1,680,000원
1727	2015-11-02 17시	18시	backside SiO2 200nm	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	280,000원
1728	2015-11-03 15시	17시	PEOxide 증착 앞면 20nm 선증착 뒷면 2000nm 후증착	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	560,000원
1729	2015-11-04 10시	12시	6inch dummy w/f oxide 50Å SiN 950Å dep	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	320,000원
1730	2015-11-04 12시	16시	22차 test SiO2 470nm 2매, 6um 2매 총 14회진행	포스코	성능연구그룹	정현주	1,120,000원
1731	2015-11-04 17시	20시	앞면 10nm 뒷면 250nm	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	224,000원
1732	2015-11-04 20시	21시	SiO2 증착 500A	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
1733	2015-11-04 8시	9시	siO2 1um	포항공과대학교	전자과	백상원	56,000원
1734	2015-11-05 11시	13시	23차 tset 470nm / 6um	포스코	성능연구그룹	정현주	560,000원
1735	2015-11-05 15시	17시	ROIC w/f PA step oxide/SiN dep	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	320,000원
1736	2015-11-05 17시	19시	1-2-1 mask depo.	전북대학교	전자공학부	김기현	210,000원
1737	2015-11-09 12시	13시	0-2-1 gate bottom oxide 1000A	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	80,000원
1738	2015-11-09 17시	19시	8-5-2 G_P 2nd IMD Depo.	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	210,000원
1739	2015-11-10 11시	16시	24차 실험 4700A 2매, 6um 2매 총 14회 청구	포스코	성능연구그룹	정현주	1,120,000원
1740	2015-11-11 10시	18시	PSS Oxide Deposition	SSADT	경영지원	지이권	1,700,000원
1741	2015-11-12 14시	15시	SiO2 20nm 2매	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	140,000원
1742	2015-11-12 22시	23시	SiO2 500 nm depo,	포항공과대학교	전자과	백상원	56,000원
1743	2015-11-13 10시	17시	25-MK1차 470nm + 6um 2매씩 진행	포스코	성능연구그룹	정현주	1,120,000원
1744	2015-11-15 15시	15시	26차 470nm + 6um 3매씩 진행 총21회진행	포스코	성능연구그룹	정현주	1,680,000원
1745	2015-11-16 13시	14시	Oxide depo 1um 1매	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	100,000원
1746	2015-11-17 9시	11시	Oxide depo 1um*2매	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	200,000원
1747	2015-11-18 11시	12시	pe-ox 200A 2매	포항공과대학교	미래IT융합연구원	김유미	112,000원
1748	2015-11-18 13시	21시	27차 실험 470nm 5매, 6um 3매	포스코	성능연구그룹	정현주	1,840,000원
1749	2015-11-19 15시	16시	열전발전소 pe-ox 1000A	전북대학교	전자공학부	김기현	70,000원
1750	2015-11-23 20시	22시	nitride 1800A 증착	연세대학교	반도체메모리공정연구실	박지우	270,000원
1751	2015-11-24 14시	24시	Posco 28차(sample이 많아서 A,B,C,D 조건별 2매씩 나눠서 진행) 470nm 8매 5um 8매 총 48회 진행	포스코	성능연구그룹	정현주	3,840,000원
1752	2015-11-24 8시	14시	3220 MEMS IR Sensor_2015/11	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	2,000,000원
1753	2015-11-25 9시	12시	PSS_Oxide Deposition	SSADT	경영지원	지이권	1,000,000원
1754	2015-11-26 13시	16시	SiO2 1.5um 3매	LG전자	SIC연구소	이호중	480,000원
1755	2015-11-26 16시	19시	Nitride depo 1800A	연세대학교	반도체메모리공정연구실	박지우	540,000원
1756	2015-11-30 22시	23시	Oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1757	2015-11-30 8시	11시	SiO2 1.5um 6매	LG전자	SIC연구소	이호중	960,000원
1758	2015-12-01 15시	16시	6inch SOI Wafer 1ea SiO2 200A	포항공과대학교	미래IT융합연구원	김유미	56,000원
1759	2015-12-01 17시	19시	2-1-1 passivation depo pe-oxide 2-1-1 passivation depo pe-nitride	(주) 이너센서	이너센서	강문식	0원
1760	2015-12-04 10시	11시	Oxide 500nm증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이승호	56,000원
1761	2015-12-04 12시	13시	SIO2 500 nm 양면 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	112,000원
1762	2015-12-04 13시	17시	3220 MEMS IR Sensor_2015/12	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	1,000,000원
1763	2015-12-07 11시	12시	6inch SOI Wafer 1ea SiO2 : 200A	포항공과대학교	미래IT융합연구원	김유미	56,000원
1764	2015-12-08 10시	12시	Oxide 2um 증착 SiC 14x14mm-10ea	한국전기연구원	전력반도체연구센터	나문경	180,000원
1765	2015-12-08 14시	15시	Oxide 500nm증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이승호	56,000원
1766	2015-12-08 15시	17시	3220 MEMS IR Sensor_2015/12	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	2,000,000원
1767	2015-12-08 20시	21시	SiO2 500nm 증착	포항공과대학교	신소재공학과	황선용	64,000원
1768	2015-12-09 10시	11시	1-2-1 Gate Plasma Treatment	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	70,000원
1769	2015-12-09 12시	15시	pe-ox 1.5um/3.8um on SiC	LG전자	SIC연구소	이호중	480,000원
1770	2015-12-09 19시	20시	sio2 500 nm front/backside deposition	포항공과대학교	전자과	백상원	112,000원
1771	2015-12-10 10시	12시	4-10-4 gate oxide h2 treatment WF01 4-10-6 gate oxide h2 treatment WF02	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
1772	2015-12-10 11시	12시	1-4-1 gate plasma treatment	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	70,000원
1773	2015-12-10 15시	16시	SIO2 500nm 증착 front/back	포항공과대학교	전자과	백상원	112,000원
1774	2015-12-13 16시	13시	26-S1차 실험 470nm, 6um 3매 총 21회	포스코	성능연구그룹	정현주	1,680,000원
1775	2015-12-14 14시	18시	분석용_Oxide Depo	현대자동차	환경에너지연구팀	정영균	2,000,000원
1776	2015-12-16 10시	12시	oxide 2um depostion	한국전기연구원	전력반도체연구센터	나문경	90,000원
1777	2015-12-17 11시	12시	SiO2 100 nm 증착	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	70,000원
1778	2015-12-17 14시	16시	pe-oxided 0.7um 6매 진행	LG 전자	ICS 팀	황의진	480,000원
1779	2015-12-17 17시	19시	2-1-1 passivation depo. po-oxide 2-1-1 passivation depo. pe-nitride	(주) 이너센서	이너센서	강문식	0원
1780	2015-12-18 9시	16시	30-S1차 실험 470nm 4매, 6um 1매, 8um 2매 총 28회	포스코	성능연구그룹	정현주	2,240,000원
1781	2015-12-21 12시	14시	1-1-1 1st oxide	포항공과대학교	기계공학과	윤나리	210,000원
1782	2015-12-21 14시	16시	PI위에 SiO2, 150 oC, 200nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	80,000원
1783	2015-12-22 14시	15시	SiO2 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이승호	56,000원
1784	2015-12-22 19시	11시	실험계획서 31-K1S2차 520nm 4매, 8um 4매 총 36회	포스코	성능연구그룹	정현주	2,880,000원
1785	2015-12-23 11시	12시	PECVD Oxide 5000A 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이승호	112,000원
1786	2015-12-24 15시	16시	초기 개발 준비을 위한 조건 검증	(주) 이너센서	연구개발전담부	우종창	800,000원
1787	2015-12-28 14시	18시	MIM capacitor	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	300,000원
1788	2015-12-28 21시	22시	Oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1789	2015-12-28 9시	13시	미래부 전문인력양성_소자공정 실습 (Thinfilm)	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	1,000,000원
1790	2015-12-30 10시	11시	특허과제	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	70,000원
1791	2015-12-30 13시	18시	미래부 전문인력양성_소자공정 실습 (Thinfilm)	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	1,000,000원
1792	2016-01-06 12시	16시	pe-oxide 0.7um 5ea 1.5um 3ea	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	880,000원
1793	2016-01-08 11시	12시	0-1-6 akey pad oxide 150c 2000A	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	80,000원
1794	2016-01-11 12시	13시	1-1-1 SiN Depo. 500A	고려대학교	전기전자공학부	장환준	100,000원
1795	2016-01-11 14시	15시	pe-oxide 200A	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	70,000원
1796	2016-01-13 15시	16시	1-1-1 SiN depo.	고려대학교	전기전자공학부	장환준	90,000원
1797	2016-01-14 13시	14시	SiO2 1000A 증착	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	56,000원
1798	2016-01-14 13시	14시	siO2 300nm 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	56,000원
1799	2016-01-14 9시	10시	Oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
1800	2016-01-15 9시	14시	33-B1 pe-oxide 520nm, 6um 각2회 진행	포스코	성능연구그룹	정현주	1,120,000원
1801	2016-01-18 10시	14시	나노실리콘 기반 센서제작(4.0012738.01)_Oxide Depo	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	700,000원
1802	2016-01-19 12시	13시	SiO2 50nm	경북대학교	전자공학과	임기식	100,000원
1803	2016-01-19 16시	18시	SiN 2500A 4inch 2매	한국전자통신연구원	GaN전력소자연구실	박영락	200,000원
1804	2016-01-20 14시	14시	pe-oxide 1.5um 증착 5ea	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	800,000원
1805	2016-01-21 10시	11시	pe-oxide 4000A 2ea	포항공과대학교	기계공학과	원동준	140,000원
1806	2016-01-21 9시	10시	nitride 65 nm deposition	포항공과대학교	기계공학과	허영진	80,000원
1807	2016-01-22 8시	16시	34-K1B2 실험 520nm 5ea, 6um 3ea, 8um ea 총 39회	포스코	성능연구그룹	정현주	3,120,000원
1808	2016-01-25 14시	15시	oxide 1um deposition	포항공과대학교	전자과	백상원	56,000원
1809	2016-01-25 14시	15시	2-2-1 Ge SiN Depo 500A	고려대학교	전기전자공학부	장환준	90,000원
1810	2016-01-25 16시	18시	InP 2\"Wafer에 SiNx 200nm 증착, 박막 Stress, 두께 및 굴절율 측정	한국전자통신연구원	광무선융합플랫폼 연구실	김동선	100,000원
1811	2016-01-26 15시	17시	SiO2 20nm depo 10nm 증착 변경	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	270,000원
1812	2016-01-26 18시	19시	pe-oxide 1000A	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	70,000원
1813	2016-01-27 9시	18시	35-K1 실험 520nm 2ea, 670nm, 900nm, 6um 4ea	포스코	성능연구그룹	정현주	1,760,000원
1814	2016-01-28 20시	14시	36-K2 670nm 2ea, 700nm 1ea, 870nm 1ea. 6um 4ea 총 22회 진행	포스코	성능연구그룹	정현주	1,760,000원
1815	2016-02-01 21시	16시	37-S1 전처리1 (K2) L520 H6/H8 15회 S1_H20 L520 H6 7회 S1_WD L520/L520 H6/H8 16회 총 38회	포스코	성능연구그룹	정현주	3,040,000원
1816	2016-02-03 11시	13시	SiN 2000A 4inch 3매	한국전자통신연구원	GaN전력소자연구실	박영락	300,000원
1817	2016-02-03 13시	15시	InP 2\\\"Wafer에 SiNx 200nm 증착, 박막 Stress, 두께 및 굴절율 측정	한국전자통신연구원	광무선융합플랫폼 연구실	김동선	100,000원
1818	2016-02-04 14시	15시	oxide 20nm deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
1819	2016-02-04 16시	23시	38-J1 SiO2 High 2회 SiO2 Low 7회	포스코	성능연구그룹	정현주	720,000원
1820	2016-02-10 10시	11시	1-1-1 PE 1000A	포항공과대학교	기계공학과	윤나리	140,000원
1821	2016-02-11 10시	12시	passivation을 위한 SiN 증착 1000A 1ea 300A 2ea	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	300,000원
1822	2016-02-11 16시	24시	39-K2 실험 pe-oxide 520nm 3ea, 6um 2ea, 8um 3ea 총 39회 진행	포스코	성능연구그룹	정현주	3,120,000원
1823	2016-02-11 24시	1시	SiO2 5000A 증착 1장	부경대학교	기계설계공학과	유동인	64,000원
1824	2016-02-15 11시	13시	pe-ox 1.5um sic 2ea , si 1ea	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	480,000원
1825	2016-02-15 13시	18시	pe-ox 1.5um sic 5ea	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	800,000원
1826	2016-02-15 18시	19시	pe-oxide 20nm 150C	포항공과대학교	기계공학과	김인기	80,000원
1827	2016-02-17 16시	17시	pe-oxide 50nm	경북대학교	전자공학과	임기식	100,000원
1828	2016-02-22 12시	18시	40-K3 pe-oxide 540nm 1ea, 8um 3ea	포스코	성능연구그룹	정현주	2,000,000원
1829	2016-02-23 10시	15시	SiN 2500A 4inch 6매	한국전자통신연구원	GaN전력소자연구실	박영락	600,000원
1830	2016-02-23 8시	9시	Nitride 65 nm deposition (4인치 glass wafer 2장)	포항공과대학교	기계공학과	허영진	160,000원
1831	2016-02-24 13시	15시	pe-oxide 1.5um 2ea, 50nm 1ea	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	400,000원
1832	2016-02-25 10시	12시	SiO2 2um depo. SiC wafer 1매	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	160,000원
1833	2016-02-25 12시	17시	41차 실험 pe-oxide 100nm, 200nm, 300nm, 400nm, 500nm 각 1ea 520nm 3ea, 6um 2ea, 8um 1ea	포스코	성능연구그룹	정현주	2,240,000원
1834	2016-02-26 8시	15시	pe-oxide 8um 5ea 총 40회 진행	포스코	성능연구그룹	정현주	3,200,000원
1835	2016-02-27 16시	18시	Nitride 150nm deposition (완료)	포항공과대학교	기계공학과	허영진	80,000원
1836	2016-02-29 13시	15시	InP 2\" quarter Wafer 에 SiNx 200nm 증착	한국전자통신연구원	광무선융합플랫폼 연구실	김동선	100,000원
1837	2016-02-29 15시	18시	SiO2 Deposition	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	420,000원
1838	2016-02-29 20시	21시	Nitride 100nm deposition 4inch 1매	포항공과대학교	기계공학과	허영진	80,000원
1839	2016-03-02 11시	12시	3-6-1 SiO2 Peoxide Depo. 1um	고려대학교	전기전자공학부	장환준	90,000원
1840	2016-03-03 14시	15시	pe-oxide 2um	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1841	2016-03-03 15시	19시	0-3-1 oxide 2nd pe-oxide depo.	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	840,000원
1842	2016-03-07 14시	18시	SiH4: 45 sccm He: 500 sccm 300도씨 의 조건으로 a-Si를 저희가 준비한 Pt wafer 위에 10nm, 20nm, 30nm, 40nm 로 증착해주시면 됩니다.	포스텍	신소재공학과	유종명	280,000원
1843	2016-03-08 10시	16시	43-K4 SiO2 H8um 3회	포스코	성능연구그룹	정현주	1,920,000원
1844	2016-03-09 9시	14시	pe-oxide 520nm 4회 진행	포스코	성능연구그룹	정현주	320,000원
1845	2016-03-10 12시	14시	2um SiO2 depo	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	180,000원
1846	2016-03-10 9시	12시	유기절연막을 이용한 a-Si:H 기반 Photosensor 제작 테스트용 a-Si:H layer 증착 8\" glass wafer 상부에 SiO2 100nm 증착 후 a-Si:H 400nm 증착 a-Si:H 은 일반적으로 TFT에 사용되는 active layer의 특성이 요구됨. 8\" glass wafer는 기술원측에서 보유하고 있는 웨이퍼 이용 (추가 비용) 전처리(세정 등) 포함.	디알텍	연구소	이재동	400,000원
1847	2016-03-14 11시	12시	0-1-2 akey bottom oxide 2000A	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	80,000원
1848	2016-03-14 14시	15시	oxide deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	168,000원
1849	2016-03-14 16시	17시	pe-oxide 1.5um 6inch Si 1ea	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	160,000원
1850	2016-03-14 17시	20시	pe-oxide 1.5um 4inch SiC 5ea	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	800,000원
1851	2016-03-14 20시	22시	0-2-1 hard mask 2 pe oxide depo. 2um 2ea	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	0원
1852	2016-03-16 16시	24시	pe-oxide 8um 4ea	포스코	성능연구그룹	정현주	2,560,000원
1853	2016-03-17 13시	18시	Ohmic metal이 증착된 GaN on SiC (SiN 1000A 4ea, 3000A 2ea)	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	900,000원
1854	2016-03-18 14시	18시	0-1-1 oxide 2nd pe oxide depo. 500A 6ea 3/14 0-3-1 oxide 2nd pe nitride depo. 1000A 6ea 3/18 0-4-1 oxide 2nd pe oxide depo. 1.5um 6ea 3/18~21	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	1,680,000원
1855	2016-03-21 10시	11시	PEoxide 200A 증착 2회 진행	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	140,000원
1856	2016-03-21 11시	13시	45-P차 pe-oxide 200nm, 500nm, 8um	포스코	성능연구그룹	정현주	800,000원
1857	2016-03-21 15시	17시	passivation용 SiN 증착	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	200,000원
1858	2016-03-21 19시	21시	oxide deposition (20nm)	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
1859	2016-03-22 11시	15시	passivation을 위한 SiN 증착	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	600,000원
1860	2016-03-22 18시	20시	oxide deposition (20nm)	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	112,000원
1861	2016-03-23 12시	17시	46-K5차 pe-oxide 8um 2ea	포스코	성능연구그룹	정현주	1,280,000원
1862	2016-03-24 11시	12시	SiO2 2um deposition	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
1863	2016-03-24 13시	15시	pe-oxide 1.5um, 1um, 2000A 2ea pe-nitride 1.5um, 1.3um 2ea	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	880,000원
1864	2016-03-25 10시	14시	47차 pe-oxide 8um 2ea	포스코	성능연구그룹	정현주	1,280,000원
1865	2016-03-25 16시	17시	SiO2 증착	포항공과대학교	첨단재료과학부	성지호	96,000원
1866	2016-03-28 12시	15시	2-2-1 2nd pe-nitride depo. 1000A 3ea 2-3-1 2nd pe-oxide depo. 1.5um 4ea	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	770,000원
1867	2016-03-29 11시	15시	오믹 메탈이 증착된 GaN on SiC wafer passivation을 위한 SiN 증착	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	600,000원
1868	2016-03-31 17시	18시	0-1-3 hard mask peoxide depo.	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
1869	2016-04-01 10시	11시	0-1-3 hard mask depo pe-oxide	(주)니나노	기업부설연구소	박준영	0원
1870	2016-04-01 10시	13시	pe-oxide 520nm 3ea, 6um 3ea, 8um 3ea	포스코	성능연구그룹	정현주	3,600,000원
1871	2016-04-04 12시	15시	pe-oxide 1.5um 5매	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	800,000원
1872	2016-04-04 15시	17시	pe-oxide 1.5um 4매	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	640,000원
1873	2016-04-04 17시	9시	PE-SiO2 520nm 2회 6um 2회 8um 2회	포스코	성능연구그룹	정현주	2,400,000원
1874	2016-04-05 10시	13시	pe-oxide 2000A 7회 pe-nitride 2.6um 1회	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	800,000원
1875	2016-04-05 13시	17시	Passivation 공정을 위한 ohmic 전극이 있는 GaN on SiC 기판 위 SiN 증착 SiN 600A 2매	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	350,000원
1876	2016-04-05 16시	19시	pe-nitride 2.6um 3회	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	720,000원
1877	2016-04-06 9시	16시	48-K4 pe-oxide 4um 1회 / 8um 2회	포스코	성능연구그룹	정현주	1,600,000원
1878	2016-04-07 13시	14시	pe-oxide 500A	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	0원
1879	2016-04-07 14시	16시	PEOxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	0원
1880	2016-04-07 15시	16시	pe-oxide 조각	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	70,000원
1881	2016-04-07 16시	13시	pe-oxide 6um 3ea, 8um 3ea	포스코	성능연구그룹	정현주	3,360,000원
1882	2016-04-08 16시	17시	PEOxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	0원
1883	2016-04-09 10시	22시	pe-SiO2 6um 2ea, 8um 2ea	포스코	성능연구그룹	정현주	2,240,000원
1884	2016-04-12 11시	12시	pe-oxide 증착	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	0원
1885	2016-04-12 14시	17시	passivation용 SiN 증착	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	300,000원
1886	2016-04-13 10시	19시	pe-oxide 520nm 3ea, 6um 3ea, 8um 3ea	포스코	성능연구그룹	정현주	3,600,000원
1887	2016-04-13 20시	21시	pe-oxide	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	0원
1888	2016-04-14 9시	15시	pe-oxide 520nm 1ea, 6um 2ea, 8um 1ea	포스코	성능연구그룹	정현주	1,680,000원
1889	2016-04-15 11시	12시	30nm SiO2 dep.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	112,000원
1890	2016-04-15 12시	17시	pe-oxide 6um 3ea	포스코	성능연구그룹	정현주	1,464,000원
1891	2016-04-18 10시	20시	pe-oxide 520nm 3ea, 6um 5ea	포스코	성능연구그룹	정현주	2,640,000원
1892	2016-04-19 14시	17시	passivation용 SiN 증착	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	350,000원
1893	2016-04-19 15시	16시	pe-oxide 50nm	경북대학교	전자공학과	임기식	100,000원
1894	2016-04-20 10시	17시	pe-oxide 520nm 3ea, 6um 3ea, 8um 3ea	포스코	성능연구그룹	정현주	3,600,000원
1895	2016-04-21 9시	14시	52-K4 520nm 2ea, 5um 4ea	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
1896	2016-04-22 1시	2시	SiO2 1000A	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
1897	2016-04-22 12시	14시	pe-oxide 1.5um 3ea	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	480,000원
1898	2016-04-22 15시	17시	pe-oxide 6um 2ea, 8um 1ea	포스코	성능연구그룹	정현주	1,600,000원
1899	2016-04-22 9시	12시	pe-oxide 1.5um 4ea	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	640,000원
1900	2016-04-25 15시	16시	pe-oxide 200A 4ea	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	280,000원
1901	2016-04-25 16시	9시	pe-oxide 480nm 3ea, 8um 3ea	포스코	성능연구그룹	정현주	2,160,000원
1902	2016-04-25 9시	15시	SiN Deposition 20회	한국전자통신연구원	광인터넷부품연구실	김덕준	2,000,000원
1903	2016-04-26 11시	15시	passivation용 SiN 증착	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	800,000원
1904	2016-04-27 11시	12시	SiO2 600 nm 증착	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	0원
1905	2016-04-27 12시	14시	pe-oxide 1.5um 3ea	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	480,000원
1906	2016-04-28 9시	15시	53-K5 pe-oxide 520nm 2ea, 5um 4ea	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
1907	2016-05-03 14시	15시	SiO2 20nm / SiO2 1um 증착	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	0원
1908	2016-05-03 16시	17시	PE-OXIDE 30nm 증착.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	서명해	56,000원
1909	2016-05-03 8시	14시	54-K5차,55-K6차 pe-oxide 520nm 2ea, 5um 4ea	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
1910	2016-05-04 10시	14시	55-K6차 case #2 rework 55-K6차 2nd pe-oxide 120nm 2ea, 540nm, 5um 3ea	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
1911	2016-05-09 1시	2시	SiO2 1000A 직접진행	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
1912	2016-05-09 13시	14시	pe-oxide 1.5um 2ea	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	320,000원
1913	2016-05-12 17시	18시	0-2-3 0 layer initial oxide	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
1914	2016-05-13 16시	17시	SiO2 2000A	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
1915	2016-05-16 14시	18시	passivation용 SiN 증착	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	350,000원
1916	2016-05-16 17시	18시	pe-oxide 200A	경북대학교	전자공학과	임기식	100,000원
1917	2016-05-16 20시	21시	SiO2 200nm	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
1918	2016-05-18 11시	14시	SiN 30/45/60nm	한국전자통신연구원	정보통신부품소재연구소	이형석	300,000원
1919	2016-05-18 17시	18시	1-1-1 SiN Depo.	고려대학교	전기전자공학부	장환준	0원
1920	2016-05-19 13시	15시	SiO2 2um deposition	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	90,000원
1921	2016-05-19 15시	16시	oxide 10nm	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
1922	2016-05-19 16시	18시	pe-oxide 1.5um 4ea	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	640,000원
1923	2016-05-19 9시	12시	57-PEO pe-oxide 200nm, 520nm, 600nm. 1um	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
1924	2016-05-20 15시	16시	2-2-1 SD Recover	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	80,000원
1925	2016-05-24 12시	14시	-avalanche photodiode 제작을 위한 dielectric layer 증착 -SiNx 0.2um 증착	한국전자통신연구원	광융합부품연구그룹	심재식	100,000원
1926	2016-05-24 15시	16시	SiO2 100 nm	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
1927	2016-05-26 14시	18시	Si wafer 표면에 PECVD활용하여 SiO2 증착 두께: 5000A 온도: 300 C 수량: 4\" wafer 11 ea. 방향: 표면에 Si 패턴이 형성된 면에 증착해 주십시오. 반대면에는 H자 형태의 백금이 증착되어 있습니다. 시편은 우편으로 송부해 드리겠습니다.	경북대학교	정밀기계공학과	김동억	1,100,000원
1928	2016-05-26 21시	22시	PE oxide 1.2 um deposition	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	0원
1929	2016-05-27 10시	12시	peoxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	168,000원
1930	2016-05-27 13시	16시	1.5x1.5 cm 조각 각 1EA 총 4EA SiO2 100 nm / 500 nm / 1um SiN 1 um Deposition	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	360,000원
1931	2016-05-27 9시	10시	pe-oxide 1.5um	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	190,000원
1932	2016-05-29 20시	22시	SiO2 1 um deposition	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	0원
1933	2016-05-30 15시	16시	58-DI pe-oxide 120nm 2ea	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
1934	2016-05-31 11시	12시	sio2 dep.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	56,000원
1935	2016-05-31 14시	16시	Ptype Si deposition	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	0원
1936	2016-06-02 22시	23시	peoxide 3회	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	168,000원
1937	2016-06-03 11시	12시	pe-oxide 1200A	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
1938	2016-06-03 12시	13시	SiO2 dep.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	56,000원
1939	2016-06-03 15시	16시	SiO2 10nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	윤관호	80,000원
1940	2016-06-07 10시	11시	ox 10nm	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
1941	2016-06-07 15시	16시	pe-oxide 300A	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	56,000원
1942	2016-06-07 16시	18시	2-3-1 2nd oxide pe-cvd 1.5um 3ea	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	420,000원
1943	2016-06-08 11시	15시	pe-oxide 3000A 5ea	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	350,000원
1944	2016-06-08 12시	15시	59-PE pe-oxide 520nm, 1um	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
1945	2016-06-09 1시	2시	PEoxide 20 nm & 1 um deposition	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	224,000원
1946	2016-06-09 10시	12시	Oxide depo 1um*4매	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	400,000원
1947	2016-06-09 14시	15시	oxide 30nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	112,000원
1948	2016-06-10 10시	12시	60차-PE:Grey pe-oxide 120nm 1ea, 520nm 1ea	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
1949	2016-06-10 10시	11시	SiO2 10nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	윤관호	80,000원
1950	2016-06-10 13시	15시	3220 MEMS IR Sensor_2016/06_계약 3-1회	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	1,800,000원
1951	2016-06-13 14시	15시	SiO2 deposition	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	224,000원
1952	2016-06-13 16시	17시	ox 200nm	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
1953	2016-06-14 13시	15시	pe-oxide 1.5um 2ea	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	320,000원
1954	2016-06-14 15시	16시	ox 200nm	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
1955	2016-06-14 9시	13시	TSV 공정용 Oxide Depo_과제번호:4.0012738.01	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	700,000원
1956	2016-06-15 13시	15시	-avalanche photodiode제작을 위한 dielectric layer 증착. -공정 진행중 dielectric layer 증착공정이며, etching 공정이 진행되어있는 상태임. -SiNx 0.2um 증착.	한국전자통신연구원	광융합부품연구그룹	심재식	100,000원
1957	2016-06-16 9시	12시	TSV 공정용 Oxide_과제번호:4.0012738.01	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	700,000원
1958	2016-06-21 13시	18시	passivation용 SiN 증착 Si 4장 (500, 1000, 1500, 2000A), GaAs 2장 (3000A), SiC 2장 (500, 1000A)	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	800,000원
1959	2016-06-21 17시	18시	pe-oxide 6000A 2ea	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
1960	2016-06-21 9시	13시	60-PE:Black pe-oxide 1200A, 5200A, 7000A, 1um	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
1961	2016-06-22 10시	11시	SiN 20 nm 증착	경북대학교	전자공학	손동혁	100,000원
1962	2016-06-22 13시	14시	-avalanche photodiode 제작을 위한 dielectric layer 증착 -공정진행 중 dielectric layer 증착 공정이며, etching, p-, n-metal 공정이 진행되어 있는 상태임. -SiNx 0.2um 증착	한국전자통신연구원	광융합부품연구그룹	심재식	100,000원
1963	2016-06-22 17시	18시	oxide 10nm	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	112,000원
1964	2016-06-23 14시	17시	passivation용 SiN 증착	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	350,000원
1965	2016-06-27 15시	17시	PEOxide 50nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	112,000원
1966	2016-06-27 20시	21시	ox 20nm	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	168,000원
1967	2016-06-28 10시	12시	SiO2 20nm deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	168,000원
1968	2016-06-28 11시	13시	hard mask pe-oxide 200A 4ea	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	280,000원
1969	2016-06-28 14시	19시	Oxide depo 6um	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	600,000원
1970	2016-06-29 10시	14시	61-PE:Black rework pe-oxide 120nm, 520nm, 700nm, 1um	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
1971	2016-06-29 9시	10시	SiN 증착 공정	(주) 이너센서	연구개발전담부	우종창	200,000원
1972	2016-06-30 13시	15시	-avalanche photodiode 제작을 위한 SiNx 증착(backside) -공정진행 중 AR coating 공정이며, etching, p-, n-metal 공정이 진행되어 있는 상태임. -SiNx 0.2um 증착	한국전자통신연구원	광융합부품연구그룹	심재식	100,000원
1973	2016-06-30 8시	9시	oxide 100nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
1974	2016-07-01 10시	12시	pe-oxide 1.5um 4ea	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	640,000원
1975	2016-07-01 14시	15시	4-3-1 PAD RECOVER	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	80,000원
1976	2016-07-01 15시	23시	Oxide depo 2um*6매	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	1,200,000원
1977	2016-07-01 8시	10시	pe-oxide 500A 1ea 1000A 3ea	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	320,000원
1978	2016-07-04 20시	21시	oxide 50nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
1979	2016-07-05 10시	16시	Oxide depo 2um*6매	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	800,000원
1980	2016-07-05 16시	17시	Backgrinding Passivation	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	56,000원
1981	2016-07-06 9시	14시	61-헤어 pe-oxide 100nm, 120nm, 200nm, 210nm, 220nm, 280nm, 330nm, 350nm 61-헤어(rework) pe-oxide 100nm, 120nm	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
1982	2016-07-11 10시	11시	n10 재현성 test pe-nitride 3000A	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	70,000원
1983	2016-07-11 14시	15시	SiN 20 nm 증착	경북대학교	전자공학	손동혁	100,000원
1984	2016-07-11 15시	16시	pe-oxide 100nm	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
1985	2016-07-11 15시	18시	오믹 메탈이 증착된 GaN on SiC SiN 350A	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	70,000원
1986	2016-07-11 16시	18시	pe-oxide 1.5um 3ea	LG 전자	ICS 팀	황의진	480,000원
1987	2016-07-11 20시	21시	ox 20 nm	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	168,000원
1988	2016-07-12 8시	10시	pe-oxide 1.5um 3ea	LG 전자	ICS 팀	황의진	480,000원
1989	2016-07-14 13시	16시	passivaion용 SiN 증착 300A, 500A 2ea, 3000A	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	550,000원
1990	2016-07-14 13시	15시	63-융/샌딩 pe-oxide 90nm, 100nm, 280nm	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
1991	2016-07-19 16시	17시	PE Oxide 500nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이승호	56,000원
1992	2016-07-22 13시	17시	passivation용 SiN 증착 500A	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	250,000원
1993	2016-07-26 13시	18시	3220 MEMS IR Sensor_2016/07_계약 3-2회	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	2,000,000원
1994	2016-07-27 13시	14시	pe-oxide	경북대학교	전자공학과	임기식	100,000원
1995	2016-07-29 7시	13시	65-융/샌딩 5회 66-헤어 4회	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
1996	2016-08-01 14시	16시	PE-oxdie 5000A 4ea	한양대학교	화학과	강민성	400,000원
1997	2016-08-01 9시	10시	29 SiN 250A	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	100,000원
1998	2016-08-04 13시	15시	Oxide depo	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	400,000원
1999	2016-08-04 8시	19시	67-헤어 1um, 3um, 5um, 7um 각 3회씩(SiO,SiN)	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
2000	2016-08-08 13시	18시	SiO2 2um 6매(si1+SiC5)	LG 전자	ICS 팀	황의진	960,000원
2001	2016-08-09 16시	17시	Oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이승호	56,000원
2002	2016-08-10 14시	16시	SiN deposition WF11, WF12	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
2003	2016-08-11 10시	11시	SiO2 deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	이승호	56,000원
2004	2016-08-11 14시	15시	stress측정용 SiNx dep	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	200,000원
2005	2016-08-12 11시	12시	SiO2 1000A / 5000A	포항공과대학교	창의IT융합공학과	서명해	56,000원
2006	2016-08-18 10시	11시	전면 20nm 후면 220nm	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	112,000원
2007	2016-08-18 13시	14시	SiO2 30nm	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	56,000원
2008	2016-08-18 14시	15시	-avalanche photodiode 제작을 위한 dielectric layer 증착 -SiNx 0.2um 증착	한국전자통신연구원	광융합부품연구그룹	심재식	100,000원
2009	2016-08-23 12시	15시	pe-oxide 1um 5ea	LG 전자	ICS 팀	황의진	400,000원
2010	2016-08-23 15시	19시	pe-oxide 1.5um 5ea	LG 전자	ICS 팀	황의진	800,000원
2011	2016-08-25 17시	18시	20nm, 1um	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	112,000원
2012	2016-08-26 17시	18시	ox 20nm	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
2013	2016-08-26 8시	14시	pe-oxide, pe-nitride 500A, 1000A, 5000A	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
2014	2016-08-30 11시	12시	SiO2 증착(500nm)	포항공과대학교	전자전기공학과	이승호	56,000원
2015	2016-08-30 13시	15시	3220 MEMS IR Sensor_2016/08_계약 3-3회	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	2,000,000원
2016	2016-09-01 10시	13시	H2 Plasma Treatment 30분 2회	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
2017	2016-09-01 11시	12시	120nm, 200nm	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
2018	2016-09-02 11시	12시	PEoxide 30nm deposition	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	56,000원
2019	2016-09-02 13시	15시	SiN 0.3um / SiO2 0.5um / SiN 0.3um	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	210,000원
2020	2016-09-02 14시	16시	Oxide depo	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	700,000원
2021	2016-09-05 11시	12시	0-1-3 hard mask peoxide depo. 1um	(주)니나노	기업부설연구소	박준영	0원
2022	2016-09-05 16시	17시	test용 SiNx dep	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	640,000원
2023	2016-09-05 17시	18시	ox 20nm	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
2024	2016-09-05 21시	22시	Hard Mask (SiO2) 1 um deposition	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	56,000원
2025	2016-09-06 12시	16시	pe-oxide 1.5um	LG 전자	ICS 팀	황의진	800,000원
2026	2016-09-07 12시	13시	test용 SiNx dep	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	320,000원
2027	2016-09-07 14시	15시	-avalanche photodiode 제작을 위한 dielectric layer 증착 -SiNx 0.2um 증착	한국전자통신연구원	광융합부품연구그룹	심재식	100,000원
2028	2016-09-07 15시	16시	SiO2 2um depo	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
2029	2016-09-07 9시	10시	H2 Plasma Treatment 30분+20분 2회	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
2030	2016-09-08 10시	11시	SiO2 1um 1회	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	70,000원
2031	2016-09-08 14시	17시	Oxide depo 2um*4매	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	800,000원
2032	2016-09-08 19시	20시	Oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
2033	2016-09-09 14시	16시	Plasma Treatment 15min SiN 6000A(recipe: SiN Stress U01-3)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
2034	2016-09-09 17시	18시	PE-Ox 5000A 1회	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	70,000원
2035	2016-09-11 16시	17시	SiO2 1000A 직접	포항공과대학교	전자전기공학과	김태희	56,000원
2036	2016-09-11 23시	24시	sio2 1000A	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
2037	2016-09-12 13시	15시	passivation용 SiN 증착	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	100,000원
2038	2016-09-20 11시	12시	SiO2 2um depo	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
2039	2016-09-20 12시	15시	120nm, 500nm 각 5회	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
2040	2016-09-20 13시	18시	pe-oxide 1um 5ea, 1.5um 3ea	LG 전자	ICS 팀	황의진	880,000원
2041	2016-09-22 11시	12시	SiN 45nm 2inch 3매 1회	한국전자통신연구원	정보통신부품소재연구소	이형석	100,000원
2042	2016-09-26 17시	18시	절연 처리 pe-oxide 1um, 50C	포항공과대학교	신소재공학과	금도희	80,000원
2043	2016-09-26 22시	23시	oxide 50nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
2044	2016-09-27 10시	11시	oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
2045	2016-09-27 13시	15시	Oxide depo	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	400,000원
2046	2016-09-27 15시	16시	PEOxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	224,000원
2047	2016-09-27 20시	21시	si3n4 passivation(20nm)	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
2048	2016-09-28 20시	21시	HM passivation	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	56,000원
2049	2016-09-30 10시	11시	Oxide 증착 (Polyimide coated wafer)	포항공과대학교	전자전기공학과	이승호	56,000원
2050	2016-10-04 12시	13시	HM mask for front implant	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	56,000원
2051	2016-10-04 14시	15시	-avalanche photodiode 제작을 위한 dielectric layer 증착 -SiNx 0.2um 증착 4inch 4매 + dummy 1회 증착	한국전자통신연구원	광융합부품연구그룹	심재식	100,000원
2052	2016-10-05 15시	16시	pe-oxide 3000A	포항공과대학교	전자전기공학과	이승호	56,000원
2053	2016-10-05 18시	19시	ox 20nm	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
2054	2016-10-06 13시	18시	pe-oxide 1.5um 5ea	LG 전자	ICS 팀	황의진	800,000원
2055	2016-10-07 9시	11시	pe-oxide 1000A 3ea	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	240,000원
2056	2016-10-10 10시	11시	전처리(30min)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	70,000원
2057	2016-10-11 13시	18시	pe-nitride 3000A pe-oxide 3um, 6um	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	700,000원
2058	2016-10-11 9시	15시	72-Mg 50/100/500nm @50&300C 총 6회	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
2059	2016-10-12 10시	11시	pe-oxide 200A	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	140,000원
2060	2016-10-12 13시	17시	pe-oxide 3um pe-nitride 0.5um	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
2061	2016-10-17 17시	18시	SiO2 300nm	포항공과대학교	전자전기공학과	이명국	70,000원
2062	2016-10-17 20시	21시	PEoxide 30 nm deposition	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	56,000원
2063	2016-10-18 14시	15시	SiNx dep 3000	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	240,000원
2064	2016-10-18 21시	22시	oxide 2000A 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
2065	2016-10-19 17시	18시	pe-oxide 1000A(200C)	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	80,000원
2066	2016-10-20 10시	11시	표면 처리 pe-oxide 2um	위덕대학교	그린에너지공학부	김동현	80,000원
2067	2016-10-20 14시	15시	-APD 제작을 위한 dielectric layer 증착 -SiNx 0.2um 증착	한국전자통신연구원	광융합부품연구그룹	심재식	100,000원
2068	2016-10-21 17시	18시	pe-oxide 증착	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	140,000원
2069	2016-10-26 11시	12시	SiO2 500nm, 2um, 20nm 증착 (3회)	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	224,000원
2070	2016-10-26 16시	17시	SiO2 20nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
2071	2016-10-27 10시	11시	SiNX 3000dep	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	320,000원
2072	2016-10-27 12시	13시	oxide 50nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
2073	2016-10-27 13시	16시	pe-oxide 1.5um 4ea	LG 전자	ICS 팀	황의진	640,000원
2074	2016-10-28 11시	13시	4-1-1 4th LTO pe-oxide 1.5um depo.	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
2075	2016-10-28 11시	12시	ox20nm	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
2076	2016-10-31 17시	19시	a-Si 380nm 증착 선행 test 1회 추가	포항공과대학교	기계공학과	윤관호	140,000원
2077	2016-11-01 14시	15시	-APD 제작을 위한 dielectric layer 증착 -SiNx 0.2um 증착 -SiNx와 Ti/Pt/Au 패턴 위에 SiNx 증착	한국전자통신연구원	광융합부품연구그룹	심재식	100,000원
2078	2016-11-01 15시	17시	2016.10.31 3차실험 pe-oxide 0.3um pe-nitride 0.3um	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
2079	2016-11-01 17시	18시	0-2-3 initial oxide pecvd	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	70,000원
2080	2016-11-01 9시	10시	17uPFD ROIC layer SiNx Deposition	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	320,000원
2081	2016-11-02 21시	22시	SiO2 20nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
2082	2016-11-03 14시	16시	passivation용 SiN 증착	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	100,000원
2083	2016-11-03 16시	17시	Glass 기판위에 Si 200nm 증착부탁드립니다. 가능하면 고온에서 증착 부탁드립니다. 총 샘플은 2cm x 2cm glass조각 4개 입니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	70,000원
2084	2016-11-04 10시	11시	SiO2 증착	위덕대학교	그린에너지공학부	김동현	80,000원
2085	2016-11-04 17시	18시	Front Metal line patterning	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	112,000원
2086	2016-11-07 10시	12시	6inch pe-oxide 1um 4ea	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
2087	2016-11-07 13시	14시	passivation용 SiN 증착	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	100,000원
2088	2016-11-07 15시	16시	Si 150nm 증착 부탁드립니다. 그리고 가능하면 증착된 Si의 n,k 값도 얻고 싶은데, 엘립소미터로 측정된 결과도 보내주실 수 있을까요??	포항공과대학교	기계공학과	김인기	70,000원
2089	2016-11-08 12시	14시	SiO2 deposition	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	56,000원
2090	2016-11-08 13시	14시	SiNx deposition	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	320,000원
2091	2016-11-08 9시	10시	Oxide 100 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	56,000원
2092	2016-11-09 13시	14시	Oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	168,000원
2093	2016-11-09 8시	9시	oxide 50nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
2094	2016-11-11 15시	16시	a-Si 210nm 증착 부탁드립니다. 샘플은 총 6개 입니다. (glass 4 + Si 2)	포항공과대학교	기계공학과	김인기	70,000원
2095	2016-11-14 11시	12시	a-Si 800nm deposition	포항공과대학교	기계공학과	윤관호	140,000원
2096	2016-11-14 13시	18시	PECVD공정으로 Si wafer 표면에 SiO2 5000A 증착 (250도씨)	경북대학교	정밀기계공학과	김동억	500,000원
2097	2016-11-14 9시	11시	74-MgYK 실험 SiO2 증착 4회	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
2098	2016-11-15 10시	12시	Patterned Mold 제작을 위한 Barrier층 증착 * 증착전 HF 세척 부탁드립니다!!	포항공과대학교	화학공학과	배근열	210,000원
2099	2016-11-15 12시	15시	Cap Process 19ea_Thinfilm (16/11)	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	3,000,000원
2100	2016-11-15 15시	16시	3-3-1 contact ild depo. pe-ox depo. 4inch 선행	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
2101	2016-11-15 16시	17시	0-2-3 initial oxide pe-ox depo.	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	70,000원
2102	2016-11-16 11시	13시	SiN 45nm 3회	한국전자통신연구원	정보통신부품소재연구소	이형석	300,000원
2103	2016-11-16 13시	14시	passivation용 SiN 증착 10nm + 30nm 2회	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	350,000원
2104	2016-11-16 15시	19시	2um 7ea 10nm 1ea	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	1,350,000원
2105	2016-11-17 9시	18시	전처리 H2/Ar=80/10(30min): (12ea) PECVD SiN(@300C) 0.3um: (12ea) PECVD SiO2(@300C) 2+2+2/3+3+3/4/5 total 24um PECVD SiN(@300C) 0.5um: (12ea)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	1,890,000원
2106	2016-11-21 10시	17시	75-MgPAC pe-oxide 50nm.100nm,500nm,1um.3um.5um 각2회 총 24회 진행	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
2107	2016-11-21 20시	21시	oxide 20nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
2108	2016-11-22 13시	14시	a-Si 800nm 증착 @<150C	포항공과대학교	기계공학과	윤관호	210,000원
2109	2016-11-22 14시	16시	76-MgYKNPAC pe-oxide 50nm.100nm,300nm,500nm	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
2110	2016-11-23 18시	19시	SiO2 20nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
2111	2016-11-24 15시	16시	SOI Si NW patterned SiN 400 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
2112	2016-11-25 10시	12시	Ti/Al/Ni/Au 금속 사용 Al2O3 및 SiNx Gate dielectric 사용 -->소자의 SiNx Passiavation을 위한 공정 의뢰	한국전자통신연구원	GaN전력소자연구실	장현규	100,000원
2113	2016-11-25 17시	18시	SiO2 20nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
2114	2016-11-28 13시	14시	passivation 용 SiN 증착 40nm / 100nm 4inch 총 2회	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	350,000원
2115	2016-11-28 15시	16시	SiNw pattern SiO2 20nm depo.	포항공과대학교	전자과	백상원	56,000원
2116	2016-11-29 10시	11시	17uPFD IN layer SiNx 2000A deposition	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	320,000원
2117	2016-11-29 13시	14시	SiO2 증착	위덕대학교	그린에너지공학부	김동현	80,000원
2118	2016-11-29 17시	18시	Nitride 500nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	112,000원
2119	2016-11-30 14시	15시	passivation용 SiN 증착	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	350,000원
2120	2016-12-01 14시	16시	pe-nitride 4ea	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
2121	2016-12-02 9시	17시	SiO2 박막 증착 2um 4ea, 5um 2ea	포스코	성능연구그룹	정현주	1,440,000원
2122	2016-12-05 10시	13시	0-2-1 pe-oxdie 4ea	광운대학교	전자과	김병목	520,000원
2123	2016-12-05 14시	16시	passivation용 SiN 증착 50nm 2매 100nm 1매 250nm 1매 4inch	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	400,000원
2124	2016-12-05 16시	18시	SiO2 300nm 4inch 2매	포항공과대학교	화학공학과	배근열	380,000원
2125	2016-12-05 18시	20시	SiO2 20 nm deposition	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	56,000원
2126	2016-12-06 10시	11시	ox 20nm	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
2127	2016-12-06 10시	16시	SiO2 박막 증착 30nm 2ea, 0.3um 2ea, 0.5um 2ea, 2um 2ea, 5um 2ea,	포스코	성능연구그룹	정현주	1,600,000원
2128	2016-12-06 14시	15시	Oxide	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	168,000원
2129	2016-12-07 14시	17시	pe-oxide 1.5um 5ea	LG 전자	ICS 팀	황의진	800,000원
2130	2016-12-07 16시	18시	pe-oxide 1.5um 2ea	LG 전자	ICS 팀	황의진	320,000원
2131	2016-12-08 9시	8시	SiC 기술사업화 장비사용	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	4,000,000원
2132	2016-12-09 13시	15시	pe-oxide 2um(6,8 inch)	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	430,000원
2133	2016-12-09 15시	16시	ox 20 nm	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
2134	2016-12-09 9시	13시	76-MgYKNPAC pe-oxide 120nm.200nm,225nm,310nm,360nm.400nm,500nm	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
2135	2016-12-12 10시	11시	passivation용 SiN	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	250,000원
2136	2016-12-12 10시	16시	SiO2 박막 증착 30nm 1ea, 0.3um 2ea, 0.5um 2ea, 2um 2ea, 5um 2ea,	포스코	성능연구그룹	정현주	1,520,000원
2137	2016-12-13 15시	16시	SiO2 20nm demosition	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	56,000원
2138	2016-12-14 13시	14시	oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	112,000원
2139	2016-12-14 14시	15시	pe-nitride	포항공과대학교	물리학과	김대형	80,000원
2140	2016-12-14 14시	15시	전처리 : H2/Ar=80/10(30min)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	70,000원
2141	2016-12-15 13시	14시	sio2 증착	위덕대학교	그린에너지공학부	김동현	80,000원
2142	2016-12-15 16시	17시	17uPFD SH SiNx deposition	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	320,000원
2143	2016-12-15 9시	13시	0.3um pevcd SiN 3x3um pevcd SiO2 0.5um pevcd SiN 0.3um pevcd SiO2	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	840,000원
2144	2016-12-16 11시	12시	passivation용 SiN	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	250,000원
2145	2016-12-20 10시	12시	압력센서 평가용 SiO2 100nm 증착된 웨이퍼 제작 - Dicing & HF 세척 부탁드립니다. - Dicing 6인치 웨이퍼 2장 --> 그중 웨이퍼 1장의 시편만 PE-CVD 진행 - PE-CVD 시 시편의 옆면에도 SiO2 증착이 될 수 있도록 시편간 간격 넓게 부탁드립니다. - 웨이퍼 6인치 한장 (총 면적 약 176cm^2) 당 1cm X 1cm 시편 100개 이상 부탁드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	배근열	160,000원
2146	2016-12-20 18시	19시	a-si 증착	포항공과대학교	기계공학과	조용준	70,000원
2147	2016-12-22 11시	12시	17uPFD-OHO SiNx deposition	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	320,000원
2148	2016-12-22 14시	15시	SiO2 1um	포항공과대학교	기계공학과	조용준	70,000원
2149	2016-12-22 15시	15시	78-Mg Case #1~8 High Dep. =125 nm/min 50°C / 300°C thickness split 50 nm/100 nm/500 nm/1um/3um/5um/7um/10um total 58회	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
2150	2016-12-22 8시	9시	pe-nitride 1500A	포항공과대학교	물리학과	김대형	80,000원
2151	2016-12-22 9시	11시	PE oxide : 350도 850A	(주) 이너센서	이너센서	강문식	900,000원
2152	2016-12-26 14시	15시	passivation용 SiN 증착 4inch 4매	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	400,000원
2153	2016-12-26 8시	10시	SiO2 0.5um 4inch 3매	포항공과대학교	물리분석팀	김성규	210,000원
2154	2016-12-27 12시	13시	ox 20 nm	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
2155	2016-12-27 14시	15시	bare wafer depo.	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	80,000원
2156	2016-12-28 11시	12시	oxide 10nm deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	56,000원
2157	2016-12-29 14시	15시	bare wafer depo.	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	80,000원
2158	2017-01-04 10시	14시	pe-oxide 2um 5ea	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	900,000원
2159	2017-01-05 11시	12시	17uPFD-PA SiNx 700A deposition	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	136,000원
2160	2017-01-05 18시	20시	PEoxide 20 nm deposition	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	56,000원
2161	2017-01-06 10시	12시	RIST 실험 SiO2 0.3um 2매	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
2162	2017-01-06 12시	13시	oxide 100nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
2163	2017-01-06 13시	14시	0-4-1 initial oxide pe-oixde 5000A	포항공과대학교	물리분석팀	김성규	70,000원
2164	2017-01-06 22시	23시	oxide 100nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	56,000원
2165	2017-01-09 13시	18시	나노소자공정실습교육_Thinfilm	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	2,000,000원
2166	2017-01-10 10시	17시	SiC 기술사업화_Thinfilm	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	5,000,000원
2167	2017-01-11 11시	12시	3-3-1 contact ILD Depo. pe-oxide	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	170,000원
2168	2017-01-12 11시	12시	17uPFD(SGQ3562)-SH SiNx deposition 1500A	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	168,000원
2169	2017-01-12 13시	15시	SiO2 deposition 2um 5ea	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	900,000원
2170	2017-01-12 15시	16시	pe-oxide 7000A 2ea	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
2171	2017-01-18 16시	17시	pe-oxide 1ea	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	70,000원
2172	2017-01-18 9시	14시	MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	3,000,000원
2173	2017-01-19 15시	18시	pe-oxide 1.5um 5ea	LG전자	ICS팀	김기민	800,000원
2174	2017-01-19 16시	20시	6inch SiNx 3KA 8inch SiNx 2KA	템퍼스	개발팀	조재익	400,000원
2175	2017-01-20 12시	13시	pe-oxide 3000A	포항공과대학교	전자전기공학과	이승호	56,000원
2176	2017-01-20 14시	15시	-APD 제작을 위한 dielectric layer 증착 -SiNx 0.2um 증착 -SiNx와 Ti/Pt/Au 패턴 위에 SiNx 증착	한국전자통신연구원	광융합부품연구그룹	심재식	100,000원
2177	2017-01-20 9시	13시	pe-oxide 1.5um 5ea	LG전자	ICS팀	김기민	800,000원
2178	2017-01-20 9시	10시	17uPFD-OHO SiNx 300A deposition	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	168,000원
2179	2017-01-23 14시	15시	SiO2 3000A 6inch 1회(RIST Mask 사용)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	70,000원
2180	2017-01-24 14시	18시	SiO2 3000A 6inch 1회(RIST Mask 사용)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	280,000원
2181	2017-01-25 10시	11시	PE-nitride 1500A	포항공과대학교	물리학과	김대형	80,000원
2182	2017-01-25 11시	12시	wafer에 Cr/Ni electrode가 깔려있습니다. electrode 위에 SiO2 1 um 부탁 드립니다. electrode는 트레이 바닥 방향을 보도록 넣어 놨습니다.	포항공과대학교	기계공학과	허명	210,000원
2183	2017-01-31 15시	18시	HF cleaning + SiO2 300nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	배근열	160,000원
2184	2017-02-01 18시	19시	PEoxide 20nm depo	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	56,000원
2185	2017-02-01 9시	12시	bare wafer depo. 7ea	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	280,000원
2186	2017-02-02 14시	16시	- 4인치 마이크로 패턴이 있는 Si 웨이퍼 구조에 SiO2 5000A 증착 - 수량 5장 - 4장엔 동일한 패턴이 존재하고, 1장은 Bare 표면입니다.	경북대학교	정밀기계공학과	김동억	350,000원
2187	2017-02-03 12시	16시	wafer 4 EA, 조각 oxide 2 um 증착 총 5회 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	450,000원
2188	2017-02-07 17시	18시	silicon (oxide) wafer의 표면 처리(O2 plasma)	포항공과대학교	화학과	구정훈	80,000원
2189	2017-02-08 10시	11시	SGQ3562-PA SiNx deposition	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	168,000원
2190	2017-02-09 14시	15시	SiO2 50nm sample 4ea 1회	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	100,000원
2191	2017-02-09 16시	17시	silicon oxide wafer 표면을 O2 plasma 처리	포항공과대학교	화학과	구정훈	80,000원
2192	2017-02-10 1시	1시	MEMS 기술사업화 계약	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	800,000원
2193	2017-02-10 11시	12시	플라즈마 파워가 세지 않게 최대한 로우 파워 레시피를 이용하고 싶습니다. 필름이 기판에 약하게 결합되어 있습니다.	포항공과대학교	첨단재료과학부	성지호	70,000원
2194	2017-02-14 10시	18시	MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	1,000,000원
2195	2017-02-15 9시	18시	SiC 기술사업화_Thinfilm	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	3,000,000원
2196	2017-02-16 14시	15시	silicon wafer 표면을 O2 plasma 처리	포항공과대학교	화학과	구정훈	80,000원
2197	2017-02-20 13시	16시	pe-oxide 1.5um 3ea	LG전자	ICS팀	김기민	480,000원
2198	2017-02-20 16시	18시	pe-oxide 1.5um 3ea	LG전자	ICS팀	김기민	480,000원
2199	2017-02-21 10시	12시	SiNx dep	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	280,000원
2200	2017-02-21 12시	13시	pe-oxide 1000A 4ea	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	400,000원
2201	2017-02-22 10시	11시	silicon wafer o2 plasma 처리	포항공과대학교	화학과	구정훈	80,000원
2202	2017-02-22 12시	14시	pe-oxide 2um 4ea	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	800,000원
2203	2017-02-22 16시	17시	SiO2 50nm sample 5ea	경북대학교	전자공학과	임기식	100,000원
2204	2017-02-23 13시	15시	pe-oxide 2um 4ea	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	720,000원
2205	2017-02-28 1시	2시	ox 20nm	포항공과대학교	전기전자공학과	김성지	56,000원
2206	2017-03-02 11시	12시	17년 4차 SiO2 0.3um 2매	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
2207	2017-03-02 16시	17시	실리콘 wafer 표면을 플라즈마 처리하고자 합니다.	포항공과대학교	화학과	지균상	80,000원
2208	2017-03-08 12시	13시	ox 20nm	포항공과대학교	전기전자공학과	김성지	56,000원
2209	2017-03-08 14시	15시	-SiNx 박막의 일부분이 원형으로 오픈되어 있으며, 그 부분은 Au가 노출되어 있음. -제작 완료된 APD의 backside 증착 -SiNx 0.2um 증착 -InP 기판 위에 SiNx 증착	한국전자통신연구원	광융합부품연구그룹	심재식	100,000원
2210	2017-03-08 15시	16시	ox 20nm	포항공과대학교	전기전자공학과	김성지	112,000원
2211	2017-03-09 9시	12시	pe-nitride 7ea	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	672,000원
2212	2017-03-10 10시	11시	oxide 300nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이승호	56,000원
2213	2017-03-10 11시	12시	Pe-nitride	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	96,000원
2214	2017-03-10 14시	15시	3-3-1 contact ILD Depo. PE-oxide	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
2215	2017-03-13 14시	16시	Poly-Si 17년 1차 0.3um SiO2 @300C 6inch 2매	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	140,000원
2216	2017-03-14 10시	11시	ox 40 nm	포항공과대학교	전기전자공학과	김성지	56,000원
2217	2017-03-14 10시	15시	30,60,120,150,170,190,200,220,360nm pe-oxide 총 11회사용	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
2218	2017-03-14 15시	16시	pe-oxide 2um	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
2219	2017-03-14 15시	20시	SiO2 deposition	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	1,000,000원
2220	2017-03-15 9시	18시	MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	5,000,000원
2221	2017-03-16 10시	11시	SiO2 2500A 8inch 2매	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	100,000원
2222	2017-03-16 16시	17시	silicon wafer 02 plasma 처리	포항공과대학교	화학과	구정훈	80,000원
2223	2017-03-17 11시	12시	a-Si 210nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	70,000원
2224	2017-03-20 14시	15시	pe-nitride	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	336,000원
2225	2017-03-20 15시	16시	PEoxide 20 nm	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	112,000원
2226	2017-03-20 16시	17시	a-Si 500 nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	윤관호	70,000원
2227	2017-03-21 9시	18시	80-St 실험 16회	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
2228	2017-03-22 10시	12시	SiO2 1um, 2um	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	210,000원
2229	2017-03-23 11시	12시	실리콘 웨이퍼 오존플라즈마 처리	포항공과대학교	화학과	박수현	80,000원
2230	2017-03-23 12시	13시	pe-nitride	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	280,000원
2231	2017-03-23 14시	16시	3월 20일 진행분 6inch, 3매 PECVD 4000Å 진행	템퍼스	개발팀	조재익	300,000원
2232	2017-03-24 11시	15시	4in 2EA,14*14mm 10EA 산화막 2um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	540,000원
2233	2017-03-28 11시	12시	2um SiO2 Depo.	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	200,000원
2234	2017-03-30 14시	16시	patterned Ti/Au가 증착된 Si wafer	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	200,000원
2235	2017-03-30 16시	17시	지난번 처럼 실리콘 웨이퍼 표면 처리 해주시기 바랍니다.	포항공과대학교	화학과	박수현	80,000원
2236	2017-03-31 10시	11시	SiO2 1um	경북대학교	전자공학과	임기식	100,000원
2237	2017-03-31 11시	13시	SiN 2회	한국전자통신연구원	정보통신부품소재연구소	이형석	200,000원
2238	2017-04-04 10시	13시	Ohmic metal 증착	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	400,000원
2239	2017-04-04 13시	15시	2um oxide 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	270,000원
2240	2017-04-04 15시	17시	pe-nitride	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	224,000원
2241	2017-04-05 10시	11시	2-4-1 2nd pad oxide depo.	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	150,000원
2242	2017-04-05 15시	19시	81-St	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
2243	2017-04-05 18시	21시	pe-oxide 2um Depo. 5ea	LG전자	ICS팀	김기민	850,000원
2244	2017-04-06 15시	16시	SiO2 20nm deposition	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	60,000원
2245	2017-04-06 8시	12시	pe-oxide 2um depo.	LG전자	ICS팀	김기민	850,000원
2246	2017-04-07 16시	17시	silicon wafer 표면처리 -전과 같음	포항공과대학교	화학과	박수현	85,000원
2247	2017-04-11 23시	24시	pe-oxide	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	60,000원
2248	2017-04-12 14시	15시	a-Si 300nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	75,000원
2249	2017-04-13 11시	13시	pe-oxide	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	300,000원
2250	2017-04-13 12시	18시	MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	3,000,000원
2251	2017-04-14 14시	15시	pe-oxide	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	75,000원
2252	2017-04-17 11시	13시	2um oxide 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
2253	2017-04-20 10시	12시	PECVD Si3N4 4000Å Depo 6inch 14매 (250℃)	템퍼스	개발팀	조재익	1,400,000원
2254	2017-04-21 10시	11시	silicon oxide dep. 200nm @400C 8inch 2매	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	200,000원
2255	2017-04-25 18시	22시	PEoxide 20nm 증착	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	180,000원
2256	2017-04-25 20시	24시	2-3-1 2nd oxide	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	525,000원
2257	2017-04-26 10시	14시	PECVD SiN 4000Å (250℃) 6 inch - 2매 8 inch - 3매	템퍼스	개발팀	조재익	500,000원
2258	2017-04-26 14시	15시	4월17일 pe-cvd 사용	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	400,000원
2259	2017-04-26 15시	18시	BioFET S/D Hard Mask deposition	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	60,000원
2260	2017-04-27 11시	12시	pe-oxide 3um	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	260,000원
2261	2017-04-27 13시	16시	기판온도 150도, SiO2 두께 4000A	아이쓰리시스템(주)	사업관리	i3system, Inc.	300,000원
2262	2017-04-27 16시	17시	SiO2/Ti/Pt wafer에 isolation 목적으로 전면적에 Si3N4를 증착하려고 합니다. 샘플은 2" wafer 2장을 이용하려고 합니다	포항공과대학교	신소재공학과	이동욱	75,000원
2263	2017-04-27 9시	10시	전처리 H2 Plasma treatment	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	150,000원
2264	2017-04-28 11시	12시	PE-Oxide Depo(2.4um, 2.8um. 1um)	LG전자	ICS팀	김기민	455,000원
2265	2017-04-28 15시	18시	PE-Oxide 9um(3umx3회) PE-Nitride 2회	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	825,000원
2266	2017-05-02 10시	15시	6inch PECVD Si3N4 4000Å Depo (4매)	템퍼스	개발팀	조재익	400,000원
2267	2017-05-04 11시	12시	SiO2 0.3um 1회	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	75,000원
2268	2017-05-08 13시	17시	82차 실험 pe-oxide 40nm,80nm, 100nm, 180nm, 90nm, 110nm 각 2회 진행	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
2269	2017-05-10 10시	11시	pe-oxide 1000A	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	340,000원
2270	2017-05-10 11시	12시	PE-CVD SiO2증착	포항공과대학교	창의IT융합공학과	김강현	60,000원
2271	2017-05-10 12시	13시	ox 20 nm	포항공과대학교	전기전자공학과	김성지	120,000원
2272	2017-05-10 13시	15시	증착 물질 : SiO2 증착 두께 : 4000A RF power : 600W 동일 조건으로 3장 연속 진행	아이쓰리시스템(주)	사업관리	i3system, Inc.	300,000원
2273	2017-05-10 19시	11시	SiO2 40/80/100/180/90/110/220nm Split test 각 7회 SiO2 1um 10회 / 2um 5회 총 27회 진행	포스코	성능연구그룹	정현주	2,300,000원
2274	2017-05-10 8시	9시	6inch wafer 4ea	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	140,000원
2275	2017-05-10 9시	18시	SiO2 40/80/100/180/90/110/220/310/360/400nm Split test 각 2회 총 20회 진행	포스코	성능연구그룹	정현주	1,700,000원
2276	2017-05-10 9시	10시	a-Si Depo.	포항공과대학교	기계공학과	윤관호	150,000원
2277	2017-05-11 14시	16시	pe-oxide 2um 2ea	LG전자	ICS팀	김기민	340,000원
2278	2017-05-12 13시	15시	SiO2 2um deposition	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	90,000원
2279	2017-05-12 15시	18시	PEOxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	240,000원
2280	2017-05-12 15시	16시	polishing되어있는 면 위에 SiO2 100nm 증착 부탁 드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	85,000원
2281	2017-05-12 8시	12시	pe-oxide 2um 10ea	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	1,300,000원
2282	2017-05-15 11시	13시	83차-Do-1차 SiO2 40/90/200/360nm 각 1회 @100C	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
2283	2017-05-15 14시	15시	ox 20nm	(주)아이엠헬스케어	바이오센서팀	유재우	80,000원
2284	2017-05-15 15시	16시	SiO2 30 nm	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	120,000원
2285	2017-05-16 13시	15시	PEOxide 30nm	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	120,000원
2286	2017-05-16 15시	16시	pe-oxide 3000A	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	575,000원
2287	2017-05-17 11시	12시	A-si Deop.	포항공과대학교	기계공학과	윤관호	75,000원
2288	2017-05-17 12시	13시	3-3-1 contact ild depo.	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	75,000원
2289	2017-05-18 10시	11시	ox 증착	(주)아이엠헬스케어	바이오센서팀	유재우	80,000원
2290	2017-05-18 16시	17시	ox 증착	(주)아이엠헬스케어	바이오센서팀	유재우	80,000원
2291	2017-05-18 8시	9시	Oxide1000A/Nitride2000A	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	1,500,000원
2292	2017-05-22 15시	16시	pe-oxide 200A	(주)아이엠헬스케어	바이오센서팀	유재우	200,000원
2293	2017-05-22 18시	19시	ox 증착	(주)아이엠헬스케어	바이오센서팀	유재우	160,000원
2294	2017-05-23 9시	18시	MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	3,000,000원
2295	2017-05-25 10시	12시	2um oxide 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
2296	2017-05-25 12시	13시	ox 증착	(주)아이엠헬스케어	바이오센서팀	유재우	160,000원
2297	2017-05-25 13시	15시	pe-oxide depo.40nm, 90nm, 180nm, 200nm 각 2회	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
2298	2017-05-25 15시	16시	silicon wafer 표면을 O2 plasma 처리	포항공과대학교	화학과	구정훈	85,000원
2299	2017-05-29 13시	14시	Pe-oxide 1um, 1.5um	LG전자	ICS팀	김기민	255,000원
2300	2017-05-29 14시	15시	High temperature SiO2 5000A 증착 공정 의뢰 드립니다. 한 공정당 4\" wafer 2장 씩 loading이 가능하니, 총 6장 진행하는 걸로 신청하였습니다. (실제로는 4\"wafer 총11장 입니다.) 신청은 경북대 김동억교수님이름으로 하지만, 실질 업무는 포항공대 곽호재 학생이 진행합니다. (곽호재, 010-9526-0921, thecreated@postech.ac.kr) 자세한 내용은 직접 찾아뵙고 시편 전달해 드리면서 말씀드리겠습니다. 언제든 연락주세요.	경북대학교	정밀기계공학과	김동억	600,000원
2301	2017-05-31 19시	20시	시편 표면 제작	포항가속기연구소	산업기술융합센터	곽호재	68,000원
2302	2017-06-01 12시	13시	PEoxide 20nm deposition	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	60,000원
2303	2017-06-01 15시	18시	PEOxide	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	240,000원
2304	2017-06-01 20시	21시	Oxide 200 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	60,000원
2305	2017-06-01 8시	9시	0-2-2 initial oxide	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	225,000원
2306	2017-06-01 9시	12시	PECVD Si3N4 4000Å 6Inch 7매	템퍼스	개발팀	조재익	700,000원
2307	2017-06-05 13시	14시	Silicon wafer 표면 처리	포항공과대학교	화학과	박수현	85,000원
2308	2017-06-07 13시	17시	PEOxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	420,000원
2309	2017-06-08 14시	17시	pe-oxide 1.5um 3ea	LG전자	ICS팀	김기민	510,000원
2310	2017-06-08 15시	16시	pe-oxide 1.5um 3ea	LG전자	ICS팀	김기민	510,000원
2311	2017-06-09 1시	3시	6월 8일 8시부터 사용 총 4회	포항공과대학교	창의IT융합공학과	김강현	240,000원
2312	2017-06-09 11시	12시	SIO2 120nm	경북대학교	전자공학과	임기식	100,000원
2313	2017-06-09 14시	15시	cleaning	(주)아이엠헬스케어	바이오센서팀	유재우	80,000원
2314	2017-06-12 11시	14시	2-1-1 cnt pe-nitride depo. 2-1-2 cnt pe-oxide depo.	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	450,000원
2315	2017-06-14 20시	24시	BioFET Hardmask PEoxide 20nm deposition	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	60,000원
2316	2017-06-14 9시	18시	에칭속도, RI (refractive index) 측정관련 실험 1) 1,3,5um @50도 / 1,3,5um @300도 2) DHF(100:1) Etching 1, 10min 3) Pre & Post sample: Ellipsometer Measurement	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
2317	2017-06-15 10시	11시	PECVD oxide 100 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	60,000원
2318	2017-06-15 14시	15시	Cu Board (500um) 5장입니다. polishing되어있는 면 위에 SiO2 100nm 증착 부탁 드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	85,000원
2319	2017-06-16 14시	15시	glass 기판위에 a-Si 380nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	75,000원
2320	2017-06-19 9시	12시	PECVD Si3N4 4000Å (12ea) 진행부탁드립니다.	템퍼스	개발팀	조재익	1,200,000원
2321	2017-06-20 14시	15시	-2inch InP wafer 3장 중 1장은 Quarter 4장으로 구성되어 있습니다. -avalanche photodiode 제작을 위한 dielectric layer 증착 -SiNx 0.2um 증착	한국전자통신연구원	광융합부품연구그룹	심재식	100,000원
2322	2017-06-20 20시	21시	Oxide100 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	60,000원
2323	2017-06-21 20시	21시	ox 증착	(주)아이엠헬스케어	바이오센서팀	유재우	160,000원
2324	2017-06-22 10시	13시	ox ~20nm	(주)아이엠헬스케어	바이오센서팀	유재우	1,000,000원
2325	2017-06-22 15시	16시	SiO2 Depo.	경북대학교	전자공학과	임기식	100,000원
2326	2017-06-22 16시	18시	ox 20 nm 4ea 진행	(주)아이엠헬스케어	바이오센서팀	유재우	400,000원
2327	2017-06-23 21시	23시	ox 증착	(주)아이엠헬스케어	바이오센서팀	유재우	320,000원
2328	2017-06-26 10시	16시	MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	3,000,000원
2329	2017-06-26 16시	17시	0-2-2 initial oxide	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	75,000원
2330	2017-06-27 10시	12시	SiC Diode 공정계약 50%_Thinfilm	테크닉스(주)	연구개발	강예환	500,000원
2331	2017-06-27 18시	20시	SiO2 2um SiC 4inch 3매 산업화장비 수리 후 공정체크	테크닉스(주)	연구개발	강예환	0원
2332	2017-06-27 18시	19시	ox	(주)아이엠헬스케어	바이오센서팀	유재우	80,000원
2333	2017-06-28 10시	11시	silicon wafer 표면 처리 - 예전에 많이 맡겼던 방식으로 해주세요 처리 후 진공 포장 부탁드립니다.	포항공과대학교	화학과	박수현	85,000원
2334	2017-06-28 12시	13시	Oxide 100 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	60,000원
2335	2017-06-29 13시	14시	pe-oxide 2um	한국전기연구원	전력반도체연구센터	나문경	180,000원
2336	2017-06-30 10시	11시	Wafer 구조는 Si/SiO2/Ti/Pt (Surface) 입니다. Si3N4 (100nm)를 Pt 전극 위에 증착하려고 합니다. 기존 이동욱 학생을 통하여 공정 (4/27)을 진행해봤습니다. 이와 똑같이 증착을 해주시면 됩니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박재성	60,000원
2337	2017-06-30 12시	13시	SiO2 5000A 증착 2장	포항가속기연구소	산업기술융합센터	곽호재	136,000원
2338	2017-07-03 10시	11시	0-2-2 initial oxide	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	150,000원
2339	2017-07-03 11시	12시	2-1-1 nitride depo. peoxide 3000A./ nitride 2000A 3ea	(주) 이너센서	이너센서	강문식	600,000원
2340	2017-07-03 13시	14시	PEOxide	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	480,000원
2341	2017-07-03 15시	16시	5개의 조각 샘플 2cm*2cm glass기판 위에 Amorphous Silicon 200nm 증착해주세요. 샘플은 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	정헌영	75,000원
2342	2017-07-03 21시	22시	ox증착	(주)아이엠헬스케어	바이오센서팀	유재우	80,000원
2343	2017-07-04 10시	13시	pe-oxide 1um 2ea pe-oxide 1.5um 3ea	LG전자	ICS팀	김기민	680,000원
2344	2017-07-04 14시	15시	오존플라즈마 처리	포항공과대학교	화학과	박수현	85,000원
2345	2017-07-04 15시	17시	pe-oxide 1.5um 3ea	LG전자	ICS팀	김기민	510,000원
2346	2017-07-05 10시	12시	진행할 공정 : Oxide depo.(500nm) * Dry Etcher_Poly_Si(NINT code:SE04) 장비 점검 Test 시료	테크닉스(주)	연구개발	강예환	0원
2347	2017-07-05 13시	15시	진행할 공정 : oxide 증착 SiC 4inch 4매 진행	테크닉스(주)	연구개발	강예환	0원
2348	2017-07-05 14시	15시	pe-oxide 3ea	포항공과대학교	창의IT융합공학과	김강현	225,000원
2349	2017-07-06 13시	15시	이전진행 내역 : Wafer Cleaning 진행할 공정 : SiO2 depo.(2 um) * Dry Etcher_20nm급(NINT code: -) 장비 점검 Test 시료	테크닉스(주)	연구개발	강예환	0원
2350	2017-07-07 11시	12시	ox 증착	포항공과대학교	전기전자공학과	김성지	60,000원
2351	2017-07-07 15시	16시	4개의 조각 샘플 2cm*2cm glass기판 위에 Amorphous Silicon 400nm 증착해주세요. 샘플은 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	정헌영	75,000원
2352	2017-07-07 9시	10시	PEoxide 8000 A	LG전자	센서솔루션연구소	이성단	90,000원
2353	2017-07-10 11시	13시	이전공정 내역 : SPM cleaning 진행할 공정 : HM Depo (2 um) * 1차 샘플 제작 Run (4ea) 이전공정 : SPM cleaning 진행할 공정 : HM Depo (2 um) * 1차 샘플 제작 HM Particle 단위공정 (1ea) 이전공정 : SPM cleaning 진행할 공정 : HM Depo (0.3 um) * 2차 샘플 제작 Run (4ea)	테크닉스(주)	연구개발	강예환	0원
2354	2017-07-10 14시	15시	Indium-Gallium-Zinc-Oxide(IGZO) 20nm가 증착된 p++ Si Substrate sample이고, Size는 약 2cm * 2cm이고 4 piece입니다. SiO2 6nm -> Si3N4 6nm -> SiO2 8nm 순으로 증착 해주시면 됩니다. 즉, Deposition 후 구조는 SiO2 8nm / Si3N4 6nm / SiO2 6nm / Si Substate 가 됩니다. 추가 문의사항은 연락 주십시오	한양대학교	신소재공학부	채명균	300,000원
2355	2017-07-11 9시	12시	HFOx 실험 H2 Plasma (300C, H2/Ar, P=30mTorr, 250W, H2=80sccm, Ar=10sccm, t=15min) 3회	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	225,000원
2356	2017-07-12 10시	11시	2-1-1 cnt nitride 2ea 2-1-2 cnt oxide 2ea	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	300,000원
2357	2017-07-12 12시	13시	ox증착	포항공과대학교	전기전자공학과	김성지	120,000원
2358	2017-07-12 13시	14시	이전공정 내역 : 없음 진행할 공정 : Oxide Depo (2um) * 1차 샘플 제작 Run Rework (1ea)	테크닉스(주)	연구개발	강예환	0원
2359	2017-07-13 9시	18시	MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	3,000,000원
2360	2017-07-14 10시	14시	이전공정 내역 : BOE(10min) + SPM(20min) + APM(10min) 진행할 공정 : Oxide Depo (0.3um) * 2차 샘플 제작 Run Rework (3ea)	테크닉스(주)	연구개발	강예환	0원
2361	2017-07-14 14시	15시	A-si Depo.	포항공과대학교	기계공학과	윤관호	225,000원
2362	2017-07-17 9시	14시	PECVD Si3N4 4000Å (12ea) 진행부탁드립니다.	템퍼스	개발팀	조재익	1,200,000원
2363	2017-07-18 14시	17시	이전공정 내역 : BOE + SPM 진행할 공정 : Oxide Depo(2um) * 2차 샘플 제작 Run Rework (3ea)	테크닉스(주)	연구개발	강예환	0원
2364	2017-07-18 16시	17시	SiO2 400nm 4inch 1매	고려대학교	반도체시스템공학과	김승근	100,000원
2365	2017-07-18 20시	21시	PECVD oxide 100 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	60,000원
2366	2017-07-18 9시	12시	PECVD Si3N4 4000Å (11ea) 진행부탁드립니다.	템퍼스	개발팀	조재익	1,100,000원
2367	2017-07-19 14시	15시	pe-oxide 2um	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
2368	2017-07-19 14시	15시	-InP 2 inch quarter 8장으로 구성되어 있습니다. -avalanche photodiode 제작을 위한 dielectric layer 증착 -SiNx 0.2um 증착	한국전자통신연구원	광융합부품연구그룹	심재식	100,000원
2369	2017-07-19 16시	17시	SiO2 20nm deposition	포항공과대학교	전자과	백상원	60,000원
2370	2017-07-20 9시	16시	83-St-1/2/3차 실험 SiO2 증착 총10회	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
2371	2017-07-24 14시	16시	pe-oxide 1.5um 2ea	LG전자	ICS팀	김기민	340,000원
2372	2017-07-25 15시	16시	0-2-3 initial oxide pe-ox depo.	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	75,000원
2373	2017-07-26 10시	15시	PE oxide Depo.	(주)니나노	기업부설연구소	박준영	1,000,000원
2374	2017-07-28 9시	12시	PECVD Si3N4 4000Å (2ea) 진행부탁드립니다.	템퍼스	개발팀	조재익	200,000원
2375	2017-07-31 15시	16시	0-1-3 hard mask peoixde depo.	(주)니나노	기업부설연구소	박준영	420,000원
2376	2017-08-01 11시	15시	pe-oxide 2um 6ea	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	1,080,000원
2377	2017-08-02 9시	17시	84-St(7/28) pe-oxide 500A 2ea 1700A 3ea 3200A 2ea 6000A 2ea 10000A 2ea 85-St(8/1,2) 500A 2ea 1700A 2ea 86.86-1-St(8/4) 500A 1ea 1700A 1ea 86-1-St(8/16,18) 500A 2ea 1700A 3ea 1um 3ea 2um 3ea Etch rate test 100C(8/14) 1um 1ea 3um 1ea 5um 1ea Etch rate test 150C(8/18) 1um 1ea 3um 1ea 5um 1ea	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
2378	2017-08-03 10시	11시	Cross-bar array 의 초기 공정단계인 Bottom Electrode 만 증착해놓은 Wafer 입니다.	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	75,000원
2379	2017-08-03 13시	14시	SiO2 100nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	345,000원
2380	2017-08-04 12시	13시	SiN Depo	LG전자	센서솔루션연구소	이성단	85,000원
2381	2017-08-08 15시	16시	4개의 조각 샘플 2cm*2cm glass기판 위에 Amorphous Silicon 400nm 증착해주세요. 샘플은 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	정헌영	75,000원
2382	2017-08-09 10시	12시	3-3-1 SiO2 0.6um 2회 (선행 포함)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	150,000원
2383	2017-08-10 9시	18시	MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	3,000,000원
2384	2017-08-11 15시	18시	2-1-1 SiN 50nm 3회 2-3-1 SiO2 200nm 3회	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	450,000원
2385	2017-08-11 9시	12시	PECVD Si3N4 4000Å (4ea)진행부탁드립니다.	템퍼스	개발팀	조재익	400,000원
2386	2017-08-16 10시	11시	오존플라즈마 처리	포항공과대학교	화학과	박수현	85,000원
2387	2017-08-17 14시	15시	이인수교수님 실험실 실리콘 웨이퍼 아르콘플라즈마 처리	포항공과대학교	화학과	권태완	85,000원
2388	2017-08-17 15시	20시	pe-oxide 1.5um 7ea	LG전자	ICS팀	김기민	1,190,000원
2389	2017-08-18 9시	18시	PECVD Si3N4 4000Å depo (300℃) 7ea , PECVD Si3N4 4000Å depo (250℃) 10ea 진행부탁드립니다.	템퍼스	개발팀	조재익	1,700,000원
2390	2017-08-22 12시	15시	pe-ox 2.2um 3ea	LG전자	ICS팀	김기민	510,000원
2391	2017-08-22 17시	18시	SiO2 웨이퍼에서, Cross-bar array 의 초기 공정단계인 Bottom Electrode 패턴 만 증착해놓은 샘플입니다	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	75,000원
2392	2017-08-22 9시	11시	N2 Plasma treatment 2회 SiO2 Depo 2회	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	340,000원
2393	2017-08-23 12시	13시	N2 Plasma Treatment 1회 PE-oxide 3회	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	340,000원
2394	2017-08-23 12시	13시	1-1-1 hard mask depo. 1.5um	LG전자	센서솔루션연구소	이성단	170,000원
2395	2017-08-23 13시	14시	PE-CVD SiO2 20nm 증착	포항공과대학교	창의IT융합공학과	김강현	60,000원
2396	2017-08-23 16시	17시	silicon wafer ozone plasma 처리	포항공과대학교	화학과	박수현	85,000원
2397	2017-08-25 15시	16시	oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	60,000원
2398	2017-08-25 16시	17시	PEOxide 20nm 전면 증착	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	150,000원
2399	2017-08-28 15시	16시	pe-ox 1000A 2ea	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	170,000원
2400	2017-08-28 16시	17시	산소 플라즈마 처리	포항공과대학교	화학과	박수현	85,000원
2401	2017-08-29 11시	12시	SiO2 2um depo	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
2402	2017-08-30 10시	11시	표면 클리닝	포항공과대학교	화학과	박수현	85,000원
2403	2017-08-30 11시	12시	PECVD Si3N4 4000Å (250℃)	템퍼스	개발팀	조재익	300,000원
2404	2017-08-30 9시	10시	Oxide /Nitride	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	1,000,000원
2405	2017-08-31 15시	16시	pe-ox 50nm	포스코	성능연구그룹	정현주	0원
2406	2017-08-31 15시	16시	SiO2 30nm 200nm 증착 *2	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	240,000원
2407	2017-08-31 16시	17시	silicon wafer O2 plasma 처리	포항공과대학교	화학과	구정훈	85,000원
2408	2017-08-31 17시	18시	0-2-3 initial oxide pe-ox depo.	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	75,000원
2409	2017-08-31 8시	9시	PE 15000A Depo	LG전자	센서솔루션연구소	이성단	90,000원
2410	2017-08-31 9시	10시	실리콘 웨이퍼 표면처리	포항공과대학교	화학과	박수현	85,000원
2411	2017-09-01 11시	12시	pe-ox 500A, 1um 2ea	포스코	성능연구그룹	정현주	170,000원
2412	2017-09-01 9시	10시	실리카 표면 cleaning	포항공과대학교	화학과	박수현	85,000원
2413	2017-09-04 10시	11시	SiNx deposition	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	520,000원
2414	2017-09-04 13시	14시	Al증착 샘플 SiO2 300 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이승호	60,000원
2415	2017-09-04 14시	18시	pe-oxide 1.5um 10ea	LG전자	ICS팀	김기민	1,700,000원
2416	2017-09-05 10시	15시	SiC Diode 공정계약_공정완료 잔금_Thinfilm	테크닉스(주)	연구개발	강예환	1,500,000원
2417	2017-09-05 15시	16시	4개의 조각 샘플 2cm*2cm glass기판 위에 Amorphous Silicon 400nm 증착해주세요. 샘플은 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	정헌영	75,000원
2418	2017-09-05 16시	19시	pe-oxide 2.2um 9ea	LG전자	ICS팀	김기민	1,530,000원
2419	2017-09-06 10시	11시	표면처리 9시 진행 16시 진행	포항공과대학교	화학과	박수현	170,000원
2420	2017-09-06 14시	16시	pe-oxide 500A, 1000A, 1700A, 1um	포스코	성능연구그룹	정현주	340,000원
2421	2017-09-07 9시	10시	O2 Plasma treatment	포항공과대학교	화학과	박수현	85,000원
2422	2017-09-08 11시	12시	Ar Plasma treatment	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	85,000원
2423	2017-09-08 14시	15시	8 field plate 용 산화막 500nm	LG 이노텍	소자개발팀	정지철	100,000원
2424	2017-09-11 10시	11시	9 field plate 용 산화막 oxidation furnace 후 pecvd	LG 이노텍	소자개발팀	정지철	200,000원
2425	2017-09-11 11시	12시	pe-oxide 5000A 2ea	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	150,000원
2426	2017-09-11 13시	15시	pe-oxide 400A, 700A, 1000A, 1400A, 1700A, 1um	포스코	성능연구그룹	정현주	510,000원
2427	2017-09-12 1시	2시	oxide on LTPS	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	60,000원
2428	2017-09-12 10시	11시	SiNx deposition	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	390,000원
2429	2017-09-12 13시	15시	SiO2 2um deposition 4 inch Si wafer 2EA SiC wafer 4EA	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	540,000원
2430	2017-09-12 8시	9시	O2 Plasma treatment	포항공과대학교	화학과	박수현	85,000원
2431	2017-09-12 8시	9시	pe-oxide 1700A 150C	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	85,000원
2432	2017-09-13 10시	11시	pe-oxide 6nm. 10nm pe-nitride 9nm	한양대학교	신소재공학부	채명균	300,000원
2433	2017-09-13 10시	12시	pe-oxide 40nm, 1um, 3um	포스코	성능연구그룹	정현주	425,000원
2434	2017-09-13 13시	14시	O2 Plasma treatment	포항공과대학교	화학과	박수현	85,000원
2435	2017-09-14 17시	18시	SiO2 20nm SiO2 200nm	포항공과대학교	창의IT융합공학과	김강현	60,000원
2436	2017-09-14 9시	17시	MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	3,500,000원
2437	2017-09-15 16시	17시	Si / IGZO (30 nm) sample 3개 입니다. H2 plasma로 H radical을 만들어 주고 싶습니다. 300 W, 200 s, 적당한 공정 압력으로 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	85,000원
2438	2017-09-18 10시	11시	산화막 2um	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
2439	2017-09-18 16시	18시	PECVD 20 nm, 600 nm	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	240,000원
2440	2017-09-19 10시	11시	1-1-2 front oxide depo.	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	75,000원
2441	2017-09-19 10시	11시	3-3-1 contact ild depo.	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	180,000원
2442	2017-09-19 11시	13시	20 nm2 600nm2	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	240,000원
2443	2017-09-20 13시	15시	6\" Wafer 두장에 TEOS 500nm 올라가 있습니다 2장 모두 SiO2 100nm 부탁 드립니다.	한양대학교	신소재공학부	채명균	200,000원
2444	2017-09-20 14시	15시	SiO2 1080nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	김정현	75,000원
2445	2017-09-25 10시	11시	2-1-1 front side peoxide	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	150,000원
2446	2017-09-25 15시	22시	pe-oxide 2.2um	LG전자	ICS팀	김기민	1,530,000원
2447	2017-09-26 10시	11시	pe-nitride	포항공과대학교	전자전기공학과	김강민	85,000원
2448	2017-09-27 10시	11시	sio2 2um depo	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
2449	2017-09-28 10시	11시	9개의 조각 샘플 2cm*2cm glass기판 위에 Amorphous Silicon 150nm 증착해주세요. 샘플은 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	정헌영	75,000원
2450	2017-09-28 10시	19시	83~88-St SiO2 증착	포스코	성능연구그룹	정현주	1,615,000원
2451	2017-09-29 13시	15시	60 nm SiN 증착	한국전자통신연구원	RF융합부품연구실	신민정	200,000원
2452	2017-09-29 15시	16시	SiO2 웨이퍼에서, Cross-bar array 의 초기 공정단계인 Bottom Electrode 패턴 만 증착해놓은 샘플입니다 pe-nitride 1000A	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	75,000원
2453	2017-10-10 10시	18시	MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	3,000,000원
2454	2017-10-11 10시	11시	SiNx deposition	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	300,000원
2455	2017-10-11 13시	14시	a-Si 300 nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	윤관호	150,000원
2456	2017-10-12 14시	15시	SiNx deposition	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	300,000원
2457	2017-10-13 10시	11시	SiNx deposition	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	300,000원
2458	2017-10-13 15시	16시	Bare silicon wafer cleaning 이후 15nm thickness SiO2 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	60,000원
2459	2017-10-13 17시	18시	PE-oxide 200nm 증착	포항공과대학교	창의IT융합공학과	김강현	60,000원
2460	2017-10-13 9시	13시	pe-oxide 2.2um 8ea	LG전자	ICS팀	김기민	1,360,000원
2461	2017-10-13 9시	12시	SiO2 0.5um 5매	(주)맥테크	부설기술연구소	정종열	500,000원
2462	2017-10-16 10시	11시	SiNx deposition	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	300,000원
2463	2017-10-16 11시	12시	sio2 wafer에 pt line 증착된 샘플에 실리콘나이트라이드 100nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	75,000원
2464	2017-10-16 13시	15시	9 field plate 용 산화막 490nm 10 field plate 용 산화막 740nm 11 field plate 용 산화막 990nm	LG 이노텍	소자개발팀	정지철	300,000원
2465	2017-10-16 15시	16시	Pe-oxide 200nm증착	포항공과대학교	창의IT융합공학과	김강현	60,000원
2466	2017-10-16 9시	10시	Double Polished 2-in Si Wafer에 SiO2 100-300nm범위에서 증착하려고 합니다.	포항공과대학교	첨단재료과학부	허호석	300,000원
2467	2017-10-17 14시	15시	SiNx deposition	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	300,000원
2468	2017-10-18 10시	12시	SiO2 2um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	1,080,000원
2469	2017-10-18 20시	21시	SiO2 5000A 증착	포항가속기연구소	산업기술융합센터	곽호재	68,000원
2470	2017-10-19 13시	16시	pe-oxide 20nm, 150nm, 170nm, 1um, 3um	포스코	성능연구그룹	정현주	595,000원
2471	2017-10-20 15시	16시	PE-Oxide depo	포항공과대학교	창의IT융합공학과	김강현	120,000원
2472	2017-10-24 10시	17시	pe-oxide 20nm,110nm,170nm,500nm,1um*4ea	포스코	성능연구그룹	정현주	680,000원
2473	2017-10-25 15시	19시	pe-oxide 2.2um 8ea	LG전자	ICS팀	김기민	1,360,000원
2474	2017-10-25 15시	16시	pe-oxide 2um	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
2475	2017-10-26 14시	15시	a-Si: 150nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	김인기	75,000원
2476	2017-10-27 13시	17시	pe-oxide 40nm,90nm,110nm,150nm,1um	포스코	성능연구그룹	정현주	425,000원
2477	2017-10-30 13시	17시	pe-oxide 20nm. 100nm, 150nm, 170nm, 300nm 2회	포스코	성능연구그룹	정현주	510,000원
2478	2017-10-30 9시	10시	4㎄ depo	템퍼스	개발팀	조재익	400,000원
2479	2017-10-31 13시	14시	직접방문 pe-oxide 100nm	경북대학교	전자공학	손동혁	100,000원
2480	2017-10-31 9시	10시	PECVD Oxide 100 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	60,000원
2481	2017-11-01 10시	11시	SiNx 1um deposition	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	110,000원
2482	2017-11-01 13시	18시	나노 SC 인력양성 교육_Thinfilm	포항공과대학교	교육사업부	백성기	2,000,000원
2483	2017-11-02 11시	12시	cleaning한 bare wafer에 PECVD oxide 증착 예정	포항공과대학교	전자과	백상원	120,000원
2484	2017-11-02 15시	17시	열전소자용 박막증착 : 4.0014275.01-2-2-4 (시험분석료)	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	900,000원
2485	2017-11-02 17시	18시	SiO2 100nm	경북대학교	전자공학과	임기식	100,000원
2486	2017-11-02 20시	21시	deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	60,000원
2487	2017-11-02 9시	15시	pe-oxide 1.5um 8ea	LG전자	ICS팀	김기민	1,360,000원
2488	2017-11-03 13시	14시	pe-oxide 1.5um	LG전자	ICS팀	김기민	170,000원
2489	2017-11-07 15시	16시	Oxide deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	최원영	60,000원
2490	2017-11-08 12시	18시	pe-oxide 2.2um 14ea	LG전자	ICS팀	김기민	2,380,000원
2491	2017-11-08 19시	20시	SiO2 5000A 증착	포항가속기연구소	산업기술융합센터	곽호재	68,000원
2492	2017-11-09 10시	11시	이전과 동일하게 si3n4 100nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	75,000원
2493	2017-11-09 15시	16시	pe-oxide	(주)알텍	나노공정시스템 개발팀	박준태	280,000원
2494	2017-11-10 17시	18시	bare wafer	포항공과대학교	전자과	백상원	60,000원
2495	2017-11-13 11시	12시	SIO2 100 nm 증착	포항공과대학교	전자과	백상원	60,000원
2496	2017-11-13 13시	15시	pe-oxide 2.2um 3ea	LG전자	ICS팀	김기민	510,000원
2497	2017-11-13 15시	16시	Oxide deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	최원영	180,000원
2498	2017-11-14 10시	17시	97차&98차 실험 SiO2 deposition	포스코	성능연구그룹	정현주	765,000원
2499	2017-11-14 17시	18시	Oxide 20 nm deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	최원영	60,000원
2500	2017-11-14 9시	10시	SiO2 1um로 증착 부탁드립니다.	포스텍	물리학과	신원철	75,000원
2501	2017-11-15 10시	11시	SiNx deposition	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	660,000원
2502	2017-11-15 14시	15시	a-Si 210nm 증착 부탁드립니다. (glass 2cm x 2cm 조각 4개)	포항공과대학교	기계공학과	김인기	75,000원
2503	2017-11-20 14시	15시	SiO2 2um depo.	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
2504	2017-11-20 17시	18시	Oxide deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	최원영	60,000원
2505	2017-11-21 10시	21시	MEMS 기술사업화계약-Thinfilm	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	2,500,000원
2506	2017-11-22 10시	11시	SiNx Deposition	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	300,000원
2507	2017-11-23 12시	13시	oxide depo	포항공과대학교	창의IT융합공학과	김강현	60,000원
2508	2017-11-23 18시	19시	SiO2 1080nm 증착 부탁드립니다. 4시 이후에 시편 보관함에 놓겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	김정현	75,000원
2509	2017-11-23 9시	18시	SiN deposition	한국전자통신연구원	광인터넷부품연구실	김덕준	2,000,000원
2510	2017-11-27 10시	12시	SiO2 2um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	360,000원
2511	2017-11-28 10시	11시	.	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	75,000원
2512	2017-11-29 10시	11시	si3n4	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	75,000원
2513	2017-11-29 15시	17시	0-1-3 hard mask peoixde depo.	(주)니나노	기업부설연구소	박준영	300,000원
2514	2017-11-29 17시	18시	pe-oxide 2um	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
2515	2017-11-30 16시	17시	PE-oxide 20nm 증착	포항공과대학교	창의IT융합공학과	김강현	60,000원
2516	2017-12-01 10시	11시	a-Si를 200 나노 수준으로 코팅하려고 합니다	포항공과대학교 대학원	기계공학과	문도원	170,000원
2517	2017-12-04 13시	14시	SiO2 2um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	90,000원
2518	2017-12-04 14시	15시	pe-oxide 1.5um Depo.	LG전자	ICS팀	김기민	170,000원
2519	2017-12-04 14시	17시	p+Si (~1e19) 4-inch wafer 위에 PECVD로 SiO2 (15 nm)/Si3N4 (10 nm) / SiO2 (6 nm) 3개의 층을 증착부탁드립니다 증착전에 pre-cleaning 진행 부탁드립니다 DHF Cleaning 진행 후 증착	고려대학교	나노반도체공학과	박준	300,000원
2520	2017-12-04 17시	18시	4개의 조각 샘플 2cm*2cm glass기판 위에 Amorphous Silicon 150nm 증착해주세요. 샘플은 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	정헌영	75,000원
2521	2017-12-06 11시	13시	pe-oxide 40 nm, 100 nm, 170 nm, 320 nm	포스코	성능연구그룹	정현주	340,000원
2522	2017-12-06 15시	16시	a-Si 코팅하려고 합니다	포항공과대학교 대학원	기계공학과	문도원	170,000원
2523	2017-12-07 16시	17시	h2 plasma	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	85,000원
2524	2017-12-08 13시	14시	SiO2 2um deposition	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
2525	2017-12-08 8시	9시	PEoxide 2um	(주)기가레인	장비사업부	이길헌	600,000원
2526	2017-12-08 9시	10시	9 field plate 용 산화막 oxidation	LG 이노텍	소자개발팀	정지철	200,000원
2527	2017-12-12 9시	18시	1200V급 Trench형 SiC MOSFET 소자 개발 [4.0015452.01]_Thinfilm 단위공정	현대모비스	전력반도체팀	이정윤	1,000,000원
2528	2017-12-13 10시	16시	MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	1,000,000원
2529	2017-12-13 18시	20시	oxide depo 20nm	포항공과대학교	창의IT융합공학과	김강현	240,000원
2530	2017-12-13 9시	10시	이전 동일	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	75,000원
2531	2017-12-14 10시	12시	0-2-2 initial oxide	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	225,000원
2532	2017-12-14 11시	13시	pe-oxide 3um 4ea	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	1,080,000원
2533	2017-12-14 13시	14시	pe-nitride 1500A, 2000A	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	150,000원
2534	2017-12-14 14시	16시	1 cm * 1 cm 산화물 박막, 0.5 cm * 0.5 cm 산화물 박막 10여장 준비 예정입니다. 박막은 NdNiO3 (metallic), VO2 (insulating) 두 종류입니다. 증착 조건은 SiH4 10 sccm, Ar 60 sccm, O2 60 sccm 정도 비율의 가스 분위기와 상온 조건이고 증착두께는 500 nm 정도입니다.	포항공과대학교	신소재공학과	오차돌	170,000원
2535	2017-12-15 11시	18시	pe-oxide 1.5um Depo. 15ea	LG전자	ICS팀	김기민	2,550,000원
2536	2017-12-18 9시	12시	precleaning SPM, DHF SiO2 2um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	1,125,000원
2537	2017-12-19 19시	20시	Oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	60,000원
2538	2017-12-20 13시	14시	실리콘나이트라이드 증착 요청드립니다. 추가로 여쭈어보실 것들은 010-5117-5581 박재성. 으로 연락주시면 되겠습니다.	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	75,000원
2539	2017-12-20 9시	10시	ox 20nm	포항공과대학교	전기전자공학과	김성지	120,000원
2540	2017-12-22 9시	10시	이전과 동일.	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	75,000원
2541	2017-12-22 9시	12시	SiO2/Si3N4/SiO2/Si substrate (20nm/15nm/6nm/Si) --> sample1 SiO2/Si3N4/Al2O3/Si substrate (20nm/15nm/6nm/Si) --> smaple2	한양대학교	신소재공학부	채명균	420,000원
2542	2017-12-26 13시	14시	Silicon oxide 5000옴스트롱 증착	포항공과대학교	기계공학과	박철민	0원
2543	2017-12-26 9시	10시	******************************************** si3n4 을 array의 절연막 역할로 쓸 예정이라, 전면적으로 si3n4 증착 요청드립니다. 잘 부탁드립니다. ******************************************** 샘플 맡기시는 분은 문기봉 연구원님이라서, 연락처 남겨드립니다 010-6309-0011 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	75,000원
2544	2017-12-27 21시	22시	Oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	60,000원
2545	2017-12-27 9시	10시	200nm si3n4증착. 이전과 동일	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	75,000원
2546	2018-01-02 14시	15시	pe-oxide 20nm	포스코	성능연구그룹	정현주	85,000원
2547	2018-01-03 10시	13시	precleaning SPM, DHF SiO2 2um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	1,125,000원
2548	2018-01-03 11시	12시	pe-oxide 1000A 150C	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	85,000원
2549	2018-01-03 11시	12시	조각 oxide 230nm (1월2일 사용)	포항공과대학교	창의IT융합공학과	김강현	60,000원
2550	2018-01-03 9시	10시	200nm si3n4증착. 이전과 동일	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	75,000원
2551	2018-01-04 9시	10시	이전과 동일합니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	75,000원
2552	2018-01-08 11시	12시	Oxide20nm	포항공과대학교	창의IT융합공학과	김강현	120,000원
2553	2018-01-08 11시	15시	pe-oxide 40nm, 100nm, 150nm, 170nm, 200nm, 220nm, 280nm	포스코	성능연구그룹	정현주	595,000원
2554	2018-01-08 9시	10시	이전과 동일합니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	75,000원
2555	2018-01-09 11시	13시	SiN 박막 증착	고려대학교	반도체시스템공학과	김승근	100,000원
2556	2018-01-09 17시	18시	pe-oxide 40nm, 100nm, 170nm	포스코	성능연구그룹	정현주	255,000원
2557	2018-01-09 9시	10시	Oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	60,000원
2558	2018-01-12 11시	12시	pe-oxide 1000A 150C	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	85,000원
2559	2018-01-12 15시	16시	oxide 20nm 증착	포항공과대학교	창의IT융합공학과	김강현	120,000원
2560	2018-01-16 10시	13시	pe-oxide 100nm, 170nm, 500nm, 1um	포스코	성능연구그룹	정현주	340,000원
2561	2018-01-17 9시	10시	Oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	60,000원
2562	2018-01-22 9시	10시	SiNx Deposition	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	420,000원
2563	2018-01-23 14시	15시	6개의 조각 샘플 2cm*2cm glass기판 위에 Amorphous Silicon 400nm 증착해주세요. 샘플은 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	정헌영	75,000원
2564	2018-01-24 11시	12시	Oxide 20nm deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	최원영	120,000원
2565	2018-01-25 11시	18시	200nm 4장 2um 9장	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	1,980,000원
2566	2018-01-25 20시	21시	Oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	60,000원
2567	2018-01-25 9시	11시	0-2-2 Initial Oxide (SiO2 100nm 4inch 4)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	300,000원
2568	2018-01-29 13시	18시	pe-oxide 50nm,170nm 500nm,1um 50nm,100nm,200nm,170nm	포스코	성능연구그룹	정현주	680,000원
2569	2018-01-30 18시	19시	precleaning SPM, DHF SiO2 2um 증착, 2장	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	405,000원
2570	2018-01-30 9시	18시	pe-oxide 190nm,200nm 1um, 1um 50nm,90nm,100nm,170nm,1um	포스코	성능연구그룹	정현주	765,000원
2571	2018-01-31 10시	13시	TIDL-TFET-1,2,3 TIDL-B-09,10,19 SiN 200nm 6매	서강대학교	전자공학과	이장우	0원
2572	2018-01-31 14시	15시	SiO2 400nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	75,000원
2573	2018-01-31 9시	10시	이전 동일.	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	75,000원
2574	2018-02-01 10시	16시	sio2 2um depo 8장	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	1,440,000원
2575	2018-02-01 16시	18시	pe-oxide 1.5um 8ea	LG전자	ICS팀	김기민	1,360,000원
2576	2018-02-02 9시	10시	SiO2 위에 W (Tungsten) metal 증착한 wafer입니다. 기존 최우석 학생이 진행하였던대로 진행주시면 됩니다. (Si3N4 200nm)	포항공과대학교	신소재공학과	박재성	75,000원
2577	2018-02-05 10시	14시	SiO2 200nm 3매	WORLDEX	소재사업부	이정현	420,000원
2578	2018-02-06 10시	16시	105차 SiO2 Split test	포스코	성능연구그룹	정현주	765,000원
2579	2018-02-06 16시	19시	Sio2 2um 2매	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	360,000원
2580	2018-02-08 9시	18시	106차 SiO2 THK Split	포스코	성능연구그룹	정현주	1,275,000원
2581	2018-02-08 9시	10시	Oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	60,000원
2582	2018-02-09 11시	12시	30 mTorr, 250 W, 20분 , RT에서 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	85,000원
2583	2018-02-12 9시	10시	Si3N4 200nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박재성	75,000원
2584	2018-02-13 10시	11시	SiNx Deposition 3회	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	300,000원
2585	2018-02-13 11시	14시	2-1-1 cnt nitride depo. 2-3-1 cnt oxide depo.	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	600,000원
2586	2018-02-14 17시	18시	ox depo	포항공과대학교	전기전자공학과	김성지	60,000원
2587	2018-02-19 13시	17시	SiO2/Si3N4/SiO2/Si (6nm/15nm/20nm/Si) Al2O3/Si3N4/SiO2/Si (6nm/15nm/20nm/Si)	한양대학교	신소재공학부	채명균	400,000원
2588	2018-02-20 15시	17시	두께가 525 +- 25um인 4 인치 실리콘 웨이퍼 위에 SiO2 layer를 8.1 um 두께로 증착시킨 상황입니다. 저희 연구실에서 원하는 것은 SiO2 layer 위에 nitride를 500 nm 두께로 증착시켜서 최종적으로 Si3N4 layer를 만드는것입니다. 혹시 제 설명이 부족하여서 이해가 안되시면 전화나 문자주시면 감사하겠습니다.	포항공과대학교	물리학과	권기원	150,000원
2589	2018-02-22 11시	14시	precleaning SPM,DHF SiO2 2um 증착 8장	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	1,665,000원
2590	2018-02-22 14시	15시	ox ~20 nm	포항공과대학교	전기전자공학과	김성지	60,000원
2591	2018-02-22 22시	23시	oxide 20nm	포항공과대학교	창의IT융합공학과	김강현	60,000원
2592	2018-02-27 14시	15시	0-2-4 initial oxide pe-ox	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	75,000원
2593	2018-02-28 10시	13시	SiNx 3000	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	160,000원
2594	2018-02-28 13시	15시	W 위에 Si3N4 200nm, SiO2 100nm증착해 주시면 됩니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박재성	150,000원
2595	2018-02-28 13시	14시	pe-oxide 2um	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	90,000원
2596	2018-02-28 14시	17시	pe-oxide 1.5um 5ea	LG전자	ICS팀	김기민	850,000원
2597	2018-02-28 9시	10시	pe-nitride depo.	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	85,000원
2598	2018-03-02 9시	10시	W substrate	포항공과대학교	신소재공학과	박재성	75,000원
2599	2018-03-06 14시	16시	100nm Si3N4 와 150nm Si3N4 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박재성	150,000원
2600	2018-03-06 16시	17시	SiO2 1080nm증착	포항공과대학교	기계공학과	이태준	75,000원
2601	2018-03-06 9시	14시	1-2-1 HM Pe oxide depo.	부산테크노파크	파워반도체상용화센터	전헌수	0원
2602	2018-03-07 13시	14시	-InP 2inch quarter 6장, 2inch 2장으로 구성되어있습니다. -avalanche photodiode 제작을 위한 dielectric layer 증착 -SiNx 0.2um 증착	한국전자통신연구원	광융합부품연구그룹	심재식	100,000원
2603	2018-03-07 8시	13시	pe-oxide 1.5um	LG전자	ICS팀	김기민	1,700,000원
2604	2018-03-10 21시	22시	sio2 high 500A (4초)	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	60,000원
2605	2018-03-12 10시	11시	SiO2 1080nm 증착 지름 10cm glass wafer 2장 Cr 30nm 코팅되어 있음	포항공과대학교	기계공학과	이태준	150,000원
2606	2018-03-13 10시	11시	NA: 1ea, NB: 1ea, CA: 1ea, CB: 1ea, SA: 1ea, SB: 1ea 각각 1개씩 200nm SiO2 증착	포스코	성능연구그룹	정현주	85,000원
2607	2018-03-14 10시	13시	pe-oxide 50nm, 100nm, 150nm, 200nm, 220nm, 280nm, 320nm 각2회진행 총14회진행	포스코	성능연구그룹	정현주	1,190,000원
2608	2018-03-14 9시	10시	이전과 동일하게, Si3N4 150nm 전면 증착 요청드립니다. 증착이 끝나면 최우석 010-8477-9126 으로 연락주시면 좋겠습니다.	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	75,000원
2609	2018-03-15 10시	11시	Sio2um 5장	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	900,000원
2610	2018-03-15 11시	13시	pe-oxide 50nm, 100nm, 150nm, 200nm, 220nm, 280nm, 320nm	포스코	성능연구그룹	정현주	595,000원
2611	2018-03-15 14시	15시	20nm oxide depo	포항공과대학교	창의IT융합공학과	김강현	60,000원
2612	2018-03-19 12시	13시	pe-oxide 2um	현대모비스	전력반도체팀	이정윤	0원
2613	2018-03-19 13시	14시	SiC 1.5 x 1.5 cm 조각 샘플 12개 oxide 1um 증착 요청 드립니다.	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	90,000원
2614	2018-03-19 9시	10시	Pattern된 W 기판에 100nm Si3N4 쌓아주시면 됩니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박재성	75,000원
2615	2018-03-20 10시	11시	SiO2 1080nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	이태준	75,000원
2616	2018-03-20 12시	13시	PE-CVD 20nm	포항공과대학교	창의IT융합공학과	김강현	60,000원
2617	2018-03-20 13시	14시	pe-oxide 50nm	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	0원
2618	2018-03-21 9시	18시	유량 센서 및 후면 배선 연결 공정[과제번호:4.0015206.01]_Thinfilm	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	750,000원
2619	2018-03-22 16시	18시	SiN 100nm 3매	서강대학교	전자공학과	이장우	0원
2620	2018-03-22 9시	10시	Si3N4 100nm	포항공과대학교	신소재공학과	박재성	75,000원
2621	2018-03-23 13시	14시	GaN on sapphire 시편이고 손으로 잘라 불규칙적으로 생겼으나 3cm*3cm 안에 들어옵니다. SiO2 200nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김정현	75,000원
2622	2018-03-23 14시	15시	2-1-1 front side pe-oxide	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	75,000원
2623	2018-03-23 15시	16시	3-3-1 contact ild depo. pe-oxide	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	75,000원
2624	2018-03-26 10시	18시	Ti/Cu(10/100nm)가 증착된 6inch Glass 기판입니다. metal 증착면에 SiNx 50nm (PECVD) 진행 바랍니다.	LG전자	LG소재기술원 ML task	문성민	510,000원
2625	2018-03-27 10시	18시	I032301D 2매, I032302D 2매 SiO2 2um 증착 사전 Cleaning 요청드립니다. ---------------------------------------- long cleaning 1회 1000A 4회 진행	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	420,000원
2626	2018-03-27 8시	9시	pe-nitride 20nm 250C(Test) pe-pe-nitride 250C100nm(Test) pe-nitride 20nm 150C 6inch wafer :5ea	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	360,000원
2627	2018-03-27 9시	10시	Si3N4 100nm 쌓아주시면 됩니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박재성	75,000원
2628	2018-03-29 1시	3시	2시에 방문하겠습니다 ------------------ pe-oxide 1um	포항공과대학교	신소재공학과	임관우	340,000원
2629	2018-03-29 10시	11시	SiO2 1080nm 증착 (Si 기판 6장, 2cm x 2cm)	포항공과대학교	기계공학과	이태준	75,000원
2630	2018-03-30 10시	13시	pe-oxide 1.5um 4ea	LG전자	ICS팀	김기민	680,000원
2631	2018-03-30 17시	18시	h2 treatment	포항공과대학교	전자전기공학과	박성민	85,000원
2632	2018-03-30 9시	10시	Si3N4 100nm 쌓아주시면 됩니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박재성	75,000원
2633	2018-04-02 13시	18시	I32301D (2매) Oxide depo 20,000 신청합니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	320,000원
2634	2018-04-03 10시	11시	PE-oxide 5000A	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	525,000원
2635	2018-04-03 13시	18시	I32302D (2매) Oxide 20,000 사용 신청합니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	320,000원
2636	2018-04-03 15시	16시	2-1-1 front side peoxide	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	150,000원
2637	2018-04-03 17시	18시	h2 plasma treatment	포항공과대학교	전자전기공학과	박성민	85,000원
2638	2018-04-03 17시	18시	pe-oxide 1.5um 2ea	LG전자	ICS팀	김기민	340,000원
2639	2018-04-04 16시	17시	110-PG 50nm, 200nm, 280nm	포스코	성능연구그룹	정현주	255,000원
2640	2018-04-05 11시	12시	BOE 10:1 2ea	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	100,000원
2641	2018-04-05 9시	10시	Si3N4 100nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박재성	75,000원
2642	2018-04-06 11시	12시	1-2-1 HM pe oxide depo.	부산테크노파크	파워반도체상용화센터	전헌수	0원
2643	2018-04-06 11시	13시	1-2-1 HM pe oxide depo.	부산테크노파크	파워반도체상용화센터	전헌수	0원
2644	2018-04-09 13시	16시	PE- oxide 5000A	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	525,000원
2645	2018-04-09 21시	22시	oxide 20nm 증착	포항공과대학교	창의IT융합공학과	김강현	60,000원
2646	2018-04-09 9시	10시	oxide 10nm	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	60,000원
2647	2018-04-10 14시	16시	pe-oxide 1.5um	LG전자	ICS팀	김기민	1,020,000원
2648	2018-04-11 12시	13시	pe-oxide 2um	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
2649	2018-04-11 16시	17시	SiO2 100nm 6inch 1매	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	75,000원
2650	2018-04-12 10시	11시	a-Si 300nm 증착 (엘립소 측정용)	포항공과대학교	기계공학과	윤관호	75,000원
2651	2018-04-12 13시	14시	20nm oxide증착	포항공과대학교	창의IT융합공학과	김강현	60,000원
2652	2018-04-13 10시	11시	H plasma 30 mTorr 250 W 300 s 230 도 온도에서 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	170,000원
2653	2018-04-13 11시	12시	SiO2 1080nm 증착 부탁드립니다. 2cm x 2cm 실리콘 조각 6개 입니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	75,000원
2654	2018-04-16 14시	16시	PD020065E0-I41101D (2매) ----------------- pe-oxide 1000A	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	160,000원
2655	2018-04-17 11시	12시	111-2,111-4,111-6 100nm, 200nm, 280nm	포스코	성능연구그룹	정현주	255,000원
2656	2018-04-17 12시	15시	SiO2 증착 2um 8ea	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	1,440,000원
2657	2018-04-17 9시	10시	실리콘나이트라이드 전면 증착 부탁드립니다. 150nm 최우석 : 010-8477-9126	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	75,000원
2658	2018-04-18 10시	13시	pe-oxide 2um 5ea 탑다운과제	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	900,000원
2659	2018-04-20 11시	13시	Bare silicon wafer 4장 의뢰 2장은 20nm SiO2 증착 / 나머지 2장은 25nm SiO2 증착 의뢰	포항공과대학교	전자과	백상원	300,000원
2660	2018-04-20 15시	18시	I41101D (2매) 10,000 증착 요청합니다. ----------------------- 2um 2ea	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	320,000원
2661	2018-04-23 16시	17시	H2 Plasma treatment 250W	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	110,500원
2662	2018-04-23 21시	22시	Oxide 300 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	60,000원
2663	2018-04-25 11시	12시	H2 Plasma treatment 200W,250W H2:AR=8:2	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	170,000원
2664	2018-04-25 11시	12시	10000A 증착	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	320,000원
2665	2018-04-26 16시	18시	h2 plasma treatment 250W, 250W(8:2), 200W(8:2)	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	280,500원
2666	2018-04-26 9시	13시	pe-oxide 1.5um	LG전자	ICS팀	김기민	680,000원
2667	2018-04-30 16시	18시	0-1-3 hard mask peoxide depo.	(주)니나노	기업부설연구소	박준영	300,000원
2668	2018-05-01 14시	17시	2um 2ea	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	320,000원
2669	2018-05-02 10시	12시	h2 plasma treatment 200W(8:2), Pressure TEST	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	231,000원
2670	2018-05-02 14시	17시	pe-oxide depo. 2um 4ea	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	640,000원
2671	2018-05-02 8시	9시	PM050120E0 2매 20000A 진행 하였습니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	320,000원
2672	2018-05-03 15시	16시	h2 plasma treatment 200W(H2:AR=2:1), Pressure TEST	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	97,500원
2673	2018-05-04 11시	12시	h2 plasma treatment 200W(1:2, 1:3), Pressure TEST	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	171,000원
2674	2018-05-04 13시	15시	HfO2가 선증착된 sample 위에 1/2인치 GaN기판, Si dummy sample 각 2장씩 증착과 초기 진행되지 않은 Si dummy sample 증착 1장을 진행하고자 합니다. 공정 진행자의 연락처는 김륜휘 : 010-4715-8325, 이현수 010-8778-3059 입니다. ---------------------------------- pe-oxide 2000A	경북대학교	전자공학	손동혁	100,000원
2675	2018-05-07 12시	16시	10000A	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	320,000원
2676	2018-05-08 20시	21시	LaF3 Hard Mask PEoxide 20nm	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	60,000원
2677	2018-05-08 9시	12시	10000A depo 진행입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	240,000원
2678	2018-05-09 10시	11시	a-Si 300nm 증착 2회진행	포항공과대학교	기계공학과	윤관호	150,000원
2679	2018-05-10 1시	2시	PECVD oxide 100 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	60,000원
2680	2018-05-10 13시	17시	HM050120A0 Oxide 20000A Depo 진행 입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	640,000원
2681	2018-05-11 11시	12시	h2 plasma treatment 200W(1:2)	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	225,000원
2682	2018-05-11 9시	10시	si3n4 전면증착 150nm 부탁드립니다. 최우석 010-8477-9126	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	75,000원
2683	2018-05-11 9시	10시	pe-oxide 20nm	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	85,000원
2684	2018-05-14 10시	13시	SiO2 2um 2매	포항공과대학교	기계공학과	안홍민	340,000원
2685	2018-05-14 9시	10시	20000A 1매 사용신청합니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	160,000원
2686	2018-05-15 16시	17시	O2 plasma로 SiO2 wafer 위 유기물 제거	포항공과대학교	화학과	구정훈	255,000원
2687	2018-05-16 12시	13시	2-1-1 Front Side pe-oxide	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	0원
2688	2018-05-16 13시	17시	나노융합기술 교육 관련 장비 실습	나노융합기술원	교육홍보팀	이현규	1,000,000원
2689	2018-05-17 16시	17시	SiO2 200nm	이코루미	연구소	구가인	100,000원
2690	2018-05-21 11시	16시	HM050N120A0 Oxide 20,000 Depo 사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	640,000원
2691	2018-05-21 16시	17시	O2 plasma 처리로 wafer 위 유기물 제거	포항공과대학교	화학과	구정훈	85,000원
2692	2018-05-21 9시	11시	SiO2 wafer 위에 W metal이 Pattern되어 있음. 이 기판 위에 Si3N4 100nm, 150nm, 200nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박재성	225,000원
2693	2018-05-23 11시	12시	pe-oxide 20nm, 150C	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	85,000원
2694	2018-05-24 5시	9시	HM050N120A0 4매 Oxide 20,000A Depo 진행 입니다. (05시~ 09시)	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	640,000원
2695	2018-05-25 11시	12시	O2 plasma로 SiO2 wafer 위 유기물 제거 (15 min)	포항공과대학교	화학과	구정훈	85,000원
2696	2018-05-28 10시	12시	Test용 6매 2000A (100초)	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	480,000원
2697	2018-05-28 15시	16시	O2 plasma로 silicon wafer 표면 처리	포항공과대학교	화학과	구정훈	85,000원
2698	2018-05-29 10시	11시	Cr 200A이 증착된 구리판위에 SiO2 5000A 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	박철민	85,000원
2699	2018-05-29 16시	21시	HM050N120A0 4매 Oxide (10000) 4회 이용신청입니다. 16시~21시 사용	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	320,000원
2700	2018-06-01 12시	13시	pe-oxide 20nm, 150C	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	85,000원
2701	2018-06-04 11시	12시	O2 plasma로 silicon wafer 표면 처리 (15 min)	포항공과대학교	화학과	구정훈	85,000원
2702	2018-06-04 11시	12시	3-3-1 Contact ILD Depo.	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	75,000원
2703	2018-06-05 11시	13시	TLM Test 2매 SiO2 20,000A 증착 신청입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	320,000원
2704	2018-06-05 16시	17시	O2 plasma 로 유기물 제거	포항공과대학교	화학과	김유림	85,000원
2705	2018-06-05 9시	10시	h2 plasma treatment 200W 3회	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	246,000원
2706	2018-06-07 14시	15시	Silicide test 2매 20,000Å 사용요청입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	320,000원
2707	2018-06-08 12시	14시	h2 plasma treatment 200W 4회	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	321,000원
2708	2018-06-08 14시	15시	SiO2 5000A	포항공과대학교	기계공학과	이기철	68,000원
2709	2018-06-11 10시	11시	1-1-1 SiN Depo.	고려대학교	반도체시스템공학과	김승근	100,000원
2710	2018-06-11 14시	15시	a-Si 500nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	75,000원
2711	2018-06-11 16시	17시	SiO2 40nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	60,000원
2712	2018-06-11 22시	23시	SiO2 500nm	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	60,000원
2713	2018-06-12 14시	16시	pe-oxide 3000A	파워마스터반도체 주식회사	제조 공정기술팀장	손춘배	0원
2714	2018-06-14 15시	16시	나머지 구리판 2장에는 SiO2 5000A만 증착시켜주시면 됩니다. SiO2 공정은 PE-CVD를 사용하는 것으로 아는데, PE-CVD를 사용 조건은 150도 저온 공정이 아닌 300도 고온공정에서 부탁드립니다. 구리판을 보시면 비닐이 붙어있는 깨끗한 면이 있는데, 깨끗한 면에 공정 진행해주세요.	포항공과대학교	기계공학과	박철민	85,000원
2715	2018-06-21 12시	13시	h2 plasma treatment 200W	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	75,000원
2716	2018-06-22 10시	11시	자연산화층 wafer에 silicon nitride 50nm 증착.	포항공과대학교	화학공학과	임형섭	75,000원
2717	2018-06-22 11시	12시	RT020065V1 4매 Oxide depo 1000Å 진행입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	320,000원
2718	2018-06-22 9시	10시	oxide 100nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	최원영	120,000원
2719	2018-06-25 10시	13시	pe-oxide 1.5um	LG전자	ICS팀	김기민	1,020,000원
2720	2018-06-25 13시	15시	SiO2 30nm 3매	서강대학교	전자공학과	이장우	300,000원
2721	2018-06-25 15시	17시	pe-oxide 1000A	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	400,000원
2722	2018-06-26 10시	12시	Test wafer oxide 2um 증착 3매	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	480,000원
2723	2018-06-26 15시	18시	SiO2 2um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
2724	2018-06-26 18시	19시	amorphous silicon 100 nm 증착 부탁드립니다. glass 기판입니다.	포항공과대학교	기계공학과	김정현	75,000원
2725	2018-06-27 17시	18시	pe-oxide 2500A 2ea	서강대학교	전자공학과	이장우	200,000원
2726	2018-06-27 9시	18시	2um 증착 5매 사용신청입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	800,000원
2727	2018-06-28 14시	15시	6개의 조각 샘플 2cm*2cm glass기판 위에 Amorphous Silicon 400nm 증착해주세요. 샘플은 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	정헌영	75,000원
2728	2018-06-29 13시	14시	1매 SiO2 2um 증착 신청	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	160,000원
2729	2018-06-29 9시	12시	Test wafer 2매 SiO2 4um 증착 신청입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	640,000원
2730	2018-07-02 10시	12시	RT020065V1 (2매) Oxide depo 20000Å 진행입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	320,000원
2731	2018-07-02 14시	15시	SiO2 1080nm 증착 부탁드립니다. 총 샘플은 glass 2cm x 2cm 조각 9개 입니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	75,000원
2732	2018-07-02 22시	23시	bare silicon 6" wafer에 SiO2 28nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	60,000원
2733	2018-07-03 11시	12시	SiO2 2um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	나문경	180,000원
2734	2018-07-03 12시	18시	HM050N120A1 (4매) PE CVD I 2um 이용 신청입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	640,000원
2735	2018-07-03 19시	20시	sio2 40 nm	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	60,000원
2736	2018-07-03 9시	11시	HM050N120A1 (1매) PE CVD I 2um 이용 신청입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	160,000원
2737	2018-07-04 15시	16시	bare silicon wafer에 300nm SiO2 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	60,000원
2738	2018-07-04 20시	21시	test 시료 1매 20000Å 진행입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	160,000원
2739	2018-07-05 14시	15시	Copper foil pe-oxide depo.	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	85,000원
2740	2018-07-05 15시	17시	SiO2 Mask THKs 5매	주식회사 아르케	연구개발	사공성환	500,000원
2741	2018-07-05 18시	19시	Implant Mask 용 SiO2 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	곽현탁	60,000원
2742	2018-07-06 12시	13시	h2 plasma treatment 200W(1:1)	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	150,000원
2743	2018-07-09 13시	14시	Test 시료 1매 Oxide 20000Å depo 진행입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	160,000원
2744	2018-07-09 15시	17시	h2 plasma treatment 200W	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	396,000원
2745	2018-07-10 13시	16시	HM050N120V1 5매 20,000A 증착 입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	800,000원
2746	2018-07-10 20시	21시	Oxide deposition 20nm	포항공과대학교	전자전기공학과	최원영	180,000원
2747	2018-07-11 13시	15시	pe-oxide 1.5um 5ea	LG전자	ICS팀	김기민	850,000원
2748	2018-07-11 9시	13시	pe-oxide 1.5um 5ea	LG전자	ICS팀	김기민	850,000원
2749	2018-07-11 9시	10시	Oxide Depo	(주)아이브이웍스	측정분석팀	박세린	800,000원
2750	2018-07-12 11시	13시	HM050N120A1 2매 2um 증착 요청입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	320,000원
2751	2018-07-12 18시	19시	oxide deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	120,000원
2752	2018-07-12 9시	11시	SiO2 18,000Å + SiN 100Å SiO2 6,800Å + SiN 100Å Split				800,000원
2753	2018-07-18 13시	18시	HM050N120A1 5매 Oxide 20000 depo 진행입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	800,000원
2754	2018-07-18 18시	19시	Oxide 300 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이승호	60,000원
2755	2018-07-19 19시	20시	oxide 70 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	60,000원
2756	2018-07-20 1시	2시	Sio2 200nm depo	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	60,000원
2757	2018-07-24 10시	11시	전면 si3n4 150nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	75,000원
2758	2018-07-24 15시	16시	1-1-1 SiN Depo	고려대학교	반도체시스템공학과	김승근	100,000원
2759	2018-07-24 19시	20시	PEoxide 200 nm deposition	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	60,000원
2760	2018-07-25 11시	12시	Test W/F 2매 20000Å 진행입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	320,000원
2761	2018-07-25 14시	16시	6inch Wafer PECVD 공정의뢰 PECVD - 1) SiO2 Depo 2,000Å (400℃) 2) Si3N4 Depo 4,000Å (400℃)				2,600,000원
2762	2018-07-25 16시	18시	Implant 보호용 SiO2 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	곽현탁	180,000원
2763	2018-07-26 9시	23시	pe-oxide 2.2um 15ea	LG전자	ICS팀	김기민	2,550,000원
2764	2018-07-27 10시	12시	PECVD 공정의뢰 8inch 14매, PECVD 400℃ SiO2 1000Å Depo 진행 부탁드립니다.				1,400,000원
2765	2018-07-27 9시	13시	pe-oxide 2.2um 5ea	LG전자	ICS팀	김기민	850,000원
2766	2018-07-30 8시	9시	h2 plasma treatment 200W	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	75,000원
2767	2018-07-30 9시	18시	5매 2um 증착 사용입니다. --------------------------- 1매진행(파티클이슈)	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	240,000원
2768	2018-08-01 15시	16시	자연산화층 Si wafer위에 1um SiO2 층착 : 2장 300nm SiN 증착 : 2장	포항공과대학교	화학공학과 김진곤 교수님 연구실	최청룡	340,000원
2769	2018-08-02 11시	14시	SiC 조각 시편 크기: 14x14(mmxmm), 총 10개 Oxide 증착 의뢰 두께: 2um	한국전기연구원	전력반도체연구센터	나문경	180,000원
2770	2018-08-02 15시	16시	h2 plasma treatment 200W	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	225,000원
2771	2018-08-02 16시	17시	2-1-1 PE Oxide 5000A	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	825,000원
2772	2018-08-07 15시	16시	SiO2 100nm 3samples	LG전자	센서솔루션연구소	홍정엽	85,000원
2773	2018-08-08 10시	12시	이온주입 마스크용 산화막 증착 (2um)	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
2774	2018-08-09 16시	17시	PEoxide 20 nm	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	60,000원
2775	2018-08-20 13시	14시	Thermal oxidation 1um가 양면에 되어있는 상태입니다. Top 면에 PECVD-1호기 2um 증착을 의뢰드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	안홍민	170,000원
2776	2018-08-20 9시	10시	oxide depo.	(주)아이브이웍스	측정분석팀	박세린	500,000원
2777	2018-08-21 14시	16시	0-2-1 0 pe depo. 2um 2ea 200A 2ea	현대모비스	전력반도체팀	이정윤	450,000원
2778	2018-08-22 10시	11시	a-Si 300nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	75,000원
2779	2018-08-22 11시	14시	pe-oxide 2um 3ea	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	540,000원
2780	2018-08-23 10시	15시	PEoxide 200 nm deposition	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	150,000원
2781	2018-08-27 10시	13시	pe-oxide 2.2um 4ea	LG전자	ICS팀	김기민	680,000원
2782	2018-08-27 16시	17시	PECVD SiO2 2000Å 2매 Depo				200,000원
2783	2018-08-31 9시	10시	pe-oxide 2ea	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	170,000원
2784	2018-09-03 17시	19시	Oxide 10 nm deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	최원영	300,000원
2785	2018-09-05 17시	18시	pe-oxide 50nm	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	125,000원
2786	2018-09-06 10시	12시	SiO2 3 ㎛ 증착 공정 진행 관련하여, 010-5009-8015로 연락주시면 감사하겠습니다.	포항공과대학교	전자과	서태원	450,000원
2787	2018-09-06 9시	10시	PE-oxide 20 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	곽현탁	60,000원
2788	2018-09-07 14시	15시	oxide 50 nm deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	60,000원
2789	2018-09-10 14시	16시	PECVD 400℃ SiO2 1000Å Si3N4 4000Å				2,400,000원
2790	2018-09-11 16시	17시	Oxide Deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	곽현탁	60,000원
2791	2018-09-11 17시	18시	전면 si3n4 300C 250nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	75,000원
2792	2018-09-12 14시	16시	PECVD Glass Wafer 2매 250℃, Si3N4 1725Å (±10%) Depo 공정의뢰 웨이퍼는 금일 저녁에 발송드릴 예정입니다.				200,000원
2793	2018-09-13 11시	12시	PEoxide 300 nm deposition	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	120,000원
2794	2018-09-17 10시	11시	PEoxide 20 nm(서비스 변경)	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	75,000원
2795	2018-09-17 15시	16시	Oxide 300nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	60,000원
2796	2018-09-18 14시	15시	h2 plasma treatment 200W	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	225,000원
2797	2018-09-18 9시	12시	4인치 Glass wafer 2장 SiO2 3 um증착 부탁드립니다. 샘플은 공정의뢰함에 서태원 이름이 적힌 카세트 넣어놓겠습니다. 기타 문의 사항은 010 5009 8015로 연락주시면 감사하겠습니다.	포항공과대학교	전자과	서태원	450,000원
2798	2018-09-19 10시	11시	PECVD 200℃ Si3N4 1725Å (±10%) Depo 공정의뢰 1매				100,000원
2799	2018-09-19 13시	14시	h2 plasma treatment 200W	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	75,000원
2800	2018-09-19 23시	24시	SiO2 300 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	60,000원
2801	2018-09-20 15시	16시	Oxide 300 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이승호	60,000원
2802	2018-09-27 17시	19시	4-2-3 PC gate hardmask depo. oxide depo.	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	560,000원
2803	2018-09-27 19시	20시	50nmoxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	60,000원
2804	2018-10-01 10시	11시	Si3N4 300도에서 250nm 증착 의뢰드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	75,000원
2805	2018-10-04 18시	19시	SiO2 5000A 증착	포항가속기연구소	산업기술융합센터	곽호재	68,000원
2806	2018-10-04 9시	16시	pe-oxide 2.2um	LG전자	ICS팀	김기민	1,870,000원
2807	2018-10-05 11시	12시	Oxide 20 nm deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	최원영	180,000원
2808	2018-10-10 15시	17시	0-2-1 0 pe oxide dpeo. 2um 2ea	현대모비스	전력반도체팀	이정윤	300,000원
2809	2018-10-11 10시	11시	h2 plasma treatment 200W	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	150,000원
2810	2018-10-11 12시	13시	0-1-2 hard mask. peoxide depo.	현대모비스	전력반도체팀	이정윤	150,000원
2811	2018-10-15 13시	20시	pe-oxide 2.2um 11ea	LG전자	ICS팀	김기민	1,870,000원
2812	2018-10-15 21시	22시	SiO2 300 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	60,000원
2813	2018-10-18 9시	10시	oxide 100 nm deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	75,000원
2814	2018-10-22 20시	21시	SiO2 5000A증착	포항가속기연구소	산업기술융합센터	곽호재	68,000원
2815	2018-10-24 22시	23시	PECVD oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	180,000원
2816	2018-10-26 10시	11시	h2 plasma treatment 200W	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	150,000원
2817	2018-10-26 13시	14시	SiO2 20nm증착	포항공과대학교	정보전자융합공학부	박찬오	60,000원
2818	2018-10-26 13시	14시	pe-oxide 2ea	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	170,000원
2819	2018-10-28 22시	23시	SiO2 막 증착	포항공과대학교	기계공학과	노현우	60,000원
2820	2018-10-29 14시	15시	.	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	120,000원
2821	2018-10-30 15시	16시	.	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	60,000원
2822	2018-10-30 16시	20시	pe-oxide 2.2um 11ea	LG전자	ICS팀	김기민	1,870,000원
2823	2018-10-31 14시	15시	4개의 조각 샘플 2cm*2cm glass기판 위에 Amorphous Silicon 150nm 증착해주세요. 샘플은 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	정헌영	75,000원
2824	2018-11-01 11시	12시	Si3N4 300도에서 250nm 증착 의뢰드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	75,000원
2825	2018-11-01 14시	15시	Oxide 증착 4회 (어제진행)	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	240,000원
2826	2018-11-02 11시	12시	.	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	60,000원
2827	2018-11-02 15시	16시	0-1-2 hard mask depo. oxide	(주)니나노	기업부설연구소	박준영	300,000원
2828	2018-11-07 11시	12시	.	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	225,000원
2829	2018-11-07 14시	17시	pe-oxide 2.2um 4ea	LG전자	ICS팀	김기민	680,000원
2830	2018-11-08 12시	13시	0-1-3 hard mask	(주)니나노	기업부설연구소	박준영	400,000원
2831	2018-11-12 10시	13시	pe-oxide 2.2um 4ea	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	680,000원
2832	2018-11-12 21시	23시	hard mask SiO2 20 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	600,000원
2833	2018-11-13 18시	15시	2.2um 7매	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	1,190,000원
2834	2018-11-14 18시	19시	SiN 3000A	이코루미	연구소	구가인	200,000원
2835	2018-11-14 21시	22시	SiO2 300 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	60,000원
2836	2018-11-15 11시	12시	SiNx deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	75,000원
2837	2018-11-15 14시	15시	250nm 의 Si3N4 300도씨에서 증착 요청드립니다	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	75,000원
2838	2018-11-19 10시	16시	Si 4in. 2ea SiC 4in. 4ea 에칭 mask 용 산화막 2um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	1,080,000원
2839	2018-11-19 16시	18시	a-Si 300 nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	김정현	75,000원
2840	2018-11-19 3시	4시	시편 표면 제작	포항공과대학교	기계공학과	노현우	68,000원
2841	2018-11-20 10시	11시	SiO2 20nm 증착	(주)아이엠헬스케어	바이오센서팀	유재우	80,000원
2842	2018-11-20 21시	24시	Oxide depo.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	240,000원
2843	2018-11-21 15시	16시	SiO2 20nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	60,000원
2844	2018-11-26 14시	17시	.	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	300,000원
2845	2018-11-27 12시	13시	glass 시편 위에 a-Silicon 100 nm 증착 부탁드립니다. 비교적 정확한 두께가 필요합니다. 점심시간에 의뢰함에 넣어놓겠습니다. 감사합니다. 010-5161-192	포항공과대학교	기계공학과	김정현	75,000원
2846	2018-11-27 14시	15시	SiN 50nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	75,000원
2847	2018-11-27 15시	16시	Oxide 30nm증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이승호	120,000원
2848	2018-11-27 15시	16시	pe-oxide 100nm 2ea	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	150,000원
2849	2018-11-29 10시	11시	pe-oxide 1000A	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	150,000원
2850	2018-12-04 14시	16시	.	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	180,000원
2851	2018-12-05 11시	12시	pe-oxide 10nm pe-nitride 10nm	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	170,000원
2852	2018-12-05 11시	12시	pe-oxide 2um	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
2853	2018-12-06 13시	15시	SiO2, SiN	한양대학교	신소재공학과	한훈희	200,000원
2854	2018-12-07 13시	15시	SiO2 2um 증착 2장	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	360,000원
2855	2018-12-07 16시	18시	PECVD SiO2, Si3N4 Depo 공정의뢰				400,000원
2856	2018-12-10 16시	17시	.	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	180,000원
2857	2018-12-10 21시	22시	si3N4 200 nm deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	60,000원
2858	2018-12-11 11시	12시	pe-oxide 10nm	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	85,000원
2859	2018-12-11 9시	10시	pe-oxide 1000A 2ea	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	150,000원
2860	2018-12-12 11시	18시	20min, 1hr, 1hr plasma treatment	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	840,000원
2861	2018-12-14 16시	17시	SiN 400nm @250C	WORLDEX	소재사업부	이정현	0원
2862	2018-12-16 14시	15시	si3N4 deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	60,000원
2863	2018-12-17 11시	12시	a-Si 300nm 증착 (2회)	포항공과대학교	기계공학과	윤관호	150,000원
2864	2018-12-17 13시	14시	pe-nitride	WORLDEX	소재사업부	이정현	0원
2865	2018-12-18 10시	11시	a-Si 400nm 증착부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	75,000원
2866	2018-12-28 11시	12시	pe-oxide 20nm	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	170,000원
2867	2019-01-02 15시	16시	A-Si 300 nm 증착 부탁드립니다. 비교적 정확한 두께가 필요합니다. reference용 Si wafer 동봉 부탁드립니다. 감사합니다. 010-5161-1192 김정현	포항공과대학교	기계공학과	김정현	75,000원
2868	2019-01-07 9시	10시	10나노급 차세대 실리콘 나노선 개발	포항공과대학교	창의IT융합공학과	박태훈	1,000,000원
2869	2019-01-09 10시	12시	Gas Sensor 표면 가공 샘플 제작[4.0016655.01] : Oxide Depo	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	375,000원
2870	2019-01-09 15시	18시	pe-oxide 3000A 12ea pe-nitirde 5000 1ea	LG전자	ICS팀	김기민	1,135,000원
2871	2019-01-10 14시	15시	수소플라즈마	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	60,000원
2872	2019-01-10 15시	16시	Oxide 300 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이승호	60,000원
2873	2019-01-10 9시	10시	6-0-1 6th pad oxide depo.	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	150,000원
2874	2019-01-15 12시	20시	1.2um두께로 SiO2 증착. (SiO2 마스킹을 위해 일부 영역에 Tape 부착)	고려대학교	전기전자공학과	안순성	800,000원
2875	2019-01-16 10시	11시	pe-oxide 20nm 2ea	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	170,000원
2876	2019-01-17 16시	17시	pe-nitirdie 2000A	WORLDEX	소재사업부	이정현	0원
2877	2019-01-18 17시	18시	Implant Mask 용 PE Oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	곽현탁	60,000원
2878	2019-01-22 14시	15시	pe-nitride 20nm	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	85,000원
2879	2019-01-28 10시	11시	SiO2 100nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	75,000원
2880	2019-02-01 11시	12시	.	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	60,000원
2881	2019-02-02 21시	22시	SiO2 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	240,000원
2882	2019-02-07 09시	18시	소자공정실습교육	나노융합기술원	교육홍보팀	이현규	2,800,000원
2883	2019-02-07 19시	20시	4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo.	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	525,000원
2884	2019-02-13 14시	15시	pe-oxide 20nm pe-nitride 20nm	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	170,000원
2885	2019-02-13 18시	20시	6-4-2 m0 pe-oxide depo.	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	0원
2886	2019-02-13 9시	13시	SiC 에칭을 위한 mask 용 산화막 2um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	720,000원
2887	2019-02-14 10시	13시	50도 척 온도에서 수소플라즈마 처리 1번만 진행하고자 합니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	60,000원
2888	2019-02-18 15시	16시	50도 H2 plasma	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	60,000원
2889	2019-02-19 10시	11시	3-3-1 contact ild depo. pe-oxide depo.(선행포함)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	150,000원
2890	2019-02-19 13시	14시	pe-oxide 20nm 2ea	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	255,000원
2891	2019-02-21 12시	14시	.	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	180,000원
2892	2019-02-22 9시	16시	SiO2 1um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	180,000원
2893	2019-02-24 16시	17시	수소플라즈마test	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	180,000원
2894	2019-02-27 11시	12시	1um 1매 2um 1매 SiO2 증착 의뢰	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	180,000원
2895	2019-03-05 14시	16시	h2 plasma 50도에서 진행하고자 합니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	240,000원
2896	2019-03-06 11시	12시	SiO2 500nm deposition on the structured-Si substrate	포항공과대학교	화학공학과	이은호	108,000원
2897	2019-03-06 17시	18시	.	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	80,000원
2898	2019-03-07 20시	21시	Oxide 200 nm deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	160,000원
2899	2019-03-08 14시	15시	GaN 시료 6개(1x1cm)와 모니터링용 Si 조각에 대한 SiN 약 3000A - 4000A 증착을 요청드립니다.	한국전자통신연구원	정보통신부품소재연구소	이형석	120,000원
2900	2019-03-08 9시	13시	4인치 Si wafer에 1~1.1um thermal oxidation 이 되어있습니다. 양면에 3um의 PECVD oxide를 증착하길 희망합니다.	포항공과대학교	기계공학과	안홍민	1,728,000원
2901	2019-03-12 14시	15시	.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	160,000원
2902	2019-03-13 15시	17시	1um SiO2 2매	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	228,000원
2903	2019-03-18 11시	15시	SiO2 2um 8매	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	1,824,000원
2904	2019-03-18 15시	16시	.	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	160,000원
2905	2019-03-18 20시	21시	PE oxide 20 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	160,000원
2906	2019-03-19 11시	15시	SiO2 2um, 5매	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	1,140,000원
2907	2019-03-19 18시	19시	oxide 20nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	320,000원
2908	2019-03-21 13시	14시	.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	80,000원
2909	2019-03-21 16시	18시	8-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 2um	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,620,000원
2910	2019-03-22 10시	11시	nitride증착	(주)아이엠헬스케어	바이오센서팀	유재우	100,000원
2911	2019-03-25 16시	17시	1-1-1 sin depo. pecvd	고려대학교	전기전자공학과	한규현	169,000원
2912	2019-03-26 11시	17시	SiO2 2um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	1,596,000원
2913	2019-03-26 19시	22시	10nm oxide deposition 7시부터 사용합니다. 그 전에 long cleaning 작업 부탁드립니다.	(주)아이엠헬스케어	바이오센서팀	유재우	500,000원
2914	2019-03-27 16시	17시	30nm	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	324,000원
2915	2019-03-27 20시	21시	수소플라즈마처리	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	320,000원
2916	2019-03-27 9시	15시	SiO2 2um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	1,824,000원
2917	2019-03-28 15시	16시	oxide 200 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	80,000원
2918	2019-03-28 21시	22시	Si3N4 200 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	80,000원
2919	2019-04-01 10시	17시	SiO2 2um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	1,368,000원
2920	2019-04-02 10시	17시	SiO2 2um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	1,140,000원
2921	2019-04-02 9시	10시	SiO2 100nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	108,000원
2922	2019-04-03 10시	11시	유리 기판 상에 a-Si 200nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	108,000원
2923	2019-04-03 11시	14시	pe-oxide 2um 5ea	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	1,140,000원
2924	2019-04-03 14시	15시	Oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	85,000원
2925	2019-04-04 11시	13시	1000A 1ea 2000A 1ea	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	228,000원
2926	2019-04-04 13시	15시	SiO2 2um on Si 4장 공정 의뢰 Si 은 NINT 보유물품 사용	한국전기연구원	전력반도체연구센터	김영조	1,032,000원
2927	2019-04-05 10시	12시	안녕하세요 포항공대 기계공학과 노준석 교수님 실험실의 재학중인 양영환입니다. 2cm*2cm Glass위에 a-Si:H 300nm 샘플 9개를 증착시키는 것을 문의드리러 합니다. 논문 figure에도 들어갈 예정이라서 2회에 걸쳐서 높이 일정하게 맞춰주셨으면 감사하겠습니다. 샘플은 공정 의뢰함에 넣어두겠습니다. [요청드리는 사항 요약] - 샘플 9개 - Glass 위에 a-Si:H 300nm - 높이(300nm) 일정하게 맞춰주셨으면 감사하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	216,000원
2928	2019-04-07 21시	22시	oxide 180 nm	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	85,000원
2929	2019-04-08 14시	16시	SiO2 1000Å(400℃) 6매 Si3N4 40000Å(400℃) 8매 총 14매 (실매수는 8매) 증착				1,600,000원
2930	2019-04-08 9시	12시	SiO2 2um on SiC 4장 공정의뢰 SiO2 증착전 BOE 10min + SPM 10min 요청	한국전기연구원	전력반도체연구센터	김영조	1,339,500원
2931	2019-04-09 14시	16시	6inch PECVD Oxide 2600Å 2매 양면 증착 입니다.				400,000원
2932	2019-04-10 14시	15시	수소플라즈마 처리	포항공과대학교	전기전자공학부	고형민	180,000원
2933	2019-04-11 15시	16시	pe-oxide 20nm 2ea	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	216,000원
2934	2019-04-11 9시	10시	PE Oxide Depo	에이프로	반도체사업부	남대호	100,000원
2935	2019-04-12 10시	11시	a-Si 350nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	윤관호	216,000원
2936	2019-04-12 16시	17시	수소플라즈마	포항공과대학교	전기전자공학부	고형민	90,000원
2937	2019-04-12 19시	21시	2	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	170,000원
2938	2019-04-15 15시	16시	DNR pattern 위에 Si3Ni4 증착 2um	(주)아이엠헬스케어	바이오센서팀	유재우	200,000원
2939	2019-04-15 17시	18시	4-6-1 pc pe-oxide depo.	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	720,000원
2940	2019-04-16 10시	11시	SiO2 100nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	윤관호	108,000원
2941	2019-04-16 23시	24시	SiO2 200A	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	170,000원
2942	2019-04-17 10시	12시	2-1-1 insulator dep 절연막증착 pe-oxide 5ea ald 30nm 1ea	(주) 센텍코리아	생산기술연구팀	임채현	480,000원
2943	2019-04-17 13시	14시	pe-oxide 20nm	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	108,000원
2944	2019-04-17 17시	18시	Si3Ni4 증착 1.5um	(주)아이엠헬스케어	바이오센서팀	유재우	200,000원
2945	2019-04-17 19시	21시	H2 plasma 진행하고자 합니다. 클리닝 부탁드립니다.	포항공과대학교	전기전자공학부	고형민	90,000원
2946	2019-04-18 10시	12시	SiO2 1um depo	한국전기연구원	전력반도체연구센터	석오균	114,000원
2947	2019-04-18 23시	24시	H2 plasma	포항공과대학교	전기전자공학부	고형민	90,000원
2948	2019-04-22 13시	14시	SiO2 1um depo	파워마스터반도체 주식회사	TD	정준기	456,000원
2949	2019-04-22 16시	17시	sio2 15nm deposition	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	80,000원
2950	2019-04-25 15시	16시	JoVE 촬영	포항공과대학교	기계공학과	윤관호	108,000원
2951	2019-04-25 17시	19시	수소플라즈마 200 W 120도에서 진행	포항공과대학교	전기전자공학부	고형민	90,000원
2952	2019-04-25 9시	11시	8inch PECVD Si3N4 4000Å Depo (6매)				360,000원
2953	2019-04-26 10시	11시	a-Si 500nm 8조각 증착 (4조각 * 2회)	포항공과대학교	기계공학과	윤관호	216,000원
2954	2019-04-26 13시	15시	PECVD SiO2 1um 증착 SiC 4inch 3매	한국전기연구원	전력반도체연구센터	김영조	342,000원
2955	2019-04-30 16시	17시	금으로 된 Align marker가 있습니다. SiO2 1.4 um 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	물리학과	김형빈	432,000원
2956	2019-05-02 11시	12시	8inch PECVD Si3N4 4000Å Depo (8매)				480,000원
2957	2019-05-02 14시	15시	수소플라즈마 Chuck온도 120도	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	80,000원
2958	2019-05-02 16시	17시	4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo.	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	720,000원
2959	2019-05-03 21시	22시	수소플라즈마 200W	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	80,000원
2960	2019-05-03 9시	10시	PE Oxide Depo	알앤에스랩	센서팀	알앤에스랩	100,000원
2961	2019-05-07 12시	14시	SiO2 1.2um 증착 총 4매 SiC 3매 / Si 1매	한국전기연구원	전력반도체연구센터	김영조	456,000원
2962	2019-05-07 14시	16시	PECVD Si3N4 4000Å Depo 공정의뢰 (8매)				480,000원
2963	2019-05-08 10시	11시	a-Si 180nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	108,000원
2964	2019-05-08 11시	12시	박혁입니다. 수소플라즈마 120도에서 진행하고싶습니다.	포항공과대학교	전기전자공학부	고형민	270,000원
2965	2019-05-09 10시	11시	a-Si 100nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	108,000원
2966	2019-05-09 11시	12시	SiC 조각 시편 oxide 2um 증착의뢰	한국전기연구원	전력반도체연구센터	나문경	228,000원
2967	2019-05-09 20시	21시	수소플라즈마 300도 이용입니다.	포항공과대학교	전기전자공학부	고형민	90,000원
2968	2019-05-10 15시	16시	2cm * 2cm 크기의 SOI 칩입니다. 가장자리 부분에 Au로 된 Align marker 가 작게 그려져있습니다. Si와 붙어 있어서 떨어지지 않습니다. SiO2 1.5 um 증착 부탁드립니다. 총 칩이 3개고 1개 먼저 진행 후 결과를 보고 나머지 2개 증착하고자 합니다.	포항공과대학교	물리학과	김형빈	216,000원
2969	2019-05-10 16시	18시	수소플라즈마	포항공과대학교	전기전자공학부	고형민	270,000원
2970	2019-05-11 15시	16시	수소플라즈마 300도 진행	포항공과대학교	전기전자공학부	고형민	90,000원
2971	2019-05-12 13시	15시	H2 plasma 300도 1번 120도 2번 진행.	포항공과대학교	전기전자공학부	고형민	270,000원
2972	2019-05-13 10시	11시	안녕하십니까, 저번주에 전화 상으로 연락 드린 서울과학기술대학교 송 치훈 학생입니다. 캡스톤 디자인 연구 과제로써 이용을 하고 싶은 장비는 PE-CVD-I입니다. Silicon wafer의 경우에는 4”이며, 두께는 500μm이며, Si3N4를 1μm만큼 증착을 하고 싶습니다. 시편 웨이퍼는 단 한 장만 필요하며, cleaning process를 원하지 않기에 끝단에 있는 웨이퍼 한 장만을 사용해주시면 감사하겠습니다. 또한 저희는 캡스톤 디자인을 진행하고 있기에, 보고서와 발표가 있기에 실험을 어떤 조건에서 진행을 하였는지와 함께 변수들을 알려주시면 감사하겠습니다. 현재 일정 계획은 13일 하루에 진행해서 mask aligner, pr coating, nems developing 관련 이남걸 연구원님, 그리고 ICP etcher 및 ashing 관련 김수곤 연구원님 공정을 의뢰할 계획입니다. 마지막으로는 견적서에 성명란에 서울과학기술대학교 MSDE전공으로 써주시면 감사하겠습니다. 또한 전자 세금계산서는 sgpark@snut.ac.kr로 보내주세요. Si wafer 시편은 택배로 보내드릴 예정인데, 처리가 완료되면 25장 묶음 케이스로 보내드리겠습니다. 거기서 1장만 진행해주시기 바랍니다. 혹시 빼먹은 내용이나 필요하신 내용이 있으시면 010-9424-9770으로 연락주시거나 hwl07@naver.com 으로 이메일 주시기 바랍니다. 감사합니다.	서울과학기술대학교	MSDE	임형우	120,000원
2973	2019-05-14 22시	23시	SiO2 300nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	이승호	85,000원
2974	2019-05-16 13시	15시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	100,000원
2975	2019-05-17 13시	15시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
2976	2019-05-20 16시	17시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	100,000원
2977	2019-05-22 10시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
2978	2019-05-22 13시	15시	BOE + SiO2 2um 증착	한국전기연구원	전력반도체연구센터	김영조	655,500원
2979	2019-05-23 10시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
2980	2019-05-23 14시	16시	PECVD Si3N4 4000Å 8inch 6매				360,000원
2981	2019-05-23 16시	18시	수소플라즈마 120도에서 사용하고자 합니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	160,000원
2982	2019-05-24 10시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
2983	2019-05-27 10시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
2984	2019-05-28 13시	15시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
2985	2019-05-29 10시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
2986	2019-05-29 11시	12시	NINT 4inch Si 사용 SiO2 1um 증착 의뢰	한국전기연구원	전력반도체연구센터	김영조	381,500원
2987	2019-05-29 15시	16시	105c high vac. annealing	포항공과대학교	전자전기공학과	박슬기	108,000원
2988	2019-05-29 21시	22시	oxide 200 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	80,000원
2989	2019-05-29 9시	10시	3개의 조각 샘플 2cm*2cm 산화알루미늄 기판 위에 amophous silicon, Al2O3, VO2, SiO2가 증착되어 있습니다. 여기에 amophous silicon 50 nm증착해주세요. 샘플은 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	정헌영	108,000원
2990	2019-05-30 10시	16시	저온 CVD로 SiNx 800nm target으로 증착 하려고 합니다. 하부 기판은 glass 위에 SiNx 가 증착 되어 있고 그 위에 Arcylate 를 coating 하여 경화된 상태 입니다. glass 의 두께는 1mm 이며 acylate 경화물의 두께는 8um 입니다.	동진쎄미켐	연구4팀	한재영	360,000원
2991	2019-05-30 14시	15시	Oxide Depo	아인스글로볼(주)	기획	아인스글로벌	700,000원
2992	2019-05-30 21시	22시	PE Oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	곽현탁	85,000원
2993	2019-06-03 20시	22시	수소플라즈마	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	160,000원
2994	2019-06-04 14시	17시	H2 plasma 3회 진행	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	240,000원
2995	2019-06-05 14시	15시	SiO2 1.4um 칩 2개 증착 부탁드립니다. top layer는 silicon 재질입니다. 메탈 없습니다. 2시반정도에 클린룸 앞에 PECVD 장비 앞에 샘플 두겠습니다.	포항공과대학교	물리학과	김형빈	108,000원
2996	2019-06-05 17시	18시	수소플라즈마 120도 15분	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	80,000원
2997	2019-06-10 14시	16시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
2998	2019-06-10 14시	15시	4인치 wafer 총 2장 100도에서 1개는 SiO2 300 nm, 1개는 SiO2 500 nm 증착부탁드립니다. 샘플 시편보관함에 넣어두겠습니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	성수원	192,000원
2999	2019-06-10 16시	17시	포항공대 기계공학과 노준석 교수님 실험실의 재학중인 양영환입니다. 2cm*2cm Glass위에 a-Si:H 180nm 샘플 9개를 증착시키는 것을 문의합니다. 샘플은 공정 의뢰함에 넣어두겠습니다. 감사합니다. [요청드리는 사항 요약] - 샘플 9개 - Glass 위에 a-Si:H 180nm	포항공과대학교	기계공학과	양영환	108,000원
3000	2019-06-10 20시	21시	PE Oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	곽현탁	340,000원
3001	2019-06-11 15시	16시	300도에서 SiO2 300 nm, 500 nm 증착부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	성수원	192,000원
3002	2019-06-12 10시	11시	SiN 20nm 증착 부탁드립니다 (2cm x 2cm 조각샘플 4개)	포항공과대학교	기계공학과	김인기	108,000원
3003	2019-06-12 11시	13시	수소플라즈마	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	80,000원
3004	2019-06-12 14시	16시	수소 플라즈	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	80,000원
3005	2019-06-13 14시	15시	수소플라즈마	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	80,000원
3006	2019-06-13 16시	17시	2개의 샘플, PECVD 180도에서 SiO2 300 nm 증착부탁드립니다. 스막룸 락커로 샘플 전달드리겠습니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	성수원	192,000원
3007	2019-06-13 9시	12시	PECVD Si3N4 4000Å Depo 공정의뢰 (8매)				480,000원
3008	2019-06-14 14시	15시	SiN 20nm 증착 부탁드립니다. (2cm x 2cm 조각 기판 3개)	포항공과대학교	기계공학과	김인기	108,000원
3009	2019-06-17 14시	15시	0-2-3 0 initial oxide pe-ox depo.	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	204,000원
3010	2019-06-17 14시	15시	0-3-1 0 initial oxide depo.	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	102,000원
3011	2019-06-18 13시	14시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	100,000원
3012	2019-06-19 10시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3013	2019-06-19 15시	16시	[ SiN 20nm 증착 ] 포항공대 양영환입니다. 5개의 실리콘 기판 위에 Cr 5nm Al 150nm올라가 있습니다. PE-CVD를 이용하여 SiN 20nm 증착 부탁드립니다. 시편은 시편보관함에 넣어두겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	108,000원
3014	2019-06-20 10시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3015	2019-06-20 14시	16시	PECVD Si3N4 4000Å Depo 공정의뢰 (4매)				240,000원
3016	2019-06-20 16시	17시	oxide 200 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	160,000원
3017	2019-06-20 17시	19시	수소플라즈마	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	240,000원
3018	2019-06-24 10시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3019	2019-06-24 14시	16시	PECVD Si3N4 4000Å Depo 공정의뢰 (16매)				960,000원
3020	2019-06-24 20시	21시	.	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	80,000원
3021	2019-06-25 11시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	100,000원
3022	2019-06-25 14시	16시	수소플라즈마 하고자 합니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	160,000원
3023	2019-06-26 10시	12시	1-4-6 trench mask depo. pe-oxide depo.	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	408,000원
3024	2019-06-26 10시	11시	PE Oxide Depo	알앤에스랩	센서팀	알앤에스랩	200,000원
3025	2019-06-26 10시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3026	2019-07-01 10시	12시	기존 증착 속도 2nm/sec 에서 0.6nm/sec로 SiNx 성막 부탁드립니다. 두께는 600nm 증착 부탁드립니다.	동진쎄미켐	연구4팀	한재영	240,000원
3027	2019-07-01 7시	8시	Si3N4 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	80,000원
3028	2019-07-03 14시	15시	SiN2 130 nm depo.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	170,000원
3029	2019-07-03 22시	24시	수소플라즈마 진행	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	160,000원
3030	2019-07-04 13시	14시	2um Depo _Contact 1um 당 12만_2um 총 2매 총 3Layer 총 6회	연세대학교 의료원	방사선종양학과	권나혜	1,440,000원
3031	2019-07-04 14시	18시	직사각형 glass 위에 1cm x 1cm 사각형 패턴으로 polymer (PS, PMMA, Parafilm, PDMS) 박막이 올라가있는 sample 입니다. 공정온도는 100도로 SiN 를 2 um 증착하고 싶습니다 유선상으로 8 inch wafer 위에 glass를 테이프로 부착하여 공정 진행 가능하다고 하셨는데 사이즈를 계산해보니 한번 증착 시 한 웨이퍼에 8개까지 부착 가능할 것 같아 8장으로 입력하였습니다 8장이 어렵다면 최대한 가능한 장수로 진행하고싶습니다.	한양대학교	화학과	박윤경	240,000원
3032	2019-07-05 9시	10시	SiO2/Si 위에 100 nm 두께의 TiN 을 패터닝한 기판입니다. 50 nm SiO2 증착하고자하며 공정온도는 약 100 ~ 110도 사이에서 진행하고자 합니다. (불가능한 경우 최대한 낮은 온도에서 부탁드립니다.) 샘플은 공정완료함에 놔두겠습니다. 7/5(금) 오후 3시경 SEM을 통해 박막 상태를 측정해보고자 계획하였는데, 가능하면 그때까지 받아볼 수 있었으면 좋겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	108,000원
3033	2019-07-08 9시	10시	SiO2 기판에 W patterining 한 샘플입니다. Si3N4 를 250nm 전면 증착 부탁드립니다. 증착전에 한번 유선으로 확인해드리고자 합니다만, 010-8477-9126 으로 편하신 시간에 연락주시면 받겠습니다. (1년전쯤까지 자주 이용하다가 오랫만에 증착의뢰를 드리게 되었습니다.) 잘 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	108,000원
3034	2019-07-09 11시	14시	수소플라즈마 3회 (+클리닝1회,더미 1회)	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	240,000원
3035	2019-07-10 10시	11시	2-1-1 f_poe insulation depo, peoxide depo.	포항공과대학교	화학과	신승구	432,000원
3036	2019-07-10 15시	16시	SOI 칩 2개 입니다. SiO2 1.5 cm 증착 부탁드립니다. 칩 하나를 SiO2 증착 한 뒤 결과를 보고 두번째 칩을 증착하고자 합니다. 1.5um depo.	포항공과대학교	물리학과	김형빈	432,000원
3037	2019-07-10 16시	18시	3장, si테스트 샘플 위에 siO2증착 후 두께측정	금오공과대학교	신소재연구소	임기식	120,000원
3038	2019-07-11 10시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3039	2019-07-11 9시	13시	직사각형 glass 위에 1cm x 1cm 사각형 패턴으로 polymer 박막이 올라가있는 sample 입니다. 공정온도는 100도로 SiN 를 2 um 증착하고 싶습니다	한양대학교	화학과	박윤경	240,000원
3040	2019-07-12 15시	18시	수소플라즈마	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	240,000원
3041	2019-07-13 12시	13시	수소플라즈마	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	80,000원
3042	2019-07-16 10시	11시	SiO2 10nm 와 a-Si 50nm 를 차례로 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	216,000원
3043	2019-07-17 11시	13시	수소플라즈마	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	320,000원
3044	2019-07-18 12시	13시	PECVD Si3N4 4000Å Depo 2매				120,000원
3045	2019-07-18 13시	14시	TiN 증착되어있는 조각 기판입니다. SiO2 50 nm 증착하고자 합니다. 공정온도는 200-250도 내외에서 진행부탁드립니다. 샘플은 의뢰함에 보관해놓도록 하겠습니다. 공정 완료되면 문자나 연락 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	108,000원
3046	2019-07-18 9시	12시	직사각형 glass 위에 1cm x 1cm 사각형 패턴으로 polymer 박막이 올라가있는 sample 입니다. 공정온도는 100도로 SiN 를 2 um 증착하고 싶습니다	한양대학교	화학과	박윤경	240,000원
3047	2019-07-19 14시	16시	수소플라즈마	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	80,000원
3048	2019-07-22 10시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3049	2019-07-22 13시	15시	나노선 열전소자 제작(PE Oxide 5000A)	주식회사 싸이츠	기업부설연구소	백창기	0원
3050	2019-07-23 14시	15시	SiO2 50 nm 증착하고자 합니다. 1층 공정전 보관함에 놔두도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	108,000원
3051	2019-07-23 15시	18시	Silicon wafer 4장, Quartz 4장 조각 기판을 보내드리겠습니다. SiNx 1um - silicon 2장, quartz 2장 SiON 1um - silicon 2장, quartz 2장 에 각각 증착 부탁드립니다. 두 물질 모두 증착 온도는 100도로 부탁드립니다. 감사합니다.	한국전자통신연구원	실감소자원천연구본부	조현수	240,000원
3052	2019-07-23 16시	18시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3053	2019-07-24 10시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3054	2019-07-24 13시	14시	oxide 200 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	160,000원
3055	2019-07-25 10시	15시	수소플라즈마	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	320,000원
3056	2019-07-25 10시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3057	2019-07-26 10시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3058	2019-07-29 10시	12시	수소플라즈마	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	80,000원
3059	2019-07-29 14시	15시	안녕하세요. 노준석 교수님 실험실의 양영환입니다. 초기 시편은 2*2cm 15개로, 모두 Galss위에 은 30nm가 증착되어 있는 상태입니다. PE-CVD를 이용하여 SiO2를 증착하려고 합니다. SiO2 증착 두께는 60nm-2개, 80nm-2개, 100nm-2개, 120nm-2개, 140nm-2개, 160nm-5개입니다. 시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	648,000원
3060	2019-07-29 9시	10시	PECVD 8inch 8매 Si4N4 4000Å				480,000원
3061	2019-07-30 9시	12시	glass 위에 Polymer (PS) patterning이 되어있는 시료입니다 SiN 를 100도에서 2um 증착하고싶습니다	한양대학교	화학과	박윤경	240,000원
3062	2019-08-02 10시	11시	수소플라즈마 1회 + 이전에 예약 잊고 안하고 1회사용했던거 1회입니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	160,000원
3063	2019-08-02 14시	16시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3064	2019-08-05 14시	16시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3065	2019-08-06 11시	12시	3-3-1 contact ild depo. pe-ox depo.	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	204,000원
3066	2019-08-06 15시	16시	SOI 칩 2cm*2cm 조각 2개입니다. SiO2 1.5 um 증착하고자 합니다. 칩 1개 공정 먼저 하고 결과 보고 그 다음 칩 진행하고자 합니다. 혹시 이번에 연구원님한테 교육을 받고 나중에 직접 사용 할 수 있을까요?	포항공과대학교	물리학과	김형빈	216,000원
3067	2019-08-06 9시	11시	oxide 20nm 증착(5매)	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	400,000원
3068	2019-08-07 13시	15시	Glass 기판위에 polymer pattern이 올라가있는 샘플입니다 100도에서 SiN 2um 증착하고 싶습니다	한양대학교	화학과	박윤경	120,000원
3069	2019-08-07 14시	15시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	100,000원
3070	2019-08-07 15시	16시	PE-Ox depo	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	119,000원
3071	2019-08-07 16시	17시	수소플라즈마	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	80,000원
3072	2019-08-08 14시	16시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3073	2019-08-08 9시	10시	차세대 실리콘 나노선 개발	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	0원
3074	2019-08-12 14시	18시	a-Si 2cm x 2cm 조각 2개씩 100nm, 200nm, 300nm, 400nm, 500nm, 600nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	648,000원
3075	2019-08-12 14시	15시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	100,000원
3076	2019-08-13 14시	16시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3077	2019-08-13 16시	17시	PRCVD Si4N4 4000Å 8매				480,000원
3078	2019-08-13 17시	18시	수소플라즈마	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	240,000원
3079	2019-08-14 14시	15시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	100,000원
3080	2019-08-14 16시	18시	수소플라즈마	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	240,000원
3081	2019-08-19 12시	13시	a-Si 300nm 및 350nm 증착 및 nk측정용 샘플 부탁드립니다.	서울대학교	전기정보공학부	성장운	360,000원
3082	2019-08-19 14시	16시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3083	2019-08-20 14시	15시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	100,000원
3084	2019-08-21 10시	12시	Bare 6'' wafer에 SiO2, 200nm (2000A) 증착 의뢰드립니다. <공정 의뢰함에 넣어 놓겠습니다.>	포항공과대학교	기계공학과	이훈택	324,000원
3085	2019-08-21 17시	19시	수소플라즈마	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	240,000원
3086	2019-08-26 13시	15시	Glass 위에 polymer pattern이 올라가있는 시료입니다 SiN 100도에서 2um 증착하고 싶습니다	한양대학교	화학과	박윤경	240,000원
3087	2019-08-28 16시	17시	Passivation SiN 4K 2ea 250℃ 5ea 300℃				420,000원
3088	2019-08-28 9시	11시	수소플라즈마	포항공과대학교	전기전자공학부	고형민	90,000원
3089	2019-08-29 10시	11시	a-Si 380nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	108,000원
3090	2019-09-02 10시	11시	0-2-3 Oxide depo.	경남대학교	전자공학과	김성진	240,000원
3091	2019-09-02 14시	15시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	100,000원
3092	2019-09-03 10시	11시	1-4-2 PE-Oxide-dep.	경남대학교	전자공학과	김성진	240,000원
3093	2019-09-03 14시	15시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	100,000원
3094	2019-09-03 22시	23시	SiO2 200 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	80,000원
3095	2019-09-04 13시	15시	glass 위에 polymer 증착된 샘플입니다. SiN 100도에서 2um 증착하고싶습니다	한양대학교	화학과	박윤경	240,000원
3096	2019-09-05 14시	16시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3097	2019-09-09 14시	16시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3098	2019-09-17 13시	14시	oxide 200 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	80,000원
3099	2019-09-18 14시	15시	6inch 2ea tray 2ea	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	120,000원
3100	2019-09-18 14시	15시	2-1-1 insulator depo. 절연막 증착 pe-cvd	(주) 센텍코리아	생산기술연구팀	임채현	240,000원
3101	2019-09-19 13시	14시	a-Si 380nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	108,000원
3102	2019-09-19 14시	16시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3103	2019-09-20 10시	12시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3104	2019-09-20 13시	15시	8inch wafer위에 pen film 부착되어있습니다. 장비 로딩 전에 pen film위에 있는 보호필름 제거 부탁드립니다. 본 건은 바우처 사업을 통하여 결제 진행할 예정입니다. 참고 부탁드립니다.	AP 시스템(주)	종합기술연구소	백일진	200,000원
3105	2019-09-23 10시	12시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3106	2019-09-24 13시	15시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. Glass 9장 위에 a-Si 180 nm를 PECVD로 증착하고 싶습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	108,000원
3107	2019-09-24 15시	16시	3-3-1 contact ild depo. pe-ox depo.	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	102,000원
3108	2019-09-25 13시	15시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3109	2019-09-26 14시	16시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3110	2019-09-30 10시	12시	PECVD Si3N4 4000Å 2매				120,000원
3111	2019-10-01 10시	13시	Si 위에 SIO2 570 nm, amorphous Si 640 nm, SiO2 420 nm, amorphous Si 400nm 순서대로 증착해주시면 됩니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김은종	432,000원
3112	2019-10-02 14시	16시	실리콘테스트샘플요청	금오공과대학교	신소재연구소	임기식	120,000원
3113	2019-10-07 14시	15시	1.4μm 두께 SiO2 증착	포스텍	물리학과	신원철	216,000원
3114	2019-10-08 14시	15시	HM Ox 60nm	주식회사 아르케	SIC 생산본부	노병훈	120,000원
3115	2019-10-10 10시	11시	pe-oixde 3000A 5ea	(주)맥테크	부설기술연구소	정종열	900,000원
3116	2019-10-14 14시	16시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3117	2019-10-15 10시	11시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	100,000원
3118	2019-10-16 13시	15시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3119	2019-10-17 10시	16시	PECVD Si3N4 4000Å Depo (14매)				840,000원
3120	2019-10-18 1시	15시	The sent wafer is Au etched on Glass wafer . Please deposit about 300 -500 nm SiO2 ( Silicon Dioxide) on the surface of wafer ( for electrode usage) by PECVD. Please send me back as it finished by post to the address I registered.	서강대학교	R820,Electronic Engineering Department, Ricci Hall , Sogang University,35 Baekbeom-ro , Mapo-gu,Seoul , South Korea	VAFAEI PANIZ	120,000원
3121	2019-10-21 10시	11시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	100,000원
3122	2019-10-23 10시	12시	PECVD Si3N4 4000Å 250C 6ea 200C 2ea				480,000원
3123	2019-10-24 10시	11시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	100,000원
3124	2019-10-25 10시	11시	24일 오후에 전화로 연락드렸던 김익재 입니다. PECVD SiO2 50 nm 증착하고자 합니다. 공정온도는 기존 공정 온도 이용부탁드립니다. 샘플은 1층 시편보관함에 놔두겠습니다. 다음주 중에 연락드리고 교육받도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	108,000원
3125	2019-10-25 10시	11시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	100,000원
3126	2019-10-25 11시	12시	H2 plasma	포항공과대학교	전기전자공학부	고형민	90,000원
3127	2019-10-28 10시	12시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3128	2019-10-29 10시	12시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3129	2019-10-29 14시	15시	a-Si 450nm 증착 부탁드리겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	108,000원
3130	2019-10-29 9시	10시	PECVD SiO2 50 nm 증착 의뢰합니다. 기존 증착 온도에서 증착 부탁드립니다. 시편은 1층 공정전 보관함에 놔두겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	108,000원
3131	2019-10-30 10시	12시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3132	2019-11-01 20시	21시	직접사용하겠습니다. glass 조각 피스 9개를 3개씩 나누어 3번에 걸쳐 a-Si:H를 올리려고 합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	270,000원
3133	2019-11-03 20시	21시	조각 9매 3개씩 3회로 나누어서 증착예정입니다. a-Si:H를 직접 사용해서 증착하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	270,000원
3134	2019-11-04 16시	17시	이전 증착 조건과 동일하게 부탁드립니다. -------------------------- pe-nitride depo. 250nm	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	108,000원
3135	2019-11-05 13시	15시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3136	2019-11-05 15시	18시	열전소자 시험분석_HM Oxide: Oxide 5000A	주식회사 싸이츠	기업부설연구소	백창기	1,200,000원
3137	2019-11-06 10시	12시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3138	2019-11-06 10시	12시	PECVD Si3N4 4000Å				120,000원
3139	2019-11-06 13시	15시	NPTM 표준 공정 공정 개선용 샘플 제작 : PE Nitride Depo	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	1,020,000원
3140	2019-11-07 10시	12시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3141	2019-11-11 10시	12시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3142	2019-11-11 10시	11시	2-0-1 imp scatter oxide pe-ox. depo.	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	216,000원
3143	2019-11-11 14시	15시	0-2-3 0 initial oxide pe-ox depo.	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	204,000원
3144	2019-11-12 10시	12시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3145	2019-11-13 10시	12시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3146	2019-11-13 16시	17시	PECVD Si3N4 4000/300℃ 2ea 진행부탁드립니다.				120,000원
3147	2019-11-14 10시	12시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	100,000원
3148	2019-11-14 9시	10시	a-Si 1um 증착 (조각기판 9개) (4개, 5개씩 두번에 나눠서 진행해주시면 감사드리겠습니다!) ------------- oxide 기준. 공정시간 480sec : 1회 a-si 1um 10000sec 진행 : 2회 청구 3회 협의 청구 진행	포항공과대학교	기계공학과	윤관호	324,000원
3149	2019-11-15 10시	12시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	100,000원
3150	2019-11-15 16시	17시	a-Si:H 350nm 증착 부탁드립니다.	서울대학교	전기정보공학부	장준혁	120,000원
3151	2019-11-18 14시	15시	1. sio2 570 nm / p-doped Si 640 nm / sio2 420 nm / p-doped Si 400 nm	포항공과대학교	신소재공학과	김은종	216,000원
3152	2019-11-18 16시	17시	PECVD Si3N4 4000 / 250℃				1,920,000원
3153	2019-11-19 10시	12시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3154	2019-11-20 15시	16시	oxide 20nm	(주)아이엠헬스케어	바이오센서팀	유재우	480,000원
3155	2019-11-21 14시	15시	PECVD SiO2 50 nm 증착 의뢰합니다. TiN pattern 이 증착되어있는 SiO2/Si 소자 입니다. 시편은 1층 공정전 보관함에 놔두겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	108,000원
3156	2019-11-21 15시	18시	9개의 글래스 조각 샘플 2cm*2cm이 있습니다. 여기에 amophous silicon 450nm 3개, 400nm 3개, 380nm 3개 증착해주세요. 샘플은 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	정헌영	324,000원
3157	2019-11-21 19시	20시	Glass위에 a-Si:H를 2차례 올리려고 합니다. 직접사용하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	180,000원
3158	2019-11-22 15시	17시	1. pecvd SiO2(570 nm) 2. LPcvd p-doped Si(640nm)	포항공과대학교	신소재공학과	김은종	259,000원
3159	2019-11-23 21시	22시	조각 Glass위에 a:Si:H를 2회에[ 걸쳐서 올리려고 합니다. 직접사용하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	180,000원
3160	2019-11-25 21시	22시	a:Si:H를 조각 glass 위에 증착하려고 합니다. 직접사용하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	180,000원
3161	2019-11-26 11시	12시	sio2 570nm 증착	포항공과대학교	신소재공학과	김은종	90,000원
3162	2019-11-26 20시	21시	a-Si:H를 조각 glass 3장에 PECVD를 1회 사용해서 올리겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	90,000원
3163	2019-11-27 22시	23시	a-Si:H를 조각 glass 위에 직접 올리겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	270,000원
3164	2019-11-28 10시	11시	PECVD Si3N4 200도 13매, 300도 3매				960,000원
3165	2019-11-29 10시	11시	dsp, 8inch prime 5ea	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	350,000원
3166	2019-11-29 21시	22시	Glass위에 a-Si:H를 올리려고합니다. 직접사용하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	90,000원
3167	2019-12-04 10시	12시	샘플1 (증착 두께 확인용) 1) SiO2: 200nm 2)P-doped Si: 200 nm 샘플2 (4 layers) 1)SiO2: 570 nm 2)P-doped Si: 640 nm 3)SiO2: 420 nm 4)p-doped Si: 400 nm	포항공과대학교	신소재공학과	김은종	419,000원
3168	2019-12-05 10시	12시	4-0-1 trench mask depo. pe-ox dpeo.	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	216,000원
3169	2019-12-05 14시	16시	1-1-1 SiN Depo	고려대학교	전기전자공학과	한규현	600,000원
3170	2019-12-06 9시	15시	NPTM 표준 공정 평가용 샘플 제작_Low Stress Nitride	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	2,040,000원
3171	2019-12-08 23시	24시	SiO2 20 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	160,000원
3172	2019-12-09 10시	11시	웨이퍼 뒷면 전면에 Silicon Nitride 500nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김준수	648,000원
3173	2019-12-09 14시	15시	SiO2 10nm a-Si 50nm 순차적으로 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	216,000원
3174	2019-12-16 10시	12시	4매 250'C, 4매 300'C				480,000원
3175	2019-12-30 14시	15시	나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업	(주)아이제스트	연구개발팀	김성지	0원
3176	2020-01-03 11시	12시	나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업	(주)아이제스트	연구개발팀	김성지	0원
3177	2020-01-06 14시	15시	나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업	(주)아이제스트	연구개발팀	김성지	0원
3178	2020-01-06 15시	16시	9개의 글래스 조각 샘플 2cm*2cm이 있습니다. 여기에 amophous silicon 450nm 3개, 400nm 3개, 380nm 3개 증착해주세요. 샘플은 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다 ------------------ amophous silicon 400nm dpeo.	포항공과대학교	기계공학과	정헌영	108,000원
3179	2020-01-08 10시	11시	나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업	(주)아이제스트	연구개발팀	김성지	0원
3180	2020-01-08 11시	12시	6-0-1 imp scatter oxide pe-ox depo.	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	216,000원
3181	2020-01-08 14시	15시	4-4-4 imp scatter oxide pe-ox depo.	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	432,000원
3182	2020-01-10 10시	11시	PE-Oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	곽현탁	85,000원
3183	2020-01-10 13시	14시	Passivation 4000A 12ea 300도 3ea 250도	템퍼스	생산기술팀	서영민	900,000원
3184	2020-01-13 10시	11시	a-Si 380nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	108,000원
3185	2020-01-14 10시	11시	나노 인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업	(주)아이제스트	연구개발팀	김성지	0원
3186	2020-01-14 13시	14시	SiN 3000A 증착	한국전자통신연구원	RF/전력부품연구실	민병규	120,000원
3187	2020-01-15 11시	12시	나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업	(주)아이제스트	연구개발팀	김성지	0원
3188	2020-01-16 16시	16시	PECVD Low temperature oxide 1um 의 박막 stress를 측정하기 위함.	포항공과대학교	기계공학과	김준수	171,000원
3189	2020-01-17 14시	15시	Low temperature (100도 이하)로 PECVD Oxide 1um 증착 ------------------ 2um depo.	포항공과대학교	기계공학과	김준수	216,000원
3190	2020-01-17 16시	17시	PE-Oxide 300 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	곽현탁	85,000원
3191	2020-01-21 10시	11시	나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업	(주)아이제스트	연구개발팀	김성지	0원
3192	2020-01-29 13시	14시	나노 인프라 활용 사업	(주)아이제스트	연구개발팀	김성지	0원
3193	2020-02-04 9시	11시	나노인프라 활용 나노기술 응용제품 제작 지원사업	이코루미	연구소	김석근	0원
3194	2020-02-10 13시	14시	pe-oxide 3000a depo.	고려대학교	전기전자공학과	안순성	120,000원
3195	2020-02-12 11시	12시	2-1-1 insulator depo. pe-oxide depo.	(주) 센텍코리아	생산기술연구팀	임채현	816,000원
3196	2020-02-13 10시	11시	250C-2EA 300C-6EA 진행부탁드립니다.	템퍼스	생산기술팀	서영민	480,000원
3197	2020-02-17 11시	12시	SiO2 570 nm 증착(직접 사용)	포항공과대학교	신소재공학과	김은종	170,000원
3198	2020-02-18 10시	11시	a-Si 400nm 증착부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	108,000원
3199	2020-02-18 15시	16시	a-Si:H 350 nm 증착 부탁드립니다. 증착면 명시해주시면 감사하겠습니다.	서울대학교	전기정보공학부	장준혁	120,000원
3200	2020-02-19 9시	12시	나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업	(주)라디안큐바이오	바이오 R&D센터 정인혜 전문연구원	최정명	0원
3201	2020-02-20 13시	14시	OLED 소자 및 ALD (Al2O3)가 증착되어 있고, contact 영역에 kapton tape이 있음. 12장씩 각각 100도 공정 SiNx 1 um, 100도 공정 SiON 1um 공정 부탁드립니다. ------------------ sinx 1um 진행	한국전자통신연구원	실감소자원천연구본부	조현수	120,000원
3202	2020-02-20 21시	22시	MgF2가 올라간 Si wafer 위에 SiN 543 nm 을 올리려고 합니다. 두께 확인용 조각 시편 1회, 준비된 Si wafer 1회 총 2회 이용하겠습니다. 직접 사용하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	180,000원
3203	2020-02-25 10시	11시	250C-5EA 300C-7EA 총12매 진행부탁드립니다. ------------------- 50% 진행 당담자 협의	템퍼스	생산기술팀	서영민	720,000원
3204	2020-02-25 13시	14시	SiN 3000A 증착	한국전자통신연구원	RF/전력부품연구실	민병규	120,000원
3205	2020-03-02 14시	15시	graphene / graphene oxide 위에 SiN 30nm 증착 ( 증착가능한 가장 저온에서) -------------------- 100C pe-nitride depo. 측정후 두께 측정	금오공과대학교	신소재공학과	안성진	120,000원
3206	2020-03-02 15시	16시	9개의 실리콘 조각 샘플 2cm*2cm이 있습니다. 여기에 amophous silicon 400 nm 증착해주세요. 샘플은 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	정헌영	108,000원
3207	2020-03-02 17시	17시	2인치 GaN-on-Sapphire 기판 1장 4인치 Si 기판 1장에 SiN을 각각 5 nm 두께로 증착해 주세요.	한국전자통신연구원	DMC융합연구단/국방RF부품연구실	장성재	120,000원
3208	2020-03-02 20시	21시	Si wafer 위에 SiN을 증착시키자 합니다. 직접 사용하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	90,000원
3209	2020-03-03 9시	10시	250C-8EA ------------------- 50% 진행 당담자 협의	템퍼스	생산기술팀	서영민	480,000원
3210	2020-03-10 11시	12시	a-Si 400 nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	108,000원
3211	2020-03-10 8시	10시	250C-9EA 300C-7EA ------------------- 50% 진행 당담자 협의	템퍼스	생산기술팀	서영민	960,000원
3212	2020-03-11 13시	14시	graphene / graphene oxide 위에 SiN 30nm을 증착 가능한 가장 저온에서 진행 부탁드립니다.	금오공과대학교	신소재공학과	안성진	120,000원
3213	2020-03-16 14시	15시	Oxide 증착	(주)아이제스트	연구개발팀	김성지	170,000원
3214	2020-03-16 9시	10시	#10, 11, 13 slot wafer 250c 나머지 22매 wafer 300c --------------------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	1,500,000원
3215	2020-03-17 10시	11시	3V 이내에서 breakdown이 일어나지 않는 절연층 제작이 필요합니다.	포항공과대학교	화학공학과	박준호	108,000원
3216	2020-03-17 14시	15시	300c-7ea 250c-18ea ----------------------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	1,500,000원
3217	2020-03-17 15시	16시	250c 8ea (MTU120303) 300c 8ea (MTU120305) ----------------------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	960,000원
3218	2020-03-19 11시	12시	.	포항공과대학교	화학공학과	박준호	90,000원
3219	2020-03-19 8시	10시	2-1-1 silica insulation depo. pe-oxide 2-1-2 silica insulation depo. a-si 2-1-3 silica insulation depo. pe-oxide	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	918,000원
3220	2020-03-23 10시	11시	ppe-oxide 30nm	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	216,000원
3221	2020-03-24 13시	14시	250C 1ea 300C 7ea ----------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	480,000원
3222	2020-03-24 16시	17시	50nm deposition 요청드립니다. [나노인프라활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업]으로 청구 요청드립니다.	(주)제이티에스인더스트리	연구개발부	류세훈	360,000원
3223	2020-03-25 1시	11시	pe-oxide depo. 8um 2ea pe-oxide depo. 12um 2ea	고려대학교	전기전자공학과	안순성	3,360,000원
3224	2020-03-25 17시	18시	600nm 증착	포항공과대학교	화학공학과	박준호	90,000원
3225	2020-03-25 18시	19시	2-1-1 silica insulation depo. pe-oxide 2-1-2 silica insulation depo. a-si 2-1-3 silica insulation depo. pe-oxide -------------- 1매 rework	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	306,000원
3226	2020-03-26 10시	11시	LPCVD를 이용한 Nitride 50nm 증착됨. (5번째 공정) PECVD를 이용한 Oxide 50nm deposition 요청드립니다. [나노인프라활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업]으로 청구 요청드립니다.	(주)제이티에스인더스트리	연구개발부	류세훈	360,000원
3227	2020-03-26 14시	15시	LPCVD를 이용한 Nitride 50nm 증착됨. (7번째 공정) PECVD를 이용한 Oxide 50nm deposition 요청드립니다. [나노인프라활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업]으로 청구 요청드립니다.	(주)제이티에스인더스트리	연구개발부	류세훈	360,000원
3228	2020-03-26 18시	19시	600nm sio2	포항공과대학교	화학공학과	박준호	90,000원
3229	2020-03-27 10시	11시	LPCVD를 이용한 Nitride 50nm 증착됨. (9번째 공정) PECVD를 이용한 Oxide 50nm deposition 요청드립니다. [나노인프라활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업]으로 청구 요청드립니다.	(주)제이티에스인더스트리	연구개발부	류세훈	360,000원
3230	2020-03-27 16시	17시	LPCVD를 이용한 Nitride 50nm 증착됨. (11번째 공정) PECVD를 이용한 Oxide 100nm deposition 요청드립니다. [나노인프라활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업]으로 청구 요청드립니다.	(주)제이티에스인더스트리	연구개발부	류세훈	360,000원
3231	2020-04-01 10시	11시	SiO2 10 nm a-Si 100 nm 순차대로 증착 부탁드리겠습니다. (이번 샘플은 치수가 매우 중요하여, 본 샘플 증착 전에 실리콘 테스트 기판 상에 증착 후 엘립소미터 측정 부탁드리겠습니다) --------------- Test 진행 1회	포항공과대학교	기계공학과	김인기	324,000원
3232	2020-04-01 14시	15시	600 nm sio2	포항공과대학교	화학공학과	박준호	90,000원
3233	2020-04-02 13시	14시	포항공대 노준석 교수님 실험실입니다. a-Si:H를 200도에서 여러 두께로 증착하려고 합니다. 6회 증착 할 예정이며, 직접사용하겠습니다. 7회 : (두께 측정 test 2회 + 125nm, 200nm, 225nm, 350nm, 550nm)	포항공과대학교	기계공학과	양영환	630,000원
3234	2020-04-02 15시	18시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입디다. PECVD를 이용해서 a-Si:H 200nm와 SiN 543nm를 쌓으려고 합니다. 직접사용하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	270,000원
3235	2020-04-03 9시	10시	2-1-1 Oxide 8000A depo	아모센스	개발팀	박종원	480,000원
3236	2020-04-05 20시	22시	250C 9ea 300C 7ea ----------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	960,000원
3237	2020-04-06 13시	16시	PECVD-를 이용하여 조각시편에 a-Si:H 200nm 1개/ 5cm*5cm 시편에 SiN 543 nm 1개를 올리려고합니다. 직접 사용하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	180,000원
3238	2020-04-06 9시	10시	3-1-1 SiN 2000A depo	아모센스	개발팀	박종원	480,000원
3239	2020-04-07 8시	10시	250C 7ea 300C 1ea ----------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	480,000원
3240	2020-04-08 15시	16시	PE-Oxide 20 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	곽현탁	180,000원
3241	2020-04-09 16시	20시	포항공대 양영환입니다. 5cm5cm Si wafer위에는 SiN 543 nm, 1개 및 2cm2cm Si wafer위에는 a-Si:H 200 nm 1개를 올리려 합니다. 두께 맞추는 과정까지 포함해서 5회 이용하도록 하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	450,000원
3242	2020-04-10 15시	16시	600 nm sio2	포항공과대학교	화학공학과	박준호	90,000원
3243	2020-04-14 20시	22시	pe-nitride 300C 8ea ----------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	480,000원
3244	2020-04-14 9시	14시	cassette1 250C 12ea, 300C 12ea cassette2 250C 12ea, 300C 12ea cassette3 250C 7ea, 300C 1ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	3,360,000원
3245	2020-04-17 16시	20시	노준석 교수님 실험실 양영환입니다. a-Si:H 1000nm 이상 증착 4번, SiN 1um 증착 1번 SiO2 1um 증착 1번 이용하겠습니다. (a-si 500nm/1회 적용)	포항공과대학교	기계공학과	양영환	900,000원
3246	2020-04-20 13시	15시	cassette1 250C 12ea, 300C 13ea cassette2 250C 7ea, 300C 1ea ------------------------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	1,980,000원
3247	2020-04-20 9시	10시	SiO 3000A depo.	(주)더바이오	연구소	이원영	338,000원
3248	2020-04-21 18시	19시	cassette1 250C 8ea ----------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	480,000원
3249	2020-04-21 9시	10시	SiO2 박막증착을 의뢰합니다. 기판은 GaAs, InP 총 2장으로 가장 좋은 박막질을 가지는 성장조건에서 부탁드립니다.	한국전자통신연구원	테라헤르츠연구실	박동우	120,000원
3250	2020-04-22 17시	18시	SiN 500 nm	포항공과대학교	화학공학과	박준호	90,000원
3251	2020-04-23 14시	15시	- InP 웨이퍼 2인치 한 장과 InP 조각 1장을 SiN 증착하려 합니다. - InP 웨이퍼는 표면 식각된 상태입니다. - SiN 증착조건은 증착두께: 2000A, 증착온도: 250도 입니다. ------------------------ 김덕준 박사님 선결제건	한국전자통신연구원	ICT소재푸붐연구소	안신모	0원
3252	2020-04-23 16시	17시	a-Si 700 nm 증착 부탁드리겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	108,000원
3253	2020-04-24 17시	21시	포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다. Si wafer 위에 Si3N4 460 nm 1회 Glass 웨이퍼 위에 1000nm 2회 올리겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	450,000원
3254	2020-04-27 10시	11시	1-3-1 hard mask depoo. pe-oxide depo.	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	204,000원
3255	2020-04-28 1시	10시	cassette1 250C 9ea, 300C 16ea cassette2 250C 11ea, 300C 14ea cassette3 250C 16ea, 300C 8ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	4,440,000원
3256	2020-04-28 11시	12시	BMR 사의 HDP-CVD 장비를 이용하여, 250℃(도씨)에서 SiN = 3000 Å(옹스트롱) 증착 부타드립니다. 김덕준박사님 선결제에 해당됩니다. --------------- 선결제 해당 담당자 협의	한국전자통신연구원	광인터넷부품연구실	김덕준	0원
3257	2020-04-29 11시	12시	sio2 600nm	포항공과대학교	화학공학과	박준호	90,000원
3258	2020-05-01 17시	20시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환니다. SiN 200 nm, 300nm, 400 nm 증착하겠습니다. 직접 사용하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	270,000원
3259	2020-05-04 14시	16시	cassette1 300C 25ea cassette2 250C 6ea, 300C 19ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	3,000,000원
3260	2020-05-05 19시	20시	600nm sio2	포항공과대학교	화학공학과	박준호	90,000원
3261	2020-05-06 13시	14시	cassette2 250C 6ea, 300C 19ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	1,500,000원
3262	2020-05-07 10시	11시	SiO2 10nm a-Si 100nm 순차적으로 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	216,000원
3263	2020-05-08 14시	15시	cassette1 250C 5ea, 300C 3ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	480,000원
3264	2020-05-11 10시	13시	cassette1 250C 11ea, 300C 5ea cassette1 250C 2ea, 300C 23ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	2,460,000원
3265	2020-05-11 6시	7시	600nm sio2	포항공과대학교	화학공학과	박준호	90,000원
3266	2020-05-12 13시	18시	cassette1 250C 11ea, 300C 14ea cassette2 250C 15ea, 300C 10ea cassette3 250C 5ea, 300C 3ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	3,480,000원
3267	2020-05-13 14시	15시	SiO2 20 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	85,000원
3268	2020-05-15 11시	12시	Oxide 2um 증착 요청	한국전기연구원	전력반도체연구센터	나문경	240,000원
3269	2020-05-15 8시	10시	cassette1 250C 7ea, 300C 1ea cassette2 250C 5ea, 300C 3ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	960,000원
3270	2020-05-18 11시	14시	cassette1 250C 11ea, 300C 14ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	1,500,000원
3271	2020-05-18 16시	17시	9장의 wafer에 270nm 두께로 Crystalline SiO2 증착	포항공과대학교 대학원	기계공학과	곽준호	108,000원
3272	2020-05-19 13시	15시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3273	2020-05-20 14시	16시	증착기판: Silicon 증착두께: 420nm 증착재료: a-Si	포항공과대학교 대학원	기계공학과	곽준호	90,000원
3274	2020-05-21 10시	12시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3275	2020-05-22 12시	15시	..	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	540,000원
3276	2020-05-22 13시	15시	SiC 다이오드 단위공정	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3277	2020-05-22 16시	21시	a-Si:H 증착을 위해 PE-CVD를 4번 이용하겠습니다. a-Si:H 150 nm * 9장 * 2회 a-Si:H 250 nm * 9장 * 2회	포항공과대학교	기계공학과	양영환	360,000원
3278	2020-05-26 9시	11시	7-1-1 field oxide depo. pe-ox depo.	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	432,000원
3279	2020-05-27 13시	15시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3280	2020-05-28 10시	11시	cassette1 250C 6ea, 300C 2ea ---------------------------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	480,000원
3281	2020-05-28 17시	20시	포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다. a-si:H 250 nm 18장, 150 nm 18장을 4회에 걸처서 쌓겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	360,000원
3282	2020-05-29 15시	15시	PE oxide 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	곽현탁	90,000원
3283	2020-06-01 15시	16시	pe oxide 증착	한국과학기술원	전기및전자공학부 김상현교수님연구실	국송현	90,000원
3284	2020-06-01 17시	18시	.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	180,000원
3285	2020-06-01 18시	21시	PECVD 1호기 사용하겠습니다	포항공과대학교 대학원	기계공학과	곽준호	90,000원
3286	2020-06-01 7시	10시	cassette1 250C 14ea, 300C 11ea cassette2 250C 8ea, 300C 16ea	템퍼스	생산기술팀	서영민	2,940,000원
3287	2020-06-02 18시	19시	.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	90,000원
3288	2020-06-02 7시	9시	cassette1 250C 14ea, 300C 11ea cassette2 250C 12ea, 300C 13ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	3,000,000원
3289	2020-06-03 10시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3290	2020-06-03 11시	12시	cassette1 250C 12ea, 300C 5ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	1,020,000원
3291	2020-06-03 17시	18시	3-1-1 h2 treatment-1	포항공과대학교	나노융합기술원	노한솔	108,000원
3292	2020-06-03 17시	18시	cassette1 250C 5ea, 300C 3ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	480,000원
3293	2020-06-04 11시	13시	8" ITO 패턴 글라스 웨이퍼에 Sio2 2um 증착 수량:2장	(주)에스제이컴퍼니	기술영업부	손호창	480,000원
3294	2020-06-04 15시	16시	2-2-4 m4 insulator sio depo. 저온공정	충남대학교	전자공학과	송형섭	480,000원
3295	2020-06-05 13시	15시	PECVD 1호기 사용하겠습니다	포항공과대학교 대학원	기계공학과	곽준호	90,000원
3296	2020-06-05 8시	9시	cassette1 250C 3ea, 300C 5ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	480,000원
3297	2020-06-08 16시	17시	cassette1 250C 5ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	300,000원
3298	2020-06-08 17시	18시	2-1-1 poe passivation oxide depo.	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	288,000원
3299	2020-06-09 10시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3300	2020-06-10 10시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3301	2020-06-11 10시	11시	PE-Oxide 3000A Depo 1ea	포항공과대학교	IBB	정민규	108,000원
3302	2020-06-11 10시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3303	2020-06-11 11시	12시	pe-oxide 3000a 2ea	포항공과대학교	IBB	정민규	216,000원
3304	2020-06-11 13시	18시	PECVD SiO2 18000A / SiNx 500A deposition -------------------- 1um 이상 1회 추가 pe-oxide 1.8um 5ea 10회 pe-nitride 500A 5ea 5회	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	1,800,000원
3305	2020-06-12 14시	15시	4개의 글래스 조각 샘플 2cm*2cm이 있습니다. 여기에 amophous silicon 800 nm 증착해주세요. 샘플은 1층의 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	정헌영	108,000원
3306	2020-06-16 10시	12시	..	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	540,000원
3307	2020-06-16 16시	17시	p-Si wafer 구매 신청합니다	포항공과대학교	신소재공학과	백상원	160,000원
3308	2020-06-17 13시	14시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	100,000원
3309	2020-06-17 19시	20시	PEoxide 20nm	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	90,000원
3310	2020-06-18 13시	15시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3311	2020-06-20 13시	15시	노준석 교수님 실험실 양영환입니다. a-Si:H 500 nm 18개를 2회에 걸쳐서 쌓겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	180,000원
3312	2020-06-24 13시	15시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3313	2020-06-25 10시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3314	2020-06-26 10시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3315	2020-06-29 10시	11시	Si wafer의 표면에 산화막을 증착 시키고 싶습니다. 대략 50나노 정도의 두께의 산화막을 증착시키고 싶은데 가능할까요? 또한 제가 예의 장비를 사용하는 게 처음이어서, pe-cvd의 장비를 다루는 법 또한 배우고 싶은데 괜찮으신가요?	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	윤철현	288,000원
3316	2020-07-02 10시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3317	2020-07-03 10시	11시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	100,000원
3318	2020-07-03 13시	14시	RIST과제처리	포항공과대학교	전자전기공학부	신성환	85,000원
3319	2020-07-03 14시	15시	1-1-1 deposition ls sin depo. 130a	에스앤에스텍	선행기술팀	박철균	529,000원
3320	2020-07-03 14시	16시	2-2-4 m4 insulator sio/sin depo. 2um 저온 (선행포함)	충남대학교	전자공학과	송형섭	529,000원
3321	2020-07-04 18시	21시	pecvd 1호기 사용하겠습니다	포항공과대학교 대학원	기계공학과	곽준호	90,000원
3322	2020-07-06 10시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3323	2020-07-07 13시	15시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3324	2020-07-08 10시	13시	5-1-1 PAD Open_Oxide Dep	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	1,020,000원
3325	2020-07-08 15시	16시	RIST과제처리	포항공과대학교	전자전기공학부	신성환	85,000원
3326	2020-07-09 13시	14시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	100,000원
3327	2020-07-10 10시	11시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	100,000원
3328	2020-07-10 14시	15시	pe-oxide 3000a depo.	나노융합기술원	프라운호퍼 실용화연구센터	김상조	108,000원
3329	2020-07-13 10시	11시	cassette1 250C 1ea cassette1 300C 24ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	1,500,000원
3330	2020-07-14 10시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3331	2020-07-15 11시	12시	RIST과제처리	포항공과대학교	전자전기공학부	신성환	170,000원
3332	2020-07-20 18시	20시	cassette1 250C 2ea cassette1 300C 11ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	780,000원
3333	2020-07-21 9시	18시	SiC 공정용 Oxide 증착	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	1,224,000원
3334	2020-07-22 14시	15시	RIST과제처리	포항공과대학교	전자전기공학부	신성환	255,000원
3335	2020-07-22 14시	15시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	100,000원
3336	2020-07-23 10시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3337	2020-07-24 10시	12시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3338	2020-07-28 14시	16시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3339	2020-07-30 8시	12시	cassette1 250C 14ea cassette1 300C 29ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	2,580,000원
3340	2020-08-03 14시	16시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3341	2020-08-04 14시	16시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3342	2020-08-07 14시	16시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3343	2020-08-10 14시	16시	박막 TFT 형성, 저온산화막 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	장혜원	200,000원
3344	2020-08-11 9시	18시	SiC Gate Oxide 평가	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	1,020,000원
3345	2020-08-12 10시	12시	1 um 증착-> 2um 변경 1um당 1회	한국전기연구원	전력반도체연구센터	나문경	240,000원
3346	2020-08-13 14시	15시	SiO2 50 nm 증착 예정입니다.	포항공과대학교	신소재	김민규	108,000원
3347	2020-08-14 10시	11시	cassette1 250C 4ea cassette1 300C 21ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	1,500,000원
3348	2020-08-14 10시	11시	5-1-1 pad open low stress sin nitride depo.	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	341,000원
3349	2020-08-14 13시	14시	ㅇ Si3N4 증착 : 1500A ㅇ중착 온도 : 50도 이하	한국전자통신연구원	광통신부품연구실	박상호	480,000원
3350	2020-08-14 13시	15시	증착 의뢰드립니다. 1. SiO2 3nm / 2. Si3N4 5nm / 3. SiO 10nm 순서대로 증착 의뢰드립니다. wafer 2장	한양대학교	신소재공학과	구본철	200,000원
3351	2020-08-14 16시	17시	3-3-1 contact ild depo. pe-ox depo. 선행진행, 조각진행	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	306,000원
3352	2020-08-15 18시	23시	포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다. 2cm x 2 cm조각시편에 a-Si:H 400 nm 2회, a-Si:H 500 nm 2회, 5cm x 5cm SiO2 1500 nm 1회 총 7회 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	양영환	540,000원
3353	2020-08-16 14시	15시	2-0-1 imp scatter oxide pe-ox depo.	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	408,000원
3354	2020-08-19 11시	12시	SiO2 200 nm a-Si 360 nm 순차적으로 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	216,000원
3355	2020-08-19 13시	14시	SiO2/Si 조각 웨이퍼 상단에 TiN을 패터닝한 기판입니다. PECVD SiO2 50 nm (300 도) 증착 부탁드립니다. 샘플은 시편 보관함에 넣어놓겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	108,000원
3356	2020-08-19 17시	20시	cassette1 250C 16ea cassette1 300C 48ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	3,840,000원
3357	2020-08-19 19시	20시	PEoxide 20 nm deposition	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	90,000원
3358	2020-08-21 1시	3시	Wafer 사이즈를 하나밖에 선택할 수 없어 기타로 해두었는데, 2 인치 웨이퍼 3장, 1 cm * 1 cm 기판 4장으로 증착 부탁드립니다. Glass substrate 위에 Si 70 nm, SiO2 174 nm, Si 63 nm, SiO2 174 nm, Si 71 nm 총 다섯 층 증착 부탁드리며, Si는 400도에서, 첫번째 Si layer 는 78초, 두번째 Si layer 는 71초, 세번째 Si layer 는 80초 쌓아주시면 될 것 같습니다. 자세한 내용은 8월 3일자 메일 참고 부탁드리며, 추가로 필요하신 사항 있으시면 연락부탁드립니다!	포항공과대학교	기계공학과	김민경	540,000원
3359	2020-08-21 11시	12시	4,000Å 200℃ SiOx 증착 2회 진행	주식회사 동진쎄미켐	동진쎄미켐	이종욱	240,000원
3360	2020-08-21 6시	7시	2-1-1 deposition ls sin depo.(1매 선행 stress meas.)	에스앤에스텍	선행기술팀	박철균	349,000원
3361	2020-08-22 18시	24시	노준석 교수 실험실 양영환입니다. a-Si:H 700nm 2회, 350nm 2회, 200nm 2회올리겠습니다 총 8회 사용하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	720,000원
3362	2020-08-24 9시	10시	pe-nitiride 1000A 65c 6inch 6ea	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	720,000원
3363	2020-08-25 17시	18시	2-1-1 silica insulation depo.	포항공과대학교	화학과	신승구	216,000원
3364	2020-08-25 9시	10시	4 인치 웨이퍼 1장, 2 cm * 2 cm 기판 4장으로 부탁드립니다. Glass substrate 위에 Si 70 nm, SiO2 174 nm, Si 63 nm, SiO2 174 nm, Si 71 nm 총 다섯 층 증착 부탁드리며, Si는 400도에서, 첫번째 Si layer 는 55초, 두번째 Si layer 는 50초, 세번째 Si layer 는 57초 쌓아주시면 될 것 같습니다. 추가로 필요하신 사항 있으시면 연락부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김민경	540,000원
3365	2020-08-26 10시	11시	SiO2/Si 조각 웨이퍼 상단에 TiN을 패터닝한 기판입니다. PECVD SiO2 50 nm (300 도) 증착 부탁드립니다. 샘플은 시편 보관함에 넣어놓겠습니다. 두 케이스에 나누어져 담겨있는데 모두 같은 조건으로 증착 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	108,000원
3366	2020-09-01 10시	13시	PE-Oxide 1.6um Depo (120,000원/1um)	(주)칩스케이	연구개발팀	임진홍	720,000원
3367	2020-09-01 13시	15시	PE-Oxide 1.6um Depo (120,000원/1um)	나노융합기술원	프라운호퍼 실용화연구센터	김상조	432,000원
3368	2020-09-01 15시	16시	- SiC 조각 시편 8+Si 조각 시편 1 - oxide 2um 증착의뢰 - 증착 두께 측정 요청	한국전기연구원	전력반도체연구센터	나문경	240,000원
3369	2020-09-01 9시	15시	Glass substrate 위에 Si 70 nm, SiO2 174 nm, Si 63 nm, SiO2 174 nm, Si 71 nm 총 다섯 층 증착 부탁드립니다. Si는 400도에서, 첫번째 Si layer 는 63초, 두번째 Si layer 는 60초, 세번째 Si layer 는 64초 쌓아주시면 될 것 같습니다. 추가로 필요하신 사항 있으시면 연락부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김민경	540,000원
3370	2020-09-02 11시	12시	2-1-3 PE-Oxide 2000A Depo	포항공과대학교	화학과	신승구	108,000원
3371	2020-09-02 14시	15시	Si wafer의 표면에 대략 50nm 정도의 두께의 산화막을 증착시키고 싶습니다. 또한 제가 예의 장비를 직접 사용하는 게 처음이어서, pe-cvd의 장비를 다루는 법 또한 배우고 싶은데 괜찮으신가요?	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	윤철현	90,000원
3372	2020-09-02 16시	17시	노준석 교수님 실험실 오동교 입니다. a-Si 400nm 증착 PECVD 부탁드립니다. 시편보관함 안에 시편 넣어놓겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	오동교	108,000원
3373	2020-09-02 9시	10시	2-1-1 PE-Oxide 500A Depo	포항공과대학교	화학과	신승구	168,000원
3374	2020-09-03 11시	13시	pe-nitiride 500A 9ea pe-oxide 4000A 9ea pe-nitiride 1000A 2ea pe-oxide 4000A 4ea	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	2,880,000원
3375	2020-09-04 17시	18시	SiC trench etch test : pe-oxide 1.6um dummy	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	306,000원
3376	2020-09-08 14시	15시	cassette1 250C 4ea cassette1 300C 9ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	780,000원
3377	2020-09-08 17시	18시	pe-nitiride 500A 7ea pe-oxide 4000A 7ea	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	1,680,000원
3378	2020-09-10 13시	15시	-InP 2inch quarter 6장으로 구성되어있습니다. -APD 제작을 위한 dielectric layer 증착(SiNx 0.2um)	한국전자통신연구원	광융합부품연구그룹	심재식	120,000원
3379	2020-09-10 16시	17시	cassette1 250C 4ea cassette1 300C 8ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	720,000원
3380	2020-09-10 9시	12시	2-1-2 Buffer Oxide Depo 400A	(주)칩스케이	연구개발팀	임진홍	360,000원
3381	2020-09-11 15시	16시	1장은 350nm 다른 한장은 400nm 증착부탁드립니다. 증착면 명시해주시면 감사하겠습니다.	서울대학교	전기정보공학부	장준혁	240,000원
3382	2020-09-11 9시	12시	IMP Pattern Etch Oxide depo Rework 1.5um 2-1-2 Buffer Oxide Depo 400A	나노융합기술원	프라운호퍼 실용화연구센터	김상조	540,000원
3383	2020-09-11 9시	12시	4차 산업 연계형 나노기술인력양성 확산 교육	나노융합기술원	교육홍보팀	이상민	1,200,000원
3384	2020-09-15 10시	12시	Oxide 1.5 um 증착 의뢰 산화막 두께 확인 요청	한국전기연구원	전력반도체연구센터	나문경	240,000원
3385	2020-09-15 15시	17시	SiN 25~30nm SiO2 100nm	경북대학교	전자공학부	DAI QUAN	240,000원
3386	2020-09-15 17시	20시	2-0-2 IMP Formation PE Oxide 5000A	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	510,000원
3387	2020-09-17 14시	15시	PECVD 공정으로 웨이퍼 전면에 SiO2 100nm 증착 의뢰드립니다. 웨이퍼는 총 4장이며, 전면에는 SiO2가 패터닝 되어 있습니다. 웨이퍼 캐리어 박스를 시편 의뢰함에 넣어놓았으며, 제 이름을 표기해놓았습니다. 케리어에는 총 8장의 웨이퍼가 있습니다. 웨이퍼에는 마킹이 되어있으며 공정을 희망하는 웨이퍼는 PMM4, PMM5, PMM6, PMM8이라고 표기된 웨이퍼입니다. 해당 웨이퍼들은 안쪽부터 차례대로 4장입니다. 제 연락처는 010-6407-5465 (이훈택)입니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	이훈택	432,000원
3388	2020-09-17 9시	10시	pe-oxide depo. 8000a 5ea	한국산업기술대학교산학협력단	나노반도체공학과	임광균	600,000원
3389	2020-09-18 10시	11시	SOI wafer 조각 패턴 이후 SiO2, WO3 증착한 샘플 5조각입니다. amorphous silicon 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 감사합니다. 김범진 드림.	한국과학기술원(카이스트)	전기및전자공학부	김범진	120,000원
3390	2020-09-18 17시	18시	DRIE로 형성된 구조형상 pe-oxide 5000a	포항공과대학교	기계공학과	박수청	90,000원
3391	2020-09-20 18시	20시	pe-nitiride 1um 70c 2ea 진행	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	240,000원
3392	2020-09-22 10시	12시	2-2-6 IMP PE-ox Depo 300a	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	510,000원
3393	2020-09-22 13시	16시	PE-Oxide Depo 14um 2ea	고려대학교	전기전자공학과	안순성	2,352,000원
3394	2020-09-24 10시	11시	low stress SiN 2500A deposition 과저 유우일렉트로닉스 recipe로 부탁드립니다. SiH4 : 35sccm N2 : 23sccm RF power : 1200W Temp. : 250도 Pressure : 60mTorr	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	240,000원
3395	2020-09-24 14시	16시	cassette1 250C 6ea cassette1 300C 14ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	1,200,000원
3396	2020-09-25 21시	24시	pe-nitiride 500A 16ea pe-oxide 4000A 16ea	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	3,840,000원
3397	2020-09-28 9시	10시	cassette1 250C 12ea cassette1 300C 12ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	1,440,000원
3398	2020-09-29 10시	11시	cassette1 300C 13ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	780,000원
3399	2020-10-05 15시	18시	2-5-1 IMP PWELL Mask 2um 4ea	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	816,000원
3400	2020-10-06 10시	11시	2*2cm 유리 기판 9개에 amorphous silicon 600 nm 증착해주세요. 샘플은 공정의뢰함에 넣어두겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	정헌영	108,000원
3401	2020-10-07 13시	14시	cassette1 250C 12ea cassette1 300C 8ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	1,380,000원
3402	2020-10-07 9시	17시	SiC Trench MOSFET 단위공정평가 용 PE-Oxide Depo 2um 10매 (1um 초과당 1회 추가)	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	2,040,000원
3403	2020-10-07 9시	10시	5-1-4 Surface Oxide 1um Depo	(주)칩스케이	연구개발팀	임진홍	360,000원
3404	2020-10-08 10시	12시	5-1-4 Surface Oxide 1um Depo	나노융합기술원	프라운호퍼 실용화연구센터	김상조	216,000원
3405	2020-10-08 10시	11시	low stress SiNx 4500A 2매 증착	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	240,000원
3406	2020-10-08 11시	12시	pe-oxide depo. 2000a 2ea	고려대학교	전기전자공학과	안순성	240,000원
3407	2020-10-08 11시	12시	cassette1 250C 2ea cassette1 250C 7ea cassette1 250C 9ea ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	1,080,000원
3408	2020-10-08 15시	17시	노준석 교수님 실험실 오동교 입니다. a-Si 110nm 9개 a-Si 140nm 9개 증착 PECVD 부탁드립니다. ------------- 140nm dopo. 1회 장비도 배울겸 내일 15시30분까지 찾아뵙겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	오동교	108,000원
3409	2020-10-10 21시	22시	포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다. SiO2 412 nm 를 HfO2, MgF2, Ag 가 올라간Si wafer 2장에 증착하겠습니다. 직접사용하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	180,000원
3410	2020-10-12 11시	14시	pe-oxide 1000a 2ea a-si 5000a 2ea pe-oxide 2000a 2ea	포항공과대학교	화학과	신승구	648,000원
3411	2020-10-12 14시	15시	2-7-6 imp scatter oxide depo. pe-ox depo.	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	408,000원
3412	2020-10-12 17시	18시	pe-oxide 30nm depo. SiC MOSFET 공정 테스트	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	102,000원
3413	2020-10-13 11시	13시	SiN 25nm 2ea, SiO2 60nm 1ea	경북대학교	전자공학부	DAI QUAN	360,000원
3414	2020-10-13 20시	21시	a-Si 110 nm a-Si 140 nm	포항공과대학교	기계공학과	오동교	180,000원
3415	2020-10-14 20시	22시	포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다. Sillicon 기판 위 SiO2를 2um 올리려고 합니다. 직접 사용하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	180,000원
3416	2020-10-14 22시	23시	a-Si 140 nm	포항공과대학교	기계공학과	오동교	90,000원
3417	2020-10-14 9시	10시	8-2-1 Schottky Metal Step 선행 용 Oxide Depo	(주)칩스케이	연구개발팀	임진홍	120,000원
3418	2020-10-15 10시	11시	3-3-1 contact ild depo. pe-ox depo.	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	204,000원
3419	2020-10-15 10시	11시	Low stress SiNx 1600A 증착	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	360,000원
3420	2020-10-16 10시	11시	안녕하세요, SOI wafer 조각 2조각에 대하여 PECVD a-Si 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 해당 샘플은 SOI 외에 WO3 증착한 샘플입니다. 감사합니다.	한국과학기술원(카이스트)	전기및전자공학부	김범진	120,000원
3421	2020-10-16 11시	12시	안녕하세요, SOI wafer 조각 2조각에 대하여 PECVD a-Si 30nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 해당 샘플은 SOI 외에 WO3 증착한 샘플입니다. 감사합니다.	한국과학기술원(카이스트)	전기및전자공학부	김범진	120,000원
3422	2020-10-19 15시	17시	3-0-1 Trench Mask Depo ox 1um	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	408,000원
3423	2020-10-19 9시	15시	SiC Trench MOSFET 단위공정평가 용 PE-Oxide depo 2um 9ea (1um 초과 시 1회 추가)	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	1,836,000원
3424	2020-10-21 18시	20시	포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다. a-Si:H 50 nm 2회 증착하겠습니다. 직접사용하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	180,000원
3425	2020-10-21 22시	23시	a-Si 140 nm	포항공과대학교	기계공학과	오동교	90,000원
3426	2020-10-22 10시	11시	4개의 글래스 조각 샘플 2cm*2cm이 있습니다. 여기에 amophous silicon 400 nm 증착해주세요. 샘플은 1층의 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	정헌영	108,000원
3427	2020-10-22 6시	10시	pe-nitiride 500A 14ea pe-oxide 4000A 14ea	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	3,360,000원
3428	2020-10-22 9시	15시	SiC 파워반도체 개발용 Oxide Depo	나노융합기술원	프라운호퍼 실용화연구센터	김상조	1,632,000원
3429	2020-10-24 17시	18시	.	포항공과대학교	기계공학과	박수청	90,000원
3430	2020-10-24 18시	24시	포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다. a-Si:H를 glass 위에 7회 증착하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	630,000원
3431	2020-10-25 19시	24시	포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다. a-Si:H를 glass 위에 7회 증착하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	630,000원
3432	2020-10-28 10시	17시	2인치 쿼츠 기판에 a-Si 15nm - SiO2 70nm - a-Si 15nm와 a-Si 15nm - SiO2 70nm - a-Si 30nm - SiO2 70nm - a-Si 15nm 를 증착하려고 합니다. 증착 물질의 두께와 인덱스를 측정하기 위해서 각각의 공정 과정에 더미시료를 하나씩 투입하려고 합니다.	경희대학교	물리학과	이은주	960,000원
3433	2020-10-31 21시	24시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. a-Si:H 증착 3회를 직접 사용해서 하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	270,000원
3434	2020-11-01 21시	24시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. a-Si:H 증착 3회를 직접 사용해서 하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	270,000원
3435	2020-11-02 20시	21시	노준석 교수님 연구실입니다. PECVD 직접사용 요청드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	90,000원
3436	2020-11-03 19시	20시	Oxide 100 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	100,000원
3437	2020-11-04 11시	12시	SiO2/Si 기판 상단에 TiN patterning 해놓은 샘플입니다. PECVD SiO2 50 nm 공정의뢰 부탁드립니다. 샘플은 1층 공정의뢰함에 있습니다. 공정 완료시 연락 부탁드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	108,000원
3438	2020-11-04 11시	12시	KEC과제 pe-oxide depo. 300a	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	187,000원
3439	2020-11-04 9시	10시	pe-cvd SiO2 100 nm 증착 (전일 직접 이용하려고 하였으나, 장비 문제로 사용 하지 못하여 의뢰로 공정 요청드립니다.) (이후 공정 일정이 있어 최대한 빠르게 부탁드리겠습니다.) wafer loading 후 pumping down 에서 멈춰 공정이 진행되지 않음. 샘플은 sputter 1호기 앞에 전자과 박익수 라고 적힌 4\" wf 두장 입니다	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	240,000원
3440	2020-11-05 9시	15시	siloxane case 막 soft bake 완료 후 cure 300℃ 1hr 완료된 기판입니다. 증착 조건 : SiOx 200℃, 4000Å	주식회사 동진쎄미켐	사업 1부 절연막	김자영	1,800,000원
3441	2020-11-06 16시	20시	cassette1 250C 16ea cassette1 250C 8ea cassette1 250C 4ea (pe-oxide 2000A 28ea pe-nitride 4000/6000/8000/10000A 28ea) ---------------- 담당자 협의 50%	템퍼스	생산기술팀	서영민	3,360,000원
3442	2020-11-06 9시	12시	레이저 어닐링 기술을 활용한 SiC 파워반도체 개발용 Oxide Depo	나노융합기술원	프라운호퍼 실용화연구센터	김상조	1,530,000원
3443	2020-11-07 21시	24시	포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다. SiN를 Si wafer에 100nm 3회 증착하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	270,000원
3444	2020-11-08 21시	24시	포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다. a-Si:H 50nm를 3회 증착하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	270,000원
3445	2020-11-09 10시	11시	노준석 교수님 연구실입니다. a-Si 400nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	108,000원
3446	2020-11-11 13시	14시	안녕하세요, SOI wafer 조각 9조각에 대하여 PECVD a-Si 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 해당 샘플은 SOI 외에 WO3 과 TiO2 증착한 샘플입니다. 감사합니다.	한국과학기술원(카이스트)	전기및전자공학부	김범진	120,000원
3447	2020-11-12 9시	10시	TiO2 샘플들을 8inch wafer에 600sec O2 plasma 처리.	한동대학교	정보통신대학원	최명현	240,000원
3448	2020-11-13 21시	24시	포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다. SiN를 50 nm 씩 3회 증착하겠습니다. 직접사용하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	270,000원
3449	2020-11-16 10시	11시	pe-oxide 300a 4ea	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	408,000원
3450	2020-11-16 9시	10시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다. 현재 glass기판에 Au 박막이 깔려있는 상태입니다. 여기에 SiO2 500nm 박막을 먼저 증착 해주시고, 다음으로 이어서 a-Si 360nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	216,000원
3451	2020-11-17 11시	12시	SiO2 600 nm 증착	포항공과대학교	화학공학과	박준호	90,000원
3452	2020-11-21 21시	24시	포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다. a-Si:H 500 nm를 5회 증착하겠습니다 직접사용하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	450,000원
3453	2020-11-23 10시	11시	노준석 교수님 연구실입니다. a-Si 380nm pecvd 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	108,000원
3454	2020-11-23 11시	12시	안녕하세요 노준석 교수님랩에 김주훈입니다. 현재 glass 기판에 Au 200nm박막이 깔려있는 상태입니다. 여기에 pecvd로 먼저 SiO2 200nm 증착해주시고, 다음으로 a-Si 350nm 증착해주시면 감사하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	216,000원
3455	2020-11-25 12시	13시	a-Si:H 를 250nm 증착 부탁드립니다.	서울대학교	전기정보공학부	최태원	240,000원
3456	2020-11-25 15시	16시	비정질 실리콘 300 nm 증착 부탁드립니다. 최태원 학생 택배편으로 wafer 같이 보내드립니다.	서울대학교	전기정보공학부	김창현	120,000원
3457	2020-11-25 15시	16시	SiO2/Si wafer 조각 위에 TiN 100 nm 증착하였습니다. 해당 기판 위에 100 nm 의 SiO2 박막 증착하고자 합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김광혙	108,000원
3458	2020-11-25 16시	18시	1-1-2 1 sin depo. 5ea 1-1-3 1 oxide depo. 5ea	(주) 이너센서	이너센서	강문식	1,080,000원
3459	2020-11-27 14시	15시	4인치 쿼츠 웨이퍼 두 장 보내드리겠습니다. 한 장은 100 nm, 다른 한 장은 150 nm 증착 부탁드립니다.	서울대학교	전기정보공학부	성장운	240,000원
3460	2020-11-29 20시	24시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. a-Si:H 350 nm 3장, 500 nm 2장, 200 nm 2장 증착하겠습니다. 총 7회 사용하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	630,000원
3461	2020-11-30 2시	3시	a-Si 증착. 270sec 진행 부탁드립니다.	서울대학교	전기정보공학부	장준혁	120,000원
3462	2020-12-01 14시	15시	SiO2/Si 기판 위에 TiN 전극 증착되어있습니다. 이전과 동일하게 SiO2 100 nm 증착 진행하고자 합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김광혙	108,000원
3463	2020-12-01 17시	18시	나노인프라활용사업 LSN 3000A Oxide 4000A	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	216,000원
3464	2020-12-02 11시	12시	SiO2/Si wafer 조각 기판 위에 TiN 및 SiO2 증착되어 있습니다. SiO2 100 nm PECVD 공정 진행하고자 합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김광혙	108,000원
3465	2020-12-02 13시	14시	안녕하세요, SOI wafer 조각 9조각에 대하여 PECVD a-Si 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 해당 샘플은 SOI 외에 WO3 증착한 샘플입니다. 감사합니다.	한국과학기술원(카이스트)	전기및전자공학부	김범진	120,000원
3466	2020-12-03 9시	10시	Si wafer 위에 100 nm SiO2층 증착되어있는 4inch wafer 입니다. 해당 wafer 위에 200 nm SiO2 층 더 증착 진행하고자 합니다. 장비 스펙에 관하여 정확하게 알지 못하여 여쭤보고자 하는 점이 4 inch wafer를 1회 공정에 몇장까지 증착이 가능한지 알고싶습니다. 만약 1회 증착 시 2장의 wafer 증착이 가능할 경우에는 2장 증착 진행하고 1회 증착 시 1장의 wafer만 증착이 가능할 경우에는 1장만 증착 진행하고자 합니다. Wafer carrier에 wafer 2장 담아서 시편보관함에 두도록 하겠습니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김광혙	108,000원
3467	2020-12-04 10시	12시	3-1-1 passivation oxide depo. 4000a 5ea 나노인프라활용사업	(주) 이너센서	이너센서	강문식	540,000원
3468	2020-12-04 15시	16시	sample : bare 4\" Ge wafer pecvd oxide 100 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	85,000원
3469	2020-12-07 11시	12시	100 nm SiO2 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김광혙	108,000원
3470	2020-12-08 12시	13시	나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업 전자과 최원영 (010 5436 2518)	포항공과대학교	전자전기공학과	이정수	200,000원
3471	2020-12-09 10시	12시	VW_01 VWO박막 Test LSN Depo	삼성종합기술원	Imaging Device Lab	김동균	384,000원
3472	2020-12-09 9시	10시	SiO2 100 nm 증착 부탁드립니다. 샘플은 오늘 밤에 시편 보관함에 둘 예정입니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김광혙	108,000원
3473	2020-12-10 9시	10시	SiO2 100 nm 증착 진행하고자 합니다. 샘플은 오늘 밤에 시편 보관함에 둘수 있도록 하겠습니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김광혙	108,000원
3474	2020-12-16 22시	23시	a-Si 증착	포항공과대학교	기계공학과	오동교	90,000원
3475	2020-12-17 15시	16시	pe-oxide 300nm depo.	포항공과대학교	IBB	정민규	429,000원
3476	2020-12-18 9시	10시	안녕하세요, SOI wafer 조각 9조각에 대하여 PECVD a-Si 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 해당 샘플은 SOI 외에 WO3 /SiOx증착한 샘플입니다. 감사합니다.	한국과학기술원(카이스트)	전기및전자공학부	김범진	120,000원
3477	2020-12-20 15시	16시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. a-Si:H를 200 nm 증착하겠습니다. 직접사용하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	90,000원
3478	2020-12-21 13시	14시	SiN 500A 증착	한국전자통신연구원	RF/전력부품연구실	민병규	120,000원
3479	2020-12-21 14시	15시	SiN 2500A 증착	한국전자통신연구원	RF/전력부품연구실	민병규	120,000원
3480	2020-12-21 21시	22시	.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	180,000원
3481	2020-12-22 12시	3시	.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	360,000원
3482	2020-12-22 18시	19시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. aSi:H를 1회 증착하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	양영환	90,000원
3483	2020-12-23 12시	13시	.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	90,000원
3484	2020-12-28 15시	16시	.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	90,000원
3485	2020-12-31 22시	23시	a-Si 증착	포항공과대학교	기계공학과	오동교	90,000원
3486	2021-01-04 13시	14시	pe-oxide 1um 2ea	포항공과대학교	물리분석팀	김성규	216,000원
3487	2021-01-06 16시	17시	Low stress SiNx 1000A deposition	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	360,000원
3488	2021-01-06 21시	24시	포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다. PECVD 로 SiN를 3회 증착하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	270,000원
3489	2021-01-07 10시	11시	TiN/SiO2/Si 기판입니다. SiO2 50 nm 증착 부탁드립니다. 샘플은 1층 의뢰함 서랍에 있습니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	108,000원
3490	2021-01-07 11시	12시	.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	90,000원
3491	2021-01-07 15시	16시	SiO2 bare wafer위에 Ti(5nm)Pd(35nm) 증착되어있습니다. 그 위에 SiO2 10nm, 그 위에 a-Si 45nm 연속으로 증착 부탁드립니다.	한국과학기술원	전기및전자공학부	이윤지	240,000원
3492	2021-01-07 19시	20시	안녕하세요 노준석 교수님 랩에 김주훈입니다. PE-CVD 직접 사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	90,000원
3493	2021-01-08 1시	9시	1. Oxide 50nm - Furnace (wet oxidation) 2. Nitride 50nm - LPCVD 3. Oxide 50nm - PECVD 4. Nitride 50nm - LPCVD 5. Oxide 50nm - PECVD 6. Nitride 50nm - LPCVD 7. Oxide 50nm - PECVD 8. Nitride 50nm - LPCVD 9. Oxide 50nm - PECVD 10. Nitride 50nm - LPCVD 11. Oxide 50nm - PECVD 12. Nitride 50nm - LPCVD 13. Oxide 50nm - PECVD 14. Nitride 50nm - LPCVD 15. Oxide 50nm - PECVD 16. Nitride 50nm - LPCVD 17. Oxide 50nm - PECVD 18. Nitride 50nm - LPCVD 19. Oxide 50nm - PECVD 20. Nitride 50nm - LPCVD 21. Oxide 50nm - PECVD 22. Nitride 50nm - LPCVD 23. Oxide 50nm - PECVD 24. Nitride 50nm - LPCVD 25. Oxide 50nm - PECVD 26. Nitride 50nm - LPCVD 27. Oxide 50nm - PECVD 28. Nitride 50nm - LPCVD 29. Oxide 50nm - PECVD 30. Nitride 50nm - LPCVD 31. Oxide 100nm - PECVD 박막 증착 후, nano spec. or Ellipsometer로 두께 측정 부탁드립니다. 금액 처리는 [나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업]으로 처리 부탁드립니다.	(주)제이티에스인더스트리	연구개발부	류세훈	4,535,000원
3494	2021-01-08 20시	21시	안녕하세요 노준석 교수님 랩에 김주훈입니다. PECVD 직접 사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	90,000원
3495	2021-01-08 4시	5시	안녕하세요 노준석 교수님 랩에 김주훈입니다. PECVD 직접 사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	90,000원
3496	2021-01-13 10시	11시	안녕하세요 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다. 2cm by 2cm glass 기판에 PECVD로 a-Si 1 micrometer a-Si 1 micrometer 증착 부탁드립니다. 최대한 1 micrometer에 가까울수록 좋습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	216,000원
3497	2021-01-13 14시	15시	SiO2 50nm 증착 의뢰입니다. Polishing 된 면에 증착부탁드립니다. 기판은 공정 의뢰함에 있습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	108,000원
3498	2021-01-14 13시	14시	노준석 교수님 연구실 김주훈입니다. 직접사용 요청드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	90,000원
3499	2021-01-14 16시	16시	bare wafer 상태입니다 그 위에 SiN 10nm, 그 위에 a-Si 45nm 연속으로 증착 부탁드립니다.	한국과학기술원	전기및전자공학부	이윤지	480,000원
3500	2021-01-14 16시	17시	Polishing 된 면 상단에 SiO2 300 nm 증착 부탁드립니다. 샘플은 공정 의뢰함에 있습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	108,000원
3501	2021-01-15 10시	11시	안녕하세요, SOI wafer 조각 7조각에 대한 PECVD 증착 의뢰를 드리고자 합니다. 먼저 보내드리는 7조각 중 3조각에 대하여 SiN 2nm 증착을 의뢰드립니다. 칩캐리어에 SiN 2nm 증착을 필요로 하는 샘플 3조각에 대하여 표시를 해두도록 하겠습니다. 그후 7조각에 모두에 대하여 PECVD a-Si 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 다시 말씀드리면, 7조각중 3조각은 SiN 2nm+ a-Si 50nm, 4조각은 a-Si 50nm 증착 의뢰 드립니다. 해당 샘플들은 SOI 외에 WO3 증착한 샘플입니다. 감사합니다.	한국과학기술원(카이스트)	전기및전자공학부	김범진	240,000원
3502	2021-01-15 16시	18시	전문인력양성교육-심화실습교육 PE-CVD를 통해 웨이퍼의 1/4을 SiO2 박막증착을 하고 싶습니다.	나노융합기술원	사업지원팀	전문인력 1조	0원
3503	2021-01-15 20시	22시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. Silicon wafer 위에 SiN을 2회, Glass wafer 위에 a-Si:H를 1회 증착하겠습니다. 직접사용하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	270,000원
3504	2021-01-18 14시	15시	전문인력양성교육 심화실습교육 - SiO2 박막 증착하겠습니다.	나노융합기술원	사업지원팀	전문인력2조	0원
3505	2021-01-19 10시	12시	전문인력양성교육-심화실습교육 1/4 웨이퍼에 SiN 증착을 위해 장비를 사용하려 합니다.	나노융합기술원	사업지원팀	전문인력 1조	0원
3506	2021-01-19 14시	16시	전문인력양성교육과정 실습교육	나노융합기술원	사업지원팀	전문인력2조	0원
3507	2021-01-19 16시	17시	전문인력양성교육과정 심화실습교육 Sio2 박막 증착	나노융합기술원	사업지원팀	전문인력2조	0원
3508	2021-01-20 14시	15시	SiN 2500A 증착	한국전자통신연구원	RF/전력부품연구실	민병규	360,000원
3509	2021-01-20 21시	22시	.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	180,000원
3510	2021-01-21 14시	16시	,	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	270,000원
3511	2021-01-21 17시	18시	안녕하세요 노준석교수님 연구실에 김주훈입니다. SiO2 30nm와 60nm 각각 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	216,000원
3512	2021-01-22 10시	12시	고저항 sillicon wafer 3장에 SiO2 300nm증착 부탁드립니다. 시편은 시편의뢰함에 넣어두겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	324,000원
3513	2021-01-25 9시	17시	전문인력양성 실습교육	나노융합기술원	교육홍보팀	이현규	5,200,000원
3514	2021-01-26 15시	16시	8inch bare wafer 3ea	포항공과대학교	신소재공학과	백상원	147,000원
3515	2021-01-28 10시	12시	전문인력 양성 교육 심화 실습 교육 SiO2를 다른 recipe로 증착하려합니다.	나노융합기술원	사업지원팀	전문인력 1조	0원
3516	2021-01-28 12시	14시	1. Wafer 정보: Si 기판, SiO2/IGZO(oxide)/Ti/Au/Ti 증착 시편 2. 요청사항: 100℃ SiO2 200 nm 증착 부탁드립니다. /300도 2종류진행 3. 시편 갯수: 조각 시편 8개 입니다. 순서 꼭 지켜주세요 **	고려대학교	신소재공학부	윤광로	240,000원
3517	2021-01-28 14시	18시	전문인력 양성 교육 심화 실습 교육 SiO2 증착하려하빈다.	나노융합기술원	사업지원팀	전문인력 1조	0원
3518	2021-01-29 9시	10시	SiO2 50 nm 증착 공정 의뢰합니다. 샘플은 공정 의뢰함에 있습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	108,000원
3519	2021-02-01 13시	14시	안녕하세요, SOI wafer 조각 8조각에 대한 PECVD 증착 의뢰를 드리고자 합니다. 먼저 보내드리는 8조각 중 2조각에 대하여 SiN 3nm 증착을 의뢰드립니다. 칩캐리어에 SiN 3nm 증착을 필요로 하는 샘플 2조각에 대하여 표시를 해두도록 하겠습니다. 그 후 보내드리는 8조각 중 다른 3조각에 대하여 SiN 6nm 증착을 의뢰드립니다. 칩캐리어에 SiN 6nm 증착을 필요로 하는 샘플 3조각에 대하여 표시를 해두도록 하겠습니다. 그후 8조각에 모두에 대하여 PECVD a-Si 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 다시 말씀드리면, 8조각중 2조각은 SiN 3nm+ a-Si 50nm, 3조각은 SiN 6nm+ a-Si 50nm, 3조각은 a-Si 50nm 증착 의뢰 드립니다. 해당 샘플들은 SOI 외에 WO3 증착한 샘플입니다. 감사합니다.	한국과학기술원(카이스트)	전기및전자공학부	김범진	360,000원
3520	2021-02-02 10시	12시	전문인력양성과정 심화실습교육 1번 웨이퍼 질화막 3000A 올리고 싶습니다. 2번 웨이퍼 산화막 3000A, 질화막 3000A 올리고 싶습니다.	나노융합기술원	사업지원팀	전문인력5조	0원
3521	2021-02-02 14시	16시	노준석 교수님 연구실입니다. PECVD a-:Si-H 200nm 증착 부탁드립니다.(T300)	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	108,000원
3522	2021-02-02 20시	22시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. a-SiH 320, 600 nm로 총 2회 증착하겠습니다. 직접 사용하겠습니다 감사합니다	포항공과대학교	기계공학과	양영환	270,000원
3523	2021-02-03 11시	12시	sample: low doped Ge 4\" wf 공정내용: PECVD oxide 100 nm 증착 (SiO2 high xxxx)	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	85,000원
3524	2021-02-03 13시	14시	SiN 2500A 증착	한국전자통신연구원	RF/전력부품연구실	장유진	360,000원
3525	2021-02-03 14시	16시	전문인력양성과정 심화실습 교육 - Si 웨이퍼 2장에 nitride 3000A 증착하고 싶습니다.	나노융합기술원	사업지원팀	전문인력5조	0원
3526	2021-02-03 19시	20시	pe-oxide 550a depo.	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	102,000원
3527	2021-02-03 20시	24시	포할공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. aSiH film을 500 nm 2회 증착하겠습니다 감사합니다	포항공과대학교	기계공학과	양영환	180,000원
3528	2021-02-04 10시	17시	- SiNx 1500A 증착 - 증착 온도 : 50c	한국전자통신연구원	광통신부품연구실	박상호	480,000원
3529	2021-02-04 14시	15시	a-Si 280nm 증착 부탁드렸던 김주훈입니다. 이제 확인하고 신청 드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	108,000원
3530	2021-02-05 1시	3시	초기 상태의 Si wafer입니다. SiN 10nm 위에 a-Si 45nm 연속으로 증착 부탁드립니다.	한국과학기술원	전기및전자공학부	이윤지	480,000원
3531	2021-02-08 17시	18시	3-1-1 p+ sheet off insulation oxide depo.	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	306,000원
3532	2021-02-16 11시	12시	sample: Si 6\" wf. (Ti/TiO2/n-Si test) + Si 6\" wf. (Ti/n-Si test) 내용: PECVD SiO2 100 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	170,000원
3533	2021-02-18 15시	16시	pe-oxide 2000a(doped poly si)	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	137,000원
3534	2021-02-19 1시	2시	Nitride 증착(2000Å)	아주대학교	광전자재료연구실	김운정	450,000원
3535	2021-02-22 10시	11시	김주훈입니다. a-Si:H 350nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	108,000원
3536	2021-02-22 13시	14시	안녕하세요, SOI wafer 조각 9조각에 대한 PECVD 증착 의뢰를 드리고자 합니다. 먼저 보내드리는 9조각 중 4조각에 대하여 SiN 5nm 증착을 의뢰드립니다. 칩캐리어에 SiN 5nm 증착을 필요로 하는 샘플 4조각에 대하여 표시를 해두도록 하겠습니다. 그후 9조각에 모두에 대하여 PECVD a-Si 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 다시 말씀드리면, 9조각중 4조각은 SiN 5nm+ a-Si 50nm, 5조각은 a-Si 50nm 증착 의뢰 드립니다. 해당 샘플들은 SOI 외에 WO3 증착한 샘플입니다. 감사합니다.	한국과학기술원(카이스트)	전기및전자공학부	김범진	240,000원
3537	2021-02-23 14시	15시	SiN 2500A 증착	한국전자통신연구원	RF/전력부품연구실	민병규	360,000원
3538	2021-02-24 9시	10시	SiO2 50 nm 증착 공정 부탁드립니다. 샘플은 공정의뢰함에 있습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	108,000원
3539	2021-02-25 10시	13시	pe-nitiride 500A 5ea pe-oxide 2000A/4000A/6000A 6ea	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	1,320,000원
3540	2021-03-02 20시	21시	PECVD SiO2 100 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	160,000원
3541	2021-03-03 15시	16시	1. PE-CVD 1 장비로 SiN 300nm 증착 부탁드립니다. 2. Depo 온도는 세 Wafer 모두 250C로 부탁드립니다. 3. Wafer는 P-type 도핑된 C-Si 입니다. 4. 해당 조건에서의 Etch rate도 알고 싶습니다. 5. 한양대학교로 보내주실 때 아래 주소로 보내주시면 감사하겠습니다. (서울특별시 성동구 왕십리로 222 신소재공학관 543호) 6. 공정 후 결제는 세금 계산서로 부탁드립니다.	한양대학교	신소재공학과	한훈희	360,000원
3542	2021-03-03 9시	10시	SiO2 50 nm 증착 부탁드립니다. 샘플은 공정 의뢰함에 보관하겠습니다. 완료시 연락 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	108,000원
3543	2021-03-04 1시	2시	Nitride 증착(2000Å)	아주대학교	광전자재료연구실	김운정	450,000원
3544	2021-03-05 10시	11시	안녕하세요, SOI wafer 조각 9조각에 대하여 PECVD a-Si 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 해당 샘플은 SOI 외에 WO3 증착한 샘플입니다. 감사합니다.	한국과학기술원(카이스트)	전기및전자공학부	김범진	120,000원
3545	2021-03-05 15시	16시	SiN 2500 A 증착	한국전자통신연구원	RF/전력부품연구실	민병규	360,000원
3546	2021-03-06 22시	24시	노준석 교수님 연구실입니다. PECVD 직접사용 요청드립니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	85,000원
3547	2021-03-08 13시	14시	1. PE-CVD 1 장비로 SiN 300nm 증착 부탁드립니다. 2. Depo 온도는 300C로 부탁드립니다. 3. Wafer는 P-type 도핑된 C-Si 입니다. 4. 결제 내역은 세금 계산서로 부탁드립니다.	한양대학교	신소재공학과	한훈희	120,000원
3548	2021-03-10 10시	11시	PECVD SiO2 100 nm 증착 공정 의뢰합니다. Wafer는 총 2장이며, 공정 의뢰함에 있습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	216,000원
3549	2021-03-19 12시	14시	1. SiN 300nm 증착해주세요. 2. 같은 공정 3매 했을 때와 동일한 공정 조건에서 진행해주세요. 3. PR 패턴은 한양대에서 진행하므로, 캐리어에 넣어서 보내주시기 바랍니다. 4. 따로 보낸 한 장은 클리닝+에셔 이후 이전에 보낸 다른 샘플들과 함께 보관해주세요.	한양대학교	신소재공학과	한훈희	1,110,000원
3550	2021-03-19 16시	17시	SiN 5000A 증착 @ 250C 택배로 시료 발송합니다. 완료후 택배로 보내주시기 바랍니다.	한국전자통신연구원	RF/전력부품연구실	민병규	480,000원
3551	2021-03-23 17시	18시	SiO2 100 nm	포항공과대학교	화학공학과	박준호	90,000원
3552	2021-03-24 10시	11시	Quartz wafer 2장 각각 a-Si:H 190 nm 증착 부탁드립니다. 증착면 표시 부탁드립니다.	서울대학교	전기정보공학부	이건열	240,000원
3553	2021-03-24 11시	12시	저번 증착 공정과 같은 a-Si:H 250nm 증착을 요청합니다. glass의 사이즈는 8cm * 7cm로 6inch wafer에 들어가는 사이즈입니다.	서울대학교	전기정보공학부	최태원	360,000원
3554	2021-03-24 16시	17시	웨이퍼는 총 3장이며, 플랫존 쪽에 레이저마킹이 되어 있습니다. 증착 조건은 다음과 같습니다. Jeon ~~~ B16 : SiN PECVD 1000A Jeon ~~~ B17 : SiN PECVD 1000A Jeon ~~~ B20 : SiN PECVD 500A B20 한 장은 500A으로 증착해주시면 됩니다.	인하대학교	전기공학과	권대웅	360,000원
3555	2021-03-24 20시	23시	안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. a-Si:H 750 nm를 2회 증착하겠습니다. (4회로 계산) 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	340,000원
3556	2021-03-25 10시	12시	노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. PECVD a-Si:H 200nm 증착 부탁드립니다.(9개) 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	204,000원
3557	2021-03-25 9시	10시	PECVD SiO2 200 nm 증착 공정 의뢰합니다. Wafer는 총 2장이며, 공정 의뢰함에 있습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	108,000원
3558	2021-03-26 18시	19시	a-Si 140 nm 증착입니다~!	포항공과대학교	기계공학과	오동교	85,000원
3559	2021-03-27 14시	16시	SiO2 10 nm 증착 (3매)	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	240,000원
3560	2021-03-28 20시	22시	안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. PECVD a-Si: H 증착 직접 사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	170,000원
3561	2021-03-29 14시	15시	SiO2 100 nm 증착 (2매)	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	160,000원
3562	2021-03-29 16시	17시	SiO2 100 nm	포항공과대학교	화학공학과	박준호	90,000원
3563	2021-03-29 17시	18시	PECVD Sio2 100nm 4\" wafer 4매	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이동훈	384,000원
3564	2021-03-30 15시	16시	8-0-1 Field Oxide Depo Pe-Ox Depo. PECVD1 300C 8000A	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	384,000원
3565	2021-03-30 19시	20시	SiO2 100nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	80,000원
3566	2021-03-31 21시	22시	SiO2 100 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	80,000원
3567	2021-04-01 1시	10시	총 2장의 웨이퍼를 보내드립니다. 1장은 SiN 5nm 위에 a-Si 45nm 나머지 1장은 SiN 10nm 위에 a-Si 45nm 증착부탁드립니다.	한국과학기술원	전기및전자공학부	이윤지	480,000원
3568	2021-04-02 17시	18시	400 nm	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	108,000원
3569	2021-04-05 9시	12시	pe-nitride 500a 8ea front & backside	경북대학교	전자전기공학부	김준수	960,000원
3570	2021-04-06 9시	18시	\"8인치 적외선 MEMS Sensor 제작공정\" 계약	(주)유우일렉트로닉스	TIS생산사업부	김도현	2,400,000원
3571	2021-04-08 16시	18시	SIN 5000A(500nm) 증착 요청드립니다.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유형석	306,000원
3572	2021-04-09 10시	11시	안녕하세요, SOI wafer 조각 12조각에 대하여 PECVD a-Si 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 공정조건에서, 유선상으로 말씀해주신 바와 같이 Crystallinity 최소화를 위하여 200도, 65mtorr에서 증착해주시면 감사드리겠습니다. 해당 샘플은 SOI 외에 WO3 증착한 샘플입니다. 감사합니다.	한국과학기술원(카이스트)	전기및전자공학부	김범진	120,000원
3573	2021-04-11 13시	17시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. Silicon 기판위에 a-Si:H를 25nm씩 3회, glass기판 150 nm 1회, 총 4회 사용하겠습니다. 직접사용하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	340,000원
3574	2021-04-12 10시	10시	1-4-1 IMP Scatter Oxide PE-Ox Depo. PECVD1 300C 500A	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	384,000원
3575	2021-04-12 11시	12시	600sec O2 plasma 처리. 50도	한동대학교	정보통신대학원	최명현	240,000원
3576	2021-04-13 15시	16시	-InP 2inch 1장으로 구성되어있습니다. -APD 제작을 위한 dielectric layer 증착(SiNx 0.2um)	한국전자통신연구원	양자광학연구실	문기원	120,000원
3577	2021-04-13 16시	17시	LOT ID: PHTEST04 목적: SH공정을위한 스트레스측정	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
3578	2021-04-14 13시	14시	pe-nitiride 400nm	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	108,000원
3579	2021-04-14 14시	15시	LOT ID:SKD0691A 목적: SH공정	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
3580	2021-04-19 11시	12시	SiO2 100 nm	포항공과대학교	화학공학과	박준호	90,000원
3581	2021-04-19 16시	17시	LOT ID: CDTEST01 SH 공정 SiNx 두계 측정 목적의 Dep.	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
3582	2021-04-19 19시	20시	PECVD SiO2 100nm	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이동훈	160,000원
3583	2021-04-20 13시	16시	SiO2 + W via 250 nm hole 구조입니다. 샘플 크기는 40mm x 40 mm이며, 총 3개입니다. Silicon nitride를 60 nm, 80 nm, 100 nm로 각각 3번 증착해주시면 감사하겠습니다. 문의사항이나 시간 조정은 이상민(010-8240-3938)로 해주시면 감사하겠습니다.	포항공과대학교	신소재공학과	이상민	324,000원
3584	2021-04-20 16시	17시	SiNx두께 파악을위한 SiNx 증착	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
3585	2021-04-21 10시	18시	glass 기판 1개에 a-Si 200nm로 증착해주세요. 공정의뢰함에 넣어두겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	102,000원
3586	2021-04-21 17시	18시	SH공정의 SiNx 조건 파악을 위한 증착	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
3587	2021-04-22 12시	17시	glass 기판 3개에 a-Si 200nm로 증착해주세요. 공정의뢰함에 넣어두겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	102,000원
3588	2021-04-25 21시	23시	안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. PECVD 직접 사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	255,000원
3589	2021-04-26 10시	11시	안녕하세요, SOI wafer 조각 12조각에 대하여 PECVD a-Si 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 공정조건에서, 일전에 레시피를 변경하였었는데, 변경이전의 레시피 (300도, 25mTorr였던 것으로 알고 있습니다)로 진행해주시면 감사드리겠습니다. 해당 샘플은 SOI 외에 WO3 증착한 샘플입니다. 감사합니다.	한국과학기술원(카이스트)	전기및전자공학부	김범진	120,000원
3590	2021-04-26 11시	12시	Si 5000 A 성막 목적: SiNx 에칭 Rate 파악을 위한 SiNx 증착	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
3591	2021-04-26 19시	21시	a-Si 350nm	포항공과대학교	기계공학과	김재경	85,000원
3592	2021-04-27 14시	15시	SiO2 100 nm	포항공과대학교	화학공학과	박준호	90,000원
3593	2021-04-27 15시	16시	비정질 실리콘 150 nm 증착 부탁드립니다.	서울대학교	전기정보공학부	김창현	120,000원
3594	2021-04-27 20시	21시	SiO2 100 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	80,000원
3595	2021-04-28 11시	12시	LOT ID: SKD0691A 목적: ROIC 웨이퍼 SiN 증착	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
3596	2021-04-28 9시	16시	pe-nitride depo.	(주)유우일렉트로닉스	TIS생산사업부	김도현	6,000,000원
3597	2021-04-30 9시	10시	pe-nitiride 500a 4ea	인하대학교	전기공학과	권대웅	480,000원
3598	2021-05-04 18시	24시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. a-Si:H 140nm를 2회에 걸쳐서 증착하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	170,000원
3599	2021-05-05 13시	15시	노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. PECVD 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	170,000원
3600	2021-05-06 9시	10시	2.0 Hardmask Oxide Depo	LG 전자 소재/생산기술원 소재기술원	ML Task	조영제	360,000원
3601	2021-05-06 9시	14시	나노융합기반고도화사업 박막 Test	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	1,128,000원
3602	2021-05-07 11시	12시	나노융합기반고도화사업 LOT ID: MODULE 목적: SIN 에칭 TEST용 3장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	300,000원
3603	2021-05-11 10시	11시	SiN 10nm 증착의뢰	한국과학기술원	전기및전자공학부	이윤지	240,000원
3604	2021-05-11 11시	12시	SiN 10nm 위에 a-Si 45nm 증착	한국과학기술원	전기및전자공학부	이윤지	120,000원
3605	2021-05-11 13시	14시	나노융합기반고도화사업 LOT ID: Module 목적 SiN 박막 증착	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	300,000원
3606	2021-05-11 13시	14시	3.0 Passi. Oxide Depo	LG 전자 소재/생산기술원 소재기술원	ML Task	조영제	240,000원
3607	2021-05-11 17시	17시	2-5-1 IMP N\|+ Mask Formation PE_Ox Depo PECVD1	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	384,000원
3608	2021-05-12 10시	12시	LOT ID: SKD0691 A,B #1#2#3#4#5#6#7#8#9#10#12 목적: SH 공정을 위한 SiN박막 증착 총 11장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
3609	2021-05-14 14시	17시	Lot ID: SKD0691 A,B #1#3#5#7#9#2#4#6#8#10#12 목적: SH 공정을 위한 SiN 박막 증착 총 11장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
3610	2021-05-14 17시	18시	나노융합기반고도화사업 Lot ID: Module 목적: SiN 박막 증착 Test 용 총 1장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	100,000원
3611	2021-05-17 10시	18시	pe-nitride depo.	(주)유우일렉트로닉스	TIS생산사업부	김도현	6,000,000원
3612	2021-05-17 13시	13시	SiN 1000A 증착 입니다.	한국전자통신연구원	DMC융합연구단/국방RF부품연구실	장성재	240,000원
3613	2021-05-17 15시	17시	Lot ID: SKD0691A #5#7#9, SKD0691B #2#4#6#8#10#12 목적: SiN 박막 증착 총 8장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
3614	2021-05-17 19시	20시	a-Si 350nm	포항공과대학교	기계공학과	김재경	85,000원
3615	2021-05-18 10시	11시	SiO2 100 nm	포항공과대학교	화학공학과	박준호	90,000원
3616	2021-05-18 13시	15시	Lot ID: SKD0691B #2#6#8#10#12 목적: SiN 박막 증착 총 5장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
3617	2021-05-20 13시	14시	SiN 300nm depo.	한양대학교	신소재공학과	한훈희	480,000원
3618	2021-05-20 14시	15시	안녕하세요, SOI wafer 조각 3조각에 대하여 PECVD a-Si:H 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 표준 공정 (300도, 25mTorr)로 알고 있습니다만 아니라면 표준공정 조건 알려주시면 감사드리겠습니다. 해당 샘플은 SOI 외에 SiO2, WO3 증착한 샘플입니다. 감사합니다.	한국과학기술원	전기및전자공학부	김동훈	120,000원
3619	2021-05-21 15시	17시	SiO2 60 nm 입니다.	경북대학교	전자공학부	DAI QUAN	120,000원
3620	2021-05-24 15시	17시	a-Si 350nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	김재경	170,000원
3621	2021-05-24 17시	18시	a si 110nm증착	포항공과대학교	기계공학과	김재경	510,000원
3622	2021-05-25 17시	18시	h2 plasma treatment	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	108,000원
3623	2021-05-25 20시	21시	PECVD SIO2 100nm	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이동훈	100,000원
3624	2021-05-26 13시	14시	Lot ID: Module 나노융합기반고도화사업 목적: SiNx 박막증착 총 1장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	100,000원
3625	2021-05-26 14시	15시	Lot ID: SKD0691B #04 목적: SiNx 박막 증착 총 1장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
3626	2021-05-26 16시	17시	TiN이 증착된 기판이고 SiO2 100 nm 증착 요청드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3627	2021-05-28 10시	12시	SiN 300nm depo.	한양대학교	신소재공학과	한훈희	480,000원
3628	2021-05-28 13시	14시	SiN 1nm , 3 nm	포항공과대학교	신소재공학과	김지예	216,000원
3629	2021-05-28 16시	17시	SiO2 100 nm 박막 증착 요청드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3630	2021-05-28 17시	18시	나노융합기반고도화사업 Lot ID: Module 목적: Sio2 박막 증착 3000Å 총 3장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	360,000원
3631	2021-05-31 10시	11시	Lot ID: Module 나노융합기반 고도화 사업 목적: SiNx 박막 test 용 총 3장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	300,000원
3632	2021-06-01 6시	20시	나노융합기반고도화사업	(주)에스제이컴퍼니	기술영업부	손호창	3,240,000원
3633	2021-06-03 14시	15시	SiO2 100 nm 증착 요청드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3634	2021-06-03 15시	17시	기판은 sapphire위에 GaN기반 LED epi structure가 성장되어있는 기판입니다. SiO2 200 nm 증착 의뢰합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	108,000원
3635	2021-06-04 15시	16시	한 면은 pt 다른 한 면은 si 구조있는 면 입니다 Si 구조있는면에 sio2 증착 하고싶습니다! 두께는 대략 500nm 정도 원합니다	포항공과대학교	기계공학과	이석용	216,000원
3636	2021-06-04 9시	11시	2가지 구조로 증착을 진행하려고 합니다. 1번 구조의 경우, 5층을 쿼츠 1장, Si 기판 1장에 올리려고 합니다. (기판은 모두 2인치입니다.)(a-Si 25 nm - SiO2 75 nm - a-Si 50 nm - SiO2 75 nm - a-Si 25 nm) 순으로 기판에 증착하려고 합니다. 2번 구조의 경우, 7층을 쿼츠 1장, Si 기판 1장에 올리려고 합니다. (a-Si 25 nm - SiO2 75 nm - a-Si 50 nm - SiO2 75 nm - a-Si 50 nm - SiO2 75 nm - a-Si 25 nm) 순으로 기판에 증착하려고 합니다. 자세한 내용은 샘플과 함께 전달드리도록 하겠습니다. 추가로 이정익 담당자님께 ejlee0911@khu.ac.kr 이메일로 내용 송부드립니다. 감사합니다.	경희대학교	물리학과	이은주	960,000원
3637	2021-06-07 10시	11시	기존에 증착했던 LED 샘플 외에 Si 웨이퍼 및 PR 패터닝된 Si 샘플 2개입니다. 증착온도 250도로 SiO2 200 nm증착 부탁드립니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	108,000원
3638	2021-06-07 14시	15시	-InP 2인치 2매로 구성되어 있습니다. -APD 제작을 위한 dielectric layer 증착 (SiNx 0.2 um)	한국전자통신연구원	양자광학연구실	문기원	120,000원
3639	2021-06-07 19시	21시	sio2 증착	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	255,000원
3640	2021-06-08 10시	12시	노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. Si 기판에 각각 Si3N4 5, 10, 15, 20 nm 증착 부탁드립니다.(300T 조건) 감사합니다. 성준화 드림.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	408,000원
3641	2021-06-08 15시	16시	나노융합기반고도화사업 SiO2 43000A 2ea	(주)에코넷코리아	기획부서	(주)에코넷코리아	1,200,000원
3642	2021-06-08 16시	17시	SiO2 100 nm 증착 요청드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3643	2021-06-08 9시	14시	pe-nitride depo.	(주)유우일렉트로닉스	TIS생산사업부	김도현	6,000,000원
3644	2021-06-08 9시	10시	SiO2 100 nm 증착 공정 의뢰합니다. (4 inch 웨이퍼 총 3 장) 카세트에 각 샘플 넘버링 해놓았는데, 섞이지 않게 해주시면 감사하겠습니다. 샘플은 공정의뢰함에 있습니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	324,000원
3645	2021-06-09 10시	12시	a-Si:H 200nm 증착을 요청드립니다.	서울대학교	전기정보공학부	최태원	240,000원
3646	2021-06-10 15시	16시	pe-oxide depo.	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이동훈	96,000원
3647	2021-06-11 1시	2시	나노융합기반고도화사업 SiO2 50000A 1ea	(주)에코넷코리아	기획부서	(주)에코넷코리아	600,000원
3648	2021-06-14 15시	16시	2-1-1 gate polyplug gate oxide depo.	(주)유우일렉트로닉스	(주)유우일렉트로닉스	박일몽	192,000원
3649	2021-06-17 11시	12시	노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다. PECVD 직접이용 신청드립니다	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	85,000원
3650	2021-06-18 9시	10시	SiO2 300 nm 공정의뢰 합니다. Sample은 공정의뢰함에 있습니다. 3ea	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	324,000원
3651	2021-06-21 11시	12시	{나노융합기반 고도화사업} Lot ID: Module 목적: SiN 박막증착 3000Å,500Å 총 2장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	200,000원
3652	2021-06-21 16시	17시	한 면은 pt 다른 한 면은 si 구조있는 면 입니다 Si 구조있는면에 sio2 증착 하고싶습니다! 두께는 대략 500nm 정도 원합니다	포항공과대학교	기계공학과	이석용	108,000원
3653	2021-06-23 14시	16시	Lot ID: SKD0691A #5#7#9, SKD0691B#2#6#8#10#12 목적: OHO공정 SiN 500Å증착 총 8장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
3654	2021-06-25 15시	17시	2-9-1 IMP P+Mask Formation PE-Ox Depo PECVD-1 300C 300A	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	384,000원
3655	2021-06-25 9시	10시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다. a-Si:H T300 조건으로 600nm 증착 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	204,000원
3656	2021-06-26 14시	20시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. PECVD로 실리콘 5회 증착하겠습니다. 직접사용하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	425,000원
3657	2021-06-27 14시	19시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. PECVD로 SiN증착하겠습니다. 6회 이용하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	510,000원
3658	2021-06-30 10시	11시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다. a-Si:H P25 T300조건으로 450nm 증착 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	102,000원
3659	2021-07-01 10시	11시	SiO2 100 nm 증착 공정 의뢰합니다 (4 inch 웨이퍼 4 장). 카세트에 각 샘플 넘버링 해놓았는데, 섞이지 않게 해주시면 감사하겠습니다. 샘플은 공정의뢰함에 있습니다	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	432,000원
3660	2021-07-01 13시	14시	SiO2 박막 100 nm 증착 의뢰드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3661	2021-07-02 15시	16시	SiO2 300 nm on ITO/glass	포항공과대학교	화학공학과	박준호	90,000원
3662	2021-07-05 10시	11시	안녕하세요. SOI wafer 조각 8조각에 대하여 PECVD a-Si:H 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 표준 공정으로 진행 부탁드립니다. 표준공정이 (300도, 25mTorr)가 아니라면, 표준 공정 조건도 알려주시면 감사드리겠습니다. 해당 샘플은 SOI 위에 SiO2, WO3 증착한 샘플입니다. 감사합니다.	한국과학기술원	전기 및 전자 공학부	박승우	120,000원
3663	2021-07-06 14시	15시	pe-oxide depo. 3000A 2ea	(주)에스제이컴퍼니	기술영업부	손호창	310,000원
3664	2021-07-06 15시	16시	SiO2 100 nm 증착 의뢰 요청드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3665	2021-07-07 9시	14시	pe-nitride depo.	(주)유우일렉트로닉스	TIS생산사업부	김도현	6,000,000원
3666	2021-07-08 10시	11시	SiO2 100 nm 증착 공정의뢰합니다. 4 inch wafer 총 3 장이며, 샘플은 공정 의뢰함에 있습니다. 샘플 카세트에 넘버링 해놓았는데, 섞이지 않도록 진행 부탁드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	324,000원
3667	2021-07-08 10시	11시	pe-oxide 90nm	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	102,000원
3668	2021-07-09 10시	11시	Si wafer 6장에 Si02 160nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	102,000원
3669	2021-07-10 13시	15시	노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. PECVD 직접사용 요청드립니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	170,000원
3670	2021-07-12 15시	16시	Low stress SIN 500nm 증착 >SiN High XXXX[old] recipe	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유형석	204,000원
3671	2021-07-12 17시	18시	조각 시편 13개 정도 입니다 Lithography 공정 후 PR이 부분적으로 pattern되어있는 상태여서 낮은 온도에서 증착하고자합니다 SiO2 300nm target으로 50C에서 증착하고 싶습니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김지예	108,000원
3672	2021-07-13 10시	11시	SiO2 100 nm 증착 의뢰 요청드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3673	2021-07-14 14시	15시	SiO2 박박 100 nm 증착 의뢰드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3674	2021-07-14 15시	16시	SD21Y07M-MI SiNx 2000A	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	360,000원
3675	2021-07-14 16시	17시	노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. PECVD 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	340,000원
3676	2021-07-15 14시	15시	SiO2 300 nm 증착의뢰 드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3677	2021-07-16 1시	3시	2-13-1 IMP JFET Mask Formation PE-Ox Depo PECVD-1 300C	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	384,000원
3678	2021-07-17 13시	19시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. a-Si:H를 증착하려고 하며, 직접사용하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	1,020,000원
3679	2021-07-18 14시	18시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. a-Si:H 증착을 위해 직접 사용하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	425,000원
3680	2021-07-19 10시	11시	Lot ID: SKD0691B #12 목적: PA공정 SiN 1000Å 증착 총 1장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
3681	2021-07-20 10시	12시	Lot ID: SKD0691 #2#5#6#9#10#12 목적: PA Depo 공정 SiN 1000Å증착 총 6장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
3682	2021-07-20 14시	16시	glass 기판 4장에 PECVD로 SiO2 155nm증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	102,000원
3683	2021-07-21 11시	12시	SD21Y07M-NHOLE : SiNx 2000A IDP32017-NH :SiNx 1600A	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	600,000원
3684	2021-07-23 9시	11시	100nm 2ea 300nm 2ea	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	432,000원
3685	2021-07-26 10시	12시	{나노융합기반 고도화사업} Lot ID:Module 목적: SiN 박막 조건 split test 용 총 2장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	200,000원
3686	2021-07-26 16시	17시	노준석 교수님 연구실 김경태 학생입니다. PECVD 직접 사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	255,000원
3687	2021-07-27 13시	15시	SiN 박막 증착 (1500 Angstrom)	한국전자통신연구원	양자광학연구실	문기원	120,000원
3688	2021-07-27 15시	16시	없음	포항공과대학교	화학공학과	최신영	108,000원
3689	2021-07-27 16시	17시	SiNx 두께 및 공정조건은 샘플 송부시 메모 남겨드리겠습니다.	한양대학교	에너지공학과	오종규	120,000원
3690	2021-07-29 9시	13시	pe-oxide 2um	싸니코전자(주)	개발팀	최주헌	1,200,000원
3691	2021-07-31 17시	22시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. a-Si:H를 직접 쌓도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	595,000원
3692	2021-08-02 10시	12시	{나노융합기반 고도화 사업} Lot ID: Module 목적: CAP WF hard mask test용 총 2장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	200,000원
3693	2021-08-03 11시	12시	나노융합기반고도화사업 pe-oxide 3000a	주식회사 엔포마레	사업총괄	성재석	120,000원
3694	2021-08-04 10시	13시	나노융합기반고도화사업 과제 사용 pe-nitride 5k 5ea	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	600,000원
3695	2021-08-04 14시	15시	SD21Y08M-MI SiNx 2000A	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	500,000원
3696	2021-08-04 15시	16시	SiO2 100 nm 증착 의뢰드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3697	2021-08-04 16시	18시	{나노융합기반 고도화사업} Lot: Module 목적: CA hard mask SiN 증착 2000A Test 용 총 2장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	100,000원
3698	2021-08-05 16시	17시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다. PECVD 직접 사용 요청드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	85,000원
3699	2021-08-05 9시	14시	SBD02 Run_Thinfilm_Oxide Depo [4.0021851.01]	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	960,000원
3700	2021-08-06 15시	16시	안녕하세요. SOI wafer 조각 8조각에 대하여 PECVD a-Si:H 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 표준 공정으로 진행 부탁드립니다. 표준공정이 (300도, 25mTorr)가 아니라면, 표준 공정 조건도 알려주시면 감사드리겠습니다. 해당 샘플은 SOI 위에 SiO2, WO3 증착한 샘플입니다. 감사합니다.	한국과학기술원	전기 및 전자 공학부	박승우	120,000원
3701	2021-08-06 16시	17시	SiO2 박막 100 nm 증착 의뢰 드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3702	2021-08-07 13시	17시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. a-Si:H 증착을 위해 6회 이용하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	510,000원
3703	2021-08-07 20시	22시	노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. PECVD 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	340,000원
3704	2021-08-09 10시	12시	{나노융합기반 고도화사업} Lot ID: Module 목적: SH 공정 SiN depo test용 총 6장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	600,000원
3705	2021-08-09 13시	14시	{나노융합기반 고도화사업} Lot ID: Module 목적: SH공정 SIN 증착 test용 총 2장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	200,000원
3706	2021-08-09 19시	21시	노준석 교수님 연구실 김경태 학생입니다. PECVD 직접 사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	255,000원
3707	2021-08-10 14시	15시	SD21Y07M-CONT SiNx500A	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	300,000원
3708	2021-08-10 15시	17시	안녕하세요 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. PECVD 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	255,000원
3709	2021-08-10 9시	10시	나노융합기반고도화사업 과제 사용 pe-oxide depo. 2회 진행	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	240,000원
3710	2021-08-11 11시	12시	SiO2 박막 300 nm 증착 의뢰 드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3711	2021-08-11 13시	15시	{나노융합기반 고도화사업} Lot ID: Module 목적: SH 공정 SiN 증착 3000A Test용 총 5장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	500,000원
3712	2021-08-11 9시	11시	SiO2 200nm 저온에서 증착 요청드립니다. 일부는 100도, 일부는 150도에서 공정 부탁드립니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	임세미	216,000원
3713	2021-08-12 10시	11시	안녕하세요, 김주훈입니다. 직접사용신청 드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	102,000원
3714	2021-08-12 17시	18시	자세한 샘플 내용은 샘플 송부시 메모로 보내드리겠습니다.	한양대학교	에너지공학과	오종규	120,000원
3715	2021-08-13 10시	12시	Lot ID: SKD0691C #14~#18 목적: SH 공정 SiN 증착 총 5장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
3716	2021-08-14 13시	18시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. a-Si:H 1um 두께를 4회 증착하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	680,000원
3717	2021-08-14 14시	16시	Lot ID: SKD0691D #20~#25 목적: SH공정 SiN 증착 총 6장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
3718	2021-08-17 16시	17시	SiO2 100 nm 증착 의뢰 입니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3719	2021-08-18 14시	15시	SiO2 100 nm 박막 증착 의뢰 드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3720	2021-08-18 19시	21시	포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. PECVD 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	425,000원
3721	2021-08-19 13시	14시	안녕하세요. SiO2 200nm를 250도에서 증착 희망합니다. 문의사항 있으시면 유선(010-2606-7278)으로 연락 부탁드립니다. 감사합니다. ALD 공정 의뢰하는 샘플과 같은 트레이에 담겨 있는데, 표시된 대로 윗 줄의 네 개 샘플은 ALD, 아랫줄의 11개 샘플은 PECVD 공정 부탁드립니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	임세미	108,000원
3722	2021-08-19 14시	15시	SiO2 300 nm 증착의뢰 요청 드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3723	2021-08-20 10시	12시	안녕하세요, SOI wafer 조각 3조각에 대하여 PECVD a-Si:H 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 표준 공정 (300도, 25mTorr)로 알고 있습니다만 아니라면 표준공정 조건 알려주시면 감사드리겠습니다. 해당 샘플은 SOI 외에 SiO2, WO3 증착한 샘플입니다. 감사합니다.	한국과학기술원	전기및전자공학부	김동훈	120,000원
3724	2021-08-20 13시	14시	SD21Y08M-NHOLE SiNx 2100A	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	400,000원
3725	2021-08-20 15시	16시	나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업 전자과 최원영 (010.5436.2518)	포항공과대학교	전자전기공학과	이정수	300,000원
3726	2021-08-23 11시	12시	나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업 전자과 최원영 (010.5436.2518) Ag 증착되어있음	포항공과대학교	전자전기공학과	이정수	200,000원
3727	2021-08-23 9시	11시	안녕하세요 선생님. SiO2 100nm 공정 의뢰드리고 싶습니다. 샘플 트레이에 표기된 대로, 세 샘플(2\'\' inch 1/4 + 조각시편 2개)은 100\'C에서, 네 샘플 (2\'\' inch 1/4 + 조각시편 3개)는 250\'C에서 공정 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	임세미	216,000원
3728	2021-08-24 10시	11시	나노융합기반고도화사업 과제 사용 pe-oxide depo. 1회 진행	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	120,000원
3729	2021-08-24 13시	15시	안녕하세요. SOI wafer 조각 10조각에 대하여 PECVD a-Si:H 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 표준 공정(300도, 25mTorr)로 알고있습니다만 아니라면 표준공정 조건 알려주시며 ㄴ감사드리겠습니다. 해당 샘플은 SOI 외에 SiO2, WO3 증착한 샘플입니다. 감사합니다.	한국과학기술원	전기및전자공학부	김동훈	120,000원
3730	2021-08-25 10시	12시	노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. PECVD a-Si:H (T300) 480nm 증착 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	102,000원
3731	2021-08-25 11시	17시	pe-nitride depo.	(주)유우일렉트로닉스	TIS생산사업부	김도현	6,000,000원
3732	2021-08-25 16시	18시	PECVD로 SiO2 140nm증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	102,000원
3733	2021-08-26 10시	11시	6개의 글래스 조각 샘플 (2cm*2cm)에 amophous silicon 130 nm 증착해주세요. (a-Si:H T200 130nm) 샘플은 1층의 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	정헌영	102,000원
3734	2021-08-26 11시	12시	안녕하세요, 김주훈입니다. PECVD 직접 이용 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	85,000원
3735	2021-08-26 13시	14시	안녕하세요, 김주훈입니다. glass 기판에 sin 70nm 쌓여진 샘플 8개 140 nm 쌓인 샘플 8개 맡겨드립니다. 쌓는 물질은 a-Si:H T300으로 140 160 180 200 쌓아주시면 됩니다. 각 두께당 sin70nm 샘플 2개 140nm 샘플 2개 기판에 쌓아주시면 감사하겠습니다. sin 70 샘플과 140 샘플이 섞이지 않도록 주의 부탁드리며, a-Si:H의 두께는 정확할수록 좋습니다. 항상 감사드립니다!!	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	408,000원
3736	2021-08-27 10시	16시	대구카톨릭대학교 반도체 공정실습 교육	나노융합기술원	교육홍보팀	김동기	700,000원
3737	2021-08-27 11시	12시	6inch SiNx 3000A	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	100,000원
3738	2021-08-27 13시	14시	녕하세요. SOI wafer 조각 5조각에 대하여 PECVD a-Si:H 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 표준 공정(300도, 25mTorr)로 알고있습니다만 아니라면 표준공정 조건 알려주시면 감사드리겠습니다. 해당 샘플은 SOI 외에 SiO2, WO3 증착한 샘플입니다. 감사합니다	한국과학기술원	전기및전자공학부	김동훈	120,000원
3739	2021-08-30 11시	12시	SiO2 100 nm 증착 의뢰 드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3740	2021-08-31 11시	12시	SiO2 100 nm 증착 의뢰 드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3741	2021-08-31 14시	16시	Lot ID: SKD0691 #3#7#8 목적: PA 공정 SiN 1000Å 증착 총 3장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
3742	2021-09-01 10시	18시	안녕하세요. 경희대학교 이은주입니다. (bottom) 기판 / SiO2/ ITO/ SU-8 (top) 이 증착되어 있습니다. (a-Si 25 nm - SiO2 75 nm - a-Si 50 nm - SiO2 75 nm - a-Si 50 nm - SiO2 75 nm - a-Si 25 nm) 순으로 기판에 증착하려고 합니다.) 자세한 내용은 메일로 연락드리려고 합니다. 감사합니다.	경희대학교	물리학과	이은주	840,000원
3743	2021-09-02 10시	11시	SiO2 300 nm 증착 의뢰드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3744	2021-09-02 12시	14시	4\\\" Ge wafer 4매 PECVD SiO2 100nm 증착 나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업, 전자과 이동훈(010.6763.7749)	포항공과대학교	전자전기공학과	이정수	400,000원
3745	2021-09-03 13시	15시	metal shadow mask/Sapphire substrates/캡톤테잎 2ea SiO2 40nm 1ea, SiN 40nm 1ea 2 건 의뢰 드립니다.	포스텍	신소재공학과	진강태	216,000원
3746	2021-09-03 16시	18시	pe-ox 2um 3ea	싸니코전자(주)	개발팀	최주헌	720,000원
3747	2021-09-03 16시	18시	안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 석박통합과정 성준화 학생입니다. PECVD 직접사용 요청드립니다! (Si3N4와 a-Si:H 증착 예정) 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	255,000원
3748	2021-09-04 19시	21시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. 4inch 유리 기판에 a-Si:H를 20nm 증착하겠습니다. 직접사용하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	85,000원
3749	2021-09-06 10시	11시	SiO2 100 nm 증착의뢰 드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3750	2021-09-06 13시	14시	0-2-1 0 Fab-In Pre Cleaning W/S_Acid SPM 120C 10min 0-2-2 0 Fab-In Pre Cleaning W/S_Acid 100:1 DHF 1min 0-2-3 0 Fab_In Pre Cleaning W/S_Acid TMAH 25% 90C 5min 1-1-1 Trench Mask Depo PE_Ox Depo PECVD1 1um	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	150,000원
3751	2021-09-06 15시	16시	나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업 전자과 최원영 (010.5436.2518) PR 증착 돼있음. 25도 저온 에서 SiO2 증착 예정	포항공과대학교	전자전기공학과	이정수	100,000원
3752	2021-09-07 10시	11시	SiO2 100 nm 박막 증착 의뢰드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3753	2021-09-07 11시	12시	[나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업] 전자과 최원영 (010.5436.2518) 25도 에서 SiO2 증착 예정입니다	포항공과대학교	전자전기공학과	이정수	100,000원
3754	2021-09-07 14시	15시	2-1-1 PAD Open Insulation Depo PE_Oxide Depo PECVD-1 5000A depo	(주)센텍코리아	기술연구소	강진현	240,000원
3755	2021-09-07 14시	16시	8/30 polymer SIO 박막 증착건(두께 약 50 nm)	포항공과대학교	기계공학과	김성현	216,000원
3756	2021-09-07 15시	16시	6개의 글래스 조각 샘플 (2cm*2cm)에 amophous silicon 130 nm 증착해주세요. (a-Si:H T200 130nm) 샘플은 1층의 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	정헌영	102,000원
3757	2021-09-07 9시	16시	pe-nitride depo.	(주)유우일렉트로닉스	TIS생산사업부	김도현	6,000,000원
3758	2021-09-08 14시	16시	안녕하십니까, 노준석 교수님 연구실의 김경태 입니다. Si PECVD 직접 증착 요청 드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	255,000원
3759	2021-09-09 10시	11시	SiO2 100 nm 증착 의뢰 드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3760	2021-09-09 15시	16시	a-Si:H recipe로 600nm증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	204,000원
3761	2021-09-10 11시	12시	나노융합기반고도화사업 과제 사용 pe-oxide depo. 4회 진행	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	480,000원
3762	2021-09-10 15시	17시	4-1-4 ACT.AREA Active Area Oxid PE-Ox Depo PECVD-1 300C 8000A	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	384,000원
3763	2021-09-12 14시	15시	나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업 전자과 최원영 (010.5436.2518)	포항공과대학교	전자전기공학과	이정수	200,000원
3764	2021-09-13 10시	12시	a-Si:H T300 recipe로 700nm증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	204,000원
3765	2021-09-13 14시	16시	SiNx 2000 Angstrom 증착	한국전자통신연구원	양자광학연구실	문기원	120,000원
3766	2021-09-14 10시	14시	SiC Trench Test 1.5(TT1.5) Lot_Thinfilm 공정 All	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	1,440,000원
3767	2021-09-15 15시	17시	Lot ID: SKD0691C #15#16#18 목적: OHO공정 SiN 증착 500Å 총 3장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
3768	2021-09-15 19시	20시	pe-nitride depo. 4회 진행 (긴급공정 30% 추가)	템퍼스	생산기술팀	서영민	384,000원
3769	2021-09-16 10시	12시	Lot ID: SKD0691D #20#21#23#24 목적: OHO공정 SiN 증착 500Å 총 4장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
3770	2021-09-17 13시	15시	- 웨이퍼: 식각된 2인치 InP-InGaAsP 1장 - 공정: (BMR장비) SiN 2500A 증착 (증착 온도 250도 이하)	한국전자통신연구원	ICT소재푸붐연구소	안신모	120,000원
3771	2021-09-23 10시	12시	5-1-5 Gate PE_ox Depo PECVD-1 300C 470A 4ea	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	384,000원
3772	2021-09-23 24시	1시	노준석 교수님 연구실 김경태입니다. a-Si PECVD 직접 사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	85,000원
3773	2021-09-24 11시	12시	Ox 3000A depo	주식회사 엔포마레	사업총괄	성재석	120,000원
3774	2021-09-24 13시	18시	1] 공정온도 50도, SiO2 40 나노 증착 2] 공정온도 100도, SiO2 40 나노 증착 3] 공정온도 150도, SiO2 40 나노 증착	포스텍	신소재공학과	진강태	324,000원
3775	2021-09-27 10시	12시	나노융합기반고도화사업 과제 사용 pe-ntride 1.2um 25ea pe-ntride 100nm 6ea	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	3,720,000원
3776	2021-09-27 13시	14시	SD21Y08M-CONT SiNx 500A	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	400,000원
3777	2021-09-28 11시	17시	pe-nitride depo. 30ea	한국전자통신연구원	광인터넷부품연구실	김덕준	3,600,000원
3778	2021-09-29 13시	15시	Wafer Condition Oxide 2um+Poly-Si 1um(Phos. doped+Annealing) 공정 조건 PECVD Oxide(SiO2), Target : 3um Deposition	싸니코전자(주)	개발팀	최주헌	1,080,000원
3779	2021-10-03 15시	16시	안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. Glass 기판 PECVD 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	85,000원
3780	2021-10-05 17시	19시	안녕하세요 SOI wafer 조각 40조각에 대하여, PECVD a-Si:H 30nm,40nm,50nm,60nm,70nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. (두께 별 8조각) 표준 공정(300도, 25mTorr)로 알고 있습니다만 아니라면 표준공정 조건도 알려주시면 감사드리겠습니다. 해당 샘플은 SOI 외에 SiO2, WO3 증착한 샘플입니다. 감사합니다.	한국과학기술원	전기 및 전자 공학부	박승우	600,000원
3781	2021-10-07 18시	19시	안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. 4inch wafer에 a-Si:H 500nm 정도를 증착하려 합니다. PECVD 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	85,000원
3782	2021-10-07 9시	17시	pe-nitride depo.	(주)유우일렉트로닉스	TIS생산사업부	김도현	6,000,000원
3783	2021-10-08 10시	13시	PECVD Oxide 3um deposition	싸니코전자(주)	개발팀	최주헌	720,000원
3784	2021-10-14 13시	15시	sio2 형성	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	340,000원
3785	2021-10-14 16시	17시	400nm SiO2 증착	포항공과대학교	화학공학과	최신영	108,000원
3786	2021-10-15 10시	11시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. 4inch wafer 1장에 SiO2 60 nm 증착 부탁드립니다. SiO2 60 nm 증착후, ALD로 TiN 50 nm 추가 증착 부탁드립니다. 시편은 오늘(10/14) 12시까지 시편보관함 안에 넣어두겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	102,000원
3787	2021-10-15 17시	18시	v	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	85,000원
3788	2021-10-18 15시	16시	안녕하세요. SiO2 증착(250도에서 500nm) 의뢰 드리고 싶습니다. 문의 사항 있으시면 유선 (010-2606-7278)으로 연락 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	임세미	108,000원
3789	2021-10-18 16시	18시	3-1-1 P+ Sheet Off Insulation Oxide-Depo PECVD-1 2000A depo	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	432,000원
3790	2021-10-19 10시	12시	{나노융합기반 고도화사업} Lot ID: Module 목적: SiN 3000Å depo test용 총 2장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	200,000원
3791	2021-10-19 13시	14시	SiNx 2000 dummy 8inch 1매	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	100,000원
3792	2021-10-19 14시	15시	SD21Y07M-SENS SiNx 10nm	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	200,000원
3793	2021-10-19 8시	9시	나노융합기반고도화사업 과제 사용 sin 1000A 75C 4회 진행	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	480,000원
3794	2021-10-20 15시	16시	6-1-2 field oxide depo. 4+1(dummy)	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	515,000원
3795	2021-10-20 9시	15시	a-Si 25 nm - SiO2 75 nm - a-Si 50 nm - SiO2 75 nm - a-Si 50 nm - SiO2 75 nm - a-Si 25 nm 순서로 증착하려고 합니다. ejlee0911@khu.ac.kr로 다시 메일 보내드리겠습니다.	경희대학교	물리학과	이은주	840,000원
3796	2021-10-21 10시	19시	8인치 실리콘 웨이퍼에 a-Si 500nm, 1um, 2um, 3um 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	1,326,000원
3797	2021-10-21 9시	10시	안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. 메타렌즈 샘플이 올려진 glass 기판입니다. 위에 SiO2 200nm 증착 요청드립니다. 항상 감사드립니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	102,000원
3798	2021-10-21 9시	10시	Lot ID: SKD0691 목적: OHO 공정 SiN depo 총 2장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
3799	2021-10-22 13시	15시	안녕하세요 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. PECVD 직접사용 요청드립니다. LN기판에 si3n4, a-si:H 증착 예정입니다. 감사드립니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	340,000원
3800	2021-10-22 9시	10시	PECVD로 SiO2 증착 (250도에서 500nm) 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	임세미	108,000원
3801	2021-10-27 19시	20시	T200 a-Si 박막 증창	포항공과대학교	기계공학과	오동교	85,000원
3802	2021-10-28 10시	11시	Lot ID: SKD0691C/D 목적: PA 공정 SiNx 증착 1000Å 총 6장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
3803	2021-10-29 11시	12시	나노융합기반고도화사업 과제 사용 pe-oxide 12nm 120nm 2회 진행	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	240,000원
3804	2021-10-29 14시	16시	GaN 기반 LED 에피 구조위에 metal electrode가 올라간 조각샘플 3개와 2인치 DSP 한장 입니다. SiO2 200nm (250도) 증착 부탁드립니다. 급한 샘플이여서, 내일 꼭 샘플 받고싶습니다. 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	108,000원
3805	2021-11-01 12시	13시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. 유리기판에 a-Si:H를 100 nm 증착하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	765,000원
3806	2021-11-01 13시	15시	{나노융합기반 고도화사업} Lot ID: Module 목적: VW dummy test용 SiNx depo 3장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	300,000원
3807	2021-11-01 22시	23시	a-Si 직접 증착 요청드립니다. 감사합니다. 9000a depo.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	170,000원
3808	2021-11-01 9시	10시	AlGaN, GaN wafer입니다. SiO2 증착 (250\'C에서 500nm) 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	임세미	108,000원
3809	2021-11-02 13시	15시	공정온도 100도, SiO2 40나노 증착	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	조현제	108,000원
3810	2021-11-03 10시	11시	a-Si 100 nm 증착 부탁드립니다! 늘 감사드립니다 선생님!	포항공과대학교	화학공학과	고명철	108,000원
3811	2021-11-03 12시	14시	LCD유리기판 상에 무기박막 증착을 요청 드림. 증착은 총 2층이며, LCD유리기판상에 SiNx 500A증착 후 a-Si 500A증착을 요청 드림 기재: LCD Glass 0.5T 증착 1: SiNx 500A @ 350oC 공정 증착 2: a-Si 500A @ 350oC 공정 우선, 조건 검토를 위해 초기 조건검토 용 샘플 증착을 몇 장 정도 진행 후 당사에서 후속공정을 진행하여 크게 문제가 없을 경우 최종적으로 샘플제작을 요청 할 에정. a-si 500A 350C 2ea a-si 500A 350C 65Torr 2ea Nitride 500A + a-si 500A 350C 2ea	SK이노베이션	환경기술원	윤철민	480,000원
3812	2021-11-03 18시	20시	안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. aSiH T400에서 100nm 증착 예정입니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	85,000원
3813	2021-11-05 14시	15시	SiNx 2000A Deposition @50C	한국전자통신연구원	광통신부품연구실	박상호	360,000원
3814	2021-11-05 16시	17시	SD21Y10M-MI SiNx 2000A	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	300,000원
3815	2021-11-08 13시	14시	4\\\" Ge wafer 4매 SiO2 100nm 증착 [나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업], 전자과 이동훈(010.6763.7749)	포항공과대학교	전자전기공학과	이정수	384,000원
3816	2021-11-08 13시	15시	Wafer condition : PECVD Oxide 5um Process condition: Si3N4 1.5 um depo.	싸니코전자(주)	개발팀	최주헌	270,000원
3817	2021-11-09 9시	11시	SiO2 2um 증착	한국산업기술대학교	나노반도체공학과	김창규	480,000원
3818	2021-11-10 10시	16시	pe-nitride depo.	(주)유우일렉트로닉스	TIS생산사업부	김도현	6,000,000원
3819	2021-11-10 10시	12시	pe-nitirde 1.5um 3ea	싸니코전자(주)	개발팀	최주헌	750,000원
3820	2021-11-10 9시	10시	나노융합기반고도화사업 과제 사용 pe-oxide depo. 120nm / 12nm	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	270,000원
3821	2021-11-11 13시	15시	ETRI 와 같은 조건 , 230도 hard 한 조건	한국원자력연구원	생산	남상승	120,000원
3822	2021-11-11 15시	16시	Lot ID: SKD0691 D#22 목적: OHO 공정 SINx 500Å 증착 총 1장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
3823	2021-11-16 15시	16시	둘다 두께 5000 옴스트롱으로 증착해주세요	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이주원	216,000원
3824	2021-11-16 15시	17시	a-si 700 nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	고병수	170,000원
3825	2021-11-17 13시	15시	LED 에피 웨이퍼위에 메탈 컨택 증착되어있는 기판입니다. 지난번과 동일하게 250도에서 SiO2 200nm 증착 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	0원
3826	2021-11-17 19시	20시	a-Si 700 nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	고병수	170,000원
3827	2021-11-18 16시	18시	SiN 5000A 증착 @ 250C 25000A depo. 2ea	한국전자통신연구원	RF/전력부품연구실	민병규	240,000원
3828	2021-11-18 19시	20시	안녕하세요 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. aSiH 2회(260, 90 nm), Si3n4(40nm) ,SiO2(15nm) 1회 증착 예정입니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	340,000원
3829	2021-11-19 14시	15시	a-Si 증착	포항공과대학교	기계공학과	김재경	85,000원
3830	2021-11-19 16시	17시	LED 에피 웨이퍼위에 메탈 컨택 증착되어있는 기판입니다. 지난번과 동일하게 250도에서 SiO2 200nm 증착 부탁드립니다. 잘 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	108,000원
3831	2021-11-19 9시	11시	AlGaN, GaN wafer 입니다. SiO2 증착 (250\'C에서 500nm) 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	임세미	108,000원
3832	2021-11-20 13시	14시	a-Si pecvd 증착	포항공과대학교	기계공학과	김재경	85,000원
3833	2021-11-23 14시	15시	SD21Y08M-PA wafer3,4(2매) SiNx 1500A	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	200,000원
3834	2021-11-24 10시	11시	SD21Y10M-NHOLE SiNx 2100A	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	300,000원
3835	2021-11-25 11시	15시	온도별로 (50C 70C 90C ) 3번 증착 하고 싶습니다. PMMA 패터닝 된 사파이어 조각위에 SiO2 증착부탁드립니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	조현제	324,000원
3836	2021-11-25 20시	21시	pe-oxide dpeo.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	255,000원
3837	2021-11-25 6시	10시	나노융합기반고도화사업 과제 사용 pe-nitride depo. 150nm 9ea 진행	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	1,080,000원
3838	2021-11-26 12시	13시	SiN 2-4nm 증착 부탁드립니다. 샘플 표면 처리 후에 최대한 빠른 passivation이 필요하여, 오전 중에 증착해 주시면 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김자원	108,000원
3839	2021-11-26 14시	15시	a-Si 증착	포항공과대학교	기계공학과	김재경	85,000원
3840	2021-11-29 14시	15시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다. PECVD a-Si:H 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	85,000원
3841	2021-12-01 12시	13시	4인치 SOI 웨이퍼 2매에 대해서 Si3N4 박막 300 nm 증착하려고 합니다. roughness가 안좋은 면이 handle layer이며, 증착할 2매의 웨이퍼는 따로 분리해놓았습니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김영신	216,000원
3842	2021-12-01 15시	18시	Nitride 증착(2000Å)	아주대학교	광전자재료연구실	김운정	750,000원
3843	2021-12-02 15시	16시	나노융합기반고도화사업 과제 사용 pe-oxide depo.. 12nm, 120nm 2ea 진행	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	240,000원
3844	2021-12-02 15시	16시	a-Si:H 증착 700nm depo.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	170,000원
3845	2021-12-02 19시	20시	PECVD 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	170,000원
3846	2021-12-06 9시	11시	250도 SiN 2500A 증착	한국전자통신연구원	RF/전력부품연구실	장이산	120,000원
3847	2021-12-07 10시	11시	안녕하세요 선생님 amorphous Si 130 nm 증착 부탁 드립니다. 공정 완료 후 카톡 부 탁드리겠습니다. 감사드립니다!	포항공과대학교	화학공학과	고명철	108,000원
3848	2021-12-09 10시	11시	SiO2 100 nm 의뢰 요청드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3849	2021-12-09 11시	19시	나노융합기반고도화사업 SiO2 4um 5ea	(주)에코넷코리아	기획부서	(주)에코넷코리아	2,400,000원
3850	2021-12-10 11시	17시	pe-nitride depo.	(주)유우일렉트로닉스	TIS생산사업부	김도현	6,000,000원
3851	2021-12-13 10시	11시	SiO2 박막 100 nm 증착 의뢰 드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3852	2021-12-13 12시	13시	1-1-1 Electrode Insulator SiO Depo PE Oxide 3000A	주식회사 엔포마레	사업총괄	성재석	169,000원
3853	2021-12-14 10시	12시	Lot ID: KA16722 목적: SH 공정 SiNx 3000Å depo 총 1장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
3854	2021-12-14 15시	17시	2-1-1 sio2 insulator oxide depo. 4000a depo.	삼성전자	Display Innovation Lab.	이근식	360,000원
3855	2021-12-15 14시	17시	photolithography로 PR 패터닝된 사파이어 기판입니다. 100도 에서 40nm SiO2 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	조현제	108,000원
3856	2021-12-15 17시	18시	Si O2 50nm 표면 코팅 100C 공정진행	포항공과대학교	기계공학과	김성현	157,000원
3857	2021-12-16 10시	11시	SiO2 300 nm 증착 의뢰 드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3858	2021-12-16 16시	17시	2-1-1 passi. open insulator sio depo.	주식회사 엔포마레	사업총괄	성재석	120,000원
3859	2021-12-17 13시	16시	Lot ID: KA16722 목적: SH공정 SiNx depo 총 8장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
3860	2021-12-18 19시	20시	안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. PECVD 직접사용 요청드립니다. a-Si:H 100nm 증착 예정입니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	85,000원
3861	2021-12-20 9시	18시	나노융합기반고도화 사업_공정 테스트	(주)에코넷코리아	기획부서	(주)에코넷코리아	2,400,000원
3862	2021-12-21 09시	10시	안녕하세요. SOI wafer 조각 17조각에 대하여 PECVD a-Si:H 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 표준 공정(300도, 25mTorr)로 알고있습니다만 아니라면 표준공정 조건 알려주시면 감사드리겠습니다. 해당 샘플은 SOI 외에 SiO2, WO3 증착한 샘플입니다. 추가로, 금일 유선으로 연락드린 것과 같이 해당 공정은 현재 비용 마감으로 인해 1월 31일에 결제 가능하도록 해주시면 감사하겠습니다. 감사합니다.	한국과학기술원	전기및전자공학부	서석호	120,000원
3863	2021-12-21 15시	16시	나노융합기반고도화사업 100A 200A 300A depo.	(주)에코넷코리아	기획부서	(주)에코넷코리아	360,000원
3864	2021-12-22 15시	16시	3-1-1 p+sheet off insulation 4ea	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	432,000원
3865	2021-12-22 15시	16시	Lot ID: Module 목적: VW depo용 SiNx 증착 test용 총 2장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	180,000원
3866	2021-12-23 10시	12시	Lot ID: Module 목적: VW test용 SiNx depo 총 2장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	180,000원
3867	2021-12-24 10시	12시	Lot ID: KA16722 목적: OHO공정 SiNx depo 총 6장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
3868	2021-12-24 14시	16시	나노융합기반고도화사업 과제 사용 pe-nitride 1000A 75C	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	1,200,000원
3869	2021-12-27 14시	15시	pe-oxide 80nm 200nm	한국표준과학연구원	수소에너지소재연구팀	김도정	240,000원
3870	2021-12-31 11시	13시	NINT 에서 Cr 200 nm 증착된 웨이퍼(#1~10) 중 6장(#1~6)만 진행 a-Si PECVD 200nm 증착 (차후 해당 웨이퍼 위에 Cr 50nm e-beam dep. 5ea 진행 예정)	애즈미(주)	기계공학과	송주권	720,000원
3871	2021-12-31 14시	15시	SiO2 박막 100 nm 증착 의뢰 드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3872	2022-01-03 13시	14시	50도에서 oxide 5 nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	최원영	80,000원
3873	2022-01-04 13시	15시	pe-nitride depo. 5ea	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	600,000원
3874	2022-01-04 14시	15시	SiO2 100 nm 증착 의뢰 드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3875	2022-01-04 15시	16시	안녕하세요 SOI wafer 조각 5조각에 대하여 PECVD a-Si:H 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 표준 공정 (300\'C, 25mTorr)으로 부탁드립니다. (아니라면 표준 공정 조건을 알려주시면 감사드리겠습니다.) 해당 샘플은 SOI 위에 SiO2, WO3 증착한 샘플입니다. 감사합니다.	한국과학기술원	전기 및 전자 공학부	박승우	120,000원
3876	2022-01-04 16시	18시	3-1-1 SiO2 Insulator Oxide Depo 4000A	삼성전자	Display Innovation Lab.	이근식	360,000원
3877	2022-01-06 14시	15시	4inch wafer 2장 SiN 2500A 250도 상에서 증착	한국전자통신연구원	RF/전력부품연구실	장이산	240,000원
3878	2022-01-06 16시	17시	Sample 3개중 2개는 SiO2 50 nm 1개는 SiO2 75 nm 증착 의뢰드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	216,000원
3879	2022-01-07 10시	11시	50도에서 sio2 100nm 증착	포항공과대학교	전자전기공학과	최원영	80,000원
3880	2022-01-07 9시	10시	PECVD SiO2 100 nm (250도) 증착 의뢰합니다. 만약 로딩할 척의 공간이 부족하다면 2인치 DSP 한장은 제외하고 나머지 증착부탁드립니다. DSP의 글씨가 쓰여진 부분이 뒷면입니다. 잘 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	108,000원
3881	2022-01-12 13시	13시	두께 2000 angstrom (200 nm)	한국전자통신연구원	양자광학연구실	문기원	240,000원
3882	2022-01-13 14시	15시	SiO2 박막 300 nm 증착 의뢰 드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	박영준	108,000원
3883	2022-01-13 17시	18시	LOT ID: KA16722B 목적: PA공정 SiNx Depo 총 6장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
3884	2022-01-13 19시	23시	안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님실험실 양영환입니다. PECVD로 SiO2 위에 a-Si:H를 7회 증착하도록 하겠습니다. 직접 사용하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	595,000원
3885	2022-01-15 13시	17시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. Glass 기판 위에 a-Si:H를 8회 증착하도록 하겠습니다 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	680,000원
3886	2022-01-16 13시	18시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. Glass 기판 위에 a-Si:H를 8회 증착하도록 하겠습니다 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	680,000원
3887	2022-01-17 10시	12시	SiN 2500A 증착 막질 테스트	한국전자통신연구원	RF/전력부품연구실	장이산	240,000원
3888	2022-01-17 13시	14시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다. PECVD a-Si:H 270nm 증착 요청드립니다. 두께는 +- 5nm 이내였으면 좋겠고, 그런 샘플들은 표시 부탁드립니다. 항상 감사드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	102,000원
3889	2022-01-17 9시	10시	PECVD SiO2 200 nm (250도) 증착 의뢰합니다. 만약 로딩할 척의 공간이 부족하다면 2인치 DSP 한장은 제외하고 나머지 증착부탁드립니다. DSP의 글씨가 쓰여진 부분이 뒷면입니다. 잘 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	108,000원
3890	2022-01-18 10시	11시	[21년도 전문인력양성] si02 3000A 증착 sin 3000A 증착	나노융합기술원	사업지원팀	21년도 전문인력 4조	0원
3891	2022-01-18 15시	18시	[21년도 전문인력양성 1조] pecvd 온도를 조절해 최적화 하려고 합니다.	나노융합기술원	사업지원팀	21년도 전문인력 1조	0원
3892	2022-01-18 16시	17시	tin-sio2-tin	포항공과대학교	기계공학과	양영환	102,000원
3893	2022-01-18 18시	19시	SiN 150C 1000A 1ea	템퍼스	생산기술팀	서영민	60,000원
3894	2022-01-18 19시	21시	안녕하세요. 포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다. PECVD 로 a-Si:H를 glass 기판위에 4회 증착하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	340,000원
3895	2022-01-19 10시	12시	[21년도 나노전문인력양성 고급실습교육] PE-Oxide 3000A Depo	나노융합기술원	사업지원팀	21년도_전문인력 6조	0원
3896	2022-01-19 15시	17시	[21년도 전문인력양성] si기판위 ti와 al을 증착한 후 pecvd를 이용하여 sio2 3000a와 sin3000a만큼 증착예정	나노융합기술원	사업지원팀	21년도 전문인력 4조	0원
3897	2022-01-19 19시	21시	PECVD 직접 사용 요청 드립니다. 감사합니다. 물질정보: a-Si (T200) 80nm	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	85,000원
3898	2022-01-20 10시	12시	[21년도 전문인력 양성] si 기판 ti 30nm al 300nm si02 300nm 증착된 웨이퍼 위 sin 300nm 증착예정입니다.	나노융합기술원	사업지원팀	21년도 전문인력 4조	0원
3899	2022-01-20 12시	13시	pecvd직접사용신청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	85,000원
3900	2022-01-20 14시	16시	안녕하세요. 메일로 전해드린 대로 공정 신청드립니다. 감사합니다. 성열헌 드림	포항공과대학교	물리학과	성열헌	270,000원
3901	2022-01-20 16시	18시	[21년도 전문인력 양성] si 기판 ti 30nm al 300nm 증착된 웨이퍼 위 si02 300nm 와 sin 300nm 증착예정입니다.	나노융합기술원	사업지원팀	21년도 전문인력 4조	0원
3902	2022-01-20 19시	22시	안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다 . PECVD를 이용해 a-Si:H를 glass위에 증착하겠으며, 직접사용하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	340,000원
3903	2022-01-21 14시	15시	[21년도 전문인력 양성] si 기판위 sin 100nm 증착 예정입니다.	나노융합기술원	사업지원팀	21년도 전문인력 4조	0원
3904	2022-01-21 15시	18시	LOT ID: KA16722D 목적: OHO공정 SiNx Depo 총 8장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
3905	2022-01-22 20시	24시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. PECVD를 통해 a-Si:H를 4회 증착하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	340,000원
3906	2022-01-24 10시	12시	일전에 메일보낸 전남대학교 류혜수 학생 연구원입니다. [샘플 정보] 크기 : 1/4 * 2 inch wafer 샘플 : n-type GaN 구조 : GaN nanorod (길이는 약 1000 nm, 직경 약 200 nm, 피치 약 1000 nm) 의뢰 : GaN nanorod의 상단 및 바닥면에 SiO2를 100 nm 증착을 하고 싶습니다. 샘플 2개를 택배로 보내었습니다. 각각 [100도], [200도]에서 SiO2를 증착해주시면 감사하겠습니다. sidewall에는 최대한 증착이 되지 않도록 하고 싶으며, 증착된 SiO2의 품질이 러프니스가 적으면 좋겠습니다.	전남대학교	화학공학과	류혜수	240,000원
3907	2022-01-24 10시	12시	전문인력 교육 1조 pe-cvd 온도 200도,150도 SiN 증착하고자 합니다.	나노융합기술원	사업지원팀	21년도 전문인력 1조	0원
3908	2022-01-24 15시	17시	LOT ID: KA16722E 목적: SH공정 SiNx 증착 총 9장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
3909	2022-01-25 10시	12시	[21년도 전문인력 양성] pecvd이용	나노융합기술원	사업지원팀	21년도 전문인력 1조	0원
3910	2022-01-26 14시	15시	SiO2 90 nm 증착할 예정입니다	포항공과대학교	전자전기공학과	임효경	108,000원
3911	2022-01-26 7시	9시	pe-nitride depo. 10ea	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	1,200,000원
3912	2022-01-27 14시	15시	안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 성준화입니다. PECVD 직접사용 요청드립니다. 증착은 a-SiH 260nm 공정 예정입니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	85,000원
3913	2022-01-27 19시	21시	Si3N4 PECVD 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	85,000원
3914	2022-01-31 13시	14시	안녕하세요. SOI wafer 조각에 대하여 5번에 나누어 PECVD a-Si:H 증착을 의뢰드리고자 합니다. 5개 트레이에 나누어서 포장하였고, 각 트레이마다 증착해야할 두께가 적혀져 있습니다. 증착 두께는 아래와 같습니다. 1번: 30nm (샘플 조각 5개, 더미 조각 1개) 2번: 40nm (샘플 조각 5개, 더미 조각 1개) 3번: 50nm (샘플 조각 7개, 더미 조각 1개) 4번: 60nm (샘플 조각 5개, 더미 조각 1개) 5번: 70nm (샘플 조각 5개, 더미 조각 1개) 표준 공정(300도, 25mTorr)로 알고있습니다만 아니라면 표준공정 조건 알려주시면 감사드리겠습니다. 해당 샘플은 SOI 외에 SiO2, WO3 증착한 샘플입니다. 추가로, 해당 공정은 현재 비용 마감으로 인해 1월 31일에 결제 가능하도록 해주시면 감사하겠습니다. 감사합니다	한국과학기술원	전기및전자공학부	서석호	600,000원
3915	2022-01-31 13시	14시	안녕하세요. SOI wafer 조각 9조각에 대하여 PECVD a-Si:H 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 표준 공정(300도, 25mTorr)로 알고있습니다만 아니라면 표준공정 조건 알려주시면 감사드리겠습니다. 해당 샘플은 SOI 외에 SiO2, WO3 증착한 샘플입니다. 추가로, 해당 공정은 현재 비용 마감으로 인해 1월 31일에 결제 가능하도록 해주시면 감사하겠습니다. 감사합니다	한국과학기술원	전기및전자공학부	서석호	120,000원
3916	2022-01-31 15시	16시	안녕하세요. SOI wafer 조각 9조각에 대하여 PECVD a-Si:H 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 표준 공정(300도, 25mTorr)로 알고있습니다만 아니라면 표준공정 조건 알려주시면 감사드리겠습니다. 해당 샘플은 SOI 외에 SiO2, WO3 증착한 샘플입니다. 추가로, 해당 공정은 현재 비용 마감으로 인해 1월 31일에 결제 가능하도록 해주시면 감사하겠습니다. 감사합니다	한국과학기술원	전기및전자공학부	서석호	120,000원
3917	2022-01-31 15시	16시	안녕하세요. SOI wafer 조각 11조각에 대하여 PECVD a-Si:H 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 표준 공정(300도, 25mTorr)로 알고있습니다만 아니라면 표준공정 조건 알려주시면 감사드리겠습니다. 해당 샘플은 SOI 외에 SiO2, WO3 증착한 샘플입니다. 추가로, 해당 공정은 현재 비용 마감으로 인해 1월 31일에 결제 가능하도록 해주시면 감사하겠습니다. 감사합니다	한국과학기술원	전기및전자공학부	서석호	120,000원
3918	2022-02-04 1시	2시	wafer 위에 acylate film (8 um) 코팅되어 있습니다. SiNx 5,000 옴스트롱 두께로 증착하고자 합니다 (조건- 온도 90도, film stress: compressive, -500 MPa) 먼저 의뢰 맡겼던 샘플과 견적서 보내주시길 부탁드립니다. 문의 및 요청사항 있을 시, 언제든지 연락주시면 감사드리겠습니다. 연락처: 010-7100-7430, 조성민	주식회사 동진쎄미켐	사업 1부 절연막팀	조성민	360,000원
3919	2022-02-04 2시	3시	웨이퍼 : Fused-silica wafer 6 inch. (double-side polished) 증착 물질 : hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) 증착 높이 : 500 nm (양면 모두)	서울대학교	광공학연구실	김영진	240,000원
3920	2022-02-08 14시	15시	안녕하세요. SOI wafer 조각 9조각에 대하여 PECVD a-Si:H 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 표준 공정(300도, 25mTorr)로 알고있습니다만 아니라면 표준공정 조건 알려주시면 감사드리겠습니다. 해당 샘플은 SOI 외에 SiO2, WO3 증착한 샘플입니다. 감사합니다	한국과학기술원	전기및전자공학부	서석호	120,000원
3921	2022-02-08 15시	18시	LOT ID: KA16723A 목적: SH 공정 SiN 증착 총 6장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
3922	2022-02-08 17시	18시	LOT ID: KA16722D 목적: PA공정 SiN 증착 총 3장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
3923	2022-02-09 14시	16시	LOT ID: KA16723A 목적: SH공정 SiN 증착 총 5장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
3924	2022-02-10 14시	15시	SiO2 90 nm 증착할 예정입니다	포항공과대학교	전자전기공학과	임효경	90,000원
3925	2022-02-10 8시	9시	a-Si (T200) PECVD 직접 사용 요청 드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	85,000원
3926	2022-02-11 9시	10시	안녕하세요. SOI wafer 조각에 대하여 5번에 나누어 PECVD a-Si:H 증착을 의뢰드리고자 합니다. 5개 트레이에 나누어서 포장하였고, 각 트레이마다 증착해야할 두께가 적혀져 있습니다. 증착 두께는 아래와 같습니다. 1번: 30nm (샘플 조각 5개) 2번: 40nm (샘플 조각 5개) 3번: 50nm (샘플 조각 8개) 4번: 60nm (샘플 조각 5개) 5번: 70nm (샘플 조각 5개) 표준 공정(300도, 25mTorr)로 알고있습니다만 아니라면 표준공정 조건 알려주시면 감사드리겠습니다. 해당 샘플은 SOI 외에 SiO2, WO3 증착한 샘플입니다. 감사합니다 *김동훈 연구원이 오전에 직접 방문 예정입니다.	한국과학기술원	전기및전자공학부	서석호	720,000원
3927	2022-02-16 10시	11시	a-si depo. 2회(기존, new)	한국과학기술원	전기및전자공학부	서석호	240,000원
3928	2022-02-16 10시	12시	LOT ID: KA16722E 목적: OHO공정 SiN 증착 총 9장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
3929	2022-02-16 12시	14시	SiO2 3um 증착 ( SPM 선행 )	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	408,000원
3930	2022-02-16 9시	11시	8인치 웨이퍼 3장 deposition 증착을 희망합니다. 1. E-beam evaporator로 Al(200nm 증착) (adhesion Ti 10nm) (3장 한꺼번에 1회) 2. 상기 공정 증착 웨이퍼에 PECVD a-Si 증착(65nm) 3장 (3회) 감사합니다.	애즈미(주)	기계공학과	송주권	360,000원
3931	2022-02-17 10시	11시	안녕하세요. SOI wafer 조각에 대해 PECVD a-Si:H 증착을 의뢰드리고자 합니다. 앞서 a-Si:H 50nm 증착 신청한 샘플과 같은 트레이에 있고, 50nm의 경우 3조각으로 수정 부탁드립니다. (승인이 이미 되어서 수정이 안되네요.. 30, 70nm 추가 신청하였습니다) 30nm (샘플 조각 3개) 70nm (샘플 조각 3개) 한 트레이에 9조각이 들어있고, 윗줄 3개 - 30nm, 중간 3개- 50nm, 아랫줄 3개- 70nm 로 증착 부탁드립니다. (트레이에 표기해 두었습니다) 표준 공정(300도, 25mTorr)로 알고있습니다만 아니라면 표준공정 조건 알려주시면 감사드리겠습니다. 해당 샘플은 SOI 외에 SiO2, WO3 증착한 샘플입니다. 감사합니다	한국과학기술원	전기및전자공학부	서석호	360,000원
3932	2022-02-18 14시	16시	LOT ID: KA16722D 목적: PA공정 SiN 증착 총 5장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
3933	2022-02-18 16시	17시	LOT ID: module 목적: TEST용 SiN증착 총 1장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	90,000원
3934	2022-02-18 19시	22시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. SiN 증착을 위해 직접사용하도록 하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	255,000원
3935	2022-02-19 15시	21시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. 직접사용하도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	425,000원
3936	2022-02-20 15시	21시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. 직접사용하도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	425,000원
3937	2022-02-21 13시	14시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다. Glass 기판에 a-Si:H 350nm 증착 부탁드립니다. 항상 감사드립니다!	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	102,000원
3938	2022-02-21 14시	18시	LOT ID: KA16723C 목적: SH공정 SiN 증착 총 13장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
3939	2022-02-21 18시	19시	LOT ID: module 목적: SiNx stress 측정 총 1장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	90,000원
3940	2022-02-22 10시	11시	Si O2 50nm 표면 코팅	포항공과대학교	기계공학과	김성현	108,000원
3941	2022-02-22 14시	15시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다. PECVD 직접이용 신청 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	102,000원
3942	2022-02-22 15시	16시	4개의 글래스 조각 샘플 (2cm*2cm)에 amophous silicon 130 nm 증착해주세요. (a-Si:H T200 130nm) 샘플은 1층의 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	정헌영	102,000원
3943	2022-02-22 20시	21시	4 인치 실리콘 웨이퍼 위에 1마이크로미터 가량의 SiO2의 산화막을 증착시키고자 합니다.	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	윤철현	90,000원
3944	2022-02-22 9시	13시	M01 2-1-1 sio2 depo. oxide depo. 4ea 3000A M02 1-1-1 insulator sio2 depo. oxide depo. 1ea 4000A M02 1-1-2 insulator sio2/sin depo. oxide depo. 2ea 1000A/4000A	서강대학교	전자공학과	이장우	840,000원
3945	2022-02-23 13시	15시	NINT 에서 Cr 200 nm 증착된 웨이퍼(#1~6) 전수 a-Si PECVD 200nm 증착 (차후 해당 웨이퍼 위에 Cr 60nm e-beam dep. 6ea 진행 예정)	애즈미(주)	기계공학과	송주권	720,000원
3946	2022-02-23 15시	16시	N2 Anneal 350c 600sec	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	120,000원
3947	2022-02-25 10시	11시	N2 Anneal 350c 1800+1800sec	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	480,000원
3948	2022-02-25 19시	22시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. 직접사용하도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	255,000원
3949	2022-02-26 13시	21시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. SiN 증착을 위해 직접 사용하도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	340,000원
3950	2022-02-27 14시	21시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. SiN 증착을 위해 직접사용하도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	340,000원
3951	2022-03-03 9시	10시	안녕하세요. SOI wafer 11조각에 대하여 PECVD a-Si:H 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. (트레이1 - 2조각, 트레이2 - 9조각) 표준 공정(300도, 25mTorr)로 알고있습니다만 아니라면 표준공정 조건 알려주시면 감사드리겠습니다. 해당 샘플은 SOI 외에 SiO2, WO3 증착한 샘플입니다. 감사합니다	한국과학기술원	전기및전자공학부	서석호	120,000원
3952	2022-03-05 8시	9시	PECVD 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	80,000원
3953	2022-03-07 11시	16시	LOT ID: KA16723A 목적: OHO공정 SiN 증착 총 11장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
3954	2022-03-07 13시	14시	SiO2 Depo	삼성디스플레이	선행제품연구팀	박후근	600,000원
3955	2022-03-11 14시	17시	LOT ID: KA16723C 목적: OHO 공정 SiNx 증착 총 13장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
3956	2022-03-13 14시	15시	a-Si (T200) 400nm, Si3N4 400nm PECVD 직접 사용 요청 드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	160,000원
3957	2022-03-14 13시	14시	안녕하세요. SOI wafer 조각에 대하여 3번에 나누어 PECVD a-Si:H 증착을 의뢰드리고자 합니다. 증착 두께는 트레이에 표기해 두었으며 아래와 같습니다. 1번: 30nm (샘플 조각 3개) 2번: 50nm (샘플 조각 3개) 3번: 70nm (샘플 조각 3개) 표준 공정(300도, 25mTorr)로 알고있습니다만 아니라면 표준공정 조건 알려주시면 감사드리겠습니다. 해당 샘플은 SOI 외에 SiO2, WO3 증착한 샘플입니다. 감사합니다	한국과학기술원	전기및전자공학부	서석호	360,000원
3958	2022-03-14 14시	16시	LOT ID: KA16722E 목적: PA공정 SiNx 증착 총 8장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
3959	2022-03-17 11시	14시	7-1-1 contact-1 insulation oxide depo.	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	450,000원
3960	2022-03-17 9시	11시	a-si 100nm depo.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	216,000원
3961	2022-03-18 17시	18시	PI tape로 masking한 glass wafer 2장 SiO2 1000 A 증착 부탁 드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	이원형	216,000원
3962	2022-03-21 9시	10시	SiO2 100nm/a-si 100nm	한국과학기술연구원	스핀융합연구단	김승환	299,000원
3963	2022-03-23 10시	11시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다. Si 증착 직접사용 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
3964	2022-03-24 15시	16시	2cm*2cm glass 기판 6개에 a-Si:H 700nm(T300, aSi R0 recipe 이용) 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	192,000원
3965	2022-03-24 9시	11시	NINT 에서 Cr 200 nm 증착된 웨이퍼(#1~6) 전수 a-Si PECVD 200nm 증착 (차후 해당 웨이퍼 위에 Cr 60nm e-beam dep. 6ea 진행 예정)	애즈미(주)	기계공학과	송주권	720,000원
3966	2022-03-24 9시	12시	a-Si 50nm 증착부탁드립니다. (wafer: 4inch SiO2/Si 기판)	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	이순형	216,000원
3967	2022-03-25 10시	15시	LOT ID: KA07079A 목적: SH공정 SiNx 증착 총 12장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
3968	2022-03-28 10시	16시	LOT ID: KA07079C 목적: SH공정 SiNx 증착 총 11장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
3969	2022-03-29 10시	15시	LOT ID: KA16723A, KA16722E 목적: PA공정 SiNx 증착 총 12장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
3970	2022-03-31 13시	15시	[연구기반 활용플러스 사업] 바우처 신청 건 8인치 실리콘 웨이퍼(12) SiO2 2um 증착	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	1,440,000원
3971	2022-04-01 09시	12시	LOT ID: Module 목적: SiNx stress test 총 6장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	720,000원
3972	2022-04-01 15시	16시	9개의 글래스 조각 샘플 (8mm*8mm)에 amophous silicon 130 nm 증착해주세요. (a-Si:H T200 130nm) 샘플은 1층의 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	정헌영	96,000원
3973	2022-04-01 9시	12시	[연구기반 활용플러스 사업] 바우처 신청 PECVD SiNx Stress test	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	720,000원
3974	2022-04-04 13시	14시	안녕하세요. SOI wafer 조각 7조각에 대하여 PECVD a-Si:H 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 표준 공정 (300도, 25mTorr)으로 진행 부탁드립니다. (표준 공정 조건이 아니라면, 조건을 알려주시면 감사드리겠습니다!) 해당 샘플은 SOI Wafer 위에 SiO2, WO3 증착한 샘플입니다. 감사합니다.	한국과학기술원	전기 및 전자 공학부	박승우	120,000원
3975	2022-04-04 16시	18시	wafer의 앞면 뒷면 모두 400nm의 a-Si:H 박막 증착을 요청합니다.	서울대학교	전기정보공학부	최태원	480,000원
3976	2022-04-08 10시	11시	SiO2 2um 증착	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	2,400,000원
3977	2022-04-08 11시	15시	LOT ID: KA16723C 목적: PA공정 SiN 증착 총 13장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
3978	2022-04-08 15시	18시	LOT ID: KA19735A 목적: SH 공정 SiN 증착 총 12장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
3979	2022-04-12 10시	11시	SiN stress test	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	600,000원
3980	2022-04-12 10시	12시	SiO2 Depo	삼성디스플레이	선행제품연구팀	박후근	600,000원
3981	2022-04-12 15시	16시	두께 편차는 괜찮으니, a-si 1um 증착해주시면 됩니다.	아주대학교	전자공학과	김기훈	240,000원
3982	2022-04-13 10시	11시	목적: SiN Stress test	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	600,000원
3983	2022-04-13 13시	15시	SD22Y04M_SiNx 2000A 증착	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	600,000원
3984	2022-04-13 16시	17시	물질: SiO2 두께: 40nm 공정온도: 150도 온도 상승시 천천히 가열 부탁드립니다. (ex 1분에 5도 정도) ------------- 100도 40nm 150도 40nm	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	조현제	216,000원
3985	2022-04-14 10시	17시	LOT ID: KA07079A(12ea), KA07079C(12ea) 목적: OHO공정 SiN 증착 총 24장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
3986	2022-04-18 16시	17시	목적: PECVD SiN stress test 총 4장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	480,000원
3987	2022-04-18 9시	10시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다. 2개 샘플 (각각 2cm*2cm 기판 8개 들어있습니다.) 공정 부탁드립니다. 1번 샘플의 경우에는, 1. a-Si:H 200nm 증착 (PECVD) 후, 2. Al 30 nm 증착 (E-beam evaporator) 2번 샘플의 경우에는, 1. a-Si:H 300nm 증착 (PECVD) 후, 2. Al 30 nm 증착 (E-beam evaporator) 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	192,000원
3988	2022-04-19 11시	16시	LOT ID: KA19735C 목적: SH공정 SiN 증착 총 12장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
3989	2022-04-19 14시	15시	pe-oxide 200nm 80c	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	0원
3990	2022-04-20 9시	16시	SiO2 2um 증착	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	900,000원
3991	2022-04-21 10시	11시	목적: SiN stress test	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	240,000원
3992	2022-04-21 9시	10시	SiO2 3000 A 증착 부탁 드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	이원형	216,000원
3993	2022-04-22 10시	11시	목적: PECVD SiN stress test	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	720,000원
3994	2022-04-27 10시	11시	2-1-1 SIO2 Insulator Oxide Depo PECVD-1 PE oxide 2000A	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	0원
3995	2022-04-27 11시	12시	실리콘 웨이퍼 위에 Au 스퍼터, Ni 구조물이 존재합니다.	포항공과대학교	기계공학과	이상엽	108,000원
3996	2022-04-27 16시	17시	안녕하세요 SOI wafer 조각 10조각에 대하여 PECVD a-Si:H 25nm 증착을 의뢰드리고자합니다. 표준 공정 (300\'C, 25mTorr)로 알고 있습니다만, 아니라면 표준 공정 조건 또한 알려주시면 감사드리겠습니다! 해당 샘플은 SOI외에 SiO2 25nm를 증착한 sample 입니다. 또한, 후속 공정이 급한 sample이여서, sample을 받고, 증착 후, 바로 택배로 보내주시면 정말 정말 감사드리겠습니다..! 감사합니다.	한국과학기술원	전기 및 전자 공학부	박승우	120,000원
3997	2022-04-28 19시	20시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다. PECVD 2회 직접사용신청 드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	160,000원
3998	2022-04-28 9시	11시	안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. 아래 순서처럼 Si 기판 위에 증착이 가능한지 궁금합니다. 1층: TiN 150 nm 스퍼터 증착 (4/26 신청해두었고, 이유정 담당자님께 답변 받았습니다.) 2층: SiO2 60 nm PECVD 증착 3층: TiN 50 nm 스퍼터 증착 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	96,000원
3999	2022-04-29 10시	11시	a-Si 600 nm 증착	서울대학교	전기정보공학부	장준혁	240,000원
4000	2022-04-30 13시	15시	안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환니다. PECVD를 활용하여 4inch 유리기판에 a-Si:H을 6회 증착하겠습니다. 직접이용하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	480,000원
4001	2022-05-02 14시	16시	InP wafer SiN/ 250도 / 3000A 증착	옵티시스주식회사	개발2팀	김성근	120,000원
4002	2022-05-03 11시	13시	a-Si 60 nm 증착 하고자 합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김동신	324,000원
4003	2022-05-03 16시	17시	PECVD SiN stress test	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	120,000원
4004	2022-05-04 14시	18시	LOT ID: KA19735C 목적: OHO 공정 SiN 증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4005	2022-05-06 13시	15시	LOT ID: KA07079A 목적: PA공정 SiN 증착 총 11장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4006	2022-05-06 9시	10시	PECVD 직접사용 요청 드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	80,000원
4007	2022-05-07 17시	22시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. a-Si:H를 4inch glass wafer 위에 5회 증착하도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	400,000원
4008	2022-05-09 13시	16시	LOT ID: KA19734A 목적: SH공정 SiN 증착 총 12장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4009	2022-05-09 16시	17시	Silicon wafer 표면에 hydroxygl group을 얻기 위해, 저온 산소 플라즈마를 진행하고자 합니다. 플라즈마 조건은 아래와 같습니다. (아래 논문에서 진행한 것과 동일 조건입니다.) RF power: 150W Pressure: 0.51Torr Oxygen flow: 100 SCCM Time: 10min [Ref. L. Cai et al. / Progress in Organic Coatings 102 (2017) 247–258]	포항공과대학교	화학과	홍유림	138,000원
4010	2022-05-09 9시	12시	LOT ID: KA19735A 목적: OHO공정 SiN 증착 총 12장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4011	2022-05-13 10시	11시	PECVD SiN stress test	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	360,000원
4012	2022-05-16 11시	13시	SD22Y05M-SiNx 2000A 증착	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	720,000원
4013	2022-05-16 13시	18시	a-si 공정 의뢰 및 평가 스플릿 사전에 유선으로 협의되어 장비 이용서는 공정 완료 후에 작성하게 되었습니다	삼성에스디아이(주)	전자재료	황원종	1,680,000원
4014	2022-05-17 14시	15시	NiOx 10nm 증착된 Ito coated glass입니다. NINT에서 NiOx증착 의뢰를 맡겨놓았기에, 황현주 담당자(054-279-0226)님께 샘플 전달받으면 될 듯합니다. a-si를 150nm로 2장, 300nm로 4장, 500nm로 2장, 700nm로 2장 증착해주세요. 케이스에 증착할 두께 써놓겠습니다.	아주대학교	전자공학과	김기훈	600,000원
4015	2022-05-17 15시	18시	LOT ID: KA0909C 목적: PA공정 SiN 증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4016	2022-05-17 16시	17시	한국나노마이스터고등학교 나노팹 기술교육 pe-oxide 100nm 4ea	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	504,000원
4017	2022-05-18 10시	12시	SiO2 1000A 증착	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	360,000원
4018	2022-05-18 14시	15시	InP wafer SiN / 150도 / 1000A 증착	옵티시스주식회사	개발2팀	김성근	120,000원
4019	2022-05-18 16시	17시	SiO2 3000 A 증착 부탁 드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	이원형	216,000원
4020	2022-05-23 11시	13시	SiNx 2000A 증착	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	600,000원
4021	2022-05-24 10시	17시	한국나노마이스터고등학교 고정실습교육	나노융합기술원	교육홍보팀	김동기	600,000원
4022	2022-05-24 12시	14시	SiO2 100nm 증착 부탁드립니다. 1층 샘플보관함에 보관하겠습니다. ------------------------------------- pe-oxide 변경 진행 (Metal 포함)	포항공과대학교	신소재공학과	권오혁	108,000원
4023	2022-05-25 16시	17시	pe-oxide 1500A pe-nitride 1500A	포항공과대학교	기계공학과	이원형	432,000원
4024	2022-05-25 17시	18시	50 nm a-Si 증착	포항공과대학교	신소재공학과	김동신	540,000원
4025	2022-05-26 10시	14시	SiO2 증착 샘플 3개 110nm 증착 샘플 3개 130nm 증착	포항공과대학교	신소재공학과	권오혁	216,000원
4026	2022-05-26 9시	10시	6inch Si bare wafer 1EA SiO2 1000A 증착	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	100,000원
4027	2022-05-27 11시	12시	SiO2/SiNx 1500/1500 A 증착 부탁 드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	이원형	216,000원
4028	2022-05-27 16시	17시	실사용 장비 Wet Station - Wafer Oxide Remove	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	300,000원
4029	2022-05-27 17시	18시	LOT ID: KA19734C 목적: SH공정 SiN 증착 총 11장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4030	2022-05-28 15시	19시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다 a-Si:H 증착을 위해 직접 사용하겠습니다 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	320,000원
4031	2022-05-30 10시	14시	pe-nitride 300C 300A 2ea Ti 100A + Al 7000A -------------------------- 할인율 협의됨	템퍼스	생산기술팀	서영민	670,000원
4032	2022-05-31 10시	12시	a-Si 50 nm증착 (5매)	포항공과대학교	신소재공학과	김동신	540,000원
4033	2022-06-02 8시	9시	안녕하세요, KAIST 최신현교수님 연구실 서석호입니다. SOI wafer 9조각에 대하여 PECVD a-Si:H 50nm 증착을 의뢰드리고자 합니다. 해당 샘플은 SOI 외에 SiO2, WO3 증착한 샘플입니다. 감사합니다. 좋은 하루 되시길 바랍니다.	한국과학기술원	전기및전자공학부	서석호	120,000원
4034	2022-06-02 9시	17시	메일로 연락 드린데로 아래와 같이 진행 부탁 드립니다 a fosb : 유기박막O(2000A 내외) 조건-2 1000A 목표, slot : 1~16 b fosb : 유기박막x blank wafer 조건-1/2 edge 5000A ~ 5500A 목표, slot : 1~4 a fosb에 경우 5/16~5/18 찾아 뵙고 진행 했던 2번 조건의 재현 평가 입니다. b fosb에 경우 5/16~5/18 찾아 뵙고 진행 했던 1/2번 조건의 a-si only 1000A에서 5000~5500A으로 두께 상향 목적 입니다. 샘플 수량이 많고 split 되는게 많아 오인 할 수 있으니 필요 시 유선 연락 부탁 드립니다.	삼성에스디아이(주)	전자재료	황원종	2,400,000원
4035	2022-06-03 10시	16시	카톡 문의드렸던 권오혁입니다. SiO2 300도로 총 sample 6개에서 1) 150nm 2개 2) 160nm 2개 3) 170nm 2개 증착 부탁드립니다. 6월2일 오후에 작은 케이스에 이름 적어 샘플 보관하겠습니다.	포항공과대학교	신소재공학과	권오혁	324,000원
4036	2022-06-04 16시	17시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. glass 위에 a-Si:H를 증착하도록 하겠습니다. 직접 사용하도록 하겠습니다. 감사합니다	포항공과대학교	기계공학과	양영환	288,000원
4037	2022-06-04 19시	19시	안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화학생입니다. a-Si:H 100nm, 1350nm 직접 증착 요청드립니다. 감사합니다. 성준화 올림.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	160,000원
4038	2022-06-06 11시	12시	서울대 이병호교수님 연구실입니다. 4인치 쿼츠 웨이퍼 2장에 각각 동일하게 190 nm 의 a-Si:H 박막 증착 의뢰드립니다. 웨이퍼 캐리어에 공정면 표기 부탁드립니다.	서울대학교	전기정보공학부	이건열	240,000원
4039	2022-06-07 13시	15시	photolithography로 패터닝한 2 inch 사파이어 웨이퍼 3장입니다. 100도에서 SiO2 40nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	조현제	108,000원
4040	2022-06-07 15시	16시	LOT ID: KA19735A 목적: PA공정 SiN 증착 총 7장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4041	2022-06-07 16시	17시	LOT ID: KA19734A 목적: OHO 공정 SiN 증착 총 12장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4042	2022-06-08 15시	17시	LOT ID: KA20924A 목적: SH공정 SiN 증착 총 8장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4043	2022-06-09 16시	17시	안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. PECVD 직접사용 2회 요청드립니다. a-Si:H 120nm, 400nm 증착 예정입니다! 감사합니다. 성준화 올림.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	160,000원
4044	2022-06-09 21시	23시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. a-Si:H를 3회 증착하겠습니다. 직접사용하겠습니다 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	240,000원
4045	2022-06-10 14시	15시	SiNx 증착 (바우처)	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	1,000,000원
4046	2022-06-10 19시	20시	PECVD 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	80,000원
4047	2022-06-13 1시	18시	재현 평가를 위해 같은 유기박막으로 3회에 걸쳐 평가하려고 합니다. 아래와 같이 해당 일에 공정 작업 진행 부탁 드립니다. 6/9 목요일 : #2~7 6/13 월요일 : #8~13 6/15 수요일 : #15~20 조건은 아래와 같습니다. 온도 : 350도 SiH4 : 50 sccm H2 : 100 sccm 압력 : 65mTorr 문의 사항 있으시면 메일이나 유선으로 연락 부탁드립니다.	삼성에스디아이(주)	전자재료	황원종	2,400,000원
4048	2022-06-14 10시	11시	웨이퍼 위에 접착한 silicone rubber 위에 100 nm 두께로 SiO2코팅을 진행하고자 합니다. 공정은 100ºC에서 진행되는 것을 희망합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김성현	108,000원
4049	2022-06-14 11시	12시	LOT ID: UE3700 목적: SiN Depo	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	1,320,000원
4050	2022-06-14 9시	10시	SiNx 증착 (금일까지 바우처 적립입니다.)	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	1,000,000원
4051	2022-06-15 1시	2시	PECVD 저온 (100도) SiO2 2um 증착	한국전자통신연구원	기확관리부	아이블포토닉스	240,000원
4052	2022-06-15 15시	16시	LOT ID: UE3700 목적: SiN Depo	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	1,800,000원
4053	2022-06-15 17시	18시	SD22Y05M - NHOLE SiNx 2000A 증착 (바우처 사용)	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	0원
4054	2022-06-15 19시	21시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. PECVD로 a-Si:H를 glass 기판에 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	400,000원
4055	2022-06-15 20시	21시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다. PECVD 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	160,000원
4056	2022-06-15 9시	17시	250도 SiN 2500A 증착 부탁 드립니다. 우체국 택배 편으로 시편 전달 드리겠습니다.	한국전자통신연구원	RF/전력부품연구실	장이산	240,000원
4057	2022-06-15 9시	10시	LOT ID: UE3700 목적: SiN Depo	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	2,040,000원
4058	2022-06-15 9시	17시	pe-nitride depo.	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	3,600,000원
4059	2022-06-16 11시	14시	LOT ID: KA19734C 목적: OHO공정 SiN 증착 총 11장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4060	2022-06-16 15시	18시	LOT ID: KA19735C 목적: PA공정 SiN 증착 총 12장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4061	2022-06-16 9시	11시	6인치 6ea 증착 일괄공정을 희망합니다. Top -> Bottom 순으로 Cr 60nm (E-beam) 6장 일괄 a-Si 200nm (PECVD) 6장 낱장 Cr 200nm (E-beam) 6장 일괄 on Si substrate 입니다. *증착은 역순입니다. Cr 200nm 깔린 Si substrate 위에 a-Si 200nm 증착을 희망합니다.	애즈미(주)	기계공학과	송주권	720,000원
4062	2022-06-17 10시	11시	SiNx 2000Å 증착	주식회사 포셈	개발	이덕진	120,000원
4063	2022-06-17 14시	18시	a-si 50, 60, 70, 80, 90, 100nm depo.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	612,000원
4064	2022-06-21 15시	16시	MoOx 40nm 증착한 ITO glass입니다. 각각 150nm, 300nm, 500nm 쌓아주세요. 샘플에 테이프가 붙여진 부분이 있을 겁니다. 테이프로 가린 부분 위에 켑톤테이프를 붙여서, 그 영역에는 증착되지 않게 해주세요.	아주대학교	전자공학과	김기훈	360,000원
4065	2022-06-21 9시	11시	a-si 100, 120, 140,160, 180, 200 nm depo.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	612,000원
4066	2022-06-22 9시	14시	LOT ID: KA20924C 목적: SH공정 SiN 증착 총 13장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4067	2022-06-23 12시	18시	자세한 내용은 메일로 공유 드리겠습니다. 공정 조건은 초기에 설정한 조건-2번과 같습니다. 온도 : 350도 / SiH4 : 50 sccm / H2 : 100 sccm / 압력 : 65mTorr 6/28 오전 7ea + 저녁 7ea 6/29 7ea 6/30 7ea	삼성에스디아이(주)	전자재료	황원종	3,360,000원
4068	2022-06-24 18시	19시	안녕하세요 카이스트 최신현 교수님 연구실 박승우입니다. SOI wafer 6조각에 대해 PECVD a-Si:H \"60nm\" 증착을 의뢰드리고자 합니다. 공정 진행 온도가 낮을 수록 amorphous 한 특성이 잘 나온다고 들어서, 낮은 증착 온도(250\'C)에서 진행해주실 수 있다면 감사드리겠습니다. 해당 sample은 Si / SiO2 / WO3 증착 샘플이며, 택배로 이동 시, 샘플이 깨져서 오는 경우가 잦아서, 정말 번거로우시겠지만, 증착 후, 첨부된 캡톤테이프로 다시 한 번 샘플 모서리에 부착해서 보내주시면 정말 감사드리겠습니다! 그리고 논문 리비전에 사용될 샘플이어서... 정말 바쁘시겠지만, 증착 후, 당일에 택배 접수까지 해주실 수 있으면 꼭 좀 부탁드리겠습니다... 감사합니다. 박승우 드림.	한국과학기술원	전기 및 전자 공학부	박승우	120,000원
4069	2022-06-27 1시	10시	안녕하십니까 선생님 4 inch glass wafer 위에 1) TiN 150 nm 증착 (sputter) 2) SiO2 60 nm 증착 (PECVD) 3) TiN 50 nm 증착 (sputter 공정진행 부탁드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	108,000원
4070	2022-06-27 14시	15시	2-1-1 SiO2 Insulator Oxide Depo 2000A	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	240,000원
4071	2022-06-28 10시	11시	a-si split test	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	612,000원
4072	2022-06-28 11시	13시	InP 조각 웨이퍼입니다 SiO2 2000A 증착 부탁 드립니다 (온도 250도)	한국전자통신연구원	ICT소재푸붐연구소	안신모	120,000원
4073	2022-06-28 9시	10시	2inch p-type Si wafer 위에 200nm 두께의 SiO2 증착 의뢰 드립니다. (최대 6 inch 규격이 가능하다고 하셔서 총 4매의 2 inch Si wafer 전달 드립니다.)	포항공과대학교	신소재공학과	이종원	108,000원
4074	2022-06-29 15시	18시	a-Si:H 증착 550nm depo.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	192,000원
4075	2022-06-29 18시	20시	LOT ID: KA20925A 목적: SH공정 SiN 증착 총 12장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4076	2022-06-30 19시	20시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다. a-Si:H 증착 직접이용 2회 신청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	160,000원
4077	2022-07-01 1시	3시	a-Si 증착 50nm 2매 100nm 2매 250nm 2매	포항공과대학교	신소재공학과	김동신	648,000원
4078	2022-07-01 11시	16시	1-1-1 sio2 depo. oxixde depo. 1000a 10ea	주식회사 엘엑스세미콘	소자팀	황준하	1,550,000원
4079	2022-07-01 14시	19시	1-1-1 sio2 depo. oxide depo. 1.5um 7ea	주식회사 엘엑스세미콘	소자팀	황준하	1,925,000원
4080	2022-07-03 18시	19시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실입니다. a-Si:H 120nm 증착 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	160,000원
4081	2022-07-04 1시	9시	1-1-1 sio2 insulator oxide depo. 1.5um 10ea	주식회사 이엔아이솔루션	공정	임태산북두	2,400,000원
4082	2022-07-04 10시	12시	박혁 010-9879-7930	포항공과대학교	전자전기공학과	전길수	340,000원
4083	2022-07-04 13시	14시	LOT ID: KA20924A 목적: OHO공정 SiN 증착 총 8장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4084	2022-07-04 14시	15시	펨토리 Sio2 0.5um 증착 [나노융합기반 고도화사업]	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	200,000원
4085	2022-07-04 15시	16시	[나노융합기반 고도화산업] WM_Photo 2차 SiNx 1um 증착	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	100,000원
4086	2022-07-05 10시	11시	1-1-1 sio2 depo. 1.5um 3ea	주식회사 엘엑스세미콘	소자팀	황준하	720,000원
4087	2022-07-05 13시	17시	LOT ID: KA20925C 목적: SH공정 SiN 증착 총 12장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4088	2022-07-06 13시	16시	LOT ID: KA19734C 목적: PA공정 SiN 증착 총 11장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4089	2022-07-07 9시	9시	fosb에 표기 된데로 공정 진행 부탁 드립니다. SDI에서 사용하는 조건2번에서 온도만 250/300℃로 변경해서 각 1셋트씩 총 2셋트 진행 부탁 드립니다. * 7/7 오전 1셋트 진행, 7/8 오전 1셋트 진행 중간에 공정 끊김 없이 진행 필요	삼성에스디아이(주)	전자재료	황원종	1,920,000원
4090	2022-07-08 14시	18시	250도 SiN 2500A 증착	한국전자통신연구원	RF/전력부품연구실	장이산	720,000원
4091	2022-07-11 10시	12시	박혁 010-9879-7930 Ar plasma < 50 W, 100W 30 mTorr 20 sec, 60 sec 50도	포항공과대학교	전자전기공학과	전길수	340,000원
4092	2022-07-11 13시	15시	LOT ID: KA20924C 목적: OHO공정 SiN 증착 총 13장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4093	2022-07-11 15시	18시	a-Si 100 nm 증착 하고자 합니다 substrate는 glass 입니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김동신	108,000원
4094	2022-07-12 14시	15시	SD22Y05M-02 MI Nitride 증착 - 6EA [나노융합기반 고도화사업]	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	600,000원
4095	2022-07-13 17시	18시	2-1-1 Passivation SiO2 Depo PECVD 4000A	(주) 이너센서	이너센서	강문식	96,000원
4096	2022-07-13 18시	20시	LOT ID: KA20925A 목적: OHO공정 SiN 증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4097	2022-07-14 10시	14시	LOT ID: KA20924A 목적: PA공정 SiN 증착 총 11장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4098	2022-07-14 11시	15시	1-1-1 sio2 depo. pe-oxide 1.5um depo. 5ea	주식회사 엘엑스세미콘	소자팀	황준하	1,200,000원
4099	2022-07-14 15시	16시	MoOx 40nm 증착한 ITO glass입니다. 300nm 쌓아주세요. 샘플에 테이프가 붙여진 부분이 있을 겁니다. 테이프로 가린 부분 위에 켑톤테이프를 붙여서, 그 영역에는 증착되지 않게 해주세요.	아주대학교	전자공학과	김기훈	120,000원
4100	2022-07-14 9시	14시	1-1-1 sio2 depo. pe-oixde 0.1um depo. 15ea	주식회사 엘엑스세미콘	소자팀	황준하	2,325,000원
4101	2022-07-15 10시	17시	pe-nitride depo.	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	3,600,000원
4102	2022-07-15 17시	19시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. pecvd로 amorphous silicon 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	240,000원
4103	2022-07-17 14시	15시	a-Si:H 1회 증착 직접사용 요청드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4104	2022-07-18 15시	16시	안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. PECVD 직접사용 요청드립니다! SiO2 기판위에 a-Si:H 증착 예정입니다. 감사합니다. 성준화 올림.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	80,000원
4105	2022-07-19 10시	12시	glass 기판에 Ti 5nm + Al 150nm가 e beam evaporator로 증착되어 있는데, 그 샘플 위에 SiO2 20nm, 30nm, 증착이 필요합니다. 총 샘플이 2개이며 각각 하나는 SiO2 20nm 증착, 하나는 SiO2 30nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	192,000원
4106	2022-07-19 13시	14시	1) SiH4:H2=3:100 / 550s - 2회 청구 2) SiH4:H2=3:100 / 540s - 2회 청구 3) SiH4:H2=4:100 / 330s 4) SiN MSD H2 / 40nm target 5) SiN MSD H2 / 60nm target 6) SiN MSD H2 / 80nm target 7) SiN MSD H2 / 100nm target 8) SiN MSD H2 / 120nm target 9) SiN MSD H2 / 140nm target SiN MSD H2 선행 진행	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	1,224,000원
4107	2022-07-19 15시	18시	1.5um 7ea	주식회사 엘엑스세미콘	소자팀	황준하	1,925,000원
4108	2022-07-20 9시	10시	LOT ID: Module 목적: SiN 증착 총 2장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	200,000원
4109	2022-07-21 10시	12시	Si wafer에 SiO2 2마이크로미터 PECVD 증착부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	192,000원
4110	2022-07-22 14시	18시	LOT ID: KA20926A 목적: SH공정 SiN 증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4111	2022-07-24 9시	10시	a-Si 직접사용신청드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4112	2022-07-25 1시	4시	a-Si:H 190 nm 증착 부탁드립니다. 웨이퍼 트레이에 증착면 표기 부탁드립니다.	서울대학교	전기정보공학부	이건열	480,000원
4113	2022-07-25 10시	11시	a-Si 250nm	포항공과대학교	신소재공학과	김동신	108,000원
4114	2022-07-25 14시	18시	2-1-1 sio2 insulator oxide depo. 2000a 10ea	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	1,200,000원
4115	2022-07-25 9시	12시	8장씩 2셋트 입니다. 총 16매 온도 : 250도 SiH4 : 50 sccm H2 : 100 sccm 압력 : 65mTorr 8매씩 각 일자 별로 끊김 없이 연속 공정 진행 요청 부탁 드립니다. set-1 7/25(월) 오전 or 오후 set-2 7/27(월) 오전 필요 시 유선이나 메일로 연락 부탁 드립니다.	삼성에스디아이(주)	전자재료	황원종	1,920,000원
4116	2022-07-26 10시	12시	기판 3 장 공정의뢰 합니다. 3 장 모두 500 nm SiO2 증착 진행 부탁드립니다. SiO2 증착 후 각각의 웨이퍼에 40, 60, 80 nm a-Si 증착 부탁드립니다. 증착된 a-Si 두께 확인 가능하도록 웨이퍼 하단이나 카세트에 표시 부탁드립니다. 웨이퍼는 1층 공정의뢰함에 두고 가겠습니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	최지웅	648,000원
4117	2022-07-26 13시	14시	LOT ID: KA20924C 목적: PA공정 SiN 증착 총 10장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4118	2022-07-26 14시	15시	170nm SiNx 증착	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	102,000원
4119	2022-07-27 13시	14시	PECVD1 250C SiN 500A 증착	한국전자통신연구원	RF/전력부품연구실	장이산	120,000원
4120	2022-07-27 13시	14시	FEM - SiO2 2um 증착 1EA [나노융합기반 고도화사업]	주식회사 보다	연구개발	김형원	240,000원
4121	2022-07-27 15시	17시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 4 inch glass wafer에 amorphous silicon을 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4122	2022-07-27 18시	19시	[나노융합기반 고도화산업] SiO2 10um 증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	100,000원
4123	2022-07-27 9시	10시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다. PECVD a-Si:H Rho-aSi recipe로 540초 돌려주시면 감사드리겠습니다. Chamber 온도는 꼭 200도로 부탁드립니다. 맡겨드리는 샘플이 한번에 불가능하다면 2~3번에 나눠서 해주셔도 됩니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	384,000원
4124	2022-07-29 17시	21시	1-1-1 sio2 insulaotr oxide depo. 1.5um 12ea	주식회사 이엔아이솔루션	공정	임태산북두	2,880,000원
4125	2022-08-01 11시	12시	1.0 PE-Ox Depo.	나노융합기술원	미래기술팀	이상권	1,020,000원
4126	2022-08-01 13시	16시	LOT ID: KA20925A 목적: PA공정 SiN 증착 총 11장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4127	2022-08-01 9시	12시	SiNx 5um, SiO2 5um 각 1장씩 [나노융합기반 고도화사업]	주식회사 보다	연구개발	김형원	1,200,000원
4128	2022-08-02 10시	11시	.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	408,000원
4129	2022-08-02 16시	17시	8인치 Si notch type 6ea 증착 일괄공정을 희망합니다. Top -> Bottom 순으로 [Top] Cr 60nm (E-beam) 6장 일괄 a-Si 200nm (PECVD) 6장 낱장 Cr 200nm (E-beam) 6장 일괄 [Bottom] on Si substrate 입니다. *개별로 서비스 신청드립니다. a-Si 200nm PECVD 증착을 희망합니다 (Cr 200nm E-beam 증착 이후)	애즈미(주)	기계공학과	송주권	720,000원
4130	2022-08-02 9시	10시	기판 : 2.5 cm X 2.5 cm glass 기판 6개 + ellipsometry 측정용 2cm X 2cm Si 기판 1개 증착두께: 150 nm	포항공과대학교	신소재공학과	백상원	108,000원
4131	2022-08-03 15시	16시	pe-oxide 2um pe-nitride 0.85um [나노융합기반 고도화사업]	주식회사 보다	연구개발	김형원	400,000원
4132	2022-08-03 19시	21시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 4 inch glass wafer에 amorphous silicon 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4133	2022-08-03 9시	11시	LOT ID: KA20925C 목적: OHO공정 SiN 증착 총 6장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4134	2022-08-04 10시	11시	[나노융합기반 고도화사업], 전자과 박혁 010-9879-7930 Ar plasma 척 온도 50도에서 진행 예정입니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	이정수	100,000원
4135	2022-08-04 13시	18시	안녕하세요 삼성 SDI 황원종 입니다. 아래와 같은 조건으로 공정 진행 부탁 드립니다. 조건-2 온도 350 / SiH4 50 / H2 100 / 압력 65mtorr 공정 완료 후 연락 주시면 저희가 수거하겠습니다.	삼성에스디아이(주)	전자재료	황원종	720,000원
4136	2022-08-04 19시	21시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 4 inch glass wafer에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4137	2022-08-04 9시	10시	nitride 2ea	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	204,000원
4138	2022-08-05 17시	18시	안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. a-Si:H 450 nm 증착 예정입니다. 직접사용 요청드립니다. 감사합니다. 성준화 드림.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	80,000원
4139	2022-08-05 19시	21시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 4 inch glass wafer에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4140	2022-08-08 13시	15시	[나노융합기반 고도화산업] WM 1/1/1/1/1 옥사이드, 나이트라이드 순서로 총 5um 증착 2/3 옥사이드. 나이트라이드 순서로 총 5um 증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	1,000,000원
4141	2022-08-10 10시	12시	기판 3 장 공정의뢰 합니다. 3 장 모두 500 nm SiO2 증착 진행 부탁드립니다. SiO2 증착 후 각각의 웨이퍼에 40, 60, 80 nm a-Si 증착 부탁드립니다. 증착된 a-Si 두께 확인 가능하도록 웨이퍼 하단이나 카세트에 표시 부탁드립니다. 웨이퍼는 1층 공정의뢰함에 두고 가겠습니다. 공정완료되면 연락주시면 찾아가겠습니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	최지웅	648,000원
4142	2022-08-10 13시	17시	조건 2번, 한번에 공정 부탁 드립니다. 온도 350 sih4 50 h2 100 압력 65mtorr	삼성에스디아이(주)	전자재료	황원종	600,000원
4143	2022-08-10 19시	20시	.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	85,000원
4144	2022-08-11 10시	17시	pe-nitride depo.	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	3,600,000원
4145	2022-08-11 9시	10시	[나노융합기반 고도화사업], 전자과 박혁 010-9879-7930	포항공과대학교	전자전기공학과	이정수	100,000원
4146	2022-08-12 15시	23시	pe-oxide 1.5um 10ea pe-oxide 0.1um 10ea	주식회사 엘엑스세미콘	소자팀	황준하	4,400,000원
4147	2022-08-12 19시	21시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 4 inch glass wafer에 amorphous silicon을 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4148	2022-08-14 19시	20시	.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4149	2022-08-15 19시	21시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 4 inch glass wafer에 amorphous silicon을 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4150	2022-08-16 12시	13시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실입니다. PECVD 1회 직접이용 신청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4151	2022-08-16 13시	15시	LOT ID: KA20926A 목적: OHO공정 SiN 증착 총 6장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4152	2022-08-16 15시	16시	NiOx 20nm 증착한 ITO glass입니다. 300nm 쌓아주세요. 샘플에 테이프가 붙여져 있는데 그냥 진행해주시면 됩니다.	아주대학교	전자공학과	김기훈	120,000원
4153	2022-08-17 13시	16시	pe-oxide depo.	나노융합기술원	교육홍보팀	김동기	2,400,000원
4154	2022-08-17 14시	17시	두께 1mm, 4인치 쿼츠 웨이퍼에 a-Si:H 190 nm 필름 각각 증착 부탁드립니다. 웨이퍼 트레이에 증착면 표기 부탁드립니다.	서울대학교	전기정보공학부	이건열	480,000원
4155	2022-08-17 18시	19시	LOT ID: KA20926C 목적: SH공정 SiN 증착 총 6장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4156	2022-08-18 10시	11시	pe-nitride 300a 5ea	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	600,000원
4157	2022-08-18 13시	13시	SDI 조건2번으로 부탁 드립니다. 350℃ / SiH4 50sccm / H2 100 sccm / 65mTorr 샘플은 8/18 09시 발송 예정, 공정 완료 후 저희가 퀵으로 수거하겠습니다.	삼성에스디아이(주)	전자재료	황원종	600,000원
4158	2022-08-19 13시	14시	.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	170,000원
4159	2022-08-19 18시	21시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 4 inch glass wafer에 amorphous silicon을 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4160	2022-08-22 10시	12시	4인치 Bare Si 웨이퍼 1매에 SiNx 60nm(600A) 증착	RFHIC	HEXA본부	금동민	120,000원
4161	2022-08-23 13시	14시	PECVD 저온 (100도) SiO2 2um 증착	한국전자통신연구원	기확관리부	아이블포토닉스	240,000원
4162	2022-08-23 9시	12시	LOT ID: KA20926D 목적: SH공정 SiN 증착 총 6장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4163	2022-08-24 15시	17시	LOT ID: KA20926A 목적: PA공정 SiN 증착 총 3장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4164	2022-08-25 13시	17시	LOT ID: KA20927A 목적: SH공정 SiN 공정 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4165	2022-08-26 10시	11시	SiO2 2000A 상온증착 부탁드립니다.	한국전자통신연구원	양자광학연구실	이미르	120,000원
4166	2022-08-26 14시	17시	1. Wafer 정보: Si식각 후, Oxidation이 진행되었음 2. 의뢰내용 1) Wafer: T7-3 - 증착물질: Silicon Nitride - 두께: 1500A (150nm) 2) Wafer: T7-6 - 증착물질: Silicon Nitride - 두께: 7500A (750nm) * 증착전 압력과 온도를 알려 주세요.	LG전자	인공지능(연) Digital X-ray Task	남효진	120,000원
4167	2022-08-26 17시	18시	pe-oxide 2000a 2ea (나노융합기반 고도화사업 청구로 인한 분할 청구)	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	72,000원
4168	2022-08-26 17시	22시	pe-oxide 0.1um 15ea	주식회사 엘엑스세미콘	소자팀	황준하	2,475,000원
4169	2022-08-26 17시	19시	pe-oxide 2000a 2ea	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	168,000원
4170	2022-08-29 09시	10시	SD22Y05M - Sample Nitride 2000A 증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	90,000원
4171	2022-08-29 10시	13시	SPM CLEANING -> a-Si:H (Hydrogenated silicon) 420nm 양면증착 -> SPM CLEANING	서울대학교	광공학연구실	김영진	540,000원
4172	2022-08-29 9시	10시	LOT ID: KA20926B 목적: OHO공정 SiN 증착 총 3장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4173	2022-08-30 14시	16시	GaN on SiC wafer Ti/Au lift-off 250도 2500A 증착	한국전자통신연구원	RF/전력부품연구실	장이산	240,000원
4174	2022-08-30 17시	18시	[나노융합기반 고도화사업], 전자과 박혁 010-9879-7930 50도로 척온도 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	이정수	100,000원
4175	2022-09-01 11시	12시	SiO2 1um 증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	90,000원
4176	2022-09-02 9시	14시	LOT ID: KA20927C 목적: SH공정 SiN 증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4177	2022-09-05 11시	14시	1.0 PE-Oxide 1um	나노융합기술원	미래기술팀	이상권	1,020,000원
4178	2022-09-05 15시	16시	pe-oxide 200nm depo.	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	120,000원
4179	2022-09-06 15시	16시	4inch glass wafer 2장과 4inch glass wafer위 PR (SU-8) 증착 된 샘플 1장으로 총 3장 입니다. bare wafer 2장은 800 nm 타겟으로 해주시고 PR 이 올라간 샘플은 700 nm 타겟으로 저온에서 진행 부탁드립니다. 증착 시간 알려주세요.	서울대학교	전기정보공학부	장준혁	720,000원
4180	2022-09-07 14시	15시	LOT ID: KA20926B 목적: PA공정 SiN 증착 총 3장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4181	2022-09-07 16시	17시	aSi:H 600 nm 증착 의뢰 부탁드립니다.	서울대학교	전기정보공학부	김창현	240,000원
4182	2022-09-08 19시	20시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다. PECVD 오늘 저녁 직접사용 요청드립니다. 항상 감사드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	480,000원
4183	2022-09-13 11시	18시	pe-nitride depo.	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	3,600,000원
4184	2022-09-13 14시	16시	oxide uniformity pe-oxide 500/700/1000a depo.	주식회사 엘엑스세미콘	소자팀	김동균	595,000원
4185	2022-09-13 15시	16시	pe-oxide 500a spm cleaning	주식회사 엘엑스세미콘	소자팀	김동균	270,000원
4186	2022-09-14 11시	14시	SiO2 1500A 증착 부탁 드립니다. (2인치 웨이퍼 2장) 택배로 보내 드리겠습니다.	한국전자통신연구원	ICT소재푸붐연구소	안신모	120,000원
4187	2022-09-15 15시	17시	웨이퍼는 총 4장입니다 먼저 SPM Cleaning 후, 양면 모두 a-Si 460nm 씩 증착 부탁드립니다	서울대학교	광공학연구실	김영진	1,110,000원
4188	2022-09-16 13시	15시	1. Wafer 정보: Si식각 후, Oxidation이 진행되었음 2. 의뢰내용 1) Wafer: T7-2nd-3 - 증착물질: Silicon Nitride - 두께: 7000A (700nm) -> 750nm 수정 요청	LG전자	인공지능(연) Digital X-ray Task	남효진	120,000원
4189	2022-09-16 9시	11시	a-Si 100nm 증착 부탁드려요	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	이순형	108,000원
4190	2022-09-17 17시	19시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. 2회 직접 사용하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	160,000원
4191	2022-09-19 14시	15시	LOT ID: Module 목적: SiN 증착 총 1장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	100,000원
4192	2022-09-21 11시	14시	InP 2인치 웨이퍼 2장에 SiO2 1000A 증착 부탁 드립니다.	한국전자통신연구원	ICT소재푸붐연구소	안신모	120,000원
4193	2022-09-21 7시	16시	pe-oxide 350c 5000a 16ea	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	1,920,000원
4194	2022-09-21 9시	10시	AlGaN wafer sample과 Si wafer sample이 조각 시편으로 있습니다. SiO2 증착 (250\'C에서 500nm) 부탁드리며, 공정 완료 후 임세미 (010-2606-7278)에게 연락 주시면 감사하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	임세미	108,000원
4195	2022-09-22 17시	18시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다. PECVD 직접 이용 신청 드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	96,000원
4196	2022-09-22 9시	14시	LOT ID: KA20926C 목적: OHO공정 SiN 증착 총 11장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4197	2022-09-23 16시	18시	LOT ID: KA20927A 목적: OHO공정 SiN 증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4198	2022-09-23 18시	19시	PECVD 직접사용 요청드립니다	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	240,000원
4199	2022-09-25 19시	20시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다. PECVD 2회 직접사용요청드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	160,000원
4200	2022-09-26 10시	12시	2인치 2장 SiO2 1000A (250도) 직접 가서 샘플 드리겠습니다	한국전자통신연구원	ICT소재푸붐연구소	안신모	120,000원
4201	2022-09-26 13시	14시	260nm Si 박막 SOI 칩으로 이빔패터닝 및 엣칭 후 PR 클리닝까지 완료한 상태입니다. SiO2 2um 만큼 증착하고 싶습니다.	포항공과대학교	물리학과	박세배	216,000원
4202	2022-09-26 14시	17시	pe-oxide 1.5um 3ea 설비 back-up평가용	주식회사 엘엑스세미콘	소자팀	황준하	560,000원
4203	2022-09-26 17시	18시	PE-SiO2 Depo	삼성디스플레이	선행제품연구팀	박후근	480,000원
4204	2022-09-26 17시	18시	SD22Y09M - MI Nitride 2000A 증착 - 6인치 2EA	주식회사 보다	연구개발	김형원	180,000원
4205	2022-09-27 11시	13시	pe-oxide 1000a 5ea	주식회사 엘엑스세미콘	소자팀	황준하	800,000원
4206	2022-09-27 16시	17시	pe-oxide 350c 5000a 5ea (2ea issue test)	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	360,000원
4207	2022-09-27 16시	19시	pe-oxide 1.5um 3ea	주식회사 엘엑스세미콘	소자팀	황준하	720,000원
4208	2022-09-27 9시	10시	[나노융합기반 고도화사업], 전자과 박혁 (010-9879-7930)	포항공과대학교	전자전기공학과	이정수	100,000원
4209	2022-09-28 10시	11시	SD22Y09M - MI Nitride 2000A 증착_6인치 2EA	주식회사 보다	연구개발	김형원	180,000원
4210	2022-09-28 9시	10시	a-si 400nm depo.	포항공과대학교	기계공학과	정헌영	192,000원
4211	2022-09-29 10시	12시	pe-oxide 350c 5000a 8ea	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	960,000원
4212	2022-09-29 11시	13시	1-1-1 imp scatter oxide 30nm	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	192,000원
4213	2022-09-29 13시	15시	SPM Cleaning (웨이퍼 양면 클리닝) 이후 웨이퍼 양면에 실리콘 640nm 증착 부탁드립니다	서울대학교	광공학연구실	김영진	1,110,000원
4214	2022-09-29 15시	18시	SiO2 2000A 증착 부탁 드립니다. 웨이퍼 방문해서 직접 드리겠습니다.	한국전자통신연구원	ICT소재푸붐연구소	안신모	120,000원
4215	2022-09-30 11시	12시	8inch si wafer 옥사이드 3000A 증착 3매	주식회사 보다	연구개발	김형원	270,000원
4216	2022-09-30 14시	16시	1. Wafer 정보: 두깨 확인용으로 NINT담당자가 판단해서 결정해서 투입 - Si wafer위에 증착할지? SiO2박막 위에 증착할지? - LG 소자는 SiO2위에 증착할 예정임 2. 의뢰내용 - 증착물질: Silicon Nitride - 압력(중요): 15mTorr - 두께: 7500A (750nm) 목표로 증착하고, 측정하여 두께 확인함	LG전자	인공지능(연) Digital X-ray Task	남효진	185,000원
4217	2022-09-30 16시	18시	1. Wafer 정보: T7-2nd-4 - Silicon 식각 및 SiO2가 증착된 상태임 2. 의뢰내용 - 증착물질: Silicon Nitride - 압력(중요): 15mTorr - 두께: 7000A (700nm) - 증착시간: 276sec (선행 Test 결과를 근거로 환산한 두께임 * 웨이퍼는 금일 송부하여 내일 (9월 30일 금요일) 오전에 도착 예정임	LG전자	인공지능(연) Digital X-ray Task	남효진	120,000원
4218	2022-10-03 19시	20시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다. PECVD 직접이용 신청드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4219	2022-10-04 11시	12시	WM_D_2nd photo SiNx 3000A 증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	90,000원
4220	2022-10-04 13시	14시	LOT ID: Module 목적: SiN 증착 총 1장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	100,000원
4221	2022-10-04 15시	20시	pe-oxide 350c 5000a 9ea	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	1,080,000원
4222	2022-10-04 8시	9시	SiO2 ,2000A 저온증착 부탁드립니다.	한국전자통신연구원	양자광학연구실	이미르	120,000원
4223	2022-10-05 13시	15시	LOT ID: KA20927C 목적: OHO공정 SiN 증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4224	2022-10-05 15시	17시	SiO2 2500A (250도) 내일(5일) 직접 방문하여 샘플 공정 진행 하려고 합니다	한국전자통신연구원	ICT소재푸붐연구소	안신모	120,000원
4225	2022-10-05 9시	12시	LOT ID: KA20926C 목적: PA공정 SiN 증착 총 11장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4226	2022-10-06 18시	20시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2cm by 2cm glass substrate에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4227	2022-10-06 9시	11시	sapphire (0001) (Al2O3) 2 inch wafer 와 SiO2/Si 4 inch wafer에 amorphous silicon 100nm 증착 부탁드려요.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	이순형	216,000원
4228	2022-10-07 10시	11시	WM_D_2nd photo SIO2 1000A 증착 - 2ea	주식회사 보다	연구개발	김형원	180,000원
4229	2022-10-12 11시	18시	pe-nitride depo.	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	3,600,000원
4230	2022-10-13 13시	16시	LOT ID: KA20927A 목적: PA공정 SiN 증착 총 11장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4231	2022-10-14 10시	14시	SiN 2500A (250도) 증착 부탁 드립니다. 샘플은 직접 갖다 드리겠습니다.	한국전자통신연구원	ICT소재푸붐연구소	안신모	120,000원
4232	2022-10-14 14시	17시	LOT ID: KA20927C 목적: PA공정 SiN 증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4233	2022-10-14 17시	18시	WM_D_2nd photo SiO2 1000A 증착 3매	주식회사 보다	연구개발	김형원	270,000원
4234	2022-10-17 10시	12시	250도 SiN 2500A 증착	한국전자통신연구원	RF/전력부품연구실	장이산	240,000원
4235	2022-10-17 12시	16시	WM SiO2 1um 증착 8ea	주식회사 보다	연구개발	김형원	720,000원
4236	2022-10-18 13시	14시	PE-SiO2 Depo	삼성디스플레이	선행제품연구팀	박후근	384,000원
4237	2022-10-18 13시	14시	좀전에 통화한 전자과 서태원입니다. SiO2 20 nm 증착부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	전자과	서태원	108,000원
4238	2022-10-18 14시	15시	PECVD 증착 공정 전에 SPM 클리닝 공정 부탁드립니다. aSi:H 190 nm 증착 부탁드립니다. 증착면도 표시부탁드립니다. 감사합니다.	서울대학교	전기정보공학부	김창현	390,000원
4239	2022-10-19 10시	12시	250도 SiN 2500A 증착 부탁드립니다.	한국전자통신연구원	RF/전력부품연구실	장이산	480,000원
4240	2022-10-19 14시	15시	PECVD 증착 공정 전에 SPM 클리닝 공정 부탁드립니다. 기본 gas 비율 조건으로 Silicon Nitride 800 nm 증착 부탁드립니다. 증착면도 표시부탁드립니다. 감사합니다.	서울대학교	전기정보공학부	김창현	390,000원
4241	2022-10-20 11시	12시	PSPI Test_6인치 2매 추가 3매 진행 총5매 진행	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	500,000원
4242	2022-10-20 14시	15시	[나노융합기반 고도화사업], 전자과 박혁 (010-9879-7930) 척 온도 50도에서 진행하고자합니다~	포항공과대학교	전자전기공학과	이정수	100,000원
4243	2022-10-21 15시	17시	WM_D_CF_SiO2 1000A 3매 증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	270,000원
4244	2022-10-22 20시	21시	안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. PECVD 직접사용 요청드립니다. Si3N4 150, SiO2 500 nm 증착 예정입니다. 감사합니다. 성준화 올림.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	160,000원
4245	2022-10-24 13시	15시	WM_D_1st photo 8\' Si wafer [Prime] SiO2 0.6um 2ea SiO2 1um 3ea	주식회사 보다	연구개발	김형원	450,000원
4246	2022-10-25 21시	22시	a-Si:H 박막 증착	포항공과대학교	기계공학과	오동교	80,000원
4247	2022-10-25 4시	20시	pe-oxide dpeo. 0.1um 15ea / 1.5um 15ea	주식회사 엘엑스세미콘	소자팀	황준하	6,600,000원
4248	2022-10-26 10시	12시	SD22Y10M - NHOLE Nitride 2000A 증착 _3매	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	300,000원
4249	2022-10-26 10시	12시	250도 2500A SiN 증착	한국전자통신연구원	RF/전력부품연구실	장이산	360,000원
4250	2022-10-26 13시	15시	SiNx 1500A@50C	한국전자통신연구원	광통신부품연구실	박상호	360,000원
4251	2022-10-26 8시	9시	pe-nitride 150c 1000a 2ea ---------------- 50% 협의됨	템퍼스	생산기술팀	서영민	120,000원
4252	2022-10-27 15시	17시	3-1-1 depo. oxide depo. 8ea	포항공과대학교	기계공학과	이석용	864,000원
4253	2022-10-28 13시	15시	SiO2 증착; 증착두께; 200 nm 250도 증착 --------------------- 김덕준 박사님 deposit 금액에서 차감	한국전자통신연구원	광통신부품연구실	김현수	0원
4254	2022-10-28 15시	15시	안녕하세요. 포항공대 노준석교수님 연구실 성준화 학생입니다. a-Si:h 430 nm 증착 직접사용 부탁드립니다. 감사합니다. 성준화 올림.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	80,000원
4255	2022-10-31 9시	13시	SiNx 2000A 증착 4인치 8매	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	800,000원
4256	2022-11-01 16시	17시	2.0 PE_Oxide	삼성디스플레이	SDC硏 LED LAB	원치훈	672,000원
4257	2022-11-07 13시	15시	SiNx 1000A@150C	한국전자통신연구원	광통신부품연구실	박상호	360,000원
4258	2022-11-11 09시	10시	SiO2/SiNx 1500/1500 A 증착 부탁 드립니다. Glass wafer 2장입니다.	포항공과대학교	기계공학과	이원형	432,000원
4259	2022-11-11 13시	15시	SiN 1000A@150C	한국전자통신연구원	광통신부품연구실	박상호	360,000원
4260	2022-11-17 9시	11시	조각시편 다수 있습니다! 250도 공정으로, SiO2 400 nm 증착 부탁드립니다. 공정 시 문의사항이 있으시다면, 임세미 (010-2606-7278) 또는 박정현 (010-9255-0172) 으로 전화 부탁드립니다. 또한 공정 후 연락 주시면 감사하겠습니다. 감사합니다. 좋은 하루 보내세요!	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	임세미	108,000원
4261	2022-12-19 10시	12시	260nm Si 박막 SOI 칩으로 이빔패터닝 및 엣칭 후 PR 클리닝까지 완료한 상태입니다. SiO2 2um 만큼 증착하고 싶습니다.	포항공과대학교	물리학과	박세배	216,000원
4262	2023-01-17 9시	11시	Wafer 두 장 현재 p++ Si 위에 SiO2 300 nm 쌓여있는데 여기에 SiO2 300 nm 추가로 증착 진행하려고 합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	최지웅	216,000원
4263	2023-02-09 14시	18시	LOT ID: KA25543A 목적: SH공정 SiNx 증착 총 11장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4264	2023-02-10 19시	22시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. silicon wafer 위에 amorphous silicon, silicon dioxide multilayer 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4265	2023-02-11 14시	17시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. silicon, glass 기판 위에 amorphous silicon, silicon dioxide multilayer 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4266	2023-02-12 16시	18시	a-Si:h T400 150nm, 450nm 증착 예정입니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	240,000원
4267	2023-02-13 13시	15시	SiN 증착, 200 nm	한국전자통신연구원	양자광학연구실	문기원	120,000원
4268	2023-02-13 15시	16시	x	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	윤석현	90,000원
4269	2023-02-13 18시	21시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. silicon 기판 위에 amorphous silicon, silicon dioxide multilayer 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4270	2023-02-13 21시	22시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다. PECVD 직접사용 신청 드립니다. 항상 감사드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	96,000원
4271	2023-02-14 14시	16시	1. Wafer 정보: T7-3rd-3 - Silicon 식각 및 SiO2가 증착된 상태임 2. 의뢰내용 - 증착물질: Silicon Nitride - 압력(중요): 15mTorr (LG 의뢰로 압력을 변화시킨 것임) - 두께: 1500A (150nm) * 증착시간: 59sec (선행 Test 결과를 근거로 환산한 두께이며, 다시 확인 부탁합니다.) * 웨이퍼는 금일 송부하여 내일 (2월 14일 화요일) 오전에 도착 예정임	LG전자	인공지능(연) Digital X-ray Task	남효진	120,000원
4272	2023-02-15 9시	12시	WM_R PE-CVC 1호기로 Oxide 3um 증착후, 3호기로 Oxide 2um 증착 총 5um 증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	540,000원
4273	2023-02-16 18시	21시	a-Si:H T400 450nm 증착 및 SiO2 1400nm 증착 예정입니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	240,000원
4274	2023-02-17 11시	13시	이정익선생님 PECVD 서비스 신청입니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김우현	108,000원
4275	2023-02-17 19시	24시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. 직접 사용하도록 하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	80,000원
4276	2023-02-18 14시	23시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. 금요일분 합쳐서, 1회 더하여 다시 신청합니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	80,000원
4277	2023-02-19 14시	17시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 4 inch glass wafer에 amorphous silicon, silicon dioxide multilayer 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4278	2023-02-19 17시	18시	PECVD 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	80,000원
4279	2023-02-19 18시	21시	a-Si:H T400 450nm, 170nm 각각 증착 예정입니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	240,000원
4280	2023-02-20 19시	22시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. 직접 사용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	양영환	240,000원
4281	2023-02-21 18시	19시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다. SiN PECVD 직접 이용 신청드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4282	2023-02-21 19시	23시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다 . 직접 사용하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	240,000원
4283	2023-02-21 9시	14시	LOT ID: KA25543A 목적: OHO공정 SiN 증착 총 11장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4284	2023-02-22 10시	15시	WM_D ITO 자재 12매 SiO2 70nm증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	1,080,000원
4285	2023-02-22 19시	22시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 4 inch fused silica wafer에 amorphous silicon, silicon dioxide 를 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4286	2023-02-23 14시	16시	250도 SiN 2500A 증착	한국전자통신연구원	RF/전력부품연구실	장이산	120,000원
4287	2023-02-23 19시	23시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. 직접 사용하도록 하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	240,000원
4288	2023-02-24 19시	21시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. Glass에 amorphous silicon 증착 예정입니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	80,000원
4289	2023-02-26 20시	21시	a-Si:H T200 30nm 증착 예정입니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	80,000원
4290	2023-02-27 20시	22시	a-Si PECVD 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	240,000원
4291	2023-02-28 9시	11시	Oxide 15,000A 3ea	주식회사 아이큐랩	생산기술	김희종	720,000원
4292	2023-03-02 18시	21시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass wafer 위에 amorphous silicon을 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4293	2023-03-02 9시	14시	LOT ID: KA25543A 목적: PA공정 SiN 증착 총 11장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4294	2023-03-03 12시	15시	모든 웨이퍼는 SPM Cleaning 부탁드리겠습니다. 총 1T/4\" Glass Wafer 6장이며, a-Si (PECVD) 840nm 3장 / 480nm 3장씩 부탁드리겠습니다. 감사합니다.	서울대학교	광공학연구실	김영진	1,950,000원
4295	2023-03-03 15시	17시	1. Wafer 정보: T7-3rd-3 - Silicon 식각 및 SiO2가 증착된 상태임 2. 의뢰내용 - 증착물질: Silicon Nitride - 압력(중요): 15mTorr (LG 의뢰로 압력을 변화시킨 것임) - 두께: 1500A (150nm) * 증착시간: 59sec (선행 Test 결과를 근거로 환산한 두께이며, 다시 확인 부탁합니다.) * 웨이퍼는 금일 송부하여 내일 (3월 3일 금요일) 오전에 도착 예정임	LG전자	인공지능(연) Digital X-ray Task	남효진	120,000원
4296	2023-03-04 17시	19시	PECVD 직접사용 요청 드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	240,000원
4297	2023-03-04 19시	22시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. a-Si;H 를 증착하며 직접 사용하도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	80,000원
4298	2023-03-05 14시	18시	포항공대 노준석교수님 연구실입니다. 2 by 2 유리기판 위에 amorphous silicon을 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4299	2023-03-06 18시	21시	포항공대 노준석교수님 연구실입니다. 2 by 2 유리기판 위에 amorphous silicon을 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4300	2023-03-07 18시	21시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 4 inch fused silica wafer 위에 amorphous silicon, silicon dioxide multilayer 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4301	2023-03-09 13시	14시	backside oxide 30a depo.	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	102,000원
4302	2023-03-09 14시	18시	SiN 120C 500a depo. SiN 120C 1000a depo. SiN 300C 500a depo. SiN 300C 1000a depo.	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	480,000원
4303	2023-03-09 18시	21시	a-Si:H T200, SiN 증착 예정입니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	240,000원
4304	2023-03-09 21시	23시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorhphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4305	2023-03-10 11시	17시	LOT ID: KA25543C 목적: SH공정 SiN 증착 총 11장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4306	2023-03-10 18시	21시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorhphous silicon를 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4307	2023-03-11 11시	13시	포항공대 노준석 교수님 실험실 입니다. 직접 사용하도록 하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	160,000원
4308	2023-03-11 14시	18시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4309	2023-03-12 13시	18시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon을 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4310	2023-03-13 11시	12시	기본 gas 비율 조건으로 Silicon Nitride 600 nm 증착 부탁드립니다. 증착면도 표시부탁드립니다. 감사합니다.	서울대학교	전기정보공학부	김창현	240,000원
4311	2023-03-13 13시	15시	WM_D SiNx 1.5um 증착 3매	주식회사 보다	연구개발	김형원	510,000원
4312	2023-03-13 17시	18시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다. PECVD 직접사용 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4313	2023-03-14 18시	21시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 4 inch fused silica wafer 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4314	2023-03-15 18시	21시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4315	2023-03-16 13시	14시	SD MI - SiNx 2000A 증착_3매	주식회사 보다	연구개발	김형원	255,000원
4316	2023-03-16 16시	17시	SiN 1000A depo.	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	351,000원
4317	2023-03-16 18시	21시	SiN 60nm, 600nm 각각 1번 증착 예정입니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	160,000원
4318	2023-03-16 21시	22시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4319	2023-03-17 14시	15시	SiN 600nm deposition	포항공과대학교	기계공학과	김재경	96,000원
4320	2023-03-17 18시	21시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 유리기판 위에 amorhphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4321	2023-03-20 10시	16시	자세한 내용은 메일로 송부드렸습니다.	서울대학교	광공학연구실	김영진	360,000원
4322	2023-03-23 9시	11시	LOT ID: KA25543C 목적: OHO공정 SiN 증착 총 11장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4323	2023-04-03 20시	21시	안녕하세요,, PECVD 직접사용 신청드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4324	2023-04-03 21시	23시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon을 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4325	2023-04-04 10시	11시	LOT ID: EGR2307 목적: SH공정 SiN 증착 총 5장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4326	2023-04-04 12시	13시	이전에 pecvd-1호기 장비 다운으로 인해 진행 못했던 a-Si 840nm depo, 기존 time에서 5% 추가	서울대학교	광공학연구실	김영진	360,000원
4327	2023-04-04 14시	15시	WM SiO2 7000A 증착 stage temp 230C	주식회사 보다	연구개발	김형원	85,000원
4328	2023-04-04 16시	18시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon을 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4329	2023-04-05 16시	18시	LOT ID: KA25543C 목적: PA공정 SiN 증착 총 10장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4330	2023-04-06 13시	15시	PECVD Si3N4 1um,Stress measure	싸니코전자(주)	개발팀	최주헌	150,000원
4331	2023-04-06 16시	17시	1-1-2 SiO2 depo. Backside면 300A.	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	102,000원
4332	2023-04-06 19시	20시	안녕하세요, PECVD 직접이용 신청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4333	2023-04-06 20시	22시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silcon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4334	2023-04-07 20시	22시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon을 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4335	2023-04-10 19시	22시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon을 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4336	2023-04-11 10시	12시	[나노융합기반 고도화사업] WM_D - Si bare Wafer Oxside 1um 증착 1매 Si bare Wafer Nitride 1um 증착 1매	주식회사 보다	연구개발	김형원	200,000원
4337	2023-04-11 16시	17시	LOT ID: EGR2307 목적: OHO공정 SiN 증착 총 8장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4338	2023-04-11 19시	21시	포항공대 노준석 교수님실험실 양영환입니다. a-SiH를 3회 증착하도록 하겠습니다. 직접이용을 하도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	240,000원
4339	2023-04-12 19시	21시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4340	2023-04-13 13시	14시	[나노융합기반 고도화산업] Si3N3 2000A 증착 3매	주식회사 보다	연구개발	김형원	300,000원
4341	2023-04-13 19시	21시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4342	2023-04-14 13시	14시	[나노융합기반 고도화사업] Si Nitride 2000A 증착 1매	주식회사 보다	연구개발	김형원	100,000원
4343	2023-04-14 15시	19시	blue LED epi 메사 에칭된 조각 샘플입니다. 현재 PR coating으로 패터닝 되어있습니다. PECVD 100도로 SiO2 약 100 nm 증착 부탁드립니다. 증착 이후 lift-off 예정입니다. 유선상으로는 300 nm말씀드렸는데, 300 nm 말고 SiO2 100nm으로 증착 부탁드립니다. 오늘 밤중에 샘플 시편함에 위치시키도록 하겠습니다. 다른 문의사항 있으시면 유선 010-2688-6826으로 연락 부탁드립니다. 감사합니다! :)	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김자원	108,000원
4344	2023-04-14 16시	17시	SiO2 2000A(200nm) 저온증착 부탁드립니다.	한국전자통신연구원	양자광학연구실	이미르	120,000원
4345	2023-04-15 14시	17시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4346	2023-04-17 19시	22시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon을 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	240,000원
4347	2023-04-18 10시	11시	[나노융합기반 고도화산업] wafer 1 SiO2 4500A + SiNx 5500A wafer 2 SiO2 3500A + SiNx 6500A in-situ 증착 조건 recipe 형성 필요함	주식회사 보다	연구개발	김형원	400,000원
4348	2023-04-18 13시	14시	blue LED epi 메사 에칭된 조각(9개)와 nGaN이 메사 에칭된 조각 (5개) 샘플, 베어 nGaN 조각 (1개) 샘플입니다. 현재 PR coating으로 패터닝 되어있습니다. 샘플 트레이 순서를 표시해두었는데 순서대로 꼭 위치 부탁드립니다!! PECVD 100도로 SiO2 약 100 nm 증착 부탁드립니다. 증착 이후 lift-off 예정입니다. 오늘 밤중에 샘플 시편함에 위치시키도록 하겠습니다. 다른 문의사항 있으시면 유선 010-2688-6826으로 연락 부탁드립니다. 감사합니다! :)	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김자원	108,000원
4349	2023-04-18 18시	20시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorhphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4350	2023-04-18 20시	21시	안녕하세요, PECVD 직접사용 신청드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4351	2023-04-19 14시	15시	[나노융합기반 고도화산업] SiO2 4200A + SiNx 5800A 증착 1매	주식회사 보다	연구개발	김형원	200,000원
4352	2023-04-19 19시	22시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4353	2023-04-20 13시	14시	[나노융합기반 고도화사업] PSPI Test - Nitride 2000A 증착_2매	주식회사 보다	연구개발	김형원	200,000원
4354	2023-04-20 19시	23시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4355	2023-04-21 19시	23시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4356	2023-04-23 19시	22시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorohous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4357	2023-04-24 18시	19시	aSi 박막 증착	포항공과대학교	기계공학과	오동교	80,000원
4358	2023-04-24 19시	23시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 bt 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4359	2023-04-24 8시	10시	nGaN이 메사 에칭된 조각 11개 조각 샘플입니다. 현재 PR coating으로 패터닝 되어있습니다. 샘플 트레이 순서를 표시해두었는데 순서대로 꼭 위치 부탁드립니다!! PECVD 100도로 SiO2 약 100 nm 증착 부탁드립니다. 증착 이후 lift-off 예정입니다. 일요일 저녁에 샘플 맡기는 시편함에 위치시키도록 하겠습니다. 급한 샘플이라 월요일에 유선으로 공정 일정 문의드리겠습니다! 다른 문의사항 있으시면 유선 010-2688-6826으로 연락 부탁드립니다. 감사합니다! :)	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김자원	108,000원
4360	2023-04-25 10시	12시	SiO2 증착 -두께: 600nm -> 700nm 변경	한국전자통신연구원	인공지능컴퓨팅연구소, 양자컴퓨팅연구실	박재규	240,000원
4361	2023-04-25 15시	16시	PECVD SiN 1um Target	싸니코전자(주)	개발팀	최주헌	360,000원
4362	2023-04-25 17시	18시	[나노융합기반 고도화사업] SD23Y04M - NHOLE - Nitride 2000A 증착_3매	주식회사 보다	연구개발	김형원	300,000원
4363	2023-04-25 19시	21시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다. PECVD 직접이용 사용 신청 드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4364	2023-04-25 7시	12시	[나노융합기반 고도화산업] SiO2 0.7um 증착 7매 하부 layer에 ITO증착되어있음	주식회사 보다	연구개발	김형원	700,000원
4365	2023-04-26 13시	15시	800 nm 두께로 증착	서울대학교	전기정보공학부	박영명	360,000원
4366	2023-04-26 17시	18시	PECVD 직접 사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	80,000원
4367	2023-04-27 17시	18시	[나노융합기반 고도화산업] SiO2 4300A + SiNx 5700A 증착 1매	주식회사 보다	연구개발	김형원	200,000원
4368	2023-04-28 10시	14시	SiO2 6000A depo.	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박지수	960,000원
4369	2023-04-28 14시	15시	[나노융합기반 고도화사업] PSPI Test - Nitride 2000A 증착 1매	주식회사 보다	연구개발	김형원	100,000원
4370	2023-05-01 19시	21시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. 직접사용하도록 하겠습니다. (a-SiH 증착 2회) 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	160,000원
4371	2023-05-02 19시	20시	aSi film 증착	포항공과대학교	기계공학과	오동교	80,000원
4372	2023-05-03 13시	14시	TiN metal위에 SiO2 50nm 올리고 싶습니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	한건희	108,000원
4373	2023-05-03 17시	20시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 silicon substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4374	2023-05-03 9시	12시	a-Si 100nm 증착부탁드립니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	이순형	108,000원
4375	2023-05-04 19시	22시	glass기판위에 A-SI:H 증착 150nm ------------ 1153/1178/7200	포항공과대학교	기계공학과	김재경	320,000원
4376	2023-05-04 9시	18시	TiN / SiO2 / TiN 위에 SiO2 50nm 올리고 싶습니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	한건희	0원
4377	2023-05-05 10시	12시	a-Si:H 박막을 직접 만들도록 하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	80,000원
4378	2023-05-08 13시	16시	LOT ID: KA25544C 목적: OHO 공정 SiN 증착 총 10장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4379	2023-05-08 19시	21시	SiN T300 600nm 증착, SiO2 1535nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	김재경	240,000원
4380	2023-05-08 9시	12시	glass 기판에 첫번째 층으로 a-Si:H가 약 115nm 증착되어 있습니다. 트레이에 써둔 숫자는 첫번째 a-Si:H 층의 측정 높이이며 이는 무시하셔도 됩니다. a-Si:H 층이 증착되어있는 기판에 SiO2 1525nm 증착부탁드립니다. 증착 두께가 정확해야해서 최대한 맞춰주시면 좋겠습니다 (1515nm~1535nm 범위에만 존재하면 됩니다). 증착 후 SiO2 두께 측정을 위한 실리콘 기판도 1개 넣어두겠습니다. 트레이에 기존에 넣어둔 샘플 위치 그대로 다시 넣어주시면 감사하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	192,000원
4381	2023-05-09 10시	11시	a-si:H 300nm thick deposition rate 1.3nm/s temp 300c flow rate 10sccm for SiH4 and 75sccm for H2 gas 웨이퍼는 저희 쪽에서 나노공학기술원으로 보내도록 하겠습니다. 감사합니다.	연세대학교	의공학과	유경현	120,000원
4382	2023-05-09 14시	17시	LOT ID: KA26399A 목적: SH공정 SiN 증착 총 12장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4383	2023-05-09 19시	22시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 silicon substare 위에 silicon dioxide를 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4384	2023-05-10 10시	12시	1. wafer정보 : P-V8-2-5 - silicon 식각 및 SiO2 증착된 상태임 2. 의뢰내용 - 증착물질 : Silicon nitride - 압력 : 15mTorr - 두께 : 1500A (150nm) * 증착시간 : 59sec (증착시 monitoring을 통한 두께확인 필요)	LG전자	인공지능연구소	이기원	120,000원
4385	2023-05-10 12시	13시	[나노융합기반 고도화사업] SD PA - Nitride 2500A 증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	100,000원
4386	2023-05-10 20시	21시	aSi 박막 증착	포항공과대학교	기계공학과	오동교	80,000원
4387	2023-05-11 10시	11시	[나노융합기반 고도화산업] O 4300A N 5700A 증착 1매	주식회사 보다	연구개발	김형원	200,000원
4388	2023-05-11 13시	14시	Al2O3/Al wafer 조각샘플 입니다. (2cmx2cm) 2개는 amorphous Si 15nm 증착 나머지 2개는 amorphous Si 10nm 증착 부탁드려요. 앞뒤 구분이 잘 안되어서 표기해두록 하겠습니다. (글씨가 적힌 부분이 뒷면입니다.)	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	이순형	216,000원
4389	2023-05-11 14시	15시	TiN wafer위에 SiO2 50nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	한건희	216,000원
4390	2023-05-11 17시	18시	[나노융합기반 고도화산업] O 4000A N 6000A 증착 - 1매	주식회사 보다	연구개발	김형원	200,000원
4391	2023-05-11 19시	20시	Glass 기판에 SiO2 1535NM 증착	포항공과대학교	기계공학과	김재경	160,000원
4392	2023-05-12 10시	12시	[나노융합기반 고도화산업] 1. O 4500 N 5500 2. O 4300 N 5700	주식회사 보다	연구개발	김형원	200,000원
4393	2023-05-12 17시	18시	glass 기판에 A-Si:H T200 185nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	김재경	80,000원
4394	2023-05-14 11시	12시	안녕하세요, 김주훈입니다. PECVD 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4395	2023-05-15 13시	15시	a-Si/Al2O3/Al wafer 조각샘플 입니다. (2cmx2cm) 조각샘플 4개에 대하여 300nm SiO2 증착부탁드립니다. 앞뒤 구분이 잘 안되어서 표기해두록 하겠습니다. (글씨가 적힌 부분이 뒷면입니다.)	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	이순형	108,000원
4396	2023-05-15 15시	17시	.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4397	2023-05-15 20시	22시	x	포항공과대학교	전자전기공학과	김제규	90,000원
4398	2023-05-15 9시	11시	a-Si 50nm 3매 부탁드려요	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	이순형	324,000원
4399	2023-05-16 10시	15시	PE-TEOS 15,000A	주식회사 아이큐랩	생산기술	김희종	1,080,000원
4400	2023-05-16 15시	16시	TiN위에 SiO2 50nm 증착하고싶습니다. 4-inch wafer 2장입니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	한건희	216,000원
4401	2023-05-16 19시	22시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 silicon substrate 위에 silicon dioxide 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4402	2023-05-17 13시	14시	4inch wafer W위에 SiO2 50nm 올리고 싶습니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	한건희	108,000원
4403	2023-05-17 18시	21시	LOT ID: KA25544C 목적: PA공정 SiN 증착 총 10장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4404	2023-05-17 19시	20시	SiO2 5,000A	인하대학교	기계공학과	용현진	120,000원
4405	2023-05-18 14시	15시	W metal 전면 증착 된 4인치 웨이퍼 위에 PECVD SiO2 50nm 증착하고 싶습니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	한건희	108,000원
4406	2023-05-18 18시	19시	aSi:H T200 185NM 증착	포항공과대학교	기계공학과	김재경	80,000원
4407	2023-05-18 19시	21시	a-Si:H T200 185nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	김재경	80,000원
4408	2023-05-19 10시	12시	[나노융합기반 고도화사업] PI RTA Test용 자재 Nitride 1000A 증착 - 3매	주식회사 보다	연구개발	김형원	255,000원
4409	2023-05-21 16시	17시	Pecvd 직접사용 요청드립니다. 감사합니다	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	80,000원
4410	2023-05-22 10시	14시	LOT ID: KA26399A 목적: OHO공정 SiN증착 총 12장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4411	2023-05-22 14시	16시	PE-oxide 1000A PE-oxide 2um	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	324,000원
4412	2023-05-22 20시	22시	X	포항공과대학교	전자전기공학과	김제규	90,000원
4413	2023-05-23 13시	14시	pe-oxide 200a	메타포어	디바이스개발	이재혁	120,000원
4414	2023-05-23 15시	17시	-a-Si 50nm 증착을 하고자 합니다. -증착온도는 350도 이하로 진행해주시면 감사하겠습니다. -조각시편은 SiO2(100nm)-Si 샘플과 단결정 MgO 샘플 두 종류 입니다. -두 종류의 샘플의 증착을 함께 진행하여 총 공정 1회 진행 예정이며 SiO2 샘플의 수량을 여유분 포함하여 발송하였으니 1회 공정이 가능한 최대갯수에 맞추어 공정 해주시면 감사하겠습니다. -MgO 샘플의 경우 빛이 반사되는 면에 증착 부탁드립니다. -공정완료 후 gas, pressure, chamber temperature 등 공정조건을 공유해주시면 감사드리겠습니다!	인하대학교 산학협력단	신소재공학과	황경수	120,000원
4415	2023-05-23 19시	22시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 silicon substrate 위에 silicon dioxide 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4416	2023-05-25 18시	21시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 silicon substrate 위에 silicon dioxide 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4417	2023-05-25 9시	11시	제일 위층 Si3N4와 TiN, W이 드러나 있는 wafer입니다. amorphous silicon 20nm 조각샘플 4개 증착부탁드립니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	이순형	108,000원
4418	2023-05-26 10시	11시	- a-si:H 450nm 증착 - glass wafer 5ea - 공정조건 (sih4 10sccm h2 75sccm 800w 25mtorr) 이후 elipsometer 를 사용하여 n,k 값 측정 진행 예정입니다. *********** 감사합니다 *************	연세대학교	의공학과	유경현	240,000원
4419	2023-05-26 11시	12시	LOT ID: Module 목적: SiN 증착 총 3장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	300,000원
4420	2023-05-26 14시	18시	LOT ID: KA26399C 목적: SH공정 SiN 증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4421	2023-05-30 14시	16시	10000A 직접 이용	주식회사 아이큐랩	생산기술	김희종	360,000원
4422	2023-05-30 17시	18시	[나노융합기반 고도화사업] BD32017- SENS - Nitride 1000A 증착_4매	주식회사 보다	연구개발	김형원	340,000원
4423	2023-05-31 09시	12시	5매는 증착, 나머지 5매는 미증착으로 부탁 드립니다.	동우화인캠(주)	반도체소재연구소 반도체소재2팀	김정식	480,000원
4424	2023-05-31 12시	13시	LOT ID: KA26399A 목적: PA공정 SiN 증착 총 4장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4425	2023-05-31 13시	14시	LOT ID: Module 목적: SiN 증착 총 3장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	300,000원
4426	2023-06-01 20시	21시	aSi 박막 증착	포항공과대학교	기계공학과	오동교	80,000원
4427	2023-06-02 1시	12시	총 3장의 W(20nm) 기판 위에 각각 SiO2(4nm, 8nm, 12nm)를 증착하고 싶습니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김영동	324,000원
4428	2023-06-05 21시	22시	직접 이용입니다	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	80,000원
4429	2023-06-07 10시	12시	BD3217 NHOLE - Nitride 증착_4매	주식회사 보다	연구개발	김형원	340,000원
4430	2023-06-07 14시	18시	WM_D_박막개발 - O 6500A N 3500A 2ea - O 7000A N 3000A 2ea	주식회사 보다	연구개발	김형원	340,000원
4431	2023-06-08 15시	17시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다. SiN 1회 증착 직접사용 요청드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4432	2023-06-08 19시	20시	SiO2 T300 70nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	김재경	80,000원
4433	2023-06-08 21시	22시	직접 진행입니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	80,000원
4434	2023-06-09 15시	17시	안녕하세요, pecvd 직접이용 신청드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4435	2023-06-10 16시	17시	직접 사용하도록 하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	80,000원
4436	2023-06-12 10시	11시	LOT ID: KA26399A 목적: PA공정 SiN 증착 총 2장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4437	2023-06-12 9시	10시	50nm thickness SiO2	주식회사 보인앤컴퍼니	연구개발	임채록	120,000원
4438	2023-06-13 13시	14시	W이 전면에 증착되어 있는 wafer 2장에 Sio2 50nm 증착하고 싶습니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	한건희	216,000원
4439	2023-06-13 14시	18시	8\' soi wafer N 1um 증착 - 4ea	주식회사 보다	연구개발	김형원	340,000원
4440	2023-06-13 19시	21시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다. 장비 직접이용신청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	160,000원
4441	2023-06-13 9시	12시	8\'si wafer 비정질 300nm 5ea O 400nm + N 600nm 3ea	주식회사 보다	연구개발	김형원	935,000원
4442	2023-06-14 13시	14시	W/SiO2/W 증착되어 있는 WAFER위에 SiO2 50nm 증착하고 싶습니다. (2장)	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	한건희	216,000원
4443	2023-06-15 19시	22시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4444	2023-06-17 14시	15시	Al film 증착된 기판 SiN 직접 증착하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	80,000원
4445	2023-06-18 14시	18시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4446	2023-06-19 19시	22시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4447	2023-06-19 9시	11시	문자로 연락드렸었는데 수십 nm 도 가능하다고 하여 신청하였습니다. 총 두개의 패트리 디시에 샘플을 두었습니다. 1번 패트리 : Si piece 4, SOI Wafer(device layer 15um) piece 4, SOI wafer(device layer 30um) Piece 4 2번 패트리 : Si piece 4, SOI Wafer(device layer 15um) piece 4, SOI wafer(device layer 30um) Piece 4 이며 1번 패트리의 경우 SiO2 30nm, 2번 패트리의 경우 SiO2 50nm 로 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김승범	216,000원
4448	2023-06-20 14시	16시	웨이퍼 케이스를 열었을 때 보이는 면(윗면)이 c-face로 뒷면이고, 현재 고정 테이프가 붙어있는 면이 Si-face로 앞면입니다. (레이저마킹되어있는부분: c-face) Si-face 에 PECVD로 SiO2를 증착하는 공정을 의뢰드릴려고 합니다. 산화막의 두께는 50nm 로 공정을 부탁드립니다. 감사합니다.	금오공과대학교	전자공학과	김채윤	0원
4449	2023-06-20 19시	22시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4450	2023-06-21 11시	15시	LOT ID: KA26399C 목적: PA공정 SiN 증착 총 12장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4451	2023-06-21 19시	23시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4452	2023-06-22 15시	16시	직접이용입니다	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	80,000원
4453	2023-06-22 17시	20시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4454	2023-06-23 10시	12시	안녕하세요. 포항공대 최지웅 입니다. 현재 Poly Si 까지 증착하기에 지그가 다 안만들어졌다고 들어서 일단은 SiO2 50 nm 공정 먼저 진행하려고 합니다. 이정익 오퍼레이터분과 유선상으로 계속 연락했는데 일단은 맡긴 조각 웨이퍼 SiO2 50 nm 증착해주셨으면 합니다. 내일 바로 증착해주셨으면 하고 끝나면 연락주시면 찾아가겠습니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	최지웅	108,000원
4455	2023-06-23 15시	16시	LOT ID: KA26399A1 목적: PA공정 SiN증착 총 6장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4456	2023-06-23 16시	18시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4457	2023-06-23 19시	20시	SiO2, 2000A 저온증착 요청드립니다.	한국전자통신연구원	양자광학연구실	이미르	120,000원
4458	2023-06-25 13시	14시	직접이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	80,000원
4459	2023-06-25 18시	22시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4460	2023-06-26 17시	18시	직접이용하도록 하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	80,000원
4461	2023-06-26 19시	22시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	80,000원
4462	2023-06-26 9시	10시	6인치 si 웨이퍼 기판 위에 SiO2 100 nm 증착	아주대학교	지능형 반도체 공학과	최애림	120,000원
4463	2023-06-27 16시	18시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다. PECVD 직접이용 신청드립니다	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4464	2023-06-27 19시	23시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4465	2023-06-28 13시	14시	직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	80,000원
4466	2023-06-28 16시	18시	LOT ID: KA26400D 목적: SH공정 SiN 증착 총 4장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4467	2023-06-28 19시	23시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4468	2023-06-29 12시	13시	직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	80,000원
4469	2023-06-29 19시	23시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amrophous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4470	2023-06-30 1시	15시	LOT ID: KA26400A 목적: SH공정 SiN증착 총 12장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4471	2023-06-30 15시	17시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4472	2023-06-30 17시	18시	PECVD a-Si:H 500nm 증착 신청 드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4473	2023-07-03 19시	23시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4474	2023-07-03 9시	12시	LOT ID: KA26400C 목적: SH공정 SiN 증착 총 8장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4475	2023-07-03 9시	10시	PE-CVD (SiN depo)	삼성디스플레이	-	여소영	96,000원
4476	2023-07-04 1시	23시	WM_증착 a-si 300nm 10ea	주식회사 보다	연구개발	김형원	850,000원
4477	2023-07-04 9시	10시	PE-CVD (SiN depo)	삼성디스플레이	Micro LED Lab	홍나미	96,000원
4478	2023-07-05 13시	18시	SiO2 0.5um로 증착 부탁드립니다.	인하대학교	기계공학과	송상민	480,000원
4479	2023-07-05 19시	23시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4480	2023-07-05 9시	12시	BD3217_D_0629_MI SiNx 2000A 5매	주식회사 보다	연구개발	김형원	425,000원
4481	2023-07-06 15시	16시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다. a-Si:H PECVD 직접사용 신청드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4482	2023-07-06 19시	23시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4483	2023-07-07 1시	2시	PECVD, SiO2 물질로 250도에서 400 nm 증착 부탁드립니다. 가급적 샘플 순서대로 공정해주시면 매우 감사드릴 것 같습니다. 공정 완료 후 연락 주시면 감사하겠습니다. 잘 부탁드립니다. 감사합니다!	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	임세미	108,000원
4484	2023-07-07 13시	14시	SiN 2500A 증착부탁드립니다.	한국전자통신연구원	RF/전력부품연구실	김정길	480,000원
4485	2023-07-07 16시	17시	직접 이용입니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	80,000원
4486	2023-07-07 18시	22시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4487	2023-07-07 9시	11시	BD3217-Drop 웨이퍼 - Si Nitride 2000A 증착 2매	주식회사 보다	연구개발	김형원	170,000원
4488	2023-07-08 13시	14시	직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	80,000원
4489	2023-07-09 14시	19시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4490	2023-07-10 19시	23시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4491	2023-07-11 10시	13시	BD3217-0629-MI - Nitride 증착 3매	주식회사 보다	연구개발	김형원	255,000원
4492	2023-07-11 19시	23시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4493	2023-07-12 18시	19시	SiO2 T300, 55nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	김재경	80,000원
4494	2023-07-12 19시	23시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 glass substrate 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4495	2023-07-13 9시	12시	BD3217-0629-SENS - Nitride 1300A 증착_8인치 3매	주식회사 보다	연구개발	김형원	255,000원
4496	2023-07-14 15시	18시	BD3217-0629-SENS - Nitride 300A 증착 3매	주식회사 보다	연구개발	김형원	255,000원
4497	2023-07-15 12시	13시	직접이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	160,000원
4498	2023-07-17 10시	12시	SiN 60nm 타켓으로 부탁드립니다.	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	전재현	576,000원
4499	2023-07-17 13시	15시	PE-TEOS 15,000A 직접 이용 고도화 사업	주식회사 아이큐랩	생산기술	김희종	800,000원
4500	2023-07-18 9시	12시	LOT ID: KA26400A 목적: PA공정 SiN 증착 총 12장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4501	2023-07-19 13시	15시	SiNx 두께=300 nm 증착 요청, 증착온도=250도 내외 증착 기판; InP (quarter of 2\", 2조각), Si dummy 2조각 증착 비용은 같은 부서(ETRI)의 김덕준 박사님이 선결제 한 금액에서 차감.	한국전자통신연구원	광통신부품연구실	김현수	120,000원
4502	2023-07-19 18시	19시	SiN T300 6장 200nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	김재경	80,000원
4503	2023-07-19 9시	10시	SiN 2500 A 증착부탁드립니다.	한국전자통신연구원	RF/전력부품연구실	김정길	480,000원
4504	2023-07-22 19시	20시	직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	80,000원
4505	2023-07-24 13시	14시	Blowing부터 a-Si 450nm 증착 2장 / a-Si 500nm 증착 2장 예상 입고일 : 7월 25일	에스제이	영업	박상준	960,000원
4506	2023-07-24 14시	15시	BD3217-0626-NHOLE - Nitride 1300A 증착 2매	주식회사 보다	연구개발	김형원	170,000원
4507	2023-07-24 19시	20시	.	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이지해	80,000원
4508	2023-07-25 15시	18시	LOT ID: KA26399C 목적: PA공정 SiN 증착 총 12장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4509	2023-07-25 19시	23시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 실리콘 기판 위에 silicon dioxide 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4510	2023-07-25 9시	11시	BD3217-0629-PA - Nitride 700A 증착 3매	주식회사 보다	연구개발	김형원	255,000원
4511	2023-07-26 21시	22시	PECVD 직접사용요청드립니다.감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	80,000원
4512	2023-07-28 10시	11시	SiO2 100nm 증착 부탁 드립니다. 미리 샘플 넣어 놓겠습니다. 가능한 빠르게 공정 부탁드려요!	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	송재섭	108,000원
4513	2023-07-28 16시	17시	nGaN이 메사 에칭된 조각 8개 조각 샘플입니다. 현재 PR coating으로 패터닝 되어있습니다. 샘플 트레이 순서를 표시해두었는데 순서대로 꼭 위치 부탁드립니다! PECVD 100도로 SiO2 약 100 nm 증착 부탁드립니다. 증착 이후 lift-off 예정입니다. 급한 샘플이라 유선으로 공정 일정 문의드리겠습니다. 다른 문의사항 있으시면 유선 010-2688-6826으로 연락 부탁드립니다. 감사합니다 :)	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김자원	108,000원
4514	2023-07-28 17시	17시	250\'C 500 nm SiNx 1매 (litho.) 250nm SiNx 2매 (1매: litho., Si, 1매: Au on Si, litho.) 택배 배송	RFHIC	DI팀	김만경	360,000원
4515	2023-07-28 5시	6시	5회 진행 4회 plasma treatment	동우화인캠(주)	반도체소재연구소 반도체소재2팀	김정식	600,000원
4516	2023-07-28 8시	9시	pecvd 직접사용 요청드립니다.감사합니다	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	160,000원
4517	2023-07-31 17시	18시	BD 3217 Phole Test 용 Nitride 증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	170,000원
4518	2023-07-31 19시	20시	.	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이지해	160,000원
4519	2023-08-01 15시	17시	SiO2 DEPO	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	1,200,000원
4520	2023-08-03 19시	21시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다. PECVD 직접사용신청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4521	2023-08-04 9시	12시	LOT ID: KA32575A 목적: SH공정 SiN 증착 총 12장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4522	2023-08-06 1시	2시	Rho a-Si low loss 증착	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이은지	160,000원
4523	2023-08-07 11시	12시	1-2-2 H/M Depo SIO2 400A	포항공과대학교	신소재공학과	이석호	108,000원
4524	2023-08-07 16시	17시	BD3217-ROIC-OHMIC - Nitride 300A 증착 2매	주식회사 보다	연구개발	김형원	170,000원
4525	2023-08-07 19시	23시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 Si 기판 위에 SiO2 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4526	2023-08-07 9시	11시	boda3217-0804(new lot) mi layer sin 증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	425,000원
4527	2023-08-10 17시	18시	PECVD SiO2 3um Deposition	싸니코전자(주)	개발팀	최주헌	1,440,000원
4528	2023-08-10 19시	23시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 Si 기판 위에 SiO2 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4529	2023-08-14 13시	17시	LOT ID: KA32575C 목적: SH공정 SiN 증착 총 12장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4530	2023-08-14 17시	18시	15000A 진행	주식회사 아이큐랩	생산기술	김희종	360,000원
4531	2023-08-16 12시	13시	직접이용하겠습니다!	포항공과대학교	기계공학과	강현정	80,000원
4532	2023-08-16 13시	17시	plasma treatment 2회 진행	동우화인캠(주)	반도체소재연구소 반도체소재2팀	김정식	240,000원
4533	2023-08-17 10시	11시	a-si 증착	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이은지	80,000원
4534	2023-08-18 14시	15시	PE-Oxide 500A	주식회사 아이큐랩	생산기술	김희종	270,000원
4535	2023-08-21 10시	15시	SiO2-500nm SiN_500nm SiON-500nm SiO2/SiN film(SiO2먼저 증착)-500nm/500nm	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	황현웅	540,000원
4536	2023-08-24 14시	15시	VOx Shadow mask - Si Nitride 300A 증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	85,000원
4537	2023-08-25 13시	14시	PE-Oxide 15000A 진행	주식회사 아이큐랩	생산기술	김희종	360,000원
4538	2023-08-26 14시	15시	직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	80,000원
4539	2023-08-30 14시	15시	.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4540	2023-08-30 16시	17시	PECVD 직접사용 요청드립니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김홍윤	80,000원
4541	2023-08-31 13시	17시	기판정보: 기판은 cover glass이며, sepc상 600~700도에도 견디며, 실제 열처리로 테스트 한 결과, 500도에서 6시간 열처리 하였지만, 이상 없음을 체크했습니다. Si 증착 100nm 희망합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	권오혁	108,000원
4542	2023-08-31 17시	18시	LOT ID: KA32576A 목적: SH공정 SiN 증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4543	2023-08-31 18시	19시	직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	80,000원
4544	2023-09-01 16시	19시	SiNx 터널링 테스트 - nitride 2000A 2매, 300A 2매	주식회사 보다	연구개발	김형원	340,000원
4545	2023-09-04 14시	15시	VOx 저항 테스트 - Si Nitride 300A 증착_2매	주식회사 보다	연구개발	김형원	170,000원
4546	2023-09-05 19시	20시	직접 이용입니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	80,000원
4547	2023-09-06 1시	9시	다음과 같은 순서대로 증착 요청드립니다. 8 inch Si wafer (NINT로 부터 구매) 상 1) SiO2 500 nm 증착 2) SiON 300 nm 증착 3) SiN 200 nm 증착	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	황현웅	389,000원
4548	2023-09-06 16시	19시	LOT ID: KA32575A 목적: PA공정 SiN 증착 총 12장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4549	2023-09-06 9시	10시	250c 300a 2ea	템퍼스	생산기술팀	서영민	240,000원
4550	2023-09-07 10시	12시	SiN 2500A 증착 (옫도 250도) 샘플은 직접 방문하여 전해드릴 예정입니다.	한국전자통신연구원	ICT소재푸붐연구소	안신모	120,000원
4551	2023-09-07 13시	15시	SiNx 2000A @ 150C	한국전자통신연구원	광통신부품연구실	박상호	360,000원
4552	2023-09-07 16시	17시	직접이용입니다 .	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	80,000원
4553	2023-09-07 17시	18시	a-Si:H 직접사용 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4554	2023-09-07 19시	20시	.	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이지해	80,000원
4555	2023-09-07 21시	22시	PECVD 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	160,000원
4556	2023-09-08 18시	19시	직접이용입니다	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	80,000원
4557	2023-09-08 20시	21시	PECVD 직접 사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	160,000원
4558	2023-09-10 15시	16시	.	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이지해	160,000원
4559	2023-09-12 14시	16시	2-2-2 H/M Depo SiO2 400A	포항공과대학교	신소재공학과	이석호	108,000원
4560	2023-09-14 16시	17시	1st PECVD SiO2 Deposition 0.5um,inspection 2nd PECVD SiO2 Deposition 0.5~1um	싸니코전자(주)	개발팀	최주헌	360,000원
4561	2023-09-14 18시	19시	Glass 기판에 aSi 800nm 증착, 200도	포항공과대학교	기계공학과	김재경	160,000원
4562	2023-09-15 15시	17시	당일 10~12시에 Cleaning(SPM+DHF) 공정 후, 바로 Quartz Slide 4매에 a-Si 증착 : PECVD (3000A) 공정 진행하고 싶습니다. 시간이 얼마나 소요될지 몰라 2시간 신청하였습니다.	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	주창영	108,000원
4563	2023-09-18 10시	12시	300nm의 SiO2가 있는 웨이퍼에서 buried gate를 제작하였고(Ti 10nm, Ni 65nm) 그 위에 gate dielectric(Al2O3 12nm)증착한 다음 채널, Ni S/D까지 증착한 샘플입니다. Passivation용도로 SiO2를 증착할 것이고, 공정 온도는 150도로 SiO2 10nm 증착을 부탁 드립니다.	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김규헌	96,000원
4564	2023-09-18 13시	15시	300nm의 SiO2가 있는 웨이퍼에서 buried gate를 제작하였고(Ti 10nm, Ni 65nm) 그 위에 gate dielectric(Al2O3 12nm) 증착한 다음 채널, Ni S/D까지 증착한 샘플입니다. Passivation용도로 SiN를 증착할 것이고, 공정 온도는 150도로 SiN 10nm 증착을 부탁 드립니다.	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김규헌	96,000원
4565	2023-09-19 12시	14시	직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	80,000원
4566	2023-09-19 16시	17시	2023년 나노융합기반고도화사업 2-1-1 sio2 depo. oxide depo. 2um 2ea	에스제이	영업	박상준	480,000원
4567	2023-09-19 17시	18시	안녕하세요, pecvd 직접사용 요청드립ㄴ디ㅏ.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4568	2023-09-19 19시	23시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 유리기판 위에 amorphous silicon 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4569	2023-09-19 9시	11시	BD3217-0823 - Si Nitride 2000A 증착_2매	주식회사 보다	연구개발	김형원	170,000원
4570	2023-09-20 18시	19시	6인치 웨이퍼 2장 조각 샘플 18매 1um : SiN 3매,SiO2 3매 1.5um : SiN 3매, SiO2 3매 2um : SiN 3매, SiO2 3매	싸니코전자(주)	개발팀	최주헌	480,000원
4571	2023-09-20 19시	23시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 유리기판에 a-Si 100도에서 직접 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4572	2023-09-20 8시	9시	직접 이용입니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	80,000원
4573	2023-09-21 14시	16시	4장 중 2장은 SiN 600nm, 2장은 a-Si 650nm 증착 부탁드립니다.	한국과학기술연구원	양자기술연구단	윤혜영	480,000원
4574	2023-09-21 19시	23시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 유리기판에 a-Si 300도에서 증착하려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4575	2023-09-22 13시	15시	안녕하세요. 포항공대 신소재공학과 최지웅 입니다. 4 inch wafer 3 장 SiO2 공정 의뢰 맡깁니다. 30, 50 적힌 wafer 2장은 SiO2 50 nm 증착할 예정이고 100 적힌 wafer 1장은 SiO2 100 nm 증착할 예정입니다. Wafer 통에 각 wafer마다 30,50,100은 표시 해두었습니다. 표시해둔 값은 패터닝해서 TiN 두께를 표시해둔 것입니다. 즉, SiO2/TiN 30nm, SiO2/TiN 50 nm, SiO2/TiN 100 nm 입니다. 앞서 말한대로 30, 50 적힌 wafer에는 SiO2 50 nm, 100적힌 wafer에는 SiO2 100 nm 증착해주셨으면 좋겠습니다. 필요한 정보 있으시면 01041179580으로 연락주시면 됩니다. 공정 완료 후 연락 주시면 찾아가겠습니다. 샘플은 공정보관함에 넣어 두었습니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	최지웅	324,000원
4576	2023-09-25 11시	12시	BD3217-0804 Sens SiNx 증착 3매(1300A) VOx 특성평가 SiNx 2000A 5매 증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	680,000원
4577	2023-09-25 13시	14시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실입니다. PECVD 직접사용 신청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4578	2023-09-25 14시	15시	Si 구조체 위에 SiO2 100 nm 성막하고 싶습니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김지예	108,000원
4579	2023-09-25 18시	19시	직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	160,000원
4580	2023-09-26 9시	10시	직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	80,000원
4581	2023-10-04 10시	12시	안녕하세요. 포항공대 신소재공학과 최지웅입니다. 저번에 공정 한번 진행했는데 똑같이 진행하려고 합니다. 현재 2 cm/2 cm 크기의 조각 wafer 8개 SiO2 증착 의뢰 합니다. 현재 조각 wafer에는 SiO2 600 nm와 Poly Si 30 nm/SiO2 50 nm/Poly Si 30 nm/SiO2 50 nm/Poly Si 30 nm 증착되어 있습니다. 그 위에 다시 SiO2 50 nm 증착하려고 합니다. 그래서 최종 구조가 SiO2 600 nm와 Poly Si 30 nm/SiO2 50 nm/Poly Si 30 nm/SiO2 50 nm/Poly Si 30 nm/SiO2 50 nm 로 되었으면 좋겠습니다. 저번에 저와 연락하며 2cm 기반 지그 만들어 두었다고 했습니다. 저번에 증착했던 것과 마찬가지로 SiO2 50 nm 증착해주셨으면 좋겠습니다. 샘플은 공정 의뢰함에 넣어 두겠습니다. 연락처는 01041179580 입니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	최지웅	108,000원
4582	2023-10-04 10시	12시	Pecvd 1회 직접사용 요창드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4583	2023-10-04 13시	15시	LOT ID: KA32575C 목적: PA공정 SiN 증착 총 11장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4584	2023-10-05 10시	12시	안녕하세요. 포항공대 신소재공학과 최지웅 입니다. 4 inch wafer 2 장 SiO2 공정 의뢰 맡깁니다. Wafer 2장SiO2 50 nm 증착할 예정입니다. Wafer 통에 각 wafer마다 30,50 표시해두었습니다. 표시해둔 값은 패터닝해서 TiN 두께를 표시해둔 것입니다. 즉, SiO2 300 nm/TiN 30nm/SiO2 50 nm/TiN 30 nm, SiO2 30 nm/TiN 50 nm/SiO2 50 nm/TiN 50 nm 입니다. Wafer 위치가 혼동되지 않게 증착 후에도 동일한 위치에 보관해주셨으면 합니다. 필요한 정보 있으시면 01041179580으로 연락주시면 됩니다. 공정 완료 후 연락 주시면 찾아가겠습니다. 샘플은 공정보관함에 넣어 두었습니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	최지웅	108,000원
4585	2023-10-06 10시	18시	6장 모두 a-Si 650 nm 두께로 증착 부탁드립니다.	한국과학기술연구원	양자기술연구단	윤혜영	240,000원
4586	2023-10-10 10시	11시	SiO2위에 Al2O3 dielectric, Te채널, Ni S/D이 있습니다. 150도씨에서 SiO2 10nm증착 부탁 드립니다.	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김규헌	96,000원
4587	2023-10-10 11시	12시	SiO2 300nm기판 위 dielectric, 채널, S/D으로 Al2O3 12nm, Te 5nm, Ni 70nm있습니다. 150도씨에서 SiN 10nm증착을 passivation용도로 증착 부탁 드립니다.	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김규헌	96,000원
4588	2023-10-10 15시	16시	sio2 100nm 3ea	에스제이	영업	박상준	360,000원
4589	2023-10-11 13시	14시	VOx 특성평가 SiNx 300A 1장 증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	85,000원
4590	2023-10-11 14시	15시	pe nitride 300a 6ea	템퍼스	생산기술팀	서영민	720,000원
4591	2023-10-11 22시	23시	PECVD 직접사용 요청드립니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김홍윤	80,000원
4592	2023-10-12 10시	12시	안녕하세요. 포항공대 신소재공학과 최지웅 입니다. 4 inch wafer 2 장 SiO2 공정 의뢰 맡깁니다. Wafer 2장SiO2 50 nm 증착할 예정입니다. Wafer 통에 각 wafer마다 30,50 표시해두었습니다. 표시해둔 값은 패터닝해서 TiN 두께를 표시해둔 것입니다. 즉, SiO2 300 nm/TiN 30nm/SiO2 50 nm/TiN 30 nm/SiO2 50 nm/TiN 30 nm, SiO2 30 nm/TiN 50 nm/SiO2 50 nm/TiN 50 nm/SiO2 50 nm/TiN 30 nm 입니다. Wafer 위치가 혼동되지 않게 증착 후에도 동일한 위치에 보관해주셨으면 합니다. 필요한 정보 있으시면 01041179580으로 연락주시면 됩니다. 공정 완료 후 연락 주시면 찾아가겠습니다. 샘플은 공정보관함에 넣어 두었습니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	최지웅	216,000원
4593	2023-10-12 12시	13시	BD3217-0823-SENS - Nitride 1300A 증착_3매	주식회사 보다	연구개발	김형원	255,000원
4594	2023-10-13 17시	18시	pe-oxide 100nm 3ea	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	360,000원
4595	2023-10-13 17시	18시	pe nitride 600a 5ea	템퍼스	생산기술팀	서영민	600,000원
4596	2023-10-16 16시	17시	SiO2 0.2um 2023년 나노융합기바고도화사업	에스제이	영업	박상준	240,000원
4597	2023-10-16 19시	20시	글라스 조각 기판에 silicon nitride 150nm 증착할 예정입니다.	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이지해	80,000원
4598	2023-10-16 9시	10시	260nm Si 박막 SOI 칩으로 이빔패터닝 및 엣칭 후 PR 클리닝까지 완료한 상태입니다. SiO2 2um 만큼 증착하고 싶습니다. 패턴이 한쪽 모서리에 있는데 육안으로 보이니 확인해주시고 증착해주시면 감사하겠습니다.	포항공과대학교	물리학과	박세배	216,000원
4599	2023-10-17 12시	15시	1st 공정/glass 기판 and, Si trench wafer 조각: a-Si 100nm 증착 희망합니다. 2nd 공정/Si Trench wafer 조각: 위의 a-Si 100nm 증착 공정이후,glass 기판을 제외한 Si trench wafer 조각만, SiO2 150nm 증착 부탁드립니다. (본 Trench wafer는 따로 추가 물질 없이 Si, SiO2로만 구성되어 있습니다.)	포항공과대학교	신소재공학과	권오혁	216,000원
4600	2023-10-18 10시	12시	pe nitride 1000a 1ea	템퍼스	생산기술팀	서영민	120,000원
4601	2023-10-23 13시	15시	1. 6\" Si wafer 1EA - 패턴되어 있음. - SiO2 5000A 증착 요청 2. 6\" Glass wafer 6EA - PR 패턴되어 있음(Lift-off 용) - SiO2 2000A 증착 요청 모두 나노융합 기반 고도화 사업으로 과제비 처리 부탁드립니다. 2023년 나노융합기반고도화사업	에스제이	영업	박상준	840,000원
4602	2023-10-23 15시	16시	BD3217_PI Bubble Test SiNx 2000A 증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	170,000원
4603	2023-10-23 16시	19시	BD3217-0823-NHOLE - Nitride 300A 증착_3매	주식회사 보다	연구개발	김형원	255,000원
4604	2023-10-25 11시	12시	VOx 특성평가 _ SiNx 300A 증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	340,000원
4605	2023-10-25 13시	16시	PECVD SiO2 2000A 증착 요청 - 2inch si wafer - 증착면 : Front (카세트 표시 참고) - 증착 수량 : 11장 - 기판 입고일 : 10/24 * 2023년 나노기반고도화 사업 과제비 집행 요청	에스제이	영업	박상준	240,000원
4606	2023-10-25 16시	17시	PECVD SiO2 5000A 증착 - 입고일 : 10/25 - 기판 : 6inch Si wafer - 카세트 \'증착면\' 표시 참고 (SiO2가 증착되어 있는 면의 반대면에 증착해주시면 됩니다.) - 증착 수량 : 1장	에스제이	영업	박상준	120,000원
4607	2023-10-25 19시	20시	조각 glass 기판에 silicon nitride 150 nm 증착 예정입니다.	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이지해	80,000원
4608	2023-10-26 11시	17시	TES PECVD 400\'C SiNx 500nm 2매 BMR PECVD 250\'C SiNx 500nm 2매	RFHIC	DI팀	김만경	480,000원
4609	2023-10-27 11시	12시	BD3217-PIB SIN 증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	170,000원
4610	2023-10-28 16시	20시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다 PECVD를 통해서 a-Si를 4회 증착하도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	320,000원
4611	2023-10-30 16시	17시	BD3217-PIB SINX 증착 2매	주식회사 보다	연구개발	김형원	170,000원
4612	2023-10-31 17시	20시	- SiO2 1000A 증착 요청 - 온도 : 300도 - Ti 500A / Ni 5000A / Au 500A 증착되어 있음 - 증착할 웨이퍼 : slot No3, 4, 5, 6, 10, 11 (총 6장만 진행)	에스제이	영업	박상준	720,000원
4613	2023-10-31 8시	9시	LOT ID: KA32575C 목적: PA공정 SiN 증착 (10.25) 총 2장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4614	2023-11-01 1시	2시	e-mail 및 유선 협의 완료 SiO2 4000 Å 4회 SiO2 4300 Å 2회 Al2O3 500a 4회(20회 청구)	동우화인캠(주)	반도체소재연구소 반도체소재2팀	김정식	3,120,000원
4615	2023-11-01 10시	12시	Si3N4 ~150 nm (@ 250도)	한국전자통신연구원	광통신부품연구실	박홍휘	120,000원
4616	2023-11-01 13시	15시	PECVD를 통한 a-Si 증착 희망합니다. Pt/Si/SiO2 Wafer와 유리기판입니다. 샘플은 30일 오후에 보관하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	권오혁	108,000원
4617	2023-11-01 15시	17시	PR 도포된 상태	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	조현제	756,000원
4618	2023-11-01 17시	18시	Vox 공인인증 _ SiNx 2장 증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	170,000원
4619	2023-11-01 21시	24시	포항공대 노준석 교수님 연구실입니다. 2 by 2 유리기판에 a-Si 직접 증착하려고 합니다, 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이도현	160,000원
4620	2023-11-01 4시	5시	Glass 조각 기판에 silicon nitride 150nm 증착 예정입니다.	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이지해	80,000원
4621	2023-11-02 13시	14시	안녕하세요. 포항공대 신소재공학과 최지웅 입니다. 현재 4 inch wafer 2장 SiO2 200 nm 증착 의뢰 맡깁니다. Wafer는 metallic doping된 Si위에 300 nm SiO2, 200 nm TiN 증착되어 있는 상태입니다. 이 위에 SiO2 200 nm 증착하려고 합니다. 4inch wafer 2장입니다. 샘플은 공정보관함에 두겠습니다. 완료되면 01041179580으로 연락주시면 됩니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	최지웅	216,000원
4622	2023-11-02 14시	17시	BD3217-0823-PA - Nitride 700A 증착_3매	주식회사 보다	연구개발	김형원	425,000원
4623	2023-11-02 19시	20시	안녕하세요, 이정익 선생님. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. a-Si:H 400nm T200 조건으로 증착 예정입니다. PECVD 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	180,000원
4624	2023-11-02 20시	21시	pecvd 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	160,000원
4625	2023-11-02 7시	8시	pe nitride 1000a 1ea(10/31일진행)	템퍼스	생산기술팀	서영민	120,000원
4626	2023-11-02 9시	13시	LOT ID: KA32576A 목적: PA공정 SiN 증착 총 12장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4627	2023-11-04 12시	13시	직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	80,000원
4628	2023-11-06 14시	15시	SiO2, 300 nm 100도에서 진행 부탁드립니다. (시편은 5 cm x 7 cm 2개 입니다.)	포항공과대학교 대학원	기계공확과	김상목	108,000원
4629	2023-11-06 16시	18시	BD3217-1101-SENS - Nitride 1300A 증착_1매	주식회사 보다	연구개발	김형원	85,000원
4630	2023-11-06 19시	21시	pe-nitride 1500a 5ea	템퍼스	생산기술팀	서영민	600,000원
4631	2023-11-07 14시	16시	PE-Nitride 300A	템퍼스	생산기술팀	서영민	600,000원
4632	2023-11-08 14시	15시	100도에서, SiO2 300 nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교 대학원	기계공확과	김상목	216,000원
4633	2023-11-08 9시	11시	LOT ID: Module 목적: SiN 증착 (4500A) 총 3장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
4634	2023-11-09 14시	16시	Si3N4 박막 증착; (증착두께;300nm) 증착/증착온도~250도 증착 샘플; 5조각= InP; Quarter of 2\" (3조각) Si dummy 2조각	한국전자통신연구원	광통신부품연구실	김현수	120,000원
4635	2023-11-09 9시	11시	AAO wafer (150um, 4inch) 시편 위 Ta/Pt electrode 증착 SiO2 PECVD 800nm 증착	한국과학기술원	기계공학과	이병주	120,000원
4636	2023-11-10 11시	13시	Cleaning(SPM+DHF) 공정 후, Quartz Plate 4장에 a-Si 증착 : PECVD (3000A) 공정 진행하고 싶습니다. 저번 이정익 선생님 통해서 진행하였을 때, 3000A 타겟하여 공정했으나 FIB 로 확인 결과, a-Si 이 3500A 두께로 증착된 것을 확인하였습니다. 참고하여 주시고, 관련하여 이정익 선생님과 논의하셔서 최대한 3000A에 가깝게 증착될 수 있도록 해주시면 감사하겠습니다. 이번 공정은 테스트 공정이 아닌 본 Sample 을 위한 공정이기 때문에 중요합니다. 부탁드리겠습니다.	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	주창영	333,000원
4637	2023-11-13 13시	14시	- SiO2 2um 전면 증착 요청 - SiO2 증착 후, 두께 측정 요청 - 나노융합 기반 고도화 사업 과제비로 청구 요청	에스제이	영업	박상준	480,000원
4638	2023-11-13 14시	15시	BD3217-1101-SENS - Nitride 1300A 증착_1매	주식회사 보다	연구개발	김형원	85,000원
4639	2023-11-14 14시	16시	메사 에칭된 Blue LED 및 Green LED wafer의 조각 시편 4개와 메사 에칭된 Green LED full wafer 한 개입니다. 현재 PR coating으로 패터닝 되어있는 시편들입니다. 샘플 트레이 순서를 표시할 예정인데, 순서대로 꼭 위치 부탁드립니다! PECVD 100도로 SiO2 약 100 nm 증착 부탁드립니다. 증착 이후 lift-off 예정입니다. 화요일(11/7) 오후 중에 시편 위치 시킬 예정입니다. 다다음주에 샘플 위치 시키기 전에 다시 연락드려 말씀드리도록 하겠습니다. 다른 문의사항 있으시면 유선 010-2688-6826으로 연락 부탁드립니다. 감사합니다 :)	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김자원	108,000원
4640	2023-11-14 9시	13시	Fused Silica 입니다. 6장 모두 a-Si 80 nm 두께로 증착 부탁 드립니다. 이후 Spectroscopic Ellipsometer 로 박막 두께 측정이 필요하여 해당 장비 담당자이신 황현주 선생님(054-279-0226), 이유정 선생님(054-279-0230)께 전달 부탁 드리겠습니다.	한국과학기술연구원	양자기술연구단	윤혜영	120,000원
4641	2023-11-15 14시	15시	BD3217-1101-NHOLE - Nitride 300A 증착_2매	주식회사 보다	연구개발	김형원	170,000원
4642	2023-11-15 9시	11시	LSN 300A / 600A / 1000A 총 4ea	템퍼스	생산기술팀	서영민	480,000원
4643	2023-11-16 10시	11시	SiO2 1000A 2장 공정 요청	에스제이	영업	박상준	240,000원
4644	2023-11-16 11시	12시	4inch wafer 2장 SiO2 200 nm 공정의뢰 맡깁니다. Wafer는 현재 하단부터 SiO2 300 nm/TiN 200 nm/SiO2 200 nm/TiN 200 nm 입니다. 이 위에 SiO2 200 nm 증착 의뢰합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	최지웅	216,000원
4645	2023-11-16 8시	10시	a-Si 60 nm 증착 의뢰 합니다. 총 샘플은 4inch wafer 4장입니다. 2장은 SiO2/Si wafer이고, 2장은 glass 기판입니다. 샘플 1층 보관함에 두었습니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	최지웅	432,000원
4646	2023-11-17 18시	21시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. PECVD를 통해 a-Si:H를 4회 증착하고자 합니다. 직접 사용하도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	320,000원
4647	2023-11-18 11시	12시	직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	96,000원
4648	2023-11-18 15시	16시	노준석 교수님 연구실 강도현입니다. 직접이용신청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	80,000원
4649	2023-11-21 10시	11시	자연산화막 제거없이 SiN 500nn 증착의뢰합니다	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	서경민	108,000원
4650	2023-11-21 15시	16시	- Al 패터닝되어있음. - SiO2 500A 증착 요청. - 증착면 기재되어 있음(F/S) - 나노융합기반고도화 사업 과제비로 청구 요청	에스제이	영업	박상준	120,000원
4651	2023-11-21 17시	18시	BD3217-1116-PHOLE - Nitride 2000A 증착_4매	주식회사 보다	연구개발	김형원	340,000원
4652	2023-11-21 18시	19시	BD3217-1116-NHOLE - Nitride 1100A_2매	주식회사 보다	연구개발	김형원	170,000원
4653	2023-11-22 9시	12시	저온 LSN 1,500A 250\'C 5매 진행 부탁드립니다. 감사합니다.	템퍼스	생산기술팀	서영민	600,000원
4654	2023-11-23 13시	14시	- Au 패터닝되어 있음. - SiO2 2000A 증착 요청. - 공정 완료 후, 퀵으로 인수하고자 함. - 해당 건은 나노융합기반 고도화 사업 과제비로 청구 요청	에스제이	영업	박상준	720,000원
4655	2023-11-23 9시	12시	Fused Silica 입니다. 9장 모두 a-Si 120 nm 두께로 증착 부탁 드립니다. 이후 Spectroscopic Ellipsometer 로 박막 두께 측정이 필요하여 해당 장비 담당자이신 황현주 선생님(054-279-0226), 이유정 선생님(054-279-0230)께 전달 부탁 드리겠습니다.	한국과학기술연구원	양자기술연구단	윤혜영	120,000원
4656	2023-11-24 15시	16시	SiN 400nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	오동교	80,000원
4657	2023-11-28 10시	12시	a-Si 100nm 증착 희망합니다. 퀄츠 조각샘플 7개+glass 3개 샘플은 11월 27일 오후에 보관하겠습니다.	포항공과대학교	신소재공학과	권오혁	108,000원
4658	2023-11-28 14시	16시	glass 조각 기판 2개 SiN 400nm 증착 (high) 부탁드립니다. 굴절률 측정도 같이 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	오동교	96,000원
4659	2023-11-29 17시	18시	SiO2 depo	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	3,840,000원
4660	2023-11-30 11시	12시	BD3217-1116-OHMIC - Nitride 350A 증착_2매	주식회사 보다	연구개발	김형원	170,000원
4661	2023-11-30 9시	11시	- Si 식각 및 SiO2 증착된 wafer * 의뢰 내용 1) 증착 물질 : Silicon Nitride 2) 압력 : 15mTorr 3) 두께 : 1500A (150nm) 4) 증착 시간 : 59sec (이전에 자사의 남효진 책임님이 확인한 결과인데, 다시 한번 확인 부탁드립니다.) wafer는 내일 11월 29일 도착 예정입니다.	LG전자	센서솔루션연구소_광소자센서Task	홍은주	120,000원
4662	2023-12-01 13시	14시	- 4인치 EXG 0.5t wafer - 수량 : 2ea - Au 패터닝 후 SiO2 패터닝 되어 있음. - SiO2 0.2um 증착 요청드림. - 본 건에 대하여 나노융합기반고도화 사업 과제비로 청구 요청	에스제이	영업	박상준	240,000원
4663	2023-12-01 14시	16시	안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. Glass 총 9장 중에, Glass 4장에는 a-Si:H 150 nm, glass 5장은 a-Si:H 130 nm으로 증착 부탁드립니다. 시편은 목요일 저녁 시편보관함에 넣어두겠으며, 금요일 시간이 안된다면 다음주 해주셔도 괜찮습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	192,000원
4664	2023-12-01 16시	17시	BD3217-1116-PA - Nitrdie 700A 증착_2매	주식회사 보다	연구개발	김형원	170,000원
4665	2023-12-01 9시	11시	저온 LSN 300A 250\'C 2매 진행 부탁드립니다. 감사합니다.	템퍼스	생산기술팀	서영민	240,000원
4666	2023-12-04 20시	22시	직접 진행하겠습니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김홍윤	80,000원
4667	2023-12-05 15시	17시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실입니다. PECVD 직접사용 신청드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4668	2023-12-07 11시	12시	SiO2 100nm 증착 부탁드립니다 (유리 기판 조각 샘플 4ea) SiC 과제로 정산 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	손종민	90,000원
4669	2023-12-07 13시	14시	PE-Oxide 2000A	삼성전자	DS	김태훈	0원
4670	2023-12-11 12시	13시	VOx 특성평가 - SiNx 2000A 증착_5매	주식회사 보다	연구개발	김형원	425,000원
4671	2023-12-11 16시	17시	시편 3개에 대해서 자연산화막 제거 없이 SiN 500nm 증착의뢰드립니다	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	서경민	108,000원
4672	2023-12-11 9시	12시	저온 LSN 250\'C, 1,000A 3매 진행 부탁드립니다. 감사합니다. (Notch 1매, Flat 2매)	템퍼스	생산기술팀	서영민	360,000원
4673	2023-12-12 10시	12시	BD3217-D-1117 SINx 1100A dep _ 2ea	주식회사 보다	연구개발	김형원	170,000원
4674	2023-12-12 12시	14시	VOx 특성 평가 - SiNx 100A 증착_5매	주식회사 보다	연구개발	김형원	425,000원
4675	2023-12-13 11시	12시	SiNx 증착 TES 400C 250nm BMR 250C 250nm 공정 완료 후 경기도 수원시 영통구 광교로 109 한국나노기술원 고객센터 김만경 으로 택배 발송 부탁드립니다.	RFHIC	DI팀	김만경	240,000원
4676	2023-12-13 13시	15시	산화갈륨 조각 시편에 대하여 SiO2 박막을 증착할려고 합니다. SiO2는 이온주입 마스크로 이용을 할 예정이며, 두께는 30 nm로 증착을 원합니다. 조각시편 9매는 한 wafer위에 부착하여, 한번에 증착이 되었으면 합니다.	한국전기연구원	차세대반도체연구센터	김중헌	120,000원
4677	2023-12-13 15시	16시	SiNx 증착 TES 400C 250nm BMR 250C 250nm 공정 완료 후 경기도 수원시 영통구 광교로 109 한국나노기술원 고객센터 하영준 으로 택배 발송 부탁드립니다.	RFHIC	DI팀	김만경	240,000원
4678	2023-12-13 16시	17시	BD3217-d-1117 SINx 1100A dep 1ea	주식회사 보다	연구개발	김형원	85,000원
4679	2023-12-13 20시	21시	x	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	윤석현	90,000원
4680	2023-12-13 9시	11시	h-BN이 성장된 GaN 및 AlGaN 기판입니다. 현재 PR coating으로 패터닝 되어있는 시편들입니다. 샘플 트레이 순서를 표시할 예정인데, 순서대로 꼭 위치 부탁드립니다. PECVD 100도로 SiO2 약 200 nm 증착 부탁드립니다. 증착 이후 lift-off 예정입니다. 화요일(12/12) 오후 중에 시편 위치 시킬 예정입니다. 다른 문의사항 있으시면 유선 010-2688-6826으로 연락 부탁드립니다. 감사합니다 :)	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김자원	108,000원
4681	2023-12-14 10시	19시	총 8장 중 4장은 지름 25 mm 원형, 나머지 4장은 18 * 18 mm 정사각형 Thin Film 입니다. 8장 모두 a-Si 80 nm 두께로 증착 부탁 드리겠습니다.	한국과학기술연구원	양자기술연구단	윤혜영	120,000원
4682	2023-12-14 15시	17시	저온 LSN 250\'C, 1,500A 1매 진행 부탁드립니다. 감사합니다.	템퍼스	생산기술팀	서영민	120,000원
4683	2023-12-15 16시	17시	노준석 교수님 연구실 강도현입니다. 직접 이용 1회 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	80,000원
4684	2023-12-16 16시	20시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. a-Si:H를 PECVD를 직접 사용해서 10회 증착하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	800,000원
4685	2023-12-17 13시	15시	직접이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	80,000원
4686	2023-12-18 14시	16시	SIN 증착 부탁드립니다. fused silica 0.5mm thickness 18장 보내드립니다. 총 18장 중 6장은 SIN 705nm 6장 SIN 970nm 6장은 SIN 1.2um으로 증착부탁드립니다.	성균관대학교	지능형정밀헬스케어학과	박혜미	480,000원
4687	2023-12-18 9시	10시	저온 LSN 250\'C, 1,000A 1매 진행 부탁드립니다. 감사합니다.	템퍼스	생산기술팀	서영민	120,000원
4688	2023-12-20 17시	19시	BD3217_D_1117 SINx 350 A dep 3ea	주식회사 보다	연구개발	김형원	255,000원
4689	2023-12-20 9시	11시	SiO2 상부에 SiN 증착 온도 250도 두께 1000A	템퍼스	생산기술팀	서영민	120,000원
4690	2023-12-21 10시	15시	Glass 기판 9개에 Ti 5nm + Al 150nm 순서로 증착되어있습니다. 여기에 SiO2 high xxxx T300 레시피로 SiO2 55nm 증착 부탁드립니다. 증착할때 실리콘 조각 샘플도 넣어서 증착 후 엘립소미터로 증착 두께 측정도 함께 부탁드립니다. 엘립소미터 사용 청구는 따로 해주셔도 됩니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	96,000원
4691	2023-12-22 13시	15시	BD3217-1117-PA - Nitride 700A 증착_2매	주식회사 보다	연구개발	김형원	170,000원
4692	2023-12-22 18시	19시	안녕하세요, 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. PECVD 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	80,000원
4693	2023-12-23 15시	17시	직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	80,000원
4694	2023-12-26 10시	12시	a-Si 30nm 증착 희망합니다. 4인치 웨이퍼 (SiO2/Si) 위에 최대한 균일하게 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	권오혁	216,000원
4695	2023-12-26 13시	14시	SiO2 200nm 증착 부탁드립니다. 샘플 넣어 두고 연락드리겠습니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	송재섭	108,000원
4696	2023-12-26 21시	23시	직접진행	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김홍윤	80,000원
4697	2023-12-27 16시	18시	양극산화알루미늄 기판 + Pt 전극 증착 SiO2 800 nm PECVD 증착 (증착면: 원형 페트리 디쉬 좁은쪽 면)	한국과학기술원	기계공학과	이병주	120,000원
4698	2023-12-28 1시	3시	poly imide 상부 SN 2000A deposition 진행	템퍼스	생산기술팀	서영민	120,000원
4699	2023-12-28 13시	14시	SiN 800nm 증착	서울대학교	전기정보공학부	박영명	240,000원
4700	2023-12-30 13시	19시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. 4\'\' wafer에 a-Si:H 을 10회 직접 증착하겠습니다 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	800,000원
4701	2024-01-03 10시	11시	안녕하세요. 포스텍 신소재공학과 최지웅 입니다. SiO2 공정 의뢰 맡깁니다. 총 4inch wafer 4장입니다. 보관함에 각 웨이퍼 마다 표기해두었습니다. 30,50,50 적혀있는 wafer는 SiO2 50 nm, 100 적혀있는 wafer는 SiO2 100 nm 증착 해주시면 됩니다. Wafer는 현재 TiN이 증착되어 있는 상태입니다. Wafer 섞이면 안되서 공정 후 원래 넣어둔 자리에 그대로 넣어 주시면 좋겠습니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	최지웅	432,000원
4702	2024-01-03 22시	23시	직접진행하겠습니다	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김홍윤	80,000원
4703	2024-01-04 11시	12시	SiN 증착	포항공과대학교	기계공학과	오동교	80,000원
4704	2024-01-04 9시	10시	- 4장 중 2장은 Al2O3 500A 증착(ALD 공정) - 나머지 2장은 SiO2 1000A 증착(PECVD 공정) - 카세트 2장 보내드리니, Al2O3와 SiO2 구분하여 포장 부탁드리겠습니다.	에스제이	영업	박상준	1,440,000원
4705	2024-01-05 10시	11시	glass 조각 기판 2개 SiN 100nm 증착 부탁드립니다. 굴절률 측정도 같이 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	오동교	96,000원
4706	2024-01-05 11시	12시	2-4-4 ISO Gate HardMask Depo Oxide 1000A	(주)칩스케이	연구개발팀	임진홍	0원
4707	2024-01-05 12시	13시	Glass wafer위에 SiN(30nm)-SiO2(50nm)-SiN(30nm)-SiO2(50nm)-aSi:H(650nm)로 총 5 레이어 증착 부탁드립니다. 증착면 표기 부탁드립니다.	서울대학교	전기정보공학부	박영명	720,000원
4708	2024-01-05 13시	16시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. Glass위에 pecvd증착을 부탁하고자 신청을 남깁니다 aSiH 355 nm 5장, 340 nm 4장 증착 부탁드립니다. Glass 시편은 시편 보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다. 새해복 많이 받으세요	포항공과대학교	기계공학과	양영환	192,000원
4709	2024-01-05 16시	18시	p-si/SiO2/W wafer 위에 SiO2 30 nm 증착을 원합니다	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	서종선	108,000원
4710	2024-01-07 11시	13시	직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	80,000원
4711	2024-01-08 13시	14시	시편정보 : Si wafer cleaving 만 진행된 시편 11개 입니다. 요청사항 : SiN 500 nm 증착을 원합니다. 공정온도를 섭씨 250도에서 진행하고 싶습니다.	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	박수현	108,000원
4712	2024-01-09 12시	13시	안녕하세요. 포스텍 신소재공학과 최지웅 입니다. SiO2 공정 의뢰 맡깁니다. 총 4inch wafer 2장입니다. 보관함에 각 웨이퍼 마다 표기해두었습니다. 30,50 적혀있고 2장 모두 SiO2 50 nm 증착 해주시면 됩니다. Wafer는 현재 TiN이 증착되어 있는 상태입니다. Wafer 섞이면 안되서 공정 후 원래 넣어둔 자리에 그대로 넣어 주시면 좋겠습니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	최지웅	216,000원
4713	2024-01-09 9시	12시	p-Si/SiO2/W/SiO2/W 위에 SiO2 30 nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	서종선	108,000원
4714	2024-01-11 1시	2시	SiN 800nm 증착	서울대학교	전기정보공학부	박영명	240,000원
4715	2024-01-11 13시	15시	안녕하세요, LG전자 홍은주 입니다. HDP CVD 의뢰 건으로 메일 드렸습니다. 작년 11월에 제가 증착 했던 동일한 조건으로 진행하고자 합니다. 신규로 open 된 홈페이지상에 신청서는 작성하였고, 의뢰 내용은 다음과 같습니다. * 의뢰 내용 1) 증착 물질 : Silicon Nitride 2) 압력 : 15mTorr 3) 두께 : 1500A (150nm) 4) 증착 시간 : 59sec (이전 조건과 동일하게 ) 5) 수량 : 8매 (1매는 bare wafer, 7매는 patterned wafer) 시료는 금일 퀵으로 발송 예정이며 내일 아침에 도착 예정입니다. 공정은 언제쯤 진행 가능할까요? 감사합니다. 홍은주 드림	LG전자	센서솔루션연구소_광소자센서Task	홍은주	720,000원
4716	2024-01-12 9시	12시	BD3217-0102-MI - Si Nitride 2000A 증착_3매	주식회사 보다	연구개발	김형원	255,000원
4717	2024-01-15 9시	10시	PE nitride 250도 4000A 4매 진행 하부 SiO2 500A capping 되어 있음.	템퍼스	생산기술팀	서영민	480,000원
4718	2024-01-16 11시	12시	a-Si:H 300nm 증착 요청 드립니다. 감사합니다.	연세대학교	의공학과	유경현	120,000원
4719	2024-01-17 13시	18시	희생층 (실리콘 나이트라이드 SiNx / 아몰퍼스 실리콘 a-Si) / Glass (무알칼리 글라스) 증착	(주)플라이업	연구소	이상우	960,000원
4720	2024-01-18 13시	14시	.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	조현제	108,000원
4721	2024-01-18 9시	12시	저온 LSN 250\'C 1,300A 7매 저온 LSN 250\'C, 300A 3매 진행 부탁드립니다. 감사합니다.	템퍼스	생산기술팀	서영민	1,200,000원
4722	2024-01-19 13시	14시	PE SiN 4kA 300도 1매, 250도 7매 (웨이퍼 캐리어에 표기되어 있음) 하부 SiO2 500A 증착되어 있음	템퍼스	생산기술팀	서영민	960,000원
4723	2024-01-20 13시	15시	직접 이용하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	강현정	80,000원
4724	2024-01-23 10시	15시	저온 LSN 250\\\'C 1,500A 5매 진행 부탁드립니다. 감사합니다.	템퍼스	생산기술팀	서영민	600,000원
4725	2024-01-23 15시	16시	SiN 800nm 증착 요청	서울대학교	전기정보공학부	박영명	240,000원
4726	2024-01-23 16시	17시	PECVD, SiO2 물질로 250도에서 400 nm _> 500 nm로 변경 증착 부탁드립니다. 가급적 샘플 순서대로 공정해주시면 매우 감사드릴 것 같습니다. 공정 완료 후 연락 주시면 감사하겠습니다. 잘 부탁드립니다. 감사합니다!	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	임세미	108,000원
4727	2024-01-23 18시	19시	aSi:H 증착 1회	포항공과대학교	기계공학과	김재경	80,000원
4728	2024-01-23 9시	10시	WM SiO2 3000A dep 3ea	주식회사 보다	연구개발	김형원	255,000원
4729	2024-01-24 11시	16시	담당자 이정익 선생님, 공정 후, 다른 기관에 전달하여 후속공정 있습니다. 후속 공정은 PR coating, Photolithography(Stepper), develop, Dry Etching(DRIE), PR Ashing 입니다.	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	주창영	864,000원
4730	2024-01-29 13시	14시	SiO2 2000A 전면 증착 요청 - 4inch Exg Wafer 상에 Au 1000A 패턴되어 있음.	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	120,000원
4731	2024-01-29 20시	21시	전자과 공병돈 교수님 전길수 010-5287-9314	포항공과대학교	전자전기공학과	전길수	90,000원
4732	2024-01-30 13시	15시	1) SiNx 박막 (t=300 nm), 증착온도=250도, sample;InP;1조각, Si ;1조각 2) SiO2 박막(t=300 nm), 증착온도=conventional, 샘플;InP; 1조각, Si;1조각 증착대금은 같은 팀에 근무하는 김덕준 박사님의 선결재 금액에서 차감 바람	한국전자통신연구원	광통신부품연구실	김현수	240,000원
4733	2024-01-30 19시	20시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 강도현입니다. PECVD 직접 이용하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	80,000원
4734	2024-02-01 1시	10시	안녕하세요. 포스텍 신소재공학과 최지웅입니다. 4 inch wafer 11장 공정의뢰 맡깁니다. 각 웨이퍼마다 표기 해두었습니다. 30, 50 적힌 웨이퍼에는 (총 8장) SiO2 50 nm 증착해주시면 됩니다. 100 적힌 웨이퍼에는 (총 3장) SiO2 100 nm 증착해주시면 됩니다. 웨이퍼 위치는 각 조건별로 구분해둔 것이라 섞이지 않게 다시 나둬주시면 좋겠습니다. 웨이퍼에는 현재 TiN 과 SiO2 두 물질이 교차되어 증착되어 있습니다. 필요하신 사항 있으시면 연락주세요. 웨이퍼는 공정 보관함에 두겠습니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	최지웅	1,188,000원
4735	2024-02-02 11시	14시	4 SiO2 depo 1700A 2023년 나노융합기반 고도화 사업	(주)엔디디	연구소	최영환	0원
4736	2024-02-02 19시	21시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다. PECVD 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	96,000원
4737	2024-02-02 9시	11시	PECVD, SiO2 물질로 250도에서 400 nm 증착 부탁드립니다. 가급적 샘플 순서대로 공정해주시면 매우 감사드릴 것 같습니다. 공정 완료 후 연락 주시면 감사하겠습니다. 잘 부탁드립니다. 감사합니다!	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	임세미	108,000원
4738	2024-02-06 17시	18시	Au 패턴면에 SiO2 2000A 전면 증착 요청 - 4inch Exg Wafer 상에 Au 1000A 패턴되어 있음. - 200도 진행 요청	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	120,000원
4739	2024-02-06 19시	20시	a-Si 증착	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이은지	80,000원
4740	2024-02-07 15시	16시	LSN 1500A	템퍼스	생산기술팀	서영민	120,000원
4741	2024-02-07 9시	12시	2인치 Si 기판 4장과 2인치 GaN 기판 1장입니다. 각각 200nm 두께로 SiO2 증착을 부탁드리며 공정은 잡혀있는 최적 조건으로 부탁 드립니다. 가능하시다면 증착 이후에 elipsometer로 두께 한번만 확인 부탁 드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	송재섭	175,000원
4742	2024-02-08 11시	12시	sio2 depo	삼성전자	VD 사업부	이기원	2,160,000원
4743	2024-02-08 9시	12시	Fused Silica 기판입니다. 9장 모두 a-Si 120 nm 두께로 증착 부탁 드립니다.	한국과학기술연구원	양자기술연구단	윤혜영	120,000원
4744	2024-02-13 13시	14시	BD3217-0102-NHOLE - SiNx 1100A 증착_5매	주식회사 보다	연구개발	김형원	425,000원
4745	2024-02-14 16시	17시	VOx Test - SiNx 300A 증착_2매	주식회사 보다	연구개발	김형원	170,000원
4746	2024-03-18 19시	20시	pecvd 직접사용 신청드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4747	2024-03-18 20시	22시	aSiH T300 증착	포항공과대학교	기계공학과	김재경	160,000원
4748	2024-03-19 10시	11시	2cm1.2cm / 1.2cm0.6cm 조각 샘플의 경우, SiO2 기판 위에 Lithium Niobate 물질 증착 되어 있고, 이 위에 a-Si 1000nm 증착 부탁 드리겠습니다. 샘플에 직접 증착 하기 전에 테스트 용으로 Quartz에 먼저 a-Si 1000 nm 증착, 이후에 해당 quartz에 증착한 a-Si 박막 두께 측정 및 확인, calibration까지 진행 한 뒤에 조각 샘플에 a-Si 증착 해주시면 감사하겠습니다. (Quartz 2장 보내드릴 예정입니다. 번거로우시겠지만 한 장 증착 및 두께 측정 거친 후 나머지 한 장 다시 증착 및 두께 측정하여 최대한 1000 nm에서 벗어나지 않게 증착 부탁 드리겠습니다!) 두께 측정은 나노융합기술원 안에서 엘립소미터 장비 이용하고자 하니 증착 후 해당 장비 담당자이신 황현주, 이유정 연구원님께 전달 부탁 드리겠습니다. 감사합니다!	한국과학기술연구원	양자기술연구단	윤혜영	420,000원
4749	2024-03-19 11시	12시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. a-Si:H 132 nm 증착 부탁드립니다. 시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	112,000원
4750	2024-03-19 12시	13시	BD3217-240102-OHMIC - SiNx 300A 증착_2매	주식회사 보다	연구개발	김형원	158,000원
4751	2024-03-19 14시	15시	엔지니어 동반 교육 이수하고자합니다.	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	최준영	140,000원
4752	2024-03-19 18시	19시	a-Si:H 증착 직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	240,000원
4753	2024-03-19 8시	9시	직접이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	80,000원
4754	2024-03-20 10시	12시	기판: piezo on SiO2 * 2 SiN 400 nm 증착 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	오동교	112,000원
4755	2024-03-20 16시	18시	AsIh t300 증착	포항공과대학교	기계공학과	김재경	80,000원
4756	2024-03-21 13시	14시	BD3217-240102-PA - SiNx 700A 증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	79,000원
4757	2024-03-21 18시	23시	안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. a-Si 및 SiO2를 각각 6회씩, 12회 증착하도록 하겠습니다. 직접 사용하도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	1,440,000원
4758	2024-03-21 9시	11시	첫번째 증착 공정 요청사항: 온도(100도)로 포토리쏘처리한 4장의 2인치 사파이어 웨이퍼 위에 40nm SiO2 증착하려합니다. 4중 2장은 N0.2 2um 패턴기판 나머지 2장의 기판의 경우 N0.2 2um가있는데 섞이지 않도록 부탁드립니다. 증착조건은 최근에 진행해주셨던 공정조건과 동일합니다. 두번째 증착 공정 요청사항: 온도(100도)로 포토리쏘처리한 1장의 2인치 사파이어 웨이퍼 위에 조금더 얇게20nm SiO2 추가로(위와 별도로) 증착하려합니다. 위 4장과 섞이지 않도록 부탁드립니다.	기초과학연구원	신소재공학과	최종윤	224,000원
4759	2024-03-22 14시	16시	일전에 전화드렸던 전영선입니다. 윤희창 학생과 함께 장비 교육 및 클린룸, 출입신청 교육 부탁드립니다. a-Si:H 공정 조건은 T200, P20으로 450nm 증착입니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	전영선	212,000원
4760	2024-03-22 23시	24시	1	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김홍윤	80,000원
4761	2024-03-25 16시	17시	SiO2 100nm 증착	포항공과대학교	공정기술팀	박광진	112,000원
4762	2024-03-26 14시	16시	PECVD 직접 사용 요청 드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	160,000원
4763	2024-03-26 16시	17시	VOx Test - SiNx 700A 증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	79,000원
4764	2024-03-26 19시	22시	안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. SiOx를 3회 쌓도록 하겠습니다. 직접 사용하도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	240,000원
4765	2024-03-27 14시	16시	로딩 전 DHF 100:1 산처리 부탁드립니다. SiO2 80nm 증착 부탁드립니다.	홍익대학교 산학협력단	전자전기공학과	이민근	140,000원
4766	2024-03-27 17시	19시	SiN T300 증착 1회 진행	포항공과대학교	기계공학과	김재경	80,000원
4767	2024-03-27 19시	23시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. SiN 6회 증착 직접 진행하도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	480,000원
4768	2024-03-28 13시	15시	1) SiNx 박막 증착; (두께=300 nm), 증착온도=250도, 샘플 수=3개 2) SiNx 박막 증착; (두께=300 nm), 증착온도=100도, 샘플 수=2개	한국전자통신연구원	광통신부품연구실	김현수	280,000원
4769	2024-03-28 19시	22시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. SiN 증착을 직접 진행하도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	480,000원
4770	2024-03-29 10시	12시	glass 조각 기판 5개 SiN 500nm 증착 부탁드립니다. 두께 측정도 가능하면 같이 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	오동교	112,000원
4771	2024-03-29 13시	14시	SiN 150A depo	포항공과대학교	공정기술팀	박광진	80,000원
4772	2024-03-29 16시	18시	Glass 기판에 aSiH T300P45 증착	포항공과대학교	기계공학과	김재경	80,000원
4773	2024-03-31 1시	2시	직접진행하겠습니다	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김홍윤	80,000원
4774	2024-03-31 10시	11시	직접사용 신청드립니다	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4775	2024-04-01 12시	13시	SiN, a-Si:H 직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	160,000원
4776	2024-04-01 19시	21시	-	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	윤석현	80,000원
4777	2024-04-02 11시	12시	SiO2 1000A depo	포항공과대학교	공정기술팀	박광진	80,000원
4778	2024-04-02 21시	22시	2 cm X 2 cm glass 조각 기판 위에 silicon nitride 120 nm 증착 예정입니다.	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이지해	80,000원
4779	2024-04-03 15시	16시	엔지니어 동반 장비교육 신청합니다.	포항공과대학교 대학원	반도체공학과	안영진	112,000원
4780	2024-04-03 9시	10시	Glass 기판 위에 Lithium Niobate 물질 증착 되어 있는 조각 샘플입니다. 이 위에 a-Si 1000nm 증착 부탁 드리겠습니다.	한국과학기술연구원	양자기술연구단	윤혜영	140,000원
4781	2024-04-04 17시	18시	(Si 표면 위 Ti 20A, Au 200A가 증착되어 있음) 해당 wafer위 SiO2 2000A 증착 신청	포항공과대학교 대학원	IT융합공학과	김기영	112,000원
4782	2024-04-04 18시	20시	aSiH T300 500nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	김재경	80,000원
4783	2024-04-05 11시	16시	Interconnect : Ti/Pt Thermoelectric material : BiTe / SbTe Capping oxide 500A 적용됨 PE SiN 4kA 250도 4매 300도 4매 진행 요청 드립니다.	템퍼스	생산기술팀	서영민	1,120,000원
4784	2024-04-06 15시	20시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. PECVD로 a-Si를 8회 증착하겠습니다. 직접 사용하도록 하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	640,000원
4785	2024-04-06 22시	23시	pecvd 직접 사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	80,000원
4786	2024-04-06 23시	24시	aSiH T300증착	포항공과대학교	기계공학과	김재경	80,000원
4787	2024-04-07 14시	20시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. PECVD로 a-Si를 8회 증착하겠습니다. 직접 사용하도록 하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	640,000원
4788	2024-04-08 10시	12시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. PECVD로 a-Si 390nm 증착 부탁드립니다. 시편은 시편보관함에 넣어두도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	224,000원
4789	2024-04-08 14시	16시	이메일에 전달드린대로, a-Si 290 nm 증착 후 엘립소미터 이유정 연구원님께 샘플 전달 부탁드립니다.	서울대학교	광공학연구실	김영진	140,000원
4790	2024-04-08 19시	21시	직접사용 신청드립니다	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	80,000원
4791	2024-04-09 10시	12시	4-1-2 SiO2 1700A ICT 제품화 지원사업	(주)엔디디	연구소	최영환	420,000원
4792	2024-04-09 13시	24시	oxide 3um 4ea 진행 nitride 3um 2ea 진행	(주)아이엠티	기술연구소	이종명	2,520,000원
4793	2024-04-11 10시	12시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. PECVD로 a-Si 400nm 증착 부탁드립니다. 시편은 시편보관함에 넣어두도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	224,000원
4794	2024-04-11 14시	15시	SiN 150A depo	포항공과대학교	공정기술팀	박광진	80,000원
4795	2024-04-11 19시	21시	aSiH T300 증착	포항공과대학교	기계공학과	김재경	160,000원
4796	2024-04-13 19시	21시	안녕하세요, 노준석 교수님연구실 강도현입니다. 직접 이용하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	80,000원
4797	2024-04-14 10시	12시	8-2-2 act. area field oxid pecvd	삼성전자	DS	김태훈	0원
4798	2024-04-14 9시	10시	직접이용	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이은지	80,000원
4799	2024-04-15 19시	21시	pecvd 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	80,000원
4800	2024-04-15 9시	11시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. PECVD로 a-Si 350nm 증착 부탁드립니다. 시편은 시편보관함에 넣어두도록 하겠습니다. 감사합니다	포항공과대학교	기계공학과	양영환	224,000원
4801	2024-04-16 19시	20시	pecvd 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	80,000원
4802	2024-04-16 20시	21시	pecvd 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	80,000원
4803	2024-04-17 1시	2시	pecvd 직접 사용 요청드립니다. 감사합니다	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	80,000원
4804	2024-04-17 14시	15시	SiN 800nm 증착 증착면 표기 부탁드립니다.	서울대학교	전기정보공학부	최현규	140,000원
4805	2024-04-17 15시	18시	[ICT제품화지원사업] PECVD SiO2 1000A 증착 요청[SJ] - 1장씩 증착하여 상태 확인 후 후속 진행 부탁드리겠습니다.	마이크로어낼리시스(주)	마이크로어낼리시스 (주)	안재훈	700,000원
4806	2024-04-18 10시	17시	Epi SiC 4인치 SiO2 50nm 증착 부탁드립니다. 온도 60도	AP시스템(주)	디스플레이 장비사업본부	최동혁	420,000원
4807	2024-04-18 18시	19시	SiN T300 1회 증착 300nm	포항공과대학교	기계공학과	김재경	80,000원
4808	2024-04-19 9시	15시	안녕하세요. 포항공대 신소재공학괴 김준호 입니다. SiO2 공정의뢰 맡깁니다. 총 4inch wafer 6장이고 2장씩 split 해놓은 상태입니다. SIO2 기판위에 TiN 쌓여있는 상태입니다. 30 적혀있는 두장은 50 nm SiO2 증착해주시면 됩니다. 50, 100 적혀있는 두장은 100 nm SiO2 증착해주시면 됩니다. 웨이퍼 위치는 섞이지 않게 그대로 위치에 나둬주시면 좋겠습니다. 샘플은 공정보관함에 두었습니다. 완료되면 연락 부탁드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김준호	672,000원
4809	2024-04-22 17시	18시	PECVD SiO2 200 nm 증착 부탁드립니다. 온도는 250도이며, 이전 조각시편 진행과 동일하게 진행 부탁드립니다!	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	112,000원
4810	2024-04-23 19시	20시	pecvd 직접사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	80,000원
4811	2024-04-23 20시	21시	안녕하세요 노준석 교수님 연구실 강도현입니다. 직접 이용입니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	80,000원
4812	2024-04-24 11시	13시	SiN, a-Si:H 2번 증착하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	160,000원
4813	2024-04-24 19시	21시	안녕하세요? 포항공대 노준석 교수님 연구실 전영선입니다. SiN 920nm 증착할 예정입니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	전영선	80,000원
4814	2024-04-24 9시	10시	안녕하세요. 포항공대 신소재공학과 김준호 입니다. SiO2 공정의뢰 맡깁니다. 총 4inch wafer 6장이고 2장씩 split 해놓은 상태입니다. SIO2 기판위에 TiN/SiO2/TiN 쌓여있는 상태입니다. 30 적혀있는 두장은 50 nm SiO2 증착해주시면 됩니다. 50, 100 적혀있는 두장은 100 nm SiO2 증착해주시면 됩니다. 웨이퍼 위치는 섞이지 않게 그대로 위치에 나둬주시면 좋겠습니다. 샘플은 공정보관함에 두었습니다. 완료되면 연락 부탁드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김준호	672,000원
4815	2024-04-25 18시	20시	T300 aSiH 500nm 증착 1회 진행	포항공과대학교	기계공학과	김재경	80,000원
4816	2024-04-25 9시	12시	현재 샘플은 Silicon만 있습니다. 온전한 Silicon wafer는 아니고, Silicon Nitride막을 마스크로 하여 KOH에칭 후 BOE로 Silicon Nitride를 Etching한 상태입니다. 그래서 샘플 가운데와 옆 부분의 두께 차이와 표면 상태 차이가 있습니다. 원래 8\'\' wafer(680um)에서 시작하여, KOH에칭 계산했을때 가운데는 약 480um, 가장자리는 280nm 정도 됩니다. 샘플 가운데 돌출된 사각형 부분에 KOH로 인한 사각뿔이 9개 있는 형태입니다. 이 샘플에 SiO2 증착을 하고 싶습니다. 두께는 약 300nm 정도를 희망합니다.(이용수가표에는 1um이 기준치로 되있는데 혹시 문제가 있다면 회신 부탁드립니다.) 총 샘플 개수는 21개이나 장비 환경에 따라 샘플을 8\'\' wafer 한장 크기에 올릴 수 있는 만큼 최대한 공정 부탁드립니다. 문의사항이 있으시다면 010-6348-4469 또는 sangminpark@postech.ac.kr로 부탁드립니다. 이용시간은 얼마나 걸릴 지 몰라 우선 3시간으로 해두었습니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	박상민	112,000원
4817	2024-04-26 20시	23시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. PECVD로 a-SiOx를 증착하도록 하겠습니다. 직접 사용하도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	400,000원
4818	2024-04-27 14시	17시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. PECVD로 a-Si 2회 증착하도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	112,000원
4819	2024-04-29 13시	16시	물질정보 : GaN-on-SiC 웨이퍼에 SiN, Au 패턴이 형성되어 있습니다. 안녕하십니까, ETRI 조규준 입니다. Si bare 웨이퍼 1매와 GaN on SiC 메인 웨이퍼 2매에 대해서 SiN 250nm 증착 공정을 의뢰하고자 합니다. 공정조건은 대략 1~2년 전쯤에 저희 연구실 소속인 민병규, 장이산 박사님께서 의뢰했을때와 동일하게 진행 부탁 드립니다. Si bare 웨이퍼 1매 먼저 진행 후 두께 측정 및 현미경을 통한 간단한 표면상태 확인 후 메인 웨이퍼 진행 부탁 드립니다. 웨이퍼의 금색 면이 증착면입니다. 혹시라도 문의사항이 있으시면 010-5271-0296 으로 연락 부탁 드립니다. 4월29일 오후 1시 까지 샘플 전달해 드리도록 하겠습니다. 감사합니다.	한국전자통신연구원	RF전력부품연구그룹	조규준	420,000원
4820	2024-04-30 15시	16시	Si 웨이퍼 위해 40nm SiGe 이 길러진 시편을 550도에서 20분간 산화시킨 시편입니다. 해당 9개의 시편위에 동일하게 SiNx layer를 1um 기르고자 합니다. 공정온도는 250~300C 정도를 희망하고 있습니다.	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이규빈	112,000원
4821	2024-04-30 9시	12시	안녕하세요. 포항공대 신소재공학과 김준호 입니다. SiO2 공정의뢰 맡깁니다. 총 4inch wafer 6장이고 2장씩 split 해놓은 상태입니다. SIO2 기판위에 TiN/SiO2/TiN/SiO2/TiN 쌓여있는 상태입니다. 30 적혀있는 두장은 50 nm SiO2 증착해주시면 됩니다. 50, 100 적혀있는 두장은 100 nm SiO2 증착해주시면 됩니다. 웨이퍼 위치는 섞이지 않게 그대로 위치에 나둬주시면 좋겠습니다. 샘플은 공정보관함에 두었습니다. 완료되면 연락 부탁드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김준호	672,000원
4822	2024-05-02 13시	14시	오전에 ICP etch가 된다면 샘플 받으면 샘플 만들어서 보관함에 두겠습니다. 상온에서 SiO2 100 nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	112,000원
4823	2024-05-02 14시	17시	sin/sio2/sin/sio2/a-si	서울대학교	전기정보공학부	박영명	420,000원
4824	2024-05-03 13시	15시	물질정보 : GaN-on-SiC 웨이퍼에 SiN, Au 패턴이 형성되어 있습니다. 안녕하십니까, ETRI 조규준 입니다. Si bare 웨이퍼 1매와 GaN on SiC 메인 웨이퍼 1매에 대해서 SiN 250nm 증착 공정을 의뢰하고자 합니다. 공정조건은 4월29일에 진행한 것과 동일하게 진행 부탁 드립니다. Si bare 웨이퍼 1매 먼저 진행 후 두께 측정 및 현미경을 통한 간단한 표면상태 확인 후 메인 웨이퍼 진행 부탁 드립니다. 웨이퍼의 금색 면이 증착면입니다. 혹시라도 문의사항이 있으시면 010-5271-0296 으로 연락 부탁 드립니다. 5월3일 오후 1시 까지 샘플 전달해 드리도록 하겠습니다. 감사합니다.	한국전자통신연구원	RF전력부품연구그룹	조규준	280,000원
4825	2024-05-06 23시	24시	직접진행하겠습니다	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김홍윤	80,000원
4826	2024-05-13 15시	17시	안녕하세요? 포항공대 노준석 교수님 연구실 전영선입니다. TiN (150nm, reactive sputtering, metallic) - SiO2 (50nm, PECVD-1) - TiN (50nm, reactive sputtering, metallic)으로 multilayer 증착을 하려고 합니다. glass와 si wafer에 TiN 150nm증착 후 황현주 선생님께서 시편 가져다 주시면 SiO2 50nm 증착 후 다시 TiN 50nm를 증착해야해서 황현주 선생님께 전달 부탁드립니다. 높이가 중요하여 신경써서 증착 부탁드립니다! 감사합니다. 전영선 올림.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	전영선	224,000원
4827	2024-05-13 19시	21시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 강도현입니다. 직접 이용입니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	80,000원
4828	2024-05-13 22시	23시	pecvd 직접 사용 요청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	160,000원
4829	2024-05-14 10시	11시	ICT 제품화 지원사업 전자과 손종민 (010-9766-0039) SiO2 20nm 증착 부탁드립니다.	(주)아이제스트	연구개발팀	길연호	100,000원
4830	2024-05-14 18시	19시	안녕하세요, 이정익선생님. 포항공대 노준석교수님 연구실 성준화입니다. PECVD 직접사용 요청드립니다. a-SiH 470 nm 증착 예정입니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	80,000원
4831	2024-05-14 19시	21시	직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	240,000원
4832	2024-05-14 9시	10시	SiO2 260nm 증착 부탁드립니다. 박막 두께 측정용 실리콘 기판으로 엘립소미터 이용 두께 측정 확인 1회도 함께 의뢰 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	112,000원
4833	2024-05-15 15시	20시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. a-Si를 증착하겠습니다. 직접 사용하도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	400,000원
4834	2024-05-16 10시	11시	2cm*2cm 정사각형 Fused Silica 입니다. 18장 모두 a-Si 120 nm 두께로 증착 부탁 드립니다.	한국과학기술연구원	양자기술연구단	윤혜영	140,000원
4835	2024-05-16 15시	16시	PE SiO2 300 nm 증착 1회	한국전기연구원	전력반도체연구단 차세대반도체연구센터	문정현	140,000원
4836	2024-05-16 21시	22시	Pecvd 직접사용 요청드립니다.감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	80,000원
4837	2024-05-17 14시	16시	VOx Test - SiNx 300A 증착_4매	주식회사 보다	연구개발	김형원	316,000원
4838	2024-05-17 9시	11시	SiO2 260nm 증착 1회 및 높이 측정용 기판으로 엘립소미터 이용해서 두께 측정 부탁드립니다. 기판에 붙어있는 테이프는 그대로 두고 증착 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	112,000원
4839	2024-05-19 15시	17시	직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	160,000원
4840	2024-05-20 12시	14시	안녕하세요. 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. PECVD로 a-Si:H 600 nm 18장 부탁드립니다. 시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	224,000원
4841	2024-05-20 15시	17시	안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. a-Si:H가 130nm 올라가있는 glass 기판4개에 아래와 같은 프로세스로 공정을 진행하려고 합니다. 첫번째 공정 1) ALD - Al2O3 - 20nm 증착 두번째 공정 1) PECVD a-Si:H 35 nm 증착 시편은 시편 보관함 안에 넣어두겠으며, ALD도 따로 신청하도록 하겠습니다. a-Si 두께는 정확하게 35nm가 아니여도 괜찮으니 두께 측정도 부탁드립니다. (bare Si 기판은 첨부해두었습니다.) 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	112,000원
4842	2024-05-20 18시	20시	안녕하세요, 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. PECVD 직접사용 요청드립니다. Si3N4 및 a-Si:H 증착 예정입니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	160,000원
4843	2024-05-20 20시	22시	Nb 가 증착된 anodizing 이 된 실리콘 웨이퍼입니다. 두 장 다 100도에서 500nm 증착 부탁드립니다. 늦은 밤까지 수고 해주셔서 감사합니다! 좋은 하루 되세요	포항공과대학교 대학원	물리학과	안근필	140,000원
4844	2024-05-20 22시	24시	직접진행하겠습니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김홍윤	80,000원
4845	2024-05-21 20시	22시	SiN 700 nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	오동교	80,000원
4846	2024-05-21 22시	23시	직접이용	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이은지	80,000원
4847	2024-05-22 11시	12시	전자빔 증착 Ti 5nm -> Al 150nm 의뢰 샘플에 SiO2 50nm pecvd 증착 및 엘립소미터 두께 측정 1회 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	98,000원
4848	2024-05-22 15시	17시	온도(100도)로 포토리쏘처리한 5장의 2인치 사파이어 웨이퍼 위에 35nm SiO2 증착하려합니다. 5중 3장은 N15 5um 패턴 1장과 2um패턴 2장 그리고 기판 나머지 2장의 기판의 경우 N0.2 5um가있는데 섞이지 않도록 부탁드립니다. 증착조건은 최근에 최종윤 연구원한테 진행해주셨던 공정조건과 동일합니다. 최종윤 연구원과 동일한 연구실입니다. (24.05.22 SiO2 증착건에 대해 신청합니다)	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박희원	112,000원
4849	2024-05-22 20시	21시	직접이용	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이은지	80,000원
4850	2024-05-22 9시	11시	SiO2 260nm 증착 1회 및 높이 측정용 기판으로 엘립소미터 이용해서 두께 측정 부탁드립니다. 기판에 붙어있는 테이프는 그대로 두고 증착 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	112,000원
4851	2024-05-23 16시	18시	SiN - SiO2 - SiN - SiO2 - aSi:H 증착	서울대학교	전기정보공학부	박영명	700,000원
4852	2024-05-24 15시	17시	온도(100도)로 포토리쏘처리한 1장의 2인치 사파이어 웨이퍼 위에 20nm SiO2 증착하려합니다. N15 5um 패턴 1장입니다. 증착조건은 최근에 \'최종윤 연구원\' 통해 진행해주셨던 공정조건과 동일합니다. (같은 연구실 대학원생입니다.)	포항공과대학교	신소재공학과	안헌수	112,000원
4853	2024-05-25 11시	12시	직접이용	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이은지	70,000원
4854	2024-05-25 12시	18시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다 PECVD로 a-Si:H 200nm 두께 1번, a-Si:H 300nm두께 2번을 증착하려고 합니다. 직접사용하도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	210,000원
4855	2024-05-26 11시	12시	직접이용	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이은지	70,000원
4856	2024-05-26 14시	17시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. a-Si:H를 200nm 1회, 600nm 2회 증착하겠습니다. 직접 사용하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	210,000원
4857	2024-05-26 17시	18시	안녕하세요? 포항공대 노준석 교수님 연구실 전영선입니다. SiN 940nm증착예정입니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	전영선	70,000원
4858	2024-05-27 10시	11시	SiO2 260nm 증착 1회 및 높이 측정용 기판으로 엘립소미터 이용해서 두께 측정 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	98,000원
4859	2024-05-27 9시	10시	Al2O3 기판위에 WS2 물질이 약 0.62 nm 올라가 있는 샘플입니다. aSi 100 nm 증착 부탁 드리겠습니다.	한국과학기술연구원	양자기술연구단	윤혜영	140,000원
4860	2024-05-28 18시	19시	ICT 제품화 지원사업 4-1-2 PE Oxide 1700A	(주)엔디디	연구소	최영환	420,000원
4861	2024-05-28 19시	21시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. a-Si:H 으로 35nm를 직접 증착하도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	140,000원
4862	2024-05-28 9시	10시	지난번과 동일하게 상온(실제온도 50 °C)에서 SiO2 100 nm 증착 부탁드립니다. 샘플은 1층 샘플 보관함에 두었습니다. 급한 샘플이라, 공정 완료 후 패스 박스에 넣어주시면 찾아가겠습니다. 여러 공정을 거쳐서 만들고있는 소자입니다. 잘 부탁드립니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	112,000원
4863	2024-05-29 10시	11시	nitride 3000a	한국전자통신연구원	광인터넷부품연구실	김덕준	140,000원
4864	2024-05-29 14시	15시	안녕하세요. 포항공대 성열헌 입니다. PECVD를 통한 SiO2 1.4 um 증착 신청 드립니다. 샘플은 SOI 조각 시편이고, 클리닝 되어서 시편에는 Si 및 SiO2 만 있습니다. 자세한 레시피 및 샘플 전달 등은 만나서 협의드리고 싶습니다. 내일(5/29) 오후에 공정 가능하실까요? 편하신 시간에 말씀해주시면, 그 시간에 클린룸 내에서 대기하겠습니다. 감사합니다. 성열헌 드림	포항공과대학교	물리학과	성열헌	224,000원
4865	2024-05-29 16시	18시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다. PECVD 직접사용 신청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	70,000원
4866	2024-05-29 18시	19시	aSi:H T200 490nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	김재경	140,000원
4867	2024-05-31 11시	13시	직접이용	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이은지	70,000원
4868	2024-05-31 15시	16시	SiN 증착 550 nm 부탁드립니다. 기판은 맡기는 시편함 \\\'1t Quartz 기판\\\' 페트리 디쉬에 있는 3조각 입니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	오동교	98,000원
4869	2024-05-31 9시	10시	PECVD SiO2 200 nm 증착 부탁드립니다. 온도는 250도이며, 이전 조각시편 진행과 동일하게 진행 부탁드립니다. 샘플은 1층 샘플 보관함에 두었습니다. 급한 샘플이라, 공정 완료 후 패스 박스에 넣어주시면 찾아가겠습니다. 여러 공정을 거쳐서 만들고있는 소자입니다. 잘 부탁드립니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	112,000원
4870	2024-06-02 17시	19시	t300 400nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	김재경	80,000원
4871	2024-06-02 20시	21시	pecvd 직접사용요청드립니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	80,000원
4872	2024-06-04 12시	14시	SiO2 2000A 증착 (최상단에 Au 200A 증착되어 있음)	포항공과대학교 대학원	IT융합공학과	김기영	560,000원
4873	2024-06-05 13시	15시	SiO2	포항공과대학교 대학원	IT융합공학과	김기영	560,000원
4874	2024-06-05 18시	20시	My demand is as follows. Deposition of 500 nm under 100 celsius temperature. Information of the sample is as follows. This sample is Nb-AlO2-Nb type Josephson Junction fabricated on wafer. Some part of top Nb layer and AlO2 layer of this sample has been etched.	포항공과대학교 대학원	물리학과	안근필	140,000원
4875	2024-06-07 14시	15시	보내드릴 시편 간단하게 알려드리겠습니다. bare silicon위에 부분적으로 KOH 마스크로 사용한 SiN가 깔려있고 또한 KOH 진행된부분은 Si 으로 되어있습니다. 최대한 한번에 가운데로 몰아서 해주시면 감사하겠습니다. / Sin 400nm 진행 하고싶습니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	이제윤	112,000원
4876	2024-06-11 19시	21시	Requirement: Please deposite SiO2 500 nm in 100 degress Celsius. This wafer is Nb-AlOx-Nb Josephson Junction Si wafer. Some part of the wafer has been etched down to bottom Nb layer. After, SiO2 has been deposited and Nb is deposited above. After, that some part of the wafer has been deposited with AuPd.	포항공과대학교 대학원	물리학과	안근필	70,000원
4877	2024-06-11 21시	23시	requirement please deposit 500 nm of SiO2 in 100 degrees Celsius.	포항공과대학교 대학원	물리학과	안근필	70,000원
4878	2024-06-11 24시	1시	직접이용- 이전이용건 신청	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이은지	80,000원
4879	2024-06-12 13시	14시	SiN 60 nm 증착 부탁드립니다. 해당 시편은 Si 웨이퍼 위에 SiGe 박막 증착한 시료입니다. 시료 1개의 크기는 2cm*2cm 이며, 총 7개의 시료 + 2개의 test용 작은 시료로 구성되어 있습니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	이윤호	112,000원
4880	2024-06-13 14시	16시	1. 2인치 InP 웨이퍼 2장에 대하여 150도에서 SiN 막을 1,000 A 두께로 증착	한국전자통신연구원	광인터넷부품연구실	김덕준	140,000원
4881	2024-06-13 16시	17시	PECVD를 이용한 수소 플라즈마 처리를 진행합니다	전북대학교	전자정보공학부	김현규	140,000원
4882	2024-06-17 14시	17시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 강도현입니다. 직접이용하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	320,000원
4883	2024-06-17 18시	21시	안녕하세요? 포항공대 노준석 교수님 연구실 전영선입니다. 글래스 기판위에 SiN 950nm 증착 예정입니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	전영선	80,000원
4884	2024-06-17 21시	22시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 강도현입니다. 직접 이용입니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	80,000원
4885	2024-06-18 23시	24시	직접 이용	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이은지	80,000원
4886	2024-06-19 20시	22시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 강도현입니다. 직접 이용입니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	80,000원
4887	2024-06-20 10시	12시	자세한 내용은 메일로 송부드렸습니다. a-si 2회 oxide 1회 nitride 1회	서울대학교	광공학연구실	김영진	560,000원
4888	2024-06-20 19시	22시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 강도현 입니다. 직접 이용하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	240,000원
4889	2024-06-21 10시	12시	안녕하세요. 신소재공학과 최지웅입니다. a-Si 증착 의뢰 맡깁니다. 웨이퍼 보관함에 적어 두었습니다. SiO2 기판 2개/glass 기판 1개 에 50 nm a-SI 증착해주시면 됩니다. 나머지 SiO2 기판 2개/glass 기판 1개에 100 nm a-Si 증착해주시면 됩니다. 공정보관함에 두겠습니다. 끝나면 연락부탁드립니다 ------------------- 50nm 3매, 100nm 1매 진행	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	최지웅	448,000원
4890	2024-06-21 15시	17시	2인치 InP 웨이퍼 3장에 대하여 250도에서 SiN 막 3000A 증착	한국전자통신연구원	광인터넷부품연구실	김덕준	140,000원
4891	2024-06-21 22시	23시	2cm X 2cm glass 기판에 silicon nitride film 120 nm 증착 예정입니다.	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이지해	80,000원
4892	2024-06-22 11시	12시	직접이용	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이은지	98,000원
4893	2024-06-22 12시	17시	직접 이용하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	강현정	400,000원
4894	2024-07-12 18시	19시	직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	79,000원
4895	2024-07-13 19시	20시	직접이용	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이은지	79,000원
4896	2024-07-14 13시	15시	직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	158,000원
4897	2024-07-14 15시	16시	직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	158,000원
4898	2024-07-15 9시	12시	SiO2 300NM 증착 부탁드립니다. 두께 측정용 실리콘 기판으로 엘립소미터 증착 두께 측정도 함께 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	98,000원
4899	2024-07-16 10시	10시	* 배송드린 Quartz 기판 위 a-Si 100nm 증착을 요청드립니다. * Quartz 기판 규격은 2cm x 2cm x 0.5mm Th이고, 3 장 공정 요청드립니다. * 공정은 Tp(process temperature)= 200도, Pc(Chamber pressure)=25mTorr, WRF(RF power)=800W, SiH4 10sccm, H2 75sccm. 증착 희망두께는 100nm 입니다. * 공정 후 엘립소미터 측정으로 인계 부탁드리겠습니다.	성균관대학교	생명물리학과	조한준	140,000원
4900	2024-07-16 11시	12시	2cm 이하의 샘플 14개 SiO2 400nm 증착 요청	한국전기연구원	전력반도체연구센터	김영조	140,000원
4901	2024-07-18 10시	12시	직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	237,000원
4902	2024-07-18 18시	19시	장비 라이센스 교육 1회차	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	79,000원
4903	2024-07-18 21시	23시	직접이용	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이은지	79,000원
4904	2024-07-19 18시	19시	장비 라이센스 교육 2회차 a-Si:H 증착 예정입니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	79,000원
4905	2024-07-21 13시	15시	장비 라이센스 교육 항목으로 신청하겠습니다. 1회차이며, SiN T300 360nm 증착 1회 예정입니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	158,000원
4906	2024-07-22 10시	12시	SiN, a-Si:H 증착하겠습니다 라이센스 교육 1회차입니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	158,000원
4907	2024-07-22 14시	16시	Si bare wafer 4매 SiNx 100nm 두께 모니터링(측정) 요청 드립니다. 샘플은 금주 수요일 택배로 발송 하겠습니다.	RFHIC	AGS본부 DI팀	박건	560,000원
4908	2024-07-29 10시	11시	Si 기판 위에 Lithium Niobate 물질 증착 되어 있는 조각 샘플입니다. a-Si 1000nm 증착 부탁 드리겠습니다.	한국과학기술연구원	양자기술연구단	윤혜영	560,000원
4909	2024-07-30 13시	14시	SiO/Si 기판에 HfZrO 18nm 증착되어있는 4인치 웨이퍼 2장입니다. SiO2/SiNx/SiO2 2/2/2 nm 증착 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김준호	672,000원
4910	2024-07-31 10시	11시	Si Wafer -> SiGe 증착 -> 산화 진행한 시편에 대해 SiNx 층을 50 nm 기르고자 합니다. 다음날 공정예약이 있어 수요일 증착 완료 후 1층 시편보관함에 넣어주시길 바랍니다. 1. 증착 물질: SiNx 2. 증착 두께: 50nm	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이규빈	112,000원
4911	2024-07-31 13시	14시	이전 조건과 동일하게, PECVD RT (50도) SiO2 100 nm 증착 부탁드립니다. 샘플 섞이지 않도록 부탁드립니다. 1층 샘플 보관함에 샘플 두겠습니다. 감사합니다 : )	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	112,000원
4912	2024-07-31 9시	10시	4inch 1매 SiO2 depo	포항공과대학교	공정기술팀	박광진	80,000원
4913	2024-08-01 13시	17시	* 배송드린 Quartz 기판 위 a-Si 500nm 증착을 요청드립니다. * Quartz 기판 규격은 2cm x 2cm x 0.5mm Th이고, 9 장 공정 요청드립니다. * 공정은 Tp(process temperature)= 200도, Pc(Chamber pressure)=25mTorr, WRF(RF power)=800W, SiH4 10sccm, H2 75sccm. 증착 희망두께는 500nm 입니다.	성균관대학교	지능형정밀헬스케어학과	박혜미	280,000원
4914	2024-08-02 20시	21시	x	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	윤석현	71,000원
4915	2024-08-02 9시	11시	SiO2 350NM 증착 부탁드립니다. 두께 측정용 실리콘 기판으로 엘립소미터 증착 두께 측정도 함께 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	98,000원
4916	2024-08-03 13시	18시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다. PECVD 직접사용 신청드립니다!	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	70,000원
4917	2024-08-05 16시	17시	장비라이센스 교육 3회차	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	70,000원
4918	2024-08-05 9시	10시	장비라이센스 교육 2회차	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	70,000원
4919	2024-08-06 15시	16시	PECVD를 통한 SiO2 1 um 증착 의뢰 드립니다. 현재 진행하고자 하는 샘플의 경우는 1) Si wafer 위 Ni(10 nm)/Au(100 nm)이 sputtering으로 증착된 샘플 2개 2) Si wafer 위 Ni(10 nm)/Au(100 nm)/Cr(10 nm)이 sputtering으로 증착된 샘플 2개 3) Si wafer 위 Si 박막(10 um)이 있고, 그 위에 Ni(10 nm)/Au(100 nm)/Cr(10 nm)이 sputtering으로 증착된 샘플 1개 4) glass slide 위 Si 박막(10 um)이 있고, 그 위에 Ni(10 nm)/Au(100 nm)/Cr(10 nm)이 sputtering으로 증착된 샘플 1개 5) Si wafer 위 Si 박막(10 um)이 있고, 그 위에 Ni(10 nm)/Au(100 nm)이 sputtering으로 증착된 샘플 1개 입니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	노재관	112,000원
4920	2024-08-06 9시	10시	장비라이센스 교육 4회차	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	70,000원
4921	2024-08-07 21시	22시	글라스 조각 기판 위에 amorphous silicon 500 nm 증착 예정입니다.	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이지해	140,000원
4922	2024-08-07 9시	11시	SiO2 350NM 증착 부탁드립니다. 두께 측정용 실리콘 기판으로 엘립소미터 증착 두께 측정도 함께 부탁드립니다. 증착 두께가 중요하여 높이 최대한 맞춰서 증착 부탁드리고, 두께 측정 후 연락 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	98,000원
4923	2024-08-08 13시	14시	PR 패터닝되었으며 h-BN(2차원물질)이 성장된 AlGaN 조각 시편입니다. RT에서 PECVD SiO2 200 nm 증착 요청드립니다. 증착 후 lift-off 예정입니다. 시편 8월 8일 점심 중에 위치시키도록 하겠습니다. 기타 문의사항 (010-2688-6826)으로 연락 부탁드립니다. 감사합니다 :)	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김자원	112,000원
4924	2024-08-08 14시	15시	4인치 Si기판에 HfZrO 18nm올라간 샘플입니다. SiO2 6nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김준호	112,000원
4925	2024-08-09 11시	12시	Si위에 SIO2 90 nm 증착되어 있는 기판입니다. a-Si 증착 의뢰합니다. 2장은 30 nm, 3 장은 50 nm로 증착 부탁드립니다. 웨이퍼 보관함에 표시해두었습니다. 웨이퍼는 공정보관함에 두겠습니다. 공정 완료되면 연락 부탁드립니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	최지웅	336,000원
4926	2024-08-09 21시	22시	2cm X 2cm 조각 글라스 기판 위 silicon nitride 120 nm 증착 예정입니다.	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이지해	70,000원
4927	2024-08-09 22시	23시	1회차, SIN 증착	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이은지	70,000원
4928	2024-08-10 14시	16시	SiN 300nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	오동교	70,000원
4929	2024-08-13 13시	24시	* 배송드린 Quartz 기판 위 a-Si 증착을 요청드립니다. * Quartz 기판 규격은 2cm x 2cm x 0.5mm Th이고, 27 장 공정 요청드립니다. * 공정은 Tp(process temperature)= 200도, Pc(Chamber pressure)=25mTorr, WRF(RF power)=800W, SiH4 10sccm, H2 75sccm. * 증착 희망두께는 400nm (9장), 500nm (18장) 입니다.	성균관대학교	생명물리학과	조한준	560,000원
4930	2024-08-14 8시	9시	SiN 증착하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	강현정	140,000원
4931	2024-08-14 9시	10시	SiO2 350NM 증착 부탁드립니다. 두께 측정용 실리콘 기판으로 엘립소미터 증착 두께 측정도 함께 부탁드립니다. 증착 두께가 중요하여 높이 최대한 맞춰서 증착 부탁드리고, 두께 측정 후 연락 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	98,000원
4932	2024-08-16 21시	23시	SiN T300 N2 23 810nm 증착 1회 진행	포항공과대학교	기계공학과	김재경	70,000원
4933	2024-08-17 20시	21시	PECVD 직접사용 요청드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	70,000원
4934	2024-08-18 21시	23시	직접진행하겠습니다	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김홍윤	70,000원
4935	2024-08-19 1시	2시	Silicon Nitride 1.5 um 증착 - 유선협의완료	고려대학교	KU-KIST	유아란	310,000원
4936	2024-08-19 16시	18시	Metal 패턴이 없는 면에 150도에서 SiO2 막을 1,500 A 두께로 증착	한국전자통신연구원	광인터넷부품연구실	김덕준	140,000원
4937	2024-08-19 21시	22시	장비 라이센스 교육 3회차 입니다. 2 cm X 2 cm 글라스 조각 기판 위에 amorphous silicon 500 nm 증착 예정입니다.	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이지해	70,000원
4938	2024-08-19 9시	11시	* SiN 양면 증착 ( SSP 기준 front(polished) 10nm, back 100nm) * 공정 순서 : front 10nm -> back 100nm * NINT wafer (test grade) 사용 * 공정 전 wafer 양면에 있는 SiO2 완전 제거 후 SiN 증착 공정 진행 * SiO2 제거 후 native oxide 생성 주의 * back side 공정시 front side 손상 주의 * wafer의 각 면 공정시 반대면 wafer edge 부분 증착 overlap 영역 측정 요망 (공정 후 색 변화 영역) * 비용 정산 : 첨단제조 플랫폼기반 ICT혁신 제품화 지원사업비 사용	알파그래핀 주식회사	알파그래핀 주식회사	이상경	760,000원
4939	2024-08-20 13시	15시	먼저 ALD Al2O3 200A (돈도 250도) 증착 후 PECVD (BMR) SiN 2500A (온도 250도) 증착 부탁 드립니다. (ALD는 따로 장비 신청했음)	한국전자통신연구원	ICT소재푸붐연구소	안신모	140,000원
4940	2024-08-21 21시	23시	SiN T300 810nm 증착	포항공과대학교	기계공학과	김재경	70,000원
4941	2024-08-23 19시	20시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 강도현입니다. 유리기판에 Al2O3 10 nm 증착된 샘플입니다. 직접 이용하겠습니다. 감사합니다. (장비 교육 1회차 SiN 증착)	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	70,000원
4942	2024-08-23 21시	22시	장비 라이센스 교육 4회차 입니다. 2 cm X 2 cm 글라스 기판 위에 silicon nitride 120 nm 증착 예정입니다.	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이지해	70,000원
4943	2024-08-23 8시	10시	SiN 증착하겠습니다 직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	196,000원
4944	2024-08-26 15시	16시	희생층 (실리콘 나이트라이드 SiNx / 아몰퍼스 실리콘 a-Si) / Glass (무알칼리 글라스) 증착 a-si 500a + ain 500a 각각2회진행 총 4회 청구	(주)플라이업	연구소	이상우	80,000원
4945	2024-08-27 10시	14시	* 배송드린 Quartz 기판 위 a-Si 증착을 요청드립니다. * Quartz 기판 규격은 2cm x 2cm x 0.5mm Th이고, 27 장 공정 요청드립니다. * 공정은 Tp(process temperature)= 200도, Pc(Chamber pressure)=25mTorr, WRF(RF power)=800W, SiH4 10sccm, H2 75sccm. 으로 요청드립니다. * 증착 희망두께는 400nm (9장), 500nm (18장) 입니다.	성균관대학교	생명물리학과	조한준	560,000원
4946	2024-08-27 15시	17시	Si기판에 HZO 18nm올라간 샘플 조각 2개입니다. 각각 SiO2 6nm증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김준호	112,000원
4947	2024-08-27 9시	10시	Si위에 SIO2 90 nm 증착되어 있는 기판입니다. a-Si 증착 의뢰합니다. 2장은 30 nm, 2 장은 50 nm로 증착 부탁드립니다. 웨이퍼 보관함에 표시해두었습니다. 웨이퍼는 공정보관함에 두겠습니다. 공정 완료되면 연락 부탁드립니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	최지웅	448,000원
4948	2024-08-28 14시	16시	증착온도~250도 기판; InP (2inch, 2ea), Si dummy (1조각) SiO2 200nm	한국전자통신연구원	광통신부품연구실	김현수	140,000원
4949	2024-08-29 10시	12시	PE oxide 두께 400 nm 증착 의뢰 요청드립니다.	한국전기연구원	전력반도체연구단 차세대반도체연구센터	문정현	140,000원
4950	2024-09-02 13시	15시	SiO2 350NM 증착 부탁드립니다. 두께 측정용 실리콘 기판으로 엘립소미터 증착 두께 측정도 함께 부탁드립니다. 증착 두께가 중요하여 높이 최대한 맞춰서 증착 부탁드리고, 두께 측정 후 연락 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	98,000원
4951	2024-09-03 13시	17시	이메일로 회신드린대로 4가지 조건에 대하여 진행 부탁드립니다 ------------------------ Ar/H2 flow Pressure Temperature Time Power 1) 10/80 sccm 15 mTorr 300 ℃ 10 min 250 W 2) 10/80 sccm 30 mTorr 300 ℃ 10 min 250 W 3) 10/80 sccm 15 mTorr 350 ℃ 10 min 250 W 4) 10/80 sccm 30 mTorr 350 ℃ 10 min 250 W	전북대학교	전자정보공학부	김현규	560,000원
4952	2024-09-03 20시	22시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 강도현입니다. 직접 이용하겠습니다. 감사합니다. (장비 교육 2~3회차 SiN 증착)	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	70,000원
4953	2024-09-03 9시	10시	이전 조건과 동일하게, PECVD RT (50도) SiO2 100 nm 증착 부탁드립니다. 샘플 섞이지 않도록 부탁드립니다. 1층 샘플 보관함에 샘플 두겠습니다. 감사합니다 : )	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	112,000원
4954	2024-09-04 9시	11시	4인치 Si기판입니다. 4, 6nm 1장씩 증착 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김준호	224,000원
4955	2024-09-05 14시	17시	Si기판위에 HZO 18nm 올라가있습니다. 4, 6nm 타겟으로 SiO2 2초, 2.5초 증착부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김준호	224,000원
4956	2024-09-05 17시	19시	a-Si:H 246nm 증착 부탁드립니다.	서울대학교	전기정보공학부	최태원	140,000원
4957	2024-09-06 12시	13시	PECVD 사용시 장비라이센스 교육 2회차	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이은지	70,000원
4958	2024-09-06 13시	14시	* 배송드린 Quartz 기판 위 a-Si 증착을 요청드립니다. * Quartz 기판 규격은 2cm x 2cm x 0.5mm Th이고, 27 장 공정 요청드립니다. * 공정은 Pc(Chamber pressure)=45mTorr, Tp(process temperature)= 200도, WRF(RF power)=800W, SiH4 10sccm, H2 75sccm. 으로 요청드립니다. * 증착 희망두께는 400nm (9장), 500nm (18장) 입니다.	성균관대학교	생명물리학과	조한준	560,000원
4959	2024-09-09 14시	18시	Si 기판 4장입니다. SiO2 500nm증착 부탁드립니다. 증착하고 저번처럼 ellipsometer로 두께 측정해주시면 감사하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김준호	448,000원
4960	2024-09-10 17시	18시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다. 라이센스 교육을 위해 직접사용 신청드립니다. 지금 6번째입니다..	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	98,000원
4961	2024-09-10 18시	21시	SiN 950nm 증착 예정입니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	전영선	140,000원
4962	2024-09-11 13시	17시	물질: SiO2 증착 온도: 250도 증착 두께: 200 nm 샘플 크기, 수량: 1x2 cm, 22 ea 공정 완료 후 1층 시편보관함에 놓아주세요. 공정 완료 후 꼭!!! 아래 번호로 연락 부탁드립니다. 010-6701-1980	세종대학교 산학협력단	나노신소재공학과	최예림	140,000원
4963	2024-09-12 16시	12시	1. BMR사 장비로 100도에서 SiO2 막 1500A 증착해 주세요. 2. 증착면은 메탈 패턴이 없는 면입니다.	한국전자통신연구원	광인터넷부품연구실	김덕준	140,000원
4964	2024-09-13 21시	22시	장비 라이센스 교육 5회차 입니다. 2 cm X 2 cm 글라스 기판 위에 silicon nitride 120 nm 증착 예정입니다.	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이지해	70,000원
4965	2024-09-14 14시	16시	SiN 증착하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	70,000원
4966	2024-09-15 14시	15시	SiN 증착	포항공과대학교	기계공학과	오동교	70,000원
4967	2024-09-19 13시	15시	직접진행하겠습니다	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김홍윤	140,000원
4968	2024-09-20 9시	10시	a-Si 증착되어 있는 기판입니다. 위에 SiO2 100 nm 전면 증착 부탁드립니다. -> 50nm로 변경 샘플 둔 위치마다 조건이 달라 공정 후에는 그대로 보관해주셨으면 합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	최지웅	112,000원
4969	2024-09-23 14시	16시	직접진행하겠습니다	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김홍윤	70,000원
4970	2024-09-24 10시	12시	a-Si 30 nm 증착하고 싶습니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	한건희	112,000원
4971	2024-09-24 13시	15시	PECVD, SiO2 물질로 250도에서 500 nm로 증착 부탁드립니다. 가급적 샘플 순서대로 공정해주시면 매우 감사드리겠습니다. 점심시간 쯤 샘플 서랍장에 놓고 연락 드릴 예정이어서, 오후에 증착해 주시면 감사하겠습니다. 공정 완료 후 연락 부탁드립니다. 감사합니다!	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	임세미	112,000원
4972	2024-09-25 12시	13시	먼저 ALD로 Al2O3 200A (250도로) 증착 후 (따로 신청 함) BMR PECVD로 SiN 2300A (250도) 증착 부탁 드립니다.	한국전자통신연구원	ICT소재푸붐연구소	안신모	140,000원
4973	2024-09-25 13시	14시	Si3N4 300nm 증착, 척에 맞게 조각 샘플 수량 결정 예정입니다.	포항공과대학교	반도체기술융합센터	문창빈	112,000원
4974	2024-09-25 15시	17시	웨이퍼는 기판 위에 배선(Ti/Pt) 및 열전물질(SbTe, BiTe) 패터닝 된 웨이퍼이며 상부에 capping oxide 500A 증착된 상태입니다. 250도 PESiN 1kA 진행 요청 드립니다.	템퍼스	생산기술팀	서영민	560,000원
4975	2024-09-25 17시	18시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다. 이번이 8번째 직접사용 교육입니다. glass wafer에 sin 100 nm 증착하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	98,000원
4976	2024-09-26 15시	16시	SiN 증착	포항공과대학교	기계공학과	오동교	70,000원
4977	2024-09-27 15시	16시	시편 정보 : SiGeO/SiGe/Si(substrate)로 이루어진 시편 3개 입니다. 요청 사항 : SiN 1 um 증착을 하고싶습니다.	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	박수현	112,000원
4978	2024-09-27 16시	17시	시편 정보 : Si wafer 에서 클리빙 된 시편 9개 입니다. 요청 사항 : SiN 500nm 증착을 하고싶습니다.	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	박수현	112,000원
4979	2024-09-30 14시	16시	두께;200 nm, 증착온도;250도 wafer;2\" InP (2장), Si dummy 조각 (1ea)	한국전자통신연구원	광통신부품연구실	김현수	140,000원
4980	2024-09-30 20시	22시	라이센스 교육 (3/7) 노준석교수님 연구실 이은지	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이은지	140,000원
4981	2024-10-01 14시	15시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 강도현입니다. 직접 이용하겠습니다. 감사합니다. (장비 교육 4~5회차 a-Si:H 증착)	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	140,000원
4982	2024-10-02 10시	12시	BMR사 PECVD 장비를 사용하여 메탈 패턴이 없는 웨이퍼 면에 150도에서 1700 A 두께로 SiN 막 증착	한국전자통신연구원	광인터넷부품연구실	김덕준	140,000원
4983	2024-10-02 19시	20시	장비라이센스 교육 (4/7) 노준석 교수님 연구실 이은지	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이은지	70,000원
4984	2024-10-04 13시	14시	PE Nit 4kA 250도 4매 송부 드릴 예정입니다. 웨이퍼는 기판 위에 배선(Ti/Pt) 및 열전물질(SbTe, BiTe) 패터닝 된 웨이퍼이며 상부에 capping oxide 500A 증착된 상태입니다.	템퍼스	생산기술팀	서영민	560,000원
4985	2024-10-04 14시	15시	웨이퍼는 기판 위에 배선(Ti/Pt) 및 열전물질(SbTe, BiTe) 패터닝 된 웨이퍼이며 상부에 capping oxide 300A 증착된 상태입니다 PE oxide 250도 1kA 진행 요청 드립니다.	템퍼스	생산기술팀	서영민	280,000원
4986	2024-10-07 14시	16시	8인치 (Si sub/ PR patterning) 4인치 (Si/ Pt sub/ PR patterning) 총 2매에 SiO2 1000A 증착예정, 척 온도 : 50°C Recipe : SiO2 HIGH xxxx 증착 시간 : 40 sec 위의 레시피대로 증착예정입니다.	포항공과대학교 대학원	전기전자공학과	표재성	224,000원
4987	2024-10-08 13시	14시	Pecvd 직접이용 신쳥드립니다. SiN 500nm	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	70,000원
4988	2024-10-08 17시	18시	공정장비 직접사용 라이선스 갱신 교육 요청	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	196,000원
4989	2024-10-08 9시	11시	메탈 패턴이 없는 면에 BMR사 PECVD 장비를 사용해서 150도에서 SiN 막을 1700A 두께로 증착해 주십시요.	한국전자통신연구원	광인터넷부품연구실	김덕준	140,000원
4990	2024-10-09 17시	18시	SiN 증착	포항공과대학교	기계공학과	오동교	70,000원
4991	2024-10-11 15시	16시	시편 정보 : SiGeO/Si0.8Ge0.2/Si(substrate)로 이루어진 시편 3개, SiGeO/Si0.67Ge0.33/Si wafer로 이루어진 시편 3개 (총 6개지만, 3개씩 SiGe층이 달라서 따로 포장해서 드립니다. 두가지를 구분해주시길바랍니다.) 요청사항 : SiN 1um 증착을 하고싶습니다.	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	박수현	112,000원
4992	2024-10-12 15시	18시	안녕하세요? 포항공대 노준석 교수님 연구실 전영선입니다. a-Si:H 500nm 증착 예정입니다. 추가로 월요일도 예약했는데, 토요일에 증착해보고 취소하도록 하겠습니다! 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	전영선	140,000원
4993	2024-10-12 21시	22시	직접이용	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이은지	140,000원
4994	2024-10-13 13시	18시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. 직접 사용하도록 하겠습니다. a-Si:H를 유리기판위에 쌓으려고 합니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	280,000원
4995	2024-10-13 9시	12시	직접이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	140,000원
4996	2024-10-14 21시	23시	aSiH T300 500nm 1회 증착	포항공과대학교	기계공학과	김재경	70,000원
4997	2024-10-15 13시	15시	SiO2 400 nm 증착 요청드립니다.	한국전기연구원	전력반도체연구단 차세대반도체연구센터	문정현	140,000원
4998	2024-10-15 21시	24시	직접진행하겠습니다	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김홍윤	350,000원
4999	2024-10-20 8시	10시	장비 라이센스 교육 - 1회차 증착 물질 - a-Si	포항공과대학교 대학원	화학공학과	윤희창	70,000원
5000	2024-10-21 13시	15시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 강도현입니다. 직접 이용하겠습니다. 감사합니다. (장비 교육 6~8회차 a-Si:H 증착)	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	210,000원
5001	2024-10-21 15시	17시	BMR PECVD 장비를 사용하여 2인치 InP 웨이퍼에 250도에서 SiO2 막을 2000 A 두께로 증착해 주세요.	한국전자통신연구원	광인터넷부품연구실	김덕준	140,000원
5002	2024-10-22 12시	13시	aSiH T200 500nm 1회 증착	포항공과대학교	기계공학과	김재경	140,000원
5003	2024-10-22 9시	10시	Blue/Green LED epi 메사 에칭된 조각(4개) 샘플입니다. PR coating으로 패터닝 되어있습니다. 샘플 트레이 순서를 표시해두었는데 순서대로 꼭 위치 부탁드립니다. PECVD 100도로 SiO2 약 100 nm 증착 부탁드립니다. 증착 이후 lift-off 예정입니다. 10월 22일 오전 중에 샘플 위치시킬 예정입니다. 다른 문의 사항 있으시면 유선 010-2688-6826으로 연락 부탁드립니다. 감사합니다! :)	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김자원	112,000원
5004	2024-10-23 11시	12시	#1-CAC (G) #2-CAC (G) #3-CAC (G) #4-CAC (G) 4매 1회 #1-CAC (W) #2-CAC (W) #3-CAC (W) #4-CAC (W) 4매 1회 부탁 드립니다.	동우화인캠(주)	반도체소재연구소 반도체소재2팀	김정식	280,000원
5005	2024-10-23 14시	15시	Bare-CAC (G) Bare-CAC (W) 2매 1회 #1-CAC (G) #2-CAC (G) #3-CAC (G) #4-CAC (G) 4매 1회 #1-CAC (W) #2-CAC (W) #3-CAC (W) #4-CAC (W) 4매 1회	동우화인캠(주)	반도체소재연구소 반도체소재2팀	김정식	280,000원
5006	2024-10-23 15시	16시	시편 개수는 총 2 cm x 2 cm 4조각입니다. (Sample 1, 2, 3, 4) 첫 번째 공정 (PEALD AL2O3 증착) 이후에 두 번째 공정으로 4조각 (Sample 1, 2, 3, 4) 모두 PECVD로 SiNx 8 nm 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김승건	112,000원
5007	2024-10-23 9시	10시	Bare-C (G) Bare-C (W) Bare-CAC (G) Bare-CAC (W) 4매 1회 #1-C (G) #2-C (G) #3-C (G) #4-C (G) 4매 1회 #1-C (W) #2-C (W) #3-C (W) #4-C (W) 4매 1회 부탁 드립니다.	동우화인캠(주)	반도체소재연구소 반도체소재2팀	김정식	420,000원
5008	2024-10-25 20시	21시	2cm X 2cm glass 기판 위 amorphous silicon 500 nm 증착 예정입니다.	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이지해	140,000원
5009	2024-10-27 13시	15시	직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	140,000원
5010	2024-10-27 15시	17시	직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	98,000원
5011	2024-10-27 19시	21시	SiN 증착	포항공과대학교	기계공학과	오동교	70,000원
5012	2024-10-28 10시	12시	ICT 제품화 지원사업 Front와 back side 각각에 5000 옹스트롬 SiO2 증착 Front side에 증착 (10월 28일, 월요일)후에 회수하여 세척 후, Back side에 증착 (10월 30일, 수요일) Back side에 scratch가 없도록 주의를 부탁드립니다. 이정익 연구원님께서 진행 부탁드립니다.	마이크로어낼리시스(주)	기업부설연구소	조경호	280,000원
5013	2024-10-30 23시	2시	직접진행하겠습니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김홍윤	70,000원
5014	2024-10-31 20시	22시	4-1-2 top oxide depo. oxide depo. sio2 depo 1700a 2ea	(주)엔디디	연구소	최영환	280,000원
5015	2024-10-31 8시	10시	직접진행하겠습니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김홍윤	70,000원
5016	2024-11-01 21시	22시	장비 라이센스 교육 7회차 입니다. 2 cm X 2 cm 글라스 기판 위에 amorphous silicon 150 nm 증착 예정입니다.	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이지해	70,000원
5017	2024-11-02 17시	19시	공정장비 직접사용 라이선스 갱신 교육 요청	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	210,000원
5018	2024-11-03 11시	13시	없습니다.	포항공과대학교 대학원	반도체공학과	안영진	71,000원
5019	2024-11-05 10시	12시	2인치 웨이퍼 전면에 BMR사 PECVD 장비를 사용하여 250도에서 SiN 막을 3000A 두께로 증착해 주세요.	한국전자통신연구원	광인터넷부품연구실	김덕준	140,000원
5020	2024-11-05 12시	14시	ICT 제품화 지원사업 공정 내용은 문서로 드리겠습니다.	마이크로어낼리시스(주)	기업부설연구소	조경호	280,000원
5021	2024-11-05 14시	15시	SiN 증착	포항공과대학교	기계공학과	오동교	70,000원
5022	2024-11-06 10시	13시	ICT 제품화 지원사업 샘플에 작업요청서 동봉 Back side에 증착 SiO2 5,000 옹스트롬 Case 1, 2 구분	마이크로어낼리시스(주)	기업부설연구소	조경호	280,000원
5023	2024-11-06 20시	21시	장비 라이선스	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	70,000원
5024	2024-11-07 20시	21시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 강도현입니다. 직접 이용하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	70,000원
5025	2024-11-08 10시	14시	ICT 제품화 지원사업 SiO2 5,000 옹스트롬	마이크로어낼리시스(주)	기업부설연구소	조경호	280,000원
5026	2024-11-08 14시	15시	h-BN이 성장된 AlGaN 기판입니다. 현재 PR coating으로 패터닝 되어있는 시편들입니다. 샘플 트레이 순서를 표시할 예정인데, 순서대로 꼭 위치 부탁드립니다. PECVD RT으로 SiO2 약 200 nm 증착 부탁드립니다. 증착 이후 lift-off 예정입니다. 금요일 점심 중에 시편 위치 시킬 예정입니다. 다른 문의사항 있으시면 유선 010-2688-6826으로 연락 부탁드립니다. 감사합니다 :)	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김자원	0원
5027	2024-11-08 15시	17시	SiN 2300A 증착 부탁 드립니다. 온도 250도 ALD 증착을 먼저 진행한 후 BMR PECVD SiN 증착합니다. (따로 예약)	한국전자통신연구원	ICT소재푸붐연구소	안신모	140,000원
5028	2024-11-08 17시	18시	META3217_D_2141014 - Nitride 1000A 증착_2매	주식회사 보다	연구개발	김형원	140,000원
5029	2024-11-08 18시	20시	SiO2 30 nm 증착 의뢰드립니다. 샘플 캐리어에 1번, 2번이라고 표기된 조각이 SiO2 30 nm 증착할 SiC 샘플입니다. 담당연구원 : 최재용/010-2123-3062	포항공과대학교	전자전기공학과	이정수	112,000원
5030	2024-11-09 17시	20시	PECVD 사용 (장비 라이센스 교육) - 2회차 증착 물질: amorphous silicon	포항공과대학교 대학원	화학공학과	윤희창	70,000원
5031	2024-11-10 16시	18시	라이선스 교육	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	210,000원
5032	2024-11-11 14시	16시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 강도현입니다. 직접 이용하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	140,000원
5033	2024-11-11 16시	17시	PECVD 직접사용 신청드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	70,000원
5034	2024-11-13 13시	15시	장비 라이센스 교육 3,4 회차 SiN, a-Si:H 증착 예정입니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	140,000원
5035	2024-11-13 16시	18시	BMR사 PECVD 장비를 사용하여 150도에서 SiN 막을 1000A 두께로 증착해 주세요.	한국전자통신연구원	광인터넷부품연구실	김덕준	140,000원
5036	2024-11-14 11시	15시	Si 4인치 기판입니다. SiO2 500nm증착 부탁드립니다. 증착 후에 엘립소미터로 두께확인 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김준호	384,000원
5037	2024-11-14 18시	21시	glass 기판에 SiN T300, 300nm 증착 1회 진행 + SiO2 T300, 200nm 증착 진행	포항공과대학교	기계공학과	김재경	280,000원
5038	2024-11-14 9시	10시	SiN 필름 증착	포항공과대학교	기계공학과	오동교	140,000원
5039	2024-11-16 15시	16시	직접 사용 (장비 라이센스 교육) 3회차 amorphous silicon on glass substrate	포항공과대학교 대학원	화학공학과	윤희창	70,000원
5040	2024-11-18 13시	15시	안녕하세요. 템퍼스 서영민입니다. 금일 PE SiN 4kA(@250도) 2매를 송부 드릴 예정입니다. 웨이퍼는 기판 위에 배선(Ti/Pt) 및 열전물질(SbTe, BiTe) 패터닝 된 웨이퍼이며 상부에 capping oxide 500A 증착된 상태입니다. 퀵 이용하여 월요일 오전 09시에 귀원으로 도착하도록 송부 드리겠습니다. 감사합니다.	템퍼스	생산기술팀	서영민	280,000원
5041	2024-11-18 17시	21시	SiO2 2000A	(주)에코넷코리아	연구개발	정상권	700,000원
5042	2024-11-18 20시	22시	Type 2 50um PET SiO2 1000A	(주)에코넷코리아	연구개발	정상권	280,000원
5043	2024-11-19 11시	12시	사용자 : 김우성, 김한용 META3217-D-241014-2층-OHMIC - Nitride 300A증착 2매	주식회사 보다	연구개발	김형원	140,000원
5044	2024-11-19 14시	16시	wafer 전처리는 진행하지 않겠습니다 Si wafer 위에 500nm 두께의 SiO2 증착을 부탁 드립니다. 공정 조건은 해당 장비의 Standard 조건으로 부탁 드립니다. 다만, 사용된 공정 조건에 대해서 송부해 주시면 감사드리겠습니다. 공정 이후 진공 처리 부탁드립니다.	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김동현	336,000원
5045	2024-11-19 19시	22시	직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	350,000원
5046	2024-11-19 22시	24시	직접진행하겠습니다 5회 진행	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김홍윤	350,000원
5047	2024-11-19 9시	11시	Type 1 50um PET / Ag 200A : SiO2 1000A 25도	(주)에코넷코리아	연구개발	정상권	280,000원
5048	2024-11-20 13시	15시	장비 라이센스 교육 5,6 회차 a-Si:H 증착 예정입니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	성준화	140,000원
5049	2024-11-20 15시	17시	안녕하세요. 템퍼스 서영민입니다. 금일 PE SiN 4kA(@250도) 4매를 송부 드릴 예정입니다. 웨이퍼는 기판 위에 배선(Ti/Pt) 및 열전물질(SbTe, BiTe) 패터닝 된 웨이퍼이며 상부에 capping oxide 500A 증착된 상태입니다. 퀵 이용하여 명일 귀원으로 도착하도록 송부 드리겠습니다. 감사합니다.	템퍼스	생산기술팀	서영민	560,000원
5050	2024-11-20 17시	18시	사용자 : 김우성 META3217-D-241014-PHOLE(#8,#9) - Nitride 1100A 증착_2매	주식회사 보다	연구개발	김형원	140,000원
5051	2024-11-20 21시	23시	라이센스 교육	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김경태	70,000원
5052	2024-11-25 12시	16시	4인치 웨이퍼에 TiN100nm 쌓인 샘플 3장, 50nm 쌓인 샘플 3장입니다. SiO2 100nm 증착부탁드립니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김준호	672,000원
5053	2024-11-25 17시	18시	SiN 박막 증착	포항공과대학교	기계공학과	오동교	70,000원
5054	2024-11-26 9시	12시	ICT 제품화 지원사업 물질정보 문서로 제공 SiO2 300 옹스트롬 4장 Si3N4 300 옹스트롬 2장 -------------------------- 100c sio2 300a 3ea 100c sin 300a 2ea 250c sio2 5000a 2ea	마이크로어낼리시스(주)	기업부설연구소	조경호	980,000원
5055	2024-11-27 10시	12시	100도로 포토리쏘한 5장의 2인치 사파이어 웨이퍼 위에 35nm의 SiO2를 증착하려 합니다. 증착 조건은 5월 22일 제가 신청드렸던 조건과 같습니다. 100도 정도에서 진행하셨다고 들었습니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박희원	112,000원
5056	2024-11-27 13시	14시	Si wafer를 클리빙한 시편 5개(2X2 cm^2)입니다. SiO2 150 nm 증착 의뢰드립니다.	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	박수현	112,000원
5057	2024-11-27 19시	22시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. a-SiH 를 glass 위에 2회 증착하도록 하겠습니다. 직접사용하도록 하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	210,000원
5058	2024-11-28 1시	2시	직접진행	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김홍윤	70,000원
5059	2024-11-28 15시	16시	사용자 : 김우성, 김한용 META3217-D-241024-SENS(#8,#9) - Nitride 300A증착_2매	주식회사 보다	연구개발	김형원	140,000원
5060	2024-11-28 17시	18시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 강도현입니다. 직접 이용입니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	강도현	140,000원
5061	2024-11-28 20시	21시	1-1-1 PE Oxide 6000A	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	112,000원
5062	2024-11-29 18시	19시	SiO2 HIGH xxxx recipe T300, 350nm 증착 1회	포항공과대학교	기계공학과	김재경	70,000원
5063	2024-11-29 19시	21시	물질: SiO2 증착 온도: 250도 증착 두께: 200 nm 샘플 크기, 수량: 1x2 cm, 6 ea 공정 완료 후 1층 시편보관함에 놓아주세요. 공정 완료 후 꼭!!! 아래 번호로 연락 부탁드립니다. 010-6701-1980	세종대학교 산학협력단	나노신소재공학과	최예림	140,000원
5064	2024-12-01 13시	15시	직접 이용하겠습니다	포항공과대학교	기계공학과	강현정	140,000원
5065	2024-12-02 17시	18시	1 cm x 1 cm 웨이퍼 조각 위에 TiO2입자와 Polystyrene입자가 구조체를 형성하고 있고, 그 위를 실리카로 20 nm ALD 하였습니다. 그 위에 실리카로 약 150 nm CVD하고 싶습니다.	포항공과대학교	화학공학과	김종훈	112,000원
5066	2024-12-24 7시	10시	ICT 과제 공정비	주식회사 아르케	제조개발센터	사공성환	5,580,838원
5067	2024-12-26 8시	18시	ICT 과제 공정비	마이크로어낼리시스(주)	마이크로어낼리시스 (주)	안재훈	1,143,977원

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