Dry Etcher_DMS 장비일지

 기자재관리번호 : B0000055-082002-A0006
No 장비이용내역 이용내역 사용자 장비이용료
시작일 종료일 세부내용 기관명 부서(학과명) 성명 확정금액
1 2010-01-05 11시 12시 Si etching 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
2 2010-01-05 19시 20시 Si etching 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
3 2010-01-06 11시 12시 Si etching 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
4 2010-01-07 14시 15시 Oxide 500A etching 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
5 2010-01-07 16시 17시 Si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 김성호 0원
6 2010-01-11 11시 12시 Si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 김성호 0원
7 2010-01-15 13시 14시 Si Etching 포항공과대학교 전자전기공학과 김성호 0원
8 2010-01-16 14시 16시 Oxide Etching 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
9 2010-01-18 16시 18시 Si Etching 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
10 2010-01-18 18시 19시 Oxide Etching 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
11 2010-01-23 13시 17시 Nitride etching 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
12 2010-01-24 15시 18시 Nitride Etching 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
13 2010-01-26 13시 15시 Poly-Si Etching 부산대학교 기계공학부 차제명 180,000원
14 2010-01-27 14시 15시 Nitride Etching 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
15 2010-01-28 14시 16시 Nitride Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
16 2010-02-02 15시 17시 Quartz etching 포항공과대학교 화학과 이윤희 150,000원
17 2010-02-03 14시 16시 Quartz etching 포항공과대학교 화학과 이윤희 150,000원
18 2010-02-07 14시 15시 Oxide Etching 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
19 2010-02-11 10시 13시 Quartz etch Test 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
20 2010-02-11 15시 17시 Poly-Si Etch test 나노기술집적센터 팹운영 김헌우 0원
21 2010-02-18 11시 12시 Poly-Si Etch 포항공과대학교 기계공학과 황광석 75,000원
22 2010-02-18 13시 14시 Oxide Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
23 2010-02-18 14시 18시 Oxide etching 대구경북과학기술원 나노바이오부 장환수 360,000원
24 2010-02-19 10시 11시 Poly Si etching 나노기술집적센터 팹운영 김헌우 0원
25 2010-03-10 10시 11시 Poly-Si 60nm etch test (기계공) 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
26 2010-03-11 15시 16시 Poly-Si 60nm Etch Test 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
27 2010-03-16 15시 16시 Poly-Si 60nm etch test 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
28 2010-03-17 10시 11시 Poly-Si 60nm etch test 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
29 2010-03-17 12시 18시 Oxide etching 대구경북과학기술원 나노바이오부 장환수 540,000원
30 2010-03-18 09시 12시 Oxide Etching 대구경북과학기술원 나노바이오부 장환수 270,000원
31 2010-03-18 14시 16시 Oxide etching 대구경북과학기술원 나노바이오부 장환수 180,000원
32 2010-03-18 15시 17시 패턴된 웨이퍼 의 식각 작업 진행 (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 500,000원
33 2010-03-25 21시 22시 Oxide etch 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
34 2010-03-26 14시 17시 2um etch(Test 2ea, Real 2ea) 포항공과대학교 시스템생명공학부 권건우 170,000원
35 2010-04-06 11시 12시 Si(2um) etch 포항공과대학교 시스템생명공학부 권건우 75,000원
36 2010-04-06 12시 15시 SiO2 etching 대구경북과학기술원 나노바이오부 장환수 270,000원
37 2010-04-06 15시 17시 Si Trench Etch Test 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
38 2010-04-07 10시 12시 oxide 700A etch 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 180,000원
39 2010-04-07 11시 14시 SiO2 etching 대구경북과학기술원 나노바이오부 장환수 270,000원
40 2010-04-07 15시 19시 Si Trench Etch DOE test 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
41 2010-04-07 20시 21시 Oxide etch 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
42 2010-04-17 18시 19시 Oxide Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
43 2010-04-20 09시 10시 Oxide Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
44 2010-04-21 15시 18시 Oxide etch 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
45 2010-04-22 14시 17시 Nitride etch 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
46 2010-04-23 13시 15시 Oxide etch 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
47 2010-04-27 10시 11시 Nitride Etching 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
48 2010-04-27 14시 17시 Si Trench Etch Test 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
49 2010-04-28 19시 20시 Nitride Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
50 2010-04-29 13시 15시 Nitride Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
51 2010-05-13 11시 13시 Nitride Etch Test 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
52 2010-05-28 09시 11시 Si Trench Etch Test (5um 2ea, 1.05um 1ea) 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
53 2010-05-29 17시 19시 Si etching 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
54 2010-05-30 14시 15시 Si etching 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
55 2010-05-31 11시 13시 Si Trench Etch Test (5ea) 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
56 2010-06-01 15시 17시 Si trench etch Test 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
57 2010-06-03 10시 13시 Si trench etch Test 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
58 2010-06-03 15시 19시 Si Trench Etch(5um__24매_매트릭스반도체) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 국재근 240,000원
59 2010-06-10 14시 15시 Oxide etching(공정셋업) 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
60 2010-06-11 19시 20시 Si Etching 포항공과대학교 전자전기 박찬훈 40,000원
61 2010-06-15 18시 19시 Si Etching 포항공과대학교 전자전기 박찬훈 40,000원
62 2010-06-16 10시 14시 Oxide Etching 포항나노기술집적센터 연구개발부 전영권 400,000원
63 2010-06-16 17시 18시 Si etching 포항공과대학교 전자전기 박찬훈 64,000원
64 2010-06-17 13시 14시 Si etching (800A) (주)엘란테크놀러지 이상민 100,000원
65 2010-06-21 14시 15시 Si 400nm Etching 경북대학교 교육대학원물리교육전공 정재헌 100,000원
66 2010-06-21 16시 19시 Oxide etch 포항나노기술집적센터 연구개발부 전영권 320,000원
67 2010-06-25 10시 11시 Si etching 포항공과대학교 전자전기 박찬훈 64,000원
68 2010-07-02 14시 15시 Si Etch 포항공과대학교 전자전기 박찬훈 64,000원
69 2010-07-02 15시 16시 Poly-Si 3000A etch Test 포항공과대학교 기계학과 최인호 80,000원
70 2010-07-06 14시 15시 Oxide Etching (Cantilever) 나노기술집적센터 팹운영 김헌우 0원
71 2010-07-06 15시 17시 Oxide Etch 포항나노기술집적센터 연구개발부 전영권 166,000원
72 2010-07-07 10시 12시 Nitride Etch. 포항나노기술집적센터 연구개발부 전영권 166,000원
73 2010-07-07 15시 16시 Poly-Si Etching 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
74 2010-07-08 16시 17시 Si Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 64,000원
75 2010-07-16 09시 16시 Oxide Etching 대구경북과학기술원 나노바이오부 장환수 630,000원
76 2010-07-16 16시 18시 Si Etching 포항공과대학교 전자전기 박찬훈 192,000원
77 2010-07-20 10시 13시 Oxide Etching 포항나노기술집적센터 연구개발부 전영권 400,000원
78 2010-07-28 15시 18시 Oxide Etching 대구경북과학기술원 나노바이오부 장환수 630,000원
79 2010-07-29 15시 19시 Oxide Etching 대구경북과학기술원 나노바이오부 장환수 720,000원
80 2010-08-02 13시 16시 Oxide Etching 포항공과대학교 화학과 손민혁 420,000원
81 2010-08-05 10시 12시 Oxide Etch_PR Ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
82 2010-08-05 19시 20시 Si Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 40,000원
83 2010-08-11 09시 14시 Oxide Etching 대구경북과학기술원 나노바이오부 장환수 1,350,000원
84 2010-08-12 09시 14시 Oxide Etching 대구경북과학기술원 나노바이오부 장환수 1,350,000원
85 2010-08-26 09시 13시 Oxide etching 대구경북과학기술원 나노바이오부 장환수 1,080,000원
86 2010-08-27 09시 13시 Oxide Etching 대구경북과학기술원 나노바이오부 장환수 1,080,000원
87 2010-08-31 14시 15시 Nanowire Etch 포항공과대학교 전자전기 박찬훈 64,000원
88 2010-09-06 14시 15시 Si Etch 포항공과대학교 전자전기 박찬훈 64,000원
89 2010-09-07 10시 16시 Oxide Etch 대구경북과학기술원 나노바이오부 장환수 1,172,000원
90 2010-09-08 10시 14시 Oxide Etch 대구경북과학기술원 나노바이오부 장환수 720,000원
91 2010-09-08 14시 16시 Si Etch 울산과학기술대학교 연구지원본부 박동규 200,000원
92 2010-09-09 09시 14시 Oxide Etch 대구경북과학기술원 나노바이오부 장환수 900,000원
93 2010-09-14 13시 15시 Si Etch (주)디엠에스 김성해 160,000원
94 2010-09-14 15시 17시 Si Trench Etch (4.8um) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술팀 김동협 0원
95 2010-09-15 09시 12시 Si Trench Etch (4.8um 4ea) 메이플세미컨덕터(주) 포항지점 생산기술팀 김동협 0원
96 2010-09-15 13시 15시 Oxide Etch (주)디엠에스 김성해 240,000원
97 2010-09-16 09시 12시 Oxide Etch (주)디엠에스 김성해 320,000원
98 2010-09-27 14시 18시 Si Etch_Oxide Etch_PR Remove (주)디엠에스 김성해 640,000원
99 2010-09-30 10시 15시 Si Etch_Oxide Etch_PR remove (주)디엠에스 김성해 800,000원
100 2010-10-05 13시 15시 Oxide Etch (주)디엠에스 김성해 240,000원
101 2010-10-06 13시 14시 Si NW etch 포항공과대학교 전자전기 박찬훈 64,000원
102 2010-10-07 10시 13시 Si Etch (주)디엠에스 김성해 320,000원
103 2010-10-07 20시 21시 SiN Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 40,000원
104 2010-10-12 11시 12시 Si Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김성호 64,000원
105 2010-10-12 13시 18시 0.4um pattern_CDSEM_Si Etching (주)디엠에스 김성해 720,000원
106 2010-10-14 09시 12시 Si Etch (주)디엠에스 김성해 480,000원
107 2010-10-15 09시 12시 Si etch_PR ashing (주)디엠에스 김성해 480,000원
108 2010-10-15 14시 15시 Si etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 64,000원
109 2010-10-20 13시 18시 0.4um pattern_Etch_CDSEM (주)디엠에스 김성해 800,000원
110 2010-10-21 09시 12시 Oxide Etch_Si Etch_PR ashing (주)디엠에스 김성해 400,000원
111 2010-10-21 16시 17시 Si Etch 포항공과대학교 전자전기 박찬훈 128,000원
112 2010-10-25 09시 12시 Oxide Etch_Si Etch_PR Ashing (주)디엠에스 김성해 640,000원
113 2010-10-25 13시 17시 Si Deep Etch (주)디엠에스 김성해 480,000원
114 2010-10-26 10시 11시 Oxide Etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 160,000원
115 2010-10-26 11시 14시 Si Deep Etch (주)디엠에스 김성해 400,000원
116 2010-10-26 15시 16시 Si Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 64,000원
117 2010-10-28 15시 16시 Si Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 64,000원
118 2010-10-29 10시 11시 Nitride Etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 160,000원
119 2010-10-29 13시 14시 Si etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 64,000원
120 2010-11-01 15시 16시 Si Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 64,000원
121 2010-11-09 14시 16시 Si Etch 포항공과대학교 전자전기 박찬훈 128,000원
122 2010-11-11 09시 12시 Si Etch (Deep etch pattern_etch) (주)디엠에스 김성해 400,000원
123 2010-11-15 16시 18시 Oxide 2000A etch 포항공과대학교 가속기연구소 김종현 240,000원
124 2010-11-16 13시 16시 Ox_Si etch (주)디엠에스 김성해 480,000원
125 2010-11-17 17시 18시 Si Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김성호 64,000원
126 2010-11-19 15시 17시 Si etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김성호 128,000원
127 2010-11-22 14시 17시 Oxide_Si Etch (주)디엠에스 김성해 480,000원
128 2010-11-23 09시 11시 Oxide_Si Etch (주)디엠에스 김성해 400,000원
129 2010-11-24 13시 14시 Si etch 포항공과대학교 전자전기 박찬훈 64,000원
130 2010-11-25 09시 12시 Oxide_Si Etch (주)디엠에스 김성해 480,000원
131 2010-11-25 14시 15시 Si etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김성호 64,000원
132 2010-11-25 21시 22시 Si etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김성호 40,000원
133 2010-11-26 13시 18시 Oxide_Si etch (pattern+etch+clean) (주)디엠에스 김성해 800,000원
134 2010-11-29 13시 15시 Oxide_Si etch (주)디엠에스 김성해 320,000원
135 2010-11-30 01시 02시 Si etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 40,000원
136 2010-11-30 14시 15시 Oxide_Si etch (주)디엠에스 김성해 160,000원
137 2010-12-01 13시 15시 Oxide_Si etching (주)디엠에스 김성해 400,000원
138 2010-12-02 10시 15시 Oxide_Si etching (주)디엠에스 김성해 880,000원
139 2010-12-03 14시 17시 Oxide_Si etching (주)디엠에스 김성해 480,000원
140 2010-12-06 09시 14시 Oxide_Si Etch (주)디엠에스 김성해 880,000원
141 2010-12-07 10시 11시 HfO etch 서강대학교 제품보증실 이우준 100,000원
142 2010-12-07 13시 15시 Oxide_Si etch (주)디엠에스 김성해 400,000원
143 2010-12-08 11시 15시 Nitride etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
144 2010-12-13 14시 16시 Nitride etch_Align key (S1012-01) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
145 2010-12-13 17시 19시 Nitride etch_SD cont (S1012-01) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
146 2010-12-14 16시 17시 Nitride etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김태희 80,000원
147 2010-12-21 09시 12시 Ti etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
148 2010-12-23 14시 16시 SiN etch_PR remove test 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
149 2010-12-23 14시 16시 SiN etch (S1012-01) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
150 2010-12-28 10시 11시 Si etch 전북대학교 전자공학부 김기현 64,000원
151 2010-12-28 11시 12시 Oxide 1.2um etch (Wet) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 150,000원
152 2010-12-29 09시 11시 GaN 2um etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
153 2010-12-29 13시 14시 Oxide etching 전북대학교 전자공학부 김기현 64,000원
154 2010-12-29 14시 16시 GaN 2um etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
155 2010-12-29 18시 22시 Nitride etch_Al2O3 etch (S1012-01) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
156 2010-12-29 22시 02시 1-2 Align key Nitride etch (S1012-02) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
157 2010-12-30 02시 03시 Align key GaN etch (S1012-02) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 150,000원
158 2011-01-05 10시 14시 2-2-1 Nitride etch (S1012-02) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
159 2011-01-06 16시 17시 Oxide etch 전북대학교 전자공학부 김기현 64,000원
160 2011-01-08 20시 21시 Oxide etch 전북대학교 전자공학부 김기현 40,000원
161 2011-01-11 09시 11시 Oxide etch test 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
162 2011-01-13 09시 11시 Oxide etch 한국생산기술연구원 친환경청정기술센터 김홍대 500,000원
163 2011-01-13 14시 15시 Si 50nm etch 전북대학교 전자공학부 김기현 64,000원
164 2011-01-14 09시 12시 5-2-1 Nitride etch 7ea_GaN etch 2ea (S1012-02) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 675,000원
165 2011-01-24 09시 16시 Al2O3 Dry Etch 평가 (recipe 설정 및 layer별 평가) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 1,125,000원
166 2011-01-25 09시 13시 7-2-1 Nitride Etch_Al2O3 etch 4ea+선행 (S1012-02) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 675,000원
167 2011-02-01 09시 11시 AlGaN etch Test 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
168 2011-02-07 19시 23시 AlGaN etch Test_Bias Split 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
169 2011-02-08 08시 09시 Align Key(GaN wafer) Etch RF Reflect tuning 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 225,000원
170 2011-02-08 09시 12시 1-2-1 Align Key Etch (S03-0131) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
171 2011-02-09 20시 21시 Si etching 전북대학교 전자공학부 김기현 64,000원
172 2011-02-10 10시 12시 Recess AlGaN etch Test 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 225,000원
173 2011-02-11 09시 11시 Si NIL Mold etch_PR remove 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
174 2011-02-11 13시 15시 Recess AlGaN etch_200sec_10wb_5Wb_2Wb 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 225,000원
175 2011-02-16 09시 11시 2-2-1 Recess AlGaN Etch (S03-0131) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
176 2011-02-17 10시 11시 Al2O3 Wet etch_Oxide etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 75,000원
177 2011-02-21 13시 14시 SiN 3500A etch_50sec 포항공과대학교 전자전기공학과 김태희 80,000원
178 2011-02-23 09시 11시 1-2-1 Align Key Etch (S04-0221) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 525,000원
179 2011-03-02 13시 15시 2-2-1 Recess AlGaN etch (S04-0221) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
180 2011-03-03 13시 17시 S03-04 Piece Isolation Photo_Etching_PR remove 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
181 2011-03-04 09시 11시 Power Reflect Maint. 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
182 2011-03-04 11시 12시 Si 55nm etch 전북대학교 전자공학부 김기현 64,000원
183 2011-03-07 18시 19시 Si etch 전북대학교 전자공학부 김기현 40,000원
184 2011-03-09 10시 11시 Si etch 전북대학교 전자공학부 김기현 64,000원
185 2011-03-10 15시 16시 8-2-1 Oxide etch (S03-0131) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 150,000원
186 2011-03-11 13시 15시 Oxide etch 교육 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
187 2011-03-15 13시 16시 5-2-3 MESA GaN etch (S04-0221) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 525,000원
188 2011-03-15 13시 14시 5-2-1 Al2O3 etch_S04-01 (S04-0221) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 75,000원
189 2011-03-24 09시 13시 8-2 Nitride_Al2O3_Oxide Etch 6eax3회 (S04-0221) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 1,350,000원
190 2011-03-28 10시 12시 8-2-8 Oxide etch (S04-0221) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 380,000원
191 2011-03-29 19시 20시 Si/SiO2/Si3N4 etch 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 120,000원
192 2011-03-30 09시 11시 1-2-1 Align Key Etch (S05-0328) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
193 2011-04-04 19시 20시 Si etch 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 40,000원
194 2011-04-05 13시 14시 3-2-1 Recess AlGaN Etch (S05-0328) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
195 2011-04-05 21시 22시 Si etch 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 40,000원
196 2011-04-07 16시 17시 Poly Si etch 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 64,000원
197 2011-04-10 15시 16시 Poly-Si etch 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 64,000원
198 2011-04-11 15시 16시 Poly-Si etch 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 64,000원
199 2011-04-12 10시 13시 TiN etch Test_TiN etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
200 2011-04-12 20시 21시 Si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 40,000원
201 2011-04-14 09시 11시 TiN etch Test_TiN etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 225,000원
202 2011-04-14 12시 14시 4-2-1 Gate TiN Etch (S05-0328) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
203 2011-04-18 10시 11시 1-2-1 Align Key GaN Etch (S06-0331) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
204 2011-04-18 13시 15시 Oxide 1000A etch LG디스플레이 김민철 240,000원
205 2011-04-19 09시 11시 3-2-1 Recess AlGaN etch (S06-0331) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
206 2011-04-22 09시 11시 1-2-1 Align Key GaN Etch (S07-0420) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
207 2011-04-25 09시 11시 7-2-1 Nitride_Oxide etch 4ea (S05-0328) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
208 2011-04-25 13시 15시 S05-02_FP Cont PH_Etch_PR Strip 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 225,000원
209 2011-04-27 10시 11시 SiN etch 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 64,000원
210 2011-04-28 09시 11시 3-2-1 Recess AlGaN etch (S07-0420) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
211 2011-04-28 11시 12시 S05-01 Ox 추가 etch_500A 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 75,000원
212 2011-04-28 16시 17시 SiN etch 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 64,000원
213 2011-05-02 14시 16시 1-2-1 Align Key GaN etch (S08-0429) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
214 2011-05-02 17시 18시 SiO2 etch LG Display 연구센터 김재현 160,000원
215 2011-05-03 13시 15시 1-2-1 Align Key GaN etch (S07a-0503) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
216 2011-05-04 10시 12시 TiN etch Test_TiN etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
217 2011-05-04 20시 21시 Nitride etch 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 40,000원
218 2011-05-09 19시 20시 SiO2 etching 포항공과대학교 ITCE 정새벽 40,000원
219 2011-05-10 10시 12시 8-2-1 Nitride Etch (S06-0331) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
220 2011-05-10 13시 15시 8-2-3 Oxide etch (S06-0331) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
221 2011-05-11 09시 11시 3-2-1 Recess AlGaN etch (S07a-0503) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
222 2011-05-11 20시 21시 Nitride etching 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 40,000원
223 2011-05-12 09시 11시 3-2-1 Recess AlGaN etch (S08-0429) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
224 2011-05-12 15시 16시 Nitride etching 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 64,000원
225 2011-05-13 01시 02시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 김태희 64,000원
226 2011-05-13 09시 11시 1-2-1 Align Key GaN etch (S09-0512) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
227 2011-05-17 09시 12시 4-2-1 Gate TiN Etch (S07a-0503) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
228 2011-05-18 09시 11시 4-2-1 Gate TiN etch (S08-0429) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
229 2011-05-18 15시 16시 Oxide etch 포항공과대학교 신소재공학과 하우진 80,000원
230 2011-05-23 09시 10시 5-2-1 S/D Metal Oxide Etch_Wet (S08-0429) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 150,000원
231 2011-05-23 10시 11시 5-2-2 S/D Metal Al2O3 Etch_Dry (S08-0429) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 150,000원
232 2011-05-23 13시 15시 3-2-1 Recess AlGaN etch (S09-0512) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
233 2011-05-23 17시 18시 7-2-1 Nitride etch (S07a-0503) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
234 2011-05-24 13시 15시 1-2-1 Align Key Etch (S10-0518) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
235 2011-05-24 16시 18시 7-2-1 Nitride etch (S08-0429) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
236 2011-05-24 18시 19시 7-2-3 Oxide Etch (S08-0429) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
237 2011-05-25 13시 15시 Metal Dry Etch_Ti_Al etch test 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
238 2011-05-25 17시 19시 4-2-1 Gate TiN etch (S09-0512) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
239 2011-05-26 13시 15시 3-2-1 Recess AlGaN etch (S10-0518) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
240 2011-05-27 01시 02시 SiO2 etching 포항공과대학교 ITCE 정새벽 40,000원
241 2011-05-27 09시 11시 5-2-1 S/D Cont Oxide etch (S09-0512) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 480,000원
242 2011-05-27 11시 13시 5-2-2 S/D Cont Al2O3 etch (S09-0512) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 480,000원
243 2011-05-27 15시 16시 SiO2 etch 포항공과대학교 신소재공학과 하우진 80,000원
244 2011-05-30 13시 15시 1-2-1 Align Key Etch (S11-0526) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
245 2011-05-31 14시 16시 PAD etch시 PR(1.7um) E/R test 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 290,000원
246 2011-06-01 15시 16시 SiN etching 포항공과대학교 신소재공학과 하우진 80,000원
247 2011-06-01 16시 17시 Poly Si etch 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 384,000원
248 2011-06-02 15시 16시 Poly Si etch 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 128,000원
249 2011-06-03 14시 15시 GaN etch 포항공과대학교 신소재공학과 하우진 80,000원
250 2011-06-03 15시 16시 Poly Si etch 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 192,000원
251 2011-06-03 16시 17시 9-2-1 Nitride etch (S08-0429) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
252 2011-06-03 17시 18시 9-2-3 Oxide etch. (S08-0429) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
253 2011-06-07 11시 12시 3-2-1 Recess AlGaN etch (S11-0526) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
254 2011-06-07 17시 18시 Oxide etch 포항공과대학교 ITCE 정새벽 64,000원
255 2011-06-08 11시 12시 Oxide etch 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 128,000원
256 2011-06-08 15시 16시 7-2-1 Nitride etch (S09-0512) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 150,000원
257 2011-06-08 16시 17시 7-2-2 Oxide etch (S09-0512) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 150,000원
258 2011-06-08 17시 18시 Oxide etch (S09-03) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 75,000원
259 2011-06-09 10시 12시 TiN etch Power Split 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 225,000원
260 2011-06-09 13시 15시 4-2-1 Gate TiN Etch (S10-0518) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
261 2011-06-10 11시 12시 Oxide etch 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 128,000원
262 2011-06-10 13시 15시 5-2-1 S/D Cont Etch_Oxide (S10-0518) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 480,000원
263 2011-06-10 15시 17시 5-2-1 S/D Cont Etch_Al2O3 (S10-0518) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 480,000원
264 2011-06-11 16시 17시 Oxide etch 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 128,000원
265 2011-06-13 13시 15시 1-2-1 Align Key Etch (S12-0609) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
266 2011-06-14 09시 11시 4-2-1 Gate TiN Etch (S11-0526) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
267 2011-06-15 10시 11시 Ti_Al_TiN etch test_etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 225,000원
268 2011-06-15 13시 14시 5-2-1 S/D Cont Etch_Oxide (S11-0526) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 480,000원
269 2011-06-15 14시 15시 5-2-2 S/D Cont Etch_Al2O3 (S11-0526) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 480,000원
270 2011-06-22 13시 14시 9-2 Nitride_Oxide Etch (S09-0512) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 150,000원
271 2011-06-22 14시 16시 1-2-1 Align Key Etch (S13-0620) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
272 2011-06-22 16시 17시 TMAH Test_recess etch 250A 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 75,000원
273 2011-06-24 09시 10시 Metal Dry etch_Ti/Al/TiN etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 150,000원
274 2011-06-24 10시 11시 TMAH cleaning Test_recess etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 75,000원
275 2011-06-24 15시 16시 Oxide etch 포항공과대학교 신소재공학과 하우진 80,000원
276 2011-06-24 16시 19시 3-2-1 Recess AlGaN etch (S13-0620) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
277 2011-06-26 18시 19시 Oxide etch 포항공과대학교 전자전기공학과 강대건 40,000원
278 2011-06-27 13시 14시 Oxide etch 포항공과대학교 신소재공학과 하우진 80,000원
279 2011-06-27 14시 16시 6-2 S/D Metal Etch (S10-0518) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 585,000원
280 2011-06-27 21시 22시 Oxide etch 포항공과대학교 ITCE 정새벽 40,000원
281 2011-06-28 13시 15시 3-2-1 Recess AlGaN etch (S12-0609) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
282 2011-06-29 09시 11시 6-2 S/D Metal Etch_TiN/Al/Ti (S11-0526) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 585,000원
283 2011-06-29 16시 17시 Nitride etch 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 128,000원
284 2011-06-30 03시 04시 Oxide etch 포항공과대학교 ITCE 정새벽 40,000원
285 2011-06-30 14시 15시 Oxide etch 포항공과대학교 신소재공학과 하우진 80,000원
286 2011-07-01 15시 17시 1-2-1 Align Key etch (S14-0629) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 675,000원
287 2011-07-01 21시 22시 Oxide etch 전북대학교 전자공학부 김기현 80,000원
288 2011-07-04 10시 11시 TMAH Test 2차_AlGaN etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 150,000원
289 2011-07-05 13시 15시 4-2-1 Gate TiN etch (S12-0609) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
290 2011-07-05 16시 17시 Oxide etch 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 128,000원
291 2011-07-05 23시 24시 Nitride etch 전북대학교 전자공학부 김기현 40,000원
292 2011-07-06 12시 15시 7-2 Nitride_Oxide etch (S10-0518) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 900,000원
293 2011-07-07 09시 11시 8-2 FP Metal Etch (S10-0518) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
294 2011-07-07 16시 18시 7-2 Nitride etch_02_03 (S11-0526) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 150,000원
295 2011-07-07 19시 21시 9-2-1 Nitride etch (S10-0518) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
296 2011-07-07 21시 23시 9-2-3 Oxide etch (S10-0518) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
297 2011-07-08 10시 11시 8-2 FP Metal Etch_01 (S11-0526) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 75,000원
298 2011-07-08 14시 15시 Si etch 전북대학교 전자공학부 김기현 128,000원
299 2011-07-08 18시 19시 Nitride etch 포항공과대학교 전자전기공학과 강대건 40,000원
300 2011-07-11 09시 11시 5-2-1 S/D Cont etch_Oxide (S12-0609) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
301 2011-07-11 11시 13시 5-2-2 S/D Cont etch_Al2O3 (S12-0609) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
302 2011-07-12 09시 12시 1-2-1 Align Key etch (S16-0706) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 675,000원
303 2011-07-15 09시 10시 S12-03 SD Metal Etch Ti/TiN/Al 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 150,000원
304 2011-07-15 10시 12시 6-2 S/D Metal Etch_Ti_TiN_Al_TiN (S12-0609) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 225,000원
305 2011-07-19 09시 10시 7-2-1 Nitride etch (S12-0609) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 330,000원
306 2011-07-19 11시 12시 7-2-3 Oxide etch (S12-0609) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 225,000원
307 2011-07-19 13시 14시 S12-03 FP Oxide etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 150,000원
308 2011-07-21 13시 15시 8-2 FP Metal Etch (S12-0609) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 225,000원
309 2011-07-22 13시 14시 9-2-1 Nitride Etch (S12-0609) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
310 2011-07-22 14시 15시 9-2-3 Oxide Etch (S12-0609) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
311 2011-07-26 09시 11시 1-2-1 Align Key GaN etch (S14a-0725) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
312 2011-07-26 11시 13시 1-2-1 Align Key gaN etch (S18-0725) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 675,000원
313 2011-07-27 17시 19시 1-2-1 Align Key GaN etch (S16a-0727) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
314 2011-08-01 16시 18시 3-2-1 Recess AlGaN etch (S14a-0725) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
315 2011-08-04 16시 17시 Nitride etch 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 64,000원
316 2011-08-05 17시 18시 Oxide, Nitride etch 포항공과대학교 신소재공학과 김효은 160,000원
317 2011-08-08 10시 11시 Oxide, Nitride etch 포항공과대학교 신소재공학과 김효은 160,000원
318 2011-08-08 11시 13시 4-2-1 Gate TiN etch (S13-0620) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
319 2011-08-08 13시 14시 4-2-1 Gate TiN etch (S14a-0725) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
320 2011-08-09 13시 16시 S13 Gate Ox etch test 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
321 2011-08-09 17시 18시 1-2-1 Align Key GaN etch (S15-0805) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 225,000원
322 2011-08-10 09시 11시 5-2-1 S/D cont Etch_Oxide (S13-0620) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
323 2011-08-10 11시 13시 5-2-2 S/D cont Etch_Gate Ox (S13-0620) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
324 2011-08-10 13시 14시 5-2-1 S/D cont Etch_Oxide (S14a-0725) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
325 2011-08-10 14시 15시 5-2-2 S/D cont Etch_Al2O3 (S14a-0725) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
326 2011-08-10 15시 18시 1-2-1 Align Key Etch (S18a-0809) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 900,000원
327 2011-08-10 18시 20시 1-2-1 Align Key GaN etch (S16b-0803) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
328 2011-08-11 09시 10시 Oxide etch 포항공과대학교 신소재공학과 김효은 64,000원
329 2011-08-12 11시 13시 1-2-1 Align Key etch (S19-0810) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
330 2011-08-12 16시 17시 Oxide, GaN etch 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 128,000원
331 2011-08-16 12시 14시 6-2-1 S/D Metal Etch (S13-0620) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
332 2011-08-17 12시 13시 6-2-1 S/D Metal etch (S14a-0725) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
333 2011-08-17 17시 19시 3-2-1 Recess AlGaN etch (S19-0810) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 525,000원
334 2011-08-18 13시 14시 Oxide_Nitride etch 전북대학교 전자공학부 김기현 128,000원
335 2011-08-18 15시 16시 Oxide etch 포항공과대학교 ITCE 정새벽 64,000원
336 2011-08-19 13시 15시 7-2-1 Nitride etch (S13-0620) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
337 2011-08-19 15시 17시 7-2-3 Oxide etch (S13-0620) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
338 2011-08-19 17시 18시 7-2-1 Nitride etch (S14a-0725) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
339 2011-08-19 18시 19시 7-2-3 Oxide etch (S14a-0725) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
340 2011-08-22 14시 17시 3-2-1 Recess AlGaN etch (S18a-0809) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
341 2011-08-22 18시 20시 4-2-1 Gate TiN etch (S19-0810) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
342 2011-08-23 11시 13시 4-2-1 Gate TiN Etch (S18a-0809) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
343 2011-08-23 18시 20시 5-2-1 S/D Cont etch_Oxide (S18a-0809) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
344 2011-08-23 20시 22시 5-2-2 S/D Cont etch_Al2O3 (S18a-0809) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
345 2011-08-24 08시 10시 5-2-1 S/D Cont Etch_Oxide (S19-0810) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
346 2011-08-24 10시 12시 5-2-2 S/D Cont Etch_Al2O3 (S19-0810) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
347 2011-08-24 15시 17시 6-2 S/D Metal etch (S18a-0809) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
348 2011-08-24 17시 19시 6-2-1 S/D Metal Etch (S19-0810) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
349 2011-08-24 19시 20시 7-2-1 Nitride etch (S18a-0809) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
350 2011-08-24 20시 21시 7-2-3 Oxide etch (S18a-0809) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
351 2011-08-25 09시 11시 7-2-1 Nitride etch (S19-0810) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
352 2011-08-25 11시 13시 7-2-3 Oxide etch (S19-0810) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
353 2011-08-25 14시 15시 Si, Oxide etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 128,000원
354 2011-08-30 09시 10시 8-2 FP Metal etch (S13-0620) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
355 2011-08-30 15시 17시 9-2-1 Nitride etch (S13-0620) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
356 2011-08-30 17시 19시 9-2-3 Oxide etch. (S13-0620) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
357 2011-09-01 08시 09시 GaN 4um etch Test 삼성종합기술원 홍현기 0원
358 2011-09-01 09시 10시 7-2-5 Oxide 추가 etch (S18a-0809) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
359 2011-09-01 13시 15시 7-2-5 Oxide 추가 cleaning (S19-0810) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 525,000원
360 2011-09-01 15시 17시 8-2 FP Metal Etch_Ti/Al/TiN (S18a-0809) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
361 2011-09-01 20시 21시 9-2-1 Nitride etch (S18a-0809) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
362 2011-09-01 21시 22시 9-2-3 Oxide etch (S18a-0809) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
363 2011-09-02 11시 13시 8-2-1 FP Metal Etch_Ti/Al/TiN (S19-0810) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
364 2011-09-05 12시 14시 9-2-1 Nitride etch (S19-0810) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
365 2011-09-05 14시 16시 9-2-3 Oxide etch (S19-0810) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
366 2011-09-06 13시 15시 5-2-1 S/D cont etch_Oxide_Nitride (S16b-0803) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 525,000원
367 2011-09-06 15시 17시 5-2-2 S/D cont etch_Al2O3 (S16b-0803) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
368 2011-09-07 11시 12시 TiN etch Test_burning 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 150,000원
369 2011-09-07 16시 17시 Oxide etch 포항공과대학교 ITCE 정새벽 64,000원
370 2011-09-07 21시 22시 Oxide etch 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 40,000원
371 2011-09-08 09시 11시 6-2 S/D Metal Etch_TiN/Al/Ti (S16b-0803) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
372 2011-09-08 15시 16시 etch pattern 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 80,000원
373 2011-09-13 14시 16시 1-2-1 Align Key etch (S20-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 525,000원
374 2011-09-14 08시 10시 1-2-1 Align Key Etch (S17a-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
375 2011-09-14 15시 16시 Pattern etch 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 160,000원
376 2011-09-14 20시 22시 1-2-1 Align Key etch (S21-0909) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
377 2011-09-15 12시 14시 Al2O3 etch (정성달) 경북대학교 전자전기컴퓨터학부 이정희 300,000원
378 2011-09-19 10시 11시 3-2-1 Oxide etch (S20-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 150,000원
379 2011-09-19 11시 14시 3-2-2 Recess AlGaN etch (S20-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 525,000원
380 2011-09-19 18시 21시 4-2-1 Gate TiN etch (S20-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
381 2011-09-20 09시 10시 5-2-1 S/D cont etch_Oxide (S20-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
382 2011-09-20 10시 11시 5-2-2 S/D cont etch_Nitride (S20-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
383 2011-09-20 11시 13시 5-2-3 S/D cont etch_Al2O3 (S20-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
384 2011-09-20 15시 18시 GaN etch (임기식) 경북대학교 전자전기컴퓨터학부 이정희 300,000원
385 2011-09-20 18시 19시 Oxide etch 포항공과대학교 ITCE 정새벽 40,000원
386 2011-09-21 13시 15시 3-2-2 Recess AlGaN etch (S21-0909) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
387 2011-09-22 12시 14시 6-2-1 S/D metal etch_TiN/Al/Ti (S20-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
388 2011-09-23 13시 15시 4-2-1 Gate TiN etch (S21-0909) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 525,000원
389 2011-09-26 12시 14시 7-2-1 Nitride etch (S20-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 525,000원
390 2011-09-26 12시 17시 deep trench etch (주)좋은램프 최근철 1,600,000원
391 2011-09-26 14시 15시 7-2-3 Oxide etch (S20-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
392 2011-09-26 15시 16시 7-2-5 Nitride etch (S20-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
393 2011-09-26 16시 17시 5-2-1 S/D cont etch_Nitride (S21-0909) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
394 2011-09-26 17시 18시 5-2-2 S/D cont etch_Al2O3 (S21-0909) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
395 2011-09-26 19시 20시 Si etch 전북대학교 전자공학부 김기현 80,000원
396 2011-09-27 12시 14시 6-2-1 S/D Metal etch_TiN/Al/Ti (S21-0909) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
397 2011-09-27 14시 16시 3-2-1 Recess AlGaN etch (S17a-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
398 2011-09-27 16시 17시 Oxide etch 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 64,000원
399 2011-09-28 09시 11시 7-2-1 Nitride etch (S21-0909) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
400 2011-09-28 11시 12시 7-2-3 Nitride etch 1300A (S21-0909) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
401 2011-09-30 12시 13시 Oxide etch 전북대학교 전자공학부 김기현 64,000원
402 2011-10-04 11시 13시 4-2-1 Gate TiN etch (S17a-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 675,000원
403 2011-10-04 16시 17시 5-2-1 S/D cont etch_oxide (S17a-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
404 2011-10-04 17시 18시 5-2-2 S/D cont etch_Nitride (S17a-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
405 2011-10-04 18시 20시 5-2-3 S/D cont etch_Al2O3 (S17a-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 675,000원
406 2011-10-04 20시 21시 Nitride etch 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 40,000원
407 2011-10-04 21시 22시 8-2 FP Metal Etch_TiN/Al/Ti (S20-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
408 2011-10-05 12시 13시 9-2-1 Nitride etch (S20-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
409 2011-10-05 13시 14시 9-2-3 Oxide etch (S20-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
410 2011-10-06 09시 11시 TiN etch(SF6) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 225,000원
411 2011-10-06 13시 14시 Oxide etch 포항공과대학교 ITCE 정새벽 64,000원
412 2011-10-06 15시 16시 Oxide etch 포항공과대학교 ITCE 정새벽 64,000원
413 2011-10-06 16시 17시 TiN etch(SF6) 2ea, Recess etch 1ea 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 225,000원
414 2011-10-08 22시 23시 Nitride etch 전북대학교 전자공학부 김기현 80,000원
415 2011-10-10 13시 15시 1-2-1 Align Key etch (S22-1004) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
416 2011-10-11 12시 13시 4-2-1 Gate etch_TiN (S22-1004) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
417 2011-10-11 13시 14시 4-2-2 Gate etch_p-GaN (S22-1004) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
418 2011-10-11 17시 18시 5-2-1 S/D cont etch_Nitride (S22-1004) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 675,000원
419 2011-10-11 18시 20시 5-2-2 S/D cont etch_Al2O3_pGaN (S22-1004) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 675,000원
420 2011-10-11 20시 21시 Oxide etch 포항공과대학교 ITCE 정새벽 40,000원
421 2011-10-12 11시 13시 6-2 S/D Metal etch (S17a-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 675,000원
422 2011-10-12 16시 17시 Nitride etch 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 64,000원
423 2011-10-14 15시 16시 Oxide etch 포항공과대학교 전자전기공학과 조동환 64,000원
424 2011-10-14 16시 18시 P-GaN etch test_etch_PR Strip 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
425 2011-10-17 09시 11시 6-2 S/D Metal etch_TiN/Al/Ti (S22-1004) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
426 2011-10-17 11시 13시 1-2-1 Align Key etch (S25-1004) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 675,000원
427 2011-10-17 14시 15시 7-2-1 Nitride etch (S22-1004) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
428 2011-10-17 15시 16시 7-2-3 Nitride etch (S22-1004) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
429 2011-10-17 17시 18시 7-2-1 Nitride etch (S17a-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
430 2011-10-17 18시 19시 7-2-3 Oxide etch (S17a-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
431 2011-10-17 19시 23시 S22-01,02,04,06 조각 PAD open_pattern_etch_PR Strip 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 1,050,000원
432 2011-10-18 10시 12시 1-2-1 Align key etch (S24-1013) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
433 2011-10-18 12시 13시 4-2-1 Gate etch (S25-1004) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 150,000원
434 2011-10-18 16시 17시 5-2-1 S/D cont etch (S25-1004) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
435 2011-10-19 09시 11시 1-2-1 Align Key etch (S26-1017) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
436 2011-10-19 12시 13시 3-2-1 Gate etch_TiN (S24-1013) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
437 2011-10-19 13시 14시 3-2-2 Gate etch_pGaN (S24-1013) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
438 2011-10-19 15시 16시 5-2-1 S/D cont Nitride etch (S24-1013) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 225,000원
439 2011-10-19 16시 17시 5-2-2 S/D cont pGaN etch (S24-1013) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 225,000원
440 2011-10-21 10시 12시 HfO etch 서강대학교 전자공학과 장정식 300,000원
441 2011-10-24 15시 16시 6-2 S/D Metal etch_TiN/Al/Ti (S24-1013) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 225,000원
442 2011-10-24 20시 22시 7-2-1 Nitride etch (S24-1013) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
443 2011-10-25 11시 13시 3-2-2 Recess AlGaN etch (S26-1017) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
444 2011-10-26 15시 17시 4-2-1 Gate Etch (S26-1017) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 525,000원
445 2011-10-26 19시 21시 5-2-2 S/D cont etch_Oxide (S26-1017) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
446 2011-10-26 21시 23시 5-2-3 S/D cont etch_Al2O3 (S26-1017) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
447 2011-10-27 14시 16시 6-2 S/D Metal etch_TiN/Al/Ti (S26-1017) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
448 2011-10-28 13시 15시 7-2-1 Nitride etch (S26-1017) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
449 2011-10-28 15시 17시 7-2-3 Oxide etch (S26-1017) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
450 2011-10-31 15시 16시 Oxide etch 포항공과대학교 ITCE 정새벽 64,000원
451 2011-11-01 12시 14시 1-2-1 Align Key etch (S23-0928) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
452 2011-11-02 18시 20시 3-2-1 Recess AlGaN etch (S23-0928) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
453 2011-11-07 09시 11시 NIL_상용화_Si 8000A etch (주)디엠에스 김성해 1,200,000원
454 2011-11-07 13시 15시 NIL_과제평가_Si 3000A etch (주)디엠에스 김성해 1,200,000원
455 2011-11-08 13시 16시 SM01_Gate TiN etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 525,000원
456 2011-11-08 16시 18시 SM02_Gate TiN etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
457 2011-11-14 11시 13시 4-2-1 Gate Etch_TiN (S23-0928) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
458 2011-11-14 13시 15시 1-2-1 Align Key etch (S27-1103) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
459 2011-11-14 17시 19시 5-2-1 S/D cont Etch_Oxide (S23-0928) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
460 2011-11-14 19시 21시 5-2-2 S/D cont Etch_Al2O3 (S23-0928) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
461 2011-11-15 10시 12시 3-2-1 Gate Etch_TiN (S27-1103) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
462 2011-11-15 12시 14시 3-2-2 Gate Etch_pGaN (S27-1103) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
463 2011-11-15 16시 19시 1-2-1 Align Key etch (S28-1103) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 525,000원
464 2011-11-16 12시 15시 5-2 S/D cont etch_SiN_SiO2/SiN_SiO2 (S27-1103) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 525,000원
465 2011-11-16 15시 17시 5-2 S/D cont etch_pGaN (S27-1103) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
466 2011-11-17 10시 11시 Oxide etch 포항공과대학교 ITCE 정새벽 64,000원
467 2011-11-17 12시 14시 3-2-1 Gate Etch_TiN (S28-1103) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 525,000원
468 2011-11-17 14시 16시 3-2-2 Gate Etch_pGaN (S28-1103) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 525,000원
469 2011-11-17 16시 18시 1-2-1 Align Key etch (S29-1114) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 525,000원
470 2011-11-21 15시 17시 6-2-1 S/D Metal etch_Ti/Al_TiN (S27-1103) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
471 2011-11-23 15시 18시 7-2 F/P cont Etch_Ox/SiN (S27-1103) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 525,000원
472 2011-11-24 09시 14시 SM04_SiN etch test_S/D cont etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 900,000원
473 2011-11-28 13시 15시 1-2-1 Align Key Etch (S30-1124) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 525,000원
474 2011-11-28 15시 17시 6-2-1 S/D Metal etch_TiN/Al/Ti (S23-0928) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 375,000원
475 2011-11-29 09시 12시 SM04_SiN etch test_SiN,SiO2 etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 750,000원
476 2011-11-29 13시 16시 SiO2_SiN etch 포항나노기술집적센터 연구개발부 전영권 1,000,000원
477 2011-11-29 16시 18시 1-2-1 Align Key etch (S31-1128) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 525,000원
478 2011-11-30 11시 12시 3-2-1 Gate TiN etch (S30-1124) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 525,000원
479 2011-12-02 16시 17시 Si etching 전북대학교 전자공학부 김기현 64,000원
480 2011-12-06 14시 16시 5-2-1 S/D cont etch_Nitride (S29-1114) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
481 2011-12-06 16시 17시 5-2-2 S/D cont etch_oxide (S29-1114) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
482 2011-12-06 17시 18시 5-2-3 S/D cont etch_Al2O3 (S29-1114) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
483 2011-12-06 18시 19시 7-2-1 Nitride etch (S23-0928) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
484 2011-12-06 19시 20시 7-2-3 Oxide etch (S23-0928) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
485 2011-12-07 09시 11시 5-2-1 S/D cont etch_Nitride (S28-1103) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 525,000원
486 2011-12-07 11시 13시 5-2-2 S/D cont etch_pGaN (S28-1103) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 525,000원
487 2011-12-07 15시 16시 Oxide etch 포항공과대학교 ITCE 정새벽 64,000원
488 2011-12-07 16시 17시 5-2-1 S/D cont etch_Nitride (S30-1124) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
489 2011-12-07 17시 18시 5-2-2 S/D cont etch_pGaN (S30-1124) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
490 2011-12-08 13시 15시 5-2-1 S/D cont Etch_Nitride+Oxide (S31-1128) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 525,000원
491 2011-12-08 15시 16시 5-2-3 S/D cont Etch_Al2O3 (S31-1128) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 525,000원
492 2011-12-09 18시 19시 Si etch 전북대학교 전자공학부 김기현 40,000원
493 2011-12-13 10시 12시 SiC_oxide 1um etch 포항공과대학교 전자과 백상원 160,000원
494 2011-12-13 13시 17시 NIL Stamp 3차 Run Si Etch (주)디엠에스 김성해 810,000원
495 2011-12-14 10시 12시 SiC 전력 소자용 Oxide 2.0um Etch 포항공과대학교 전자과 백상원 320,000원
496 2011-12-19 21시 22시 Si etch 전북대학교 전자공학부 김기현 40,000원
497 2011-12-20 13시 18시 CMOS 직접 공정용 Gate Poly Etch (주)디엠에스 김성해 1,350,000원
498 2011-12-26 09시 10시 8-2 FP Metal etch (S23-0928) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
499 2011-12-26 10시 12시 6-2 S/D metal etch (S28-1103) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 900,000원
500 2011-12-26 13시 15시 6-2 S/D Metal etch (S29-1114) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
501 2011-12-26 15시 17시 6-2 S/D Metal etch (S30-1124) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
502 2011-12-26 17시 18시 Oxide etch 포항공과대학교 ITCE 정새벽 64,000원
503 2011-12-27 13시 14시 1-2-1 Align key etch (S32-1206) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 225,000원
504 2011-12-28 11시 12시 3-2-1 Recess AlGaN etch (S32-1206) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 225,000원
505 2012-01-02 10시 11시 9-2-3 PAD Oxide Etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
506 2012-01-02 10시 11시 9-2-1 PAD Nitride Etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
507 2012-01-03 10시 12시 CMOS 집적공정 Contact Etch 공정 Setup (주)디엠에스 김성해 450,000원
508 2012-01-03 13시 14시 4-2-1 Gate TiN Etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 225,000원
509 2012-01-03 16시 17시 Graphene의 나노 스케일 페터닝 포항공과대학교 화학공학과 장재영 160,000원
510 2012-01-04 15시 16시 3-2-1 Gate TiN Etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
511 2012-01-04 16시 17시 3-2-2 Gate p-GaN Etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
512 2012-01-05 10시 11시 CMOS 집적공정 Gate Module Spacer Etch Setup (주)디엠에스 김성해 180,000원
513 2012-01-05 14시 16시 CMOS 집적공정 Cont Etch Setup (주)디엠에스 김성해 540,000원
514 2012-01-05 16시 17시 SiC 전력소자용 Oxide Etch 포항공과대학교 전자과 백상원 160,000원
515 2012-01-05 17시 18시 NWBIOFET ACTIVE ETCH (SOI) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 64,000원
516 2012-01-09 10시 11시 CMOS 집적공정 Contact Etch Setup (주)디엠에스 김성해 180,000원
517 2012-01-09 10시 11시 5-2-2 S/D Cont Al2O3 Etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 150,000원
518 2012-01-09 10시 11시 5-2-1 S/D Cont Oxide+Nitride Etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 225,000원
519 2012-01-10 14시 15시 8-2 PF Metal Etch (Ti-Al-TiN) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
520 2012-01-10 14시 16시 CMOS 집적 공정 Gate Module Spacer Etch (주)디엠에스 김성해 270,000원
521 2012-01-11 14시 15시 CMOS 집적 공정 Gate Module Contact Etch (주)디엠에스 김성해 180,000원
522 2012-01-11 20시 21시 Oxide Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 80,000원
523 2012-01-12 13시 14시 CMOS Gate Module Spacer Etch (주)디엠에스 김성해 180,000원
524 2012-01-12 13시 14시 6-2 SD Metal Etch ★과청구로 인한 할인율 적용 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 287,500원
525 2012-01-12 16시 17시 Si etch_300nm 600nm 1um 전북대학교 전자공학부 김기현 192,000원
526 2012-01-13 16시 17시 CMOS Gate Module Spacer Etch 평가 (주)디엠에스 김성해 270,000원
527 2012-01-13 17시 18시 그래핀 나노 페터닝 포항공과대학교 화학공학과 장재영 160,000원
528 2012-01-16 11시 12시 6-2 SD Cont Nitride Etch ★과청구로 인한 할인율 적용 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 0원
529 2012-01-16 13시 14시 6-2 SD Cont P-GaN Etch ★과청구로 인한 할인율 적용 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 0원
530 2012-01-17 09시 10시 9-2 PAD Nitride Etch ★과청구로 인한 할인율 적용 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 237,500원
531 2012-01-17 09시 10시 9-2 PAD Oxide Etch ★과청구로 인한 할인율 적용 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 0원
532 2012-01-17 14시 15시 CMOS Gate Module, Spacer Etch Setup (주)디엠에스 김성해 180,000원
533 2012-01-17 15시 16시 7-2 FP Cont Oxide Etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 225,000원
534 2012-01-17 15시 16시 7-2 FP Cont Nitride Etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 225,000원
535 2012-01-18 14시 16시 CMOS 집적 공정 Contact Module 단위 공정 Setup (주)디엠에스 김성해 450,000원
536 2012-01-19 10시 12시 6-2 SD Metal Etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
537 2012-01-19 16시 17시 Oxide 2um Etch & Si trench Etch 포항공과대학교 전자과 백상원 160,000원
538 2012-01-21 10시 12시 HfO Etch 서강대학교 전자공학과 이기봉 200,000원
539 2012-01-25 15시 16시 CMOS Contact Etch (주)디엠에스 김성해 360,000원
540 2012-01-26 16시 18시 6-2-1 S/D Metal Etch (TIN,AL,TI) ★과청구로 인한 할인율 적용 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 0원
541 2012-01-27 13시 14시 7-2 FP Cont Nitride Etch 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
542 2012-01-31 15시 16시 silicon etch 포항공과대학교 전자전기 박찬훈 64,000원
543 2012-02-01 14시 15시 1-2 Align Key GaN Etch ★과청구로 인한 할인율 적용 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 0원
544 2012-02-01 15시 16시 silicon etch 포항공과대학교 화학공학과 장재영 80,000원
545 2012-02-07 14시 15시 3-2 Gate TiN Dry Etch ★과청구로 인한 할인율 적용 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 0원
546 2012-02-07 15시 15시 3-2 Gate P-GaN Dry Etch ★과청구로 인한 할인율 적용 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 0원
547 2012-02-10 10시 13시 SiC 소자용 Poly Silicon Etch 포항공과대학교 전자과 백상원 240,000원
548 2012-02-10 13시 15시 SiC 소자용 SiC Etch : Oxide Target 2.0um 포항공과대학교 전자과 백상원 160,000원
549 2012-02-13 10시 11시 Silicon Etch 포항공과대학교 전자전기 박찬훈 128,000원
550 2012-02-13 11시 12시 5-2 SD Cont Nitride Etch ★과청구로 인한 할인율 적용 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 0원
551 2012-02-13 16시 17시 SiC 소자용 SiC Etch : Oxide 2.0um Target 포항공과대학교 전자과 백상원 240,000원
552 2012-02-14 16시 17시 Si & Oxide Etch 포항공과대학교 전자전기 박찬훈 64,000원
553 2012-02-16 17시 18시 Oxide Etch (조각) 전북대학교 전자공학부 김기현 64,000원
554 2012-02-17 10시 12시 oxide Etch 2500 A_선처리 대구경북과학기술원 에너지연구부 백성호 0원
555 2012-02-17 15시 16시 6-2 SD Metal Etch ★과청구로 인한 할인율 적용 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 0원
556 2012-02-21 14시 15시 7-2 SD Cont Nitride Etch ★과청구로 인한 할인율 적용 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 0원
557 2012-02-21 20시 21시 Oxide Etch / Si Dry Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 80,000원
558 2012-02-22 19시 20시 Oxide Etch 포항공과대학교 ITCE 정새벽 40,000원
559 2012-02-23 13시 15시 Oxide 2um Etch : 2매 진행
( 1um 이상 진행 시 추가 비용 발생 )		 포항공과대학교 전자과 백상원 320,000원
560 2012-02-23 14시 17시 Oxide Etch 9000A (주)디엠에스 김성해 360,000원
561 2012-02-24 09시 12시 Gate Poly Etch : 10매 (주)디엠에스 김성해 900,000원
562 2012-02-24 13시 14시 8-2 FP Metal Etch ★과청구로 인한 할인율 적용 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 0원
563 2012-02-27 10시 11시 Contact Etch profile 평가 (주)디엠에스 김성해 144,000원
564 2012-02-27 13시 15시 Silicon Etch : 20nm & 70nm Split 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 300,000원
565 2012-02-27 15시 16시 GaN 0.5um Etch 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 80,000원
566 2012-02-28 13시 14시 9-2 PAD Nitride Etch Etch ★과청구로 인한 할인율 적용 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 0원
567 2012-02-28 13시 14시 9-2 PAD Oxide Etch ★과청구로 인한 할인율 적용 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 0원
568 2012-02-28 15시 16시 TRENCH Si ETCH 전북대학교 전자공학부 김기현 64,000원
569 2012-02-29 15시 16시 GaN ETCH : 5000 A 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 160,000원
570 2012-03-06 13시 14시 2-2-1 SE Ox Dry Etch 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 300,000원
571 2012-03-06 15시 16시 Si Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 64,000원
572 2012-03-06 15시 16시 100nm Si 식각_6인티 실리콘 웨이퍼 한장 전북대학교 전자공학부 김기현 64,000원
573 2012-03-07 11시 12시 Si Etching : 200nm 포항공과대학교 전자과 백상원 160,000원
574 2012-03-07 11시 12시 Oxide Etch 포항공과대학교 전자과 백상원 160,000원
575 2012-03-07 13시 15시 GaN Etch : 5000 A 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 80,000원
576 2012-03-08 20시 21시 Si 나노와이어 패턴 etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 64,000원
577 2012-03-12 10시 15시 Trench HM Oxide Etch : 10매 - 9000 Å Target 나노융합기술원 공정기술팀 김수곤 0원
578 2012-03-13 13시 15시 Oxide 2um Target Etch
(1um 이상 추가 비용 발생)		 포항공과대학교 전자과 백상원 320,000원
579 2012-03-14 10시 12시 Si Dry Etch : Split 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 400,000원
580 2012-03-15 10시 11시 Poly Si Etch : 3000 A Target 포항공과대학교 전자과 백상원 80,000원
581 2012-03-15 15시 16시 SIC 소자 Oxide 2um Etch 포항공과대학교 전자과 백상원 320,000원
582 2012-03-15 16시 18시 Oxide Etch : 20000 A - 4ea(조각 Sample) & 10000 A 1ea(3 inch) 포항공과대학교 전자과 백상원 240,000원
583 2012-03-15 21시 22시 Silicon Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 40,000원
584 2012-03-16 13시 16시 HfO Etch 서강대학교 전자공학과 이기봉 400,000원
585 2012-03-16 14시 15시 2-2-1 SE Oxide Etch 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 100,000원
586 2012-03-19 21시 22시 Silicon etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 40,000원
587 2012-03-20 17시 18시 Oxide Etch (Ch#2) 포항공과대학교 전자전기 박찬훈 64,000원
588 2012-03-21 13시 14시 Ti/Al Dry Etch 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 100,000원
589 2012-03-21 23시 24시 Silicon Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 40,000원
590 2012-03-26 14시 15시 Poly Etch 포항공과대학교 전자전기 박찬훈 64,000원
591 2012-03-27 11시 14시 Oxide Etch : SE Etch (Poly Ch#) 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 400,000원
592 2012-03-27 15시 17시 backside Si Etch 포항공과대학교 전자과 백상원 80,000원
593 2012-04-02 14시 17시 특성화고 실습 : Dry Etching 나노기술집적센터 구미분소 김두석 0원
594 2012-04-02 20시 21시 Si Etch : 100nm 전북대학교 전자공학부 김기현 40,000원
595 2012-04-06 14시 16시 Etch 장비 관리 : Etchrate 측정 실습 나노기술집적센터 구미분소 김두석 0원
596 2012-04-10 14시 15시 TiN (SF6)
300Ws 100Wb
106sec(85nm Target)		 포항공과대학교 ITCE 정새벽 80,000원
597 2012-04-11 10시 12시 Oxide&nitride stack 식각 테스트(조각샘플) 전북대학교 전자공학부 김기현 128,000원
598 2012-04-12 10시 11시 Oxide 50nm Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 64,000원
599 2012-04-12 11시 13시 Oxide 2um Etch (1um 이상) 포항공과대학교 전자과 백상원 480,000원
600 2012-04-13 14시 16시 GaN Etch : 200nm (조각 6ea : 2회 진행) 경북대학교 전자전기컴퓨터학부 이정희 200,000원
601 2012-04-17 14시 16시 TiN Etch : 조건 Test 3매 포항공과대학교 ITCE 정새벽 240,000원
602 2012-04-17 16시 17시 Oxide Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 128,000원
603 2012-04-18 21시 22시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 40,000원
604 2012-04-21 01시 02시 Si Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 40,000원
605 2012-04-23 12시 13시 Oxide Etch 3000A 포항공과대학교 전자전기공학과 김태희 80,000원
606 2012-04-23 13시 14시 GaN Etch 6000A 포항공과대학교 전자전기공학과 김태희 80,000원
607 2012-04-23 14시 16시 GaN Etch 2000A 경북대학교 전자전기컴퓨터학부 이정희 300,000원
608 2012-04-24 15시 16시 TiN Etch 포항공과대학교 ITCE 정새벽 80,000원
609 2012-04-24 22시 24시 HfO Etch 서강대학교 전자공학과 이기봉 100,000원
610 2012-04-27 10시 11시 Si Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 64,000원
611 2012-04-27 14시 15시 Graphine Etch 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 80,000원
612 2012-04-27 15시 17시 Si Dry Etch : 실습 교육 진행 나노기술집적센터 구미분소 김두석 0원
613 2012-05-02 13시 14시 TiN Etch : 800nm Target 포항공과대학교 ITCE 정새벽 80,000원
614 2012-05-02 14시 15시 Oxide Etch : 2.0um (1.0um 이상) 포항공과대학교 전자과 백상원 320,000원
615 2012-05-02 15시 17시 SiC Align Key Etch : Oxide Etch 1.4um Target 포항공과대학교 전자과 백상원 320,000원
616 2012-05-02 20시 21시 실리콘 100nm 식각_6인치 웨이퍼 1장 전북대학교 전자공학부 김기현 40,000원
617 2012-05-04 10시 11시 1-6 NW Etch 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 300,000원
618 2012-05-04 16시 17시 실리콘 100나노 식각_SOI 웨이퍼 1장 전북대학교 전자공학부 김기현 64,000원
619 2012-05-07 13시 14시 2-2 SE Etch 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 300,000원
620 2012-05-07 16시 17시 Graphene Etch 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 160,000원
621 2012-05-08 10시 12시 Oxide Etch 실습 나노기술집적센터 구미분소 김두석 0원
622 2012-05-08 11시 12시 Oxide 5000 A Etch 포항공과대학교 기계공학과 김태영 80,000원
623 2012-05-08 14시 16시 GaN Etch (7개) 경북대학교 전자전기컴퓨터학부 이정희 200,000원
624 2012-05-08 16시 18시 Oxide Etch (2.0um) 포항공과대학교 전자과 백상원 480,000원
625 2012-05-09 14시 15시 graphene Etch 포항공과대학교 신소재공학과 임태석 160,000원
626 2012-05-09 15시 17시 Etch Selectivity Test 실습 나노기술집적센터 구미분소 김두석 0원
627 2012-05-10 09시 16시 GaN Etch : 3.0um (기준 1.0um Target * 3) 경북대학교 전자전기컴퓨터학부 이정희 900,000원
628 2012-05-14 13시 15시 HfO Etch : 6inch wafer 서강대학교 전자공학과 이기봉 100,000원
629 2012-05-14 15시 17시 Oxide Etchrate & Etch 실습 나노기술집적센터 구미분소 김두석 0원
630 2012-05-14 16시 18시 Oxide Etch : 2.0um (기본 1.0um 이상) 포항공과대학교 전자과 백상원 320,000원
631 2012-05-14 20시 21시 Si 100nm 식각_6인치 1장 전북대학교 전자공학부 김기현 40,000원
632 2012-05-15 13시 15시 Si Dry Etch Split 포항공과대학교 기계공학과 허준성 160,000원
633 2012-05-15 15시 17시 Etch profile Test 실습 나노기술집적센터 구미분소 김두석 0원
634 2012-05-15 17시 19시 Oxide 2.0um 포항공과대학교 전자과 백상원 320,000원
635 2012-05-16 10시 13시 GaN Etch : 3.0um (기본 1.0um 이상)
조각 시료 9개 (1개 평가 진행, 2회 진행)		 경북대학교 전자전기컴퓨터학부 이정희 600,000원
636 2012-05-16 13시 17시 Trench Gate Etch 평가 나노융합기술원 공정기술팀 김수곤 0원
637 2012-05-17 13시 14시 Oxide Etch : 5000 A Target (Hard Mask) 포항공과대학교 기계공학과 허준성 400,000원
638 2012-05-17 14시 17시 Si Trench Etch Split : 1000 A / 5000 A / 10000 A / 15000 A / 20000 A
(1.0um 이상 2매 : 추가 비용 발생)		 포항공과대학교 기계공학과 허준성 560,000원
639 2012-05-18 17시 19시 HfO Dry Etch 서강대학교 전자공학과 이기봉 500,000원
640 2012-05-21 10시 16시 GaN Etch : 2.5um 이상 / 3.5um 이상 Split 평가
- 각 Test 시료를 통한 두께 평가 진행
- 1.0um 기본 초과에 대한 비용 발생		 경북대학교 전자전기컴퓨터학부 이정희 600,000원
641 2012-05-21 14시 15시 Graphene Etch 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 160,000원
642 2012-05-22 10시 12시 Oxide 2.0um Etch 포항공과대학교 전자과 백상원 320,000원
643 2012-05-22 14시 15시 Poly Gate Etch 포항공과대학교 전자과 백상원 80,000원
644 2012-05-22 14시 15시 Graphene Etch 평가 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 80,000원
645 2012-05-22 15시 18시 Poly-Si Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 1,700,000원
646 2012-05-22 18시 20시 silicon etching 전북대학교 전자공학부 김기현 160,000원
647 2012-05-23 13시 16시 Oxide Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 1,700,000원
648 2012-05-23 16시 17시 Si Trench Etch 평가.
1. Oxide Dry Etch
2. Oxide & Si Dry Etch		 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 160,000원
649 2012-05-25 10시 14시 Etch 장비 구조 및 관리 실습 : Ch#2 Poly Chamber 나노기술집적센터 구미분소 김두석 0원
650 2012-05-29 14시 16시 Graphene Etch 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 240,000원
651 2012-05-29 20시 21시 Poly Si Gate Etch 포항공과대학교 전자과 백상원 40,000원
652 2012-05-30 15시 16시 Graphene Etch : 3 sample 포항공과대학교 신소재공학과 임태석 80,000원
653 2012-06-01 11시 12시 Graphene Etch :
1. 100W - 20sec
2. 40 W - 15min (기본 10min 초과 : 1회 추가)		 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 240,000원
654 2012-06-01 20시 21시 Silicon Etching 전북대학교 전자공학부 김기현 40,000원
655 2012-06-04 15시 16시 Oxide_0303 조건 포항공과대학교 ITCE 정새벽 64,000원
656 2012-06-08 14시 15시 Graphene Etch 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 80,000원
657 2012-06-11 14시 16시 LGIT 단위 공정 평가
ISO GaN Dry Etch 공정 능력 Test		 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
658 2012-06-11 18시 19시 Si Gate Etch 포항공과대학교 전자과 백상원 40,000원
659 2012-06-11 21시 22시 Oxide Etch : Oxide_0303 포항공과대학교 ITCE 정새벽 40,000원
660 2012-06-15 11시 13시 Oxide 5000 A Etch : 30nm Pattern 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 80,000원
661 2012-06-15 13시 15시 Graphene Etch 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 80,000원
662 2012-06-15 15시 17시 AlGaN/GaN 2500A Etching
(조각 Sample 12 개)		 경북대학교 전자전기컴퓨터학부 이정희 200,000원
663 2012-06-18 14시 15시 Graphene Etch : 10" / 30"/ 60" / 120" Split
(10 sec 제외 : 3회)		 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 240,000원
664 2012-06-19 11시 15시 1-2-1 GaN Dry Etch ( Test - 1 , 본장 - 6 ) LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 600,000원
665 2012-06-19 13시 17시 HfO2 Dry Etch 서강대학교 전자공학과 이기봉 200,000원
666 2012-06-19 14시 15시 Sample Etching 전북대학교 전자공학부 김기현 160,000원
667 2012-06-19 18시 21시 Metal Etch Setup LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
668 2012-06-20 10시 15시 2-2-1 MET1 TiN Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 700,000원
669 2012-06-21 14시 15시 1-2-1 MESA GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
670 2012-06-21 16시 19시 Oxide Etch (2.0um) 포항공과대학교 전자과 백상원 320,000원
671 2012-06-25 17시 20시 1-2-1 ISO GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 0원
672 2012-06-28 13시 15시 2-2-1 TiN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 0원
673 2012-06-28 15시 16시 그래핀 식각 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 80,000원
674 2012-07-01 23시 24시 Si Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 40,000원
675 2012-07-02 11시 12시 Oxide Etch : 5000 A 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 80,000원
676 2012-07-02 15시 16시 Graphene Etch 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 64,000원
677 2012-07-02 15시 17시 Si Trench Etch : 2um (기본 1um 이상) 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 160,000원
678 2012-07-03 10시 11시 Graphene Etch 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 80,000원
679 2012-07-03 11시 12시 2-2-1 MET1 TiN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 0원
680 2012-07-03 11시 12시 Oxide Etch : 5000 A 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 80,000원
681 2012-07-03 12시 14시 Si Trench Etch : 2.0um (기본 1.0um 초과) 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 160,000원
682 2012-07-03 14시 18시 Oxide Etch 평가 & 1um 4inch 진행 포항공과대학교 전자과 백상원 320,000원
683 2012-07-05 09시 11시 GaN 2200A Etching 경북대학교 전자전기컴퓨터학부 이정희 400,000원
684 2012-07-05 13시 16시 1-2 ISO GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 800,000원
685 2012-07-05 19시 20시 Oxide Etch 포항공과대학교 전자과 백상원 80,000원
686 2012-07-10 15시 17시 Graphene Etch 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 80,000원
687 2012-07-11 15시 16시 Micro Pillar : Oxide Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 80,000원
688 2012-07-11 16시 17시 Micro Pillar : Si Trench Etch : 2.0um 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 160,000원
689 2012-07-11 17시 18시 Micro Pillar : SF6 Treatment 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 80,000원
690 2012-07-12 11시 12시 GaN Etch : 조각 sample 6ea, 8000 A Target 포항공과대학교 신소재공학과 황선용 80,000원
691 2012-07-12 14시 17시 GaN Etching. 500A
Si 2장, 사파이어 1장.		 경북대학교 전자전기컴퓨터학부 이정희 200,000원
692 2012-07-12 14시 15시 Graphene Etch 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 80,000원
693 2012-07-13 14시 15시 Graphene Etch 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 80,000원
694 2012-07-16 10시 12시 Graphene Etch 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 160,000원
695 2012-07-17 10시 11시 Graphene Etch 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 80,000원
696 2012-07-17 14시 16시 Si 50nm Etch 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
697 2012-07-18 11시 12시 Graphene Etch 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 80,000원
698 2012-07-18 14시 16시 poly Gate Etch 포항공과대학교 전자과 백상원 80,000원
699 2012-07-20 14시 16시 Graphene Etch 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 80,000원
700 2012-07-20 17시 20시 Oxide Hard Mask Etch : 5000 A target - 8ea 포항공과대학교 기계공학과 허준성 640,000원
701 2012-07-23 13시 18시 Si Trench Etch (기본 1.0um, 1.0um 추가 시 1회 증가)
. Target Split : 0.5um, 1.0um, 1.5um, 2.0um(2매), 3.0um, 4.0um, 5.0um
. 매수 : 1매 + 1매 + (1+1) 매 + ((1+1)*2)매 + (1+2)매+ (1+3)매+ (1+4)매 = 8매(20회)		 포항공과대학교 기계공학과 허준성 1,600,000원
702 2012-07-23 14시 15시 Poly Si Etch : 6000 A (Back Side) 포항공과대학교 전자과 백상원 80,000원
703 2012-07-24 10시 11시 Poly Si 7000 A Etch 포항공과대학교 전자과 백상원 80,000원
704 2012-07-24 11시 14시 Oxide Etch : 2.0um (기본 1.0um 이상) 포항공과대학교 전자과 백상원 320,000원
705 2012-07-24 13시 14시 Oxide 1000 A & Si 500 A Etch 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
706 2012-07-24 14시 17시 Poly 7000 A Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 200,000원
707 2012-07-25 14시 15시 Oxide Etch : 1000 A / Silicon Etch : 500 A (UNIST) 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
708 2012-07-25 15시 16시 Oxide Etch : 5000 A - Hard Mask Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 80,000원
709 2012-07-25 16시 18시 Si Trench Etch : 2.0um Target 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 160,000원
710 2012-07-26 14시 15시 Graphene Etch : Time & Power Split 포항공과대학교 신소재공학과 임태석 240,000원
711 2012-07-26 15시 16시 Poly Si Etch : 2000 A 포항공과대학교 기계공학과 조항진 80,000원
712 2012-07-28 09시 10시 1-2-1 1st Etch 01 (GK_M01) 엠프리시젼 문우영 400,000원
713 2012-07-28 09시 11시 1-2-1 1st Etch 01 (GK_M01) 엠프리시젼 문우영 400,000원
714 2012-07-28 10시 11시 1-2-2 1st Etch 02 (GK_M01) 엠프리시젼 문우영 400,000원
715 2012-07-28 10시 11시 1-2-2 1st Etch 02 (GK_M01) 엠프리시젼 문우영 400,000원
716 2012-07-30 09시 10시 1-2-1 1st Etch 01 엠프리시젼 문우영 400,000원
717 2012-07-30 09시 10시 1-2-1 1st Etch 01 엠프리시젼 문우영 400,000원
718 2012-07-30 10시 11시 1-2-2 1st Etch 02 엠프리시젼 문우영 400,000원
719 2012-07-30 10시 11시 1-2-2 1st Etch 02 엠프리시젼 문우영 400,000원
720 2012-08-01 10시 12시 1-2-1 MESA GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
721 2012-08-03 15시 16시 Graphene Etch 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 80,000원
722 2012-08-03 16시 17시 Oxide Etch : 10000 A (PSG) 포항공과대학교 전자과 백상원 80,000원
723 2012-08-06 10시 11시 Graphene Etch 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 160,000원
724 2012-08-06 15시 16시 Oxide 20nm & Si 50 nm Etch (UNIST) 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
725 2012-08-06 16시 18시 Oxide Etch : PSG 10,000 A 포항공과대학교 전자과 백상원 80,000원
726 2012-08-08 13시 14시 GaN 500A Etch 경북대학교 센서및디스플레이공학 안정일 100,000원
727 2012-08-09 14시 15시 graphene etching 포항공과대학교 신소재공학과 임태석 160,000원
728 2012-08-13 10시 12시 Si 50nm etch 울산과학기술대학교 연구지원본부 박동규 540,000원
729 2012-08-17 13시 15시 GaN Etch : 500 A 경북대학교 센서및디스플레이공학 안정일 100,000원
730 2012-08-17 15시 17시 1. Graphene Etch
2. O2 Plasma Etch (3 가지 Split)		 포항공과대학교 신소재공학과 임태석 240,000원
731 2012-08-20 10시 12시 Graphene Etch 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 160,000원
732 2012-08-20 12시 13시 1-2-1 NW Etch (Si Etch) (주)아이엠헬스케어 이인제 0원
733 2012-08-21 10시 12시 Oxide Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 64,000원
734 2012-08-21 11시 12시 Graphene Etch 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 80,000원
735 2012-08-22 10시 12시 2-2-1 Oxide Etch (주)아이엠헬스케어 이인제 0원
736 2012-08-22 10시 11시 Oxide Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 80,000원
737 2012-08-22 11시 12시 Si Etch (2um) 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 160,000원
738 2012-08-22 12시 13시 실리콘 100nm 에칭 전북대학교 전자공학부 김기현 192,000원
739 2012-08-22 20시 21시 Si Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 40,000원
740 2012-08-23 10시 11시 그래핀 에칭 포스텍 신소재공학과 서홍규 160,000원
741 2012-08-23 11시 12시 Si Etch (3um) 기본 1um 이상 추가 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
742 2012-08-23 13시 15시 Si Etch (5um) 기본 1um 이상 추가 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 500,000원
743 2012-08-24 02시 03시 Si Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 80,000원
744 2012-08-24 14시 15시 그래핀 에칭 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 80,000원
745 2012-08-27 10시 16시 특성화고 교육 나노융합기술원 공정기술팀 김수곤 2,000,000원
746 2012-08-27 16시 17시 그래핀 에칭 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 80,000원
747 2012-08-29 14시 16시 Graphene Etch ( 1ea + split 2ea) 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 160,000원
748 2012-08-29 14시 15시 GK_M02 1st Etch 엠프리시젼 문우영 1,100,000원
749 2012-08-29 16시 17시 Poly Etch : 6000 A 포항공과대학교 전자과 백상원 80,000원
750 2012-08-30 14시 16시 GK_M02 1st Etch 엠프리시젼 문우영 500,000원
751 2012-08-30 14시 15시 그래핀 에칭 포항공과대학교 신소재공학과 임태석 80,000원
752 2012-09-04 10시 16시 Gecko 공정 개발 용 Silicon Etch 엠프리시젼 문우영 1,100,000원
753 2012-09-04 21시 22시 Oxide 식각 전북대학교 전자공학부 김기현 40,000원
754 2012-09-05 10시 13시 GaN Etch : 2회 진행
1. 2000 A Target : 조각 6ea
2. 500 A Target : 조각 2ea (E/R)		 경북대학교 전자전기컴퓨터학부 이정희 200,000원
755 2012-09-05 11시 12시 Polymer Etching (Split : 2) 포스텍 신소재공학과 서홍규 160,000원
756 2012-09-05 14시 16시 GaN Etch : 2000 A (조각 2 ea) 경북대학교 강인만교수님연구실 서재화 100,000원
757 2012-09-05 16시 17시 Oxide Etch : 5000 A 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 160,000원
758 2012-09-05 17시 19시 Silicon Trench Etch : 2.0um Target (조각 2ea) 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 160,000원
759 2012-09-05 20시 21시 Oxide Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 80,000원
760 2012-09-07 14시 15시 Plasma treatment 포항공과대학교 신소재공학과 임태석 80,000원
761 2012-09-12 13시 15시 Nitride Contact 공정 Setup (STD Wafer) LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
762 2012-09-13 14시 17시 Nitride Contact 공정 Setup:GaN Wafer (조각 sample Test) LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 100,000원
763 2012-09-14 13시 14시 Graphene Etch : Time split 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 160,000원
764 2012-09-14 14시 15시 L08M : Contact Recess Etch - Nitride Etch
; 본장 2매 & STD test 1매		 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
765 2012-09-14 15시 17시 L08M : Contact Recess Etch - Al2O3 & GaN Recess Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
766 2012-09-17 15시 16시 Hard Mask Oxide Etch : 5000 A 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 80,000원
767 2012-09-17 16시 17시 Silicon Trench Etch : 2.0um Target (기본: 1.0um 이상) 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 160,000원
768 2012-09-17 17시 18시 Graphene Etch 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 80,000원
769 2012-09-19 10시 16시 1-2-1 ISO Etch (GaN Etch 1~7 , 8 - Test) LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 800,000원
770 2012-09-20 11시 12시 카본박막의 etching 포스텍 신소재공학과 서홍규 80,000원
771 2012-09-24 14시 16시 Oxide Contact Etch (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 180,000원
772 2012-09-26 10시 11시 Graphene Etch 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 80,000원
773 2012-09-27 11시 16시 GaN on Si : ISO Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 800,000원
774 2012-09-28 10시 11시 carbon 박막의 etching 포스텍 신소재공학과 서홍규 80,000원
775 2012-10-26 13시 15시 GaN Recess Etch (Target Split : 2*2ea) 경북대학교 전자전기컴퓨터학부 도승현 200,000원
776 2012-10-29 11시 12시 Oxide Etch Split (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 180,000원
777 2012-10-29 13시 14시 graphene Etch 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 80,000원
778 2012-10-29 13시 15시 3-2-1 M1OP PE-SiN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 600,000원
779 2012-10-29 16시 18시 3-2-2 M1OP GaN Recess Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 500,000원
780 2012-10-30 12시 13시 Oxide Etch Test (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 90,000원
781 2012-10-30 15시 16시 3-2-1 RCSS SiN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 400,000원
782 2012-10-30 16시 18시 3-2-2 RCSS GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
783 2012-10-30 18시 19시 SiC Etchrate 평가 포항공과대학교 전자과 백상원 100,000원
784 2012-10-30 22시 24시 실리콘 100nm 식각 6인치 전북대학교 전자공학부 김기현 80,000원
785 2012-10-31 10시 11시 Si wafer dry etch (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 100,000원
786 2012-10-31 13시 14시 Si wafer dry etch (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 200,000원
787 2012-11-01 14시 16시 4-2-1 MET1 Metal Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 600,000원
788 2012-11-07 09시 12시 Graphene O2 plasma 식각 조건 test 부경대학교 차세대반도체공학전공 김동영 320,000원
789 2012-11-07 13시 16시 Oxide Etch : 8000 A Tareget ( 3회 진행을 같이 올림 ) (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 270,000원
790 2012-11-07 16시 18시 Graphene O2 plasma 식각 조건 test 부경대학교 차세대반도체공학전공 김동영 480,000원
791 2012-11-08 13시 14시 1-2-1 RCSS SiN Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
792 2012-11-12 09시 11시 1-2-1 1st Ox Dry Etch LG 이노텍 TS 생산기술 오정훈 500,000원
793 2012-11-12 11시 16시 1-3-1 1st Si Dry Etch LG 이노텍 TS 생산기술 오정훈 3,000,000원
794 2012-11-13 09시 10시 1-2-1 SiN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
795 2012-11-13 14시 16시 Si 100nm 식각 전북대학교 전자공학부 김기현 128,000원
796 2012-11-13 16시 17시 3-2-1 PE-SiN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
797 2012-11-13 16시 17시 3-2-2 GaN Recess Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
798 2012-11-14 09시 10시 1-2-1 SiN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 800,000원
799 2012-11-14 10시 12시 1-2-1 GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 800,000원
800 2012-11-14 13시 15시 Oxide etch test 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 500,000원
801 2012-11-14 16시 17시 5-2-1 M1OP SiN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 400,000원
802 2012-11-14 17시 18시 5-2-2 M1OP GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 400,000원
803 2012-11-15 10시 13시 Nitride etch test 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 500,000원
804 2012-11-15 17시 18시 Oxide Etch 포항공과대학교 전자과 백상원 80,000원
805 2012-11-19 09시 11시 2-2-1 ISO SiN Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 800,000원
806 2012-11-19 11시 13시 2-2-1 ISO GaN Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 800,000원
807 2012-11-19 13시 15시 P-WELL ETCH 1차 평가 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 300,000원
808 2012-11-20 11시 13시 Oxide Etch : 1.0um (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 180,000원
809 2012-11-20 16시 18시 Oxide Etch : 20000 A (Base : ~ 10000 A) 포항공과대학교 전자과 백상원 320,000원
810 2012-11-22 11시 13시 Graphene 식각

- 100W
- O2 20sccm
- 시간: 30초		 부경대학교 차세대반도체공학전공 김동영 80,000원
811 2012-11-22 14시 16시 Oxide_Nitride etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 500,000원
812 2012-11-23 09시 10시 1-5-1 GATE TiN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 0원
813 2012-11-26 10시 11시 Oxide 50nm etching (JNT Group / 이호준) 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 80,000원
814 2012-11-26 11시 12시 Poly Silicon Etch : SiC 조각 3ea (KERI-주성재 박사) 포항공과대학교 전자과 백상원 80,000원
815 2012-11-26 12시 16시 Poly Etch 실습 나노기술집적센터 이용자서비스팀 김병수 1,000,000원
816 2012-11-26 16시 18시 4-2-1 TiN Gate Etch Test : TiN & Al2O3 Etch (1 Step) LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
817 2012-11-27 09시 10시 1-2-1 NW Si Dry Etch (주)아이엠헬스케어 이인제 500,000원
818 2012-11-27 10시 11시 Oxide & Silicon Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 160,000원
819 2012-11-27 13시 14시 Oxide Etch (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 90,000원
820 2012-11-27 14시 15시 Etching (NCNT 사용료) 포항공과대학교 기계공학과 제엽 1,000,000원
821 2012-11-28 09시 12시 Si wafer Dry etch (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 300,000원
822 2012-11-28 13시 16시 SiC P-well Oxide Etch ( 20000 A ) 포항공과대학교 전자과 백상원 480,000원
823 2012-12-03 09시 11시 3-2-1 M1OP PE-SiN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 800,000원
824 2012-12-03 11시 15시 3-2-2 M1OP GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 800,000원
825 2012-12-04 10시 14시 P-Well Etch Test & Profile Test 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 700,000원
826 2012-12-05 10시 15시 Oxide Etch ; 20000 A - 4매
(기본 1.0um 이상)		 포항공과대학교 전자과 백상원 640,000원
827 2012-12-05 13시 14시 2-2-1 SE Oxide Dry Etch (주)아이엠헬스케어 이인제 500,000원
828 2012-12-05 15시 16시 Etch_포항TP 지원 심화교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 500,000원
829 2012-12-06 10시 11시 Si etching (JNT / 이호준 ) 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 80,000원
830 2012-12-06 11시 20시 GaN Etch : sample 2 ea 경북대학교 대학원 전자전기컴퓨터학부 이희호 100,000원
831 2012-12-07 10시 11시 Si Etch : sample 1 ea 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 80,000원
832 2012-12-10 14시 16시 1-2-1 SiC Contact Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 200,000원
833 2012-12-11 10시 12시 Si Etch : 250nm / 500nm 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 160,000원
834 2012-12-12 10시 13시 1-2-1 Contact Etch : 10000 A 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,000,000원
835 2012-12-12 14시 15시 1-2-1 NW Si Dry Etch (주)아이엠헬스케어 이인제 500,000원
836 2012-12-14 10시 14시 SiC_Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,200,000원
837 2012-12-14 13시 15시 Si Dry Etch ; Depth Split 포항공과대학교 기계공학부 권혁진 240,000원
838 2012-12-17 09시 10시 2-2-1 SE Ox Dry Etch (주)아이엠헬스케어 이인제 500,000원
839 2012-12-20 12시 14시 1-2-1 AKEY SiN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 500,000원
840 2012-12-20 14시 16시 1-2-1 AKEY GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 500,000원
841 2012-12-27 10시 16시 Poly Etch & Oxide Etch 나노기술집적센터 이용자서비스팀 김병수 2,000,000원
842 2012-12-28 15시 16시 Grating 제작 etching 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 100,000원
843 2013-01-02 09시 10시 3-2-1 RCSS SiN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 400,000원
844 2013-01-02 10시 11시 3-2-2 RCSS GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 400,000원
845 2013-01-02 13시 16시 SiC, Oxide Etch Recipe Test 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,000,000원
846 2013-01-03 14시 15시 Si Etch : 100nm 전북대학교 전자공학부 김기현 80,000원
847 2013-01-07 11시 13시 Oxide 2um Etch 포항공과대학교 전자과 백상원 320,000원
848 2013-01-08 10시 11시 <1>pch_Si recipe로 30초 진행
<2>새로운 recipe로 30초 진행
(HBr 70sccm / O2 4sccm)		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 160,000원
849 2013-01-08 11시 12시 1-2-1 NW Si Dry Etch (주)아이엠헬스케어 이인제 500,000원
850 2013-01-08 13시 15시 1-2-1 PWEL Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 800,000원
851 2013-01-08 18시 19시 Silicon 조각 샘플 Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 40,000원
852 2013-01-09 10시 11시 Si etching (JNT / 이호준)
조건 평가		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 80,000원
853 2013-01-09 11시 12시 SiC P-well Etch (SiC Wfer)
: 2.0um (Base 1.0um)		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 200,000원
854 2013-01-09 14시 15시 Oxide Etch : 1.0um 포항공과대학교 전자과 백상원 80,000원
855 2013-01-09 15시 16시 Back Side Poly Si Etch 포항공과대학교 전자과 백상원 80,000원
856 2013-01-10 10시 11시 5-2-1 M1OP SiN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 400,000원
857 2013-01-10 11시 13시 5-2-2 M1OP GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 400,000원
858 2013-01-10 13시 15시 ET_Oxide Etch 실습 포항나노기술집적센터 이용자서비스팀 김병수 500,000원
859 2013-01-10 16시 17시 2-2-1 SE Ox Dry Etch (주)아이엠헬스케어 이인제 500,000원
860 2013-01-11 16시 18시 Oxide Etch ; 20000 A ( P+ ) 포항공과대학교 전자과 백상원 320,000원
861 2013-01-14 10시 12시 ET_Oxide_Nitride etch 실습 포항나노기술집적센터 이용자서비스팀 김병수 1,000,000원
862 2013-01-14 13시 14시 2-2-1 ISO Nit Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 500,000원
863 2013-01-14 14시 15시 2-2-2 ISO GaN Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 500,000원
864 2013-01-15 10시 16시 Poly Gate Etch Recipe Test 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 700,000원
865 2013-01-16 13시 14시 3-2-1 M1OP PE-SiN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 500,000원
866 2013-01-16 14시 17시 3-2-2 M1OP GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 500,000원
867 2013-01-17 11시 15시 GaN Etch : 2500 A 경북대학교 대학원 전자전기컴퓨터학부 이희호 200,000원
868 2013-01-17 16시 18시 Poly Silicon Etch : 6000 A 포항공과대학교 전자과 백상원 160,000원
869 2013-01-23 15시 17시 Oxide Etch : 10000 A 포항공과대학교 전자과 백상원 80,000원
870 2013-01-24 13시 14시 Oxide Etch : 10000 A 포항공과대학교 전자과 백상원 80,000원
871 2013-01-24 17시 18시 Oxide Etch ; 20000 A 포항공과대학교 전자과 백상원 160,000원
872 2013-01-25 14시 16시 GaN Mesa Etching : 2500 A 경북대학교 전자전기컴퓨터학부 이정희 200,000원
873 2013-02-01 13시 15시 Nitride Etch : Time Split 포항공과대학교 신소재공학과 최고드니 240,000원
874 2013-02-01 15시 16시 1.BT (pch_SiO2 recipe) 2초
2.main (pch_Si recipe) 30초		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 80,000원
875 2013-02-04 10시 13시 Nitiride Etch : sample 4 ea 포항공과대학교 신소재공학과 최고드니 80,000원
876 2013-02-07 09시 10시 1-2-1 Cont Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 800,000원
877 2013-02-07 13시 16시 3-2-1 RCSS SiN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 500,000원
878 2013-02-08 10시 11시 3-2-1 RCSS Etch_SiN LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 500,000원
879 2013-02-13 10시 12시 Si Trench Etch Test : 3.5um
(기본 : 1.0um, 추가 2um )		 (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 540,000원
880 2013-02-13 14시 16시 Si/SiO2 etch rate test
: BT, ME, OE		 전북대학교 전자공학부 김기현 240,000원
881 2013-02-13 16시 18시 SiC_Gate Etch 선행 테스트 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,000,000원
882 2013-02-15 16시 17시 5-2-1 M1OP Dry Etch_SiN LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 500,000원
883 2013-02-15 17시 18시 5-2-2 M1OP Dry Etch_GaN LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 500,000원
884 2013-02-18 10시 13시 SiC Dry Etch Unit Process Test 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,000,000원
885 2013-02-18 14시 16시 Si (SOI) Step 별 Etchrate 전북대학교 전자공학부 김기현 80,000원
886 2013-02-18 15시 19시 Contact Etch profile Test : Wet & Dry Test 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 500,000원
887 2013-02-19 10시 12시 3-2-1 M1OP PE-SiN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 700,000원
888 2013-02-19 12시 15시 3-2-2 M1OP GaN Recess Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 700,000원
889 2013-02-19 17시 18시 Si Dry Etch Test 전북대학교 전자공학부 김기현 80,000원
890 2013-03-04 10시 12시 5-2-2 M1OP GaN Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 1,000,000원
891 2013-03-04 9시 10시 5-2-1 M1OP SiN Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 500,000원
892 2013-03-05 10시 12시 Si, poly_Si etch_test (Z_poly_gate)
: Recipe Split		 전북대학교 전자공학부 김기현 240,000원
893 2013-03-05 14시 15시 Si 100nm target etching (JNT / 이호준 / 010-2547-9641)
pch_Si 레시피로 50초 진행 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 80,000원
894 2013-03-11 14시 15시 나노와이어 식각_6인치 전북대학교 전자공학부 김기현 80,000원
895 2013-03-13 10시 13시 3-2-1 RCSS SiN Etch
8in 위 6in compound 부착		 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 520,000원
896 2013-03-14 16시 17시 Oxide 1um Etch (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 90,000원
897 2013-03-18 10시 11시 Oxide Etch (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 90,000원
898 2013-03-18 16시 18시 Si etch of SOI wafer with AZ1512 coated 전북대학교 전자공학부 김기현 160,000원
899 2013-03-20 10시 14시 Oxide HM Etch : 2.0um
(기본 1.0um)		 (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 360,000원
900 2013-03-20 14시 15시 Si 100nm 식각_조각 전북대학교 전자공학부 김기현 80,000원
901 2013-03-21 14시 16시 Grating Sample 제작 (1차 Etching) 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 0원
902 2013-03-22 14시 17시 Grating Sample 제작 (2차 Etching) 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 0원
903 2013-03-25 16시 18시 SiC Oxide Etch : 2.0um (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 180,000원
904 2013-03-26 10시 15시 GaN on Si 전력반도체 용 Oxide Contact 공정 Setup LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 500,000원
905 2013-03-27 11시 14시 4-2-2 M1OP SiN Dry Etch
 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 700,000원
906 2013-03-27 9시 11시 4-2-1 M1OP IMD Dry Etch
8in 위 6in compound 부착 		LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 780,000원
907 2013-03-28 13시 14시 Oxide 2.0um Etch (기본 : 1.0um) (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 360,000원
908 2013-04-01 14시 15시 연구개발 (2.0um : 기본 1.0um 이상) (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 360,000원
909 2013-04-01 15시 16시 연구개발 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 180,000원
910 2013-04-04 14시 16시 연구개발 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 360,000원
911 2013-04-08 15시 17시 연구개발
(Oxide 2.0um)		 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 180,000원
912 2013-04-09 16시 17시 연구개발 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 180,000원
913 2013-04-11 13시 16시 3-2-2 RCSS GaN Dry Etch
8in 위 6in compound 부착		 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 430,000원
914 2013-04-11 15시 17시 3-2-3 RCSS F treatment LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
915 2013-04-15 16시 17시 Si_etch 100nm target 전북대학교 전자공학부 김기현 80,000원
916 2013-04-16 9시 10시 연구개발
Oxide Dry Etch : 3.0um (기본 1.0um * 3회)		 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 270,000원
917 2013-04-17 11시 12시 Si etch (Z-poly recipe : BT 10s ME split)
sample 1 : ME 25s / sample 2 : ME 35s (2매) / sample 3 : ME 45s		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 320,000원
918 2013-04-17 13시 15시 연구개발
Oxide Etch : 3.0um (Base 1.0um * 3)		 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 270,000원
919 2013-04-18 21시 22시 3-2-2 M1OP GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
920 2013-04-19 12시 14시 Oxide Etch (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 180,000원
921 2013-04-19 14시 16시 Si nano pattern etching_100nm target 전북대학교 전자공학부 김기현 160,000원
922 2013-04-22 10시 12시 Al2O3 식각 포항공과대학교 화학공학과 현승 160,000원
923 2013-04-22 11시 12시 Si 100nm etch(6인치 1장& 조각2매) 전북대학교 전자공학부 김기현 160,000원
924 2013-04-24 10시 13시 연구개발
Oxide 3.0um (Base 1.0um * 3회)		 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 270,000원
925 2013-04-30 10시 11시 Si layer etching
사용 레시피 : pch_Si 50초
sample은 dms etcher 장비 테이블에 놓아두었습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 80,000원
926 2013-05-02 10시 11시 Si layer etching
사용 레시피 : 1. pch_SiO2 3초 / 2. pch_Si 50초
처음 SiO2 3초 진행은 BT를 위한 공정이고, 2번 Si 레시피 50초 공정이 메인 공정입니다.
sample은 dms etcher 장비 테이블에 놓아두었습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 80,000원
927 2013-05-02 16시 17시 연구개발 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 100,000원
928 2013-05-06 16시 18시 5-2-2 M1OP GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 500,000원
929 2013-05-07 10시 11시 Oxide 2.0um
Base 1.0um (2회추가:재료비)		 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 200,000원
930 2013-05-07 11시 12시 Si 100nm etching

pch_Si 50초 진행 부탁드립니다. 샘플은 etcher table에 두도록 하겠습니다.

(JNT / 이호준 / 010-2547-9641) 		포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 80,000원
931 2013-05-07 13시 14시 연구개발
Oxide 3.0um : base 1.0um (2회추가:재료비)		 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 300,000원
932 2013-05-07 16시 18시 4-2-3 M1OP GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 400,000원
933 2013-05-13 10시 11시 Si 100nm etching (JNT / 이호준 / 010-2547-9641)
1. pch_SiO2 레시피 : 3초
2. pch_Si 레시피 : 50초
위 순서대로 진행해주시면 감사하겠습니다. 샘플은 이전처럼 테이블에 올려놓도록 하겠습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 80,000원
934 2013-05-14 10시 12시 연구개발
Oxide 3.0um (Base 1.0um, 추가 2.0um)		 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 300,000원
935 2013-05-14 16시 18시 Oxide 3.0um (Base 1.0um, 추가 2.0um) Etch (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 300,000원
936 2013-05-15 10시 11시 Si 100nm etching (JNT / 이호준 / 010-2547-9641)
1. pch_SiO2 레시피 : 3초
2. pch_Si 레시피 : 50초
위 순서대로 진행해주시면 감사하겠습니다. 샘플은 이전처럼 테이블에 올려놓도록 하겠습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 80,000원
937 2013-05-15 13시 18시 Etch (NCNT사용료) 부경대학교 기계설계공학과 유동인 1,000,000원
938 2013-05-20 10시 11시 5-2-2 M1OP GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
939 2013-05-21 15시 17시 Si Etch : Trench Depth Split
(0.5um/1.0um/1.5um 각 진행)		 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 340,000원
940 2013-05-22 10시 11시 Si 100nm / 200nm etching (JNT / 이호준 / 010-2547-9641)
<1번 샘플>
1. pch_SiO2 레시피 : 3초
2. pch_Si 레시피 : 50초

<2번 샘플>
1. pch_SiO2 레시피 : 3초
2. pch_Si 레시피 : 100초

위 순서대로 진행해주시면 감사하겠습니다. 샘플은 이전처럼 테이블에 올려놓도록 하겠습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 160,000원
941 2013-05-22 11시 12시 Si 100nm 식각 전북대학교 전자공학부 김기현 80,000원
942 2013-05-22 14시 16시 Si Trench Etch Split
(0.5um / 1.0um / 1.5um)		 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 340,000원
943 2013-05-23 16시 17시 Si Trench Etch : 2.0um Target
(Base : 1.0um)		 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 180,000원
944 2013-05-28 10시 12시 A-Key Etch
(Oxide Etch : 2.0um Target)		 포항공과대학교 전자과 백상원 360,000원
945 2013-05-28 14시 15시 Si A-Key Etch ; 2000 ~ 3000 A 포항공과대학교 전자과 백상원 80,000원
946 2013-05-30 11시 12시 연구개발
Oxide 3um etch		 메이플세미컨덕터(주) 부설연구소 문종석 300,000원
947 2013-05-31 10시 11시 연구개발
AKEY Etch (Oxide 2um Etch)		 메이플세미컨덕터(주) 부설연구소 문종석 200,000원
948 2013-06-04 13시 15시 연구개발
Oxide 3.0um (Base 1.0um, 추가 2회로 3회 청구)

★ 바우처 재신청 ★		 메이플세미컨덕터(주) 부설연구소 문종석 0원
949 2013-06-04 15시 17시 연구개발
Oxide 3.0um (Base 1.0um, 추가 2회로 3회 청구)

★ 바우처 재신청 ★		 메이플세미컨덕터(주) 부설연구소 문종석 0원
950 2013-06-04 17시 19시 연구개발
Oxide 2.0um (Base 1.0um, 추가 1회로 2회 청구)

★ 바우처 재신청 ★		 메이플세미컨덕터(주) 부설연구소 문종석 0원
951 2013-06-05 10시 14시 Oxide Etch : 2.oum 포항공과대학교 전자과 백상원 340,000원
952 2013-06-10 11시 12시 Si etch 전북대학교 전자공학부 김기현 70,000원
953 2013-06-10 13시 14시 연구개발
Oxide 3.0um(Base 1.0um *3)

★ 바우처 재신청 ★		 메이플세미컨덕터(주) 부설연구소 문종석 0원
954 2013-06-10 14시 15시 5-2-2 M1OP GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
955 2013-06-10 15시 18시 4-2-2 M1OP GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 500,000원
956 2013-06-11 10시 13시 Oxide 2um Etch 포항공과대학교 전자과 백상원 410,000원
957 2013-06-18 15시 16시 pch_Si 100nm target (50초) 후 pch_SiO2 200nm target (120초) : 1회
Trench 700nm target (90초) : 1회
세 과정 순서대로 진행 부탁드립니다. (메일로 문의드린 내용) : 2회로 청구함
JNT / 이호준 / 010-2547-9641		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 140,000원
958 2013-06-18 16시 18시 5-2-2 M1OP GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 500,000원
959 2013-06-19 10시 11시 pch_Si 100nm target (50초) 후 pch_SiO2 200nm target (120초) 후 --> 1회
Trench 700nm target (100초) --> 2회
어제와 동일하게 세 과정 순서대로 진행 부탁드립니다.
확인 결과 PR loss가 많지만, PR덮인 밑의 층에 영향을 주지 않아서 괜찮을 것 같습니다.
JNT / 이호준 / 010-2547-9641
샘플은 테이블에 놓도록 하겠습니다. 감사합니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 140,000원
960 2013-06-24 13시 13시 Polysilicon 2000옴스트롱 (약간 더 두꺼움)을 dryetcher로 etching 하려고 합니다.
현재 polysilicon위에 PR이 올려져 있습니다.
Polysilicon 밑에는 sio2 5000옴스트롱이 깔려져 있으며, sio2막은 약간 깎여도 상관 없습니다.
 포항공과대학교 WCU 김진만 80,000원
961 2013-06-25 11시 12시 ★ 중기청 바우처로 30만원 결재 _ 김병수 ★
 메이플세미컨덕터(주) 부설연구소 문종석 300,000원
962 2013-06-25 13시 14시 ★ 중기청 바우처로 30만원 결재 _ 김병수 ★
 메이플세미컨덕터(주) 부설연구소 문종석 300,000원
963 2013-06-25 15시 16시 ★ 중기청 바우처로 30만원 결재 _ 김병수 ★
 메이플세미컨덕터(주) 부설연구소 문종석 300,000원
964 2013-06-25 9시 10시 ★ 중기청 바우처로 20만원 결재 _ 김병수 ★
 메이플세미컨덕터(주) 부설연구소 문종석 200,000원
965 2013-07-01 14시 19시 단위공정
Oxide 2.0um (Base 1.0um)		 메이플세미컨덕터(주) 부설연구소 문종석 400,000원
966 2013-07-02 14시 16시 연구개발
Oxide 5000 A Etch		 메이플세미컨덕터(주) 부설연구소 문종석 300,000원
967 2013-07-04 10시 12시 Si 100nm etch_6인치 SOI와 조각 전북대학교 전자공학부 김기현 140,000원
968 2013-07-08 11시 13시 3-2-2 M1OP GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 500,000원
969 2013-07-08 14시 15시 연구개발
Oxide Etch : 0.6um		 메이플세미컨덕터(주) 부설연구소 문종석 100,000원
970 2013-07-09 13시 16시 Oxide Etch : 2.0um 포항공과대학교 전자과 백상원 340,000원
971 2013-07-10 13시 15시 5-2-2 M1OP GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 400,000원
972 2013-07-11 10시 11시 Si, SiO2 etching test (JNT / 이호준 / 010-2547-9641)

공정 진행 사항은 메일 및 샘플에 자세한 설명을 첨부하였습니다. 감사합니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 210,000원
973 2013-07-15 14시 15시 Si_etch test (bio_etch recipe) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 80,000원
974 2013-07-17 15시 16시 1. pch_SiO2 20초
2. pch_Si 17초

네모친 두 샘플을 동시에 위의 순서대로 진행해 주시면 감사하겠습니다.

샘플은 오늘 (7/17) 점심시간쯤 테이블 위에 올려놓도록 하겠습니다. 감사합니다.

(JNT / 이호준 / 010-2547-9641)		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 140,000원
975 2013-07-17 15시 17시 7-2-1 M2OP SiN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 500,000원
976 2013-07-18 10시 11시 SiO2 3000A / GaN 5000A etch
(김태희)
Oxide Etch / GaN Etch 따로 진행		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 140,000원
977 2013-07-18 15시 16시 7-4-1 M2OP Metal Pre Cleaning LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 400,000원
978 2013-07-18 16시 18시 5-2-1 RCSS SiN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 700,000원
979 2013-07-19 13시 14시 Si 50nm target etching (JNT / 이호준)

오늘과 동일하게 두 개의 샘플을 다음 레시피 순서대로 진행해 주시면 감사하겠습니다.

1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 23초


내일 에칭공정 이후에 UHV-CVD 장비 예약이 있어서 내일만 오후 2~3시쯤까지 공정 완료되도록 부탁드립니다. 급한 공정이라 내일만 급히 부탁드리겠습니다. 죄송합니다. 감사합니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 140,000원
980 2013-07-19 14시 15시 연구개발
Oxide 2.0um Etch		 메이플세미컨덕터(주) 부설연구소 문종석 400,000원
981 2013-07-22 11시 12시 단위공정 진행
Oxide 1.0um		 메이플세미컨덕터(주) 부설연구소 문종석 100,000원
982 2013-07-24 10시 11시 Si 100nm etching (JNT/이호준)

pch_Si 레시피로 50초 etching 부탁드립니다. 샘플은 DMS 테이블에 내일 오전에 두도록 하겠습니다. 감사합니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
983 2013-07-25 10시 11시 연구개발
Oxide 2.0um Etch		 메이플세미컨덕터(주) 부설연구소 문종석 200,000원
984 2013-07-29 10시 11시 단위공정 개발 메이플세미컨덕터(주) 부설연구소 문종석 200,000원
985 2013-07-31 10시 11시 1-2-1 AKEY SiN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 900,000원
986 2013-07-31 11시 13시 1-2-3 AKEY GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 900,000원
987 2013-08-02 11시 12시 silicon nitride etching 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 70,000원
988 2013-08-08 10시 12시 si3n4 etching 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 140,000원
989 2013-08-09 10시 11시 pch_Si 레시피 20초 진행 부탁드립니다. (Si 40nm target) (JNT/ 이호준 / 010-2547-9641)

샘플은 테이블 위에 두도록 하겠습니다. 감사합니다. 		포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
990 2013-08-09 14시 15시 Z-poly gate etch_ Si 100nm target (AZ1512 coated) 전북대학교 전자공학부 김기현 210,000원
991 2013-08-14 10시 12시 첫 번째 샘플
1. pch_SiO2 18초

두 번째 샘플
1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 18초

자세한 설명은 샘플에 다시 작성하여 드리겠습니다. 감사합니다. 		포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 140,000원
992 2013-08-14 14시 15시 1. pch_SiO2 2초
2. 변형된 pch_Si 30초 (HBr 70sccm / O2 4sccm / Power 300W)

위 순서대로 진행부탁드립니다. 		포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
993 2013-08-21 13시 15시 si3n4 etch 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 56,000원
994 2013-08-22 10시 11시 1. pch_SiO2 2초
2. 변형된 pch_Si 10초 (HBr 70sccm / O2 4sccm / Power 300W)

위 순서대로 진행부탁드립니다. 감사합니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
995 2013-08-23 10시 11시 1. pch_SiO2 2초
2. 변형된 pch_Si 7초 (HBr 70sccm / O2 4sccm / Power 300W)

위 순서대로 진행부탁드립니다. 감사합니다. 		포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
996 2013-08-26 12시 13시 3-2-1 RCSS GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발 서덕원 100,000원
997 2013-08-26 15시 19시 Al2O3 & Polymer Etching
Al2O3 : CF4 Etching 12min / Polymer Etching : O2 Etching (3'/6'/9'/12')
 포항공과대학교 화학공학과 현승 400,000원
998 2013-08-27 15시 16시 Poly-Si 200nm target (z-poly gate recipe) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
999 2013-08-28 12시 13시 2-2-1 2nd Si Dry Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 160,000원
1000 2013-08-28 9시 10시 1-2-1 1st Si Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 160,000원
1001 2013-08-29 10시 12시 AAO template etching CF4 포항공과대학교 화학공학과 현승 160,000원
1002 2013-08-29 15시 16시 SOI 웨이퍼 6인치 2장_ 실리콘 100nm 식각 전북대학교 전자공학부 김기현 140,000원
1003 2013-09-02 10시 12시 Si Etch : 0.1um 이상 휴비츠 연구소 현미경 그룹 김연중 400,000원
1004 2013-09-02 13시 16시 5-2-3 M1OP GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 600,000원
1005 2013-09-02 15시 17시 Nitride Etching
sample 4ea --> 200nm, Sample 4ea --> 120nm		 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 140,000원
1006 2013-09-03 11시 12시 poly-Si 200nm target 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 140,000원
1007 2013-09-05 10시 11시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 60초

위 순서대로 진행 부탁드립니다. 소자는 붙여서 테이블에 놓도록 하겠습니다.
JNT/ 이호준 / 010-2547-9641		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
1008 2013-09-06 10시 11시 pch_SiO2 레시피 20초 진행 부탁드립니다.

샘플은 이전처럼 부착하여 테이블 위에 놓도록 하겠습니다. 감사합니다.

(JNT / 이호준)		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
1009 2013-09-09 10시 13시 1st Si Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 320,000원
1010 2013-09-09 14시 16시 Nitiride Etch : 1500 A / 3000 A 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 140,000원
1011 2013-09-10 10시 12시 1-2-1 NW Si Dry Etch (주)아이엠헬스케어 이인제 600,000원
1012 2013-09-10 12시 14시 2nd Si Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 320,000원
1013 2013-09-12 14시 16시 SiN Etch Target 평가 포항공과대학교 Electrical Enginnering 고명동 210,000원
1014 2013-09-13 14시 16시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 33초

진행 부탁드립니다. 		포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
1015 2013-09-23 16시 18시 Nitride Etching 시편 제작 포항공과대학교 Electrical Enginnering 고명동 140,000원
1016 2013-09-25 15시 18시 SiO2 Etching Test (Silicon wafer)
3매 중 1매 - 2.0um 진행으로 2회 처리		 포항공과대학교 전자과 백상원 310,000원
1017 2013-09-26 10시 13시 SiO2 Etching (SiC wafer) 포항공과대학교 전자과 백상원 340,000원
1018 2013-09-26 13시 15시 2-2-1 SE Ox Dry Etch (주)아이엠헬스케어 이인제 600,000원
1019 2013-09-27 9시 12시 SiO2 Etching (SiC Wafer) 포항공과대학교 전자과 백상원 340,000원
1020 2013-10-01 10시 12시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 60초

순서대로 진행 부탁드립니다. 샘플은 wafer에 부착하여 테이블에 두었습니다. 감사합니다.
(JNT / 이호준 / 010-2547-9641)		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
1021 2013-10-01 14시 18시 Nitride Etch : 2.0um, 2.5um, 3.0um 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 710,000원
1022 2013-10-01 14시 15시 식각 조건 테스트를 위한 나노패턴 식각
실리콘 조각 1개에 EBL을 이용한 AR-N 나노패턴이 패터닝되어 있습니다. 본 패턴을 이용하여 실리콘 기판을 100 nm 이상 식각하고 그 단면을 보고자 합니다. 식각조건은 다음과 같습니다.
Recipe: Z_Poly
BT 10sec, ME 35sec		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1023 2013-10-02 17시 18시 단위공정 개발 메이플세미컨덕터(주) 부설연구소 문종석 200,000원
1024 2013-10-04 10시 11시 1. pch_SiO2 18초
2. pch_Si 20초

순서대로 진행 부탁드립니다. 샘플은 테이블에 두었습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
1025 2013-10-04 11시 12시 단위공정 메이플세미컨덕터(주) 부설연구소 문종석 200,000원
1026 2013-10-04 9시 10시 Nanowire BioFET 제작을 위하여 EBL패터닝 된 폴리실리콘 웨이퍼를 식각하고자 합니다. 진행 레시피는 Z_poly recipe이며 BT 10s, ME 45s 요청드립니다. 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1027 2013-10-07 11시 12시 단위공정 메이플세미컨덕터(주) 부설연구소 문종석 200,000원
1028 2013-10-07 14시 15시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 20초

진행부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
1029 2013-10-07 15시 17시 Oxide 2.0um Etch 포항공과대학교 전자과 백상원 340,000원
1030 2013-10-08 10시 11시 1. pch_SiO2 5초
2. pch_Si 20초

위 순서대로 오전에 공정진행 부탁드립니다. 샘플은 테이블에 놓아두었습니다. 		포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
1031 2013-10-08 13시 15시 Metal Etch TE connectivity R&D 박봉현 400,000원
1032 2013-10-10 10시 11시 pch_SiO2 18초

진행 부탁드립니다 샘플은 테이블 위에 부착해 두었습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
1033 2013-10-10 14시 15시 Oxide Etch. 2.0um 메이플세미컨덕터(주) 부설연구소 문종석 100,000원
1034 2013-10-15 15시 17시 Ntiride Etching : 1.0um / 1.5um / 2.0um 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 410,000원
1035 2013-10-17 10시 11시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 28초

진행 부탁드립니다. (조각 두 개 붙여놓은 wafer입니다.)		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
1036 2013-10-17 11시 12시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 60초

진행 부탁드립니다. (조각 한 개 붙여놓은 wafer입니다.)		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
1037 2013-10-17 13시 17시 SiC 전력반도체용 oxide etching : 2.0um 포항공과대학교 전자과 백상원 340,000원
1038 2013-10-18 10시 11시 1. pch_SiO2 18초
2. pch_Si 20초

순서대로 진행 부탁드립니다. 샘플은 테이블에 두었습니다. 		포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
1039 2013-10-21 10시 11시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 25초
3. pch_SiO2 35초

위 순서대로 진행 부탁드립니다. 감사합니다. (010-2547-9641 / 이호준)		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
1040 2013-10-21 14시 16시 SiC 반도체 용 Contact Etch (P.S.) 포항공과대학교 전자과 백상원 140,000원
1041 2013-10-23 14시 17시 SiC 반도체 Oxide Etch : 2.0um 포항공과대학교 전자과 백상원 340,000원
1042 2013-10-24 10시 12시 Oxide etch
2.0 um : 3ea, 1.0um : 1ea		 메이플세미컨덕터(주) 부설연구소 문종석 700,000원
1043 2013-10-28 10시 11시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 60초

진행 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
1044 2013-10-28 15시 16시 1. pch_SiO2 18초

진행 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
1045 2013-10-29 10시 11시 1. pch_SiO2 16초


진행 부탁드립니다. 감사합니다. (010-2547-9641 / 이호준)

샘플이 두 종류입니다. (9시 예약과 다른 내용)		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
1046 2013-10-29 11시 12시 Si 100nm 식각 전북대학교 전자공학부 김기현 70,000원
1047 2013-10-29 12시 13시 3-2-1 RCSS GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 100,000원
1048 2013-10-29 9시 10시 1. pch_SiO2 18초
2. pch_Si 19초

위 순서대로 진행 부탁드립니다. 감사합니다. (010-2547-9641 / 이호준)
포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
1049 2013-11-05 10시 12시 Oxide etch 1um
예약취소		 (주)마일스톤코리아 연구장비사업부 서동수 0원
1050 2013-11-05 17시 18시 Si 100nm 식각 전북대학교 전자공학부 김기현 140,000원
1051 2013-11-06 10시 17시 P-Well Hard Mask 공정 Setup 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 880,000원
1052 2013-11-07 10시 11시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 24초

진행부탁드립니다.

(JNT / 이호준 / 010-2547-9641)		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
1053 2013-11-08 10시 11시 다음의 식각을 요청드립니다.
1. 6인치 SOI 웨이퍼 : TEOS oxide 식각입니다. 300nm 식각 요청드립니다.
2. SOI 조각 2개 : Top Silicon 식각입니다. Z_poly로 BT 10sec, ME 40sec 요청드립니다.
 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 140,000원
1054 2013-11-08 11시 12시 pch_Si 5초 진행 부탁드립니다. (JNT / 010-2547-9641)

O2 gas 안 들어간 레시피		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
1055 2013-11-11 10시 13시 1-2-1 NW Si Dry Etch (주)아이엠헬스케어 이인제 500,000원
1056 2013-11-11 14시 15시 Si_etch_100nm target (bio etch) 전북대학교 전자공학부 김기현 70,000원
1057 2013-11-11 16시 18시 5-2-3 M1OP GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 500,000원
1058 2013-11-12 11시 12시 SOI 웨이퍼상에 HCNW 패턴을 수행하기 위하여 아래의 레시피로 식각 요청드립니다.
Z_Poly recipe, BT 10s, ME 40s
 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1059 2013-11-12 13시 15시 2-2-1 SE Ox Dry Etch (주)아이엠헬스케어 이인제 500,000원
1060 2013-11-13 10시 11시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 20초

진행 부탁드립니다. (이호준 / 010-2547-9641)		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
1061 2013-11-13 14시 15시 1. pch_SiO2 25초


진행 부탁드립니다. (이호준 / 010-2547-9641)		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
1062 2013-11-14 13시 16시 Hard mask Oxide Etch, 2.0um 한국전기연구원 전력반도체연구단 차세대반도체연구센터 문정현 380,000원
1063 2013-11-15 10시 11시 pch_Si 4초 진행 부탁드립ㄹ니다. (이호준 / 010-2547-9641) 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
1064 2013-11-18 10시 11시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 25초

공정 진행 부탁드립니다. (이호준 / 010-2547-9641)		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
1065 2013-11-19 11시 12시 Si_100nm target 전북대학교 전자공학부 김기현 350,000원
1066 2013-11-20 10시 11시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 23초

공정진행부탁드립니다. (이호준 / 010-2547-9641)		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
1067 2013-11-29 13시 15시 oxide 1.0um Etch 포항공과대학교 전자과 백상원 140,000원
1068 2013-12-02 10시 11시 실리콘 nanowire 형성을 위하여 6인치 SOI 웨이퍼 식각.
Z_Poly recipe
- BT 조건 : CF4/Ar Base -_ 10sec
- ME 조건 : Cl2/HBr Base - 35sec
* 8inch wafer 위 부착 진행.		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1069 2013-12-02 11시 13시 Oxide 100 A Etching (최지영 씨 의뢰) 포항공과대학교 전자과 백상원 210,000원
1070 2013-12-04 10시 11시 HCNW 패턴 된 샘플 조각, 다음의 조건으로 식각.
Z_poly recipe
- BT Step : CF4/Ar Base - 10sec
- ME step : Cl2/HBr Base - 45sec
 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1071 2013-12-04 13시 16시 5-2-3 M1OP GaN Dry Etch LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 500,000원
1072 2013-12-05 10시 11시 pch_SiO2 15초 공정진행부탁드립니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 70,000원
1073 2013-12-05 11시 15시 Hard Mask 용 Oxide Dry Etch : 2.0um 포항공과대학교 전자과 백상원 340,000원
1074 2013-12-05 15시 17시 Oxide Etch (PECVD Oxide) : 2.0um Etch 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 190,000원
1075 2013-12-06 10시 11시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 24초
진행		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1076 2013-12-06 16시 18시 Oxide Etch : 100 A 포항공과대학교 전자과 백상원 140,000원
1077 2013-12-09 14시 15시 1. pch_Si 4초

진행부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1078 2013-12-09 15시 17시 1-2-1 NW Si Dry Etch (주)아이엠헬스케어 이인제 600,000원
1079 2013-12-10 14시 15시 2-2-1 SE Oxide Dry Etch (주)아이엠헬스케어 이인제 600,000원
1080 2013-12-11 10시 12시 단위공정연구
Oxide Etch : 2.0um Etch
공정 조건 : CF4/CH3F Base 진행		 파워큐브세미(주) 부설연구소 이명환 400,000원
1081 2013-12-11 14시 15시 1. pch_SiO2 15초
2. pch_Si 20초

진행부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1082 2013-12-12 10시 11시 Ch#4 : SiO2 3000A
Ch#2 : GaN 5000A --> 2회 진행		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 140,000원
1083 2013-12-12 14시 17시 Oxide 2.0um Etch 포항공과대학교 전자과 백상원 340,000원
1084 2013-12-16 10시 12시 단위공정 연구
Oxide 2.0um Etch.
Condiftion : CF4/CHF Base		 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 400,000원
1085 2013-12-16 16시 17시 pch_SiO2 30초

진행 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1086 2013-12-17 10시 11시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 25초 		포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1087 2013-12-17 13시 15시 Etch 공정실습 (대구가톨릭대 나노인력양성)
인력양성 교육 건으로 할인율 20% 미적용		 포항공과대학교 나노융합기술원 사업지원팀 김병수 700,000원
1088 2013-12-19 10시 11시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 60초 		포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1089 2013-12-20 10시 11시 1. pch_SiO2 18초
2. pch_Si 20초 진행		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1090 2013-12-24 10시 11시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 20초 진행		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1091 2013-12-24 9시 10시 Oxide etch 1um * 2매
CF4/CHF3 base Condition. 진행
Oxide 1.0um & Over Etch 적용		 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 200,000원
1092 2014-01-02 16시 18시 Oxide 1.0um Etch 포항공과대학교 전자과 백상원 70,000원
1093 2014-01-03 11시 16시 Oxide Contact Etch : 1.0um 2ea 포항공과대학교 전자과 백상원 140,000원
1094 2014-01-07 13시 15시 1. Field oxide etching (PECVD 이용 증착)
두께: 9000A, PR mask,
SiC wafer 20x20mm, 4매
2. Align key etch
SiC wafer 3\"의 quarter size 2매
target etch depth: 5000A, PR mask
 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 280,000원
1095 2014-01-07 16시 18시 바이오센서 소자를 만들기 위한 Implant 공정 시에 마스크를 제작하기 위하여 감광제로 패턴을 형성한 후 Oxide를 식각 하고자 합니다. 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 350,000원
1096 2014-01-08 14시 15시 Align key etch
mask: PR, 5000A target etching		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 190,000원
1097 2014-01-13 10시 11시 pch_SiO2 28초 진행부탁드립니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1098 2014-01-13 13시 15시 Si Etching : Profile 평가
--> Etching 조건에 따른 P/R 및 Si profile 평가 진행 ( 3ea )
. Test 1 : Etchrate High & Selectivity Low
. Test 2 : Etchrate Middle & Selectivity Middle
. Test 3 : Etchrate Low & Selectivity High		 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 210,000원
1099 2014-01-13 17시 22시 SiC Contact module 공정 평가를 위한 Poly Gate Etch
( Poly Si : 6000 A )		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 800,000원
1100 2014-01-14 10시 11시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 20초
진행부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1101 2014-01-14 14시 15시 Si_etch 40nm target 포항공과대학교 ITCE 박현진 70,000원
1102 2014-01-15 14시 16시 Si Etch profile Test
T1 - Trench Condition, T2 - Main Etch Condition, T3 - Over Etch Condition.
Split 진행 1.0um, 3ea		 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 210,000원
1103 2014-01-16 14시 15시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 10초

공정진행부탁드립니다. 		포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1104 2014-01-17 10시 15시 Etch Process(NINT 팹사용료) 포항공과대학교 화학공학과 임창용 2,000,000원
1105 2014-01-20 10시 12시 2-3-1 CONT Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 400,000원
1106 2014-01-20 10시 12시 Si Etch profile Test
T1 - Trench Condition, T2 - Main Etch Condition, T3 - Over Etch Condition.
Split 진행 1.0um, 4ea		 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 210,000원
1107 2014-01-21 13시 16시 2. mask 용 oxide etch (PR mask, oxide 두께: 2um, PECVD 이용 depo., 3\"의 1/4 2매)
3. Fox용 oxide etch (PR mask, oxide 두께: 약 6400A, PECVD 이용 depo., 2x2, 1매)
 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 280,000원
1108 2014-01-21 9시 13시 Oxide Etch 2um씩 3매 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 600,000원
1109 2014-01-22 10시 12시 모든 샘플은 SOI 웨이퍼 입니다.
6인치 웨이퍼 5매, 조각샘플 5개에 대하여 식각 요청드립니다.
모든 식각은 Si층 식각으로 Z_poly recipe에 BT 10s/ME 35s.
 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 420,000원
1110 2014-01-22 16시 17시 Poly SOI thinning을 위한 전면 식각 공정 진행
Z_poly recipe BT 10s ME 20s
Etch target = ~100nm
총 3매
포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 210,000원
1111 2014-01-23 13시 16시 Oxide etch 2um * 4장
Oxide high sel. to PR Condition.		 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 800,000원
1112 2014-01-24 15시 16시 BioFET를 제작하기 위하여 50nm 넓이의 패턴을 형성한 후 웨이퍼에 전사하기 위하여 실리콘 100나노를 식각함.
6 inch 2ea : Bio Etch Condition
조각 sample 1ea : Gate-ME Condition.		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 210,000원
1113 2014-01-27 10시 11시 1-2-2 GATE Oxide Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 80,000원
1114 2014-01-27 9시 10시 1-2-1 GATE Poly Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 320,000원
1115 2014-01-28 11시 12시 top Si 40nm target 포항공과대학교 ITCE 박현진 70,000원
1116 2014-01-28 13시 16시 PECVD로 증착한 SiO2 etch
두께: 2um
PR mask		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 380,000원
1117 2014-01-28 15시 16시 oxide 식각 : 2.3um (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 200,000원
1118 2014-01-28 16시 18시 Si Etch ; Profile Test
Test 1 : BT 20\" - ME 110\"
Test 2 : BT 20\" - ME 140\"
Test 3 : BT 20\" - ME 170\"		 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 210,000원
1119 2014-01-29 10시 15시 2um oxide 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 600,000원
1120 2014-02-03 14시 16시 2um oxide 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 800,000원
1121 2014-02-03 16시 17시 1-2-2 Akey_SiC Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 480,000원
1122 2014-02-03 16시 17시 1-2-1 Akey Oxide Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 480,000원
1123 2014-02-04 16시 18시 2-2-1 PWEL Oxide Etch 2um (100,000원/1um) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 960,000원
1124 2014-02-05 10시 11시 pch_SiO2 2초
pch_Si 60초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1125 2014-02-05 16시 18시 oxide etch: 두께 2um
PR mask		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 190,000원
1126 2014-02-06 13시 15시 oxide etch: 두께 2um
PR mask		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 190,000원
1127 2014-02-07 10시 11시 1. pch_SiO2 18초
2. pch_Si 19초

공정진행부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1128 2014-02-07 13시 17시 2um oxide 식각
2ea		 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 400,000원
1129 2014-02-07 16시 18시 3-2-1 P+ Oxide 2um Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 960,000원
1130 2014-02-11 14시 16시 4-2-1 N+ Oxide 2um Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 960,000원
1131 2014-02-14 10시 12시 SiO2 2um etching
PR mask		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 190,000원
1132 2014-02-17 10시 12시 Oxide etch 2um*1장 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 200,000원
1133 2014-02-17 13시 18시 Oxide etch 2um * 2장 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 400,000원
1134 2014-02-18 13시 15시 Align key etch
SiC wafer 3\" quarter size 2매
SiC target etch depth : 5000Å, PR mask
--> Oxide Etch Target : 2.0um		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 190,000원
1135 2014-02-18 15시 18시 Oxide etch 3um 진행 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 300,000원
1136 2014-02-24 13시 15시 Oxide etch 2um*1장 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 200,000원
1137 2014-02-24 15시 17시 Implant 마스크 형성을 위한 TEOS oxide 식각
--> Pattern 6매, Non pattern 1매 : 6inch wafer 진행		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 490,000원
1138 2014-02-25 10시 12시 oxide 2um etch (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 200,000원
1139 2014-02-25 13시 14시 SiC quarter 2장
SiO2 2um etch 		한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 190,000원
1140 2014-02-25 14시 17시 oxide 0.7um etch (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 400,000원
1141 2014-02-25 17시 18시 oxide 0.7um etch (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 200,000원
1142 2014-02-25 18시 19시 oxide 3.0um etch (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 300,000원
1143 2014-02-26 13시 14시 Z_poly recipe
BT 10s, ME 45s
Si 100nm target		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 140,000원
1144 2014-02-27 13시 16시 SiC SiO2 2um etch 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 190,000원
1145 2014-02-28 10시 11시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 19초

공정진행부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1146 2014-03-03 10시 11시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 6초

공정진행부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1147 2014-03-03 11시 16시 oxide 2um etch (2/28일 공정) (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 800,000원
1148 2014-03-03 16시 17시 oxide 2.3um etch (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 300,000원
1149 2014-03-03 17시 18시 oxide 2.0um etch (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 200,000원
1150 2014-03-06 14시 18시 oxide 2um etch (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 600,000원
1151 2014-03-07 10시 15시 oxide 0.7um Etch (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 500,000원
1152 2014-03-10 12시 17시 단위공정 및 소자개발

1um Etch 7매
2um Etch 1매		 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 900,000원
1153 2014-03-13 11시 16시 1. oxide 7000A, Si 3\"quarter 1장, Si 10x10 1장, SiC 10x10 1장
(1번 진행 후 2번 본시편 진행)
2. oxide 7000A, SiC 3\" quarter 2장,
3. oxide 2um 증착, Si 3\"quarter 1장
(PR mask 테스트용)
 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 370,000원
1154 2014-03-14 10시 11시 1. pch_SiO2 18초
2. pch_Si 19초

공정진행부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1155 2014-03-17 15시 16시 이빔 리소그래피 장비를 이용해 형성된 나노선 패턴을 실리콘 웨이퍼에 저사시키기 위해 100나노 식각
DMS ICP Etcher : Cl2 base Gate Poly Etch Condition.		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 140,000원
1156 2014-03-18 10시 11시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 23초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1157 2014-03-19 14시 20시 Oxide etch 2um

4장 		파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 800,000원
1158 2014-03-19 9시 11시 Oxide etch 0.7um

2장 		파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 200,000원
1159 2014-03-20 13시 18시 1. oxide 2um, Si 3\\\"quarter 1장, SiC 10x10 1장
(1번 진행 후 2번 본시편 진행)
2. oxide 2um, SiC 3\\\" quarter 2장, SiC 10x10 1장
--> Si Test 3 Piece 진행.		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 290,000원
1160 2014-03-20 16시 17시 6inch SOI 웨이퍼 2매 실리콘 100nm 타겟.
z_poly recipe, ME 45s 진행
; BT Step 10sec, Main Etch : 45sec		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 140,000원
1161 2014-03-21 14시 16시 바이오센서 나노와이어 형성을 위한 실리콘 에칭
#01 : Bio Etch / #02,03 : Gate-ME 조건 진행		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 210,000원
1162 2014-03-24 13시 15시 Oxide etch, 2um Target 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 400,000원
1163 2014-03-26 13시 15시 Oxide 2um Etch 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 600,000원
1164 2014-03-27 10시 12시 Oxide 2um etch 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 200,000원
1165 2014-03-27 12시 13시 Si_100nm target 전북대학교 전자공학부 김기현 70,000원
1166 2014-03-27 13시 15시 Oxide 2.3um etch 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 300,000원
1167 2014-03-31 13시 14시 2cm by 2cm 조각 3개, topSi 100nm etching
over etch 포함 Z_poly ME 45s (BT 10sec 포함)		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1168 2014-04-01 10시 11시 pch_SiO2 19초
(BT Condition)		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1169 2014-04-02 10시 11시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 14초

공정진행 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1170 2014-04-02 11시 13시 oxide etch 0.7um

5매		 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 500,000원
1171 2014-04-02 13시 16시 산화막 2 um 식각 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 380,000원
1172 2014-04-02 16시 18시 oxide etch 0.7um

5매		 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 500,000원
1173 2014-04-02 18시 19시 oxide etch 2.0um, 1매
(1.0 ~ 2.0 um : 1회 추가)		 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 200,000원
1174 2014-04-03 10시 11시 Oxide Etch 1.7um, 1매
(1.0 ~ 2.0 um : 1회 추가)		 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 200,000원
1175 2014-04-03 13시 16시 산화막 2um 식각 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 190,000원
1176 2014-04-03 9시 10시 Oxide Etch 1um

1매		 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 100,000원
1177 2014-04-07 11시 12시 pch_Si 50초

공정진행 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1178 2014-04-07 12시 13시 SOI wafer top silicon (crystalline) 100nm 식각 요청드립니다.
20% O/E 요청드리며, 샘플은 에처 옆 MFC 위에 8인치 웨이퍼에 조각 2개 붙여두었습니다.		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1179 2014-04-07 13시 16시 Oxide 0.7um Etch

5매		 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 500,000원
1180 2014-04-07 16시 17시 조각 샘플 3개입니다.
Z_poly recipe ME 45s		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1181 2014-04-07 9시 12시 Oxide 1.7um Etch, 3매
(1.0 ~ 2.0 um : 1회 추가)		 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 600,000원
1182 2014-04-08 10시 11시 pch_SiO2 17초

진행부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1183 2014-04-08 13시 14시 z_poly recipe ME 50s 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1184 2014-04-08 14시 15시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 13초

진행부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1185 2014-04-08 9시 10시 z_poly recipe ME 45s 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1186 2014-04-09 10시 11시 pch_Si 5초

공정진행부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1187 2014-04-09 13시 17시 Oxide Etch 2um

 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 600,000원
1188 2014-04-09 13시 15시 SiC etching

320sec		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 190,000원
1189 2014-04-10 10시 11시 1. pch_SiO2 18초

2. pch_Si 18초

공정진행부탁드립니다. 		포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1190 2014-04-10 13시 16시 2um SiO2 etching
 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 380,000원
1191 2014-04-14 09시 11시 Oxide etch (0.7um*5매) 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 500,000원
1192 2014-04-14 11시 12시 Oxide etch (0.7um*1매) 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 100,000원
1193 2014-04-15 09시 10시 Oxide etch 1.7um*5매
 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 1,000,000원
1194 2014-04-15 10시 11시 1. pch_SiO2 2초

2. pch_Si 20초

공정진행부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1195 2014-04-15 13시 15시 Oxide etch 2.5um*1매, 0.7um*2매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 500,000원
1196 2014-04-16 15시 17시 Oxide etch 0.7um*2매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 200,000원
1197 2014-04-17 10시 11시 pch_SiO2 공정진행 부탁드립니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1198 2014-04-17 14시 17시 oxide etch 2um
1. 1x1cm SiC 1장
2. 2x2cm SiC 3장, 1x1cm SiC 1장		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 380,000원
1199 2014-04-18 9시 12시 Oxide etch 1.2um*2매, 1.2um*1매, 2um*2매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 1,000,000원
1200 2014-04-21 10시 11시 1-2-1 Active Oxide/Si Dry Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1201 2014-04-22 14시 15시 Oxide etch 2um*2매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 400,000원
1202 2014-04-22 9시 11시 Oxide depo 1.7um*2매 , 1.7um*2매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 800,000원
1203 2014-04-23 10시 11시 1. pch_SiO2 17초
2. pch_Si 19초

공정진행부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1204 2014-04-23 15시 16시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 22초

공정진행부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1205 2014-04-25 13시 14시 SiC 5000A align key etch 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 190,000원
1206 2014-04-25 15시 16시 Oxide etch 2um*2매, 2um*2매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 800,000원
1207 2014-04-25 16시 17시 Oxide etch 0.4um*1매, 0.6um*1매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 200,000원
1208 2014-04-28 16시 17시 1. pch_SiO2 20초


공정진행부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1209 2014-04-29 10시 11시 <조각샘플>
1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 20초

<6인치 샘플>
1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 25초

공정진행부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 140,000원
1210 2014-04-29 17시 18시 8인치 SOI 웨이퍼 실리콘 100nm 식각 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 70,000원
1211 2014-04-30 10시 12시 Oxide etch 1.7um*2매 , 2um*2매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 800,000원
1212 2014-04-30 12시 15시 1-2-1 AKEY Ox Dry Etch
1-2-2 AKEY SiC Dry Etch		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 480,000원
1213 2014-04-30 14시 15시 3-2-1 NE Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1214 2014-04-30 9시 10시 Oxide etch 2um*2매, 1.2um*1매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 600,000원
1215 2014-05-02 15시 16시 pch_ SiO2 2초 , Si 50초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1216 2014-05-07 14시 16시 Oxide etch 1.2um*3매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 600,000원
1217 2014-05-08 15시 16시 Oxide etch 1.2um*1매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 200,000원
1218 2014-05-08 16시 18시 2-2-1 PWEL Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 340,000원
1219 2014-05-09 13시 14시 SiO2 2um etch
2x2 cm 5매		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 190,000원
1220 2014-05-12 15시 18시 Oxide etch 1.2um*1매, 1.7um*2매, 1.7um*2매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 1,000,000원
1221 2014-05-12 17시 18시 1-2-1 Active Oxide/Si Dry Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1222 2014-05-16 15시 20시 1. Si dummy 2um etch
2. SiC 2x2 2um etch		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 380,000원
1223 2014-05-19 16시 18시 실리콘 100nm 식각 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 140,000원
1224 2014-05-19 9시 12시 Oxide etch 1.2um*2매, 0.7um*1매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 500,000원
1225 2014-05-20 14시 16시 Oxide etch 0.6um*1매, 1.2um*1매,1.34um*1매, 1.44um*1매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 700,000원
1226 2014-05-22 10시 11시 Silicon 800nm etching 부탁드립니다.
직접 관련 문의드리도록 하겠습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1227 2014-05-22 13시 15시 Oxide etch 2um*2매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 400,000원
1228 2014-05-23 10시 11시 8인치 SOI 웨이퍼 실리콘 100nm 식각

식각 공정 후 Asher도 사용하기 원합니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 70,000원
1229 2014-05-23 11시 12시 Silicon 800nm target etching (120초) 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1230 2014-05-26 10시 11시 1. pch_SiO2 18초
2. pch_Si 20초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1231 2014-05-26 16시 17시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 23초

진행부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1232 2014-05-27 10시 14시 3-2-1 P+ Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 340,000원
1233 2014-05-27 14시 15시 실리콘 100nm 식각 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 350,000원
1234 2014-05-28 13시 14시 Silicon 110nm etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1235 2014-05-28 14시 19시 Oxide Etching : Target 2.0 um 한국전기연구원 전력반도체연구단 차세대반도체연구센터 문정현 950,000원
1236 2014-05-29 9시 11시 Oxide etch 2um*2매, 2um*4매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 1,200,000원
1237 2014-05-30 10시 14시 Oxide(SiO2) 2um etch
1. Si dummy SiO2 2um etch 진행
2. SiC 2x2cm 5장 SiO2 2um etch 진행
 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 380,000원
1238 2014-06-02 10시 11시 1. pch_SiO2 17초
2. pch_Si 19초

공정진행부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1239 2014-06-03 12시 15시 Oxide Etch & GaN Etch Test & 본장 진행 경북대학교 전자공학과 임기식 300,000원
1240 2014-06-03 15시 18시 stepper로 litho후 #1~3번 sio2/si3n4/sio2 10nm/25nm/ 250nm
#4~6번 sio2/si3n4/sio2 10nm/45nm/ 450nm
증착되어있는데 맨 위층인 250nm, 450nm의 oxide etching
현재 이남걸 연구원님께 litho 의뢰		 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 480,000원
1241 2014-06-03 18시 20시 SC32_PP Hard Mask 진행 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 280,000원
1242 2014-06-03 9시 12시 Oxide etch 1.7um*4매, 2um*2매, 1um*1매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 1,300,000원
1243 2014-06-05 10시 11시 <1번 샘플>
pch_Si 50초

<2번 샘플>
1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 24초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 140,000원
1244 2014-06-05 13시 17시 Oxide etch 2um*1매, 1.7um*2매, 1.7um*4매, 1.7um*3매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 2,000,000원
1245 2014-06-09 17시 18시 5-2-1 GATE Poly Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 560,000원
1246 2014-06-10 10시 11시 1. pch_SiO2 70초
2. Si etching 110초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 140,000원
1247 2014-06-11 17시 18시 5-5 Back Poly Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 280,000원
1248 2014-06-11 18시 21시 SC31_Back Oxide Etching 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 280,000원
1249 2014-06-11 9시 11시 Oxide etch 1.7um*3매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 600,000원
1250 2014-06-12 10시 11시 1. pch_SiO2 18초
2. pch_Si 19초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1251 2014-06-12 14시 16시 Sample 1 : SiN etch & Si Trench Etch
Sample 2 : SiO2 eTCH & Si Trench Etch		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 280,000원
1252 2014-06-12 9시 11시 6-2-1 CONT Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 560,000원
1253 2014-06-13 10시 11시 <샘플 1>
1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 23초


<샘플 2>
1. pch_SiO2 3초

진행부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 140,000원
1254 2014-06-16 10시 12시 Si trench Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1255 2014-06-17 11시 12시 Si dry etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1256 2014-06-19 12시 14시 4-2-1 N+ Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 340,000원
1257 2014-06-19 9시 12시 Oxide etch 1.7um*4매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 800,000원
1258 2014-06-20 15시 16시 1. pch_SiO2 18초
2. pch_Si 19초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 140,000원
1259 2014-06-20 9시 12시 6인치 Test pattern 제작용 Silicon Dry Etching
1.0um 이하 : 4매, 1.5um : 3매 (2회 청구)		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 700,000원
1260 2014-06-20 9시 15시 Oxide etch 1.7um*1매, 2um*4매, 1um*2매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 1,200,000원
1261 2014-06-23 15시 16시 Oxide etch 2um*1매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 200,000원
1262 2014-06-24 13시 16시 PS & Oxide Etch 평가 및 진행
공정조건 평가 : 3회
Main 진행(조각 4ea) : 1회		 포항공과대학교 화학공학과 이윤호 320,000원
1263 2014-06-25 10시 12시
1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 25초


1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 23초
진행부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 140,000원
1264 2014-06-25 14시 15시 1-2-1 Cont ET Nitride Etch 200,000원
1265 2014-06-25 15시 16시 1-2-2 Cont ET Oxide Etch 200,000원
1266 2014-06-27 12시 13시 3-2-1 Sensor Nitride Dry Etch 200,000원
1267 2014-06-27 13시 14시 3-3-1 Sensor Oxide Dry Etch 200,000원
1268 2014-07-01 10시 12시 align key etch SiC 5000A etch 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 380,000원
1269 2014-07-01 9시 10시 pch_Si 50초
진행부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1270 2014-07-02 10시 11시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 19초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1271 2014-07-02 11시 12시 Poly-Si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1272 2014-07-02 15시 18시 SiO2 2um etch : 2매 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 380,000원
1273 2014-07-03 10시 11시
1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 20초



1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 23초
 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 140,000원
1274 2014-07-04 10시 11시
1. pch_SiO2 10초
2. pch_Si 25초


pch_Si 6초 진행부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 140,000원
1275 2014-07-04 13시 14시 Oxide etch 1.7um *1 매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 200,000원
1276 2014-07-07 11시 12시 1-2-1 AKEY Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 170,000원
1277 2014-07-07 13시 15시 Oxide etch 1um *2매, 1um*2매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 400,000원
1278 2014-07-09 10시 11시 poly-Si dry etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1279 2014-07-11 10시 11시 1. pch_SiO2 3초
2. pch_Si 23초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1280 2014-07-11 14시 16시 Poly-Si 50nm 식각
Gate Poly main Etch Condition, BT & ME		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 280,000원
1281 2014-07-14 13시 14시 3-2-1 NW Si Dry Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1282 2014-07-14 9시 11시 2-2-1 PWEL Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 170,000원
1283 2014-07-15 10시 12시 1. pch_SiO2 3초
2. pch_Si 25초
포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1284 2014-07-15 15시 17시 PS & Oxide Etch Time Split Test 포항공과대학교 화학공학과 이윤호 160,000원
1285 2014-07-15 18시 20시 SiO2 2um etch
1. Si dummy 1EA
2. Si, SiC 1.4 x 1.4 cm 7EA		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 190,000원
1286 2014-07-16 13시 14시 SiO2 2um 식각 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 190,000원
1287 2014-07-16 14시 15시 <샘플1>
1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 6초

<샘플2>
1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 19초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 140,000원
1288 2014-07-17 10시 11시 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 23초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1289 2014-07-18 10시 11시 pch_Si 8초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1290 2014-07-22 10시 14시 1. oxide 7000A SiC dummy
2. oxide 2um Si dummy
3. oxide 7000A SiC 3inch quarter 1장
4. oxide 2um SiC 2x2cm 5장
 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 560,000원
1291 2014-07-22 14시 15시 poly-Si 50 nm dry etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 0원
1292 2014-07-22 15시 17시 Oxide etch 1um*4매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 400,000원
1293 2014-07-23 10시 11시 pch_Si etching (샘플 두개) 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1294 2014-07-28 15시 17시 P.S. & oxide Etch 포항공과대학교 화학공학과 이윤호 80,000원
1295 2014-07-28 15시 16시 실리콘 100나노 식각 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 210,000원
1296 2014-07-30 16시 17시 SiO2 2um etch 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 190,000원
1297 2014-08-01 15시 16시 Si 100nm target 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 70,000원
1298 2014-08-01 16시 17시 poly-Si dry etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1299 2014-08-04 10시 11시 1. pch_SiO2 3초
2. pch_Si 60초

진행부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 140,000원
1300 2014-08-04 13시 16시 Oxide etch 1.7um *2매, 1um*2매, 1um*1매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 700,000원
1301 2014-08-05 10시 11시 pch_SiO2 & pch_Si etching test 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 140,000원
1302 2014-08-05 10시 11시 5-2-1 GATE Poly Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1303 2014-08-05 11시 12시 Si 1000A OE 20% 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1304 2014-08-05 16시 17시 Si 1000A OE 20% 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1305 2014-08-06 10시 11시 Pch-Si 8초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1306 2014-08-07 10시 11시 Si 100 nm, OE 20% 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 140,000원
1307 2014-08-07 9시 11시 1-2-1 1st Si Dry Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 140,000원
1308 2014-08-11 10시 11시 poly-Si (70nm) / oxide (170nm) dry etching

Recipe
1. pch_SiO2 5초
2. pch_Si 40초
3. pch_SiO2 70초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1309 2014-08-11 13시 14시 5-5-1 Back Poly-Si Etching 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1310 2014-08-11 9시 11시 2-1-1 2st Si Dry Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 140,000원
1311 2014-08-12 10시 11시 1. pch_SiO2 3초
2. pch_Si 27초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1312 2014-08-12 14시 17시 PS & Oxide Etch 포항공과대학교 화학공학과 이윤호 80,000원
1313 2014-08-13 10시 11시 pch_SiO2 3초
pch_Si 20초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1314 2014-08-13 15시 16시 pch_SiO2 3초
pch_Si 20초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1315 2014-08-14 10시 11시 Si etching

Recipe : Z-T7A 110 s		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1316 2014-08-18 10시 12시 6-2-1 CONT Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1317 2014-08-18 11시 12시 SC33 P+ Hard Mask Etching 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 280,000원
1318 2014-08-19 10시 11시 pch_SiO2 4초
pch_Si 45초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1319 2014-08-20 9시 11시 SC33_N+ Etching 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 280,000원
1320 2014-08-20 9시 12시 Oxide etch 1.7um*4매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 800,000원
1321 2014-08-21 11시 12시 top si 100nm target 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 70,000원
1322 2014-08-22 13시 14시 Poly-Si 50nm etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1323 2014-08-22 9시 11시 Oxide etch 2um*1매, 3um*1매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 500,000원
1324 2014-08-25 16시 17시 6 inch wafer
SiO2 - 5sec, Si - 30sec		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1325 2014-08-26 10시 11시 pch_SiO2 19초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1326 2014-08-27 10시 11시 1. pch_SiO2 5초 / pch_Si 28초
2. SiO2 4" / Si 35" / SiO2 65"		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 140,000원
1327 2014-08-27 13시 14시 SC33_Gate Poly Etching 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1328 2014-08-27 17시 18시 SC33_ Back Poly Etching 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1329 2014-08-27 18시 19시 SC33_Back oxide Etching 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1330 2014-08-28 13시 14시 Silicon Etching : 100 nm Target 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1331 2014-08-28 9시 10시 SC33_CONT Etching 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1332 2014-09-03 10시 11시 pch_si 20초


z-poly ME 25초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 140,000원
1333 2014-09-04 16시 17시 poly-Si 70 nm etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1334 2014-09-05 11시 12시 dry etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 280,000원
1335 2014-09-10 10시 11시 z-poly ME 11초 진행

pch-SiO2 19초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 140,000원
1336 2014-09-11 10시 11시 1. z-poly ME 9초
2. pch_Si 5초
 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 140,000원
1337 2014-09-12 10시 11시 Poly-Si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1338 2014-09-15 10시 11시 pch_SiO2 20초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1339 2014-09-17 10시 11시 TSi 100nm OE 20% 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1340 2014-09-17 13시 16시 Oxide etch 0.7um*3매, 2um*4매, 0,7um*1매, 2um*2매 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 1,600,000원
1341 2014-09-18 11시 12시 pch_SiO2 7초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1342 2014-09-18 13시 15시 1-2-1 AKEY Oxide Dry Etch
1-2-2 AKEY SiC Dry Etch
포항공과대학교 기술지원팀 최경근 340,000원
1343 2014-09-19 12시 13시 Si 100 nm OE 20% 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1344 2014-09-19 13시 15시 Oxide etch 0.7um*2매, 2um*1매, 2.7um*3매 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 1,300,000원
1345 2014-09-19 14시 16시 2-2-1 PWEL Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1346 2014-09-22 10시 11시 1-3-1 Active Oxide/Si Dry Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1347 2014-09-22 11시 12시 poly-Si / oxide dry etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1348 2014-09-22 15시 17시 3-2-1 P+ Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1349 2014-09-23 15시 17시 4-2-1 N+ Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1350 2014-09-23 9시 12시 Oxide etch 1um*1매, 1um*2매, 0.7um*4매 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 700,000원
1351 2014-09-24 10시 12시 Poly Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 490,000원
1352 2014-09-24 10시 11시 1.pch_SiO2 10초
2. pch_Si 4초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1353 2014-09-25 11시 13시 1-2-1 Cont Nitride Etch
 400,000원
1354 2014-09-25 13시 16시 1-3-1 Cont Oxide Etch
 400,000원
1355 2014-09-26 14시 16시 5-2-1 GATE Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1356 2014-09-26 17시 18시 5-5-1 Cont Back Poly-si Etching 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1357 2014-09-26 17시 18시 5-5-2 Cont Back Oxide Etching 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1358 2014-09-26 9시 10시 Oxide etch 2um * 2매 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 400,000원
1359 2014-09-29 10시 11시 pch_SiO2 23초 + pch_Si 3초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1360 2014-09-29 13시 15시 6-2-1 Cont Ox Dry Etch (ER Test 1ea) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 210,000원
1361 2014-09-30 10시 11시 pch-SiO2 2초 + pch-Si 21초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1362 2014-10-01 10시 11시 2-4-2 Metal Dry Etching (Al) 100,000원
1363 2014-10-01 11시 12시 n-doped poly-Si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1364 2014-10-01 14시 16시 3-2-1 Sensor Nitride Dry Etch 300,000원
1365 2014-10-01 16시 18시 3-3-1 Sensor Oxide Dry Etch 300,000원
1366 2014-10-02 11시 12시 z-poly ME 35초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1367 2014-10-02 9시 11시 Oxide etch 2um*4매 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 800,000원
1368 2014-10-06 10시 12시 1-2-1 AKEY Ox Dry Etch
1-2-2 AKEY SiC Dry Etch
 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1369 2014-10-07 10시 11시 3-2-1 NW Si Dry Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1370 2014-10-10 10시 11시 Si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1371 2014-10-10 16시 18시 1-2-1 Cont Nitride Dry Etch 400,000원
1372 2014-10-10 19시 21시 1-2-1 Cont Oxide Dry Etch 400,000원
1373 2014-10-13 14시 17시 Silicon Trench Etch 평가
(과제명 : 접합 반도체소자의 결함분석을 위한 방사광 (4.0011276.02),과제 책임자 : 최경근)		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 490,000원
1374 2014-10-14 17시 20시 3-2-1 Sensor Nitride Dry Etch 400,000원
1375 2014-10-14 20시 23시 3-3-1 Sensor Oxide Dry Etch 400,000원
1376 2014-10-17 10시 11시 poly-Si dry etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1377 2014-10-17 14시 15시 Si 100nm target 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 140,000원
1378 2014-10-20 13시 15시 3-2-1 P+ Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 340,000원
1379 2014-10-20 9시 11시 2-2-1 PWEL Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 340,000원
1380 2014-10-21 10시 11시 pch_Si 3초
pch_SiO2 22초

pch_Si 22초
pch_SiO2 3초
 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 140,000원
1381 2014-10-21 9시 11시 4-2-1 N+ Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 340,000원
1382 2014-10-22 10시 11시 Poly-Si dry etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1383 2014-10-22 14시 15시 Al2O3 Dry Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1384 2014-10-23 10시 11시 Silicon etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1385 2014-10-24 10시 11시 pch_Si 15초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1386 2014-10-27 5시 6시 pch _ Si 레시피 test 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 280,000원
1387 2014-10-28 10시 11시 Si dry etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1388 2014-10-28 11시 13시 5-2-1 GATE Poly Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1389 2014-10-29 13시 14시 6-2-1 CONT Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1390 2014-10-29 14시 17시 SiO2 7000A etch
1. dummy진행
2. 본샘플 진행		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 180,000원
1391 2014-10-29 9시 10시 5-5-2 Back Oxide Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1392 2014-10-29 9시 10시 5-5-1 Back Poly Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1393 2014-11-03 13시 15시 Oxide etch 2um 4매 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 800,000원
1394 2014-11-03 16시 16시 SiO2 7000A etch 1. dummy진행 2. 본샘플 진행 한국전기연구원 전력반도체연구단 차세대반도체연구센터 문정현 0원
1395 2014-11-04 15시 16시 poly-Si / oxide dry etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1396 2014-11-06 10시 12시 Organic CMOS_Al2O3 Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 권지민 840,000원
1397 2014-11-10 10시 11시 z-poly Gate ME 15초 (with BT 10초) 진행부탁드립니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1398 2014-11-11 10시 11시 Poly-Si dry etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1399 2014-11-12 13시 16시 Oxide etch 2um*1매, 2um*1매, 2um*5매 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 700,000원
1400 2014-11-13 10시 11시 p_pch_Si 23초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1401 2014-11-13 14시 15시 p_pch_Si 23초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1402 2014-11-13 15시 17시 poly Si 6000A etch 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 90,000원
1403 2014-11-13 17시 18시 SiO2 2um etch 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 190,000원
1404 2014-11-13 9시 11시 1-2-1 AKEY Ox Dry Etch
1-2-2 AKEY SiC Dry Etch		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 280,000원
1405 2014-11-14 9시 12시 SiO2 7000A etch : 1x1, SiC 1장, dummy
SiO2 7000A etch : 2x2, SiC 2장
SiO2 2um Etch		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 370,000원
1406 2014-11-18 10시 11시 Poly-Si dry etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 210,000원
1407 2014-11-18 9시 11시 2-2-1 PWEL Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 340,000원
1408 2014-11-19 10시 12시 라멜라 그레이팅 제작을 위한 Etch 공정 (과제번호:4.011309.01) 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 700,000원
1409 2014-11-19 13시 16시 1. poly-Si 6000A dummy 2X2 Si 1장
2. poly-Si 6000A SiC 2x2 5장, Si 1장		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 180,000원
1410 2014-11-20 10시 11시 1. Al2O3 7nm etching (센터 보유 레시피 이용)
2. pch_SiO2 3초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1411 2014-11-20 13시 17시 1. SiO2 1um SiC dummy 1x1 1장
2. PSG 1um SiC dummy 1x1 1장
3. SiO2 1um SiC 2x2 2장, 1x1 1장
4. PSG 1um SiC 2x2 SiC 3장, Si 1장		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 360,000원
1412 2014-11-20 9시 11시 3-2-1 P+ Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 340,000원
1413 2014-11-21 10시 11시 Poly-Si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1414 2014-11-21 9시 12시 4-2-1 N+ Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 340,000원
1415 2014-11-24 10시 11시 Poly-Si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1416 2014-11-24 11시 13시 2-3-1 Active Oxide/Si Dry Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 210,000원
1417 2014-11-24 13시 15시 박판 경량 HS 제작용 Etch공정 (과제번호:2.0006799.07) 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 700,000원
1418 2014-11-24 15시 20시 1차 Full Process_Etch (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 3,500,000원
1419 2014-11-24 9시 11시 2-3-1 Active Oxide/Si Dry Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 140,000원
1420 2014-11-25 10시 11시 Oxide etch

이호준
Pch SiO2 , P-Pch-Si		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 140,000원
1421 2014-11-25 11시 12시 Poly Si Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1422 2014-11-25 16시 17시 oxide 1um 제거 (pR은 Ma-N 1440) 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 70,000원
1423 2014-11-26 12시 13시 5-2-1 GATE Poly Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1424 2014-11-26 13시 16시 Oxide etch 1um*1매, 1um*1매, 2um*7매, 1um*1매 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 1,700,000원
1425 2014-11-27 13시 14시 2-3-1 Active Oxide/Si Dry Etch (추가 w01) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1426 2014-11-27 13시 14시 5-5-1 CONT Back Poly-Si Etch
5-5-2 CONT Back Oxide Etch		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1427 2014-11-27 15시 16시 6-2-1 CONT Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1428 2014-12-01 10시 11시 pch_Si 17초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1429 2014-12-02 12시 14시 5-2-1 GATE Poly Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1430 2014-12-02 14시 15시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1431 2014-12-02 9시 13시 BioFET_Etch(Oxide, Al2O3 etc...) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 1,400,000원
1432 2014-12-03 10시 11시 5-5-1 CONT Back Poly Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1433 2014-12-03 10시 11시 5-5-2 CONT Back Oxide Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1434 2014-12-04 10시 11시 pch_Si 60초


z-poly ME 15초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1435 2014-12-04 16시 17시 Poly-Si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1436 2014-12-04 9시 11시 6-2-1 CONT Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1437 2014-12-05 10시 11시 pch_Si 23초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1438 2014-12-05 11시 12시 Oxide etch 1um*2매 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 200,000원
1439 2014-12-05 12시 14시 3-2-1 NW Si Dry Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
1440 2014-12-09 11시 12시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1441 2014-12-11 10시 11시 Poly-Si etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 140,000원
1442 2014-12-12 10시 11시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1443 2014-12-15 10시 11시 1-2-2 AKEY SiC Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1444 2014-12-15 10시 12시 Oxide etch 2um*2매, 1um*4 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 800,000원
1445 2014-12-15 12시 14시 5-2-1 Gate Etch Poly Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1446 2014-12-15 9시 10시 pch_Si 24초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1447 2014-12-15 9시 10시 1-2-1 AKEY Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1448 2014-12-16 10시 11시 1-2-2 Cont Oxide Etch 400,000원
1449 2014-12-16 10시 11시 Poly-Si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1450 2014-12-16 11시 12시 5-5-1 Cont B,Side Poly Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1451 2014-12-16 13시 15시 6-2-1 Cont Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1452 2014-12-16 13시 14시 5-5-2 Cont B,Side Oxide Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1453 2014-12-16 9시 10시 1-2-1 Cont Nitride Etch 400,000원
1454 2014-12-17 10시 11시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1455 2014-12-17 11시 12시 2-5-1 Metal Dry Etch 200,000원
1456 2014-12-17 12시 14시 2-2-1 PWEL Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 340,000원
1457 2014-12-18 10시 11시 pch_SiO2 17초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1458 2014-12-19 10시 11시 pch_Si 41초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1459 2014-12-19 11시 13시 3-3-1 SenSor Oxide Etch 400,000원
1460 2014-12-19 12시 14시 3-2-1 P+ Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 340,000원
1461 2014-12-19 9시 11시 3-2-1 SenSor Nitride Etch 400,000원
1462 2014-12-22 10시 11시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1463 2014-12-22 10시 12시 3-2-1 NW Si Dry Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
1464 2014-12-22 12시 14시 4-2-1 N+ Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 340,000원
1465 2014-12-23 10시 11시 pch_SiO2 2초
pch_Si 25초
pch_SiO2 31초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1466 2014-12-23 14시 16시 Cap:Dry Etch_LP Oxide Open (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 2,000,000원
1467 2014-12-24 13시 15시 Oxide etch 1um*5매 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 500,000원
1468 2014-12-26 13시 15시 Oxide etch 1um*5매 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 500,000원
1469 2014-12-29 12시 14시 5-2-1 GATE Poly Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1470 2014-12-29 13시 15시 Oxide etch 1um 5매 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 500,000원
1471 2014-12-29 14시 15시 5-5-1 CONT Back Poly-Si Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1472 2014-12-29 15시 16시 5-5-2 CONT Back Oxide Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1473 2014-12-29 16시 17시 6-2-1 CONT Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1474 2014-12-30 13시 15시 Oxide etch 1um*5매 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 500,000원
1475 2015-01-05 10시 11시 1-2-2 Cont Oxide Etch 200,000원
1476 2015-01-05 9시 10시 1-2-1 Cont Nitride Etch 200,000원
1477 2015-01-06 15시 16시 Top_Si 100nm etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 140,000원
1478 2015-01-07 10시 11시 3-2-1 SenSor SiN Etch 200,000원
1479 2015-01-07 11시 12시 3-3-1 SenSor SiO2 Etch 200,000원
1480 2015-01-07 15시 16시 pch_SiO2 9초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1481 2015-01-07 16시 17시 Thermal SiO2 300nm 포항공과대학교 ITCE 정새벽 70,000원
1482 2015-01-09 10시 11시 Top Si_100nm etch (nanowire) 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 140,000원
1483 2015-01-13 10시 14시 UE MEMS Sensor 2차 Run_Etch (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 2,000,000원
1484 2015-01-14 14시 15시 pch-SiO2 3초/pch_Si 25초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1485 2015-01-16 10시 11시 p-pch Si 25초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1486 2015-01-16 11시 12시 Top Si 100nm etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 140,000원
1487 2015-01-16 14시 15시 gate oxide/gate etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1488 2015-01-20 14시 16시 전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육(Etch) 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 600,000원
1489 2015-01-22 10시 11시 TEOS / poly-Si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1490 2015-01-22 13시 14시 SiO2 2um Etch 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 190,000원
1491 2015-01-23 10시 12시 전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육(Etch) 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 600,000원
1492 2015-01-27 10시 11시 SC35_NO Anneal Test_Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 700,000원
1493 2015-01-28 10시 11시 p_pch_Si 19초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1494 2015-01-29 14시 15시 1) pch_Si 2초/25초
2) PCH_Si 2초/23초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 140,000원
1495 2015-01-29 16시 17시 Oxide 1000A Dry Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 80,000원
1496 2015-01-30 10시 11시 Si 1000 A Etch : Key Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 80,000원
1497 2015-02-03 10시 11시 pch_SiO2 18초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1498 2015-02-05 10시 11시 총 2장 공정 부탁드립니다.

4인치 웨이퍼 1장(Poly-Si etching)
Recipe : 1. Poly-Gate-ME 160초
2. OE step 30초

6인치 웨이퍼 1장 (Poly-Si/oxide etching)
Recipe : 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 25초
3. pch_SiO2 40초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 140,000원
1499 2015-02-09 11시 12시 Poly-Si / Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1500 2015-02-09 13시 18시 Al2O3 330A Etch (on HfO2 70A)
1. Al2O3 vs HfO2 Etchrate Test : Gas/Power Split (3회 + 4회(자체 확인))
2. Real Sample 1매(4") 진행		 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 320,000원
1501 2015-02-10 10시 11시 pch_Si 40초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1502 2015-02-10 15시 16시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1503 2015-02-10 16시 18시 BioFET_Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 700,000원
1504 2015-02-11 10시 11시 pch_Si 7초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1505 2015-02-11 13시 16시 UE MEMS Sensor 3차 Run_Etch (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 2,000,000원
1506 2015-02-12 13시 14시 Si 500A Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
1507 2015-02-17 10시 12시 BioFET_Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 700,000원
1508 2015-02-23 10시 12시 BioFET_Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 700,000원
1509 2015-02-25 16시 18시 BioFET_Oxide Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 700,000원
1510 2015-03-02 10시 12시 1-2-1 Cont SiN Etch 400,000원
1511 2015-03-02 13시 15시 1-3-1 Cont Ox Etch 400,000원
1512 2015-03-04 14시 17시 SiC MOSFET 제작 : SiC key Etch 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 380,000원
1513 2015-03-05 10시 11시 1-2-1 AKEY Oxide Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 80,000원
1514 2015-03-05 11시 12시 1-2-2 AKEY Si Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 80,000원
1515 2015-03-06 10시 12시 3-2-1 Sensor SiN Etch 400,000원
1516 2015-03-06 13시 14시 SiO2_100nm target etch (NW w/ 50nm width) 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 70,000원
1517 2015-03-06 13시 15시 3-3-1 SenSor Oxide Etch 400,000원
1518 2015-03-06 14시 18시 SiC MOSFET 제작 : 2.0um Oxide Etch 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 380,000원
1519 2015-03-10 15시 16시 - 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 190,000원
1520 2015-03-11 10시 11시 2-2-1 Active Oxide/Si Dry Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
1521 2015-03-11 11시 12시 2-2-1 Active Oxide/Si Dry Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
1522 2015-03-11 15시 17시 4\" SiC full wf. etching
마스크: PR 2.5 um
 한국전기연구원 전력반도체연구센터 나문경 380,000원
1523 2015-03-17 16시 18시 Al2O3 & HfO2 Etch
1. Al2O3 Etch : 300 A/330 A
2. HfO2 Etch : 30 Al2O3 & 70 HfO2 Etch		 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 160,000원
1524 2015-03-18 13시 16시 PECVD 장비를 이용한 증착한 oxide의 2um 증착
SiO2 on SiC (4\") --> 2매
SiO2 on Si (4\") --> 1매 Burning 으로 Stop, 1매 Rework 후 진행		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 나문경 513,000원
1525 2015-03-19 10시 12시 SiO2 2um etch (1.5x1.5 cm 5EA 1회)
Etchrate 평가용 Test wafer 추가 (120")		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 280,000원
1526 2015-03-19 9시 10시 PCH Oxide 2sec,
pch_Si 30초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1527 2015-03-20 10시 11시 SiO2 2sec, pch_Si 30초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1528 2015-03-23 10시 11시 pch_Si 20초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1529 2015-03-24 13시 16시 SiC Oxide Etch : 2.0um
SiC Key Etch		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 380,000원
1530 2015-03-24 16시 18시 SiC Oxide Etch : 2um 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 190,000원
1531 2015-03-25 10시 12시 Oxide Etch : 2.0um (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
1532 2015-03-25 13시 18시 oxide 2um etch
조각시편 1회+4\" 2매		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 나문경 570,000원
1533 2015-03-25 9시 10시 pch_Si 30초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 140,000원
1534 2015-03-26 10시 16시 Oxide Etch (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
1535 2015-03-26 16시 24시 Oxide Etch (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
1536 2015-03-27 10시 12시 BioFET05_Etch, Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 1,050,000원
1537 2015-03-30 10시 11시 pch_Si 40초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1538 2015-03-30 15시 18시 Oxide etch 2.0um Etch (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
1539 2015-04-01 13시 19시 oxide etch (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
1540 2015-04-03 14시 15시 Si 100nm etch target 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 140,000원
1541 2015-04-06 10시 11시 4-2-1 NW Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
1542 2015-04-06 13시 15시 1-2-1 Gate Oxide Al2O3 Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 160,000원
1543 2015-04-06 15시 17시 1-2-2 gate Oxide HfO2 Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 160,000원
1544 2015-04-06 17시 19시 HfO2 Etch : 조각 10개
(Oxide sample 1ea 추가)		 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 300,000원
1545 2015-04-06 19시 21시 1-2-1 Contact SiN Etch 200,000원
1546 2015-04-06 21시 23시 1-2-2 Contact Oxide Etch 200,000원
1547 2015-04-07 15시 16시 SiO2 330nm etching 포항공과대학교 ITCE 정새벽 70,000원
1548 2015-04-09 10시 12시 SiO2 2um dry etch

Si dummy sample 1EA 1회
SiC sample 1.4*1.4 cm 7EA 1회		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 380,000원
1549 2015-04-09 15시 17시 Oxide A-key Etch : 조각 샘플 4ea
(2회 진행)		 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 160,000원
1550 2015-04-10 10시 11시 Pass\'n Oxide Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
1551 2015-04-10 11시 12시 n-doped poly-Si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1552 2015-04-10 16시 17시 SiO2 3000A 포항공과대학교 전자전기공학과 김태희 70,000원
1553 2015-04-13 10시 11시 pch_Si 35초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1554 2015-04-13 14시 16시 top Si 100nm etching 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 210,000원
1555 2015-04-14 11시 12시 n-doped Poly-Si dry etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1556 2015-04-15 14시 16시 Oxide etch (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
1557 2015-04-16 14시 17시 Etching : oxide & SiC Key Etching
: 3회		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 570,000원
1558 2015-04-20 10시 13시 3-2-1 Nitride 7000 A Etch 200,000원
1559 2015-04-20 13시 15시 2-3-1 Oxide 5000 A Etch 200,000원
1560 2015-04-20 15시 18시 Oxide etch (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
1561 2015-04-21 10시 12시 Oxide etch (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
1562 2015-04-21 13시 18시 Oxide etch (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
1563 2015-04-22 16시 18시 dummy sample
SiO2 2um dry etch		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 190,000원
1564 2015-04-23 10시 12시 1.4*1.4 cm 9EA
SiO2 2um dry etch		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 90,000원
1565 2015-04-24 14시 15시 PECVD SiO2 1um etching 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 70,000원
1566 2015-04-27 11시 14시 Nitride Etch 7000 A 200,000원
1567 2015-04-27 14시 16시 Oxide Etch 5000 A 200,000원
1568 2015-05-04 15시 16시 VW Oxide Test_SiN Etch (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 200,000원
1569 2015-05-04 18시 19시 VW Oxide Test_VW Etch (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 500,000원
1570 2015-05-06 10시 12시 Oxide etch(2um) (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
1571 2015-05-06 13시 16시 Oxide etch(0.7um X 2, 2um X 2) (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
1572 2015-05-06 15시 18시 Oxide etching target: 2um
1. SiC 조각: 10x10mm 1매
2. 4\" SiC 2매		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 나문경 570,000원
1573 2015-05-06 18시 19시 Ti Etch Target Test_Ti Etch (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 500,000원
1574 2015-05-07 10시 12시 Oxide etch(2um) (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
1575 2015-05-07 13시 15시 Oxide etch(0.7um) (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
1576 2015-05-07 15시 16시 Poly_Si 50 nm 식각 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
1577 2015-05-07 16시 18시 Oxide etch(2um) (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
1578 2015-05-08 11시 12시 Oxide etch (2um) (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
1579 2015-05-08 13시 15시 oxide etch 1um*2매, 0.7um*2매, 2um*1매, 0.7um*2매, 1um*2매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 1,000,000원
1580 2015-05-08 15시 18시 Oxide etch (2um) (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
1581 2015-05-11 10시 11시 1. Amorphous-Si etching
2. Amorphous-Si etching
3. n-doped Poly-Si etching

각각 4인치 웨이퍼이며, 샘플마다 공정 조건을 적어놓았습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 210,000원
1582 2015-05-11 10시 11시 Poly Si Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
1583 2015-05-11 13시 14시 SANOS 제작 중 gate로 쓰는 doped poly silicon을 포항팹에서 증학하였고
패터닝 진행 후 doped poly silicon etch 의뢰하고자 합니다
두께는 200nm target으로 증착하였습니다		 서울대학교 전기정보공학부 김승현 200,000원
1584 2015-05-11 15시 17시 GaN Recess Etch : Target Split 3ea
(ETRI 문재경 박사)
(과제명. 6인치 기반 GaN 전력반도체 제작(4.0011749.01))		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 210,000원
1585 2015-05-12 10시 11시 pch_Si 35초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1586 2015-05-12 14시 16시 oxide etch 0.7um*2매, 2um*1매, 2um*2매, 1um*4매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 1,200,000원
1587 2015-05-12 16시 17시 Dry etching (Oxide) 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 140,000원
1588 2015-05-13 10시 12시 Oxide etch (2um) (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
1589 2015-05-13 14시 15시 oxide etch 0.7um*1매, 1.7um*2매, 2.4um*1매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 800,000원
1590 2015-05-13 15시 16시 Poly-Si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 140,000원
1591 2015-05-13 16시 17시 PR patterned SOI wafer dry etching
Target : Top Si 45nm
 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 0원
1592 2015-05-14 10시 12시 SiO2 2um etch
1.4*1.4 cm 4EA		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 380,000원
1593 2015-05-14 14시 15시 oxide etch 0.7um*1매, 2um*1매, 2um*2매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 700,000원
1594 2015-05-14 17시 18시 1-3-1 Poly Etch 포항공과대학교 화학공학과 송홍선 80,000원
1595 2015-05-15 14시 15시 oxide etch 2um*1매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 200,000원
1596 2015-05-15 15시 16시 SiN Ashing (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 300,000원
1597 2015-05-18 11시 12시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1598 2015-05-18 15시 16시 top si 100nm etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 140,000원
1599 2015-05-19 10시 11시 pch_Si 27초
pch_SiO2 31초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1600 2015-05-19 14시 16시 oxide 8um etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 770,000원
1601 2015-05-19 14시 17시 Oxide etch(2um) (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
1602 2015-05-20 10시 11시 pch_Si 16초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1603 2015-05-20 14시 15시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1604 2015-05-21 10시 12시 oxide etch 1um*1매, 1.5um*2매 , 1.5um*1매 , 2.4um*2매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 1,300,000원
1605 2015-05-22 10시 11시 pch_Si 25초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1606 2015-05-22 13시 14시 oxide etch 0.7um*2매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 200,000원
1607 2015-05-26 1시 10시 Patterned SOI wafer 조각 시편 3매
Dry Etching 공정
Target : Top Si 45nm		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 210,000원
1608 2015-05-26 9시 11시 oxide etch 2um*2매, 2um*2매, 2um*2매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 1,200,000원
1609 2015-05-27 10시 12시 Photo 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 190,000원
1610 2015-05-27 13시 14시 2-2-1 Active Si Dry Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 420,000원
1611 2015-05-27 13시 15시 oxide etch 0.7um*2매, 1.5um*3매, 1.5um*1매, 2um*3매, 2um*2매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 2,000,000원
1612 2015-05-27 15시 16시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1613 2015-05-28 10시 11시 oxide etch 2um*2매, 2um*2매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 800,000원
1614 2015-05-28 11시 14시 SiO2 8um etch (hard mask : SU-8 2010) 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 770,000원
1615 2015-05-28 16시 17시 top si 100nm etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 70,000원
1616 2015-05-29 11시 13시 Si 100nm target etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 70,000원
1617 2015-05-29 13시 15시 oxide etch 2um*2매, 2um*2매, 2.4um*3매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 1,700,000원
1618 2015-06-01 10시 11시 pch_Si 50초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1619 2015-06-01 11시 12시 4인치 웨이퍼 2장 : Poly-Si etching
조각 : Oxide etching		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 210,000원
1620 2015-06-01 14시 18시 Oxide etch(2.4um) (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
1621 2015-06-02 14시 15시 SiN 500 A Etch on VWO 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 200,000원
1622 2015-06-02 15시 18시 oxide etch(2.4um) (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
1623 2015-06-02 18시 19시 Ti 500A Etch after Photo 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 100,000원
1624 2015-06-03 10시 11시 4-2-1 NW Dry Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 210,000원
1625 2015-06-03 16시 17시 Ti Etch 500 A Test 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 100,000원
1626 2015-06-04 10시 12시 Etching 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 190,000원
1627 2015-06-04 13시 16시 dry etch (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
1628 2015-06-05 13시 15시 oxide etch 2um * 1매, 2um * 2매, 1.5um * 2매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 1,000,000원
1629 2015-06-08 10시 11시 oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1630 2015-06-08 11시 12시 SiO2 1um 식각 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 70,000원
1631 2015-06-10 10시 12시 MEMS Cap Process_Cavity ET (Nitride Etch) (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 2,800,000원
1632 2015-06-10 15시 18시 Oxide etch (0.7um x2) (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
1633 2015-06-11 10시 12시 Si dummy 1EA
SiC 1.4*1.4 cm 7EA
SiO2 2um etch		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 380,000원
1634 2015-06-11 11시 12시 SiN 13초
SiO2 5초
 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 200,000원
1635 2015-06-11 14시 15시 3-3-1 NW Etch
 전북대학교 전자공학부 김기현 140,000원
1636 2015-06-11 14시 15시 Poly-Si etching

6/9 pch_SiO2 6초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 140,000원
1637 2015-06-12 10시 11시 Oxide etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1638 2015-06-16 11시 12시 top si 60nm etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 70,000원
1639 2015-06-16 9시 10시 oxide etch(2.5 um) (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
1640 2015-06-18 10시 11시 pch_Si 5초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1641 2015-06-18 11시 12시 oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1642 2015-06-18 13시 14시 SOI 조각 시편 top Si 100nm etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 70,000원
1643 2015-06-19 10시 11시 pch_Si 25초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 140,000원
1644 2015-06-19 14시 15시 oxide etch 2.4um * 2매 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 600,000원
1645 2015-06-23 11시 12시 2-2-1 Active Si Dry Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 140,000원
1646 2015-06-23 13시 15시 oxide etch 1um * 2, 1um * 2 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 400,000원
1647 2015-06-24 10시 11시 top si 60nm etch _ Nanowire formation 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 70,000원
1648 2015-06-25 10시 11시 pch_Si 25초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1649 2015-06-25 11시 12시 Oxide etching

pch_SiO2 5초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1650 2015-06-25 13시 18시 align key 형성 한국전기연구원 전력반도체연구단 차세대반도체연구센터 문정현 870,000원
1651 2015-06-25 9시 10시 ROIC2 Feasibility Test
================================
목표식각량 : Nitride 2000A+Oxide1000A,
Over Etch 10%		 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 1,000,000원
1652 2015-06-26 13시 14시 ROIC2 Feasibility Test_Eetch
=========================================
Etch Target : Ti=200A, Al=2000A, Over Etch 10%		 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 1,300,000원
1653 2015-06-26 14시 15시 pch_Si 40초 + pch_SiO2 40초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1654 2015-06-29 10시 11시 2-3-1 Gate Al2O3 Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 280,000원
1655 2015-06-29 10시 11시 pch_Si 17초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1656 2015-06-30 9시 10시 pch_Si 50초

pch_Si 17초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 140,000원
1657 2015-07-01 11시 16시 2um oxide etching 한국전기연구원 전력반도체연구단 차세대반도체연구센터 문정현 380,000원
1658 2015-07-03 14시 17시 Oxide etch 2um X 2 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
1659 2015-07-07 10시 11시 pch_Si 17초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1660 2015-07-10 13시 17시 Oxide Etch
1.0um - 1ea, 3.5um - 2ea, 2.0um - 1um		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 1,060,000원
1661 2015-07-14 10시 11시 pch_SiO2 5초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 140,000원
1662 2015-07-14 11시 12시 Poly-Si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1663 2015-07-15 10시 11시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1664 2015-07-15 15시 16시 Si Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 140,000원
1665 2015-07-15 9시 10시 UE_ROIC2_Feasibility Test_Nitride Etch
====================================
Dry Etch Nitride 2000A
Over Etch 10%		 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 1,000,000원
1666 2015-07-16 10시 11시 4-2-1 NW Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 140,000원
1667 2015-07-16 11시 12시 4-3-1 NW Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1668 2015-07-16 11시 12시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1669 2015-07-16 13시 14시 UE_ROIC2_Feasibility Test_Metal Etch
===================================
Etch Target : Ti/Al=200A/2000A
Over Etch 10%
 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 1,500,000원
1670 2015-07-20 9시 10시 MEMS Sensor_단위공정 Test
============================
Nitride Etch		 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 300,000원
1671 2015-07-22 10시 11시 pch_SiO2 2초
pch_Si 30초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 140,000원
1672 2015-07-22 11시 12시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1673 2015-07-23 9시 13시 SiC 소재의 내플라즈마 특성평가
: Dry Etcher 에서 CF4/O2 Plasma 를 이용한 재료의 변화 평가		 (주)원익큐엔씨 세라믹스사업부 기술연구소 강승오 1,600,000원
1674 2015-07-28 9시 12시 Oxide etch 1um (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
1675 2015-07-30 11시 16시 Oxide on SiC 2.0nm Etch 한국전기연구원 전력반도체연구단 차세대반도체연구센터 문정현 570,000원
1676 2015-08-03 15시 18시 Passivation Oxide Dry Etch : 4000 Å
Etchrate Test : Time Split (2회) 을 통한 Target 설정
Main Run 진행 : 1매 선행 후 SEM 확인 --> Target Tuning 후 Main 진행		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 280,000원
1677 2015-08-04 10시 12시 poly-Si 6000A etching 한국전기연구원 전력반도체연구센터 나문경 180,000원
1678 2015-08-04 17시 18시 3-2-2 GaN Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
1679 2015-08-04 9시 10시 pch_Si 20초
pch_SiO2 30초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1680 2015-08-06 11시 16시 etching 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 570,000원
1681 2015-08-06 16시 18시 oxide etch 0.7um (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 160,000원
1682 2015-08-06 9시 11시 oxide etch 0.7um (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 160,000원
1683 2015-08-10 10시 11시 SOI 시편 Tsi 100nm etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 70,000원
1684 2015-08-10 13시 20시 oxide etch
2um * 4ea
1um * 2ea		 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 880,000원
1685 2015-08-11 10시 15시 0.5um Space pattern Etch (주)니나노 기업부설연구소 박준영 0원
1686 2015-08-13 17시 19시 Oxide etch 2um *2 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 360,000원
1687 2015-08-13 9시 14시 oxide etch 1um *5 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 400,000원
1688 2015-08-14 9시 18시 6/15 , 6/17, 6/24, 7/3 진행 청구 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,600,000원
1689 2015-08-17 9시 18시 7/1, 7/6, 7/7, 7/14, 7/15, 7/27, 7/28, 7/30 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,900,000원
1690 2015-08-20 13시 16시 Oxide depo 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 660,000원
1691 2015-08-20 9시 13시 Oxide etch 2um (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 360,000원
1692 2015-08-21 13시 17시 Oxide etch 0.7um (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 160,000원
1693 2015-08-24 10시 11시 Poly-Si etching

4인치 웨이퍼 두장

*각각 레시피가 조금 다릅니다! (하나는 150초, 다른 하나는 135초)		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 140,000원
1694 2015-08-25 15시 16시 5-2-2 CNT Al2O3 Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1695 2015-08-25 15시 16시 5-2-1 CNT PE Oxide Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 210,000원
1696 2015-08-25 15시 16시 2-2-2 Active Si Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 210,000원
1697 2015-08-25 16시 17시 5-2-4 CNT GaN Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1698 2015-08-25 16시 17시 5-2-3 CNT SiN Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1699 2015-08-26 10시 11시 pch_Si 30초
 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 140,000원
1700 2015-08-26 11시 15시 SiO2 hard mask etch

460s 진행		 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 560,000원
1701 2015-08-26 15시 16시 Poly-si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1702 2015-08-26 9시 10시 SiO2 hard mask etch (21) (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 360,000원
1703 2015-08-27 14시 18시 Oxide etch 2um (18) (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 360,000원
1704 2015-08-28 10시 11시 pch_Si 35초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1705 2015-08-28 11시 15시 SiO2 etch (27)
2um		 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 360,000원
1706 2015-08-28 9시 10시 SiO2 etch (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 360,000원
1707 2015-09-01 10시 11시 1. pch_Si 30초


1. phc_Si 30초
2. pch_SiO2 30초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 140,000원
1708 2015-09-01 11시 12시 Oxide etching (Lot6) - pch_SiO2 33초

Poly-Si etching (Lot7) - 1.pch_SiO2 2초
2. pch_Si 35초

Poly-Si etching (Lot8) - 1.Poly-Gate-ME 140초
2. OE 30초

공정 진행 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 210,000원
1709 2015-09-01 12시 13시 Si 50nm Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 280,000원
1710 2015-09-02 10시 16시 SiO2 etch 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 760,000원
1711 2015-09-03 10시 11시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1712 2015-09-08 11시 12시 PI/TEOS etch. 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 200,000원
1713 2015-09-08 13시 15시 PI/TEOS etch. 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 200,000원
1714 2015-09-10 10시 12시 SH etch. 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 200,000원
1715 2015-09-11 13시 15시 align & photo 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 280,000원
1716 2015-09-11 15시 16시 Nanowire Formation
Etching target : Top Si 50 nm over 20%		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 140,000원
1717 2015-09-14 13시 16시 1-2-2 Cont Oxide Etch 400,000원
1718 2015-09-14 9시 12시 1-2-1 Cont Nitride Etch 400,000원
1719 2015-09-15 10시 11시 Poly-Si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1720 2015-09-15 14시 16시 Ti Ethcing 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 200,000원
1721 2015-09-16 11시 12시 SiO2 etch 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 190,000원
1722 2015-09-16 18시 19시 Ti etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 100,000원
1723 2015-09-16 9시 11시 Etching 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 180,000원
1724 2015-09-17 10시 11시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1725 2015-09-17 13시 15시 Ti etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 200,000원
1726 2015-09-21 12시 14시 4-2-2 Sensor SiO2 Dry Etch 400,000원
1727 2015-09-21 13시 14시 Top Si 50nm Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1728 2015-09-21 14시 15시 top si 50nm etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 70,000원
1729 2015-09-21 15시 16시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1730 2015-09-21 9시 12시 4-2-1 Sensor SiN Dry Etch 400,000원
1731 2015-09-22 10시 12시 Si Etch Test 용 Hard Mask Etch : TEOS 2000 A 전북대학교 전자공학부 김기현 210,000원
1732 2015-09-22 13시 14시 1-2-1 Oxide 2000 A Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
1733 2015-09-22 14시 15시 1-2-4 GaN Recess Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
1734 2015-09-22 15시 18시 PSG etching 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 180,000원
1735 2015-09-22 18시 19시 Ti etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 100,000원
1736 2015-09-23 10시 11시 PA SiNx Etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 100,000원
1737 2015-09-23 18시 20시 Top Si 300 A Etch : 2ea
Pass\'N Oxide 4500 A Etch : 1ea		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 210,000원
1738 2015-09-24 13시 15시 Ti Etch 20/15 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 200,000원
1739 2015-09-24 14시 15시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1740 2015-09-25 10시 18시 9/2 360s-2ea _ 9/3 360s-2ea _ 9/7 270s-2ea _ 9/9 360s-2ea _ 9/11 170s-2ea (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,600,000원
1741 2015-09-25 11시 12시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1742 2015-09-30 10시 11시 pch_Si 17s 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1743 2015-10-01 11시 12시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1744 2015-10-05 10시 14시 Si Pillar Etch Profile 평가
(조각 sample 4ea)		 전북대학교 전자공학부 김기현 280,000원
1745 2015-10-06 13시 16시 Si Pillar Etch Profile 평가 : 2.0um Target
(조각 sample 2ea) 		전북대학교 전자공학부 김기현 340,000원
1746 2015-10-06 9시 10시 Patterned SOI wafer 3매
target : Top Si = 50nm over etch 20%
 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 210,000원
1747 2015-10-07 13시 14시 top si 50nm etch (nanowire pattern) 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 70,000원
1748 2015-10-08 11시 12시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1749 2015-10-12 10시 11시 pch_Si 30초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1750 2015-10-13 10시 11시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1751 2015-10-14 10시 12시 3-2-2 RCSS GaN Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1752 2015-10-19 18시 18시 ROIC w/f PH PI etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 200,000원
1753 2015-10-20 12시 12시 TEOS w/f etch test 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 100,000원
1754 2015-10-20 17시 18시 5-2-1 CNT PE Oxide Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1755 2015-10-20 18시 19시 5-2-2 CNT Al2O3 Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1756 2015-10-20 19시 19시 ROIC w/f SH etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 500,000원
1757 2015-10-20 19시 20시 5-2-3 CNT SiN Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
1758 2015-10-20 20시 21시 5-2-4 CNT GaN Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
1759 2015-10-21 10시 11시 pch_Si 30초
pch_SiO2 38초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1760 2015-10-23 16시 17시 Patterned SOI wafer 3ea
Si Etching : Target Tsi =500Å (Over 20%)		 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 210,000원
1761 2015-10-26 10시 11시 Poly-Si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1762 2015-10-26 17시 17시 ROIC w/f SL Ti etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 200,000원
1763 2015-10-26 18시 18시 Draco dummy w/f PA SiN etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 200,000원
1764 2015-10-28 19시 19시 ROIC w/f OHO SiN etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 200,000원
1765 2015-10-29 11시 12시 Patterned SOI wafer 3ea
Etching : Al2O3 (~190A) + SiO2 (20A)		 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 210,000원
1766 2015-10-29 12시 13시 Top Si 100nm etch (ZEP520A PR mask) 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 70,000원
1767 2015-10-29 14시 16시 Oxide 320s - 2장 진행 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 380,000원
1768 2015-10-29 17시 17시 PE test dummy w/f RIOC alignkey oxide etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 200,000원
1769 2015-10-30 10시 11시 Oxide etching 조각용 1개

Poly-Si etching 4인치 웨이퍼 1장		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 140,000원
1770 2015-11-02 10시 16시 Silicon Etching 메이플세미컨덕터 생산운영팀 손기수 2,200,000원
1771 2015-11-02 15시 15시 ROIC w/f PO SiN etch 2매 / PI etch 2매 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 400,000원
1772 2015-11-03 10시 11시 Poly-Si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1773 2015-11-03 11시 15시 Silicon Etch : 10ea 광진테크 대표 박광형 500,000원
1774 2015-11-05 11시 12시 Top Si 250nm Etch 포항공과대학교 기계공학과 김인기 80,000원
1775 2015-11-06 10시 11시 Target: Si
Thickness : Tsi = 500A (over 20%)		 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 140,000원
1776 2015-11-06 11시 12시 front(polished) 548 nm oxide etch 20% over&
back(unpolished) 1um oxide etch 50% over

 포항공과대학교 전자과 백상원 140,000원
1777 2015-11-06 13시 13시 ROIC w/f PA SiN etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 200,000원
1778 2015-11-10 13시 14시 6inch 2ea
Si Etching : Thickness = 500A (over 20%)		 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 140,000원
1779 2015-11-12 13시 15시 1-3-6 Front Side Oxide Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 700,000원
1780 2015-11-13 10시 12시 6inch SOI wafer 2ea
 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 140,000원
1781 2015-11-16 10시 11시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1782 2015-11-18 13시 15시 11/6 Oxide Etch (50, 100, 150, 200, 500, 1000A) 전북대학교 전자공학부 김기현 420,000원
1783 2015-11-19 10시 12시 Oxide Etch (50, 100, 150, 200, 500, 1000A) 전북대학교 전자공학부 김기현 420,000원
1784 2015-11-19 14시 15시 SOI wafer Top Si ethcing (250nm) 포항공과대학교 기계공학과 김인기 80,000원
1785 2015-11-20 10시 11시 pch_Si 35초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1786 2015-11-20 11시 12시 Top Si 35nm etching
(PMMA mask)
시편은 1개입니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김인기 70,000원
1787 2015-11-20 12시 13시 SiC 6inch Wafer Loading Test (주)케이이씨 공정기술G 박선운 100,000원
1788 2015-11-23 10시 11시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1789 2015-11-23 9시 10시 pch_Si 35초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1790 2015-11-25 10시 11시 Top Si 35nm target etching 의뢰합니다.
Etchmask는 PMMA 입니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 80,000원
1791 2015-11-25 11시 12시 1-2-1 Al2O3 Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 50,000원
1792 2015-11-27 13시 16시 3220 MEMS IR Sensor_2015/11 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 1,000,000원
1793 2015-11-30 10시 13시 3220 MEMS IR Sensor_2015/11 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 1,000,000원
1794 2015-11-30 16시 18시 - 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 140,000원
1795 2015-12-01 10시 11시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1796 2015-12-01 11시 17시 Metal Etch 단위공정 평가
1. Al Etchrate 평가 : 3회
2. Ti/TiN/PR/Oxide Etchrate 각1회 Check		 (주) 이너센서 이너센서 강문식 0원
1797 2015-12-02 14시 17시 Poly Si etch 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 180,000원
1798 2015-12-02 9시 13시 Metal Etch Test
: Stack - TiN/Ti/Al(1.5um)/Ti Etch		 (주) 이너센서 이너센서 강문식 0원
1799 2015-12-03 14시 16시 3220 MEMS IR Sensor_2015/12 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 1,000,000원
1800 2015-12-04 10시 17시 SiC 소자 제작을 위한 SiC Etch 최적화 평가
(SC43 Sample 제작을 위한 SiC Etch Etchrate 및 Profile 평가)
적용 과제 : 4.0012478.06		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 700,000원
1801 2015-12-07 14시 15시 SiO2 550 nm etch (overetch 20%) 포항공과대학교 전자과 백상원 70,000원
1802 2015-12-07 15시 18시 3220 MEMS IR Sensor_2015/12 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 2,000,000원
1803 2015-12-07 9시 14시 PAD Etch Test
1. PE-Nitride, PE-Oxide, P/R Etchrate Check
2. TiN, Ti, Al, P/R Etchrate Check : 2회씩		 (주) 이너센서 이너센서 강문식 0원
1804 2015-12-08 10시 11시 Si Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 140,000원
1805 2015-12-08 11시 12시 6inch SOI Wafer 1ea
Si Etching : Target Tsi =500Å Over 20%		 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 70,000원
1806 2015-12-08 13시 14시 Polyimide Etch Test 전북대학교 전자공학부 김기현 70,000원
1807 2015-12-08 14시 16시 ICP SiO2 etching 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 180,000원
1808 2015-12-09 10시 12시 SiO2 2um on SiC (14x14mm-10ea) 한국전기연구원 전력반도체연구센터 나문경 190,000원
1809 2015-12-09 13시 14시 SiO2 식각 30s+40s+30s (6500 A target) 포항공과대학교 전자과 백상원 70,000원
1810 2015-12-09 14시 17시 Si Pillar Etch Profile Test
: 8inch Full Wafer Test : 2.0um Target		 전북대학교 전자공학부 김기현 510,000원
1811 2015-12-10 15시 16시 SIO2 550 nm etching 포항공과대학교 전자과 백상원 70,000원
1812 2015-12-11 15시 16시 SiO2 550 nm etching (30s+40s+30s) 포항공과대학교 전자과 백상원 70,000원
1813 2015-12-14 10시 11시 Oxide etching

샘플 3개

각각 pch_SiO2 7초, 8초, 12초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 210,000원
1814 2015-12-14 11시 12시 6inch Wafer 1EA (WF#6101)
Etching Target : Al2O3 200A + over 20%		 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 70,000원
1815 2015-12-14 11시 13시 Oxide Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 140,000원
1816 2015-12-14 13시 15시 Si 2um etch 전북대학교 전자공학부 김기현 340,000원
1817 2015-12-14 9시 10시 SiN Etch
40초, 50초, 60초, 70초 진행		 연세대학교 신소재공학과 김영모 270,000원
1818 2015-12-15 10시 11시 pch_Si 30 초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
1819 2015-12-15 11시 12시 Si on Glass Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 140,000원
1820 2015-12-15 14시 16시 Sog Etch Back Test 전북대학교 전자공학부 김기현 210,000원
1821 2015-12-16 10시 11시 thermal SiO2 250 nm etching overetch 20% 포항공과대학교 전자과 백상원 70,000원
1822 2015-12-16 15시 16시 Si Etching : Target Tsi =500Å Over 20% 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 70,000원
1823 2015-12-17 14시 15시 SiO2 etching 300nm target 포항공과대학교 전자과 백상원 70,000원
1824 2015-12-17 9시 11시 oxide mask 2um etching
PR mask		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 나문경 190,000원
1825 2015-12-18 11시 12시 Si 30nm Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1826 2015-12-21 13시 14시 Al2O3 200A + over 20% Etching 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 70,000원
1827 2015-12-21 9시 12시 SiC Oxide Etch 3매
Si Oxide Etch 1매		 LG 전자 ICS 팀 황의진 320,000원
1828 2015-12-22 14시 15시 시편은 SOI wafer 조각 3개입니다.
Top si 250nm Etching을 진행하려고 합니다. Etchmask는 Cr 50nm로 사용하였습니다.
280nm 정도 over etching 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김인기 70,000원
1829 2015-12-23 15시 16시 patterning 된 HfO2 thin film 에칭 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 80,000원
1830 2015-12-24 14시 15시 Poly-Si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1831 2015-12-28 15시 17시 SI pillar Etch : Hard Mask Margin Check 전북대학교 전자공학부 김기현 170,000원
1832 2015-12-29 10시 11시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1833 2015-12-29 12시 17시 Si Etch Profile 조절을 위한 Etch 공정 평가 : Slope 개선을 위한 단계별 공정 Tuning
적용 과제 : 4.001278.01		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 910,000원
1834 2016-01-06 16시 20시 Oxide 7000 A Etch
: 6inch 1ea + 4inch 4ea		 LG 전자 ICS 팀 황의진 400,000원
1835 2016-01-07 10시 11시 Oxide etching 조각 3개

Poly-Si etching 4인치 웨이퍼 1장		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 140,000원
1836 2016-01-07 15시 18시 Oxide Etch Profile Test
: Base 1ea, Split 3ea		 LG전자 ICS팀 김기민 320,000원
1837 2016-01-08 10시 11시 Oxide eching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1838 2016-01-11 14시 18시 Silicon Pillar 구조 형성 평가.
모래시계형 Etch Maximum Depth Test & Oxide Split		 전북대학교 전자공학부 김기현 540,000원
1839 2016-01-12 10시 19시 Oxide Etch Profile Test.
Para. Split Test : 3 * 3 회, Film Split : 1회.(동시 진행)
1.5um Full Etch : 1 회		 LG전자 ICS팀 김기민 980,000원
1840 2016-01-14 11시 12시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 70,000원
1841 2016-01-14 17시 20시 Poly silicon on glass Etch
Sample 8ea --> 2회 진행		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 140,000원
1842 2016-01-15 10시 11시 Target : 웨이퍼 뒷면 SiO2 20 nm

 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 70,000원
1843 2016-01-19 10시 16시 Oxide Etch : Profile Test
Parrameter Test : 3ea, Full Etching (1.5um) : 2ea		 LG전자 ICS팀 김기민 600,000원
1844 2016-01-21 9시 14시 Oxdie Etch 1.5um LG전자 SIC센터 ICS팀 김수진 900,000원
1845 2016-01-22 10시 11시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 140,000원
1846 2016-01-22 15시 16시 HfO2 etching 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 80,000원
1847 2016-01-22 9시 10시 T poly-Si 500A (M.E. 15sec)
샘플은 MFC 위에 두었습니다.		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1848 2016-01-22 9시 10시 1-3-1 SiN Etch 고려대학교 전기전자공학부 장환준 90,000원
1849 2016-01-26 13시 14시 Backside Al2O3 50A 건식식각 진행
LaF3면(앞면)이 뒤로가도록 진행
 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 70,000원
1850 2016-01-27 13시 17시 Poly Si etch 2매
SiC Oxide etch 3매		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 750,000원
1851 2016-01-27 17시 18시 Al2O3 Etch vs Si Etch Etchrate Test 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 0원
1852 2016-01-27 18시 19시 Poly Si on Glass Etch : 15sec 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
1853 2016-01-27 19시 20시 Oxide Hard mask Etch : 1.0um 포항공과대학교 전자과 백상원 70,000원
1854 2016-01-28 13시 15시 Si Etch 후 Surface Etching
공정 평가 & Sample 진행
 KEC 공정기술G 김상호 300,000원
1855 2016-01-28 9시 10시 Backside Al2O3 100A target 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 70,000원
1856 2016-01-29 10시 11시 샘플은 SOI wafer 조각 2개 입니다.
Top Si 250nm Etching을 하고자 합니다.
275~280nm Over etching 부탁드립니다.
Etch mask는 Cr(50nm) 입니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 80,000원
1857 2016-02-02 13시 15시 Si Etch 공정 평가 KEC 공정기술G 김상호 400,000원
1858 2016-02-03 10시 11시 HfO2 etching 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 80,000원
1859 2016-02-03 14시 15시 Top Si 260nm Etch 포항공과대학교 물리학과 하창우 80,000원
1860 2016-02-24 10시 12시 B gate Etching 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 70,000원
1861 2016-02-25 10시 11시 Top Si 260nm Etch 포항공과대학교 물리학과 하창우 80,000원
1862 2016-02-25 13시 15시 gate etching 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 70,000원
1863 2016-02-25 15시 17시 M Gate Etching 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 70,000원
1864 2016-02-26 10시 12시 SiO2 2um etch 1매 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 180,000원
1865 2016-03-02 10시 12시 Al2O3 Etching 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 135,000원
1866 2016-03-02 13시 15시 AL2O3 Contact Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 135,000원
1867 2016-03-02 15시 17시 Al Dry Etch 포항공과대학교 기계공학과 윤나리 135,000원
1868 2016-03-02 17시 19시 Oxide Etch 포항공과대학교 기계공학과 윤나리 135,000원
1869 2016-03-03 13시 15시 Al2O3 Via Etching 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 135,000원
1870 2016-03-03 9시 11시 3220 MEMS IR Sensor_2016/03_2회 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 1,100,000원
1871 2016-03-07 10시 11시 Wafer Oxide Etch 경남대학교 전자공학과 김성진 150,000원
1872 2016-03-07 15시 18시 3220 MEMS IR Sensor_2016/03_2회 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 1,100,000원
1873 2016-03-08 9시 18시 Oxiide 1.5um Target Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 775,000원
1874 2016-03-10 10시 11시 top si 50nm etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 135,000원
1875 2016-03-10 17시 18시 waveguide etching 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1876 2016-03-11 15시 16시 SOI wafer 조각 Top Si 260nm Etching 하려고 합니다.
280nm over etching 진행해주시면 감사하겠습니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 135,000원
1877 2016-03-14 13시 14시 GaN on sappphire 샘플 dry etching 진행 (350 nm) 경북대학교 전자공학 손동혁 210,000원
1878 2016-03-14 15시 17시 Polymer Etch Test 부산대학교 인지메카트로닉스공학과 박준한 205,000원
1879 2016-03-15 16시 17시 waveguide sample 제작 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1880 2016-03-16 10시 11시 waveguide 제작용도 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1881 2016-03-16 11시 12시 Top Poly Si Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
1882 2016-03-16 15시 20시 Plasma etching 영향성 평가
: CF4 Base - 100min Test		 (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 1,050,000원
1883 2016-03-17 13시 18시 Etch 공정 (NINT 팹사용료) 포항공과대학교 기계공학과 정화평 2,000,000원
1884 2016-03-17 9시 10시 1-2-1 Bottom Poly Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 170,000원
1885 2016-03-21 10시 12시 Oxide Hard Mask Etch : 2.0um 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 0원
1886 2016-03-22 10시 11시 pch_Si 10초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 135,000원
1887 2016-03-22 10시 14시 1-2-1 2nd Oxide Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 275,000원
1888 2016-03-22 13시 20시 SiC Etch Test : Si Etch Test
Ox : 0.5 / 1.0 / 2.0
Ni/Ti : 0.5 / 1.0 /1.5 / 2.0		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 0원
1889 2016-03-22 16시 17시 top si 70nm etching 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 170,000원
1890 2016-03-23 9시 19시 SiC Etch Test
Ox : 0.5 / 1.0 / 1.5 / 2.0 (SiC Target : Si * 4)
Ni/Ti : 0.5 / 1.0 / 2.0 (SiC Target : Si * 4)		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 0원
1891 2016-03-24 14시 15시 sample etching 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1892 2016-03-29 10시 11시 top si 100 nm etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 135,000원
1893 2016-03-29 11시 16시 압력센서 평가용 Cap Poly Etching
: 8400 A / 12000 A / 18000 A		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 355,000원
1894 2016-03-30 14시 16시 Thermal SiO2 800A etching 포항공과대학교 ITCE 정새벽 135,000원
1895 2016-04-01 14시 15시 Hard Mask Etching : Oxide 5000 A (주)니나노 기업부설연구소 박준영 0원
1896 2016-04-01 15시 16시 Oxide 3000 A Etch 포항공과대학교 고분자연구소 서정탁 140,000원
1897 2016-04-01 16시 17시 Al etch (250 nm) 포항공과대학교 전자전기공학과 김태희 135,000원
1898 2016-04-05 10시 12시 Si Trench Etch : 1.0um (주)니나노 기업부설연구소 박준영 0원
1899 2016-04-05 13시 16시 3220 MEMS IR Sensor_2016/03_2회 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 2,000,000원
1900 2016-04-06 13시 14시 1-3-1 Oxide Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 170,000원
1901 2016-04-06 14시 16시 1-3-2 Si Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 370,000원
1902 2016-04-07 13시 14시 Top Si Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
1903 2016-04-14 14시 15시 300nm Si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 135,000원
1904 2016-04-15 10시 11시 sample etching 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1905 2016-04-15 11시 12시 300nm Silicon etching 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 170,000원
1906 2016-04-15 13시 14시 Al 250 nm etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김태희 135,000원
1907 2016-04-18 13시 14시 sample etching 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1908 2016-04-20 15시 16시 etching 두께 test 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1909 2016-04-20 15시 16시 sample etching (115nm) 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1910 2016-04-22 11시 12시 Si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 135,000원
1911 2016-04-26 15시 16시 sample etching
SOI(Silicon 260nm, SiO2 2um)
PR : AR-N
Silicon 260nm etching		 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1912 2016-04-27 10시 12시 2-3-1 Cap Poly Etch
(w04 - Poly /Si W05 - Si)		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 205,000원
1913 2016-04-28 19시 20시 PI etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 250,000원
1914 2016-04-28 9시 10시 2-3-1 Front Side Al Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 170,000원
1915 2016-04-29 16시 17시 Si Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
1916 2016-05-02 10시 11시 etching 두께 테스트
 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1917 2016-05-03 11시 12시 etching 정도 확인 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1918 2016-05-09 16시 17시 silicon 260nm etching 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1919 2016-05-10 15시 16시 Poly-Si 50 nm etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 135,000원
1920 2016-05-11 14시 15시 SiO2 20nm + Si 70nm etching 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 135,000원
1921 2016-05-12 15시 16시 Poly-Si 50 nm etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 135,000원
1922 2016-05-18 14시 15시 sample 에칭 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1923 2016-05-18 17시 18시 Si etching depth 및 side profile 장비 확인 test 포항공과대학교 첨단재료과학부 유철종 140,000원
1924 2016-05-19 15시 16시 Si etching을 통한 Master mold 제작
 포항공과대학교 첨단재료과학부 유철종 140,000원
1925 2016-05-20 13시 14시 etching depth test 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1926 2016-05-23 10시 11시 1-2-1 Contact Nitride Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 170,000원
1927 2016-05-23 11시 12시 Mo etching

Recipe: Mo/Ti 20초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 135,000원
1928 2016-05-23 13시 14시 etching 정도 test 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1929 2016-05-23 14시 15시 PI etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 400,000원
1930 2016-05-23 17시 18시 sample etching 포항공과대학교 물리학과 하창우 180,000원
1931 2016-05-23 9시 11시 1-2-1 1st Bottom Poly Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 205,000원
1932 2016-05-24 13시 15시 Cap Process_Etch(16/05) (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 1,100,000원
1933 2016-05-24 17시 19시 GaN Etch : 300nm
Sample 6ea		 경북대학교 전자공학과 임기식 150,000원
1934 2016-05-25 11시 12시 Mo etching

Recipe: Mo/Ti 40초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 135,000원
1935 2016-05-27 11시 12시 1. Mo etching - Recipe: Mo/Ti 60초

2. Poly-Si etching - Recipe: pch_SiO2 2초 + pch_Si 25초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 170,000원
1936 2016-05-27 13시 14시 sample etching 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1937 2016-05-30 11시 12시 Mo etching

Recipe: Mo/Ti 50초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 135,000원
1938 2016-05-30 13시 14시 Ge Etching 고려대학교 전기전자공학부 장환준 228,000원
1939 2016-05-30 14시 15시 TiN Etch 경북대학교 전자공학과 임기식 150,000원
1940 2016-05-30 14시 15시 300nm 식각 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 135,000원
1941 2016-05-31 11시 12시 300 nm etching 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 156,000원
1942 2016-06-02 10시 11시 PI test용 PI etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 250,000원
1943 2016-06-02 13시 14시 실리콘 3마으크로 식각 전북대학교 전자공학부 김기현 135,000원
1944 2016-06-02 14시 15시 Graphene/Al2O3/hBN/Al2O3 on Si etching test 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 140,000원
1945 2016-06-07 10시 11시 waveguide etching 포항공과대학교 물리학과 하창우 180,000원
1946 2016-06-07 15시 17시 3220 MEMS IR Sensor_2016/06_계약 3-1회 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 1,100,000원
1947 2016-06-09 13시 14시 Si Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
1948 2016-06-10 10시 11시 pch_Si 25초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 135,000원
1949 2016-06-10 11시 12시 1. Poly-Si etching: pch_SiO2 2초
pch_Si 25초
2. Mo etching: Mo/Ti 60초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 135,000원
1950 2016-06-13 14시 15시 PI Etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 150,000원
1951 2016-06-13 16시 17시 si 70nm etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 135,000원
1952 2016-06-15 11시 12시 Mo etching

Recipe: Mo/Ti 30초

Cl2/O2=70/60 sccm, pressure = 13 mTorr,
source/bias RF power = 150/100W		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 135,000원
1953 2016-06-15 12시 14시 2-2-1 2nd Oxide Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 505,000원
1954 2016-06-15 17시 18시 NW Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 205,000원
1955 2016-06-16 13시 14시 Mo Etch Test : 15sec 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 135,000원
1956 2016-06-16 14시 15시 SiO2 Etch : 2ea
Si etching : 2회
마지막 진행 조건 : 5000 A 2ea + 10000 A 1ea		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 340,000원
1957 2016-06-21 12시 13시 Si 260nm Etch 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1958 2016-06-21 13시 14시 PR 마스크를 사용해서 SOI wafer Top si (260nm) etching 진행하려고 합니다.

275nm 오버에칭 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김인기 135,000원
1959 2016-06-21 15시 16시 나노융합 전문인력양성 교육 프로그램_Etch 위덕대학교 정보통신공학부 이재성 2,100,000원
1960 2016-06-23 18시 19시 PH test PI etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 300,000원
1961 2016-06-27 10시 11시 Active Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 205,000원
1962 2016-06-27 11시 12시 Mo etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 135,000원
1963 2016-06-27 13시 14시 Oxide Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 170,000원
1964 2016-06-27 14시 15시 Top Si 100nm target 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 205,000원
1965 2016-06-27 14시 16시 SI Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 570,000원
1966 2016-06-27 15시 16시 Oxide Etch 3회
 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 205,000원
1967 2016-06-27 15시 16시 waveguide 에칭 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1968 2016-06-27 17시 18시 Si Etch 3회 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 305,000원
1969 2016-06-28 13시 14시 pch_Si 20초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 135,000원
1970 2016-06-28 14시 15시 에칭 포항공과대학교 물리학과 하창우 180,000원
1971 2016-06-29 14시 15시 SiN 식각을 위한 단계 (주) 이너센서 연구개발전담부 우종창 1,000,000원
1972 2016-06-30 10시 11시 waveguide 에칭 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1973 2016-06-30 11시 12시 Mo etching

Recipe: Z-Mo 15초

source/RF power를 150/100 W에서 80/50 W로 바꿔서 진행해주시길 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 135,000원
1974 2016-07-01 10시 11시 Z-Mo 20초 진행

pch_SiO2 20초 진행		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 135,000원
1975 2016-07-01 11시 12시 test 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1976 2016-07-01 14시 15시 grating etching 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1977 2016-07-04 10시 11시 pch_SiO2 17초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 135,000원
1978 2016-07-05 10시 11시 PR 마스크를 사용해서 SOI wafer Top si (260nm) etching 진행하려고 합니다.

275nm 오버에칭 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김인기 135,000원
1979 2016-07-05 11시 13시 Si 1.xum Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 640,000원
1980 2016-07-06 10시 11시 1) pch_SiO2 7초
2) pch_SiO2 2" & 30"		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 170,000원
1981 2016-07-06 14시 15시 waveguide, grating 에칭 포항공과대학교 물리학과 하창우 180,000원
1982 2016-07-06 15시 16시 Mo Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 135,000원
1983 2016-07-07 10시 11시 SOI wafer 조각 Top Si 35nm 에칭부탁드립니다!
에칭 마스크는 PMMA (이빔용 포토레지스트)입니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김인기 135,000원
1984 2016-07-07 13시 14시 Si Etch 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1985 2016-07-07 14시 18시 Ti etch. 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 350,000원
1986 2016-07-08 10시 11시 Top Si 100nm etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 135,000원
1987 2016-07-08 13시 14시 30s etching 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1988 2016-07-12 10시 12시 Si Etch : 1.xum 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 542,500원
1989 2016-07-12 13시 14시 grating etching 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1990 2016-07-13 13시 14시 grating etching 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1991 2016-07-15 14시 15시 Oxide Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 135,000원
1992 2016-07-19 10시 11시 PR 마스크를 이용해서 Si 30nm etching 진행하고자 합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김인기 135,000원
1993 2016-07-19 13시 14시 grating etching 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1994 2016-07-21 10시 11시 SOI 260nm etching 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
1995 2016-07-21 11시 12시 PR 마스크를 사용해서 SOI wafer Top si (260nm) etching 진행하려고 합니다.

275nm 오버에칭 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김인기 135,000원
1996 2016-07-21 13시 14시 Oxide etch : 25nm 조각 진행 (4개)
Oxide etch : 260nm 조각 진행 (2개)
 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 170,000원
1997 2016-07-21 14시 15시 Top Si Etch : 60nm 조각 4개 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 135,000원
1998 2016-07-21 17시 18시 SiNx 박막 test PH PI etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 200,000원
1999 2016-07-22 16시 17시 grating 에칭 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
2000 2016-07-26 16시 17시 SOI wafer조각 Top Si 30nm 타겟 에칭 진행하고자 합니다.
에칭 마스크는 PR 입니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김인기 135,000원
2001 2016-07-26 9시 12시 3220 MEMS IR Sensor_2016/07_계약 3-2회 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 1,100,000원
2002 2016-07-27 15시 16시 Si 260nm etching 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
2003 2016-07-28 14시 15시 grating etching 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
2004 2016-08-02 16시 17시 waveguide etching 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
2005 2016-08-03 11시 12시 grating etching 27.2s 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
2006 2016-08-05 13시 14시 waveguide 에칭 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
2007 2016-08-09 10시 12시 6inch PI etch(pad open) 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 350,000원
2008 2016-08-09 11시 12시 Top Si Etch 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
2009 2016-08-17 16시 17시 Si 260nm etching 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
2010 2016-08-18 13시 14시 grating 포항공과대학교 물리학과 하창우 180,000원
2011 2016-08-19 10시 11시 grating 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
2012 2016-08-19 15시 16시 Oxide 1000A , 5000A 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 170,000원
2013 2016-08-19 16시 17시 Si 3um Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 350,000원
2014 2016-08-22 13시 14시 Si Etch 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
2015 2016-08-22 15시 18시 oxide etch : 18000 A KEC 기술2G 김범수 250,000원
2016 2016-08-22 9시 10시 Si Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
2017 2016-08-23 10시 11시 1. pch_SiO2 43s
2. pch_Si 25s		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 135,000원
2018 2016-08-23 11시 12시 Al2O3 Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
2019 2016-08-23 13시 14시 SOI 260nm etching 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
2020 2016-08-23 9시 10시 Etch (주)니나노 기업부설연구소 박준영 500,000원
2021 2016-08-24 13시 14시 grating etching 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
2022 2016-08-24 14시 15시 PH hole test PI etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 150,000원
2023 2016-08-25 15시 16시 Oxide+Poly-Si etching

Oxide 120 nm/ Poly-Si 50 nm etching		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 135,000원
2024 2016-08-25 16시 17시 Al2O3 15초 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
2025 2016-08-26 10시 11시 Top Si: 275nm 오버에칭 (Top Si 260nm 에칭 목적) 포항공과대학교 기계공학과 김인기 135,000원
2026 2016-08-26 14시 15시 Top Si 100nm etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 135,000원
2027 2016-08-29 10시 11시 pch_SiO2 20초

SiO2 2초 / Si 10초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 170,000원
2028 2016-08-29 13시 18시 나노융합 전문인력양성 교육 프로그램_Etch 대구대학교 중앙기기원 차정호 2,000,000원
2029 2016-08-30 10시 11시 pch_SiO2 10초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 135,000원
2030 2016-08-30 13시 15시 3220 MEMS IR Sensor_2016/08_계약 3-3회 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 1,600,000원
2031 2016-09-01 10시 11시 SOI 260nm 에칭 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
2032 2016-09-01 14시 15시 oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 135,000원
2033 2016-09-01 9시 10시 pch_SiO2 10초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 170,000원
2034 2016-09-05 10시 11시 pch_Si 25초

SiO2 48초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 170,000원
2035 2016-09-05 16시 17시 test용 PI/SiNx etch (개별진행) 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 800,000원
2036 2016-09-06 10시 11시 1. Z-Mo 100nm
2. pch_SiO2 900nm
3. pch_Si 50nm

SiO2 10s		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 170,000원
2037 2016-09-06 11시 12시 1번 샘플 (9개) - poly-Si etching
Recipe: 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 25초

2번 샘플 (2개) - oxide etching
Recipe: pch_SiO2 10초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 170,000원
2038 2016-09-06 14시 15시 pch_SiO2 30nm (오전 공정 후 오후 공정 진행 예정입니다. 두 번 의뢰) 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 135,000원
2039 2016-09-07 10시 12시 Si H.M Oxide Etch 1.0um (주)니나노 기업부설연구소 박준영 0원
2040 2016-09-07 17시 19시 Si Etch : 2.0um (주)니나노 기업부설연구소 박준영 0원
2041 2016-09-12 13시 14시 SiO2 2um etching 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 245,000원
2042 2016-09-12 14시 15시 Polysi 3000A etching 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 145,000원
2043 2016-09-21 10시 11시 pch_SiO2 4초
SiO2 2초 Si 10초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 170,000원
2044 2016-09-21 11시 12시 grating etching 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
2045 2016-09-26 10시 11시 pch_SiO2 7초
pch SiO2 2초 Si 20초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 170,000원
2046 2016-09-26 14시 15시 Poly-Si etch

Recipe: 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 25초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 135,000원
2047 2016-09-26 15시 17시 Cap Process_9매(16/08) (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 1,200,000원
2048 2016-09-27 10시 11시 pch_SiO2 20 초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 135,000원
2049 2016-09-27 14시 15시 sio2 2um etch 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 245,000원
2050 2016-09-27 15시 16시 poly si 3000A etch
 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 145,000원
2051 2016-09-28 10시 11시 Mo _ SiO2 etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 170,000원
2052 2016-09-28 11시 12시 Mo/Oxide etching

Recipe: 1. Z-Mo (O2 gas 포함 recipe) 30초
2. pch_SiO2 27초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 135,000원
2053 2016-09-28 9시 10시 waveguide etching 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
2054 2016-09-29 13시 14시 grating, waveguide 에칭 포항공과대학교 물리학과 하창우 180,000원
2055 2016-10-04 11시 12시 waveguide 에칭 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
2056 2016-10-04 13시 14시 300nm 에칭 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 128,000원
2057 2016-10-04 14시 17시 미래부 나노융합기술교육_ET 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 2,100,000원
2058 2016-10-05 10시 11시 grating etching 포스텍 물리학과 신원철 140,000원
2059 2016-10-10 10시 11시 pch_SiO2 40초 + pch_Si 25초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 135,000원
2060 2016-10-12 11시 12시 Poly Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
2061 2016-10-13 10시 11시 옥사이드 에칭 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 135,000원
2062 2016-10-13 14시 15시 100nm top si 에칭 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 135,000원
2063 2016-10-14 10시 11시 waveguide etching 포스텍 물리학과 신원철 135,000원
2064 2016-10-14 11시 12시 top si 100nm etchig 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 135,000원
2065 2016-10-18 10시 11시 pch_Si 10초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 135,000원
2066 2016-10-19 14시 15시 waveguide 에칭 포스텍 물리학과 신원철 140,000원
2067 2016-10-20 16시 17시 waveguide 에칭 포스텍 물리학과 신원철 140,000원
2068 2016-10-21 11시 12시 Si Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 170,000원
2069 2016-10-21 16시 17시 grating 에칭 포스텍 물리학과 신원철 140,000원
2070 2016-10-25 10시 11시 pch_Si 25초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 135,000원
2071 2016-10-25 11시 12시 Top Si 100nm 식각 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 135,000원
2072 2016-10-26 9시 10시 pch_SiO2 60초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 135,000원
2073 2016-10-27 10시 11시 back side _ SiO2 2um, Al 1um, PR 2um depo. 포항공과대학교 전자과 백상원 135,000원
2074 2016-10-27 14시 15시 backside : Su-8 PR 1.7 um.
CF4 : O2 12:1 recipe (PR:Si 1:1.2)		 포항공과대학교 전자과 백상원 305,000원
2075 2016-10-27 18시 19시 oxide etch 평가 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 200,000원
2076 2016-10-27 9시 10시 pch_Si 25초

MO 40sec		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 170,000원
2077 2016-10-31 9시 10시 pch_SiO2 (오전진행 부탁드립니다)

Mo		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 170,000원
2078 2016-11-01 16시 17시 a-Si 365nm 에칭 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 135,000원
2079 2016-11-02 13시 14시 Oxide 6200A Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 135,000원
2080 2016-11-02 15시 17시 나노융합 전문인력양성 교육_Etch 계명대학교 화학공학과 서숭혁 3,100,000원
2081 2016-11-03 10시 11시 1-2-1 AKEY Nitride/Oxide Dry Etch
 (주) 이너센서 이너센서 강문식 250,000원
2082 2016-11-03 11시 12시 1-2-1 AKEY Si Etch (주) 이너센서 이너센서 강문식 250,000원
2083 2016-11-03 12시 13시 1-2-2 AKEY SiC Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 135,000원
2084 2016-11-03 12시 13시 1-2-1 AKEY Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 135,000원
2085 2016-11-03 13시 14시 1-2-1 1st SI Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 170,000원
2086 2016-11-04 10시 11시 폴리이미드 etch (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 300,000원
2087 2016-11-04 11시 12시 a-Si 365nm 에칭 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 135,000원
2088 2016-11-04 15시 16시 glass 기판위에 Si 220nm가 증착되어 있습니다.
Cr을 에칭마스크로 해서 에칭을 진행하려고 합니다. 240nm 정도 오버에칭 진행해주시면 감사하겠습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김인기 135,000원
2089 2016-11-07 10시 11시 Poly-Si etching

1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 25초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 135,000원
2090 2016-11-07 11시 12시 a-Si 365nm etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 135,000원
2091 2016-11-07 13시 16시 grating 2nd Si Etch : 0.92um 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 170,000원
2092 2016-11-07 18시 19시 Si 1.0um Etching Test 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 135,000원
2093 2016-11-07 19시 20시 Sand Glass Etch 평가 : Oxide 6500 A Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 135,000원
2094 2016-11-07 20시 22시 Sand Glass Etch 평가 : Si Etch 4.0um 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 235,000원
2095 2016-11-08 10시 11시 2-2-1 Bevel SiC NL Etch 1.5um 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 235,000원
2096 2016-11-08 10시 11시 Si etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 135,000원
2097 2016-11-08 14시 15시 PI hole etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 200,000원
2098 2016-11-08 17시 18시 glass 기판위에 PECVD로 올린 amorphous Top Si 220nm 에칭 진행하려고 합니다.
(지난번에 진행했던 샘플의 결과는 어느정도 괜찮았습니다. 비슷한 조건으로 진행해주시면 될 것 같습니다.)
250nm 정도 에칭 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김인기 135,000원
2099 2016-11-09 10시 12시 4-4-1 4th Seal Oxide Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 170,000원
2100 2016-11-09 11시 12시 Mo / Oxide etching

Recipe: 1. Z-Mo 30초
2. pch_SiO2 35초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 170,000원
2101 2016-11-09 14시 16시 Poly Silicon Etch 평가.
Poly Etchrate 측정 평가 + Over Etch Target Split (3000A/4000A)		 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 250,000원
2102 2016-11-09 17시 18시 Top Si 250nm 에칭 진행하려고 합니다.
에칭 마스크는 Cr이고 SOI wafer의 Top Si 두께는 250nm 입니다. 270nm 정도 오버에칭 진행해주시면 될것 같습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김인기 135,000원
2103 2016-11-10 14시 15시 Glass 기판위에 PECVD로 증착된 a-Si 150nm 에칭하려고 합니다.
170-180nm 정도 오버에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 135,000원
2104 2016-11-10 9시 10시 Top Si 70nm etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 135,000원
2105 2016-11-11 11시 12시 top si 70nm 에칭 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 135,000원
2106 2016-11-14 11시 12시 glass 기판위에 PECVD로 증착한 a-Si 220nm 구조 에칭 진행하려고 합니다.
240-250nm 정도 오버에칭 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김인기 135,000원
2107 2016-11-14 13시 14시 etching 포스텍 물리학과 신원철 140,000원
2108 2016-11-14 15시 16시 a-Si etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 135,000원
2109 2016-11-14 16시 18시 Cap Process 19ea_Etch (16/11) 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 2,100,000원
2110 2016-11-15 11시 12시 si 70nm etching 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 135,000원
2111 2016-11-15 13시 15시 waveguide etching 포스텍 물리학과 신원철 140,000원
2112 2016-11-16 10시 11시 17uPFD Polyimide etch
 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 200,000원
2113 2016-11-16 16시 17시 si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 170,000원
2114 2016-11-16 17시 19시 에칭 포스텍 물리학과 신원철 260,000원
2115 2016-11-17 17시 18시 1-2-2 AKEY SiC Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 205,000원
2116 2016-11-17 17시 18시 1-2-1 AKEY Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 205,000원
2117 2016-11-17 17시 18시 top si 70 nm etching 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 170,000원
2118 2016-11-17 9시 11시 Sandglass depth 3um
(Add 1.0um 적용)		 전북대학교 전자공학부 김기현 370,000원
2119 2016-11-18 14시 15시 Top Si 70nm target etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 135,000원
2120 2016-11-21 13시 14시 5-2-1 5th Contact Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 170,000원
2121 2016-11-21 14시 15시 Oxide etching

Recipe: pch_SiO2 3초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 135,000원
2122 2016-11-21 16시 17시 70nm top Si 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 135,000원
2123 2016-11-22 10시 11시 PI, SiNx etch (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 200,000원
2124 2016-11-22 11시 12시 a-Si 365nm etching (120s) 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 135,000원
2125 2016-11-22 15시 16시 Al2O3 Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 135,000원
2126 2016-11-22 16시 17시 70nm si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 135,000원
2127 2016-11-22 9시 10시 si 70 nm etching 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 135,000원
2128 2016-11-23 10시 11시 waveguide etching 포스텍 물리학과 신원철 140,000원
2129 2016-11-24 10시 11시 waveguide etching 포스텍 물리학과 신원철 140,000원
2130 2016-11-24 11시 12시 PE ox 20nm, Si NW 100 nm etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 135,000원
2131 2016-11-25 15시 17시 Si 1um ethicng 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 170,000원
2132 2016-11-28 10시 11시 grating etching 포스텍 물리학과 신원철 140,000원
2133 2016-11-28 11시 12시 Top Si 100 nm target etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 135,000원
2134 2016-11-29 10시 11시 ebeam pattern Si NW 포항공과대학교 전자과 백상원 135,000원
2135 2016-11-29 11시 12시 Silicon transistor의 channel 부분 patterning
: 조각 sample 7ea --> 2회로 진행		 UNIST 신소재공학부 장지욱 200,000원
2136 2016-11-29 9시 10시 pch_Si 25초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 135,000원
2137 2016-11-30 10시 11시 17uPFD PO1 layer SiNx 2000A etch (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 300,000원
2138 2016-12-01 10시 13시 Hard Mask Oxide 1.0um Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 240,000원
2139 2016-12-01 13시 18시 Si Dot Etch : 2.5um 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,040,000원
2140 2016-12-06 10시 18시 SiC 기술사업화 장비사용 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 5,100,000원
2141 2016-12-07 10시 11시 grating etching 포항공과대학교 물리학과 하창우 140,000원
2142 2016-12-07 15시 16시 SiNx Etch & PI etch (2회) 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 200,000원
2143 2016-12-07 16시 17시 Si 1.0um 이상 Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 135,000원
2144 2016-12-12 10시 11시 1-2-1 Pattern Oxide Dry Etch (2500A) 광운대학교 전자과 김병목 150,000원
2145 2016-12-12 10시 11시 1-2-1 Pattern Oxide Dry Etch (5000A) 광운대학교 전자과 김병목 150,000원
2146 2016-12-12 11시 12시 1-2-1 Pattern Oxide Dry Etch (7500A) 광운대학교 전자과 김병목 150,000원
2147 2016-12-12 11시 12시 1-2-1 Pattern Oxide Dry Etch (10000A) 광운대학교 전자과 김병목 150,000원
2148 2016-12-12 15시 16시 SiN 3000A Etch (조각 3) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 135,000원
2149 2016-12-13 17시 18시 17uPFD-PH
polyimide etch		 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 300,000원
2150 2016-12-14 10시 11시 pch_SiO2 6초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 135,000원
2151 2016-12-14 11시 14시 실리콘 300 nm etching (PR 패터닝 있음) UNIST 신소재공학부 장지욱 250,000원
2152 2016-12-14 9시 10시 OXide 30s Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 135,000원
2153 2016-12-15 10시 11시 SiNx 및 Si etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 250,000원
2154 2016-12-15 16시 17시 17uPFD SH SiNx etch (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 300,000원
2155 2016-12-19 10시 11시 top Si 70 nm 에칭 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 135,000원
2156 2016-12-19 10시 11시 조각 SiN Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 135,000원
2157 2016-12-19 14시 15시 Ti etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 250,000원
2158 2016-12-19 17시 18시 a-Si 220nm 에칭 진행하려고 합니다.
240-250nm 오버에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 135,000원
2159 2016-12-20 14시 15시 17uPFD-SL metal etch - Ti 300A (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 300,000원
2160 2016-12-21 11시 12시 조각 SiN Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 135,000원
2161 2016-12-22 15시 16시 poly-Si 128nm etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 135,000원
2162 2016-12-22 16시 17시 17uPFD-OHO SiNx etch (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 300,000원
2163 2016-12-23 10시 11시 17uPFD-PO SiNx 2000A / polyimide 2um etch (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 500,000원
2164 2016-12-23 15시 16시 poly-Si etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 135,000원
2165 2016-12-26 11시 12시 glass 기판위에 증착된 a-Si 280nm를 에칭하려고 합니다.
에칭 마스크는 크롬, PR 2종류 입니다.
300nm 오버에칭 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김인기 135,000원
2166 2016-12-26 17시 18시 Oxide - Si Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 170,000원
2167 2016-12-27 09시 10시 top si 70 nm etching 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 135,000원
2168 2016-12-27 10시 12시 Si 1um 식각 전북대학교 전자공학부 김기현 345,000원
2169 2016-12-27 11시 12시 Oxide 3400A Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 135,000원
2170 2016-12-27 15시 16시 SiNx etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 200,000원
2171 2016-12-27 17시 18시 ITO 150 nm / Si 1um dry etching 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 170,000원
2172 2016-12-29 10시 12시 Si target 50 nm 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 170,000원
2173 2016-12-29 13시 14시 17uPFD-PO1(2nd) SiNx / TEOS etch (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 250,000원
2174 2016-12-30 10시 11시 Oxide 3100A 식각 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 135,000원
2175 2017-01-03 11시 12시 17uPFD-RF(2nd) Ti 1000A etch (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 205,000원
2176 2017-01-03 13시 14시 200nm nano-dot pattern 시편 Oxide 3000A 식각
(체크 표시한 샘플 1개, DMS 장비 앞에 두었습니다)		 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 135,000원
2177 2017-01-05 10시 11시 BSA TEST - Silicon 1300A etch(35sec) (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 135,000원
2178 2017-01-05 15시 16시 협의후 진행 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 240,000원
2179 2017-01-05 9시 10시 나노닷 패턴 시편 Oxide 3000A 식각 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 135,000원
2180 2017-01-06 10시 11시 pch_SiO2 15초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 170,000원
2181 2017-01-06 11시 13시 Top Si 300 nm 두께의 SOI wafer patterning 용 식각 의뢰 입니다.
이전 조건 처럼 Si 400 nm 정도 깎는 조건으로 해 주시면 될 것 같습니다.		 UNIST 신소재공학부 장지욱 150,000원
2182 2017-01-09 14시 15시 Oxide 3000A ETch 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 135,000원
2183 2017-01-09 9시 10시 pch_SiO2 36초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 170,000원
2184 2017-01-10 18시 19시 17uPFD-PA SiNx etch (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 156,000원
2185 2017-01-10 8시 9시 z-Mo 35초 / pch_SiO2 34초 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 170,000원
2186 2017-01-11 14시 15시 PR 마스크를 이용해서 에칭 테스트를 진행하고자 합니다.
Cl2+BCl3 gas를 이용해서 1분 50초 정도 에칭 진행 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김인기 135,000원
2187 2017-01-11 15시 16시 poly-Si 118nm etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 135,000원
2188 2017-01-12 10시 18시 Oxide Etch Cond. 100min 진행 (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 1,050,000원
2189 2017-01-13 15시 16시 poly-Si 118nm etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 135,000원
2190 2017-01-17 10시 14시 MEMS 기술사업화 계약_Etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 2,100,000원
2191 2017-01-18 10시 11시 17uPFD-SH SiNx 1500A etch (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 184,000원
2192 2017-01-18 9시 10시 BSA test SiO2 etch 2000A (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 170,000원
2193 2017-01-19 13시 14시 BSA test SiO2 2000A etch (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 170,000원
2194 2017-01-19 14시 15시 17uPFD-SL Ti 300A etch (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 205,000원
2195 2017-01-20 13시 14시 Oxide 3000A etching의뢰 (dot pattern 200 nm 형성) 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 135,000원
2196 2017-01-24 10시 17시 SiC 기술사업화_Etch (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 5,100,000원
2197 2017-01-25 14시 15시 Cl2+BCl3 etching
Cl2/BCl3 2/10 sccm @RT
1min 50 sec		 포항공과대학교 기계공학과 김인기 135,000원
2198 2017-01-25 15시 16시 top si 50 nm etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 135,000원
2199 2017-01-25 9시 12시 SiC 기술사업화_Etch (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,600,000원
2200 2017-01-31 11시 12시 SGQ3562-OHO SiNx 300A Etch (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 184,000원
2201 2017-01-31 15시 16시 70 nm Si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 135,000원
2202 2017-02-01 11시 12시 Oxide 6000 A Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 170,000원
2203 2017-02-01 13시 14시 PR etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 184,000원
2204 2017-02-02 15시 16시 Inductive Power: 200W
RF Power: 200W
BCl3 30 sccm @ 50degC
10m Torr
1min 50sec etching		 포항공과대학교 기계공학과 김인기 135,000원
2205 2017-02-03 14시 15시 poly-Si 120nm etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 135,000원
2206 2017-02-06 10시 11시 Oxide Hard Mask Etch : 7500 A 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 170,000원
2207 2017-02-06 13시 14시 nano dot 100/150/200 nm 형성 조각

Oxide 300nm + 10% over etching 의뢰		 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 135,000원
2208 2017-02-06 14시 15시 SOI , silicon 층 260nm 풀에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 물리학과 하창우 135,000원
2209 2017-02-06 15시 17시 Si Etch : 2.5um Target 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 570,000원
2210 2017-02-07 10시 11시 Si 100nm target etch 포항공과대학교 정보전자융합공학부 박찬오 135,000원
2211 2017-02-07 14시 16시 Target Si 50 nm Dry etching 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 170,000원
2212 2017-02-08 13시 14시 SGQ3562-PA SiNx etch (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 184,000원
2213 2017-02-09 13시 14시 oxide 300nm + 10% over etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 135,000원
2214 2017-02-13 16시 19시 Wafer 정보: LED 샘플 (sapphire / n-AlGaN / AlGaN MQW / p-AlGaN / p-GaN (200nm)) 에서 p-GaN 부분만 180nm etching.

Cl2 gas base : 40sec, 60sec, 80sec Split

Etching thickness 조건 위하여 3개의 조각 샘플을 서로 다른 etching 시간으로 공정 부탁드립니다.
(샘플 1: 40s etching , 샘플 2: 60s etching, 샘플3: 80s etching)

샘플을 공정 의뢰함에 넣어 두겠습니다.
공정 하신 후, 010-7255-2605 로 연락 부탁 드리겠습니다. 		포항공과대학교 신소재공학과 이종원 220,000원
2215 2017-02-13 9시 10시 Oxide 300 nm 식각 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 135,000원
2216 2017-02-14 10시 18시 SiC 기술사업화_Etch (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 4,100,000원
2217 2017-02-15 13시 16시 LED (sapphire /AlGaN / GaN)

어제 하셨던 공정 조건 (Cl2 gas base)로
모든 샘플 한 번에 80s 로 에칭 부탁드립니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 이종원 140,000원
2218 2017-02-16 10시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 2,600,000원
2219 2017-02-20 11시 12시 Poly-Si 50 nm etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 135,000원
2220 2017-02-21 14시 15시 Poly-Si 50 nm etching

Recipe 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 25초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 135,000원
2221 2017-02-22 13시 14시 Oxide 600nm Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 135,000원
2222 2017-02-22 14시 16시 SiO2 1.5um Etch 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 700,000원
2223 2017-02-23 10시 12시 Oxide Etch 1.5um 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 700,000원
2224 2017-02-27 18시 19시 142nm Top Si etching 포항공과대학교 전기전자공학과 김성지 135,000원
2225 2017-02-27 18시 19시 Oxide 6000 A Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 135,000원
2226 2017-03-02 10시 17시 Al2O3 복합체
Plasma Etch 영향성 평가 : Time Split		 (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 1,500,000원
2227 2017-03-06 15시 16시 TiN Etch : 조각 4개
(U-TiOE 조건 : 20sec)		 경북대학교 전자공학과 임기식 150,000원
2228 2017-03-07 10시 17시 Plasma Etch 영향성 평가 : 시편 4ea (100min) (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 1,050,000원
2229 2017-03-10 13시 15시 oxide 300nm etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 135,000원
2230 2017-03-14 11시 12시 top si 140nm etching (20 nm sio2층이 있음) 포항공과대학교 전기전자공학과 김성지 135,000원
2231 2017-03-15 9시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 2,600,000원
2232 2017-03-16 11시 15시 Lot #1, #4
SOI WF
Target: Top Si 100 nm		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 170,000원
2233 2017-03-17 13시 14시 TiN Etch 경북대학교 전자공학과 임기식 150,000원
2234 2017-03-17 14시 15시 SiO2 6000A Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 135,000원
2235 2017-03-17 15시 17시 Si 3um Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 235,000원
2236 2017-03-20 11시 12시 a-Si 210nm 에칭 진행하고자 합니다.
230nm 오버에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 135,000원
2237 2017-03-20 15시 16시 poly-Si 130nm etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 135,000원
2238 2017-03-22 11시 12시 waveguide etching 포스텍 물리학과 신원철 170,000원
2239 2017-03-23 11시 12시 Poly-Si etching

Recipe: 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 25초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 135,000원
2240 2017-03-23 13시 14시 Oxide Ecth 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 135,000원
2241 2017-03-24 11시 12시 poly Si 140nm etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 85,000원
2242 2017-03-24 12시 13시 Si 200nm etching 포항공과대학교 전자전기공학과 최원영 135,000원
2243 2017-03-28 10시 11시 Si 500 nm etching 포항공과대학교 전자전기공학과 최원영 135,000원
2244 2017-03-30 12시 13시 LED (sapphire /AlGaN / GaN) + PR coating. GaN 부분 etching
2/15일쯤 진행하셨던 공정 조건 (Cl2 gas base)로 모든 샘플 한 번에 82초 정도로 에칭 부탁드립니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 이종원 140,000원
2245 2017-03-30 13시 14시 Poly-Si 50 nm etch

Recipe: 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 25초

*Etcher 방에 Thermal compound가 거의 다 떨어져서 굳어서 샘플이 잘 붙질 않습니다.
보충해주시면 감사하겠습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 135,000원
2246 2017-03-31 10시 11시 Poly-Si etching

Recipe: 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 25초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 135,000원
2247 2017-04-03 16시 17시 etching 포스텍 물리학과 신원철 137,500원
2248 2017-04-03 9시 10시 1-2-1 1st Poly Dry Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 137,500원
2249 2017-04-04 11시 12시 SiNx etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 240,000원
2250 2017-04-04 13시 22시 Slide Glass(235ea)_Glass Etch 2000A 포항공과대학교 화학과 박수현 10,000,000원
2251 2017-04-05 10시 17시 Etch Plasma 영향성 평가 : 100min (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 1,050,000원
2252 2017-04-06 10시 13시 CVD SiC Etch : 0.2um 4ea, 0.5um 2ea 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 325,000원
2253 2017-04-06 14시 16시 Poly Si Etch : 0.5um 4ea 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 250,000원
2254 2017-04-07 11시 12시 Si 150nm etching. Over etching은 빼주세요~ 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 137,500원
2255 2017-04-07 14시 15시 Poly-Si etching

Recipe: 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 25초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2256 2017-04-10 11시 12시 poly-Si etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 175,000원
2257 2017-04-10 9시 12시 1-2-1 Bottom Poly Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 362,500원
2258 2017-04-10 9시 10시 3-2-1 3rd PAD Oxide Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 137,500원
2259 2017-04-12 11시 12시 Poly Si Etch : 조각 3ea 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 145,000원
2260 2017-04-12 12시 18시 재료연구소 시편 - 1종
YAZ-S - 1종
YAZ-SC - 1종
Al2O3 + Coated graphene - 1종

총 4종		 (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 1,050,000원
2261 2017-04-13 10시 11시 Thermal Oxide 6000 A Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 137,500원
2262 2017-04-13 11시 12시 Silicon Etch : about 3.0um 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 137,500원
2263 2017-04-14 10시 11시 etching 포스텍 물리학과 신원철 185,000원
2264 2017-04-14 13시 14시 Poly-Si etching

Recipe: 1.pch_SiO2 2초
2. pch_Si 25초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 130,000원
2265 2017-04-17 13시 16시 Top Si: 90nm PEoxide: 20nm
Overetch 20%
Target: Si: 110 nm		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 175,000원
2266 2017-04-18 10시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 2,600,000원
2267 2017-04-19 10시 11시 polyimide etch (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 200,000원
2268 2017-04-19 13시 14시 Poly-Si etching

Recipe: 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 25초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2269 2017-04-19 14시 18시 샘플명 Alumina/SiC 0.5 wt%, Alumina/SiC 1.0 wt% : Plasma 영향성 평가 100min 진행

한국세라믹기술원으로 세금계산서 발행 부탁드립니다.
이은실 010-2273-6395
 한국세라믹기술원 도자세라믹팀 김종영 1,050,000원
2270 2017-04-20 14시 16시 PE-Oxide on Silicon Etch Test
: BT 조건 평가		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 175,000원
2271 2017-04-20 15시 16시 Top Si 120nm Target Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 137,500원
2272 2017-04-21 10시 11시 AZ4330 etch resistance 테스트 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 200,000원
2273 2017-04-24 14시 15시 Al2o3 100nm 드라이 에칭 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 185,000원
2274 2017-04-25 13시 14시 resist AR-N 7520.18 포항공과대학교 물리학과 하창우 137,500원
2275 2017-04-26 9시 13시 BioFET Active layer 형성
Top Si: 90nm
Box: 200nm
Target: Top Si 120 nm 서비스 진행 (기존 BT 10초 진행)		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 137,500원
2276 2017-04-27 11시 12시 Mo/Oxide etching

Recipe: 1. Z-Mo 70초
2. pch_SiO2 26초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2277 2017-04-27 13시 14시 ICP etcher_Plasma 표면처리 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 200,000원
2278 2017-05-09 9시 16시 2-2-1 2nd Oxide Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 962,500원
2279 2017-05-10 10시 11시 Oxide 200 nm etching

Recipe: pch_SiO2 70초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2280 2017-05-10 11시 12시 BioFET NW formation 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 175,000원
2281 2017-05-10 14시 15시 a-Si 400nm 에칭 포항공과대학교 기계공학과 김인기 137,500원
2282 2017-05-10 15시 16시 Mo/Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2283 2017-05-10 9시 10시 Top Si 100 nm etching 포항공과대학교 전기전자공학과 김성지 137,500원
2284 2017-05-12 13시 14시 a-Si 380nm etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 37,500원
2285 2017-05-15 16시 17시 Si 100 nm etching (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 150,000원
2286 2017-05-15 17시 18시 BT: 30sec Si target: 110 nm 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 175,000원
2287 2017-05-16 16시 17시 300 nm etching 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 250,000원
2288 2017-05-16 9시 15시 MEMS 기술사업화 계약_Etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 2,800,000원
2289 2017-05-17 9시 12시 3-2-1 3th Poly Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 212,500원
2290 2017-05-18 14시 15시 si etching (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 150,000원
2291 2017-05-19 8시 9시 Dry Etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 1,500,000원
2292 2017-05-22 17시 18시 si Etching (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 200,000원
2293 2017-05-25 14시 15시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2294 2017-05-25 14시 15시 GaN Etch 250s 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 150,000원
2295 2017-05-29 13시 14시 260 nm silicon etching 포항공과대학교 물리학과 김형빈 137,500원
2296 2017-05-29 14시 15시 Oxide 440nm Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 175,000원
2297 2017-05-31 11시 12시 TOP Si 100nm etching (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 150,000원
2298 2017-05-31 12시 18시 Plasma Etching 영향성 평가 (재)강원테크노파크 신소재사업단 김덕 1,480,000원
2299 2017-06-01 10시 11시 Gan Recess Etch : 25nm 경북대학교 전자공학과 임기식 150,000원
2300 2017-06-02 11시 13시 BT 30sec
Target: Top Si 120 nm
 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 137,500원
2301 2017-06-02 15시 16시 2장 모두 SiO2 500nm etching 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 137,500원
2302 2017-06-07 13시 14시 oxide 300nm Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 137,500원
2303 2017-06-08 10시 11시 100nm Si etching (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 150,000원
2304 2017-06-08 14시 15시 LED (sapphire /AlGaN / GaN) + PR coating.
GaN 부분 etching.

Cl2 gas base82초 에칭 		포항공과대학교 신소재공학과 이종원 42,500원
2305 2017-06-09 10시 12시 1-2-1 PIEZO Poly Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 212,500원
2306 2017-06-12 10시 14시 Si Etch

wf03 - SiO2 - Si 		전북대학교 전자공학부 김기현 362,500원
2307 2017-06-12 11시 14시 Target Top Si 110nm

 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 137,500원
2308 2017-06-13 10시 11시 Ge Etch ; Test-1 고려대학교 전기전자공학부 장환준 150,000원
2309 2017-06-13 11시 12시 Ge Etch ; Test-2 고려대학교 전기전자공학부 장환준 150,000원
2310 2017-06-13 13시 14시 Ge Etch ; Test-3 고려대학교 전기전자공학부 장환준 150,000원
2311 2017-06-13 14시 15시 Ge Etch ; Test-4 고려대학교 전기전자공학부 장환준 150,000원
2312 2017-06-13 16시 17시 Si 100 nm etching 포항공과대학교 전기전자공학과 김성지 137,500원
2313 2017-06-14 10시 13시 BioFET Active Etching
Target Top Si:110nm
BT:10 sec
 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 137,500원
2314 2017-06-14 14시 15시 etching 포스텍 물리학과 신원철 137,500원
2315 2017-06-15 10시 12시 2-2-1 CNT SiN/SiO2 Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 212,500원
2316 2017-06-15 15시 16시 실리콘70초에칭 포스텍 물리학과 신원철 137,500원
2317 2017-06-16 14시 15시 Mo/Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 175,000원
2318 2017-06-16 15시 16시 a-Si 400nm 에칭 부탁드립니다.
에치 마스크는 크롬입니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 137,500원
2319 2017-06-19 11시 12시 Oxide 300nm Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 137,500원
2320 2017-06-19 13시 14시 Si 55nm etching.
Over ethcing은 넣지 말아주세요.		 포항공과대학교 전자전기공학과 최원영 137,500원
2321 2017-06-19 14시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 2,750,000원
2322 2017-06-20 16시 17시 26초 에칭 포스텍 물리학과 신원철 137,500원
2323 2017-06-21 13시 14시 Overetch 없이 Si 55 nm target etching 부탁드립니다.
지난번에 17초 etching 하고 SEM 으로 확인 해 본 결과 72nm 정도 etching 된것 같습니다.
잘은 모르지만, 13초 정도 하면 어떨런지요?
 포항공과대학교 전자전기공학과 최원영 137,500원
2324 2017-06-22 13시 14시 si 100nm etching (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 300,000원
2325 2017-06-26 14시 15시 Oxide etch

Recipe: pch_SiO2 2초

poly-Si etch

Recipe: pch_Si 25초
 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2326 2017-06-26 15시 16시 Oxide 600nm Etch Test 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 175,000원
2327 2017-06-26 16시 18시 SiC Diode 공정계약 50%_Photo 테크닉스(주) 연구개발 강예환 1,600,000원
2328 2017-06-27 11시 12시 si etching 100nm (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 200,000원
2329 2017-06-27 14시 15시 Mo etching

Recipe: Z-Mo 105초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2330 2017-06-27 16시 17시 si etching 100nm (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 150,000원
2331 2017-06-28 10시 11시 Poly-Si etching

Recipe: pch_Si 25초

샘플이 총 7 조각인데 사이즈가 커서 두 개의 웨이퍼에 따로 붙여놓았습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 175,000원
2332 2017-06-29 10시 11시 Mo etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2333 2017-06-29 11시 12시 si etching (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 150,000원
2334 2017-06-29 15시 16시 a-Si 400nm 에칭 부탁드립니다.
에칭 마스크는 크롬입니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김인기 137,500원
2335 2017-07-03 11시 13시 Ge Etch ; Test-1 --> 3min, 4min Time Split 고려대 전기전자 장환준 200,000원
2336 2017-07-03 15시 16시 Si 기판 위에 SiO2 1080nm 증착되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다.
크롬패턴을 마스크로 사용하여 SiO2 500nm에칭해 주세요
시편은 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 137,500원
2337 2017-07-03 16시 17시 SOI wafer 위 AR-N 7520.18 Resist (Negative) 포항공과대학교 물리학과 하창우 137,500원
2338 2017-07-04 10시 11시 실리콘 70초 etching 포스텍 물리학과 신원철 137,500원
2339 2017-07-04 16시 17시 300nm 에칭 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 250,000원
2340 2017-07-05 11시 12시 PAD Dry Etch : Oxide 3000A, SiN 2000A (주) 이너센서 이너센서 강문식 200,000원
2341 2017-07-05 13시 14시 Si 70초 etching 포스텍 물리학과 신원철 137,500원
2342 2017-07-06 1시 13시 BT: 20 sec // Target Si: 110nm
(실제 Top PEoxide: 20nm // Top Si: 90nm)		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 175,000원
2343 2017-07-06 13시 14시 Si 70초 에칭 포스텍 물리학과 신원철 137,500원
2344 2017-07-06 16시 17시 이전진행 내역 : PR patterning
진행할 공정 : SiO2 2um etch

* Dry Etcher_20nm급(NINT code: -) 장비 점검 Test 시료 		테크닉스(주) 연구개발 강예환 0원
2345 2017-07-07 10시 11시 Si 27초 에칭 포스텍 물리학과 신원철 137,500원
2346 2017-07-07 13시 17시 이전공정 내역: Oxide depo. PR patterning
진행할 공정 : SiC etch

* 샘플 제작 공정		 테크닉스(주) 연구개발 강예환 0원
2347 2017-07-10 11시 12시 si etching 포항공과대학교 전기전자공학과 김성지 137,500원
2348 2017-07-10 13시 15시 SiN Etch 평가 고려대 전기전자 장환준 150,000원
2349 2017-07-11 11시 12시 Poly-Si etching

Recipe: 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 25초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2350 2017-07-11 13시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 2,600,000원
2351 2017-07-11 9시 11시 1-2-1 PIEZO Poly Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 175,000원
2352 2017-07-12 10시 11시 Silicon Etch : 3.2um 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 337,500원
2353 2017-07-12 15시 18시 이전공정 내역 : HM Depo (0.3 um) + Photo
진행할 공정 : HM Dry Etch

* 2차 샘플 제작 Run (4ea) 		테크닉스(주) 연구개발 강예환 0원
2354 2017-07-12 9시 10시 Thermal Oxide 6000 A Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 137,500원
2355 2017-07-13 10시 14시 이전공정 내역 : HM Depo (2 um) + Photo
진행할 공정 : Dry etch

* 1차 샘플 제작 Run (3ea) 		테크닉스(주) 연구개발 강예환 0원
2356 2017-07-13 14시 15시 SOI 조각 27초, 30초, 31초 에칭 포스텍 물리학과 신원철 212,500원
2357 2017-07-14 17시 18시 soi 30초 에칭 포스텍 물리학과 신원철 137,500원
2358 2017-07-14 9시 11시 2-2-1 CNT Oxide Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 175,000원
2359 2017-07-17 10시 14시 이전공정 내역 : Oxide (0.3um) + PR Pattern
진행할 공정 : Dry Etch

* 2차 샘플 제작 Run Rework (3ea) 		테크닉스(주) 연구개발 강예환 0원
2360 2017-07-17 15시 16시 a-Si 380nm etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2361 2017-07-18 10시 11시 1-2-1 PIEZO Poly Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 212,500원
2362 2017-07-18 11시 12시 1-2-2 PIEZO SiC Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 212,500원
2363 2017-07-18 13시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 2,600,000원
2364 2017-07-18 9시 10시 SOI 30초 에칭 포스텍 물리학과 신원철 137,500원
2365 2017-07-19 13시 17시 이전공정 내역 : PR Pattern
진행할 공정 : Dry etch

* 2차 샘플 제작 Run Rework (3ea) 		테크닉스(주) 연구개발 강예환 150,000원
2366 2017-07-20 11시 12시 Recipe: pch_SiO2 100 nm etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2367 2017-07-20 12시 14시 TEOS Etch New Recipe Test
: Test-1 ER & Pattern, Test-2 Pattern		 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 250,000원
2368 2017-07-20 14시 15시 a-Si 380nm etching (120초) 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2369 2017-07-20 15시 16시 Oxide etching
 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2370 2017-07-24 1시 2시 27초 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 물리학과 김형빈 137,500원
2371 2017-07-24 11시 12시 Poly-Si etching

Recipe: 1. pch_SIO2 2초
2. pch_Si 25초

총 5조각이며, 크기가 커서 웨이퍼 두 개에 나누어 붙여놓았습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 175,000원
2372 2017-07-26 14시 15시 poly-Si 200nm etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2373 2017-07-26 15시 16시 72초 에칭 부탁드립니다. 포스텍 물리학과 신원철 137,500원
2374 2017-07-26 16시 17시 silicon 100nm etching 포항공과대학교 기계공학과 정화평 142,500원
2375 2017-07-27 11시 12시 SOI wafer #13 한장 active 형성
Top Si : 40nm
target : Si 55nm (over etch 15nm)
 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 137,500원
2376 2017-07-27 12시 14시 Si Etching (주)니나노 기업부설연구소 박준영 850,000원
2377 2017-07-27 13시 14시 1-2-2 AKEY SiC Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 137,500원
2378 2017-07-27 13시 14시 1-2-1 AKEY Ox Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 137,500원
2379 2017-07-27 14시 15시 poly-Si 200nm etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2380 2017-07-27 15시 16시 SiN Etch (조각 7개) 고려대학교 전기전자공학부 장환준 150,000원
2381 2017-07-31 13시 14시 Negative resist 입니다. Silicon 80초 부탁드립니다. (Si 260nm etching 입니다.) 포항공과대학교 물리학과 하창우 137,500원
2382 2017-08-01 11시 12시 Si etch 2um 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 237,500원
2383 2017-08-01 12시 13시 Oxide Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2384 2017-08-01 14시 15시 poly-Si 에칭 (90초) 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2385 2017-08-01 15시 16시 SiO2 50/60/70s (각 4개) 고려대학교 전기전자공학부 장환준 250,000원
2386 2017-08-01 9시 10시 Oxide 80s 2매 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 175,000원
2387 2017-08-02 15시 16시 Si 기판 위에 SiO2 1080nm 증착되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다.
크롬패턴을 마스크로 사용하여 SiO2 500nm에칭해 주세요
저번에 테스트 했을 때 550~600nm정도 에칭되어서 이번에는 기존의 조건보다 에칭시간을 15%정도 줄여주세요.
또 이번에는 에칭시간도 적어주세요.
시편은 총 3개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다		 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 137,500원
2388 2017-08-02 16시 17시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 400nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다.
크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 400nm에칭해 주세요
또 에칭시간도 적어주세요.
시편은 총 1개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다		 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 137,500원
2389 2017-08-02 17시 18시 Mo/Oxide etching

Recipe: 1. Z-Mo 105초
2. pch_SiO2 40초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2390 2017-08-03 11시 12시 poly silicon 50nm target입니다.

SiO2 제거 2초, poly silicon 제거 25초 recipe를 이용해주십시오.
(전자과 이준영학생 etch recipe와 동일합니다.)

샘플은 6인치 더미웨이퍼에 붙여 에칭장비 옆 테이블에 놔두었습니다.
공정이 완료되면 문자나 카카오톡 하나만 넣어주시면 감사하겠습니다.

감사합니다. 		포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 137,500원
2391 2017-08-04 10시 11시 300 nm 에칭 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 137,500원
2392 2017-08-04 14시 15시 Poly-Si etching

Recipe: 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 25초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2393 2017-08-04 9시 10시 Si 70초 etching 포스텍 물리학과 신원철 137,500원
2394 2017-08-07 13시 14시 Silicon 260nm 풀에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 물리학과 하창우 137,500원
2395 2017-08-07 14시 15시 SiO2 100nm 식각 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 227,500원
2396 2017-08-08 14시 15시 poly-Si 270nm etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2397 2017-08-09 14시 15시 poly-Si 270nm etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2398 2017-08-09 15시 16시 70초 에칭 포스텍 물리학과 신원철 137,500원
2399 2017-08-10 11시 12시 polysilicon 50nm etch 입니다.

sio2 2초, polysilicon 25초 recipe 이용해주시면 됩니다.
(전자과 이준영학생 recipe와 동일)		 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 137,500원
2400 2017-08-10 15시 16시 실리콘 70초 에칭부탁합니다 포스텍 물리학과 신원철 137,500원
2401 2017-08-14 10시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 3,100,000원
2402 2017-08-17 11시 14시 * 설비 Test (Al Depo Test)

이전공정내역 : PSG (1um) + PR Pattern

진행요청공정 : Dry Etch		 테크닉스(주) 연구개발 강예환 0원
2403 2017-08-17 15시 16시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 400nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다.
크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 400nm에칭. 시편은 총 1개(2cm*2cm)		 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 137,500원
2404 2017-08-21 10시 12시 oxide 5000 A Dry Etch 부산대학교 인지메카트로닉스공학과 심영보 190,000원
2405 2017-08-21 14시 15시 GaN etching 조건으로 3개 샘플 한 번에 80s 에칭. 포항공과대학교 신소재공학과 이종원 142,500원
2406 2017-08-22 9시 10시 BioFET Active Regiojn, Target: Si 110 nm 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 175,000원
2407 2017-08-23 14시 15시 poly_Si 270nm etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2408 2017-08-23 15시 17시 Si wafer (SiO2 300 nm)를 PS monolayer를 마스크로하여 에칭하고자 합니다.
Etch Target : about 150nm		 포항공과대학교 화학공학과 김홍기 142,500원
2409 2017-08-23 17시 18시 SOI wafer위에 2um 두께의 PR로 masking 조각 4매 동시진행 UNIST 신소재공학부 지상윤 145,000원
2410 2017-08-24 15시 16시 Recipe: pch_Si 25초 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2411 2017-08-24 9시 11시 8인치 웨이퍼 실리콘 1um 식각
조각 SOI 웨이퍼 PE oxide 20 nm 식각 후 실리콘 35nm 식각		 전북대학교 전자공학부 김기현 175,000원
2412 2017-08-25 14시 15시 poly Si 270nm etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2413 2017-08-25 15시 16시 Mo / Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2414 2017-08-29 14시 15시 poly-Si 270nm etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2415 2017-08-30 11시 12시 Poly-Si etching

Recipe: 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 25초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2416 2017-08-30 12시 13시 Nitride Oxide Etching 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 1,000,000원
2417 2017-08-30 14시 15시 poly-Si 270nm etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2418 2017-08-31 16시 17시 Silicon 260 nm 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 물리학과 김형빈 250,000원
2419 2017-09-01 10시 11시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 200nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 200nm에칭해 주세요. 시편은 총 1개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 137,500원
2420 2017-09-01 11시 13시 Oxide Etch 5000 A (주)니나노 기업부설연구소 박준영 200,000원
2421 2017-09-01 15시 16시 Oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2422 2017-09-01 9시 10시 2-2-1 CNT Oxide Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 212,500원
2423 2017-09-04 10시 11시 1-2-2 AKEY SiC Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 137,500원
2424 2017-09-04 9시 10시 1-2-1 AKEY Ox Dry Etch
 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 137,500원
2425 2017-09-04 9시 11시 Si Etch, 1.5um Target (주)니나노 기업부설연구소 박준영 400,000원
2426 2017-09-05 14시 15시 Oxide etching

Recipe: pch_SiO2 3초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2427 2017-09-05 15시 18시 SiC Diode 공정계약_공정완료 잔금_Etch 테크닉스(주) 연구개발 강예환 1,100,000원
2428 2017-09-05 9시 14시 MEMS 기술사업화 계약_Etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 2,600,000원
2429 2017-09-06 10시 14시 Oxide on PI Etch
: 조각 6개		 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 137,500원
2430 2017-09-06 15시 16시 Thermal oxide 3000 A Etch : HM Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 137,500원
2431 2017-09-07 10시 13시 Oxide & Nitiride Etch : 1.6um 예상
: Etch target test --> just & Over		 템퍼스 개발팀 조재익 200,000원
2432 2017-09-07 14시 15시 Oxide etching

Recipe: pch_SiO2 6초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2433 2017-09-11 14시 15시 Mo 105초
Sio2 30초		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 175,000원
2434 2017-09-11 9시 10시 1-2-1 NW Si Dry Etch 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 250,000원
2435 2017-09-12 10시 11시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 400nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 400nm에칭해 주세요. 시편은 총 1개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 137,500원
2436 2017-09-12 11시 12시 polysilicon 50nm etching 부탁드립니다.
전자과 이준영 학생 레시피와 동일합니다
(sio2 2초 polysi 25초)
감사합니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 137,500원
2437 2017-09-13 9시 11시 Oxide 500nm Etch LG 이노텍 소자개발팀 정지철 250,000원
2438 2017-09-14 14시 15시 a-Si 320nm 에칭 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2439 2017-09-15 9시 10시 2-2-1 SE OXide Etch 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 250,000원
2440 2017-09-18 16시 17시 (1) metal moly, SiO2
(2) SiO2		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 175,000원
2441 2017-09-19 10시 11시 Poly-Si etching 및 Oxide etching

총 세가지 웨이퍼

1번. Poly-Si etching (샘플 1개)

Recipe: 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 30초


2번. Oxide etching (샘플 3개)

Recipe: pch_SiO2 70초


3번. Oxide etching (샘플 7개)

Recipe: pch_SiO2 3초
 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 212,500원
2442 2017-09-19 11시 12시 PS 모노레이어를 마스크로하여 200 nm 정도 에칭하고자 합니다. 포항공과대학교 화학공학과 김홍기 142,500원
2443 2017-09-21 16시 17시 PR 덮여있음

300 nm 에칭		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 220,000원
2444 2017-09-22 15시 16시 Silicon wafer에 SiO2 1080nm 증착되어 있고 위에 ez5214 PR 로 photolitiography 진행한 상태입니다. 포항공과대학교 기계공학과 김정현 137,500원
2445 2017-09-28 10시 11시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 400nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 400nm에칭해 주세요. 시편은 총 1개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 137,500원
2446 2017-09-28 14시 15시 Si HM Etch : T-ox 6000 A 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 137,500원
2447 2017-09-28 15시 17시 Si Nanowire Etch Profile 평가 : 2.0um 이상 Target 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 137,500원
2448 2017-09-29 13시 14시 Si Etch ( SOI wafer ) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 137,500원
2449 2017-10-10 13시 15시 실리콘 나노선 열전소자 개발 공정 진행 전북대학교 전자공학부 김기현 1,000,000원
2450 2017-10-12 10시 11시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 200nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 200nm에칭해 주세요. 시편은 총 1개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 137,500원
2451 2017-10-12 14시 15시 Oxide , Si Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 175,000원
2452 2017-10-13 14시 15시 a-Si 300 nm etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2453 2017-10-17 10시 14시 BIoFET
PEoxideL 20nm / Top Si: 110 nm 식각		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 137,500원
2454 2017-10-17 14시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 2,600,000원
2455 2017-10-19 14시 15시 a-Si 300nm 에칭 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2456 2017-10-23 10시 11시 BioFET NW formation 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 137,500원
2457 2017-10-24 15시 16시 Si Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 137,500원
2458 2017-10-25 12시 16시 Oxide 200nm Etch Target Test
: 3회 진행 Rox Check		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 212,500원
2459 2017-10-25 16시 17시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 200nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 200nm에칭
시편은 총 1개(2cm*2cm)		 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 137,500원
2460 2017-10-26 13시 15시 Si/SiO2(1 um) etching 20 s, 40 s, 60 s, 300 s 각 2장씩 포항공과대학교 전자전기공학과 박혁 540,000원
2461 2017-10-26 15시 17시 Si etch Profile Test
1) HM Oxide Etch
2) Si 2.0um 이상 Etch		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 275,000원
2462 2017-10-27 11시 12시 Poly-Si etching

Recipe: 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 25초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2463 2017-10-27 15시 16시 Oxide 300 nm 식각 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 137,500원
2464 2017-10-30 9시 14시 저저항 Super Junction 파워 MOSFET 공정 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 1,100,000원
2465 2017-10-31 14시 15시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 200nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 200nm에칭해 주세요. 시편은 총 1개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 137,500원
2466 2017-11-02 11시 12시 a-Si 430nm 오버에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 137,500원
2467 2017-11-02 14시 15시 a-Si 300nm etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2468 2017-11-02 15시 17시 열전소자용 Si Etch : 4.0014275.01-2-2-4 (시험분석료) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 1,000,000원
2469 2017-11-02 9시 11시 polyimide와 PDMS에 Ar+ plasma를 가한 뒤 adhesion 변화 확인
: 10 mTorr, 600 W --> 60sec / 300sec Split (각각 조각 3개)		 포항공과대학교 전자전기공학과 박성민 185,000원
2470 2017-11-07 14시 15시 a-Si 300nm etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2471 2017-11-07 16시 17시 Si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 최원영 175,000원
2472 2017-11-08 10시 13시 THRU Etch : Oxide 1.6um Target Etch
(1.0um 이상 : 추가 요금 발생함 (\100,000/um) --> 평가 진행 관련 청구 제외)		 템퍼스 개발팀 조재익 200,000원
2473 2017-11-08 13시 14시 Oxide Dry Etching (주)알텍 나노공정시스템 개발팀 박준태 200,000원
2474 2017-11-13 16시 17시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 200nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 200nm에칭해 주세요. 시편은 총 2개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 137,500원
2475 2017-11-14 13시 15시 SOI wafer위에 2um 두께의 PR로 masking
: 2회 처리함		 UNIST 신소재공학부 지상윤 200,000원
2476 2017-11-15 10시 12시 SiO2 97nm 위 ZAP PR 100 nm patterning.
pattern size 직경 30 nm ~ 2 um circle 입니다.
over etch 진행하며 CD SEM으로 etch 정도를 확인하고 싶습니다. 		포항공과대학교 전자과 백상원 137,500원
2477 2017-11-15 13시 17시 저저항 Superjunction 파워 MOSFET 개발 및 상용화 [4.0015349.01]_Etch 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 1,100,000원
2478 2017-11-16 10시 23시 MEMS 기술사업화계약-Etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 1,100,000원
2479 2017-11-23 14시 15시 1번 샘플 (총 6개)

Recipe: 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 25초


2번 샘플 (총 3개)

Recipe: pch_SiO2 50초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 175,000원
2480 2017-11-24 10시 11시 Oxide Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 137,500원
2481 2017-11-27 10시 11시 Mo etching

Recipe: Z-Mo 105초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2482 2017-11-27 10시 11시 Oxide 6000A Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 137,500원
2483 2017-11-27 12시 15시 Si 3umEtch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 337,500원
2484 2017-11-27 14시 15시 Si etching 포항공과대학교 전자전기공학과 최원영 175,000원
2485 2017-11-27 15시 16시 SiO2 200~300 nm 에칭하고자합니다 포항공과대학교 화학공학과 김홍기 227,500원
2486 2017-11-28 11시 12시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 200nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 200nm에칭해 주세요. 시편은 총 2개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 137,500원
2487 2017-11-28 16시 17시 2개 시편은 Silicon wafer에 SiO2 1080nm 증착되어 있고 위에 ez5214 PR 로 photolitiography 진행한 상태입니다.

2개 시편은 Cr 패터닝 된 상태입니다.

두 시편 모두 630nm etching 부탁 드립니다. 		포항공과대학교 기계공학과 김정현 137,500원
2488 2017-11-30 14시 15시 a-Si 300nm etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2489 2017-12-05 9시 18시 1200V급 Trench형 SiC MOSFET 소자 개발 [4.0015452.01]_Etch 단위공정 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 1,100,000원
2490 2017-12-06 13시 14시 Oxide etching

Recipe: pch_SiO2 30초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2491 2017-12-06 17시 18시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 450nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 450nm에칭해 주세요. 시편은 총 1개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 137,500원
2492 2017-12-07 14시 15시 a-Si 300nm etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2493 2017-12-07 9시 10시 Silicon wafer에 SiO2 1080nm 증착되어 있고 위에 ez5214 PR 로 photolitiography 진행한 상태입니다.

61초 etching 부탁 드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김정현 137,500원
2494 2017-12-08 10시 11시 Oxide etching

Recipe: pch_SiO2 4초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2495 2017-12-08 11시 12시 PR 에칭 마스크를 이용해서 SiO2 박막 630nm 에칭 진행하고자 합니다.
61초 에칭 부탁드리겠습니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 137,500원
2496 2017-12-11 14시 15시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 200nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 200nm에칭해 주세요. 시편은 총 1개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 137,500원
2497 2017-12-11 9시 11시 Field Plate Pattern SiO2 Etch LG 이노텍 소자개발팀 정지철 200,000원
2498 2017-12-20 13시 18시 Poly Silicon Etch Back Test
: Etchrate 1ea + Main 8ea --> 5000 A Target		 (주)케이이씨 공정기술G 박선운 550,000원
2499 2017-12-21 10시 11시 si 150 nm etching 포항공과대학교 전기전자공학과 김성지 137,500원
2500 2017-12-22 14시 15시 드라이 에칭 부탁드리겠습니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 175,000원
2501 2017-12-27 11시 12시 Poly-Si etching

Recipe: 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 30초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2502 2017-12-27 13시 17시 Poly Silicon Etch : 6000 A target (8매)
(Etch 조건 용 Test : 2매 진행, 1매 청구)		 (주)케이이씨 공정기술G 박선운 550,000원
2503 2017-12-28 10시 11시 Si Etch 3회 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 300,000원
2504 2017-12-28 14시 15시 a-Si 300nm etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2505 2017-12-29 14시 15시 a-Si 300nm 에칭 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2506 2018-01-05 11시 12시 첫 번째 샘플: pch_SiO2 35초


두 번째 샘플: pch_SiO2 80초


세 번째 샘플: 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 30초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 212,500원
2507 2018-01-09 10시 18시 전문인력양성교육_소자공정_Etch 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,100,000원
2508 2018-01-10 10시 11시 Mo etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 175,000원
2509 2018-01-10 11시 16시 SiC Mark Etch : Depth Split (주)케이이씨 공정기술G 박선운 0원
2510 2018-01-11 10시 12시 Oxide 6000 A Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 137,500원
2511 2018-01-11 13시 15시 Nitride Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 250,000원
2512 2018-01-11 15시 16시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 200nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 200nm에칭해 주세요. 시편은 총 2개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 137,500원
2513 2018-01-11 16시 18시 SiC Etching 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 250,000원
2514 2018-01-15 13시 14시 둥근 칩에 먼저 에칭 레이트 확인하고 직사각형 칩에 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 물리학과 김형빈 175,000원
2515 2018-01-15 14시 19시 Poly Silicon Etchback Test (주)케이이씨 공정기술G 박선운 500,000원
2516 2018-01-16 10시 16시 Poly Gate Etch Test (주)케이이씨 공정기술G 박선운 500,000원
2517 2018-01-17 10시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 900,000원
2518 2018-01-18 11시 12시 Oxide etching

Recipe: pch_SiO2 40초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2519 2018-01-18 13시 15시 TiN Etchrate Test ( TiN / Oxide ) 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2520 2018-01-18 15시 12시 Poly Gate Etch Test (주)케이이씨 공정기술G 박선운 500,000원
2521 2018-01-19 13시 14시 TiN Etch Test 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2522 2018-01-19 14시 15시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 200nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 200nm에칭해 주세요. 시편은 총 2개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 137,500원
2523 2018-01-19 15시 16시 Oxide etching

Recipe: pch_SiO2 2초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2524 2018-01-22 10시 23시 SiC Mark Etch Test (주)케이이씨 공정기술G 박선운 0원
2525 2018-01-23 14시 15시 si 140 nm etching 을 위한 BARC Etch 공정 평가 포항공과대학교 전기전자공학과 김성지 175,000원
2526 2018-01-24 10시 11시 Oxide Etch 고려대학교 반도체시스템공학과 김승근 150,000원
2527 2018-01-24 10시 12시 BARC Etch & Si 140nm Etch Test
1. BARC Etch
2. Si Etch		 포항공과대학교 전기전자공학과 김성지 175,000원
2528 2018-01-24 13시 14시 Nitride Etch 고려대학교 반도체시스템공학과 김승근 150,000원
2529 2018-01-24 15시 16시 TiN etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2530 2018-01-25 13시 16시 BARC Etch & Si 140nm Etch Test
1. BARC Etch(5ea)
2. Si Etch (140nm(3ea), 100nm(1ea), 70nm(1ea))		 포항공과대학교 전기전자공학과 김성지 475,000원
2531 2018-01-26 14시 15시 a-Si 450nm 에칭 부탁드립니다.
(에칭 마스크는 크롬입니다)		 포항공과대학교 기계공학과 김인기 137,500원
2532 2018-01-29 14시 15시 a-Si 450nm 에칭 부탁드립니다.
(에칭 마스크는 크롬입니다)		 포항공과대학교 기계공학과 김인기 137,500원
2533 2018-01-29 9시 11시 1-2 Poly Dry Etch (2000A) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 212,500원
2534 2018-01-30 13시 14시 Plasma 진행 조건
- 장치 : ICP Plasma Etcher
- 압력 : 5 mTorr
- RF-1 : 350 W
- RF-2 : 100 W
- Gas : CF4 50 sccm / O2 5 sccm / Ar 100 sccm
- Time : 100 분 (300초 * 20회)

으로 이전에 맥테크를 통해 4/18일자 성적서진행했었는데 같은 조건으로 부탁드립니다.

신청시 방문하지 않아도 실험진행가능한지 답변부탁드립니다.		 한국세라믹기술원 도자세라믹센터 유동수 1,050,000원
2535 2018-01-30 9시 11시 1-4-1 PENITRIDE Etch (주)네오나노텍 연구개발 김성훈 200,000원
2536 2018-01-31 1시 2시 Silicon 340 nm etching으로 진행 부탁드립니다. 울산과학기술원 신소재공학부 박지훈 150,000원
2537 2018-02-01 11시 12시 1번 샘플 (poly-Si etching)
Recipe: 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 30초

2번 샘플 (TiN etching)
Recipe: postech-metal-T2 90초

 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 175,000원
2538 2018-02-01 15시 17시 silicon wafer 200nm etch 포항공과대학교 기계공학과 정화평 142,500원
2539 2018-02-02 11시 12시 TiN etching

Recipe: postech-metal-T2 30초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2540 2018-02-02 12시 18시 Plasma Etching Test : CF4 Base 100min (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 1,050,000원
2541 2018-02-05 11시 12시 SiO2 450nm 에칭 부탁드립니다.
(에칭 마스크는 크롬 입니다)		 포항공과대학교 기계공학과 김인기 137,500원
2542 2018-02-05 11시 14시 1-2-1 Poly Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 250,000원
2543 2018-02-05 14시 16시 1-2-2 SiC Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 250,000원
2544 2018-02-05 16시 17시 Scanner 공정 이후 에칭. 바크 및 탑 실리콘 에칭 (Top Si 140 nm)
1. BARC Etch : 30sec --> 4ea
2. Si Etch : 45sec --> 4ea		 포항공과대학교 정보전자융합공학부 박찬오 400,000원
2545 2018-02-06 10시 12시 Cu Dry Etch Test : Test Pattern 포항공과대학교 물리분석팀 김성규 137,500원
2546 2018-02-07 10시 11시 Poly-Si etching

Recipe: 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 30초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2547 2018-02-07 11시 13시 340 nm 두께 실리콘 etching,
2018년 1월 31일 울산과학기술원 박장웅 교수님 연구실의 박지훈 학생이 진행했던 조건과 동일한 조건으로 공정처리 부탁드립니다.
 UNIST 신소재공학부 장지욱 150,000원
2548 2018-02-08 10시 14시 Plasma Etching : Gas 영향성 평가 WORLDEX 소재사업부 이정현 250,000원
2549 2018-02-12 10시 14시 Cu Dry Etch, Test-1 : Aligner Mask Sample 적용 포항공과대학교 물리분석팀 김성규 137,500원
2550 2018-02-13 10시 13시 Cu Dry Etch, Test-2 : EBL Pattern-1 적용 포항공과대학교 물리분석팀 김성규 137,500원
2551 2018-02-13 16시 17시 Si sio2 에칭 포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 137,500원
2552 2018-02-19 16시 17시 사파이어 기판 위에 GaN 750nm와 silicon dioxide 400nm가 증착되어 있고, 그 위에 크롬 패턴(40nm)이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 silicon dioxide 400nm를 에칭해주세요. 시편은 총 1개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 저희 연구실의 \'김인기\'님께서 저번에 비슷한 의뢰를 했는데, 그 때 조금 과다하게 에칭이 되었습니다. 이번에는 에칭 시간을 조금(10%정도) 줄여주세요. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 137,500원
2553 2018-02-19 9시 13시 sample 1 - SiO2 2초, si 40초
sample 2 - SiO2 2초, si 50초
sample 3 - SiO2 2초, si 60초
sample 4 - SiO2 2초, si 70초

si etching time split 		포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 250,000원
2554 2018-02-20 10시 14시 Cu Dry Etch, Test-3 : EBL Pattern-2 적용 포항공과대학교 물리분석팀 김성규 137,500원
2555 2018-02-21 12시 14시 Si Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 137,500원
2556 2018-02-22 14시 17시 Si Etch (조각 2개) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 137,500원
2557 2018-02-27 11시 12시 Mo etching

Recipe: Z-Mo 50초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2558 2018-02-27 13시 17시 1. Top Si Etch
2. Top Si + Box + Sub Si Etch		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 250,000원
2559 2018-02-28 10시 13시 Top Si + Box + Sub Si Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 212,500원
2560 2018-03-02 11시 12시 1번 샘플: Mo etching

2번 샘플: Oxide etching
 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 175,000원
2561 2018-03-05 9시 10시 Si Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 137,500원
2562 2018-03-06 09시 12시 Akey Oxide Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 137,500원
2563 2018-03-06 11시 14시 Akey SiC Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 137,500원
2564 2018-03-07 10시 11시 SiO2 etching
recipe : pch_SiO2 3초		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 137,500원
2565 2018-03-13 9시 18시 HM Oxide Etch 2um 부산테크노파크 파워반도체상용화센터 전헌수 0원
2566 2018-03-14 9시 15시 HM Oxide Etch 3um 부산테크노파크 파워반도체상용화센터 전헌수 0원
2567 2018-03-15 17시 18시 Si Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 137,500원
2568 2018-03-19 14시 15시 Si Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 137,500원
2569 2018-03-19 9시 14시 Bevel SiC Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 237,500원
2570 2018-03-20 14시 15시 Si Etch (조각 3매) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 137,500원
2571 2018-03-20 9시 13시 MEMS 기술사업화 계약_Etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 600,000원
2572 2018-03-23 14시 15시 Si Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 137,500원
2573 2018-03-23 9시 17시 HM Oxide Etch - 2um : 1매 , 3um : 2매 부산테크노파크 파워반도체상용화센터 전헌수 0원
2574 2018-03-26 15시 18시 Si Trench Etch 공정 평가 : 6인치 Pattern Wafer (주)와이솔 사업기획 문아영 150,000원
2575 2018-03-26 9시 12시 SiN Etch (조각 6개) 2회진행 고려대학교 반도체시스템공학과 김승근 200,000원
2576 2018-03-27 10시 13시 Si Trench Etch 추가 평가 (주)와이솔 사업기획 문아영 150,000원
2577 2018-03-27 14시 15시 Top silicon etching
PR : 100~130nm
Ox : 19nm
Top Si : 87nm
box : 200nm

target : 120nm (19 + 87 + overetch 10%)		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 137,500원
2578 2018-03-29 11시 12시 총 2개의 공정 의뢰를 맡깁니다.

1번 공정 (Oxide etching)
Recipe: pch_SiO2 30초

2번 공정 (Si etching)
Recipe: pch_Si 40초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 175,000원
2579 2018-03-29 12시 13시 sapphire 위에 GaN 700 nm, Si02 약 200nm, 그 위에 Cr pattern이 올려져 있습니다.

SiO2 200nm 를 모두 etching 하기 위해 SiO2 230 nm etching 의뢰를 부탁 드립니다.

29일 오전 중에 전화 드리겠습니다.

감사합니다.
김정현 드림		 포항공과대학교 기계공학과 김정현 137,500원
2580 2018-03-30 13시 15시 I32301D (2매), I32302D (2매)
1 micro Etch 진행 요청합니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 600,000원
2581 2018-03-30 9시 10시 recipe : pch_si 35초 진행해주세요.

공정완료되면 연락부탁드리겠습니다.

010-9828-6233		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 137,500원
2582 2018-04-03 10시 11시 etch test wafer
SiO2 2um Etch 사용 요청합니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 150,000원
2583 2018-04-03 13시 14시 Oxide etch 360 nm
(조각9개)		 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 137,500원
2584 2018-04-04 10시 18시 I32301 (2매) , I32302 (2매)
2㎛ Etch 진행 요청합니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 700,000원
2585 2018-04-04 9시 10시 recipe : Pch_si 35초 포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 137,500원
2586 2018-04-05 12시 13시 oxide 310nm 식각 포항공과대학교 창의IT융합공학과 박태훈 137,500원
2587 2018-04-06 9시 10시 Pch_si 35초 포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 137,500원
2588 2018-04-09 9시 9시 MEMS 기술사업화 계약-etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 600,000원
2589 2018-04-10 9시 15시 HM Oxide Etch 부산테크노파크 파워반도체상용화센터 전헌수 0원
2590 2018-04-11 10시 12시 2마이크로 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 250,000원
2591 2018-04-11 12시 16시 HM Oxide Etch 부산테크노파크 파워반도체상용화센터 전헌수 0원
2592 2018-04-12 9시 14시 차세대 실리콘 파워반도체 기술사업화 계약-etch 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 1,300,000원
2593 2018-04-16 10시 11시 BN/Gr/Photoresist도포 포항공과대학교 화학공학과 양성준 142,500원
2594 2018-04-16 14시 15시 Si Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 137,500원
2595 2018-04-17 11시 14시 1-2-2 AKEY Si Dry Etch 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 400,000원
2596 2018-04-17 9시 11시 1-2-1 AKEY Ox Dry Etch 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 400,000원
2597 2018-04-18 13시 16시 300sec 사용 신청합니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 400,000원
2598 2018-04-19 14시 16시 Back side A-key Etch : Back Side 1600 A Target 주식회사 아이큐랩 공정기술팀 김동현 0원
2599 2018-04-24 10시 12시 A key Etch : Front side 2000 A Target 주식회사 아이큐랩 공정기술팀 김동현 0원
2600 2018-04-24 11시 12시 샘플 2개

1번 샘플 (조각 4개)
Recipe: Z-Mo 105 초

2번 샘플 (조각 3개)
Recipe: 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 30초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 175,000원
2601 2018-04-26 10시 16시 10나노급 차세대 실리콘 나노선 개발용 Si Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 박태훈 1,000,000원
2602 2018-04-30 10시 17시 DMS 장비 사용 신청합니다.
오후에 Wafer 서멀 작업 완료 후 연락드리겠습니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 700,000원
2603 2018-05-01 11시 12시 BNGr 포항공과대학교 화학공학과 양성준 142,500원
2604 2018-05-02 10시 13시 HFO2 Etch Test : 20sec / 25sec 서강대학교 전자공학과 이장우 200,000원
2605 2018-05-02 14시 18시 6매 DMS 진행 요청합니다.
시료 준비되면 요청드리겠습니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 400,000원
2606 2018-05-03 10시 18시 360 sec 에치 6매 진행 예정입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 660,000원
2607 2018-05-03 13시 17시 Cu Dry Etch Test 포항공과대학교 물리분석팀 김성규 1,487,500원
2608 2018-05-04 10시 11시 Mo etching

Recipe: Z-Mo 30초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2609 2018-05-04 10시 18시 HM050N120A0
360 sec 4매 진행요청 합니다.
서멀 작업 완료 후 진행 대기 중 입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 660,000원
2610 2018-05-08 10시 11시 Poly-Si etching

Recipe: 1. pch_SiO2 2초
2. pch_Si 30초		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2611 2018-05-10 9시 14시 1-2-1 Bottom Gate Al Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 0원
2612 2018-05-11 10시 18시 HM050N120A0
Oxide etch 360sec 4매 진행입니다.
서멀작업 완료되면 연락 드리겠습니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 550,000원
2613 2018-05-11 14시 16시 sio2 ~150nm dry etching 부탁드립니다
(정확한 sio2 두께는 내일 측정 후 말씀드리겠습니다.)		 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 250,000원
2614 2018-05-11 16시 17시 a-Si 300nm 에칭 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2615 2018-05-14 13시 14시 recipe;

pch_sio 2초
pch_si 30초		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 137,500원
2616 2018-05-14 16시 18시 hm050n120a0
DMS 1매 360sec 진행 입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 250,000원
2617 2018-05-15 10시 17시 10나노급 차세대 실리콘 개발 관련 평가 포항공과대학교 창의IT융합공학과 박태훈 1,000,000원
2618 2018-05-15 15시 16시 a-Si 300nm etching 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2619 2018-05-16 13시 14시 recipe;
pch_sio2 2초
pch_si 30초		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 137,500원
2620 2018-05-17 11시 12시 실리콘 250nm 에칭 서울대학교 전기정보공학부 성장운 250,000원
2621 2018-05-18 14시 15시 a-Si 300nm 에칭 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2622 2018-05-21 16시 22시 HM050N120A0 4매
360sec 진행 요청합니다.

시료 준비완료 시간이 많이 늦어 진행이 불가능하면 진공보관을 부탁드립니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 700,000원
2623 2018-05-23 9시 5시 차세대 실리콘 파워반도체 기술사업화 계약-Etch 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 1,300,000원
2624 2018-05-24 10시 22시 HM050N120A0
4매 360sec 진행 신청합니다.

9~10시에 4매 모두 컴파운드 작업 완료시켜 놓을 예정입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 700,000원
2625 2018-05-28 11시 12시 Silicide test 3매
185초 진행 신청입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 250,000원
2626 2018-05-28 9시 10시 2매 360sec(2.0um) 진행. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 400,000원
2627 2018-05-29 9시 15시 4-4-1 GATE Poly Dry Etch 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 400,000원
2628 2018-06-01 10시 11시 Si Etch 1회 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 140,000원
2629 2018-06-01 11시 13시 2-3-1 M.Gate Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 0원
2630 2018-06-01 14시 16시 HfO2 Etch Test : 30s / 40s /50s
(이전 진행)		 서강대학교 전자공학과 이장우 250,000원
2631 2018-06-01 16시 18시 Si Etch Test : 72sec / 80sec 서울대학교 전기정보공학부 성장운 200,000원
2632 2018-06-08 10시 13시 HfO2 Etch Test : 40s / 60s / 80s 서강대학교 전자공학과 이장우 250,000원
2633 2018-06-11 11시 12시 1매 DMS 190sec 진행 (약 1.5um target) powertechnix powertechnix 파워테크닉스 250,000원
2634 2018-06-11 13시 18시 HM050N120A0 - 4매
180sec 진행 : 1.0um Target 이상 --> 1.0um 로 적용		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 300,000원
2635 2018-06-12 13시 17시 Si Etch Test : 65sec - 2ea, 75sec / 80sec 서울대학교 전기정보공학부 성장운 250,000원
2636 2018-06-14 10시 11시 a-Si 520nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 137,500원
2637 2018-06-14 11시 14시 3-2-1 CNT Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 0원
2638 2018-06-14 14시 15시 1-3-1 SiN Etch 고려대학교 반도체시스템공학과 김승근 150,000원
2639 2018-06-14 15시 16시 silicon, oxide etching 포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 137,500원
2640 2018-06-18 8시 6시 차세대 실리콘 반도체 기술사업화 계약_Etch 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 1,300,000원
2641 2018-06-20 12시 17시 test wafer
2um 요청입니다		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 300,000원
2642 2018-06-20 12시 13시 Bio FET Active Region 형성을 위한 Etching 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 137,500원
2643 2018-06-26 10시 14시 PR(1.2um) mask를 사용한 SiC align key 식각 공정 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 245,000원
2644 2018-06-26 14시 17시 Oxide 300 A Etch 서강대학교 전자공학과 이장우 250,000원
2645 2018-06-26 17시 18시 Si Etch Test : 60sec - 2ea 서울대학교 전기정보공학부 성장운 150,000원
2646 2018-06-27 10시 17시 4매 300초 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 550,000원
2647 2018-06-28 12시 18시 HM050N120A1
5매 360sec 진행요청입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 850,000원
2648 2018-06-28 9시 12시 SiO2 2um etch (1.2 um PR mask 사용) 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 245,000원
2649 2018-06-29 10시 12시 RT020065V1
1매 300sec 진행 요청입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 250,000원
2650 2018-06-29 12시 16시 RT020065V1
3매 DMS 360sec 진행 요청입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 250,000원
2651 2018-06-29 8시 9시 6월 25일 누락된 신청 건
DMS 5매 300sec 진행 		powertechnix powertechnix 파워테크닉스 850,000원
2652 2018-07-04 13시 14시 두께 300 nm etching 진행 부탁드립니다. 울산과학기술원 신소재공학부 박지훈 145,000원
2653 2018-07-04 17시 18시 oxide 위로 PR patterning된 Si 조각 웨이퍼
내용 : 300-320nm SiO2 에칭		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 137,500원
2654 2018-07-05 10시 13시 oxide 2um etch 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 245,000원
2655 2018-07-05 13시 14시 recipe : pch_sio2 2초, pch_si 30초 진행 포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 137,500원
2656 2018-07-05 14시 18시 HM050N120A1 5매
360sec 진행 요청입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 850,000원
2657 2018-07-09 10시 11시 a-Si 420nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 137,500원
2658 2018-07-10 10시 16시 RIST, SAMCO
360sec 진행 요청 입니다.
 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 850,000원
2659 2018-07-11 10시 16시 HM050N120A1 5매
Dry etch 360sec 진행입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 550,000원
2660 2018-07-11 16시 17시 recipe: 1. Pch_ Sio2 2초
2. Pch_Si 30초		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 137,500원
2661 2018-07-11 17시 18시 Poly-Si 50 nm etch 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 137,500원
2662 2018-07-11 6시 7시 ( 어제 DMS 신청 누락 된 4매 건입니다 ! )
MOSTEG 4매
Dry etch 185 sec 진행입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 300,000원
2663 2018-07-12 13시 18시 Ssamco 5매
Oxide etch 360sec 진행입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 850,000원
2664 2018-07-13 13시 16시 HM050N120A1 2매
Oxide etch 360sec 진행입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 400,000원
2665 2018-07-16 10시 12시 Poly 6000Å Etch 공정의뢰 (총13매)

Main Lot : #11~20(10매)
Topo Lot : #24, 25, 25-01(3매)
 600,000원
2666 2018-07-17 10시 11시 recipe
SiO2 13초
Si 30초		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 137,500원
2667 2018-07-17 16시 18시 1-2-1 AKEY GaN Dry Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2668 2018-07-17 17시 19시 1-2-1 AKEY GaN Dry Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2669 2018-07-18 10시 11시 HSQ resist로 e-beam patterning (nanowire)된 Si 조각 샘플

패턴 사이즈 직경 30~100nm 원, 간격 200~250 um

공정조건 : 100 nm Si etching target		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 137,500원
2670 2018-07-19 9시 18시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Etch 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 1,300,000원
2671 2018-07-20 10시 11시 HSQ patterning된 Si 조각

공정 내용 : Si 100 nm etching
 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 137,500원
2672 2018-07-26 13시 14시 PR 및 block copolymer pattern을 silicon oxide층으로 transfer 포항공과대학교 화학공학과 김진곤 교수님 연구실 최청룡 142,500원
2673 2018-07-26 14시 15시 Si Etch 포항공과대학교 기계공학과 김정현 137,500원
2674 2018-07-26 14시 15시 Si Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 137,500원
2675 2018-08-01 10시 11시 5-2-1 MC Oxide Dry Etch (7/26) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2676 2018-08-01 10시 11시 3-3-2 PC GaN Dry Etch (7/27) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2677 2018-08-01 11시 12시 5-2-2 MC GaN Dry Etch (7/26) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2678 2018-08-01 12시 13시 6-2-1 MD Metal Dry Etch (7/31) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2679 2018-08-01 13시 14시 recipe:

pch_sio2 2초
pch_si 30초		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 137,500원
2680 2018-08-02 10시 11시 5-2-1 MC Oxide Dry Etch (7/19) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2681 2018-08-02 11시 12시 5-2-2 MC GaN Dry Etch (7/19) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2682 2018-08-02 9시 10시 1-2-1 AKEY Etch (7/17) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
2683 2018-08-03 10시 11시 5-2-2 MC GaN Dry Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2684 2018-08-03 9시 10시 5-2-1 MC Oxide Dry Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2685 2018-08-06 13시 21시 pGaN Etch 단위 공정 평가 : PR & GaN Etch 평가 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2686 2018-08-06 14시 15시 HSQ nano-size patterning된 Si 100 nm 에칭

참고사항 : 저번 실험을 통해 확인한 결과 HSQ와 Si의 etch rate가 0.76:1 정도로 확인됐습니다.
현재 동일 조건으로 HSQ patterning된 sample이며, HSQ의 두께는 120 nm입니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 137,500원
2687 2018-08-06 15시 18시 7-2-1 V0 Oxide Dry Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
2688 2018-08-07 13시 14시 P-5000 검증 tset 1매
360sec 진행입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 250,000원
2689 2018-08-07 9시 11시 6-2-1 M0 Metal Dry Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2690 2018-08-08 14시 16시 7-2-1 V0 Oxide Dry Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2691 2018-08-09 19시 22시 pGaN Etch 단위 공정 평가 : Etch Time 평가 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
2692 2018-08-10 10시 11시 Oxide Etch : 1.0um Target 포항공과대학교 화학공학과 고명철 142,500원
2693 2018-08-10 16시 19시 P-GaN Etch Test 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 240,000원
2694 2018-08-10 17시 21시 Polymer 제거 공정 평가 : SF6/O2 추가 공정 평가 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
2695 2018-08-16 15시 18시 Oxide Etching MC/PO Test 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
2696 2018-08-17 11시 13시 4-4-2 PC GaN Dry Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2697 2018-08-17 14시 15시 Multi Metal Etch Test용 Pattern_Etching _M0_M1 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
2698 2018-08-20 13시 14시 Al/TiN/Ti Metal Etch Test용 Pattern 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 205,000원
2699 2018-08-20 13시 16시 TiN Gate & pGaN Etch 단위 공정 선행 평가 : Si 단차 측정 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
2700 2018-08-20 17시 18시 Bio FET Nanowire 형성 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 137,500원
2701 2018-08-20 18시 21시 TiN Gate & pGaN Etch 단위 공정 평가 : Source & Bias Power 평가 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
2702 2018-08-20 9시 10시 PD030N120E1 (6매)
300sec 진행요청 입니다.
 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 850,000원
2703 2018-08-21 10시 10시 차세대 실리콘 파워반도체 기술사업화 계약_etch 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 1,300,000원
2704 2018-08-21 13시 19시 pGaN Etch 단위 공정 평가 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2705 2018-08-21 9시 10시 5-2-1 MC Oxide Dry Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2706 2018-08-22 12시 13시 8-2-1 M1 Metal Dry Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
2707 2018-08-22 14시 18시 PD030120E1 3매
Dry etch 360sec 진행입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 1,000,000원
2708 2018-08-23 16시 18시 1-2-1 AKEY GaN Dry Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
2709 2018-08-23 9시 18시 PD030120E1 5매, TEST W/F 1매
Dry Etch 360sec 진행입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 1,000,000원
2710 2018-08-24 10시 13시 pGaN Etch 공정 New Recipe Setup 평가 ; Si 단차 측정 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2711 2018-08-24 13시 14시 9-2-1 P0 Oxide Dry Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
2712 2018-08-24 14시 19시 pGaN New Recipe 평가 : Si / pGaN /AlGaN 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 220,000원
2713 2018-08-27 10시 12시 Si Etch Test : 60sec, 75sec, 80sec 서울대학교 전기정보공학부 성장운 250,000원
2714 2018-08-27 14시 15시 Silicon 위에 증착된 silicon nitride(300nm)위에 30nm정도의 photomask 패턴이 형성되어있음.
이 패턴의 모양대로 silicon nitride를 약 50nm etching하고자 함.

Gas 조건별 2회 진행 (2개/회)		 포항공과대학교 화학공학과 김진곤 교수님 연구실 최청룡 185,000원
2715 2018-08-27 15시 21시 pGaN 단위 공정 Setup : Film Etchrate 평가 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2716 2018-08-28 10시 18시 HM050N120A1 5매
Dry etch 360sec 진행입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 750,000원
2717 2018-08-28 14시 16시 HM Oxide 추가 및 pGan New 조건 단위 공정 평가 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
2718 2018-08-28 9시 10시 pGaN 단위 공정 평가 : HM Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
2719 2018-08-29 10시 18시 HM050N120A1 1매, SAMCO 5매
Dry etch 360sec 진행입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 750,000원
2720 2018-08-30 10시 18시 PD030120E1 5매
Dry etch 300sec 진행입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 550,000원
2721 2018-09-03 10시 18시 360s 2매
1매 버닝

 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 300,000원
2722 2018-09-03 10시 12시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2723 2018-09-03 12시 13시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2724 2018-09-03 18시 21시 pGaN vs AlGaN Etch Selectivity Test 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
2725 2018-09-04 10시 16시 pGaN vs AlGaN Etch Selectivity Test
Si - 3ea, Ox - 3ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2726 2018-09-04 15시 16시 Mark Etch 선행 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
2727 2018-09-04 16시 17시 Mark Etch 선행 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
2728 2018-09-05 10시 11시 Si 70nm dry etch 부탁드립니다 (8인치 웨이퍼 에칭 장비 옆에 올려두고 왔습니다, mask:GXR pR) 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 137,500원
2729 2018-09-05 11시 16시 MARK ETCH MAIN. 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
2730 2018-09-05 12시 18시 KR100120V1
185초 4매
300초 2매
어제 진행 한
누락된 신청 건 입니다		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 600,000원
2731 2018-09-05 19시 21시 pGaN vs AlGaN Etch Selectivity Test 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
2732 2018-09-05 9시 12시 MARK ETCH MAIN. 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
2733 2018-09-06 13시 15시 4-4-3 PC GaN Dry Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2734 2018-09-06 15시 16시 Bark 50 nm / oxide 20 nm/ Si 140 nm
Bark 50 nm / oxide 10 nm/ Si 70 nm

Barc Etching / Silicon Etching 각각 진행		 포항공과대학교 전자전기공학과 최원영 250,000원
2735 2018-09-06 17시 18시 3매
300sec 		powertechnix powertechnix 파워테크닉스 550,000원
2736 2018-09-06 9시 10시 4-4-1 PC OXide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2737 2018-09-07 9시 11시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2738 2018-09-10 14시 15시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2739 2018-09-10 17시 18시 100nm 산화 SiO2 wafer 에 W 약 150nm 가 전면 증착된 wafer입니다.
해당 W wafer 에 patterning 을 PR로 해놓았고, W 150nm 에칭 요청드립니다. (지난번에 W etching 조건 당시, 15sec에 약 50nm 에칭이 되는것으로 확인했었습니다.) 샘플이 6장이 있는데, 2장씩 나누어서 진행해주시길 부탁드립니다.
문의사항 있으시면 010-8477-9126 으로 연락주시길 바랍니다. 감사합니다. 		포항공과대학교 신소재공학과 최우석 212,500원
2740 2018-09-10 17시 18시 3장 : Bark 50 nm, Oxide 20 nm, Si 140 nm
3장 : Bark 50 nm, Oxide 10 nm, Si 70 nm

Barc Etching & Silicon Etching 각각 진행
target etching		 포항공과대학교 전자전기공학과 최원영 550,000원
2741 2018-09-10 18시 19시 4-4-3 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2742 2018-09-11 12시 13시 Schottky 1매
Dry etch 300sec 진행입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 150,000원
2743 2018-09-11 13시 14시 Si wafer

Recipe : Bark 30 s, BT 20 s, ME 80 s		 포항공과대학교 전자전기공학과 최원영 137,500원
2744 2018-09-11 14시 15시 1-2-1 AKEY Dry Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2745 2018-09-11 15시 17시 Metal Etch Test : Ti / Al / TiN 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 220,000원
2746 2018-09-11 17시 18시 15~20nm Cr으로 마스킹이 되어있는 자연산화층 기판입니다.

Si층을 약 500nm정도 etching을 하고 싶습니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 142,500원
2747 2018-09-11 9시 11시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2748 2018-09-12 10시 11시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2749 2018-09-12 14시 17시 Metal Etch Test : Stack 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2750 2018-09-13 10시 12시 6-2-1 M0 Metal Dry Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2751 2018-09-14 11시 15시 Metal Etch : Oxide Etchrate 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2752 2018-09-14 16시 18시 Target: PEoxide 260 nm 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 137,500원
2753 2018-09-14 9시 11시 6-2-1 M0 Metal Dry Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2754 2018-09-15 10시 17시 6매 진행 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 1,000,000원
2755 2018-09-15 9시 9시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Etch 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 1,300,000원
2756 2018-09-17 15시 18시 Dry etch 300sec 3매 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 550,000원
2757 2018-09-17 9시 11시 6-2-1 M0 Metal Dry Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2758 2018-09-18 11시 12시 PR patterning된 SiO2/Si 샘플

공정 내용: PECVD SiO2 330 nm etch
(SiO2 layer를 완전히 제거하기 위해 overetch되어도 상관없습니다.)		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 137,500원
2759 2018-09-18 12시 13시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2760 2018-09-18 13시 14시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2761 2018-09-18 15시 18시 Oxide Etch Test : 1000 A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2762 2018-09-18 9시 10시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2763 2018-09-19 10시 11시 Si 70 nm etch
(top si 70nm, gxr 601 hard mask)		 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 137,500원
2764 2018-09-19 11시 12시 Poly Silicon on SiC Etch : 6000 A LG전자 ICS팀 김기민 142,500원
2765 2018-09-19 11시 13시 1-2-1 AKEY GaN Dry Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2766 2018-09-19 13시 16시 pGaN vs AlGaN Etch Selectivity Test 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2767 2018-09-19 16시 19시 Poly Silicon on SiC Etch : 6000 A LG전자 ICS팀 김기민 227,500원
2768 2018-09-20 10시 11시 recipe : pch_sio2 90초, Oxide_etch Split
300 nm target		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 175,000원
2769 2018-09-21 13시 15시 1-2-1 AKEY GAN Dry Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
2770 2018-09-21 15시 18시 pGaN vs AlGaN Etch Selectivity Test
: Oxide / TiN Etch		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
2771 2018-09-27 10시 12시 1-2-1 AKEY GaN Dry Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
2772 2018-09-27 13시 14시 AlGaN 300 A Target Etch 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 150,000원
2773 2018-09-27 14시 16시 GaN Etch : 750nm 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 200,000원
2774 2018-09-27 16시 18시 300s 2매 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 300,000원
2775 2018-09-28 10시 11시 oxide 70nm etch (backside) 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 137,500원
2776 2018-09-28 11시 15시 Oxide 2.0um, 2ea powertechnix powertechnix 파워테크닉스 400,000원
2777 2018-10-01 10시 11시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2778 2018-10-01 12시 13시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
2779 2018-10-01 14시 15시 4-4-5 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2780 2018-10-01 15시 17시 SiO2 1um etch 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 235,000원
2781 2018-10-01 9시 10시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2782 2018-10-02 11시 13시 4-4-5 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
2783 2018-10-02 13시 15시 Thick Metal Etch Test (3.0um)
300 sec / 600sec + 150sec 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 280,000원
2784 2018-10-02 15시 16시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
2785 2018-10-04 10시 11시 1-2-1 AKEY Dry Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2786 2018-10-04 10시 11시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2787 2018-10-04 12시 14시 4-4-5 PC GaN Dry Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2788 2018-10-04 14시 16시 4-4-5 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
2789 2018-10-05 12시 13시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
2790 2018-10-05 14시 15시 bark 50nm, sio2 20nm, si 140 nm etching 포항공과대학교 전기전자공학과 김성지 175,000원
2791 2018-10-08 11시 12시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2792 2018-10-08 11시 12시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2793 2018-10-08 13시 15시 Thick Metal Etchrate Test : 60sec 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2794 2018-10-08 9시 11시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
2795 2018-10-10 11시 12시 4-4-5 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2796 2018-10-10 14시 16시 Thick Metal Etch Recipe 평가 : 3.0um 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 380,000원
2797 2018-10-10 16시 18시 GaN Etch 선택비 Test
70W-2 O2-5 O2 : Si & SiO2 Etchrate		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2798 2018-10-10 9시 11시 6-2-1 M0 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
2799 2018-10-11 10시 11시 SiO2 100nm etch, 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 137,500원
2800 2018-10-11 10시 11시 6-2-1 M0 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2801 2018-10-11 13시 17시 GaN Etch 선택비 평가 : Si & SiO2 비교 평가 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2802 2018-10-11 9시 11시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
2803 2018-10-12 10시 15시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Etch 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 1,300,000원
2804 2018-10-12 9시 10시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2805 2018-10-15 11시 13시 6-2-1 M0 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2806 2018-10-15 13시 14시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2807 2018-10-15 14시 15시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2808 2018-10-15 15시 17시 Thick Metal Etch Test 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2809 2018-10-15 9시 11시 1-2-1 AKEY GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2810 2018-10-16 10시 11시 SiO2/PR patterning된 Si wafer

공정 내용 : 300 nm SiO2 etching (over-etch 가능한 샘플)		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 137,500원
2811 2018-10-16 11시 12시 1-2-1 Hard Mask Oxide Etch 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 175,000원
2812 2018-10-16 12시 13시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2813 2018-10-16 13시 17시 Thick Metal Etch Test : 350" / 450 " / 500" 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
2814 2018-10-16 9시 10시 6-2-1 M0 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2815 2018-10-17 9시 11시 6-2-1 M0 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
2816 2018-10-18 10시 11시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2817 2018-10-18 11시 13시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
2818 2018-10-18 13시 14시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
2819 2018-10-18 13시 14시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2820 2018-10-18 14시 17시 Thick Metal Etch 평가 : 350" / 400" 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 480,000원
2821 2018-10-19 15시 17시 Oxide 700 nm 식각
Sandglass 나노선 구조 식각		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 160,000원
2822 2018-10-22 11시 12시 TiN Etch Test : HM Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
2823 2018-10-22 16시 17시 4-4-5 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2824 2018-10-22 9시 11시 6-2-1 M0 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2825 2018-10-23 10시 11시 recipe :

1. Z_Mo 105초
2. pch_SiO2 25 초

진행 부탁드리겠습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 137,500원
2826 2018-10-23 11시 13시 Thick Metal Etch Test : 300" / 350" 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 480,000원
2827 2018-10-23 13시 14시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2828 2018-10-23 15시 16시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
2829 2018-10-23 16시 18시 GaN 선택비 Etch 평가 : 95" / 100"
(65 W)		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
2830 2018-10-23 9시 10시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2831 2018-10-24 10시 12시 Al2O3 Etching (주)엔디디 기술연구 최은아 600,000원
2832 2018-10-24 13시 14시 4-4-5 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2833 2018-10-25 12시 13시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2834 2018-10-26 10시 11시 dry etching 포항공과대학교 정보전자융합공학부 박찬오 137,500원
2835 2018-10-26 11시 13시 GaN Etch 선택비 평가 : EPI wafer 100" (65 W) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2836 2018-10-31 14시 15시 Recipe : Z_Mo 5초, pch_SiO2 35초 포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 137,500원
2837 2018-10-31 15시 16시 Si Dry Etch 2장 부탁드립니다. 포항공과대학교 화학공학과 임채성 175,000원
2838 2018-11-01 10시 11시 6-2-1 M0 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2839 2018-11-01 11시 13시 1-2-1 AKEY Etch (11/29) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
2840 2018-11-01 9시 10시 7-3-7 V0 OXide Etch (10/26) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
2841 2018-11-02 9시 18시 Plasma Etching 영향성 평가
: CF4 Gas Condition, 1.0 Hr 진행 		(재)강원테크노파크 신소재사업단 김덕 1,460,000원
2842 2018-11-02 9시 11시 6-2-1 M0 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2843 2018-11-05 11시 13시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
2844 2018-11-05 15시 16시 a-Si 320nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 137,500원
2845 2018-11-05 9시 11시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
2846 2018-11-08 18시 21시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2847 2018-11-09 11시 12시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 200nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 200nm에칭해 주세요. 시편은 총 1개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 137,500원
2848 2018-11-09 13시 15시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2849 2018-11-12 10시 13시 Poly Etching in SiC wafer LG전자 ICS팀 김기민 227,500원
2850 2018-11-12 14시 15시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2851 2018-11-12 15시 16시 7-3-7 V0 Oxide Etch (E/B) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
2852 2018-11-12 9시 12시 8-2-1 M1 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,180,000원
2853 2018-11-13 11시 12시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2854 2018-11-13 12시 14시 9-2-1 P0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
2855 2018-11-13 16시 17시 4-4-5 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2856 2018-11-13 9시 11시 6-2-1 M0 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
2857 2018-11-14 10시 11시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
2858 2018-11-14 11시 12시 PC metal Etch : TiN 600 / Ti 200 / Al 1000 / Ti 200 /TiN 300
Time Split		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
2859 2018-11-14 13시 14시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
2860 2018-11-14 15시 16시 7-3-2 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
2861 2018-11-14 16시 17시 9-3-2 P0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
2862 2018-11-15 10시 11시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2863 2018-11-15 10시 12시 6-2-1 M0 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 220,000원
2864 2018-11-15 12시 13시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2865 2018-11-15 13시 14시 8-2-1 M1 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2866 2018-11-15 9시 10시 PECVD SiO2 300nm etch 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 137,500원
2867 2018-11-19 13시 14시 4-4-5 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2868 2018-11-19 16시 17시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 220,000원
2869 2018-11-19 9시 11시 6-2-1 M0 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2870 2018-11-19 9시 9시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Etch 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 1,300,000원
2871 2018-11-20 10시 11시 recipe : Pch_SiO2 13 초

진행 부탁드리겠습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 137,500원
2872 2018-11-20 11시 18시 10 (주)엔디디 기술연구 최은아 600,000원
2873 2018-11-20 13시 14시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2874 2018-11-20 14시 15시 7-3-5 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 220,000원
2875 2018-11-20 16시 17시 7-3-2 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2876 2018-11-20 9시 10시 9-2-1 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2877 2018-11-21 10시 11시 Si3N4 실리콘 나이트라이드 200 nm etching 부탁드리겠습니다.

over ethcing은 5~15 nm 내외로 해주세요.

감사합니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 137,500원
2878 2018-11-21 11시 12시 4-4-1 PC HM Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
2879 2018-11-21 12시 13시 4-4-2 PC Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
2880 2018-11-21 14시 15시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 200nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 200nm에칭해 주세요. 시편은 총 1개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 137,500원
2881 2018-11-21 15시 18시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
2882 2018-11-21 9시 10시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2883 2018-11-22 10시 11시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2884 2018-11-22 10시 12시 8-2-1 M1 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 220,000원
2885 2018-11-22 9시 10시 glass wafer 위에 a-Si 300 nm 증착되어있고, 그 위에 30 nm Cr 증착되어 있습니다.

300 nm a-Si etching 부탁드립니다.

저희 연구실 이전 진행 할때 100초 했다고 합니다.

100초 부탁드립니다.

감사합니다.
김정현 010-5161-1192		 포항공과대학교 기계공학과 김정현 137,500원
2886 2018-11-23 11시 12시 9-2-1 P0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 220,000원
2887 2018-11-23 9시 11시 6-2-1 M0 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2888 2018-11-26 13시 14시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2889 2018-11-26 13시 18시 Ceramic Part 재질에 따른 Plasma Etching 영향성 평가 (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 1,255,000원
2890 2018-11-26 15시 16시 7-3-2 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2891 2018-11-26 16시 17시 a-Si 300 nm 위에 Cr mask 30 nm patterning 되어있습니다.

a-Si 300 nm etching , 100초 부탁드립니다.

010-5161-1192 김정현		 포항공과대학교 기계공학과 김정현 137,500원
2892 2018-11-26 9시 11시 6-2-1 M0 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2893 2018-11-27 10시 11시 7-3-7 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2894 2018-11-27 10시 11시 4-4-2 PC Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
2895 2018-11-27 12시 14시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2896 2018-11-27 14시 15시 Nitride Etch (주)라디안큐바이오 바이오 R&D 센터 라디안큐바이오 300,000원
2897 2018-11-28 10시 11시 7-3-7 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2898 2018-11-28 11시 13시 8-2-1 M1 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2899 2018-11-28 13시 18시 Ceramic Part 에 대한 Plasma 영향성 평가 (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 1,255,000원
2900 2018-11-28 14시 15시 Top Si 100nm etching (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 150,000원
2901 2018-11-28 9시 10시 oxide 40nm 식각
(PECVD oxide 30nm 증착샘플)		 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 175,000원
2902 2018-11-29 13시 15시 9-2-1 P0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2903 2018-11-29 15시 17시 지난번에 SF6를 이용하여 silicon nitride를 etching한 적이 있습니다.
같은 조건으로 한번더 etching하려고 합니다.
(조각 8개, 2회로 진행)		 포항공과대학교 화학공학과 김진곤 교수님 연구실 최청룡 185,000원
2904 2018-11-29 9시 11시 8-2-1 M1 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
2905 2018-11-30 11시 12시 SiN 60nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 137,500원
2906 2018-11-30 13시 14시 Oxide Etch (주)라디안큐바이오 바이오 R&D 센터 라디안큐바이오 300,000원
2907 2018-11-30 15시 16시 glass 위에 a-Si 130 nm 증착되어 있고 그 위에 Cr patterning 30 nm 되어있습니다.

a-Si 130 nm etching 부탁드립니다.

김정현 010-5161-1192		 포항공과대학교 기계공학과 김정현 137,500원
2908 2018-12-03 10시 11시 4-2-1 PC GaN Etch (11/30) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2909 2018-12-03 11시 12시 4-4-1 PC Oxide Etch(11/27) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
2910 2018-12-03 16시 17시 4-4-5 PC GaN Etch(11/27) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
2911 2018-12-03 9시 10시 1-2-1 AKEY GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2912 2018-12-04 10시 15시 플라즈마 에칭 영향성 평가
: Sample 11ea
: 연속 진행으로 기본료 없이 10 회로 처리함		 (재)강원테크노파크 신소재사업단 김덕 1,510,000원
2913 2018-12-04 11시 13시 New Mask 검증 A Key Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
2914 2018-12-04 15시 16시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
2915 2018-12-04 16시 17시 7-3-3 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2916 2018-12-04 16시 17시 A-Si 300 nm 위에 Cr 30 nm patterning 되어있습니다.

A-Si 300 nm, 100초 에칭 부탁드립니다.

010-5161-1192 김정현		 포항공과대학교 기계공학과 김정현 137,500원
2917 2018-12-04 17시 22시 Ceramics Parts 에 대한 Plasma Etching 영향성 평가 (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 1,255,000원
2918 2018-12-04 9시 11시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2919 2018-12-05 10시 12시 8-2-1 M1 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2920 2018-12-05 10시 15시 플라즈마 에칭 영향성 평가
: Sample 5ea
: 연속 진행으로 기본료 없이 10 회로 처리함		 (재)강원테크노파크 신소재사업단 김덕 1,450,000원
2921 2018-12-05 12시 15시 New Mask 검증 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
2922 2018-12-05 15시 17시 Passivation 평가, TiN Etch 후 pGaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 310,000원
2923 2018-12-05 15시 21시 세라믹 부품에 대한 플라즈마 에칭 영향성 평가 (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 1,255,000원
2924 2018-12-05 9시 10시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2925 2018-12-06 10시 11시 Bark 58 nm, Oxide 20 nm, Si 100 nm target etching (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 200,000원
2926 2018-12-06 10시 13시 9-2-1 P0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2927 2018-12-06 13시 15시 9-2-2 P0 TiN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2928 2018-12-06 13시 14시 SiN Etch 경북대 전자전기 컴퓨터 최영찬 200,000원
2929 2018-12-06 14시 15시 Ceramics Parts 에 대한 Etching 영향성 평가 : Particle Check (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 310,000원
2930 2018-12-06 15시 16시 Ceramics Parts 에 대한 Etching 영향성 평가 : Etchrate Check (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 250,000원
2931 2018-12-06 16시 17시 Ceramics Parts 에 대한 Etching 영향성 평가 : Profile Check (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 250,000원
2932 2018-12-06 9시 10시 SiN Etch 경북대 전자전기 컴퓨터 최영찬 150,000원
2933 2018-12-07 10시 11시 Dry etching (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 150,000원
2934 2018-12-07 14시 15시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2935 2018-12-07 9시 12시 6-2-1 M0 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 380,000원
2936 2018-12-10 10시 12시 Ceramics Parts 에 대한 Etching 표면 처리 (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 250,000원
2937 2018-12-10 12시 14시 Passivation 평가, MC Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 310,000원
2938 2018-12-10 14시 15시 a-Si 300nm 에칭 (JoVE 촬영) 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2939 2018-12-10 16시 17시 Si 100 nm target etching (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 150,000원
2940 2018-12-10 16시 18시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 380,000원
2941 2018-12-10 9시 11시 6-2-1 M0 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2942 2018-12-11 13시 14시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2943 2018-12-11 16시 17시 7-3-5 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 380,000원
2944 2018-12-11 9시 10시 11-2-1 GC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2945 2018-12-12 12시 13시 6장 : Bark 10s BT 20s ME 35s
2장 : Bark 10s BT 20s ME 25s		 (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 500,000원
2946 2018-12-12 17시 18시 Plasma Etching (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 150,000원
2947 2018-12-12 18시 22시 Ceramics Parts 에 대한 plasma Etching 영향성 평가 : 조각 샘플 (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 1,050,000원
2948 2018-12-12 9시 11시 8-2-1 M1 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 380,000원
2949 2018-12-13 12시 15시 9-2-1 P0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 380,000원
2950 2018-12-13 9시 11시 6-2-1 M0 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2951 2018-12-14 1시 2시 Etching test with Si test wafer (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 250,000원
2952 2018-12-14 15시 16시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2953 2018-12-14 9시 11시 4-5-1 PC Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2954 2018-12-14 9시 10시 4-4-1 PC OXide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2955 2018-12-17 10시 11시 4-4-3 PC Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
2956 2018-12-17 10시 11시 Dry etching (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 150,000원
2957 2018-12-17 11시 13시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2958 2018-12-17 11시 14시 FC60 자동화 평가 : Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 200,000원
2959 2018-12-17 11시 18시 Nitride 2.0um Etch 포항공과대학교 기계공학과 김준수 812,500원
2960 2018-12-17 13시 16시 Si A key Etch : back Side 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
2961 2018-12-17 14시 16시 4-4-5 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2962 2018-12-17 16시 18시 FC60 자동화 평가 2 : Oxide Etch (hard Mask) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 200,000원
2963 2018-12-17 16시 18시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2964 2018-12-17 9시 11시 Passivation 평가, Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 240,000원
2965 2018-12-17 9시 11시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 300,000원
2966 2018-12-18 11시 12시 7-3-6 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2967 2018-12-18 13시 14시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2968 2018-12-18 13시 14시 7-3-5 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 220,000원
2969 2018-12-18 9시 16시 FC60 자동화 평가 용 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,400,000원
2970 2018-12-19 13시 14시 AlGaN/GaN on sapphire epi-layer 위에 금속 Ti/Al bi-layer와 Ni layer가 증착되어있고, 그 위 전면에 Al2O3 30 nm가 NINT 내의 ALD 장비로 증착되어있는 상태입니다. 하고자 하는 공정은 contact hole etching이라서 Al2O3위에 약 0.6~0.7 um 두께의 GXR 601 PR로 patterning 되어있습니다. 경북대학교 전자공학부 설정훈 250,000원
2971 2018-12-19 15시 16시 a-Si 300nm 에칭 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2972 2018-12-20 11시 12시 4-4-1 PC Oxide etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2973 2018-12-20 9시 11시 6-2-1 M0 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2974 2018-12-21 11시 12시 4-5-2 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2975 2018-12-21 14시 15시 a-Si 420nm 오버에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김인기 137,500원
2976 2018-12-21 15시 16시 a-Si 300nm 에칭 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2977 2018-12-21 9시 12시 8-2-1 M1 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 2,140,000원
2978 2018-12-21 9시 11시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2979 2018-12-24 10시 14시 9-2-1 P0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2980 2018-12-24 14시 15시 7-3-5 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2981 2018-12-24 9시 16시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Etch 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 1,300,000원
2982 2018-12-26 10시 12시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 340,000원
2983 2018-12-26 14시 18시 GaN etching 400~450nm target 부탁드립니다. 삼성종합기술원 NEL 박정훈 270,000원
2984 2018-12-26 9시 11시 8-2-1 M1 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 220,000원
2985 2018-12-27 10시 12시 1st Oxide Etch (주)라디안큐바이오 바이오 R&D 센터 라디안큐바이오 200,000원
2986 2018-12-27 12시 13시 2nd Oxide Etch (주)라디안큐바이오 바이오 R&D 센터 라디안큐바이오 150,000원
2987 2018-12-27 13시 14시 9-2-1 P0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 220,000원
2988 2018-12-27 15시 16시 a-Si 300nm 에칭 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
2989 2019-01-01 10시 11시 8-2-1 M1 Etch (12/27) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 212,500원
2990 2019-01-01 11시 12시 9-2-1 P0 Oxide Etch (12/28) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 212,500원
2991 2019-01-01 12시 13시 1-2-1 AKEY Etch (12/24) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
2992 2019-01-01 12시 13시 7-3-7 V0 E/B(12/26) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 212,500원
2993 2019-01-01 13시 15시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
2994 2019-01-01 9시 11시 8-2-1 M1 Etch (12/28) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 2,725,000원
2995 2019-01-02 11시 12시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 450nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 450nm에칭해 주세요. 시편은 총 1개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 137,500원
2996 2019-01-02 11시 13시 4-2-1 PC Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 325,000원
2997 2019-01-02 13시 15시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 325,000원
2998 2019-01-02 9시 12시 9-2-1 P0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 325,000원
2999 2019-01-02 9시 11시 Oxide Etch 1.0um 20% Over Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 175,000원
3000 2019-01-03 10시 11시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3001 2019-01-03 13시 14시 7-3-7 V0 E/B Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 250,000원
3002 2019-01-03 13시 15시 4-4-1 PC HM Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 325,000원
3003 2019-01-03 15시 18시 Gas Sensor 표면 가공 샘플 제작[4.0016655.01] : Poly Si Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 525,000원
3004 2019-01-03 9시 10시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 250,000원
3005 2019-01-04 10시 14시 4-4-1 PC Multi Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 212,500원
3006 2019-01-04 14시 15시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3007 2019-01-04 15시 18시 4-4-5 pGaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 325,000원
3008 2019-01-04 17시 19시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 287,500원
3009 2019-01-04 9시 11시 4-4-6 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3010 2019-01-07 13시 14시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3011 2019-01-07 15시 16시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 300 nm 증착되어있고, 그 위에 Cr patterning 되어있습니다.

amorphous silicon 300 nm 모두 etching을 위해 100초 etching 부탁드립니다.

김정현 010-5161-1192		 포항공과대학교 기계공학과 김정현 137,500원
3012 2019-01-07 16시 17시 4-4-6 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3013 2019-01-08 12시 14시 6-3-4 GaN Etching 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 175,000원
3014 2019-01-08 14시 15시 7-3-7 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 250,000원
3015 2019-01-08 15시 16시 5-2-2 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3016 2019-01-08 9시 12시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 175,000원
3017 2019-01-09 13시 14시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 287,500원
3018 2019-01-09 17시 18시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 175,000원
3019 2019-01-09 9시 10시 10나노급 차세대 실리콘 나노선 개발 포항공과대학교 창의IT융합공학과 박태훈 1,000,000원
3020 2019-01-09 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3021 2019-01-10 10시 12시 Gas Sensor 표면 가공 샘플 제작[4.0016655.01] : Oxide Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 337,500원
3022 2019-01-10 16시 18시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3023 2019-01-11 10시 13시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 2,725,000원
3024 2019-01-11 15시 16시 amorphous silicon etching 100초 부탁드립니다.

김정현
010-5161-192		 포항공과대학교 기계공학과 김정현 137,500원
3025 2019-01-11 9시 11시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3026 2019-01-14 11시 12시 7-3-7 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3027 2019-01-14 13시 15시 9-2-1 P0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 250,000원
3028 2019-01-14 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3029 2019-01-15 9시 12시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 2,000,000원
3030 2019-01-16 11시 14시 9-2-1 P0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3031 2019-01-16 15시 16시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3032 2019-01-16 16시 17시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3033 2019-01-16 9시 11시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3034 2019-01-17 16시 17시 amorphous silicon 100초 에칭 부탁드립니다.

김정현
010-5161-1192		 포항공과대학교 기계공학과 김정현 137,500원
3035 2019-01-17 9시 10시 8-inch SOI Wafer Top Si 100 nm over-etch 20% 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 137,500원
3036 2019-01-18 11시 16시 Nitiride Etch : 2.0um + 2000 A 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 575,000원
3037 2019-01-18 9시 11시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3038 2019-01-21 15시 16시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3039 2019-01-21 9시 10시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3040 2019-01-22 10시 11시 4-4-5 PC PR GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3041 2019-01-22 13시 14시 9-2-1 P0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3042 2019-01-22 16시 18시 4-4-5 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3043 2019-01-22 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 287,500원
3044 2019-01-23 12시 13시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 250,000원
3045 2019-01-23 13시 14시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3046 2019-01-23 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 325,000원
3047 2019-01-24 12시 13시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3048 2019-01-24 15시 16시 glass 위에 A-silicon 증착되어있고, Cr mask patterning 되어있습니다.

amorphous silicon 100초 etching 부탁드립니다.

김정현
010-5161-1192		 포항공과대학교 기계공학과 김정현 137,500원
3049 2019-01-24 9시 10시 7-3-7 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 250,000원
3050 2019-01-24 9시 10시 5-2-2 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3051 2019-01-24 9시 12시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 3,600,000원
3052 2019-01-25 15시 16시 Si 350nm 에칭 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
3053 2019-01-25 9시 11시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,850,000원
3054 2019-01-28 11시 12시 9-2-1 PO Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 250,000원
3055 2019-01-28 15시 16시 glass 위에 A-silicon 증착되어있고, 그 위에 Cr patterning 되어있습니다.

아몰포스 실리콘 100초 에칭 부탁드립니다.

김정현
010-5161-1192		 포항공과대학교 기계공학과 김정현 137,500원
3056 2019-01-28 16시 17시 4-4-6 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3057 2019-01-29 11시 12시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3058 2019-01-29 11시 12시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 325,000원
3059 2019-01-29 15시 16시 11-2-1 GC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 250,000원
3060 2019-01-29 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3061 2019-01-30 13시 14시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3062 2019-01-31 10시 11시 7-3-7 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3063 2019-02-01 10시 11시 SiO2 120nm 에칭 부탁드립니다. (에칭 마스크는 크롬 입니다) 포항공과대학교 기계공학과 김인기 137,500원
3064 2019-02-01 10시 11시 4-4-5 PC GaN Etch (1/31) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3065 2019-02-01 11시 12시 5-2-1 MC Oxide Etch (1/31) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3066 2019-02-01 9시 11시 1-2-1 NR Si Etch 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 300,000원
3067 2019-02-07 14시 15시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 250,000원
3068 2019-02-07 9시 12시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 3,600,000원
3069 2019-02-08 10시 12시 4-3-7 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
3070 2019-02-08 13시 15시 4-4-3 PC Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 205,000원
3071 2019-02-08 13시 16시 9-2-1 PO Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3072 2019-02-08 9시 10시 SiO2 20nm/Si3N4 85nm/SiO2 90nm 절연막 스택 에칭

총 두께 195 nm etch		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 212,500원
3073 2019-02-11 10시 12시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3074 2019-02-11 15시 16시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 325,000원
3075 2019-02-11 18시 19시 10나노급 차세대 실리콘 나노선 개발 포항공과대학교 창의IT융합공학과 박태훈 1,250,000원
3076 2019-02-11 9시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 200,000원
3077 2019-02-11 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3078 2019-02-12 13시 14시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3079 2019-02-12 14시 15시 4-4-5 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 325,000원
3080 2019-02-13 10시 12시 GaN Etch Test
1차, High Etchrate & Low Etchrate		 삼성전자 종합기술원 한주헌 185,000원
3081 2019-02-13 11시 12시 7-3-7 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3082 2019-02-13 11시 12시 SiO2 120nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 137,500원
3083 2019-02-14 10시 15시 GaN Etch Test
2차, High Etchrate Time Split (4 회)		 삼성전자 종합기술원 한주헌 270,000원
3084 2019-02-14 14시 15시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 325,000원
3085 2019-02-14 15시 17시 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
3086 2019-02-14 9시 15시 8-3-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 3,600,000원
3087 2019-02-15 14시 16시 지난번에 몇번 의뢰했던조건으로 silicon nitride를 etching하려 합니다.(SF6 gas) 포항공과대학교 화학공학과 김진곤 교수님 연구실 최청룡 185,000원
3088 2019-02-15 14시 15시 샘플 갯수 총 4개인데 2개 2개가 각각 같은 샘플이라 하나씩 먼저 진행하여 테스트하면 될 것 같습니다.
Etching하는 O/N/O/N/O구조 (총 200nm)는 동일하니 테스트 성공하면 나머지는 한번에 진행해도 될 것 같습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 137,500원
3089 2019-02-15 9시 13시 Thick Metal backup : DMS Test 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 535,000원
3090 2019-02-18 10시 12시 9-2-1 PO Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3091 2019-02-18 14시 15시 4-4-1 PC OXide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3092 2019-02-18 9시 11시 Box ETch 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 300,000원
3093 2019-02-19 17시 18시 7-3-7 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 175,000원
3094 2019-02-19 17시 18시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3095 2019-02-19 9시 10시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 175,000원
3096 2019-02-19 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 325,000원
3097 2019-02-20 16시 17시 4-5-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3098 2019-02-20 17시 18시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 325,000원
3099 2019-02-20 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3100 2019-02-21 13시 15시 Al2O3 Etch (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 600,000원
3101 2019-02-21 16시 17시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3102 2019-02-21 17시 18시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3103 2019-02-21 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 250,000원
3104 2019-02-22 16시 18시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 250,000원
3105 2019-02-22 9시 10시 7-3-7 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 325,000원
3106 2019-02-25 10시 14시 GaN Sel. Test : Si/SiO2 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
3107 2019-02-25 14시 15시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3108 2019-02-25 15시 16시 4-4-1 PC Oxide etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3109 2019-02-25 9시 10시 7-3-7 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3110 2019-02-25 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3111 2019-02-26 10시 15시 GaN Sel. Test 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 205,000원
3112 2019-02-26 13시 14시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3113 2019-02-26 13시 15시 Poly Etch : 7000 A LG전자 ICS팀 김기민 185,000원
3114 2019-02-26 15시 16시 Si 1um 에칭 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 137,500원
3115 2019-02-26 9시 11시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 925,000원
3116 2019-02-26 9시 10시 7-3-7 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 250,000원
3117 2019-02-27 10시 13시 Ge vs Si Selectivity Etch Test 200,000원
3118 2019-02-27 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3119 2019-02-27 9시 10시 7-3-7 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3120 2019-02-28 11시 13시 Oxide Etch with Cr Mask : 1.0um (150sec) 포항공과대학교 화학공학과 고명철 142,500원
3121 2019-02-28 13시 15시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3122 2019-02-28 15시 17시 4-4-5 pGaN Etch : 95s 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 400,000원
3123 2019-02-28 9시 11시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,200,000원
3124 2019-03-04 11시 14시 9-2-1 PO Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3125 2019-03-04 14시 16시 2-2-1 Metal Dry ETch 삼성전자 종합기술원 한주헌 320,000원
3126 2019-03-04 14시 16시 4-4-3 Metal dry Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 177,000원
3127 2019-03-04 14시 15시 4-4-1 PC MH Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 177,000원
3128 2019-03-04 17시 18시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3129 2019-03-04 21시 22시 4-5-2 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3130 2019-03-04 9시 12시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3131 2019-03-05 11시 12시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3132 2019-03-05 14시 15시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3133 2019-03-05 15시 10시 Plasma Etching Test
: RF 1.0 Hr / 2Hr / 3Hr Split 진행		 기계연구원부설 재료연구소 엔지니어링세라믹 연구실 이채언 3,565,000원
3134 2019-03-05 9시 11시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,230,000원
3135 2019-03-06 10시 11시 4-4-5 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3136 2019-03-06 11시 12시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3137 2019-03-06 15시 19시 9-2-1 PO Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3138 2019-03-07 10시 11시 4-4-3 PC HM Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 177,000원
3139 2019-03-07 11시 13시 4-4-3 PC Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 177,000원
3140 2019-03-07 11시 12시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3141 2019-03-07 13시 14시 Multi Metal Gate Test : HM Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 177,000원
3142 2019-03-07 14시 16시 Multi Metal Gate Test : Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 177,000원
3143 2019-03-07 16시 17시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3144 2019-03-07 18시 10시 Plasma Etching Test for Ceramics
: 100min		 (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 1,355,000원
3145 2019-03-07 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3146 2019-03-08 14시 15시 4-5-3 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3147 2019-03-08 15시 17시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3148 2019-03-11 11시 13시 Silicon Etch : Sandglass 2.0um 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 246,750원
3149 2019-03-11 12시 14시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3150 2019-03-11 14시 15시 7-3-6 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3151 2019-03-11 15시 16시 10나노급 차세대 실리콘 나노선 개발 포항공과대학교 창의IT융합공학과 박태훈 1,500,000원
3152 2019-03-11 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3153 2019-03-12 12시 14시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3154 2019-03-12 16시 18시 Al2O3 Etch (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 325,000원
3155 2019-03-12 9시 12시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,230,000원
3156 2019-03-13 10시 11시 Si 50 nm etch (SIO2 6nm 정도가 있어 충분한 BT부탁드립니다) 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 144,000원
3157 2019-03-13 11시 13시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3158 2019-03-13 12시 14시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3159 2019-03-13 14시 15시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3160 2019-03-13 15시 17시 Si Etch : Sandglass 형태 평가 - 2.0um 이상 포항공과대학교 전자전기공학부 윤솔 246,750원
3161 2019-03-13 9시 10시 7-3-7 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3162 2019-03-14 13시 15시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3163 2019-03-14 15시 16시 4-5-2 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3164 2019-03-14 16시 17시 6-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3165 2019-03-14 9시 12시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,230,000원
3166 2019-03-15 10시 11시 7-3-7 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 388,750원
3167 2019-03-15 12시 15시 9-2-1 PO Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3168 2019-03-15 15시 16시 5-2-2 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3169 2019-03-18 11시 13시 Gate H.M Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 215,500원
3170 2019-03-18 13시 15시 Multi Metal Gate Etch Test 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 138,500원
3171 2019-03-18 18시 19시 Multi Metal Gate pGaN Etch Test 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 138,500원
3172 2019-03-18 19시 21시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3173 2019-03-18 9시 11시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,130,000원
3174 2019-03-18 9시 16시 poly Si Etch : 7000 A LG전자 ICS팀 김기민 784,750원
3175 2019-03-19 11시 14시 GaN Etch Test : #01 Cond. Time split 삼성전자 종합기술원 한주헌 276,000원
3176 2019-03-19 14시 16시 GaN Etch Test : #03 Cond. Time Split 삼성전자 종합기술원 한주헌 188,000원
3177 2019-03-19 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3178 2019-03-20 11시 13시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3179 2019-03-20 14시 16시 PO Oxide 두께 변경 관련 Etch Test 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 177,000원
3180 2019-03-20 17시 18시 7-3-7 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3181 2019-03-20 9시 10시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 388,750원
3182 2019-03-20 9시 14시 9-2-1 PO Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 688,750원
3183 2019-03-21 10시 12시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,230,000원
3184 2019-03-21 13시 15시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3185 2019-03-21 16시 18시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 388,750원
3186 2019-03-21 9시 10시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3187 2019-03-22 9시 18시 9-2-1 PO Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 2,030,000원
3188 2019-03-25 10시 11시 7-3-7 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 388,750원
3189 2019-03-25 10시 11시 4-5-2 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3190 2019-03-25 14시 16시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3191 2019-03-25 16시 17시 Si Etch : 2.0um 이상 포항공과대학교 전자전기공학부 윤솔 246,750원
3192 2019-03-25 9시 11시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 665,000원
3193 2019-03-26 10시 12시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,088,750원
3194 2019-03-26 11시 13시 Multi Metal gate Etch Test : 140s 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 138,500원
3195 2019-03-26 17시 18시 MULTI METAL GATE pGaN ETCH TEST 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 138,500원
3196 2019-03-26 17시 19시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3197 2019-03-26 9시 10시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3198 2019-03-27 12시 16시 9-2-1 PO Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 947,500원
3199 2019-03-27 13시 17시 9-2-1 PO Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 665,000원
3200 2019-03-28 10시 12시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3201 2019-03-28 11시 13시 Multi Metal Gate Test : HM Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
3202 2019-03-28 13시 15시 Multi Metal Gate Test : Cl2 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
3203 2019-03-28 9시 10시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3204 2019-03-29 10시 13시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3205 2019-03-29 10시 11시 Si3N4 200 nm dry etching 부탁드리겠습니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 144,000원
3206 2019-03-29 11시 12시 oxide 230 nm 에칭 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 144,000원
3207 2019-03-29 13시 15시 4-5-2 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3208 2019-03-29 15시 16시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3209 2019-03-29 9시 11시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3210 2019-04-01 10시 12시 Multimetal Gate Cl2 base Etch : 140sec 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 138,500원
3211 2019-04-01 11시 12시 7-3-7 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3212 2019-04-01 12시 14시 PC HM Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
3213 2019-04-01 14시 16시 BARC Etch 30s - 2ea
BT 20s/ME 30,40s split		 (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 320,000원
3214 2019-04-01 16시 18시 BARC Etch 45s/60s Split - 2ea
Poly ME 20s/40s - 2ea		 (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 320,000원
3215 2019-04-01 17시 18시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3216 2019-04-01 17시 19시 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
3217 2019-04-01 17시 18시 pGaN Etch Test : 110sec 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 138,500원
3218 2019-04-01 18시 19시 4-5-2 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 223,750원
3219 2019-04-01 18시 20시 BARC Etch : 45s - 8 ea
POLY ME - 20s/40s - 6 ea, 20s/30s - 2 ea		 (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 980,000원
3220 2019-04-02 10시 11시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 450nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 450nm에칭해 주세요. 시편은 총 1개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 149,500원
3221 2019-04-02 11시 13시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,030,000원
3222 2019-04-02 13시 14시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3223 2019-04-02 14시 16시 4-4-2 PC Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3224 2019-04-03 11시 17시 9-2-1 PO Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,030,000원
3225 2019-04-03 11시 13시 1-2 GaN Etch Test : 126sec 삼성전자 종합기술원 한주헌 232,000원
3226 2019-04-03 13시 15시 pGaN Selectivity Etch Test : 24sec/36sec/48sec 삼성전자 종합기술원 한주헌 232,000원
3227 2019-04-03 15시 16시 300 nm 식각 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 146,750원
3228 2019-04-03 15시 17시 1-2-1 Akey Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3229 2019-04-03 16시 17시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3230 2019-04-03 17시 18시 4-5-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3231 2019-04-03 18시 19시 GC Oxide Etch Test 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 177,000원
3232 2019-04-03 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3233 2019-04-04 11시 13시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3234 2019-04-04 13시 14시 4-2-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3235 2019-04-04 15시 16시 Si 기판 1um 에칭 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 149,500원
3236 2019-04-05 10시 12시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3237 2019-04-05 9시 10시 7-3-7 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3238 2019-04-08 10시 11시 a-Si 200nm 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3239 2019-04-08 11시 12시 SiO2 120nm 오버에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3240 2019-04-08 12시 13시 5-2-2 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3241 2019-04-08 13시 14시 4-2-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3242 2019-04-08 13시 15시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3243 2019-04-08 15시 16시 Si 기판 800nm 에칭 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 149,500원
3244 2019-04-08 9시 12시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,030,000원
3245 2019-04-09 11시 18시 9-2-1 PO Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,630,000원
3246 2019-04-10 11시 12시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3247 2019-04-10 13시 14시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3248 2019-04-10 16시 18시 4-5-2 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3249 2019-04-10 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3250 2019-04-11 10시 12시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3251 2019-04-12 10시 12시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3252 2019-04-12 15시 16시 Si 기판 800nm 에칭 (Trench recipe) 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 149,500원
3253 2019-04-15 10시 11시 7-3-7 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3254 2019-04-15 11시 12시 a-Si 200nm 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3255 2019-04-15 12시 13시 4-5-2 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3256 2019-04-15 14시 16시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3257 2019-04-15 16시 17시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3258 2019-04-16 12시 13시 7-3-7 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3259 2019-04-16 15시 16시 a-Si 330nm 에칭 (poly recipe) 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 149,500원
3260 2019-04-16 16시 18시 Si Dry Etch : 100초
(조각 샘플 4개)		 단국대학교 창의융합제조공학과 조성집 155,000원
3261 2019-04-16 9시 12시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 2,830,000원
3262 2019-04-17 10시 13시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 2,830,000원
3263 2019-04-17 12시 14시 PC HM Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
3264 2019-04-17 14시 19시 9-2-1 PO Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,288,750원
3265 2019-04-17 9시 10시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3266 2019-04-18 10시 11시 HM Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
3267 2019-04-18 11시 13시 Metal Gate Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
3268 2019-04-18 16시 17시 polysi 50 nm etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 144,000원
3269 2019-04-18 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3270 2019-04-19 10시 12시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3271 2019-04-19 10시 11시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3272 2019-04-19 12시 17시 9-2-1 PO Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,030,000원
3273 2019-04-19 15시 16시 a-Si 330nm 에칭 (poly recipe) 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 149,500원
3274 2019-04-19 16시 18시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3275 2019-04-19 9시 10시 gate pGaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
3276 2019-04-22 10시 11시 7-3-7 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3277 2019-04-22 15시 16시 4-5-2 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3278 2019-04-22 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3279 2019-04-23 13시 15시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3280 2019-04-23 9시 12시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 2,830,000원
3281 2019-04-24 10시 13시 pGaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
3282 2019-04-24 11시 12시 11-2-1 GC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3283 2019-04-24 12시 18시 9-2-1 PO Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,630,000원
3284 2019-04-24 9시 10시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3285 2019-04-25 10시 11시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3286 2019-04-25 9시 11시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3287 2019-04-26 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3288 2019-04-29 10시 12시 4-5-2 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3289 2019-04-29 12시 14시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3290 2019-04-29 15시 16시 a-Si 510nm 에칭 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 149,500원
3291 2019-04-29 16시 18시 4-5- 1 PC TiN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3292 2019-04-29 9시 10시 7-3-7 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3293 2019-04-29 9시 13시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3294 2019-04-30 13시 14시 PC HM OXIDE ETCH 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
3295 2019-04-30 13시 14시 4-6-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3296 2019-04-30 14시 15시 PC HM OXIDE ETCH 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
3297 2019-04-30 15시 16시 Si ETCH TEST : 조각 2개 포항공과대학교 기계공학과 이조한 149,500원
3298 2019-05-01 15시 16시 a-Si 700nm 에칭 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 149,500원
3299 2019-05-02 9시 11시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3300 2019-05-03 10시 11시 4-4-2 PR Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3301 2019-05-03 10시 11시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3302 2019-05-03 9시 10시 7-3-7 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3303 2019-05-07 10시 11시 1-2-2 AKEY Si Etch 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 380,500원
3304 2019-05-07 10시 11시 4-5-1 PC Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3305 2019-05-07 15시 16시 사파이어 기판 위에 GaN 250nm와 silicon dioxide 100nm가 증착되어 있고, 그 위에 크롬 패턴 30nm가 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 silicon dioxide 100nm를 에칭해주세요 시편은 총 3개(1.5cm*1.5cm)로 공정의뢰함에 넣어두겠습니다.

참고로 크롬패턴이 구석에 치우쳐져 있습니다. 혹여나 트위져로 집으실까봐 유성팬으로 크롬패턴의 위치를 표시해두었습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 248,500원
3306 2019-05-07 16시 17시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3307 2019-05-07 9시 10시 1-2-1 AKEY Etch 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 380,500원
3308 2019-05-08 10시 12시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 2,830,000원
3309 2019-05-08 9시 10시 7-3-7 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3310 2019-05-09 10시 11시 5-2-2 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3311 2019-05-09 13시 14시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3312 2019-05-10 10시 12시 9-2-1 PO Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 332,500원
3313 2019-05-10 10시 11시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3314 2019-05-10 12시 15시 M1 etch 공정 평가 : DMS 350sec 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 177,000원
3315 2019-05-10 15시 16시 3-2-1 PG Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3316 2019-05-13 10시 13시 2-2-1 Nitride Dry Etch : 1.0um (주)베프스 기획팀 BEFS 0원
3317 2019-05-13 11시 12시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 388,750원
3318 2019-05-14 9시 10시 5-2-1 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3319 2019-05-14 9시 12시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 2,830,000원
3320 2019-05-15 13시 14시 7-3-7 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 388,750원
3321 2019-05-15 9시 10시 6-2-1 M0 Metal Dry Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3322 2019-05-16 15시 17시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 100,000원
3323 2019-05-16 9시 17시 9-2-1 PO Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,630,000원
3324 2019-05-16 9시 10시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3325 2019-05-17 13시 14시 1-2-1 AKEY GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3326 2019-05-17 14시 15시 7-3-7 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3327 2019-05-17 15시 17시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3328 2019-05-20 10시 11시 a-Si 180nm 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3329 2019-05-20 11시 12시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 100,000원
3330 2019-05-20 11시 13시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 782,500원
3331 2019-05-21 10시 13시 SNW Si Etch 나노융합기술원 대외협력팀 강민식 0원
3332 2019-05-21 13시 16시 9-2-1 PO Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 482,500원
3333 2019-05-22 11시 12시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3334 2019-05-22 13시 14시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3335 2019-05-23 10시 12시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3336 2019-05-24 14시 16시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3337 2019-05-27 10시 12시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3338 2019-05-27 10시 11시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3339 2019-05-27 11시 12시 4-4-2 PC Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3340 2019-05-28 11시 12시 2-2-1 SE BOX Etch 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 430,000원
3341 2019-05-28 13시 14시 4-4-2 PC Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 223,750원
3342 2019-05-28 13시 15시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3343 2019-05-28 18시 20시 4-4-1 GATE Etch 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 380,500원
3344 2019-05-28 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3345 2019-05-29 10시 12시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3346 2019-05-29 10시 11시 4-5-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3347 2019-05-29 12시 13시 300 nm 식각 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 146,750원
3348 2019-05-29 13시 14시 4-5-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3349 2019-05-30 10시 12시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3350 2019-05-30 13시 14시 Si Etch. 아인스글로볼(주) 기획 아인스글로벌 800,000원
3351 2019-05-30 14시 16시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 2,147,500원
3352 2019-05-30 9시 10시 11-2-1 GC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3353 2019-05-31 10시 12시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3354 2019-05-31 11시 12시 oxide 230 nm etching
(PR patterning돼있는 Si 6" wafer)

layer : SiO2 (230 nm) / Si		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 144,000원
3355 2019-06-01 10시 11시 3-2-1 PAD Open Oxide Etch (주) 센텍코리아 생산기술연구팀 임채현 237,500원
3356 2019-06-01 14시 15시 5-2-1 Membrane Open ONO Etch (주) 센텍코리아 생산기술연구팀 임채현 737,500원
3357 2019-06-03 10시 11시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 100,000원
3358 2019-06-03 11시 12시 3-2-1 PG GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
3359 2019-06-03 13시 14시 SOI Wafer Top Si 100 nm Over-etch 20 % 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 146,750원
3360 2019-06-03 9시 10시 5-2-2 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3361 2019-06-04 9시 16시 9-2-1 PO Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 865,000원
3362 2019-06-05 10시 12시 4-5-1 PC Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3363 2019-06-05 14시 16시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3364 2019-06-05 9시 10시 4-5-1 PC TiN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 223,750원
3365 2019-06-10 10시 12시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 388,750원
3366 2019-06-10 12시 14시 6-2-1 M0 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
3367 2019-06-10 14시 16시 포항공과대학교 양영환입니다.

Glass 위에 a-Si:H 350nm가 올라가 있으며, 그 위에 Cr 25nm 패턴이 있습니다.
Cr 패턴을 마스크로 이용하여 a-Si:H 350 nm 에칭 부탁드립니다.

참고로, Cr 패턴 부분에 네임펜으로 표시해두었습니다.
(아세톤으로 네임펜 지우셔도 괜찮습니다.)
시편은 시편보관함에 넣어두겠습니다.

감사합니다.

양영환/010 - 3456 - 9120 / younghwan@postech.ac.kr		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 149,500원
3368 2019-06-10 15시 17시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3369 2019-06-10 16시 17시 a-Si 80nm 에칭 부탁드립니다.
(2cm x 2cm 조각 샘플 2개 입니다)		 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3370 2019-06-10 8시 9시 11-2-1 GC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 182,500원
3371 2019-06-11 10시 11시 1-2-2 GaN Etch-2 삼성전자 종합기술원 한주헌 232,000원
3372 2019-06-11 10시 11시 GaN Etch : 126sec 삼성전자 종합기술원 한주헌 232,000원
3373 2019-06-11 11시 12시 pGaN Etch : 24sec 삼성전자 종합기술원 한주헌 232,000원
3374 2019-06-11 12시 13시 7-3-7 V0 E/B 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 388,750원
3375 2019-06-11 13시 14시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 100,000원
3376 2019-06-11 15시 16시 Top Si 100 nm over etch 20 % dry etching 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 146,750원
3377 2019-06-11 16시 17시 5-2-2 MC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3378 2019-06-11 9시 10시 1-2-1 GaN Etch-1 삼성전자 종합기술원 한주헌 232,000원
3379 2019-06-12 12시 13시 4-5-1 PC Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 223,750원
3380 2019-06-12 15시 17시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3381 2019-06-12 9시 12시 8-2-1 M1 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 2,488,750원
3382 2019-06-13 11시 13시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3383 2019-06-13 13시 15시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3384 2019-06-13 9시 11시 Oxide 200nm+ 10%식각 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 146,750원
3385 2019-06-17 13시 15시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3386 2019-06-18 10시 11시 [ a-Si:H 200 nm 에칭 요청 ; Dry etching]

포항공대 양영환입니다.
Glass 기판 위에 a-Si:H 200 nm와 Cr 패턴이 있습니다. Cr 패턴을 사용하여a-Si:H 200 nm 에칭을 부탁드립니다.
시편은 시편보관함에 넣어두겠습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 347,500원
3387 2019-06-18 15시 17시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3388 2019-06-19 13시 15시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3389 2019-06-20 10시 12시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3390 2019-06-20 13시 15시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3391 2019-06-20 15시 16시 포항공대 양영환입니다.
Cr 마스크를 사용하여 a:Si-H 330 nm을 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함에 넣어두겠습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 149,500원
3392 2019-06-20 17시 18시 Oxide 200 nm 에칭 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 188,000원
3393 2019-06-24 13시 15시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3394 2019-06-24 14시 16시 SI WAFER GLASS WAFER 위의 SIO2 200 nm 식각 요청드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 고병수 149,500원
3395 2019-06-25 13시 14시 SiO2 120 nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함에 넣어두겠습니다.
 포항공과대학교 기계공학과 양영환 397,000원
3396 2019-06-25 13시 15시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3397 2019-06-25 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 223,750원
3398 2019-06-26 10시 12시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3399 2019-06-28 14시 16시 4-5-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3400 2019-06-28 16시 18시 1-2-0 F_Via GaN Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 320,000원
3401 2019-07-03 10시 11시 Oxide etch 2um _2매 *1um*2
3Layer (3회)		 연세대학교 의료원 방사선종양학과 권나혜 960,000원
3402 2019-07-03 14시 16시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3403 2019-07-04 10시 11시 SiO2 etching
(etch 두께는 각각 장비 테이블 와이퍼에 적어두었습니다.)		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 188,000원
3404 2019-07-04 11시 13시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3405 2019-07-04 14시 16시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3406 2019-07-05 14시 16시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3407 2019-07-08 10시 12시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3408 2019-07-09 10시 12시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3409 2019-07-09 12시 14시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3410 2019-07-10 14시 16시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3411 2019-07-10 16시 17시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3412 2019-07-11 14시 16시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3413 2019-07-11 9시 10시 3-2-1 PG GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3414 2019-07-15 10시 11시 Poly-Si 50 nm dry-etching 지난번(7/10)에 요청드린 것에 대한 청구입니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 144,000원
3415 2019-07-15 13시 14시 Poly-Si 50 nm etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 144,000원
3416 2019-07-15 14시 16시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3417 2019-07-15 17시 18시 4-5-1 PC Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3418 2019-07-15 18시 19시 4-5-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3419 2019-07-15 19시 20시 4-5-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3420 2019-07-16 10시 12시 Oxide 50nm, HfO2 20nm, GaN 200 ~ 250nm Etching
: Oxide & HfO2 Etchrate 평가 후 본 Sample 진행		 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 265,000원
3421 2019-07-16 12시 13시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3422 2019-07-16 14시 16시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3423 2019-07-16 16시 17시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3424 2019-07-18 11시 13시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3425 2019-07-18 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3426 2019-07-19 11시 13시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3427 2019-07-19 16시 18시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3428 2019-07-19 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3429 2019-07-22 10시 11시 a-Si 80nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3430 2019-07-22 18시 19시 4-5-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3431 2019-07-22 19시 20시 4-5-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3432 2019-07-23 14시 16시 나노선 열전소자 제작(Pillar Etch_Oxide) 주식회사 싸이츠 기업부설연구소 백창기 0원
3433 2019-07-24 14시 16시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3434 2019-07-24 16시 17시 3-2-1 PG GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3435 2019-07-24 17시 18시 3-2-1 PG Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 177,000원
3436 2019-07-25 10시 11시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
3437 2019-07-25 14시 16시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3438 2019-07-25 9시 10시 GaN Etch : 5000 A 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 232,000원
3439 2019-07-26 10시 11시 a-Si 80nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3440 2019-07-26 14시 16시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3441 2019-07-29 10시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3442 2019-07-29 14시 15시 HfO2 Etch 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 155,000원
3443 2019-07-29 9시 10시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3444 2019-07-30 10시 12시 TiN Etch 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 155,000원
3445 2019-07-31 11시 12시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
3446 2019-07-31 9시 11시 4-5-1 PC Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3447 2019-08-01 10시 11시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3448 2019-08-01 9시 10시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3449 2019-08-02 13시 15시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3450 2019-08-05 10시 12시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3451 2019-08-05 10시 12시 성장운님 의뢰 건
8/1 : Si Etch - 65 sec / 70 sec
6/23 : Si Etch - 70 sec / 75 sec		 서울대학교 전기정보공학부 장준혁 320,000원
3452 2019-08-05 17시 18시 나노선 열전소자 제작(Oxide Etch) 주식회사 싸이츠 기업부설연구소 백창기 0원
3453 2019-08-06 10시 12시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3454 2019-08-06 13시 14시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3455 2019-08-06 16시 18시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3456 2019-08-07 11시 13시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3457 2019-08-07 14시 16시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3458 2019-08-07 16시 18시 4-5-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3459 2019-08-07 9시 11시 4-5-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3460 2019-08-08 14시 16시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3461 2019-08-08 9시 10시 3-2-1 PG Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
3462 2019-08-09 16시 18시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3463 2019-08-13 12시 14시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3464 2019-08-13 15시 17시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3465 2019-08-13 17시 19시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3466 2019-08-14 15시 17시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3467 2019-08-19 14시 16시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3468 2019-08-19 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3469 2019-08-20 11시 13시 4-5-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3470 2019-08-20 15시 17시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3471 2019-08-20 17시 19시 4-5-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3472 2019-08-20 9시 10시 4-4-1 PC Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3473 2019-08-21 15시 17시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3474 2019-08-22 15시 17시 4-5-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3475 2019-08-26 10시 12시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 223,750원
3476 2019-08-26 13시 14시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3477 2019-08-26 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3478 2019-08-27 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3479 2019-08-28 13시 15시 3-2-1 PG Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3480 2019-08-28 20시 21시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3481 2019-08-28 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3482 2019-09-02 10시 11시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3483 2019-09-02 14시 16시 1-2-1 Akey etch
1-2-2 Akey etch		 경남대학교 전자공학과 김성진 320,000원
3484 2019-09-02 9시 10시 3-2-1 PG Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3485 2019-09-03 13시 14시 2-2-1 oxide etch 경남대학교 전자공학과 김성진 410,000원
3486 2019-09-03 13시 15시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3487 2019-09-04 13시 15시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3488 2019-09-05 13시 15시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3489 2019-09-06 11시 13시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3490 2019-09-06 13시 14시 4-5-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3491 2019-09-06 9시 11시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3492 2019-09-09 10시 12시 4-5-1 PC Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
3493 2019-09-09 10시 16시 SiC 공정 Akey Etch 진행 [과제번호:4.0018159.01] (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 661,000원
3494 2019-09-09 13시 15시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3495 2019-09-09 9시 10시 Poly-Si 50nm dry etching 부탁드립니다. dry etch 장비 table 위에 놔뒀습니다.
조각샘플 9개입니다.
공정 끝난 후 010-2768-0418로 연락부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 144,000원
3496 2019-09-11 10시 15시 SiC 공정 Oxide Etch 진행 [과제번호:4.0018159.01] (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 661,000원
3497 2019-09-16 11시 13시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3498 2019-09-16 9시 11시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3499 2019-09-17 10시 12시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3500 2019-09-17 13시 14시 4-5-1 PC GaN Etch
 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3501 2019-09-17 14시 15시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3502 2019-09-18 10시 15시 SiC 공정 oxide Etch 진행 [과제번호:4.0018159.01]
: 2.0um Target		 (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 1,861,000원
3503 2019-09-18 17시 19시 3-2-1 PG Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3504 2019-09-18 9시 11시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3505 2019-09-19 11시 12시 3-2-1 PG Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3506 2019-09-19 13시 15시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
3507 2019-09-19 9시 11시 4-5-1 PC Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3508 2019-09-23 14시 16시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3509 2019-09-23 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3510 2019-09-24 14시 16시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3511 2019-09-24 16시 17시 3-2-1 PG Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3512 2019-09-25 14시 16시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3513 2019-09-25 17시 19시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3514 2019-09-26 10시 12시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3515 2019-09-27 10시 12시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3516 2019-09-27 11시 13시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
3517 2019-09-27 9시 11시 4-5-1 PC Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3518 2019-10-01 10시 11시 3-3-4 PG GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 223,750원
3519 2019-10-01 9시 19시 세라믹 소재 Plasma Etching 평가 : 2.0 Hr
: 1회 - 300sec, 1 Hr - 12회
: Plasma 평가 - \100,000/회, 1 Hr - 10회로 청구(2회 할인)		 재료연구소 기능세라믹연구실 박동수 2,100,000원
3520 2019-10-02 11시 13시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3521 2019-10-02 12시 14시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3522 2019-10-02 9시 11시 4-5-1 PC Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3523 2019-10-03 18시 20시 4-5-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
3524 2019-10-08 13시 15시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3525 2019-10-08 9시 11시 3-2-1 PG Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3526 2019-10-10 10시 15시 TiN Etch : 250um / 250um / 150um 포항공과대학교 신소재공학과 김익재 248,500원
3527 2019-10-10 9시 11시 4-5-1 PC Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3528 2019-10-11 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
3529 2019-10-14 10시 12시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3530 2019-10-14 12시 13시 3-2-1 PG Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3531 2019-10-14 13시 15시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3532 2019-10-14 9시 11시 4-5-1 PC Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3533 2019-10-15 13시 15시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3534 2019-10-15 16시 19시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3535 2019-10-16 11시 13시 4-5-1 PC Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3536 2019-10-16 13시 15시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3537 2019-10-16 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3538 2019-10-17 13시 15시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 100,000원
3539 2019-10-17 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3540 2019-10-18 13시 15시 pGaN Si 기판 두께별 E/R
1.5T, 1.2T, 1.0T		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 215,500원
3541 2019-10-21 10시 11시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 100,000원
3542 2019-10-21 11시 13시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3543 2019-10-21 14시 16시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3544 2019-10-22 10시 12시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3545 2019-10-23 9시 13시 Al2O3 Etching 포스텍 창의IT융합공학과 유호천 149,500원
3546 2019-10-24 11시 13시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3547 2019-10-24 14시 16시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3548 2019-10-24 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3549 2019-10-28 11시 13시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3550 2019-10-28 13시 15시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3551 2019-10-28 13시 15시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3552 2019-10-28 9시 12시 4-5-1 PC Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3553 2019-10-29 13시 15시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3554 2019-10-30 13시 15시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3555 2019-10-30 9시 11시 4-5-1 PC Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 223,750원
3556 2019-11-01 13시 15시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3557 2019-11-01 9시 10시 SiC_Gas sensor
1-2-1 Akey etch		 경남대학교 전자공학과 김성진 265,000원
3558 2019-11-04 10시 12시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3559 2019-11-04 13시 15시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3560 2019-11-05 10시 12시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 223,750원
3561 2019-11-05 10시 12시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3562 2019-11-05 13시 16시 NPTM 표준 공정 공정 개선용 샘플 제작 : Poly Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 567,500원
3563 2019-11-06 10시 12시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3564 2019-11-07 10시 12시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3565 2019-11-07 12시 14시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3566 2019-11-07 14시 16시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3567 2019-11-07 14시 17시 NPTM 표준 공정 공정 개선용 샘플 제작 : PE Nitride Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 567,500원
3568 2019-11-11 10시 12시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3569 2019-11-11 15시 16시 1-2-2 AKEY Etch 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 240,250원
3570 2019-11-11 16시 18시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3571 2019-11-12 10시 20시 Ceramic 소재 Plasma Etching 평가
: 20*20 조각 4개, 2" Si wafer, 2" Al2O3 wafer
- Plasma Etching 100min		 (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 1,815,000원
3572 2019-11-12 10시 12시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3573 2019-11-12 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3574 2019-11-12 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3575 2019-11-13 10시 12시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3576 2019-11-13 11시 13시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3577 2019-11-14 10시 12시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3578 2019-11-14 11시 13시 key hm oxide etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 240,250원
3579 2019-11-14 13시 16시 1-2-1 hard mask Oxide etch (주)니나노 기업부설연구소 박준영 375,000원
3580 2019-11-14 16시 18시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3581 2019-11-14 9시 17시 세라믹 소재 플라즈마 식각 평가 제일윈텍(주) 기술연구소 연구개발 권정철 1,400,000원
3582 2019-11-15 10시 18시 Plasam 식각 평가 : 세라믹 소재 Part (Al2O3 Focus Ring) - SF6
: Plasma on 1.0Hr
Oxide Etchrate		 (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 1,410,000원
3583 2019-11-15 10시 12시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3584 2019-11-15 11시 13시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3585 2019-11-18 10시 18시 Plasam 식각 평가 : 세라믹 소재 Part (Al2O3 Focus Ring) - CF4
: Plasma on 1.0Hr
Oxide Etchrate & Particle Check		 (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 1,465,000원
3586 2019-11-18 9시 11시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3587 2019-11-19 1시 13시 Plasma Etching 에 대한 식각 영향성 평가
: Plasma on 2.0 Hr		 나노윈 생산기술팀 전민광 2,400,000원
3588 2019-11-19 10시 12시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3589 2019-11-19 12시 14시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3590 2019-11-19 13시 18시 up power 600
down power 200 진공도 10mTorr
가스 CF4 30/O2 5/ Ar 10
시간 1h x 3
도넛형 4개, 원형 1차-10개, 원형 2차-10개, 추가 조각 6개		 기계연구원부설 재료연구소 엔지니어링세라믹 연구실 이채언 3,565,000원
3591 2019-11-19 14시 16시 1-4-1 Si 2um etch (주)니나노 기업부설연구소 박준영 875,000원
3592 2019-11-20 10시 20시 Plasam 식각 평가 : 세라믹 소재 Part (ALSC Focus Ring) - CF4
: Plasma on 1.0Hr
Oxide Etchrate & Particle Check		 (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 1,465,000원
3593 2019-11-20 9시 11시 4-4-1 GATE Etch 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 240,250원
3594 2019-11-20 9시 11시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3595 2019-11-21 10시 22시 Plasam 식각 평가 : 세라믹 소재 Part (ALSC Focus Ring) - SF6
: Plasma on 1.0Hr
Oxide Etchrate		 (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 1,410,000원
3596 2019-11-21 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3597 2019-11-22 10시 18시 Plasam 식각 평가 : 세라믹 소재 Part (ALS Focus Ring) - CF4
: Plasma on 1.0Hr
Oxide Etchrate & Particle Check		 (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 1,465,000원
3598 2019-11-25 10시 12시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3599 2019-11-25 11시 14시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3600 2019-11-25 14시 16시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3601 2019-11-27 9시 10시 나노 인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업
 (주)아이제스트 연구개발팀 김성지 0원
3602 2019-11-28 14시 15시 a-Si ~1 um (1000 nm) 에칭 (320초 부탁드립니다) 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 149,500원
3603 2019-11-28 15시 17시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3604 2019-11-28 17시 18시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 210,000원
3605 2019-11-28 9시 12시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3606 2019-11-29 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3607 2019-12-04 10시 12시 NPTM 표준 공정 평가용 샘플 제작_Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 580,000원
3608 2019-12-05 10시 12시 1-2-1 Akey Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 182,500원
3609 2019-12-05 16시 18시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3610 2019-12-09 17시 19시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 210,000원
3611 2019-12-11 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3612 2019-12-12 11시 12시 나노 인프라 활용 사업
: BARC & Top Si ETch		 (주)아이제스트 연구개발팀 김성지 0원
3613 2019-12-12 13시 15시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3614 2019-12-13 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 210,000원
3615 2019-12-16 10시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 182,500원
3616 2019-12-16 11시 13시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3617 2019-12-16 13시 16시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3618 2019-12-17 14시 15시 나노인프라 활용 사업

BRAC 30s
ME 15s		 (주)아이제스트 연구개발팀 김성지 0원
3619 2019-12-17 9시 14시 6-3-1 CONT ETCH (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 393,500원
3620 2019-12-18 15시 16시 3-2-1 PG GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3621 2019-12-19 14시 16시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3622 2019-12-19 16시 18시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3623 2019-12-20 11시 12시 나노인프라 활용사업
: BARC Etch & Top Si Etch		 (주)아이제스트 연구개발팀 김성지 0원
3624 2019-12-20 16시 18시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3625 2019-12-24 10시 11시 a-Si 420nm 에칭 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3626 2019-12-24 13시 14시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 223,750원
3627 2019-12-24 9시 11시 4-5-1 PC Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3628 2019-12-26 10시 11시 a-Si 400nm 에칭
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3629 2019-12-26 11시 13시 5-2-1 MC ETCH 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3630 2020-01-02 11시 13시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3631 2020-01-02 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3632 2020-01-06 15시 16시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 223,750원
3633 2020-01-08 11시 12시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3634 2020-01-08 13시 14시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3635 2020-01-08 9시 11시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3636 2020-01-09 14시 15시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 223,750원
3637 2020-01-10 10시 12시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3638 2020-01-14 10시 11시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 450nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 450nm 에칭해 주세요. 시편은 총 1개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 149,500원
3639 2020-01-14 11시 13시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3640 2020-01-14 14시 16시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3641 2020-01-14 17시 18시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 223,750원
3642 2020-01-16 10시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 182,500원
3643 2020-01-16 13시 15시 6.0 M0 ETCH 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 182,500원
3644 2020-01-17 10시 11시 a-Si 400nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3645 2020-01-17 17시 18시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
3646 2020-01-20 9시 11시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3647 2020-01-22 14시 16시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3648 2020-01-22 17시 19시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3649 2020-01-22 18시 20시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3650 2020-01-22 9시 10시 나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업 (주)아이제스트 연구개발팀 김성지 0원
3651 2020-01-23 10시 11시 a-Si 400nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3652 2020-01-28 10시 11시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
3653 2020-01-28 13시 15시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3654 2020-01-28 9시 10시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 182,500원
3655 2020-01-29 14시 15시 나노 인프라 활용 사업
: 3매		 (주)아이제스트 연구개발팀 김성지 0원
3656 2020-01-29 15시 16시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3657 2020-01-29 16시 17시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3658 2020-01-30 12시 13시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3659 2020-01-31 14시 15시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3660 2020-02-03 10시 11시 . (주)아이제스트 연구개발팀 김성지 0원
3661 2020-02-03 12시 14시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3662 2020-02-03 14시 18시 한국나노마이스터고 교육 1차, 2차, 3차_Etch 나노융합기술원 사업지원팀 박진우 1,200,000원
3663 2020-02-04 14시 16시 Metal 1 Etch Split 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
3664 2020-02-04 14시 15시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3665 2020-02-04 16시 17시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3666 2020-02-05 10시 15시 상부 power 1000W, 하부 power 200W Gas : Cl2 (40sccm), 압력 : 10mtorr
플라즈마 처리시간 : No. 1, 3, 4, 5, 6, 7 + 추가 샘플 - 15분, No. 2 샘플 - 25분

플라즈마 평가 : \100,000/회, Total : 25분 - 5회

 위지트 기술연구소 최신호 600,000원
3667 2020-02-05 16시 17시 건식 식각 (주)아이제스트 연구개발팀 김성지 240,250원
3668 2020-02-05 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3669 2020-02-10 10시 12시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 388,750원
3670 2020-02-10 14시 16시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3671 2020-02-10 18시 19시 1-3-1 SiN Etch 고려대학교 전기전자공학과 한규현 375,000원
3672 2020-02-11 10시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3673 2020-02-11 13시 18시 나노 인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 4,792,000원
3674 2020-02-13 10시 11시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 223,750원
3675 2020-02-17 09시 12시 나노 인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업 (주)제이티에스인더스트리 연구개발부 류세훈 0원
3676 2020-02-17 11시 12시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3677 2020-02-17 9시 11시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3678 2020-02-18 09시 12시 나노 인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업 (주)제이티에스인더스트리 연구개발부 류세훈 0원
3679 2020-02-18 10시 12시 1-2 Active p-Si Etch (Si) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 320,000원
3680 2020-02-18 13시 15시 1-2 Active p-Si etch (Glass) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 276,000원
3681 2020-02-18 9시 11시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3682 2020-02-19 10시 11시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3683 2020-02-19 13시 20시 반도체 장비에서 세라믹소재의 플라즈마 식각성 평가 - 샘플 12개 (조건별 2개씩)
; 1.0 Hr 적용 (\100,000/회/5분 --> 12회, 10회로 청구함)		 엘케이엔지니어링 연구개발 최수민 1,620,000원
3684 2020-02-20 10시 17시 세라믹 소재 플라즈마 식각 평가 : RF 1.0Hr
Base 1회/~300sec, 1.0Hr = Base + 11회 (12회 --> 10회로 청구, \100,000/회)		 (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 1,430,000원
3685 2020-02-21 14시 15시 a-Si 1.2um 에칭 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 249,500원
3686 2020-02-26 12시 14시 1-1-1 A key Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
3687 2020-02-26 14시 15시 a-Si 420nm 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3688 2020-02-26 15시 16시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3689 2020-02-26 9시 10시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3690 2020-02-27 10시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3691 2020-02-27 13시 14시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3692 2020-02-27 14시 15시 a-Si 1.2um 에칭 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 249,500원
3693 2020-02-27 9시 10시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3694 2020-02-28 10시 13시 2-3 Gate Metal Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 496,000원
3695 2020-02-28 14시 15시 a-Si 420 nm 에칭
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3696 2020-02-28 9시 10시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3697 2020-03-02 15시 16시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
3698 2020-03-04 10시 12시 M1 Etch 최적화 평가 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 215,500원
3699 2020-03-04 11시 13시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3700 2020-03-04 13시 15시 M1 Etch : Oxide Film 별 - 1차 5매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 292,500원
3701 2020-03-04 13시 15시 2-5-1 Gate Metal Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 320,000원
3702 2020-03-04 15시 17시 M1 Etch : Oxide Film 별 - 2차 5매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 292,500원
3703 2020-03-04 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3704 2020-03-05 13시 14시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3705 2020-03-05 9시 11시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3706 2020-03-09 16시 18시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
3707 2020-03-10 11시 12시 a-Si 420 nm 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3708 2020-03-10 12시 14시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3709 2020-03-10 14시 16시 4-3-1 S/D Metal Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 320,000원
3710 2020-03-10 9시 11시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3711 2020-03-11 11시 13시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3712 2020-03-11 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
3713 2020-03-12 14시 16시 SiCN Etch : 조각 2개 경북대학교 전자공학과 임기식 155,000원
3714 2020-03-12 9시 10시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3715 2020-03-12 9시 18시 반도체 장비에서 세라믹소재의 플라즈마 식각성 평가 - 샘플 12개 (조건별 2개씩)
; 1.0 Hr 적용 (\100,000/회/5분 --> 12회, 10회로 청구함) 		엘케이엔지니어링 연구개발 최수민 1,500,000원
3716 2020-03-13 10시 13시 4-4 PC Etch : 선택비 vs 비선택비 Test 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
3717 2020-03-16 13시 14시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3718 2020-03-16 14시 15시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 215,500원
3719 2020-03-16 9시 10시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
3720 2020-03-17 15시 17시 Al, SiO2, Al2O3 Etchrate Test : 조각 3개 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 146,750원
3721 2020-03-17 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3722 2020-03-18 13시 16시 상부 Power 1000W, 하부 power 200W
Gas : Cl2 (40 sccm), 압력 : 10mtorr
플라즈마 처리 시간 : 15min
 위지트 기술연구소 최신호 355,000원
3723 2020-03-18 9시 10시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3724 2020-03-19 11시 12시 a-Si 420nm 에칭 부탁드리겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3725 2020-03-19 15시 20시 세라믹 소재 플라즈마 식각 평가 : RF 1.0Hr
Base 1회/~300sec, 1.0Hr = Base + 11회 (12회 --> 10회로 청구, \100,000/회)		 (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 1,300,000원
3726 2020-03-19 16시 17시 Si Etch (주)아이제스트 연구개발팀 김성지 287,000원
3727 2020-03-19 9시 10시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3728 2020-03-20 10시 11시 Top Si 100 nm over etch 20% 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 149,500원
3729 2020-03-20 11시 12시 a-Si 420 nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3730 2020-03-20 17시 18시 Al & Al2O3 & SiO2 Etching 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 149,500원
3731 2020-03-24 11시 12시 . (주)아이제스트 연구개발팀 김성지 333,750원
3732 2020-03-24 12시 14시 1-2 Active Etch : Poly Si 500 A 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 232,000원
3733 2020-03-24 15시 16시 SiO2 Etching 200nm 포항공과대학교 신소재공학과 김지예 149,500원
3734 2020-03-26 10시 11시 4-5-1 PC Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 223,750원
3735 2020-03-26 16시 17시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3736 2020-03-26 9시 10시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3737 2020-03-27 9시 10시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3738 2020-03-30 11시 12시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3739 2020-03-30 13시 14시 Si 70 nm target etching 포항공과대학교 전자전기공학과 최원영 146,750원
3740 2020-03-30 15시 16시 Cr mask를 이용하여 a-Si:H 220 nm 에칭하려고 합니다.

a-Si:H 220nm 에칭 부탁드립니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 149,500원
3741 2020-03-30 16시 18시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
3742 2020-03-30 9시 11시 PGaN Etch (116s, 120s, 124s 각각 2매) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
3743 2020-03-31 10시 11시 Si 70 nm target etching (주)아이제스트 연구개발팀 김성지 146,750원
3744 2020-03-31 9시 10시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 223,750원
3745 2020-04-01 10시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3746 2020-04-01 13시 15시 Al & Oxide Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 193,500원
3747 2020-04-01 13시 14시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3748 2020-04-01 14시 15시 실리콘 기판 위에 Au 30nm, MgF2 90 nm, amorphous silicon 450nm가 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 450nm 에칭해 주세요. 시편은 총 1개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 오후 5시까지 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 149,500원
3749 2020-04-02 11시 12시 500 nm sio2 etching (120초) 부탁드립니다. 포항공과대학교 화학공학과 박준호 149,500원
3750 2020-04-02 16시 18시 3-2-1 PG GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 388,750원
3751 2020-04-03 12시 13시 3-5-1 Gate Metal Etch (Test 1매) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 232,000원
3752 2020-04-03 14시 15시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3753 2020-04-06 10시 11시 3-3-1 SiN Dry etch 2000A 아모센스 개발팀 박종원 265,000원
3754 2020-04-06 13시 14시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
3755 2020-04-06 9시 11시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3756 2020-04-07 10시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3757 2020-04-07 13시 14시 4-2-1 SiN 2000A etch 아모센스 개발팀 박종원 320,000원
3758 2020-04-07 14시 16시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3759 2020-04-07 14시 15시 4-2-2 SiO 1um etch 아모센스 개발팀 박종원 320,000원
3760 2020-04-07 17시 18시 1-2-1 AKEY Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 240,250원
3761 2020-04-08 13시 14시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3762 2020-04-09 12시 13시 5-3-1 S/D Metal Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 188,000원
3763 2020-04-09 14시 15시 1-2-1 Active Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 232,000원
3764 2020-04-09 15시 16시 포항공대 양영환입니다.

Cr mask를 기반으로 a-Si:H 410nm를 에칭하려고 합니다.
오늘(목요일) 직접 찾아가도 되는지 궁금합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 149,500원
3765 2020-04-09 16시 17시 a-Si 130 nm 에칭 부탁드리겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3766 2020-04-09 9시 10시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3767 2020-04-10 10시 18시 세라믹 소재 Plasma Etching 평가 : RF 1.0Hr
Base 1회/~300sec, 1.0Hr = Base + 11회 (12회 --> 10회로 청구, \100,000/회)
(주)맥테크 부설기술연구소 정종열 1,300,000원
3768 2020-04-10 13시 14시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
3769 2020-04-13 15시 16시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 141,250원
3770 2020-04-14 10시 11시 실리콘 기판 위에 Au 30nm, MgF2 90 nm, amorphous silicon 450nm가 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 450nm 에칭해 주세요. 시편은 총 1개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 저번과 동일하게 진행해주세요. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 149,500원
3771 2020-04-16 10시 12시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3772 2020-04-16 14시 15시 안녕하세요. TiN을 60nm 식각

전화에서 말씀드렸듯 몇가지 조건을 추가해보았습니다.
조각샘플 4개입니다. 같은 조건으로 진행		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 149,500원
3773 2020-04-16 14시 15시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3774 2020-04-16 15시 16시 1-2-1 ACT Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 232,000원
3775 2020-04-16 9시 10시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3776 2020-04-17 10시 11시 안녕하세요.
포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다

a-Si:H를 Cr mask를 이용해 220 nm etching 2장, 600 nm etching 1장을 하려고 합니다.
시편은 표시를 정확히 해서, 목요일 저녁 시편 보관함에 넣어두겠습니다.

a-Si:H 240nm etching 2장
a-Si:H 620nm etching 1장

감사합니다.

 포항공과대학교 기계공학과 양영환 199,000원
3777 2020-04-17 11시 13시 4-5-1 PC Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 388,750원
3778 2020-04-17 14시 15시 4-3-1 Gate Metal Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 232,000원
3779 2020-04-17 16시 18시 Al 500 nm/ SiO2 50 nm
공정 끝난 후 연락 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 146,750원
3780 2020-04-20 10시 11시 1-2-1 Akey Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3781 2020-04-20 13시 14시 a-Si 130 nm 에칭 부탁드리겠습니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3782 2020-04-20 16시 17시 Al 500 nm 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 146,750원
3783 2020-04-21 11시 12시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
3784 2020-04-21 11시 18시 세라믹 소재 Plasma Etching 평가
: 1회-\100,000, 1.0시간 - 12회 : 10회로 진행		 (재)강원테크노파크 신소재사업단 김덕 1,500,000원
3785 2020-04-22 10시 10시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3786 2020-04-22 11시 12시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 223,750원
3787 2020-04-22 12시 12시 Source power 800W
Down power 200W
진공도 10mTorr
가스 CF4 30/O2 5/ Ar 10
시간 1h x 2

연락처 010-3729-2547
결제관련 연락은 skykim@kims.re.kr로 부탁드립니다.
 기계연구원부설 재료연구소 엔지니어링세라믹 연구실 이채언 2,510,000원
3788 2020-04-23 16시 17시 6-3-1 S/D Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 232,000원
3789 2020-04-24 10시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3790 2020-04-24 15시 16시 a-Si 400 nm 에칭 부탁드리겠습니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3791 2020-04-24 17시 18시 1-2-1 AKEY Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 193,500원
3792 2020-04-24 9시 10시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
3793 2020-04-27 10시 11시 a-Si 420 nm 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3794 2020-04-27 11시 12시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3795 2020-04-27 9시 10시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3796 2020-04-28 16시 17시 식각 두께: 266nm 포항공과대학교 대학원 기계공학과 곽준호 149,500원
3797 2020-04-28 9시 11시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
3798 2020-04-29 13시 14시 a-Si 420 nm 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3799 2020-04-29 14시 16시 포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다.

a-Si:H 에칭 600 nm 1장 (에칭 시간 200초)
a-Si:H 에칭 400 nm 1장 (에칭 시간 135초)

총 2장 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 199,000원
3800 2020-04-29 9시 10시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3801 2020-05-04 10시 11시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3802 2020-05-04 15시 16시 Al 500 nm/ SiO2 50 nm 샘플 3장

Al 500 nm/ Al2O3 20 nm/ SiO2 30 nm 샘플 3장
입니다.

공정완료 후 시편보관함에 넣어주시고 연락 부탁드립니다.
 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 193,500원
3803 2020-05-04 16시 17시 8-inch SOI Wafer
Top Silicon 30 nm, over-etch 20 %		 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 149,500원
3804 2020-05-06 10시 11시 a-Si:H 400 nm (135초)에칭
 포항공과대학교 기계공학과 양영환 172,000원
3805 2020-05-06 11시 13시 8-2-1 M1 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3806 2020-05-06 16시 17시 4-3-1 Gate Metal Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 232,000원
3807 2020-05-06 17시 18시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
3808 2020-05-07 15시 16시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3809 2020-05-08 10시 12시 총 4개 샘플 아래와 같이 에칭 부탁드리겠습니다.
a-Si 420 nm (1개)
SiN 380 nm (1개)
a-Si 120 nm (2개)


 포항공과대학교 기계공학과 김인기 199,000원
3810 2020-05-08 12시 13시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 223,750원
3811 2020-05-08 9시 10시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3812 2020-05-11 18시 19시 6-3-1 S/D Metal Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 232,000원
3813 2020-05-11 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3814 2020-05-12 13시 15시 6-5-3 Gate Poly Si Etch 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 698,000원
3815 2020-05-13 10시 17시 세라믹 소재 6개에 대한 Plasma Etching 평가 : 1.0Hr
(김동표 과장)
Base 300sec/회. Add 300sec - \100,000
1.0Hr = Base + Add 11회 --> 12회를 10회로 진행함 (\100,000/회)		 (재)강원테크노파크 신소재사업단 김덕 1,500,000원
3816 2020-05-14 10시 11시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 223,750원
3817 2020-05-14 11시 13시 HfO2 Etch / HfO2 & GaN Etch 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 265,000원
3818 2020-05-14 13시 14시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3819 2020-05-14 15시 16시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
3820 2020-05-14 16시 17시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3821 2020-05-14 9시 10시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3822 2020-05-15 10시 17시 소재별 Plasma Etching 평가 : 1.0Hr
(샘플 4종 8개)
Base 300sec/회. Add 300sec - \100,000
1.0Hr = Base + Add 11회 --> 12회를 10회로 진행함 (\100,000/회)		 엘케이엔지니어링 연구개발 최수민 1,500,000원
3823 2020-05-15 9시 10시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3824 2020-05-19 10시 11시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 223,750원
3825 2020-05-19 14시 15시 etch rate 확인을 위한 공정 평가 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 146,750원
3826 2020-05-20 10시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3827 2020-05-21 10시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
3828 2020-05-21 13시 16시 6-7-3 Gate PolyPlug Etch 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 698,000원
3829 2020-05-21 16시 17시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3830 2020-05-21 17시 18시 Al/SiO2 100 nm/100 nm
Al/SiO2 100 nm/200 nm

2종류 샘플 진행 : Al 과 SiO2 는 따로 진행 필요 (샘플 별 각 2회)		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 287,000원
3831 2020-05-21 18시 19시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3832 2020-05-22 14시 16시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3833 2020-05-25 17시 18시 Wafer: Glass
에칭 물질: SiO2
에칭 두께: 267nm		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 곽준호 149,500원
3834 2020-05-26 10시 11시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
3835 2020-05-27 10시 12시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3836 2020-05-27 13시 15시 Wafer: Glass
에칭 물질: a-Si:H
에칭 두께: 420nm		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 곽준호 199,000원
3837 2020-05-27 14시 16시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3838 2020-05-27 17시 18시 Si 식각 20nm 포항공과대학교 화학공학과 장준호 149,500원
3839 2020-05-28 10시 11시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3840 2020-05-28 14시 16시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3841 2020-05-28 14시 15시 1-2-1 Active Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 232,000원
3842 2020-05-28 9시 10시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3843 2020-05-29 14시 16시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3844 2020-06-01 14시 16시 Oxide 80nm Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 199,000원
3845 2020-06-02 09시 16시 소재별 Plasma Etching 평가 : 1.0Hr
(샘플 6종 12개)
Base 300sec/회. Add 300sec - \100,000
1.0Hr = Base + Add 11회 --> 12회를 10회로 진행함 (\100,000/회) 		엘케이엔지니어링 제2기업부설연구소 권창복 1,500,000원
3846 2020-06-02 13시 15시 Wafer: Glass, 에칭 물질: SiO2
에칭 두께: 267nm		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 곽준호 149,500원
3847 2020-06-02 15시 16시 a-Si:H 400 nm (135초) 에칭. 포항공과대학교 기계공학과 양영환 199,000원
3848 2020-06-02 16시 17시 1-2-1 HfO2 Etch 충남대학교 전자공학과 송형섭 210,000원
3849 2020-06-03 10시 12시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3850 2020-06-03 13시 15시 SiO2 Etch & GaN Etch 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 210,000원
3851 2020-06-03 9시 11시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3852 2020-06-04 13시 14시 1-2-1 ACT Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 188,000원
3853 2020-06-04 15시 16시 Wafer: Glass
에칭 물질: a-Si:H
에칭 두께: 720nm		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 곽준호 149,500원
3854 2020-06-05 10시 11시 4-3-1 Gate Metal Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 232,000원
3855 2020-06-08 14시 15시 리소그라피 패전된 (패턴 사이즈 1 - 6 um 정도)2 inch Si 기판 5장.
0.5 um 정도 식각		 포항공과대학교 신소재공학과 김지예 149,500원
3856 2020-06-09 10시 12시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3857 2020-06-10 10시 11시 6-3-1 S/D Metal Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 232,000원
3858 2020-06-10 10시 12시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3859 2020-06-10 11시 12시 노준석 교수 실험실에 양영환입니다.

시편 2개에 대해서 a-Si:H 400 nm 에칭 (135초)를 진행하려고 합니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 149,500원
3860 2020-06-10 16시 17시 1) 15nm
2) 30nm Si etching 부탁드립니다.

늦게 신청해서 죄송합니다.		 포항공과대학교 화학공학과 장준호 199,000원
3861 2020-06-11 10시 12시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3862 2020-06-11 11시 13시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
3863 2020-06-11 14시 16시 Wafer: Glass
에칭 물질: a-Si:H
에칭 두께: 500nm

두 wafer 모두 동일한 재료이며, 동일한 두께로 에칭해주시면 됩니다.
 포항공과대학교 대학원 기계공학과 곽준호 149,500원
3864 2020-06-11 16시 17시 4-3-1 Gate Metal Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 188,000원
3865 2020-06-12 10시 12시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3866 2020-06-12 10시 11시 1-2-1 F_Via Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 232,000원
3867 2020-06-12 10시 12시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3868 2020-06-12 15시 18시 Wafer: Glass
에칭 물질: a-Si:H
에칭 두께: 420nm
 포항공과대학교 대학원 기계공학과 곽준호 149,500원
3869 2020-06-16 14시 16시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 100,000원
3870 2020-06-16 14시 15시 6-3-1 S/D Metal Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 188,000원
3871 2020-06-17 11시 12시 포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다.

a-Si:H 400 nm (135초) 에칭 부탁드립니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 149,500원
3872 2020-06-17 13시 14시 1-2-1 Oxide Etch 충남대학교 전자공학과 송형섭 155,000원
3873 2020-06-17 13시 15시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3874 2020-06-17 14시 15시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 850nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 850nm 에칭해 주세요. 시편은 총 1개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 149,500원
3875 2020-06-17 15시 17시 1) 20nm Si etching ( 식각 두께가 얇아서 SiO2 공정으로 했었는데, 그대로 진행하면 될 듯 합니다)

2) 50nm Si etching ( 이건 본 Si 공정으로 진행하면 될 것 같습니다)		 포항공과대학교 화학공학과 장준호 199,000원
3876 2020-06-18 13시 14시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 100,000원
3877 2020-06-18 13시 14시 1-2-1 Active Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 232,000원
3878 2020-06-18 16시 18시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3879 2020-06-19 11시 15시 Wafer: Glass
에칭 물질: a-Si:H
에칭 두께1: 420nm
에칭 두께2: 500nm
재료 및 에칭 두께는 각각의 샘플에 표시해놓았습니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 곽준호 199,000원
3880 2020-06-19 13시 15시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3881 2020-06-22 11시 12시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 141,250원
3882 2020-06-22 13시 15시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3883 2020-06-22 15시 19시 SiC MOSFET 평가용 Thick Oxide Etch 공정 테스트 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 661,000원
3884 2020-06-22 9시 11시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3885 2020-06-23 10시 11시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 800nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 800nm 에칭해 주세요. 시편은 총 1개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 149,500원
3886 2020-06-23 13시 15시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3887 2020-06-23 13시 14시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3888 2020-06-24 14시 16시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3889 2020-06-24 16시 18시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3890 2020-06-25 13시 14시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 100,000원
3891 2020-06-25 13시 15시 Wafer: Glass
에칭 물질: a-Si:H
에칭 두께: 550nm		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 곽준호 149,500원
3892 2020-06-25 16시 17시 4-2-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 177,000원
3893 2020-06-26 11시 12시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3894 2020-06-26 13시 15시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3895 2020-06-29 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3896 2020-06-30 13시 15시 Z-20-067422 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3897 2020-06-30 15시 16시 포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 400 nm (135초)에칭 부탁드립니다.
시편은 시편 보관함 안에 넣어두겠습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 149,500원
3898 2020-06-30 15시 17시 SiO2 250nm Etch & GaN 40nm Etch 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 210,000원
3899 2020-06-30 9시 11시 pGaN 122s Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
3900 2020-07-01 10시 11시 RIST과제 처리

Top Si 70nm etching		 포항공과대학교 전자전기공학부 신성환 146,750원
3901 2020-07-01 11시 12시 1-2-1 Poly-Si 1um etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 600,000원
3902 2020-07-01 13시 15시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3903 2020-07-01 16시 17시 RIST과제처리 포항공과대학교 전자전기공학부 신성환 146,750원
3904 2020-07-02 13시 14시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 100,000원
3905 2020-07-02 14시 15시 4-3-1 Gate Metal Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 188,000원
3906 2020-07-02 16시 17시 aluminum 60nm etching 부탁드립니다.\ 포항공과대학교 화학공학과 고명철 199,000원
3907 2020-07-02 17시 18시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3908 2020-07-03 10시 12시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3909 2020-07-03 10시 11시 RIST과제처리

SOI 조각 sample 70nm etching
Si 조각 sample 70nm etching		 포항공과대학교 전자전기공학부 신성환 146,750원
3910 2020-07-03 13시 15시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3911 2020-07-03 16시 17시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3912 2020-07-06 10시 12시 pGaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
3913 2020-07-06 13시 15시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3914 2020-07-06 15시 17시 3-2-1 Poly-Si etching 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 600,000원
3915 2020-07-07 11시 13시 에칭 물질: a-Si:H
에칭 두께: 1200nm (오버에칭)		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 곽준호 149,500원
3916 2020-07-07 13시 14시 6-3-1 S/D Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 188,000원
3917 2020-07-07 16시 17시 1-2-1 Active Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 188,000원
3918 2020-07-07 9시 11시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3919 2020-07-08 10시 12시 포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 400 nm (135초) 에칭 부탁드립니다.
포항공과대학교 기계공학과 양영환 149,500원
3920 2020-07-08 13시 14시 SiNx 50nm / SiO2 1.8um etch 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 875,000원
3921 2020-07-08 14시 15시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3922 2020-07-09 10시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3923 2020-07-09 17시 18시 RIST과제처리 포항공과대학교 전자전기공학부 신성환 240,250원
3924 2020-07-10 10시 11시 TiN 60nm etching 부탁 드립니다! 포항공과대학교 화학공학과 고명철 149,500원
3925 2020-07-10 13시 15시 에칭 물질: a-Si:H
에칭 두께: 1000nm(오버에칭 제외)
오버에칭으로 에칭해주시면 됩니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 곽준호 149,500원
3926 2020-07-10 15시 16시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3927 2020-07-10 16시 17시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3928 2020-07-10 17시 18시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3929 2020-07-10 9시 11시 pGaN Etch 118s 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 292,500원
3930 2020-07-13 18시 19시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3931 2020-07-14 12시 13시 4-3-1 Gate Metal Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 188,000원
3932 2020-07-14 13시 14시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3933 2020-07-14 13시 15시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3934 2020-07-14 9시 10시 Al 60nm etching 부탁 드립니다! 포항공과대학교 화학공학과 고명철 199,000원
3935 2020-07-15 10시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 177,000원
3936 2020-07-15 9시 10시 안녕하세요 선생님 TiN 60nm etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 화학공학과 고명철 149,500원
3937 2020-07-16 10시 11시 pGaN Etch 118s 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
3938 2020-07-16 11시 12시 RIST과제처리 포항공과대학교 전자전기공학부 신성환 146,750원
3939 2020-07-16 13시 15시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3940 2020-07-16 15시 16시 TiN 2000A / Ti 500A etch 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 375,000원
3941 2020-07-16 16시 17시 pGaN Etch 118s 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
3942 2020-07-16 9시 10시 pGaN Etch 118s 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
3943 2020-07-17 10시 11시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 100,000원
3944 2020-07-17 10시 11시 TiN 60nm etching 부탁드립니다.
감사드립니다!

고명철 올림		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 149,500원
3945 2020-07-17 16시 17시 RIST과제처리 포항공과대학교 전자전기공학부 신성환 146,750원
3946 2020-07-17 9시 10시 Al 60nm etching 부탁드립니다.
물 후처리는 필요 없습니다.
감사드립니다!

고명철 올림		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 149,500원
3947 2020-07-20 13시 14시 a-Si 420 nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3948 2020-07-21 10시 12시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3949 2020-07-21 14시 15시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3950 2020-07-21 15시 16시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3951 2020-07-22 10시 11시 안녕하세요 선생님
Al 70 nm 조건으로 etching 부탁드립니다.
etching 후 물 후처리는 안해주셔도 좋습니다.

감사드립니다 선생님.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 149,500원
3952 2020-07-22 11시 12시 RIST과제처리 포항공과대학교 전자전기공학부 신성환 146,750원
3953 2020-07-22 9시 10시 안녕하세요 선생님
TiN 60nm etching 부탁드립니다
감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 149,500원
3954 2020-07-23 13시 15시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3955 2020-07-24 10시 11시 a-Si 420nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3956 2020-07-24 11시 12시 안녕하세요 선생님
Al 70nm etching 부탁드립니다.
후처리는 안해주셔도 됩니다.

감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 149,500원
3957 2020-07-24 12시 13시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3958 2020-07-24 13시 15시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3959 2020-07-24 15시 16시 6-3-1 S/D Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 188,000원
3960 2020-07-24 9시 10시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3961 2020-07-27 13시 14시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3962 2020-07-28 10시 11시 pGaN 118s Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
3963 2020-07-28 13시 14시 a-Si 420 nm 에칭부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3964 2020-07-28 14시 15시 30~50nm Poly-Si, 나머지 Si
총 500nm 식각
 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 298,000원
3965 2020-07-28 16시 18시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3966 2020-07-28 9시 10시 pGaN 118s Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
3967 2020-07-30 14시 16시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3968 2020-07-30 16시 17시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3969 2020-07-31 10시 11시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3970 2020-08-03 10시 12시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3971 2020-08-03 9시 10시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3972 2020-08-03 9시 17시 소재별 Plasma Etching 평가 : 1.0Hr
(샘플 3개)
Base 300sec/회. Add 300sec - \100,000
1.0Hr = Base + Add 11회 --> 12회를 10회로 진행함 (\100,000/회)		 엘케이엔지니어링 연구개발 최수민 1,500,000원
3973 2020-08-04 10시 13시 pGaN Etch ; 122sec 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
3974 2020-08-04 10시 12시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3975 2020-08-05 10시 11시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3976 2020-08-05 10시 11시 1 kV 가속전압으로 Ar ion bombardment가 필요
조각 3개, 5초		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 백종현 149,500원
3977 2020-08-05 13시 14시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3978 2020-08-05 13시 15시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3979 2020-08-06 10시 12시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3980 2020-08-06 13시 14시 a-Si 420 nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3981 2020-08-07 10시 12시 20nm급 식각 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 200,000원
3982 2020-08-12 13시 14시 TiO2에칭, 에칭 조건은
Cl2 : 3 cm/min BCl3 : 8 cm/min 압력 : 4 mTorr ICP power : 400 W substrate bias : 150 V Etching 시간 : 200 초 요청

--> 장비 config 에 따라 조정 후 진행


 포항공과대학교 기계공학과 양영환 149,500원
3983 2020-08-12 15시 16시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3984 2020-08-12 17시 18시 Ti 500A / TiN 2000A etching 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 265,000원
3985 2020-08-13 10시 11시 a-Si 420 nm 에칭 부탁드립니다
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3986 2020-08-19 10시 12시 Si기판 위에 결정화되어 있는 10nm HZO (HfZrO2). (결정화는 RTA 500°C, 30sec 로 진행)
이를 dry etch 하여 7/5/3nm 수준으로 etch 가능한지 확인

--> 30s, 60s, 45s, 35s Time Split 진행
 포스텍 대학원 신소재공학 김형우 248,500원
3987 2020-08-20 14시 15시 PR patterning - SiO2 / Ge 구조

의뢰 내용 : 200 nm PECVD oxide etch		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 193,500원
3988 2020-08-20 15시 16시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3989 2020-08-20 16시 18시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3990 2020-08-21 10시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
3991 2020-08-21 14시 15시 1-2-1 Active Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 232,000원
3992 2020-08-21 9시 10시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3993 2020-08-24 10시 12시 Si 기판 위에 20nm TiN bottom electrode 위에 HZO(HfZrO2) 10nm 증착된 조각 sample 3~5nm 두께로 etch

--> 32,34,36,38, 40, 42 초 각 2개씩 진행		 포스텍 대학원 신소재공학 김형우 397,000원
3994 2020-08-24 11시 12시 a-Si 400 nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3995 2020-08-26 11시 12시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
3996 2020-08-27 11시 12시 a-Si 380 nm 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
3997 2020-08-27 16시 17시 pGaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 138,500원
3998 2020-08-28 10시 11시 pGaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
3999 2020-08-28 16시 17시 pGaN etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4000 2020-08-31 13시 14시 포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다
Cr 패턴을 이용하여 a-Si:H 700 nm 을 에칭하려고 합니다.

시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 149,500원
4001 2020-09-02 14시 15시 pGaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4002 2020-09-02 16시 17시 pGaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4003 2020-09-02 9시 11시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4004 2020-09-03 1시 10시 Si/SiO2/TiN(20nm) 위에 HZO(HfZrO2) 약 10nm 증착되어 있습니다.
이를 각각 19, 22, 25, 28 초 etch 부탁드립니다. 		포스텍 대학원 신소재공학 김형우 298,000원
4005 2020-09-08 10시 12시 Si/SiO2 위에 HZO (HfZrO2) 약 10nm 증착되어 있습니다.
29sec 30sec 31sec 각각 etch 하여 HZO 3nm 정도만 남기고 etch 했으면 합니다. 		포스텍 대학원 신소재공학 김형우 248,500원
4006 2020-09-08 16시 17시 0-2-1 AKEY Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4007 2020-09-09 10시 11시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 138,500원
4008 2020-09-10 14시 15시 pGaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 215,500원
4009 2020-09-11 10시 12시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4010 2020-09-11 13시 14시 SiO2 30sec Dry Etch (HfO2 Recipe) 충남대학교 전자공학과 송형섭 375,000원
4011 2020-09-14 16시 17시 1-2-1 ACT Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4012 2020-09-14 16시 17시 pGaN Etch 122s 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4013 2020-09-14 9시 12시 4차 산업 연계형 나노기술인력양성
Etch 교육		 나노융합기술원 교육홍보팀 이상민 1,200,000원
4014 2020-09-16 13시 12시 세라믹 소재 플라즈만 식각 평가 (재)포항금속소재산업진흥원 소재솔루션연구실 권정현 1,800,000원
4015 2020-09-16 15시 17시 pGaN etch 122s 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4016 2020-09-16 17시 18시 HfO2 20A Etch 충남대학교 전자공학과 송형섭 155,000원
4017 2020-09-17 17시 18시 4-5-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4018 2020-09-21 15시 17시 4.0 PC pGaN Etch 123s 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4019 2020-09-21 17시 18시 8.0 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 177,000원
4020 2020-09-22 13시 14시 4-3-1 Gate Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 223,750원
4021 2020-09-22 15시 17시 4-4-1 PC GaN Etch 124s 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4022 2020-09-22 17시 18시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
4023 2020-09-23 16시 17시 thermal SiO2 3000A etch 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 210,000원
4024 2020-09-23 17시 18시 4-3-1 Gate Metal Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4025 2020-09-24 10시 11시 a-Si 370 nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
4026 2020-09-24 15시 16시 5-3-1 Contact-1 Al2O3 Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4027 2020-10-05 14시 16시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4028 2020-10-05 21시 22시 노준석교수님 실험실입니다.
a-Si 450nm 에칭 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 149,500원
4029 2020-10-05 9시 10시 6-3-1 S/D Metal Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 223,750원
4030 2020-10-06 1시 10시 포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다.
SiO2 80 nm 에칭 부탁드립니다.
마스크는 PR 마스크로 되어 있으니, 아세톤 클리닝은 필요 없습니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 149,500원
4031 2020-10-06 11시 12시 a-Si 420 nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
4032 2020-10-07 11시 12시 6-3-1 S/D Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4033 2020-10-07 9시 10시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4034 2020-10-08 10시 12시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
4035 2020-10-08 14시 15시 PECVD SiNx 2500A etch 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 210,000원
4036 2020-10-08 15시 16시 8-3-1 Contact-2 Metal Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 223,750원
4037 2020-10-08 15시 17시 4.0 pGaN Etch 122s 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4038 2020-10-12 13시 14시 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.

a-Si:H를 500 nm (135초) 에칭 하려고 합니다.
패턴은 Cr 마스크로 구성되어 있습니다.

감사합니다.
 포항공과대학교 기계공학과 양영환 149,500원
4039 2020-10-12 14시 15시 포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다.
Glass 기판 위에 TiO2가 올라가 있습니다.

TiO2를 80nm 에칭하려고 하며, 조건은

Cl2 : 24 sccm
BCl3 : 64 sccm
압력 : 4mTorr
ICP power : 400 W
substrate bias : 150 V
Etching 시간 : 80 초

입니다.

시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 149,500원
4040 2020-10-12 18시 19시 4-4-1 PC pGaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4041 2020-10-13 10시 11시 a-Si 370 nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
4042 2020-10-14 11시 12시 a-Si etch 포항공과대학교 화학과 신승구 199,000원
4043 2020-10-14 15시 16시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
4044 2020-10-15 14시 15시 8-3-1 Contact-2 Metal Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4045 2020-10-16 10시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4046 2020-10-16 11시 16시 1-2-1 DC Si Etch (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 1,337,500원
4047 2020-10-16 16시 17시 노준석 교수님 연구실입니다.
a-Si 170nm 에칭 부탁드립니다.
(sample에는 140nm이라 써져 있는데 170nm으로 부탁드립니다.)
그리고 두개 샘플 구별하셔서 원래 있던 자리에 넣어주시면 감사드리겠습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 149,500원
4048 2020-10-19 12시 14시 1-4-1 Si Etch (주)니나노 기업부설연구소 박준영 565,000원
4049 2020-10-19 15시 17시 4-4-1 PC pGaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4050 2020-10-20 15시 16시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 600nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 600nm 에칭해 주세요. 시편은 총 1개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 149,500원
4051 2020-10-21 10시 11시 a-Si 400 nm 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
4052 2020-10-23 10시 11시 SOI Wafer
Top Si 25 nm etch (over-etch 20%)
공정 의뢰 드립니다.
공정 완료 후, PR-Asher (NINT 120") 조건 서비스 부탁 드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 149,500원
4053 2020-10-23 14시 15시 0-2-1 Align Key Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4054 2020-10-26 13시 14시 a-Si 400 nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
4055 2020-10-26 14시 15시 pGaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4056 2020-10-27 16시 17시 1-2-1 Active Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4057 2020-10-28 10시 15시 Metal 1 New Etch Test 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 177,000원
4058 2020-10-29 12시 15시 Metal 1 Etch New Condition Test 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 138,500원
4059 2020-11-02 10시 11시 노준석 교수님 연구실입니다.
silicon 200nm 에칭 최대한 빠르게 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 149,500원
4060 2020-11-02 11시 12시 안녕하세요, 노준석교수님 연구실입니다.
Glass 기판 위에 있는 a-Si 박막 170 nm 에칭 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 149,500원
4061 2020-11-02 13시 14시 TiO2 180 nm 에칭을 하려고 합니다. 에칭 조건은 저번에 기계공학과 노준석 교수님 연구실의 양영환님이 TiO2 에칭했을때의 조건을 사용하려고 합니다. 에칭시간은 120초로 진행해주세요. 아래는 제가 알고 있는 에칭 조건입니다.

Cl2: 24 sccm
BCl3: 64 sccm
Pressure: 10 mTorr
ICP: 400 W
Substrate bias: 150 V		 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 149,500원
4062 2020-11-02 15시 16시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 200 nm (60초) 에칭 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 149,500원
4063 2020-11-02 9시 10시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4064 2020-11-03 10시 11시 TiO2 180 nm 에칭을 하려고 합니다. 저번 샘플이 에칭이 덜 되었습니다. 그래서 에칭 조건은 저번과 같이 해주시고, 에칭시간은 180초(1.5배)로 진행해주세요. 샘플은 공정의뢰함에 넣어두겠습니다.

Cl2: 24 sccm, BCl3: 64 sccm, Pressure: 10 mTorr, ICP: 400 W, Substrate bias: 150 V		 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 149,500원
4065 2020-11-03 16시 17시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4066 2020-11-03 9시 10시 노준석 교수님 연구실입니다.
a-Si 200nm etching 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 149,500원
4067 2020-11-04 10시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
4068 2020-11-04 9시 10시 PR patterning되어 있는 SiO2/Ge wf에서

패터닝된 SiO2층 100 nm 에칭하려합니다,

공정 내용 : SiO2 100 nm 에칭 (오버 에치 조건)

급한 상황이라 염치 불구하고 요청드리기를 오전 내에 진행이 가능할까요?		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 155,000원
4069 2020-11-05 14시 15시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4070 2020-11-05 16시 17시 조각시편 6개 HfO2 Etch 충남대학교 전자공학과 송형섭 155,000원
4071 2020-11-05 17시 18시 1-2-1 Active Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4072 2020-11-05 18시 19시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4073 2020-11-05 9시 10시 노준석 교수님 연구실입니다.

a-Si 200nm 에칭 되도록 빨리 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 149,500원
4074 2020-11-06 10시 11시 a-Si 370nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
4075 2020-11-09 9시 10시 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si 200nm 에칭 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 149,500원
4076 2020-11-11 10시 12시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
4077 2020-11-13 13시 15시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4078 2020-11-13 16시 17시 1-2-1 HfO2 Etch 충남대학교 전자공학과 송형섭 155,000원
4079 2020-11-13 8시 9시 노준석교수님 연구실입니다.
a-Si 200nm etching 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 149,500원
4080 2020-11-13 9시 10시 노준석 교수님 연구실입니다.
a-Si 150nm etching 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 149,500원
4081 2020-11-16 13시 14시 노준석 교수님 연구실의 김주훈입니다.

a-Si 200nm etching 부탁드립니다.
감사합니다.

 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 149,500원
4082 2020-11-18 10시 11시 안녕하세요.
노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 3장에 대하여 135초 / 400 nm 에칭을 부탁드립니다.

시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 149,500원
4083 2020-11-18 11시 12시 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si 380nm etching 부탁드립니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 김주훈 149,500원
4084 2020-11-19 10시 11시 샘플 2개를 TiO2 220 nm 에칭하려고 합니다. 에칭 조건은 저번(11/3)과 같이 해주시고, 에칭시간은 220초로 진행해주세요. 샘플은 공정의뢰함에 넣어두겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 149,500원
4085 2020-11-23 10시 11시 노준석 교수님 랩에 김주훈 학생입니다.
A-Si 200nm 에칭 부탁드립니다.
항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 149,500원
4086 2020-11-23 11시 13시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
4087 2020-11-24 11시 12시 Si 1um Etch 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 193,500원
4088 2020-11-24 11시 12시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
4089 2020-11-24 14시 15시 목요일 오후 final sample 제작 전 si 100nm 에칭 테스트 부탁드립니다 포항공과대학교 기계공학과 오동교 149,500원
4090 2020-11-24 15시 16시 4-3-1 Gate Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4091 2020-11-24 16시 17시 4-3-1 Gate Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4092 2020-11-25 10시 11시 ALD HfO2 증착한 샘플이 4개, ALD Al2O3 증착한 샘플이 6개 총 10개 입니다.
HfO2 는 2nm 랑 2.5nm 인데, 적당히 over-etch 조건으로 약 3nm etch 조건으로 부탁 드립니다.
Al2O3 는 2nm, 3nm, 4nm 인데 마찬가지로 over-etch 조건으로 약 5nm etch 조건으로 부탁드립니다.
이후에 PR strip 까지 진행할 것이며 순서는 acetone cleaning-IPA cleaning-DI rinse-Ashing(2분) 입니다.
각각의 sequence 에 해당하는 장비를 모두 예약할 것 입니다.
Sample 은 저희측에서 PR patterning 후 시편 보관함에 둘테니 공정 완료 후 알려주시면 감사드립니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 허성재 248,500원
4093 2020-11-26 10시 11시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 650 nm 에칭 부탁드립니다. (220초)		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 149,500원
4094 2020-11-26 15시 16시 최종 샘플 Si 100 nm 에칭 부탁드립니다. 13시쯤 샘플 가져다 두도록 하겠습니다 포항공과대학교 기계공학과 오동교 149,500원
4095 2020-11-30 10시 11시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 600nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 600nm 에칭해 주세요. 시편은 총 2개로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 149,500원
4096 2020-11-30 11시 12시 5-3-1 Contact-1 Al2O3 Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4097 2020-11-30 13시 14시 5-3-1 Contact-1 Al2O3 Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4098 2020-12-01 9시 10시 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.
Dry etching 샘플 3개 부탁드립니다.
1. a-Si 140nm dry etching
2. a-Si 360nm dry etching
3. a-Si 400nm dry etching

각 샘플별로 etching 두께 표시해 두었습니다.

1,2번은 glass 기판에 a-Si 증착하였고, 3번은 glass 기판에 HfO2, SiO2, a-Si 증착한 상태입니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 248,500원
4099 2020-12-02 10시 12시 GaN Etch Test : 1.0um 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 149,500원
4100 2020-12-02 10시 11시 6-3-1 S/D Metal Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4101 2020-12-02 11시 12시 안녕하세요.
포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 400 nm (135초) 에칭 2장,
a-Si:H 600 nm (200초) 에칭 2장,
부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.

 포항공과대학교 기계공학과 양영환 199,000원
4102 2020-12-02 16시 17시 Hfo2 2 nm 에칭 부탁드립니다.
조각 시편으로 총 4개 입니다

최근 포항공대 허성재 학생이 신청했던 조건대로 오버에치 부탁드립니다
 포항공과대학교 신소재공학과 이동욱 149,500원
4103 2020-12-02 9시 10시 6-3-1 S/D Metal Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4104 2020-12-04 10시 11시 [나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업], 전자과 박혁 (010.9879.7930)

Dry etch 진행 Mo/Al 10/100 nm		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 260,000원
4105 2020-12-04 13시 16시 GaN Etch Test : 1.0um 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 149,500원
4106 2020-12-04 9시 10시 [나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업], 전자과 박혁 (010.9879.7930)

Dry etch 진행 Mo/Al 10/100 nm		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 210,000원
4107 2020-12-07 11시 12시 Poly Si 8000A 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 146,750원
4108 2020-12-07 14시 15시 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

glass substrate에 a-Si 올라가있습니다.
a-Si 320nm etching 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 149,500원
4109 2020-12-07 15시 16시 PR patterning된 Ge 조각 샘플 4개

공정 내용 : PECVD SiO2 100 nm 에칭 		포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 146,750원
4110 2020-12-08 13시 14시 8-3-1 TOP Metal Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4111 2020-12-08 14시 15시 8-3-1 TOP Metal Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4112 2020-12-08 15시 17시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4113 2020-12-08 17시 18시 Si 1um Etch 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 146,750원
4114 2020-12-09 10시 11시 나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업
전자과 최원영 (010 5436 2518)

SOI wafer 3장
Oxide 10 nm, Si 70 nm target etching
(이전엔 BT 15s, ME 24s 했었는데 조건은 협의 후 수정될수도 있습니다)		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 265,000원
4115 2020-12-09 11시 12시 포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 800 nm 에칭 부탁드립니다. (260 초)		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 149,500원
4116 2020-12-09 13시 16시 GaN Etch Test : 1.0um - 420s 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 199,000원
4117 2020-12-10 11시 12시 나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업
전자과 최원영 (010 5436 2518)

Si test wafer 1장
Ox 10 nm, Si 70 nm target etching
(BT 15s, ME 24s)		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 140,000원
4118 2020-12-11 10시 11시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4119 2020-12-11 11시 12시 3-2-1 PG GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4120 2020-12-11 13시 15시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4121 2020-12-11 15시 16시 Poly Si 8000A 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 146,750원
4122 2020-12-15 10시 11시 나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업
전자과 최원영 (010 5436 2518)

SOI wafer 3장
Ox 10 nm, Si 70 nm etching
(BT 15s, ME 24s)

 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 265,000원
4123 2020-12-15 11시 12시 Al2O3 3.5nm, 4nm, 4.5nm ALD 진행한 sample 5개 입니다.
모두 5~6nm 정도 over-etch 조건으로 한번에 etching 진행 부탁드립니다.
샘플은 시편보관함에 두었으니 공정 완료후 문자 남겨주시면 감사드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 허성재 149,500원
4124 2020-12-15 13시 17시 GaN Etch : 7.0um Test
--> 4~5um Target 진행 (Mask Material Sel. Test)
--> ~ 1.0um/회, 4~5um Etch - 3회 추가		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 298,000원
4125 2020-12-15 14시 15시 1-2-1 AKEY GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
4126 2020-12-15 15시 16시 1-2-1 AKEY GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
4127 2020-12-15 16시 18시 1-2-1 AKEY GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4128 2020-12-16 14시 15시 0-2-1 Align Key P-Si Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4129 2020-12-16 15시 16시 0-2-1 Align Key Oxide Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4130 2020-12-17 10시 11시 1-2-1 Active Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4131 2020-12-17 16시 17시 3-2-1 PG GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4132 2020-12-18 11시 12시 SOI Wafer Top Si Etching 공정 의뢰 드립니다.
(A) Top Si 35 nm, over etch 20%
(B) Top Si 65 nm, Over etch 20%
공정 진행 후, 바로 PR Ashing 부탁 드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 149,500원
4133 2020-12-22 10시 13시 Al2O3 20nm Etch Test 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 149,500원
4134 2020-12-22 13시 14시 SOI Wafer
Top Si 30 nm, Over-etch 20% 공정 의뢰 드립니다.
Etching 진행 후, 시편 PR Ashing 부탁 드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 149,500원
4135 2020-12-23 13시 15시 Al2O3 Etch : 20nm
조각 12개 - 2회로 진행		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 199,000원
4136 2020-12-23 15시 17시 GaN Etch : 0.8 ~ 1.0um Etch
--> Etch Time : 450 sec 로 2회 진행 (Max 300sec/회)		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 199,000원
4137 2020-12-24 10시 11시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
4138 2020-12-24 11시 12시 4-3-1 Gate Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4139 2020-12-29 10시 11시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
4140 2020-12-29 15시 17시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4141 2021-01-04 10시 11시 조각 시편 에칭 요청드립니다.
HfO2 10개 (6 nm etch) Al2O3 10개 (6 nm etch) 총 20개 샘플 에칭이며,
확실이 에칭히 되게 오버에치 부탁드립니다.

예약시간이 10시 전까지 1층 샘플 보관함에 넣어두도록 하겠습니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 이동욱 298,000원
4142 2021-01-04 11시 12시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4143 2021-01-04 14시 15시 6-3-1 S/D Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4144 2021-01-04 15시 17시 GaN 4 um Etch 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 449,500원
4145 2021-01-05 16시 17시 sample: Ge wafer 조각 (w/C, w/o C)
내용: PECVD oxide 100 nm etching
(PR patterning된 SiO2/Ge 샘플)		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 146,750원
4146 2021-01-06 10시 11시 Mo/Al 10/100 nm etching
1회 + 3회		 포항공과대학교 전자전기공학과 박혁 287,000원
4147 2021-01-06 14시 15시 8-3-1 TOP Metal Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4148 2021-01-08 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4149 2021-01-11 11시 12시 6-4-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 182,500원
4150 2021-01-11 9시 11시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 408,000원
4151 2021-01-12 10시 12시 GaN Etch
조각 17개		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 298,000원
4152 2021-01-12 12시 13시 Al2O3 Etch 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 149,500원
4153 2021-01-12 13시 14시 6-6-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 141,250원
4154 2021-01-12 16시 17시 수량은 6종 2set입니다.
모재 Al6061 합금위에 Y2O3 계열 용사코팅된 시편입니다.
세트별로 Cl2 플라즈마 처리 진행.

Cl 조건 : 상부 Power 450W, 하부 power 200W
Gas : Cl2 (40 sccm)/Ar, 압력 : 10mtorr
플라즈마 처리 시간 : 60min

60분 --> 12회(300sec(5분)/회) ==> 10회로 청구		 위지트 기술연구소 최신호 1,300,000원
4155 2021-01-12 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

현재 샘플은 glass 기판에 a-Si 1um film 증착된 후 Cr mask가 만들어져 있습니다.

a-Si 1um 넉넉잡아 1100nm정도로 etching 해주시면 감사드리겠습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 149,500원
4156 2021-01-13 14시 17시 glass 기판 위의 a-Si 130 nm 에칭 부탁드립니다 포항공과대학교 기계공학과 오동교 149,500원
4157 2021-01-13 9시 10시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
sapphire 위에 c-Si 증착된 시편이며, c-Si 에칭 신청합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 149,500원
4158 2021-01-14 11시 12시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 141,250원
4159 2021-01-14 14시 16시 전문인력 양성 교육 심화 실습 교육

포토공정 후 형성된 패턴에 따라 1um의 Si etching 하려합니다.		 나노융합기술원 사업지원팀 전문인력 1조 0원
4160 2021-01-15 17시 19시 4-5-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4161 2021-01-18 10시 11시 Si 230 nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
4162 2021-01-18 11시 12시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
4163 2021-01-18 12시 13시 Al2O3 20nm 조각 5개 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 149,500원
4164 2021-01-18 12시 12시 전문인력양성 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 2,000,000원
4165 2021-01-18 9시 10시 glass substrate, HfO2, MgF2, a-Si 올라가있는 상태입니다.
a-Si 380nm
a-Si:H 1micrometer
a-Si:H 590nm
a-Si:H 110nm
에칭 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 298,000원
4166 2021-01-19 10시 11시 sample: Ge wafer 조각 (w/C, w/o C)
내용: PECVD oxide 100 nm etching
(PR patterning된 SiO2/Ge 샘플)

(이전 (1/5)과 동일한 레시피 진행 부탁드립니다.)		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 146,750원
4167 2021-01-19 11시 12시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4168 2021-01-19 9시 10시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4169 2021-01-20 10시 11시 a-Si Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 248,500원
4170 2021-01-20 13시 15시 a-Si 220 nm
a-Si 520 nm

2개 샘플 각각 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 199,000원
4171 2021-01-20 17시 19시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4172 2021-01-21 13시 14시 0-2-1 Align Key P-Si Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4173 2021-01-21 14시 15시 0-2-1 Align Key Oxide Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4174 2021-01-21 15시 15시 세라믹 코팅 시편, 플라즈마 식각 평가

CF4 조건 : 상부 Power 1000W, 하부 power 200W
Gas : CF4 (40 sccm), 압력 : 10mtorr
플라즈마 처리 시간 : 60min
 위지트 기술연구소 최신호 1,300,000원
4175 2021-01-21 15시 16시 1-2-1 Active P-Si Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4176 2021-01-21 16시 17시 1-2-1 Active Oxide Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4177 2021-01-22 13시 18시 GaN 7um Etch 조각 9개 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 793,000원
4178 2021-01-22 18시 20시 GaN Etch 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 149,500원
4179 2021-01-25 1시 10시 Mo/Al 10/100 nm 공정입니다.
윤주영 (010-2768-0418)		 포항공과대학교 전자과 서태원 149,500원
4180 2021-01-25 10시 13시 SiO2 / HfO2 / GaN Etch (2회로 처리함) 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 210,000원
4181 2021-01-25 13시 14시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4182 2021-01-25 16시 18시 3-2-1 PG GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4183 2021-01-26 13시 17시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 450 nm 4 장에칭 부탁드립니다. (135초)

감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 149,500원
4184 2021-01-26 17시 18시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4185 2021-01-26 8시 9시 a-Si 115nm etching 1회,

Si 1micrometer etching 1회,

총 2회 dry etching 부탁드립니다.

Si의 경우에는 약 한달 전에 오동교 연구원님이 Si 기판을 etching 맡긴적이 있다고 하시는데, 그때 잡은 조건으로 부탁드리겠습니다.

무엇이든 문의사항 있으시면 연락주시면 감사하겠습니다.
잘부탁드리며 항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 199,000원
4186 2021-01-26 9시 12시 a-Si:H 130nm 에칭 부탁드립니다.
Cr 마스크 있습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 149,500원
4187 2021-01-27 13시 16시 Metal Dep. 전 Descum
: Ar 조건, 50sccm 400-0 3min		 리노공업 리노공업 곽영대 0원
4188 2021-01-28 13시 14시 Hfo2 2 nm 에칭 부탁드립니다.
조각 시편으로 총 4개 입니다

최근 포항공대 허성재 학생이 신청했던 조건대로 오버에치 부탁드립니다

아침에 1층 샘플 보관함에 넣어두도록 하겠습니다		 포항공과대학교 신소재공학과 이동욱 149,500원
4189 2021-01-28 14시 15시 박혁 010-9879-7930 포항공과대학교 전자과 서태원 199,000원
4190 2021-01-28 17시 18시 윤주영(010-2768-0418)

Mo/Al 10/100nm
 포항공과대학교 전자과 서태원 149,500원
4191 2021-01-29 9시 10시 3-2-1 PG GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4192 2021-02-01 16시 17시 안녕하세요 김주훈입니다.
이번에 3개의 sample etching 부탁드립니다.
1. Si 기판 1micrometer 에칭하려하는데, 저번에 1micrometer 부탁드렸을때 1.3 micrometer로 에칭이 되었습니다. 고려해서 진행해주시면 감사드리겠습니다.
2.a-Si:H 600nm etching 부탁드립니다.
3. a-Si:H 380nm etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 248,500원
4193 2021-02-01 9시 10시 1-2-1 Active Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4194 2021-02-02 10시 11시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 800 nm (280초) 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함에 넣어두겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 149,500원
4195 2021-02-02 14시 15시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
4196 2021-02-02 9시 10시 a-Si 520nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
4197 2021-02-03 10시 20시 Plasma Etching 평가 : 1 시간 (300sec/회, 12회 --> 10회로 처리함)
조각 5개 + 5개		 (주)월덱스 연구소 손세익 1,500,000원
4198 2021-02-03 10시 11시 a-Si 420 nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
4199 2021-02-03 12시 13시 Si Dry Etch 1um 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 146,750원
4200 2021-02-03 16시 17시 샘플: PR patterning된 SiO2/Ge wafer
내용: SiO2 100 nm 에칭		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 134,000원
4201 2021-02-04 12시 13시 샘플 4개, a-Si:H 280nm 증착 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 149,500원
4202 2021-02-05 10시 11시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4203 2021-02-05 11시 12시 4-4-1 PC GaN etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4204 2021-02-05 14시 15시 1-2-1 AKEY Oxide Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 240,250원
4205 2021-02-05 15시 16시 1-2-2 AKEY Si Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 240,250원
4206 2021-02-05 16시 17시 Etch Back 7000A Si Etch 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 146,750원
4207 2021-02-05 17시 18시 안녕하세요 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.
샘플 2개 dry etching 부탁드립니다.

1. a-Si:H 600nm dryetching
2. Si 기판 (195초)간 dryetching 부탁드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 199,000원
4208 2021-02-05 18시 19시 전자과 윤주영(010-2768-0418)
Dry etching 진행 부탁드립니다.
Mo/Al 10/100nm 진행입니다.
 포항공과대학교 전자전기공학과 전길수 146,750원
4209 2021-02-08 10시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 800 nm, (280초) 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함안에 넣어두겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 149,500원
4210 2021-02-08 15시 16시 Poly Si 8000A Etch Back 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 146,750원
4211 2021-02-09 10시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
4212 2021-02-09 10시 20시 Plasma Etching 평가 : 1 시간 (300sec/회, 12회 --> 10회로 처리함)
조각 5개
(장비 준비비용 400,000 할인 적용)		 (주)월덱스 연구소 손세익 1,100,000원
4213 2021-02-09 14시 15시 a-Si 300nm
a-Si 520nm

2개 샘플 각각 에칭 부탁드리겠습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
4214 2021-02-15 11시 12시 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si:H 550nm Dry etching 부탁드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 149,500원
4215 2021-02-16 10시 11시 a-Si 520nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
4216 2021-02-16 16시 17시 sample: Si 6\" wf. (Ti/TiO2/n-Si test) + Si 6\" wf. (Ti/n-Si test)
내용: PR 패터닝 된 샘플 SiO2 100 nm 에칭		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 193,500원
4217 2021-02-18 10시 15시 1. TiN 20nm - 조각 9 개 (2회)
2. Al2O3 20nm - 조각 5개 (1회)
3. GaN Etch Split - 6nm, 12nm, 18nm, 30nm 각 2개씩 (4회)
4. GaN 추가 Etch 100nm (1회) - 평가 관련 비용에서 제외.		 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 485,000원
4218 2021-02-18 9시 10시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4219 2021-02-19 10시 12시 Al2O3 Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4220 2021-02-19 14시 15시 실리콘기판 위에 amorphous silicon 420nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 420nm 에칭해 주세요. 시편은 총 1개로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 149,500원
4221 2021-02-22 10시 11시 안녕하세요 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

Si 기판 Dry etching 190초로 부탁드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 149,500원
4222 2021-02-22 13시 16시 Al/Mo on Si Etch 평가 (박혁) 포항공과대학교 전자전기공학과 전길수 240,250원
4223 2021-02-22 14시 16시 Glass 조각 위 Al 전극 패턴

SiO2 50nm 증착되어있습니다. --> 6ea - 2회 		포항공과대학교 전자전기공학과 전길수 193,500원
4224 2021-02-22 18시 19시 6-3-2 Gate Poly Etchback 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 146,750원
4225 2021-02-23 13시 16시 Al/Mo on Si Etch 평가 (박혁) 포항공과대학교 전자전기공학과 전길수 193,500원
4226 2021-02-23 20시 22시 4-4-1 PC GaN etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4227 2021-02-24 13시 15시 Al/Mo on Si Etch 평가 (박혁) 포항공과대학교 전자전기공학과 전길수 146,750원
4228 2021-02-24 15시 16시 6-5-1 Gate Poly Etchback 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 146,750원
4229 2021-02-24 9시 11시 샘플 4개 모두 HfO2 3.5nm etching 조건으로 한번에 etch 공정 부탁드립니다.
샘플은 시편보관함에 두었으니, 공정 완료후 문자 한통 부탁드립니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 허성재 149,500원
4230 2021-02-25 10시 11시 5-3-1 Contact-1 Al2O3 Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4231 2021-02-25 11시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 800 nm 에칭 부탁드립니다. (280초)
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.
 포항공과대학교 기계공학과 양영환 149,500원
4232 2021-02-26 10시 11시 안녕하세요 김주훈입니다.

샘플 두개 에칭 부탁드립니다.

a-Si:H 550nm

Si 기판 230초

에칭 부탁드립니다.

감사합니다!		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 199,000원
4233 2021-02-26 14시 15시 Al/Mo Etch 35초, 40초 포항공과대학교 전자전기공학과 전길수 193,500원
4234 2021-02-26 15시 16시 4-5-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
4235 2021-03-02 1시 2시 공정 진행되서 신청 드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 193,500원
4236 2021-03-02 10시 11시 a-Si 380nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 146,750원
4237 2021-03-03 10시 11시 PR patterning된 SiO2/Si 샘플

공정 내용 : SiO2 100 nm 에칭		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 188,000원
4238 2021-03-03 13시 14시 a-Si 480 nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 146,750원
4239 2021-03-03 15시 16시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 800 nm (280초) 에칭 부탁드립니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4240 2021-03-03 16시 19시 GaN Etch Test
1. Low Etchrate Cond. 600sec(2회, 300sec/회)
2. Selectivity Cond. 60sec		 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 265,000원
4241 2021-03-04 10시 11시 조각 샘플 12개 HfO2 3nm 에칭 부탁드립니다
에칭이 완벽될 수 있도록, 오버에치 부탁드립니다
오전 9시 이전까지 1층 샘플 보관함에 넣어두도록 하겠습니다
공정이 완료되면, 연락 부탁드립니다 (010-6767-5780)		 포항공과대학교 신소재공학과 이동욱 248,500원
4242 2021-03-04 11시 12시 6-3-2 Gate Poly EtchBack 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 232,000원
4243 2021-03-04 16시 18시 Mo/Al Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 전길수 232,000원
4244 2021-03-04 9시 10시 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

Si 기판 160초 dry etching 부탁드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4245 2021-03-08 10시 11시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 800 nm 에칭 부탁드립니다. (280초)		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 134,000원
4246 2021-03-08 11시 12시 안녕하세요

김주훈입니다.

Si 기판 2개 dryetching 부탁드립니다.
1. 250초
2. 235초		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 193,500원
4247 2021-03-08 15시 17시 6-5-1 Gate Poly Etchback 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 232,000원
4248 2021-03-09 13시 13시 1. Si 500um 위에 SiN 300nm 증착되어 있는 웨이퍼입니다.
2. SiN는 NINT PECVD-1 장비로 증착되었습니다.
3. 후속 공정으로 SEG 공정이 진행되는 웨이퍼라 Si overetch 50nm 부탁드립니다.
4. Wafer 페트리디쉬(케이스)에 주기가 되어 있어 혼선 없이 처음한 케이스에 보관 부탁드립니다.
5. 후속 공정 또한 nint 측에 공정 의뢰할 계획이므로 클린 룸에 보관 부탁드립니다.
6. 결제 내역은 세금 계산서로 부탁드립니다.		 한양대학교 신소재공학과 한훈희 265,000원
4249 2021-03-09 14시 15시 4 inch glass wafer 위 Al 전극 패터닝, SiO2 150nm 증착되어있습니다.
SiO2 150nm 드라이 에칭 의뢰드립니다/

[포항공과대학교 전자과 대학원생 전길수]
010-5287-9314		 포항공과대학교 전자전기공학과 전길수 144,000원
4250 2021-03-09 14시 15시 TiN 50nm를 etching하고 싶습니다!
감사드립니다		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 199,000원
4251 2021-03-10 10시 11시 a-Si 380nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 146,750원
4252 2021-03-10 9시 10시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4253 2021-03-11 13시 14시 윤주영(010-2768-0418)
Al 50 nm/ SiO2 30 nm dry etching 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 전길수 144,000원
4254 2021-03-11 14시 16시 GaN Etch 평가 : 2 type Etch Test 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 210,000원
4255 2021-03-11 17시 18시 1-2-1 Active P-Si Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4256 2021-03-12 9시 12시 aSi:H 200nm(70초), 600nm(200초) 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 193,500원
4257 2021-03-16 10시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
4258 2021-03-16 15시 16시 조각 샘플 2개 HfO2 2nm 에칭 부탁드립니다
확실히 에칭되게 오버에치 부탁드립니다
2시 30분 전까지 1층 샘플 보관함에 넣어두도록하겠습니다
완료되면 연락부탁드립니다 (010-6767-5780)		 포항공과대학교 신소재공학과 이동욱 149,500원
4259 2021-03-17 9시 10시 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

2개 샘플 Si 기판 에칭 부탁드립니다.

1. 237초,

2. 248초 입니다.

월요일날 에칭 부탁드렸는데, 아직 안되어 있는 것 같아 전 요청은 철회하고 지금 요청으로 묶어 보내드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 193,500원
4260 2021-03-18 14시 15시 포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 800 nm 에칭 부탁드립니다. (280 초)
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4261 2021-03-22 10시 14시 GaN Etch Test
: Test-1 100sec, Test-2 1500sec		 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 410,000원
4262 2021-03-22 11시 12시 Mo 10 nm Al 100 nm 입니다.

45초 etch 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 전길수 144,000원
4263 2021-03-22 9시 10시 안녕하세요 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.
3개의 sample etching 부탁드립니다.

1. Si 기판 etching 237초
2. Si 기판 etching 248초
3. a-Si 150nm etching		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 240,250원
4264 2021-03-23 15시 16시 조각 샘플 2개 HfO2 2nm 에칭 부탁드립니다
확실하게 에칭이 되게 오버에치 부탁드립니다

2시 30분까지 1층 샘플 보관함에 넣어두도록 하겠습니다
공정이 완료되면, 문자부탁드립니다 (010-6767-5780)
 포항공과대학교 신소재공학과 이동욱 149,500원
4265 2021-03-24 10시 12시 노준석 교수님 연구실 성준화입니다.

a-Si:H 200nm 67초 dry etching 2개 부탁드립니다~		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 146,750원
4266 2021-03-24 11시 12시 P-Si Dummy 1매 100s Etch 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 144,000원
4267 2021-03-24 13시 13시 디스크형태 벌크시편 25개의 플라즈마식각
1차 : 25개 - 1 시간
2차 : 15개 - 1 시간 (Total - 2시간)

플라즈마 평가 \\100,000원/회, 1 시간 - 12회(300초/회) 이나 10회로 처리함		 한국기계연구원 부설 재료연구소 엔지니어링세라믹연구실 마호진 2,400,000원
4268 2021-03-25 10시 11시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4269 2021-03-25 13시 14시 1-2-1 Active Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4270 2021-03-25 14시 15시 P-Si Etch (wf05) 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 144,000원
4271 2021-03-25 17시 18시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
4272 2021-03-26 14시 15시 1-2-1 HfO2 Etch 충남대학교 전자공학과 송형섭 155,000원
4273 2021-03-29 10시 11시 a-Si 120nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 146,750원
4274 2021-03-29 11시 12시 포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다.
p-dope Si 기판 위 Cr 마스크 패턴이 있습니다.
Si 기판을 1um 에칭 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4275 2021-03-30 10시 11시 PR patterning된 SiO2/Si 구조에서 SiO2 100 nm etching (2매) 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 188,000원
4276 2021-03-30 17시 18시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4277 2021-03-31 10시 12시 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

a-Si 200nm Dry etching 부탁드립니다.(67초)

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 146,750원
4278 2021-03-31 13시 14시 4\" si wafer sio2 dry etching 100nm (overetch) 4ea 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 이동훈 276,000원
4279 2021-03-31 14시 15시 HfO2 ALD 2nm etch 의뢰드립니다.
Over-etch 조건으로 대략 4nm 정도 targeting 해서 공정 진행해주시면 좋을 것 같습니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 허성재 199,000원
4280 2021-03-31 9시 10시 PECVD SiO2 100 nm 에칭 (추가 진행) 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 144,000원
4281 2021-04-01 14시 15시 SiO2 100 nm 에칭 (추가진행)
4/1		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 144,000원
4282 2021-04-01 9시 10시 안녕하세요 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

샘플 4장 에칭 부탁드리려 합니다.

1. Si 기판 239초 2장
2. Si 기판 248초 1장
3. a-Si 110 nm 1장

Dry etching 부탁드립니다.
항상 감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 240,250원
4283 2021-04-02 10시 11시 a-Si 150 nm 에칭 부탁드립니다 포항공과대학교 기계공학과 오동교 146,750원
4284 2021-04-02 12시 12시 이전 공정과 동일하게 진행해주세요.
300nm SiN etch + Si over etch 50nm 입니다.		 한양대학교 신소재공학과 한훈희 540,000원
4285 2021-04-05 14시 15시 2.5um Etch 전북대학교 전자공학부 권진오 355,000원
4286 2021-04-06 10시 12시 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

TiO2 70nm(70초) 드라이 에칭 부탁드립니다.

감사합니다.
 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 146,750원
4287 2021-04-06 12시 13시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
4288 2021-04-06 13시 14시 1-2-1 Active Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4289 2021-04-06 14시 15시 5-3-1 Contact-1 Al2O3 Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 141,250원
4290 2021-04-06 9시 10시 안녕하세요
노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

a-Si:H 500nm dry etching 부탁드립니다.

항상 감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4291 2021-04-07 10시 11시 target height가 200nm라서 c-Si 에칭 레시피로 55초 해주시면 됩니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 146,750원
4292 2021-04-07 9시 10시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 800 nm 에칭하겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4293 2021-04-09 10시 11시 SiO2 위에 5nm 정도의 실리콘이 있습니다. 실리콘의 두께를 포함해 총 50~100 nm정도를 에칭하고 싶습니다. PR 5214 패턴이 있습니다. SF6 또는 CF4 플라즈마를 사용해주시면 될 것 같습니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 백종현 149,500원
4294 2021-04-09 10시 12시 GaN Etch Test
- New Recipe - 60sec
- Sel. Recipe - 150sec
 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 210,000원
4295 2021-04-09 11시 12시 안녕하세요, 김주훈입니다.

샘플 2개 239초 dry etching 부탁드립니다.

감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4296 2021-04-09 12시 13시 Mo/Al etch 부탁드립니다.

박혁 010-9879-7930		 포항공과대학교 전자전기공학과 전길수 132,000원
4297 2021-04-13 10시 12시 노준석 교수님 연구실 성준화, 김주훈 학생입니다.

성준화: 글래스 기판 a-Si:H 600 nm(200초), TiO2 250nm(250초)

김주훈: Si 기판 155초, 239초, 글래스기판 a-Si:H 110nm

드라이 에칭 부탁드립니다.

감사합니다.
 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 333,750원
4298 2021-04-13 13시 14시 박혁 010-9879-7930 포항공과대학교 전자전기공학과 전길수 144,000원
4299 2021-04-13 14시 15시 포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다.
p-dope Si 기판 위 Cr 마스크 패턴이 있습니다.
Si 기판을 1um 에칭 부탁드립니다.

시편은 시편보관함안에 넣어두겠습니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4300 2021-04-13 15시 16시 전자과 (윤주영)
Dry etching (Al/SiO2 50/30 nm) 진행 부탁드립니다.
Cl/F 2step으로 진행 부탁드립니다.

끝난 후 연락주시면 감사하겠습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 전길수 188,000원
4301 2021-04-14 11시 14시 모래시계 나노선 식각 테스트 전북대학교 전자공학부 권진오 355,000원
4302 2021-04-16 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

샘플 3개 Si 기판 239초 Dry etching 부탁드립니다.
모두 같은 조건으로 해주시면 됩니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4303 2021-04-19 11시 12시 포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다.
a-SiH 200nm 에칭 부탁드립니다. (70초)
감사합니다.
 포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4304 2021-04-19 9시 10시 안녕하세요 김주훈입니다.

Si 기판 158초 dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4305 2021-04-20 15시 16시 안녕하세요 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

Si 기판 239 초 Dry etching 부탁드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4306 2021-04-20 16시 17시 5-3-1 Contact-1 Al2O3 Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4307 2021-04-21 10시 11시 Poly Si Dry etch 1um (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 144,000원
4308 2021-04-21 11시 12시 6\" si wafer
SiO2 dry etching 100nm (overetch) 5매		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 이동훈 320,000원
4309 2021-04-21 9시 10시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
4310 2021-04-22 9시 10시 ICP Etcher 장비
- 상부 POWER : 200W
하부 POWDER : 200W
- GAS : CF4 20sccm, Ar 40sccm
- 압력 : 10mtorr
- 플라즈마 처리시간 1회 : 5min / 추가 : 10min --> 3회

Y2O3, Sealing, Nonsealing -1 샘플 5min
Y2O3, Sealing, Nonsealing -2 샘플 추가 10min(총 15min 처리)		 위지트 기술연구소 최신호 400,000원
4311 2021-04-23 10시 11시 TiN 1500A etch 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 210,000원
4312 2021-04-26 10시 12시 안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

TiO2 300nm dry etching 부탁드립니다!
(300초)

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 146,750원
4313 2021-04-26 10시 12시 GaN Etch Test 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 155,000원
4314 2021-04-26 13시 15시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
아래 두가지 시편 에칭 부탁드립니다.
1. c-Si 200 nm
2. a-Si:H 800 nm

감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 193,500원
4315 2021-04-26 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.

샘플 4개 dry etching 부탁드립니다.

1. Si 기판 239초 (1개)
2. Si 기판 165초 (1개)
3. a-Si:H 115 nm (2개)

항상 감사드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 240,250원
4316 2021-04-27 11시 12시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
4317 2021-04-28 12시 14시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4318 2021-04-28 14시 15시 SiO2 100 nm 에칭 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 188,000원
4319 2021-04-28 9시 12시 노준석 교수님 연구실, 성준화 학생입니다.

a-Si:H 600nm, 400nm 드라이 에칭 부탁드립니다.(글래스 기판)

급한 샘플이라 4/28 오전까지 꼭 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 193,500원
4320 2021-04-29 10시 11시 TiN 1500A etch 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 210,000원
4321 2021-04-29 15시 16시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

Si 기판 239초 dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4322 2021-04-29 16시 17시 Oxide Etch 한국과학기술연구원 스핀융합연구단 김한성 265,000원
4323 2021-05-03 10시 11시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

3개 샘플 Si 기판 Dry etching 부탁드립니다.

1. Si 기판 165초
2. Si 기판 239초
3. Si 기판 248초

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 240,250원
4324 2021-05-03 16시 18시 1-1-2 Pillar Si 3um Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 610,000원
4325 2021-05-04 11시 12시 안녕하세요, 김주훈입니다.

오늘 진행한 etching 2건 신청드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4326 2021-05-04 17시 18시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
4327 2021-05-04 9시 11시 1.0 Align key Etch LG 전자 소재/생산기술원 소재기술원 ML Task 조영제 430,000원
4328 2021-05-06 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.

Dry Etching 샘플 2개 부탁드립니다.

2개 모두 Si 기판이며 239초 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4329 2021-05-07 13시 15시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4330 2021-05-10 13시 15시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
c-Si 200 nm (크리스탈린 실리콘) 부탁드립니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4331 2021-05-10 9시 19시 공정계약02 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 2,000,000원
4332 2021-05-10 9시 11시 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

Si 1um dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 146,750원
4333 2021-05-11 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.
샘플 5장 dry etching 부탁드립니다.

1. 4개의 샘플은 Si 기판으로 239초 dry etching 부탁드립니다.
2. 1개의 샘플은 a-Si:H으로 110nm dry etching 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 193,500원
4334 2021-05-12 11시 12시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
4335 2021-05-12 11시 12시 HfO2 Etch : 40nm 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 155,000원
4336 2021-05-12 12시 14시 GaN Etch : 140nm 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 155,000원
4337 2021-05-12 14시 16시 GaN Etch Test 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 155,000원
4338 2021-05-13 10시 12시 target height가 380nm라서 a-Si:H recipe로 380nm 에칭해주시면 됩니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 146,750원
4339 2021-05-13 13시 15시 Si Etch 5000 A 전북대학교 전자공학부 김기현 210,000원
4340 2021-05-13 16시 17시 4-4-1 PC Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
4341 2021-05-14 13시 14시 50 nm Silicon 식각 포항공과대학교 대학원 기계공학과 백종현 149,500원
4342 2021-05-17 10시 12시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4343 2021-05-17 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.

a-Si:H 110nm dry etching 샘플 2개 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4344 2021-05-18 10시 12시 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

1. Si 기판 1um Dry etching 부탁드립니다.

2. Glass 기판 TiO2 380nm 380초 작년 11/3에 정헌영씨가 한 조건으로 부탁드립니다.
(Cl2: 24 sccm BCl3: 64 sccm Pressure: 10 mTorr ICP: 400 W Substrate bias: 150 V)

감사합니다.
 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 193,500원
4345 2021-05-18 12시 14시 HfO2 Etch 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 155,000원
4346 2021-05-18 16시 17시 TiN 1500A etching 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 210,000원
4347 2021-05-20 11시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.

c-Si 1마이크로미터 1장, a-Si:H 200nm 1장 부탁드립니다.
시편은 보관함 안에 넣어두겠습니다.

감사합니다.
포항공과대학교 기계공학과 양영환 193,500원
4348 2021-05-24 10시 11시 글라스 기판 상 a-Si 박막 140 nm 에칭부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 오동교 146,750원
4349 2021-05-24 11시 13시 target height가 380nm라 a-Si:H recipe로 380nm 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 146,750원
4350 2021-05-24 13시 17시 HM Oxide Etch 리노공업 리노공업 곽영대 650,000원
4351 2021-05-24 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

3개 샘플 dry etching 부탁드립니다.

1. a-Si:H 110 nm (1개 샘플)
2. Si 기판 239초 (2개 샘플)

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 193,500원
4352 2021-05-25 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.
샘플 2개 dry etching 부탁드립니다.

1. Si 기판 239초
2. Si 기판 150 nm 입니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 193,500원
4353 2021-05-26 10시 12시 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

Glass 기판 TiO2 260nm 260초 작년 11/3에 정헌영씨가 한 조건으로 부탁드립니다.
(Cl2: 24 sccm BCl3: 64 sccm Pressure: 10 mTorr ICP: 400 W Substrate bias: 150 V)

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 146,750원
4354 2021-05-26 12시 13시 8-2-1 M1 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 177,000원
4355 2021-05-26 13시 14시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
c-Si 500 nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4356 2021-05-26 14시 18시 ICP Etcher 장비

상부 power 200W, 하부 power 300W
Gas : CF4 (20sccm), Ar (40sccm)
압력 : 10mtorr
플라즈마 처리시간 1회 : 15min --> 3회 (5min/회)
Test 시료 : 알루미늄 합금 6061 소재에 표면 처리 된 시료
비고 : 플라즈마 처리 전 후 무게 측정

 위지트 기술연구소 최신호 265,000원
4357 2021-05-26 9시 10시 6\\\" si wafer
SiO2 dry etching 100nm (overetch) 1매		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 이동훈 155,000원
4358 2021-05-27 10시 12시 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

TiO2 50nm 에칭 부탁드립니다.(50초)

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 146,750원
4359 2021-05-28 10시 11시 target height가 360nm라서 a-Si:H recipe로 360nm 에칭해주시면 됩니다. 감사합니다.
포항공과대학교 기계공학과 김재경 146,750원
4360 2021-05-28 16시 17시 1-2-1 Akey Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
4361 2021-05-28 8시 9시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
4362 2021-05-31 9시 10시 안녕하세요 김주훈입니다.

Si 기판 239초 dry etching 부탁드립니다.

항상 감사드립니다!		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4363 2021-06-02 13시 14시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
c-Si 200nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관한 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 168,000원
4364 2021-06-02 16시 17시 a-Si 140 nm 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 오동교 146,750원
4365 2021-06-02 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

Si 기판 100nm 에칭 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4366 2021-06-03 10시 12시 beta-Ga2O3 thin film 식각의뢰 드립니다.
샘플은 10mm * 10mm로 총 4개며 각 식각조건은 저번과 같이
BCl3 only, 400W에서 10분(2회), 15분(3회), 20분(4회), 25분(5회) 식각 부탁드립니다.
 광주과학기술원 물리광과학과 최석준 870,000원
4367 2021-06-04 10시 11시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
4368 2021-06-04 10시 12시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4369 2021-06-07 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.

Si 기판 에칭 샘플 2개 공정 부탁드립니다.

1. Si 기판 100nm 에칭

2. Si 기판 239초 에칭

이렇게 두 샘플입니다. 감사합니다!		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 193,500원
4370 2021-06-08 10시 11시 a-Si 520nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 146,750원
4371 2021-06-08 10시 11시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
4372 2021-06-09 10시 12시 샘플 2종 a-Si 120 nm 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 오동교 146,750원
4373 2021-06-10 15시 15시 6\" si wafer 1매
SiO2 100nm OVERETCH		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 이동훈 144,000원
4374 2021-06-11 11시 12시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
4375 2021-06-11 15시 16시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4376 2021-06-14 10시 11시 1-2-1 Trench Si Etch (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 188,000원
4377 2021-06-14 16시 17시 {나노융합기반 고도화 사업}
Lot ID: Module
목적: DC 공정 Si-etch Test 용 총 2장		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 180,000원
4378 2021-06-14 17시 14시 공정계약03 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 2,000,000원
4379 2021-06-16 15시 16시 Lot ID: 21Y24W #1~#10
목적: DC 공정 Si-etch 총 10장 (계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
4380 2021-06-17 10시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
4381 2021-06-17 11시 12시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4382 2021-06-17 12시 13시 Al2O3 20nm 에칭 의뢰합니다.
thermal compound 사용하지 마시고 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 298,000원
4383 2021-06-17 14시 16시 Lot ID: NDC21Y24W #11~#20
목적: DC 공정 Si-etch 총 10장 (계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
4384 2021-06-17 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.

Si 기판 244초 dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4385 2021-06-18 11시 12시 안녕하세요, 김주훈입니다.

a-Si:H 400nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4386 2021-06-21 10시 12시 a-Si 140nm 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 오동교 146,750원
4387 2021-06-21 13시 15시 GaN Akey Etch 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 155,000원
4388 2021-06-22 9시 12시 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

1. Glass wafer 에 증착된 TiO2 350nm 드라이 에칭 부탁드립니다. (2장)

2. Si wafer를 1um 드라이 에칭 부탁드립니다. (1장)

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 193,500원
4389 2021-06-23 13시 14시 안녕하세요, 김주훈입니다.

Si 기판 100nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4390 2021-06-23 15시 17시 1-2-1 AKEY GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
4391 2021-06-25 11시 12시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4392 2021-06-25 13시 14시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

Si 기판 100nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4393 2021-06-29 13시 14시 안녕하세요, 김주훈입니다.

Si 기판 244초 dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4394 2021-06-29 14시 15시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 138,500원
4395 2021-06-29 15시 17시 노준석 교수님 연구실 성준화학생입니다.

TiO2 280nm (Cl2: 24 sccm BCl3: 64 sccm Pressure: 10 mTorr ICP: 400 W Substrate bias: 150 V) 작년 11/3에 정헌영씨가 한 조건으로 280초 dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 146,750원
4396 2021-06-30 1시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.
샘플 4개 dry etching 부탁드립니다.

1. a-Si:H 500nm -> 550nm etching (샘플 2개)
2. a-Si:H 110nm etching (샘플 1개)
3. Si 기판 200nm etchign (샘플 1개)
 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 287,000원
4397 2021-06-30 10시 12시 target height가 350nm라서 a-Si:H recipe로 350nm 에칭해주시면 됩니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 146,750원
4398 2021-06-30 12시 13시 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

Si기판 1um dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 146,750원
4399 2021-07-01 13시 14시 안녕하세요, 김주훈입니다.

a-Si:H 500nm etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4400 2021-07-05 10시 11시 4-4-1 PC Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4401 2021-07-05 11시 12시 4-4-1 PC Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4402 2021-07-06 14시 15시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4403 2021-07-06 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

샘플 2개 dry etching 부탁드립니다.

1. a-Si:H 130nm etching
2. a-Si:H 500nm etching		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 193,500원
4404 2021-07-07 10시 11시 a-Si 420nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 146,750원
4405 2021-07-07 13시 14시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
4406 2021-07-12 10시 11시 a-Si 100nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 146,750원
4407 2021-07-13 14시 15시 산화알루미늄에 Ti/Au 15/100 nm sputtering후 3 um 금전해도금 한 시료입니다. 도금과정에서 생긴 오염물질을 제거하려합니다 포항공과대학교 대학원 QCQN 홍정수 248,500원
4408 2021-07-13 15시 16시 안녕하세요, 김주훈입니다.

a-Si:H 500nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4409 2021-07-13 9시 10시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
4410 2021-07-14 10시 11시 a-Si 400nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 146,750원
4411 2021-07-14 11시 12시 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

1. TiO2 dry etching 정헌영씨가 작년11/3에 한 조건으로 280초 (280nm) dry etching 부탁드립니다. (시편 2개)

2. Si 기판 1um dry etching 부탁드립니다. (시편 1개)

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 193,500원
4412 2021-07-14 14시 15시 0-2-1 AKey Poly Si Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 223,750원
4413 2021-07-14 15시 16시 0-2-1 AKey Oxide Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 223,750원
4414 2021-07-15 15시 12시 전북대학교 나노소자공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,000,000원
4415 2021-07-16 13시 16시 Al2O3 Etchrate 평가 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 210,000원
4416 2021-07-16 16시 17시 1-2-1 Active Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 223,750원
4417 2021-07-19 10시 11시 포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 700 nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4418 2021-07-19 11시 13시 Al2O3 Etchrate Test in Gan Etch 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 155,000원
4419 2021-07-19 13시 15시 Lot ID: NDC21Y29W #1~#23
목적: DC공정 Si etch 52sec 총 23장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
4420 2021-07-19 15시 16시 안녕하세요, 김주훈입니다.

a-Si:H 120nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4421 2021-07-19 16시 18시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4422 2021-07-20 13시 14시 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

1. Si 기판 1um dry etching

2. Glass 기판 a-Si:H 200nm(68초) dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 193,500원
4423 2021-07-20 9시 15시 공정계약04 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 3,400,000원
4424 2021-07-21 15시 16시 SD21Y07M-NHOLE
:4000A

IDP32017
:1600A		 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 210,000원
4425 2021-07-22 16시 17시 산화알루미늄 3분동안 산소 플라즈마 클리닝을 하려고 합니다.

다음에는 직접 사용을 할 수 있도록 한번 더 가르쳐주시면 감사하겠습니다.		 포항공과대학교 대학원 QCQN 홍정수 199,000원
4426 2021-07-22 17시 18시 Plasma Etching 포항공과대학교 전자전기공학과 이원찬 149,500원
4427 2021-07-26 11시 12시 a-Si 520nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 146,750원
4428 2021-07-26 9시 10시 안녕하세요 김주훈입니다.
a-Si:H 120nm 에칭 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 240,250원
4429 2021-07-27 13시 14시 안녕하세요, 김주훈입니다.

a-Si:H 120nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4430 2021-07-28 10시 11시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 600 nm 에칭 부탁드립니다. (210 초)
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다. 감사합니다.
 포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4431 2021-07-28 13시 15시 Al2O3 Etch (GaN wafer) : 300 A Just Etching 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 155,000원
4432 2021-07-28 15시 17시 GaN Etch Low Etchrate cond. : 80 A Etching 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 155,000원
4433 2021-07-28 16시 17시 SiO2 etching recipe로 155nm 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 146,750원
4434 2021-07-28 18시 20시 1-2-1 AKEY ETch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4435 2021-07-29 15시 16시 4-4-1 PC pGaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4436 2021-07-30 10시 12시 노준석 교수님 연구실 김경태 학생입니다.
Si3N4 600nm Dry-etching 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 146,750원
4437 2021-08-02 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.

Si 기판 165초 dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4438 2021-08-03 9시 18시 SBD02 Run_Etch_Oxide+Metal [4.0021851.01] 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 540,000원
4439 2021-08-04 13시 15시 4.0 PC pGaN ETCH 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4440 2021-08-05 10시 12시 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

a-Si:H 200nm (68초) dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 146,750원
4441 2021-08-05 13시 14시 안녕하세요.
포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 500 nm 에칭부탁드립니다. (175초)
시편은 시편보관함에 넣어두겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 193,500원
4442 2021-08-06 15시 16시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 200 nm 에칭 부탁드립니다. (70초)
시편은 시편보관함안에 넣어두겠습니다.
날이 많이 더운데 항상 감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4443 2021-08-09 10시 11시 0-2-1 AKey Poly Si Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 223,750원
4444 2021-08-09 11시 12시 0-2-1 AKey Oxide Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 223,750원
4445 2021-08-09 13시 14시 안녕하세요, 김주훈입니다.

a-Si:H 140nm dry etching 부탁드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4446 2021-08-10 13시 17시 대구카톨릭대학교 반도체 공정실습 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 650,000원
4447 2021-08-10 13시 14시 1-2-1 Active Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 223,750원
4448 2021-08-10 15시 17시 안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

글래스 기판

1. a-Si:H 200nm (68초) dry etching

2. a-Si:H 650nm (218초) dry etching

부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 193,500원
4449 2021-08-11 11시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 650 nm 에칭 부탁드립니다. (230초)
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4450 2021-08-11 13시 14시 a-Si 150nm 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 146,750원
4451 2021-08-11 16시 17시 안녕하세요, 김주훈입니다.

a-Si:H 550nm etching 부탁드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4452 2021-08-11 9시 10시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4453 2021-08-12 13시 15시 HfO2 10 nm etching 부탁 드립니다. 경북대학교 전자공학부 DAI QUAN 210,000원
4454 2021-08-13 13시 14시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4455 2021-08-17 10시 11시 안녕하세요, 김주훈입니다.

샘플 3개 etching 부탁드립니다.

1. Si 기판 238초 etching
2. Si3N4 500nm etching
3. a-Si:H 530nm etching

이렇게 3개 부탁드립니다.
감사합니다!!		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 193,500원
4456 2021-08-17 11시 13시 안녕하세요. 김종규 교수님 연구실 임세미 입니다. GaN LED epi 이고, 저희 연구실에서 박정현 학생이 지난 번에 맡겼던 조건대로 850nm ~ 1um 정도로 etching 부탁드립니다. PR로 masking 되어있는 sample입니다. 샘플 순서를 적어놓았는데, 순서대로 공정 해주시면 감사하겠습니다. 기타 문의사항 있으시면 유선 (010-2606-7278)으로 연락 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 임세미 149,500원
4457 2021-08-18 9시 17시 공정계약05 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 2,500,000원
4458 2021-08-20 10시 11시 안녕하세요, 김주훈입니다.

Si기판 샘플 2개 239초로 dry etching 부탁드립니다.

감사합니다! 		포항공과대학교 기계공학과 김주훈 193,500원
4459 2021-08-23 11시 12시 5-3-1 Contact-1 Al2O3 Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 223,750원
4460 2021-08-23 12시 18시 Si 220초 에칭 부탁드립니다 (약 800 nm) 포항공과대학교 기계공학과 오동교 146,750원
4461 2021-08-25 10시 12시 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

1. a-Si:H 480nm

2. a-Si:H 550nm

3. a-Si:H 650nm

총 세개 조각 dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 240,250원
4462 2021-08-25 13시 12시 대구카톨릭대학교 반도체 공정실습 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 650,000원
4463 2021-08-25 15시 16시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4464 2021-08-26 13시 14시 안녕하십니까 선생님

작년 6~8월정도에 TiN 60 nm etching 공정의뢰를 맡긴적이 있었는데,
같은 조건으로 50 nm의 TiN을 etching 하고 싶습니다.
6inch의 웨이퍼이며, 위에는 저번처럼 polymer nanopatterning이 되어있습니다.

샘플의 경우, 오전 중에 완성이 되어 점심시간 전에 공정의뢰함에 가져다 놓겠습니다.

그리고, 그 이후로 e beam evaporator를 이용하여 nickel을 증착할 예정이오니,
이정익 선생님께 샘플 전달 드리면 감사드리겠습니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 149,500원
4465 2021-08-27 10시 11시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 150nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 150nm 에칭해 주세요. 시편은 총 1개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 146,750원
4466 2021-08-30 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.

a-Si:H 510nm etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4467 2021-09-01 11시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 700nm 4장 에칭 부탁드립니다. (245초)
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4468 2021-09-01 13시 14시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.

TiO2 235 nm 에칭 부탁드립니다.
감사합니다.

235초
Cl2 24sccm
BCl3 64 sccm
Pressure 10 mTorr
ICP 400 W
Substrate bias 150V		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4469 2021-09-01 14시 16시 1. HfO2 40nm
2. GaN Etch		 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 210,000원
4470 2021-09-01 16시 17시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 150nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 150nm 에칭해 주세요. 시편은 총 3개(2cm*2cm)로 오후 2시 쯤에 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 146,750원
4471 2021-09-02 9시 10시 Si 기판 239초 dry etching 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4472 2021-09-06 10시 11시 SiO2 mask가 140nm이고, Al의 높이가 280nm입니다. Al etching recipe로 280nm 에칭부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 146,750원
4473 2021-09-06 9시 12시 안녕하세요, 김주훈입니다.

이번에는 샘플 9개 에칭 부탁드립니다.
샘플은 140, 160, 180, 200nm 에칭 샘플 각각 2개씩 8개와
480nm 에칭 샘플 하나 부탁드립니다.

같은 높이의 샘플도 두가지가 다른 샘플이오니 섞이지 않게 주의 부탁드립니다.

감사합니다!		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 333,750원
4474 2021-09-08 10시 12시 안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

a SiH 220nm dry etching 부탁드립니다.

급한샘플이라 내일 점심중까지 완료 부탁드립니다!

감사합니다.

성준화 드림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 146,750원
4475 2021-09-08 13시 14시 포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 600 nm (210 초) 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4476 2021-09-08 15시 16시 안녕하세요, 김주훈입니다.

샘플 하나 a-Si:H 550nm 에칭 부탁드립니다.

항상 감사드립니다!		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4477 2021-09-08 9시 10시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4478 2021-09-09 14시 15시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 150nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 150nm 에칭해 주세요. 시편은 총 2개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 146,750원
4479 2021-09-09 15시 16시 안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

1. TiO2 220초 2개 조각 (Cl2: 24 sccm BCl3: 64 sccm Pressure: 10 mTorr ICP: 400 W Substrate bias: 150 V)

2. Al2O3 230nm 1개 조각

Dry etching 부탁드립니다.

감사합니다!		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 193,500원
4480 2021-09-09 16시 17시 안녕하세요, 김주훈입니다.

Si 기판 239초 etching 부탁드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4481 2021-09-10 10시 14시 Gate Stack Etch Test 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 347,500원
4482 2021-09-13 11시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 200 nm 에칭 부탁드립니다. (70초)
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다.
포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4483 2021-09-13 17시 18시 안녕하세요, 김주훈입니다.

a-Si:H 70nm etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4484 2021-09-13 9시 17시 나노융합고동화사업을 위한 기업지원 용
Plasma Etching		 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 650,000원
4485 2021-09-14 10시 12시 안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

Si3N4 550nm 110초 드라이 에칭 부탁드립니다.

감사합니다.

성준화 드림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 146,750원
4486 2021-09-14 13시 15시 SiC Trench Test 1.5(TT1.5) Lot_Etch 공정 All 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,420,000원
4487 2021-09-15 16시 18시 Cr mask가 40nm이고, a-Si:H의 높이가 600nm입니다. a-Si:H etching recipe로 600nm 에칭부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 146,750원
4488 2021-09-16 11시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 200 nm 에칭 부탁드립니다. (70 초)
시편은 시편 보관함 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다.

포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4489 2021-09-16 12시 13시 안녕하세요, 김주훈입니다.

Si 기판 242초 etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4490 2021-09-16 13시 15시 노준석 교수님 연구실 김경태입니다.
Si3N4 600nm Dry-etching 입니다.
장비 사용신청을 사후에 하게 되어 죄송합니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 146,750원
4491 2021-09-16 15시 16시 노준석 교수님 연구실 김경태입니다.
a-Si:H 475nm dry etching 부탁드립니다.
사후에 장비신청 드리게 된점 죄송합니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 146,750원
4492 2021-09-16 16시 17시 4-4-1 PC GaN etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4493 2021-09-16 9시 17시 나노융합고동화사업을 위한 기업지원 용
Plasma Etching
 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 650,000원
4494 2021-09-20 10시 11시 안녕하세요, 김주훈입니다.

dry etching 샘플 5장 맡겨드립니다. (TEL 장비 샘플 (sin)도 같은 샘플 홀더에 두었습니다.)

1. a-Si:H 600nm etching 1장
2. a-Si:H 100nm etching 2장
3. Si 기판 241초 1장
4. Si 기판 175초 1장

이렇게 총 5장 에칭 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 193,500원
4495 2021-09-22 9시 18시 공정계약06 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 2,000,000원
4496 2021-09-28 14시 18시 Gate Stack Etch Test 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 347,500원
4497 2021-09-28 14시 15시 4-4-1 PC Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4498 2021-09-28 17시 18시 1-2-1 Akey Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4499 2021-09-29 12시 14시 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

TiO2 에칭 의뢰 관련 신청입니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 146,750원
4500 2021-09-29 16시 17시 Sio2 100nm Dry etch(over etch)

나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원 사업
전자과 이동훈(010-6763-7749)		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 155,000원
4501 2021-10-04 9시 17시 선도연구시설 고도화 지원사업_Etch[4.0021961.01] 나노융합기술원 대외협력팀 한동희 1,200,000원
4502 2021-10-05 15시 16시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4503 2021-10-05 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.

a-Si:H 550nm dry etching 부탁드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4504 2021-10-07 10시 11시 나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업], 전자과 신성환(010.9081.6590)

총 6장 (Si wafer1장 + SOI wafer 5장)		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 430,000원
4505 2021-10-08 16시 17시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 292,500원
4506 2021-10-12 9시 10시 Si 기판 241초 dry etching 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4507 2021-10-13 16시 17시 5-4-1 GATE Backside Poly Si Etch 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 276,000원
4508 2021-10-14 10시 11시 1. a-Si:H 180초
2. Si 기판 243초		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 193,500원
4509 2021-10-14 11시 12시 1-2-1 Akey Oxide Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 298,000원
4510 2021-10-14 13시 14시 Ge 조각 16개
SiO2 100nm Overetch 의뢰

[나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업], 전자과 이동훈(010.6763.7749)		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 265,000원
4511 2021-10-14 14시 20시 - 공정 조건은 케이씨엠 社 - 최여진 대리 의뢰 조건과 동일하게 진행해주시면 됩니다.
- 에칭은 60 min 진행 예정입니다. (5분/회 : 12회 --> 10회로 청구함)
- 3개 샘플 모두 한번에 들어갈 수 있는지 확인 후 연락 부탁드립니다. (tel. 010-4180-9711)		 주식회사 미코 신규소재팀 김진호 1,130,000원
4512 2021-10-14 14시 15시 1-2-1 Akey Silicon Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 298,000원
4513 2021-10-14 15시 16시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 150nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 150nm 에칭해 주세요. 시편은 총 3개(2cm*2cm)로 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 146,750원
4514 2021-10-15 10시 11시 a-Si:H 700 nm 에칭 부탁드리며, 조건은 아래와 같습니다.

CHF3 : 50 -> 100 sccm
SF6 : 3 -> 6 sccm
Power : 30 -> 40W / 500W
압력 : 15 mTorr
시간 : 10 -> 5분


 포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4515 2021-10-15 11시 18시 Al2O3 ceramic 60x60x2t(mm) 시편입니다.
누적 etching time 1시간 요청드립니다. (5분/회 : 12회 --> 10회로 청구함)
공정 확인서에는 공정 조건과 gas종류(특히 불소, 염소 gas)가 기재되어야합니다.		 (주)케이씨엠테크놀로지 부설연구소 최여진 1,100,000원
4516 2021-10-18 10시 12시 안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.
샘플 네개 에칭 요청드립니다.

1. TiO2 50nm 추가 에칭 (이전에 에칭했던 샘플)

2. TiO2 240nm 드라이 에칭

3. a-Si:H 650nm 드라이 에칭

4. a-Si:h 800nm 드라이 에칭

에칭 샘플이 많습니다. 부탁드립니다!

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 287,000원
4517 2021-10-18 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.

a-Si:H 400nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4518 2021-10-19 15시 18시 2*2cm 샘플 2개 Si 225초 에칭 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 146,750원
4519 2021-10-20 10시 12시 안녕하세요 선생님
TiN 50nm etching 공정의뢰 드립니다
샘플은 내일 새벽에 전달드리겠습니다!		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 149,500원
4520 2021-10-20 10시 12시 안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

1. TiO2 70nm 추가 에칭 부탁드립니다. -> 에칭후에도 기판이 뿌옇다면 50nm 추가 에칭 부탁드립니다.

2. TiO2 170nm 에칭이라고 적혀있는 샘플 200nm 에칭 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 193,500원
4521 2021-10-20 14시 15시 노준석 교수님 연구실 김경태 입니다.
a-Si T200 475nm dry etching 부탁드립니다.
감사합니다		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 146,750원
4522 2021-10-20 15시 16시 Si 260nm etching 포항공과대학교 대학원 물리학과 김진욱 149,500원
4523 2021-10-21 14시 15시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 500 nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4524 2021-10-22 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.

a-Si:H 180초 dry etching 부탁드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4525 2021-10-25 9시 18시 공정계약07 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 1,500,000원
4526 2021-10-27 9시 11시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4527 2021-10-28 10시 16시 glass 기판에 Ti 5nm(adhesion layer), Al 280nm 가 증착되어 있는데 Al 280nm, Ti 5nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 146,750원
4528 2021-10-28 10시 10시 안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

aSiH 650nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 146,750원
4529 2021-11-02 10시 11시 포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다.
aSi 650 nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4530 2021-11-03 12시 14시 glass 기판에 Ti 5nm(adhesion layer), Al 300nm 가 증착되어 있는데 Al 300nm, Ti 5nm 순서로 dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 146,750원
4531 2021-11-03 14시 16시 SiO2 100nm dry etch (over etch)
[나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업], 전자과 이동훈(010.6763.7749)		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 155,000원
4532 2021-11-03 9시 14시 Siilicon 210초 dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 146,750원
4533 2021-11-03 9시 17시 선도연구시설 고도화지원사업_Etch [4.0021961.01]
Dry Etching		 나노융합기술원 대외협력팀 한동희 1,200,000원
4534 2021-11-04 10시 12시 안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

aSiH 520nm 드라이에칭 부탁드립니다.

감사합니다.
 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 146,750원
4535 2021-11-04 12시 13시 PC pGaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4536 2021-11-04 13시 17시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 500 nm 2번 / 1 um 1번 / 2 um 1번 / 3 um 1번
silicon 기판 3 um 1번 / 5 um 1번
총 7번 부탁드립니다.

수량이 너무 많을시, 2~3일에 걸쳐서 해주셔도 괜찮습니다.
감사합니다.
포항공과대학교 기계공학과 양영환 202,000원
4537 2021-11-04 9시 10시 포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다.
TiO2 250 초 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.

감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4538 2021-11-05 10시 15시 a-Si:H 130nm 에칭부탁드립니다. 시편 2개입니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 146,750원
4539 2021-11-05 16시 18시 glass 기판에 Ti 5nm(adhesion layer), Al 300nm 가 증착되어 있는데 Al 300nm, Ti 5nm 순서로 dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 146,750원
4540 2021-11-08 14시 16시 GaN A key Etch 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 210,000원
4541 2021-11-09 10시 11시 [나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업], 전자과 이동훈(010.6763.7749) 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 144,000원
4542 2021-11-09 11시 13시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
4543 2021-11-09 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.

샘플 3개 Si 기판 152초 etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4544 2021-11-10 10시 11시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 600 nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 134,000원
4545 2021-11-10 11시 12시 amorphous silicon 100 nm etching 부탁드립니다
감사드립니다!		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 149,500원
4546 2021-11-11 10시 11시 {나노융합기반 고도화사업}
Lot ID: Module
목적: DC공정 si etch test용 총 1장		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 155,000원
4547 2021-11-11 11시 12시 SOI Wafer Top Si 20 nm, over-etch 20% 3장 공정 진행을 부탁 드립니다.
공정 진행 후, PR-Asher FEOL-2 장비, NINT Ashing 120\' 공정을 연이어 부탁 드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 202,000원
4548 2021-11-12 10시 12시 안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

a-Si:H 150nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 146,750원
4549 2021-11-15 13시 12시 SiC MOSFET 제작용 Etch Test[4.0021875.01]-강민재 팀장님 청구 나노융합기술원 대외협력팀 한동희 1,750,000원
4550 2021-11-15 16시 17시 안녕하세요
4inch 웨이퍼와 2조각샘플 있습니다.

TiN 50 nm etching 부탁드립니다.
샘플은 점심시간에 가져다 놓겠습니다.
공정 완료시 연락 부탁드리겠습니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 199,000원
4551 2021-11-15 9시 18시 공정계약08 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 3,300,000원
4552 2021-11-17 10시 11시 8\" SOI Wafer
Top Si 120 nm, over-etch 20 % 진행 부탁 드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 134,000원
4553 2021-11-17 12시 13시 안녕하세요 선생님
TiN 50 nm Etching 공정 문의드립니다.

샘플은 오전 중에 보관함에 두겠습니다.
공정 완료시 연락 부탁드리겠습니다.

감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 199,000원
4554 2021-11-17 13시 14시 안녕하세요, 김주훈입니다.

에칭 샘플 3개 부탁드립니다.

1. Si 기판 175초 샘플 2개 에칭 부탁드립니다.
2. a-Si:H 550nm 에칭 부탁드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 193,500원
4555 2021-11-17 14시 15시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 500 nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4556 2021-11-18 10시 12시 glass 기판에 Ti 5nm(adhesion layer), Al 300nm 가 증착되어 있는데 Al 300nm, Ti 5nm 순서로 dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 146,750원
4557 2021-11-18 13시 15시 Lot ID: NDC21Y46W
목적: DC공정 Si-etch 총 20장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
4558 2021-11-18 16시 17시 4-4-1 PC pGaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4559 2021-11-19 10시 12시 안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. TiO2 220초 드라이에칭 부탁드립니다! Cl2 24sccm, BCl3 64sccm, pressure 10mtorr, icp 400W substrate bias 150V 감사합니다! 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 146,750원
4560 2021-11-22 10시 11시 안녕하세요
a-Si 100 nm 식각 공정 의뢰드립니다
감사드립니다!		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 199,000원
4561 2021-11-22 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

샘플 2장 에칭 부탁드립니다.
1. Si 기판 230초 etching
2. a-Si:H 110nm etching

2번 샘플 (a-Si:H 110nm)의 경우에는 진행한 초 까지 적어주시면 감사드리겠습니다.

항상 감사드립니다!		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 193,500원
4562 2021-11-23 10시 11시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 600 nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4563 2021-11-23 11시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
Cr 패턴이 올라간 Si wafer 기판을 910 nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편 보관함 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 193,500원
4564 2021-11-24 1시 11시 PR로 마스킹 된 LED 기판입니다.
기존대로 850 nm 타겟으로 에칭 부탁드립니다.
당일에 받고 싶은데 가능할까요? 연락 부탁드립니다.

12개. --> 3회.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 248,500원
4565 2021-11-24 17시 18시 a-Si T200 900nm dry-etching 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 146,750원
4566 2021-11-25 14시 15시 a-Si 130 nm 에칭 포항공과대학교 기계공학과 오동교 146,750원
4567 2021-11-25 9시 10시 8\" SOI Wafer Top Si 식각 의뢰 드리며, 조건은 아래와 같습니다.
1. Top Si 50 nm over-etch 20%
2. Top Si 30 nm over-etch 20%
3. Top Si 30 nm over-etch 20%
4. Top Si 30 nm over-etch 20%		 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 287,000원
4568 2021-11-30 10시 11시 안녕하세요, 김종규 교수님 연구실 임세미 입니다. GaN LED epi 이고, 850 nm 정도로 etching 부탁드립니다. PR로 masking 되어있는 sample이고, 샘플 순서를 적어놓았는데 순서대로 공정 해주시면 감사하겠습니다. 기타 문의사항 있으시면 유선 (010-2606-7278)으로 연락 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 임세미 149,500원
4569 2021-11-30 11시 12시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4570 2021-12-01 13시 18시 세라믹 식각 특성 평가 : 개수 8개 / RF 1.0 Hr
Base 1회/~300sec, 1.0Hr = Base + 11회 (12회 --> 10회로 청구, \\100,000/회)		 (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 1,380,000원
4571 2021-12-02 10시 12시 Silicon 300nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 146,750원
4572 2021-12-02 13시 15시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
8\'\' wf 2장 기판 실리콘 에칭 부탁드립니다.
(225 초 - 910 nm)
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 193,500원
4573 2021-12-02 16시 17시 5분 진행건 (11/25) 포항공과대학교 기계공학과 김재경 146,750원
4574 2021-12-02 17시 18시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4575 2021-12-06 10시 12시 안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다. 1. TiO2 230초 dry etching (Cl2: 24 sccm BCl3: 64 sccm Pressure: 10 mTorr ICP: 400 W Substrate bias: 150 V) 2. Si 기판 180초 dry etching 3. a-Si:H 550nm dry etching 총 세개 기판 dry etching 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 240,250원
4576 2021-12-06 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

Si 기판 252초 dry etching 부탁드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4577 2021-12-07 9시 18시 나노융합기반고도화 사업_공정 테스트 주식회사 엔포마레 사업총괄 성재석 2,300,000원
4578 2021-12-08 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si:H 55nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4579 2021-12-09 10시 16시 나노융합소자공정 및 측정분석 실습교육과덩(4.0021910.01)_나노 소자 공정 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,300,000원
4580 2021-12-09 13시 16시 SiO2 Etching on GaN
Test - 1매, Main - 2매		 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 265,000원
4581 2021-12-09 14시 18시 안녕하세요, GaN LED epi 에칭 의뢰 드립니다. 이전에 3.5 um etching 부탁드렸던 샘플인데, 실제로 1.2 um만 etching 되어서 추가로 2.2 um etching 요청 드립니다. 포항공대 신소재공학과 김종규 교수님 연구실 임세미 입니다.

--> 추가 진행으로 100% 할인 적용함		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 임세미 0원
4582 2021-12-09 16시 18시 GaN Etch : 80 A 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 210,000원
4583 2021-12-10 13시 15시 안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

a-Si:H 100nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.

 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 146,750원
4584 2021-12-10 9시 12시 CHF3 30
SF6 6sccm
P 15mTorr
Power 40/500W
5분
a-Si:H dry etching부탁드립니다. 		포항공과대학교 기계공학과 김재경 146,750원
4585 2021-12-13 13시 14시 포항공대 노준석 교슈님 실험실 양영환입니다.
Cr-mask가 올라간 8inch wafer 2장 910 nm 에칭 부탁드립니다. (225초)
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 193,500원
4586 2021-12-13 15시 16시 1-2-1 AKEY Oxide Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 298,000원
4587 2021-12-13 16시 17시 1-2-2 AKEY Si Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 298,000원
4588 2021-12-13 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si:H 55nm dry etching 부탁드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4589 2021-12-14 11시 12시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4590 2021-12-14 9시 10시 Si 기판 100초, 150초 샘플 2개 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 193,500원
4591 2021-12-15 10시 11시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

Si 기판 252초 에칭 샘플 1개와
a-Si:H 110nm 에칭 샘플 1개 맡겨드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 193,500원
4592 2021-12-15 13시 14시 안녕하세요 선생님
a-Si 130 nm etching 공정의뢰 부탁드립니다.

공정완료 후 연락부탁드리겠습니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 149,500원
4593 2021-12-15 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

Si 기판 252초 에칭 샘플 1개와
a-Si:H 110nm 에칭 샘플 1개 맡겨드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 193,500원
4594 2021-12-16 10시 12시 a-Si : H dry etching 다음과 같은 recipe로 부탁드립니다.

CHF3 50
SF6 6 sccm
P 15mTorr
Power 40/500W 입니다. 감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 김재경 146,750원
4595 2021-12-16 11시 12시 Silicon 0.26um Etching 포항공과대학교 물리학과 성열헌 149,500원
4596 2021-12-16 12시 13시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si:H 55nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4597 2021-12-16 14시 15시 포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다.
Cr 마스크가 올라간 Si 기판이 있습니다.
Si 기판을 225초 에칭 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4598 2021-12-20 16시 17시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4599 2021-12-21 13시 14시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 292,500원
4600 2021-12-21 9시 18시 공정계약09 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 2,500,000원
4601 2021-12-22 15시 16시 1-2-1 Akey Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4602 2021-12-22 17시 18시 4-2-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 177,000원
4603 2021-12-23 10시 11시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 600 nm 에칭 부탁드립니다.
감사합니다		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4604 2021-12-24 10시 12시 Si 350nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 146,750원
4605 2021-12-24 12시 13시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4606 2021-12-24 13시 14시 CHF3 30
SF6 6sccm
P 15mTorr
Power 40/500W
5분
a-Si:H dry etching부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김재경 146,750원
4607 2021-12-24 9시 10시 안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

1. a-Si:H 130nm(60초) (CHF3 30 SF6 6sccm P 15mTorr Power 40/500W) Dry etching

2. Si 기판 dry etching (180초)

부탁드립니다!

감사합니다.

성준화 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 193,500원
4608 2021-12-27 10시 12시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

TiO2 100초 (Cl2: 24 sccm BCl3: 64 sccm Pressure: 10 mTorr ICP: 400 W Substrate bias: 150 V)

Dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 146,750원
4609 2021-12-27 16시 17시 9-2-2 PO TiN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4610 2021-12-27 17시 19시 GaN LED epi 이고, 3.5 um 정도로 etching. 니켈로 masking 되어있는 sample
샘플 순서를 적어놓았는데 순서대로 (조각 2 + 5 = 7개 --> 5개 / 회 )		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 임세미 499,000원
4611 2021-12-27 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

dry etching 샘플 5개 맡겨드립니다.

1. Si 기판 243초 etching
2. a-Si:H 55nm etching

조건 CHF3 30/ SF6 6sccm/ P15mTorr/ Power 40/500W 으로
3. 270s 샘플 2개
4. 160s 샘플 1개

부탁드립니다.
항상 감사드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 193,500원
4612 2021-12-29 14시 15시 a-Si:H 600 nm 에칭 포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4613 2021-12-30 14시 16시 Si 1.0um Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 146,750원
4614 2022-01-03 10시 11시 Oxide Etchrate Test 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 155,000원
4615 2022-01-03 13시 14시 Oxide on GaN Etching : 110% OE 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 210,000원
4616 2022-01-03 14시 16시 pGaN 5nm Etching 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 210,000원
4617 2022-01-03 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si:H 55nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4618 2022-01-04 13시 15시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
8 inch wafer 기판 에 Cr 패턴이 되어 있는데, Si 기판 에칭 부탁드립니다. (266초)
시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 146,750원
4619 2022-01-11 14시 14시 나노융합 소자공정 및 측정분석 실습교육과정(4.0021910.01)
; 나노 소자 공정 & 측정 일자리 연계교육		 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,200,000원
4620 2022-01-13 11시 12시 PR 1.7um로 노광된 Si Test wafer를 1um 의 깊이로 식각하고자 합닙다.
 나노융합기술원 사업지원팀 21년도 전문인력 1조 0원
4621 2022-01-16 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

Si 기판 200nm 에칭 샘플 2개 맡겨드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4622 2022-01-17 10시 12시 노광된 Si 웨이퍼 7장입니다. PR 두께 1.7um이고 Si 1um 식각하고자 합니다. 나노융합기술원 사업지원팀 21년도 전문인력 1조 0원
4623 2022-01-17 15시 16시 1-2-1 Active Si Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
4624 2022-01-17 17시 18시 [21년도 나노전문인력양성 고급교육]
poly-si 1300A etch, time: 45 sec		 나노융합기술원 사업지원팀 21년도_전문인력 6조 0원
4625 2022-01-19 16시 17시 4-4-1 PC pGaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 292,500원
4626 2022-01-20 10시 12시 Si wafer 2장 각각 290nm, 350nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 193,500원
4627 2022-01-20 13시 16시 Al2O3 Etch 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 210,000원
4628 2022-01-21 10시 11시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

샘플 2개 맡겨드립니다.

1. Si 기판 242초
2. Si 기판 180 nm 에칭 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 193,500원
4629 2022-01-21 11시 12시 4-4-1 PC Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4630 2022-01-24 10시 11시 sapphire 상에 growth 된 GaN 상부에 oxide가 여러 층 증착되어 있습니다.
(HfO2, SiO2, Al2O3)

6ea 로 각 2회로 청구해야 하나 평가관련 각1회로 청구함

PR이 패터닝 되어 있고, 이를 mask로 하여 oxide를 에칭하여 cylinder 형태로 oxide를 남기고자 합니다.
PR은 1.4um 두께이고, 총 조각시료 6개가 8 inch Si wafer에 thermal grease로 붙여놓았습니다.
자세한 내용은 A4용지에 기록하여 시료와 함께 전달드리겠습니다.
기타 문의 사항이 있으면 A4용지에 기록된 연락처로 연락 바랍니다.		 포스텍 첨단재료과학부 조원석 248,500원
4631 2022-01-24 9시 10시 노준석 교수님 연구실 김경태 학생입니다.
a-Si (T200) 80nm dry-etching 부탁드립니다. 감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 146,750원
4632 2022-01-25 15시 16시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화입니다.

Si 기판 237초 드라이에칭 부탁드립니다.

2시전에 가져다 맡기는 시편함에 가져다 놓도록 하겠습니다.

감사합니다.

성준화 드림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 146,750원
4633 2022-01-25 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si:H 250nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4634 2022-01-26 11시 12시 4-2-1 PC Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4635 2022-01-26 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si:H 320nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4636 2022-02-04 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si:H 70 nm 에칭 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4637 2022-02-07 10시 16시 전문인력양성사업 나노소자공정 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,200,000원
4638 2022-02-07 10시 11시 Si3N4 400nm dry etching 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 146,750원
4639 2022-02-07 11시 12시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

Si 기판 241초 dry etching 부탁드립니다.
a-Si 280nm
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 193,500원
4640 2022-02-09 10시 11시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
8 inch wafer 기판 에 Cr 패턴이 되어 있는데, Si 기판 에칭 부탁드립니다. (266초)
시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 240,250원
4641 2022-02-09 14시 15시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화입니다.

(Cl2: 24 sccm BCl3: 64 sccm Pressure: 10 mTorr ICP: 400 W Substrate bias: 150 V) 조건대로

TiO2 dry etching 세개 부탁드립니다.

1. 2번샘플 100초

2. 4번샘플 150초

3. 3번샘플 200초

드라이에칭 부탁드립니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 240,250원
4642 2022-02-09 9시 10시 지난번 김수곤 박사님께서 진행해주신 oxide etching recipe를 사용하면 될 것 같습니다.
관련 내용은 A4용지에 적어 샘플과 함께 동봉하였습니다.		 포스텍 첨단재료과학부 조원석 248,500원
4643 2022-02-10 11시 12시 a-Si (T200) 80nm dry etching 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 146,750원
4644 2022-02-11 13시 14시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4645 2022-02-15 15시 17시 Al 170nm, Ti 5nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 146,750원
4646 2022-02-17 11시 12시 Poly BT (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
4647 2022-02-17 13시 17시 Poly Etch (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
4648 2022-02-17 9시 11시 Poly Etch Test 2매 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
4649 2022-02-18 10시 17시 Gate Stack 평가 : 각 조건별 9개 샘플 진행 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 545,500원
4650 2022-02-18 9시 10시 에칭 샘플 4개 맡겨드립니다.

샘플에 적힌대로 에칭 부탁드립니다.

항상 감사드립니다!
 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 240,250원
4651 2022-02-23 16시 17시 1-2-1 Active P-Si Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 347,500원
4652 2022-02-23 9시 10시 a-Si (T200) 400nm dry etching 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 146,750원
4653 2022-02-24 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si:H 80nm etching 샘플 2장 기기앞에 맡겨드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
4654 2022-02-28 9시 10시 Si3N4 400nm dry-etching 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 146,750원
4655 2022-03-03 11시 13시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
8 inch wafer 기판 에 Cr 패턴이 되어 있는데, Si 기판 에칭 부탁드립니다. (266초)
시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
4656 2022-03-03 14시 16시 Si 450nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 144,000원
4657 2022-03-03 16시 17시 LOT ID : NDC22Y09W
목적 : PM key etch
총 1장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
4658 2022-03-04 10시 12시 Si 800nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 144,000원
4659 2022-03-04 17시 18시 LOT ID : NDC22Y09W
목적 : PM key etch
총 1장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
4660 2022-03-07 13시 14시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 에칭 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
4661 2022-03-07 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si:H 650nm dry etching 샘플 1개와
Si 기판 239초 dry etching 샘플 1개 맡겨드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 188,000원
4662 2022-03-08 10시 11시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4663 2022-03-10 11시 12시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4664 2022-03-10 11시 12시 Si 260nm Etch 포항공과대학교 물리학과 성열헌 149,500원
4665 2022-03-10 15시 17시 Si 1.0um Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 146,750원
4666 2022-03-10 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

Si 기판 샘플 2개 에칭 부탁드립니다.

1. Si 기판 243초

2. Si 기판 620nm

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 188,000원
4667 2022-03-11 11시 12시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4668 2022-03-11 13시 18시 Si 500nm를 Target(8장 동일)으로 식각 부탁드리겠습니다.
전면쪽부터 순서대로 공정 부탁드리겠습니다.		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 474,000원
4669 2022-03-14 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

Si 기판 620nm dry etching 		포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4670 2022-03-14 9시 16시 Si 650V 파워반도체 제작 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 2,300,000원
4671 2022-03-15 10시 18시 나노 반도체 공정마스터 과정 실습교육_LX세미콘 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,200,000원
4672 2022-03-15 13시 14시 a-Si T200 높이 600nm dry-etching 부탁 드립니다.
2cm by 2cm 기판 두 장 입니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 188,000원
4673 2022-03-16 10시 11시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
Cr 패터닝이 되어 있는 a-Si:H 를 250 nm 에칭		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
4674 2022-03-16 13시 14시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화입니다.

TiO2 210 nm (glass, Si 기판) 드라이 에칭		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 188,000원
4675 2022-03-17 16시 18시 glass기판에 Ti 5nm, Al 150nm가 있는데 Al 150nm, Ti 5nm 순서로 dry etching
포항공과대학교 기계공학과 김재경 144,000원
4676 2022-03-21 10시 11시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님연구실 성준화 학생입니다.

TiO2 30 초 SiO2, Si 기판 각각 dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 288,000원
4677 2022-03-21 13시 14시 7-3-1 Contact-1 Al2O3 Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 306,250원
4678 2022-03-24 15시 16시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si;H 에칭 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
4679 2022-03-25 15시 16시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 150nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 150nm 에칭해 주세요. 시편은 총 2개(2cm*2cm)로 1층의 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 144,000원
4680 2022-03-25 16시 17시 4-4-1 PC Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4681 2022-03-28 10시 12시 노준석교수님 연구실 오동교입니다.
Si 175초 에칭 부탁드립니다.
샘플은 총 3개입니다.
감사합니다.
 포항공과대학교 기계공학과 오동교 144,000원
4682 2022-03-29 8시 9시 안녕하세요, 김주훈입니다.

a-Si:H 200nm 샘플 1장과, a-Si:H 70nm 샘플 1장
dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 188,000원
4683 2022-03-29 9시 18시 [연구기반 활용플러스 사업] 바우처 신청
Etching 진행		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 1,485,000원
4684 2022-03-30 9시 18시 [연구기반 활용플러스 사업] 바우처 신청
Etching 진행		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 1,485,000원
4685 2022-04-01 13시 14시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 250 nm 에칭 부탁드립니다.
감사합니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
4686 2022-04-01 15시 16시 노준석 교수님 연구실 김경태 학생입니다.
(a-Si T200 400nm 2장 / a-Si T200 600nm 1장 / Si3N4 400nm 1장) Dry-etching 장비 신청이 늦어서,
지금 신청합니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 188,000원
4687 2022-04-04 10시 12시 WBC, SiO2, SIN Etch 평가 : 1분/3분 각 3개 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 199,000원
4688 2022-04-04 11시 12시 Gate Stack Etch 조건 평가 :
- Cl2/Ar, 1;3 & 500W 조건 Etching 평가		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 193,500원
4689 2022-04-04 13시 14시 Gate Stack Etch 조건 평가 :
- Cl2/Ar, 1;3 & 900W 조건 Etching 평가		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 193,500원
4690 2022-04-04 14시 16시 Gate Stack Etch 조건 평가 :
- Cl2/Ar, 1:1 & 900W 조건 Etching 평가		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 240,250원
4691 2022-04-04 16시 17시 Gate Stack Etch 조건 평가 :
- Cl2/Ar, 1:1 & 500W 조건 Etching 평가		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 193,500원
4692 2022-04-04 9시 11시 Gate Stack Etch 조건 평가 :
- Cl2/Ar, 1;3 & 700W 조건 Etching 평가		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 333,750원
4693 2022-04-05 13시 15시 Gate Stack Etch 조건 평가 :
- Ar 조건 Etching 평가		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 240,250원
4694 2022-04-05 9시 12시 Gate Stack Etch 조건 평가 :
- Cl2/Ar, 1:1 & 700W 조건 Etching 평가		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 287,000원
4695 2022-04-06 10시 12시 Si 에칭 175초 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 144,000원
4696 2022-04-07 10시 11시 Oxide Etch 한국과학기술연구원 스핀융합연구단 김승환 155,000원
4697 2022-04-07 11시 12시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

a-si:H 90 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4698 2022-04-08 10시 11시 Oxide Etch 한국과학기술연구원 스핀융합연구단 김승환 155,000원
4699 2022-04-11 10시 12시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화입니다.

Si 기판 660nm (높이 정확히 부탁드립니다.) dry etching 부탁드립니다.

높이에 민감한 구조체라 정확히 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 144,000원
4700 2022-04-12 17시 18시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4701 2022-04-14 10시 11시 4-2-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4702 2022-04-14 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입다.

Si 기판 1200nm dry etching 맡겨드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 244,000원
4703 2022-04-15 13시 16시 Si 260nm Etch
: 조각 7개 (2회, 5개/회)		 포항공과대학교 물리학과 박세배 199,000원
4704 2022-04-15 15시 17시 WBC Etch Test : a/b/c split 각 4개 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 248,500원
4705 2022-04-15 16시 17시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4706 2022-04-19 10시 12시 HfO2 40nm Etch : 조각 2개 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 155,000원
4707 2022-04-19 13시 15시 GaN Etch : 35sec, 조각 1개 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 155,000원
4708 2022-04-23 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.

a-Si:H 90 nm etching 샘플과,
a-Si:H 550 nm etching 샘플 맡겨드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4709 2022-04-25 11시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
Si 기판 2장 910 nm에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다.
 포항공과대학교 기계공학과 양영환 188,000원
4710 2022-04-25 13시 15시 PR Etch Test : SF6/O2 2/1
조각 10개 - 2회		 동우화인캠(주) 칼라연구소 디스플레이 색재 1팀 김수호 210,000원
4711 2022-04-25 15시 17시 - 샘플 : 30종 (1 wafer 5장씩)
- 공정조건 : SF6/O2 - 1/6 --> 10개 2회		 동우화인캠(주) 칼라연구소 디스플레이 색재 1팀 김수호 210,000원
4712 2022-04-25 17시 17시 안녕하세요, 김주훈입니다.

오늘 공정 진행한 샘플 신청드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4713 2022-04-28 10시 15시 이전과 같은 LED 에피 웨이퍼입니다.
물질은 GaN이며, 800 nm ~ 1 µm 두께로 에칭 부탁드립니다.

조각 10 개 - 2회		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 199,000원
4714 2022-04-29 9시 11시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

Si 기판 1 마이크로 높이 정확히 해서 드라이 에칭 부탁드립니다.

급한 샘플이라, 오전중 까지 완료해주시고, 카톡 부탁드립니다!

감사합니다.

성준화 올림.

 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 144,000원
4715 2022-05-03 13시 14시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

Si 기판 950 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4716 2022-05-03 15시 17시 Si기판 2개 400nm 에칭 부탁드립니다! 포항공과대학교 기계공학과 오동교 144,000원
4717 2022-05-04 10시 12시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

TiO2 90nm (90초) dry etching 부탁드립니다.

(Cl2: 24 sccm BCl3: 64 sccm Pressure: 10 mTorr ICP: 400 W Substrate bias: 150 V)

감사합니다.

성준화 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 144,000원
4718 2022-05-04 13시 14시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

1. Si 기판 610 nm
2. Si 기판 610 nm
3. Si 기판 745 nm

높이 정확히 하여 dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.

성준화 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 188,000원
4719 2022-05-10 10시 11시 안녕하세요, 김주훈입니다.

장비신청드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4720 2022-05-10 15시 16시 4-4-1 PC Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4721 2022-05-11 14시 17시 Si 315nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 144,000원
4722 2022-05-13 10시 11시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

Si 기판 710nm 높이 정확히 드라이에칭 부탁드립니다.

감사합니다.

성준화 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 144,000원
4723 2022-05-13 11시 13시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
Cr mask가 올라간 Si wafer의 에칭을 부탁드립니다.
Si 에칭은 266초간 부탁드립니다. (910 nm target)
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
4724 2022-05-13 16시 17시 2cm*2cm Glass 기판 위에 TiO2 200nm 증착이 된게 1개, 210nm 증착이 된게 1개 있습니다. 두 기판 모두 그 위에 알루미늄 패턴(양각)이 있습니다. 여유롭게 TiO2 240nm 에칭해 주세요.(2개 한번에). 시편은 총 2개로 1층의 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 144,000원
4725 2022-05-13 16시 18시 Si 400nm 에칭 부탁드립니다! 포항공과대학교 기계공학과 오동교 144,000원
4726 2022-05-18 13시 15시 Si 745nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 144,000원
4727 2022-05-18 15시 16시 GaN 30nm Etch 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 155,000원
4728 2022-05-18 16시 18시 Si 400 nm 에칭 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 오동교 144,000원
4729 2022-05-18 9시 11시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
Glass 기판 위 a-Si:h를 400 nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
4730 2022-05-20 10시 11시 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

Si 기한 1um (마이크로) 높이 정확하게 dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.

성준화 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 144,000원
4731 2022-05-20 15시 16시 Si3N4 400nm dry-etching 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 144,000원
4732 2022-05-23 9시 10시 안녕하세요,

a-Si:H 에칭 샘플 2장 맡겨드립니다.

1. a-Si:H 450 nm dry etching
2. a-Si:H 110 nm dry etching

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 188,000원
4733 2022-05-24 10시 11시 Gate Stack Etch 평가 : Poly Etch 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 146,750원
4734 2022-05-24 11시 18시 세라믹 시편 플라즈마 식각 평가
: 1 시간 - 12회 (\\100,000/회)		 한국재료연구원 엔지니어링세라믹연구실 박영조 1,300,000원
4735 2022-05-24 11시 12시 Gate Stack Etch 평가 : 조건 4 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 146,750원
4736 2022-05-24 13시 14시 Gate Stack Etch 평가 : 조건 4 & 압력 변환 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 146,750원
4737 2022-05-24 14시 15시 Gate Stack Etch 평가 : 조건 17 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 146,750원
4738 2022-05-25 14시 15시 Ti 5nm, Al 140nm dry-etching 부탁 드립니다. etching mask는 PR (ZEP 520A) 입니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 144,000원
4739 2022-05-25 16시 16시 안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

SiO2 200 nm (높이 정확히해서) 드라이에칭 부탁드립니다.

감사합니다.

성준화 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 144,000원
4740 2022-05-25 9시 13시 세라믹 시편 플라즈마 식각 평가
: RF on 1 Hr = 12회 (300초/회), \\100,000/회		 한국재료연구원 엔지니어링세라믹연구실 박영조 1,300,000원
4741 2022-05-26 10시 11시 GaN 상에 ALD로 증착된 oxide를 etching하고자 합니다.
PR 패터닝이 되어 있고, PR 두께는 약 1.4um 정도 됩니다.
정확한 oxide의 예상 두께와 물질 정보, etching 깊이는 샘플과 함께 설명서를 동봉하겠습니다.		 포스텍 첨단재료과학부 조원석 149,500원
4742 2022-05-26 15시 16시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 300 nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두었습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
4743 2022-05-27 10시 11시 Gate Stack Etch 평가 : BCl3 조건 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 146,750원
4744 2022-05-27 11시 12시 Gate Stack Etch 평가 : BCl3/O2 조건 1 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 146,750원
4745 2022-05-27 13시 14시 Gate Stack Etch 평가 : BCl3 조건 2 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 146,750원
4746 2022-05-27 14시 15시 Gate Stack Etch 평가 : BCl3/O2 조건 2 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 146,750원
4747 2022-05-27 15시 16시 Gate Stack Etch 평가 : Cl2/BCl3/Ar 조건 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 146,750원
4748 2022-05-27 9시 10시 Gate Stack Etch 평가 : Cl2/Ar 조건 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 146,750원
4749 2022-05-27 9시 12시 Si 2조각
etching 400 nm 에칭 부탁드립니다
감사합니다		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 144,000원
4750 2022-05-30 10시 14시 Si 810nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 144,000원
4751 2022-05-30 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

Si 기판 900 nm dry etching 샘플 2개 맡겨드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4752 2022-05-31 10시 12시 a-Si 50 nm 식각하고자 합니다.
현재 photoresist 이용해서 patterning 되어 있습니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 김동신 149,500원
4753 2022-06-01 1시 2시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화입니다.

1. Si 기판 800 nm dry etching 부탁드립니다.

2. Si 기판 1000 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.

성준화 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 188,000원
4754 2022-06-02 11시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 300 nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 5/31 12시쯤에 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
4755 2022-06-07 11시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si 250 nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.

감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
4756 2022-06-07 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si:H 500 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4757 2022-06-08 10시 11시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

1. SiO2 기판 200nm dry ethcing 부탁드립니다.

2. a-Si:H 200 nm dry etching 부탁드립니다.

두 샘플 모두 높이 정확하게 부탁드립니다.

감사합니다.

성준화 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 288,000원
4758 2022-06-08 11시 12시 Si 기판 에칭 350 nm 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 144,000원
4759 2022-06-08 12시 14시 Gate Stack Etch Test - Ar:Cl2:BCl3 = 1:3:1
30s / 60s * 2 / 90s		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 287,000원
4760 2022-06-08 14시 16시 Gate Stack Etch Test
Ar:Cl2:BCl3 = 1:2:2		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 146,750원
4761 2022-06-08 15시 17시 GaN Etch : 300nm 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 210,000원
4762 2022-06-09 16시 18시 Si 160nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 144,000원
4763 2022-06-09 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

TiO2 에칭 아래 조건으로 부탁드립니다.

Cl2: 24 sccm BCl3: 64 sccm Pressure: 10 mTorr ICP: 400 W Substrate bias: 150 V

공정 시간은 580초 정도로 부탁드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 188,000원
4764 2022-06-10 17시 18시 안녕하세요, 노준석교수님 연구실 오동교입니다.
a-Si 150nm 에칭 부탁드립니다.
긴급한 샘플이라 오늘 오후 중에 작업해주시면 감사하겠습니다..!		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 144,000원
4765 2022-06-10 9시 17시 세라믹 시편(소결체) 물질명
1) Y2O3+IrO2
2) Y2O3+ ZrO2
3) Y2O3+ZnO
4) Y2O3+BaCO3
5) Y2O3+Eu2O3
6) Y2O3+CaO+ZrO2
7) Y2O3+MgO
8) Y2O3

--> 플라즈마 식각 평가 : RF on 1 Hr --> 12 회 (5분/회, \\100,000/회)		 금효기술 연구소 금효기술 1,300,000원
4766 2022-06-13 10시 12시 Si 300nm Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 146,750원
4767 2022-06-13 16시 17시 LOT ID: UE3700
목적: Oxide Dry etch		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 705,000원
4768 2022-06-14 10시 11시 LOT ID: UE3700
목적: SIN etching		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 650,000원
4769 2022-06-14 11시 11시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

a-Si:H 500 nm dry etching 부탁드립니다!

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 144,000원
4770 2022-06-14 11시 12시 LOT ID: UE3700
목적: TEOS etching
 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 650,000원
4771 2022-06-14 12시 13시 Polyimide etching test (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 990,000원
4772 2022-06-14 14시 15시 LOT ID: UE3700
목적: Etching		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 650,000원
4773 2022-06-14 9시 18시 공정계약 01/11 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 2,300,000원
4774 2022-06-15 13시 14시 LOT ID: UE3700
목적: Etching
 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 650,000원
4775 2022-06-15 16시 17시 LOT ID: UE3700
목적: Etching
 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 650,000원
4776 2022-06-15 9시 10시 LOT ID: UE3700
목적: Etching
 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 650,000원
4777 2022-06-16 10시 11시 LOT ID: UE3700
목적: Etching
 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 650,000원
4778 2022-06-16 10시 11시 안녕하세요, 김주훈입니다.

a-Si:H 120 nm dry etching 샘플 맡겨드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4779 2022-06-16 9시 10시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

Si 기판 각각 1. 183 nm 2. 290 nm 3. 576 nm dry etching 부탁드립니다!

높이가 중요한 샘플이라 정확히 부탁드립니다!

감사합니다.
 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 232,000원
4780 2022-06-17 15시 17시 4-4-1 PC pGaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4781 2022-06-20 10시 12시 안녕하세요,
Si etching
sample1(UV): 350 nm
sample2(IR): 1050 nm
각각 에칭 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 232,000원
4782 2022-06-21 10시 11시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

추가로 a-Si:H (550nm) 에칭 샘플과 Si 기판 (960 nm) 에칭 샘플 맡겨드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 188,000원
4783 2022-06-21 9시 10시 안녕하세요,
a-Si:H dry etching 샘플 맡겨드립니다.

180nm와 240nm 각각 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 188,000원
4784 2022-06-22 10시 12시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

Si 기판 300nm, 158nm 드라이에칭 부탁드립니다.

감사합니다.

성준화 드림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 164,000원
4785 2022-06-22 12시 14시 Poly Si 7000 A Etch : 15% Over Etch (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
4786 2022-06-23 15시 16시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 250 nm 에칭 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
4787 2022-06-24 10시 11시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4788 2022-06-24 10시 11시 GaN Etch 평가, Time split 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 265,000원
4789 2022-06-24 11시 12시 Gate Stack Etch 평가 : (Ar:Cl2:BCl3=1:3:2)
40sec 1개/50sec 2개		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 240,250원
4790 2022-06-24 14시 15시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
Si 기판 290 nm 에칭 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
4791 2022-06-24 15시 16시 4-4-1 PC Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4792 2022-06-24 9시 11시 Gate Stack Etch 평가 : (Ar:Cl2:BCl3=1:3:1)
40sec/45sec/50sec 각 2개		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 380,500원
4793 2022-06-27 10시 11시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

SiO2 기판 200 nm 2개 dry etching 부탁드립니다.

높이가 중요한 샘플이라 높이 맞춰서 부탁드립니다!

감사합니다.

성준화 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 144,000원
4794 2022-06-27 11시 12시 안녕하세요,
Si 2조각 etching 1050 nm
에칭 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 144,000원
4795 2022-06-27 13시 15시 GaN Etching : 선행 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 155,000원
4796 2022-06-27 15시 17시 국가나노인프라를 활용한 나노소자공정실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,750,000원
4797 2022-06-27 17시 18시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4798 2022-06-28 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.

Si 기판 950nm 에칭과
a-Si:H 550nm 에칭 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 188,000원
4799 2022-06-30 13시 15시 포항공대 노준석 교수 실험실 양영환입니다.
aSiH 250 nm 에칭 부탁드립니다.
감사합니다		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
4800 2022-06-30 9시 10시 펨토리 80nm Etch 2EA
[나노융합기반 고도화사업]		 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 210,000원
4801 2022-07-01 16시 17시 Si 2개 에칭 950 nm 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 144,000원
4802 2022-07-04 10시 15시 a-Si:H 580nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 144,000원
4803 2022-07-04 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si:H 550nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4804 2022-07-05 13시 14시 (Glass 기판 - Ti 5nm - Al 140nm) dry-etching 부탁드립니다.
에칭 마스크는 ZEP520A 입니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 144,000원
4805 2022-07-05 14시 15시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

a-Si:H 에칭 샘플 3 장 맡겨드립니다.

1. 65초 2장
2. 500 nm

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 232,000원
4806 2022-07-08 11시 12시 4-4-1 PC Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 215,500원
4807 2022-07-08 13시 16시 O-ring 내식성 시험
시험Gas : CF4, BCl3, Cl2, O2 각 10분씩 Flow
Test 관련 김수곤 책임님과 협의 (8회 --> 6회)		 아이씨디 품질팀 박진범 430,000원
4808 2022-07-11 10시 11시 Oxide 에칭을 진행
1. Al2O3 Etching ( 조각 4개 / 8인치 wafer )		 포스텍 첨단재료과학부 조원석 149,500원
4809 2022-07-11 11시 11시 Silicon Etching (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 2,300,000원
4810 2022-07-11 13시 14시 Oxide 에칭을 진행
2. SiO2 Etching ( 조각 4개 / 8인치 wafer )		 포스텍 첨단재료과학부 조원석 149,500원
4811 2022-07-11 14시 15시 Oxide 에칭을 진행
3. ZrO2 Etching ( 조각 4개 / 8인치 wafer )		 포스텍 첨단재료과학부 조원석 149,500원
4812 2022-07-12 11시 11시 대구대학교 나노반도체공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,300,000원
4813 2022-07-12 13시 15시 O2 Plasma Test : 16sec 주식회사 동진쎄미켐 전자재료사업1부 절연막 황규현 760,000원
4814 2022-07-12 15시 17시 O2 Plasma Test : 60sec 주식회사 동진쎄미켐 전자재료사업1부 절연막 황규현 760,000원
4815 2022-07-13 10시 11시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

a-Si:H 500 nm 샘플 두개 dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.

 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 144,000원
4816 2022-07-13 17시 18시 4-4-1 PC GaN etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4817 2022-07-15 13시 14시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si:H dry etching 샘플 맡겨드립니다.

1. 65초
2. 400 nm
3. 550 nm

부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 232,000원
4818 2022-07-18 10시 11시 Ti 5nm, Al 140nm dry-etching 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 144,000원
4819 2022-07-18 14시 21시 세라믹 소재 플라즈마 식각성 평가
: 샘플 7개
: CF4/O2/Ar 조건
: RF 1 Hr 진행 ( 12회/Hr, 300sec/회, \\100,000/회 )		 한국재료연구원 엔지니어링세라믹 연구실 이재욱 1,300,000원
4820 2022-07-18 9시 10시 Ti 5nm, Al 140nm Dry-etching 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 144,000원
4821 2022-07-19 10시 12시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

a-Si:H 500nm dry etching 부탁드립니다!

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 144,000원
4822 2022-07-19 14시 18시 플라즈마 출력 1500W 바이어스 500W
에칭시간 총 2시간 중 1시간 --> 12회/Hr, \\100,000/회
CF4:O2:Ar = 180:45:45 sccm
진공도: 10mtorr

시편: YAG, Y2O3 세라믹 직경 15mm * 7개
시편의 반은 Kepton 테이프 처리		 한국재료연구원 엔지니어링세라믹 연구실 이재욱 1,300,000원
4823 2022-07-19 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

a-Si:H 4개 샘플 맡겨드립니다.

1. 65초 etching (2개)
2. 70초 etching (1개)
3. 550nm etching (1개)

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 232,000원
4824 2022-07-21 10시 11시 GaN에 증착된 20nm 두께의 oxide를 에칭하고자 합니다.
패턴 형성을 위해 PR 마스킹이 되어 있습니다. (두께 1um 수준)
GaN Etch 조건 적용, 약 100nm Oxide Etch 예상		 포스텍 첨단재료과학부 조원석 149,500원
4825 2022-07-21 11시 12시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4826 2022-07-21 13시 14시 Gate Stack Etch Test - (Ar:Cl2:BCl3 = 1:3:1) 50sec 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 146,750원
4827 2022-07-21 14시 15시 Gate Stack Etch Test - (Ar:Cl2:BCl3 = 1:2:2) 50sec 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 146,750원
4828 2022-07-21 15시 16시 Gate Stack Etch Test - (Ar:Cl2:BCl3 = 1:1:3) 50sec 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 146,750원
4829 2022-07-21 9시 10시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

Si 기판 800 nm 드라이에칭 (높이가 중요한샘플) 높이 정확히하여 부탁드립니다!

감사합니다.
 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 188,000원
4830 2022-07-22 13시 13시 LOT ID : NDC22Y27W
목적 : DC_Si etch
총 20장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
4831 2022-07-22 9시 10시 Si 300nm Etching 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 146,750원
4832 2022-07-26 13시 14시 안녕하세요, 김주훈 입니다.
a-Si:H 65초 dry etching 샘플 2장 맡겨드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4833 2022-07-26 9시 13시 13-2-1 M2 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,692,500원
4834 2022-07-27 10시 12시 a-Si:H 470nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 144,000원
4835 2022-07-27 9시 10시 gate Stack Etch Test - (1:1:3) 60sec 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 146,750원
4836 2022-07-27 9시 10시 안녕하세요,

a-Si:H 300nm 1장, 500nm 1장 맡겨드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 188,000원
4837 2022-07-29 10시 12시 Gate Stack Etch 평가 : (1:1:3) Etch 50sec/60sec 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 287,000원
4838 2022-07-29 12시 13시 Gate Stack Etch 평가 : (1:1:3) Etch 50sec 후 (1:3) 20초 추가 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 193,500원
4839 2022-07-29 13시 14시 Si 230-250nm Etching 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 146,750원
4840 2022-07-29 14시 16시 2022년 나노융합기반 고도화사업
3-1-1 I_Etch Al2O3 Etch		 (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 375,000원
4841 2022-08-03 14시 17시 PR ETCH TEST : 16sec 주식회사 동진쎄미켐 전자재료사업1부 절연막 황규현 650,000원
4842 2022-08-03 9시 18시 세라믹 부품 플라즈마 식각 평가 (1 Hr - 12회, \\100,000/회)
: RF 2 Hr 진행 --> 1 Hr 으로 비용 처리함
 부산대학교 기계공학부 탁형준 1,300,000원
4843 2022-08-04 10시 14시 PR ETCH TEST : 16sec 주식회사 동진쎄미켐 전자재료사업1부 절연막 황규현 650,000원
4844 2022-08-04 18시 19시 a-Si:H 400 nm 에칭 포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
4845 2022-08-05 17시 19시 4.0 PC pGaN ETCH 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4846 2022-08-08 13시 16시 O-ring 가스 부식 시험
수량 9ea		 아이씨디 품질팀 박진범 265,000원
4847 2022-08-08 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

Si 기판 에칭 샘플 2장 맡겨드립니다.

1. 300 nm dry etching
2. 950 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4848 2022-08-09 12시 15시 3.1 Doped polySi Etching, Target = 8000A 나노융합기술원 미래기술팀 이상권 333,750원
4849 2022-08-09 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si:H 65초 dry etching 샘플 2장 맡겨드립니다. 항상 감사드립니다.

Si 300nm , 960nm		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 232,000원
4850 2022-08-10 10시 12시 PR ETCH TEST : 16sec 주식회사 동진쎄미켐 전자재료 사업 1부 박규태 430,000원
4851 2022-08-10 12시 16시 평가 내용은 Wafer에 PR (Novolac Resin Base) 코팅 후 Dry Etch 진행하여 PR Loss 확인 목적입니다.

Source Power : 1kw
CF4 (112sccm) + O2 (180sccm) 조건 30초로 진행 부탁드립니다.		 주식회사 동진쎄미켐 사업1부 PR팀 박준민 320,000원
4852 2022-08-10 16시 22시 PR ETCH TEST : 16sec

Silicon -3.2um 4장, 2um 4장, SiNx -3.2um 4장, 2um 4장 = 16장입니다		 주식회사 동진쎄미켐 전자재료 사업 1부 박규태 650,000원
4853 2022-08-10 9시 10시 4-2-1 PC Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4854 2022-08-10 9시 11시 3.1 Doped polySi Etching, Target = 7000A 나노융합기술원 미래기술팀 이상권 287,000원
4855 2022-08-11 10시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다
ASiH 200nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
4856 2022-08-12 13시 14시 4-2-1 PC GaN Etch 151s 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 138,500원
4857 2022-08-12 14시 14시 LOT ID : NDC22Y27W
목적 : DC etch
총 18매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
4858 2022-08-12 9시 12시 PR ETCH TEST : 16sec 주식회사 동진쎄미켐 전자재료 사업 1부 박규태 540,000원
4859 2022-08-15 9시 18시 공정계약 03/11 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 1,200,000원
4860 2022-08-16 14시 16시 p-GaN etch profile로 500 nm Etching 평가 (신규조건 평가, 기본료 추가됨)
5mTorr, BCl3:Cl2=5sccm:30sccm, 800W/100W, 1분 40초		 영남대학교 전자공학과 손보성 155,000원
4861 2022-08-16 14시 15시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

a-Si:H 65초 dry etching 샘플 2장 맡겨드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4862 2022-08-18 10시 11시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 200 nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
4863 2022-08-18 15시 17시 안녕하세요,
Si etching
sample1 4조각(UV): 350 nm
sample2 2조각(IR): 1050 nm
각각 에칭 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 288,000원
4864 2022-08-19 9시 10시 4-2-1 PC GaN Etch 171s 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 138,500원
4865 2022-08-22 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si:H 900 nm 에칭 샘플 1개,
a-Si:H 450 nm 에칭 샘플 1개 맡겨드립니다.

둘다 딱 맞는 높이면 진행해주시고 다 안깍인것 같더라도 그대로 주시면 됩니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 188,000원
4866 2022-08-23 10시 12시 안녕하세요,
Si 에칭 350 nm 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 144,000원
4867 2022-08-26 10시 12시 안녕하세요,
Si 에칭 1050 nm 부탁드립니다.
이번주까지 필요해서 오늘 꼭 좀 부탁드리겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 244,000원
4868 2022-08-26 17시 18시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4869 2022-08-29 13시 16시 GaN Etching, 5um 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 555,000원
4870 2022-08-30 10시 11시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
Si wf를 680 nm 에칭 부탁드립니다.
마스크는 PR로 되어 있습니다.
시편은 시편보관함안에 넣어두겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
4871 2022-08-30 9시 13시 PR ETCH TEST : 16sec
 주식회사 동진쎄미켐 전자재료 사업 1부 박규태 1,200,000원
4872 2022-09-02 9시 10시 안녕하세요.
TiN 50 nm etching 부탁드립니다!
4 인치 웨이퍼인데 2조각이 났습니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 149,500원
4873 2022-09-02 9시 13시 Si 140nm dry etching부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 144,000원
4874 2022-09-05 10시 12시 안녕하세요,
Si 기판 2조각 etching 1050 nm 부탁드립니다.
감사합니다.
 포항공과대학교 기계공학과 오동교 244,000원
4875 2022-09-05 15시 17시 PR Etch, SF6 & O2 Gas 동우화인캠(주) 칼라연구소 디스플레이 색재 1팀 김수호 540,000원
4876 2022-09-06 10시 11시 지난번과 동일한 oxide 20nm 두께 etching입니다.
패턴은 PR로 형성되어 있으며, 자세한 물질 정보 및 샘플 구성도는 샘플과 함께 동봉하겠습니다.		 포스텍 첨단재료과학부 조원석 149,500원
4877 2022-09-06 11시 12시 안녕하세요, 노준석교수님 연구실 오동교입니다.
Si 에칭 1050nm 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 244,000원
4878 2022-09-06 14시 15시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4879 2022-09-07 11시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
ZEP PR 패터닝 되어 있는 8\'\' 실리콘 웨이퍼를 1 um (1000 nm) 에칭 부탁드립니다.
시편은 9/5 오후 중에 시편 보관함 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
4880 2022-09-07 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

Si 기판 에칭 샘플 2개 맡겨드립니다.

각각 300 nm와 600 nm 에칭 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 188,000원
4881 2022-09-08 10시 11시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si:H 65초 dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4882 2022-09-08 11시 12시 GaN Dry Etch 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 210,000원
4883 2022-09-12 11시 12시 3.1 Doped polySi Etching, Target = 7000A 나노융합기술원 미래기술팀 이상권 287,000원
4884 2022-09-12 15시 17시 4.2 Doped polySi Etching, Target = 7000A 나노융합기술원 미래기술팀 이상권 567,500원
4885 2022-09-12 9시 11시 3.1 Doped polySi Etching, Target = 8000A 나노융합기술원 미래기술팀 이상권 333,750원
4886 2022-09-13 15시 16시 지난 7월 21일 김수곤 박사님이 진행하신 공정과 동일한 샘플입니다.

샘플 관련자료는 샘플과 함께 동봉하여 전달드리겠습니다.		 포스텍 첨단재료과학부 조원석 149,500원
4887 2022-09-14 11시 12시 안녕하세요, 노준석교수님 연구실 오동교입니다.
Si 시편 2조각 에칭 550 nm 부탁드립니다.
감사합니다.
 포항공과대학교 기계공학과 오동교 144,000원
4888 2022-09-14 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

Si 기판 에칭 3장 부탁드립니다.

1. 900 nm dry etching
2. 1.5 um dry etching
3. 3 um dry etching

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 288,000원
4889 2022-09-15 10시 12시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

1. Si 기판 800nm dry etching 부탁 드립니다.

2. 글래스 기판에 a-Si:H 500 nm dry etching 부탁 드립니다. (샘플 2개)

총 세 개의 샘플 드라이 에칭 요청 드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 188,000원
4890 2022-09-15 15시 16시 Hfo2 70nm Etch
조각 2개		 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 155,000원
4891 2022-09-15 19시 20시 Si Etchiing 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4892 2022-09-16 13시 15시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 400 nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
4893 2022-09-19 10시 18시 공정 04/11 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 2,300,000원
4894 2022-09-19 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.

Si 기판 800 nm dry etching 부탁드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4895 2022-09-20 17시 18시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4896 2022-09-21 13시 15시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 450 nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편 보관함 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
4897 2022-09-22 14시 15시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4898 2022-09-22 18시 19시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4899 2022-09-23 10시 11시 안녕하세요,
Si 조각 시편 2개 에칭 1000nm 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 144,000원
4900 2022-09-23 10시 11시 Al2O3 Etch 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 155,000원
4901 2022-09-23 12시 14시 GaN Etch 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 210,000원
4902 2022-09-23 15시 16시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

Si 기판 800 nm dry etching 부탁드립니다!

기판은 2시반 정도에 가져다 놓도록 하겠습니다!

감사합니다.

성준화 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 144,000원
4903 2022-09-28 11시 12시 2-2-1 Electrode TiN Etch 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 김승모 193,500원
4904 2022-09-28 16시 17시 Si 에칭 700nm 부탁드립니다.
+-50nm 까지는 되는데 700보다 많이 넘으면 안되서 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 141,250원
4905 2022-09-28 9시 10시 Si 65초 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4906 2022-09-29 10시 11시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

TiO2 110초 dry etching 부탁드립니다.
Cl2: 24 sccm BCl3: 64 sccm Pressure: 10 mTorr ICP: 400 W Substrate bias: 150 V

감사합니다.

성준화 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 144,000원
4907 2022-10-04 10시 11시 Si 에칭 127초 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 144,000원
4908 2022-10-04 14시 15시 a-Si T200 475nm dry etching 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 144,000원
4909 2022-10-04 15시 16시 GaN 상 growth 된 multi layer oxide를 에칭 (조각 4개/ 2회 진행)
: 150 / 50		 포스텍 첨단재료과학부 조원석 199,000원
4910 2022-10-04 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.

Si 기판 700nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4911 2022-10-05 17시 18시 260nm Si Etch (1ea) 포항공과대학교 물리학과 박세배 149,500원
4912 2022-10-05 9시 17시 상부 power 400W
Gas : CF4 (54sccm), O2 (5sccm)
압력 : 7.5 mtorr
플라즈마 처리시간 1회 : 60min
Test 시료 : 알루미늄 합금 6061 소재에 표면 처리 된 시료 4종(A,B,C,D 표기)

비고 : 시료 일부 면 켑톤테이프로 마스킹 후 플라즈마 처리
플라즈마 처리 전 후 무게 측정

- 비용 = \\100,000/회, 회/300sec --> 60min = 12회		 위지트 기술연구소 최신호 1,300,000원
4913 2022-10-06 15시 16시 a-Si T200 475nm dry-etching 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 144,000원
4914 2022-10-06 9시 10시 260nm Si Etch (7ea) 포항공과대학교 물리학과 박세배 199,000원
4915 2022-10-07 13시 14시 SiO2 50nm Etch 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 155,000원
4916 2022-10-07 13시 14시 2-2-1 Trench Dry Etch 연세대학교 화공생명공학과 이승효 155,000원
4917 2022-10-07 14시 15시 HfO2 20nm Etch 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 155,000원
4918 2022-10-07 15시 16시 GaN 80sec Etch 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 155,000원
4919 2022-10-11 11시 11시 Al2O3 ceramic 58x40x2t(mm) 시편입니다.
누적 etching time 1시간 요청드립니다.
시험분석결과서에 시료명은 Al2O3 Ceramic(DH)로 표시, 공정 조건과 gas종류(특히 불소, 염소 gas)가 기재
시험후 시편은 반환

- 비용 = \\100,000/회, 회/300sec --> 60min = 12회		 (주)케이씨엠테크놀로지 부설연구소 최여진 1,300,000원
4920 2022-10-11 15시 16시 - 공정 조건은 케이씨엠 社 - 최여진 대리 의뢰 조건과 동일
- 에칭은 60 min 진행 예정입니다.
- 비용 = \\100,000/회, 회/300sec --> 60min = 12회		 주식회사 미코 신규소재팀 김진호 1,300,000원
4921 2022-10-11 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si:H 450nm, 170nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 188,000원
4922 2022-10-12 10시 11시 안녕하세요, 노준석교수님 연구실 오동교입니다.
PR pattern on Si
1 um 에칭 부탁드리고, PR ashing도 같이 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 144,000원
4923 2022-10-12 14시 17시 SiO2 Etchrate Test 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 210,000원
4924 2022-10-12 18시 19시 4-4-1 PC GaN etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4925 2022-10-12 9시 10시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

a-Si:H 500 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.

성준화 드림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 144,000원
4926 2022-10-13 10시 11시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si:H 65초 dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4927 2022-10-13 11시 12시 a-Si T200 475nm dry-etching 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 144,000원
4928 2022-10-13 14시 16시 glass 위에 ITO가 250나노미터 코팅되어 있습니다. 이 ITO를 식각하려고 합니다. 포항공과대학교 첨단원자력공학부 한태양 149,500원
4929 2022-10-14 10시 12시 GOT#03 SiO2 Etch - 선행 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 155,000원
4930 2022-10-14 11시 12시 GOT#03 GaN Etch - 선행 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 155,000원
4931 2022-10-14 15시 16시 GOT#04 SiO2 Etch - 본장 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 155,000원
4932 2022-10-14 16시 17시 GOT#04 GaN Etch - 본장 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 155,000원
4933 2022-10-17 9시 17시 공정 05/11 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 1,500,000원
4934 2022-10-18 10시 12시 안녕하세요,
8-inch Si wafer 2장 etching 165초 부탁드립니다.
샘플은 오전 10시쯤 가져다 드리도록 하겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 188,000원
4935 2022-10-20 14시 15시 1-2-1 AKEY Oxide Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 146,750원
4936 2022-10-20 15시 16시 1-2-2 AKEY Si Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 146,750원
4937 2022-10-20 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

Si 기판 600nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4938 2022-10-21 16시 17시 Al 140nm dry etching 부탁드립니다.
에칭마스크는 zep520a (300nm)입니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 144,000원
4939 2022-10-25 17시 18시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4940 2022-10-26 13시 15시 8-4-1 GATE Backside Etch 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 375,000원
4941 2022-10-26 9시 12시 시편은
cvd sic 5매 si 5매입니다.
사이즈는 10x10x1.1mm입니다.

cvd sic 와 si의 식각률 비교를 위한 테스트입니다.
조건은 메일로 송부하였습니다.

- 비용 = \\\\100,000/회, 회/300sec --> 60min = 12회		 에스티케이 글로벌 부설연구소 유치경 1,500,000원
4942 2022-10-27 10시 11시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

Si3N4 150nm, 170nm 높이 맞춰 dry etching 부탁드립니다!

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 188,000원
4943 2022-10-27 11시 12시 안녕하세요
silicon wafer 250 nm over etching 없이 식각 부탁드립니다.
감사드립니다		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 149,500원
4944 2022-10-27 9시 10시 안녕하세요,

1. a-Si:H 65초 1장
2. a-Si:H 450nm 1장

Dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 188,000원
4945 2022-11-01 13시 15시 8-5-3 Gate Poly Si Etch 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 375,000원
4946 2022-11-01 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

a-Si:H 130nm dry etching 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4947 2022-11-02 13시 14시 4-2-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4948 2022-11-02 16시 17시 Ti 5nm, Al 140nm dry-etching 후
ZEP520A (에칭마스크) ashing도 부탁드립니다.
Ashing 장비도 신청 해놓겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 144,000원
4949 2022-11-02 9시 10시 안녕하세요
silicon wafer 270 nm over etching 없이 식각 부탁드립니다.
감사드립니다		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 149,500원
4950 2022-11-03 13시 14시 TiN 40 nm etching 부탁드립니다.
샘플은 샘플보관함 제일 밑칸에 두었습니다.
감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 149,500원
4951 2022-11-04 16시 18시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4952 2022-11-07 14시 15시 안녕하세요,
a-Si 에칭 110초 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 144,000원
4953 2022-11-07 9시 10시 안녕하세요,노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

a-Si:H 65초 dry etching 부탁드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4954 2022-11-08 9시 10시 안녕하세요,
aSi 에칭 재의뢰 드립니다.
기판 부분이 투명해질때까지 부탁드리며, 추가된 에칭 시간 확인도 같이 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 144,000원
4955 2022-11-09 10시 11시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

Si3N4 150 nm 드라이에칭 부탁드립니다!

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 144,000원
4956 2022-11-09 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si:H 500 nm dry etching 샘플 1장과,

a-Si:H 65초 dry etching 샘플 2장 맡겨드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 188,000원
4957 2022-11-10 13시 14시 a-Si T200 (475nm) dry-etching 부탁드립니다. 장비신청을 깜빡했어서 지금 신청합니다!
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 144,000원
4958 2022-11-10 16시 17시 3-5-1 Gate BackSide Etch 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 188,000원
4959 2022-11-10 18시 19시 1-1-1 Poly-Si Dry Etch 주식회사 엘엑스세미콘 소자팀 황준하 265,000원
4960 2022-11-11 9시 10시 Oxide Etch 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 265,000원
4961 2022-11-14 11시 11시 전문인력양성사업 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,000,000원
4962 2022-11-16 10시 11시 에칭 맡긴 샘플 신청드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4963 2022-11-16 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

a-Si:H 65초 dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4964 2022-11-17 11시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 입니다.
TiN 50 nm에칭 부탁드립니다.
감사합니다.
연락처는 010-3925-2255 ; 고명철 입니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
4965 2022-11-18 9시 17시 세라믹 시편(소결체) 물질명
#1. Y2O3+ZrO2
#2. Y2O3(Powder 2차가공)+ZrO2
#3. Y2O3(Powder 2차가공)+ZrO2+CaCO3
#4. Y2O3(I社)
#5. Y2O3(L社)
#6. Quartz
#7. Sapphire

--> 플라즈마 식각 평가 : RF on 1 Hr --> 12 회 (5분/회, \\\\100,000/회)		 금효기술 연구소 금효기술 1,300,000원
4966 2022-11-21 11시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 입니다.
TiN 50 nm에칭 부탁드립니다.
감사합니다.
연락처는 010-3925-2255 ; 고명철 입니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
4967 2022-11-21 16시 17시 3-7-1 Gate PolySi Etch 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 188,000원
4968 2022-11-22 16시 18시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
4969 2022-11-23 10시 11시 test wafet 1매 선진행 후 soi 5매 + test wafer 6매 모두 진행

BARC Etch(1회) / SiO2+Si Etch(1회)
총 12매 * 2회		 포항공과대학교 전자전기공학부 신성환 1,222,000원
4970 2022-11-23 16시 17시 안녕하세요
포항공대 신희득 교수님 연구실 성열헌 입니다.

C-Si etching 의뢰 드립니다.
PR 았는 면애 260nm 에칭해주시면 됩니다.

그리고 직접 사용 가능하면 교육받고 샆습니다.

감사합니다.
성열헌 드림		 포항공과대학교 물리학과 성열헌 149,500원
4971 2022-11-23 19시 22시 2022년 나노융합기반 고도화사업
3-1-1 I_Etch Al2O3 Dry Etch
 (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 375,000원
4972 2022-11-23 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si:H 65초 dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4973 2022-11-24 10시 11시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

a-Si:H 550 nm 드라이에칭 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 144,000원
4974 2022-11-24 11시 12시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4975 2022-11-30 10시 11시 TiN 50 nm etching 공정 부탁드립니다.
기타 문의사항은 고명철 010-3925-2255 로 부탁드립니다.

감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
4976 2022-12-01 10시 11시 TiN 50 nm etching 공정 부탁드립니다.
기타 문의사항은 고명철 010-3925-2255 로 부탁드립니다.

감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
4977 2022-12-01 15시 16시 Glass 기판 위에 amorphous silicon 430nm 증착(PE-CVD)되어 있고, 그 위에 크롬 패턴이 있습니다. 크롬패턴을 마스크로 사용하여 amorphous silicon 430nm 에칭해 주세요. 시편은 총 2개(2cm*2cm)로 1층의 공정의뢰함에 넣어 놓겠습니다.
 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 144,000원
4978 2022-12-01 9시 11시 Dry Etcher_20nm
HfO2 600Å		 삼성디스플레이 LED Lab 함지현 188,000원
4979 2022-12-05 9시 10시 Dry Etcher 삼성디스플레이 선행제품연구팀 김태균 188,000원
4980 2022-12-06 11시 13시 AZP4330 레지스트로 코팅, 패터닝, 디벨롭까지 완료된

Si 260nm 박막 SOI 칩입니다.

본 장비로 Si 260nm full etching 요청합니다.		 포항공과대학교 물리학과 김준엽 149,500원
4981 2022-12-14 12시 14시 Al2O3 20nm 에칭 및 multilayer oxide 10nm/50nm 수준의 샘플을 에칭하고자 합니다.
자세한 샘플 내역은 샘플과 함께 설명서를 동봉하도록 하겠습니다.		 포스텍 첨단재료과학부 조원석 248,500원
4982 2022-12-15 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si:H 65초 etching 샘플 		포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4983 2022-12-16 16시 17시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4984 2022-12-19 16시 18시 Ws 40sec etching 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
4985 2022-12-21 15시 15시 2022년 나노융합기반 고도화 사업 (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 11,540,000원
4986 2022-12-28 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si:H 500 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 100,000원
4987 2022-12-29 16시 17시 a-Si (T200) 360nm dry-etching 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 144,000원
4988 2022-12-29 9시 11시 안녕하세요,
Si 에칭 165초 		포항공과대학교 기계공학과 오동교 100,000원
4989 2023-01-02 10시 13시 4.2.1 pGaN Eching 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
4990 2023-01-02 11시 11시 공정 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 4,000,000원
4991 2023-01-03 9시 10시 5-2-1 MC Etch (oxide) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4992 2023-01-05 11시 12시 2cm*2cm Si 웨이퍼 2장이 있는데, 1개는 Si 100nm 드라이 에칭, 1개는 Si 150nm 드라이 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 144,000원
4993 2023-01-06 15시 16시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
4994 2023-01-06 17시 18시 a-Si T200 360nm dry-etching 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 144,000원
4995 2023-01-10 10시 13시 SiO2 etching rate 확인- 30초/60초 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 199,000원
4996 2023-01-11 11시 12시 SiO2 etching 18sec 확인 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 149,500원
4997 2023-01-11 15시 17시 안녕하세요, 포항공대 기계공학과 노준석 교수님 연구실 오동교입니다.
a-Si 표면이 갈색에서 투명한 색이 될 때까지 한 사이클 당 300nm 깊이로 여러 번 에칭 부탁드립니다.
예상 높이는 600nm 정도인데, 확신할 수 없어 부득이하게 여러 사이클로 부탁드립니다.
공정 후 몇 번 돌리셨는지도 같이 알려주시길 바라겠습니다.
감사합니다.
오동교 드림		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 188,000원
4998 2023-01-11 20시 21시 강도현(010-8767-5174)

Si 에칭 185초 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 144,000원
4999 2023-01-12 1시 12시 2cm*2cm Si 웨이퍼 2장이 있는데, 1개는 Si 100nm 드라이 에칭, 1개는 Si 200nm 드라이 에칭
--> 2개 모두 200nm Etching 으로 수정		 포항공과대학교 기계공학과 김재경 144,000원
5000 2023-01-12 13시 14시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
5001 2023-01-12 16시 17시 에칭공정 완료되었는데 신청을 늦게하게 되어 죄송합니다.
1/12에 완료된 공정으로 공정내용은 a-Si T200 360nm dry-etching 이었습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 144,000원
5002 2023-01-12 18시 20시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
5003 2023-01-16 10시 12시 지난번에 메일로 문의드린 Oxide 에칭 의뢰드립니다.
SiO2 100 nm+Al2O3 30 nm 에칭 부탁드립니다.
샘플은 샘플 보관함에 두었습니다.

샘플 정보는 아래와 같습니다.

1, 2번 조각샘플
top: SiO2 100 nm
middle: Al2O3 30 nm
bottom: Si wafer

3번 조각샘플
top: SiO2 100 nm
middle: Al2O3 30 nm
middle2: ITO 200 nm
bottom: sapphire

감사합니다 : )		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 149,500원
5004 2023-01-16 10시 10시 SiO2 Etching 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 149,500원
5005 2023-01-16 13시 15시 Al2O3 30 nm 에칭

조각 3개 동시 진행		 인하대학교 신소재공학과 박정현 149,500원
5006 2023-01-16 14시 17시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
5007 2023-01-17 10시 11시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
5008 2023-01-17 12시 16시 부산대학교 반도체 공정교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,750,000원
5009 2023-01-19 10시 12시 안녕하세요, 포항공대 기계공학과 노준석 교수님 연구실 오동교입니다.
a-Si 표면이 갈색에서 투명한 색이 될 때까지 한 사이클 당 50초로 여러 사이클 에칭 부탁드립니다.
예상 에칭 완료 높이는 100초 정도인데, 확신할 수 없어 부득이하게 여러 사이클로 나눠 부탁드립니다.
공정 후 몇 번 돌리셨는지도 같이 알려주시면 감사하겠습니다!
오동교 드림		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 276,000원
5010 2023-01-20 10시 12시 안녕하세요, 포항공대 기계공학과 노준석 교수님 연구실 오동교입니다.
Si 에칭 185초 부탁드립니다.
감사합니다!		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 144,000원
5011 2023-01-20 14시 15시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
5012 2023-01-23 9시 17시 전문인력양성사업 나노소자공정 & 측정 일자리연계 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,000,000원
5013 2023-01-25 10시 11시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
5014 2023-01-25 11시 12시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
5015 2023-01-26 14시 16시 a-Si 박막 100초 에칭
 포항공과대학교 기계공학과 오동교 144,000원
5016 2023-01-26 16시 18시 Mo/SiO2(70/30 nm) --> 38초/17초 dry etching
조각 3개		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 149,500원
5017 2023-01-27 14시 15시 1-2-1 Mesa GaN Etch 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 249,500원
5018 2023-01-30 10시 11시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
5019 2023-01-30 13시 14시 시료 2개 모두 깊이 300 nm 에칭 요청 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 서경민 149,500원
5020 2023-02-01 16시 17시 UHV-CVD 전 자연산화막 제거 한국과학기술연구원 스핀융합연구단 김승환 210,000원
5021 2023-02-02 13시 14시 a-Si T200 360nm dry etch 부탁드립니다.감사합니다 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 144,000원
5022 2023-02-02 14시 17시 Poly Dry Etch

10200A Etch 진행		 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 565,000원
5023 2023-02-02 17시 18시 UHV-CVD 전 자연산화막 제거 한국과학기술연구원 스핀융합연구단 김승환 210,000원
5024 2023-02-03 16시 17시 Poly dry etch 추가 2000å진행 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 265,000원
5025 2023-02-03 9시 10시 1-2-1 Etch Slope 평가 LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 210,000원
5026 2023-02-06 10시 11시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

Si 기판 450 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
5027 2023-02-07 12시 14시 ITO Dry Etch 삼성디스플레이 SDC硏 LED LAB 원치훈 552,000원
5028 2023-02-07 14시 16시 GaN Dry Etch 삼성디스플레이 SDC硏 LED LAB 원치훈 1,008,000원
5029 2023-02-08 13시 15시 안녕하세요, 포항공대 기계공학과 노준석 교수님 연구실 오동교입니다.
a-Si 표면이 갈색에서 투명한 색이 될 때까지 한 사이클 당 30초로 사이클 반복 에칭 부탁드립니다.
공정 후 몇 번 돌리셨는지도 같이 알려주시면 감사하겠습니다!
오동교 드림		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 276,000원
5030 2023-02-08 15시 16시 HfOx Dry Etch 600Å 삼성디스플레이 SDC硏 LED LAB 원치훈 188,000원
5031 2023-02-13 13시 14시 두 시편에 대하여 oxide layer를 식각하는 공정을 진행하고자 합니다. 현재 Si3N4 위에 Al2O3가 30 nm 두께로 깔려있습니다. 두 시편 중 하나는 LOR 위에 s1805가 깔려 있고 다른 하나는 LOR 위에 PMMA A4가 깔려 있습니다. 이 두 시편에 대하여 etching을 진행하여, 패턴 이외의 부분의 PR은 어느 정도 남기면서, PR이 덮히지 않은, 외부에 노출된 산화막만이 온전히 식각될 수 있는 지 테스트하고자 합니다. 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 윤철현 149,500원
5032 2023-02-13 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

Si 기판 에칭 샘플 2장 맡겨드립니다.

1. Si 기판 300 nm 에칭
2. Si 기판 600 nm 에칭

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 188,000원
5033 2023-02-14 9시 10시 TiN 50 nm etching 부탁드립니다 감사드립니다. 포항공과대학교 화학공학과 고명철 149,500원
5034 2023-02-15 10시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
실리콘 기판 180nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함안에 넣어두겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
5035 2023-02-15 12시 14시 0-2-1 AKEY Si Etch 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 694,000원
5036 2023-02-16 13시 14시 안녕하세요 TiN 50 nm etching 공정 부탁드립니다.
샘플은 점심시간 전에 샘플보관함에 두겠습니다. 감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 149,500원
5037 2023-02-16 20시 21시 1-3 Metal Etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 210,000원
5038 2023-02-20 13시 14시 a-Si T200 243 nm dry-etching 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 144,000원
5039 2023-02-20 15시 16시 SiO2 5nm + Si etching 50nm 의뢰하였습니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 손종민 146,750원
5040 2023-02-21 9시 18시 동의대학교 LINC 사업단 반도체나노팹트랙 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,200,000원
5041 2023-02-22 14시 15시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님연구실 성준화 학생입니다.

a-Si:H 380 nm 드라이에칭 부탁드립니다.

감사합니다.

성준화 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 144,000원
5042 2023-02-22 16시 17시 1-2-1 Mesa Etch 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 249,500원
5043 2023-02-23 15시 16시 a-Si T200 250nm dry-etching 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 144,000원
5044 2023-02-23 9시 10시 WM_R
8\\\\\\\'si wafer
Ti 500A/ Al 9000A dry etching
주식회사 보다 연구개발 김형원 149,500원
5045 2023-02-27 10시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 500 nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편 보관함 안에 넣어두겠습니다.

감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
5046 2023-02-27 13시 14시 WM_R
8\'si wafer
Ti 500A/ Al 9000A dry etching		 주식회사 보다 연구개발 김형원 149,500원
5047 2023-02-27 9시 16시 1-3-1 Metal Etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 925,000원
5048 2023-02-28 11시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
Si 기판 180 nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.
감사합니다.

포항공과대학교 기계공학과 양영환 144,000원
5049 2023-02-28 13시 14시 a-Si T200 250nm dry etching 부탁드립니다. 감사합니다 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 144,000원
5050 2023-02-28 9시 10시 Al2O3 50 nm 에칭 의뢰합니다.
실제 증착된 Al2O3는 30nm이나, 이전 에칭 결과에 따르면, NINT ICP Al2O3 에칭 레시피에서 50 nm 타겟으로 에칭 진행해주셔야 30 nm가 모두 에칭됩니다.

함께 동봉해드린 종이 참고 부탁드립니다.
감사합니다 : )

 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 199,000원
5051 2023-03-01 10시 11시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

Si 기판 300 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
5052 2023-03-02 15시 18시 TiN 50 nm etching 부탁드립니다 감사드립니다.
샘플보관함에 3시전후로 넣어두겠습니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 163,000원
5053 2023-03-02 9시 10시 안녕하세요!

HfO2 30 nm 에칭 의뢰드립니다.
기존 NINT에서 보유하신 HfO2 에칭 레시피로 50 nm 타겟으로 에칭 부탁드립니다.
HfO2가 모두 제거되어야 하므로, 오버 에칭으로 의뢰드립니다.
샘플은 보관함에 두었습니다.

감사합니다 : )		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 163,000원
5054 2023-03-03 13시 14시 안녕하세요, Si 에칭 165초 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 156,000원
5055 2023-03-03 14시 15시 a-Si T200 250nm dry etching 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 156,000원
5056 2023-03-03 17시 18시 SiO2 3nm (native oxide) + Si 50nm etching 부탁드립니다. 샘플은 총 3개이며 dummy wafer에 부착 후 테이블에 올려두었습니다. 문의사항 있으시다면 010-9766-0039로 편하게 연락 부탁드립니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 손종민 149,500원
5057 2023-03-06 1시 10시 PR 패터닝이 되어있는 GaN 상에 성장된 Al2O3 박막을 20nm 에칭하고자 합니다.
나노센터에서 thermal 방식으로 증착한 조건이라, 관련 recipe로 에칭하면 될 것 같습니다.
자세한 샘플 내역은 시료 전달할 때 설명서를 동봉하여 드리겠습니다.		 포스텍 첨단재료과학부 조원석 163,000원
5058 2023-03-06 10시 11시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

a-Si:H 400 nm 드라이에칭 부탁드립니다.

감사합니다.

성준화 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 156,000원
5059 2023-03-06 11시 12시 노준석 교수님 김주훈입니다.

장비 신청드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
5060 2023-03-06 15시 16시 a-Si t200 210nm dry etch 부탁드립니다. 3장인데 안섞이게 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 156,000원
5061 2023-03-07 13시 14시 TiN 50nm etch 부탁드립니다.

샘플은 점심시간 1시 전에 전달 완료 하갰습니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 163,000원
5062 2023-03-07 14시 15시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
Si 기판의 180 nm 에칭을 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 156,000원
5063 2023-03-08 10시 11시 WM_R
Ti 500A/ Al 9500A dry etching 2매 		주식회사 보다 연구개발 김형원 540,250원
5064 2023-03-08 17시 18시 etch 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 156,000원
5065 2023-03-09 11시 12시 지난번 진행했던 실험과 동일하게 진행하면 될 것 같습니다.
샘플 내역은 설명서를 시료와 동봉하였습니다.		 포스텍 첨단재료과학부 조원석 199,000원
5066 2023-03-09 13시 15시 12-3-1 Power Metal Etch 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 270,000원
5067 2023-03-09 14시 15시 12-3-1 Power Metal Etch 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 263,000원
5068 2023-03-09 23시 24시 안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 강도현입니다.

Si 에칭 600nm 부탁 드립니다.

연락주실 때, 에칭 시간 (sec)을 함께 알려주시면 감사하겠습니다.

강도현(010-8767-5174)로 연락 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 156,000원
5069 2023-03-09 24시 1시 etch 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 156,000원
5070 2023-03-09 9시 10시 12-3-1 Power Metal Etch 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 263,000원
5071 2023-03-10 10시 11시 Al2O3 20nm를 에칭하고자 합니다.
PR로 마스킹이 되어 있어, 오픈된 부분을 에칭하고자 합니다.
조건은 지난주에 진행했던 조건과 동일하게 진행하면 될 것 같습니다.		 포스텍 첨단재료과학부 조원석 149,500원
5072 2023-03-10 10시 12시 (Bottom) SiO2 / Si(150nm) / Si3N4(7nm) / Si(75nm) (Top)
인 조각 샘플입니다.
Etching 조건을 잡으려고 합니다.
Top Si(75nm)를 식각하고, Si(75nm)+Si3N4(7nm)+Si(50nm) 정도 총 두번 식각하려고 합니다.
 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 김영동 226,000원
5073 2023-03-13 10시 12시 안녕하세요, 포항공대 기계공학과 노준석 교수님 연구실 오동교입니다.
a-Si 표면이 갈색에서 투명한 색이 될 때까지 한 사이클 당 50초로 여러 사이클 에칭 부탁드립니다.
예상 에칭 완료 높이는 100초 정도인데, 확신할 수 없어 부득이하게 여러 사이클로 나눠 부탁드립니다.
공정 후 몇 번 돌리셨는지도 같이 알려주시면 감사하겠습니다!		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 268,000원
5074 2023-03-13 12시 14시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 200 nm 에칭 부탁드립니다 .
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다.
포항공과대학교 기계공학과 양영환 156,000원
5075 2023-03-13 14시 15시 HfO2(10 nm)/Graphene/Al2O3(30 nm)의 층을 dry etching하고자 합니다.

graphene oxide에 대한 두께는 일단 무시하고, 총 40 nm의 식각을 진행하고 싶습니다.		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 윤철현 226,000원
5076 2023-03-13 15시 17시 실리콘 조각 웨이퍼 위에 HSQ(유사 SiO2) 물질이 나노구조로 올라가 있습니다.
크기는 300nm의 line, 300nm의 space, 250nm 높이로 되어있습니다.
가능한 수직으로 실리콘을 에칭하고자합니다. 300nm정도 에칭되면 좋겠습니다.		 한국전자통신연구원 스마트소재연구실 유채린 170,000원
5077 2023-03-13 17시 18시 SiO2 (native oxide) 3nm, Si 60nm dry etch 부탁드립니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 손종민 163,000원
5078 2023-03-13 8시 9시 Si 기판위에 HfO2 30 nm와 SiO2 100nm가 증착된 샘플입니다.
SiO2는 타겟 두께를 120nm로, HfO2는 50 nm (이전에 에칭한 조건)로 하여 에칭 부탁드립니다.

감사합니다 : )		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 226,000원
5079 2023-03-13 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si:H 65 nm (overetching X) etching 부탁드립니다!

진행하신 후 초도 알려주시면 감사드리겠습니다!

항상 감사드립니다.

김주훈 올림		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
5080 2023-03-14 11시 12시 GaN Dry Etch
7,000Å		 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 548,000원
5081 2023-03-14 9시 18시 1-2-1 Meas GaN Etch 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 2,056,000원
5082 2023-03-14 9시 11시 ITO Dry Etch
1,000Å		 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 548,000원
5083 2023-03-15 10시 12시 Bottom 부터 Si(150nm) / Si3N4(7nm) / Si(75nm) 인 총 5개의 조각샘플입니다.
에칭하고 싶은 깊이는 Si(75nm) + Si3N4(7nm) + Si(~50nm) 정도입니다.
 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 김영동 226,000원
5084 2023-03-15 15시 16시 WM_R_ETW
8\\\'si wafer +SiO2 5um + Ti 500A/ Al 9000A
metal dry etching

YPP 1700 _ 두께 1.9um 로 patterning 되어있습니다. 		주식회사 보다 연구개발 김형원 246,750원
5085 2023-03-15 9시 10시 SiO2 (100 nm) + HfO2 (30 nm) 에칭입니다.

이전 공정 조건과 동일하게 진행 부탁드립니다.
 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 226,000원
5086 2023-03-16 11시 12시 2-4-1 ITO Dry Etch 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 163,000원
5087 2023-03-16 13시 14시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si:H 에칭 샘플 2개, SiN 에칭 샘플 2개 신청드립니다.

a-Si:H 샘플은 80 nm 2개, 22초 1개이며,

SiN 샘플은 300 nm 1개, 600 nm 1개하여 총 5장 맡겨드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 212,000원
5088 2023-03-20 18시 20시 2-3-1 Alumina Al2O3 Dry Etch
2022년 나노융합기반 고도화사업		 (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 0원
5089 2023-03-20 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

a-Si:H 70 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
5090 2023-03-21 10시 12시 저번 3월 15일에 Bottom 부터 Si(150nm) / Si3N4(7nm) / Si(75nm) etching 공정을 맡긴적 있습니다.
그때와 동일하게 Top Si(75nm) + Si3N4(7nm) + Si(50nm) 에칭을 하려고 합니다.
그때와 동일하게 공정 진행해주시면 될것 같습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 김영동 226,000원
5091 2023-03-21 13시 14시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
Si 180 nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 156,000원
5092 2023-03-22 18시 19시 1-3-1 ITO, GaN Etch 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 326,000원
5093 2023-03-22 9시 10시 SiO2 (150nm) 기판 위에 순서대로

SiAsGeTe (4원계 칼코게나이드) - C - W이 증착되어있습니다.

총 4개의 샘플을 에칭 공정 진행할 예정이고, 조건을 잡기 위해 이번에
60초-120초-180초-240초 에칭 공정을 진행하도록 하겠습니다.

감사합니다.

이장섭 드림		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 이장섭 352,000원
5094 2023-03-23 9시 10시 유선상으로 말씀드렸던 것 처럼 모든 조각 샘플을 Ar/CF4 gas를 통해서 60s간 etching하고자 합니다.

3/22에 진행하셨던 조건 그대로 해주시면 될 것 같습니다.

일단 3/23 오전으로 예약을 해두었으나, 혹시 목요일에 시간이 안되신다면 다른 날에 진행해주시면 감사드리겠습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 이장섭 226,000원
5095 2023-03-24 13시 14시 4-4-1 PC Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 188,000원
5096 2023-03-27 13시 15시 Pre Etch(Oxide) + Poly Dry Etch 10543.8 입니다 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 548,500원
5097 2023-03-27 17시 21시 수량은 3종 2set입니다.
모재 Al6061 합금위에 Al2O3코팅된 시편입니다.
세트별로 Cl, CF4 플라즈마 처리 각각 진행 부탁드립니다.

Cl 조건 : 상부 Power 1000W, 하부 power 200W
Gas : Cl2 (40 sccm), 압력 : 10mtorr
플라즈마 처리 시간 : 60min

60min - 12회 (5분/회) / (100,000원/회)
 위지트 기술연구소 최신호 1,300,000원
5098 2023-03-28 11시 12시 Bottom 부터 Si(150nm) / Si3N4(7nm) / Si(75nm) 인 샘플입니다.
Top Si(75nm) + Si3N4(7nm, overetch) 로 공정 진행해주시면 감사하겠습니다.
 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 김영동 163,000원
5099 2023-03-28 13시 14시 12-3-1 Power Metal Etch 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 263,000원
5100 2023-03-28 14시 15시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 200 nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다.

포항공과대학교 기계공학과 양영환 156,000원
5101 2023-03-28 15시 19시 수량은 3종 2set입니다.
모재 Al6061 합금위에 Al2O3코팅된 시편입니다.
세트별로 Cl, CF4 플라즈마 처리 각각 진행 부탁드립니다.

CF4 조건 : 상부 Power 1000W, 하부 power 200W
Gas : CF4 (40 sccm), 압력 : 10mtorr
플라즈마 처리 시간 : 60min

60분 - 12회 : 5분/회, 100000원/회		 위지트 기술연구소 최신호 1,300,000원
5102 2023-03-28 19시 20시 a-SiT200 230nm dry etch 부탁드립니다. 감사합니다 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 156,000원
5103 2023-03-31 10시 11시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 364,000원
5104 2023-03-31 11시 12시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 276,000원
5105 2023-04-03 11시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
aSiH 200 nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 156,000원
5106 2023-04-03 12시 13시 Si 80nm, 200nm, 334nm, 1240nm 각각 dry etching 부탁드립니다.
샘플 트레이에 각 샘플 별 에칭높이를 써두었습니다. 		포항공과대학교 기계공학과 김재경 424,000원
5107 2023-04-03 13시 14시 포항공대 노준석 교수 시리험실 양영환입니다.
Si 기판 750nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 156,000원
5108 2023-04-03 14시 15시 VOx Dry Etching
- Ti 조건 1분 진행		 주식회사 보다 연구개발 김형원 146,750원
5109 2023-04-03 15시 16시 안녕하세요, 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

1. Si 기판 1um Dry etching,

2. 글래스기판위의 Si3N4 500nm dry etching 부탁드립니다!

감사합니다.

성준화 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 156,000원
5110 2023-04-03 16시 17시 1-3-1 Meas ITO Dry Etch 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 289,000원
5111 2023-04-03 16시 19시 1-3-1 Meas GaN Dry Etch 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 589,000원
5112 2023-04-03 24시 1시 안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 강도현입니다.

Si 에칭 각각 600nm와 750nm 부탁드립니다.

연락주실 때, 에칭 시간을 함께 알려주시면 감사하겠습니다.

강도현(010-8767-5174)로 연락 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 212,000원
5113 2023-04-03 9시 10시 SiO2 기판 위 InTe/C/W 구조 입니다.

Ar/CF4 gas로 60초 ethcing 부탁드립니다.

샘플 6개 모두 동일한 조건에서 etching 부탁드립니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 이장섭 226,000원
5114 2023-04-04 10시 11시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 320,000원
5115 2023-04-05 13시 15시 Si 100nm, Si 150nm, Si 1240nm dry etching 부탁드립니다. 자세한 정보는 트레이에 써두었습니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 368,000원
5116 2023-04-06 13시 15시 안녕하세요, 노준석교수님 연구실 오동교입니다.
Si 에칭 165초 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 156,000원
5117 2023-04-10 10시 11시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
Si wafer 210 nm 에칭 부탁드리며, 시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.
시편은 2개이고, 같은 두께 (210 nm)로 에칭 부탁드립니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 156,000원
5118 2023-04-10 15시 16시 Dry Etcher_DMS
ITO 1,000Å
Dry Etcher_DMS
GaN 8,000Å
 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 1,248,000원
5119 2023-04-10 18시 19시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 364,000원
5120 2023-04-10 9시 10시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 188,000원
5121 2023-04-12 12시 13시 TiN 1000A Dry Etch 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 199,000원
5122 2023-04-12 13시 14시 - 2인치 GaN Dry Etch 한국전자통신연구원 GaN박막소재/소자창의연구실 김진식 170,000원
5123 2023-04-12 15시 17시 GaN Dry Etch
4um
ITO Dry Etch
1,000Å
GaN Dry Etch
8,000Å
조각		 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 1,816,000원
5124 2023-04-12 17시 18시 안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 강도현입니다.

Si 에칭 147초 부탁드립니다.

강도현(010-8767-5174)로 연락부 탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 156,000원
5125 2023-04-12 9시 10시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 364,000원
5126 2023-04-13 10시 11시 Gate Stack Etch - Poly Si + TiN 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 김승모 144,000원
5127 2023-04-13 10시 11시 Gate Stack Etch - HZO+TiN 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 김승모 144,000원
5128 2023-04-13 17시 18시 2-2-1 Electrode TiN Etch 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 김승모 232,000원
5129 2023-04-17 10시 11시 Si 260nm 박막 SOI 칩입니다. AZP4330 레지스트가 코팅, 패터닝, 디벨롭까지 됐습니다. (Si 260nm, SiO2 3um) 순서로 full etching 하고, Si 100um를 DRIE(bosch process) 하기를 원합니다.

본 건은 Si 260 nm 엣칭건으로 SiO2, DRIE를 차례대로 추가신청할 예정.		 포항공과대학교 물리학과 박세배 163,000원
5130 2023-04-17 11시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
c-Si wafer 기판 740 nm 에칭 부탁드립니다. (3장 같은 에칭두께)
시편은 시편 보관함안에 넣어두도록 하겠습니다.
감사합니다.

 포항공과대학교 기계공학과 양영환 156,000원
5131 2023-04-18 9시 10시 안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 강도현(010-8767-5174)입니다.

Si 에칭 126초 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 156,000원
5132 2023-04-20 16시 17시 총 2개의 샘플이 있는데, Si 300nm, 200nm 각각 dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 212,000원
5133 2023-04-20 17시 18시 -4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 364,000원
5134 2023-04-20 18시 19시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 364,000원
5135 2023-04-24 13시 15시 안녕하세요.
노준석 교수님 실험실 양영환입니다.

4인치 웨이퍼 2장 750 nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 212,000원
5136 2023-04-24 9시 11시 안녕하세요, 김종규 교수님 연구실의 임세미 입니다. GaN LED epi 이고, 저희 연구실에서 박정현 연구원이 이전에 의뢰하였던 조건이 있는 걸로 알고 있어서 해당 조건 참고해 주시면 감사하겠습니다. target etching depth는 800 nm 이며, 2021년 8월 17일에 비슷한 공정 조건으로 공정 해주셨던 것으로 알고 있는데 참고해주시면 감사하겠습니다. 또한 공정 후 thermal grease를 지우지 않고 샘플 전달해 주시면 제가 지우도록 하겠습니다. 공정 시 필요하신 사항 있으시면 010-2606-7278으로 연락 부탁드립니다. 감사합니다! 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 임세미 289,000원
5137 2023-04-25 8시 9시 안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 강도현(010-8767-5174)입니다.

Si 에칭 126초 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 156,000원
5138 2023-04-26 9시 10시 전자과 윤주영 (010-2768-0418)

Mo/SiO2 (80/30 nm) etching입니다. (Dry etcher-ulvac도 신청했습니다.)
Mo etching 43초, SiO2 etching 17초로 진행 부탁드리겠습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 156,000원
5139 2023-05-01 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

Si 기판 300 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
5140 2023-05-02 10시 11시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 1장 800 nm 에칭, Si wafer 1장 910 nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.
감사합니다.
포항공과대학교 기계공학과 양영환 212,000원
5141 2023-05-02 13시 14시 [나노융합기반 고도화산업]
8\'si wafer
Ti 100A/TiN 850A etching 		주식회사 보다 연구개발 김형원 375,000원
5142 2023-05-02 16시 17시 2023년 나노융합기반 고도화사업
1-2-1 Si Dry Etch		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 210,000원
5143 2023-05-03 11시 12시 ALD HfO2 7nm, 그 이하 Negative PR을 이용하여 에칭할 부분 열어놓을 것
 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 163,000원
5144 2023-05-03 9시 10시 전자과 윤주영 (010-2768-0418)

Mo/SiO2 (70/30 nm etching) dry etching 공정 진행 부탁드립니다.
Mo 38초 SiO2 17초 공정 진행 부탁드립니다. (dry etcher ulvac도 예약했습니다.)		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 156,000원
5145 2023-05-04 10시 12시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화학생입니다.

Si 기판 1.2 um 드라이에칭 부탁드립니다!

높이 맞추어 진행 부탁드립니다!

목요일 까지 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 256,000원
5146 2023-05-09 15시 16시 Etch (5/8 어제진행건) 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 149,500원
5147 2023-05-10 15시 16시 Gate Stack Etch - Poly Si + TiN (카이스트, NINT 샘플) 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 김승모 188,000원
5148 2023-05-10 16시 17시 Gate Stack Etch - HZO+TiN (카이스트, NINT) 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 김승모 188,000원
5149 2023-05-12 16시 17시 4inch Si wafer 910nm 에칭 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 156,000원
5150 2023-05-15 15시 17시 Dry Etch_DMS
(GaN) 		삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 312,000원
5151 2023-05-16 10시 11시 Si 위에 thermal grown SiO2 1um 길러진 wafer 위에
metal 레이어가 패터닝 되어있고 그 위에
SiO2/IGZO/SiO2 30/30/30 nm 증착되어 있습니다.

1/4 4 inch wafer 총 두조각이며
레시피는 2023-01-11 11:00에 동일한 아이디(윤주영)이름으로 진행했던 레시피 동일하게 진행할 예정입니다.
(SiO2 etching 18 s)		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 156,000원
5152 2023-05-16 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.

Si 기판 300 nm dry etching 맡겨드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
5153 2023-05-18 1시 2시 안녕하세요.
포항공대 물리학과 성열헌 입니다.

Si etching 서비스 신청드립니다.
사용하시는 Si etching recipe로 200 nm 에칭 부탁드립니다.

샘플은 1층 시편수발함에 있습니다.
패턴 있는 면에 에칭 부탁드립니다.
PR 은 YPP-1700을 사용했습니다.
(뒤집혀 있습니다.)

공정 완료되면 시편 수발함에 넣고 연락주시면 가지러 가겠습니다.

감사합니다.
성열헌 드림 		포항공과대학교 물리학과 성열헌 163,000원
5154 2023-05-19 10시 13시 Si 300nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
5155 2023-05-19 13시 14시 - PR 패턴닝된 2인치 GaN 메인기판 4장과 2인치 모니터링 기판 1장
- 전면에 PR 패턴,		 한국전자통신연구원 GaN박막소재/소자창의연구실 김진식 240,000원
5156 2023-05-19 13시 14시 전자과 윤주영 (010-2768-0418)

저희 연구실의 박성민 학생이 신청한 Mo 70 nm etching 이후 이어서 SiO2 30 nm etching (18초) 진행 부탁드립니다.

자세한 사항은 카카오톡으로 연락드렸습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 156,000원
5157 2023-05-19 14시 15시 1-2-1 Si Etch (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 210,000원
5158 2023-05-22 14시 16시 0-2-1 AKEY Etch 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 628,000원
5159 2023-05-22 9시 12시 GaN Etch 평가 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 1,404,000원
5160 2023-05-23 14시 15시 노준석 교수님 연구실 강도현(010-8767-5174)입니다.

Si dry etching 각각 650nm 2장 , 560nm 1장, 600nm 1장 총 4장 부탁 드립니다.

높이는 각 샘플 트레이에 적어 놓겠습니다.

감사합니다!

 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 268,000원
5161 2023-05-25 9시 12시 si 300nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
5162 2023-05-30 10시 11시 전자과 박성민 (010-2094-9607)

Si 웨이퍼 위에 올라간 SiO2/IGZO/SiO2 스택에서 SiO2 30 nm dry etching 공정 진행 신청합니다.
저희 연구실의 윤주영 학생이 했던 것과 같은 조건으로 18초 에칭 진행 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 156,000원
5163 2023-05-31 9시 10시 노준석 교수님 연구실 강도현(010-8767-5174)입니다.

Si etching 750nm부탁드립니다.

연락주실 때 시간 함께 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 156,000원
5164 2023-06-01 10시 12시 안녕하세요. 포항공대 신소재공학과 최지웅입니다. 저녁에 유선상으로 요청드렸듯이 현재 patterning된 2 cm/2 cm 크기의 wafer 9개 etching 공정 의뢰 합니다. 현재 조각 wafer에는 SiO2 600 nm와 Poly Si 30 nm 증착되어 있고 그 위에 PR로 patterning을 했습니다. 이 웨이퍼에 Poly Si 30 nm etching을 해주셨으면 합니다. PR을 etching 이후 lift off로 제거해야 하기 때문에 공정 온도가 150도 이상은 안되었으면 좋겠습니다. 샘플은 공정의뢰함에 넣어두고 가겠습니다. 공정이 완료되면 연락주셨으면 좋겠습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최지웅 226,000원
5165 2023-06-01 13시 14시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

Si 1.2um, 1.3 um 드라이에칭 부탁드립니다!

(TEL 샘플 2개가 추가로 같이 담겨있습니다.)

감사합니다.

성준화 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 156,000원
5166 2023-06-01 9시 11시 Si 300nm dry etching 부탁드립니다. 2장입니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
5167 2023-06-02 9시 18시 CF4, O2/N2 Etch공정 각각 10장씩 부탁드립니다. 와이씨켐(주) 소재개발 1그룹 한종석 1,200,000원
5168 2023-06-05 10시 11시 전자과 대학원생 서태원입니다. (010 5009 8015)

Si 웨이퍼 위에 올라간 SiO2/IGZO/SiO2 스택에서
SiO2 30 nm dry etching 공정 진행 신청합니다.
1/4 4 inch wafer 총 네 조각이며
레시피는 2023-05-16에 진행했던 레시피와 동일하게 진행할 예정입니다.
(SiO2 etching 18 s)		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 156,000원
5169 2023-06-05 14시 15시 전자과 윤주영 (010-2768-0418)

Si웨이퍼 위에 올라간 SiO2/IGZO/SiO2/Mo 스택에서 Mo dry 70 nm dry etching에 이어서SiO2 30 nm dry etching 공정 진행 신청합니다.
항상 진행했던 조건과 동일한 recipe로 18초 에칭 진행 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 156,000원
5170 2023-06-05 15시 16시 BD3217 SENS
- VOx 400A Etching(Ti 조건으로 1분 진행) 4매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 287,000원
5171 2023-06-05 9시 10시 안녕하세요 선생님
Si wafer 180 nm overetching 없이 부탁드립니다.
15장 한번에 진행해주셔도 됩니다.

감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 289,000원
5172 2023-06-07 14시 16시 SiN, GaN (90s, 120s) Etch
 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 289,000원
5173 2023-06-07 9시 12시 Si 300nm dry etching 3장, Si 450nm dry etching 1장 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 212,000원
5174 2023-06-08 10시 12시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

1. a-Si:H 150 nm Dry etching

2. a-Si:H 500 nm Dry etching

부탁드립니다!

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 212,000원
5175 2023-06-08 13시 15시 2-3-1 Metal Etch (316s) LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 720,000원
5176 2023-06-12 13시 14시 TiN 50 nm etching 부탁드립니다.
샘플은 오후 1시즈음 가져다 두겠습니다

감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 163,000원
5177 2023-06-12 14시 15시 노준석 교수님 연구실 강도현(010-8767-5174)입니다.

silicon etching 550nm 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 156,000원
5178 2023-06-12 15시 16시 노준석 교수님 연구실 강도현(010-8767-5174)입니다.

a-Si:H etching 550nm 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 156,000원
5179 2023-06-12 16시 17시 전자과 박성민 (010-2094-9607)

Si 웨이퍼 위에 올라간 Al/SiO2/IGZO/SiO2 스택에서 SiO2 30 nm dry etching 공정 진행 신청합니다.
저희 연구실의 윤주영 학생이 했던 것과 같은 조건으로 18초 에칭 진행 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 156,000원
5180 2023-06-12 9시 11시 SI 300nm dry etching 2장 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
5181 2023-06-13 10시 11시 전자과 윤주영 (010-2768-0418)

Si웨이퍼 위에 올라간 SiO2/IGZO/SiO2/Mo 스택에서 Mo 140 nm dry etching 이후 항상 진행했던 조건과 동일한 recipe로 SiO2 30 nm dry etching 18초 진행 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 156,000원
5182 2023-06-13 10시 12시 안녕하세요. 포항공대 신소재공학과 최지웅입니다. 저번에 공정 한번 진행했는데 똑같이 진행하려고 합니다. 현재 patterning된 2 cm/2 cm 크기의 조각 wafer 8개 etching 공정 의뢰 합니다. 현재 조각 wafer에는 SiO2 600 nm와 Poly Si 30 nm 증착되어 있고 그 위에 PR로 patterning을 했습니다. 이 웨이퍼에 Poly Si 30 nm etching을 해주셨으면 합니다. PR을 etching 이후 lift off로 제거해야 하기 때문에 공정 온도가 150도 이상은 안되었으면 좋겠습니다. 샘플은 공정의뢰함에 넣어두고 가겠습니다. 공정이 완료되면 연락주셨으면 좋겠습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최지웅 226,000원
5183 2023-06-13 14시 15시 Dry Etch_DMS 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 268,000원
5184 2023-06-13 16시 17시 안녕하세요.
포항공대 물리학과 성열헌 입니다.

Si etching 서비스 신청드립니다.
사용하시는 Si etching recipe로 300 nm 에칭 부탁드립니다.

샘플은 1층 시편수발함에 있습니다.
2인치 웨이퍼 트레이에 뒤집혀서 담겨있습니다.
패턴 있는 면에 에칭 부탁드립니다.
PR 은 YPP-1700을 사용했습니다.

공정 완료되면 시편 수발함에 넣고 연락 주시면 가지러 가겠습니다.

감사합니다.
성열헌 드림		 포항공과대학교 물리학과 성열헌 163,000원
5185 2023-06-13 17시 18시 G/S Poly Si Etch (50%over) 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 박종서 144,000원
5186 2023-06-13 17시 18시 G/S BCl3 1-3-1 조건 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 박종서 144,000원
5187 2023-06-14 11시 12시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 김준용 188,000원
5188 2023-06-14 14시 15시 전자과 박성민 (010-2094-9607)

Si 웨이퍼 위에 올라간 Al/SiO2/IGZO/SiO2 스택에서 SiO2 30 nm dry etching 공정 진행 신청합니다.
저희 연구실의 윤주영 학생이 했던 것과 같은 조건으로 18초 에칭 진행 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 156,000원
5189 2023-06-14 9시 11시 Si 300nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
5190 2023-06-15 9시 10시 TiN 50nm etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 화학공학과 고명철 163,000원
5191 2023-06-15 9시 18시 2-3-1 Metal Etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 2,270,000원
5192 2023-06-16 14시 15시 Poly etch 250초 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 694,000원
5193 2023-06-16 9시 10시 silicon over etching 없이 200nm 부탁드립니다
감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 163,000원
5194 2023-06-19 11시 12시 Cr mask 쌓았습니다
Si 930nm 에칭 부탁드립니다		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 156,000원
5195 2023-06-19 12시 13시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

a-si:H 470 nm dry etching 부탁드립니다!

감사합니다.

성준화 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 156,000원
5196 2023-06-19 13시 14시 2인치 bare GaN 기판에 SiO2 증착후 PR 패턴닝 기판 5 장
500nm 식각		 한국전자통신연구원 GaN박막소재/소자창의연구실 김진식 170,000원
5197 2023-06-19 14시 15시 Poly Etch 230s 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 496,000원
5198 2023-06-19 15시 16시 Poly Etch 208s 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 397,000원
5199 2023-06-21 16시 17시 나노융합기반 고도화사업, 전자과 손종민 (010-9766-0039)
Glass 조각 샘플 2개 etching 진행 예정입니다.
SiO2 5nm (native oxide) + Poly-Si 80nm etching 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 155,000원
5200 2023-06-21 9시 10시 TiN 50 nm etching 부탁드립니다.
감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 226,000원
5201 2023-06-22 10시 11시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 김준용 188,000원
5202 2023-06-22 11시 12시 ALD HfO2 약 8nm, Negative PR을 이용하여 에칭할 부분 열어놓았습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 163,000원
5203 2023-06-22 12시 13시 Dry Etch Oxide 47s (T1 wafer) 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 170,000원
5204 2023-06-22 13시 14시 나노융합기반 고도화사업, 전자과 손종민 (010-9766-0039)
SiO2 (native Ox) 5nm, Poly-Si 80nm etching 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 155,000원
5205 2023-06-22 14시 15시 Dry Etch Oxide 47s , GaN 130s (G05 wafer) 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 240,000원
5206 2023-06-22 9시 10시 TiN 50 nm etching 부탁드립니다.
감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 226,000원
5207 2023-06-23 14시 15시 CF4 Plasma - Multilayer graphene on SiO2/Si wafer

1. bias Power 25W, CF4 50 sccm, 30s
2. bias Power 50W, CF4 50 sccm, 30s
3. bias Power 100W, CF4 50 sccm, 30s		 포항공과대학교 기계공학과 안주환 278,500원
5208 2023-06-23 15시 16시 Dry Etch Oxide 47s (G06~07 wafer)
Dry Etch GaN 130s (G06)
Dry Etch GaN 78s (G07)		 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 380,000원
5209 2023-06-26 1시 11시 Al 150nm -> Ti 5nm 순서로 dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
5210 2023-06-26 10시 11시 노준석 교수님 연구실 강도현입니다.
si dry etching입니다.
에칭 요청 시간 샘플에 적어두었습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 156,000원
5211 2023-06-26 14시 15시 #1 : etching 진행 시 wafer 뒷면에 Si paste 부착하여 공정 진행 부탁드립니다
#2, #3 : etching 진행 시 wafer 뒷면에 Si paste 부착 없이 공정 진행 부탁드립니다

* ETRI 김진식 박사님 GaN etching 공정 조건과 동일하게 부탁드립니다
Etching 장비 : Dry Etcher_DMS
Etch target depth : 500 nm
Etch time : 1) 75 sec -> 2) 75 sec : 75초씩 두번 스플릿하여 공정 진행 부탁드립니다
- Total etch time : 150 sec (75 sec + 75 sec)
- Etch time 설정 기준 : ETRI 김진식 박사님 조건과 동일
 한국전자통신연구원 GaN박막 소재/소자 창의연구실 김동한 310,000원
5212 2023-06-27 9시 12시 Si 1240nm dry etching 부탁드립니다. (2장) 포항공과대학교 기계공학과 김재경 256,000원
5213 2023-06-28 14시 15시 Dry Etcher_DMS 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 480,000원
5214 2023-06-28 9시 13시 BD3217 - MI
- Al 2000A Etch_3매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 240,250원
5215 2023-06-29 10시 11시 BD3217- MI
- Al 2000A Etch_3매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 240,250원
5216 2023-06-29 14시 15시 Power 100W, CF4 50 sccm

15s - monolayer & multilayer graphene 총 2ea
30s - monolayer & multilayer graphene 총 2ea
45s - monolayer & multilayer graphene 총 2ea

 포항공과대학교 기계공학과 안주환 278,500원
5217 2023-07-03 10시 12시 안녕하세요, 노준석교수님 연구실 오동교입니다.
Si 에칭 165초 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 156,000원
5218 2023-07-05 10시 11시 1-3-1 Active Formation Si Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 265,000원
5219 2023-07-05 11시 12시 4-4-1 PC Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
5220 2023-07-06 12시 14시 Si wafer overetching 없이 180nm 부탁드립니다.
샘플은 12시전에 가져다두겠습니다.
감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 163,000원
5221 2023-07-07 10시 11시 노준석 교수님 연구실 강도현입니다.

Si dry etching 160초 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 156,000원
5222 2023-07-07 16시 17시 4-4-1 Pc GaN Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
5223 2023-07-10 17시 18시 BD3217-0629_MI
- Al 2000A Etch 98초_2매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 240,250원
5224 2023-07-10 9시 16시 2-3-1 Metal Etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 1,650,000원
5225 2023-07-11 10시 12시 1. HfO2 8nm 이상 etching 4개 샘플
2. SiO2 100nm 이상 etching 4개 샘플

모두 귀금속 물질 패턴 같은 것은 없습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 163,000원
5226 2023-07-11 12시 13시 안녕하세요, 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

a-Si:H 400 nm Dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 156,000원
5227 2023-07-11 9시 10시 a-Si 480nm dry-etching 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 156,000원
5228 2023-07-12 13시 14시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
5229 2023-07-14 9시 11시 BD3217-0629-SENS
- VOx 40nm Etch_Metal 조건으로 1분 		주식회사 보다 연구개발 김형원 240,250원
5230 2023-07-18 13시 14시 Si 200nm dry etching 부탁드립니다. 감사합니다 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이은지 156,000원
5231 2023-07-19 10시 12시 안녕하세요, 노준석교수님 연구실 오동교입니다.
Si 에칭 165초 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 156,000원
5232 2023-07-19 13시 15시 안녕하세요. 항상 도움주셔서 감사드립니다.

(4inch wafer) + (4inch wafer 반쪽)*2로 구성되어있습니다.
한번에 진행을 부탁드립니다.

overetching 없이 200 nm 2번, 300 nm 1번입니다.
감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 289,000원
5233 2023-07-20 13시 14시 G/S Poly Si Dry Etch 포항공과대학교 반도체기술융합센터 김준 188,000원
5234 2023-07-20 14시 15시 Multilayer graphene on SiO2/Si wafer

1. CF4 Plasma 50 sccm, Power 100W, 30s

2. Ar Plasma 50 sccm, Power 100W, 30s		 포항공과대학교 기계공학과 안주환 219,000원
5235 2023-07-20 9시 12시 * 접수번호 23-A0200869(23.06.26) 과 etching 조건 동일하게 부탁드립니다
(ETRI 김진식 박사님 조건과 동일합니다)
* 6장 모두 뒷면에 Si paste 안붙이시고 진행해주시면 감사하겠습니다.
- Sample : 2inch GaN wafer 6 장
- 이전 공정 : photolithography(Hard Bake 완료)
- Etching 장비 : Dry Etcher_DMS
- Etch target depth : 500 nm
- Etch time : 1) 75 sec -> 2) 75 sec : 75초씩 두번 스플릿하여 공정 진행 부탁드립니다
- Total etch time : 150 sec (75 sec + 75 sec)
- Etch time 설정 기준 : ETRI 김진식 박사님 조건과 동일		 한국전자통신연구원 GaN박막 소재/소자 창의연구실 김동한 240,000원
5236 2023-07-21 13시 14시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
5237 2023-07-24 13시 14시 G/S G Stack Etch
50s 1매
60s 1매
 포항공과대학교 반도체기술융합센터 김준 188,000원
5238 2023-07-24 15시 17시 2-3-1 Metal Etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 1,650,000원
5239 2023-07-24 17시 18시 HfO2 8nm 이상 10nm이하 (이전) etching 4개 샘플 모두 귀금속 물질 패턴 같은 것은 없습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 163,000원
5240 2023-07-24 9시 11시 Si 200nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
5241 2023-07-25 11시 12시 Cr mask 90nm입니다.
Si 780nm 에칭부탁드립니다.
에칭완료 후, 에칭진행하셨던 시간도 알려주시면 감사하겠습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 256,000원
5242 2023-07-25 12시 13시 a-Si:H 1000nm 증착하고, EBL 공정 이후 Cr mask 90nm 올라간 상태입니다.
a-Si:H 1000nm 에칭부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 156,000원
5243 2023-07-26 10시 13시 * 접수번호 23-A0200869(23.06.26) 과 etching 조건 동일하게 부탁드립니다 (
ETRI 김진식 박사님 조건과 동일합니다)
* 6장 모두 뒷면에 Si paste 안붙이시고 진행해주시면 감사하겠습니다.
- Sample : 2 inch GaN wafer 6 장
- 이전 공정 : photolithography(Hard Bake 완료)
- Etching 장비 : Dry Etcher_DMS
- Etch target depth : 500 nm
- Etch time : 1) 75 sec -> 2) 75 sec : 75초씩 두번 스플릿하여 공정 진행 부탁드립니다
- Total etch time : 150 sec (75 sec + 75 sec)
- Etch time 설정 기준 : ETRI 김진식 박사님 조건과 동일합니다		 한국전자통신연구원 GaN박막 소재/소자 창의연구실 김동한 240,000원
5244 2023-07-28 9시 12시 소자공정&일자리연계 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,100,000원
5245 2023-08-01 17시 18시 Al2O3 E/R Test) 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 468,000원
5246 2023-08-01 9시 11시 1-2-1 AKEY Dry Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
5247 2023-08-02 10시 11시 Si 기판에 Al 증착 후, a-Si:H 증착되어 있습니다.
Cr mask 80nm있습니다.
a-Si:H 80nm etching 부탁드립니다!		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 156,000원
5248 2023-08-02 11시 12시 Cr mask 80nm 증착되어 있습니다.
Si etching 148초 부탁드립니다!		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 156,000원
5249 2023-08-02 9시 10시 a-Si 기판 450 nm(glass 보일 때까지) dry etching 부탁드립니다 감사합니다! 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이은지 156,000원
5250 2023-08-02 9시 10시 4-4-1 PC Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
5251 2023-08-03 10시 11시 Al 150nm -> Ti 5nm 순서로 dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
5252 2023-08-03 13시 14시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
5253 2023-08-03 14시 15시 BD3217-ROIC-SEED
- Ti 2000A Etch		 주식회사 보다 연구개발 김형원 146,750원
5254 2023-08-07 9시 12시 Si 500nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
5255 2023-08-08 10시 11시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
5256 2023-08-08 14시 16시 Dry Etcher_DMS 삼성디스플레이 Micro LED Lab. (Micro Display 팀) 정준석 468,000원
5257 2023-08-09 13시 14시 1-3-1 Metal Etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 410,000원
5258 2023-08-09 9시 10시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 144,000원
5259 2023-08-10 16시 17시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
5260 2023-08-10 9시 11시 6-2-1 M0 Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 320,000원
5261 2023-08-11 10시 11시 2-2-1 Metal Etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 410,000원
5262 2023-08-11 15시 16시 HfO2 8nm 이상 10nm이하 (이전) etching 4개 샘플 모두 귀금속 물질 패턴 같은 것은 없습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 163,000원
5263 2023-08-14 9시 10시 TiN 50 nm etching 부탁드립니다.
감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 226,000원
5264 2023-08-16 9시 12시 Si 900nm 최대한 높이 맞춰서 Dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
5265 2023-08-17 14시 16시 TiN etching 50 nm wafer 2장 부탁드립니다.
샘플은 오늘 오후 2시 전에 전달드리겠습니다..
가능하시다면 오늘 오후나 금요일 오전중에 부탁드립니다.

항상 감사드립니다. 선생님.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 226,000원
5266 2023-08-17 9시 10시 a-Si:H 에칭 의뢰드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
5267 2023-08-18 10시 11시 HfO2 8nm 이상 10nm이하 (이전) etching 4개 샘플 모두 귀금속 물질 패턴 같은 것은 없습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 226,000원
5268 2023-08-23 15시 16시 나노융합기반 고도화사업, 전자과 손종민 (010-9766-0039) 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 170,000원
5269 2023-08-28 12시 18시 BT 조건만 진행할 샘플 2개, 220nm target의 샘플 2개, 300nm target의 샘플 2개
총 6개의 샘플 전달 드리겠습니다.
확인 부탁드려요!		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 송재섭 289,000원
5270 2023-08-28 8시 9시 4-4-1 PC GaN Dry Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
5271 2023-08-28 9시 12시 * 접수번호 23-A0200869(23.06.26) 과 etching 조건 동일하게 부탁드립니다
(ETRI 김진식 박사님 조건과 동일합니다)
* 6장 모두 뒷면에 Si paste 안붙이시고 진행해주시면 감사하겠습니다.
- Sample : 2inch GaN wafer 6 장
- 이전 공정 : photolithography(Hard Bake 완료)
- Etching 장비 : Dry Etcher_DMS
- Etch target depth : 500 nm
- Etch time : 1) 75 sec -> 2) 75 sec : 75초씩 두번 스플릿하여 공정 진행 부탁드립니다
- Total etch time : 150 sec (75 sec + 75 sec)
- Etch time 설정 기준 : ETRI 김진식 박사님 조건과 동일		 한국전자통신연구원 GaN박막 소재/소자 창의연구실 김동한 240,000원
5272 2023-08-29 18시 19시 1-2-1 Akey+ISO Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 226,000원
5273 2023-08-30 10시 12시 11개 모든 샘플 HfO2 9nm 이상 에칭해주시면 감사하겠습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 289,000원
5274 2023-08-30 13시 15시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
5275 2023-09-01 13시 14시 4-4-1 PC GaN Dry etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 188,000원
5276 2023-09-01 17시 18시 G/S Poly Si Etch 포항공과대학교 반도체기술융합센터 김준 144,000원
5277 2023-09-01 18시 19시 ITO 조각 15개 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 268,000원
5278 2023-09-01 18시 19시 G/S H/M HZO Etch 포항공과대학교 반도체기술융합센터 김준 144,000원
5279 2023-09-01 20시 22시 조각 10개 1um
조각 5개 1.4 um		 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 368,000원
5280 2023-09-01 20시 21시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

a-Si:H 600 nm dry etching 맡겨드립니다.

4인치 웨이퍼 샘플입니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
5281 2023-09-11 10시 11시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 320,000원
5282 2023-09-11 11시 12시 GaN 1um Dry Etch 조각 16ea 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 324,000원
5283 2023-09-11 11시 12시 ITO 100nm Dry Etch 조각 16ea 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 324,000원
5284 2023-09-11 12시 13시 [나노융합기반 고도화사업] 전자과 손종민 (010-9766-0039) 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 380,000원
5285 2023-09-11 9시 10시 안녕하세요,

a-Si:H 700 nm etching 샘플 2장과 800 nm dry etching 샘플 1장 맡겨드립니다.

약간씩 오버에칭 해주시면 좋을 것 같습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 212,000원
5286 2023-09-12 10시 11시 4-3-1 ALD Open Al2O3 600A Etch 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 144,000원
5287 2023-09-12 19시 20시 4-3-1 ALD Open BCl 30초 추가 Etch 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 144,000원
5288 2023-09-12 20시 21시 4-3-1 ALD Open SiO2 2000A Etch (35% over) wf06 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 144,000원
5289 2023-09-12 9시 10시 4-3-1 ALD Open SiO2 2000A Etch 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 144,000원
5290 2023-09-13 13시 14시 Dry Etch 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 948,000원
5291 2023-09-13 17시 18시 ITO/GaN Dry etch 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 768,000원
5292 2023-09-14 15시 16시 1-2-1 AKEY+ISO Etch
2023년 나노융합고도화사업		 주식회사 에이프로세미콘 기술연구소 조영우 375,000원
5293 2023-09-15 10시 11시 안녕하세요. 포항공대 신소재공학과 최지웅입니다. 저번에 공정 한번 진행했는데 똑같이 진행하려고 합니다. 현재 patterning된 2 cm/2 cm 크기의 조각 wafer 8개 etching 공정 의뢰 합니다. 현재 조각 wafer에는 SiO2 600 nm/Poly Si 30 nm/SiO2 50 nm/Poly Si 30 nm 증착되어 있고 그 위에 PR로 patterning을 했습니다. 이 웨이퍼에 Poly Si 30 nm etching을 해주셨으면 합니다. PR을 etching 이후 lift off로 제거해야 하기 때문에 공정 온도가 150도 이상은 안되었으면 좋겠습니다. 샘플은 공정의뢰함에 넣어두고 가겠습니다. 공정이 완료되면 연락주셨으면 좋겠습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최지웅 226,000원
5294 2023-09-15 11시 12시 Si 기판에 Al증착 후, a-Si:H 증착했습니다.
이후 EBL 공정 후, Al2O3 mask 20nm증착했습니다.
a-Si:H 80nm 에칭 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 156,000원
5295 2023-09-15 13시 14시 SDC_C02 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 596,000원
5296 2023-09-15 15시 16시 4-2-1 GATE pGaN Dry Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 226,000원
5297 2023-09-20 14시 15시 4-3-1 ALD Open SiO2 Dry Etch 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 276,000원
5298 2023-09-20 14시 15시 4-3-1 ALD Open Al2O3 Dry Etch 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 276,000원
5299 2023-09-21 14시 15시 1-2-1 AKEY etching 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
5300 2023-09-25 10시 12시 안녕하세요. 포항공대 신소재공학과 최지웅입니다. 저번에 공정 한번 진행했는데 똑같이 진행하려고 합니다. 현재 patterning된 2 cm/2 cm 크기의 조각 wafer 8개 etching 공정 의뢰 합니다. 현재 조각 wafer에는 SiO2 600 nm/Poly Si 30 nm/SiO2 50 nm/Poly Si 30 nm/SiO2 50 nm/Poly Si 30 nm 증착되어 있고 그 위에 PR로 patterning을 했습니다. 이 웨이퍼에 Poly Si 30 nm etching을 해주셨으면 합니다. PR을 etching 이후 lift off로 제거해야 하기 때문에 공정 온도가 150도 이상은 안되었으면 좋겠습니다. 샘플은 공정의뢰함에 넣어두고 가겠습니다. 공정이 완료되면 연락주셨으면 좋겠습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최지웅 226,000원
5301 2023-09-25 13시 14시 * 접수번호 23-A0200869(23.06.26) 과 etching 조건 동일하게 부탁드립니다
(ETRI 김진식 박사님 조건과 동일합니다)
* 6장 모두 뒷면에 Si paste 안붙이시고 진행해주시면 감사하겠습니다.
- Sample : 2 inch GaN wafer 5 장
- 이전 공정 : photolithography(Hard Bake 완료), photolithography(Hard Bake 완료) + backside metal(Ti/Al/Ni/Au)
- Etching 장비 : Dry Etcher_DMS
- Etch target depth : 500 nm
- Etch time : 1) 75 sec -> 2) 75 sec : 75초씩 두번 스플릿하여 공정 진행 부탁드립니다
- Total etch time : 150 sec (75 sec + 75 sec)
- Etch time 설정 기준 : ETRI 김진식 박사님 조건과 동일합니다		 한국전자통신연구원 GaN박막 소재/소자 창의연구실 김동한 170,000원
5302 2023-09-26 12시 13시 8-2-1 M1 Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
5303 2023-10-23 14시 15시 poly Etch 주식회사 아이큐랩 제품기술 민영미 298,000원
5304 2023-10-23 18시 19시 8-4-1 Gate BackSide Poly Si Etch 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 226,000원
5305 2023-10-23 19시 20시 8-4-1 Gate BackSide Poly Si Etch 삼성전자 DS 김태훈 0원
5306 2023-10-25 12시 14시 220nm의 Si Layer와 2um의 SiO2 layer를 갖는 SOI 조각 시편입니다.
PR double coating으로 패터닝 되어있고 이전에 테스트 해보았을 때 BT 10sec / Me 75 ~ 102 sec가 적당하였습니다.
확실한 Si 층 etching을 위해 BT 10sec / Me 100sec로 조건을 맞춰주세요.
오늘 오후 중에 샘플을 맡기도록 하겠습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 송재섭 163,000원
5307 2023-10-25 13시 14시 5-2-1 PAS2 Etch 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 144,000원
5308 2023-10-25 13시 15시 4-4-1 PC GaN etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
5309 2023-10-25 14시 17시 5-2-1 ALD Open Etch Al2O3 600A 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 144,000원
5310 2023-10-25 14시 15시 5-2-2 ALD Open Etch 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 144,000원
5311 2023-10-25 15시 16시 5-2-1 ALD Open Etch SiO2 150A 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 144,000원
5312 2023-10-25 15시 16시 2-3-3 RCSS GaN Etch 주식회사 에이프로세미콘 기술연구소 조영우 155,000원
5313 2023-10-25 16시 17시 5-2-2 PAS2 Etch Al2O3 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 144,000원
5314 2023-10-25 16시 17시 5-3-1 ALD open Al2O3 Dry Etch 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 364,000원
5315 2023-10-25 17시 18시 5-2-2 ALD Open Etch Al2O3 600A etch 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 144,000원
5316 2023-10-25 17시 18시 5-2-1 ALD Open Etch Al2O3 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 144,000원
5317 2023-10-25 17시 18시 5-2-1 ALD Open Etch SiO2 150A Etch 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 144,000원
5318 2023-10-25 9시 10시 a-Si:H 60nm에칭 부탁드립니다
Al2O3 mask입니다		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 156,000원
5319 2023-10-26 10시 11시 5-2-1 PAS2 Etch SiO2 150A etch 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 144,000원
5320 2023-10-26 10시 11시 5-2-2 PAS2 Etch 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 188,000원
5321 2023-10-26 11시 12시 5-2-1 PAS2 Etch Al2O3 600A etch 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 144,000원
5322 2023-10-26 11시 12시 Dry etch CF4, Ar Gas 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 320,000원
5323 2023-10-26 18시 19시 칩이 물리적으로 매우 약하고, 과거에 맡겼었는데 NINT 측에서 칩을 다루기엔 부담스럽다고 하셨고, 저희로 하여금 웨이퍼 위에 직접 붙여서 가져와달라고 요청하셨어서, 이번엔 웨이퍼 1장에 카본 테이프로 붙여서 맡깁니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최준영 163,000원
5324 2023-10-26 18시 19시 2개 모든 샘플 HfO2 10nm 이상 에칭 해주시면 감사하겠습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 163,000원
5325 2023-10-26 9시 10시 신규LOT ROIC
- Ti Etch		 주식회사 보다 연구개발 김형원 146,750원
5326 2023-10-27 18시 19시 8-6-2 GATE Poly Si Dry Etch 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 226,000원
5327 2023-10-27 19시 20시 8-6-2 GATE Poly Si Dry Etch 삼성전자 DS 김태훈 0원
5328 2023-10-30 15시 16시 전자과 윤주영 (010-2768-0418)

Ti etching rate test 입니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 156,000원
5329 2023-10-30 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

맡겨드린 2개 샘플 에칭 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 212,000원
5330 2023-11-01 10시 11시 안녕하세요, 노준석교수님 연구실 오동교입니다.
Si 에칭 400nm(72초?)초 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 156,000원
5331 2023-11-01 11시 12시 oxdie 식각+ 3um silicon 식각 전북대학교 전자정보공학부 남은서 170,000원
5332 2023-11-01 11시 12시 6-3-1 RCSS GaN Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 226,000원
5333 2023-11-01 13시 14시 ROIC-Ti 전면 Etch 주식회사 보다 연구개발 김형원 146,750원
5334 2023-11-01 14시 15시 BD3217-0823-SEED
- Al 2000A Etch( 하부에 TiN이라 just하게 부탁 드립니다.)		 주식회사 보다 연구개발 김형원 146,750원
5335 2023-11-01 17시 18시 6-3-1 RCSS Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 226,000원
5336 2023-11-01 20시 21시 4-4-1 PC Etch
10/26일 진행 건		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
5337 2023-11-01 9시 10시 BD3217-0823-SENS
- Metal 조건으로 50초 진행_3매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 240,250원
5338 2023-11-01 9시 10시 EBL 공정 후, Cr mask 쌓았습니다.
각각, 350, 400, 450nm 에칭 부탁드립니다.
페트리 디쉬에 에칭 높이 적어놓았습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 268,000원
5339 2023-11-03 10시 11시 Oxide 50nm Dry Etch
HfO2 20nm Dry Etch
GaN 200nm Dry etch		 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 310,000원
5340 2023-11-03 11시 12시 BD3217-0823-SEED
- Al 2000A Etch_70초		 주식회사 보다 연구개발 김형원 193,500원
5341 2023-11-03 13시 19시 - 공정 조건은 작년 진행 조건과 동일하게 진행해주시면 됩니다.
- 에칭은 60 min 진행 : 60분 - 12회 (5분/회)		 주식회사 미코 신규소재팀 김진호 1,320,000원
5342 2023-11-03 13시 14시 Si 2um Dry etch 전북대학교 전자정보공학부 남은서 270,000원
5343 2023-11-03 9시 10시 1-3-1 Mesa etch 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 478,000원
5344 2023-11-06 13시 18시 플라즈마 에칭 영향성 평가 : 세라믹 샘플
5분씩 12회 진행 (1회 Max, 5분)		 (주)월덱스 연구소 김민성 1,350,000원
5345 2023-11-06 9시 13시 Al2O3 ceramic 50x50x2t(mm) 시편입니다.
누적 Etching time 1시간 요청 - 12회(5분/회)
시험분석 결과서에 시료명은 Al2O3 Ceramic(DH), 공정조건과 gas종류(불소, 염소 gas 기재 필수)가 기재
 (주)케이씨엠테크놀로지 부설연구소 최여진 1,310,000원
5346 2023-11-14 13시 14시 BD3217-1101-SENS
- VOx Etch_Metal조건으로 1분 진행		 주식회사 보다 연구개발 김형원 193,500원
5347 2023-11-14 14시 15시 9-2-1 G_P Open 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 226,000원
5348 2023-11-20 14시 15시 Si wafer 선택비 test / 일반 결제 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 130,000원
5349 2023-11-22 13시 14시 안녕하세요, 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화입니다.

a-Si:H 450 nm dry etching (샘플 2개)

부탁드립니다.

감사합니다.

성준화 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 156,000원
5350 2023-11-22 9시 10시 2-4-1 Gate 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 188,000원
5351 2023-11-22 9시 10시 ZEP (PR)로 E-beam lithography 진행하였습니다.
ZEP을 mask로 Si 210nm 에칭 부탁드립니다. (hole 구조 입니다)		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 156,000원
5352 2023-11-24 10시 11시 4-4-1 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
5353 2023-11-27 10시 12시 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
Cr 마스크로 패터닝된 Si 기판을 910 nm 에칭 부탁드립니다.
시편은 총 12개이며, 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.
감사합니다.
포항공과대학교 기계공학과 양영환 352,000원
5354 2023-11-27 13시 15시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
Glass 위에 TiO2가 160 nm 쌓여 있으며, 나노페텬이 새겨져 있습니다.
TiO2 아래 recipe로 180초 에칭 부탁드립니다.
Cl2 8 cm3/min
BCL3 8 cm3/min
압력 4 mTorr
ICP 400W
Bias 150V
시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.

감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 156,000원
5355 2023-11-28 10시 11시 Si Etch Split, 1500 A/ 3000 A 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 298,000원
5356 2023-11-29 10시 12시 SDC_U14 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 750,000원
5357 2023-11-29 10시 11시 1-2-2 AKEY 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
5358 2023-11-29 11시 12시 2-1-1 Si etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 199,000원
5359 2023-11-29 11시 12시 4-4-1 PC Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
5360 2023-11-29 13시 14시 2-2-1 Si etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 199,000원
5361 2023-11-29 15시 16시 1-2-1 AKEY 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 232,000원
5362 2023-11-29 9시 10시 1-2-1 AKEY 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
5363 2023-11-30 13시 16시 GaN Dry Etch 1um (조각 3ea) (1500초 진행) 한국전자통신연구원 GaN박막소재/소자창의연구실 김진식 570,000원
5364 2023-11-30 9시 12시 U14 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 760,000원
5365 2023-12-04 16시 17시 4-4-1 PC Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
5366 2023-12-04 9시 11시 안녕하세요.
포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
Si 위에 Cr 패턴된 시편 6개에 대하여, Si 기판 910 nm에칭 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 212,000원
5367 2023-12-06 10시 11시 2개 모든 샘플 HfO2 36nm 이상 에칭 해주시면 감사하겠습니다.
샘플은 1층에 두었습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 163,000원
5368 2023-12-06 9시 10시 4-4-1 PC GaN Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
5369 2023-12-07 10시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
패터닝 되어 있는 샘플의 a-Si:H 30 nm 에칭 부탁드립니다.
(이미 1회 에칭되었으나 잔막이 남아서 조금 더 에칭하려고 합니다.)
시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 156,000원
5370 2023-12-07 14시 17시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
Si위에 ALD로 쌓은 TiO2가 있는 시편의 에칭을 아래 조건으로 하여 진행하고자 합니다. (30초)
Cl2 24 cm3/min
BCl3 64 cm3/min
압력 10 mTorr
ICP 400 V
Bias 150 V

이후 ellipsometry 측정까지 진행하고자 합니다. (따로 신청은 해두도록 하겠습니다.)
시편은 시편보관함안에 넣어두도록 하겠습니다.

감사합니다.
 포항공과대학교 기계공학과 양영환 156,000원
5371 2023-12-08 9시 11시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
2cm - 2cm glass위에 패턴되어 있는 기판의 a-Si:H 에칭을 부탁드립니다.
이전에 에칭을 해주셨던건데, 제가 에칭 깊이를 잘못 말해서 약간 under etching이 된것 같아, 다시 부탁드리려고 합니다.
시편은 시편보관함에 넣어두겠으며 번거롭게 해드려 죄송합니다.
감사합니다.

포항공과대학교 기계공학과 양영환 156,000원
5372 2023-12-10 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

a-Si:H 800 nm dry etching 샘플 맡겨드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
5373 2023-12-12 13시 14시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다
aSi 50nm 에칭 부탁드리겠습니다
감사합니다		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 156,000원
5374 2023-12-12 9시 10시 일반 결제 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 130,000원
5375 2023-12-13 10시 12시 안녕하세요, 노준석교수님 연구실 오동교입니다.
Si 기판 2개 에칭 72초 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 156,000원
5376 2023-12-13 13시 14시 PI etch
일반 결제		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 130,000원
5377 2023-12-20 9시 10시 4개 sample 중에 1, 2번 sample 은 HfO2 8 nm 이상 에칭 부탁드립니다.
3, 4번 sample 은 HfO2 12 nm 이상 에칭 부탁드립니다.
(1, 3 웨이퍼는 0.5 um 두께이고, 2, 4 웨이퍼는 0.7 um 두께입니다.)		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 곽현정 226,000원
5378 2023-12-21 9시 10시 2-2-1 Metal etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 375,000원
5379 2023-12-22 14시 15시 1-2-1 KEY Dry Etch
2023년 나노융합기반 고도화 사업		 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 210,000원
5380 2023-12-22 9시 10시 1-2-1 AKEY 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 408,000원
5381 2023-12-26 13시 17시 플라즈마 식각 평가 : SF6 1 Hr 제일윈텍(주) 기술연구소 연구소 위선민 1,500,000원
5382 2023-12-27 9시 10시 HfO2 12 nm 이상 에칭 부탁드립니다.
(1, 2, 3 번 sample 두께는 0.7 um 이고
4, 5, 6 번 sample 두께는 0.5 um 입니다)		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 곽현정 163,000원
5383 2023-12-28 10시 11시 Cr mask 60nm 증착했습니다. 포항공과대학교 기계공학과 강현정 156,000원
5384 2023-12-28 15시 16시 HfO2 8 nm 추가에칭 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 곽현정 352,000원
5385 2023-12-28 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실입니다.

a-Si:H 650 nm dry etching 샘플 1장,

Si 기판 350 nm dry etching 샘플 1장 맡겨드립니다.

잘 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 212,000원
5386 2023-12-29 9시 10시 HfO2 20nm 에칭 요청드립니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 곽현정 163,000원
5387 2024-01-02 10시 12시 포항공대 노쥰석 교수님 실험실 양영환압니다.
Si substrate 710 nm 에칭 2장 1회,
Si substrate 910 nm 에칭 1장 1회,
총 2장 에칭 부탁드립니다.

2022년동안 항상 빠짐없이 에칭을 해주셔서 감사했습니다
새해복 많이 받으세요		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 268,000원
5388 2024-01-02 14시 16시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
Glass 위에 TiO2가 130 nm 쌓여 있으며, 나노페텬이 새겨져 있습니다.
TiO2 아래 recipe로 130초 에칭 부탁드립니다.
Cl2 8 cm3/min
BCL3 8 cm3/min
압력 4 mTorr
ICP 400W
Bias 150V
시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.
감사합니다.

새해복 많이 받으세요!		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 268,000원
5389 2024-01-02 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

a-Si:H 280 nm 샘플 2장과 700 nm 샘플 1장 맡겨드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 212,000원
5390 2024-01-04 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

Si 기판 200 nm 샘플과 700 nm 샘플 2장 맡겨드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 212,000원
5391 2024-01-05 13시 15시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
이전에 에칭했던 TiO2를 SEM으로 확인해봤는데 잔막이 남아 있어 30초 추가 에칭을 하려고 합니다.

Cl2 24 cm3/min
BCL3 64 cm3/min
압력 4 mTorr
ICP 400W
Bias 150V
시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 268,000원
5392 2024-01-05 15시 17시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
Cr으로 패턴이 새겨진 Si 기판을 710 nm 에칭하려고 합니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 212,000원
5393 2024-01-05 9시 11시 poly E/B 5000A 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 144,000원
5394 2024-01-08 10시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
이전에 에칭했던 TiO2를 에칭을 하려고 합니다. (147초)

아래 조건이며, 이전과 동일한 값입니다. 147초
Cl2 24 cm3/min
BCL3 64 cm3/min
압력 4 mTorr
ICP 400W
Bias 150V
시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 324,000원
5395 2024-01-09 11시 12시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

a-Si:H 250 nm dry etching 부탁드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
5396 2024-01-10 15시 16시 3-3-1 Metal Etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 255,000원
5397 2024-01-12 18시 19시 1-2-1 Si Dry Etch 3000A 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 권민규 276,000원
5398 2024-01-15 13시 14시 일반 결제 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 130,000원
5399 2024-01-15 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

Si 4inch wafer 600 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
5400 2024-01-15 9시 10시 Cr mask 40nm 쌓았습니다.
Si 775nm 에칭 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 156,000원
5401 2024-01-16 10시 11시 2개 샘플 모두 HfO2 55nm 이상 에칭 해주시면 감사하겠습니다. 샘플은 1층에 1/15일 오후 중으로 두도록 하겠습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 199,000원
5402 2024-01-17 11시 12시 4-2-2 PG (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
5403 2024-01-17 13시 14시 크롬 메탈로 패터닝된 2인치 GaN 웨이퍼 4장 + 조각2
식각 깊이 2.3 um
 한국전자통신연구원 GaN박막소재/소자창의연구실 김진식 1,310,000원
5404 2024-01-17 16시 17시 4-4-1 PG (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
5405 2024-01-17 9시 11시 1-2-1 AKEY Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
5406 2024-01-18 10시 12시 안녕하세요, 노준석교수님 연구실 오동교입니다.
Si 기판 2개 에칭 125초 (700nm 예상) 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 156,000원
5407 2024-01-18 13시 14시 1-2-1 AKEY Dry etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 188,000원
5408 2024-01-19 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

a-Si:H 250 nm dry etching 샘플 2장

Si 기판 200 nm dry etching 샘플 1장

맡겨드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 212,000원
5409 2024-01-22 13시 14시 일반 결제
PI etch		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 250,000원
5410 2024-01-22 15시 16시 TiO2 박막 위에 PR로 패터닝이 되어 있습니다.
c-TiO2 (crystalline TiO2), a-TiO2 (amorphous TiO2), b-TiO2 (crystalline TiO2) 이 순서대로 트레이 위에 올라가 있는데,
확실하게 물질을 제거하기 위해 c-TiO2는 최소 22nm, a-TiO2도 22nm, b-TiO2는 33nm etch 부탁드립니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 이준용 163,000원
5411 2024-01-22 16시 18시 * 접수번호 23-A0200869(23.06.26) 과 etching 조건 동일하게 부탁드립니다
(ETRI 김진식 박사님 조건과 동일합니다)
* 4장 모두 뒷면에 Si paste 안붙이시고 진행해주시면 감사하겠습니다.
- Sample : 2 inch GaN wafer 4 장
- 이전 공정 : photolithography(Hard Bake 완료)
- Etching 장비 : Dry Etcher_DMS
- Etch target depth : 500 ~ 550 nm
- Etch time : 1) 75 sec -> 2) 75 sec : 75초씩 두번 스플릿하여 공정 진행 부탁드립니다
- Total etch time : 150 sec (75 sec + 75 sec)
- Etch time 설정 기준 : ETRI 김진식 박사님 조건과 동일합니다		 한국전자통신연구원 GaN박막 소재/소자 창의연구실 김동한 170,000원
5412 2024-01-22 9시 12시 1. GaN 550 nm etch
- 시료: GaN/Sapphire 2인치 wafer 4장
- 패턴 정보: PR(1.7um)/SiO2(120nm) pattern
- Gas: Cl2 60 sccm, BCl3 20 sccm
- Etch time: 150 sec (2 step etch: 75 sec + 75 sec)

2. GaN 2 um deep etch
- 시료: GaN/Sapphire 2인치 2장
- 패턴 정보: Ni(300nm) pattern
- Gas: 협의 및 테스트 필요		 한국전자통신연구원 GaN박막소재/소자창의연구실 곽현탁 440,000원
5413 2024-01-24 14시 15시 7-2-4OC (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
5414 2024-01-24 15시 16시 7-2-2 OC (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
5415 2024-01-24 16시 17시 7-2-3 OC (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
5416 2024-01-29 10시 11시 안녕하세요, 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

a-Si:H 430 nm 드라이 에칭 부탁드립니다.

샘플이 측면에도 있어 조심히 다뤄주시면 좋을 것 같습니다.

감사합니다.

성준화 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 156,000원
5417 2024-01-30 10시 11시 3개 샘플 모두 HfO2 30nm 이상 에칭 해주시면 감사하겠습니다.
샘플은 1층에 1/29일 저녁 중으로 두도록 하겠습니다.
염치 불구하고 논문 마감 시간이 얼마 남지 않아 공정 가능한 시간 중 최대한 빠른 시간에 진행해 주신다면 정말 감사하겠습니다. (희망시간 : 화요일 중에 수령할 수 있으면 좋을 것 같습니다.)		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 289,000원
5418 2024-01-30 13시 14시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
이전에 에칭했던 TiO2를 에칭을 추가로 더 하려고 합니다. (30초)

아래 조건이며, 이전과 동일한 값입니다. 30초
Cl2 24 cm3/min
BCL3 64 cm3/min
압력 4 mTorr
ICP 400W
Bias 150V
시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 156,000원
5419 2024-02-01 12시 13시 1. GaN etch
- 시료: GaN/Sapphire 2인치 wafer 4장
- 패턴 정보: PR(1.7um)/SiO2(120nm) pattern
- Gas: Cl2 60 sccm, BCl3 20 sccm
- Etch time: 130 sec (2 step etch: 75 sec + 55 sec)		 한국전자통신연구원 GaN박막소재/소자창의연구실 곽현탁 170,000원
5420 2024-02-01 14시 15시 4-4-1 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
5421 2024-02-01 16시 17시 전자과 윤주영(010-2768-0418)

SiO2 20 nm dry etching 공정 진행 부탁드립니다. (12초)

이전에 김수곤 선생님께 공정 진행 부탁드렸었습니다. recipe 확인 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 163,000원
5422 2024-02-01 17시 18시 LaAlO3 위에 TiO2 박막이 전체적으로 증착되어 있습니다.
Chip tray에 3가지 박막이 존재하는데, 왼쪽으로부터 두번째, 세번째 소자를 etching 진행해 주시면 됩니다.

두번째 소자는 20초, 세 번째 소자는 27초 진행해 주시면 감사하겠습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 이준용 226,000원
5423 2024-02-06 10시 11시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

Si 기판 600 nm dry etching 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
5424 2024-02-06 9시 10시 Si 기판(큰 기판, 둥근 패턴 4개 있는 것) 145s(약 800 nm) dry etching 부탁드립니다.
Si 기판(작은 기판, 사각 패턴 1개 있는 것) 165s(약 910nm) dry etching 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이은지 212,000원
5425 2024-02-07 11시 12시 4-4-1 PC GaN Dry Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
5426 2024-02-07 13시 14시 6-3-1 Metal Dry Etch 360s LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 255,000원
5427 2024-02-07 9시 10시 일반 결제 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 130,000원
5428 2024-02-08 10시 11시 Ta Dry Etch
기존레시피 38.5초		 나노융합기술원 대외협력팀 양웅석 163,000원
5429 2024-02-08 9시 10시 Ta Dry Etch Test
신규레시피 / 기존레시피 각각 1매		 나노융합기술원 대외협력팀 양웅석 226,000원
5430 2024-02-13 18시 19시 4-4-1 PC GaN Dry Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
5431 2024-02-19 9시 10시 8-2-1 M1 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 408,000원
5432 2024-02-20 18시 19시 4-4-1 Metal Dry Etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 255,000원
5433 2024-02-21 13시 14시 8-2-1 OM Metal Dry Etch (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
5434 2024-02-22 10시 11시 일반결제 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 130,000원
5435 2024-02-28 9시 10시 6-3-1 metal etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 820,000원
5436 2024-02-29 15시 16시 Si 100nm, SiO2 30nm, BARC 30nm Etch 포항공과대학교 신소재공학과 도정현 297,000원
5437 2024-03-06 9시 10시 EBL 공정 이후, Cr mask 60nm 증착했습니다.
Si 600nm 에칭 부탁드립니다.
etching time 적어주시면 감사하겠습니다!		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 156,000원
5438 2024-03-09 9시 10시 EBL 공정 후 , Cr 60nm 쌓았습니다.
6장 모두 251초 etching time으로 부탁드리겠습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 156,000원
5439 2024-03-11 10시 11시 2-1-1 DRIE 0.5um (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 0원
5440 2024-03-11 11시 12시 2-1-1 DRIE 0.5um (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 0원
5441 2024-03-11 9시 10시 2-1-1 DRIE (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 0원
5442 2024-03-12 14시 15시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
이전에 에칭했던 TiO2를 에칭을 하려고 합니다. (160초)
아래 조건이며, 이전과 동일한 값입니다. 160초
Cl2 24 cm3/min
BCL3 64 cm3/min
압력 4 mTorr
ICP 400W
Bias 150V
시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.
감사합니다		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 156,000원
5443 2024-03-13 10시 11시 - 시료: GaN/Sapphire 2인치 wafer 6장
- 패턴 정보: PR (1.7um)/SiO2(120nm) 패턴
- Gas: Cl2 60 sccm, BCl3 20 sccm
- etch time: 130 sec (2 step etch: 75 sec + 55 sec)
*Etch 시간 정확히 진행 부탁 드립니다!		 한국전자통신연구원 GaN박막소재/소자창의연구실 곽현탁 240,000원
5444 2024-03-13 17시 18시 4-4-1 PC Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 262,000원
5445 2024-03-14 16시 17시 담당 연구원 : 도정현 (010-6370-5281)

8inch Si test wafer 4ea : BARC 30nm, SiO2 30nm, Top Si(single crystalline) 100nm etching 의뢰		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 292,000원
5446 2024-03-15 13시 14시 4-4-1 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 424,000원
5447 2024-03-18 10시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
이전에 에칭했던 TiO2를 에칭을 하려고 합니다. (160초)
아래 조건이며, 이전과 동일한 값입니다. 160초
Cl2 24 cm3/min
BCL3 64 cm3/min
압력 4 mTorr
ICP 400W
Bias 150V
시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.
감사합니다		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 156,000원
5448 2024-03-19 14시 15시 Ni Etch E/R Test 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 156,000원
5449 2024-03-19 9시 10시 EBL 공정 후, Cr 70nm 증착했습니다
세 개 각각 750nm, 850nm, 950nm 에칭 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 268,000원
5450 2024-03-20 10시 12시 안녕하세요, Si 에칭 450 nm (약 80초) 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 156,000원
5451 2024-03-20 16시 17시 담당 연구원 : 도정현 (010-6370-5281)
8inch SOI 2ea DMS etching
BARC : 18sec / SiO2 : 20sec/Top Si : 23sec		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 460,000원
5452 2024-03-21 11시 12시 - 시편: GaN/Sapphire 2인치 기판 4장
- 조건: GaN 1 um etch

이전, 24년 1월 22일 자로 의뢰 드렸었던 조건으로 진행 부탁 드립니다.
(GaN 2um deep etch 레시피)		 한국전자통신연구원 GaN박막소재/소자창의연구실 곽현탁 170,000원
5453 2024-03-21 17시 18시 기계공학과 노준석교수님 연구실입니다. 연구실 학생들이 평소 맡기는 aSi:H dry etching 레시피로 600nm 에칭 부탁드립니다. 에칭 높이가 중요하여 높이 맞춰서 에칭 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
5454 2024-03-22 10시 12시 aSi:H 600nm etching rate에 맞춰서 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
5455 2024-03-25 10시 11시 BARC 50nm etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 160,000원
5456 2024-03-25 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

Si 기판 300 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
5457 2024-03-25 9시 10시 BARC 50nm etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 160,000원
5458 2024-04-01 15시 16시 3개 샘플 물질 구성이 다르며 모두 동일한 10nm 두께 이상의 박막 물질 에칭 해주시면 감사하겠습니다.
#2-1 : HfO2 10nm
#2-2 : HfO2 4nm/Al2O3 2nm/HfO2 4nm
#2-3 : HfO2 2nm/Al2O3 2nm/HfO2 2nm/Al2O3 2nm/HfO2 2nm
샘플은 1층에 두었습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 268,000원
5459 2024-04-01 20시 21시 Ni Etch Test
Cl/Ar
BCl/Ar		 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 212,000원
5460 2024-04-01 9시 10시 알루미늄 30nm 에칭 부탁드립니다.
샘플은 2cm X 2cm 크기의 glass 조각 기판 하나입니다.

샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이지해 156,000원
5461 2024-04-02 19시 20시 5um Silicon 식각 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 348,000원
5462 2024-04-02 22시 23시 담당 연구원 : 도정현 (010-6370-5281)
8inch Si test wafer 1ea DMS etching 의뢰
BARC/SiO2/Top Si		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 244,000원
5463 2024-04-03 15시 16시 1-2-1 AKEY +ISO 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 170,000원
5464 2024-04-03 21시 22시 Ni Dry Etch 180s 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 156,000원
5465 2024-04-03 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

Si 기판 320 nm dry etching 부탁드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
5466 2024-04-04 13시 14시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

Si 기판 900 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 148,000원
5467 2024-04-04 9시 12시 안녕하세요, 포항공대 노준석 교수님 연구실 전영선입니다.

3. a-Si:H 350 nm

총 세가지 샘플 드라이 에칭 요청드립니다.

1, 2번 샘플은 3x3 트레이에 같이 담겨있으며, 3번샘플은 페트리디쉬에 포장해 두었습니다.

감사합니다.

전영선 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 전영선 156,000원
5468 2024-04-08 13시 15시 - 시편: GaN/Sapphire 2인치 기판 4장
- 조건: GaN 1 um etch
- 레시피: 5-GaN Akey
 한국전자통신연구원 GaN박막소재/소자창의연구실 곽현탁 170,000원
5469 2024-04-08 18시 19시 담당 연구원 : 도정현 (010-6370-5281)

8inch Si test wafer 1ea DMS etching()		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 244,000원
5470 2024-04-08 21시 22시 Ni Dry Etch 60s 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 156,000원
5471 2024-04-08 9시 11시 1-2-1 AKEY ETCH 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 532,000원
5472 2024-04-09 15시 16시 안녕하세요, 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화입니다.

a-Si:H 350 nm dry etching 부탁드립니다.

측면에 패턴이 있습니다. 조심히 집어주시면 좋겠습니다.

1시 30분에 샘플 가져다 두도록 하겠습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 170,000원
5473 2024-04-09 21시 22시 BARC , SiO2, Si Dry Etch 3매 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 532,000원
5474 2024-04-15 10시 11시 4-2-1 Gate 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 156,000원
5475 2024-04-15 8시 9시 aSi:H 4장 dry etching 부탁드립니다.

2개는 aSI:H 580nm etch rate에 맞춰서 에칭이며,

2개는 aSi:H 660nm etch rate에 맞춰서 에칭입니다.

(모두 오버 에칭을 위해서 에칭 두께를 적어두었으며, 요청 사항에 적어둔 두께 rate에 맞춰서 진행해주시면 됩니다. )

샘플 트레이에 적어두겠습니다. 감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김재경 212,000원
5476 2024-04-16 10시 11시 알루미늄 30 nm 에칭 부탁드립니다.
2cm X 2cm 크기의 조각 글라스 기판 위에 silicon nitride 증착되어있는 샘플 2개입니다.

샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다. 감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이지해 156,000원
5477 2024-04-16 15시 16시 6-3-1 RCSS 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 156,000원
5478 2024-04-17 10시 12시 poly Si (on SiO2 기판) 에칭 400 nm 부탁드립니다.
감사합니다.
 포항공과대학교 기계공학과 오동교 156,000원
5479 2024-04-17 11시 12시 4-4-1 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 478,000원
5480 2024-04-17 21시 22시 4-4-1 PC pGaN Dry Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 424,000원
5481 2024-04-18 10시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si 에칭 500nm 2장 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 156,000원
5482 2024-04-18 18시 20시 9-3-4 GATE B/S Poly-Si Dry Etch 삼성전자 DS 김태훈 0원
5483 2024-04-19 15시 16시 9-5-1 GATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
5484 2024-04-22 10시 12시 안녕하세요.
포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H 1장 300nm 에칭하겠습니다. (이전에 에칭을 했던 시편인데 추가에칭을 진행하고자 합니다.)
시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.

감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 156,000원
5485 2024-04-22 15시 17시 Etching Test
3) HBr 50 sccm / 500 W (ICP Power) / 10 mTorr / 60 sec
4) HBr 50 sccm / 300 W (ICP Power) / 10 mTorr / 60 sec
-> 개별 조건이지만 2매 동시 진행으로 처리함		 아주대학교 지능형반도체공학과 김원주 240,000원
5486 2024-04-22 15시 16시 Etching Test
2) HBr 15 sccm / 300 W (ICP Power) / 20 mTorr / 60 sec		 아주대학교 지능형반도체공학과 김원주 170,000원
5487 2024-04-22 16시 17시 8-2-1 S_D 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 156,000원
5488 2024-04-23 10시 11시 CF4 Plasma (Ar 50 sccm, 100W, 30s)
4가지 샘플(Graphene, Porous graphene, CNT) 		포항공과대학교 기계공학과 안주환 324,000원
5489 2024-04-23 11시 14시 aSi:H 3장 에칭 부탁드립니다.

650nm 1장, 550nm 1장, 500nm 1장 각각 에칭 부탁드립니다.

에칭 높이가 중요하여 각 샘플 에칭 높이에 맞게 시간 조절해서 에칭 부탁드립니다.

감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 김재경 268,000원
5490 2024-04-23 13시 15시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
Al 50 nm 에칭을 부탁드립니다. (기판은 SiO2+aSi이며, PR 마스크가 되어 있습니다. )
시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 170,000원
5491 2024-04-24 10시 11시 7개 샘플 모두 동일하게 HfO2 10nm 두께 이상 에칭 해주시면 감사하겠습니다.
샘플은 4/24 오전 중에 1층에 두도록 하겠습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 536,000원
5492 2024-04-24 13시 14시 Etching Test
1) HBr 15 sccm / 100 W (ICP Power) / 20 mTorr / 60 sec		 아주대학교 지능형반도체공학과 김원주 170,000원
5493 2024-04-24 15시 16시 9-3-4 Gate 삼성전자 DS 김태훈 240,000원
5494 2024-04-24 16시 17시 9-3-4 GATE 삼성전자 DS 김태훈 240,000원
5495 2024-04-25 10시 12시 PR Etch 평가, 3종 샘플에서 각 1개씩 선택하여 다음 조건으로 진행
1) CF4 - 70sccm / O2 - 40sccm
: 20\", 30\", 40\" --> 15\", 30\", 45\"
2) CF4 - 40sccm / O2 - 70sccm
: 20\", 30\", 40\" --> 15\", 30\", 45\"		 동우화인캠(주) 첨단소재연구소 강덕기 520,000원
5496 2024-04-25 13시 14시 2cm X 2cm 크기의 조각 글라스 기판 위에 silicon nitride 증착된 샘플입니다.

총 샘플은 조각 시편 4개입니다.
1) 2개는 알루미늄 에칭 30 nm 만 부탁드립니다.
2) 다른 패트리접시의 시편 2개는 알루미늄 에칭 30 nm 후 silicon nitride 에칭 115 nm 부탁드립니다.
(silicon nitride 에칭은 추가로 신청하겠습니다.)

알루미늄 에칭 30 nm 는 조각시편 4개 한번에 부탁드립니다.

샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다.
패트리접시에 동일하게 기입하였으니 확인 부탁드리겠습니다. 감사합니다. 		포항공과대학교 대학원 화학공학과 이지해 156,000원
5497 2024-04-25 14시 15시 9-2-1 G_P Open 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 156,000원
5498 2024-04-25 8시 10시 PR Etch 평가, 3종 샘플에서 각 1개씩 선택하여 다음 조건으로 진행
1) SF6 - 70sccm / O2 - 40sccm
: 20\", 30\", 40\" --> 15\", 30\", 45\"		 동우화인캠(주) 첨단소재연구소 강덕기 310,000원
5499 2024-04-26 12시 15시 aSi:H 600nm 에칭 부탁드립니다.

높이가 중요하여 etch rate를 600nm에 맞춰서 에칭 부탁드립니다.

감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
5500 2024-04-26 9시 10시 15-2-2 Power Metel 삼성전자 DS 김태훈 0원
5501 2024-04-29 10시 12시 안녕하세요, 4/17 의뢰 드렸던 poly Si 샘플인데요, poly Si가 양면에 증착되어 뒷면도 에칭하고자 연락드렸습니다.
poly Si 뒷면 에칭 400 nm 부탁드립니다. (앞면은 4/17에 해주셨습니다)
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 156,000원
5502 2024-04-29 13시 14시 CF4 50 sccm, 25W, 30s

1. Graphene on Cobalt/Sapphire wafer
2. CNTBP		 포항공과대학교 기계공학과 안주환 268,000원
5503 2024-04-29 15시 16시 2-2-1 Si/SiGe Dry Etch 연세대학교 화공생명공학과 이승효 160,000원
5504 2024-04-29 9시 10시 9-5-1 GATE 삼성전자 DS 김태훈 240,000원
5505 2024-04-29 9시 10시 9-5-1 GATE 삼성전자 DS 김태훈 240,000원
5506 2024-04-30 20시 21시 9-3-4 BackSide Poly Si Dry Etch 삼성전자 DS 김태훈 0원
5507 2024-04-30 21시 22시 9-3-4 BackSide Poly Si Dry Etch 삼성전자 DS 김태훈 0원
5508 2024-05-02 13시 14시 Si 기판 320,330,340nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 박유진 268,000원
5509 2024-05-02 13시 15시 9-5-1 PolySi Etch 삼성전자 DS 김태훈 0원
5510 2024-05-02 16시 18시 9-5-1 PolySi Etch 삼성전자 DS 김태훈 0원
5511 2024-05-02 9시 12시 Al 150nm -> Ti 5nm 순서로 dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
5512 2024-05-03 14시 15시 CF4 Plasma - multilayer graphene on SiO2/Si wafer, CNT-BP

1. Multilayer graphene : Bias power 5W, CF4 50 sccm, 15s
2. Multilayer graphene : Bias power 5W, CF4 50 sccm, 15s
3. CNT-BP : Bias power 5W, CF4 50 sccm, 15s
4. CNT-BP : Bias power 5W, CF4 50 sccm, 15s		 포항공과대학교 기계공학과 안주환 324,000원
5513 2024-05-03 15시 16시 Al2O3 30nm 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 이병우 156,000원
5514 2024-05-07 10시 11시 oxide가 증착된 ITO/GaN on sapphire입니다.
oxide는 SiO2와 Al2O3이며, 아래와 같이 에칭 부탁드립니다.
둘다 PR로 마스킹된 샘플 2개씩입니다.

둘 다 8인치 Si에 샘플 부착했으며 해당 상태 그대로 에칭 진행해주시면 될 것 같습니다.
샘플은 보관함에 두었으며, 급한 샘플이라 공정 완료 후 패스박스에 넣고 연락주시면 찾으러 가겠습니다!
잘 부탁드립니다.

SiO2 300 nm 타겟으로 에칭
Al2O3 52 nm 타겟으로 에칭		 인하대학교 신소재공학과 박정현 148,000원
5515 2024-05-07 10시 11시 안녕하세요, Si 조각별로 각각 80초,120초,160초 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 268,000원
5516 2024-05-07 18시 19시 안녕하세요?

포항공대 노준석 교수님 연구실 전영선입니다.

전에 카카오톡으로 말씀드린것 처럼 SiO2위에 Cr mask가 있는 구조입니다.

SiO2는 1000W ICP, 100W Bias, 5mtorr, CF4(40), CHF3(10)조건으로 300초 식각 부탁드립니다. (또한, 칠러는 20도 입니다.)

잘 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 전영선 156,000원
5517 2024-05-07 9시 18시 안녕하세요.
포항공대 신소재공학과 김준호 입니다.
에칭 공정의뢰 맡겼습니다.
웨이퍼는 총 4inch 6장입니다. 웨이퍼 보관함에 30, 50, 100 표시되어 있습니다.

(웨이퍼 상태)
30: (하단) SiO2 300 nm/TiN 30 nm/SiO2 50 nm/TiN 30nm/SiO2 50 nm/TiN 30 nm/SiO2 50 nm (상단) - 2장
50: (하단) SiO2 300 nm/TiN 50 nm/SiO2 50 nm/TiN 50 nm/SiO2 50 nm/TiN 50 nm/SiO2 50 nm (상단) - 2장
100(하단)SiO2 300 nm/TiN 100 nm/SiO2 100 nm/TiN 100 nm/SiO2 100 nm/TiN 100 nm/SiO2 100 nm(상단) - 2장

(공정 의뢰 요청 사항)
각 웨이퍼 수직 구조 형성을 위해서 상단부터 에칭해주시면됩니다.
30-(상단부터) SiO2 50 nm/TiN 30 nm/SiO2 50 nm/TiN 30 nm/SiO2 50 nm/TiN 30nm/SiO230-50 nm
50-(상단부터) SiO250 nm/TiN 50nm/SiO2 50 nm/TiN 50nm/SiO2 50 nm/TIN 50 nm/SiO230-50 nm
100 - (상단부터) SiO2 100 nm/TiN 100nm/SiO2 100 nm/TiN 100 nm/SiO2 100 nm/TiN 100 nm/SiO230-50nm
현재 샘플이 각 조건마다 여러장 있어서 etching 조건에 따라 여러 개 해주셔도 됩니다.
최대한 수직 구조가 형성이 잘되게 하기 위함입니다.
샘플은 버닝이 안되게 가운데 누르셔서 진행하셔도 됩니다.
최대한 버닝이 안되게 해주세요.
혹은 4 inch wafer 사이즈의 장비가 있으면 그걸로 해주셔도 됩니다.
샘플은 공정보관함에 두었습니다.
혹시나 필요한 정보가 있다면 연락주세요.
이전에 김익재 학생이 공정했던 내용이 있을 겁니다. 확인하고 해주세요		 포항공과대학교 신소재공학과 김준호 436,000원
5518 2024-05-07 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

Si 기판 에칭 300nm 6장
320 nm 1장, 600 nm 1장 맡겨드립니다.

항상 감사드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 340,000원
5519 2024-05-08 10시 11시 6개 샘플 모두 동일하게 HfO2 20nm 두께 이상 에칭 해주시면 감사하겠습니다. 샘플은 5/7 저녁 중에 1층에 두도록 하겠습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 296,000원
5520 2024-05-08 12시 13시 HfO2 23nm 에칭 부탁드립니다 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 이병우 244,000원
5521 2024-05-08 16시 18시 Graphene on SiO2/Si wafer

CF4 Plasma, 50 sccm

1. 20W, 30s
2. 15W, 30s
3. 10W, 30s		 포항공과대학교 기계공학과 안주환 268,000원
5522 2024-05-08 19시 21시 Graphene on SiO2/Si wafer

CF4 Plasma, 50 sccm

5W, 30s		 포항공과대학교 기계공학과 안주환 604,000원
5523 2024-05-09 18시 19시 CF4 Plasma, 50 sccm

1. Graphene on AAO - 10W, 15s
2. Graphene on CNTBP/AAO - 10W, 15s
 포항공과대학교 기계공학과 안주환 212,000원
5524 2024-05-10 18시 19시 Graphene on SiO2/Si wafer

Continuous process : Ar plasma 5W, 30s & CF4 plasma 5W, 30s		 포항공과대학교 기계공학과 안주환 156,000원
5525 2024-05-10 9시 12시 5월2일에 김재경 이름으로 \"Al 150nm -> Ti 5nm 순서로 dry etching 부탁드립니다.\" 의뢰를 진행하였습니다.

이번에는 5월2일에 진행한 에칭조건 그대로 Al 180nm -> Ti 5nm 순서로 dry etching 부탁드립니다. 		포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
5526 2024-05-13 13시 14시 Graphene on SiO2/Si wafer

1. Ar plasma 10W, 30s, CF4 plasma 5W, 30s
2. Ar plasma 5W, 60s, CF4 plasma 5W, 30s		 포항공과대학교 기계공학과 안주환 212,000원
5527 2024-05-14 11시 12시 4개 샘플 모두 동일하게 HfO2 20nm 두께 이상 에칭 해주시면 감사하겠습니다.
샘플은 전날 저녁 중에 1층에 두도록 하겠습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 148,000원
5528 2024-05-14 13시 14시 14-2-2 Power Metal 삼성전자 DS 김태훈 240,000원
5529 2024-05-14 13시 14시 14-2-2 Power Metal 삼성전자 DS 김태훈 240,000원
5530 2024-05-14 16시 17시 Graphene on SiO2/Si wafer

1. Ar plasma (10W, 60s), CF4 Plasma (5W, 30s)
2. Ar plasma (5W, 120s), CF4 Plasma (5W, 30s)		 포항공과대학교 기계공학과 안주환 212,000원
5531 2024-05-16 13시 16시 1. HBr 유량 : 50sccm
2. Ar 유량 : 100sccm
3. ICP power : 300W
4. Pressure : 10mTorr
5. Time : 13min (5min/회 --> 2회로 진행)		 아주대학교 지능형반도체공학과 김원주 380,000원
5532 2024-05-16 14시 15시 GaN/Sapphire 2인치 wafer 1 장
GaN 1 um 식각 의뢰 드립니다.
요청 recipe: 5-GaN Akey

시료는 금일 5/13(월) 택배로 발송하여, 5/14(화) NINT 도착 예정 입니다.		 한국전자통신연구원 GaN박막소재/소자창의연구실 곽현탁 170,000원
5533 2024-05-16 16시 17시 1-3-1 Metal Dry Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 류용우 212,000원
5534 2024-05-16 16시 17시 기계공학과 노준석교수님 연구실입니다. 매번 의뢰하는 aSi:H 에칭 레시피대로 rate 맞춰서 620nm dry etching 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
5535 2024-05-16 17시 18시 HfO2 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 이병우 170,000원
5536 2024-05-16 18시 19시 Graphene on SiO2/Si wafer

1. Ar plasma (5W, 60s), CF4 plasma (10W, 15s)		 포항공과대학교 기계공학과 안주환 156,000원
5537 2024-05-16 9시 11시 실리콘 기판 위에 Al 55nm 박막이 증착되어있습니다.
DMS 장비를 이용하여 Al을 에칭하려고 할 때 etch rate를 파악하려고 합니다.
Al 박막이 전부 사라질때까지 에칭 후 rate 기록 부탁드립니다.

조만간 Al 박막 위에 mask 패터닝 후 파악한 rate로 에칭의뢰를 할 예정입니다.

감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 김재경 170,000원
5538 2024-05-16 9시 12시 기존 Dry etcher DMS 장비의 Al 에칭 조건 및 rate를 이용하여, Al 150nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
5539 2024-05-17 10시 11시 Al 180nm -> Ti 5nm 순서로 dry etching 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
5540 2024-05-17 12시 13시 Al2O3 22nm 에칭 부탁드립니다! 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최준영 244,000원
5541 2024-05-17 13시 14시 2-2-1 BackSide Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 류용우 212,000원
5542 2024-05-17 14시 15시 2-2-2 BackSide Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 류용우 212,000원
5543 2024-05-17 15시 16시 2-2-3 BackSide Etch 포항공과대학교 전자전기공학과 류용우 212,000원
5544 2024-05-17 9시 10시 안녕하세요, 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화입니다.

샘플 2개 a-Si:H 600 nm 드라이 에칭 부탁드립니다!

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 212,000원
5545 2024-05-20 13시 14시 4-4-1 Pc 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 424,000원
5546 2024-05-20 14시 16시 Graphene on CNT-BP

1. Graphene on CNT-BP : Ar plasma 5W, 60s, CF4 plasma 5W, 30s
2. CNT-BP : Ar plasma 5W, 60s, CF4 plasma 5W, 30s		 포항공과대학교 기계공학과 안주환 212,000원
5547 2024-05-20 19시 20시 9-3 Backside Etch
#05 1매 진행		 삼성전자 DS 김태훈 0원
5548 2024-05-20 20시 21시 9-3 Backside Etch
#02, 05 2매 진행		 삼성전자 DS 김태훈 0원
5549 2024-05-20 9시 12시 Al 150nm etch rate에 맞추어 에칭부탁드립니다(over etch X)

기판의 마스크가 없는 영역 (그림 그린 부분의 파란색 색칠 영역)의 알루미늄이 모두 에칭될때까지 에칭을 할 예정입니다. Al 150nm etch rate에 맞추어 에칭 후 파란색 색칠 영역의 알루미늄이 남아있다면 추가로 에칭 부탁드립니다. 		포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
5550 2024-05-21 11시 12시 4개 샘플 모두 동일하게 HfO2 20nm 두께 정도 에칭 해주시면 감사하겠습니다.
샘플은 전날 저녁 중에 1층에 두도록 하겠습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 156,000원
5551 2024-05-21 13시 15시 1-2 bACK SIDE Akey Etch
(Gigalane back-up)		 AP시스템(주) 디스플레이 장비사업본부 최동혁 310,000원
5552 2024-05-21 15시 16시 1-2-1 KEY 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 196,000원
5553 2024-05-22 10시 12시 안녕하세요, 김종규 교수님 연구실 김자원입니다. GaN Blue LED epi 로 조각시편 3개를 PR로 마스킹하여 8인치 Si wafer 위에 써머 그리스를 발라서 붙여둘 예정입니다. ETRI에서 사용하는 조건 (에칭 타임 나눠서 진행)으로 1.2 um 이상 에칭 부탁 드립니다. 샘플 위치시킨 후에 문자 드리겠습니다. 기타 문의사항 있으시면 유선 (010-2688-6826)으로 연락 부탁드립니다. 장비 사용료는 일단 standard 시편 (8인치) 서비스로 신청하였습니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 김자원 260,000원
5554 2024-05-22 13시 14시 2cm X 2cm 크기의 조각 글라스 기판 위에 silicon nitride 증착된 샘플입니다.

알루미늄 에칭 30 nm 후 silicon nitride 에칭 115 nm 부탁드립니다.
(silicon nitride 에칭은 추가로 신청하겠습니다.)

샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이지해 156,000원
5555 2024-05-22 17시 18시 전자과 윤주영(010-2768-0418)

Al 50 nm dry etching 진행 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 156,000원
5556 2024-05-23 10시 11시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

Si 기판 320 nm dry etching 샘플 2개,

Si 기판 900 nm dry etching 샘플 1개

맡겨드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 198,000원
5557 2024-05-23 9시 10시 9-5-1 GATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
5558 2024-05-23 9시 10시 안녕하세요, 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

샘플 2개 a-Si:H 450 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.

성준화 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 198,000원
5559 2024-05-23 9시 10시 9-5-1 GATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
5560 2024-05-24 13시 14시 2-2-3 front passi 포항공과대학교 전자전기공학과 류용우 212,000원
5561 2024-05-27 10시 11시 8-4-1 GATE 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
5562 2024-05-27 15시 16시 hfO2 10nm 타겟으로 에칭 부탁드립니다.
급한 샘플이라, 공정 완료 후 패스 박스에 넣어주시면 찾아가겠습니다.
여러 공정을 거쳐서 만들고있는 소자입니다. 잘 부탁드립니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 212,000원
5563 2024-05-27 9시 10시 Al 180nm -> Ti 5nm 순서로 dry etching 부탁드립니다.

오버에칭을 포함하여 의뢰하는 것이라 오버에칭은 필요없습니다. 		포항공과대학교 기계공학과 김재경 198,000원
5564 2024-05-28 10시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
Si 기판을 910 nm 에칭 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 149,000원
5565 2024-05-28 13시 16시 ICT 제품화 지원사업

Ti 2000A Etch 3ea		 주식회사 아이큐랩 제품기술 민영미 310,000원
5566 2024-05-28 19시 20시 8-6-2 Gate Poly Si Dry Etch 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
5567 2024-05-30 11시 12시 HfO2 15nm 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 이병우 148,000원
5568 2024-05-30 9시 11시 Al 180nm -> Ti 5nm 순서로 dry etching 부탁드립니다.

오버에칭을 포함하여 의뢰하는 것이라 오버에칭은 필요없습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
5569 2024-05-31 10시 12시 aSi:H 550nm 에칭 부탁드립니다.

높이가 중요하여 etch rate를 550nm에 맞춰서 에칭 부탁드립니다.

오버에칭 포함하여 의뢰한 것이라 추가적인 오버에칭은 필요없습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
5570 2024-05-31 15시 16시 3-2-2 PG 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 196,000원
5571 2024-06-03 10시 11시 3-4-1 PG 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 196,000원
5572 2024-06-04 13시 14시 - 시료: GaN/Sapphire 조각시료, 3개
- 패턴 정보: PR (1.7um)/SiO2(120nm) 패턴
- Gas: Cl2 60 sccm, BCl3 20 sccm
- etch time: 182 sec (2 step etch: 91 sec + 91 sec)
*Etch 시간 정확히 진행 부탁 드립니다!

이전에 의뢰 드린 것과 같이 silver paste 없이 공정 진행을 부탁 드립니다.

금일 택배 발송하여, 내일 (6월 4일) NINT 도착 예정입니다.		 한국전자통신연구원 GaN박막소재/소자창의연구실 곽현탁 170,000원
5573 2024-06-04 14시 15시 15-2-2 Power Metal 삼성전자 DS 김태훈 0원
5574 2024-06-04 18시 20시 15-2-2 Power Metal 삼성전자 DS 김태훈 0원
5575 2024-06-05 10시 11시 2cm X 2cm 크기의 조각 글라스 기판 위에 silicon nitride 증착된 조각 샘플 2개입니다.
알루미늄 30 nm 에칭 한번에 부탁드립니다.

기판 1번은 알루미늄 에칭 30 nm 후 silicon nitride 에칭 115 nm 부탁드립니다.
(Silicon nitride 에칭은 별도로 신청하겠습니다.)

샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다.
패트리접시에 동일하게 기입하였으니 확인 부탁드리겠습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이지해 149,000원
5576 2024-06-05 15시 16시 aSi:H 530nm 에칭 부탁드립니다.

높이가 중요하여 etch rate를 530nm에 맞춰서 에칭 부탁드립니다.

오버에칭 포함하여 의뢰한 것이라 추가적인 오버에칭은 필요없습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
5577 2024-06-05 17시 18시 Top TiN (100A)/HZO (300A)/Bottom TiN (2000A) 구조에서 Top TiN/HZO 까지 etch

FEOL 과제에서 최종적으로 확정한 etch 레시피를 그대로 적용하면 될 것으로 보입니다.		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 박종서 156,000원
5578 2024-06-05 9시 10시 안녕하세요, 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화입니다.

a-Si:H 600 nm 드라이에칭 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 135,000원
5579 2024-06-07 10시 11시 안녕하세요, 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화입니다.

a-Si:H 500 nm 기판 2개 에칭 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 149,000원
5580 2024-06-10 10시 12시 aSi:H 410nm 에칭 부탁드립니다.

높이가 중요하여 etch rate를 410nm에 맞춰서 에칭 부탁드립니다.

오버에칭 포함하여 의뢰한 것이라 추가적인 오버에칭은 필요없습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
5581 2024-06-10 13시 14시 1. HBr 유량 : 50sccm
2. Ar 유량 : 100sccm
3. ICP power : 300W
4. Pressure : 10mTorr
5. Time : 24min		 아주대학교 지능형반도체공학과 김원주 570,000원
5582 2024-06-10 14시 15시 HfO2 10 nm 에칭 요청드립니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 곽현정 156,000원
5583 2024-06-10 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

Si 기판 800nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 149,000원
5584 2024-06-11 10시 16시 CF4 plasma 식각 평가- 1시간 (12회, 100,000원/회)
SiC 조각 8개

전/후 표면 분석 및 무게 측정		 (주)모간 3공장 Technical Ceramics 사업부 이희준 1,380,000원
5585 2024-06-11 14시 16시 1. SiO2 100nm를 각 조각 샘플당 20초, 40초, 60초 진행하여 SiO2 etch rate을 구하고자함.
2. SiO2 100nm위에 IGZO 60nm가 올라간 sample과 SiO2 100nm만 올라간 샘플을 동시에 dry etching하여 IGZO가 깎이는
시점을 예측하여 IGZO의 etch rate을 구하고자함.

--> 30초, 40초, 50초로 진행. 50초 진행 시 SiO2 & IGZO 동시 진행
 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 268,000원
5586 2024-06-12 11시 12시 4-2-2 OC 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 148,000원
5587 2024-06-12 13시 16시 크롬 메탈을 이용하여 패터닝된 2인치 GaN 웨이퍼 6 장 .
식각 깊이 2.3 um		 한국전자통신연구원 GaN박막소재/소자창의연구실 김진식 1,170,000원
5588 2024-06-12 13시 14시 4-2-4 OC 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 196,000원
5589 2024-06-12 15시 16시 13-2-1 Power Metal 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
5590 2024-06-13 10시 11시 Hf02 10nm etching 요청 드립니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 한승민 156,000원
5591 2024-06-13 9시 10시 Al 37nm rate에 맞추어 에칭 부탁드립니다. 오버에칭을 포함하여 의뢰하는 것이라 추가적인 오버에칭은 필요없습니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
5592 2024-06-14 14시 15시 5-2-1 OM 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 196,000원
5593 2024-06-17 13시 14시 9-3-4 GATE 삼성전자 DS 김태훈 240,000원
5594 2024-06-17 13시 14시 9-3-4 GATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
5595 2024-06-17 15시 16시 13-2-1 Power Metal 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
5596 2024-06-18 10시 11시 1.5cm X 1.5cm 크기의 조각 글라스 기판 위에 silicon nitride 증착된 샘플 입니다.
알루미늄 에칭 30 nm 후 silicon nitride 에칭 115 nm 부탁드립니다.
(Silicon nitride 에칭은 별도로 신청하겠습니다.)

샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이지해 149,000원
5597 2024-06-18 13시 14시 6-2-2 GFT 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 148,000원
5598 2024-06-19 11시 14시 Al 40nm rate에 맞추어 에칭 부탁드립니다. 오버에칭을 포함하여 의뢰하는 것이라 추가적인 오버에칭은 필요없습니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
5599 2024-06-19 11시 14시 CF4/O2 : 유량비 → CF4/O2 = 40/70 sccm
-. Bias Power 180W
-. Etching time : 30sec, 45sec

샘플 8종, Time Split (조각 5ea/회)		 동우화인캠(주) 첨단소재연구소 왕현정 380,000원
5600 2024-06-20 13시 14시 9-5-1 GATE 삼성전자 DS 김태훈 240,000원
5601 2024-06-20 14시 15시 9-5-1 GATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
5602 2024-06-20 9시 10시 전자과 윤주영 (010-2768-0418)
Al 50 nm dry etching 진행		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 156,000원
5603 2024-06-21 13시 16시 SiO2 hard mask

15min (5분/회, 10만/추가 5분)		 아주대학교 지능형반도체공학과 김원주 370,000원
5604 2024-06-25 10시 11시 실리콘 에칭 700nm 부탁드립니다! 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이은지 149,000원
5605 2024-06-25 11시 12시 1.5cm X 1.5cm 크기의 조각 글라스 기판 위에 silicon nitride 증착된 샘플 입니다.
알루미늄 에칭 30 nm 후 silicon nitride 에칭 115 nm 부탁드립니다.
(Silicon nitride 에칭은 별도로 신청하겠습니다.)

샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이지해 149,000원
5606 2024-06-25 19시 20시 ICT 제품화 지원사업

담당 연구원 : 도정현 (010-6370-5281)

8inch test wafer 1ea etching, BARC 30nm(18sec) + oxide 20nm (12sec) + Si 110nm (30sec)		 (주)아이제스트 연구개발팀 길연호 160,000원
5607 2024-06-26 15시 16시 - 시편: GaN/Sapphire 2인치 기판 1장
- 조건: GaN 1 um etch
- 레시피: 5-GaN Akey
*Etching time 확인 부탁 드립니다.		 한국전자통신연구원 GaN박막소재/소자창의연구실 곽현탁 170,000원
5608 2024-06-27 11시 14시 Al 50nm dry etching 부탁드립니다. 오버에칭 포함 의뢰라서 오버에칭은 필요없습니다.

이후 Dry etcher - TEL 장비로 SiN 90nm low power 300W 조건으로 에칭 부탁드립니다. 		포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
5609 2024-06-27 14시 16시 Si 520nm dry etching 부탁드립니다. 오버에칭은 필요없습니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
5610 2024-06-27 16시 17시 4-4-1 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 154,000원
5611 2024-06-27 16시 17시 ICT 제품화 지원사업

담당 연구원 : 도정현 (010-6370-5281)

8inch test wafer 1ea etching, BARC 30nm(18sec) + oxide 20nm (10sec) + Si 110nm (30sec)		 (주)아이제스트 연구개발팀 길연호 280,000원
5612 2024-06-27 21시 22시 4-4-1 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 424,000원
5613 2024-06-27 9시 11시 3개 샘플 모두 동일하게 HfO2 30nm 두께 정도 에칭공정 진행해 주시면 감사하겠습니다.
샘플은 전날 저녁 중에 1층에 두도록 하겠습니다.
가능하다면 오후 중이라도 샘플을 받을 수 있다면 감사하겠습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 156,000원
5614 2024-06-28 15시 16시 4-4-1 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 154,000원
5615 2024-06-28 16시 17시 4-4-1 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 316,000원
5616 2024-06-28 16시 17시 4-4-1 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 208,000원
5617 2024-06-28 8시 9시 HfO2 15nm 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 이병우 156,000원
5618 2024-07-01 13시 15시 6개 샘플 모두 동일하게 HfO2 두께 30nm 에칭 공정 진행해 주시면 감사하겠습니다. 샘플은 1층에 두도록 하겠습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 248,000원
5619 2024-07-02 11시 12시 1.5cm X 1.5cm 크기의 조각 글라스 기판 위에 silicon nitride 증착된 샘플 입니다.
알루미늄 에칭 30 nm 후 silicon nitride 에칭 115 nm 부탁드립니다.
(Silicon nitride 에칭은 별도로 신청하겠습니다.)

샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이지해 149,000원
5620 2024-07-02 15시 16시 7-2-1 GHD 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 196,000원
5621 2024-07-23 17시 18시 4-4-1 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 424,000원
5622 2024-07-23 17시 18시 4-4-1 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 424,000원
5623 2024-07-26 9시 11시 Al 36nm dry etching 부탁드립니다. 오버에칭 포함 의뢰라서 오버에칭은 필요없습니다.

이후 Dry etcher - TEL 장비로 SiN 130nm low power 300W 조건으로 에칭 부탁드립니다 (오버에칭 X).		 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
5624 2024-07-31 10시 11시 HfO2 20nm etch 부탁드립니다 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 이준용 148,000원
5625 2024-08-01 14시 15시 - Al2O3 10nm 샘플 2개: Al2O3 에칭 조건으로 7초 에칭 (20nm 타겟)
- Al2O3 30nm 샘플 2개: Al2O3 에칭 조건으로 17초 에칭 (50nm 타겟)
 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 212,000원
5626 2024-08-05 13시 14시 1.5cm X 1.5cm 크기의 조각 글라스 기판 위에 silicon nitride 증착된 샘플 입니다.
알루미늄 에칭 30 nm 후 silicon nitride 에칭 115 nm 부탁드립니다.
(Silicon nitride 에칭은 별도로 신청하겠습니다.)
샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이지해 149,000원
5627 2024-08-05 15시 16시 샘플 4개: Al2O3 에칭 조건으로 17초 에칭 (50nm 타겟)
 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 170,000원
5628 2024-08-05 19시 22시 플라즈마 영향성 평가 : 1시간 (300초 12회, 10만원/회 -> 120만원+10만원(기본료)=130만원)
조각 5개		 (주)모간 3공장 Technical Ceramics 사업부 이희준 1,350,000원
5629 2024-08-06 15시 16시 Al2O3 10초 에칭 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 212,000원
5630 2024-08-07 14시 15시 Al2O3 20초 에칭 인하대학교 신소재공학과 박정현 212,000원
5631 2024-08-07 16시 17시 모든 샘플(7개)을 Al2O3 에칭 조건으로 5초 에칭 부탁드립니다.
패스박스에 샘플 두고 연락드리겠습니다. 에칭 후, thermal grease 지우지말고 그냥 주시기 바랍니다. 잘 부탁드립니다 : )		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 212,000원
5632 2024-08-08 11시 12시 Ar 표면 처리 진행 (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 400,000원
5633 2024-08-08 15시 16시 14-2-2- power metal 삼성전자 DS 김태훈 240,000원
5634 2024-08-08 9시 10시 모든 샘플(7개)을 Al2O3 에칭 조건으로 5초 에칭 부탁드립니다.
샘플은 2층 패스박스에 두겠습니다.
에칭 후, thermal grease 지우지말고 그냥 주시기 바랍니다. 잘 부탁드립니다 : )		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 256,000원
5635 2024-08-09 13시 14시 15-2-2 Power Metal 삼성전자 DS 김태훈 0원
5636 2024-08-12 9시 10시 1-2-1 AKEY 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 424,000원
5637 2024-08-14 11시 12시 9-3-4 GATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
5638 2024-08-14 13시 14시 9-3-4 GATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
5639 2024-08-14 14시 15시 9-5-1 GATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
5640 2024-08-19 10시 11시 9-5-1 GATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
5641 2024-08-19 11시 12시 9-5-1 GATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
5642 2024-08-20 11시 12시 담당 연구원 : 도정현 (010-6370-5281)
8inch Si test wafer DMS etching 의뢰, BARC 30nm(18sec) + SiO2 (10sec) + Si 110nm(30sec)
 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 244,000원
5643 2024-08-20 16시 17시 대구대학교 나노 반도체공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,625,000원
5644 2024-08-20 9시 10시 2-2-1 Trench 연세대학교 화공생명공학과 이승효 160,000원
5645 2024-08-21 10시 11시 6-2-1 M0 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 370,000원
5646 2024-08-21 15시 16시 Dummy WF polyimide etch (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 220,000원
5647 2024-08-21 9시 10시 6-2-1 M0 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 154,000원
5648 2024-08-23 14시 15시 2-3-1 PH (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 420,000원
5649 2024-08-26 11시 12시 Al Etch (2초, 4초) 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 212,000원
5650 2024-08-26 15시 16시 담당 연구원 : 도정현 (010-6370-5281)
8inch Si test wafer 2ea DMS etching 의뢰, BARC 30nm(18sec) + SiO2 20nm(10sec) + Si 110nm(30sec)		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 388,000원
5651 2024-08-26 16시 17시 2-3-1 PH (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 740,000원
5652 2024-08-26 9시 10시 6-2-1 M0 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 424,000원
5653 2024-08-28 10시 11시 2개 샘플 모두 동일하게 HfO2 대략 25nm 정도 에칭 공정 진행해 주시면 감사하겠습니다. 샘플은 8/27 저녁 시간 중으로 1층에 두도록 하겠습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 148,000원
5654 2024-08-28 13시 14시 경일대학교 공정 실습 포항공과대학교 나노융합기술원 이현규 4,772,727원
5655 2024-08-28 9시 10시 8-2-1 M1 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 424,000원
5656 2024-08-30 11시 12시 Al2O3 30초 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 156,000원
5657 2024-08-30 14시 15시 담당 연구원 : 도정현 (01063705281)
8inch SOI 3ea dms etching, BARC(18sec) + SiO2 (10sec) + Si (30sec)

BARC(18sec) + SiO2 (10sec) + Si (30sec) * 3매
 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 532,000원
5658 2024-08-30 15시 16시 GaN Dry Etch 2inch 4매 한국전자통신연구원 GaN박막소재/소자창의연구실 곽현탁 170,000원
5659 2024-09-02 16시 17시 Si wafer 위에 SiO2가 300nm, Pt 전극이 100nm, 그 위 HfO2가 10nm 올라가 있습니다.
HfO2 10nm etch 부탁드리겠습니다. 감사드립니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 이준용 156,000원
5660 2024-09-02 9시 10시 Al2O3 에칭 조건으로 10s 에칭 부탁드립니다.
샘플은 1층 샘플 보관함에 두었습니다.
thermal grease 지우지 말고 주세요! 완료 후, 2층 패스박스에 넣어주시면 찾아가겠습니다.
잘 부탁드립니다 : )		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 156,000원
5661 2024-09-03 8시 9시 8-2-1 M1 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 424,000원
5662 2024-09-04 11시 12시 66 nm, a-Si 에칭 부탁 드립니다. 위에 20.5 nm Cr mask가 있습니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 화학공학과 윤희창 149,000원
5663 2024-09-04 9시 10시 8-4-1 GATE 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 212,000원
5664 2024-09-05 13시 14시 6-2-1 GC 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
5665 2024-09-09 11시 12시 8-6-2 GATE 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 212,000원
5666 2024-09-09 13시 14시 UE01
EGR2433
4-3-1 Ti etch
(ICT 바우처)		 (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 460,000원
5667 2024-09-09 14시 15시 ICT 제품화 지원사업 (Si - 4매), (SIC - 6매) 주식회사 아이큐랩 제품기술 민영미 660,000원
5668 2024-09-10 11시 12시 Ar 5W, 60s + CF4 5W, 30s - 연속공정

Graphene on SiO2/Si, Graphene on CNT-BP

*CNT-BP 샘플의 경우 쉽게 깨질수 있어 주의부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 안주환 212,000원
5669 2024-09-10 13시 17시 - 공정 조건은 작년 진행 조건과 동일하게 진행해주시면 됩니다.
- 에칭은 60 min 진행 예정입니다.
- 이슈 발생시 연락 부탁드립니다. (김진호 tel. 010-4180-9711)

공정비용(1Hr) : 1,300,000원 + 무게 측정 비용: 20,000원 = 1,320,000원		 주식회사 미코 신규소재팀 김진호 1,320,000원
5670 2024-09-11 10시 11시 Al2O3 etch (10sec) 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 156,000원
5671 2024-09-11 19시 20시 1-3-1 Al Dry Etch (주)포플스 - 조성우 240,000원
5672 2024-09-11 20시 21시 1-3-2 Al2O3 Dry Etch (주)포플스 - 조성우 240,000원
5673 2024-09-13 11시 12시 Ti/Ta Dry Etch Test (40s, 44s) 진행 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 212,000원
5674 2024-09-13 12시 13시 1-2-1 M Deposition Metal Etch 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 156,000원
5675 2024-09-13 9시 11시 ICT 제품화 지원사업
Al/Ti Dry Etch		 마이크로어낼리시스(주) 기업부설연구소 조경호 240,000원
5676 2024-09-19 11시 12시 5-4-1 GC Poly 포항공과대학교 반도체공학과 이지원 280,000원
5677 2024-09-19 14시 15시 전문인력양성 나노 소자공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 5,250,000원
5678 2024-09-20 13시 14시 6-2-1 GC 포항공과대학교 반도체공학과 이지원 0원
5679 2024-09-20 15시 16시 6-2-1 GC 포항공과대학교 반도체공학과 이지원 280,000원
5680 2024-09-24 10시 11시 1-2-1 Backside etch 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 156,000원
5681 2024-09-24 14시 15시 * E-beam lithography 및 Cr 증착 이후 lift off 하여,
40nm 두께의 Cr 패턴이 Si 기판 위에 있는 시료입니다.

* Si 기판 550 nm 두께 식각을 요청드립니다.		 성균관대학교 생명물리학과 조한준 170,000원
5682 2024-09-26 15시 16시 Al2O3 & AlGaN Etch : 조각 2개 경북대학교 전자재료공학 최윤호 170,000원
5683 2024-09-27 14시 15시 2-1-3 PolySi Etch 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 156,000원
5684 2024-09-27 8시 9시 GaN Dry Etch 2inch 3매 한국전자통신연구원 GaN박막소재/소자창의연구실 곽현탁 370,000원
5685 2024-09-27 8시 10시 2-6-1 Metal Dry Etch 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 568,000원
5686 2024-09-27 9시 12시 Al2O3 ceramic plate 50x50x2t(mm) 시편입니다.
누적 Etching time 1시간 요청드립니다.
시험분석 결과서에 시료명은 Al2O3 Ceramic(DH)로 표기 부탁드리며
공정조건과 gas 종류(불소, 염소 gas 기재 필수)도 표시되어야합니다.
시험후 시편은 착불로 반환 부탁드립니다.
반환 주소 - 경기도 화성시 양감면 은행나무로 495 케이씨엠테크놀로지		 (주)케이씨엠테크놀로지 부설연구소 최여진 1,310,000원
5687 2024-10-02 15시 16시 13-2-1 Power Metal 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 212,000원
5688 2024-10-07 10시 12시 a-Si, 66 nm 에칭 부탁 드립니다. 유리기판 위에 a-Si을 증착한 샘플 2개 입니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 화학공학과 윤희창 149,000원
5689 2024-10-07 13시 14시 Bottom 부터 TiN(2000Å)/HZO(150Å)/TiN(100Å) 구조에 해당합니다.

6/5일자 의뢰 당시의 공정 조건에서 시간만 10초 정도 줄여서 진행하면 될 것으로 보입니다.

기억 상으로는 Ar:Cl2:BCl3 = 1:3:1로 기억하는데 체크 후 다시 레시피 인폼주시면 감사드리겠습니다.

 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 박종서 212,000원
5690 2024-10-08 10시 12시 2개의 sample 중 하나는 30nm, 하나는 25nm 에칭해주시면 감사하겠습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최준영 196,000원
5691 2024-10-08 18시 19시 1-2-1 AKEY Etch 포항공과대학교 반도체공학과 이지원 280,000원
5692 2024-10-11 13시 16시 샘플 현황 : 4인치 웨이퍼, Si/Ti(50Å)/TiN(2000Å)/HZO(50-150Å)/TiN(100Å) stack

Ar:Cl2:BCl3 = 1:3:1, 60 sec 수행

가급적 월요일 이내에 완료되기를 희망합니다.		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 박종서 548,000원
5693 2024-10-14 10시 18시 6-2-1 Poly Si Etch 포항공과대학교 반도체공학과 이지원 850,000원
5694 2024-10-14 14시 15시 실리콘 기판 위 Cr 패턴이 증착되어있습니다.
550 nm 두께로 Si기판의 식각을 요청드립니다. 		성균관대학교 생명물리학과 조한준 170,000원
5695 2024-10-15 14시 15시 Al 3000A + TiN 200A etching 3ea 주식회사 보다 연구개발 김형원 235,000원
5696 2024-10-15 9시 10시 HfO2 20nm 식각 부탁드립니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 이병우 156,000원
5697 2024-10-16 10시 18시 6-2-1 Poly Si Etch 포항공과대학교 반도체공학과 이지원 850,000원
5698 2024-10-16 14시 15시 META Mi
- TiN 300A, Al 3000A Etching_1매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 145,000원
5699 2024-10-16 8시 9시 11-2-1 M1 Metal 포항공과대학교 반도체공학과 이지원 130,000원
5700 2024-10-16 9시 11시 안녕하세요?

포항공대 노준석 교수님 연구실 전영선 입니다.

a-Si:H 500nm 연구실에서 사용하는 레시피로 500nm dry etching부탁드립니다.
over etching은 5%만 부탁드립니다. (노란 필름 사라질때 까지)

감사합니다.

전영선 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 전영선 142,000원
5701 2024-10-17 14시 15시 Alignment key로 쓰기 위해 P-type Si wafer를 100nm 식각하고자 합니다. 식각 원하는 형태로 positive pr로 패터닝 후 시편을 드리면 해당 패턴으로 식각을 요청드리고 싶습니다. 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 이규빈 156,000원
5702 2024-10-17 15시 16시 META Mi
- TiN 200A, Al 3000A Etching_3매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 235,000원
5703 2024-10-21 10시 18시 6-2-1 Poly Si Etch 포항공과대학교 반도체공학과 이지원 858,250원
5704 2024-10-21 11시 12시 PR로 패터닝 되어 있는 HfO2/Pt/SiO2/Si stack 중 맨 위에 있는 HfO2 15nm etch 부탁드립니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 이준용 156,000원
5705 2024-10-23 11시 14시 두 샘플 모두 amorphous Si 100 nm로, 두 샘플 같이 에칭 부탁 드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 윤희창 149,000원
5706 2024-10-23 20시 21시 1-2-1 AKEY+ISO Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 212,000원
5707 2024-10-24 19시 20시 NiV Dry Etch Test 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 268,000원
5708 2024-10-25 19시 20시 GaN on Sapphire 기판에 Ti/Ni Hardmask 증착되어 있는 시편입니다. 케이스에 마스크 두께 명시해두었고 분류 해놓았습니다.

각 샘플에 SiO2 50nm 증착되어 있으며 1um etching 부탁드립니다.

시편은 택배로 보내도록 하겠습니다. 공정 후, 연구원으로 택배 부탁드립니다.

문의사항 있으시면 아래 번호로 연락 부탁드립니다.
이현우 Tel. 010-7143-6154		 한국전자통신연구원 GaN 창의실 이현우 170,000원
5709 2024-10-25 9시 10시 aSi:H 540nm 에칭 부탁드립니다.

높이가 중요하여 etch rate를 540nm에 맞춰서 에칭 부탁드립니다.

기계공학과 노준석 교수님 연구실의 학생의뢰자들이 매번 맡기는 레시피대로 진행 부탁드립니다.

오버에칭 포함하여 의뢰한 것이라 추가적인 오버에칭은 필요없습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
5710 2024-10-28 16시 17시 2cm × 2cm 크기의 실리콘 조각 기판 3개 입니다.
실리콘 250 nm 에칭 부탁드립니다. 1회에 기판 3개 같이 에칭 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이지해 149,000원
5711 2024-10-28 17시 18시 1.5cm X 1.5cm 크기의 조각 글라스 기판 위에 silicon nitride 증착된 샘플 입니다.
알루미늄 에칭 30 nm 후 silicon nitride 에칭 120 nm 부탁드립니다.
(Silicon nitride 에칭은 별도로 신청하겠습니다.)
샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이지해 149,000원
5712 2024-10-29 15시 16시 안녕하세요?

포항공대 노준석 교수님 연구실 전영선입니다.

연구실 조건으로 a-Si:H 500nm dry etching 부탁드립니다.
over etching은 5%만 부탁드립니다.
급한 샘플이라 끝나면 바로 연락 부탁드립니다. 샘플은 2시 50분 정도에 가져다 둘 예정입니다.

항상 감사드립니다.
 포항공과대학교 대학원 기계공학과 전영선 149,000원
5713 2024-10-30 11시 12시 두 샘플 모두 a-Si 100 nm로 같이 에칭 부탁 드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 윤희창 149,000원
5714 2024-11-01 10시 11시 Dust Etch 주식회사 아이큐랩 제품기술 민영미 212,000원
5715 2024-11-01 13시 15시 10/25 공정 진행된 Sample에 대해서 1um 식각을 목표로 하였는데 식각이 좀 덜 되어 추가 식각 요청드립니다.

GaN 300nm 추가 식각 요청드립니다.

시편은 택배로 보내도록 하겠습니다. 공정 후, 연구원으로 택배 부탁드립니다.

문의사항 있으시면 아래 번호로 연락 부탁드립니다.
이현우 Tel. 010-7143-6154		 한국전자통신연구원 GaN 창의실 이현우 170,000원
5716 2024-11-01 15시 16시 4-2-1 GATE 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 212,000원
5717 2024-11-04 18시 20시 5-3-1 Backside Poly Si 4000A Dry Etch 현대모비스 전력반도체팀 강민기 380,000원
5718 2024-11-04 18시 19시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H위에 ZEP마스크 패턴이 있는 Al 35 nm에칭을 하려고 합니다.
시편은 총 4장이며 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 149,000원
5719 2024-11-04 9시 10시 두 샘플 모두 같이 a-Si 105 nm 에칭 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 윤희창 149,000원
5720 2024-11-05 13시 14시 2 cm X 2cm 글라스 기판 위에 amorphous silicon 150 nm 증착된 샘플입니다.
Amorphous silicon 150 nm 에칭 부탁드립니다.

샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이지해 149,000원
5721 2024-11-05 9시 11시 Al 36nm dry etching 부탁드립니다. 오버에칭 포함 의뢰라서 오버에칭은 필요없습니다.

이후 Dry etcher - TEL 장비로 SiN 100nm low power 300W 조건으로 에칭 부탁드립니다 (오버에칭 X).
 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
5722 2024-11-06 11시 12시 총 4장의 웨이퍼, 2장 씩 같은 패턴으로 포토공정이 진행될 예정,
포토 공정 이후 etching 담당자에게 전달 부탁할 예정,
GaN etching depth : 각각 400nm, 600nm, 30nm, 45nm,
포토 공정 후 각 웨이퍼 별로 etching depth를 기입하여 전달할 예정임		 재단법인 한국나노기술원 CS소자개발실 박명수 640,000원
5723 2024-11-07 13시 15시 etching 물질은pmma이고 carbon membrane 위에 증착되어 있습니다.
샘플은 sus 재질 sample holder에 고정되어 있고 sample holder 크기는 0.7 x 0.8 inch 입니다.
개수는 총 4개, 반응 가스는 O2
--> 진행 중 필름 Attack 3개 발생		 포항가속기연구소 나노계면팀 이철규 148,000원
5724 2024-11-07 15시 16시 안녕하세요?

포항공대 노준석 교수님 연구실 전영선입니다.

a-Si:H 800nm dry etching 부탁드립니다. over etching은 5%만 부탁드립니다.

마찬가지로 빠르게 에칭 끝나고 연락 부탁드립니다. 샘플은 2시 반 정도에 가져다 두도록 하겠습니다.

항상 깔끔하게 에칭 해주셔서 감사합니다.
 포항공과대학교 대학원 기계공학과 전영선 142,000원
5725 2024-11-07 16시 17시 glass위에 a-Si:H 증착한 후 공정한 것입니다.
700 nm dry etching 에칭부탁드립니다.
over etching은 5%만 부탁드립니다.
(유리기판 보일때까지, 노란 필름 안 남을때까지 부탁드립니다 아침에 드렸던 샘플보다 조금 낮습니다. 아침에 드렸던 샘플이700nm보다 좀 더 높았던거 같습니다.)

아침에 테스트했던 샘플이 괜찮아서 큰 패턴에 대해 식각을 요청드립니다.
눈에 보이는 위치에 1.5 mm짜리 패턴이 있습니다.

맡기는 공정함에 이은지(노준석 교수님)으로 표기해뒀습니다.(오늘 3시 반쯤 가져다 둘 예정입니다.)
혹시 추가적으로 필요하신 사항 있으시면 010-6794-1415로 연락 부탁드립니다		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이은지 149,000원
5726 2024-11-07 8시 9시 glass위에 a-Si:H 증착한 후 공정한 것입니다.
700 nm dry etching 에칭부탁드립니다.
over etching은 5%만 부탁드립니다.
(유리기판 보일때까지 부탁드립니다)

중간에 100 um짜리 패턴이 있습니다.
샘플이 두 개 있는데, a-Si에서 식각하는 레시피가 여러개인 경우 다른 조건에 대해 식각부탁드립니다.
레시피가 하나인경우, 하나의 샘플만 식각 부탁드립니다.
테스트 식각하고 확인한 후, 큰 사이즈를 식각할 예정이라서 혹시 두 샘플에 대해 다른 레시피를 사용하면 표기 부탁드립니다!!

맡기는 공정함에 이은지(노준석 교수님)으로 표기해뒀습니다.
혹시 추가적으로 필요하신 사항 있으시면 010-6794-1415로 연락 부탁드립니다		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이은지 149,000원
5727 2024-11-08 11시 16시 a-Si 100 nm 에칭 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 윤희창 149,000원
5728 2024-11-08 9시 10시 6-3-1 RCSS 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 212,000원
5729 2024-11-11 14시 18시 플라즈마 식각 평가 : 1시간
300초/회, 1시간 = 12회, 100,000원/회		 (주)모간 3공장 Technical Ceramics 사업부 이희준 1,300,000원
5730 2024-11-12 10시 12시 6-2-1 Gate PolySi Etch (TS03,TS04) 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 240,000원
5731 2024-11-12 13시 16시 6-2-2 Gate PolySi Etch 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 380,000원
5732 2024-11-12 18시 23시 플라즈마 식각 평가 : 1시간
300초/회, 1시간 = 12회, 100,000원/회		 (주)모간 3공장 Technical Ceramics 사업부 이희준 1,300,000원
5733 2024-11-13 10시 11시 안녕하세요 노준석 교수님 연구실 강도현입니다.

Si 600 nm 에칭 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 149,000원
5734 2024-11-13 11시 12시 KIMM Wafer
- Al Etching_156s		 주식회사 보다 연구개발 김형원 235,000원
5735 2024-11-13 12시 14시 8인치 SiC Wafer Coating
7-2-2 SO Polyimide Etch		 (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 400,000원
5736 2024-11-13 14시 15시 두 샘플 모두 같이 a-Si 105 nm 에칭 부탁 드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 윤희창 149,000원
5737 2024-11-13 16시 17시 2-3-1 D-Poly Dry Etch (주)모이모션 (주) 모이모션 최정례 240,000원
5738 2024-11-13 18시 23시 플라즈마 식각 평가 : 1시간
1시간-12회, 300초/회, 100,000원/회		 (주)모간 3공장 Technical Ceramics 사업부 이희준 1,300,000원
5739 2024-11-13 9시 10시 8-2-1 S_D Metal Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 212,000원
5740 2024-11-14 11시 12시 안녕하세요?

포항공대 노준석 교수님 연구실 전영선입니다.

a-Si:H 800nm dry etching 부탁드립니다. 샘플 두고 연락 드리도록 하겠습니다.
마찬가지로 공정 끝나면 연락 주세요.

항상 감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 전영선 149,000원
5741 2024-11-14 13시 17시 플라즈마 식각 평가 : 1시간
1시간 - 12회, 1회 - 300초, 100,000원/회		 (주)모간 3공장 Technical Ceramics 사업부 이희준 1,300,000원
5742 2024-11-14 8시 9시 현재 Si/SiO2 기판위에 poly-Si 100 nm가 증착되어 있습니다.
그 위에 patterning 진행해둔 2cm 기판 6개 입니다.
모두 poly-Si 100 nm etching 진행해주셨으면 합니다.
더 필요하신 정보는 연락 부탁드립니다.
 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최지웅 212,000원
5743 2024-11-14 9시 11시 Al 150nm dry etching 부탁드립니다. 2장이며 추가적인 오버에칭은 필요없습니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
5744 2024-11-15 9시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
이전에 에칭했던 TiO2를 에칭을 하려고 합니다. (150초)
아래 조건이며, 이전과 동일한 값입니다. 150초
Cl2 24 cm3/min
BCL3 64 cm3/min
압력 4 mTorr
ICP 400W
Bias 150V
시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.
감사합니다		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 149,000원
5745 2024-11-18 10시 12시 2-3-2 M Deposition 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 324,000원
5746 2024-11-19 16시 17시 carbon membrane 위에 도포된 pmma 제거 부탁드립니다.
공정 조건 : O2 Plasma Etching 50s
Sample -2ea		 포항가속기연구소 나노계면팀 이철규 156,000원
5747 2024-11-20 13시 14시 안녕하세요, 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화입니다.

a-Si:H 800 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 149,000원
5748 2024-11-20 14시 15시 안녕하세요?

포항공대 노준석 교수님 연구실 전영선입니다.

a-Si 800nm dry etching 부탁드립니다. over etching은 5%만 부탁드립니다. (노란 박막 사라질때 까지)
에칭 샘플 보관함에 넣고 연락 드리겠습니다. 끝나면 연락주세요!

항상 감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 전영선 142,000원
5749 2024-11-20 15시 16시 Al 28nm dry etching 부탁드립니다. 오버에칭 포함 의뢰라서 오버에칭은 필요없습니다.

이후 Dry etcher - TEL 장비로 SiN 110nm low power 300W 조건으로 에칭 부탁드립니다 (오버에칭 X).		 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
5750 2024-11-20 9시 11시 Al 160nm dry etching 부탁드립니다. 오버에칭 포함하여 의뢰하는 것이라 추가적인 오버에칭은 필요없습니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
5751 2024-11-25 13시 14시 11-5-2 Power Metal 현대모비스 전력반도체팀 강민기 275,000원
5752 2024-11-25 15시 16시 11-5-5 Power Metal 현대모비스 전력반도체팀 강민기 625,000원
5753 2024-11-26 10시 11시 두 샘플 모두 같이, a-Si, 105 nm로 에칭 부탁 드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 윤희창 149,000원
5754 2024-11-27 13시 14시 6-3-1 Backside ETCH 현대모비스 전력반도체팀 강민기 450,000원
5755 2024-11-27 14시 15시 META3217_#1, KIMM - PHOLE
- 폴리이미드 Etching_4매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 280,000원
5756 2024-11-28 13시 14시 6-5-2 GATE 현대모비스 전력반도체팀 강민기 450,000원
5757 2024-11-28 13시 15시 glass 엣칭
#01-1회, #02-2회. #03-4회
7회 진행		 코닝정밀소재주식회사 CTCK-C&D-Thin film 윤중훈 590,000원
5758 2024-11-28 8시 9시 6-5-1 GATE 현대모비스 전력반도체팀 강민기 275,000원
5759 2024-11-29 10시 11시 안녕하세요? 노준석 교수님 연구실 이은지 입니다.
두 가지 종류의 샘플이 있습니다.
B, C로 표기해두었습니다.
각각 표기된대로 800nm, 200 nm 에칭 부탁드립니다. 같은 호일로 쌓여있는 것은 한번에 에칭하셔도 될 거 같습니다.
예전에 700nm 에칭 맡겼을때 vertical하게 안되고 높이도 다소 차이 났었는데 비싼 샘플이어서 잘 부탁드립니다!!

저희 연구실에서 맡기는 조건과 같은 조건으로 부탁드립니다.
혹시 추가적으로 필요하신 정보가 있으시면 010-6794-1415로 연락주시면 감사하겠습니다
감사합니다		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이은지 198,000원
5760 2024-11-29 9시 10시 안녕하세요? 노준석교수님 연구실 이은지입니다.
glass위에 a-Si:H 증착한 후 공정한 것입니다.
중간에 2mm 짜리 패턴이 4개 있습니다.
두 기판 모두 한번에 400 nm dry etching 에칭부탁드립니다.
over etching은 5%만 부탁드립니다.
(유리기판 보일때까지 부탁드립니다)

저희 연구실에서 맡기는 조건과 같은 조건으로 부탁드립니다.
비싼 샘플이니 잘 부탁드립니다
혹시 추가적으로 필요하신 정보가 있으시면 010-6794-1415로 연락주시면 감사하겠습니다
감사합니다		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이은지 149,000원
5761 2024-12-27 10시 11시 ICT 과제 공정비 (주)하바랩 극자외선부 황재성 6,818,181원
5762 2024-12-27 8시 9시 ICT 과제 공정비 주식회사 아르케 제조개발센터 사공성환 10,380,839원
5763 2024-12-27 9시 10시 ICT 과제 공정비 그래핀스퀘어주식회사 기획관리팀 권회창 2,205,682원