Furnace Metal Anneal 장비일지

 기자재관리번호 : -
No 장비이용내역 이용내역 사용자 장비이용료
시작일 종료일 세부내용 기관명 부서(학과명) 성명 확정금액
1 2010-01-04 13시 23시 Furnace Wet Ox 1.3um (12ea) 부산대학교 기계공학부 배공명 240,000원
2 2010-01-07 13시 24시 Wet Oxidation 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
3 2010-01-15 22시 09시 Wet Ox 3nm 진행 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
4 2010-01-16 17시 24시 Wet Ox 3nm 진행 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
5 2010-01-20 13시 24시 wet Oxidation 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
6 2010-01-25 17시 12시 Wet Oxidation 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
7 2010-01-28 10시 24시 Wet Oxidation 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
8 2010-01-29 01시 14시 Wet Oxidation 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
9 2010-02-05 17시 24시 Wet Oxidation 포스텍 전자전기공학과 조정현 0원
10 2010-03-11 19시 19시 SIO2 13,000A 부산대학교 기계공학부 이재민 315,000원
11 2010-03-12 11시 11시 SIO2 13000A 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
12 2010-03-15 10시 10시 SIO2 500A 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
13 2010-03-16 10시 10시 SIO2 3000A 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
14 2010-03-29 17시 10시 wet oxide 2000A NCNT Fab. 운영부 변상섭 0원
15 2010-03-31 18시 17시 WET OXIDE 1500A 부산대학교 정밀가공시스템전공(MEMS LAB) 김영욱 315,000원
16 2010-04-05 13시 10시 wet oxide 300A 대구경북과학기술원 나노바이오부 장환수 315,000원
17 2010-05-06 17시 14시 30nm sio2 전북대학교 전자공학부 김기현 280,000원
18 2010-05-26 15시 09시 sio2 3000A 대구경북과학기술원 나노바이오부 장환수 315,000원
19 2010-06-07 13시 10시 si02 4600 포항공과대학교 기계공학과 조항진 280,000원
20 2010-06-08 11시 10시 SIO2 1143A 포항공과대학교 전자전기공학과 강대건 280,000원
21 2010-07-05 13시 10시 4in silicon wafer 산화막 5000A 증착 포항공과대학교 기계공학과 조항진 280,000원
22 2010-07-13 13시 09시 sio2 3000A 대구경북과학기술원 나노바이오부 장환수 315,000원
23 2010-07-15 17시 10시 sio2 포항공과대학교 기계공학과 이상규 280,000원
24 2010-07-27 18시 09시 Oxidation 대구경북과학기술원 나노바이오부 장환수 315,000원
25 2010-08-03 16시 18시 1100도 anneal 한양대학교 전자컴퓨터통신공학부 백승욱 700,000원
26 2010-08-09 13시 18시 Oxidation 대구경북과학기술원 나노바이오부 장환수 315,000원
27 2010-08-11 17시 18시 oxide 전북대학교 전자공학부 김기현 224,000원
28 2010-08-12 16시 09시 두께측정 전북대학교 전자공학부 김기현 280,000원
29 2010-08-24 11시 17시 Oxidation 대구경북과학기술원 나노바이오부 장환수 315,000원
30 2010-08-31 11시 10시 SIO2 8000A OXIDE (주)디엠에스 김성해 280,000원
31 2010-12-02 19시 07시 si02 전북대학교 전자공학부 김기현 175,000원
32 2010-12-29 22시 06시 sio2 oxidation 전북대학교 전자공학부 김기현 175,000원
33 2011-03-02 18시 08시 wet oxidation 1000A 전북대학교 전자공학부 김기현 175,000원
34 2011-03-18 19시 15시 Oxide 50A growth 전북대학교 전자공학부 김기현 175,000원
35 2011-04-14 13시 18시 Oxide 3000A_DGIST 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
36 2011-05-03 18시 10시 4인치 3000A 전북대학교 전자공학부 김기현 175,000원
37 2011-07-13 19시 14시 800도 2분50초 웨이퍼 2장(야간사용) 전북대학교 전자공학부 김기현 175,000원
38 2011-08-25 14시 13시 SiO2 5nm 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 3,500,000원
39 2011-09-01 16시 16시 SiO2 1500A 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 350,000원
40 2011-09-05 16시 16시 SiO2 1500A 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 350,000원
41 2011-09-07 19시 20시 1000A oxide 성장(야간 사용) 전북대학교 전자공학부 김기현 175,000원
42 2011-09-22 15시 15시 800도 200분 미리넷솔라 연구소 김대일 350,000원
43 2011-09-27 18시 18시 Mask Ox 100A Targeting Test 삼성전기 AMD랩 한승훈 730,000원
44 2011-10-04 11시 18시 Oxidation 3회 대구경북과학기술원 에너지연구부 백성호 0원
45 2011-10-07 18시 13시 Furance Oxide 1000Å 증착 1매 진행 전북대학교 전자공학부 김기현 175,000원
46 2011-10-11 10시 15시 Oxidation 삼성전기 AMD랩 한승훈 350,000원
47 2011-10-13 19시 16시 6인치 wafer 2장 진행 전북대학교 전자공학부 김기현 175,000원
48 2011-11-09 15시 09시 Wet Ox 10nm 진행 삼성전기 AMD랩 한승훈 350,000원
49 2011-11-14 15시 09시 Buffer Wet Oxidation 100A 진행 삼성전기 AMD랩 한승훈 350,000원
50 2011-11-15 13시 13시 NIL_과제 평가_Oxidation 4000A 진행 (주)디엠에스 김성해 315,000원
51 2011-11-21 10시 10시 NIL_과제 평가_재진행관련 Oxidatiion 2500A Target test 진행 (주)디엠에스 김성해 345,000원
52 2011-11-22 17시 17시 NIL_과제평가_재진행_Oxidation 2500A 진행 (주)디엠에스 김성해 345,000원
53 2011-12-02 19시 15시 Oxide 5nm 진행 전북대학교 전자공학부 김기현 175,000원
54 2011-12-05 12시 18시 3-5-1 Gate anneal Furnace (S28-1103) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 262,500원
55 2011-12-05 19시 12시 Wet Oxidation 진행 전북대학교 전자공학부 김기현 175,000원
56 2011-12-06 12시 09시 삼성전기 Resister 4차 Test 진행
- Buffere Oxidation 진행		 삼성전기 AMD랩 한승훈 350,000원
57 2011-12-07 19시 13시 Wet Oxidation 진행 전북대학교 전자공학부 김기현 175,000원
58 2011-12-14 11시 09시 Mini Furnace Wet Oxidation 진행 부산대학교 기계공학부 이재민 315,000원
59 2012-02-14 10시 18시 Oxide 증착_선입금 대구경북과학기술원 에너지연구부 백성호 0원
60 2012-02-17 11시 12시 Oxide 1500A 증착 전북대학교 전자공학부 김기현 175,000원
61 2012-03-02 09시 23시 wet Oxidation 1마이크로 포항공과대학교 신소재공학과 이준호 280,000원
62 2012-03-05 15시 23시 wet Oxidation 1500A 전북대학교 전자공학부 김기현 175,000원
63 2012-03-07 14시 23시 Oxide 증착 포항공과대학교 ITCE 정새벽 175,000원
64 2012-04-10 14시 22시 Oxide 1000A 증착 포항공과대학교 ITCE 정새벽 280,000원
65 2012-05-02 15시 22시 Oxidation 1500A 진행 전북대학교 전자공학부 김기현 280,000원
66 2012-05-04 10시 18시 Oxidation 5nm 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 280,000원
67 2012-05-08 17시 24시 Oxidation 50A 증착 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 280,000원
68 2012-05-14 12시 19시 Oxide 5nm 증착 전북대학교 전자공학부 김기현 280,000원
69 2012-05-21 10시 20시 Ox 증착 부산대학교 기계공학부 이재민 315,000원
70 2012-05-29 17시 23시 Ox 3000A 성장 포항공과대학교 정보전자융합공학부 최보식 280,000원
71 2012-06-05 10시 17시 LGIT GaN on Si 전력 소자 단위 공정 Test를 위한 Ox wafer 제작
(Wet OX 1000A)		 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 650,000원
72 2012-06-25 11시 18시 Oxide 3000A 성장 포항공과대학교 ITCE 정새벽 280,000원
73 2012-07-02 10시 02시 Oxide 1um 성장
(0.5um 기준 1회)		 포항공과대학교 기계공학과 박병규 560,000원
74 2012-07-03 14시 20시 Oxide 2000A 성장 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 280,000원
75 2012-07-17 09시 19시 Oxide 5000A 성장 포항공과대학교 기계공학부 권혁진 280,000원
76 2012-07-18 10시 20시 Wet Oxidation 3000A 진행 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 780,000원
77 2012-08-15 09시 10시 특성화고 교육 파워마스터반도체 주식회사 공정 기술팀 이원범 1,750,000원
78 2012-08-21 16시 24시 SiO2 300nm 형성 대구경북과학기술원 에너지연구부 백성호 315,000원
79 2012-08-23 16시 24시 Wet Oxidation 500A(900C, 30min) LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 350,000원
80 2012-09-10 09시 17시 Oxide 3000A 성장 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 2,280,000원
81 2012-09-19 12시 20시 Oxide 3000A 증착 포항공과대학교 기계공학부 권혁진 280,000원
82 2012-10-25 10시 17시 0-2-2. GOX Growth NCNT 팹운영부 변상섭 0원
83 2012-10-31 17시 12시 Thermal Ox 10000A 증착 포항공과대학교 기계공학과 김태영 560,000원
84 2012-11-01 12시 22시 Oxide 100,1000A 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 560,000원
85 2012-11-14 12시 17시 0-2-2 Gate Oxidation Thermal Oxidation 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 350,000원
86 2012-11-29 10시 15시 0-2-2 Gate Oxidation
Thermal Oxidation 800A		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 350,000원
87 2012-12-10 10시 20시 SiC 과제 관련
Gate Oxidation 800A 성장 (4인치 1장,3인치 1장)		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 350,000원
88 2012-12-13 09시 16시 SiC_Oxidation 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,050,000원
89 2013-01-15 09시 23시 SiC 과제 관련
Gate Oxide 800 & No anneal 진행		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 350,000원
90 2013-01-23 14시 21시 1000도 Anneal 진행 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 280,000원
91 2013-02-04 10시 18시 0-2-2 Thermal Oxidation 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 350,000원
92 2013-02-13 13시 19시 1000도 Anneal 60분 진행 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 280,000원
93 2013-02-14 09시 14시 1000도 Anneal 60분 진행 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 280,000원
94 2013-02-14 11시 18시 Dry Ox 5nm 증착 Test 진행 전북대학교 전자공학부 김기현 280,000원
95 2013-02-18 11시 18시 NO furnace Wet Ox 5nm 성장 Test 진행 전북대학교 전자공학부 김기현 280,000원
96 2013-02-19 14시 20시 Wet Ox 5nm Test 진행 전북대학교 전자공학부 김기현 280,000원
97 2013-02-19 20시 10시 SiC_Oxidation 평가 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,050,000원
98 2013-03-06 18시 7시 Si Wet Oxidation Test 전북대학교 전자공학부 김기현 280,000원
99 2013-03-07 9시 15시 Si Wet Oxidation Test 전북대학교 전자공학부 김기현 280,000원
100 2013-03-08 14시 19시 800도, wet oxidation, 5nm target 전북대학교 전자공학부 김기현 280,000원
101 2013-03-12 10시 18시 Oxidation 포항공과대학교 창의IT융합공학과 백창기 560,000원
102 2013-03-26 12시 23시 Oxidation 1000A 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 0원
103 2013-04-02 14시 24시 1000A Oxidaiton 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 0원
104 2013-04-18 14시 24시 Wet Oxidation 1000A 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 0원
105 2013-04-28 21시 10시 Thermal Oxide 증착(과제번호:4.0008635.02) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 280,000원
106 2013-05-02 16시 22시 1000C Anneal 1hr 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 280,000원
107 2013-05-08 9시 15시 Thermal Oxide 증착(과제번호:4.0008635.02) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 280,000원
108 2013-05-14 16시 24시 Dry Oxidation 500A 1000C 80min Test 포항공과대학교 Electrical Enginnering 고명동 280,000원
109 2013-05-15 13시 22시 wet oxidation (5000A) 포항공과대학교 IT융합공학과 김진영 280,000원
110 2013-05-20 13시 18시 Diffusion (NCNT 사용료) 포항공과대학교 IT융합공학과 김진영 1,000,000원
111 2013-05-21 13시 18시 Diffusion (NCNT 사용료) 포항공과대학교 기계공학과 서창호 1,000,000원
112 2013-05-23 16시 24시 Dry Oxidation 1000C 80M 500A 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 280,000원
113 2013-05-23 9시 16시 Oxidation 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 500,000원
114 2013-05-24 10시 20시 Dry Oxidation 500A 1000C 80M 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 280,000원
115 2013-06-03 9시 15시 Oxidation(NO Furnace) 포항공과대학교 전자과 백상원 2,800,000원
116 2013-06-04 13시 18시 Oxidation(NO Furnace) 포항공과대학교 전자과 백상원 700,000원
117 2013-06-11 18시 24시 Dry Oxidation 500A 1000C 80M 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 280,000원
118 2013-06-19 9시 24시 SiC NO Anneal Test 포항공과대학교 전자과 백상원 0원
119 2013-06-21 10시 17시 Oxidation 1000A 350,000원
120 2013-06-24 10시 18시 N2 Anneal 포항공과대학교 Electrical Enginnering 고명동 280,000원
121 2013-07-04 10시 20시 Wet Oxidation 3000A 900C 2hr30m 대구경북과학기술원 에너지연구부 백성호 350,000원
122 2013-07-05 14시 22시 Dry Oxidation 500A 1000C 80min 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 280,000원
123 2013-08-13 9시 18시 Pyro-Furnace Thermal Oxide 1회 (주)지오화인켐 기술연구소 권다정 350,000원
124 2013-08-19 15시 24시 Oxidation 300um 900C 2hr39m 4" 대구경북과학기술원 에너지연구부 백성호 287,100원
125 2013-08-26 8시 24시 6\" 1.5T 4000A
8\" 1.5T 4000A
900C 2hr40min Wet Oxidation		 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 700,000원
126 2013-09-02 13시 20시 Wet Oxidation 50A 전북대학교 전자공학부 김기현 245,000원
127 2013-09-11 11시 18시 Wet Oxidation 5000A 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 245,000원
128 2013-09-12 11시 17시 Wet oxidation 전북대학교 전자공학부 김기현 245,000원
129 2013-09-13 11시 18시 Wet oxidation 5nm target 전북대학교 전자공학부 김기현 245,000원
130 2013-09-16 16시 24시 Wet Oxidation 50A 전북대학교 전자공학부 김기현 245,000원
131 2013-09-23 10시 16시 SiO2 5nm 성장 전북대학교 전자공학부 김기현 245,000원
132 2013-09-23 16시 24시 Wet Oxidation 900C 48min (주)지오화인켐 기술연구소 권다정 350,000원
133 2013-10-09 10시 17시 1050C N2 Anneal 2hr 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 245,000원
134 2013-10-14 10시 18시 Oxidation_500A,1000A,2000A LG이노텍 선행개발팀 조희진 1,050,000원
135 2013-10-15 17시 24시 1050C 2hr Anneal 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 245,000원
136 2013-10-23 18시 24시 1050C 2hr Anneal 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 245,000원
137 2013-10-25 14시 15시 베어 웨이퍼 위에 300nm oxide 증착
웨이퍼는 공정의뢰함에 보관
6,7,8번 웨이퍼 3장 진행		 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 280,000원
138 2013-10-29 18시 24시 NO Furnace 를 이용한 wet oxidation (5nm) / JNT 이호준 010-2547-9641
직접사용입니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 0원
139 2013-11-04 13시 12시 Oxidation 2000A_40매 LG이노텍 선행개발팀 이계진 700,000원
140 2013-11-04 9시 13시 gate oxide 5nm 증착 (NO 퍼니스 / 직접사용)
이호준 / 010-2547-9641		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 0원
141 2013-11-05 12시 18시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
142 2013-11-06 16시 22시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
143 2013-11-06 9시 15시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
144 2013-11-07 10시 16시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
145 2013-11-11 10시 16시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
146 2013-11-12 9시 15시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
147 2013-11-13 17시 24시 Gate Ox 20번 Recipe 850C 2m30s 전북대학교 전자공학부 김기현 245,000원
148 2013-11-13 9시 15시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
149 2013-11-14 12시 18시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
150 2013-11-15 19시 24시 NO furnace 직접 사용 (백상원, 이호준 / 010-2547-9641)

wet oxide 5nm growth (850도 2분30초)		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 0원
151 2013-11-17 16시 24시 Oxidation 500nm 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 280,000원
152 2013-11-18 15시 21시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
153 2013-11-18 9시 15시 NO furnace 직접 사용 (백상원, 이호준 / 010-2547-9641)

wet oxide 5nm growth (850도 2분30초)		 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 0원
154 2013-11-19 12시 24시 Oxidation 300um 900C 2hr39m 4\" N-type 100 대구경북과학기술원 에너지연구부 백성호 315,000원
155 2013-11-20 17시 22시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
156 2013-11-20 9시 15시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
157 2013-11-21 15시 21시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
158 2013-11-25 16시 22시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
159 2013-11-25 9시 15시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
160 2013-11-26 12시 18시 Micro Pump 관련 Bonding용 Oxide 성장
1000도 2시간 30분 Wet Oxidation 진행
측정 결과 6123A 성장함		 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 310,000원
161 2013-11-27 10시 16시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
162 2013-11-28 9시 15시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
163 2013-12-02 10시 16시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
164 2013-12-03 10시 16시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
165 2013-12-04 10시 16시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
166 2013-12-05 10시 16시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
167 2013-12-09 13시 20시 Wet oxidation of Si samples with Si3N4, SiO2 deposited
900C, 1hr 20min, Taget 170nm		 전북대학교 전자공학부 김기현 245,000원
168 2013-12-10 10시 16시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
169 2013-12-10 17시 21시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
170 2013-12-11 10시 16시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
171 2013-12-11 19시 24시 wet oxidation 50A / NO Furnace 직접사용 (JNT / 이호준) 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 0원
172 2013-12-12 10시 16시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
173 2013-12-13 10시 18시 1-1-2 Gate Oxiedaiton 800A 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 280,000원
174 2013-12-16 10시 16시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
175 2013-12-17 10시 16시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
176 2013-12-18 13시 15시 확산 공정실습 (대구가톨릭대 나노인력양성)
인력양성 교육 건으로 할인율 20% 미적용		 포항공과대학교 나노융합기술원 사업지원팀 김병수 400,000원
177 2013-12-18 16시 20시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
178 2013-12-19 10시 16시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
179 2013-12-23 11시 17시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
180 2013-12-24 11시 17시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
181 2013-12-26 11시 17시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
182 2013-12-26 18시 24시 form 열처리 실험 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 280,000원
183 2013-12-30 16시 24시 850C, 110s 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
184 2014-01-02 15시 23시 850C, 100s, Wet Ox 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
185 2014-01-03 18시 24시 1-1-2 Gate Oxidation, 800A 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 280,000원
186 2014-01-06 16시 24시 1-6-1 Poly Anneal 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 280,000원
187 2014-01-07 11시 20시 1-6-1 Poly Anneal, 800C, 30min 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 280,000원
188 2014-01-14 16시 24시 Oxidation 300um, 900C, 2hr50m, 4\" P-type 100 대구경북과학기술원 에너지연구부 백성호 315,000원
189 2014-01-18 13시 20시 SC23 Gate Oxide 최적화 (0-1-1) Gate Thin Ox , 850C, O2, Thin-Ox Thickness Split : 50 / 100 / 150A , Recipe : Dry Ox 50/100/150A_NCNT 3매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 840,000원
190 2014-01-20 18시 9시 SC13 Gate Module Test Run (0-2-2) Sac. Oxidation-1 Thermal Oxidation 1150C, O2, 300A Recipe : 20번 Dry Ox_NCNT 1매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 280,000원
191 2014-01-21 18시 9시 SC13 Gate Module Test Run (0-2-2) Sac. Oxidation-2 Thermal Oxidation 1150C, O2, 300A Recipe : 20번 Dry Ox_NCNT 1매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 280,000원
192 2014-01-21 9시 17시 Hall effect Measure Sample Test (2-1-2) Sac Ox 1150도 Dry Ox 1회 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 280,000원
193 2014-01-22 18시 9시 SC13 Gate Module Test Run (0-2-2) Sac. Oxidation-2 Thermal Oxidation 1150C, O2, 300A Recipe : 20번 Dry Ox_NCNT 1매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 280,000원
194 2014-01-27 14시 21시 바이오센서 제작시 게이트 절연막으로 사용할 옥사이드를 850도씨 5nm 성장 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
195 2014-02-13 11시 14시 4-6-3 Activation 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 280,000원
196 2014-02-14 15시 18시 4-8-2 Sac Oxidation 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 280,000원
197 2014-02-17 11시 14시 4-10-2 Sac Oxidation 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 280,000원
198 2014-02-17 18시 20시 4-12-2 Gate Oxidation 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 280,000원
199 2014-02-24 14시 21시 1150C 2hr Anneal 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 245,000원
200 2014-03-03 11시 16시 Oxidation 1000A 진행
AAO_1,2		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 245,000원
201 2014-04-01 17시 24시 Activation Anneal 전북대학교 기계공학과 최재호 350,000원
202 2014-04-09 17시 24시 850C, 100s, Wet Oxidation 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 275,000원
203 2014-04-14 17시 24시 Wet Oxidation 3000A 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 280,000원
204 2014-04-15 12시 18시 thermal oxide 1um 형성
1100C, 2hr30m, wet 0.9um 산화됨		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 490,000원
205 2014-05-09 13시 18시 실리콘 웨이퍼 위에 200nm, 300nm, 400nm 두께의 산화막 성장 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 735,000원
206 2014-05-19 15시 15시 8인치 실리콘 기판에 300nm 두께의 산화막을 성장
900C, 1hr, 25m, wet		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
207 2014-05-21 16시 24시 50A wet oxidation 전북대학교 전자공학부 김기현 245,000원
208 2014-05-22 10시 18시 Wet, 850C, 2m, 조각 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
209 2014-05-22 18시 24시 3-5-1 SAC oxidation 50A, 850C, 1m50s 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
210 2014-05-23 12시 19시 3-7-1 Gate Oxide 850c 2m wet 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
211 2014-05-28 14시 20시 SiO2 300nm 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
212 2014-05-29 17시 24시 Wet, 850C, 2m 50A 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
213 2014-06-12 16시 23시 6-4-1 PSG reflow anneal 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 245,000원
214 2014-06-17 12시 5시 산화막 성장 공정 의뢰
습식열산화막 성장 두께 1.3 um target
wafer 두께 190 um 매우 얇은 wafer 공정으로 파손의 우려가 높습니다.
공정중 wafer 및 석영지그에 wafer를 장착하는 작업이 어려울 경우,
의뢰자가 직접 진행할 예정입니다.
동일한 공정을 이전에 몇번 진행한 적이 있습니다.
<110> wafer 입니다.		 부산대학교 기계공학부 이재민 630,000원
215 2014-06-19 10시 12시 BioFET Test 목적
Wet Oxide thickness : 3,000Å
Mini에서 Wet으로 진행 하여 주십시요. Wafer는 User 제공		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
216 2014-06-19 14시 15시 target: wet oxidation 200A
thick meas.: 270A		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
217 2014-06-19 15시 24시 1-1-4 gate oxide pyro furnace
1-1-5 gate oxide mini furnace
1-1-6 gate oxide no furnace		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 805,000원
218 2014-06-23 10시 17시 900C 1hr anneal 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 280,000원
219 2014-07-08 13시 18시 NK2014_Diffusion Process 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 700,000원
220 2014-07-10 14시 22시 1000A, 900C, 40min wet 포항공과대학교 화학공학과 박진주 280,000원
221 2014-07-14 13시 21시 1000C, 30min anneal 포항공과대학교 화학공학과 박진주 285,000원
222 2014-07-22 13시 20시 SC 32
4-8-2 Sac. Oxidation-1 Thermal Oxidation 1175도 200분 Dry Ox		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 245,000원
223 2014-07-23 17시 24시 wet 20nm, 900C, 7m 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
224 2014-07-24 10시 18시 wet 300nm 900C 2hr40m 포항공과대학교 ITCE 박현진 245,000원
225 2014-08-01 9시 18시 4-13-1 gate oxide No furnace 1175c, 2hr 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 845,000원
226 2014-08-05 10시 18시 850C 2min Wet Ox 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
227 2014-08-07 10시 17시 850C 2min 50A 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
228 2014-08-08 10시 17시 850C 2min 50A 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
229 2014-08-08 11시 17시 doping 6\" w/f (NO furnace) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
230 2014-08-11 17시 24시 doning wafer oxidation 50A (NO Furnace) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
231 2014-08-12 11시 18시 Gate Ox 50A (NO_F) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
232 2014-08-20 15시 16시 SiO2 15nm 증착
900C wet 4m		 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
233 2014-08-21 11시 11시 Wet Oxidation 250um, 900C, 2hr15m, 4\\\" P-type 100 대구경북과학기술원 에너지연구부 백성호 315,000원
234 2014-08-22 13시 18시 SC33_Sac oxidation 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 245,000원
235 2014-08-26 18시 20시 SC33_ Gate oxide NO anneal 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 845,000원
236 2014-08-28 18시 20시 SC33_PSG reflow 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 245,000원
237 2014-09-02 16시 16시 Si wafer 양면 1.3㎛ 산화막 증착 부산대학교 기계공학부 이재민 630,000원
238 2014-09-03 16시 24시 wet 850C 50A 2min 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
239 2014-09-11 16시 24시 300nm oxidation 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
240 2014-09-12 15시 22시 50A 850C 2min Wet Ox (조각) 전북대학교 전자공학부 김기현 245,000원
241 2014-09-15 15시 21시 미니퍼니스 gate oxide 50A growth (공정의뢰) 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 245,000원
242 2014-09-16 18시 18시 300nm oxidation 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
243 2014-09-18 10시 18시 0-0-0 oxidation 1000A 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 245,000원
244 2014-09-19 9시 16시 SiO2 10 nm 성장 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
245 2014-09-23 9시 19시 6인치 SOI wafer Thinning oxidation 선행 test 진행
1. Wet Oxidation 1300A target test
2. Dry Oxidation 1300A target test		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 670,000원
246 2014-09-25 12시 20시 4-8-2 sac. oxidaiton no furnace 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 245,000원
247 2014-09-25 15시 21시 4-12-2 gate oxide pyro furnace 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 245,000원
248 2014-09-25 18시 22시 4-13-1 gate oxide no furnace 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 245,000원
249 2014-09-25 9시 15시 SOI wafer thinning oxidation 진행
1300A dry Oxidation 		포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
250 2014-10-07 12시 20시 8"poly si wafer Oxide 100A 증착 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
251 2014-10-15 10시 9시 sio2 50A 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
252 2014-10-15 17시 18시 NO furnace wet SiO2 10nm 성장 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
253 2014-10-16 14시 20시 Mini Furnace 를 이용한 gate oxide 5nm 성장 공정 의뢰 (오후에 팹에서 샘플 전해드리겠습니다.) 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 245,000원
254 2014-10-21 17시 18시 SiO2 5nm 성장 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
255 2014-10-22 11시 15시 5-1-3 Gate Oxide
Thermal Oxide 50A		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
256 2014-10-22 16시 16시 산화막증착
산화막 두께는 1.3㎛를 타겟으로 합니다.
웨이퍼는 직접 퍼니스에 넣을 겁니다.		 부산대학교 기계공학부 장창욱 630,000원
257 2014-10-24 11시 18시 4-8-2 Sac. oxidation -1
Thermal Oxidation 1175 200분		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 245,000원
258 2014-10-27 19시 2시 4-13-1 Gate Oxide
Oxide Depo (NO Anneal)		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 845,000원
259 2014-10-30 10시 10시 Oxidation Thickness Split (과제번호 4.0011309.01) 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 735,000원
260 2014-11-05 16시 16시 산화막을 1.3㎛ 증착을 했으면 합니다. 부산대학교 기계공학부 장창욱 630,000원
261 2014-11-11 10시 18시 UE 공정수행 계약_Diffusion (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 700,000원
262 2014-11-21 10시 16시 Furnace oxide 3000A growth 의뢰 드립니다.샘플은 오전에 직접 전해드리겠습니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 245,000원
263 2014-11-25 10시 16시 4-8-2 Sac Oxidation
Thermal Oxidation		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 245,000원
264 2014-11-26 9시 14시 4-13-1 Gate Oxide
NO anneal 2Hr		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 845,000원
265 2014-12-01 16시 22시 4-12-2 GATE
No_furnace 1150 150A		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 245,000원
266 2014-12-04 18시 4시 Sac Ox LG전자 System IC연구소 김웅선 280,000원
267 2014-12-09 16시 23시 4-2-1 Wet oxide 50A 850C 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
268 2014-12-12 14시 21시 4-8-3 Sac Oxidation
Furnace_NO 1175C 200min		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 245,000원
269 2014-12-12 8시 13시 4-13-1 GATE
Furnace_NO 1175c 2hr		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 245,000원
270 2014-12-17 16시 22시 1-1-1 Gate Ox
Thermal Oxide 		포항공과대학교 기술지원팀 최경근 245,000원
271 2014-12-18 9시 14시 1-1-3 Gate Oxide
NO anneal 2hr 1175도		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 845,000원
272 2014-12-22 11시 16시 4-13-1 Gate oxide
Furnace_NO 1175c 2hr		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 245,000원
273 2014-12-26 10시 15시 4-8-2 Sac Oxidation
Thermal Oxidation		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 171,500원
274 2014-12-26 22시 6시 4-13-1 Gate Ox
NO anneal		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 845,000원
275 2014-12-30 14시 21시 4-2-1 Wet Oxide thickness 50A 850C 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
276 2014-12-31 9시 10시 SiO2 100nm 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
277 2015-01-20 14시 16시 전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육(확산) 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 350,000원
278 2015-01-26 11시 24시 1-1-1 gate oxide pyro + NO 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 490,000원
279 2015-01-27 10시 14시 SC35_NO Anneal Test_Anneal 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,280,000원
280 2015-01-30 10시 14시 SC35_NO Anneal Test_Anneal 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,280,000원
281 2015-02-03 10시 17시 SiO2 300nm 증착 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
282 2015-02-04 10시 15시 Splite Gated TR_1차
0-1-3 Wet 3000A 		포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 245,000원
283 2015-02-05 11시 11시 UE MEMS Sensor 3차 Run_Duffusion (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 2,100,000원
284 2015-02-09 10시 18시 BioFET_Anneal 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 980,000원
285 2015-02-11 9시 18시 1-1-1 Gate Ox
Thermal Oxide & No Anneal		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,090,000원
286 2015-02-25 14시 21시 Sacrificial Ox LG전자 SIC센터 ICS팀 최원석 280,000원
287 2015-03-02 14시 19시 SiO2 5nm 성장 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
288 2015-03-05 9시 15시 NO Anneal LG 전자 ICS 팀 황의진 880,000원
289 2015-03-06 11시 16시 sio2 75 nm 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
290 2015-03-06 17시 22시 SiO2 5nm growth 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
291 2015-03-09 15시 16시 SiO2 85 nm 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
292 2015-03-11 13시 1시 Wet Oxidation 285nm
총 2회 진행
900도 150분 + 900도 25분(추가 진행)
 포항공과대학교 전자공학과 김용조 610,000원
293 2015-03-24 10시 10시 BioFET05_Oxidation 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 1,240,000원
294 2015-03-30 9시 16시 SOI wafer Top Si thinning Oxidation
2회 진행 (900도 40분 & 4분)		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
295 2015-03-31 9시 13시 4-2-1 Gate Ox 850도 2분 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
296 2015-04-09 14시 19시 5-1-3 Wet oxidation 50A 850C(w41) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
297 2015-04-21 14시 21시 SOI 8\" Oxidation Test
2-1-3 Mini Furnace 850C WET 50s		 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
298 2015-04-21 21시 22시 SiO2 5nm 성장 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
299 2015-04-22 12시 13시 already done
10장 Oxidation 진행		 포항공과대학교 기계공학과 김애리 245,000원
300 2015-04-27 13시 20시 Oxide/Nitride Quality Test
1-1-4 Gate oxide 50A, 850c, wet 		포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
301 2015-05-06 9시 19시 N+ doing 된, N-type, P-type wafer 각 1장씩
1100℃ 에서 1㎛ wet oxidation 공정 의뢰		 (주)울텍 기술연구소 송문규 565,000원
302 2015-05-11 9시 13시 Wet oxidation

oxide 300 nm 증착.

(지난주 목요일 (5/7)에 진행하신 공정을 신청한것입니다)		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 245,000원
303 2015-05-20 13시 18시 gate oxidation 5nm target 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 315,000원
304 2015-05-20 18시 24시 1-2-1 Poly Wet Oxide 3000A 전북대학교 전자공학부 김기현 245,000원
305 2015-05-26 9시 14시 Annealing
1050도 2hr 진행
 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 245,000원
306 2015-05-29 14시 22시 2-1-3 Furnace 850C,wet 50sec 전북대학교 전자공학부 김기현 245,000원
307 2015-06-01 16시 22시 sacrificial oxidation (5nm target) 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
308 2015-06-02 11시 17시 SiO2 5nm target_ wet oxidation 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
309 2015-06-03 14시 20시 thermal oxidation (target thickness 110nm) 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
310 2015-06-05 10시 18시 5-1-3 Gate Oxide Wet Ox 50A ( 850C 1m 35s) + 선행 8\" ( 850C 1m30s) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 530,000원
311 2015-06-11 11시 12시 thermal oxidation 13 nm 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
312 2015-06-15 14시 20시 5-1-3 Gate dielectric Mini Furnace 850C 50s 전북대학교 전자공학부 김기현 245,000원
313 2015-06-17 17시 21시 1-2-1 Wet Oxide Thickness 3000A 전북대학교 전자공학부 김기현 245,000원
314 2015-06-23 17시 23시 gate oxide 5nm 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
315 2015-07-02 9시 15시 연구과제 포항공과대학교 기계공학과 홍성경 245,000원
316 2015-07-16 13시 19시 1-2-1 DIEL PAD oxide PAD oxide Mini Furnace Wet 1,000Å
포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
317 2015-07-20 16시 23시 5-1-3 Gate dielectric Thermer Ox 850C 50s 선행 Test (T1,T2) 전북대학교 전자공학부 김기현 245,000원
318 2015-07-20 9시 16시 5-1-3 Gate oxide Wet Ox 50A 850C 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 285,000원
319 2015-07-22 16시 22시 5-1-3 Gate dielectric Thermer Ox 850C 50s 본장진행 (P1,P3) 전북대학교 전자공학부 김기현 245,000원
320 2015-07-28 9시 14시 포항TP_나노융합 전문인력 양성과정_Diffusion 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 1,400,000원
321 2015-08-05 14시 19시 1100c N2 annealing 30min 위덕대학교 정보통신공학부 이재성 280,000원
322 2015-08-05 9시 14시 900C N2 Annealing 30min 위덕대학교 정보통신공학부 이재성 280,000원
323 2015-08-10 10시 15시 3.PAD oxide_Wet oxide 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 245,000원
324 2015-08-12 14시 15시 SiO2 10 nm target oxidation (wafer) 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
325 2015-08-18 9시 12시 1-2-1 Wafeer Thinning Thermal oxide Top 600A 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 735,000원
326 2015-08-19 12시 24시 라멜라 그레이팅 N2 Anneal split 및 wet Oxidation 진행
1. 300도 30분 N2 Anneal
2. 600도 30분 N2 anneal
3. 850도 30분 Wet Oxidation 		포항공과대학교 대외협력팀 김인철 735,000원
327 2015-08-20 9시 15시 SOI (Top Si 850A/Box 2000A)6매 thinning Ox 진행
900도 31분 진행		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
328 2015-08-26 9시 15시 라멜라 그레이팅
Oxidation 900도 1시간 		포항공과대학교 대외협력팀 김인철 245,000원
329 2015-08-27 9시 15시 Wet oxidation 5nm 진행 (조각 2개 샘플) 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 245,000원
330 2015-09-01 9시 15시 1-1-1 thermal Oxide
Oxidation 1000도 120분		 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 245,000원
331 2015-09-02 9시 16시 Wet Oxidation 3000A
900도 2시간 40분		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
332 2015-09-03 10시 14시 SOI wafer6장(BOx 2000A) thinning Oxidation 진행(9/3일 진행)
900도 31분
 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
333 2015-09-10 13시 18시 oxide 3000Å증착 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 350,000원
334 2015-09-15 17시 18시 Thermal oxidation(Wet)
SiO2 5nm, 850도 SOI 2매 Si 1매		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 245,000원
335 2015-09-17 10시 16시 1-2-1 Pad Oxide Wet 1000A 900c 42min 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
336 2015-09-24 10시 15시 5-1-3 Gate Ox
Thermal Ox 850도 90초		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
337 2015-09-25 10시 13시 전문인력양성사업 나노융합기술교육_확산 1조 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 1,200,000원
338 2015-09-25 13시 19시 oxide 3000Ådep
 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 350,000원
339 2015-10-05 15시 23시 0-1-3 PAD Oxide
Wet Oxidation 3000A (365,000원)
6인치 Si Wafer 3장 투입		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 0원
340 2015-10-07 17시 22시 SiO2 5nm 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
341 2015-10-08 9시 15시 sio2 5nm 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
342 2015-10-21 15시 21시 1-1-1 Oxidation 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 245,000원
343 2015-10-22 9시 24시 SOI Wafer Thinning Oxidation
1. 900도 50분 Wet Oxidation 2회(선행 포함)
2. 1150도 32분 Dry Oxidation 2회(선행 포함)

 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 1,055,000원
344 2015-10-26 17시 22시 850C 1m 30s Oxidation 5nm 8" wafer 3매 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 245,000원
345 2015-10-27 10시 14시 SOG curing 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 245,000원
346 2015-10-29 17시 21시 SiO2 5nm 성장 (850도 wet oxidation) 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
347 2015-10-30 10시 16시 sio2 5nm 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
348 2015-11-03 18시 17시 1-2-1 Mask Depo.
Wet Oxidation 50A 선행(8인치 Wafer),50A(조각),100A(조각),150A(조각)
 전북대학교 전자공학부 김기현 1,020,000원
349 2015-11-05 14시 19시 4" 6매 Ox 3000A Depo 포항공과대학교 기계공학과 김건휘 245,000원
350 2015-11-10 11시 18시 1-1-1 Oxidation_Thermal Oxide 5000A 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 295,000원
351 2015-11-11 11시 16시 Wet Oxide Thickness 50Å @ 850 ℃ 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 245,000원
352 2015-11-11 16시 22시 0-1-3 Thermal oxide Wet 5000A 20매
Furnace 공정 350,000
8" 20매 1,200,000 원		 (주) 이너센서 이너센서 강문식 0원
353 2015-11-17 9시 14시 SOI WF 2매 Oxidation 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 245,000원
354 2015-11-23 10시 13시 Lamella Grating Oxide Thickness Test 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 735,000원
355 2015-12-07 6시 12시 Wet Oxidation 5000A 8" 10매 (주) 이너센서 이너센서 강문식 0원
356 2015-12-08 10시 16시 1-1-3 Gate Oxide No Anneal 1175C 2hr , NO Anneal 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 845,000원
357 2015-12-08 17시 22시 6inch 1ea
Wet Oxide Thickness : 50Å @ 850 ℃		 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 245,000원
358 2015-12-16 1시 9시 SiO2 250 nm growth 포항공과대학교 전자과 백상원 245,000원
359 2015-12-17 12시 17시 Wet oxidation 50A @900C 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 245,000원
360 2015-12-22 13시 14시 thermal oxidation 5000A 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 245,000원
361 2015-12-23 13시 18시 미래부 전문인력양성_소자공정 실습 (Diffusion) 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 1,400,000원
362 2015-12-24 14시 15시 Wet Oxide Thickness 5 nm, 850도 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 245,000원
363 2015-12-29 10시 16시 2-6-1 2nd Mask Bottom Treatment Oxidation Mini Furnace Thermal Oxide 3,000 A
포항공과대학교 기계공학과 윤나리 245,000원
364 2016-01-13 10시 1시 SiC Oxidation
100,200,300A 조건 진행
( SiC Oxidation 100A 조건은 1회 청구, SiC Oxidation 200,300A 은 조건당 2회 청구 하며 30% 할인적용으로 협의)		 LG 전자 ICS 팀 황의진 1,225,000원
365 2016-01-14 12시 18시 NO Anneal 3Hr LG 전자 ICS 팀 황의진 880,000원
366 2016-01-19 22시 5시 Sac Oxidation (1175도) LG전자 SIC센터 ICS팀 김수진 480,000원
367 2016-01-29 15시 15시 oxide 3000Å 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 350,000원
368 2016-02-01 16시 22시 6인치 웨이퍼 Thermal Oxidation (300nm)
6인치 N-type Prime wafer 3장 + 6인치 P-type Test Wafer 3장		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김형준 565,000원
369 2016-02-15 12시 2시 SiC 고온 oxidation Time Split 및 NO anneal 진행 (10분/20분) LG 전자 ICS 팀 황의진 1,440,000원
370 2016-02-15 14시 19시 실리콘 산화막 형성
(산화막 형성 전 SPM + DHF Clean 포함)		 부산대학교 유기소재시스템공학과 조정형 540,000원
371 2016-02-16 18시 9시 2-6-1 thermal oxide 3000A 포항공과대학교 기계공학과 윤나리 245,000원
372 2016-02-22 11시 17시 0-1-3 PAD Oxide Wet 3000A 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 305,000원
373 2016-03-03 14시 18시 1175도 10분 Dry Oxidation LG 전자 ICS 팀 황의진 280,000원
374 2016-03-09 17시 23시 si 50 nm oxidation (sio2 90nm 성장) 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
375 2016-03-15 9시 13시 1175도 30분 진행 LG 전자 ICS 팀 황의진 280,000원
376 2016-03-21 16시 16시 실리콘 산화막 성장

(200nm - 20개)
(300nm - 20개)

wafer tray에 20개 씩 각각 붙여서 진행해주시면 될 것 같습니다.		 부산대학교 유기소재시스템공학과 조정형 630,000원
377 2016-03-23 9시 9시 나노실리콘 기반 센서제작(4.0012738.01)_Oxide 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 980,000원
378 2016-03-28 16시 18시 (100) N type 4inch Si wafer X 3
3000A oxidation 부탁드립니다		 포항공과대학교 ITCE 정새벽 245,000원
379 2016-03-29 16시 22시 oxide growth 5nm 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
380 2016-03-29 9시 14시 4inch 100nm Oxidation 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 245,000원
381 2016-03-30 9시 14시 Oxidatin 3000A 성장
6인치 15매 		포항공과대학교 창의IT융합공학과 김형준 770,000원
382 2016-04-06 11시 17시 oxide growth (si 80nm oxidation) 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
383 2016-04-06 17시 23시 Soi wafer thinning Dry oxidation 178nm

1150c 67min (No furnace) 		포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
384 2016-04-19 9시 13시 wet oxidation 8장
3000A 성장		 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 280,000원
385 2016-04-26 15시 21시 Thermal wet oxidation.
5000A.

클리닝 여부 결정 필요합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 윤나리 420,000원
386 2016-04-27 10시 15시 NO anneal 1시간 진행 LG 전자 ICS 팀 황의진 480,000원
387 2016-05-13 11시 12시 Thermal oxide 5000A growth 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 0원
388 2016-05-16 14시 19시 Thermal oxide 100A 포항공과대학교 ITCE 정새벽 245,000원
389 2016-05-26 9시 23시 Sac Oxidation 300A 및 NO anneal 3Hr LG 전자 ICS 팀 황의진 1,160,000원
390 2016-05-27 13시 18시 나노융합 전문인력양성 교육 프로그램_Diffusion 계명대학교 화학공학과 서숭혁 2,500,000원
391 2016-05-30 10시 16시 Thermal Dry oxidation 5nm 타겟입니다.

최대한 uniformity가 보장되는 조건으로 부탁드립니다.

진행 결과 150A 증착 확인됨		 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
392 2016-05-31 10시 16시 Thermal Dry oxidation 5nm 타겟입니다.

최대한 uniformity가 보장되는 조건으로 부탁드립니다. \

재진행 (900도 7분)		 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
393 2016-06-07 13시 18시 5nm thermal dry oxidation 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
394 2016-06-09 13시 18시 TSV 공정용Oxidation_과제번호:4.0012738.01 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 980,000원
395 2016-06-13 9시 18시 SiC Sac Oxidation 한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 450,000원
396 2016-06-14 10시 15시 ox 5 nm 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
397 2016-06-16 16시 17시 Thermal Dry oxidation 155nm 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
398 2016-06-21 16시 21시 Dry Oxidation 155 nm 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
399 2016-06-22 13시 17시 나노융합 전문인력양성 교육 프로그램_Diffusion 위덕대학교 정보통신공학부 이재성 2,100,000원
400 2016-06-23 16시 23시 SiC Sac Oxidation 한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 450,000원
401 2016-06-27 10시 12시 5nm Wet Oxidation 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
402 2016-06-29 17시 18시 wet oxidation 5 nm
800도 5분		 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
403 2016-06-30 1시 12시 300도 30분 N2 annealing (조각 4개) 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 245,000원
404 2016-07-01 17시 19시 wet oxide 5nm

 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
405 2016-07-04 17시 18시 ox 5nm 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
406 2016-07-05 18시 23시 oxide 3000Å dep 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 350,000원
407 2016-07-13 10시 14시 wet ox 5 nm 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
408 2016-07-13 16시 20시 SiO2 5nm 성장 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
409 2016-07-19 17시 18시 ox 5nm 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
410 2016-07-20 11시 12시 Dry ox 5nm 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
411 2016-07-27 14시 20시 Dry ox 300nm 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 245,000원
412 2016-08-02 9시 13시 - 4인치 Si 웨이퍼에 5000A 산화막 증착

- 4인치 Si 웨이퍼는 NINT에서 보유하고 계신 웨이퍼를 사용해 주십시오.

- 공정이 끝난 웨이퍼는 아래의 주소로 발송 부탁드립니다.

경북 상주시 가장동 경북대학교상주캠퍼스 7호관 316호 김동억
 경북대학교 정밀기계공학과 김동억 1,100,000원
413 2016-08-04 13시 18시 oxide 3000Å 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 350,000원
414 2016-08-22 18시 24시 Sac Oxidation 한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 450,000원
415 2016-08-24 9시 16시 NO anneal 3Hr 진행 LG 전자 ICS 팀 황의진 880,000원
416 2016-08-30 9시 16시 Al N2 Anneal Temperature Split Test 진행
300℃/400℃/500℃ 30분간 N2 anneal 진행		 포항공과대학교 물리분석팀 김성규 735,000원
417 2016-09-23 9시 20시 Cr/Ge anneal split
300,400,500,600℃ 60분		 포항공과대학교 물리분석팀 김성규 980,000원
418 2016-09-27 11시 12시 Low temperature annealing (400도, 30분) 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 245,000원
419 2016-10-14 17시 18시 wet ox 5nm 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 245,000원
420 2016-10-18 10시 11시 450도 30분 N2 oxide annealing 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 245,000원
421 2016-10-27 13시 15시 450도 30분 저온 어닐링 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 245,000원
422 2016-11-03 13시 19시 NO Anneal LG전자 ICS팀 김기민 880,000원
423 2016-11-08 11시 12시 Low temperature annealing (450도, 30분) 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 245,000원
424 2016-12-01 18시 24시 800C 40min Wet Ox 2회 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 490,000원
425 2016-12-01 9시 18시 850C 3min Wet Oxidation
850C 2min Wet Oxidation		 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 490,000원
426 2016-12-09 17시 22시 Sac Oxidation 한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 450,000원
427 2017-01-06 14시 18시 450도 30분 어닐링 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 245,000원
428 2017-02-09 9시 13시 N2 anneal 30분 포항공과대학교 물리분석팀 김성규 245,000원
429 2017-02-10 10시 16시 NO anneal 2Hr LG전자 SIC센터 ICS팀 김수진 680,000원
430 2017-03-03 13시 18시 SiC APCVD reflow anneal 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 350,000원
431 2017-03-09 14시 16시 SiC 과제 관련 metal Alloy 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 350,000원
432 2017-04-04 13시 15시 Low temperature annealing (4 5 0 도, 3 0 분) 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 262,500원
433 2017-04-17 10시 20시 Oxidation 3000A (주)네오나노텍 연구개발 김성훈 1,050,000원
434 2017-04-18 11시 18시 Oxidation 30nm, 100nm 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 525,000원
435 2017-04-25 11시 14시 N2 Anneal (450도 30분) 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 262,500원
436 2017-05-31 10시 14시 450도 30분 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 262,500원
437 2017-06-15 11시 14시 450도 30분 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 262,500원
438 2017-08-17 10시 14시 350도 curing 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 262,500원
439 2017-08-23 10시 13시 450도 30분 진행 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 262,500원
440 2017-09-18 10시 18시 400도 30분 anneal 진행 (주) 이너센서 이너센서 강문식 350,000원
441 2017-10-17 15시 18시 2-4-3 Curing (주) 이너센서 이너센서 강문식 350,000원
442 2017-10-24 13시 17시 Polyimide curing
① 25℃ -> 200℃, ramp 4℃/min in N2
② 200℃ 30min in air
③ 200℃ -> 320℃, ramp 2.5℃/min in N2
④ 320℃, 60min in N2
⑤ Cooling
 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 262,500원
443 2017-10-31 10시 13시 450도 30분 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 262,500원
444 2017-11-02 13시 19시 Back Metal
장비사용 2시간 전, 1000도 씨, 에서 약 2시간정도 가동 부탁드립니다.(오염 방지)
 현대오트론 반도체설계팀 윤성환 350,000원
445 2017-11-07 13시 18시 250c Annealing 영남대학교 물리학과 황지영 350,000원
446 2017-11-14 14시 18시 250c 2hour annealing 영남대학교 물리학과 황지영 350,000원
447 2017-11-23 1시 19시 600c 30m
900c 30m

n2 annealing 		포항공과대학교 기술지원팀 최경근 525,000원
448 2017-11-28 16시 16시 annealing 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 262,500원
449 2017-12-01 9시 13시 250도 3시간 영남대학교 물리학과 황지영 350,000원
450 2017-12-19 10시 14시 450도 anneal 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 262,500원
451 2018-01-03 15시 19시 Polyimide curing
① 25℃ -> 200℃, ramp 4℃/min in N2
② 200℃ 30min in air
③ 200℃ -> 320℃, ramp 2.5℃/min in N2
④ 320℃, 60min in N2
⑤ Cooling
(*샘플은 퍼니스 앞 테이블에 두었습니다)		 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 262,500원
452 2018-01-10 9시 13시 450도 30분 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 262,500원
453 2018-01-17 9시 10시 450도, 30분 공정의뢰 부탁드립니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 262,500원
454 2018-03-06 9시 13시 900도 2시간 40분 진행 (주)네오나노텍 연구개발 김성훈 350,000원
455 2018-03-22 9시 12시 Polyimide curing
① 25℃ -> 200℃, ramp 4℃/min in N2
② 200℃ 30min in air
③ 200℃ -> 320℃, ramp 2.5℃/min in N2
④ 320℃, 60min in N2
⑤ Cooling
(*샘플은 퍼니스 앞 테이블에 두었습니다) 		포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 262,500원
456 2018-04-10 9시 17시 450℃ 3회 15~25분 진행 주식회사 아르케 연구개발 사공성환 1,050,000원
457 2018-04-17 15시 21시 2.5x2.5 SiO2/Si sample 9개를 annealing하려 합니다.


조건은 800C, N2, 1hr입니다.

annealing이 완료되면 택배로 수령할 예정이로니 제 전화번호(조성일, 010-5797-3642)으로 연락주시면 감사하겠습니다
 ASM korea APD(advanced product development) 조성일 350,000원
458 2018-05-04 10시 14시 950도 30분 진행 LG전자 ICS팀 김기민 297,500원
459 2018-05-08 10시 14시 450 c 30m Annealing 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 262,500원
460 2018-05-17 16시 18시 Polyimide curing
① 25℃ -> 200℃, ramp 4℃/min in N2
② 200℃ 30min in air
③ 200℃ -> 320℃, ramp 2.5℃/min in N2
④ 320℃, 60min in N2
⑤ Cooling
(*샘플은 퍼니스 앞 테이블에 두었습니다)		 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 262,500원
461 2018-05-24 10시 11시 2cm x 2cm 실리콘 조각 샘플 어닐링 진행하고자 합니다.
800도씨에서 6시간 어닐링 부탁드리겠습니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 262,500원
462 2018-06-04 11시 14시 400도 anneal 주식회사 아르케 연구개발 사공성환 350,000원
463 2018-06-12 15시 24시 1000C N2 6hour Annealing 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 262,500원
464 2018-06-19 13시 18시 1m 길이 SUS, Cu 재질 단일관 2개 표면에 Alumina+glass frit 용액을 코팅 한 후 600도에서 2시간동안 가열경화를 진행하려 합니다. 경희대학교 원자력공학과 홍준호 350,000원
465 2018-07-10 9시 12시 500도 30분 주식회사 아르케 연구개발 사공성환 350,000원
466 2018-07-17 12시 15시 Polyimide curing
① 25℃ -> 200℃, ramp 4℃/min in N2
② 200℃ 30min in air
③ 200℃ -> 320℃, ramp 2.5℃/min in N2
④ 320℃, 60min in N2
⑤ Cooling
(*샘플은 퍼니스 앞 테이블에 두었습니다) 		포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 262,500원
467 2018-07-26 9시 12시 Polyimide curing
① 25℃ -> 200℃, ramp 4℃/min in N2
② 200℃ 30min in air
③ 200℃ -> 320℃, ramp 2.5℃/min in N2
④ 320℃, 60min in N2
⑤ Cooling
(*샘플은 퍼니스 앞 테이블에 두었습니다
* 조각 7개)
※ 빠른 진행 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 262,500원
468 2018-07-27 14시 18시 glass 위 100 nm의 ITO가 증착되어 있음. 포항공과대학교 전자전기공학과 박성민 262,500원
469 2018-08-13 10시 14시
Polyimide curing 의뢰

① 25 ℃ --> 200℃, ramp 4 ℃/min in air
② 200℃ 30min in air
③ 200℃ --> 320℃, ramp 25 ℃/min in N2
④ 320℃, 60min in N2
⑤ Cooling		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 박태훈 262,500원
470 2018-08-15 9시 10시 Polyimide curing 의뢰

① 25 ℃ --> 200℃, ramp 4 ℃/min in air
② 200℃ 30min in air
③ 200℃ --> 320℃, ramp 25 ℃/min in N2
④ 320℃, 60min in N2
⑤ Cooling		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 박태훈 262,500원
471 2018-08-23 13시 16시 Sintering 450 도 30분 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 262,500원
472 2018-08-24 11시 17시 Si 조각 소자 4개 oxidation 50 nm 공정 의뢰드립니다.
조각 3개는 2cm x 2cm 정도 되는 것 같으며, 하나는 3cm x 2cm 정도 되는 것 같습니다.
DRIE 진행된 샘플이라 mini furnace 에서 진행의뢰드립니다.
mask용 oxide 성장입니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 262,500원
473 2018-09-21 9시 11시 Polyimide curing
① 25℃ -> 200℃, ramp 4℃/min in N2
② 200℃ 30min in air
③ 200℃ -> 320℃, ramp 2.5℃/min in N2
④ 320℃, 60min in N2
⑤ Cooling
(*8인치 웨이퍼 2장, 공정 완료 후 테이블 앞에 놓아주시면 감사드리겠습니다)
※ 빠른 진행 부탁드립니다. 		포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 262,500원
474 2018-10-08 10시 14시 Polymer film 위 ITO 100 nm 쌓여있는 샘플 3개를 섭씨 200도, 질소 조건에서 4시간 어닐링 요청합니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 박성민 262,500원
475 2018-10-18 10시 12시 450도 30분 annealing 포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 262,500원
476 2018-11-01 9시 12시 Polyimide curing
① 25℃ -> 200℃, ramp 4℃/min in N2
② 200℃ 30min in air
③ 200℃ -> 320℃, ramp 2.5℃/min in N2
④ 320℃, 60min in N2
⑤ Cooling
(*5cm x 5cm 조각 2장, 공정 완료 후 테이블 앞에 놓아주시면 감사드리겠습니다)
※ 공정 완료 후 최대한 빠르게 샘플 빼주시면 감사드리겠습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 262,500원
477 2019-01-03 9시 12시 Al Anneal 진행 LG전자 ICS팀 김기민 297,500원
478 2019-01-08 16시 18시 ① 25℃ -> 200℃, ramp 4℃/min in N2
② 200℃ 30min in air
③ 200℃ -> 320℃, ramp 2.5℃/min in N2
④ 320℃, 60min in N2
⑤ Cooling		 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 262,500원
479 2019-01-22 17시 18시 ① 25℃ -> 200℃, ramp 4℃/min in N2
② 200℃ 30min in air
③ 200℃ -> 320℃, ramp 2.5℃/min in N2
④ 320℃, 60min in N2
⑤ Cooling		 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 262,500원
480 2019-02-11 11시 13시
① 25℃ -> 200℃, ramp 4℃/min in N2
② 200℃ 30min in air
③ 200℃ -> 320℃, ramp 2.5℃/min in N2
④ 320℃, 60min in N2
⑤ Cooling

(8인치 웨이퍼 4장, Lot #21~25)		 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 262,500원
481 2019-04-02 15시 16시 900도씨 1시간 진행 부탁드립니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 280,000원
482 2019-04-05 10시 18시 1000도 100분 N2 anneal 진행 세미테크 반도체사업부 김남수 350,000원
483 2019-04-17 14시 18시 Polyimide curing
① 25℃ -> 200℃, ramp 4℃/min in N2
② 200℃ 30min in air
③ 200℃ -> 320℃, ramp 2.5℃/min in N2
④ 320℃, 60min in N2
⑤ Cooling
(*8cmx10cm 크기 조각 4개, 공정 완료 후 테이블 앞에 놓아주시면 감사드리겠습니다)		 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 297,500원
484 2019-06-14 9시 12시 Polyimide curing
① 25℃ -> 200℃, ramp 4℃/min in N2
② 200℃ 30min in air
③ 200℃ -> 320℃, ramp 2.5℃/min in N2
④ 320℃, 60min in N2
⑤ Cooling
(퍼니스 테이블 앞에 두겠습니다. 공정 완료 후, 신속한 후속공정 진행을 위해 시편은 최대한 빨리 빼주시면 감사드리겠습니다.)		 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 297,500원
485 2019-07-05 9시 10시 Polyimide curing
① 25℃ -> 200℃, ramp 4℃/min in N2
② 200℃ 30min in air
③ 200℃ -> 320℃, ramp 2.5℃/min in N2
④ 320℃, 60min in N2
⑤ Cooling
(퍼니스 테이블 앞에 두겠습니다. 공정 완료 후, 신속한 후속공정 진행을 위해 시편은 최대한 빨리 빼주시면 감사드리겠습니다.)		 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 297,500원
486 2019-07-18 9시 17시 . 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 315,000원
487 2019-08-12 9시 10시 산화가 잘되는 샘플입니다. 질소환경에서 700도로 1시간 진행 부탁드립니다.
샘플은 시편보관함에 두었습니다.
공정이 끝난 후 010-2768-0418로 연락주시면 감사하겠습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 280,000원
488 2019-08-20 7시 17시 . 주식회사 아르케 SIC 생산본부 노병훈 350,000원
489 2019-08-28 10시 17시 . 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 297,500원
490 2019-09-25 9시 12시 450도 30분 주식회사 아르케 SIC 생산본부 노병훈 350,000원
491 2019-10-11 9시 24시 450 C 30 min 주식회사 아르케 SIC 생산본부 노병훈 350,000원
492 2019-11-19 10시 12시 925도/30min@N2 ambient ETRI RF융합부품실 정현욱 350,000원
493 2020-01-22 13시 14시 나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
494 2020-02-03 10시 18시 450 C, 30 min 주식회사 아르케 연구개발 사공성환 350,000원
495 2020-02-10 9시 16시 1-3-1 anneal N2 (주) 센텍코리아 생산기술연구팀 임채현 297,500원
496 2020-06-02 10시 16시 400℃ 1시간 N2 annealing 포항공과대학교 IBB 정민규 315,000원
497 2020-06-08 11시 17시 400℃ 1시간 N2 annealing 포항공과대학교 IBB 정민규 315,000원
498 2020-06-11 9시 15시 400℃ 1시간 N2 annealing 포항공과대학교 IBB 정민규 315,000원
499 2020-06-30 9시 18시 furnace temp slpit 6회 진행 (주)이너센서 R&D 전찬종 1,890,000원
500 2020-07-10 15시 16시 Boron / Phosphorous solute polymer film
N2 80sccm / 950도 100분 입니다.		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 315,000원
501 2020-07-20 11시 18시 400℃ 1시간 N2 annealing 포항공과대학교 IBB 정민규 315,000원
502 2020-08-24 10시 16시 600℃ 1hr O2 anneal 에스앤에스텍 신기술팀 박철균 175,000원
503 2020-08-25 11시 16시 1-3-2 600℃ 1hr O2 에스앤에스텍 신기술팀 박철균 175,000원
504 2020-08-26 14시 18시 메일로 요청사항 전달하였습니다:) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 315,000원
505 2020-09-09 10시 16시 메일로 보내드린 조건으로 부탁드리겠습니다. :)
2건으로 진행		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 630,000원
506 2020-09-11 16시 21시 600C 1hr 에스앤에스텍 신기술팀 박철균 175,000원
507 2020-09-21 12시 18시 600℃ 1hr #2,3 에스앤에스텍 신기술팀 박철균 175,000원
508 2020-09-22 10시 16시 annealing _#1 에스앤에스텍 신기술팀 박철균 175,000원
509 2020-09-23 13시 17시 금일 (9/18) Mo foil 기판 발송해드립니다.

수량은 Mo foil 5ea, Mo/Mo foil 5ea 이며, Mo/Mo foil은 Mo foil 위에 Mo를 500nm 정도 증착한 기판입니다.

Mo/Mo foil은 구분을 위해 모서리 부분을 잘라놨습니다.

1000도 이상에서 30분 정도 열처리해주셨으면 합니다.

장비 로딩 가능 수량만큼 반반 비율로 해주셨으면 합니다.

감사합니다.		 대구경북과학기술원 박막태양전지연구센터 김승현 350,000원
510 2020-09-24 16시 22시 600C 1hr 에스앤에스텍 신기술팀 박철균 175,000원
511 2020-10-07 10시 16시 metal anneal 에스앤에스텍 신기술팀 박철균 175,000원
512 2020-10-16 9시 17시 메일을 통해 조건 전달드리도록 하겠습니다 :) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 315,000원
513 2020-10-23 14시 16시 메일로 조건과 시편 전달해놓았습니다 :) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 315,000원
514 2020-10-27 15시 23시 400℃ 1hr N2 annealing 포항공과대학교 IBB 정민규 315,000원
515 2020-11-02 9시 12시 메일로 요청사항 첨부드렸습니다. :) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 315,000원
516 2020-12-02 9시 17시 annealing 600C 1hr (주) 이너센서 이너센서 강문식 315,000원
517 2020-12-04 9시 18시 자세한 조건 및 사항에 관하여 메일로 전달드렸습니다 :) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 315,000원
518 2020-12-08 9시 13시 400℃ 1시간 N2 annealing 포항공과대학교 IBB 정민규 315,000원
519 2020-12-17 14시 18시 VWO박막 Test관련 VW dep후 oxidation test 삼성종합기술원 Imaging Device Lab 김동균 280,000원
520 2020-12-22 9시 18시 VW_01 VWO박막 Test 3-1-1 oxidation 삼성종합기술원 Imaging Device Lab 김동균 840,000원
521 2021-01-04 13시 18시 Graphene Oxide 가 골드 위에 올려져 있습니다.

5℃/min
400℃ 1h stable
N2 30sccm		 포항공과대학교 IBB 정민규 315,000원
522 2021-01-25 17시 13시 전문인력양성사업 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 2,450,000원
523 2021-01-26 13시 11시 전문인력양성사업 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,050,000원
524 2021-01-28 10시 17시 전문인력양성사업 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,500,000원
525 2021-01-29 10시 16시 400℃ 1시간 N2 annealing 포항공과대학교 IBB 정민규 315,000원
526 2021-03-25 17시 17시 400℃ 1시간 N2 annealing 포항공과대학교 IBB 정민규 315,000원
527 2021-04-07 15시 18시 N2 anneal 800C, 1h (주) 이너센서 이너센서 강문식 350,000원
528 2021-04-26 9시 18시 U.E 공정계약 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 1,400,000원
529 2021-05-17 10시 18시 500\\\'C/ 600\\\'C N2 분위기 30min 2조건 2매씩 진행 템퍼스 생산기술팀 서영민 665,000원
530 2021-05-27 9시 15시 8-3-5 400C N2 anneal 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 245,000원
531 2021-06-01 9시 16시 0-1-3 WF Temp split, time 30min N2 anneal 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 735,000원
532 2021-07-01 9시 15시 400℃ 1시간 N2 annealing 포항공과대학교 IBB 정민규 315,000원
533 2021-07-26 17시 21시 BPSG anneal 950C, 30min 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 245,000원
534 2021-07-27 8시 20시 전북대학교 나노소자공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,000,000원
535 2021-08-25 9시 16시 대구카톨릭대학교 반도체 공정실습 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,450,000원
536 2021-09-06 14시 18시 1-3-1 N2 Anneal 600C, 10min (주)센텍코리아 기술연구소 강진현 350,000원
537 2021-09-23 9시 9시 나노융합고도화사업 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 3,300,000원
538 2021-09-27 9시 13시 400℃ 1hr N2 anneal 포항공과대학교 IBB 정민규 315,000원
539 2021-10-04 9시 18시 선도연구시설 고도화 지원사업_Diffusion [4.0021961.01] 나노융합기술원 대외협력팀 한동희 1,000,000원
540 2021-10-25 9시 18시 EYEQ_02 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 3,300,000원
541 2021-11-08 10시 18시 VWOx 350C 10분 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 315,000원
542 2021-11-16 15시 19시 VWOx 330C 1분 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 315,000원
543 2021-11-18 9시 18시 PI curing 주식회사 에이프로세미콘 소자개발팀 배석태 700,000원
544 2021-11-22 9시 13시 EYEQ_03 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 3,500,000원
545 2021-12-06 14시 18시 N2 Anneal (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 315,000원
546 2021-12-15 9시 12시 VWOx gas 비율 9:1 진행 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 315,000원
547 2021-12-16 9시 18시 나노융합 소자공정 및 측정분석 실습교육과정(4.0021910.01)_나노 소자 공정 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,450,000원
548 2021-12-23 16시 19시 VWOx 10min 1ea (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 315,000원
549 2021-12-27 13시 18시 VWOx anneal 10min (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 315,000원
550 2022-01-03 1시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

저번에 말씀드린대로 500, 700, 900, 1000도에서 N2 환경으로 3hr annealing 부탁드립니다.
물질에 무리가 가지 않도록 온도를 올릴때나 내릴때는 천천히 온도가 바뀌도록 진행해주시면 감사드리겠습니다.

glass와 si 위에 있는 tio2와 si을 sintering 시키기 위함이고, 물질은 sio2 안에 갇혀서 있어 주변으로 날리거나 쳄버에 컨템을 일으키지는 않습니다.

SiO2 두께는 0.5mm이고, film 두께는 nm 단위입니다.

각각 온도당 샘플 4개 (Si 2개 TiO2 2개) 진행해주시면 됩니다.
2개의 팔레트에 나눠 담아 맡겨드립니다.

이외에 문의 사항과 예상 이용료는 제 번호나 이메일로 직접 연락주시면 감사드리겠습니다.

010-3479-2306 (kimjuhoon@postech.ac.kr)

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 1,190,000원
551 2022-02-16 10시 18시 전문인력양성사업 나노 소자공정 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,100,000원
552 2022-02-23 11시 17시 VOx 8 inch 반반 조각 2EA 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 350,000원
553 2022-03-09 10시 15시 아이큐랩 \"Si 650V 파워반도체 제작 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 2,200,000원
554 2022-03-16 10시 13시 BPSG Reflow (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
555 2022-03-16 13시 18시 Alloy 450C, 30min (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
556 2022-03-24 16시 21시 BPSG Reflow (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
557 2022-03-25 15시 18시 Alloy (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
558 2022-04-21 13시 18시 4-6-3 Anneal furnace split (WF01 800C WF02 600C WF03 700C) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 735,000원
559 2022-05-03 14시 18시 아이큐랩 \\\"Si 650V 파워반도체 제작 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 2,500,000원
560 2022-05-03 9시 14시 4-6-3 Anneal furnace split WF05 700C 2hr 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 245,000원
561 2022-05-16 10시 16시 M321(NO0L001: 2매): Furnace anneal 700C 2hr 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 245,000원
562 2022-06-13 17시 18시 LOT ID: UE3700
목적: Hard Mask oxidation
 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 350,000원
563 2022-06-14 15시 16시 LOT ID: UE3700
목적: Hard Mask oxidation
 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 350,000원
564 2022-06-14 9시 10시 LOT ID: UE3700
목적: Hard Mask oxidation
 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 350,000원
565 2022-06-15 15시 16시 LOT ID: UE3700
목적: Hard Mask oxidation		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 350,000원
566 2022-06-15 9시 10시 LOT ID: UE3700
목적: Hard Mask oxidation		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 350,000원
567 2022-06-16 15시 16시 LOT ID: UE3700
목적: Hard Mask oxidation
 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 350,000원
568 2022-06-16 9시 10시 LOT ID: UE3700
목적: Hard Mask oxidation
 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 350,000원
569 2022-06-17 14시 15시 LOT ID: UE3700
목적: Hard Mask oxidation
 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 350,000원
570 2022-06-17 9시 10시 LOT ID: UE3700
목적: Hard Mask oxidation
 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 350,000원
571 2022-06-21 10시 17시 N2 Anneal (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 1,400,000원
572 2022-06-24 9시 15시 4-6-3 #1 600℃ 3hr BPSG Anneal 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 245,000원
573 2022-06-27 9시 17시 국가나노인프라를 활용한 나노소자공정실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,100,000원
574 2022-07-10 10시 12시 4-6-3 BPSG Anneal Temp 4 split (500℃ 3hr 1매 / 550℃ 3hr 2매 / 600℃ 2hr 1매 / 600℃ 3hr 1매) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 980,000원
575 2022-07-13 15시 19시 1-4-1 600℃ 1hr 2매 (주)이너센서 경영, 연구소 강문식 280,000원
576 2022-07-14 10시 16시 2-2-1 500C 1hr anneal (주)이너센서 경영, 연구소 강문식 280,000원
577 2022-07-18 10시 16시 alloy anneal (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 3,150,000원
578 2022-07-20 9시 24시 4-6-3 Anneal furnace (wf02 600,1hr wf03 600,2hr) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 490,000원
579 2022-08-16 9시 21시 anneal (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 2,100,000원
580 2022-09-05 1시 12시 N2 Anneal (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 4,200,000원
581 2022-09-06 11시 17시 Curing (3ea 진행) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 245,000원
582 2022-09-16 9시 15시 10-1-1 Anneal Furnace Curing 350C/60min 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 245,000원
583 2022-09-26 9시 3시 0-1-2 BPSG Anneal (W1:600C/3hr, W2:600C/2hr, W3:600C/1hr) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 735,000원
584 2022-09-29 7시 11시 10-1-1 Curing 350C/60min 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
585 2022-10-03 1시 11시 황현주 연구원님께 구두로 공정 내용 세부 설명 드렸습니다. 에스앤에스텍 신기술팀 박철균 700,000원
586 2022-10-03 9시 18시 -. stack status : Si/SiO2/AlN/Mo/AlN (12ea)
-. stack status : Si/SiO2/AlN/Ru/AlN (12ea)
-. 1000\'C N2 furnace anneal
-. anneal time : 5\' (8ea), 15\' (8ea), 60\' (8ea)
-. N2 분위기
-. 상온 loading, 400’C unloading
-. ramp up 7’C/min, Ramp down은 따로 컨트롤하지 않고, 노냉..
-. 공정 후, 제자리에 웨이퍼를 담아주세요..		 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 1,050,000원
587 2022-10-18 9시 12시 Anneal (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 2,800,000원
588 2022-10-24 9시 15시 10-1-1 Anneal Furnace 350C/60min 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
589 2022-11-01 9시 18시 전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 4,200,000원
590 2022-11-04 11시 17시 N2 Anneal 800C/10min 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 245,000원
591 2022-11-08 10시 16시 1-2-1 Anneal 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 297,500원
592 2022-11-10 10시 18시 [나노융합기반 고도화사업], 전자과 윤주영 (010.2768.0418) 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 297,500원
593 2022-11-11 10시 16시 N2 Anneal 800C/10min 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 245,000원
594 2022-12-05 9시 15시 350C, 60min curing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 245,000원
595 2022-12-20 9시 16시 2022년 나노융합기반 고도화 사업 (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 4,200,000원
596 2023-01-02 9시 17시 전문인력양성사업 나노소자공정 & 측정 일자리연계 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,800,000원
597 2023-01-26 10시 16시 10-1-1 Curing 350ºC/60min 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 245,000원
598 2023-02-01 09시 16시 전문인력양성사업 나노소자공정 & 측정일자리연계 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 3,500,000원
599 2023-02-13 9시 14시 Anneal (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 2,800,000원
600 2023-03-10 13시 14시 Ag가 올라간 1cm*1cm si wafer 조각
500도 1시간 가열		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 도정현 360,000원
601 2023-03-10 13시 17시 12-4-2 (WF03,04) 400ºC/30min 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 360,000원
602 2023-03-23 14시 20시 3-4-1 350ºC/2hr (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 0원
603 2023-03-24 9시 16시 차세대 압전기반 모션센서 공정플랫폼
4.0026049.01

650℃,30min		 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 360,000원
604 2023-03-29 14시 20시 10-1-1 WF02 Curing 250ºC/90min 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 320,000원
605 2023-03-30 10시 16시 10-1-3 WF05 Curing 250ºC/120min 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 320,000원
606 2023-04-10 1시 18시 차세대 압전기반 모션센서 공정플랫폼
4.0026049.01

anneal 1조건		 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 360,000원
607 2023-04-11 17시 23시 10-1-2 Curing WF04 250ºC/120min 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 320,000원
608 2023-04-11 9시 15시 10-1-1 Curing WF01 350ºC/60min 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 320,000원
609 2023-04-12 17시 23시 10-1-3 Curing WF02 300ºC/90min 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 320,000원
610 2023-04-12 9시 16시 10-1-4 Curing WF03 250ºC/90min 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 320,000원
611 2023-04-13 14시 20시 7-1-6 Curing 선행 WF10 350ºC/60min [23년 나노융합기반 고도화사업] (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 400,000원
612 2023-04-14 16시 22시 7-1-6 Curing WF09 350ºC/60min [23년 나노융합기반 고도화사업] (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 400,000원
613 2023-04-19 10시 16시 7-1-6 Curing WF05 350ºC/60min [23년 나노융합기반 고도화사업] (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 400,000원
614 2023-04-19 17시 23시 7-1-6 Curing WF06 350ºC/60min [23년 나노융합기반 고도화사업] (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 400,000원
615 2023-04-20 15시 21시 7-1-6 Curing WF08 350ºC/60min [23년 나노융합기반 고도화사업] (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 400,000원
616 2023-04-20 9시 13시 7-1-6 Curing WF07 350ºC/60min [23년 나노융합기반 고도화사업] (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 400,000원
617 2023-04-21 16시 22시 7-1-6 Curing WF03 350ºC/60min [23년 나노융합기반 고도화사업] (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 400,000원
618 2023-04-21 9시 15시 7-1-6 Curing WF04 350ºC/60min [23년 나노융합기반 고도화사업] (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 400,000원
619 2023-04-24 11시 17시 7-1-6 Curing WF02 350ºC/60min [23년 나노융합기반 고도화사업] (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 400,000원
620 2023-04-24 17시 23시 7-1-6 Curing WF01 350ºC/60min [23년 나노융합기반 고도화사업] (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 400,000원
621 2023-04-27 10시 17시 전공정 P-5000 TEOS 진행

950ºC / 30min / N2		 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 360,000원
622 2023-05-09 13시 18시 10-1-1 PSPI Curing WF01 200ºC/90min 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 320,000원
623 2023-05-10 10시 16시 10-1-1 PSPI Curing WF02 200ºC/90min 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 320,000원
624 2023-05-10 17시 23시 10-1-1 PSPI Curing WF03 200ºC/90min 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 320,000원
625 2023-05-11 10시 16시 10-1-2 PSPI Curing WF04 250ºC/60min 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 320,000원
626 2023-05-11 17시 23시 10-1-2 PSPI Curing WF05 250ºC/60min 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 320,000원
627 2023-05-12 10시 16시 10-1-3 PSPI Curing WF06 250ºC/90min 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 320,000원
628 2023-05-12 16시 22시 10-1-1 PSPI Curing 250ºC/90min 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 320,000원
629 2023-05-15 10시 16시 10-1-4 PSPI Curing WF07 150ºC/90min 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 320,000원
630 2023-05-22 10시 16시 샘플 구조는 Si/Ga2O3(산화갈륨)/Al2O3(사파이어 기판)으로 이루어져 있습니다.

어닐링 온도는 1000도이며, 어닐링 시간은 2시간입니다.

공정 목적은 어닐링 과정 동안 확산 방식을 이용하여 샘플 가장 위에 있는 Si가 Ga2O3 내부로 도핑을 하기 위함입니다.

산화갈륨과 사파이어 기판은 모두 녹는점이 1900도, 2000도 이므로 공정 간에 문제는 없을 것으로 생각됩니다.

공정 조건에 추가적으로 필요한 사항 있으시다면 sppark14@gmail.com으로 연락주시면 감사하겠습니다.		 세종대학교 산학협력단 반도체시스템공학과 박장혁 400,000원
631 2023-05-24 17시 22시 450c / 30min 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 360,000원
632 2023-06-05 9시 14시 Anneal 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 3,200,000원
633 2023-06-23 15시 20시 10-1-1 PSPI Curing WF01 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 320,000원
634 2023-06-26 10시 15시 10-1-1 PSPI Curing WF02 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 320,000원
635 2023-06-26 17시 22시 10-1-1 PSPI Curing WF04 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 320,000원
636 2023-06-27 15시 20시 10-1-1 PSPI Curing WF06 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 320,000원
637 2023-06-27 9시 14시 10-1-1 PSPI Curing WF05 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 320,000원
638 2023-07-12 16시 21시 950C , 30min , N2
고도화사업비		 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 400,000원
639 2023-07-17 17시 22시 950c / 30min / N2 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 400,000원
640 2023-07-24 15시 18시 목적 : 시편 산화
최대 온도 : 900℃
유지 시간 : 3시간, 6시간
상승 속도 : 4~5min/℃
하강 속도 : 자연냉각
시편 크기 : 20*20mm 두께 2t
시편 재질 : Al2O3+YAG(10um) 코팅
공정 분위기 : 산소(O2) MFC 30 SLM(max)
 (주)싸이노스 R&D 문지수 1,200,000원
641 2023-07-26 10시 18시 450℃ 30sec , N2
물질정보 : AL 4.0
고도화사업비 		주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 400,000원
642 2023-07-27 16시 23시 400도씨 (2개) 600도씨 (2개), 800도씨(2개) 각 3 조건에 대해서 모두 질소 분위기에서 45분 어닐링을 하고자 합니다.

* 조건 표시는 트레이에 표시해 두도록 하겠습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 1,080,000원
643 2023-07-28 17시 23시 450℃ 30분 , N2
고도화사업비		 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 400,000원
644 2023-08-08 15시 21시 (2023년도 전문인력양성사업 하계) 950도 1hr 공정 진행 동의대학교 화학공학과 노형원 0원
645 2023-08-09 10시 16시 (2023년도 전문인력양성사업 하계) 950도 3hr 공정 진행 동의대학교 화학공학과 노형원 0원
646 2023-08-14 9시 20시 전문인력양성사업 나노소자공정&측정 일자리연계 교육(8월) 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 4,800,000원
647 2023-08-22 16시 22시 Anneal 850ºC/30min 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 340,000원
648 2023-09-04 9시 15시 전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,000,000원
649 2023-09-14 10시 16시 600ºC/2min 나노콘 나노콘연구소 조윤빈 360,000원
650 2023-09-18 12시 11시 전북대학교 나노반도체공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,400,000원
651 2023-10-11 9시 15시 500ºC/1min 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 360,000원
652 2023-10-16 15시 22시 Dry 850ºC/30min 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 340,000원
653 2023-11-08 9시 15시 전문인력양성사업 MEMS 센서소자제작 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 3,200,000원
654 2023-11-09 9시 17시 Densify(900℃, 30min) 나노융합기술원 대외협력팀 양웅석 360,000원
655 2023-11-21 10시 17시 PZT 500 nm, 1 um가 올라간 실리콘 조각 웨이퍼 4개입니다. 600℃/2min
 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김영신 360,000원
656 2023-11-29 10시 15시 14-1 Curing 350℃/60min 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 360,000원
657 2023-12-01 24시 16시 4-1-2 Thermal Oxidation 300Å 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 360,000원
658 2023-12-01 9시 14시 (WF01, 02) Curing 350℃, 60min 삼성전자 DS 김태훈 0원
659 2023-12-04 13시 18시 (WF03, 04) 14-1 Curing 350℃,/60min 삼성전자 DS 김태훈 0원
660 2023-12-25 9시 21시 2023 나노융합기반 고도화사업 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 6,490,000원
661 2024-01-19 10시 17시 2-3-0 800℃/40min 포항공과대학교 선행기술팀 한성웅 360,000원
662 2024-01-22 10시 17시 포스텍 차세대반도체 공유혁신대학 나노반도체공정 실습교육 비용 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 4,000,000원
663 2024-01-23 15시 17시 전문인력양성사업 교육생 장비 신청 나노융합기술원 교육홍보팀 이상민 0원
664 2024-01-24 15시 21시 2-10 350℃/2hr O2분위기 (주)엔디디 연구소 최영환 0원
665 2024-02-14 14시 21시 N2 분위기 800℃/1hr 홍익대학교 산학협력단 전자전기공학과 임준혁 400,000원
666 2024-04-01 16시 21시 2-4-3 Air 분위기 600℃/2min 나노콘 나노콘연구소 조윤빈 360,000원
667 2024-04-01 9시 13시 PZT annealing N2:O2 = 4:1 600도 2분 유지 30분 냉각으로 부탁드립니다.
웨이퍼는 맡기는 시편 보관함 하단에 놓았습니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김영신 400,000원
668 2024-04-03 13시 20시 ICT 제품화 지원사업

2-4-1 350℃, 2hr, O2 분위기		 (주)엔디디 연구소 최영환 400,000원
669 2024-04-23 13시 24시 [ICT 제품화 지원사업]
1-4-1 Anneal(400℃/8hr)		 마이크로어낼리시스(주) 마이크로어낼리시스 (주) 안재훈 800,000원
670 2024-05-02 10시 17시 5-1-6 Furnace(350℃, 60min) 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
671 2024-05-23 13시 18시 ICT 제품화 지원사업
2-4-1 Furnace(350℃, 2hr)		 (주)엔디디 연구소 최영환 400,000원
672 2024-05-24 15시 22시 PZT annealing N2:O2 = 4:1 600도 2분 유지 30분 냉각으로 부탁드립니다.
웨이퍼는 맡기는 시편 보관함 하단에 놓았습니다.
 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김영신 320,000원
673 2024-05-31 15시 22시 2-2-3 600℃/2min N2/O2:4/1 나노콘 연구소 주종호 360,000원
674 2024-06-04 8시 12시 경북 반도체 초격차 전문인력양성사업 안동대학교 공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 2,550,000원
675 2024-06-19 9시 14시 1-4-1 Anneal 400℃, 8hr
ICT 제품화 지원사업		 마이크로어낼리시스(주) 마이크로어낼리시스 (주) 안재훈 400,000원
676 2024-06-20 19시 24시 600C, 2min anneal 나노콘 연구소 주종호 360,000원
677 2024-06-21 14시 20시 Curing 350C, 60min 삼성전자 DS 김태훈 400,000원
678 2024-06-21 9시 14시 Curing 350C, 60min 삼성전자 DS 김태훈 400,000원
679 2024-06-24 8시 14시 350C, 60min curing 삼성전자 DS 김태훈 400,000원
680 2024-06-25 14시 20시 Curing 350C, 60min 삼성전자 DS 김태훈 400,000원
681 2024-06-25 8시 14시 350C, 60min curing 삼성전자 DS 김태훈 400,000원
682 2024-07-04 10시 18시 내일 11시 30분에 뵈어 자세히 논의드리겠습니다.

구리이고요, 실험에서 \\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\'cavity\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\'로 사용될 예정입니다.
cavity는 빛을 담는 그릇? 같은 것인데, anneaing이 이루어 질 때, copper cavity 의 quality가 좋아진다는 보고가 있었기에, 저희도 해보려고 합니다.
일단, 850도에서 6시간 정도?하는 것이 목표입니다.
두 개의 파츠가 있는데 두 파츠의 안쪽과 바깥쪽 면이 있습니다. 안쪽면만 어닐링이 되면 충분합니다.

* 제가 파츠를 드린후 바로 해주실 필요는 없고요, 다음주 월요일에 찾아갈 예정인데, 그 전에 해주시면 됩니다. + 일찍 진행하실 경우, 월요일 까지 데시케이터에 보관해주실 수 있으실까요?

** 당연한 이야기이지만, 이 파츠도 실험에 쓰이다보니, 맨손으로 만지시면 안됩니다.
 포항공과대학교 물리학과 정문경 200,000원
683 2024-07-12 19시 24시 16-1-6 Curing(350℃, 60min) 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
684 2024-07-23 13시 18시 D-Poly (KERI) 삼성전자 DS 김태훈 750,000원
685 2024-07-23 8시 12시 D-Poly (KERI) 삼성전자 DS 김태훈 750,000원
686 2024-07-24 8시 18시 6-1-6 Curing(350℃, 60min) 삼성전자 DS 김태훈 800,000원
687 2024-07-25 10시 18시 6-1-6 Curing(350℃, 60min) 삼성전자 DS 김태훈 400,000원
688 2024-07-29 8시 22시 한국해양대학교 반도체공정 & 측정분석 연계 1차 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 3,787,500원
689 2024-10-11 13시 20시 14-1-6 PSPI Curing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 320,000원
690 2024-10-16 8시 12시 18-1-6 PSPI Curing 삼성전자 DS 김태훈 0원
691 2024-10-21 8시 16시 BGBM (BTP) SC007, 8, 9(6매) 삼성전자 DS 김태훈 13,888,500원
692 2024-10-24 9시 15시 GaN on GaN Wafer 1cm1cm 사이즈 시편 총 7개
annealed in N2 ambient at 800 ℃ for 60 min		 홍익대학교 산학협력단 전자전기공학과 김민정 400,000원
693 2024-10-29 15시 23시 [ICT 제품화 지원사업]
2-4-1 Anneal(350℃, 2hr, O2)		 (주)엔디디 연구소 최영환 400,000원
694 2024-11-04 8시 18시 - 내용 : 구미대학교 반도체 공정 실습
- 교육일자 : 24.10.28(월) ~ 11.01(금)		 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 6,477,272원
695 2024-11-27 14시 20시 [ICT 제품화 지원사업]
2-4-1 Anneal(350℃, 2hr, O2) 		(주)엔디디 연구소 최영환 400,000원
696 2024-12-02 8시 20시 [ICT 제품화 지원사업] (주)에코넷코리아 연구개발 정상권 6,355,682원