LP-CVD 장비일지

 기자재관리번호 : -
No 장비이용내역 이용내역 사용자 장비이용료
시작일 종료일 세부내용 기관명 부서(학과명) 성명 확정금액
1 2010-01-22 15시 18시 산화막 증착 나노기술집적센터 팹운영 김헌우 0원
2 2010-03-03 09시 12시 si02 28nm (280A) 포항공과대학교 화학공학과 김혜진 60,000원
3 2010-03-18 09시 12시 Poly-Si Depo. (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 1,000,000원
4 2010-06-08 10시 18시 50,100,200 nm 포항공과대학교 화학공학과 김혜진 240,000원
5 2010-07-02 09시 12시 sio2 1000A 포항공과대학교 화학공학과 오유진 136,000원
6 2010-08-09 14시 16시 sio2증착 포항공과대학교 화학공학과 오유진 136,000원
7 2010-09-15 10시 11시 poly 증착 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
8 2010-11-17 14시 18시 700도 sio2 1,000A 포항공과대학교 화학공학과 오유진 136,000원
9 2010-12-27 09시 14시 sio2 증착 포항공과대학교 화학공학과 오유진 212,000원
10 2011-03-19 10시 14시 patterned wafer poly-depo, ashing 메이플세미컨덕터 정은식 2,000,000원
11 2011-04-04 13시 16시 8인치 Patterned wafer Poly-Si Depo 메이플세미컨덕터 정은식 2,000,000원
12 2011-04-11 13시 17시 8inch patterned wafer poly-Si Depo (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 2,000,000원
13 2011-04-22 13시 16시 8" patterned wafer Poly Depo 메이플세미컨덕터 정은식 1,000,000원
14 2011-05-06 09시 12시 8" patterned wafer Poly Depo (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 1,000,000원
15 2011-05-09 13시 16시 8인치 patterned wafer poly depo (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 2,000,000원
16 2011-05-18 13시 16시 8인치 patterned wafer Poly Depo 엔씨케이(주) 신상순 2,000,000원
17 2011-05-19 13시 16시 8inch patterned wafer Poly Depo 제위드 대표자 조상호 2,000,000원
18 2011-05-21 09시 12시 8inch patterned wafer Poly Depo 엔씨케이(주) 신상순 2,000,000원
19 2011-05-26 09시 12시 8inch patterned wafer Poly Depo (주)에이팸 조미옥 2,000,000원
20 2011-06-04 13시 16시 8인치 patterned wafer Poly Depo 지엠티 박은화 1,000,000원
21 2011-06-08 13시 16시 8" patterned wafer Poly depo 제위드 대표자 조상호 2,000,000원
22 2011-06-14 13시 16시 8인치 patterned wafer Poly Depo 엔씨케이(주) 신상순 2,000,000원
23 2011-06-16 09시 12시 8" patterned wafer Poly Depo 엔씨케이(주) 신상순 2,000,000원
24 2011-06-17 13시 16시 8인치 patterned wafer Poly Depo 엔씨케이(주) 신상순 2,000,000원
25 2011-06-20 09시 12시 8" patterned wafer Poly Depo 엔씨케이(주) 신상순 2,000,000원
26 2011-06-24 09시 12시 8inch patterned wafer Poly Depo 엔씨케이(주) 신상순 2,000,000원
27 2011-06-30 09시 12시 8" patterned wafer poly Depo 지엠티 박은화 1,800,000원
28 2011-09-09 09시 14시 8인치 patterned wafer poly depo 제이케이이엔씨 김종규 1,000,000원
29 2011-09-10 13시 17시 8인치 patterned wafer Poly Depo 넥스원코퍼레이션 변응균 2,000,000원
30 2011-09-14 08시 13시 8인치 wafer Poly-Si depo 넥스원코퍼레이션 변응균 2,000,000원
31 2011-09-15 09시 17시 doped poly Depo. 6,000A 넥스원코퍼레이션 변응균 2,000,000원
32 2011-09-16 08시 14시 8inch Poly Si depo (주)브라이트일렉트로닉스 백승찬 500,000원
33 2011-09-17 09시 14시 Poly-Si Depo. Tpoly=6,000A (주)좋은램프 최근철 2,000,000원
34 2011-09-17 15시 22시 Poly-Si Depo. :Tpoly6,000A 팩토이엔씨 김영수 2,000,000원
35 2011-09-19 09시 16시 8" patterned wafer Poly Depo 넥스원코퍼레이션 변응균 2,000,000원
36 2011-09-22 12시 16시 8" patterned wafer Poly Depo 넥스원코퍼레이션 변응균 2,000,000원
37 2011-10-06 09시 13시 8" patterned wafer Poly Depo 제이케이이엔씨 김종규 1,000,000원
38 2011-10-07 09시 12시 8inch patterned wafer Poly Depo 넥스원코퍼레이션 변응균 2,000,000원
39 2011-10-13 09시 15시 8" patterned wafer Poly Depo 넥스원코퍼레이션 변응균 2,000,000원
40 2011-10-14 09시 12시 8" patterned wafer Poly depo (주)브라이트일렉트로닉스 백승찬 500,000원
41 2011-10-14 12시 16시 8" patterned wafer Poly Depo 넥스원코퍼레이션 변응균 2,000,000원
42 2011-10-18 09시 13시 8인치 patterned wafer poly depo (주)좋은램프 최근철 2,000,000원
43 2011-10-19 14시 18시 8" patterned wafer Poly Depo 넥스원코퍼레이션 변응균 2,000,000원
44 2011-10-21 14시 18시 8인치 patterned wafer Poly Depo 넥스원코퍼레이션 변응균 2,000,000원
45 2011-11-01 09시 12시 8" patterned wafer Poly Depo 제이케이이엔씨 김종규 1,000,000원
46 2011-11-04 13시 18시 8inch patterned wafer Poly Depo (주)좋은램프 최근철 2,000,000원
47 2011-11-05 08시 14시 8인치 patterned wafer Poly Depo 넥스원코퍼레이션 변응균 2,000,000원
48 2011-11-11 09시 13시 8inch patterned wafer poly depo 팩토이엔씨 김영수 2,000,000원
49 2011-11-16 09시 13시 8인치 patterned wafer Poly Depo 팩토이엔씨 김영수 2,000,000원
50 2011-11-18 09시 13시 8" patterned wafer Poly Depo (주)셈크로 전태주 2,000,000원
51 2011-11-21 09시 14시 8inch patterned wafer Poly depo (주)셈크로 전태주 2,000,000원
52 2011-11-23 13시 17시 8인치 patterned wafer Poly Depo (주)셈크로 전태주 2,000,000원
53 2011-11-26 09시 14시 8" patterned wafer Poly Depo 저스트코퍼레이션 이병설 2,000,000원
54 2011-12-04 09시 12시 8인치 patterned wafer Poly Depo 저스트코퍼레이션 이병설 1,000,000원
55 2011-12-07 13시 18시 8" patterned wafer Poly Depo 저스트코퍼레이션 이병설 2,000,000원
56 2011-12-09 09시 13시 8inch patterned wafer Poly Depo 저스트코퍼레이션 이병설 2,000,000원
57 2011-12-20 13시 17시 8inch patterned wafer Poly Depo (주)유시스텍 최승훈 2,000,000원
58 2011-12-22 11시 17시 8" patterned wafer Poly Depo 티엠에스 정명일 2,000,000원
59 2011-12-23 09시 11시 Gate Module 공정 Test(Etching Split 용)
- Spacer Oxidation 3000A 진행 위한 Thickness Targeting		 (주)디엠에스 김성해 379,000원
60 2011-12-23 11시 12시 Gate Module 공정 Test(Etching Split 용)
- Spacer Oxidation 3000A 진행		 (주)디엠에스 김성해 289,000원
61 2011-12-23 13시 17시 CMOS Cont Etch & Al Plug 공정 Test 진행
- ILD Oxidation 2000A 진행 (LP-CVD)		 (주)디엠에스 김성해 1,675,000원
62 2011-12-26 13시 17시 8inch patterned wafer Poly Depo 티엠에스 정명일 2,000,000원
63 2012-01-09 10시 12시 Gate Module 공정 Test
- Oxied 증착 (2500,3000,3500) 총 7장		 (주)디엠에스 김성해 541,000원
64 2012-01-10 13시 18시 8인치 patterned wafer Poly Depo (주)유시스텍 최승훈 2,000,000원
65 2012-01-12 09시 13시 8인치 patterned wafer Poly depo (주)유시스텍 최승훈 2,000,000원
66 2012-02-06 09시 18시 LP Oxide 5000A 증착 (주)디엠에스 김성해 1,668,000원
67 2012-02-07 13시 14시 4인치 wafer Oxide 5000A 증착 부경대학교 기계설계공학과 유동인 156,000원
68 2012-06-13 15시 17시 SiN 50nm 3매 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 248,000원
69 2012-07-16 16시 18시 P doping Poly-si 100nm 1매 연세대학교 신소재공학과 김병주 200,000원
70 2012-07-24 15시 17시 Poly Si 200nm 4inch wafer 포항공과대학교 기계공학과 조항진 156,000원
71 2012-07-27 10시 11시 0-2-2 Poly-Si 1um depo (GK_M01) 엠프리시젼 문우영 1,800,000원
72 2012-07-27 10시 11시 0-2-2 Poly-Si 1um depo (GK_M01) 엠프리시젼 문우영 1,800,000원
73 2012-07-30 10시 11시 0-2-2 Poly-Si 1um depo 엠프리시젼 문우영 1,400,000원
74 2012-07-30 10시 11시 0-2-2 Poly-Si 1um depo 엠프리시젼 문우영 1,400,000원
75 2012-08-30 09시 12시 특성화고 교육 파워마스터반도체 주식회사 공정기술팀 기종 450,000원
76 2012-09-06 14시 17시 L09M SiO2, SiNx 1000A 매 진행 LG이노텍 차세대소자개발 서덕원 0원
77 2012-09-16 14시 17시 Poly depo (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 1,200,000원
78 2012-09-19 09시 10시 Poly Depo (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 500,000원
79 2012-09-24 11시 12시 Poly Depo (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 600,000원
80 2012-11-27 10시 13시 Deposition (NCNT 사용료) 부경대학교 기계설계공학과 유동인 1,000,000원
81 2012-12-26 09시 13시 특성화고 교육 실습_Poly-Si 증착(20매) 포항나노기술집적센터 이용자서비스팀 김병수 1,500,000원
82 2012-12-26 14시 17시 특성화고 교육 실습_LP-CVD Oxide(SiO2) 20매 포항나노기술집적센터 이용자서비스팀 김병수 1,500,000원
83 2013-01-02 09시 12시 SC06 GATE PEP 평가 Run(수정) Gate Poly-Si Depo. 4000A WF05~08, 선행wafer(총 5매) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 800,000원
84 2013-01-04 09시 18시 SiC 단위공정평가 Poly-Si 4000A on 4inch STD Wafer 10매
(Graphite 및 Wafer JIG 적용하여 4inch wafer 공정 조건 및 Uniformity 확보 평가)		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 2,000,000원
85 2013-01-09 16시 18시 SiC 단위공정 평가_P-Doped Poly-Si (6000Å)
Poly-Si 증착(Wafer JIG 사용) 4매 : Tpoly-si=4000Å, Depo Time = 168sec, Heater Temp.= Split(700~730℃)		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 700,000원
86 2013-01-10 10시 12시 SiC 단위공정 평가_P-Doped Poly-Si (6000Å)
P-Doped Poly-Si 증착(Wafer JIG 사용) 3매 : Tpoly=6000Å, Depo Time=360sec, Heater=730/730℃		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 900,000원
87 2013-01-22 13시 17시 TF_박막증착 실습 포항나노기술집적센터 이용자서비스팀 김병수 1,000,000원
88 2013-01-28 15시 17시 SiC MOSFET Process 단위 공정 평가_ P-Doped Poly-Si (DOE)
: Resistivity, Rs Uniformity 등 공정결과에 주요한 영향을 미치는 인자를 선별(Screening Test)
- P-Doped Poly-Si 증착(Wafer JIG 사용) : Depo Time=360sec 8매		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 800,000원
89 2013-02-14 13시 16시 Poly-Si depo Test 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,000,000원
90 2013-02-15 14시 15시 6inch Poly-Si 2000A 1매 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 80,000원
91 2013-02-19 09시 18시 SiC 단위 공정 평가(4inch Wafer 사용을 위한 JIG 적용, Doped Poly Si WTW Unif. 확인) 20매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 2,000,000원
92 2013-02-20 09시 18시 SiC 단위 공정 평가(4inch Wafer 사용을 위한 JIG 적용, SiO2 WTW Unif. 확인) 17매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,700,000원
93 2013-05-10 13시 16시 SiNx Anneal Temp Split @450/500/550C 3매 삼성종합기술원 TFTU 박용영 450,000원
94 2013-05-16 13시 18시 Thinfilm (NCNT 사용료) 부경대학교 기계설계공학과 유동인 1,000,000원
95 2013-06-03 10시 14시 Oxide Dep.(NO Furnace) 포항공과대학교 전자과 백상원 2,400,000원
96 2013-06-17 17시 17시 단면 폴리실리콘 2000옴스트롱 증착 포항공과대학교 WCU 김진만 120,000원
97 2013-07-01 10시 12시 Poly-Si 200nm on Quartz wafer with Pre-Clean(Acetone- Methanol- DI wafer) 5매 대구경북과학기술원 에너지연구부 백성호 900,000원
98 2013-10-07 9시 11시 ★파워솔루션 바우처 사용 건-10월달 1억에서 차감 해야 함★ 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 2,500,000원
99 2013-11-27 16시 17시 poly-silicon 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 210,000원
100 2013-12-17 16시 18시 SC-11 Poly Rs 최적화 Test (1-2-2) Gate Poly-Si Depo.
1. Gas Ratio Split (P3H/SH4) : 5,6,7,8
2. Thickness Split : 5500~9500A
3. Recipe: P2_DP_BKM, 목표두께: Split, 선행 3매
Total 14매 증착(청구기준두께 300nm : 34회)		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 4,080,000원
101 2013-12-24 13시 13시 Al2O3와 HfO2 layer 증착되어있음

의뢰목적 --> n+ doped poly-Si gate 증착
(target doping concentration : 1E20~1E21/cm3))

Doped Poly-Si 2000A 4매 증착
Depo time = 140sec
Gas Ratio(PH3/SiH4) = 600/100sccm		 서울대학교 전기정보공학부 이상호 600,000원
102 2014-01-06 11시 13시 SC-14 Poly Rs 최적화 Test 2차 (1-2-1) Gate Poly-Si Depo. 6000~6500A 8매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 2,880,000원
103 2014-01-08 10시 18시 SC-12 Contact Metal Module Test(구조 run) (4-13-1) Gate Poly-Si Depo. 6000A 10매(3000A 기준 30회) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 3,600,000원
104 2014-01-15 9시 14시 SC15 P-Doped Poly Rs 재현성 Test (1-2-1) Gate Poly-Si Depo. 8매
"Gas Ratio(P3H/SH4) : 6 / Recipe: P2_DP_BKM, 목표두께: 6000~6500A" 		포항공과대학교 기술지원팀 최경근 2,880,000원
105 2014-01-23 15시 18시 SC13 Gate Module Test Run (0-7-1) Gate Poly-Si Depo. 4매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,440,000원
106 2014-01-27 16시 17시 poly-si 50 nm 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 210,000원
107 2014-02-18 10시 13시 4-13-1 Gate Poly-Si Depo 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 960,000원
108 2014-04-15 14시 15시 Tunnel oxide defect test (0-2-1) Gas Ratio(P3H/SH4) : 6(?) , Highly Doped Poly Thickness : 2,000Å 1매 포항공과대학교 화학공학과 박진주 120,000원
109 2014-05-20 14시 16시 8인치 실리콘 기판에 50nm 두께의 폴리실리콘을 증착 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 210,000원
110 2014-05-29 14시 16시 실리콘 8인치 웨이퍼 4매
5/29 LP-CVD n-poly Si 50nm 2장, poly Si 50nm 2장 + E.S 두께 측정
 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 420,000원
111 2014-06-04 10시 12시 4-13-1 Gate Poly-Si Depo. 두께:6000A, Test wf 선행 2매 포함 총 4매(8회) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 840,000원
112 2014-07-01 14시 16시 P2 DP BKM, 780nm, depo 533sec 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 210,000원
113 2014-07-08 10시 12시 NK2014_Thinfilm depo 메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 900,000원
114 2014-07-08 15시 17시 Poly-Si 50nm 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 105,000원
115 2014-07-11 16시 18시 n+ doped poly gate 사용
SOI 위에 SiO2,HfO2 증착된 상태

n+ doped poly 2000A 증착 의뢰		 서울대학교 전기정보공학부 이상호 450,000원
116 2014-07-11 16시 18시 undoped poly-si 2000A 2매 포항공과대학교 화학공학과 박진주 240,000원
117 2014-08-01 16시 18시 (4-13-1) Gate Poly-Si Depo. 선행 포함, 총 3매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 525,000원
118 2014-08-26 14시 16시 3-13-1 Gate Poly Si-Depo LP-Poly Depo 6000A 총 3매 6회 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 630,000원
119 2014-09-04 16시 18시 doped poly-Si 770nm
depo time 525sec THK 8180A 2.2% 증착 완료		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 315,000원
120 2014-09-12 15시 17시 N-doped poly-si 20nm 2ea 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 210,000원
121 2014-09-17 14시 16시 N-doped poly-si 50nm 5ea 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 525,000원
122 2014-09-25 14시 16시 4-13-1 gate poly-si depo. 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 660,000원
123 2014-09-30 15시 17시 Doped Poly-Si 7000A 1회 4inch wafer 증착 완료 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 315,000원
124 2014-10-07 16시 18시 n+ doped poly-Si LPCVD 공정
6인치 웨이퍼 2장( SOI wafer, SiO2-SiN-Al2O3 layer depo.)
target thickness : 2000 Å 		서울대학교 전기정보공학부 이상호 300,000원
125 2014-10-16 16시 18시 Doped Poly-Si 7000A 1회 4inch wafer 증착 완료 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 315,000원
126 2014-10-21 16시 18시 Doped Poly-Si 7000A 1회 4inch wafer 증착 완료 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 315,000원
127 2014-10-27 14시 15시 4-13-1 gate poly-si depo, 6000A 2ea 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 420,000원
128 2014-10-29 10시 12시 Poly-Si Deposition Test 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 630,000원
129 2014-10-29 17시 18시 0-2-1 channel undoped poly depo. 2000A 포항공과대학교 화학공학과 송홍선 120,000원
130 2014-10-31 10시 14시 Oxide Deposition Test 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 630,000원
131 2014-11-03 13시 18시 Organic CMOS_Oxide Deposition 포항공과대학교 창의IT융합공학과 권지민 2,100,000원
132 2014-11-04 13시 18시 나노융합기술교육_Thinfilm 1일차 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 900,000원
133 2014-11-05 13시 18시 나노융합기술교육_Thinfilm 2일차 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 1,050,000원
134 2014-11-07 10시 13시 나노융합기술교육_Thinfilm 3일차 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 1,050,000원
135 2014-11-10 14시 15시 Doped Poly-Si 7000A 1회 4inch wafer 증착 완료 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 315,000원
136 2014-11-11 10시 14시 Poly-Si 200nm 3회 SiN 100nm 1회 한양대학교 신소재공학과 안진호 교수님 연구실 김정환 600,000원
137 2014-11-12 15시 17시 SiO2 / Poly-Si(6inch) 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 210,000원
138 2014-11-20 10시 16시 센싱용 광 도파로 제작 , SiNx -1000A 증착 피큐브(주) 연구소 오진경 750,000원
139 2014-11-20 16시 17시 Doped Poly-Si 7000A 1매(4inch) 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 315,000원
140 2014-11-24 12시 12시 gate 용 doped poly 증착 (자세한 조건은 메일로 발송)
n+ Doped Poly-Si 7000A 증착 6매		 서울대학교 전기공학부 서주연 1,800,000원
141 2014-11-26 10시 13시 4-13-1 gate poly-si depo. 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 630,000원
142 2014-11-26 13시 19시 1차 Full Process_Thinfilm (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 4,500,000원
143 2014-12-01 17시 18시 4-13-1 gate poly-si depo. 6000A 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 210,000원
144 2014-12-01 20시 21시 4-13-1 gate poly-si depo. 6000A 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 210,000원
145 2014-12-02 11시 12시 전기적 특성 검토를 위한 Sample 제작
Wafer NO. Wf01 Wf02 Wf03
THK Average(Å) 5951.04 5877.80 5883.88
Min 5656.28 5541.97 5626.95
Max 6217.77 6113.26 6119.18
Std. Dev. 170.88 179.24 131.51
% Range 9.44 9.72 8.37
% Uniformity 2.87 3.05 2.24		 (주)피코셈 관리 김용국 1,500,000원
146 2014-12-09 12시 12시 LPCVD 방법을 이용하여 SiO2를 3000A 올리고 싶습니다.

전화상으로 문의했던 연세대학교 학생입니다.

이외에 추가적인 정보나 제가 미처 생각하지 못했던 부분이 존재할 시 연락 부탁드리겠습니다 .

감사합니다.		 연세대학교 의공학과 최승엽 150,000원
147 2014-12-10 20시 22시 LP-Ox 3000A 1매, LP-Nit 3000A 1매 포항공과대학교 신소재공학과 Wentao Xu 210,000원
148 2014-12-12 15시 18시 4-13-1 gate poly-si depo. 6000A 2ea 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 420,000원
149 2014-12-18 15시 17시 LP-Ox 350A 2매 나노종합기술원 CMOS소자팀 전호승 270,000원
150 2014-12-18 17시 18시 LP-Ox 1500A 1매 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 105,000원
151 2014-12-18 18시 20시 4-2-2 LP_Nitride 10nm 3매(Si_Test) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
152 2014-12-22 10시 12시 Cap_Oxide 2000A (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 1,000,000원
153 2014-12-23 11시 13시 0-2-1 sub poly channel undoped poly depo.
 포항공과대학교 화학공학과 송홍선 120,000원
154 2014-12-23 15시 17시 0-3-2 Tunnel oxide_01 포항공과대학교 화학공학과 송홍선 120,000원
155 2014-12-26 17시 19시 4-13-1 gate poly-si depo. 6000A 2ea 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 420,000원
156 2015-01-07 13시 18시 UE MEMS Sensor 2차 Run_Thinfilm (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 3,000,000원
157 2015-01-20 14시 16시 전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육(박막) 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 600,000원
158 2015-01-23 10시 12시 전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육(박막) 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 600,000원
159 2015-01-27 10시 12시 SC35_NO Anneal Test_Thinfilm 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 840,000원
160 2015-01-29 13시 15시 SC35_NO Anneal Test_Thinfilm 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,050,000원
161 2015-02-02 10시 13시 1-1-1 metal1 poly-si 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 315,000원
162 2015-02-03 10시 14시 SiO2 150nm 1매, Doped Poly-Si 525sec(780nm) 1매, Doped Poly-Si 50sec(50nm) 1매 총 3매(5회) 증착 완료 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 525,000원
163 2015-02-03 12시 16시 2-1-1 insulator LP-SiN 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 210,000원
164 2015-02-03 16시 17시 n-poly Si 50nm 증착 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
165 2015-02-05 16시 18시 SiO2 200nm + Poly-Si 100nm 4inch 1매(2회) 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 210,000원
166 2015-02-09 10시 11시 n+ doped poly-Si LPCVD
6인치 웨이퍼 1장
( SOI wafer, SiO2-SiN-Al2O3 layer depo.)
target thickness : 2000 Å (P2_DP_BKM 140sec @720C)
 서울대학교 전기정보공학부 이상호 150,000원
167 2015-02-10 13시 16시 UE MEMS Sensor 3차 Run_Thinfilm (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 3,000,000원
168 2015-02-13 10시 11시 undoped poly-Si 500A 증착 의뢰 (샘플은 4인치로 장비 앞에 두었습니다.)
Poly-Si depo time 35sec 공정 진행 완료		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 105,000원
169 2015-02-17 14시 15시 LP-CVD Oxide deposition 3매
Wafer ID Target Depo time
A (3DNY 14-21) 360 39sec
B (3DNY 14-22) 370 40sec
C (3DNY 14-04) 360 39sec
나노종합기술원 CMOS소자팀 전호승 450,000원
170 2015-03-03 11시 12시 4-2-3 LP-Nitride 10nm 2매 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
171 2015-03-04 16시 18시 Si(O2) wafer 위에 LPCVD를 3 KA 올리고 싶습니다.

CVD 방법에 따른 실험을 위함 입니다.

기존에 동일한 작업을 한번 진행했습니다.

LP-Ox depo time 420sec 4inch 1매 진행 완료 		연세대학교 의공학과 최승엽 150,000원
172 2015-03-09 13시 15시 2-2-1 insulator SiN(monitor wf 사용) 3매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 315,000원
173 2015-03-23 10시 11시 undoped poly-Si 50nm 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 105,000원
174 2015-03-25 10시 13시 BioFET05_Poly Si Deposition 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 1,050,000원
175 2015-03-31 14시 16시 4-2-2 LP-Nit deposition 2매 100A(depo time 8sec @700C) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
176 2015-04-08 15시 17시 Doped Poly-Si 540c(780nm) 1매 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 315,000원
177 2015-04-09 14시 15시 doped poly-Si 30nm 포항공과대학교 전자전기공학부 윤솔 0원
178 2015-04-09 16시 17시 doped Poly-Si 1000A on 6\' Glass 1매 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
179 2015-04-13 15시 16시 1. SiO2 1000A 증착
2. poly-Si 700A 증착
4인치 웨이퍼입니다. 		포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 210,000원
180 2015-04-13 15시 16시 Doped Poly-Si 700sec(780nm) 1매 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 315,000원
181 2015-04-15 14시 15시 LP-Ox 2600A 1매(4inch) 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 105,000원
182 2015-04-21 10시 12시 poly si depo. lp-cvd 2ea
wafer 1ea : 40,000원
T-ox 1000A wafer 2ea : 120,000원
전북대학교 전자공학부 김기현 0원
183 2015-04-23 13시 14시 gate material

doped poly silicon 200nm		 서울대학교 전기정보공학부 김승현 150,000원
184 2015-04-28 14시 15시 LP-Nitride 150A 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 105,000원
185 2015-05-07 9시 10시 Poly 증착 6000Å *4매
===============================
공정조건:
-Stage Temperature : 720/720C
-Recipe Name : DP_Si_BKM
-Depo Time : 430sec
-Target Thickness : 0.6um 		메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 1,200,000원
186 2015-05-08 15시 16시 Doped Poly-Si 780sec(780nm) 1매 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 315,000원
187 2015-05-12 16시 18시 LP-Ox 260sec
LP-undoped poly-Si 65sec
총 2회		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 210,000원
188 2015-05-13 14시 15시 1-2-1 poly depo. 포항공과대학교 화학공학과 송홍선 120,000원
189 2015-05-14 10시 11시 1. SiO2 1000A 증착
2. n+-poly Si 700A 증착

위 순서대로 증착부탁드립니다. 4인치 샘플 1매		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 210,000원
190 2015-05-21 11시 13시 1-2-3 poly _SOI depo.
1000A 3ea
500A 3ea		 전북대학교 전자공학부 김기현 630,000원
191 2015-05-29 9시 10시 poly 증착 6000A X 1매
===============================
공정조건:
-Stage Temperature : 720/720C
-Recipe Name : DP_Si_BKM
-Depo Time : 430sec
-Target Thickness : 0.6um 		메이플세미컨덕터(주) 신사업본부 최지영 300,000원
192 2015-06-01 16시 18시 doped poly-Si 780nm 4inch 2ea, depo time 780sec 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 630,000원
193 2015-06-04 16시 17시 HTO 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 105,000원
194 2015-06-18 10시 11시 1. undoped poly-Si 500A 증착

2. n+-doped poly-Si 150A 증착		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 210,000원
195 2015-06-18 11시 14시 1-2-3 Substrate Poly_SOI Poly depo. LPCVD 6/18 11:00~ 4매 un doped poly 1000Å 전북대학교 전자공학부 김기현 420,000원
196 2015-06-18 14시 15시 30nm Phosphorus poly Si deposition 2매 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 210,000원
197 2015-06-25 15시 16시 LPCVD oxide 1000A 증착부탁드립니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 105,000원
198 2015-07-07 11시 13시 4inch SiO2 173sec 1회 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 105,000원
199 2015-07-20 10시 16시 1. SiO2 10nm
2. SiN 10nm
3. SiO2(O2 gas 10% 증가) 10nm
4. SiN 10nm
5. SiO2(O2 gas 20% 증가) 10nm
6. SiN 10nm
 포항공과대학교 신소재공학과 김영태 670,000원
200 2015-07-21 9시 18시 포항TP_나노융합 전문인력 양성과정_Thinfilm 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 2,100,000원
201 2015-07-23 13시 17시 1-3-2 DIEL protect mask lp nitride 5000A, 7500A 5회
1-3-2 DIEL protect mask pe nitride 1um
 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 595,000원
202 2015-07-27 10시 11시 oxide 1000A 증착 (4인치 2매)
1. LP-Ox 1000A 140sec 1매
2. LP-Ox 500A 70sec 1매		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 210,000원
203 2015-07-28 9시 14시 포항TP_나노융합 전문인력 양성과정_Thinfilm 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 1,500,000원
204 2015-08-17 15시 16시 1. poly silicon 증착
: P2_Poly-Si_BKM 120sec @700C on Wafer Tray
2. amorphous silicon 증착
: P2_Poly-Si_BKM 1000sec @600C on Wafer Tray

 포항공과대학교 화공과 김민 240,000원
205 2015-08-18 10시 15시 SiO (10nm)/ poly-Si (20nm)/ SiO2 (10nm)/ poly-Si (20nm)/ Si O3 (10nm)/ poly-Si (100nm) 6회
SiO2 조성에 따른 두께 Targetting이 2회		 포항공과대학교 신소재공학과 김영태 840,000원
206 2015-08-21 10시 11시 #1 : undoped poly-Si 2000A : 188sec @700C 2585Ax4.4%
#2 : undoped poly-Si 600A : 56sec @700C 625Ax4.7%
#3 : p+-doped poly-Si 700A(pattern)		 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 315,000원
207 2015-08-21 15시 17시 Doped Poly-Si 690sec @700C : 7608Ax2.7%
Doped Poly-Si 625sec @700C : 6720Ax2.5%
 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 630,000원
208 2015-08-25 11시 13시 P1_Oxide 1200A 2매
P2_Poly-Si 700A 1매		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 315,000원
209 2015-08-27 11시 12시 SiO2 5,000 A 증착 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 210,000원
210 2015-08-27 15시 16시 Doped Poly-Si 625sec @700C 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 315,000원
211 2015-08-27 16시 17시 30nm phosphorus 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 105,000원
212 2015-08-31 10시 12시 SiO2 1000A + Doped Si 700A 4inch 1매 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 210,000원
213 2015-09-08 15시 16시 LP-Oxide 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 105,000원
214 2015-09-09 15시 18시 LP-undoped Poly-Si 300A 4매 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 420,000원
215 2015-09-22 13시 16시 전문인력양성사업 나노융합기술교육_박막 3조 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 1,200,000원
216 2015-09-23 14시 17시 전문인력양성사업 나노융합기술교육_박막 2조 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 1,200,000원
217 2015-09-25 10시 13시 전문인력양성사업 나노융합기술교육_박막 1조 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 1,200,000원
218 2015-10-05 10시 11시 Si3N4 300 nm 증착 실험 포항공과대학교 전자과 백상원 105,000원
219 2015-10-12 10시 12시 1-3-1 DIEL Protect Mask LP_Nitride LPCVD 10월 12일 10:00 SiN thickness: TS21: 2,000A, TS22: 2,000A 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 315,000원
220 2015-10-14 15시 16시 300 nm Si3N4 증착 포항공과대학교 전자과 백상원 105,000원
221 2015-10-22 11시 14시 Poly-Si 630sec @700C : 9235Ax1.5%
Poly-Si 475sec @700C : 6220Ax2.7%		 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 630,000원
222 2015-10-30 16시 18시 Oxide 1200A + Doped Poly-Si 6000A 3매 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 900,000원
223 2015-11-05 10시 11시 30nm P 증착
10시에서 11시 사이에 진행할 것 같습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 105,000원
224 2015-11-16 9시 11시 Oxide 1000A 4회
doped Poly-Si 6000A 2회		 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 1,200,000원
225 2015-11-23 14시 16시 LP-Ox 2000A + Poly-Si 500A 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 210,000원
226 2015-12-07 9시 11시 Si3N4 증착 2000A 1매 + 3000A 2매(THK Targetting 선진행) 한국원자력연구원 양성자가속기연구센터 박광묵 300,000원
227 2015-12-10 14시 16시 4-11-1 GATE Gate Poly-Si Depo. 6000A 3매(test wf 포함) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 630,000원
228 2015-12-11 16시 17시 phosphorous100nm 증착
P2_DP_BKM 80sec		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 105,000원
229 2015-12-15 14시 15시 LPCVD 및 UHVCVD 불순물 농도 동일하게 맞추는 TEST용 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 105,000원
230 2015-12-16 9시 13시 미래부 전문인력양성_소자공정 실습 (Thinfilm) 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 1,500,000원
231 2015-12-17 11시 15시 Poly-Si 6900A 4inch 1매 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 315,000원
232 2015-12-23 10시 13시 미래부 전문인력양성_소자공정 실습 (Thinfilm) 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 1,500,000원
233 2015-12-28 14시 15시 LP-Ox 1200A(4inch 1매) 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 105,000원
234 2015-12-28 15시 17시 모두 앞면증착
이전공정과 동일하게 lpcvd 30nm증착
8inch 1매		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 105,000원
235 2016-01-26 16시 18시 doped Poly-Si 6000A 2매 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 540,000원
236 2016-02-02 13시 16시 LP-CVD SiN 8inch 4매 나노종합기술원 CMOS소자팀 전호승 540,000원
237 2016-02-11 15시 16시 n-Si 300A 증착
P2_DP_BKM 24sec 8inch 3매 진행		 전북대학교 전자공학부 김기현 315,000원
238 2016-02-24 10시 11시 146:50sccm 100nm 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 105,000원
239 2016-03-03 15시 17시 3220 MEMS IR Sensor_2016/03_2회 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 1,500,000원
240 2016-03-03 9시 15시 0-1-1 oxide 2nd nitride depo. 9회
0-2-1 oxide 2nd nitride depo. 6회		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,575,000원
241 2016-03-08 12시 13시 Poly-Si **양면에 2000A
4inch glass wafer 2매		 포항공과대학교 기계공학과 원동준 210,000원
242 2016-03-08 14시 16시 3220 MEMS IR Sensor_2016/03_2회 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 1,500,000원
243 2016-03-14 11시 17시 0-2-3 LP-Oxide 500A 4매
0-2-5 LP-Nitride 1500A 2매
0-2-8 LP-doped Poly-Si 2000A 2매		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 840,000원
244 2016-03-18 14시 17시 0-2-1 oxide 2nd lp nitride depo. 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 630,000원
245 2016-03-23 12시 13시 0-2-6 Bottom Poly Depo
SiCSen_01 Capacitive Pressure Sensor_Si base 1차		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 105,000원
246 2016-03-23 16시 18시 나노실리콘 기반 센서제작(4.0012738.01)_Poly Si 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 630,000원
247 2016-03-24 10시 19시 1-1-1 Cap Poly
High Doped Poly Thickness Split !!!
1. 6000A : T03 선행 후, Wafer01 진행
2. 10000A : T04 선행 후, Wafer02 진행
3. 15000A : T03 선행 후, Wafer03 진행 		포항공과대학교 기술지원팀 최경근 2,100,000원
248 2016-03-28 10시 12시 2-1-1 2nd lp nitride depo. 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 315,000원
249 2016-04-06 9시 11시 3220 MEMS IR Sensor_2016/03_2회 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 1,500,000원
250 2016-04-14 14시 15시 30nm n type Si deposition
8inch 2회 		포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 210,000원
251 2016-04-25 14시 16시 poly-si(doped) 6000A 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 210,000원
252 2016-04-29 10시 16시 Doped Poly-Si 6000A 3매(총 6회) (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 900,000원
253 2016-05-12 13시 17시 0-2-3 initial oxide lp-ox depo. 3ea
0-2-5 initial oxide lp-Nit depo. 3ea
0-2-8 initial oxide lp-poly-Si depo. 3ea		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 945,000원
254 2016-05-15 14시 18시 doped poly-Si 0.6um 3회
(5/11 계획)		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 630,000원
255 2016-05-23 15시 17시 SiN 3000A
(slot 6~10)		 포항공과대학교 ITCE 정새벽 525,000원
256 2016-05-26 13시 18시 나노융합 전문인력양성 교육 프로그램_ThinFilm 계명대학교 화학공학과 서숭혁 2,500,000원
257 2016-05-30 14시 15시 30nm Phosphorous 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 105,000원
258 2016-06-23 10시 11시 3-1-1 High Doped Poly Thickness 6,000Å 3매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 630,000원
259 2016-06-23 13시 15시 나노융합 전문인력양성 교육 프로그램_Thinfilm 위덕대학교 정보통신공학부 이재성 3,000,000원
260 2016-07-01 9시 16시 doped Poly-Si 1um 4매(Si 3매 + SiC 1매) LG전자 SIC센터 ICS팀 김수진 1,440,000원
261 2016-07-01 9시 11시 doped Poly-Si 1um Si 2매 LG전자 SIC센터 ICS팀 김수진 720,000원
262 2016-08-12 14시 15시 n형 실리콘 30nm 증착
2시에서 3시사이 공정 진행예정		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 105,000원
263 2016-08-18 11시 12시 poly Si 30nm 증착
웨이퍼 준비되면 바로 전달해 드리겠습니다. 준비가 늦을시 오후 공정 부탁드리겠습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 105,000원
264 2016-08-30 13시 18시 나노융합 전문인력양성 교육 프로그램_Thinfilm 대구대학교 중앙기기원 차정호 4,500,000원
265 2016-09-05 11시 12시 Poly depo 0.6um
4inch SiC 2매		 파워큐브세미(주) 부설연구소 홍영성 600,000원
266 2016-09-05 14시 15시 146:600
P2_DP_YS1 8inch 1매		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 105,000원
267 2016-09-07 14시 15시 poly si(n타입) 3000A 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 135,000원
268 2016-09-08 15시 16시 doped Poly-Si 0.2um 조각 샘플 1회 경북대학교 전자공학과 임기식 150,000원
269 2016-09-20 10시 11시 Poly Si 3000A depo
조각 1회
4inch 1회		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 270,000원
270 2016-09-27 16시 17시 100:600 조건 증착 8inch 2매 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 210,000원
271 2016-09-27 9시 11시 Cap Process_9매(16/08) (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 1,200,000원
272 2016-10-05 10시 17시 미래부 나노융합기술교육_ThinFilm 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 3,400,000원
273 2016-10-20 9시 14시 실리콘 산화막을 LPCVD를 통해 증착하려 합니다.
LP-Ox 250nm 1회		 한국전자통신연구원 GaN전력소자연구실 박준보 150,000원
274 2016-10-27 10시 11시 front:SiO2 passivation / backside bare Si 포항공과대학교 전자과 백상원 420,000원
275 2016-11-01 9시 16시 Poly-Si 0.5um 4매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 420,000원
276 2016-11-03 13시 17시 나노융합 전문인력양성 교육_ThinFilm 계명대학교 화학공학과 서숭혁 3,000,000원
277 2016-11-30 15시 16시 P2_DP_YS (SiH4 180 : PH3 20sccm, Depo time=40sec) 8inch 1매 포항공과대학교 전자전기공학부 윤솔 105,000원
278 2016-12-06 15시 18시 doped Poly-si SiH4/PH3 split test 8inch 5매 포항공과대학교 전자전기공학부 윤솔 525,000원
279 2016-12-12 11시 13시 SiC 기술사업화 장비사용 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 6,000,000원
280 2016-12-14 15시 16시 100 nm n-Si 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 105,000원
281 2016-12-16 10시 12시 Poly-Si 220nm 조각 4ea 포항공과대학교 기계공학과 김인기 105,000원
282 2016-12-20 13시 15시 SiC 기술 사업화 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
283 2016-12-21 11시 12시 poly-Si 128nm 증착 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 105,000원
284 2017-01-03 14시 17시 SiC 사업화
doped poly-Si 6000A 4inch 1회		 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
285 2017-01-05 13시 14시 협의후 진행, 시편준비되면 연락드리겠습니다.
doped poly-Si gas split test 8inch 3매		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 315,000원
286 2017-01-10 14시 15시 poly-Si 130nm 증착 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 105,000원
287 2017-01-11 14시 16시 Depo test (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 0원
288 2017-01-11 9시 13시 나노소자공정실습교육_Thinfilm 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 1,800,000원
289 2017-01-24 10시 13시 SiC 기술사업화_Thinfilm (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 1,000,000원
290 2017-02-07 13시 18시 나노융합기술 전문인력양성프로그램_ThinFilm 대구대학교 중앙기기원 차정호 1,500,000원
291 2017-02-08 9시 18시 SiC 기술사업화_Thinfilm (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 4,500,000원
292 2017-02-16 16시 17시 poly-Si 130nm 증착 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 105,000원
293 2017-02-22 9시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 3,000,000원
294 2017-03-10 13시 18시 doped Poly-Si 0.2um 6inch 2매
doped Poly-Si 0.2um 4inch 2매
doped Poly-Si 0.6um 4inch 1매		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 630,000원
295 2017-03-13 10시 12시 Poly-Si 0.2 & 0.6um 각 1매 6inch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 315,000원
296 2017-03-16 10시 14시 Poly-Si 0.6um 4매(4\" 2매 + 8\" 2매) 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 600,000원
297 2017-03-16 14시 15시 SiN 20nm 조각 sample 경북대학교 전자공학과 임기식 150,000원
298 2017-03-17 11시 16시 doped Poly-Si 0.6um 4inch 6매 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 1,800,000원
299 2017-03-21 9시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 3,000,000원
300 2017-03-22 11시 12시 poly-Si 120nm 증착 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 105,000원
301 2017-03-22 14시 17시 Poly Si 17년 4차 실험
Poly-Si 0.2um 2매 + 0.6um 1매
 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 420,000원
302 2017-03-24 15시 17시 SiN 200nm 조각 1회 경북대학교 전자공학과 임기식 150,000원
303 2017-03-28 11시 12시 Poly-Si Depo. 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 150,000원
304 2017-04-05 14시 17시 0-2-8 Bottom Poly Poly Depo. LPCVD
 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 787,500원
305 2017-04-12 11시 12시 Poly-si 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 112,500원
306 2017-04-20 15시 18시 Doped Poly-Si 0.2/0.6um 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 337,500원
307 2017-04-24 13시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 1,570,000원
308 2017-05-12 11시 12시 3-1-1 High Doped Poly Thickness W01~W02: 6,000Å
W03 : 10,000Å		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 900,000원
309 2017-05-18 9시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 1,800,000원
310 2017-05-25 13시 16시 Doped Poly thickness 9,000 Å KEC 반도체기술 연구소 송인혁 900,000원
311 2017-06-01 14시 15시 0-2-8 poly depo. 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 337,500원
312 2017-06-15 10시 11시 undoped poly-Si 50nm 6inch 1ea 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 112,500원
313 2017-06-27 10시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 3,000,000원
314 2017-06-28 9시 12시 SiC Diode 공정계약 50%_Thinfilm 테크닉스(주) 연구개발 강예환 1,500,000원
315 2017-06-30 10시 16시 나노융합기술 전문인력양성 교육_Thinfilm 대구대학교 중앙기기원 차정호 820,000원
316 2017-07-03 11시 13시 0-2-8 Poly Depo
Si 1ea(선행), SiC 2ea		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 337,500원
317 2017-07-05 13시 15시 이전공정 내역 : Oxide depo.
진행할 공정 : Poly_Si depo.(600nm)


* Dry Etcher_Poly_Si(NINT code:SE04) 장비 점검 Test 시료
 테크닉스(주) 연구개발 강예환 0원
318 2017-07-14 14시 16시 0-2-8 Poly Depo. 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 337,500원
319 2017-07-18 9시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 3,000,000원
320 2017-07-20 10시 11시 poly-Si 220nm 증착 (조각시편) 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 112,500원
321 2017-08-07 10시 11시 Poly-Si 240nm 165sec 조각 sample 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 112,500원
322 2017-08-11 9시 18시 -시료명: Boron nitride/graphene sintered disc(polished)
-Poly Si deposition
-Thickness : 5um내외(협의요) 		한국세라믹기술원 이천분원 김종영 2,550,000원
323 2017-08-18 11시 14시 1 장의 6 인치 bare silicon wafer에 3,000 A의 LPCVD Si3N4의 증착과
2 장의 6 인치 bare silicon wafer에 wet oxidation 30,000 A을 한 것에 5,000 A의 LPCVD Si3N4를 증착하려고 합니다.

LP-SiN 3000A 1매
LP-SiN 5000A 1매		 한국전자통신연구원 광통신부품연구그룹 김갑중 570,000원
324 2017-08-23 13시 15시 W/a-Si/SiO2/Si 샘플위에 SiN 1300A을 증착하고자 합니다.
공정온도는 750도에 최대한 가깝게 부탁드립니다.
(유선상으로 최대 700도 정도라고 들었습니다.)		 삼성전자 Device Lab 김창현 765,000원
325 2017-08-23 15시 17시 W/Graphene/Si 구조의 샘플 위에 SiN 2000A 증착하고자 합니다.
공정 온도는 750도에 최대한 가깝게 부탁드립니다.
(유선상으로는 최대 온도가 700도 정도라고 들었습니다.)		 삼성전자 Device Lab 김창현 255,000원
326 2017-09-06 9시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 3,000,000원
327 2017-10-18 10시 18시 저저항 Super Junction 파워 MOSFET 공정 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 1,500,000원
328 2017-10-25 10시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 3,000,000원
329 2017-11-01 9시 11시 열전소자용 박막증착 : 4.0014275.01-2-2-4 (시험분석료) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 1,400,000원
330 2017-11-21 13시 18시 저저항 Superjunction 파워 MOSFET 개발 및 상용화 [4.0015349.01]_Thinfilm 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 1,500,000원
331 2017-12-08 10시 18시 1200V급 Trench형 SiC MOSFET 소자 개발 [4.0015452.01]_Thinfilm 단위공정 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 1,500,000원
332 2018-01-09 10시 18시 전문인력양성교육_소자공정_Thinfilm 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,200,000원
333 2018-01-23 10시 18시 WISET 사업 교육_Thinfilm 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,500,000원
334 2018-01-24 13시 19시 Doped Poly-Si 200nm
SiC_Sen 08 3매
18Y1M 2매		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 562,500원
335 2018-01-31 18시 20시 0-2-8 Poly depo 선행 1, SiC 2, SOI 2 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 562,500원
336 2018-02-12 10시 13시 실리콘 기반 센서 제작_Thinfilm (과제번호:4.0015206.01) 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,800,000원
337 2018-03-12 11시 14시 poly-si 3000A depo (2Ea) 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 270,000원
338 2018-04-04 9시 11시 LPCVD SiO2 4 nm 부탁드립니다.
(Sample #5)
공정진행 후 두께 확인 부탁드립니다.

물질 정보 : Al2O3/SiN/SiO2
보내시는 곳 : 대전광역시 유성구 대학로 291 (한국과학기술원) 나노종합기술원 521호 이승환
 KAIST 전기 및 전자공학과 이승환 450,000원
339 2018-04-26 10시 17시 10나노급 차세대 실리콘 나노선 개발 포항공과대학교 창의IT융합공학과 박태훈 1,000,000원
340 2018-05-10 9시 10시 Silicide test 4매
Poly 6000A Depo 진행 요청합니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 1,200,000원
341 2018-05-14 10시 12시 Silicon wafer 4"에 Thermal oxidation 1um증착이 되어있씁니다.
추가적으로 LP-CVD로 2um 증착을 하고자 합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 안홍민 510,000원
342 2018-05-15 13시 17시 나노융합기술 교육 관련 장비 실습 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,500,000원
343 2018-05-23 14시 16시 LPCVD 증착샘플은 지난주 금요일에 발송되어 오늘 중으로 도착할 예정입니다.

현재 9piece carrier 2개를 보냈으며

1개의 Carrier는 ONO/Si - (SiO2/Si3N4/SiO2)/Si
5 / 7~8 / 5 nm 증착 부탁드립니다.

2번째 Carrier는 H표시 ONO/Si – (Al2O3/Si3N4/SiO2)Si
5 / 7~8 / 5 nm 증착 부탁드립니다.

N표시 ONO/Si – (SiO2/Si3N4/Al2O3)Si
5 / 7~8 / 5 nm 증착 부탁드립니다.
 한양대학교 신소재공학부 채명균 690,000원
344 2018-05-24 10시 11시 poly test 2매 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 600,000원
345 2018-05-24 14시 18시 4-2-1 LP-CVD 6000A 6매
Test wafer 선행 1매		 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 1,575,000원
346 2018-05-25 11시 12시 1매
Poly 6000A doped 사용 신청 합니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 300,000원
347 2018-05-28 16시 18시 Doped Poly-Si 600nm 4inch 1매 (주)에스엔아이 사업총괄 이강열 300,000원
348 2018-05-29 13시 15시 SiN 100nm + Doped Poly-Si 600nm 조각 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 337,500원
349 2018-05-30 10시 11시 poly test
6000Å 2매 진행신청입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 600,000원
350 2018-06-01 20시 22시 Poly 6000A 4매 진행 신청입니다.
2매 진행(particle issue) 완료		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 600,000원
351 2018-06-04 15시 17시 3매 Poly 6000A 진행 요청 입니다.
2매 진행		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 600,000원
352 2018-06-05 10시 11시 HM050N120A0 3매

Poly 6000A 증착 요청 입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 900,000원
353 2018-06-07 15시 17시 LPCVD SiO2 3 nm 증착 진행 부탁드립니다.
증착 후 이전 처럼 ellipsometer 로 두께 확인 부탁드립니다.
8 inch Si wafer 2 장이며, 물질 정보 및 두께는 아래와 같습니다.

#6 : Al2O3 12 nm / SiN 8 nm / SiO2 4 nm
#8 : Al2O3 17 nm / SiN 8 nm / SiO2 4 nm		 KAIST 전기 및 전자공학과 이승환 300,000원
354 2018-06-11 9시 12시 LPCVD SiO2 증착 진행 부탁드립니다.
(물질 정보 : Al2O3/SiN/SiO2)

carrier 내에 numbering 이 되어 있습니다.
각 번호 마다 의뢰드리는 LPCVD SiO2 증착 두께가 다릅니다.

#15 : 3 nm
#20 : 3 nm
#25 : 4 nm

증착 전/후 두께 확인 부탁드립니다.		 KAIST 전기 및 전자공학과 이승환 450,000원
355 2018-06-14 15시 18시 5-4-1 LP_Nitride depo 6매 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 675,000원
356 2018-06-21 16시 18시 undoped poly-Si 50nm 6inch 1매 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 112,500원
357 2018-06-26 14시 16시 LP-CVD Poly Si 6000Å Depo 13매 진행 부탁드리겠습니다. 3,900,000원
358 2018-07-04 9시 14시 Graphene 증착 및 patterning

8inch 4매 + 조각 1매		 삼성전자 종합기술원 Nano Electronics Lab. 설민수 637,500원
359 2018-07-12 11시 13시 LP-CVD Ply Depo Split

13,000Å
5,000Å		 900,000원
360 2018-07-23 11시 13시 Test를 위한 wafer Poly 증착입니다.
4인치 Si dummy 6000A 5매 예상입니다. 		powertechnix powertechnix 파워테크닉스 1,500,000원
361 2018-07-24 14시 16시 SiN 3000A (주)베프스 기획팀 BEFS 900,000원
362 2018-08-27 14시 15시 400℃ Anneal 공정의뢰
 300,000원
363 2018-09-10 16시 18시 400℃ 30min Anneal 300,000원
364 2018-09-19 16시 18시 SiO2 40nm / SiN 40nm 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 225,000원
365 2018-10-02 14시 16시 Doped Poly-Si 700nm 조각 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 225,000원
366 2018-11-01 12시 16시 Doped Poly-Si 1um 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 337,500원
367 2018-11-07 14시 16시 doped Poly-Si 0.8um 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 337,500원
368 2018-11-14 10시 11시 DP 0.8um 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 337,500원
369 2018-12-04 13시 15시 NIT 160nm THK Target, 전기적 특성 평가 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 380,000원
370 2018-12-04 16시 18시 NIT 50nm 조각 2ea 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 112,500원
371 2018-12-05 16시 18시 DP 200nm 4inch 2매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 225,000원
372 2018-12-06 13시 15시 4-6-1 LP-SiN 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
373 2018-12-07 13시 15시 LPCVD Poly Si 공정의뢰 900,000원
374 2018-12-11 15시 16시 DP 200nm 조각 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 112,500원
375 2018-12-12 14시 16시 DP 2000A 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 225,000원
376 2018-12-18 15시 18시 LPCVD 막질 BV 개선 평가
6조건 Recipe 검증 및 THK Target TEST		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
377 2018-12-19 10시 12시 LPCVD 막질 BV 개선 평가
6조건 BV 측정 sample 박막 증착		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,078,000원
378 2018-12-26 14시 17시 LPCVD 막질 BV 개선 평가: Pressure 상향 조건 / NH3 유량 증가 & SiH4 15sccm 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
379 2018-12-27 10시 14시 LPCVD 막질 BV 개선 평가: Pressure 상향 조건 / NH3 유량 증가 & SiH4 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 574,000원
380 2019-01-04 17시 20시 LP-SiN 50nm 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 315,000원
381 2019-01-21 11시 12시 P doped Poly-Si 30nm depo. 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 112,500원
382 2019-02-07 13시 13시 2장씩 nitride 두께 10nm / 50nm/ 100nm 증착부탁드립니다. 한국과학기술연구원 바이오마이크로시스템연구단 박진수 1,170,000원
383 2019-02-11 16시 17시 안녕하세요. 금요일에 연락드렸던 신소재공학과 황현상 교수님 연구실의 이상민입니다.

3개의 4인치 p-type Si(<100>, R<0.005옴) 에 물질을 증착할 예정입니다.

샘플1) native oxide 제거(wet etching) -> amorphous Si 50nm

샘플2) native oxide 제거 -> amorphous Si 50nm(LPCVD) -> SiO2(LPCVD) 15nm -> TiN 50nm

샘플3) native oxide 제거 -> polycrystalline Si(random orientation, microcrystalline) 50nm (LPCVD) -> SiO2(LPCVD) 15nm -> TiN 50 nm

증착은 15일 금요일까지 가능할까요? 궁금하신점 연락주시면 감사하겠습니다.
 포항공과대학교 신소재공학과 이상민 647,500원
384 2019-02-13 9시 10시 10나노급 차세대 실리콘 나노선 개발 포항공과대학교 창의IT융합공학과 박태훈 850,000원
385 2019-03-04 14시 15시 poly-si 20 nm 증착 (phosphine 농도 100 sccm 1장, phosphine 농도 300 sccm 1장) 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 240,000원
386 2019-03-11 13시 14시 TI/Ni/Ti layer 올라가있습니다.
Poly-Si 20 nm deposition 부탁드립니다.(Phosphine 170sccm)		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 360,000원
387 2019-03-21 19시 20시 3월 19일에 진행했던 공정. 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 120,000원
388 2019-03-28 9시 10시 LPCVD Poly 6000Å 8매 진행부탁드립니다.
 2,400,000원
389 2019-03-29 15시 16시 Poly-Si 50nm 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 120,000원
390 2019-04-02 14시 15시 Poly-Si 50nm 증착부탁드립니다.
Phosphine농도 170sccm 부탁드릴게요.		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 120,000원
391 2019-04-03 17시 18시 600 sccm 6장 부탁드립니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 360,000원
392 2019-04-17 15시 16시 4인치 웨이퍼 4개에 대한 증착을 요청드립니다. 웨이퍼 케이스에 넘버링을 하였습니다.

(1) B doping된 p-type Si에 Thermal oxide 100nm가 길러진 wafer
(2) B doping된 p-type Si에 Thermal oxide 100nm가 길러진 wafer
(3) doping되지 않은 Si wafer
(4) P doping된 n-type Si wafer

증착 요구사항은 다음과 같습니다.
(1) pre-cleaning(유기물 제거) --> undoped poly-Si 50 nm (LP-CVD) --> SiO2 20 nm(LP-CVD) --> TiN 100nm (Sputter)
(2) pre-cleaning(유기물 제거) --> p-doped poly-Si 50 nm (LP-CVD) --> SiO2 20 nm(LP-CVD) --> TiN 100nm (Sputter)
(3) Native oxide 제거 --> SiO2 20 nm(LP-CVD) --> TiN 100nm (Sputter)
(4) Native oxide 제거 --> SiO2 20 nm(LP-CVD) --> TiN 100nm (Sputter)

전화번호는 010-8240-3938입니다. 안내사항이나 변경사항 등에 대해 알려주시면 감사하겠습니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 이상민 900,000원
393 2019-04-29 10시 18시 Intrinc Poly Si "30000Å(선행 5000Å)" 4매
n-doped Poly Si "30000Å(선행 5000Å)" 3매
n-doped Poly Si "30000Å(선행 5000Å)" 3매		 전북대학교 전자공학부 김기현 5,810,000원
394 2019-05-02 10시 12시 Intrinsic Poly Si,n-doped Poly Si, n-doped Poly Si 선행 5000Å 전북대학교 전자공학부 김기현 652,000원
395 2019-05-16 13시 15시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
396 2019-05-16 16시 18시 4인치 웨이퍼 4개에 대한 cleaning 및 증착을 요청드립니다.

웨이퍼 케이스에 n-Si 및 SiO2 wafer 를 구분하여 적어놓았습니다.

웨이퍼 전처리 및 증착 요구사항은 하단의 괄호 안의 내역과 같습니다.

A. n-Si (native oxide 제거) / Phos. Doped poly-Si (LP-CVD 증착)
B. n-Si (native oxide 제거) / undoped poly-Si (LP-CVD 증착)
C. SiO2/p-Si (표면 cleaning) / Phos. Doped poly-Si (LP-CVD 증착)
D. SiO2/p-Si (표면 cleaning) / undoped poly-Si (LP-CVD 증착)

감사합니다.
 포항공과대학교 신소재공학과 이종원 765,000원
397 2019-05-17 13시 15시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
398 2019-05-17 15시 17시 silicon wafer 위에 silicon oxide ~3 nm , silicon nitride ~8 nm 증착 되어 있습니다.
nitride 위에 공정 진행 부탁드립니다.(*SiO2 8nm 증착 8매)		 한국과학기술원(KAIST) 전기 및 전자공학부 김성연 1,200,000원
399 2019-05-20 14시 16시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
400 2019-05-21 11시 14시 4-2-1 LP-Poly Depo 0.9um 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 2,295,000원
401 2019-05-22 10시 12시 4인치 SiO2 웨이퍼 2개에 대한 증착을 요청드립니다.

2개의 SiO2(thermal oxide / 100nm)/p-Si wafer 위에

"Undoped poly-Si 100nm 증착" 부탁드립니다.

문의사항 있으시면 010-4773-4533 으로 연락 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 이종원 405,000원
402 2019-05-22 12시 13시 As doped n+ Si wafer 입니다.

먼저 DHF 처리로 native oxide를 제거한 뒤 undoped poly-Si layer 100nm 증착 부탁드립니다.

감사합니다.

 포항공과대학교 신소재공학과 이종원 225,000원
403 2019-05-22 15시 17시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
404 2019-05-23 15시 17시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
405 2019-06-05 14시 16시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
406 2019-06-18 13시 15시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
407 2019-06-19 13시 15시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 450,000원
408 2019-06-20 13시 15시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 450,000원
409 2019-06-24 13시 15시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
410 2019-06-25 13시 15시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
411 2019-07-01 16시 18시 5-4-1 LP Nitride 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 765,000원
412 2019-07-02 14시 15시 1-1-3 hybrid stack lp-sin depo. 나노융합기술원 포스텍-프라운호퍼 IISB 실용화연구센터 성민재 127,500원
413 2019-07-04 14시 16시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
414 2019-07-10 11시 13시 4-3-1 n-doped poly-Si 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 255,000원
415 2019-07-12 9시 10시 차세대 나노선 개발 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 0원
416 2019-07-15 10시 12시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
417 2019-07-16 10시 12시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
418 2019-07-24 13시 14시 p-Si/Thermal SiO2 100 nm웨이퍼 2매에 대해, 동일하게

SiO2 표면 클리닝 --> undoped poly-Si 100nm 증착을 부탁드립니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 이상민 405,000원
419 2019-07-24 14시 16시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
420 2019-07-25 14시 16시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
421 2019-07-26 14시 16시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
422 2019-08-01 9시 10시 차세대 나노선 개발 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 0원
423 2019-08-02 10시 12시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 450,000원
424 2019-08-06 14시 16시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
425 2019-08-08 11시 13시 나노선 열전소자 제작(Passivation_Anneal) 주식회사 싸이츠 기업부설연구소 백창기 0원
426 2019-08-08 13시 15시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
427 2019-08-08 14시 15시 DP 500nm 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 510,000원
428 2019-08-12 15시 17시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
429 2019-08-13 15시 17시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
430 2019-08-21 15시 17시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
431 2019-08-27 10시 12시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
432 2019-09-02 14시 16시 silicon wafer 위에 silicon oxide 2~3 nm(split), silicon nitride ~7 nm 증착 되어 있습니다.
silicon nitride 위에 공정 진행 부탁 드립니다. (SiO2 ~8 nm 증착 9매)		 한국과학기술원(KAIST) 전기 및 전자공학부 김성연 1,350,000원
433 2019-09-04 14시 16시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
434 2019-09-10 10시 12시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
435 2019-09-18 13시 15시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 450,000원
436 2019-09-19 10시 12시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 450,000원
437 2019-09-23 10시 16시 "SiC 공정 doped poly-Si 진행"[과제번호:4.0018159.01] 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,275,000원
438 2019-09-23 14시 16시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
439 2019-09-23 16시 18시 이전에 유선상으로 문의드린 적이 있습니다
SiN 약 33 A 증착하고 싶어 추가 공정이 필요한 것을 알고 있습니다.
deposition rate를 최대한 낮추는 추가 공정을 통해 약 30초에서 1분 증착시간에서 조건을 잡고 33 A을 증착하고자 합니다.

 포항공과대학교 신소재공학과 김지예 270,000원
440 2019-09-24 14시 16시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
441 2019-09-25 13시 15시 전문인력양성사업 실습 doped poly-Si 박막 증착 나노융합기술원 사업지원팀 박진우 410,000원
442 2019-09-25 14시 16시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
443 2019-10-07 14시 17시 SOI 웨이퍼에 Fin Active 형성되어 있고, 그 위에 Oxidation 3 nm, Nitride ~7 nm deposition 형성되어 있습니다.
Nitride 위에 Oxide 8 nm 증착 요청드립니다.		 한국과학기술원(KAIST) 전기 및 전자공학부 김성연 750,000원
444 2019-10-14 16시 18시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
445 2019-10-15 10시 12시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
446 2019-10-21 13시 15시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
447 2019-10-22 13시 15시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
448 2019-10-23 10시 12시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 450,000원
449 2019-10-28 10시 13시 Trench형 SiC MOSFET 소자 doped poly-Si 공정[4.0018159.01] 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,020,000원
450 2019-10-28 14시 16시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
451 2019-10-29 14시 16시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
452 2019-10-30 14시 16시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 150,000원
453 2019-11-04 13시 15시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
454 2019-11-11 14시 16시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
455 2019-11-12 14시 16시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
456 2019-11-13 14시 16시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
457 2019-11-14 14시 16시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
458 2019-11-18 14시 15시 1. p-doped Si test
2. sio2 570 nm / p-doped Si 640 nm / sio2 420 nm / p-doped Si 400 nm
 포항공과대학교 신소재공학과 김은종 405,000원
459 2019-11-19 15시 17시 4-2-1 doped Poly-Si (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 765,000원
460 2019-11-19 17시 18시 Poly si 600nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 김은종 135,000원
461 2019-11-21 11시 12시 doped poly-Si 300nm 포항공과대학교 물리분석팀 김성규 405,000원
462 2019-11-21 14시 16시 - top layer에 Deep RIE로 10um 깊이로 패터닝된 SOI wafer에 SIN를 양면에 1000nm 정도 올리고 싶습니다.
- 그런데 stress로 인해 wafer 손상 우려가 있어 협의 후 두께 조건 split을 하여 공정을 진행하고 싶습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김강현 405,000원
463 2019-11-22 15시 17시 1. pecvd SiO2(570 nm)
2. LPcvd p-doped Si(640nm)		 포항공과대학교 신소재공학과 김은종 270,000원
464 2019-11-25 14시 17시 Silicon nitride 50nm 두께 증착 부탁드립니다.
Wafer carrier 에 각 낱장 포장해서 보내드리며, 윗면에 증착을 부탁드립니다. 		한국과학기술연구원 바이오마이크로시스템연구단 박진수 960,000원
465 2019-11-26 11시 14시 OXIDE DEPO. (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 1,200,000원
466 2019-11-27 11시 14시 OXIDE 1um DEPO. (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 1,200,000원
467 2019-12-05 10시 11시 샘플1 (증착 두께 확인용)
1) SiO2: 200nm
2)P-doped Si: 200 nm

샘플2 (4 layers)
1)SiO2: 570 nm
2)P-doped Si: 640 nm
3)SiO2: 420 nm
4)p-doped Si: 400 nm		 포항공과대학교 신소재공학과 김은종 405,000원
468 2019-12-05 14시 15시 doped poly-Si 300nm 포항공과대학교 NINT 김성규 270,000원
469 2019-12-05 14시 15시 5-4-1 LP-SiN (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 382,500원
470 2019-12-06 10시 15시 NPTM 표준 공정 평가용 샘플 제작_Poly Si 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,090,000원
471 2019-12-18 11시 14시 SiN 3000A 증착 (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 1,200,000원
472 2019-12-19 11시 14시 Passivation depo. (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 1,200,000원
473 2020-02-03 9시 18시 한국나노마이스터고 교육 1차, 2차, 3차_Thinfilm 나노융합기술원 사업지원팀 박진우 1,500,000원
474 2020-02-04 17시 18시 lpcvd n-poly si depo. 300nm 포항공과대학교 물리분석팀 김성규 135,000원
475 2020-02-05 13시 16시 아래 박막은 non-metallic film으로 poly-si - oxide 입니다.
청정도 100이하에서 진행이 된 6 inch wafer들입니다.

공정을 진행할 wafer는 총 3장입니다
(marking : 2018p_I_17,18, SMDL-2018p-A24)

각각 wafer에 n+ doped poly-Si을 1000 A deposition해주시기 바랍니다.

2월 4일 오후 퀵으로 이정익 담당자님께 보내드릴 예정이며
공정이 완료되어 연락을 주시면 다시 퀵으로 받아가도록 하겠습니다.

연락처 : 010-5040-6513
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1ea 선행, 2매 공정 진행 및 청구		 서울대학교 전기정보공학부 SMDL 강원묵 300,000원
476 2020-02-10 9시 12시 나노인프라 활용 나노기술 응용제품 제작 지원사업 이코루미 연구소 김석근 0원
477 2020-02-13 17시 18시 메일에 자세히 적어놓았습니다.
650C poly si test
dhf clean / poly-si depo. split		 한국과학기술원 전기및전자공학과 이태인 700,000원
478 2020-03-04 11시 13시 1-1-1 gate poly-si depo. lp-poly depo. gas flow split 1.3um 3ea 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 1,215,000원
479 2020-03-11 14시 16시 Ge/SiO2/Si 구조
un-doped poly-Si, 650도에서 100nm 증착		 한국과학기술원 전기및전자공학과 이태인 550,000원
480 2020-03-17 1시 2시 undoped poly-Si 증착 의뢰 드립니다.

총 3장의 4인치 웨이퍼에 모두 동일하게 550A (55nm) 두께로 증착 의뢰드립니다.

1장은 증착온도 650'C, 2장은 증착온도 700'C 에서 진행 부탁드립니다.

포항공대 이종원 드림 (010-4773-4533)		 포항공과대학교 신소재공학과 이종원 405,000원
481 2020-03-24 19시 20시 poly-si depo. 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 135,000원
482 2020-03-25 16시 17시 Wet oxidation 50nm 증착됨. (2번째 공정)

LPCVD를 이용한 Nitride 50nm deposition 요청드립니다.

[나노인프라활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업]으로 청구 요청드립니다.		 (주)제이티에스인더스트리 연구개발부 류세훈 450,000원
483 2020-03-25 17시 18시 PECVD를 이용한 dry oxidation 50nm 증착됨. (4번째 공정)

LPCVD를 이용한 Nitride 50nm deposition 요청드립니다.

[나노인프라활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업]으로 청구 요청드립니다.		 (주)제이티에스인더스트리 연구개발부 류세훈 450,000원
484 2020-03-25 6시 10시 1-1-1 gate_01/02/03 split gate poly-si depo.
Bottom layer target thick. 12000A / 2500A / 3500A / 6000A / 400A		 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 1,350,000원
485 2020-03-25 9시 10시 Doped poly Si 3500A 증착 의뢰드립니다. 23일 오전에 메일 연락드렸었습니다.

웨이퍼는 총 3장이며, Bare wafer 위에 silicon oxide가 증착된 상태입니다.

24일 화요일에 퀵서비스로 보내드릴 예정이고, 공정 완료시 연락주시면 퀵서비스로 다시 찾아가도록 하겠습니다.

의뢰 온라인 신청에서 시작일/종료일 작성이 필요한 것으로 보여 일단 임의로 작성하겠습니다.

010-3615-5804 (홍성빈)		 서울대학교 전기정보공학부 홍성빈 450,000원
486 2020-03-26 11시 12시 PECVD를 이용한 dry oxidation 50nm 증착됨. (6번째 공정)

LPCVD를 이용한 Nitride 50nm deposition 요청드립니다.

[나노인프라활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업]으로 청구 요청드립니다.		 (주)제이티에스인더스트리 연구개발부 류세훈 450,000원
487 2020-03-26 13시 14시 Oxide 1000A 11ea depo. (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 1,650,000원
488 2020-03-26 16시 17시 oxide 1um depo. (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 1,500,000원
489 2020-03-26 17시 18시 PECVD를 이용한 dry oxidation 50nm 증착됨. (8번째 공정)

LPCVD를 이용한 Nitride 50nm deposition 요청드립니다.

[나노인프라활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업]으로 청구 요청드립니다.		 (주)제이티에스인더스트리 연구개발부 류세훈 450,000원
490 2020-03-27 11시 12시 PECVD를 이용한 dry oxidation 50nm 증착됨. (10번째 공정)

LPCVD를 이용한 Nitride 50nm deposition 요청드립니다.

[나노인프라활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업]으로 청구 요청드립니다.		 (주)제이티에스인더스트리 연구개발부 류세훈 450,000원
491 2020-04-14 9시 18시 - Doped poly-Si 증착막 target thickness: 1600 A
- 6-inch wafer 4 장 (laser marking: SNU19_D02/06/07/08)
- History: 4장 모두 CMOS 전용 장비(반도체공동연구소, CLASS 100이하 fab.)에서 공정되었고, p-type wafer 위에 thermal oxide 3000~5000 A의 막이 패터닝되어 있습니다. 직전 공정 완료 후 cleaning(SPM, RCA(SC1, 2)) 하여 6-inch carrier에 담아 진공포장하여 보냅니다.

내일 오전중(4/14화) 빠르면 오늘 저녁 늦게 퀵으로 보내드릴 예정입니다.
공정전후로 연락부탁드리며, 완료 후 연락주시면 퀵으로 찾아가겠습니다.		 서울대학교 전기정보공학부 이수창 600,000원
492 2020-04-21 9시 12시 아래 박막은 non-metallic film으로 thermal oxide 입니다.
청정도 100이하에서 진행이 된 6 inch wafer들입니다.

공정을 진행할 wafer는 총 5장입니다
(marking : SMDL-2018p-A1~5)

각각 wafer에 n+ doped poly-Si을 1000 A deposition해주시기 바랍니다.

4월 20일 오전 퀵으로 이정익 담당자님께 보내드릴 예정이며
공정이 완료되어 연락을 주시면 다시 퀵으로 받아가도록 하겠습니다.

연락처 : 010-5040-6513		 서울대학교 전기정보공학부 SMDL 강원묵 750,000원
493 2020-04-28 10시 12시 아래 박막은 non-metallic film으로 oxide와 poly silicon 입니다.
청정도 100이하에서 진행이 된 6 inch wafer들입니다.

공정을 진행할 wafer는 총 4장입니다
(marking : SMDL-2018p-A1~3, SMDL-2018p-A20)

SMDL-2018p_A20 1장은 monitor wafer로서 oxide만 325A 정도 올라가 있습니다.
공정 완료후 측정시 참고해주시면 될 것 같습니다.,

각각 wafer에 n+ doped poly-Si을 1000 A deposition해주시기 바랍니다.

4월 27일 오전 퀵으로 이정익 담당자님께 보내드릴 예정이며
공정이 완료되어 연락을 주시면 다시 퀵으로 받아가도록 하겠습니다.

연락처 : 010-5040-6513
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test wafer 미증착		 서울대학교 전기정보공학부 SMDL 강원묵 450,000원
494 2020-05-18 13시 15시 - Phos. doped poly-Si 증착막 target thickness: 1900 A
- 6-inch wafer 2 장 (laser marking: SNU19_D04/05)
- History: 2장 모두 CMOS 전용 장비(반도체공동연구소, CLASS 100이하 fab.)에서 공정되었고, p-type wafer 위에 thermal oxide 3000~5000 A, poly-Si 500 A의 막이 패터닝되어 있습니다.
직전 공정 완료 후 cleaning(SPM, RCA(SC1, 2)) 하여 6-inch single carrier에 담아 진공포장하여 보냅니다.
오늘 택배로 보내드리니 빠르면 내일 또는 다음주 월요일에 도착할 것 같습니다. 받으시는대로 공정 부탁드립니다. 공정완료 후 연락주시고 택배로 다시 보내주시면 감사하겠습니다.

추가 요청사항으로 공정 후 요청 증착막 두께 및 uniformity data를 요청드립니다. 메일로 보내주시면 좋을 것 같습니다.		 서울대학교 전기정보공학부 이수창 300,000원
495 2020-05-18 13시 14시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
496 2020-05-19 13시 14시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
497 2020-05-20 13시 14시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
498 2020-05-21 10시 12시 아래 박막은 non-metallic film으로 oxide와 poly silicon 입니다.
청정도 100이하에서 진행이 된 6 inch wafer들입니다.

공정을 진행할 wafer는 총 4장입니다
(marking : SMDL-2018p-A1~2, SMDL-2018p-A18,21)

각각 wafer에 n+ doped poly-Si을 1000 A deposition해주시기 바랍니다.

5월 20일 오전 퀵으로 이정익 담당자님께 보내드릴 예정이며
공정이 완료되어 연락을 주시면 다시 퀵으로 받아가도록 하겠습니다.

연락처 : 010-5040-6513		 서울대학교 전기정보공학부 SMDL 강원묵 600,000원
499 2020-05-22 14시 15시 SiC 다이오드 단위공정 (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
500 2020-06-03 14시 16시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
501 2020-06-04 14시 16시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
502 2020-06-05 14시 16시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
503 2020-06-05 9시 11시 undoped poly-Si 증착 의뢰 드립니다.

총 2장의 4인치 웨이퍼에 모두 동일하게 300A (30nm) 두께로 증착 의뢰드립니다.

1장은 증착온도 650'C, 나머지 1장은 증착온도 700'C 에서 진행 부탁드립니다.

포항공대 이종원 드림 (010-4773-4533)		 포항공과대학교 신소재공학과 이종원 270,000원
504 2020-06-09 14시 16시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 450,000원
505 2020-06-10 14시 16시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 450,000원
506 2020-06-11 14시 16시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 450,000원
507 2020-06-12 14시 16시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 450,000원
508 2020-06-15 10시 11시 Oxide depo. (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 1,500,000원
509 2020-06-17 13시 14시 Oxide depo (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 1,500,000원
510 2020-06-17 14시 16시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 450,000원
511 2020-06-19 13시 15시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 450,000원
512 2020-06-22 10시 12시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
513 2020-06-24 14시 16시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
514 2020-06-26 13시 15시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
515 2020-06-29 14시 15시 SiH4:PH3=100:600
24s 공정 (약 30nm 증착)
조각진행		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 135,000원
516 2020-06-30 13시 15시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
517 2020-07-03 10시 12시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
518 2020-07-03 13시 14시 1-2-1 deposition oxide depo. lpcvd (선행포함) 에스앤에스텍 선행기술팀 박철균 499,000원
519 2020-07-03 14시 15시 4인치 웨이퍼 1장에 대해 증착온도 650'C 로 undoped poly-Si 150A (15nm) 증착 의뢰드립니다. 포항공과대학교 신소재공학과 이종원 135,000원
520 2020-07-06 10시 12시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
521 2020-07-08 14시 16시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
522 2020-07-09 14시 16시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
523 2020-07-10 11시 12시 1-2-4 deposition oxide depo. lpcvd (선행포함) 4회
1-3-1 back side oxide depo. lpcvd 3회		 에스앤에스텍 선행기술팀 박철균 1,050,000원
524 2020-07-10 13시 15시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
525 2020-07-14 10시 12시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 450,000원
526 2020-07-15 10시 12시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
527 2020-07-16 10시 12시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
528 2020-07-22 15시 17시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 450,000원
529 2020-07-23 10시 12시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 450,000원
530 2020-07-24 10시 11시 poly-si depo. 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 540,000원
531 2020-07-27 10시 12시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
532 2020-07-27 16시 17시 Al2O3/SiO2/Si 구조 6인치 웨이퍼 6장
Si3N4 6 nm 증착 부탁드립니다.		 한국과학기술원 전기및전자공학과 이태인 900,000원
533 2020-07-28 10시 12시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
534 2020-07-29 13시 15시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 300,000원
535 2020-07-29 9시 17시 조각 샘플 4개 (1번) SiO2 3nm / (2번) Si3N4 5nm / (3번) SiO2 10nm 순서로 증착 부탁드리겠습니다.
물질은 Al, IGZO, ITO, SiO2 이렇게 증착되어있습니다.

칩트레이에 번호가 적혀있습니다. 공정 후 번호에 맞게 넣어주시면 감사하겠습니다.
잘부탁드립니다.
한양대학교 신소재공학과 구본철 300,000원
536 2020-07-30 15시 17시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 450,000원
537 2020-07-31 10시 12시 SiO2, Si3N4, (doped)Poly-Si (주)예스파워테크닉스 연구소 장혜원 450,000원
538 2020-08-03 10시 12시 n+ doped poly Si 3500 A 증착 공정입니다.

사전에 이정익 선생님께 연락드린 상태입니다.		 서울대학교 전기정보공학부 홍성빈 600,000원
539 2020-08-03 18시 20시 - Phos. doped poly-Si 증착막 의뢰, target thickness: 1700 A
- 6-inch wafer 5장 (laser marking: SNU19_D11~15)
- History: 5장 모두 CMOS 전용 장비 (서울대 반도체공동연구소, CLASS 100이하 fab.)에서 공정되었고, p-type wafer 위에 thermal oxide 3000 A 및 poly-Si 500 A의 막이 패터닝되어 있습니다.
직전 공정 완료 후 cleaning(SPM, RCA(SC1, 2)) 하여 6-inch carrier에 담아 진공포장하여 보냅니다.
저희 연구실 장동규(& 홍성빈 이름으로 예약한 건) 학생이 직접 포스텍 방문하여 같이 전달하기로 하였습니다. 받으시는대로 장동규(&홍성빈) 학생 공정건과 구분하여 공정 부탁드립니다.
공정완료 후 연락주시고 택배로 다시 보내주시면 감사하겠습니다.

P.S. 만일 장동규 학생 공정건과 같은날 완료된다면 장동규 학생이 방문하여 같이 받아주겠다고 했는데, 공정 완료시간이 많이 다르면 따로 택배로 보내주세요.		 서울대학교 전기정보공학부 이수창 750,000원
540 2020-08-04 10시 12시 아래 박막은 non-metallic film으로 oxide와 poly silicon 입니다.
청정도 100이하에서 진행이 된 6 inch wafer들입니다.

공정을 진행할 wafer는 총 3장입니다
(marking : A11, A12, H1)

각각 wafer에 n+ doped poly-Si을 2000 A deposition해주시기 바랍니다.

8월 3일 오전 퀵으로 이정익 담당자님께 보내드릴 예정이며
공정이 완료되어 연락을 주시면 다시 퀵으로 받아가도록 하겠습니다.

연락처 : 010-5040-6513		 서울대학교 전기정보공학부 SMDL 강원묵 450,000원
541 2020-08-06 11시 13시 n+_doped poly Si

900 A 증착 하고 싶습니다.

(total 10 장의 6 inch wafer)		 서울대학교 전기정보공학부 서영탁 1,500,000원
542 2020-08-06 14시 18시 SiC Gate Oxide 평가 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,275,000원
543 2020-08-10 11시 12시 Oxide 200nm 에스앤에스텍 신기술팀 박철균 225,000원
544 2020-08-11 10시 15시 N+ Doped Poly-Si 3500A 증착 부탁드립니다. 서울대학교 전기정보공학부 장동규 450,000원
545 2020-08-12 10시 12시 아래 박막은 non-metallic film으로 oxide와 poly silicon입니다.
청정도 100 이하에서 진행이 된 6inch wafer입니다.

공정을 진행할 wafer는 총 4장입니다.
(marking : A13, A14, H2, H3)

각각 wafer에 n+ doped poly-Si을 2000A deposition 해주시기 바랍니다.

8월 11일 오후에 퀵으로 이정익 담당자님께 보내드릴 예정이며
공정이 완료되어 연락을 주시면 다시 퀵으로 받아가도록 하겠습니다.

연락처 : 010-5040-6513		 서울대학교 전기정보공학부 SMDL 강원묵 600,000원
546 2020-08-19 17시 18시 1-1-1 deposition back side oxide depo. 5000a 4ea 에스앤에스텍 선행기술팀 박철균 600,000원
547 2020-08-20 10시 13시 이전에 의뢰 드린 내용과 같은 내용으로,

11장의 6 inch 웨이퍼에 900 A 의 n+ doped. poly Si 증착 의뢰 드립니다.		 서울대학교 전기정보공학부 서영탁 1,650,000원
548 2020-08-21 9시 10시 [나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업]

1. Oxide 50nm - PECVD ------------ 진행요청부탁드립니다.
2. Nitride 50nm - LPCVD
3. Oxide 50nm - PECVD
4. Nitride 50nm - LPCVD
5. Oxide 50nm - PECVD
6. Nitride 50nm - LPCVD
7. Oxide 50nm - PECVD
8. Nitride 50nm - LPCVD
9. Oxide 50nm - PECVD
10. Nitride 50nm - LPCVD
11. Oxide 100nm - PECVD
 (주)제이티에스인더스트리 연구개발부 류세훈 1,470,000원
549 2020-08-22 20시 22시 deposition oxide depo. 2000a, 1um 에스앤에스텍 선행기술팀 박철균 150,000원
550 2020-08-25 17시 18시 2-1-3 silica si depo. 포항공과대학교 화학과 신승구 270,000원
551 2020-09-02 10시 11시 2-1-2 P-Si 2000A Depo 포항공과대학교 화학과 신승구 135,000원
552 2020-09-03 14시 16시 4차 산업 연계형 나노기술인력양성
박막 교육		 나노융합기술원 교육홍보팀 이상민 1,500,000원
553 2020-09-16 13시 15시 4차 산업 연계형 나노기술인력양성
확산 교육		 나노융합기술원 교육홍보팀 이상민 1,500,000원
554 2020-09-21 9시 18시 SiC MOSFET Poly-Si 공정 test 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,275,000원
555 2020-10-22 9시 12시 - Phos. doped poly-Si 증착막 target thickness: 1800 A
- 6-inch silicon wafer 3 장 (laser marking: 2018p_P18~20)
- 6-inch SOI wafer 2 장 (laser marking 없음, 뒷면 하단의 일련번호로 구분 가능)
=> 6-inch wafer 캐리어에 23~25 slot에는 silicon wafer, 1~2 slot에는 SOI wafer 거치되어 있습니다.

- History: 5장 모두 CMOS 전용 장비(반도체공동연구소, CLASS 100이하 fab.)에서 공정되었고,
6-inch silicon wafer는 p-type wafer 위에 thermal oxide 2000~4000 A 막이 패터닝되어 있습니다.
6-inch SOI wafer는 implantation 후 etch 작업이 되어 있고 dry oxidation 되어 있습니다.
직전 공정 완료 후 cleaning(SPM, RCA(SC1, 2)) 하여 보내드립니다.

- 의뢰 두께:
6-inch silicon wafer(2018p_P18~20, 3장) 은 1800A (1800~1900 A) target으로 175s 증착시간으로 동일 zig로 증착 의뢰 부탁드립니다.
6-inch SOI wafer(no marking, 2장) 은 1000A (800~1200 A) target으로 동일 zig로 증착 의뢰 부탁드립니다.
증착 전 절대!! 클리닝 진행하지 말아주시기 바랍니다. 사전에 클리닝하여 보내며, 바로 상부에 thermal oxide가 있어 damage 받을 수 있습니다. 진공 포장지 제거 후 증착만 해주세요.

오늘 퀵 택배로 보내드리니 빠르면 오늘 내로 도착할 것 같습니다.
내일 오전으로 예약시간은 잡아 놓았으나 받으시는대로 웨이퍼 수령 후 금일 시간이 된다면 공정 부탁드립니다. 공정완료 후 연락주시고 택배로 다시 보내주시면 감사하겠습니다.

이수창 드림 (slee1077@snu.ac.kr, 010-4809-9709)		 서울대학교 전기정보공학부 이수창 450,000원
556 2020-10-23 10시 14시 3500 A 생각을 하고 있으나, 혹시 한번에 단일 공정으로 3000 A 과 3500 A 이 금액 차이가 있다면,

3000 A으로 증착 부탁드립니다.

snu 19 b 1 2 3 4 5 7 9 10 (번호는 조금 틀릴 수도 있으나, 8 장입니다)		 서울대학교 전기정보공학부 서영탁 1,200,000원
557 2020-10-23 14시 15시 KEC과제
undoped poly si 700nm depo.
doped poly si 700nm depo.		 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 510,000원
558 2020-10-27 10시 18시 10월 23일 서울대학교 이수창군과 함께 SOI wafer 2장 1000A두께 n-doped poly Si deposition 의뢰를 맡겼습니다.

추가 공정으로 SOI wafer 2장에 1000A두께 n-doped poly Si deposition 의뢰를 맡기고자 합니다.

SOI wafer에 marking은 없습니다. 		서울대학교 전기정보공학부 우성윤 300,000원
559 2020-10-28 9시 18시 Doped Poly Si 3500 A 증착 의뢰 부탁 드립니다.

웨이퍼는 총 11장이고, Bare wafer에 5000A 가량의 oxide가 패터닝 되어있는 상태입니다.
퀵서비스를 이용해서 전달드리고, 공정 후에 연락주시면 다시 퀵서비스로 찾아가도록 하겠습니다.

*보내는 사람은 홍성빈 혹은 정규원으로 기재되어 있을 것입니다.
*연락처: 010-855-2688 (정규원)		 서울대학교 전기정보공학부 홍성빈 1,650,000원
560 2020-11-10 10시 12시 1um Depo. 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 382,500원
561 2020-11-12 10시 20시 doped-poly 3000A x3장 (메일로 보내드렸습니다.) 인하대학교 전기공학과 권대웅 550,000원
562 2020-11-17 16시 18시 4인치 웨이퍼 3장에 대한 LPCVD poly-Si 증착 의뢰입니다.

1,2 번의 2장의 웨이퍼에는 undoped poly-Si 30nm 를 증착 부탁드리며
3번 웨이퍼에는 Phos. doped poly-Si 30nm 증착을 부탁드립니다.

안내 사항 발생 시 010-4773-4533 혹은 leejw@postech.ac.kr 로 연락 주시기 바랍니다.

감사합니다.
 포항공과대학교 신소재공학과 이종원 270,000원
563 2020-11-24 10시 12시 없습니다. 경북대학교 전자전기공학부 김준수 900,000원
564 2020-11-25 16시 17시 Poly-Si 300 nm 증착 부탁드립니다.
최태원 학생 택배편으로 wafer 같이 보내드립니다.		 서울대학교 전기정보공학부 김창현 150,000원
565 2020-11-26 9시 10시 Oxide 650A Depo. 2ea
Poly 1um Depo. 1ea		 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 382,500원
566 2020-12-02 13시 14시 doped poly si 26/28/30sec 진행 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 405,000원
567 2020-12-02 14시 16시 조각 샘플 24개에 대한 poly-Si 증착 의뢰 드립니다.
샘플 1-1 (4개) / 2-1 (4개) / 3-1 (4개) 총 12개의 조각 샘플에 대해서는 undoped poly-Si 15nm 증착 및
샘플 1-2 (4개) / 2-2 (4개) / 3-2 (4개) 총 12개의 나머지 조각 샘플에 대해서는 undoped poly-Si 30nm 증착 의뢰 드립니다.
감사합니다. 이종원 드림 (010-4773-4533 / leejw@postech.ac.kr)		 포항공과대학교 신소재공학과 이종원 270,000원
568 2020-12-04 9시 12시 [전문인력양성사업-MEMS센서 소자제작교육] LP-Oxide Depo 나노융합기술원 사업지원팀 박진우 1,200,000원
569 2020-12-09 14시 15시 SiO2(100nm)/Si 기판 위에 30nm 두께의 undoped poly-Si 을 700\'C 공정 조건에서 증착 바랍니다. 포항공과대학교 신소재공학과 이종원 135,000원
570 2020-12-10 10시 12시 poly-Si / SiO2 / c-Si 로 구성되어진 조각 샘플에 대한 undoped poly-Si, 20nm 두께 증착 부탁 드립니다.
증착온도는 700\'C 로 요청 드립니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 이종원 135,000원
571 2020-12-14 9시 11시 [레이저 어닐링 기술을 활용한 EV PCU용 저비용 고효율 SiC 파워반도체 개발]Doped P-Si Depo 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 300,000원
572 2020-12-28 10시 14시 updoped - poly Si 25nm 3장, updoped - poly Si 35nm 1장 공정온도 700도로
부탁 드립니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 이순형 540,000원
573 2020-12-29 12시 14시 Gate 절연막 Sio2 Si3N4 SiO2 deposition 이후 gate 형성을 위한 N+doped Poly silicon 증착을 의뢰합니다.

의뢰 두께 : 1000A

Cleaning 한 상태여서 바로 공정 진행 부탁드립니다.		 서울대학교 전기정보공학부 김형수 300,000원
574 2021-01-08 13시 14시 doped poly si depo. 30sec 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 135,000원
575 2021-01-14 10시 12시 전문인력양성교육 심화실습교육

 나노융합기술원 사업지원팀 전문인력2조 0원
576 2021-01-14 14시 16시 전문인력양성과정 심화실습 교육

- Si 웨이퍼 위에 Si3N4를 3000A 증착하고 싶습니다.
- Si 웨이퍼 위에 SiO2를 3000A 증착하고 싶습니다.		 나노융합기술원 사업지원팀 전문인력5조 0원
577 2021-01-15 16시 18시 전문인력양성교육-심화실습교육
LPCVD를 통해 1/4크기의 웨이퍼에 SiO2를 증착하고 싶습니다. 		나노융합기술원 사업지원팀 전문인력 1조 0원
578 2021-01-18 17시 18시 전문인력양성교육-심화실습교육
이전단계의 포토, 애칭 이후 SiO2 증착 부탁드립니다. 		나노융합기술원 사업지원팀 전문인력 1조 0원
579 2021-01-19 14시 16시 전문인력양성교육-심화실습교육

포토, 에칭 이후 웨이퍼에 Si3N4을 목적으로 장비를 사용하려 합니다.		 나노융합기술원 사업지원팀 전문인력 1조 0원
580 2021-01-19 15시 17시 전문인력양성교육-심화실습교육
1/4웨이퍼에 polysi/doped 증착 부탁드립니다.

나노융합기술원 사업지원팀 전문인력 1조 0원
581 2021-01-21 15시 17시 한국나노마이스터고등학교 반도체 공정 교육- Thin film 실습 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,290,000원
582 2021-01-28 8시 10시 Undoped- poly Si 15nm 공정온도 650도 1세트

Undoped- poly Si 12nm 공정온도 700도 1세트

Undoped- poly Si 16nm 공정온도 700도 1세트 부탁드려요.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 이순형 405,000원
583 2021-02-04 13시 14시 4 doped p-si 1um depo. (ph3:sih4=300:100) 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 510,000원
584 2021-02-04 9시 12시 대구가톨릭대학교 LINC사업단 반도체 공정 실습_박막 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,200,000원
585 2021-02-05 13시 18시 전문인력양성 실습교육_박막 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 3,000,000원
586 2021-02-08 9시 10시 6 doped p-si 1um redep 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 510,000원
587 2021-02-10 13시 14시 5-3-1 gate poly depo. 1um 4ea 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 2,040,000원
588 2021-02-15 13시 18시 전문인력양성 나노소자공정 실습교육_박막 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 2,000,000원
589 2021-02-16 13시 17시 전문인력양성 나노소자공정 실습교육_박막 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 2,000,000원
590 2021-02-17 10시 15시 전문인력양성 나노소자공정 실습교육_박막 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 2,700,000원
591 2021-02-18 14시 15시 doped p-si 1um(PH3 : 300) 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 510,000원
592 2021-02-24 9시 10시 6-3-3 gate poly depo. 1um 선행 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 510,000원
593 2021-02-26 14시 16시 6인치 SOI wafer 2장 n-doped poly Si 물질 1000A 증착 의뢰 맡기고자 합니다.

 서울대학교 전기정보공학부 우성윤 300,000원
594 2021-03-03 9시 12시 updoped - poly Si 35nm 2장, updoped - poly Si 50nm 1장 공정온도 700도로
부탁 드립니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 이순형 405,000원
595 2021-03-05 10시 11시 6-3-3 Gate poly depo LPCVD
Doped polySi Target 10000A		 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 360,000원
596 2021-03-10 17시 18시 0-1-4 0 fab-in undoped p-si depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 562,500원
597 2021-03-23 14시 16시 1세트 (조각 7개)는 50nm,
다른 1세트 (조각 7개)는 25nm로 해서 700도 조건에서 증착 부탁드려요.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 이순형 270,000원
598 2021-04-05 14시 14시 0-1-4 0 Fab-In Undoped P-Si depo LPCVD Undoped P-Si 500A Depo 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 562,500원
599 2021-04-08 10시 10시 안녕하세요 n+ doped poly Si 2가지 두께를 증착부탁드립니다.

op-13,14,16,17,18 : 3000 A 증착 입니다. (5장)
op-1,7,8,9 : 500 A 증착입니다. (4장) -> (500 A 증착 4개의 웨이퍼 중1번 웨이퍼가 메인 웨이퍼라서
첫번째 말고 중간 순서로 공정 부탁드립니다.)
(더미 웨이퍼도 넣어서 공정 부탁드립니다.)

웨이퍼는 구분하기 편하게 양쪽으로 나눠서 한 캐리어에 담아서 보내드리겠습니다.		 서울대학교 전기 정보공학부 장태진 1,350,000원
600 2021-04-14 9시 12시 Doped P-Si 1um depo (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 240,000원
601 2021-04-18 7시 11시 poly-si 1um depo. 10ea
SK 실란 가스 TEST		 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,200,000원
602 2021-04-22 17시 17시 Wafer 물질 정보 : Bare Si wafer 위에 furnace를 이용한 oxide 및 lpcvd를 이용한 poly-Si이 증착되어 있으며 photo lithography 공정을 통해 poly-Si을 etch한 후 그 위에 SiO2/SiN/SiO2 스택이 lpcvd를 이용해 증착되어 있음

요청사항 : n-type doped poly-Si 3000 Å 2장 의뢰합니다. (dummy wafer도 넣어서 공정 부탁드립니다.)

같은 연구실이라 장태진 학생의 아이디를 사용하였는데, 관련 문의는

\'010-2668-2378 황성민\'으로 연락 부탁드립니다. 		서울대학교 전기 정보공학부 장태진 300,000원
603 2021-05-18 13시 16시 Doped Poly Si 3000 A depo. 서울대학교 전기정보공학부 홍성빈 1,050,000원
604 2021-05-24 9시 13시 unDop Poly-Si 1um 증착[과제번호: 4.0021529.01] 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 2,400,000원
605 2021-05-25 12시 12시 quick으로 전달 및 수거
010-2585-9354
두께 3500A
n+ poly si		 서울대학교 전기정보공학부 이차영 600,000원
606 2021-06-01 10시 18시 SiH4 Gas 평가 과제 진행 [4.0021529.01] 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 2,400,000원
607 2021-06-07 10시 18시 SiH4 Gas 평가 과제 진행 [4.0021529.01] 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 2,400,000원
608 2021-06-10 12시 12시 quick으로 전달 및 수거 (일반택배X)
010-2585-9354
두께 3500A
n+ poly si		 서울대학교 전기정보공학부 이차영 450,000원
609 2021-06-14 15시 16시 2-1-1 gate polyplug gate poly-si depo. 1um 2ea (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 960,000원
610 2021-07-05 9시 12시 1세트 (조각 7개)는 12nm,
다른 1세트 (조각 7개)는 16nm로 해서 700도 조건에서 증착 부탁드려요.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 이순형 270,000원
611 2021-08-03 9시 12시 700도 조건에서 35nm 두께로 poly-Si 증착부탁드려요. (wafer 2장) 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 이순형 270,000원
612 2021-08-18 10시 18시 SiC_Module_Thinfilm_Poly_Oxide Depo [4.0021875.01] 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,200,000원
613 2021-08-25 9시 12시 700도 조건에서 35nm 두께로 poly-Si 증착부탁드려요. (2 inch wafer 2장) 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 이순형 135,000원
614 2021-09-14 10시 17시 나노융합고도화사업 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 3,000,000원
615 2021-09-14 9시 12시 Oxide 2um 외부(KANC) etch 공정 진행, Poly-Si 1um target deposition 싸니코전자(주) 개발팀 최주헌 1,450,000원
616 2021-10-14 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.

poly-Si 250nm 증착 부탁드립니다.

감사합니다.
1500A + 1000A 2회 진행		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 255,000원
617 2021-10-27 10시 15시 나노융합고도화사업
 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 1,500,000원
618 2021-10-28 14시 16시 4inch SiO2(thermal grown, 100nm)/Si 웨이퍼 위에 LPCVD 공정을 통한 SiO2 layer 증착 의뢰합니다.

총 2장의 웨이퍼에 한 장은 500nm, 나머지 한 장은 1um 두께 증착 부탁드립니다.

유선상으로 금요일 이전에 장비 수리가 완료된다고 연락 받아 우선 목요일로 예약하였으며, 샘플은 미리 의뢰함에 넣어두도록 하겠습니다. 장비 수리 진행되는 대로 증착 부탁 드리겠습니다..

(장비 이용료가 두께 300nm 기준으로 되어 있어 아마 추가금액이 발생할 것 같은데 정확한 기준을 몰라 우선 수량은 2회로만 지정하였습니다. 추가 이용료 납부 관련해서 연락 주시면 진행하도록 하겠습니다.)		 포항공과대학교 신소재공학과 이종원 675,000원
619 2021-10-28 9시 10시 poly-si 50nm 3ea 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 이순형 405,000원
620 2021-10-29 1시 18시 DHF clean 후 NH3 분위기 anneal 진행 부탁드립니다.

온도 : 730C
압력 : 300 Torr
gas : NH3
시간 : 15 min
 삼성전자 종합기술원 남승걸 820,000원
621 2021-11-02 15시 16시 LPCVD 를 이용한 undoped amorphous 및 poly-Si layer 의 총 3회 증착을 의뢰 드립니다.

(LPCVD 장비 설명 페이지의 poly-Si process 내 film microstructure control 을 통한 amorphous silicon 증착 항목을 확인하였습니다. amorphous silicon 증착은 처음인데 가능할까요?)

증착 1) 4-inch wafer / undoped amorphous silicon / 30nm-thick
증착 2) 4-inch wafer / undoped poly-silicon / 30nm-thick
증착 3) 조각 샘플 / undoped poly-silicon / 30nm-thick

예약 날짜는 우선 내일로 잡았는데 오늘 저녁까지 샘플은 공정의뢰함에 보관하겠습니다.
가능한 일자에 증착 요청드리며 완료 시 연락 부탁드리겠습니다. 감사합니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 이종원 378,000원
622 2021-11-02 17시 19시 0-1-3 0 fab-in oxide depo.
0-1-4 0 fab-in poly si depo.		 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 675,000원
623 2021-11-11 9시 18시 DHF clean 이후 NH3 분위기 anneal 공정 부탁드립니다

온도 : 730C
압력 : 300Torr
NH3 유량 : 6000 sccm

위 조건으로 wafer 위치에 따라서 시간 split 부탁드립니다.

Slot #1~#5 --> 시간 : 15 min

Slot #15~#18 --> 시간 : 5 min


 삼성전자 종합기술원 남승걸 1,680,000원
624 2021-11-12 9시 10시 Cr 100nm 증착된 기판 위에
SiO2 70nm 증착부탁드립니다!
pe-oxide depo.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 135,000원
625 2021-11-25 10시 17시 . (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 5,000,000원
626 2021-12-10 1시 11시 안녕하세요. LPCVD로 SiO2 100nm 공정 의뢰드리고 싶습니다. 공정 온도는 가능한 제일 낮은 온도로 해주시면 감사드리겠습니다 (홈페이지에는 650-750도로 써있는데, 이보다 낮은 온도에서 증착이 가능하다면 제일 낮은 온도로 공정 부탁드립니다). 혹시 SiO2 chamber 수리 중이라면, 연락 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 임세미 135,000원
627 2021-12-15 10시 11시 2-1-1 poe insulation depo. lpoxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 337,500원
628 2021-12-15 14시 17시 1-1-1 poly depo. 6000a 4ea+선행 템퍼스 생산기술팀 서영민 1,474,000원
629 2021-12-15 9시 18시 공통 : 온도 730C, 압력 300Torr, NH3 분위기 anneal

Slot #1,#2
- DHF clean
- NH3 1000sccm
- 15min anneal

Slot #5,#6
- DHF clean
- NH3 3000sccm
- 5min anneal

Slot #9,#10,#11
- DHF clean
- NH3 3000sccm
- 15min anneal

Slot #12
- DHF 없습니다
- NH3 3000seem
- 15min anneal		 삼성전자 종합기술원 남승걸 1,780,000원
630 2021-12-16 9시 18시 730C, 300 Torr, NH3 분위기 anneal

#1~#3 : DHF clean, 3000 sccm, 5min

#5 : DHF clean, 6000 sccm, 15min

#7 : DHF 없음, 3000 sccm, 5min

#9 : DHF clean, 1000 sccm, 1min

#11 : DHF clean, 100 sccm, 1min
 삼성전자 종합기술원 남승걸 960,000원
631 2021-12-21 11시 18시 나노융합기반고도화 사업_공정 테스트 (주)에스제이컴퍼니 개발팀 박상준 2,400,000원
632 2021-12-21 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

poly-Si 250nm 증착 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 127,500원
633 2022-01-19 15시 16시 Poly-Si Deposition (Target : 300A)
1) P2-DP-BKM (700/700) 70mtorr 24s
2) P2-DP-BKM (700/700) 50mtorr 34s
 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 255,000원
634 2022-02-17 15시 18시 2-3-1 gate poly depo. 1um
2-3-2 gate poly depo. 5000A		 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 720,000원
635 2022-02-21 16시 17시 p2_dp_bkm 24/27/72sec 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 382,500원
636 2022-05-19 10시 12시 SiO2 100nm deposition 부탁드립니다.
샘플은 1층 시편 보관함에 두도록 하겠습니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 허성재 135,000원
637 2022-06-13 9시 10시 SiO2/Si(100) 기판 위 3 nm SiN 증착 & h-BN/SiO2/Si(100) 기판 위 1 - 1.5 nm SiN 증착을 하고자 합니다. SiO2/Si(100) 기판 위 3 nm SiN 증착은 2019년 7월말-8월 경, 2021년 5월경 증착한 경험이 있습니다 해당 조건과 동일하게 모든 증착을 진행하되, h-BN/SiO2/Si(100) 기판 위 증착은 deposition time을 낮춰 두께를 더 얇게 (약 1-1.5nm) 증착하고자 합니다. 현재 setting 되어 있는 deposition rate가 LPCVD 경우 18 A/sec로 알고 있는데 그당시 deposition rate를 낮추는 실험을 통해 대략 3.3 nm SiN를 증착한 경험이 있습니다 레시피가 남아 있다면 그래도 그 조건으로 진행하고자 합니다. 이전에 증착했을때, 증착 온도 250도, rate 1A/s 로 기억하고 있는데 확인 부탁드리겠습니다.

*****이전에 증착한 레시피가 있어도, 과제 최종 보고서용 샘플로 매우 중요하여 SiN 두께가 대략적으로 어느정도로 올라가는지 확인 후 target 샘플에 최대한 정확한 두께를 증착하고 싶습니다. SiN 두께가 어느정도 올라가는지 관련한 deposition 전 후의 data도 함께 전달해주시면 좋을 것 같습니다. 과제의 기한이 얼마 남지 않아 차질 없이 진행해야하는 샘플이며, 최대한 월요일에 빠른 시간내에 받을 수 있게 해주시면 감사하겠습니다******

 포항공과대학교 신소재공학과 김지예 405,000원
638 2022-06-15 10시 14시 SiO2 증착
100nm 3개
110nm 3개
120nm 3개
포항공과대학교 신소재공학과 권오혁 405,000원
639 2022-07-20 10시 12시 기판 3 장 공정의뢰 합니다. 3 장 모두 500 nm SiO2 증착 진행 부탁드립니다.
SiO2 증착 후 각각의 웨이퍼에 40, 60, 80 nm a-Si 증착 부탁드립니다.
증착된 a-Si 두께 확인 가능하도록 웨이퍼 하단이나 카세트에 표시 부탁드립니다.
웨이퍼는 1층 공정의뢰함에 있습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최지웅 648,000원
640 2022-07-25 10시 11시 FEM - Si3N4 0.7um 증착 1EA
[나노융합기반 고도화사업]
----------------------
pe-nitride depo.		 주식회사 보다 연구개발 김형원 120,000원
641 2022-08-08 9시 12시 3.0 Gate poly Depo. 나노융합기술원 미래기술팀 이상권 1,275,000원
642 2022-08-11 9시 13시 3.1 LPCVD (Gate poly depo.) 나노융합기술원 미래기술팀 이상권 892,500원
643 2022-09-09 15시 18시 3.0 Doped polySi Target = 10000A 나노융합기술원 미래기술팀 이상권 1,275,000원
644 2022-09-12 13시 14시 3.2 LPCVD (Gate poly depo.) 나노융합기술원 미래기술팀 이상권 892,500원
645 2022-10-24 15시 16시 SiO2 박막층이 증착되어있습니다만, 정확한 두께는 측정하지 못했습니다.

총 12개의 샘플입니다.
전량 동시에 1회 진행하여 3000 A 증착 이후, 6개는 1회 추가로 진행하여 총 6000 A 증착해주시면 됩니다.		 포항공과대학교 기계공학과 정수빈 270,000원
646 2022-10-25 15시 17시 8-2-1 fate poly depo. 5000a 5ea 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 1,500,000원
647 2022-10-27 10시 11시 1-2-1 depo. poly si dpeo. 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 127,500원
648 2022-11-07 14시 16시 3-3-1 gate poly depo. 4000a 2ea
3-3-2 gate poly rs meas.		 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 510,000원
649 2023-03-06 17시 19시 1-1-1 polysi doped poly si depo. 6000a
1-1-2 polysi un-doped poly si depo. 6000a		 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 382,500원
650 2023-03-13 17시 18시 2-1-1 doped poly si depo. 6000A 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 255,000원
651 2023-03-21 11시 15시 안녕하세요. LPCVD 010-3873-7020번으로 문의 드렸던 황현상 교수님 연구실 권오혁 입니다.

SiO2 100nm 증착 희망합니다.
지난 의뢰 경험상, 장비 issue로, loading position에 따라 증착 두께가 크게 차이나는 것을 확인했습니다.
샘플 9개를 최대한 중심부에 위치하여 증착해주시면 감사하겠습니다.
wafer는 250nm hole 구조입니다. 사이드의 네모 테두리 모양은 Pt 전극이고, 그 네모 안에 hole이 여러 개 있으며, hole들 끼리 isolation하는 insulator는 SiO2입니다. 즉 겉으로 가장 많이 드러난 재료는 SiO2입니다.
이 공정 의뢰의 목적은, SiO2를 최대한 Step coverage좋게 증착하여, sidewall에 잘 층착시킨 다음, 그대로 dry etching하여 hole의 크기를 줄이는 것입니다. 따라서, 최대한 균일하게 증착해 주시면 감사하겠습니다.

샘플 보관은 20일 오후에 하도록 하겠습니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 권오혁 135,000원
652 2023-04-05 13시 15시 doped poly-Si 85nm 증착 부탁드려요. (1매) 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 이순형 135,000원
653 2023-04-17 13시 14시 TEOS 1400A 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 270,000원
654 2023-05-04 13시 15시 샘플 형태는 Al2O3 기판 위에 Ga2O3 EPI층을 박막으로 증착한 샘플입니다.

Ga2O3 위에 LPCVD를 통하여 Si(silicon)박막을 전면 증착하는 공정을 진행하려고 합니다.

SiH4 gas를 통해 Si(silicon)박막을 Ga2O3 EPI층 위에 100nm로 증착 진행부탁드립니다.

공정 과정에 있어서 문의가 있으시다면 메일이나 010-5057-9202로 연락부탁드립니다.

샘플은 배송을 통해 전달하겠습니다.		 세종대학교 산학협력단 반도체시스템공학과 박장혁 150,000원
655 2023-05-09 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

4inch glass wafer에 poly-Si 300nm 증착 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 240,000원
656 2023-05-12 13시 15시 sample case에 자세한 정보 적어놨습니다.
SiO2 100nm 증착 의뢰합니다. 이전 공정의뢰 내역과 동일하게 작업해주시면 감사하겠습니다.

부탁드리고 싶은 부분은, LPCVD에 loading할 때, sample위치에 따라서 증착되는 두께 차이가 육안으로 식별될 정도로 다르니, 최대한 중심부에 뭉쳐서 최대한 균등하게 증착할 수 있다면 너무 좋을 것 같습니다.

sample은 5월 11일 목요일 보관하겠습니다. 12일에 공정 가능하면 좋겠으나, 혹시 장비나 스케줄 이슈가 있다면, 월요일도 괜찮습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 권오혁 135,000원
657 2023-05-25 11시 12시 안녕하세요. 포항공대 신소재공학과 대학원생 최지웅 입니다.
샘플은 metallic doped Si/SiO2 600 nm 공정이 되어있는 wafer 1 장과 조각 웨이퍼 4 장입니다.
이 위에 poly Si 증착하려고 하는데 유선상에서 요청한 것처럼 가스 농도 조절해서 heavily doped (10^20 이상)된 poly Si 증착하려고 합니다.
조각 웨이퍼 1 장 미리 테스트 해보고 저항 값이 metallic하게 나오면 나머지 조각 웨이퍼랑 4 inch wafer에 poly Si 증착해주시면 좋겠습니다.
증착 두께는 30 nm poly Si으로 증착할 예정입니다.
샘플은 공정의뢰함에 넣도록 하겠습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최지웅 135,000원
658 2023-05-26 13시 14시 Polysilicon 증착,Phosphorous, 10^21 /cm3, 60nm 포항공과대학교 기계공학과 이상엽 135,000원
659 2023-06-02 10시 12시 안녕하세요. 포항공대 신소재공학과 대학원생 최지웅 입니다. 샘플은 얼마전에 공정해주신 poly-Si에 patterning해서 etching까지 한 소자 입니다. 여기에 SiO2 50 nm 증착 후 poly Si 30 nm 증착 하려고 합니다.
poly Si은 저번에 공정해주신 것처럼 원래 도핑농도 보다 조금 더 높게 해주셨으면 좋겠습니다.
샘플은 공정의뢰함이 넣도록 하겠습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최지웅 243,000원
660 2023-06-16 10시 11시 LP TEOS 1,400A
주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 405,000원
661 2023-07-04 15시 17시 TEOS 1400A 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 3,900,000원
662 2023-07-21 1시 10시 농도 10^21 cm−3 인 n-doped polysilicon 60 nm 증착요청드립니다.
25.28일 진행
4\\\" bare wafer 사용		 포항공과대학교 기계공학과 이상엽 165,000원
663 2023-07-28 9시 10시 농도 10^21 cm−3 인 n-doped polysilicon 60 nm 증착요청드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 이상엽 135,000원
664 2023-08-10 17시 18시 doped poly si 50nm 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 135,000원
665 2023-08-21 17시 18시 wm_notch wafer(sinx증착)
sicon wafer_1ea
sinx 8nm 증착(test)		 주식회사 보다 연구개발 김형원 127,500원
666 2023-08-22 9시 10시 doped poly si 50nm
 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 135,000원
667 2023-08-23 10시 11시 WM
8\'soi notch
SiN 8nm 증착 2매
------------
80nm 2매 진행		 주식회사 보다 연구개발 김형원 255,000원
668 2023-09-01 14시 15시 WM_D
8\'SOI
SIN 80nm 증착 3매 		주식회사 보다 연구개발 김형원 382,500원
669 2023-09-01 9시 11시 4inch Sapphire 1장
6inch Si bare 2장
8inch Si bare 2장

증착 두께 SiNx 100nm
공정온도 700도
4인치와 6인치 지그는 따로 보내드립니다

전처리
Sapphire는 HCl 1:10 1min
Si bare는 HF 1:100 1min 진행 후 증착 부탁드립니다. 		재단법인 한국나노기술원 전자소자개발실 최아림 950,000원
670 2023-09-04 14시 15시 1-1-5 gate poly dpeo. 3000a 4ea 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 480,000원
671 2023-09-11 9시 11시 안녕하세요. 포항공대 신소재공학과 최지웅입니다. 저번에 공정 한번 진행했는데 똑같이 진행하려고 합니다. 현재 patterning된 2 cm/2 cm 크기의 조각 wafer 8개 poly Si 증착 의뢰 합니다. 현재 조각 wafer에는 SiO2 600 nm와 Poly Si 30 nm/SiO2 50 nm 증착되어 있습니다. 그 위에 다시 poly-Si 증착 30 nm 증착하려고 합니다. 저번에 저와 연락하며 2cm 기반 지그 만들어 두었다고 했습니다. 저번에 증착했던 것과 만찬가지로 원래 도핑농도 보다 조금 더 높게 해주셨으면 좋겠습니다. 샘플은 공정 의뢰함에 넣어 두겠습니다. 연락처는 01041179580 입니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최지웅 270,000원
672 2023-09-18 13시 15시 안녕하세요. 포항공대 신소재공학과 최지웅입니다. 저번에 공정 한번 진행했는데 똑같이 진행하려고 합니다. 현재 patterning된 2 cm/2 cm 크기의 조각 wafer 8개 SiO2 및 poly Si 증착 의뢰 합니다. 현재 조각 wafer에는 SiO2 600 nm와 Poly Si 30 nm/SiO2 50 nm/Poly Si 30 nm 증착되어 있습니다. 그 위에 다시 SiO2 50 nm와 poly-Si 증착 30 nm 증착하려고 합니다. 그래서 최종 구조가 SiO2 600 nm와 Poly Si 30 nm/SiO2 50 nm/Poly Si 30 nm 로 되었으면 좋겠습니다. 저번에 저와 연락하며 2cm 기반 지그 만들어 두었다고 했습니다. 저번에 증착했던 것과 마찬가지로 poly Si은 원래 도핑농도 보다 조금 더 높게 해주셨으면 좋겠습니다. 샘플은 공정 의뢰함에 넣어 두겠습니다. 연락처는 01041179580 입니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최지웅 243,000원
673 2023-10-19 19시 21시 8-2-1 gate poly depol 5000a 2ea 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 540,000원
674 2023-11-14 9시 10시 10^21 cm−3 인 n-doped polysilicon 증착 각 5, 20, 50, 70nm 두께로 진행 부탁드립니다.(총 4장) 포항공과대학교 기계공학과 이상엽 600,000원
675 2023-12-05 17시 18시 3-3-4 HM Poly depo 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 960,000원
676 2023-12-12 17시 18시 n-poly si depo. 1000a 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 120,000원