Atomic Layer Deposition (ALD) 장비일지

 기자재관리번호 : B0000055-062002-A0015
No 장비이용내역 이용내역 사용자 장비이용료
시작일 종료일 세부내용 기관명 부서(학과명) 성명 확정금액
1 2010-01-06 09시 14시 Al2O3 20nm 증착 4건 포항공과대학교 화학공학과 오유진 350,000원
2 2010-01-07 09시 14시 Al2O3 20nm증착 4건 포항공과대학교 화학공학과 오유진 350,000원
3 2010-01-07 09시 13시 Al2O3_50nm 증착 한국과학기술원 물리학과 오승현 484,000원
4 2010-01-08 14시 17시 Al2O3 10nm, 5nm 포항공과대학교 환경공학부 양승윤 135,000원
5 2010-01-11 10시 12시 Al2O3 10nm 증착 포항공과대학교 화학공학과 이재근 67,500원
6 2010-01-11 13시 16시 Al2O3 _ 30nm 증착 포항공과대학교 환경공학부 양승윤 87,500원
7 2010-01-18 09시 14시 Al2O3 50nm 증착 한국과학기술원 물리학과 오승현 282,500원
8 2010-01-20 15시 17시 Al2O3 50nm 증착 (주)엘엠에스 연구소 개발1팀 권오관 0원
9 2010-01-20 15시 18시 Al2O3 10nm 증착 포항공과대학교 화학공학과 오유진 180,000원
10 2010-01-21 13시 17시 Al2O3 2nm 증착 포항공과대학교 화학공학과 심종민 67,500원
11 2010-01-21 16시 18시 Al2O3 50nm 증착 (주)엘엠에스 연구소 개발1팀 권오관 0원
12 2010-01-25 14시 16시 Al2O3 2nm,5nm 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 이정무 135,000원
13 2010-01-26 09시 15시 Al2O3 10nm 증착 4건 포항공과대학교 화학공학과 오유진 270,000원
14 2010-02-02 10시 14시 Al2O3 10nm 증착 포항공과대학교 화학공학과 오유진 135,000원
15 2010-02-02 15시 18시 Al2O3 10nm 포항공과대학교 환경공학부 양승윤 67,500원
16 2010-02-04 13시 18시 Al2O3 50nm passivation 증착 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 442,500원
17 2010-02-08 11시 15시 Al2O3 50nm 증착 서울대학교 전기공학 박완재 340,000원
18 2010-02-19 09시 12시 Al2O3_10nm 증착 한국과학기술원 물리학과 오승현 81,000원
19 2010-03-10 10시 12시 HfO2 10nm 포항공과대학교 신소재 강기범 67,500원
20 2010-03-10 14시 18시 Al2O3_10nm 증착 경북대학교 전자전기컴퓨터학부 이정희 81,000원
21 2010-03-18 10시 10시 Al2O3_10nm 증착 포항공과대학교 화학공학과 전금혜 67,500원
22 2010-03-18 13시 15시 wafer 증착

(파워솔루션 바우처 결재 건)		 (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 2,000,000원
23 2010-03-24 14시 15시 Al2O3 _ 30nm 포항공과대학교 화학공학과 오유진 107,500원
24 2010-03-24 16시 18시 Al2O3 증착 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 147,500원
25 2010-03-25 13시 19시 Al2O3 50nm 증착 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 442,500원
26 2010-03-26 13시 17시 Al2O3_50nm 증착 성균관대학교 신소재공학과 김이연 200,000원
27 2010-03-30 10시 14시 Al2O3 포항공과대학교 환경공학부 양승윤 270,000원
28 2010-04-06 10시 18시 OLED passivation 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 1,200,000원
29 2010-04-07 09시 12시 Al2O3_10nm 증착 포항공과대학교 화학공학과 오유진 300,000원
30 2010-04-07 13시 20시 OLED passivation 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 1,050,000원
31 2010-04-07 14시 15시 Al2O3_10nm 증착 포항공과대학교 화학공학과 전휘찬 150,000원
32 2010-04-08 10시 16시 ALD 기초 증착 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 900,000원
33 2010-04-09 10시 15시 ALD 기초 증착 실험 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 750,000원
34 2010-04-09 17시 18시 HfO2_10nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이현승 150,000원
35 2010-04-26 10시 12시 AL2O3 500A DEPO 300 CYCLE (주)엘엠에스 연구소 개발1팀 권오관 0원
36 2010-04-27 10시 12시 증착 포항공과대학교 융합기술부 신훈규 0원
37 2010-04-28 16시 17시 AL2O3 증착 포항공과대학교 신소재공학과 김성준 150,000원
38 2010-05-12 10시 12시 50n Al2O3 증착 포항공과대학교 신소재공학과 김기수 320,000원
39 2010-05-13 09시 12시 5n 10n Al2O3 증착 경북대학교 전자전기컴퓨터학부 이정희 400,000원
40 2010-05-13 09시 12시 Al2O3 20nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 김성준 320,000원
41 2010-05-13 19시 22시 Al2O3 20nm 증착 직접사용 포항공과대학교 신소재공학과 김성준 272,000원
42 2010-05-17 13시 18시 al2o3 50nm 포스텍 첨단재료과학부 구본형 640,000원
43 2010-05-18 09시 18시 10nm al2o3(7), 10nm hfo2(5) 박막증착 삼성종합기술원 Display Laboratory 맹완주 2,400,000원
44 2010-06-14 15시 16시 al203 증착 포항공과대학교 화학공학과 전휘찬 160,000원
45 2010-06-15 09시 11시 al2o3 10nm 포항공과대학교 화학공학과 오유진 320,000원
46 2010-06-15 10시 14시 al203 10nm 포항공과대학교 환경공학부 양승윤 160,000원
47 2010-06-15 16시 18시 al2o3 20nm 성균관대학교 나노과학기술협동학부 이영빈 1,200,000원
48 2010-06-15 19시 21시 al203 포항공과대학교 융합기술부 신훈규 0원
49 2010-06-16 09시 18시 al2o3 50nm 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 3,950,000원
50 2010-06-18 16시 18시 al203 증착 포항공과대학교 환경공학부 양승윤 320,000원
51 2010-06-21 15시 17시 al2o3 증착 경북대학교 전자전기컴퓨터학부 이정희 600,000원
52 2010-06-22 14시 16시 al203 포항공과대학교 융합기술부 신훈규 0원
53 2010-06-24 10시 12시 al2o3 50nm 증착 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 1,580,000원
54 2010-06-26 10시 18시 삼성진행 포항공과대학교 융합기술부 신훈규 0원
55 2010-07-01 09시 18시 al2o3증착50nm 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 3,000,000원
56 2010-07-02 13시 15시 AL2O3 10nm 증착 포항공과대학교 화학공학과 오유진 160,000원
57 2010-07-07 09시 18시 Al2O3 50nm 증착 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 5,250,000원
58 2010-07-12 10시 12시 Al2O3 50nm 증착 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 750,000원
59 2010-07-13 14시 18시 Al2O3 50nm 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 1,500,000원
60 2010-07-14 13시 15시 AL2O3 10nm 한국전기연구원 전력반도체연구센터 나문경 320,000원
61 2010-07-19 09시 13시 al2o3 포항공과대학교 환경공학부 양승윤 320,000원
62 2010-07-19 13시 18시 AL2O3 포항공과대학교 신소재공학과 이일환 2,960,000원
63 2010-07-20 14시 17시 al2o3 20nm 삼성종합기술원 Thin film TU 송현재 640,000원
64 2010-07-23 09시 16시 al2o3 10nm 포항공과대학교 화학공학과 오유진 800,000원
65 2010-08-04 10시 13시 AL3O3 5nm, 10nm, 15nm 및 Test 10nm 증착 포항공과대학교 화학공학과 전금혜 800,000원
66 2010-08-09 17시 17시 AL2O3 Deposition 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 6,060,000원
67 2010-08-16 15시 17시 AL2O3 10nm증착 포항공과대학교 화학공학과 오유진 160,000원
68 2010-08-18 14시 17시 AL2O3 10nm 증착 2매 포항공과대학교 화학공학과 윤동진 320,000원
69 2010-08-18 18시 24시 AL2O3 50nm 증착 포항공과대학교 융합기술부 신훈규 1,700,000원
70 2010-08-19 09시 06시 AL2O3 Deposition 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 5,250,000원
71 2010-08-20 10시 16시 AL2O3 50nm Deposition 포항공과대학교 융합기술부 신훈규 1,700,000원
72 2010-08-25 13시 16시 AL2O3 3nm, 7.5nm, 20nm Deposition 경북대학교 전자전기컴퓨터학부 이정희 800,000원
73 2010-08-25 16시 22시 AL2O3 50nm 2ea 진행 (주)엘엠에스 연구소 개발1팀 권오관 1,360,000원
74 2010-08-26 13시 16시 1.8nm, 3.6nm, 5nm AL2O3 증착 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 408,000원
75 2010-08-27 09시 24시 AL2O3 50nm 증착 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 3,750,000원
76 2010-08-31 09시 12시 AL2O3 50nm Deposition 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 750,000원
77 2010-08-31 15시 18시 AL2O3 50nm Depostion 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 750,000원
78 2010-09-01 09시 12시 AL2O3 50nm Deposition 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 750,000원
79 2010-09-01 15시 18시 AL2O3 50nm Deposition 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 750,000원
80 2010-09-01 19시 22시 AL2O3 50nm Deposition 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 750,000원
81 2010-09-02 10시 13시 AL2O3 50nm Deposition 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 750,000원
82 2010-09-02 14시 17시 AL2O3 50nm Deposition 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 750,000원
83 2010-09-02 17시 20시 AL2O3 50nm Deposition 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 750,000원
84 2010-09-03 10시 11시 AL2O3 10nm Deposition 포항공과대학교 화학공학과 전휘찬 160,000원
85 2010-09-03 11시 14시 AL2O3 50nm Deposition 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 750,000원
86 2010-09-03 14시 17시 AL2O3 50nm Deposition 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 750,000원
87 2010-09-06 10시 12시 AL2O3 5nm, 10nm Deposition 경북대학교 전자전기컴퓨터학부 이정희 400,000원
88 2010-09-06 13시 17시 AL2O3 5nm, 10nm, 15nm, 20nm Deposition 포항공과대학교 화학공학과 전금혜 960,000원
89 2010-09-07 18시 20시 AL2O3 50nm 증착 (주)엘엠에스 연구소 개발1팀 권오관 680,000원
90 2010-09-09 13시 15시 AL2O3 50nm Deposition 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 680,000원
91 2010-09-14 10시 14시 AL2O3 100nm Deposition 한국전기연구원 전력반도체연구센터 나문경 1,600,000원
92 2010-09-14 14시 18시 AL2O3 10nm, 50nm Deposition 포항공과대학교 신소재공학과 이일환 816,000원
93 2010-09-15 13시 17시 AL2O3 20nm, 30nm Deposition 포항공과대학교 신소재공학과 이일환 680,000원
94 2010-09-17 11시 13시 AL2O3 50nm Deposition (주)엘엠에스 연구소 개발1팀 권오관 680,000원
95 2010-09-27 11시 13시 AL2O3 50nm deposition 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 680,000원
96 2010-09-27 13시 16시 AL2O3 30nm 2매 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이일환 816,000원
97 2010-09-29 11시 13시 AL2O3 50nm Deposition 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 680,000원
98 2010-10-14 14시 18시 AL2O3 10nm Deposition 포항공과대학교 화학공학과 윤동진 320,000원
99 2010-10-15 10시 14시 AL2O3 5nm, 10nm, 15nm 증착 포항공과대학교 화학공학과 전금혜 640,000원
100 2010-10-15 14시 16시 AL2O3 10nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이일환 136,000원
101 2010-10-16 16시 17시 AL2O3 10nm Deposition 포항공과대학교 신소재공학과 이일환 136,000원
102 2010-10-19 10시 12시 AL2O3 10nm deposition 한국전기연구원 전력반도체연구센터 나문경 320,000원
103 2010-10-19 17시 22시 AL2O3 100nm Deposition 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 1,500,000원
104 2010-10-20 14시 23시 AL2O3 200nm Deposition 삼성모바일디스플레이 Device Lab/기술연구소 서상준 3,000,000원
105 2010-10-21 14시 16시 AL2O3 10nm deposition 포항공과대학교 화학공학과 윤동진 320,000원
106 2010-10-23 17시 19시 AL2O3 20nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이일환 272,000원
107 2010-10-25 15시 17시 AL2O3 20nm Deposition 포항공과대학교 신소재공학과 이일환 272,000원
108 2010-11-09 16시 18시 AL2O3 10nm 2매 증착 포항공과대학교 화학공학과 윤동진 320,000원
109 2010-11-11 11시 12시 AL2O3 10nm 이하 deposition 경북대학교 전자전기컴퓨터학부 이정희 200,000원
110 2010-11-12 11시 13시 Al2O3 2nm 5nm depo 포항공과대학교 화학공학과 오유진 320,000원
111 2010-11-15 10시 11시 AL2O3 10nm Deposition 포항공과대학교 화학공학과 전금혜 160,000원
112 2010-11-16 14시 16시 AL2O3 10nm 2매 Depo 포항공과대학교 화학공학과 윤동진 272,000원
113 2010-11-16 19시 20시 AL2O3 10nm Deposition 포항공과대학교 신소재공학과 이일환 136,000원
114 2010-11-17 13시 14시 AL2O3 10nm Deposition 포항공과대학교 화학공학과 전휘찬 160,000원
115 2010-11-17 16시 18시 AL2O3 2nm, 5nm Deposition 포항공과대학교 화학공학과 오유진 320,000원
116 2010-11-18 10시 15시 AL2O3 100nm, 10nm Deposition 한국전기연구원 전력반도체연구센터 나문경 1,760,000원
117 2010-11-19 11시 15시 AL2O3 25nm 2매 deposition 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 816,000원
118 2010-11-19 15시 17시 AL2O3 50nm 증착 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 680,000원
119 2010-11-22 13시 14시 AL2O3 50nm 증착 한국전기연구원 전력반도체연구센터 나문경 800,000원
120 2010-11-23 10시 12시 AL2O3 5nm Depo 경북대학교 전자전기컴퓨터학부 이정희 200,000원
121 2010-11-25 10시 13시 AL2O3 50nm deposition 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 680,000원
122 2010-11-25 15시 18시 AL2O3 50nm Deposition 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 680,000원
123 2010-11-26 11시 14시 AL2O3 50nm Deposition 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 680,000원
124 2010-11-29 09시 12시 AL2O3 2nm, 5nm, 10nm Deposition 포항공과대학교 화학공학과 오유진 480,000원
125 2010-12-10 09시 13시 AL2O3 30nm Deposition 2매 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 900,000원
126 2010-12-13 10시 12시 AL2O3 2nm 2매, 5nm 2매 Deposition 울산과학기술대학교 친환경에너지공학부 이규태 800,000원
127 2010-12-22 13시 18시 AL2O3 50nm 2매 증착 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 1,360,000원
128 2010-12-23 10시 12시 AL2O3 20nm Deposition 포항공과대학교 화학공학과 전금혜 320,000원
129 2010-12-24 13시 18시 AL2O3 20nm 4매 Deposition (S1012-01) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 1,200,000원
130 2010-12-27 13시 18시 AL2O3 100nm deposition 포항공과대학교 신소재공학과 김태식 1,600,000원
131 2010-12-28 13시 15시 AL2O3 10nm 2매 증착 포항공과대학교 화학공학과 오유진 320,000원
132 2010-12-29 13시 19시 AL2O3 100nm 1매 deposition 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 1,360,000원
133 2010-12-30 14시 16시 AL2O3 10nm Deposition 2매 포항공과대학교 화학공학과 윤동진 320,000원
134 2011-01-06 13시 20시 AL2O3 50nm 2매 Deposition 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 1,360,000원
135 2011-01-06 17시 19시 AL2O3 25nm 증착 포항공과대학교 화학공학과 전금혜 480,000원
136 2011-01-07 13시 15시 AL2O3 30nm Deposition 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 510,000원
137 2011-01-10 09시 13시 AL2O3 50nm Deposition 2매 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 1,360,000원
138 2011-01-11 09시 12시 AL2O3 50nm Deposition 한국과학기술원 물리학과 오승현 1,000,000원
139 2011-01-17 09시 18시 5-4-1 Al2O3 30nm 5ea (S1012-02) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 2,280,000원
140 2011-01-20 17시 02시 AL2O3 50nm 3매 Deposition 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 2,040,000원
141 2011-01-26 13시 15시 AL2O3 10nm 2매 Deposition 포항공과대학교 화학공학과 이재근 320,000원
142 2011-01-27 11시 19시 AL2O3 30nm 4매 Deposition 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 1,800,000원
143 2011-01-28 09시 18시 AL2O3 50nm 3매 Deposition 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 2,040,000원
144 2011-02-08 14시 18시 Al2O3 anneal CV 특성 평가_3ea 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 1,350,000원
145 2011-02-09 14시 17시 AL2O3 10nm, 20nm Deposition 각각 1회 울산과학기술대학교 전기전자컴퓨터공학부 전영은 600,000원
146 2011-02-10 09시 10시 Al2O3 Anneal Test_20nm 1ea 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 300,000원
147 2011-02-11 10시 12시 Al2O3 Wet Etch Test_20nm, 2ea 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 600,000원
148 2011-02-11 14시 20시 AL2O3 50nm 2매 Deposition 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 1,360,000원
149 2011-02-16 09시 17시 2-4-1 Al2O3 30nm (S03-0131) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 3,600,000원
150 2011-02-18 14시 16시 AL2O3 30nm Deposition 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
151 2011-02-19 09시 18시 AL2O3 50nm 3매 Deposition 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 2,040,000원
152 2011-03-18 15시 16시 AL2O3 10nm Deposition 포항공과대학교 화학공학과 이재근 160,000원
153 2011-03-18 20시 22시 patterned wafer 산화막 증착 메이플세미컨덕터 정은식 4,000,000원
154 2011-03-21 12시 18시 AL2O3 30nm 3매 deposition 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 1,350,000원
155 2011-03-28 10시 11시 AL2O3 2nm 3매 deposition 울산과학기술대학교 친환경에너지공학부 이규태 600,000원
156 2011-04-05 18시 23시 AL2O3 100nm deposition 포스텍 화공 남수지 1,360,000원
157 2011-04-06 14시 17시 8인치 patterned wafer 산화막 증착 (주)예스파워테크닉스 R&D 양창헌 4,000,000원
158 2011-04-08 10시 12시 Al2O3 20nm Deposition 1매 CV측정용 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 330,000원
159 2011-04-08 13시 15시 AL2O3 20nm 2매 Depo 한국기술교육대학교 전기전자통신공학과 노시철 800,000원
160 2011-04-13 14시 20시 AL2O3 100nm 증착 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 1,360,000원
161 2011-04-19 09시 14시 Al2O3 RTP Test_Al2O3 25nm_2회 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 750,000원
162 2011-04-25 09시 15시 3-4-1 Al2O3 ALD 4ea (S06-0331) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 1,350,000원
163 2011-04-26 09시 11시 Al2O3 10nm 2매 증착 포항공과대학교 화학공학과 오유진 320,000원
164 2011-04-28 16시 18시 Al2O3 CV Meas_Power down(75W) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 450,000원
165 2011-04-29 09시 16시 3-4-1 Al2O3 ALD 4ea (S07-0425) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 1,800,000원
166 2011-05-02 09시 11시 AL2O3 50nm Deposition 포항공과대학교 융합기술부 신훈규 1,000,000원
167 2011-05-02 15시 23시 AL2O3 50nm 4매 Deposition 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 2,720,000원
168 2011-05-06 09시 12시 8인치 patterned wafer 산화막 증착 메이플세미컨덕터 정은식 2,000,000원
169 2011-05-12 09시 16시 3-4-1 Al2O3 ALD (S07a-0503) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 1,800,000원
170 2011-05-13 09시 16시 3-4-1 Al2O3 ALD (S08-0429) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 1,800,000원
171 2011-05-24 09시 16시 3-4-1 Al2O3 ALD (S09-0512) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 1,800,000원
172 2011-05-25 14시 17시 AL2O3 10nm, 30nm deposition 포항공과대학교 ITCE 정새벽 544,000원
173 2011-05-26 09시 12시 8인치 patterned wafer 산화막 증착 제위드 대표자 조상호 2,000,000원
174 2011-06-01 13시 19시 3-4-1 Al2O3 ALD (S10-0518) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 1,800,000원
175 2011-06-03 09시 11시 AL2O3 30nm 증착 한국전자통신연구원 RF융합부품연구팀 안호균 600,000원
176 2011-06-03 11시 12시 AL2O3 20nm depo 울산과학기술대학교 전기전자컴퓨터공학부 전영은 400,000원
177 2011-06-07 09시 12시 8인치 patterned wafer 산화막 증착 (주)에이팸 조미옥 2,000,000원
178 2011-06-07 09시 16시 3-4-1 Al2O3 ALD (S11-0526) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 1,800,000원
179 2011-06-07 18시 19시 AL2O3 10nm depo 포항공과대학교 ITCE 정새벽 85,000원
180 2011-06-09 16시 17시 al2o3 10nm deposition 포항공과대학교 신소재공학과 김효은 160,000원
181 2011-06-16 01시 02시 AL2O3 10nm Depo 포항공과대학교 ITCE 정새벽 85,000원
182 2011-06-21 10시 18시 AL2O3 50nm 2회 deposition 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 1,360,000원
183 2011-06-24 13시 16시 8인치 patterned wafer 산화막증착 엔씨케이(주) 신상순 2,000,000원
184 2011-06-27 10시 13시 AL2O3 40nm 증착 울산대학교 첨단소재공학부 김인섭 720,000원
185 2011-06-29 16시 17시 AL2O3 10nm Deposition 포항공과대학교 ITCE 정새벽 136,000원
186 2011-06-30 14시 15시 AL2O3 10nm Depo 포항공과대학교 ITCE 정새벽 136,000원
187 2011-07-01 10시 13시 AL2O3 40nm Deposition 울산대학교 첨단소재공학부 김인섭 720,000원
188 2011-07-01 13시 18시 3-5-1 Al2O3 ALD (S12-0609) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 1,350,000원
189 2011-07-07 13시 14시 AL2O3 2nm depo 포항공과대학교 환경공학부 김우열 160,000원
190 2011-07-11 09시 12시 SM01_3-5 Al2O3 depo (S14a-0629) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 900,000원
191 2011-07-19 10시 12시 AL2O3 30nm Deposition 포항공과대학교 화학공학과 전휘찬 480,000원
192 2011-07-26 10시 12시 AL2O3 50nm Deposition 포항공과대학교 융합기술부 신훈규 1,000,000원
193 2011-07-28 15시 18시 AL2O3 50nm Deposition 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 680,000원
194 2011-07-29 13시 15시 AL2O3 30cycle, 3cycle 진행 포항공과대학교 환경공학부 김형일 320,000원
195 2011-08-03 09시 14시 3-5-1 Al2O3 Depo (S14a-0725) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 1,350,000원
196 2011-08-05 13시 14시 Al2O3 10nm 포항공과대학교 신소재공학과 김효은 160,000원
197 2011-08-09 17시 18시 AL2O3 10nm 증착 포항공과대학교 화학공학과 이재근 160,000원
198 2011-08-17 09시 18시 AL2O3 150nm 증착 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 2,040,000원
199 2011-08-22 09시 15시 3-5-1 Al2O3 depo (S19-0810) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 1,830,000원
200 2011-08-22 15시 18시 Al2O3 300A 한양대학교 신소재공학과 최덕균 600,000원
201 2011-08-22 18시 23시 3-5-1 Al2O3 Depo (S18a-0809) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 1,500,000원
202 2011-08-24 14시 16시 Al2O3 10nm 울산과학기술대학교 전기전자컴퓨터공학부 전영은 200,000원
203 2011-09-09 09시 16시 8 inch ~ 조각 웨이퍼 진행 넥스원코퍼레이션 변응균 2,000,000원
204 2011-09-19 09시 14시 3-5-1 Al2O3 depo (S20-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 1,500,000원
205 2011-09-20 14시 18시 Al2O3 100A depo_7ea 포항공과대학교 신소재공학과 김효은 1,120,000원
206 2011-09-20 18시 20시 Al2O3 depo 100A 포항공과대학교 화학공학과 이재근 160,000원
207 2011-09-21 10시 12시 Al2O3 30nm 포항공과대학교 화학공학과 전휘찬 480,000원
208 2011-09-21 13시 16시 Al2O3 3nm_3ea (주)디엠에스 김성해 900,000원
209 2011-09-21 16시 18시 Al2O3 30nm 경북대학교 전자전기컴퓨터학부 이정희 600,000원
210 2011-09-22 09시 13시 Al2O3 100A, 200A, 300A 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,200,000원
211 2011-09-22 14시 17시 Al2O3 30nm (정성달) 경북대학교 전자전기컴퓨터학부 이정희 600,000원
212 2011-09-23 09시 14시 3-5-1 Al2O3 ALD (S21-0909) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 1,200,000원
213 2011-09-29 09시 11시 Al2O3 CV Test 100A_2ea 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 330,000원
214 2011-09-29 13시 14시 Al2O3 10cycle 포항공과대학교 물리학과 박재현 160,000원
215 2011-09-29 14시 15시 Al2O3 100A 포항공과대학교 ITCE 정새벽 136,000원
216 2011-09-30 10시 12시 Al2O3 5nm, 10nm 삼성디스플레이 uLED Lab 이원호 400,000원
217 2011-10-03 09시 15시 3-5-1 Al2O3 ALD (S17a-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 1,800,000원
218 2011-10-05 13시 15시 Al2O3 50nm 1매 증착 (공정온도 100℃) 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 136,000원
219 2011-10-06 10시 13시 ALD Al2O3 10nm 증착 (6인치 wafer, 공정 온도 150도) 포항공과대학교 화학공학과 이재근 160,000원
220 2011-10-06 13시 16시 8" patterned wafer 산화막증착 넥스원코퍼레이션 변응균 2,000,000원
221 2011-10-12 13시 17시 1. TMA Source 공급 라인 변경 및 thickness targeting Test
2. 삼성 종기원 의뢰 Cv 측정용 Wafer 2매 진행		 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 1,350,000원
222 2011-10-13 19시 21시 Al2O3 증착 진행 (100도) 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 136,000원
223 2011-10-14 14시 18시 Al2O3 100Å 1매 증착

기관명은 광주과학 기술원이지만 현재 연구 책임자는 카이스트 소속의 이석희 교수님입니다.
신청자인 윤영광씨가 회원 등록 변경을 하지 못한다고 합니다.		 한국과학기술원 전기및전자공학과 윤영광 230,000원
224 2011-10-17 13시 14시 Al2O3 100Å 증착 의뢰 진행 (시편) 포항공과대학교 화학공학과 전휘찬 160,000원
225 2011-10-17 15시 16시 Al2O3 100Å 증착 의뢰 진행 (4인치) 포항공과대학교 신소재공학과 하우진 160,000원
226 2011-10-18 09시 16시 3-5-1 Al2O3 ALD (S25-1004) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 1,350,000원
227 2011-10-21 16시 19시 ALD Al2O3 4인치 Wafer 5매 진행 포항공과대학교 신소재공학과 하우진 800,000원
228 2011-10-23 23시 24시 ALD Al2O3 Dep 진행 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 136,000원
229 2011-10-25 14시 22시 3-5-1 Al2O3 ALD (S26-1017) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 1,800,000원
230 2011-10-28 13시 16시 Al2O3 CV 평가_Al2O3 250A_2ea 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 960,000원
231 2011-11-01 09시 13시 8inch patterned wafer 산화막증착 넥스원코퍼레이션 변응균 2,000,000원
232 2011-11-03 10시 16시 3-5-1 Al2O3 ALD (S23-0928) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 1,800,000원
233 2011-11-06 09시 13시 8" patterned wafer 산화막 증착 넥스원코퍼레이션 변응균 2,000,000원
234 2011-11-11 14시 18시 ALD Thickness 선행 테스트 진행 (조건 변경)
Pre TMA 30cyc 후 Normal Al2O3 Dep 61 cyc 진행(10nm Traget)		 한국과학기술원 전기및전자공학과 윤영광 230,000원
235 2011-11-23 10시 15시 Al2O3 ALD 조각 시편 Split 평가 진행 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 900,000원
236 2011-11-25 10시 14시 Al2O3 50nm 진행 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 850,000원
237 2011-11-29 10시 12시 Al2O3 500A 진행 포항공과대학교 화학공학과 윤원민 850,000원
238 2011-12-01 13시 15시 6인치 Wafer 10nm Al2O3 증착 포항공과대학교 화학공학과 이재근 320,000원
239 2011-12-02 09시 13시 8inch patterned wafer 산화막 증착 저스트코퍼레이션 이병설 2,000,000원
240 2011-12-03 09시 13시 ALD Al2O3 50nm 증착 진행 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 850,000원
241 2011-12-05 14시 15시 Al2O3 3nm 진행 울산과학기술대학교 전기전자컴퓨터공학부 전영은 180,000원
242 2011-12-07 11시 15시 ALD Al2O3 50nm 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 850,000원
243 2011-12-08 17시 22시 ALD Al2O3 진행 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 850,000원
244 2011-12-12 09시 13시 8" patterned wafer 산화막증착 저스트코퍼레이션 이병설 2,000,000원
245 2011-12-12 15시 16시 ALD Al2O3 10nm 증착 포항공과대학교 ITCE 정새벽 136,000원
246 2011-12-14 15시 19시 ALD Al2O3 50nm 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 850,000원
247 2011-12-16 09시 13시 ALD Al2O3 50nm 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 850,000원
248 2011-12-18 13시 19시 ALD Al2O3 Dep 진행 (20nm) 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 340,000원
249 2011-12-20 12시 18시 ALD AL2O3 50nm 증착 포항공과대학교 화학공학과 조새벽 800,000원
250 2011-12-21 07시 13시 ALD Al2O3 50nm 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 850,000원
251 2011-12-27 10시 18시 ALD Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 1,700,000원
252 2011-12-28 11시 13시 3-4-1 Al2O3 ALD (S32-1206) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 900,000원
253 2012-01-03 15시 16시 ALD Al2O3 10nm 증착 포항공과대학교 화학공학과 임용오 160,000원
254 2012-01-04 10시 15시 ALD Al2O3 Dep 진행
- 12/26 10nm 진행
- 01/04 50nm 진행		 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 1,020,000원
255 2012-01-05 09시 13시 8inch patterned wafer 산화막 증착 (주)유시스텍 최승훈 2,000,000원
256 2012-01-10 13시 18시 ALD Al2O3 70nm 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 1,190,000원
257 2012-01-11 16시 19시 ALD Al2O3 50nm 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 850,000원
258 2012-01-12 01시 02시 ALD Al2O3 증착 포항공과대학교 ITCE 정새벽 85,000원
259 2012-01-13 09시 18시 ALD Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 1,190,000원
260 2012-01-16 22시 23시 ALD Al2O3 증착 포항공과대학교 ITCE 정새벽 85,000원
261 2012-01-17 09시 17시 ALD Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 2,210,000원
262 2012-01-18 10시 15시 ALD Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 850,000원
263 2012-01-26 09시 13시 ALD Al2O3 800A 증착 한국과학기술원 물리학과 오승현 1,600,000원
264 2012-01-30 15시 19시 ALD Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 340,000원
265 2012-02-01 10시 20시 ALD Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 1,700,000원
266 2012-02-05 12시 16시 Al2O3 50nm 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 850,000원
267 2012-02-07 10시 11시 ALD Al2O3 10A 증착 한국세라믹기술원 에너지환경소재본부 천진녕 160,000원
268 2012-02-08 10시 11시 ALD Al2O3 10nm 증착 포항공과대학교 화학공학과 이재근 160,000원
269 2012-02-21 09시 20시 ALD Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 2,550,000원
270 2012-03-02 13시 18시 Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 1,700,000원
271 2012-03-05 20시 21시 Al2O3 10nm 증착 포항공과대학교 ITCE 정새벽 85,000원
272 2012-03-07 23시 24시 Al2O3 증착 포항공과대학교 ITCE 정새벽 85,000원
273 2012-03-09 11시 13시 Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 850,000원
274 2012-03-12 13시 16시 Al2O3 증착 포항공과대학교 화학공학과 최현호 544,000원
275 2012-03-13 09시 12시 Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 850,000원
276 2012-03-14 10시 13시 Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 850,000원
277 2012-03-14 16시 17시 Al2O3 10nm 증착 포항공과대학교 화학공학과 임용오 160,000원
278 2012-03-16 09시 15시 Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 850,000원
279 2012-03-19 08시 12시 Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 1,700,000원
280 2012-03-20 09시 11시 Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 850,000원
281 2012-03-20 11시 23시 Solar Cell 특성 평가 Al2O3 증착
5, 10, 15nm 각 7매		 stx솔라 연구개발팀 김덕열 3,780,000원
282 2012-03-21 13시 14시 Al2O3 증착(시편 4pieces) 포항공과대학교 화학과 이정필 240,000원
283 2012-03-22 08시 12시 Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 1,700,000원
284 2012-03-23 08시 13시 Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 1,700,000원
285 2012-03-23 14시 15시 Al2O3 시편 증착 3회 포항공과대학교 환경공학부 김형일 480,000원
286 2012-03-26 08시 18시 Solar Cell Wafer Al2O3 증착(Backside)
20, 30, 40nm 각 5매 진행(Total 4500A)		 stx솔라 연구개발팀 김덕열 8,100,000원
287 2012-03-30 15시 15시 Al2O2 2nm 증착 1매 전북대학교 화학공학부 유찬석 200,000원
288 2012-04-03 21시 22시 Al2O3 증착 포항공과대학교 ITCE 정새벽 65,000원
289 2012-04-04 12시 14시 Al2O3 증착 포항공과대학교 화학공학과 최현호 416,000원
290 2012-04-04 15시 18시 Al2O3 증착 고려대학교 기계공학부 우주연 600,000원
291 2012-04-05 13시 18시 Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 1,300,000원
292 2012-04-10 09시 16시 Al2O3 증착 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 750,000원
293 2012-04-13 14시 16시 Al2O3 증착 울산과학기술대학교 에너지화학공학부 김재영 120,000원
294 2012-05-01 09시 12시 Al2O3 증착 포항공과대학교 화학공학과 이재근 240,000원
295 2012-05-03 14시 16시 Al2O3 10nm 1매 울산과학기술대학교 에너지화학공학부 김재영 120,000원
296 2012-05-04 10시 18시 Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 3,900,000원
297 2012-05-08 11시 12시 30cycles coating 포항공과대학교 환경공학부 김형일 120,000원
298 2012-05-09 13시 17시 Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 1,300,000원
299 2012-05-10 09시 12시 계명대 교육실습 사용
- Al2O3 증착		 나노기술집적센터 구미분소 김두석 0원
300 2012-05-11 09시 13시 Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 650,000원
301 2012-05-14 15시 16시 Al2O3 30nm, 20nm 각 1매 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 600,000원
302 2012-05-15 09시 13시 Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 650,000원
303 2012-05-15 14시 16시 Al2O3 증착 전북대학교 화학공학부 유찬석 150,000원
304 2012-05-15 16시 20시 Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 650,000원
305 2012-05-17 11시 16시 Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 1,300,000원
306 2012-05-21 09시 13시 Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 650,000원
307 2012-05-23 10시 13시 Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 650,000원
308 2012-05-23 12시 14시 Al2O3 증착 전북대학교 화학공학부 유찬석 150,000원
309 2012-05-23 15시 17시 Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 390,000원
310 2012-05-30 14시 16시 Al2O3 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 정윤영 104,000원
311 2012-05-31 14시 16시 Al2O3 증착 울산과학기술대학교 에너지화학공학부 김재영 120,000원
312 2012-06-01 09시 12시 Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 520,000원
313 2012-06-01 19시 21시 Al2O3 증착 포항공과대학교 화학공학과 김래호 520,000원
314 2012-06-06 09시 20시 Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 1,040,000원
315 2012-06-06 21시 22시 Al2O3 증착 포항공과대학교 ITCE 정새벽 65,000원
316 2012-06-08 10시 14시 Al2O3 증착 고려대학교 기계공학부 우주연 600,000원
317 2012-06-08 12시 17시 Al2O3 증착 성균관대학교 나노과학기술협동학부 (SAINT) 이영빈 150,000원
318 2012-06-11 09시 12시 Al2O3 증착 포항공과대학교 화학공학과 이재근 120,000원
319 2012-06-11 12시 11시 Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 2,080,000원
320 2012-06-12 11시 14시 Al2O3 증착 나노융합기술원 공정지원팀 김동은 520,000원
321 2012-06-13 17시 19시 HfO2, Al2O3 원자층 금속증착 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 800,000원
322 2012-06-15 09시 13시 Al2O3 증착 성균관대학교 기계공학과 이진환 150,000원
323 2012-06-15 14시 16시 Al2O3 증착 전북대학교 화학공학부 유찬석 300,000원
324 2012-06-19 09시 12시 Al2O3 증착 포항공과대학교 화학공학과 이재근 120,000원
325 2012-06-20 11시 14시 Al2O3 증착 성균관대학교 기계공학과 이진환 150,000원
326 2012-06-21 18시 22시 Al2O3 Gate oxide deposit / 300A / 2매 LG이노텍 차세대소자개발 서덕원 900,000원
327 2012-06-26 01시 02시 Al2O3 증착 포항공과대학교 ITCE 정새벽 65,000원
328 2012-06-28 10시 13시 Al2O3 증착(시편) 고려대학교 기계공학부 우주연 450,000원
329 2012-06-28 14시 16시 Al2O3 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 정윤영 104,000원
330 2012-07-02 10시 15시 Gate oxide deposit LG이노텍 차세대소자개발 서덕원 900,000원
331 2012-07-09 16시 10시 Al2O3 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 정윤영 104,000원
332 2012-07-10 11시 12시 Al2O3 증착 포항공과대학교 ITCE 정새벽 104,000원
333 2012-07-10 14시 16시 HfO2, Al2O3 원자층 금속증착 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 2,150,000원
334 2012-07-11 18시 20시 Al2O3 증착 포항공과대학교 ITCE 정새벽 65,000원
335 2012-07-13 10시 15시 Al2O3 증착 포항나노기술집적센터 팹운영부 변창섭 600,000원
336 2012-07-16 10시 18시 Al2O3 증착 4inch 2매 + 시편 1매 / Target=800A 포항공과대학교 전자과 임미현 960,000원
337 2012-07-18 03시 04시 Al2O3 증착 포항공과대학교 ITCE 정새벽 130,000원
338 2012-07-19 15시 16시 Al2O3 증착 전북대학교 화학공학부 유찬석 300,000원
339 2012-07-26 11시 17시 HfO2, Al2O3 원자층 금속증착 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 2,300,000원
340 2012-08-01 09시 12시 Al2O3 30nm 1매 LG이노텍 차세대소자개발 서덕원 150,000원
341 2012-08-06 18시 10시 Low Temp Al2O3 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 정윤영 104,000원
342 2012-08-14 20시 10시 Al2O3 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 정윤영 104,000원
343 2012-08-15 10시 16시 Al2O3 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 정윤영 104,000원
344 2012-08-15 14시 17시 HfO2, Al2O3 원자층 금속증착 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 2,150,000원
345 2012-08-17 10시 12시 Al2O3 즈착 포항공과대학교 환경공학부 김형일 120,000원
346 2012-08-17 14시 17시 특성화고 교육(Al2O3 30nm) 파워마스터반도체 주식회사 공정기술팀 기종 450,000원
347 2012-08-20 14시 17시 특성화고 교육(Al2O3 30nm) 파워마스터반도체 주식회사 공정기술팀 기종 450,000원
348 2012-08-21 09시 18시 L06M Al2O3 30nm 3매 증착 LG이노텍 차세대소자개발 서덕원 1,350,000원
349 2012-08-21 09시 14시 Al2O3 증착 고려대학교 기계공학부 우주연 300,000원
350 2012-08-21 14시 17시 특성화고 교육(Al2O3 30nm) 파워마스터반도체 주식회사 공정기술팀 기종 450,000원
351 2012-08-22 14시 17시 특성화고 교육(Al2O3 30nm) 파워마스터반도체 주식회사 공정기술팀 기종 450,000원
352 2012-08-23 14시 17시 특성화고 교육(Al2O3 30nm) 파워마스터반도체 주식회사 공정기술팀 기종 450,000원
353 2012-08-24 14시 17시 특성화고 교육(Al2O3 30nm) 파워마스터반도체 주식회사 공정기술팀 기종 450,000원
354 2012-08-27 14시 17시 특성화고 교육(Al2O3 30nm) 파워마스터반도체 주식회사 공정기술팀 기종 450,000원
355 2012-08-28 14시 17시 특성화고 교육(Al2O3 30nm) 파워마스터반도체 주식회사 공정기술팀 기종 450,000원
356 2012-08-29 14시 17시 특성화고 교육(Al2O3 30nm) 파워마스터반도체 주식회사 공정기술팀 기종 450,000원
357 2012-08-30 14시 17시 특성화고 교육(Al2O3 30nm) 파워마스터반도체 주식회사 공정기술팀 기종 450,000원
358 2012-09-03 09시 21시 L08M Recess Contact PEP Test
Gate Oxide ALD 4매(GaN 3매+STD 1매) Tox=300A		 LG이노텍 차세대소자개발 서덕원 1,890,000원
359 2012-09-04 10시 15시 Al2O3 증착(10nm, 5매) 엠프리시젼 문우영 750,000원
360 2012-09-05 10시 15시 Al2O3 증착(10nm, 5매) 엠프리시젼 문우영 750,000원
361 2012-09-05 15시 19시 Low Temp Al2O3 증착 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 1,300,000원
362 2012-09-10 10시 13시 개별의뢰 Gate Oxide 시편(Al2O3, HfO2 10nm) 진행 LG이노텍 차세대소자개발 서덕원 300,000원
363 2012-09-10 18시 11시 Al2O3 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 정윤영 104,000원
364 2012-09-13 10시 10시 Al2O3 2,5,10,20nm 시편(11개) 증착 @100℃ 고려대학교 기계공학부 우주연 600,000원
365 2012-09-13 11시 13시 Al2O3 증착 포항공과대학교 ITCE 정새벽 208,000원
366 2012-09-26 16시 17시 Al2O3 0.5nm 증착 전북대학교 화학공학부 유찬석 150,000원
367 2012-09-28 11시 12시 Al2O3 10nm 증착 포항공과대학교 WCU 김진만 120,000원
368 2012-10-11 09시 18시 포스코 Genesis 연구과제(X-선 의료영상기기용 고감도 나노복합 섬광체 소재의 기초연구)
Al 소재의 나노기공 구조시험 및 분석으로 HfOx 증착 시험 진행
과제번호. 4.0008198.01		 포항나노기술집적센터 연구개발부 전영권 6,000,000원
369 2012-10-14 16시 17시 Al2O3 증착 포항공과대학교 ITCE 정새벽 208,000원
370 2012-10-15 10시 11시 Al2O3 증착 포항공과대학교 환경공학부 김형일 120,000원
371 2012-10-19 01시 02시 Al2O3 20nm 증착 포항공과대학교 ITCE 정새벽 130,000원
372 2012-10-22 09시 16시 Al2O3 depo 포항나노기술집적센터 연구개발부 전영권 1,500,000원
373 2012-10-24 07시 08시 Al2O3 증착 포항공과대학교 ITCE 정새벽 130,000원
374 2012-10-24 10시 16시 Al2O3 depo 포항나노기술집적센터 연구개발부 전영권 1,200,000원
375 2012-10-24 12시 13시 LE03 TiN Gate Etch Test (GOX ALD 30nm 6매) LG이노텍 차세대소자개발 서덕원 2,700,000원
376 2012-10-26 09시 11시 Al2O3 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 정윤영 104,000원
377 2012-10-29 09시 12시 Al2O3 depo 포항나노기술집적센터 연구개발부 전영권 900,000원
378 2012-10-30 04시 05시 Al2O3 증착 포항공과대학교 ITCE 정새벽 65,000원
379 2012-10-30 15시 17시 Al2O3 증착 시편 3개 고려대학교 기계공학부 우주연 150,000원
380 2012-10-30 23시 24시 Al2O3 증착(10nm 1매) 포항공과대학교 ITCE 정새벽 65,000원
381 2012-11-02 14시 15시 Al2O3 증착 30nm 1회 포항공과대학교 화학과 박치범 360,000원
382 2012-11-07 04시 05시 Al2O3 증착 포항공과대학교 ITCE 정새벽 65,000원
383 2012-11-07 07시 10시 Al2O3 증착 포항공과대학교 화학공학과 이은호 104,000원
384 2012-11-07 10시 18시 LT01 Electric Characteristics(GOx) Gate oxide deposit Al2O3 30nm 4매 LG이노텍 차세대소자개발 서덕원 0원
385 2012-11-07 15시 17시 HfO2 20nm 증착(시편 9개 1회) 한양대학교 에너지공학과 하재환 300,000원
386 2012-12-03 09시 13시 Depo_포항TP 지원 심화교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 900,000원
387 2012-12-05 17시 18시 Al2O3 0.5nm 증착 전북대학교 화학공학부 유찬석 150,000원
388 2012-12-10 10시 14시 Al2O3 증착 10nm 6inch 1매 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 120,000원
389 2012-12-10 15시 18시 Al2O3 증착 2회 30nm 포항공과대학교 화학과 박치범 624,000원
390 2012-12-11 09시 18시 Al2O3 Step Coverage 평가(30nm@Temp Split 200/250/300C) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,350,000원
391 2012-12-12 09시 17시 Al2O3 증착(6inch Wafer 30nm 2매 / 50nm 1매) LG전자 김웅선 1,320,000원
392 2012-12-12 18시 15시 Al2O3 증착 2회 포항공과대학교 화학공학과 이은호 208,000원
393 2012-12-17 10시 15시 특성화고 교육 실습_TiN 증착 5매 포항나노기술집적센터 이용자서비스팀 김병수 750,000원
394 2012-12-18 10시 17시 특성화고 교육 실습_HfO2 증착 5매 포항나노기술집적센터 이용자서비스팀 김병수 750,000원
395 2012-12-19 10시 17시 특성화고 교육 실습_Al2O3증착 10매 포항나노기술집적센터 이용자서비스팀 김병수 1,500,000원
396 2012-12-21 09시 18시 Al2O3 Step Coverage 평가(30nm@Temp Split 200/250/300C) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,350,000원
397 2012-12-26 15시 17시 Al2O3 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 240,000원
398 2012-12-26 18시 13시 Al2O3 증착 포항공과대학교 화학공학과 이은호 104,000원
399 2013-01-03 11시 18시 L16 ILD First Full Run_2차 GOX ALD Al2O3 300A 3매(WF03~05), Test Wafer 선행 100A 1매 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 1,540,000원
400 2013-01-07 10시 12시 Al2O3 100A on GaN (1매)_Gate Oxide 평가용(서덕원 연구원 요청) LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 150,000원
401 2013-01-07 14시 15시 Al2O3 증착 6" 5nm 1매 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 120,000원
402 2013-01-08 13시 18시 Al2O3 30nm 증착 1매 포항공과대학교 화학공학과 조새벽 360,000원
403 2013-01-16 18시 14시 Al2O3 증착 포항공과대학교 화학공학과 이은호 104,000원
404 2013-01-22 13시 17시 TF_Al2O3 depo 실습 포항나노기술집적센터 이용자서비스팀 김병수 900,000원
405 2013-01-24 15시 17시 HfO2 20nm 증착 시편 6개 경희대학교 물리학과 주숭신 150,000원
406 2013-01-25 13시 15시 Al2O3 2inch 5매 증착 한국전자통신연구원 부품소재연구부문 배성범 300,000원
407 2013-01-28 10시 16시 Al2O3 10nm 증착 시편 16개 총 4회 진행(이종섭 연구원님 의뢰 건) LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 600,000원
408 2013-01-30 14시 17시 Al2O3 증착 10nm 1매 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 120,000원
409 2013-02-07 15시 21시 Al2O3 10,30,50nm 증착 시편 16개 총 3회 진행(정성달 연구원님 의뢰 건) LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 900,000원
410 2013-02-08 11시 11시 Al2O3 40nm, 50nm Sample 각 1매 한국과학기술원 물리학과 오승현 1,215,000원
411 2013-02-08 12시 17시 3-4-2 GOX_Al2O3 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 750,000원
412 2013-02-12 15시 09시 L18 ILD First Full Run_3차 3-4-3 GOX ALD 10nm Test1매,WF01,WF03~06) Total 6매 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 940,000원
413 2013-02-13 10시 12시 Al2O3 1nm 증착 1회(시편 8개) 포항공과대학교 화학공학과 정인영 120,000원
414 2013-02-13 16시 10시 LT03 1st IMD Thermal Damage Test / 0-2-2 GOX ALD Al2O3 Temp: 330℃, 목표두께: 100A WF01~05 (5매) LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 750,000원
415 2013-02-14 10시 12시 Al2O3 10nm 증착 6" 1매 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 120,000원
416 2013-02-20 16시 18시 Al2O3 증착 포항공과대학교 신소재공학과 조힘찬 360,000원
417 2013-02-25 15시 18시 Al2O3 50nm 증착 시편 9개 포항공과대학교 신소재공학과 민성용 600,000원
418 2013-02-26 18시 08시 Al2O3 40nm, 50nm Sample 각 1매 한국과학기술원 물리학과 오승현 1,215,000원
419 2013-02-27 09시 11시 Al2O3 50nm 증착 (#1,3,5,7,9=30nm / #2,4,6,8=50nm) 1회 포항공과대학교 신소재공학과 조힘찬 600,000원
420 2013-02-28 09시 12시 Al2O3 10nm 1회 포항공과대학교 화학공학과 이은호 104,000원
421 2013-03-04 10시 12시 기판 : Ti coated Si/SiO2 film
Al2O3 50 nm 증착 목적 (250 도 공정)		 포항공과대학교 신소재공학과 민성용 600,000원
422 2013-03-04 13시 9시 Al2O3 증착 (20nm, 30nm 각 1매 GaN on Si), (50nm on Si 2매) LG전자 SIC연구소 이호중 1,880,000원
423 2013-03-05 10시 12시 AlOx 10nm 증착
Graphene group(최보식: 010 7125 7256)		 포항공과대학교 ITCE 정새벽 120,000원
424 2013-03-08 10시 11시 Cu2O, CuO 위에 Al2O3 ALD 코팅 (5nm) 포항공과대학교 화학공학과 장윤정 120,000원
425 2013-03-11 9시 12시 TiN 60nm 증착 대구경북과학기술원 중앙기기센터 이봉호 900,000원
426 2013-03-12 16시 18시 BV Measurement Test Wafer 제작 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 0원
427 2013-03-13 13시 15시 Al2O3 증착
Graphene group(최보식: 010 7125 7256)		 포항공과대학교 ITCE 정새벽 360,000원
428 2013-03-13 9시 12시 Gate oxide Al2O3 deposition 포항공과대학교 화학공학과 이은호 624,000원
429 2013-03-14 13시 20시 L20 ILD First Full Run_4차 (3-4-2) Al2O3 ALD WF06~09+Test 1매(5매) LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 790,000원
430 2013-03-15 11시 13시 BV Measurement Test Wafer 제작 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 0원
431 2013-03-20 13시 15시 al2O3 5nm 포항공과대학교 환경공학부 김형일 120,000원
432 2013-03-21 10시 15시 BV Measurement Test Wafer 제작 Al2O3 30nm 4inch 2매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 0원
433 2013-03-22 16시 18시 LE08 GATE Recess Etch Test_TEM (1-4-2) GOX ALD Al2O3 ALD Temp: 330℃, 목표두께: 300A 1매 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 450,000원
434 2013-03-22 20시 23시 Al2O3 증착
Graphene group(최보식: 010 7125 7256)
20nm, 40nm 각 1매 (직접사용)		 포항공과대학교 ITCE 정새벽 624,000원
435 2013-03-22 9시 11시 al2o3 deposition on wafer 포항공과대학교 화학공학과 이은호 104,000원
436 2013-04-02 17시 14시 Al2O3 deposition on wafer 포항공과대학교 화학공학과 이은호 80,000원
437 2013-04-12 8시 14시 Gate Oxide 비교평가 Al2O3 300A 2매 100A 1매 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 840,000원
438 2013-04-15 8시 22시 L22 N-OFF Full Run_1차 (3-4-1) GOX ALD Al2O3 6매(100A1매 + 300A 5매) LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 1,920,000원
439 2013-04-17 15시 17시 TiN/Ti가 증착되어있는
4인치 wafer에
HfO2 15nm를 증착하려고 합니다		 포항공과대학교 신소재공학과 이장식 96,000원
440 2013-04-19 13시 19시 Al2O3 50nm on PET Film @100C 2매 (주)엘엠에스 연구소 개발1팀 권오관 1,200,000원
441 2013-04-22 13시 20시 Al2O3 증착 (10,15,20nm 각 1매 on Si) total 3매(4회) LG전자 SIC연구소 이호중 504,000원
442 2013-04-22 13시 18시 BV Measurement 평가용 Al2O3 증착 5매(50,75,100,200,300A) total 7회 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 0원
443 2013-04-23 11시 18시 Al2O3 증착 20nm 3매 삼성종합기술원 TFTU 박용영 720,000원
444 2013-04-24 10시 18시 AlOx deposition on a wafer 6, 8nm 각 1매 포항공과대학교 화학공학과 이은호 160,000원
445 2013-04-29 11시 16시 Al2O3 증착 10,15,15,20nm 각 1매 LG전자 SIC연구소 이호중 576,000원
446 2013-04-29 17시 12시 BV Measurement Test : Al2O3 30nm @200/250/300C 3매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 0원
447 2013-05-01 9시 12시 4인치 웨이퍼 위에 전체적으로 HfO2 6nm 증착
(TiN 박막이 올라가 있는 4 인치 wafer 위에 전체적으로 6nm thickness로 HfO2를 증착하고자 함)
 포항공과대학교 신소재공학과 반상현 96,000원
448 2013-05-07 17시 14시 L25 ILD First Full Run_5차 (3-4-2) GOX ALD Al2O3 ALD 10nm 4매 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 480,000원
449 2013-05-21 10시 14시 al2o3 deposition on a wafer 포항공과대학교 화학공학과 이은호 80,000원
450 2013-05-27 7시 8시 Al2O3 10nm 포항공과대학교 ITCE 정새벽 80,000원
451 2013-05-28 10시 13시 Al2O3 deposition 50nm 1회 포항공과대학교 화학공학과 이은호 400,000원
452 2013-05-30 13시 14시 6nm HfO2 대면적 증착 2회 포항공과대학교 신소재공학과 반상현 192,000원
453 2013-05-30 14시 18시 Al2O3 10 nm 증착.
총 4장인데, 2장은 150도에서, 2장은 330도에서.
 포항공과대학교 화학공학과 이재근 384,000원
454 2013-05-30 20시 22시 Al2O3 10nm증착 포항공과대학교 ITCE 정새벽 80,000원
455 2013-06-03 10시 14시 TiN 50nm 증착 전북대학교 전자공학부 김기현 420,000원
456 2013-06-10 10시 18시 L26 ILD First Full Run_6차 (3-4-2) GOX ALD 총7매 10회 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 1,200,000원
457 2013-06-17 11시 15시 HfO2 2nm, 5nm Al2O3 2nm 각 1매 총 3회 LG전자 SIC연구소 이호중 288,000원
458 2013-06-19 11시 13시 Al2O3 30nm 증착. 200℃ 조건
Graphene 그룹(최보식 : 01071257256)		 포항공과대학교 ITCE 정새벽 252,000원
459 2013-06-24 10시 18시 Al2O3 10, 30nm 각 1매(6inch 및 조각) LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 480,000원
460 2013-06-25 16시 17시 graphene위 ald 38nm 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 320,000원
461 2013-06-26 13시 16시 Al2O3 2nm, HfO2 2, 5nm 6inch 3매 LG전자 SIC연구소 이호중 288,000원
462 2013-07-01 11시 10시 LT06 Al2O3 BV Measurement (2-1-1) ALD Depo ALD Recipe Split, 10,30nm 각 2매 총 8회 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 960,000원
463 2013-07-04 9시 18시 L28 ILD First Full Run_7차 (3-4-2) GOX ALD Al2O3 ALD 총 6매 12회 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 1,440,000원
464 2013-07-11 13시 15시 Al2O3 deposition on a Ni/wafer 10nm 포항공과대학교 화학공학과 이은호 80,000원
465 2013-07-11 15시 18시 al2o3 deposition on a ITO 30nm 포항공과대학교 화학공학과 이은호 288,000원
466 2013-07-16 13시 15시 Al2O3 deposition on a wafer(직접사용) 포항공과대학교 화학공학과 이은호 80,000원
467 2013-07-17 14시 15시 TiN 40nm 증착 (JNT/ 이호준 / 010-2547-9641) 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 336,000원
468 2013-07-18 10시 18시 Al2O3 증착 2nm 3매, 5nm 2매 이상 6inch / 조각 30nm 1매 LG전자 SIC연구소 이호중 768,000원
469 2013-07-19 9시 18시 L29 Ohmic First Full Run_1차 (5-4-2) GOX ALD Al2O3 ALD 100A 총 7매 7회 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 840,000원
470 2013-07-24 14시 15시 Al2O3 20nm증착
Graphene 그룹(최보식 01071257256)		 포항공과대학교 ITCE 정새벽 168,000원
471 2013-07-29 17시 20시 Al2O3 50 nm, deposition (공정 온도 : 250 도) 포항공과대학교 신소재공학과 민성용 0원
472 2013-08-01 10시 12시 HfO2 18nm 연세대학교 전기전자공학 이승기 216,000원
473 2013-08-07 15시 18시 Al2O3 50 nm, 250 C 포항공과대학교 신소재공학과 민성용 420,000원
474 2013-08-09 10시 11시 TiN 40nm 증착 (JNT/ 이호준 / 010-2547-9641)

포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 336,000원
475 2013-08-27 9시 20시 L30 ILD First Full Run_8차 GOX ALD Al2O3 ALD 200A 3매, 100A 3매 총 6매 9회 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 1,080,000원
476 2013-09-05 10시 16시 Al2O3 deposition on a wafer 포항공과대학교 화학공학과 이은호 0원
477 2013-09-06 14시 19시 L30 ILD First Full Run_8차 GOX ALD Al2O3 ALD 200A 1매, 100A 2매 총3매 4회 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 480,000원
478 2013-09-13 15시 17시 HfO2 20nm with BOE Pre-Cleaning 1매 연세대학교 전기전자공학 이승기 216,000원
479 2013-09-25 13시 15시 Al2O3 depostition on a wafer 40nm@200C 1회 포항공과대학교 화학공학과 이은호 320,000원
480 2013-10-01 9시 12시 Al2O3 10 nm 증착 (공정온도 80도, 150도) 포항공과대학교 화학공학과 이재근 168,000원
481 2013-10-07 08시 09시 <1차 나노스케일 High-K 산화막 최적화 실험(7월 장비사용료 청구)>
1. 실험 기간 : 7/10~7/31
2. 실험 및 장비 사용 내역
- Temperature Window Test: Al2O3 30nm 6매
- Thickness Control(Conformality) Test: Al2O3 30nm 4매
- Growth rates(TMA exposure time) Test: Al2O3 30nm 4매
- Growth rates(Reactant exposure time) Test: Al2O3 30nm 4매		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 5,184,000원
482 2013-10-14 08시 09시 <1차 나노스케일 High-K 산화막 최적화 실험(8월 장비사용료 청구)>
1. 실험 기간 : 8/1~8/30
2. 실험 및 장비 사용 내역
- AFM measurement Test: Al2O3 30nm 2매
- SIMS measurement Test: Al2O3 30nm 3매		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,440,000원
483 2013-10-21 08시 09시 <1차 나노스케일 High-K 산화막 최적화 실험(9월 장비사용료 청구)>
1. 실험 기간 : 9/1~9/27
2. 실험 및 장비 사용 내역
- Recipe 변경 Test: Al2O3 30nm 2매, Al2O3 10nm 2매
- BV Measurement Test: Al2O3 30nm 3매		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,632,000원
484 2013-10-30 9시 18시 L31 ILD First Full Run_9차 GOX ALD Al2O3 ALD 총5매 총8회 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 960,000원
485 2013-11-01 17시 18시 20nm 의 HfO2를 증착하고 자합니다. 포항공과대학교 신소재공학과 박규현 168,000원
486 2013-11-04 16시 17시 TiN 30nm 증착 (JNT / 이호준) 포항공과대학교 전자전기공학과 김지원 252,000원
487 2013-11-14 18시 20시 L31 ILD First Full Run_9차 GOX ALD Al2O3 ALD 300A 총 1매 3회 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 360,000원
488 2013-11-26 13시 16시 Al2O3 deposition on a Ni/wafer 포항공과대학교 화학공학과 이은호 80,000원
489 2013-11-27 16시 20시 L32 ILD First Full Run_10차 GOX ALD Al2O3 ALD 총 6매 5회 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 600,000원
490 2013-12-04 17시 19시 증착하는 HfO2 위에 반도체 물질을 합성하여 소자를 만들려고 합니다.
4inch HfO2 20nm 4매		 성균관대학교 성균나노과학기술원 박훈영 960,000원
491 2013-12-12 10시 15시 MoS2 두층으로 FET위에 dielectric matter로 올려서 탑게이트 만드려고 합니다.
각각 HfO2 30nm 증착 부탁드립니다.
 성균관대학교 SAINT 정재혁 360,000원
492 2013-12-12 15시 17시 Al2O3 deposition on a wafer 포항공과대학교 화학공학과 이은호 80,000원
493 2013-12-13 14시 16시 Al2O3 10nm 1회, HfO2 20nm 1회 포항공과대학교 mse Xu Wentao 252,000원
494 2013-12-17 13시 12시 SC22 High-K 최적화 (1-1-1) Gate Oxide Deposition, 박막 Split(Recipe, Stage Temp) 30nm 12매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 3,456,000원
495 2013-12-24 10시 11시 HfO2 10nm Nano Electronic Materials & Devices Lab, Prof. Jang-Sik Lee Materials Science & Engineering Masoud Akbari 84,000원
496 2013-12-24 11시 12시 WO3, Fe2O3, BiVO4 반도체 물질의 표면에 Al2O3를 박막 코팅.
코팅온도 : 100~150도 (낮을수록 좋습니다.)
Al2O3 코팅 두께 : 5nm		 포항공과대학교 환경공학부 전태화 96,000원
497 2013-12-26 10시 11시 Al2O3 10nm
Nano Electronic Materials & Devices Lab, Prof. Jang-Sik Lee Materials Science & Engineering Masoud Akbari 70,000원
498 2014-01-14 10시 18시 Al2O3 30nm 고온(300C) 및 저온(100C) 조건 2매 삼성종합기술원 TFTU 박용영 720,000원
499 2014-01-17 14시 15시 gate dielectric용 Al2O3 200A 증착 요청 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 168,000원
500 2014-01-18 14시 18시 SC23 Gate Oxide 최적화 (1-2-1) Gate ALD deposit
☆박막 : Recipe : R1, Stage Temp : 300도
Meterial: Al2O3(_270_cycle), thick: 300A ★ Thickness Targetting 선행 진행
선행 포함 8매 진행		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 2,304,000원
501 2014-01-23 10시 14시 SC13 Gate Module Test Run (0-6-4) Oxide Depo.(ALD) 300A 1매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 288,000원
502 2014-01-23 15시 18시 Al2O3 deposition on a wafer 포항공과대학교 화학공학과 이은호 80,000원
503 2014-02-03 10시 11시 HFO2 20 나노 증착부탁드립니다. 4inch 20nm 1매 연세대학교 전기전자공학부 이승기 216,000원
504 2014-02-03 14시 12시 SC24 Low Temp High-K (1-1-1) Gate oxide deposit
-박막 Splited : Stage Temp 150C
-Meterial: Al2O3, thick: 300A
-WF01~12 총 12매		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 3,456,000원
505 2014-02-05 13시 18시 SC24 Low Temp High-K (1-1-1) Gate oxide deposit
-박막 Splited : Stage Temp 200C
-Meterial: Al2O3, thick: 300A
-WF13~24 총 12매		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 3,456,000원
506 2014-02-13 14시 11시 Al2O3 20nm + TiN 40nm on GaN Sapphire Sample 경북대학교 전자공학과 임기식 480,000원
507 2014-02-17 11시 14시 TiN deposition on si nanowire 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 420,000원
508 2014-02-25 10시 13시 Al2O3 deposition on a wafer 포항공과대학교 화학공학과 이은호 80,000원
509 2014-03-05 13시 18시 TiN 40nm 포항공과대학교 전자전기공학과 고명동 336,000원
510 2014-03-20 20시 22시 Al2O3 10nm 150도 포항공과대학교 ITCE 정새벽 70,000원
511 2014-03-24 20시 21시 Al2O3 10nm 1매 포항공과대학교 ITCE 정새벽 70,000원
512 2014-03-25 10시 17시 SC24 Low Temp High-K(재현성) (1-1-1) Gate oxide deposit / 3매
☆박막 Splited : Recipe, Stage Temp Split 150/200C / Meterial: Al2O3(___cycle), thick: 300A 		포항공과대학교 기술지원팀 최경근 756,000원
513 2014-04-02 1시 2시 Al2O3 10nm
4월 1일 21시 30분부터 사용하였습니다.
일지 작성해두었습니다.		 포항공과대학교 ITCE 정새벽 70,000원
514 2014-04-07 13시 14시 Al2O3 10nm on SiO2 포항공과대학교 ITCE 정새벽 70,000원
515 2014-04-08 9시 13시 SiC Graphene Cap 전기적 특성 평가
Oxide deposition ALD Al2O3 30nm @300C 4매(12회)		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,008,000원
516 2014-04-10 16시 18시 Al2O3 10nm 포항공과대학교 ITCE 정새벽 70,000원
517 2014-04-14 11시 12시 TiN coating (2nm) 10cycles 6inch wafer 1매 경북대학교 물리학과 최성규 120,000원
518 2014-04-15 13시 15시 HfO3 deposition on a wafer 25nm 조각 sample 4ea 포항공과대학교 화학공학과 이은호 192,000원
519 2014-04-16 17시 19시 al2o3 10nm 포항공과대학교 ITCE 정새벽 70,000원
520 2014-04-28 12시 13시 HfO2 10nm sample 1ea with dummy sample 3ea post Ellipsometer measurement 1time 경북대학교 전자공학과 임기식 120,000원
521 2014-05-01 16시 17시 Al2O3 10nm 1매 포항공과대학교 ITCE 정새벽 70,000원
522 2014-05-12 12시 14시 HfO2 20nm 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
523 2014-05-14 13시 15시 HfO2 20nm 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
524 2014-05-14 13시 15시 1-2-1 Oxide Depo. Al2O3 : Recipe1, Stage Temp 300C, thick: 300A 4매 총 12회 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,008,000원
525 2014-05-16 13시 14시 HfO2 10nm 경북대학교 전자공학과 임기식 120,000원
526 2014-05-16 16시 14시 Li-S battery chathode 표면에 Al layer deposition을 하기위함. 포항공과대학교 화학과 김훈 96,000원
527 2014-05-20 9시 12시 Al2O3 : Recipe1, Stage Temp 300C 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 84,000원
528 2014-05-26 14시 16시 HfO2 20nm 1회 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
529 2014-05-27 10시 11시 Al2O3 10nm on 6in Si wafer 1매 포항공과대학교 전자전기공학과 정윤영 96,000원
530 2014-05-27 14시 18시 TiN 10nm, 20nm 각 1회 경북대학교 물리학과 최성규 360,000원
531 2014-06-05 15시 17시 Al2O3 150℃ 10nm 포항공과대학교 ITCE 정새벽 70,000원
532 2014-06-05 17시 18시 HfO2 20nm sample 4ea with test 1회 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
533 2014-06-09 13시 20시 1-1-1 Gate oxide deposit / Recipe1, Stage Temp Split 150C / Meterial: Al2O3, thick: 300A 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,008,000원
534 2014-06-10 13시 18시 HfO3 80nm deposition on a wafer 포항공과대학교 화학공학과 이은호 640,000원
535 2014-06-11 14시 18시 TiN 40nm 1회 경북대학교 전자공학과 임기식 480,000원
536 2014-06-11 9시 12시 Al2O3 Anneal Test 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 228,000원
537 2014-06-16 9시 12시 Al2O3 10 nm 증착. 공정온도 300도에서 부탁드립니다. 2매 포항공과대학교 화학공학과 이재근 168,000원
538 2014-06-17 15시 17시 HfO2 20nm 1회 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
539 2014-06-20 13시 15시 HfO2 20nm 1회 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
540 2014-06-24 15시 19시 TiN 60nm 1회 경북대학교 전자공학과 임기식 720,000원
541 2014-06-26 13시 17시 Al2O3 : 7nm, HfO2 : 7nm, Al2O3 : 30nm 증착

 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 480,000원
542 2014-06-27 9시 11시 HfO2 20nm 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
543 2014-07-02 14시 16시 HfO2 20nm 1회 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
544 2014-07-04 15시 16시 "Meterial: Al2O3, Target Thickness: 30nm, Stage Temp: 300C
Recipe: R1, Depo Cycle:_270_"
포항공과대학교 기술지원팀 최경근 756,000원
545 2014-07-05 14시 15시 "Meterial: TiN, Target Thickness: 30nm, Stage Temp: 230C
Recipe: TiN_NH3_PE, Depo Cycle:_156_"
포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,008,000원
546 2014-07-06 16시 17시 \"Meterial: Al2O3, Target Thickness: 30nm, Stage Temp: 300C
Recipe: R1, Depo Cycle:_270_\"
포항공과대학교 기술지원팀 최경근 252,000원
547 2014-07-08 13시 14시 AAO membrane 에 Al2O3 20nm 증착 포항공과대학교 화학공학과 현승 192,000원
548 2014-07-10 14시 20시 TiN 60nm 1회(조각 sample) 경북대학교 전자공학과 임기식 720,000원
549 2014-07-15 10시 11시 전극으로 사용되는 Fe3O4의 표면에 얇은 층의 Al2O3를 코팅하여 표면을 개질하여 디바이스의 성능을 증가시킨다.
두개의 carbon/ Fe3O4 샘플에 Al2O3의 표면 두께를 달리하여 분석하고 싶습니다.
1. 하나는 Al2O3 2 cycle
2. 다른 하나는 Al2O3 5 cycle
샘플은 현관 사물함에 놓도록 하겠습니다.		 포항공과대학교 화학공학과 김민수 192,000원
550 2014-07-17 14시 16시 8인치 wafer에 Al2O3 9nm 증착

wafer는 pecvd 있는방 입구에 있는 선반 2번째 층 맨 앞에 있습니다.
김강민 이름이 적혀져있고 3번 slot에 있는 2번째 wafer입니다.
중간에 십자가 모양의 패턴이 있습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 96,000원
551 2014-07-25 16시 19시 HfO2 20nm 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
552 2014-07-31 14시 18시 HfO2 20nm with test sample 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
553 2014-08-05 10시 12시 Meterial: Al2O3, Target Thickness: 30nm, Stage Temp: 300C 1매(3회) (4.0010321.01) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 319,000원
554 2014-08-06 13시 16시 Meterial: TiN, Target Thickness: 30nm, Stage Temp: 230C 2매(6회) (4.0010321.01) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 504,000원
555 2014-08-06 17시 12시 Meterial: Al2O3, Target Thickness: 30nm, Stage Temp: 300C 2매(6회) (4.0010321.01) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 504,000원
556 2014-08-07 10시 10시 Al2O3 20nm 2매 전북대학교 전자공학부 김기현 336,000원
557 2014-08-11 14시 16시 HfO2 20nm 1회 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
558 2014-08-11 9시 12시 MOSFET용 dielectric layer을 증착 하려고 합니다.
Al2O3 로 30 nm 증착 부탁드립니다.
Si - wafer 2장에 할 생각이고, 증착전에 Oxide 층 제거를 위해 HF 처리 등을 해주셔야 합니다.

( Process 를 직접 가서 보고 싶습니다. )		 포항공과대학교 화학과 이진호 576,000원
559 2014-08-21 15시 15시 HfO2 20nm 1회 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
560 2014-08-27 11시 12시 전극으로 사용되는 Fe3O4의 표면에 얇은 층의 Al2O3를 코팅하여 표면을 개질하여 디바이스의 성능을 증가시킨다.
샘플에 Al2O3를 2 cycle 코팅
샘플은 현관 사물함에 놓도록 하겠습니다		 포항공과대학교 화학공학과 김민수 96,000원
561 2014-09-04 11시 13시 HfO2 layer 증착
40nm sample 36ea 2회에 걸쳐 진행 완료		 포항공과대학교 신소재공학과 김태식 336,000원
562 2014-09-04 9시 11시 al2o3 20nm 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 168,000원
563 2014-09-11 11시 12시 gold electrode가 패턴 된 4인치 웨이퍼에 전면 Al2O3 증착입니다.
30nm 증착 완료(9/11)		 포항공과대학교 화학공학과 유호정 24,000원
564 2014-09-11 16시 18시 al2o3 20nm 8" 2ea 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 336,000원
565 2014-09-12 10시 12시 al2o3 20nm 8\" 1ea 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 168,000원
566 2014-09-12 12시 16시 al2o3 30nm 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 252,000원
567 2014-09-12 16시 18시 TiN 30nm 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 252,000원
568 2014-09-13 13시 16시 al2o3 30nm 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 252,000원
569 2014-09-15 11시 12시 silicone 기반으로 이루어진 AFM probe에 AuNP 입자가 붙어 있는데 거기에 Al2O3로 5nm두께로 얇은 박막을 만들고자 함. (금요일에 문의차 전화를 드렸었습니다) Al2O3 10nm 1회 증착 완료 포항공과대학교 화학과 김웅 96,000원
570 2014-09-17 14시 15시 carbon paper위에 올려진 porous carbon의 pore 내에 Al2O3 및 TiN 증착
Al2O3 3cycle , TiN 3cycle 진행 완료		 포항공과대학교 화학공학과 박지희 192,000원
571 2014-09-17 16시 18시 al2o3 20nm 4매 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 672,000원
572 2014-09-18 10시 16시 GaN 표면 구조 관측 및 분석

TiN 20nm 1회 sample 4ea 증착 완료		 경북대학교 전자공학 손동혁 240,000원
573 2014-09-18 16시 17시 통화 했던 화학과 대학원생 입니다.
같은 공정으로 Al2O3를
이번에는 5 nm로 코팅하고 싶습니다.
온도는 역시 저온에서 100도에서 진행해 주셨으면 합니다.
Al2O3 5nm 증착 완료
 포항공과대학교 화학과 김웅 96,000원
574 2014-09-19 10시 13시 Al2O3 50nm 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 정윤영 240,000원
575 2014-09-22 14시 16시 Glass / FTO / TiO2 / CH3NH2PbI3 / Spiro-OMeTAD / Au
(glass 두께 2mm, 나머지 박막의 총 합 두께 ~500nm)

맨 위 박막층(Au) 위에 Al2O3를 증착해 표면 passivation 목적

Al2O3 30nm 증착 완료
 포항공과대학교 화공과 황인성 288,000원
576 2014-09-23 10시 14시 Al2O3 100nm deposition on ITO/PEN substrate at 150°C
Al2O3 Sample 4ea, 100nm(10회) 증착 완료		 포항공과대학교 화학공학과 이은호 800,000원
577 2014-09-23 14시 16시 HfO2 20nm 1회 증착 완료 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
578 2014-09-25 15시 16시 샘플은 약 9 cm x 12 cm 크기의 Al foil 이고요,
Al2O3 를 ~4.5 A (3 cycle) 증착하려고 합니다.
(증착온도는 100도로 부탁드립니다)		 한국세라믹기술원 에너지환경소재본부 천진녕 96,000원
579 2014-09-26 11시 18시 al2o3 20nm 10ea 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 1,680,000원
580 2014-09-30 16시 17시 Al2O3 10nm deposition 포항공과대학교 창의IT융합공학과 권지민 84,000원
581 2014-10-01 10시 14시 HfO3 80nm deposit. on Si wafer 포항공과대학교 화학공학과 이은호 640,000원
582 2014-10-01 16시 21시 TiN 50nm sample 11ea 경북대학교 전자공학과 임기식 600,000원
583 2014-10-06 9시 12시 Al2O3 10nm 증착
공정온도: 150도에서 2장, 300도에서 1장.		 포항공과대학교 화학공학과 이재근 252,000원
584 2014-10-07 15시 16시 Deposition of HfO2 by ALD Nano Electronic Materials & Devices Lab, Prof. Jang-Sik Lee Materials Science & Engineering Masoud Akbari 84,000원
585 2014-10-08 10시 11시 Deposition of 3 nm Al2O3 Nano Electronic Materials & Devices Lab, Prof. Jang-Sik Lee Materials Science & Engineering Masoud Akbari 84,000원
586 2014-10-10 12시 16시 3-5-2 gate oxide depo. 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 252,000원
587 2014-10-13 9시 11시 일전에 사용했던 학생입니다.
Al2O3를 반드시 100도씨에서 5nm의 뚜께로 박막을 적층하고 싶습니다.
서비스를 이용하다가 이번에는 ALD를 배우고 싶습니다.
자세한 사항은 전화로 드리겠습니다.		 포항공과대학교 화학 김웅 80,000원
588 2014-10-15 10시 16시 TiN 증착 (GaN on sapphire 기판 위에) 40nm 1회(Sample 7ea) 증착 완료 경북대학교 전자공학 손동혁 480,000원
589 2014-10-15 20시 21시 Al2O3 150℃ 10nm 포항공과대학교 ITCE 정새벽 70,000원
590 2014-10-16 10시 16시 Aluminum Oxide (Al2O3) 50nm deposition on ITO/PEN substrate at 150°C 포항공과대학교 화학공학과 이은호 480,000원
591 2014-10-16 15시 17시 al2o3 20nm (김기현) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 168,000원
592 2014-10-17 10시 11시 Al2O3 50A 증착 의뢰(65A증착 300C, 45s) 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 84,000원
593 2014-10-17 16시 16시 사전정보: Al 1nm (Ebeam evaporator로 증착)

목적: Al2O3 70A (7nm) deposition		 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 96,000원
594 2014-10-23 11시 18시 Al2O3 10nm @300C : 32(PRE)125A
Al2O3 40nm @100C : 32(PRE)210369A (20nm 2회 증착)
Glass sample total 18ea		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 권지민 420,000원
595 2014-10-23 9시 11시 Al2O3 10 nm 증착. 300도에서 공정. 포항공과대학교 화학공학과 이재근 84,000원
596 2014-10-28 13시 17시 organic solar cell을 ALD로 증착된 Al2O3 층으로 encapsulate하기 위함.

위에 wafer정보는 임의로 입력했습니다..
Al2O3 50nm 1회(Sample 17ea) 증착 완료		 포항공과대학교 화학공학과 이한솔 480,000원
597 2014-10-29 10시 12시 Al2O3 증착 30nm @300C 2회에 나누어 증착 포항공과대학교 신소재공학과 김태식 252,000원
598 2014-10-29 13시 15시 TiN 10nm 1회 경북대학교 물리학과 최성규 120,000원
599 2014-10-30 16시 17시 1-1-3 gate oxide ald 100A 포항공과대학교 창의IT융합공학과 권지민 84,000원
600 2014-11-03 8시 18시 al2o3 20nm 6ea 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 1,008,000원
601 2014-11-04 13시 14시 전극으로 사용되는 Fe3O4의 표면에 얇은 층의 Al2O3를 코팅하여 표면을 개질하여 디바이스의 성능을 증가시킨다.
샘플에 Al2O3를 2 cycle 코팅
샘플은 현관 사물함에 놓도록 하겠습니다 		포항공과대학교 화학공학과 김민수 96,000원
602 2014-11-04 14시 16시 Organic CMOS_Al2O3 Depo 포항공과대학교 창의IT융합공학과 권지민 840,000원
603 2014-11-05 15시 18시 HfO2 20nm + 20nm 조각 샘플 경북대학교 전자공학과 임기식 480,000원
604 2014-11-05 7시 15시 1-3-1 al2o3 depo. 30nm 4ea 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,008,000원
605 2014-11-06 10시 12시 al2o3 20nm depo. 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 168,000원
606 2014-11-07 22시 23시 Al2O3 5nm 증착 (직접사용) 포항공과대학교 전자전기공학과 이호준 70,000원
607 2014-11-09 13시 14시 10nm al2o3 포항공과대학교 ITCE 정새벽 70,000원
608 2014-11-10 11시 12시 ALD를 이용하여 Al203를 처리하려 합니다. 이번에도 저번과 같이
저온에서 150도 정도에서 실시하려 합니다.
두께는 10 nm정로도 하려 합니다.
직접사용하겠습니다. 시간이 있으시면 직접 사용하는것을 봐주셨으면 합니다.		 포항공과대학교 화학 김웅 80,000원
609 2014-11-18 11시 13시 HfO2 20nm 1회 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
610 2014-11-21 10시 11시 저번과 같이 저온에서 150도에서 Al2O3를 코팅하려 합니다.
두께는 10 nm로 이전과 동일하게 수행 하려 합니다.
저번에 하번 제가 직접 해봤는데 이번에도 혼자 한번 해보려 합니다.
가능하시면 봐주셔도 좋고 아니면 저혼자도 가능 할것 같습니다.		 포항공과대학교 화학 김웅 80,000원
611 2014-11-25 2시 3시 Al2O3 10nm 150℃ 포항공과대학교 ITCE 정새벽 70,000원
612 2014-12-01 10시 13시 TiN 20nm 1회 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
613 2014-12-01 18시 20시 4-13-1 gate oxide 300A 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 252,000원
614 2014-12-01 9시 11시 HfO2 20nm 1회 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
615 2014-12-02 9시 15시 BioFET_Al2O3 Deposition 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 1,512,000원
616 2014-12-03 22시 23시 Al2O3 10nm 포항공과대학교 ITCE 정새벽 70,000원
617 2014-12-04 10시 13시 TiN 30nm 1회 경북대학교 물리학과 최성규 360,000원
618 2014-12-04 14시 16시 TiN 을 GaN 위에 증착 20nm(sample) 완료 경북대학교 전자공학 손동혁 240,000원
619 2014-12-05 9시 24시 Al2O3 50nm 3매 (주)소로나 관리 (주)소로나 1,800,000원
620 2014-12-09 11시 14시 Al2O3 50nm deposition on a wafer and ITO/PEN substrate
Temp. 150C		 포항공과대학교 화학공학과 이은호 480,000원
621 2014-12-10 10시 12시 HfO2 20 nm 증착

Si test 샘플 1개 요망

 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 240,000원
622 2014-12-16 10시 11시 WO3 반도체 물질의 표면에 Al2O3를 박막 코팅.
코팅온도 : 100도
Al2O3 코팅 두께 : 5nm (30 cycles)		 포항공과대학교 환경공학부 전태화 96,000원
623 2014-12-17 9시 13시 박판 경량 HS 제작용 Al2O3 증착공정 (과제번호:2.0006799.07) 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 504,000원
624 2014-12-19 9시 18시 1-1-3 Gate oxide 500Å 2매 (주)소로나 관리 (주)소로나 1,200,000원
625 2014-12-24 10시 13시 1-2-1 gate oxide depo. 100A / 300A 2회진행 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 336,000원
626 2014-12-26 13시 15시 TiN 증착 20nm 140cycle 경북대학교 전자공학 손동혁 240,000원
627 2015-01-12 14시 17시 TiN 40nm 1회 서울대학교 재료공학부 이재호 240,000원
628 2015-01-13 18시 19시 Al2O3 100A
 포항공과대학교 ITCE 정새벽 70,000원
629 2015-01-13 9시 17시 HfO2 13.9nm, 27.7nm, 41.6nm 각 1회 sample 공정 완료 경북대학교 전자공학과 임기식 840,000원
630 2015-01-14 10시 11시 Al2O3 10nm 증착 포항공과대학교 화학공학과 김태원 84,000원
631 2015-01-14 12시 14시 ALD TiN 20nm 1회 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
632 2015-01-14 14시 18시 Al2O3 층 20nm 포항공과대학교 화학공학과 이선백 192,000원
633 2015-01-14 16시 20시 Dry etching test 용
hfo2 10nm
al2o3 40nm		 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 480,000원
634 2015-01-15 10시 14시 1-1-1 dielectric hfo2 al2o3 연속작업
hfo2 70A + al2o3 330A		 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 480,000원
635 2015-01-15 15시 16시 The sample structure is

Si/SiO2 (100 nm)/PEDOT:PSS (~100 nm)/MAPbBr3 (\'Perovskite\'~400 nm)/Al2O3 (~30 nm)

The perovskite layer exhibits quite high surface roughness, therefore the Al2O3 layer should have a thickness that is appropriate to insulate the underlying layer electrically.

Please let me know when I can bring the samples to you, I go to the nanocenter at any time today!

You can also call me if that is easier for you: 010-3399-9195

Best,
Chris 		포항공과대학교 Materials Science and Engineering WOLF CHRISTOPH 420,000원
636 2015-01-20 10시 13시 1-5-3 top dielectirc al2o3 90A 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 96,000원
637 2015-01-21 10시 12시 HfO2 20nm 1회 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
638 2015-01-21 14시 16시 전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육(박막) 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 600,000원
639 2015-01-21 22시 23시 Al2O3 100A 포항공과대학교 ITCE 정새벽 70,000원
640 2015-01-22 13시 18시 2.4 cm X 2.4 cm
Si 기판 16개에
Al2O3 50nm 1회
dielectric으로 쓰기 위한
Al2O3 deposition		 포항공과대학교 신소재공학과 고한승 336,000원
641 2015-01-23 15시 19시 TiN 40nm 1회 서울대학교 재료공학부 이재호 240,000원
642 2015-01-27 10시 11시 Al2O3 10nm 를 150도에서 증착하려고 합니다.
샘플은 나노센터 샘플 의뢰함에 월요일 중으로 가져다 놓겠습니다. 		포항공과대학교 화학공학과 김태원 336,000원
643 2015-01-27 11시 15시 1-2-1 gate oxide ald 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 336,000원
644 2015-01-29 10시 12시 0-0-2 gate dielectric ald 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 96,000원
645 2015-02-03 16시 18시 2-2-1 insulator ald 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 252,000원
646 2015-02-04 17시 18시 HfO2 10nm 1회 경북대학교 전자공학과 임기식 120,000원
647 2015-02-10 14시 17시 12.5nm (50-60? cylces) Al2O3 deposition on a Al/SiO2
50cyc 150C		 포항공과대학교 화학공학과 이은호 96,000원
648 2015-02-11 9시 15시 1-2-1 gate oxide split 10,30nm 총4회 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 336,000원
649 2015-02-12 10시 18시 MOSFET 구조의 gate oxide 로 사용 HfO2 65nm 1회 경희대학교 응용물리학과 김동학 360,000원
650 2015-02-12 18시 20시 TiN을 GaN 위에 증착 20nm 1회 경북대학교 전자공학 손동혁 240,000원
651 2015-02-13 10시 15시 TiN 50nm 1회 서울대학교 재료공학부 이재호 240,000원
652 2015-02-16 15시 18시 Al2O3 Deposition.

Temperature 150 C,
150 cycles(around 15 nm ),
2cm x 2cm Wafer Size with 40nm Al

Al2O3 20nm 증착 완료 @150C 124cycle		 포항공과대학교 화학공학과 이선백 192,000원
653 2015-02-23 14시 17시 TiN 20nm 1회 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
654 2015-03-02 10시 11시 0-0-2 Al2O3 70Å deposition @300C / Graphene Memory 2차 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 96,000원
655 2015-03-02 11시 15시 1-3-2 Gate Oxide Split 진행
Al2O3 100Å: W01, W03
Al2O3 50Å: W02, W04		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 235,200원
656 2015-03-02 16시 21시 Sample Layer THK Temp
#1 Al2O3 20nm 100C
#2 Al2O3 20nm 300C
#3 Al2O3 40nm 100C
#4 Al2O3 40nm 300C		 포스코 성능연구그룹 정현주 1,152,000원
657 2015-03-06 17시 21시 2-4-1 Al2O3 300A 2ea 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 504,000원
658 2015-03-09 9시 14시 2-1-1 insulatro al2o3 300A 2ea 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 504,000원
659 2015-03-10 13시 16시 Si/Perovskite/Al2O3 (50 nm)
300cycle @100C
 포항공과대학교 Materials Science and Engineering WOLF CHRISTOPH 420,000원
660 2015-03-10 16시 23시 1-3-1 Gate oxide Deposition ALD Split 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 1,932,000원
661 2015-03-12 13시 18시 Al2O3 deposition on a different substrate
1. 50 cycles on wafer
2. 50nm on wafer with PEN substrate		 포항공과대학교 화학공학과 이은호 576,000원
662 2015-03-13 15시 17시 Al 40nm
Al2O3 20nm is needed with Temperature 150\'C
저번과 같은 실험과정입니다. 다만 이번에는 마스크를 씌어진 채로 진행할 것 같습니다.

120cycle @150C Al2O3 deposition		 포항공과대학교 화학공학과 이선백 192,000원
663 2015-03-13 20시 22시 Al2O3 100A
150℃		 포항공과대학교 ITCE 정새벽 70,000원
664 2015-03-20 14시 16시 hfo2 200A 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
665 2015-03-20 16시 19시 al2o3 100A
TiN 200A		 경북대학교 전자공학 손동혁 360,000원
666 2015-03-20 9시 17시 1-1-1 insulator al2o3 300A 2회
1-4-1 insulator al2o3 300A 2회		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,008,000원
667 2015-03-23 10시 11시 1-1-4 gate oxide hfo2 포항공과대학교 화학공학과 송홍선 96,000원
668 2015-03-23 11시 13시 300℃ al2O3 100A 포항공과대학교 ITCE 정새벽 84,000원
669 2015-03-24 15시 17시 Al2O3 ALD 작업.
20nm with Temperature 150C\'
 포항공과대학교 화학공학과 이선백 192,000원
670 2015-04-02 10시 16시 0-2-1 bottom oxide ald 300A 3ea
 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 864,000원
671 2015-04-02 16시 18시 al2o3 300A 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 252,000원
672 2015-04-06 12시 14시 0-0-2 gate dielectric 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 96,000원
673 2015-04-06 14시 17시 50 cylces Al2O3 deposition on Al/SiO2/Si 포항공과대학교 화학공학과 이은호 80,000원
674 2015-04-09 11시 14시 TiN 200A 경북대학교 전자공학 손동혁 240,000원
675 2015-04-15 9시 13시 0-2-1 bottom oxide 300A 2ea 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 576,000원
676 2015-04-21 14시 18시 2-3-1 dielectiric hfo2 70A
2-3-2 dielectiric al2o3 330A		 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 384,000원
677 2015-04-21 9시 12시 4-13-1 gate oxide ald 300A 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 0원
678 2015-04-23 11시 12시 gate dielectric

ALD AL2O3 15nm~17nm		 서울대학교 전기정보공학부 김승현 240,000원
679 2015-04-23 13시 18시 ALD TiN 370A(259cycle) 2매(6inch) 서울대학교 재료공학부 이재호 480,000원
680 2015-04-30 14시 15시 1-5-3 bottom oxide
 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 96,000원
681 2015-05-12 14시 19시 150C, 300A 4매 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 1,152,000원
682 2015-05-13 10시 15시 Al2O3 20nm+TiN 20nm(in-situ) 조각 sample 1매(총4회) 경북대학교 전자공학과 임기식 480,000원
683 2015-05-14 1시 13시 TiN 40nm 6inch 2매(총 4회) 서울대학교 재료공학부 이재호 480,000원
684 2015-05-21 10시 13시 1-2-1 pass oxide ald 70A 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 192,000원
685 2015-05-22 9시 11시 TiN 20nm 1회 경북대학교 전자공학 손동혁 240,000원
686 2015-05-27 14시 15시 Al2O3, 150℃, 300Å 증착 2ea
어닐링 필요없습니다.
 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 576,000원
687 2015-05-28 10시 13시 TiN 20nm 1회 경북대학교 전자공학 손동혁 240,000원
688 2015-05-28 13시 16시 Al2O3 50 cylcles deposition on a Al electode/wafer 포항공과대학교 화학공학과 이은호 96,000원
689 2015-06-01 14시 16시 1-2-1 DIEL Gate oxide2 Al2O3 Depo. ALD 6/1 14:30 1 기종 Target: 100Å 전북대학교 전자공학부 김기현 84,000원
690 2015-06-03 16시 17시 대학원 신입생입니다. 장비 사용법을 배우고자 합니다.
200A		 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 192,000원
691 2015-06-05 11시 13시 HfO2 20nm 1회 조각 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
692 2015-06-16 9시 15시 TiN 20nm 1회
HfO2 5/10/15nm 각 1회		 경북대학교 전자공학과 임기식 600,000원
693 2015-06-18 15시 19시 0-2-2 ald bottom oxide 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 384,000원
694 2015-06-23 15시 20시 1-2-1 DIEL Dielectirc Formation al2o3
 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 840,000원
695 2015-06-24 9시 16시 TiN 40nm 6inch 2매(총 4회) 서울대학교 재료공학부 이재호 480,000원
696 2015-06-25 11시 15시 1-2-1 Akey pass Oxide ALD 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 192,000원
697 2015-06-26 10시 13시 0-2-1 bottom oxide ald 300A
0-2-2 bottom oxide ald 100A		 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 384,000원
698 2015-06-26 15시 17시 Al2O3 ALD 공정의뢰.
예전에 의뢰한 바와 같이 150도에서 진행.
Al2O3 20nm 증착.		 포항공과대학교 화학공학과 이선백 192,000원
699 2015-07-03 11시 13시 1-2-1 akey pass oxide ald 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 192,000원
700 2015-07-20 14시 16시 20nm Al2O3, 150℃ 포항공과대학교 ITCE 정새벽 140,000원
701 2015-07-23 12시 15시 5-1-6 DIEL gate dielectic ald 전북대학교 전자공학부 김기현 168,000원
702 2015-07-28 14시 14시 ALD HF02 공정 의뢰

wafer 1 - 온도 : 200도 / 두께 : Hf02 5nm
wafer 2 - 온도 : 230도 / 두께 : Hf02 5nm
wafer 3 - 온도 : 260도 / 두께 : Hf02 5nm 		연세대학교 신소재공학과 이민형 360,000원
703 2015-07-30 11시 17시 Al2O3 20nm + TiN 5nm
Al2O3 20nm + TiN 10nm		 경북대학교 전자공학과 임기식 720,000원
704 2015-07-31 14시 16시 TiN 20nm 1회 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
705 2015-08-05 14시 16시 Al2O3 50 cylces on a Al deposited wafer. 포항공과대학교 화학공학과 이은호 96,000원
706 2015-08-07 11시 14시 3-4-2 RCSS GOX ADL al2o3 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 168,000원
707 2015-08-12 10시 12시 Al2O3 30nm @300C 8inch 1매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 252,000원
708 2015-08-12 13시 16시 10. Split Gate_Gate oxide _Al2O3 300A 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 336,000원
709 2015-08-13 16시 20시 TiN 40nm 6inch 1매 서울대학교 재료공학부 이재호 240,000원
710 2015-08-21 11시 16시 1. Al2O3 20nm + TiN 10nm : 조각 샘플 3ea
2. TiN 10nm : 조각 샘플 3ea		 경북대학교 전자공학과 임기식 480,000원
711 2015-09-07 13시 14시 oxide 증착 al2o3 3nm 포항공과대학교 화학공학과 김경훈 84,000원
712 2015-09-09 10시 11시 Al2O3 thin film (~10 nm) deposition on FTO glass 포항공과대학교 화공과 황인성 96,000원
713 2015-09-14 16시 18시 Al 위에 Al2O3 20nm ALD의뢰.(150도 온도에서 진행, 예전과 같은 공정으로 의로부탁) 포항공과대학교 화학공학과 이선백 192,000원
714 2015-09-15 14시 16시 Al2O3 deposition 50 cycles deposition on a Ni(30nm)/wafer 포항공과대학교 화학공학과 이은호 96,000원
715 2015-09-17 10시 12시 HFO2 증착 경북대학교 전자공학 손동혁 240,000원
716 2015-09-23 10시 14시 Al2O3 10nm deposition on a 6-inch Si wafer
Al2O3 40nm deposition on a 6-inch Si wafer		 포항공과대학교 화학공학과 이은호 480,000원
717 2015-09-24 17시 22시 5-2-1 DIEL Al2O3 depo. 200A 4ea 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 672,000원
718 2015-10-01 10시 12시 Hfo 20nm 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
719 2015-10-01 12시 14시 Split_Gate_O2
al2o3 : al selectivity test		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 0원
720 2015-10-07 11시 13시 Hfo 20nm + SiO2 50nm 경북대학교 전자공학과 임기식 340,000원
721 2015-10-07 14시 16시 1-3-1 Gate oxide ald 100nm
2ea		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 1,470,000원
722 2015-10-13 17시 22시 al2o3 100nm 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 840,000원
723 2015-10-14 10시 24시 2-5-1 GOX_02 al2o3 1000A 2ea 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 1,680,000원
724 2015-10-14 9시 11시 TiN 10nm 경북대학교 전자공학과 임기식 120,000원
725 2015-10-15 11시 13시 3-4-2 RCSS GOX ALD al2o3 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 168,000원
726 2015-10-16 10시 12시 Hfo2 20nm 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
727 2015-10-22 16시 18시 GaN on Sapphire 샘플 위에 hfo2 20나노 증착 경북대학교 전자공학 손동혁 240,000원
728 2015-10-27 14시 16시 8inch SOI wafer 3ea
Al2O3 (200A)		 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 504,000원
729 2015-10-28 11시 14시 al2o3 200A + TiN 100A 경북대학교 전자공학과 임기식 360,000원
730 2015-11-10 14시 16시 GaN on Sapphire 샘플 위에 hfo2 20나노 증착 경북대학교 전자공학 손동혁 240,000원
731 2015-11-12 10시 15시 6inch SOI wafer 2ea
Al2O3 (Thickness = 200A)		 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 336,000원
732 2015-11-12 13시 15시 0-2-1 DIEL al2o3 Deposition 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 120,000원
733 2015-11-13 15시 16시 11/13 Al2O3 40nm 조각 8개 증착 건 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 384,000원
734 2015-11-16 14시 20시 al2o3 200A + TiN 200A 경북대학교 전자공학과 임기식 480,000원
735 2015-11-18 15시 16시 Al2O3 40nm 증착 (@100C) 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 384,000원
736 2015-12-09 11시 18시 1-3-1 gate oxide deposit ald 300A 3매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 756,000원
737 2015-12-10 10시 15시 4-10-5 gate oxide ald 300A 2매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 504,000원
738 2015-12-11 10시 12시 6inch Wafer 1EA
Al2O3 : 200A 		포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 168,000원
739 2015-12-15 11시 14시 Al2O3 50 cycles deposition on a 4\'\' wafer 포항공과대학교 화학공학과 이은호 96,000원
740 2015-12-17 10시 15시 250C al203 10nm 2매
300C al203 10nm 2매		 삼성종합기술원 디바이스랩 김선일 384,000원
741 2015-12-18 14시 18시 6inch 1ea
8inch 1ea
Al2O3 200A		 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 336,000원
742 2015-12-22 16시 18시 Al2O3 ALD를 의뢰.
20nm 을 타켓으로 하여 지난번과 동일한 cycle로 돌려 20nm의 Al2O3 증착을 의뢰합니다.		 포항공과대학교 화학공학과 이선백 192,000원
743 2015-12-23 13시 16시 미래부 전문인력양성_소자공정 실습 (Thinfilm) 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 600,000원
744 2015-12-29 13시 18시 특허과제
Al2O3 300A @150C
Al2O3 300A @300C
각 1회		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 504,000원
745 2016-01-06 13시 16시 Al2O3 50nm deposition on PEN substrate and Si-wafer
PEN Film 3매 / Si Wafer 조각 4개 50nm 2회에 나누어 증착		 포항공과대학교 화학공학과 이은호 960,000원
746 2016-01-08 11시 14시 250c 10nm 3매 삼성종합기술원 디바이스랩 김선일 288,000원
747 2016-01-08 14시 17시 Al2O3 300C 300A 6inch 1매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 252,000원
748 2016-01-11 13시 15시 al2O3 20nm 300도 진행 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 168,000원
749 2016-01-13 14시 17시 TiN 100A 2회 경북대학교 물리학과 최성규 240,000원
750 2016-01-19 10시 12시 HfO2 20nm 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
751 2016-02-17 14시 16시 hfo 200A 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
752 2016-02-17 16시 19시 Al2O3(ALD 증착)을 통한 Gate dielectric layer 제작 포항공과대학교 화학공학과 배근열 480,000원
753 2016-02-24 17시 24시 1-3-1 GOX_01 gate oxide ald deposition 1000A 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 840,000원
754 2016-02-26 11시 18시 2-5-1 GOX_02 Gate oxide ald deposition 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 840,000원
755 2016-02-26 17시 24시 1-3-1 GOX gate oxide ald deposition 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 840,000원
756 2016-03-08 16시 17시 Al2O3 150도 온도에서 20nm 정도 ALD 작업 의뢰.
(예전 실험과 동일한 실험과정)		 포항공과대학교 화학공학과 이선백 192,000원
757 2016-03-14 14시 17시 Si wafer위에 300 nm의 SiO2가 증착 된 기판에 Al2O3를 10 nm로 각각 ALD로 깔아주려고 합니다. 포항공과대학교 화학공학과 이철훈 252,000원
758 2016-03-15 13시 17시 50nm Al2O3 deposition on a quartz/Graphene 포항공과대학교 화학공학과 이은호 480,000원
759 2016-03-16 11시 16시 al2o3 30nm 2ea 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 504,000원
760 2016-03-16 17시 18시 PI/Ti/Al 위에 Al2O3 40nm 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 384,000원
761 2016-03-24 10시 11시 wafer 위에 al2o3 100A 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 96,000원
762 2016-03-24 13시 18시 Al2O3 deposition on a Gr/quartz 포항공과대학교 화학공학과 이은호 480,000원
763 2016-03-28 10시 12시 si 기판 위에 al2o3 30nm 증착

트렌지스터용이라 어느온도에서 해야할지 잘 모르겠습니다. 혹시 트렌지스터에 쓰던 랩에서 어느 온도에서 하는지 알 수 있을까요??
<200C, 5nm 2회 진행>		 포항공과대학교 화학공학과 현승 192,000원
764 2016-04-05 10시 11시 Al2O3 50nm 증착 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 480,000원
765 2016-04-05 11시 13시 TiN 5nm, 10nm 각 1회 성균관대학교 신소재공학과 송정근 240,000원
766 2016-04-07 15시 18시 6 인치 Si 웨이퍼 두장 표면에 각각 Al2O3 10nm씩 ALD로 깔아주고자합니다. 포항공과대학교 화학공학과 이철훈 168,000원
767 2016-04-11 18시 20시 Al2O3 200A 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 168,000원
768 2016-04-12 10시 18시 TiN 40nm 6inch wafer 3매 서울대학교 재료공학부 이재호 720,000원
769 2016-04-14 10시 12시 TiN 20nm Depo. 경북대학교 전자공학 손동혁 240,000원
770 2016-04-19 13시 15시 HfO2 20nm 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
771 2016-05-02 13시 17시 저희가 준비해가는 Samples위에 HfO2를 3 nm, 5 nm 증착해주시면 됩니다. 포스텍 신소재공학과 유종명 168,000원
772 2016-05-02 18시 10시 Al2O3 1000A 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 2,940,000원
773 2016-05-03 10시 17시 0-1-9 akey bottom oxide 500A 2ea 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 960,000원
774 2016-05-03 17시 18시 1-1-2 graphene oxide ald 90A 1ea 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 96,000원
775 2016-05-04 16시 18시 준비한 wafer 위에 HfO2 박막을 7 nm 쌓아주시면 됩니다.
샘플은 4시 전까지 공정 의뢰함에 놓고 가도록 하겠습니다.		 포스텍 신소재공학과 유종명 84,000원
776 2016-05-13 10시 11시 HfO2/p-Ge MOS 제작
7nm,3nm		 포항공과대학교 신소재공학과 박재성 168,000원
777 2016-05-16 13시 15시 HfO2 7 nm 증착 공정을 준비된 wafer에 해주세요. 포스텍 신소재공학과 유종명 84,000원
778 2016-05-16 14시 17시 hfo2 20nm
TiN 10nm		 경북대학교 전자공학과 임기식 360,000원
779 2016-05-23 12시 15시 contact metal
TiN 300 A 3ea		 서울대학교 전기 정보 공학부 최규봉 720,000원
780 2016-05-27 10시 11시 TiN 100A 경북대학교 전자공학과 임기식 120,000원
781 2016-05-30 13시 14시 Al2O3 30nm 증착
웨이퍼는 조각으로 박막룸 전화기 옆에 놓았습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 288,000원
782 2016-05-30 16시 18시 준비한 웨이퍼에 3 nm, 7 nm ALD_HfO2 증착해주시면 됩니다. 포스텍 신소재공학과 유종명 168,000원
783 2016-06-01 21시 22시 Al2O3 50A 포항공과대학교 ITCE 정새벽 70,000원
784 2016-06-02 10시 12시 Al2O3 100nm 증착 원합니다. 포항공과대학교 화학공학과 이은광 480,000원
785 2016-06-02 16시 16시 Bare 및 Hole patterning된 조각 시편에 하부전극 용 TiN 30nm 증착 요청. 서울대학교 재료공학부 문태환 360,000원
786 2016-06-07 15시 18시 투명 압력센서용 기판 제조
Graphene/Parylene 위에 Al2O3 50nm 증착
 포항공과대학교 화학공학과 배근열 480,000원
787 2016-06-09 15시 18시 준비해간 sample위에 ALD HfO2를 5 nm, 7 nm 증착해주시면 됩니다. 포스텍 신소재공학과 유종명 168,000원
788 2016-06-13 11시 13시 XRD 분석을 위한 TiN 시편 제작 경북대학교 물리학과 최성규 120,000원
789 2016-06-13 14시 16시 al2o3 2nm, 4nm, 6nm deposition 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 252,000원
790 2016-06-13 16시 18시 압력센서 하판 제작 Al2O3 50nm 포항공과대학교 화학공학과 배근열 288,000원
791 2016-06-20 10시 12시 1-1-2 Graphene oxide 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 96,000원
792 2016-06-20 14시 17시 HfO2 50, 100, 200nm ALD 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 1,360,000원
793 2016-06-22 13시 15시 나노융합 전문인력양성 교육 프로그램_Thinfilm 위덕대학교 정보통신공학부 이재성 2,400,000원
794 2016-06-27 13시 15시 압력센서용 Dielectric layer
50nm 1회		 포항공과대학교 화학공학과 배근열 288,000원
795 2016-06-27 16시 18시 Al2O3 저번과 같게 25nm 로 진행 부탁드리겠습니다. 포항공과대학교 화학공학과 이선백 192,000원
796 2016-06-28 15시 16시 TiN contat metal deposition
300A 2ea		 서울대학교 전기 정보 공학부 최규봉 820,000원
797 2016-06-28 17시 19시 2-2-2 SD oxide 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 192,000원
798 2016-07-01 13시 17시 나노융합 전문인력양성 교육 프로그램_Thinfilm 대구가톨릭대학교 전자공학과 김종재 2,500,000원
799 2016-07-05 13시 18시 passivation용 Al2O3 (오믹 금속이 있는 2in. GaN on Al2O3)
al2o3 10nm, 30nm		 한국전자통신연구원 RF융합부품연구실 신민정 480,000원
800 2016-07-05 16시 21시 al2o3 200A 4ea
DHF native oxide remove		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 742,000원
801 2016-07-12 16시 17시 al2o3 2nm 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 84,000원
802 2016-07-18 11시 12시 al2o3 2nm 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 84,000원
803 2016-07-18 15시 16시 Al2O3 4cycle @100C 포항공과대학교 화학공학과 정주영 96,000원
804 2016-07-20 14시 15시 GaN on sapphire 샘플 위에 TiN 증착
200A		 경북대학교 전자공학 손동혁 240,000원
805 2016-07-21 16시 18시 Al2O3 25nm ALD 공정
50nm		 포항공과대학교 화학공학과 이선백 480,000원
806 2016-07-21 8시 14시 0-1-9 akey bottom oxide
150C 500A
300C 500A
 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 960,000원
807 2016-07-26 12시 14시 al2o3 20nm 300C 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 168,000원
808 2016-07-29 10시 11시 Alumina layer deposition 포항공과대학교 화학공학과 최창호 96,000원
809 2016-08-01 8시 12시 26 Al2O3 500A 한국전자통신연구원 RF융합부품연구실 신민정 600,000원
810 2016-08-11 15시 17시 TiN 10nm 2회 경북대학교 전자공학부 백지민 240,000원
811 2016-08-12 13시 14시 Al2O3 9nm 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 96,000원
812 2016-08-18 11시 12시 Al2O3 layer deposition (~3 cycle) 포항공과대학교 화학공학과 최창호 96,000원
813 2016-08-19 15시 16시 TiN 10nm 경북대학교 전자공학과 임기식 120,000원
814 2016-08-23 16시 18시 지난번 조건과 같이 Al2O3 50nm ALD. 포항공과대학교 화학공학과 이선백 480,000원
815 2016-08-23 9시 13시 Al2O3 10nm증착 포항산업과학연구원 전지소재신공정 PJT팀 박윤철 360,000원
816 2016-08-24 11시 12시 Al2O3 20nm 즉착 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 192,000원
817 2016-08-24 15시 17시 al2o3 6nm on graphene 포항공과대학교 ITCE 정새벽 70,000원
818 2016-09-01 9시 16시 passivation용 Al2O3 증착 50nm 2매 한국전자통신연구원 RF융합부품연구실 신민정 1,200,000원
819 2016-09-02 16시 18시 Hfo2 10nm 경북대학교 전자공학과 임기식 120,000원
820 2016-09-02 9시 12시 Al2O3증착 포항산업과학연구원 전지소재신공정 PJT팀 박윤철 240,000원
821 2016-09-02 9시 11시 Al2O3 30nm 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 252,000원
822 2016-09-05 9시 11시 Al2O3 2nm 2회진행 포항산업과학연구원 전지소재신공정 PJT팀 박윤철 600,000원
823 2016-09-06 11시 12시 TiN 50A 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
824 2016-09-06 19시 20시 Al2O3 3nm 포항공과대학교 ITCE 정새벽 70,000원
825 2016-09-08 14시 17시 Al2O3 30nm 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 252,000원
826 2016-09-12 13시 16시 SiO2 300 nm/ Si 500 um로 이뤄진 기판에 Al2O3 20 nm를 깔고싶습니다.

ald가 끝나면 그 위에 촉매를 깔고 탄소나노튜브를 합성하고자 합니다.		 포항공과대학교 화학공학과 이철훈 168,000원
827 2016-09-12 16시 18시 passivation용 Al2O3 와 Al2O3/HfO 증착
Al2O3 200A, 75A,30A
HfO 200A, 50A
 한국전자통신연구원 RF융합부품연구실 신민정 840,000원
828 2016-09-20 9시 16시 Al2O3 10nm, Al2O3 50nm, Al2O3 10nm 포항산업과학연구원 전지소재신공정 PJT팀 박윤철 840,000원
829 2016-09-22 10시 12시 PET film 위에 폴리머로 패턴이 올라가있는 상태입니다.

80 ~ 100도씨의 저온에서 Al2O3 박막을 각각 25nm, 45nm씩 올려주시기 바랍니다.		 고려대학교 기계공학과 조성환 600,000원
830 2016-09-26 9시 13시 Al2O3 50nm, Al2O3 10nm 포항산업과학연구원 전지소재신공정 PJT팀 박윤철 720,000원
831 2016-09-27 14시 15시 al2o3 15A 포항공과대학교 ITCE 정새벽 70,000원
832 2016-09-27 9시 12시 Al2O3 2nm(2회), Al2O3 2nm/HFO3 1nm 포항산업과학연구원 전지소재신공정 PJT팀 박윤철 360,000원
833 2016-09-30 9시 13시 Al2O3 3nm, Al2O3 5nm, HFO3 5nm HFO3 10nm 포항산업과학연구원 전지소재신공정 PJT팀 박윤철 480,000원
834 2016-10-05 10시 12시 TiN 5nm(50cycles) dep. by ALD 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
835 2016-10-05 13시 20시 Al2O3 20nm 즉착(150C*2ea, 300C*2ea) 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 768,000원
836 2016-10-07 17시 19시 TiN 10nm dep. by ALD 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
837 2016-10-10 18시 20시 Al2O3 30nm 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 252,000원
838 2016-10-11 16시 17시 Al2O3 15nm 증착 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 168,000원
839 2016-10-12 13시 14시 Al2O3 15nm 증착 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 168,000원
840 2016-10-12 13시 16시 Al203 30nm 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 252,000원
841 2016-10-12 16시 18시 Al2O3 150 Temperature에서 진행
50nm 타겟		 포항공과대학교 화학공학과 이선백 480,000원
842 2016-10-13 13시 15시 Al2O3 5nm/HFO2 1nm, Al2O3\\6nm/HFO2 1nm, Al2O3 7nm/HFO2 1nm , Al2O3 8nm/HFO2 1nm 포항산업과학연구원 전지소재신공정 PJT팀 박윤철 480,000원
843 2016-10-14 13시 20시 Al2O3 40nm 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 0원
844 2016-10-14 9시 11시 Al2O3 1nm/HFO2 1nm, Al2O3 2nm/HFO2 1nm, Al2O3 3nm/HFO2 1nm , Al2O3 4nm/HFO2 1nm 포항산업과학연구원 전지소재신공정 PJT팀 박윤철 480,000원
845 2016-10-18 13시 15시 Al2O3 20nm 즉착(300C) 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 192,000원
846 2016-10-18 15시 17시 Al2O3 2nm, 3nm 4nm 5nm 포항산업과학연구원 전지소재신공정 PJT팀 박윤철 480,000원
847 2016-10-19 9시 12시 Al2O3 6nm, 7nm, 8nm, 9nm 포항산업과학연구원 전지소재신공정 PJT팀 박윤철 480,000원
848 2016-10-20 10시 12시 TiN 20nm 성균관대학교 신소재공학과 송정근 240,000원
849 2016-10-20 11시 13시 TiN 20nm dep. by ALD 경북대학교 전자공학부 백지민 240,000원
850 2016-10-20 9시 11시 Al2O3[2nm] / HFO2[1nm], Al2O3[3nm] / HFO2[1nm], Al2O3[4nm] / HFO2[1nm], Al2O3[5nm] / HFO2[1nm], 포항산업과학연구원 전지소재신공정 PJT팀 박윤철 480,000원
851 2016-10-21 9시 11시 Al2O3 2nm/HFO2 1nm, Al2O3 3nm/HFO2 1nm, Al2O3 4nm/HFO2 1nm, Al2O3 5nm 포항산업과학연구원 전지소재신공정 PJT팀 박윤철 480,000원
852 2016-10-31 17시 18시 Al2O3 15nm 증착 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 168,000원
853 2016-10-31 17시 20시 Al2O3 20nm 즉착(300C) 2회 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 384,000원
854 2016-11-01 11시 15시 2016.10.31 3차실험
30nm 2ea		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 504,000원
855 2016-11-01 15시 18시 Al2O3/HFO2 증착 포항산업과학연구원 전지소재신공정 PJT팀 박윤철 720,000원
856 2016-11-09 10시 17시 RRAM 소자 제작
HfO2 6nm + TiN 40nm 6inch 6매		 부산대학교 나노융합학과 권희태 2,160,000원
857 2016-11-10 17시 18시 표면 보호를 위한 HfO2 10 nm 증착 경북대학교 전자공학 손동혁 120,000원
858 2016-11-11 12시 14시 Al2O3 15nm 증착 (150) 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 168,000원
859 2016-11-11 9시 10시 TiN 5nm dep. by ALD 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
860 2016-11-14 12시 13시 TiN 10nm 성균관대학교 신소재공학과 송정근 120,000원
861 2016-11-16 12시 13시 TiN 증착 10nm 1회 경북대학교 전자공학 손동혁 120,000원
862 2016-11-16 15시 18시 Al2O3 80 nm deposition on a Si 6 inch wafer at 150 °C 포항공과대학교 화학공학과 이은호 768,000원
863 2016-11-17 16시 18시 TiN 5nm dep. by ALD 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
864 2016-11-18 10시 18시 ALD Al2O3(@300C) 30nm: (12ea) 3회 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 756,000원
865 2016-11-24 14시 17시 반도체 공정 중 metal electrode로 사용하려고 함.
(샘플 상태는 Top 에서 부터 Al2O3/GaN 형태임.)
TiN 20nm, Al2O3 20nm		 경북대학교 전자공학 손동혁 480,000원
866 2016-11-25 10시 15시 passivation용 Al2O3 300a 2ea 한국전자통신연구원 RF융합부품연구실 신민정 870,000원
867 2016-11-30 17시 18시 TiN 10nm dep. by ALD 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
868 2016-12-07 13시 14시 gate dielectric용 Al2O3 증착 (target: 80~90A) ETRI RF융합부품실 정현욱 270,000원
869 2016-12-08 14시 16시 FTO glass 기판위에 TiN 10nm ALD 코팅 부탁드립니다.
(보내드린 조각 샘플을 한번에 다 넣고 공정 하시면 됩니다)		 경북대학교 물리학과 최성규 120,000원
870 2016-12-14 15시 18시 30nm ALD 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 252,000원
871 2016-12-20 11시 12시 al2o3 deposition
7nm 2ea		 포항공과대학교 NEML Niloufar 168,000원
872 2016-12-21 9시 10시 Al2O3 300A Deposition (주)엔디디 기술연구 최은아 2,400,000원
873 2016-12-22 15시 18시 al2o3 30nm 포항공과대학교 전자전기공학과 박슬기 288,000원
874 2016-12-27 10시 13시 원자층 증착 : Al2O3 thickness 300Å (주)엔디디 기술연구 최은아 2,400,000원
875 2017-01-10 10시 13시 나노소자공정실습교육_Thinfilm 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 1,200,000원
876 2017-01-11 10시 16시 SiC 기술사업화_Thinfilm (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 2,400,000원
877 2017-01-22 10시 18시 TiN 50nm / HfO2 50nm / TiN 50nm 4inch 2매 (주)에스엔아이 사업총괄 이강열 1,440,000원
878 2017-01-24 13시 19시 Si Substrate Trench에 Active Patterning 된 조각 시편 12개입니다.
2번 시편은 Al2O3가, 11,12번시편은 SiO2가 증착되어 있습니다.
나머지 9개는 HfO2가 증착되어 있습니다.
1번,2번,3번 샘플은 TiN 5nm, 나머지 4번부터 12번까지 9개의 샘플은 TiN 50nm 증착 부탁드립니다.


 한양대학교 신소재공학부 채명균 360,000원
879 2017-01-25 11시 12시 TiN 50A 경북대학교 전자공학부 백지민 240,000원
880 2017-02-09 9시 18시 SiC 기술사업화_Thinfilm (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 2,400,000원
881 2017-02-10 13시 15시 Al2O3 10nm 8inch 1 매 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 84,000원
882 2017-02-15 10시 11시 500um 두께의 35mm*30mm 사이즈의 Cu board 입니다. 다른 공정은 진행되지 않은 상태입니다.

Al2O3 30nm 증착 원합니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 박슬기 288,000원
883 2017-02-20 11시 9시 TiN 50nm / HfO2 25nm / TiN 50nm 4inch 1매 (주)에스엔아이 사업총괄 이강열 720,000원
884 2017-02-21 10시 12시 HfO2 20nm 증착 경북대학교 전자공학 손동혁 240,000원
885 2017-02-22 10시 12시 glass substrate 위에 Al 50 nm 증착한 샘플을 2.5 cm x 2.5 cm로 5개를 잘라서 Al2O3를 증착하려합니다.
원하는 Al2O3의 두께는 20 nm입니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 박성민 192,000원
886 2017-02-22 12시 16시 300C 50nm 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 480,000원
887 2017-02-22 16시 18시 ALD
300\'c 진행
Al2O3 50nm 증착		 포항공과대학교 화학공학과 배근열 480,000원
888 2017-02-22 8시 10시 HfO2 20nm sample 5ea 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
889 2017-02-23 13시 14시 metal gate용 TiN 10nm 증착 연세대학교 신소재공학과 이인근 120,000원
890 2017-02-24 9시 10시 13매 (주)엔디디 기술연구 최은아 1,560,000원
891 2017-02-27 9시 20시 300C 100nm 2ea 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 1,920,000원
892 2017-03-02 16시 17시 TiN 5nm 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
893 2017-03-03 13시 17시 30 nm HfO2 deposition over 4-inch p++ Si wafer. 포항공과대학교 신소재공학과 Anupam Giri 576,000원
894 2017-03-06 9시 14시 SiO2 기판에 전사된 그래핀 위 Al2O3를 80나노 두께로 ALD 공정 요청 드립니다. 포항공과대학교 화학공학과 유민석 672,000원
895 2017-03-08 14시 16시 TiN 15 nm 증착 경북대학교 전자공학 손동혁 240,000원
896 2017-03-09 10시 14시 예전 150도 저온 공정으로 부탁드리겠습니다.
Al2O3 80nm 로 부탁드립니다. 		포항공과대학교 화학공학과 이선백 768,000원
897 2017-03-14 15시 16시 TiN 10nm 경북대학교 전자공학과 임기식 120,000원
898 2017-03-16 10시 14시 Al2O3 30nm @300C 6inch 조각 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 252,000원
899 2017-03-20 10시 16시 Deposition of 30 nm HfO2 dielectric layer over p++ Si substrate. 포항공과대학교 신소재공학과 Anupam Giri 0원
900 2017-03-20 16시 17시 Al2O3 15nm 증착 포항공과대학교 기계공학과 윤관호 84,000원
901 2017-03-23 13시 14시 ALD 포항공과대학교 NEML Niloufar 84,000원
902 2017-04-05 17시 19시 Al2O3 250A 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 306,000원
903 2017-04-18 17시 20시 al2o3 300A 2ea 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 540,000원
904 2017-04-19 14시 23시 Al2O3 50nm, 100nm 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 1,530,000원
905 2017-04-26 11시 12시 Wafer 위에 합성한 전극을 붙였습니다.
각 Wafer 별로 Al2O3를 3, 30, 300cycle 코팅하고자 합니다.
가능한 낮은 온도(100도)에서 공정 진행 바랍니다.
 포항공과대학교 환경공학부 전태화 408,000원
906 2017-04-28 11시 13시 AL2O3 Depo. 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 270,000원
907 2017-05-02 10시 11시 HfO2 200nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 1,020,000원
908 2017-05-11 11시 14시 HfO2 20nm 4inch wafer 1ea 포항공과대학교 신소재공학과 Anupam Giri 204,000원
909 2017-05-11 16시 17시 기판은 실리콘기판이고 표면은 300nm SiO2로 산화막이 형성되어있습니다. 포항공과대학교 화학공학과 이철훈 540,000원
910 2017-05-16 11시 16시 패턴화된 오믹이 증착된 GaN on sapphire

Al2O3 15/35nm deposition 2inch wafer with pre-cleaning		 한국전자통신연구원 RF융합부품연구실 신민정 480,000원
911 2017-05-17 11시 13시 TiN 20nm 조각 sample 4ea 경북대학교 전자공학 손동혁 240,000원
912 2017-05-24 13시 16시 HfO2 20nm 4inch 1회 포항공과대학교 신소재공학과 Anupam Giri 204,000원
913 2017-05-26 9시 10시 TiN 5nm 조각 1회 경북대학교 전자공학 손동혁 120,000원
914 2017-05-30 10시 13시 Sample 정보
A-1 : SiO2 Trench 2400nm + HfO2 7nm / A-2 : SiO2 Trench 2400nm
B-1, B-2 : SiO2 Trench 2400nm + HfO2 7nm / B-3 : SiO2 Trench 2400nm
C-1, C-2 : Si Trench ~90nm + HfO2 7nm / C-3 : SI Trench ~ 90nm
D-1, D-2 : Si Trench ~90nm + HfO2 7nm / D-3, D-4 : Si Trench ~90nm
E1-1, E1-2 : Si Trench ~90nm + HfO2 7nm / E1-3, E1-4 : Si Trench ~90nm
E2-1, E2-2 : Si Trench ~90nm + HfO2 7nm / E2-3 : Si Trench ~90nm

For Test : SiO2 300nm x 7개 / Si + HfO2 7nm 2개

 한양대학교 신소재공학부 채명균 360,000원
915 2017-05-31 9시 11시 Al2O3 40nm @150C 조각 sample 4ea 포항공과대학교 화학공학과 조만규 270,000원
916 2017-06-08 16시 18시 HFO 20nm 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
917 2017-06-13 15시 16시 al2o3 deposition 포항공과대학교 NEML Niloufar 90,000원
918 2017-06-16 15시 17시 TiN 20nm 경북대학교 전자공학 손동혁 240,000원
919 2017-06-19 14시 17시 안녕하세요 이정익선생님
2장은 10 nm의 Al2O3를 깔아주시면 되구요.
1장은 20 nm의 Al2O3를 깔아주시면 될 것 같습니다.
ald해주시고 기판 뒷면에 Al2O3두께를 적어주시면 감사하겠습니다.
 포항공과대학교 화학공학과 이철훈 360,000원
920 2017-06-20 13시 19시 Al2O3 100nm 2매 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 2,040,000원
921 2017-06-21 10시 12시 ALD 를 이용하여 TiN 증착을 10 nm 진행 부탁드립니다. 성균관대학교 신소재공학과 최성호 120,000원
922 2017-06-22 13시 14시 al2o3 deposition 포항공과대학교 NEML Niloufar 90,000원
923 2017-06-22 14시 16시 HfO Depo. 20nm 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
924 2017-06-23 10시 12시 2인치 사파이어 기판 위에 약 2nm 두께의 h-BN층이 전면에 성장되어 있는 샘플입니다.
상기 샘플 위에 HfO2를 30nm (300A) 증착하고자 합니다.		 부경대학교 차세대반도체공학전공 김동영 306,000원
925 2017-06-26 1시 12시 Hf02 5nm 증착 의뢰드립니다.
공정진행 직전 HF cleaning 으로 자연산화막 20A 정도 Etch 도 부탁드립니다.
DHF 30초 진행		 서울대학교 전기정보공학부 이동근 120,000원
926 2017-06-26 12시 13시 300도 al2o3 30nm 증착 3ea 진행 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 918,000원
927 2017-06-27 11시 13시 TiN 20nm sample 2ea 경북대학교 전자공학 손동혁 240,000원
928 2017-06-27 13시 17시 quartz plate에 Al2O3를 각각 1, 2, 3, 4, 5 nm 증착 포항공과대학교 화학과 황우습 450,000원
929 2017-06-30 10시 13시 나노융합기술 전문인력양성 교육_Thinfilm 대구대학교 중앙기기원 차정호 2,400,000원
930 2017-06-30 9시 10시 Al2O3 300A (주)엔디디 기술연구 최은아 3,960,000원
931 2017-07-01 16시 17시 지난번 의뢰와 같게 40nm Al2O3 증착해주시면 될것 같습니다.

쉐도우 마스크를 붙어놨는데, 후공정을 더 진행예정이라 혹시나 마스크를 떼지 않길 바랍니다.		 포항공과대학교 화학공학과 조만규 270,000원
932 2017-07-05 13시 16시 안녕하세요
Silicon wafer위에 300 nm SiO2가 산화막이 형성 되어있는 기판 세장을
모두 10 nm Al2O3로 ALD공정으로 증착시켜주시면 될 것 같습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 화학공학과 이철훈 270,000원
933 2017-07-05 9시 10시 Al2O3 3nm 증착 요청드립니다. 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
934 2017-07-07 10시 11시 Al2O3 3nm 증착 요청 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
935 2017-07-07 13시 18시 HFOx 실험
HfOx ALD (@280C, O2 plasma) :8nm(n01.), 10nm(no2), 12nm(no3) 		포항공과대학교 기술지원팀 최경근 270,000원
936 2017-07-10 10시 11시 Al2O3 3nm 증착 요청드립니다. 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
937 2017-07-10 15시 16시 Al2O3 Depo. 포항공과대학교 NEML Niloufar 90,000원
938 2017-07-11 11시 12시 Al2O3 3nm 증착 요청 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
939 2017-07-12 11시 12시 Al2O3 3nm 증착 요청 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
940 2017-07-12 13시 16시 #1: TiN 30nm-HfO2 50nm-TiN 30nm
#2: TiN 30nm-HfO2 75nm-TiN 30nm
total 12회		 (주)에스엔아이 사업총괄 이강열 1,440,000원
941 2017-07-13 11시 12시 Al2O3 3nm 증착 요청 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
942 2017-07-14 10시 14시 1, 2, 3, 4, 5 포항공과대학교 화학과 황우습 450,000원
943 2017-07-20 10시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 1,200,000원
944 2017-07-24 15시 19시 1번부터 16번까지 샘플 중, 홀수번(1,3,5...)은 Si Substate 위에 HfO2 7nm가 증착된 구조( HfO2 7nm / Si )
짝수번은 Si Substate입니다.

ALD TiN 40nm 증착 부탁드립니다.		 한양대학교 신소재공학부 채명균 480,000원
945 2017-07-27 9시 18시 증착 시킬 물질 : AL2O3

증착 두께 : 50nm

증착면 : ITO (ITO Film을 앞면으로 하여 보내드립니다.)

PET 기판이라 고온에 약합니다. 공정 온도를 약 100도 로 해주시면 감사하겠습니다.

 한국해양대학교 전파공학과 오현수 600,000원
946 2017-07-28 14시 16시 2개씩 1, 2, 3, 4, 5 nm Al2O3 증착 부탁드립니다. 포항공과대학교 화학과 황우습 450,000원
947 2017-07-29 15시 16시 TiN 10 nm 증착 의뢰 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
948 2017-08-03 15시 16시 Al2O3 증착 15nm 의뢰 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 204,000원
949 2017-08-04 10시 12시 은이 증착된 quartz plate에 Al2O3를 각각 1, 2, 3, 4, 5 nm씩 증착 부탁드립니다. 포항공과대학교 화학과 황우습 450,000원
950 2017-08-17 10시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 2,400,000원
951 2017-08-18 13시 14시 5인치 웨이퍼 표면에 고분자 마이크로 구조를 붙인 시료입니다.

공정온도가 100도에서 크게 벗어나지 않게 부탁드립니다.

두께는 30nm로 제작 부탁드립니다.		 부산대학교 바이오소재과학과 양승윤 324,000원
952 2017-08-21 10시 11시 Al2O3 3nm 증착 요청 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
953 2017-08-22 11시 12시 Al2O3 3nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
954 2017-08-23 10시 11시 Al2O3 3nm 증착요청 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
955 2017-08-24 10시 11시 Al2O3 3nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
956 2017-08-25 11시 12시 Al2O3 3nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
957 2017-08-25 13시 17시 Al2O3 30nm 2ea 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 612,000원
958 2017-08-28 11시 12시 Al2O3 3nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
959 2017-08-29 9시 10시 Al2O3 300A (주)엔디디 기술연구 최은아 3,600,000원
960 2017-09-01 15시 20시 Al2O3 300A 2ea 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 612,000원
961 2017-09-07 13시 15시 150C Al2O3 30nm 포항공과대학교 전자전기공학과 박슬기 306,000원
962 2017-09-07 16시 18시 TiN 250A 경북대학교 전자공학 손동혁 240,000원
963 2017-09-08 13시 15시 Al2O3 30nm 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 306,000원
964 2017-09-11 9시 11시 TiN 10nm 성균관대학교 신소재공학과 최성호 120,000원
965 2017-09-13 10시 11시 Al2O3 6nm 한양대학교 신소재공학부 채명균 120,000원
966 2017-09-13 18시 23시 Al2O3 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 510,000원
967 2017-09-14 18시 23시 Al2O3 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 510,000원
968 2017-09-15 18시 23시 Al2O3 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 510,000원
969 2017-09-18 10시 17시 HfO2 20nm 6inch 3매 (주)에스엔아이 사업총괄 이강열 360,000원
970 2017-09-18 17시 19시 TiN 10 nm 증착 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
971 2017-09-25 8시 10시 hfo 20nm 포항공과대학교 신소재공학과 Anupam Giri 204,000원
972 2017-09-27 17시 24시 Al2O3 100nm 2ea 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 1,200,000원
973 2017-09-29 15시 17시 Al2O3 50nm 포항공과대학교 화학공학과 배근열 270,000원
974 2017-09-29 8시 15시 ALD : Al2O3 20A Dep. 부탁 드립니다.
상세는 메일 참고 부탁 드립니다.		 (주) 동부하이텍 특화공정개발파트 이주현 1,200,000원
975 2017-10-10 10시 11시 Al2O3 7nm 포항공과대학교 신소재공학과 Anupam Giri 102,000원
976 2017-10-19 16시 17시 Al2O3 7nm 포항공과대학교 신소재공학과 Anupam Giri 102,000원
977 2017-10-20 15시 16시 Al2O3 7nm 포항공과대학교 신소재공학과 Anupam Giri 102,000원
978 2017-10-25 9시 10시 Al2O3 300A (주)엔디디 기술연구 최은아 1,200,000원
979 2017-10-31 11시 14시 Polyimide 기판 위에 Al2O3 10nm deposition 포항공과대학교 화학공학과 이은호 90,000원
980 2017-11-02 15시 17시 HfO2 20nm 경북대학교 전자공학과 임기식 240,000원
981 2017-11-07 15시 17시 Al2O3 30nm Depo. 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 306,000원
982 2017-11-08 10시 12시 Al2O3 30nm Depo. 포항공과대학교 전자전기공학과 박슬기 306,000원
983 2017-11-09 9시 14시 Al2O3 Depo.
20A * 8ea
50A * 4ea		 (주) 동부하이텍 특화공정개발파트 이주현 1,440,000원
984 2017-11-10 9시 17시 1. SiO2/Si3N4/SiO2/Si (6nm/15nm/20nm/Si)
2. Al2O3/Si3N4/SiO2/Si (6nm/15nm/20nm/Si)
3. Si3N4/SiO2/Si (15nm/20nm/Si)
4. sample 시편 6개

1, 2, 3 의 Si3N4/SiO2 (15nm/20nm) 한꺼번에 증착해주신 후
1, 2 의 SiO2, Al2O3 증착을 그 위에 따로 해주시면 됩니다.
그리고 4번 트레이는 SiO2 6nm만 증착하면 되기 때문에 1번의 SiO2 증착 시 같이 넣어서
증착 부탁드립니다.
총 deposition 4번이 될 것 같습니다.

이미 유선으로는 말씀드린 상태입니다.

Al2O3 60nm Depo.		 한양대학교 신소재공학부 채명균 420,000원
985 2017-11-13 14시 15시 Hfo2 Depo. 경북대학교 전자공학 손동혁 120,000원
986 2017-11-23 9시 10시 Al2O3 300A (주)엔디디 기술연구 최은아 4,800,000원
987 2017-11-28 11시 13시 Al2O3 Depo. 30nm 150C 포항공과대학교 전자전기공학과 박슬기 306,000원
988 2017-12-04 10시 13시 웨이퍼가 얇아 쉽게 깨지니 조심해주시면 감사하겠습니다.
TiN 을 10 nm 증착하고 싶습니다.		 성균관대학교 신소재공학과 최성호 120,000원
989 2017-12-04 11시 18시 HfO2 20nm for 3hr 4inch wafer 2매 포항공과대학교 신소재공학과 Anupam Giri 408,000원
990 2017-12-04 19시 23시 Al2O3 50nm 영남대학교 물리학과 황지영 360,000원
991 2017-12-05 14시 16시 1. SiO2/Si3N4/SiO2/Si (6nm/15nm/60nm/Si)
2. Al2O3/Si3N4/SiO2/Si (6nm/15nm/60nm/Si)
3. Si3N4/SiO2/Si (15nm/60nm/Si)		 한양대학교 신소재공학부 채명균 420,000원
992 2017-12-07 10시 18시 1200V급 Trench형 SiC MOSFET 소자 개발 [4.0015452.01]_Thinfilm 단위공정 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 1,200,000원
993 2017-12-08 9시 11시 TiN 을 10 nm 증착 하고 싶습니다.

InGaAs base 기판입니다.
쉽게 깨지니 주의 부탁드립니다.		 성균관대학교 신소재공학과 최성호 120,000원
994 2017-12-12 9시 10시 Al2O3 Depo. 포항공과대학교 NEML Niloufar 90,000원
995 2017-12-13 15시 18시 HfO2 를 20nm 두께로 deposition 하려고 하는데, 250도 말고180도에서 공정을 해 주시면 감사하겠습니다. 포항공과대학교 물리학과 정현우 204,000원
996 2017-12-18 11시 12시 Al2O3 3nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
997 2017-12-18 13시 18시 그래핀 위에 Al2O3 70nm증착 부탁드립니다.
메일로 문의드린바와 같이 공정 가능한 낮은 온도와, 약한 plasma로 테스트 부탁드립니다.
150C, 30W		 포항공과대학교 화학공학과 유민석 450,000원
998 2017-12-19 11시 12시 Al2O3 3nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
999 2017-12-20 11시 12시 Al2O3 3nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1000 2017-12-21 11시 12시 Al2O3 3nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1001 2017-12-22 13시 14시 Al2O3 3nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1002 2017-12-22 14시 18시 실리콘 기판에 전사된 그래핀 위 Al2O3 70나노 공정부탁드립니다.
지난번 의뢰드린바와 같이
낮은 온도와 낮은 플라즈마 파워(30 W)로 공정 진행 부탁드립니다. 		포항공과대학교 화학공학과 유민석 630,000원
1003 2017-12-26 11시 12시 Al2O3 3nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1004 2017-12-27 11시 12시 Al2O3 3nm 증착 의뢰 (마지막 set 입니다.) 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1005 2017-12-28 14시 18시 3개의 Tray를 발송하였습니다.

기판은 Si Substrate이고, 그 위에 TiN가 각각 20nm(Tray 1), 20nm(Tray 2), 30nm(Tray 3) 가 증착되어 있습니다.

Tray 1에는 총 101 Cycle 증착, HfO2 중간에 Al2O3가 5번
(HfO2 16 Cycle - Al2O3 1 Cycle - HfO2 16 Cycle - Al2O3 1 Cycle - ... - Al2O3 1 Cycle - HfO2 16 Cycle, in situ)

Tray 2에는 총 103 Cycle 증착, HfO2 중간에 Al2O3가 7번
(HfO2 12 Cycle - Al2O3 1 Cycle - HfO2 12 Cycle - Al2O3 1 Cycle - ... - Al2O3 1 Cycle - HfO2 12 Cycle, in situ)

Tray 3에는 총 109 Cycle 증착, HfO2 중간에 Al2O3가 9번
(HfO2 10 Cycle - Al2O3 1 Cycle - HfO2 10 Cycle - Al2O3 1 Cycle - ... - Al2O3 1 Cycle - HfO2 10 Cycle, in situ)

위와 같이 증착 부탁 드립니다.		 한양대학교 신소재공학부 채명균 720,000원
1006 2018-01-02 13시 16시 증착물질: Al2O3
두께 :50 nm
온도 : 100\'c
공정 시간 :2 시간

완료후 시험 분석 결과서 메일 송부 부탁드립니다!!		 포항공과대학교 화학공학과 배근열 450,000원
1007 2018-01-03 9시 10시 Al2O3 300A (주)엔디디 기술연구 최은아 4,800,000원
1008 2018-01-05 13시 16시 1. 4인치 GaAs 기판에 Al2O3 300 A 증착
2. 4인치 GaAs 기판에 HfO2 300 A 증착
총 2매		 한국전자통신연구원 RF전력부품연구그룹 조규준 720,000원
1009 2018-01-08 14시 16시 180도에서 공정 하려고 합니다.

처음 사용하는 거라서 배워야 할 것 같습니다.
 포항공과대학교 물리학과 정현우 204,000원
1010 2018-01-12 10시 18시 1-3-1 Gate oxide al2o3 1000A 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 0원
1011 2018-01-15 10시 13시 al2o3 300A 150c 포항공과대학교 입학사정관실 박슬기 306,000원
1012 2018-01-15 13시 18시 샘플: 그래핀이 전사된 SiO2 wafer입니다.

(지난번과 마찬가지로) Al2O3를 70 nm 두께로 제작하고 싶습니다.
공정조건 또한 지난번과 동일하게 120도 / 30 W 에서 진행 부탁드립니다.

앞 공정의 높은 온도로 인하여 예약한 시간에 공정이 불가능한 경우 연락 부탁드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 유민석 630,000원
1013 2018-01-18 13시 14시 시료1: Al2O3 30nm 증착
시료2: HfO2 30nm증착
시료1,2는 구별안하여도 됩니다. 그냥 웨이퍼입니다. 		포항공과대학교 화학과 김지홍 540,000원
1014 2018-01-24 15시 18시 Tray 2개 발송하였으며, 1번 Tray에는 Sample이 9개, 2번 Tray에는 Sample이 2개 들어있습니다.
모두 Patterned Si Wafer 조각이며, 11 pieces 모두 각각 6.2 nm의 HfO2가 증착 되어 있습니다.
Sample들 모두 ALD TiN 30nm씩 증착 부탁드립니다.

 한양대학교 신소재공학부 채명균 360,000원
1015 2018-01-25 10시 16시 2-5-1 GOX_02 gate oxide 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 0원
1016 2018-02-01 10시 12시 Al2O3 30nm, 150C 포항공과대학교 전자전기공학과 박슬기 306,000원
1017 2018-02-02 9시 10시 Al2O3 300A (주)엔디디 기술연구 최은아 3,600,000원
1018 2018-02-08 17시 11시 기판: 그래핀이 전사된 SiO2 substrate

ALD
- Al2O3 70nm
- low power plasma (30W) low temperature (150) ; 지난번과 동일한 조건입니다.

예약은 내일 오전~ 으로 해 두었습니다. 혹시 다른 공정일정으로 인하여
예약한 시간에 공정진행이 어려우시면 편하신 시간을 메일로 알려주시면 감사드리겠습니다. 		포항공과대학교 화학공학과 유민석 630,000원
1019 2018-02-09 10시 17시 TiN 50nm 4inch 1매 (주)에스엔아이 사업총괄 이강열 600,000원
1020 2018-02-21 10시 11시 각 Wafer 당 Al2O3, TiN 10nm 코팅 부탁드려요. 공정시 최대한 낮은 온도에서 코팅해주시면 감사하겠습니다! 포항공과대학교 환경공학과 김혜진 204,000원
1021 2018-02-23 9시 10시 Al2O3 300A (주)엔디디 기술연구 최은아 3,600,000원
1022 2018-02-28 10시 16시 SiO2 위에 제작된 그래핀 소자 (2 개, 약 1 *1 cm^2) 위 증착
Al2O3 40 nm 증착		 한국표준과학연구원 전자기표준센터 박재성 480,000원
1023 2018-02-28 9시 10시 Al2O3 포항공과대학교 전자전기공학과 박슬기 102,000원
1024 2018-03-06 10시 13시 Al2O3 on InGaAs 물질입니다.
ALD를 이용하여 TiN을 덮어주세요.
두께는 10nm~20nm로 예상되며, 내일 방문하여 정확히 다시 말씀드리겠습니다.
 성균관대학교 신소재공학과 최성호 120,000원
1025 2018-03-15 10시 12시 2 pieces sample에 대해 TiN 5 nm deposition 의뢰 드립니다.
(기종 연구원님과 일정 confirm 되었음)		 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1026 2018-03-19 10시 13시 TiN 100 A 증착 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1027 2018-03-22 18시 13시 TiN 50nm 2매 (주)에스엔아이 사업총괄 이강열 600,000원
1028 2018-03-26 9시 10시 Al2O3 300A (주)엔디디 기술연구 최은아 4,800,000원
1029 2018-03-27 14시 15시 Al2O3 증착 (3nm)
 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1030 2018-03-29 10시 11시 TiN 5 nm dep. 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1031 2018-03-29 11시 22시 Al2O3 3nm증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1032 2018-03-30 11시 12시 Al2O3 3nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1033 2018-04-02 11시 12시 Al2O3 3nm 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1034 2018-04-02 15시 16시 Bare silicon wafer 조각에 TiN 3nm ALD 포항공과대학교 전자과 백상원 90,000원
1035 2018-04-03 11시 12시 Al2O3 3nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1036 2018-04-03 14시 16시 4장의 wafer에 Al2O3 10 nm를 deposition 해주시길 바랍니다.
저번에 같은 연구실의 철훈이 형이 예전에 10 nm 2장을 선불했다고 들었습니다.
그래서 일단 2시간만 신청합니다.		 포항공과대학교 화학공학과 이진우 180,000원
1037 2018-04-04 14시 15시 Al2O3 3nm증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1038 2018-04-12 11시 12시 Al2O3 5nm
pe-nitride 20nm		 포항공과대학교 전자전기공학과 박슬기 187,000원
1039 2018-04-12 13시 9시 SNU-B-01~02
HfO2 5nm / TiN 40 nm
서강대학교 전자공학과 이장우 1,200,000원
1040 2018-04-13 10시 11시 Al2O3 5nm
pe-nitride 20nm 		포항공과대학교 전자전기공학과 박슬기 187,000원
1041 2018-04-16 10시 15시 TiN 50nm (주)에스엔아이 사업총괄 이강열 300,000원
1042 2018-04-16 12시 12시 Al2O3 & HfO2 insitu 진행하는 것이 목적입니다.

주말이 낀 상태라 자연산화막 성장됐을것 같아 불산 클리닝 같이 요청합니다.

1. 자연산화막 제거
2. Al2O3 1nm target으로 성장
3. (vacuum breaking 없이) HfO2 4nm 성장
4. ALD TiN 30nm 성장

이 요청하는순서입니다. 가능한 빨리 해주시면 감사하겠으며

되돌려주실때는 퀵 서비스 이용 부탁드립니다.		 서울대학교 전기정보공학부 이륭빈 0원
1043 2018-04-16 17시 19시 TEST-B-07~09
HfO2 5nm / TiN 40 nm
서강대학교 전자공학과 이장우 1,800,000원
1044 2018-04-19 10시 11시 TiN 5 nm deposition 의뢰 드립니다. 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1045 2018-04-19 15시 17시 Al2O3 5nm HfO2 5nm @280C 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 180,000원
1046 2018-04-19 17시 8시 Al2O3 80nm 2회 한국표준과학연구원 전자기표준센터 박재성 1,800,000원
1047 2018-04-23 11시 12시 ALD 장비를 이용하여 TiN을 10nm 증착 의뢰 부탁드립니다. 성균관대학교 신소재공학과 최성호 120,000원
1048 2018-04-24 11시 14시 Al2O3 20nm (문재경) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 180,000원
1049 2018-04-25 15시 18시 8 inch wafer 6장 PEALD TiN 10 nm 증착 부탁드립니다.

현재 wafer 상태가 약하므로 loading/unloading시에 조심해서 다뤄주시기 바랍니다.		 한국과학기술원 전기및전자공학부 이태윤 720,000원
1050 2018-04-25 9시 10시 NDD_24 AL2O3 thickness 300A (주)엔디디 기술연구 최은아 3,600,000원
1051 2018-04-26 10시 12시 TiN 5nm 증착하려고 합니다. 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1052 2018-04-26 14시 16시 Al2O3 증착 9nm 씩 2회 증착 (총 18nm증착)
: 9nm 증착 후, venting해서 공기 노출 후, 다시 9nm 증착 부탁드립니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 204,000원
1053 2018-04-27 9시 15시 먼저보낸 Si wafer 한장의 결과를 본 다음 공정을 진행할 계획입니다.
대부분의 표면이 옥사이드로 구성되어 있으며, Si부분만 미세하게 불산 클리닝한 이후 노출되어 있습니다.

1. 자연산화막 제거

2. Al2O3 1nm target으로 성장

3. (vacuum breaking 없이) HfO2 4nm 성장

4. ALD TiN 30nm

6inch 4매		 서울대학교 전기정보공학부 이륭빈 0원
1054 2018-04-30 10시 18시 TIDL-LJW-18 / TIDL-LJW-22 웨이퍼 2매에 대해

Al2O3 (1nm) -> HfO2 (4nm) -> TiN (20nm)
 서강대학교 전자공학과 이장우 960,000원
1055 2018-05-02 16시 18시 4개의 Tray를 발송합니다.

기판은 Si Substrate이고, 1~3 Tray는 그 위에 TiN가 각각 증착되어 있습니다.

Tray 1에는 총 100 Cycle 증착, HfO2 중간에 Al2O3가 4번
(HfO2 19 Cycle - Al2O3 1 Cycle - HfO2 19 Cycle - Al2O3 1 Cycle - ... - Al2O3 1 Cycle - HfO2 20 Cycle)

Tray 2에는 총 100 Cycle 증착, HfO2 중간에 Al2O3가 6번
(HfO2 13 Cycle - Al2O3 1 Cycle - HfO2 13 Cycle - Al2O3 1 Cycle - ... - Al2O3 1 Cycle - HfO2 16 Cycle, in situ)

Tray 3에는 총 100 Cycle 증착, HfO2 중간에 Al2O3가 8번
(HfO2 9 Cycle - Al2O3 1 Cycle - HfO2 9 Cycle - Al2O3 1 Cycle - ... - Al2O3 1 Cycle - HfO2 11 Cycle, in situ)

Tray 4는 Si Substrate에 300nm SiO2가 올라가 있는 구조입니다.
Tray 4의 Sample들은 ALD로 HfO2 10nm를 증착하여 주시고, 그 이후 Sputter TiN 330nm 증착 부탁 드립니다.(기종, 이원범 선생님과 모두 유선으로 이야기한 상태입니다)

위와 같이 증착 부탁 드립니다.		 한양대학교 신소재공학부 채명균 840,000원
1056 2018-05-03 10시 14시 Gr transistor

현재 : Si wafer(300nm) / Gr / Au(50nm) / Parylene F (10nm) 입니다. parylene F 위에 Al2O3 증착하려고 합니다.
-----------------------
Al2O3 70nm depo.		 포항공과대학교 화학공학과 임형섭 630,000원
1057 2018-05-09 13시 16시 Al2O3 40 nm deposition on Graphene/wafer. 포항공과대학교 화학공학과 이은호 360,000원
1058 2018-05-09 16시 18시 Al2O3 20nm
pe-nitride 20nm
pe-oxide 20nm 		포항공과대학교 전자전기공학과 박슬기 479,000원
1059 2018-05-11 10시 14시 230C, 280C, 350C HfO2 Process Temp. Test
각각 2회씩 진행		 아주대학교 전자공학과 김상완 0원
1060 2018-05-14 10시 12시 - TIN 10nm 증착 부탁드립니다.

- 기판정보:현재 표면에 Al2O3가 수나노 증착되어있습니다. 총 4개의 샘플이며, 깨지기 쉬우니 주의 부탁드립니다.		 성균관대학교 신소재공학과 최성호 120,000원
1061 2018-05-15 13시 17시 나노융합기술 교육 관련 장비 실습 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 600,000원
1062 2018-05-16 16시 5시 1-3-1 GOX_01 Gate Oxide 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 0원
1063 2018-05-23 11시 12시 TiN 5 nm deposition 의뢰 드립니다. 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1064 2018-05-23 17시 18시 2-5-1 GOX_02 Gate Oxide 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 0원
1065 2018-05-28 10시 13시 지금 300nm wafer / Gr / Au 50nm 순으로 올라가 있습니다. 포항공과대학교 화학공학과 임형섭 630,000원
1066 2018-05-28 16시 17시 Al2O3 3nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1067 2018-05-30 11시 12시 Al2O3 3nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1068 2018-05-30 15시 17시 안녕하세요
표면이 300nm 옥사이드로 산화된 실리콘 기판 2장 위에 각가 Al2O3를 10nm씩 올리고 싶습니다.

기판 프로필은 표면에서 부터 말씀드리면 SiO2 (300 nm)/ Si (대략 660~690 um)으로 이뤄진 기판입니다.

 포항공과대학교 화학공학과 이철훈 180,000원
1069 2018-05-31 11시 12시 Al2O3 3nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1070 2018-05-31 8시 10시 HfO2 50A 서강대학교 전자공학과 이장우 240,000원
1071 2018-06-01 10시 11시 Al2O3 3nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1072 2018-06-01 15시 18시 Al2O3 10nm
TiN 10nm		 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 240,000원
1073 2018-06-04 10시 11시 Al2O3 3nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1074 2018-06-05 11시 12시 Al2O3 5nm 증착 의뢰 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1075 2018-06-07 10시 11시 Al2O3 4nm (40A) 증착 부탁드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 90,000원
1076 2018-06-08 15시 16시 Si wafer에 ALD HfO2 8.5nm 증착한 시편입니다. TiN 10nm증착 부탁드립니다. 성균관대학교 신소재공학과 이우희 120,000원
1077 2018-06-11 15시 16시 TiN 5 nm dep. 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1078 2018-06-12 13시 14시 Al2O3 4nm 증착 의뢰
**증착 온도: 150도씨		 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1079 2018-06-13 10시 18시 PEALD TiN 10 nm 증착 부탁드립니다. 한국과학기술원 전기및전자공학부 이태윤 480,000원
1080 2018-06-14 11시 12시 Al2O3 4nm 증착 (증착온도 150도씨!) 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1081 2018-06-15 14시 15시 Al2O3 4nm 증착 (온도 150도씨) 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1082 2018-06-18 11시 12시 Al2O3 4nm 증착 (온도 150도씨) 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1083 2018-06-19 10시 12시 Al2O3 층을 10 nm 깔려고 합니다. 그 이후에는 E-beam으로 Ni을 깔 예정입니다. 기판에는 구매시부터 SiO2 300 nm가 깔려있습니다. 포항공과대학교 화학공학과 배동수 90,000원
1084 2018-06-19 13시 14시 TiN 5 nm dep. 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1085 2018-06-19 13시 14시 Al2O3 4nm (온도 150도씨) 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1086 2018-06-20 11시 12시 Al2O3 4nm (150도씨) 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1087 2018-06-20 14시 18시 Au 및 V 증착 시편입니다.
ALD로 al2O3 100옹스트롱 증착 부탁드립니다.
증착온도는 120도로 해주세요		 (주)에스제이컴퍼니 개발팀 박상준 120,000원
1088 2018-06-26 10시 11시 Al2O3 20nm 증착의뢰 (공정온도 300도씨) 포항공과대학교 신소재공학과 문석호 204,000원
1089 2018-06-28 13시 15시 HfO2 까지 증착이 완료되었으며,
보내드린 샘플(Piece wafer 2장) 동시에 TiN 5nm 증착을 요청드립니다.		 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1090 2018-06-28 9시 10시 Al2O3 thickness 300A (주)엔디디 기술연구 최은아 3,600,000원
1091 2018-07-04 13시 16시 3개의 칩 트레이를 발송하였습니다.

3개 모두 초기공정 진행되지 않은 As+ doped Si입니다.

1번 Tray는 TiN 10nm, 2번 Tray는 TiN 20nm, 3번 Tray는 TiN 30nm ALD로 증착 부탁 드립니다.

문의사항은 연락 주십시오
 한양대학교 신소재공학부 채명균 360,000원
1092 2018-07-04 16시 18시 TiN 10 nm dep. 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1093 2018-07-05 13시 16시 TiN 10nm 증착 부탁드립니다. 샘플은 모두 5개 입니다. 성균관대학교 신소재공학과 이우희 120,000원
1094 2018-07-06 13시 18시 기판에 ALD Al2O3 100A 증착후 PECVD로 Si3N4 2000A 증착
증착온도는 150도 이하		 (주)에스제이컴퍼니 개발팀 박상준 220,000원
1095 2018-07-09 16시 18시 TiN 5 nm dep. 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1096 2018-07-09 16시 18시 hfo2 10nm depo.
al2o3 10nm depo.		 파워마스터반도체 주식회사 제품개발팀 김홍기 180,000원
1097 2018-07-23 15시 18시 Al2O3 20nm 증착의뢰 (공정온도 100도씨) 포항공과대학교 신소재공학과 문석호 204,000원
1098 2018-07-24 12시 14시 Al2O3 100A (주)베프스 기획팀 BEFS 240,000원
1099 2018-07-24 14시 16시 highly n-doped silicon / 3000 A SiO2 / 3 um Parylene 으로 구성된 샘플입니다.
Al2O3 500 A를 증착하고 싶습니다.		 포항공과대학교 화학공학과 김승현 450,000원
1100 2018-07-30 10시 18시 PEALD TiN 10 nm 증착
8 inch wafer 3장		 한국과학기술원 전기및전자공학부 이태윤 360,000원
1101 2018-08-01 13시 14시 안녕하세요. 성균관대학교 신소재공학과 김형섭 교수님 연구실에 이우희입니다.
TiN 10nm증착 의뢰를 부탁드립니다. 기판은 Si기판 위에 HfO2를 8nm정도 덮은 샘플이며 보내드릴 트레이에는 약 1x1사이즈의 총 7개 시편이 들어있습니다. 공정하실때 모든 시편을 한 번에 덮어주시면 감사하겠습니다. 		성균관대학교 신소재공학과 이우희 120,000원
1102 2018-08-01 14시 17시 *Dielectric Cycle : (HfO2 19 Cycle - Al2O3 1 Cycle - HfO2 19 Cycle - Al2O3 1 Cycle - ... - Al2O3 1 Cycle - HfO2 20 Cycle)

Wafer 6장, 전부 ALD 공정입니다.

앞의 3장 #1 : TiN 10nm / *Dielectric Cycle / TiN 10nm
뒤의 3장 #2 : TiN 20nm / *Dielectric Cycle / TiN 20nm

증착 부탁드립니다.
감사합니다.
 한양대학교 신소재공학부 채명균 2,880,000원
1103 2018-08-06 9시 15시 ALD TiN 10nm deposition 진행 부탁드립니다.

물질정보는 아래와 같습니다.
Al2O3/SiN/SiO2

증착 이후 두께확인 및 면저항 Monitoring 부탁 드립니다.		 KAIST 전기 및 전자공학과 이승환 600,000원
1104 2018-08-07 17시 20시 Al2O3 증착 의뢰 (공정온도 300도씨)

200 nm (p-Si, p++ Si)

250 nm (p-Si, p++ Si)

기판 현황: p-Si 100장, p++ Si 80장
로딩 가능한 만큼 부탁드리겠습니다.

(공정비용 사전 협의 후 진행)		 포항공과대학교 신소재공학과 문석호 1,500,000원
1105 2018-08-09 10시 10시 TiN 250nm(공정비용 사전 협의 후 진행) 포항공과대학교 전기전자공학과 김성지 1,500,000원
1106 2018-08-16 11시 12시 Al2O3 3nm 증착(공정온도 300도씨) 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1107 2018-08-16 14시 18시 30 nm thick Al2O3 deposition on the flexible substrate. 포항공과대학교 화학공학과 이은호 270,000원
1108 2018-08-20 17시 18시 Al2O3 3nm 증착 (공정온도 300도씨) 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1109 2018-08-20 9시 17시 Al2O3 100 nm 증착의뢰 한국표준과학연구원 전자기표준센터 박재성 1,200,000원
1110 2018-08-21 14시 15시 Al2O3 3nm 증착 (공정온도 300도씨) 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1111 2018-08-21 9시 12시 20nm Al2O3 100도씨 증착 포항공과대학교 신소재공학과 문석호 102,000원
1112 2018-08-22 11시 12시 Al2O3 3nm 증착 (공정온도 300도씨) 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1113 2018-08-22 9시 10시 gate oxide depo (주)엔디디 기술연구 최은아 2,760,000원
1114 2018-08-23 10시 11시 표면서부터 sio2 (300 nm)/Si(660~690um)로 구성된 6인치 실리콘 기판 위에
ALD 공정으로 Al2O3 10 nm를 깔려고 공정 의뢰를 합니다.

ALD작업이 끝나면 Fe 증착을 할 것이기 때문에 이원범 선생님께 전달해 주시면 될 것 같습니다.		 포항공과대학교 화학공학과 이은영 90,000원
1115 2018-08-23 15시 16시 Al2O3 3nm 증착 (공정온도 300도씨) 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1116 2018-08-24 16시 17시 Al2O3 3.5nm 증착의뢰 (공정온도 300도씨) 포항공과대학교 신소재공학과 이승희 102,000원
1117 2018-08-30 10시 12시 공기 중에서 잘 반응하는 샘플들 입니다.

10nm 두께로 Al2O3를 pellet 양면에 coating 시켜주세요

샘플 1. LSPO 2개
2. LLZO - BARE 1개
3. LLZO - Al 0.0.5mol 1개		 포항공과대학교 신소재공학과 김아빈 204,000원
1118 2018-09-11 9시 13시 Al2O3 100도씨 20nm 증착 의뢰 포항공과대학교 신소재공학과 문석호 102,000원
1119 2018-09-14 11시 12시 기판에 ALD Al2O3 120C 100A 증착후 PECVD로 Si3N4 150C 2000A 증착
 (주)에스제이컴퍼니 개발팀 박상준 220,000원
1120 2018-09-19 9시 10시 Al2O3 thickness 300A (주)엔디디 기술연구 최은아 6,000,000원
1121 2018-09-20 10시 12시 표면서부터 sio2 (300 nm)/Si(660~690um)로 구성된 6인치 실리콘 기판 위에
ALD 공정으로 Al2O3 10 nm를 깔려고 공정 의뢰를 합니다.

ALD작업이 끝나면 Fe 증착을 할 것이기 때문에 이원범 선생님께 전달해 주시면 될 것 같습니다. 		포항공과대학교 화학공학과 이해민 180,000원
1122 2018-10-08 10시 12시 1000A Al2O3증착 @ 150도 (협의자: 기종 연구원) ETRI RF융합부품실 정현욱 2,400,000원
1123 2018-10-17 10시 13시 Al2O3 300A 10매 (주)엔디디 기술연구 최은아 3,600,000원
1124 2018-10-18 14시 16시 안녕하세요. 성균관대학교 반도체재료연구실에 이우희라고 합니다. ALD TiN10nm증착 의뢰 드리려고 합니다. 시편은 총9개로 모두 Si에 HfO2 8nm덮힌 상태입니다. 한 번에 증착해주시면 감사하겠습니다. 추가문의 사항있으면 연락처로 언제든 연락 바랍니다.
E-Mail : sylee1309@skku.edu
전화번호 : 010-4027-2232		 성균관대학교 신소재공학과 이우희 120,000원
1125 2018-10-29 11시 12시 Al2O3_1nm / HfO2 _7nm 로 총 8nm 증착 부탁드립니다.

(1nm 개런티가 어렵다면, Al2O3_2nm / HfO2 _6nm 부탁드립니다. )

- 6인치 wafer이고 총 2장입니다.
삼성전자 이미징디바이스랩 김선일 204,000원
1126 2018-10-29 13시 18시 PEALD TiN 10 nm 증착 한국과학기술원 전기및전자공학부 이태윤 240,000원
1127 2018-10-31 10시 12시 Piece wafer 2장 동시에 TiN 5nm 증착 의뢰드립니다. 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1128 2018-11-01 9시 18시 *Dielectric Cycle : (HfO2 19 Cycle - Al2O3 1 Cycle - HfO2 19 Cycle - Al2O3 1 Cycle - HfO2 19 Cycle - Al2O3 1 Cycle - HfO2 19 Cycle - Al2O3 1 Cycle - HfO2 20 Cycle) : 총 100 Cycle 중 Al2O3가 4 Cycle

Wafer 14장, 전부 ALD 공정입니다. 표면은 SiO2가 증착되어 있습니다.

앞의 7장 #1 : TiN 10nm / *Dielectric Cycle / TiN 10nm
뒤의 7장 #2 : TiN 20nm / *Dielectric Cycle / TiN 20nm

증착 부탁드립니다.


TiN 10nm / *Dielectric Cycle / TiN 10nm 3회 * 7ea = 21회
TiN 20nm / *Dielectric Cycle / TiN 20nm 5회 * 7ea = 35회
 한양대학교 신소재공학부 채명균 6,720,000원
1129 2018-11-12 12시 13시 al2o3 depo. 포항공과대학교 전자전기공학과 박슬기 102,000원
1130 2018-11-14 14시 19시 AL2O3 300A (주)엔디디 기술연구 최은아 3,600,000원
1131 2018-11-19 13시 15시 20nm Al2O3 증착 @ 300도 ETRI RF융합부품실 정현욱 240,000원
1132 2018-11-21 12시 16시 택배로 보낸 Si-wafer 1장에 대하여 ALD장비를 이용해 HfO2(20nm)증착 요청드립니다.

택배로 보낸 Si-wafer 위에 Kapton tape을 이용하여 실리콘 조각시편 및 PI film 시편을 고정시켜 놓은 상황입니다. 보내드린 Si-wafer 그대로 ALD 장비에 넣어주셔서 공정 진행해주시면 감사하겠습니다.

Si-wafer 고정을 위해 웨이퍼 뒷면에 양면 캡톤테잎으로 패트릿케이스에 고정시켰습니다. 보내주실때도 케이스에 고정시켜 보내주시면 감사하겠습니다.

공정관련 연락은 아래 주소로 주시면 감사하겠습니다.
광운대학교 박영수
Cell) 010-3836-6752
E-mail) pys160219@gmail.com		 광운대학교 전자공학과 안재혁 240,000원
1133 2018-11-23 19시 20시 택배로 보낸 Si-wafer 1장에 대하여 ALD장비를 이용해 HfO2(15nm)증착 요청드립니다.

택배로 보낸 Si-wafer 위에 Kapton tape을 이용하여 실리콘 조각시편 및 PI film 시편을 고정시켜 놓은 상황입니다. 보내드린 Si-wafer 그대로 ALD 장비에 넣어주셔서 공정 진행해주시면 감사하겠습니다.

Si-wafer 고정을 위해 웨이퍼 뒷면에 양면 캡톤테잎으로 패트릿케이스에 고정시켰습니다. 보내주실때도 케이스에 고정시켜 보내주시면 감사하겠습니다.

공정관련 연락은 아래 주소로 주시면 감사하겠습니다.
광운대학교 박영수
Cell) 010-3836-6752
E-mail) pys160219@gmail.com 		광운대학교 전자공학과 안재혁 240,000원
1134 2018-11-26 10시 16시 담당자분 휴가중이라고 하셔서 우선 신청부터 해놓습니다.

이전에 유선상으로 한번 문의드렸던 공정입니다.

증착온도 300도

1. Al2O3 - 20 nm
2. Al2O3(1.5 nm)/HfO2 (18.5 nm) - 20 nm
3. HfAlOx - 20 nm (Al2O3: HfO2 = 2:6 cycle 비율로)

총 3 samples

일정확인이 되지 않아 우선 다음주 화요일로 넣어놓았습니다.

-----------------------
100nm 3회 50% 할인

 한국표준과학연구원 첨단측정장비연구소 박혜지 1,800,000원
1135 2018-12-05 11시 12시 al2o3 10nm 포항공과대학교 전자전기공학과 박슬기 102,000원
1136 2018-12-12 11시 13시 SiO2 30nm 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 270,000원
1137 2018-12-14 10시 10시 - Al2O3_1nm / HfO2 _7nm 로 총 8nm 증착 부탁드립니다.

- 증착온도, 250도

- Vacuum Break 없이 증착 부탁드립니다. 		삼성전자 이미징디바이스랩 김선일 204,000원
1138 2018-12-14 17시 19시 al2o3 30nm 경북대학교 전자공학부 설정훈 360,000원
1139 2018-12-24 13시 18시 SiO2 (300 nm)/ Si(660um)로 이뤄진 기판 5장입니다.

각각 표면에 Al2O3 10 nm씩 ald로 깔고싶습니다.		 포항공과대학교 화학공학과 이철훈 450,000원
1140 2018-12-26 15시 18시 Al2O3 25nm 경북대학교 전자공학 손동혁 240,000원
1141 2019-01-03 10시 11시 ALD Al2O3 10nm 경북대학교 전자공학부 DAI QUAN 120,000원
1142 2019-01-10 10시 12시 Si기판위에 HfO2 ~8nm 증착된 시편들입니다. ALD TiN 10nm 증착 부탁드립니다.

시편은 26일 오후에 발송하여 27일 오후나 28일 오전 도착 할 예정입니다.		 성균관대학교 신소재공학과 이우희 120,000원
1143 2019-01-11 17시 18시 TiN 200 A 증착 부탁드립니다. 가천대학교 IT융합공학과 전자공학전공 조성재 240,000원
1144 2019-01-17 12시 18시 (Ti / Au) 패턴 3ea
(Ti / Al) 패턴 1ea

 (주)엔디디 기술연구 최은아 1,920,000원
1145 2019-01-23 14시 15시 안녕하세요. 성균관대학교 김형섭교수님 연구실에 이우희 라고 합니다. 다름이 아니라 ALD TiN ~10nm 증착을 하고 싶습니다. 시편은 총 3개이며 한 번에 10nm 증착 부탁드립니다.
작업이 완료 후에는 아래의 주소로 시편을 보내주시면 감사하겠습니다.
주소 : 경기도 수원시 장안구 서부로 2066 성균관대학교 자연과학캠퍼스 제2공학관 26202A호 우)16419
이우희, 010-4027-2232
공정시 궁금한 점이나 문제가 발생시에는 언제든 연락 부탁드립니다.감사합니다.
이우희 드림 (010-4027-2232)		 성균관대학교 신소재공학과 이우희 120,000원
1146 2019-01-28 10시 12시 al2o3 20nm 포항공과대학교 전자전기공학과 박슬기 204,000원
1147 2019-01-30 10시 11시 Si/SiO2 기판 위에 금속 바닥전극패턴이 그려져있습니다.
그 위에 Al2O3 20 nm 증착을 하려고합니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 서승영 180,000원
1148 2019-01-30 15시 18시 GaN on Sapphire 샘플에 Al2O3증착 경북대학교 전자공학 손동혁 120,000원
1149 2019-02-08 11시 14시 TiN 10 nm 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1150 2019-02-11 14시 15시 Ti/Al/Ni/Au로 Source, Drain deposition 되어 있습니다.
Dielectric Al2O3 10nm 증착 부탁드립니다.		 경북대학교 전자공학부 정준혁 120,000원
1151 2019-02-20 13시 14시 Poly-Si 0.5, 1, 1.5, 2 nm 각 2개씩 입니다.
신청자 윤주영, 박혁 입니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 360,000원
1152 2019-02-20 14시 16시 안녕하세요. 성대 김형섭교수님 연구실에 이우희 학생입니다. TiN 10nm 증착을 의뢰하고 싶습니다. 시편은 총 8개이며 Si위에 HfO2 증착이 되어있는 상태 입니다. 8개의 시편을 한번에 증착해 주시기 바랍니다.
시편은 금일 (2월 19일)에 보내어 내일 오후쯤 도착할 것으로 생각됩니다.
작업이 완료 후에는 아래의 주소로 시편을 보내주시면 감사하겠습니다.
주소 : 경기도 수원시 장안구 서부로 2066 성균관대학교 자연과학캠퍼스 제2공학관 26202A호 우)16419
이우희, 010-4027-2232
공정시 궁금한 점이나 문제가 발생시에는 언제든 연락 부탁드립니다.감사합니다.
이우희 드림 		성균관대학교 신소재공학과 이우희 120,000원
1153 2019-02-22 13시 15시 . 포항공과대학교 전자전기공학과 박혁 270,000원
1154 2019-02-26 12시 13시 al2o3 deposition 350A 10ea (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 4,800,000원
1155 2019-03-12 9시 18시 al203 deposition_350A (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 2,160,000원
1156 2019-03-14 16시 18시 Piece wafer 6장 동시에 front side에 TiN 10nm 증착 의뢰 요청드립니다. 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1157 2019-03-18 10시 16시 Al2O3 layer를 50nm, 100nm 각각 1매 증착 요청드립닙다 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 864,000원
1158 2019-03-18 14시 15시 Al2O3 5nm 증착 부탁드립니다. (가능한한 저온에서 부탁드립니다. 150도 정도) 포항공과대학교 기계공학과 김인기 108,000원
1159 2019-03-18 16시 18시 저번주에 전화드렸던 기계공학과 박상준입니다.

재질: Fe 베이스에 Ni,Mg,Co등등 조금씩 섞여있는 약자성체

증착 재료: Al2O3

두께: 5A~10A(두께에 대한 논의 필요)		 포항공과대학교 기계공학과 박상준 108,000원
1160 2019-03-18 21시 22시 10nm 지난주 증착. 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 96,000원
1161 2019-03-19 10시 11시 graphene on parylene/Si wafer 조각

100도에서 공정 부탁 드립니다.

30nm 증착 부탁 드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 박슬기 324,000원
1162 2019-03-19 13시 16시 안녕하세요. 성균관대학교 신소재공학과 김형섭 교수님 연구실에 이우희 학생입니다. ALD TiN 증착을 의뢰하고 싶습니다. 시편은 총 5개이며 1번부터 4번 시편까지는 TiN10 nm 5번 시편은 20nm 증착 부탁드립니다. 시편은 금일 오후에 보내어 이르면 금요일 오후, 늦으면 다음주 월요일 까지 도착 할 예정입니다. 작업이 완료 후에는 아래의 주소로 시편을 보내주시면 감사하겠습니다.
주소 : 경기도 수원시 장안구 서부로 2066 성균관대학교 자연과학캠퍼스 제2공학관 26202A호 우)16419
이우희, 010-4027-2232
공정시 궁금한 점이나 문제가 발생시에는 언제든 연락 부탁드립니다.감사합니다.
이우희 드림 (010-4027-2232) 		성균관대학교 신소재공학과 이우희 360,000원
1163 2019-03-20 13시 13시 ALD 장비 (Atomic Layer Deposition (ALD)(원자층증착장치) 이용 Al2O3 100nm 증착 부탁드립니다. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 2,880,000원
1164 2019-03-21 15시 17시 2장은 Al2O3 10nm
나머지 2장은 Al2O3 10nm에 HfO2 10nm 부탁드립니다.		 경북대학교 전자공학 손동혁 240,000원
1165 2019-03-25 11시 13시 Piece wafer 6개 동시에 TiN 5nm 증착의뢰 드립니다.
Patterning 된 소자는 InP기판으로 쉽게 부러질 우려가 있습니다.		 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1166 2019-04-04 12시 18시 Al2O3 100nm 증착 요청드립니다 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 2,880,000원
1167 2019-04-05 9시 15시 ALD TiN 10nm 증착 의뢰드립니다.
물질 정보 : SiO2/Si

증착 후 Dummy도 같이 동봉 부탁드립니다.		 KAIST 전기 및 전자공학과 이승환 360,000원
1168 2019-04-11 13시 14시 Al2O3 10 nm 증착(4/1일 사용) 포항공과대학교 전자과 서태원 96,000원
1169 2019-04-12 15시 16시 안녕하세요. 성균관대학교 신소재공학과 김형섭 교수님 연구실에 이우희입니다.
ALD TiN 10nm 증착을 의뢰하고 싶습니다. 시편은 총 4개이며 한번에 10nm 증착 부탁드립니다.
시편이 깨지기 쉬우니 다룰 때 조심하여 주시기 바랍니다.
공정이 완료되면 아래의 주소로 보내주시면 감사하겠습니다.
추가적으로 문의사항 있으시면 언제든 연락바랍니다.
이우희, Tel : 010-4027-2232 , E-Mail : sylee1309@skku.edu
주소 : 경기도 수원시 장안구 서부로 2066 성균관대학교 자연과학캠퍼스 제 2공학관 26202호 우)16419
 성균관대학교 신소재공학과 이우희 120,000원
1170 2019-04-17 13시 18시 Al2O3 100nm 증착 (4매) 부탁드립니다 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 2,880,000원
1171 2019-04-18 13시 15시 Piece wafer 9장 TiN 5nm 동시에 올려주세요. 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1172 2019-04-24 13시 16시 piece 4장, 동시에 TiN 5nm 증착 의뢰드립니다. 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1173 2019-04-25 16시 17시 Al2O3 2nm 증착 포항공과대학교 기계공학과 박상준 108,000원
1174 2019-04-26 15시 16시 Al2O3 1nm(10cycle내외)/2nm(20cycle내외) 증착 포항공과대학교 화학공학과 송홍선 216,000원
1175 2019-04-29 13시 15시 TiN ALD 10 nm 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1176 2019-04-29 14시 15시 HfO2 20nm depo. 포항공과대학교 화공학과 류기성 310,000원
1177 2019-04-30 15시 16시 graphene on parylene/TRT/Si wafer 조각

wafer 조각 2개 입니다.

100도에서 Al2O3 30nm 증착 부탁 드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 박슬기 429,000원
1178 2019-05-03 13시 18시 안녕하세요
낮에 카톡드린 이철훈입니다.
sio2가 300nm깔린 실리콘 기판 5장을 Al2O3로 10nm씩 증착하려고 합니다.

한 장은 Ar implant할 것이기때문에 기종 선생님이 챙겨갈수 있도록 말씀해놓겠습니다.

샘플은 당일 아침에 놓고가겠습니다.		 포항공과대학교 화학공학과 이철훈 540,000원
1179 2019-05-06 10시 12시 Al2O3 100nm 증착 부탁드립니다. (6매) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 4,320,000원
1180 2019-05-08 14시 18시 sio2가 300nm깔린 실리콘 기판 4장을 Al2O3로 10nm씩 증착하려고 합니다.

SIO2 기판들은 공정 의뢰함에 두겠습니다.		 포항공과대학교 화학공학과 이해민 432,000원
1181 2019-05-09 13시 14시 al203 20nm 포항공과대학교 전자전기공학과 박슬기 216,000원
1182 2019-05-13 14시 15시 Al2O3 100nm 증착 부탁드립니다. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 2,880,000원
1183 2019-05-15 13시 16시 ALD deposition of 30 nm HfO2 on a 4 inch Si wafer 포항공과대학교 신소재공학과 Anupam Giri 324,000원
1184 2019-05-20 14시 18시 Material: 20um Al foil 위에 Natural Graphite, Super P, PAA, CMC로 이루어진 약 20 um의 Porous 전극층이 도포된 상태 (총: 약 40um)
해당 필름 (Al+전극)을 Si wafer에 부착시켜서 의뢰함 (부착시, 사용한 테이프는 Kapton tape)		 포항공과대학교 첨단재료과학부 강지은 216,000원
1185 2019-05-28 9시 19시 sample 사항
- Silicon wafer 두께 675 um, wet oxidized SiO2 두께 1 um, carbon patterning 두께 ~12 um

공정 요청 사항
- HfO: 400 A

4매+4매+2매
 울산과학기술원 기계공학 이종민 4,800,000원
1186 2019-05-29 16시 17시 Al2O3 2.5nm 증착

7cycle, 14cycle, 14cycle 3회 진행		 포항공과대학교 기계공학과 박상준 324,000원
1187 2019-05-31 14시 16시 Piece wafer 동시에 TiN 10nm 증착 의뢰드립니다.
기판이 약하여 잘 부탁드립니다.		 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1188 2019-06-10 10시 13시 SiO2 50nm, Al2O3 50nm 파워마스터반도체 주식회사 제품개발팀 김홍기 1,080,000원
1189 2019-06-13 9시 14시 차세대 실리콘 나노선 개발 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 0원
1190 2019-06-18 14시 15시 p-type Si wafer 위 Al2O3 10 nm 증착 부탁드립니다.
8nm		 포항공과대학교 전자전기공학과 박성민 96,000원
1191 2019-06-19 15시 16시 [ Al2O3 20nm 증착 ]

포항공대 양영환입니다.

Si 위에 Al이 올라간 시편 5개와, Si 시편 1개(총 6개)에 Al2O3를 20nm 증착 부탁드립니다.

시편은 공정의뢰함에 넣어두겠습니다.
감사합니다.

hfo2 20nm depo.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 432,000원
1192 2019-06-20 15시 14시 Al2O3 100nm 증착 요청드립니다 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 2,880,000원
1193 2019-06-27 15시 17시 Al2O3 100nm 증착 요청드립니다. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 2,880,000원
1194 2019-07-02 9시 14시 1-2-1 hybrid stack ald sio2
1-3-1 hybrid stack ald al2o3
2-1-2 1st_oxide hybrid stack ald al2o3
3-1-1 1st_oxide ald sio2
3-1-1 1st_oxide ald al2o3
sio2 600A, al2o3 600A
 나노융합기술원 포스텍-프라운호퍼 IISB 실용화연구센터 성민재 1,224,000원
1195 2019-07-03 17시 18시 15nm cycle 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 204,000원
1196 2019-07-04 10시 14시 Patterning 된 SiO2 wafer 조각 위에 HfO2 layer를

(1) 2 nm (2) 3 nm (3) 4 nm

세가지 두께로 증착 하고자 합니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 임석재 324,000원
1197 2019-07-08 9시 16시 Si 웨이퍼 2매에 HfO2 를 각각 300A 씩 증착 부탁드립니다. 한국전자통신연구원 RF전력부품연구그룹 조규준 720,000원
1198 2019-07-10 16시 18시 HfO2 20 nm, Si 테스트 샘플 위에 hf2O증착 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 240,000원
1199 2019-07-11 14시 13시 Al2O3 100nm 증착 요청드립니다 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 4,320,000원
1200 2019-07-15 16시 18시 Al2O3 8 nm 증착 부탁드립니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 박성민 96,000원
1201 2019-07-16 14시 15시 HfO2 2 nm 증착 부탁드립니다. 포항공과대학교 신소재공학과 임석재 108,000원
1202 2019-07-17 15시 16시 2*2cm 크기의 3개의 샘플이 있는데, 글래스 기판 위에 은 나노패턴이 있습니다.
여기에 산화알루미늄(AL2O3)를 3 nm 증착해주세요.		 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 108,000원
1203 2019-07-23 9시 10시 차세대 실리콘 나노선 개발 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 0원
1204 2019-07-24 15시 17시 Si wafer 위 SiO2, Si3N4 증착한 샘플이 있습니다. 이 샘플 위에는 Al2O3 기존 조건대로 300도에서 10 nm가량 증착 부탁드립니다.
Glass wafer 위 IGZO TFT 제작한 샘플이 있는데, 이 샘플 위에는 Al2O3 200도에서 10 nm 증착 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 박성민 192,000원
1205 2019-07-25 11시 12시 2*2cm 크기의 1개의 샘플이 있는데, 글래스 기판 위에 은 나노패턴이 있습니다.
여기에 산화알루미늄(AL2O3)를 3 nm 증착해주세요.
샘플은 공정의뢰함에 넣어두겠습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 정헌영 108,000원
1206 2019-07-25 15시 17시 HfO2 2,5,10nm 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 306,000원
1207 2019-07-26 13시 18시 실리콘테스트샘플
hfo2 30nm depo.		 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 360,000원
1208 2019-07-29 13시 14시 실리콘 테스트샘플
tin 10nm d epo.		 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 120,000원
1209 2019-07-30 13시 15시 TiN 10 nm dep 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1210 2019-08-09 13시 16시 Ge wafer가 3장(뒷면 마크 맨 뒷자리 C0, B5, C7), Si wafer(앞면 마크 맨 뒷자리 B04, B05) 2장입니다.

Ge wafer C0 (amorphous Si가 2 nm 정도 증착되어 있습니다)는 HfO2 4 nm / TiN 50 nm

Ge wafer B5는 HfO2 5 nm / TiN 50 nm

Si wafer B04과 Ge wafer C7은 Al2O3 1 nm / HfO2 4 nm / TiN 50 nm

Si wafer B05는 Al2O3 1 nm / HfO2 3 nm / TiN 50 nm

해주시면 감사하겠습니다.
 아주대학교 전자공학과 김상완 2,363,000원
1211 2019-08-09 16시 18시 Al2O3 100nm 증착 부탁드립니다. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 4,320,000원
1212 2019-08-16 10시 13시 1-3-1 gox gate oxide depo. ald 100nm 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 1,080,000원
1213 2019-08-19 14시 14시 Al:HfO2 10nm 3장 증착의뢰 부탁드립니다.

Cycles
HfO2Å : Al2O3Å HfO2Å : Al2O3Å
★(35 : 1: 35 : 1 : 30)
★(20 : 1 : 20 : 1 : 20 : 1 : 20 : 1 : 10)
★(10:1:10:1:10:1:10:1:10:1:10:1:10:1:10:1:10:1:10) 9:100
위에 HfO2 증착 사이사이에 Al2O3를 1Å 두께를 증착하는식으로 부탁드리겠습니다.

감사합니다.		 한양대학교 신소재공학과 구본철 360,000원
1214 2019-08-23 14시 19시 Si/IGZO20nm 증착된 웨이퍼입니다.

HfO2 10nm 증착 부탁드리겠습니다.

그리고 일정상 제가 8월 26, 27일에 부재중이라 혹시라도
공정을 일찍 끝내주시면 26일 이후에 발송 부탁드리겠습니다.		 한양대학교 신소재공학과 구본철 120,000원
1215 2019-08-26 13시 18시 Al2O3 100nm, 50nm 각 3매 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 3,240,000원
1216 2019-09-02 11시 12시 저는 si와, glass 기판 위에 패턴된 gold 표면에 얇게 Al2O3를 ALD를 하고 싶습니다.
제가 의뢰를 드릴 샘플은 다음과 같습니다



1) 조각 샘플 총 12개이고, 8인치 wafer에 충분히 올릴 수 있는 면적일 것 같습니다.

2) 공정진행 가능한 가장 낮은 온도인 100도에서 진행을 하고 싶습니다.

3) Al2O3 10nm를 증착하고 싶습니다. 		포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1217 2019-09-05 13시 13시 Al2O3 100nm 증착 요청드립니다. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 4,320,000원
1218 2019-09-09 10시 13시 HfO2 30 nm 증착 , 실리콘 테스트 샘플 증착요 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 360,000원
1219 2019-09-10 11시 12시 TiN 10 nm, 실리콘 테스트 샘플 요망 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 120,000원
1220 2019-09-10 13시 14시 Al2O3 0.5nm (5옴스트롱) 증착 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김인기 108,000원
1221 2019-09-10 14시 15시 TiN 5 nm 증착

(Ti capping layer 용도)		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 96,000원
1222 2019-09-16 9시 16시 4 inch Si 웨이퍼 2매에 HfO2를 각각 300A ALD 증착 부탁드립니다.
웨이퍼는 9월11일 수요일에 전달해 드리도록 하겠습니다.


* 신청서 작성할때 Wafer 두께및장수(Thickness and longevity) 라고 되어있는데 "장수" 부분의 번역이 잘못되어 있습니다.		 한국전자통신연구원 RF전력부품연구그룹 조규준 720,000원
1223 2019-09-18 15시 16시 TiN 5 nm 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 96,000원
1224 2019-09-19 9시 16시 "SiC 공정 Al2O3 진행"[과제번호:4.0018159.01] 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 2,040,000원
1225 2019-09-24 9시 13시 전문인력양성사업 실습 Al2O3 박막 증착 나노융합기술원 사업지원팀 박진우 720,000원
1226 2019-09-25 17시 18시 100도씨 공정으로, al2o3 10 nm 증착을 원합니다.
샘플은 두 조건 각각 4개씩 총 8개의 유리 조각에 gold가 코팅된 샘플입니다.
 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1227 2019-09-25 18시 20시 TiN/Si
Al:HfO2 10nm 두께 기준 <단위 옹스트롬>
★ 1번 <35 (HfO2) : 1 (Al2O3) : 35 : 1 : 30> <2:100 = Al2O3 : HfO2>,
★ 2번 (20 (HfO2) : 1 (Al2O3) : 20 : 1 : 20 : 1 : 20 : 1 : 10) <4:100 = Al2O3 : HfO2>

증착의뢰 부탁드리겠습니다.
감사합니다.
 한양대학교 신소재공학과 구본철 240,000원
1228 2019-09-30 15시 17시 안녕하세요. 성균관대학교 신소재공학과 김형섭 교수님 연구실에 이우희입니다.
ALD TiN 10nm 증착을 의뢰하고 싶습니다. 시편은 총 7개이며 한번에 10nm 증착 부탁드립니다.
시편이 깨지기 쉬우니 다룰 때 조심하여 주시기 바랍니다.
공정이 완료되면 아래의 주소로 보내주시면 감사하겠습니다.
추가적으로 문의사항 있으시면 언제든 연락바랍니다.
이우희, Tel : 010-4027-2232 , E-Mail : sylee1309@skku.edu
주소 : 경기도 수원시 장안구 서부로 2066 성균관대학교 자연과학캠퍼스 제 2공학관 26202호 우)16419		 성균관대학교 신소재공학과 이우희 120,000원
1229 2019-10-01 10시 17시 안녕하세요. 성균관대학교 신소재공학과 김형섭 교수님 연구실에 이우희입니다.
ALD TiN 10nm 증착을 의뢰하고 싶습니다. 시편은 총 1개이며 50nm 증착 부탁드립니다.
시편이 깨지기 쉬우니 다룰 때 조심하여 주시기 바랍니다.
공정이 완료되면 아래의 주소로 보내주시면 감사하겠습니다.
추가적으로 문의사항 있으시면 언제든 연락바랍니다.
이우희, Tel : 010-4027-2232 , E-Mail : sylee1309@skku.edu
주소 : 경기도 수원시 장안구 서부로 2066 성균관대학교 자연과학캠퍼스 제 2공학관 26202호 우)16419 		성균관대학교 신소재공학과 이우희 120,000원
1230 2019-10-01 17시 18시 Al2O3 10 nm 증착 100℃에서 진행 부탁드립니다. 포항공과대학교 전기전자공학부 고형민 108,000원
1231 2019-10-02 10시 16시 1. 2.5cmx2.5cm piece Sample
a. Sample정보 : GaN on Si 위에 Top Metal기준 Au 전극 Patterning
b. 수량 : 2ea
c. Al2O3 증착 두께 : 10nm (2ea Sample 동시 Loading)

2. 6inch Bare Si Wafer(공정 monitoring 목적_1)
a. 수량 :1ea
b. Al2O3 증착 두께 : 10nm

3. 6inch Bare Si Wafer(공정 monitoring 목적_2)
a. 수량 :1ea
b. Al2O3 증착 두께 : 15nm		 엘지전자 센서솔루션연구소 최원희 483,000원
1232 2019-10-04 11시 11시 Al2O3 100nm 증착 요청 드립니다. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 4,320,000원
1233 2019-10-10 14시 15시 Si wafer 위 PMMA photoresist pattern이며, 공정은 100℃ 에서 Al2O3 10 nm 증착 의뢰합니다. 포항공과대학교 화학공학과 김상훈 0원
1234 2019-10-14 15시 15시 Al2O3 100nm 증착 요청 드립니다. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 4,320,000원
1235 2019-10-17 10시 12시 Al2O3 10nm 증착 한국과학기술연구원 탄소융합소재연구센터 문숙영 480,000원
1236 2019-10-22 12시 14시 Ga2O3 조각샘플 2장 모두 Al2O3 200A ALD 증착 부탁드립니다. 한국전자통신연구원 RF전력부품연구그룹 조규준 240,000원
1237 2019-10-22 14시 18시 4 in 웨이퍼 2장.
2장 모두 HfO2 300A ALD 증착 부탁드립니다.		 한국전자통신연구원 RF전력부품연구그룹 조규준 720,000원
1238 2019-10-23 13시 16시 1. 2.5cmx2.5cm piece Sample - LGIT TiN(뒷면 각인)
a. Sample정보 : GaN on Si 위에 Top Metal기준 Au 전극 Patterning
b. 수량 : 1ea
c. Al2O3 증착 두께 : 10nm

2. 2.5cmx2.5cm piece Sample - 28-1 (뒷면 각인)
a. Sample정보 : GaN on Si 위에 Top Metal기준 Au 전극 Patterning
a. 수량 :1ea
b. Al2O3 증착 두께 : 20nm

저희 쪽에서 22일 샘플 전달시 지난번처럼 직접 세정하여 전달 드리겠습니다.
엘지전자 센서솔루션연구소 최원희 382,000원
1239 2019-10-23 16시 17시 HfO2 3 nm 증착
10nm 증착		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 102,000원
1240 2019-10-23 18시 18시 Al2O3 100nm 증착 요청 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 4,320,000원
1241 2019-10-29 9시 18시 Trench형 SiC MOSFET 소자 Al2O3 공정[4.0018159.01] 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 960,000원
1242 2019-10-30 10시 12시 ALD Al2O3 layer 20 nm
 경북대학교 전자공학부 DAI QUAN 240,000원
1243 2019-10-31 15시 18시 모든 시편 한번에 TiN 10nm 덮어주시기 바랍니다. 성균관대학교 신소재공학과 이우희 120,000원
1244 2019-11-04 13시 16시 1. 2.5cmx2.5cm piece Sample
a. Sample정보 : GaN on Si 위에 Top Metal기준 Au 전극 Patterning
b. 수량 : 1ea
c. Al2O3 증착 두께 : 10nm

2. 2.5cmx2.5cm piece Sample
a. Sample정보 : GaN on Si 위에 Top Metal기준 Au 전극 Patterning
a. 수량 :1ea
b. Al2O3 증착 두께 : 10nm

3. 2.5cmx2.5cm piece Sample
a. Sample정보 : GaN on Si 위에 Top Metal기준 Au 전극 Patterning
a. 수량 :1ea
b. Al2O3 증착 두께 : 20nm

11/4 월요일에 직접 방문해 직접 설명 드리겠습니다.
-----------------
al2o3 10nm depo.		 엘지전자 센서솔루션연구소 최원희 247,000원
1245 2019-11-05 10시 13시 Al:HfO2 10nm ★(20Å : 1Å : 20Å : 1Å : 20Å : 1Å : 20Å : 1Å : 20Å)
두께 4Å : 100Å = Al2O3 : HfO2

기존에 몇번 부탁드렸었는데 다시 이런 조건으로 증착 부탁드리겠습니다.
 한양대학교 신소재공학과 구본철 240,000원
1246 2019-11-06 10시 11시 InP piece wafer TiN 10nm deposition 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1247 2019-11-07 16시 18시 공정조건 등 자세한 사항은 김정길 박사과정이 안내드릴 예정입니다.
-------------------
Tin 20nm		 경북대학교 전자공학부 DAI QUAN 120,000원
1248 2019-11-08 12시 18시 자석판 위에 웨이퍼를 올리고 마스크 씌워서 al2o3를 올리고자 합니다.
총 두께 5ml 이내로 최대한 얇게 만들어서 가도록 하겠습니다.
---------------
al2o3 500a		 포항공과대학교 화학공학과 김민규 540,000원
1249 2019-11-08 9시 12시 Si wafer위에 Al2O3를 증착시켜놓은 상태입니다.
그리고 그 위에 TiN를 5nm 증착시키려고 합니다.		 포항공과대학교 울산대학교 차세대반도체연구실 7-504 정현준 108,000원
1250 2019-11-11 10시 12시 InP 기판 Piece wafer TiN 10nm 증착의뢰 드립니다. 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1251 2019-11-13 16시 18시 thickness
HfO2Å : Al2O3Å HfO2Å : Al2O3Å
★(35 : 1: 35 : 1 : 30) <1장>
★(10:1:10:1:10:1:10:1:10:1:10:1:10:1:10:1:10:1:10) 9:100 <1장>
위에 HfO2 증착 사이사이에 Al2O3를 1Å 두께를 증착하는식으로 부탁드리겠습니다.

감사합니다		 한양대학교 신소재공학과 구본철 240,000원
1252 2019-11-14 12시 13시 TiN 5 nm 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 96,000원
1253 2019-11-14 13시 14시 ALD TiN 10nm 증착 부탁드립니다.

감사합니다.		 성균관대학교 신소재공학과 이우희 120,000원
1254 2019-11-14 14시 18시 Al2O3 15nm, TiN 20nm
---------------
10nm당 1회 청구		 경북대학교 전자공학부 DAI QUAN 480,000원
1255 2019-11-15 9시 18시 ALD를 이용한 Al2O3 100nm 저온 증착 (100도) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 3,600,000원
1256 2019-11-19 10시 12시 Ga2O3 조각샘플 (1cm * 1.5cm, 2조각)과 Si 조각샘플 (공정모니터용 2조각)에 Al2O3 200A 두께로 ALD 증착을 하고자 합니다. 한국전자통신연구원 RF전력부품연구그룹 조규준 240,000원
1257 2019-11-19 13시 15시 1. 2.5cmx2.5cm piece Sample
a. Sample정보 : GaN on Si 위에 Top Metal기준 Au 전극 Patterning
b. 수량 : 3ea
c. Al2O3 증착 두께 : 10nm

지난번처럼 Aceton - IPA - DI 각 5분씩 Ultra Sonic 세정 후
BOE (10:1) 1분30초 후 DI 로 5분 세정 하고 Watermark 없게 1장씩 DI에서 빼셔서 Blow 부탁드립니다.
 엘지전자 센서솔루션연구소 최원희 247,000원
1258 2019-11-19 16시 17시 4개의 시편 모두 TiN 10nm 증착 부탁드립니다.

공정이 완료되면 아래의 주소로 보내주시면 감사하겟습니다.

감사합니다.

경기도 수원시 장안구 서부로 2066 성균관대학교
2공학관 26동 26202A
(16419)

이우희 ( 010-4027-2232 )		 성균관대학교 신소재공학과 이우희 120,000원
1259 2019-11-20 9시 10시 안녕하세요
표면으로 부터 SiO2(300 nm)/ Si wafer으로 구성된 실리콘 기판 6인치짜리 25장을

ALD공정으로 Al2O3 layer 10 nm씩 깔아주고 싶습니다.

그때 기판 한 장에 ALD공정을 진행하는데 1시간씩 걸린다고 해서 25시간을 커버 할 수 있게 신청을 해보았습니다.
혹 신청에서 변경되어야할 사항있으시면 연락 주세요!
이철훈- 01038153417 		포항공과대학교 화학공학과 이철훈 2,700,000원
1260 2019-11-21 13시 15시 1. 2.5cmx2.5cm piece Sample
a. Sample정보 : GaN on Si 위에 Top Metal기준 Au 전극 Patterning
b. 수량 : 7ea
c. Al2O3 증착 두께 : 10nm

지난번처럼 Aceton - IPA - DI 각 5분씩 Ultra Sonic 세정 후
BOE (10:1) 1분30초 후 DI 로 5분 세정 하고 Watermark 없게 1장씩 DI에서 빼셔서 Blow 부탁드립니다.		 엘지전자 센서솔루션연구소 최원희 247,000원
1261 2019-11-21 15시 18시 TiN 3nm, 5nm 2장 증착 부탁드립니다

 한양대학교 반도체나노공정연구실 김동형 240,000원
1262 2019-11-21 18시 19시 Al2O3 10nm 증착 한국과학기술연구원 탄소융합소재연구센터 문숙영 240,000원
1263 2019-11-22 1시 1시 Al2O3 100nm 증착 요청 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 3,600,000원
1264 2019-11-22 13시 15시 InP웨이퍼를 식각한 후 SiN, Ti/Pt/Au 증착한 상태입니다.

ALD 증착할물질: Al2O3 10nm		 한국전자통신연구원 ICT소재푸붐연구소 안신모 120,000원
1265 2019-11-25 15시 16시 hfo2 5nm depo. 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 102,000원
1266 2019-11-27 14시 18시 Al2O3 DEPO. (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 960,000원
1267 2019-12-04 16시 17시 TiN 5nm 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 96,000원
1268 2019-12-10 10시 15시 Al2O3증착 후 TiN 증착 두깨는 명일 안내드릴예정
------------
al2o3 150A
tin 200A		 경북대학교 전자공학부 DAI QUAN 480,000원
1269 2019-12-11 13시 15시 Piece wafer 2장 동시에 TiN 20nm 증착의뢰드립니다. 경북대학교 전자공학부 백지민 240,000원
1270 2019-12-13 11시 12시 Al2O3 10 nm 증착부탁드립니다. 한 번은 100도, 한 번은 300도에서 진행 부탁드립니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 박성민 192,000원
1271 2019-12-18 10시 13시 TiN ALD 1,2,3nm 증착 의뢰하고 싶습니다.
1~4번 Sample은 1nm 증착 부탁드리고
5~8번 Sample은 2nm
9~12번 Sample은 3nm 증착 부탁드립니다.

공정이 완료되면 아래의 주소로 보내주시면 감사하겠습니다.

감사합니다.

경기도 수원시 장안구 서부로 2066 성균관대학교
2공학관 26동 26202A
(16419)

박찬규 ( 010-3248-9366)
 성균관대학교 신소재공학과 이우희 120,000원
1272 2019-12-18 14시 15시 Si 위에 HfO2 10nm 증착 부탁드립니다.
 한양대학교 신소재공학과 구본철 120,000원
1273 2019-12-24 15시 16시 al2o3 30nm, 40nm (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 756,000원
1274 2019-12-27 11시 13시 ALD TiN 10nm 증착 의뢰 드립니다. 금요일 오전에 집접 방문하여 시편 전달드리겟습니다.

감사합니다.		 성균관대학교 신소재공학과 이우희 120,000원
1275 2019-12-27 17시 20시 al2o3 40nm 2ea (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 864,000원
1276 2019-12-27 9시 11시 증착온도: 추후 협의

1) Al2O3 5 cycle (약 5A 수준)
2) HfO2 5 cycle (약 5A 수준)		 삼성전자 종합기술원 Nano Electronics Lab. 최준희 96,000원
1277 2020-01-06 14시 15시 안녕하세요.
포항공과대학교 화학공학과 김진곤 교수님 연구실 김상훈입니다.

작년 10월에 ALD를 진행했었는데 같은 조건으로 공정을 진행하고 싶습니다.
기판은 Si wafer 위 PMMA Photoresist pattern이며, 공정온도 100℃에서 Al2O3를 10 nm 증착을 하고자 합니다. (Si wafer의 크기 : 약 2 cm x 2 cm, PR pattern의 크기는 20 um x 20 um 입니다. 총 wafer 조각의 개수는 2개입니다.) 샘플은 공전 (전) 캐비넷에 넣어두었습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 화학공학과 김상훈 108,000원
1278 2020-01-08 11시 12시 SiO2 박막, 두께는 약 2~ 4 nm 증착 증착하려합니다.

250 nm diameter, 100 nm thickness의 via-hole pattern 이 형성되어있고
해당 via-hole에는 Pt bottom electrode가 있어 이 위에 SiO2 layer를 증착하고자 합니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 김광혙 108,000원
1279 2020-01-08 16시 18시 TiN 5nm 증착요청드립니다. 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1280 2020-01-09 11시 12시 250nm via hole 구조의 Pt wafer에 hfo2 2nm, 3nm, 4nm를 증착하려고합니다. 포항공과대학교 신소재공학과 이승우 324,000원
1281 2020-01-09 15시 16시 hfo 10nm depo. 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 102,000원
1282 2020-01-09 9시 11시 Al2O3 10nm depo. 2ea 한국과학기술연구원 탄소융합소재연구센터 문숙영 240,000원
1283 2020-01-10 10시 11시 안녕하세요.
총 3개의 샘플 위에 SiO2를 ALD 해보고 싶습니다.
같은 조건이므로, 한번에 같이 진행해도 될 것 같습니다.
(따라서 수량을 1로 기입하겠습니다.)

공정 온도는 100도이며, SiO2 10nm를 ALD로 증착하고 싶은데,
정확히는 아니여도 됩니다. 이후 SEM을 찍어 결과를 공유해드리겠습니다.

감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1284 2020-01-13 11시 12시 HfO2 (2,3nm), HfO2(2nm)위 TiN 1nm, 2nm HfO2(3nm)위 TiN 1nm,2nm 증착하려고 합니다. 포항공과대학교 신소재공학과 이승우 432,000원
1285 2020-01-16 11시 12시 Al2O3 100도에서 10 nm 증착 부탁드립니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 박성민 96,000원
1286 2020-01-16 16시 17시 TiN 5nm 증착요청 드립니다. 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1287 2020-01-17 12시 18시 저온 공정으로 Al2O3 100nm 증착 요청(100nm 3회 진행) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 1,800,000원
1288 2020-01-30 11시 13시 SiO2 thin film 4~5 nm 증착 부탁드립니다.

이전에 했던 조건과 같은 300도씨에서의 증착 온도로 부탁드리고

샘플의 경우 오후 1시 이전까지 NINT 1층 캐비넷에 넣도록 하겠습니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 김광혙 108,000원
1289 2020-02-05 10시 12시 Si/SiO/TiN 위에 5nm HfO2 증착하고 싶습니다.
기존에 해당 장비 직접 사용 경험 있고, NINT 라인 출입 가능합니다. 		포스텍 대학원 신소재공학 김형우 108,000원
1290 2020-02-06 14시 15시 안녕하세요.
포항공과대학교 화학공학과 김진곤 교수님 연구실 김상훈입니다.

지난달에 ALD를 진행했었는데 같은 조건으로 공정을 진행하고 싶습니다.
기판은 Si wafer 위 PMMA Photoresist pattern이며, 공정온도 100℃에서 Al2O3를 10 nm 증착을 하고자 합니다. (Si wafer의 크기: 약 2 cm x 2 cm, 총 wafer 조각의 개수는 6개입니다.) 샘플은 공전 (전) 캐비넷에 넣어두겠습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 화학공학과 김상훈 108,000원
1291 2020-02-06 17시 18시 al2o3 40nm depo. 4inch 1ea (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 432,000원
1292 2020-02-07 9시 14시 나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업 (주)라디안큐바이오 바이오 R&D센터 정인혜 전문연구원 최정명 0원
1293 2020-02-11 10시 11시 전부 100도에서 SiO2 15nm 증착을 원합니다. 포항공과대학교 화학공학과 고명철 216,000원
1294 2020-02-11 11시 12시 2/11 오전 10시 TiN 5nm 증착의뢰드립니다. 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1295 2020-02-12 10시 11시 Al2O3 100 ℃에서 10 nm 증착 부탁드립니다. 샘플은 2 cm x 2 cm 크기로 9개입니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 박성민 96,000원
1296 2020-02-12 14시 24시 Al2O3 100nm, 110도 증착 (기존 황경욱 전문 의뢰건 동일) 삼성종합기술원 Nano Electronics Lab 김동호 1,200,000원
1297 2020-02-17 10시 12시 1. 공정 목적 : NINT sputter 로 증착한 TiN / Ti on Si wafer 위에 Al2O3 10nm 절연막 증착

2. 샘플 구조 : TiN 20nm/ Ti 200nm on Si wafer

3. 샘플 수량 : 2inch Si wafer 5매		 LG전자 센서솔루션연구소 홍정엽 120,000원
1298 2020-02-18 10시 11시 1. 2.5cmx2.5cm piece Sample

a. Sample정보 : GaN on Si 위에 Top Metal기준 Au 전극 Patterning
b. 수량 : 3ea
c. Al2O3 증착 두께 : 10nm

이번엔 저희가 Cleaning 후 Packing 해서 보내겠습니다. 증착후 Packing 해서 보내주시면 감사하겠습니다.		 엘지전자 센서솔루션연구소 최원희 158,000원
1299 2020-02-18 12시 14시 SiO2 공정온도 300도에서 증착 하려합니다.

2x2 cm^2 기판 3조각씩 2 회 증착하려 하고

SiO2 : 2~3 nm 1회 - 3 조각
SiO2 : 6~7 nm 1회 - 3 조각

각각 다른 조건으로 한번씩 증착하려고합니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 김광혙 216,000원
1300 2020-02-19 11시 15시 6-1-1 gate oxide deposition 550A 2ea 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,080,000원
1301 2020-02-20 10시 11시 100도 100nm 증착 요청
----------------
1000A 2ea 진행 50% 진행		 삼성종합기술원 Nano Electronics Lab 김동호 1,200,000원
1302 2020-02-20 14시 17시 TiN 20nm 경북대학교 전자공학부 DAI QUAN 240,000원
1303 2020-02-21 15시 15시 Heavily doped Si위에 TiN 박막을 쌓은 wafer 1장과 n+ heavily doped Si위에 undoped Poly si 박막을 쌓은 Wafer 1장 모두 HfO2 10nm(Around 8~10nm)를 증착하고자 합니다. (HfO2 쌓을 때 구분해서 보내주시면 감사합니다.)

증착온도는 220도에 맞게 쌓고자 합니다.
다만 Tc Wafer가 없어 실제 온도를 알지 못해 wafer chuck 온도를 250도로 설정하여 공정진행 부탁드립니다.
 한양대학교 신소재공학과 신윤철 240,000원
1304 2020-02-26 3시 8시 Al2O3 500 cycle 600A
HfO2 1000 cycle1300A
------------------------
50% 담당자 협의		 삼성전자 종합기술원 한주헌 1,140,000원
1305 2020-03-02 1시 14시 이정익 박사님께,

안녕하세요. 표준연에 홍성웅입니다.

대전에 위치한 NNFC에서 세정공정후 2nm thermal oxide 성장공정을 마친 8inch Si wafer를 7장을 전달해드릴테니

1> Thermal oxide위에 4.50nm , 4.00nm , 3.41nm, 2.32nm , 1.23nm & 0.90nm
의 Al2O3 를 ALD 증착해주세요 한장은 Al2O3 증착없이 다음 공정 진행해 주시
면 됩니다

2> 그런다음 대전광역시 유성구 가정로 267 한국표준과학연구원 신소재동 120호 홍성웅에게 택배로 배송해주시기 바랍니다.

혹시 궁금하신점이나 문제점이 있다면 언제든 010 4043 9173 으로 연락주세요.
 한국표준과학연구원 나노구조측정센터 홍성웅 360,000원
1306 2020-03-02 14시 16시 1. 샘플 구조 : TiN / SiO2 on Si wafer
2. 샘플 수량 : 6매
3. 공정 목적 : insulating 목적으로 Al2O3 film 증착
4. 공정 상세내용
-. 1~2번 샘플 : Al2O3 15nm 증착
-. 3~6번 샘플 : Al2O3 10nm 증착		 LG전자 센서솔루션연구소 홍정엽 360,000원
1307 2020-03-04 11시 12시 이전에 공정 맡겼던 것과 동일한 조건 증착 입니다.

2x2 cm^2 조각 패턴 3매이고

SiO2 300도 공정조건에서 4~5 nm 증착 부탁드립니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 김광혙 108,000원
1308 2020-03-04 13시 18시 6인치 Si 웨이퍼 3장입니다.

웨이퍼 앞면 flat zone 오른쪽 끝에 보면 각각 D16, D20, D21로 마크 되어있습니다.

D16의 경우는 Al2O3 0.5nm/HfO2 4nm/Al2O3 0.5nm/TiN 20nm,

D20, D21의 경우는 Al2O3 1nm/HfO2 4nm/TiN 20nm

ALD 증착 부탁드립니다.

공정 이전에 100:1 HF로 native oxide 제거 부탁드립니다.		 아주대학교 전자공학과 김상완 1,280,000원
1309 2020-03-05 10시 18시 HfO2: 5nm, 10nm, 20nm
A2O3: 5nm, 10nm, 20nm 부탁드립니다.
(6개 split) - (Split 별로 다른 페트리디쉬에 진공포장하여 의뢰드리겠습니다.)		 한국과학기술원 전기 및 전자공학과 김명수 960,000원
1310 2020-03-05 18시 19시 al2o3 10nm 100c 포항공과대학교 전자전기공학과 박성민 102,000원
1311 2020-03-10 1시 1시 Al2O3 100nm 증착 (100도),
PR patterning 진행 됨
------------------------
담당자 협의 50% 진행
4" 8ea 100nm 2회 진행		 삼성종합기술원 Nano Electronics Lab 김동호 1,200,000원
1312 2020-03-10 11시 12시 HfO2 3nm, 4nm Depo. 포스텍 대학원 신소재공학 김형우 108,000원
1313 2020-03-11 9시 11시 Al doped HfO2 증착하고자 합니다.

Al:HfO2 공정조건 : Dielectric Deposition [4:100 thickness(Å)], *Dielectric Thickness = ~11nm

Wafer통 안에 Highly doped p ++ - Si : 1장과 나머지 2장을 구분해서 보내주시면 감사드립니다.
 한양대학교 신소재공학과 신윤철 460,000원
1314 2020-03-12 10시 12시 HfO2 1nm, 1.5nm, 2nm 증착하고자 합니다. 포항공과대학교 신소재공학과 이승우 108,000원
1315 2020-03-12 9시 10시 al2o3 10nm 100c 포항공과대학교 전자전기공학과 박성민 102,000원
1316 2020-03-13 13시 15시 - 샘플 정보 : 2인치 실리콘 웨이퍼 (SiO2 mask 포함)
- 샘플 수량 : 2매
- 공정 내용 : Al2O3 10nm 증착		 LG전자 센서솔루션연구소 홍정엽 120,000원
1317 2020-03-13 15시 18시 Material: 20um Al foil 위에 Natural Graphite, Super P, PAA, CMC로 이루어진 약 20 um의 Porous 전극층이 도포된 상태 (총: 약 40um)

해당 필름 (Al+전극)을 Si wafer에 부착시켜서 의뢰함 (부착시, 사용한 테이프는 Kapton
tape)

Al2O3 1nm, 2nm, 5nm
TiN 1nm, 2nm, 5nm
총 6개 샘플입니다.
 포항공과대학교 첨단재료과학부 강지은 216,000원
1318 2020-03-17 10시 11시 Al2O3 20nm depo. 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 204,000원
1319 2020-03-17 12시 12시 6인치 SOI 1장, Si 웨이퍼 1장입니다.

SOI 웨이퍼(패턴 有)는 뒷면 flat zone 부분에 오른쪽 끝 4자리가 G150이고,

Si 웨이퍼는 앞면 flat zone 오른쪽 끝 3자리가 B02 입니다.

두 웨이퍼 모두 아래 순서대로 공정해 주시면 됩니다.

1. 100:1 HF에서 40sec cleaning (native oxide 제거)

2. Al2O3 6 cycle ALD 증착

3. Vacuum 유지하여 HfO2 32 cycle ALD 증착

4. TiN 30nm (대략 두께만 맞춰주시면 됩니다) ALD 증착

위의 순서대로 부탁드리겠습니다.

감사합니다.		 아주대학교 전자공학과 김상완 1,060,000원
1320 2020-03-19 21시 22시 1. highly boron-doped Si wafer 위에 SiO2 자연산화막 제거
2. p++ Si bare wafer 위에 HfOx 두께별 증착: 2 nm, 7 nm, 20 nm 각각 1장씩		 서울대학교 융합과학기술대학원 박준우 460,000원
1321 2020-03-19 9시 10시 둥근 패트리디쉬에 담긴 샘플은 15nm sio2 ALD,

네모난 곳에 있는 4개의 조각은 5nm sio2 ALD를 하고 싶습니다.

공정온도는 상관이 없습니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 324,000원
1322 2020-03-20 9시 10시 Al2O3 20 nm 증착부탁드립니다.
 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 204,000원
1323 2020-03-23 12시 18시 기본 셋팅 온도가 280도로 알고있어서 그대로 진행해주시면 될 거 같습니다.

1. Al:HfO2 ~ 10nm ( 20 Å : 1 Å : 20 Å : 1 Å : 20 Å : 1 Å : 20 Å : 1 Å : 20 Å) < 4 Al2O3 : 100 HfO2>
HfO2 20 Å 증착 후 Al2O3 1 Å 번갈아 가면서 증착하는 방식으로 부탁드리려고 합니다.
샘플은 대략 2.5cm x 2.5cm 조각 샘플 11개 (공정 상태 유, Au, W, IGZO, SiO2)

<<< 조각 샘플에 넘버링이 되어있어서 증착 후 동일한 칩트레이 넘버에 넣어주시면 감사하겠습니다 >>>

2. Al:HfO2 ~ 20nm ( 40 Å : 2 Å : 40 Å : 2 Å : 40 Å : 2 Å : 40 Å : 2 Å : 40 Å ) < 8 Al2O3 : 200 HfO2>
4 inch Si wafer 1장 증착 하려고 합니다.
 한양대학교 신소재공학과 구본철 360,000원
1324 2020-03-23 18시 19시 TiN 50A dpeo. 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 102,000원
1325 2020-03-24 1시 20시 - 8인치 bare Si wafer 1매 --> HfO2 (700A)
- 8인치 bare Si wafer 1매 --> Al2O3 (700A)
- 조각 시편 3개 --> Al2O3 (700A)
--------------------------------------
담당자 협의 50%		 삼성종합기술원 Nano Electronics Lab 김동호 1,260,000원
1326 2020-03-25 9시 12시 Ga2O3 조각샘플 (1cm * 1cm, 4조각)과 Si 조각샘플 (공정모니터용 2조각)에 Al2O3 200A 두께로 ALD 증착을 하고자 합니다. 한국전자통신연구원 RF전력부품연구그룹 조규준 240,000원
1327 2020-03-27 15시 16시 Al2O3 cycle split 1,3,5,10,20,100,200,500
---------------------------------------
thick. meas. 15,18,21,27,42,128,
담당자 50% 협의		 삼성전자 종합기술원 한주헌 840,000원
1328 2020-03-27 17시 18시 Al2O3 10매 증착 (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 1,200,000원
1329 2020-03-30 11시 14시 HfO2 0.5nm, 1nm Pt wafer에 증착하려합니다.

PEALD-based HfO2(0.5nm)-->NINT/H2O-based HfO2(2nm(2개), 2.5nm(2개))-->저희 연구실/Pt
PEALD-based HfO2(1nm)-->NINT/H2O-based HfO2(1nm(2개), 1.5nm(2개))-->저희 연구실/Pt
PEALD-based HfO2(0.5nm(4개), 1nm(4개))-->NINT/Pt wafer

다음과 같이 진행하려합니다.

요약하면,

총 2번 즉, 0.5nm 1번에 8장을 증착하고 1nm 1번에 8장 증착해서 총 2번 증착하려합니다.

샘플은 잘 구분되도록 써놓겠습니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 이승우 108,000원
1330 2020-03-31 10시 11시 2x2 cm^2 조각패턴 4개

SiO2 4~5 nm, 300도에서 박막 증착 부탁드립니다.

이전에 맡겼던 것과 동일합니다. 		포항공과대학교 신소재공학과 김광혙 108,000원
1331 2020-03-31 9시 10시 al2o3 10nm 100c 포항공과대학교 전자전기공학과 박성민 102,000원
1332 2020-04-01 13시 18시 안녕하세요
제가 의뢰하는 실리콘 기판은
660um 두께이고 표면에 300nm가 산화되어 SiO2로 존재하는 기판입니다.
ALD공정을 통해 Al2O3 10nm를 각각 5장의 기판 표면 위에 올리고 싶습니다.		 포항공과대학교 화학공학과 이철훈 540,000원
1333 2020-04-03 10시 22시 280도 상태에서 진행해주시면 될 거 같습니다.
1. Al:HfO2 ~ 10nm ( 20 Å : 1 Å : 20 Å : 1 Å : 20 Å : 1 Å : 20 Å : 1 Å : 20 Å) < 4 Al2O3 : 100 HfO2>
HfO2 20 Å 증착 후 Al2O3 1 Å 번갈아 가면서 증착하는 방식으로 부탁드리려고 합니다.
샘플은 대략 2.5cm x 2.5cm 조각 샘플 6개 (공정 상태 유, W, IGZO, SiO2)

<<< 조각 샘플에 넘버링이 되어있어서 증착 후 동일한 칩트레이 넘버에 넣어주시면 감사하겠습니다 >>>

 한양대학교 신소재공학과 구본철 120,000원
1334 2020-04-06 10시 15시 Glass 에 IGZO & Ti 가 patterning 되어 증착되어 있습니다.
표시된 시편 6개에 각각 ALD Al2O3 50nm (공정온도 300도) 증착 요청 드립니다.
시편은 금일 우체국 택배로 배송할 예정입니다. 		고려대학교 신소재공학부 윤광로 600,000원
1335 2020-04-07 1시 1시 Al2O3 100nm/120도 증착 진행 요청드립니다.
------------------------------
100nm 2회 진행, 50% 담당자 협의		 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 1,200,000원
1336 2020-04-10 10시 12시 안녕하세요
SiO2 15nm를 ALD 하고싶습니다.
큰 조각으로 3개 샘플을 넣어두었습니다!
순서 상관없이 증착해주셔도 상관없습니다!

공정 온도는 100도씨에서 진행 부탁드리겠습니다!

감사합니다.
고명철 올림.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 216,000원
1337 2020-04-10 20시 21시 1. highly-boron doped p++ Si silicon 위에 자연산화막 sio2 제거
2. 자연산화막 제거 후 HfOx 3, 6, 9, 12 nm 각각 1장씩 총 4장 증착
 서울대학교 융합과학기술대학원 박준우 580,000원
1338 2020-04-14 13시 14시 HfO2 2nm depo 충남대학교 전자공학과 송형섭 120,000원
1339 2020-04-14 13시 13시 HfO2 12~13nm를 증착하고자 합니다.

증착온도는 220도에 맞춰 진행할려고 합니다.
실제 온도를 알지 못해, Wafer chuck 온도를 250도로 설정하여 공정진행 부탁드립니다.

감사합니다!!		 한양대학교 신소재공학과 신윤철 120,000원
1340 2020-04-14 14시 16시 안녕하세요 이정익 선생님.

표면은 300 nm로 SiO2로 산화 된 6인치 실리콘 웨이퍼 19장을
ALD로 Al2O3 10 nm씩 깔고 싶습니다.

시간은 임의로 19시간을 잡아놨습니다.
일정 관련해서는 편하실때 연락주시면 될 것 같습니다.

그외 기판 절단관련 장비를 사용하고 싶은데 메일로 연락드리겠습니다.

감사합니다.

이철훈 드림 (010 3815 3417)		 포항공과대학교 화학공학과 이철훈 2,052,000원
1341 2020-04-16 13시 17시 HfO2 film 0.5nm, 1nm, 10nm 증착하려 합니다
---------------------------
10nm 1회 진행		 포항공과대학교 신소재공학과 이승우 108,000원
1342 2020-04-17 10시 12시 p-type Si wafer (100) 위 SiON/SiO2가 올라가있는 샘플입니다. Al2O3 10 nm를 100 ℃에서 ALD로 증착 부탁드립니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 박성민 102,000원
1343 2020-04-21 15시 17시 Al2O3 500cycle 삼성전자 종합기술원 한주헌 480,000원
1344 2020-04-22 10시 11시 HfO2 13nm 증착하고자 합니다.
공정온도 : 240도 부탁드립니다. (= 웨이퍼 척 온도 240도)		 한양대학교 신소재공학과 신윤철 120,000원
1345 2020-04-22 15시 22시 6인치 SOI 1장, Si 웨이퍼 1장입니다. (SOI는 SiO2 증착되어 있고 Si는 벌크 웨이퍼입니다.)

SOI 웨이퍼(패턴 有)는 뒷면 flat zone 부분에 오른쪽 끝 4자리가 G030이고,

Si 웨이퍼는 앞면 flat zone 오른쪽 끝 3자리가 B04 입니다.

두 웨이퍼 모두 아래 순서대로 공정해 주시면 됩니다.

1. 100:1 HF에서 40sec cleaning (native oxide 제거)

2. Al2O3 9 cycle ALD 증착

3. Vacuum 유지하여 HfO2 28 cycle ALD 증착

4. TiN 30nm (대략 두께만 맞춰주시면 됩니다) ALD 증착

위의 순서대로 부탁드리겠습니다.

감사합니다.		 아주대학교 전자공학과 김상완 1,060,000원
1346 2020-04-23 12시 14시 Al2O3 100nm 증착 (120도 조건)
-------------------
100C 100nm 담당자 50% 협의		 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 600,000원
1347 2020-04-23 16시 17시 기판정보 : Pt/Ti metal film이 올라간 wet grown SiO2 기판이용함.

요청사항 : 150 ℃ 온도에서의 Al2O3 10 nm 성장
고려대학교 신소재공학부 윤광로 120,000원
1348 2020-04-27 10시 12시 HfO2 1nm, 0.5nm 부탁드립니다. 포항공과대학교 신소재공학과 이승우 108,000원
1349 2020-04-27 11시 12시 HfO2 2nm Depo 충남대학교 전자공학과 송형섭 120,000원
1350 2020-04-27 8시 10시 Double side polishing wafer 1장에 HfO2 20nm 증착
23일 택배 발송예정인데 택배 받으시는대로 진행해주시면 좋을 것 같습니다.		 한국과학기술원 전기 및 전자 공학부 하헌학 240,000원
1351 2020-04-28 11시 12시 SiO2 4~5 nm 두께 증착 하려고 합니다.

이전과 동일하게 온도는 300도씨에서 증착하려 합니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 김광혙 108,000원
1352 2020-04-28 13시 15시 4인치 Highly doped Si, TiN 30nm Wafer 각각 1장씩 들어있습니다.

스테이지 온도 : 280도 HfO2 12nm 증착 부탁드립니다.

감사합니다!
------------------------
11nm 2매 진행		 한양대학교 신소재공학과 신윤철 240,000원
1353 2020-04-28 7시 10시 stage temp. 280C
박막 두께: 약 20 nm
Wafer1: HfO2 160 cycle
Wafer2: Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행 ]을 1-supercycle로 칭하고 총 40 supercycle
Wafer3: HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 3 cycle 후행]을 1-supercycle로 칭하고 총 75 supercycle
Wafer4: Al rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 1 cycle 후행]을 1 supercycle로 칭하고 총 120 supercycle
Wafer5: Al2O3 160 cycle
ALD 진행 후, 각 시료 RTP 공정 요청 (N2 분위기, 900C, 15초 유지; 승온 구간 30초, 급속 냉각) 		삼성종합기술원 Material 센터 최태진 1,786,000원
1354 2020-04-29 9시 11시 280도 상태에서 진행해주시면 될 거 같습니다.

1. Al:HfO2 ~ 10nm ( 20 Å : 1 Å : 20 Å : 1 Å : 20 Å : 1 Å : 20 Å : 1 Å : 20 Å) < 4 Al2O3 : 100 HfO2>
HfO2 20 Å 증착 후 Al2O3 1 Å 번갈아 가면서 증착하는 방식으로 부탁드리려고 합니다.

2. Al:HfO2 ~ 10nm ( 35 Å : 1 Å : 35 Å : 1 Å : 30Å ) < 2 Al2O3 : 100 HfO2>
HfO2 35 Å 증착 후 Al2O3 1 Å 번갈아 가면서 증착하는 방식으로 부탁드리려고 합니다.





 한양대학교 신소재공학과 구본철 240,000원
1355 2020-05-01 14시 15시 안녕하세요.
포항공과대학교 화학공학과 김진곤 교수님 연구실 김상훈입니다.

기판은 Si wafer 위 PMMA Photoresist pattern이며, 공정온도 100℃에서 Al2O3를 10 nm 증착을 하고자 합니다. (4인치 Si wafer의 1개입니다.) 샘플은 예약 날짜전에 공전 (전) 캐비넷에 넣어두겠습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 화학공학과 김상훈 0원
1356 2020-05-04 11시 13시 마킹 R215는 SiO2 ALD (1nm) > HfO2 ALD (5nm) > TiN ALD (20nm)
마킹 C062는 Al2O3 ALD (1nm) > HfO2 ALD (5nm) > TiN ALD (20nm)
DHF cleaning 1회 진행		 서울대학교 전기정보공학부 이륭빈 820,000원
1357 2020-05-08 8시 9시 Al2O3 500cycle 삼성전자 종합기술원 한주헌 480,000원
1358 2020-05-08 9시 12시 HfO2 20nm 280도 공정에서 부탁드립니다.

샘플 정보는 Si(220nm)/Ti(3nm)/Au(150nm)/Ti(10nm)/P-Si(sub) 입니다.

골드 상부에 si 220nm가 있어 passivation된 상태입니다.		 한국과학기술원 전기 및 전자 공학부 하헌학 240,000원
1359 2020-05-11 11시 16시 Al2O3 30nm 4ea
Al2O3 500cycle 1ea		 삼성전자 종합기술원 한주헌 1,632,000원
1360 2020-05-11 8시 9시 Al2O3 depo. 10nm (100C) 포항공과대학교 전자전기공학과 박성민 102,000원
1361 2020-05-11 9시 11시 Pt 기판 --> 0.5nm, 1nm
SiO2 --> 0.5nm
Si --> 15nm

HfO2 증착		 포항공과대학교 신소재공학과 이승우 216,000원
1362 2020-05-13 17시 18시 one step alon 100cycle
laminated alon 50cycle		 나노융합기술원 프라운호퍼 실용화연구센터 김상조 216,000원
1363 2020-05-13 9시 12시 Al2O3 10nm 증착 한국과학기술연구원 탄소융합소재연구센터 문숙영 600,000원
1364 2020-05-14 14시 15시 Al2O3 500cycle 1ea 삼성전자 종합기술원 한주헌 480,000원
1365 2020-05-14 15시 17시 HfO2 40nm
TiN 20nm		 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 720,000원
1366 2020-05-15 1시 3시 방문 시 안내드릴 예정입니다.
TiN 25nm		 경북대학교 전자공학부 DAI QUAN 360,000원
1367 2020-05-15 9시 12시 HfO2 1nm, 0.5nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승우 108,000원
1368 2020-05-18 10시 12시 Si/AlN 조각 샘플 2개 위에 HfO2 20nm 280C에서 증착 부탁드립니다. 한국과학기술원 전기 및 전자 공학부 하헌학 240,000원
1369 2020-05-18 11시 12시 Al2O3 500cycle 1ea 삼성전자 종합기술원 한주헌 480,000원
1370 2020-05-19 1시 2시 O2 plasma HfO2

1.5, 2, 2.5nm 3가지 조건으로 증착하고 싶습니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 오승열 216,000원
1371 2020-05-21 11시 12시 Al2O3 500cycle 1ea 삼성전자 종합기술원 한주헌 480,000원
1372 2020-05-21 9시 12시 AiN 100 cycle
Al2O3 100 cycle
AlON (separated NH3 and O2) 100 cycle 2ea		 나노융합기술원 프라운호퍼 실용화연구센터 김상조 432,000원
1373 2020-05-22 10시 12시 TiN = 20 nm 경북대학교 전자공학부 백지민 240,000원
1374 2020-05-25 14시 20시 Al2O3 100nm depo.
HfO2 100nm depo.		 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 2,160,000원
1375 2020-05-28 15시 15시 6인치 웨이퍼 2장, Process Temperature 280도, HfO2 10nm 증착 부탁드립니다.
4인치 웨이퍼 1장, Process Temperature 250도, HfO2 13nm 증착 부탁드립니다.

 한양대학교 신소재공학과 신윤철 360,000원
1376 2020-06-01 10시 11시 0-2-2 0 initial oxide hfo2 충남대학교 전자공학과 송형섭 240,000원
1377 2020-06-02 10시 12시 HfO2 0.5nm, 1nm 증착부탁드립니다. 포항공과대학교 신소재공학과 이승우 108,000원
1378 2020-06-04 1시 12시 Al2O3 100nm 증착 (100도) 6ea
------------------------------
담당자 협의 50% 		삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 3,600,000원
1379 2020-06-04 13시 14시 SiO2/Pt 기판 (2x2 cm^2 조각) 과 ZrOx 증착 되어있는 기판 (1x1 cm^2 조각)
두 종류 이용하려고 합니다.

SiO2 4 nm / 300도씨 증착 부탁 드립니다.
 포항공과대학교 신소재공학과 김광혙 108,000원
1380 2020-06-05 17시 17시 Al2O3 10nm, 30nm
HfO2 10nm, 30nm		 한국생산기술연구원 공정플랫폼연구부문 송신애 960,000원
1381 2020-06-09 10시 13시 Al2O3 500cycle 1ea 삼성전자 종합기술원 한주헌 480,000원
1382 2020-06-10 16시 17시 Al2O3 500cycle 1ea 삼성전자 종합기술원 한주헌 480,000원
1383 2020-06-12 13시 16시 TiN : 20NM
tin 5nm		 경북대학교 전자공학부 백지민 360,000원
1384 2020-06-12 16시 17시 10nm Al2O3 증착 + Fe 1nm 이화여자대학교 화학신소재공학전공 안효정 260,000원
1385 2020-06-15 16시 19시 laminated alon (al2o3 +aln stacks) 3회 나노융합기술원 프라운호퍼 실용화연구센터 김상조 324,000원
1386 2020-06-15 9시 15시 Al2O3 100nm depo.
HfO2 100nm depo.		 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 2,160,000원
1387 2020-06-16 10시 11시 hfo2 2nm depo. 충남대학교 전자공학과 송형섭 120,000원
1388 2020-06-16 13시 14시 Al2O3 depo (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 1,200,000원
1389 2020-06-16 15시 16시 0-2-2 0 initial oxide hfo2 충남대학교 전자공학과 송형섭 120,000원
1390 2020-06-17 13시 15시 SiN membrane with silicon frame
alo3 20nm		 한국과학기술원 전기및전자공학부 김신호 240,000원
1391 2020-06-18 20시 21시 Al2O3 500cycle 1ea 삼성전자 종합기술원 한주헌 480,000원
1392 2020-06-19 10시 11시 조각 시편 HfO2 2nm 증착 충남대학교 전자공학과 송형섭 120,000원
1393 2020-06-22 10시 14시 Al2O3 500cycle 1ea 삼성전자 종합기술원 한주헌 480,000원
1394 2020-06-22 15시 17시 TiN = 20 nm by ALD
최찬호 연구원님 앞으로 택배를 보냈습니다. (6월 22일 도착 예정)
큰 piece에만 TiN 증착 요청 드리며, 증착 후 대구 북구 대학로 80, 경북대학교 IT-3호관 407A호 (우:41566), 백지민 (010-6451-3232) 앞으로 배송 부탁드립니다.		 경북대학교 전자공학부 백지민 240,000원
1395 2020-06-23 10시 17시 SiC MOSFET 공정용 Oxide 증착 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,020,000원
1396 2020-06-24 11시 12시 Ag-doped ZnO 가 증착되어있는 기판입니다.

SiO2 4 nm 두께로 증착 부탁드립니다.

이전에 동일 두께 300도씨에서 증착하였습니다.

감사합니다.

 포항공과대학교 신소재공학과 김광혙 108,000원
1397 2020-06-24 11시 14시 6inch wafer 위에 20nm TiN Dep. 진행하고 싶습니다.
25일 18시 전에 service 해주실 수 있으면 좋고, 어렵다고 하시면 라인 입실이 가능하기 때문에 직접 증착할 수도 있습니다. 내일 오전에 전화드리도록 하겠습니다.
포스텍 대학원 신소재공학 김형우 216,000원
1398 2020-06-24 12시 13시 Al2O3 300A 1ea 삼성전자 종합기술원 한주헌 288,000원
1399 2020-06-26 17시 18시 SiO2 4 nm 증착 300 도씨에서 부탁드립니다.

어제와 동일한 조건으로 다시 한번 증착하려고 합니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 김광혙 108,000원
1400 2020-06-30 11시 12시 laminated alon (al2o3 +aln stacks) 200a 3회 나노융합기술원 프라운호퍼 실용화연구센터 김상조 648,000원
1401 2020-06-30 14시 16시 AlOx1.5 nm/Graphene/Au pattern/SiO2/Si로 된 샘플입니다.

Au pattern은 열에 의해서 어느정도 변형되어도 크게 상관없습니다.

Al2O3를 20 nm 증착요청드립니다.		 한국과학기술원 전기및전자공학부 김신호 240,000원
1402 2020-06-30 18시 19시 hfo2 2nm 1.5nm 충남대학교 전자공학과 송형섭 120,000원
1403 2020-07-01 15시 16시 hfo2 1nm depo 충남대학교 전자공학과 송형섭 120,000원
1404 2020-07-01 9시 10시 기판정보 : Glass기판 위에 Pt/Ti (50nm/100nm) 패터닝되어있음

요청사항 : Al2O3 10nm 두께 (100Å)를 150℃ 온도조건으로 증착 요청드림

6/29 월요일에 택배로 배송 예정		 고려대학교 신소재공학부 윤광로 120,000원
1405 2020-07-02 10시 11시 HfO2 7nm 한국생산기술연구원 공정플랫폼연구부문 송신애 120,000원
1406 2020-07-03 16시 19시 Al2O3 500cycle 1ea 삼성전자 종합기술원 한주헌 480,000원
1407 2020-07-06 13시 15시 HfO2를 2nm,3nm,4nm,5nm 각각 12개 조각 웨이퍼에 증착해주세요 충남대학교 전자공학과 송기우 480,000원
1408 2020-07-07 1시 24시 Al2O3 100nm 증착 요청 (100도) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 3,600,000원
1409 2020-07-08 11시 12시 300 도씨 SiO2 4 nm 증착 부탁드립니다. 포항공과대학교 신소재공학과 김광혙 108,000원
1410 2020-07-09 16시 17시 (Ga2O3, Si 조각 4매)

Al2O3 200A(300 ºC) 증착 요청

7/8(수) 택배발송 예정
담당자연락처: 조규준 (010-5271-0296)		 한국전자통신연구원 RF/전력부품연구실 장유진 480,000원
1411 2020-07-10 12시 16시 SiO2/Si 위에 Ti pad가 있고 위에 그래핀이 덮혀 있는 상태입니다.
총 8개의 샘플 조각 중 4개는 low temperature ALD 20 nm, 4개는 high temperature ALD 20 nm로 증착 요청드립니다. 		한국과학기술원 전기및전자공학부 김신호 480,000원
1412 2020-07-11 9시 10시 Al2O3 500cycle 1ea 삼성전자 종합기술원 한주헌 480,000원
1413 2020-07-13 16시 18시 TiN = 10 nm 증착. 샘플은 택배로 전달드릴 예정입니다. (이정익 연구원님 앞)
TiN 증착 후 아래 주소로 택배 보내주세요.
백지민 (010-6451-3232)
대구 북구 대학로 80 경북대학교 IT-3호관 407A호 (우: 41566)		 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1414 2020-07-14 14시 15시 Al2O3 500cycle 1ea 삼성전자 종합기술원 한주헌 480,000원
1415 2020-07-21 15시 17시 laminated alon (al2o3 +aln stacks) 200a 3회 나노융합기술원 프라운호퍼 실용화연구센터 김상조 648,000원
1416 2020-07-22 14시 15시 TiN 10 nm 증착 요청드립니다. 포항공과대학교 신소재 김민규 108,000원
1417 2020-07-23 13시 17시 6인치 wafer
증착 물질 : HfO2 (10nm)
증착 온도 : 280도
웨이퍼 장수 : 2장
* 기존증착조건과 변동 없음

4인치 wafer
증착 물질 : HfO2 (13nm)
증착 온도 : 250도
웨이퍼 장수 : 1장
* purge time을 기존 3초에서 5초로 변경 부탁드립니다.		 한양대학교 신소재공학 이도희 360,000원
1418 2020-07-24 10시 12시 Al2O3 500cycle 1ea 삼성전자 종합기술원 한주헌 480,000원
1419 2020-07-27 9시 11시 Al2O3 500cycle 1ea 삼성전자 종합기술원 한주헌 480,000원
1420 2020-07-28 21시 22시 TiN 10 nm 포항공과대학교 신소재 김민규 108,000원
1421 2020-07-28 6시 7시 Al2O3 500cycle 1ea 삼성전자 종합기술원 한주헌 480,000원
1422 2020-07-28 8시 8시 glass위에 Au/Ti 30/1 nm 패터닝 되어있음
150C al203 10nm		 고려대학교 신소재공학부 윤광로 120,000원
1423 2020-07-28 9시 21시 Al2O3 60A올라가 있는 상태입니다.
ALD TiN 100A 타겟으로 6장 부탁드립니다.
2018p_H_24 웨이퍼는 모니터 웨이퍼 입니다.

서울대학교 전기정보공학부 박민규 720,000원
1424 2020-07-30 14시 15시 TiN 100 nm 증착 요청입니다.
-------------
10nm 수정 진행		 포항공과대학교 신소재 김민규 108,000원
1425 2020-07-31 16시 17시 나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업
전자과 최원영 (010 5436 2518)

SiO2 300 A 증착		 (주)아이제스트 연구개발팀 김성지 360,000원
1426 2020-08-03 15시 16시 신소재_이동욱 Metal Lift Off module test HfO2 20A depo 3ea 충남대학교 전자공학과 송형섭 360,000원
1427 2020-08-04 15시 18시 프로세스 온도 265도, HfO2 13nm 증착 부탁드립니다. 한양대학교 신소재공학과 신윤철 120,000원
1428 2020-08-04 9시 12시 SiC Gate Oxide 평가 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,020,000원
1429 2020-08-05 11시 12시 SiO2 4~ 5 nm 두께 증착하려 합니다.

공정 온도는 300도씨에서 부탁드립니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 김광혙 108,000원
1430 2020-08-05 16시 17시 Al2O3 500cycle 2ea (조각, 3인치) 삼성전자 종합기술원 한주헌 960,000원
1431 2020-08-08 1시 1시 Al2O3 25nm/50nm/100nm 각 2매씩 진행
----------------------------
100C 진행		 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 2,496,000원
1432 2020-08-11 7시 8시 HfO2 0.5nm 1nm / 2nm 진행 포항공과대학교 신소재공학과 이승우 216,000원
1433 2020-08-14 1시 1시 25nm/50nm/100nm 각 2매씩 (100도 증착, 기존 조건과 동일합니다) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 2,496,000원
1434 2020-08-14 14시 19시 ALD 증착 의뢰를 부탁드릴려고 합니다.

1. Al:HfO2 ~ 10 nm ( 20 Å : 1 Å : 20 Å : 1 Å : 20 Å : 1 Å : 20 Å : 1 Å : 20 Å) < 4 Al2O3 : 100 HfO2>
HfO2 20 Å 증착 후 Al2O3 1 Å 번갈아 가면서 증착하는 방식으로 부탁드리려고 합니다.
4inch wafer 2장

2. Al:HfO2 ~ 10 nm ( 30 Å : 1 Å : 30 Å : 1 Å : 40 ) < 2 Al2O3 : 100 HfO2>
4inch wafer 2장

공정 부탁드리겠습니다.		 한양대학교 신소재공학과 구본철 360,000원
1435 2020-08-16 16시 18시 Al2O3 500cycle 1ea 삼성전자 종합기술원 한주헌 480,000원
1436 2020-08-17 12시 13시 1. Al:HfO2 ~ 10nm ( 20 Å : 1 Å : 20 Å : 1 Å : 20 Å : 1 Å : 20 Å : 1 Å : 20 Å) < 4 Al2O3 : 100 HfO2>
HfO2 20 Å 증착 후 Al2O3 1 Å 번갈아 가면서 증착하는 방식으로 부탁드리려고 합니다.
wafer 2장
wafer 1장은 p-Si , 다른 한장은 TiN이 증착되어있습니다.

2. Al:HfO2 ~ 10nm ( 35 Å : 1 Å : 35 Å : 1 Å : 30Å ) < 2 Al2O3 : 100 HfO2>
HfO2 35 Å 증착 후 Al2O3 1 Å 번갈아 가면서 증착하는 방식으로 부탁드리려고 합니다.
wafer 2장
wafer 1장은 p-Si , 다른 한장은 TiN이 증착되어있습니다.		 한양대학교 신소재공학과 구본철 480,000원
1437 2020-08-18 15시 18시 TiN = 5 nm 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1438 2020-08-19 16시 17시 Al2O3 500cycle 삼성전자 종합기술원 한주헌 480,000원
1439 2020-08-21 17시 20시 1.substrate - Pt sub , Si sub
2. 공정 온도 - 280, 330
3. 두께 - 각각 온도에서 10nm, 30nm
총 4번 공정		 한양대학교 신소재공학과 이태성 960,000원
1440 2020-08-24 9시 18시 (Ga2O3 3매, , Si 1매)

Al2O3 200A(300 ºC) 증착 요청

8/21(금) 택배발송 예정
담당자연락처: 조규준 (010-5271-0296)		 한국전자통신연구원 RF/전력부품연구실 장유진 240,000원
1441 2020-08-25 11시 13시 Al2O3 500cycle 삼성전자 종합기술원 한주헌 480,000원
1442 2020-08-25 9시 10시 al2o3 1cm*1cm 기판 2개가 있습니다.
하나는 5nm, 나머지는 15nm 의 sio2를 ald 하고 싶습니다

감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 324,000원
1443 2020-08-26 14시 19시 Al2O3 500cycle 1ea 삼성전자 종합기술원 한주헌 480,000원
1444 2020-08-26 14시 15시 조각 sample HfO2 2nm depo 충남대학교 전자공학과 송형섭 120,000원
1445 2020-08-27 16시 18시 Si/SiO2 wafer에 20nm TiN 증착하고 싶습니다.
제가 직접 입실하여 증착 예정입니다. 		포스텍 대학원 신소재공학 김형우 216,000원
1446 2020-08-31 13시 14시 hfo2 40nm depo. 포항공과대학교 화공학과 류기성 432,000원
1447 2020-09-07 15시 18시 4차 산업 연계형 나노기술인력양성
확산 교육		 나노융합기술원 교육홍보팀 이상민 600,000원
1448 2020-09-12 19시 19시 Al2O3 500cycle 2ea
Al2O3 30nm depo. 6ea		 삼성전자 종합기술원 한주헌 2,520,000원
1449 2020-09-14 15시 16시 HfO2 20A Depo 충남대학교 전자공학과 송형섭 120,000원
1450 2020-09-14 17시 19시 4-1-1 gate insulator al2o3 depo. 300A
4-1-2 gate insulator al2o3/SiO2 depo. 100A/800A
4-1-3 gate insulator SiO2/SiN depo. 400A/800A
 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 630,000원
1451 2020-09-15 1시 1시 PR pattern 위에 Al2O3 100nm/30nm 각 6매 증착 (100도) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 2,160,000원
1452 2020-09-16 1시 3시 Al2O3 500cycle 삼성전자 종합기술원 한주헌 450,000원
1453 2020-09-16 10시 11시 300 도 에서 SiO2 layer 4 nm 증착 부탁드립니다. 포항공과대학교 신소재공학과 김광혙 108,000원
1454 2020-09-16 14시 18시 SiC MOSFET Gate Oxide test 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,632,000원
1455 2020-09-17 18시 21시 Al2O3 500cycle 삼성전자 종합기술원 한주헌 450,000원
1456 2020-09-18 15시 16시 교육 요청 및 HfO2 10nm 공정 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 108,000원
1457 2020-09-18 16시 17시 HfO2 0.5nm 1nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승우 108,000원
1458 2020-09-18 18시 12시 O2 plasma split Al2O3 depo. 500cycle 총 4회 진행(1회=6회 청구)
Al2O3 depo. 500cycle 2회 진행(1회=5회청구)		 삼성전자 종합기술원 한주헌 3,060,000원
1459 2020-09-22 13시 15시 Al2O3 200A (300C) 증착요청

(웨이퍼 상태: 갈륨옥사이드 웨이퍼에 메탈증착이 되어있는상태)		 한국전자통신연구원 RF/전력부품연구실 장유진 120,000원
1460 2020-09-22 15시 16시 SiO2 4 nm 증착 부탁드립니다. 공정온도 300 도 포항공과대학교 신소재공학과 김광혙 108,000원
1461 2020-09-23 10시 13시 1. 샘플 정보
- 4 inch Silicon Wafer, 525um
- 300nm (Dry Oxidation) SiO2 Pattern on Silicon

2.의뢰 공정
- 전처리 : SPM (H2SO4 + H2O2)
Wafer에 SiO2 Pattern이 형성되어 있으므로 HF 처리 금지
- 5nm Al2O3 Atomic Layer Deposition		 LG전자 CTO 부문 센서(연)선행센서기반기술TP 박형조 390,000원
1462 2020-09-23 13시 16시 Al2O3 depo. 500cycle 3회 진행(1회=5회청구) 삼성전자 종합기술원 한주헌 1,350,000원
1463 2020-09-24 9시 10시 300 도 온도에서 SiO2 4 nm 증착 공정 부탁드립니다.

 포항공과대학교 신소재공학과 김광혙 108,000원
1464 2020-09-25 15시 17시 HfO2 film 2nm, 10nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승우 216,000원
1465 2020-09-25 21시 24시 Al2O3 300cycle = 3회 청구
AiN 300cycle = 3회 청구
laminated alon (al2o3 +aln stacks) 250cycle 3회 진행 = 9회 청구		 나노융합기술원 프라운호퍼 실용화연구센터 김상조 1,620,000원
1466 2020-09-28 14시 15시 샘플 5개 모두 10nm Al2O3를 한번에 런하여 쌓아주세요.(같은 조건, 한번에 로딩)
기판정보는
-Al on Si
-Au on Si
-Cr on Si
-Ni on Si
-Si
이렇게 5개 입니다.
 아주대학교 전자공학과 박영서 120,000원
1467 2020-09-29 10시 11시 Al2O3 depo. 500cycle 삼성전자 종합기술원 한주헌 450,000원
1468 2020-10-05 13시 15시 5일(월요일)에 Pre-cleaning 후 바로 Al2O3 10nm 증착 부탁드립니다.
----------------
SPM+DHF Cleaning		 한국과학기술원 전기및전자공학부 임형락 490,000원
1469 2020-10-07 13시 15시 기판 : Glass기판 위에 Pt patterning되어있음

요청사항 : 150도 조건 Al2O3 10 nm (100A) deposition		 고려대학교 신소재공학부 윤광로 120,000원
1470 2020-10-07 8시 9시 TiN 10nm depo. 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1471 2020-10-07 9시 13시 HfO2 20nm 증착
Al2O3 20nm 증착
각 증착에서 할 샘플은 표시해놓겠습니다.
-------------
100C 진행		 포항공과대학교 신소재공학과 문석호 432,000원
1472 2020-10-08 16시 17시 SiO2 60nm depo. 나노융합기술원 프라운호퍼 실용화연구센터 김상조 648,000원
1473 2020-10-13 10시 11시 HfO2 10nm 경북대학교 전자공학부 DAI QUAN 120,000원
1474 2020-10-13 14시 16시 안녕하세요 선생님
nanoporous 한 Al2O3에 TiN 약 7 nm를 ALD 하고 싶습니다!
샘플은 보관함에 두었습니다.
감사드립니다!		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1475 2020-10-14 10시 12시 TiN = 5 nm 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1476 2020-10-15 18시 20시 Al2O3 depo. 500cycle 2ea 삼성전자 종합기술원 한주헌 900,000원
1477 2020-10-16 1시 1시 Al2O3 50nm/100nm 각 7매 진행 요청드립니다. (저온공정) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 6,300,000원
1478 2020-10-23 16시 18시 PEALD --> Al2O3 1nm, 2nm SiO2 1nm, 2nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승우 216,000원
1479 2020-10-23 18시 21시 Al2O3 100nm depo. 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 1,020,000원
1480 2020-10-23 18시 21시 SiO2 55nm depo.
Al2O3 55nm depo.		 나노융합기술원 프라운호퍼 실용화연구센터 김상조 1,080,000원
1481 2020-10-28 15시 16시 ALD HfO2 2nm, 2.5nm, 3nm Depo. 충남대학교 전자공학과 송형섭 360,000원
1482 2020-11-02 17시 20시 Al2O3 depo. 500cycle 삼성전자 종합기술원 한주헌 450,000원
1483 2020-11-03 14시 18시 4-1-1 gate insulator al2o3 depo. 30nm 2ea 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1484 2020-11-06 10시 11시 Al2O3의 나노패턴이 돼있는 구조입니다.

TiN을 ALD로 20 nm 증착해주시면 됩니다!

감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1485 2020-11-09 14시 16시 TiN 20nm 증착을 1회 진행하려 합니다.
라인 입실이 가능하여 직업 들어가서 증착하려 합니다. 		포스텍 대학원 신소재공학 김형우 216,000원
1486 2020-11-09 9시 11시 HfO2 0.5nm 1nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승우 108,000원
1487 2020-11-10 10시 11시 HfO2 30A 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 108,000원
1488 2020-11-10 9시 11시 TiN 50nm 2ea (주)에스엔아이 사업총괄 이강열 600,000원
1489 2020-11-11 14시 15시 [나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업], 전자과 박성민 (010-2094-9607)
SiO2 3 nm / Si 위 Al2O3 10 nm ALD로 300도에서 증착 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 120,000원
1490 2020-11-12 10시 11시 0-2-3 HfO2 20A 충남대학교 전자공학과 송형섭 120,000원
1491 2020-11-12 15시 17시 4-1-1 Al2O3 300A Depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 180,000원
1492 2020-11-13 15시 16시 안녕하세요. 신소재공학과 허성재 입니다.
시편 보관함에 샘플은 두었습니다.
조각 시편 4개 HfO2 2nm 증착 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 허성재 108,000원
1493 2020-11-13 16시 17시 [나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업], 전자과 박성민 (010-2094-9607)
3 nm SiO2/Si 위 Al2O3 10 nm 300도에서 10 nm ALD 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 120,000원
1494 2020-11-17 15시 18시 Al2O3 depo. 500cycle 삼성전자 종합기술원 한주헌 450,000원
1495 2020-11-19 9시 12시 HfO2 2nm증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승우 108,000원
1496 2020-11-20 11시 13시 HfO2 3nm 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 108,000원
1497 2020-11-23 11시 12시 Al2O3 depo. 500cycle 삼성전자 종합기술원 한주헌 450,000원
1498 2020-11-24 8시 9시 Al2O3 depo. 500cycle 삼성전자 종합기술원 한주헌 450,000원
1499 2020-11-24 9시 12시 안녕하세요.
시편 보관함에 포스텍 신소재 허성재 이름으로 샘플 트레이 2개 놔두도록 하겠습니다.
샘플은 4개, 6개로 나누어서 담았고, 4개 짜리 트레이에는 1,2 번은 HfO2 2nm 증착해주시고
3,4번은 HfO2 2.5nm 증착 부탁드립니다.
샘플 6개짜리 트레이의 1,4번은 Al2O3 2nm, 2,5번은 Al2O3 3nm, 3,6번은 Al2O3 4nm 증착 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 허성재 540,000원
1500 2020-11-27 15시 16시 [나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업], 전자과 박성민 (010.2094.9607)
안녕하세요 전자과 대학원생 박성민입니다.
SiO2 (3 nm)/Si 위 Al2O3 300도에서 10 nm ALD 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 120,000원
1501 2020-11-30 15시 16시 HfO2 3 nm 증착
직접사용		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 108,000원
1502 2020-11-30 17시 18시 SiO2 550A Depo. 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 102,000원
1503 2020-12-02 10시 11시 HfO2 20A Depo. 충남대학교 전자공학과 송형섭 120,000원
1504 2020-12-04 10시 14시 HfO2 40nm 올려주시기 바랍니다. 포항공과대학교 화학공학과 양성준 432,000원
1505 2020-12-08 10시 12시 Al2O3 저온 공정 (100C) 진행하고자 합니다.
3nm, 4nm, 5nm, 6nm, 7nm 로 두께를 증착하고자 합니다.
온도를 내리는데 5시간 이상 소요된다고 하셨는데, 전날 퇴근하실 때 미리 온도를 내려주시면 감사드립니다.
Sample 은 제가 월요일에 시편보관함에 넣어둔 후 넣었다고 메일 드리도록 하겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 허성재 432,000원
1506 2020-12-09 10시 11시 1nm HfO2 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승우 108,000원
1507 2020-12-14 10시 12시 Al2O3 100도 공정으로 3.5nm, 4nm, 4.5nm 세 조건으로 진행 부탁드립니다.
Sample 은 시편 보관함에 보관 후 연락드리도록 하겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 허성재 216,000원
1508 2021-01-21 15시 17시 한국나노마이스터고등학교 반도체 공정 교육 - Thin film 실습 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,200,000원
1509 2021-01-25 10시 11시 조각샘플 4개 입니다
HfO2 2 nm 증착 부탁드립니다
1/19 9시 이전에 1층 샘플 보관함에 넣어두도록 하겠습니다		 포항공과대학교 신소재공학과 이동욱 108,000원
1510 2021-01-25 14시 15시 al2O3 250도에서 2nm 7개, 3nm 7개 부탁드립니다.
시편트레이에 각각 표기해 놓았습니다.
시편은 12월 31일에 우체국 택밸르 통해 보내드릴 예정입니다.		 고려대학교 신소재공학부 윤광로 240,000원
1511 2021-01-25 9시 17시 전문인력양성 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 4,800,000원
1512 2021-01-26 16시 17시 HfO2 3 nm, 직접사용 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 108,000원
1513 2021-01-27 1시 2시 HfO2 1nm / 0.5nm증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승우 216,000원
1514 2021-01-27 12시 13시 . PR patterning 된 상태임
- 저온 100nm Al2O3 증착 (황경욱 전문 recipe)		 삼성종합기술원 Nano Electronics Lab 김동호 6,000,000원
1515 2021-01-27 17시 18시 안녕하세요.
포항공과대학교 화학공학과 김진곤 교수님 연구실 박소영입니다.

기판은 Si wafer 위에 Photoresist(PR:zep520a)가 50nm정도로 깔려있습니다.
공정온도 100℃에서 Al2O3를 15 nm 증착을 하고자 합니다.

PR이 200도 넘는 고온에서는 녹거나 형태 변형이 있어서 100도 근방에서 진행하였으면 좋겠습니다.
(Si wafer의 크기: 약 1 cm x 1 cm, 총 wafer 조각의 개수는 3개입니다.)
샘플은 공정 (전) 캐비넷에 넣어두겠습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 화학공학과 박소영 216,000원
1516 2021-01-28 7시 11시 4-1-1 gate insulator al2o3 depo. 2ea 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1517 2021-02-01 10시 11시 4-1-1 gate insulator sio/sin depo. ald 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1518 2021-02-01 12시 18시 Glass 위에 IGZO, Ti/Au 증착된 sample입니다.
18개 시편 모두 ALD Al2O3 50nm 150도에서 증착 부탁 드립니다. 		고려대학교 신소재공학부 윤광로 600,000원
1519 2021-02-02 15시 17시 전문인력양성과정-심화실습교육
ALD로 증착 부탁드립니다. 		나노융합기술원 사업지원팀 전문인력 1조 0원
1520 2021-02-02 15시 15시 6-1-2 gate oxid deposition sio2 550a 4ea 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 2,448,000원
1521 2021-02-04 9시 13시 대구가톨릭대학교 LINC사업단 반도체 공정 실습_박막 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 600,000원
1522 2021-02-05 13시 16시 2. al2o3 depo. 300A 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1523 2021-02-05 18시 20시 탄소나노튜브 위 증착, HfO2, 직접사용, 1 nm(8cyc) / 2 nm(16cyc) (2회) 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 216,000원
1524 2021-02-09 10시 11시 안녕하세요.
포항공과대학교 화학공학과 김진곤 교수님 연구실 박소영입니다.

기판은 Si wafer 위에 Photoresist(PR:zep520a)가 50nm정도로 깔려있습니다.
공정온도 100℃에서 Al2O3를 15 nm 증착을 하고자 합니다.

PR이 200도 넘는 고온에서는 녹거나 형태 변형이 있어서 100도 근방에서 진행하였으면 좋겠습니다.
샘플은 공정 (전) 캐비넷에 넣어두겠습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 화학공학과 박소영 216,000원
1525 2021-02-09 14시 15시 Al2O3 20nm depo. 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 240,000원
1526 2021-02-10 10시 11시 3 nm (24사이클) HfO2 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 108,000원
1527 2021-02-10 19시 20시 HfO2 10 nm, 직접사용 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 108,000원
1528 2021-02-17 10시 11시 0-2-3 0 initial oxide hfo2 충남대학교 전자공학과 송형섭 120,000원
1529 2021-02-17 14시 16시 6inch wafer위에 2.5cm x 1.5cm glass 기판 8개를 PI 테이프로 붙여놓았습니다.
glass기판 위에는 Au gate pattern이 있고 부분적으로 HfO2를 원하지 않는 부분에 따로 PI 테이프를 붙였습니다.

HfO2 40nm ALD 부탁드립니다

감사합니다
------------
100C 진행		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 노유진 432,000원
1530 2021-02-18 19시 20시 HfO2 10 nm, 직접사용 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 108,000원
1531 2021-02-21 11시 12시 HfO2, 10 nm, 직접사용 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 108,000원
1532 2021-02-22 14시 15시 HfO2 (2.5nm) 증착 부탁드립니다.
공정 완료 후 연락 부탁드립니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 허성재 108,000원
1533 2021-02-23 14시 16시 Thermal HfO2 공정잡기 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 216,000원
1534 2021-02-24 15시 16시 HfO2 Thermal ALD test (2.5 nm 목표) 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 108,000원
1535 2021-02-24 16시 18시 Thermal ALD 공정잡기 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 216,000원
1536 2021-02-24 9시 11시 ALD HfO2 2nm 증착 부탁드립니다.
공정 완료 후 문자 한통 남겨주시면 감사드립니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 허성재 108,000원
1537 2021-02-25 15시 18시 Thermal HfO2 ALD test 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 324,000원
1538 2021-02-26 13시 14시 HfO2 thermal 25A 증착, 직접사용 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 108,000원
1539 2021-03-02 19시 20시 HfO2 PEALD 10 nm 1회 / Thermal ALD 10 nm 1회 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 540,000원
1540 2021-03-03 14시 16시 수직배향된 실린더 구조의 블록공중합체 고분자 thin film입니다.
Polystyrene 직경 16 nm 실린더와 Poly(4-vinylpyridine)+Poly(4-hydroxystyrene) 6 nm 의 얇은 매트릭스로 이루어져있는데
매트릭스부분에 SiO2를 증착하여 20 nm 정도 높이의 홀 구조를 얻고싶습니다.
100c al2o3 20nm depo.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 강석원 216,000원
1541 2021-03-03 9시 10시 HfO2 2.5 nm 조각샘플 6개, HfO2 3 nm 조각 샘플 6개 증착 부탁드립니다.
아침 8시 30분 전까지 1층 샘플 보관함에 두도록 하겠습니다.
증착이 완료되면 연락 부탁드립니다 이동욱 (010-6767-5780)
 포항공과대학교 신소재공학과 이동욱 216,000원
1542 2021-03-04 12시 16시 18개 시편 모두 ALD Al2O3 50nm 150도에서 증착 부탁드립니다.
(Ti, Au, IGZO 등 패터닝 되어있음)
시편은 금일 우체국 택배로 배송 예정입니다. 		고려대학교 신소재공학부 윤광로 600,000원
1543 2021-03-04 19시 20시 HfO2, PEALD 60사이클(65A), 직접사용 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 108,000원
1544 2021-03-05 20시 23시 thermal ALD 공정잡기 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 432,000원
1545 2021-03-08 1시 1시 HfO2 10nm 증착 한양대학교 신소재공학과 이태성 120,000원
1546 2021-03-09 10시 12시 HfO2 40nm 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 480,000원
1547 2021-03-10 15시 16시 직접사용, thermal ALD 공정 테스트 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 108,000원
1548 2021-03-10 16시 17시 HfO2 Thermal ALD test 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 108,000원
1549 2021-03-11 12시 17시 김진곤 교수님 연구실
고분자 패턴 Al2O3 200Å 증착
-------------
TMA/H2O/Purge feeding 1min/5cycle
TMA/H2O/Purge feeding 22sec/6cycle		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 강석원 540,000원
1550 2021-03-12 14시 15시 안녕하세요.
포항공과대학교 화학공학과 김진곤 교수님 연구실 박소영입니다.

기판은 Si wafer 위에 Photoresist(PR:zep520a)가 50nm정도로 깔려있습니다.


공정온도 100℃에서 Al2O3를 15 nm 증착을 하고자 합니다.

PR이 200도 넘는 고온에서는 녹거나 형태 변형이 있어서 100도 근방에서 진행하였으면 좋겠습니다.
샘플은 공정 (전) 캐비넷에 넣어두겠습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 화학공학과 박소영 216,000원
1551 2021-03-15 20시 21시 직접사용, 교육용, thermal ALD 10 cyc 예정 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 108,000원
1552 2021-03-16 9시 10시 HfO2 2nm 증착 부탁드립니다
조각 샘플 2개 입니다
오전 8시 30분 전까지 1층 보관함에 넣어두도록 하겠습니다
공정 완료 후, 연락 부탁드립니다(010-6767-5780)		 포항공과대학교 신소재공학과 이동욱 108,000원
1553 2021-03-17 19시 20시 thermal ALD test, PM1 100도, 직접사용 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 108,000원
1554 2021-03-18 13시 14시 4-1-1 gate insulator al2o3 depo. 300a 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1555 2021-03-18 9시 10시 조각샘플 2개 HfO2 2nm 증착 요청드립니다
8시 전까지 1층 샘플 보관함에 넣어두도록 하겠습니다
증착 완료 후 연락 부탁드립니다 (010-6767-5780)
감사합니다		 포항공과대학교 신소재공학과 이동욱 108,000원
1556 2021-03-19 15시 17시 2장 모두 HfO2 3nm 증착 부탁드립니다. 충남대학교 전자공학과 송기우 240,000원
1557 2021-03-19 9시 16시 1. Sample정보
- Si Bare, pure Al, Al-Cu(Cu0.05%) 3가지 Surfaced에서의 Al2O3박막 증착 (증착두께 10nm)

2. 증착 전 유기 Cleaning(NINT에서 일반적으로 진행하는 조건) 진행.		 LG전자 센서연구소 현구 480,000원
1558 2021-03-22 10시 12시 6 inch wafer위에 2.5 cm x 2 cm Si/SiO2 (300nm) 기판을 PI 테이프로 붙였습니다.

HfO2 40nm, 증착온도는 200°C로 부탁드립니다.

감사합니다		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 노유진 432,000원
1559 2021-03-22 15시 16시 부탁드렸던 샘플에 TiN ALD 30nm 부탁드립니다.

감사드립니다 선생님.
---------------
두께 test 담당자 협의		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 180,000원
1560 2021-03-24 14시 16시 SIS Method를 기반으로 진행해주세요
al2o3를 target으로 진행해주세요
-------------
SIS 1min 1cycle / 2cycle / 3cycyle		 포항공과대학교 화학공학과 이재용 648,000원
1561 2021-03-25 15시 16시 보유하신 TiN 증착 레시피대로 10nm 증착 부탁드립니다.

갯수는 총 16개입니다.		 고려대학교 반도체시스템공학과 김종현 120,000원
1562 2021-03-25 17시 19시 온도: 100도, 예상 두께: 7nm, 직접 사용, 사용물질: HfO2 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김해윤 108,000원
1563 2021-03-25 9시 10시 0-2-3 0 initial oxide hfo2 충남대학교 전자공학과 송형섭 120,000원
1564 2021-03-26 9시 18시 8장의 웨이퍼 모두 HfO2 3nm를 증착해주세요 충남대학교 전자공학과 송기우 960,000원
1565 2021-03-29 10시 12시 HfO2 20nm 증착

Si 기판 초기진행 1장

Sapphire 기판 위 GaN epi(3um)가 성장되어있음
(최상단층에 Ti/Al/Ni/Au metal과 SiN, mesa에는 GaN가 존재)		 아주대학교 전자공학과 홍성호 240,000원
1566 2021-03-29 15시 16시 낮에 통화했던 신소재 허성재 입니다.
TiN PE-ALD 조건에서 Ti precursor 없이 NH3 plasma 처리를 통해 W metal 표면을 WN로 만들고자 합니다.
온도는 기존 TiN 공정 온도인 230도로 하고, plasma power를 가능한 크게해서 10분동안 NH3 plasma treatment를 부탁드립니다.
중간중간 purge time이 들어가도 상관없으나, 공정완료후 plasma 조건과 pulse 조건만 알려주시면 좋을 것 같습니다.
샘플은 트레이의 1번, 2번 샘플입니다.(3번, 4번은 PE-CVD 용 입니다.)
감사합니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 허성재 108,000원
1567 2021-03-29 18시 20시 온도: 120도, 예상 두께: 5nm, HfO2, 직접사용 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김해윤 108,000원
1568 2021-03-30 13시 15시 온도: 300, 예상 두께: 8nm, HfO2, 직접사용. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김해윤 108,000원
1569 2021-03-30 9시 12시 안녕하세요. 신소재 허성재 입니다.
HfO2 PE-ALD 2nm 증착 의뢰 드립니다.
샘플 트레이 2개를 드릴건데, 1개는 조각 sample 7개가 들어있고, HfO2 증착 완료 후 최대한 delay 없이 unloading을 부탁드립니다.
나머지 1개의 트레이에는 sample 1개가 있는데, 이 샘플은 HfO2 증착 완료 후 \'15분\'정도 챔버내에 유지 시켜주시고 unloading을 부탁드립니다.
저희 device가 하부 전극이 W인데 ALD 증착 이후 TEM을 찍어보면 하부 W이 8nm정도 WOx 산화막이 형성돼 문제가 되고있어, 이런 저런 방법으로 하부 전극 산화 issue를 이해하려는 것이니 양해 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 허성재 216,000원
1570 2021-03-31 13시 15시 온도: 200도, 예상 두께:5nm, HfO2, 직접사용 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김해윤 108,000원
1571 2021-04-01 10시 12시 1) Al2O3 5 nm 증착 후 TiN 30 nm 증착,
2) TiN 30 nm 증착,
3) TiN 30 nm 증착

조건을 원합니다.
TiN 30 nm 증착의 경우 한번에 진행해주셔도 됩니다! 감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 432,000원
1572 2021-04-01 13시 14시 장비 교육 요청드립니다 포항공과대학교 전기전자공학부 김소영 108,000원
1573 2021-04-01 14시 18시 Al2O3 를 10 nm 두께로 코팅하고 싶습니다.

샘플은 시편 보관함에 두면 될까요?		 포항공과대학교 화학공학과 이해민 1,080,000원
1574 2021-04-01 16시 17시 4-1-1 Gate Insulator Al2O3 Depo. ALD 300A 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 90,000원
1575 2021-04-02 11시 13시 온도: 200도, 예상 두께: 8nm, HfO2, 직접사용 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김해윤 324,000원
1576 2021-04-04 22시 23시 온도 200, 11nm, HfO2, 직접사용. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김해윤 108,000원
1577 2021-04-05 9시 12시 총 샘플이 1~5번까지 5개인데,
우선 1,2,3,4번은 TiN 챔버에서 지난번 의뢰드렸던 230C plasma NH3 treatment를 5분간 (1분씩 5번) 진행하여 W 표면을 WN화 하고자 합니다.
이후 1, 4, 5번 샘플은 HfO2 PE-ALD 조건으로 2nm 증착 진행하고,
4번과 5번은 HfO2 H2O(thermal)-ALD 조건으로 100도에서 각각 2.5nm, 3nm 증착하고자 합니다.
문의있으시면 연락주시고, 공정완료 후 문자 부탁드립니다.
샘플은 시편보관함에 두겠습니다. 감사합니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 허성재 432,000원
1578 2021-04-07 11시 12시 직접 이용하여 TiN 20nm 증착할 예정입니다. 포스텍 대학원 신소재공학 김형우 108,000원
1579 2021-04-07 15시 19시 130도에서 Al2O3 증착하고 싶습니다.
(15, 20, 300 cycle) - 총 3회		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 권민규 540,000원
1580 2021-04-08 10시 12시 2.5cm x 2cm SiO2/Si 기판 위 Ni 5nm/Au 50nm가 올려져있습니다.

각 기판을 6inch wafer위에 PI tape으로 붙여놓았습니다.

ALD 조건은 HfO2 60nm, 온도는 100°C로 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 노유진 648,000원
1581 2021-04-08 14시 16시 6inch wafer위 2.5cm x 2cm 그리고 1.5cm x 1.5cm 사이즈 FTO 기판을 PI tape으로 붙여놓았습니다.

ALD 조건은 HfO2 40nm, 200°C입니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 노유진 432,000원
1582 2021-04-09 12시 16시 - Al2O3 100nm, 100도 (저온공정) 요청 드립니다.
- 수십 um pitch의 PR 패턴 있음 		삼성종합기술원 Nano Electronics Lab 김동호 6,000,000원
1583 2021-04-14 11시 11시 4-1-1 Gate Insulator Al2O3 Depo. ALD 300A 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1584 2021-04-15 17시 18시 온도: 280도, 예상 두께: 5nm, 직접사용, HfO2 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김해윤 108,000원
1585 2021-04-19 14시 17시 Al2O3 SIS, TMA 5 Torr, H2O vapor, 온도 85도
TMA 15 s / 3 cycles, 30 s / 3 cycles
 포항공과대학교 대학원 화학공학과 강석원 216,000원
1586 2021-04-21 9시 11시 Al2O3 ALD 의뢰드립니다.
Plasma 없이 thermal(H2O reactant) ALD로 진행하고자 합니다.
각각 3.5nm, 4nm 조건으로 증착 부탁드립니다.
공정 온도는 Al2O3는 300도가 default로 알고있는데 맞나요?
기존 PE-ALD Al2O3와 같은 온도에서 진행해주시면 될 것 같습니다.
공정 완료 후 문자 남겨주시면 감사드립니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 허성재 216,000원
1587 2021-04-22 17시 18시 6\" si wafer 3매 Al2O3 각각 1,2,3,nm 증착 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 이동훈 288,000원
1588 2021-04-27 6시 7시 온도: 280, 예상 두께: 4nm, HfO2, 직접사용 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김해윤 108,000원
1589 2021-04-30 10시 12시 6inch wafer위 2.5cm x 2cm 그리고 1.5cm x 1.5cm 사이즈 FTO, Si 기판을 PI tape으로 붙여놓았습니다.

ALD 조건은 HfO2 60nm, 200°C입니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 노유진 648,000원
1590 2021-05-03 13시 15시 SiO2 0.5 1nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 이승우 432,000원
1591 2021-05-03 19시 20시 온도: 280, 예상 두께: 3nm, HfO2, 직접사용 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김해윤 108,000원
1592 2021-05-03 7시 12시 Al2O3 60nm두께로 부탁드립니다.
SiO2라서 공정온도는 300도도 가능합니다		 포항공과대학교 화학공학과 박소영 648,000원
1593 2021-05-06 15시 17시 ALD 상황 확인 후 공정. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김해윤 108,000원
1594 2021-05-07 13시 15시 Al2O3가 증착된 n+-Si, p+-Si 시편 각 4개 입니다. (총 8개)

전부 TiN 10 nm 증착부탁드립니다. (보유하신 레시피로 부탁드려요)

추가 정보 필요 시 010-2075-0328 / whdgus0328@korea.ac.kr로 연락부탁드립니다.		 고려대학교 반도체시스템공학과 김종현 120,000원
1595 2021-05-07 15시 18시 6inch wafer위에 1.5cm x 1.5cm Si substrates를 PI tape으로 붙였습니다.

HfO2 ALD를 두께 20nm 온도 200°C로 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 노유진 216,000원
1596 2021-05-10 14시 15시 SiO2 100nm 위에 MoS2 0.7 nm 의 단일박막이 올라가 있는 FET 소자

HfO2 30 nm 증착 - (공정 온도 200 도, H2O를 이용한 oxide 형성)		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 최민영 324,000원
1597 2021-05-11 15시 16시 hfo2 40nm depo. 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 480,000원
1598 2021-05-14 14시 16시 6inch wafer위에 1.5cm x 1.5cm Si substrates를 PI tape으로 붙였습니다.

HfO2 ALD를 두께 20nm 온도 200°C로 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 김현준 216,000원
1599 2021-05-14 7시 13시 PE-ALD 20nm(250C) 20nm(280C) 30nm(280C)
Thermal-ALD 20nm(280C)		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 972,000원
1600 2021-05-17 14시 15시 4\" Silicon oxide (100 nm) Polishing면 위에 HfO2 10 nm 증착 포항공과대학교 대학원 화학공학과 최민영 108,000원
1601 2021-05-18 10시 12시 4인치 wafer 위에 다이싱 된 조각 시편을 tape에 붙였습니다. (웨이퍼 캐리어에 4인치 웨이퍼 2장)
현재 Si wafer 위에 Cr/Au/Cr/SiO2/Cr/Au가 증착 되어 있으며, 원하는 공정은 다음과 같습니다.

상단 wafer : Al2O3 1 nm 증착
하단 wafer : Al2O3 8 nm 증착

공정과 관련하여, 혹시 논의해야할 사항이 생기면, 010-3227-8617로 연락 부탁 드립니다.
감사합니다.


 고려대학교 KU-KIST 융합대학원 NBIT 박창훈 240,000원
1602 2021-05-20 10시 12시 hfo2 20nm depo.
TiN 40nm depo.		 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 720,000원
1603 2021-05-21 14시 15시 HfO2 10 nm 입니다. 경북대학교 전자공학부 DAI QUAN 120,000원
1604 2021-05-21 15시 16시 Al2O3 증착, 5nm 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김해윤 108,000원
1605 2021-05-21 8시 12시 SiO2 650A 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 672,000원
1606 2021-05-24 18시 19시 al2O3 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김해윤 216,000원
1607 2021-05-25 16시 18시 TiN = 10 nm 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1608 2021-05-26 14시 15시 안녕하세요.
포항공과대학교 화학공학과 김진곤 교수님 연구실 박소영입니다.

기판은 Si wafer 위에 Photoresist(PR:zep520a)가 60nm정도로 깔려있습니다.
공정온도 100℃에서 Al2O3를 15 nm 증착을 하고자 합니다.
PR이 200도 넘는 고온에서는 녹거나 형태 변형이 있어서 100도 근방에서 진행하였으면 좋겠습니다.
두께는 15nm로 최대한 정확했으면 좋겠습니다.


샘플은 공정 (전) 캐비넷에 넣어두겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 화학공학과 박소영 216,000원
1609 2021-05-28 11시 13시 TiN = 10 nm 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1610 2021-06-04 9시 10시 없음 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김해윤 216,000원
1611 2021-06-08 9시 11시 TiN = 10 nm

InP 기판이라 충격에 약합니다.
Handling 시 주의를 기울여주세요.		 경북대학교 전자공학부 백지민 120,000원
1612 2021-06-09 11시 11시 현재 저희가 가지고 있는 기판은 sputter된 Al과 Si 위에 PECVD된 SiO2이고, SiO2를 에칭하여 현재 부분적으로 Si이 드러나 있습니다.
즉 표면은 SiO2와 Si입니다.
이런 웨이퍼 1장 위에 HfO2 30nm를 고르게 증착하고 싶은데 (온도는 홈페이지에 나와있는대로 280도 공정이면 좋겠습니다.),		 한국과학기술원 전기및전자공학부 한상준 360,000원
1613 2021-06-14 10시 11시 slide glass 위에 gold nanostructure가 있습니다.
RT에서 sio2 10 nm ald 원합니다.
감사드립니다

100C siO2 10nm depo. 수량 문제로 2회 진행		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 216,000원
1614 2021-06-14 11시 17시 250C Al2O3 30nm 1ea
300C Al2O3 30nm 2ea
280C Al2O3 5nm / HfO2 25nm
280C HfO2 1nm / Al2O3 25nm
 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 2,371,000원
1615 2021-06-16 12시 13시 메일로 문의 드렸듯이, 온도 100도로 Al2O3 총 20nm (17nm + 3nm) 증착 하고싶습니다.
17 nm 증착 의뢰 샘플은 Al2O3기판 위에 PR 패터닝된 것이고, 3nm 증착 의뢰 샘플은 SSP위에 Ti/Au 증착된 기판에 PR 패터닝된 것입니다.

메일 확인해보시고, 연락 부탁드립니다.
감사합니다.

al2o3 20nm / 3nm depo.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 324,000원
1616 2021-06-16 9시 12시 메일로 연락드렸는데, 100도로 SiO2 공정해주시고 가능하시다면 27nm 증착 sample / 3nm 증착 sample 따로 해주시면 감사하겠습니다.
만약 따로 증착하는 것이 안 된다면, 모든 샘플 30nm 증착해주시면 감사하겠습니다.

sio2 30nm / 3nm depo.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 임세미 432,000원
1617 2021-06-17 10시 12시 6inch 웨이퍼 위 1.5cmx1.5cm Ni/Au 패턴이 올라간 Si/SiO2 기판 pi tape으로 붙였습니다.

HfO2 40nm, 200도에 공정 부탁드립니다		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 김현준 432,000원
1618 2021-06-17 8시 13시 tIn 40nm
hfo2 25nm
tin 40nm 		(주)위드멤스 MEMS 사업본부 이종한 1,320,000원
1619 2021-06-21 16시 17시 al2o3 30nm depo. ETRI RF/전력부품연구그룹 문재경 360,000원
1620 2021-06-24 15시 16시 Graphene Oxide+H2O spin coating된 시편 (2cm*2cm) 4장위에 HfO2의 박막을 ALD를 이용하여 10nm 가량 쌓아올리고 싶습니다. 이정익 연구원님께서 280도 조건에서 1.25옴스트롱 퍼 사이클이라 하셨던 것으로 기억하고 있어서 대략 80사이클 정도 진행하면 될 것 같습니다. 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 윤철현 108,000원
1621 2021-06-25 9시 16시 웨이퍼 상에 원형 3um 깊이 36um 으로 다공 으로 가공 한 상태의 웨이퍼 입니다.

증착 의뢰 물질 및 두께

HfO2 (20nm) / TiN (80nm) / HfO2 (20nm) / TiN (50nm)

위와 같이 증착 의뢰 드리고자 합니다.		 (주)위드멤스 MEMS 사업본부 이종한 2,040,000원
1622 2021-06-30 10시 12시 TiN 500Å
챔버내 최대한 많은 substrate로 진행하고싶습니다.

*담당자 : 박재홍(010-4725-5007)		 고려대학교 신소재공학과 이인환 600,000원
1623 2021-07-01 11시 12시 GaN epi patterning wafer
1x1 (14장), 4inch quarter (1장)

SiO2 20nm 전면 증착 부탁드립니다.		 한국산업기술대학교산학협력단 IT반도체융합공학과 김소현 240,000원
1624 2021-07-02 10시 11시 Al foil 위에 CoF2/CNT/PVP 혼합물 : Super P : PVDF = 8:1:1의 슬러리가 도포되어 있습니다.
1매 2nm, 1매 5nm 두께로 Al2O3 증착 부탁드립니다.
(100~120`C에서 증착)

증착 완료한 샘플은 보내는 주소 (경상남도 진주시 소호로 101 (우편번호 52851))로 보내주세요.
(착불)
 한국세라믹기술원 에너지저장소재센터 박하영 240,000원
1625 2021-07-12 13시 15시 Al2O3 Depo : Etch 평가 용 (200 A : 1회 추가, 100 A 기준 ) 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 240,000원
1626 2021-07-13 1시 24시 - PR 패터닝 되어 있음
- 평소 공정 내용과 동일 공정 요청
- 100도에서 Al2O3 100nm 증착

 삼성종합기술원 Nano Electronics Lab 김동호 6,000,000원
1627 2021-07-15 13시 14시 Si wafer piece에 아래와 같은 물질이 증착되어있습니다.

A 그룹: Si wafer/Al/Si/SiO2 (윈도우를 뚫어 일부 Si가 노출됨)/Al2O3
B 그룹: Si wafer/Al/Si/SiO2 (윈도우를 뚫어 일부 Si가 노출됨)

A 그룹에 3개 조각, B 그룹에 3개 조각 이렇게 총 6개 조각이며, 6개 조각에 HfO2를 30 nm 증착해주세요.
증착 후 그룹 분류가 섞이지 않게 해주세요. 감사합니다.		 한국과학기술원 전기및전자공학부 한상준 360,000원
1628 2021-07-15 18시 19시 Al2O3 공정 진행 (130도)
공정 진행 횟수는 추가될 경우 추가로 신청 올려놓도록 하겠습니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 108,000원
1629 2021-07-16 13시 14시 LTO on Al foil 샘플 총 4개를 각각 3 nm로 Al2O3 코팅하고자 합니다.
150C 3매 진행
 포항공과대학교 대학원 화학과 정인수 324,000원
1630 2021-07-17 1시 2시 Al2O3 35cyc 진행 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 108,000원
1631 2021-07-19 10시 12시 트레이 표면에 기재된대로 반은 al2o3, 반은 hfo2로 5nm 증착 부탁드립니다 고려대학교 전기전자공학과 진동규 240,000원
1632 2021-07-19 14시 16시 p-type Si에 HfO2 30 nm 증착 부탁드립니다. 포항공과대학교 대학원 화학공학과 박건웅 373,000원
1633 2021-07-19 18시 19시 직접사용, Al2O3, 진행자: 이장호/이상연 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 216,000원
1634 2021-07-19 9시 10시 Al2O3 40 nm on ITO/Glass 포항공과대학교 화학공학과 박준호 432,000원
1635 2021-07-20 15시 16시 이장호, 이상연씨 진행 hfo2_h2O_pre 20cyc 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 108,000원
1636 2021-07-21 17시 18시 Al2O3_H2O 레시피 GPC(growth per cycle)이 공정마다 다르게 나와서 테스트해보려고 합니다. (10 cyc, 20 cyc, 35 cyc) 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 324,000원
1637 2021-07-22 11시 14시 HfO2 50nm 200°C 공정 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 노유진 540,000원
1638 2021-07-22 17시 20시 직접사용. Al2O3_H2O 1)Si 5cyc 2)CNT 20cyc 3)CNT 35cyc 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 324,000원
1639 2021-07-26 17시 19시 4-1-1 gate insulator al2o3 depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1640 2021-07-27 19시 20시 Al2O3 10cyc 130도 공정, 이상연 진행 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 108,000원
1641 2021-07-28 10시 12시 PI tape이 붙여진 Si substrate입니다.

저번에 PI tape을 두껍고 많이 붙여서 outgasing이 일어난것같다고 알려주셨습니다.

이번에는 PI tape두께, 양과 Si기판 개수도 줄여서 준비하였습니다.

HfO2 50nm 200°C 증착 부탁드립니다. 감사합니다.
-----------------
40nm 진행		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 노유진 432,000원
1642 2021-07-28 19시 20시 al2o3_h2o 35 cyc 공정 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 108,000원
1643 2021-07-29 15시 20시 hfo2 20nm depo.
SiO2 50nm depo.		 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 840,000원
1644 2021-07-30 13시 14시 SiO2 15A. 35A. 55A 포항공과대학교 물리분석팀 김성규 324,000원
1645 2021-08-03 13시 15시 6inch 웨이퍼 위 1.5cmx1.5cm Ni/Au 패턴이 올라간 Si/SiO2 기판 pi tape으로 붙였습니다.

HfO2 40nm, 200도에 공정 부탁드립니다		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 김현준 432,000원
1646 2021-08-03 19시 20시 Al2O3 35cyc, HfO2 30cyc 공정 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 432,000원
1647 2021-08-05 19시 20시 al2O3_h2o_35cyc 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 108,000원
1648 2021-08-06 10시 12시 트레이 표면에 기재된대로 hfo2 10nm, al2o3 10nm 각각 10개씩 증착 부탁드립니다. 고려대학교 전기전자공학과 진동규 240,000원
1649 2021-08-10 10시 11시 SiO2 위에 Gold nanostructure가 패터닝 되어 있습니다.

여기에, SiO2 10 nm를 ALD하고 싶습니다.

온도는 100도가 최하로 알고 있는데, 진행 가능한 최하의 온도에서 진행해주시면 감사드리겠습니다.

총 9장입니다! 감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1650 2021-08-11 10시 16시 대구카톨릭대학교 반도체 공정실습 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 600,000원
1651 2021-08-13 12시 17시 SC43 lot
pre cleaning apm + dhf
thermal-ALD hfo2 3nm / 5nm
pe-ALD al2o3 20nm 4회 진행
pe-nitride 3nm / 50nm 각 2회 진행		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 2,157,000원
1652 2021-08-16 19시 20시 직접사용, HfO2_H2O 포항공과대학교 대학원 기계공학과 이제민 108,000원
1653 2021-08-18 10시 18시 4-1-1 Gate Insulatior SIO/SiN Depo Al2O3 300A 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 1,350,000원
1654 2021-08-19 13시 14시 안녕하세요. SiO2 30nm 100도 공정으로 증착 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 임세미 324,000원
1655 2021-08-20 18시 19시 HfO2_H2O_pre, 30cyc 포항공과대학교 기계공학과 이장호 108,000원
1656 2021-08-20 9시 12시 100도씨에서 SiO2 10nm ALD 부탁드립니다. 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1657 2021-08-23 13시 15시 안녕하세요 선생님. SiO2 20nm를 100\'C에서 공정 부탁드립니다. PECVD 의뢰드리는 샘플과 같은 트레이에 있으며, 의뢰드리려는 공정 별로 표기해놓았습니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 임세미 216,000원
1658 2021-08-23 18시 19시 Al2O3_H2O,35cyc 포항공과대학교 기계공학과 이장호 108,000원
1659 2021-08-24 13시 14시 SiO2 2 nm 증착 의뢰 요청 드립니다. 포항공과대학교 신소재공학과 박영준 108,000원
1660 2021-08-25 13시 14시 안녕하세요 선생님
100도씨에서 SiO2 ALD 10 nm 부탁드립니다

감사드립니다!		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1661 2021-08-26 10시 16시 대구카톨릭대학교 반도체 공정실습 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,200,000원
1662 2021-08-27 13시 15시 SiO2 ALD 10nm 증착을 희망합니다.
- 8\'\' Si wafer 3ea
- 밑에 Ge(35nm)/Ag(200)/Ti(10-adhesion) 순차적으로 증착되어있습니다.

감사합니다.		 애즈미(주) 기계공학과 송주권 360,000원
1663 2021-09-03 13시 14시 Al2O3_130C_35cyc 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김홍두 108,000원
1664 2021-09-07 14시 15시 Si 기반 물질도 되어 있는 (기판 Si(100)/SiN trench 위 전면 SiO2 4nm dep) 3차원 나노구조체 (Nano-trench) 위 2차원 재료(h-BN)가 성장된 상태의 샘플입니다.
(S)TEM 측정(9/12 측정예정)을 위해 FIB sampling (9/10 sampling 예정)을 하고자 하여 ALD 증착을 시도하려고 합니다.
표면에 있는 2차원 재료(h-BN)은 매우 얇고 FIB sampling에 의해 damage를 받을 수 있어 그 위에 carbon coating 등을 시도하고 있는데, 기판 자체가 aspect ratio가 매우 커서 (depth ~150 nm, width 20 nm, trench 사이 간격 ~ 20- 25 nm) carbon 이 내부에 잘 deposition이 되지 않았습니다.
ALD를 통해 TiN를 구조체 사이 사이에 잘 덮을 수 있게 천천히 증착하고자 합니다.
현재 생각하고 있는 두께는 약 20 nm 정도 입니다
소요 시간을 알려주시면 감사하겠습니다 		포항공과대학교 신소재공학과 김지예 108,000원
1665 2021-09-08 10시 11시 hfo2 20nm dpeo. 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 240,000원
1666 2021-09-16 13시 14시 시편 20개 모두 HfO2 10nm 증착 후 표시된 밑에 두줄의 샘플만 추가로 Al2O3 2nm 증착 부탁드립니다.
문의사항이 있으시면 010 9490 3196으로 연락 부탁드립니다.		 고려대학교 전기전자공학과 진동규 240,000원
1667 2021-09-16 9시 10시 HfO2 40nm 200°C 증착 의뢰드립니다.

8-inch wafer위 1.5cmx1.5cm 기판을 PI tape으로 부착하였습니다.

확인 부탁드립니다. 감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 노유진 432,000원
1668 2021-09-17 9시 18시 Al2O3 총 150nm 증착 부탁드립니다. 공정 중간에 80nm 까지 증착하시고, 몇개의 샘플은 챔버에서 꺼내주시고, 나머지 샘플들만 150nm까지 증착해주실 수 있나요? 확인해보시고 연락 부탁드립니다. P++. n++ Si 기판이므로 섞이지 않도록 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 1,620,000원
1669 2021-09-23 11시 12시 안녕하세요, 김주훈입니다.

Si 기판에 Al (100nm) Al2O3 (4nm) 증착 부탁드립니다.

Al는 e-beam 증착기 신청해놓도록 하겠습니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 232,500원
1670 2021-09-23 13시 14시 안녕하세요 선생님! SiO2 10 nm ALD 부탁드립니다! 공정온도는 100도로 부탁드리겠습니다!
샘플은 공정의뢰함에 두었습니다!
감사드립니다!!		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1671 2021-10-03 9시 10시 CNT_Al2O3_H2O_35cyc 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김홍두 108,000원
1672 2021-10-07 2시 3시 안녕하세요 이정익 선생님, 이전에 PZT 나노튜브에 Al2O3 ALD 증착을 전화로 문의드렸던 심혜지입니다.

기판 SrRuO3/SrTiO3 (약 5mm*5mm*1mm) 위에 free-standing Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) 나노튜브가 기판위에 수직 방향으로 에피택셜하게 성장해 있습니다. 튜브 높이는 1100nm 입니다.

이때 나노튜브의 내부와 외부(튜브와 튜브 사이의 공간) 을 모두 Al2O3 를 증착하여 채우려고 합니다.

튜브 내부: 튜브 1개의 지름이 300nm, 튜브 벽 두께가 60nm으로, 튜브 내부 지름이 180 nm이고,
튜브 외부: 튜브와 튜브 사이의 외벽 간 최단 거리가 140nm로,
튜브의 내벽으로부터 최소 90nm, 튜브 외벽으로부터 최소 70nm 증착이 필요하다고 생각됩니다.

따라서 ALD를 통해 PZT 나노 튜브에 Al2O3를 약 100nm 증착하고자 합니다.

100C 진행 al2o3 100nm depo. (50% 협의)		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 심혜지 600,000원
1673 2021-10-12 8시 12시 TIN 400A 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 480,000원
1674 2021-10-15 10시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
4inch Si wafer 1개, 2*2cm Si 시편 1개에 TiN 150 nm 증착의뢰합니다.
시편은 시편보관함안에 넣어두겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 1,530,000원
1675 2021-10-15 10시 12시 SiO2 100A 증착 의뢰드립니다.
시료는 metal puck에 부착된 Si 조각입니다. (Silver epoxy로 부착됨)		 포항공과대학교 기계공학과 이훈택 108,000원
1676 2021-10-15 13시 18시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.

TiN이 올라간 Si wafer 시편이 준비되어 있는데,
1) PECVD로 SiO2 60 nm 를 증착 후,
2) ALD로 TiN 50 nm 증착 부탁드립니다.

ALD로 TiN을 증착할때, 조각 실리콘 웨이퍼에도 같이 증착을 부탁드립니다.
시편은 시편보관함에 오늘(10/14) 12시에 넣어두겠습니다.

감사합니다.


 포항공과대학교 기계공학과 양영환 510,000원
1677 2021-10-15 18시 24시 SiC 조각 wafer
Al2O3 650A
SiO2 650A		 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 840,000원
1678 2021-10-18 17시 18시 CMT Al2O3 130c 35cyc 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김홍두 108,000원
1679 2021-10-19 10시 14시 gold nanorod & nanohole on SiO2 상에 Al2O3 0.5 nm 증착부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 102,000원
1680 2021-10-21 14시 15시 Graphene Oxide의 gel을 시편 위에 spin-coating 한 뒤 건조 시켜 수분을 제거한 이후에 ALD 공정을 진행하고자 합니다. 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 윤철현 108,000원
1681 2021-10-22 12시 13시 4 inch 웨이퍼 총 6장 보내드렸습니다.
1,3,5번에 해당하는 웨이퍼는
25Å (hfo2) : 1Å (Al2O3) : 25 : 1 : 25 : 1 : 25 : 1 : 25 : 1 : 25 로 대략 15nm 증착 부탁드립니다.

2,4,6번에 해당하는 웨이퍼는
20Å (hfo2) : 1Å (Al2O3) : 20Å : 1Å : 20Å : 1Å : 20Å : 1Å : 20Å : 1Å : 20Å : 1Å : 10Å
로 마찬가지로 대략 15nm정도 증착 부탁드리겠습니다.		 한양대학교 신소재공학과 구본철 1,440,000원
1682 2021-10-29 10시 11시 Graphene Oxide를 SiO2/Si의 시편 위에 서로 다른 두께로 spin coating한 뒤 건조시켰습니다.

이 위에 HfO2를 3nm 정도 저온 조건 108도에서 진행하고 싶습니다.		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 윤철현 108,000원
1683 2021-10-29 11시 16시 순서유의 부탁드립니다.
8인치 웨이퍼 3ea ALD SiO2 30nm 증착을 의뢰드립니다.
감사합니다.		 애즈미(주) 기계공학과 송주권 1,080,000원
1684 2021-11-04 13시 15시 현장에서 담당자와 협의 후 바로 이용하기 위하여 작성되었습니다.
SiO2 20nm		 파워큐브세미(주) 부설연구소 서정윤 240,000원
1685 2021-11-04 15시 17시 p-type Si에 HfO2 40 nm 증착 부탁드립니다! (p-type Si wafer도 같이 구매하겠습니다.)
perovskite film		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 양원렬 481,000원
1686 2021-11-05 13시 14시 안녕하세요, 김주훈입니다. Si 기판에 Al (100nm) 증착 한 샘플에 Al2O3 (4nm) 증착 부탁드립니다.
항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 102,000원
1687 2021-11-08 10시 12시 20개 샘플 전부 HfO2 10nm 증착 부탁드립니다 고려대학교 전기전자공학과 진동규 120,000원
1688 2021-11-12 17시 18시 Cnt hfo2 280c 60cyc 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김홍두 108,000원
1689 2021-11-17 13시 14시 Si 기반 물질도 되어 있는 (기판 Si(100)/SiN trench 위 전면 SiO2 4nm dep) 3차원 나노구조체 (Nano-trench) 위 2차원 재료(h-BN)가 성장된 상태의 샘플입니다.
(S)TEM 측정을 위해 FIB sampling (11/18 -11/19 sampling 예정)을 하고자 하여 ALD 증착을 시도하려고 합니다.
표면에 있는 2차원 재료(h-BN)은 매우 얇고 FIB sampling에 의해 damage를 받을 수 있어 그 위에 carbon coating 등을 시도하고 있는데, 기판 자체가 aspect ratio가 매우 커서 (depth ~150 nm, width 20 nm, trench 사이 간격 ~ 20- 25 nm) carbon 이 내부에 잘 deposition이 되지 않았습니다.
ALD를 통해 TiN를 구조체 사이 사이에 잘 덮을 수 있게 천천히 증착하고자 합니다.
기존에 21/9/7 에 증착했던 온도 조건으로 증착하고자 합니다 *****
확인 후 연락 한번 부탁드리겠습니다. (온도가 낮을 경우 내리는 데에 시간이 소요된다고 하셔서 샘플을 좀 더 일찍 가져다 드려야하면 그렇게 하겠습니다)
target 두께는 약 20 nm 정도 입니다
당일날 다시 받아서 Carbon coating을 진행한 후에 FIB sampling 을 맡겨야해서 11/17 저녁 6시 이전에 다시 받고 싶습니다 *****
좀 전에 유선상으로 말씀드릴 때 오후 1시 경에 드리면 괜찮을 것 같다고 말씀해주셨는데 만약 어려우실 경우 연락 부탁드리겠습니다
샘플 개수는 대략 4-5개 입니다 		포항공과대학교 신소재공학과 김지예 216,000원
1690 2021-11-22 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.

Si 기판에 ALD로 80도 조건으로 HfO2 20nm 증착 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 204,000원
1691 2021-11-25 13시 13시 11월 4주차에 PECVD와 E-beam evaporator로 AAO 시편 4개를 증착요청하였습니다. 한국표준과학연구원 수소에너지소재연구팀 김도정 660,000원
1692 2021-11-25 9시 18시 Al2O3 증착

1. PEALD (O2 plasma) / 300도 / 1x1 sample 2개

2. ALD (H2O) / 150도 / 1x1 sample 2개

총 4개의 sample을 각각 2개씩 위의 조건으로 증착부탁드립니다.

2가지 경우 모두 두께도 측정 부탁드립니다.		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 이준호 216,000원
1693 2021-11-26 14시 17시 Al2O3 20nm depo.
SiO2 20nm depo.
pe-oxide depo. 500nm		 파워큐브세미(주) 부설연구소 서정윤 600,000원
1694 2021-11-26 9시 12시 HfO2 40nm, 200°C 공정 의뢰드립니다.

4 inch Bare Si wafer 2장입니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 노유진 864,000원
1695 2021-11-29 10시 11시 Thermal ALD Al2O3 / 150도

PEALD Al2O3 / 300도

위 두 조건으로 두께 15nm, 15nm 각 2개씩 부탁드립니다.
 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 이준호 432,000원
1696 2021-11-29 9시 10시 Thermal ALD Al2O3 / 300도

위 조건으로 두께 10nm, 15nm 각 2개씩 부탁드립니다.		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 이준호 324,000원
1697 2021-12-01 13시 16시 증착 후 진공포장 해주시면 감사합니다!!!!
n++ type Si 6 inch wafer에

1. HfAlOx 6nm - 2장

2. HfAlOx 9nm - 2장

3. HfAlOx 12nm - 2장

조성비는 모두 HfOx : Al = 29 : 1로 하겠습니다		 동국대학교 산학협력단 전자전기공학부 김다혜 960,000원
1698 2021-12-02 13시 17시 - Al2O3 100nm ALD 증착 (100도 공정) 삼성종합기술원 Nano Electronics Lab 김동호 6,000,000원
1699 2021-12-09 17시 18시 CNT Al2O3 35cyc 130C 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김홍두 108,000원
1700 2021-12-09 9시 12시 -Al2O3 증착
-증착온도 95-100도
-PET 필름 앞, 뒷면 각각 50 nm 증착		 한국전자기술연구원 신재생에너지 연구센터 김다정 600,000원
1701 2021-12-10 9시 10시 안녕하세요 선생님.
금요일 오전 중에 TiN 10 nm ALD 증착 부탁드립니다.
증착 온도는 크게 상관 없습니다.

샘플의 경우 목요일 저녁시간대에 샘플 보관함에 두겠습니다.

감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1702 2021-12-13 10시 11시 Si 기반 물질도 되어 있는 (기판 Si(100)/SiN trench 위 전면 SiO2 4nm dep) 3차원 나노구조체 (Nano-trench) 위 2차원 재료(h-BN)가 성장된 상태의 샘플입니다. (S)TEM 측정을 위해 FIB sampling (12/13 -12/14 sampling 예정 --> 증착 당일 오후에 샘플링 예정으로 오전 내에 샘플링이 완료 되었으면 합니다 샘플 준비가 토요일에 완료 되어 월요일 오전에 맡기는 점 양해 부탁드립니다 2시 이전까지 샘플링 완료 부탁드립니다)을 하고자 하여 ALD 증착을 시도하려고 합니다. 21/9/7, 11/17 샘플링 진행한 적이 있고 같은 온도 (100 C) 조건에서 Al2O3 10 nm 증착을 원합니다 표면에 있는 2차원 재료(h-BN)은 매우 얇고 FIB sampling에 의해 damage를 받을 수 있어 그 위에 carbon coating 등을 시도하고 있는데, 기판 자체가 aspect ratio가 매우 커서 (depth ~150 nm, width 20 nm, trench 사이 간격 ~ 20- 25 nm) carbon 이 내부에 잘 deposition이 되지 않았습니다. ALD를 통해 TiN를 구조체 사이 사이에 잘 덮을 수 있게 최대한 천천히 증착하고자 합니다. 포항공과대학교 신소재공학과 김지예 108,000원
1703 2021-12-14 13시 13시 나노융합기반고도화 사업_공정 테스트 (주)에코넷코리아 기획부서 (주)에코넷코리아 1,200,000원
1704 2021-12-17 14시 15시 TiN ALD 5nm, 10nm 부탁드립니다.

감사드립니다 선생님		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 216,000원
1705 2021-12-17 9시 14시 6inch wafer위에 1.5cm x 1.5cm Si /SiO2 substrates를 PI tape으로 붙였습니다. Ni/Au 5/35 nm 증착 부탁드립니다.

또한 HfO2 ALD를 두께 100nm 온도 100°C로 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 김현준 1,080,000원
1706 2021-12-17 9시 10시 Cnt Al2O3 130c 35cyc (Al2O3_H2O) 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김홍두 108,000원
1707 2021-12-21 14시 15시 TiN 10 nm ALD 공정 부탁드립니다.

항상 감사드립니다 선생님!		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1708 2021-12-27 16시 18시 안녕하세요 장준혁연구원입니다. 130c 35cyc (Al2O3_H2O) 포항공과대학교 저차원 전달 물질 연구소 장준혁 108,000원
1709 2021-12-28 10시 11시 130c / Al2O3_H2O / 35cyc

09:30~11:00		 포항공과대학교 저차원 전달 물질 연구소 장준혁 108,000원
1710 2021-12-29 10시 14시 HfO2 40nm 200°C 증착 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 노유진 432,000원
1711 2021-12-30 12시 13시 130\'C Al2O3_H2O 35cyc 12-13시 포항공과대학교 저차원 전달 물질 연구소 장준혁 108,000원
1712 2022-01-01 9시 10시 130도 Al2O3H2O 35cyc 포항공과대학교 저차원 전달 물질 연구소 장준혁 108,000원
1713 2022-01-04 14시 15시 SiO2(dry oxidation 100 nm)/Si 기판 표면에
W electrode deposition 된 4 inch wafer 한장과
TiN electrode 가 deposition 된 4 inch wafer 한장에 대한 공정을 요청 드립니다.

두 wafer 표면에 ALD 기반 SiO2 (10 nm thickness) deposition 을 요청 드립니다.
포항공과대학교 신소재공학과 이철준 216,000원
1714 2022-01-04 8시 13시 ald al2o3 300a 2ea depo. 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 720,000원
1715 2022-01-06 9시 10시 PEALD

Al2O3
300도, 10nm, 10조각 증착 부탁드립니다.

Pt를 이용한 초기 공정이 진행된 Sample들이라, 신중하게 부탁드립니다.		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 이준호 108,000원
1716 2022-01-17 11시 13시 280\'c/ HfO2_H2O_pre/ 30cyc 포항공과대학교 저차원 전달 물질 연구소 장준혁 108,000원
1717 2022-01-17 16시 17시 130\'C/Al2O3_H2O/35cyc 포항공과대학교 저차원 전달 물질 연구소 장준혁 108,000원
1718 2022-01-18 15시 16시 [21년도 전문인력양성 1조]
SiN 100A 증착하려고 합니다. 		나노융합기술원 사업지원팀 21년도 전문인력 1조 0원
1719 2022-01-20 10시 12시 Si 기판 위 SiO2 30nm ALD 증착 공정 진행을 의뢰합니다.
장수: 4ea

박막 증착 현황:
[Top]
Ge(35nm)
Ag(200nm)
Silicon substrate
[Bottom]		 애즈미(주) 기계공학과 송주권 360,000원
1720 2022-01-20 12시 13시 130 al2o3 h2o 35cyc 포항공과대학교 저차원 전달 물질 연구소 장준혁 108,000원
1721 2022-01-20 13시 18시 2-1-4 Gate oxid Deposition ALD SiO2 450A 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 480,000원
1722 2022-02-03 13시 17시 2 inch 홀 웨이퍼를 4등분하여 대략 1 inch * 1 inch 크기의 조각웨이퍼입니다.

HfO2 30 nm 4개 증착(GaN dummy 1개 포함하여 총 4개), Al2O3 30 nm 4개 증착(GaN dummy 1개 포함하여 총 4개) 후 dummy 뺀 나머지 조각 웨이퍼 6개 TiN 10 nm 증착.		 경북대학교 전자공학부 박병준 840,000원
1723 2022-02-04 10시 12시 TiN 20 nm 증착 요청 드립니다. 경북대학교 전자공학부 백지민 240,000원
1724 2022-02-07 9시 10시 Al2O3_130\'C_35cyc 포항공과대학교 저차원 전달 물질 연구소 장준혁 108,000원
1725 2022-02-08 13시 15시 p-type Si에 HfO2 40nm 증착 부탁드립니다! (p-type Si wafer도 같이 구매하겠습니다.)
물질: perovskite film		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 양원렬 491,000원
1726 2022-02-10 9시 14시 안녕하세요. Al2O3 10nm, 100°C에서 ALD 의뢰드립니다.

Si/SiO2/active layer/ 위에 passivation layer로 Al2O3를 증착하고자합니다.

6inch wafer위에 1.5x1.5cm 기판들은 PI tape으로 붙여서 준비하겠습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 노유진 108,000원
1727 2022-02-14 9시 14시 HfO2 100°C 30nm 증착 의뢰드립니다.

6inch wafer 위 1.5cmx1.5cm Si/SiO2 기판을 PI tape으로 붙여서 준비하였습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 노유진 324,000원
1728 2022-02-15 10시 12시 Al2O3 130\'C 35cyc 포항공과대학교 저차원 전달 물질 연구소 장준혁 108,000원
1729 2022-02-16 16시 18시 6-1-1 Gate Insulator Al2O3 Depo ALD 300A 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 270,000원
1730 2022-02-18 10시 11시 이전과 같이 HfO2 10nm 증착 부탁드립니다 고려대학교 전기전자공학과 진동규 120,000원
1731 2022-03-07 10시 12시 HfO2 ALD 10nm 6 ea (샘플 번호 : 34,35,46,47,65,71)
Al2O3 ALD 10nm 6ea (샘플 번호 : 36,37,48,49,66,72)
시편 정보 및 샘플번호 샘플 캐리어에 표기됨.		 한양대학교 산학협력단 첨단반도체소재 소자개발연구소 김지훈 240,000원
1732 2022-03-10 11시 12시 2개 샘플 중 1개만 Al2O3 100Å 증착 요청 제주대학교 산학협력단 이재욱 120,000원
1733 2022-03-10 13시 15시 4인치 웨퍼 전면에 TiN 전극이 성막된 웨이퍼에 SiO2 막을 증착하고자 합니다.
이전에 잡았던 공정 조건인 \"300`C/10 nm SiO2\" 을 기반으로 성막요청드립니다.

------------
6nm depo. 		포항공과대학교 신소재공학과 이철준 108,000원
1734 2022-03-11 8시 16시 6-1-1 gate insulator al2o3 depo. 300A 6ea 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 1,620,000원
1735 2022-03-15 9시 17시 Al2O3 10nm증착후 Fe 5nm증착 한국과학기술연구원 탄소융합소재연구센터 문숙영 620,000원
1736 2022-03-21 10시 11시 2인치 InP웨이퍼가 식각된 상태이며 ALD로 SiO2 100A 증착 부탁 드립니다.
---------------
250C ald-sio2 10nm depo.
250C pe-nitride 200nm depo.		 한국전자통신연구원 ICT소재푸붐연구소 안신모 240,000원
1737 2022-03-22 10시 12시 8인치 기판 4ea ALD 공정을 신청합니다.
물질: SiO2
증착 두께: 30nm
(기판은 현재 Si(45nm)/Ni(200nm) 박막 증착되어있습니다)

이후 해당 기판 전수는 Al 60nm 증착 공정이 진행됩니다.
감사합니다.		 애즈미(주) 기계공학과 송주권 1,440,000원
1738 2022-03-23 11시 12시 Al2O3 130\'C 35cyc 포항공과대학교 저차원 전달 물질 연구소 장준혁 108,000원
1739 2022-03-24 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

Si 기판에 이빔증착기로 Al 100nm 증착 후, ALD로 al2o3 4nm 증착 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 96,000원
1740 2022-03-28 14시 15시 60 nm 벽 두께를 가진 나노튜브 벽면에 amorphous Al2O3 를 120 nm 두께로 증착하고자합니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 심혜지 1,080,000원
1741 2022-03-29 13시 15시 샘플이 총 9개인데,
1번~6번까지는 HfO2 1nm 증착 부탁드리고, 7번~9번까지는 HfO2 0.5nm 증착 부탁드립니다.
샘플은 1층 시편보관함에 두도록 하겠습니다.
시간되시는대로 공정 완료되면 문자 부탁드리겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 허성재 216,000원
1742 2022-03-29 9시 12시 HfO2 80nm 200°C 의뢰드립니다.

6inch wafer위에 1.5cmx1.5cm Bare Si 기판을 PI tape으로 부착시켰습니다.

감사합니다. 		포항공과대학교 대학원 화학공학과 노유진 864,000원
1743 2022-04-01 10시 12시 텅스텐이 성막된 4인치 웨이퍼에 SiO2 7 nm 공정을 요청드립니다
(300`C 조건으로 진행한바 있습니다)		 포항공과대학교 신소재공학과 이철준 108,000원
1744 2022-04-01 13시 14시 HfOx 40nm PE-ALD 방식으로 증착 부탁드립니다.

Dummy substrate 6인치 bare Si wafer 위에 Si wafer, Si/SiO2 wafer를 부착하였습니다.
그리고 그 기판 위에 마스크를 붙였습니다.

원하는 사항은 마스크를 이용하여 패터닝 된 HfOx layer를 깔고 싶습니다.

* 그리고 wafer 정보를 적는 항목에서, 저희 연구실에서 wafer를 지참해서 갈 거라서 구매할 의향이 없습니다. 구매할 wafer 정보를 적는 것인지 지참하는 wafer 정보를 적는 것인지 몰라서 위와 같이 기입하였습니다.		 포항공과대학교 화학공학과 송승인 432,000원
1745 2022-04-01 14시 15시 Bare Si 기판 구매 후에 그 위에 HfOx 20nm 증착하려 합니다. 포항공과대학교 화학공학과 송승인 251,000원
1746 2022-04-05 10시 11시 Al2O3 35cyc 130c 포항공과대학교 저차원 전달 물질 연구소 장준혁 102,000원
1747 2022-04-07 9시 18시 Al2O3 ALD 증착을 요청드립니다.
샘플: 6-inch Si wafer 위 코팅된 폴리머 필름, 총 2 ea
공정온도: 100 \'C
요청두께: 70 nm		 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 멀티스케일 에너지 시스템 연구실 한민성 1,680,000원
1748 2022-04-11 7시 12시 샘플: 6 in. Si wafer 위 고온경화된 폴리머 코팅되어 있음.
개수: 2장
증착요청물질: Al2O3
증착두께: 70nm
증착온도: 100nm

SiO2 30nm		 주식회사 프런티어에너지솔루션 연구개발팀 (주)프런티어에너지솔루션 2,040,000원
1749 2022-04-13 9시 14시 4inch wafer위에 1.5cm x 1.5cm glass substrates를 PI tape으로 붙였습니다. Ni/Au 5/35 nm 증착 부탁드립니다.
또한 HfO2 ALD를 두께 100nm 온도 100°C로 부탁드립니다.
감사합니다.
혹시 통역이 필요하실경우
김현준 010-4944-4543으로 연락주시기 바랍니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 Taoyu Zou 1,200,000원
1750 2022-04-14 10시 16시 1.Ti / Ag / Al2O3 (20nm/ 100nm/ 4nm)

2. Ti / Ag / Al2O3 (20nm / 100nm / 6nm)

스테이지100c thermal -ald 공정으로 진행		 부산대학교 BIT 융합기술연구소 최은정 670,000원
1751 2022-04-15 9시 13시 SC51 lot
pre cleaning apm + dhf
thermal-ALD hfo2 3nm / 5nm 4회 진행
pe-ALD al2o3 20nm 4회 진행
 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,089,000원
1752 2022-04-18 11시 12시 Al2O3 130c 25cyc 포항공과대학교 저차원 전달 물질 연구소 장준혁 102,000원
1753 2022-04-20 11시 12시 hfo2 40nm depo. 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 480,000원
1754 2022-04-20 13시 14시 구별된 4개 샘플(12.7*12.7mm: 3ea, 3*3mm: 1ea)만 Al2O3 100 Å (10 nm) 증착 요청 제주대학교 산학협력단 이재욱 120,000원
1755 2022-04-26 13시 14시 선생님 안녕하세요
TiN 230도에서 10 nm ALD 부탁드립니다.

감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1756 2022-04-29 13시 14시 Cytop 및 Hyflon 이라 불리는 불소계 고분자 물질을 렌즈화하여 얇게 원자층 증착을 하고자 합니다.
(두께 3mm, 지름 6mm 의 반구형 렌즈 형태)
TiN 물질을 증착시키기 희망하며
~100Å 두께를 예상하고 있습니다.

샘플 내 온도는 ~150℃ 를 희망합니다. 		포항공과대학교 대학원 화학공학과 조원장 108,000원
1757 2022-04-29 15시 18시 안녕하세요.
TiN 5, 10, 15, 20 nm 230 도에서 증착 부탁드립니다.

SiO2 3000A기판과 Al2O3 나노구조체 1조각씩 4세트가 있습니다.
기판은 오후 1시전에 전달드리겠습니다.
감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 648,000원
1758 2022-05-18 9시 16시 (상부) HfZrO2 (5nm) / TiN (100nm) / SiO2 (300nm) / Si (하부) 한국과학기술원 전기전자공학과 신훈범 480,000원
1759 2022-05-19 10시 15시 SiO2 기판 위 W 전극이 성막되있는 구조입니다.
이전에 진행한 동일한 조건 (300`C)으로 SiO2 박막을 성막시키고자 합니다.
웨이퍼는 총 두장이며, 한장은 7 nm 다른 한장은 15nm 두께의 SiO2 증착을 요청드립니다.
ALD 공정 전 Cleaning 공정도 추가할 수 있는지 여쭈어보고싶습니다.

--------------------------
pe-oxide 18nm depo.
e-beam evaporator sio2 18nm depo.

감사드립니다. 		포항공과대학교 신소재공학과 이철준 235,000원
1760 2022-05-20 09시 14시 220520
ALD TiN 10nm depo. 4ea(E01/E02/FET07/FET08)
220408
HF cleaning (native oxide 제거) : 1분 30초 (P011)
HKMG 형성 (P011)
Al2O3 1nm, HfO2 4nm ALD, TiN 10nm ALD
 서강대학교 전자공학과 이장우 940,000원
1761 2022-05-26 15시 17시 선생님 안녕하십니까
SiO2 3000A 기판 위에 TiN 20 nm를 ALD 하고 싶습니다.

조각은 오후 2시 전에 가져다두겠습니다!
감사드립니다		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 216,000원
1762 2022-06-29 10시 16시 소자공정교육
국가나노인프라를 활용한 나노소자공정실습교육
al2o3 depo.		 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,400,000원
1763 2022-07-07 17시 18시 3nm 두께의 TiN 증착을 하고자합니다
기판은 Si, SiO2 기판이고, 해당 공정을 진행하기 전에 test 공정을 시행하고 진행하고자 합니다.
native oxide 제거 후 진행하기 위해서 공정 시간을 조율해서 oxide 제거 후 바로 증착을 하면 좋을 것 같습니다		 포항공과대학교 신소재공학과 김지예 108,000원
1764 2022-07-19 13시 18시 purge time과 Purge 유량을 변화시켜 TiN-ALD 박막 증착 희망합니다.
계획은 wafer 6장 이상을 증착하는것이지만
장비를 처음 사용하는 관계로 run당 시간이 얼마나 소요될지 감이 잡히지 않아
대략적인 계획한 장수입니다.
명지대학교 전자공학과 강주은 1,440,000원
1765 2022-07-28 10시 16시 대구대학교 나노 반도체공정 실습교육
al2o3 depo.		 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,425,000원
1766 2022-09-02 16시 17시
HfOx 40nm PE-ALD 방식으로 증착 부탁드립니다.

Dummy substrate 6인치 bare Si wafer 위에 Si wafer, Si/SiO2 wafer를 부착하였습니다.
그리고 그 기판 위에 마스크를 붙였습니다.

원하는 사항은 마스크를 이용하여 패터닝 된 HfOx layer를 깔고 싶습니다.

* 그리고 wafer 정보를 적는 항목에서, 저희 연구실에서 wafer를 지참해서 갈 거라서 구매할 의향이 없습니다. 구매할 wafer 정보를 적는 것인지 지참하는 wafer 정보를 적는 것인지 몰라서 위와 같이 기입하였습니다.		 포항공과대학교 화학공학과 송승인 432,000원
1767 2022-09-05 14시 15시 al2o3 2nm ald 부탁드립니다.
감사드립니다!		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1768 2022-09-13 17시 19시 Al2O3 30nm depo. 2ea 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 720,000원
1769 2022-09-13 19시 20시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

앞서 신청드린 e-beam 증착기로 Si 기판에 Al 100nm을 증착한 샘플에
ALD로 Al2O3 5 nm 증착해주시면 감사드리겠습니다.

e-beam 증착기도 따로 신청드렸습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 96,000원
1770 2022-09-14 16시 23시 hfo2 20nm
sio2 50nm
hfo2 70nm		 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 1,680,000원
1771 2022-09-14 17시 18시 wafer 정확한 정보는 메일로 추가로 보내드립니다.

증착 후, 증착 결과 (두께 등) 데이터 함께 보내주시면 감사하겠습니다.

Al2O3 10nm 두께로 증착 부탁드립니다. 함께 신청한 Fe 증착 건은 ALD 공정으로 Al2O3 증착한 샘플에 부탁드립니다. 		이화여자대학교 화공신소재공학과 박민지 240,000원
1772 2022-09-15 6시 12시 pe-al2o3 25nm (225C)
thermal-hfo2 25nm (225C)
al2o3 5nm + hfo2 20nm
hfo2 5nm + al2o3 20nm		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,386,000원
1773 2022-09-20 14시 16시 Wafer(substrate)로 5 * 5 (cm^2) Cu foil을 사용하고 Al2O3를 증착하고자 합니다.
한 장은 증착두께 2nm, 나머지 한 장은 10nm로 증착 부탁드립니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 윤혜주 216,000원
1774 2022-09-22 9시 12시 SiO2 ALD 공정을 의뢰합니다. 두께는 약 20cycle로 생각하고 있습니다.
8인치 웨이퍼 총 5장 의뢰드리며 웨이퍼 상태는 다음과 같습니다.

- Ti/Pt 증착되어 있는 웨이퍼 (패턴 없음) : 2장
- 웨이퍼 Center에 작은 패턴이 있는 웨이퍼 (Si 1um etch되어 있습니다) : 2장
- 웨이퍼 Center에 작은 패턴이 있는 웨이퍼 (Si 1um etch 후 Ti/Pt 증착되어 있습니다.) : 2장
- Electrode 패턴이 있는 웨이퍼 (Ti/Pt 증착되어 있습니다.) : 1장

100A 4ea
200A 3ea		 삼성전자 SAIT 배기덕 1,200,000원
1775 2022-09-27 14시 15시 나노융합기반 고도화사업 전자과 서태원 010 5009 8015

300도에서 Al2O3 10 nm 증착 후 로드락에서 식힌 후 샘플 빼고자 합니다.


 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 120,000원
1776 2022-09-28 13시 16시 Bare Si 기판 8인치 3장을 구매 후
각각 HfO2를 20nm, 30nm, 40nm를 증착하려고 합니다.
즉, 다음과 같습니다.
1장 8인치 Bare Si + HfO2 20nm
1장 8인치 Bare Si + HfO2 30nm
1장 8인치 Bare Si + HfO2 40nm

늘 수고 많으십니다.		 포항공과대학교 화학공학과 송승인 1,167,000원
1777 2022-09-29 14시 16시 Cu foil에 HfO2를 증착하고자 합니다.
1장은 2.5nm, 다른 1장은 10nm로 증착 부탁드립니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 윤혜주 216,000원
1778 2022-09-29 16시 18시 Al2O3 ALD 증착
-. 한 장은 PE 방식으로, 다른 한 장은 thermal 방식으로 ..
-. 증착 두께는 둘 다 20nm..		 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 480,000원
1779 2022-09-30 14시 16시 Al2O3 10 nm 증착 의뢰합니다. Purge time은 90초로 설정하여 증착 부탁 드립니다.
 포항공과대학교 전자과 서태원 108,000원
1780 2022-09-30 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.
앞서 신청드린 e-beam 증착기로 Si 기판에 Al 100nm을 증착한 샘플에 ALD로 Al2O3 5 nm 증착해주시면 감사드리겠습니다.
e-beam 증착기도 따로 신청드렸습니다.
감사합니다.

al2o3 4nm depo.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 96,000원
1781 2022-10-03 17시 18시 x 포항공과대학교 기계공학과 이장호 102,000원
1782 2022-10-04 9시 12시 (상부) ZrO2 (3nm) / HfZrO2 (4nm) / TiN (50nm) / W (100nm) / SiO2 (300um) / Si (하부)

tin 10nm 150w		 한국과학기술원 전기전자공학과 신훈범 120,000원
1783 2022-10-05 9시 14시 NNFC에서 Pt 가 sputter 공정된 8인치 웨이퍼 두 장을 SiO2 ALD 증착 부탁드립니다.

요청 두께는 20nm 입니다.		 삼성전자 SAIT 배기덕 480,000원
1784 2022-10-06 12시 15시 6인치 실리콘 웨이퍼 2장 HfO2 10nm 공정요청합니다. 기판 1은 Si/SiO2 100nm이고 기판 2는 Si/SiO2 100nm위에 Ti, Pt(1, 15nm)이 전면 증착되어 있는 기판입니다. 공정온도는 280oC로 부탁드리며 측정 이후 각각 웨이퍼에 대한 엘립소를 이용한 산화막 두께 확인도 부탁드립니다. 포항공과대학교 대학원 화학공학과 정학순 240,000원
1785 2022-10-12 10시 14시 HfO2 80nm 200°C 의뢰드립니다.

6inch wafer위에 1.5cmx1.5cm Bare Si 기판을 PI tape으로 부착시켰습니다.

또한 일부 Au pattern된 부분 위에 PI tape으로 가렸습니다.

감사합니다.

1000A depo.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 노유진 1,080,000원
1786 2022-10-17 10시 14시 HfO2 40 nm 200°C 공정 의뢰드립니다.

6 inch wafer위 1.5cmx1.5cm bare Si substrates를 PI tape으로 부착하였습니다.

감사합니다.
 포항공과대학교 대학원 화학공학과 노유진 432,000원
1787 2022-10-18 13시 15시 PEALD로 Al2O3 10 nm 부탁드립니다. RF 파워는 20 W로 진행 부탁드립니다.
다른 하나는 thermal ALD 300도에서 Al2O3 10 nm 부탁 드립니다.
로드락에서 식혀서 언로딩 부탁 드립니다.		 포항공과대학교 전자과 서태원 216,000원
1788 2022-10-19 13시 15시 증착물질 : Al2O3
증착온도 : 150oC
두께 : 25nm

기판정보 - Parylene C(on glass), PI(on glass), PEN 기판 위 전극 증착.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 허성민 324,000원
1789 2022-10-19 6시 12시 8-4-1 gate oxid ald 450a 3ea 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 1,800,000원
1790 2022-10-20 1시 7시 pe-al2o3 300a 2ea (225c)
pe-al2o3 250a 2ea (280c)
thermal-hfo2 50a 2ea (225c)		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,612,000원
1791 2022-10-21 14시 16시 시료 표면이 SiGeO 또는 SiO2 인 5가지 시료에 TiN 10 nm ALD 의뢰합니다. 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 서경민 108,000원
1792 2022-10-24 10시 13시 증착물질 : Al2O3
증착온도 : 150oC
두께 : 25nm
기판정보 - Glass 기판 위 전극 증착.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 허성민 324,000원
1793 2022-10-27 13시 17시 HfAlOx (Al 3%) 9nm로 증착부탁드립니다
HfAlOx 9nm - 4인치 1장 : hfo2 29A + Al2O3 1A + hfo2 29A + Al2O3 1A + hfo2 29A + Al2O3 1A		 동국대학교 산학협력단 전자전기공학부 김지형 120,000원
1794 2022-10-28 16시 18시 안녕하세요
TiN 10 nm ALD 부탁드립니다.
감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1795 2022-10-28 9시 19시 NNFC에서 Ti/Pt 박막을 sputter로 증착한 웨이퍼입니다. 두께는 SiO2 20nm 입니다. 삼성전자 SAIT 배기덕 4,560,000원
1796 2022-10-31 13시 14시 n++ Si 기판 위에 각각 W (200nm), Mo (200nm), TiN (200nm)이 증착된 상태입니다.
HfAlOx 9nm - 6인치 3장 : hfo2 29A + Al2O3 1A + hfo2 29A + Al2O3 1A + hfo2 29A + Al2O3 1A		 동국대학교 산학협력단 전자전기공학부 김지형 360,000원
1797 2022-11-01 10시 12시 PEALD로 Al2O3 10 nm 부탁드립니다. RF 파워는 30, 40 W로 각각 2조각씩 진행 부탁드립니다.
로드락에서 식혀서 언로딩 부탁 드립니다.		 포항공과대학교 전자과 서태원 216,000원
1798 2022-11-01 17시 18시 HfOx 40nm PE-ALD 방식으로 증착 부탁드립니다.

Dummy substrate 6인치 bare Si wafer 위에 Si wafer, Si/SiO2 wafer를 부착하였습니다.
그리고 그 기판 위에 마스크를 붙였습니다.

원하는 사항은 마스크를 이용하여 패터닝 된 HfOx layer를 깔고 싶습니다.

* 그리고 wafer 정보를 적는 항목에서, 저희 연구실에서 wafer를 지참해서 갈 거라서 구매할 의향이 없습니다. 구매할 wafer 정보를 적는 것인지 지참하는 wafer 정보를 적는 것인지 몰라서 위와 같이 기입하였습니다.		 포항공과대학교 화학공학과 송승인 432,000원
1799 2022-11-02 3시 6시 SiN4/Graphene(0.345nm)/Graphene Oxide(1.5nm)
bottom to top		 포항공과대학교 전자전기공학과 임효경 108,000원
1800 2022-11-08 9시 12시 패턴된 Ti, Pt 전극 이 올라가 있는 실리콘 기판입니다. 총 4가지의 조건으로 공정 의뢰합니다.
1. HfO2 -5nm , 2. HfO2-10nm, 3. Al2O3 -5 nm, 4. Al2O3 -10nm
공정은 품질이 가장 높게 나오는 조건으로 진행 부탁드립니다(몇 도에서 공정 진행하셨는지 메모 혹은 연락주시면 감사하겠습니다). 메인 기판 혹은 더미 기판의 엘립소 메트리 측정을 통해서 공정 완료 후 산화막 두께도 분석 부탁드립니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 정학순 432,000원
1801 2022-11-09 9시 24시 Pt가 증착된 8인치 웨이퍼로 SiO2 ALD 20nm 증착 부탁드립니다. 삼성전자 SAIT 배기덕 1,440,000원
1802 2022-11-11 10시 20시 ALD SiO2 증착 요청 드립니다.
증착 요청 두께는 1,000Å 입니다.

+ 참고 사항
: 해당 시편은 Line & space 구조의 pattern wafer 이며, Si mold 형태 입니다.
: Si Trench Depth : 4k
: Pattern size line / space : 38~100 / 38~715nm		 (주)테스 공정개발팀 권영휘 1,200,000원
1803 2022-11-14 16시 20시 ald al2o3 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 1,440,000원
1804 2022-11-15 9시 10시 안녕하세요
al2o3 2nm증착 부탁으립니다.
감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1805 2022-11-16 10시 16시 전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 3,600,000원
1806 2022-11-16 14시 20시 1-1-1 insulator depo. al2o3 depo. 300a 5ea
2022년 나노융합기반 고도화사업		 (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 1,800,000원
1807 2022-11-18 14시 17시 HfO2 40nm depo.
TiN 50nm depo.		 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 1,080,000원
1808 2022-11-29 10시 13시 한국나노마이스터고 반도체 공정 실무교원 연수 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,200,000원
1809 2022-11-30 12시 18시 AlN 20nm
AlON 20nm 2ea (split condition)		 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 720,000원
1810 2022-12-01 12시 14시 패턴된 Ni/Au (5/35) 전극 이 올라가 있는 실리콘 기판입니다. 총 4가지의 조건으로 공정 의뢰합니다.
1. HfO2 -5nm, 2. HfO2-10nm, 3. Al2O3 -5 nm, 4. Al2O3 -10nm
공정은 품질이 가장 높게 나오는 조건으로 진행 부탁드립니다. 이전과 동일하게 공정 조건 보내주시면 감사하겠습니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 정학순 432,000원
1811 2022-12-01 14시 16시 HfO2 20nm로 증착 부탁드립니다.
Wafer는 polishing하여 준비하오나, 산화가 빠른 Cu 특성 상 당일 진행해주시면 감사하겠습니다. :)		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 윤혜주 216,000원
1812 2022-12-01 16시 18시 SiO2 기판위 W 이 성막 되있습니다.
ALD 공정을 이용하여 SiO2 (15 nm) 를 성막하고자 합니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 신소재공학과 이철준 216,000원
1813 2022-12-02 9시 13시 처음 진행하는 과정이라 해당 공정에 대한 지식이 부족합니다. 기타 특의사항시 01067430087로 연락부탁드립니다.
al2o3 30nm depo.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 심규민 324,000원
1814 2022-12-05 9시 10시 al2o3 2nm ald 부탁드립니다.
감사드립니다!		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1815 2022-12-06 14시 15시 Sapphire 상에 growth된 GaN 상에 Al2O3를 20nm 증착하고자 합니다.
GaN가 표면처리가 되어있어 plasma enhanced 방식은 표면처리에 영향을 줄 것으로 보여,
thermal assisted 방식으로 증착하였으면 합니다.		 포스텍 첨단재료과학부 조원석 216,000원
1816 2022-12-07 14시 16시 Si / SiO2(100nm) bare wafer 위에 W 20nm 증착한 wafer 입니다.
W film 위에 ALD SiO2 7nm를 증착하고 싶습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 김영동 108,000원
1817 2022-12-13 14시 16시 안녕하세요. 하나는 Al2O3 10nm, 나머지 하나는 HfO2 10nm 로 증착 부탁드립니다. 포항공과대학교 대학원 화학공학과 윤혜주 216,000원
1818 2022-12-13 7시 10시 Al2O3 20nm 3ea 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 720,000원
1819 2022-12-15 9시 14시 하부 NMOS가 포항공과대학교 화학공학과 이재윤 432,000원
1820 2022-12-16 9시 12시 HfO2 100nm, 200°C ALD 공정 의뢰드립니다.

6inch wafer 한장 위에 1.5cmx1.5cm 기판 여러개를 PI tape으로 고정시켰습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 노유진 1,080,000원
1821 2022-12-20 15시 18시 al2o3 30nm depo. 제주대학교 메카트로닉스공학과 강인석 360,000원
1822 2022-12-21 10시 11시 2-1-1 oxide depo. sio2 depo. 100a ald
2-1-2 nitride depo. sin depo. 150a pecvd		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 216,000원
1823 2022-12-26 9시 12시 HfO2 80 nm, 200°C ALD 공정 의뢰드립니다.

6inch wafer 한장 위에 1.5cmx1.5cm 기판 여러개를 PI tape으로 고정시켰습니다.

감사합니다.
------------
40nm depo.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 노유진 432,000원
1824 2023-01-02 10시 11시 silicon위에 gold 증착되어 있는 sample입니다.
해당 sample 위에 Al2O3를 0.5nm 증착 부탁 드립니다.
강도현(010-8767-5174)으로 연락 부탁 드립니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 96,000원
1825 2023-01-05 8시 18시 1-1-1 oxide depo. sio2 100a depo. 24ea 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 2,592,000원
1826 2023-01-20 10시 11시 Ti-1nm/Pt-7nm 패턴이 올라간 SiO2 2장입니다.
HfO2 20nm 요청합니다. 공정 이후에 엘립소 결과 및 공정 조건 회신주시면 감사하겠습니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 정학순 432,000원
1827 2023-01-20 12시 13시 Si / SiO2(100nm) bare wafer 위에 W 20nm 증착한 wafer 2장입니다.
W film 위에 ALD SiO2 7nm 와 ALD SiO2 4nm를 각각의 wafer에 증착하고 싶습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 김영동 216,000원
1828 2023-01-23 20시 21시 강도현(010-8767-5174)

si 기판 4장에 각각 ALD로 Al203 0.5nm씩 증착 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 96,000원
1829 2023-01-24 10시 18시 전문인력양성사업 나노소자공정 & 측정일자리연계 교육. 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,400,000원
1830 2023-01-25 14시 15시 안녕하세요 연구원님 공정 의뢰 드립니다.

Bare Si 구매 후에 HfOx 20nm와 40nm 각각 의뢰 드립니다.
Bare Si (8인치) + 20nm
Bare Si (8인치) + 40nm
총 2장 의뢰드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 송승인 778,000원
1831 2023-01-30 13시 14시 안녕하세요 한양대 오종규 연구원이 신청한 공정 진행 요청 드립니다.
4인치 웨이퍼와 6인치 웨이퍼가 있는데 각각 40nm 부탁 드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 송승인 864,000원
1832 2023-01-31 10시 11시 LED wafer 2매, Dummy wafer 2매 (ITO on sapphire, Si wafer) Al2O3 10nm 증착의뢰 합니다. LG 전자 소재/생산기술원 소재기술원 ML Task 조영제 480,000원
1833 2023-02-01 15시 17시 TiN 20 nm 증착 한국과학기술연구원 극한소재연구센터 문건희 240,000원
1834 2023-02-03 13시 15시 안녕하세요, 동국대 김성준 교수님 연구실입니다.

HfAlOx 9 nm 증착 의뢰할 조각 시편은 다음 4가지로 구성되어 있습니다.

1. W 2개

2. TaOx 4개

3. N++ Si 1개

4. TiN 2개
-------------------------
4inch (hfo2 29A + al2o3 1A) * 3cycle 도 진행함 (2회 청구 됨)
--------------------

AlOx 3 nm와 그 위에 HfOx 7 nm 증착 의뢰할 각 시편은 다음 한가지로 구성되어 있습니다.

1. TiN 10개

AlOx 2 nm와 그 위에 HfOx 5 nm 증착 의뢰할 각 시편은 다음 한가지로 구성되어 있습니다.

1. TiN 10개

증착 관련 문의는 아래 연락처로 부탁드리겠습니다.
전화: 010-4585-0988
이메일: eunjinim0116@gmail.com

감사합니다!
 동국대학교 산학협력단 전자전기공학부 김지형 480,000원
1835 2023-02-06 14시 16시 안녕하세요 동국대학교 김성준 교수님 연구실입니다.

SiN 300nm 위에 TiN 30nm ALD 증착 부탁드리겠습니다.

증착의뢰 관련 문의는 yangseyeong126@gmail.com으로 부탁드립니다

감사합니다.		 동국대학교 산학협력단 전자전기공학부 김지형 360,000원
1836 2023-02-07 10시 11시 6인치 실리콘 웨이퍼 위에 Al2O3 150도에서 30nm 증착 의뢰드립니다.

증착된 웨이퍼는 아래 주소로 보내주시면 감사드리겠습니다.

서울특별시 성북구 안암로 145 고려대학교 서울캠퍼스(자연계캠퍼스) 신공학관 606호

감사합니다!		 고려대학교 신소재공학부 윤광로 395,000원
1837 2023-02-08 11시 13시 ALD (HfOx Depo. 600Å) 삼성디스플레이 SDC硏 LED LAB 원치훈 1,152,000원
1838 2023-02-09 21시 22시 CNT Al2O3 130C 35cyc 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김홍두 102,000원
1839 2023-02-12 12시 12시 ALD 장비로 Al2O3 증착을 요청 합니다
수량은 13매 입니다
자세한 것은 통화로 알려드리겠습니다
-----------------
al2o3 100nm etch test 8inch 1ea
200c 10nm 1ea
200c 10nm 14ea		 LG전자 ML Task 조병권 3,069,000원
1840 2023-02-13 10시 12시 폴리싱된 실리콘 웨이퍼에 배터리 전극을 붙였습니다.
전극 위에 Al2O3 1nm, 3nm, 5nm, 10nm, 그리고 SIO2 1nm, 3nm, 5nm, 10nm를 코팅하고자 합니다 (총 8개)
전극은 흑연/카본/폴리아크릴산으로 이루어져있습니다 (흑연이 주됨)		 포항공과대학교 첨단재료과학부 강지은 864,000원
1841 2023-02-15 10시 17시 전북대학교 반도체 소자제작 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,400,000원
1842 2023-02-15 13시 14시 al2o3 aln depo.
웨이퍼 핸들링 주의 요청
----------------------
al2o3 14회
aln 12회		 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 3,120,000원
1843 2023-02-15 14시 16시 Cu 2장 각각 Al2O3 10nm, SiO2 10nm
Mo 2장 각각 Al2O3 10nm, SiO2 10nm
-------------------
sio2 10nm dpeo. 1회 진행		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 김민균 108,000원
1844 2023-02-17 13시 17시 4inch (2 개) : 사전 공정 진행 (TiN 금속이 드러낸 상태)
-> HfO2 (5 nm) / AlOx (2 nm) bilayer로 증착 부탁드리겠습니다 (증착 순서: AlOx -> HfOx)

6inch (2 개) : 사전 공정 없는 bare 상태입니다
-> 하나는 HfAlOx (7.5 nm)
-> 다른 하나는 HfAlOx (10.5 nm)
모두 Al 도핑 농도 3 % (기존 recipe로 두께만 다르게 증착 부탁드립니다)

감사합니다 !

- 김지형 드림 (010-8351-2022)		 동국대학교 산학협력단 전자전기공학부 김지형 600,000원
1845 2023-02-20 13시 18시 300c 10nm 5ea LG전자 ML Task 조병권 600,000원
1846 2023-02-21 14시 16시 Al2O3 각각 10nm 증착
----------------------
sio2 10nm depo. 추가		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 김민균 216,000원
1847 2023-02-21 22시 23시 안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 강도현입니다.

silicon위에 gold 증착되어 있는 sample입니다.
해당 sample 위에 Al2O3를 0.5nm 증착 부탁드립니다.
강도현(010-8767-5174)로 연락부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 96,000원
1848 2023-02-21 9시 10시 Thermal 방식으로 al2o3 20nm를 증착하고자 합니다. 포스텍 첨단재료과학부 조원석 216,000원
1849 2023-02-27 10시 19시 300c al2o3 10nm 14ea LG전자 ML Task 조병권 1,680,000원
1850 2023-02-27 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

맡겨드린 Si 기판 7개에
1. Aluminum 100 nm 이빔증착기
2. Al2O3 4 nm ALD
로 공정 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 96,000원
1851 2023-02-28 13시 14시 3개의 샘플은 갈륨 산화막에 골드를 소스 드레인으로 올려놓은 샘플이며,
나머지 샘플들은 bare한 wafer입니다.
온도조건은 600도 이상의 고온만 아니면 괜찮습니다.
-------------------------
hfo2 20nm depo. 280c		 포항공과대학교 신소재공학과 공민식 216,000원
1852 2023-02-28 15시 16시 TIN 20 nm 증착 요청합니다. 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 서경민 216,000원
1853 2023-03-02 1시 10시 250도 공정진행 요청합니다.
20nm depo. 4ea		 LG전자 CTO / 소자재료연구소 이경동 960,000원
1854 2023-03-02 10시 11시 한양대 오종규 연구원이 신청한대로 40나노 증착 요청드립니다
2ea		 포항공과대학교 화학공학과 송승인 864,000원
1855 2023-03-07 10시 12시 TiN 2 nm 증착
TiN 5 nm 증착		 한국과학기술연구원 극한소재연구센터 문건희 240,000원
1856 2023-03-07 21시 23시 CNT Al2O3 130C 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김홍두 108,000원
1857 2023-03-08 10시 12시 300C Al2O3 10nm 10ea LG전자 ML Task 조병권 1,200,000원
1858 2023-03-08 15시 15시 노용영 교수님 (송승인 연구원) 측에서 진행한 공정 recipe로
Hfox 40 nm 씩 2장 부탁드립니다.

하부에 유기물(CYTOP) 및 무기물 (SiO) 박막이 존재합니다.		 한양대학교 에너지공학과 오종규 960,000원
1859 2023-03-09 15시 16시 지난 2월 21일 화요일 증착했던 Al2O3 20nm thermal 방식과 동일하게 진행해주시면 감사하겠습니다. 포스텍 첨단재료과학부 조원석 216,000원
1860 2023-03-13 10시 16시 2-1-1 Al2O3 400A depo. \\\\\\\\\\ 8\" Glass 10ea (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 0원
1861 2023-03-13 13시 14시 안녕하세요
Al2O3 3 nm ALD 부탁드립니다.
샘플은 점심시간에 보관함에 두겠습니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1862 2023-03-16 1시 2시 Al2O3 30nm 8 inch Si wafer 위에 증착 의뢰드립니다. (8인치 웨이퍼 1장)

배송지는 서울특별시 성북구 안암로 145 고려대학교 서울캠퍼스 신공학관 628호 입니다. 갑사합니다!

 고려대학교 신소재공학부 윤광로 425,000원
1863 2023-03-17 13시 21시 III-V 화합물 반도체(InP) membrane 구조 on SI
al2o3 100nm deoi,		 (주)인옵틱스 연구개발전담부서 윤소연 1,200,000원
1864 2023-03-20 10시 15시 유기물 (CYTOP), 무기물 (SiO) 및 산화물반도체 층 존재합니다.

노용영교수님 연구실 hfox recipe 로 부탁드리겠습니다!

늘 감사드립니다.		 한양대학교 에너지공학과 오종규 480,000원
1865 2023-03-23 10시 17시 Al2O3 10nm depo. LG전자 ML Task 조병권 1,800,000원
1866 2023-03-23 17시 18시 18개 샘플 중 9개는 HfO2 10nm, 나머지 9개는 Al2O3 10nm 부탁드립니다 고려대학교 전기전자공학과 진동규 240,000원
1867 2023-03-23 19시 20시 유선상으로 말씀드렸던 sample 공정하겠습니다. 포항공과대학교 기계공학과 이장호 102,000원
1868 2023-03-24 9시 12시 HfO2 60 nm, 200°C ALD 공정 의뢰드립니다.

6inch wafer 한장 위에 1.5cmx1.5cm 기판 여러개를 PI tape으로 고정시켰습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 노유진 648,000원
1869 2023-03-28 20시 21시 강도현 (010-8767-5174)

si 기판 4장에 Al2O3 0.5nm ALD로 증착 부탁드립니다.

감사합니다.
 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 96,000원
1870 2023-03-28 22시 15시 1-1-1 Oxide depo. SiO2 100A, 12ea 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 1,152,000원
1871 2023-03-29 9시 18시 Al2O3 10nm depo. LG전자 ML Task 조병권 1,080,000원
1872 2023-03-30 1시 10시
ALD SiO2 증착 요청 드립니다.
증착 요청 두께는 1,000Å 입니다.

+ 참고 사항
: 해당 시편은 Line & space 구조의 pattern wafer 이며, Si mold 형태 입니다.
: Si Trench Depth : 4k
: Pattern size line / space : 38~100 / 38~715nm
---------------
3ea 진행		 (주)테스 공정개발팀 권영휘 3,600,000원
1873 2023-03-30 10시 12시 이전에 요청드렸던 샘플과 동일한 샘플로 Mo로 전극 패턴이 되어 있고,
그 위에 NNFC에서 Pt가 증착하였습니다.

ALD로 SiO2 20nm 증착 요청드립니다.
----------------
7ea 진행		 삼성전자 SAIT 배기덕 1,512,000원
1874 2023-03-31 11시 13시 al2o3 10nm 6ea LG전자 ML Task 조병권 720,000원
1875 2023-04-03 1시 11시 Silicon 웨이퍼 위에 arylene-C박막이 증착되어 있고, 그 위에 ti/au metal patterning 이 되어 있습니다.

SiO2 40nm 증착 ALD로 진행하려 합니다. (Thermal 200도)		 서울대학교 전기정보공학부 정현빈 1,920,000원
1876 2023-04-04 10시 15시 Al2O3 10nm depo. LG전자 ML Task 조병권 600,000원
1877 2023-04-05 9시 17시 하부 metal인 Mo로 전극이 형성되어 있고, 그 위에 Ti/Pt 각각 10nm/20nm 를 sputter 증착된 웨이퍼 입니다. SiO2 ALD로 20nm 증착 요청드립니다. 삼성전자 SAIT 배기덕 864,000원
1878 2023-04-06 16시 17시 20x25 Glass+diX+Al 기판 (17개)
증착 물질 : Al2O3
증착 두께 : 25nm
공정 온도 : 150oC 		포항공과대학교 대학원 화학공학과 허성민 324,000원
1879 2023-04-13 20시 21시 안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 강도현(010-8767-5174)입니다.

Si기판에 순서대로 gold 50nm, Al2O3 0.5nm, QD 쌓은 샘플 6장과
Si기판에 순서대로 Al2O3 0.5nm, QD 쌓은 샘플 4장입니다.

10개 동일하게 Al2O3 0.5nm 증착 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 96,000원
1880 2023-04-18 1시 18시 보내드린 샘플 2장에 Plasma enhanced 방식으로 (지난번과 같은 조건) SiO2 40 nm 각 증착 부탁드립니다. 서울대학교 전기정보공학부 정현빈 960,000원
1881 2023-04-18 18시 19시 메일로 송부드렸습니다. 한국기계연구원 나노공정 안효진 370,000원
1882 2023-04-25 13시 15시 안녕하세요 선생님.
TiN 5 nm ALD 부탁드립니다.
샘플은 점심시간 중에 가져다 두겠습니다!

좋은 하루 보내세요.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1883 2023-04-26 1시 5시 Red 4inch wafer 에 Al2O3 10nm 증착 의뢰 합니다. LG 전자 소재/생산기술원 소재기술원 ML Task 조영제 720,000원
1884 2023-04-26 10시 12시 UHV-CVD 장비 공정 의뢰드렸던 웨이퍼 중
marking된 ID가 TIDL-SNU-18, 20, 21인 패턴 있는 wafer 3장에 대해 다음과 같이 진행 부탁드립니다.
요청드리는 두께에 최대한 가깝게 증착될 수 있는 cycle 수로 진행해주시면 감사하겠습니다.

TIDL-SNU-18
SPM cleaning → dHF cleaning (native oxide remove) → Al2O3 1.5 nm ALD

TIDL-SNU-20
SPM cleaning → dHF cleaning (native oxide remove) → Al2O3 1.8 nm ALD

TIDL-SNU-21
SPM cleaning → dHF cleaning (native oxide remove) → Al2O3 2.0 nm ALD		 서울대학교 전기·정보공학부 류민정 610,000원
1885 2023-05-02 9시 10시 TiN 5 nm ALD 부탁드립니다.

조각 샘플수가 많아서.. 도움 주셔서 감사드립니다!		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1886 2023-05-03 14시 15시 Al2O3 5nm depo. 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 198,000원
1887 2023-05-03 9시 17시 이전에 요청드렸던 바와 같이 SiO2 ALD 20nm 증착 요청드립니다.
Pt 로 전극이 패터닝 되어 있고, 다른 부분은 SiO2 입니다.
샘플은 총 2장이며 택배를 통해 보내도록 하겠습니다.
감사합니다.		 삼성전자 SAIT 배기덕 432,000원
1888 2023-05-04 16시 17시 수량 : 15x15조각시편 16개
공정온도 : 150oC
물질 : Al2O3 25nm
기판 : SiO2 100nm, Gate metal patterned		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 허성민 324,000원
1889 2023-05-08 13시 15시 안녕하세요!
고려대학교 유현용 교수님 연구실 학생 박종윤입니다.

보내드리는 샘플 상에 HfO2를 전면으로 5, 10 nm 증착 부탁드립니다.

Sample No. 1-6 (6개): HfO2 5nm
Sample No. 7-12 (6개): HfO2 10nm

감사합니다.		 고려대학교 전기전자공학과 진동규 240,000원
1890 2023-05-08 9시 13시 Al2O3 10nm depo. LG전자 ML Task 조병권 1,320,000원
1891 2023-05-09 10시 12시 6인치 LED 웨이퍼 입니다.
공정은 기존과 같이 Al2O3 10nm 입니다.		 LG 전자 소재/생산기술원 소재기술원 ML Task 조영제 240,000원
1892 2023-05-09 14시 16시 ALD HfO2 10nm 2매 증착부탁드려요. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 이순형 216,000원
1893 2023-05-12 11시 20시 1.
Ge 조각 (bare) 1개
2.
SI Silicon (n++) 6inch 1개
3.
TiN/Si 조각 5개
4.
Pt/HfAlOx/Si(n++) 조각 1개
W/HfAlOx/Si(n++) 조각 1개
TiN/HfAlOx/Si(n++) 조각 1개
Mo/HfAlOx/Si(n++) 조각 1개
Ni/HfAlOx/Si(n++) 조각 1개

위에 전부 HfAlOx (9nm 3%) 증착 부탁드립니다.
저희 연구실 연구원 김다혜님이 기존 recipe Hf 29cycle Al 1cycle로 의뢰드린 것으로 알고 있는데 그대로 공정해주시면 감사하겠습니다.

-----------
장당 2회 청구됨 2매 진행
 동국대학교 산학협력단 전자전기공학부 김지형 480,000원
1894 2023-05-12 9시 11시 HfO2 20nm
280\\\'C		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 김민규 281,000원
1895 2023-05-17 10시 12시 Si / SiO2(100nm) bare wafer 위에 W 20nm 증착한 wafer 입니다.
W film 위에 ALD SiO2 7nm를 증착하고 싶습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 김영동 108,000원
1896 2023-05-17 13시 17시 Al2O3 10nm depo. 5ea
Al2O3 20nm depo. 2ea		 LG전자 ML Task 조병권 1,080,000원
1897 2023-05-18 1시 7시 Sub.는 Mo 패터닝된 상태입니다. 총 4장 진행하는데, 2장(WF# 1,3)은 stage temp. 280oC로 약 4nm depo할 예정으로 Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 4set 부탁드리며, 나머지 2장(WF# 2,4)은 stage temp. 280oC로 약 4nm depo할 예정으로 HfOx 약 31 cycle 부탁드립니다.

ALD 후에 RTP 공정 요청 (N2 분위기, 900C, 15초 유지; 승온 구간 30초, 급속 냉각) -> RTP 공정은 Hf rich HfAlO 조건과 HfO 조건에서 각 1장씩 (총2장 = WF# 1,2) 진행 부탁드립니다.

혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다.

감사합니다.		 삼성종합기술원 2D device TU 박배권 384,000원
1898 2023-05-23 14시 15시 안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 강도현(010-8767-5174)입니다.

유리 기판에 Al 44nm쌓은 샘플입니다.
Al2O3 5nm 증착 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 96,000원
1899 2023-05-26 9시 10시 Al2O3 10nm depo. LG전자 ML Task 조병권 1,200,000원
1900 2023-05-31 12시 13시 Sub.는 W (WF#1,2)와 Mo(WF#3,4)로 패터닝된 상태입니다. 총 4장 진행하는데, 2장(WF# 1,2)은 stage temp. 280oC로 약 4nm depo할 예정으로 Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 4set 부탁드리며, 나머지 2장(WF# 3,4)은 stage temp. 280oC로 약 3nm depo할 예정으로 Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 3set 부탁드립니다.

ALD 후에 RTP 공정 요청 (N2 분위기, 900C, 15초 유지; 승온 구간 25초, 급속 냉각) -> RTP 공정은 WF# 1,3 각 1장씩 총 2장 진행 부탁드립니다.

혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다.

감사합니다.		 삼성종합기술원 2D device TU 박배권 384,000원
1901 2023-05-31 17시 18시 안녕하세요. 포항공대 신소재 공학과 최지웅이라고 합니다. 저번주 금요일에 유선상으로 Al2O3 증착관련해서 문의했습니다. 2 nm 증착할 예정이고 bottom electrode 부분 가리고 증착하기 위해서 직접 로딩만 하려고 합니다. 오늘 3시에 방문하려고 합니다. 혹시 안되면 01041179580으로 연락주시면 일정 조정해보겠습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최지웅 108,000원
1902 2023-05-31 21시 24시 유선상으로 이정익 연구원님과 협의한대로 30일(화) 오전 9시에 방문하도록 하겠습니다. 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 김기영 288,000원
1903 2023-06-01 10시 12시 안녕하세요 담당자님,

4인치에 TiN 및 SiO2이 증착되어 있고 TiN이 드러나 있는 상태입니다
이번에도 HfOx:AlOx = 29:1 3번 반복 (총 9nm) 증착 부탁드립니다

- 김지형 드림 (010-8351-20223)		 동국대학교 산학협력단 전자전기공학부 김지형 120,000원
1904 2023-06-07 10시 11시 안녕하세요. 포항공대 신소재 공학과 최지웅이라고 합니다. 오늘 유선상으로 Al2O3 증착관련해서 문의했습니다. 샘플은 HZO 12 nm 증착되있는 소자 6개, HZO 8 nm 증착되어 있는 소자 3개 입니다. Al2O3 1 nm 증착할 예정이고 bottom electrode 부분 테이프로 가렸습니다. Al2O3 1 nm 증착해주시면 됩니다. 공정 끝나고 연락주시면 찾아가도록 하겠습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최지웅 108,000원
1905 2023-06-09 9시 18시 Al2O3 10nm depo. LG전자 ML Task 조병권 1,200,000원
1906 2023-06-12 10시 17시 4장 (Si or Ru) : ALD_AlN 24nm
1장 (Si) : ALD_AlN 50nm		 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 2,040,000원
1907 2023-06-12 9시 10시 8nm thickness Al2O3 주식회사 보인앤컴퍼니 연구개발 임채록 120,000원
1908 2023-06-19 1시 3시 HfO2 30nm, PI tape가 있으므로 250도 이하 온도에서 증착부탁드립니다 한국생산기술연구원 뿌리기술연구소 친환경열표면처리연구부문 김인애 120,000원
1909 2023-06-19 11시 18시 Sub.는 W (WF#1,2)와 Mo(WF#3,4)로 패터닝된 상태입니다. 총 4장 진행하는데, stage temp. 280oC로 약 4nm depo할 예정으로 Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 4set 부탁드립니다.

4장 모두 ALD 후에 RTP 공정 (N2 분위기, 900C, 15초 유지; 승온 구간 25초, 급속 냉각 조건) 부탁드립니다.

혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다.

감사합니다.		 삼성종합기술원 2D device TU 박배권 384,000원
1910 2023-06-23 14시 16시 Si 웨이퍼에 HfO2 20nm ALD 2장 부탁드립니다. 포항공과대학교 대학원 화학공학과 김민규 432,000원
1911 2023-06-23 9시 11시 Al2O3 3nm 증착부탁드립니다.
4인치 기판이 2개인데
하나가 깨져있어서 한번에 들어갈수도 있을거 같은데, 가능하시다면 한번에 부탁드립니다.
감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 216,000원
1912 2023-06-27 14시 15시 나노융합기반 고도화사업, 전자과 손종민 (010-9766-0039)
Al2O3 20nm 증착 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 240,000원
1913 2023-06-27 18시 19시 패턴된 TiN 30nm증착됨 울산과학기술원 전기전자공학과 김효섭 120,000원
1914 2023-07-03 16시 18시 안녕하세요 담당자님,

4인치에 W 및 SiO2가 증착되어있습니다.

HfOx:AlOx = 29:1 3번 반복 (총 9 nm) 증착 부탁드립니다.

관련 사항은 eunjinim0116@gmail.com 또는 010-4585-0988 로 연락주시길 바랍니다. 		동국대학교 산학협력단 전자전기공학부 김지형 120,000원
1915 2023-07-03 18시 23시 al2o3 10nm 10eae LG전자 ML Task 조병권 1,200,000원
1916 2023-07-05 18시 19시 Hfo2 20nm ald 공정 부탁드립이다 포항공과대학교 대학원 화학공학과 김민규 216,000원
1917 2023-07-10 10시 15시 (모든 샘플 해당) HfO2 8 nm 증착 부탁드립니다. 인하대학교 물리학과 박상혁 120,000원
1918 2023-07-10 9시 10시 Al2O3 20 nm 증착 부탁드립니다.

기판 종류 : Al/Glass (3개 동일)		 포항공과대학교 화학공학과 박준호 216,000원
1919 2023-07-11 10시 18시 조각 13 피스와 8인치 wafer 7매 280C HfOx 10 nm 증착을 의뢰드립니다. 삼성종합기술원 2D Device TU 권준영 768,000원
1920 2023-07-12 13시 14시 HfO2 30nm 한국생산기술연구원 뿌리기술연구소 친환경열표면처리연구부문 김인애 360,000원
1921 2023-07-12 14시 18시 155nm 180도
7/7에 샘플 직접 맡겼습니다.		 (주)인옵틱스 연구개발전담부서 윤소연 1,920,000원
1922 2023-07-13 15시 19시 초기 Metal Tungten
Al doped HfO2 증착 의뢰
구체적인 내용은 메일로 보내드리겠습니다.		 한양대학교 신소재공학과 구본철 720,000원
1923 2023-07-14 13시 18시 AlN-ALD
30nm
200도

7/7에 샘플 전달했습니다.		 (주)인옵틱스 연구개발전담부서 윤소연 360,000원
1924 2023-07-17 10시 15시 Sub.는 WF#1은 non-pattern, WF#2는 W, WF#3 Mo, WF#4은 TiN로 패터닝된 상태입니다. 총 4장 진행하는데, stage temp. 280oC로 약 4nm depo할 예정으로 Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 4set 부탁드립니다. 혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다. 감사합니다. 삼성전자 2D materials 양은지 432,000원
1925 2023-07-17 15시 19시 Sub.는 WF#1은 non-pattern, WF#2는 W, WF#3 Mo, WF#4은 TiN로 패터닝된 상태입니다. 총 4장 진행하는데, stage temp. 280oC로 약 4nm depo할 예정으로 Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 4set 부탁드립니다. 4장 모두 ALD 후에 RTP 공정 (N2 분위기, 900C, 15초 유지; 승온 구간 25초, 급속 냉각 조건) 부탁드립니다. 혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다. 감사합니다.
 삼성전자 2D materials 양은지 432,000원
1926 2023-07-17 19시 21시 물질 정보 : W1/W2 - W 증착, W3/W4 - Mo 증착
총 4장 진행하는데, stage temp. 280oC로 약 2nm depo할 예정으로 Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 2set 부탁드립니다		 삼성전자 2D materials 양은지 432,000원
1927 2023-07-18 13시 14시 나노융합기반 고도화사업, 전자과 손종민 (010-9766-0039)
Al2O3 20nm 증착 부탁드립니다. 샘플 앞뒤 구별이 어려우니 전달해드린 그대로 공정 진행 부탁드리겠습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 240,000원
1928 2023-07-18 9시 10시 물질 및 두께 : Al2O3 25nm
공정온도 : 150oC

수량 : 15x15조각시편 32개 (한 회에 가능한 시편만큼 진행해주시면 감사하겠습니다.)
기판 : Glass, Gate metal (Al) patterned		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 허성민 324,000원
1929 2023-07-18 9시 12시 Sub.는 WF#1 SiO2, WF#2는 W, WF#3 Mo, WF#4 TiN non-pattern 상태입니다. 총 4장 진행하는데, stage temp. 280oC로 약 4nm depo할 예정으로 Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 4set 부탁드립니다. 혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다. 감사합니다. 삼성전자 2D materials 양은지 432,000원
1930 2023-07-20 10시 13시 Al을 doping한 HfO2 10nm 박막증착
(Al doping 농도는 3, 3.8, 4.5 cat%)
P/boron Si 위에 10nm Al:HfO2 (3, 3.8, 4.5 cat%) 각 3회 공정
P-Si/300nm SiO2/35nm W 위에 10nm Al:HfO2 (3, 3.8, 4.5 cat%) 각 3회 공정
총 6회 공정		 한양대학교 신소재공학과 박준혁 720,000원
1931 2023-07-21 15시 24시 Sub.는 WF#1 SiO2, WF#2는 W, WF#3 Mo, WF#4 TiN non-pattern 상태입니다. 총 4장 진행하는데, stage temp. 280oC로 약 4nm depo할 예정으로 Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 4set 부탁드립니다. 4장 모두 ALD 후에 RTP 공정 (N2 분위기, 900C, 15초 유지; 승온 구간 25초, 급속 냉각 조건) 부탁드립니다. 혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다. 감사합니다. 삼성전자 2D materials 양은지 432,000원
1932 2023-07-25 10시 12시 안녕하세요. 포항공대 신소재공학과 최지웅입니다.
현재 2cm x 2cm 6개 샘플 Al2O3 공정의뢰 맡깁니다.
샘플 보관하는 통에 적어두었습니다.
위쪽 줄 3개는 Al2O3 0.8 nm, 밑쪽 줄 3개는 Al2O3 1 nm 증착 의뢰입니다.
샘플은 보관함에 넣어두었습니다.
완료되면 연락주세요.
-----------------------
1nm/2nm 증착 진행		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최지웅 216,000원
1933 2023-07-26 8시 10시 2매 280C HfOx 10 nm 진행 부탁드립니다. 삼성종합기술원 2D Device TU 권준영 192,000원
1934 2023-08-01 10시 14시 시료 16개 (1 cm x 1 cm 부터 2.5 cm x 2.5 cm 까지) 전부
Al2O3 15nm 증착 부탁드립니다.
(15nm 증착이 공정 2회분으로 알고 있는데 맞을까요?)		 인하대학교 물리학과 박상혁 240,000원
1935 2023-08-01 15시 16시 Al2O3 - 30 nm 증착 포항공과대학교 대학원 화학공학과 최민영 324,000원
1936 2023-08-03 16시 17시 Al2O3 dpoe 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 1,728,000원
1937 2023-08-04 10시 12시 증착물질 : Al2O3
증착두께 : 약 100nm
pe-al203 100nm
thermal-al2o3 100nm		 (주)인옵틱스 연구개발전담부서 윤소연 2,400,000원
1938 2023-08-04 13시 14시 25mm X 25mm Quartz substrate위에 200nm Indium Tin oxide가 sputtering을 통해 증착 되어 있는 기판입니다.

확산방지막으로 사용하고자 Titanium Nitride(TiN) 10nm 증착의뢰 합니다. 		성균관대학교 신소재공학과 손민기 120,000원
1939 2023-08-04 14시 15시 노준석교수님 연구실 강도현입니다.

Si 기판에 Cr 30 nm 증착 후 Al 150nm (E-beam evaporator) 후,
Al2O3 5 nm (ALD) 증착 부탁 드립니다.
Cr (1) Al (2) Al2O3 (3) 순서입니다.

감사합니다.
 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 96,000원
1940 2023-08-04 15시 20시 Sub.는 W 또는 Mo으로 패터닝된 상태입니다. 총 4장 진행하는데, stage temp. 280oC로 약 4nm depo할 예정으로 HfOx 약 31 cycle 부탁드립니다.

혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다.
 삼성종합기술원 2D device TU 박배권 384,000원
1941 2023-08-04 8시 10시 폴리싱된 실리콘 웨이퍼에 배터리 전극을 붙였습니다.
전극 위에 TiN 1nm, 3nm, 5nm, 10nm, 그리고 HfO2 1nm, 3nm, 5nm, 10nm를 코팅하고자 합니다 (총 8개)
전극은 흑연/카본/폴리아크릴산으로 이루어져있습니다 (흑연이 주됨)		 포항공과대학교 첨단재료과학부 강지은 432,000원
1942 2023-08-07 10시 11시 al2o3 10nm 1ea LG전자 ML Task 조병권 120,000원
1943 2023-08-07 17시 18시 1) Ti/Al 100 nm
2) Al2O3 5nm 증착 부탁드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1944 2023-08-07 9시 10시 물질 및 두께 : Al2O3 25nm
공정온도 : 150oC

수량 : 15x15조각시편 16개+ 20x25조각시편 9개 (한 회에 가능한 시편만큼 진행해주시면 감사하겠습니다.)
기판 : Glass, Gate metal (Al) patterned		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 허성민 324,000원
1945 2023-08-08 10시 13시 stage temp. 280C 박막 두께 : 약 10nm 타겟
6장 모두 아래 조건으로 증착 부탁드립니다.
1set : (AlO 1cyc. -> HfO 8 cyc.) 조건으로 20 set
삼성전자 종합기술원 (SAIT) 유정은 1,296,000원
1946 2023-08-08 14시 20시 안녕하세요 담당자님

6인치 n+ Si 위에 HfOx:AlOx = 29:1 3번 반복 (총 9 nm) 증착 부탁드립니다.

관련 사항은 jwlee5029@naver.com 또는 010-5029-1834로 연락주시길 바랍니다.		 동국대학교 산학협력단 전자전기공학부 김지형 120,000원
1947 2023-08-10 11시 13시 ald hfo2 200a + pe-oxide 500a 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 360,000원
1948 2023-08-10 17시 18시 200c al2o3 200a depo. 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 216,000원
1949 2023-08-17 10시 15시 Al2O3 20 nm 연속 증착 요청 드립니다. 인하대학교 물리학과 박상혁 240,000원
1950 2023-08-21 7시 9시 200c al2o3 200a depo. 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 216,000원
1951 2023-08-22 15시 16시 안녕하세요. 포항공대 신소재공학과 최지웅입니다. 현재 2cm x 2cm 8개 샘플 Al2O3 공정의뢰 맡깁니다. 샘플 보관하는 통에 적어두었습니다. 보관함에 표시해둔 4개는 Al2O3 1 nm, 나머지 4개는 Al2O3 2 nm 증착 의뢰입니다. 샘플은 보관함에 넣어두겠습니다. 완료되면 연락주세요.
--------------
al2o3 2nm split o2 plasma 1.5/3/6sec		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최지웅 324,000원
1952 2023-08-23 14시 15시 4inch wafer - al2o3 3nm
조각샘플 - TiN 5nm
증착 부탁드립니다.
샘플은 지금 가져다두겠습니다		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 216,000원
1953 2023-08-24 10시 11시 TiN 5nm etching 부탁드립니다 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1954 2023-08-24 12시 15시 폴리싱된 실리콘 웨이퍼에 배터리 전극을 붙였습니다.
전극 위에 Al2O3 1nm, 3nm, 5nm, 10nm, TiN 1nm, 3nm, 5nm, 10nm, 그리고 HfO2 1nm, 3nm, 5nm, 10nm를 코팅하고자 합니다 (총 12개)
전극은 흑연/카본/폴리아크릴산으로 이루어져있습니다 (흑연이 주됨)
 포항공과대학교 첨단재료과학부 강지은 1,296,000원
1955 2023-08-24 15시 17시 Al2O3 200A 증착 부탁 드립니다.
(2인치 2장)
온도 250도 이하		 한국전자통신연구원 ICT소재푸붐연구소 안신모 240,000원
1956 2023-08-25 13시 17시 *샘플 사이즈 : 2inch의 half size

*증착물질 : Al2O3
*증착두께 : 약 150nm
*증착방법 : PEALD

공정 전 샘플을 직접 전달하고, 공정 종료 후엔 택배로 수령할 예정입니다.		 (주)인옵틱스 연구개발전담부서 윤소연 1,920,000원
1957 2023-09-08 4시 6시 실리콘 웨이퍼에 구리 호일을 부착하였습니다.
샘플은 총 2개로, 각각 Al2O3 1 nm, 10 nm 공정 부탁드립니다.		 포항공과대학교 첨단재료과학부 강지은 108,000원
1958 2023-09-11 9시 18시 Sub.는 W, Mo, TiN로 패터닝된 상태입니다. 총 24장 진행하는데, 21장은 stage temp. 280oC로 약 4nm depo할 예정 Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 4set, 2장은(M1GRAP7153 W1, W2) stage temp. 280oC로 3nm Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 3set 부탁드립니다. 혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다. 감사합니다. 삼성전자 2D materials 양은지 2,484,000원
1959 2023-09-12 16시 18시 안녕하세요 담당자님,

4인치에 TiN 및 SiO2가 증착되어있습니다.

HfOx:AlOx = 29:1 3번 반복 (총 9 nm) 증착 부탁드립니다.

관련 사항은 eunjinim0116@gmail.com 또는 010-4585-0988 로 연락주시길 바랍니다.		 동국대학교 산학협력단 전자전기공학부 김지형 120,000원
1960 2023-09-12 9시 15시 1. p-Si/SiO2(300nm) 기판 sample 8개(패턴있음) + p-Si 기판 sample 10개
2. p-Si/SiO2(300nm)/HfO2(1nm) 기판 sample 8개(패턴있음) + p-Si/HfO2(1nm) sample 10개
3. p-Si/SiO2(300nm)/Al2O3(1nm) 기판 sample 8개(패턴있음) + p-Si/Al2O3(1nm) sample 10개

위 sample위에 [HfO2(2nm)+Al2O3(0.1nm)]*4cycle후 HfO2(2nm) --> 총 10.4nm
총 3회 공정
 한양대학교 신소재공학과 박준혁 360,000원
1961 2023-09-15 13시 14시 HfO2 30nm 증착하고자 합니다.

4inch p+-Si wafer 1장 보내드립니다.

웨이퍼는 09/15 오전중에 발송드리오니, 공정 조건은 사이트에서 나와있는대로 증착 가능하실 때 부탁드립니다.

공정 후 아래 정보로 택배 부탁드립니다.

---
주소 - 서울시 성북구 안암로 145, 고려대학교 신공학관 102호
수신 - 김종현 / 010-2075-0328 / whdgus0328@korea.ac.kr
---		 고려대학교 반도체시스템공학과 김종현 360,000원
1962 2023-09-18 10시 11시 6inch bare Si (웨이퍼 스펙이 다르기 때문에 순서 바뀌면 안됨)
Al2O3 50nm
성장온도 300도

전처리 HF 1:100 1min		 재단법인 한국나노기술원 전자소자개발실 최아림 1,400,000원
1963 2023-09-18 15시 16시 ALO(Al2O3) 10 nm 증착 의뢰드립니다.

1공정당 4장이 가능한 것으로 알고 있어서 총 2 공정 8장 의뢰드립니다. -> 5매만 진행

감사합니다.
 가천대학교 김명종교수님 연구실 박주성 600,000원
1964 2023-09-18 16시 18시 1-1-2 ALD Al2O3 400A
1-1-3 ALD Al2O3 600A
1-1-6 ALD Al2O3 550A		 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,728,000원
1965 2023-09-20 16시 17시 샘플정보 : PEN substrate on SiO2 wafer (6inch)
물질 및 두께 : Al2O3 10nm
공정온도 : 150oC		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 허성민 108,000원
1966 2023-09-20 17시 18시 2023년 나노융합고도화사업
2-1-2 hard mask h/m depo. al2o3 dpeo. 30a 5ea		 주식회사 에이프로세미콘 기술연구소 조영우 600,000원
1967 2023-09-20 5시 6시 Si (100) wafer (525um) 위에 Si0.5Ge0.5 Epi layer를 40nm 성장 시킨 뒤, 섭씨 550도에서 20분간 산화시킨 150*150 mm 시료 7개 입니다. 현 공정까지 예상되는 Layer 구성은 Si-sub/Si0.5Ge0.5/SiO2/SiGeO혼합층 이며, SiGeO위에 TiN을 20nm 증착을 ALD로 하고자 의뢰드립니다. 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 김정욱 216,000원
1968 2023-09-20 6시 7시 P-type Si 위에 Al2O3 25nm 증착 부탁드립니다!(P-Type Si wafer도 같이 구매하겠습니다.)

 포항공과대학교 대학원 화학공학과 박완태 364,000원
1969 2023-09-20 7시 8시 안녕하세요, Al2O3 물질 300 도로 50 nm 증착 요청드립니다. 공정이 완료된 후 임세미 (010-2606-7278) 에게 연락 주시면 감사하겠습니다. 감사합니다. 좋은 하루 되세요! 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 임세미 540,000원
1970 2023-09-20 8시 16시 Si 기판 위 SiO2, Au 증착된 표면입니다.
hfo2 10nm 4ea / 5nm 2ea		 삼성종합기술원 종합기술원(SAIT) 류희제 576,000원
1971 2023-09-21 10시 11시 al2o3 10nm 5ea LG전자 ML Task 조병권 600,000원
1972 2023-09-22 10시 11시 카본이 코팅된 알루미늄 호일입니다.
각각 Al2O3 1nm, 10nm 공정 부탁드립니다.		 포항공과대학교 첨단재료과학부 강지은 216,000원
1973 2023-09-22 12시 14시 25 um Sn foil 위에 Al2O3 15 nm deposition 하고자 합니다.
(Sn foil 은 Si wafer 에 부착되어 있습니다. )		 삼성전자 Battery Material TU 김현진 216,000원
1974 2023-10-05 4시 10시 al2o3 10nm 4ea + 6ea LG전자 ML Task 조병권 1,200,000원
1975 2023-10-06 14시 16시 p-type Si에 HfO2 40 nm 2장 증착 부탁드립니다. (p-type Si wafer도 같이 구매하겠습니다.)
상부증착물질: perovskite film		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 유수환 994,000원
1976 2023-10-09 10시 12시 Si/SiO2/Ti/Pt(~50nm) 위에 ALD로 증착한 SiO2(7nm)를 증착하고 싶습니다 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 김영동 108,000원
1977 2023-10-09 12시 14시 Sn foil 이 고온 270 도 정도에서 녹으므로, 저온 공정 진행 부탁 드립니다.
-------------------------
150도 al2o3 15nm depo.		 삼성전자 Battery Material TU 김현진 216,000원
1978 2023-10-09 8시 9시 al2o3 10nm 2ea LG전자 ML Task 조병권 240,000원
1979 2023-10-11 15시 18시 [HfO2(2nm)+Al2O3(0.1nm)]*4cycle+HfO2(2nm) 총 10.4nm증착의뢰
1회 공정		 한양대학교 신소재공학과 박준혁 240,000원
1980 2023-10-12 9시 12시 안녕하세요, Si wafer 2\'\' inch 2 장이 있는데, 각각 Al2O3 물질을 300도로, 1) 3 nm와 2) 10 nm 각각 증착해주시면 감사하겠습니다. 공정 후 연락 주시면 정말 감사하겠습니다. 010-2606-7278 로 문자 부탁드립니다. 감사합니다! 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 임세미 216,000원
1981 2023-10-13 13시 14시 물질 및 두께 : Al2O3 10nm
공정온도 : 150oC
수량 : 20x25조각시편 다수 (한 회에 가능한 시편만큼 진행해주시면 감사하겠습니다.)
기판 : Glass-Polymer-Metal (Au) patterned		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 허성민 108,000원
1982 2023-10-18 13시 16시 Al2O3 5nm / 10nm 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 396,000원
1983 2023-10-18 9시 17시 AIN 13nm 3ea
AIN 18nm 2ea
AIN 24nm 2ea
AIN 28nm 7ea
AIN 50nm 1ea
themal al2o3 13nm 2ea
themal al2o3 28nm 3ea
themal al2o3 50nm 1ea		 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 7,200,000원
1984 2023-10-23 10시 15시 ALD_AlN 24nm 20ea 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 7,560,000원
1985 2023-10-25 14시 20시 Al2O3 20nm 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 480,000원
1986 2023-10-31 10시 13시 Sub.는 W (WF#1,2)와 Mo(WF#3,4)로 패터닝된 상태입니다. 총 4장 진행하는데, stage temp. 280oC로 약 4nm depo할 예정으로 Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 4set 부탁드립니다.

혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다.

감사합니다.		 삼성종합기술원 2D device TU 박배권 384,000원
1987 2023-10-31 14시 16시 안녕하세요, 두 종류의 물질 군이 있는데 (모두 Si substrate 위에 Al2O3가 증착된 샘플입니다), 각각 Al2O3 물질을 300도로, 1) 3 nm와 2) 10 nm 증착해주시면 감사하겠습니다. 공정 후 연락 주시면 정말 감사하겠습니다. 010-2606-7278 로 문자 부탁드립니다. 감사합니다! 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 임세미 216,000원
1988 2023-10-31 16시 17시 1-3-1 CONT Silicidation Wet etch Ni SPM 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 96,000원
1989 2023-11-01 1시 10시 Al2O3 ~20 nm (@250도) 한국전자통신연구원 광통신부품연구실 박홍휘 240,000원
1990 2023-11-01 16시 18시 Si/SiO2 300nm 기판

[HfO2(2nm)+Al2O3(0.1nm)]*4cycle+HfO2(2nm) 총 10.4nm증착 의뢰		 한양대학교 신소재공학과 박준혁 120,000원
1991 2023-11-02 13시 18시 AlN 24nm 36매 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 12,960,000원
1992 2023-11-07 13시 18시 Al2O3 10nm 5ea 11/8 진행 LG전자 ML Task 조병권 600,000원
1993 2023-11-10 13시 15시 HfO2 8 nm ALD 의뢰합니다. 인하대학교 물리학과 박상혁 120,000원
1994 2023-11-10 15시 16시 Al2O3 20 nm
증착 요청드립니다.
-전자과 박성민(010-2094-9607)		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 192,000원
1995 2023-11-12 21시 23시 Al2O3 20 nm
증착 요청드립니다.
-전자과 박성민(010-2094-9607)		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 192,000원
1996 2023-11-13 9시 12시 물질 및 두께 : Al2O3 10nm
공정온도 : 150oC
수량 : 20x25조각시편 다수 (한 회에 가능한 시편만큼 진행해주시면 감사하겠습니다.)
기판 : Glass-Polymer-Metal (Au) patterned		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 허성민 108,000원
1997 2023-11-14 10시 13시 ain 240a 4ea
ain 500a 1ea
(9/8일 진행)		 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 2,040,000원
1998 2023-11-17 1시 4시 감사합니다 서강대학교 화학과 전현배 120,000원
1999 2023-11-21 14시 16시 Si/SiO2 wafer입니다.
공정기술팀 맡기는시편 함에 넣어놨습니다.
TiN 15nm 증착하고 싶습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 장호중 108,000원
2000 2023-11-22 14시 16시 총 12개 모두 같은 샘플입니다.

6개씩 나눠서 HfO2 10nm, 20nm 증착 해주시면 감사하겠습니다.		 한양대학교 신소재공학과 최세현 360,000원
2001 2023-11-23 13시 12시 Sub.는 TiN (WF#1~4)와 Au(WF#5)로 패터닝된 상태입니다. 총 5장 진행하는데, stage temp. 280oC로 약 4nm depo할 예정으로 Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 4set 부탁드립니다.

혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다.

감사합니다.		 삼성종합기술원 2D device TU 박배권 480,000원
2002 2023-11-23 9시 15시 Sub.는 W (WF#1,2)와 Mo(WF#3,4)로 패터닝된 상태입니다. 총 4장 진행하는데, stage temp. 280oC로 약 4nm depo할 예정으로 Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 4set 부탁드립니다.

혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다.

감사합니다.
 삼성종합기술원 2D device TU 박배권 384,000원
2003 2023-11-24 12시 16시 Al2O3 10nm LG전자 ML Task 조병권 360,000원
2004 2023-11-27 10시 14시 Si/SiO2 wafer 위에 TiN/HfO2가 증착되어 있는 샘플 2개 입니다.
위에 TiN 15 nm 증착하고 싶습니다.
공정기술팀 맡기는 시편함에 샘플 신소재공학과 장호중 적어서 넣어놓았습니다.
내일 안에 증착이 가능할지 여쭤보고 싶고 혹시 가능하다면 끝난 후에 시편함에 넣어주시고 010-8904-6820으로 문자 한통 넣어주실 수 있으실지 여쭤보고 싶습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 장호중 216,000원
2005 2023-11-27 13시 16시 PE-ALD AL2O3 5um
Therma-ALD A2O3 5um
PE-ALD ALN 5um		 (주)키파운드리 SRT팀 박재연 360,000원
2006 2023-11-27 14시 11시 8 inch Wafer 4장입니다.
모두 HfO2 10 nm 증착 의뢰드립니다.
wafer 표면에는 Au, SiO2 노출되어있습니다.		 삼성종합기술원 종합기술원(SAIT) 류희제 432,000원
2007 2023-11-29 9시 18시 ALD_AlN 18nm 20ea / 28nm 4ea 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 6,240,000원
2008 2023-12-04 11시 12시 META_TiN 증착
- 10nm 조각 3개
- 20nm 조각 3개		 주식회사 보다 연구개발 김형원 306,000원
2009 2023-12-05 10시 12시 p-type Si에 HfO2 80 nm 1장 증착 부탁드립니다. (p-type Si wafer도 같이 구매하겠습니다.)
상부증착물질: perovskite film		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 유수환 929,000원
2010 2023-12-06 10시 11시 자연 산화막 제거 없이 TiN ALD 20 nm 의뢰 드립니다. 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 서경민 216,000원
2011 2023-12-07 1시 10시 샘플형식은 ITO/PET 기판위에 캡스톤 테이프를 부분적으로 부착된 형태입니다.
두 물질 melting point 는 200­°C-260°C 여서 가장 낮은 증착온도인 100°C에서
진행해주시면 될것같습니다.
Al2o3 두께는 20nm로 해주시면 됩니다.		 연세대학교 신소재공학과 심문호 720,000원
2012 2023-12-12 1시 12시 ALD_AlN 18nm 4ea / 28nm 5ea 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 2,760,000원
2013 2023-12-12 13시 17시 Sub.는 SiO2 입니다. 총 2장 진행하는데, stage temp. 280oC로 약 4nm depo할 예정으로 Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 4set 부탁드립니다.

그리고 두장 중에 한장은 RTP 진행예정입니다. N2 분위기, 900C, 15초 유지; 승온 구간 25초, 급속 냉각 조건으로 부탁드립니다. 7431 W03에 대해 열처리 부탁드립니다. (플랫존에 번호적혀있습니다.)

혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다.

감사합니다.		 삼성종합기술원 2D device TU 박배권 192,000원
2014 2023-12-13 13시 14시 샘플정보: 이차전지 전극(Cu foil + carbon 입자)에 Al2O3 10 nm 증착 희망합니다
-----100도 진행---		 포항공과대학교 철강에너지대학원 고수민 108,000원
2015 2023-12-13 14시 16시 기판은 Gr/Sio2와 Au/Cr/Fused Silica 두개로 사이즈는 약 1x1cm^2입니다.
Al2O3 30nm 증착 부탁드리며, 100도 저온에서 진행해주시면 감사하겠습니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 백승화 324,000원
2016 2023-12-13 16시 18시 1. Si/SiO2 wafer이며 TiN 25 nm 증착 부탁드립니다.
2. Si/SiO2 wafer 위에 W 15 nm 를 Sputter로 증착한 wafer 입니다. TiN 25 nm 증착 부탁드립니다.

4 inch wafer 를 반으로 자른거 보다 wafer가 작아서 둘다 한번에 증착을 해도 될거 같습니다.

맡기는 시편함에 오늘 오후 5시 전까지 넣어놓겠습니다.

혹시 언제 찾으러 가면 될지 문자 주시면 감사하겠습니다. (010-8904-6820)		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 장호중 324,000원
2017 2023-12-13 9시 13시 Al2O3 ~20 nm (@ 300 혹은 350도, 표준 온도로)

<기판구성>
- 2인치 실리콘 2장
- 2인치 InP 2장
 한국전자통신연구원 광통신부품연구실 박홍휘 240,000원
2018 2023-12-15 13시 18시 Sub.는 Mo (WF#1,2,3)와 Au (WF#4,5,6)로 패터닝된 상태입니다. 총 4장 진행하는데, stage temp. 280oC로 약 4nm depo할 예정으로 Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 4set 부탁드립니다.

혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다.

감사합니다.		 삼성종합기술원 2D device TU 박배권 576,000원
2019 2023-12-15 9시 10시 AlN 20nm 6ea 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,296,000원
2020 2023-12-18 1시 14시 Sub.는 TiN (WF#1~4)와 Au(WF#5)로 패터닝된 상태입니다. 총 5장 진행하는데, stage temp. 200oC로 약 4nm depo할 예정으로 Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 4set 부탁드립니다.

혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다.

감사합니다.		 삼성종합기술원 2D device TU 박배권 480,000원
2021 2023-12-18 14시 17시 [HfO2(2nm)+Al2O3(0.1nm)]*4cycle+HfO2(2nm) 총 10.4nm증착

공정 직전에 N2 gun이나 blower로 sample 불어주세요		 한양대학교 신소재공학과 박준혁 120,000원
2022 2023-12-21 10시 15시 웨이퍼 6장 HfO2 10 nm 씩 증착 부탁드립니다. 삼성종합기술원 종합기술원(SAIT) 류희제 648,000원
2023 2023-12-22 10시 11시 BD3217-1116-PA META
- TiN 20nm 증착_1매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 204,000원
2024 2023-12-26 14시 17시 메타표면에 Al2O3 전체 코팅을 ALD로 하고자 합니다.
증착될 샘플은 Cr(5 nm)-Al(100 nm)-Al2O3(3 nm)-Cr(3 nm)-Al nanodisk(44 nm) 순으로 공정되어 있고, 이 위에 Al2O3로 5 nm 또는 10 nm 증착부탁드립니다.
보내드린 샘플 2개중 샘플 1(5 nm)에는 Al2O3를 5 nm로 샘플 2(10 nm)에는 Al2O3를 10 nm 증착해주시길 바랍니다.		 성균관대학교 지능형정밀헬스케어융합전공 김양규 240,000원
2025 2023-12-28 9시 12시 안녕하세요, Si wafer 조각 시편들이 있는데, 4 조각씩 각각 Al2O3 물질을 300도로, 1) 3 nm와 2) 10 nm 각각 증착해주시면 감사하겠습니다. 공정 후 연락 주시면 정말 감사하겠습니다. 010-2606-7278 로 문자 부탁드립니다. 감사합니다! 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 임세미 216,000원
2026 2024-01-02 11시 12시 PE-AlN 5nm (주)키파운드리 SRT팀 박재연 240,000원
2027 2024-01-03 9시 14시 ALD를 통한 transistor gate oxide 증착 희망합니다.

HfO2 20nm로 조각샘플 14개 증착해주시면 감사하겠습니다.

실험 일정, 구상 변경으로 기존에 카톡으로 연락드렸던 바와 조금 다른 점 죄송합니다.

일괄적으로 20nm 증착해주시면 될 것 같습니다.

샘플의 구조는 다음과 같습니다. Ni/Si/SiO2/Si 이 위에 HfO2 증착하고자 합니다.

감사합니다. 		포항공과대학교 신소재공학과 권오혁 216,000원
2028 2024-01-04 14시 16시 p-type Si에 HfO2 40 nm 2장 증착 부탁드립니다. (p-type Si wafer도 같이 구매하겠습니다.)
상부증착물질: perovskite film		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 유수환 994,000원
2029 2024-01-05 15시 16시 p도핑된 실리콘 기판입니다.
HfO2 50nm 증착 부탁드립니다.		 고려대학교 전기전자공학부 안충현 600,000원
2030 2024-01-11 9시 15시 1번 케이스에 2개 조각 샘플에 대해서는 TiN 15nm 증착 부탁드리고
2번 케이스의 조각샘플 3개에 대해서는 TiN 25nm 증착 부탁드립니다.

목요일 안에 증착이 끝날 수 있을지 여쭤보고 싶고, 혹시 증착이 끝난다면 010-8904-6820으로 연락주실 수 있는지 여쭤보고 싶습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 장호중 540,000원
2031 2024-01-15 9시 12시 PE-ALD방식으로 ALN 5nm (주)키파운드리 SRT팀 박재연 240,000원
2032 2024-01-18 10시 11시 자연산화막 제거 없이 TiN 20 nm 증착 의뢰 드립니다. 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 서경민 216,000원
2033 2024-01-19 9시 10시 4-7-2 Al2O3 5nm (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
2034 2024-01-23 10시 12시 Al2O3 10nm LG전자 ML Task 조병권 240,000원
2035 2024-01-25 10시 12시 6매 HfO 10 nm
3매 HfO 5 nm

증착 부탁드립니다.		 삼성종합기술원 종합기술원(SAIT) 류희제 972,000원
2036 2024-01-29 12시 18시 7438, 7506 lot 4매는 HfOx 5 nm
다른 모든 wafer 14매는 HfOx 10 nm 증착 진행 부탁드립니다.		 삼성종합기술원 2D Device TU 권준영 1,728,000원
2037 2024-01-29 9시 18시 샘플형식은 ITO/PEN 기판위에 캡스톤 테이프를 부분적으로 부착된 형태입니다.
두 물질 melting point 는 200­°C-260°C 여서 가장 낮은 증착온도인 100°C에서
진행해주시면 될것같습니다.
총 두 샘플이며 한 샘플은 20nm Al2o3 추가 증착이고
다른 한 샘플은 40nm Al2o3 증착입니다.
메모 표기하여 보내드리도록 하겠습니다.		 연세대학교 신소재공학과 심문호 720,000원
2038 2024-02-01 13시 17시 Al2O3 10nm LG전자 ML Task 조병권 360,000원
2039 2024-02-01 16시 15시 4 Al2O3 300A

2023년 나노융합기반 고도화사업		 (주)엔디디 연구소 최영환 0원
2040 2024-02-02 15시 16시 AlN depo 16ea 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 5,560,000원
2041 2024-02-13 9시 10시 VOx Test
- Al2O3 10nm 증착 2매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 204,000원
2042 2024-02-14 15시 1시 SiO2 wafer입니다.
TiN 50nm를 증착하고 싶습니다. -> TiN 50nm / 25nm / 15nm
01089046820 혹은 fpdh9@postech.ac.kr로 혹시 증착이 언제 진행될 예정인지 알려주실 수 있으시면 감사하겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 장호중 1,080,000원
2043 2024-02-14 9시 12시 Sub.는 와 Mo로 패터닝된 상태입니다. 총 2장 진행하는데, stage temp. 280oC로 약 4nm depo할 예정으로 Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 부탁드립니다.

2장 모두 ALD 후에 RTP 공정 (N2 분위기, 900C, 15초 유지; 승온 구간 25초, 급속 냉각 조건) 부탁드립니다 (해당 RTP 공정은 따로 장비 의뢰할 계획입니다.).		 삼성종합기술원 종합기술원(SAIT) 류희제 216,000원
2044 2024-02-14 9시 12시 전자과 윤주영 (010-2768-0418)
Al2O3 0.6 nm 증착 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 108,000원
2045 2024-02-15 9시 18시 PE-ALD Al2O3 5nm 4ea (주)키파운드리 SRT팀 박재연 480,000원
2046 2024-02-20 12시 17시 VOx Test
- Al2O3 10nm 증착_2매(300도)		 주식회사 보다 연구개발 김형원 204,000원
2047 2024-02-20 19시 19시 SiO2 상부에 패턴된 Au가 있는 구조 상부에 HfOx 박막 증착 건입니다.
2매 10 nm (7528 lot), 2매 5 nm (7525 lot) 증착 부탁드립니다.
 삼성종합기술원 2D Device TU 권준영 384,000원
2048 2024-02-20 9시 12시 8인치 웨이퍼 2장에 Al2O3 10 nm 증착을 의뢰드립니다.
300도 O2 plasma 조건으로 요청드립니다.
(막질이 좋을 것을 예상되는 조건으로 요청드립니다.)
공정 전 대략적인 공정 비용을 메일로 알려주시면 감사드리겠습니다. 		삼성종합기술원 Device Research Center 유민석 192,000원
2049 2024-02-22 9시 24시 총 8장 진행 예정입니다.
stage temp. 280oC로 약 4nm depo할 예정으로

1) [HfO2 8 cycle → Al2O3 1 cycle]으로 4 번 반복 부탁 드립니다.

2) [HfO2 8 cycle → Al2O3 1 cycle ]
[HfO2 8 cycle → Al2O3 1 cycle ]
[HfO2 8 cycle → Al2O3 1 cycle ]
[HfO2 8 cycle → Al2O3 2 cycle ]

3) [HfO2 8 cycle → Al2O3 1 cycle ]
[HfO2 8 cycle → Al2O3 1 cycle ]
[HfO2 8 cycle → Al2O3 1 cycle ]
[HfO2 8 cycle → Al2O3 4 cycle ]

4) Pure HfO2

위의 1) ~ 4) 조건에 대하여 각각 2매 씩 공정 진행 부탁드립니다.
감사합니다.		 삼성종합기술원 2D Device TU 김준연 864,000원
2050 2024-02-23 9시 18시 전면에 HfZrO2가 증착되어 있는 샘플입니다.
해당 샘플들 중에
S1,2,3,5,7,9 는 25nm TiN 증착을 부탁드리고,
S8은 15nm TiN 증착을 부탁드리고,
S10은 50nm TiN 증착을 부탁드립니다.
혹시 언제 증착이 끝날지 알려주실 수 있는지 여쭤보고 싶습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 장호중 1,080,000원
2051 2024-02-27 9시 18시 ALD_Al2O3 #1 (5nm), #2 (10nm), #3 (20nm)
AlN 28nm 5ea		 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 2,280,000원
2052 2024-03-04 14시 16시 Al2O3 20nm (200C) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 160,000원
2053 2024-03-08 9시 14시 SiO2 Wafer입니다.
TiN 25nm 300C에서 증착하고 싶습니다.
맡기는 시편함에 두겠습니다.
언제 증착이 가능할지 여쭤보고 싶습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 장호중 240,000원
2054 2024-03-12 9시 13시 Sub.는 HfOx depo 상태입니다. 총 4장 진행하는데, stage temp. 150,200,250,280oC로 약 4nm depo할 예정으로 Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 4set 부탁드립니다.

유선상에서 말씀드린 것처럼 reactant는 thermal로 H2O 부탁드립니다.

stage temp.에 대해서는 웨이퍼담은 케이스 표면에 표시해두었습니다.
혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다.

감사합니다.		 삼성종합기술원 2D device TU 박배권 720,000원
2055 2024-03-13 10시 18시 PE-ALD AlN 28nm 200C, RF 100W 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 2,700,000원
2056 2024-03-13 13시 14시 Sub.는 와 Mo로 패터닝된 상태입니다. 총 3장 진행하는데, stage temp. 280oC로 약 4nm depo할 예정으로 Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 부탁드립니다.

3장 모두 ALD 후에 RTP 공정 (N2 분위기, 900C, 15초 유지; 승온 구간 25초, 급속 냉각 조건) 부탁드립니다 (해당 RTP 공정은 따로 장비 의뢰할 계획입니다.).		 삼성종합기술원 종합기술원(SAIT) 류희제 270,000원
2057 2024-03-18 9시 15시 Silicon oxide / Au pattern 상부에 HfOx 5 nm 2매 증착하고자 합니다.
280도에서 O2 plasma oxidant 활용해서 진행 부탁드립니다.		 삼성종합기술원 2D Device TU 권준영 180,000원
2058 2024-03-20 12시 15시 Si/SiO2 Wafer 위에 TiN/HZO가 쌓인 조각 샘플 8조각이 사각 트레이 안에 들어있습니다.
모두 한번에 230도에서 TiN 25nm 증착하고 싶습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 장호중 240,000원
2059 2024-03-20 15시 18시 작은 원형 트레이 안에 조각 샘플 하나가 들어있습니다. 트레이에 장호중 300C TiN이라고 적어놓았습니다.
Si/SiO2/TiN/HZO 구조이며, 이 위에 TiN 25nm를 300도 증착 온도에서 증착하고 싶습니다.
300도의 경우 deposition rate 데이터가 없는 것으로 알아 25nm 와 같은 기준으로 cycle 진행해주시면 될 것 같습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 장호중 300,000원
2060 2024-03-21 9시 14시 Si/SiO2 wafer 입니다.

TiN 50nm 증착하고 싶습니다.

원형 웨이퍼에 담아놓았습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 장호중 400,000원
2061 2024-03-22 13시 18시 총 샘플 6개, 공통 : 200도씨, H2O를 사용한 Thermal 공정, 전체 10nm
#2-1, 3-1 : HfO2 10nm
#2-2, 3-2 : HfO2 4nm + Al2O3 2nm + HfO2 4nm
#2-3, 3-3 : HfO2 2nm + Al2O3 2nm + HfO2 2nm + Al2O3 2nm + HfO2 2nm
샘플 번호는 트레이 뚜껑 위, 조각 샘플 뒤편에 적어두었습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 400,000원
2062 2024-03-25 16시 18시 SiO2 wafer 상부에 metal film 존재 삼성종합기술원 2D Device TU 권준영 810,000원
2063 2024-03-25 9시 16시 wafer 6장 모두 HfO2 10 nm 증착 부탁드립니다.

공정온도: 280도/ oxidant: o2 plasma		 삼성종합기술원 종합기술원(SAIT) 류희제 540,000원
2064 2024-03-28 10시 11시 안녕하세요. 포스텍 신소재공학과 최지웅 입니다. Al2O3 2 nm 증착 의뢰합니다. 이전에 증착한 적이 있는데 ozone exposure time 조절하면서 증착했었습니다. 웨이퍼 보관함에 9개씩 넣어 두었습니다. 표기도 해두었습니다. ozone exposure time 1.5s, 조건 3개씩 있습니다. 정리하자면 Al2O3 2 nm 증착인데 3개씩 ozone exposure time을 1.5s 3s 6s 로 해주시면 됩니다. 샘플은 공정보관함에 두겠습니다. 혹시나 이해안되시는 부분 있다면 01041179580으로 전화주세요. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최지웅 100,000원
2065 2024-03-28 11시 12시 안녕하세요. 포스텍 신소재공학과 최지웅 입니다. Al2O3 2 nm 증착 의뢰합니다. 이전에 증착한 적이 있는데 ozone exposure time 조절하면서 증착했었습니다. 웨이퍼 보관함에 9개씩 넣어 두었습니다. 표기도 해두었습니다. ozone exposure time 6s 조건 3개씩 있습니다. 정리하자면 Al2O3 2 nm 증착인데 3개씩 ozone exposure time을 1.5s 3s 6s 로 해주시면 됩니다. 샘플은 공정보관함에 두겠습니다. 혹시나 이해안되시는 부분 있다면 01041179580으로 전화주세요. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최지웅 80,000원
2066 2024-03-28 12시 18시 첫번째 증착은
반으로 잘라진 4 inch wafer 2장을 한번에 300C에서 25nm TiN을 증착하고 싶습니다. -> 진행

두번째 증착은 4 inch wafer 1장인데, 이 위에 300C에서 TiN 25nm를 증착하고 싶고 vaccum breaking 없이 이어서 HfO2 1 nm 증착하고 싶습니다. -> 진행 X
감사합니다.
 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 장호중 80,000원
2067 2024-03-28 9시 10시 안녕하세요. 포스텍 신소재공학과 최지웅 입니다. Al2O3 2 nm 증착 의뢰합니다. 이전에 증착한 적이 있는데 ozone exposure time 조절하면서 증착했었습니다. 웨이퍼 보관함에 9개씩 넣어 두었습니다. 표기도 해두었습니다. ozone exposure time 3s 조건 3개씩 있습니다. 정리하자면 Al2O3 2 nm 증착인데 3개씩 ozone exposure time을 1.5s 3s 6s 로 해주시면 됩니다. 샘플은 공정보관함에 두겠습니다. 혹시나 이해안되시는 부분 있다면 01041179580으로 전화주세요. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최지웅 80,000원
2068 2024-03-29 10시 15시 Al2O3 80A 3ea 주식회사 보인앤컴퍼니 연구개발 임채록 300,000원
2069 2024-04-01 8시 18시 2-1-1 Al2O3 400A

ICT 제품화 지원사업		 (주)엔디디 연구소 최영환 1,200,000원
2070 2024-04-04 13시 18시 Si/SiO2 wafer 위에 TiN/HZO 가 올라간 샘플입니다.

3조각 모두 한번에 300C에서 25nm TiN 증착하고 싶습니다.

샘플으 2시 전까지 시편함에 가져다 드리면 목요일 안에 증착이 가능하지 여쭤보고 싶습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 장호중 240,000원
2071 2024-04-05 10시 12시 SiO2 wafer위에 Si이 patterning 되어있는 구조입니다.
ALD를 통한 HfO2 20nm 증착 희망합니다.
Gate oxide로 활용할 예정입니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 권오혁 160,000원
2072 2024-04-05 12시 18시 HfO2 50nm 증착하고자 합니다.

4inch p+-Si wafer 2장 보내드립니다.

웨이퍼는 04/03 오전중에 발송드리오니, 공정 조건은 사이트에서 나와있는대로 증착 가능하실 때 부탁드립니다.

공정 후 아래 정보로 택배 부탁드립니다.

---
주소 - 서울시 성북구 안암로 145, 고려대학교 창의관 713호
수신 - 김종현 / 010-2075-0328 / whdgus0328@korea.ac.kr
---		 고려대학교 반도체시스템공학과 김종현 1,000,000원
2073 2024-04-08 15시 10시 4-1-1 Al2O3 300A

ICT 제품화 지원사업		 (주)엔디디 연구소 최영환 900,000원
2074 2024-04-11 13시 17시 시편 2x2cm 총 2개입니다.
Si wafer 위에 SiO2 300nm 증착 후 LiPON 100nm 증착되어 있습니다 .

시편1) plasma 이용하여 150C 공정 진행. Al2O3 10 nm 증착
시편2) thermal 방식으로 Al2O3 10nm 증착

문의사항은 010-9399-3349 로 연락 부탁드립니다. 		고려대학교 신소재공학부 윤광로 200,000원
2075 2024-04-11 19시 20시 Al2O3 30A 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 240,000원
2076 2024-04-11 9시 12시 안녕하세요,
포항공과대학교 노용영 교수님 연구실 대학원생 이재윤입니다.

HfO2 공정 의뢰드립니다.

공정하고자 하는 기판은 Ni 5nm/ Au 10nm 가 패터닝되어있는 SiO2 100nm/p++ Si 기판입니다.

의뢰드리는 기판 개수는 9ea 이며 기판 트레이에 넣어 시편보관함에 두겠습니다!

HfO2 3nm 전면 증착부탁드립니다!감사합니다.

감사합니다.
이재윤 드림
 포항공과대학교 화학공학과 이재윤 80,000원
2077 2024-04-12 13시 14시 공정 내역:
p-type Si wafer위에 Si(0.5)Ge(0.5) epi를 15nm 기른 후 산화를 진행한 시편입니다.
형성된 산화막 위에 ALD로 TiN을 20nm 쌓고자 합니다. (5장 모두)		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 이규빈 160,000원
2078 2024-04-12 14시 16시 Litho 후 Ni 전극 증착된 sample

Al2O3 10nm 증착하고 싶습니다.

 경상대학교 나노신소재공학부 김원범 100,000원
2079 2024-04-15 8시 18시 유선으로 전달함 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 3,000,000원
2080 2024-04-17 13시 16시 SiO2 wafer 위에 TiN 50nm를 증착하고 싶습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 장호중 400,000원
2081 2024-04-17 16시 18시 총 샘플 9개, 공통 : 200도씨, H2O를 사용한 Thermal 공정, 전체 10nm -> hfo2
샘플은 4/17 오전 1층에 두도록 하겠습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 80,000원
2082 2024-04-17 8시 9시 Al2O3 4nm 주식회사 보인앤컴퍼니 연구개발 임채록 300,000원
2083 2024-04-17 8시 13시 HfO2 film 50nm 증착 의뢰합니다.

Si wafer 500um
S/D implanted : phosphorus-9ea/boron-9ea
Ti/Au electrode		 고려대학교 전기전자공학부 안충현 500,000원
2084 2024-04-18 8시 18시 M1GRAP7592 W01, W02 만 5 nm 증착 진행 부탁드리고, 나머지 M1GRAP7627, 7626, 7602 11매는 10 nm 진행 부탁드립니다. 삼성종합기술원 2D Device TU 권준영 1,170,000원
2085 2024-04-22 13시 15시 Al2O3 10nm 6ea LG전자 ML Task 조병권 600,000원
2086 2024-04-23 14시 18시 Sub.는 와 Mo로 패터닝된 상태입니다. 총 3장 진행하는데, stage temp. 280oC로 약 5nm depo할 예정으로 HfAlO으로 부탁드립니다.

3장 모두 ALD 후에 RTP 공정 (N2 분위기, 900C, 15초 유지; 승온 구간 25초, 급속 냉각 조건) 부탁드립니다 (해당 RTP 공정은 따로 장비 의뢰할 계획입니다.).		 삼성종합기술원 종합기술원(SAIT) 류희제 540,000원
2087 2024-04-23 9시 13시 Si/SiO2 wafer위에 TiN/HZO가 증착되어있는 조각샘플입니다.

300C 증착온도에서 25nm 증착하고 싶습니다.

샘플 케이스에 두번째 줄에 S13, S14, S15 라고 적힌 샘플 3조각입니다. 한번에 증착하고 싶습니다.

샘플이 뒤바뀌지 않게 증착 부탁드립니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 장호중 240,000원
2088 2024-04-24 8시 17시 유선으로 전달 예정 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 2,400,000원
2089 2024-04-30 17시 18시 HfO2 30 nm 증착 (200도)

물질
1) Bare Silicon 기판
2) MoS2 소자 (전극: Bismuth/Gold)
3) WSe2 소자 (전극: Platinum/Gold)		 한국과학기술원 신소재공학과 김동영 500,000원
2090 2024-04-30 18시 20시 ain 5nm 10nm 2회 진행 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 160,000원
2091 2024-05-02 10시 15시 3 wafer, TiN 50 nm , same condition 포항공과대학교 대학원 Material science and engineering Pendar Azaripour 1,200,000원
2092 2024-05-02 15시 17시 총 샘플 12개, 모든 샘플 200도씨, H2O를 사용한 HfO2 10nm Thermal 공정 진행해 주시면 감사하겠습니다. 샘플은 5/2(목) 오전 중에 1층에 두도록 하겠습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 80,000원
2093 2024-05-02 17시 18시 AlN 28nm tmep split(100, 150, 200, 300) NH3 plasma 100W, 50초 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 1,200,000원
2094 2024-05-06 10시 12시 SiO2 기판 위에 Pt(50nm)/Ti(10nm) 증착 되어 있습니다.
HfO2 10nm(1회) 증착 부탁드립니다.		 광운대학교 전자재료공학과 박상준 100,000원
2095 2024-05-08 10시 11시 Highly p-doped Si 위에 Al2O3 30nm(for dielectric)증착 요청드립니다.
P-Type Si wafer도 같이 구매하겠습니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 박완태 310,000원
2096 2024-05-09 10시 11시 pdms 위에 al2o3를 증착하고자 합니다.
-------------
20nm depo.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 진혜인 160,000원
2097 2024-05-09 11시 16시 deposition request: 50nm TiN



wafer characteristics: ZrO2/Al2O3/ZrO2 deposited on SiO2/tiN wafer. deposited in lab.		 포항공과대학교 대학원 Material science and engineering Pendar Azaripour 400,000원
2098 2024-05-10 17시 22시 al2o3 8nm 9ea 주식회사 보인앤컴퍼니 연구개발 임채록 900,000원
2099 2024-05-13 14시 16시 transistor gate oxide용 HfO2 15nm 증착 의뢰드립니다.

전면 증착 부탁드립니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 권오혁 200,000원
2100 2024-05-13 16시 22시
HfO2 film 50nm 증착 의뢰합니다.

Si wafer 500um
S/D implanted : phosphorus-6ea/boron-3ea
Ti/Au electrode		 고려대학교 전기전자공학부 안충현 500,000원
2101 2024-05-14 8시 12시 총 샘플 7개, 모든 샘플 200도씨, H2O를 사용한 HfO2 10nm Thermal 공정 진행해 주시면 감사하겠습니다. 샘플은 5/13 (월) 오전 중에 1층에 두도록 하겠습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 80,000원
2102 2024-05-20 10시 12시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H가 130nm 올라가있는 glass 기판4개에 아래와 같은 프로세스로 공정을 진행하려고 합니다.

첫번째 공정 1) ALD - Al2O3 - 20nm 증착
두번째 공정 1) PECVD a-Si:H 35 nm 증착

시편은 시편 보관함 안에 넣어두겠으며, PECVD도 따로 신청하도록 하겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 160,000원
2103 2024-05-20 15시 19시 HfOx 40 nm 증착 부탁드립니다. 한양대학교 에너지공학과 김도연 400,000원
2104 2024-05-21 13시 22시 50nm TiN deposition for 2 whole wafers 포항공과대학교 대학원 Material science and engineering Pendar Azaripour 800,000원
2105 2024-05-21 8시 9시 2-1-1 Al2O3 400A depo (주)엔디디 연구소 최영환 1,600,000원
2106 2024-05-22 10시 16시 ZrO2/Al2O3/ZrO2 already deposited

request for TiN deposition for 50nm		 포항공과대학교 대학원 Material science and engineering Pendar Azaripour 400,000원
2107 2024-05-27 17시 20시 * ICT 제품화 지원사업* 으로 정산 부탁드립니다.
샘플 트레이에 Al2O3와 HfO2 증착할 샘플 표기해 두었습니다. 두께는 20nm로 증착 부탁드립니다.		 (주)아이제스트 연구개발팀 길연호 400,000원
2108 2024-05-27 20시 10시 4-1-1 Al2O3 30nm

ICT 제품화 지원사업		 (주)엔디디 연구소 최영환 900,000원
2109 2024-05-27 9시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
a-Si:H이 330nm 증착된 glass 6장이 있습니다.
Al2O3를 ALD로 20 nm 증착 부탁드립니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 140,000원
2110 2024-05-29 10시 18시 Bare Si 기판 10개와 SiO2 100nm 기판에 Pt(50nm)/Ti(10nm) 증착된 샘플 6개 입니다.
HfO2 60nm 증착하고자 합니다.
문의사항은 010-2029-7205로 연락주세요.		 광운대학교 전자재료공학과 박상준 600,000원
2111 2024-05-29 14시 18시 p-type Si에 HfO2 40 nm 2장 증착 부탁드립니다. (p-type Si wafer도 같이 구매하겠습니다.)
상부증착물질: perovskite film		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 유수환 780,000원
2112 2024-05-29 8시 10시 Al2O3 130C 35 cyc / Thermal ALD / NETS recipe 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김홍두 80,000원
2113 2024-05-30 10시 18시 Sub.는 Mo로 패터닝된 상태입니다. 총 5장 진행하는데, stage temp. 280oC로 약 5nm depo할 예정입니다.
Hf rich HfAlO [Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 부탁드립니다.		 삼성종합기술원 종합기술원(SAIT) 류희제 900,000원
2114 2024-05-31 16시 17시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 강도현입니다.

glass 기판위에 gold 올라간 시편입니다.

Al2O3 0.5 nm 증착 부탁 드립니다!

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 70,000원
2115 2024-05-31 20시 22시 Al2O3 포항공과대학교 기계공학과 이장호 80,000원
2116 2024-06-05 17시 18시 3-7-2 Al2O3 5nm 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 80,000원
2117 2024-06-06 08시 14시 유선으로 협의 예정.(한종덕 010-2078-4350)
----------------
AiN 28nm 12ea
Al2O3 10nm 2ea, 20nm 1ea
HfO2 10nm 2ea, 20nm 1ea		 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 4,400,000원
2118 2024-06-07 14시 18시 transistor gate oxide 를 위해 ALD로 HfO2 20nm증착 희망합니다.

감사합니다.

권오혁 드림.		 포항공과대학교 신소재공학과 권오혁 160,000원
2119 2024-06-10 11시 16시 deposition: TiN 50 nm 포항공과대학교 대학원 Material science and engineering Pendar Azaripour 400,000원
2120 2024-06-10 12시 17시 유선으로 세부 협의 후 진행 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 2,400,000원
2121 2024-06-11 18시 21시 280C O2 Plasma 조건으로 HfAlO 4 nm 증착 부탁드립니다. 삼성종합기술원 2D Device TU 권준영 360,000원
2122 2024-06-13 12시 24시 al2o3 30nm 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,620,000원
2123 2024-06-13 8시 12시 Al2O3를 10nm의 두께로 ALD 증착 부탁드립니다.
bare Si기판 (20x20mm) 10매, TiN, SiO2 증착된 Si 기판 (25x25mm) 2매에 증착할 예정입니다.
일정 승인 되면 제가 IPA로 간단한 cleaning 이후에 시편 전달 드리도록 하겠습니다.
NINT 5층에 연구실이 있어 언제든 연락주시면 감사하겠습니다.		 포항공과대학교 반도체공학과 황제혁 50,000원
2124 2024-06-18 12시 14시 p-type Si에 HfO2 30nm 2장 증착 부탁드립니다. (p-type Si wafer도 같이 구매하겠습니다.) 포항공과대학교 대학원 화학공학과 류형하 620,000원
2125 2024-06-20 11시 15시 al2o3 3nm 5ea 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 400,000원
2126 2024-06-24 21시 10시 HfO2 film 50nm 전면 증착 의뢰합니다.

Si wafer 500um
S/D implanted : phosphorus-6ea
Ti/Au electrode		 고려대학교 전기전자공학부 안충현 500,000원
2127 2024-06-25 12시 16시 Sub.는 Mo로 패터닝된 상태입니다. 총 8장 진행하는데, stage temp. 280oC로 약 5nm depo할 예정입니다.
Hf rich HfAlO [Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 부탁드립니다.
-------------------------------
8매 진행 muti layer 진행시 10nm/2회 청구
 삼성종합기술원 종합기술원(SAIT) 류희제 1,440,000원
2128 2024-06-26 18시 19시 총 샘플 4개, 모든 샘플 200도씨, H2O를 사용한 HfO2 10nm Thermal 공정 진행해 주시면 감사하겠습니다. 샘플은 1층에 두도록 하겠습니다. // thermal에서 Plasma공정으로 변경 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 80,000원
2129 2024-06-27 8시 18시 유선으로 협의 예정
--------------------------
PE ALD AlN 28nm 7ea + 3ea 추가
Thermal ALD Al2O3 20nm 1ea 추가
Thermal ALD HfO2 20nm 1ea 추가
Thermal ALD Al2O3 + HfO2 4조건
10nm + 10nm
10nm + 5nm
10nm
5nm + 5nm

41회 청구
 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 4,100,000원
2130 2024-07-01 9시 14시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
3cm정도 가량되는 시편 2장에 각각 SiO2 30nm, Al2O3 30nm를 증착하려고 합니다.
시편은 시편보관함 안에 넣어두도록 하겠습니다.
감사합니다.

-->> Al2O3 30nm
 포항공과대학교 기계공학과 양영환 210,000원
2131 2024-07-03 13시 14시 Al2O3를 10nm의 두께로 ALD 증착 부탁드립니다.
bare Si기판 (20x20mm) 10매, TiN, SiO2 증착된 Si 기판 (25x25mm) 2매에 증착할 예정입니다.
박막 전에 에어건으로 간단한 파티클 제거 한번만 부탁드리겠습니다.
NINT 5층에 연구실이 있어 언제든 연락주시면 감사하겠습니다.		 포항공과대학교 반도체공학과 황제혁 50,000원
2132 2024-07-08 9시 12시 HfO2 ALD 공정 의뢰드립니다.

ALD 조건: HfO2, 60 nm, 200°C
ALD 기판: 4 inch wafer 한장 위에 SiO2 기판 여러개를 PI tape으로 고정시켰습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 노유진 480,000원
2133 2024-07-09 9시 18시 Al2O3 3nm
AlN 3nm		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,270,000원
2134 2024-07-11 10시 11시 HfO2 ALD 증착 10nm 부탁드립니다. (총 3개) 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 한승민 80,000원
2135 2024-07-11 11시 18시 HfO2 film 50nm 전면 증착 의뢰합니다.

Si wafer 500um
S/D implanted : phosphorus-6ea, boron-6ea
Ti/Au electrode

감사합니다.		 고려대학교 전기전자공학부 안충현 500,000원
2136 2024-07-12 11시 17시 유선으로 협의 예정(한종덕) 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 940,000원
2137 2024-07-12 9시 11시 Sample 1/2번, 5/6번, 9/10번 --> Al2O3
Sample 3/4번, 7/8번, 11/12번 --> HfO2 (샘플 뒷면에 번호가 기입되어 있습니다.)
증착 부탁드립니다. 두가지 모두 10~12nm 정도로 증착해주시면 될 것 같습니다. (최대한 Al2O3와 HfO2가 같은 두께가 되도록 부탁드립니다.)

추가적으로, IGZO film 위에 증착하는 것입니다.		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 최준혁 160,000원
2138 2024-07-15 20시 12시 - 공정 의뢰 날짜 : 2024년 07월 15일 월요일
* 샘플에 발생하는 변수를 최대한 방지하고자, 공정 도중 중단에 없이 시작부터 종료까지 한번에 진행 부탁드립니다.

<공정 조건>
- 증착 물질 및 두께 : Al2O3 160nm
- 증착 온도 : 180도

<샘플>
- 2inch half 2장, 2cm*2cm 4장 (총 6장)
- 전달&수령 방법 : 대면 전달(7/12) & 택배 수령
 (주)인옵틱스 연구개발전담부서 윤소연 1,600,000원
2139 2024-07-16 18시 20시 자연산화층입니다. 경상대학교 나노신소재융합공학과 성예린 500,000원
2140 2024-07-18 12시 15시 Si 기판 10개, Pt(50nm)/Ti(10nm)/Si 4개, Al(70nm)/Si 4개, ITO 기판 2개로 총 20개 샘플 증착 예정입니다.
HfO2 30nm 증착 부탁드립니다.

문의사항은 010-2029-7205로 연락주세요.		 광운대학교 전자재료공학과 박상준 300,000원
2141 2024-07-18 9시 11시 총 샘플 6개, 모든 샘플 200도씨, H2O를 사용한 HfO2 10nm Thermal 공정 진행해 주시면 감사하겠습니다.
Thermal이 불가하면 PE-ALD도 괜찮습니다.
샘플은 7/17 중으로 1층에 두도록 하겠습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 80,000원
2142 2024-07-26 10시 12시 총 샘플 6개, 모든 샘플 200도씨, H2O를 사용한 HfO2 10nm Thermal 공정 7/18일에 신청했던것 처럼 동일하게 진행해 주시면 감사하겠습니다. 샘플은 1층에 두도록 하겠습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 80,000원
2143 2024-07-26 13시 15시 현재 wafer chip에는 WOx 채널 물질과 W, Pt/Ti, Mo 전극 물질이 각각 쌓여져 있고 이 위에 전면으로 HfO2를 10 nm 증착하고자 합니다. 200 \\\'C thermal ALD 방식으로 부탁드립니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 김주희 80,000원
2144 2024-07-29 14시 15시 1-1-1 ALD Al2O3 450A 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 400,000원
2145 2024-07-30 16시 20시 2-1-1 Al2O3 400A 9ea

2024년 나노융합기반 고도화사업		 (주)엔디디 연구소 최영환 3,600,000원
2146 2024-08-01 10시 18시 8 inch wafer 기판 12장입니다.
10장은 SiO2 100 nm/ Si 기판이고, 2장은 Pt로 패터닝된 상태입니다.
stage temp. 280oC로 약 5nm depo할 예정입니다.
Hf rich HfAlO [Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 부탁드립니다.		 삼성종합기술원 종합기술원(SAIT) 류희제 2,160,000원
2147 2024-08-01 19시 16시 Wafer 2매에 HfAlO 3 nm 증착 진행 부탁드립니다.
 삼성종합기술원 2D Device TU 권준영 360,000원
2148 2024-08-01 8시 10시 1-2-4 Al2O3 350A 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 320,000원
2149 2024-08-05 15시 18시 Al2O3 30nm 증착바랍니다. 가능하면 낮은 온도에서 수증기를 통한 산화 부탁합니다. 포항공과대학교 화학공학과 양성준 240,000원
2150 2024-08-08 13시 16시 물질 및 두께 : Al2O3 10nm
공정온도 : 150℃
수량 : 15 x 15 (mm) 기판 30-40 ea 입니다.
기판: Si-SiO2(100nm)-Active layer (TeOx-Se)-Ni metal patterned		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 최하민 80,000원
2151 2024-08-09 9시 15시 물질 및 두께 : Al2O3, 60nm
공정 온도 : 150oC
수량 : 4inch wafer 1
기판 : SiO2 300nm + Ni15nm patterned		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 허성민 480,000원
2152 2024-08-12 8시 17시 협의 예정 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 1,800,000원
2153 2024-08-14 9시 18시 Sub.는 Mo(WF#3,4)로 패터닝된 상태입니다. 총 2장 진행하는데, stage temp. 280oC로 약 4nm depo할 예정으로 Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 4set 부탁드립니다.

WF#3(1매)은 열처리까지 진행할 예정입니다. ALD 후에 RTP 공정 (N2 분위기, 900C, 15초 유지; 승온 구간 25초, 급속 냉각 조건) 후속으로 공정진행 부탁드립니다. 		삼성종합기술원 2D device TU 박배권 360,000원
2154 2024-08-19 13시 18시 AL2O3 50 nm 증착 총 1.2 cm X 1.2cm 16개(SiO2/Ta/Co/Pt/HfO 3개, Ta/Co/Cu/HfO 3개, Ti/Au 10개) 고려대학교 응용물리학과 이재호 500,000원
2155 2024-08-20 11시 13시 ALD Al2O3 200A (온도 250도) 증착
한국전자통신연구원 ICT소재푸붐연구소 안신모 200,000원
2156 2024-08-21 10시 12시 안녕하세요.
포항공과대학교 신소재공학과 김세영 교수님 연구실 학생 한승민입니다.

HfO2 10nm 증착을 요청드립니다.
샘플은 총 3개이며, 하나는 Silicon wafer 초기 상태이고 나머지 두 샘플에는 WO3가 증착되어 있는 상태입니다.

감사합니다. 		포항공과대학교 대학원 신소재공학과 한승민 80,000원
2157 2024-08-21 14시 15시 p-type silicon wafer 위에 HfOx 40 nm 증착 부탁드립니다. 공정 온도는 280C로 진행해주세요. 한양대학교 에너지공학과 김도연 400,000원
2158 2024-08-22 10시 11시 총 샘플 2개, 모든 샘플 200도씨, H2O를 사용한 HfO2 12nm Thermal 공정 진행해 주시면 감사하겠습니다. Thermal이 불가하면 PE-ALD도 괜찮습니다. 샘플은 7/21~7/22 중으로 1층에 두도록 하겠습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 160,000원
2159 2024-08-22 14시 17시 물질 및 두께: Al2O3 10nm
공정온도: 150℃
수량: 1.5 x 1.5 cm, 66ea (22ea씩 3번 프로세싱 희망합니다!)
기판: Si-SiO2(100nm)-Active(20-25nm)-metal(40nm)

※ 지난 번에 24개씩 2번의 공정으로 의뢰했었는데, 이번에는 22개씩 3번으로 진행해 주시면 감사하겠습니다. 기판 뒷면에 네이밍을 해두었으니, 필름이 섞일 우려는 없을 것 같습니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 최하민 160,000원
2160 2024-08-23 9시 12시 물질 및 두께 : Al2O3, 60nm
공정 온도 : 150oC
수량 : 조각 시편 다수
기판 : SiO2 100nm 기판 + Ni 15nm + PR pattern		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 허성민 480,000원
2161 2024-08-26 16시 17시 샘플 2개, 모든 샘플 200도씨, H2O를 사용한 HfO2 12nm Thermal 공정 진행해 주시면 감사하겠습니다. Thermal이 불가하면 PE-ALD도 괜찮습니다. 샘플은 8/26 전으로 1층에 두도록 하겠습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 160,000원
2162 2024-08-26 9시 16시 150 ̊C, flowing N2 for 3 min (rough evacuation) prior to start of each deposition
1. 150 ̊C, TMA (0.1 s) – 40s purge – water (0.1 s) – 40s purge : 2 cycle
2. 150 ̊C, TMA (0.1 s) – 40s purge – water (0.1 s) – 40s purge : 10 cycle
3. 150 ̊C, TMA (0.1 s) – 40s purge – water (0.1 s) – 40s purge : 45 cycle
 포항공과대학교 대학원 첨단원자력공학부 김효주 320,000원
2163 2024-08-27 10시 12시 ALD HfO2 10nm 증착 부탁드립니다.

샘플은 총 6개입니다.
샘플 아래 W과 WOx가 증착되어있는 상태입니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 한승민 80,000원
2164 2024-08-28 9시 12시 Al2O3 200Å 증착 및 실리콘 조각 시편 Al2O3 두께 측정 진행하고 싶습니다. 전북대학교 전자정보공학부 김인화 200,000원
2165 2024-08-30 10시 12시 이전에 공정 요청드린 바와 같이 보유하고 계신 8인치 p-type Si에 HfO2 30nm 증착 부탁드립니다. (8인치 bare Si wafer는 이전 공정과 같이 재료비 처리해주시면 감사하겠습니다.)

 포항공과대학교 대학원 화학공학과 박건웅 310,000원
2166 2024-09-02 15시 18시 20 nm Al2O3 와 20 nm HfO2 증착 의뢰드립니다. 트레이에 박막 증착할 샘플 표기해 두었습니다.
담당 연구원 : 최재용/010-2123-3062/jychoieee@postech.ac.kr		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 320,000원
2167 2024-09-03 8시 17시 공정 조건 및 세부일정 유선으로 협의 (Skyworks. 한종덕) 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 12,540,000원
2168 2024-09-23 13시 1시 Al2O3 8nm 주식회사 보인앤컴퍼니 연구개발 임채록 1,080,000원
2169 2024-09-23 9시 13시 Al2O3 10nm 주식회사 보인앤컴퍼니 연구개발 임채록 360,000원
2170 2024-09-24 8시 22시 Al2O3 8nm 주식회사 보인앤컴퍼니 연구개발 임채록 720,000원
2171 2024-09-25 10시 12시 Al2O3 200A 증착 부탁 드립니다.
온도: 250도

증착 후 바로 BMR 장비로 SiN 2300A (250도) 증착 부탁 드립니다. (따로 예약 함)		 한국전자통신연구원 ICT소재푸붐연구소 안신모 200,000원
2172 2024-09-25 13시 18시 Al2O3 deposition on Cobalt/Sapphire wafer

Al2O3_H2O_NETS
온도 : 130도
Cycle : 35
Thermal ALD		 포항공과대학교 기계공학과 안주환 80,000원
2173 2024-09-26 14시 15시 Al2O3 deposition on Cobalt/Sapphire wafer
Al2O3_H2O_NETS
온도 : 130도
Cycle : 20
Thermal ALD
 포항공과대학교 기계공학과 안주환 80,000원
2174 2024-09-26 8시 12시 Al2O3 5nm (200C) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 160,000원
2175 2024-09-27 10시 11시 SOI wafer 위에 약 35 nm 두께의 bottom gate W metal이 패터닝되어 증착되어 있으며, 2 cm x 2 cm sample 총 9개 HfO2 약 36.6 nm 정도로 증착해주시면 감사드리겠습니다.

모든 sample 한번에 같이 증착해주셔도 됩니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 김혜진 320,000원
2176 2024-09-27 12시 13시 si 525um
ti/au 100/15nm

올라가있습니다

hfo2 50nm 전면 증착부탁드립니다. 감사합니다.		 고려대학교 전기전자공학부 안충현 500,000원
2177 2024-09-30 10시 11시 Al2O3 50 nm 증착 의뢰 드립니다. 한국전자통신연구원 GaN박막소재/소자창의연구실 곽현탁 500,000원
2178 2024-10-02 13시 16시 SOI wafer 위에 약 35 nm 두께의 bottom gate W metal이 패터닝되어 증착되어 있으며, 2 cm x 2 cm sample 총 12개 HfO2 약 36.6 nm 정도로 증착해주시면 감사드리겠습니다. 해당 공정은 thermal ald로 증착 요청 드립니다. 모든 sample 한번에 같이 증착해주셔도 됩니다. 추가적으로, 공정 레시피 알려주시면 감사드리겠습니다. (공정 온도, precusor & H2O exposure time, cycle등) 이전에 연구실에서 사용하던 thermal ald film과 비교하기 위함입니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 김혜진 320,000원
2179 2024-10-02 16시 17시 Al2O3 deposition on Cobalt/Sapphire wafer
Al2O3_H2O_NETS
온도 : 130도
Cycle : 20
Thermal ALD		 포항공과대학교 기계공학과 안주환 80,000원
2180 2024-10-02 8시 13시 1. 150 ̊C, TMA (0.1 s) – 30s purge – water (0.1 s) – 30s purge : 100 cycle
2. 300 ̊C, TMA (0.1 s) – 10s purge – water (0.1 s) – 10s purge : 100 cycle
3. 150 ̊C, TMA (0.1 s) – 10s purge – water (0.1 s) – 10s purge : 100 cycle

1번 2번 시료는 전달드렸고, 3번 시료는 수요일 오전까지 NINT 우편함 쪽에 넣어두겠습니다.

김효주 드림.		 포항공과대학교 대학원 첨단원자력공학부 김효주 400,000원
2181 2024-10-07 13시 14시 물질 및 두께: Al2O3 10nm
공정온도: 150℃
수량: 1.5 x 1.5 cm, 24ea (24개를 한번에 프로세싱하길 희망합니다!)
기판: Si-SiO2(100nm)-Active(20-25nm)-metal(40nm)

※ 기판 뒷면에 네이밍을 해두었으니, 필름이 섞일 우려는 없을 것 같습니다. 수요일 전까지만 해주시면 감사할 것 같습니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 최하민 80,000원
2182 2024-10-07 14시 15시 130c 25cycle 포항공과대학교 기계공학과 이장호 80,000원
2183 2024-10-07 17시 22시 아래 기재한 두께만큼 ALD Al2O3 증착 의뢰드립니다.
1x1 ㎠ 조각 샘플 8개 : 0.3, 0.5, 0.8, 1, 5, 10, 50, 100 nm
2.1x2.1 ㎠ 조각 샘플 8개 : 0.3, 0.5, 0.8, 1, 5, 10, 50, 100 nm
1x1 ㎠ 조각 샘플 1개 : 20 nm
담당연구원 : 최재용/010-2123-3062/jychoieee@postech.ac.kr

300C PE-ALD		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 1,840,000원
2184 2024-10-07 9시 12시 물질 및 두께 : Al2O3, 60nm
공정 온도 : 150oC
수량 : 조각 시편 다수
기판 : SiO2 100nm 기판		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 허성민 80,000원
2185 2024-10-10 10시 11시 Al2O3 deposition on Cobalt/Sapphire wafer
Al2O3_H2O_NETS
온도 : 130도
Cycle : 15
Thermal ALD

***두께 측정용(Ellipsometer)으로 더미 샘플도 같이 진행해주시면 감사하겠습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 안주환 128,000원
2186 2024-10-11 13시 18시 안녕하세요 포항공과대학교 노용영 교수님 연구실 이재윤입니다.

NINT에서 보유하고 계신 p type si 8-inch wafer 2ea 에 Al2O3 15nm(300C) 와 HfO2 5nm(280C) 이렇게 총 20nm gate dielectric ALD 증착을 요청드립니다.

말씀드린대로 Al2O3를 먼저, 그리고 연속적으로 HfO2 5nm를 증착 부탁드립니다.

추가로 8 inch p type Si wafer 2장은 공정료에 포함하여 계산부탁드립니다.

감사합니다!		 포항공과대학교 화학공학과 이재윤 620,000원
2187 2024-10-11 8시 12시
AL2O3 50 nm 증착 총 1.2 cm X 1.2cm 30개(SiO2/Ta/Co/Pt/HfO 2개, Ta/Co/Cu/HfO 18개, Ti/Au 10개)		 고려대학교 응용물리학과 이재호 500,000원
2188 2024-10-14 14시 15시 recipe: Al2O3_H2O_NETS
(어떤 페이지에선 NEST라고 써있었음)
온도: 130도
Cyc: 35

위 조건으로 공정 부탁드리며,
dummy si 함께 증착하여 엘립소미터로 두께 증가분 알려주시면 감사드리겠습니다.
 포항공과대학교 기계공학과 이장호 80,000원
2189 2024-10-17 10시 11시 Al2O3 deposition on Cobalt/Sapphire wafer
Al2O3_H2O_NETS
온도 : 130도
Cycle : 20
Thermal ALD
***두께 측정용(Ellipsometer)으로 더미 샘플도 같이 진행해주시면 감사하겠습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 안주환 128,000원
2190 2024-10-18 14시 16시 Al2O3 20nm를 증착하려 합니다. 포항공과대학교 대학원 화학공학과 유건우 160,000원
2191 2024-10-18 7시 14시 Sub.는 Mo 또는 Pt depo 상태입니다. 총 8장 진행하는데, stage temp.280oC로 약 7nm depo할 예정으로 Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 7set 부탁드립니다.

유선상에서 말씀드린 것처럼 reactant는 thermal로 H2O 부탁드립니다.

혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다.

감사합니다.		 삼성종합기술원 2D device TU 박배권 1,440,000원
2192 2024-10-21 7시 19시 Sub.는 Mo 또는 Pt depo 상태입니다. 총 8장 진행하는데, stage temp.280oC로 약 7nm depo할 예정으로 Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 7set 부탁드립니다.

유선상에서 말씀드린 것처럼 reactant는 thermal로 H2O 부탁드립니다.

혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다.

감사합니다.		 삼성종합기술원 2D device TU 박배권 1,440,000원
2193 2024-10-22 15시 22시 물질 및 두께 : Al2O3, 60nm
공정 온도 : 150oC
수량 : 조각 시편 다수
기판 : SiO2 100nm 기판		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 허성민 480,000원
2194 2024-10-22 7시 14시 Sub.는 MoS2위 Si layer 깔린 상태입니다. 총 4장 진행하는데, stage temp.150C로 약 7nm depo할 예정으로 Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 7set 부탁드립니다.

유선상에서 말씀드린 것처럼 reactant는 thermal로 H2O 부탁드립니다.

혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다.

감사합니다.		 삼성종합기술원 2D device TU 박배권 720,000원
2195 2024-10-23 12시 13시 #1-CAC (G) #2-CAC (G) #3-CAC (G) #4-CAC (G) 4매 1회
#1-CAC (W) #2-CAC (W) #3-CAC (W) #4-CAC (W) 4매 1회
 동우화인캠(주) 반도체소재연구소 반도체소재2팀 김정식 200,000원
2196 2024-10-23 14시 15시 시편 개수는 총 2 cm x 2 cm 4조각입니다. (Sample 1, 2, 3, 4)
총 3가지 공정 단계가 있는데 , 첫 번째로 4조각 (Sample 1, 2, 3, 4) 모두 PEALD로 Al2O3 8 nm 증착 부탁드립니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 김승건 80,000원
2197 2024-10-23 15시 16시 Bare-A (G) Bare-A (W) Bare-CAC (G) Bare-CAC (W) 4매 1회
#1-A (G) #2-A (G) #3-A (G) #4-A (G) 4매 1회
#1-A (W) #2-A (W) #3-A (W) #4-A (W) 4매 1회
부탁 드립니다.

 동우화인캠(주) 반도체소재연구소 반도체소재2팀 김정식 300,000원
2198 2024-10-23 16시 17시 시편 개수는 총 2 cm x 2 cm 4조각입니다. (Sample 1, 2, 3, 4) Sample들 번호는 chip 뒷편과 트레이 위에 적어두었습니다.
첫 번째 공정 (PEALD Al2O3 8 nm), 두 번째 공정 (PECVD SiNx 8 nm)이 진행된 sample들입니다.
마지막 세 번째 공정으로 sample 1, 2은 PEALD Al2O3 3 nm 두께로 증착, sample 3, 4는 PEALD Al2O3 10 nm 증착 부탁드립니다.

3nm. 10nm 진행		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 김승건 160,000원
2199 2024-10-24 13시 15시 2cm*2cm 정도의 시편 약 20개에 Al2O3를 1nm 증착하고자 합니다.
일부 시편의 표면은 SiO2이며 일부는 Au입니다.		 포항공과대학교 물리학과 황종근 50,000원
2200 2024-10-24 15시 22시 Al2O3, 8nm 주식회사 보인앤컴퍼니 연구개발 임채록 1,890,000원
2201 2024-10-29 15시 20시 안녕하세요 포항공과대학교 노용영 교수님 연구실 이재윤입니다.

HfO2 15nm + Al2O3 5nm ALD 공정 맡기려 메일드립니다.

NINT에 구비되어있는 p+ 8inch wafer에 HfO2 15nm 후 Al2O3 5nm (총 20nm) 공정 부탁드립니다.
각 공정이 진행되는 온도에 대해서는 공정 잡혀있는 조건대로 진행부탁드립니다.

8 inch wafer 가격까지 같이 청구 부탁드립니다.

감사합니다.

 포항공과대학교 화학공학과 이재윤 310,000원
2202 2024-10-30 13시 14시 Al2O3_H2O_NETS
130도
20cycle
Thermal ALD

*Ellipsometer 두께측정 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 안주환 128,000원
2203 2024-10-30 15시 18시 Al2O3, 8nm 25ea 주식회사 보인앤컴퍼니 연구개발 임채록 2,250,000원
2204 2024-10-31 18시 23시 4-1-1 top oxide depo. alumina depo. al2o3 depo. 300a 2ea
 (주)엔디디 연구소 최영환 600,000원
2205 2024-11-01 10시 12시 patterning된 WO3 thin film이 증착되어 있습니다.
시편 두개이며, 둘 한번에
HfO2 10nm 전면 증착해주시면 감사하겠습니다.
PE-HfO2 10nm, Thermal-HfO2 10nm
 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 송우찬 160,000원
2206 2024-11-01 13시 17시 Sub.는 Pt depo 및 패터닝 상태입니다. 총 2장 진행하는데, stage temp.280oC로 약 7nm depo할 예정으로 Hf rich HfAlO [ Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 7set 부탁드립니다.

유선상에서 말씀드린 것처럼 reactant는 thermal로 H2O 부탁드립니다.

후속 RTA 진행 예정입니다.

혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다.

감사합니다.		 삼성종합기술원 2D device TU 박배권 360,000원
2207 2024-11-01 17시 21시 150 ̊C, flowing N2 for 3 min (rough evacuation) prior to start of each deposition
1. 150 ̊C, TMA (0.1 s) – 40s purge – water (0.1 s) – 40s purge : 5cycle
2. 150 ̊C, TMA (0.1 s) – 40s purge – water (0.1 s) – 40s purge : 10 cycle
3. 150 ̊C, TMA (0.1 s) – 40s purge – water (0.1 s) – 40s purge : 20 cycle
4. 150 ̊C, TMA (0.1 s) – 40s purge – water (0.1 s) – 40s purge : 50 cycle
5. 150 ̊C, TMA (0.1 s) – 40s purge – water (0.1 s) – 40s purge : 75 cycle

시료는 모두 기존에 의뢰드린 것과 동일하게 quartz plate위에 전사된 그래핀입니다. 
기존과 동일한 공정으로 cycle 수만 다르게 진행해 주시면 됩니다. 		포항공과대학교 대학원 첨단원자력공학부 김효주 480,000원
2208 2024-11-04 10시 15시 8 inch wafer 기판 3장이며, Pt로 패터닝된 상태입니다.
stage temp. 280oC로 약 5nm depo할 예정입니다.
Oxidant로 H2O 부탁드립니다. (기존 O2 plasma에서 변경)
Hf rich HfAlO [Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 부탁드립니다.		 삼성종합기술원 종합기술원(SAIT) 류희제 540,000원
2209 2024-11-05 20시 21시 Al2O3 10nm 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 80,000원
2210 2024-11-05 8시 14시 p-type Si에 HfO2 40 nm 1장 증착 부탁드립니다. (p-type Si wafer도 같이 구매하겠습니다.) 포항공과대학교 대학원 화학공학과 유수환 390,000원
2211 2024-11-06 13시 17시 텅스텐 옥사이드 박막이 패터닝되어있음

thermal ALD
HfO2 20nm 4개 샘플,
HfO2 15nm 2개 샘플

이렇게 두 번 증착 요청 드립니다.

샘플 제작 후 진공 빡세게 잡아주시고 문자주시면 감사하겠습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 송우찬 320,000원
2212 2024-11-07 10시 12시 Transistor gate oxide용 HfO2 20nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 권오혁 160,000원
2213 2024-11-07 14시 15시 AL2O3 50 nm 증착 총 1.2 cm X 1.2cm 8개(SiO2/Ta/Co/Pt/HfO 2개, Ta/Co/Cu/HfO 6개) 고려대학교 응용물리학과 이재호 500,000원
2214 2024-11-08 10시 14시 ICT 제품화 지원사업

샘플에 작업요청서 동봉
--------------
hfo2 40nm 8ea
 마이크로어낼리시스(주) 기업부설연구소 조경호 3,200,000원
2215 2024-11-08 14시 16시 Al2O3 200A 증착 부탁 드립니다.
온도 250도
ALD 증착 후 바로 BMR PECVD SiN 증착 진행합니다. (따로 예약)		 한국전자통신연구원 ICT소재푸붐연구소 안신모 200,000원
2216 2024-11-12 13시 17시 HfO2 40nm 공정 의뢰드립니다!

8 inch Si wafer에 증착하고자 하는 샘플 PI tape로 부탁하여 맡기는 내일 오전까지 두겠습니다.

증착하고자 하는 샘플은 SiO2 300nm위에 Ni 15nm가 증착되어있는 1.5x1.5cm2 기판입니다. (250C)

감사합니다!		 포항공과대학교 화학공학과 이재윤 320,000원
2217 2024-11-12 8시 11시 TeSeOx 가 증착된 SiO2 1.5x1.5 cm^2 기판 24개를 의뢰드리고자 합니다. 공정 1회 진행해주시면 감사하겠습니다. 각 샘플 뒤에 표기는 해두었습니다.
Al2O3 10nm (PE_ALD) 200\\\'C		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 최태수 80,000원
2218 2024-11-15 10시 12시 Al2O3 20nm 증착하려 합니다.
thermal ALD로 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 유건우 160,000원
2219 2024-11-19 20시 9시 유선으로 공정조건 협의 예정 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 600,000원
2220 2024-11-20 12시 13시 W 전면증착된 SiO2 Wafer 위에 HfO2 gate oxide용 조건으로 20nm 증착 포항공과대학교 신소재공학과 권오혁 160,000원
2221 2024-11-20 13시 17시 텅스텐 옥사이드 및 텅스텐 메탈이 패턴되어 증착되어있습니다.

샘플 4개(#26~#29) thermal ALD 10nm 증착 HfO2, 200C
샘플 4개(#30~#33) thermal ALD 20nm 증착 HfO2, 200C

요청 드립니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 송우찬 240,000원
2222 2024-11-20 9시 12시 물질 및 두께 : Al2O3, 40nm
공정 온도 : 150oC
수량 : 조각 시편 다수
기판 : Glass 기판		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 허성민 320,000원
2223 2024-11-26 12시 18시 물질 및 두께 : Al2O3, 60nm
공정 온도 : 150oC
수량 : 조각 시편 다수
기판 : SiO2기판		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 허성민 480,000원
2224 2024-11-26 9시 12시 1.5 x 1.5 x 1.0 (cm) 규격의 SiO2 100nm on Si 웨이퍼 조각에 공정하고자 합니다. 웨이퍼 기판 뒷면에 네이밍을 하여, 총 32개 샘플에 대해 한번에 진행하여도 서로 섞이지 않게 준비하도록 하겠습니다.

희망하는 Layer 및 공정조건은 다음과 같습니다.
- Al2O3 10nm, 150℃
 포항공과대학교 대학원 화학공학과 최하민 80,000원
2225 2024-11-27 13시 14시 Al2O3_H2O_NETS
130도
20cycle
thermal ALD

*Ellipsometer 측정 부탁드리겠습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 안주환 80,000원
2226 2024-11-28 10시 12시 SiO2 기판 위에 Au가 패턴되어 증착되어 있는데, 이 위로 Al2O3 20nm를 thermal ALD를 이용하여 증착하려 합니다. 포항공과대학교 대학원 화학공학과 유건우 160,000원
2227 2024-11-28 15시 18시 Sio2 layer 위에 Au deposition 이 되어있습니다
Al2O3 5nm		 한국과학기술원 기계공학과 김주홍 100,000원
2228 2024-11-29 9시 12시 물질 및 두께 : Al2O3, 60nm
공정 온도 : 150oC
수량 : 조각 시편 다수 기판 : SiO2기판		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 허성민 480,000원
2229 2024-12-02 13시 20시 8 inch wafer 기판 13장이며, Pt로 패터닝된 기판 3장, Si bare 기판 10장입니다.
stage temp. 280oC로 약 5nm depo할 예정입니다.
Oxidant로 H2O 부탁드립니다. (기존 O2 plasma에서 변경)
Hf rich HfAlO [Al2O3 1 cycle 선행 → HfO2 8 cycle 후행]으로 부탁드립니다.		 삼성종합기술원 종합기술원(SAIT) 류희제 2,340,000원