Stress Measurement System 장비일지

 기자재관리번호 : -
No 장비이용내역 이용내역 사용자 장비이용료
시작일 종료일 세부내용 기관명 부서(학과명) 성명 확정금액
1 2010-12-24 10시 13시 GaN wafer Stress release 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 135,000원
2 2010-12-24 14시 15시 GaN_SiO2 stress mea. 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 45,000원
3 2010-12-29 11시 12시 GaN 2um etch Measurement 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 45,000원
4 2010-12-29 16시 17시 GaN 2um etch stress Mea. 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 45,000원
5 2011-01-27 10시 12시 3rd Lot GaN Stress 측정 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 270,000원
6 2011-02-21 15시 17시 3-4-2 Al2O3 Anneal Stress Meas. (S03-0131) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 90,000원
7 2011-02-23 14시 16시 S04-0221 Start GaN Wf Bow 측정 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 90,000원
8 2011-03-02 10시 11시 Stepper Test (Si 10mm, 11mm)_Bow Meas. 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 45,000원
9 2011-03-08 13시 14시 3-4-2 Al2O3 Anneal Stress Meas. (S04-0221) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 90,000원
10 2011-03-10 13시 14시 7-4-3 Stress Meas. (S03-0131) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 22,500원
11 2011-03-16 14시 16시 5-4-3 Stress Meas. (S04-0221) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 90,000원
12 2011-03-22 15시 18시 철강기판, thermal stress 측정_400도 Test 포항공과대학교 신소재공학과 동완재 0원
13 2011-03-23 16시 17시 7-4-3 Stress Meas. (S04-0221) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 90,000원
14 2011-03-24 13시 18시 wafer bonding에 따른 stress 계산 포항공과대학교 MSE 송양희 96,000원
15 2011-03-28 09시 10시 S05(126-1,127-1)_S06(126-2,127-2) Meas. 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 90,000원
16 2011-04-01 14시 18시 Stainless Steel 측정_상온1회_Heating 1회 포항공과대학교 신소재공학과 동완재 48,000원
17 2011-04-05 17시 18시 heating Stress 측정 포항공과대학교 MSE 송양희 32,000원
18 2011-04-11 10시 11시 3-5-2 Stress Meas. (S05-0328) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 45,000원
19 2011-04-14 11시 12시 S06_S07 GaN Stress Meas. 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 90,000원
20 2011-04-18 11시 12시 4-4-3 Stress Meas. (S05-0328) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 45,000원
21 2011-04-27 15시 16시 4-4-2 Stress Meas. (S06-0331) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 45,000원
22 2011-05-02 10시 11시 5-4-3 Stress Meas. (S06-0331) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 45,000원
23 2011-05-02 11시 12시 0-1-1 Stress Meas. (S08-0429) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 67,500원
24 2011-05-03 09시 10시 0-1-1 Stress Meas. (S07a-0503) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 67,500원
25 2011-05-09 11시 12시 7-4-3 Stress Meas. (S06-0331) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 45,000원
26 2011-05-12 14시 15시 S09-0512 Start Stress Meas. 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 67,500원
27 2011-05-13 13시 14시 3-5-2 Stress Meas. (S07a-0503) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 67,500원
28 2011-05-16 10시 11시 3-5-2 Al2O3 Anneal Stress Meas. (S08-0429) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 67,500원
29 2011-05-18 13시 14시 4-4-3 Stress Meas. (S07a-0503) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 67,500원
30 2011-05-18 15시 16시 0-2-1 Fab in Stress Meas. (S10-0518) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 67,500원
31 2011-05-19 11시 12시 4-4-3 Stress Meas. (S08-0429) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 67,500원
32 2011-05-23 10시 14시 Heating Stress Meas. 연세대/KIST 신소재/전자재료 신태희 120,000원
33 2011-05-23 14시 15시 6-5-3 Nitride Stress Meas. (S07a-0503) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 22,500원
34 2011-05-24 13시 14시 6-5-3 Stress Meas. (S08-0429) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 67,500원
35 2011-05-25 09시 10시 3-5-2 Al2O3 Anneal Stress Meas. (S09-0512) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 67,500원
36 2011-05-26 15시 16시 4-4-3 Oxide Stress Meas. (S09-0512) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 67,500원
37 2011-05-26 16시 18시 SiO2 heat Stress Meas. 연세대/KIST 신소재/전자재료 신태희 60,000원
38 2011-05-26 18시 19시 0-2-1 Stress Meas. (S11-0526) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 67,500원
39 2011-06-06 11시 12시 3-5-2 Stress Meas. (S10-0518) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 67,500원
40 2011-06-08 14시 15시 3-5-2 Al2O3 RTP Stress Meas (S11-0526) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 67,500원
41 2011-06-10 11시 12시 4-4-3 Stress Meas. (S10-0518) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 67,500원
42 2011-06-13 09시 10시 0-2-1 Fab-In Stress Meas. (S12-0609) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 67,500원
43 2011-06-14 16시 17시 4-4-3 Oxide Stress Meas. (S11-0526) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 67,500원
44 2011-06-20 13시 15시 0-2-1 Fab-in Stress Meas. (S13-0620) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 135,000원
45 2011-07-01 09시 10시 0-2-1 Fab in_Stress (S14-0629) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 157,500원
46 2011-07-01 16시 17시 3-6-2 Al2O3 Anneal Stress Meas (S12-0609) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 67,500원
47 2011-07-06 13시 14시 4-4-3 Oxide Stress. (S12-0609) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 67,500원
48 2011-07-11 10시 12시 0-2-1 Fab-in Stress Meas. (S16-0706) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 180,000원
49 2011-07-25 09시 11시 0-2-1 Fab in_stress Meas. (S14a-0725) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 135,000원
50 2011-07-25 11시 13시 0-2-1 Fab in_stress Meas. (S18-0725) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 157,500원
51 2011-07-27 10시 11시 0-2-1 Fab in_Stress Meas. (S16a-0727) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 90,000원
52 2011-08-03 13시 15시 3-6-2 Stress Meas. (S13-0620) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 135,000원
53 2011-08-04 11시 12시 3-6-2 Al2O3 Anneal Stress Meas. (S14a-0725) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 90,000원
54 2011-08-08 10시 11시 0-2-1 Fab-in Stress Meas. (S15-0805) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 67,500원
55 2011-08-08 11시 12시 0-2-1 Fab-in Stress Meas. (S16b-0803) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 90,000원
56 2011-08-10 10시 12시 0-2-1 Stress Meas. (S18a-0809) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 225,000원
57 2011-08-11 14시 15시 0-2-1 Stress Meas. (S19-0810) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 135,000원
58 2011-08-24 16시 18시 Stress Meas. 포항공과대학교 MSE 송양희 32,000원
59 2011-08-24 18시 19시 6-3-4 PR Strip_inspection (S19-0810) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 45,000원
60 2011-09-13 10시 11시 0-2-1 Fab-in Stress Meas. (S20-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 112,500원
61 2011-09-13 14시 15시 0-2-1 Fab-in Stress Meas. (S17a-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 135,000원
62 2011-09-14 17시 18시 0-2-1 Fab-in stress meas. (S21-0909) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 90,000원
63 2011-09-19 16시 17시 3-6-2 Al2O3 anneal Stress (S20-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 112,500원
64 2011-09-23 10시 12시 Stress Meas. 포항공과대학교 MSE 송양희 64,000원
65 2011-09-27 13시 17시 etching 후 표면 변화 분석 (주)브라이트일렉트로닉스 백승찬 600,000원
66 2011-10-04 09시 10시 3-6-2 Al2O3 anneal Stress (S17a-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 135,000원
67 2011-10-10 10시 11시 0-2-1 Stress Meas. (S22-1004) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 135,000원
68 2011-10-17 09시 10시 0-2-1 Fab-in Stress Meas. (S25-1004) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 157,500원
69 2011-10-17 11시 12시 1-2-2 Align Key etch_inspection (S25-1004) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 67,500원
70 2011-10-17 14시 15시 6-5-3 Nitride Stress Meas. (S22-1004) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 45,000원
71 2011-10-17 15시 17시 6-5-3 Nitride Stress Meas. (S17a-0901) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 135,000원
72 2011-10-18 09시 10시 0-2-1 Fab-in Stress Meas. (S24-1013) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 112,500원
73 2011-10-18 11시 12시 3-6-2 Al2O3 anneal stress Meas. (S25-1004) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 90,000원
74 2011-10-18 14시 15시 0-2-1 Fab-in Stress Meas. (S26-1017) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 135,000원
75 2011-10-24 09시 11시 필름부착 wafer 6ea 재료연구소 융합공정연구본부 나종주 162,000원
76 2011-10-24 17시 18시 6-5-3 Nitride Stress (S24-1013) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 45,000원
77 2011-10-26 10시 11시 3-6-2 Al2O3 Anneal Stress (S26-1017) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 135,000원
78 2011-11-01 09시 10시 0-2-1 Fab-in Stress (S23-0928) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 90,000원
79 2011-11-04 10시 12시 3-6-2 Al2O3 anneal Stress (S23-0928) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 90,000원
80 2011-11-14 10시 11시 0-2-1 Fab-in_Stress Meas. (S27-1103) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 135,000원
81 2011-11-15 13시 15시 0-2-1 Fab-in Stress Meas. (S28-1103) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 135,000원
82 2011-11-17 10시 11시 0-2-1 Fab-in_Stress Meas. (S29-1114) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 135,000원
83 2011-11-23 11시 12시 6-5-3 Oxide Stress Meas. (S27-1103) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 90,000원
84 2011-11-28 09시 11시 0-2-1 Fab-in Stress Meas. (S30-1124) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 135,000원
85 2011-11-29 10시 11시 0-2-1 Fab-in Stress Meas. (S31-1128) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 135,000원
86 2011-12-05 12시 13시 6-5-3 Nitride Stress Meas. (S23-0928) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 90,000원
87 2011-12-27 10시 11시 0-2-1 Fab-in Stress (S32-1206) 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 45,000원
88 2012-01-11 16시 17시 8-4-5 Nitride Depo ★과청구로 인한 할인율 적용 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 0원
89 2012-01-13 15시 16시 6-5-3 Oxcide Depo ★과청구로 인한 할인율 적용 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 0원
90 2012-01-17 10시 11시 Nitride 박막 Stress 측정 서정한 90,000원
91 2012-01-20 11시 12시 6-5-3 Nitride Depo 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 157,500원
92 2012-01-27 13시 14시 0-2-1 Fab.In 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 67,500원
93 2012-02-20 15시 16시 6-5-3 Nitriide Depo. Stress Meas. ★과청구로 인한 할인율 적용 삼성종합기술원 반도체 랩 하종봉 0원
94 2012-03-21 13시 15시 Stress 측정(2inch 4매, 3inch 1매) 연세대학교 신소재공학과 김준규 150,000원
95 2012-06-18 11시 12시 Stress Measurement(4매) LG이노텍 차세대소자개발 서덕원 120,000원
96 2012-06-18 14시 15시 Bow Measurement(Radium,Height) 2매 LG이노텍 차세대소자개발 서덕원 60,000원
97 2012-06-20 15시 16시 Bow Measurement(Radius & Height) 8매 LG이노텍 차세대소자개발 서덕원 0원
98 2012-07-04 14시 16시 Bow Measurement(Radius & Height) 8매 LG이노텍 차세대소자개발 서덕원 240,000원
99 2012-07-30 14시 15시 Bow Meas. 2매(L05M) LG이노텍 차세대소자개발 서덕원 60,000원
100 2012-09-14 10시 12시 L11M First Stress Measure 8매 LG이노텍 차세대소자개발 서덕원 240,000원
101 2012-09-24 14시 16시 L12M Stress Measrement 8매 LG이노텍 차세대소자개발 서덕원 240,000원
102 2012-10-05 13시 15시 L14M(Recess Contact 1차_수정) Bow Meas. 8매 LG이노텍 차세대소자개발 서덕원 240,000원
103 2012-10-09 10시 12시 L14M 2'nd Bow Meas. LG이노텍 차세대소자개발 서덕원 240,000원
104 2012-10-29 10시 11시 SC01 Stress Measure(Fab In Step) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 30,000원
105 2012-10-29 14시 15시 SC01 Stress Measure(Oxide Remove Step) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 30,000원
106 2012-10-30 10시 11시 SC01 Stress Meas(Oxide Remove) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 30,000원
107 2012-10-30 16시 17시 SC01 Stress Measure(SiC Etch) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 30,000원
108 2012-11-05 15시 16시 L15M Recess Contact 2차 First Bow Meas. 8매 LG이노텍 차세대소자개발 서덕원 240,000원
109 2012-11-06 16시 18시 L15M Recess Contact 2차 2'nd Stress Meas.(8매) LG이노텍 차세대소자개발 서덕원 240,000원
110 2012-12-17 09시 12시 L16 ILD First Full Run_2차 Bow Meas. 5매 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 150,000원
111 2013-01-08 10시 12시 L17M Recess Contact 평가 3차 Stress Meas. 6매 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 180,000원
112 2013-01-09 10시 12시 L17M Recess Contact 평가 3차 Second Stress Meas. (6매) LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 180,000원
113 2013-01-28 10시 12시 L18 0-1-2 ILD First Full Run_3차 Stress Meas. WF01~06 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 180,000원
114 2013-01-29 13시 14시 L19M Recess Contact 4차_0-1-2 Stress Meas. WF01~07(7매) LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 210,000원
115 2013-01-29 17시 18시 L19M Recess Contact 4차_0-1-3 Bow Meas. 7매(WF01~07) LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 210,000원
116 2013-02-04 10시 12시 L18 ILD First Full Run_3차 2-3-5 Bow Meas. WF01~06 (6매) LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 180,000원
117 2013-02-04 13시 14시 0-1-2 Bow Meas. LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 150,000원
118 2013-02-12 14시 16시 L18 ILD First Full Run_3차 3-3-6 Bow Meas. WF01,03~06 (5매) LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 150,000원
119 2013-02-13 13시 15시 L18 ILD First Full Run_3차 3-4-5 Bow Meas. WF01,WF03~06 Total 5매 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 150,000원
120 2013-02-13 15시 17시 L18 ILD First Full Run_3차 3-5-3 Bow Meas. WF01,WF03~06 (5매) LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 150,000원
121 2013-02-25 15시 16시 L18 ILD First Full Run_3차 4-3-6 GATE PR Remove Bow Meas. WF01, WF03~06 (5매) LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 150,000원
122 2013-02-26 15시 16시 L18 ILD First Full Run_3차 (4-4-5) 1st IMD Depo Bow Meas. 5매(WF01, WF03~06) LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 150,000원
123 2013-03-06 10시 11시 L20 ILD First Full Run_4차 (0-1-2) Bow Meas. WF05~08 4매 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 120,000원
124 2013-03-12 17시 18시 L21 ILD First Full Run_5차 (0-1-2) Bow Meas. WF01~WF05 5매 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 150,000원
125 2013-03-12 17시 18시 L22 ILD First Full Run_6차 (0-1-2) Bow Meas. WF01~WF05 5매 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 150,000원
126 2013-03-18 10시 11시 L18 ILD First Full Run_3차 (6-5-4) 2nd IMD Depo Bow Meas. 1매 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 30,000원
127 2013-03-19 17시 18시 L18 ILD First Full Run_3차 (7-3-6) M2OP PR Remove Bow Meas.1매 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 30,000원
128 2013-03-21 15시 16시 L18 ILD First Full Run_3차 (8-3-5) MET2 PR Remove Bow Meas.1매 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 30,000원
129 2013-04-24 14시 16시 L24M Starting wafer 제작 (0-1-2) Bow Meas. 10매 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
130 2013-04-29 10시 12시 Stress Measurement(과제번호:4.0008635.02) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 144,000원
131 2013-05-22 16시 18시 L01S Starting wafer 제작 (0-1-2) Stress Meas.WF01~20, 20매 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 600,000원
132 2013-07-29 10시 12시 L02S Starting wafer 제작 (0-1-2) Bow Meas. WF01~08 8매 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 240,000원
133 2013-08-27 11시 12시 박막 증착 전후 stress 변화 측정 그린사이언스 기업부설연구소 장현석 27,000원
134 2013-08-28 11시 12시 박막 증착 전후 stress 변화 측정(증착 후) 그린사이언스 기업부설연구소 장현석 27,000원
135 2013-10-08 11시 12시 증착전 stress 측정 그린사이언스 기술지원팀 옥창우 30,000원
136 2013-10-18 13시 14시 L31 ILD First Full Run_9차 Bow Meas. Stress Meas. 5회 6매 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 150,000원
137 2013-11-08 11시 12시 c-Si wafer위에 증착된 SiNx 박막의 stress 측정 그린사이언스 기술지원팀 옥창우 30,000원
138 2013-11-18 10시 11시 L32 ILD First Full Run_10차 Fab-in Bow Meas. 총 6매 6회 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 180,000원
139 2013-12-11 11시 12시 pre-scan 2매 second scan 4매(2매+2매) (12/11~12) Stress Measurement 총 6매 그린사이언스 기술지원팀 옥창우 180,000원
140 2014-01-16 13시 15시 Al2O3 2매, SiON 5매 Stress Measurement 삼성종합기술원 TFTU 박용영 210,000원
141 2014-01-28 9시 11시 저온 PE-SiON Split Test(RF, Gas, Pressure) Stress measurement 15매 삼성종합기술원 TFTU 박용영 450,000원
142 2014-02-13 13시 18시 PE-CVD : 저온 SiON 3차 실험 完(2/10~13)
-Split(Gas, RF Power) Test 18매
-Thickness, RI & Stress measurement
 삼성종합기술원 TFTU 박용영 540,000원
143 2014-03-20 15시 18시 PE-SiON Stress measurement 20매 삼성종합기술원 TFTU 박용영 600,000원
144 2014-06-16 14시 15시 0-2-4 Stress 측정 Stress Measurement : -188MPa 30,000원
145 2014-06-18 13시 14시 2-2-1 Metal Depo. Stress Meas. 30,000원
146 2014-06-24 15시 16시 Stress measurement 1회
과제번호(4.0010135.02)		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 21,000원
147 2014-06-24 17시 17시 0-2-4 절연막 증착 Stress 측정 60,000원
148 2014-06-26 13시 14시 2-2-1 Metal Depo. Stress meas. 30,000원
149 2014-07-03 14시 15시 First Stress Measurement, ☆측정 결과 저장
포항공과대학교 기술지원팀 최경근 189,000원
150 2014-07-07 16시 17시 Second Stress Measurement ☆측정 결과 저장
포항공과대학교 기술지원팀 최경근 189,000원
151 2014-07-08 16시 17시 Third Stress Measurement ☆측정 결과 저장
포항공과대학교 기술지원팀 최경근 189,000원
152 2014-08-06 10시 12시 Second Stress Measurement ☆측정 결과 저장 (4.0010321.01) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 126,000원
153 2014-08-06 17시 18시 Third Stress Measurement ☆측정 결과 저장 (4.0010321.01) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 126,000원
154 2014-09-23 15시 16시 0-2-4 stress maes. 120,000원
155 2014-09-29 14시 15시 0-2-4 절연막 증착 stress 측정 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 150,000원
156 2014-10-08 16시 18시 0-1-3 stress 1st scan
0-2-4 pe-cvd stress 2nd scan		 120,000원
157 2014-10-17 16시 17시 Wafer: P04-1, P04-4 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 42,000원
158 2014-11-17 16시 17시 Stress Measurement 3매(4inch) 그린사이언스 기업부설연구소 장현석 81,000원
159 2014-11-18 16시 17시 Stress Measurement 4매(4inch) 그린사이언스 기업부설연구소 장현석 108,000원
160 2014-12-02 16시 17시 전기적 특성 검토를 위한 Sample 제작
Stress(MPa) As Dep : "WF1"596.5 /"WF2"-114.0 /"WF3"-1293.3 /"WF4"-3311.1 /"WF5"729.7 /"WF6"-2142.8		 (주)피코셈 관리 김용국 600,000원
161 2014-12-10 16시 18시 0-2-4 stress meas. 120,000원
162 2014-12-23 13시 14시 0-2-4 절연막 증착 stress 측정 60,000원
163 2014-12-23 17시 18시 0-3-3 Tunnel oxide Thick. Meas. 포항공과대학교 화학공학과 송홍선 24,000원
164 2015-01-28 13시 14시 Stress Measurement 5회(4inch) 그린사이언스 기업부설연구소 장현석 150,000원
165 2015-02-23 19시 20시 0-2-4 절연막 증착 stress meas. 120,000원
166 2015-03-31 17시 18시 0-2-4 stress 측정 60,000원
167 2015-04-24 19시 20시 0-2-4 stress 측정 60,000원
168 2015-05-13 13시 15시 15YRD-14: R1=3.70
15YRD-11: R1=6.28
15YRD-6 : R1=5.11
 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 63,000원
169 2015-07-07 14시 15시 Ni 증착한 Si wafer stress 측정 4매 포항공과대학교 창의IT융합공학과 이동규 84,000원
170 2015-07-13 11시 11시 스트레스 측정 포항공과대학교 창의IT융합공학과 이동규 105,000원
171 2015-08-07 15시 16시 Ni stress 측정 포항공과대학교 창의IT융합공학과 이동규 42,000원
172 2015-08-24 9시 10시 0-1-2 Fab-in Bow Meas. 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 21,000원
173 2015-09-10 13시 13시 0-2-4 fab-in 절연막 증착 stress meas. 150,000원
174 2015-10-05 10시 11시 0-1-2 Fab-in Bow Meas.
 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 42,000원
175 2015-11-03 15시 17시 Sputter & RTP Stress Meas. 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 84,000원
176 2016-03-30 11시 12시 Sputtering thin film stress meas. 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 42,000원
177 2016-06-07 13시 15시 Thin film stress test 5ea 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 105,000원
178 2016-07-11 11시 12시 n10 재현성 test
Thin film stress test 		포항공과대학교 기술지원팀 최경근 21,000원
179 2016-08-10 17시 18시 WF11, WF12 Stress measurement 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 42,000원
180 2016-09-08 11시 12시 SiO2 6inch wafer stress 측정
 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 21,000원
181 2017-03-08 14시 18시 PI sample stress measurement 한국전자통신연구원 차세대태양광연구부 조대형 90,000원
182 2017-03-13 10시 11시 6inch Poly-Si Stress measure 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 42,000원
183 2017-03-22 12시 13시 Poly Si 17년 4차 실험
Stress measurement 3매		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 63,000원
184 2017-10-31 15시 16시 . 포항공과대학교 기계공학과 서동환 34,000원
185 2017-11-02 9시 18시 전문인력양성사업 교육_ThinFilm 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 600,000원
186 2017-11-13 13시 14시 . 포항공과대학교 기계공학과 서동환 34,000원
187 2018-02-08 9시 11시 직접사용 포항공과대학교 화학공학과 양성준 51,000원
188 2018-03-27 9시 15시 SiN stress measurement 6매 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 360,000원
189 2018-03-30 17시 18시 RS. meas. 포항공과대학교 전자전기공학과 박성민 17,000원
190 2018-04-02 9시 18시 * 온도 조건 : 30C~250C
* 샘플 : Si-wafer 1장, PR이 코팅된 wafer 5장
+ 코팅된 PR의 두께 : 1.8um
* 샘플이름은 기판 뒤에 써있습니다.		 JSR micro korea 연구개발 이차은 720,000원
191 2018-04-05 10시 17시 평가용 기판 수신 후, 연락 부탁 드립니다. 동우화인켐 전자요소개발실 이현보 360,000원
192 2018-04-06 9시 10시 4inch wafer 포항공과대학교 IBB 정민규 30,000원
193 2018-05-11 11시 18시 gst 100nm/sio2 15nm

200도 30분 어닐링에 따른 스트레스 변화 관찰

결제는 추후에 진행하겠습니다		 포항공과대학교 신소재공학과 이상민 180,000원
194 2018-05-15 9시 17시 샘플 측정 후, 반송 부탁 드립니다. 동우화인켐 전자요소개발실 이현보 360,000원
195 2018-06-14 11시 17시 Heat Stress Measurement @250C 8매 JSR micro korea 연구개발 이차은 960,000원
196 2018-06-18 9시 18시 Heat 7매 상온 13매 Stress measurement 현대자동차 전기전자재료개발팀 조병규 810,000원
197 2018-06-19 10시 18시 LCD용 Color Resist

온도범위 : 100~240℃ / 온도속도 : 2℃/min / 측정포인트 : 20Point
 동우화인켐(주) 표시재료상품팀 신영찬 1,260,000원
198 2018-07-05 10시 18시 #01~32 samples(총 26회 측정) 현대자동차 전기전자재료개발팀 조병규 780,000원
199 2018-07-06 9시 16시 - Heating temp
~250도

- 두께
average : 17198 A
Min : 16438 A
Max : 18089 A		 삼양사 정보전자소재 연구소 이덕희 120,000원
200 2018-07-10 13시 18시 CTE measurement(heat measurement upto 250C 4inch 2회) 한국전기연구원 전기재료연구본부 전기변환소재연구센터 주성재 216,000원
201 2018-07-16 11시 13시 0-1-2 Fab-in Bow Meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 72,000원
202 2018-07-16 9시 11시 0-1-2 Fab-in Bow Meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 144,000원
203 2018-07-16 9시 12시 0-1-2 Fab-in Bow Meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 192,000원
204 2018-07-27 10시 12시 SiNx stress 측정 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 300,000원
205 2018-07-30 14시 15시 0-1-2 Fab-in Bow Meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 192,000원
206 2018-08-07 17시 18시 0-1-2 Bow Measurement 8매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 192,000원
207 2018-08-22 10시 11시 0-1-2 0 fab-in bow meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 192,000원
208 2018-08-30 10시 11시 0-1-2 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 144,000원
209 2018-08-30 11시 12시 0-1-2 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 144,000원
210 2018-09-07 14시 15시 0-1-2 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 144,000원
211 2018-09-18 14시 15시 0-1-2 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 144,000원
212 2018-10-15 10시 18시 #1~50 samples
상온 측정 26회_180821		 현대자동차 전기전자재료개발팀 조병규 780,000원
213 2018-10-18 13시 17시 # Si-Wafer 정보
Type/Orentation : P/<100>
Dopant : Boron
RES.(Ohm-cm) : 1-50
Diameter(mm) : 150

# Sample 정보
Quantum dots을 함유하는 Photo Resist 조성물 (바인더,에폭시,첨가제)
Sample Naming & Thickness :
1. DW-1 : 2um - Tio2 White Resin(Ref.)
2. DW-2 : 8um - QDPR 조성물
3. DW-3 : 8um - QDPR 조성물
4. DW-4 : 8um - QDPR 조성물
5. DW-5 : 8um - QDPR 조성물
6. DW-6 : 8um - QDPR 조성물
( DW-2, DW-3, DW-4 는 PR 조성 함량이 다른 Sample 이며, DW-4, DW-5, DW-6은 PR 조성이 같은 Sample이나 Bake 조건이 다름)

★★★ 측정 Sample은 DW-1 ~ DW-6 으로 총 6EA 이나,
파손 우려 대비로 각 2매 씩 총 12EA Sample과 Substrate Si-Wafer 1EA를 첨부하였습니다.

# 측정조건
100~240℃까지 승온시키면서 7℃ 마다 Data 측정(총 20 point),
승온 조건은 2℃/min 으로 진행 부탁드립니다.		 동우화인켐 디스플레이요소팀 이지환 720,000원
214 2018-10-26 9시 17시 # Si-Wafer 정보
Type/Orentation : P/<100>
Dopant : Boron
RES.(Ohm-cm) : 1-50
Diameter(mm) : 150

# Sample 정보
Quantum dots을 함유하는 Photo Resist 조성물 (바인더,에폭시,첨가제)
Sample Naming & Thickness :
1. DW-1 : 2um - Tio2 White Resin(Ref.)
2. DW-2 : 8um - QDPR 조성물
3. DW-3 : 8um - QDPR 조성물
4. DW-4 : 8um - QDPR 조성물
5. DW-5 : 8um - QDPR 조성물
6. DW-6 : 8um - QDPR 조성물
( DW-2, DW-3, DW-4 는 PR 조성 함량이 다른 Sample 이며, DW-4, DW-5, DW-6은 PR 조성이 같은 Sample이나 Bake 조건이 다름)

★★★ 측정조건 ★★★
50~200℃까지 승온시키면서 5℃ 마다 1point 씩 Data 측정, 평가전 모든 샘플에 대해 상온에서의 열응력 데이터 측정 값도 부탁드리겠습니다.
승온 조건은 2℃/min 으로 진행 부탁드립니다.		 동우화인켐 디스플레이요소팀 이지환 1,440,000원
215 2018-11-06 9시 10시 WF6,WF8 stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 48,000원
216 2018-11-26 11시 12시 1) 1차 측정(웨이퍼)
2) 측정 된 웨이퍼 반송
3) 측정된 웨이퍼에 코팅 (아크릴레지스트 3종, 이미드 레지스트 3종)
4) 2차 측정(코팅된 웨이퍼)		 (주) 동진쎄미켐 전자재료사업1부 김진선 720,000원
217 2018-11-27 15시 16시 4-2-3 0 bow meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 24,000원
218 2018-12-05 18시 19시 5-4-1 cnt bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 24,000원
219 2018-12-10 10시 11시 6-4-4 m0 bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 24,000원
220 2018-12-10 13시 13시 wafer정보 : LCD용 Color Resist
온도범위 : 100~240℃ / 온도속도 : 2℃/min / 측정포인트 : 20Point		 동우화인켐(주) 표시재료상품팀 신영찬 2,160,000원
221 2018-12-12 10시 11시 0-1-4 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 144,000원
222 2018-12-13 15시 16시 4-2-3 0 bow bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 24,000원
223 2018-12-14 13시 14시 0-1-2 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 144,000원
224 2018-12-19 15시 16시 4-2-3 Bow Meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 24,000원
225 2018-12-20 18시 19시 6-4-3 m0 bow meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 24,000원
226 2018-12-21 10시 11시 0-1-2 0 fab-in bow meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 192,000원
227 2018-12-26 10시 11시 7-4-1 v0 bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 24,000원
228 2018-12-28 13시 14시 0-1-2 0 fab-in bow meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 192,000원
229 2018-12-28 14시 15시 4-2-3 0 bow meas.stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 24,000원
230 2019-01-02 18시 19시 6-4-3 m0 bow meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 22,500원
231 2019-01-03 16시 17시 4-2-3 0 bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 22,500원
232 2019-01-07 14시 14시 PR Heat Stress Measurement SDI 개발 김지혜 2,754,000원
233 2019-01-09 11시 12시 7-4-1 0 v0 bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 22,500원
234 2019-01-09 18시 19시 6-4-2 m0 bow meas.stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 22,500원
235 2019-01-10 10시 11시 5-4-1 cnt bow stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 22,500원
236 2019-01-11 10시 11시 0-1-2 0 fab-in bow meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
237 2019-01-14 15시 16시 7-4-2 v0 bow meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 22,500원
238 2019-01-15 10시 11시 0-1-2 0 fab-in stress meas. 삼성전자 종합기술원 한주헌 25,500원
239 2019-01-15 11시 12시 0-1-2 0 fab-in stress meas. 삼성전자 종합기술원 한주헌 25,500원
240 2019-01-15 9시 10시 0-1-2 0 fab-in stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
241 2019-01-15 9시 10시 6-4-3 m0 bow meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 22,500원
242 2019-01-16 14시 15시 4-2-3 pc bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 45,000원
243 2019-01-17 10시 11시 0-1-2 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
244 2019-01-18 16시 17시 7-4-2 v0 bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 22,500원
245 2019-01-21 14시 15시 4-2-3 pc bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 22,500원
246 2019-01-25 12시 13시 0-1-2 0 fab-in bow meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
247 2019-01-29 9시 10시 1-2-3 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 135,000원
248 2019-02-08 10시 11시 0-1-2 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
249 2019-02-11 11시 11시 Heat Stress Measurement 7회 삼성SDI 개발5그룹 박세희 840,000원
250 2019-02-14 14시 15시 0-1-2 0 fab-in bow meas. 삼성전자 종합기술원 한주헌 102,000원
251 2019-02-18 11시 12시 0-1-2 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
252 2019-02-22 10시 11시 0-1-2 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
253 2019-02-22 10시 11시 0-1-2 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성전자 종합기술원 한주헌 127,500원
254 2019-02-25 15시 16시 7-4-2 v0 bow bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 90,000원
255 2019-02-26 17시 18시 7-4-2 v0 bow bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 90,000원
256 2019-02-27 13시 14시 0-1-2 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
257 2019-02-27 13시 14시 0-1-2 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
258 2019-03-08 10시 11시 0-1-2 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
259 2019-03-13 18시 19시 재측정 필요 가능성 있음으로 기판 보관 동진쎄미켐 - 한현근 210,000원
260 2019-03-15 9시 10시 0-1-2 o fab-in bow meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
261 2019-03-18 14시 15시 0-1-2 fab-in bow meas. stress meas. 삼성전자 종합기술원 한주헌 96,000원
262 2019-03-19 10시 11시 0-1-2 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
263 2019-03-22 9시 10시 0-1-2 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
264 2019-03-28 9시 10시 0-1-2 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
265 2019-04-02 13시 14시 0-1-2 0 fab-in bow meas. 삼성전자 종합기술원 한주헌 72,000원
266 2019-04-02 9시 10시 0-1-2 0 fab-in bow meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
267 2019-04-04 11시 12시 0-1-2 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
268 2019-04-05 10시 11시 6inch wafer 3ea 포항공과대학교 입학사정관실 박슬기 105,000원
269 2019-04-12 14시 15시 0-1-2 0 fab-in bow meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
270 2019-04-15 14시 19시 측정 조건
- 25 ℃ 측정
- 샘플 별로 온도 Cycle 상이 (온도 Cycle 정보는 메일로 별도 송부)		 동우화인켐 분석기술팀 김길웅 3,060,000원
271 2019-04-18 10시 11시 0-1-2 fab-in bow meas. stress meas. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 120,000원
272 2019-04-18 9시 10시 0-1-2 fab-in bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
273 2019-04-22 13시 18시 아래와 같이 진행 예정입니다.

1. wafer 발송(4인치 4장, A1, A2, P1, P2) : 4/3일 아침 발송예정
2. wafer stress 측정 후 반송(NINT)
3. 측정된 wafer coating 및 발송
4. coating wafer의 stress 측정 및 온도에 따른 film stress 자료 발송(NINT)
5. coating water 반송(NINT)


온도 구간 : 30~250도
 동진쎄미켐 절연막팀 김봉희 480,000원
274 2019-04-24 9시 12시 1. 온도 변화에 따른 곡률 및 응력 측정 히스테리곡선 제작
2. Room Temp에서 300˚C 까지 가열 -> 300˚C 에서 1시간 유지 -> Room Temp 냉각 (첨부된 그림1과 같이 4싸이클로 진행)
 성균관대학교 전자전기컴퓨터공학 박진수 90,000원
275 2019-04-25 11시 12시 0-1-2 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
276 2019-05-07 10시 11시 6인치 Bare wafer, 두께 500um, DSP입니다.
film stress 측정하고자 합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김준수 54,000원
277 2019-05-14 16시 17시 0-1-2 0 fab-in bow meas. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 120,000원
278 2019-05-16 10시 11시 0-1-3 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 135,000원
279 2019-05-21 11시 12시 0-1-2 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 135,000원
280 2019-05-21 11시 12시 0-1-2 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
281 2019-06-04 16시 17시 0-1-2 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성전자 종합기술원 한주헌 72,000원
282 2019-06-14 14시 15시 0-1-2 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 48,000원
283 2019-06-19 10시 11시 0-1-2 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 90,000원
284 2019-06-20 18시 19시 0-1-2 0 fab-in bow meas. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 48,000원
285 2019-06-26 9시 10시 0-1-2 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 120,000원
286 2019-07-09 9시 10시 0-1-2 0 fab-in bow meas. stress meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 135,000원
287 2019-07-22 11시 12시 Bare Si 측정 후 바로 회수
 6inch silicon wafer 300도 Heat Measure(6회)
 Glass smple 230도 Heat cycle, 3회 + 400도, 1회 (4회) 		동우화인켐 분석기술팀 김길웅 1,380,000원
288 2019-08-20 14시 15시 지난 정보를 이용하여 thermal oxide, LPCVD Nitride 막의 stress 측정 포항공과대학교 기계공학과 김준수 54,000원
289 2019-10-01 1시 17시 동진 쎄미켐 이일훈 입니다.
온도별 Stress 측정 의뢰 하고자 합니다.

4" wafer 10매 발송하여 이니셜 한뒤,
자사 재료(유기절연막)을 코팅하여 온도별 Stress를 측정하고자 합니다.		 동진쎄미켐 사업1부 절연막팀 이일훈 600,000원
290 2019-11-15 9시 18시 분석전 유선통화 원합니다. (주)동진쎄미켐 절연막팀 박아름 120,000원
291 2019-11-26 15시 16시 박막 STRESS 측정 (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 240,000원
292 2019-12-05 9시 18시 heat measurement 50~250C 3매 한국다우코닝 한국듀폰코리아 DM 김지웅 1,200,000원
293 2019-12-16 10시 18시 wafer의 Stress 측정후 wafer에 PR을 코팅후 코팅막의 Stress를 측정하고자 합니다. (주)동진쎄미켐 전자재료사업1부 김의순 1,440,000원
294 2019-12-19 9시 10시 SiN stress 측정 (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 120,000원
295 2019-12-26 13시 13시 Heat measurement 50-250도 5매
1. Wafer
2. 730N 1.3um
3. 730N 2.1um
4. 750 1.3um
5. 750 2.1um		 한국다우코닝 한국듀폰코리아 DM 김지웅 480,000원
296 2020-01-14 9시 12시 6-4-3 0 stress meas.(200120 진행) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
297 2020-01-30 18시 19시 Stress Measurement 측정 요청드립니다.

지난 평가와 동일하게 25~250℃ 온도 올리는 방식으로 PR 코팅전 Wafer 측정후 PR 코팅 후 Wafer 측정 요청드립니다.		 (주)동진쎄미켐 전자재료사업1부 CR팀 김의순 600,000원
298 2020-02-04 1시 17시 유선 통화부탁드립니다. (주)동진쎄미켐 절연막팀 박아름 240,000원
299 2020-03-02 10시 12시 온도 변화에 따른 Strain Stress 변화를 테스트 하고자 합니다.
------------------------
400C heating stress meas. 180000*4ea=720000원(2/3일 진행)		 성균관대학교 정보통신대학 김재민 720,000원
300 2020-03-27 10시 11시 oxide stress measure (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 600,000원
301 2020-03-30 14시 15시 oxide stress 측정 알앤에스랩 센서팀 알앤에스랩 60,000원
302 2020-05-06 9시 10시 메일은 kess77@dongjin.com으로 회신 부탁드리겠습니다.
-------------------
8매 250C heating 진행		 (주)동진쎄미켐 전자재료사업1부 CR팀 김의순 960,000원
303 2020-05-18 1시 12시 이전 평가와 동일하게 측정 부탁드리겠습니다 (주)동진쎄미켐 전자재료사업1부 CR팀 김의순 240,000원
304 2020-06-15 12시 13시 Oxide Stress measure. (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 600,000원
305 2020-06-19 10시 11시 기존 분석과 동일하게 측정 부탁드리겠습니다 (주)동진쎄미켐 전자재료사업1부 CR팀 김의순 360,000원
306 2020-08-07 14시 16시 Wafer 수량(시료 수량) : 2ea

Wafer 상부 박막 : Al, Al 합금 (Al 90%이상)

박막두께 : 400 nm

측정 횟수 : 1개의 wafer당 세 번의 thermal cycle stress 측정, 각 3회 총 6회입니다.

측정 포인트 : 20℃ 마다

온도 : RT~450℃ 		한국항공대학교산학협력단 항공재료공학과 김명준 720,000원
307 2020-08-14 17시 18시 stress meas. RT 2ea
stress meas. 30~260C, 5C 2ea		 주식회사 동진쎄미켐 사업1부 절연막팀 장재용 300,000원
308 2020-11-09 9시 10시 Wafer 위 SiOx 증착되어있습니다.
Residual Stress 측정하기 위해 Bare Wafer 4매 초기 Residual Stress 측정하였습니다.
그 중 3매 Residual Stress 측정 부탁드립니다.
연락부탁드립니다. (010-8242-4216)		 주식회사 동진쎄미켐 동진쎄미켐 이종욱 90,000원
309 2020-11-20 13시 14시 stress 측정 숭실대학교 전자공학과 염민재 120,000원
310 2020-11-20 21시 22시 증착 물질은 Al2O3 입니다. 한국표준과학연구원 수소에너지소재연구팀 이혜영 210,000원
311 2020-11-27 13시 15시 Wafer 수량(시료 수량) : 3ea

Wafer 상부 박막 : Al 합금 (Al 95%이상)

박막두께 : 400 nm

측정 횟수 : 1개의 wafer당 세 번의 thermal cycle stress 측정, 각 3회 총 9회입니다.

측정 포인트 : 20℃ 마다(쿨링시에도 측정)

온도 : RT~450℃~RT
---------------------
1회 진행에 2회 청구(공정시간 및 온도상승에 따른 측정포인트 증가)		 한국항공대학교산학협력단 항공재료공학과 김명준 960,000원
312 2020-12-01 1시 17시 각 시료별로 박막 잔류응력 측정을 요청드립니다.
1. 글라스 + SiO2(200nm)
2. 글라스 + SiO2(400nm)
3. 글라스 + TiO2(200nm)
4. 글라스 + TiO2(400nm)		 에스엘주식회사 진량공장 에스엘 샤시선행팀 박용우 240,000원
313 2020-12-05 15시 17시 나노인프라활용사업
Initial
LSN 3000A
Oxide 4000A		 (주)이너센서 경영, 연구소 강문식 81,000원
314 2020-12-07 9시 17시 이전 Residula stress를 측정한 기판 위에 Imide coating 한 것입니다. (접수번호: 20-A0157699)
총 2장 Residual stress 측정 부탁드립니다. 측정이 끝나면 기판은 폐기해 주셔도 됩니다.

이와 관련해 문의사항이 있으면 010-4706-5753, 위상우 사원으로 연락주시기 바랍니다. 		주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막팀 위상우 60,000원
315 2020-12-09 12시 13시 VW_01 VWO박막 Test 1-1-2 Stress Meas 삼성종합기술원 Imaging Device Lab 김동균 96,000원
316 2020-12-09 9시 10시 VW_01 VWO박막 Test 0-2-1 Stress Mess 삼성종합기술원 Imaging Device Lab 김동균 145,000원
317 2020-12-15 9시 10시 VW_01 VWO박막 Test 2-1-2 VW dep후 Thick-Meas 삼성종합기술원 Imaging Device Lab 김동균 72,000원
318 2020-12-23 9시 10시 VW_01 VWO박막 Test 3-1-2 stress측정 삼성종합기술원 Imaging Device Lab 김동균 72,000원
319 2020-12-29 10시 11시 0-1-2 0 fab-in bow meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 45,000원
320 2021-01-08 17시 18시 박막 물질 : Al2O3 및 alucone 한국표준과학연구원 수소에너지소재연구팀 이혜영 360,000원
321 2021-01-14 10시 12시 전문인력양성과정 심화실습 교육

- 아무것도 안한 Si 웨이퍼 스트레스를 측정하고 싶습니다.		 나노융합기술원 사업지원팀 전문인력5조 0원
322 2021-01-14 16시 18시 전문인력양성과정 심화실습 교육

1. Si
2. Si3N4
3. SiO2
4. Al
5.Ti
가 증착된 웨이퍼 5개의 stress를 측정하고 싶습니다.		 나노융합기술원 사업지원팀 전문인력5조 0원
323 2021-01-18 15시 16시 Ni 도금에 잔류응력(Residual Stress) 측정

1. Ti/Au 증착 후 측정<----0112 측정 완료
2. Ni 도금 후 측정 <----0115 측정 진행 		(주)티에스이 Comp개발파트 이타원 60,000원
324 2021-01-22 17시 18시 Residual Stress 측정 목적으로, 하부기판 Si-Wafer 선 발송/ 회수 후 유기절연막 코팅 (4um) 후 재발송 드리겠습니다. (주)동진쎄미켐 절연막팀 박아름 840,000원
325 2021-01-22 9시 11시 6인치 웨이퍼에서 진행하려고 합니다.
 주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막 김자영 480,000원
326 2021-02-03 17시 18시 전문인력양성과정 심화실습 교육

- Si wafer 2장 위에 oxide nitride 스트레스 측정하고 싶습니다.		 나노융합기술원 사업지원팀 전문인력5조 0원
327 2021-02-05 1시 17시 residual stress 측정 부탁드립니다.
측정 온도 : 50~300℃
장다 12만원 6매 진행


 주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막 김자영 720,000원
328 2021-02-08 9시 18시 전문인력양성 실습교육_박막 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,200,000원
329 2021-02-17 9시 10시 0-1-3 0 fab-in bow meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 22,500원
330 2021-02-22 1시 18시 - Si-wafer 위에 유기막 도포.(Photo resist, THK 11um )
- Sample 2종
LT-J04, LT-J05-2
-측정 항목 및 조건
CTE, stress,
25C->90C, 승온 속도 2C/분, 5C 간격으로 측정
(수가 관련하여 중복 신청이 되지 않아 우선 CTE로 신청해놓았습니다.)

 JSR micro korea 연구개발 이차은 120,000원
331 2021-02-26 1시 2시 LDPE 위에 Al2O3 와 alucone 증착한 샘플 측정 한국표준과학연구원 수소에너지소재연구팀 이혜영 180,000원
332 2021-03-05 7시 9시 8종에 대한 박막 잔류응력 분석 요청드립니다. 에스엘주식회사 진량공장 에스엘 샤시선행팀 박용우 480,000원
333 2021-03-12 10시 17시 스트레스 측정
Wafer 수량(시료 수량) : 2ea
Wafer 상부 박막 : Al 합금 (Al 90%이상)
측정 횟수 : 1개의 wafer당 세 번의 thermal cycle stress 측정, 각 3회 총 6회입니다.
측정 포인트 : 20℃ 마다
온도 : RT~450℃(가열시 측정)
450℃~RT(냉각시 측정)		 한국항공대학교산학협력단 항공재료공학과 배진원 1,440,000원
334 2021-03-25 10시 11시 0-1-2 Fab-In Bow Meas Stress Meas 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 22,500원
335 2021-03-26 13시 17시 residual stress 측정 부탁드립니다
측정 온도 : 50~300℃
 주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막 김자영 120,000원
336 2021-04-12 15시 17시 예약시간과 별도로 샘플도착하면 측정 진행가능 여부(유선으로 한번더 전달예정) 엘지디스플레이(주) (주)아네스토 연구개발 박성민 90,000원
337 2021-04-12 9시 16시 pe-nitride stress meas. (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 1,500,000원
338 2021-04-17 10시 12시 (상온) 잔류 stress 측정 부탁드립니다. 주식회사 동진쎄미켐 디스플레이 문태우 120,000원
339 2021-04-20 17시 18시 residual stress 측정 부탁드립니다
측정 온도 : 50~300℃		 주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막 김자영 120,000원
340 2021-04-26 14시 15시 LOT ID : SHTEST01 #5 #7
목적: 박막 stress 측정		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
341 2021-05-03 10시 18시 pe-nitride stress meas. (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 1,500,000원
342 2021-05-07 14시 15시 나노융합기반고도화사업
LOT ID: Module
목적: SiN-Si Wf간 박막 stress측정 Test용 3장		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 60,000원
343 2021-05-11 11시 12시 나노융합기반고도화사업
LOT ID: Module
목적: SiN 박막 스트레스 측정 test용 3장		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 60,000원
344 2021-05-14 11시 12시 Lot ID: SKD0691 A,B #1#3#5#7#9#2#4#6#8#10#12
목적: SiN 박막 Stress 측정 총 11장(계약 건)
 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
345 2021-05-26 10시 11시 Lot ID:Module
나노융합기반고도화사업
목적: SiNx 박막 stress 측정 총 1장		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 20,000원
346 2021-06-11 10시 11시 PR film 잔류 stress 측정용 glass substrate 입니다.
측정 후 회수하여 공정 진행 (PR coating) & 분석(stress measure, 상온) 의뢰 예정		 주식회사 동진쎄미켐 디스플레이 문태우 120,000원
347 2021-06-11 16시 16시 LDPE 기판 위 Al2O3 및 Alucone의 스트레스 측정 의뢰합니다. 한국표준과학연구원 수소에너지소재연구팀 이혜영 120,000원
348 2021-06-21 10시 11시 {나노융합기반 고도화사업}
Lot ID: Module
목적: OHO 공정 사전평가 SiN stress 측정 총 2장		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 40,000원
349 2021-06-21 14시 15시 0-3-1 0 bow meas.
0-5-1 0 bow meas.
0-7-1 0 bow meas. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 378,000원
350 2021-06-29 9시 13시 pe-nitride stress meas. (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 1,500,000원
351 2021-07-01 13시 18시 residual stress 측정 부탁드립니다
측정 온도 : 50~300℃		 주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막 김자영 120,000원
352 2021-07-14 13시 14시 stress meas. 4ea 한국표준과학연구원 수소에너지소재연구팀 이혜영 120,000원
353 2021-07-14 13시 14시 stress meas. (주)이너센서 경영, 연구소 강문식 81,000원
354 2021-07-26 10시 12시 {나노융합기반 고도화사업}
Lot ID:Module
목적: SiN 박막 조건 split test 용 총 2장		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 40,000원
355 2021-07-28 10시 18시 pe-nitride stress meas (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 1,500,000원
356 2021-08-02 10시 12시 pc1~4
ldpe1~4		 한국표준과학연구원 수소에너지소재연구팀 이혜영 240,000원
357 2021-08-02 9시 18시 전화로 말씀드린 평가 주식회사 동진쎄미켐 전자재료사업1부 절연막 황규현 360,000원
358 2021-08-03 11시 15시 pe-nitride stress meas (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 1,500,000원
359 2021-08-10 13시 17시 Silicon Oxide 박막의 스트레스와 bare Wafer 스트레스 측정 싸니코전자(주) 개발팀 최주헌 60,000원
360 2021-08-18 16시 18시 Temp up Meas.50~250℃ for CTE 주식회사 동진쎄미켐 절연막 송인호 600,000원
361 2021-08-20 10시 17시 tensile – stress분석 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 KTC DM 박경재 60,000원
362 2021-09-14 11시 17시 6인치 Silicon wafer에 유기막 코팅을 했습니다.
샘플은 빈 wafer 1장 포함 4장입니다.

CTE 측정 전 기술원 내에 있는 나노인덴터 측정 진행 후 CTE 측정 예정입니다.
담당자이신 이선영님께 샘플 전달 요청 가능하신지 요청한 상황입니다.		 주식회사 동진쎄미켐 절연막 송인호 360,000원
363 2021-09-14 17시 18시 1. Basic : Bare Wafer 6 inch 675um
2. 측정 Wafer : PECVD Oxide 2um Deposition, LPCVD Poly-Si 1um Deposition
Stress 측정 		싸니코전자(주) 개발팀 최주헌 60,000원
364 2021-09-27 10시 15시 pe-nitride stress meas (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 1,500,000원
365 2021-10-06 11시 15시 1.Cleaning 진행 이후 측정
2.Implantation 진행 이후 측정
3.Annealing 진행 이후 측정		 싸니코전자(주) 개발팀 최주헌 90,000원
366 2021-10-19 8시 9시 {나노융합기반 고도화사업}
Lot ID: Module
목적: SiN 박막 stress 측정 총 1장		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 20,000원
367 2021-10-19 9시 17시 Bare GLS 위 절연체 코팅 후 절연체의 Stress 를 측정하고자 합니다. (온도별 ~260℃)
Bare GLS의 온도별 Stress 또한 값을 확인하고 싶습니다. (온도별~260℃)		 (주)동진쎄미켐 절연막팀 박아름 1,620,000원
368 2021-10-27 9시 15시 pe-nitride stress meas (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 1,500,000원
369 2021-11-02 10시 18시 50~260℃ Stress 측정 요청드립니다.
9매 stress 진행		 (주)동진쎄미켐 절연막팀 박아름 1,620,000원
370 2021-11-05 1시 12시 동진쎄미켐 절연막팀 이전 공정 조건과 동일하게 진행해주세요. 주식회사 동진쎄미켐 사업1부 절연막팀 최주영 360,000원
371 2021-11-08 10시 12시 연락주세요. 주식회사 동진쎄미켐 전자재료사업1부 절연막 황규현 540,000원
372 2021-11-08 17시 18시 Warpage 측정
SiO2 2um 증착
Warpage 측정		 한국산업기술대학교 나노반도체공학과 김창규 60,000원
373 2021-11-24 11시 16시 pe-nitride stress meas
 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 1,500,000원
374 2021-12-07 13시 17시 지난주에 측정해주신 빈 웨이퍼 9장에 코팅 진행하였습니다.
A, B, C 각 3장씩 담겨있습니다.
하루에 측정 가능하신 수량이 4장이 최대라고 하셨는데
그렇다면 A, B, C 각 1장씩 해서 3일간 진행해주시면 감사하겠습니다.

샘플 금일 발송드려 12/07(화) 오전 도착예정입니다.
측정 전에 연락 바랍니다.
010-3324-3430		 주식회사 동진쎄미켐 절연막 송인호 2,160,000원
375 2021-12-23 9시 20시 나노융합 소자공정 및 측정분석 실습교육과정(4.0021910.01)_나노 소자 공정 교육
stress meas.		 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 3,400,000원
376 2021-12-24 10시 17시 pe-nitride stress meas (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 1,500,000원
377 2022-01-13 17시 18시 [21년도 전문인력양성 고급실습교육] 나노융합기술원 사업지원팀 21년도 전문인력 4조 0원
378 2022-01-14 16시 17시 [21년도 전문인력양성 고급실습교육]
Ti 300nm 1장
Sn 700nm 1장
Al 300 nm 1장		 나노융합기술원 사업지원팀 21년도 전문인력 4조 0원
379 2022-01-18 14시 16시 [21년도 전문인력양성]

al,ti,sn,ni,sio2 단층 스트레스 및 곡률 측정예정입니다.		 나노융합기술원 사업지원팀 21년도 전문인력 4조 0원
380 2022-01-20 10시 16시 나노융합 소자공정 및 측정분석 실습교육과정(4.0021910.01)
나노 소자 공정 & 측정 일자리 연계교육
stress meas.		 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 3,400,000원
381 2022-01-21 10시 12시 [21년도 전문인력양성]

cte 측정을 배우려고 합니다.

기판정보 : si/ti30nm/al300nm/sio2300nm/sin300nm		 나노융합기술원 사업지원팀 21년도 전문인력 4조 0원
382 2022-02-04 14시 15시 증착 전후 박막의 stress를 측정하고자 하며, 증착 전 시편을 먼저 의뢰 드립니다! 택배로 발송 후 측정이 완료되면 금요일(2022/1/14)에 본 기술원으로 직접 찾으러 가도록 하겠습니다. 인하대학교 신소재공학과 홓예은 90,000원
383 2022-02-16 1시 2시 물질 정보: AlOx

데이터는 그래프 및 표로 부탁드립니다.		 엘지디스플레이(주) 연구개발팀 최재웅 60,000원
384 2022-02-17 9시 18시 전문인력양성사업 나노 소자공정 교육
Stress Measurement		 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 3,000,000원
385 2022-02-25 11시 12시 총 10매
8매 : Slot 1~8번(Si bare)
2매 : Slot 24~25(Ti/TiN 300A/100A on Oxide3KA on Si)		 파워마스터반도체 주식회사 공정개발 김홍식 200,000원
386 2022-03-28 9시 12시 stress meas. 100C 엘지디스플레이(주) 연구개발팀 최재웅 60,000원
387 2022-04-19 16시 17시 목적: PECVD SiN stress test
총 10장		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 300,000원
388 2022-04-21 10시 11시 목적: PECVD SiN stress 측정 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 30,000원
389 2022-04-22 10시 11시 목적: PECVD SiN Stress 측정 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 120,000원
390 2022-04-29 10시 11시 ■ 분석 대상 : Glass 기판 위 증착된 다층박막에 대한 Residual Stress 측정
■ 매수 : 총 4매 분석
- 각 샘플별 특징 및 차이점은 별도 메일을 통해 공유드리겠습니다.
■ 성막 성분 : Si3N4-SiO2 교대 적층구조
■ 분석 요청사항
- 27도(R.T) ~ 200도까지 승온하면서 Residual stress 분석. 27도(R.T) 결과는 반드시 필요함.
- 포인트 수는...20도 단위로 10포인트 측정이면 될 것 같습니다. 		삼성디스플레이 모듈개발 김성우 480,000원
391 2022-04-29 13시 18시 [연구기반 활용플러스 사업]
PECVD SiNx Stress test 		(주) 이너센서 이너센서 강문식 180,000원
392 2022-05-03 16시 17시 PECVD SiN stress 측정 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 30,000원
393 2022-05-09 10시 11시 1. Stress 전값 측정
Slot 1~8 : Silicon wafer 01~08(wafer 두께 : 525um),
Slot 25 : SiC wafer 번호 없음(wafer 두께 : 350um)

2. 분석 완료 후 반송
우편번호 : 28122
충북 청주시 흥덕구 옥산면 과학산업 4로 79-20, 파워마스터반도체
담당자 : 공정개발팀 김홍식 부장(010-3462-6965)
 파워마스터반도체 주식회사 공정개발 김홍식 180,000원
394 2022-05-13 10시 11시 PECVD SiNx Stress 측정 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 90,000원
395 2022-05-16 10시 11시 1. Deposition film Stress 값 측정
Slot 1(wf No #07) : P-oxide 1KA, Silicon wafer(wafer 두께 : 525um),
Slot 2(wf No #08) : P-oxide 6KA, Silicon wafer(wafer 두께 : 525um),
Slot 3(wf No #09) : P-oxide 6KA, Silicon wafer(wafer 두께 : 525um),
Slot 4(wf No #10) : P-oxide 6KA, Silicon wafer(wafer 두께 : 525um),
Slot 5(wf No #11) : P-oxide 10KA, Silicon wafer(wafer 두께 : 525um),
Slot 6(wf No #12) : P-oxide 20KA, Silicon wafer(wafer 두께 : 525um),
Slot 7(wf No #13) : P-oxide 30KA, Silicon wafer(wafer 두께 : 525um),
Slot 8(wf No #14) : P-oxide 40KA, Silicon wafer(wafer 두께 : 525um),
Slot 25(wf 번호 없음) : P-oxide 6KA, SiC wafer(wafer 두께 : 350um)

2. 분석 완료 후 반송
우편번호 : 28122
충북 청주시 흥덕구 옥산면 과학산업 4로 79-20, 파워마스터반도체
담당자 : 공정개발팀 김홍식 부장(010-3462-6965)		 파워마스터반도체 주식회사 공정개발 김홍식 0원
396 2022-05-19 16시 17시 400c sio2/sin 300nm 총 2매
RTP 후 Stress meas.		 에스앤에스텍 EUV Pellicle 개발팀 이승조 60,000원
397 2022-05-20 13시 17시 residual stress 측정 부탁드립니다
측정 온도 : 50~300℃		 주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막 김자영 720,000원
398 2022-06-14 13시 14시 LOT ID: UE3700
목적: 박막 스트레스 측정
 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 300,000원
399 2022-06-15 11시 12시 LOT ID: UE3700
목적: 박막 스트레스 측정
 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 510,000원
400 2022-06-15 17시 18시 LOT ID: UE3700
목적: 박막 스트레스 측정
 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 300,000원
401 2022-06-16 16시 17시 Si bare wafer 5매 - Film Stress 전값 측정 의뢰 파워마스터반도체 주식회사 공정개발 김홍식 150,000원
402 2022-06-17 10시 11시 Glass 기판 위 SiO2 - Si3N4 교대 적층 구조로 증착된 Film의 전체적인 Residual stress 분석 요청

Glass 기판 정보는 하기와 같습니다.
1. 14.5\\\" 0.4mm 두께 - 3매 (분석이 가능할지요? 아니면 기판을 cutting 해야 할지요?)
2. 7.5\\\" 0.6mm 두께 - 4매
3. Ref 되는 Glass도 전달 드리겠습니다.

Glass 기판 및 박막 정보(두께 등)는 별도 이메일로 전달 드리겠습니다. 		삼성디스플레이 모듈개발 김성우 840,000원
403 2022-06-21 10시 13시 메일 (ha_4@hyundai.com) 통한 선문의 완료 현대자동차 전기전자재료개발팀 하재환 1,200,000원
404 2022-06-22 13시 16시 실리콘 웨이퍼에 코팅된 유기막 Residual Stress 측정
temp up 200c 1회 비용 12만원 총 2회 진행 24만원 청구		 주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 장근석 240,000원
405 2022-06-27 9시 17시 pe-nitride stress meas. (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 1,000,000원
406 2022-06-28 10시 11시 고분자 바인더 Film 코팅되어 있습니다.

6/24 측정 요청드렸던 #1, #2 Wafer 기판입니다. (접수번호 : 22-A0184382)

측정 후 기판은 폐기해주세요.

감사합니다.

 주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막팀 위상우 60,000원
407 2022-06-30 10시 18시 Positive PR 박막 코팅되어있습니다.

이전에 요청드렸던 #A~#E 기판입니다.

측정 후 기판은 다시 택배로 보내주세요.
-----------------------------
Temp. up 30~250C 7ea 재진행		 주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막팀 위상우 990,000원
408 2022-06-30 10시 16시 소자공정교육
국가나노인프라를 활용한 나노소자공정실습교육
stress meas. 		나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 750,000원
409 2022-07-08 10시 11시 Si bare Stress 전값 측정 1매 파워마스터반도체 주식회사 공정개발 김홍식 30,000원
410 2022-07-18 10시 16시 이전에 측정했던 기판 #1 ~ #4입니다.

바인더 박막 코팅이 되어있습니다.

그리고 새 Wafer 3장 #A, B, C 기판 측정도 부탁드리겠습니다.		 주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막팀 위상우 480,000원
411 2022-07-20 19시 20시 9-8-1 bow 측정 2매
9-10-1 bow 측정 2매		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 84,000원
412 2022-07-22 10시 16시 RT → 200도 승온하면서 박막 응력 측정 (10포인트)
시료는 하기와 같이 5종류 입니다.
1. 기판(사이즈 5.75\\\\\\\", 두께 0.64mm), 박막(SiO2-Si3N4 멀티증착 688nm)
2. 기판(사이즈 5.75\\\\\\\", 두께 0.64mm), 박막(SiO2-Si3N4 멀티증착 688nm, 100도)
3. 기판(사이즈 6\\\\\\\", 두께 0.48mm), 박막(SiO2-Si3N4 멀티증착 688nm, Y crack)
4. 기판(사이즈 6\\\\\\\", 두께 0.48mm), 박막(SiO2-Si3N4 멀티증착 688nm, Y)
5. 기판(사이즈 6\\\\\\\", 두께 0.48mm), 박막(SiO2-Si3N4 멀티증착 688nm, L)		 삼성디스플레이 모듈개발 김성우 600,000원
413 2022-07-25 10시 11시 8인치 SI bare wafer - Stress 전값 측정 2매
--> 측정 완료 후 반송 부탁드립니다.

보내실 곳 : 우편번호 28122
충북 청주시 흥덕구 옥산면 과학산업 4로 79-20 파워마스터반도체
담당자 : 공정개발 김홍식 부장(010-3462-6965)		 파워마스터반도체 주식회사 공정개발 김홍식 60,000원
414 2022-07-27 10시 17시 pe-nitride stress meas. (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 1,000,000원
415 2022-07-29 16시 17시 Wafer Stress 측정
[나노융합기반 고도화사업]		 주식회사 보다 연구개발 김형원 60,000원
416 2022-08-01 9시 12시 Wafer Stress 측정 4EA
[나노융합기반 고도화사업]
--------------------
2ea 진행		 주식회사 보다 연구개발 김형원 60,000원
417 2022-08-03 10시 11시 Wafer #1
Poly-Si 0.6um
Wafer #2
Poly-Si 0.5um		 싸니코전자(주) 개발팀 최주헌 60,000원
418 2022-08-05 13시 14시 wafer 7ea 각 매별 stress 측정 의뢰 드립니다. (각 wafer 구분)

측정 완료 후 빠른 수령 위해 연락 부탁드리겠습니다. (퀵서비스로 수령 예정)		 주식회사 동진쎄미켐 사업1부 CR팀 류영준 840,000원
419 2022-08-08 10시 12시 CTE 측정 의뢰 건입니다.

하부 base 측정용 glass 1ea + 유기막 증착된 glass 10ea 측정 요청 드리겠습니다.		 주식회사 동진쎄미켐 사업1부 CR팀 류영준 1,200,000원
420 2022-08-09 13시 14시 [나노융합기반 고도화산업]
warpage 측정 -2ea		 주식회사 보다 연구개발 김형원 60,000원
421 2022-08-24 9시 10시 직접 사용 싸니코전자(주) 개발팀 최주헌 20,000원
422 2022-08-25 16시 18시 Poly-Si 0.5um 싸니코전자(주) 개발팀 최주헌 20,000원
423 2022-08-26 10시 19시 pe-nitride stress meas.
 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 1,000,000원
424 2022-08-26 13시 19시 stress meas. 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 600,000원
425 2022-08-31 11시 16시 temp. up stress meas. (추후 사용) 삼성디스플레이 모듈개발 김성우 470,000원
426 2022-08-31 16시 18시 poly-Si 0.54um
SiO2 0.68um		 싸니코전자(주) 개발팀 최주헌 30,000원
427 2022-09-08 13시 16시 wafer, Glass
polyimide		 한국다우코닝 한국듀폰코리아 DM 김지웅 290,000원
428 2022-09-16 1시 18시 50~250도 Stress 측정, 10도에 한번씩 측정 부탁드립니다. 주식회사 동진쎄미켐 절연막팀 이석현 1,080,000원
429 2022-09-23 14시 16시 Wafer 5장 #1~5 기판 Residual stress 측정 부탁드리겠습니다.

측정 완료 후 택배로 보내주시면 감사하겠습니다.

문의 사항이 있을 시, 위상우 사원 010-4706-5753 으로 연락 바랍니다.		 주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막팀 위상우 480,000원
430 2022-09-28 10시 18시 pe-nitride stress meas. (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 1,300,000원
431 2022-09-30 10시 11시 웨이퍼 스트레스 측정 6매 주식회사 보다 연구개발 김형원 162,000원
432 2022-09-30 16시 17시 stress, bow meas. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 42,000원
433 2022-10-04 10시 12시 WM_D_2nd photo
PECVD 증착 전 1회, 증착 후 1회 wafer stress 측정 		주식회사 보다 연구개발 김형원 18,000원
434 2022-10-04 17시 18시 1. 6인치(8매), 8인치(8매) Stress 전값 측정 요망<긴급>
퀵으로 보내서 금일 도착 예정입니다.
측정 후 가장 빠른 택배로 발송 부탁드립니다.		 파워마스터반도체 주식회사 공정개발 김홍식 480,000원
435 2022-10-07 10시 11시 warpage 측정
PECVD 증착 전 5회
PECVD 증착 후 2회		 주식회사 보다 연구개발 김형원 126,000원
436 2022-10-07 14시 15시 wafer stress 측정

PECVD 증착 전 후 각 2매 		주식회사 보다 연구개발 김형원 108,000원
437 2022-10-11 9시 17시 측정 온도 25~100도 (5도 간격)
코팅 두께 3.3㎛
샘플 종류 2종 (Bare 포함 기판 3장)		 주식회사 동진쎄미켐 절연막팀 이석현 240,000원
438 2022-10-12 16시 17시 Stress 전값 측정 5매 파워마스터반도체 주식회사 공정개발 김홍식 150,000원
439 2022-10-12 9시 10시 코팅 두께 125~160 nm / 2 inch-wafer 두께 280 um (샘플 플레이트에 코팅두께정보 적어놓음).

증착조건에 따른 residual stress 측정.		 연세대학교 기계공학과 민유진 210,000원
440 2022-10-14 18시 19시 warpage 측정 3매 주식회사 보다 연구개발 김형원 54,000원
441 2022-10-18 17시 18시 WM_R_Mono
SiO2 증착 전,후 스트레스 측정 		주식회사 보다 연구개발 김형원 72,000원
442 2022-10-18 9시 17시 Empty Si wafer 1 ea (ref.)
나머지 2 sample은 wafer 위에 20㎛ 두께로 FPA 및 PFPE계 Film 코팅되어 있습니다.

온도 조건: 30℃~130℃
승온 속도: 10℃/min

Sample 관련하여 문의하실 사항 있을 시 하기 연락처로 연락 부탁드립니다.

조성민: 010-7100-7430
이상민: 010-6363-1685		 주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막팀 조성민 240,000원
443 2022-10-19 10시 13시 temp. up stress meas.
RT → 200도 승온하면서 10포인트로 측정

1. DOE 1 : 박막 총 7층(747nm). 기판 두께 : 0.55mm. 스퍼터 방식 제조

2. DOE 2 : 박막 총 5층(611nm), 기판 두께 : 0.55mm. 스퍼터 방식 제조

3. DOE 3 : 박막 총 5층(611nm), 기판 두께 : 0.55mm. 이빔 / Thermal 방식 제조

4. Ref : 코팅이 안된 Bare Glass. 기판 두께 : 0.5mm

※ 기존 분석에 사용하신 Ref 파일 그대로 사용하셔도 무방합니다. 		삼성디스플레이 모듈개발 김성우 360,000원
444 2022-10-21 15시 16시 6인치(5매) - 증착 Wafer stress측정(10월 4일 Si-bare 측정 wafer임),
8인치(5매) - 증착 Wafer stress측정(10월 12일 Si-bare 측정 wafer임).
8인치(2매) - Si-bare stress측정(신규 요청 건임).
Wafer별 증착 두께는 택배 내 첨부 문서 참조,
측정 완료 후 즉시 결과 송부 부탁 드리며, Wafer 반송 부탁드립니다.
 파워마스터반도체 주식회사 공정개발 김홍식 60,000원
445 2022-10-26 10시 17시 pe-nitride stress meas. (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 1,000,000원
446 2022-10-28 9시 18시 접수번호 22-A0189930 의뢰 건과 동일.
동일 샘플 2종 + 신규 1종, 총 3종

측정 온도 25~100도 (5도 간격)
코팅 두께 3.3㎛
샘플 종류 3종 (Bare 포함 기판 3장)
 주식회사 동진쎄미켐 절연막팀 이석현 360,000원
447 2022-11-01 16시 17시 상세조건 박스내 첨부 문서 참조 및 분석 완료 후 반송 부탁드립니다.
6인치 : Al 2매, P-oxide 1매, Si bare 10매
8인치 : P-oxide 1매, Nitride 1매, Si bare 2매		 파워마스터반도체 주식회사 공정개발 김홍식 360,000원
448 2022-11-22 15시 18시 - SiO2 1.6um
- Poly-Si 0.5um
- SiN 0.1um		 싸니코전자(주) 개발팀 최주헌 60,000원
449 2022-11-24 11시 12시 VOx 증착 웨이퍼 스트레스 측정 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 40,000원
450 2022-12-01 10시 11시 ■ 시료 정보
1. DOE 1 : 박막 총 7층(747nm). 기판 두께 : 0.55mm. 스퍼터 방식 제조
2. DOE 2 : 박막 총 7층(747nm). 기판 두께 : 0.55mm. 이빔 / Thermal 제조
3. DOE 3 : 박막 총 5층(611nm), 기판 두께 : 0.55mm. 스퍼터 방식 제조
4. DOE 4 : 박막 총 5층(611nm), 기판 두께 : 0.55mm. 이빔 / Thermal 방식 제조
5. Ref : 코팅이 안된 Bare Glass. 기판 두께 : 0.5mm
※ 기존 분석에 사용하신 Ref 파일 그대로 사용하셔도 무방합니다.		 삼성디스플레이 모듈개발 김성우 360,000원
451 2022-12-14 12시 18시 50~250도 승온하며 10도에 1회 측정 부탁드립니다. 주식회사 동진쎄미켐 절연막팀 이석현 360,000원
452 2022-12-19 1시 16시 SiO, Si, ZrO2 박막입니다.
아직 샘플 제작이 안되었는데 결제 먼저 진행이 가능한지 문의드립니다.
5회 CTE 분석		 한국광기술원 광학렌즈소재연구센터 인정환 1,200,000원
453 2022-12-19 10시 17시 stress meas.
2022년 나노융합기반 고도화 사업		 (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 930,000원
454 2023-01-06 19시 20시 WM_D
warpage 측정 		주식회사 보다 연구개발 김형원 72,000원
455 2023-01-09 9시 13시 -sputtering power 증착 조건에 따른 코팅의 잔류응력 측정
-2 inch-sized si wafer위에 silicon oxynitride(sioxny) film을 증착함
-sioxny film - sputtering power(50/70/90w)별로 각 3개씩 > 9장 (bare si wafer포함하여 총 10장)
-sioxny 코팅 두께는 150 nm 로 모두 동일
-시편은 1월4일(수요일)에 택배로 발송할 예정입니다.
---------------------------------
1/9 9ea(1매 broken)
1/12 6ea 진행		 연세대학교 기계공학과 민유진 420,000원
456 2023-01-13 10시 18시 전문인력양성사업 나노소자공정 & 측정일자리연계 교육. 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,400,000원
457 2023-01-13 15시 18시 CTE(100~350도), 10도에 한번 측정 요청드립니다.
--------------------------
400도 측정 요청		 주식회사 동진쎄미켐 유기절연막 김찬영 720,000원
458 2023-01-16 14시 15시 stress 측정 주식회사 보다 연구개발 김형원 18,000원
459 2023-01-18 9시 19시 Empty Si wafer 1ea (ref.)
나머지 2 smaple은 Si-wafer 위에 20um 두께로 PFA 및 Epoxy계 광경화 Film 코팅되어 있습니다.

온도조건: 30℃~130℃
승온속도: 10℃/min

상기 조건으로 측정이 어려우실 시 기존에 측정했던 조건으로 측정 부탁 드립니다.
Sample 관련하여 문의하실 사항은 하기 연락처로 연락부탁드립니다.

조성민: 010-7100-7430
 주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막팀 조성민 240,000원
460 2023-02-14 14시 14시 Wafer Stress 측정_1매 주식회사 보다 연구개발 김형원 18,000원
461 2023-02-16 17시 18시 Warpage 측정 2회 주식회사 보다 연구개발 김형원 36,000원
462 2023-03-03 9시 10시 WM_R
8\\\'si wafer
TEOS warpage 측정 2ea 		주식회사 보다 연구개발 김형원 34,000원
463 2023-03-08 10시 12시 Wafer 4장 #1~4 기판 Residual stress 측정 부탁드리겠습니다.

측정 완료 후 택배로 보내주시면 감사하겠습니다.

문의 사항이 있을 시, 이승택 사원 010-4721-1275 으로 연락 바랍니다.		 주식회사 동진쎄미켐 사업1부 절연막팀 이승택 120,000원
464 2023-03-08 16시 17시 Poly-si stress&bare wafer 싸니코전자(주) 개발팀 최주헌 40,000원
465 2023-03-15 9시 10시 WM_D
warpage 측정 -2ea 		주식회사 보다 연구개발 김형원 34,000원
466 2023-03-17 14시 16시 Si bare - Stress 전값 측정 후 택배 발송 부탁드립니다. 파워마스터반도체 주식회사 공정개발 김홍식 480,000원
467 2023-03-20 10시 12시 Wafer 2장 #3~4 기판 Residual stress 측정 부탁 드리겠습니다.
측정 완료 후 택배로 보내주시면 감사하겠습니다.
문의 사항이 있을 시, 이승택 사원 010-4721-1275 으로 연락 바랍니다

코팅 물질 두께 : 2.1um 입니다.		 주식회사 동진쎄미켐 사업1부 절연막팀 이승택 300,000원
468 2023-03-21 9시 17시 Residual stress, CTE 측정
--------------------
30-300c 5ea(재측정 1ea)
 주식회사 동진쎄미켐 전자재료사업1부 절연막 황규현 900,000원
469 2023-03-24 10시 16시 stress 측정 부산테크노파크 파워반도체센터 김인수 300,000원
470 2023-04-03 9시 17시 Residual stress, CTE 측정
30-300c 4ea
CTE 측정 4ea		 주식회사 동진쎄미켐 전자재료사업1부 절연막 황규현 2,160,000원
471 2023-04-04 10시 11시 sio2 coating
coating 두께 : 150 nm//

측정 후 아래주소로 시편 회수 원합니다.

서울시 서대문구 연세로 50 연세대학교 공학원 114호		 연세대학교 기계공학과 민유진 60,000원
472 2023-04-04 11시 12시 온도별 응력(상온 포함) 분석 부탁드립니다. 주식회사 동진쎄미켐 절연막팀 천영훈 900,000원
473 2023-04-11 11시 12시 [나노융합기반 고도화사업]
WM_D - Wafer Stress 측정_2매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 40,000원
474 2023-04-14 1시 18시 공정 기판 2EA
Bare Glass 5EA
Bare Si 5ea
-----------------
400c heating 38point 진행 1ea (2회 청구)		 SK 주식회사 머티리얼즈 CIC Black&White 손호준 480,000원
475 2023-04-18 13시 14시 [나노융합기반 고도화산업]
stress 측정 		주식회사 보다 연구개발 김형원 40,000원
476 2023-04-18 9시 11시 RT ~ 200도까지 승온하면서 10 point 응력 분석
1. 기판(사이즈 6\", 두께 0.6mm), 박막(SiO2-AlSiN 멀티증착 351.09nm)
2. 기판(사이즈 6\", 두께 0.6mm), 박막(SiO2-AlSiN 멀티증착 935.40nm)
3. 기판(사이즈 6\", 두께 0.6mm), 박막(SiO2-AlSiN 멀티증착 768.35nm)		 삼성디스플레이 모듈개발 김성우 288,000원
477 2023-04-19 14시 15시 [나노융합기반 고도화산업]
stress 측정 1매 		주식회사 보다 연구개발 김형원 20,000원
478 2023-05-01 10시 1시 -. 측정범위 : 50℃ ~ 400℃
-. 측정 샘플 : Black PR
-. 샘플 두께 : 0.7um
-. 샘플 수량 : Wafer 코팅 샘플 1ea, Glass 코팅 샘플 1ea
-. 기타 : Bare Wafer 및 Bare Glass 전달 예정		 와이엠티(주) 소재개발2팀 조태수 960,000원
479 2023-05-08 9시 12시 [나노융합기반 고도화산업]
stress 측정 -2ea 		주식회사 보다 연구개발 김형원 40,000원
480 2023-05-11 10시 11시 [나노융합기반 고도화산업]
stress 측정 1매 		주식회사 보다 연구개발 김형원 20,000원
481 2023-05-11 18시 19시 [나노융합기반 고도화산업]
stress 측정 		주식회사 보다 연구개발 김형원 20,000원
482 2023-05-22 1시 20시 온도별 응력 측정 부탁드립니다. (상온 포함) 주식회사 동진쎄미켐 절연막팀 천영훈 750,000원
483 2023-06-08 10시 11시 스트레스 측정 4ea 주식회사 보다 연구개발 김형원 68,000원
484 2023-06-09 10시 11시 1-1-1 Bow 측정 LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 120,000원
485 2023-06-13 13시 14시 [샘플 정보 및 선행 공정]

#1 : Silicon
#2 : W(100nm)/HfZrOx(10 nm)/HfO2(2 nm)/Si + annealing
#3 : W(100nm)/HfZrOx(10 nm)/HfO2(2 nm)/Si
#4 : W(100nm)/HfO2(2 nm)/HfZrOx(10 nm)/Si + annealing
#4 : W(100nm)/HfO2(2 nm)/HfZrOx(10 nm)/Si
 울산과학기술원 반도체 소재부품 대학원 김유리 120,000원
486 2023-06-13 14시 15시 2-1-3 Bow 측정 LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 120,000원
487 2023-06-13 16시 17시 3-1-2 Bow 측정 LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 120,000원
488 2023-06-21 17시 18시 3-3-5 Bow 측정 LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 120,000원
489 2023-06-22 16시 17시 4-1-2 Bow 측정 LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 120,000원
490 2023-06-26 12시 15시 안녕하세요 담당자님, 동국대학교 김성준 교수님 연구실 이정우입니다.
저번에 전화 드렸던 대로 Stress 측정 의뢰하고자 합니다.

조각시편으로 Si 위에 (675 ± 25 μm) Pt, W, TiN, Mo, Ni 5종류 metal이 100 nm 증착되어 있고
Annealing 되어 있지 않은 metal 5개와 Annealing 된 metal 5개로 총 10개입니다.
Annealing 조건은 700 ℃ 20 s 입니다. 각 조각시편 뒤에 표기해놓았으니 참고 부탁드립니다.

Sample은 측정 완료 후, 아래 주소로 회신 부탁드립니다.
주소: 서울특별시 중구 필동로 1길 30, 동국대학교 신공학관 8층 8142호

감사합니다.

이정우 올림 (010-5029-1834)		 동국대학교 산학협력단 전자전기공학부 김지형 150,000원
491 2023-07-05 14시 15시 1-2-1 Bow 측정 LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 120,000원
492 2023-07-07 10시 11시 직접장비사용
 싸니코전자(주) 개발팀 최주헌 20,000원
493 2023-07-17 16시 17시 0-1-2 0 fab-in bow meas. 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 144,000원
494 2023-07-28 10시 17시 2차원 소재인 aBN입니다. 박막의 두께는 3,7,14,16,18nm입니다. 울산과학기술원 반도체소재부품대학원 김병규 300,000원
495 2023-07-31 11시 12시 <총 10매 - Stress 전값 측정>
9매(6인치 - 3매, 8인치 - 6매(#01~06) : Si bare wafer
1매(8인치 - #07) : Ti/TiN on Oxide		 파워마스터반도체 주식회사 공정개발 김홍식 300,000원
496 2023-07-31 13시 15시 웨이퍼 위 유기 박막코팅 후 경화진행 샘플

CTE(100~350도), 10도에 한번 측정 요청드립니다.


 주식회사 동진쎄미켐 전자재료사업1부/절연막팀 이승연 480,000원
497 2023-08-28 14시 18시 Silicon wafer 위에 재료를 코팅하였습니다.
코팅 두께는 0.8um 입니다.
온도별 응력 측정 부탁드립니다. (상온 포함)		 주식회사 동진쎄미켐 절연막팀 천영훈 240,000원
498 2023-10-12 1시 17시 -. Temp Range : 50~400℃
-. Substrate : Wafer, Glass

* 기존 Glass 샘플 제출 이력 有 (9월)		 주식회사 동진쎄미켐 전자재료사업1부 서영호 480,000원
499 2023-10-13 10시 15시 기판은 SiO2이고, 기판 위에 증착된 HfO2의 박막 두께는 10nm입니다.

300K에서 thermal equilibrium을 만들어놓고, 온도를 500K, 700K으로 올린 샘플에 대하여 thermal stress를 측정		 한양대학교 전기공학과 탁도현 240,000원
500 2023-10-31 18시 19시 LOT ID: Module
목적: stress 측정(10.25)
총 1장
[나농융합기반 고도화사업]		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 20,000원
501 2023-12-04 9시 17시 측정 온도 25~100도 (5도 간격)
코팅 두께 3.7㎛ (변동 시 다시 알려드리겠습니다.)
샘플 종류 2종 (wafer 포함 기판 3장)		 주식회사 동진쎄미켐 절연막팀 이석현 120,000원
502 2023-12-20 11시 18시 residual stress 측정 부탁드립니다
측정 온도 : 50~300℃
빈 웨이퍼 한장 같이 보내드립니다		 주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막 김자영 960,000원
503 2023-12-27 11시 12시 12-27 직접사용 신청입니다. 한국생산기술연구원 첨단메카트로닉스연구그룹 노은식 60,000원
504 2024-01-08 10시 11시 1/8 직접 이용 신청입니다. 한국생산기술연구원 첨단메카트로닉스연구그룹 노은식 20,000원
505 2024-01-08 11시 13시 유기막 코팅
측정 온도 : 30~300℃
3매		 주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막 김자영 360,000원
506 2024-01-22 9시 17시 30~300℃ 측정 요청드립니다. 주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막 김자영 2,160,000원
507 2024-01-23 9시 11시 전문인력양성사업 교육생 장비 신청 나노융합기술원 교육홍보팀 이상민 0원
508 2024-01-24 10시 17시 PECVD를 통해 증착 직후 stress 측정 요청드립니다.

PECVD 증착 의뢰 샘플: SiO2/ O rich SiON/ SiON/ N rich SiON/ SiN

각 층 증착 직후 총 5번 측정 요청드립니다.
 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 황현웅 135,000원
509 2024-02-05 1시 17시 측정 온도 25~270도 (5도 간격)
코팅 두께 3.7㎛ (변동 시 다시 알려드리겠습니다.)
샘플 종류 1종 (wafer 포함 기판 2장)

측정 결과 및 세금계산서는 youngjin2612@dongijn.com 으로 요청드립니다.		 주식회사 동진쎄미켐 절연막팀 이석현 240,000원
510 2024-03-05 1시 18시 Si Wafer 상부 유기막 코팅

50~250도 10도에 1회 측정 부탁드립니다.		 주식회사 동진쎄미켐 절연막팀 이석현 600,000원
511 2024-03-18 1시 20시
residual stress 측정 부탁드립니다
측정 온도 : 50~300℃
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6매 진행 포인트 수량 많음		 주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막 김자영 1,800,000원
512 2024-03-28 10시 19시 각각 다른 조건의 웨이퍼 4장의 열팽창계수 및 warpage 변화를 측정하고 싶음. (주)아이엠티 기술연구소 이종명 920,000원
513 2024-04-04 13시 14시 1-1-2 power metal stress meas. 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
514 2024-04-05 11시 12시 1-3-1 stress meas. 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
515 2024-04-05 8시 18시 residual stress 분석의뢰합니다.
기판은 총 23장이며
1장은 아무것도 코팅하지 않은 Si wafer이고
나머지 22장은 Si wafer에 film을 코팅한 샘플입니다.
코팅 전 후 비교하여 residual stress 분석하고자 합니다.

코틴된 22장은 모두 동일한 샘플이며
코팅된 물질은 polyimide입니다		 주식회사 동진쎄미켐 전자재료사업1부 이형진 880,000원
516 2024-04-08 1시 20시 각각 다른 조건의 웨이퍼 4장의 열팽창계수 및 warpage 변화를 측정하고 싶음.
450도 bow 측정
wf 5,7 재작업
wf 1,3,5,7 3um 증착 후 측정
wf 2,4,6,8 측정
wf 6,8 3um 증착 후 측정		 (주)아이엠티 기술연구소 이종명 2,760,000원
517 2024-04-16 9시 17시 Residual stress 측정 부탁드립니다.
측정 온도 : 50~300℃		 주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막 김자영 1,380,000원
518 2024-05-22 11시 11시 CTE 분석 50~260도, 10도/min Stress 분석(CTE)
10도에 1회씩 측정 부탁드립니다.		 주식회사 동진쎄미켐 절연막팀 이석현 1,900,000원
519 2024-06-11 15시 15시 ※ 현재, 이정익 연구원님을 통해 해당 건에 대해 의뢰중입니다.
장비신청이 별도 필요하다고 하여 본 의뢰 진행합니다.

- 측정 온도 : 25~150도 구간 ※25도 Interval Point로 응력 측정. ex) RT(27), 50, 75, 100, 125, 150도		 삼성디스플레이 모듈개발팀 주종석 1,020,000원
520 2024-06-14 15시 20시 류영준과장님 이름으로 문의드린 내용으로 분석요청드리려고 합니다.

유기막 CTE 확인을 진행하고자 하며,
상온~target 온도까지(25~250℃) 승온하는 과정을 2~3회 반복하여 결과값 확인을 하려고 합니다.



 주식회사 동진쎄미켐 전자재료 사업1부 강현주 1,800,000원
521 2024-06-21 10시 12시 Bare Wafer 위 유기막 (3.6㎛) 코팅 기판 2장(#2, #3) Residual Stress 기판 측정 부탁드립니다.
Bare Wafer(#1) 같이 송부드립니다.

문의 사항이 있을 시, 이승택 010-4721-1275 으로 연락 바랍니다.		 주식회사 동진쎄미켐 사업1부 절연막팀 이승택 460,000원
522 2024-06-25 14시 23시 측정 온도 25~270도 (5도 간격)
코팅 두께 5~10㎛ (변동 시 다시 알려드리겠습니다.)
샘플 종류 3종 (wafer 포함 기판 4장)
측정 결과 및 세금계산서는 youngjin2612@dongijn.com 으로 요청드립니다.
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30-100도 5도간격 측정		 주식회사 동진쎄미켐 절연막팀 이석현 450,000원
523 2024-07-01 9시 13시 Residual stress 측정 부탁드립니다.
측정 온도 : 50~300℃
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30~300C 측정 3ea
60 포인트 측정		 주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막 김자영 900,000원
524 2024-07-11 9시 17시 측정 온도 25~270도 (5도 간격)
코팅 두께 8~10㎛ (변동 시 다시 알려드리겠습니다.)
샘플 종류 20종 (Bare 포함 기판 21장)

측정 결과 및 세금계산서는 youngjin2612@dongijn.com 으로 요청드립니다
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30~100c (5c간격) 20종 측정 10um 		주식회사 동진쎄미켐 절연막팀 이석현 1,600,000원
525 2024-07-22 9시 14시 50~250도까지 10도/min 10도 간격으로 Stress 측정 부탁드립니다. 주식회사 동진쎄미켐 절연막팀 이석현 1,200,000원
526 2024-07-24 9시 17시 측정 온도 25~270도 (5도 간격)
코팅 두께 8~10㎛ (기판 뒷면에 기입하였습니다)
샘플 종류 20종 (Bare 포함 기판 21장)

측정 결과 및 세금계산서는 youngjin2612@dongijn.com 으로 요청드립니다.

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30-100c 5c 측정 20매		 주식회사 동진쎄미켐 절연막팀 이석현 1,600,000원
527 2024-08-02 10시 17시 안녕하세요.
7/30 전화로 상담 드렸습니다.
(접수자 오정훈, 택배발송 정병용)

검토 부탁드릴 기판 정보 전달 드립니다.

모두 Glass 동일 기재

1. Bare glass
2. Bare glass + ITO
3. A, B, C, D (Glass + 샘플)

총 6ea 송부 드립니다. CTE 측정 부탁드립니다.

측정 후 기판은 회수(저희쪽으로 택배발송) 부탁 드립니다.

감사합니다.
 주식회사 동진쎄미켐 절연막팀 오정훈 1,270,000원
528 2024-08-21 20시 20시 Si Wafer 기재 입니다.
상온 도막 Stress 및 ~250도 온도별 Stress 변화 측정 부탁 드립니다.
기판 표기 샘플명 및 막두께 정보 하기에 기입하였습니다.
감사합니다.

샘플명 막두께(Å)
J-210 19,779
J-230 19,468
J-250 18,506
L-210 20,501
L-230 20,298
L-250 19,726
D-210 20,088
D-230 19,746
D-350 19,120
주식회사 동진쎄미켐 절연막팀 오정훈 2,070,000원
529 2024-10-04 14시 14시 Si Wafer 기재 입니다.
상온 도막 Stress 및 ~250도 온도별 Stress 변화 측정 부탁 드립니다.
샘플은 1종 (D422) 및 ref 기판(Si wafer) 송부 드렸습니다.
감사합니다.

샘플명 막두께(Å)
Si wafer (bare)
D422 (막두께 15000A)		 주식회사 동진쎄미켐 절연막팀 오정훈 230,000원
530 2024-10-08 9시 18시 CTE 분석 주식회사 동진쎄미켐 전자재료사업1부 절연막 황규현 400,000원
531 2024-11-13 16시 16시 50~250도까지. 분당10도/min
10도 간격으로 stress 측정 부탁드립니다.		 주식회사 동진쎄미켐 절연막팀 이석현 1,350,000원
532 2024-11-26 13시 15시 1. Bare 웨이퍼
2. SiOx ~1.5m 양면 증착


SiOx thermal stress 값 특정(최대 온도까지)
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450c 측정		 고려대학교 신소재공학과 이예린 230,000원
533 2024-11-26 9시 12시 30~300℃, 5℃ 간격으로 측정 요청드립니다.
56pp 측정 총 3매		 주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막 김자영 900,000원