NINT 나노융합기술원

RTP for Silicide 장비일지

기자재관리번호 : B0000055-062002-A0026

No	장비이용내역			이용내역		사용자	장비이용료
No	시작일	종료일	세부내용	기관명	부서(학과명)	성명	확정금액
1	2010-01-13 16시	21시	온도: 800, 900, 1000, 1100, 1150C 시간: 30s	포항공과대학교	물리분석팀	김성규	250,000원
2	2010-02-10 13시	15시	SiNi TW Sinter 650C 30min	포항공과대학교	신소재	유선영	100,000원
3	2010-02-26 14시	15시	650c 30 N2 RTP	포항공과대학교	신소재	유선영	100,000원
4	2010-03-05 17시	18시	N2 Silicide	나노기술집적센터	팹운영	김헌우	0원
5	2010-03-10 14시	16시	500c, 5m RTP for silicide	포항공과대학교	신소재	유선영	37,500원
6	2010-03-10 16시	17시	N2 Silicide	나노기술집적센터	팹운영	김헌우	0원
7	2010-03-26 15시	17시	N2 SILLICIDE	포항공과대학교	신소재	강기범	37,500원
8	2010-04-16 15시	16시	1000도 15초	나노기술집적센터	팹운영	김헌우	0원
9	2010-04-20 16시	12시	1000도 30초 진행	경북대학교	전자전기컴퓨터공학가	김민형	600,000원
10	2010-05-27 10시	12시	implant 후 열처리	포항공과대학교	전자전기	박찬훈	160,000원
11	2010-06-29 14시	15시	SILICIDE	전북대학교	전자공학부	김기현	112,000원
12	2010-08-31 11시	12시	rtp 1000c 30sec	전북대학교	전자공학부	김기현	0원
13	2010-11-15 14시	15시	RTP for Silicide	포항공과대학교	전자전기	박찬훈	112,000원
14	2010-11-22 11시	12시	RTP for Silicide	전북대학교	전자공학부	김기현	112,000원
15	2010-11-22 16시	17시	RTP for Silicide	전북대학교	전자공학부	김기현	144,000원
16	2010-12-13 13시	14시	750도 30초	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	112,500원
17	2010-12-17 15시	16시	RTP for Silicide	전북대학교	전자공학부	김기현	112,000원
18	2010-12-21 09시	11시	750도 30sec (S1012-01)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	212,500원
19	2011-03-08 09시	11시	3-4-1 Al2O3 Anneal_800도_10min (S04-0221)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	362,500원
20	2011-03-14 13시	15시	4-4-1 RTP_550도_30sec (S04-0221)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	362,500원
21	2011-03-14 16시	18시	RTP 교육	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	0원
22	2011-04-07 10시	11시	Al2O3 wet etching_750도_30초	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	175,000원
23	2011-04-11 09시	10시	3-5-1 Al2O3 Anneal_750도_30초 (S05-0328)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	212,500원
24	2011-04-20 09시	10시	Al2O3 RTP Test_RTP_750_800	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	175,000원
25	2011-04-21 09시	10시	6-4-1 S/D Anneal RTP (S05-0328)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	250,000원
26	2011-04-21 10시	11시	S05-02_01 S/D Anneal RTP 2회 (6-4-1)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	175,000원
27	2011-04-27 14시	15시	4-4-1 Al2O3 Anneal (S06-0331)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	212,500원
28	2011-04-29 15시	17시	5-4-1 RTP_600도_30초 (S06-0331)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	325,000원
29	2011-05-02 14시	15시	Al2O3 wet etch test_800도_1분	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	137,500원
30	2011-05-02 15시	16시	3-5-1 Al2O3 Anneal (S07-0420)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	287,500원
31	2011-05-13 10시	12시	3-5-1 Al2O3 Anneal (S07a-0503)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	287,500원
32	2011-05-14 13시	14시	950도_30초	전북대학교	전자공학부	김기현	32,000원
33	2011-05-16 09시	11시	3-5-1 Al2O3 Anneal (S08-0429)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	355,000원
34	2011-05-23 14시	15시	6-4-1 S/D Anneal RTP (S07a-0503)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	212,500원
35	2011-05-24 10시	12시	6-4-1 S/D Anneal RTP (S08-0429)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	287,500원
36	2011-05-24 14시	16시	3-5-1 Al2O3 Anneal_800도_10분 (S09-0512)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	287,500원
37	2011-06-03 14시	15시	6-4-1 S/D Anneal RTP (S09-0512)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	250,000원
38	2011-06-06 10시	11시	3-5-1 Al2O3 Anneal (S10-0518)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	287,500원
39	2011-06-08 13시	14시	3-5-1 Al2O3 Anneal (S11-0526)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	287,500원
40	2011-07-01 09시	10시	6-4-1 S/D Anneal RTP (S10-0518)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	287,500원
41	2011-07-01 10시	11시	6-4-1 S/D Anneal RTP (S11-0526)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	287,500원
42	2011-07-01 15시	16시	3-6-1 Al2O3 Anneal (S12-0609)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	325,000원
43	2011-07-18 09시	11시	6-4-1 S/D anneal_600도_700도_750도 (S12-0609)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	437,500원
44	2011-07-28 13시	14시	RTP Crack Test	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	175,000원
45	2011-08-04 10시	11시	3-6-1 Al2O3 Anneal (S14a-0725)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	287,500원
46	2011-08-16 17시	19시	6-4-1 S/D Anneal RTP_600도_700도 (S13-0620)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	700,000원
47	2011-08-17 16시	17시	6-4-1 S/D Anneal RTP (S14a-0725)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	400,000원
48	2011-08-22 15시	16시	3-6-1 Al2O3 anneal (S19-0810)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	362,500원
49	2011-08-23 08시	09시	3-6-1 Al2O3 anneal (S18a-0809)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	287,500원
50	2011-08-24 15시	18시	6-4-1 S/D Anneal RTP (S18a-0809)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	475,000원
51	2011-08-24 18시	20시	6-4-1 S/D Anneal (S19-0810)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	625,000원
52	2011-09-02 14시	15시	RTP 1000도_25초	전북대학교	전자공학부	김기현	132,000원
53	2011-09-06 08시	09시	3-6-1 Al2O3 anneal (S16b-0803)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	325,000원
54	2011-09-08 12시	14시	6-4-1 S/D anneal (S16b-0803)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	475,000원
55	2011-09-19 15시	17시	3-6-1 Al2O3 anneal (S20-0901)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	400,000원
56	2011-09-22 16시	18시	6-4-1 S/D Anneal RTP (S20-0901)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	625,000원
57	2011-09-23 15시	16시	3-6-1 Al2O3 anneal (S21-0909)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	325,000원
58	2011-09-27 14시	16시	6-4-1 S/D anneal RTP (S21-0909)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	475,000원
59	2011-10-04 08시	09시	3-6-1 Al2O3 anneal (S17a-0901)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	362,500원
60	2011-10-10 14시	16시	0-4-1 Res RTP_1000도_30초	삼성전기	AMD랩	한승훈	400,000원
61	2011-10-17 11시	13시	6-4-1 S/D anneal RTP (S22-1004)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	700,000원
62	2011-10-17 13시	15시	6-4-1 S/D anneal RTP (S17a-0901)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	700,000원
63	2011-10-18 10시	11시	3-6-1 Al2O3 anneal (S25-1004)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	325,000원
64	2011-10-19 09시	10시	2-3-6 pGaN anneal RTP (S24-1013)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	325,000원
65	2011-10-24 16시	17시	6-4-1 S/D anneal RTP (S24-1013)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	325,000원
66	2011-10-26 09시	10시	3-6-1 Al2O3 Anneal (S26-1017)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	325,000원
67	2011-10-27 18시	20시	6-4-1 S/D anneal (S26-1017)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	475,000원
68	2011-10-28 13시	14시	RTP particle test_anneal	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	197,500원
69	2011-10-28 16시	17시	Al2O3 CV 평가_Al2O3 anneal	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	137,500원
70	2011-11-04 09시	10시	3-6-1 Al2O3 anneal (S23-0928)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	250,000원
71	2011-11-09 15시	17시	SM02_RTP anneal_550+650	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	475,000원
72	2011-11-11 15시	17시	Res. Annel 진행 (1000도 30초 진행)	삼성전기	AMD랩	한승훈	200,000원
73	2011-11-15 16시	17시	Res. Anneal 3매 진행 (1000도 30초)	삼성전기	AMD랩	한승훈	250,000원
74	2011-11-16 10시	18시	Low Temp. Calibration Recipe Tuning및 Split Test 진행	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	475,000원
75	2011-11-22 13시	15시	6-4-1 S/D anneal RTP (S27-1103)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	400,000원
76	2011-11-24 16시	18시	AL2O3 ALD 조각 시편 RTP 진행	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	250,000원
77	2011-12-05 09시	10시	6-4-1 S/D Anneal RTP_600+700 (S23-0928)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	400,000원
78	2011-12-08 13시	16시	AL Metal 증착 장비간 유의차 Test 진행 - RTP anneal 진행	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	250,000원
79	2011-12-08 16시	17시	삼성전기 Resister 4차 Test 진행 - RTP 진행	삼성전기	AMD랩	한승훈	200,000원
80	2011-12-21 09시	15시	Ti Silicide 단위 공정 Test - Ti Sputter 후 RTP Split Test 진행	(주)디엠에스		김성해	1,225,000원
81	2011-12-22 16시	17시	RTP anneal 진행	전북대학교	전자공학부	김기현	164,000원
82	2011-12-26 16시	18시	6-4-1 S/D anneal RTP (S29-1114)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	550,000원
83	2011-12-27 10시	12시	6-4-1 S/D anneal RTP (S30-1124)	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	475,000원
84	2011-12-27 19시	20시	RTP Anneal	전북대학교	전자공학부	김기현	120,000원
85	2012-01-12 17시	18시	6-4-1 S/D Anneal RTP	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	337,500원
86	2012-01-18 16시	17시	RTP silicide 진행	전북대학교	전자공학부	김기현	64,000원
87	2012-01-19 16시	18시	6-4-1 S/D Anneal RTP	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	750,000원
88	2012-01-27 10시	12시	6-3-3 PR Strip	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	225,000원
89	2012-01-31 15시	16시	RTP silicide 진행	전북대학교	전자공학부	김기현	164,000원
90	2012-02-16 16시	17시	silicide 진행	전북대학교	전자공학부	김기현	32,000원
91	2012-02-20 10시	12시	6-4-1 S/D Anneal RTP ★과청구로 인한 할인율 적용	삼성종합기술원	반도체 랩	하종봉	0원
92	2012-02-27 09시	13시	RTP Silicide 진행	(주)디엠에스		김성해	1,125,000원
93	2012-03-05 13시	16시	Ti Silicidation 800C 20s	나노융합기술원	공정기술팀	김수곤	0원
94	2012-03-15 11시	13시	K01 rework MET Anneal (450C)	전자부품연구원	메디컬IT융합	이국녕	180,000원
95	2012-03-20 14시	15시	RTP 진행	전북대학교	전자공학부	김기현	132,000원
96	2012-03-22 11시	13시	4-2-1 MET Anneal RTP 450C	전자부품연구원	메디컬IT융합	이국녕	150,000원
97	2012-03-26 15시	16시	RTP 1000도 진행	포항공과대학교	전자전기	박찬훈	132,000원
98	2012-04-06 11시	12시	RTP 진행	전북대학교	전자공학부	김기현	164,000원
99	2012-04-13 14시	16시	5-4-1 PAD MET Anneal RTS	전자부품연구원	메디컬IT융합	이국녕	300,000원
100	2012-05-02 18시	19시	RTP silicide 진행	전북대학교	전자공학부	김기현	120,000원
101	2012-05-17 21시	22시	RTP silicide 진행 (야간 사용)	전북대학교	전자공학부	김기현	140,000원
102	2012-05-22 11시	14시	Ohmic Contact 열처리	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	680,000원
103	2012-05-22 14시	15시	RTP sicilide 진행	전북대학교	전자공학부	김기현	132,000원
104	2012-05-30 17시	18시	RTP 진행	전북대학교	전자공학부	김기현	164,000원
105	2012-06-08 15시	16시	TRENCH LVMOSFET 신규 개발품에 대한 Silicide RTP 외주 작업 의뢰 RTP 600,620,640도 1분씩 진행	매그나칩 반도체	PSD Tech 2팀	강기태	250,000원
106	2012-06-12 11시	12시	RTP silicide 1000도 진행	전북대학교	전자공학부	김기현	140,000원
107	2012-06-21 15시	16시	Ohmic Contact 평가 2-4-1. MET1 Anneal temp Split W 01,02,03,04,11	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	350,000원
108	2012-06-29 12시	15시	2-4-1 MET1 Anneal	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	0원
109	2012-07-05 20시	21시	RTP 진행 (야간 사용)	전북대학교	전자공학부	김기현	120,000원
110	2012-07-13 14시	15시	RTP 600도 20초 진행	매그나칩 반도체	PSD Tech 2팀	강기태	300,000원
111	2012-07-23 17시	18시	2차 Ohmic Contact 평가_C 2-4-1 MET1 Anneal RTS Time Splited (650,750,850,950)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	300,000원
112	2012-08-14 16시	17시	LGIT에서 진행한 Ti/Al/Ti 조각 시편 temp별 RTP 진행 (950,1000,1050,1100)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	300,000원
113	2012-08-17 09시	12시	특성화고 교육	파워마스터반도체 주식회사	공정 기술팀	이원범	850,000원
114	2012-08-20 13시	16시	2-4-1 MET1 Anneal Temp. Splited (850, 950, 1050, 1100)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	300,000원
115	2012-08-21 10시	12시	1-2-1 Gate oxide Anneal Temp. Splited (800, 900, 1000)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	250,000원
116	2012-08-28 20시	21시	RTP 진행 (야간 사용)	포항공과대학교	전자전기	박찬훈	120,000원
117	2012-08-29 14시	15시	Ohmic Contact Test 진행 Recipe 변경 하여 950도 조건 진행	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	200,000원
118	2012-09-03 20시	21시	RTP 야간 진행	전북대학교	전자공학부	김기현	120,000원
119	2012-09-04 09시	10시	Oxide 증착	엠프리시젼		문우영	600,000원
120	2012-09-05 16시	17시	5-4-1 MET Anneal RTP anneal	전자부품연구원	메디컬IT융합	이국녕	0원
121	2012-09-11 10시	11시	Metal Ohmic Contact 평가 Test 진행 - Recipe Tuning 진행	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	300,000원
122	2012-09-12 15시	17시	2-5-1 MET1 Anneal Temp Splited 950, 1000, 1050, 1100	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	570,000원
123	2012-10-10 13시	15시	2-4-1. MET1 Anneal 진행 RTP TEmp Split Test (850/950/1050/1100)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	410,000원
124	2012-10-25 16시	17시	0-3-1. GOX Anneal 650도 60초 N2 진행	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
125	2012-11-01 13시	14시	3-5-1 RCSS Gate Anneal RTP Silicide 800C, 60s	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	300,000원
126	2012-11-02 14시	17시	3-4-1 MET1 Anneal Silicide WF 5매4등분, 600, 800, 900, 1000 각 2회	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	640,000원
127	2012-11-15 16시	17시	Recess Contact 2차 4-4-1 MET1 Anneal (Temp Split)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	300,000원
128	2012-11-22 13시	15시	RTP 실습 Test	포항나노기술집적센터	이용자서비스팀	김병수	500,000원
129	2012-11-28 10시	13시	Diffusion_PVD (NCNT 사용료)	포항공과대학교	기계공학과	서창호	1,000,000원
130	2012-12-10 13시	16시	L15M recess contact 2차 진행 4-4-1. MET1 MET1 Anneal 진행 (Temp Split 진행)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	700,000원
131	2012-12-11 14시	15시	SiC 과제 관련 진행 Ni Silicide 평가 Test - Ni 증착 후 RTP temp Split 진행 (925/950/975/1000)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	300,000원
132	2012-12-17 16시	17시	SiC 과제 SiC Ni Silicide 2차 Test Back Side Ni silicide Temp Split (925/950/975/1000)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	300,000원
133	2012-12-20 15시	17시	특성화고 교육 진행	포항나노기술집적센터	이용자서비스팀	김병수	600,000원
134	2012-12-26 14시	15시	5-4-1 MET anneal RTP_Silicide (450도 30초)	(주)아이엠헬스케어		이인제	350,000원
135	2013-01-02 10시	11시	SiC 과제 관련 PE Oxide anneal 진행	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	150,000원
136	2013-01-03 13시	14시	ohmic contact 관련 추가 진행 L14번 #4번 wafer 진행	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	200,000원
137	2013-01-04 09시	10시	3-5-1 RCSS GOX Anneal, 800C, 60s	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	300,000원
138	2013-01-04 10시	11시	5-4-1. MET Anneal RTP Ann	(주)아이엠헬스케어		이인제	350,000원
139	2013-01-10 18시	19시	RTP 진행 (야간 사용)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	120,000원
140	2013-01-11 16시	17시	RPA Ni Silicide 950C	포항공과대학교	전자과	백상원	140,000원
141	2013-01-14 10시	11시	SiC 과제 관련 Doped Si-Poly Anneal 진행 (950도 90초 진행)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	250,000원
142	2013-01-22 13시	14시	SiC 과제 관련SiC Ni Silicide 평가 - Ni Silicide 975도 진행	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	200,000원
143	2013-01-22 21시	22시	4-4-1. MET1 Anneral RTP anneal (Temp Split)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	300,000원
144	2013-01-29 11시	13시	5-4-1 METR RTA 450C, 30s	(주)아이엠헬스케어		이인제	300,000원
145	2013-01-29 13시	15시	4-4-1 MET1 RTA (800x2회, 850x2회, 총4회 진행) WF01,03,04,05,06	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	300,000원
146	2013-02-01 10시	12시	SiC 과제 관련 Poly Si Anneal 진행	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	500,000원
147	2013-02-13 15시	16시	3-51. GOX Anneal RTP_Sil	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	350,000원
148	2013-02-14 16시	17시	Ni Wet Etch 평가 Test 0-4-1. Silicidation 950도 90초	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	300,000원
149	2013-02-18 16시	17시	RTP 진행	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	32,000원
150	2013-02-19 10시	13시	SiC_Ni Silicide 평가	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	600,000원
151	2013-02-25 09시	10시	6-4-1 MET1 anneal	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	350,000원
152	2013-02-27 15시	16시	1st IMD Thermal damage Test 1-5-1. RTP Anneal Split	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
153	2013-03-11 19시	21시	4-4-1 MET1 Anneal RTP Silicide (700C, 2회)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	200,000원
154	2013-03-12 15시	17시	4-4-1 MET1 Anneal RTP Silicide (750C, 3회)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	250,000원
155	2013-03-12 17시	19시	6-4-1 MET1 Anneal RTP Silicide (#4 600C->750C, 2회)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	200,000원
156	2013-03-13 15시	17시	4-4-1 MET1 Anneal RTP Silicide (600C, 3회)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	250,000원
157	2013-03-14 10시	11시	4-4-1 MET1 Anneal RTP Silicide (650C, 2회, #1 Drop)	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	270,000원
158	2013-03-14 11시	12시	6-4-1 MET1 Anneal #6 750C	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	150,000원
159	2013-03-14 14시	16시	RTS 450	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	140,000원
160	2013-03-15 16시	18시	3-5-1 RCSS GOX Anneal	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	150,000원
161	2013-04-01 15시	16시	Silicon + Al alloy generation to reduce contact resistivity	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	196,000원
162	2013-04-02 16시	18시	5-4-1 MET1 Anneal RTS WF1-3, 2-3, 3-3, 4-3, 5-3 : 700C 2회	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	200,000원
163	2013-04-03 11시	16시	5-4-1 MET1 Anneal RTS WF5 500,550,600,650,750 5회 1-1, 2-1, 3-1, 4-1 600 1-2, 2-2, 3-2, 4-2 650 1-4, 2-4, 3-4, 4-4 750	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
164	2013-04-03 16시	17시	Ni-Si Silicide	포항공과대학교	전자과	백상원	140,000원
165	2013-04-05 7시	9시	0-2-1 RTP Silicide 600C, 650C, 700C, 750C	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	300,000원
166	2013-04-11 11시	12시	Al Silicide	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	132,000원
167	2013-04-16 10시	12시	6-4-1 MET1 RTP Silicide	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	150,000원
168	2013-04-25 10시	13시	4-4-1 MET1 Anneal 650C 700C 750C	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	250,000원
169	2013-05-08 15시	16시	3-5-1 RCSS GOX Anneal	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	200,000원
170	2013-05-09 13시	15시	6-4-1 MET1 Anneal	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
171	2013-05-14 14시	18시	5-4-1 MET1 Anneal 650C 2회, 700C 2회, 750C 2회, 800C 2회 총 8 회진행 5매 4조각 Temp. Splited 진행	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	560,000원
172	2013-05-20 16시	18시	6-4-1 MET1 Anneal	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	300,000원
173	2013-06-03 10시	12시	3-5-1 RCSS GOX Anneal	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	200,000원
174	2013-06-03 10시	13시	Anneal(NO Furnace)	포항공과대학교	전자과	백상원	900,000원
175	2013-06-11 10시	13시	2-5-1 RCSS GOX Anneal	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	350,000원
176	2013-06-14 10시	13시	6-4-1 MET1 Anneal	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	200,000원
177	2013-06-14 13시	15시	5-4-1 MET1 Anneal 600C, 650C, 700C, 750C 각2회 총 8회진행	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	500,000원
178	2013-06-24 10시	12시	6-4-1 MET1 Anneal	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	300,000원
179	2013-06-24 20시	21시	SOI wafer Annealing (JNT / 이호준 / 010-2547-9641)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	156,000원
180	2013-07-12 16시	18시	6-4-1 MET1 Anneal	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	300,000원
181	2013-07-15 11시	13시	4-4-1 MET1 Anneal	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	350,000원
182	2013-08-07 10시	11시	si	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	128,000원
183	2013-08-08 21시	22시	Si wafer annealing (JNT/ 이호준 / 010-2547-9641)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	128,000원
184	2013-08-13 12시	18시	반복적인 high temp. annealing Ar Purge, 1150C Anneal 1min 20회 사용	서강대학교	기계공학과	김주현	950,000원
185	2013-08-28 11시	13시	3-5-1 RCSS GOX Anneal, 650C, Time Split	LG이노텍	차세대소자개발	서덕원	300,000원
186	2013-09-04 15시	16시	al silicide	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	128,000원
187	2013-09-04 20시	21시	Si annealing (JNT / 이호준 / 010-2547-9641)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	128,000원
188	2013-09-06 13시	15시	6-4-1 MET1 MET1 Anneal	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	400,000원
189	2013-09-11 14시	15시	si / al silicide	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	128,000원
190	2013-09-13 15시	16시	Ti/TiN Silicide	경북대학교	전자공학과	이용수	150,000원
191	2013-10-08 12시	13시	RTO (JNT / 이호준)	포항공과대학교	전자전기공학과	김지원	184,000원
192	2013-10-08 9시	10시	Anneal (온도 Split)	TE connectivity	R&D	박봉현	300,000원
193	2013-10-17 18시	19시	Ti/TiN Silicide	경북대학교		권유미	150,000원
194	2013-10-18 10시	11시	anneal for al alloy	포항공과대학교	전자전기공학과	고명동	128,000원
195	2013-10-21 13시	14시	Anneal	TE connectivity	R&D	박봉현	150,000원
196	2013-10-21 15시	17시	450C 30s	(주)아이엠헬스케어		이인제	400,000원
197	2013-10-23 15시	18시	950C 1min	한국전기연구원	전력반도체연구단 차세대반도체연구센터	문정현	190,000원
198	2013-10-31 12시	13시	950C 90C N2 Anneal	한국전기연구원	전력반도체연구단 차세대반도체연구센터	문정현	145,000원
199	2013-10-31 13시	15시	3-5-1 RCSS GOX Anneal 650C, 30s	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	350,000원
200	2013-11-14 15시	18시	6-4-2 MET1 Anneal	LG이노텍	차세대소자개발	서덕원	350,000원
201	2013-11-18 1시	18시	1150C Ar Anneal 14회(18일),14회(19일),10회(20일),20회(22일)	서강대학교	기계공학과	김주현	2,680,000원
202	2013-11-26 10시	11시	IMH06 5-4-1. MET anneal 진행 (Test Wafer 포함) RTS 450.1 30초 진행	(주)아이엠헬스케어		이인제	400,000원
203	2013-11-28 10시	13시	3-6-1 RCSS GOX Anneal	LG이노텍	차세대소자개발	서덕원	350,000원
204	2013-12-02 15시	17시	Ni silicide형성, 이정익연구원과 내용 공유함. 950C 90s	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	190,000원
205	2013-12-09 14시	16시	6-4-1 MET1 Anneal	LG이노텍	차세대소자개발팀	서덕원	0원
206	2013-12-18 16시	18시	P well & N source activation 최적화 Run 4-1-3 Ni Anneal (970도 90초)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	460,000원
207	2013-12-27 14시	18시	1-4-1 Poly Anneal	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	540,000원
208	2014-01-07 15시	18시	1-7-1 Poly Anneal, 975, 90s	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	420,000원
209	2014-01-08 17시	18시	Ni Silicide, 950, 90s	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	190,000원
210	2014-01-13 17시	18시	단위공정	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	200,000원
211	2014-01-14 10시	11시	단위공정 개발	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	150,000원
212	2014-01-15 16시	17시	단위공정 개발	메이플세미컨덕터(주)	부설연구소	문종석	200,000원
213	2014-01-16 17시	18시	5-4-1 MET Anneal 450C 30s	(주)아이엠헬스케어		이인제	350,000원
214	2014-01-22 11시	13시	3-4-3 Silicidation RTP Anneal	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	260,000원
215	2014-01-28 19시	20시	2-4-3 Silicidation	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	180,000원
216	2014-03-01 1시	12시	1150C Ar Anneal	서강대학교	기계공학과	김주현	9,315,000원
217	2014-03-03 16시	17시	2-5-1 RTP anneal_1000℃, 20sec	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	105,000원
218	2014-04-16 12시	13시	1-5-1 Metal Anneal	포항공과대학교	화학공학과	박진주	150,000원
219	2014-05-20 11시	13시	500C, 750C, 975C 90s	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	205,000원
220	2014-05-20 14시	15시	Ni silicide 형성	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	200,000원
221	2014-05-28 17시	18시	Ni Sillicide	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	150,000원
222	2014-06-10 12시	13시	1-2-1 Gate Oxide Anneal	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	135,000원
223	2014-06-16 17시	18시	8-5-1 Silicidation	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	240,000원
224	2014-06-26 10시	14시	Anneal Process_NO	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	1,000,000원
225	2014-08-22 11시	13시	9-1-1 Silicide	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	170,000원
226	2014-08-22 16시	17시	al silicide 450c 15s	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	170,000원
227	2014-08-29 16시	17시	SC33_ Silicide	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	70,000원
228	2014-09-18 13시	14시	Activation annealing 1000도, 20초	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	135,000원
229	2014-09-30 13시	15시	9-1-1 silicidation rtp anneal	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	170,000원
230	2014-10-07 10시	11시	Activation annealing 조건 : 1000도, 20초	포항공과대학교	전자전기공학과	이준영	135,000원
231	2014-10-17 11시	12시	RTA 975도 90초 공정 의뢰 드립니다. 내일 Furnace 공정 완료 후, ALD 증착하고 RTA 공정 진행하려고 합니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	135,000원
232	2014-10-17 16시	17시	Si/Al ohmic contact 형성을 위한 annealing 400도씨 10초 / 10분 cooling	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	170,000원
233	2014-10-30 11시	12시	9-1-1 Ni Sputter Silicidation RTP Ann 975도 90초	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	170,000원
234	2014-11-04 10시	12시	RTP Anneal Test 700C 45/90s 800C 45/90s 900C 45/90s	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	310,000원
235	2014-11-04 13시	18시	나노융합기술교육_Diffusion 1일차	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	1,000,000원
236	2014-11-05 13시	18시	나노융합기술교육_Diffusion 2일차	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	1,000,000원
237	2014-11-06 14시	15시	Anealling 800c 90s	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	135,000원
238	2014-11-06 16시	17시	1-4-1,2 RTP Anneal	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	170,000원
239	2014-11-25 13시	18시	1차 Full Process_diffusion	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	900,000원
240	2014-11-28 17시	18시	9-1-1 Sillicidation RTP Anneal	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	170,000원
241	2014-12-01 10시	13시	BioFET_Anneal	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	772,000원
242	2014-12-05 10시	11시	SiC Ni Anneal	LG전자	System IC연구소	김웅선	220,000원
243	2014-12-09 15시	16시	9-1-1 CONT RTP 975C 90s	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	170,000원
244	2014-12-18 16시	17시	9-1-1 Silicidation RTP 975C 90s	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	170,000원
245	2014-12-23 14시	15시	SiC Ni Silicide 진행 950도 1분 7매	LG전자	System IC연구소	김웅선	380,000원
246	2014-12-26 11시	12시	1-3-3 Silicide 975도 90초	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	135,000원
247	2014-12-30 16시	17시	9-1-1 Silicidation RTP Anneal	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	170,000원
248	2015-01-07 10시	11시	SiC Ni silicide 진행 950도 1분 3장	LG전자	System IC연구소	김웅선	220,000원
249	2015-01-13 9시	10시	Annealing 600C 60s	포항공과대학교	화학공학과	송홍선	140,000원
250	2015-01-14 10시	12시	UE MEMS Sensor 2차 Run_Diffusion	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	500,000원
251	2015-01-21 14시	16시	전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육(확산)	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	600,000원
252	2015-01-26 10시	11시	SiC Ni Silicide 평가 Test 575도,975도 90초 RTP 진행	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	240,000원
253	2015-01-28 15시	17시	1-3-3 back ni silicide	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	135,000원
254	2015-01-29 10시	12시	SC35_NO Anneal Test_Anneal	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	450,000원
255	2015-02-05 12시	14시	2-5-2 insulator anneal 500C 2-5-3 insulator anneal 750C	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	170,000원
256	2015-02-11 10시	12시	UE MEMS Sensor 3차 Run_Duffusion	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	1,000,000원
257	2015-02-13 10시	12시	Ni/SiC 열처리 온도, 분위기, 시간 별 공정 6회 진행 950C, Ar, 2min 1000C, Ar, 1min 1000C, Ar, 2min 1000C, N2, 2min 1050C, Ar, 2min 1100C, Ar, 2min 열처리 진행	LG 전자 소재/생산기술원 소재기술원	ML Task	조영제	370,000원
258	2015-02-16 13시	14시	1-3-3 Ni Silicide	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	135,000원
259	2015-03-06 13시	15시	SiC Ni Silicide Temp Split	LG 전자 소재/생산기술원 소재기술원	ML Task	조영제	380,000원
260	2015-03-11 10시	11시	1-4-1 Gate Anneal 400도 2분 13회 총 15분 진행	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유호천	555,000원
261	2015-03-11 10시	11시	1-4-2 Gate Anneal 900도 2분 15회 총 30분	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유호천	625,000원
262	2015-03-20 13시	15시	SiC Ni Silicide Temp Split	LG 전자 소재/생산기술원 소재기술원	ML Task	조영제	420,000원
263	2015-03-25 14시	15시	SiC Ni Silicide 진행 950,1050도	LG 전자 소재/생산기술원 소재기술원	ML Task	조영제	180,000원
264	2015-05-26 15시	16시	전면에 SiO2 3000A 증착, 후면에 Ni metal 1000A 증착 950도 60초	LG전자	SIC센터 ICS팀	조성무	220,000원
265	2015-07-20 10시	11시	Silicide 진행 (975도 90초 2매)-6/25일 진행 건	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	200,000원
266	2015-07-20 16시	17시	7/20 1050C 30s Annealing	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	200,000원
267	2015-07-28 14시	18시	포항TP_나노융합 전문인력 양성과정_Diffusion	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	600,000원
268	2015-09-02 17시	18시	6-4-4. MET1 Anneal RTP_Sil 650도 30초	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	170,000원
269	2015-09-04 12시	13시	1050C 30s Anneal 2매 (9/4)	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	170,000원
270	2015-09-11 19시	20시	1050c annealing	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	300,000원
271	2015-09-21 16시	17시	1050C 30sec Annealing	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	170,000원
272	2015-09-25 16시	17시	6-4-1 MET1 Anneal RTP 650도 30초	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	170,000원
273	2015-09-25 18시	19시	6-4-1 Silicide Split 650/700/750도 30초 N2 분위기	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	205,000원
274	2015-10-06 11시	12시	CaF2 Anealing Test 975도 90 sec	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	135,000원
275	2015-10-14 9시	10시	1050c 30sec Annealing	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	135,000원
276	2015-10-23 14시	15시	6-4-1 M1 MET1 Anneal RTP Ann RTP_Sil 650s 30s Annealing	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	170,000원
277	2015-10-28 15시	18시	Ti Silicide 평가 Test Temp Split 진행 (anneal Time 90초) 500/550/600/650/700/720/740/760/780/800/820/840 각 온도별 2회 진행	전북대학교	전자공학부	김기현	1,040,000원
278	2015-10-30 17시	18시	ET-01차 추가 Test 진행 RTP Silicide 평가(600,650,700) 총 4회 진행	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	240,000원
279	2015-11-03 16시	17시	Metal & RTP Test 700도 30초 진행	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	170,000원
280	2015-11-10 18시	19시	SiO2 annealing	포항공과대학교	전자과	백상원	128,000원
281	2015-11-11 17시	18시	1-3-5 Silicide Silicide Formation 750 ℃, N2 분위기, 90초	전북대학교	전자공학부	김기현	205,000원
282	2015-11-16 14시	15시	LaF2 Anealing Test 975도 90 sec	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	135,000원
283	2015-11-19 12시	13시	열전소사 Ti Silicide 평가 관련 850도 90초 진행	전북대학교	전자공학부	김기현	135,000원
284	2015-11-27 15시	16시	LaF Annealing test 500 / 650 / 800 도 90sec	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	205,000원
285	2015-12-04 13시	14시	laf annealing test 600 90sec	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	135,000원
286	2015-12-24 10시	11시	특허과제 관련 Metal anneal - 650도30초	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	135,000원
287	2015-12-24 15시	16시	GaN wafer silicide 650도 30초 특허과제	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	135,000원
288	2015-12-28 13시	18시	미래부 전문인력양성_소자공정 실습 (Diffusion)	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	1,100,000원
289	2015-12-29 15시	16시	GaN Silicide 700도 30초 특허과제	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	135,000원
290	2015-12-29 9시	13시	미래부 전문인력양성_소자공정 실습 (Diffusion)	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	1,000,000원
291	2015-12-30 11시	12시	특허과제	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	135,000원
292	2015-12-30 13시	14시	GaN silicide 진행 750도 30초 특허과제	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	135,000원
293	2016-01-07 10시	11시	Ni silicide	LG 전자	ICS 팀	황의진	140,000원
294	2016-03-07 10시	11시	Pd Post anneal 진행	경남대학교	전자공학과	김성진	150,000원
295	2016-03-07 13시	14시	Ni Slicide 진행	경남대학교	전자공학과	김성진	150,000원
296	2016-03-07 9시	10시	Ta Oxidation 진행	경남대학교	전자공학과	김성진	200,000원
297	2016-04-21 11시	12시	Al2o3 조각 Anneal	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	135,000원
298	2016-04-25 11시	12시	전극 메탈용 Ni 200nm 증착 후 800도 2분 anneal	경남대학교	전자공학과	김성진	150,000원
299	2016-04-29 9시	17시	SiC Annealing	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	2,700,000원
300	2016-05-19 16시	17시	SiC 실리사이드 공정 진행 Temp split	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	260,000원
301	2016-05-27 10시	11시	NI silicide 1100도 2분 3장 진행	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	220,000원
302	2016-05-30 11시	12시	800도씨 Tisilicide	전북대학교	전자공학부	김기현	128,000원
303	2016-06-01 9시	10시	Silicide 공정 30sec * 1매	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	150,000원
304	2016-06-02 14시	15시	Silicide 공정 30sec * 4매	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	200,000원
305	2016-06-09 9시	10시	Silicide 30sec 2매 (6/2)	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	200,000원
306	2016-06-22 15시	17시	Silicide 3매	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	250,000원
307	2016-06-22 20시	21시	RTA process	포항공과대학교	전자전기공학과	이호준	128,000원
308	2016-07-14 16시	17시	Silicide	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	200,000원
309	2016-07-18 14시	16시	500c 600c 700c 90sec Annealing	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	205,000원
310	2016-07-25 14시	15시	Metal anneal 500,600 60초씩 진행	포항공과대학교	물리분석팀	김성규	170,000원
311	2016-07-28 15시	16시	Ni Silicide	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	200,000원
312	2016-08-05 16시	17시	Silicide	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	250,000원
313	2016-08-10 16시	17시	Silicide	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	150,000원
314	2016-08-19 17시	18시	1000c 20sec Annealing	포항공과대학교	창의IT융합공학과	임태욱	170,000원
315	2016-08-23 16시	18시	Silicide 3매	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	250,000원
316	2016-08-24 15시	17시	Silicide 4매	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	300,000원
317	2016-08-26 12시	13시	500C 600C Annealing	포항공과대학교	물리분석팀	김성규	170,000원
318	2016-09-07 13시	15시	Silicide 1050℃ 30초 진행	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	200,000원
319	2016-09-12 11시	12시	Silicide 3매	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	150,000원
320	2016-09-19 11시	14시	Silicide 2매	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	200,000원
321	2016-09-19 17시	18시	Silicide	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	250,000원
322	2016-09-19 18시	19시	Silicide	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	150,000원
323	2016-10-07 17시	18시	Silicide	파워큐브세미(주)	부설연구소	홍영성	250,000원
324	2016-11-07 13시	17시	나노융합 전문인력양성 교육_Diffusion	계명대학교	화학공학과	서숭혁	2,100,000원
325	2016-11-08 13시	14시	975℃ 90초, 1000℃ 90초	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	170,000원
326	2016-11-22 14시	16시	3-4-1 RTP Ann 975/950/900 C 90sec	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	205,000원
327	2016-11-23 14시	16시	1000c 30s, 950c 1m30s Annealing SiC 기술사업화 계약 200,000	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	0원
328	2016-11-28 10시	13시	3개 조각 시료 ( Ni 막질의 Patterning )	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	0원
329	2016-12-07 13시	14시	1100도 2분	LG전자	ICS팀	김기민	300,000원
330	2016-12-09 14시	16시	단위공정 SiC 기술사업화 계약건	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	0원
331	2016-12-22 19시	21시	조각시료 공정 진행 SiC 기술사업화	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	0원
332	2016-12-29 16시	17시	SiC 기술사업화 장비사용	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	0원
333	2017-01-03 16시	17시	SiC 산업화 계약건	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	0원
334	2017-01-11 10시	14시	나노소자공정실습교육_Diffusion	나노융합기술원	교육홍보팀	김병수	1,100,000원
335	2017-01-13 16시	17시	3-4-1 Silicide	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	135,000원
336	2017-01-25 10시	11시	3-1-3 Metal silicide	포항공과대학교	물리분석팀	김성규	170,000원
337	2017-02-07 13시	18시	나노융합기술 전문인력양성프로그램_Diffusion	대구대학교	중앙기기원	차정호	650,000원
338	2017-02-15 10시	18시	SiC 기술사업화_Diffusion	(주)예스파워테크닉스	연구소	강예환	2,100,000원
339	2017-02-21 13시	15시	Anneal Test 550,700,850℃ 90초	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	205,000원
340	2017-02-23 16시	18시	NiV on SiC 조각 시편 RTA 공정조건 (3) 1. 1050도 60초 2. 1100도 60초 3. 1150도 60초 -> 오전에 NiV 증착 진행한 시편의 RTA 공정진행입니다.	한국전기연구원	전력반도체연구센터	나문경	235,000원
341	2017-03-06 11시	12시	SiC 과제 관련 silicide 진행	한국전기연구원	전력반도체연구센터	문정현	300,000원
342	2017-03-07 13시	14시	silicide 평가 진행	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	205,000원
343	2017-03-07 14시	15시	metal silicide 평가	포항공과대학교	물리분석팀	김성규	240,000원
344	2017-03-09 17시	17시	Annealing 3회	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	205,000원
345	2017-03-13 13시	15시	900,950,1000c 90sec Annealing 4회	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	240,000원
346	2017-04-27 13시	14시	Wafer align 및 anneal 진행(4/27)	(주)유우일렉트로닉스	부설연구소	김형원	150,000원
347	2017-05-02 13시	14시	3-4-1 silicide	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	137,500원
348	2017-05-10 11시	12시	SiC 센서 소자 제작 관련 3. RTO	경남대학교	전자공학과	김성진	150,000원
349	2017-05-10 14시	15시	SiC 센서 소자 제작 관련 5. RTP	경남대학교	전자공학과	김성진	150,000원
350	2017-05-11 11시	12시	SiC 센서 소자 제작 관련 6. RTP	경남대학교	전자공학과	김성진	150,000원
351	2017-05-18 15시	16시	3-4-1. silicide	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	137,500원
352	2017-05-30 15시	16시	550도 30초	삼성디스플레이	연구소	최재혁	150,000원
353	2017-06-16 16시	17시	열처리 진행	삼성디스플레이	연구소	최재혁	150,000원
354	2017-06-28 15시	17시	1매는 공정 시 질소량 변화하여 공정 진행	테크닉스(주)	연구개발	강예환	0원
355	2017-06-30 10시	13시	나노융합기술 전문인력양성 교육_Diffusion	대구대학교	중앙기기원	차정호	1,100,000원
356	2017-07-05 13시	14시	Ni 30 nm deposited sample silicide time & temperature split	포항공과대학교	전자과	백상원	212,500원
357	2017-07-06 13시	14시	Ni silicide	포항공과대학교	전자과	백상원	287,500원
358	2017-07-07 15시	17시	Ni 10 nm deposited sample Ni silicide 8조건 진행	포항공과대학교	전자과	백상원	400,000원
359	2017-07-10 14시	15시	600도 30초 anneal	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	137,500원
360	2017-07-11 11시	12시	600도 30초 진행	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	137,500원
361	2017-07-11 9시	11시	Anneal 7회	포항공과대학교	전자과	백상원	362,500원
362	2017-07-12 15시	17시	Ni silicide	포항공과대학교	전자과	백상원	340,000원
363	2017-07-13 13시	14시	이전공정 내역: Back Ni Depo 진행할 공정 : RTP * Furnace 장비 점검 (DF04) Test 시료(1ea)	테크닉스(주)	연구개발	강예환	150,000원
364	2017-07-13 21시	22시	Ni silicide	포항공과대학교	전자과	백상원	280,000원
365	2017-07-14 11시	12시	Ni silicide	포항공과대학교	전자과	백상원	190,000원
366	2017-07-20 10시	11시	Ni sillicide 4회	LG 이노텍	소자개발팀	정지철	300,000원
367	2017-07-25 13시	14시	Ni sillicide 3회	LG 이노텍	소자개발팀	정지철	250,000원
368	2017-07-31 17시	18시	1050c 2min	LG 이노텍	소자개발팀	정지철	150,000원
369	2017-08-08 10시	13시	RTA 1050c 2min Annealing 7ea	LG 이노텍	소자개발팀	정지철	450,000원
370	2017-08-09 12시	14시	Sillicide 550c 2m 1ea 600c 2m 2ea 650c 2m 1ea 700c 2m 1ea	LG 이노텍	소자개발팀	정지철	350,000원
371	2017-08-14 16시	17시	975C 60sec Annealing	삼성디스플레이	연구소	최재혁	400,000원
372	2017-08-17 9시	11시	* 샘플제작 (2차) 이전공정내역 : Metal Depo. 진행요청공정 : Silicide	테크닉스(주)	연구개발	강예환	0원
373	2017-08-18 16시	17시	3-4-1 contact silicide	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	175,000원
374	2017-09-12 13시	14시	RTP 진행	LG 이노텍	소자개발팀	정지철	250,000원
375	2017-09-22 9시	10시	600도 90초 진행	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	137,500원
376	2017-09-25 14시	15시	3-4-1 Silicidation 950,975C	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	175,000원
377	2017-09-25 16시	17시	600도 90초 진행	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	137,500원
378	2017-09-28 9시	10시	650도 90초	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	137,500원
379	2017-10-18 16시	17시	Ni silicide	LG 이노텍	소자개발팀	정지철	250,000원
380	2017-10-26 10시	11시	6개의 온도 split으로 silicide용 RTA를 진행하려고 합니다. 각각 온도마다 4개의 조각 샘플이 있습니다. 온도 및 시간 조건은 550, 600, 650, 700, 750, 800도로 60sec 입니다. ramp-up time은 직접 팹에서 논의 후 결정하고 싶습니다.	포항공과대학교	전자과	백상원	325,000원
381	2017-10-27 14시	15시	LaF3 Annealing 700 900 1100도 2min Annealing	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	190,000원
382	2017-11-01 16시	17시	10nm Ni film이 증착돼있는 샘플입니다. 2번의 조건으로 RTP 진행하려 합니다. 한개 랏에는 850도, 다른 랏에는 900도 조건으로 RTP for silicide하려 합니다. 이전에 진행했던 대로 steady time은 60sec, ramp-up time은 빠를수록 좋습니다.(이전에는 10sec로 했던 것 같습니다.) 자세한 내용은 팹에서 말씀드리도록 하겠습니다.	포항공과대학교	전자과	백상원	175,000원
383	2017-11-02 13시	17시	전문인력양성사업 교육_Diffusion	나노융합기술원	교육홍보팀	이현규	1,100,000원
384	2017-11-07 14시	16시	400C Ar Anneal	영남대학교	물리학과	황지영	150,000원
385	2017-11-14 11시	12시	Nickel 10nm deposition된 silicon 조각 샘플 700, 750, 800, 850, 900, 1000, 1100도 조건으로 RTP 진행하려고 합니다. (steady time 60sec, ramp-up time 5~10sec) 자세한건 오전 중으로 찾아뵙고 말씀드리겠습니다.	포항공과대학교	전자과	백상원	362,500원
386	2017-11-14 15시	16시	LaF3 on Si Annealing	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	190,000원
387	2017-11-23 13시	18시	저저항 Superjunction 파워 MOSFET 개발 및 상용화 [4.0015349.01]_Diffusion	현대모비스	전력반도체팀	이정윤	600,000원
388	2017-11-28 16시	16시	Anneal split test	서강대학교	전자공학과	이장우	1,750,000원
389	2017-12-05 9시	17시	계명대학교 나노융합기술교육_Diffusion	계명대학교	화학공학과	서숭혁	1,100,000원
390	2017-12-11 9시	18시	650V50A 저저항 Superjunction 파워 MOSFET 개발 [4.0015349.01]_Diffusion 단위공정	현대모비스	전력반도체팀	이정윤	1,100,000원
391	2017-12-12 16시	17시	1050 2분 진행	LG 이노텍	소자개발팀	정지철	200,000원
392	2017-12-14 10시	12시	RTP anneal 열처리 6장	(주)에스엔아이	사업총괄	이강열	400,000원
393	2018-01-04 15시	17시	RTP 진행 (10장)	(주)에스엔아이	사업총괄	이강열	600,000원
394	2018-01-10 10시	18시	전문인력양성교육_소자공정_Diffusion	나노융합기술원	교육홍보팀	이현규	1,000,000원
395	2018-01-11 13시	15시	SiC silcide 진행	LG전자	ICS팀	김기민	440,000원
396	2018-01-12 12시	16시	1150c Annealing 8ea	LG전자	SIC센터 ICS팀	김수진	440,000원
397	2018-01-19 15시	17시	650c 90sec , 600c 90sec Annealing	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	175,000원
398	2018-01-24 10시	18시	WISET 사업 교육_Diffusion	나노융합기술원	교육홍보팀	이현규	1,100,000원
399	2018-01-30 16시	18시	900c,950c,1000c 1m30sec	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	212,500원
400	2018-02-21 14시	15시	450도 30초	전자부품연구원	메디컬IT융합	이국녕	250,000원
401	2018-03-06 10시	12시	Ti 10nm 증착된 Si/Ge wafer	포항공과대학교	전자과	백상원	250,000원
402	2018-03-07 14시	17시	Ti/Si, Ti/Ge sample을 silicidation, germanidation 진행 각 steady temp. 400, 500, 600, 700, 800, 900도에서 60 sec 간 진행 원합니다.	포항공과대학교	전자과	백상원	325,000원
403	2018-04-02 21시	22시	Ta 10nm 증착된 실리콘 조각 샘플	포항공과대학교	전자과	백상원	128,000원
404	2018-04-06 14시	17시	3-4-1 RTP 975c 90sec N2	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	137,500원
405	2018-04-10 9시	11시	450~520℃ 4장 2분 anneal 공정 진행	주식회사 아르케	연구개발	사공성환	300,000원
406	2018-04-12 13시	15시	RTA 500C,600C,700C	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	0원
407	2018-04-13 11시	12시	Schottky test 1매 RTP 사용 신청합니다. 1050℃ , 60sec , N2 20 SLM ※진행 예정 전 요청사항입니다. 분위기 잡기위해 시운전 2회 부탁드립니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
408	2018-04-13 16시	17시	각각 Ni, Ti 증착된 Si 조각 샘플	포항공과대학교	전자과	백상원	160,000원
409	2018-04-16 15시	16시	I32301D (2매) I32302D (2매) RTP 사용 신청 합니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
410	2018-04-24 11시	13시	프라운호퍼 과제 SiC wf RTA 진행	파워마스터반도체 주식회사	제품개발팀	김홍기	0원
411	2018-04-26 13시	14시	975도 90초 anneal 진행	한국광기술원	광전반도체연구센터	전성란	150,000원
412	2018-05-10 9시	12시	800C Ar anneal	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	137,500원
413	2018-05-31 13시	15시	600,700,800,900 Ar annealing	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	250,000원
414	2018-06-15 14시	15시	Carbon implanted Silicon wafer 1000도 30sec RTP	포항공과대학교	전자과	백상원	130,000원
415	2018-06-15 18시	19시	3-4-1 RTP_Sil 975C 90sec	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	137,500원
416	2018-06-15 21시	22시	Ti 10 nm 가 증착된 샘플 500, 600, 700, 800, 900도 각 1회씩 RTA	포항공과대학교	전자과	백상원	250,000원
417	2018-06-19 10시	12시	800 900 1000 1100 N2 Annealing	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	250,000원
418	2018-06-26 16시	18시	RTP Anneal 950℃ 90S 13매 진행 부탁드리겠습니다.				750,000원
419	2018-07-03 15시	16시	Ni Anneal	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	137,500원
420	2018-07-04 15시	16시	Ni 10 nm 증착된 Si sample silicidation (600도,700도,800도 60초)	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	190,000원
421	2018-07-06 10시	11시	Ni, Ti 메탈 증착된 Si 샘플 각각 600도, 700도 60초 RTP 진행	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	160,000원
422	2018-07-09 11시	12시	1050c 1min	파워마스터반도체 주식회사	제품개발팀	김홍기	137,500원
423	2018-07-11 17시	18시	MOSTEG 4매 Silicidation 30sec 진행입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
424	2018-07-12 13시	15시	950℃ 90s RTP Ann				200,000원
425	2018-07-13 9시	10시	6月 Silicide annealing 미청구건	한국광기술원	광전반도체연구센터	전성란	150,000원
426	2018-07-16 9시	10시	950℃ 90s 2매				100,000원
427	2018-07-18 10시	11시	1050c 1min annealing	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	137,500원
428	2018-07-19 22시	23시	dopant activation annealing	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	130,000원
429	2018-07-20 13시	14시	RTP Anneal 추가 2매 진행건에 대한 신청 입니다. 감사합니다.				100,000원
430	2018-07-27 15시	16시	Testwafer 2매 RTP 사용 1050도 60초	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
431	2018-08-01 9시	10시	6-4-1 M0 Anneal	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	260,000원
432	2018-08-02 9시	10시	RTP temp splt	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	212,500원
433	2018-08-22 9시	11시	1050c 60sec annealing	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	137,500원
434	2018-08-23 18시	19시	6-4-1 M0 anneal	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	260,000원
435	2018-08-24 13시	14시	Silicide test 1050 60 진행	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
436	2018-08-27 16시	17시	1050 60 테스트웨이퍼	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
437	2018-08-29 17시	19시	RT020065V1 RTP 진행	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
438	2018-09-05 9시	11시	4 ea	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	250,000원
439	2018-09-10 9시	10시	SS04 5ea	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	300,000원
440	2018-09-11 10시	14시	RTP 5 매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	300,000원
441	2018-09-12 11시	12시	장비 사용신청입니다. 1매	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
442	2018-09-12 14시	15시	Endura ,Sputter 1 TiN 물성 평가 RTP 진행 450도 2분	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	340,000원
443	2018-09-14 10시	12시	SS05 : 550 C, 60 sec, N2 x 6매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	340,000원
444	2018-09-14 14시	16시	SS04 : 550 C, 60 sec, N2 6매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	340,000원
445	2018-09-17 14시	15시	1100도 2min annealing	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	137,500원
446	2018-09-17 15시	16시	annealing	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	130,000원
447	2018-09-17 16시	19시	SS06 550C, 1min, 6매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	340,000원
448	2018-10-01 10시	11시	3회	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	112,500원
449	2018-10-01 11시	12시	450 C, 2min 1매 W06	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	140,000원
450	2018-10-01 21시	22시	Silicidation (600도, 60sec)	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	130,000원
451	2018-10-04 9시	13시	450 C, 2 min x 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	260,000원
452	2018-10-05 11시	12시	W/Al:HfO2/p-Si stack annealing하고자 합니다. 650도 N2 ambient에서 annealing time split 진행하고자 합니다. annealing time은 10s, 30s, 1min, 2min, 5min 진행하고 싶습니다.	포항공과대학교	신소재공학과	오승열	250,000원
453	2018-10-05 12시	13시	SS07 450 C, 2min x 3매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	220,000원
454	2018-10-05 13시	14시	Silicide 1매 진행입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
455	2018-10-05 17시	18시	450C 2 min x 1매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	140,000원
456	2018-10-10 13시	15시	Anneal 550도 60초	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	420,000원
457	2018-10-11 13시	14시	4-6-8 anneal 450도 120초	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	180,000원
458	2018-10-11 16시	17시	M0 anneal 550도 30초	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	300,000원
459	2018-10-12 15시	16시	FET annealing	포항공과대학교	전자전기공학과	곽현탁	175,000원
460	2018-10-15 10시	11시	1050 C, 1min	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	137,500원
461	2018-10-15 13시	14시	550 C, 60 s, 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	260,000원
462	2018-10-15 17시	18시	Ge #1,#8	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	175,000원
463	2018-10-16 12시	14시	1050 20	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
464	2018-10-16 15시	16시	장비 사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
465	2018-10-16 17시	18시	550 C, 60s , 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	260,000원
466	2018-10-17 15시	17시	M0 anneal	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	420,000원
467	2018-10-18 23시	24시	RTA	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	130,000원
468	2018-10-22 9시	12시	SS13 550 C : 60 s 600 C : 60 s 550 C : 30 s 650 :30 s	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	300,000원
469	2018-10-30 15시	16시	1매 진행	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
470	2018-10-31 15시	16시	장비 사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
471	2018-10-31 23시	24시	Ti silicidation 진행 온도 500, 600, 700 도 조건	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	190,000원
472	2018-11-01 9시	13시	600 도, 60초, 5매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	300,000원
473	2018-11-05 14시	15시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
474	2018-11-05 15시	17시	Rapid Annealing	포항공과대학교	전자전기공학과	윤솔	160,000원
475	2018-11-05 17시	18시	600 C 60s W2,5 650 C 60s W6 550 C 60s W4	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	260,000원
476	2018-11-05 22시	23시	Ti-silicidation 500,600,700,800,900도 조건	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	340,000원
477	2018-11-06 17시	18시	장비 사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
478	2018-11-07 14시	15시	Bio FET Annealing	포항공과대학교	전자전기공학과	곽현탁	212,500원
479	2018-11-10 11시	12시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
480	2018-11-10 16시	17시	장비 사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
481	2018-11-13 19시	20시	장비사용입니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
482	2018-11-13 9시	11시	600 C, 60s x2매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	180,000원
483	2018-11-14 14시	15시	7매	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
484	2018-11-14 16시	17시	장비사용입니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
485	2018-11-14 20시	21시	RTP 1000도 10초 진행	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	130,000원
486	2018-11-15 9시	12시	600,650,700 C 3매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	220,000원
487	2018-11-16 11시	12시	Ti silicidation	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	130,000원
488	2018-11-19 14시	15시	SOI / Si 1장씩 PE oxide 20 nm 올라간 상태 Ion Activation annealing 진행 (1000도, 20초) RTO 장비가 예약 목록에 없어서 해당 장비로 예약함.	(주)아이엠헬스케어	바이오센서팀	유재우	200,000원
489	2018-11-19 16시	18시	600 C, 60s, 5매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	300,000원
490	2018-11-20 16시	17시	1매 입니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
491	2018-11-22 9시	12시	600 C, 60s, 2매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	170,000원
492	2018-11-23 9시	12시	600 C, 60s x 6매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	340,000원
493	2018-11-26 15시	17시	600 , 550,700 = 60 s x 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	260,000원
494	2018-11-30 13시	17시	550.600.650 90s	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	212,500원
495	2018-12-04 16시	20시	11매	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
496	2018-12-04 9시	12시	600 C , 60 s , 3 매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	0원
497	2018-12-05 15시	20시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
498	2018-12-07 10시	14시	600 , 550 C, 60 s x 7매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	380,000원
499	2018-12-07 9시	10시	RTP Anneal 공정의뢰				300,000원
500	2018-12-10 13시	17시	600 C, 60 s, x 5 매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	300,000원
501	2018-12-12 14시	17시	Ta sample 3매 Ni/Pd sample 3매	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	325,000원
502	2018-12-13 10시	11시	950도 90초	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	137,500원
503	2018-12-13 11시	12시	900도,950도,1000도 2분 RTO	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	212,500원
504	2018-12-13 13시	17시	600 C, 60 s x 4매 550 C, 60 s x 2매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	340,000원
505	2018-12-17 16시	17시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
506	2018-12-17 17시	18시	600 C, 60 s, 4 매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	200,000원
507	2018-12-20 18시	22시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
508	2018-12-20 9시	12시	600 C, 60s x 6매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	340,000원
509	2018-12-26 15시	16시	Ni silicide	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	212,500원
510	2018-12-27 15시	16시	RTP slicid temp split	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	212,500원
511	2018-12-27 16시	18시	RTO Temp split	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	212,500원
512	2019-01-02 13시	15시	600 C , 6매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
513	2019-01-03 14시	15시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
514	2019-01-07 15시	17시	600 C, 60 s 2ea 550 C, 60 s 2ea	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	240,000원
515	2019-01-08 11시	13시	2매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	170,000원
516	2019-01-08 15시	17시	600 C 2 매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	170,000원
517	2019-01-09 12시	15시	550 C, 8 매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
518	2019-01-09 17시	21시	장비 사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
519	2019-01-09 9시	12시	RTO 850 900 950 C 3매 2min	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	212,500원
520	2019-01-11 13시	18시	RTP진행	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
521	2019-01-14 12시	17시	550 C, 60 s, 8매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
522	2019-01-14 9시	12시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
523	2019-01-15 10시	15시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
524	2019-01-16 16시	18시	RTP진행하겠습니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
525	2019-01-18 15시	18시	RTP 10매 진행합니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
526	2019-01-22 13시	14시	6-4-1 m0 anneal rtp ann	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	135,000원
527	2019-01-22 15시	16시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
528	2019-01-22 18시	19시	6-4-1 m0 panneal rtp ann	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	287,500원
529	2019-01-23 14시	18시	600 C, 60s x 6 매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
530	2019-01-23 20시	21시	장비 사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
531	2019-01-28 15시	18시	550 C 60s x 1매 600 C 60 S x 1매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	170,000원
532	2019-01-29 14시	18시	600 C, 60 s x 8매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
533	2019-01-30 16시	17시	Ti silicidation	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	130,000원
534	2019-02-08 14시	17시	Inspection x 3매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	205,000원
535	2019-02-08 9시	10시	10나노급 차세대 실리콘 나노선 개발	포항공과대학교	창의IT융합공학과	박태훈	1,900,000원
536	2019-02-11 13시	18시	600 C, 60 s x 8매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
537	2019-02-11 9시	10시	600 C, 60 s 1 매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	135,000원
538	2019-02-12 14시	17시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
539	2019-02-13 9시	12시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
540	2019-02-14 11시	15시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
541	2019-02-15 11시	15시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
542	2019-02-15 17시	20시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
543	2019-02-18 15시	18시	RTP 진행 하겠습니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
544	2019-02-19 16시	20시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
545	2019-02-19 9시	12시	600 C, 60s , x 6매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
546	2019-02-20 11시	18시	600 C, 60 s, 8 매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
547	2019-02-20 21시	22시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
548	2019-02-21 16시	18시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
549	2019-02-21 9시	12시	600 C, 60 s, 4 매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
550	2019-02-22 13시	18시	진행해보겠습니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
551	2019-02-25 10시	12시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
552	2019-02-25 13시	16시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
553	2019-02-25 16시	18시	600 C, 60 s, 8 매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
554	2019-02-26 10시	15시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
555	2019-02-26 15시	16시	600 C, 60 s, 1매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	135,000원
556	2019-02-27 13시	18시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
557	2019-02-28 14시	19시	진행하겟습니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
558	2019-02-28 9시	10시	975 C , 90 s 1매	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	137,500원
559	2019-03-04 11시	18시	10매 진행	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
560	2019-03-04 18시	21시	장비 사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
561	2019-03-05 13시	14시	1150도 2분	LG전자	ICS팀	김기민	195,000원
562	2019-03-05 9시	12시	600 C 60 s x 2매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	170,000원
563	2019-03-06 14시	15시	10나노급 차세대 실리콘 나노선 개발	포항공과대학교	창의IT융합공학과	박태훈	1,200,000원
564	2019-03-07 10시	13시	600 C, 60 s x 8매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
565	2019-03-11 10시	15시	600 C, 60 s x 8매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
566	2019-03-11 15시	18시	600 C 60s x8매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
567	2019-03-11 18시	20시	2매 입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
568	2019-03-11 21시	22시	600 C, 60 s x 2매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	170,000원
569	2019-03-12 10시	11시	600 C , 60 s x 1 매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	135,000원
570	2019-03-13 10시	12시	600 C, 60 s x 8매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
571	2019-03-14 21시	24시	9매 진행 입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
572	2019-03-15 15시	16시	Ti-silicidation	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	52,000원
573	2019-03-16 15시	18시	10매 진행 합니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
574	2019-03-18 10시	12시	1150 C, 2 min x 2매	LG전자	ICS팀	김기민	195,000원
575	2019-03-19 10시	12시	600 C, 60 s x 8매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
576	2019-03-19 14시	16시	10매 진행합니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
577	2019-03-20 13시	15시	7매 진행 합니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
578	2019-03-20 19시	22시	10매RTP진행하겟습니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
579	2019-03-20 9시	11시	8매 진행 입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
580	2019-03-21 11시	15시	600 C, 60s x 7매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	362,500원
581	2019-03-22 11시	14시	10매 진행합니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
582	2019-03-28 10시	18시	1150 C, 120 sec , 22회	LG전자	ICS팀	김기민	1,245,000원
583	2019-03-28 18시	19시	600 C, 60s 8매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
584	2019-03-28 9시	10시	RTP Anneal 950℃ 90s 로 진행요망				500,000원
585	2019-03-29 7시	10시	9매 진행 합니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
586	2019-04-01 13시	17시	450 C 30 s 4 매	전자부품연구원	메디컬IT융합	이국녕	300,000원
587	2019-04-02 10시	12시	550 C, 1매 600 C 3매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	240,000원
588	2019-04-02 14시	17시	1050 C, 1 min, 3회	파워마스터반도체 주식회사	제품개발팀	김홍기	235,000원
589	2019-04-02 16시	18시	600 C 60s x 5매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	275,000원
590	2019-04-02 16시	17시	400 C, 60 s, 1매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	135,000원
591	2019-04-02 18시	20시	600 C, 60s x 8매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
592	2019-04-03 18시	19시	1매 진행 합니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
593	2019-04-10 11시	14시	RTP 10매 진행합니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
594	2019-04-10 15시	16시	600 C 60s x 8매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
595	2019-04-10 15시	16시	600 C 60 s x 8매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
596	2019-04-12 16시	22시	RTP 진행 신청입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
597	2019-04-16 13시	14시	400 C 60 s x2매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	170,000원
598	2019-04-16 14시	15시	650 C, 2 min x 6매	(주) 센텍코리아	생산기술연구팀	임채현	150,000원
599	2019-04-16 17시	22시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
600	2019-04-16 7시	12시	RTP진행 하겠습니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
601	2019-04-17 11시	13시	600C 60s 2매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	170,000원
602	2019-04-18 15시	18시	600 C, 60s 8매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
603	2019-04-19 13시	16시	650 C 2min x1매	(주) 센텍코리아	생산기술연구팀	임채현	125,000원
604	2019-04-19 20시	24시	장비 사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
605	2019-04-22 12시	17시	600 C 1min x 8매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
606	2019-04-22 18시	21시	10매 진행합니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
607	2019-04-22 21시	22시	575 C 60s x2매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	170,000원
608	2019-04-22 8시	12시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
609	2019-04-24 11시	12시	6-4-1 m0 anneal	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
610	2019-04-24 20시	24시	16매 진행합니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
611	2019-04-25 10시	12시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
612	2019-04-25 9시	10시	Ni- silicidation	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	132,000원
613	2019-04-26 11시	17시	600 C , 60s 8매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
614	2019-04-30 14시	17시	1050 C 1min x 1매	파워마스터반도체 주식회사	제품개발팀	김홍기	145,000원
615	2019-05-02 1시	6시	장비 사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
616	2019-05-02 17시	22시	부탁드립니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
617	2019-05-06 18시	20시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
618	2019-05-07 8시	10시	진행하겟습니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
619	2019-05-09 11시	16시	진행하겟습니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
620	2019-05-10 14시	17시	600 C, 60 s, 8매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
621	2019-05-13 16시	18시	9매 진행입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
622	2019-05-15 15시	18시	650 C, 2 min, 4 매	(주) 센텍코리아	생산기술연구팀	임채현	200,000원
623	2019-05-15 9시	14시	600C, 60s, 8매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
624	2019-05-16 9시	12시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
625	2019-05-23 7시	12시	RTP 10매 진행입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
626	2019-05-24 20시	24시	진행하겠습니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
627	2019-05-28 1시	3시	5매 진행 입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
628	2019-05-28 12시	18시	진행하겟습니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
629	2019-05-28 9시	12시	진행하겟습니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
630	2019-05-29 10시	12시	5매진행하겟습니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
631	2019-05-29 13시	14시	6-4-1 m0 anneal rtp ann	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
632	2019-05-29 23시	1시	5매 진행 입니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
633	2019-05-29 4시	7시	5매 진행입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
634	2019-05-30 10시	14시	부탁드립니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
635	2019-05-30 2시	4시	5매 진행입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
636	2019-05-30 6시	8시	5매 진행.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
637	2019-05-31 1시	2시	5매 진행 입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
638	2019-05-31 2시	5시	5매 진행입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
639	2019-06-03 13시	14시	장비 사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
640	2019-06-11 12시	14시	4매 진행 입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
641	2019-06-11 15시	18시	600 C, 60s x 6매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
642	2019-06-11 9시	11시	5매 진행 입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
643	2019-06-12 10시	12시	5매 진행입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
644	2019-06-12 12시	14시	6매 진행입니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
645	2019-06-12 14시	17시	5매 입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
646	2019-06-13 14시	16시	5매	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
647	2019-06-13 16시	19시	진행하겠습니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
648	2019-06-14 11시	14시	5매 진행입니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
649	2019-06-14 15시	19시	600 C, 60s x 6매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
650	2019-06-17 12시	15시	진행하겠습니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
651	2019-06-17 16시	18시	575 C, 60s 2매 600 C, 60s 2매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	240,000원
652	2019-06-17 23시	24시	5매 진행 입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
653	2019-06-18 5시	6시	2매 진행 입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
654	2019-06-19 1시	3시	5매 진행입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
655	2019-06-19 4시	7시	5매 진행입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
656	2019-06-19 9시	15시	진행하겟습니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
657	2019-06-26 9시	12시	600C, 60s , 3매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	212,500원
658	2019-07-01 13시	18시	10매 진행합니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
659	2019-07-01 18시	22시	진행하겠습니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
660	2019-07-02 11시	15시	1050 C, 1min	파워마스터반도체 주식회사	제품개발팀	김홍기	235,000원
661	2019-07-02 16시	22시	진행하겟습니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
662	2019-07-02 7시	11시	10매 진행합니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
663	2019-07-03 9시	14시	7매 진행입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
664	2019-07-04 16시	18시	600 C, 60 s, 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
665	2019-07-04 7시	11시	5매 진행입니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
666	2019-07-08 11시	16시	450 C, 30 s, 6매	전자부품연구원	메디컬IT융합	이국녕	400,000원
667	2019-07-08 8시	9시	Ti, Ni silicidation 500, 550, 600도	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	196,000원
668	2019-07-18 10시	15시	장비 사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
669	2019-07-18 15시	17시	4매 진행입니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
670	2019-07-18 17시	19시	600 C, 60 s, x 6매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
671	2019-07-19 10시	14시	600 C, 60 s, 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
672	2019-07-19 15시	17시	600 C, 60 s, x4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
673	2019-07-26 14시	16시	750 2매, 1000 2매	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	270,000원
674	2019-07-29 10시	14시	600C 60s x 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
675	2019-07-29 13시	15시	600 C, 60s, 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
676	2019-07-29 16시	20시	5매 진행입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
677	2019-07-29 20시	21시	Ti silicidation 500, 550, 600, 650, 700, 750, 800	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	324,000원
678	2019-07-30 16시	18시	Ti silicidation 500, 550, 600, 650, 700, 750, 800도 조건 time: 60 sec	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	324,000원
679	2019-07-30 18시	22시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
680	2019-07-30 7시	8시	2매 진행 입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
681	2019-07-31 16시	17시	6-4-1 RTP Ann	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	287,500원
682	2019-08-01 15시	16시	2차_RTA	알앤에스랩	센서팀	알앤에스랩	200,000원
683	2019-08-05 11시	16시	RTP 장비 사용 요쳥드립니다.	(주)예스파워테크닉스	제조그룹	박기훈	0원
684	2019-08-05 17시	22시	3장5장5장입니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
685	2019-08-06 15시	16시	나노선 열전소자 제작(Silicide Annealing)	주식회사 싸이츠	기업부설연구소	백창기	0원
686	2019-08-06 17시	18시	나노선 열전소자 제작(Silicide Annealing)	주식회사 싸이츠	기업부설연구소	백창기	0원
687	2019-08-06 17시	19시	600 C, 60s x 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	240,000원
688	2019-08-06 17시	18시	RTA	알앤에스랩	센서팀	알앤에스랩	150,000원
689	2019-08-06 20시	22시	5매 입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
690	2019-08-07 15시	17시	600C, 60s x 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
691	2019-08-08 14시	20시	진행하겠습니다 10장	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
692	2019-08-08 7시	12시	장비사용입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
693	2019-08-09 15시	19시	5매 RTP 진행하겟습니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
694	2019-08-12 19시	21시	5매 진행 입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
695	2019-08-13 10시	11시	1매 입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
696	2019-08-14 12시	17시	600C, 60s, x 6매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
697	2019-08-19 15시	17시	600C, 60s x 6매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
698	2019-08-20 14시	15시	4-6-7 pc m0 anneal (sin passivaition)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	275,000원
699	2019-08-20 9시	12시	600 C, 60 s, x 5매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	275,000원
700	2019-08-26 10시	13시	600 C, 60 s, x 6매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
701	2019-08-27 10시	15시	600 C, 60 s, x 6매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
702	2019-08-28 10시	13시	600 C, 60 s x 6매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
703	2019-09-03 19시	23시	10매 진행입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
704	2019-09-04 14시	18시	7매 진행 입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
705	2019-09-04 8시	12시	RTP 장비 사용 신청합니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
706	2019-09-05 11시	12시	2매 진행합니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
707	2019-09-05 14시	16시	600 C, 60 s, 1매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	137,500원
708	2019-09-10 14시	15시	400,500,600도에서 30초 진행 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	220,000원
709	2019-09-11 10시	11시	6-4-1 Ni silicide	경남대학교	전자공학과	김성진	100,000원
710	2019-09-16 11시	15시	600C, 60s , 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
711	2019-09-19 13시	16시	600 C, 60 s, 5매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	287,500원
712	2019-09-19 23시	24시	Silicidation 500 600 700 800 900도 60sec	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	260,000원
713	2019-09-23 13시	15시	600 C, 60 s, x 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
714	2019-09-25 9시	10시	전문인력양성사업-나노융합기술교육-확산	나노융합기술원	사업지원팀	박진우	400,000원
715	2019-09-26 13시	14시	600 C, 60 s, 4 매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
716	2019-09-30 13시	16시	600 C, 60 s, 6매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	310,000원
717	2019-09-30 16시	17시	2매 RTP진행 하겟습니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
718	2019-10-01 9시	12시	600 C, 60 s, x 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	0원
719	2019-10-02 11시	12시	600 C, 60 s, x 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
720	2019-10-07 13시	16시	975 C 90 s x 1회	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	142,500원
721	2019-10-10 15시	16시	RTP 장비 사용 요청합니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
722	2019-10-10 21시	22시	2매 진행합니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
723	2019-10-15 22시	23시	5매 진행입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
724	2019-10-15 9시	10시	RTP 850 도에서 30초 부탁드립니다. 3개의 조각샘플 중 하나만 공정 진행 부탁드립니다. 공정 끝난 후 연락부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	140,000원
725	2019-10-16 15시	17시	600 C, 60 s x 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
726	2019-10-17 14시	17시	600 C, 60 s x 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
727	2019-10-21 15시	17시	600 C, 60 s, 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
728	2019-10-23 16시	19시	700, 850, 1000 C , 90 s	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	227,500원
729	2019-10-23 9시	12시	1050 C , 1 min x 2회 600 C , 1 min 1 회	파워마스터반도체 주식회사	제품개발팀	김홍기	235,000원
730	2019-10-24 9시	13시	600 C, 60 s , 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
731	2019-10-28 15시	17시	600 C 60 s 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
732	2019-10-28 15시	16시	1매 진행합니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
733	2019-11-01 15시	17시	600C, 60s x 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
734	2019-11-04 15시	17시	550 , 90 s x 2매	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	185,000원
735	2019-11-05 15시	17시	600C, 60s x 3매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	212,500원
736	2019-11-06 15시	16시	SIC_gas senosr 6-4-1 Siliside	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	227,500원
737	2019-11-12 15시	18시	600 C 60s 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
738	2019-11-12 18시	20시	700 850 1000 c 6회	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	355,000원
739	2019-11-12 9시	12시	600C 60s x 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
740	2019-11-13 10시	13시	RTO 2매 RTP 1매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	212,500원
741	2019-11-15 17시	18시	1매 진행합니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
742	2019-11-18 19시	21시	Ti silicidation	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	132,000원
743	2019-11-19 13시	15시	450 C 1min	파워마스터반도체 주식회사	제품개발팀	김홍기	145,000원
744	2019-11-19 15시	16시	열전소자 시험분석_Silicide Anneal : 650도, 60초	주식회사 싸이츠	기업부설연구소	백창기	0원
745	2019-11-19 16시	17시	열전소자 시험분석_Silicide Anneal : 2nd Anneal	주식회사 싸이츠	기업부설연구소	백창기	0원
746	2019-11-20 9시	12시	600 C, 60s, 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
747	2019-11-25 13시	18시	700, 850, 1000 C 3회	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	227,500원
748	2019-11-25 9시	12시	600 C, 60 s, 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
749	2019-11-28 14시	18시	600 C, 60 s, 8매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
750	2019-11-29 15시	17시	600 C, 60s 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
751	2019-12-05 10시	18시	RTP 장비 사용 신청합니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
752	2019-12-05 15시	17시	7매 진행입니다	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
753	2019-12-05 17시	18시	1050 C, 1 min, 1매	파워마스터반도체 주식회사	제품개발팀	김홍기	145,000원
754	2019-12-06 14시	17시	975 C, 90 s, 3매	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	227,500원
755	2019-12-08 23시	24시	Ti silicidation Ni silicidation	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	228,000원
756	2019-12-11 13시	15시	600 C, 60 s, 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
757	2019-12-12 13시	15시	550 C RTP RTO 2매 650 C RTP RTO 2매	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	270,000원
758	2019-12-13 13시	15시	RTP, RTO 3매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	175,000원
759	2019-12-13 14시	16시	600 C, 60 s ,4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
760	2019-12-16 14시	16시	600 C, 60 s, 2매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	175,000원
761	2019-12-16 20시	21시	4매 진행 입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
762	2019-12-17 12시	13시	RTP 2매 진행합니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
763	2019-12-19 11시	16시	RTP 사용 요청합니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
764	2019-12-23 10시	14시	1100 C, 1min 2매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	175,000원
765	2019-12-23 14시	17시	700 C, 1매	알앤에스랩	센서팀	알앤에스랩	150,000원
766	2019-12-23 22시	1시	RTP 진행 합니다 (8매)	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
767	2019-12-24 10시	12시	850 C, 1 매	알앤에스랩	센서팀	알앤에스랩	150,000원
768	2019-12-24 15시	17시	RTP 사용신청 합니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
769	2019-12-24 8시	10시	4매 진행 입니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
770	2019-12-30 10시	11시	1050 C, 10 sec N2 x 1매	알앤에스랩	센서팀	알앤에스랩	150,000원
771	2020-01-02 14시	16시	850 C, 20 sec, 1매	알앤에스랩	센서팀	알앤에스랩	150,000원
772	2020-01-06 14시	17시	550 C, 750 C, 1000 C 90s	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	227,500원
773	2020-01-06 9시	11시	나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	0원
774	2020-01-14 14시	16시	800 C, 20 sec , N2	알앤에스랩	센서팀	알앤에스랩	150,000원
775	2020-01-16 14시	16시	450 C, 60 sec, 1 매	알앤에스랩	센서팀	알앤에스랩	150,000원
776	2020-02-10 16시	18시	6-4-1 MO anneal sil	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	175,000원
777	2020-02-14 9시	12시	나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원 사업	글로비	글로비	글로비	0원
778	2020-02-26 16시	18시	M33 VO oxide rtch최적화 6-4-1 M0 anneal RTP	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	240,000원
779	2020-02-27 17시	18시	6-4-1 M0 M0 Anneal RTP Ann	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
780	2020-03-02 15시	17시	600/650/900/950/1000/1050℃ split진행	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	640,000원
781	2020-03-05 9시	10시	2-6-1 Gate Activation RTP	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	300,000원
782	2020-03-10 16시	18시	TFT 01 4-4-1 metal RTP 600sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	300,000원
783	2020-03-11 13시	14시	M31-6-4-1 M0 anneal RTP	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	240,000원
784	2020-03-17 15시	16시	6-4-1 M0 RTP	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
785	2020-03-19 15시	17시	6-4-1 M0 RTP	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
786	2020-03-25 16시	18시	Ti-germanide Ni-germanide 온도 조건 : 500, 550, 600, 650, 700, 750, 800 (60 sec 어닐링)	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	338,000원
787	2020-03-27 14시	16시	Silicide 열처리	(주)예스파워테크닉스	연구소	박현	0원
788	2020-03-30 14시	16시	SiC Gas Sensor 3-1-4 RTO 900min O2	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	227,500원
789	2020-03-30 15시	16시	anneal 진행	알앤에스랩	센서팀	알앤에스랩	150,000원
790	2020-03-31 12시	13시	Anneal 진행	알앤에스랩	센서팀	알앤에스랩	150,000원
791	2020-03-31 15시	16시	anneal 진행	알앤에스랩	센서팀	알앤에스랩	150,000원
792	2020-04-01 11시	12시	시편 RTP 900℃ 30sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	140,000원
793	2020-04-01 16시	18시	SS121 6-4-1 600℃ 60sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
794	2020-04-01 9시	11시	SC61 SiC_Gas Sensor 4-4-1 RTP 950sec	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	227,500원
795	2020-04-02 9시	10시	TFT 02 TFT Full Process Si RTP 2-3-6 900℃ 30sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	180,000원
796	2020-04-03 11시	12시	anneal	(주)아이제스트	연구개발팀	김성지	142,500원
797	2020-04-03 15시	17시	600/900/950/1000℃ 각각 2min	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	280,000원
798	2020-04-06 13시	14시	TFT 02 3-6-1 RTP 600℃ 60sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	220,000원
799	2020-04-07 15시	16시	SS122 6-4-1 RTP 600℃ 60sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
800	2020-04-09 16시	17시	5-4-1 RTP 600sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	180,000원
801	2020-04-09 17시	18시	6-4-1 M0 RTP 600℃ 60sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
802	2020-04-13 15시	16시	2-3-1 RTP 900C 30sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	220,000원
803	2020-04-13 16시	17시	6-4-1 RTP 600C 60sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	362,500원
804	2020-04-17 17시	18시	4-3-5 Gate G_Metal Etch Activation	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	220,000원
805	2020-04-17 17시	18시	RTP 600℃ 60sec	포항공과대학교	물리분석팀	김성규	145,000원
806	2020-04-21 18시	19시	6-4-1 M0 Anneal RTP 600C 60sec x 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	240,000원
807	2020-04-24 18시	19시	6-4-1 RTP 600C 60sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
808	2020-04-24 19시	20시	3-2-5 RTO 900C 2min O2	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	185,000원
809	2020-04-24 9시	10시	6-4-1 RTP 600C 60sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	220,000원
810	2020-04-27 13시	14시	2-3-1 P+ Anneal RTP 900c 30sec x 3매	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	220,000원
811	2020-04-27 16시	17시	6-4-1 RTP 600C 60sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
812	2020-04-27 17시	18시	4-3-1 SILICI Ni Depo RTP Anneal 900C 90sec	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	185,000원
813	2020-04-28 18시	19시	ALD 진행 후, 각 시료 RTP 공정 요청 (N2 분위기, 900C, 15초 유지; 승온 구간 30초, 급속 냉각)	삼성종합기술원	Material 센터	최태진	280,000원
814	2020-05-07 10시	11시	4-3-5 RTP 600C 60sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	220,000원
815	2020-05-08 15시	16시	6-4-1 RTP 600C 60sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	212,500원
816	2020-05-08 17시	18시	6-4-1 RTP 600C 60sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
817	2020-05-11 15시	16시	6-4-1 M0 Anneal RTP 600c/60sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
818	2020-05-12 13시	14시	6-4-1 S/D Metal Etch Activation RTP x 3매	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	220,000원
819	2020-05-12 14시	16시	조각시료 Ni silicidation 950-60 1매 1000-30 1매 1000-60 1매 1050-60 1매	(주)예스파워테크니스	공정기술팀	이정훈	0원
820	2020-05-12 16시	18시	850도 N2(2slm) 2분	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	190,000원
821	2020-05-20 18시	19시	6-4-1 M0 Anneal RTP Ann 600C 60sec x 4매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
822	2020-05-21 17시	18시	6-4-1 M0 Anneal RTP 600c 60sec x 5매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	287,500원
823	2020-05-27 16시	17시	4-3-1 RTP 700C 90sec	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	185,000원
824	2020-05-27 17시	19시	6-4-1 RTP 600C 60sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
825	2020-05-28 17시	19시	6-4-1 RTP 600C 60sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
826	2020-06-01 15시	16시	2-3-1 Anneal RTP 900C 30sec x 3매	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	220,000원
827	2020-06-02 14시	15시	3-2-4 RTP 850C 30sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	220,000원
828	2020-06-05 15시	16시	4-3-5 Gate Metal Etch RTP 600c 60sec x 3매	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	220,000원
829	2020-06-09 11시	12시	2-3-1 P Anneal RTP 900C 30sec x 2매	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	180,000원
830	2020-06-10 15시	16시	6-4-1 S/D Metal Etch RTP 600c 1min x 3매	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	220,000원
831	2020-06-10 16시	17시	3-2-4 Active Passi RTP 850C 30sec x 2매	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	180,000원
832	2020-06-11 12시	13시	8-5-1 RTP	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	280,000원
833	2020-06-11 17시	18시	4-3-5 Gate Metal Etch Activation RTP 600C 1min x 2ea	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	180,000원
834	2020-06-16 13시	14시	RTP N2 Anneal	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	190,000원
835	2020-06-16 16시	17시	6-4-1 S/D Metal Etch RTP 600C 1min 2ea	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	180,000원
836	2020-06-24 17시	18시	2-3-1 P+ Anneal RTP 900C 30sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	220,000원
837	2020-06-29 13시	16시	SiC 열충격을 위한 TEST	(주)월덱스	연구소	손세익	600,000원
838	2020-06-29 17시	18시	6-4-1 M0 Anneal RTP 600c 90sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
839	2020-07-01 10시	10시	3-2-4 RTP 850℃ 30sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	180,000원
840	2020-07-03 17시	18시	6-4-1 M0 Anneal RTP 600c 90sec 6ea	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
841	2020-07-03 9시	10시	4-3-6 Gate Metal Etch Acitivation RTP 600c 60sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	180,000원
842	2020-07-07 17시	18시	6-4-1 S/D Metal Etch RTP 600c 60sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	180,000원
843	2020-07-09 13시	14시	2.0 P+ IMP RTP 900C 30sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	180,000원
844	2020-07-09 16시	17시	6-4-1 M0 Anneal RTP 600c 90sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
845	2020-07-10 16시	17시	3-2-5 Active Passi RTP 850C 30sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	180,000원
846	2020-07-12 18시	20시	Ti silicidation	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	372,000원
847	2020-07-14 10시	11시	6-4-1 M0 Anneal RTP 600c 90sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
848	2020-07-14 15시	16시	4-3-5 gate metal etch RTP 2ea	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	180,000원
849	2020-07-17 10시	14시	SiC 소재의 disk 형태의 열충격 시험	(주)월덱스	연구소	손세익	600,000원
850	2020-07-24 16시	17시	6-4-1 M0 Anneal RTP 600c 90Sec 4ea	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
851	2020-07-24 17시	18시	6-4-1 Activation RTP 600c 60sec 2ea	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	180,000원
852	2020-07-27 17시	18시	6-4-1 M0 anneal RTP 600c 90sec 4ea	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
853	2020-07-28 16시	17시	조각시편 12조각 1050C 60sec	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	145,000원
854	2020-07-30 15시	16시	6-4-1 M0 RTP 600c 90sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
855	2020-08-11 10시	11시	Anneal	에스앤에스텍	신기술팀	박철균	125,000원
856	2020-08-13 11시	12시	RTP 850C 2min, 5min 진행	나노융합기술원	프라운호퍼 실용화연구센터	김상조	190,000원
857	2020-08-13 15시	16시	RTP, N2 분위기 600도 1 분	포항공과대학교	전자전기공학과	곽현탁	145,000원
858	2020-08-20 14시	15시	850C 1min 2min 각각 1매 총 2회	나노융합기술원	프라운호퍼 실용화연구센터	김상조	190,000원
859	2020-08-20 15시	16시	800C 1min 2min 각각 1매 총 2회	나노융합기술원	프라운호퍼 실용화연구센터	김상조	190,000원
860	2020-08-20 15시	16시	950C 2min 조각	나노융합기술원	프라운호퍼 실용화연구센터	김상조	145,000원
861	2020-08-21 15시	15시	SS141 6-4-1 RTP 600℃ 90sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
862	2020-08-24 10시	11시	6-4-1 M0 Anneal RTP 600C 90sec 6ea	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
863	2020-08-27 15시	16시	TI germanidation : 450, 500, 550, 600도 온도 (60 sec 어닐링) 총 4회 진행	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	236,000원
864	2020-08-27 9시	10시	2-4-6 RTP 900℃ 30sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	220,000원
865	2020-08-28 15시	16시	3-2-5 Active Passi RTP 850C 30sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	220,000원
866	2020-09-11 10시	12시	3-4-1 RTP 975℃ 90sec	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	227,500원
867	2020-09-11 19시	20시	SS143_6-4-1 RTP 600℃ 90sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
868	2020-09-16 16시	17시	2-3-1 P+ Anneal RTP 900C 30sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	175,000원
869	2020-09-22 10시	11시	3-2-5 Active Passi RTP 850C 30sec 2ea	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	175,000원
870	2020-09-23 14시	15시	RTA 1050Å 2min 시편	나노융합기술원	프라운호퍼 실용화연구센터	김상조	145,000원
871	2020-10-07 18시	20시	6-4-1 M0 anneal	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
872	2020-10-12 9시	12시	6-3-3 Backside Ohmic Metal Annealing	(주)칩스케이	연구개발팀	임진홍	250,000원
873	2020-10-13 11시	12시	6-3-3 Backside Ohmic Metal Annealing	나노융합기술원	프라운호퍼 실용화연구센터	김상조	190,000원
874	2020-10-16 11시	12시	6-4-1 M0 anneal 600℃ 90sec N2	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	310,000원
875	2020-10-16 9시	12시	6-4-1 M0 Anneal 600℃, 90 sec N2	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	0원
876	2020-10-19 13시	15시	3-4-1 RTP Sil	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	185,000원
877	2020-10-22 16시	17시	Nickel silicidation (450도 60초, 700도 650초) => 500도 60초 1장	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	142,500원
878	2020-10-29 14시	15시	2-3-1 N2, 900C, 30sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	175,000원
879	2020-11-02 16시	18시	6-4-1 RTP anneal	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
880	2020-11-03 11시	12시	3-2-5 850C, 30sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	175,000원
881	2020-11-03 23시	24시	RTP for activation 600도 30초	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	140,000원
882	2020-11-04 14시	15시	Ti germanidation 450, 500, 550, 600도 각 조건 당 60 sec RTP	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	300,000원
883	2020-11-05 10시	11시	6-4-1 RTP 600C, 90sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
884	2020-11-05 9시	12시	450,500,550,600C 60sec진행	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	300,000원
885	2020-11-10 13시	14시	2-3-1 RTP	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	175,000원
886	2020-11-12 14시	15시	3-2-5 850C, 30sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	175,000원
887	2020-11-24 10시	11시	6-4-1 N2, 600C, 90sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
888	2020-12-02 14시	16시	RTP annealing	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	185,000원
889	2020-12-08 16시	17시	sample: Ge 2cm * 2cm 조각 샘플 RTP for silicide 조건 : 1. 450도 60초 2. 500도 60초 3. 550도 60초 4. 600도 60초	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	270,000원
890	2020-12-15 10시	11시	metal annealing RTP	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	185,000원
891	2020-12-15 11시	12시	RTP 1000C 10sec	포항공과대학교	물리분석팀	김성규	190,000원
892	2020-12-21 14시	14시	2-3-1 900C, 30sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	175,000원
893	2020-12-22 16시	16시	3-2-5 850C, 30sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	175,000원
894	2021-01-06 16시	17시	sample: Ge wafer 조각 (w/C, w/o C) 내용: RTP for silicide 1. 450도 60초 2. 500도 60초 3. 550도 60초 4. 600도 60초 총 4회 의뢰	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	270,000원
895	2021-01-07 10시	10시	6-4-3 RTP 600C, 90sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	137,500원
896	2021-01-08 11시	11시	N2 anneal 1050C, 1min	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	190,000원
897	2021-01-11 10시	10시	6-4-1 [WF01,02,03,04,06] 600℃, 90 sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	287,500원
898	2021-01-14 17시	17시	N2 anneal 1050C, 1min	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	145,000원
899	2021-01-18 18시	19시	6-4-1 RTP N2 anneal 600C, 90sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	287,500원
900	2021-01-20 15시	16시	Sample: Ge wf (2cm * 2cm) 공정내용: RTP for silicidation i) 450도 60초 ii) 500도 60초 iii) 550도 60초 iv) 600도 60초	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	270,000원
901	2021-01-25 14시	14시	2-3-1 Temp : 900C. Time : 30sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	175,000원
902	2021-01-27 15시	15시	3-2-5 850C, 30sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	175,000원
903	2021-01-28 9시	10시	2-3-1 900C, 30sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	175,000원
904	2021-01-29 15시	15시	600C, 60sec	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	142,500원
905	2021-01-29 16시	18시	3-2-5 RTP	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	175,000원
906	2021-02-04 15시	16시	샘플: Ge 2cm * 2cm 조각 공정: RTP for silicide 진행 450도 60초 500도 60초 550도 60초 600도 60초	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	270,000원
907	2021-02-04 9시	13시	대구가톨릭대학교 LINC사업단 반도체 공정 실습_확산	나노융합기술원	교육홍보팀	이현규	500,000원
908	2021-02-05 10시	16시	전문인력양성 실습교육_확산	나노융합기술원	교육홍보팀	이현규	1,100,000원
909	2021-02-09 16시	16시	6-4-1 600C, 90sec N2 annealing	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
910	2021-02-15 15시	16시	sample : bare Ge 2cm * 2cm 조각 공정내용: 후속공정 RTP for silicide 600도 60초	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	142,500원
911	2021-02-17 10시	17시	전문인력양성 나노소자공정 실습교육_확산	나노융합기술원	교육홍보팀	이현규	2,000,000원
912	2021-02-22 10시	10시	550C Slicide	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	142,500원
913	2021-02-26 16시	17시	RTP for Ti, Ni, Co silicide Temperature : 500, 600, 700, 800, 900 N2 60s	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이동훈	312,500원
914	2021-03-02 14시	15시	Ti silicidation 총 4회 (450도, 500도, 550도, 600도) N2 ambient, 60초 진행	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	260,000원
915	2021-03-16 16시	16시	6-4-1 N2 anneal 600C, 90sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	287,500원
916	2021-03-16 16시	16시	2-3-1 900C, 30sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	175,000원
917	2021-03-18 11시	12시	3-2-5 850C, 30sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	175,000원
918	2021-03-22 14시	15시	Ti silicidation 조건: 450도, 500도, 550도, 600도 각 1회씩 (60초, N2 ambient 어닐링)	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	260,000원
919	2021-03-31 9시	10시	2-3-1 900C, 30sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	175,000원
920	2021-04-05 11시	12시	6\\\\\\\" SiC / Pure Ni silicide	(주)예스파워테크니스	공정기술팀	이정훈	145,000원
921	2021-04-06 17시	18시	6-4-1 RTP 600C, 90sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
922	2021-04-08 9시	18시	\"8인치 적외선 MEMS Sensor 제작공정\" 계약	(주)유우일렉트로닉스	TIS생산사업부	김도현	1,100,000원
923	2021-04-09 15시	16시	TFT_18 2-3-1 RTP	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	175,000원
924	2021-04-22 10시	15시	U.E 공정계약	(주)유우일렉트로닉스	TIS생산사업부	김도현	1,000,000원
925	2021-04-28 13시	14시	RTP for silicide 의뢰 조건: 450도, 500도, 550도, 600도 60초 진행 (각 조건 샘플 2개씩입니다)	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	260,000원
926	2021-04-28 14시	15시	N2 분위기 5개 조각 (1~5번) 트레이에 표시 -(섞이지 않게끔 부탁드립니다. 감사합니다.) 트레이에 적힌대로 각각 450, 500, 550, 600도 60초 RTA 진행	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이동훈	260,000원
927	2021-05-11 15시	17시	N2 anneal 950C, 1min	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	140,000원
928	2021-05-12 10시	11시	N2 anneal 900C, 1min	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	140,000원
929	2021-05-12 9시	10시	N2 anneal 800C, 1min	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	140,000원
930	2021-05-17 16시	17시	6-4-1 600C, 90sec 6-4-1 W02 600C, 120sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	425,000원
931	2021-05-18 16시	17시	9-5-1 N2분위기 950C, 120sec	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	260,000원
932	2021-05-18 9시	17시	공정계약02	(주)유우일렉트로닉스	TIS생산사업부	김도현	2,300,000원
933	2021-05-28 15시	16시	N2 분위기 총 8개 조각 각 트레이에 4개씩 -(섞이지 않게끔 부탁드립니다. 감사합니다.) 트레이에 적힌대로 각각 450, 500, 550, 600도 60초 RTA 진행	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이동훈	300,000원
934	2021-05-31 16시	17시	6 inch SiC RTP test Ni-V silicide 1,000℃ 60초 진행	충남대학교	재료공학과	황규환	145,000원
935	2021-06-01 9시	10시	N2 분위기 4개 조각 (섞이지 않게끔 부탁드립니다. 감사합니다.) 트레이에 적힌대로 각각 450, 500, 550, 600도 60초 RTA 진행	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이동훈	260,000원
936	2021-06-02 11시	12시	RTP for silicide 2매 600도 60초	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	140,000원
937	2021-06-02 13시	15시	아래부터 레이어 정보 bare-Si/SiO2/poly-Si/SiO2/SiN/Al2O3/TiN 모두 서울대학교 반도체 공동연구소 CMOS Process를 이용하여 진행하였습니다. RTA 조건은 950℃, 10s 부탁드립니다. 인하대학교 김형진 교수님 계정으로 신청하였으나 연락은 서울대학교 황성민으로 드리겠습니다. (010-2668-2378) 지난주에 전화로 연락드리고 상의했었습니다. 감사합니다.	인하대학교	전자공학과	김형진	250,000원
938	2021-06-07 9시	11시	SiC 3매, Si 2매 총 5매 1000도, 60초	에스케이파워텍(주)	선행연구소	천상익	325,000원
939	2021-06-15 9시	18시	공정계약03	(주)유우일렉트로닉스	TIS생산사업부	김도현	2,300,000원
940	2021-06-16 13시	14시	si (2cm*2cm) 조각 총 5개 4개(Ti/TiN) - 450, 500, 550, 600 1개(Ni) - 800 N2분위기. 60초	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이동훈	300,000원
941	2021-06-17 13시	14시	Ni silicide	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이동훈	140,000원
942	2021-06-21 11시	14시	RTP 진행 Test	(주)예스파워테크닉스	연구소	박현	370,000원
943	2021-06-29 10시	12시	4ea - 1000도 60초	에스케이파워텍(주)	선행연구소	천상익	280,000원
944	2021-06-29 14시	15시	Ni Silicide 평가 (1000℃, sec)	(주)예스파워테크니스	공정기술팀	이정훈	145,000원
945	2021-07-13 16시	17시	6-4-1 600C, 90sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	287,500원
946	2021-07-16 17시	19시	6-4-1 M0RTP 600C 90sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
947	2021-07-19 10시	18시	공정계약04	(주)유우일렉트로닉스	TIS생산사업부	김도현	2,300,000원
948	2021-07-22 13시	14시	2-3-1 RTP anneal 900C, 30sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	212,500원
949	2021-07-26 10시	10시	3-2-5 850C,30sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	175,000원
950	2021-07-26 16시	17시	0-2-2 RTP 500C 3min	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	212,500원
951	2021-08-03 15시	16시	950C 120sec	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	140,000원
952	2021-08-11 16시	17시	6-4-1 M0 anneal 6ea	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
953	2021-08-12 14시	15시	2-3-1 900C 30sec 3EA	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	212,500원
954	2021-08-18 9시	10시	3-2-5 850C 30sec 3ea	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	212,500원
955	2021-08-24 13시	18시	6인치 SiC wafer Ni silicide 공정 진행 (11매 - 1000℃ 60초)	충남대학교	재료공학과	황규환	595,000원
956	2021-08-25 10시	18시	공정계약05	(주)유우일렉트로닉스	TIS생산사업부	김도현	2,300,000원
957	2021-08-27 10시	18시	대구카톨릭대학교 반도체 공정실습 교육	나노융합기술원	교육홍보팀	김동기	950,000원
958	2021-09-02 17시	18시	0-2-1 RTP 500C, 3min	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	212,500원
959	2021-09-08 18시	19시	SS161 6-4-1 RTP	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
960	2021-09-13 14시	15시	Ge 웨이퍼 조각 2매 RTP (600도, 1분 )의뢰. 나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원 사업 전자과 이동훈(010-6763-7749)	포항공과대학교	전자전기공학과	이정수	150,000원
961	2021-09-14 9시	18시	공정계약06	(주)유우일렉트로닉스	TIS생산사업부	김도현	2,300,000원
962	2021-09-29 1시	11시	HfZrO/TiN/SiO2/Si 기판 9개 시편 중 1,4,7 번 샘플은 400도, 2,5,8번 샘플은 500도, 3,6,9번 샘플은 600도에서 열처리 부탁합니다. 공정 가스는 N2 가스 1Torr 수준에서 진행하기 바라며 시간은 30초 입니다. 시편은 보관함에 있습니다.	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	황현준	235,000원
963	2021-09-29 11시	12시	Wafer Inform. PECVD Oxide 2um+LPCVD Poly-Si 1um(Phos. Doped) 공정 조건 RTP 1050도 10초 진행	싸니코전자(주)	개발팀	최주헌	250,000원
964	2021-10-06 10시	12시	1050C, 10sec 3ea	싸니코전자(주)	개발팀	최주헌	250,000원
965	2021-10-06 14시	15시	6인치 Ni-Silicide	(주)예스파워테크닉스	부설연구소	김기현	190,000원
966	2021-10-13 9시	18시	공정계약07	(주)유우일렉트로닉스	TIS생산사업부	김도현	2,300,000원
967	2021-10-14 17시	18시	6-4-1 600C, 90sec 6매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
968	2021-10-15 11시	11시	[나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업], 전자과 이동훈(010.6763.7749) TEMP 4 조건 Split	포항공과대학교	전자전기공학과	이정수	300,000원
969	2021-10-19 10시	18시	6 inch SiC wafer, RTP 공정 (Ni silcide, main process 1000℃ , 60초)	충남대학교	재료공학과	황규환	640,000원
970	2021-10-20 13시	14시	SiC 조각 950C, 1min	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	140,000원
971	2021-10-28 14시	16시	조각 시편 8매 700C~1100C Temp split. anneal 60sec	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	420,000원
972	2021-11-01 16시	17시	6 inch SiC wafer, Ni silicide for RTP, main process 1000℃ 60sec	충남대학교	재료공학과	황규환	190,000원
973	2021-11-02 11시	12시	N2 분위기 500도 1분 열처리 2개 N2 분위기 600도 1분 열처리 2개 시편은 표기하여 시편보관함에 두겠습니다.	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	황현준	190,000원
974	2021-11-02 15시	17시	6인치 SiC wafer , Ni silicide for RTP , main process 1000C 60sec	충남대학교	재료공학과	황규환	460,000원
975	2021-11-03 11시	16시	6인치 SiC wafer , Ni silicide for RTP , main process 1000C 60sec	충남대학교	재료공학과	황규환	640,000원
976	2021-11-04 10시	15시	6인치 SiC 웨이퍼, Ni silicide for RTP, main process 1000℃ 60sec	충남대학교	재료공학과	황규환	550,000원
977	2021-11-04 15시	16시	[나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업], 전자과 이동훈(010.6763.7749) 450-600℃ Temp split (4)	포항공과대학교	전자전기공학과	이정수	260,000원
978	2021-11-05 10시	15시	6인치 SiC wafer, Ni silicide for RTP, main process 1000℃ 60sec	충남대학교	재료공학과	황규환	415,000원
979	2021-11-08 14시	15시	6 inch SiC wafer, Ni silicide for RTP, main process 1000℃ 60sec	충남대학교	재료공학과	황규환	1,000,000원
980	2021-11-10 17시	18시	[나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업], 전자과 이동훈(010.6763.7749) 450-600℃ Temp split	포항공과대학교	전자전기공학과	이정수	260,000원
981	2021-11-11 9시	19시	공정계약08	(주)유우일렉트로닉스	TIS생산사업부	김도현	2,300,000원
982	2021-11-12 16시	17시	7-5-1 950C, 90sec anneal (*5min cool down)	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	260,000원
983	2021-11-18 9시	10시	EYEQ_03	(주)칩스케이	연구개발팀	임진홍	2,900,000원
984	2021-11-19 10시	11시	6inch SiC wafer, Ni silicide for RTP, 1000℃ 60sec	충남대학교	재료공학과	황규환	145,000원
985	2021-12-01 9시	16시	6inch SiC wafer, RTP for silicide, Main process : 1000℃ 60sec	충남대학교	재료공학과	황규환	865,000원
986	2021-12-16 9시	18시	공정계약09	(주)유우일렉트로닉스	TIS생산사업부	김도현	2,300,000원
987	2021-12-22 10시	17시	6인치 SiC 웨이퍼, Ni silicide for RTP, 1000℃ 60초, 웨이퍼 뒷면이 Jig에 접촉하게 로딩	충남대학교	재료공학과	황규환	460,000원
988	2021-12-29 9시	18시	나노융합기반고도화 사업_공정 테스트	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	1,010,000원
989	2022-01-10 9시	17시	나노융합 소자공정 및 측정분석 실습교육과정(4.0021910.01)	나노융합기술원	교육홍보팀	김동기	2,100,000원
990	2022-01-13 13시	14시	6인치 SiC 웨이퍼, Ni silicide for RTP, 1000℃ 60초	충남대학교	재료공학과	황규환	190,000원
991	2022-01-14 13시	14시	22/01/14 Ni Silicide Test	(주)예스파워테크니스	공정기술팀	이정훈	145,000원
992	2022-01-19 13시	14시	6inch SiC wafer, RTP for Ni Silicide, 1000℃ 60초	충남대학교	재료공학과	황규환	280,000원
993	2022-01-25 18시	19시	[21년도 나노소자 전문인력 양성 고급실습 교육] - 900℃ / 30 sec	나노융합기술원	사업지원팀	21년도 전문인력 5조	0원
994	2022-01-25 9시	18시	6인치 SiC 웨이퍼, Ni silicide for RTP, main process 1000℃ 60초 진행	충남대학교	재료공학과	황규환	595,000원
995	2022-01-27 10시	17시	6인치 SiC 웨이퍼, Ni silicide for RTP, main process 1000℃ 60초	충남대학교	재료공학과	황규환	505,000원
996	2022-01-27 13시	14시	2-3-1 RTP 900C, 30sec 1ea	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	137,500원
997	2022-02-09 9시	13시	전문인력양성사업 나노 소자공정 교육	나노융합기술원	교육홍보팀	김동기	1,000,000원
998	2022-02-14 10시	11시	6인치 SiC, Ni silicide for RTP, 1000℃ 60초	충남대학교	재료공학과	황규환	136,000원
999	2022-03-02 10시	11시	2-3-1 900C, 30sec	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	325,000원
1000	2022-03-07 10시	17시	6인치 SiC, Ni silicide for RTP, main process : 1000℃ 60초	충남대학교	재료공학과	황규환	775,000원
1001	2022-03-07 17시	18시	1000C, 30sec anneal	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	황현준	142,500원
1002	2022-03-16 10시	12시	6인치 SiC, Ni-V Silicide for RTP, main process 1000℃ 60초	충남대학교	재료공학과	황규환	1,450,000원
1003	2022-03-22 10시	18시	6인치 SiC Wafer Silicide 공정 진행, 1000도 60초 (V-Ni)	충남대학교	재료공학과	황규환	1,000,000원
1004	2022-04-14 13시	14시	1000C 3sec 3ea	서강대학교	전자공학과	이장우	250,000원
1005	2022-04-21 11시	11시	950C, 1min RTP	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	142,500원
1006	2022-05-19 9시	11시	RTA (1000도 10초, N2 분위기)	서강대학교	전자공학과	이장우	300,000원
1007	2022-05-23 9시	18시	Silicidation 공정 진행	(주)예스파워테크닉스	제조팀	윤혜란	730,000원
1008	2022-05-24 1시	12시	Silicidation 공정 진행	(주)예스파워테크닉스	제조팀	윤혜란	550,000원
1009	2022-06-15 10시	18시	Metal Silicide	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	2,000,000원
1010	2022-07-05 15시	15시	1000℃, 3sec anneal	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	황현준	145,000원
1011	2022-07-05 15시	17시	500C, 30sec 3회	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	황현준	435,000원
1012	2022-07-05 17시	19시	Temp split 420 / 450 / 480 / 500 30sec	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	황현준	580,000원
1013	2022-07-20 9시	16시	N2 anneal	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	2,100,000원
1014	2022-08-10 9시	16시	전문인력양성사업 MEMS 센서 제작 실습교육	나노융합기술원	교육홍보팀	김동기	2,100,000원
1015	2022-09-07 15시	17시	RTP (950℃, 1min, N2) 4매	포항공과대학교	NINT	신훈규	570,000원
1016	2022-09-14 14시	12시	N2 Anneal	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	1,600,000원
1017	2022-10-05 9시	12시	총 9매 Silicide 진행 Recipe 조건 :1,000도 / 60초 / wafer 앞면이 위로 로딩 되야함	(주)예스파워테크닉스	제조그룹	이유진	505,000원
1018	2022-10-06 13시	18시	RTP Silicide 진행 요청 드립니다 1,000℃ / 60sec 앞면이 위로 올라가게 Loading 부탁 드립니다	(주)예스파워테크닉스	제조그룹	이유진	1,045,000원
1019	2022-10-11 12시	18시	6inch 26매 RTP 진행 진행 조건 : 1000도에 60초 / wafer 앞면이 위로 로딩	(주)예스파워테크닉스	제조그룹	이유진	1,270,000원
1020	2022-10-20 9시	18시	1,000℃, 60sec 조건 9매 진행 요청 드립니다	(주)예스파워테크닉스	제조그룹	이유진	505,000원
1021	2022-10-25 15시	16시	Ti metal silicide 공정 - Temp : 775도 (10도/sec) - Time : 30sec - Gas : N2	주식회사 보다	연구개발	김형원	550,000원
1022	2022-10-27 10시	18시	6inch SiC 15매 RTP 의뢰 드립니다 1000C / 60sec	(주)예스파워테크닉스	제조그룹	이유진	775,000원
1023	2022-11-07 9시	18시	16매 1,000℃ 60sec Front면 Loading 조건 진행 의뢰 입니다	(주)예스파워테크닉스	제조그룹	이유진	820,000원
1024	2022-11-07 9시	12시	1000℃ 60sec 앞면이 위로 로딩후 진행 부탁드립니다.	(주)예스파워테크닉스	제조그룹	이유진	505,000원
1025	2022-11-10 9시	17시	전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육	나노융합기술원	교육홍보팀	김동기	1,500,000원
1026	2022-11-16 14시	16시	6inch Metal SiC 19매 의뢰 드립니다 1,000℃ / 60sec	(주)예스파워테크닉스	제조그룹	이유진	955,000원
1027	2022-11-21 14시	18시	1,000℃ 60sec Front면이 위로 Loading 부탁드립니다	(주)예스파워테크닉스	제조그룹	이유진	415,000원
1028	2022-11-22 10시	16시	1,000℃ 60sec Front면이 위로 Loading 부탁드립니다	(주)예스파워테크닉스	제조그룹	이유진	685,000원
1029	2022-11-23 9시	16시	1,000℃ 60sec Front면이 위로 Loading 부탁드립니다	(주)예스파워테크닉스	제조그룹	이유진	865,000원
1030	2022-12-01 9시	10시	아래의 조건으로 진행 부탁드립니다 1,000℃ 60sec Front면 Loading	(주)예스파워테크닉스	제조그룹	이유진	3,540,000원
1031	2022-12-05 9시	16시	RTP 1,000℃ 60sec Front면 Loading으로 진행 부탁드립니다	(주)예스파워테크닉스	제조그룹	이유진	2,775,000원
1032	2022-12-06 11시	12시	RTA	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김태균	300,000원
1033	2022-12-08 9시	18시	RTP 25매 진행 요청 드립니다.	(주)예스파워테크닉스	제조그룹	이유진	1,225,000원
1034	2022-12-12 9시	18시	SIC 6inch 25매 1,000℃ 60sec Front면 Loading 조건으로 부탁드립니다	(주)예스파워테크닉스	제조그룹	이유진	1,225,000원
1035	2022-12-19 9시	17시	1,000℃ / 60sec 진행 요청 드립니다	(주)예스파워테크닉스	제조그룹	이유진	2,450,000원
1036	2022-12-27 9시	11시	: 1,000℃ 60sec Front면 Loading 진행 부탁드립니다	(주)예스파워테크닉스	제조그룹	이유진	280,000원
1037	2022-12-28 9시	18시	RTP 30매 진행 요청 드립니다. 13매 진행 완료	(주)예스파워테크닉스	제조그룹	이유진	685,000원
1038	2022-12-29 15시	16시	Ni RTP 진행	(주)예스파워테크니스	공정기술팀	이정훈	190,000원
1039	2023-01-06 18시	19시	6-4-1 RTP 600ºC/90s	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
1040	2023-01-10 10시	11시	10-5-1 Silicide 950ºC/90s	포항공과대학교	선행기술팀	박범성	250,000원
1041	2023-01-17 13시	15시	Ni silicide 4매 진행	(주)예스파워테크니스	공정기술팀	이정훈	300,000원
1042	2023-01-23 10시	16시	전문인력양성사업 나노소자공정 & 측정 일자리연계 교육	나노융합기술원	교육홍보팀	김동기	2,700,000원
1043	2023-01-27 17시	18시	RTP(500℃, 2min)	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김태균	280,000원
1044	2023-02-01 10시	16시	전북대학교 반도체 소자제작 실습교육	나노융합기술원	교육홍보팀	김동기	2,400,000원
1045	2023-02-06 12시	13시	RTP	삼성디스플레이	SDC硏 LED LAB	원치훈	460,000원
1046	2023-02-07 15시	17시	2-1-2 RTP 650ºC/180sec	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	350,000원
1047	2023-02-07 16시	17시	3-1-2 SiC Ni Salicidation 평가 1050ºC/1min	포항공과대학교	선행기술팀	박범성	200,000원
1048	2023-02-14 16시	17시	조각 시편 1개 Anneal	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	145,000원
1049	2023-02-15 15시	17시	RTA	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	400,000원
1050	2023-02-16 11시	12시	2-1-2 RTP 600ºC/120s	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	350,000원
1051	2023-02-16 9시	10시	2-1-2 RTP 600ºC/120s	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	250,000원
1052	2023-02-21 15시	16시	10-5-1 Ni Silicide 1000ºC/60s	포항공과대학교	선행기술팀	박범성	200,000원
1053	2023-02-22 11시	12시	- Annealing 조건: N2 Gas, 1050℃, 30 Sec - 의뢰 장수 : 5장 (6inch Silicon Wafer)	한국생산기술연구원	첨단메카트로닉스연구그룹	노은식	350,000원
1054	2023-03-08 15시	17시	1-3-1 RTP 500ºC/2min (선행 1매 500ºC/2min 포함)	(주)엔디디	기업부설연구소	이승헌	0원
1055	2023-03-08 17시	18시	RTP(500℃, 2min)	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	440,000원
1056	2023-04-03 10시	13시	RTP(650℃, 2min, N2), RTP(750℃, 2min, N2), RTP(750℃, 2min, N2)	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	444,000원
1057	2023-04-03 10시	12시	Silicide Split Test	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	316,000원
1058	2023-04-04 15시	18시	RTP(650℃, 2min)	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	1,252,000원
1059	2023-04-05 15시	16시	RTP(650℃, 2min)	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	292,000원
1060	2023-04-10 13시	14시	RTP (500℃, 2min)	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	196,000원
1061	2023-04-12 15시	16시	RTP	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	2,660,000원
1062	2023-04-19 17시	18시	RTP(650℃, 2min)	삼성디스플레이	uLED Lab	이원호	720,000원
1063	2023-04-24 14시	16시	2-2-1 RTA 600ºC/2min	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	460,000원
1064	2023-04-24 17시	18시	RTP(650℃, 2min)	삼성디스플레이	uLED Lab	이원호	724,000원
1065	2023-04-25 16시	18시	RTP(Metalic 장비)-1050 Degree, 30 Sec, N2 Flow 한국생산기술연구원 최주헌 010-4030-0476	싸니코전자(주)	개발팀	최주헌	520,000원
1066	2023-05-04 15시	16시	1-2-1 RTA 600ºC/2min	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	520,000원
1067	2023-05-04 9시	11시	1-2-1 RTP 600ºC/2min	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	580,000원
1068	2023-05-15 15시	16시	RTA(650℃, 2min)	삼성디스플레이	-	여소영	580,000원
1069	2023-05-17 15시	16시	RTP(650℃, 2min)	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	580,000원
1070	2023-05-18 15시	16시	RTP 900ºC/15sec	삼성종합기술원	2D device TU	박배권	196,000원
1071	2023-05-25 13시	14시	1015ºC/10sec	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	강보현	148,000원
1072	2023-06-01 10시	11시	900ºC/15sec	삼성종합기술원	2D device TU	박배권	196,000원
1073	2023-06-01 16시	18시	2-2-4 980ºC/2min	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	406,000원
1074	2023-06-05 16시	18시	RTP	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김수철	1,156,000원
1075	2023-06-07 11시	12시	- Annealing 조건: N2 Gas, 1050℃, 30 Sec - 의뢰 장수 : 1장 (6inch Silicon Wafer)	한국생산기술연구원	첨단메카트로닉스연구그룹	노은식	160,000원
1076	2023-06-07 14시	15시	RTP	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김수철	388,000원
1077	2023-06-13 13시	14시	RTP	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	740,000원
1078	2023-06-19 16시	18시	rtp	삼성디스플레이	micro led lab	서동균	676,000원
1079	2023-06-19 9시	10시	4장 모두 ALD 후에 RTP 공정 (N2 분위기, 900C, 15초 유지; 승온 구간 25초, 급속 냉각 조건) 부탁드립니다. 혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다. 감사합니다.	삼성종합기술원	2D device TU	박배권	292,000원
1080	2023-06-28 12시	13시	RTP (Temp. Split, 2min)	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	740,000원
1081	2023-07-07 13시	14시	rtp	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	488,000원
1082	2023-07-10 12시	14시	전문인력양성교육 나노 소자공정&일자리연계 교육(7월)	나노융합기술원	교육홍보팀	김동기	1,300,000원
1083	2023-07-11 13시	14시	RTP	삼성디스플레이	-	여소영	196,000원
1084	2023-07-11 16시	17시	RTP	삼성디스플레이	-	여소영	532,000원
1085	2023-07-17 15시	16시	(7098) 4장 모두 ALD 후에 RTP 공정 (N2 분위기, 900C, 15초 유지; 승온 구간 25초, 급속 냉각 조건) 부탁드립니다. 혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다. 감사합니다.	삼성전자	2D materials	양은지	316,000원
1086	2023-07-17 16시	18시	rta	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	440,000원
1087	2023-07-18 10시	11시	(7100) 23-A0201478건에서 ALD 진행한 wafer 4장에 대해서 열처리 부탁드립니다. 4장 모두 ALD 후에 RTP 공정 (N2 분위기, 900C, 15초 유지; 승온 구간 25초, 급속 냉각 조건) 부탁드립니다. 혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다. 감사합니다.	삼성전자	2D materials	양은지	316,000원
1088	2023-07-18 9시	10시	(7072) 23-A0201592건에서 ALD 진행한 wafer 2장에 대해서 열처리 부탁드립니다. (W01, W03) 2장 모두 ALD 후에 RTP 공정 (N2 분위기, 900C, 15초 유지; 승온 구간 25초, 급속 냉각 조건) 부탁드립니다. 혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다. 감사합니다.	삼성전자	2D materials	양은지	208,000원
1089	2023-07-19 15시	18시	RTP	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김수철	772,000원
1090	2023-08-02 12시	13시	RTP	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	292,000원
1091	2023-08-02 14시	15시	rta	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	580,000원
1092	2023-08-07 15시	17시	RTA 2회	삼성디스플레이	Micro Display팀	김수정	296,000원
1093	2023-08-08 17시	18시	6-4-1 WF01(선행) 600ºC/90sec	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	148,000원
1094	2023-08-09 10시	12시	(2023년도 전문인력양성사업 하계) SiC 조각 wafer Ni silicide 650ºC/90sec -> 950ºC/60sec	한국항공대학교	신소재공학과	이찬혁	0원
1095	2023-08-09 14시	15시	(2023년도 전문인력양성사업 하계) SiC 조각 wafer Ni silicide 550ºC/180sec -> 1000ºC/60sec	한국항공대학교	신소재공학과	이찬혁	0원
1096	2023-08-09 16시	17시	Ni 1050ºC/2min	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	151,000원
1097	2023-08-09 9시	12시	RTA	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김수철	968,000원
1098	2023-08-10 15시	17시	6-4-1 600ºC/90sec	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	340,000원
1099	2023-08-10 17시	18시	RTP 600ºC/2min	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	280,000원
1100	2023-08-14 12시	13시	RTA	삼성디스플레이	Micro LED Lab. (Micro Display 팀)	정준석	580,000원
1101	2023-08-18 14시	16시	RTA	삼성디스플레이	Micro LED Lab	홍나미	776,000원
1102	2023-08-21 15시	15시	영진전문대학교 반도체공정 실습교육	나노융합기술원	교육홍보팀	이현규	2,250,000원
1103	2023-09-04 9시	12시	RTP	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	484,000원
1104	2023-09-05 16시	18시	1-2-1 RTP 600ºC/2min	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	280,000원
1105	2023-09-06 12시	18시	전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육	나노융합기술원	교육홍보팀	김동기	1,300,000원
1106	2023-09-08 13시	15시	RTP	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	732,000원
1107	2023-09-08 16시	18시	RTP	삼성디스플레이	-	여소영	340,000원
1108	2023-09-11 17시	18시	RTP	삼성디스플레이	uLED Lab	이원호	196,000원
1109	2023-09-11 18시	20시	RTP	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	648,000원
1110	2023-09-12 13시	14시	RTP	삼성디스플레이	Micro Display팀	김수정	592,000원
1111	2023-09-12 14시	18시	23-A0203354건에서 ALD 진행한 wafer 8장에 대해서 열처리 부탁드립니다. (M1GRAP7152 W1~W4, M1GRAP7153 W1~W4) 8장 모두 ALD 후에 RTP 공정 (N2 분위기, 900C, 15초 유지; 승온 구간 25초, 급속 냉각 조건) 부탁드립니다. 혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다. 감사합니다.	삼성전자	2D materials	양은지	532,000원
1112	2023-09-12 17시	18시	1-4-1 Ni 1st Sillicide	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	148,000원
1113	2023-09-13 13시	16시	RTP	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	1,088,000원
1114	2023-09-13 13시	14시	RTP	삼성디스플레이	uLED Lab	이원호	292,000원
1115	2023-09-13 16시	18시	RTP	삼성디스플레이	uLED Lab	이원호	356,000원
1116	2023-09-13 9시	12시	RTP	삼성디스플레이	-	여소영	580,000원
1117	2023-09-14 9시	12시	RTP	삼성디스플레이	Micro LED Lab. (Micro Display 팀)	정준석	740,000원
1118	2023-09-15 17시	19시	RTP	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	888,000원
1119	2023-09-18 11시	12시	1-6-1 RTP 2st 950ºC/60sec	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	148,000원
1120	2023-09-20 14시	17시	1-4-1 RTP 1st	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	588,000원
1121	2023-09-20 9시	12시	RTP	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	532,000원
1122	2023-09-22 13시	16시	RTP	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	1,184,000원
1123	2023-09-22 17시	19시	RTP	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	532,000원
1124	2023-09-26 9시	11시	RTP	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	820,000원
1125	2023-09-27 11시	12시	RTP	삼성디스플레이	Micro LED Lab	홍나미	580,000원
1126	2023-09-27 13시	14시	650ºC/2min N2 분위기	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	154,000원
1127	2023-09-27 9시	11시	RTP	삼성디스플레이	uLED Lab	이원호	244,000원
1128	2023-10-06 9시	11시	RTP	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김수철	580,000원
1129	2023-10-13 14시	17시	1) 조각1. 1-4-1 700ºC/60sec 2) 조각2. 1-4-4 750ºC/60sec 3) 조각1, 2 1-6-1 950ºC/60sec	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	612,000원
1130	2023-10-17 14시	15시	RTP	삼성디스플레이	uLED Lab	이원호	196,000원
1131	2023-10-18 14시	16시	RTP	삼성디스플레이	-	여소영	484,000원
1132	2023-10-20 15시	16시	RTP	삼성디스플레이	Micro Display	한상욱	340,000원
1133	2023-10-20 16시	18시	RTP	삼성디스플레이	-	여소영	436,000원
1134	2023-10-23 10시	12시	900ºC/60sec	삼성전자	DS	김태훈	0원
1135	2023-10-23 15시	16시	650ºC/90sec, 750ºC/90sec	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	308,000원
1136	2023-10-23 9시	10시	900ºC/60sec	포항공과대학교	선행기술팀	박범성	304,000원
1137	2023-10-24 10시	18시	RTP	삼성디스플레이	-	여소영	1,160,000원
1138	2023-10-24 9시	10시	550ºC/180sec	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	154,000원
1139	2023-10-25 16시	18시	RTP	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	820,000원
1140	2023-10-26 18시	20시	RTP	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	748,000원
1141	2023-10-31 15시	18시	1-2 RTP 700ºC/60sec, 750ºC/60sec, 800ºC/60sec	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	516,000원
1142	2023-11-01 18시	19시	10-4-1 1st RTP 650℃/90sec 10-4-2 2st RTP 950℃/60sec	포항공과대학교	선행기술팀	박범성	335,000원
1143	2023-11-01 19시	21시	10-4-1, 10-4-3 1st RTP 650℃/90sec, 2nd RTP 950℃/60sec 10-6-4, 10-6-10 1st RTP 750℃/60sec, 2nd RTP 950℃/60sec	삼성전자	DS	김태훈	0원
1144	2023-11-03 11시	14시	조각 시편 6ea (ITO Depo) + 조각 시편 6ea (Only RTA) 500ºC, 600ºC, 650ºC N2 2min	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	888,000원
1145	2023-11-03 9시	11시	RTA	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	388,000원
1146	2023-11-07 10시	13시	3-5-1 RTA 650℃/30sec	주식회사 에이프로세미콘	기술연구소	조영우	340,000원
1147	2023-11-07 9시	10시	8-3-1 RTA 650℃/30sec	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	208,000원
1148	2023-11-10 9시	11시	RTP	삼성디스플레이	Micro LED Lab	홍나미	340,000원
1149	2023-11-15 15시	16시	10-5-1 1st 650℃/90sec 10-5-2 2st 950℃/60sec	포항공과대학교	선행기술팀	박범성	362,000원
1150	2023-11-16 14시	15시	RTP	삼성디스플레이	-	여소영	340,000원
1151	2023-11-16 15시	17시	(Broken 조각 시편) RTA Split (575℃, N2, 30sec), (600℃, N2, 30sec), (700℃, N2, 30sec)	주식회사 에이프로세미콘	기술연구소	조영우	480,000원
1152	2023-11-16 9시	12시	RTP	삼성디스플레이	-	여소영	676,000원
1153	2023-11-17 14시	16시	RTP Split (500℃, 600℃, 650℃ / N2 / 2min)	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	444,000원
1154	2023-11-23 16시	18시	RTA	삼성디스플레이	-	여소영	388,000원
1155	2023-11-27 10시	12시	RTP	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	436,000원
1156	2023-11-30 10시	12시	(접수번호 23-A0208323에 대한 HfAlO ALD depo 후 진행 요청드립니다.) WF01, 03의 2장 ALD 후에 RTP 공정 (N2 분위기, 900C, 15초 유지; 승온 구간 25초, 급속 냉각 조건) 부탁드립니다. WF 번호는 플랫존 하단에 적혀있습니다. eg.) M1GRAP7381 W01, M1GRAP7381 W03 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다.	삼성종합기술원	2D device TU	박배권	196,000원
1157	2023-11-30 13시	15시	RTP	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	484,000원
1158	2023-11-30 15시	17시	RTP Split	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	444,000원
1159	2023-12-13 8시	19시	RTP	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	2,500,000원
1160	2023-12-14 9시	12시	RTP	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	580,000원
1161	2023-12-15 11시	12시	N2 분위기, 900C, 15초 유지; 승온 구간 25초, 급속 냉각 조건으로 부탁드립니다. 7431 W03에 대해 열처리 부탁드립니다. (플랫존에 번호적혀있습니다.) 혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다. 감사합니다.	삼성종합기술원	2D device TU	박배권	148,000원
1162	2024-01-03 11시	12시	RTP	삼성디스플레이	Micro LED Lab. (Micro Display 팀)	정준석	148,000원
1163	2024-01-04 13시	17시	RTP	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김수철	1,060,000원
1164	2024-01-10 13시	15시	SiC 웨이퍼 앞면에 Ti/Al 증착되어 있음. RTP 공정 (1000도 2분) 진행을 요청드림.	한국전자통신연구원	IT융합부품연구실	원종일	220,000원
1165	2024-01-11 11시	12시	N2 550℃/30sec	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	154,000원
1166	2024-01-12 13시	15시	어닐링은 N2분위기 650도 2분 진행해주세요.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	262,000원
1167	2024-01-16 13시	14시	RTP	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	196,000원
1168	2024-01-16 9시	12시	RTP	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	484,000원
1169	2024-01-18 13시	15시	RTP	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	1,508,000원
1170	2024-01-18 9시	12시	RTP	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김수철	872,000원
1171	2024-01-30 9시	10시	950℃/30sec	AP시스템(주)	디스플레이 장비사업본부	최동혁	160,000원
1172	2024-02-01 9시	12시	RTP	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	676,000원
1173	2024-02-08 9시	11시	RTP	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	580,000원
1174	2024-02-13 15시	17시	RTP	삼성디스플레이	-	여소영	244,000원
1175	2024-02-14 14시	15시	2장 모두 ALD(의뢰번호 24-A0211799)후에 RTP 공정 (N2 분위기, 900C, 15초 유지; 승온 구간 25초, 급속 냉각 조건) 부탁드립니다.	삼성종합기술원	종합기술원(SAIT)	류희제	208,000원
1176	2024-02-20 9시	11시	RTP	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	196,000원
1177	2024-02-22 10시	17시	RTP 650℃/2min	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	856,000원
1178	2024-02-23 13시	14시	RTP	삼성디스플레이	-	여소영	196,000원
1179	2024-02-23 9시	12시	RTP 650℃/2min	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	478,000원
1180	2024-03-07 13시	14시	RTP	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	388,000원
1181	2024-03-07 16시	17시	Sub.는 Mo로 패터닝 후 Hf-Ai-O로 ALD된 상태입니다. 3장 모두 ALD(의뢰번호 24-A0213396)후에 RTP 공정 (N2 분위기, 900C, 15초 유지; 승온 구간 25초, 급속 냉각 조건) 부탁드립니다.	삼성종합기술원	종합기술원(SAIT)	류희제	262,000원
1182	2024-03-07 9시	13시	RTP	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	964,000원
1183	2024-03-08 13시	14시	950℃/2min	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	148,000원
1184	2024-03-08 14시	15시	RTP	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	296,000원
1185	2024-03-12 14시	17시	RTA(950℃/2min, Ar)	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	484,000원
1186	2024-03-19 13시	15시	RTP	삼성디스플레이	-	여소영	610,000원
1187	2024-03-20 13시	16시	RTP	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	576,000원
1188	2024-03-21 9시	12시	RTP	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	824,000원
1189	2024-03-22 16시	17시	RTA 1000℃/5sec	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	강보현	292,000원
1190	2024-03-22 17시	18시	RTA 1000℃/5sec	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	강보현	292,000원
1191	2024-03-26 10시	11시	1-2-1 (WF01, 03, 06) RTA 600℃/2min	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	168,000원
1192	2024-03-26 11시	12시	1-2-1 (WF04, 07) RTA 600℃/2min	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	168,000원
1193	2024-03-26 9시	10시	1-2-1 (WF02, 05) RTA 600℃/2min	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	168,000원
1194	2024-04-01 14시	15시	RTA(650℃, 2min)	삼성디스플레이	-	여소영	236,000원
1195	2024-04-02 18시	19시	RTA (650℃, 60sec)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	164,000원
1196	2024-04-02 19시	20시	RTA (650℃, 120sec)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	164,000원
1197	2024-04-02 20시	21시	RTA (750℃, 60sec)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	164,000원
1198	2024-04-04 13시	14시	0-1-10 RTA(400℃, 2min)	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	202,000원
1199	2024-04-22 13시	15시	11-4-1 1st RTP(650℃, 90sec)	삼성전자	DS	김태훈	0원
1200	2024-04-22 15시	17시	11-4-5 2nd RTP(950℃, 60sec)	삼성전자	DS	김태훈	0원
1201	2024-04-22 19시	20시	8-3-1 RTP(650℃, 90sec)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	164,000원
1202	2024-04-25 10시	12시	RTP(600℃, 2min)	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	280,000원
1203	2024-04-29 20시	22시	RTA(600℃/2min)	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	280,000원
1204	2024-05-13 15시	16시	1-4-1 RTP(950℃/120sec)	포항공과대학교	반도체기술융합센터	김준	164,000원
1205	2024-05-17 15시	17시	RTP Split(950℃, 2min, N2)	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	164,000원
1206	2024-05-20 14시	16시	RTP Split (950℃, 2min, Ar)	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	164,000원
1207	2024-05-20 16시	17시	9-2-3 RTP(900℃/60sec)	삼성전자	DS	김태훈	0원
1208	2024-05-20 17시	19시	9-2-3 RTP(900℃/60sec)	삼성전자	DS	김태훈	0원
1209	2024-05-24 9시	12시	8-2-1 RTP(900℃, 60sec)	트리노테크놀로지	경영지원팀	트리노테크놀로지	0원
1210	2024-05-28 10시	13시	10-4-2 2nd RTP(950℃, 60sec)	삼성전자	DS	김태훈	0원
1211	2024-05-28 13시	15시	10-4-1 1st RTP(650℃, 90sec)	삼성전자	DS	김태훈	0원
1212	2024-05-28 15시	17시	10-4-2 2nd RTP(950℃, 60sec)	삼성전자	DS	김태훈	0원
1213	2024-05-28 8시	10시	10-4-1 1st RTP(650℃, 90sec)	삼성전자	DS	김태훈	0원
1214	2024-05-29 10시	12시	1-1-2 RTA(600℃, 120sec)	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	160,000원
1215	2024-06-03 15시	17시	3-5-1 RTP(700℃/120sec)	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	196,000원
1216	2024-06-03 17시	18시	1-4-1 RTP(950℃/2min)	포항공과대학교	반도체기술융합센터	김준	164,000원
1217	2024-06-10 10시	12시	10-5-2 2nd RTP(950℃/60sec)	트리노테크놀로지	경영지원팀	트리노테크놀로지	0원
1218	2024-06-10 13시	14시	RTP(850℃, 2min, Ar 분위기)	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	164,000원
1219	2024-06-10 14시	15시	RTP(900℃, 2min, Ar 분위기)	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	164,000원
1220	2024-06-10 15시	16시	RTP(950℃, 2min, Ar 분위기)	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	164,000원
1221	2024-06-10 8시	10시	10-5-1 1st RTP(650℃/90sec)	트리노테크놀로지	경영지원팀	트리노테크놀로지	0원
1222	2024-06-13 10시	12시	1000℃, 2min, Ar 분위기	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	164,000원
1223	2024-06-17 10시	12시	5-5-1 RTP(600℃, 3min)	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	196,000원
1224	2024-06-18 10시	17시	전문인력양성사업 소자공정실습	나노융합기술원	교육홍보팀	김동기	2,500,000원
1225	2024-06-28 10시	12시	1-4-1 RTP(950℃, 120sec, Ar)	포항공과대학교	반도체기술융합센터	김준	164,000원
1226	2024-07-02 13시	14시	1-2-1 1st RTP(750℃, 60sec)	삼성전자	Power device팀	박종원	180,000원
1227	2024-07-03 8시	10시	1-4-1 2nd RTP(950℃, 60sec)	삼성전자	Power device팀	박종원	180,000원
1228	2024-07-04 13시	15시	실리콘 웨이퍼 위에 oxide가 패터닝 되어있고, Ti가 100nm 증착되어 있습니다. Ti silicidation 형성을 위해 850도에서 35초 RTP 진행하고 싶습니다.	포항공과대학교	반도체공학과	서유라	130,000원
1229	2024-07-09 13시	14시	1-2-1 1st RTP(750℃, 60sec)	삼성전자	Power device팀	박종원	180,000원
1230	2024-07-09 14시	15시	1-4-1 2nd RTP(1000℃, 60sec)	삼성전자	Power device팀	박종원	180,000원
1231	2024-07-15 17시	18시	2-2-1 RTA(600℃, 120sec)	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	280,000원
1232	2024-07-18 16시	17시	2-2-1 RTA(600℃, 120sec)	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	280,000원
1233	2024-07-23 13시	15시	1-4-1 RTP(950℃, 120s, Ar)	포항공과대학교 대학원	반도체대학원	박휘승	164,000원
1234	2024-07-29 14시	22시	한국해양대학교 반도체공정 & 측정분석 연계 2차 교육	나노융합기술원	교육홍보팀	김동기	1,498,601원
1235	2024-08-05 16시	18시	11-4-1 1st RTP(650℃, 90sec)	삼성전자	DS	김태훈	0원
1236	2024-08-05 18시	20시	11-4-2 2nd RTP(950℃, 60sec)	삼성전자	DS	김태훈	0원
1237	2024-08-08 10시	12시	9-2-2 D-Poly RTP(950℃, 60sec)	삼성전자	DS	김태훈	0원
1238	2024-08-08 14시	15시	2-2-1 RTP(975℃, 90sec)	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	164,000원
1239	2024-08-08 8시	10시	9-2-2 D-Poly RTP(950℃, 60sec)	삼성전자	DS	김태훈	0원
1240	2024-08-13 20시	21시	접수번호 24-A0221774 HfAlOx ALD 공정후 WF#3 1매에 대해 RTA 진행할 예정입니다. (Sub. HfAlO 입니다.) N2 분위기, 900C, 15초 유지; 승온 구간 25초, 급속 냉각 조건으로 부탁드립니다. M1M3DI0098 W03에 대해 열처리 부탁드립니다. (플랫존에 번호적혀있습니다.) 혹시 궁금한점 있으시면 연락부탁드립니다. 감사합니다.	삼성종합기술원	2D device TU	박배권	154,000원
1241	2024-08-21 1시	1시	6-4-1 RTP(600℃, 90sec)	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	424,000원
1242	2024-08-21 15시	18시	11-4-1 1st RTP(750℃, 60sec)	삼성전자	DS	김태훈	0원
1243	2024-08-21 19시	21시	11-4-5 2nd RTP(950℃, 60sec)	삼성전자	DS	김태훈	0원
1244	2024-08-22 10시	12시	11-4-5 2nd RTP(950℃, 60sec)	삼성전자	DS	김태훈	0원
1245	2024-08-22 13시	14시	11-4-1 1st RTP(650℃, 90sec)	삼성전자	DS	김태훈	0원
1246	2024-08-22 14시	15시	11-4-2 2nd RTP(950℃, 60sec)	삼성전자	DS	김태훈	0원
1247	2024-08-22 8시	10시	11-4-1 1st RTP(750℃, 60sec)	삼성전자	DS	김태훈	0원
1248	2024-08-26 10시	11시	5-1-1 1st RTP (650℃, 60sec)	삼성전자	Power device팀	박종원	180,000원
1249	2024-08-26 11시	12시	5-1-2 2nd RTP(950℃, 60sec)	삼성전자	Power device팀	박종원	180,000원
1250	2024-08-26 21시	22시	6-4-1 RTP(600℃, 90sec)	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	424,000원
1251	2024-09-02 13시	15시	8-2-2 RTP(950℃, 60sec)	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	292,000원
1252	2024-09-06 13시	14시	9-2-3 RTP(720℃, 30s)	포항공과대학교	반도체공학과	이지원	0원
1253	2024-09-06 14시	15시	9-4-1 RTP(825℃, 20s)	포항공과대학교	반도체공학과	이지원	0원
1254	2024-09-10 14시	15시	2-3-3 RTP(980℃, 2min, Ar)	나노융합기술원	대외협력팀	박영재	516,000원
1255	2024-09-10 9시	10시	웨이퍼에 TiN, Mo, Al 그리고 SiO2, HZO 물질 있습니다. 오늘 오후에 문의 드렸었는데 온도 차이가 조금 날 수 있다고하여 원래 1분 열처리하려고 했는데 아래와 같이 바꾸려고 합니다. 질소 분위기에서 550도에서 1분 15초 RTA 부탁드립니다. 더 필요하신 정보 있으면 연락 부탁드립니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	최지웅	164,000원
1256	2024-09-12 10시	12시	2-2-1 RTP(975℃, 20sec)	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	164,000원
1257	2024-09-20 13시	16시	MOSFET형태의 3단자 소자가 올라간 Si웨이퍼입니다.(메탈 증착됨) 1050도에서 30초 질소분위기에서 RTA 의뢰입니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김준호	164,000원
1258	2024-09-24 10시	12시	2-2-1 2.2 RTP(975℃, 90sec)	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	164,000원
1259	2024-09-25 10시	11시	10-4-1 WF01 - 1st RTP(650℃, 90sec)	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	164,000원
1260	2024-09-25 11시	12시	10-4-1 WF01 - 2nd RTP(950℃, 60sec)	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	164,000원
1261	2024-09-25 13시	14시	10-4-1 WF02 - 1st RTP(750℃, 90sec)	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	164,000원
1262	2024-09-25 14시	15시	10-4-1 WF02 - 2nd RTP(1050℃, 60sec)	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	228,000원
1263	2024-09-26 14시	18시	이전에 요청한 것과 같은 샘플 2개 캐패시터 샘플 2개입니다. 모든 샘플의 metal은 TiN만 있습니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김준호	164,000원
1264	2024-10-14 13시	15시	2-2-1/2/3/4/5/6 1st RTP	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	984,000원
1265	2024-10-14 15시	17시	2-4-2 2nd RTP(1000℃, 60sec)	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	164,000원
1266	2024-10-16 15시	16시	4-1-4 RTP(950℃, 60sec)	현대모비스	전력반도체팀	강민기	180,000원
1267	2024-10-21 13시	15시	접수번호 24-A0225063 HfAlOx ALD 공정후 M1GRAP8045 WF#3, M1GRAP8046 WF#3 2매에 대해 RTA 진행할 예정입니다. (Sub. HfAlO 입니다.) N2 분위기, 900C, 15초 유지; 승온 구간 25초, 급속 냉각 조건으로 부탁드립니다. (M1GRAP8045 WF#3, M1GRAP8046 WF#3은 웨이퍼 플랫존에 번호적혀있습니다.) 혹시 궁금한거 있으시면 연락부탁드립니다.	삼성종합기술원	2D device TU	박배권	208,000원
1268	2024-10-22 13시	15시	접수번호 24-A0225396 HfAlOx ALD 공정 후 M1GRAP8052 WF#3, M1GRAP8052 WF#3 2매에 대해 RTA 진행할 예정입니다. (Sub. HfAlO 입니다.) N2 분위기, 900C, 15초 유지; 승온 구간 25초, 급속 냉각 조건으로 부탁드립니다. (M1GRAP8052 WF#3, M1GRAP8053 WF#3은 웨이퍼 플랫존에 번호적혀있습니다.) 혹시 궁금한거 있으시면 연락부탁드립니다.	삼성종합기술원	2D device TU	박배권	208,000원
1269	2024-10-23 16시	17시	이전 9월에 진행한 샘플과 동일한 샘플 구성입니다. 800도, 900도에서 각각 30초씩 열처리 해주시면 됩니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김준호	328,000원
1270	2024-10-28 14시	15시	1-2-2 BackSide, RTP(980℃, 120sec, Ar)	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	164,000원
1271	2024-10-30 15시	17시	접수번호 24-A0225687 HfAlOx ALD 공정 후 M1GRAP8064 W01 1매에 대해 RTA 진행할 예정입니다. (Sub. HfAlO 입니다.) N2 분위기, 900C, 15초 유지; 승온 구간 25초, 급속 냉각 조건으로 부탁드립니다. (웨이퍼 플랫존에 번호적혀있습니다.) 혹시 궁금한거 있으시면 연락부탁드립니다.	삼성종합기술원	2D device TU	박배권	154,000원
1272	2024-11-04 8시	12시	5-1-4 RTP(950℃, 60sec)	현대모비스	전력반도체팀	강민기	580,000원
1273	2024-11-07 13시	15시	2-1-4 RTP(950℃,60sec)	(주)모이모션	(주) 모이모션	최정례	0원
1274	2024-11-14 10시	12시	8-3-1 RTP(650℃, 30sec)	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	228,000원
1275	2024-11-18 13시	14시	9-4-3 1st RTP(800℃, 120sec)	현대모비스	전력반도체팀	강민기	1,300,000원
1276	2024-11-18 15시	16시	9-4-4 2nd RTP(1000℃, 60sec)	현대모비스	전력반도체팀	강민기	900,000원
1277	2024-11-19 17시	18시	[WBG 과제_SiC Silicide 평가] 1st RTP(600℃)	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	164,000원
1278	2024-11-26 19시	20시	[WBG 과제_SiC Silicide 평가] 1st RTP	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	164,000원
1279	2024-11-27 8시	10시	6-1-4 RTP(950℃, 60sec)	현대모비스	전력반도체팀	강민기	1,150,000원
1280	2024-12-11 9시	19시	[ICT 제품화 지원사업]	(주)하바랩	극자외선부	황재성	6,818,182원
1281	2024-12-18 20시	20시	[ICT 제품화 지원사업]	그래핀스퀘어주식회사	기획관리팀	권회창	2,205,682원

장비 사용일지 출력

RTP for Silicide 장비일지