기관소개
포스텍 나노융합기술원

기관 개요

소개이미지

POSTECH NINT FAB Ⅰ·Ⅱ·Ⅲ

소재 · 부품 · 장비 국가연구시설 기반 테스트베드

포스텍 나노융합기술원은 산업통상부 지정 포스텍 부설연구소로 설립되어, 반도체 소재 · 부품 · 장비 분야 국가연구시설(N-Facility)로 선정되었습니다. 이를 통해 나노 · 반도체 기술의 연구개발부터 사업화 지원까지 연계하는 테스트베드 기능을 수행하고 있습니다.

시설 현황

  • FAB.Ⅰ (본원)

    나노융합기술원 본원 (FAB Ⅰ)

    면    적 14,484 ㎡ (지상 1층 ~ 지상 6층)
    구    성 클린룸, R&D동, 사업화 지원 시설
    클 린 룸 2,372 ㎡ (Class 1 ~ Class 1000)
    준    공 2006년 7월
  • FAB.Ⅱ (첨단기술사업화센터)

    나노융합기술원 첨단기술사업화센터 (FAB Ⅱ)

    면    적 7,271㎡ (지하 1층 ~ 지상 4층)
    구    성 클린룸, R&D동, 사업화 지원 시설
    클 린 룸 952㎡ (Class 100)
    준    공 2020년 11월
  • FAB.Ⅲ (첨단제조혁신테스트베드센터)

    나노융합기술원 첨단제조혁신테스트베드센터 (FAB Ⅲ)

    면    적 11,863㎡ (지상 1층 ~ 지상 6층)
    구    성 클린룸, R&D동, 사업화 지원 시설
    클 린 룸 1,601㎡ (Class 1000)
    준    공 2026년 12월 예정
  • FAB.Ⅲ (첨단제조혁신테스트베드센터)

    전(全) 공정이 가능한 최첨단 팹 인프라

    (FAB Ⅰ) 클린룸 2,372 ㎡

    • R&D 라인

    (Class 1) E-BEAM LITHO Room
    (Class 10) PHOTO Room-1
    (Class 100) THIN/DIFF Room · KrF Scanner Room · PHOTO Room-2
    (Class 1000) MEMS Room · ETCH Room · SiC IMP Room · CSTC Room

    • 산업화 지원 라인

    (Class 100 ~ 1000) 산업화 지원 Room

    지원 웨이퍼 사양 6-8inch (Si, SiC 등)

주요 현황

  • 설 립 일 2004년 8월 1일

    설립 비용 1,129억원 (정부 425억원, 지자체 200억원, 민간 504억원)

    설립 목적 나노 · 반도체 기술 분야의 연구개발 및 사업화 지원을 위한 인프라 구축

    지원 내용 나노 인프라 활용, 연구개발, 기업 지원, 교육 지원

    보유 장비 총 136대 (반도체/MEMS 116대, 측정·분석 20대)

    • R&D 공정 장비 활용
      (반도체, MEMS)

      • 선행 공정 개발
      • 신소자 · 신물질 개발

    • 측정·분석 장비 활용

      • 시편 가공 (FIB)
      • 표면 구조 분석 (FE-SEM, AFM)
      • 원자 구조 분석 (TEM)
      • 회절 · 분광 분석 (APT, XRD, RAMAN)

    • 양산 장비 활용

      • 양산 공정 개발
      • 시험 생산
      • 성능 평가

비전

NINT 2.0 (2024~2030)

비전
고객 중심 나노융합기술의 미래가치 창출
목표
  • 차세대 전력반도체 ·
    나노소재
    기술 개발 선도

    01

  • 상용화를 위한
    핵심 공정 및 측정 · 분석
    공공인프라 확보

    02

  • 첨단기술 기업 지원을
    통한 기술사업화 ·
    상용화 실현

    03

  • 첨단전략산업 육성을 위한
    산·학·연
    연구개발 지원

    04

추진 전략
  1. 01선도 기술 개발
  2. 02인프라 확보
  3. 03서비스 고도화
  4. 04첨단 산업 지원
  5. 05지역 인재 양성
  6. 06국제 협력