기관 개요
소재 · 부품 · 장비 국가연구시설 기반 테스트베드
포스텍 나노융합기술원은 산업통상부 지정 포스텍 부설연구소로 설립되어, 반도체 소재 · 부품 · 장비 분야 국가연구시설(N-Facility)로 선정되었습니다. 이를 통해 나노 · 반도체 기술의 연구개발부터 사업화 지원까지 연계하는 테스트베드 기능을 수행하고 있습니다.
시설 현황
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나노융합기술원 본원 (FAB Ⅰ)
- 면 적 14,484 ㎡ (지상 1층 ~ 지상 6층)
- 구 성 클린룸, R&D동, 사업화 지원 시설
- 클 린 룸 2,372 ㎡ (Class 1 ~ Class 1000)
- 준 공 2006년 7월
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나노융합기술원 첨단기술사업화센터 (FAB Ⅱ)
- 면 적 7,271㎡ (지하 1층 ~ 지상 4층)
- 구 성 클린룸, R&D동, 사업화 지원 시설
- 클 린 룸 952㎡ (Class 100)
- 준 공 2020년 11월
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나노융합기술원 첨단제조혁신테스트베드센터 (FAB Ⅲ)
- 면 적 11,863㎡ (지상 1층 ~ 지상 6층)
- 구 성 클린룸, R&D동, 사업화 지원 시설
- 클 린 룸 1,601㎡ (Class 1000)
- 준 공 2026년 12월 예정
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전(全) 공정이 가능한 최첨단 팹 인프라
(FAB Ⅰ) 클린룸 2,372 ㎡
• R&D 라인
- (Class 1) E-BEAM LITHO Room
- (Class 10) PHOTO Room-1
- (Class 100) THIN/DIFF Room · KrF Scanner Room · PHOTO Room-2
- (Class 1000) MEMS Room · ETCH Room · SiC IMP Room · CSTC Room
• 산업화 지원 라인
- (Class 100 ~ 1000) 산업화 지원 Room
지원 웨이퍼 사양 6-8inch (Si, SiC 등)
주요 현황
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설 립 일 2004년 8월 1일
설립 비용 1,129억원 (정부 425억원, 지자체 200억원, 민간 504억원)
설립 목적 나노 · 반도체 기술 분야의 연구개발 및 사업화 지원을 위한 인프라 구축
지원 내용 나노 인프라 활용, 연구개발, 기업 지원, 교육 지원
보유 장비 총 136대 (반도체/MEMS 116대, 측정·분석 20대)
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R&D 공정 장비 활용
(반도체, MEMS)• 선행 공정 개발
• 신소자 · 신물질 개발
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측정·분석 장비 활용
• 시편 가공 (FIB)
• 표면 구조 분석 (FE-SEM, AFM)
• 원자 구조 분석 (TEM)
• 회절 · 분광 분석 (APT, XRD, RAMAN)
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양산 장비 활용
• 양산 공정 개발
• 시험 생산
• 성능 평가
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비전
NINT 2.0 (2024~2030)
비전
고객 중심 나노융합기술의 미래가치 창출
목표
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차세대 전력반도체 ·
나노소재
기술 개발 선도01
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상용화를 위한
핵심 공정 및 측정 · 분석
공공인프라 확보02
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첨단기술 기업 지원을
통한 기술사업화 ·
상용화 실현03
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첨단전략산업 육성을 위한
산·학·연
연구개발 지원04
추진 전략
- 01선도 기술 개발
- 02인프라 확보
- 03서비스 고도화
- 04첨단 산업 지원
- 05지역 인재 양성
- 06국제 협력