안녕하세요,
나노융합기술원 입니다.
시료(Cu/Ni/SiO2/Si wafer 조각) 표면에 carbon이 얼마나 존재하는지 확인하고 싶은데 가능한 장비가 있나요?
=> 표면분석은 FESEM의EDS 기능을 사용하여 분석이
가능합니다.
FIB의 EBSD로도 가능합니다.
또 위와 같은 시료 위에 산화막(SiO2나 Al2O3)를 증착하고 싶은데 가능한 장비가 있을까요?
(나노센터의 장비는 Cu가 포함되면 대부분의 공정이 불가능하다고 들었습니다.)
=> SiO2를 증착시키는 방법에는 LPCVD와 PECVD 가
있습니다.
Al2O3를 증착시키는 방법에는 ALD 장비가
있습니다.
반도체 장비는 아시는 것처럼 Cu, Pt, Au가 증착되어 있는 웨이퍼는
사용이 불가합니다.
단, Al2O3를 100도에서 증착시 OLED 장비의 ALD로 Al2O3
증착이 가능합니다.(6인치 이하)
장비 관련하여 더 자세한 사항은 아래로 문의하여 주시기 바랍니다.
- 기종 연구원 전화번호 054)279-0232
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↓ 원문 : 박슬기 님께서 2014-11-27 16:29에 작성하신 글입니다. ↓
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포스텍 전자공학과 대학원생 박슬기입니다.
시료(Cu/Ni/SiO2/Si wafer 조각) 표면에 carbon이 얼마나 존재하는지 확인하고 싶은데 가능한 장비가 있나요?
또 위와 같은 시료 위에 산화막(SiO2나 Al2O3)를 증착하고 싶은데 가능한 장비가 있을까요?
(나노센터의 장비는 Cu가 포함되면 대부분의 공정이 불가능하다고 들었습니다.)
답변 기다리겠습니다.