안녕하세요 나노융합기술원입니다.
Si 2um etch는 간단합니다.
Photo 공정으로 Etch
Mask를 PR을 사용하시면 DRIE 장비로도
가능하구요...
Etch Mask로 Oxide를
사용하시면 Dry Etcher_20nm 장비로도 가능합니다.
상세한 문의는 Etch 파트장인
김수곤선임(279-0227, sukoni)로 문의하시면 됩니다.
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↓ 원문 : 최동휘 님께서 2015-06-07 15:29에 작성하신 글입니다. ↓
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말 그대로 실리콘 웨이퍼를 에칭하고 싶습니다.
깊이 약 2 um 정도로 진행하고 싶으며,
사용하게 될 photolithography 용 마스크는 보유하고 있습니다.
minimum feature size는 약 2 um 이며,
간단히 설명드리자면, 지름 약 2 um 정도 되는 원형모양의 패턴이 약 2 um 간격을 두고 떨어져서 굉장히 많이 분포하고 있는
모양입니다.
가능한지, 가능하다면 어떤 분께 여쭤봐야 할 지 답변 부탁드립니다, 감사합니다.