안녕하세요,

저희가 현재 보유중인 SOI wafer가 Si/SiO2: 100nm/400nm인데요,

thinning 공정을 통해 top Si을 20nm/400nm, variation은 5%~10% 타겟으로 만들고 싶은데,

가능한지 문의 드립니다.

빠른 답변 부탁드립니다.

감사합니다.

연락처: shengzhi86@postech.ac.kr