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장비

8" wafer 상에 후속 공정 진행 관련

작성자임석재
등록일2019-07-16 17:10:19
조회수2533

안녕하세요, 신소재공학과 임석재 입니다.

 

국가 과제를 수행하면서 트랜지스터가 내재된 마그나칩 8" 웨이퍼 상에 반도체 소자를 제작하게 되었습니다.

웨이퍼 상에 ALD를 통해 oxide 증착 -> 필요 없는 영역의 oxide etch로 제거 -> 전극 증착의 과정을 진행 하고자 합니다.

이를 위해 아래와 같이 개략적인 공정 순서를 구상해 보았습니다.

 

 

공정순서 공정명
1 ALD (HfO2)
2 PR deposition
3 Lithography (w/ Mask #1)
4 Lift-off
5 oxide etch
6 PR deposition
7 Lithography (w/ Mask #2)
8 Lift-off
9 E-beam evaporator (Ag)
10 Lift-off

 

* Lithography를 위한 Cr 마스크 또한 NINT에서 진행하고자 합니다. 

** Cleaning 공정은 어느 step에 들어가는 게 맞는 건지 조언 또한 부탁드립니다.

 

위 1-10 번 공정을 진행함에 있어 

(1) 각 step이 끝날 때 마다 제가 웨이퍼를 수령한 후 다음 step으로 전달해 드려야 하는지

(2) 각 공정 담당자와 예약 time table을 전부 따로 잡아야 하는지

두 가지 사항이 궁금하여 문의 드립니다.

 

NINT 공정의 박막/금속 특성 확인을 위해 현재 조각 sample을 통해 실험을 진행하고 있으며, 이르면 8월 늦어도 11월 내 계획한 공정을 진행할 것 같습니다.

답변 부탁드립니다.

감사합니다.

임석재 드림.