안녕하세요, 신소재공학과 임석재 입니다.
국가 과제를 수행하면서 트랜지스터가 내재된 마그나칩 8" 웨이퍼 상에 반도체 소자를 제작하게 되었습니다.
웨이퍼 상에 ALD를 통해 oxide 증착 -> 필요 없는 영역의 oxide etch로 제거 -> 전극 증착의 과정을 진행 하고자 합니다.
이를 위해 아래와 같이 개략적인 공정 순서를 구상해 보았습니다.
| 공정순서 | 공정명 |
| 1 | ALD (HfO2) |
| 2 | PR deposition |
| 3 | Lithography (w/ Mask #1) |
| 4 | Lift-off |
| 5 | oxide etch |
| 6 | PR deposition |
| 7 | Lithography (w/ Mask #2) |
| 8 | Lift-off |
| 9 | E-beam evaporator (Ag) |
| 10 | Lift-off |
* Lithography를 위한 Cr 마스크 또한 NINT에서 진행하고자 합니다.
** Cleaning 공정은 어느 step에 들어가는 게 맞는 건지 조언 또한 부탁드립니다.
위 1-10 번 공정을 진행함에 있어
(1) 각 step이 끝날 때 마다 제가 웨이퍼를 수령한 후 다음 step으로 전달해 드려야 하는지
(2) 각 공정 담당자와 예약 time table을 전부 따로 잡아야 하는지
두 가지 사항이 궁금하여 문의 드립니다.
NINT 공정의 박막/금속 특성 확인을 위해 현재 조각 sample을 통해 실험을 진행하고 있으며, 이르면 8월 늦어도 11월 내 계획한 공정을 진행할 것 같습니다.
답변 부탁드립니다.
감사합니다.
임석재 드림.
- 이전글 슬라이드유리위에 나노공정
- 다음글 E-beam 공정 문의