나노융합기술원

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연관장비

High Current Implanter 고전류 이온주입장치

모델명	Vision 200
제조사	Varian
용도	고농도, 얕은 깊이의 불순물 주입



사용불가 장비	까지
사용불가 사유	장비 노후화로 인한 부품 수급中
시작일	시
종료일	시
	신청날짜를 선택하시기 바랍니다.(Please select an application date.)
기본료
수가
기준	원 회/매
예상 사용료: 400,000원 기준(회/매)

구분	High Current Implanter
Maker	Varian
Model	VIISion200
wafer	8inch
DOPANT(AMU)	As(75)	P(31)	B(11), BF2(49)
DOSE(min-max)	1E13~5E16	1E13~5E16	2E12~3E15
Energy Range(min-max)	30~120keV

장비사용료 안내

장비사용료	용도	이용료부과기준	이용수가(원)				비고
	용도	이용료부과기준	기본료	내부(포스텍 소속)	직접이용-외부	서비스	비고
	As, P, B 1E13~1E16 max 120keV	회/매	400,000	0	0	200,000	공정조건 협의 후 진행 Dose 5e15(As,P), 1e15(B) 기준

High Current Implanter(고전류 이온주입장치) 총 이용료: 400,000원 기준(회/매)