나노융합기술원

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연관장비

UHV-CVD 초고진공화학기상증착기

모델명	Eureka 2000
제조사	Jusung Eng.
용도	Si, Si-Ge Epi 형성



시작일	시
종료일	시
	신청날짜를 선택하시기 바랍니다.(Please select an application date.)
기본료
수가
기준	원 회/매
예상 사용료: 0원 기준(회/매)

장비사용료 안내

장비사용료	용도	이용료부과기준	이용수가(원)				비고
	용도	이용료부과기준	기본료	내부(포스텍 소속)	직접이용-외부	서비스	비고
	SiGe_Epi/SiGe_SEG	회/매	0	0	0	200,000	공정조건 협의 후 진행/Ge content ~50% / 두께 1000Å 기준
	Si_Epi/Si_SEG	회/매	0	0	0	200,000	공정조건 협의 후 진행/두께 500Å 기준
	Ge_Epi	회/매	0	0	0	250,000	공정조건 협의 후 진행/두께 1000Å 기준
	SiGeP(B)_Epi/ SiGeP(B)_SEG)	회/매	0	0	0	250,000	공정조건 협의 후 진행/Ge content ~50% / 두께 1000Å 기준

UHV-CVD(초고진공화학기상증착기) 총 이용료: 0원 기준(회/매)