나노융합기술원

Equipment

첨단 기술가치, 나노융합기술원의 장비를 통해 실현하세요

Technology

나노기술의 global leader, 나노융합기술원의 첨단기술을 안내해 드립니다.

Support

인프라 활용을 통해 사업화 및 맞춤형 교육을 지원합니다.

Information

나노융합기술원의 새로운 소식을 알려드립니다.

Introduction

새로운 가치로, 새로운 미래를 여는 나노기술. 나노융합기술원이 함께합니다.

Dry-Etcher_Ulvac ICP 식각 장치 - 2

모델명	NE-7800
제조사	ULVAC
용도	. Metal Dry Etching . Special Material Etching : SiC, Polyimide 등



시작일	시
종료일	시
	신청날짜를 선택하시기 바랍니다.(Please select an application date.)
기본료
수가
기준	원 회/매
예상 사용료: 100,000원 기준(회/매)

Dry-Etcher_Ulvac 가동중

ICP 식각 장치 - 2

모델명

NE-7800

제조사

용도

. Metal Dry Etching . Special Material Etching : SiC, Polyimide 등

시작일

시

종료일

시

기본료

수가

기준

원 회/매

예상 사용료: 100,000원 기준(회/매)

장비사용료 안내

용도	이용료부과기준	이용수가(원)				비고
용도	이용료부과기준	기본료	내부(포스텍 소속)	직접이용-외부	서비스	비고
Standard 시편(8inch/Flat Type) (Etching Time 5분, Etching Thick 1㎛ 기준)	회/매	100,000	30,000	50,000	60,000	1. 1um or 300초 초과 시 100,000원/기준 추가
Standard 외 시편 (Etching Time 5분, Etching Thick 1㎛ 기준)	회/매	100,000	35,000	60,000	70,000	1. 1um or 300초 초과 시 100,000원/기준 추가 2. 조각 샘플은 최대 5개까지 진행 가능

No	Items	Description
1	Standard Process	Metal Etch : Cl2/HBr Gas Base
		Nitride Etch : CF4 Gase Base
		Oxide Etch : CF4 Gas Base
		Special Etch : SiC, GaN, Polyimide Etc.
2	Plasma Source	ICP Plasma (Plasma Density : >5X10_12/cm3)
3	Pressure Control	5 mTorr ~ 100 mTor
4	Power	Source Power : 2000W(13.56MHz), Bias Power : 600W(13.56MHz)
5	Number of Gas	PM#2,3 (ICP)	Cl2, BCl3, CF4, SF6, Ar, O2
		PM#6 (Ashing)	O2, N2
6	Chuck Type	Elactrostatic Chuck
7	Process Temperature	Cathode 30℃(PM#2,3) / 200℃ (PM#6)
8	Wafer size	8inch (Flat Type)
9	Control	Fully Automated Control Function
		Semi-Auto Function for Wafer Transfer and Manual Process