1 features:  
ㆍ ZrO/W emitter provides the use of electron beam whose diameter is as fine as 2nm
    for long hours with high stability. 
ㆍ Capable of drawing lines of 8nm width 
ㆍ The use of 18bit DAC provides electron beam positioning with 0.3nm resolution.  
ㆍ The laser interferometer achieves 20nm stitching accuracy and 25nm overlay
    accuracy. 
ㆍ Electrostatic deflector is capable of providing max 2.4 mm x 2.4 mm drawing frame. 
 
2 Tool performances  
ㆍ Acceleration voltage of 25kV, 50kV, 80kV  
ㆍ High stability, long hour operation with electron beam whose diameter is as fine as
    1.8 nm 
ㆍ High stability, long hour operation with electron beam whose diameter is as fine as 2 nm 
ㆍ 18bit DAC provides electron beam positioning with 0.31nm resolution. 
ㆍ The laser interferometer achives 20 nm stitching accuracy and 25nm overlay
    accuracy.   
 
3 Hardware configurations:  
ㆍ Wafer size: piece to 200 mm 
ㆍ Reticle size: 4 inch to 200 mm sq. 
ㆍ Electron beam
    - Beam shape: Gaussian
    - Beam accelerating voltage: 25,50,75,100KeV
    - Beam current range: 1x10-­¹² ~2x10­-9A 
ㆍ Gun type: Thermal Field Emission (TFE) 
ㆍ Field size: 75 μmx75 μm ~ 600 μmx600 μm(25 ~ 100 KeV)
                  : 1200 μmx1200 μm (25 ~ 75 KeV)
                  : 2400 μmx2400 μm (25 KeV)  
ㆍ Beam current Density: 4000A/cm2 (max) 
ㆍ Minimum beam size: 28 nm (80KeV)
ㆍ Date format: (*.sch, *.con, *.ccc, *.cbc, *.cel) 

【 직접사용 라이선스 대상자 목록 (유효기간 만료 및 자격정지자 제외) 】