나노융합기술원

Equipment 공정기술 확산공정

DC&RF Sputtering system DC&RF 물리증착장비

모델명	주문제작
제조사	LAT
용도	Al, Ti, Cr, Ni, Ta, NIAl, Mo 증착

신 청

Furnace Activator_SiC 200 이온활성화 열처리장비_SiC 200

모델명	ACTIVATOR 200
제조사	Centrotherm
용도	1500℃ ~ 1850℃ 고온 열처리 (SiC 전용)

신 청

Furnace High Temp anneal_SiC 고온열처리로-II

모델명	PFS-6000-25
제조사	ULVAC, Inc.
용도	1250℃ ~ 1850℃ 고온열처리

신 청

Furnace Metal Anneal 열처리 장비

모델명	PMF-200
제조사	유진테크
용도	각종 Anneal 공정 진행(N2 분위기) Anneal Temperature 100℃~1000℃

신 청

Furnace Oxidation_LEAD 고온 습식/건식 산화로

모델명	VULCAN-V81RD
제조사	Lead Engineering
용도	Pyrogenic 방식의 Oxidation furnace로 고품질의 산화막 성장 가능하며, 1100℃의 고온으로 사용할 수 있다.(SiC Oxidation 가능)

신 청

Furnace_Dry Oxidation -Ⅲ 건식열산화막 반응로

모델명	ALPHA-805D
제조사	TEL
용도	Alloy용
사용불가 장비	2033-09-30까지
사용불가 사유	정전 이후 손상된 파트 수급 지연

신 청

Furnace_N+ Dopant Anneal N+ 불순물 열처리로

모델명	Alpha 808S
제조사	TEL
용도	고농도 N-type 불순물 열처리
사용불가 장비	2033-09-30까지
사용불가 사유	정전 이후 손상된 파트 수급 지연

신 청

Furnace_TEL - 1 습식열산화막 반응로-I

모델명	Alpha-808SD
제조사	TEL
용도	습식열산화막 성장

신 청

LPCVD Furnace 저압기상증착 퍼니스

모델명	VUCLAN-H83SL
제조사	(주)리드엔지니어링
용도	1) H2 Alloy 2) N2 anneal 3) D-poly depo

신 청

PECVD System P-5000 PECVD System P-5000

모델명
제조사	(주)티제이테크놀러지
용도	SiN, TEOS 박막증착 자동진행

신 청

PZT sputtering PZT 박막스퍼터링 시스템

모델명	-
제조사	엘에이티
용도	PZT 증착 자동진행

신 청

RTP for RTO 급속열산화막용 급속열처리기

모델명	AST2800
제조사	MATTSON
용도	RTO, 급속열처리, High-k 후처리

신 청

RTP for Silicide 실리사이드용 급속열처리기

모델명	AST2800
제조사	MATTSON
용도	Ti, Co, Ni Silicidation

신 청

SiC ion implantation 고온이온주입장치

모델명	ULVAC IH-860PSiC
제조사	ULVAC Japan
용도

신 청

Spectroscopic Ellipsometer 박막두께측정기

모델명	M-2000
제조사	J.A. Woollam
용도	박막의 두께, 굴절율, 표면 거칠기, Band Gap Energy 등 측정 및 분석

신 청

Sputter_ENDURA - 1 물리증착장치(스퍼터)- I

모델명	E5500
제조사	AMAT
용도	Ag, Ni, Ti, 증착 자동진행

신 청

Sputter_ENDURA - 2 물리증착장치(스퍼터)- II

모델명	E5500
제조사	AMAT
용도	Al, Ti, TiN 증착, 자동진행

신 청