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  • 나노종합기술원, 실리콘온절연체 RF CMOS 반도체 양산
    매그나칩 반도체에 기술이전
     

    나노종합기술원이 개발한 실리콘온절연체(SOI) RF 칩 웨이퍼와 SOI RF 모듈의 모습

    국내에서 처음으로 개발된 실리콘온절연체(SOI) 무선주파수(RF) CMOS 반도체 양산기술이 산업체에 이전됐다.
    
    나노기술 국가 연구지원기관인 나노종합기술원은 지난 2010년부터 개발에 착수한 0.18㎛ SOI RF CMOS 반도체 양산 기술을 개발, 반도체 위탁생산(파운드리) 기업인 매그나칩 반도체에 기술이전했다고 지난달 31일 밝혔다.
    
    이 기술은 실리콘 기판 위에 절연막(SiO2)를 형성하고 그 위에 실리콘층을 형성한 샌드위치 구조인 SOI에 기반해 개발된 것으로, 휴대폰의 FEM(Front End Module)에 들어가는 핵심 부품으로 활용된다.
    
    FEM은 휴대폰 내의 안테나와 RF칩을 연결해 송수신 신호를 분리하고 필터링 및 증폭 역할을 수행하는 모듈로, RF 스위치와 여파기, 전력증폭기, 제어 회로 등으로 구성돼 있다.
    
    이 기술은 미국 IBM와 이스라엘 타워재즈사가 보유하고 있으며, 최근 퀄컴사가 대만의 파운드리 업체인 TSMC와 공동으로 개발한 것으로 알려져 있다.
    
    종합기술원이 개발한 기술은 다른 업체의 공정 기술에 비해 공정수를 30% 이상 줄여 제조 단가 및 공정 시간을 획기적으로 단축시켰다. 또 기존 화합물 반도체 기반의 RF 스위치와 비교해 우수한 스위치 성능을 갖고 있으며 CMOS 제어 및 전원회로를 같이 집적할 수 있는 장점을 가져 FEM의 경박 단소화에 적합하다. 아울러 각 부품을 따로 만들어 모듈로 제작하던 것을 CMOS칩으로 집적화할 수 도 있다.
    

    

    
    이귀로 나노종합기술원장은 \"이번 기술이전은 국가 출연 연구지원기관이 대기업의 생산 시설에 적용할 수 있는 양산 제조 기술을 개발해 이전한 모범사례가 될 것\"이라며 \"SOI CMOS 플랫폼 기술을 기반으로 국내 산학연 연구자들에게 0.18㎛ RF CMOS MPC 서비스를 제공할 계획\"이라고 말했다.
    
    한편 나노종합기술원은 지난 2004년 5월 KAIST 부설 기관으로 설립된 나노기술 연구지원기관이다. 지난 1월 나노종합팹센터에서 나노종합기술원으로 기관 명칭을 바꿨다.
    
    대전=이준기기자 bongchu@
    
    

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