NINT 나노융합기술원

DC&RF Sputtering system 장비일지

기자재관리번호 : 0

No	장비이용내역			이용내역		사용자	장비이용료
No	시작일	종료일	세부내용	기관명	부서(학과명)	성명	확정금액
1	2022-01-20 10시	15시	LOT ID: KA16722D 목적: SE 공정 Ti 1500A 증착 총 8장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
2	2022-01-24 13시	14시	Nickel_250nm deposition	포항공과대학교	기계공학부	서정보	210,000원
3	2022-01-26 15시	17시	LOT ID: module 목적: VW 조건 test 총 4장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	288,000원
4	2022-01-27 10시	12시	LOT ID: LA16722D 목적: SL공정 Ti 500 증착 총 9장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
5	2022-01-27 14시	16시	LOT ID: KA16722D 목적: VW depo 총 3장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
6	2022-02-08 10시	12시	LOT ID: KA16722D 목적: VW 증착 총 5장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
7	2022-02-09 13시	14시	TOL 02 5-1-1 Ti 100A / Mo 1000A metal depo	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	172,500원
8	2022-02-10 1시	10시	안녕하세요 선생님 1) TiN 150 nm 증착 (sputter) 2) SiO2 60 nm 증착 (PECVD) 3) TiN 50 nm 증착 (sputter) 증착 의뢰 부탁드립니다! 제가 웨이퍼 통에 3) TiN 50 nm 증착으로 적어놨는데,, 40 nm 로 바꾸어서 증착 부탁드리겠습니다!	포항공과대학교	화학공학과	고명철	164,000원
9	2022-02-14 15시	18시	LOT ID: KA16722E 목적: SE공정 Ti 증착 총 9장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
10	2022-02-15 16시	15시	Ti 100 - TaO 100 Metal depo	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	7,200,000원
11	2022-02-17 16시	18시	LOT ID: KA16723A 목적: SL공정 Ti 증착 총 11장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
12	2022-02-21 9시	13시	TOL 02 6-1-2 Gate metal Ti100A / Mo3000A	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	627,000원
13	2022-02-23 10시	11시	LOT ID: module 목적: VW 조건 test 총 2장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	144,000원
14	2022-02-24 9시	12시	LOT ID: KA16722E 목적: VW 증착 총 9장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
15	2022-02-25 15시	18시	LOT ID: KA16723C 목적: SL 공정 Ti 증착 총 7장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
16	2022-02-28 10시	12시	LOT ID: KA16723C 목적: SL 공정 Ti 증착 총 6장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
17	2022-02-28 13시	15시	LOT ID: KA16723A 목적: SE공정 Ti 증착 총 4장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
18	2022-03-04 11시	15시	LOT ID: KA16723A 목적: SE공정 Ti 증착 총 7장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
19	2022-03-08 9시	11시	5-1-1 S/D Metal depo (Ti 100 - Mo 1000)	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	810,000원
20	2022-03-10 11시	16시	LOT ID: KA16723C 목적: SE공정 Ti 증착 총 13장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
21	2022-03-14 10시	12시	FE-SEM 측정에 따른 비용청구 (엔지니어 서비스 1hr 당 90,000원)	한국과학기술연구원	스핀융합연구단	김승환	180,000원
22	2022-03-15 13시	10시	TI 100 - TaO 100	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	2,560,000원
23	2022-03-15 9시	11시	LOT ID: KA16723A 목적: VW 증착 총 11장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
24	2022-03-16 10시	11시	Cr 1500A 증착	(주)싸이너스	연구개발	홍태권	90,000원
25	2022-03-21 16시	18시	S/D Metal Ti 100 - Mo 3000	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	1,425,000원
26	2022-03-22 13시	15시	FE-SEM 측정에 따른 비용청구 (엔지니어 서비스 1hr 당 90,000원)	한국과학기술연구원	스핀융합연구단	김승환	180,000원
27	2022-03-22 9시	12시	Sn sputtering 및 D/R측정	한국기계연구원	나노역학장비연구실	김현돈	435,000원
28	2022-03-23 10시	15시	LOT ID: KA16723C 목적: VW Depo 총 13장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
29	2022-03-25 10시	11시	FE-SEM 측정건	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김상조	360,000원
30	2022-04-01 9시	13시	LOT ID: Module 목적: 신규 Sputter VW 증착 조건 Test 총 8장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
31	2022-04-05 10시	18시	LOT ID: KA07079A, KA07079C 목적: SL공정 Ti 500a 증착 총 24장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
32	2022-04-11 9시	18시	2차 6inch w/f 1매+oxidation1매+sputtering 1매(추가 2회)+FESEM측정 1회= 425,000 35,000 100,000 80,000+120,000 90,000 3차 6inch w/f 1매+oxidation1매+sputtering 1매(Å추가)+FESEM측정 1회=1,025,000 35,000 100,000 80,000+720,000 90,000 4차 6inch w/f 1매+ oxidation1매+sputtering 1매(Å추가)+FESEM측정 1회=1,245,000	한국기계연구원	나노역학장비연구실	김현돈	2,695,000원
33	2022-04-12 1시	1시	실리콘 웨이퍼 위에 3um 두께의 박막 실리콘이 부착되어있는 상태입니다. Cr 1000A으로 증착 부탁드립니다. 혹시 추가요금이 발생하는 두께라면 추가요금 발생하지 않는 두께만큼만 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	이상엽	72,000원
34	2022-04-12 10시	18시	LOT ID: KA07079A(12ea), KA07079C(12ea) 목적: SE 공정 Ti Depo 총 24장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
35	2022-04-14 10시	14시	7차 6inch w/f 1매+ oxidation1매+sputtering 1매(Å추가)+FESEM측정 1회=1,025,000 35,000 100,000 80,000+720,000 90,000 8차 6inch w/f 1매+ oxidation1매+sputtering 1매(Å추가)+FESEM측정 1회=1,025,000 35,000 100,000 80,000+720,000 90,000	한국기계연구원	나노역학장비연구실	김현돈	2,050,000원
36	2022-04-18 10시	15시	LOT ID: KA19735A 목적: SL공정 Ti Depo 총 12장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
37	2022-04-18 15시	19시	1-2-2 Sn 1um depo (1매진행)	한국기계연구원	나노역학장비연구실	김현돈	1,220,000원
38	2022-04-19 10시	11시	Cr 1500A 증착	(주)싸이너스	연구개발	홍태권	90,000원
39	2022-04-20 10시	14시	LOT ID: KA07079A 목적: VW 증착 총 12장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
40	2022-04-20 14시	15시	목적: VW Rs 측정 Test [연구기반 활용플러스사업](바우처)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
41	2022-04-25 13시	16시	LOT ID: KA07079C 목적: VW증착 총 12장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
42	2022-04-25 16시	17시	목적: VW Rs 측정 [연구기반 활용플러스사업](바우처)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
43	2022-04-27 17시	19시	LOT ID: KA19735C 목적: SL공정 Ti 증착 총 12장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
44	2022-04-28 1시	12시	Ti/TaO, 10/10 nm 증착	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	0원
45	2022-05-02 13시	18시	LOT ID: KA19735A 목적: SE 공정 Ti 증착 총 12장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
46	2022-05-03 9시	14시	LOT ID: KA19735C 목적: SE공정 Ti 증착 총 12장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
47	2022-05-04 9시	18시	Sputtering (150℃, Y2O3 개인재료)	한국과학기술원	전기및전자공학부	임진하	1,000,000원
48	2022-05-11 11시	14시	Ti/ TaO, 10/ 10 nm 증착	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	0원
49	2022-05-18 9시	14시	LOT ID: KA19734A 목적: SL공정 Ti 증착 총 12장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
50	2022-05-24 14시	15시	metallic TiN 50 nm (황현준 연구교수 사용 receipe 사용 요청)	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김승모	136,000원
51	2022-05-25 15시	18시	LOT ID: KA19735C 목적: VW 증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
52	2022-05-26 10시	14시	LOT ID: KA19735A 목적: VW 증착 총 11장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
53	2022-05-30 10시	12시	Ti 100A TiN 500A Al 7000A TiN 500A 증착 요청드립니다. 하부부터 Ti/Pt/Te/Bi/Ox/Nitride/Ox/Te/Sb/Ox/Nitride/Ox 증착되어 있습니다. 최상단에는 증착 후, Lift off 공정을 위해 PR이 덮혀있습니다. 감사합니다.	템퍼스	생산기술팀	서영민	520,000원
54	2022-06-02 10시	11시	LOT ID: module 목적: VW Rs 측정용 VW 증착 [연구기반 활용플러스사업](바우처)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
55	2022-06-02 16시	18시	LOT ID: KA19734C 목적: SL공정 Ti 증착 총 11장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
56	2022-06-03 9시	12시	LOT ID: KA19734A 목적: SE공정 Ti 증착 총 12장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
57	2022-06-07 9시	14시	SiO2 depo 1000A	LG전자	소재기술센터	정진혁	170,000원
58	2022-06-08 10시	12시	Ti 100A TiN 500A Al 8000A TiN 100A 증착 요청드립니다. 하부부터 Ti/Pt/Te/Bi/Ox/Nitride/Ox/Te/Sb/Ox/Nitride/Ox 증착되어 있습니다. 최상단에는 증착 후, Lift off 공정을 위해 PR이 덮혀있습니다. 감사합니다.	템퍼스	생산기술팀	서영민	1,080,000원
59	2022-06-13 1시	12시	Ti/ TaO, 10/ 10 nm 고도화사업비로 진행 부탁드립니다.	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	1,600,000원
60	2022-06-14 15시	17시	LOT ID: KA19734C 목적: SE공정 Ti 증착 총 11장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
61	2022-06-16 10시	11시	2-5-2 Ti - Al (50-1000) front metal depo 조각 4개	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	128,000원
62	2022-06-16 15시	18시	LOT ID: KA20924A 목적: SL공정 Ti 증착 총 12장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
63	2022-06-17 1시	12시	안녕하세요 선생님 RT에서 TiN 100 nm sputter 부탁 드립니다. 샘플은 약 2cm*2cm 조각 샘플로 총 5장입니다. 최대한 센터 쪽에 붙여서 공정 진행 부탁 드립니다. 이 공정 이후 바로 80 nm TiN etching을 하려고 합니다. (Dry Etcher_ICP - II) 담당 선생님께 전달드리면 될 것 같습니다. 감사드립니다. 고명철 드림	포항공과대학교	화학공학과	고명철	82,000원
64	2022-06-20 12시	13시	LOT ID: Module 목적: VW 증착 총 1장 (나노융합기반 고도화사업)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	80,000원
65	2022-06-20 13시	15시	LOT ID: KA19734A 목적: VW증착 총 12장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
66	2022-06-21 13시	14시	700um두께의 실리콘에 15um 두께의 박막 실리콘이 부착되어 있습니다. Cr 50nm 도포 진행 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	이상엽	72,000원
67	2022-06-22 10시	18시	1. target 두께: 300 A / 기판: Ge / 갯수: 2개 / 크기 1.5 cm x 1.5 cm (조각) - 실험조건: RF: 300W / Ar 30 sccm / Pressure: 3 mTorr / Temp.: RT 2. target 두께: 3,000 A / 기판: 양면 polishing Sapphire / 갯수: 1개 / 크기 2 inch - 실험조건: RF: 300W / Ar 30 sccm / Pressure: 3 mTorr / Temp.: 150 deg 3. target 두께: 15,000 A / 기판: Si / 갯수: 1개 / 크기: 8 inch (※전처리 DHF WET) - 실험조건: RF: 300W / Ar 30 sccm / Pressure: 3 mTorr / Temp.: 150 deg	한국과학기술원	전기및전자공학부	임진하	9,080,000원
68	2022-06-24 1시	12시	Ti/TaO, 10nm/ 10nm 고도화사업 비용으로 처리	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	1,600,000원
69	2022-06-24 13시	14시	LOT ID: Module 목적: Ti 증착 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	160,000원
70	2022-06-28 11시	12시	LOT ID: Module 목적: VW 증착 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	80,000원
71	2022-06-28 12시	13시	LOT ID: Module 목적: VW 증착 총 1장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	80,000원
72	2022-06-28 14시	16시	LOT ID: KA20924A 목적: SE공정 Ti 증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
73	2022-06-28 9시	11시	LOT ID: KA19734C 목적: VW 증착 총 11장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
74	2022-06-29 1시	14시	Ti/ TaO, 10/ 10nm 증착 비용처리는 NINT 이상민 연구원님과 상의해보도록 하겠습니다.	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	1,600,000원
75	2022-07-01 14시	18시	LOT ID: KA20924C 목적: SL공정 Ti 증착 총 13장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
76	2022-07-04 1시	10시	안녕하세요 선생님 Si 기판위에 Polymer pattern이 있습니다. TiN 100 nm를 증착하고 싶습니다. RT 에서 공정 진행 부탁드립니다. 샘플은 오늘 저녁시간대에 보관함에 두겠습니다. 감사드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	82,000원
77	2022-07-04 13시	14시	SiO2 1000A deposition	LG전자	소재기술센터	정진혁	205,000원
78	2022-07-04 15시	18시	LOT ID: KA20925A 목적: SL공정 Ti 증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
79	2022-07-05 15시	16시	LOT ID: KA20924A 목적: VW증착 총 6장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
80	2022-07-05 15시	16시	Ni 100A depo	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	황현준	180,000원
81	2022-07-05 16시	17시	LOT ID: Module 총 3장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	240,000원
82	2022-07-06 14시	15시	LOT ID: KA20924A 목적: VW증착 총 5장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
83	2022-07-07 13시	16시	Ti -TaO 100A/100A	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	1,280,000원
84	2022-07-07 9시	12시	Ti -TaO 100A/100A	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	1,280,000원
85	2022-07-08 14시	16시	안녕하세요 선생님 TiN 100 nm RT에서 증착 공정 부탁드립니다. 최대한 센터에 붙여주시면 감사드리겠습니다. 감사드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	82,000원
86	2022-07-08 9시	14시	LOT ID: KA20924C 목적: SE공정 Ti 증착 총 13장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
87	2022-07-11 9시	18시	Ti - TaO 100A 씩 50매	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	6,400,000원
88	2022-07-12 17시	18시	SiO2 600A 1매	LG전자	소재기술센터	정진혁	110,000원
89	2022-07-13 10시	15시	LOT ID: KA20925A 목적: SE공정 Ti 증착 총 12장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
90	2022-07-13 9시	10시	TiN 100nm RT에서 증착 부탁 드립니다! 샘플은 보관함에 두었습니다 감사드립니다!	포항공과대학교	화학공학과	고명철	82,000원
91	2022-07-14 10시	15시	LOT ID: KA20924C 목적: VW증착 총 13장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
92	2022-07-14 16시	18시	LOT ID: KA20925C 목적: SL공정 Ti 증착 총 12장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
93	2022-07-14 9시	10시	LOT ID: Module 목적: Rs 측정용 VW 증착 총 1장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	80,000원
94	2022-07-18 9시	10시	안녕하세요 RT에서 TiN 100 nm 6장 증착부탁드립니다. 공정 후 김병욱 선생님께 전달 부탁드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	82,000원
95	2022-07-18 9시	15시	metal depo	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	3,000,000원
96	2022-07-19 11시	12시	Lot ID: Module 목적: Ti Dep rate 측정 총 1장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	80,000원
97	2022-07-19 13시	14시	TiN 100 nm 증착 부탁드립니다. 샘플은 오늘 점심시간에 전달 완료 했습니다. RT에서 부탁드립니다. 감사드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	82,000원
98	2022-07-20 11시	12시	LOT ID: Module 목적: Ti 증착 총 2장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	170,000원
99	2022-07-20 16시	18시	ITO 500Å depo	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김태균	264,000원
100	2022-07-21 11시	12시	LOT ID: KA20925A 목적: VW 증착 총 11장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
101	2022-07-21 12시	13시	LOT ID: Module 목적: VW증착 총 3장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	240,000원
102	2022-07-21 12시	13시	Ti 100nm depo	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김태균	222,000원
103	2022-07-21 15시	16시	LOT ID: Module 목적: Ti 증착 총 1장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	80,000원
104	2022-07-22 9시	12시	선생님 안녕하십니까 요새 도움 많이 받고 있습니다. 정말 감사드립니다. 저번에 100 nm를 몇 번 증착했는데, 조금 더 두껍게 증착을 하고자 합니다. RT에서 TiN 200 nm 증착을 원합니다. 1) 5장, 2) 5장 이렇게 총 10장을 한번에 RT에서 증착해주시면 됩니다. 후에 1) 샘플들은 김병욱 선생님께 전달 부탁드리고, 2) 샘플들은 제가 수령하고자 합니다. 다시 한번 감사드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	172,000원
105	2022-07-26 11시	12시	1) TiN 100 nm 증착 (RT에서) 2) SiO2 60 nm 증착 (PECVD) 부탁드립니다! 감사드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	82,000원
106	2022-07-26 9시	11시	Ti 100A / TiN 500A / Al 8000A / TiN 100A 증착 부탁드립니다. 감사합니다.	템퍼스	생산기술팀	서영민	1,080,000원
107	2022-07-27 1시	18시	Ti/TaO, 10nm/10nm 증착 요청드립니다. (총20매) 비용처리는 KISTI 산학연 연계 벤처 사업화 지원사업 비용으로 진행하도록 하겠습니다.	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	3,200,000원
108	2022-07-27 12시	13시	1.1 ITO Depo.	삼성디스플레이	LED Lab	송영진	1,526,000원
109	2022-07-28 9시	11시	3.1 Metal Depo.	삼성디스플레이	LED Lab	송영진	640,000원
110	2022-08-01 10시	11시	안녕하세요 TiN 16장 150 nm RT에서 공정 부탁드립니다. 최대한 센터쪽에 둬주시면 감사드리겠습니다. 샘플 순서는 안중요할거 같습니다! 점심시간 전에 공정의뢰함에 두겠습니다. 항상 감사드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	192,000원
111	2022-08-01 11시	12시	Ti 100A TiN 500A Al 8000A 공정 진행부탁드립니다. 감사합니다.	템퍼스	생산기술팀	서영민	460,000원
112	2022-08-01 13시	14시	LOT ID: Module 목적: Ti 증착 총 2장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	220,000원
113	2022-08-01 14시	18시	LOT ID: KA20926A 목적: SL공정 Ti 증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
114	2022-08-02 15시	16시	LOT ID: KA20925C 목적: SE공정 Ti 증착 총 6장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
115	2022-08-02 16시	17시	LOT ID: module 목적: Ti 증착 총 4장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	360,000원
116	2022-08-02 17시	18시	Cr 50nm가 패터닝된 실리콘 위에 Ti 50 nm 증착 요청드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	이상엽	72,000원
117	2022-08-02 18시	19시	LOT ID: Module 목적: Ti 증착 총 1장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	80,000원
118	2022-08-04 9시	10시	Ti 100A TIN500A AL8000A 증착 부탁드립니다. 감사합니다.	템퍼스	생산기술팀	서영민	460,000원
119	2022-08-05 10시	12시	LOT ID: KA20925C 목적: VW 증착 총 6장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
120	2022-08-05 9시	10시	LOT ID: Module 목적: VW증착 총 2장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	160,000원
121	2022-08-08 10시	11시	SDC_T01+03 Sputter ITO 500Å	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김태균	1,232,000원
122	2022-08-10 10시	15시	SiO2 600A 1매	LG전자	소재기술센터	정진혁	110,000원
123	2022-08-12 13시	14시	SDC_T04 (Sputter ITO 500Å)	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김태균	880,000원
124	2022-08-12 16시	18시	LOT ID: KA20926A 목적: SE공정 Ti 증착 총 6장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
125	2022-08-16 1시	11시	1) TiN 150 nm sputtering (RT) 센터로 최대한 부탁드리겠습니다! 2) TiN 70 nm etching (김병욱 선생님) 전달 부탁드립니다 샘플은 내일 오전중에 보관함에 두겠습니다. 조각 5장입니다! 감사드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	144,000원
126	2022-08-16 17시	18시	LOT ID: UE_MEMS 목적: SE공정 Ti 두께 증가 (500A) 총 100장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	1,000,000원
127	2022-08-17 9시	18시	1. Zr : 50 W Si : 300 W Working pressure : 3 mtorr Time : 20 min 2. Zr : 50 W Si : 400 W Working pressure : 3 mtorr Time : 20 min 프리스퍼터 : tartget 당 30분	한양대학교	신소재공학과	김원진	800,000원
128	2022-08-18 15시	18시	LOT ID: KA20926A 목적: VW증착 총 6장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
129	2022-08-18 9시	10시	Si wafer 위에 SiO2 층이 2900A 올라간 기판입니다. RT에서 TiN을 20 nm 증착한 후에, Ellipsometry를 측정하고 싶습니다. 감사드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	72,000원
130	2022-08-19 9시	10시	LOT ID: Module 목적: VW 증착 총 1장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	80,000원
131	2022-08-23 11시	12시	Ti 100A TiN 500A Al 8000A 증착 의뢰드립니다	템퍼스	생산기술팀	서영민	460,000원
132	2022-08-23 13시	14시	SD22Y05M - LEG layer Ti 300A 증착 6인치 1매	주식회사 보다	연구개발	김형원	72,000원
133	2022-08-25 15시	16시	Ti 100A TiN 500A Al 8000A 증착 의뢰드립니다	템퍼스	생산기술팀	서영민	460,000원
134	2022-08-25 16시	18시	LOT ID: KA20926B 목적: SE공정 Ti 증착 총 3장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
135	2022-08-29 13시	16시	SD22Y05M - Sample Ti 300A 증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	72,000원
136	2022-09-01 10시	12시	총 2매 프리스퍼터 : Target 당 30 min 1. Zr : 50 W Si : 200 W Working pressure : 3 mtorr Time : 5 min 2. Zr : 50 W Si : 250 W Working pressure : 3 mtorr Time : 5 min	한양대학교	신소재공학과	김원진	800,000원
137	2022-09-01 10시	12시	증착 조건은 기존과 동일하게 RF Treatment 진행 후, Ti 100A TiN 250A Al 8000A 을 요청드립니다. (수량 1매)	템퍼스	생산기술팀	서영민	460,000원
138	2022-09-01 12시	13시	LOT ID: Module 목적: VW증착 총 1장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	80,000원
139	2022-09-01 13시	14시	LOT ID: KA20926B 목적: VW증착 총 3장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
140	2022-09-02 11시	12시	SiO2 400A 1매	LG전자	소재기술센터	정진혁	110,000원
141	2022-09-05 10시	11시	SD22Y05M-01 LEG - Ti 300A 증착 6인치 2매	주식회사 보다	연구개발	김형원	144,000원
142	2022-09-05 9시	9시	VOx Target 증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	144,000원
143	2022-09-05 9시	10시	KIMM 2인치 Wafer 3등분 각 15nm, 20nm, 25nm TiN 증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	216,000원
144	2022-09-07 13시	15시	DHF, NiAl 1000A 증착 총 시편 4개 진행	포항공과대학교	융합기술부	신훈규	195,500원
145	2022-09-07 14시	15시	RF Treatment 진행 후, Ti 100A TiN 500A Al 8000A 을 요청드립니다. (수량 1매)	템퍼스	생산기술팀	서영민	460,000원
146	2022-09-07 15시	20시	LOT ID: KA20926C 목적: SL공정 Ti 증착 총 11장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
147	2022-09-07 20시	21시	LOT ID: Module 목적: Ti 증착 총 2장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	180,000원
148	2022-09-08 14시	18시	LOT ID: KA20927A 목적: SL공정 Ti 증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
149	2022-09-14 9시	12시	- SiO2 성막 두께 target은 10nm 입니다. - Si 웨이퍼 1장은 두께 모니터링용이고, 유리 기판 2 장은 샘플입니다. - Si 웨이퍼에 SiO2 성막시에는 BOE 처리 해야 합니다만, - 유리 기판 샘플은 이미 표면 처리가 되어 있으니 바로 성막하시면 됩니다(절대 BOE처리 하면 안됩니다).	LG전자	차세대디스플레이 연구소	권태인	550,000원
150	2022-09-15 10시	12시	RF Treatment 진행 후, Ti 100A TiN 500A Al 8000A 을 요청드립니다. (수량 1매)	템퍼스	생산기술팀	서영민	460,000원
151	2022-09-16 10시	10시	V Target 증착 - Ar 60sccm, O2 3sccm, Power 300W, 공정시간 300초 1매 - Ar 60sccm, O2 4sccm, Power 300W, 공정시간 300초 1매 - Ar 60sccm, O2 5sccm, Power 300W, 공정시간 300초 1매 총 3매	주식회사 보다	연구개발	김형원	288,000원
152	2022-09-16 10시	11시	SiO2 300A 증착	LG전자	소재기술센터	정진혁	80,000원
153	2022-09-19 10시	12시	1) TiN 150 nm 증착 (RT, 센터쪽) 2) TiN 70 nm etching (김병욱 선생님) 부탁드리겠습니다. 샘플은 10시까지 전달드리겠습니다. 감사드립니다. 고명철 드림	포항공과대학교	화학공학과	고명철	180,000원
154	2022-09-21 8시	9시	SiO2 500A 증착	LG전자	소재기술센터 차세대디스플레이 연구소	양영성	110,000원
155	2022-09-21 9시	10시	LOT ID: KA20926C 목적: SE공정 Ti 증착 총 11장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
156	2022-09-22 11시	17시	LOT ID: KA20927A 목적: SE공정 Ti 증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
157	2022-09-22 11시	12시	웨이퍼는 총 2장이며, 웨이퍼에 표기된 번호 반대면(번호가 뒤집힌 면)에 SiO2 Sputtering 공정 2장 모두 증착 두께는 20nm 입니다	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	160,000원
158	2022-09-23 11시	12시	SiO2 500A	LG전자	소재기술센터 차세대디스플레이 연구소	양영성	110,000원
159	2022-09-26 9시	14시	LOT ID: KA20927C 목적: SL공정 Ti 증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
160	2022-09-27 10시	14시	LOT ID: KA20926C 목적: VW 증착 총 11장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
161	2022-09-27 17시	18시	SGT_03 1.2 Sputter	삼성전자	생산기술연구소	구자명	200,000원
162	2022-09-27 9시	10시	LOT ID: Module 목적: VW증착 총 1장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	80,000원
163	2022-09-28 9시	12시	- 샘플 정보 . 5인치 glass 4장 . 4인치 glass 1장 . 6인치 Si 웨이퍼 1장 - 성막 요청사항 . 모든 샘플에 대해 SiO2 10nm 성막 . 6인치 Si 웨이퍼는 두께 모니터링용임	LG전자	차세대디스플레이 연구소	권태인	480,000원
164	2022-09-30 9시	12시	LOT ID: KA20927A 목적: VW증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
165	2022-10-03 1시	18시	Ti/ TaO 100A, 100A Sputter 20매 Ti/ TaO/ Pt 100, 100, 2400A 증착 비용처리는 이상민 연구원님께 말씀드린 비용으로 처리하겠습니다.	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	3,000,000원
166	2022-10-04 10시	11시	웨이퍼 수량: 2장 SiO2 증착 두께: 2장 모두 60nm (sputter)	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	220,000원
167	2022-10-04 11시	15시	LOT ID: KA20927C 목적: SE공정 Ti 증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
168	2022-10-04 7시	10시	Ti - TaO deposition (나노융합기반고도화사업)	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	200,000원
169	2022-10-05 14시	15시	V Target 증착 - Ar 48sccm, O2 3sccm, Power 300W, 공정시간 300초 1매 - Ar 51sccm, O2 3sccm, Power 300W, 공정시간 300초 1매 - Ar 54sccm, O2 3sccm, Power 300W, 공정시간 300초 1매 - Ar 57sccm, O2 3sccm, Power 300W, 공정시간 300초 1매	주식회사 보다	연구개발	김형원	360,000원
170	2022-10-07 10시	14시	LOT ID: KA20927C 목적: VW증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
171	2022-10-07 9시	10시	LOT ID: Module 목적: VW 증착 총 3장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	240,000원
172	2022-10-10 12시	13시	2.0 ITO depo. 1,000Å	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김태균	272,000원
173	2022-10-10 13시	14시	2.0 ITO depo. 500Å	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김태균	176,000원
174	2022-10-11 14시	15시	콜라보 TiN 5nm, 10nm, 15nm 각 2조각씩 총 6조각 증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	216,000원
175	2022-10-11 15시	16시	샘플 정보는 아래와 같습니다. 1. LED epi-structure (조각 시편) 2. 2인치 DSP 2장 (숫자 7이 표기된 부분이 뒷면입니다.) ITO 200 nm 증착 의뢰하고싶습니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	234,000원
176	2022-10-12 1시	1시	Ti/TaO 10/10nm 증착	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	1,280,000원
177	2022-10-14 14시	16시	ITO 200nm 증착	LG전자	소재기술센터 차세대디스플레이 연구소	양영성	520,000원
178	2022-10-19 10시	12시	SiO2 Sputtering (Thickness: 60nm) Wafer수량 (4장)	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	440,000원
179	2022-10-20 14시	15시	Al 7000A 증착	LG전자	소재기술센터 차세대디스플레이 연구소	양영성	280,000원
180	2022-10-21 9시	10시	V Taget Spttering 1. Ar 48sccm, O2 3sccm, Power 300W, 공정 시간 300초 1 매 2. Ar 51sccm, O2 3sccm, Power 300W, 공정 시간 300초 1 매 3. Ar 54sccm, O2 3sccm, Power 300W, 공정 시간 300초 1 매 4. Ar 57sccm, O2 3sccm, Power 300W, 공정 시간 300초 1 매 1번 Sample 진행 시에만 Pre-Target Cleaning 15분 진행 후 공정 부탁 드립니다.	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	480,000원
181	2022-10-25 10시	12시	-Wafer정보: 4인치 사파이어 Wafer위에 필름이 붙어 있는 상태 -증착면 : 필름이 있는 면에 SiO2 Sputtering (20nm) -Wafer수량: 3장	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	240,000원
182	2022-10-25 12시	13시	Al 100% 700nm 1장(8 inch)	LG전자	소재기술센터 차세대디스플레이 연구소	양영성	280,000원
183	2022-10-26 09시	18시	Sputter TaO 50A 증착	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	1,152,000원
184	2022-10-28 9시	10시	ITO 200nm	LG전자	소재기술센터 차세대디스플레이 연구소	양영성	260,000원
185	2022-10-31 9시	12시	-SiO2 Sputtering 증착 -Wafer 및 증착 두께 :GaN wafer(Green) 4장 (20nm 2장, 30nm 2장) :Glass wafer 2장(20nm 1장, 30nm 1장)	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	480,000원
186	2022-11-01 11시	12시	1.0 ITO Thickness : 1,000Å	삼성디스플레이	SDC硏 LED LAB	원치훈	952,000원
187	2022-11-01 9시	18시	Ti/ TaO ,10/10nm 증착	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	1,440,000원
188	2022-11-02 10시	13시	5-1-2 Cr 4000A [2022년 나노융합기반 고도화 사업]	(주)지아이에스	지아이에스 부설연구소	이민재	440,000원
189	2022-11-03 10시	11시	SiOx sputtering 60nm 증착 X 장	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	220,000원
190	2022-11-03 11시	13시	Al 100% 700nm	LG전자	소재기술센터 차세대디스플레이 연구소	양영성	560,000원
191	2022-11-04 17시	18시	LOT ID: Module 목적: Ti 100A 증착 총 1장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	80,000원
192	2022-11-07 13시	15시	Sputter (ITO 500Å)	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김태균	440,000원
193	2022-11-11 9시	11시	SiO2 Sputtering -Wafer : 2장 -증착두께: 60nm -증착면 : Plat zone 근처의 일련번호가 뒤집혀 보이는 면	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	220,000원
194	2022-11-14 10시	12시	Al 100% 각 7000A, 10000A 총 2매	LG전자	소재기술센터 차세대디스플레이 연구소	양영성	840,000원
195	2022-11-14 14시	15시	DC&RF Sputtering system (on GaAs) ITO 1,000Å	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김상조	770,000원
196	2022-11-14 14시	15시	샘플 정보는 아래와 같습니다. 1. LED epi-structure (조각 시편) 2. 2인치 DSP 1장 (숫자 7이 표기된 부분이 뒷면입니다.) ITO 200 nm 증착 의뢰하고싶습니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	72,000원
197	2022-11-15 9시	18시	Ti/TaO2, 10nm/10nm. 20매 증착	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	2,880,000원
198	2022-11-17 11시	13시	ITO 7500A	경희대학교	원자력공학과	한지훈	1,600,000원
199	2022-11-18 11시	12시	V Target Cleaning 30분 진행	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	216,000원
200	2022-11-18 13시	18시	Pebax 소재 폴리머 튜브에 Ti 50nm 타겟으로 증착	주식회사 도터	연구소	조정애	80,000원
201	2022-11-18 9시	11시	SiO2 Sputtering -Wafer 수량 : 2장 -증착 두께: 60nm	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	220,000원
202	2022-11-21 11시	13시	Mo 200A / Al 6000A / Mo 300A	LG전자	소재기술센터 차세대디스플레이 연구소	양영성	920,000원
203	2022-11-21 13시	15시	ITO 2000A 3매	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	975,000원
204	2022-11-22 10시	11시	-SiO2 Sputtering -웨이퍼 수량: 2장 -증착 두께 : metal이 증착된 웨이퍼는 60nm : metal이 없는 웨이퍼는 30nm -웨이퍼의 메탈 유무는 육안으로 가능하고, 웨이퍼통내에 증착면을 표기 함	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	190,000원
205	2022-11-24 10시	12시	Al 7000A	LG전자	소재기술센터 차세대디스플레이 연구소	양영성	560,000원
206	2022-11-25 10시	12시	SiO2 Sputtering Wafer 수량 : 3장 SiO2 증착: 3장 중 2장은 60nm, 나머지 한장은 30nm (관련 두께에 있어 웨이퍼 박스내에 표기함)	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	300,000원
207	2022-12-01 13시	18시	긴급공정 TaO 50A 17매 증착	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	1,224,000원
208	2022-12-05 10시	12시	SiO2 sputtering -wafer수량: 5장 -증착 두께 : 5장 중 2장은 30nm, 나머지 3장은 60nm -웨이퍼 박스내에 증착 면 및 증착 웨이퍼 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	490,000원
209	2022-12-05 10시	11시	ITO Depo	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김태균	272,000원
210	2022-12-05 14시	15시	Mo 200A / Al 6000A / Mo 300A	LG전자	ML	이재혁	460,000원
211	2022-12-05 15시	17시	SiO2 2000A	(주)에스제이컴퍼니	개발팀	박상준	520,000원
212	2022-12-06 9시	11시	ITO 1000Å	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김태균	680,000원
213	2022-12-07 13시	14시	1. Wafer Size : 8 inch Silicon Wafer (Notch Type) 2. 수량 : 5장 3. 증착 material : ITO 4. 증착 두께 : 10nm 5. 공정일정 : 12/07 (수) 오전 샘플 전달 , 오후 당일수령	에이피에스리서치 주식회사	전략기술개발실	석세윤	400,000원
214	2022-12-07 15시	17시	순수 티타늄을 증착하고자 합니다. 충분한 pre-sputtering과 고진공 환경에서 증착 부탁드립니다. 온도는 상온으로 해주시면 됩니다.	부산대학교	전자공학과	천권욱	270,000원
215	2022-12-07 9시	10시	* 전면으로 ITO 200 nm 증착 요청함. 8인치 glass wafer 이며, 조각 Si wafer로 특정 부분이 가려져 있는 형태임. 총 두께가 ~ 1.2mm 정도임.	LG전자	ML	이재혁	260,000원
216	2022-12-09 14시	15시	SD22Y10M - TiN 20nm 증착_6인치 1매	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	80,000원
217	2022-12-09 15시	16시	LOT ID: Module 목적: Ti 500A 증착 총 2장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	160,000원
218	2022-12-09 16시	19시	LOT ID: KA25544A 목적: SL공정 Ti 증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
219	2022-12-12 10시	11시	(하)Mo / (중)Al / (상)Mo = (하)20nm / (중)600nm / (상)30nm 1장(8 inch) 증착 의뢰	LG전자	ML	이재혁	460,000원
220	2022-12-14 13시	14시	-SiO2 Sputtering -Wafer수량 :4인치 3장 -증착면 :웨이퍼 박스내 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	300,000원
221	2022-12-15 10시	17시	LOT ID: KA25544A 목적: SE공정 Ti 증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
222	2022-12-20 15시	16시	LOT ID: Module 목적: VW증착 총 1장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	80,000원
223	2022-12-20 16시	19시	LOT ID: KA25544A 목적: VW증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
224	2022-12-21 9시	11시	SiO2 Sputtering Wafer수량: 4장 증착 두께: 60nm	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	440,000원
225	2022-12-26 14시	15시	1. Wafer Size : 8\\\" Silicon Wafer (Notch Type) 2. Wafer 상부 박막정보 : Si Wafer/SiO2 (200nm ~ 300nm) 2. 수량 : 3장 3. 증착 material : ITO 4. 증착 두께 : 10nm 5. 공정 조건 : 12월 7일날[접수번호)22-A0192534] 진행되었던 공정과 동일하게 희망합니다. (공정온도 및 gas 등) 6. 공정 일정 : [택배를 이용하여 시편 전달/수령 희망] 12월 23일 오전 택배 발송 예정 / 12월 30일 까지 공정 완료된 시편 수령 희망 7. 기타 사항 : uniformity data 요청시 장비 이용수가가 추가로 발생됨에 따라 ITO증착 건만 의뢰합니다. 8. 장비예약 : 홈페이지를 통한 장비예약 시간은 제가 차주 중으로 임의로 설정하였으며, 택배 수령 후 연구원님의 일정에 맞춰 공정 진행 부탁드립니다. 택배를 통한 시편 수령 및 공정완료시, 간단한 문자라도 한통 남겨주시면 감사하겠습니다.! [주소 : 충청남도 천안시 서북구 입장면 위례성로 1942 APS리서치 천안사업장] [받는사람 : 석세윤 (010-9244-3316)] 감사합니다.	에이피에스리서치 주식회사	전략기술개발실	석세윤	240,000원
226	2022-12-29 10시	11시	Ni 300A, Ti 100A	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김승모	306,000원
227	2023-01-03 13시	14시	10-3-2 NiAl 500A	포항공과대학교	선행기술팀	박범성	300,000원
228	2023-01-04 14시	15시	2X2 조각 시편입니다. SiO2 조각 시편에 TiN 100nm 증착된 상태로 Pr 패터닝 후 SrTiO3 및 Al:SrTiO3 가 증착되어 있습니다. TiN 10nm 증착 부탁드립니다. 증착 후 이빔 사용 예정입니다. 샘플 전달 부탁 드리겠습니다. 010-5018-8801 kim6246@ajou.ac.kr	아주대학교	에너지시스템학과	김덕환	80,000원
229	2023-01-05 10시	12시	TaO (O2 GAS Split)	삼성종합기술원	Thin film TU	송현재	504,000원
230	2023-01-06 15시	16시	10-4-5 Backside NiAl 500A	포항공과대학교	선행기술팀	박범성	300,000원
231	2023-01-12 10시	12시	SiO2 Sputtering -SiO2증착 두께: 60nm -Wafer 수량: 6장 -증착면: Wafer박스내에 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	660,000원
232	2023-01-18 10시	12시	SiO2 Sputtering 증착두께: 60nm Wafer수량: 4장	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	440,000원
233	2023-01-19 14시	15시	insulating oxide 기판 위에 Cr/Ta (2nm) 쌓아주시면 됩니다. Cr은 2, 5, 10 nm 총 3번 쌓아주시면 되겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	박상준	432,000원
234	2023-01-26 11시	12시	나노기술 전문인력 양성과정	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	0원
235	2023-01-26 15시	12시	TaO O2 Split	삼성종합기술원	Thin film TU	송현재	1,664,000원
236	2023-01-27 11시	12시	Sputter (Ti 100Å)	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김태균	192,000원
237	2023-01-27 15시	16시	Sputter (Al 1,000Å)	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김태균	128,000원
238	2023-01-27 15시	16시	Sputter (ITO 1,000Å)	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김태균	272,000원
239	2023-02-01 14시	16시	LOT ID: EGR2246 목적: SL 공정 Ti 증착 총 6장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
240	2023-02-02 10시	10시	SiO2 Sputtering Wafer수량 : 4장 증착두께: 60nm	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	440,000원
241	2023-02-03 10시	14시	LOT ID: EGR2246 목적: SE공정 Ti 증착 총 6장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
242	2023-02-03 15시	16시	ITO 2000A	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	234,000원
243	2023-02-03 17시	18시	TaO 500A	삼성종합기술원	Thin film TU	송현재	192,000원
244	2023-02-06 10시	11시	２ DC&RF Sputtering system	삼성디스플레이	SDC硏 LED LAB	원치훈	1,224,000원
245	2023-02-06 15시	16시	3-1-1 SiC Ni Salicidation 평가 Ni 500A	포항공과대학교	선행기술팀	박범성	100,000원
246	2023-02-07 11시	12시	Ti/Ni=100A/300A	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김승모	306,000원
247	2023-02-07 12시	15시	2-1-1 ITO 2000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	1,300,000원
248	2023-02-08 14시	15시	LOT ID: EGR2246 목적: VW증착 총 6매 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
249	2023-02-09 9시	11시	DC&RF Sputtering system ITO 선행평가	삼성디스플레이	SDC硏 LED LAB	원치훈	1,035,000원
250	2023-02-13 10시	11시	SiO2 Sputtering wafer 수량 2장 증착두께: 60nm 웨이퍼 박스내 증착면 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	220,000원
251	2023-02-14 11시	12시	SiC 6nm 증착 (R.T.) 추가 공정 조건은 이메일로 공유 드리겠습니다.	(주)에프에스티	EUV 펠리클팀	이화철	240,000원
252	2023-02-14 9시	12시	power 공정평가	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	800,000원
253	2023-02-15 10시	14시	LOT ID: KA25543A 목적: SL공정 Ti 증착 총 11장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
254	2023-02-15 13시	15시	ITO 1,000Å	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	680,000원
255	2023-02-15 15시	16시	2-1-1 ITO 2000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	780,000원
256	2023-02-16 10시	11시	유선 상으로 말씀드린 PR 패터닝된 조각 시편입니다. ITO 증착 두께는 200 nm입니다. 공정 완료 후, 연락 부탁드리겠습니다. 감사합니다 : )	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	234,000원
257	2023-02-16 11시	12시	Cr 200nm 스퍼터 증착 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	오동교	72,000원
258	2023-02-16 16시	17시	SiC Depo 선행	(주)에프에스티	EUV 펠리클팀	이화철	360,000원
259	2023-02-16 9시	10시	2-1-1 ITO 2000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	1,300,000원
260	2023-02-17 10시	18시	SiC Pressure Split 10매	(주)에프에스티	EUV 펠리클팀	이화철	800,000원
261	2023-02-17 14시	15시	10-3-2 Frontside Ni300A	포항공과대학교	선행기술팀	박범성	200,000원
262	2023-02-17 15시	16시	10-4-5 Backside Ni 500A	포항공과대학교	선행기술팀	박범성	200,000원
263	2023-02-17 15시	16시	100nm Te/Si 위에 60nm Ni 증착하고자 합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김건우	117,000원
264	2023-02-20 9시	15시	LOT ID: KA25543A 목적: SE공정 Ti 증착 총 11장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
265	2023-02-21 10시	11시	100nm Te/SiO2 wafer 위에 60nm Mo 증착하고 싶습니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김건우	117,000원
266	2023-02-22 10시	12시	SiO2 Sputtering -wafer 수량: 3장 -증착 두께: 60nm -증착면: 웨이퍼 박스에 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	330,000원
267	2023-02-23 10시	12시	SiO2 Sputtering -Wafer수량 : 4장 -증착 두께: 60nm -증착면 : wafer박스에 표기 (or 웨이퍼 넘버 없는 면)	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	440,000원
268	2023-02-24 15시	18시	LOT ID: KA25543A 목적: VW증착 총 11장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
269	2023-02-27 16시	11시	Ti/TaO=10nm/10nm	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	2,880,000원
270	2023-02-28 11시	12시	2-3-3 ITO 2000A	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	234,000원
271	2023-03-07 1시	10시	2-2-3 Ni 500A	나노융합기술원	대외협력팀	박영재	102,000원
272	2023-03-07 10시	12시	유리/ITO기판 상부에 zinc oxide(ZnO)박막, 유기 반도체 박막, molybdenum oxide(MoOx)박막을 순차적으로 집적한 형태의 샘플입니다. 샘플 상부에 ITO를 전극용도로 집적하고자 합니다. (ITO 900A)	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이진우	150,000원
273	2023-03-07 13시	14시	공정명: SiO2 Sputtering Wafer 크기 및 수량: 4인치 4장 증착 두께: 60nm 증착면: 웨이퍼 박스내에 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	520,000원
274	2023-03-07 14시	15시	2-2-2 NiAl 500A	나노융합기술원	대외협력팀	박영재	102,000원
275	2023-03-07 15시	18시	1-2-2 ITO 1500A (선행 1매 ITO 1500A)	(주)엔디디	기업부설연구소	이승헌	0원
276	2023-03-08 10시	11시	공정명: SiO2 Sputtering -Wafer 수량: 2장 -증착 두께: 60nm -증착면 : 웨이퍼 박스내에 표기함	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	260,000원
277	2023-03-08 13시	14시	Mo 10 nm 증착	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김건우	108,000원
278	2023-03-08 14시	16시	Sputter (ITO 1,000Å)	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	816,000원
279	2023-03-08 9시	12시	6inch 3매 ITO 200nm depo	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	840,000원
280	2023-03-09 9시	12시	6inch 2매 ITO 200nm depo	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	560,000원
281	2023-03-11 9시	11시	-공정명: SIO2 Sputtering -wafer 수량 : 6장 -증착 두께 : 모두 60nm -증착면 : 웨이퍼 박스내에 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	780,000원
282	2023-03-13 14시	15시	Sputter (ITO 1,000Å, 300W/3m)	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	152,000원
283	2023-03-13 16시	17시	Sputter (ITO 50W/3mT, 300Å + 300W/3mT, 700Å)	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	368,000원
284	2023-03-14 13시	14시	Sputter (ITO 50W/3mT, 1,000Å)	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	2,160,000원
285	2023-03-14 14시	16시	DC&RF Sputter (ITO 100W/3mT)	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	288,000원
286	2023-03-14 9시	18시	SiC 40A, 60A	(주)에프에스티	EUV 펠리클팀	이화철	1,600,000원
287	2023-03-15 10시	19시	2-2-1 ITO 2000A	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	3,240,000원
288	2023-03-15 6시	11시	LOT ID: KA25543C 목적: SL공정 Ti 증착 총 11장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
289	2023-03-16 13시	16시	Sputter (ITO 1,000Å, 300W/3mT)	삼성디스플레이	uLED Lab	이원호	1,520,000원
290	2023-03-17 01시	13시	SiO2 Sputtering공정 -Wafer 수량 : 4인치 4장 -증착 두께: 60nm -증착면: 웨이퍼 박스내에 표기 함. 또는 웨이퍼 넘버가 보이지 않는 면	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	520,000원
291	2023-03-17 13시	18시	LOT ID: KA25543C 목적: SE공정 Ti증착 총 11장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
292	2023-03-21 11시	13시	DC&RF Sputtering System (TiO2 500Å)	삼성디스플레이	Micro LED LAB	최정인	288,000원
293	2023-03-21 9시	11시	DC&RF Sputtering System (SiO2 800Å)	삼성디스플레이	Micro LED LAB	최정인	248,000원
294	2023-03-21 9시	11시	SiO2 Sputtering -Wafer 수량: 1장(반장) -증착 두께: 60nm -증착면 : 웨이퍼 뒷면에 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	130,000원
295	2023-03-21 9시	18시	3-1-1 ITZO 200A	(주)엔디디	기업부설연구소	이승헌	0원
296	2023-03-22 11시	13시	1-1-1 ITO 2000A	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	270,000원
297	2023-03-22 13시	15시	TiO2 공정평가 비용	삼성디스플레이	Micro LED LAB	최정인	1,040,000원
298	2023-03-22 14시	17시	ITO 2000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	1,035,000원
299	2023-03-22 9시	11시	DC&RF Sputtering System (TiO2 500Å) 추가 비용	삼성디스플레이	Micro LED LAB	최정인	992,000원
300	2023-03-22 9시	11시	ITO 2000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	560,000원
301	2023-03-23 15시	18시	LOT ID: KA25543C 목적: VW증착 총 10장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
302	2023-03-24 9시	13시	SiO2 Sputtering -Wafer 수량 : 5장 -증착 두께: 60nm -증착면: 웨이퍼 박스내 표기함	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	650,000원
303	2023-03-27 13시	15시	SiO2 Sputtering Wafer 수량 : 2장 증착조건 60nm (2장)	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	260,000원
304	2023-03-27 9시	12시	SiO2 Sputtering Wafer 수량 : 3장 증착조건 1. 기존 60nm (1장) 2. Ar:O2 = 6:4 비율로 증착 TEST (1장) 3. 90도 온도에서 Ar:O2=6:4 비율로 증착 TEST (1장)	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	440,000원
305	2023-03-28 10시	12시	ITO 2000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	280,000원
306	2023-03-28 13시	16시	1-1-1 ITO 2000A	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	810,000원
307	2023-03-29 9시	18시	SiC 40A 8매, 60A 8매	(주)에프에스티	EUV 펠리클팀	이화철	1,920,000원
308	2023-03-31 9시	12시	SiO2 Sputtering -wafer 수량: 4인치 4장 -증착 두께: 60nm -증착면 : 웨이퍼 박스내에 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	520,000원
309	2023-04-03 09시	13시	Ti/TaO=10nm/10nm	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	6,000,000원
310	2023-04-03 9시	11시	SiO2 Sputtering -Wafer 수량 : 3장 -증착두께: 60nm -증착면: 웨이퍼 박스내 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	390,000원
311	2023-04-04 12시	18시	ITO 1,000Å SDC	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	11,760,000원
312	2023-04-04 17시	19시	Ni/Ti=300A/100A	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김승모	196,000원
313	2023-04-05 10시	14시	2X2 조각 시편입니다. SiO2 조각 시편에 TiN 100nm 증착된 상태로 SrTiO3 및 Al:SrTiO3 가 20nm 증착되어 있습니다. TiN 5nm 증착 부탁드립니다. 공정조건 관련하여 메일로 따로 송부 드렸습니다. 010-5018-8801 kim6246@ajou.ac.kr	아주대학교	에너지시스템학과	김덕환	100,000원
314	2023-04-05 11시	13시	2-2-4 NiAl 500A	나노융합기술원	대외협력팀	박영재	102,000원
315	2023-04-05 11시	13시	ITO 1,000Å	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	1,960,000원
316	2023-04-05 9시	11시	2-2-3 NiAl 500A	나노융합기술원	대외협력팀	박영재	102,000원
317	2023-04-06 13시	16시	SiO2 Sputtering Wafer : 4인치 Glass wafer 증착 수량: 3장 증착 두께: 60nm 증착면: 웨이퍼 박스내에 표기 증착후 SiO2없는면 edge에 뒷면이라고 표기 부탁드립니다	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	390,000원
318	2023-04-06 16시	17시	SD SEED - Ti 1500A 증착_6인치 1매	주식회사 보다	연구개발	김형원	105,000원
319	2023-04-06 9시	12시	LOT ID: EGR2307 목적: SL공정 Ti증착 총 5장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
320	2023-04-07 9시	12시	SiO2 Sputtering Wafer 수량: 3장 증착두께 : 60nm 증착면: 웨이퍼 박스내에 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	390,000원
321	2023-04-09 9시	12시	SiO2 Sputtering Wafer수량: 2장 증착두께: 60nm 증착면: 웨이퍼박스내에 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	520,000원
322	2023-04-10 11시	13시	(DC ITO 1,000Å /50W/100W/300W)	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	480,000원
323	2023-04-10 17시	18시	DC&RF Sputter (DC ITO 공정 평가)	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	1,000,000원
324	2023-04-11 9시	12시	LOT ID: EGR2307 목적: SE공정 Ti 증착 총 5장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
325	2023-04-12 12시	15시	ITO 1,000Å	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	3,920,000원
326	2023-04-13 13시	15시	SiO2 Sputtering Wafer 수량 : 4인치 6장 증착 두께: 60nm 증착면: 웨이퍼 박스내에 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	780,000원
327	2023-04-14 13시	14시	ITO 2000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	280,000원
328	2023-04-14 9시	11시	LOT ID: Module 목적: VW 증착 총 3장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	360,000원
329	2023-04-17 10시	12시	ITO 2000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	280,000원
330	2023-04-19 12시	17시	DC&RF Sputter (ITO 1,000Å, (50W 30nm + 300W 70nm))	삼성디스플레이	uLED Lab	이원호	7,350,000원
331	2023-04-21 13시	18시	DC&RF Sputter (+Pre-Sputtering)	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	2,120,000원
332	2023-04-21 17시	20시	LOT ID: EGR2307 목적: VW증착 총 9장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
333	2023-04-24 12시	17시	(ITO 1,000Å, (50W 30nm + 300W 70nm))	삼성디스플레이	uLED Lab	이원호	6,370,000원
334	2023-04-24 9시	13시	2-1-1 ITO 2000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	1,680,000원
335	2023-05-02 10시	11시	LOT ID: Module 목적: Ti 증착 총 1장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	100,000원
336	2023-05-02 11시	12시	LOT ID: KA25544C 목적: SL공정 Ti 증착 총 10장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
337	2023-05-02 12시	15시	ITO(100W/3mT) 공정 평가비용	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	800,000원
338	2023-05-02 12시	14시	[나노융합기반 고도화사업] Ti/TaO2=100A/100A	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	4,000,000원
339	2023-05-03 10시	11시	PDMS = 500um PI film = 1um PDMS 조각 조각을 더미웨이퍼에 올려두고 스퍼터를 할수 있으면 좋을 것 같습니다. Sputter SiO2 30nm 스퍼터 희망합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김승범	90,000원
340	2023-05-03 14시	18시	1-1-1 ITO 2000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	2,240,000원
341	2023-05-04 15시	18시	LOT ID: KA25544C 목적: SE공정 Ti증착 총 10장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
342	2023-05-04 9시	14시	1-1-1 ITO 2000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	1,960,000원
343	2023-05-09 9시	11시	ITO 2000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	560,000원
344	2023-05-10 12시	13시	LOT ID: Module 목적: VW증착 총 4장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	480,000원
345	2023-05-10 13시	17시	LOT ID: KA25544C 목적: VW증착 총 10장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
346	2023-05-12 14시	15시	Ni 100A/TiN 100A	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김승모	392,000원
347	2023-05-12 17시	18시	SiO2 2매 웨이퍼 위에 TiN 6nm 증착 SiO2 1매 웨이퍼 위에 TiN 10nm 증착 포항 나노펩 내의 TiN 레시피로 증착 부탁드립니다. 010-8524-5806 jiyoung4221@ajou.ac.kr	아주대학교	에너지시스템학과	박지영	300,000원
348	2023-05-15 10시	11시	ITO 2000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	280,000원
349	2023-05-15 13시	15시	DC&RF Sputter (ITO 1,000Å)	삼성디스플레이	-	여소영	6,370,000원
350	2023-05-15 13시	14시	(ITO 2,000Å, 300W)	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	260,000원
351	2023-05-15 9시	11시	ITO 1,000Å, SDC 조건	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	3,430,000원
352	2023-05-16 9시	12시	SiO2 Sputtering Wafer 수량 및 정보 (6장) ① Si Wafer(bare) : SiOx 증착두께 ( 20nm ) ② Si Wafer(bare) : SiOx 증착두께 ( 20nm ) ③ 사파이어 Wafer(조각) : SiOx 증착두께 ( 60nm ) ④ 사파이어 Wafer(조각)- Metal 증착시 Ag가 포함되었으며 Passivation층으로 Ti가 사용됨 : SiOx 증착두께 ( 60nm ) ⑤ 사파이어 Wafer -Metal 증착시 Au가 포함되었으며 Passivation층으로 Ti가 사용됨 : SiOx 증착두께 ( 60nm ) ⑥ 사파이어 Wafer- Metal 증착시 Au가 포함되었으며 Passivation층으로 Ti가 사용됨 : SiOx 증착두께 ( 60nm )	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	1,110,000원
353	2023-05-17 10시	12시	ITO 1,000Å, (50W 30nm + 300W 70nm)	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	4,900,000원
354	2023-05-17 14시	15시	LOT ID: Module 목적: Ti 증착 총 1장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	100,000원
355	2023-05-17 15시	18시	LOT ID: KA26399A 목적: SL공정 Ti증착 총 12장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
356	2023-05-19 14시	20시	LOT ID: KA26399A 목적: SE공정 Ti 증착 총 12장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
357	2023-05-22 15시	16시	Ni 3000A	삼성디스플레이	Micro LED Lab	박수나	246,000원
358	2023-05-22 9시	11시	ITO 2000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	1,120,000원
359	2023-05-23 10시	12시	ITO 2000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	560,000원
360	2023-05-24 14시	15시	LOT ID: Module 목적: VW증착 총 4장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	480,000원
361	2023-05-24 15시	18시	LOT ID: KA26399A 목적: VW증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
362	2023-05-25 10시	11시	SiO2 Sputtering -Wafer 수량: 4인치 2장 (Ag가 포함되고 Ti로 마감) -증착 두께: 60nm -증착면 : 웨이퍼 박스내 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	260,000원
363	2023-05-25 9시	10시	구조물 위, 다층의 Metal을 증착만 진행하였으며 이중 Passivation층으로 Ti가 사용됨	LG전자	소자재료연구소	오동해	130,000원
364	2023-05-26 9시	11시	SiO2 Sputtering -Wafer수량: 2장 -증착두께 : 60nm -증착면: 웨이퍼 박스내 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	260,000원
365	2023-05-30 10시	11시	[나노융합기반 고도화산업] 8\\\' Glass wafer Al 2000A 증착 1매	주식회사 보다	연구개발	김형원	105,000원
366	2023-05-31 9시	10시	ITO 2000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	280,000원
367	2023-06-01 14시	16시	2-2-2 NiAl 500A Depo	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	612,000원
368	2023-06-01 16시	17시	LOT ID: KA26399A 목적: VW증착 총 2장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
369	2023-06-01 17시	18시	LOT ID: Module 목적: VW증착 총 1장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	120,000원
370	2023-06-01 18시	19시	LOT ID: Module 목적: VW증착 총 1장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	120,000원
371	2023-06-02 9시	12시	LOT ID: KA26399C 목적: SL공정 Ti증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
372	2023-06-05 10시	16시	(ITO 1,000Å, SDC 조건	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김수철	10,780,000원
373	2023-06-05 13시	14시	SiO2 60nm 1ea 증착	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	130,000원
374	2023-06-05 9시	12시	8\\\\\\\\\\\\\\\' glass wafer 9ea Al 2000A 증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	945,000원
375	2023-06-07 10시	13시	DC&RF Sputter (ITO 1,000Å, SDC 조건)	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김수철	2,940,000원
376	2023-06-07 14시	20시	LOT ID: KA26399C 목적: SE공정 Ti증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
377	2023-06-12 10시	12시	2X2 조각 시편입니다. SiO2 조각 시편에 TiN 100nm 증착된 상태로 HfO2 15nm 증착 되어 있습니다. 시편은 쉐도우 마스크 붙여 놓은 상태로 그대로 진행 부탁드립니다. TiN 10nm 증착 부탁 드립니다. 공정조건 관련하여 메일로 따로 송부 드렸습니다. 010-5018-8801 kim6246@ajou.ac.kr	아주대학교	에너지시스템학과	김덕환	100,000원
378	2023-06-13 10시	13시	(ITO depo)	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	980,000원
379	2023-06-13 13시	15시	LOT ID: KA26399C 목적: VW증착 총 12장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
380	2023-06-13 15시	16시	LOT ID: Module 목적: VW 증착 총 3장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	360,000원
381	2023-06-14 15시	16시	200nm 증착 2장 부탁 드립니다. 열처리 없이 진행 부탁 드립니다.	LG전자	소재기술원	유효상	560,000원
382	2023-06-14 9시	10시	SiO2 Sputtering -Wafer 수량 : 2장 (귀금속 아님) -증착 두께 : 60nm -증착면: 웨이퍼 박스내에 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	260,000원
383	2023-06-19 10시	14시	(ITO 1,000Å, SDC 조건)	삼성디스플레이	micro led lab	서동균	5,880,000원
384	2023-06-20 10시	12시	ITO 2000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	560,000원
385	2023-06-20 13시	14시	LOT ID: Module 목적: VW 증착 총 4장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	480,000원
386	2023-06-20 14시	16시	LOT ID: KA26399B 목적: VW증착 총 6장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
387	2023-06-22 1시	18시	Sputter. TaO/Ti, 100/100A 증착 기존 진행하던 공정과 같음 [나노융합기반고도화사업]	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	6,000,000원
388	2023-06-23 11시	12시	SiO2 Sputtering -Wafer 수량 : 2장 -증착두께: 60nm -증착면 : 웨이퍼 박스내 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	260,000원
389	2023-06-28 10시	11시	DC&RF Sputter (ITO 1,000Å, (50W 30nm + 300W 70nm))	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	980,000원
390	2023-07-03 16시	18시	ITO 10nm 증착 요청드립니다.	포항공과대학교	신소재 공학과	김태호	90,000원
391	2023-07-03 9시	10시	DC&RF Sputter (ITO depo) - 07/12 건 견적	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	2,006,000원
392	2023-07-03 9시	16시	TaO/Ti, 100/100A 20매 증착	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	3,600,000원
393	2023-07-04 10시	12시	구조물 위, 다층의 Metal을 증착만 진행하였으며 이중 Passivation층으로 Ti가 사용됨	LG전자	소자재료연구소	오동해	390,000원
394	2023-07-04 14시	16시	SIO2 Sputtering wafer 수량: 2장 증착 두께: 60nm(1장), 120nm(1장) 증착면: 웨이퍼 박스내 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	320,000원
395	2023-07-05 11시	12시	LOT ID: KA26400A 목적: SL공정 Ti 증착 총 12장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
396	2023-07-05 14시	15시	(이경동 책임) ITO 2000A	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	280,000원
397	2023-07-07 10시	12시	ITO depo	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	1,114,000원
398	2023-07-07 11시	18시	LOT ID: KA26400A 목적: SE공정 Ti 증착 총 12장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
399	2023-07-11 10시	12시	DC&RF Sputtering system	삼성디스플레이	-	여소영	980,000원
400	2023-07-11 10시	14시	ITO DEPO	삼성디스플레이	-	여소영	4,410,000원
401	2023-07-12 13시	15시	월요일에 보내드린 100x97 사각형 기판 상에 기재해드린 ITO 700A 증착 요청 3매 (12장 중 9매는 이정익 선임님께 다른 물질 증착 요청드림)	에스제이	영업	박상준	480,000원
402	2023-07-13 11시	14시	LOT ID: KA26400A 목적: VW증착 총 12장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
403	2023-07-13 14시	15시	LOT ID: KA26400C 목적: SL공정 Ti 증착 총 12장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
404	2023-07-13 9시	11시	(이경동 책임) ITO 2000A	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	780,000원
405	2023-07-17 12시	18시	LOT ID: KA26400C 목적: SE공정 Ti증착 총 12장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
406	2023-07-17 13시	15시	DC&RF Sputtering system	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	3,430,000원
407	2023-07-17 9시	12시	60nm 4인치 사파이어 5매 LG전자 박주도 책임 과 동일한 조건으로 진행	LG전자	소재기술원	유효상	650,000원
408	2023-07-18 9시	11시	SiO2 Sputtering -Wafer 수량 : 1장 -증착 두께 : 60nm -증착면 : 웨이퍼 박스내 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	130,000원
409	2023-07-19 12시	16시	ITO 1,000Å, SDC 조건	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김수철	6,860,000원
410	2023-07-20 13시	14시	ITO 2000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	280,000원
411	2023-07-20 15시	18시	LOT ID: KA26400C 목적: VW증착 총 12장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
412	2023-07-20 9시	11시	DC&RF Sputtering system Shadow Mask 평가 건	삼성디스플레이	Micro Display팀	김수정	990,000원
413	2023-07-21 8시	9시	LOT ID: Module 목적: VW증착 총 1장 [나노융합기반 고도화사업]	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	120,000원
414	2023-07-24 10시	11시	SiO2 500A	LG전자	소자재료연구소	오동해	260,000원
415	2023-07-24 11시	14시	WF01 Cr 1000A WF02 Cr/CrO2=1000A/100A WF03 Ni 1000A	코닝정밀소재주식회사	연구소	석성호	450,000원
416	2023-07-24 15시	17시	BD3217-0629-SEED - Cr 2000A 증착_8인치 3매 - 엔듀라2호기로 TiN 증착한 자재이며 PR 패턴 되어 있습니다.	주식회사 보다	연구개발	김형원	315,000원
417	2023-07-27 14시	15시	ITO 증착 10nm 요청드립니다. 이전과 달리 표면에 PR 도포된 상태입니다. 주의하여 공정 진행해주시면 감사하겠습니다. 또한 기판이 double side polished al2o3로 앞뒤 구별이 어려워 기판 모양을 보고 윗면에 증착해주시면 감사하겠습니다.	포항공과대학교	신소재 공학과	김태호	90,000원
418	2023-07-31 9시	11시	SiO2 Sputtering -Wafer수량: 1장 -증착 두께 : 60nm -증착면 : 웨이퍼 박스내 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	130,000원
419	2023-08-01 10시	14시	SDC ITO	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	4,900,000원
420	2023-08-01 9시	10시	ITO 2000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	280,000원
421	2023-08-02 13시	15시	ITO depo	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	4,900,000원
422	2023-08-02 14시	15시	BD3217-ROIC_SEED - Ti 2000A 증착	주식회사 보다	연구개발	김형원	115,000원
423	2023-08-02 16시	18시	DC&RF Sputtering system Shadow Mask 평가 건	삼성디스플레이	Micro Display팀	김수정	990,000원
424	2023-08-02 9시	12시	SDC ITO	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	2,320,000원
425	2023-08-04 10시	12시	SiO2 500A	LG전자	소자재료연구소	오동해	650,000원
426	2023-08-07 09시	12시	(2023년도 전문인력양성사업 하계) SiC 조각 wafer 위에 Ni+TiN 증착	한국항공대학교	신소재공학과	이찬혁	0원
427	2023-08-07 14시	18시	ITO depo	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김수철	7,840,000원
428	2023-08-07 9시	15시	ITO/Ni	삼성디스플레이	Micro Display팀	김수정	1,076,000원
429	2023-08-08 13시	14시	(2023년도 전문인력양성사업 하계) SiC 조각 wafer 위에 NiAl+TiN 증착	한국항공대학교	신소재공학과	이찬혁	0원
430	2023-08-09 10시	11시	LOT ID: KA32575A 목적: SL공정 Ti증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
431	2023-08-09 15시	16시	Ni 800A	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	132,000원
432	2023-08-10 14시	16시	ITO 2000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	840,000원
433	2023-08-11 14시	15시	Ti 1000A	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	95,000원
434	2023-08-11 15시	16시	Ni 1000A	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	132,000원
435	2023-08-11 8시	15시	LOT ID: KA32575A 목적: SE공정 Ti 증착 총 12장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
436	2023-08-14 10시	12시	ITO	삼성디스플레이	Micro LED Lab. (Micro Display 팀)	정준석	4,900,000원
437	2023-08-16 9시	11시	ITO 2000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	560,000원
438	2023-08-17 11시	12시	ITO depo	삼성디스플레이	Micro LED Lab	홍나미	5,880,000원
439	2023-08-25 9시	10시	SiO2 Sputtering -Wafer수량: 1장 -증착두께: 60nm -증착면: 웨이퍼 박스내 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	130,000원
440	2023-09-01 11시	15시	LOT ID: KA32575A 목적: VW증착 총 12장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
441	2023-09-01 15시	21시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	3,920,000원
442	2023-09-01 9시	11시	SiO2 Sputtering -Wafer 수량 : 1장 -증착 두께: 60nm -증착면 : 웨이퍼 박스내 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	130,000원
443	2023-09-04 1시	18시	Pt/TaO/Ti/, 240/10/10nm 20매 증착, (기존과 동일) 1) TaO/Ti 증착, Sputter 진행 2) Pt 증착 E-beam 진행	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	5,400,000원
444	2023-09-04 19시	20시	LOT ID: KA32575C 목적: SL공정 Ti 증착 총 11장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
445	2023-09-05 13시	16시	1-1-1 ITO 1500A Depo	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	880,000원
446	2023-09-07 9시	10시	ITO 2000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	280,000원
447	2023-09-08 14시	18시	ITO Depo	삼성디스플레이	-	여소영	2,450,000원
448	2023-09-08 9시	15시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	2,940,000원
449	2023-09-11 10시	11시	TiO2 1nm두께 증착 부탁드립니다. 샘플은 오후3시~4시 경에 1층 캐비넷에 두고 연락드리겠습니다. 웨이퍼 조각은 Al buried gate 상에 Al2O3 gate dielectric 및 ZnO channel 이 증착되어있으며, GXR601(positive PR)로 patterning이 되어있습니다.	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	윤성빈	180,000원
450	2023-09-11 11시	18시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	4,410,000원
451	2023-09-11 13시	17시	ITO Depo	삼성디스플레이	uLED Lab	이원호	980,000원
452	2023-09-11 14시	15시	1-2-1 Ni 700A Depo	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	126,000원
453	2023-09-11 9시	10시	SiO2 Sputtering -Wafer 수량: 4인치 3장 -증착 두께: 60nm -증착면: 웨이퍼 박스내에 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	390,000원
454	2023-09-12 13시	20시	ITO Depo	삼성디스플레이	-	여소영	4,900,000원
455	2023-09-12 9시	13시	ITO, Ni Depo	삼성디스플레이	Micro Display팀	김수정	2,152,000원
456	2023-09-13 10시	15시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	2,940,000원
457	2023-09-13 15시	19시	ITO Depo	삼성디스플레이	uLED Lab	이원호	2,080,000원
458	2023-09-13 9시	13시	ITO Depo	삼성디스플레이	uLED Lab	이원호	1,960,000원
459	2023-09-14 9시	10시	ITO 2000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	280,000원
460	2023-09-15 14시	17시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	980,000원
461	2023-09-15 9시	16시	LOT ID: KA32576A 목적: SL공정 Ti 증착 총 12장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
462	2023-09-15 9시	16시	LOT ID: KA32575C 목적: SE공정 Ti 증착 총 11장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
463	2023-09-18 9시	11시	SiO2 Sputtering -Wafer 수량: 4인치 3장 -증착 두께: 60nm -증착면 : 웨이퍼박스내 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	390,000원
464	2023-09-19 13시	18시	1-1-1 ITO Depo	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	2,940,000원
465	2023-09-19 9시	11시	1-2-1 Ni 700A Depo	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	252,000원
466	2023-09-20 13시	17시	ITO 6000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	1,140,000원
467	2023-09-20 9시	12시	ITO 1500A (장재원 책임님)	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	440,000원
468	2023-09-21 13시	16시	LOT ID: KA32575C 목적: VW증착 총 11장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
469	2023-09-21 16시	18시	SiO2 600A	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	260,000원
470	2023-09-21 9시	11시	SiO2 500A	LG전자	소자재료연구소	오동해	260,000원
471	2023-09-22 12시	17시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	2,940,000원
472	2023-09-22 9시	13시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	1,960,000원
473	2023-09-25 12시	20시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	4,900,000원
474	2023-09-26 17시	19시	ITO Depo	삼성디스플레이	uLED Lab	이원호	1,470,000원
475	2023-09-26 19시	20시	안녕하세요, 포항공대 김종규 교수님 연구실의 박정현입니다. 아래와 같은 조건으로 ITO 200 nm 증착 의뢰드립니다. 증착 온도는 확실하지않아서, 아래 조건 이외의 나머지 조건은 SDC사와 동일하게 진행 부탁드립니다. 감사합니다 : ) power 50 W 30 nm + 300 W 170 nm	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	630,000원
476	2023-09-26 20시	21시	TiO2 1nm두께 증착 부탁드립니다. 샘플은 오전10시~11시 경에 1층 캐비넷에 두고 연락드리겠습니다. 웨이퍼 조각은 Al buried gate 상에 Al2O3 gate dielectric 및 ZnO channel 이 증착되어있으며, GXR601(positive PR)로 patterning이 되어있습니다.	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	윤성빈	180,000원
477	2023-09-26 9시	17시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro LED Lab	홍나미	4,900,000원
478	2023-10-03 9시	17시	LOT ID: KA32576A 목적: SE공정 Ti증착 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
479	2023-10-04 10시	13시	SiO2 Sputterung -Wafer수량: 4장 -증착두께: 60nm -증착면: 웨이퍼박스내에 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	520,000원
480	2023-10-04 14시	15시	공정 진행자: 황현주 연구원님 기판 : SiO2 wapor Ti 6nm 증착. 9월 26일에 배송하여 미리 wapor가 도착할 수 있도록 하겠습니다. 추석연휴 이후 10월 4일 오전에 진행해주시고, 만약 10월 4일에 wapor가 도착하지 않았다면 도착한 당일 날 오전 혹은 익일 오전에 공정 진행해주시어 오후에 다시 택배로 배송 부탁드립니다. 산화가 최대한 되면 안되므로, 공정 후 바로 진공 포장하여 바로 택배로 배송 부탁드립니다. 구체적인 정보는 알지 못하더라도, 증착 온도 및 공정압 관련해서 말씀해주실 수 있으면 알려주시면 감사하겠습니다.	아주대학교	에너지시스템학과	당현민	100,000원
481	2023-10-05 14시	21시	ITO Depo	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김수철	4,900,000원
482	2023-10-05 9시	14시	ITO 2000A 1ea, 6000A 1ea	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	1,420,000원
483	2023-10-06 13시	15시	ITO 1500A Depo	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	440,000원
484	2023-10-08 9시	11시	SiO2 Sputtering -Wafer수량: 4인치 2장 -증착두께: 60nm -증착면: Wafer박스내 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	260,000원
485	2023-10-11 13시	14시	1-2-1 Ni 700A Depo	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	150,000원
486	2023-10-11 9시	11시	ITO 2000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	560,000원
487	2023-10-16 09시	12시	SiO2 60nm 4inch 3매 SiO2 50nm 4inch 2매 (황성현 책임님 진행 건)	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	650,000원
488	2023-10-17 12시	19시	ITO Depo	삼성디스플레이	-	여소영	3,920,000원
489	2023-10-17 9시	12시	ITO Depo	삼성디스플레이	uLED Lab	이원호	980,000원
490	2023-10-18 11시	16시	ITO Depo	삼성디스플레이	-	여소영	9,800,000원
491	2023-10-19 16시	21시	ITO 2000A Depo	삼성디스플레이	Micro Display	한상욱	2,900,000원
492	2023-10-20 15시	16시	ITO 2000A	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	280,000원
493	2023-10-20 9시	15시	ITO Depo	삼성디스플레이	-	여소영	3,430,000원
494	2023-10-24 9시	11시	SiO2 Sputtering -Wafer수량 : 4인치 2장 -증착 두께: 60nm -증착면: 웨이퍼박스내 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	260,000원
495	2023-10-25 10시	18시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	4,900,000원
496	2023-10-25 9시	10시	Si 웨이퍼 위에 SiO2증착을 진행한 조각 시편입니다. SiO2위에 Ti(10nm) / Ni(100nm) 순으로 증착을 요청 드립니다. (중간에 진공을 풀지 않고 in-situ 진행-산화 우려) (증착 후 진공 포장하여 배송 요청 드립니다.) 30개의 시편을 보내드리오나, 한번만 공정을 진행하고자 하오니 최대 갯수로 올려 진행부탁드리겠습니다. 추가 문의 사항은 010-3005-7342(정민성)으로 언제든 연락 주시면 감사드리겠습니다. 감사합니다.	서울과학기술대학교	지능형반도체공학과	정민성	250,000원
497	2023-10-26 10시	13시	LOT ID: KA32576A 목적: VW증착 총 12장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	조기수	0원
498	2023-10-26 13시	20시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	4,410,000원
499	2023-10-27 14시	15시	2X2 조각 시편 8개입니다. SiO2 조각 시편에 TiN 100nm 증착된 상태로 SrTiO3 20nm 증착 되어 있습니다. TiN 10nm 증착 부탁 드립니다. 010-5018-8801 kim6246@ajou.ac.kr	아주대학교	에너지시스템학과	김덕환	100,000원
500	2023-10-27 9시	12시	ITO 1500A	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	1,100,000원
501	2023-10-31 10시	11시	구조물 위, Au를 포함한 다층의 Metal을 증착만 진행하였으며 이중 Passivation층으로 Ti가 사용됨 8인치 더미 사용하여 증착하는 것으로 협의 완료된 공정임. 조각 샘플 총 2개, 증착 시 한 장으로 붙여서 한번에 증착 가능하면 한번에 증착 부탁드리고 어려우면 2번 나눠서 증착 하시면 됩니다.	LG전자	소자재료연구소	오동해	100,000원
502	2023-10-31 11시	12시	1-1-1 Ni 700A	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	170,000원
503	2023-11-01 14시	15시	10-6-1 Ni/TiN=800Å/300Å	포항공과대학교	선행기술팀	박범성	476,000원
504	2023-11-02 10시	12시	ITO 2000A 2매	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	560,000원
505	2023-11-02 12시	18시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	2,940,000원
506	2023-11-03 10시	13시	조각 시편 10ea ITO Depo	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	980,000원
507	2023-11-03 14시	16시	TiOx, 20 nm target으로 증착부탁드리겠습니다.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	190,000원
508	2023-11-06 16시	19시	10-3-1 (WF01, 04) Ni/TiN Depo 800Å/300Å 10-6-1 (WF02, 03, 05) Ni Depo 700Å	삼성전자	DS	김태훈	0원
509	2023-11-09 11시	16시	ITO depo 1,000Å(SDC 조건)	삼성디스플레이	-	여소영	2,450,000원
510	2023-11-09 16시	20시	ITO depo 1,000Å(SDC)	삼성디스플레이	Micro LED Lab	홍나미	2,450,000원
511	2023-11-13 11시	12시	SiO2 300A	LG전자	소자재료연구소	오동해	100,000원
512	2023-11-13 9시	11시	SiO2 Sputtering wafer 수량: 2장 증착 두께: 60nm 증착면 : 웨이퍼 박스내에 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	260,000원
513	2023-11-14 16시	18시	(WF02) 10-4-4 Ni 800Å Depo	포항공과대학교	선행기술팀	박범성	138,000원
514	2023-11-15 17시	19시	ITO 1500Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	440,000원
515	2023-11-15 9시	17시	ITO Depo	삼성디스플레이	-	여소영	5,880,000원
516	2023-11-16 10시	16시	1st ITO 50W 300Å 2nd ITO 300W 700Å	삼성디스플레이	-	여소영	2,450,000원
517	2023-11-16 16시	17시	Ni 3000Å Depo	포항공과대학교	공정기술팀	박광진	246,000원
518	2023-11-16 9시	10시	ITO 2000Å Depo	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	280,000원
519	2023-11-20 14시	15시	Slot no.3 => Ta(300nm)/Ni(300nm)/Si	포항공과대학교	공정기술팀	박광진	386,000원
520	2023-11-20 15시	16시	Slot no.5 => Ta(300nm)/Ni(300nm)/SiO2(50nm)/Si	포항공과대학교	공정기술팀	박광진	520,000원
521	2023-11-20 9시	11시	SiO2 Sputtering -Wafer수량: 2장 -증착두께: 60nm -증착면: 웨이퍼 박스내 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	260,000원
522	2023-11-21 15시	17시	SiO2 100nm 증착 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	전나라	340,000원
523	2023-11-22 10시	11시	ITO Depo 1000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	190,000원
524	2023-11-22 11시	17시	ITO Depo	삼성디스플레이	-	여소영	2,940,000원
525	2023-11-22 9시	12시	ITO	삼성디스플레이	-	여소영	1,850,000원
526	2023-11-23 11시	17시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	3,430,000원
527	2023-11-24 9시	11시	SiO2 Sputtering wafer 수량: 2장 (조각) 증착두께: 60nm 증착면 : 낱개 캐리어에 표시	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	260,000원
528	2023-11-28 9시	11시	SiO2 Sputtering -Wafer수량: 4인치 2장 -증착두께 : 60nm -증착면 : Wafer박스내 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	260,000원
529	2023-11-29 16시	18시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	1,960,000원
530	2023-11-29 9시	16시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	3,920,000원
531	2023-11-30 14시	16시	3-0-4 Ti/Ta depo 100Å	나노융합기술원	대외협력팀	양웅석	190,000원
532	2023-11-30 8시	9시	ITO 2000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	560,000원
533	2023-12-01 14시	16시	SiO2 300Å	LG전자	소자재료연구소	오동해	300,000원
534	2023-12-06 9시	12시	ITO 1500Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	660,000원
535	2023-12-07 13시	14시	(2st) Ti/Ta depo 100Å	나노융합기술원	대외협력팀	양웅석	190,000원
536	2023-12-07 9시	12시	SiO2 600Å	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	520,000원
537	2023-12-11 10시	12시	안녕하세요, 포항공대 김종규 교수님 연구실의 김자원입니다. 아래와 같은 조건으로 ITO 100 nm 증착 의뢰드립니다. 증착 온도는 확실하지않아서, 아래 조건 이외의 나머지 조건은 SDC사와 동일하게 진행 부탁드립니다. 감사합니다 : ) power 50 W 30 nm + 300 W 70 nm	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김자원	540,000원
538	2023-12-12 10시	12시	ITO 2000Å Depo	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	280,000원
539	2023-12-13 12시	9시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	24,400,000원
540	2023-12-13 15시	22시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	4,900,000원
541	2023-12-15 9시	11시	SiO2 Sputtering Wafer 수량 : 1장 (Wafer 귀퉁이 파손) 증착 두께 : 60nm 증착면: 웨이퍼 보관 싱글 캐리어에 표시	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	130,000원
542	2023-12-19 9시	11시	ITO Depo 2000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	280,000원
543	2023-12-22 9시	12시	[2023년 나노융합기반 고도화사업] 1 Mo/ITO Depo 500Å/1000Å	(주)엔디디	연구소	최영환	1,600,000원
544	2023-12-27 10시	12시	SiO2 60nm depo 4매	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	520,000원
545	2023-12-27 11시	12시	ITO Depo 2000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	280,000원
546	2023-12-29 10시	12시	ITO Depo 500Å	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김승모	220,000원
547	2024-01-03 9시	17시	ITO Depo 1,000Å	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김수철	4,900,000원
548	2024-01-04 9시	17시	ITO Depo	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김수철	4,900,000원
549	2024-01-05 11시	12시	Ti/Ta Depo 100Å/1000Å	나노융합기술원	대외협력팀	양웅석	274,000원
550	2024-01-08 11시	12시	1/8(월) sample 전달 예정입니다. SPM cleaning 진행 후 Al sputtering (DC&RF sputter) 진행 부탁드립니다.	한국생산기술연구원	첨단메카트로닉스연구그룹	노은식	100,000원
551	2024-01-09 9시	18시	2. ITZO Depo (Split)	(주)엔디디	연구소	최영환	0원
552	2024-01-11 10시	14시	SiO2 sputtering 웨이퍼 수량: 4장 증착 두께 : 20nm 증착면: 웨이퍼 캐리어 표기 (웨이퍼 flat zone 시리얼 넘버 없는 면)	LG전자	CTO 소자재료연구소	고지수	400,000원
553	2024-01-12 12시	13시	ITO Depo 2000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	280,000원
554	2024-01-12 13시	14시	4inch si 1매, 4inch half 1매 ITO Depo 1500Å	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김승모	200,000원
555	2024-01-12 9시	12시	ITO 100 nm 증착 및 어닐링 의뢰드립니다. 100nm는 50W로 30nm 증착 후, 300W로 70nm 증착 부탁드리며, 나머지 조건 (온도 등)은 SDC사와 동일하게 진행 부탁드립니다. 어닐링은 N2분위기 650도 2분 진행해주세요. 기판은 오늘 저녁 1층 테이블위에 두겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	1,296,000원
556	2024-01-15 16시	20시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	1,440,000원
557	2024-01-15 9시	16시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	3,920,000원
558	2024-01-17 8시	9시	ITO Depo 2000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	280,000원
559	2024-01-17 9시	20시	ITO Depo 500Å 10ea/1000Å 4ea	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김수철	6,260,000원
560	2024-01-18 9시	10시	Ti Depo 1000Å	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	90,000원
561	2024-01-19 13시	15시	Ti/Ta Depo	나노융합기술원	대외협력팀	양웅석	190,000원
562	2024-01-19 9시	12시	SiO2 Sputtering -Wafer수량: 2장( 2장중 1장은 조각) -증착두께: 4인치는 60nm, 조각은 20nm -증착면 : 웨이퍼 캐리어에 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	230,000원
563	2024-01-22 11시	12시	ITO 2000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	280,000원
564	2024-01-22 13시	15시	2-2-3 Ni Depo 1000Å	AP시스템(주)	디스플레이 장비사업본부	최동혁	300,000원
565	2024-01-22 9시	11시	ITO Depo	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	1,650,000원
566	2024-01-23 9시	13시	2. ITZO Depo (Split) 재진행	(주)엔디디	연구소	최영환	0원
567	2024-01-24 9시	13시	기존 의뢰 샘플이며 유선상으로 담당자와 확인하였습니다. 해당 증착면에 별도로 표기 완료하였습니다. SiO2 Sputtering 2매 (증착두께 : 20nm & 60nm, 각 샘플 증착면에 별도 표기 완료)	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	230,000원
568	2024-01-25 9시	12시	4. Mo Depo 800Å	(주)엔디디	연구소	최영환	0원
569	2024-01-26 10시	12시	ITO 1000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	380,000원
570	2024-01-26 13시	15시	6인치 웨이퍼에 붙이고 맡기는 시편함에 수요일저녁까지 두겠습니다. Al 증착속도는 0.8A/s ~ 1.0A/s로 진행 부탁드립니다. 150nm 증착 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	100,000원
571	2024-01-29 13시	14시	SiO2 Sputtering -Wafer수량: 2장 -증착두께: 60nm -증착면: 웨이퍼 캐리어에 표시	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	260,000원
572	2024-01-29 9시	13시	Sputtering SiO2 4매 증착 요청 드립니다. 전처리는 기존 샘플 (박주도, 고지수 외) 처리해주신 바와 같이 해주십시오. 증착 두께는 각 20nm 이며, 증착면 및 기타 정보는 샘플캐리어에 표기하도록 하겠습니다. 감사합니다.	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	400,000원
573	2024-01-30 9시	12시	ITO Depo 1500Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	660,000원
574	2024-02-01 10시	20시	ITO Dpeo	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	5,880,000원
575	2024-02-01 9시	10시	ITO Depo 2000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	280,000원
576	2024-02-02 13시	14시	2-2-2 Ni Depo 1,000Å	AP시스템(주)	디스플레이 장비사업본부	최동혁	150,000원
577	2024-02-05 13시	15시	4 Mo Depo 800Å	(주)엔디디	연구소	최영환	0원
578	2024-02-06 9시	13시	Sputtering SiO2 20nm 증착 요청 드립니다. 증착 조건은 기존과 같습니다. 증착면은 샘플 캐리어에 메모하도록 하겠습니다. 감사합니다.	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	200,000원
579	2024-02-07 10시	12시	Ti/Ta Depo 100Å/1000Å	나노융합기술원	대외협력팀	양웅석	570,000원
580	2024-02-07 13시	20시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	4,900,000원
581	2024-02-07 9시	10시	Ti/Ta Depo 100Å/1000Å	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	380,000원
582	2024-02-08 9시	12시	초과 금액 청구	(주)엔디디	연구소	최영환	805,000원
583	2024-02-13 13시	16시	ITO Depo	삼성디스플레이	-	여소영	1,470,000원
584	2024-02-13 9시	12시	ITO Depo 1,500Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	1,100,000원
585	2024-02-15 9시	11시	ITO Depo 2000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	280,000원
586	2024-02-16 9시	11시	SiO2 Sputtering -Wafer 수량: 4인치 2장 -증착 두께: 60nm -증착면 : 웨이퍼 박스내 표기	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	260,000원
587	2024-02-20 10시	12시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	980,000원
588	2024-02-20 10시	12시	SDC 미청구 건	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	694,500원
589	2024-02-20 12시	16시	ITO 100 nm 증착 및 어닐링 의뢰드립니다. 100 nm는 50 W로 30 nm 증착 후, 300 W로 70 nm 증착 부탁드리며, 나머지 조건 (온도 등)은 SDC사와 동일하게 진행 부탁드립니다. 어닐링은 N2 분위기 650도 2분 진행해주세요. 감사합니다 : )	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	9,072,000원
590	2024-02-21 16시	17시	ITO Depo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	280,000원
591	2024-02-22 09시	11시	SiO2 60nm 1매, SiO2 20nm 1매 증착 요청 드립니다. 증착 두께는 각 샘플에 표기할 예정이며, 상세 내용은 메일로 담당자와 협의하였습니다.	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	230,000원
592	2024-02-23 11시	18시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	3,430,000원
593	2024-02-23 9시	11시	ITO Depo	삼성디스플레이	-	여소영	980,000원
594	2024-02-27 10시	12시	ITO 2000A depo	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	280,000원
595	2024-02-28 10시	14시	SDC조건 ITO 1000	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	9,800,000원
596	2024-02-28 14시	16시	SiO2 Sputtering 요청 드립니다. 상세 조건은 담당자와 메일 상으로 사전 협의하였으며, 증착면 및 SiO2 증착 두께는 샘플 캐리어에 표기하였습니다.	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	330,000원
597	2024-02-29 14시	15시	TiON Split Test	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	570,000원
598	2024-02-29 9시	14시	수 량 : 10매 Sputter: Ti/TaO, 100/100A E-beam: Pt, 2000A 비용처리: 첨단제조 플랫폼 기반 ICT 혁신 제품화 지원사업비	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	2,000,000원
599	2024-03-05 16시	17시	Lift-off 목적의 PR 패터닝 되어 있습니다. 샘플 수량 및 크기 : 2조각, 2.5x2.5㎠ 샘플(Al) : Ti/Al 50/300 nm (Ti이 먼저 증착되는 금속입니다)	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	최재용	256,000원
600	2024-03-05 9시	10시	ITO Depo 2000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	300,000원
601	2024-03-07 10시	12시	2X2 조각 시편 15개입니다. SiO2 조각 시편에 TiN 100nm 증착된 상태로 SrTiO3 20nm 증착 되어 있습니다. TiN 10nm 증착 부탁 드립니다. 010-5018-8801 kim6246@ajou.ac.kr	아주대학교	에너지시스템학과	김덕환	240,000원
602	2024-03-07 9시	10시	Lift-off 목적의 PR 패터닝 되어 있습니다. 샘플 수량 및 크기 : 2조각, 2.5x2.5㎠ 샘플(N) : NiAl (Al 2.6 at.%) 100nm	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	최재용	126,000원
603	2024-03-08 10시	12시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	980,000원
604	2024-03-08 9시	10시	lTO Depo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	300,000원
605	2024-03-11 11시	13시	1-1-1 Cr Depo 5,000Å	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	1,251,000원
606	2024-03-11 13시	16시	1-1-1 Cr Depo 5,000Å	(주)지아이에스	지아이에스 부설연구소	이민재	4,185,000원
607	2024-03-11 9시	11시	SiO2 Sputtering Wafer수량: 4인치 2장 증착두께: 20nm 증착면: 웨이퍼 캐리어에 표시	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	240,000원
608	2024-03-12 11시	13시	NiAl Depo 500Å	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	576,000원
609	2024-03-12 9시	10시	NiAl Depo 500Å(조각)	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	96,000원
610	2024-03-15 11시	17시	메일 참조	주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아	스카이웍스	박명현	1,530,000원
611	2024-03-15 9시	11시	SiO2 Sputtering -Wafer 수량: 조각 -증착두께 : 20nm -증착면 표시	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	120,000원
612	2024-03-18 14시	18시	ITO Depo	삼성디스플레이	-	여소영	2,575,000원
613	2024-03-19 10시	14시	ITO Depo	삼성디스플레이	-	여소영	2,575,000원
614	2024-03-19 14시	21시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	5,150,000원
615	2024-03-19 9시	10시	ITO Depo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	300,000원
616	2024-03-20 13시	17시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	2,575,000원
617	2024-03-21 10시	11시	ITO Depo	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	515,000원
618	2024-03-21 9시	10시	ITO Depo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	300,000원
619	2024-03-22 9시	13시	SiO2 Sputtering 2매 요청 드립니다. 증착 두께는 각 60nm 이며 상세 내용을 메일상으로 협의하였습니다. 전처리도 기존과 같이 부탁드립니다.	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	240,000원
620	2024-03-25 11시	13시	1-1-2 ITO Depo 1,000Å	(주)엔디디	연구소	최영환	670,000원
621	2024-03-25 13시	14시	1-1-1 (WF01) ITO Depo 1,000 (RF 50W 30nm + RF 300W 70nm)	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	515,000원
622	2024-03-25 14시	15시	1-1-1 (WF02, 03, 04) ITO Depo 1,000 (RF 50W 20nm + RF 300W 80nm)	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	515,000원
623	2024-03-25 15시	16시	1-1-1 (WF05, 06, 07) ITO Depo 1,000 (RF 50W 10nm + RF 300W 90nm)	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	515,000원
624	2024-03-25 9시	11시	1-1-1 Mo Depo 500Å	(주)엔디디	연구소	최영환	360,000원
625	2024-03-27 09시	10시	ITO Depo 600Å	LG전자	소자재료연구소	강동훈	150,000원
626	2024-03-27 10시	12시	ITO Depo 2,500Å	LG전자	소자재료연구소	강동훈	1,080,000원
627	2024-04-01 10시	14시	ITO 1000(300+700)	삼성디스플레이	-	여소영	1,030,000원
628	2024-04-01 19시	21시	ICT 제품화 지원사업 (선행) 2-1-2 ITZO Depo Split (Ar:O2=36:4), (Ar:O2=32:8)	(주)엔디디	연구소	최영환	480,000원
629	2024-04-02 13시	15시	ICT 제품화 지원사업 2.1 ITZO Depo 200Å(Ar:O2=32:8)	(주)엔디디	연구소	최영환	680,000원
630	2024-04-02 8시	12시	ICT 제품화 지원사업 2-1-2 ITZO Depo Split (Ar:O2=36:4)	(주)엔디디	연구소	최영환	240,000원
631	2024-04-03 8시	11시	SiO2 Sputtering -웨이퍼 수량: 4장 -증착두께 : 2장(20nm), 2장(60nm) -증착면 및 두께 정보 : 웨이퍼 캐리어에 표시	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	540,000원
632	2024-04-04 13시	14시	1-1-1 ITO Depo 1,000Å	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	515,000원
633	2024-04-04 14시	15시	1-1-1 ITO Depo 1,000Å	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	515,000원
634	2024-04-04 15시	16시	1-1-1 ITO Depo 1,000Å	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	515,000원
635	2024-04-04 20시	21시	ITO Depo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	300,000원
636	2024-04-04 9시	11시	ICT 제품화 지원사업 3-1-1 Mo Depo 800Å	(주)엔디디	연구소	최영환	450,000원
637	2024-04-08 13시	16시	1-1-1 Cr Depo 5,000Å	(주)지아이에스	지아이에스 부설연구소	이민재	1,410,000원
638	2024-04-08 9시	13시	SiO2 sputtering 60nm 2매 증착 요청 드립니다. 상세 내용은 담당자와 협의하였으며 (기존 조건) 증착면 및 요청 두께는 샘플 캐리어에 표기하였습니다.	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	300,000원
639	2024-04-09 8시	11시	ICT 제품화 지원사업 4-2-1 Mo Depo 800Å	(주)엔디디	연구소	최영환	450,000원
640	2024-04-11 9시	13시	담당자분과 메일상으로 협의하였습니다. SiO2 Sputtering 60nm 2매 건 입니다. 전처리 및 증착 조건은 기존과 같게 부탁드립니다. 샘플 케이스에 증착면 및 정보 기입하였습니다.	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	240,000원
641	2024-04-12 8시	12시	Dummy 웨이퍼로 사용할 4인치 웨이퍼 3장 각각 400nm Al 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김준형	468,000원
642	2024-04-17 9시	12시	ITO Depo 3,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	780,000원
643	2024-04-22 13시	17시	11-3-1 Ni/TiN Depo 800Å/300Å	삼성전자	DS	김태훈	0원
644	2024-04-22 9시	13시	Sputterig SiO2 60nm 증착 의뢰 드립니다. 수량은 총 3매 이며 증착 조건은 기존 의뢰 드린 바와 같습니다. 샘플 송부 시 캐리어에 증착면 표기하여 송부 예정 입니다. 감사합니다.	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	450,000원
645	2024-04-25 8시	11시	ITO Depo 3,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	1,380,000원
646	2024-04-26 14시	16시	SiO2 Depo 600Å	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	600,000원
647	2024-04-29 13시	14시	glass 기판 위에 aSiH 구조가 패터닝되어 있는 기판입니다. 위에 ITO 70nm sputtering으로 박막 증착을 진행하고자 합니다. sputtering 후 annealing을 해야하는지 궁금한데 연락주시면 감사하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	156,000원
648	2024-04-29 14시	15시	Ni 증착 의뢰 드립니다. 내용은 기존 연구소 내의 Ni 증착 레시피 기준으로 Power 조건만 25%, time 조건은 모두 동일하게 5분으로 해주시면 감사하겠습니다.	한양대학교	신소재공학과	이승호	120,000원
649	2024-04-29 15시	16시	Ni 증착 의뢰 드립니다. 내용은 기존 연구소 내의 Ni 증착 레시피 기준으로 Power 조건만 50%, time 조건은 모두 동일하게 5분으로 해주시면 감사하겠습니다.	한양대학교	신소재공학과	이승호	120,000원
650	2024-04-29 16시	17시	Ni 증착 의뢰 드립니다. 내용은 기존 연구소 내의 Ni 증착 레시피 기준으로 Power 조건만 75%, time 조건은 모두 동일하게 5분으로 해주시면 감사하겠습니다.	한양대학교	신소재공학과	이승호	120,000원
651	2024-04-29 17시	18시	Ni 증착 의뢰 드립니다. 내용은 기존 연구소 내의 Ni 증착 레시피 기준으로 Power 조건만 100% time 조건은 모두 동일하게 5분으로 해주시면 감사하겠습니다.	한양대학교	신소재공학과	이승호	120,000원
652	2024-04-29 18시	20시	ITO Depo 3,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	1,170,000원
653	2024-04-29 8시	9시	ITO Depo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	300,000원
654	2024-04-29 9시	10시	ITO Depo 3,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	390,000원
655	2024-04-30 15시	17시	WF01 - Ni Depo 500Å WF02 - Ni Depo 1,000Å	AP시스템(주)	디스플레이 장비사업본부	최동혁	350,000원
656	2024-05-02 15시	17시	SiO2 Depo 600Å	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	300,000원
657	2024-05-02 17시	18시	SiC sample backside(화살표로 표면에 표시된 부분)에 Silcidation 형성하기 위한 Laser annealing 공정을 하려고 합니다. 1. wet station에서 DHF(100:1) 세정을 진행하려고 합니다. 2. SiC sample backside(화살표로 표면에 표시된 부분)에 Ni 50nm로 deposition을 하려고 합니다. 3. Ni depostion 위에 TiN deposition 15nm로 deposition을 진행하려고 합니다. 이 중 2번 과정을 진행해주시면 됩니다. 이후 진공포장 해주시면 감사하겠습니다.	포항공과대학교 대학원	반도체대학원	박휘승	96,000원
658	2024-05-02 18시	19시	SiC sample backside(화살표로 표면에 표시된 부분)에 Silcidation 형성하기 위한 Laser annealing 공정을 하려고 합니다. 1. wet station에서 DHF(100:1) 세정을 진행하려고 합니다. 2. SiC sample backside(화살표로 표면에 표시된 부분)에 Ni 50nm로 deposition을 하려고 합니다. 3. Ni depostion 위에 TiN deposition 15nm로 deposition을 진행하려고 합니다. 이 중 3번 과정을 진행해주시면 됩니다. 이후 진공포장 해주시면 감사하겠습니다.	포항공과대학교 대학원	반도체대학원	박휘승	96,000원
659	2024-05-03 15시	16시	glass 기판 위에 aSiH 구조가 패터닝되어 있는 기판입니다. 위에 ITO 150nm sputtering으로 박막 증착을 진행하고자 합니다. 스퍼터링 증착기 진공도 및 Ar 가스 공급 유량과 증착 시 공정 압력, 플라즈마 방전을 위한 고주파 전력 값 등의 공정 정보가 알고싶은데, 연락 부탁드립니다. 기저 진공상태 : 5.010-6 Torr 이하 Ar 가스 유량 : 50sccm 공정 압력 : 3.010-2 Torr 고주파 전력 파워 : 50Watt 박막 두께 : 150nm 조건으로 진행 가능한지 궁금합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	216,000원
660	2024-05-03 16시	19시	1-1-2 Ti/Ta Depo 100Å/1,000Å	포항공과대학교	전자전기공학과	류용우	1,296,000원
661	2024-05-07 8시	10시	ITO Depo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	300,000원
662	2024-05-08 8시	10시	Al 5000A depo	포항공과대학교	공정기술팀	박광진	180,000원
663	2024-05-09 9시	10시	SiO2 Sputtering 60nm 증착 의뢰 드립니다. 증착 조건은 기존과 같으며 증착면은 샘플 케이스에 별도로 표기할 예정입니다.	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	150,000원
664	2024-05-10 10시	12시	ITO Depo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	300,000원
665	2024-05-10 12시	15시	glass 기판 위에 aSiH 구조가 패터닝되어 있는 기판 1장 + glass 기판 5장 입니다. 위에 ITO 250nm sputtering으로 박막 증착을 진행하고자 합니다. 5/3 의뢰했던 진행 조건 그대로 증착 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	336,000원
666	2024-05-13 10시	12시	SiO2 Depo 600Å	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	450,000원
667	2024-05-13 13시	15시	1-2-3 NiAl Depo 500Å	포항공과대학교	반도체기술융합센터	김준	128,000원
668	2024-05-14 13시	15시	1-1-2 Ti/Ta Depo 100Å/1,000Å	포항공과대학교	전자전기공학과	류용우	384,000원
669	2024-05-14 8시	12시	ICT 제품화 지원사업 Sputter Ti/TaO, 100/100A 증착	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	2,400,000원
670	2024-05-16 12시	15시	ICT 제품화 지원사업 1-1-2 ITO Depo 1,000Å	(주)엔디디	연구소	최영환	880,000원
671	2024-05-16 9시	12시	TCT 제품화 지원사업 1-1-1 Mo Depo 500Å	(주)엔디디	연구소	최영환	480,000원
672	2024-05-21 13시	15시	Ti/Al Depo 100Å/8,000Å	템퍼스	생산기술팀	서영민	380,000원
673	2024-05-21 8시	11시	ITO Depo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	600,000원
674	2024-05-22 8시	12시	2-1-2 ITZO Depo	(주)엔디디	연구소	최영환	980,000원
675	2024-05-23 9시	11시	ITO Depo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	300,000원
676	2024-05-24 10시	11시	2-2-2 Backside Ni Depo 1,000Å	AP시스템(주)	디스플레이 장비사업본부	최동혁	150,000원
677	2024-05-24 15시	16시	SiO2 Depo 400Å	포항공과대학교	반도체공학과	서유라	90,000원
678	2024-05-24 16시	18시	3-1-1 Mo Depo 800Å	(주)엔디디	연구소	최영환	510,000원
679	2024-05-24 9시	10시	2-2-2 Backside Ni Depo 500Å	AP시스템(주)	디스플레이 장비사업본부	최동혁	120,000원
680	2024-05-27 8시	12시	SiO2 Depo 600Å	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	600,000원
681	2024-05-28 13시	14시	Sputtering SiO2 120nm 증착 의뢰 드립니다. 증착조건 및 전처리는 기존과 같습니다. 총 수량은 2매이며 샘플에 증착면 표시하였습니다.	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	420,000원
682	2024-05-28 14시	16시	Sputtering SiO2 60 nm 증착 의뢰 드립니다. 증착 조건은 기존과 같게 부탁드립니다. 증착면 및 요청 두께 정보는 샘플 케이스에 다시 한 번 기재하도록 하겠습니다. 감사합니다.	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	150,000원
683	2024-05-28 16시	21시	10-3-1 Ni/TiN Depo 800Å/300Å	삼성전자	DS	김태훈	0원
684	2024-05-28 9시	13시	10-3-1 Ni/TiN Depo 800Å/300Å	삼성전자	DS	김태훈	0원
685	2024-05-29 10시	12시	ITO deposition 140nm 예정하고 있습니다. shadow mask를 사용하여 특정 패턴만 증착을 하거나, 전면에 증착을 하고자 합니다. 조각 웨이퍼의 경우 한 번에 몇 장 까지 증착이 가능할 지 알 수 있으면 좋겠습니다. 조각 웨이퍼의 사이즈는 2mmx2mm이며, 매수가 늘어나면 비용이 어떻게 달라질지 확인 부탁 드립니다. 해당 내용은 dan05006@postech.ac.kr 로 답변 주시면 매우 감사하겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	반도체공학과	김정훈	180,000원
686	2024-05-29 13시	15시	기존 가지고 계신 Ni 증착 조건에서 power 조건을 50% 로 설정해주신 뒤, 기존 시간의 2배로 증착 부탁드리겠습니다.	한양대학교	신소재공학과	이승호	150,000원
687	2024-05-29 14시	16시	ITO 250nm Sputtering for LNO Crystal	포항공과대학교 대학원	융합대학원	Peeyush Malik	336,000원
688	2024-05-29 8시	10시	1-1-1 ITO Depo 1,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	210,000원
689	2024-05-30 8시	10시	4-2-1 Mo Depo 800Å	(주)엔디디	연구소	최영환	450,000원
690	2024-05-31 8시	10시	SiO2 Depo 600Å	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	150,000원
691	2024-06-03 13시	14시	1-2-4 NiAl Depo 500Å	포항공과대학교	반도체기술융합센터	김준	96,000원
692	2024-06-03 14시	15시	NiAl Depo 500Å	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	96,000원
693	2024-06-03 8시	10시	ITO Depo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	300,000원
694	2024-06-04 9시	12시	Sputtering Metal Dep 공정 Ti 100A, Al 8,000A 조건으로 1매 실험을 요청드립니다. (Notch Type) (Ar Etch 생략) 상부에 Lift-Off PR로 패터닝 되어 있습니다. 공정 진행시 유의바랍니다. 저번 실험과 달리 Ar Etch없이 바로 Sputtering Metal Dep 공정을 요청드립니다. 감사합니다.	템퍼스	생산기술팀	서영민	380,000원
695	2024-06-05 13시	15시	기판 위에 Ni 증착 및 Si etching을 통한 patterning 진행된 상태입니다. etching은 대략 2 um 진행된 상태이며, SiO2 90nm 증착하고 싶습니다.	경상대학교	세라믹공학과	곽한길	180,000원
696	2024-06-05 15시	17시	2-2-2 Ni Depo 800Å	AP시스템(주)	디스플레이 장비사업본부	최동혁	150,000원
697	2024-06-05 17시	22시	10-3-1 Ni/TiN Dpeo 800Å/300Å	트리노테크놀로지	경영지원팀	트리노테크놀로지	0원
698	2024-06-07 8시	12시	SiO2 Depo 600Å	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	600,000원
699	2024-06-10 13시	22시	10-3-1 Ni/TiN Depo 800Å/300Å	트리노테크놀로지	경영지원팀	트리노테크놀로지	0원
700	2024-06-12 13시	15시	1-2-2 Ti/Ta Depo 100Å/1,700Å	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	236,000원
701	2024-06-12 9시	13시	Sputtering SiO2 증착 의뢰 드립니다. 샘플 수는 총 2매이며 증착 조건은 기존과 같습니다. 각각 60nm 2매 증착 부탁 드립니다. 증착면과 증착 두께는 샘플케이스에 메모하였습니다. 감사합니다.	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	300,000원
702	2024-06-13 10시	12시	1-2-2 Ti/Ta Depo 100Å/1,700Å	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	236,000원
703	2024-06-17 15시	17시	인공 다이아몬드 시편에 보론 주입했고, 유광, 무광으로 앞뒤 구분이 있습니다. 유광인 부분에 SiO2 2000Å증착하고 싶습니다.	전북대학교	전자정보공학부	김인화	300,000원
704	2024-06-20 13시	16시	ITO Depo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	600,000원
705	2024-06-21 9시	11시	기존 가지고 계신 Ni 증착 조건에서 power 조건을 50% 로 설정해주신 뒤, 기존 시간의 2배로 증착 부탁드리겠습니다. 100 nm 두께 증착을 원합니다.	한양대학교	신소재공학과	이승호	150,000원
706	2024-06-25 9시	13시	Sputtering SiO2 60nm 1매 증착 의뢰 드립니다. 기판 정보는 기존과 같으며 전처리 및 증착 조건도 기존과 같게 부탁드립니다. 샘플 케이스에 증착면 위치와 증착 두께 메모하겠습니다.	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	150,000원
707	2024-06-26 10시	16시	포스텍 차세대공유혁신대학 나노 반도체공정 실습교육	나노융합기술원	교육홍보팀	김동기	1,800,000원
708	2024-06-26 8시	12시	ITO Dpeo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	300,000원
709	2024-06-27 16시	18시	1-2-4 NiAl Depo 500Å	포항공과대학교	반도체기술융합센터	김준	96,000원
710	2024-07-01 10시	12시	SiO2 Depo 600Å	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	300,000원
711	2024-07-02 10시	12시	1-1-1 Ni Depo 700Å	삼성전자	Power device팀	박종원	150,000원
712	2024-07-03 15시	16시	NiO 증착 초기 시현을 부드립니다. TiN, SiO2 증착된 Si 기판 (25x25mm) 2매, bare Si기판 (20x20mm) 약 10매에 증착할 예정입니다. 장비에 자리가 되는한, 최대한 많은 수량의 Bare Si에 증착을 하면 좋겠습니다. 증착 시현을 위한 조건은 아래와 같습니다. -Gas -> Oxygen : Argon = 1 : 4 -Power -> 200W -Pressure -> 5m torr -sputtering time -> 10min -Temp -> RT 일정 승인 되면 제가 IPA로 간단한 cleaning 이후에 시편 전달 드리도록 하겠습니다. 공정 비용은 신임교원 할인 적용해주시면 감사하겠습니다. 문제가 있다면 언제든 연락 주시길 바랍니다. (phone : 010-5632-7274) 공정 잘부탁드리겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	반도체공학과	황제혁	260,000원
713	2024-07-09 10시	12시	1-1-1 Ni Depo 700Å	삼성전자	Power device팀	박종원	150,000원
714	2024-07-10 9시	13시	SiO2 Sputtering 60nm 공정 의뢰 드립니다. 증착 조건은 기존과 같으며 증착면 표기는 샘플 케이스에 기재하였습니다.	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	750,000원
715	2024-07-12 13시	15시	SiO2 Depo 600Å	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	300,000원
716	2024-07-15 14시	16시	2-1-1 (WF01, 02) - ITO Dpeo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	600,000원
717	2024-07-15 16시	17시	2-1-2 (WF03) - ITO Depo 3,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	390,000원
718	2024-07-15 17시	19시	[ICT 제품화 지원사업] 1-1-1 Mo Depo 500Å	(주)엔디디	연구소	최영환	1,080,000원
719	2024-07-15 19시	21시	[ICT 제품화 지원사업] 1-1-2 ITO Depo 1,000Å	(주)엔디디	연구소	최영환	1,930,000원
720	2024-07-17 13시	14시	[ICT 제품화 지원사업] ITZO Test	(주)엔디디	연구소	최영환	700,000원
721	2024-07-18 12시	13시	[Hot Run] 1ea - ITO Depo 3,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	975,000원
722	2024-07-18 13시	15시	2-1-1 WF01, WF02 - ITO Depo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	600,000원
723	2024-07-18 15시	16시	2-1-2 WF03 - 2.0 ITO Depo 3,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	390,000원
724	2024-07-18 8시	12시	[Hot Run] 7ea - ITO Depo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	5,250,000원
725	2024-07-19 8시	10시	ITO Depo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	300,000원
726	2024-07-22 10시	12시	1-2-5 NiAl Depo 500Å	포항공과대학교 대학원	반도체대학원	박휘승	96,000원
727	2024-07-23 10시	12시	[ICT 제품화 지원사업] ITZO Test	(주)엔디디	연구소	최영환	780,000원
728	2024-07-23 16시	17시	SiO2 Depo 600Å	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	300,000원
729	2024-07-23 17시	19시	SiO2 Depo 600Å	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	450,000원
730	2024-07-23 19시	20시	1-1-1 Ni Depo 500Å	AP시스템(주)	디스플레이 장비사업본부	최동혁	120,000원
731	2024-07-23 20시	21시	1-1-2 Ni Depo 800Å	AP시스템(주)	디스플레이 장비사업본부	최동혁	150,000원
732	2024-07-24 8시	11시	SiO2 Depo 600Å	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	450,000원
733	2024-07-26 8시	12시	SiO2 Depo 600Å	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	600,000원
734	2024-07-30 11시	12시	metal lift-off 목적의 PR patterning되어 있는 조각입니다. NiAl(Al 2.6 at.%) 100 nm 증착 부탁드립니다. 담당 연구원 : 최재용/010-2123-3062/jychoieee@postech.ac.kr	포항공과대학교	전자전기공학과	이정수	126,000원
735	2024-07-30 13시	14시	ITO Depo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	300,000원
736	2024-08-01 13시	15시	1. Aluminium Oxide 증착 바랍니다. (전화 상의함) 2. 기판 중 하나는 증착된 박막의 두께를 확인하기 위해 thermal tape를 붙여놓을건데요. 다른 시료들이랑 거리를 두고 증착 부탁드립니다. 3. 저희가 증착하는 가장 큰 목적은 Carbon contamination을 피하기 위함인데요. 혹시 증착 중 생길 수 있는 공정이 있으면 가급적 피해주시기 바랍니다.	포항공과대학교	화학공학과	양성준	216,000원
737	2024-08-02 13시	14시	4-1-1 Ni Depo 700Å	삼성전자	Power device팀	박종원	150,000원
738	2024-08-02 14시	15시	4-1-2 Ni Depo 1,400Å	삼성전자	Power device팀	박종원	180,000원
739	2024-08-02 15시	16시	4-1-3 Ni Depo 2,100Å	삼성전자	Power device팀	박종원	240,000원
740	2024-08-02 16시	17시	1-3-2 Ni Depo Split	포항공과대학교 대학원	반도체대학원	박휘승	576,000원
741	2024-08-02 17시	18시	1-3-3 TiN Depo 150Å	포항공과대학교 대학원	반도체대학원	박휘승	648,000원
742	2024-08-05 16시	17시	11-3-1 Ni Depo 800Å	삼성전자	DS	김태훈	0원
743	2024-08-05 17시	18시	11-3-2 TiN Depo 300Å	삼성전자	DS	김태훈	0원
744	2024-08-07 9시	13시	Sputtering SiO2 1매 증착 의뢰 드립니다. 증착 조건 및 전처리 조건은 기존과 같습니다. 60nm 두께로 증착 부탁드립니다.	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	150,000원
745	2024-08-12 13시	15시	ITO Depo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	600,000원
746	2024-08-12 18시	19시	3-0-1 조각1 - Ti Depo 1,100Å	나노융합기술원	대외협력팀	양웅석	106,000원
747	2024-08-12 19시	20시	3-0-2 조각2 - Ta Depo 1,100Å	나노융합기술원	대외협력팀	양웅석	116,000원
748	2024-08-12 20시	21시	3-0-3 조각3 - Ti/Ta Depo 100Å/1,000Å	나노융합기술원	대외협력팀	양웅석	216,000원
749	2024-08-19 13시	14시	SiO2 Depo 600Å	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	300,000원
750	2024-08-19 9시	13시	Sputtering SiO2 60nm 4ea 증착 의뢰 드립니다. 기판 정보 및 증착 조건은 기존과 같습니다. 샘플 케이스에 증착면 및 두께 정보 기입하였습니다.	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	600,000원
751	2024-08-21 13시	15시	11-3-1 Ni(only) Depo 700Å	삼성전자	DS	김태훈	0원
752	2024-08-21 15시	17시	11-3-1 Ni Depo 700Å	삼성전자	DS	김태훈	0원
753	2024-08-21 19시	21시	11-3-1 Ni Depo 800Å	삼성전자	DS	김태훈	0원
754	2024-08-21 21시	22시	11-3-2 TiN Depo 300Å	삼성전자	DS	김태훈	0원
755	2024-08-23 13시	15시	Sputtering SiO2 3매 공정 의뢰 드립니다. 표면 상태는 기존과 같으며 기존 전처리 및 증착 조건으로 진행해주시면 됩니다. 증착면은 샘플 케이스에 따로 표기하겠습니다. 감사합니다.	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	450,000원
756	2024-08-26 13시	15시	1-2-1 Ti/Ta Depo 100Å/1,000Å	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	216,000원
757	2024-08-27 14시	17시	ITO Depo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	900,000원
758	2024-08-28 13시	15시	BackSide, Ni Depo 800Å	삼성전자	DS	김태훈	0원
759	2024-09-04 8시	12시	Mo 50 nm 증착 의뢰드립니다. 웨이퍼들은 이번 주 중으로 택배로 NINT 황현주 선임님 앞으로 보낼 예정입니다. 캐리어에 있는 11장의 wafer 마킹별로 이전 공정 history는 다음과 같습니다. SMDLXTIDL-01~03: Si wafer에 HfO2 10 nm 증착됨 SMDLXTIDL-04: Si wafer에 HfO2/SiO2 14 nm 증착됨 SMDLXTIDL-05: Si wafer에 HfO2/Al2O3 14 nm 증착됨 SMDLXTIDL-06~09: Si wafer에 thermal oxidation으로 SiO2 1000A 형성됨 SMDLXTIDL-10~11: bare Si wafer (fab-in cleaning만 진행)	서울대학교	전기·정보공학부	류민정	1,320,000원
760	2024-09-06 9시	13시	Sputtering SiO2 60nm 증착 의뢰 드립니다. 수량은 총 3매 이며 전처리 및 공정 조건은 기존과 같게 부탁 드립니다. 증착면은 샘플 케이스에 별도로 표기하여 송부 하겠습니다. 감사합니다.	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	450,000원
761	2024-09-10 11시	12시	2-2-2 BackSide, NiAl Depo 600Å	나노융합기술원	대외협력팀	박영재	478,000원
762	2024-09-10 8시	10시	ITO Depo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	300,000원
763	2024-09-12 9시	12시	[ICT 제품화 지원사업] 5-2-2 Ti Depo 1,500Å	(주)유우일렉트로닉스	(주)유우일렉트로닉스	박일몽	700,000원
764	2024-09-19 10시	12시	1-2-1 Ti/Ta Depo 100Å/1,000Å	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	216,000원
765	2024-09-25 10시	12시	ITO Depo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	300,000원
766	2024-09-25 8시	10시	10-3-1 Ni Depo 800Å	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	316,000원
767	2024-09-27 8시	12시	3.0 Ti/Ta Depo Split	나노융합기술원	대외협력팀	양웅석	1,320,000원
768	2024-10-02 13시	16시	Ta Depo 670W / Ar 40 / 420sec	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	216,000원
769	2024-10-04 9시	13시	SiO2 Sputtering 60nm 3매 공정 진행 요청 드립니다. 전처리 조건과 증착 조건은 기존과 같으며 해당 샘플 케이스에 증착면과 두께 표기하였습니다.	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	450,000원
770	2024-10-07 8시	11시	Mo, 150 nm 증착 의뢰 드립니다.	한국전자통신연구원	GaN박막소재/소자창의연구실	곽현탁	180,000원
771	2024-10-10 14시	15시	2-1-1 Ni Depo 800Å	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	166,000원
772	2024-10-11 13시	14시	SiO2 Depo 600Å	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	150,000원
773	2024-10-15 8시	12시	Al Depo 6,000ÅTest	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	630,000원
774	2024-10-18 10시	17시	SiO2 Depo 600Å	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	600,000원
775	2024-10-21 13시	15시	Ta Depo 670W / Ar 30 / 420sec Ta Depo 400W / Ar 30 / 420sec Ta Depo 400W / Ar 40 / 420sec	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	408,000원
776	2024-10-21 8시	12시	ITO Depo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	1,200,000원
777	2024-10-23 10시	12시	WF01 - ITO Depo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	300,000원
778	2024-10-25 10시	12시	ITO Depo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	300,000원
779	2024-10-28 13시	14시	1-2-1 BackSide, NiAl Depo 500Å	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	96,000원
780	2024-10-30 10시	12시	[ICT 제품화 지원사업] 3-1-1 Mo Depo 800Å	(주)엔디디	연구소	최영환	300,000원
781	2024-10-30 13시	18시	Al/Mo Metal Sputtering 공정 의뢰 드립니다. GaAs 기판에 칩 패턴이 되어있으며 최상단은 SiO2 증착되어 있는 상태 입니다. 증착두께는 5매 모두 30/400 nm 이며, 전처리는 Descum 부탁드립니다. ZincBlend 구조 단결정 웨이퍼이니 기존 의뢰했던 사파이어 웨이퍼 보다 파손 위험이 높습니다. 공정 시 부드럽게 잘 부탁 드립니다. 감사합니다.	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	2,250,000원
782	2024-11-04 10시	12시	[ICT 제품화 지원사업] 4-2-1 Mo Depo 800Å	(주)엔디디	연구소	최영환	300,000원
783	2024-11-05 10시	12시	두 가지 샘플에 ITO 100nm 증착 요청 드립니다. 6인치 쉐도우 마스크를 보유 중인데, 사용이 가능한지 확인이 필요합니다.	포항공과대학교	반도체공학과	김정훈	210,000원
784	2024-11-05 8시	10시	ITO Depo 2,000Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	600,000원
785	2024-11-08 9시	11시	SiO2 Sputtering -Wafer : 4인치 사파이어 wafer -수량: 1장 -증착 두께 : 60nm -증착면 : 웨이퍼 캐리어에 표시 또는 wafer 넘버가 표기되지 않은 면	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	150,000원
786	2024-11-09 9시	13시	SiO2 Sputting 60nm 증착 의뢰 드립니다. 총 수량은 5매 이며, 증착 조건 은 기존과 같습니다. 증착면은 샘플 케이스에 표기하였습니다. 감사합니다.	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	750,000원
787	2024-11-11 8시	18시	사전에 메일로 어떤 공정을 할 지 협의를 했습니다.	포항공과대학교 대학원	물리학과	이병준	1,776,000원
788	2024-11-18 10시	12시	9-3-2 Backside Ni Depo 1,000Å	현대모비스	전력반도체팀	강민기	675,000원
789	2024-11-18 13시	15시	[ICT 제품화 지원사업] 8-2-2 VW Depo 120Å	(주)유우일렉트로닉스	(주)유우일렉트로닉스	박일몽	560,000원
790	2024-11-18 19시	21시	[ICT 제품화 지원사업] ITZO Depo 200Å	(주)엔디디	연구소	최영환	1,400,000원
791	2024-11-18 8시	10시	9-1-2 Front Ni Depo 1,500Å	현대모비스	전력반도체팀	강민기	750,000원
792	2024-11-19 15시	17시	Mo 50 nm 증착 의뢰드립니다. 웨이퍼들은 다음 주 중으로 택배로 NINT 황현주 선임님 앞으로 보낼 예정입니다. 캐리어에 있는 6장의 wafer 마킹별로 이전 공정 history는 다음과 같습니다. 참고 부탁드립니다. TIDLXSMDL-21~24 (4장): Si wafer에 HfO2 10 nm 증착됨 TIDLXSMDL-01, 04 (2장): Si wafer에 thermal oxidation으로 SiO2 1000A 형성됨	서울대학교	전기·정보공학부	류민정	720,000원
793	2024-11-19 16시	17시	[WBG 과제_SiC Silicide 평가] Ni Depo 800Å	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	126,000원
794	2024-11-20 10시	12시	안녕하세요. In-situ로 한번에 Ni 20nm 증착, NiO 15nm 증착을 진행하면 좋겠습니다. Ni는 BKM조건 (3A/sec) NiO는 지난번에 진행했던 것과 같은 조건으로 증착하길 원합니다. 차주 월요일 안으로 상세 공정 내용 한번 더 메일 보내드리도록 하겠습니다. 공정 시간은 임의로 2시~5로 신청해두겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	반도체공학과	황제혁	340,000원
795	2024-11-21 9시	13시	Metal Sputtering 3매 증착 요청 드립니다. 증착 물질 및 두께는 Al/Mo = 30/400 nm 이며 샘플 케이스에 증착면 표기하였습니다. 섀도 마스크는 2ea 함께 동봉하여 송부드리오니 참고하시기 바랍니다.	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	1,350,000원
796	2024-11-25 13시	17시	Sputtering SiO2 60nm 2매 증착 의뢰 드립니다. 전처리 및 증착 조건은 기존과 같으며 캐리어에 증착면 표기를 별도로 하였습니다.	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	300,000원
797	2024-11-26 18시	19시	[WBG 과제_SiC Silicide 평가] Ni Depo 800Å	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	126,000원
798	2024-11-28 10시	12시	Mo/Al Depo 300Å/7,500Å	LG전자	차세대디스플레이연구소	박성민	640,000원
799	2024-11-28 13시	17시	Al/Mo Sputtering 3매 공정 진행 요청 드립니다. 증착 두께는 Al/Mo = 30/400nm 이며 전처리등 조건은 기존과 같게 부탁드립니다. 증착면 및 증착 두께 정보는 샘플 케이스에 표기하도록 하겠습니다. 새도 마스크는 2개 함께 송부하겠습니다.	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	1,350,000원
800	2024-11-28 8시	10시	[ICT 제품화 지원사업] 3-1-1 Mo Depo 800Å	(주)엔디디	연구소	최영환	750,000원
801	2024-11-29 13시	17시	SiO2 Sputtering -Wafer : 4인치 사파이어 wafer -수량: 3장 -증착 두께 : 60nm -증착면 : 웨이퍼 캐리어에 표시 또는 wafer 넘버가 표기되지 않은 면	LG전자	소재기술센터 차세대 디스플레이(연)	박주도	450,000원
802	2024-11-29 9시	13시	Sputtering SiO2 3매 증착 의뢰 드립니다. 증착 두께는 60nm 이며 증착 및 전처리 조건은 기존과 같게 부탁드립니다. 증착면 및 두께 정보는 샘플케이스에 표기하도록 하겠습니다. 감사합니다.	LG전자	CTO부문 소자재료연구소	강병준	450,000원

장비 사용일지 출력

DC&RF Sputtering system 장비일지