Dry Etcher - TEL 장비일지

 기자재관리번호 : 0
No 장비이용내역 이용내역 사용자 장비이용료
시작일 종료일 세부내용 기관명 부서(학과명) 성명 확정금액
1 2020-06-04 14시 15시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 332,500원
2 2020-06-05 11시 12시 3-2-1 PAD Oxide Etch 충남대학교 전자공학과 송형섭 410,000원
3 2020-06-05 14시 17시 8-2-1 CONT Oxide Etch 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 298,000원
4 2020-06-08 13시 14시 5-3-1 Contact Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 232,000원
5 2020-06-11 13시 15시 7-3-1 Contact Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 232,000원
6 2020-06-12 14시 16시 5-3-1 Contact Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 188,000원
7 2020-06-16 10시 10시 Oxide (0.7um) Etch 공정 2장 의뢰합니다.
Wafer 뒷면 ESC chuck 고정을 을 위하여 알루미늄 박막 증착되어 있음.		 (주)마이크로인피니티 연구소 박치현 210,000원
8 2020-06-19 15시 17시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,171,000원
9 2020-06-22 13시 16시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,171,000원
10 2020-06-25 10시 11시 SiN 380 nm 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
11 2020-06-25 14시 16시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 814,000원
12 2020-06-30 16시 17시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 208,500원
13 2020-07-02 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 992,500원
14 2020-07-02 9시 11시 2-2-1 LSL Etch_1um_2um 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 600,000원
15 2020-07-03 16시 18시 5-3-1 Contact Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 188,000원
16 2020-07-07 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,171,000원
17 2020-07-08 10시 11시 7-3-1 Contact-2 Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 188,000원
18 2020-07-08 13시 14시 SiN 370 nm 에칭 부탁드리겠습니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김인기 149,500원
19 2020-07-08 13시 14시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 797,500원
20 2020-07-14 10시 11시 2-2-1 Back Side Oxide Etch 에스앤에스텍 신기술팀 박철균 265,000원
21 2020-07-14 16시 19시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,031,000원
22 2020-07-15 14시 16시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,247,500원
23 2020-07-16 13시 16시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,247,500원
24 2020-07-16 16시 18시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 565,000원
25 2020-07-16 17시 19시 5-3-1 Contact-1 Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 188,000원
26 2020-07-20 16시 18시 Oxide가 0.7um, 0.9um 각각 2장씩 에치 공정 의뢰드립니다.
Oxide 상부에 PR 패턴닝은 NINT에서 스텝퍼 공정 진행 후 전달 예정입니다. 		(주)마이크로인피니티 연구소 박치현 155,000원
27 2020-07-23 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 565,000원
28 2020-07-23 15시 17시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 642,500원
29 2020-07-27 11시 12시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 565,000원
30 2020-07-27 15시 16시 7-3-1 Contact-2 Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 188,000원
31 2020-07-29 13시 16시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 642,500원
32 2020-07-30 13시 16시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
33 2020-07-31 11시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
34 2020-08-03 14시 16시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 565,000원
35 2020-08-04 13시 15시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 565,000원
36 2020-08-06 13시 15시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 565,000원
37 2020-08-06 15시 15시 Oxide 1um 에치 공정 (주)마이크로인피니티 연구소 박치현 155,000원
38 2020-08-07 15시 16시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 565,000원
39 2020-08-07 16시 18시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
40 2020-08-10 11시 14시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 565,000원
41 2020-08-12 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 565,000원
42 2020-08-12 14시 15시 Oxide etch 에스앤에스텍 신기술팀 박철균 182,500원
43 2020-08-12 16시 17시 Bias 1500 W
10초
Ar 100 sccm		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 백종현 149,500원
44 2020-08-13 12시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
45 2020-08-20 12시 14시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
46 2020-08-21 11시 14시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
47 2020-08-31 9시 10시 1500 W bias power, 100 sccm ,10 sec로 부탁드립니다. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 백종현 149,500원
48 2020-09-01 9시 11시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 565,000원
49 2020-09-03 14시 16시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
50 2020-09-03 9시 12시 4차 산업 연계형 나노기술인력양성
Etch 교육		 나노융합기술원 교육홍보팀 이상민 1,200,000원
51 2020-09-08 11시 13시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 797,500원
52 2020-09-09 15시 17시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 565,000원
53 2020-09-14 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 425,500원
54 2020-09-15 12시 14시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 565,000원
55 2020-09-16 14시 16시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 317,000원
56 2020-09-18 14시 16시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
57 2020-09-21 15시 16시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 425,500원
58 2020-09-24 13시 14시 5-3-1 Contact-1 Oxide Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 223,750원
59 2020-09-24 14시 16시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 425,500원
60 2020-09-24 14시 15시 5-3-1 Contact-1 SiN Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 141,250원
61 2020-09-24 16시 17시 5-3-1 Contact-1 SiO2 Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
62 2020-09-24 17시 18시 5-3-1 Contact-1 SiN Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
63 2020-09-24 9시 11시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 797,500원
64 2020-09-28 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 534,000원
65 2020-09-28 14시 16시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
66 2020-10-05 17시 18시 7-3-1 Contact-2 Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 223,750원
67 2020-10-06 15시 17시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
68 2020-10-12 15시 17시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 797,500원
69 2020-10-12 17시 18시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 317,000원
70 2020-10-13 10시 11시 SiNx 4500A etch 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 210,000원
71 2020-10-13 11시 12시 7-3-1 Contact-2 Oxide Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
72 2020-10-13 13시 14시 [나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업], 전자과 김윤식(010.5117.3271)

SiO2 1um dry etching 부탁드립니다.
마스크는 PR(GXR601) mask입니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 155,000원
73 2020-10-14 9시 10시 Ar 유량 200 sccm, Bias power 1500 W, 7초, Ar ion bombardment 용 포항공과대학교 대학원 기계공학과 백종현 149,500원
74 2020-10-15 16시 18시 안녕하세요.
마이크로인피니티 박치현입니다.

Oxide 0.8um 에치 공정 2장 의뢰합니다. (Over etch 부탁 드립니다.)
PR mask는 GXR 601 1um로 패턴닝 하였습니다.
감사합니다.
 (주)마이크로인피니티 연구소 박치현 210,000원
75 2020-10-16 18시 19시 100 sccm, 1500W bias power, 10초, Ar ion bombardment 포항공과대학교 대학원 기계공학과 백종현 149,500원
76 2020-10-19 11시 12시 1-2-1 Hard Mask Oxide Etch (주)니나노 기업부설연구소 박준영 265,000원
77 2020-10-20 17시 18시 1500 Bias power, 100 sccm, 10초 포항공과대학교 대학원 기계공학과 백종현 149,500원
78 2020-10-22 11시 14시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 797,500원
79 2020-10-22 18시 20시 2-2-1 CA Oxide Etch (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 1,090,000원
80 2020-10-23 18시 20시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
81 2020-10-29 8시 12시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,247,500원
82 2020-11-11 16시 18시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 635,500원
83 2020-11-13 10시 12시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 797,500원
84 2020-11-24 10시 11시 PECVD SiNx 1600A etch
 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 265,000원
85 2020-11-24 15시 16시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 430,000원
86 2020-11-25 11시 13시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 565,000원
87 2020-11-30 10시 11시 5-3-1 Contact-1 Oxide Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
88 2020-11-30 9시 10시 5-3-1 Contact-1 Oxide Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
89 2020-12-02 15시 17시 12-2-1 V1 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,030,000원
90 2020-12-04 9시 12시 Oxide 1.5um etch SK 주식회사 머티리얼즈 CIC Color&Dispersion팀 임유빈 3,820,000원
91 2020-12-07 13시 14시 7-3-1 Contact-2 Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
92 2020-12-07 14시 15시 7-3-1 Contact-2 Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
93 2020-12-11 14시 16시 Oxide 0.8um Etch 1매
Oxide 0.5um Etch 1매		 (주)마이크로인피니티 연구소 박치현 210,000원
94 2020-12-11 16시 18시 안녕하세요.
마이크로인피니티 박치현 수석입니다.

Oxide etch 2장 의뢰 드립니다.
E011번 샘플은 Oxide 5000Å 추가 에치 요청 드립니다.
E027번 샘플은 Oxide 8000Å 에치 공정 부탁드립니다. (약간 오버 에치 부탁 드립니다.)
감사합니다.
 (주)마이크로인피니티 연구소 박치현 210,000원
95 2020-12-14 10시 12시 [레이저 어닐링 기술을 활용한 EV PCU용 저비용 고효율 SiC 파워반도체 개발]Oxide Etch 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 300,000원
96 2020-12-17 16시 17시 PO SiN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 177,000원
97 2020-12-17 17시 18시 PO SiO2 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 177,000원
98 2020-12-21 14시 16시 안녕하세요.
마이크로인피니티 박치현입니다.

Oxide 1.0um 식각 공정 2장 의뢰합니다.
감사합니다.		 (주)마이크로인피니티 연구소 박치현 210,000원
99 2020-12-21 16시 17시 9-2-1 PO SiN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
100 2020-12-21 17시 18시 9-2-1 PO Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
101 2020-12-29 10시 11시 5-3-1 Contact-1 Oxide Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
102 2020-12-29 11시 12시 5-3-1 Contact-1 SiO2,SiN Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
103 2021-01-05 13시 14시 7-3-1 Contact-2 Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
104 2021-01-06 10시 11시 9-2-1 PO SiO2 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
105 2021-01-06 9시 10시 9-2-1 PO SiN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
106 2021-01-11 11시 12시 9-3-1 OUTPOE Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
107 2021-01-12 14시 15시 SiNx 2600A etch 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 265,000원
108 2021-01-14 10시 12시 2-2-1 Oxide Etch 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 298,000원
109 2021-01-19 14시 15시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 182,500원
110 2021-01-21 10시 11시 2-2-1 Oxide Etch 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 298,000원
111 2021-01-25 12시 17시 전문인력양성 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 2,000,000원
112 2021-01-26 10시 11시 TiN/SiO2 적층된 기판 입니다.

총 SiO2 400 nm, TiN 45 nm dry etching 공정 의뢰합니다.

초기 조건 잡고자 3 조각 기판 씩 3 개의 그룹으로 나누어 놓았습니다.

각 그룹 공정 시간 차이 두어 진행 부탁드립니다.

기판은 1층 공정 의뢰함에 있습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 김익재 248,500원
113 2021-01-27 10시 12시 12-2-1 V1 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 317,000원
114 2021-01-27 13시 15시 12-2-1 V1 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 681,250원
115 2021-01-29 13시 14시 Oxide 7000A Etch (wf10) 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 149,500원
116 2021-02-03 10시 14시 전문인력양성 실습교육_에칭 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 650,000원
117 2021-02-04 18시 20시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 332,500원
118 2021-02-08 13시 15시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 681,250원
119 2021-02-15 10시 17시 전문인력양성 나노소자공정 실습교육_에칭 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 2,000,000원
120 2021-02-16 10시 18시 전문인력양성 나노소자공정 실습교육_에칭 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 2,000,000원
121 2021-02-17 10시 17시 전문인력양성 나노소자공정 실습교육_에칭 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,700,000원
122 2021-02-18 12시 16시 전문인력양성 나노소자공정 실습교육_에칭 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,000,000원
123 2021-02-18 9시 11시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 797,500원
124 2021-02-19 10시 12시 SiO2 6000A Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
125 2021-02-22 9시 11시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 565,000원
126 2021-02-24 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
127 2021-02-24 17시 18시 7-3-1 Contact-2 Oxide Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
128 2021-02-25 9시 10시 5-3-1 Contact-1 Oxide Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
129 2021-02-26 14시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 208,500원
130 2021-03-02 16시 17시 7-3-1 Contact-2 Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
131 2021-03-10 18시 20시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
132 2021-03-11 16시 18시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
133 2021-03-12 14시 16시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
134 2021-03-15 14시 16시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 797,500원
135 2021-03-15 9시 10시 9-3-1 OUTPOE Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
136 2021-03-16 16시 18시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
137 2021-03-17 12시 13시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
138 2021-03-17 14시 16시 SiO2 0.6 um Dry etch SK 주식회사 머티리얼즈 CIC Color&Dispersion팀 임유빈 540,000원
139 2021-03-18 14시 16시 SiO2 0.9 um Dry etch SK 주식회사 머티리얼즈 CIC Color&Dispersion팀 임유빈 540,000원
140 2021-03-19 14시 15시 없음 포항공과대학교 대학원 기계공학과 백종현 149,500원
141 2021-03-19 14시 16시 SiO2 1.2 um Dry etch SK 주식회사 머티리얼즈 CIC Color&Dispersion팀 임유빈 540,000원
142 2021-03-22 17시 19시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 681,250원
143 2021-03-24 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
144 2021-03-30 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 681,250원
145 2021-04-02 12시 14시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 642,500원
146 2021-04-06 13시 14시 5-3-1 Contact-1 SiO2 Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 141,250원
147 2021-04-07 11시 12시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 265,000원
148 2021-04-08 14시 15시 7-3-1 Contact-2 Oxide Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 141,250원
149 2021-04-12 15시 17시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 565,000원
150 2021-04-16 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 565,000원
151 2021-04-16 9시 10시 Oxide 1000A Dry etch (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 144,000원
152 2021-04-19 10시 11시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 642,500원
153 2021-04-19 17시 18시 LOT ID: CDTEST01
SiNx E/R rate 확인		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 0원
154 2021-04-20 14시 15시 SiNx의 두께 파악을위한 에칭 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 0원
155 2021-04-20 15시 16시 5-3-1 Contact-1 Oxide Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
156 2021-04-21 11시 12시 SiNx 에칭율 파악을 위한 에칭 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 0원
157 2021-04-21 12시 14시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
158 2021-04-22 14시 16시 SiN 5000A(500nm) 식각 요청드립니다. 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 146,750원
159 2021-04-26 13시 14시 SiNx 5000 A/Si
목적: SiNx 에칭 Rate 파악을 위한 에칭공정
 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 0원
160 2021-04-27 10시 11시 LOT ID: SHTEST01 #5#7
목적: SiN 박막 식각		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
161 2021-05-04 9시 15시 나노융합기반고도화사업
Etch Test 		(주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 2,080,000원
162 2021-05-05 9시 19시 공정계약02 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 4,500,000원
163 2021-05-06 17시 18시 SiO2 6000A Etch 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 188,000원
164 2021-05-10 10시 12시 2.0 Hardmask layer Oxide Dry etch LG 전자 소재/생산기술원 소재기술원 ML Task 조영제 565,000원
165 2021-05-11 17시 18시 4.0 Passi. Etch Oxide etch LG 전자 소재/생산기술원 소재기술원 ML Task 조영제 455,000원
166 2021-05-18 11시 12시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
167 2021-05-20 10시 11시 Lot ID: SKD0691B #4
목적: SiNx 박막 식각 총 1장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
168 2021-05-24 13시 14시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 425,500원
169 2021-05-24 15시 17시 Lot ID: SKD0691A #1
목적: SiNx 박막 식각, TEOS 박막 식각 1장으로 2 공정 진행
총 1장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
170 2021-05-25 10시 11시 Lot ID: SKD0691B #4
목적: SiNx 박막 식각 총 1장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
171 2021-05-25 14시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 208,500원
172 2021-05-26 14시 15시 Lot ID: SKD0691#01
목적: SH공정 treatment etch 총 1장(계약 건)
 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
173 2021-05-26 15시 16시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 797,500원
174 2021-05-26 17시 18시 SiN 500nm Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 146,750원
175 2021-05-28 13시 14시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 534,000원
176 2021-05-31 12시 13시 Lot ID: SKD0691A #1
목적: SiNx 박막 etch 총 1장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
177 2021-05-31 13시 14시 Lot ID: SKD0691A #1
목적: TEOS 박막 etch 총 1장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
178 2021-06-01 14시 15시 Thermal oxidation으로 증착된 SiO2 300 nm etching 요청 드립니다. Pattern은 저희가 진행하여서 etching 만 진행하면 됩니다.
조각 샘플 9개 이고 3개씩 시간 variation을 주어서 진행해주시면 감사하겠습니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 박영준 248,500원
179 2021-06-01 17시 18시 SiN 500nm 에칭 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 146,750원
180 2021-06-02 15시 17시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 797,500원
181 2021-06-03 10시 11시 Lot ID: SKD0691A #3#5#9
목적: SiNx 박막 etch 총 3장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
182 2021-06-03 11시 12시 Lot ID: SKD0691B #2#6#8#10#12
목적: SiNx 박막 etch 총 5장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
183 2021-06-03 13시 14시 Lot ID: SKD0691A #3#5#9
목적: TEOS 박막 etch 총 3장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
184 2021-06-04 10시 11시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 534,000원
185 2021-06-04 11시 12시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 534,000원
186 2021-06-05 15시 16시 Lot ID: SKD0691B #2#6#8#10#12
목적: TEOS 박막 etch 총 5장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
187 2021-06-07 10시 11시 Lot ID: SKD0691B #2#6#8#10#12
목적: SH 공정 Treat etch 총 5장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
188 2021-06-08 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 534,000원
189 2021-06-14 9시 18시 공정계약03 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 4,500,000원
190 2021-06-17 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 534,000원
191 2021-06-17 15시 16시 SiO2 (300 nm) 와 TiN (250 nm)가 증착된 구조이고 pattern된 부분 etching 요청드립니다. 포항공과대학교 신소재공학과 박영준 248,500원
192 2021-06-17 17시 18시 2-2-1 Guide SiN Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 347,500원
193 2021-06-21 16시 18시 {나노융합기반 고도화사업}
Lot ID: Module
목적: OHO공정 사전 Test용 총 2장		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 180,000원
194 2021-06-22 16시 17시 {나노융합기반 고도화사업}
Lot ID: Module
목적: OHO공정 SiN 박막 etch Test용 총 1장		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 140,000원
195 2021-06-24 10시 12시 Lot ID: SKD0691A #5#7#9
목적: OHO공정 SiN박막 etch 총 3장 (계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
196 2021-06-24 12시 13시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
197 2021-06-24 14시 15시 Lot ID: SKD0691B #2#6#8#10#12
목적: OHO공정 SiN 박막 etch 총 5장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
198 2021-06-24 15시 16시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 534,000원
199 2021-06-25 12시 14시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 534,000원
200 2021-06-28 10시 11시 Lot ID: SKD0691A #3
목적: SiN 박막 etch 총 1장 (계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
201 2021-06-28 15시 16시 {나노융합기반 고도화사업}
Lot ID: Module
목적: SO 공정 SiN 박막 etch 총 1장		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 140,000원
202 2021-06-29 11시 12시 {나노융합기반 고도화사업}
Lot ID: Module
목적: SO 공정 SiN 박막 etch Test용 Rework 총 1장		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 140,000원
203 2021-06-29 14시 15시 Lot ID: SKD0691A #3
목적: SO공정 SiN박막 etch 총 1장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
204 2021-06-30 10시 12시 Lot ID: SKD0691B #2#6#8#10#12
목적: SO공정 SiN 박막 etch 총 5장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
205 2021-06-30 14시 15시 {나노융합기반 고도화사업}
Lot ID: Module
목적: VW 패턴 E/R 평가 Test용 총 1장		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 140,000원
206 2021-07-01 10시 12시 9-2-2 PO Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
207 2021-07-01 9시 10시 9-2-1 PO SiN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
208 2021-07-02 10시 12시 9-2 PO OXIDE ETCH 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
209 2021-07-02 9시 10시 9-1 PO SiN ETCH 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
210 2021-07-05 11시 14시 SiN Etch Etchrate Test - Non pattern 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 155,000원
211 2021-07-05 14시 15시 LOT ID: NDC21Y24W #1,2,3,4~#20 (CAP wafer)
목적: CA etch 공정 (계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 0원
212 2021-07-06 13시 15시 SiN Etch Etchrate Test - pattern 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 155,000원
213 2021-07-06 14시 15시 SiO2/TiN 교차로 증착되어 있는 layer etching 의뢰입니다.
SiO2 (100 nm)/TiN (50 nm)/ SiO2 (100 nm)		 포항공과대학교 신소재공학과 박영준 149,500원
214 2021-07-06 15시 16시 LOT ID: NDC21Y37W #1~10 (CAP wafer)
목적: CA공정/ SiO2 2300 A 식각 (계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 0원
215 2021-07-07 10시 12시 hole pattern의 diameter는 ~550 nm 이었고 Pitch는 1 um 인 ACL층(1.5 um)를 마스크로 하부의 SiO2(4 um)식각
: 기존 조건 평가 1매 (4.0um Etch --> 2.0um 청구)		 삼성종합기술원 Device 연구센터 임용철 244,000원
216 2021-07-08 16시 17시 LOT ID: NDC21Y24W (CAP wafer)
목적: CA 공정 SiO2 식각 (계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 0원
217 2021-07-13 13시 14시 LOT ID: NDC21Y23W (CAP wafer 10장)
목적: SiO2 2300 A 식각 (계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 0원
218 2021-07-13 14시 16시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
219 2021-07-13 18시 20시 Oxide Etch 공정평가 삼성종합기술원 Device 연구센터 임용철 244,000원
220 2021-07-14 10시 12시 Al2O3 Etchrate in SiN Etch 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 155,000원
221 2021-07-14 14시 15시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
222 2021-07-15 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
223 2021-07-16 14시 15시 SiO2와 TiN이 교대로 증착되어있는 층 에칭 공정 의뢰드립니다.
SiO2 (300 nm)/TiN (10 nm)/SiO2 (100 nm)/TiN (10 nm)/SiO2 (100 nm)/TiN (10 nm)		 포항공과대학교 신소재공학과 박영준 199,000원
224 2021-07-19 18시 21시 Oxide Etch 공정평가 삼성종합기술원 Device 연구센터 임용철 532,000원
225 2021-07-20 9시 15시 공정계약04 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 3,100,000원
226 2021-07-21 15시 16시 Lot ID: SKD0691B #12
목적: PA SiN박막 etch 총 1장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
227 2021-07-22 10시 12시 Lot ID: SKD0691 #2#5#6#9#10
목적: PA 공정 SiN etch 총 5장 (계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
228 2021-07-22 12시 14시 12-2-1 V1 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 565,000원
229 2021-07-23 11시 12시 Lot ID: NDC21Y29W #23
목적: CA 공정 SiO2 etch 총 1장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
230 2021-07-23 13시 14시 SIN 1600A ETCH 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 265,000원
231 2021-07-23 16시 18시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 797,500원
232 2021-07-23 9시 10시 9.0 PO ETCH 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
233 2021-07-26 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
234 2021-07-27 13시 18시 Oxide HAR Hole Etch 평가 : 4.0um 삼성종합기술원 Device 연구센터 임용철 532,000원
235 2021-07-28 10시 13시 SiN Etch (GaN wafer) : 1000 A Just Etching 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 155,000원
236 2021-07-28 12시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 565,000원
237 2021-07-29 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 797,500원
238 2021-07-30 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
239 2021-08-02 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
240 2021-08-03 10시 12시 {나노융합기반 고도화사업}
Lot ID: Module
목적: SiN hard mask test용 총 2장		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 180,000원
241 2021-08-05 11시 14시 9.0 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
242 2021-08-05 17시 18시 Lot ID: NDC21Y29W #3#4#5#6#7
목적: CA 공정 SiO2 etch 총 5장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
243 2021-08-10 10시 12시 Lot ID: NDC21Y29W
목적: CA공정 SiO2 etch 총 5장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
244 2021-08-11 17시 17시 공정계약05 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 4,000,000원
245 2021-08-12 15시 16시 SiO2 (300 nm)/TiN (10 nm)/SiO2 (100 nm)/TiN (10 nm)/SiO2 (100 nm)/TiN (10 nm) 박막 에칭 의뢰 드립니다. 포항공과대학교 신소재공학과 박영준 199,000원
246 2021-08-12 9시 10시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
247 2021-08-17 10시 11시 안녕하세요, 김주훈입니다.

SiN 430nm etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
248 2021-08-17 13시 14시 {나노융합기반 고도화사업}
Lot ID: Module
목적: Stress 개선 test용 SiN etch 총 4장		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 260,000원
249 2021-08-17 14시 17시 HAR Hole Oxide Etch Test
: 4um Target 		삼성종합기술원 Device 연구센터 임용철 388,000원
250 2021-08-19 13시 14시 Lot ID: SKD0691 #14
목적: SH공정 SiN etch 총 1장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
251 2021-08-19 14시 15시 Lot ID: SKD0691D #20
목적: SiN 박막 etch 총 1장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
252 2021-08-19 9시 11시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 681,250원
253 2021-08-20 10시 12시 Lot ID: SKD0691 #14#20
목적: SH공정 treatment etch 총 2장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
254 2021-08-20 13시 14시 Lot ID: SKD0691 #15
목적: SH공정 SiN etch 총 1장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
255 2021-08-22 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.

SiN 450nm etching 부탁드립니다.
저번에 진행해주셨던 88초 condition이 잘 진행되어, 90초로 etching 부탁드립니다.

항상 감사드립니다!		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
256 2021-08-23 14시 15시 5-3-1 Contact-1 SiO2 Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 223,750원
257 2021-08-23 15시 16시 SiO2 (300 nm)/TiN (10 nm)/SiO2 (100 nm)/TiN (10 nm)/SiO2 (100 nm)/TiN (10 nm) etching 의뢰 드립니다. 포항공과대학교 신소재공학과 박영준 149,500원
258 2021-08-23 17시 18시 Lot ID: SKD0691 #16#17#18#23
목적: SH 공정 SiN, TEOS etch 총 4장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
259 2021-08-24 10시 12시 Lot ID: SKD0691 #16#17#18
목적: SH 공정 TEOS etch 총 3장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
260 2021-08-24 14시 16시 Lot ID: SKD0691 #20#21#22
목적: SH 공정 SiN,TEOS etch 총 3장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
261 2021-08-25 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 681,250원
262 2021-08-30 10시 12시 Lot ID: NDC21Y29W #10~#19
목적: CA공정 SiO2 etch 총 10장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
263 2021-08-30 15시 16시 7-3-1 Contact-2 Oxide Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 223,750원
264 2021-08-30 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.

SiN 450nm (90초) etching 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
265 2021-09-01 10시 15시 Oxide 4.0um Etch Test 삼성종합기술원 Device 연구센터 임용철 964,000원
266 2021-09-01 9시 10시 8/27 SiO2 2um Etch
기본 1um
추가 1um : 100000원 (Test 할인)		 싸니코전자(주) 개발팀 최주헌 155,000원
267 2021-09-02 10시 11시 8/31 SiO2 2um Etch
기본 1um
추가 1um : 100000원 (Test 할인)		 싸니코전자(주) 개발팀 최주헌 155,000원
268 2021-09-02 14시 15시 SiO2 (300 nm)/TiN (10 nm)/SiO2 (100 nm)/TiN (10 nm)/ SiO2 (100 nm)/TiN (10 nm) sample 에칭 의뢰드립니다.
기존 조건에서 20%정도 더 길게 etching 요청드립니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 박영준 149,500원
269 2021-09-03 11시 12시 SiO2 2um Etch
기본 1um
추가 1um : 100000원 (Test 할인)		 싸니코전자(주) 개발팀 최주헌 155,000원
270 2021-09-03 13시 14시 Lot ID: SKD0691A2 #3
목적: PA공정 SiN etch 총 1장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
271 2021-09-06 10시 11시 Lot ID: SKD0691A2 #7#8
목적: PA공정 SiN etch 총 2장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
272 2021-09-06 16시 16시 안녕하세요. 마이크로인피니티 이성렬 책임 입니다. SiO2 Etch 공정 부탁 드립니다.
본 웨이퍼는 SOG(Si(60um)+Glass(550um))입니다.
Si면에 SIO2 (9860A) 증착 되어 있습니다. 		(주)마이크로인피니티 (주)마이크로인피니티_ 소자개발팀 이성렬 155,000원
273 2021-09-09 10시 11시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
274 2021-09-10 15시 16시 SiO2 (100 nm)/TiN (10 nm)/SiO2 (100 nm)/TiN (10 nm)/SiO2 (100 nm)/TiN (10 nm) 박막 에칭 의뢰 드립니다.
지난번과 다른점은 가장 위층의 SiO2의 두께가 300 nm에서 100 nm로 줄였습니다. 고려하여 에칭해주시면 감사하겠습니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 박영준 149,500원
275 2021-09-14 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
276 2021-09-16 10시 17시 나노융합고동화사업을 위한 기업지원 용
Plasma Etching
 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 500,000원
277 2021-09-16 15시 16시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
278 2021-09-17 14시 15시 x 포항공과대학교 대학원 기계공학과 백종현 199,000원
279 2021-09-20 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.

SiN 110 초 (550nm) 에칭 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
280 2021-09-23 10시 12시 Lot ID: SKD0691C,D
목적: OHO 공정 SiN etch 총 7장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
281 2021-09-23 12시 14시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 797,500원
282 2021-09-27 13시 15시 Lot ID: SKD0691 C/D
목적: SO 공정 SiN etch 총 7장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
283 2021-09-27 16시 20시 공정계약06 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 3,500,000원
284 2021-09-29 14시 15시 안녕하세요, 김주훈입니다.

SiN 110초 (550nm) 에칭 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
285 2021-09-30 12시 14시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 797,500원
286 2021-10-01 13시 14시 SiO2/TiN 다층구조 dry etching 공정
Etching 하고자하는 두께는 SiO2 600 nm / TiN 60 nm 입니다.
기존 레시피 (박영준/김익재 사용) etch rate에 맞추어 etch 		포항공과대학교 신소재공학과 김익재 149,500원
287 2021-10-01 14시 19시 Oxide 4.0um Etch Test (850sec) 삼성종합기술원 Device 연구센터 임용철 964,000원
288 2021-10-04 9시 18시 공정계약07 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 3,000,000원
289 2021-10-06 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 642,500원
290 2021-10-07 9시 16시 Oxide 4.0um Etch Test (850sec, 900sec) 삼성종합기술원 Device 연구센터 임용철 676,000원
291 2021-10-08 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
292 2021-10-12 8시 9시 SiN 120초 (550nm) dry etching 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
293 2021-10-12 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.

샘플 2개 맡겨드립니다.
두 샘플 모두 SiN 120초 (550 nm) etching 부탁드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 193,500원
294 2021-10-13 17시 18시 Dry Etching 포항공과대학교 대학원 기계공학과 백종현 248,500원
295 2021-10-14 10시 11시 Lot ID: SKD0691A #1
목적: SO공정 SiNx etch 총 1장 (계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
296 2021-10-15 12시 13시 SiN TEL 장비 120초 에칭 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 146,750원
297 2021-10-19 10시 12시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
298 2021-10-19 12시 18시 Oxide 4.0um Etch Test (850sec, 950sec, 1050sec) 삼성종합기술원 Device 연구센터 임용철 964,000원
299 2021-10-20 15시 16시 SiO2 3um etching
Base 1.0um 3.0um --> 3회로 처리함
(추가 1.0um 시 재료비로 \\100,000 원 추가이나 횟수로 진행)		 포항공과대학교 대학원 물리학과 김진욱 248,500원
300 2021-10-22 12시 13시 7-2-1 V0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
301 2021-10-22 13시 14시 Si/SiO2 복합 layer 50 nm 에칭 포항공과대학교 대학원 기계공학과 백종현 149,500원
302 2021-10-22 9시 10시 6-4-4 M0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
303 2021-11-01 13시 14시 LOT ID: SKD0691 C/D 6매 (ROIC WF)
목적: PA 에칭공정 (계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 0원
304 2021-11-03 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
305 2021-11-04 10시 11시 9-2-1 PO SiN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 292,500원
306 2021-11-04 11시 12시 9-2-1 PO SiO2 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 292,500원
307 2021-11-04 13시 14시 1-2-1 N_Open Oxide etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 182,500원
308 2021-11-08 9시 18시 공정계약08 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 3,200,000원
309 2021-11-10 13시 14시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
310 2021-11-10 9시 10시 6-4-4 M0 Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 306,250원
311 2021-11-15 14시 15시 Lot ID: SKD0691D #22
목적: SO 공정 SiNx etch 총 1장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
312 2021-11-18 11시 15시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 681,250원
313 2021-11-23 15시 17시 SiO2 460 ~540nm Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 146,750원
314 2021-11-26 10시 12시 Lot ID: NDC21Y46W
목적 CA 공정 Sio2 etch 총 20장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
315 2021-11-26 14시 16시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 642,500원
316 2021-11-26 16시 18시 Oxide etch 1.2um 25ea SK 주식회사 머티리얼즈 CIC Color&Dispersion팀 임유빈 1,475,000원
317 2021-11-29 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
318 2021-11-30 12시 14시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
319 2021-12-01 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 681,250원
320 2021-12-01 9시 18시 HAR Oxide Hole Etch Test : 4.0um Etch 삼성종합기술원 Device 연구센터 임용철 532,000원
321 2021-12-06 9시 18시 공정계약09 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 4,500,000원
322 2021-12-09 10시 15시 나노융합소자공정 및 측정분석 실습교육과덩(4.0021910.01)_나노 소자 공정 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,300,000원
323 2021-12-10 10시 12시 처음 진행해보는 공정입니다. polymer에 ion bombardment나 다양한 에칭 공정으로 결함을 내는 것을 목표로 하고 있습니다. 우선 이 장비가 적절할 것으로 생각되어 신청을 하지만 추후에 연구원님과 상의해서 좀 더 적절한 장비를 찾아나가고자 합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김해윤 149,500원
324 2021-12-13 15시 16시 SiN 600nm Etch 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 146,750원
325 2021-12-15 10시 12시 Lot ID: KA16722
목적: SH 공정 SiNx etch 총 6장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
326 2021-12-15 13시 15시 Lot ID: KA16722
목적: SH 공정 TEOS etch 총 3장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
327 2021-12-16 10시 17시 메일로 말씀드린 대로 에칭 신청합니다.

1st SiO2 2.0um Etch / 2nd SiO2 3.0um Etch
합쳐서 5.0um 진행으로 처리함 (기본료 1회로 할인 적용)		 포항공과대학교 물리학과 성열헌 549,500원
328 2021-12-16 10시 12시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 534,000원
329 2021-12-17 11시 12시 Lot ID: KA16722
목적: SH 공정 TEOS etch 총 8장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
330 2021-12-21 10시 12시 Lot ID: KA16722
목적: SH 공정 SiNx etch 총 5장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
331 2021-12-22 10시 12시 Lot ID: KA16722
목적: SH공정 TEOS etch 총 2장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
332 2021-12-22 13시 17시 Box 2.0um Etch
Base 1.0um, 2.0um = Base + Add 1.0um(\\100,000)		 경북대학교 기계공학부 곽문규 155,000원
333 2021-12-22 18시 20시 nitride etch (주)에스제이컴퍼니 개발팀 박상준 375,000원
334 2021-12-23 10시 11시 Oxide Etch (주)에스제이컴퍼니 개발팀 박상준 265,000원
335 2021-12-23 15시 17시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 797,500원
336 2021-12-24 14시 15시 SiO2 (300 nm)/TiN (10 nm)/SiO2 (100 nm)/TiN (10 nm)/SiO2 (100 nm)/ TiN (10 nm)소자 에칭 의뢰드립니다. 포항공과대학교 신소재공학과 박영준 149,500원
337 2021-12-27 12시 14시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
338 2021-12-27 14시 15시 Si 3nm+SiO2 100 nm SF6 플라즈마로 1분 에칭 포항공과대학교 대학원 기계공학과 백종현 149,500원
339 2021-12-30 10시 11시 9-2-1 PO SiO2 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
340 2021-12-30 15시 17시 Lot ID: KA16722 #9#11
목적: SH공정 SiNx,SiO2 etch 총 2장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
341 2021-12-30 9시 10시 9-2-1 PO SiN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
342 2022-01-03 10시 11시 안녕하세요 박형규 교수님 연구소 장준혁 연구원입니다. 백종현 학생이 의뢰하던 샘플(3nm si 아래 si oxide 층)과 똑같이 SF6 Plasma 50sec 조건으로 처리해주시면 감사하겠습니다.
포항공과대학교 저차원 전달 물질 연구소 장준혁 199,000원
343 2022-01-11 14시 14시 나노융합 소자공정 및 측정분석 실습교육과정(4.0021910.01)
; 나노 소자 공정 & 측정 일자리 연계교육		 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,200,000원
344 2022-01-13 14시 16시 LOT ID : KA16722D
목적 : SH 공정, SiN etch, TEOS etch
총 6장 (계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
345 2022-01-14 14시 16시 LOT ID : KA16722B
목적 : PA etch, SiN etch
총 6장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
346 2022-01-18 10시 12시 [21년도 전문인력양성 1조]
sio2 2um증착한 wafer 1um 식각진행하려고 합니다. 		나노융합기술원 사업지원팀 21년도 전문인력 1조 0원
347 2022-01-18 12시 13시 자세한 조건은 문자로 드립니다. (01044633066)
끝나면 문자 부탁드립니다.		 포항공과대학교 저차원 전달 물질 연구소 장준혁 149,500원
348 2022-01-18 13시 14시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
349 2022-01-18 14시 15시 SiO2 (300 nm)/TiN (10 nm)/SiO2 (100 nm)/TiN (10 nm)/SiO2 (100 nm)/TiN (10 nm) 에칭 의뢰 드립니다. 포항공과대학교 신소재공학과 박영준 149,500원
350 2022-01-24 15시 16시 LOT ID : KA16722D
목적 : OHO etch (SiN etch)
총 8매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
351 2022-01-25 11시 12시 LOT ID : KA16722D
목적 : PO-1 etch (SiN etch)
총 8건 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
352 2022-01-26 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 642,500원
353 2022-02-07 10시 12시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
354 2022-02-07 10시 13시 전문인력양성사업 나노소자공정 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,200,000원
355 2022-02-07 13시 14시 3-2-1 N-GaN Oxide Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 141,250원
356 2022-02-08 10시 11시 4-2-1 P-Contact Oxide Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 141,250원
357 2022-02-09 14시 15시 LOT ID : KA16722D
목적 : PA etch (SiN etch)
총 4매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
358 2022-02-14 13시 16시 LOT ID : KA16723A
목적 : SH etch (SiN, TEOS etch)
총 11매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
359 2022-02-15 14시 16시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
360 2022-02-15 15시 16시 LOT ID : KA16722E
목적 : OHO etch (SiN etch)
총 9매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
361 2022-02-16 10시 12시 SF6 plasma 50sec 조건으로 처리 부탁드립니다. 샘플은 1층 보관함에 두었습니다. 포항공과대학교 저차원 전달 물질 연구소 장준혁 199,000원
362 2022-02-16 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 642,500원
363 2022-02-21 16시 17시 LOT ID : KA16722D
목적 : PA etch (SiN etch)
총 5매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
364 2022-02-22 10시 11시 LOT ID : KA16722E
목적 : PO-1 etch (SiN etch)
총 9매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
365 2022-02-23 10시 11시 SF6 plasma 50sec 포항공과대학교 저차원 전달 물질 연구소 장준혁 199,000원
366 2022-03-02 16시 17시 3-2-1 N-GaN Oxide Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 347,500원
367 2022-03-04 12시 14시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
368 2022-03-04 16시 17시 Sf6 plasma 50sec 포항공과대학교 저차원 전달 물질 연구소 장준혁 149,500원
369 2022-03-07 10시 16시 Si 650V 파워반도체 제작 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 2,300,000원
370 2022-03-07 13시 14시 4-2-1 P-Contact Oxide Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 347,500원
371 2022-03-07 14시 16시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 425,500원
372 2022-03-08 10시 12시 SiO2 Dry Etch 삼성디스플레이 선행제품연구팀 박후근 375,000원
373 2022-03-10 13시 17시 SiO2 3.0um 포항공과대학교 물리학과 성열헌 349,500원
374 2022-03-10 9시 11시 SiO2 2um 포항공과대학교 물리학과 성열헌 249,500원
375 2022-03-11 13시 14시 LOT ID : KA16723A
목적 : PO-1 etch (SiN etch)
총 11매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
376 2022-03-15 13시 14시 SF6 plasma 50sec 조건으로 처리 포항공과대학교 저차원 전달 물질 연구소 장준혁 146,750원
377 2022-03-15 14시 15시 LOT ID : KA16722E
목적 : PA etch (SiN etch)
총 8장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
378 2022-03-15 9시 11시 LOT ID : KA16723C
목적 : OHO etch (SiN etch)
총 13장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
379 2022-03-17 9시 10시 LOT ID : KA16723C
목적 : PO-1 etch (SiN etch)
총 13장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
380 2022-03-18 13시 14시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 331,000원
381 2022-03-21 10시 12시 7-3-1 Contact-1 Oxide Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 306,250원
382 2022-03-22 13시 14시 안녕하세요, 포스텍 박형규 교수님 연구실 장준혁 연구원입니다.
샘플은 장비앞에 두었고, SF6 plasama 50sec 조건으로 처리 부탁드립니다.
표시한 4개 샘플입니다.		 포항공과대학교 저차원 전달 물질 연구소 장준혁 146,750원
383 2022-03-22 14시 16시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 448,750원
384 2022-03-22 20시 21시 9-3-1 Contact-2 Oxide Etch 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 306,250원
385 2022-03-23 10시 14시 8인치 Si wafer 위 Polyimide Film 이 약 6.0um 코팅
O2 Plasma 30sec 진행

40매 신청 --> 28매 도착		 (주)동진쎄미켐 절연막팀 박아름 1,640,000원
386 2022-03-23 16시 18시 LOT ID : NDC21Y51W
목적 : Hard Mask etch (SiO2 etch)
총 20장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
387 2022-03-24 14시 16시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
388 2022-03-30 15시 16시 LOT ID : KA16723A
목적 : PA etch (SiN Etch)
총 12장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
389 2022-04-01 11시 12시 SiN Etch 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 144,000원
390 2022-04-01 14시 15시 SF6 Plasma 50sec 조건으로 처리 부탁드립니다. 표시된 16개 조각 모두 부탁드립니다.

31일 오후 2시까지 샘플전달 드리도록 하겠습니다.		 포항공과대학교 저차원 전달 물질 연구소 장준혁 287,000원
391 2022-04-01 15시 17시 LOT ID : KA07079C
목적 : SH etch (SiN etch, TEOS etch)
총 12장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
392 2022-04-06 10시 11시 SiO2 Dry Etch 삼성디스플레이 선행제품연구팀 박후근 375,000원
393 2022-04-07 15시 16시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
394 2022-04-11 9시 12시 LOT ID : KA16723C
목적 : PA etch (SiN etch)
총 13장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
395 2022-04-13 11시 12시 SiO2 Dry Etch 삼성디스플레이 선행제품연구팀 박후근 475,000원
396 2022-04-13 15시 18시 SiO2 Etch : 5000 A (조각 6개) (주)에스제이컴퍼니 개발팀 박상준 0원
397 2022-04-14 14시 16시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
398 2022-04-15 13시 15시 LOT ID : KA19735A
목적 : SH etch (SiN etch, TEOS etch)
총 12장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
399 2022-04-15 9시 10시 LOT ID : KA07079A
목적 : OHO etch (SiN etch)
총 12장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
400 2022-04-18 10시 15시 SiO2 3.0um Etch
: 조각 7개 (2회, 5개/회)		 포항공과대학교 물리학과 박세배 599,000원
401 2022-04-18 15시 16시 LOT ID : KA07079C
목적 : OHO etch (SiN etch)
총 12장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
402 2022-04-19 10시 11시 LOT ID : KA07079A
목적 : PO-1 etch (SiN etch)
총 12장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
403 2022-04-19 15시 18시 SiO2 Etch ; 5000 A (조각 3개) (주)에스제이컴퍼니 개발팀 박상준 0원
404 2022-04-20 10시 11시 LOT ID : KA07079C
목적 : PO-1 etch (SiN etch)
총 12장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
405 2022-04-20 11시 12시 SiO2 100nm Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 146,750원
406 2022-04-22 13시 14시 LOT ID : KA07079C
목적 : PO-1 etch
총 12장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
407 2022-04-25 10시 12시 LOT ID : KA19735ㅊ
목적 : SH etch (SiN, TEOS etch)
총 12장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
408 2022-04-28 14시 15시 2-3-2 SiO2 Etch (주)에스제이컴퍼니 개발팀 박상준 0원
409 2022-04-28 16시 17시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 215,500원
410 2022-05-02 12시 16시 1-3-2 SiO2 Etch 1.5um (4/20) 주식회사 이엔아이솔루션 공정 임태산북두 255,000원
411 2022-05-03 10시 11시 22.3.2
TEST Wafer
substrate : Si
etch : PH etch (Polyimide)
매수 : 1 ea
*바우처 처리 예정 (test 공정 파악 위함)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 140,000원
412 2022-05-03 11시 12시 22.3.28
TEST Wafer
substrate : Si
etch : PH etch (Polyimide)
매수 : 1 ea
*바우처 처리 예정 (test 공정 파악 위함)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 140,000원
413 2022-05-03 13시 14시 22.5.3
TEST Wafer
substrate : Si
etch : PH etch (Polyimide)
매수 : 1 ea
*바우처 처리 예정 (test 공정 파악 위함)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 180,000원
414 2022-05-03 9시 10시 22.2.28
TEST Wafer
substrate : Si
etch : PH etch (Polyimide)
매수 : 2 ea
*바우처 처리 예정 (test 공정 파악 위함)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 180,000원
415 2022-05-04 13시 14시 22.5.4
TEST Wafer
substrate : Si
etch : OHO etch rate (SiN thin films)
매수 : 2 ea
*바우처 처리 예정 (test 공정 파악 위함)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 180,000원
416 2022-05-04 9시 10시 22.5.4
TEST Wafer
substrate : Si
etch : PH etch (Polyimide)
매수 : 1 ea
*바우처 처리 예정 (test 공정 파악 위함)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 140,000원
417 2022-05-09 13시 14시 LOT ID : KA07079
목적 : PA etch (SiN etch)
총 11장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
418 2022-05-09 9시 10시 LOT ID : KA19735C
목적 : OHO etch (SiN etch)
총 12장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
419 2022-05-10 13시 14시 샘플 10조각 SF6 Plasma 50sec 조건으로 처리부탁드립니다. 포항공과대학교 저차원 전달 물질 연구소 장준혁 193,500원
420 2022-05-11 16시 16시 LOT ID : KA19735A
목적 : OHO etch (SiN etch)
총 12매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
421 2022-05-11 17시 17시 LOT ID : KA19735C
목적 : PO-1 etch (SiN etch)
총 12매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
422 2022-05-11 9시 16시 1-3-2 SiO2 Etch 1.5um 주식회사 이엔아이솔루션 공정 임태산북두 1,030,000원
423 2022-05-12 9시 11시 LOT ID : KA19734A
목적 : SH etch (SiN, TEOS etch)
총 12매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
424 2022-05-13 13시 13시 LOT ID : KA19735A
목적 : PO-1 etch (SiN etch)
총 12장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
425 2022-05-19 15시 15시 LOT ID : KA07079C
목적 : PA etch (SiN etch)
총 12장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
426 2022-05-25 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 642,500원
427 2022-05-26 10시 11시 SF6 plasma 50sec 조건으로 처리 부탁드립니다. 포항공과대학교 저차원 전달 물질 연구소 장준혁 240,250원
428 2022-06-03 14시 16시 1-2-1 TEOS Etch (주)마이크로인피니티 (주)마이크로인피니티_ 소자개발팀 이성렬 265,000원
429 2022-06-07 12시 14시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 534,000원
430 2022-06-07 14시 14시 LOT ID : KA19235A
목적 : PA etch (SiN etch)
총 7매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
431 2022-06-07 9시 18시 공정계약 01/11 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 2,300,000원
432 2022-06-09 10시 10시 LOT ID : KA19234A
목적 : PO-1 etch (SiN etch)
총 12매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
433 2022-06-13 10시 12시 Dry Etcher_TEL 삼성디스플레이 선행제품연구팀 박후근 232,000원
434 2022-06-13 11시 12시 LOT ID : KA20924A
목적 : SH etch (SiN, TEOS etch)
총 12장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
435 2022-06-15 14시 15시 Si3N4 400nm dry etching 2개 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 144,000원
436 2022-06-16 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

SiN 550nm dry etching 부탁드립니다.

항상 감사드립니다. 		포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
437 2022-06-20 10시 10시 LOT ID : KA19735C
목적 : PA etch (SiN etch)
총 12장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
438 2022-06-20 9시 9시 LOT ID : KA19734C
목적 : OHO etch (SiN etch)
총 11장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
439 2022-06-21 9시 18시 공정계약 01/11 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 2,300,000원
440 2022-06-22 13시 15시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
441 2022-06-22 9시 9시 LOT ID : KA19734C
목적 : PO-1 etch (SiN etch)
총 11장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 540,000원
442 2022-06-23 11시 12시 9.0 PO Etch SiN 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 177,000원
443 2022-06-23 13시 14시 9.0 PO Etch SiO2 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 177,000원
444 2022-06-27 15시 17시 국가나노인프라를 활용한 나노소자공정실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,750,000원
445 2022-06-27 9시 9시 LOT ID : KA20925C
목적 : SH etch (SiN)
총 13장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
446 2022-06-28 13시 13시 LOT ID : KA20924C
목적 : SH etch (TEOS)
총 13장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
447 2022-07-04 10시 11시 9-2-2 PO SiO2 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 611,000원
448 2022-07-04 16시 16시 LOT ID : KA20924B
목적 : OHO etch (Polyimide)
총 5장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
449 2022-07-04 9시 10시 9-2-1 PO SiN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 471,000원
450 2022-07-05 9시 10시 SiN 300 nm dry etching 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
451 2022-07-07 14시 15시 LOT ID : KA19734C
목적 : PA etch (SiN)
총 11장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
452 2022-07-07 9시 14시 SiO2 10ea, 1.5um Target. 주식회사 이엔아이솔루션 공정 임태산북두 1,650,000원
453 2022-07-08 11시 12시 1-3-2 SiO2 Etch 주식회사 이엔아이솔루션 공정 임태산북두 650,000원
454 2022-07-11 11시 11시 Oxide/Nitride Dry Etching (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 2,300,000원
455 2022-07-11 12시 18시 8 inch Si wafer 위에 지름 20 mm, 두께 1.5 mm의 Al2O3+Y2O3 시편 여러개가 캡톤테이프로 접착되어 고정
절연막식각조건으로 etch time이 2시간 중 1시간 진행
(플라즈마 내식성 평가 : \\100,000/회, 1회/300초)		 부산대학교 기계공학부 탁형준 1,300,000원
456 2022-07-12 15시 15시 LOT ID : KA20924C
목적 : OHO etch
총 12장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
457 2022-07-12 16시 16시 대구대학교 나노반도체공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,200,000원
458 2022-07-12 16시 16시 LOT ID : KA20924C
목적 : SO (PO-1) etch
총 12장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
459 2022-07-12 9시 15시 8 inch Si wafer 위에 지름 20 mm, 두께 1.5 mm의 Al2O3+Y2O3 시편 여러개가 캡톤테이프로 접착되어 고정
절연막식각조건으로 etch time이 2시간 중 1시간 진행
(플라즈마 내식성 평가 : \\100,000/회, 1회/300초)		 부산대학교 기계공학부 탁형준 1,300,000원
460 2022-07-13 15시 17시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 642,500원
461 2022-07-13 9시 9시 LOT ID : KA20925C
목적 : SH etch
총 12장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
462 2022-07-14 9시 9시 LOT ID : KA20924A
목적 : PA etch
총 12장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
463 2022-07-15 15시 16시 9-2-1 PO SiN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 642,500원
464 2022-07-15 16시 17시 9-2-1 PO SiO2 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 642,500원
465 2022-07-18 14시 15시 9-4-1 PO SiO2 Etch
9-4-2 PO SiN Etch		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 177,000원
466 2022-07-18 9시 9시 LOT ID : KA20925A
목적 : OHO etch
총 12장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
467 2022-07-19 10시 10시 LOT ID : KA20925A
목적 : SO (PO-1) etch
총 12장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
468 2022-07-19 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

Silicon nitride 샘플 2장 맡겨드립니다.
1. 300 nm etching
2. 450 nm etching

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 188,000원
469 2022-07-21 12시 13시 9-2-1 PO SiN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 317,000원
470 2022-07-21 13시 14시 9-2-1 PO SiO2 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 387,000원
471 2022-07-25 16시 18시 9-2-1 PO SiN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 642,500원
472 2022-07-25 18시 19시 9-2-1 PO SiO2 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 642,500원
473 2022-07-26 16시 16시 대구대학교 나노반도체공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,200,000원
474 2022-07-27 14시 16시 9-2-1 PO SiO2 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 642,500원
475 2022-07-27 14시 15시 9-2-1 PO SiN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 642,500원
476 2022-08-01 13시 14시 9-2-1 PO SiN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 355,500원
477 2022-08-01 14시 15시 9-2-1 PO SiO2 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 425,500원
478 2022-08-01 16시 18시 2-2-2 Back_Oxide Etch 에스앤에스텍 EUV Pellicle 개발팀 이승조 650,000원
479 2022-08-01 9시 9시 LOT ID : KA20926A
목적 : SH etch (SiN, TEOS)
총 12매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
480 2022-08-02 9시 18시 공정계약 03/11 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 3,400,000원
481 2022-08-03 14시 15시 2-3-2 SiO2 Etch (주)에스제이컴퍼니 개발팀 박상준 705,000원
482 2022-08-03 9시 9시 LOT ID : KA20925C
목적 : OHO etch
총 5매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
483 2022-08-04 9시 10시 LOT ID : KA20925C
목적 : SO etch (SiN etch)
총 6장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
484 2022-08-10 13시 14시 9-2-1 SiN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 425,500원
485 2022-08-10 14시 15시 9-2-1 SiO2 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 425,500원
486 2022-08-16 10시 12시 9.0 PO SiN ETCH 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
487 2022-08-16 13시 15시 9.0 PO SiO2 ETCH 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 254,000원
488 2022-08-17 10시 11시 9-2-1 PO SiN Oxide Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 425,500원
489 2022-08-17 9시 9시 LOT ID : KA20926A
목적 : OHO etch
총 6매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
490 2022-08-18 10시 11시 9-2-1 PO SIN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 208,500원
491 2022-08-18 11시 12시 9-2-1 PO SiO2 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 208,500원
492 2022-08-18 13시 13시 LOT ID : KA20926A
목적 : SO etch (SiN)
총 6매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
493 2022-08-19 16시 17시 9-2-1 PO SiN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 611,000원
494 2022-08-19 17시 19시 9-2-1 PO SiO2 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 611,000원
495 2022-08-19 9시 9시 LOT ID : KA20926C
목적 : SH etch
총 6매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
496 2022-08-23 9시 9시 LOT ID : NDC22Y27W
목적 : CA etch
총 18매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
497 2022-08-26 10시 11시 9-2-1 PO SiO2 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 317,000원
498 2022-08-26 9시 10시 9-2-1 PO SiN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 317,000원
499 2022-09-01 10시 10시 LOT ID : KA20926B
목적 : SO etch (PO-1 etch)
총 3매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
500 2022-09-02 14시 15시 P4620 PR patterning 완료된 300x300 3 pieces 입니다.
SiN layer depth는 400nm입니다
dummy wafer 사용 가능하시면 한꺼번에 진행해주시면 감사하겠습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 정수빈 149,500원
501 2022-09-05 10시 10시 LOT ID : KA20926C
목적 : SH etch
총 11매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
502 2022-09-05 16시 18시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
503 2022-09-07 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

SiN 290 nm dry etching 부탁드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
504 2022-09-08 9시 9시 LOT ID : KA20927A
목적 : SH etch
총 12매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
505 2022-09-12 9시 18시 공정 04/11 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 2,300,000원
506 2022-09-13 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

Si3N4 340 nm dry etching 부탁드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
507 2022-09-14 9시 9시 LOT ID : NDC22Y30W
목적 : CA HM etch
총 19매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
508 2022-09-15 19시 20시 절연막 식각 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
509 2022-09-16 14시 15시 SiO2 1000A Etch 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 권민규 240,250원
510 2022-09-19 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.

SiN 450 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
511 2022-09-21 9시 9시 LOT ID : KA20926B
목적 : PA etch
총 3매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
512 2022-09-23 11시 11시 LOT ID : KA20926C
목적 : OHO etch
총 11매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
513 2022-09-23 9시 9시 LOT ID : KA20927C
목적 : SH etch
총 12매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
514 2022-09-26 16시 17시 SiO2 Dry Etch 삼성디스플레이 선행제품연구팀 박후근 320,000원
515 2022-09-26 9시 9시 LOT ID : KA20926C
목적 : SO etch (PO-1 etch)
총 11매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
516 2022-09-27 9시 9시 LOT ID : KA20927A
목적 : OHO etch
총 12매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
517 2022-09-28 10시 11시 SiN 450nm 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
518 2022-09-28 9시 9시 LOT ID : KA20927A
목적 : SO etch (PO-1 etch)
총 12매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
519 2022-09-29 16시 17시 SiO2 Etch (주)마이크로인피니티 (주)마이크로인피니티_ 소자개발팀 이성렬 430,000원
520 2022-09-29 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

SiN 450 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
521 2022-10-04 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.

SiN 에칭 장비 신청드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 188,000원
522 2022-10-05 14시 16시 2um Oxide Etch (1ea) 포항공과대학교 물리학과 박세배 249,500원
523 2022-10-05 19시 21시 3um Oxide Etch (1ea) 포항공과대학교 물리학과 박세배 349,500원
524 2022-10-05 9시 12시 LOT ID : KA20927C
목적 : OHO etch (SiN)
총 12매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
525 2022-10-06 11시 14시 2um Oxide Etch (7ea) 포항공과대학교 물리학과 박세배 599,000원
526 2022-10-06 9시 14시 LOT ID : KA20927C
목적 : SO etch (SiN, Polyimide)
총 12매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
527 2022-10-10 9시 17시 공정 05/11 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 2,100,000원
528 2022-10-18 11시 18시 LOT ID : KA20927C
목적 : PA etch (SiN)
총 12매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
529 2022-10-18 9시 11시 SiO2 Dry Etch 삼성디스플레이 선행제품연구팀 박후근 276,000원
530 2022-10-19 9시 9시 LOT ID : KA20927A
목적 : PA etch (SiN)
총 12매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
531 2022-10-21 9시 16시 LOT ID : KA20926C
목적 : PA etch (SiN)
총 12매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
532 2022-10-27 9시 10시 안녕하세요,

SiN 290nm dry etching 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
533 2022-11-01 12시 13시 2-3-1 Back Oxide Etch 에스앤에스텍 EUV Pellicle 개발팀 이승조 210,000원
534 2022-11-01 13시 14시 2-3-1 Back Oxide Etch 에스앤에스텍 EUV Pellicle 개발팀 이승조 210,000원
535 2022-11-02 11시 12시 2.0 Oxide dry etch 5000Å 삼성디스플레이 SDC硏 LED LAB 원치훈 408,000원
536 2022-11-02 17시 18시 WM_HR
SiNx 3000~5000A dry etching 10매

8\'si wafer
SiNx 1um 증착되어있음 		주식회사 보다 연구개발 김형원 595,000원
537 2022-11-03 10시 12시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 534,000원
538 2022-11-08 11시 12시 TEOS 7,450A etching 주식회사 보다 연구개발 김형원 149,500원
539 2022-11-11 13시 14시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

Si3N4 50um 추가 에칭 부탁드립니다.

감사합니다.

성준화 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 144,000원
540 2022-11-14 11시 13시 전문인력양성사업 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,000,000원
541 2022-11-16 10시 11시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

Si3N4 145nm 높이 정확히 하여 에칭 부탁드립니다.

높이에 민감한 샘플이라 정확히 에칭 부탁드립니다.

감사합니다.

성준화 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 144,000원
542 2022-11-16 16시 17시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
543 2022-11-17 9시 10시 8인치 웨이퍼 세팅을 사용하신다고 하여 혹시 4인치 웨이퍼를 한 장을 하던 두 장을 하던 공정 횟수가 한번으로 동일하다면 2장을 시도해보고 싶습니다. 포항공과대학교 신소재공학과 공민식 199,000원
544 2022-11-22 13시 14시 9-2-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
545 2022-11-28 13시 16시 SiO2 Etch (주)마이크로인피니티 (주)마이크로인피니티_ 소자개발팀 이성렬 595,000원
546 2022-11-29 9시 12시 한국나노마이스터고 반도체 공정 실무교원 연수 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,200,000원
547 2022-12-02 14시 15시 Oxide Dry Etch 1um

1 . Test 1매
2 . SiC 1매		 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 188,000원
548 2022-12-06 13시 14시 AZP4330 레지스트로 코팅, 패터닝, 디벨롭까지 완료된

Si 260nm 박막 SOI 칩입니다.

본 장비로는 SiO2 3µm full etching 요청합니다.		 포항공과대학교 물리학과 김준엽 349,500원
549 2022-12-07 9시 9시 LOT ID : KA25544A
목적 : SiN etch
총 12 매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
550 2022-12-12 15시 16시 SiO2 Dry Etch 삼성디스플레이 선행제품연구팀 박후근 320,000원
551 2022-12-15 13시 14시 SiO2 600 nm etching 영남대학교 전자공학과 손보성 155,000원
552 2022-12-19 9시 9시 LOT ID : KA25544A
목적 : SO etch (SiN)
총 12 매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
553 2022-12-21 13시 14시 WM_HR_Alignment key
8\' wafer 5ea
SiNx 3000~5000A dry etching

*11월 2일 진행 조건과 동일하게 부탁드립니다.
 주식회사 보다 연구개발 김형원 347,500원
554 2022-12-26 16시 18시 SiO Etch 1.5um 동우화인캠(주) 반도체소재2팀 윤수빈 1,575,000원
555 2023-01-02 11시 11시 공정 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 4,000,000원
556 2023-01-09 10시 11시 6-4-3 M0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
557 2023-01-09 15시 16시 7-2-1 V0 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 347,500원
558 2023-01-09 9시 12시 한국나노마이스터고등학교 반도체 공정교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 970,000원
559 2023-01-11 14시 15시 9-2-1 PO SiN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 425,500원
560 2023-01-11 14시 15시 9-2-1 PO SiO2 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 425,500원
561 2023-01-12 13시 14시 2cm*2cm glass기판이 2개가 있는데, 모두 SiO2 20nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 188,000원
562 2023-01-12 16시 17시 9-2-1 PO SiN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
563 2023-01-12 17시 19시 9-2-1 PO SiO2 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 751,000원
564 2023-01-19 14시 16시 12-2-1 V1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 797,500원
565 2023-01-23 10시 17시 전문인력양성사업 나노소자공정 & 측정 일자리연계 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,000,000원
566 2023-01-25 9시 15시 SiO2 20nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 144,000원
567 2023-01-26 13시 14시 1-2-1 SiN Etch 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 권민규 287,000원
568 2023-01-26 14시 15시 1-2-2 SiO2 Etch 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 권민규 287,000원
569 2023-01-27 10시 11시 3-2-2 SiN Etch 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 298,000원
570 2023-01-27 11시 12시 3-2-3 SiO2 Etch 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 298,000원
571 2023-01-27 12시 13시 3-2-2 SiN Etch 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 496,000원
572 2023-01-27 13시 14시 3-2-3 SiO2 Etch 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 496,000원
573 2023-01-31 9시 9시 Lot ID : EGR2246
목적 : SH etch
총 6매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
574 2023-02-02 16시 18시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

Si3N4 450nm 드라이 에칭 부탁드립니다!

급한샘플이라 기간 맞춰서 에칭 부탁드립니다!

감사합니다		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 144,000원
575 2023-02-03 9시 10시 1-2-1 SiO2 Etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 155,000원
576 2023-02-13 10시 14시 전북대학교 반도체 소자제작 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,400,000원
577 2023-02-13 16시 17시 SiNx를 1 um 가량 etching 하고자 합니다. undercut을 유도할 수 있는 방향으로. 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 윤철현 149,500원
578 2023-02-14 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

SiN 350 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 144,000원
579 2023-02-15 15시 16시 WM_HR_Alignment key
8\\\' wafer 6ea
SiNx 3000~5000A dry etching

*12월 21일 조건과 동일하게 진행 부탁드립니다. 		주식회사 보다 연구개발 김형원 397,000원
580 2023-03-02 10시 11시 사용 날짜 : 23년 2월 7일
LOT ID : EGR2246
Process : SO etch (SiN etch), 6ea (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
581 2023-03-02 11시 12시 사용 날짜 : 23년 2월 13일
LOT ID : KA25543A
Process : SH etch (SiN etch), 11ea (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
582 2023-03-02 12시 13시 사용 날짜 : 23년 2월 13일
LOT ID : EGR2246
Process : PA etch (SiN etch), 6ea (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
583 2023-03-02 9시 10시 사용 날짜 : 23년 2월 6일
LOT ID : EGR2246
Process : OHO etch, 6ea (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
584 2023-03-08 17시 18시 9-2-1 PO SiN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 472,000원
585 2023-03-08 18시 19시 9-2-2 PO SiO2 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 472,000원
586 2023-03-09 13시 14시 VOx 30nm Etching - SiO2 조건 주식회사 보다 연구개발 김형원 146,750원
587 2023-03-09 14시 16시 1-2-1 SiO2 3um Etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 610,000원
588 2023-03-10 10시 11시 9-2-1 PO SiO2 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 844,000원
589 2023-03-10 15시 16시 W 30 nm / Si3N4 50nm / W 30 nm / Si3N4 50nm / W 30nm 구조에서
3층 contact line 열어주기 위해 W 30nm / Si3n4 50nm,
5층 contact line 열어주기 위해 W 30nm / Si3N4 50nm / W 30 nm / Si3N4 50 nm

영역을 각각 dry etching 하고 싶습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 한건희 226,000원
590 2023-03-10 9시 10시 9-2-1 PO SiN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 844,000원
591 2023-03-13 10시 11시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실입니다.

SiN 에칭 샘플 책상 앞에 맡겨두었습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
592 2023-03-13 15시 16시 노광 이후에 드러난 SiNx (2 um)의 부분에 대하여 350 nm 가량의 dry etching을 진행하고자 합니다. 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 윤철현 163,000원
593 2023-03-14 13시 14시 SiO2 37nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
594 2023-03-14 14시 15시 3-2-1 SiO2 Etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 155,000원
595 2023-03-15 12시 14시 오늘 오전에 전화한 내용으로 SiN 7nm 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 김영동 163,000원
596 2023-03-16 15시 16시 기존에 진행했던 조건으로 W/Si3N4/W/Si3N4/W 전면에서 Etching을 통해 contactline을 열어주려고 합니다. 샘플은 3개 / 3개 각각 다른 조건 (총 2번) 으로 진행할 예정입니다.
 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 한건희 226,000원
597 2023-03-17 15시 16시 W/Si3N4/W/Si3N4/W 샘플의 contact line열어주기 위해 etching 진행할 예정입니다.
3개/3개 각각 다른조건으로 2번 진행하려고 합니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 한건희 226,000원
598 2023-03-17 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

SiN etch 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 212,000원
599 2023-03-21 12시 14시 저번 3월 15일에 Bottom 부터 Si(150nm) / Si3N4(7nm) / Si(75nm) etching 공정을 맡긴적 있습니다.
그때와 동일하게 Top Si(75nm) + Si3N4(7nm) + Si(50nm) 에칭을 하려고 합니다.
그때와 동일하게 공정 진행해주시면 될것 같습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 김영동 163,000원
600 2023-03-23 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

SiN 200 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
601 2023-03-28 10시 11시 Bottom 부터 Si(150nm) / Si3N4(7nm) / Si(75nm) 인 샘플입니다.
Top Si(75nm) + Si3N4(7nm, overetch) 로 공정 진행해주시면 감사하겠습니다.
ㅊ		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 김영동 163,000원
602 2023-03-28 9시 10시 8\\\\\\\' si wafer 1매
Si3N4 1um 증착 자재
3000~ 5000A dry etching		 주식회사 보다 연구개발 김형원 146,750원
603 2023-03-29 11시 12시 9-2-1 PO SiN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
604 2023-03-29 13시 14시 9-2-1 PO SiO2 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
605 2023-03-29 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

SiN 200 nm dryetching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
606 2023-03-30 13시 14시 2023년 3월 13일 사용
LOT ID : KA25543C
목적 : SH etch
총 11매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
607 2023-03-30 14시 15시 2023년 3월 21일 사용
LOT ID : KA25543C
목적 : OHO etch
총 11매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
608 2023-03-30 15시 16시 2023년 3월 22일 사용
LOT ID : KA25543C
목적 : SO etch (SiN etch)
총 11매 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 0원
609 2023-03-30 9시 13시 SiN 550nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
610 2023-03-31 17시 18시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

오늘 맡긴 SiN 에칭 신청 드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
611 2023-04-03 10시 11시 조각 SiO2 Etch Back 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 김승모 163,000원
612 2023-04-03 16시 17시 2-3-1 SiO2 Etch 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 권민규 628,000원
613 2023-04-03 9시 10시 3/14 SiO2 Etch Back 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 김승모 144,000원
614 2023-04-04 11시 12시 1-1 SiO2 Dry Etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 265,000원
615 2023-04-04 13시 14시 글래스기판위의 Si3N4 500nm dry etching 부탁드립니다! 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 156,000원
616 2023-04-04 14시 15시 조각 SiO2 Etch Back 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 김승모 156,000원
617 2023-04-04 9시 10시 안녕하세요. 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

dry etching 장비 앞에 샘플 두었습니다.

SiN 220 nm dry etching 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
618 2023-04-06 15시 16시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

SiN 320 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
619 2023-04-06 9시 10시 3/16 SiO2 Etch Back 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 김승모 144,000원
620 2023-04-10 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

SiN 에칭 샘플 2개 맡겨드립니다.

감사합니다.

 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
621 2023-04-11 9시 11시 SiN 600nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
622 2023-04-12 13시 14시 3-2-1 SiO2 Etch 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 276,000원
623 2023-04-12 13시 14시 3-2-1 SiN Etch 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 276,000원
624 2023-04-12 16시 17시 1-2-1 SiO2 Etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 255,000원
625 2023-04-12 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

SiN 55nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
626 2023-04-14 9시 10시 8\' si wafer
Si3N4 2000A etching 3매 		주식회사 보다 연구개발 김형원 240,250원
627 2023-04-16 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

SiN 165 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
628 2023-04-17 13시 15시 Si 260nm 박막 SOI 칩입니다. AZP4330 레지스트가 코팅, 패터닝, 디벨롭까지 됐습니다. (Si 260nm, SiO2 3um) 순서로 full etching 하고, Si 100um를 DRIE(bosch process) 하기를 원합니다.

본 건은 SiO2 3 um 엣칭건으로, Si 260nm 엣칭은 신청했으며(23-A0197872), DRIE를 차례대로 추가신청할 예정.		 포항공과대학교 물리학과 박세배 363,000원
629 2023-04-19 13시 14시 1-2-1 SiO2 Dry Etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 255,000원
630 2023-04-19 9시 11시 1-2-1 SiO2 Etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 540,000원
631 2023-04-20 13시 17시 SiO2 35nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
632 2023-04-20 9시 10시 1-3-1 SiO2 Etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 155,000원
633 2023-04-25 9시 10시 1-3-1 SiO2 Etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 155,000원
634 2023-04-27 12시 13시 안녕하세요, SiN 350 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
635 2023-04-27 9시 12시 SiO2 40nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
636 2023-05-04 16시 17시 1-2-1 SiO2 Etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 255,000원
637 2023-05-08 9시 10시 Glass 기판 2개 SiO2 40nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
638 2023-05-15 10시 11시 Dry Etch 12,000A
 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 698,000원
639 2023-05-15 20시 21시 2-3-1 Back_Oxide Etch 에스앤에스텍 EUV Pellicle 개발팀 이승조 650,000원
640 2023-05-16 9시 10시 안녕하세요, 김주훈입니다.

SiN 에칭 샘플 2개 맡겨드립니다.

1. 500 nm 에칭
2. 170 nm 에칭

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 212,000원
641 2023-05-17 10시 11시 Dry Etch Volume 10,000A / finish soft etch 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 199,000원
642 2023-05-18 9시 10시 . 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
643 2023-05-19 10시 14시 SiO2 40nm 2장 에칭 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
644 2023-05-22 13시 14시 1-2-1 SiN Etch 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 권민규 276,000원
645 2023-05-22 14시 15시 1-2-1 SiO2 Etch 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 권민규 276,000원
646 2023-05-23 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

SiN 500 nm dry etching 샘플 맡겨드립니다.

4인치 샘플입니다.

정말정말 중요하고, 패터닝에 돈을 많이 쓴 샘플이라 조심히 부탁드립니다..

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
647 2023-05-24 9시 12시 SiN 630NM dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
648 2023-05-26 9시 12시 SiO2 300NM dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
649 2023-05-30 9시 11시 SiO2 330nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
650 2023-05-31 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

SiN 200 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
651 2023-06-01 13시 14시 안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

Si3N4 500 nm 드라이에칭 부탁드립니다!

(DMS 샘플 2개가 추가로 같이 담겨있습니다.)

감사합니다.

성준화 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 156,000원
652 2023-06-02 16시 17시 TEOS E/B 31초 test 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 박종서 144,000원
653 2023-06-05 13시 14시 BD3217 SENS
- Nitride 1100A Etching 4매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 287,000원
654 2023-06-07 10시 11시 TEOS E/B 32초 test 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 박종서 144,000원
655 2023-06-07 13시 13시 전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 3,000,000원
656 2023-06-07 9시 10시 1-2-1 Oxide Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 226,000원
657 2023-06-08 10시 11시 2-2-1 SiN /Sio2 Etch 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 권민규 232,000원
658 2023-06-08 14시 15시 BD3217 - NHOLE
- Nitride Ethcing		 주식회사 보다 연구개발 김형원 287,000원
659 2023-06-08 17시 18시 MPW1 wafer pre Etchback 32초 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 박종서 144,000원
660 2023-06-08 9시 10시 2-1-1 SiO2 etch 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 권민규 364,000원
661 2023-06-12 9시 11시 SiO2 120nm dry etching 2장 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
662 2023-06-13 10시 11시 SiO2 100nm 에칭 해주시면 감사하겠습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 163,000원
663 2023-06-13 16시 17시 BD3217 Ohmic - NItride 400A Etch 주식회사 보다 연구개발 김형원 287,000원
664 2023-06-13 17시 18시 Oxide E/B test (6매중 1매) 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 박종서 144,000원
665 2023-06-13 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

SiN 500 nm dry etching 샘플 맡겨드립니다.

5cm by 5cm 정사각형 기판인데, 패턴하는데 돈이 많이 든 샘플이라 조심히 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
666 2023-06-19 14시 15시 Graphene on SiO2/Si wafer - 기존 etching condition 적용 예정 및 상세조건 대면결정

추후 직접사용 염두		 포항공과대학교 기계공학과 안주환 338,000원
667 2023-06-19 9시 11시 SiO2 120nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
668 2023-06-20 10시 14시 전문인력양성사업 나노소자공정&츠정 일자리연계 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,560,000원
669 2023-06-21 10시 11시 3-3-1 ISO Etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 720,000원
670 2023-06-22 10시 11시 SiO2 85nm dry etching부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
671 2023-06-22 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

SiN 550 nm high power로 dry etching 부탁드립니다.

8inch glass wafer인데 두께가 0.3T로 얇아 깨지지않게 주의해주시면 감사드리겠습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
672 2023-06-27 11시 12시 Al 증착 후, SiN 증착
e-beam lithography를 통해 노광후, Al2O3 mask 증착

Al2O3 mask로 SiN 185nm 에칭 부탁드립니다 !		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 156,000원
673 2023-06-29 16시 17시 5-2-1 SiO2 Etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 320,000원
674 2023-06-29 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

SiN dry etching 샘플 6장 맡겨드립니다.

165 nm dry etching 5장, 350 nm dry etching 1장 맡겨드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 212,000원
675 2023-06-30 9시 11시 SiO2 85nm dry etching부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
676 2023-07-03 13시 14시 wf02 Oxide E/B Etch 포항공과대학교 반도체기술융합센터 김준 144,000원
677 2023-07-03 14시 15시 MPW1 Pre E/B 포항공과대학교 반도체기술융합센터 김준 320,000원
678 2023-07-04 10시 11시 안녕하세요. Si3N4 900nm dry-etching 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 144,000원
679 2023-07-07 15시 16시 2-2-1 SiO2 Etch 1.5um LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 255,000원
680 2023-07-11 10시 11시 SiO2 100nm 정도 에칭해 주시면 감사하겠습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 163,000원
681 2023-07-12 14시 17시 2-2-1 Back Oxide Etch 에스앤에스텍 EUV Pellicle 개발팀 이승조 650,000원
682 2023-07-13 14시 15시 Dry Etch Volume 10,000A 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 210,000원
683 2023-07-14 10시 11시 SIN 235nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
684 2023-07-14 14시 16시 6/13일 진행건 Oxide Etch (주)마이크로인피니티 (주)마이크로인피니티_ 소자개발팀 이성렬 595,000원
685 2023-07-14 16시 18시 Oxide Etch (주)마이크로인피니티 (주)마이크로인피니티_ 소자개발팀 이성렬 320,000원
686 2023-07-14 9시 10시 SiO2 85nm dry etching 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
687 2023-07-17 16시 18시 BD3217-0629-NHOLE
- Nitride 3600A Etch		 주식회사 보다 연구개발 김형원 202,000원
688 2023-07-19 10시 11시 dry Etch 11,000A 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 2,193,000원
689 2023-07-19 14시 16시 BD3217-0629-OHMIC
- Nitride Etch 300A_3매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 202,000원
690 2023-07-19 17시 18시 2-2-2 Back Oxide Etch 에스앤에스텍 EUV Pellicle 개발팀 이승조 540,000원
691 2023-07-19 9시 10시 dry Etch 1500A 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 694,000원
692 2023-07-20 14시 15시 G/S H/M Etch 포항공과대학교 반도체기술융합센터 김준 188,000원
693 2023-07-20 16시 18시 Dry Etch_TEL 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 268,000원
694 2023-07-24 17시 18시 SiO2 100nm 이상 140nm이하 (이전) etching 4개 샘플

모두 귀금속 물질 패턴 같은 것은 없습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 163,000원
695 2023-07-25 9시 12시 소자공정&일자리연계 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,300,000원
696 2023-07-26 16시 18시 BD3217-0629-PA
- Nitride 2600A Etch 		주식회사 보다 연구개발 김형원 202,000원
697 2023-07-27 14시 15시 Oxide Etch (주)마이크로인피니티 (주)마이크로인피니티_ 소자개발팀 이성렬 210,000원
698 2023-07-28 11시 12시 나이트라이트 에칭 3장 주식회사 보다 연구개발 김형원 240,250원
699 2023-08-01 10시 11시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

SiN 360 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
700 2023-08-03 13시 14시 SiO2 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 420,000원
701 2023-08-08 10시 11시 BD3217-ROIC-OHMIC
- Nitride Etch 2매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 168,000원
702 2023-08-08 13시 14시 Dry Etcher_TEL 삼성디스플레이 Micro LED Lab. (Micro Display 팀) 정준석 156,000원
703 2023-08-11 15시 16시 SiO2 100nm 이상 140nm이하 (이전) etching 4개 샘플 모두 귀금속 물질 패턴 같은 것은 없습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 163,000원
704 2023-08-14 15시 16시 SiO2 Etch 삼성디스플레이 Micro LED Lab. (Micro Display 팀) 정준석 424,000원
705 2023-08-17 9시 10시 SiN 에칭 맡겨드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
706 2023-08-18 10시 12시 SiO2 100nm 이상 140nm이하 (이전) etching 4개 샘플 모두 귀금속 물질 패턴 같은 것은 없습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 226,000원
707 2023-08-18 13시 15시 - 총 3가지의 공정을 진행하기 원합니다.
- 각 조건당 e- beam patterning이 되어있는 기판 2개, kapton가 붙어있는 bare SiO2 기판 1개를 라벨링하여 발송할 계획입니다.

[공정조건 1]
C4F8 을 이용한 SiO2 150 nm 표준 에칭 조건에서 공정 가스만 CHF3로 바꾼 조건

[공정조건 2]
100 W, CHF3 : Ar = 10 : 10 (50 mtorr), 30 s 조건

[공정조건 3]
500 W, CHF3 : Ar = 10 : 10 (50 mtorr), 30 s 조건

샘플은 금주 수요일 또는 늦어도 목요일에 발송할 계획입니다.
추가로 알려드려야할 정보가 있다면 연락 부탁드립니다.

감사합니다.

----------------------------------------------------------------------
Jae Hyuk Lee
Ph.D. Course

Nano Hybrid Thin Film Laboratory
Department of Chemistry
College of Natural Science 305, Hanyang University

HP: +82-10-8941-8626
E-mail: s724648@hanyang.ac.kr
----------------------------------------------------------------------		 한양대학교 화학과 이재혁 310,000원
708 2023-08-21 10시 11시 9-2-1 PO SiN Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 320,000원
709 2023-08-21 11시 12시 9-2-1 PO SiO2 Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 320,000원
710 2023-08-21 18시 19시 9-2-1 PO SiN Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 964,000원
711 2023-08-21 19시 21시 9-2-1 PO SiO2 Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 964,000원
712 2023-08-22 15시 17시 SiO2 에칭
7개 (150nm 이상)
4개 (260nm 이상)
트레이에 표시해두었습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 289,000원
713 2023-08-23 13시 14시 SiN 에칭 총 2회 부탁드립니다.

1회) 2cm X 2cm 조각 샘플 2개, SiN 150 nm 에칭
- 알루미늄 에칭 (Dry-Etcher_Ulvac) 30 nm 신청한 샘플과 동일한 샘플입니다.
- 알루미늄 30 nm 에칭한 다음 SiN 150 nm 에칭해주시면 됩니다.
- 가능하시다면 샘플 2개를 한번에 진행 부탁드립니다.


2회) 2cm X 2cm 조각 샘플 1개, SiN 110 nm 에칭 부탁드립니다.

샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었으며, 2cm X 2cm 조각 샘플 3개 입니다.
혹시 추가로 말씀드려야 하는 사항 있다면 언제든 연락주시면 감사하겠습니다!		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이지해 212,000원
714 2023-08-28 15시 16시 9-2-1 PO SiN Dry Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 964,000원
715 2023-08-28 16시 17시 9-2-1 PO SiO2 Dry Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 964,000원
716 2023-08-31 10시 11시 9-2-2 PO SiO2 Dry Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 964,000원
717 2023-08-31 9시 10시 9-2-1 PO SiN Dry Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 964,000원
718 2023-09-01 10시 11시 12-2-1 V1 SiO2 Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
719 2023-09-01 17시 18시 G/S H/M Oxide Etch 포항공과대학교 반도체기술융합센터 김준 144,000원
720 2023-09-01 9시 10시 12-2-1 V1 SiN Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
721 2023-09-05 17시 17시 SiO2 600A Etch(6inch) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 226,000원
722 2023-09-12 14시 15시 MPW1 - E/B 포항공과대학교 반도체기술융합센터 김준 144,000원
723 2023-09-12 9시 10시 3-1-1 SiO2 Dry Etch 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 364,000원
724 2023-09-15 13시 14시 SDC_C02 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 496,000원
725 2023-09-18 17시 19시 SiO2, SiN, SION 박막의 test etching 진행 후, etch rate을 확보하여 본 샘플의 etching 공정 진행 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 황현웅 240,000원
726 2023-09-22 14시 15시 나노융합기반 고도화산업

SiN etch test (2ea)		 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 180,000원
727 2023-09-22 15시 16시 3-1-1 Hard Mask Oxide Etch 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 364,000원
728 2023-09-22 15시 16시 SiO2/SiON/SiN multi layer 박막

- 공정 조건
1) SiN/SiON & SiO2 모두 각각의 etch rate에 맞춰 식각
2) SiN/SiON 20% over etch & SiO2 etch rate에 맞춰 식각
3) SiN/SiON & SiO2 모두 20% over etch		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 황현웅 352,000원
729 2023-09-25 13시 14시 1000W, CHF3 : Ar = 50 : 200 (50 mtorr)_30 s 한양대학교 화학과 이재혁 170,000원
730 2023-09-25 14시 15시 SiO2 에칭 4개 모두 (280nm 이상) 트레이에 표시해두었습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 163,000원
731 2023-09-26 9시 17시 전북대학교 나노반도체공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,400,000원
732 2023-10-05 13시 14시 12-2-1 V1 SiN etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
733 2023-10-05 14시 15시 12-2-1 V1 SiO2 etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
734 2023-10-12 10시 11시 3-1-1 Hard Mask Oxide Etch 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 540,000원
735 2023-10-12 9시 10시 2-2-1 SPACER Oxide Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 244,000원
736 2023-10-13 13시 14시 8-2-1 AOPEN ISO Etch Dry etch 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 188,000원
737 2023-10-16 10시 11시 9-2-1 PO etch oxide dry etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 964,000원
738 2023-10-16 13시 14시 9-2-1 PO etch Nitride dry etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 964,000원
739 2023-10-19 10시 11시 2-2-4 SPACER Dry Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 1,396,000원
740 2023-10-19 11시 12시 8-2-1 AOPEN ISO Etch Oxide etch 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 232,000원
741 2023-10-24 15시 16시 BD3217-0823-NHOLE
- Nitride 3600A Etah_3매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 202,000원
742 2023-10-25 10시 11시 3-1-1 Hard Mask SiO2 Dry Etch 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 144,000원
743 2023-10-25 12시 13시 3-1-1 Hard Mask SiO2 Etch 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 320,000원
744 2023-10-25 14시 15시 2-3-1 RCSS Oxide Etch 주식회사 에이프로세미콘 기술연구소 조영우 155,000원
745 2023-10-25 9시 10시 3-1-1 Mesa H/M Etch 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 540,000원
746 2023-10-26 18시 19시 SiO2 에칭 4개 모두 (150nm 이상) 트레이에 표시해두었습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 163,000원
747 2023-10-30 10시 11시 9-2-1 PO Etch 146s SiN etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 964,000원
748 2023-10-30 13시 14시 9-2-1- PO Etch SiO2 etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 964,000원
749 2023-10-31 14시 15시 2-3-1- RCSS H/M etch 주식회사 에이프로세미콘 기술연구소 조영우 320,000원
750 2023-11-01 15시 16시 6-2-1 RCSS SiO2 etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 226,000원
751 2023-11-01 9시 10시 6-2-1 RCSS SiO2 Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 226,000원
752 2023-11-02 10시 11시 안녕하세요. 포항공대 신소재공학과 최지웅 입니다.
현재 4 inch wafer 2 장 etching 공정 의뢰 맡깁니다.
1 장은 SiO2 300 nm/TiN 50 nm/SiO2 50 nm/TiN 50 nm/SiO2 50 nm/TiN 50 nm/SiO2 50 nm/PR
다른 1 장은 SiO2 300 nm/TiN 30 nm/SiO2 50 nm/TiN 30 nm/SiO2 50 nm/TiN 30 nm/SiO2 50 nm/PR 입니다.
공정 후 웨이퍼 넣는 위치는 원래 위치 그대로 해주셨으면 합니다.
현재 patterning이 되어 있는 상태라서 높은 온도에서 공정은 불가능 합니다.
더 필요하신 사항이나 정보 있으시면 01041179580으로 연락 주시면 알려드리겠습니다.
웨이퍼는 현재 공정보관함에 있습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최지웅 226,000원
753 2023-11-02 13시 14시 1-3-1 SiO2 Etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 210,000원
754 2023-11-03 10시 11시 Oxide 6000A Dry etch 전북대학교 전자정보공학부 남은서 170,000원
755 2023-11-03 11시 12시 BD3217-0823-PA
- Nitride 2300A Etch_3매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 202,000원
756 2023-11-06 9시 10시 BD3217-0823-PadOpen
- Nitride 2000A Etch_2매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 168,000원
757 2023-11-08 14시 15시 9-2-1 PO etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 320,000원
758 2023-11-08 14시 15시 9-2-1 PO etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 820,000원
759 2023-11-15 14시 15시 BD3217-1101-NHOLE
- SiNx Etch_2매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 168,000원
760 2023-11-15 15시 16시 1-3-1 SiO2 Etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 565,000원
761 2023-11-21 15시 16시 9-2-1 PO SiN Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
762 2023-11-21 16시 17시 9-2-1 PO SiO2 Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
763 2023-11-22 10시 11시 BD3217-1116-NHOLE
- SiNx 3100A Etch		 주식회사 보다 연구개발 김형원 168,000원
764 2023-11-22 13시 15시 아래에서 부터 SiO2 300 nm/TiN 200 nm/SiO2 200 nm/TiN 200 nm/SiO2 200 nm/PR 증착되어 있습니다.
4 inch wafer 두장이고, 위에서 부터 SiO2 200/TiN 200/SiO2 200/TiN 200/SiO2 100 nm etching 해주시면 됩니다.
뒷면은 silver paste 발라도 상관없습니다.
더 필요하신 사항 있으면 01041179580으로 연락주세요.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최지웅 426,000원
765 2023-11-23 11시 12시 강세민 팀장님
SiC wafer에 SiO2 증착 및 SIO2 patterning 식각 의뢰

자세한 내용은 메일 첨부 자료 있습니다.		 고려대학교 제어계측공학과 김진혁 440,000원
766 2023-11-30 11시 12시 BD3217-1116-OHMIC
- Nitride 350A Etch_1매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 134,000원
767 2023-11-30 13시 14시 SiO2 160nm 이상 에칭 4개 모두 동일
내일 오전 9시 반 전으로 샘플 맡겨놓도록 하겠습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 352,000원
768 2023-12-04 10시 11시 9-2-1 PO SiN Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
769 2023-12-04 11시 12시 9-2-1 PO SiO2 Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
770 2023-12-06 10시 11시 BD3217-1116-PadOpen
- Nitride Etch 2000A_2매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 168,000원
771 2023-12-06 9시 10시 BD3217-1116-PA
- Nitride Etch_90초

12월04일에 사용건 입니다.		 주식회사 보다 연구개발 김형원 202,000원
772 2023-12-11 10시 11시 SiN 2000 etch (일반 결제) (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 130,000원
773 2023-12-11 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

SiN 350 nm dry etching 샘플 4개 맡겨드립니다.

3개는 기판 두께가 매우 얇아 깨지지 않도록 주의해주세요.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 324,000원
774 2023-12-13 9시 10시 BD3217-1117-NHOLE
- Nitride Etch_73초		 주식회사 보다 연구개발 김형원 168,000원
775 2023-12-14 13시 14시 BD3217-1117-ROIC
- SiNx 1100A Etch_26초		 주식회사 보다 연구개발 김형원 134,000원
776 2023-12-14 9시 18시 dry etch 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 11,300,000원
777 2023-12-21 11시 12시 BD3217-1117-OHMIC
- Nitride Etch_5초		 주식회사 보다 연구개발 김형원 168,000원
778 2023-12-22 14시 15시 BD3217-1117-PA
- SiNx Etch_100초 2매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 168,000원
779 2023-12-26 10시 11시 PA-META
- Nitride Etch_120초		 주식회사 보다 연구개발 김형원 134,000원
780 2023-12-26 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

SiN 320 nm dry etching 부탁드립니다.

기판 두께가 얇아서 주의해서 잘 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
781 2023-12-29 10시 11시 9-2-1- PO SiO2 etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 964,000원
782 2023-12-29 9시 10시 9-2-1 PO etch SiN etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 964,000원
783 2024-01-08 13시 14시 안녕하세요.
포항공대 신소재공학과 최지웅 입니다.
에칭 공정의뢰 맡겼습니다.
웨이퍼는 총 4inch 2장입니다.
웨이퍼 보관함에 50, 100 표시되어 있습니다.
50 되어 있는 것은 SiO2 300nm/TiN 50 nm/SiO2 50 nm 입니다.
SiO2 50/TiN 50/SiO2 50 nm 에칭 해주시면 됩니다.

100 되어 있는 것은 SiO2 300 nm/TiN 100 nm/SiO2 100 nm/TiN 100 nm/SiO2 100 nm 입니다.
SiO2 100/TiN 100/SiO2 100/TiN 100/SiO2 50-100 nm 에칭 해주시면 됩니다.
버닝이 최대한 안일어나게 해주시면 좋겠습니다.
샘플은 공정보관함에 두었습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최지웅 226,000원
784 2024-01-10 10시 11시 4-2-1 PG (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
785 2024-01-12 17시 18시 TEOS 100nm etch 포항공과대학교 공정기술팀 박광진 144,000원
786 2024-01-16 15시 16시 알루미늄 에칭 (Dry-Etcher_Ulvac) 30 nm 신청한 샘플과 동일한 샘플입니다.
알루미늄 30 nm 에칭한 다음 SiN 115 nm 에칭 부탁드립니다.

가능하시다면 샘플 2개를 한번에 진행 부탁드립니다.
샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이지해 156,000원
787 2024-01-19 13시 14시 1-2-1 SiN/SiO2 etch 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 248,500원
788 2024-01-19 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

SiN 320 nm dry ethching 샘플 맡겨드립니다.

기판이 얇아 깨지기 쉬우니 주의 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
789 2024-01-22 10시 11시 물질 정보:
1) Nitrogen(N) rich SiON (550nm) on Si wafer
2) Oxygen(O) rich SiON (550nm) on Si wafer

실험 목적: test etching 진행 후 각 물질의 etch rate 확보
실험 내용:
- N rich SiON의 경우, SiN용 SF6에서만 etch rate 판단
- O rich SiON의 경우, SiO2 용 C4F8 etch gas 및 SiN 용 SF6 etch gas에서의 etch rate 판단

Etching 은 총 2번으로, SiO2 용 C4F8 gas etching time = 60초, SiN 용 SF6 gas etching time = 40초로 공정 진행 부탁드립니다.

자세한 내용은 메일 참고 부탁드립니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 황현웅 289,000원
790 2024-01-23 10시 12시 전문인력양성사업 교육생 장비 신청 나노융합기술원 교육홍보팀 이상민 0원
791 2024-01-24 10시 11시 7-2-1 OC (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
792 2024-01-24 15시 16시 7-2-1 OC (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
793 2024-01-26 13시 15시 물질 정보
- SiO2/SiON 3 layers/SiN on Si wafer

실험 목적: Masking 영역을 제외한 영역에서의 Si wafer opening 진행

실험 내용:
1) SiN layer & SiON 3 layers의 경우, SiN 용 SF6 etch gas를 사용해 에칭 진행
- Target etching: 125 s - 3x3 cm2 샘플
- 10% over etching: 137 s - 3x3 cm2 샘플
- 20% over etching: 149 s - 5x5 cm2 샘플

2) SiO2 layer의 경우, SiO2용 C4F8 etch gas를 사용해 에칭 진행
- 모든 샘플 20% over etching: 33 s x 1.2 = 40 s

실험 순서: SiN etching 진행 -> SiO2 etching 진행		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 황현웅 289,000원
794 2024-01-26 15시 16시 SiO2 layer의 경우, SiO2용 C4F8 etch gas를 사용해 에칭 진행
- 모든 샘플 20% over etching: 33 s x 1.2 = 40 s 		포항공과대학교 대학원 신소재공학과 황현웅 289,000원
795 2024-02-02 10시 11시 1500 bias power, 100 sccm, 10 sec 포항공과대학교 대학원 기계공학과 백종현 159,500원
796 2024-02-06 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

SiN 350 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
797 2024-02-07 14시 15시 1-2-1 Mesa H/M Oxide Dry Etch 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 188,000원
798 2024-02-07 16시 17시 2-1-1 Mesa H/M SiO2 Dry Etch 7000A 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 364,000원
799 2024-02-13 14시 15시 9-2-1 PO SiN Dry Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
800 2024-02-13 15시 16시 9-2-1 PO SiO2 Dry Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 364,000원
801 2024-02-15 9시 10시 2-3-1 mesa 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 628,000원
802 2024-02-16 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

2cm by 2cm glass 기판에 Silicon nitride 320 nm 증착되어 있고, Hard mask로 Cr 60nm 패터닝 되어 있는 샘플 맡겨드립니다.

Silicon nitride 320 nm 에칭 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
803 2024-02-20 11시 12시 SiO2 최소 220nm 이상 에칭 6개 모두 동일하게 요청 드립니다.

내일 오전 10시 전으로 샘플 맡겨 놓도록 하겠습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 478,000원
804 2024-02-20 18시 19시 12-2-1 V1 SiN Dry Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 408,000원
805 2024-02-20 19시 20시 12-2-1 V1 SiO2 Dry Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 408,000원
806 2024-02-21 11시 12시 일반결제 (주)유우일렉트로닉스 Fab 팀 이민상 130,000원
807 2024-02-21 11시 12시 BD3217-0102-NHOLE
- SiNx Etch 5매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 270,000원
808 2024-02-21 12시 13시 BD3217-240102-PHOLE(ROIC)
- Sinx Etch_15초 2매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 168,000원
809 2024-02-21 9시 10시 BD3217-0102-NHOLE(Rework)
- SiNx 1100A Etch_2매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 168,000원
810 2024-02-26 10시 11시 SiN/SiO2 Etch 삼성종합기술원 CDTU 김미경 156,000원
811 2024-02-27 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.
2cm by 2cm glass 기판에 Silicon nitride 320 nm 증착되어 있고, Hard mask로 Cr 60nm 패터닝 되어 있는 샘플 맡겨드립니다.
Silicon nitride 320 nm 에칭 부탁드립니다.
기판이 매우 얇아 깨지지않게 조심해주시면 감사드리겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
812 2024-02-29 16시 17시 6 TiN etch 에스케이스페셜티(주) 연구개발실 이지훈 165,000원
813 2024-03-06 16시 18시 Ga2O3 조각시편 5개에 대한 SiO2 30 nm 식각 의뢰를 드립니다.
SI 더미 웨이퍼에 부착하여 한번에 진행해주시면 감사하겠습니다.		 한국전기연구원 차세대반도체연구센터 김중헌 170,000원
814 2024-03-06 9시 10시 BD3217-0102-ROIC
- Sinx 2100A Etching_2매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 175,000원
815 2024-03-07 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

SiN 420 nm dry etching 샘플 2장 맡겨드립니다.

공정 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
816 2024-03-14 11시 12시 2-1-1 Mesa 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 304,000원
817 2024-03-14 9시 10시 2cm X 2cm 크기의 글라스 조각 기판 하나입니다.
SiN 115 nm 에칭 부탁드립니다.

샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다. 감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이지해 156,000원
818 2024-03-19 12시 13시 Silicon nitride 115nm 에칭 부탁드립니다.
기판은 2cm×2cm 글라스 조각 기판 하나입니다.

샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다. 감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이지해 156,000원
819 2024-03-19 14시 15시 BD3217-24102-OHMIC
- SiNx 250A Etch		 주식회사 보다 연구개발 김형원 175,000원
820 2024-03-19 8시 9시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

SiN 320 nm 샘플 1장과, 420 nm 샘플 2장 맡겨드립니다.

항상 감사드립니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 268,000원
821 2024-03-20 13시 14시 2-1-1 mesa 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 202,000원
822 2024-03-20 9시 10시 안녕하세요, 김장원 선생님.
노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

SiN 420 nm dry etching 샘플 2장 맡겨드립니다.

어제 진행한 조건인 low power (300 w)로 2개 모두 진행해주시면 됩니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 212,000원
823 2024-03-21 14시 15시 BD3217-240102-PA
- SiNx Etching		 주식회사 보다 연구개발 김형원 137,500원
824 2024-03-25 10시 11시 SiN 300nm etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 160,000원
825 2024-03-25 11시 12시 SiN 300nm etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 160,000원
826 2024-03-25 13시 14시 SiN 150A etch 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 704,000원
827 2024-03-25 14시 15시 SiO2 1.8um etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 160,000원
828 2024-03-25 9시 10시 SiN증착 후, EBL 공정 진행했습니다.
Cr mask 50nm 증착했습니다.
Low power로 SiN 300nm 에칭 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 156,000원
829 2024-03-26 10시 11시 이전 SiO2 최소 220nm 이상 요청했었을 때 큰 문제가 없었습니다.
이번 샘플 6개 모두 이전과 동일하거나 그 이상 SiO2 에칭 요청 드립니다.
내일 오전 일찍 샘플 1층에 두도록 하겠습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 손정훈 256,000원
830 2024-04-01 15시 16시 안녕하세요.
포항공대 신소재공학과 최지웅 입니다.
에칭 공정의뢰 맡겼습니다.
웨이퍼는 총 4inch 11 장입니다. 웨이퍼 보관함에 30, 50, 100 표시되어 있습니다.
(웨이퍼 상태)
30 : (하단) SiO2 300 nm/TiN 30 nm/SiO2 50 nm/TiN 30 nm/SiO2 50 nm/TiN 30 nm/SiO2 50 nm (상단) - 4장
50 : (하단) SiO2 300 nm/TiN 50 nm/SiO2 50 nm/TiN 50 nm/SiO2 50 nm/TiN 50 nm/SiO2 50 nm (상단) - 4장
100 : (하단)SiO2 300 nm/TiN 100 nm/SiO2 100 nm/TiN 100 nm/SiO2 100 nm/TiN 100 nm/SiO2 100 nm(상단) - 3장
(공정 의뢰 요청 사항)
각 웨이퍼 수직 구조 형성을 위해서 상단부터 에칭해주시면됩니다.
30 - (상단부터) SiO2 50 nm/TiN 30 nm/SiO2 50 nm/TiN 30 nm/SiO2 50 nm/TiN 30 nm/SiO2 30 - 50 nm
50 - (상단부터) SiO2 50 nm/TiN 50 nm/SiO2 50 nm/TiN 50 nm/SiO2 50 nm/TiN 50 nm/SiO2 30 - 50 nm
100 - (상단부터) SiO2 100 nm/TiN 100 nm/SiO2 100 nm/TiN 100 nm/SiO2 100 nm/TiN 100 nm/SiO2 30 - 50 nm

현재 샘플이 각 조건마다 여러장 있어서 etching 조건에 따라 여러 개 해주셔도 됩니다.
최대한 수직 구조가 형성이 잘되게 하기 위함입니다.
샘플은 버닝이 안되게 가운데 누르셔서 진행하셔도 됩니다.
최대한 버닝이 안되게 해주세요.
혹은 4 inch wafer 사이즈의 장비가 있으면 그걸로 해주셔도 됩니다.
샘플은 공정보관함에 두었습니다.
혹시나 필요한 정보가 있다면 연락주세요.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최지웅 716,000원
831 2024-04-03 11시 12시 SiNx Etch 주식회사 보다 연구개발 김형원 175,000원
832 2024-04-03 14시 15시 SiNx 1000A etch 주식회사 보다 연구개발 김형원 175,000원
833 2024-04-04 9시 10시 안녕하세요, 포항공대 노준석 교수님 연구실 전영선입니다.

1. SiO2 900 nm

2. SiO2 1.2 um
포항공과대학교 대학원 기계공학과 전영선 312,000원
834 2024-04-05 10시 12시 안녕하세요, 김장원 연구원님.
2*2cm glass 기판 2개 위에 증착된 SiN 에칭 500 nm 부탁드립니다.
low power? 로 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 156,000원
835 2024-04-08 10시 11시 EBL 공정 후, Cr mask 40nm 쌓았습니다.
Low power로 SiN 300nm 에칭 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 156,000원
836 2024-04-08 9시 10시 EBL 공정 후, Cr mask 70nm 쌓았습니다.
Low power로 SiN 700nm 에칭 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 248,000원
837 2024-04-09 14시 16시 안녕하세요, 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화입니다.

SiO2 900 nm dry etching 부탁드립니다.

높이가 중요한 샘플입니다.

1시 30분에 샘플 가져다 두도록 하겠습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 170,000원
838 2024-04-09 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

이전에 부탁드렸던 low power (300w)로 SiN 320 nm dry ethching 부탁드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 156,000원
839 2024-04-11 15시 16시 3-2-1 SiO2 Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 148,000원
840 2024-04-11 9시 12시 기계공학과 노준석 교수님 연구실입니다. 노준석 교수님 연구실 학생들이 맡기는 레시피대로 SiN (Low power 조건) 90nm etch rate에 맞춰서 에칭 부탁드립니다.
Low power 에칭 진행 및 높이가 중요하여 로그북에서 etch rate를 참고하여 90nm 근방으로 에칭 부탁드립니다. 		포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
841 2024-04-16 11시 12시 6-2-1 RCSS 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 156,000원
842 2024-04-16 9시 10시 기계공학과 노준석 교수님 연구실입니다. 노준석 교수님 연구실 학생들이 맡기는 레시피대로 SiN (Low power 조건) 90nm etch rate에 맞춰서 에칭 부탁드립니다.
Low power 에칭 진행 및 높이가 중요하여 로그북에서 etch rate를 참고하여 90nm 근방으로 에칭 부탁드립니다. (2장) 		포항공과대학교 기계공학과 김재경 100,000원
843 2024-04-17 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

SiN 320 nm dry etching 샘플 2장 맡겨드립니다.

전에 부탁드린대로 low power (300W)으로 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 212,000원
844 2024-04-22 10시 11시 EBL 공정 이후, Cr mask 쌓았습니다.
Low power로 SiN 330, 345nm 에칭 부탁드립니다.
330nm는 원래 깨져있는 샘플입니다!		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 212,000원
845 2024-04-22 11시 12시 안녕하세요, 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

1. Si3N4 300W 조건으로 750 nm 드라이에칭 부탁드립니다.

2. Si3N4 300W 조건으로 850 nm 드라이에칭 부탁드립니다.

3. SiO2 800W 조건으로 900 nm 드라이에칭 부탁드립니다.

3번은 높이가 중요한 샘플이니 높이 맞추어 에칭 부탁드립니다!		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 412,000원
846 2024-04-22 13시 14시 3. SiO2 800W 조건으로 900 nm 드라이에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 156,000원
847 2024-04-22 9시 10시 EBL 공정 이후, Cr mask 쌓았습니다.
2장 모두 Low power로 SiN 70nm 에칭 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 156,000원
848 2024-04-25 13시 14시 (알루미늄 에칭 신청한 샘플 중 2개만 silicon nitride 에칭 부탁드립니다.)

2cm X 2cm 크기의 조각 글라스 기판 위에 silicon nitride 증착된 조각 샘플 2개입니다.
한번에 에칭 부탁드립니다.

알루미늄 에칭 30 nm 후 silicon nitride 에칭 115 nm 부탁드립니다.
(알루미늄 에칭 신청에 상세히 적어두었습니다.)

샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다.
패트리접시에 동일하게 기입하였으니 확인 부탁드리겠습니다.

감사합니다. 		포항공과대학교 대학원 화학공학과 이지해 156,000원
849 2024-04-25 9시 10시 안녕하세요?

포항공대 노준석 교수님 연구실 전영선입니다. SiO2위에 Cr 높이 100nm패턴이 있습니다.

SiO2 300W조건으로 220초 Dry etching 부탁드립니다. 맡겨두는 시편함에 넣어두도록 하겠습니다!

감사합니다. 		포항공과대학교 대학원 기계공학과 전영선 156,000원
850 2024-04-26 9시 10시 Si3N4 dry-etching 1100nm 2장 부탁드립니다.

Low power (300W)로 부탁드립니다. 감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 356,000원
851 2024-04-29 14시 15시 oxide가 증착된 ITO/GaN on sapphire입니다.
oxide는 SiO2와 Al2O3이며, 아래와 같이 에칭 부탁드립니다.
둘다 PR로 마스킹된 샘플 2개씩입니다. 잘 부탁드립니다.

SiO2 300 nm 타겟으로 에칭
Al2O3 52 nm 타겟으로 에칭		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 156,000원
852 2024-05-03 10시 11시 SiN 90nm low power (300W) 조건으로 dry etching 부탁드립니다.

높이가 중요하여 최대한 90nm rate에 맞춰서 에칭 부탁드립니다.

감사합니다.

포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
853 2024-05-03 9시 10시 EBL 공정 후, Cr mask 50nm 증착했습니다.
Low power로 SiN 300nm 에칭 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 156,000원
854 2024-05-07 9시 10시 안녕하세요?

포항공대 노준석 교수님 연구실 전영선입니다.

저희 연구실에서 사용하는 low power 레시피로 935nm정도 박막이 안보일때까지 에칭 부탁드립니다.

감사합니다.

전영선 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 전영선 270,000원
855 2024-05-07 9시 10시 PECVD SiO2(100nm)/LPCVD Si3N4(500nm)/Thermal SiO2(100nm)인 ONO 박막을 etching하고 싶습니다.
다이싱 라인용 패터닝이 되어있고, GXR 601 46 cp 3um를 올렸습니다.
웨이퍼는 6인치 웨이퍼 2장이며 맡기는 시편 하단 트레이에 놓아두었습니다. 트레이에 웨이퍼 위치를 표시해두었습니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김영신 212,000원
856 2024-05-07 9시 10시 oxide가 증착된 ITO/GaN on sapphire입니다.
oxide는 SiO2와 Al2O3이며, 아래와 같이 에칭 부탁드립니다.
둘다 PR로 마스킹된 샘플 2개씩입니다.

둘 다 8인치 Si에 샘플 부착했으며 해당 상태 그대로 에칭 진행해주시면 될 것 같습니다.
샘플은 보관함에 두었으며, 급한 샘플이라 공정 완료 후 패스박스에 넣고 연락주시면 찾으러 가겠습니다!
잘 부탁드립니다.

SiO2 300 nm 타겟으로 에칭
Al2O3 52 nm 타겟으로 에칭		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 148,000원
857 2024-05-09 16시 17시 EBL 공정 후, Cr mask 쌓았습니다.
Low power로 SiN 300nm 에칭부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 156,000원
858 2024-05-09 17시 18시 EBL 공정 후, Cr mask 쌓았습니다.
Low power로 SiN 70nm 에칭부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 156,000원
859 2024-05-13 15시 16시 dry etcing 한국전자통신연구원 브레인링크창의연구실 임채현 1,000,000원
860 2024-05-16 10시 12시 Dry etcher-TEL 장비로 SiO2 310NM Dry etching 부탁드립니다.

TEL 장비의 SiO2 에칭 조건을 이용하여 에칭 부탁드립니다.

감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
861 2024-05-17 9시 10시 glass 기판 위에 Cr 3nm + Au 10nm가 증착되어 있고, 그 위에 SiO2 255nm가 증착되어있습니다. SiO2 255nm를 에칭하여 Cr 3nm + Au 10nm 박막이 드러나도록 하려고 합니다. 310nm rate로 맞추어 에칭하니 Cr 3nm + Au 10nm박막이 전부 에칭되어서 etch rate를 255nm ~ 260nm 에칭으로 정확히 맞추어 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
862 2024-05-20 12시 13시 VOx Test
- SiNx Etching_4매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 250,000원
863 2024-05-20 13시 14시 SiN 90nm low power (300W) 조건으로 dry etching 부탁드립니다.

높이가 중요하여 최대한 90nm rate에 맞춰서 에칭 부탁드립니다.

오버에칭은 필요없고 rate 맞춰서 90nm 시간으로 해주시면 됩니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
864 2024-05-20 9시 12시 SiO2 280NM 높이 에칭 기준으로 51초 dry etching 부탁드립니다. 오버 에칭을 포함하여 계산해서 280nm 기준으로 에칭하려고 하는 것이라 추가적인 20% 오버에칭은 필요없으며 51초만 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
865 2024-05-21 13시 14시 안녕하세요, 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 학생입니다.

si3N4 500nm dry etching 부탁드립니다! (300 W 조건)

샘플은 1시까지 샘플함에 넣어 놓도록 하겠습니다.

급한 샘플이라 21일까지 부탁드립니다!		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 156,000원
866 2024-05-21 14시 15시 SiO2 식각 장비 직접사용 교육 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 김민재 160,000원
867 2024-05-22 13시 14시 2cm X 2cm 크기의 조각 글라스 기판 위에 silicon nitride 증착된 샘플입니다.

알루미늄 에칭 30 nm 후 silicon nitride 에칭 115 nm 부탁드립니다.

샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이지해 149,000원
868 2024-05-22 9시 10시 SiO2 12초 dry etching 부탁드립니다. 추가적인 20% 오버에칭은 필요없으며 12초만 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
869 2024-05-23 11시 12시 SiO2 306NM 에칭 기준으로 56초 에칭 부탁드립니다. 오버에칭을 포함하여 에칭의뢰를 하는 것이라 오버에칭은 필요없습니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
870 2024-05-23 9시 10시 안녕하세요, 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화 입니다.

날짜를 잘못신청하여 취소후 다시 신청 드립니다.

Si3N4 500nm (300W 조건으로 부탁드립니다.)

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 149,000원
871 2024-05-24 12시 14시 SiO2 306NM 에칭 기준으로 56초 에칭 부탁드립니다. 오버에칭을 포함하여 에칭의뢰를 하는 것이라 오버에칭은 필요없습니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
872 2024-05-24 14시 15시 SiO2 85NM 에칭 기준으로 16초 에칭 부탁드립니다. 오버에칭을 포함하여 에칭의뢰를 하는 것이라 오버에칭은 필요없습니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
873 2024-05-27 13시 14시 SiO2 50nm 타겟으로 에칭 부탁드립니다.
급한 샘플이라, 공정 완료 후 패스 박스에 넣어주시면 찾아가겠습니다.

여러 공정을 거쳐서 만들고있는 소자입니다. 잘 부탁드립니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 212,000원
874 2024-05-28 17시 18시 SiN 증착 후, EBL 공정진행했습니다.
Cr mask 30nm 증착했습니다.
Low power로 SiN 300nm 에칭 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 156,000원
875 2024-05-28 18시 19시 안녕하세요?

포항공대 노준석 교수님 연구실 전영선입니다. SiN 940nm 연구실 조건으로 Dry etching부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 전영선 256,000원
876 2024-05-28 9시 10시 SiO2 316NM 에칭 기준으로 58초 에칭 부탁드립니다. 오버에칭을 포함하여 에칭의뢰를 하는 것이라 오버에칭은 필요없습니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
877 2024-05-29 9시 11시 SiO2 289nm 기준으로 53초 dry etching 부탁드립니다. 오버에칭을 포함하여 의뢰하는 것이라 오버에칭은 필요없습니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 156,000원
878 2024-05-31 15시 16시 3-2-1 PG 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 196,000원
879 2024-05-31 19시 21시 8inch wafer 에 조각 시편 compound 로 붙혀서, 식각공정 진행하고자 합니다. 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 김민재 148,000원
880 2024-05-31 9시 10시 SiO2 295nm 기준으로 54초 dry etching 부탁드립니다. 오버에칭을 포함하여 의뢰하는 것이라 오버에칭은 필요없습니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
881 2024-06-03 13시 14시 SiO2 etching 직접사용하고자 합니다. 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 김민재 140,000원
882 2024-06-03 19시 20시 SiN 증착 후, EBL 공정 진행했습니다
Cr mask 30nm 증착했습니다
Low power로 SiN 300nm 에칭 부탁드립니다		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 149,000원
883 2024-06-03 9시 10시 SiO2 284nm 기준으로 52초 dry etching 부탁드립니다. 오버에칭을 포함하여 의뢰하는 것이라 오버에칭은 필요없습니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
884 2024-06-04 13시 14시 WBG 과제 진행용 Oxide Dry Etch 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 340,000원
885 2024-06-05 11시 12시 (알루미늄 에칭 신청한 샘플 중 기판 1번만 silicon nitride 에칭 부탁드립니다.)

2cm X 2cm 크기의 조각 글라스 기판 위에 silicon nitride 증착된 조각 샘플 1개입니다.

알루미늄 에칭 30 nm 후 silicon nitride 에칭 115 nm 부탁드립니다.
(알루미늄 에칭 신청에 상세히 적어두었습니다.)

샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다.
패트리접시에 동일하게 기입하였으니 확인 부탁드리겠습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이지해 149,000원
886 2024-06-05 13시 14시 직접사용 요청 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 김민재 140,000원
887 2024-06-10 19시 20시 EBL 공정 후, Cr mask 50nm 증착했습니다.
Low power로 SIN 700nm 에칭 부탁드립니다.
추가로 가능하시다면, 에칭레시피도 알려주시면 감사하겠습니다!		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 249,000원
888 2024-06-11 11시 12시 직접사용 요청 드립니다. 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 김민재 306,000원
889 2024-06-12 10시 11시 4-2-1 OC 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 196,000원
890 2024-06-13 11시 12시 glass위에 si3n4를 증착한 기판 3개가 있습니다.
모두 높이가 700 nm입니다.
저희 연구실에서 주로 맡기는 레시피로 si3n4 유리가 보일때까지 에칭해주시면 감사하겠습니다.

맡기는 공정함에 이은지(노준석 교수님)으로 표기해뒀습니다.
혹시 추가적으로 필요하신 사항 있으시면 010-6794-1415로 연락 부탁드립니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이은지 149,000원
891 2024-06-14 13시 15시 < 공정 진행 된 순서 (1 -> 4) >
1. Lithography align을 위한 Marker (Ni) 가 가장자리에 증착되어 있음.
2. 안쪽에 3종류 패턴의 Channel depth 2 um 에칭되어 있음.
(80 um * 750 um / 200 um * 1200 um / 44 um * 20 um)
3. 소자 전체에 SiO2 90 nm 증착되어 있음.
4. PR 패터닝

Litho 를 통한 PR 패터닝 상태로 SiO2 를 100 nm 식각하고 싶습니다.
( 원하는 부분에 90 nm 쌓인 SiO2 를 다 제거하고 싶습니다. )

2 * 2 sample 10개 각각 구분이 필요합니다...
소자는 저희가 직접 가지고 갈 예정입니다.

 경상대학교 나노신소재공학부 김원범 240,000원
892 2024-06-17 16시 17시 안녕하세요, 김장원 연구원님.
2*2cm glass 기판 위에 증착된 SiN 에칭 600 nm 부탁드립니다.
low power? 로 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 249,000원
893 2024-06-18 11시 12시 1.5cm X 1.5cm 크기의 조각 글라스 기판 위에 silicon nitride 증착된 샘플 입니다.
알루미늄 에칭 30 nm 후 silicon nitride 에칭 115 nm 부탁드립니다.

샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이지해 149,000원
894 2024-06-18 13시 14시 6-2-1 GFT 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 196,000원
895 2024-06-18 13시 14시 6-2-3 GFT 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 196,000원
896 2024-06-18 9시 11시 노준석교수님 연구실 학생들이 의뢰하는 SiN 에칭 조건대로, SiN 90nm low power (300W) 조건으로 dry etching 부탁드립니다.

높이가 중요하여 최대한 90nm rate에 맞춰서 에칭 부탁드립니다.

오버에칭은 필요없습니다.

감사합니다.
 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
897 2024-06-19 9시 12시 안녕하세요?

포항공대 노준석 교수님 연구실 전영선입니다.

글래스 기판위에 SiN 930nm Cr mask 110nm 증착되어 있는 동일 샘플이 두개 있습니다. 둘다 SiN Dry etching 부탁 드립니다. 감사합니다!

포항공과대학교 대학원 기계공학과 전영선 298,000원
898 2024-06-21 9시 11시 노준석교수님 연구실 학생들이 의뢰하는 SiN 에칭 조건대로, SiN 100nm low power (300W) 조건으로 dry etching 부탁드립니다.

높이가 중요하여 최대한 100nm rate에 맞춰서 에칭 부탁드립니다.

오버에칭은 필요없습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
899 2024-06-24 9시 10시 2-3-1 HM etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 260,000원
900 2024-06-25 10시 11시 - Si 700 nm 에칭 부탁드립니다. (Si 시편 두개가 있는데 둘이 동시에 진행가능하면 두개 다 동시에 해주시면 감사하겠습니다)
- glass위에 sin 증착한 후 공정한 것입니다. 700 nm 에칭부탁드립니다. (유리기판 보일때까지 부탁드립니다)
sin은 저희 연구실에서 주로 맡기는 레시피로 부탁드립니다!

맡기는 공정함에 이은지(노준석 교수님)으로 표기해뒀습니다.
혹시 추가적으로 필요하신 사항 있으시면 010-6794-1415로 연락 부탁드립니다		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이은지 249,000원
901 2024-06-25 11시 12시 1.5cm X 1.5cm 크기의 조각 글라스 기판 위에 silicon nitride 증착된 샘플 입니다.
알루미늄 에칭 30 nm 후 silicon nitride 에칭 115 nm 부탁드립니다.

샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다.

감사합니다		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이지해 149,000원
902 2024-06-27 13시 14시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

SiN 450 nm dry etching 샘플 맡겨드립니다.

low power (300 W)로 진행 부탁드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 149,000원
903 2024-06-27 14시 16시 SiN 90nm low power 300W 조건으로 에칭 부탁드립니다. 오버에칭을 포함하여 의뢰하는 것이라 오버에칭은 필요없습니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
904 2024-07-01 13시 14시 glass위에 sin 증착한 후 공정한 것입니다. 700 nm 에칭부탁드립니다. (유리기판 보일때까지 부탁드립니다)
sin은 저희 연구실에서 주로 맡기는 레시피로 부탁드립니다!

맡기는 공정함에 이은지(노준석 교수님)으로 표기해뒀습니다.
혹시 추가적으로 필요하신 사항 있으시면 010-6794-1415로 연락 부탁드립니다		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이은지 249,000원
905 2024-07-02 11시 12시 1.5cm X 1.5cm 크기의 조각 글라스 기판 위에 silicon nitride 증착된 샘플 입니다.
알루미늄 에칭 30 nm 후 silicon nitride 에칭 115 nm 부탁드립니다.
샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다.

감사합니다		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이지해 149,000원
906 2024-07-03 13시 14시 SiN etching 신청드립니다! 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 149,000원
907 2024-07-03 9시 11시 안녕하세요?

포항공대 노준석 교수님 연구실 전영선입니다.

SiN 910nm Dry etching부탁드립니다. over etching은 10% 정도만 부탁드립니다.

감사합니다.

전영선 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 전영선 298,000원
908 2024-07-09 9시 10시 SiN 증착 후, EBL 공정진행했습니다.
2장 모두 Low power로 SiN 300nm 에칭 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 149,000원
909 2024-07-12 10시 11시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 강도현입니다.

SiN 51 nm 에칭 부탁드립니다.

low power로 부탁드립니다!

glass 기판위에 Al2O3 100 nm, SiN 51nm 순서대로 증착되어 있는 시편입니다. 참고 부탁드립니다.

감사합니다!		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 149,000원
910 2024-07-16 9시 11시 SiO2 322nm 기준으로 59초 dry etching 부탁드립니다. 오버에칭을 포함하여 의뢰하는 것이라 오버에칭은 필요없습니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
911 2024-07-17 9시 10시 SiO2 333nm 기준으로 61초 dry etching 부탁드립니다. 오버에칭을 포함하여 의뢰하는 것이라 오버에칭은 필요없습니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
912 2024-07-18 9시 10시 14-2-1 V2 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 262,000원
913 2024-07-22 12시 13시 EBL 공정 후,Cr mask 증착했습니다
SiN 700nm2장, SiN 900nm 2장 에칭부탁드립니다!
팔레트에 두께 기입해두었습니다!		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 298,000원
914 2024-07-22 14시 15시 EBL 공정 후,Cr mask 증착했습니다
Low power로 SiN 290nm에칭 부탁드립니다		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 170,000원
915 2024-07-23 10시 12시 안녕하세요, 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화입니다.

Si3N4 950 nm 드라이에칭 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 249,000원
916 2024-07-26 10시 11시 SiN 500 nm (기판:SiO2) 에칭 부탁드립니다.
low power로 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 149,000원
917 2024-07-26 11시 12시 SiN 130nm low power 300W 조건으로 에칭 부탁드립니다. 오버에칭을 포함하여 의뢰하는 것이라 오버에칭은 필요없습니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
918 2024-07-26 12시 13시 Ebl 공정 후 Cr mask 증착했습니다
Low power로 SiN 300nm 에칭 부탁드립니다		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 149,000원
919 2024-07-26 18시 19시 Ga2O3 조각시편 (1.3 cm x 1.3 cm 4개 / 1 cm x 1 cm 5개) 총 9개에 대한 식각을 진행할려고 합니다.
모든 샘플은 Ga2O3에 hard mask용 SiO2 (400 nm)가 증착되어 있는 상태이며, PR 2.5 um로 패턴이 형성되어 있습니다.
SiO2를 패터닝하기 위하여, SiO2 400 nm etch를 의뢰드립니다. (식각 마진 20 %로 잡고 진행하기를 원합니다) 		한국전기연구원 차세대반도체연구센터 김중헌 240,000원
920 2024-07-30 15시 16시 EBL 공정 후 Cr mask 증착했습니다
Low power로 SiN 900nm 에칭부탁드립니다		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 270,000원
921 2024-07-30 16시 17시 EBL 공정 진행했습니다
SiN 115nm, SiN 65nm 에칭 2장씩 총 4장 Low power로 에칭부탁드립니다		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 198,000원
922 2024-07-30 9시 11시 SiO2 328nm 기준 60초 dry etching 부탁드립니다. 오버에칭 계산하여 포함해서 의뢰하는 것이라 추가적인 오버에칭은 필요없으며 60초 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
923 2024-07-31 8시 9시 한국해양대학교 반도체공정&측정분석 연계 1차 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 6,037,500원
924 2024-08-01 17시 18시 2층 샘플 패스박스에 둔 트레이에는 \\\"SiO2 200nm + Al2O3 10nm 샘플 2개\\\"와 \\\"SiO2 200nm + Al2O3 30nm 샘플 2개\\\"가 들어있습니다.

모든 샘플 (4개)을 SiO2 에칭 조건으로 22초 에칭 후,
- Al2O3 10nm 샘플 2개: Al2O3 에칭 조건으로 7초 에칭 (20nm 타겟)
- Al2O3 30nm 샘플 2개: Al2O3 에칭 조건으로 17초 에칭 (50nm 타겟)

위 조건대로 에칭 부탁드립니다. 현재 샘플 패스박스에 트레이 두었습니다.
잘 부탁드립니다 : )		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 156,000원
925 2024-08-05 13시 15시 Ga2O3 sample에 PR로 패터닝이 되어있으며, PR을 마스크로 한 SiO2 (400 nm) etch를 진행할려고 합니다. SiO2 식각 레시피는 nint 측에서 사용하시는 레시피로 해주시면 됩니다. 한국전기연구원 차세대반도체연구센터 김중헌 270,000원
926 2024-08-05 15시 16시 1.5cm X 1.5cm 크기의 조각 글라스 기판 위에 silicon nitride 증착된 샘플 입니다.
알루미늄 에칭 30 nm 후 silicon nitride 에칭 110 nm 부탁드립니다.
샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다.
감사합니다		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이지해 149,000원
927 2024-08-05 19시 20시 2층 샘플 패스박스에 둔 트레이에는 \\\\\\\"SiO2 200nm + Al2O3 10nm 샘플 3개\\\\\\\"와 \\\\\\\"SiO2 200nm + Al2O3 30nm 샘플 2개\\\\\\\"가 들어있습니다.

모든 샘플(5개)을 SiO2 에칭 조건으로 5초 에칭 후,
- Al2O3 10nm 샘플 2개: Al2O3 에칭 조건으로 8초 에칭 (20nm 타겟)
- Al2O3 30nm 샘플 2개: Al2O3 에칭 조건으로 17초 에칭 (50nm 타겟)

위 조건대로 에칭 부탁드립니다. 현재 샘플 패스박스에 트레이 두었습니다.
에칭 후, thermal grease 지우지말고 그냥 주시기 바랍니다.
잘 부탁드립니다 : )		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 156,000원
928 2024-08-05 9시 11시 SiO2 382nm 기준 70초 dry etching 부탁드립니다. 오버에칭 계산하여 포함해서 의뢰하는 것이라 추가적인 오버에칭은 필요없으며 70초만 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
929 2024-08-06 13시 15시 모든 샘플(8개)을 SiO2 에칭 조건으로 27초 에칭 후, Al2O3 에칭 조건으로 10초 에칭 부탁드립니다.
패스박스에 샘플 두고 연락드리겠습니다.
에칭 후, thermal grease 지우지말고 그냥 주시기 바랍니다.
잘 부탁드립니다 : )		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 212,000원
930 2024-08-06 9시 11시 SiO2 371nm 기준 68초 dry etching 부탁드립니다. 오버에칭 계산하여 포함해서 의뢰하는 것이라 추가적인 오버에칭은 필요없으며 68초만 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
931 2024-08-07 12시 13시 모든 샘플(7개)을 SiO2 에칭 조건으로 27초 에칭 후, Al2O3 에칭 조건으로 20초 에칭 부탁드립니다.
패스박스에 샘플 두고 연락드리겠습니다. 에칭 후, thermal grease 지우지말고 그냥 주시기 바랍니다. 잘 부탁드립니다 : )		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 212,000원
932 2024-08-07 9시 10시 SiO2 322nm 기준 59초 dry etching 부탁드립니다. 오버에칭 계산하여 포함해서 의뢰하는 것이라 추가적인 오버에칭은 필요없으며 59초만 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
933 2024-08-08 9시 10시 SiO2 360nm 기준 66초 dry etching 부탁드립니다. 오버에칭 계산하여 포함해서 의뢰하는 것이라 추가적인 오버에칭은 필요없으며 66초만 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
934 2024-08-08 9시 10시 Ebl 공정 후 Cr mask 증착했습니디
Low power로 SiN 300nm 에칭 부탁드립니다		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 149,000원
935 2024-08-09 10시 12시 안녕하세요, 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화입니다.

Si3N4 750 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 249,000원
936 2024-08-09 16시 17시 SiN Dry Etch 150Å 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 244,000원
937 2024-08-09 9시 10시 SiO2 316nm 기준 58초 dry etching 부탁드립니다. 오버에칭 계산하여 포함해서 의뢰하는 것이라 추가적인 오버에칭은 필요없으며 58초만 에칭 부탁드립니다. 일정을 맞춰야하는 샘플이라 금요일에 진행 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
938 2024-08-12 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.
low power (300w)로 SiN 500 nm dry ethching 부탁드립니다.
항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 149,000원
939 2024-08-13 11시 12시 안녕하세요.
2*2cm glass 기판 위에 증착된 SiN 에칭 600 nm 부탁드립니다.
low power로 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 249,000원
940 2024-08-13 9시 10시 SiO2 360nm 기준 66초 dry etching 부탁드립니다. 오버에칭 계산하여 포함해서 의뢰하는 것이라 추가적인 오버에칭은 필요없으며 66초만 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
941 2024-08-14 9시 10시 SiO2 11nm 기준 2초 dry etching 부탁드립니다. 오버에칭 계산하여 포함해서 의뢰하는 것이라 추가적인 오버에칭은 필요없으며 2초만 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
942 2024-08-16 11시 12시 EBL 공정 후, Cr 증착했습니다
Low power로 SiN300nm 에칭 		포항공과대학교 기계공학과 강현정 149,000원
943 2024-08-16 20시 21시 SiO2 플라즈마 안정화 후 3초 에칭 부탁드립니다. 추가적인 오버에칭은 필요없고, 플라즈마 안정화 후 3초만 에칭 진행 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
944 2024-08-16 21시 22시 SiO2 360nm 기준 66초 dry etching 부탁드립니다. 오버에칭 계산하여 포함해서 의뢰하는 것이라 추가적인 오버에칭은 필요없으며 66초만 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
945 2024-08-19 10시 11시 EBL 공정 후, Cr mask 증착했습니다
Low power로 SiN 900nm 에칭 부탁드립니다
패턴이 매우 작아 기판 위쪽을 잡고 다뤄주시면 감사하겠습니다!		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 249,000원
946 2024-08-19 15시 16시 ICT 제품화 지원사업 주식회사 아이큐랩 제품기술 민영미 400,000원
947 2024-08-19 16시 17시 ICT 제품화 지원사업 주식회사 아이큐랩 제품기술 민영미 280,000원
948 2024-08-19 9시 10시 SiO2 355nm 기준 65초 dry etching 부탁드립니다. 오버에칭 계산하여 포함해서 의뢰하는 것이라 추가적인 오버에칭은 필요없으며 65초만 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
949 2024-08-20 12시 13시 ebl 공정 후, Cr mask 증착했습니다
low power로 SiN 300nm 에칭부탁드립니다		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 149,000원
950 2024-08-21 9시 10시 SiO2 355nm 기준 65초 dry etching 부탁드립니다. 오버에칭 계산하여 포함해서 의뢰하는 것이라 추가적인 오버에칭은 필요없으며 65초만 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
951 2024-08-26 13시 14시 안녕하세요.
3*3cm glass 기판 위에 증착된 SiN 에칭 500 nm 부탁드립니다.
low power로 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 149,000원
952 2024-08-26 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다.

SiN 500 nm dry etching low power (300 W)로 부탁드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 149,000원
953 2024-08-28 10시 11시 SiO2 377nm 기준으로 69초 에칭 부탁드립니다.

오버에칭 포함하여 의뢰하는 것이라 추가적인 오버에칭은 필요없고 69초만 에칭 부탁드립니다.

감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
954 2024-08-28 11시 12시 Ebl 공정 후 Cr mask 쌓았습니다
SiN 900nm Low power로 에칭 부탁드립니다		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 249,000원
955 2024-08-28 12시 13시 Ebl 공정 후 cr mask 쌓았습니다
Low power SiN 300nm 에칭부탁드립니다
혹시 오늘 중으로 공정 완료 가능하시다면 부탁드려도 괜찮을까요?
감사합니다!		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 149,000원
956 2024-08-28 19시 20시 9-2 PO SiN etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 154,000원
957 2024-08-28 20시 21시 9-2 PO SiO2 Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 154,000원
958 2024-08-28 9시 10시 ICT 제품화 지원사업 (SI -5ea),(sic - 3ea) 주식회사 아이큐랩 제품기술 민영미 580,000원
959 2024-08-29 13시 14시 ICT제품화 지원사업 (SI - 3ea), (SIC - 1ea)
선행 1매(18000 A Target)		 주식회사 아이큐랩 제품기술 민영미 260,000원
960 2024-08-29 14시 16시 ICT제품화 지원사업 (SI - 3ea), (SIC - 1ea)
본장 3매(18000 A Target)		 주식회사 아이큐랩 제품기술 민영미 580,000원
961 2024-08-29 20시 21시 12-1 V1 SiN Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 424,000원
962 2024-08-29 21시 22시 12-1 V1 SiO2 Etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 424,000원
963 2024-08-30 11시 12시 SiO2 30초 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 156,000원
964 2024-09-02 10시 11시 2-2-1 ACTIVE 포항공과대학교 반도체공학과 이지원 340,000원
965 2024-09-02 14시 15시 3-3-1 SH (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 580,000원
966 2024-09-02 9시 10시 SiO2 플라즈마 안정화 후 2초만 에칭 부탁드립니다. 오버에칭은 필요없으며, 플라즈마 안정화 (3-4초) 후 2초만 에칭 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
967 2024-09-03 10시 11시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 강도현입니다.

SiN 300 nm low power로 에칭 부탁드립니다.

감사합니다!		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 149,000원
968 2024-09-03 15시 16시 3-3-1 SH (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 460,000원
969 2024-09-03 9시 10시 SiO2 387nm 기준으로 71초 dry etching 부탁드립니다. 오버에칭 포함하여 의뢰하는 것이라 추가적인 오버에칭은 필요없고, 71초만 시간 맞추어 에칭 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
970 2024-09-05 15시 16시 12-2-1 V1 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 424,000원
971 2024-09-05 16시 17시 12-2-1 V1 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 424,000원
972 2024-09-06 9시 10시 SiO2 115NM 기준으로 21초 dry etching 부탁드립니다. 오버에칭 포함하여 의뢰하는 것이라 추가적인 오버에칭은 필요없고, 21초만 에칭 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
973 2024-09-11 10시 12시 안녕하세요.
1) 2*2cm glass 기판 위에 증착된 SiN 에칭 850 nm
low power로 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 249,000원
974 2024-09-11 9시 10시 이전 공정과 동일한 조건으로 SiO2 30s 에칭 후, Al2O3 10s 에칭 부탁드립니다.
thermal grease 지우지 말고 주세요. 감사합니다 : )

샘플은 1층 보관함에 두었습니다.
잘 부탁드립니다!		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 156,000원
975 2024-09-12 11시 12시 SiO2 Dry Etch 2um LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 260,000원
976 2024-09-12 14시 15시 3-1-1 PWELL 삼성전자 Power device팀 박종원 260,000원
977 2024-09-12 8시 9시 3-1-1 PWELL 선행 삼성전자 Power device팀 박종원 260,000원
978 2024-09-19 10시 11시 기판 2개 SiN 에칭 요청드립니다. 기판 및 에칭 정보는 다음과 같습니다.
1: 55mm*45mm 기판 SiN 에칭 500 nm 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 149,000원
979 2024-09-19 11시 12시 SiN 850nm low power 300W 조건으로 에칭 부탁드립니다. 오버에칭을 포함하여 의뢰하는 것이라 오버에칭은 필요없습니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 249,000원
980 2024-09-19 13시 14시 2: 20mm*20mm 기판 SiN 에칭 850 nm 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 오동교 249,000원
981 2024-09-19 16시 17시 3-1-1 PWELL 삼성전자 Power device팀 박종원 1,540,000원
982 2024-09-19 9시 10시 안녕하세요?

노준석 교수님 연구실 전영선입니다.

SiN 950nm dry etching 부탁드립니다. over etching은 5%만 부탁드립니다!

감사합니다.

전영선 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 전영선 249,000원
983 2024-09-20 10시 11시 6-3-1 OHO (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 400,000원
984 2024-09-23 9시 10시 SiN 850nm low power 300W 조건으로 에칭 부탁드립니다. 오버에칭을 포함하여 의뢰하는 것이라 오버에칭은 필요없습니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 249,000원
985 2024-09-24 10시 11시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 강도현입니다.

SiN 101 nm low power로 에칭 부탁드립니다.

감사합니다!		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 149,000원
986 2024-09-24 8시 9시 9-1-3 Sldewall-TEOS Dry Etch 포항공과대학교 반도체공학과 이지원 0원
987 2024-09-24 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 강도현입니다.

SiN 66 nm low power로 에칭 부탁드립니다.

감사합니다!		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 149,000원
988 2024-09-25 11시 12시 SiN 850nm low power 300W 조건으로 에칭 부탁드립니다. 오버에칭을 포함하여 의뢰하는 것이라 오버에칭은 필요없습니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
989 2024-09-27 10시 11시 Ebl 공정 후, Cr mask쌓았습니다
5cm기판 1장 : SiN 300nm 에칭
SiN low power로 에칭부탁드립니다
가능하시다면, 오늘 중으로 공정완료가능할까요?
감사합니다		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 149,000원
990 2024-09-27 16시 17시 2cm 기판 2장:SiN 700nm에칭 포항공과대학교 기계공학과 강현정 249,000원
991 2024-09-30 10시 11시 다음과 같은 시편 2개 각각 SiN 에칭 부탁드립니다.
1) SiN 500 nm on 45mm*55mm SiO2 substrate
 포항공과대학교 기계공학과 오동교 149,000원
992 2024-09-30 11시 12시 안녕하세요?

포항공대 노준석 교수님 연구실 전영선입니다.

SiN 950nm dry etching부탁드립니다. over etching은 5%만 부탁드립니다.
또한, 에칭은 연구실 조건으로 부탁드립니다.

급한 샘플이라 빠르게 해주시면 감사하겠습니다.

감사합니다

전영선 올림.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 전영선 249,000원
993 2024-09-30 12시 13시 2) SiN 850 nm on 20mm*20mm SiO2 substrate 포항공과대학교 기계공학과 오동교 249,000원
994 2024-09-30 13시 14시 SiN 850nm low power 300W 조건으로 에칭 부탁드립니다. 오버에칭을 포함하여 의뢰하는 것이라 오버에칭은 필요없습니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 249,000원
995 2024-10-02 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

SiN 100 nm dry etching 맡겨드립니다.

Low power (300 W)로 진행 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 149,000원
996 2024-10-04 9시 10시 SiN 890nm low power 300W 조건으로 에칭 부탁드립니다. 오버에칭을 포함하여 의뢰하는 것이라 오버에칭은 필요없습니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 249,000원
997 2024-10-10 17시 20시 플라즈마 식각 평가
10만/회, 300초/회 --> 20분 : 4회		 영남대학교산학협력단 화학공학부 전찬욱 500,000원
998 2024-10-14 17시 18시 10-3-1 CONT Etch 포항공과대학교 반도체공학과 이지원 130,000원
999 2024-10-15 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다.

low power (300w)로 SiN 580 nm dry ethching 부탁드립니다.

항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김주훈 249,000원
1000 2024-10-18 11시 12시 SiN 750nm dry etch 포항공과대학교 기계공학과 오동교 249,000원
1001 2024-10-18 13시 14시 SiN 1050nm dry etch 포항공과대학교 기계공학과 오동교 249,000원
1002 2024-10-18 8시 9시 안녕하세요, 김우리 연구원님.
SiN 에칭 3종 부탁드립니다. (각 150, 750, 1050 nm)
샘플 별 에칭 정보는 케이스에 별도 표기하였습니다.
금요일 오전 중 가능하실지 확인 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 149,000원
1003 2024-10-18 9시 11시 각기 다른 성장 조건을 갖는 5cm x 5cm SiN 박막 4장에 대한 etching 공정 요청드립니다.

모든 SiN 박막은 12inch Si wafer 상에 150 nm의 두께로 증착 되어 있으며, 모든 샘플이 확실히 etching 되어야하므로, 200 nm를 타겟으로 over-etching 부탁드립니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 황현웅 156,000원
1004 2024-10-21 13시 14시 EBL 공정 진행했습니다.
SiN 65nm low power로 에칭부탁드립니다.
패턴이 기판 아래쪽에 있어, 공정 진행하실 때 샘플 윗부분 잡고 다뤄주시면 감사하겠습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 149,000원
1005 2024-10-23 9시 10시 안녕하세요?

포항공대 노준석 교수님 연구실 전영선입니다.

연구실 조건으로 SiN 950nm dry etching 부탁드립니다. over etching은 5%만 부탁드립니다!

항상 마찬가지로 완료되면 카톡 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 전영선 249,000원
1006 2024-10-24 11시 12시 0-1-3 PWEL Ox Dry etch 삼성전자 Power device팀 박종원 280,000원
1007 2024-10-24 22시 23시 SiN Lowpower로 300nm 에칭부탁드립니다 포항공과대학교 기계공학과 강현정 139,000원
1008 2024-10-25 17시 18시 2-1-2 SiN sidewall Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 156,000원
1009 2024-10-25 9시 10시 SiN 850 nm 에칭 (low power) 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 249,000원
1010 2024-10-28 17시 18시 1.5cm X 1.5cm 크기의 조각 글라스 기판 위에 silicon nitride 증착된 샘플 입니다.
알루미늄 에칭 30 nm 후 silicon nitride 에칭 120 nm 부탁드립니다.
샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다.
감사합니다		 포항공과대학교 대학원 화학공학과 이지해 149,000원
1011 2024-10-31 13시 14시 3-2-1 GATE 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 212,000원
1012 2024-10-31 14시 15시 SiN 에칭 (low power) 500 nm 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 149,000원
1013 2024-11-05 11시 12시 DMS 장비 이용하여 Al 36nm 에칭 의뢰한 샘플을 다음 과정으로

Dry etcher -TEL 장비 이용하여 SiN 100nm low power 300W 조건으로 에칭 부탁드립니다. 오버에칭을 포함하여 의뢰하는 것이라 오버에칭은 필요없습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
1014 2024-11-06 18시 19시 EBL 공정진행했습니다.
Low power로 SiN 75nm 에칭부탁드립니다		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 149,000원
1015 2024-11-07 16시 17시 Oxide 7500 Dry Etch 주식회사 아이큐랩 제품기술 민영미 388,000원
1016 2024-11-07 17시 18시 META3217-ROIC-MI
- 산화막 제거_5초		 주식회사 보다 연구개발 김형원 134,800원
1017 2024-11-08 13시 14시 SiN low power로 75nm 에칭 부탁드립니다.

가능하시다면, 오늘 중으로 진행해주시면 감사하겠습니다!		 포항공과대학교 기계공학과 강현정 149,000원
1018 2024-11-08 19시 21시 안녕하세요, 김우리 연구원님
SiN 에칭 샘플 2종 부탁드립니다.
1. 20*20mm 기판 상 SiN 850 nm 에칭(low power) --> 300\" 이상(2회)
2. 55*45mm 기판 상 SiN 500 nm 에칭(low power)		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 247,000원
1019 2024-11-08 9시 10시 6-2-1 RCSS 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 212,000원
1020 2024-11-11 9시 10시 샘플 모두 SiN Low power로 350nm 에칭부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 강현정 149,000원
1021 2024-11-12 14시 16시 SiO2 77초 DRY ETCHING 부탁드립니다. 오버에칭 포함하여 의뢰하는 것이라 추가적인 오버에칭은 필요없습니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
1022 2024-11-13 9시 10시 7-2-1 SO SiN Etch (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 400,000원
1023 2024-11-14 9시 10시 SiO2 68초 DRY ETCHING 부탁드립니다. 오버에칭 포함하여 의뢰하는 것이라 추가적인 오버에칭은 필요없습니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
1024 2024-11-15 12시 13시 SiC 8ich Back He Etch
 주식회사 아이큐랩 제품기술 민영미 324,000원
1025 2024-11-15 9시 10시 안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 강도현입니다.

SiN 600 nm low power(300W)로 에칭 부탁드립니다.

감사합니다!		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 강도현 242,000원
1026 2024-11-16 12시 13시 8인치 SiC 3매

Oxide 12000A 증착되어 있음
Remain Oxide 50~400A 희망		 주식회사 아이큐랩 제품기술 민영미 220,000원
1027 2024-11-18 13시 14시 8인치 SiC 3매

Oxide 12000A 증착되어 있음
Remain Oxide 50~400A 희망		 주식회사 아이큐랩 제품기술 민영미 244,000원
1028 2024-11-18 15시 16시 SiO2 71초 DRY ETCHING 부탁드립니다. 오버에칭 포함하여 의뢰하는 것이라 추가적인 오버에칭은 필요없습니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
1029 2024-11-19 14시 15시 2. 55mm*45mm glass 기판상 SiN 500 nm 에칭 포항공과대학교 기계공학과 오동교 149,000원
1030 2024-11-19 15시 16시 아래와 같이 SiN 에칭 2건 부탁드립니다.
1. 30mm*30mm glass 기판상 SiN 180 nm 에칭
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 149,000원
1031 2024-11-19 9시 11시 SiO2 65NM 기준으로 DRY ETCHING 부탁드립니다. 오버에칭 포함하여 의뢰하는 것이라, 추가적인 오버에칭은 필요없습니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
1032 2024-11-20 10시 11시 SiO2 68초 DRY ETCHING 부탁드립니다. 오버에칭 포함하여 의뢰하는 것이라 추가적인 오버에칭은 필요없습니다. 감사합니다. 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
1033 2024-11-20 11시 12시 안녕하세요, 포항공대 노준석 교수님 연구실 성준화입니다.

Si3N4 820 nm dry etching 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 성준화 249,000원
1034 2024-11-20 16시 17시 DMS 장비 이용하여 Al 28nm 에칭 의뢰한 샘플을 다음 과정으로

Dry etcher -TEL 장비 이용하여 SiN 110nm low power 300W 조건으로 에칭 부탁드립니다. 오버에칭을 포함하여 의뢰하는 것이라 오버에칭은 필요없습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김재경 149,000원
1035 2024-12-02 11시 12시 700nm 2개 총 4개 Low power 포항공과대학교 기계공학과 강현정 249,000원
1036 2024-12-02 15시 16시 SiN 820 nm (low power) 에칭 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 249,000원
1037 2024-12-02 19시 20시 SiN 350nm 2개, 700nm 2개 총 4개 Low power로 에칭 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 강현정 149,000원
1038 2024-12-27 10시 11시 ICT 과제 공정비 (주)에코넷코리아 연구개발 정상권 6,355,681원
1039 2024-12-27 11시 12시 ICT 과제 공정비 크리모 주식회사 경영지원팀 김기동 9,090,909원
1040 2024-12-27 8시 9시 ICT 과제 공정비 마이크로어낼리시스(주) 마이크로어낼리시스 (주) 안재훈 1,143,978원
1041 2024-12-27 9시 10시 ICT 과제 공정비 에이아이박스 주식회사 개발팀 이주일 4,090,909원