Deep Reactive Ion Etcher(DRIE) - 2 장비일지

 기자재관리번호 : 0
No 장비이용내역 이용내역 사용자 장비이용료
시작일 종료일 세부내용 기관명 부서(학과명) 성명 확정금액
1 2017-01-31 10시 17시 Deep Si Etch : 400 um 관통 공정 한국전자통신연구원 나노융합센서연구실 제창한 1,700,000원
2 2017-02-01 9시 11시 1-3 AKEY Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 210,000원
3 2017-02-02 15시 18시 2-4 Back Side Si Etch (300um) 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,210,000원
4 2017-02-09 10시 11시 1-3-1 Akey Etching 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 105,000원
5 2017-02-10 10시 16시 Si 400um 관통 Etch 한국전자통신연구원 나노융합센서연구실 제창한 1,700,000원
6 2017-02-12 13시 16시 2-5-1 Back Side Si Etch : 300um 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 605,000원
7 2017-02-13 14시 17시 처음에 알루미늄이 2000A 두께로 올린 상태에서 웨이퍼 가운데 부분에만 7개의 패턴이 형성되어 있는 상태입니다. 패턴이 형성되어 있는 부분만 알루미늄 에쳐로 처리해서 실리콘 웨이퍼 표면이 보이고 있을 겁니다. 패턴의 선폭은 균일하게 약 300um입니다. 웨이퍼 총 3장을 DRIE하고 싶은데 하나는 150um 깊이로 해주시고 나머지 2개는 100um로 하고자 합니다. 눈으로는 구별이 안되기 때문에150um짜리는 제일 밑에 보관해주시거나 보관용 용기에 따로 표기를 해주시면 좋을 것 같습니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김승욱 715,000원
8 2017-02-14 13시 16시 2-5-1 Back Si Etch (600um) 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,205,000원
9 2017-02-15 10시 14시 2-5-1 Back Side Si etch (300um) 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,210,000원
10 2017-02-22 12시 15시 2-5-1 Back Side Si Dry Etch (475um) 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,005,000원
11 2017-02-23 11시 13시 Si Etch 300um 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 605,000원
12 2017-02-27 10시 16시 Si 400um 관통 Etch 한국전자통신연구원 나노융합센서연구실 제창한 1,700,000원
13 2017-03-15 10시 18시 Si Etch 400um 한국전자통신연구원 나노융합센서연구실 제창한 1,700,000원
14 2017-03-17 10시 14시 의뢰자: 김승욱 (포스텍 임근배 교수님 연구실, 010 6296 0931)

의뢰건: DRIE 실리콘 웨이퍼. 표면에 2000A 알루미늄 스퍼터링 되어 있었던것을 패턴을 형성 시킴. 패턴이 형성된 부분은 선폭이 100um 1장 200um 1장 그리고 300um 2장 총 웨이퍼 4장입니다. DRIE로 원하는 깊이는 4장 모두150um로 일정합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 김승욱 1,280,000원
15 2017-03-20 14시 16시 2-5-1 Back Si Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 810,000원
16 2017-03-27 10시 23시 Fixed Mirror Si Etch : 775um Target
(조각 : 5개 진행 --> 3회 진행)		 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,605,000원
17 2017-03-28 9시 17시 Si TSV 400um Etch 한국전자통신연구원 나노융합센서연구실 제창한 1,700,000원
18 2017-04-03 11시 11시 Deep Trench Etching 450um KEC 반도체기술 연구소 송인혁 3,920,000원
19 2017-04-06 10시 18시 Bottom Si Etch : 150um 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,237,500원
20 2017-04-07 10시 16시 Upper Si Etch : 150um 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,237,500원
21 2017-04-10 11시 17시 Si Dry Etching (주)네오나노텍 연구개발 김성훈 2,200,000원
22 2017-04-12 9시 11시 4-2-1 Back Si Etch (280um) 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 612,500원
23 2017-04-19 10시 17시 Mirror Bottom 150um Si Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 937,500원
24 2017-04-21 10시 17시 Mirror Si Etch : 150um 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 937,500원
25 2017-04-27 10시 15시 임근배 교수님 랩 - 김승욱 010-6296-0931

Al 이 2000A로 sputtering 된 4인치 silicon wafer에 패턴을 형성시킴. 현재 보이는 검은 패턴은 silicon wafer 표면.
보이는 선폭은 약 200um 정도 된다.

의뢰 내용: DRIE 깊이 150um 		포항공과대학교 기계공학과 김승욱 327,500원
26 2017-05-02 11시 18시 Si 600um Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,212,500원
27 2017-05-03 12시 17시 300um Si Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 612,500원
28 2017-05-12 15시 17시 M3 Si Etch : 10um 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 112,500원
29 2017-05-15 11시 18시 Fixed Mirror Si Deep Etch : 700um 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,412,500원
30 2017-05-16 12시 18시 Si 300um 관통 Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 612,500원
31 2017-05-22 9시 10시 2-4-1 Back Side Si Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 112,500원
32 2017-05-23 10시 17시 3-3-2 Front Side Si Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,112,500원
33 2017-05-24 11시 16시 1-3-3 Mirror Si Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 612,500원
34 2017-05-25 16시 17시 Si Etch LG전자 센서솔루션연구소 이성단 255,000원
35 2017-05-29 10시 13시 Si 25um Etch LG전자 센서솔루션연구소 이성단 382,500원
36 2017-06-01 10시 17시 Si Deep Etch : 400 um 한국전자통신연구원 나노융합센서연구실 제창한 1,700,000원
37 2017-06-05 11시 18시 나노실리콘 센서 제작 Si Deep Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,655,000원
38 2017-06-29 10시 18시 나노융합기술 전문인력양성 교육_Etch 대구대학교 중앙기기원 차정호 3,020,000원
39 2017-07-05 13시 14시 DRIE_Depth30~50um LG전자 센서솔루션연구소 이성단 265,000원
40 2017-07-07 15시 16시 Deep Si Etching LG전자 센서솔루션연구소 이성단 75,000원
41 2017-07-11 15시 16시 DRIE Test 4차 T01~T04, SOI1매 LG전자 센서솔루션연구소 이성단 575,000원
42 2017-07-13 9시 10시 DRIE 2매 LG전자 센서솔루션연구소 이성단 255,000원
43 2017-08-01 11시 16시 1-4-1 Si Dry Etch (주)네오나노텍 연구개발 김성훈 1,100,000원
44 2017-08-04 12시 13시 SiN Dry Etching LG전자 센서솔루션연구소 이성단 127,500원
45 2017-08-04 14시 16시 Si Etching LG전자 센서솔루션연구소 이성단 382,500원
46 2017-08-10 13시 14시 Deep Trench LG전자 센서솔루션연구소 이성단 155,000원
47 2017-08-24 10시 13시 Si Etch : 37um 부산대학교 인지메카트로닉스공학과 심영보 270,000원
48 2017-08-25 11시 14시 2nd Si Etch : 50um 부산대학교 인지메카트로닉스공학과 심영보 270,000원
49 2017-08-31 10시 15시 Front 200um
Back 450um		 LG전자 센서솔루션연구소 이성단 700,000원
50 2017-09-06 11시 12시 2매 LG전자 센서솔루션연구소 이성단 255,000원
51 2017-09-08 15시 16시 AKEY Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 225,000원
52 2017-09-09 14시 18시 Si 600um Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,212,500원
53 2017-09-21 10시 17시 VCM Si Etch : 관통 300um 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 612,500원
54 2017-09-25 10시 17시 1-3-2 Front Si Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,212,500원
55 2017-09-27 9시 11시 2-4-1 Back Si Dry Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 450,000원
56 2017-09-29 10시 11시 기존1매, Back He Test 1매 LG전자 센서솔루션연구소 이성단 150,000원
57 2017-10-10 9시 11시 2-4-1 Back Si Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 450,000원
58 2017-10-12 10시 17시 3-3-2 Front Si Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,212,500원
59 2017-10-16 11시 12시 Cr 40nm Hardmask를 이용해서 Si 2um 에칭 공정 진행하고자 합니다.

etch/passivation: cycle time = 5 sec/5 sec, RIE power = 20W/0W, SF6/C4F8 flow rate = 35 sccm/20 sccm for constant ICP power = 600 W. Etch rate 1μm/80sec

위의 조건으로 160sec 공정 부탁드리겠습니다.		 포항공과대학교 기계공학과 김인기 112,500원
60 2017-10-26 17시 18시 장비 서비스 신청합니다. 포항공과대학교 신소재공학과 백상원 127,500원
61 2017-11-01 13시 16시 4-3-1 Back Si Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 512,500원
62 2017-11-01 9시 12시 4-3-1 Back Si Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 512,500원
63 2017-11-08 14시 16시 DRIE Etching (주)알텍 나노공정시스템 개발팀 박준태 600,000원
64 2017-12-04 9시 20시 1-4-1 Si 400um Etch (주)네오나노텍 연구개발 김성훈 1,700,000원
65 2017-12-06 11시 18시 3-3-2 Front Side Si Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 2,425,000원
66 2017-12-07 9시 17시 Si Etch LG전자 센서솔루션연구소 이성단 630,000원
67 2017-12-11 14시 15시 1-4-1 Upper Side Si Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,225,000원
68 2017-12-13 16시 17시 Etching 선행 Test LG전자 센서솔루션연구소 이성단 75,000원
69 2017-12-14 14시 15시 Si 30um Etching LG전자 센서솔루션연구소 이성단 255,000원
70 2017-12-25 9시 16시 1-4-1 Si Etch 400 ㎛ (주)네오나노텍 연구개발 김성훈 1,700,000원
71 2018-01-04 10시 17시 Si Deep Etching : Test & Process (주)엘센 엘센 부설연구소 조민형 1,800,000원
72 2018-01-08 9시 16시 Si Etch KEC 반도체기술 연구소 송인혁 4,480,000원
73 2018-01-16 9시 18시 1-4-1 Si Etch 400um (주)네오나노텍 연구개발 김성훈 1,700,000원
74 2018-02-02 12시 14시 Si Etch LG전자 센서솔루션연구소 이성단 255,000원
75 2018-02-07 13시 13시 실리콘 기반 센서 제작_Etch (과제번호:4.0015206.01) 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,500,000원
76 2018-02-13 13시 18시 Si Deep Etching : 육각 Hole 60um/120um Target 한국전기연구원 창의원천연구본부 나노융합기술연구센터 윤민주 570,000원
77 2018-02-20 11시 18시 4-3-1 Back Si Dry Etch 250um 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 512,500원
78 2018-02-27 10시 16시 Si Deep Etch Test 영남대학교 물리학과 황지영 0원
79 2018-02-27 16시 16시 Si Deep Etch : 350~400um (주)네오나노텍 연구개발 김성훈 850,000원
80 2018-02-28 12시 17시 Si 120um Deep Etch 한국전기연구원 창의원천연구본부 나노융합기술연구센터 윤민주 670,000원
81 2018-03-06 9시 13시 유량 센서 및 후면 배선 연결 공정[과제번호:4.0015206.01]_Si Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 900,000원
82 2018-03-12 9시 13시 Si 400um Etch (주)네오나노텍 연구개발 김성훈 1,700,000원
83 2018-03-13 10시 11시 Si Etch : 10um / 20um Split Test
: Etch Recipe Tuning Test 후 조건별로 10um/20um 진행		 한국전자통신연구원 나노융합센서연구실 제창한 600,000원
84 2018-03-15 13시 17시 Si Etch Profile Test - 1
1. Etch Only : 100um Etch
2. Cycle Etch 100um + Etch Only 20um		 한국전기연구원 창의원천연구본부 나노융합기술연구센터 윤민주 570,000원
85 2018-03-16 10시 16시 Si Etch Profile Test
: Cycle Etch 300um + Etch Only 100um		 한국전기연구원 창의원천연구본부 나노융합기술연구센터 윤민주 835,000원
86 2018-03-19 10시 14시 Back Si Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 225,000원
87 2018-03-20 10시 17시 Si Etch Profile Test 한국전기연구원 창의원천연구본부 나노융합기술연구센터 윤민주 335,000원
88 2018-03-21 9시 16시 Front Si Etch 600um 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,112,500원
89 2018-03-26 14시 12시 Si Etch Test
1. Si Etch 200um Target
2. 추가 Etching 100um
3. Undercut Profile Etching Test		 (주)베프스 기획팀 BEFS 650,000원
90 2018-03-26 9시 10시 Back Si Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 112,500원
91 2018-03-27 18시 12시 Front Si Etch 600um 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,212,500원
92 2018-03-28 14시 12시 Si 300um Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,225,000원
93 2018-03-29 12시 18시 Si Etch Profile Test.
: Cycle 20um + Etch Only 130um
Si Etch Profile Test.
: Cycle 50um + Etch Only 150um		 한국전기연구원 창의원천연구본부 나노융합기술연구센터 윤민주 770,000원
94 2018-04-04 15시 18시 10um etching 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 787,500원
95 2018-04-05 10시 13시 Si Deep Etching (주)엘센 엘센 부설연구소 조민형 300,000원
96 2018-04-05 13시 17시 Back Side Si Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 225,000원
97 2018-04-06 16시 18시 에칭 600um 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 6,562,500원
98 2018-04-09 15시 18시 Si Deep Etch Test : PZT Hybrid 평가 (2 조건)
: Etch Target - about 150um (Bosch & Etch Only)		 (주)베프스 기획팀 BEFS 700,000원
99 2018-04-09 17시 19시 Si Mold Etch : 200um Target Test (주)베프스 기획팀 BEFS 450,000원
100 2018-04-09 9시 15시 SI 200um Etch 한국전기연구원 창의원천연구본부 나노융합기술연구센터 윤민주 435,000원
101 2018-04-10 10시 18시 Front Si Etch (600um) 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,212,500원
102 2018-04-11 17시 10시 Si Mold Etch : 200um (주)베프스 기획팀 BEFS 4,500,000원
103 2018-04-11 9시 12시 10um 에칭 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 787,500원
104 2018-04-13 10시 17시 Si Deep Etch.
10um 3ea, 20um 3ea Split		 한국전자통신연구원 나노융합센서연구실 제창한 900,000원
105 2018-04-16 9시 12시 600um 에칭 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 6,562,500원
106 2018-04-17 17시 19시 Si Deep Etch : 330~340um Through Etch Test (주)베프스 기획팀 BEFS 1,500,000원
107 2018-04-19 11시 15시 Si Etch LG전자 센서솔루션연구소 이성단 382,500원
108 2018-04-23 10시 18시 Si Etch 600um 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,212,500원
109 2018-04-25 10시 14시 Back Side Si Etch : 350um 한국전자통신연구원 나노융합센서연구실 제창한 1,500,000원
110 2018-05-02 10시 16시 2nd DRIE Test : 조각 Sample
: 160um Target		 (주)베프스 기획팀 BEFS 450,000원
111 2018-05-03 9시 18시 2nd DRIE Etch : 220~250um Target (주)베프스 기획팀 BEFS 550,000원
112 2018-05-08 10시 16시 Si Etch 한국전기연구원 창의원천연구본부 나노융합기술연구센터 윤민주 270,000원
113 2018-05-09 11시 14시 Si Mold Etch Test : 200um New Condition (주)베프스 기획팀 BEFS 450,000원
114 2018-05-09 14시 19시 Si Deep Etching : 350um 한국전자통신연구원 나노융합센서연구실 제창한 1,500,000원
115 2018-05-13 13시 16시 400um Deep Etching KEC 반도체기술 연구소 송인혁 1,760,000원
116 2018-05-14 10시 18시 2nd DRIE Etch : about 200um (주)베프스 기획팀 BEFS 900,000원
117 2018-05-18 13시 18시 Si Mold Etch Test : 200um Low scallop (주)베프스 기획팀 BEFS 900,000원
118 2018-05-21 10시 18시 Grating Fixed 샘플 제작 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 0원
119 2018-05-24 10시 18시 Si Etch Profile 평가 한국전기연구원 창의원천연구본부 나노융합기술연구센터 윤민주 540,000원
120 2018-05-28 9시 10시 Grating VCM 제작 케이엠아이컨설팅 총괄 김인철 0원
121 2018-06-07 9시 17시 Si Deep Etch : 200um - 10ea (주)베프스 기획팀 BEFS 4,500,000원
122 2018-06-11 9시 17시 Si Deep Etching : 4inch about 200um (주)베프스 기획팀 BEFS 2,250,000원
123 2018-06-14 10시 17시 2nd DRIE ETCH 평가 : 200um Target
Etch Split : Condition 1 - (4+1개), Condition 2 - (1개)		 (주)베프스 기획팀 BEFS 900,000원
124 2018-06-19 10시 17시 1st DRIE Etch : 6inch 10매 200um (주)베프스 기획팀 BEFS 4,500,000원
125 2018-07-05 10시 15시 2nd DRIE, 200~250um Target : 4inch 3매 (주)베프스 기획팀 BEFS 1,650,000원
126 2018-07-11 10시 15시 1st DRIE, 200um 이상 Target (주)베프스 기획팀 BEFS 4,500,000원
127 2018-07-16 10시 12시 1st DRIE, 200um 이상 Target
(New Mask 적용)		 (주)베프스 기획팀 BEFS 900,000원
128 2018-08-06 11시 17시 2-4-1 Si Key Etching 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,237,500원
129 2018-08-07 10시 18시 2nd DRIE, 200um Target
6inch 2매 & 조각 2개 동시 진행		 (주)베프스 기획팀 BEFS 1,215,000원
130 2018-08-09 11시 11시 3-2-2 600um Etching 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 12,187,500원
131 2018-08-22 10시 17시 PZT 혼용 Si Deep Etch : 200um 이상
; 6inch 2ea, 조각 3ea		 (주)베프스 기획팀 BEFS 1,315,000원
132 2018-08-27 9시 18시 2nd DRIE : 200um 이상 (주)베프스 기획팀 BEFS 810,000원
133 2018-09-01 15시 16시 30um Etching LG전자 센서솔루션연구소 이성단 127,500원
134 2018-09-01 17시 19시 Front 30um LG전자 센서솔루션연구소 이성단 255,000원
135 2018-09-01 17시 17시 Si_687um Etching LG전자 센서솔루션연구소 이성단 2,855,000원
136 2018-09-03 01시 18시 Silicon Deep Etch.
10um - 4ea, 20um - 4ea		 한국전자통신연구원 나노융합센서연구실 제창한 1,200,000원
137 2018-09-03 16시 16시 Back Side Si Etch : 350um 한국전자통신연구원 나노융합센서연구실 제창한 1,800,000원
138 2018-09-04 16시 19시 30um Etching LG전자 센서솔루션연구소 이성단 255,000원
139 2018-09-11 9시 18시 WISET사업단 나노융합기술교육 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 2,950,000원
140 2018-09-13 10시 11시 300um 관통 나노콘 나노콘 연구소 나노콘 1,300,000원
141 2018-09-17 10시 11시 Si 10um Etch 샤인엑스 연구개발부 조윤경 150,000원
142 2018-10-10 10시 17시 2nd DRIE 200um 이상 (주)베프스 기획팀 BEFS 405,000원
143 2018-10-12 10시 18시 500 um si etch, thb-151n pR coating
조각 2개 - 500um / 700um Split 진행
--> 500um 까지 청구		 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 1,012,500원
144 2018-10-19 10시 14시 DRIE 500 um etch 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 1,012,500원
145 2018-10-23 9시 18시 2nd DRIE : 200um 이상 Target 진행 (주)베프스 기획팀 BEFS 870,000원
146 2018-11-02 14시 15시 (1) 6-inch wafer 상태: Au 200 nm patterning + DRIE용 PR -> AZ9260 4~5 um patterning

(2) 요청사항: Silicon 150 um etching		 대구경북과학기술원(DGIST) . 서희원 335,000원
147 2018-12-10 10시 17시 Top Silicon Etch, 10um/20um 한국전자통신연구원 나노융합센서연구실 제창한 1,200,000원
148 2018-12-11 9시 19시 400um DRIE KEC 반도체기술 연구소 송인혁 12,540,000원
149 2019-01-02 10시 16시 Si Deep Etch : 350um Back Side Etch 한국전자통신연구원 나노융합센서연구실 제창한 3,000,000원
150 2019-01-15 10시 19시 Gas Sensor 표면 가공 샘플 제작[4.0016655.01] : Si Deep Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 3,062,500원
151 2019-01-22 10시 13시 Si Deep Etch 60um ->40um 진행 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 112,500원
152 2019-01-31 9시 16시 Si Deep Etching, 300um 관통 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 612,500원
153 2019-03-27 13시 16시 Platinum 패턴 위에 photoresist(AZ 9260)이 도포되어 있음.
실리콘 150 um 두께 식각을 원함.		 대구경북과학기술원(DGIST) . 서희원 700,000원
154 2019-04-08 10시 18시 Si Deep Etch 250um (주)네오나노텍 연구개발 김성훈 1,100,000원
155 2019-05-07 9시 18시 Si Deep Etching : Hole 200um 이상 --> 실제 400um (주)베프스 기획팀 BEFS 0원
156 2019-05-08 9시 13시 Si Deep Etching : 200um
Pattern 60*10um 마스크 이용 선행 1매(박진수 책임)		 (주)베프스 기획팀 BEFS 0원
157 2019-05-15 9시 17시 1-2-1 1st DRIE, 400um (주)베프스 기획팀 BEFS 0원
158 2019-05-29 11시 16시 Si 650um Deep Etch : Test & 본장 각 1매
Si 10um Etch : 1매
(신은정 연구원, 010-2520-7281)		 대구경북과학기술원 로봇공학과 연아라 1,950,000원
159 2019-06-01 16시 17시 5-2-2 Membrane Open Si Etch
기본 50um 1회 * 2매
추가 50um 1회 * 2매 총 4회		 (주) 센텍코리아 생산기술연구팀 임채현 300,000원
160 2019-06-05 11시 18시 Si Deep Etch : 300um (박진수 책임) (주)베프스 기획팀 BEFS 0원
161 2019-06-13 10시 16시 Si Deep Etch : 650um 1ea
조각 Sample 30um 2ea		 대구경북과학기술원 로봇공학과 연아라 1,450,000원
162 2019-06-19 9시 13시 차세대 실리콘 나노선 개발 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 0원
163 2019-07-12 9시 10시 차세대 나노선 개발 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 0원
164 2019-07-18 9시 10시 차세대 실리콘 나노선 개발 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 0원
165 2019-07-23 13시 17시 Back Side Si ETch : 300um 나노콘 나노콘 연구소 나노콘 635,000원
166 2019-07-24 10시 11시 나노선 열전소자 제작(Pillar Etch_Si 4um etch) 주식회사 싸이츠 기업부설연구소 백창기 0원
167 2019-07-24 9시 10시 나노선 열전소자 제작(Pillar Etch_SI 2um etch) 주식회사 싸이츠 기업부설연구소 백창기 0원
168 2019-07-26 10시 15시 Si Deep Etch : 60um - SAC Test LG전자 센서솔루션연구소 이성단 485,000원
169 2019-07-29 15시 18시 Si Deep Etch : 60um - SOI LG전자 센서솔루션연구소 이성단 485,000원
170 2019-07-30 13시 17시 Si Deep Etch : 30um LG전자 센서솔루션연구소 이성단 285,000원
171 2019-08-01 9시 10시 차세대 나노선 개발 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 0원
172 2019-08-05 10시 10시 차세대 나노선 개발 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 0원
173 2019-08-13 10시 18시 425 um 6" Si wafer 4장을 380 um target으로 deep etching 하려 합니다.

샘플은 전면에 pore 패턴이 되어 있고, 후면에 PR/SiNx/SiO2/Si 로 되어 있으며, PR 및 SINx, SiO2는 에칭이 되어 Si 면이 드러나 있습니다.

Si가 드러난 면을 위로 380 um을 에칭 부탁드립니다.		 국민대학교 화학과 고민지 2,400,000원
174 2019-08-26 15시 12시 Dot pattern 200um 이상 : Wide pattern 측정 - 300um 이상
--> about 320um		 (주)베프스 기획팀 BEFS 0원
175 2019-09-10 9시 15시 Top Si Etch : 5ea + 8ea 한국전자통신연구원 나노융합센서연구실 제창한 1,950,000원
176 2019-10-02 10시 17시 Si Deep Etching : 350um 이상 국민대학교 화학과 고민지 1,500,000원
177 2019-11-05 10시 17시 Si Deep Etching : 350um 한국전자통신연구원 나노융합센서연구실 제창한 3,000,000원
178 2019-11-08 13시 15시 열전소자 시험분석_Pillar Etch : Si 4um Etch 주식회사 싸이츠 기업부설연구소 백창기 1,500,000원
179 2019-11-08 9시 11시 열전소자 시험분석_Pillar Etch : Si 2um Etch 주식회사 싸이츠 기업부설연구소 백창기 1,500,000원
180 2019-11-18 15시 17시 열전소자 시험분석_Protective Oxide Etchback 주식회사 싸이츠 기업부설연구소 백창기 0원
181 2019-11-20 13시 15시 열전소자 시험분석_Isolation Etch : Box Etch + Top Si Etch 주식회사 싸이츠 기업부설연구소 백창기 0원
182 2019-12-04 10시 15시 NPTM 표준 공정 평가용 샘플 제작_Si Deep Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,275,000원
183 2019-12-12 10시 16시 300um Si Deep Etching : 관통 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 627,500원
184 2019-12-16 10시 18시 425㎛ 6" Si wafer 5장을 350㎛ target으로 deep etching 하려 합니다.

샘플은 전면에 pore 패턴이 되어 있고, 후면에 PR/SiNx/SiO2/Si 로 되어 있으며, PR 및 SINx, SiO2는 에칭이 되어 Si 면이 드러나 있습니다.

Si가 드러난 면을 위로 350㎛을 에칭 		국민대학교 화학과 고민지 3,750,000원
185 2020-03-16 13시 18시 Top Si Etch : 10um / 20um 한국전자통신연구원 나노융합센서연구실 제창한 750,000원
186 2020-03-18 10시 17시 Si Etch : 450um (주)케이이씨 DIS개발팀 이시훈 5,700,000원
187 2020-03-24 13시 14시 Au side etching : 200um (6 inch 2T wafer) 대구경북과학기술원 로봇공학전공 장재원 900,000원
188 2020-04-07 10시 15시 Silicon Deep Etching : 350um 관통 한국전자통신연구원 나노융합센서연구실 제창한 3,750,000원
189 2020-04-08 10시 11시 4-2-3 Si 50um etch 아모센스 개발팀 박종원 600,000원
190 2020-05-07 10시 11시 Si 5um etch 포항공과대학교 기계공학과 이훈택 135,000원
191 2020-05-14 10시 18시 Si Deep Etching : 500um 포항공과대학교 기계공학과 이훈택 1,035,000원
192 2020-06-09 14시 18시 공정할 칩은 총 2종류 2매씩.
목표 깊이 : 60um( Deep RIE 의뢰)
--> 50um 보다 깊을 경우 \100,000/50um 추가되지만 이번 경우 제외함.		 울산과학기술원 기계공학과 주장현 600,000원
193 2020-06-17 10시 12시 width 5um이내, depth 10um이내 에칭
stack 순서 Si / SiO2 (wet oxi 1 um) / PR (AZ5214E 웨이퍼 3장, AZnLoF2035 2장)

테스트용 1장 + 에칭용 4장
울산과학기술원 기계공학과 김태중 750,000원
194 2020-06-19 10시 12시 2단 마이크로 30um 에칭 울산과학기술원 기계공학과 주장현 450,000원
195 2020-06-19 13시 17시 3단 마이크로 60um 에칭 울산과학기술원 기계공학과 주장현 750,000원
196 2020-06-29 10시 23시 SiC MOSFET 평가용 DRIE 공정 진행 : 650um 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,327,500원
197 2020-07-02 14시 17시 (PR두께 제외)30um 에칭 부탁드립니다.
이번 공정조건이 최대한 anisotropic하게 ( 수직형태로 etching되게 ) 부탁드리고자합니다.
(2~3번 공정 부탁드린적이 있었긴했는데 전에는 isotropic한 조건이었습니다.)
PR ashing과정없이 순수 Deep RIE만 부탁드리곘습니다
PR mask는 SU8 2005로 5 um 정도 제조해서 가져갈 예정입니다.
매번 감사드립니다. 		울산과학기술원 기계공학과 주장현 600,000원
198 2020-07-03 12시 13시 60um target 서비스 신청합니다 포항공과대학교 신소재공학과 백상원 235,000원
199 2020-07-07 13시 17시 4개는 기존에 했었던 60 um anisotropic 에칭 --> 3매 진행, 1매 B He Error 로 진행 안됨
1장만 디자인이 다른데 이 웨이퍼는 50 um anisotropic 에칭
울산과학기술원 기계공학과 주장현 900,000원
200 2020-07-08 9시 18시 7-2-1 Back Side Cavity_Si Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,620,000원
201 2020-07-13 15시 18시 silicon wafer 30 um 깊이(pR제외) anisotropic 에칭 3장
6inch 1T 50um 1매		 울산과학기술원 기계공학과 주장현 600,000원
202 2020-07-14 10시 15시 RIST과제처리

Si 500um etching		 포항공과대학교 전자전기공학부 신성환 927,500원
203 2020-07-14 13시 16시 1. 6이치 400um DSP wafer에 옥사이드 3um 올린 웨이퍼
2. 백사이드 옥사이드 패턴 완료하고 PR 제거하지 않은 상태 (지름 800um 홀 패턴)
3. Si 400um 관통 에치 요망
4. 전면 옥사아드 3um 깨지지 않고 보존 필요
5. 전면에서 에치된 홀 지름 체크 필요		 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 1,050,000원
204 2020-07-20 10시 16시 Si 15um : 3매
Si 50um : 6매		 재료연구소 전기화학실 박광렬 1,350,000원
205 2020-07-21 10시 11시 1-2-1 BackSide P_Si Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 255,000원
206 2020-08-05 10시 12시 나노인프라장비활용 Si DRIE etch (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 1,550,000원
207 2020-08-05 13시 14시 2-2-1 Poly Si Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 255,000원
208 2020-08-10 10시 17시 Si Deep Etching : 300um 관통 (주)센텍코리아 기술연구소 강진현 1,300,000원
209 2020-08-17 13시 13시 Silicon 700um Deep Etching, 1T wafer (주)에스제이컴퍼니 기술영업부 손호창 1,050,000원
210 2020-08-18 9시 11시 5-3-1 PAD Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 255,000원
211 2020-08-19 10시 14시 6-2-1 Si Release Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 555,000원
212 2020-08-20 10시 14시 7-2-1 Baskside Si Etch 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,255,000원
213 2020-09-09 10시 11시 Silicon Deep Etching : 400um 관통 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 2,550,000원
214 2020-09-15 13시 15시 4차 산업 연계형 나노기술인력양성
Etch 교육		 나노융합기술원 교육홍보팀 이상민 1,500,000원
215 2020-09-21 15시 15시 Si Deep Etch :
10um - 3ea, 20um - 3ea		 한국전자통신연구원 나노융합센서연구실 제창한 900,000원
216 2020-09-23 15시 12시 Si Deep Etching : 400um 관통 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 2,550,000원
217 2020-10-12 10시 10시 Deep Silicon Etch : 350um 관통 한국전자통신연구원 나노융합센서연구실 제창한 3,000,000원
218 2020-10-13 13시 16시 7-2-1 Contact Oxide 8000A Dry Etch (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 450,000원
219 2020-10-14 13시 17시 골드 패드면 200um 실리콘 에칭 대구경북과학기술원 로봇공학전공 장재원 900,000원
220 2020-10-14 9시 12시 7-2-1 Contact Oxide 8000A Dry Etch
 나노융합기술원 프라운호퍼 실용화연구센터 김상조 270,000원
221 2020-10-19 9시 12시 SiC Trench MOSFET 단위공정 용 Oxide Dry Etch 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 510,000원
222 2020-10-21 10시 12시 Si Deep Etching : 400um 관통 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 6,300,000원
223 2020-11-05 15시 15시 Si Deep Etch Test
1차-3ea, 2차-2ea, 3차-3ea		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 1,080,000원
224 2020-12-04 10시 16시 Si Deep Etching, 280um Test 메타포어 디바이스개발 이재혁 650,000원
225 2020-12-07 10시 14시 Si Etching : 조각 11개
--> 2회 진행		 Nanyang Technological University RR@NTU Corporate Lab. 김영애 340,000원
226 2020-12-07 14시 16시 test 용 1장 (조각)
2장 2 um etching
2장 5 um etching
2장 10 um etching
: 6회 진행 -> 3회로 청구됨
 포항공과대학교 신소재공학과 김지예 405,000원
227 2020-12-14 10시 15시 Si Deep Etching : 280um 메타포어 디바이스개발 이재혁 3,300,000원
228 2020-12-23 10시 17시 Si Deep Etch : 5.0um Test 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 405,000원
229 2021-01-13 13시 12시 Si Deep Etch, Uniformity 개선 평가
: 100um Target 진행, CD & Depth 평가 진행
(평가 관련, 기본 50um 외 추가 Depth 에 대한 비용 할인 적용)		 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 750,000원
230 2021-01-21 10시 18시 Si Deep Etch Test : 400um
CD Uniformity 평가를 위한 Step by Step Test		 주식회사 스카이웍스필터솔루션즈코리아 스카이웍스 박명현 1,300,000원
231 2021-01-21 10시 12시 한국나노마이스터고등학교 반도체 공정 교육 - Etch 실습 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,050,000원
232 2021-01-25 13시 18시 전문인력양성 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 2,000,000원
233 2021-04-20 09시 23시 서비스 진행 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 3,050,000원
234 2021-05-04 13시 13시 Si Etch Test
1. Blade Qual. - 280um 1ea
2. Structure Qual. - 6 ~ 10um 4ea (2매로 청구, 2매 평가 관련 할인)
3. Ext/Release Qual - 5~10um 2ea / 45~50um 1ea 		calient Technologies ,Inc MEMS Technology 장호연 1,400,000원
235 2021-05-26 13시 13시 공정계약02 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 1,250,000원
236 2021-06-01 10시 12시 Si Etch Test : Process Setup 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 127,500원
237 2021-06-04 10시 12시 Si Etch Test : Process Setup 2 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 127,500원
238 2021-06-07 9시 12시 Si Etch Test : Process Setup 3 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 127,500원
239 2021-06-10 13시 16시 Si Etch Test : Process Setup 4 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 127,500원
240 2021-06-18 15시 17시 Si Etch : 2.0um 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 127,500원
241 2021-06-24 11시 12시 실리콘 상부에 Su8-2050 40um 가 150umx150um square hole을 갖는 형태로 패터닝된 상태임(photolithography+develop)
이를 마스크로 약 150um 깊이의 Si hole을 제작하고자 함.(silicon hole은 수직격벽보다는 tapered shape이 더 좋음)		 한국기계연구원 나노공정장비연구실 최학종 600,000원
242 2021-06-29 13시 13시 공정계약03 (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 3,000,000원
243 2021-07-01 10시 17시 Si 2um Etching 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 637,500원
244 2021-07-12 13시 15시 25umCD / Depth 125um Si DRIE etch (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 750,000원
245 2021-07-13 9시 12시 50um CD / depth 250um Si DRIE (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 900,000원
246 2021-07-14 15시 12시 전북대학교 나노소자공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,000,000원
247 2021-07-19 10시 16시 Si Etch 평가.
1. Blade Etch : 280um - 2매 (HF 조건 / Power Low & High)
2. Structure Etch : 6.5um - 1매 (Cycle time test)		 calient Technologies ,Inc MEMS Technology 장호연 1,450,000원
248 2021-09-01 10시 13시 Si 5.0um Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 127,500원
249 2021-09-02 13시 15시 Si Etch : 25 cycles 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 127,500원
250 2021-09-14 10시 15시 Si Deep Etching 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 510,000원
251 2021-10-07 11시 12시 Si Etching 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 255,000원
252 2021-10-15 13시 14시 Si 300um etch 나노콘 나노콘연구소 조윤빈 3,400,000원
253 2021-10-15 14시 16시 PR 1.7 um , 단차 100~150um 요구사항 포항공과대학교 기계공학과 조원희 470,000원
254 2021-10-19 9시 18시 15um 에칭 경북대학교 기계공학부 곽문규 150,000원
255 2021-10-25 10시 11시 100um etching 포항공과대학교 대학원 물리학과 김진욱 235,000원
256 2021-10-25 16시 17시 폴리머 코팅 경북대학교 기계공학부 곽문규 50,000원
257 2021-10-29 13시 17시 500 um back silicon 에칭 포항공과대학교 대학원 기계공학과 백종현 535,000원
258 2021-11-01 13시 17시 Si Etching : 300um 포항공과대학교 대학원 기계공학과 백종현 635,000원
259 2021-11-04 9시 17시 선도연구시설 고도화지원사업_Etch [4.0021961.01]
Dry Etching		 나노융합기술원 대외협력팀 한동희 300,000원
260 2021-11-05 12시 13시 Si Etch 포항공과대학교 기계공학과 이상엽 108,000원
261 2021-11-05 15시 16시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
유선상으로 통화드린것처럼 에칭 부탁드립니다.
감사합니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 127,500원
262 2021-11-12 9시 16시 Back Si Etch
: 300um - Base \\\\150,000/50um + Add \\\\100,000/50um * 5 = \\\\650,000		 나노콘 나노콘연구소 조윤빈 4,095,000원
263 2021-11-22 9시 16시 Back Si Etch
: 300um - Base \\150,000/50um + Add \\100,000/50um * 5 = \\650,000		 나노콘 나노콘연구소 조윤빈 4,095,000원
264 2021-11-29 15시 17시 Si Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 127,500원
265 2021-12-01 9시 11시 SD21Y10M-PHOLE, SD21Y08M-PA

SiNx etch 4000A : 단가 150,000 --> 100,000 변경 적용 (DRIE 장비에서 SiN Etch)		 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 500,000원
266 2021-12-09 10시 15시 나노융합소자공정 및 측정분석 실습교육과덩(4.0021910.01)_나노 소자 공정 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,500,000원
267 2021-12-10 14시 19시 Back Si Etch : 300um - Base \\\\\\\\150,000/50um + Add \\\\\\\\100,000/50um * 5 = \\\\\\\\650,000 나노콘 나노콘연구소 조윤빈 4,095,000원
268 2021-12-10 9시 16시 Si Deep Etching 300um (주)센텍코리아 기술연구소 강진현 650,000원
269 2021-12-16 12시 15시 메일로 요청드린 대로 DRIE 신청

100um 1ea Etching 진행
 포항공과대학교 물리학과 성열헌 235,000원
270 2021-12-16 17시 18시 Back Si Etch : 300um - Base \\\\\\\\150,000/50um + Add \\\\\\\\100,000/50um * 5 = \\\\\\\\650,000 나노콘 나노콘연구소 조윤빈 4,095,000원
271 2021-12-21 14시 17시 Si 15um Etch 경북대학교 기계공학부 곽문규 150,000원
272 2022-01-11 14시 14시 나노융합 소자공정 및 측정분석 실습교육과정(4.0021910.01)
; 나노 소자 공정 & 측정 일자리 연계교육		 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 3,000,000원
273 2022-01-20 15시 16시 DRIE 공정 진행 나노융합기술원 사업지원팀 21년도 전문인력 2조 0원
274 2022-01-24 10시 12시 [21년도 나노전문인력 고급실습교육]

Si 200um 에칭		 나노융합기술원 사업지원팀 21년도_전문인력 6조 0원
275 2022-01-25 10시 12시 DRIE 공정 진행 나노융합기술원 사업지원팀 21년도 전문인력 2조 0원
276 2022-02-07 10시 12시 Si 1st Etching 경북대학교 기계공학부 곽문규 150,000원
277 2022-02-07 10시 16시 전문인력양성사업 나노소자공정 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,500,000원
278 2022-02-08 16시 17시 2-2-1 2nd Si Etch 경북대학교 기계공학부 곽문규 150,000원
279 2022-02-17 13시 15시 Si Deep Etch : 10um (주)엘란테크놀러지 기술 (주)엘란테크놀러지 150,000원
280 2022-02-17 16시 18시 Si Deep Etch : max (주)엘란테크놀러지 기술 (주)엘란테크놀러지 150,000원
281 2022-02-17 9시 11시 Si Deep Etch : 5um (주)엘란테크놀러지 기술 (주)엘란테크놀러지 150,000원
282 2022-02-23 10시 11시 2-1-1 Si Etch (주)엘란테크놀러지 기술 (주)엘란테크놀러지 450,000원
283 2022-03-04 13시 15시 6인치 Si wafer 6ea RIE 공정 의뢰 드립니다. 에스앤에스텍 EUV Pellicle 개발팀 이승조 900,000원
284 2022-03-10 14시 15시 2-1-1 DRIE 한국산업기술대학교 나노반도체공학과 김창규 150,000원
285 2022-03-11 13시 17시 Si Deep Etch : 100um 포항공과대학교 물리학과 성열헌 235,000원
286 2022-03-14 15시 17시 나노 반도체 공정마스터 과정 실습교육_LX세미콘 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,500,000원
287 2022-03-25 13시 16시 Si Deep Etch : 60um 이상 경북대학교 기계공학부 곽문규 250,000원
288 2022-03-25 18시 19시 ppfc Coating 경북대학교 기계공학부 곽문규 50,000원
289 2022-04-15 16시 17시 1-2-1 1st Etch 순천대학교 첨단부품소재공학과 이종수 250,000원
290 2022-04-20 13시 15시 Si 3.0um Target Etch 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 127,500원
291 2022-04-26 16시 17시 1-2-1 1st Etch 경북대학교 기계공학부 곽문규 1,500,000원
292 2022-04-29 13시 14시 2-1-1 Si Etch 한국산업기술대학교 나노반도체공학과 김창규 300,000원
293 2022-05-04 13시 15시 2-2-1 2nd Si Etch 경북대학교 기계공학부 곽문규 1,500,000원
294 2022-05-06 14시 15시 15um 식각 포항공과대학교 기계공학과 이상엽 108,000원
295 2022-05-26 15시 16시 300um 에칭 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김채민 1,270,000원
296 2022-06-02 13시 14시 35um Depth test
(2022년 나노융합기반 고도화사업)		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 300,000원
297 2022-06-03 13시 15시 2um Depth test
(2022년 나노융합기반 고도화사업)		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 450,000원
298 2022-06-03 9시 11시 175um Depth test
(2022년 나노융합기반 고도화사업)		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 900,000원
299 2022-06-08 13시 17시 5-2-1 Back Si etch (300um)
고도화 사업		 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,300,000원
300 2022-06-14 9시 13시 350um Depth test
(2022년 나노융합기반 고도화사업)		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 1,500,000원
301 2022-06-14 9시 18시 공정계약 01/11 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 1,500,000원
302 2022-06-15 13시 15시 4-4-1 Si Etch 175um 본장
(2022년 나노융합기반 고도화사업)		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 900,000원
303 2022-06-15 9시 13시 2-1-1 Si Etch 35um 본장
(2022년 나노융합기반 고도화사업)		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 300,000원
304 2022-06-16 13시 18시 6-1-1 Si Etch 350um 본장
(2022년 나노융합기반 고도화사업)		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 1,500,000원
305 2022-06-16 9시 10시 2-1-1 Si Etch 2um 본장
(2022년 나노융합기반 고도화사업)		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 450,000원
306 2022-06-17 9시 10시 100um etch 주식회사 포셈 개발 이덕진 250,000원
307 2022-06-24 10시 11시 5-2-1 Back Si etch (300um)
 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 1,270,000원
308 2022-06-27 15시 17시 국가나노인프라를 활용한 나노소자공정실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,500,000원
309 2022-07-04 13시 14시 펨토리 SOI Wafer 58um Etch
[나노용합기반 고도화사업]		 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 300,000원
310 2022-07-04 14시 15시 펨토리 Si 4.77um Etch
[나노융합기반 고도화사업]		 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 300,000원
311 2022-07-04 9시 11시 펨토리 SOI Wafer Etch
[나노융합기반 고도화사업]		 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 300,000원
312 2022-07-28 9시 10시 FEM SiO2 2um Etching 후 Si 63um Etching
[나노융합기반 고도화사업]		 주식회사 보다 연구개발 김형원 250,000원
313 2022-08-18 16시 17시 DRIE 에칭 경북대학교 기계공학부 곽문규 1,350,000원
314 2022-08-22 16시 17시 PPFC 코팅 경북대학교 기계공학부 곽문규 1,350,000원
315 2022-08-24 15시 12시 전문인력양성사업 MEMS 센서 제작 실습교육
Si Etch 실습		 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,500,000원
316 2022-08-25 15시 16시 1-2-1 1st Si Etch 경북대학교 기계공학부 곽문규 1,200,000원
317 2022-10-07 10시 12시 2-1-1 Si Etch 광주과학기술원 기계공학부 이예성 450,000원
318 2022-10-07 14시 16시 3-1-1 Si Etch 광주과학기술원 기계공학부 이예성 450,000원
319 2022-10-14 10시 12시 2-2-1 2nd Si Etch 경북대학교 기계공학부 곽문규 1,200,000원
320 2022-11-07 13시 15시 Si Etch 100um 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 455,000원
321 2022-11-10 15시 16시 2-1-1 Si Etch
2022년 나노융합기반 고도화 사업		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 450,000원
322 2022-11-14 11시 11시 전문인력양성사업 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,000,000원
323 2022-11-28 14시 15시 W 1000A ETCH target 진행 완료 입니다. 템퍼스 생산기술팀 서영민 150,000원
324 2022-11-30 14시 15시 2-1-1 Si Etch 50um
2022년 나노융합기반 고도화사업		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 600,000원
325 2022-11-30 15시 16시 4-1-1 Si Etch 250um
2022년 나노융합기반 고도화사업		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 2,200,000원
326 2022-11-30 16시 17시 6-1-1 Si Etch 500um
2022년 나노융합기반 고도화사업		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 4,200,000원
327 2022-12-02 13시 14시 2-1-1 Si Etch 1.5um, 1um (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 600,000원
328 2022-12-02 14시 15시 4-1-1 Si Etch 1.5um, 1um (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 600,000원
329 2022-12-15 13시 16시 4매 100um 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 940,000원
330 2023-01-23 9시 18시 전문인력양성사업 나노소자공정 & 측정 일자리연계 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,500,000원
331 2023-03-16 15시 16시 oxide etch (주)에스제이컴퍼니 개발팀 박상준 150,000원
332 2023-04-04 1시 24시 200um, 150um, 100um Si DRIE
(wafer 캐리어 겉면에 etching thickness 기재)		 대구경북과학기술원 로봇공학전공 장재원 1,050,000원
333 2023-05-15 15시 16시 2-1-2 Si etch 25um
2022년 나노융합기반 고도화사업		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 300,000원
334 2023-05-15 16시 17시 4-1-2 Si etch 125um
2022년 나노융합기반 고도화사업		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 500,000원
335 2023-05-15 17시 18시 6-1-1 Si etch 250um
2022년 나노융합기반 고도화사업		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 700,000원
336 2023-05-19 15시 16시 2-1-1 Si Etch 25um
2022년 나노융합기반 고도화사업		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 300,000원
337 2023-05-19 16시 17시 2-1-1 Si Etch 125um
2022년 나노융합기반 고도화사업		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 500,000원
338 2023-05-19 17시 18시 6-1-1 Si Etch 250um
2022년 나노융합기반 고도화사업		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 700,000원
339 2023-06-07 13시 13시 전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 3,750,000원
340 2023-08-11 10시 18시 DRIE- STD-127 10cycle 동의대학교 화학공학과 노형원 0원
341 2023-08-14 10시 13시 STD-127 10cycle 동의대학교 화학공학과 노형원 0원
342 2023-08-17 10시 13시 STD 127 10cycle 동의대학교 화학공학과 노형원 0원
343 2023-08-31 9시 18시 전문인력양성사업 나노소자공정&측정 일자리연계 교육(8월) 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 8,000,000원
344 2023-09-05 9시 18시 전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 5,000,000원
345 2024-03-14 10시 11시 블랙 실리콘 식각 포항공과대학교 창의IT융합공학과 최민근 660,000원
346 2024-03-26 15시 16시 Si 10 um 식각 요청드립니다. SOI wafer의 SiO2 층이 드러나기만하면 됩니다. 포항공과대학교 기계공학과 이상엽 180,000원
347 2024-03-29 14시 15시 2-1-3 Si 15um Etch (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 500,000원
348 2024-03-29 15시 16시 2-1-4 Si 25um Etch (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 500,000원
349 2024-03-29 16시 17시 2-1-5 Si 50um Etch (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 500,000원
350 2024-03-29 9시 13시 2-1-1 Si DRIE 72um Etch 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 3,940,000원
351 2024-04-02 15시 16시 2-1-2 Si Etch 25um (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 400,000원
352 2024-04-02 16시 17시 2-1-3 Si Etch 75um (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 700,000원
353 2024-04-02 9시 11시 2-1-2 Si Etch 50um (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 400,000원
354 2024-04-04 8시 10시 2-1-2 Si 5um (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 500,000원
355 2024-04-26 11시 12시 2-1-5 Si Etch 500um (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 4,100,000원
356 2024-04-26 8시 9시 2-1-3 Si Etch 150um (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 1,300,000원
357 2024-04-26 9시 10시 2-1-4 Si Etch 250um
2023년 나노융합기반 고도화사업		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 2,100,000원
358 2024-04-30 14시 15시 2-1-1 Si Etch 125um
2023 나노융합기반 고도화사업		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 0원
359 2024-04-30 15시 16시 2-2-1 Si 250um
2023 나노융합기반 고도화사업		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 0원
360 2024-05-17 13시 21시 2-3 Deep Si Etch 300um 마이크로어낼리시스(주) 마이크로어낼리시스 (주) 안재훈 1,300,000원
361 2024-05-20 9시 14시 2-3-1 Back DRIE 300um 마이크로어낼리시스(주) 마이크로어낼리시스 (주) 안재훈 1,300,000원
362 2024-05-31 13시 15시 Metallic Film : Litho Ni marker
wafer 위에 PR이 도포된 상태입니다.
최소 선폭은 80 um
식각은 2 um로 원합니다.		 경상대학교 세라믹공학과 곽한길 400,000원
363 2024-06-07 10시 11시 보쉬 프로세스가 아닌 O2: 2sccm, SF6: 20 sccm 조건으로 20분정도 공정 진행하고자 합니다.
공정 가능성 여부 및 6인치 웨이퍼에 부착해서 전달드리면 될지 문의드립니다.		 포항공과대학교 기계공학과 이상엽 180,000원
364 2024-06-20 15시 18시 2-3-2 Si DRIE 300um
ICT 제품화 지원사업		 마이크로어낼리시스(주) 마이크로어낼리시스 (주) 안재훈 2,140,000원
365 2024-07-04 13시 16시 Si wafer 위 AZ 5214E라는 Photoresist를 대략 2um 두께로 coating하고 직경 50 um ~ 직경 100 um의 원형 모양을 patterning하였습니다. (Sio2층은 미리 제거하였습니다.)

PR이 패터닝된 Si wafer를 패턴의 크기에 맞춰 cutting하였고 6inch wafer위 실리콘 컴파운드로 고정하였습니다.

depth 50 um Si etching 진행을 요청드립니다.


 연세대학교 기계공학과 정성식 440,000원
366 2024-07-24 11시 12시 [전자과 정진표 010-2757-7319]

GXR 601 PR mask

silicon 30 um etching 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 260,000원
367 2024-09-11 13시 16시 Si wafer 위 AZ 5214E라는 Photoresist를 약 2um의 두께로 coating하였으며, Sio2 층은 미리 제거하였습니다.

담당자분께 유선 상 말씀드렸지만 PR이 패터닝된 Si wafer를 정말 죄송하지만 조각으로 보내드리며, 실리콘 콤파운드를 보유하고 계시다고 전달받아 그대로 고정하여 공정 진행해주시면 될 것 같습니다..!

depth : 50 um Si etching 진행을 요청드립니다.

감사합니다.

 연세대학교 기계공학과 정성식 300,000원
368 2024-10-17 10시 12시 ICT 제품화 지원사업

6 inch glass wafer
Si: 4 um, PI: 6 um
Si 4 um etching, Positive PR mask 6 um/선폭 10 um		 마이크로어낼리시스(주) 기업부설연구소 조경호 200,000원
369 2024-10-22 10시 11시 담당자님과 메일과 유선으로 연락하였고, 조각 샘플 2개 우선적으로 약 ~300nm Si DRIE etching 부탁드립니다.

샘플정보
- 2nm SiO2/Si 기판 위 PMMA & PMMA 내부 금속산화물을 포함한 PR 두께 약 50nm
- 샘플 위 패턴은 5㎛*5㎛ 크기의 square가 연속적으로 존재
- 공정 전 Test용 샘플 2개 : sample F-1 / sample F-2
 충남대학교 신소재공학과 계면공학 및 재료분석 연구실 (전나리교수님) 고민경 300,000원
370 2024-11-01 13시 14시 담당자님과 10/28일에 관련 통화 하였고, 이전에 Test용 샘플 2개 Si DRIE 공정 진행 하였는데 나머지 샘플도 sample F-2 etching 조건과 동일하게 공정 진행 부탁드립니다.

샘플정보
- 2nm SiO2/Si 기판 위 PMMA & PMMA 내부 금속산화물을 포함한 PR 두께 약 50nm
- 샘플 위 패턴은 5㎛*5㎛ 크기의 square가 연속적으로 존재
- 공정 조각 샘플 8개		 충남대학교 신소재공학과 계면공학 및 재료분석 연구실 (전나리교수님) 고민경 300,000원
371 2024-11-05 11시 13시 ICT 제품화 지원사업


Negative PR 패턴 되어 있음
Si 깊이 10 um		 마이크로어낼리시스(주) 기업부설연구소 조경호 200,000원
372 2024-11-07 16시 18시 ICT 제품화 지원사업



SiO2 300 옹스트롬 etching
선폭 확인을 위한 현미경 이미지 필요함 (3, 5, 7 um)		 마이크로어낼리시스(주) 기업부설연구소 조경호 300,000원
373 2024-11-08 14시 16시 1-2-1 SiO2 Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 260,000원