NINT 나노융합기술원

Dry-Etcher_Ulvac 장비일지

기자재관리번호 : 0

No	장비이용내역			이용내역		사용자	장비이용료
No	시작일	종료일	세부내용	기관명	부서(학과명)	성명	확정금액
1	2017-01-31 15시	16시	InP/InGaAsP etching 200W Inductive Power 30W RF Power Cl2/BCl3 6/30 sccm @ RT 3m Torr 16mins	포항공과대학교	기계공학과	김인기	235,000원
2	2017-02-02 13시	16시	Polymer Etch Test & Sample 진행 (부산대) - Etchrate Check - Main Etch : about 3.0um	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	170,000원
3	2017-02-06 11시	12시	ICP Power: 1000W RF Power: 100W Cl2/BCl3 6/30 sccm @RT 3m Torr 1min 50sec etching	포항공과대학교	기계공학과	김인기	135,000원
4	2017-02-06 14시	16시	LaF3 Etch Test	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	170,000원
5	2017-02-08 13시	14시	LaF3 Etch Test	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	135,000원
6	2017-02-08 14시	15시	ICP: 200W RF: 30W Cl2/BCl3 6/30 sccm @RT 3mTorr 1min 50sec x2	포항공과대학교	기계공학과	김인기	135,000원
7	2017-02-13 10시	18시	MEMS 기술사업화 계약_Etch	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	2,600,000원
8	2017-02-23 11시	14시	본딩 전 treatment Etch	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	310,000원
9	2017-02-27 17시	18시	LaF3 Etch Test : Ar Base 100sec	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	135,000원
10	2017-02-27 18시	19시	LaF3 Etch Test : Cl2 Base 100sec	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	135,000원
11	2017-03-03 15시	16시	FEP필름에 금속박막을 입힌 필름의 에칭	포항공과대학교	기계공학과	김도완	140,000원
12	2017-03-14 9시	18시	MEMS 기술사업화 계약_Etch	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	2,600,000원
13	2017-03-15 10시	11시	아래의 조건으로 Si 에칭을 진행하고자 합니다. CF4 20sccm, 0.15 Pa, ICP Power: 500W, Forward Power: 0W, 320sec	포항공과대학교	기계공학과	김인기	135,000원
14	2017-03-16 11시	12시	ICP etching CF4 20sccm, 0.15Pa ICP: 500W, Forward power: 0W for 320sec	포항공과대학교	기계공학과	김인기	135,000원
15	2017-04-03 10시	12시	LaF3 Etch Test : Cl2 Base Time Split 40s/80s/140s	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	212,500원
16	2017-04-11 10시	18시	MEMS 기술사업화 계약_Etch	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	2,600,000원
17	2017-04-12 10시	11시	SiC Bevel Etch : 1.5um	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	237,500원
18	2017-04-25 13시	15시	C Material Etch Test (BNU) Etchrate Test & Profiler Measure	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	137,500원
19	2017-04-25 15시	17시	C Material Etch : Main 60~70nm Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	175,000원
20	2017-05-02 17시	18시	SiO2/Ti/Pt wafer에 Si3N4를 100nm 증착을하고 patterning한 sample을 Si3N4를 etching 부탁드립니다. 10mm x 10mm 조각샘플 30개정도 공정을 진행하려고 합니다	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	175,000원
21	2017-05-10 9시	18시	MEMS 기술사업화 계약_Etch	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	2,600,000원
22	2017-05-19 14시	17시	SOG about 4um Etch	포항공과대학교	전자전기공학과	이승호	237,500원
23	2017-05-25 13시	14시	Pt/Ti/SiO2에 Si3N4 100nm를 증착을 하였고, 저희가 pr patterning한 Si3N4를 에칭하여 주시길 바랍니다.	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	137,500원
24	2017-06-07 10시	11시	glass 위해 ITO 있는 기판입니다. applied gas:O2 ICP power:800W Bias power: 20W gas flow:50 sccm working pressure :4mTorr treatment time:5분 (300s)	포항공과대학교	신소재공학과	황보희	142,500원
25	2017-06-09 11시	12시	2개는 5분, 2개는 1분 etching	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	270,000원
26	2017-06-14 10시	15시	MEMS 기술사업화 계약_Etch	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	2,600,000원
27	2017-06-19 15시	17시	SOG Etch Test : 3~4um	포항공과대학교	전자전기공학과	이승호	237,500원
28	2017-06-22 16시	17시	SiO2/Ti/Pt wafer에 Si3N4를 약110nm 증착을 하였고, 그 후 PR patterning한 sample의 Si3N4를 etching 부탁드립니다. 10mm x 10mm 조각샘플 3개정도 공정을 진행하려고 합니다	포항공과대학교	신소재공학과	최우석	112,500원
29	2017-06-26 10시	11시	20s, 40s, 1min, 3min, 5min Time Split 진행	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	312,500원
30	2017-06-29 10시	18시	나노융합기술 전문인력양성 교육_Etch	대구대학교	중앙기기원	차정호	2,100,000원
31	2017-07-03 10시	12시	Metal Dry Etch : 공정 Setup 평가 - 1매, 본장 - 2매	(주) 이너센서	이너센서	강문식	250,000원
32	2017-07-07 12시	13시	PEoxide 8K	LG전자	센서솔루션연구소	이성단	125,000원
33	2017-07-10 10시	18시	MEMS 기술사업화 계약_Etch	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	2,600,000원
34	2017-07-20 10시	18시	MEMS 기술사업화 계약_Etch	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	1,600,000원
35	2017-07-25 14시	15시	GaN 샘플 Etch rate test 앞으로 사용할 일이 많을 것 같아 장비 사용 교육 희망합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	이종원	227,500원
36	2017-07-25 15시	17시	PTFE film 위 gold film 올린 샘플에서 gold와 PTFE 둘 다 식각	포항공과대학교	신소재공학과	최우성	270,000원
37	2017-07-27 14시	15시	GaN 800~1000nm etching 400s 진행 ( 기본 300s)	포항공과대학교	신소재공학과	이종원	185,000원
38	2017-07-28 13시	14시	GaN (800~1000nm) etching : 200sec * 6회 (300sec 이상으로 회수 추가)	포항공과대학교	신소재공학과	이종원	168,000원
39	2017-07-28 15시	17시	LaF3 Etch Test : 60sec / 80sec / 100sec	포항공과대학교	창의IT융합공학과	조현수	212,500원
40	2017-08-02 10시	12시	GaN etching : Etch Time 관련 2회로 처리	포항공과대학교	신소재공학과	이종원	168,000원
41	2017-08-02 16시	17시	GaN etching (Ar gas 제외) : Etch Time 관련 2회로 처리	포항공과대학교	신소재공학과	이종원	168,000원
42	2017-08-08 9시	12시	GaN etching : New recipe 평가 2회, Polymer Depo. 발생으로 측정 불가 -> Etching 안됨 (내부지원)	포항공과대학교	신소재공학과	이종원	0원
43	2017-08-16 10시	18시	MEMS 기술사업화 계약_Etch	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	3,100,000원
44	2017-08-22 10시	12시	SOG Etching : 조각 7ea (동시 진행) 60sec * 4회 진행	포항공과대학교	전자전기공학과	이승호	137,500원
45	2017-08-22 17시	19시	Polyimide Etch 1min	포항공과대학교	전자전기공학과	이승호	137,500원
46	2017-09-07 11시	16시	Ag Thin Film Etch : 200~300 A : 사각 조각 4매 + 8매	이코루미	연구소	구가인	700,000원
47	2017-09-12 9시	18시	MEMS 기술사업화 계약_Etch	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	2,600,000원
48	2017-09-13 9시	10시	2-2-1 Bevel SiC NL Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	137,500원
49	2017-09-14 14시	15시	PR 마스크를 이용해서 SiO2 600nm 에칭 진행하고자 합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	137,500원
50	2017-09-18 13시	15시	필름 위 Au 에칭 공정	포항공과대학교	기계공학과	김도완	142,500원
51	2017-09-26 10시	11시	2-2-1 Al Dry Etch	(주) 이너센서	이너센서	강문식	200,000원
52	2017-10-11 10시	18시	MEMS 기술사업화 계약_Etch	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	4,100,000원
53	2017-10-13 13시	14시	Ti/Al/Ti Dry Etch	이코루미	연구소	구가인	200,000원
54	2017-10-24 10시	16시	저저항 Super Junction 파워 MOSFET 공정	현대모비스	전력반도체팀	이정윤	600,000원
55	2017-10-25 10시	12시	Ti/Al/Ti Etching	이코루미	연구소	구가인	200,000원
56	2017-10-26 15시	17시	glass wafer/Polyimide/Aluminum : Etch 조건 Test	포항공과대학교	전자전기공학과	박혁	142,500원
57	2017-11-09 14시	15시	Ti_Al_Ti_Dry Etch	이코루미	연구소	구가인	200,000원
58	2017-11-09 14시	16시	Oxide Etch & PR Remove 후 잔여 PR 제거 평가 . O2 Plasma Etching 조건 . Low Temp Ashing 조건	템퍼스	개발팀	조재익	200,000원
59	2017-11-16 10시	22시	MEMS 기술사업화계약-Etch	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	1,400,000원
60	2017-12-06 9시	18시	1200V급 Trench형 SiC MOSFET 소자 개발 [4.0015452.01]_Etch 단위공정	현대모비스	전력반도체팀	이정윤	1,100,000원
61	2017-12-07 9시	18시	MEMS 기술사업화 계약_Etch	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	1,100,000원
62	2017-12-13 9시	18시	1200V급 Trench형 SiC MOSFET 소자 개발 [4.0015452.01]_Etch 단위공정	현대모비스	전력반도체팀	이정윤	626,000원
63	2018-01-10 9시	18시	전문인력양성교육_소자공정_Etch	나노융합기술원	교육홍보팀	이현규	900,000원
64	2018-01-11 10시	12시	1-2-1 Bottom Gate Al 2000A Etch	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유호천	0원
65	2018-01-11 13시	18시	MEMS 기술사업화 계약_Etch	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	1,100,000원
66	2018-01-19 14시	17시	FEP 필름에 에칭을 하고자 합니다. 2017년에 김도완이라는 저희 연구실 학생이 동일한 과정을 진행한 바 있습니다.	포항공과대학교	기계공학과	유재원	227,500원
67	2018-01-24 10시	12시	2-3-1 M.Gate Etch ( Al 1000A)	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유호천	0원
68	2018-02-05 16시	17시	SiO2 에칭하고자합니다.	포항공과대학교	화학공학과	김홍기	142,500원
69	2018-02-07 9시	18시	MEMS 기술사업화 계약_Etch	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	1,100,000원
70	2018-03-07 10시	12시	유량 센서 및 후면 배선 연결 공정[과제번호:4.0015206.01]_Metal Etch	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	550,000원
71	2018-03-12 10시	15시	SiC Etch Test : 종류별 5개 진행 Etchrate Test : 1ea 추가	파워마스터반도체 주식회사	제품개발팀	김홍기	0원
72	2018-03-14 10시	13시	MEMS 기술사업화 계약_Etch	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	1,100,000원
73	2018-04-03 9시	18시	MEMS 기술사업화 계약-etch	나노융합기술원	기술지원팀	황현주	1,100,000원
74	2018-04-11 10시	16시	Trench Etch Test : SiC Trench	현대모비스	전력반도체팀	이정윤	137,500원
75	2018-04-13 9시	23시	차세대 실리콘 파워반도체 기술사업화 계약-etch	파워마스터반도체 주식회사	제조 공정기술팀장	손춘배	1,100,000원
76	2018-05-04 14시	16시	recipe조건 잡기 : Recipe Setup & Time Split (20" /30" /40")	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	212,500원
77	2018-05-09 10시	11시	recipe : O2 plasma 20초	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	137,500원
78	2018-05-09 14시	16시	PZT 물질 Etching Test	(주)베프스	기획팀	BEFS	150,000원
79	2018-05-10 9시	9시	차세대 실리콘 파워반도체 기술사업화 계약-Etch	파워마스터반도체 주식회사	제조 공정기술팀장	손춘배	1,100,000원
80	2018-05-14 13시	18시	metal dry Etch 교육 진행	나노융합기술원	교육홍보팀	이현규	475,000원
81	2018-05-15 9시	10시	O2 plasma treatment 20초 진행	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	137,500원
82	2018-05-17 9시	13시	SiC_Trench Etch Test	현대모비스	전력반도체팀	이정윤	575,000원
83	2018-05-18 14시	15시	dry etching o2 plasma	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	137,500원
84	2018-05-21 11시	12시	O2 plasma 5초 진행	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	137,500원
85	2018-05-28 13시	14시	0.5 um 두께 에칭	포항공과대학교	기계공학과	갈창우	142,500원
86	2018-06-04 15시	16시	SiN Etch 1.0um 진행	포항공과대학교	기계공학과	갈창우	142,500원
87	2018-06-07 9시	7시	차세대 실리콘 반도체 기술사업화 계약_etch	파워마스터반도체 주식회사	제조 공정기술팀장	손춘배	1,100,000원
88	2018-06-08 16시	17시	Test wafer 1매	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	150,000원
89	2018-06-12 16시	17시	O2 plasma 25초	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	137,500원
90	2018-06-14 11시	11시	TiN 300nm on Si wafer 기판입니다. TiN 100nm target 으로 etching 부탁 드립니다. 총 3장이며 1 run 에 1개씩 투입 부탁 드립니다. (총 3run 진행)	LG전자	센서솔루션연구소	홍정엽	227,500원
91	2018-06-15 11시	12시	HM050N120A0 (4매) 225초 진행 요청합니다.	powertechnix	powertechnix	파워테크닉스	150,000원
92	2018-06-21 15시	17시	TiN Etch Test	LG전자(주)	센서(연)광소자센서Task	김민재	185,000원
93	2018-06-25 12시	17시	- Silcone Wafer 상단 TiN (Titanium Nitride) 증착된 형상의 샘플 (조각시편 @ 2525mm) - TiN (Titanium Nitride) 300nm 증착 기준, 100nm Metal Etch 공정 진행 要 - 총 3개의 조각시편(2525mm)으로, 각각 개별 Run으로 공정진행 要 공정 진행 전/후 필요하신 사항이나 문의 사항 있으시면 언제든 연락 바랍니다.	LG전자(주)	센서(연)광소자센서Task	김민재	227,500원
94	2018-07-04 10시	11시	O2 plasma 25초 진행	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	137,500원
95	2018-07-04 14시	16시	2,3차에 진행한 100nm로 보정된 recipe기준으로 공정진행 부탁드립니다. Sample1 - 130nm etching Sample2 - 70nm etching Sample3 - 100nm etching	LG전자	센서솔루션연구소	임정순	227,500원
96	2018-07-09 11시	12시	metal PR patterning된 샘플입니다. 7월 6일 (금요일) 유선상으로 백상원 학생이 김수곤 연구원님과 얘기한 내용으로 진행 (Ti 20nm / TiN 200 nm pad metal etch)	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	137,500원
97	2018-07-10 11시	12시	250250사이즈 시료 3매와 비대칭 조각샘플 1매 전달되었으며, 총 2런 진행 부탁드립니다. 첫번째 런은 비대칭 조각샘플만 로딩하여 130nm etching공정 두번째 런은 250250사이즈 시료 3매 동시로딩해서 130nm etching공정 동일하게 진행 부탁드립니다.	LG전자	센서솔루션연구소	임정순	185,000원
98	2018-07-12 9시	18시	차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Etch	파워마스터반도체 주식회사	제조 공정기술팀장	손춘배	1,100,000원
99	2018-07-13 10시	11시	O2 plasma 25초 진행 부탁드리겠습니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	137,500원
100	2018-07-20 13시	14시	O2 plasma 25초	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	137,500원
101	2018-07-24 14시	15시	O2 plasma 25초	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	137,500원
102	2018-07-25 10시	11시	O2 plasma	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	137,500원
103	2018-08-01 15시	19시	TiN Gate Etch Recipe 평가 : O2 Gas 변경 조건 평가	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	180,000원
104	2018-08-01 9시	10시	3-2-1 PC TiN Dry Etch (7/27 진행)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	300,000원
105	2018-08-06 15시	19시	Gate Etch 평가 : 기존 vs New 조건 PR Loss 평가	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	180,000원
106	2018-08-16 9시	24시	차세대 실리콘 파워반도체 기술사업화 계약_etch	파워마스터반도체 주식회사	제조 공정기술팀장	손춘배	1,100,000원
107	2018-08-17 17시	20시	TiN Gate Etch 평가 : TiN Etch 후 GaN Loss 평가 (TEM 분석 용)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	140,000원
108	2018-08-17 9시	11시	4-4-1 PC TiN Dry Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	260,000원
109	2018-08-21 10시	11시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	260,000원
110	2018-08-24 14시	15시	9-2-2 P0 TiN Dry Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	180,000원
111	2018-08-28 10시	12시	TiN Gate Etch & pGaN Etch 평가 : Hard Mask 적용 평가	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	180,000원
112	2018-09-03 10시	12시	TiN PC Etchrate Test	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	140,000원
113	2018-09-03 9시	24시	차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Etch	파워마스터반도체 주식회사	제조 공정기술팀장	손춘배	1,100,000원
114	2018-09-06 10시	12시	4-4-2 PC TiN Dry Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	340,000원
115	2018-09-07 11시	13시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	340,000원
116	2018-09-10 16시	18시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	340,000원
117	2018-09-11 11시	13시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	340,000원
118	2018-09-12 11시	12시	5-2-2 MC GaN Dry Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	340,000원
119	2018-09-14 10시	11시	dry etching Time Split, 1min/3min	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	175,000원
120	2018-09-17 14시	15시	GaAs Etch Test	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	175,000원
121	2018-09-17 15시	18시	TiN Etch Condition & Etchrate Test	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	140,000원
122	2018-09-18 9시	18시	Qz Wafer Etch(Etch, Measurement, Ashing, SPM)	신라대학교	스마트전기전자공학부	최우창	700,000원
123	2018-09-19 9시	18시	Qz Wafer Etch(Etch, Measurement, Ashing, SPM)	신라대학교	스마트전기전자공학부	최우창	700,000원
124	2018-09-20 10시	11시	상의 후 조정	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	137,500원
125	2018-09-20 16시	18시	PC, TiN Gate Etch Test	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	140,000원
126	2018-09-21 10시	11시	센터내 진행	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	137,500원
127	2018-09-27 11시	12시	GaAs Etch Test	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	175,000원
128	2018-10-01 10시	11시	4-4-2 PC TiN Dry Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	260,000원
129	2018-10-01 11시	12시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	340,000원
130	2018-10-01 14시	15시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	420,000원
131	2018-10-02 09시	12시	1) 샘플 6매 SiO2 200nm dry etching 2) PR 제거 및 a-step 으로 단차 확인	LG전자	센서솔루션연구소	홍정엽	355,000원
132	2018-10-02 11시	12시	제일 처음 진행하였던 0.5 um 두께 에칭으로 부탁드리니다. 재료는 질화규소 입니다. wafer 크기는 잘 몰라서 시편에 알맞은 크기로 해주시면 되겠습니다. 총 시편은 16개이고 지난번과 마찮가지로 한번에 모두 실험이 가능할 것으로 생각됩니다. 시편이 실험 후 섞이면 안되서 각 시편은 다시 원래 자리로 넣어주시면 되겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	갈창우	142,500원
133	2018-10-04 11시	12시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	340,000원
134	2018-10-04 9시	11시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	420,000원
135	2018-10-05 10시	11시	TiN etch rate 확인을 위해 공정 진행 의뢰 드립니다. 10/4 에 진행한 건을 사후로 의뢰하오니 참고하시기 바랍니다.	LG전자	센서솔루션연구소	홍정엽	142,500원
136	2018-10-05 11시	12시	TiN 140nm etching 공정 건 입니다. 10/4 에 진행한 건을 사후로 의뢰하오니 참고하시기 바랍니다.	LG전자	센서솔루션연구소	홍정엽	355,000원
137	2018-10-05 12시	14시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	420,000원
138	2018-10-08 11시	13시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	420,000원
139	2018-10-08 12시	13시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	260,000원
140	2018-10-08 13시	14시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	260,000원
141	2018-10-12 10시	11시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	260,000원
142	2018-10-15 9시	13시	차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Etch	파워마스터반도체 주식회사	제조 공정기술팀장	손춘배	1,100,000원
143	2018-10-18 10시	12시	O2 plasma recipe 수정 진행 : Recipe 변경 후 Time Split - 8ea	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	300,000원
144	2018-10-18 15시	17시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	300,000원
145	2018-10-22 15시	17시	TiN Etch Test	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	180,000원
146	2018-10-23 11시	13시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	340,000원
147	2018-10-25 13시	14시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	340,000원
148	2018-10-25 9시	11시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	420,000원
149	2018-10-26 10시	13시	Multi GaN Etch Test & Sample 진행	금오공과대학교	신소재연구소	임기식	200,000원
150	2018-10-30 10시	11시	Polyimide 5 um etching	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	137,500원
151	2018-11-06 10시	11시	오전에 진행 부틱드리겠습니다. O2 plasma 25초 진행해주세요.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	137,500원
152	2018-11-06 11시	13시	7-2-1 V0 Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	260,000원
153	2018-11-06 17시	17시	7-2-1 V0 Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	300,000원
154	2018-11-08 9시	10시	7-3-2 V0 E/B	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	260,000원
155	2018-11-12 14시	15시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	260,000원
156	2018-11-12 16시	17시	7-3-7 V0 Oxide Etch (E/B)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	140,000원
157	2018-11-13 13시	14시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	300,000원
158	2018-11-13 14시	16시	9-2-2 P0 TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	180,000원
159	2018-11-15 11시	12시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	300,000원
160	2018-11-15 13시	14시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	340,000원
161	2018-11-19 9시	24시	차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Etch	파워마스터반도체 주식회사	제조 공정기술팀장	손춘배	1,100,000원
162	2018-11-20 10시	12시	9-2-2 P0 TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	140,000원
163	2018-11-21 10시	11시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	340,000원
164	2018-11-22 11시	12시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	260,000원
165	2018-11-23 13시	14시	9-2-2 P0 TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	220,000원
166	2018-11-29 15시	16시	9-2-2 P0 TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	300,000원
167	2018-12-03 12시	14시	4-4-2 PC TiN Etch(11/27)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	420,000원
168	2018-12-04 10시	14시	Metal Etch Corrosion 방지 평가 : M0 Stack Metal Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	240,000원
169	2018-12-04 14시	18시	Metal Etch 후 Corrosion 방지 평가 : H2O 처리 Split	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	205,000원
170	2018-12-04 16시	18시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	420,000원
171	2018-12-04 9시	12시	Passivation 평가, TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	310,000원
172	2018-12-05 10시	12시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	340,000원
173	2018-12-06 10시	11시	recipe 적어놨습니다. 확인 후 오전 중으로 진행해주세요. 감사합니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	137,500원
174	2018-12-07 16시	17시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	340,000원
175	2018-12-10 14시	16시	Passivation 평가, MC Etch GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	240,000원
176	2018-12-10 9시	10시	ICP etching	(주)아이엠헬스케어	바이오센서팀	유재우	150,000원
177	2018-12-11 14시	15시	ICP etching	(주)아이엠헬스케어	바이오센서팀	유재우	150,000원
178	2018-12-12 14시	15시	AZ5214E로 패터닝 의뢰 하였습니다.(이남걸 연구원) 12월 12일 오전에 패터닝 예정.	신라대학교	스마트전기전자공학부	최우창	150,000원
179	2018-12-13 15시	17시	9-2-2 P0 TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	380,000원
180	2018-12-14 10시	12시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	260,000원
181	2018-12-17 10시	12시	4-4-4 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	180,000원
182	2018-12-17 17시	19시	FC60 자동화 평가 2 : TiN Gate Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	200,000원
183	2018-12-18 14시	16시	5-2-3 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	340,000원
184	2018-12-20 13시	15시	4-4-2 PC TiN etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	340,000원
185	2018-12-21 9시	24시	차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Etch	파워마스터반도체 주식회사	제조 공정기술팀장	손춘배	1,100,000원
186	2018-12-24 14시	16시	9-2-2 P0 TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	340,000원
187	2018-12-26 10시	12시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	340,000원
188	2018-12-27 14시	15시	9-2-2 P0 TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	220,000원
189	2019-01-01 12시	13시	9-2-2 P0 TiN Etch (12/28)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	212,500원
190	2019-01-02 12시	14시	9-2-2 P0 TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
191	2019-01-03 10시	11시	7-2-1 V0 Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	175,000원
192	2019-01-03 11시	12시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
193	2019-01-03 14시	15시	7-3-7 V0 E/B Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	175,000원
194	2019-01-03 15시	17시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	212,500원
195	2019-01-04 14시	16시	4-4-1 PC Remain TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	212,500원
196	2019-01-04 16시	18시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
197	2019-01-07 13시	14시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
198	2019-01-08 15시	16시	7-3-7 V0 E/B	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	175,000원
199	2019-01-08 16시	18시	5-2-3 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
200	2019-01-09 14시	15시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	287,500원
201	2019-01-10 9시	10시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
202	2019-01-11 16시	18시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
203	2019-01-14 15시	16시	9-2-1 P0 Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	175,000원
204	2019-01-14 15시	16시	9-2-2 P0 TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
205	2019-01-15 10시	18시	세라믹 샘플 플라즈마 에칭 평가 : 평가 시간 관련 10만원 10회로 처리	(주)월덱스	연구소	김병국	1,000,000원
206	2019-01-16 14시	15시	9-2-2 P0 TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
207	2019-01-21 10시	11시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
208	2019-01-21 16시	18시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
209	2019-01-22 10시	12시	안녕하세요 삼성전자 기술원 박진주입니다. (010-6220-3420) PR이 coating된 GaN 증착 8'' Si Wafer 4매가 차주 초에 전달될 예정입니다. Standard Etch recipe로 GaN을 500nm etching하는 요청을 드리고자 합니다. 문제 있으시다면 확인 부탁드립니다. 감사합니다.	삼성전자 기술원	Nano Electronics Lab	박진주	270,000원
210	2019-01-22 14시	15시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
211	2019-01-23 14시	15시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
212	2019-01-24 10시	12시	5-2-3 MC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
213	2019-01-24 13시	14시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
214	2019-01-28 13시	14시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
215	2019-01-29 14시	15시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
216	2019-01-29 16시	17시	11-2-1 GC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	175,000원
217	2019-02-04 10시	13시	Bevel Etch : 1.5um	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	237,500원
218	2019-02-06 9시	10시	10나노급 차세대 실리콘 나노선 개발	포항공과대학교	창의IT융합공학과	박태훈	750,000원
219	2019-02-07 15시	16시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
220	2019-02-07 9시	10시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
221	2019-02-08 15시	17시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	205,000원
222	2019-02-08 15시	17시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
223	2019-02-11 15시	17시	9-2-1 PO TiN ETCH	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	200,000원
224	2019-02-11 16시	17시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
225	2019-02-14 14시	15시	5-2-2 MC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
226	2019-02-14 9시	10시	4-5-1 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	325,000원
227	2019-02-18 13시	14시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
228	2019-02-18 14시	16시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
229	2019-02-19 17시	18시	7-3-7 V0 E/B	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
230	2019-02-19 9시	10시	7-2-1 V0 Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	250,000원
231	2019-02-22 9시	11시	5-2-2 MC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
232	2019-02-25 16시	17시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
233	2019-02-26 9시	15시	Module pGaN 선택비 Si GaN Sel. Test : Si/SiO2 2회	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	240,000원
234	2019-02-27 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	400,000원
235	2019-02-28 13시	15시	Cr/PS 선택비 평가 : Cl2 45sccm, O2 5sccm, 20sec	포항공과대학교	화학공학과	고명철	142,500원
236	2019-03-04 13시	15시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
237	2019-03-04 15시	17시	4-4-2 TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
238	2019-03-04 18시	19시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
239	2019-03-05 10시	16시	pGaN 선택비 평가 : Si vs SiO2 Etchrate 평가 3회	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
240	2019-03-05 14시	15시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
241	2019-03-05 15시	16시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
242	2019-03-06 14시	15시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
243	2019-03-06 9시	10시	10나노급 차세대 실리콘 나노선 개발	포항공과대학교	창의IT융합공학과	박태훈	1,190,000원
244	2019-03-07 10시	12시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
245	2019-03-07 13시	15시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
246	2019-03-07 14시	16시	4-4-3 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
247	2019-03-07 16시	17시	Multi Metal Gate Test : TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
248	2019-03-08 9시	11시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
249	2019-03-12 10시	12시	Polystyrene과 Chromium 간의 선택비 평가	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
250	2019-03-12 12시	14시	pGaN 선택비 Etch 평가. : Si & SiO2 Etchrate 평가	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
251	2019-03-12 14시	17시	pGaN 선택비 평가. GaN Epi wafer 적용	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
252	2019-03-13 10시	13시	pGaN Sel. Etch Test : EPI 평가	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
253	2019-03-13 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
254	2019-03-13 16시	17시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
255	2019-03-14 14시	17시	Metal Etch Corrosion Free 평가 : H2O passivation 2min / 3min	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
256	2019-03-14 16시	18시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
257	2019-03-15 15시	17시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
258	2019-03-15 16시	18시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
259	2019-03-18 14시	16시	Multi Metal Gate Etch TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	138,500원
260	2019-03-20 14시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	388,750원
261	2019-03-21 10시	12시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
262	2019-03-22 15시	18시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
263	2019-03-26 10시	12시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
264	2019-03-26 13시	15시	MULTI METAL GATE TiN ETCH	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	138,500원
265	2019-03-27 15시	17시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
266	2019-03-27 16시	18시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
267	2019-03-28 10시	12시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
268	2019-03-28 15시	16시	GaAs etching	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	144,000원
269	2019-03-28 16시	17시	Multi Metal Gate Test : TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
270	2019-03-29 16시	17시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
271	2019-03-29 9시	12시	안녕하세요 삼성전자 기술원 박진주입니다. (010-6220-3420) PR이 coating된 GaN 증착 8'' Si Wafer 4매가 명일 전달될 예정입니다. Standard Etch recipe로 GaN을 500nm etching하는 요청을 드리고자 합니다. 문제 있으시다면 확인 부탁드립니다. 감사합니다.	삼성전자 기술원	Nano Electronics Lab	박진주	320,000원
272	2019-04-01 13시	14시	Multimetal Gate TiN Etch : 55sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	138,500원
273	2019-04-01 14시	18시	GaN Full Etch 공정 Setup : PR 4.5um --> Etch 4.5um Target	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	544,000원
274	2019-04-01 14시	16시	PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
275	2019-04-01 18시	19시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
276	2019-04-02 10시	12시	4-5-2 PC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
277	2019-04-02 16시	17시	4-4-3 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
278	2019-04-03 16시	18시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
279	2019-04-04 10시	11시	GC Oxide Etch Test	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
280	2019-04-04 11시	13시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
281	2019-04-04 13시	15시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
282	2019-04-04 14시	18시	GaN Full Etch 공정 Setup : PR 5.7um --> Etch 4.5um Target	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	544,000원
283	2019-04-08 13시	14시	5-2-3 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
284	2019-04-08 9시	12시	GaN Full Etch 공정 Setup : PR 5.7um --> Etch 4.5um Target	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	544,000원
285	2019-04-09 16시	18시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
286	2019-04-10 10시	12시	Gate Contact Oxide Etch : 43" / 34"	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
287	2019-04-10 13시	15시	4-4-2 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
288	2019-04-10 15시	17시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
289	2019-04-15 15시	16시	MgAl2O4, Al2O3 10x10mm 샘플 etching	포항공과대학교	기계공학과	박상준	149,500원
290	2019-04-15 17시	19시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
291	2019-04-16 11시	15시	GaN Full Etch : 4.5um 이상	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	988,000원
292	2019-04-17 11시	13시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
293	2019-04-17 13시	17시	M1 Etch Etchrate 상향 평가	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
294	2019-04-17 14시	15시	PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
295	2019-04-17 17시	19시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	388,750원
296	2019-04-18 11시	12시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	141,250원
297	2019-04-18 13시	15시	Gate TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
298	2019-04-19 11시	13시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
299	2019-04-19 16시	18시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
300	2019-04-22 10시	15시	M1 ER 상향 TEST	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
301	2019-04-23 13시	14시	6-2-1 M0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	182,500원
302	2019-04-24 10시	12시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
303	2019-04-24 12시	13시	GaN Full Etch, DESCUM TEST	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	144,000원
304	2019-04-24 13시	14시	11-2-1 GC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
305	2019-04-24 13시	16시	Gate Recess Split : 3ea	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	215,500원
306	2019-04-24 14시	16시	GaN Full ETCH TEST : Half ETCH - 2.5um	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	344,000원
307	2019-04-24 16시	18시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
308	2019-04-25 15시	18시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
309	2019-04-26 10시	11시	o2 plasma etching: 20sec	포항공과대학교	전자전기공학과	김동훈	144,000원
310	2019-04-29 10시	12시	Gate Recess Test : 2ea	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
311	2019-04-30 14시	15시	PC TIN ETCH	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
312	2019-04-30 15시	16시	PC TIN ETCH	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
313	2019-05-02 11시	12시	Gate recess 평가	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	138,500원
314	2019-05-02 13시	14시	gate recess etch Test	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	138,500원
315	2019-05-02 14시	16시	pGaN sel. Etch Test	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
316	2019-05-02 16시	19시	GaN Etch Test : 300sec / 300+150sec 2~3um	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	588,000원
317	2019-05-03 11시	12시	4-4-3 PC TiN Dry Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
318	2019-05-07 18시	19시	5-2-1 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
319	2019-05-09 13시	14시	5-2-3 MC GaN Dry Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
320	2019-05-10 13시	14시	9-2-1 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	182,500원
321	2019-05-13 15시	16시	1) SiN Dry Etching : 1.0um	서울과학기술대학교	MSDE	임형우	155,000원
322	2019-05-14 13시	14시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
323	2019-05-16 10시	12시	GaN Full Etch : 4.5um	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	988,000원
324	2019-05-16 16시	18시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
325	2019-05-21 10시	12시	GaN Full Etch : 4.5um	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	988,000원
326	2019-05-21 13시	14시	pGaN 선택비 조건 : 40sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
327	2019-05-21 16시	17시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	182,500원
328	2019-05-22 9시	10시	1-2-1 AKEY Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
329	2019-05-23 9시	10시	1-2-1 AKEY Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
330	2019-05-27 13시	14시	4-4-3 PC Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
331	2019-05-28 14시	15시	4-4-3 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
332	2019-05-30 10시	11시	11-2-1 GC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
333	2019-06-04 10시	11시	5-2-3 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
334	2019-06-04 16시	17시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
335	2019-06-10 11시	12시	11-2-1 GC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
336	2019-06-10 9시	11시	MEMS Bio-Sensor 제작	(주)아이제스트	연구개발팀	김성지	0원
337	2019-06-10 9시	11시	module M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	737,000원
338	2019-06-11 17시	18시	5-2-3 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
339	2019-06-14 16시	18시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	388,750원
340	2019-06-14 7시	16시	9-2-1 PO Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,438,750원
341	2019-06-17 11시	12시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
342	2019-06-17 13시	14시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
343	2019-06-17 14시	15시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
344	2019-06-17 9시	11시	7-2-1 V0 Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
345	2019-06-18 9시	10시	7-3-7 V0 E/B	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
346	2019-06-19 9시	12시	8-2-1 M1 Metal Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,806,250원
347	2019-06-20 10시	15시	9-2-1 PO Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	482,500원
348	2019-06-20 15시	16시	지난주에 유선상으로 연락드렸었던 건입니다. patterned-TiN / SiO2 / Si 기판 이며, 300 nm 정도의 TiN 이 증착되어있는데 200 nm etching 진행하고자 합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	149,500원
349	2019-06-20 16시	17시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	182,500원
350	2019-06-20 9시	11시	module M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	737,000원
351	2019-06-25 9시	12시	8-2-1 M1 Metal Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,147,500원
352	2019-06-26 16시	20시	1-2-2 F_mesh_P GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	988,000원
353	2019-06-26 9시	10시	module M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	418,500원
354	2019-06-27 16시	17시	9-2-1 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
355	2019-06-27 9시	16시	9-2-1 PO Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	865,000원
356	2019-06-28 10시	11시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
357	2019-06-28 14시	15시	종이에 적혀있는대로 진행 부탁드리겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤길상	144,000원
358	2019-06-28 9시	10시	4-4-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
359	2019-07-01 9시	11시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
360	2019-07-02 12시	14시	5-2-2 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
361	2019-07-02 14시	15시	5-2-3 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
362	2019-07-03 11시	12시	SiC Etch 3000A	연세대학교 의료원	방사선종양학과	권나혜	210,000원
363	2019-07-03 17시	18시	SiO2/Si 위에 패터닝된 TiN 을 증착한 기판입니다. 지난번 200 nm etching된 샘플 확인해본 결과 두께는 원하던 수준만큼 etching 된 것을 확인하였지만, 경계면이 steep 하지 않고 slope가 있는 것을 확인하였습니다. 해당 부분 개선하여 공정 진행하고 싶습니다. --> 조각 샘플을 이용한 공정이라 Profile 을 Steep 하게 만드는 것은 어려우며, 협의 후 기존 조건으로 진행함	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	149,500원
364	2019-07-04 9시	12시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,123,750원
365	2019-07-05 15시	15시	Si Wafer 기판위에 아크릴계 코팅물질이 약 6um 코팅되어 있으며, Dry Etching을 통해 약 5um 정도 평탄하게 Ethcing 하고자 합니다. 조건 : Power 250W , Gas CF4/O2=30/70sccm , 공정압력 5mTorr (가능하면 1~2mTorr로 진행, 낮을수록 좋음) 시간 5분	삼성전자	종합기술원	김낙현	149,500원
366	2019-07-08 9시	11시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
367	2019-07-09 17시	18시	TiN 200 nm 에칭하고자 합니다. 기존 진행했던 조건대로 진행해주시면 감사하겠습니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	149,500원
368	2019-07-09 9시	12시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
369	2019-07-10 9시	17시	6-3-1 CONT Etch	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	980,500원
370	2019-07-12 15시	16시	11-2-1 GC Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
371	2019-07-12 16시	17시	4-4-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
372	2019-07-12 17시	18시	4-4-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
373	2019-07-15 10시	11시	4-4-3 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
374	2019-07-15 10시	11시	4-4-3 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
375	2019-07-16 17시	18시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
376	2019-07-17 13시	14시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
377	2019-07-17 14시	15시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
378	2019-07-17 15시	16시	5-2-2 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
379	2019-07-17 16시	17시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
380	2019-07-17 19시	20시	TiN 350 nm dry etching 진행하고자 합니다. PR mask develop 까지 완료하여 장비 앞에 놓고가도록 하겠습니다. 완료되면 연락부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	149,500원
381	2019-07-17 9시	10시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
382	2019-07-19 10시	11시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
383	2019-07-19 11시	12시	4-4-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
384	2019-07-19 12시	13시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
385	2019-07-19 14시	16시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
386	2019-07-19 16시	18시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
387	2019-07-19 9시	10시	4-4-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
388	2019-07-22 9시	17시	4-2-2 F_mesh_P GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	988,000원
389	2019-07-23 14시	17시	TiN/SiO2/TiN/SiO2/TiN 이 SiO2/Si 기판위에 증착된 샘플입니다. TiN 과 SiO2 층 두께는 각각 100 nm, 50 nm 입니다. TiN 100 nm - SiO2 50 nm - TiN 100 nm - SiO2 50 nm 순으로 dry etching 진행 4회 진행	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	298,000원
390	2019-07-23 9시	12시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,147,500원
391	2019-07-24 11시	13시	5-2-2 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
392	2019-07-24 13시	14시	5-2-3 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
393	2019-07-24 15시	18시	GC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	138,500원
394	2019-07-24 9시	11시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
395	2019-07-25 13시	15시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
396	2019-07-25 16시	17시	5-2-2 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
397	2019-07-25 17시	18시	5-2-3 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
398	2019-07-25 18시	19시	5-2-2 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
399	2019-07-25 19시	20시	5-2-3 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
400	2019-07-25 9시	11시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
401	2019-07-26 10시	11시	TiN 350 nm 에칭 진행하고자 합니다. 샘플 icp-2 장비 앞에 놔두도록 하겠습니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	149,500원
402	2019-07-29 10시	14시	GC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	138,500원
403	2019-07-29 17시	18시	11-2-1 GC Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
404	2019-07-30 13시	14시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
405	2019-07-30 14시	15시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
406	2019-07-30 15시	18시	GC Oxide ETch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	138,500원
407	2019-07-31 13시	15시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
408	2019-07-31 15시	18시	GC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	138,500원
409	2019-08-01 10시	11시	TiN 350 nm dry etching 진행	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	149,500원
410	2019-08-02 11시	21시	현재 Si substrate 위에 PMGI (polymer 계열 Lift off layer 용도) 약 300 nm SiO2 패턴이 새겨져있습니다. 1단계로 SiO2 350 nm 에칭 후, 2 단계로 폴리머 계열이라, Oxygen RIE 50 W 10 mTorr 02 (reference 값입니다. 5 nm 깎는데, 이 recipe로 10 s 걸렸다고 합니다. ) 800 초 (약 14분) 부탁드리겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	고병수	199,000원
411	2019-08-05 10시	12시	8/1 - GaN Etch Test : 500 W / 600 W 120sec 7/23 - 500 W / 1000 W 6/23 - 160 sec	서울대학교	전기정보공학부	장준혁	375,000원
412	2019-08-05 12시	15시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
413	2019-08-05 15시	17시	Humidity 1차_Metal Dry Etch	알앤에스랩	센서팀	알앤에스랩	210,000원
414	2019-08-05 17시	18시	4-6-2 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	182,500원
415	2019-08-05 9시	11시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
416	2019-08-06 10시	17시	실리콘 substrate 위에 PMGI (Polymer 계열) 300 nm 되어있고, 그 위에 250 nm SiO2 패턴이 있습니다. SiO2 잔류층 제거를 위해 SIO2 150 nm 에칭 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	고병수	149,500원
417	2019-08-06 10시	12시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
418	2019-08-06 13시	14시	4-4-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
419	2019-08-06 13시	17시	게이트로 사용할 Al 을 패턴을 하기 위한 Dry etch 1000Å의 Al Dry Etch	포스텍	창의IT융합공학과	유호천	149,500원
420	2019-08-06 14시	16시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
421	2019-08-06 16시	17시	5-2-2 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
422	2019-08-06 17시	18시	5-2-3 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
423	2019-08-06 9시	10시	4-4-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
424	2019-08-07 11시	13시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,806,250원
425	2019-08-07 9시	11시	50W/50sccm/20mTorr/1min (전자과, 신성환)	(주)아이엠헬스케어	바이오센서팀	유재우	155,000원
426	2019-08-08 16시	18시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
427	2019-08-12 10시	12시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
428	2019-08-12 12시	14시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
429	2019-08-12 14시	16시	5-2-2 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
430	2019-08-12 16시	17시	5-2-3 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
431	2019-08-12 9시	10시	4-4-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
432	2019-08-13 11시	12시	11-2-1 GC Oxide etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
433	2019-08-13 9시	10시	Thermopile 2차 Metal Dry Etch	알앤에스랩	센서팀	알앤에스랩	210,000원
434	2019-08-14 10시	12시	5-2-3 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
435	2019-08-14 9시	10시	5-2-2 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
436	2019-08-16 10시	12시	7-3-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
437	2019-08-16 12시	14시	4-4-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
438	2019-08-16 14시	16시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
439	2019-08-19 13시	15시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,147,500원
440	2019-08-20 10시	12시	Thermopile 3차 Metal Dry Etch	알앤에스랩	센서팀	알앤에스랩	375,000원
441	2019-08-20 12시	14시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
442	2019-08-20 16시	18시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
443	2019-08-20 9시	10시	icp 에칭 서비스 신청합니다. SF6 / 02 plasma로 PDMS 에칭 테스트를 진행	포항공과대학교	신소재공학과	백상원	149,500원
444	2019-08-21 13시	14시	TiN 350 nm dry etching 진행하고자 합니다. ICP-2 장비앞에 놔두도록하겠습니다. 공정 완료되면 연락부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	149,500원
445	2019-08-21 16시	18시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
446	2019-08-21 18시	19시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
447	2019-08-22 10시	18시	sio2 150 nm etching 부탁드리겠습니다. 조각 : 8개 - 2회로 진행	포항공과대학교	기계공학과	고병수	199,000원
448	2019-08-22 15시	17시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
449	2019-08-22 18시	19시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
450	2019-08-23 9시	11시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,147,500원
451	2019-08-26 11시	12시	5-2-3 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
452	2019-08-26 9시	11시	5-2-2 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
453	2019-08-27 15시	17시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
454	2019-08-28 14시	16시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,806,250원
455	2019-08-28 17시	19시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
456	2019-09-01 9시	11시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
457	2019-09-02 11시	13시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,147,500원
458	2019-09-02 13시	15시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,147,500원
459	2019-09-02 9시	11시	11-2-1 PG Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
460	2019-09-03 16시	17시	11-2-1 GC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
461	2019-09-04 10시	11시	4-2-2 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
462	2019-09-04 17시	18시	TiN/SiO2 multi-layer dry etching 진행하고자 합니다. TiN 250 nm, SiO2 100 nm, TiN 250 nm, SiO2 100 nm, TiN 150 nm 순서로 etching 진행하고자 합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	149,500원
463	2019-09-05 09시	10시	SiO2 200 nm 에칭 sample : patterned PR / SiO2 (200 nm) / Si	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	144,000원
464	2019-09-05 10시	11시	4-4-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
465	2019-09-05 11시	12시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
466	2019-09-06 13시	15시	Poly Silicon ETch	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	149,500원
467	2019-09-06 15시	17시	METAL ETCH	알앤에스랩	센서팀	알앤에스랩	155,000원
468	2019-09-09 15시	17시	5-2-2 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
469	2019-09-09 17시	19시	5-2-3 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
470	2019-09-09 9시	10시	SiO2 190 nm 에칭	포항공과대학교	전자전기공학과	박익수	144,000원
471	2019-09-10 10시	12시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
472	2019-09-10 12시	13시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
473	2019-09-10 9시	10시	4-4-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
474	2019-09-16 10시	18시	SiC 공정 SiC Etch 진행 [과제번호:4.0018159.01] : 1.5um Target	(주)유우일렉트로닉스	(주)유우일렉트로닉스	박일몽	1,127,250원
475	2019-09-16 9시	10시	4-4-1 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
476	2019-09-17 10시	11시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
477	2019-09-17 11시	12시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
478	2019-09-17 9시	10시	4-4-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
479	2019-09-18 9시	11시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
480	2019-09-19 11시	12시	5-2-3 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
481	2019-09-19 9시	11시	4-5-2 PC PR Remove	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
482	2019-09-20 16시	18시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
483	2019-09-23 11시	12시	5-2-3 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
484	2019-09-23 9시	11시	5-2-2 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
485	2019-09-24 11시	13시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,806,250원
486	2019-09-24 17시	18시	11-2-1 GC Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
487	2019-09-24 9시	11시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
488	2019-09-25 9시	12시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
489	2019-09-26 13시	14시	TiN 과 SiO2 가 교대로 증착된 기판 에칭 진행하고자 합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	149,500원
490	2019-09-26 14시	15시	11-2-1 GC Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
491	2019-09-26 16시	18시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
492	2019-09-30 10시	12시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
493	2019-09-30 13시	15시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
494	2019-09-30 15시	16시	5-2-2 MC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
495	2019-10-01 13시	14시	TiN 350 nm etching 진행 : 조각 9개 - 2회 진행	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	199,000원
496	2019-10-01 9시	10시	3-2-1 PG Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
497	2019-10-03 11시	13시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	0원
498	2019-10-03 9시	11시	4-4-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	0원
499	2019-10-04 16시	18시	11-2-1 GC Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
500	2019-10-07 9시	12시	Al 1000A Etch	포스텍	창의IT융합공학과	유호천	149,500원
501	2019-10-08 10시	13시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
502	2019-10-08 10시	12시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	0원
503	2019-10-08 12시	16시	PoIyimide etch 2um	한국나노기술원	융합공정기술본부	임두리	155,000원
504	2019-10-08 13시	17시	pGaN/AlGaN 선택비 평가	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
505	2019-10-08 17시	19시	11-2-1 GC Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
506	2019-10-08 9시	11시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	0원
507	2019-10-10 11시	15시	SiO2 etch : 100nm / 100nm	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	199,000원
508	2019-10-10 17시	19시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
509	2019-10-10 9시	10시	11-2-1 GC Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
510	2019-10-11 16시	18시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
511	2019-10-11 9시	11시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
512	2019-10-14 10시	17시	실리콘 웨이퍼에 Micro lens array의 음각에 해당하는 형상을 패터닝하기 위하여 Positive PR이 코팅되고, 형상이 임프린팅 되어 있습니다. 이방성 식각을 통해 PR에 형성된 패턴을 그대로 웨이퍼에 전사하고자 공정을 요청 드립니다. 저희도 아직 시도해 본 바가 없어 결과는 예측할 수 없고, 연구단계에서 새롭게 시도해보고자 합니다. PR 종류 : AZ 9260 PR 두께 : 15um residual : 형상에 따라 3~ 10um 식각 두께는 PR이 모두 깎여나갈 수 있는 20~30um정도를 요청드리고자 합니다.	연세대학교	기계공학과	이주호	265,000원
513	2019-10-14 13시	15시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	0원
514	2019-10-14 17시	18시	1. Sample : 3매 (Ni 1900A mask / TiN 400A / GaN on Si) 2. Etching target : TiN 20 / 40 / 60nm target 으로 1매씩 etching	LG전자	센서솔루션연구소	홍정엽	256,750원
515	2019-10-14 9시	11시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
516	2019-10-14 9시	12시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
517	2019-10-15 12시	14시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
518	2019-10-15 14시	16시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
519	2019-10-15 9시	12시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	0원
520	2019-10-16 10시	11시	TiN Etch : 60nm	LG전자	센서솔루션연구소	홍정엽	152,250원
521	2019-10-16 13시	18시	pGaN 선택비 Etch 평가	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
522	2019-10-16 13시	15시	15초+45초 GaN etch	LG전자	센서솔루션연구소	홍정엽	152,250원
523	2019-10-16 15시	16시	30초/60초 GaN Etch	LG전자	센서솔루션연구소	홍정엽	204,500원
524	2019-10-17 12시	14시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
525	2019-10-17 13시	15시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
526	2019-10-17 15시	16시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
527	2019-10-17 16시	18시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
528	2019-10-17 18시	20시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
529	2019-10-18 12시	15시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
530	2019-10-18 15시	17시	3-2-1 PG Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
531	2019-10-21 10시	16시	pGaN 선택비 Etch 평가	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
532	2019-10-21 15시	18시	TiN Etch 평가 : 조각 3개, 60nm	LG전자	센서솔루션연구소	홍정엽	152,250원
533	2019-10-21 9시	12시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
534	2019-10-22 10시	13시	GaN Etch - 180sec / 90sec	LG전자	센서솔루션연구소	홍정엽	204,500원
535	2019-10-22 12시	14시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
536	2019-10-23 10시	13시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
537	2019-10-23 13시	15시	5-2-1 MC Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
538	2019-10-23 13시	14시	22일 유선상으로 연락드렸던 김익재 입니다. TiN/SiO2 stack을 chamber 이동 없이 한번에 etching 하고자 합니다. 그에 앞서 TiN 과 SiO2 etch rate을 확인하기위해 TiN (100 nm) 샘플과 TiN/SiO2/TiN/SiO2/TiN (TiN 100 nm, SiO2 50 nm) 샘플 공정 의뢰합니다. 완료시 연락부탁드립니다. 010-3127-3967	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	149,500원
539	2019-10-23 14시	18시	GaN Etch - 140sec	LG전자	센서솔루션연구소	홍정엽	204,500원
540	2019-10-23 15시	17시	5-2-2 MC Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
541	2019-10-23 9시	11시	11-2-1 GC Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
542	2019-10-24 15시	17시	GaN Etch 평가. ; No Compound	LG전자	센서솔루션연구소	홍정엽	152,250원
543	2019-10-24 9시	11시	11-2-1 GC Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
544	2019-10-25 9시	10시	TiN 패터닝되어있는 기판입니다. 현재 multi-stack에 사용하는 공정조건이 아닌 기존 TiN 단층 에칭 조건으로 350 nm 에칭하고자 합니다. 조각 9개 - 5개이상 2회	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	199,000원
545	2019-10-28 11시	13시	5-2-1 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
546	2019-10-28 14시	17시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
547	2019-10-28 9시	11시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
548	2019-10-29 12시	15시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
549	2019-10-29 9시	12시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
550	2019-10-30 9시	12시	TiN/SiO2/TiN/SiO2/TiN 샘플입니다. SF6 gas 조건을 이용하여 multi-stack etching 하고자 합니다. SF6 gas 조건으로 130'' etching 부탁드립니다. 조각 7개 - 2회	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	199,000원
551	2019-10-31 11시	13시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
552	2019-10-31 9시	11시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
553	2019-11-01 16시	18시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
554	2019-11-01 9시	11시	4-4-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
555	2019-11-04 10시	12시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
556	2019-11-04 13시	15시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
557	2019-11-04 9시	11시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
558	2019-11-05 10시	12시	pGaN Etch Test : Si / SiO2 선택비 TEST	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
559	2019-11-06 11시	13시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
560	2019-11-06 13시	15시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
561	2019-11-06 15시	16시	열전소자 시험분석_Pillar Etch : Oxide 5000A etch	주식회사 싸이츠	기업부설연구소	백창기	650,000원
562	2019-11-06 15시	17시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
563	2019-11-06 16시	18시	4-4-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
564	2019-11-06 9시	12시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
565	2019-11-07 10시	13시	pGaN 선택비 Etch Test : Si / SiO2	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
566	2019-11-07 14시	16시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
567	2019-11-08 13시	16시	SiO2 (100 nm) / Si 기판 상단에 TiN 100 nm 증착한 샘플입니다. SF6 gas 조건 이용하여 상단 TiN 100 nm 와 SiO2 100 nm 에칭하고자 합니다. 50'' 에서 60'' 정도 에칭해야할 것으로 예상하고 있는데, 적합한 수치로 조정하여 에칭 조각 6개 - 2회 진행	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	199,000원
568	2019-11-08 16시	18시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
569	2019-11-08 9시	12시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,123,750원
570	2019-11-11 10시	13시	pGaN 선택비 Etch Test : Si /SiO2	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
571	2019-11-11 12시	14시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
572	2019-11-11 13시	15시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
573	2019-11-11 15시	16시	1-2-1 AKEY Etch	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	240,250원
574	2019-11-11 9시	11시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
575	2019-11-12 10시	13시	pGaN 선택비 Etch Test : Si / SiO2	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
576	2019-11-12 17시	19시	pGaN 선택비 Etch Test : Si /SiO2	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
577	2019-11-13 13시	16시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
578	2019-11-13 9시	11시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
579	2019-11-14 11시	13시	4-2-2 PC TIN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
580	2019-11-14 13시	16시	SiC KEY ETCH	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	240,250원
581	2019-11-14 9시	11시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
582	2019-11-15 12시	15시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
583	2019-11-15 9시	12시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
584	2019-11-18 12시	14시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
585	2019-11-18 14시	16시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
586	2019-11-18 9시	12시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
587	2019-11-19 10시	12시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
588	2019-11-19 11시	13시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
589	2019-11-19 13시	14시	TiN 층 Cl2 조건 이용하여 350 nm 에칭 진행하고자 합니다. 조각 9개 - 2회 진행	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	172,000원
590	2019-11-19 9시	11시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
591	2019-11-21 10시	14시	2-2-1 BEVEL ETCH - SiC 2.0um	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	540,250원
592	2019-11-21 11시	12시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
593	2019-11-21 12시	14시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
594	2019-11-21 13시	15시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
595	2019-11-21 9시	11시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
596	2019-11-22 13시	17시	pGaN 선택비 etch Test - pGaN & AlGaN	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
597	2019-11-25 14시	16시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
598	2019-11-25 16시	18시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
599	2019-11-26 10시	14시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
600	2019-11-26 14시	16시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
601	2019-11-26 16시	19시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
602	2019-12-02 12시	16시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
603	2019-12-02 9시	12시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
604	2019-12-04 13시	14시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
605	2019-12-04 14시	16시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	210,000원
606	2019-12-04 16시	18시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
607	2019-12-04 9시	13시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
608	2019-12-05 11시	12시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	210,000원
609	2019-12-05 14시	16시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
610	2019-12-05 9시	13시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
611	2019-12-06 10시	12시	1-2-1 GaN Dry Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	320,000원
612	2019-12-06 11시	14시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,830,000원
613	2019-12-06 14시	16시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
614	2019-12-09 14시	17시	pGaN Etch Sel. Test - Si / Oxide Etch 각각 2매	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
615	2019-12-09 16시	18시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
616	2019-12-10 10시	11시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	182,500원
617	2019-12-10 13시	16시	pGaN 선택비 Etch 평가 : Si/SiO2	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
618	2019-12-10 13시	14시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	182,500원
619	2019-12-10 14시	15시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	0원
620	2019-12-10 15시	16시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	0원
621	2019-12-10 9시	10시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
622	2019-12-11 10시	12시	pGaN 선택비 Etch 평가 : Si/SiO2	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
623	2019-12-11 11시	12시	4-4-1 PC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	182,500원
624	2019-12-11 13시	15시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	210,000원
625	2019-12-11 15시	16시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	210,000원
626	2019-12-12 10시	12시	pGaN 선택비 Etch 평가 : pGaN / AlGaN	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
627	2019-12-12 13시	14시	5-2-1 MC Etch (oxide etch)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	182,500원
628	2019-12-12 14시	15시	5-2-2 MC Etch (GaN Etch)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	182,500원
629	2019-12-12 9시	11시	6-2-1 M0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	0원
630	2019-12-16 10시	18시	OXIDE ETCH 13000 A	포항공과대학교	신소재공학과	임석재	399,000원
631	2019-12-16 9시	11시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	865,000원
632	2019-12-17 14시	15시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	182,500원
633	2019-12-17 15시	17시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	210,000원
634	2019-12-17 9시	12시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
635	2019-12-18 9시	11시	GaN Etch : 5000 A	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	320,000원
636	2019-12-19 10시	12시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,010,000원
637	2019-12-19 13시	14시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
638	2019-12-19 14시	16시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
639	2019-12-19 9시	10시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	782,500원
640	2019-12-23 11시	18시	9-2-1 PO Oxide Etch (12000A)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	797,500원
641	2019-12-23 18시	19시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
642	2019-12-26 11시	13시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
643	2019-12-26 13시	14시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
644	2019-12-26 14시	16시	5-2-1 MC GaN ETCH	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
645	2019-12-26 9시	10시	SiO2/Si 기판위에 TiN 패터닝 해놓은 기판. Cl2 조건으로 TiN 350 nm dry etching. --> 9개로 2회 청구함(5개/회)	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	199,000원
646	2020-01-03 13시	14시	PC OXIDE ETCH	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	138,500원
647	2020-01-03 14시	15시	PC TIN ETCH	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	138,500원
648	2020-01-03 19시	20시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
649	2020-01-03 20시	21시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
650	2020-01-06 10시	11시	pGaN ETCH TEST	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	138,500원
651	2020-01-06 11시	13시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
652	2020-01-06 14시	16시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
653	2020-01-06 17시	18시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
654	2020-01-06 17시	18시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
655	2020-01-06 19시	20시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
656	2020-01-06 19시	20시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
657	2020-01-07 10시	12시	SiN Low Etchrate Test	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
658	2020-01-07 16시	18시	SiN Low Etchrate 평가	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
659	2020-01-08 13시	17시	ISO GaN Etch : 4.5um 이상, 선행	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	544,000원
660	2020-01-08 13시	15시	SiN ER in Pattern GC	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
661	2020-01-08 17시	18시	5-2-1 MC OX ETCH, 76sec	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
662	2020-01-08 17시	19시	M1 ETCH OXIDE FILM TEST	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	292,500원
663	2020-01-09 9시	10시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
664	2020-01-10 10시	11시	TiN 패터닝 되어 있는 소자 입니다. Cl2 공정 조건으로 TiN 350 nm 에칭하고자 합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	199,000원
665	2020-01-10 11시	12시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
666	2020-01-10 13시	14시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
667	2020-01-13 13시	14시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
668	2020-01-13 15시	17시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
669	2020-01-13 17시	18시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
670	2020-01-16 10시	12시	pGaN 선택비 Etch 평가	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	138,500원
671	2020-01-16 13시	15시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
672	2020-01-16 15시	16시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
673	2020-01-17 14시	15시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
674	2020-01-17 15시	17시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
675	2020-01-20 10시	12시	pGaN 선택비 etch test	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	138,500원
676	2020-01-20 10시	12시	pGaN 선택비 Etch 평가	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	138,500원
677	2020-01-20 11시	13시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
678	2020-01-20 12시	14시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	182,500원
679	2020-01-23 9시	10시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
680	2020-01-23 9시	11시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
681	2020-01-29 16시	17시	4-2-1 PC Oxide etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
682	2020-01-29 17시	18시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
683	2020-01-29 18시	19시	4-2-2 PC TiN etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
684	2020-01-29 19시	20시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
685	2020-01-30 13시	15시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
686	2020-01-30 15시	17시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
687	2020-01-31 15시	16시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
688	2020-01-31 16시	17시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
689	2020-01-31 17시	18시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
690	2020-01-31 18시	19시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
691	2020-02-03 14시	15시	SiO2/Si 상단에 TiN 패터닝 해놓은 기판입니다. Cl2 조건 이용하여 TiN 350 nm 에칭하고자 합니다. 샘플은 에칭 장비 앞에 두겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	149,500원
692	2020-02-03 15시	16시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
693	2020-02-03 16시	17시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
694	2020-02-03 17시	18시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
695	2020-02-03 18시	19시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
696	2020-02-03 9시	10시	1-2-1 F_Via GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	320,000원
697	2020-02-04 10시	13시	SiN Low ER Test / Film Split	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
698	2020-02-04 11시	12시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
699	2020-02-04 14시	15시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
700	2020-02-04 14시	15시	11-2-1 GC SiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
701	2020-02-04 16시	18시	Metal 1 Etch Split	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
702	2020-02-05 11시	12시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
703	2020-02-05 14시	17시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	388,750원
704	2020-02-05 9시	10시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
705	2020-02-06 13시	15시	5-2-1 MC Oxide etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
706	2020-02-06 15시	16시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
707	2020-02-06 16시	19시	4-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	388,000원
708	2020-02-06 9시	12시	4-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	388,000원
709	2020-02-07 10시	11시	1-2-1 F_Via GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	276,000원
710	2020-02-07 14시	16시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
711	2020-02-08 9시	18시	4-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	532,000원
712	2020-02-10 10시	12시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
713	2020-02-10 13시	14시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
714	2020-02-11 10시	14시	2월 10일에 Quartz wafer 의 1.2um dry 식각을 위한 Positive patterning 진행을 요청드렸으며, Photo litho. 담당자분께 wafer를 전달 받으시면 됩니다. ICP를 이용하여 1.2um etching을 요청드립니다. [나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업]으로 금액 처리 진행 부탁드립니다.	(주)제이티에스인더스트리	연구개발부	류세훈	0원
715	2020-02-11 12시	18시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	913,750원
716	2020-02-13 10시	12시	Silicon Deep Etching, HM Oxide Etching	리노공업	리노공업	곽영대	375,000원
717	2020-02-14 10시	14시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
718	2020-02-14 14시	17시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	448,750원
719	2020-02-17 15시	16시	11-2-1 GC SiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
720	2020-02-17 16시	17시	1-2-1 F_Via GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	320,000원
721	2020-02-18 9시	10시	나노 인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작 지원사업	(주)제이티에스인더스트리	연구개발부	류세훈	0원
722	2020-02-19 12시	16시	12-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	332,500원
723	2020-02-19 16시	18시	Silicon Deep Etching, Oxide Etching	리노공업	리노공업	곽영대	155,000원
724	2020-02-19 9시	14시	12-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	565,000원
725	2020-02-20 11시	13시	13-2-1 M1 Metal Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	782,500원
726	2020-02-20 14시	17시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
727	2020-02-20 9시	11시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,123,750원
728	2020-02-21 16시	17시	4-2-1 ISO-1 GaN Etch (75s+75s)x3회	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	676,000원
729	2020-02-26 15시	16시	4-2-1 PC Etch (Oxide etch)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
730	2020-02-26 16시	17시	4-2-2 PC Etch (TiN Dry etch)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
731	2020-02-26 17시	18시	13-2-1 M1 Metal dry etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
732	2020-02-27 13시	17시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	565,000원
733	2020-02-27 17시	11시	3-2-1 Membrane Open ONO Etch	(주) 센텍코리아	생산기술연구팀	임채현	1,274,000원
734	2020-03-02 11시	13시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
735	2020-03-02 13시	14시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
736	2020-03-02 13시	15시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
737	2020-03-02 14시	15시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
738	2020-03-02 15시	17시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
739	2020-03-02 16시	18시	3-2-1 PG GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
740	2020-03-02 9시	11시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
741	2020-03-02 9시	11시	8-2-1 M1 Metal Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
742	2020-03-03 13시	18시	4-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	676,000원
743	2020-03-04 10시	12시	M1 Etch 최적화 평가	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	215,500원
744	2020-03-04 11시	12시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
745	2020-03-04 14시	15시	Al 100 nm, SiO2 50 nm dry etching 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	146,750원
746	2020-03-04 9시	10시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
747	2020-03-06 11시	14시	3-3-1 Contact ONO Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	320,000원
748	2020-03-06 13시	15시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
749	2020-03-06 14시	15시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
750	2020-03-06 15시	16시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
751	2020-03-06 16시	18시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
752	2020-03-06 9시	12시	7-2=-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
753	2020-03-09 13시	15시	HM OXIDE ETCH	리노공업	리노공업	곽영대	155,000원
754	2020-03-09 14시	15시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
755	2020-03-09 15시	16시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
756	2020-03-09 16시	17시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
757	2020-03-09 17시	18시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
758	2020-03-09 9시	14시	7-3-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	565,000원
759	2020-03-10 13시	15시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
760	2020-03-10 14시	15시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
761	2020-03-10 18시	20시	이방성 식각	리노공업	리노공업	곽영대	155,000원
762	2020-03-11 13시	14시	5-3-1 Contact Hole Oxide Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	320,000원
763	2020-03-11 13시	16시	12-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	565,000원
764	2020-03-11 15시	18시	4-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	820,000원
765	2020-03-11 9시	11시	8-2-1 M1 Metal Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
766	2020-03-12 10시	12시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
767	2020-03-12 14시	15시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
768	2020-03-12 9시	10시	1-2-1 F_Via GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	320,000원
769	2020-03-13 12시	13시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
770	2020-03-13 9시	11시	13-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
771	2020-03-16 11시	13시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
772	2020-03-16 11시	12시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
773	2020-03-16 15시	16시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
774	2020-03-16 9시	11시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
775	2020-03-17 14시	16시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
776	2020-03-17 16시	17시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
777	2020-03-18 14시	15시	11-2-1 GC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	182,500원
778	2020-03-19 17시	18시	7-2-1 V0 Etch (1.06um 타겟)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	565,000원
779	2020-03-20 14시	15시	SiO2 Etching : 300nm & 600nm Etchinh Sample	포항공과대학교	화학공학과	박준호	149,500원
780	2020-03-20 16시	17시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
781	2020-03-23 9시	11시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
782	2020-03-24 10시	12시	1-2-1 AKEY Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	240,250원
783	2020-03-24 13시	15시	4-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	820,000원
784	2020-03-26 14시	15시	1-2-1 F_Via GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	188,000원
785	2020-03-26 15시	16시	4-2-2 PC Etch (TiN Etch)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
786	2020-03-26 9시	10시	4-2-1 PC Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
787	2020-03-27 10시	11시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
788	2020-03-27 13시	17시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	565,000원
789	2020-03-27 17시	18시	sio2 500 nm etching (장비 레시피 기준 120초 etching) 부탁드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	박준호	149,500원
790	2020-03-30 11시	14시	4-2-1 Iso-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	820,000원
791	2020-03-30 14시	16시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
792	2020-03-30 17시	18시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
793	2020-03-31 10시	11시	8-2-1 M1 etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
794	2020-03-31 13시	14시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
795	2020-03-31 14시	15시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
796	2020-03-31 15시	16시	4-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	388,000원
797	2020-04-01 11시	13시	11-2-1 GC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	292,500원
798	2020-04-02 12시	14시	12-2-1 V1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	898,750원
799	2020-04-02 14시	15시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
800	2020-04-02 15시	16시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
801	2020-04-02 16시	17시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
802	2020-04-02 17시	18시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
803	2020-04-02 18시	20시	4-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	388,000원
804	2020-04-03 11시	13시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
805	2020-04-03 14시	15시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
806	2020-04-07 15시	16시	5-2-1 MC oxide etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
807	2020-04-07 16시	17시	5-2-2 MC GaN etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
808	2020-04-08 10시	12시	SiO2 Etch 평가	LG전자	센서연구소	현구	155,000원
809	2020-04-08 11시	12시	4-3-1 Contact Oxide Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	188,000원
810	2020-04-08 12시	13시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
811	2020-04-08 12시	14시	HM Oxide Etch	리노공업	리노공업	곽영대	155,000원
812	2020-04-08 13시	15시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
813	2020-04-08 15시	16시	7-2-1 V0 Etch (1.06um oxide etch)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
814	2020-04-08 17시	19시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	388,750원
815	2020-04-08 9시	10시	4-2-1 PC Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
816	2020-04-09 11시	13시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
817	2020-04-10 13시	14시	13-2-1 M2 Metal dry etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,123,750원
818	2020-04-10 14시	15시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
819	2020-04-10 15시	16시	4-2-1 PC Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
820	2020-04-10 16시	17시	4-2-1 PC Etch (Oxide etch)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
821	2020-04-13 10시	11시	4-2-2 PC Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
822	2020-04-13 15시	16시	4-2-2 PC Etch (TiN etch)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
823	2020-04-13 15시	18시	Oxide/TiN Etch 평가	LG전자	센서연구소	현구	210,000원
824	2020-04-13 17시	18시	500 nm sio2 식각 부탁드립니다. (120초) 조각 11개 -> 2회 청구 (조각 5개/회)	포항공과대학교	화학공학과	박준호	199,000원
825	2020-04-14 10시	12시	AlO, SiN, SiO Etch	(주)한화 아산2사업장	R&D2팀	김영기	155,000원
826	2020-04-14 11시	12시	7-2-4 V0 Etch (1.06um oxide etch)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	565,000원
827	2020-04-14 14시	16시	11-2-1 GC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	388,750원
828	2020-04-16 13시	15시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
829	2020-04-16 15시	16시	1=2=1 F_Via GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	232,000원
830	2020-04-17 12시	13시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
831	2020-04-17 13시	14시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
832	2020-04-20 10시	12시	1/2 6" Etch 공정 평가	LG전자	센서연구소	현구	155,000원
833	2020-04-20 15시	17시	7-2-1 V0 Etch (oxide 1.06um)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	565,000원
834	2020-04-20 18시	20시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	388,750원
835	2020-04-20 20시	22시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
836	2020-04-21 11시	13시	5-3-1 Contact Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	232,000원
837	2020-04-21 15시	16시	TiN/SiO2 적층된 기판입니다. SF6 가스 조건 이용하여 에칭 진행하고자 합니다. (110초 ~ 150초, 자세한 조건은 적어놓았습니다) 샘플은 ICP 장비 앞에 두었습니다. 최대한 빨리 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	248,500원
838	2020-04-21 16시	17시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
839	2020-04-21 17시	18시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
840	2020-04-22 12시	14시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	215,500원
841	2020-04-22 13시	16시	HM Oxide Etch	리노공업	리노공업	곽영대	375,000원
842	2020-04-22 14시	15시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
843	2020-04-22 17시	19시	3-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	532,000원
844	2020-04-22 9시	11시	8-2-1 M1 Metal Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
845	2020-04-23 9시	12시	13-2-1 M2 Metal Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
846	2020-04-24 17시	18시	4-2-1 PC oxide etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
847	2020-04-24 18시	19시	7-3-1 Contact Oxide Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	232,000원
848	2020-04-24 9시	12시	GaN Etch 평가 진행	LG전자	센서연구소	현구	265,000원
849	2020-04-27 13시	15시	7-2-1 V0 oxide etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
850	2020-04-27 15시	16시	5-2-1 MC oxide etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
851	2020-04-27 16시	17시	5-2-2 MC GaN etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
852	2020-04-27 17시	18시	7-3-1 V0 PR Remove (FC60)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	407,500원
853	2020-04-27 9시	10시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
854	2020-04-28 10시	11시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
855	2020-04-28 11시	15시	9-2-1 PO Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	534,000원
856	2020-04-28 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
857	2020-04-28 15시	19시	7-2-01 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
858	2020-04-28 17시	18시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
859	2020-04-29 10시	12시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
860	2020-04-29 13시	14시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
861	2020-05-04 1시	1시	공정조건은 유선으로 말씀 나누신데로 부탁드립니다. 100W / Ar / 1min 100W / Ar / 2min 200W / Ar / 1min 200W / Ar / 2min	삼성종합기술원	무기소재Lab	최민우	276,000원
862	2020-05-04 10시	13시	Al 12um 식각 --> Al 호일 Etch Test. -> SUS Etch 추가 평가 진행 ==> 호일 휨 발생 및 SUS Etchrate Low	한국원자력연구원	양성자과학연구단(경주)	석재권	155,000원
863	2020-05-04 10시	11시	SiO2 500 nm (SF6 120초)	포항공과대학교	화학공학과	박준호	149,500원
864	2020-05-04 11시	17시	12-2-1 V1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	913,750원
865	2020-05-04 14시	15시	TiN/SiO2 적층된 기판입니다. SF6 가스 조건 이용하여 에칭 진행. (110초 ~ 150초, 자세한 조건은 적어놓았습니다)	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	248,500원
866	2020-05-06 11시	16시	3-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	532,000원
867	2020-05-06 11시	12시	500nm sio2	포항공과대학교	화학공학과	박준호	149,500원
868	2020-05-06 18시	20시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
869	2020-05-06 20시	21시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
870	2020-05-07 11시	16시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	565,000원
871	2020-05-07 16시	19시	12-2-1 V1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	797,500원
872	2020-05-07 9시	12시	13-2-1 M2 Etch (Ti 250A/TiN 250A/ Al 4um/TiN 250A)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
873	2020-05-08 11시	12시	1-2-1 F_Via GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	232,000원
874	2020-05-08 15시	16시	5-3-1 Contact Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	232,000원
875	2020-05-11 10시	12시	8-2-1 M1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
876	2020-05-11 11시	12시	sio2 500 nm 식각 (SF6 120초)	포항공과대학교	화학공학과	박준호	149,500원
877	2020-05-11 14시	15시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
878	2020-05-11 15시	16시	SiN 380 nm 에칭 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김인기	149,500원
879	2020-05-11 16시	18시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
880	2020-05-12 10시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,488,750원
881	2020-05-12 13시	14시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
882	2020-05-12 15시	16시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
883	2020-05-12 16시	17시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
884	2020-05-12 17시	18시	7-3-1 Contact Hole Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	232,000원
885	2020-05-12 18시	21시	3-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	532,000원
886	2020-05-13 10시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,147,500원
887	2020-05-13 13시	14시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
888	2020-05-13 15시	15시	TiN 15nm 입니다. 유선으로 말씀나눈 공정 조건 남겨 놓겠습니다. Ar 100W 15sec Ar 100W 30sec Ar 100W 45sec	삼성종합기술원	무기소재Lab	최민우	232,000원
889	2020-05-13 15시	16시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
890	2020-05-15 12시	15시	12-2-1 V1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	565,000원
891	2020-05-15 15시	17시	TiN etch	LG전자	CTO 부문 센서(연)선행센서기반기술TP	박형조	210,000원
892	2020-05-18 11시	12시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
893	2020-05-18 13시	14시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
894	2020-05-18 9시	11시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
895	2020-05-19 10시	11시	1-2-1 F_Via GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	232,000원
896	2020-05-19 13시	14시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
897	2020-05-19 14시	16시	3-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	232,000원
898	2020-05-20 10시	12시	13-2-1 M2 Metal Dry etch (Ti 250A/TiN 250A/Al 4um/TiN 250A)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,123,750원
899	2020-05-20 14시	15시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
900	2020-05-20 14시	15시	4-2-1 PC oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
901	2020-05-20 15시	16시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
902	2020-05-20 16시	19시	12-2-1 V1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	523,750원
903	2020-05-20 9시	10시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
904	2020-05-21 10시	12시	TiN Etch : Split 200W - 30", 1', 2'	삼성종합기술원	무기소재Lab	최민우	232,000원
905	2020-05-22 13시	16시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
906	2020-05-25 10시	12시	3-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	532,000원
907	2020-05-25 14시	16시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
908	2020-05-25 16시	17시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
909	2020-05-26 10시	12시	5-2-1 MC Oxide etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
910	2020-05-26 13시	14시	5-2-2 MC GaN etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
911	2020-05-26 16시	18시	3-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	532,000원
912	2020-05-27 10시	12시	GaN Etch 조건 평가 : 조각 3개 위치별 평가	LG전자	센서연구소	현구	155,000원
913	2020-05-27 12시	18시	첫번째 Sample group 200W Ar, 4min 30sec ~ 5min 30sec 두번째 Sample group 200W Ar, 5min 30sec ~ 6min 30sec 각 그룹 별 3 조건 Split	삼성종합기술원	무기소재Lab	최민우	764,000원
914	2020-05-27 13시	15시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,123,750원
915	2020-05-27 16시	20시	12-2-1 V1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	681,250원
916	2020-05-27 9시	11시	3-2-1 ISO GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	244,000원
917	2020-05-28 13시	14시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
918	2020-05-28 9시	11시	GaN Etch 평가 : 압력 Split - 10/15/20	LG전자	센서연구소	현구	265,000원
919	2020-05-29 16시	17시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
920	2020-05-29 9시	11시	GaN Etch Test : O2 Gas	LG전자	센서연구소	현구	265,000원
921	2020-06-01 13시	15시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,806,250원
922	2020-06-01 9시	13시	12-2-1 V1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	565,000원
923	2020-06-03 13시	15시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
924	2020-06-04 11시	14시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,147,500원
925	2020-06-04 14시	18시	12-2-1 V1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	565,000원
926	2020-06-08 10시	14시	13-2-1 M2 Dry Etch (Ti250A/TiN250A/Al 4um/TiN 250A)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,147,500원
927	2020-06-08 14시	15시	AlN (AlN+Al-rich-GaN+AlN) / GaN / Si 기판에서 (~575 nm / 7.4 um / 750 um) AlN 및 GaN etch를 요청합니다. 최종 GaN (<~2.0 um)/ Si를 구성하는데 있어서, GaN 식각 표면이 매우 rough하여 이를 개선하기 위한 New etch recipe를 얻고자 합니다. 1) 고 선택비 AlN etch recipe (GaN 식각 안됨) 2) AlN과 GaN 선택비가 거의 1:1인 recipe 상기 두 가지 경우의 공정조건 확보가 목적이며, 2)는 차선책입니다. 그리고 최종 GaN 표면의 조도도 평가 대상입니다. 3 type condition, 각 2매 진행	삼성종합기술원	Nano Electronics Lab. (NEL)	이은성	364,000원
928	2020-06-12 13시	14시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,374,000원
929	2020-06-12 15시	16시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
930	2020-06-17 15시	16시	3-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	232,000원
931	2020-06-18 14시	15시	1-2-1 N_OPEN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	232,000원
932	2020-06-18 16시	17시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
933	2020-06-18 17시	18시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
934	2020-06-19 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
935	2020-06-22 10시	10시	- 포토공정(AZ4620, 5um) 완료 - Polyimide(2um) Etch 공정 의뢰 - PR Strip 및 CD-SEM 측정 의뢰 - 박일몽 선임연구원 협의 완료	한국나노기술원	융합공정기술본부	임두리	155,000원
936	2020-06-22 16시	18시	3-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	388,000원
937	2020-06-23 13시	15시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
938	2020-06-23 15시	16시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
939	2020-06-23 16시	17시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
940	2020-06-23 9시	10시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
941	2020-06-24 9시	11시	3-4-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	388,000원
942	2020-06-25 9시	10시	13-2-1 M2 Etch (Ti250A/TiN250A/Al 4um/TiN250A)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,374,000원
943	2020-06-25 9시	10시	Oxide etch	한국기계연구원	인쇄전자연구실	우규희	210,000원
944	2020-06-29 10시	12시	기존 진행하던 SiO2/TiN Etching공정 2회 진행	LG전자	센서연구소	현구	310,000원
945	2020-06-29 13시	16시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
946	2020-06-29 16시	17시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
947	2020-06-29 18시	19시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
948	2020-06-29 19시	20시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
949	2020-06-30 13시	16시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
950	2020-07-01 13시	14시	1-2-1 N_OPEN GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	232,000원
951	2020-07-01 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,692,500원
952	2020-07-03 10시	12시	AlN Etch 평가 : Al Etch Condition T1 - 2 min, T2 - 10 min (2회)	삼성종합기술원	Nano Electronics Lab. (NEL)	이은성	232,000원
953	2020-07-03 12시	15시	AlN Etch 평가 : GaN Etch Condition T1 - 5 min, T2 - 25 min (5회)	삼성종합기술원	Nano Electronics Lab. (NEL)	이은성	364,000원
954	2020-07-03 15시	18시	3-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	532,000원
955	2020-07-06 10시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
956	2020-07-06 13시	15시	웨이퍼 위에 LCP(Liquid Crystal Polymer) film이 엘라스토머로 접착되어 있습니다. LCP film은 폴리이미드와 비슷한 폴리머입니다. LCP film 위에 금으로 된 전극들과 Ti seed layer 50nm Ti seed layer를 완벽하게 제거	부산대학교	기계공학부	이동현	155,000원
957	2020-07-06 14시	16시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
958	2020-07-06 16시	18시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
959	2020-07-06 18시	19시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
960	2020-07-06 19시	20시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
961	2020-07-06 20시	21시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
962	2020-07-06 20시	21시	4-4-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
963	2020-07-07 11시	14시	3-4-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	532,000원
964	2020-07-07 14시	15시	1-2-1 AKEY Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	193,500원
965	2020-07-07 17시	18시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
966	2020-07-08 11시	13시	4-3-1 Metal Etch_Ti/Al=200A/1um	포항공과대학교	대외협력팀	김인철	600,000원
967	2020-07-08 14시	15시	1-2-1 N_OPEN GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	232,000원
968	2020-07-08 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
969	2020-07-09 13시	15시	12-2-1 V1 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
970	2020-07-10 14시	16시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
971	2020-07-10 18시	20시	3-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	532,000원
972	2020-07-13 13시	16시	Posi PR/SiO2 100nm/TiN 45nm/ pGaN 에서 pGaN 전까지 에칭 현구선임의 에칭 조건에서 프로세스타임ㅇ 40->45s로 변경	엘지전자	센서솔루션연구소	최원희	265,000원
973	2020-07-13 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
974	2020-07-14 13시	17시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,147,500원
975	2020-07-15 13시	15시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
976	2020-07-15 15시	17시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
977	2020-07-15 17시	18시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
978	2020-07-15 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,147,500원
979	2020-07-16 10시	12시	3-4-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	532,000원
980	2020-07-17 16시	18시	2-2-1 Bevel Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	393,500원
981	2020-07-20 11시	12시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
982	2020-07-20 13시	14시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
983	2020-07-20 13시	15시	1. wf#05 - GaN Cond. - 4.1um 2. wf#20 - Al Cond. - 7.0um 3. wf#02 - Al Cond. - 5.5um 4. wf#01 - Al Cond. - 5.5um	삼성종합기술원	Nano Electronics Lab. (NEL)	이은성	2,176,000원
984	2020-07-21 19시	20시	1-2-1 N_OPEN GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	232,000원
985	2020-07-22 11시	13시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
986	2020-07-22 13시	17시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
987	2020-07-22 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,692,500원
988	2020-07-23 9시	10시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
989	2020-07-24 10시	12시	Posi PR/SiO2 100nm/TiN 45nm/ pGaN 에서 pGaN 전까지 에칭 현구선임의 에칭 조건에서 프로세스타임 40->45s로 변경	엘지전자	센서솔루션연구소	최원희	155,000원
990	2020-07-24 13시	15시	3-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	820,000원
991	2020-07-28 17시	18시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
992	2020-07-28 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,692,500원
993	2020-07-29 14시	15시	1-2-1 F_Via GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	232,000원
994	2020-07-29 18시	21시	3-4-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	820,000원
995	2020-07-29 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
996	2020-07-30 10시	11시	6-2-1 M0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
997	2020-07-30 11시	14시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
998	2020-07-31 10시	12시	13-2-1 M2 Etch ( Ti 250A/TiN 250A/ Al 4um/TiN 250A)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
999	2020-08-03 9시	11시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1000	2020-08-04 10시	16시	GaN Etch ; 3.0um 이상	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	593,500원
1001	2020-08-04 16시	17시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1002	2020-08-04 17시	18시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1003	2020-08-05 13시	15시	3-2-1 ISO-1 Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	532,000원
1004	2020-08-06 10시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1005	2020-08-06 13시	15시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
1006	2020-08-07 10시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
1007	2020-08-10 16시	18시	3-4-1 ISO-2 Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	532,000원
1008	2020-08-11 10시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
1009	2020-08-11 11시	12시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1010	2020-08-11 13시	14시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1011	2020-08-11 15시	16시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1012	2020-08-11 17시	18시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1013	2020-08-12 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1014	2020-08-13 9시	12시	1-2-1 AKEY SiC Dry Etch	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	287,000원
1015	2020-08-14 11시	13시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1016	2020-08-14 13시	14시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1017	2020-08-14 16시	18시	GaN etching : SiO2 200nm & GaN 2.0um Etch	나노융합기술원	프라운호퍼 실용화연구센터	김상조	298,000원
1018	2020-08-18 16시	17시	SnO2 90 nm Etching Test 의뢰 드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	곽현탁	149,500원
1019	2020-08-19 10시	11시	SnO2 식각 의뢰 드립니다. SnO2 조각 시편 Etching 조건과 동일하게 SiO2 Etch 조건, CF4 Condition, 시간은 60 초 진행 부탁 드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	곽현탁	149,500원
1020	2020-08-19 14시	16시	M2 Dry Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,451,000원
1021	2020-08-19 16시	18시	1-2-1 N_OPEN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	388,000원
1022	2020-08-20 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1023	2020-08-24 9시	11시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1024	2020-08-25 12시	14시	3-2-1 ISO-1 Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	388,000원
1025	2020-08-27 12시	14시	3-4-1 ISO-2 Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	244,000원
1026	2020-08-27 14시	17시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1027	2020-08-31 14시	15시	4-2-1 PC Oxide etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1028	2020-08-31 15시	16시	4-2-2 PC TiN etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1029	2020-08-31 15시	16시	4-2-1 PC Oxide etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1030	2020-08-31 16시	17시	폴리이미드 etch	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	210,000원
1031	2020-08-31 17시	18시	4-2-2 PC TiN etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1032	2020-09-01 10시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1033	2020-09-02 10시	11시	TiN/SiO2 적층한 기판입니다. SF6 가스 조건 이용하여 TiN 20 nm, SiO2 150 nm 에칭 부탁드립니다. 총 기판 9개 인데, 3개씩 나누어 에칭 시간 10초씩 더하고 빼서 진행 부탁드립니다. (ex. TiN 20 nm, SiO2 150 nm 에칭 시간이 90초이면, 80초, 90 초, 100 초로 3개씩 나누어서 진행) 감사합니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김익재	248,500원
1034	2020-09-03 1시	13시	PR Etching 평가 : 2차례에 걸쳐 진행	동우화인캠(주)	반도체소재연구소 반도체소재2팀	김정식	1,035,000원
1035	2020-09-03 16시	17시	1-2-1 N_OPEN GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	347,500원
1036	2020-09-03 16시	18시	5-2-1 MC Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1037	2020-09-04 9시	10시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1038	2020-09-07 14시	16시	1-2-5 A Key SiC Dry Etch 3000A	(주)칩스케이	연구개발팀	임진홍	265,000원
1039	2020-09-07 14시	17시	1-2-5 A Key SiC Dry Etch 3000A	나노융합기술원	프라운호퍼 실용화연구센터	김상조	199,000원
1040	2020-09-07 9시	12시	1-4-7 IMP Pattern Hardmask Dry Etch 1.6um	(주)칩스케이	연구개발팀	임진홍	255,000원
1041	2020-09-07 9시	12시	1-4-7 IMP Pattern Hardmask Dry Etch 1.6um	나노융합기술원	프라운호퍼 실용화연구센터	김상조	249,500원
1042	2020-09-08 10시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
1043	2020-09-09 9시	12시	1-4-7 IMP Pattern SiO2 1.5um Etch	(주)칩스케이	연구개발팀	임진홍	410,000원
1044	2020-09-11 10시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,055,500원
1045	2020-09-14 11시	15시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1046	2020-09-14 9시	12시	1-4-7 IMP Pattern SiO2 1.5um Etch (Rewrok 1회)	나노융합기술원	프라운호퍼 실용화연구센터	김상조	399,000원
1047	2020-09-14 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,147,500원
1048	2020-09-15 9시	14시	PR ETCH	동우화인캠(주)	반도체소재연구소 반도체소재2팀	김정식	705,000원
1049	2020-09-17 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1050	2020-09-18 11시	14시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1051	2020-09-21 17시	22시	2-2-1 IMP Oxide Etch	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	333,750원
1052	2020-09-22 16시	19시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1053	2020-09-23 10시	11시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1054	2020-09-23 9시	15시	3-2-1 ISO-1 Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1055	2020-09-25 10시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,374,000원
1056	2020-09-25 13시	16시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1057	2020-09-29 14시	15시	4-2-1 PC Oxide etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1058	2020-10-05 11시	15시	3-4-1 ISO-2 Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1059	2020-10-05 15시	16시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1060	2020-10-05 9시	11시	13-2-1 PO Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1061	2020-10-07 13시	14시	1-2-1 F_Via GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	347,500원
1062	2020-10-07 14시	15시	polyimide dry etching	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	210,000원
1063	2020-10-07 16시	17시	1-2-1 AKEY Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	193,500원
1064	2020-10-08 11시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	737,000원
1065	2020-10-08 14시	16시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1066	2020-10-08 9시	18시	SiC Trench MOSFET 단위공정 Oxide Dry Etch	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	1,035,000원
1067	2020-10-08 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,147,500원
1068	2020-10-13 11시	12시	2-2-1 Bevel SiC Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	393,500원
1069	2020-10-13 13시	14시	polyimide etch	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	155,000원
1070	2020-10-14 13시	14시	PSPI polyimide dry etch process time 총 200초	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	265,000원
1071	2020-10-14 14시	15시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1072	2020-10-14 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1073	2020-10-15 16시	16시	PR Etch Split : 4종 2매 씩 8매 -> 6매로 처리함(평가 관련)	동우화인캠(주)	반도체소재연구소 반도체소재2팀	김정식	430,000원
1074	2020-10-15 9시	10시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1075	2020-10-21 13시	18시	3-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1076	2020-10-21 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1077	2020-10-22 16시	17시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
1078	2020-10-22 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1079	2020-10-26 13시	15시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1080	2020-10-26 15시	16시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1081	2020-10-26 16시	17시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1082	2020-10-26 17시	18시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1083	2020-10-26 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1084	2020-10-27 10시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,147,500원
1085	2020-10-27 13시	15시	LCP 라는 폴리머 필름을 P.I(폴리이미드) 2um 식각 공정으로 식각 테스트 하고자 합니다.	부산대학교	기계공학부	이동현	155,000원
1086	2020-10-27 15시	20시	3-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1087	2020-10-30 10시	11시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
1088	2020-11-02 12시	11시	A) 1매는 GaN etch-base recipe로 14분 46초 식각 B) 1매는 Al etch-base recipe로 6분 7초 식각	삼성종합기술원	Nano Electronics Lab. (NEL)	이은성	488,000원
1089	2020-11-02 9시	11시	1-2-1 F_Via GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	306,250원
1090	2020-11-03 14시	17시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1091	2020-11-09 9시	11시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1092	2020-11-10 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1093	2020-11-12 13시	16시	3-2-1 ISO-1 Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	665,000원
1094	2020-11-16 13시	15시	5-2-2 MC GaN etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
1095	2020-11-16 17시	20시	3-2-1 ISO-2 Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	665,000원
1096	2020-11-16 9시	13시	5-2-1 MC Oxide etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	430,000원
1097	2020-11-27 10시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1098	2020-11-27 13시	15시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1099	2020-11-30 14시	17시	[나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원 사업], 전자과 전길수 (01052879314) Al전극 위 50nm SiO2 Dry etch	포항공과대학교	전자전기공학과	이정수	430,000원
1100	2020-12-01 13시	15시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,147,500원
1101	2020-12-02 10시	11시	13-2-1 M2 Dry Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
1102	2020-12-02 14시	15시	1-2-1 F_Via GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	347,500원
1103	2020-12-03 10시	11시	1. 지난번 요청드렸던 것과 같은 Ge As Se 박막입니다. 2. 공정조건 1) Sample group #1 : 200W, Ar, 150sec (2개) 2) Sample group #2 : 200W, Ar, 180sec (2개)	삼성종합기술원	무기소재Lab	최민우	188,000원
1104	2020-12-07 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,692,500원
1105	2020-12-08 18시	22시	3-2-1 ISO-1 Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1106	2020-12-09 9시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,830,000원
1107	2020-12-10 18시	21시	3-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1108	2020-12-10 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1109	2020-12-11 14시	17시	3-3-1 Passivation Oxide Etch	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	347,500원
1110	2020-12-16 17시	18시	신소재 공학과 이장식 교수님 연구실 김광현입니다. 이전에 같은 실험실의 김익재 학생이 진행하였던 SF6 etching 공정조건 기반하여 etching 하고자 합니다. 가장 최근 김익재 학생이 진행하였던 etching 조건의 경우 TiN total 20 nm / SiO2 total 150 nm etching 진행하였고 이 때의 etching time 60 (+/- 10초) 조건으로 진행하였다고 합니다. 제가 의뢰 맡긴 소자 박막은 다음과 같이 구성되어 있습니다. (Top) / SiO2 100 nm / TiN 100 nm / SiO2 100 nm / TiN 100 nm / SiO2 100 nm / TiN 100 nm / SiO2 300 nm / Si wafer (Bottom) --> Total TiN 300 nm / SiO2 400 nm etching 진행하고자 합니다. 해당 적층 구조에서 총 700 nm etching 진행하고자 하며, 샘플 3개/3개/3개 나누어서 etching 시간 변수 +10초 / - / -10초 조건의 variation 두어 공정 부탁드립니다. 추가적으로 제가 Fab 출입 권한이 없어 샘플은 공정시편 보관함에 둘 수 있도록 하겠습니다. 해당 공정 관련하여 말씀해주실 부분이 있으면 전화주시면 감사하겠습니다.	포항공과대학교	신소재공학과	김광혙	149,500원
1111	2020-12-17 1시	24시	유선으로 말씀 나눈 것과 같이 Etching을 추가로 진행하고자 합니다. 조건 아래와 같이 남겨드리겠습니다. #1 Sample group (2개) - 200W, Ar(60sccm <- 몇달전 진행했던 결과를 확인해주세요), 150sec #2 Sample group (2개) - 200W, Ar(60sccm, 확인필요), 180sec	삼성종합기술원	무기소재Lab	최민우	188,000원
1112	2020-12-18 10시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1113	2020-12-21 9시	10시	13-2-4 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1114	2020-12-22 10시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,374,000원
1115	2020-12-22 14시	15시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1116	2020-12-22 15시	16시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1117	2020-12-22 16시	17시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1118	2020-12-22 17시	18시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1119	2020-12-23 10시	11시	TiN 300A etch	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	320,000원
1120	2020-12-28 10시	14시	Oxide Etch	리노공업	리노공업	곽영대	375,000원
1121	2020-12-28 10시	13시	PR Etch Test : 3 Group 2매씩	동우화인캠(주)	반도체소재연구소 반도체소재2팀	김정식	265,000원
1122	2020-12-29 13시	15시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1123	2020-12-29 15시	16시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1124	2021-01-04 14시	16시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1125	2021-01-04 16시	17시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1126	2021-01-04 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1127	2021-01-05 13시	16시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1128	2021-01-05 16시	17시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1129	2021-01-06 11시	12시	9-2-1 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1130	2021-01-12 17시	18시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	141,250원
1131	2021-01-13 16시	17시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1132	2021-01-14 12시	12시	전문인력양성 실습교육	나노융합기술원	교육홍보팀	이현규	2,000,000원
1133	2021-01-14 9시	11시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1134	2021-01-15 13시	15시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1135	2021-01-18 9시	12시	Nitride 9000 A Etch on Oxide 5000 A	메타포어	디바이스개발	이재혁	650,000원
1136	2021-01-19 14시	16시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
1137	2021-01-20 10시	12시	1-2-1 F_Via GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	347,500원
1138	2021-01-20 15시	17시	5.0 MC Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1139	2021-01-21 18시	19시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1140	2021-01-26 16시	21시	3-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1141	2021-01-28 14시	16시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1142	2021-01-28 16시	18시	5-2-1 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1143	2021-01-28 18시	21시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
1144	2021-01-28 9시	11시	13-2-1 M2 Metal Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1145	2021-02-01 10시	16시	3-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1146	2021-02-02 14시	15시	Al 1500A / Ti 500A etching	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	210,000원
1147	2021-02-02 9시	11시	13-2-1 M2 Metal Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1148	2021-02-03 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,806,250원
1149	2021-02-04 10시	12시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1150	2021-02-04 13시	14시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1151	2021-02-04 19시	22시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1152	2021-02-04 20시	21시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	141,250원
1153	2021-02-08 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1154	2021-02-10 9시	10시	7-2-1 V0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1155	2021-02-16 17시	18시	1-2-1 F_Via GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	347,500원
1156	2021-02-16 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,806,250원
1157	2021-02-17 9시	10시	4-3-1 Gate Metal Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	182,500원
1158	2021-02-22 14시	17시	PR Etching 평가	동우화인캠(주)	반도체소재연구소 반도체소재2팀	김정식	815,000원
1159	2021-02-22 18시	19시	4-3-1 Gate Metal Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	182,500원
1160	2021-02-22 19시	20시	6-3-1 S/D Metal Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	182,500원
1161	2021-02-23 13시	17시	3-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1162	2021-02-23 9시	11시	13-2-1 M2 Metal Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1163	2021-02-24 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1164	2021-02-24 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,692,500원
1165	2021-02-25 13시	14시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
1166	2021-02-25 14시	15시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
1167	2021-02-25 18시	19시	8-3-1 TOP Metal Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	182,500원
1168	2021-02-25 9시	10시	13-2-1 Metal Dry Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1169	2021-02-26 14시	15시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	138,500원
1170	2021-02-26 16시	17시	6-3-1 S/D Metal Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	182,500원
1171	2021-02-26 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
1172	2021-03-08 13시	17시	PR ETCH TEST	동우화인캠(주)	반도체소재연구소 반도체소재2팀	김정식	760,000원
1173	2021-03-08 18시	21시	3-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1174	2021-03-09 15시	17시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
1175	2021-03-09 17시	18시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
1176	2021-03-09 9시	15시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1177	2021-03-10 14시	15시	8-3-1 TOP Metal Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	182,500원
1178	2021-03-10 20시	21시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1179	2021-03-10 9시	12시	13-2-1 M2 Metal Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1180	2021-03-11 1시	1시	GeAsSe 박막 입니다. 1) 1,2번 샘플 200W, Ar60sccm 150sec 2) 2,3번 샘플 200W, Ar60sccm 180sec (Ar 유량은 최근 공정 조건을 확인해주세요)	삼성종합기술원	무기소재Lab	최민우	276,000원
1181	2021-03-11 9시	11시	13-2-1 M2 Metal Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1182	2021-03-12 14시	15시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1183	2021-03-12 16시	17시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1184	2021-03-12 9시	11시	13-2-1 M2 Metal Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,147,500원
1185	2021-03-15 16시	17시	9-2-1 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1186	2021-03-15 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1187	2021-03-16 17시	19시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1188	2021-03-22 14시	16시	1-2-1 F-Via GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	347,500원
1189	2021-03-23 10시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1190	2021-03-24 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1191	2021-03-29 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,806,250원
1192	2021-03-30 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
1193	2021-03-30 9시	13시	3-2-1 ISO-1 Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1194	2021-03-31 16시	18시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1195	2021-04-01 10시	11시	장비 사용 및 Etching 공정 교육	포항공과대학교	전기전자공학부	김소영	149,500원
1196	2021-04-01 13시	14시	Lot ID: PHTest01 목적: PI coating rpm split test용 PI etch test	(주)유우일렉트로닉스	TIS생산사업부	김도현	0원
1197	2021-04-01 14시	18시	3-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1198	2021-04-01 14시	15시	5-2-2 MC GaN etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1199	2021-04-01 15시	16시	Etch 장비 사용 관련 교육 진행	포항공과대학교	전기전자공학부	김소영	149,500원
1200	2021-04-01 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,692,500원
1201	2021-04-02 10시	11시	LOT ID: PHtest01 목적: PI 에칭	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
1202	2021-04-02 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	292,500원
1203	2021-04-05 13시	14시	4-3-1 Gate Mo Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	141,250원
1204	2021-04-05 16시	17시	LOT ID:PHTEST02 목적: PI 코팅 스플릿 실험 에칭	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
1205	2021-04-05 9시	11시	8-1-3 Backside SiC Etch	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	276,000원
1206	2021-04-06 11시	12시	LOT ID: PHTEST02 목적: PI 에칭조건최적화	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
1207	2021-04-07 10시	12시	LOT ID: PHTEST02 목적: PI 에칭조건 최적화	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
1208	2021-04-07 14시	15시	6-3-1 S/D Metal Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	141,250원
1209	2021-04-08 14시	15시	LOT ID: PHTEST03 목적: 에칭조건 최적화	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
1210	2021-04-08 16시	18시	1-2-1 AKEY SiC Dry Etch	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	276,000원
1211	2021-04-09 11시	12시	LOT ID: PHTEST03 목적: 에칭조건 최적화	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
1212	2021-04-09 13시	15시	PR Etching : 10ea - 5ea씩 진행	동우화인캠(주)	반도체소재연구소 반도체소재2팀	김정식	210,000원
1213	2021-04-12 13시	14시	LOT ID: PHTEST04 목적: 에칭조건최적화, 홀크기 측정	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
1214	2021-04-13 11시	12시	LOT ID: SKD0691A 목적: PH 공정을위한 PI 코팅	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
1215	2021-04-13 15시	16시	8-3-1 TOP Metal Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	141,250원
1216	2021-04-14 13시	14시	LOT ID: SKD0691A 목적: PH공정 Hole 형성	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
1217	2021-04-15 11시	12시	LOT ID: SKD0691A 목적:PH공정을위한 에칭	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
1218	2021-04-15 16시	18시	1-2-1 F_Via GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	347,500원
1219	2021-04-15 9시	11시	13-2-1 M2 Dry Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
1220	2021-04-16 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1221	2021-04-16 16시	17시	4-3-1 Gate Metal Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	182,500원
1222	2021-04-16 9시	14시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,692,500원
1223	2021-04-19 11시	12시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	292,500원
1224	2021-04-19 13시	14시	LOT ID: SKD0691A 목적: PH공정을 위한 에칭	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
1225	2021-04-20 13시	14시	LOT ID : SKD0691A 목적: PH생성을 위한 에칭	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
1226	2021-04-20 14시	18시	3-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1227	2021-04-20 9시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1228	2021-04-21 13시	14시	LOT ID:CDTEST01 목적: 홀크기 최적화를 위한 에칭	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
1229	2021-04-21 14시	15시	1-2-1 F_Via Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	223,750원
1230	2021-04-21 14시	15시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1231	2021-04-21 17시	22시	3-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1232	2021-04-23 11시	12시	LOT ID:SKD0691A 목적: PH공정을위한 에칭	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
1233	2021-04-26 10시	11시	LOT ID: SKD0691A #01 목적: PH공정 에칭	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
1234	2021-04-26 17시	18시	LOT ID: SKD0619A #5 목적: 박막 에칭	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1235	2021-04-27 13시	14시	LOT ID: SKD0691A #3, #7, #9 목적: PH 공정을 위한 에칭	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
1236	2021-04-28 13시	14시	3-2-1 ISO-1 Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	241,250원
1237	2021-04-28 16시	17시	LOT ID: TEST Water 목적: 에셔장비 테스트용 에셔 레이트 파악	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
1238	2021-04-29 16시	17시	3-2-1 ISO-2 Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	241,250원
1239	2021-04-29 17시	18시	LOT ID: TEST Wafer 목적: 에셔장비 테스트를 위한 PR 에칭	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
1240	2021-04-30 10시	11시	Polyimide etching 100초씩 2회 총200초	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	265,000원
1241	2021-04-30 15시	16시	LOT ID: ROIC Wafer (SKD0691A #1,3,5,7,9) 목적: PH형성을위한 에칭	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	0원
1242	2021-04-30 16시	17시	LOT ID: PHTEST05 #1#3#5#7#9#11 목적: PI 박막 식각	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1243	2021-05-03 10시	12시	나노융합기반고도화사업 LOT ID: PHTEST05 #7#9#11 목적: PI 박막 식각	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	220,000원
1244	2021-05-03 16시	18시	3-2-1 ISO-3 Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	241,250원
1245	2021-05-04 9시	15시	나노융합기반고도화사업 Etch Test	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	2,300,000원
1246	2021-05-06 11시	12시	LOT ID: SKD0619 A (ROIC wafer) 목적: PI 박막 에칭	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1247	2021-05-06 13시	14시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1248	2021-05-06 14시	18시	포토리쏘 공정되어있음 gxr601 - Oxide Etch 공정 평가	포항공과대학교	전기전자공학부	김소영	172,000원
1249	2021-05-06 16시	17시	4-2-1 PC TiNEtch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1250	2021-05-10 10시	12시	안녕하세요, 광주과학기술원 x-선 나노현상 연구실 최석준입니다. 이전에 메일로 말씀드린 beta-Ga2O3/c-sapphire(0001) thin film 2개에 대해 공정의뢰를 드립니다. 현재 두께 정보가 확인되지 않아 공정 조건이 2개로 나뉩니다. 하나는 두께 300nm 조건으로 3분 45초 BCl3로 에칭 하나는 두께 1200nm 조건으로 15분 BCl3로 에칭 (15분 - 2회 추가, 기본 5분)	광주과학기술원	물리광과학과	최석준	320,000원
1251	2021-05-10 13시	15시	나노융합기반고도화사업 LOT ID: SKD0691A 목적: PI 박막 식각 #3#5#7#9 4장(계약 건) LOT ID:Module 목적: Ar etch Test용 6장 총 10장(계약 4장+Test용 6장)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	340,000원
1252	2021-05-10 15시	19시	3-2-1 ISO-1 GaN 7.5um Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	841,250원
1253	2021-05-10 17시	19시	1-2-1 F_Via GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	347,500원
1254	2021-05-10 9시	11시	2.0 Hardmask layer GaN Dry etch	LG 전자 소재/생산기술원 소재기술원	ML Task	조영제	620,000원
1255	2021-05-11 1시	12시	Photolithography 공정 진행한 wafer SiO2 etch (20s)	포항공과대학교	전기전자공학부	김소영	964,000원
1256	2021-05-11 13시	17시	LOT ID: SKD0619 10장 목적: PI 박막 식각 총 10장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1257	2021-05-11 17시	19시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1258	2021-05-11 19시	20시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1259	2021-05-12 10시	12시	LOT ID: SH33087E #01, SH33087E #03, SHD0527A #05, SH25919D #14, SH18465A #11, SH25919D #17 6장 목적: Ar etch를 통한 박막 처리 총 6장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1260	2021-05-12 13시	13시	8\'\' wafer 7ea cooling O2 dry etching 을 희망합니다. 물질은 PR/BARC/PMMA polymer 도포되어있는 기판입니다. (이전에는 cooling 기능이 안되어 윗면 PR burning 이 일어났었습니다. 이전 공정 결과는 메일로 송부드려놓도록 하겠습니다.) 대략 100W 내외에서 다양한 recipe 로 진행하여 burning 이 일어나지 않는 지 확인하고 싶습니다. 시간은 대략 2분 정도 fix해주시면 되겠습니다. --> N# 1ea - PR Burning 발생 (매수에서 제외) N# 2ea - 추가 평가 진행 (2min) P# 3ea - Time Split 진행	애즈미(주)	기계공학과	송주권	375,000원
1261	2021-05-13 10시	14시	LOT ID: SH33087E#01#03, SHD0527A #05, SH25919D #14 ,SH18465A #11, SH25919D #17 NDC20Y37W-2 #23#25, NDC19Y02W 4ea 목적: Ar etch 공정 진행 총 12 장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1262	2021-05-14 10시	12시	Lot ID: NDC19Y02W #1#2#3#4, NDC20Y37W-2 #23#25 목적: WT공정을 위한 Ar etch 총 6장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1263	2021-05-14 13시	15시	PR Etch on Ti : 조각 3개 - 동시 진행	동우화인캠(주)	반도체소재연구소 반도체소재2팀	김정식	155,000원
1264	2021-05-14 15시	16시	Lot ID:NDC20Y37W-2 #23#25, NDC19Y02W #1#2#3#4 목적: Ar etch 총 6장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1265	2021-05-17 10시	12시	Lot ID: NCD19Y02W #2#3#4, NDC20Y37W-2 #23#25 목적: Ar etch 식각 처리 총 5장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1266	2021-05-17 13시	16시	Lot ID: NDC19Y02W #6#7#8#9#10#11 목적: Ar etch 박막 처리 총 6장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1267	2021-05-17 17시	22시	3-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1268	2021-05-18 15시	16시	Lot ID: NDC19Y02W #1#6#8 목적: Ar-etch 처리 총 3장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1269	2021-05-18 9시	13시	Oxide Etch	포항공과대학교	전기전자공학부	김소영	1,234,000원
1270	2021-05-20 16시	21시	3-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1271	2021-05-21 10시	11시	Lot ID: NDC19Y02W #6#8#22 목적: Ar etch처리 (rework) 총 3장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1272	2021-05-21 11시	18시	13-2-1 M2 Metal Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,374,000원
1273	2021-05-24 16시	17시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	215,500원
1274	2021-05-25 10시	12시	Lot ID: NDC19Y02W #6#7#8#10#11#22 목적: WT공정 Ar etch(Cap Wf) 총 6장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1275	2021-05-25 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	138,500원
1276	2021-05-26 10시	12시	ZnO/SiO2 공정 조건을 잡는 과정이 필요합니다. recipe 설정 공정에 도움 주시면 감사드리겠습니다.	포항공과대학교	전기전자공학부	김소영	172,000원
1277	2021-05-26 13시	14시	Lot ID: SKD0691B #04 목적: 잔여 Polyimide etch 총 1장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1278	2021-05-27 9시	15시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,374,000원
1279	2021-05-28 14시	15시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
1280	2021-06-01 16시	18시	1-2-1 F_Via GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	347,500원
1281	2021-06-01 17시	18시	1-2-1 F_Via GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	182,500원
1282	2021-06-01 18시	20시	ZnO/AlDMP/ZnO stack etching	포항공과대학교	전기전자공학부	김소영	136,000원
1283	2021-06-01 9시	14시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,147,500원
1284	2021-06-02 14시	15시	13-2-1 M2 Dry Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,374,000원
1285	2021-06-02 15시	16시	13-2-1 M2 Dry Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	418,500원
1286	2021-06-02 17시	18시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1287	2021-06-03 14시	16시	3-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	382,500원
1288	2021-06-03 9시	12시	3-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1289	2021-06-04 10시	11시	Lot ID: SKD0691A #1#7 목적: SL 공정 Ti etch 총 2장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1290	2021-06-04 11시	12시	{나노융합기반 고도화 사업} Lot ID: Module 목적: SL 공정 Ti etch Test 용 총 1장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	140,000원
1291	2021-06-04 13시	14시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
1292	2021-06-04 14시	15시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
1293	2021-06-07 13시	14시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
1294	2021-06-07 14시	15시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
1295	2021-06-07 15시	16시	Lot ID: SKD0691A #1#7 목적: SL 공정 Ti etch 총 2장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1296	2021-06-07 17시	20시	3-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1297	2021-06-07 20시	22시	3-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	382,500원
1298	2021-06-07 9시	11시	13-2-1 M2 Etcch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,374,000원
1299	2021-06-08 13시	14시	Lot ID: SKD0691 A #1 목적: SL공정 추가 Ti-etch 총 1장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1300	2021-06-08 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
1301	2021-06-08 17시	18시	ZnO stack/PR	포항공과대학교	전기전자공학부	김소영	136,000원
1302	2021-06-09 12시	14시	Lot ID: NCD19Y02W #12#13#14 목적: WT 공정 Ar-etch 총 3장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1303	2021-06-09 14시	16시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
1304	2021-06-09 16시	17시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
1305	2021-06-09 9시	12시	{나노융합기반 고도화사업} Lot ID: module 목적: Ti etch test용 총 1장 --> 할인 0% Lot ID:SKD0691A #1 목적: Ti etch 총 1장 (계약 건) --> 할인 100%	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	140,000원
1306	2021-06-10 10시	12시	Lot ID: NDC19Y02W 목적: WT공정 Ar-etch 총 3장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1307	2021-06-10 13시	14시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1308	2021-06-10 14시	15시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1309	2021-06-10 16시	18시	Lot ID: NCD 19Y02W #19#20#21 (CAP Wafer) 목적: WT공정 Ar-etch 총 3장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1310	2021-06-11 14시	15시	1-3-1 Metal Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	223,750원
1311	2021-06-11 9시	10시	이전에 조건 잡았었던 90초 조건으로 에칭해주시면 감사하겠습니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	임세미	100,000원
1312	2021-06-15 13시	15시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1313	2021-06-15 15시	16시	5-2-2 MC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1314	2021-06-15 16시	17시	1-2-1 F_Via GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	347,500원
1315	2021-06-15 17시	18시	ZnO/AlDMP stack	포항공과대학교	전기전자공학부	김소영	136,000원
1316	2021-06-16 10시	12시	Lot ID: SKD0691A #5#7#9 목적: SL공정 Ti etch 총 3장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1317	2021-06-16 12시	14시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,374,000원
1318	2021-06-17 13시	15시	Lot ID: SKD0691B #2#6#8#10#12 목적: SL 공정 Ti etch 총 5장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1319	2021-06-17 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
1320	2021-06-22 15시	16시	1-2-1 F_Via GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	141,250원
1321	2021-06-22 17시	18시	ZnO aldmp	포항공과대학교	전기전자공학부	김소영	136,000원
1322	2021-06-23 17시	22시	4-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1323	2021-06-23 9시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,374,000원
1324	2021-06-24 9시	12시	13-2-1 M2 Dry Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,374,000원
1325	2021-06-25 14시	15시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
1326	2021-06-25 18시	21시	4-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1327	2021-06-25 21시	22시	3-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	241,250원
1328	2021-06-29 16시	17시	Lot ID: SKD0691A #3 목적: SO공정 Polyimide 박막 etch 총 1장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1329	2021-06-29 17시	18시	ZnO-ALDMP	포항공과대학교	전기전자공학부	김소영	136,000원
1330	2021-06-30 13시	15시	Lot ID: SKD0691A #5#7#9 목적: SO공정 Polyimide etch 총 3장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1331	2021-06-30 15시	17시	Lot ID: SKD0691B #2#6#8#10#12 목적: SO공정 Polyimide etch 총 5장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1332	2021-06-30 9시	12시	13-2-1 M2 Dry Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,806,250원
1333	2021-07-01 13시	14시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
1334	2021-07-01 16시	18시	Lot ID: NDC20Y37W #1#2#5 목적: WT공정 Ar etch 총 3장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1335	2021-07-01 9시	12시	13-2-1 M2 Dry Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,374,000원
1336	2021-07-02 10시	11시	4.1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
1337	2021-07-02 11시	12시	4.1 PC TiN ETCH	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
1338	2021-07-02 13시	15시	SiO2	포항공과대학교	전기전자공학부	김소영	532,000원
1339	2021-07-02 15시	16시	9-2 PO TiN ETCH	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
1340	2021-07-05 13시	14시	3-3-1 UBM Metal Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	223,750원
1341	2021-07-06 16시	18시	znO Al DMP	포항공과대학교	전기전자공학부	김소영	172,000원
1342	2021-07-08 13시	16시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
1343	2021-07-08 16시	17시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
1344	2021-07-13 16시	18시	ZnO AlDMP	포항공과대학교	전기전자공학부	김소영	172,000원
1345	2021-07-14 15시	16시	1-2-1 F_Via GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	223,750원
1346	2021-07-14 9시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,692,500원
1347	2021-07-15 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1348	2021-07-20 16시	18시	직접사용	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이해원	136,000원
1349	2021-07-21 13시	16시	패릴린 식각 평가	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유형석	193,500원
1350	2021-07-21 15시	16시	PI Etch	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유형석	240,250원
1351	2021-07-22 14시	16시	Lot ID: SKD0691 #12 목적: PO2 공정 Pi etch 총 1장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1352	2021-07-23 13시	14시	9.0 PO TIN ETCH	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1353	2021-07-23 14시	16시	Lot ID: SKD0691 #2#5 목적: PO2 공정 Polyimide etch 총 2장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1354	2021-07-26 10시	12시	Lot ID:SKD0691 #6#9#10 목적: PO2 공정 Polyimide etch 총 3장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1355	2021-07-26 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1356	2021-07-27 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,465,000원
1357	2021-07-28 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	265,000원
1358	2021-07-28 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,147,500원
1359	2021-07-29 10시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1360	2021-07-29 12시	13시	PR코팅된 SiN층을 제거하기위해 신청합니다.	포항공과대학교	기계공학과	이상엽	149,500원
1361	2021-07-29 13시	15시	패릴린 식각 평가	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유형석	193,500원
1362	2021-07-29 15시	16시	지난 번 8\'\' 기판 진행해주신 50W 는 hole이 쭈그러들어서 20W 로 1분 진행을 부탁드립니다. (샘플은 PMMA 이며, 공정 후 OM 고배율 관측을 부탁드립니다) 문의사항 언제든지 연락주세요 감사합니다.	애즈미(주)	기계공학과	송주권	155,000원
1363	2021-07-29 16시	17시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1364	2021-07-29 9시	10시	SD21Y07M-LEG 300A	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	265,000원
1365	2021-07-30 10시	13시	13.0 M2 ETCH	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1366	2021-07-30 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1367	2021-08-02 10시	12시	{나노융합기반 고도화사업} Lot ID: Module 목적: PH공정 etch RF 600/500W ,Bias 100W power test용 총 2장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	180,000원
1368	2021-08-02 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1369	2021-08-03 10시	14시	ISO-1 Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	382,500원
1370	2021-08-04 10시	14시	ISO-2 ETCH	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	382,500원
1371	2021-08-04 12시	13시	FGaN ETCH	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	223,750원
1372	2021-08-04 14시	16시	{나노융합기반 고도화사업} Lot ID:Module 목적: PH etch 공정개선 Test 용 총 3장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	220,000원
1373	2021-08-04 16시	18시	{나노융합기반 고도화사업} Lot ID:Module 목적: PH etch 공정개선 Test 용 총 10장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	500,000원
1374	2021-08-04 18시	19시	Lot ID: SKD0691 #14#20 목적: PH 공정 Polyimide etch 총 2장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1375	2021-08-04 9시	12시	13.0 m2 etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1376	2021-08-05 14시	15시	9.0 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1377	2021-08-06 10시	14시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1378	2021-08-06 14시	15시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1379	2021-08-10 10시	12시	Lot ID: SKD0691 C #15~19 목적: PH 공정 Polyimide etch 총 5장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1380	2021-08-10 9시	10시	3-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	523,750원
1381	2021-08-11 10시	11시	Lot ID: NDC 21Y29W 목적: Ar etch 처리 총 2장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1382	2021-08-11 16시	18시	Lot ID: SKD0691D #21#22#23#24 목적: PH 공정 Polyimide etch 총 4장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1383	2021-08-12 10시	11시	Lot ID: SKD0691D #25 목적: PH공정 Polyimide etch 총 1장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1384	2021-08-13 10시	12시	{나노융합기반 고도화사업} Lot ID: Module 목적: AS Ar etch adhesion test용 총 4장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	260,000원
1385	2021-08-16 14시	15시	{나노융합기반 고도화사업} Lot ID: Module 목적: AS 공정 test용 총 1장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	140,000원
1386	2021-08-17 13시	14시	1-2-1 F_Via Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	223,750원
1387	2021-08-17 14시	16시	3-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	523,750원
1388	2021-08-17 16시	18시	{나노융합기반 고도화사업} Lot ID: Module 목적: bonding setup 자재 test용 Ar etch 총 8장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	420,000원
1389	2021-08-18 13시	14시	{나노융합기반 고도화사업} Lot ID: Module 목적: AS공정 Ar etch test용 총 2장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	180,000원
1390	2021-08-18 14시	15시	Lot ID: SKD0691 #6 외 5매 목적: AS공정 Ar etch 총 6장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1391	2021-08-19 11시	12시	Plasma Etching	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김승모	136,000원
1392	2021-08-19 14시	17시	4-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	523,750원
1393	2021-08-20 10시	11시	4-3-1 Gate Metal Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	223,750원
1394	2021-08-20 13시	18시	SiC_Module_Etch_Oxide_Metal [4.0021875.01]	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	980,000원
1395	2021-08-23 13시	15시	Lot ID: NDC21Y29W #8#9 목적: Ar etch 총 2장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1396	2021-08-24 13시	15시	4-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	382,500원
1397	2021-08-24 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,806,250원
1398	2021-08-25 13시	17시	대구카톨릭대학교 반도체 공정실습 교육	나노융합기술원	교육홍보팀	김동기	650,000원
1399	2021-08-25 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
1400	2021-08-27 10시	12시	{나노융합기반 고도화사업} Lot ID: Module 목적: Adhesion test용 총 4장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	260,000원
1401	2021-08-27 13시	15시	6-3-1 S/D Metal Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	223,750원
1402	2021-08-30 10시	11시	Lot ID: SKD0691C#15 목적: SL 공정 Ti etch 총 1장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1403	2021-08-31 16시	17시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1404	2021-08-31 18시	19시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1405	2021-09-01 12시	14시	8-3-1 TOP Metal Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	223,750원
1406	2021-09-01 14시	16시	Lot ID: NDC21Y29W 목적: CA 공정 Ar etch 총 10장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1407	2021-09-02 10시	11시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1408	2021-09-02 11시	12시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1409	2021-09-02 11시	12시	Lot ID: SKD0691 #16 목적: SL 공정 Ti etch 총 1장 (계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1410	2021-09-02 16시	17시	SiO2 Etch 직접사용	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	황현준	136,000원
1411	2021-09-03 13시	14시	1-2-1 F_Via GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	182,500원
1412	2021-09-03 14시	15시	Lot ID: SKD0691 #18 목적: SL 공정 Ti etch 총 1장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1413	2021-09-07 10시	12시	Lot ID: SKD0691A2 #3#7#8 목적: PO-2 공정 Polyimide etch 총 3장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1414	2021-09-08 15시	17시	Lot ID: SH33087A 목적: AS공정 Ar etch 총 6장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1415	2021-09-09 9시	17시	PMMA A2-1000rpm 기판 6ea O2 etch를 희망합니다. 10W 공정으로 #1~#6 기판을 각각 1min~6min 진행을 부탁드립니다. PR Loss 관련 변경 : #01-30초, #02-1분	애즈미(주)	기계공학과	송주권	210,000원
1416	2021-09-13 17시	18시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1417	2021-09-14 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1418	2021-09-15 10시	11시	SD21Y08M-LEG Ti 300A	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	260,000원
1419	2021-09-15 11시	13시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1420	2021-09-15 13시	15시	3-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	382,500원
1421	2021-09-15 15시	16시	안녕하세요. 김종규 교수님 연구실 김자원입니다.GaN LED epi이고 저희 연구실에서 박정현, 임세미 학생이 지난 번에 맡겼던 조건대로 850 nm~ 1um 정도로 etching 부탁드립니다. PR로 masking 되어있는 sample입니다. 샘플 순서대로 공정 해주시면 감사하겠습니다. 기타 문의사항 있으시면 유선 (010-2688-6826)으로 연락 부탁드립니다. 감사합니다. 조각 5개 이상 1회 추가 됩니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김자원	199,000원
1422	2021-09-16 16시	17시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1423	2021-09-17 13시	15시	3-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	382,500원
1424	2021-09-20 9시	17시	공정계약06	(주)유우일렉트로닉스	TIS생산사업부	김도현	1,000,000원
1425	2021-09-23 11시	12시	TiN 50nm etching 부탁 드립니다! 샘플 개수는 조건 3개에 각각 4장씩 총 12장입니다! 샘플의 경우, 오전 11시 전까지 샘플 보관함에 전달해 놓겠습니다. 혹시 공정이 완료되면 연락부탁드리겠습니다! 늘 감사드립니다!	포항공과대학교	화학공학과	고명철	248,500원
1426	2021-09-24 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1427	2021-09-28 10시	11시	직접사용	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	황현준	208,000원
1428	2021-09-28 14시	16시	Lot ID: SKD0691 C/D 목적: SO 공정 polyimide etch 총 7장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1429	2021-09-29 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,147,500원
1430	2021-09-30 14시	15시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1431	2021-10-01 12시	13시	TiN 50nm etching부탁드립니다 6조건 2개씩 총 12장입니다	포항공과대학교	화학공학과	고명철	248,500원
1432	2021-10-01 13시	14시	4-2-1 PC Oxide etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1433	2021-10-01 14시	15시	4-2-2 PC TiN etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1434	2021-10-01 16시	18시	ZnO-AlDMP 패터닝, 직접이용	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이해원	136,000원
1435	2021-10-05 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,692,500원
1436	2021-10-06 14시	15시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	292,500원
1437	2021-10-07 11시	13시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1438	2021-10-08 11시	13시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1439	2021-10-08 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1440	2021-10-08 16시	17시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1441	2021-10-11 10시	18시	공정계약07	(주)유우일렉트로닉스	TIS생산사업부	김도현	2,000,000원
1442	2021-10-12 13시	15시	ZnO-AlDMP etching	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이해원	136,000원
1443	2021-10-14 11시	12시	6-2-1 M0 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1444	2021-10-14 13시	14시	[김수곤 선생님] PR 패턴된 웨이퍼의 O2 etch 식각을 요청드립니다. (O2 etchant만 사용) 장수: 8인치 5ea 10W, 10sccm, 10mT 기준으로 기판 #1~5까지 20,40,60,80,100 sec 에칭을 부탁드립니다. 감사합니다.	애즈미(주)	기계공학과	송주권	375,000원
1445	2021-10-15 10시	12시	Lot ID: SKD0691A #1 목적: SO 공정 polyimide etch 총 1장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1446	2021-10-15 9시	12시	13.0 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1447	2021-10-18 10시	11시	AlGaN ICP 에칭 (45-50nm target etching) 조건과 동일하게 90초로 공정	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	임세미	149,500원
1448	2021-10-18 9시	10시	안녕하세요 선생님 TiN 50nm etching 부탁드립니다. 샘플은 월요일 오전 9시 전에 전달드리겠습니다. 감사드립니다. 주말 잘 보내세요~!	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
1449	2021-10-19 12시	13시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1450	2021-10-20 14시	16시	Lot ID: NDC21Y24W 목적: WT 공정 Ar-etch 총 6장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1451	2021-10-22 15시	17시	Polymer Etching Test : 6.0um - 500sec	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유형석	246,750원
1452	2021-10-22 9시	13시	유선상으로 말씀드린 Ni or MgO mask를 이용하여 에칭하고 싶습니다. 에칭 타겟 두께는 3.5 ~ 4 µm 정도입니다 조각 3개씩 4 tray : 12ea --> 2 회 ( 1회/조각5개, 3회이나 2회로 청구함)	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	799,000원
1453	2021-10-25 10시	12시	Lot ID: SKD0691 목적: SO 공정 polyimide etch 총 2장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1454	2021-10-25 13시	14시	안녕하세요 선생님. TiN 50 nm etching 부탁드립니다. 감사드립니다. 샘플은 1시 30분까지 가져다 놓겠습니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
1455	2021-10-27 13시	14시	안녕하세요 선생님 TiN 50 nm etching 공정의뢰 부탁드립니다. 샘플은 점심시간에 보관함에 두겠습니다. 늘 도움주셔서 감사드립니다. 공정 진행 완료 후 카톡한통 부탁드리겠습니다. 감사드립니다!	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
1456	2021-11-01 14시	16시	PR Etching : Glass 기판 10개, 5개씩 2회 진행	동우화인캠(주)	반도체소재연구소 반도체소재2팀	김정식	210,000원
1457	2021-11-02 14시	16시	Lot ID: SKD0691 C/D 목적: Po2 공정 Polyimide etch 총 6장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1458	2021-11-02 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1459	2021-11-03 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1460	2021-11-03 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,692,500원
1461	2021-11-04 13시	14시	1-2-1 N_Open GaN etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	182,500원
1462	2021-11-04 13시	14시	MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1463	2021-11-04 14시	15시	1-2-1 F_Via GaN etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	223,750원
1464	2021-11-04 14시	15시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	292,500원
1465	2021-11-04 14시	15시	MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1466	2021-11-05 13시	15시	Lot ID: NDC21Y24W 4ea/ 21Y29W 2ea 목적: WT 공정 Ar-etch 총 6장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1467	2021-11-08 13시	15시	4inch wafer와 조각샘플 3개가 있습니다 TiN 50nm etching 부탁드립니다 감사합니다	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
1468	2021-11-08 9시	13시	4-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	523,750원
1469	2021-11-09 14시	16시	Lot ID: NDC21Y29W 목적: WT공정 Ar-etch 총 6장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1470	2021-11-10 16시	18시	Lot ID: SH18465#09,SHD0527A#25 목적: AS 공정 Ar-etch 총 2장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1471	2021-11-10 9시	13시	4-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	523,750원
1472	2021-11-12 10시	11시	직접사용	포항공과대학교	기계공학과	이상엽	136,000원
1473	2021-11-12 14시	15시	7-4-3 Cont Back SiC 1um Etch	포항공과대학교	기술지원팀	김성준	188,000원
1474	2021-11-15 13시	14시	{나노융합기술 고도화사업} Lot ID: Module 목적: PH etch test용 총 1장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	140,000원
1475	2021-11-15 14시	15시	ZnO-AlDMP	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이해원	136,000원
1476	2021-11-15 15시	16시	Lot ID: SKD0691D #22 목적: SO 공정 Polyimide etch 총 1장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1477	2021-11-15 17시	18시	Lot ID: SKD0691D #22 목적: SO 공정 polyimide etch 총 1장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1478	2021-11-16 10시	12시	Sio2	포항공과대학교	전기전자공학부	김소영	352,000원
1479	2021-11-16 15시	17시	PI Etch : 300sec/400sec	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유형석	193,500원
1480	2021-11-17 14시	16시	Lot ID: KA16722 목적: PH 공정 Polyimide etch 총 2장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1481	2021-11-18 15시	17시	Lot ID: KA16722 목적: PH 공정 Polyimide etch 총 3장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1482	2021-11-19 10시	12시	Lot ID: KA16722 목적: PH 공정 Polyimide etch 총 3장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1483	2021-11-25 13시	15시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1484	2021-11-25 16시	18시	{나노융합기반 고도화사업} Lot ID: Module 목적: Poloyimide etch test용 총 4장	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	260,000원
1485	2021-11-26 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	292,500원
1486	2021-11-26 9시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1487	2021-11-29 10시	12시	Lot ID: KA16722 #15~#25 목적: PH 공정 polyimide etch 총 6장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1488	2021-11-29 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1489	2021-11-29 8시	10시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1490	2021-11-30 13시	14시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1491	2021-11-30 14시	15시	ZnO-AlDMP	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이해원	136,000원
1492	2021-11-30 16시	18시	Lot ID: NDC21Y46W #1~#5 목적: CA 공정 Ar etch 총 5장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1493	2021-11-30 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,806,250원
1494	2021-12-01 10시	12시	Lot ID: NDC21Y46W #6~#10 목적: CA공정 Ar-etch 총 5장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1495	2021-12-01 14시	15시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
1496	2021-12-01 9시	18시	공정계약09	(주)유우일렉트로닉스	TIS생산사업부	김도현	4,500,000원
1497	2021-12-03 9시	15시	GaN LED epi 이고, 3.5 um 정도로 etching 이전에 850 nm로 etching 요청했던 샘플은 950 nm 에칭, 참고하여 3.5 um target으로 에칭 PR과 니켈로 masking 되어있는 sample이고, 샘플 순서를 적어놓았는데 순서대로 공정 -> 1차 1.2um Etching 으로 추가 Etching 진행, Target 설정 오류에 따른 2차 기본료 할인 및 Depth 에 따른 추가 1회 비용 할인함	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	임세미	349,500원
1498	2021-12-06 13시	15시	Lot ID: KA16722 C 목적: PH 공정 polyimide etch 총 6장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1499	2021-12-06 9시	10시	SiN을 식각할 예정이며 직접사용으로 신청하겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	이상엽	136,000원
1500	2021-12-07 10시	12시	Lot ID: NDC21Y46W 목적: CA 공정 Ar etch 총 10장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1501	2021-12-08 11시	12시	SiO2	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이해원	136,000원
1502	2021-12-08 13시	14시	SiO2	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이해원	136,000원
1503	2021-12-09 10시	12시	SiN 300 nm가 증착된 SOI 웨이퍼입니다. 1.7 um의 PR이 패터닝되어 있습니다. SiN 300 nm를 에칭하려 합니다.	포항공과대학교 대학원	기계공학과	김영신	199,000원
1504	2021-12-09 13시	15시	Lot ID: KA16722 #1 목적: PH 공정 잔여PI 제거 총 1장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1505	2021-12-10 13시	14시	SiO2	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이해원	136,000원
1506	2021-12-10 14시	16시	Lot ID: KA16722 목적: PH 공정 잔여Pi etch 총 2장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1507	2021-12-13 11시	12시	SiC 600 nm 에칭	한국전자통신연구원	양자기술연구단	고영호	155,000원
1508	2021-12-13 13시	15시	4-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	523,750원
1509	2021-12-13 15시	17시	Lot ID: KA16722 #1 #3 목적: PH공정 polyimide etch 총 2장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1510	2021-12-14 13시	15시	Lot ID: KA16722 목적: PH공정 polyimide etch 총 2장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1511	2021-12-14 15시	16시	Lot ID: KA16722 목적: PH공정 polyimide etch 총 1장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1512	2021-12-15 11시	14시	4-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	523,750원
1513	2021-12-15 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,374,000원
1514	2021-12-16 14시	15시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
1515	2021-12-16 15시	16시	Lot ID: KA16722 목적: PH공정 Polyimide etch 총 2장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1516	2021-12-16 9시	11시	13-2-1 M2 Akey Metal Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,147,500원
1517	2021-12-17 13시	15시	Lot ID: KA16722 목적: PH공정 treatment 총 3장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1518	2021-12-21 10시	11시	SD21Y08M-PAD OPEN Polyimide etch 25000A	주식회사 아이디피	부설연구소	김형원	210,000원
1519	2021-12-22 13시	15시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,147,500원
1520	2021-12-22 19시	21시	4-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	423,750원
1521	2021-12-23 10시	12시	Lot ID: KA16722 목적: SL Ti etch 총 6장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1522	2021-12-23 17시	18시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1523	2021-12-24 10시	12시	Lot ID: SHD25919 목적: AS공정 Ar etch 총 6장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1524	2021-12-24 13시	15시	Lot ID: KA16722 목적: OHO공정 SiNx etch 총 6장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1525	2021-12-24 15시	16시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1526	2021-12-27 10시	12시	Lot ID: KA16722B 목적: SO 공정 polyimide etch 총 6장(계약 건)	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	서준영	0원
1527	2021-12-28 9시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1528	2021-12-30 12시	14시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1529	2022-01-05 11시	12시	SiO2	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이해원	136,000원
1530	2022-01-06 10시	12시	LOT ID : NDC21Y46W, NDC21Y24W 목적 : WT 공정 Ar Etching 총 6장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1531	2022-01-06 16시	17시	ZnO-AlDMP	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이해원	136,000원
1532	2022-01-10 10시	12시	P.I Etch	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유형석	146,750원
1533	2022-01-11 13시	15시	LOT ID: NDC21Y46W 목적 : WT 공정 Ar etching 총 6장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1534	2022-01-11 14시	14시	나노융합 소자공정 및 측정분석 실습교육과정(4.0021910.01) ; 나노 소자 공정 & 측정 일자리 연계교육	나노융합기술원	교육홍보팀	김동기	1,200,000원
1535	2022-01-12 10시	11시	LOT ID : NDC21Y46W 목적 : WT 공정 Ar etching 총 3 장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1536	2022-01-12 13시	15시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1537	2022-01-12 9시	10시	13-2-1 M2 Dry etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1538	2022-01-14 13시	15시	P.I Etch	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유형석	146,750원
1539	2022-01-17 15시	18시	LOT ID : KA16722B 목적 : PO-2 공정, Polyimide etch 총 6장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1540	2022-01-18 10시	11시	4-2-2 PC TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
1541	2022-01-18 10시	11시	4-2-1 PC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	306,250원
1542	2022-01-18 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1543	2022-01-18 17시	19시	LOT ID : KA16722D 목적 : SL Etch (Ti Etch) 총 8매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1544	2022-01-19 14시	17시	LOT ID : KA16722E 목적 : PH etch (Polyimide etch) 총 4매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1545	2022-01-20 10시	14시	LOT ID : KA16722E 목적 : PH etch (Polyimide etch) 총 : 5장(계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1546	2022-01-24 14시	15시	LOT ID : NDB22Y04W 목적 : Ar etch 총 6장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1547	2022-01-24 15시	17시	P.I Etch	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유형석	146,750원
1548	2022-01-24 9시	10시	LED 기판입니다. GaN 850nm 에칭 부탁드립니다. thermal grease는 제거하지말고 주시면, 저희쪽에서 제거하겠습니다. 급한 샘플이라, 오전 혹은 이른 오후 중으로 끝내주시면 감사하겠습니다. 잘 부탁드립니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	149,500원
1549	2022-01-25 14시	18시	LOT ID : KA16722D 목적 : PO-1 etch (Polyimide etch) 총 8장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1550	2022-01-25 9시	10시	13-2-1 M2 Dry Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,692,500원
1551	2022-01-26 10시	11시	9-2-2 PO Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	292,500원
1552	2022-01-27 10시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1553	2022-01-27 9시	10시	TiN 50nm etching 부탁드립니다 늘 감사합니다	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
1554	2022-02-03 10시	10시	전문인력양성사업 나노소자공정 교육	나노융합기술원	교육홍보팀	김동기	1,200,000원
1555	2022-02-07 11시	12시	PR 코팅이 된 SiN를 식각할 예정입니다. 1월 28일 사용 예정이었으나 코로나로 인한 폐쇄로 일정변경합니다.	포항공과대학교	기계공학과	이상엽	136,000원
1556	2022-02-07 13시	14시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1557	2022-02-07 14시	15시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1558	2022-02-07 15시	16시	3-2-2 N-GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	141,250원
1559	2022-02-07 9시	11시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1560	2022-02-08 10시	12시	LOT ID : KA16723A 목적 : PH etch (polyimide etch) 총 6매	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1561	2022-02-09 9시	10시	안녕하세요 선생님. TiN 50 nm etching 공정의뢰 부탁드립니다. 감사드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
1562	2022-02-10 13시	15시	LOT ID : KA16722D 목적 : PO-2 etch (Polyimide etch) 총 4매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1563	2022-02-10 15시	18시	LOT ID : KA16722E 목적 : SL etch (Ti etch) 총 9매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1564	2022-02-11 9시	10시	안녕하세요, 김주훈입니다. Al 230nm etching 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	146,750원
1565	2022-02-14 11시	12시	5-3-1 Etch Stop Metal Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	141,250원
1566	2022-02-14 13시	17시	-. Pressure: 400 mT -. Power: 1000 W -. Gas: (SF6:O2 = 1:4 sccm → 대략 수준) -. Temperature: Upper 40 ℃, Lower 40 ℃, Wall 20 ℃ -. Etching Time: 10sec / 20sec / 30sec 샘플은 3종 x 반복측정 2회 x 공정시간 Split 3회 측정 조건으로 총 18매(5x5cm) 입니다. 상기 조건은 첫 요청 사항으로, 식각 수준 확인을 위해서 공정시간 구분을(10sec, 20sec, 30sec) 추가로 요청 드립니다. 초기 평가로 종료일은 임의로 설정하였습니다.	동우화인캠(주)	디스플레이색재1팀	이현보	320,000원
1567	2022-02-15 9시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,692,500원
1568	2022-02-16 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	292,500원
1569	2022-02-17 11시	12시	PI ET TEST	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유형석	146,750원
1570	2022-02-17 16시	18시	LOT ID : KA16722D 목적 : PE etch (Polyimide etch) 총 4매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1571	2022-02-18 9시	16시	LOT ID : KA16723C(12ea), KA16723A(1ea) 목적 : PH etch (Polyimide etch) 총 13매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1572	2022-02-21 9시	11시	8\'\' wafer 4ea Polymer 패턴 O2 dry etch Only O2 gas Power: 10 W Press: 10 mT Flow: 20 sccm Power #1~4 순서대로 각각 20,40,60,80sec 진행 (순서유의!) -------------------------------- 공정 후 Fab out 없이 바로 Al 60nm E-beam 수직 증착 진행합니다. (Lift-off 용도) 이정익 선생님께 전달 부탁드립니다. (순서유의!) 가능하면 metal 증착 이후 acetone lift-off 공정도 부탁드립니다. 감사합니다.	애즈미(주)	기계공학과	송주권	320,000원
1573	2022-02-22 18시	20시	LOT ID : KA16722D 목적 : PO-2 etch (polyimide etch) 총 4매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1574	2022-02-23 15시	16시	PI ET TEST	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유형석	146,750원
1575	2022-02-23 9시	11시	LOT ID : KA16722E 목적 : PO-1 etch (Polyimide etch) 총 9매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1576	2022-02-24 10시	11시	PI ET TEST	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유형석	146,750원
1577	2022-02-24 13시	18시	LOT ID : KA16723A 목적 : SL etch (Ti etch) 총 11매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1578	2022-03-03 11시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1579	2022-03-03 17시	18시	3-2-2 N-GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	347,500원
1580	2022-03-03 21시	22시	1-2-1 N_open GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	347,500원
1581	2022-03-03 9시	10시	LED 기판입니다. GaN 850 nm 에칭 부탁드립니다. 조각 6개 - 2회	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	199,000원
1582	2022-03-04 10시	17시	1. 샘플 종류: 2종 2. 평가조건 -. Power / Gas 비율 변경(SF6:O2) -. 자세한 조건은 메일 참조 요청	동우화인캠(주)	디스플레이색재1팀	이현보	485,000원
1583	2022-03-04 9시	10시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,055,500원
1584	2022-03-07 10시	16시	Si 650V 파워반도체 제작	(주)칩스케이	연구개발팀	임진홍	2,300,000원
1585	2022-03-07 11시	12시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1586	2022-03-07 15시	16시	LOT ID : KA16722E 목적 : PO-1 etch (polyimide etch) 총 1장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1587	2022-03-07 16시	17시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	215,500원
1588	2022-03-07 18시	22시	LOT ID : KA16723C 목적 : SL etch (Ti etch) 총 13매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1589	2022-03-08 15시	17시	5-3-1 Etch Stop MEtal Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	347,500원
1590	2022-03-08 17시	19시	LOT ID : KA07079A 목적 : PH etch (polyimide etch) 총 6장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1591	2022-03-10 15시	17시	PI Etch	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유형석	146,750원
1592	2022-03-10 9시	11시	LOT ID : KA07079A 목적 : PH etch (Polyimide etch) 총 6장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1593	2022-03-11 14시	15시	LOT ID : KA16723A 목적 : PO-1 etch (polyimide etch) 총 3장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1594	2022-03-14 16시	17시	6-3-1 G-Metal etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	306,250원
1595	2022-03-14 17시	18시	LOT ID : KA16723A 목적 : PO-1 etch (polyimide etch) 총 8장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1596	2022-03-14 9시	10시	안녕하세요 선생님 샘플은 보관함에 두었습니다. 3월 중순에 과제비가 들어와서 이때 결제하도록 하겠습니다. 도움 주셔서 정말 감사드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	199,000원
1597	2022-03-16 10시	11시	4-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1598	2022-03-16 15시	18시	LOT ID : KA16722E 목적 : PO-2 etch (polyimide etch) 총 4장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1599	2022-03-16 9시	10시	안녕하세요 선생님 TiN 40nm etch	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
1600	2022-03-17 1시	1시	샘플 관련 설명은 택배에 함께 동봉 하였습니다. 샘플 #1,2 는 Metal mask 이고 샘플 #3은 SiO2 mask 패턴이 공정 되어 있습니다. 식각 하고자 하는 두께는 500 nm 입니다.	한국전자통신연구원	양자광학연구실	김혜민	155,000원
1601	2022-03-17 10시	11시	4-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	407,500원
1602	2022-03-17 11시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1603	2022-03-17 14시	15시	LOT ID : KA16722E 목적 : PO-2 etch (polyimide etch) 총 3장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1604	2022-03-17 20시	21시	TiN 2장 etching 17일에 진행했던 것입니다. 미리 예약을 못해서 죄송합니다!	포항공과대학교	화학공학과	고명철	199,000원
1605	2022-03-17 9시	10시	4-2-2 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1606	2022-03-18 15시	16시	9-2-2 PO Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1607	2022-03-18 16시	20시	LOT ID : KA16723C 목적 : PO-1 etch (polyimide etch) 총 13장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1608	2022-03-21 12시	14시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,123,750원
1609	2022-03-21 14시	16시	LOT ID : KA07079A 목적 : PH etch (Polyimide etch) 총 6장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1610	2022-03-21 17시	18시	Si Dust Etch	(주)칩스케이	연구개발팀	임진홍	0원
1611	2022-03-22 13시	14시	안녕하세요. TiN 50 nm etching 공정 부탁드립니다. 샘플은 점심시간에 전달하겠습니다. 늘 감사드립니다	포항공과대학교	화학공학과	고명철	199,000원
1612	2022-03-22 16시	17시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	223,750원
1613	2022-03-22 17시	19시	LOT ID : KA07079A 목적 : PH etch (Polyimide etch) 총 6장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1614	2022-03-22 17시	19시	PDMS ETCH	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유형석	193,500원
1615	2022-03-22 9시	10시	8-3-1 S/D Metal Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	306,250원
1616	2022-03-23 13시	18시	LOT ID : KA07079C 목적 : PH etch (Polyimide etch) 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1617	2022-03-23 9시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1618	2022-03-24 17시	18시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1619	2022-03-24 18시	18시	LOT ID : NDC21Y51W 목적 : Ar Etch 총 8매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1620	2022-03-24 9시	10시	안녕하세요 선생님. a-Si 100 nm etching 부탁드립니다. 조건이 다 달라서.. 샘플 번호를 적어두었습니다. 감사드립니다!	포항공과대학교	화학공학과	고명철	298,000원
1621	2022-03-24 9시	10시	11-2-1 ISO-1 Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	806,250원
1622	2022-03-25 17시	19시	PI ETCH TEST	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유형석	193,500원
1623	2022-03-25 17시	19시	11-4-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	523,750원
1624	2022-03-25 8시	8시	LOT ID : NDC21Y51W 목적 : Ar Etch 총 12매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1625	2022-03-28 10시	13시	13-3-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1626	2022-03-28 9시	10시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다. Al 50 nm dry etching 샘플 3개 맡겨드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	144,000원
1627	2022-03-29 13시	13시	LOT ID : KA07079C 목적 : PH Etch (Polyimide Etch) 총 1장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1628	2022-03-29 9시	11시	13-3-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1629	2022-03-30 13시	14시	LOT ID : NDB22Y13W 목적 : Ar etch 총 6장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1630	2022-03-30 15시	17시	PI ETCH 5m/6m	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유형석	293,500원
1631	2022-03-31 9시	12시	13-2-1 M2 Ech	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1632	2022-04-04 10시	12시	PDMS Etch, 5min 10sec	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유형석	246,750원
1633	2022-04-04 13시	15시	- 샘플 : 18종 샘플 (1 Wafer당 5장매 진행) - 공정조건 : 메일 참조	동우화인캠(주)	칼라연구소 디스플레이 색재 1팀	김수호	320,000원
1634	2022-04-04 14시	18시	1. 고정항목 -. Pressure 49mT / Temperature Upper 40 ℃, Lower 40 ℃, Wall 20 ℃ -. Etch Time 30sec -. Sample 2종 (LR 1-4-1 / LR 1-67) 2. 변경항목 -. 기 보내드린, 메일 확인 부탁 드립니다.	동우화인캠(주)	디스플레이색재1팀	이현보	430,000원
1635	2022-04-05 10시	12시	PMMS ETCH TEST : 5m 45s	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유형석	246,750원
1636	2022-04-05 13시	15시	1-2-1 N_open GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	347,500원
1637	2022-04-06 14시	15시	LOT ID : KA19735A 목적 : PH etch (Polyimide etch) 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1638	2022-04-06 16시	17시	ICP 장비교육을 위한 장비예약입니다.	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유형석	146,750원
1639	2022-04-06 9시	14시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1640	2022-04-07 16시	17시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1641	2022-04-07 9시	12시	Dry-Etcher_ICP(2um)	삼성디스플레이	선행제품연구팀	박후근	2,295,000원
1642	2022-04-08 13시	14시	LOT ID : KA07079C 목적 : SL etch (Ti etch) 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1643	2022-04-08 14시	16시	1-2-1 N_open GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	347,500원
1644	2022-04-08 15시	18시	LOT ID : NDC22Y12W 목적 : Ar etch 총 20장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1645	2022-04-08 9시	11시	LOT ID : KA07079A 목적 : SL etch (Ti etch) 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1646	2022-04-11 15시	16시	1-2-1 N_open GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	347,500원
1647	2022-04-11 9시	12시	4-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1648	2022-04-12 10시	14시	LOT ID : KA19735C 목적 : PH etch (Polyimide etch) 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1649	2022-04-12 18시	22시	4-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1650	2022-04-13 10시	14시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1651	2022-04-13 10시	12시	ICP Etch_Resin on Sapphire	삼성디스플레이	LED Lab	송영진	615,000원
1652	2022-04-13 14시	18시	LOT ID : KA16723C 목적 : PO-2 etch (Polyimide etch) 총 13장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1653	2022-04-14 16시	17시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1654	2022-04-14 9시	12시	LOT ID : NDB22Y15W 목적 : AS etch (Ar etch) 총 6장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1655	2022-04-14 9시	11시	Dry-Etcher_ICP(2um)	삼성디스플레이	선행제품연구팀	박후근	1,020,000원
1656	2022-04-15 14시	21시	4-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1657	2022-04-15 17시	18시	ORG ETCH	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유형석	168,000원
1658	2022-04-18 16시	17시	Etch	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유형석	134,000원
1659	2022-04-19 10시	15시	LOT ID : KA07079A 목적 : PO-1 etch (Polyimide etch) 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1660	2022-04-20 13시	17시	4-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1661	2022-04-21 9시	10시	안녕하세요,노준석 교수님 연구실 김주훈입니다. Aluminum 45nm etching 샘플 4장 맡겨드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	144,000원
1662	2022-04-22 14시	16시	BCl3/Cl2/Ar based III-N plasma etch( etch rate: ~ 3nm/sec) - target depth: 1)250 nm 2)300 nm - time split: 80 sec 100 sec 120 sec	경북대학교	전자전기공학부	박영진	265,000원
1663	2022-04-25 10시	15시	- 샘플 : 30종 (1 wafer 5장씩) - 공정조건 : CF4/O2 - 1/10 --> 10개 2회	동우화인캠(주)	칼라연구소 디스플레이 색재 1팀	김수호	210,000원
1664	2022-04-25 15시	18시	4-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1665	2022-04-26 11시	12시	recipe: BCl3/Cl2/Ar plasma etching etch time: 120 sec, 조각 4개	경북대학교	전자전기공학부	박영진	155,000원
1666	2022-04-26 12시	14시	LOT ID : KA19735A 목적 : SL etch (Ti etch) 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1667	2022-04-26 17시	20시	4-2-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1668	2022-04-26 9시	10시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,055,500원
1669	2022-04-28 10시	12시	LOT ID : KA19735C 목적 : SL etch (Ti etch) 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1670	2022-04-28 16시	17시	9-2-2 PO Etch (TiN)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	215,500원
1671	2022-05-02 10시	12시	포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. TiN etching 50 nm 도 부탁드리며, 시편은 시편보관함에 넣어두겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	144,000원
1672	2022-05-02 12시	18시	LOT ID : KA19734A 목적 : PH etch (Polyimide etch) 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1673	2022-05-04 13시	14시	안녕하세요. 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다. TiN 50 nm 에칭 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	양영환	144,000원
1674	2022-05-06 10시	16시	- 샘플 : 14장 (1wafer 7장) - 공정 조건 : 메일참조	동우화인캠(주)	칼라연구소 디스플레이 색재 1팀	김수호	210,000원
1675	2022-05-06 16시	18시	1-2-1 N_Open GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	347,500원
1676	2022-05-10 10시	11시	RP spin coating 되어있습니다.	포항공과대학교	기계공학과	이상엽	136,000원
1677	2022-05-10 11시	12시	안녕하세요, 김주훈입니다. 장비 신청드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	144,000원
1678	2022-05-10 13시	15시	Target depth : 400nm 이상 Test run : Etching 후 PR remove 진행, Depth alpha step으로 check Pattern 등 자세한 사항은 방문 시 설명 드리겠습니다.	경북대학교	전자전기공학부	이상호	155,000원
1679	2022-05-10 16시	19시	Target depth : 400nm 이상 Main run : Target depth 만족하는 조건으로 run Test Sample - 4ea / Case 1 - 12ea / Case 2 - 12ea / Case 3 - 6ea (조각 샘플 5ea - 1회) ==> 7회로 처리	경북대학교	전자전기공학부	이상호	485,000원
1680	2022-05-11 13시	18시	LOT ID : KA07079A 목적 : PO-2 etch (Polyimide etch) 총 12매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1681	2022-05-11 15시	16시	4-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1682	2022-05-12 10시	11시	2*2cm 샘플 2개를 알루미늄 70 nm 에칭해주세요. 샘플은 1층의 공정의뢰함에 넣어두겠습니다.	포항공과대학교	기계공학과	정헌영	144,000원
1683	2022-05-12 11시	12시	LOT ID : KA19735C 목적 : PO-1 etch (Polyimide etch) 총 12매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1684	2022-05-12 13시	18시	1. 상세한 분석 사진 필요 2. 웨이퍼 1장에 각 소재당 시편 5개씩 본딩하여 진행 3. 공인성적서 발급 가능 여부 확인 Plasma Test : \\100,000/5min --> \\1,200,000/1 Hr	주식회사 코마테크놀로지	부설연구소	(주)코마테크놀로지	1,300,000원
1685	2022-05-16 10시	12시	1-2-1 N_Open GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	347,500원
1686	2022-05-16 13시	17시	4-4-1 ISO-2 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1687	2022-05-16 17시	17시	LOT ID : KA19734C 목적 : PH etch (Polyimde etch) 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1688	2022-05-16 17시	17시	LOT ID : KA19735A 목적 : PO-1 etch (Polyimide etch) 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1689	2022-05-17 15시	15시	LOT ID : NDB22Y20W 목적 : Ar etch 총 6장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1690	2022-05-20 13시	18시	LOT ID : KA07079C 목적 : PO-2 etch (Polyimde etch) 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1691	2022-05-20 17시	19시	1-2-1 N_Open GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	347,500원
1692	2022-05-20 9시	13시	4-2-1 ISO-1 Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1693	2022-05-24 9시	14시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,731,000원
1694	2022-05-25 15시	16시	9-2-2 PO TIN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	292,500원
1695	2022-05-26 9시	15시	4-2-1 ISO-2 Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1696	2022-05-27 9시	10시	LOT ID : NDB22Y21W 목적 : Ar etch 총 6장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1697	2022-05-31 15시	18시	4-2-1 ISO-1 GaN Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	947,500원
1698	2022-06-02 9시	10시	LOT ID : KA19734A 목적 : SL etch (Ti etch) 총 12매 (계약건) 22.5.30(월) 사용	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1699	2022-06-03 15시	18시	LOT ID : KA20924A (+KA19734C #20) 목적 : PH etch (Polyimide etch) 총 13매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1700	2022-06-03 9시	15시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,164,000원
1701	2022-06-07 10시	12시	GaInP Dry etch (~ 2um)	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김상조	4,100,000원
1702	2022-06-07 14시	15시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
1703	2022-06-07 15시	15시	LOT ID : NDB22Y22W 목적 : Ar etch 총 6매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1704	2022-06-07 16시	16시	LOT ID : KA19234C 목적 : SL etch (Ti etch) 총 11매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1705	2022-06-07 9시	13시	4-4-1 ISO-2 Etch	삼성전자 (종합기술원)	Nano Electronics Lab.	황경욱	806,250원
1706	2022-06-08 12시	13시	SiO2	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이해원	134,000원
1707	2022-06-09 9시	9시	LOT ID : KA19235A 목적 : PO-2 etch (Polyimide etch) 총 7매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1708	2022-06-13 9시	9시	LOT ID : KA19724A 목적 : PO-1 etch (Polyimide etch) 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1709	2022-06-14 9시	10시	LOT ID : NDC22Y22W 목적 : Ar etch 총 21장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1710	2022-06-15 9시	9시	LOT ID : NDB22Y24W 목적 : AS_Ar etch 총 6매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1711	2022-06-17 13시	15시	안녕하세요 선생님 TiN 80nm etching 공정 부탁드립니다. 이유정 선생님께 맡긴 공정 이후에 진행해주시면 됩니다. 감사드립니다. 고명철 드림	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
1712	2022-06-17 15시	18시	기판 3종, 각 2장 총 6장 송부 - SF6/O2 Condition Etch 30sec	동우화인캠(주)	칼라연구소 디스플레이 색재 1팀	김수호	430,000원
1713	2022-06-17 9시	10시	LOT ID : KA20924C 목적 : PH etch (Polyimide etch) 총 13장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1714	2022-06-21 10시	11시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실에 김주훈입니다. Al dry etching 샘플 3개 맡겨드립니다. 모두 12초 (60nm) 타겟으로 진행해주시면 감사드리겠습니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	144,000원
1715	2022-06-21 11시	16시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1716	2022-06-21 16시	18시	LOT ID : KA19735C 목적 : PO-2 etch (Polyimide etch) 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1717	2022-06-22 11시	12시	LOT ID : KA19734C 목적 : PO-1 etch (Polyimide etch) 총 11장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1718	2022-06-22 14시	16시	가스 : CF4 : O2 = 30 : 39 Power - 소스 : 400W - 바이어스 : 50 W time : 30sec 기판 : 6 inch ITO/APC/ITO 유기막 : Photoresist	주식회사 동진쎄미켐	전자재료사업부	김진	430,000원
1719	2022-06-22 16시	17시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1720	2022-06-22 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	737,000원
1721	2022-06-23 9시	9시	LOT ID : KA20925A 목적 : PH etch (polyimide) 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1722	2022-06-24 10시	13시	1. 고정항목 -. Pressure 49mT / Temperature Upper 40 ℃, Lower 40 ℃, Wall 20 ℃ -. Etch Time 30sec -. Sample 2종 (LR 6-31 / LR 6-35) 2. 변경항목 -. Etch Time Split 60sec / 180sec / 300sec SF6 / O2 = 30 / 90	동우화인캠(주)	디스플레이색재1팀	이현보	320,000원
1723	2022-06-24 10시	11시	안녕하세요, 김주훈입니다. Aluminum 12초 (60 nm) 에칭	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	144,000원
1724	2022-06-24 13시	17시	1. 고정항목 -. Pressure 49mT / Temperature Upper 40 ℃, Lower 40 ℃, Wall 20 ℃ -. Etch Time 30sec -. Sample 2종 (LR 6-31 / LR 6-35) 2. 변경항목 -. Etch Time 30sec Fix SF6 / O2 = 50/90, 70/90, 90/90 (Gas 등의 조건 변경은 각각 기본료 발생함, 2회 기본료 할인)	동우화인캠(주)	디스플레이색재1팀	이현보	265,000원
1725	2022-06-24 17시	17시	LOT ID : KA20924A 목적 : SL etch (Ti) 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1726	2022-06-27 15시	17시	국가나노인프라를 활용한 나노소자공정실습교육	나노융합기술원	교육홍보팀	김동기	1,750,000원
1727	2022-06-30 9시	15시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1728	2022-07-01 10시	12시	PR Etching : 7sec/17sec Sample 3종 각 2개 --> 3개씩 2회 진행	동우화인캠(주)	반도체소재연구소 반도체소재2팀	김정식	210,000원
1729	2022-07-01 13시	14시	TiN 50 nm etching 공정의뢰 부탁드립니다. 샘플은 오전에 전달하였습니다. 감사드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
1730	2022-07-01 15시	15시	LOT ID : KA20924A 목적 : SO etch (Polyimide) 총 7장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1731	2022-07-04 11시	12시	9-2-3 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1732	2022-07-04 13시	14시	TiN 50 nm etching 공정 부탁드립니다. 감사드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
1733	2022-07-04 15시	16시	Sio2	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이해원	134,000원
1734	2022-07-04 16시	18시	LOT ID : KA20925C 목적 : PH etch (Polyimide) 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1735	2022-07-04 9시	11시	8\\\'\\\' wafer 5ea Polymer 패턴 O2 dry etch Only O2 gas Power: 10 W Press: 10 mT Flow: 20 sccm *Power #1~4 순서대로 각각 25,50,75,100sec 진행 (순서유의!) -------------------------------- 공정 후 Fab out 없이 바로 Al 60nm E-beam 수직 증착을 희망합니다. (Lift-off 용도) 이정익 선생님께 전달 부탁드립니다. (순서유의!) 감사합니다.	애즈미(주)	기계공학과	송주권	320,000원
1736	2022-07-05 11시	13시	Dry Etcher(ITO)	삼성디스플레이	LED Lab	송영진	1,152,000원
1737	2022-07-05 13시	14시	LOT ID : KA20924C 목적 : SL etch (Ti) 총 13장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1738	2022-07-05 16시	17시	안녕하세요 선생님 TiN 100 nm etching 부탁드립니다. 감사드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
1739	2022-07-05 17시	18시	Dry Etcher(GaN)	삼성디스플레이	LED Lab	송영진	1,152,000원
1740	2022-07-05 18시	18시	LOT ID : KA20924B 목적 : SO etch (Polyimide) 총 5장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1741	2022-07-06 9시	11시	LOT ID : KA20925A 목적 : SL etch (Ti) 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1742	2022-07-07 10시	10시	LOT ID : NDB22Y27W 목적 : Ar etch 총 6장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1743	2022-07-08 10시	12시	TiN Etch, 50nm	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	황현준	193,500원
1744	2022-07-08 13시	16시	LOT ID : KA19734C 목적 : PO-2 etch (Polyimide) 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1745	2022-07-11 11시	11시	Plasma Dry Etching	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	2,300,000원
1746	2022-07-11 13시	14시	NN OXD CF T1(E3)	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이해원	134,000원
1747	2022-07-11 14시	15시	박막 식각	포항공과대학교	기계공학과	이상엽	136,000원
1748	2022-07-12 9시	14시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,692,500원
1749	2022-07-13 10시	10시	LOT ID : KA20924C 목적 : SO (PO-1) etch 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1750	2022-07-13 18시	19시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	292,500원
1751	2022-07-14 9시	16시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1752	2022-07-15 10시	10시	LOT ID : KA20924A 목적 : PO-2 etch 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1753	2022-07-15 16시	17시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	292,500원
1754	2022-07-15 9시	10시	안녕하세요 선생님 TiN 60 nm etching 공정 진행 부탁드립니다. 샘플은 오전중에 전달드리겠습니다. 감사드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
1755	2022-07-18 13시	15시	안녕하세요. 1, 2, 3번 샘플은 TiN 20 nm etching 4, 5, 6번 샘플은 TiN 40 nm etching 공정 부탁드립니다. 샘플은 이유정 선생님이 앞선 공정을 진행해 주시기 때문에 이유정 선생님께 샘플 전달받아주시면 될거 같습니다. 감사드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	199,000원
1756	2022-07-20 11시	11시	LOT ID : KA20925A 목적 : SO (PO-1) etch 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1757	2022-07-20 16시	17시	NN-OXD-CF-T1 (E3 챔버)	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이해원	134,000원
1758	2022-07-21 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
1759	2022-07-21 16시	18시	TiN 30 nm etching 공정 부탁드립니다. 샘플은 오후에 이유정선생님이 전달해주실 예정입니다. 감사드립니다!	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
1760	2022-07-21 9시	9시	LOT ID : KA20926A 목적 : PH etch 총 12장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1761	2022-07-22 13시	15시	김병욱 선생님 안녕하십니까 요새 도움을 많이 주셔서 정말 감사드립니다. 이번에도 이유정 선생님이 해주시는 공정후에 TiN을 식각하고자 하는데, 식각 두께와 관련하여 문의드리고 싶습니다. 내일 편하신 시간대에 연락주시면 좋겠습니다. 010 3925 2255 입니다 감사드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
1762	2022-07-22 9시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,692,500원
1763	2022-07-25 19시	20시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	292,500원
1764	2022-07-27 13시	14시	NN-OXD-CF-T1 (E2)	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이해원	134,000원
1765	2022-07-27 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	292,500원
1766	2022-07-28 10시	11시	1. O2 최대 투입량에서 SF6 Gas Split O2:SF6 = 90:0,O2:SF6 = 90:10, Time = 30 (조건이 다르면 각각 기본료 발생하지만 2건을 하나로 묶음)	동우화인캠(주)	디스플레이색재1팀	이현보	210,000원
1767	2022-07-28 11시	12시	1. O2 최대 투입량에서 SF6 Gas Split O2:SF6 = 90:30,O2:SF6 = 90:40, O2:SF6 = 90:90, Time = 30 (조건이 다르면 각각 기본료 발생하지만 3건을 하나로 묶음)	동우화인캠(주)	디스플레이색재1팀	이현보	265,000원
1768	2022-07-28 12시	13시	1.1 metal etch	삼성디스플레이	LED Lab	송영진	1,152,000원
1769	2022-07-29 9시	10시	1. O2 최대 투입량에서 SF6 Gas Split O2:SF6 = 90:20, Time = 30, 60, 180, 300	동우화인캠(주)	디스플레이색재1팀	이현보	320,000원
1770	2022-07-29 9시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,055,500원
1771	2022-08-01 14시	15시	9-2-2 PO Etch (TiN)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	215,500원
1772	2022-08-01 14시	15시	1.3 Si Dry Etch	나노융합기술원	미래기술팀	이상권	567,500원
1773	2022-08-01 9시	10시	TiN 50 nm, 70 nm etching 공정 부탁드립니다. 감사드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	199,000원
1774	2022-08-01 9시	18시	공정계약 03/11	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	1,000,000원
1775	2022-08-02 17시	18시	NN-OXD-E2	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이해원	134,000원
1776	2022-08-02 9시	9시	LOT ID : KA20924C 목적 : PO-2 etch 총 9매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1777	2022-08-03 13시	15시	8 inch wafer 1ea Polymer 패턴 O2 dry etch Only O2 gas Power: 10 W Press: 10 mT Flow: 20 sccm *Time 100sec 진행 -------------------------------- 공정 후 Fab out 없이 바로 Al 60nm E-beam 수직 증착을 희망합니다. (Lift-off 용도) 이정익 선생님께 전달 부탁드립니다. (순서유의!) 감사합니다.	애즈미(주)	기계공학과	송주권	155,000원
1778	2022-08-03 9시	10시	안녕하세요, 노준석 교수님 연구실 김주훈입니다. Al dry etching 7초 진행 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교	기계공학과	김주훈	144,000원
1779	2022-08-04 11시	12시	샘플 #1. 650 nm 식각, 샘플 #2. 200 nm 식각 요청 드립니다. 샘플 #1 의 경우, Cr metal mask 가 올라가 있고 이빔 공정이 완료된 상태입니다. 샘플 #2 의 경우, PMMA 가 올라가 있고 이빔 공정이 완료된 상태입니다. 실험 목적은 식각 테스트 및 식각 비 확인을 위함 입니다.	한국전자통신연구원	양자광학연구실	김혜민	210,000원
1780	2022-08-04 12시	14시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,055,500원
1781	2022-08-04 14시	14시	LOT ID : KA20925C 목적 : SO etch (Polyimide etch) 총 6장 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1782	2022-08-05 10시	11시	SiN 식각 120초	포항공과대학교	기계공학과	이상엽	136,000원
1783	2022-08-05 11시	11시	LOT ID : KA20926C 목적 : PH etch 총 5매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1784	2022-08-09 9시	11시	8 inch wafer 3ea Polymer 패턴 O2 dry etch 를 희망합니다. Only O2 gas Power: 10 W Press: 10 mT Flow: 20 sccm *Time Wafer #1,2,3 순서대로 50,75,100 sec 진행 -------------------------------- 공정 후 Fab out 없이 Al 60nm E-beam 수직 증착을 희망합니다. (Lift-off 용도) 이정익 선생님께 전달 부탁드립니다. (순서유의! 부탁드립니다) 감사합니다.	애즈미(주)	기계공학과	송주권	265,000원
1785	2022-08-10 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	215,500원
1786	2022-08-10 9시	15시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1787	2022-08-11 10시	12시	TiN 40 nm etching 부탁드립니다. 감사드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
1788	2022-08-11 13시	13시	LOT ID : KA20925A 목적 : PO-2 etch 총 11매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1789	2022-08-12 11시	13시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,055,500원
1790	2022-08-12 9시	11시	TiN 40 nm etching 부탁드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
1791	2022-08-16 14시	15시	9.0 PO TiN ETCH	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
1792	2022-08-16 15시	17시	나노융합기술원의 p-GaN etch profile로 500 nm Etching	영남대학교	전자공학과	손보성	155,000원
1793	2022-08-16 17시	18시	1) TiN 150 nm sputtering (RT) 2) TiN 70 nm etching (김병욱 선생님) 공정입니다. 샘플은 이유정 선생님께 전달 받으시면 됩니다! 감사드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
1794	2022-08-16 9시	10시	LOT ID : KA20926C 목적 : PH etch 총 11매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1795	2022-08-17 17시	18시	9-2-2 PO Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	215,500원
1796	2022-08-18 14시	15시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	138,500원
1797	2022-08-18 15시	15시	LOT ID : KA20926A 목적 : SO etch (Polyimide) 총 6매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1798	2022-08-18 9시	14시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1799	2022-08-19 19시	20시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1800	2022-08-19 9시	10시	TiN 40nm etching 부탁드립니다 항상감사드립니다	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
1801	2022-08-22 9시	9시	LOT ID : KA20927A 목적 : PH etch 총 12매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1802	2022-08-23 9시	9시	LOT ID : KA20926A 목적 : SL etch 총 3매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1803	2022-08-24 9시	9시	LOT ID : KA20926A 목적 : PA etch 총 13매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1804	2022-08-25 10시	10시	LOT ID : NDC22Y27W 목적 : CA_Ar etch 총 18매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1805	2022-08-25 9시	9시	LOT ID : KA20926A 목적 : PO-2 etch 총 3매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1806	2022-08-26 10시	11시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	177,000원
1807	2022-08-26 11시	12시	.	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이해원	134,000원
1808	2022-08-30 13시	15시	NN-OXD-E2 6매	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이해원	304,000원
1809	2022-08-30 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	737,000원
1810	2022-08-31 9시	17시	SF6 Gas 조건, 플라즈마 식각 평가 - \\1,000,000 / Hr 2 Hr 평가 진행 전/후 무게측정 필요	제일윈텍(주) 기술연구소	연구소	위선민	2,400,000원
1811	2022-09-01 13시	13시	LOT ID : KA20927C 목적 : PH etch 총 2매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1812	2022-09-01 14시	14시	LOT ID : KA20926B 목적 : SO etch (PO-1 etch) 총 3매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1813	2022-09-01 17시	18시	TiN 50 nm etching 부탁드립니다. 샘플은 보관함에 두었습니다. (맨 밑 보관함) 감사드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
1814	2022-09-01 9시	12시	총 두 개의 조각 시편이며, 각각 30초 / 60초 조건으로 에칭해주시기 바랍니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	임세미	199,000원
1815	2022-09-02 10시	14시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1816	2022-09-05 18시	19시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1817	2022-09-05 9시	18시	공정 04/11	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	2,000,000원
1818	2022-09-07 9시	10시	1.3 Si Dry Etch	나노융합기술원	미래기술팀	이상권	567,500원
1819	2022-09-14 17시	18시	ZnO-AlDMP E2	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이해원	134,000원
1820	2022-09-19 15시	17시	안녕하세요. 신소재 공학과 김종규 교수님 연구실 임세미 입니다. 일전에 의뢰드렸던 AlGaN ICP 에칭 (45-50nm target etching) 조건과 동일하게 90초로 공정 부탁드립니다. 추가 문의사항 있으시면 유선(010-2606-7278)으로 연락 부탁드립니다. 감사합니다	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	임세미	149,500원
1821	2022-09-19 9시	9시	LOT ID : KA20926C 목적 : SL etch 총 11매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1822	2022-09-20 9시	11시	TiN 70 nm etching 공정 부탁드립니다. 샘플은 조각이며, 이유정 선생님 공정 후에 진행해주시면 감사드리겠습니다. 항상 감사드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	248,500원
1823	2022-09-21 14시	15시	선생님 안녕하세요. 35 nm TiN etching 공정 부탁드립니다. 늘 감사드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
1824	2022-09-21 9시	10시	선생님 안녕하세요. 저번에 Ti etching 문의 드렸었는데요. 45 nm over etching 없는 조건으로 부탁드리겠습니다! 조각은 3개 입니다. 감사드립니다. 샘플은 8시 반 전에 보관함에 두겠습니다!	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
1825	2022-09-23 13시	15시	Ti 70 nm etching 부탁드립니다. Overetching 없이 부탁드리겠습니다! 샘플은 보관함에 두었습니다. 항상 감사드립니다.	포항공과대학교	화학공학과	고명철	149,500원
1826	2022-09-23 9시	12시	PR 패터닝 된, GaN 기반 LED epi 조각 시편입니다. target etching depth: 850 nm thermal grease를 바른 샘플을 8인치 웨이퍼에 붙여서 샘플 보관함에 두겠습니다. 금요일에 공정을 끝내주시면, PR 제거 후 후속 공정을 할 수 있습니다. 잘 부탁드립니다. 감사합니다 : )	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	149,500원
1827	2022-09-26 16시	17시	Dry Etcher_ICP2	삼성디스플레이	선행제품연구팀	박후근	844,000원
1828	2022-10-04 9시	10시	PDMS 식각	포항공과대학교	창의IT융합공학과	최민근	193,500원
1829	2022-10-06 10시	11시	증착되어있는 SiN 400nm 식각 요청드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	정수빈	149,500원
1830	2022-10-17 16시	18시	Dry Etcher_ICP2	삼성디스플레이	선행제품연구팀	박후근	720,000원
1831	2022-10-17 9시	17시	공정 05/11	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	2,100,000원
1832	2022-10-19 9시	11시	LOT ID : KA20926B 목적 : PO-2 etch (Polyimide) 총 3매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1833	2022-10-20 9시	9시	LOT ID : KA20927C 목적 : PO-2 etch (Polyimide) 총 12매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1834	2022-10-21 9시	16시	LOT ID : KA20927A 목적 : PO-2 etch (Polyimide) 총 12매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1835	2022-10-25 9시	19시	LOT ID : KA20926C 목적 : PO-2 etch (Polyimide) 총 11매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1836	2022-10-26 16시	17시	ZnO-AlDMP E2	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이해원	134,000원
1837	2022-10-27 9시	9시	LOT ID : KA25543A 목적 : PH etch (Polyimide) 총 12매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1838	2022-10-28 9시	9시	LOT ID : NDB22Y43W 목적 : Ar etch 총 6매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1839	2022-11-02 14시	15시	2.0 ITO Dry Etch	삼성디스플레이	SDC硏 LED LAB	원치훈	364,000원
1840	2022-11-02 15시	17시	2.0 GaN Dry Etch	삼성디스플레이	SDC硏 LED LAB	원치훈	820,000원
1841	2022-11-02 9시	11시	13-2-1 M2 Metal Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,374,000원
1842	2022-11-03 15시	16시	9-2-2 PO Etch (TiN Etch)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	254,000원
1843	2022-11-09 10시	12시	ZnO-Aldmp 웨이퍼 4매 E2	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	이해원	236,000원
1844	2022-11-09 12시	13시	2.0 Dry Etch SiO2 1,000 Å	삼성전자	생산기술연구소	구자명	650,000원
1845	2022-11-14 11시	11시	전문인력양성사업 실습교육	나노융합기술원	교육홍보팀	김동기	2,000,000원
1846	2022-11-15 9시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1847	2022-11-15 9시	12시	Al : 150nm -> Ti : 5nm 순서로 dry etching 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	144,000원
1848	2022-11-16 16시	17시	9-2-2 PO TiN etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1849	2022-11-21 9시	14시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1850	2022-11-22 15시	16시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1851	2022-11-23 1시	1시	SiC 600 nm (500 nm + 20% over etch) 식각 요청 드립니다. Cr metal mask 가 올라가 있고 이빔 공정이 완료된 상태입니다. 실험 목적은 식각 테스트 및 식각 비 확인을 위함 입니다.	한국전자통신연구원	양자광학연구실	김혜민	155,000원
1852	2022-11-28 9시	11시	5-3-1 Electrode TiN Etch	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김승모	240,250원
1853	2022-11-29 14시	16시	PI ETCH	포항공과대학교	창의IT융합공학과	유형석	193,500원
1854	2022-11-29 9시	13시	한국나노마이스터고 반도체 공정 실무교원 연수	나노융합기술원	교육홍보팀	이현규	1,200,000원
1855	2022-12-01 9시	9시	22.11.01(화) 사용 LOT ID : KA25543C 목적 : PH etch 총 3매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1856	2022-12-01 9시	9시	22.11.01(화) 사용 LOT ID : KA25543C 목적 : PH etch 총 3매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1857	2022-12-02 10시	11시	Dry Etcher	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김태균	720,000원
1858	2022-12-02 9시	9시	22.11.25(금) ~ 22.11.28(월) 사용 LOT ID : KA25544A 목적 : PH etch 총 12매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1859	2022-12-12 13시	13시	LOT ID : KA25543A 목적 : PH etch 총 12 매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1860	2022-12-12 14시	15시	Dry Etcher_ICP2	삼성디스플레이	선행제품연구팀	박후근	844,000원
1861	2022-12-19 10시	12시	Dry Etcher_ICP2	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김태균	732,000원
1862	2022-12-20 17시	18시	Dry Etcher_ICP2	삼성디스플레이	선행제품연구팀	김상조	224,000원
1863	2022-12-20 9시	9시	LOT ID : KA25544A 목적 : SO etch (Polyimide) 총 12 매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1864	2022-12-23 13시	15시	PR 패턴닝된 2인치 GaN-on-사파이어 2장	한국전자통신연구원	GaN박막소재/소자창의연구실	김진식	155,000원
1865	2022-12-26 10시	11시	3-3-1 TiN Etch	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김승모	474,000원
1866	2022-12-28 10시	12시	Ni hard mask 30 nm, GaN Etching : 1um	경북대학교	전자전기공학부	이상호	155,000원
1867	2023-01-02 11시	11시	공정	(주)유우일렉트로닉스	FAB팀	최준석	2,900,000원
1868	2023-01-02 15시	17시	Mo Etch Test. 30sec / 60sec	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	199,000원
1869	2023-01-03 10시	10시	5-2-2 MC Etch (GaN)	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1870	2023-01-05 9시	9시	Lot ID : KA25544A 목적 : PO-2 etch 총 12매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1871	2023-01-11 10시	16시	■. 1st 조건 검토 1. 샘플종류: 총 8 가지 → 5.0 x 5.0 cm 크기 2. Dry Etching 조건: SF6/O2 Etching + O2 추가 Etching (1). SF6/O2 : 유량비 → SF6/O2 = 2/1 - Source Power 500W - Bias Power 400W 8개 --> 4개씩 2회로 진행	동우화인캠(주)	디스플레이색재1팀	이현보	210,000원
1872	2023-01-11 11시	12시	Mo 70 nm dry etching 42sec 확인	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	136,000원
1873	2023-01-11 16시	18시	■. 2nd 조건 검토 1. 샘플종류: (총 1 가지) B-1 → 5.0 x 5.0 cm 크기 2. Dry Etching 조건: CF4/O2 Etching + O2 추가 Etching (1). CF4/O2 : 유량비 → CF4/O2 = 5/1 - Source Power 500W - Bias Power 400W - Time 40sec	동우화인캠(주)	디스플레이색재1팀	이현보	155,000원
1874	2023-01-11 17시	18시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	215,500원
1875	2023-01-11 9시	10시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,011,000원
1876	2023-01-12 18시	19시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	331,000원
1877	2023-01-16 1시	10시	전자과 윤주영 (010-2768-0418) Mo/SiO2(70/30 nm) --> 38초/17초 dry etching 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	149,500원
1878	2023-01-17 11시	17시	부산대학교 반도체 공정교육	나노융합기술원	교육홍보팀	김동기	1,530,909원
1879	2023-01-20 14시	15시	12-2-2 V1 TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	347,500원
1880	2023-01-23 9시	17시	전문인력양성사업 나노소자공정 & 측정 일자리연계 교육	나노융합기술원	교육홍보팀	김동기	2,000,000원
1881	2023-01-26 14시	16시	Mo/SiO2(70/30 nm) --> 38초/17초 dry etching 조각 3개	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	149,500원
1882	2023-01-26 9시	9시	Lot ID : EGR2246 목적 : PH etch 총 6매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1883	2023-01-30 9시	9시	Lot ID : KA25543C 목적 : PH etch 총 6매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1884	2023-02-08 17시	19시	안녕하세요, 김종규 교수님 연구실 김자원입니다. GaN LED epi이고, 1um ~1.2um 정도 에칭 부탁드립니다. 꼭 1um 이상 에칭 부탁드립니다. 샘플은 PR로 마스킹되어있는 조각샘플로 8인치 Si 웨이퍼 위에 써머그리스를 발라 붙여두었습니다. 그대로 에칭 부탁드립니다. 기타 문의사항 있으시면 유선 (010-2688-6826)으로 연락 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김자원	249,500원
1885	2023-02-14 10시	12시	1. 샘플종류 : 8가지 ~ 기판 Back 면(코팅되지 않은 부분)에 숫자 기재하였습니다. 2. 평가 조건 : SF6/O2 Etching + O2 추가 Etching (1). SF6/O2 : 유량비 → SF6/O2 = 2/1 -. Source Power 500W -. Bias Power 400W / 30sec 8ea --> 2회	동우화인캠(주)	디스플레이색재1팀	이현보	320,000원
1886	2023-02-14 17시	18시	5-1-1 MC GaN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	215,500원
1887	2023-02-14 9시	10시	Set1 (총 6개): sapphire 위에 성장된 GaN (end terminal: p-GaN)/ITO 시료 Set2 (총 6개): sapphire 위에 성장된 GaN (end terminal: n-GaN) 자세한 시료 내용과 에칭 깊이는 시료와 함께 설명서에 작성하여 송부드리겠습니다.	포스텍	첨단재료과학부	조원석	248,500원
1888	2023-02-15 9시	10시	GaN 1000~1200 nm 에칭 부탁드립니다. PR 마스크 두께는 1.7~1.8 µm입니다. 자세한 내용은 동봉한 인쇄물 확인 부탁드리겠습니다. 감사합니다 : ) 공정 완료 후, 꼭 연락 부탁드립니다!	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	447,500원
1889	2023-02-20 9시	10시	지난주 진행했던 시료와 동일하게 sapphire 상에 growth된 GaN/ITO 시료에서 ITO 150nm etching, GaN 1um etching을 진행하고자 합니다. 시료 설명서는 시료와 함께 동봉하여 드리겠습니다.	포스텍	첨단재료과학부	조원석	199,000원
1890	2023-02-21 9시	18시	동의대학교 LINC 사업단 반도체나노팹트랙 실습교육	나노융합기술원	교육홍보팀	김동기	2,300,000원
1891	2023-02-27 17시	18시	GXR-601 (PR용액). 패터닝 된 상태.	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	전재현	193,500원
1892	2023-03-02 9시	10시	사용 날짜 : 23년 2월 7일 LOT ID : EGR2246 Process : SO etch (PI etch), 6ea (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1893	2023-03-03 10시	15시	1-3 GaN Dry Etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	540,000원
1894	2023-03-06 10시	11시	1-1-1 GaN Etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	270,000원
1895	2023-03-07 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,192,000원
1896	2023-03-08 19시	20시	9-2-3 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	232,000원
1897	2023-03-09 13시	14시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	2,284,000원
1898	2023-03-10 11시	12시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	364,000원
1899	2023-03-16 13시	15시	- PR 패턴닝된 2인치 GaN 메인기판 2장과 2인치 모니터링 기판 1장 - 전면에 PR 패턴, 후면에 Metal 박막 증착 Etching Time : 418sec (300sec 이상으로 2회)	한국전자통신연구원	GaN박막소재/소자창의연구실	김진식	210,000원
1900	2023-03-17 9시	17시	1. 샘플종류 : 16장 (샘플 구분은 Back면에 기재하겠습니다) 2. 평가 조건 : SF6/O2 Etching + O2 추가 Etching (1). SF6/O2 : 유량비 → SF6/O2 = 2/1 -. Source Power 500W -. Bias Power 400W 16매 --> 4회 (4매/회)	동우화인캠(주)	디스플레이색재1팀	이현보	320,000원
1901	2023-03-27 9시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	1,920,000원
1902	2023-03-29 14시	15시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	황선규	320,000원
1903	2023-03-30 9시	10시	2023년 3월 13일 사용 LOT ID : NDB23Y10W 목적 : Ar etch 총 6매 (계약건)	(주)유우일렉트로닉스	Fab 팀	이민상	0원
1904	2023-04-04 10시	11시	1-2-1 GaN Dry Etch 150s	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	155,000원
1905	2023-04-04 10시	12시	GaN 2um Dry Etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	255,000원
1906	2023-04-11 10시	12시	PR Etching, SF6/O2 Etch 조각 20개, 5개/회	동우화인캠(주)	디스플레이색재1팀	이현보	320,000원
1907	2023-04-11 9시	16시	1-1-1 GaN Dry Etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	1,595,000원
1908	2023-04-12 10시	11시	[나노융합기반 고도화산업] polyimide 2.5um dry etching AZ4330 5.5um photo 되어있습니다.	주식회사 보다	연구개발	김형원	430,000원
1909	2023-04-13 13시	14시	4H-SiC 에칭 - etching depth : 400 nm film (Hardmask) thickness : SiO2, 800 nm 가장자리 carbon tape 으로 고정	한국에너지공과대학교	에너지신소재연구소	최병휘	170,000원
1910	2023-04-13 16시	18시	안녕하세요, 김종규 교수님 연구실 김자원입니다. GaN LED epi이고, 1um ~1.2um 정도 에칭 부탁드립니다. 꼭 1um 이상 에칭 부탁드립니다. 샘플은 PR로 마스킹되어있는 조각샘플로 8인치 Si 웨이퍼 위에 써머그리스를 발라 붙여두었습니다. 그대로 에칭 부탁드립니다. 장비 이용료는 일단 standard 시편 (8인치) 서비스로 신청하였습니다. 기타 문의사항 있으시면 유선 (010-2688-6826)으로 연락 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김자원	249,500원
1911	2023-04-13 16시	18시	PR Etching, 8개, 4개/회	동우화인캠(주)	디스플레이색재1팀	이현보	210,000원
1912	2023-04-13 17시	18시	2-1-1 GaN Etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	155,000원
1913	2023-04-14 16시	18시	안녕하세요, 김종규 교수님 연구실 김자원입니다. nGaN epi이고, 1um ~1.2um 정도 에칭 부탁드립니다. 꼭 1um 이상 에칭 부탁드립니다. 샘플은 PR로 마스킹되어있는 조각샘플로 8인치 Si 웨이퍼 위에 써머그리스를 발라 붙여두었습니다. 그대로 에칭 부탁드립니다. 장비 이용료는 일단 standard 시편 (8인치) 서비스로 신청하였습니다. 기타 문의사항 있으시면 유선 (010-2688-6826)으로 연락 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김자원	249,500원
1914	2023-04-19 18시	21시	2-1-1 GaN Dry Etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	540,000원
1915	2023-04-20 12시	13시	안녕하세요, 김종규 교수님 연구실 김자원입니다. nGaN epi이고, 1um ~1.2um 정도 에칭 부탁드립니다. 꼭 1um 이상 에칭 부탁드립니다. 샘플은 PR로 마스킹되어있는 조각샘플로 8인치 Si 웨이퍼 위에 써머그리스를 발라 붙여두었습니다. 그대로 에칭 부탁드립니다. 장비 이용료는 일단 standard 시편 (8인치) 서비스로 신청하였습니다. 기타 문의사항 있으시면 유선 (010-2688-6826)으로 연락 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김자원	249,500원
1916	2023-04-20 13시	14시	같이 동봉드린 A4용지 참조하여 에칭 부탁드립니다. 혹시 이해가 안되시는 부분이 있다면 전화 부탁드리겠습니다. 다만 제가 내일 10시반~11시반 사이에는 전화가 되지 않으므로, 필요하시다면 이외에 시간에 전화부탁드립니다. 잘 부탁드립니다 : )	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	289,000원
1917	2023-04-21 10시	12시	2. 평가 조건 : SF6/O2 Etching + O2 추가 Etching (1). SF6/O2 : 유량비 → SF6/O2 = 2/1 -. Source Power 500W -. Bias Power 400W 조각 4개, 1회 진행	동우화인캠(주)	첨단소재1팀	박정효	155,000원
1918	2023-04-21 9시	11시	Dry Etcher_ICP	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	624,000원
1919	2023-04-26 13시	14시	- PR 패턴닝된 2인치 GaN 메인기판 4장과 2인치 모니터링 기판 1장 - 전면에 PR 패턴, 500 nm 깊이로 식각	한국전자통신연구원	GaN박막소재/소자창의연구실	김진식	170,000원
1920	2023-04-26 9시	10시	전자과 윤주영 (010-2768-0418) Mo/SiO2 (80/30 nm) etching입니다. (Dry etcher-DMS도 신청했습니다.) Mo etching 43초, SiO2 etching 17초로 진행 부탁드리겠습니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	156,000원
1921	2023-04-27 14시	15시	3-3-1 Electrode TiN Etch	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김승모	276,000원
1922	2023-04-28 14시	15시	안녕하세요. 포항공대 김종규 교수님 연구실의 박정현입니다. GaN 1~1.1 µm 에칭 의뢰드립니다. 4/13 저희 연구실 김자원 학생이 GaN etching 의뢰드렸는데 대략 1.25 µm 에칭됐습니다. 김병욱 선생님께서 아침에 유선상으로 600초 에칭하셨다고 하셨으니, 에칭 레이트를 계산해본 결과 1.1 µm 에칭을 위해 대략 525초 에칭해주시면 좋을 것 같습니다. 공정 완료 후 연락 부탁드립니다. 잘 부탁드립니다 : )	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	249,500원
1923	2023-05-03 9시	10시	전자과 윤주영 (010-2768-0418) Mo/SiO2 (70/30 nm etching) dry etching 공정 진행 부탁드립니다. Mo 38초 SiO2 17초 공정 진행 부탁드립니다. (dry etcher DMS도 예약했습니다.)	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	156,000원
1924	2023-05-11 10시	12시	TiN(500A)/SiO2(3000A)/Si 샘플 8개 GXR601 PR pattern 되어있는 샘플 SiO2가 약간 데미지를 받아도 상관없지만, 최대한 살려주시면 감사하겠습니다. 샘플은 내일 중으로 전달드리겠습니다	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김승모	212,000원
1925	2023-05-12 15시	16시	Depth 5,500A	주식회사 아이큐랩	생산기술	김희종	226,000원
1926	2023-05-15 14시	15시	Depth 5,500A	주식회사 아이큐랩	생산기술	김희종	352,000원
1927	2023-05-17 15시	16시	[나노융합기반 고도화사업] PI Etching Test 1매	주식회사 보다	연구개발	김형원	146,750원
1928	2023-05-19 10시	11시	전자과 박성민 (010-2094-9607) Si웨이퍼 위에 올라간 SiO2/SiN/SiO2/IGZO/Mo 스택에서 Mo 70 nm dry etching 공정 진행 신청합니다. 저희 연구실의 윤주영 학생이 했던 것과 같은 조건으로 38초 에칭 진행 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	156,000원
1929	2023-05-23 9시	10시	[나노융합기반 고도화사업] 23Y05M - Ti500A / Al 2000A Etching	주식회사 보다	연구개발	김형원	287,000원
1930	2023-05-24 9시	10시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	김준용	2,648,000원
1931	2023-05-25 10시	14시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	김준용	2,648,000원
1932	2023-05-26 14시	15시	전자과 박성민 (010-2094-9607) Si웨이퍼 위에 올라간 SiO2/SiN/SiO2/IGZO/Mo 스택에서 Mo 70 nm dry etching 공정 진행 신청합니다. 저희 연구실의 윤주영 학생이 했던 것과 같은 조건으로 38초 에칭 진행 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	156,000원
1933	2023-05-26 9시	10시	[나노융합기반 고도화사업] BD32017- PHOLE_ PI Etching	주식회사 보다	연구개발	김형원	287,000원
1934	2023-05-30 10시	11시	6 TiN Dry Etch (250nm)	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	149,500원
1935	2023-05-30 15시	16시	Si Dust Etch	주식회사 아이큐랩	생산기술	김희종	199,000원
1936	2023-05-31 12시	14시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	김준용	2,648,000원
1937	2023-05-31 9시	12시	Al 150nm -> Ti 5nm 순서로 dry etching 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	156,000원
1938	2023-06-01 10시	11시	9-2-1 PO TiN Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	김준용	364,000원
1939	2023-06-01 13시	15시	CF4/Cl2 Etch Test	에스앤에스텍	IC선행팀	우미경	240,000원
1940	2023-06-01 15시	16시	PI Etch Test - PI Etch	주식회사 보다	연구개발	김형원	146,750원
1941	2023-06-05 13시	14시	전자과 윤주영 (010-2768-0418) Si웨이퍼 위에 올라간 SiO2/IGZO/SiO2/Mo 스택에서 Mo 70 nm dry etching 공정 진행 신청합니다. 항상 진행했던 조건과 동일한 recipe로 38초 에칭 진행 부탁드립니다. 이어서 DMS장비로 SiO2 30 nm etching (18초)도 진행할 예정입니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	156,000원
1942	2023-06-07 13시	13시	전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육	나노융합기술원	교육홍보팀	김동기	3,000,000원
1943	2023-06-09 9시	12시	Al 150nm -> Ti 5nm 순서로 dry etching 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	156,000원
1944	2023-06-09 9시	10시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	김준용	1,920,000원
1945	2023-06-12 19시	22시	2-1-1 GaN Dry Etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	820,000원
1946	2023-06-12 9시	10시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	기반기술랩	김준용	2,284,000원
1947	2023-06-13 13시	14시	TiN Dry Etch	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	199,000원
1948	2023-06-13 14시	15시	Dry Etch_Ulvac	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	424,000원
1949	2023-06-13 9시	10시	전자과 윤주영 (010-2768-0418) Si웨이퍼 위에 올라간 SiO2/IGZO/SiO2/Mo 스택에서 Mo 140 nm dry etching 공정 진행 신청합니다. 항상 진행했던 조건과 동일한 recipe로 76초 에칭 진행 부탁드립니다. 이어서 DMS장비로 SiO2 30 nm etching (18초)도 진행할 예정입니다	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	156,000원
1950	2023-06-14 9시	11시	Al 150nm -> Ti 5nm 순서로 dry etching 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	156,000원
1951	2023-06-19 9시	12시	안녕하세요, 신소재공학과 김종규 교수님 연구실의 임세미 입니다. 일전에 김수곤 선생님께 AlGaN ICP 에칭을 의뢰하여 조건 잡은 적이 있었고, 그 후 해당 조건으로 다수 에칭 의뢰드린 적 있습니다. 이전에 시행했던 것과 같이 시간을 달리하여 조각 시편을 각각 30초, 90초, 400초, 450초 시험 에칭 후 적절한 조건으로 추후 공정 의뢰를 드리고 싶습니다. 22년 9월 1일, 19일에 Dry Etcher_ICP - II 장비에 같은 조건으로 에칭 의뢰드린 적 있었는데, 참고해 주시면 감사하겠습니다. 혹 문의사항이 있으시다면 유선(010-2606-7278)으로 연락해 주시면 감사하겠습니다. 잘 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	임세미	552,000원
1952	2023-06-20 13시	14시	back etch	에스앤에스텍	EUV Pellicle 개발팀	이승조	375,000원
1953	2023-06-20 15시	16시	1-3-1 TiN Etch	포항공과대학교 대학원	전자전기공학부	이찬빈	188,000원
1954	2023-06-20 16시	17시	1-3-1 TiN Etch	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김승모	188,000원
1955	2023-06-21 11시	12시	1-3-1 TiN etch	포항공과대학교 대학원	전자전기공학부	이찬빈	276,000원
1956	2023-06-21 13시	14시	2-3-1 Back etch	에스앤에스텍	EUV Pellicle 개발팀	이승조	375,000원
1957	2023-06-21 9시	10시	2-3-1 Back etch	에스앤에스텍	EUV Pellicle 개발팀	이승조	375,000원
1958	2023-06-22 14시	15시	4-4-1 GaN Etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	320,000원
1959	2023-06-23 13시	14시	2-3-1 Electrode TiN Etch	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김승모	188,000원
1960	2023-06-26 11시	12시	안녕하세요, 신소재공학과 김종규 교수님 연구실의 임세미 입니다. 저번 주(6월 19일)에 에칭 조건 관련하여 다수의 시간으로 에칭을 부탁드린 적 있었는데, 이번 시편은 동일한 조건으로 모두 400 초 에칭해주시면 감사하겠습니다. 혹 문의사항이 있으시다면 유선(010-2606-7278)으로 연락해 주시면 감사하겠습니다. 잘 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	임세미	263,000원
1961	2023-06-28 15시	16시	Dry Etcher_Ulvac	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	1,716,000원
1962	2023-07-03 10시	11시	CF4 Gas, Test-1	에스앤에스텍	IC선행팀	우미경	380,000원
1963	2023-07-03 11시	12시	CF4 Gas, Test-2	에스앤에스텍	IC선행팀	우미경	450,000원
1964	2023-07-03 13시	15시	Cl2 Gas Test.	에스앤에스텍	IC선행팀	우미경	450,000원
1965	2023-07-04 9시	12시	Al 150nm -> Ti 5nm 순서로 dry etching 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	156,000원
1966	2023-07-07 16시	18시	Dry Etcher_Ulvac	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	680,000원
1967	2023-07-12 14시	15시	4-3-1 Electrode TiN Etch	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김승모	188,000원
1968	2023-07-12 17시	18시	BD3217-0629-PHOLE - PI Etch 추가 진행 50s	주식회사 보다	연구개발	김형원	240,250원
1969	2023-07-12 9시	10시	BD3217-0629-PHOLE Etch - PI 2.1um Etch_3매(150초 진행)	주식회사 보다	연구개발	김형원	240,250원
1970	2023-07-17 15시	17시	Box-2, Cl2 Etch 29ea (6회)	에스앤에스텍	IC선행팀	우미경	520,000원
1971	2023-07-17 9시	11시	Box-1, CF4 Etch 29ea (6회)	에스앤에스텍	IC선행팀	우미경	520,000원
1972	2023-07-18 10시	12시	안녕하세요, 김종규 교수님 연구실 김자원입니다. nGaN epi이고, 1um ~1.2um 정도 에칭 부탁드립니다. 꼭 1um 이상 에칭 부탁드립니다. 샘플은 PR로 마스킹되어있는 조각샘플로 8인치 Si 웨이퍼 위에 써머그리스를 발라 붙여두었습니다. 그대로 에칭 부탁드립니다. 장비 이용료는 일단 standard 시편 (8인치) 서비스로 신청하였습니다. 기타 문의사항 있으시면 유선 (010-2688-6826)으로 연락 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김자원	249,500원
1973	2023-07-18 13시	15시	Box-3, CF4 Etch 26ea (6회)	에스앤에스텍	IC선행팀	우미경	520,000원
1974	2023-07-18 15시	17시	Box-3, Cl2 Etch 26ea (6회)	에스앤에스텍	IC선행팀	우미경	520,000원
1975	2023-07-18 9시	10시	Al 150nm -> Ti 5nm 순서로 Dry etching 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	156,000원
1976	2023-07-19 9시	10시	안녕하세요, 김종규 교수님 연구실 김자원입니다. nGaN epi이고, 어제의 조건과 동일하게 부탁드립니다. 조각시편으로 장비 이용료는 일단 standard 시편 (8인치) 서비스로 신청하였습니다. 써멀그리스는 지우지 마시고 주시면 감사합니다! 기타 문의사항 있으시면 유선 (010-2688-6826)으로 연락 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김자원	263,000원
1977	2023-07-21 9시	10시	BD3217-0629-LEG - TiN 300A Etch(7월20일 공정 완료건 입니다.)	주식회사 보다	연구개발	김형원	240,250원
1978	2023-07-24 18시	20시	1-1-1 GaN Etch 2um 1-1-2 GaN Etch 2.4um	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	665,000원
1979	2023-07-25 14시	17시	대구대학교 학부생 대상 반도체공정 몰입교육	나노융합기술원	교육홍보팀	이현규	1,050,000원
1980	2023-07-26 11시	15시	Etch 평가. CF4/O2 조건, 1/2/3분 진행 평가 (각 4매씩)	동우화인캠(주)	반도체소재연구소 반도체소재2팀	김정식	310,000원
1981	2023-07-26 15시	17시	안녕하세요, 김종규 교수님 연구실 김자원입니다. 2인치 nGaN epi이고, 조각시편으로 장비 이용료는 일단 standard 시편 (8인치) 서비스로 신청하였습니다. 유선으로 말씀드렸던대로 ETRI에서 사용하는 조건 (etching time 나누어서 진행)으로 3개는 써멀 그리스 발라주시고, 3개는 그대로 로딩 부탁드립니다. 3개 조각 시편은 써멀그리스는 지우지 마시고 주시면 감사합니다! 기타 문의사항 있으시면 유선 (010-2688-6826)으로 연락 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김자원	326,000원
1982	2023-07-26 17시	20시	Etch 조건 평가. 1) SF6 / O2 조건 평가 : 각 3매 (6매) 2) CF4 / O2 조건 평가 : 각 3매 (6매) --> 6회로 진행 (조건 평가 적용, Gas 조건이 달라지면 개별 청구 필요)	동우화인캠(주)	첨단소재연구소	강덕기	520,000원
1983	2023-07-27 15시	16시	BD3217-ROIC-LEG - TiN 300A Etch 13초 진행	주식회사 보다	연구개발	김형원	193,500원
1984	2023-07-27 9시	11시	안녕하세요, 김종규 교수님 연구실 김자원입니다. PR로 마스킹 되어있는 2인치 n-GaN epi의 조각시편 9개를 8인치 Si wafer 위에 써머 그리스를 발라서 붙여 두었습니다. 7월 26일에 해주셨던 조건(ETRI에서 사용하는 조건, 에칭 타임 나눠서 진행)으로 1.2 ~ 1.3 um 에칭 부탁 드립니다. 기타 문의사항 있으시면 유선 (010-2688-6826)으로 연락 부탁드립니다. 장비 사용료는 일단 standard 시편 (8인치) 서비스로 신청하였습니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김자원	249,500원
1985	2023-07-28 10시	11시	고도화사업 SiC AKEY	주식회사 아이큐랩	생산기술	김희종	155,000원
1986	2023-07-28 9시	10시	BD3217-0629-Padopen - PI 2.1um Etch	주식회사 보다	연구개발	김형원	540,250원
1987	2023-08-01 10시	11시	5-2-2 MC GaN Etch (선행)	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	144,000원
1988	2023-08-01 13시	15시	Si dust remove	주식회사 아이큐랩	생산기술	김희종	991,000원
1989	2023-08-01 9시	10시	5-2-1 MC Oxide Etch (선행)	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	144,000원
1990	2023-08-02 11시	12시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	320,000원
1991	2023-08-02 13시	14시	Si Dust Remove	주식회사 아이큐랩	생산기술	김희종	595,000원
1992	2023-08-02 9시	11시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	320,000원
1993	2023-08-03 13시	16시	Cl2 조건	에스앤에스텍	IC선행팀	우미경	450,000원
1994	2023-08-03 16시	17시	GaN Etch 1um	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	144,000원
1995	2023-08-03 9시	12시	CF4 조건	에스앤에스텍	IC선행팀	우미경	450,000원
1996	2023-08-04 13시	14시	BD3217-PTest Pi etching	주식회사 보다	연구개발	김형원	193,500원
1997	2023-08-09 10시	11시	BD3217-PTEST PI 에칭 1매	주식회사 보다	연구개발	김형원	146,750원
1998	2023-08-11 10시	11시	1-2-1 Metal Etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	210,000원
1999	2023-08-14 16시	17시	ITO/GaN Etch	삼성디스플레이	Micro LED Lab. (Micro Display 팀)	정준석	212,000원
2000	2023-08-16 9시	10시	전자과 윤주영(01027680418) Mo 10 nm (6초) dry etching 부탁드립니다. 공정 끝난 뒤 시편보관함에 전달 부탁드리겠습니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	156,000원
2001	2023-08-17 9시	10시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	2,284,000원
2002	2023-08-18 9시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	2,284,000원
2003	2023-08-21 13시	14시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	320,000원
2004	2023-08-21 14시	16시	7-2-1 V0 Oxide Etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	364,000원
2005	2023-08-21 21시	22시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	364,000원
2006	2023-08-22 10시	11시	전자과 윤주영(01027680418) Mo 10 nm (8초) dry etching 부탁드립니다. 공정 끝난 뒤 시편보관함에 전달 부탁드리겠습니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	156,000원
2007	2023-08-22 11시	12시	Dry Etch SiC 5500A	주식회사 아이큐랩	생산기술	김희종	248,500원
2008	2023-08-22 13시	18시	영진전문대학교 반도체공정 실습교육	나노융합기술원	교육홍보팀	이현규	2,250,000원
2009	2023-08-23 13시	14시	알루미늄 30 nm 에칭 부탁드립니다. 2cm X 2cm 크기의 조각 샘플 2개입니다. (가능하시다면 한번에 에칭 부탁드립니다.) 알루미늄 30 nm 에칭 후, SiN 150 nm 에칭 부탁드립니다. (SiN 에칭의 경우 Dry Etcher - TEL 장비 신청을 추가로 할 예정입니다.) 샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다.	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이지해	156,000원
2010	2023-08-23 9시	12시	13-3-1 M2 Etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	2,284,000원
2011	2023-08-24 17시	18시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	364,000원
2012	2023-08-24 9시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	2,284,000원
2013	2023-08-25 9시	12시	1-2-1 AKey Etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	660,000원
2014	2023-08-28 17시	18시	9-2-2 PO TiN Dry Etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	364,000원
2015	2023-08-29 13시	17시	반도체 초격자 전문인력양성사업교육비	포항공과대학교	나노융합기술원	이현규	1,500,000원
2016	2023-09-01 11시	12시	12-2-2 V1 TiN Etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	364,000원
2017	2023-09-01 21시	22시	전자과 윤주영 (01027680418) Mo 70nm (38초) 드라이에칭 진행 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	156,000원
2018	2023-09-04 15시	18시	5-2-1 MC Oxide Etch, 87sec	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	364,000원
2019	2023-09-04 18시	20시	5-2-2 MC GaN Etch, 25sec	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	364,000원
2020	2023-09-05 17시	18시	TiN 800A etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	226,000원
2021	2023-09-05 9시	10시	BD3217-PTest Phole Pi Etching 150초	주식회사 보다	연구개발	김형원	146,750원
2022	2023-09-06 9시	18시	전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육	나노융합기술원	교육홍보팀	김동기	4,750,000원
2023	2023-09-07 9시	17시	경북 반도체 초격자 전문인력양성사업 반도체공정 실습교육	나노융합기술원	교육홍보팀	이현규	900,000원
2024	2023-09-11 10시	11시	전자과 윤주영 (010-2768-0418) Mo 10 nm dry etching (8초) 진행 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	156,000원
2025	2023-09-12 10시	11시	3-2-2 Mesa GaN Dry Etch	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	364,000원
2026	2023-09-12 14시	15시	1-2-1 Metal Dry Etch 선행 1매	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	155,000원
2027	2023-09-12 16시	17시	BD3217-Ptest Pi Etching	주식회사 보다	연구개발	김형원	146,750원
2028	2023-09-12 17시	18시	1-2-1 Metal Dry Etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	265,000원
2029	2023-09-12 18시	19시	1-2-1 Metal Dry Etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	375,000원
2030	2023-09-12 9시	10시	3-2-1 Mesa ITO Dry Etch	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	364,000원
2031	2023-09-13 9시	10시	1-2-1 AKEY Dry Etch	삼성전자	DS	김태훈	0원
2032	2023-09-15 13시	14시	SDC_C02	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	420,000원
2033	2023-09-15 16시	17시	Dry Etch	삼성디스플레이	Micro LED Lab. (Micro Display 팀)	정준석	368,000원
2034	2023-09-15 17시	18시	BD3217-0804 PHOLE PI Etching	주식회사 보다	연구개발	김형원	146,750원
2035	2023-09-18 16시	17시	Boda3217-0804 phole pi etching	주식회사 보다	연구개발	김형원	193,500원
2036	2023-09-18 17시	19시	1-2-1 AKEY SiC Dry Etch	삼성전자	DS	김태훈	0원
2037	2023-09-18 19시	21시	1-1-3 GaN 2um Dry Etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	565,000원
2038	2023-09-18 9시	10시	1-2-1 AKEY Etch	포항공과대학교	선행기술팀	박범성	226,000원
2039	2023-09-20 13시	14시	전자과 윤주영 (010-2768-0418) Mo dry etching 10 nm 8초 진행 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	156,000원
2040	2023-09-21 14시	16시	7-2-1 V0 etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	364,000원
2041	2023-09-21 19시	22시	1-1-2 GaN Dry etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	665,000원
2042	2023-09-22 15시	16시	Etchrate Test : CF4 조건 (4가지)	에스앤에스텍	IC선행팀	우미경	380,000원
2043	2023-09-22 16시	17시	Etchrate Test : Cl2 조건 (4가지)	에스앤에스텍	IC선행팀	우미경	380,000원
2044	2023-09-25 9시	11시	3-2-1 Mesa Etch (ITO/GaN 1.1um)	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	964,000원
2045	2023-09-26 9시	10시	BD3217-0823-PHOLE - PI Etch - 55초 55초 65초 총 3회 진행 - 2매 - 60초 60초 70초 총 3회 진행 - 1매	주식회사 보다	연구개발	김형원	193,500원
2046	2023-09-27 9시	10시	BD3217-0823-PHOLE - PI Etching - 14초	주식회사 보다	연구개발	김형원	193,500원
2047	2023-10-05 15시	16시	12-2-2 V1 TiN etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	364,000원
2048	2023-10-06 14시	15시	1-2-1 Akey Etch	삼성전자	DS	김태훈	0원
2049	2023-10-10 14시	15시	BD3217-0823-PHOLE(ROIC) - PI Etch : 55초, 55초, 79초 진행(총189초)	주식회사 보다	연구개발	김형원	146,750원
2050	2023-10-11 13시	16시	BD3217-0823-ROIC - PI Etch_30초 진행 30s + 15s + 15s + 15s + 15s	주식회사 보다	연구개발	김형원	333,750원
2051	2023-10-12 15시	16시	3-2-1 Mesa ITO Etch	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	540,000원
2052	2023-10-12 16시	19시	3-2-1 Mesa GaN Etch	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	540,000원
2053	2023-10-12 17시	18시	7-2-1 Common ITO Etch	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	188,000원
2054	2023-10-12 9시	11시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	2,284,000원
2055	2023-10-13 10시	11시	SiC Etch 5500A	주식회사 아이큐랩	제품기술	민영미	226,000원
2056	2023-10-16 15시	16시	Depth 5500A	주식회사 아이큐랩	제품기술	민영미	289,000원
2057	2023-10-17 10시	11시	1-2-1 SiC/A-Si/SiC Dry Etch	코닝정밀소재주식회사	S&C	송창원	170,000원
2058	2023-10-17 13시	14시	1-3-1 Metal etch Ti/Al/Ti/TiN 75s	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	265,000원
2059	2023-10-17 14시	15시	1-2-1 Metal etch Ti/Al/Ti/TiN 75s	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	210,000원
2060	2023-10-17 9시	10시	9-2-2 PO etch TiN etch SF6 20s	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	364,000원
2061	2023-10-18 14시	15시	1-1-2 GaN etch 2.4um, 2um	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	455,000원
2062	2023-10-19 10시	11시	7-2-1 Common ITO	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	364,000원
2063	2023-10-20 10시	11시	전자과 윤주영(01027680418) Mo dry etching 10 nm(8s) 공정 진행 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	156,000원
2064	2023-10-25 10시	11시	3-2-1 Mesa Mesa Etch	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	1,540,000원
2065	2023-10-25 11시	12시	ROIC-TiN 2000A Etch_1매	주식회사 보다	연구개발	김형원	146,750원
2066	2023-10-25 12시	13시	3-2-1 Mesa ITO Dry Etch	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	144,000원
2067	2023-10-25 13시	14시	3-2-1 Mesa ITO Dry Etch	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	320,000원
2068	2023-10-25 13시	15시	3-2-1 Mesa GaN Dry Etch	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	820,000원
2069	2023-10-25 9시	10시	3-2-1 Mesa GaN Dry Etch	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	244,000원
2070	2023-10-26 9시	10시	BD3217-0823-LEG - TiN 300A Etch	주식회사 보다	연구개발	김형원	240,250원
2071	2023-10-27 9시	12시	13-2-1 M2 Etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	2,284,000원
2072	2023-11-01 10시	12시	GaN Etching = 1200 nm, 2EA GaN Etching = 900 nm, 1EA	경북대학교	전자전기공학부	이상호	340,000원
2073	2023-11-01 10시	11시	7-2-1 common ITO	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	540,000원
2074	2023-11-01 13시	14시	전자과 윤주영 (010-2768-0418) Mo 10 nm (8초) dry etching 진행 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	156,000원
2075	2023-11-03 17시	18시	BD3217-0823-PadOpen - PI Etch_200초 - 2매	주식회사 보다	연구개발	김형원	193,500원
2076	2023-11-06 13시	14시	BD3217-1101-PHOLE - PI Etch 200초_1매	주식회사 보다	연구개발	김형원	146,750원
2077	2023-11-06 14시	15시	3-3-1 Metal etch	주식회사 에이프로세미콘	기술연구소	조영우	320,000원
2078	2023-11-06 9시	10시	8-2-1 S_D Metal etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	226,000원
2079	2023-11-07 11시	12시	13-2-1 M2 Dry etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	320,000원
2080	2023-11-08 16시	17시	9-2-2 PO etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	320,000원
2081	2023-11-08 9시	10시	BD3217-1101-PHOLE - PI Etch 200초_2매	주식회사 보다	연구개발	김형원	193,500원
2082	2023-11-09 11시	12시	9-2-2 PO etch TiN 20s	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	364,000원
2083	2023-11-13 13시	14시	안녕하세요, 김종규 교수님 연구실 김자원입니다. GaN LED epi 로, 구체적으로 Blue와 Green LED epi의 조각시편 9개와 2인치 Green LED epi을 PR로 마스킹하여 8인치 Si wafer 위에 써머 그리스를 발라서 붙여둘 예정입니다. ETRI에서 사용하는 조건 (에칭 타임 나눠서 진행)으로 1.2 um 에칭 부탁 드립니다. 기타 문의사항 있으시면 유선 (010-2688-6826)으로 연락 부탁드립니다. 장비 사용료는 일단 standard 시편 (8인치) 서비스로 신청하였습니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김자원	249,500원
2084	2023-11-14 10시	11시	전자과 윤주영 (010-2768-0418) Mo dry etching 10초 진행 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	156,000원
2085	2023-11-14 11시	12시	전자과 윤주영 (010-2768-0418) Mo dry etching 15초 진행 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	156,000원
2086	2023-11-14 19시	22시	1-1-1 GaN Dry Etch 2.0, 2.3um	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	665,000원
2087	2023-11-20 10시	11시	13-2-1 M2	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	2,284,000원
2088	2023-11-20 10시	11시	13-2-2 Power metal dry etch	삼성전자	DS	김태훈	0원
2089	2023-11-20 13시	14시	13-2-5 power metal dry etch + dust etch	포항공과대학교	선행기술팀	박범성	163,000원
2090	2023-11-20 14시	15시	13-2-2 Power metal dry etch	포항공과대학교	선행기술팀	박범성	263,000원
2091	2023-11-20 14시	15시	13-2-5 power metal dry etch + dust etch	삼성전자	DS	김태훈	0원
2092	2023-11-20 9시	10시	BD3217-1116-PHOLE - PI Etch_190초	주식회사 보다	연구개발	김형원	193,500원
2093	2023-11-21 16시	17시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	364,000원
2094	2023-11-21 17시	18시	BD3217-1116-PHOLE - PI ETCH_12초	주식회사 보다	연구개발	김형원	146,750원
2095	2023-11-21 18시	21시	1-2-1 AKEY Dry Etch	삼성전자	DS	김태훈	0원
2096	2023-11-22 10시	11시	13-2-1 M2	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	964,000원
2097	2023-11-22 9시	11시	SiC etching 의뢰드립니다. hole pattern e-beam litho 후 Cr 80 nm 가 hard mask 역할로 deposition 되어있습니다. SiC 3um 에칭 요청드립니다. 해당 실험의 목적은 etch rate 및 pillar structure 형성 테스트 입니다.	한국전자통신연구원	양자광학연구실	김혜민	370,000원
2098	2023-11-23 9시	10시	BD3217-1116-LEG - TiN Etch_12초 진행	주식회사 보다	연구개발	김형원	193,500원
2099	2023-11-24 10시	11시	전자과 윤주영 (010-2768-0418) Mo dry etching 15초 진행 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	156,000원
2100	2023-11-24 9시	10시	전자과 윤주영 (010-2768-0418) Mo dry etching 10초 진행 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	156,000원
2101	2023-11-27 9시	11시	1-1-1 GaN Dry Etch 2.2um	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	610,000원
2102	2023-11-28 11시	12시	13-2-1 Power metal	포항공과대학교	선행기술팀	박범성	263,000원
2103	2023-11-28 17시	20시	박막 식각 평가 : Cl2 Gas 1-15, 3-8, 4-13, 5-8, 8-5	에스앤에스텍	IC선행팀	우미경	870,000원
2104	2023-11-28 20시	21시	Etch Test, CF4 Gas Split 2-19, 7-5	에스앤에스텍	IC선행팀	우미경	450,000원
2105	2023-11-29 14시	15시	4-3-1 Metal etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	155,000원
2106	2023-11-30 10시	12시	power metal Si dust etching	포항공과대학교	선행기술팀	박범성	163,000원
2107	2023-11-30 13시	14시	power metal Al, Ti dry etch	포항공과대학교	선행기술팀	박범성	263,000원
2108	2023-11-30 13시	14시	4-3-2 power metal	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	212,000원
2109	2023-11-30 13시	14시	4-3-2 Power metal	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	412,000원
2110	2023-11-30 14시	17시	U14	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	794,000원
2111	2023-11-30 9시	10시	크롬 증착된 GaN 웨이퍼 Test Etch	한국전자통신연구원	GaN박막소재/소자창의연구실	김진식	170,000원
2112	2023-11-30 9시	10시	13-2-1 M2	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	2,164,000원
2113	2023-12-01 10시	11시	전자과 윤주영 (010-2768-0418) Mo dry etching 15초 진행 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	156,000원
2114	2023-12-01 9시	10시	전자과 윤주영 (010-2768-0418) Mo dry etching 10초 진행 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	156,000원
2115	2023-12-04 11시	12시	9-2-2 PO TiN Etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	364,000원
2116	2023-12-06 18시	21시	M3A251 (8EA) , M3A181 (10EA) , E3A171 (8EA) 총 26EA 10매 진행	주식회사 아이큐랩	제품기술	민영미	730,000원
2117	2023-12-06 9시	10시	BD3217-1116-PadOpen - PI Etching_200초	주식회사 보다	연구개발	김형원	193,500원
2118	2023-12-07 11시	12시	SiC Etch Depth 5,500 (16EA) 6매 진행 (총 24매)	주식회사 아이큐랩	제품기술	민영미	478,000원
2119	2023-12-07 13시	14시	BD3217-1117-PHOLE - PI Etcing - Slot 22번 100초 - Slot 25번 180초	주식회사 보다	연구개발	김형원	193,500원
2120	2023-12-07 14시	15시	필름 식각 평가 : SF6/O2 - Time Split	동우화인캠(주)	첨단소재연구소	강덕기	310,000원
2121	2023-12-07 15시	16시	필름 식각 평가 : CF4/O2 - Time Split	동우화인캠(주)	첨단소재연구소	강덕기	240,000원
2122	2023-12-07 9시	11시	M3A251 (8EA) , M3A181 (10EA) , E3A171 (8EA) 총 26EA 8매 진행 (총 18매)	주식회사 아이큐랩	제품기술	민영미	604,000원
2123	2023-12-08 13시	14시	전자과 윤주영(010-2768-0418) Mo dry etching 10초 진행 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	156,000원
2124	2023-12-08 14시	15시	전자과 윤주영(010-2768-0418) Mo dry etching 15초 진행 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	156,000원
2125	2023-12-08 16시	17시	BD3217-1117-PHOLE - PI Etch - Slot 25 - 20초 - Slot 22 - 100초	주식회사 보다	연구개발	김형원	193,500원
2126	2023-12-08 9시	11시	SiC Etch Depth 5,500 (16EA) 10매 진행 (총 34매)	주식회사 아이큐랩	제품기술	민영미	730,000원
2127	2023-12-11 19시	21시	SiC Etch Depth 5,500 9매 진행 (총 61매)	주식회사 아이큐랩	제품기술	민영미	667,000원
2128	2023-12-11 9시	18시	dry etch	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	13,500,000원
2129	2023-12-12 10시	11시	SiC Etch Depth 5,500 10매 진행 (총 44매)	주식회사 아이큐랩	제품기술	민영미	730,000원
2130	2023-12-12 11시	12시	5 mm x 5 mm SiC 8 inch wafer 에 캡톤 테이프로 고정시켜 송부 드립니다. 에칭 3.5 um 요청 드리며 표면에 Nikel 하드 마스크 100 nm 증착되어 있습니다.	한국전자통신연구원	양자광학연구실	김혜민	400,000원
2131	2023-12-12 13시	14시	SiC Etch Depth 5,500 8매 진행 (총 69매)	주식회사 아이큐랩	제품기술	민영미	604,000원
2132	2023-12-12 14시	15시	BD3217-1117-ROIC - PI Etch_80초	주식회사 보다	연구개발	김형원	146,750원
2133	2023-12-12 9시	10시	BD3217-1117-ROIC - PI Etch_200초	주식회사 보다	연구개발	김형원	146,750원
2134	2023-12-12 9시	10시	SiC Etch Depth 5,500 8매 진행 (총 52매)	주식회사 아이큐랩	제품기술	민영미	604,000원
2135	2023-12-13 11시	12시	SiO2 기판 위에 전도성고분자인 Polythiophene 계열의 고분자가 100~150nm정도 코팅되어 있습니다. O2 RIE를 통해 고분자 맨 윗부분 표면을 5~10 nm 정도 식각하고자 합니다.	포항공과대학교 대학원	화학공학과	김필곤	289,000원
2136	2023-12-14 10시	11시	13-2-1 Dry etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	156,000원
2137	2023-12-14 11시	12시	4-3-1 metal etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	210,000원
2138	2023-12-14 13시	14시	13-2-1 power metal	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	256,000원
2139	2023-12-14 15시	16시	13-2-1 power metal	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	156,000원
2140	2023-12-15 13시	14시	Lot3개 ( 8EA,8EA,6EA) 총 22매 입니다. 8매 (총 77매)	주식회사 아이큐랩	제품기술	민영미	604,000원
2141	2023-12-15 14시	15시	BD3217_D_1117 TIN 300A - 12s etching _ 3ea	주식회사 보다	연구개발	김형원	240,250원
2142	2023-12-15 15시	16시	Lot3개 ( 8EA,8EA,6EA) 총 22매 입니다. 8매 (총 85매)	주식회사 아이큐랩	제품기술	민영미	604,000원
2143	2023-12-15 16시	17시	Lot3개 ( 8EA,8EA,6EA) 총 22매 입니다. 6매 (총 91매)	주식회사 아이큐랩	제품기술	민영미	478,000원
2144	2023-12-15 9시	10시	ROIC-PadOpen - PI Etch_180초	주식회사 보다	연구개발	김형원	146,750원
2145	2023-12-18 10시	10시	1-2-1 SiC/A-Si/SiC dry etch	코닝정밀소재주식회사	S&C	송창원	170,000원
2146	2023-12-18 10시	11시	1-2-2 SiC/A-Si/SiC dry etch	코닝정밀소재주식회사	S&C	송창원	170,000원
2147	2023-12-20 10시	11시	Mo dry etching 10nm(10초) 진행 부탁드립니다. 전자과 윤주영	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	156,000원
2148	2023-12-22 16시	17시	BD3217-1117-PadOpen - PI Etch_200초	주식회사 보다	연구개발	김형원	193,500원
2149	2023-12-26 9시	10시	Si Dust Etch (4EA) Metal WF 입니다.	주식회사 아이큐랩	제품기술	민영미	352,000원
2150	2023-12-28 9시	10시	1-2-1 AKEY	삼성전자	DS	김태훈	0원
2151	2023-12-29 11시	12시	9-2-2 PO etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	364,000원
2152	2024-01-05 10시	11시	5-1-2 GaN dry etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	255,000원
2153	2024-01-05 14시	15시	5 mm x 5 mm 4H-SiC 조각 시료를 8 inch Si Wafer 에 캡톤 테이프로 고정시켜 송부드립니다. SiC 식각 조건으로 460초 (타겟 4um) 에 요청드리며 표면에는 Cr 하드 마스크 200 nm 증착되어 있습니다.	한국전자통신연구원	양자광학연구실	김혜민	170,000원
2154	2024-01-05 15시	16시	5-2-2- MC	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	408,000원
2155	2024-01-05 17시	18시	5-2-1- MC	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	408,000원
2156	2024-01-05 9시	10시	BD3217-0102-PHOLE - PI Etch_200초	주식회사 보다	연구개발	김형원	146,750원
2157	2024-01-10 15시	16시	3-3-2 Metal Etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	265,000원
2158	2024-01-12 11시	13시	M Dry Etch	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김승모	548,000원
2159	2024-01-12 14시	15시	GaN dry etch 1.8um 2매	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	410,000원
2160	2024-01-12 15시	16시	GaN dry etch 2.1 um	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	355,000원
2161	2024-01-12 19시	21시	W Dry Etch	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김승모	380,000원
2162	2024-01-12 9시	10시	M Dry Etch Test	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김승모	212,000원
2163	2024-01-15 13시	14시	1-2-1 AKEY	AP시스템(주)	디스플레이 장비사업본부	최동혁	170,000원
2164	2024-01-15 14시	15시	1-2-1 AKEY	AP시스템(주)	디스플레이 장비사업본부	최동혁	240,000원
2165	2024-01-15 15시	16시	W dry etch 30nm	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김승모	156,000원
2166	2024-01-15 16시	17시	W dry etch 70nm	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김승모	156,000원
2167	2024-01-15 9시	12시	안녕하세요, 신소재공학과 김종규 교수님 연구실의 임세미 입니다. 일전에 김수곤 선생님께 AlGaN ICP 에칭을 의뢰하여 조건 잡은 적이 있었고, 그 후 해당 조건으로 다수 에칭 의뢰드린 적 있습니다. 총 에칭을 요청드리는 샘플이 두 군이 있는데, 1) 90초 에칭, 2) 400초 에칭 군입니다. 트레이에 영역을 나누어 표시해 놓았으니 참고 부탁드리며, 이전 조건 (23년 6월 19일) 참고하여 같은 조건으로 에칭해 주시면 감사하겠습니다. 혹 문의사항이 있으시다면 유선(010-2606-7278)으로 연락해 주시면 감사하겠습니다. 잘 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	임세미	326,000원
2168	2024-01-16 13시	14시	전자과 윤주영(010-2768-0418) Mo 10 nm (10초) dry etching 진행 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	163,000원
2169	2024-01-16 14시	15시	알루미늄 30 nm 에칭 부탁드립니다. 2cm X 2cm 크기의 조각 샘플 2개로, 한번에 에칭 부탁드립니다. 알루미늄 30 nm 에칭 후, SiN 115 nm 에칭 부탁드립니다. (Dry Etcher - TEL 장비 신청 예정입니다.) 샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다.	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이지해	156,000원
2170	2024-01-18 16시	17시	BD3217_D_0102_PI test PI etching 100s 2매	주식회사 보다	연구개발	김형원	193,500원
2171	2024-01-19 14시	15시	7-2-1 V0	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	408,000원
2172	2024-01-22 13시	14시	BD3217_D_0102 PI etching 100s - 1ea	주식회사 보다	연구개발	김형원	146,750원
2173	2024-01-23 10시	11시	전자과 윤주영(010 2768 0418) Mo dry etching 10초 진행 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	163,000원
2174	2024-01-24 10시	11시	W 90 nm etch 조건으로 W 70 nm etch 요청	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김승모	156,000원
2175	2024-01-25 11시	12시	W Dry Etch	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김승모	156,000원
2176	2024-01-25 17시	18시	BD3217_D_240102_phole PI etching (100s + 80s = 180s ) 3매	주식회사 보다	연구개발	김형원	240,250원
2177	2024-01-29 13시	14시	BD3217-0102-PHOLE - PI Etching_180초	주식회사 보다	연구개발	김형원	380,500원
2178	2024-01-29 9시	10시	1-2-1 AKEY	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	380,000원
2179	2024-01-30 10시	11시	식각 특성 평가 : Bias Power Split	에스앤에스텍	IC선행팀	우미경	240,000원
2180	2024-01-30 11시	12시	식각 특성 평가 : Gas Split	에스앤에스텍	IC선행팀	우미경	310,000원
2181	2024-01-30 9시	10시	식각 특성 평가 : Source Power Split	에스앤에스텍	IC선행팀	우미경	310,000원
2182	2024-01-31 9시	11시	안녕하세요, 신소재공학과 김종규 교수님 연구실의 임세미 입니다. 일전에 김수곤 선생님께 AlGaN ICP 에칭을 의뢰하여 조건 잡은 적이 있었고, 그 후 해당 조건으로 다수 에칭 의뢰드린 적 있습니다. 이번 시편은 동일한 조건으로 모두 400 초 에칭해주시면 감사하겠습니다. 혹 문의사항이 있으시다면 유선(010-2606-7278)으로 연락해 주시면 감사하겠습니다. 잘 부탁드립니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	임세미	363,000원
2183	2024-02-01 10시	11시	W etch 6조각	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김승모	288,000원
2184	2024-02-01 9시	10시	W etch	포항공과대학교 대학원	전자전기공학과	김승모	144,000원
2185	2024-02-06 16시	17시	3-1-1 GaN	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	610,000원
2186	2024-02-07 17시	18시	BD3217-0102-PHOLE - PI Etch_20초 2매, 15초 1매	주식회사 보다	연구개발	김형원	240,250원
2187	2024-02-07 9시	10시	13-2-1 M2	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	2,284,000원
2188	2024-02-08 10시	11시	2-1-1 Mesa GaN Dry Etch	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	144,000원
2189	2024-02-08 9시	10시	2-1-1 Mesa ITO Dry Etch	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	144,000원
2190	2024-02-13 10시	12시	LGE_54-1 Hot Run 진행 청구	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	915,000원
2191	2024-02-13 15시	16시	1-2-1 AKEY	삼성전자	DS	김태훈	415,000원
2192	2024-02-13 17시	18시	1-2-1 AKEY	삼성전자	DS	김태훈	415,000원
2193	2024-02-13 18시	20시	9-2-2 PO TiN Dry Etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	364,000원
2194	2024-02-13 9시	10시	BD3217-0102-PHOLE - PI Etching_30초	주식회사 보다	연구개발	김형원	146,750원
2195	2024-02-14 13시	14시	2-2-1 mesa	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	144,000원
2196	2024-02-14 15시	16시	2-2-2 mesa	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	244,000원
2197	2024-02-14 9시	10시	1-2-1 SiC/A-Si/SiC dry etch	코닝정밀소재주식회사	S&C	송창원	170,000원
2198	2024-02-19 10시	11시	전자과 윤주영(01027680418) Mo 10 nm dry etching(10초) 진행 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	163,000원
2199	2024-02-20 13시	15시	SDC 미청구 건	삼성디스플레이	Micro LED Lab (Micro Display Team)	유철종	694,500원
2200	2024-02-20 13시	14시	2-4-1 Mesa	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	188,000원
2201	2024-02-20 16시	17시	2-4-2 Mesa	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	288,000원
2202	2024-02-20 19시	20시	4-4-2 Metal Dry Etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	155,000원
2203	2024-02-20 20시	21시	12-2-2 V1 TiN Dry Etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	408,000원
2204	2024-02-21 15시	16시	1-2-1 Akey Etch	삼성전자	DS	김태훈	0원
2205	2024-02-22 14시	15시	ITO/GaN 120s etch	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	452,000원
2206	2024-02-22 15시	16시	BD3217-240102-PHOLE - Pi Etching_200초(100초+100초)_2매	주식회사 보다	연구개발	김형원	193,500원
2207	2024-02-22 16시	17시	Si dust etching	주식회사 아이큐랩	제품기술	민영미	199,000원
2208	2024-02-23 13시	15시	1. 샘플 종류: 5개 2. 평가 조건: SF6/O2 Etching + O2 추가 Etching (1). SF6/O2 : 유량비 → SF6/O2 = 2/1 -. Source Power 500W -. Bias Power 400W	동우화인캠(주)	디스플레이색재1팀	이현보	155,000원
2209	2024-02-29 14시	15시	BD3217-240102-ROIC(Rework) - PI Etching_80초 2매	주식회사 보다	연구개발	김형원	193,500원
2210	2024-02-29 9시	10시	7-1-1 GaN etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	355,000원
2211	2024-02-29 9시	10시	안녕하세요, 김종규 교수님 연구실 김자원입니다. GaN Blue LED epi 로 조각시편 5개를 PR로 마스킹하여 8인치 Si wafer 위에 써머 그리스를 발라서 붙여둘 예정입니다. ETRI에서 사용하는 조건 (에칭 타임 나눠서 진행)으로 1.2 um 에칭 부탁 드립니다. 기타 문의사항 있으시면 유선 (010-2688-6826)으로 연락 부탁드립니다. 장비 사용료는 일단 standard 시편 (8인치) 서비스로 신청하였습니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김자원	249,500원
2212	2024-03-04 15시	16시	TiN Etch	에스케이스페셜티(주)	연구개발실	이지훈	180,000원
2213	2024-03-06 13시	14시	알루미늄 30 nm 에칭 부탁드립니다. 2cm X 2cm 크기의 조각 샘플 1개 입니다. 샘플은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이지해	156,000원
2214	2024-03-06 15시	16시	샘플은 총 5개로 PR을 mask로 사용되어 있는 상태입니다. 1. SIO2 30 nm etch - NINT에서 기존에 사용하시는 레시피를 이용한 식각을 부탁드리겠습니다. 2. Ga2O3 etch - 50W bias / 200 W Source / BCl3,Cl2 (10,10 sccm) / 5 mTorr / 5 min 위 조건으로 식각 진행해주시면 감사하겠습니다.	한국전기연구원	차세대반도체연구센터	김중헌	170,000원
2215	2024-03-06 9시	10시	13-2-1 M2	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	2,344,000원
2216	2024-03-12 14시	15시	1-2-1 AKEY	트리노테크놀로지	경영지원팀	트리노테크놀로지	0원
2217	2024-03-12 15시	16시	BD3217-240102-LEG - TiN Etching_16초	주식회사 보다	연구개발	김형원	325,000원
2218	2024-03-12 16시	17시	13-2-1 power metal Al/Ti dry etch	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	170,000원
2219	2024-03-14 11시	12시	1-2-1 SiC/A-Si/SiC dry etch	코닝정밀소재주식회사	S&C	송창원	170,000원
2220	2024-03-14 13시	14시	2-2-1 mesa	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	304,000원
2221	2024-03-19 12시	13시	알루미늄 30nm 에칭 부탁드립니다. 기판은 2cm×2cm 조각 글라스 기판에 silicon nitride 증착되어있습니다. 시편은 맡기는 시편함에 넣어두었습니다. 감사합니다.	포항공과대학교 대학원	화학공학과	이지해	156,000원
2222	2024-03-22 11시	12시	BD3217-240102-Padopen - PI Etching_200초(100초 2회)	주식회사 보다	연구개발	김형원	145,000원
2223	2024-03-25 15시	16시	2-2-1 Mesa Etch	삼성디스플레이	Micro Display	류용우	151,000원
2224	2024-03-26 10시	12시	김동한 연구원이 요청했던 조건으로 부탁드립니다. (550 nm 이상)	한국전자통신연구원	GaN박막소재/소자창의연구실	문수영	170,000원
2225	2024-04-09 13시	14시	1-2-1 AKEY	나노융합기술원	기술지원팀	강민재	212,000원
2226	2024-04-11 16시	17시	3-2-2 Gate Etch	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	148,000원
2227	2024-04-11 18시	19시	1-2-1 SiC/a-Si/SiC Dry Etch 6sec	코닝정밀소재주식회사	S&C	송창원	170,000원
2228	2024-04-22 14시	16시	3-2-2 M1 Etch	트리노테크놀로지	경영지원팀	트리노테크놀로지	0원
2229	2024-04-23 9시	12시	Al 55nm dry etching 부탁드립니다. 에칭 높이가 중요하여 55nm rate에 맞게 에칭 부탁드립니다.	포항공과대학교	기계공학과	김재경	156,000원
2230	2024-06-24 15시	17시	2-3-2 HM etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	560,000원
2231	2024-06-26 14시	15시	1-1-1 GaN etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	360,000원
2232	2024-06-28 15시	16시	전자과 윤주영 (01027680418) Mo dry etching (10nm)	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	156,000원
2233	2024-07-02 10시	12시	김동한 연구원이 했던 조건으로 공정 요청드립니다. ------ Target depth: ~ 550 nm(p-GaN@320nm + u-GaN@230 nm) Gas: Cl2(60 sccm) + BCl3(20 sccm) Etch rate: ~ 33 Å/sec(198 nm/min) Etch time: 150 sec  two-step etch: 75 sec, 75 sec Backside에 Si paste 바르지 않고 tape로 고정시켜 loading 요청드립니다.(backside contamination 방지)	한국전자통신연구원	GaN박막소재/소자창의연구실	문수영	170,000원
2234	2024-07-05 10시	11시	1-1-1 GaN etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	360,000원
2235	2024-07-05 17시	18시	전자과 윤주영(01027680418) Mo 10 nm dry etching 진행 부탁드립니다.	포항공과대학교	전자전기공학과	윤주영	156,000원
2236	2024-07-10 16시	17시	1-2-1 AKEY	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	424,000원
2237	2024-07-15 13시	14시	13-2-1 M2	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	254,000원
2238	2024-07-15 16시	17시	13-2-1 M2	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	308,000원
2239	2024-07-23 13시	14시	Al2O3 etching 35s 의뢰드립니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	박정현	568,000원
2240	2024-07-24 14시	15시	1-2-1 SiC/A-Si/SiC Dry etch	코닝정밀소재주식회사	S&C	송창원	170,000원
2241	2024-07-25 9시	10시	15-2-1 M3	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	562,000원
2242	2024-07-26 19시	20시	Ga2O3 조각시편 (1.3 cm x 1.3 cm 4개 / 1 cm x 1 cm 5개) 총 9개에 대한 식각을 진행할려고 합니다. 모든 샘플은 Ga2O3에 hard mask용 SiO2 (400 nm)와 PR 2.5 um가 증착되어 있습니다. SiO2는 Ga2O3 etch 전에 etch가 진행될 예정이며, Ga2O3 300 nm 정도 etch할 예정입니다. 이에 대한 조건은 아래와 같습니다. 1) BCl3 / Ar : 35 / 5 sccm 2) ICP / RF power : 900 / 100 W 3) Time : 5 min 4) Pressure : 최대한 낮게 진행 (~ 15 mTorr) 위 조건으로 etch 진행을 원합니다.	한국전기연구원	차세대반도체연구센터	김중헌	240,000원
2243	2024-07-31 14시	15시	공정 의뢰 승인 감사드립니다. 장비 이용료는 신임교원 할인 적용 부탁드리겠습니다. 그리고, NiO의 etching 레시피를 잡아가기 위하여, 이번 공정의 에칭에 사용해주신 레시피를 공유해주시면 정말 감사하겠습니다. 총 4개의 시편이며 GXR-601로 PR 패터닝(40sec,4000RPM)이 되어있습니다. 1. Si 기판 위 Al2O3 증착 (10nm) 2. Si 기판 위 NiO 증착 (약 24nm로 예상) 3. Si 기판 위 TiN&SiO2 증착 4. Si 공기판.	포항공과대학교	반도체공학과	황제혁	135,000원
2244	2024-08-01 10시	11시	500nm Silicon etch 및 PR Asher 의뢰드립니다	전북대학교	전자정보공학부	박선영	220,000원
2245	2024-08-07 15시	16시	1-2-1 SiC/A-Si/SiC Dry etch	코닝정밀소재주식회사	S&C	송창원	380,000원
2246	2024-08-08 14시	15시	지난 에칭 공정 도움주셔서 감사했습니다. 이전의 레시피와 같게하되, 에칭 시간만 변경(50sec -> 40sec)하여 아래의 레시피대로 공정 의뢰 부탁드립니다. - Etching time : 40sec - RF power : 200W - ICP source power : 400W - gas : 15Cl2/5Ar - Threshold energy : 55eV 에칭할 소자는 아래와 같습니다. 모든 소자에는 GRX-601 PR이 패터닝되어 있습니다. 1. Si 기판에 Al2O3 증착된 소자 2. Si 기판에 NiO 증착된 소자 3. Si 공기판 4. Si 기판에 TiN,SiO2 증착된 소자 5. Si 기판에 TiN,SiO2,NiO 증착된 소자	포항공과대학교	반도체공학과	황제혁	135,000원
2247	2024-08-12 15시	16시	5-2-1 MC	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	424,000원
2248	2024-08-12 17시	18시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	424,000원
2249	2024-08-19 19시	20시	지난 에칭 공정 도움주셔서 감사했습니다. 이전의 레시피와 같게하되, 에칭 시간만 변경(40sec -> 90sec)하여 아래의 레시피대로 공정 의뢰 부탁드립니다. - Etching time : 90sec - RF power : 200W - ICP source power : 400W - gas : 15Cl2/5Ar - Threshold energy : 55eV 에칭할 소자는 아래와 같습니다. 모든 소자에는 GRX-601 PR이 패터닝되어 있습니다. 1. Si 기판에 TiN,SiO2,NiO 증착된 소자 2. Si 기판에 TiN,SiO2,NiO 증착된 소자 3. Si 공기판 4. Si 공기판 5. Si 기판에 TiN,SiO2,NiO 증착된 소자	포항공과대학교	반도체공학과	황제혁	135,000원
2250	2024-08-20 19시	20시	GaO Etch 평가 (Gigalane 장비 진행)	경북대학교	전자재료공학	최윤호	170,000원
2251	2024-08-21 16시	18시	2-2-1 Metal 4um Etch 1매 : Gigalane 에서 진행	(주)지아이에스	지아이에스 부설연구소	이민재	460,000원
2252	2024-08-22 18시	20시	ICT 제품화 지원사업 : SiC 8inch 반송 평가 및 공정 진행	주식회사 아이큐랩	제품기술	민영미	160,000원
2253	2024-08-22 8시	9시	1-1-2 GaN	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	620,000원
2254	2024-08-23 10시	12시	5-2-2 MC GaN Etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	424,000원
2255	2024-08-23 16시	17시	ICT 제품화 지원사업 SiC2매, si1매	주식회사 아이큐랩	제품기술	민영미	280,000원
2256	2024-08-23 8시	10시	5-2-1 MC Oxide Etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	424,000원
2257	2024-08-26 10시	12시	1-1-2 GaN Dry etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	620,000원
2258	2024-08-26 15시	17시	ICT 제품화 지원사업 SIC A Key Etch : 반송 에러 조치 병행	주식회사 아이큐랩	제품기술	민영미	220,000원
2259	2024-08-26 19시	21시	ICT 제품화 지원사업 SI A Key Etch	주식회사 아이큐랩	제품기술	민영미	340,000원
2260	2024-08-27 10시	11시	15-2-1 Metal Etch 4.0um	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	454,000원
2261	2024-08-27 14시	15시	7-2-1 V0	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	424,000원
2262	2024-08-27 9시	10시	7-2-1 V0	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	424,000원
2263	2024-08-28 21시	22시	9-2 PO TiN etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	154,000원
2264	2024-08-29 17시	18시	15-1 Al Dry Etch	삼성전자	DS	김태훈	0원
2265	2024-08-29 18시	19시	15-1 Al Etch Dry	삼성전자	DS	김태훈	0원
2266	2024-08-30 15시	17시	12-1 V1 TiN Etch	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	424,000원
2267	2024-09-02 15시	16시	1-3-1 Trench	나노융합기술원	대외협력팀	박영재	156,000원
2268	2024-09-02 16시	17시	1-3-2 Trench	나노융합기술원	대외협력팀	박영재	156,000원
2269	2024-09-04 8시	10시	10분 에칭 종료 후, 반송 요청드림. --> Arcing 발생으로 150초 진행 후 반송함	영남대학교산학협력단	화학공학부	전찬욱	170,000원
2270	2024-09-05 16시	17시	12-2-2 V1	삼성종합기술원	V-T/F	양성석	424,000원
2271	2024-09-12 10시	11시	1-2-1 Akey Etch	나노융합기술원	대외협력팀	박영재	212,000원
2272	2024-09-23 15시	16시	2-1-2 SiC Etch	한국과학기술원	기계공학과	김태영	470,000원
2273	2024-09-23 16시	17시	2-1-2 SiC Etch	한국과학기술원	기계공학과	김태영	670,000원
2274	2024-09-26 14시	16시	Ga2O3 Etchrate 평가 : Gas / Power (Gigalane)	경북대학교	전자재료공학	최윤호	240,000원
2275	2024-09-30 15시	16시	1-2-1 AKEY	주식회사 아르케	SIC 생산본부	노병훈	380,000원
2276	2024-10-02 18시	19시	1-2-1 AKEY Etch	포항공과대학교	선행기술팀	한성웅	156,000원
2277	2024-10-02 8시	9시	1-1-2 GaN	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	360,000원
2278	2024-10-04 15시	16시	1-2-1 AKEY	주식회사 아르케	SIC 생산본부	노병훈	240,000원
2279	2024-10-15 14시	15시	장비 직접사용 라이센스 교육 신청합니다.	주식회사 보다	연구개발	김형원	145,000원
2280	2024-10-21 9시	11시	안녕하세요, 김종규 교수님 연구실 김자원입니다. GaN Blue/Green LED epi 로 조각시편 6개를 PR로 마스킹하여 8인치 Si wafer 위에 써머 그리스를 발라서 붙여둘 예정입니다. ETRI에서 사용하는 조건 (에칭 타임 나눠서 진행)으로 1.2 um 이상 에칭 부탁 드립니다. 기타 문의사항 있으시면 유선 (010-2688-6826)으로 연락 부탁드립니다. 장비 사용료는 일단 standard 시편 (8인치) 서비스로 신청하였습니다. 감사합니다. 10월 21일로 에칭 신청했고, 10월 21일 오전에 샘플 시편함에 위치시킬 예정입니다.	포항공과대학교 대학원	신소재공학과	김자원	256,000원
2281	2024-10-31 10시	11시	2-1-2 SiC Etch	한국과학기술원	기계공학과	김태영	570,000원
2282	2024-10-31 15시	16시	3-2-2 GATE	포항공과대학교	기술지원팀	최경근	212,000원
2283	2024-10-31 9시	10시	2-1-2 SiC Etch	한국과학기술원	기계공학과	김태영	470,000원
2284	2024-11-01 10시	11시	Ti Etch	주식회사 아이큐랩	제품기술	민영미	212,000원
2285	2024-11-04 10시	11시	meta3217_D_241014 phole PI etching 50s 1ea	주식회사 보다	연구개발	김형원	134,800원
2286	2024-11-04 9시	10시	장비 라이센스 2차 교육 신청 합니다.	주식회사 보다	연구개발	김형원	145,000원
2287	2024-11-05 17시	18시	안녕하세요, 성균관대학교 신소재공학과 김형섭 교수님 연구실 신형철입니다. SiC etching 공정의뢰 드립니다. Target etch thk. : 1 um 시료는 metal mask(Mo) 1개, PR mask 3개입니다. 기타 문의사항은 shc1118@skku.edu 또는 010-9819-1216 으로 부탁드립니다. 감사합니다.	성균관대학교	신소재공학과	신형철	170,000원
2288	2024-11-05 18시	19시	Hard mask PR 패터닝된 SiC 조각 6개입니다. SiC 1um etch 의뢰드립니다. 담당연구원:최재용/010-2123-3062/jychoieee@postech.ac.kr	포항공과대학교	전자전기공학과	이정수	196,000원
2289	2024-11-06 10시	12시	META3217-PHOLE - PI Etching_3매	주식회사 보다	연구개발	김형원	204,400원
2290	2024-11-06 16시	17시	META3217_PHOE -PI Etching_4매	주식회사 보다	연구개발	김형원	239,200원
2291	2024-11-06 9시	10시	2-1-2 SiC Etch	한국과학기술원	기계공학과	김태영	270,000원
2292	2024-11-07 17시	18시	sic 5500 etch	주식회사 아이큐랩	제품기술	민영미	388,000원
2293	2024-11-08 14시	15시	PR hard mask 패터닝 된 SiC 조각입니다. SiC 200 nm etch 의뢰드립니다. 담당연구원 : 최재용/010-2123-3062	포항공과대학교	전자전기공학과	이정수	156,000원
2294	2024-11-12 9시	12시	GaN 2.7um etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	620,000원
2295	2024-11-14 15시	16시	1. 평가 조건: SF6/O2 Etching + O2 추가 Etching (1). SF6/O2 : 유량비 → SF6/O2 = 2/1 -. Source Power 500W -. Bias Power 400W	동우화인캠(주)	첨단소재1팀	박정효	220,000원
2296	2024-11-15 8시	9시	2-1-1 GaN 1000A Etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	160,000원
2297	2024-11-15 9시	10시	2-1-2 GaN 3000A Etch	LG전자	차세대디스플레이연구소	장성규	160,000원
2298	2024-11-19 16시	17시	사용자 : 김우성, 김한용 META3217-D-241014-PHOLE - #8 PI etching	주식회사 보다	연구개발	김형원	134,800원
2299	2024-11-20 10시	11시	SiC etch 2000Å 조각 2ea	나노융합기술원	대외협력팀	박영재	156,000원
2300	2024-11-20 11시	12시	SiC etch 7000Å 조각 2ea	나노융합기술원	대외협력팀	박영재	156,000원
2301	2024-12-27 8시	9시	ICT 과제 공정비	(주)이너센서	경영, 연구소	강문식	6,248,409원

장비 사용일지 출력

Dry-Etcher_Ulvac 장비일지