PE-CVD - 2 장비일지

 기자재관리번호 : 000000
No 장비이용내역 이용내역 사용자 장비이용료
시작일 종료일 세부내용 기관명 부서(학과명) 성명 확정금액
1 2017-04-04 11시 12시 SiO2 100nm 조각 sample 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 90,000원
2 2017-04-19 10시 12시 SiO2 1um 4회 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 360,000원
3 2017-04-21 9시 12시 SOI WF 3장, Si 조각 3개
Target: PEoxide 20nm
(박막룸 전화기 옆에 두었습니다.)
 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 120,000원
4 2017-05-02 11시 14시 PECVD를 통한 SiO2 600 nm 증착 울산과학기술원 신소재공학부 박지훈 120,000원
5 2017-05-10 14시 16시 pe-oxide 8회 사용 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 720,000원
6 2017-05-31 10시 11시 SiO2 100nm 조각 sample 포항공과대학교 전자전기공학과 이준영 90,000원
7 2017-06-21 17시 18시 pe-sio2 7000A Depo. 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 580,000원
8 2017-07-19 9시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 3,600,000원
9 2017-08-16 10시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 3,600,000원
10 2017-09-01 16시 18시 NIT_250C 8inch 4매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 240,000원
11 2017-09-05 14시 16시 NIT_250C 8inch 18매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,080,000원
12 2017-09-06 16시 18시 NIT_250C 8inch 14매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 840,000원
13 2017-09-13 9시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 3,600,000원
14 2017-09-14 10시 12시 NIT_250C/300C 8inch 16매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 960,000원
15 2017-09-16 10시 13시 NIT_250C/300C 8inch 24매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,440,000원
16 2017-09-28 13시 16시 NIT_250C/300C 8inch 14매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 840,000원
17 2017-09-29 17시 21시 NIT_250C/300C 8inch 24매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,440,000원
18 2017-10-14 10시 14시 NIT_250C/300C 8inch 16매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 960,000원
19 2017-10-17 10시 14시 NIT_250C/300C 8inch 16매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 960,000원
20 2017-10-18 18시 21시 NIT_250C/300C 8inch 16매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 960,000원
21 2017-10-18 9시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 3,600,000원
22 2017-10-19 11시 14시 NIT_250C/300C 8inch 8매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 480,000원
23 2017-10-27 18시 20시 NIT 300C 8inch 16매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 960,000원
24 2017-10-31 10시 12시 NIT 300C 8inch 16매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 960,000원
25 2017-11-02 10시 12시 NIT_300C 4K 8매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 480,000원
26 2017-11-08 10시 14시 NIT 250/300C 8inch 24매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,440,000원
27 2017-11-09 20시 22시 NIT_250/300C 16매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 960,000원
28 2017-11-20 13시 17시 NIT_250/300C 22매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,320,000원
29 2017-11-22 16시 19시 NIT_250/300C 16매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 960,000원
30 2017-11-23 16시 20시 NIT_250/300C 16매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 960,000원
31 2017-11-28 16시 19시 NIT_250/300C 24매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,440,000원
32 2017-12-02 9시 12시 NIT_250/300C 15매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,080,000원
33 2017-12-04 16시 19시 NIT_250/300C 15매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 900,000원
34 2017-12-06 9시 18시 1200V급 Trench형 SiC MOSFET 소자 개발 [4.0015452.01]_Thinfilm 단위공정 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 1,200,000원
35 2017-12-07 10시 13시 CLN E/R TEST 4hr 아이오필름즈인코퍼레이티드 공정개발팀 진선문 540,000원
36 2017-12-12 9시 12시 NIT_250/300C 7매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 420,000원
37 2017-12-13 9시 12시 NIT_250/300C 8매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 480,000원
38 2017-12-22 16시 19시 NIT 250/300C 7매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 420,000원
39 2018-01-08 10시 12시 NIT 300C 7매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 420,000원
40 2018-01-09 10시 18시 전문인력양성교육_소자공정_Thinfilm 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,200,000원
41 2018-01-18 10시 13시 MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 720,000원
42 2018-01-19 15시 19시 NIT 250/300/400C 16매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 960,000원
43 2018-02-01 9시 14시 SiN 4K 250/300C 24매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,440,000원
44 2018-02-07 15시 17시 NIT_250/300C 7매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 420,000원
45 2018-02-12 10시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 1,200,000원
46 2018-02-22 10시 15시 NIT 250/300C 29매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,740,000원
47 2018-03-06 10시 13시 SiN 1000 A 증착 7매 서강대학교 전자공학과 이장우 0원
48 2018-03-06 13시 17시 NIT_250/300C 4K 18매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,080,000원
49 2018-03-07 16시 18시 NIT_250C 8매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 480,000원
50 2018-03-09 16시 19시 NIT_250/300C 12매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 720,000원
51 2018-03-13 10시 13시 MEMS 기술사업화 계약_Thinfilm 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 1,800,000원
52 2018-03-27 10시 14시 NIT_250/300C 12매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 720,000원
53 2018-04-06 10시 12시 NIT_250C 6inch 4매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 240,000원
54 2018-04-10 9시 8시 MEMS 기술사업화 계약-thinfilm 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 1,800,000원
55 2018-04-11 9시 12시 NIT_250/300C 6inch 10매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 600,000원
56 2018-04-12 9시 18시 차세대 실리콘 파워반도체 기술사업화 계약-박막 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,400,000원
57 2018-04-16 9시 11시 NIT_250/300C 4매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 240,000원
58 2018-04-24 10시 12시 NIT_250/300C 4매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 240,000원
59 2018-05-08 10시 12시 NIT_250/300C 8매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 480,000원
60 2018-05-09 11시 13시 NIT_250C 4매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 240,000원
61 2018-05-14 10시 12시 Silicon wafer 2"에 Thermal oxidation 1um 증착되어있음.
추가적으로 PE-CVD로 2um추가증착을 하고자 함.		 포항공과대학교 기계공학과 안홍민 408,000원
62 2018-05-16 13시 17시 나노융합기술 교육 관련 장비 실습 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,200,000원
63 2018-05-21 9시 18시 차세대 실리콘 파워반도체 기술사업화 계약-Thinfilm 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,400,000원
64 2018-05-28 12시 13시 NIT_250C 3매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 180,000원
65 2018-06-01 11시 13시 NIT_250C 11매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 660,000원
66 2018-06-11 10시 12시 NIT_250C 4매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 240,000원
67 2018-06-19 9시 6시 차세대 실리콘 반도체 기술사업화 계약_thinfilm 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,400,000원
68 2018-06-20 9시 11시 NIT_250C 8매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 480,000원
69 2018-06-25 10시 13시 NIT_250C 15매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 900,000원
70 2018-06-27 15시 18시 NIT_250C 7매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 420,000원
71 2018-07-16 10시 12시 SiN 4k 3매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 180,000원
72 2018-07-17 15시 17시 3-4-1,2 PE-Oxide 150nm 5매(선행 1매 포함) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 480,000원
73 2018-07-20 15시 16시 3-4-1 PE-Ox 1500A 4매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 480,000원
74 2018-07-23 9시 18시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Thinfilm 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,400,000원
75 2018-07-24 17시 18시 SiO2 3000A 2매 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
76 2018-07-30 17시 19시 3-4-1 PC PE-Oxide 150nm 6매(선행 1매 포함) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 576,000원
77 2018-08-01 11시 12시 6-4-2 PC PE-Oxide 150nm 3매(선행 1매 포함) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 288,000원
78 2018-08-06 10시 14시 NIT_250C 11매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 660,000원
79 2018-08-07 18시 20시 6-4-2 PE-Oxide 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 480,000원
80 2018-08-09 20시 22시 2-2-1 PE-Ox 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 384,000원
81 2018-08-14 14시 15시 Low hydrogen Test 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
82 2018-08-16 13시 15시 NIT_250C 14매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 840,000원
83 2018-08-16 15시 16시 Oxide 5000A/15000A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
84 2018-08-17 9시 22시 차세대 실리콘 파워반도체 기술사업화 계약_Thin film 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,400,000원
85 2018-08-20 10시 12시 NIT_250C 4매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 240,000원
86 2018-08-20 11시 12시 4-6-1 PC pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 384,000원
87 2018-08-20 19시 21시 6-4-2 M0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 480,000원
88 2018-08-23 10시 11시 1~2 oxdie 1000A depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
89 2018-08-23 15시 17시 8-5-1 m1 2nd imd depo. (선행 포함) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 288,000원
90 2018-08-24 9시 11시 6-4-2 M0 pe-oxide depo. (선행 포함) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 480,000원
91 2018-08-27 17시 18시 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
92 2018-08-29 12시 15시 NIT_250C 22매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,320,000원
93 2018-08-29 15시 16시 pe-oxide 1000A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 670,000원
94 2018-08-29 16시 18시 4-2-3 pc gate hard mask depo. pe-oxide depo.(선행 1매 진행) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 768,000원
95 2018-08-29 18시 20시 8-4-1 2nd IMD Depo 5매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 480,000원
96 2018-09-03 17시 18시 pe-oxide 50nm 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 192,000원
97 2018-09-03 17시 19시 pe-nitride 250C 4K 8ea
pe-nitride 300C 4K 6ea		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 840,000원
98 2018-09-05 14시 16시 4-6-1 pc pe-oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
99 2018-09-06 17시 18시 4-2-3 PE-Ox 50nm 5매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 480,000원
100 2018-09-07 10시 11시 4-2-3 Oxide depo 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
101 2018-09-07 11시 12시 SiN 4K 250C 4매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 240,000원
102 2018-09-07 12시 14시 pe oxide 뒷면 3000A 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
103 2018-09-07 13시 15시 pe oxide 뒷면 3000A
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
104 2018-09-10 16시 18시 4-6-1 pc pe-oxide depo. (선행 포함) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
105 2018-09-11 14시 16시 4-6-1 pc pe-oxide depo. (선행 포함) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
106 2018-09-11 15시 17시 pe-oxide 5000A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 480,000원
107 2018-09-11 16시 21시 SiN 4K 250C 4매
 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 240,000원
108 2018-09-13 16시 18시 oxide metal etch er test
pe-oxide-3 3000A
pe-oxide-3 1000A(STD)		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 242,000원
109 2018-09-13 17시 18시 2 pecvd3 oxide 400c(normal) 1000A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 96,000원
110 2018-09-14 20시 22시 6-4-3 M0 pe-oxide depo. (선행포함) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
111 2018-09-14 20시 21시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 576,000원
112 2018-09-17 17시 20시 6-4-2 M0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 576,000원
113 2018-09-18 9시 18시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Thinfilm 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,400,000원
114 2018-09-20 10시 11시 pe-oxide 700A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 192,000원
115 2018-09-21 14시 16시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 576,000원
116 2018-09-21 16시 17시 W03~W06 LH(ox 400c s03) 700A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 384,000원
117 2018-10-01 15시 16시 4-2-3 PC gate hard mask depo. oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 864,000원
118 2018-10-01 16시 17시 4-2-3 PC gate hard mask depo. oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 864,000원
119 2018-10-01 17시 18시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
120 2018-10-04 13시 14시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 864,000원
121 2018-10-05 14시 15시 4-6-1 pc pe-oxide depo. (선행포함) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 864,000원
122 2018-10-05 15시 16시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 384,000원
123 2018-10-08 10시 12시 OX 70nm 5매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 480,000원
124 2018-10-10 13시 14시 pe-oxide 3000A 3ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 438,000원
125 2018-10-10 17시 19시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 768,000원
126 2018-10-11 14시 15시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 480,000원
127 2018-10-11 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 480,000원
128 2018-10-15 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 480,000원
129 2018-10-16 17시 18시 Ox_400C_S03 1600A 4매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 384,000원
130 2018-10-17 15시 16시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
131 2018-10-17 17시 18시 4-6-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 864,000원
132 2018-10-19 13시 14시 4-2-3 pc gate hard mask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
133 2018-10-19 13시 14시 PE-Oxide Depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 384,000원
134 2018-10-22 16시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 576,000원
135 2018-10-23 11시 14시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Thinfilm 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,400,000원
136 2018-10-23 9시 11시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 864,000원
137 2018-10-24 18시 21시 4-6-1 PE-Ox 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 576,000원
138 2018-11-02 11시 12시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 576,000원
139 2018-11-02 16시 17시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 480,000원
140 2018-11-06 14시 15시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oixde depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 864,000원
141 2018-11-09 17시 18시 4-6-1 pc gate oxide depo 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 576,000원
142 2018-11-12 14시 15시 4-2-3 pc gate hard mask depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 576,000원
143 2018-11-12 17시 18시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 288,000원
144 2018-11-13 17시 18시 Ox depo 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 192,000원
145 2018-11-13 9시 10시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 252,000원
146 2018-11-14 10시 11시 Gate Module Test 2차 PE-Ox 700A 1매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 96,000원
147 2018-11-14 12시 14시 4-6-1 PE-Ox depo 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 576,000원
148 2018-11-14 17시 19시 PE-Ox depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 576,000원
149 2018-11-15 18시 19시 PE-Ox 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 288,000원
150 2018-11-15 19시 20시 PE-Ox 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 96,000원
151 2018-11-16 10시 11시 PE-Ox 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
152 2018-11-19 11시 12시 OX_400C 0.3um 5매 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
153 2018-11-19 14시 16시 pe-nitride 300C 13ea
pe-nitride 250C 4ea		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 1,020,000원
154 2018-11-19 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 480,000원
155 2018-11-20 13시 15시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
156 2018-11-20 15시 8시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Thinfilm 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,400,000원
157 2018-11-21 10시 11시 4-1-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 252,000원
158 2018-11-21 16시 17시 pe-nitride 250C 4ea 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 240,000원
159 2018-11-22 15시 16시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
160 2018-11-22 16시 19시 -- 0 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 384,000원
161 2018-11-23 17시 19시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 576,000원
162 2018-11-26 16시 17시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 480,000원
163 2018-11-26 17시 18시 OX 5000A 4매 Etch Test 用 (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 480,000원
164 2018-11-27 15시 17시 4-2-3 pg gate hard mask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 864,000원
165 2018-11-27 17시 18시 4-1-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
166 2018-11-28 16시 19시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 576,000원
167 2018-11-29 10시 11시 pe-nitride 300C 4ea
pe-nitride 250C 4ea		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 480,000원
168 2018-11-29 13시 16시 SiN Test
Gas ratio split & thickness target test 160nm 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,178,000원
169 2018-11-29 17시 19시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 480,000원
170 2018-11-30 16시 18시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 864,000원
171 2018-12-04 11시 12시 4-4-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 252,000원
172 2018-12-04 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
173 2018-12-04 18시 20시 4-4-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
174 2018-12-05 10시 11시 pe-oxide 300C 4K 4ea 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 240,000원
175 2018-12-05 17시 19시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
176 2018-12-06 15시 16시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
177 2018-12-06 15시 18시 4-6-1 PE-SiN 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
178 2018-12-07 16시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 768,000원
179 2018-12-07 16시 17시 4-2-3 gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
180 2018-12-10 17시 19시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 576,000원
181 2018-12-12 15시 17시 SiO2 5um(이상) 4매 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
182 2018-12-12 17시 19시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
183 2018-12-13 10시 13시 pe-nitride 300C 4K 4ea
pe-nitride 200C 4K 12ea
 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 960,000원
184 2018-12-13 14시 16시 4-2-3 pc gate hardmask depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
185 2018-12-13 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
186 2018-12-14 14시 16시 SiN Passivation 평가_GaN
PE-SiN 300nm		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
187 2018-12-14 16시 17시 4-1 1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 240,000원
188 2018-12-14 16시 18시 PE-SiO2 500nm
ICP Oxide etching recipe set-up		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
189 2018-12-14 18시 20시 4-7-1 PE-Ox depo 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 480,000원
190 2018-12-17 11시 12시 4-1-1 pc pe-oxide depo. 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 240,000원
191 2018-12-17 11시 12시 4-1-1 pc pe-oxide depo. 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 240,000원
192 2018-12-17 17시 19시 4-6-1 pc pe-sin depo.
4-6-1 pc pe-oxide depo.		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 768,000원
193 2018-12-19 15시 17시 4-2-3 PC Oxide Depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 576,000원
194 2018-12-20 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
195 2018-12-21 16시 18시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
196 2018-12-24 10시 11시 4-6-1 pec pe-oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
197 2018-12-24 11시 18시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Thinfilm 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,400,000원
198 2018-12-26 11시 12시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 588,000원
199 2018-12-26 16시 18시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 384,000원
200 2018-12-27 17시 19시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 384,000원
201 2018-12-28 15시 17시 4-2-3 pc gate hardmask depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 864,000원
202 2018-12-28 16시 17시 SiN 4K 4매 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 240,000원
203 2018-12-28 17시 18시 8-4-1 m1 2nd imd dpeo. pe-oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
204 2019-01-02 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 630,000원
205 2019-01-03 10시 12시 SiO2 , Si3N4 1000Å, 3400Å Depo 240,000원
206 2019-01-03 12시 13시 PE-Ox 3kA 6매(6회)
PE-Ox 5um 4매(20회)		 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
207 2019-01-03 16시 17시 4-2-3 pc gate hardmask depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
208 2019-01-04 17시 18시 PE-SiN 50nm 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 252,000원
209 2019-01-04 18시 19시 4-6-1 pc pe-oxide depo 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
210 2019-01-07 10시 11시 4-6-2 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
211 2019-01-08 10시 12시 nitride 4k 6ea 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 360,000원
212 2019-01-08 11시 14시 4-6-1 pc pe-oxide depo. oxide 1600A
4-6-1 pc pe-oxide depo. nitride 500A
4-6-1 pc pe-oxide depo. oxide 1100A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,350,000원
213 2019-01-08 14시 15시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
214 2019-01-08 14시 15시 4-4-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
215 2019-01-08 16시 17시 4-1-1 pc pe-oxide depo 3000a(1400) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 240,000원
216 2019-01-08 17시 18시 4-6-1 pc pe-sin depo. 200A
4-6-2 pc gate hardmask depo. oxide depo. 1400A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
217 2019-01-09 11시 12시 0 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 120,000원
218 2019-01-09 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo.
 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
219 2019-01-09 9시 12시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_T/F 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,400,000원
220 2019-01-10 11시 15시 pe-oxide 70ea 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
221 2019-01-10 17시 18시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 588,000원
222 2019-01-11 15시 17시 8-1 m1 2nd imd depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 630,000원
223 2019-01-14 18시 20시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
224 2019-01-15 17시 19시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
225 2019-01-16 14시 16시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
226 2019-01-17 9시 11시 SiN 4K 250C 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 300,000원
227 2019-01-18 17시 19시 4-2-3 pc gate hardmask depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
228 2019-01-21 14시 16시 4-2-3 pc gate hardmask depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
229 2019-01-21 17시 19시 8-1- m1 2nd dmd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
230 2019-01-22 15시 18시 SiN 4K 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 480,000원
231 2019-01-22 17시 18시 4-6-1 pc pe-sin depo.
4-6-2 pc gate hardmask depo.		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
232 2019-01-22 17시 19시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
233 2019-01-23 10시 11시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo.(WF05~08) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
234 2019-01-23 14시 16시 4-2-3 pc gate hardmask depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
235 2019-01-23 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 630,000원
236 2019-01-24 10시 12시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 1600A 5ea
4-6-1 pc pe-nitride depo. 150A 5ea
4-6-1 pc pe-oxide depo. 1500A 5ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,350,000원
237 2019-01-24 14시 15시 4-6-1 pc pe-sin depo 150A
4-6-2 pc gate hardmask depo. 1500A
 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
238 2019-01-25 14시 15시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 270,000원
239 2019-01-25 15시 16시 pe-oxide 5000a 알앤에스랩 센서팀 알앤에스랩 720,000원
240 2019-01-25 16시 18시 8-4-1 m1 2nd imd depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
241 2019-01-28 15시 16시 4-2-3 pc gate hardmask depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
242 2019-01-28 16시 17시 4-6-1 pc-sin depo. W06
4-6-2 pc gate hardmask depo. W06		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
243 2019-01-29 17시 18시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
244 2019-01-29 18시 20시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
245 2019-02-01 13시 15시 4-6-1 PE-Ox depo 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
246 2019-02-07 18시 20시 8-1- m1 2nd imd depo. pr-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
247 2019-02-08 18시 19시 Multimetal gate 평가 PE-Ox 1500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
248 2019-02-08 9시 12시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_thinfilm 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,400,000원
249 2019-02-11 13시 16시 PE-Ox 5um 6매 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
250 2019-02-11 15시 16시 4-6-1 pc pe-sin depo.
4-6-2 pc gate hardmask depo. oxide depo.		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
251 2019-02-11 16시 17시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
252 2019-02-11 19시 20시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
253 2019-02-12 13시 15시 Module / PE-oxide 특성 개선 평가 sample 제작: 450W/350W(Ref)/200W/100W/50W Depo.(with&without N2) 
-Recipe test, Thickness Target & Sample 제작		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 4,080,000원
254 2019-02-13 20시 21시 4-6-1 pc pe-sin depo. 3ea
4-6-1 pc pe-oxide depo. 8ea(1350,1850)		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 990,000원
255 2019-02-14 14시 15시 4-2-3 pc gate hardmask depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
256 2019-02-15 17시 18시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 630,000원
257 2019-02-15 22시 23시 8-1 m1 2nd imd depo pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
258 2019-02-18 15시 17시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 588,000원
259 2019-02-18 18시 20시 8-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
260 2019-02-19 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 630,000원
261 2019-02-20 17시 19시 6-4-2 PE-Oxide Depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
262 2019-02-21 13시 14시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
263 2019-02-21 18시 19시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
264 2019-02-25 10시 11시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
265 2019-02-25 19시 21시 6-4-2 m0 pe-oxide depo.
 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
266 2019-02-26 14시 15시 4-6-2 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 84,000원
267 2019-02-26 17시 18시 8-1- m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 630,000원
268 2019-02-28 15시 16시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
269 2019-02-28 17시 18시 8-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
270 2019-03-04 16시 18시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
271 2019-03-04 18시 19시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
272 2019-03-05 10시 11시 4-6-2 pc gate hardmask depo. oxide depo.
WF1 sio2 150 + sin 1500A
WF2 sin 150A + sio2 1500A
 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
273 2019-03-05 14시 15시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
274 2019-03-05 15시 16시 4-6-1 pc pe-oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
275 2019-03-05 18시 19시 8-1- m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
276 2019-03-06 18시 19시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
277 2019-03-06 9시 10시 2-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성전자 종합기술원 한주헌 480,000원
278 2019-03-07 14시 15시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
279 2019-03-07 17시 19시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 1600A 선행
6-4-2 m0 pe-sin depo. 1600A 선행
6-4-2 m0 pe-oxide depo.
6-4-2 m0 pe-sin depo.
6-4-2 m0 pe-oxide depo.
6-4-2 m0 pe-sin depo.
6-4-2 m0 pe-oxide depo.
6-4-2 m0 pe-sin depo.
 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
280 2019-03-08 10시 11시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
281 2019-03-11 11시 12시 4-6-2 pc gate hardmask depo. oxide depo. 1150/500 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 84,000원
282 2019-03-11 18시 19시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
283 2019-03-11 9시 19시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Thin 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,400,000원
284 2019-03-12 16시 18시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
285 2019-03-12 17시 18시 8-1- m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
286 2019-03-13 15시 16시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
287 2019-03-13 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
288 2019-03-14 10시 15시 Ox 3000A 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
289 2019-03-14 17시 18시 8-4- PE-Oxide Depo 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
290 2019-03-15 9시 10시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
291 2019-03-18 10시 12시 Ox 12um 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
292 2019-03-18 14시 15시 ox-400c-so2 2um depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
293 2019-03-18 17시 18시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 1um
8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 1.5um(선행진행)		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
294 2019-03-19 18시 19시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
295 2019-03-20 14시 15시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo.
 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
296 2019-03-21 11시 12시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
297 2019-03-25 17시 18시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
298 2019-03-26 13시 14시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
299 2019-03-26 16시 17시 4-2-3 pc gate hardmask depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
300 2019-03-26 18시 19시 8-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
301 2019-03-26 9시 10시 8-1 m1 2nd imd depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
302 2019-03-27 15시 16시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo.(multimetal gate-4) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
303 2019-03-28 14시 15시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide dpeo.(gate recess) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
304 2019-03-28 16시 17시 4-2-3 pc gate hardmask depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
305 2019-03-28 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
306 2019-04-01 10시 11시 4-6-1 pc pe-oixde depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
307 2019-04-02 13시 14시 0-1-2 0 GC oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
308 2019-04-02 15시 16시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
309 2019-04-02 17시 18시 4-6-2 pc ild pe-oxide depo. 1200/1400/1550/1200
4-6-2 pc pe-sin depo. 500/300/150/500
(multimetal gate-4)		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
310 2019-04-02 18시 20시 8-1- m1 2nd imd depo. pr-oxide depo. 1um*4/2um*4 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
311 2019-04-03 11시 12시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
312 2019-04-03 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
313 2019-04-05 17시 18시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo.(multimetal gate -5) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
314 2019-04-08 10시 11시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
315 2019-04-08 17시 18시 8-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
316 2019-04-09 10시 18시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_thin 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,400,000원
317 2019-04-09 15시 16시 4-2-3 pc gate hardmask dpeo. oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
318 2019-04-10 10시 12시 4-4-1 PE-Ox 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
319 2019-04-10 14시 15시 2-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성전자 종합기술원 한주헌 1,056,000원
320 2019-04-10 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
321 2019-04-10 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. sio2
6-4-2 m0 pe-oxide depo. sin		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
322 2019-04-11 16시 18시 PE-Ox 6um 8매 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
323 2019-04-12 11시 12시 4-6-1 pc pe-oixde depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
324 2019-04-16 10시 11시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
325 2019-04-16 17시 19시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 2um
8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo.1000A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 630,000원
326 2019-04-17 11시 12시 4-6-2 pc ild pe-oxide(multimetal gate-5) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
327 2019-04-17 11시 12시 4-2-3 pc gate hardmask depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
328 2019-04-17 16시 17시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
329 2019-04-17 18시 19시 8-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
330 2019-04-18 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
331 2019-04-19 13시 16시 SiO2 3000A 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
332 2019-04-22 14시 15시 4-6-2 pc lid pe-oxide depo.(mutimetal gate-5) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
333 2019-04-22 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
334 2019-04-23 13시 14시 4-2-3 pc gatehardmask depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
335 2019-04-23 15시 16시 4-6-1 pc pe-oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
336 2019-04-23 18시 20시 8-4-1 PE-Ox 2um 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,440,000원
337 2019-04-24 10시 11시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
338 2019-04-24 11시 12시 6-4-2 m0 pe-oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
339 2019-04-24 15시 16시 SiN 4K 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 420,000원
340 2019-04-25 10시 11시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
341 2019-04-26 14시 15시 -InP 2inch 2장, quarter 1장으로 구성되어있습니다.
-APD 제작을 위한 dielectric layer 증착
-SiNx 0.2um 증착
pe-cvd 1호로 진행		 한국전자통신연구원 광융합부품연구그룹 심재식 120,000원
342 2019-04-26 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
343 2019-04-29 17시 18시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
344 2019-04-29 17시 18시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide dpeo.(GR3) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
345 2019-04-30 15시 16시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
346 2019-04-30 17시 18시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
347 2019-05-03 10시 11시 0-1-1 fab-in pecvd depo. (주)베프스 기획팀 BEFS 0원
348 2019-05-07 18시 19시 4-6-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
349 2019-05-08 13시 14시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
350 2019-05-09 15시 16시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 1.5um 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
351 2019-05-10 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 630,000원
352 2019-05-13 16시 17시 3-4-1 pg pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
353 2019-05-14 9시 13시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Thin film 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,400,000원
354 2019-05-15 11시 12시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 2um 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,440,000원
355 2019-05-15 18시 19시 6-4-2 m0 pe-oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
356 2019-05-20 17시 18시 8-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 2um 2ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
357 2019-05-21 15시 16시 4-2-3 pc gate hardmask depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
358 2019-05-24 15시 16시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
359 2019-05-27 11시 12시 pe-ox 1200a 엘지디스플레이 LED 연구팀 박성경 120,000원
360 2019-05-27 14시 15시 0-1-3 hard mask pe-oxide depo. (주)니나노 기업부설연구소 박준영 600,000원
361 2019-05-27 14시 15시 0-1-3 hard mask pe-oxide depo. (주)니나노 기업부설연구소 박준영 600,000원
362 2019-05-29 16시 17시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
363 2019-05-29 17시 18시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
364 2019-05-29 9시 16시 - 물질 : SiO2
- 온도 : 200도
- 두께 : 3000A
- 샘플은 Wafer에서 RF power 3종 선진행 후 SiH4 2종 진행(송부메일 참고)
 동우화인켐 ADS선행개발2팀 이명원 870,000원
365 2019-05-31 15시 16시 4-6-1 PE-Ox 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
366 2019-06-03 14시 16시 8-4-1 m1 2nd imd depo.2um 4ea
8-4-1 m1 2nd imd depo.2um 2ea
8-4-1 m1 pe-sin depo.1um 2ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,260,000원
367 2019-06-04 12시 13시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
368 2019-06-04 14시 15시 1 cvd oxide pe oxide 5um 5ea 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
369 2019-06-04 16시 17시 3-4-1 pg pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
370 2019-06-05 19시 20시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 630,000원
371 2019-06-10 11시 12시 4-7-3 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 630,000원
372 2019-06-11 15시 16시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
373 2019-06-12 11시 13시 8-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo.
2um*3ea
3um*3ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,350,000원
374 2019-06-12 16시 17시 PE-Ox 2um 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
375 2019-06-12 17시 18시 4-7-1 PE-Oxide depo 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 270,000원
376 2019-06-12 18시 20시 8-4-1 PE-Oxide depo 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,260,000원
377 2019-06-14 16시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
378 2019-06-17 14시 15시 4-6-2 pc ild pe-oxide depo. 1400A 2ea, 1500A 2ea
4-6-2 pc pe-sin depo. 150A 2ea, 300A 2ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
379 2019-06-20 10시 11시 8-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 2um 2ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
380 2019-06-20 11시 15시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,400,000원
381 2019-06-24 11시 12시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
382 2019-06-25 16시 18시 8-1- m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 2um 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
383 2019-06-25 9시 12시 - 물질 : SiO2
- 온도 : 200도
- 두께 : 3000A
- 샘플은 Wafer에서 SiH4 gas ratio split 3종 선진행 후 Glass sample 진행		 동우화인켐 ADS선행개발2팀 이명원 870,000원
384 2019-06-26 10시 11시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 270,000원
385 2019-06-27 9시 10시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
386 2019-06-28 15시 16시 8-1-1 m1 passivation oxide depo. 2um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
387 2019-07-01 17시 18시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
388 2019-07-02 13시 14시 2-1-1 F_POE Insulation depo. peoxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 480,000원
389 2019-07-02 9시 12시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 2um 7ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,260,000원
390 2019-07-04 16시 18시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 2um 3ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
391 2019-07-05 10시 11시 차세대 나노선 개발 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 0원
392 2019-07-05 9시 10시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
393 2019-07-09 14시 17시 8-1 m1 2nd imd dpeo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
394 2019-07-10 14시 15시 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 84,000원
395 2019-07-11 14시 18시 SiN Stress Measurement
PE-SiO2 박막 증착, PE-CVD SiN 박막 증착		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,335,000원
396 2019-07-12 11시 12시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
397 2019-07-12 11시 12시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
398 2019-07-12 14시 15시 pe-oxide 1000a 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 306,000원
399 2019-07-15 13시 14시 3-4-1 pg pe-oxide depo.
(11.0 gc module photo)		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
400 2019-07-16 10시 11시 BOE ER Test 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 322,000원
401 2019-07-16 14시 15시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
402 2019-07-16 16시 17시 2-4-1 pe-cvd sio2 20nm3ea
2-4-2 pe-cvd a-Si 1ea
2-4-2 pe-cvd O2 Plasma 1ea		 포항공과대학교 화학과 신승구 540,000원
403 2019-07-16 17시 18시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
404 2019-07-17 10시 11시 3-4-1 pg pe-oxide depo.
(11.0 gc module photo-2)		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
405 2019-07-17 11시 13시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,400,000원
406 2019-07-17 9시 10시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
407 2019-07-18 13시 14시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
408 2019-07-18 13시 14시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
409 2019-07-18 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 1900a 3ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 270,000원
410 2019-07-19 10시 11시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 1750a 3ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 270,000원
411 2019-07-19 11시 12시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
412 2019-07-19 16시 17시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
413 2019-07-23 11시 12시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
414 2019-07-23 17시 19시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,620,000원
415 2019-07-23 17시 18시 0-6-1 0 pe-sin dpeo. / pe-oxide depo. 5ea
(sin_oxide etch rate)		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
416 2019-07-24 10시 11시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
417 2019-07-24 9시 10시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
418 2019-07-25 14시 15시 1-6-1 akey pe-sin depo. 4ea
1-7-1 akey pe-oxide depo. 4ea
(gc module setup_sin)		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
419 2019-07-25 16시 17시 8-1- m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
420 2019-07-26 10시 13시 8-1- m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
421 2019-07-26 17시 18시 3-4-1 pg re-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
422 2019-07-26 9시 10시 2-1-1 f_poe insulation depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 336,000원
423 2019-07-29 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
424 2019-07-29 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
425 2019-07-31 16시 17시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
426 2019-07-31 16시 17시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
427 2019-07-31 17시 20시 8-1 m1 2nd imd depo pe-oxide depo. 3um4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
428 2019-08-05 13시 14시 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
429 2019-08-05 13시 14시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
430 2019-08-05 17시 18시 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
431 2019-08-05 18시 20시 8-1- m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
432 2019-08-05 9시 10시 나노선 열전소자 제작(Silicide Protection Oxide 400A) 주식회사 싸이츠 기업부설연구소 백창기 0원
433 2019-08-06 16시 17시 4-7-1 pc pe-oxide depo.
(gc module setip_sin)		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
434 2019-08-07 17시 19시 8-4-1 PE-Ox 3um 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,350,000원
435 2019-08-08 10시 11시 PE-Ox 300nm 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 204,000원
436 2019-08-08 16시 17시 4-6-1 PE-Ox 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 270,000원
437 2019-08-08 17시 18시 4-2-3 PE-Ox 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
438 2019-08-08 9시 10시 6-4-2 PE-Ox 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
439 2019-08-12 11시 12시 0-1-3 0 fab-in spm clean
(sin passivation)		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 84,000원
440 2019-08-12 13시 14시 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
441 2019-08-12 14시 15시 4-2-2 pc gate hardmask dpeo. oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
442 2019-08-12 17시 18시 3-4-1 pg pe-sin depo. 4ea
3-4-2 pg pe-oxide depo. 5ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
443 2019-08-12 18시 20시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
444 2019-08-14 14시 15시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
445 2019-08-14 14시 15시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
446 2019-08-16 19시 20시 4-2-3 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
447 2019-08-19 16시 17시 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
448 2019-08-20 14시 15시 4-6-1 pc pe-sin depo.
4-6-2 pc pe-sin depo.
4-6-3 pc pe-sin depo.
4-6-4 pc pe-sin depo.
4-6-5 pc pe-sin depo.
4-6-6 pc ild pe-oxide depo. 5ea
(sin passivaiton)		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 840,000원
449 2019-08-20 9시 12시 8-1- m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,620,000원
450 2019-08-21 13시 14시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
451 2019-08-21 17시 18시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
452 2019-08-22 10시 11시 2-3-5 rx gate hardmask depo. oxide dpeo.
(oxide removal on pgan)		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
453 2019-08-22 13시 18시 ※ Module
- PE-SiN NH3 110sccm / SiH4 60sccm & 65sccm), 5000A 400℃ recipe stress 평가 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 970,000원
454 2019-08-23 15시 17시 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,620,000원
455 2019-08-26 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
456 2019-08-26 9시 10시 차세대 실리콘 파워반도체 기술사업화 계약 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 2,400,000원
457 2019-08-26 9시 10시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
458 2019-08-27 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
459 2019-08-28 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
460 2019-08-28 9시 12시 thermopile 3차 oxide 1.5um 5ea 알앤에스랩 센서팀 알앤에스랩 1,200,000원
461 2019-08-29 14시 15시 2-3-5 rx gate hardmask depo. oxide depo.
(oxide removal on pgan-2)		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
462 2019-08-29 9시 11시 8-1 m1 2nd imd dpeo. pe-oxide depo. 3um 5ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,350,000원
463 2019-08-30 13시 14시 3-4-2 pg pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
464 2019-09-02 8시 10시 3-8- m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,620,000원
465 2019-09-03 11시 12시 3-4-2 pg pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
466 2019-09-03 11시 14시 8-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,620,000원
467 2019-09-04 12시 13시 4-2-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
468 2019-09-05 11시 12시 4-2-6 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
469 2019-09-05 14시 15시 3-4-2 pg pe-oxide depo.
(11.0 pg 검증용)		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 240,000원
470 2019-09-09 15시 16시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
471 2019-09-09 17시 18시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
472 2019-09-09 9시 10시 3-4-2 pg pe-oxide depo.
(11.0 pg 검증용-2)		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 240,000원
473 2019-09-10 10시 11시 2-3-5 rx oxide depo.
(oxide removal on p gan-3)		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
474 2019-09-10 13시 14시 4-2-6 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
475 2019-09-10 13시 14시 4-2-6 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
476 2019-09-16 16시 17시 4-2-6 pc gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
477 2019-09-16 17시 19시 6-4-2 PE-Ox 2050A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
478 2019-09-16 8시 14시 0064-18-003 PE-Ox 300nm 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
479 2019-09-18 16시 17시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
480 2019-09-18 17시 20시 8-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
481 2019-09-19 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
482 2019-09-23 10시 11시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
483 2019-09-23 11시 12시 6-1-0 6th nitride depo. 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 216,000원
484 2019-09-23 16시 17시 3-4-2 pg pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
485 2019-09-23 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
486 2019-09-24 13시 16시 전문인력양성사업 실습 SiO2 박막 증착 나노융합기술원 사업지원팀 박진우 720,000원
487 2019-09-24 13시 14시 2-3-5 rx gate hardmsdk depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 270,000원
488 2019-09-24 17시 19시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide dpeo. 3um 5ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,350,000원
489 2019-09-24 9시 10시 3-4-2 pg pe-oxide depo.
(11.0 gc module setuo_DHF)		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
490 2019-09-25 18시 19시 3-4-2 pg pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
491 2019-09-25 9시 14시 "SiC 공정 SiO2 진행"[과제번호:4.0018159.01] 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 306,000원
492 2019-09-26 15시 16시 pe-oxide 300a 4ea 진행 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 408,000원
493 2019-09-26 15시 16시 6-4-2 m0 pe-oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
494 2019-09-26 15시 17시 8-1- 2nd imd depo pe-oxide dpeo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
495 2019-09-26 17시 18시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
496 2019-09-27 16시 17시 4-7-1 pc pe-=oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
497 2019-09-30 15시 16시 6-4-2 m0 pe-oxide depo.
(7.0 v0 aci 세정 평가)
 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
498 2019-09-30 17시 18시 8-1- m1 2nd imd depo. pe-oxide dpeo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
499 2019-10-02 11시 12시 3-4-1 pg pe-oxide depo. pe-sin 150 2ea
3-4-1 pg pe-oxide depo. pe-sin 150 1ea
3-4-2 pg pe-oxide depo. pe-oxide 1130 3ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
500 2019-10-02 15시 16시 6-4-2 m0 pe-oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
501 2019-10-08 14시 15시 3-4-2 pg pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
502 2019-10-08 15시 16시 3-4-2 pg pe-oxide depo.
(11.0 gc module setup-dhf 2차)		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
503 2019-10-08 15시 16시 4-7-1 pc pe-oixde depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
504 2019-10-10 17시 18시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
505 2019-10-10 9시 10시 3-4-2 pg pe-oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
506 2019-10-11 11시 12시 6-4-2 m0 pe-oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
507 2019-10-14 15시 17시 8-4-1 m1 2nd imd dpeo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
508 2019-10-14 17시 18시 4-7-1 pg pe-oxide pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
509 2019-10-16 13시 15시 2-1-1 PE-Ox 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 576,000원
510 2019-10-16 17시 18시 2-4-4 PE-Ox 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
511 2019-10-16 18시 19시 6-4-2 PE-Ox 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
512 2019-10-17 15시 16시 3-4-3 PE-Ox 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
513 2019-10-17 16시 17시 2-1-1 PE-Ox 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 576,000원
514 2019-10-17 17시 18시 6-4-2 PE-Ox 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
515 2019-10-17 9시 10시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
516 2019-10-21 15시 17시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide dpeo. 3um 3ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
517 2019-10-21 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
518 2019-10-22 10시 11시 a-Si 180 nm 포항공과대학교 기계공학과 양영환 108,000원
519 2019-10-22 14시 15시 3-4-2 pg pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
520 2019-10-22 16시 19시 8-4-1 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
521 2019-10-23 10시 11시 4-7-1 PE-Ox 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
522 2019-10-23 14시 15시 3-4-2 PE-Ox 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 270,000원
523 2019-10-24 13시 14시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 84,000원
524 2019-10-24 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
525 2019-10-28 16시 17시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
526 2019-10-28 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
527 2019-10-29 17시 19시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
528 2019-10-30 16시 17시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 270,000원
529 2019-10-31 9시 10시 pe-oxide 3000a 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
530 2019-11-01 14시 15시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
531 2019-11-01 14시 15시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
532 2019-11-01 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
533 2019-11-01 9시 13시 SiN Stress Test 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 2,205,000원
534 2019-11-04 14시 15시 2-4-5 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
535 2019-11-04 14시 15시 2-4-5 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
536 2019-11-04 15시 16시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
537 2019-11-04 16시 19시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
538 2019-11-05 13시 18시 SiN IV Test 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,442,700원
539 2019-11-05 15시 16시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
540 2019-11-05 16시 17시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
541 2019-11-05 9시 10시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
542 2019-11-06 16시 18시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide 3um 2ea. 2um 2ea
8-4-2 m1 2nd imd depo. pe-sin 1um 2ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
543 2019-11-07 18시 21시 SiO2 IV 실험 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 630,700원
544 2019-11-07 9시 18시 현재 웨이퍼 앞뒤로 LPCVD SiNx 40nm가 증착된 상태입니다.
앞면의 경우 RIE를 이용해 윈도우가 형성된 상태이며
SiO2 6um 증착은 윈도우가 없는 쪽 (아무것도 없는 쪽)에서 증착을 부탁드립니다!
--------------
50%적용		 한양대학교 신소재공학부 나노공정 및 소자 연구실 이호찬 1,440,000원
545 2019-11-08 15시 16시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
546 2019-11-08 15시 16시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
547 2019-11-08 17시 18시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 3ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
548 2019-11-08 17시 18시 4-7-1 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
549 2019-11-12 13시 14시 0-1-3 hard mask pe-oxide depo. (주)니나노 기업부설연구소 박준영 600,000원
550 2019-11-12 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
551 2019-11-13 14시 15시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
552 2019-11-13 16시 17시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 270,000원
553 2019-11-13 9시 10시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
554 2019-11-14 10시 14시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 6,000,000원
555 2019-11-14 10시 11시 2-4-5 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
556 2019-11-15 10시 14시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 6,000,000원
557 2019-11-15 14시 16시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
558 2019-11-15 9시 10시 6.0 low h oxide dpeo. w4 only 2050a 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 90,000원
559 2019-11-18 10시 12시 열전소자 시험분석_Silicide Protection Oxide : 400A 주식회사 싸이츠 기업부설연구소 백창기 0원
560 2019-11-18 13시 14시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
561 2019-11-18 16시 18시 8-4-1 PE-Ox 3um 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
562 2019-11-19 10시 11시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
563 2019-11-19 10시 11시 6-4-2 m0 pe-oxide dpeo. wf4 only 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
564 2019-11-19 17시 19시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
565 2019-11-20 14시 15시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
566 2019-11-20 16시 17시 2-4-4 rx gate hardmask dpeo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
567 2019-11-21 10시 11시 SiO2 10, 20nm 포항공과대학교 NINT 김성규 366,000원
568 2019-11-21 10시 11시 pe-ox 3000a 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 114,000원
569 2019-11-21 17시 18시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
570 2019-11-21 18시 19시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
571 2019-11-21 19시 14시 ILD 적층 구조 IV 특성 평가 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 4,578,700원
572 2019-11-22 15시 16시 2-1-1 r_poe insulation depo. peoixde depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 480,000원
573 2019-11-22 16시 18시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide dpeo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
574 2019-11-25 11시 12시 2-1-1 f_poe insulation dpeo. peoxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 480,000원
575 2019-11-25 13시 14시 0-2-3 0 initial oxide pe-ox depo. 포항공과대학교 신소재공학과 임석재 216,000원
576 2019-11-26 10시 11시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
577 2019-11-26 9시 10시 6-4-2 m0 pe-oxide pe-oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
578 2019-11-27 10시 11시 3-3-1 contact ild dpeo. pe-oxide depo. 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 306,000원
579 2019-11-27 9시 10시 PE-oxide depo. 3000a 10ea (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 1,200,000원
580 2019-11-28 10시 11시 2-1-1 via insulated oxide depo. 포항공과대학교 신소재공학과 임석재 432,000원
581 2019-11-28 17시 19시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
582 2019-11-29 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
583 2019-12-02 13시 14시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
584 2019-12-02 15시 16시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
585 2019-12-02 15시 16시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 240,000원
586 2019-12-05 10시 11시 8-4-1 m1 2nd imd dpeo. pe-oxide dpeo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
587 2019-12-05 12시 14시 SiO2 30, 50nm 포항공과대학교 NINT 김성규 316,000원
588 2019-12-06 11시 13시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
589 2019-12-06 16시 20시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 8ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 2,160,000원
590 2019-12-09 10시 11시 pe-oxide 3000a depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
591 2019-12-09 10시 11시 2-1-1 f_pe insulation depo. peoxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 480,000원
592 2019-12-09 11시 12시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
593 2019-12-09 13시 14시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
594 2019-12-09 14시 15시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
595 2019-12-10 16시 17시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 240,000원
596 2019-12-11 15시 16시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
597 2019-12-11 16시 17시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
598 2019-12-11 9시 10시 pe-oxide 3000a depo. 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
599 2019-12-12 10시 11시 3-4-2 pg pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 252,000원
600 2019-12-13 10시 14시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 6,000,000원
601 2019-12-13 14시 15시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
602 2019-12-13 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 240,000원
603 2019-12-16 10시 14시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 6,000,000원
604 2019-12-17 15시 16시 8-4-1 m1 2nd imd depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
605 2019-12-17 9시 10시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
606 2019-12-18 14시 15시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
607 2019-12-18 14시 14시 2-1-1 f_poe insulation dpeo. peoxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 480,000원
608 2019-12-19 15시 17시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 2ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
609 2019-12-19 17시 19시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
610 2019-12-20 11시 12시 3-4-2 pg pe-oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
611 2019-12-20 17시 19시 8-4-1 m1 2nd imd dpeo. pe-oxide depo. 1um 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
612 2019-12-24 13시 14시 4-7-1 pc nitridation 4ea
3-4-1 pc pe-sin depo. 100a 4ea
4-7-1 pc pe-oxide dpeo. 2000a 6ea
 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,260,000원
613 2019-12-24 18시 19시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
614 2019-12-27 11시 12시 7-4-1 v0 gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
615 2019-12-27 14시 15시 3-4-2 pg pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
616 2020-01-03 15시 16시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
617 2020-01-03 15시 16시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 270,000원
618 2020-01-03 15시 16시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
619 2020-01-03 20시 21시 6-4-2 m0 pe-oxide 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
620 2020-01-03 22시 24시 6-4-2 m0 pe-oxide 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
621 2020-01-06 13시 14시 3-4-2 pg pe-oxide depo. 6ea
3-4-1 pg pe-sin depo. 2ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
622 2020-01-06 14시 15시 3-4-2 pg pe-oxide depo. 6ea
3-4-1 pg pe-sin depo. 6ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
623 2020-01-07 14시 15시 4-7-1 PE-Ox depo 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
624 2020-01-08 10시 11시 0-1-4 0 pe-oxide depo. 5ea(split) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
625 2020-01-08 10시 11시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 3ea
4-7-2 pc 2nd imd depo. pe-sin depo. 1ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
626 2020-01-08 16시 19시 8-4-1 m1 2nd imd dpeo. pe-oxide depo. 3um 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,620,000원
627 2020-01-09 13시 14시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
628 2020-01-09 13시 14시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 2ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
629 2020-01-09 9시 11시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
630 2020-01-10 10시 11시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
631 2020-01-10 13시 14시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
632 2020-01-10 16시 17시 6-4-2 m0 pe-oixde depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 270,000원
633 2020-01-13 10시 14시 PE-CVD SiO2 박막의 Stress 실험 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 750,000원
634 2020-01-13 10시 14시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 6,000,000원
635 2020-01-13 14시 15시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 270,000원
636 2020-01-13 15시 16시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
637 2020-01-15 15시 16시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 8500a 3ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 270,000원
638 2020-01-15 16시 17시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
639 2020-01-16 10시 14시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 6,000,000원
640 2020-01-16 14시 15시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
641 2020-01-17 14시 16시 7-4-1 v0 gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
642 2020-01-17 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
643 2020-01-20 19시 20시 0-1-4 0 pe-sin dpeo.(split 8ea)
0-1-5 9 pe-oxide depo. 8ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,344,000원
644 2020-01-21 18시 19시 8-4-1 PE-Ox 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
645 2020-01-21 19시 20시 8-4-1 PE-Ox 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
646 2020-01-23 10시 11시 4-7-1 p0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
647 2020-01-28 14시 15시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 2ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
648 2020-01-28 16시 17시 2-1-1 f_poe insulation depo. peoxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 480,000원
649 2020-01-28 19시 20시 4-7-1 pc pe-oxide treatment 1ea
4-7-2 pc pe-oxide depo. 1ea
 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
650 2020-01-29 11시 12시 2-4-4 RX Gate Hardmask depo Oxide Depo 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
651 2020-01-29 11시 12시 2-4-4 RX Gate Hardmask depo Oxide Depo 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
652 2020-01-29 15시 17시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
653 2020-01-29 15시 17시 4-7-1 pc pe-oxide dpeo. split 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
654 2020-01-30 7시 8시 3-4-2 pg pe-oxide depo. 2100a
3-4-1 pg pe-sin depo. split
3-4-2 pg pe-oxide depo. 500a		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
655 2020-01-31 17시 18시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
656 2020-02-03 10시 11시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
657 2020-02-03 17시 19시 4-7-1 pc pe-oxide treatment split 3ea
4-7-2 pc pe-oxide depo. 4ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 630,000원
658 2020-02-04 14시 15시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
659 2020-02-04 14시 15시 1. pe-oxide depo. 5000a 알앤에스랩 센서팀 알앤에스랩 120,000원
660 2020-02-05 10시 12시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. sih4 gas flow split 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
661 2020-02-05 16시 17시 4-7-2 pc pe-oxide depo. thick split 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
662 2020-02-06 17시 18시 6-1-1 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
663 2020-02-08 10시 12시 4-7-2 pc pe-oxide depo. split 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
664 2020-02-08 9시 11시 2-1-1 silica insulation depo. peoxide depo. 4ea
2-1-2 silica insulation depo. a-si depo. 4ea
2-1-3 silica insulation depo. peoxide depo. 4ea		 포항공과대학교 화학과 신승구 1,296,000원
665 2020-02-08 9시 10시 2-1-1 f_poe insulation depo. peoxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 384,000원
666 2020-02-10 10시 11시 pe-oxide 5000A 알앤에스랩 센서팀 알앤에스랩 169,000원
667 2020-02-10 17시 19시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 7ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 630,000원
668 2020-02-11 19시 20시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
669 2020-02-12 11시 13시 2-4-2 pg pe-oxide depo. 2ea
3-4-1 pg pe-sin depo. split 2ea
3-4-2 pg pe-oxide depo. 2ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
670 2020-02-12 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
671 2020-02-13 10시 14시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 6,000,000원
672 2020-02-13 11시 12시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
673 2020-02-13 17시 19시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 270,000원
674 2020-02-14 18시 21시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 7ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,890,000원
675 2020-02-17 10시 14시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 6,000,000원
676 2020-02-17 16시 18시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 2ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
677 2020-02-17 18시 19시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 180,000원
678 2020-02-18 17시 19시 8-4-1 M1 2nd IMD Depo PE-Oxide Depo 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
679 2020-02-18 20시 22시 2-1-1 f_poe insulation depo. pe-oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 480,000원
680 2020-02-19 14시 15시 6-4-2 m0 pe-oxide dpeo. split 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
681 2020-02-19 16시 18시 2-1-2 gate insulator sio/sin depo. 9ea 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 1,728,000원
682 2020-02-20 14시 16시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 3ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
683 2020-02-20 18시 20시 13-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 2ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
684 2020-02-21 15시 16시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
685 2020-02-26 18시 19시 6-4-2 M0 PE-Oxide Depo 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
686 2020-02-26 19시 20시 8-4-1 M1 2nd IMD Depo PE-Oxide Depo 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
687 2020-02-26 19시 21시 13-4-1 M1 2nd IMD Depo PE-Oxide Depo 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
688 2020-02-26 9시 11시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
689 2020-02-26 9시 10시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
690 2020-02-27 14시 16시 OXIDE 700 A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
691 2020-02-28 6시 7시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
692 2020-03-02 18시 20시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
693 2020-03-02 7시 8시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
694 2020-03-02 7시 8시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
695 2020-03-02 8시 9시 0-1-2 0 pe-oxide depo. sih4/rf split 10ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 840,000원
696 2020-03-03 14시 15시 2-4-4 RX Gate Hardmask depo 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
697 2020-03-04 18시 20시 8-4-3 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
698 2020-03-05 11시 12시 3-1-1 contact insulation oxide dpeo. 6000a 5ea 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 480,000원
699 2020-03-05 15시 16시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
700 2020-03-05 16시 17시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
701 2020-03-05 16시 17시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
702 2020-03-06 13시 14시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
703 2020-03-06 14시 15시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
704 2020-03-06 9시 10시 3-4-1 pg pe-oxide depo. split 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
705 2020-03-09 15시 18시 Oxide 4600 A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
706 2020-03-09 9시 13시 Oxide 5000 A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
707 2020-03-10 18시 20시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
708 2020-03-11 14시 15시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
709 2020-03-11 15시 16시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
710 2020-03-11 9시 11시 5-1-1 contact hole passivation oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 480,000원
711 2020-03-12 11시 12시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
712 2020-03-12 14시 16시 2-1-1 f_poe insulation depo. peoxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 480,000원
713 2020-03-13 11시 13시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
714 2020-03-13 12시 16시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 6,000,000원
715 2020-03-13 16시 17시 13-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
716 2020-03-13 16시 17시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
717 2020-03-17 10시 11시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
718 2020-03-17 11시 15시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 6,000,000원
719 2020-03-17 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
720 2020-03-18 16시 17시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
721 2020-03-20 11시 12시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
722 2020-03-20 15시 16시 7-4-1 v0 gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
723 2020-03-23 16시 18시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oixde depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
724 2020-03-24 13시 14시 2-4-5 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
725 2020-03-26 17시 18시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 3ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 270,000원
726 2020-03-26 17시 19시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
727 2020-03-28 8시 10시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
728 2020-03-30 8시 9시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. split 2200A 6ea
1200A 3ea, 1700A 3ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
729 2020-03-31 10시 11시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
730 2020-03-31 15시 17시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
731 2020-03-31 15시 17시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 3ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
732 2020-04-01 17시 18시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
733 2020-04-01 18시 19시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
734 2020-04-01 18시 19시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
735 2020-04-02 11시 12시 3-1-1 gate insulator sio/sin depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 384,000원
736 2020-04-02 15시 16시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
737 2020-04-06 16시 17시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
738 2020-04-06 16시 17시 4-1-1 contact insulation oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 192,000원
739 2020-04-06 16시 17시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
740 2020-04-07 10시 11시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
741 2020-04-07 7시 9시 3-4-1 pg pe-oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 630,000원
742 2020-04-08 10시 11시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
743 2020-04-09 13시 15시 Oxide 2050 A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
744 2020-04-09 14시 14시 250도 PE-OXIDE 진행.
---------------------
3/25 250C recipe 공정 조건 D/R 확인 1회 진행
250C pe-oxide 1000A 1회 진행
250C pe-oxide 2000A 1회 진행

4/08 250C pe-oxide 2900A 2회 진행		 메타포어 디바이스개발 이재혁 698,000원
745 2020-04-09 9시 12시 Oxide 3 um x 4매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
746 2020-04-10 15시 16시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
747 2020-04-10 15시 16시 pe-oxide 2000A 금오공과대학교 신소재연구소 임기식 120,000원
748 2020-04-10 16시 18시 13-4-1 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 3ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
749 2020-04-10 8시 9시 2-4-4 RX Gate Hardmask depo Oxide 700A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
750 2020-04-10 9시 10시 6-1-1 contact Hole Oxide depo 6000A 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 192,000원
751 2020-04-10 9시 10시 pe-oxide 1000A depo. 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
752 2020-04-10 9시 10시 2-4-4 RX Gate Hardmask depo Oxide 700A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
753 2020-04-13 9시 12시 1200 A x 3매

1800 A x 4매		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 630,000원
754 2020-04-16 17시 18시 4-1-1 gate insulator sio/sin depo. 800A/1600A 3ea 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 576,000원
755 2020-04-17 11시 12시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
756 2020-04-17 11시 15시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 6,000,000원
757 2020-04-17 14시 16시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
758 2020-04-17 16시 17시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
759 2020-04-17 17시 19시 4-7-2 pc pe-oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
760 2020-04-17 17시 19시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
761 2020-04-17 17시 18시 5-1-1 contact insulation oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 288,000원
762 2020-04-20 11시 12시 4-7-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 630,000원
763 2020-04-20 9시 10시 2-1-1 f_poe insulation depo. peoxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 288,000원
764 2020-04-21 19시 20시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
765 2020-04-21 19시 21시 13.0 oxide depo. 3um 3ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 756,000원
766 2020-04-22 16시 18시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
767 2020-04-24 14시 16시 PE Oxide 6000 A 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 288,000원
768 2020-04-24 18시 20시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
769 2020-04-24 18시 20시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
770 2020-04-24 7시 9시 PE Oxide 700 A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
771 2020-04-27 14시 15시 Ox 2050 A x 4매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
772 2020-04-27 9시 10시 700 A x 4매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
773 2020-04-28 18시 19시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
774 2020-04-28 18시 20시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 630,000원
775 2020-04-29 14시 15시 4-1-1 gate insulator sio/sin split depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 576,000원
776 2020-04-29 14시 15시 pe-oxide 1000A 4ea depo.
lot 중 마지막 웨이퍼 저항이 튀는 이유 확인 Test		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
777 2020-05-04 19시 21시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
778 2020-05-04 19시 20시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
779 2020-05-06 17시 20시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
780 2020-05-06 17시 18시 250C pe-oxide 1700A 1회 진행
250C pe-oxide 2000A 1회 진행
250C pe-oxide 2300A 1회 진행
250C pe-oxide 1900A 1회 진행		 메타포어 디바이스개발 이재혁 580,000원
781 2020-05-07 11시 12시 5-1-1 contact insulation oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 288,000원
782 2020-05-07 14시 15시 1-1-1 f_via insulation depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 96,000원
783 2020-05-07 16시 19시 13-4-1 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 6ea
------------------
1매 wf3 broken 확인		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,260,000원
784 2020-05-08 13시 14시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
785 2020-05-08 15시 16시 2-1-1 f_poe insulation depo. peoxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 288,000원
786 2020-05-08 16시 17시 1-1-1 f_via insulation depo. peoxide dpeo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 96,000원
787 2020-05-08 16시 17시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 270,000원
788 2020-05-08 17시 18시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
789 2020-05-08 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
790 2020-05-11 16시 17시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
791 2020-05-11 17시 20시 8-4-1 m1 2nd imd dpeo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
792 2020-05-12 14시 15시 7-1-1 contact hoe passivation oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 288,000원
793 2020-05-12 18시 21시 13-4-1 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 7ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,890,000원
794 2020-05-13 14시 15시 2-1-1 poe passivation oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 288,000원
795 2020-05-13 17시 18시 13-4-1 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,620,000원
796 2020-05-14 15시 16시 250C pe-oxide 2000A 1회 진행 메타포어 디바이스개발 이재혁 120,000원
797 2020-05-14 16시 17시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
798 2020-05-14 16시 18시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 270,000원
799 2020-05-15 11시 15시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 6,000,000원
800 2020-05-15 16시 17시 2-1-1 poe passivation oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 288,000원
801 2020-05-15 18시 19시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
802 2020-05-15 18시 20시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
803 2020-05-20 10시 11시 2-1-1 f_poe insulation depo. peoxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 288,000원
804 2020-05-20 17시 18시 13-4-1 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 3ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
805 2020-05-20 20시 21시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
806 2020-05-21 16시 17시 250C pe-oxide 1900A 2회 진행
250C pe-oxide 1000A+1
250C pe-oxide 700A
250C pe-oxide 400A		 메타포어 디바이스개발 이재혁 818,000원
807 2020-05-21 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
808 2020-05-22 15시 18시 pe-oxide 3um 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,512,000원
809 2020-05-25 14시 15시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
810 2020-05-25 17시 18시 2-1-1 poe passivation oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 288,000원
811 2020-05-25 9시 11시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
812 2020-05-26 17시 18시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
813 2020-05-27 17시 19시 13-4-1 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 3ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 810,000원
814 2020-05-27 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
815 2020-05-28 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
816 2020-05-28 18시 20시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
817 2020-06-01 16시 17시 250C pe-oxide 1300A
250C pe-oxide 1600A
250C pe-oxide 1900A
250C pe-oxide 2100A 9회 진행		 메타포어 디바이스개발 이재혁 1,440,000원
818 2020-06-01 17시 18시 8-4-1 m1 2nd imd dpeo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
819 2020-06-02 12시 14시 13-4-1 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 5ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,350,000원
820 2020-06-02 16시 17시 4-1-1 gate insulator sio/sin depo. 400 / 800 /1200 split 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 480,000원
821 2020-06-03 18시 20시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
822 2020-06-03 18시 19시 12-4-1 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
823 2020-06-04 15시 16시 pe-oxide 1000A 2ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
824 2020-06-04 16시 20시 13-4-1 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,620,000원
825 2020-06-05 15시 16시 pe-oxide 1000A 2ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
826 2020-06-05 16시 17시 5-1-1 contact insulation oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 288,000원
827 2020-06-08 17시 20시 12-4-1 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,620,000원
828 2020-06-10 16시 17시 7-1-1 contact hole passivation oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 288,000원
829 2020-06-10 16시 17시 4-1-1 gate insulator sio/sin depo.
sio 400a / 1200a
sin 800a		 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 288,000원
830 2020-06-10 9시 11시 250C pe-oxide 2900A
250C pe-oxide 3200A
250C pe-oxide 1900A 2회 진행 + 2회 추가 진행
 메타포어 디바이스개발 이재혁 720,000원
831 2020-06-11 17시 18시 5-1-1 contact insulation oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 192,000원
832 2020-06-12 13시 14시 2-1-1 f_poe insulation depo. peoxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 288,000원
833 2020-06-12 16시 18시 13-4-1 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,512,000원
834 2020-06-12 18시 20시 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
835 2020-06-15 11시 15시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 6,000,000원
836 2020-06-15 17시 19시 13-4-1 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,512,000원
837 2020-06-16 17시 18시 7-1-1 Contact Hole Passivation Oxide 3000a Depo 2ea 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 192,000원
838 2020-06-18 10시 11시 2-4-4 Rx Gate Hardmask depo oxide 700a 5ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
839 2020-06-18 10시 11시 2-4-4 Rx Gate Hardmask depo oxide 700a 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
840 2020-06-18 16시 17시 2-1-1 poe insulation depo. peoxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 288,000원
841 2020-06-19 16시 17시 2-1-1 POE Passivation Oxide Depo 3000a 3ea 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 288,000원
842 2020-06-19 17시 19시 13-4-1 M2 2nd IMD Depo PE Oxide 30,000A Depo 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,512,000원
843 2020-06-22 14시 15시 2-4-4 RX Gate Hardmask Depo 700a 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
844 2020-06-22 17시 18시 4-7-2 PC PE-CVD oxide depo 2600a 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
845 2020-06-24 15시 16시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 84,000원
846 2020-06-25 10시 12시 13-4-1 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
847 2020-06-29 11시 12시 2-4-4 rx gate hardmask dpeo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
848 2020-06-29 11시 12시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo . 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 84,000원
849 2020-06-29 16시 17시 6-4-2 M0 PE Oxide Depo 2050a 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
850 2020-06-29 9시 11시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
851 2020-06-30 18시 19시 cassette1 250C 12ea
cassette1 300C 3ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 900,000원
852 2020-07-01 14시 15시 4-1-1 Gate Insulator SiO/SiN Depo 2ea 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 384,000원
853 2020-07-01 17시 20시 13-4-1 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 5ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,260,000원
854 2020-07-02 11시 12시 2-1-1- poe insulation depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 288,000원
855 2020-07-03 10시 11시 5-1-1 Contact Oxide Depo 4000a 2ea 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 192,000원
856 2020-07-03 10시 11시 Reactive TiN 8KW Oxide depo 1000a 2ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
857 2020-07-03 14시 15시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
858 2020-07-03 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
859 2020-07-06 11시 12시 2-4-4 RX Gate Hardmask Depo 700a 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
860 2020-07-06 15시 16시 4-7-2 PC PE-Oxide Depo 3000a 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
861 2020-07-06 18시 20시 13-4-1 M2 PE-Oxide Depo 3um 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,512,000원
862 2020-07-07 10시 11시 reactive TiN 6KW oxdie 1000a depo 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
863 2020-07-07 17시 18시 8-4-1 M1 2nd IMD Depo PEoxide 8500a 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
864 2020-07-07 18시 19시 7-1-1 Contact 2 Oxide Depo 3000a 2ea 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 192,000원
865 2020-07-08 17시 19시 13-4-1 M2 2nd IMD Depo Oxide 3um 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,512,000원
866 2020-07-08 19시 21시 8-4-1 M1 2nd IMD Depo PE oxide 8500A 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
867 2020-07-09 10시 11시 2-1-1 POE Passivation Oxide Depo 3000a 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 288,000원
868 2020-07-09 10시 11시 2-1-1 POE Insulation Depo Oxide 2000a 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 288,000원
869 2020-07-09 11시 12시 0-1-2 Pe-Nitride Depo 3000a (주)더바이오 연구소 이원영 480,000원
870 2020-07-09 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide dpeo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
871 2020-07-10 17시 18시 4-1-1 gate insulator sio/sin depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 384,000원
872 2020-07-13 18시 19시 13-4-1 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 4ea
13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 7500a 2ea
pe-nitride 5500a 2ea (wf05/wf06)		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,344,000원
873 2020-07-14 11시 12시 6-4-2 M0 PE-Oxide 2050a 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
874 2020-07-14 15시 16시 2-4-4 rx gate hardmask depo oxide depo 700a 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
875 2020-07-14 15시 16시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
876 2020-07-14 15시 16시 5-1-1 Contact1 Oxide Depo 6000a 2ea 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 192,000원
877 2020-07-14 17시 19시 13-4-1 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,620,000원
878 2020-07-15 11시 15시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 6,000,000원
879 2020-07-15 16시 17시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
880 2020-07-15 17시 18시 13-4-1 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 3um 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,620,000원
881 2020-07-16 9시 18시 나이트라이드 증착
pe-nitride 70C 1um 2ea
pe-nitride 200C 4000A 4ea		 (주)에스제이컴퍼니 기술영업부 손호창 720,000원
882 2020-07-17 10시 12시 250C pe-oxide 1800A
250C pe-oxide 2100A
250C pe-oxide 2400A
추가 4회 진행		 메타포어 디바이스개발 이재혁 840,000원
883 2020-07-17 11시 12시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
884 2020-07-17 14시 15시 pe-oxide 20nm 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 108,000원
885 2020-07-22 10시 11시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
886 2020-07-22 14시 15시 2-1-1 poe insulation depo. peoxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 288,000원
887 2020-07-22 14시 15시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
888 2020-07-22 18시 19시 13-4-1 M2 2nd IMD Depo PE-Oxide 7500a +sin 5500a 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
889 2020-07-22 19시 20시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE Oxide 7500a 5ea
13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE sin 5500a 5ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 840,000원
890 2020-07-24 16시 17시 PEoxide 20 nm deposition 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 108,000원
891 2020-07-24 17시 18시 7-1-1 contact-2 passivation oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 192,000원
892 2020-07-24 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
893 2020-07-24 17시 18시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 16000a 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
894 2020-07-25 7시 8시 SiN 30nm 증착 경북대학교 전자공학부 DAI QUAN 120,000원
895 2020-07-27 16시 17시 0-1-2 0 insulatio depo. pe-nitride depo. (주)더바이오 연구소 이원영 676,000원
896 2020-07-27 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
897 2020-07-27 17시 18시 2-1-1 Insulation Depo Oxide depo 2ea (주)더바이오 연구소 이원영 240,000원
898 2020-07-28 10시 12시 pe-oxide 25nm
pe-nitride 20nm
pe-oxide 25nm /nitride 20nm cycle depo. (32 layer)
pe-oxide 25nm /nitride 20nm cycle depo. (64 layer)
4 cycle 1회 청구		 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,224,000원
899 2020-07-28 18시 20시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 5ea
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. process gas split 3ea
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. process gas split 1ea
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. process gas split 1ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 840,000원
900 2020-07-30 13시 14시 2-1-1 poe passivation oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 288,000원
901 2020-07-30 15시 16시 6-4-2 PE Oxide Depo 2500a 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
902 2020-07-30 7시 9시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 6ea
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 6ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
903 2020-07-30 8시 9시 2-1-1 f_poe insulation depo. peoxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 288,000원
904 2020-07-31 10시 12시 cassette1 250C 4ea
cassette1 300C 22ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 1,560,000원
905 2020-07-31 16시 18시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 1.6um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
906 2020-07-31 7시 9시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 6ea
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 6ea
 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
907 2020-08-03 14시 15시 신소재_이동욱 Metal Lift Off module test SiO2 3000A depo 3ea 충남대학교 전자공학과 송형섭 360,000원
908 2020-08-03 16시 17시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 16000a 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
909 2020-08-03 7시 9시 13-4-1 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. oxide 7500a 4ea + ntride 5500a 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
910 2020-08-04 10시 11시 oxide (SiO2) 200 nm 증착 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 306,000원
911 2020-08-04 11시 12시 4-1-0 HM OXide Depo 700a 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
912 2020-08-05 16시 18시 8-4-1 M1 2nd IMD Depo PE Oxide 16,000a depo 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
913 2020-08-06 16시 17시 cassette1 250C 1ea
cassette1 300C 25ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 1,560,000원
914 2020-08-06 16시 18시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo Oxide Depo 7500a 6ea
13-4-3 M2 2nd IMD Depo sin Depo 5500a 6ea
 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
915 2020-08-06 18시 19시 13-4-1 M2 2nd IMD Depo Oxide depo 7500a 4ea
13-4-1 M2 2nd IMD Depo sin Depo 5500a 4ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
916 2020-08-07 16시 17시 pe-nitride 500a 9ea
pe-oxide 4000a 9ea		 (주)에스제이컴퍼니 개발팀 박상준 2,160,000원
917 2020-08-07 18시 19시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 3000a 3ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 270,000원
918 2020-08-07 18시 20시 13-4-1 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 7500A 4ea
13-4-1 m2 2nd imd depo. pe-nitride depo. 5500A 4ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
919 2020-08-09 16시 18시 13-4-1 Oxide 7500a 4ea + SiN 5500a 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
920 2020-08-09 9시 10시 PE CVD Oxide 700a depo 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
921 2020-08-10 8시 9시 SiO2 400 nm 증착 의뢰 드립니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 108,000원
922 2020-08-14 17시 20시 13-4-2 M2 IMD Depo PE OXide Depo 7500a 6ea
13-4-3 M2 IMD Depo PE SIN Depo 5500a 6ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
923 2020-08-14 20시 21시 PE Oxide 50nm 증착 1ea 나노융합기술원 프라운호퍼 실용화연구센터 김상조 108,000원
924 2020-08-14 22시 23시 4-7-2 PE Oxide 3000a 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
925 2020-08-17 9시 12시 SiO2 4000A 200도 앞면에 증착 수량 14장
뒷면은 표시했음.		 (주)에스제이컴퍼니 기술영업부 손호창 1,680,000원
926 2020-08-18 11시 15시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 6,000,000원
927 2020-08-19 17시 19시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
928 2020-08-20 17시 18시 2-1-1 poe insulation depo. peoxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 192,000원
929 2020-08-20 17시 20시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo.		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
930 2020-08-21 1시 2시 W01 wafer
온도 : 400C
Power : 100W
Gas : NH3
Time : 30min

W02 wafer
온도 : 400C
Power : 200W
Gas : NH3
Time : 30min		 삼성전자 종합기술원 남승걸 192,000원
931 2020-08-21 16시 17시 250C pe-oxide 900A
250C pe-oxide 1600A
250C pe-oxide 2200A
250C pe-oxide 2900A		 메타포어 디바이스개발 이재혁 480,000원
932 2020-08-21 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
933 2020-08-24 11시 12시 6-4-2 M0 PE-Oxide Depo 2500a 3ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 270,000원
934 2020-08-25 11시 13시 cassette1 250C 9ea
cassette1 300C 22ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 1,860,000원
935 2020-08-26 9시 10시 Si bare Wafer에 SiO2 3000A depo 2ea 충남대학교 전자공학과 송형섭 338,000원
936 2020-08-31 13시 14시 cassette1 250C 5ea
cassette1 300C 6ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 660,000원
937 2020-08-31 13시 14시 cassette1 250C 12ea
cassette1 300C 38ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 3,000,000원
938 2020-09-01 11시 12시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
939 2020-09-03 11시 12시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide dpeo. 6ea
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin dpeo. 6ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
940 2020-09-03 11시 13시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
941 2020-09-03 15시 16시 250C pe-oxide 800A 2ea
250C pe-oxide 1300A 2ea
250C pe-oxide 1700A 2ea
250C pe-oxide 2100A 2ea
--------------------------
250C pe-oxide 800A 1ea
250C pe-oxide 1400A 1ea
250C pe-oxide 2000A 1ea
250C pe-oxide 2600A 1ea

 메타포어 디바이스개발 이재혁 1,440,000원
942 2020-09-04 14시 15시 2-1-1 poe insulation depo. peoxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
943 2020-09-04 16시 17시 2-1-1 poe passivation oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
944 2020-09-08 4시 7시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo Oxide
13-4-3 M2 2nd IMD Depo SiN		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
945 2020-09-08 6시 7시 250C pe-oxide 1400A 2ea
250C pe-oxide 1700A 2ea
250C pe-oxide 2100A 2ea		 메타포어 디바이스개발 이재혁 720,000원
946 2020-09-08 7시 8시 13.0 Oxide 7500A 4ea
13.0 SiN 5500A 4ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
947 2020-09-11 9시 10시 SiO2 3000A Depo 충남대학교 전자공학과 송형섭 676,000원
948 2020-09-13 13시 14시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
949 2020-09-14 1시 17시 NH3/N2 plasma 처리 공정

온도 : 400C
Power : 800W
Pressure: 4250mtorr
NH3 : 110sccm
N2 : 3800sccm

Wafer marking 에 따른 Time
- W01 wafer (1616W01, 1617W01) : 2 min 진행
- W02 wafer (1616W02, 1617W02) : 4 min 진행
- W03 wafer (1616W03, 1617W03) : 6 min 진행
- W04 wafer (1616W01, 1617W04) : 8 min 진행
- Marking 없는 bare wafer : 30 min 진행
 삼성전자 종합기술원 남승걸 768,000원
950 2020-09-14 17시 18시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
951 2020-09-15 8시 10시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
952 2020-09-17 10시 11시 2-1-1 poe insulator oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
953 2020-09-17 13시 17시 4차 산업 연계형 나노기술인력양성
확산 교육		 나노융합기술원 교육홍보팀 이상민 1,200,000원
954 2020-09-17 14시 15시 cassette1 250C 1ea
cassette1 300C 7ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 480,000원
955 2020-09-18 10시 11시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
956 2020-09-18 11시 15시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 6,000,000원
957 2020-09-20 18시 19시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
958 2020-09-21 10시 11시 13-4-3 M2 2nd imd Depo SIN 5500A 3ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 252,000원
959 2020-09-21 16시 17시 cassette1 250C 16ea
cassette1 300C 2ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 1,080,000원
960 2020-09-22 11시 12시 4-7-2 PC PE-oxide Depo 3000A 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
961 2020-09-22 13시 14시 4-1-1 Gate Insulator SiO/SiN Depo 400A/800A 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 360,000원
962 2020-09-22 9시 10시 2-1-1 poe insulator oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
963 2020-09-23 10시 11시 5-1-1 contact-1 insulation oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 270,000원
964 2020-09-24 11시 12시 SIN 5500A 3ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 252,000원
965 2020-09-24 11시 12시 2.0 HM Oxide Depo 700A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
966 2020-09-24 11시 12시 5-1-1 contact-1 insulation oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 180,000원
967 2020-09-24 13시 14시 250C pe-oxide 800A 1ea
250C pe-oxide 900A 1ea
250C pe-oxide 1300A 1ea
250C pe-oxide 1400A 1ea
250C pe-oxide 1700A 1ea
250C pe-oxide 2000A 1ea		 메타포어 디바이스개발 이재혁 720,000원
968 2020-09-25 21시 22시 13-4-2 2m 2nd imd depo. pe-oxide depo. 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
969 2020-09-25 21시 22시 13-4-2 2m 2nd imd depo. pe-oxide depo. 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
970 2020-09-28 9시 10시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
971 2020-09-28 9시 10시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
972 2020-09-29 10시 11시 2-4-4 RX Gate Hardmask depo Oxide Depo 700A 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
973 2020-09-29 11시 12시 2-4-4 RX Gate Hardmask depo 700A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
974 2020-09-29 11시 12시 7-1-1 Contact-2 Passivation Oxide Depo 3000A 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 270,000원
975 2020-10-06 8시 12시 13-4-1 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. split 10000A 1ea
13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. split 7500A 1ea
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. split 10000A 3ea
13-4-4 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. split 12500A 1ea (1um 기준 1회 청구)
13-4-5 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 5500A 6ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,092,000원
976 2020-10-07 17시 18시 4-7-2 PC PE-Oxide Depo 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
977 2020-10-08 16시 17시 2-1-1 f_poe insulation depo. peoxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
978 2020-10-08 17시 18시 250C pe-oxide 1200A 1ea 메타포어 디바이스개발 이재혁 120,000원
979 2020-10-08 19시 20시 13-4-1 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 252,000원
980 2020-10-08 20시 22시 13-4-1 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
981 2020-10-08 9시 10시 7-1-1 contact-2 passivation oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 180,000원
982 2020-10-08 9시 10시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
983 2020-10-12 11시 12시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 4ea
13-4-4 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 2ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
984 2020-10-12 11시 12시 13-4-4 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
985 2020-10-12 15시 16시 0-1-3 hard mask pe-oxide depo. (주)니나노 기업부설연구소 박준영 360,000원
986 2020-10-13 15시 17시 250C pe-oxide 1200A 3ea
250C pe-oxide 1000A 6ea
BOE Cleaning		 메타포어 디바이스개발 이재혁 1,380,000원
987 2020-10-14 10시 11시 2-4-4 Oxide Depo 700A(Low Hydrogen oxide) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
988 2020-10-15 10시 11시 13-4-3 PE-Oxide Depo 10000A(3ea)
13-4-4 PE-Oxide Depo 8500A(3ea)
13-4-5 PE-SiN Depo 6500A(N2 3800 sccm - 4ea / N2 1900 sccm - 2ea)		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
989 2020-10-16 11시 12시 cassette1 300C 4ea

----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
990 2020-10-19 11시 15시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 6,000,000원
991 2020-10-20 10시 11시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
992 2020-10-20 10시 11시 2-1-1 poe insulator oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
993 2020-10-21 11시 12시 4-7-2 PE-Oxide Depo 3000A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
994 2020-10-21 16시 17시 4-7-2 PE-Oxide Depo 3000A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
995 2020-10-22 9시 11시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide dpeo.
13-4-4 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 924,000원
996 2020-10-23 9시 11시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oixde depo.
13-4-4 m2 2nd imd depo. pe-sin depo.
13-4-5 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
997 2020-10-27 10시 12시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 2um
13-4-5 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,512,000원
998 2020-10-27 11시 12시 0-1-2 0 insulation depo. pe-oxide depo. (주)더바이오 연구소 이원영 1,014,000원
999 2020-10-27 14시 16시 cassette1 300C 32ea
cassette1 250C 9ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 2,460,000원
1000 2020-10-28 9시 13시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 2um 6ea
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo.		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,620,000원
1001 2020-10-29 10시 11시 0-1-2 PE-SiN Depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,064,000원
1002 2020-10-30 10시 12시 250C pe-oxide 1200A 7ea
BOE Cleaning		 메타포어 디바이스개발 이재혁 1,140,000원
1003 2020-11-02 11시 14시 SIMS 표준시편 제작 PE-Oxide Depo 포항공과대학교 물리분석팀 김성규 1,080,000원
1004 2020-11-02 16시 17시 0-1-2 0 insulation depo. pe-oxide depo. (주)더바이오 연구소 이원영 1,014,000원
1005 2020-11-02 18시 19시 2-1-1 f_poe insulation depo. peoxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 450,000원
1006 2020-11-02 18시 19시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1007 2020-11-04 10시 11시 0-1-2 PE-Oxide Depo. 3000A (주)더바이오 연구소 이원영 1,014,000원
1008 2020-11-04 14시 15시 tft s/d test
pe-oxide 3000A 2ea		 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 278,000원
1009 2020-11-05 10시 12시 6-4-2 PE-Oxide Depo. 2500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
1010 2020-11-11 10시 12시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 2um 6ea
13-4-5 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 8000a 6ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,512,000원
1011 2020-11-11 17시 18시 0-1-2 PE-Oxide Depo. 3000A (주)더바이오 연구소 이원영 1,014,000원
1012 2020-11-12 14시 16시 0-1-2 0 pe-oxide depo. sih4 split depo. 12ea (선행 12ea 진행) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 2,800,000원
1013 2020-11-12 15시 16시 4-7-2 PE-Oxide Depo. 3000A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
1014 2020-11-13 9시 20시 SiH4 + N2O 조건 GAS 에서 200℃ 4000Å 증착 진행
3호기로 증착 진행 부탁드립니다.

3호기가 8인치 챔버라고 하셔서 샘플 각각 8인치 bare glass에 PI tape로 부착하였습니다.

Siloxane base 막 soft bake 완료 후 cure 300℃ 30min 완료된 기판입니다.
------------------------------------
11ea + 4ea + 7ea 공정진행
선행 wafer thick. targeting		 주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막 김자영 2,760,000원
1015 2020-11-16 10시 11시 cassette1 250C 3ea oxide 2000a
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 180,000원
1016 2020-11-16 14시 15시 0-1-2 PE-Oxide Depo. 3000A (주)더바이오 연구소 이원영 1,014,000원
1017 2020-11-17 10시 11시 0-1-2 PE-Oxide Depo. (주)더바이오 연구소 이원영 1,014,000원
1018 2020-11-17 11시 15시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 6,000,000원
1019 2020-11-17 17시 18시 13-4-3 M2 imd depo. pe-oxide depo. 2um 2ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
1020 2020-11-18 11시 12시 13-4-5 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
1021 2020-11-18 15시 17시 250C pe-oxide 1300A 6ea
BOE Cleaning		 메타포어 디바이스개발 이재혁 1,020,000원
1022 2020-11-19 10시 12시 ONO 적측(8,16,32,64) 숭실대학교 전자공학과 염민재 1,996,000원
1023 2020-11-20 10시 11시 cassette1 300C 4k 4ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1024 2020-11-24 13시 14시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
1025 2020-11-25 17시 18시 250C pe-oxide 1200A 3ea
250C pe-oxide 1500A
250C pe-oxide 2100A
250C pe-oxide 2600A
BOE Cleaning		 메타포어 디바이스개발 이재혁 1,020,000원
1026 2020-11-25 8시 9시 8-4-1 m1 2nd imd depo. pe-oxide depo. 1.6um 4ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
1027 2020-11-25 9시 17시 SiH4 + N2O 조건 GAS 에서 200℃ 4000Å 증착 진행
3호기로 증착 진행 부탁드립니다.

3호기가 8인치 챔버라고 하셔서 샘플 각각 8인치 bare glass에 PI tape로 부착하였습니다.

Siloxane base 막 soft bake 완료 후 cure 300℃ 30min 완료된 기판입니다.		 주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막 김자영 1,320,000원
1028 2020-11-26 17시 18시 5-1-1 PE Oxide Depo. 6000A 1ea 4000A 1ea 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 180,000원
1029 2020-11-26 17시 18시 5-1-1 PE Oxide Depo. 6000A 1ea 4000A 1ea 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 180,000원
1030 2020-11-27 9시 17시 SiH4 + N2O 조건 GAS 에서 200℃ 4000Å 증착 진행
3호기로 증착 진행 부탁드립니다.

3호기가 8인치 챔버라고 하셔서 샘플 각각 8인치 bare glass에 PI tape로 부착하였습니다.		 주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막팀 위상우 1,320,000원
1031 2020-11-30 8시 10시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 2um 4ea(장당 2회 청구)
13-4-5 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 8000a 4ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1032 2020-11-30 9시 11시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 8500a 3ea
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 10000a 2ea
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 12500a 1ea (2회 청구)
13-4-5 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 6500a 6ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,092,000원
1033 2020-12-02 9시 12시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 2um 6ea(12회 청구)
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 8000a		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,620,000원
1034 2020-12-03 17시 17시 7-1-1 Oxide Depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 180,000원
1035 2020-12-03 18시 18시 7-1-1 Oxide Depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 180,000원
1036 2020-12-04 10시 11시 2-1-1 f_poe insulation depo. peoxide depo. 2000a 6ea 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1037 2020-12-04 17시 18시 250C pe-oxide 1800A 3ea 메타포어 디바이스개발 이재혁 660,000원
1038 2020-12-04 9시 10시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 2um 4ea(8회 청구)
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 8000a 4ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
1039 2020-12-08 17시 21시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 2um 5ea(1매당 2회 청구)
13-4-5 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 8000A 5ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,260,000원
1040 2020-12-09 1시 2시 13-4-2 PE-Oxide Depo. 20000A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,440,000원
1041 2020-12-10 9시 10시 13-4-3 PE-SiN Depo. 8000A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
1042 2020-12-11 9시 10시 13-4-3 PE-Oxide Depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1043 2020-12-11 9시 10시 13-4-5 PE-SiN Depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
1044 2020-12-15 10시 12시 cassette1 250C oxide 2000a 8ea
cassette1 250C nitiride 3000a 8ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 960,000원
1045 2020-12-16 11시 15시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 6,000,000원
1046 2020-12-17 10시 11시 0-1-1 0 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
1047 2020-12-17 10시 11시 1-1-1 sio2 1um 2ea / sin 1um 2ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
1048 2020-12-17 15시 16시 pe-oxide 1.6um 4ea(1회당 2회 청구) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
1049 2020-12-18 10시 11시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-5 m2 2nd imd depo. pe-sin depo.		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
1050 2020-12-18 14시 15시 250C pe-oxide 1500A 1ea
250C pe-oxide 2000A 1ea		 메타포어 디바이스개발 이재혁 240,000원
1051 2020-12-21 10시 11시 2-2-5 P+ PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 180,000원
1052 2020-12-21 16시 16시 2-4-4 Oxide 700A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
1053 2020-12-21 17시 17시 2-4-4 Oxide 700A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
1054 2020-12-21 7시 10시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-5 m2 2nd imd depo. pe-sin depo.		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1055 2020-12-22 1시 1시 13-4-3 PE-Oxide 8500A
13-4-5 PE-SiN 6500A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1056 2020-12-23 10시 12시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-5 m2 2nd imd depo. pe-sin depo.		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
1057 2020-12-23 10시 11시 4-1-1 gate insulator sio/sin depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 360,000원
1058 2020-12-24 14시 15시 250C pe-oxide 1800A 2ea
250C pe-oxide 2000A 3ea		 메타포어 디바이스개발 이재혁 900,000원
1059 2020-12-24 15시 16시 5-1-1 contact-1 insulation oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 180,000원
1060 2020-12-29 14시 15시 250C pe-oxide 1200A
250C pe-oxide 1300A
250C pe-oxide 1400A 		메타포어 디바이스개발 이재혁 360,000원
1061 2020-12-29 17시 18시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
1062 2020-12-29 9시 10시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
1063 2021-01-04 16시 17시 7-1-1 contact-2 passivation oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 180,000원
1064 2021-01-04 16시 17시 250C pe-oxide 1200A
250C pe-oxide 1400A 2회		 메타포어 디바이스개발 이재혁 360,000원
1065 2021-01-04 17시 18시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1066 2021-01-05 10시 11시 sample: 4\" Ge wafer 2매 (w/C, w/o C)
내용: PECVD oxide 100 nm 증착

(1호기 일정이 많이 밀려있어 3호기로 신청드립니다.)		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 204,000원
1067 2021-01-05 9시 11시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-5 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1068 2021-01-06 14시 15시 cassette1 250C oxide 2000A 4ea
cassette1 250C oxide 3000A / nitiride 5000A 4ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 720,000원
1069 2021-01-07 13시 14시 cassette1 250C oxide 3000A 2ea
cassette1 250C oxide 3000A 4ea
cassette1 250C oxide 3000A / nitiride 5000A 2ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 600,000원
1070 2021-01-11 13시 14시 1-1-1 thin film sin depo.
1-1-3 thin film oxide depo. 		포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 2,650,000원
1071 2021-01-11 17시 18시 6-4-7 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 90,000원
1072 2021-01-11 9시 10시 9-1-1 outpoe insulation oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 180,000원
1073 2021-01-12 14시 15시 cassette1 150C nitride 1000A 2ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 120,000원
1074 2021-01-13 10시 11시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1075 2021-01-15 10시 12시 10um 산화막 증착 부탁드립니다. 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 1,080,000원
1076 2021-01-15 13시 14시 cassette1 250C oxide 3000A 4ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1077 2021-01-15 16시 18시 전문인력양성교육-심화실습교육
PE-CVD를 통해 웨이퍼의 1/4사이즈에 SiO2를 증착하고 싶습니다. 		나노융합기술원 사업지원팀 전문인력 1조 0원
1078 2021-01-16 9시 11시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxid depo.
13-4-5 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1079 2021-01-18 14시 15시 전문인력양성교육-심화실습교육
이전 단계에서 etching한 wafer에 SiO2 증착 부탁드립니다. 		나노융합기술원 사업지원팀 전문인력 1조 0원
1080 2021-01-19 10시 11시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
1081 2021-01-19 10시 12시 전문인력양성교육-심화실습교육

1/4 웨이퍼에 SiN 증착을 위해 장비를 사용하려 합니다.		 나노융합기술원 사업지원팀 전문인력 1조 0원
1082 2021-01-19 15시 17시 전문인력양성교육-심화실습교육
1/4웨이퍼에 산화막 증착부탁드립니다. 		나노융합기술원 사업지원팀 전문인력 1조 0원
1083 2021-01-19 15시 16시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1084 2021-01-20 10시 11시 전문인력양성과정-심화실습교육
1/4웨이퍼조각에 SiO2 증착 부탁드립니다. 		나노융합기술원 사업지원팀 전문인력 1조 0원
1085 2021-01-20 11시 15시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 6,000,000원
1086 2021-01-21 10시 12시 전문인력양성 심화실습 교육
Si wafer 3장 위에 oxide를 10000A 증착하고 싶습니다.		 나노융합기술원 사업지원팀 전문인력5조 0원
1087 2021-01-21 9시 10시 cassette1 250C oxide 4000A 2ea
cassette1 300C oxide 4000A 1ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 180,000원
1088 2021-01-22 11시 12시 2-1-1 f_poe insulation depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1089 2021-01-25 11시 12시 cassette1 250C nitride 4000A 7ea
cassette1 300C nitride 4000A 1ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 480,000원
1090 2021-01-26 11시 11시 Mo etch rate test Oxide 3000A depo 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 630,000원
1091 2021-01-26 14시 16시 전문인력양성 심화실습 교육

si 웨이퍼 위에 oxide 10000A 증착하고 싶습니다.		 나노융합기술원 사업지원팀 전문인력5조 0원
1092 2021-01-26 15시 16시 0-1-2 0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
1093 2021-01-26 17시 17시 8-4-1 Oxide 16,000A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
1094 2021-01-27 16시 17시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1095 2021-01-28 20시 23시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-5 m2 2nd imd depo. pe-sin depo.		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1096 2021-01-30 13시 14시 cassette1 250C nitride 4000A 4ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1097 2021-02-02 10시 12시 나노전문인력양성교육 나노융합기술원 사업지원팀 전문인력2조 0원
1098 2021-02-02 13시 14시 전문인력양성과정 심화실습과정
ono 적층구조 위에 si3n4 2000A 증착하려 합니다.		 나노융합기술원 사업지원팀 전문인력2조 0원
1099 2021-02-02 17시 19시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-4 m2 2nd imd depo. pe-sin depo.
13-4-5 m2 2nd imd depo. pe-sin depo.		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1100 2021-02-03 17시 18시 4-7-2 PC PE-Oxide PE-Oxide Depo 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
1101 2021-02-03 19시 21시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
1102 2021-02-05 13시 14시 1. pe-oxide 3000A depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 278,000원
1103 2021-02-05 15시 17시 cassette1 300C nitride 4000A 4ea
cassette1 250C oxide 3000A 4ea
cassette1 250C oxide 3000A 4ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 720,000원
1104 2021-02-08 17시 18시 pe-nitiride 5000a 2ea 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 216,000원
1105 2021-02-08 18시 21시 13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE-Oxide Depo. PECVD
13-4-4 M2 2nd IMD Depo PE-sin Depo. PECVD		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1106 2021-02-09 17시 18시 6-4-2 M0 PE-Oxide PE-Oxide Depo 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
1107 2021-02-10 10시 11시 pe-oxide 3000A depo. 2ea 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 278,000원
1108 2021-02-16 17시 18시 13-4-2 2nd IMD depo PE-Oxide Depo PECVD
13-4-3 2nd IMD depo PE-sin Depo PECVD		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
1109 2021-02-17 13시 14시 cassette1 250C oxide 3000A 4ea
cassette1 250C nitride 1um 2ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 360,000원
1110 2021-02-17 14시 15시 2-1-1 f_poe insulation depo. pe-oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1111 2021-02-17 14시 15시 pe-oxide 3000a 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 139,000원
1112 2021-02-17 17시 18시 5-1-1 contact-1 insulatio oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 180,000원
1113 2021-02-18 11시 15시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 6,000,000원
1114 2021-02-19 15시 16시 8인치 웨이퍼 2장과 조각시편의 low stress 질화막 500nm 증착 요청드립니다. 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 324,000원
1115 2021-02-23 14시 15시 cassette1 250C nitride 4K 9ea
cassette1 300C nitride 4K 7ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 960,000원
1116 2021-02-23 18시 19시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-4 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1117 2021-02-24 11시 11시 5-1-1 6000A Oxide depo 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 180,000원
1118 2021-02-24 11시 11시 7-1-1 3000A Oxide depo 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 180,000원
1119 2021-02-24 15시 15시 2-1-1 PE_Oxide 3000A 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1120 2021-02-25 10시 11시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
1121 2021-02-25 11시 15시 cassette1 250C oxide 1K 12ea
cassette1 250C nitride 5K 12ea
cassette1 250C nitride 4K 2ea
cassette1 300C nitride 4K 6ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 1,920,000원
1122 2021-02-25 17시 18시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-4 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1123 2021-02-25 7시 10시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-4 m2 2nd imd depo. pe-sin depo.		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 840,000원
1124 2021-02-26 17시 18시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE-Oxide Depo. PECVD
PE-Oxide 8500A (N20/SiH4=163(1950/12)		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
1125 2021-03-02 11시 12시 13-4-3 M2 IMD PE-SIN Depo PECVD
SiN 6500A (NH3/SiH4=110sccm/310sccm_N2 3800sccm)		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
1126 2021-03-02 14시 15시 7-1-1 Contact-2 Passivation Oxide Depo PECV-3
PE Oxide 3000A Depo		 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 180,000원
1127 2021-03-02 17시 18시 4-7-2 PC PE-Oxide Depo PECVD-3
Oxide Thickness (N20 1950sccm/ SiH4 12sccm) 350W 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
1128 2021-03-03 13시 14시 cassette1 250C nitride 4K 8ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 480,000원
1129 2021-03-05 17시 18시 cassette1 250C nitride 4K 7ea
cassette1 300C nitride 4K 8ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 900,000원
1130 2021-03-09 10시 11시 cassette1 300C nitride 4K 4ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1131 2021-03-09 20시 21시 13-4-3 M2 2nd IMD depo PE-Oxide Depo PECVD 8500A
13-4-4 M2 2nd IMD depo PE-sin Depo PECVD 8500A 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1132 2021-03-10 19시 21시 13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE-Oxide Depo PECVD
N2O/SiH4=163_SiH4 12sccm 8500A
13-4-4 M2 2nd IMD Depo PE-sin Depo PECVD 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1133 2021-03-11 10시 11시 cassette1 300C nitride 4K 5ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 300,000원
1134 2021-03-11 15시 16시 9-1-1 outpoe insulation oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 180,000원
1135 2021-03-11 17시 18시 13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE-Oxide Depo PECVD 8500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
1136 2021-03-12 10시 11시 13-4-4 M2 2nd IMD Depo PE-SiN Depo PECVD 6500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
1137 2021-03-12 17시 18시 13-4-2 M2 IMD Depo PE-Oxide Depo. PECVD 8500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1138 2021-03-15 14시 15시 250C pe-oxide 1400/1800/1900/2000/2200A 메타포어 디바이스개발 이재혁 600,000원
1139 2021-03-15 18시 18시 13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE-Oxide Depo. PECVD 8500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
1140 2021-03-15 9시 10시 13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE-SiN Depo PECVD 6500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1141 2021-03-16 17시 18시 6-4-2 M0 PE-Oxide Depo PECVD_3 2500A N20 1950sccm / SiH4 12sccm) 2500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
1142 2021-03-16 9시 10시 13-4-4 M2 2nd IMD Depo PE_SIN depo PECVD 6500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
1143 2021-03-17 17시 19시 250C pe-oxide 1800/2100/2400A 총 20회 진행 메타포어 디바이스개발 이재혁 2,580,000원
1144 2021-03-18 11시 15시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 6,000,000원
1145 2021-03-19 10시 11시 PECVD SiO2 100 nm 증착 공정 의뢰합니다. Wafer는 총 2장이며, 공정 의뢰함에 있습니다. 감사합니다. 포항공과대학교 신소재공학과 김익재 216,000원
1146 2021-03-22 17시 18시 SiO2 30nm 증착 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 이동훈 192,000원
1147 2021-03-22 17시 18시 2-2-1 F_POE Insulation Depo PeOxide Depo 3000A 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1148 2021-03-23 13시 14시 cassette1 250C nitride 4K 5ea
cassette1 300C nitride 4K 3ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 480,000원
1149 2021-03-23 17시 18시 13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE_Oxide Depo PECVD 8500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
1150 2021-03-24 9시 10시 13-4-4 M2 2nd IMD Depo PE-SiN Depo PECVD 6500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
1151 2021-03-26 14시 16시 Si3N34 500nm 증착 부탁드립니다. (26일 오후 중 증착완료) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 204,000원
1152 2021-03-29 14시 16시 Si3N4 20nm / SiO2 30nm / Si3N4 30nm / SiO2 30nm / Si3N4 40nm / SiO2 30nm / Si3N4 50nm / SiO2 30nm
2매 진행		 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,066,000원
1153 2021-03-29 15시 16시 cassette1 250C nitride 4K 4ea
----------------
담당자 협의 50%		 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1154 2021-03-29 16시 17시 낮에 통화했던 신소재 허성재 입니다.
PE-CVD NH3 처리를 통해 W metal 표면을 WN로 만들고자 합니다.
온도는 온도는 400도로해서 10분동안 NH3 treatment를 부탁드립니다.
샘플은 트레이의 3번, 4번 샘플입니다.(1번, 2번은 PE-ALD 용 입니다.)
감사합니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 허성재 108,000원
1155 2021-03-29 9시 12시 250C pe-oxide 1600/1800 총 15회 진행 메타포어 디바이스개발 이재혁 2,100,000원
1156 2021-03-30 8시 11시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
1157 2021-03-31 11시 12시 4-7-2 PC PE_Oxide Depo PECVD_3 3000A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
1158 2021-03-31 15시 16시 Si3N4 500nm(5000A) 5장 증착부탁드립니다. (완료) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 510,000원
1159 2021-03-31 15시 15시 cassette1 250C nitride 4K 4ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1160 2021-03-31 15시 15시 cassette1 250C nitride 4K 4ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 420,000원
1161 2021-04-01 16시 17시 4-1-1 Gate Insulator Oxide Depo SiO 400A / SiN 800A 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 180,000원
1162 2021-04-02 10시 11시 13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE_Oxide Depo. 8500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
1163 2021-04-02 10시 10시 13-4-4 M2 2nd IMD Depo PE-SiN Depo PECVD 6500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
1164 2021-04-02 13시 14시 SiN 300C 4000A 5ea
SiN 300C 4000A 3ea		 템퍼스 생산기술팀 서영민 480,000원
1165 2021-04-05 16시 17시 5-1-1 contact-1 insulation oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 180,000원
1166 2021-04-06 13시 13시 PECVD3 SiN 300C 4000A 1ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 60,000원
1167 2021-04-06 17시 18시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 360,000원
1168 2021-04-08 1시 1시 7-1-1 Contact-2 Passivation Oxide Depo 3000A 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 90,000원
1169 2021-04-08 17시 18시 Si3N4 5000A (500nm) 요청드립니다. 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 204,000원
1170 2021-04-09 10시 11시 SiO2 190nm 증착 서비스신청합니다.

1층 입구 공정함에 샘플 넣어두었으며, glass샘플이 메인 샘플이고 Si 두조각은 공간 남는 곳에 아무렇게나 넣어주셔도 됩니다.

공정 완료후 010-9375-7103 문자 남겨주시면 감사드립니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 백상원 108,000원
1171 2021-04-15 11시 11시 SiN 300A 300C (8ea)
SiN 4000A 300C (8ea)		 템퍼스 생산기술팀 서영민 960,000원
1172 2021-04-15 18시 18시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE_Oxide Depo PECVD 8500A 4ea
13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE-sin Depo PECVD 6500A 4ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
1173 2021-04-16 15시 16시 2-1-1 f_poe insulation depo. peoxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1174 2021-04-16 17시 21시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-4 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 840,000원
1175 2021-04-19 11시 15시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,640,000원
1176 2021-04-19 11시 11시 5-1- Contact-1 Insulation Oxide Depo PECVD-3 6000A 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 180,000원
1177 2021-04-20 11시 11시 SiN 250C 4000A 6ea
SiN 300C 4000A 2ea		 템퍼스 생산기술팀 서영민 480,000원
1178 2021-04-20 17시 20시 13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE_Oxide PECVD 8500A
13-4-4 M2 2nd IMD Depo PE_sin PECVD 6500A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1179 2021-04-21 18시 18시 2-1-1 F_POE Insulation Depo PEoxide_Depo PECVD_3 3000A 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 270,000원
1180 2021-04-21 7시 9시 SiN 250C 5000A 4ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1181 2021-04-27 19시 19시 Oxide 3000A 4ea
Nitride 5000A 4ea		 템퍼스 생산기술팀 서영민 480,000원
1182 2021-04-30 9시 10시 Nitride 4000A 2ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 120,000원
1183 2021-05-03 16시 17시 pe-oxide recipe 제작 & 3000A depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 90,000원
1184 2021-05-04 10시 10시 2-4-4 RX Gate Hardmask Oxide Depo PECVD_3 Oxide Thickness 700A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1185 2021-05-10 17시 17시 4-7-2 PC PE_Oxide Depo 3000A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1186 2021-05-11 1시 1시 2-1-1 POE Insulator Oxide Depo 4000A 6ea 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1187 2021-05-11 14시 14시 2-1-1 F_POE Insulation PEoxide Depo 3000A OXLED 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1188 2021-05-11 16시 16시 2-1-1 POE Insulator Oxide Depo 4000A 선행 Wafer 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 139,000원
1189 2021-05-11 17시 17시 2-1-1 F_POE Insulation PEoxide Depo 3000A OXLED 선행 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 139,000원
1190 2021-05-13 11시 12시 2.0 poe layer rework
2. pe-oxide 3000A depo. 		삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 270,000원
1191 2021-05-14 16시 20시 5/6 pe-nitride 300C 4k 4ea
5/11 pe-nitride 300C 300A 8ea
5/15 pe-nitride 300C 4k 5ea / pe-nitride 250C 4k 10ea		 템퍼스 생산기술팀 서영민 1,560,000원
1192 2021-05-18 1시 1시 6-4-2 M0 PE-Oxide Depo PECVD_3 2500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1193 2021-05-18 11시 15시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,640,000원
1194 2021-05-20 10시 10시 SiN 4000A 2ea (300C)
SiO2 1000A 4ea (250C)
SiN 5000A 4ea (250C)
SiN 4000A 2ea (300C)		 템퍼스 생산기술팀 서영민 720,000원
1195 2021-05-21 10시 11시 SiO2 190nm 증착 서비스신청합니다.

1층 입구 공정함에 샘플 넣어두었으며, glass샘플이 메인 샘플이고 Si 조각은 두께확인용으로 공간 남는 곳에 아무렇게나 넣어주셔도 됩니다.

공정 완료후 010-9375-7103 문자 남겨주시면 감사드립니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 백상원 108,000원
1196 2021-05-24 10시 10시 13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE_Oxide Depo 8500A 4ea
13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE_SiN Depo 6500A 4ea
 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
1197 2021-05-24 16시 16시 SiN 4k 300C 4ea
SiN 300A 300C 8ea		 템퍼스 생산기술팀 서영민 720,000원
1198 2021-05-24 9시 18시 다단적층공정 2회(1st_8Layer+2nd_7Layer+Dicing) sk 머티리얼즈 주식회사 연구개발2팀 조수연 2,140,000원
1199 2021-05-28 1시 1시 13-4-4 M2 2nd IMD Depo PE-SiN Depo 6500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
1200 2021-05-28 1시 1시 13-4-3 M2 2nd IMD PE-Oxide Depo PECVD 8500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
1201 2021-05-28 16시 18시 SiN 300A 300C 8ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 480,000원
1202 2021-06-01 17시 18시 pe-nitirde 4k 250c 4ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1203 2021-06-01 21시 23시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1204 2021-06-02 1시 5시 13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE_SiN PECVD 6500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1205 2021-06-02 13시 14시 2-1-1 F_POE Insulation Depo PECVD_3 OX_LED 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1206 2021-06-02 15시 16시 2-1-1 POE Insulator Oxide Depo PECVD-3 4000A 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1207 2021-06-02 17시 18시 SiN 4000K 250C 4ea
300C 1ea		 템퍼스 생산기술팀 서영민 300,000원
1208 2021-06-02 17시 17시 1. Oxide 3000A Depo 포항공과대학교 신소재공학과 이동욱 157,000원
1209 2021-06-03 13시 20시 SiH4 Gas 평가 과제 진행 [4.0021529.01] 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,920,000원
1210 2021-06-03 9시 12시 250C pe-oxide 1000A 4ea
250C pe-nitride 5000A 4ea
300C pe-oxide 300A 4ea		 템퍼스 생산기술팀 서영민 720,000원
1211 2021-06-04 10시 11시 SiO2 100 nm 증착 공정 의뢰합니다. (4 inch 웨이퍼 총 3 장)

카세트에 각 샘플 넘버링 해놓았는데, 섞이지 않게 해주시면 감사하겠습니다.

샘플은 공정의뢰함에 있습니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 김익재 324,000원
1212 2021-06-04 11시 12시 2-4-4 RX Gate Hardmask Depo Oxide Depo PECVD_3 Oxide Thickness 700A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
1213 2021-06-04 7시 9시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-4 m2 2nd imd depo. pe-sin depo.		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
1214 2021-06-04 7시 10시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-4 m2 2nd imd depo. pe-sin depo.		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
1215 2021-06-07 11시 12시 300C pe-nitride 4K 5ea
300C pe-nitride 300A 3ea		 템퍼스 생산기술팀 서영민 480,000원
1216 2021-06-07 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
1217 2021-06-07 18시 24시 13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE_Oxide DEpo PECVD 8500A 4ea
13-4-4 M2 2nd IMD Depo PE_SIN Depo PECVD 6500A 4ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
1218 2021-06-08 10시 12시 나노융합기반고도화사업 (주)에스제이컴퍼니 기술영업부 손호창 480,000원
1219 2021-06-08 16시 17시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
1220 2021-06-09 10시 20시 SiH4 Gas 평가 과제 진행 [4.0021529.01] 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 1,920,000원
1221 2021-06-10 1시 3시 2-4-4 RX Gate Hardmask Oxide Depo PECVD_3 700A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1222 2021-06-10 16시 18시 300C pe-nitride 300A 4ea
250C pe-oxide 1000A 4ea
250C pe-nitride 4000A 4ea		 템퍼스 생산기술팀 서영민 720,000원
1223 2021-06-14 10시 11시 2-1-1 poe insulator oxide depo. 2000A 2회 진행
2-1-2 poe insulator oxide depo.		 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 270,000원
1224 2021-06-14 17시 18시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1225 2021-06-15 10시 12시 SiN 300C 4k 4ea
300C 300A 3ea		 템퍼스 생산기술팀 서영민 420,000원
1226 2021-06-16 14시 15시 2-0-1 F_POE Insulation Depo PECVD_3 3000A OX LED 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1227 2021-06-16 15시 16시 2-0-2 Guide SiN Depo SiN Depo PECVD_3 3000A 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1228 2021-06-17 18시 22시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
1229 2021-06-17 6시 10시 13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE_Oxide Depo PECVD PE-Oxide 8500A 4ea
13-4-4 M2 2nd IMD Depo PE_SiN Depo PECVD 6500A 4ea 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
1230 2021-06-18 10시 12시 nit 250C 4k 1ea
nit 300C 300A 1ea		 템퍼스 생산기술팀 서영민 120,000원
1231 2021-06-18 12시 16시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,640,000원
1232 2021-06-21 14시 15시 0-2-1 pc pe-oxide depo.
0-2-2 0 pe-sin split depo.		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1233 2021-06-21 9시 11시 nit 300C 300A 7ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 420,000원
1234 2021-06-23 13시 14시 0-1-3 0 fab-in pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
1235 2021-06-23 15시 16시 2-1-1 f_poe insulation depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 90,000원
1236 2021-06-23 16시 18시 0-1-5 o pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
1237 2021-06-23 18시 19시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide dpeo.
13-4-4 m2 2nd imd depo. pe-sin dpeo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
1238 2021-06-25 7시 12시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-4 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
1239 2021-06-28 16시 17시 2-1-1 POE Insulator Oxide Depo PECVD-3 2000A
2-1-2 POE Insulator Oxide Depo PECVD-3 2000A		 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1240 2021-06-30 17시 20시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE_Oxide Depo 8500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
1241 2021-07-01 10시 11시 13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE_siN depo 6500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
1242 2021-07-01 13시 14시 2-4-4 RX Hardmask Depo Oxide Depo PECVD_3 700A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
1243 2021-07-02 10시 11시 SiO2 120nm 증착 서비스 신청합니다. 포항공과대학교 신소재공학과 백상원 108,000원
1244 2021-07-02 11시 13시 SiN 4k 250C 4ea
SiN 4k 250C 3ea
Ox 1k 250C 2ea		 템퍼스 생산기술팀 서영민 540,000원
1245 2021-07-08 10시 11시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
1246 2021-07-09 9시 10시 nit 300C 4kA 2ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 120,000원
1247 2021-07-12 11시 13시 0-1-3 0 PE-Oxide DEpo PECVD 2000A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
1248 2021-07-12 16시 18시 8-4-1 M1 2nd IMD Depo PE_Oxide 16000A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1249 2021-07-13 18시 19시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
1250 2021-07-14 10시 16시 전북대학교 교육 진행 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,200,000원
1251 2021-07-14 17시 18시 2-0-1 f_poe insulation depo. peoxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 270,000원
1252 2021-07-14 18시 21시 13-4-3 m2 2md imd depo. pe-oxide depo. 5ea
13-4-4 m2 2md imd depo. pe-sin depo. 6ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 924,000원
1253 2021-07-16 15시 16시 150C pe-nitride 1000A 3ea
250C pe-oxide 1000A 8ea
250C pe-nitride 4kA 4ea		 템퍼스 생산기술팀 서영민 900,000원
1254 2021-07-16 18시 19시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1255 2021-07-19 13시 17시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,640,000원
1256 2021-07-20 11시 12시 250C pe-nitride 4kA 8ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 480,000원
1257 2021-07-23 18시 21시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-4 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1258 2021-07-27 17시 20시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 720,000원
1259 2021-07-28 14시 15시 SiN 250C 4kA 3ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 180,000원
1260 2021-07-28 18시 23시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE_Oxide Depo PECVD 8500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1261 2021-07-29 10시 12시 SiN 300C 300A 6ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 360,000원
1262 2021-07-29 11시 12시 13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE_SIN Depo 6500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1263 2021-07-29 18시 18시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-4 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1264 2021-07-30 18시 22시 13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE_Oxide Depo PECVD 8500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
1265 2021-07-30 22시 24시 13-4-4 M2 2nd IMD Depo PE_SiN Depo PECVD 6500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
1266 2021-08-03 10시 12시 pe-oxide 250c 1000a 4ea
pe-nitride 250c 5000a 4ea		 템퍼스 생산기술팀 서영민 480,000원
1267 2021-08-03 9시 10시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1268 2021-08-04 13시 14시 pe-nitride 250c 4kA 4ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1269 2021-08-04 15시 16시 2-1-1 f_poe insulation depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 270,000원
1270 2021-08-04 19시 22시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-4 m2 2nd imd depo. pe-sin depo.		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1271 2021-08-05 17시 18시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1272 2021-08-09 10시 11시 SiN 300C 300A 6ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 360,000원
1273 2021-08-10 1시 1시 SiO2 3000A 충남대학교 전자공학과 송기우 169,000원
1274 2021-08-10 13시 16시 대구카톨릭대학교 반도체 공정실습 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,200,000원
1275 2021-08-11 18시 19시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. split depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1276 2021-08-18 10시 12시 2-0-1 F_POE Insulation Depo Peoxide Depo PECVD_3 3000A OX LED 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 270,000원
1277 2021-08-19 13시 17시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,640,000원
1278 2021-08-20 14시 15시 250C pe-oxide 500/900 총 2회 진행 메타포어 디바이스개발 이재혁 240,000원
1279 2021-08-20 14시 15시 SiN 250C 4000A 8ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 480,000원
1280 2021-08-20 15시 16시 5-1-1 contact-1 insulation oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 270,000원
1281 2021-08-23 11시 12시 SiN 300C 300A 20ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 1,200,000원
1282 2021-08-24 17시 18시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 900,000원
1283 2021-08-25 14시 16시 안녕하세요 선생님
Si wafer위에 TiN 150nm - SiO2 60 nm - TiN 50 nm
이렇게 세층을 쌓고 싶습니다.

6인치 웨이퍼이며 총 2장을 제작하고 싶습니다.

감사드립니다!		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 216,000원
1284 2021-08-27 16시 17시 7-1-1 contact-2 passivation oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 270,000원
1285 2021-08-30 9시 10시 SiN 300C 4K 2ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 120,000원
1286 2021-08-31 9시 10시 2-4-4 rx gate hardmask depo. oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1287 2021-09-02 10시 11시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1288 2021-09-03 17시 18시 2-1-1 F_POE Insulation Depo Peoxide 3000A 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 180,000원
1289 2021-09-08 11시 12시 250C pe-oxide 100/200/300A 총 3회 진행 메타포어 디바이스개발 이재혁 360,000원
1290 2021-09-08 18시 19시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. split

삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1291 2021-09-13 17시 18시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-4 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1292 2021-09-15 17시 20시 13-4-3 M2 end IMD Depo PE_Oxide Depo PECVD 8500A
13-4-4 M2 end IMD Depo PE_sin Depo PECVD 6500A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1293 2021-09-17 13시 17시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,640,000원
1294 2021-09-24 17시 21시 13-4-3 M2 2nd IMD Depo PECVD 8500A
13-4-4 M2 2nd IMD Depo PECVD 6500A 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1295 2021-09-29 17시 20시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
1296 2021-10-01 11시 12시 2-4-4 rx gate hardmask depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1297 2021-10-04 20시 21시 SiN 250C 4K 4ea
SiN 300C 4K 2ea		 템퍼스 생산기술팀 서영민 360,000원
1298 2021-10-05 18시 19시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-4 m2 2nd imd depo. pe-sin depo.		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 840,000원
1299 2021-10-06 18시 19시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1300 2021-10-07 18시 11시 13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE_Oxide Depo PECVD 8500A
13-4-4 M2 2nd IMD Depo PE_SiN Depo PECVD 6500A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1301 2021-10-08 11시 12시 SiN 300C 4K 7ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 420,000원
1302 2021-10-15 1시 9시 6-4-2 M0 PE_oxide Depo Ox 6000A SiH4 sccm12 6ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1303 2021-10-15 10시 12시 SiN 4k 250C 1ea 300C 7ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 480,000원
1304 2021-10-15 17시 24시 13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE-oxid 8500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
1305 2021-10-18 1시 11시 13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE_Oxide Depo 8500A
13-4-4 M2 2nd IMD Depo PE-SiN Depo 6500A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1306 2021-10-19 13시 17시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,640,000원
1307 2021-10-21 14시 15시 SiN 4k 250C 6ea 300C 2ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 480,000원
1308 2021-10-28 14시 15시 SiN 4k 250C 4ea 300C 4ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 480,000원
1309 2021-10-28 16시 17시 10.28 pe-oxide 5000a 3ea
10.29 pe-oxide 5000a 1ea		 (주)예스파워테크니스 공정기술팀 이정훈 432,000원
1310 2021-10-29 9시 10시 2-4-4 rx gate hardmask depo. 5ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
1311 2021-11-01 13시 14시 250C pe-oxide 100/200/300/500/700 총 5회 진행 메타포어 디바이스개발 이재혁 600,000원
1312 2021-11-02 14시 16시 4-7-2 PC PE_Oxide PE-Oxide Depo 3000A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
1313 2021-11-02 17시 20시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-4 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1314 2021-11-03 18시 20시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-4 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 840,000원
1315 2021-11-04 11시 12시 안녕하세요 선생님
4inch quartz 기판 위에
TiN 150 nm - SiO2 60 nm - TiN 50 nm 증착하고 싶습니다.

TiN은 sputter를 통해 증착하고 있습니다.
감사드립니다.
 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1316 2021-11-04 13시 16시 SiN 4k 8ea 250c 템퍼스 생산기술팀 서영민 480,000원
1317 2021-11-04 17시 19시 1-2-4 f_via GaN etch 단차 측정 Profiler
2-0-1 f_poe insulation depo. peoxide depo. 		삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 292,500원
1318 2021-11-09 21시 23시 6-4-2 m0 pe-oxide depo. split depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
1319 2021-11-19 13시 17시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 5,640,000원
1320 2021-11-19 9시 11시 SiN 4k 8ea 250c 템퍼스 생산기술팀 서영민 480,000원
1321 2021-11-25 14시 15시 250C pe-oxide 100A depo. 메타포어 디바이스개발 이재혁 120,000원
1322 2021-11-25 20시 23시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide dpeo.
13-4-4 m2 2nd imd depo. pe-sin dpeo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1323 2021-11-26 17시 21시 13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE-Oxide Depo 8500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
1324 2021-11-29 11시 15시 Nit 250C 4k 7ea 300C 1ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 480,000원
1325 2021-11-29 17시 24시 13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE-Oxide Depo 8500A
13-4-4 M2 2nd IMD Depo PE-SiN Depo 6500A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1326 2021-11-29 9시 11시 13-4-4 M2 2nd IMD Depo PE-SiN Depo 6500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
1327 2021-11-30 16시 21시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE-Oxide Depo 8500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
1328 2021-12-01 11시 12시 pe-nitride 4k 300C 3ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 180,000원
1329 2021-12-01 9시 11시 13-4-3 M2 IMD Depo PE_SiN DEPO 6500A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
1330 2021-12-02 16시 17시 pe-nitride 4k 250C 4ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1331 2021-12-06 15시 17시 2-1-1 poe insulation depo. peoxide depo.
삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 270,000원
1332 2021-12-13 13시 17시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 3,000,000원
1333 2021-12-15 11시 16시 나노융합 소자공정 및 측정분석 실습교육과정(4.0021910.01)_나노 소자 공정 교육
pe-oxide depo.		 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 3,600,000원
1334 2021-12-15 18시 24시 13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE_oxide Depo PECVD 8500A
13-4-4 M2 2nd IMD Depo PE_SiN Depo 6500A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
1335 2021-12-22 9시 11시 pe-nitirde 4k 11ea 250c
50% 공정 협의		 템퍼스 생산기술팀 서영민 660,000원
1336 2021-12-23 1시 11시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE Oxide Depo PECVD 8500A
13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE-SiN Depo 6500A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
1337 2021-12-27 6시 12시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE-Oxide Depo 8500A
13-4-3 M2 ind IMD Depo PE_SiN Depo 6500A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1338 2021-12-28 18시 24시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE-Oxide Depo PECVD 8500A
13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE-SiN Depo 6500A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1339 2021-12-29 14시 17시 Nit 250C 4kA 8ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 480,000원
1340 2022-01-03 13시 15시 SiN 300C 4kA 6ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 360,000원
1341 2022-01-10 13시 14시 SiN 300A 300C 1ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 60,000원
1342 2022-01-11 11시 12시 pe-oxide 250c 1200a / 1700a/ 2200a 메타포어 디바이스개발 이재혁 360,000원
1343 2022-01-13 1시 10시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE-Oxide Depo 8500A
13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE_SiN Depo 6500A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1344 2022-01-13 10시 12시 2-4-4 RX Gate Hardmask Depo Oxide 700A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1345 2022-01-14 10시 16시 나노융합 소자공정 및 측정분석 실습교육과정(4.0021910.01)
나노 소자 공정 & 측정 일자리 연계교육
pe-oxide depo.		 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 3,600,000원
1346 2022-01-14 17시 18시 SiN 4KA 300C 8ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 480,000원
1347 2022-01-17 14시 15시 SiO2 2um 증착하고자 합니다. 나노융합기술원 사업지원팀 21년도 전문인력 1조 0원
1348 2022-01-18 14시 15시 [21년도 나노전문인력양성 고급실습교육]

PE-Oxide 3000A Depo		 나노융합기술원 사업지원팀 21년도_전문인력 6조 0원
1349 2022-01-18 18시 19시 pe-oxide 250c 1650a 3ea
pe-oxide 250c 1350a 7ea
boe cleaning		 메타포어 디바이스개발 이재혁 1,500,000원
1350 2022-01-20 10시 12시 SiN 4000A 300C 4ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1351 2022-01-24 14시 16시 4-7-2 PC PE-Oxide Depo 3000A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1352 2022-01-25 19시 21시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 840,000원
1353 2022-01-27 18시 24시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo Oxide 8500A
13-4-3 M2 2nd IMD SiN Depo 6500A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1354 2022-02-04 14시 15시 Boron-doped wafer에 acrylic polymer film (+silica nanocomposite) 10 μm 두께로 코팅되어 있습니다.
polymer film 위에 SiNx 증착하고자 합니다

SiNx 증착 조건
- Temp.: 90 ℃
- SiNx thickness: 1 μm
- Film stress: compressive, 500 MPa
로 증착하고자 합니다.

문의 사항은 언제든지 연락주시면 감사드리겠습니다.
 주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막팀 조성민 720,000원
1355 2022-02-08 11시 12시 pe-oxide 250c 1200A/1700A/2200A 3ea
boe cleaning		 메타포어 디바이스개발 이재혁 660,000원
1356 2022-02-09 9시 10시 안녕하세요 선생님

1) TiN 150 nm 증착 (sputter)
2) SiO2 60 nm 증착 (PECVD)
3) TiN 40 nm 증착 (sputter)

증착 의뢰 부탁드립니다!
제가 웨이퍼 통에 3) TiN 50 nm 증착으로 적어놨는데,, 40 nm 로 바꾸어서 증착 부탁드리겠습니다!		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1357 2022-02-11 9시 12시 pe-oxide 250c 1550A 4ea/1950A 4ea
boe cleaning		 메타포어 디바이스개발 이재혁 1,260,000원
1358 2022-02-14 10시 11시 pe-oxide depo. 300c 4k 4ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1359 2022-02-15 18시 3시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE_Oxide 8500A
13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE_SiN 6500A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 840,000원
1360 2022-02-21 10시 12시 pe-oxide depo. 250c 1k 4ea
pe-nitride depo. 250c 4k 4ea		 템퍼스 생산기술팀 서영민 480,000원
1361 2022-02-25 9시 11시 나노융합기술원에 보유하고있는 8인치 실리콘 웨이퍼(100) 위에

(하부) 260nm SiO2 - 80nm SiN - 360nm SiO2 (상부)
증착 의뢰드립니다.

웨이퍼 클리닝은 없고, 중간에 진공을 깨지 않는 상태로 의뢰하고싶습니다.		 에스앤에스텍 EUV Pellicle 개발팀 이승조 419,000원
1362 2022-03-04 1시 11시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE_Oxide Depo PECVD 8500A
13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE_SiN Depo 6500A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1363 2022-03-04 10시 11시 pe-oxide 250c 2000A 메타포어 디바이스개발 이재혁 120,000원
1364 2022-03-04 11시 13시 2-1-1 POE Insulation Depo PEoxide 3000A OX_LED recipe 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1365 2022-03-07 7시 12시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE-Oxide Depo 8500A
13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE-SiN Depo 6500A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
1366 2022-03-10 16시 17시 1-1-1 sio2 insulator oxide depo.
1-1-2 sio2 insulator thick. meas. 		한국과학기술연구원 스핀융합연구단 김승환 280,000원
1367 2022-03-16 9시 11시 나노융합기술원에 보유하고있는 8인치 실리콘 웨이퍼(100) 위에

(하부) 260nm SiO2 - 80nm SiN - 360nm SiO2 (상부)
증착 의뢰드립니다.

웨이퍼 클리닝은 없고, 중간에 진공을 깨지 않는 상태로 의뢰하고싶습니다.

APM Cleaning 5ea 진행		 에스앤에스텍 EUV Pellicle 개발팀 이승조 1,950,000원
1368 2022-03-17 20시 23시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 8500a
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 6500a		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1369 2022-03-22 10시 12시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 8500a
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 6500a		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1370 2022-03-22 13시 15시 8인치 기판 4ea PECVD 공정을 신청합니다.
물질: SiO2
증착 두께: 30nm
(기판은 현재 Si(45nm)/Ni(200nm) 박막 증착되어있습니다)

이후 해당 기판 전수는 Al 60nm 증착 공정이 진행됩니다.
감사합니다.		 애즈미(주) 기계공학과 송주권 480,000원
1371 2022-03-22 17시 18시 9-1-1 contact-2 passivation oxide depo. 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1372 2022-03-24 1시 11시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE-Oxide Depo 8500A
13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE-SiN Depo 6500A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1373 2022-03-25 16시 17시 13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. (wf01 진행) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 84,000원
1374 2022-03-28 6시 9시 13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE-Oxide Depo PECVD 8500A 5ea (1ea 선행)
13-4-4 M2 2nd IMD Depo PE-SiN Depo PECVD 6500A 6ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 924,000원
1375 2022-03-29 13시 15시 APM Cleaning
pe-oxide depo. 250c 2k 6ea
-------------
50%할인 협의		 템퍼스 생산기술팀 서영민 510,000원
1376 2022-03-29 17시 24시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE_Oxide Depo PECVD 8500A
13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE_SiN Depo PECVD 6500A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1377 2022-03-30 11시 15시 Nit 4000A 250C 12ea
Nit 4000A 300C 11ea 		템퍼스 생산기술팀 서영민 1,380,000원
1378 2022-03-31 17시 24시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE_Oxide 8500A
13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE-SiN Depo 6500A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1379 2022-04-06 11시 13시 1-2-4 N-Open GAN Etch Profiler
2-0-1 POE insulation Depo 3000A OX_LED		 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 582,500원
1380 2022-04-06 17시 19시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1381 2022-04-06 9시 10시 PE-SiO2 depo 삼성디스플레이 선행제품연구팀 박후근 600,000원
1382 2022-04-08 14시 15시 목적: SiN stress test
[연구기반 활용플러스 사업](바우처)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 600,000원
1383 2022-04-11 13시 15시 400c sio2/sin 300nm 총 2매 에스앤에스텍 EUV Pellicle 개발팀 이승조 358,000원
1384 2022-04-12 13시 15시 2-0-1 POE Insulation Depo PEoxide 3000A 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1385 2022-04-12 15시 16시 목적: SiN stress test
[연구기반 활용플러스 사업](바우처)
 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 600,000원
1386 2022-04-13 16시 18시 4-6-1 PC PE_Oxide Depo 3000A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
1387 2022-04-13 18시 24시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo Oxide 8500A
13-4-3 M2 2nd IMD Depo SiN 6500A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1388 2022-04-19 9시 10시 목적: PECVD SiN stress test
총 4장
[연구기반 활용플러스사업](바우처)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 480,000원
1389 2022-04-20 11시 12시 목적: SiN stress test
[연구기반 활용플러스사업](바우처)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 240,000원
1390 2022-04-20 14시 17시 2-0-1 POE insulation Depo Peoxide 3000A OX_LED 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1391 2022-04-21 10시 13시 PECVD SiN 300C 300A 5ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 300,000원
1392 2022-04-22 10시 11시 목적: PECVD SiN stress test
[연구기반 활용플러스사업](바우처)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 720,000원
1393 2022-04-25 15시 16시 300c pe-nitride 300a 5ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 300,000원
1394 2022-04-26 15시 16시 PEox 1um 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김채민 167,000원
1395 2022-04-26 16시 19시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 4000a / 8500a / 12000a 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
1396 2022-04-27 10시 12시 13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE-SiN 3500A/6500A/9000A 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 252,000원
1397 2022-05-04 10시 11시 pecvd SiN stress test
[연구기반 활용플러스사업](바우처)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 120,000원
1398 2022-05-06 10시 13시 SiN 150C 1000A 2ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 120,000원
1399 2022-05-09 9시 11시 2-0-1 POE Insulation Depo PEcoxide 3000A Recipe : OX LED 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1400 2022-05-10 14시 16시 2-1-1 SIO2 Insulator Oxide Depo PE Oxide 2000A 3ea (주)에스제이컴퍼니 개발팀 박상준 360,000원
1401 2022-05-12 10시 11시 250c pe-oxide 1000a depo 메타포어 디바이스개발 이재혁 120,000원
1402 2022-05-12 15시 16시 300c pe-nitride 4k 4ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1403 2022-05-13 10시 11시 PECVD SiN stress test
[연구기반 활용플러스사업](바우처)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 360,000원
1404 2022-05-16 10시 12시 300c pe-nitride 300a 6ea
------------
50% 협의		 템퍼스 생산기술팀 서영민 360,000원
1405 2022-05-16 15시 17시 2-0-1 POE Insulation Depo PECVD 3000A OX_LED 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1406 2022-05-19 13시 14시 300c pe-nitride 300a 3ea
400c pe-nitride 300a 3ea
------------
50% 협의		 템퍼스 생산기술팀 서영민 360,000원
1407 2022-05-19 13시 14시 시편 : GaAs (뒤집어서 본딩 되어 있음) on PMN-PT
증착 물질: SiO2
증착 온도: 100도
증착 두께: 2 um
목적: bonding 되어 있는 GaAs 기판 옆면에 passivation 층 증착		 한국전자통신연구원 양자기술연구단 고영호 240,000원
1408 2022-05-20 11시 12시 Ox 1um 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김채민 167,000원
1409 2022-05-20 15시 17시 2-0-1 POE Insulation Peoxide Depo PECVD_3 3000A Ox_LED 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 540,000원
1410 2022-05-24 10시 11시 300c pe-nitride 300a 2ea

50% 협의		 템퍼스 생산기술팀 서영민 120,000원
1411 2022-05-24 17시 22시 13-4-2 m2 2nd imd pe-oxide depo.
13-4-3 m2 2nd imd pe-sin depo.		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 840,000원
1412 2022-06-07 6시 12시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE oxid depo 8500A
13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE SiN Depo 6500A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
1413 2022-06-08 14시 15시 pe-nitride 300 4kA 4ea
------------
할인율 협의됨		 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1414 2022-06-08 16시 17시 LOT ID: KA20924A
목적: SH공정 SiN 증착
총 4장(계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 0원
1415 2022-06-13 11시 13시 SiN 1000A 150C 2ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 120,000원
1416 2022-06-13 14시 16시 PE-SiO2 Depo 삼성디스플레이 선행제품연구팀 박후근 384,000원
1417 2022-06-16 9시 10시 pe-nitride 4k 300c 4ea
------------
할인율 협의됨		 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1418 2022-06-20 13시 14시 4-6-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
1419 2022-06-20 17시 12시 문자상 공정 내용 동일
sio2 350nm + sin 80nm + sio2 250nm 10ea		 에스앤에스텍 EUV Pellicle 개발팀 이승조 3,600,000원
1420 2022-06-22 14시 15시 SiN 4000A 300C 2ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 120,000원
1421 2022-06-22 8시 12시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE_Oxide Depo PeCVD 8500A
13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE_SiN Depo 6500A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1422 2022-06-23 10시 12시 13-4-2 M2 Ox 8500A
13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE_SiN Depo 6500A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
1423 2022-06-27 10시 16시 소자공정교육
국가나노인프라를 활용한 나노소자공정실습교육
pe-oxide depo.		 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 3,600,000원
1424 2022-07-01 6시 9시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 8500A 2ea
13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 12000A 2ea (4회 청구/1um 이상)
13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 13500A 2ea (4회 청구/1um 이상)

13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 6500A 2ea
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 9000A 2ea
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 10500A 2ea (4회 청구/1um 이상)		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,512,000원
1425 2022-07-04 11시 12시 LOT ID: Module
목적: SiN 증착
총 2장
[나노융합기반 고도화사업]		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 240,000원
1426 2022-07-04 15시 16시 LOT ID: KA20924A
목적: OHO공정 SiN 증착
총 4장 (계약건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 0원
1427 2022-07-04 8시 10시 250c pe-oxide 100 / 130 / 170nm depo 메타포어 디바이스개발 이재혁 360,000원
1428 2022-07-08 9시 12시 250c pe-oxide 500 / 115 depo. 8ea
BOE Cleaning
 메타포어 디바이스개발 이재혁 1,260,000원
1429 2022-07-08 9시 10시 Ox 2000A 250C 2ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 120,000원
1430 2022-07-12 14시 17시 sio2 350nm + sin 80nm + sio2 250nm 10ea
APM Cleaning		 에스앤에스텍 EUV Pellicle 개발팀 이승조 3,750,000원
1431 2022-07-13 1시 10시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE_Oxide Depo PECVD 8500A
13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE-SiN 6500A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 840,000원
1432 2022-07-15 15시 16시 9-1-1 po 2nd imd depo. pe-oxide dpeo. 1um
9-1-2 po 2nd imd depo. pe-sin dpeo. 1um		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 168,000원
1433 2022-07-15 6시 11시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 13500a 6ea
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 10500a 6ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 2,016,000원
1434 2022-07-18 15시 16시 250c pe-oxide 130 / 180 / 230nm depo 메타포어 디바이스개발 이재혁 360,000원
1435 2022-07-20 17시 20시 9-9-1 PO 2nd imd depo. pe-oxide depo. 19300a
9-9-2 PO 2nd imd depo. pe-oxide depo. 24400a
9-9-3 PO 2nd imd depo. pe-oxide depo. 14700a
9-9-4 PO 2nd imd depo. pe-oxide depo. 18600a		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
1436 2022-07-21 10시 11시 [나노융합기반 고도화사업], 전자과 신성환 010 9081 6590 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 960,000원
1437 2022-07-25 9시 12시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 13500a 5ea
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 10500a 5ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,680,000원
1438 2022-07-26 14시 15시 1) TiN 100 nm 증착 (Sputter)
2) SiO2 60 nm 증착 (PECVD)

부탁드립니다! 감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1439 2022-07-26 18시 23시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 13500a 5ea
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 10500a 5ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,680,000원
1440 2022-07-27 10시 15시 대구대학교 나노 반도체공정 실습교육
pe-oxide depo.		 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,400,000원
1441 2022-07-27 17시 18시 2.1 OXIDE Depo. 삼성디스플레이 LED Lab 송영진 960,000원
1442 2022-07-27 20시 22시 sio2 360nm + sin 80nm + sio2 260nm 10ea
APM Cleaning		 에스앤에스텍 EUV Pellicle 개발팀 이승조 3,750,000원
1443 2022-07-29 17시 21시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 8500a
13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 19300a
13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 24400a
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 6500a
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 14700a
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 18600a		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 924,000원
1444 2022-08-01 11시 12시 pe-oxide 5000a 2ea 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 204,000원
1445 2022-08-04 17시 20시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 13500a 3ea
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 10500a 3ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1446 2022-08-09 14시 16시 0-1-2 Fab-In Pre Cleaning W/S_Acid APM
1-1-1 Insulator Oxide Depo 3500A
1-1-2 Insulator SiNx Depo 800A
1-1-3 Insulator Oxide Depo 2500A		 에스앤에스텍 EUV Pellicle 개발팀 이승조 1,590,000원
1447 2022-08-11 9시 18시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE_Oxide 19300A
13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE_SiN Depo 14700A		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 2,016,000원
1448 2022-08-11 9시 13시 전북대학교 반도체 소자 제작교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 800,000원
1449 2022-08-12 14시 15시 250c pe-oxide 1um 0.5um depo 2ea 메타포어 디바이스개발 이재혁 240,000원
1450 2022-08-12 16시 18시 1) TiN 100 nm sputtering (이유정 선생님)
2) SiO2 60 nm PECVD (이정익 선생님)
3) TiN 40 nm sputtering (이유정 선생님)

공정 부탁드립니다.
항상 감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1451 2022-08-12 17시 19시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 8500a 3ea
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 6500a 3ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
1452 2022-08-18 19시 24시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 19300A 2ea
13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 13500A 2ea
13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 8500A 2ea
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 14700A 2ea
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 10500A 2ea
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 6500A 2ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,680,000원
1453 2022-08-22 10시 12시 4인치 Bare Si 웨이퍼 1매에 SiNx 60nm(600A) 증착 RFHIC HEXA본부 금동민 120,000원
1454 2022-08-22 15시 17시 pe-oxide 1200a / 1700a / 2200a / 5000a
BOE 10ea 진행		 메타포어 디바이스개발 이재혁 1,080,000원
1455 2022-08-26 10시 11시 [나노융합기반 고도화사업], 전자과 신성환 010 9081 6590 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 720,000원
1456 2022-08-29 15시 18시 1) TiN 150 nm 증착 (sputter 3호기)
2) SiO2 60 nm 증착 (PECVD)
3) TiN 50 nm 증착 (sputter 3호기)

부탁드립니다.
감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1457 2022-08-29 7시 11시 pe-oxide 1500a 6ea 메타포어 디바이스개발 이재혁 720,000원
1458 2022-08-30 16시 18시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 		삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 336,000원
1459 2022-09-01 11시 12시 pe-oxide 100nm, 300nm 메타포어 디바이스개발 이재혁 240,000원
1460 2022-09-01 12시 13시 pe-nitride 4k
------------
50%할인 내부 협의		 템퍼스 생산기술팀 서영민 60,000원
1461 2022-09-05 9시 11시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo.
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo.		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1462 2022-09-15 11시 13시 1-1-1 insulator oxide depo. 3500a
1-1-2 insulator sin depo. 800a
1-1-3 insulator oxide depo. 2500a
3ea 진행		 에스앤에스텍 EUV Pellicle 개발팀 이승조 1,080,000원
1463 2022-09-19 10시 11시 pe-oxide 140nm 메타포어 디바이스개발 이재혁 420,000원
1464 2022-09-19 16시 18시 4 inch 유리기판과 6인치 Si 기판입니다.

1) TiN 100 nm sputter (이유정 선생님 - 3호기)
2) SiO2 60 nm PECVD (이정익 선생님)
3) TiN 40 nm sputter (3호기)

총 2장 부탁드리겠습니다.

감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 216,000원
1465 2022-09-20 9시 10시 AlGaN, GaN wafer입니다. SiO2 증착 (250\'C에서 500nm) 부탁드립니다. 감사합니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 임세미 108,000원
1466 2022-09-26 17시 18시 pe-nitride 4k
------------
50%할인 내부 협의		 템퍼스 생산기술팀 서영민 120,000원
1467 2022-09-29 13시 16시 전북대학교 반도체 소자 제작교육
 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 800,000원
1468 2022-09-30 14시 15시 pe-oxide 80nm, 130nm, 170nm
 메타포어 디바이스개발 이재혁 360,000원
1469 2022-10-04 10시 13시 APM Cleaning
oxide 3500a sin 800a oxide 2500a 5ea
oxide 4200a sin 600a oxide 2500a 5ea		 에스앤에스텍 EUV Pellicle 개발팀 이승조 3,750,000원
1470 2022-10-06 10시 12시 7-1-4 act. area oxid pe-oxide 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 600,000원
1471 2022-10-07 14시 15시 WM_R_mono process
SiO2 2.2um 증착 2매 		주식회사 보다 연구개발 김형원 648,000원
1472 2022-10-12 19시 20시 pe-oxide 180nm 4ea, 230nm 1ea 메타포어 디바이스개발 이재혁 600,000원
1473 2022-10-14 9시 11시 PECVD Nitride 300C` 300A DEP 2매증착 의뢰 부탁드립니다.
---------------
50%할인 협의
 템퍼스 생산기술팀 서영민 120,000원
1474 2022-10-18 11시 12시 WM_R_Mono
SiO2 2.2um 증착 2매 		주식회사 보다 연구개발 김형원 648,000원
1475 2022-10-19 14시 15시 pecvd Nitride 300`C 300A 2매 DEP 의뢰드립니다.
------------------------------
50% 할인 협의		 템퍼스 생산기술팀 서영민 120,000원
1476 2022-10-25 16시 18시 pe-oxide 100nm 2ea, 500nm 1ea, 1um 1ea 메타포어 디바이스개발 이재혁 1,080,000원
1477 2022-11-01 1시 11시 APM Cleaning
oxide 3500a sin 800a oxide 2500a 5ea
SNS_05/06 진행		 에스앤에스텍 EUV Pellicle 개발팀 이승조 1,950,000원
1478 2022-11-02 10시 12시 WM_HR
SiNx 1um 증착 10매
8\' Si wafer (Al 증착되어있음) 		주식회사 보다 연구개발 김형원 1,080,000원
1479 2022-11-03 11시 12시 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 4ea
m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 4ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 672,000원
1480 2022-11-04 15시 16시 3-1-1 p+ sheet off insulation oxide depo. 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 432,000원
1481 2022-11-08 9시 11시 1-1-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
1482 2022-11-08 9시 11시 1-1-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 504,000원
1483 2022-11-09 9시 10시 SiO2 1,000 Å 삼성전자 생산기술연구소 구자명 1,200,000원
1484 2022-11-14 11시 16시 전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 3,600,000원
1485 2022-11-14 14시 15시 pc 1-1-1 pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 588,000원
1486 2022-11-16 11시 12시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 6ea
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 6ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1487 2022-11-16 17시 18시 pe-oxide 600a 포항공과대학교 기계공학과 양영환 96,000원
1488 2022-11-17 10시 11시 WM_HR Test Wafer Nitride 2000A 증착 5ea 주식회사 보다 연구개발 김형원 540,000원
1489 2022-11-17 16시 17시 WM_R_mono
SiNx 5000A 증착 		주식회사 보다 연구개발 김형원 108,000원
1490 2022-11-21 11시 16시 Oxide 50nm 나노종합기술원 IOT센서개발센터 이주범 480,000원
1491 2022-11-21 15시 16시 1-1-1 pc pe-oxide depo. 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 420,000원
1492 2022-11-22 7시 9시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 8500a
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 6500a		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,008,000원
1493 2022-11-22 9시 11시 pe-oxide 1.5um depo. 15ea 주식회사 엘엑스세미콘 소자팀 황준하 4,200,000원
1494 2022-11-23 15시 16시 SiO2(silicon dioxide) 박막 두께 약 441 nm 요청드립니다.
포항가속기연구소 XFEL 빔라인부 장도근 261,000원
1495 2022-11-24 10시 11시 SiO2 5000A 증착 주식회사 보다 연구개발 김형원 108,000원
1496 2022-11-24 13시 14시 WM_R_mono
SiO2 5000A 증착 		주식회사 보다 연구개발 김형원 108,000원
1497 2022-11-25 15시 18시 포항공대 노준석 교수님 실험실 입니다.

아래 공정을 순서대로 부탁드립니다.
1) TiN 200 nm 증착 (sputter 3호기)
2) SiO2 60 nm 증착 (PECVD - 3), 250 도 공정
3) TiN 200 nm 증착 (sputter 3호기)

문의사항은 고명철 학생 (010-3925-2255)로 부탁드립니다.
신청은 Sputter 2회, PECVD 1회로 넣어두겠습니다.

감사합니다.
포항공과대학교 기계공학과 양영환 96,000원
1498 2022-11-28 16시 17시 oxide 1um depo. 3ea 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 288,000원
1499 2022-11-29 10시 11시 Nitride 2000A 증착_4인치_4EA, 6인치_3EA (250도)
4inch 2000a
6inch 4000a

 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 840,000원
1500 2022-11-29 11시 13시 한국나노마이스터고 반도체 공정 실무교원 연수 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,200,000원
1501 2022-11-30 15시 16시 pe-oxide depo. 1000A 2inch 2ea (주)에스제이컴퍼니 개발팀 박상준 120,000원
1502 2022-11-30 9시 10시 WM_R_Mono
8\' Si (Ti open)wafer SiO2 5000A 증착 3매
8\' Si (GaN)wafer SiO2 6000A 증착 1매 (180C)		 주식회사 보다 연구개발 김형원 432,000원
1503 2022-12-01 16시 17시 SiO2/SiNx 1500/1500 A 증착 부탁 드립니다.
Glass wafer 2장입니다.		 포항공과대학교 기계공학과 이원형 432,000원
1504 2022-12-02 14시 15시 1. p-GaN 500nm etch
2. Ni 5nm patterned
되어있습니다.
영남대학교 전자공학과 손보성 120,000원
1505 2022-12-02 9시 10시 유선상으로 논의드렸던 송재섭입니다.

증착 물질: SiO2
증착 온도: 100C
증착 두께: 100nm
위와 같이 증착 부탁드립니다.

소재는 Si위에 성장된 hBN입니다.
내일 오전 중으로 샘플을 놓으러 가겠습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 송재섭 108,000원
1506 2022-12-05 14시 15시 pe-oxide 2000a 2회 메타포어 디바이스개발 이재혁 240,000원
1507 2022-12-05 15시 16시 pe-nitride 300c 300a depo. 2ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1508 2022-12-12 16시 17시 PE-SiO2 Depo 삼성디스플레이 선행제품연구팀 박후근 480,000원
1509 2022-12-12 9시 18시 1. PE CVD Oxide 50nm 증착
2. PE CVD Nitride 200nm 증착		 나노종합기술원 IOT센서개발센터 이주범 480,000원
1510 2022-12-13 10시 11시 9-1-2 ild field oxide depo. 5ea
N-퍼실리티 우선사용		 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 600,000원
1511 2022-12-13 10시 17시 pe-oxide depo.
2022년 나노융합기반 고도화 사업		 (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 3,600,000원
1512 2022-12-14 16시 17시 SiO2 1,000 Å 삼성전자 생산기술연구소 구자명 2,400,000원
1513 2022-12-15 13시 14시 SiO2/SiNx 1500/1500 A 증착 부탁 드립니다.
Glass wafer 1장입니다.		 포항공과대학교 기계공학과 이원형 216,000원
1514 2022-12-15 9시 12시 100도 조건에서 SiO2 100nm 증착 부탁 드립니다.
PR 코팅 되어있는 샘플이다 보니 당일 공정 진행해주시면 감사하겠습니다.
감사합니다!		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 송재섭 108,000원
1515 2022-12-20 10시 11시 WM_HR
SiNx 1um 증착 5매
8\' Si wafer (Al 증착되어있음)

*11/2일 증착 조건으로 진행했던 wafer는 FESEM 측정결과 1.2um 나왔습니다.
참고하시어 진행 부탁드립니다.		 주식회사 보다 연구개발 김형원 540,000원
1516 2022-12-22 15시 17시 Silicon dioxide(SiO2) 두께 430 nm 코팅 포항가속기연구소 XFEL 빔라인부 장도근 108,000원
1517 2022-12-22 17시 18시 SiO2/SiNx 1500/1500 A 증착 부탁 드립니다. Glass wafer 1장입니다. 포항공과대학교 기계공학과 이원형 216,000원
1518 2022-12-26 17시 18시 pe-oxide 1200a 2회 메타포어 디바이스개발 이재혁 240,000원
1519 2022-12-27 13시 14시 WM_R_mono
8\' si wafer
SiO2 - 5000A 증착 		주식회사 보다 연구개발 김형원 324,000원
1520 2023-01-02 10시 12시 4-7-2 pe-oxide depo. 3000a (12/28) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 540,000원
1521 2023-01-02 14시 16시 SiO2/SiNx 1500/1500 A 증착 부탁 드립니다.

2매/2매 총 4매 진행		 포항공과대학교 기계공학과 이원형 864,000원
1522 2023-01-03 11시 13시 pe-oxide 900a 6회 메타포어 디바이스개발 이재혁 720,000원
1523 2023-01-03 15시 17시 pe-oxide depo. 120c 1000a 1ea 500a 1ea / 300c 1000a 1ea 500a 1ea
pe-oxide depo. 500a 1ea		 (주)에스제이컴퍼니 개발팀 박상준 600,000원
1524 2023-01-04 10시 17시 한국나노마이스터고등학교 반도체 공정교육
pe-oxide/nitride depo.		 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,200,000원
1525 2023-01-04 13시 14시 WM_R
SiO2 5000A 증착 2매 		주식회사 보다 연구개발 김형원 216,000원
1526 2023-01-04 9시 12시 SiO2 100nm 100도 공정으로 진행 부탁 드립니다.
Photoresist가 코팅 되어있어 공기와 빛에 민감할 수 있으니 오랜 시간 방치되지 않았으면 합니다.
이전에 동일하게 진행했던 적이 있으니 참고 부탁 드립니다.
감사합니다. 새해 복 많이 받으세요 :)		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 송재섭 108,000원
1527 2023-01-05 9시 10시 시편 종류
조각시편 6개, 2인치 Si 기판 2개

PECVD SiO2 100 nm 증착 의뢰합니다. (증착 온도 250도)
샘플은 1층 샘플 보관함에 두었습니다.
증착 후, 연락 부탁드립니다. 감사합니다 : )		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 108,000원
1528 2023-01-06 14시 16시 6-4-2 m0 pe-oxide depo, 6000a 5ea 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 450,000원
1529 2023-01-06 14시 16시 1-1-2 Nitride depo. SiN depo. 150a 24ea 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 2,592,000원
1530 2023-01-06 16시 18시 WM_D
증착 2매
1. SiO2/SiNx/SiO2 (1/1/1 um)
2. SiNx/SiO2/SiNx (1/1/1 um)

 주식회사 보다 연구개발 김형원 648,000원
1531 2023-01-09 10시 11시 pe-nitride 4000a 300c 2ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1532 2023-01-09 10시 17시 부산대학교 반도체 공정교육
pe-oxide / nitride depo. 		나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,200,000원
1533 2023-01-10 10시 14시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 13500a 6ea
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 10500a 6ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 2,016,000원
1534 2023-01-11 17시 18시 pe-oxide 300a
N-퍼실리티 우선 사용		 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 120,000원
1535 2023-01-12 10시 14시 13-4-2 m2 2nd IMD depo. pe-oxide depo. 13500A 6ea
13-4-3 m2 2nd IMD depo. pe-sin depo. 10500A 6ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 2,016,000원
1536 2023-01-12 15시 17시 1/12
pe-oxide 2000a 8회
BOE Cleaning 2회
1/16
pe-oxide 300a / 600a /900a 3회		 메타포어 디바이스개발 이재혁 1,920,000원
1537 2023-01-12 15시 16시 1-0-1 oxide sio2 depo. 1um LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 120,000원
1538 2023-01-16 14시 16시 pe-nitride 1000a 250c 6ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 720,000원
1539 2023-01-16 16시 17시 pe-nitride depo. 5000a 2ea 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 322,000원
1540 2023-01-18 10시 18시 pe-nitride depo. (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 3,600,000원
1541 2023-01-18 16시 18시 Nitride 2000A 증착 - 8인치 10EA 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 1,200,000원
1542 2023-01-19 10시 14시 8-4-1 m2 2nd IMD depo. pe-oxide depo. 8500A 6ea
8-4-2 m2 2nd IMD depo. pe-sin depo. 6500A 6ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,080,000원
1543 2023-01-19 10시 18시 전문인력양성사업 나노소자공정 & 측정일자리연계 교육. 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,400,000원
1544 2023-01-25 10시 12시 현재 Si/SiO2 기판 위에 TiN이 10 nm 쌓인 소자 6개, 50 nm 쌓인 소자 6개 있습니다. 총 12개 모두 SiO2 300 nm 전면 증착하려고 합니다. 공정의뢰함에 소자는 두고 가겠습니다. 완료되면 연락주시면 찾아가겠습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최지웅 108,000원
1545 2023-01-25 12시 13시 pe-oxide 900a 3회 메타포어 디바이스개발 이재혁 360,000원
1546 2023-01-25 14시 16시 pe-nitride 300a 250c 5ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 600,000원
1547 2023-01-30 10시 11시 pe-nitride 300a 250c 5ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 600,000원
1548 2023-01-30 14시 16시 증착 2매
SiO2/SiN/SiO2 (0.3/0.4/0.3 um)

 주식회사 보다 연구개발 김형원 216,000원
1549 2023-01-31 10시 11시 pe-oxide depo. 100c 1000A 1ea (주)에스제이컴퍼니 개발팀 박상준 120,000원
1550 2023-02-03 11시 11시 2월 3일 pe-nitride 2000a 250c 2ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1551 2023-02-06 11시 11시 2월 6일 pe-oxide 1000a 250c 3ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 360,000원
1552 2023-02-06 11시 11시 2월 6일 pe-nitride 1000a 250c 2ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1553 2023-02-06 13시 14시 PE_Oxide 삼성디스플레이 SDC硏 LED LAB 원치훈 864,000원
1554 2023-02-06 9시 10시 1) TiN 150 nm sputtering (이유정 선생님)
2) SiO2 60 nm PECVD (이정익 선생님)
3) TiN 50 nm sputtering (이유정 선생님)

증착 부탁드립니다. 감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1555 2023-02-13 13시 14시 WM_D_HR
8\'Si wafer _ AL 증착되어 있음
SiNx 1um 6매 증착 		주식회사 보다 연구개발 김형원 648,000원
1556 2023-02-13 9시 10시 2월 13일 pe-nitride 4000a 250c 3ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 360,000원
1557 2023-02-13 9시 10시 2월 13일 pe-nitride 1000a 250C 2ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1558 2023-02-16 13시 14시 SSP 웨이퍼 Back 면에 SiO2 2um 증착 주식회사 보다 연구개발 김형원 216,000원
1559 2023-02-16 13시 14시 전문인력양성사업 나노소자공정 & 측정 일자리연계 교육. 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,400,000원
1560 2023-02-16 9시 9시 WM_D
#1 SiO2 1um 증착후 SiNx 1.5um 증착
#2 SiO2 1.5um 증착후 SiNx 1.5um 증착
#3 SiO2 2um 증착후 SiNx 1.5um 증착
8인치 총3매 진행		 주식회사 보다 연구개발 김형원 1,188,000원
1561 2023-02-17 11시 12시 8인치 SSP 웨이퍼 Back면에 SiO2 2um 증착_1매 주식회사 보다 연구개발 김형원 108,000원
1562 2023-02-19 1시 16시 동의대학교 LINC 사업단 반도체 나노팹트랙 실습교육

PECVD 장비 설명 및 Oxide/Nitride depo 실습.		 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,400,000원
1563 2023-02-21 9시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실입니다.
아래 단계별로 증착부탁드리며, 시편은 시편보관함안에 넣어두겠습니다.
1) TiN 200 nm 증착 (sputter 3호기)
2) SiO2 60 nm (PECVE-3) - 250도 진행
3) TiN 50 nm 증착 (sputter 3호기)
다른 장비도 신청해두도록 하겠습니다. 		포항공과대학교 기계공학과 양영환 96,000원
1564 2023-02-28 10시 10시 SiO2/SiN depo. (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 2,400,000원
1565 2023-03-07 10시 11시 PECVD- SiO2 1000Å 삼성전자 생산기술연구소 구자명 720,000원
1566 2023-03-07 13시 17시 2인치 사파이어 기판 2매에 SiO2 4um 증착 부탁드립니다. 숭실대학교 전자공학과 이규형 480,000원
1567 2023-03-08 11시 13시 13-4-3 PE-SiN depo. 10500A (NH3/SiH4=110sccm/310sccm _ N2 3800sccm) 3매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 576,000원
1568 2023-03-08 9시 11시 13-4-2 Pe-Oxide depo. 13500A (N2O/SiH4=163(1950/12)) 3매 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 576,000원
1569 2023-03-09 09시 10시 PECVD SiO2 100 nm 증착 의뢰드립니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 108,000원
1570 2023-03-10 10시 11시 13-4-2 PE-oxide depo. 6ea
13-4-3 PE-SiN depo. 6ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 1,152,000원
1571 2023-03-13 10시 11시 pe-oxide depo. 250C 5000a depo. 3ea. (주)에스제이컴퍼니 개발팀 박상준 360,000원
1572 2023-03-13 13시 14시 SiO2 1um depo LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 240,000원
1573 2023-03-22 14시 15시 Oxide 1um depo 3ea. LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 555,000원
1574 2023-03-29 10시 11시 PECVD SiO2 100 nm 증착 의뢰드립니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 108,000원
1575 2023-03-29 15시 17시 1-1-2 Nitride depo. SiN 150, 12ea 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 1,152,000원
1576 2023-03-29 6시 9시 13-4-2 PE-oxide depo. 6ea 13500a
13-4-3 PE-SiN depo. 6ea 10500a		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 2,304,000원
1577 2023-03-30 11시 12시 SiO2 800nm 증착 (주)예스파워테크닉스 부설연구소 김기현 228,000원
1578 2023-03-31 14시 15시 SiN 250C 1000A depo. 5ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 600,000원
1579 2023-03-31 9시 12시 5-1-1 SiO2 2000A depo. (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 0원
1580 2023-04-04 16시 17시 Oxide 1000A depo 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 108,000원
1581 2023-04-05 10시 12시 SiO2 300nm 1매
Si3N4 300nm 1매
SiO2 + Si3N4 + SiO2 각 300nm 1매 ( 공정 진행시 wafer 진공 깨지 않고 한번에 layer 증착 부탁드립니다.)

 주식회사 보다 연구개발 김형원 510,000원
1582 2023-04-06 13시 14시 SiO2 300C 3000A depo. 2ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1583 2023-04-10 10시 12시 Nitride 250C 300A 4ea. 템퍼스 생산기술팀 서영민 480,000원
1584 2023-04-11 10시 11시 Oxide depo 3000A 2ea. 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 346,000원
1585 2023-04-11 9시 10시 [나노융합기반 고도화산업]
8\'si wafer
SiO2 4um 증착 		주식회사 보다 연구개발 김형원 1,920,000원
1586 2023-04-13 11시 12시 pe-oxide 50nm 350c 11ea 나노종합기술원 IOT센서개발센터 이주범 1,320,000원
1587 2023-04-14 10시 12시 Nitride 250C 4000A depo 7ea. 템퍼스 생산기술팀 서영민 840,000원
1588 2023-04-14 15시 17시 pe-oxide 800a 1200a 1500a 3ea
pe-oxide 800a 16ea
boe 2회		 메타포어 디바이스개발 이재혁 2,880,000원
1589 2023-04-14 8시 9시 LOT ID: Module
목적: SiN 증착
총 10장
[나노융합기반 고도화사업]		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 1,850,000원
1590 2023-04-17 15시 17시 메일로 요청사항을 전달드렸습니다.

메일 확인 부탁드립니다.

감사합니다.

김영진 올림.		 서울대학교 광공학연구실 김영진 270,000원
1591 2023-04-18 10시 11시 1-0-1 SiO2 1um depo. LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 960,000원
1592 2023-04-18 11시 12시 1-0-1 SiO2 1.5um depo LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 240,000원
1593 2023-04-18 9시 10시 시편 종류 조각시편 8개, 2인치 Si 기판 조각 3개 PECVD SiO2 100 nm 증착 의뢰합니다. (증착 온도 250도)

혹시 지난번 3/28에 진행한 PECVD SiO2 100 nm 증착도 250도에서 진행하셨나요?
샘플은 1층 샘플 보관함에 두었습니다. 공정 시작 전에 전화 한 통 부탁드립니다. (010-9255-0172)
 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 120,000원
1594 2023-04-19 16시 17시 pe-nitride 250c 600a 4ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 480,000원
1595 2023-04-24 10시 11시 1-1-1 SiO2 1um depo. LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 120,000원
1596 2023-04-26 16시 17시 LOT ID: Module
목적: SiN 증착
총 3장
[나노융합기반 고도화사업]		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 360,000원
1597 2023-04-27 15시 16시 SiN 100A depo. (250C) 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 김승모 576,000원
1598 2023-04-28 10시 12시 pe-nitride 250c 300a 2ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1599 2023-04-28 14시 16시 W metal위에 SiO2 50 nm 정도 증착하고 싶습니다. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 한건희 108,000원
1600 2023-05-03 1시 12시 SiO2 10nm 1매, SiO2 20nm 1매 부탁드려요. 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 이순형 216,000원
1601 2023-05-03 10시 11시 1-0-1 SiO2 1.5um depo. LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 240,000원
1602 2023-05-08 14시 16시 1-1-1 SiO2 3500A
1-1-2 Si3N4 800A
1-1-3 SiO2 2500A		 에스앤에스텍 EUV Pellicle 개발팀 이승조 3,600,000원
1603 2023-05-08 15시 17시 SiOx 1um 삼성디스플레이 uLED Lab 이원호 672,000원
1604 2023-05-09 14시 16시 oxide 증착 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 648,000원
1605 2023-05-12 16시 17시 [나노융합기반 고도화산업]
8\'si wafer(양면 SiO2 증착되어 있음)

Oxide 330nm + Nitride 90nm + Oxide 190nm
multi layer 증착 5매

* 4월 5일 증착 레시피에서 D/R 수정 후 진행부탁드립니다. 		주식회사 보다 연구개발 김형원 1,800,000원
1606 2023-05-15 15시 16시 PE nitride 500A (250C) depo. 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1607 2023-05-18 10시 11시 Passivation SiN 4kA depo. 250\'c 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1608 2023-05-23 10시 11시 1-0-1 oxide depo. sio2 1.5um LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 240,000원
1609 2023-05-23 15시 16시 2 oxidation oxide depo. pecvd oxide 3000a 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 173,000원
1610 2023-05-24 10시 12시 1-1-1 front insulator oxide depo. 3500a
1-1-2 front insulator nitride depo. 800a
1-1-3 front insulator oxide depo. 2500a		 에스앤에스텍 EUV Pellicle 개발팀 이승조 3,600,000원
1611 2023-05-25 12시 15시 1-0-1 oxide depo. 1.5um 4ea LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 960,000원
1612 2023-05-25 18시 19시 pe-nitride 300a 템퍼스 생산기술팀 서영민 120,000원
1613 2023-05-25 7시 12시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 13500a 6ea
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 10500a 6ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 김준용 2,304,000원
1614 2023-05-26 10시 12시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 13500a 6ea
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-nitride depo. 10500a 6ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 김준용 2,304,000원
1615 2023-05-31 17시 18시 PE-nitiride 300A depo. (250C) 템퍼스 생산기술팀 서영민 120,000원
1616 2023-06-01 13시 14시 LOT ID: Module
목적: SiN 증착
총 6장
[나노융합기반 고도화사업]		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 720,000원
1617 2023-06-01 9시 10시 13-4-2 m2 2nd IMD depo pe-oxide depo. 13500A 6ea
13-4-3 m2 2nd IMD depo pe-sin depo. 10500A 6ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 김준용 2,304,000원
1618 2023-06-02 10시 11시 LSN 250\'C 2000A 템퍼스 생산기술팀 서영민 120,000원
1619 2023-06-05 11시 12시 oxide 3000A depo. 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 346,000원
1620 2023-06-05 14시 15시 안녕하세요

1) TiN 150 nm 증착 (sputter 3호기)
2) SiO2 60 nm 증착 (PECVD -2호기, 250도 이하에서 공정부탁드립니다.)
3) TiN 50 nm 증착 (sputter 3호기)

이렇게 진행하고자 합니다.
감사드립니다.
샘플보관함에 두었습니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 108,000원
1621 2023-06-07 13시 14시 전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 4,800,000원
1622 2023-06-07 15시 16시 PESIN 1000A depo. 템퍼스 생산기술팀 서영민 120,000원
1623 2023-06-09 14시 17시 1-1-1 Oxide depo SiO2 1um LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 1,680,000원
1624 2023-06-12 10시 11시 8\'si wafer - Back side 120nm SiO2 증착되어 있음

[Front side] Oxide 330nm + Nitride 90nm + Oxide 190nm
multi layer 증착 15매

* 5월 12일 증착 조건 참고하여 진행 부탁드립니다.
* Front side는 웨이퍼 박스에 증착면이라고 표기하였습니다.
* wafer slot 섞이지 않게 주의 부탁드립니다. 		주식회사 보다 연구개발 김형원 4,590,000원
1625 2023-06-12 11시 12시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE-Oxide 13500A 5ea
13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE-SiN 10500A 4ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 김준용 1,728,000원
1626 2023-06-13 16시 17시 3-1-1 SiO2 1um depo LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 480,000원
1627 2023-06-13 9시 11시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE-Oxide 13500A 6ea
13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE-SiN 10500A 6ea		 삼성종합기술원 기반기술랩 김준용 2,304,000원
1628 2023-06-19 14시 16시 1-1-1 PE-Oxide 5000A
1-1-2 SiN 400A
1-1-3 PE-Oxide 2500A		 에스앤에스텍 EUV Pellicle 개발팀 이승조 1,800,000원
1629 2023-06-19 9시 12시 1-1-1 PE-Oxide 3500A
1-1-2 SiN 800A
1-1-3 PE-Oxide 2500A		 에스앤에스텍 EUV Pellicle 개발팀 이승조 1,800,000원
1630 2023-06-20 9시 10시 2장 모두

1) TiN 170 nm
2) SiO2 60 nm (250도에서 진행)
3) TiN 50 nm
증착 부탁드립니다.

감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 216,000원
1631 2023-06-23 1시 2시 - SiGe/Si(bottom) 시편을 550 도에서 산화 진행하였습니다.
- SiN 1um를 PECVD로 증착 신청 드립니다.		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 박수현 108,000원
1632 2023-06-26 10시 11시 1um 증착 요청드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 정수빈 108,000원
1633 2023-06-28 16시 17시 1-2-1 SiO2 1um depo. LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 1,200,000원
1634 2023-06-30 17시 18시 LSN 1,500Å 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1635 2023-07-03 11시 12시 pe-nitride 1000a 2ea
pe-oxide 5000a 2ea		 템퍼스 생산기술팀 서영민 480,000원
1636 2023-07-03 13시 17시 WM_ONO dep
oxide 330nm+nitride 90nm+oxide 190nm

* back side 120nm SiO2 증착 되어 있습니다.
* wafer 박스에 증착면이라고 표기된 부분에 공정 진행해주세요.
* 6월 12일 증착 조건 참고하여 진행 부탁드립니다. 		주식회사 보다 연구개발 김형원 3,060,000원
1637 2023-07-05 10시 12시 1-1-1 Oxide depo SiO2 1.5um depo LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 960,000원
1638 2023-07-12 13시 14시 10,000A
고도화사업		 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 240,000원
1639 2023-07-12 14시 15시 월요일에 보내드린 100x97 사각형 기판 상에 기재해드린 ITO 700A 증착 요청 9매 (12장 중 3매는 ITO 증착)
1. Ti 700A 3장 -> E-Beam 증착 : 15만원
2. SiNx 700A 3장 -> PECVD 증착 : 36만원
3. Mo 2500A 3장 -> E-Beam 증착 : 18만원

또한, 곧 보내드릴텐데요, 6\" Si wafer 상에 Ti 300A / Au 3000A E-Beam 증착 15ea 요청드립니다!
: 318만원
 에스제이 영업 박상준 3,870,000원
1640 2023-07-12 7시 10시 1-1-1 front insulator oxide depo. 4500a 10ea
1-2-1 front insulator oxide depo. 4500a 10ea		 에스앤에스텍 EUV Pellicle 개발팀 이승조 2,400,000원
1641 2023-07-13 15시 17시 1-2-1 Oxide depo SiO2 1um LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 1,200,000원
1642 2023-07-19 13시 14시 WM_D
8인치 silicon wafer Al 증착되어있음

ONO(2000A+6000A+2000A)-2ea

* Al 증착면에 공정 진행 		주식회사 보다 연구개발 김형원 612,000원
1643 2023-07-19 17시 18시 gate stack 5ea sio2 1000a 포항공과대학교 반도체기술융합센터 김준 480,000원
1644 2023-07-20 9시 10시 PECVD-2 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 756,000원
1645 2023-07-24 10시 11시 S&S_ONO증착

8인치 silicon wafer-back side SIO2 120nm 증착되어있어요.

(front side)Oxide 200nm+Nitride170nm+Oxide 210nm_11ea

230703 조건 참고하여 진행 부탁드립니다.		 주식회사 보다 연구개발 김형원 3,366,000원
1646 2023-07-24 11시 12시 pe-nitride 1500a 2ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1647 2023-07-26 16시 18시 4-7-2 PE-Oxide 3000A 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 576,000원
1648 2023-07-27 13시 15시 3장 모두

1) TiN 170 nm
2) SiO2 60 nm (250도에서 진행)
3) TiN 50 nm
증착 부탁드립니다.

감사드립니다.		 포항공과대학교 화학공학과 고명철 324,000원
1649 2023-07-28 17시 17시 400\'C
500 nm SiNx 1매 (litho.)
250nm SiNx 2매 (1매: litho., Si, 1매: Au on Si, litho.)
택배 배송		 RFHIC DI팀 김만경 360,000원
1650 2023-07-28 9시 10시 전문인력양성교육 나노 소자공정&일자리연계 교육(7월) 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,400,000원
1651 2023-08-02 14시 17시 PESIN 1,000Å + PE-Oxide 5,000Å (@250C) 8ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 1,920,000원
1652 2023-08-02 16시 17시 SiO2 depo 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 1,632,000원
1653 2023-08-03 10시 12시 LSN 1,500A (@250℃) 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1654 2023-08-03 14시 15시 2-0-1 Oxide depo SiO2 5000A LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 360,000원
1655 2023-08-08 17시 18시 6-4-2 M0 PE-Oxide 3000A 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 96,000원
1656 2023-08-09 11시 12시 SiN 300A (250C) 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1657 2023-08-09 14시 18시 1-1-1 HM_Oxide ILD depo 20,000A 삼성전자 종합기술원 기반기술 Lab. 박준혁 2,320,000원
1658 2023-08-10 17시 18시 6-4-2 M0 PE-Oxide 3000A 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 480,000원
1659 2023-08-10 9시 16시 SiO2 1um 삼성전자 VD 사업부 이기원 1,296,000원
1660 2023-08-14 13시 14시 SiO2 DEPO 삼성디스플레이 Micro LED Lab. (Micro Display 팀) 정준석 960,000원
1661 2023-08-17 13시 14시 PE-SiN 300A 2ea 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1662 2023-08-17 17시 18시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE-Oxide Depo. 8500A
13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE-SiN Depo. 6500A		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 960,000원
1663 2023-08-21 9시 12시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE-Oxide Depo 13500A -6ea
13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE-SiN Depo 10500A -6ea		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 2,304,000원
1664 2023-08-22 10시 11시 250C PE SiN 300A 2매 템퍼스 생산기술팀 서영민 240,000원
1665 2023-08-22 13시 14시 BD3217 신규 LOT
- Si Nitride 2000A 증착_8인치 2매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 204,000원
1666 2023-08-23 11시 12시 영진전문대학교 반도체공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 2,250,000원
1667 2023-08-23 14시 18시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE-Oxide 13500A 6ea
13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE-SiN 10500A 6ea		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 2,304,000원
1668 2023-08-24 16시 12시 13-4-2 M2 IMD Depo PE-Oxide 13500A 6ea
13-4-3 M2 IMD Depo PE-SiN 10500A 6ea		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 2,304,000원
1669 2023-08-25 13시 15시 2-1-1 Hard Mask H/M depo SiO2 7000A 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 576,000원
1670 2023-08-25 13시 13시 전문인력양성사업 나노소자공정&측정 일자리연계 교육(8월) 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 4,000,000원
1671 2023-08-28 10시 11시 250C PE SiN 300A 4매 템퍼스 생산기술팀 서영민 480,000원
1672 2023-08-30 13시 17시 2-1-2 ACT. AREA Oxide 8000A 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 960,000원
1673 2023-08-30 17시 20시 6-4-1 M1 2nd IMD Depo PE-Oxide 8500A
6-4-2 M1 2nd IMD Depo PE-SiN 6500A 		삼성종합기술원 V-T/F 양성석 1,232,000원
1674 2023-08-30 9시 10시 반도체 초격자 전문인력양성사업 교육비 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,500,000원
1675 2023-08-31 9시 11시 저항측정테스트
- Si3N4 2000A 300도 증착_8인치 4매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 408,000원
1676 2023-09-01 14시 16시 4-7-2 PC PE-Oxide 3000A
4-7-3 PC PE-Oxide Thick Meas.		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 632,000원
1677 2023-09-01 16시 17시 2-2-1 Mask Oxide Oxide depo SiO2 600A 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 216,000원
1678 2023-09-04 13시 14시 4-1-1 Etch Stop SiO2 depo 0.2um
4-1-2 Etch Stop Inspection Ellipsometer		 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 632,000원
1679 2023-09-07 14시 15시 0-1-1 act. area field oxid 8000a 2ea 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 192,000원
1680 2023-09-08 15시 16시 SiO2 depo 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 1,856,000원
1681 2023-09-11 15시 17시 1-2-1 Oxide depo SiO2 1um LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 600,000원
1682 2023-09-12 16시 16시 전문인력양성사업 나노소자공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 5,000,000원
1683 2023-09-14 13시 14시 oxide depo 삼성디스플레이 Micro LED Lab. (Micro Display 팀) 정준석 288,000원
1684 2023-09-14 16시 17시 전자과 손종민 (010-9766-0039)
SiO2 100nm 증착 부탁드립니다 (non-metal 장비로 증착 부탁드립니다)		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 108,000원
1685 2023-09-15 11시 11시 경북 반도체 초격자 전문인력양성사업 반도체공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 900,000원
1686 2023-09-15 13시 17시 SiO2 1500A
SiO2 1800A
SiO2 2100A		 메타포어 디바이스개발 이재혁 360,000원
1687 2023-09-18 16시 18시 Oxide 3000A
SiN 2500A 		나노융합기술원 기술지원팀 강민재 432,000원
1688 2023-09-20 10시 12시 1200a 5ea
800a 2ea		 메타포어 디바이스개발 이재혁 840,000원
1689 2023-09-20 13시 14시 SiO2 1200A 4회
SiO2 800A 2회		 메타포어 디바이스개발 이재혁 720,000원
1690 2023-09-20 14시 15시 - 기판 : 4\" 사파이어 웨이퍼 (GaN 4~5um 증착되어 있음)
- 증착면에 Oxide 2um 증착 요청
- 수량 : 1매		 에스제이 영업 박상준 240,000원
1691 2023-09-20 16시 17시 - 기판 : 6\" Glass wafer (Ti 500A / Cu 5000A / Au 500A 증착되어 있음)
- Au 패턴면에 SiO2 1000A 증착 요청
- 수량 : 3장		 에스제이 영업 박상준 360,000원
1692 2023-09-20 8시 10시 2-1-1 hard mask h/m depo. sio2 depo. 10ea 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 960,000원
1693 2023-09-21 14시 15시 2023년 나노융합고도화 사업
2-1-3 hard mask h/m depo. oxide depo. 2000a		 주식회사 에이프로세미콘 기술연구소 조영우 600,000원
1694 2023-09-21 15시 16시 전자과 손종민 (010-9766-0039)
glass substrate 조각 6개 SiO2 50nm 증착 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 108,000원
1695 2023-09-21 16시 17시 2-1-2 JFET IMP JFET Hard Mask PECVD 2um 삼성전자 DS 김태훈 0원
1696 2023-09-25 16시 17시 나노융합기반 고도화사업, 전자과 손종민 (010-9766-0039)
Glass substrate 조각 4개 SiO2 20nm 증착 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 120,000원
1697 2023-09-25 17시 18시 1-1-1 HM_Oxide ILD Depo 10,000A 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 512,000원
1698 2023-09-25 18시 19시 1-1-1 HM_Oxide ILD Depo 10,000A 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 632,000원
1699 2023-09-25 19시 20시 1-1-1 HM_Oxide ILD Depo 10,000A 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 632,000원
1700 2023-09-25 19시 20시 1-1-1 HM_Oxide ILD Depo 10,000A 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 632,000원
1701 2023-09-26 11시 14시 2-1-2 Hard Mask H/M Depo SiO2 Depo 7000A
2-1-2 Hard Maks Inspection Ellipsometer.		 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 1,016,000원
1702 2023-09-26 9시 9시 전북대학교 나노반도체공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,400,000원
1703 2023-09-27 13시 16시 0-2-1 Pre Cleaning SPM
0-2-2 Pre Cleaning DHF(100:1)
0-2-3 Pre Cleaning THAM(2.38%)		 삼성전자 DS 김태훈 0원
1704 2023-09-27 9시 12시 8-4-1 M1 2nd IMD Depo SiO2 8500A
8-4-2 M1 2nd IMD Depo SiN 6500A
8-4-3 M1 2nd IMD Depo Elipsometer
 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 1,232,000원
1705 2023-10-05 11시 12시 0-1-1 sio2 depo. 5000a 2ea LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 240,000원
1706 2023-10-05 13시 15시 6-1-1 ald opem sio2 depo. 2000a 10ea 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 960,000원
1707 2023-10-05 8시 10시 1-1-1 hm_oxide hm depo. 2um 10ea 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 1,920,000원
1708 2023-10-05 9시 10시 2-1-1 ild(pmd) depo. 8000a 5ea 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 480,000원
1709 2023-10-06 1시 1시 SiNx depo.
TES10nm 증착 후 BMR 80nm 증착 		RFHIC DI팀 김만경 240,000원
1710 2023-10-10 11시 12시 산화막 제거없이 SiN 500nm 증착 의뢰합니다 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 서경민 108,000원
1711 2023-10-11 15시 16시 5-1-1 imd depo. pe-oxide depo. 1000a 2ea 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 216,000원
1712 2023-10-11 9시 11시 0-1-1 SiO2 depo 5000A LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 360,000원
1713 2023-10-13 14시 15시 13-4-2 m2 2nd imd depo. pe-oxide depo. 13500a 6ea
13-4-3 m2 2nd imd depo. pe-sin depo. 10500a 6ea		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 2,304,000원
1714 2023-10-16 13시 16시 1-1-1 HM_Oxide ILD Depo 10,000A
1-1-2 HM_Oxide Elipsometer		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 1,240,000원
1715 2023-10-16 9시 10시 2-1-2 JFET IMP JFET Hard Mask oxide 20,000A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1716 2023-10-17 13시 16시 1-1-1 HM_Oxide ILP Depo 10,000A
1-1-2 HM_Oxide Ellipsometer		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 640,000원
1717 2023-10-18 9시 12시 1-1-1 HM_Oxide ILD Depo 10,000A
1-1-2 HM_Oxide Ellipsometer		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 640,000원
1718 2023-10-19 11시 13시 4-1-1 Etch Stop SiO2 depo 0.3um 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 960,000원
1719 2023-10-24 15시 16시 2-3-1 SPACER HM Depo 500A 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 864,000원
1720 2023-10-24 18시 19시 2-1-2JFET IMP JFET Hard Mask 20,000A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1721 2023-10-25 13시 14시 BD3217 신규LOT Dummy
- Nitride 2000A증착_2매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 204,000원
1722 2023-10-25 16시 17시 6-1-1 PAS2 SiO2 depo 200nm 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 960,000원
1723 2023-10-25 17시 18시 6-1-1 PAS2 SiO2 depo 200nm 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 96,000원
1724 2023-10-25 18시 19시 2-1-2 Hard Mask H/M Depo SiO2 Depo 7000A
2-1-2 Hard Maks Inspection Ellipsometer.		 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 632,000원
1725 2023-10-25 18시 18시 2-1-1 H/M Depo SiO2 depo 7000A
2-1-2 Inspection Ellipsometer		 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 976,000원
1726 2023-10-25 18시 18시 4-1-1 Etch stop SiO2 depo 1um 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 864,000원
1727 2023-10-25 19시 20시 5-1-1 PAS2 SiO2 depo 1um 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 96,000원
1728 2023-10-25 9시 10시 2-1-2JFET IMP JFET Hard Mask 20,000A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1729 2023-10-26 17시 18시 2-1-1 Mesa H/M depo SiO2 7000A 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 960,000원
1730 2023-10-26 17시 18시 4-3-2 etch stop wet etch boe
4-3-3 etch stop m inspection microscope		 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 144,000원
1731 2023-10-26 17시 18시 4-1-1 etch stop sio2 depo 1.4um 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 1,152,000원
1732 2023-10-26 18시 19시 4-1-1 Etch stop sio2 depo 1um 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 960,000원
1733 2023-10-26 18시 19시 2-1-1 h/m depo sio2 7000a
2-1-2 inspection ellipsometer 		삼성디스플레이 Micro Display 류용우 640,000원
1734 2023-10-26 9시 11시 Oxide 800A 1회
Oxide 900A 1회
지그 세척 1회		 메타포어 디바이스개발 이재혁 540,000원
1735 2023-10-27 16시 17시 0-3-1 cont ild depo 8000a 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 96,000원
1736 2023-10-27 9시 12시 PECVD SiO2 1.5 µm 증착 의뢰드립니다.
증착 온도는 250도로 부탁드립니다.

감사합니다 : )		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 216,000원
1737 2023-10-30 14시 15시 1-1-1 SiO2 depo 2um LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 610,000원
1738 2023-10-30 9시 12시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo SiO2 13500A
13-4-3 M2 2nd IMD Depo SiN 10500A
13-4-5 M2 2nd IMD Depo Ellipsometer		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 2,392,000원
1739 2023-11-02 13시 15시 oxide 7000a
SL006 E/R test용		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 480,000원
1740 2023-11-02 15시 16시 SiN 2000A depo - FE-SEM 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 96,000원
1741 2023-11-02 9시 10시 . 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김우현 216,000원
1742 2023-11-03 9시 12시 SiO2 5000A / 400A / 500A/ 600A / 700A 메타포어 디바이스개발 이재혁 600,000원
1743 2023-11-06 10시 12시 1-1-1 ILD depo SiO2 2um
1-1-2 Ellipsometer		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 1,120,000원
1744 2023-11-06 14시 19시 100nm Al 박막이 증착된 Si wafer입니다.
SiO2 100nm 증착 요청드립니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 전나라 288,000원
1745 2023-11-06 9시 10시 1-1-1 HM_Oxide ILD Depo PECVD 10000A
1-1-2 HM_Oxide Active Area Oxid Thick Meas		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 280,000원
1746 2023-11-07 13시 14시 1-0-1 Ox deposition Oxide 3300A (300C)
1-0-2 Ox deposition Ellipsometer		 나노융합기술원 대외협력팀 양웅석 175,000원
1747 2023-11-07 15시 16시 PECVD SiO2 20nm 증착 부탁드립니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 손종민 108,000원
1748 2023-11-07 9시 12시 1-1-1 HM_Oxide ILD Depo
1-1-2 ellipsometer		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 484,000원
1749 2023-11-08 10시 11시 13-4-2 M2 2nd IM Depo PE_Oxide Depo PECVD2 13500a
13-4-3 M2 2nd IM Depo PE_sin Depo PECVD2 10500a		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 1,920,000원
1750 2023-11-09 13시 15시 2-1-1 Encap. depo SiN depo 100A/ 300A / 500A 포항공과대학교 공정기술팀 박광진 288,000원
1751 2023-11-14 16시 17시 1-1-1 sio2 depo. 2um 9ea LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 2,745,000원
1752 2023-11-14 9시 11시 Oxide 6000A
Oxide 6500A		 메타포어 디바이스개발 이재혁 240,000원
1753 2023-11-16 11시 12시 BD3217-1116-MI
- Nitride 2000A증착_4매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 408,000원
1754 2023-11-20 10시 11시 LOT ID: Module
목적: SiN 증착
총 2장
[나노융합기반 고도화사업]		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 240,000원
1755 2023-11-20 16시 17시 LOT ID: Module
목적: SiN 증착
총 4장		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 360,000원
1756 2023-11-20 18시 10시 13-4-2 M2 2nd IMD depo PE-Oxide depo 8500A
13-4-3 M2 2nd IMD depo PE-SiN depo 6500A
13-4-5 M2 2nd IMD depo Ellipsometer		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 1,240,000원
1757 2023-11-21 14시 15시 0-2-1 Oxide depo PE-Oxide 2um
0-2-2 Ellipsometer		 고려대학교 제어계측공학과 김진혁 340,000원
1758 2023-11-22 10시 12시 3-1-1 SiO2 depo 5000A LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 360,000원
1759 2023-11-22 17시 18시 2-4-1 JFET IMP Buffer OX 삼성전자 DS 김태훈 0원
1760 2023-11-22 17시 11시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE-Oxide 13500A
13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE-SiN 10500A
13-4-5 M2 2nd IMD Depo Ellipsometer		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 2,392,000원
1761 2023-11-22 17시 18시 2-4-1 JFET IMP Buffer OX 삼성전자 DS 김태훈 0원
1762 2023-11-23 15시 16시 신청자: 포항공대 손종민 (010-9766-0039)
SiO2 100 nm (1000A) 증착 부탁드립니다.
TIPS 과제로 정산 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 108,000원
1763 2023-11-28 16시 17시 5-1-1 passivation PE-SiN depo 10500a 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 192,000원
1764 2023-11-28 19시 20시 2-4-1 JFET IMP Buffer Ox 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1765 2023-11-29 10시 12시 SDC_U14 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 750,000원
1766 2023-11-29 17시 18시 SiO2 depo
Ellipsometer		 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 1,468,000원
1767 2023-11-29 9시 10시 LOT ID: Module
목적: SiN 증착
총 2장		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 조기수 180,000원
1768 2023-11-30 13시 14시 전문인력양성사업 MEMS 센서소자제작 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 4,800,000원
1769 2023-12-01 1시 2시 2-1-2 JFET IMP JFET Hard Mask 20000A - 11/25건 삼성전자 DS 김태훈 0원
1770 2023-12-01 14시 15시 2-4-1 JFET IMP Buffer Ox 300a 삼성전자 DS 김태훈 0원
1771 2023-12-01 2시 12시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo sio2 8500a
13-4-3 M2 2nd IMD Depo SiN 6500a
13-4-5 M2 Ellipsometer		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 1,240,000원
1772 2023-12-12 10시 12시 - 8inch Si wafer(notch) 25EA
- SiNx 300A 증착 요청

- 해당 건은 나노융합기반고도화사업 과제비로 청구 요청		 에스제이 영업 박상준 3,000,000원
1773 2023-12-14 11시 12시 6-4-1 JTE IMP Buffer Ox 300a 삼성전자 DS 김태훈 0원
1774 2023-12-14 11시 12시 3-4-1 PWELL IMP Buffer Ox 300a 삼성전자 DS 김태훈 0원
1775 2023-12-14 14시 15시 SiC 웨이퍼 2.5*2.5㎠ 조각 / 28개 / 임플란트 이전 하드마스크 목적의 30nm 두께 SiO2 증착 의뢰입니다. 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 최재용 216,000원
1776 2023-12-14 16시 17시 oxide depo 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 4,800,000원
1777 2023-12-15 15시 17시 3-1-2 PWELL IMP Ox 2um depo 삼성전자 DS 김태훈 0원
1778 2023-12-15 15시 16시 3-1-2 PWELL Hard Mask ox 2um 삼성전자 DS 김태훈 0원
1779 2023-12-15 16시 17시 3-1-2 PWELL IMP HardMask Ox 2um 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 384,000원
1780 2023-12-19 13시 14시 1-1-1 HM_Oixde 1um
1-1-2 Ellipsometer		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 640,000원
1781 2023-12-19 15시 16시 1-1-1 HM_Oxide
1-1-2 Ellipsometer		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 640,000원
1782 2023-12-19 17시 18시 1-1-1 HM_Oxide 1um
1-1-2 Ellipsometer		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 1,120,000원
1783 2023-12-20 11시 13시 1-1-1 SiO2 1um LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 600,000원
1784 2023-12-21 10시 11시 3-4-1 Buffer Ox 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1785 2023-12-21 11시 12시 3-4-1 Buffer Ox 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1786 2023-12-26 16시 17시 3-1-2 oxide depo 2um 삼성전자 DS 김태훈 0원
1787 2023-12-26 16시 17시 3-1-2 oxide depo 2um 삼성전자 DS 김태훈 0원
1788 2024-01-02 11시 12시 BD3217-0102-MI
- Si Nitride 2000A 증착_3매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 306,000원
1789 2024-01-03 11시 12시 4-4-1 P+ Block Buffer Ox 300a 삼성전자 DS 김태훈 0원
1790 2024-01-03 13시 14시 4-4-1 Buffer Oxide 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1791 2024-01-03 16시 19시 4-7-2 PE-Oxide 3000A 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 736,000원
1792 2024-01-04 14시 16시 2-1-1 SiO2 depo 5000A LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 480,000원
1793 2024-01-08 14시 15시 3-4-1 PWELL_IMP Buffer Ox 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1794 2024-01-08 15시 16시 3-4-1 PWELL_IMP Buffer Ox 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1795 2024-01-09 14시 15시 PE-Oxide 100nm 포항공과대학교 공정기술팀 박광진 96,000원
1796 2024-01-10 11시 12시 전문인력양성사업 나노 소자공정&측정 일자리 연계 교육(12월) 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 3,500,000원
1797 2024-01-12 13시 16시 5-1-2 P+IMP Hardmask 삼성전자 DS 김태훈 0원
1798 2024-01-12 16시 18시 5-1-2 P+IMP Hardmask 삼성전자 DS 김태훈 0원
1799 2024-01-16 11시 13시 2-1-2 JFET IMP HardMask 2um 삼성전자 DS 김태훈 0원
1800 2024-01-16 13시 15시 2-1-2 JFET IMP HardMask 2um 삼성전자 DS 김태훈 0원
1801 2024-01-17 10시 12시 1) Nitrogen rich SiON on 8 inch Si
2) Oxygen rich SiON on 8 inch Si

상기 물질 증착 예정, 정확한 증착 조건은 메일을 통해 말씀 드리겠습니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 황현웅 346,000원
1802 2024-01-17 11시 14시 2-1-2 JFET IMP HardMask 2um 삼성전자 DS 김태훈 0원
1803 2024-01-17 11시 12시 5-4-1 P+IMP Buffer Ox 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1804 2024-01-17 11시 12시 5-4-1 P+IMP Buffer Ox 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1805 2024-01-18 9시 10시 VOx 특성평가
- Si Nitride 2000A 증착_1매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 102,000원
1806 2024-01-19 10시 11시 4-7-2 PE-Oxide 180nm (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
1807 2024-01-19 16시 17시 1-1-1 SiO2 1um LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 600,000원
1808 2024-01-22 11시 12시 2-4-1 JFET IMP Buffer Ox 300a 삼성전자 DS 김태훈 0원
1809 2024-01-22 11시 12시 2-4-1 JFET IMP Buffer Ox 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1810 2024-01-22 13시 14시 2-4-1 JFET IMP Buffer Ox 300a 삼성전자 DS 김태훈 0원
1811 2024-01-22 16시 18시 1-1-3 HM_Oxide ILD Depo 1um 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 288,000원
1812 2024-01-23 11시 15시 1-1-1 HM_Oxide 2um
1-1-2 HM_Oixde 1.5um		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 1,344,000원
1813 2024-01-23 14시 16시 전문인력양성사업 교육생 장비 신청 나노융합기술원 교육홍보팀 이상민 0원
1814 2024-01-23 15시 16시 GaN 기반 LED epi-structure on sapphire 기판에 ITO 100nm 증착 및 어닐링 한 샘플입니다.
PECVD SiO2 증착 의뢰드립니다.

4인치 기판 2장: 700 nm 증착 (증착 조건은 SDC사와 동일하게 진행 부탁드립니다. 유철종 프로님과 함께 과제 진행 중이니, 프로님통해서 확인하셔도 됩니다!)

조각시편 2개: 250도, 100 nm 증착

샘플은 아래 1층 시편보관함 옆 테이블 위에 두었습니다.
증착 부탁드립니다!		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 324,000원
1815 2024-01-23 16시 17시 VOx 특성평가
- SiNx 2000A증착_5매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 510,000원
1816 2024-01-23 9시 10시 5-1-1 SiO2 depo 0.5um LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 120,000원
1817 2024-01-24 10시 15시 SiN/SiON 3 layers/SiO2 on 8 inch Si wafer

1. SiO2: 300nm 증착
2. O rich SiON: 250nm 증착 (24/01/17 data 기준)
3. SiON: 200 nm 증착 (23/08/25일 data 기준)
4. N rich SiON: 150 nm 증착 (24/01/17 data 기준)
5. SiN: 100 nm 증착

자세한 내용은 메일 참조 부탁드립니다.		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 황현웅 605,000원
1818 2024-01-29 14시 15시 4-1-2 SPACER ILD Depo PE-Oxide 1.2um 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 96,000원
1819 2024-01-30 14시 16시 포스텍 차세대반도체 공유혁신대학 나노 반도체공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 3,000,000원
1820 2024-02-01 11시 13시 3-1-2 PWELL_IMP PWELL HardMask 2um 삼성전자 DS 김태훈 0원
1821 2024-02-02 16시 17시 3-4-1 PWELL_IMP Buffer Ox 300a 삼성전자 DS 김태훈 0원
1822 2024-02-05 14시 15시 1-1-1 HM_Oxide 10,000A 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 640,000원
1823 2024-02-05 15시 16시 1-1-1 HM SiO2 7000A
1-1-2 Ellipsometer		 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 640,000원
1824 2024-02-05 16시 17시 1-0-3 PE-Oxide 3300A 나노융합기술원 대외협력팀 양웅석 108,000원
1825 2024-02-06 11시 13시 3-1-2 PWELL IMP Hard Mask 2um 삼성전자 DS 김태훈 0원
1826 2024-02-06 13시 14시 3-1-2 PWELL IMP Hard Mask 2um 삼성전자 DS 김태훈 0원
1827 2024-02-07 15시 17시 4-1-1 Metal Depo SiO2 Depo 5000A LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 240,000원
1828 2024-02-07 18시 12시 13-4-2 M2 2nd IMD depo PE-Oxide 8500A
13-4-3 M2 2nd IMD depo PE-SiN 6500A
13-4-5 Ellipsometer		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 1,240,000원
1829 2024-02-13 11시 12시 3-4-1 Buffer OX 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1830 2024-02-13 13시 14시 3-4-1 Buffer OX 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1831 2024-02-16 10시 11시 5-1-1 PE Oxide depo LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 240,000원
1832 2024-02-16 15시 16시 2-4-1 JFET IMP Buffer Ox 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1833 2024-02-16 9시 10시 LED epi 구조 위에 ITO (sputter, nint) 증착된 웨이퍼입니다.
지난번과 동일하게 SiO2 700 nm (SDC 조건) 증착 부탁드립니다.

혹시 언제쯤 증착 가능한지 확인 후, 연락 주시면 감사하겠습니다. 최대한 빨리 증착하고 싶습니다.
부탁드립니다! (010-9255-0172)

감사합니다 : )		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 324,000원
1834 2024-02-17 11시 12시 4-4-1 P+ Block Buffer Ox 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1835 2024-02-17 11시 12시 4-4-1 P+ Block Buffer Ox 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1836 2024-02-19 15시 12시 8-4-1 M1 2nd IMD Depo SiO2 8500A
8-4-2 M1 2nd IMD Depo SiN 6500A		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 1,344,000원
1837 2024-02-20 13시 16시 안녕하세요.
포항공대 신소재 최지웅 입니다.
SiO2 공정의뢰 맡깁니다.
현재 웨이퍼 2 통인데 각각 9개씩 들어있습니다.
2통 다 SiO2 증착 예정이고 30, 50 적혀있는 부분에는 SiO2 50 nm, 100 적혀있는 부분에는 SiO2 100 nm 증착해주시면 됩니다.
샘플은 현재 SiO2 기판위에 TiN이 증착되어 있는 상태입니다.
샘플은 공정보관함에 두겠습니다.
완료되면 연락주시면 찾아가겠습니다.
 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최지웅 1,944,000원
1838 2024-02-21 13시 13시 전문인력양성사업 나노 소자공정&측정 일자리연계 교육(2월) 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 3,000,000원
1839 2024-02-21 15시 16시 BD3217-240102-PHOLE(ROIC)
- SiNx 1000A증착_2매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 204,000원
1840 2024-02-21 17시 18시 8-5-1 3rd oxide depo (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
1841 2024-02-21 9시 10시 1-1-1 ILD Depo PE Oxide 삼성전자 DS 김태훈 324,000원
1842 2024-02-22 12시 13시 3-1-1 Hard Mask Oxide 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 576,000원
1843 2024-02-22 15시 18시 - 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 701,000원
1844 2024-02-23 10시 12시 2-1-2 JFET IMP HardMask 2um 삼성전자 DS 김태훈 0원
1845 2024-02-23 13시 9시 sapphire 기반 GaN 에피 위에 NINT에서 sputter ITO 증착 및 어닐링 한 웨이퍼입니다.
PECVD SiO2 700 nm 증착 부탁드리며, SDC 조건대로 진행 부탁드립니다.

감사합니다 : )		 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 2,268,000원
1846 2024-02-26 9시 18시 유기박막이 코팅된 6 inch wafer 입니다.

코팅면 위에 SiON 4000 Å 증착을 요청 드립니다

주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막 김자영 720,000원
1847 2024-02-27 14시 16시 2-4-1 JFET IMP Buffer Ox 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1848 2024-02-28 10시 12시 Oxide 300nm
Nitride 250nm		 에스케이스페셜티(주) 연구개발실 이지훈 985,000원
1849 2024-02-28 12시 18시 1-1-1 Ox 1um
1-1-2 Ox 1.2um
1-1-3 Ox 1.4um
1-1-4 Ox 1.6um
1-1-5 Ox 1.8um		 삼성전자 DS 김태훈 2,227,000원
1850 2024-03-04 10시 14시 SiO2 800A / 1000A / 1200A
Jig BOE 클리닝 진행		 메타포어 디바이스개발 이재혁 720,000원
1851 2024-03-04 14시 15시 3-1-1 PE Oxide 2500A 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 1,309,000원
1852 2024-03-04 18시 19시 안녕하세요.
포항공대 신소재공학과 최지웅 입니다.

4 inch 웨이퍼 9장 공정의뢰 맡깁니다.
30, 50, 100 적혀있고 이 숫자들은 TiN 두께를 의미합니다.
각각 3장씩 있고, 공정 후 웨이퍼 위치가 바뀌지 않았으면 합니다.
30, 50 적혀있는 6장은 SiO2 50 nm, 100 적혀있는 3 장은 SiO2 100 nm 증착해주시면 됩니다.
샘플은 공정 보관함에 두겠습니다.
 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 최지웅 1,008,000원
1853 2024-03-05 13시 14시 BD32017_D_240102_Nhole(rework)
stage temp 300C
SiNx 1100A dep - 2ea		 주식회사 보다 연구개발 김형원 210,000원
1854 2024-03-05 9시 12시 SiO2 상부 PE Nitride 4kA 증착
250도 5매 300도 3매 진행 요청드립니다.		 템퍼스 생산기술팀 서영민 1,120,000원
1855 2024-03-06 10시 11시 PE Oxide depo 1000A 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 166,000원
1856 2024-03-06 17시 20시 13-4-2 M2 2nd IMD Depo PE-Oxide 8500A 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 756,000원
1857 2024-03-07 13시 15시 1-1-1 HM_Oxide 2um 5ea 삼성전자 DS 김태훈 1,400,000원
1858 2024-03-07 15시 16시 1-1-2 HM_Oxide 1.5um 삼성전자 DS 김태훈 504,000원
1859 2024-03-07 15시 16시 1-1-3 HM_Oxide 1um 3ea 삼성전자 DS 김태훈 378,000원
1860 2024-03-07 9시 11시 13-4-3 M2 2nd IMD Depo PE-SiN 6500A
13-4-5 M2 2nd IMD Depo Thick Meas.		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 852,000원
1861 2024-03-11 14시 15시 1-1-1 HM_Oxide 8000A 3ea 삼성전자 DS 김태훈 420,000원
1862 2024-03-11 15시 16시 1-1-1 HM_Oxide 1.2um 3ea 삼성전자 DS 김태훈 840,000원
1863 2024-03-11 16시 17시 1-1-1 HM_Oxide 1.5um 4ea
1-1-2 HM_Oxide Spectroscopic Ellipsometer		 삼성전자 DS 김태훈 1,300,000원
1864 2024-03-12 14시 15시 1-1-1 H/M depo SiO2 7000A 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 765,000원
1865 2024-03-12 15시 16시 저온 LSN 250\\\\\\\'C 1,000A 3매 진행 부탁드립니다.
웨이퍼 상태는 Oxide CMP 완료돼있습니다. 감사합니다.		 템퍼스 생산기술팀 서영민 485,000원
1866 2024-03-12 16시 18시 5-1-2 P+IMP HardMask 20,000A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1867 2024-03-13 11시 13시 5-1-2 P+IMP HardMask 20,000A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1868 2024-03-13 14시 15시 2-1-3 HM_IMP ILD Depo 12,000A 3ea 삼성전자 DS 김태훈 840,000원
1869 2024-03-13 14시 15시 2-1-2 HM_IMP ILD Depo 10,000A 2ea 삼성전자 DS 김태훈 280,000원
1870 2024-03-13 15시 16시 2-1-4 HM_IMP ILD Depo 14,000A 2ea 삼성전자 DS 김태훈 560,000원
1871 2024-03-13 15시 16시 2-1-5 HM_IMP ILD Depo 16,000A 1ea 삼성전자 DS 김태훈 280,000원
1872 2024-03-13 16시 17시 실리콘 8인치 웨이퍼 위에 SiO2 1um 증착 부탁드립니다. 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김준형 112,000원
1873 2024-03-14 13시 14시 2-1-1 PWELL_IMP Oxide 300A 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
1874 2024-03-14 9시 10시 2-1-2 HM_IMP ILD Depo 8,000A 1ea
2-1-6 Spectroscopic Ellipsometer		 삼성전자 DS 김태훈 440,000원
1875 2024-03-18 13시 16시 1-1-1 ILD Depo PE Oxide 2um
1-1-2 Spectroscopic Ellipsometer		 삼성전자 DS 김태훈 2,860,000원
1876 2024-03-18 16시 18시 1-1-1 ILD Depo PE Oxide 1um depo
1-1-2 Spectroscopic Ellipsometer		 삼성전자 DS 김태훈 1,460,000원
1877 2024-03-19 11시 12시 5-4-1 Buffer Ox PE 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1878 2024-03-19 16시 17시 4-1-1 PE Oxide 500nm 삼성전자 DS 김태훈 280,000원
1879 2024-03-19 16시 17시 4-1-2 PE Oxide 100nm 삼성전자 DS 김태훈 280,000원
1880 2024-03-19 17시 18시 5-4-1 Buffer Ox 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1881 2024-03-20 10시 12시 1-1-1 Hard Mask SiO2 700nm
1-1-2 Hard Mask Inspection Ellipsometer		 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 289,000원
1882 2024-03-20 14시 15시 SiO2 10nm + SiN 15nm 3ea 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 672,000원
1883 2024-03-20 9시 10시 이용자: 포항공대 손종민 (010-9766-0039)

Glass substrate + 50nm poly-Si 조각 7장 SiO2 20nm 증착 부탁드립니다.

[ICT 제품화지원사업]		 (주)아이제스트 연구개발팀 길연호 140,000원
1884 2024-03-21 10시 12시 1200A 2회 메타포어 디바이스개발 이재혁 280,000원
1885 2024-03-21 13시 15시 1000A 2회 메타포어 디바이스개발 이재혁 280,000원
1886 2024-03-25 13시 14시 SiN 400nm 증착 부탁드립니다. 포항공과대학교 기계공학과 김승범 336,000원
1887 2024-03-26 15시 17시 6-1-2 JTE IMP Hard Mask 2um 삼성전자 DS 김태훈 0원
1888 2024-03-27 10시 11시 2-2-5 PWELL ILD Depo 5000A 삼성전자 DS 김태훈 140,000원
1889 2024-03-27 11시 12시 3-1-1 H/M depo 250nm
3-1-2 Ellipsoemeter.		 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 527,000원
1890 2024-03-27 9시 10시 2-2-5 PWELL ILD Depo 1000A 삼성전자 DS 김태훈 140,000원
1891 2024-03-28 15시 16시 6-4-1 JTE IMP buffer ox. 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1892 2024-03-28 20시 21시 8-2-2 ACT. AREA Filed Oxid 8000A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1893 2024-04-01 14시 15시 4-4-1 N+Block Buffer Ox 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1894 2024-04-01 14시 15시 4-4-1 Buffer Ox 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1895 2024-04-01 8시 9시 4-4-1 P+ Block Buffer Ox 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1896 2024-04-03 9시 10시 3-1-1 SRO PE-Oxide 300A 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
1897 2024-04-04 11시 12시 1-1-1 Power Metal SiO2 depo 2000A 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
1898 2024-04-04 13시 15시 nitride 박막(400도 조건) 50 nm 증착

2장: Si/SiGe epi. 적층 웨이퍼(택배로 송부)
1장: bulk wafer (NINT 웨이퍼)
 서강대학교 전자공학과 이동근 420,000원
1899 2024-04-05 10시 12시 5-1-2 P+IMP Hard Mask 2um 삼성전자 DS 김태훈 0원
1900 2024-04-08 12시 13시 그리고 SiO2 100nm를 PECVD로 2장 증착하고 싶습니다.
그리고 SiO2 PECVD는 2장 6인치 트레이에 넣어놨습니다.
앞면에 작은 패턴들이 식각되어 있습니다.
SiN/SiO2가 증착된 6인치 실리콘 웨이퍼입니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김영신 280,000원
1901 2024-04-08 17시 22시 1-1-1 PE Oxide 2um 삼성전자 DS 김태훈 5,600,000원
1902 2024-04-08 9시 10시 5-4-1 P+IMP buffer Ox 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1903 2024-04-09 8시 11시 1-1-1 HM_Oxide 1um 삼성전자 Power device팀 박종원 1,400,000원
1904 2024-04-11 16시 17시 2-1-1 PE Oxide 300A 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 112,000원
1905 2024-04-12 9시 11시 8-2-2 ACT.AREA Oxide 8000A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1906 2024-04-16 13시 14시 Oxide 2000A 삼성전자 DS 김태훈 420,000원
1907 2024-04-16 14시 15시 SiO2 50nm 주식회사 보인앤컴퍼니 연구개발 임채록 420,000원
1908 2024-04-16 18시 20시 4-7-2 PE Oxide 3000A 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 1,008,000원
1909 2024-04-16 19시 20시 4-1-1 SRO Oxide 300A 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
1910 2024-04-16 21시 22시 2-1-1 pwell_imp hm depo. pe-oxide 2um 2ea 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 448,000원
1911 2024-04-16 8시 9시 5-1-1 IMD Depo 1000A
5-1-2 Ellipsometer		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 160,000원
1912 2024-04-17 13시 14시 2-1-2 JFET IMP HM 2um 삼성전자 Power device팀 박종원 280,000원
1913 2024-04-17 17시 18시 2-4-1 PE Oxide 300A 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 224,000원
1914 2024-04-18 13시 14시 1-1-1 ILD Depo 200nm
1-1-2 ILD Ellipsometer

 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
1915 2024-04-18 13시 16시 SION 4000A 증착 요청드립니다. 주식회사 동진쎄미켐 사업 1부 절연막 김자영 980,000원
1916 2024-04-19 19시 18시 10-1-1 pmd depo pecvd oxide 8000a 5ea
std wafer 1ea 추가		 삼성전자 DS 김태훈 0원
1917 2024-04-19 19시 21시 5-1-2 p+imp ppluw hard mask pe-cvd oxide 2um 3ea 삼성전자 DS 김태훈 0원
1918 2024-04-19 22시 24시 5-1-2 p+imp ppluw hard mask pe-cvd oxide 2um 5ea 삼성전자 DS 김태훈 0원
1919 2024-04-22 16시 17시 ICT 제품화 지원사업

1-1-1 PE Oxide depo 5000A		 마이크로어낼리시스(주) 마이크로어낼리시스 (주) 안재훈 280,000원
1920 2024-04-22 20시 21시 5-4-1 SRO 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1921 2024-04-22 21시 22시 5-4-1 SRO 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1922 2024-04-23 9시 15시 Silicon nitride 8inch wafer 3장에 Silicon nitride 를 PECVD하려고 합니다.

test등급 Bare silicon wafer이고, 지난번에 저희 기계공학과 김석 교수님 연구실 김승범 씨가 의뢰를 맡겼는데, 그때 400nm 두께로 silicon nitride를 증착했습니다. 이번에도 400nm 두께를 원합니다.

관련 연락은 010-6348-4469 또는 sangminpark@postech.ac.kr로 해주시면 됩니다.
참고로 공정이 얼마나 걸릴지 몰라 이용시간은 6시간으로 해 두었습니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 박상민 336,000원
1923 2024-04-24 10시 12시 SiN 1um 삼성전자 DS 김태훈 700,000원
1924 2024-04-26 19시 20시 5-1-1 PE SRO 300A 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
1925 2024-05-03 15시 16시 10-1-1 PMD Depo 2000A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1926 2024-05-03 15시 16시 10-1-1 PMD Depo 2000A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1927 2024-05-03 15시 16시 10-1-1 PMD Depo 8000A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1928 2024-05-03 15시 16시 10-1-1 PMD Depo 8000A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1929 2024-05-03 16시 17시 10-1-1 PMD Depo 8000A 삼성전자 DS 김태훈 280,000원
1930 2024-05-03 16시 17시 10-1-1 PMD Depo 8000A 삼성전자 DS 김태훈 280,000원
1931 2024-05-08 17시 18시 안녕하세요.
SiO2 1um 증착 희망합니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 윤석현 224,000원
1932 2024-05-08 18시 19시 1-1-1 PE Oxide 1um 삼성전자 Power device팀 박종원 700,000원
1933 2024-05-10 20시 21시 7-1-3 PE Oxide 8000A 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
1934 2024-05-14 11시 12시 Oxide 30nm 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 112,000원
1935 2024-05-14 16시 18시 6-1-2 jte imp jte hard mask pecvd oxide 2um depo. 삼성전자 DS 김태훈 0원
1936 2024-05-14 16시 18시 6-1-2 jte imp jte hard mask pecvd oxide 2um depo. 삼성전자 DS 김태훈 0원
1937 2024-05-14 17시 19시 2-1-2 jfet imp jfet & nplus hard mask pecvd oxide 2um 2ea 삼성전자 Power device팀 박종원 560,000원
1938 2024-05-16 11시 12시 6-4-1 jte imp jte implant buffer ox 300a 삼성전자 DS 김태훈 0원
1939 2024-05-16 11시 12시 6-4-1 jte imp jte implant buffer ox 300a 삼성전자 DS 김태훈 0원
1940 2024-05-17 16시 17시 17-1-2 PE SiN 10500A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1941 2024-05-23 15시 16시 3-1-1 PE Oxide 2um 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 448,000원
1942 2024-05-23 18시 19시 10-2-3 PE Oxide 6000A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1943 2024-05-23 18시 19시 10-2-3 PE Oxide 6000A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1944 2024-05-23 19시 20시 10-2-4 PE Oxide 8000A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1945 2024-05-23 19시 20시 10-2-4 PE Oxide 8000A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1946 2024-05-23 20시 21시 1-1-1 PE Oxide 2.2um 고려대학교 제어계측공학과 최길영 1,260,000원
1947 2024-05-24 18시 19시 3-4-1 SRO PE Oxide 300A 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 224,000원
1948 2024-05-27 10시 11시 1-1-1 SiO2 1um 삼성전자 Power device팀 박종원 420,000원
1949 2024-05-27 11시 12시 1-1-2 SiO2 100nm 삼성전자 Power device팀 박종원 2,660,000원
1950 2024-05-27 20시 21시 5-1-2 PE Oxide 2um 삼성전자 Power device팀 박종원 840,000원
1951 2024-05-28 15시 16시 1-1-1 PE Oxide 3100A 나노융합기술원 대외협력팀 양웅석 112,000원
1952 2024-05-28 18시 19시 8-2-2 PE Oxide 8000A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1953 2024-05-29 9시 12시 SiO2 1200A
SiO2 800A
SiO2 400A
SiO2 1300A
SiO2 1000A
SiO2 700A		 메타포어 디바이스개발 이재혁 840,000원
1954 2024-05-30 10시 11시 2-1-1 HM_Oxide 2um LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 280,000원
1955 2024-05-30 9시 10시 2-4-4 Oxide 1000A 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 224,000원
1956 2024-05-31 16시 17시 4-1-1 PE Oxide 2um 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 448,000원
1957 2024-05-31 8시 10시 9-1-2 ILD Depe 6000A 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
1958 2024-06-04 8시 16시 경북 반도체 초격차 전문인력양성사업 안동대학교 공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 4,750,000원
1959 2024-06-05 20시 21시 3-7-2 SiO2 180nm
3-7-2 Ellipsometer		 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 272,000원
1960 2024-06-11 11시 12시 1-1-1 hm_oxide ild depo. pecvd 1um 10ea 삼성전자 Power device팀 박종원 1,400,000원
1961 2024-06-14 16시 18시 4-1-1 spacer ild depo. pecvd telia 1.2um 4ea * 2회
조건 변경 선행 진행		 삼성전자 DS 김태훈 2,240,000원
1962 2024-06-14 19시 21시 1-2-1 pmd pmd depo. pe-cvd 1000a 삼성전자 DS 김태훈 1,540,000원
1963 2024-06-14 19시 21시 1-2-1 pmd pmd depo. pe-cvd 1000a 삼성전자 DS 김태훈 1,960,000원
1964 2024-06-17 10시 17시 전문인력양성사업 소자공정실습 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,240,000원
1965 2024-06-17 14시 15시 5-5-1 PE-Oxide 2000A
5-5-2 Ellipsometer		 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 272,000원
1966 2024-06-17 15시 17시 6-1-2 Ox depo 5um 3ea 삼성전자 Power device팀 박종원 2,100,000원
1967 2024-06-18 15시 18시 3-1-2 2um 삼성전자 DS 김태훈 0원
1968 2024-06-18 15시 16시 4-4-1 PE SRO 300A 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 224,000원
1969 2024-06-20 14시 15시 3-4-1 PE SRO 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1970 2024-06-21 13시 15시 Oxide Depo. 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 672,000원
1971 2024-06-24 10시 17시 포스텍 차세대공유혁신대학 나노 반도체공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,522,500원
1972 2024-06-24 14시 15시 10-1-1 PE Oxide 8000A 삼성전자 DS 김태훈 280,000원
1973 2024-06-24 15시 16시 10-1-1 PE Oxide 8000A 삼성전자 DS 김태훈 0원
1974 2024-06-25 13시 14시 1-0-1 PE Oxide 3100A 나노융합기술원 대외협력팀 양웅석 160,000원
1975 2024-06-26 16시 17시 1-1-2 SiO2 1um LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 140,000원
1976 2024-07-01 11시 12시 6월26일 1매 진행 포항공과대학교 공정기술팀 박광진 112,000원
1977 2024-07-02 13시 14시 ICT 제품화 지원사업

1. 요청 공정: PE-CVD로 SiO2 5000A 양면 증착

- 한 면 증착 후, 다른 면 증착

2. 진행 수량: 2장

3. 주의사항

- 0.4t 두께의 본딩 웨이퍼로 핸들링 시 주의 부탁드립니다.

- 낱장 카세트에 1장씩 웨이퍼가 담겨 있는 상태로, 증착 후 카세트 바뀌지 않도록 부탁드립니다.

4. 사용시간의 경우 정확한 공정 소요시간을 알 수 없어 제가 임의로 신청하였습니다. 추후에 변경 부탁드립니다.		 마이크로어낼리시스(주) 기업부설연구소 조경호 560,000원
1978 2024-07-02 15시 16시 안녕하세요. 포항공대 신소재공학과 김준호 입니다.
실리콘 4in 기판 위에 SiO2/SiNx/SiO2 (2/2/2 nm) 2장
SiO2/SiNx/SiO2 (3/3/3 nm) 2장
SiO2/SiNx/SiO2 (4/4/4 nm) 2장
 포항공과대학교 신소재공학과 김준호 672,000원
1979 2024-07-03 16시 17시 2-1-1 PE Oxide 5000A 삼성전자 Power device팀 박종원 450,000원
1980 2024-07-04 12시 13시 안녕하세요 저번에 증착한것과 동일하게 SiO2/SiNx/SiO2 4/4/4 nm 증착하려고 합니다.
웨이퍼는 2, 3, 4 nm 각각 2장씩 구분되어 있는데 4 nm에 있는 2장 증착해주시면 감사하겠습니다.		 포항공과대학교 신소재공학과 김준호 672,000원
1981 2024-07-04 9시 10시 1-1-2 SiO2 0.5um LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 140,000원
1982 2024-07-04 9시 10시 1-1-1 SiO2 1um 2ea LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 280,000원
1983 2024-07-05 14시 15시 1-1-2 HM depo. oxide depo. pe-oxide 1um LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 140,000원
1984 2024-07-08 9시 11시 1-1-1 hm_oxide ild depo. pecvd telia 1um 4ea 삼성전자 Power device팀 박종원 560,000원
1985 2024-07-09 13시 14시 SiO2/SiN/SiO2 4/4/4 nm 증착 부탁드립니다.
 포항공과대학교 신소재공학과 김준호 336,000원
1986 2024-07-10 13시 15시 ICT 제품화 지원사업 (A Chamber 이용)

Si 5장 SIC 3장		 주식회사 아이큐랩 제품기술 민영미 1,120,000원
1987 2024-07-11 10시 11시 ICT 제품화 지원사업

1. 요청 공정: PE-CVD로 SiO2 5000A 양면 증착

* 1면 증착 -> 세정 후 재입고 -> 반댓면 증착


- 1면 증착 후 저희가 세정하여 재입고 후 반댓면 증착 부탁드립니다.

2. 진행 수량: 2장

3. 주의사항

- 0.4t 두께의 본딩 웨이퍼로 핸들링 시 주의부탁드립니다.

- 낱장 카세트에 1장씩 웨이퍼가 담겨 있는 상태로, 증착 후 카세트 바뀌지 않도록 부탁드립니다.

4. 사용시간의 경우 정확한 공정 소요시간을 알 수 없어 제가 임의로 신청하였습니다. 추후에 변경 부탁드립니다.

PE-CVD-1 장비로 신청해야 했으나 홈페이지 상 미가동으로 분류되어 PE-CVD-2로 신청하였습니다.


마이크로어낼리시스(주) 기업부설연구소 조경호 560,000원
1988 2024-07-11 15시 16시 Si 기판 5장 입니다. 공정 진행사항 없고, 5장 모두 400nm SiO2 증착 부탁드립니다.
--------------------
pe-cvd1 진행		 포항공과대학교 신소재공학과 김준호 560,000원
1989 2024-07-12 10시 11시 Si 기판 위에 HZO 24nm 올라간 상태로 1장 입니다. SiO2/SiN/SiO2 4/4/4 nm 증착 부탁드립니다.
다만, 알고 있기로는 내일 PECVD-1 장비 가동할 수 있는 것으로 아는데, 내일 가동이 된다면 PECVD 1호기로 2/2/2 nm 증착 부탁드립니다. 010-2607-3989 연락 주시면 감사하겠습니다. 		포항공과대학교 신소재공학과 김준호 336,000원
1990 2024-07-12 11시 18시 한국해양대학교 반도체공정&측정분석 연계 1차 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 6,037,500원
1991 2024-07-15 14시 15시 3-1-1 PE Oxide 1um LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 280,000원
1992 2024-07-15 15시 16시 3-1-2 PE Oxide 1.5um LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 280,000원
1993 2024-07-15 20시 8시 13-4-2 M2 PE-Oxide 16000A
13-4-3 Ellipsometer		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 432,000원
1994 2024-07-17 10시 11시 1-1-2 SiO2 0.5um LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 140,000원
1995 2024-07-17 11시 12시 Silicon nitride 8inch wafer 2장에 Silicon nitride 를 PECVD하려고 합니다.

test등급 Bare silicon wafer이고, 지난번에 400nm 두께로 silicon nitride를 증착했습니다. 이번에도 400nm 두께를 원합니다.

관련 연락은 010-6348-4469 또는 sangminpark@postech.ac.kr로 해주시면 됩니다.
참고로 공정이 얼마나 걸릴지 몰라 이용시간은 3시간으로 해 두었습니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 박상민 224,000원
1996 2024-07-17 17시 18시 3-1-1 PE Oxide 2000A 삼성전자 Power device팀 박종원 280,000원
1997 2024-07-17 9시 10시 1-1-1 SiO2 1um 2ea LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 280,000원
1998 2024-07-18 15시 16시 3-1-2 SiO2 1.5um LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 280,000원
1999 2024-07-18 16시 17시 3-1-1 SiO2 1um 2ea LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 280,000원
2000 2024-07-18 18시 19시 1-1-3 PE Oxide 300A 삼성전자 Power device팀 박종원 140,000원
2001 2024-07-26 9시 18시 한국해양대학교 반도체공정&측정분석 연계 2차 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 6,048,601원
2002 2024-07-29 16시 17시 SiN 100A
SiN 1000A		 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 224,000원
2003 2024-07-30 17시 18시 1-1-1 PE Oxide 1.5um 삼성전자 Power device팀 박종원 840,000원
2004 2024-07-30 18시 19시 1-1-1 Ox HM Depo PE 2um 한국과학기술원 기계공학과 김태영 560,000원
2005 2024-08-01 8시 12시 1-1-1 PE Oxide 1.7um 삼성전자 Power device팀 박종원 5,600,000원
2006 2024-08-03 18시 20시 8-2-2 act. area field oxid precvd 8000a 5ea 삼성전자 DS 김태훈 0원
2007 2024-08-03 19시 21시 4-4-1 p+block nplus implant buffer ox pecvd 300a 5ea 삼성전자 DS 김태훈 0원
2008 2024-08-03 20시 22시 5-1-1 jfet imp imp hm depo. pe-oxide 2um 2ea 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 448,000원
2009 2024-08-05 13시 14시 2-1-1 PE Oxide 350A 포항공과대학교 대학원 반도체대학원 박휘승 112,000원
2010 2024-08-05 14시 15시 1-1-1 SiN 100A(Front)
1-1-3 SiN 1000A(Back)		 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 224,000원
2011 2024-08-05 15시 16시 1-1-1 SiN 50A(Front)
1-1-3 SiN 1000A(Back)		 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 224,000원
2012 2024-08-06 9시 10시 5-4-1 PE SRO 300A 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 224,000원
2013 2024-08-07 10시 17시 insulator depo. 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 1,050,000원
2014 2024-08-08 16시 17시 4-1-1 Ox 1.2um 2ea 삼성전자 Power device팀 박종원 560,000원
2015 2024-08-12 14시 15시 2-1-3 PE-Oxide 350A 포항공과대학교 대학원 반도체대학원 박휘승 112,000원
2016 2024-08-12 15시 16시 1-0-1 PE-Oxide 3100A 나노융합기술원 대외협력팀 양웅석 112,000원
2017 2024-08-16 11시 14시 7-1-3 PE-Oxide 8000A 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 224,000원
2018 2024-08-16 18시 20시 4-7-2 pc pe-oxide depo. 3000a 6ea 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 756,000원
2019 2024-08-19 19시 20시 10-1-1 PMD SiO2 800nm 삼성전자 DS 김태훈 0원
2020 2024-08-19 20시 21시 10-1-1 PMD SiO2 800nm 삼성전자 DS 김태훈 0원
2021 2024-08-19 9시 11시 10-1-1 pmd depo. 8000a 2ea 삼성전자 DS 김태훈 0원
2022 2024-08-20 13시 14시 1-1-1 PE Oxide 1.5um 삼성전자 Power device팀 박종원 280,000원
2023 2024-08-20 17시 18시 대구대학교 나노 반도체공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 2,625,000원
2024 2024-08-21 10시 12시 요청사항은 장비 담당자에게 전달 예정 메타포어 연구개발 메타포어 420,000원
2025 2024-08-21 15시 16시 Silicon 8inch wafer 2장에 Silicon nitride 를 PECVD하려고 합니다.

test등급 Bare silicon wafer이고, 지난번에 400nm 두께로 silicon nitride를 증착했습니다. 이번에도 400nm 두께를 원합니다.

wafer polishing된 부분에 Nitride PECVD 부탁드립니다.

관련 연락은 010-6348-4469 또는 sangminpark@postech.ac.kr로 해주시면 됩니다.
참고로 공정이 얼마나 걸릴지 몰라 이용시간은 2시간으로 해 두었습니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 박상민 224,000원
2026 2024-08-21 21시 23시 6-4-2M0 SIO2 2500A 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 756,000원
2027 2024-08-22 10시 11시 2-1-1 sio2 oxide dpeo. 1um 2ea LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 280,000원
2028 2024-08-22 13시 14시 한국반도체연구조합 나노 반도체공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 3,977,272원
2029 2024-08-23 10시 10시 장비임대차계약 아이큐랩 아이큐랩 아이큐랩(장비임대차 계약) 7,172,157원
2030 2024-08-23 14시 15시 6인치 SiC epi 웨이퍼 30 nm SiO2 증착의뢰입니다.
담당연구원:최재용/010-2123-3062/jychoieee@postech.ac.kr		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 112,000원
2031 2024-08-23 15시 16시 4인치 SiC 웨이퍼입니다. 30 nm SiO2 증착 의뢰드립니다.
담당연구원 : 최재용/010-2123-3062/jychoieee@postech.ac.kr		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 336,000원
2032 2024-08-26 10시 11시 2-1-1 sio2 oxide depo. 1um 2ea LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 280,000원
2033 2024-08-26 21시 24시 6-4-2 M0 SiO2 2500A 6ea
6-4-3 M0 Ellipsometer		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 810,000원
2034 2024-08-27 10시 13시 장비 담당자에게 전달 예정 메타포어 연구개발 메타포어 1,300,000원
2035 2024-08-28 13시 14시 경일대학교 공정 실습 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 4,772,727원
2036 2024-08-28 14시 18시 3-1-1 sh insulation sin depo.
#1,3,5,7 pe-cvd1
#9,11 pe-cvd2		 (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 1,060,000원
2037 2024-08-28 20시 24시 8-4-1 M1 SiO2 8500A
8-4-2 m1 2nd imd depo. pe-sin depo. 6500a 6ea		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 1,512,000원
2038 2024-08-28 9시 13시 16-4-1 m3 2nd imd depo. pe-oxide dpeo. 8500a
16-4-2 m3 2nd imd depo. pe-sin dpeo. 6500a		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 252,000원
2039 2024-08-30 14시 15시 4-1-1 Ox spacer RF power 100W 삼성전자 Power device팀 박종원 140,000원
2040 2024-08-30 15시 16시 4-1-1 Ox spacer RF power 200W
4-1-2 Ellipsometer		 삼성전자 Power device팀 박종원 320,000원
2041 2024-08-30 15시 16시 4-1-1 Ox spacer RF power 150W 삼성전자 Power device팀 박종원 140,000원
2042 2024-08-31 9시 12시 2-1-3 SiN 1500A Depo. 포항공과대학교 반도체공학과 이지원 560,000원
2043 2024-09-02 10시 13시 5-1-2 Pplus HM 2um 삼성전자 DS 김태훈 0원
2044 2024-09-03 14시 17시 8-4-1 m1 2nd imd dpeo. pe-oxide depo. 8500a 6ea
8-4-2 m1 2nd imd dpeo. pe-sin depo. 6500a 6ea		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 1,512,000원
2045 2024-09-09 11시 14시 1-1-1 hm_oxide 1.7um 11ea 삼성전자 Power device팀 박종원 3,080,000원
2046 2024-09-09 13시 15시 5-4-1 SiO2 30nm 삼성전자 DS 김태훈 0원
2047 2024-09-10 11시 13시 9-1-2 ild depo. pe-oxide 6000a 2ea 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 224,000원
2048 2024-09-13 10시 12시 6-1-1 OHO SiN depo

ICT 제품화 지원사업		 (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 700,000원
2049 2024-09-13 13시 14시 2-1-1 PE Oxide 300A 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 112,000원
2050 2024-09-16 14시 14시 장비임대차계약 아이큐랩 아이큐랩 아이큐랩(장비임대차 계약) 7,172,157원
2051 2024-09-19 20시 21시 2-1-1 PE-SiO2 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 112,000원
2052 2024-09-19 8시 12시 전문인력양성 나노 소자공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 5,250,000원
2053 2024-09-23 14시 14시 6-1-2 PE Oxide 2um 삼성전자 DS 김태훈 0원
2054 2024-09-25 17시 18시 6-4-1 PE Oxide 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
2055 2024-09-26 13시 16시 공정 조건 담당자 직접 의뢰 예정 메타포어 연구개발 메타포어 140,000원
2056 2024-09-26 16시 17시 1-0-1 PE Oxide 3100A 나노융합기술원 대외협력팀 양웅석 112,000원
2057 2024-10-02 13시 15시 2-1-1 SiO2 1um LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 140,000원
2058 2024-10-02 13시 16시 1-1-2 ILD depo SiO2 6000A
1-1-3 Spectroscopic Ellipsometer		 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 160,000원
2059 2024-10-04 10시 12시 2-1-3 scattering oxide 315A 포항공과대학교 선행기술팀 한성웅 112,000원
2060 2024-10-08 8시 9시 2-1-1 PE Oxide 300A 주식회사 아르케 SIC 생산본부 노병훈 700,000원
2061 2024-10-10 15시 17시 전북대학교 나노 반도체공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 1,772,727원
2062 2024-10-10 9시 12시 1-2-1 PE_Oxide 10000A
1-2-2 Spectroscopic Ellipsometer		 현대모비스 전력반도체팀 강민기 680,000원
2063 2024-10-11 15시 17시 1-1-2 NPLUS PE-Oxide 1.5um
1-1-3 Ellipsometer		 현대모비스 전력반도체팀 강민기 620,000원
2064 2024-10-11 16시 19시 17-1-2 passivation depo. ain 10500a 6ea 삼성전자 DS 김태훈 0원
2065 2024-10-15 16시 17시 기존 레시피 이용 전북대학교 전자정보공학부 남은서 560,000원
2066 2024-10-16 16시 16시 장비임대차계약 아이큐랩 아이큐랩 아이큐랩(장비임대차 계약) 7,172,157원
2067 2024-10-16 16시 17시 1-4-2 nplus hm depo. pe_oxide 400a 현대모비스 전력반도체팀 강민기 140,000원
2068 2024-10-17 17시 18시 META3217_PHOLE
- Si3N4 2000A 300도에서 증착_7매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 735,000원
2069 2024-10-18 10시 11시 8-2-2 PE Oxide 8000A 삼성전자 DS 김태훈 0원
2070 2024-10-21 10시 11시 3-1-1 SRO PEOxide 300A 주식회사 아르케 SIC 생산본부 노병훈 700,000원
2071 2024-10-22 10시 11시 PE-Oxodie 선행 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 112,000원
2072 2024-10-22 16시 17시 1-1-1 sio2 oxide depo. 2um
1-1-2 sio2 oxide depo. 1um		 LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 560,000원
2073 2024-10-23 13시 14시 3-1-1 PE Oxide 1um LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 140,000원
2074 2024-10-23 15시 17시 공정조건 담당자에게 직접 요청 메타포어 연구개발 메타포어 280,000원
2075 2024-10-23 20시 21시 9-1-4 act. area active area oxid 8000a 2ea
wf2 추가 작업 : boe 10:1 15min / tmah (mix) 10min		 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 864,000원
2076 2024-10-24 21시 22시 2-1-1 sin sidewall pe-sin depo. 300a 1ea 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 112,000원
2077 2024-10-28 9시 19시 Al patterning 진행되어 있음

Metal 전용 chamber 사용하여 oxide 12000A 진행 요청 / 24매

종료 예정 시간을 대략적으로 알려주시면 감사하겠습니다

010-6510-8507(최선영)		 주식회사 아이큐랩 제품기술 민영미 5,376,000원
2078 2024-10-29 17시 19시 2-1-1 Gate Oxide PE-Oxide
2-1-2 Ellipsometer		 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 320,000원
2079 2024-10-29 8시 9시 250도 PE SiN 4kA 2매 공정 진행 요청 드립니다. 템퍼스 생산기술팀 서영민 280,000원
2080 2024-10-29 9시 17시 Al patterning 진행되어 있음

Metal 전용 chamber 사용하여 oxide 12000A 진행 요청 / 12매

종료 예정 시간을 대략적으로 알려주시면 감사하겠습니다

010-6510-8507(최선영)		 주식회사 아이큐랩 제품기술 민영미 2,688,000원
2081 2024-10-30 15시 17시 4-1-2 PE-Oxide
4-1-3 Thickness meas. 		현대모비스 전력반도체팀 강민기 400,000원
2082 2024-10-30 17시 18시 2-3-1 SiO2 600A
2-3-2 Ellipsometer		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 272,000원
2083 2024-10-31 20시 21시 2-1-2 nplus hm depo pe-oxide 2 1.5um depo. 현대모비스 전력반도체팀 강민기 280,000원
2084 2024-11-04 14시 15시 환동해 글로컬 연합 아카데미 반도체 교육과정 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 3,750,000원
2085 2024-11-04 14시 15시 3-1-2 PE Oxide 400A 현대모비스 전력반도체팀 강민기 140,000원
2086 2024-11-04 16시 17시 SiO2 30 nm 증착 의뢰드립니다.
담당연구원:최재용/010-2123-3062/jychoieee@postech.ac.kr		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 112,000원
2087 2024-11-04 17시 18시 Oxide 5000 Depo 주식회사 아이큐랩 제품기술 민영미 672,000원
2088 2024-11-04 8시 10시 5-1-1 IMD SiO2 1000A
5-1-2 Ellipsometer		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 272,000원
2089 2024-11-05 16시 17시 4-1-1 SRO PE Oxide 310A 주식회사 아르케 SIC 생산본부 노병훈 700,000원
2090 2024-11-06 14시 15시 1-1-1 outgasing 120c 30min n2 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 1,792,000원
2091 2024-11-08 18시 19시 BD3217_D_241014
- Si Bare 웨이퍼 구매 하겠습니다.
- Nitride 2000A증착_2매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 350,000원
2092 2024-11-08 2시 3시 SiC 표면에 다른 물질 없음

6매 진행
Oxide 15,000A Deposition 의뢰		 주식회사 아이큐랩 제품기술 민영미 1,344,000원
2093 2024-11-12 16시 17시 1-1-1 SiN 4.5sec
1-1-2 Ellipsometer		 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 160,000원
2094 2024-11-12 17시 18시 1-2-1 SiN 9sec
1-2-2 Ellipsometer		 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 160,000원
2095 2024-11-12 18시 19시 1-3-1 SiN 91sec
1-3-2 Ellipsometer		 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 160,000원
2096 2024-11-13 12시 16시 반도체 공정기술개발용 oxide 증착 나노융합기술원 대외협력팀 한동희 2,240,000원
2097 2024-11-13 16시 18시 7-1-2 PMD PE-Oxide 2000A
7-1-3 Thick meas. 		현대모비스 전력반도체팀 강민기 960,000원
2098 2024-11-14 11시 12시 8inch Sic oxide 15,000 Depo(Temp100\'C)진행
--------------------
350c 500nm 2회, 400c 200nm 1회		 주식회사 아이큐랩 제품기술 민영미 336,000원
2099 2024-11-15 9시 10시 3-2-1 PE Oxide 1um 현대모비스 전력반도체팀 강민기 1,050,000원
2100 2024-11-16 10시 12시 8inch Sic 2매
oxide 12,000A (5000A + 7000A)		 주식회사 아이큐랩 제품기술 민영미 1,120,000원
2101 2024-11-19 10시 12시 WBG 과제 SIC Silicide 평가 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 112,000원
2102 2024-11-25 16시 18시 Silicon 8inch wafer 2장에 Silicon nitride 를 PECVD하려고 합니다.

test등급 Bare silicon wafer이고, 지난번에 400nm 두께로 silicon nitride를 증착했습니다. 이번에도 400nm 두께를 원합니다.

wafer polishing된 부분에 Nitride PECVD 부탁드립니다.

관련 연락은 010-6348-4469 또는 sangminpark@postech.ac.kr로 해주시면 됩니다.
참고로 공정이 얼마나 걸릴지 몰라 이용시간은 2시간으로 해 두었습니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 박상민 224,000원
2103 2024-11-26 11시 12시 5-1-2 SiO2 100nm
5-1-3 Thick meas.		 현대모비스 전력반도체팀 강민기 500,000원
2104 2024-11-27 10시 14시 3-1-2 PWELL_IMP HM depo 20000A 삼성전자 DS 김태훈 0원
2105 2024-11-28 14시 15시 5-1-1 PE SRO 300A 주식회사 아르케 SIC 생산본부 노병훈 700,000원
2106 2024-11-28 9시 12시 담당자에게 공정 직접 전달 예정
300, 450,600,900nm depo.
boe cleaning		 메타포어 연구개발 메타포어 860,000원
2107 2024-11-29 16시 17시 7-1-2 PE Oxide 2000A 현대모비스 전력반도체팀 강민기 420,000원
2108 2024-11-29 20시 21시 3-4-1 PE Oxide 300A 삼성전자 DS 김태훈 0원
2109 2024-12-26 7시 10시 ICT 과제 공정비 (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 2,135,559원
2110 2024-12-27 13시 17시 ICT 공정비용 크리모 주식회사 경영지원팀 김기동 9,090,909원
2111 2024-12-27 7시 10시 ICT 과제 공정비 (주)에코넷코리아 연구개발 정상권 6,355,682원