PR Asher_FEOL - 2 장비일지

 기자재관리번호 : 000
No 장비이용내역 이용내역 사용자 장비이용료
시작일 종료일 세부내용 기관명 부서(학과명) 성명 확정금액
1 2012-10-12 11시 12시 1-3-1 AKEY PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 400,000원
2 2012-10-16 10시 11시 1-4-1 1st PR Remove LG 이노텍 TS 생산기술 오정훈 1,000,000원
3 2012-10-16 10시 11시 1-3-1 AKEY PR Remove LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
4 2012-10-18 11시 12시 2-3-1 ISO PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 400,000원
5 2012-10-23 11시 12시 2-3-1 SO PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
6 2012-10-30 10시 11시 3-3-1 M1OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
7 2012-10-31 10시 11시 3-3-1 RCSS PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
8 2012-11-02 09시 10시 4-3-1 MET1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
9 2012-11-12 16시 17시 4-3-1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
10 2012-11-12 16시 17시 1-4-1 PR Ashing LG 이노텍 TS 생산기술 오정훈 250,000원
11 2012-11-13 10시 11시 1-3-1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 100,000원
12 2012-11-13 16시 17시 3-3-1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 100,000원
13 2012-11-14 12시 13시 1-3-1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 400,000원
14 2012-11-15 09시 10시 5-3-1 M1OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 150,000원
15 2012-11-15 15시 16시 4-3-1 MET1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 100,000원
16 2012-11-19 14시 15시 2-3-1 ISO PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 400,000원
17 2012-11-20 12시 13시 6-3-1 MET1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 150,000원
18 2012-11-22 16시 17시 7-3-1 M2OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 150,000원
19 2012-11-23 11시 12시 1-5-2 GATE PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 0원
20 2012-11-23 14시 15시 2-4-1 Metal PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 0원
21 2012-11-27 11시 16시 PR Strip (Ashing) 실습 나노기술집적센터 이용자서비스팀 김병수 500,000원
22 2012-11-27 13시 14시 1-3-1 NW PR Remove (주)아이엠헬스케어 이인제 250,000원
23 2012-11-27 16시 18시 4-3-1 TiN Gate Etch PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 150,000원
24 2012-11-28 12시 13시 8-3-1 MET2 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 150,000원
25 2012-12-03 15시 16시 3-3-1 M1OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 400,000원
26 2012-12-05 15시 16시 2-3-1 SE PR Ashing (주)아이엠헬스케어 이인제 250,000원
27 2012-12-06 15시 16시 4-3-1 MET1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
28 2012-12-06 16시 18시 P-well Etch PR Strip 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 250,000원
29 2012-12-10 16시 17시 1-3-1 SiC Contact PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 50,000원
30 2012-12-12 13시 15시 1-3-1 Contact PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 250,000원
31 2012-12-12 16시 17시 1-3-1 NW PR Ashing (주)아이엠헬스케어 이인제 250,000원
32 2012-12-17 10시 11시 2-3-1 SE PR Asher (주)아이엠헬스케어 이인제 250,000원
33 2012-12-20 16시 17시 1-3-1 AKEY PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
34 2012-12-26 15시 17시 PR Ashing 나노기술집적센터 이용자서비스팀 김병수 500,000원
35 2012-12-27 13시 15시 P/R Ashing 나노기술집적센터 이용자서비스팀 김병수 400,000원
36 2013-01-02 13시 14시 3-3-1 RCSS PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
37 2013-01-08 19시 20시 1-3-1 NW PR Ashing (주)아이엠헬스케어 이인제 250,000원
38 2013-01-08 19시 20시 4-3-1 Gate PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
39 2013-01-09 13시 14시 SiC P-well Etch PR Strip 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 50,000원
40 2013-01-10 14시 15시 5-3-1 M1OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
41 2013-01-11 10시 11시 1-3-1 AKEY PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
42 2013-01-11 10시 11시 2-3-1 SE PR Ashing (주)아이엠헬스케어 이인제 250,000원
43 2013-01-14 15시 16시 2-3-1 ISO PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
44 2013-01-15 14시 15시 Poly Gate Etch Recipe Test 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 100,000원
45 2013-01-15 16시 17시 6-2-2 MET1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 150,000원
46 2013-01-17 10시 11시 3-3-1 M1OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
47 2013-01-21 09시 10시 7-3-1 M2OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 150,000원
48 2013-01-22 18시 19시 8-3-1 MET2 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 150,000원
49 2013-01-22 19시 20시 4-3-1 MET1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
50 2013-02-01 12시 13시 1-3-1 AKEY PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
51 2013-02-04 13시 14시 2-3-1 ISO PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
52 2013-02-05 13시 14시 1-3-1 PR ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
53 2013-02-06 10시 11시 1-3-1 AKEY PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 350,000원
54 2013-02-06 16시 17시 2-3-1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
55 2013-02-07 11시 12시 1-3-1 Cont PR ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 200,000원
56 2013-02-08 09시 10시 3-3-1 RCSS PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
57 2013-02-08 11시 12시 3-3-1 RCSS PR ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
58 2013-02-14 09시 10시 4-3-1 Gate PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
59 2013-02-14 13시 14시 2-3-1 ISO PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 350,000원
60 2013-02-18 09시 10시 5-3-1 M1OP PR ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
61 2013-02-19 10시 15시 SiC Etch Unit Process : Profile Test - PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 500,000원
62 2013-02-20 11시 12시 3-3-1 M1OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 350,000원
63 2013-02-20 11시 12시 1-3-1 GATE PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
64 2013-02-20 14시 15시 6-3-2 MET1 PR Remove_Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
65 2013-02-20 15시 16시 4-3-1 GATE PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
66 2013-02-26 09시 10시 7-3-1 M2OP PR remove_ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
67 2013-02-28 09시 10시 8-3-1 MET2 PR remove_ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
68 2013-03-04 14시 15시 5-3-1 M1OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
69 2013-03-05 13시 14시 4-3-1 MET1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 350,000원
70 2013-03-06 16시 17시 6-3-1 MET1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 100,000원
71 2013-03-11 11시 12시 1-3-1 AKEY PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
72 2013-03-11 13시 14시 2-3-1 ISO PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
73 2013-03-13 14시 15시 3-3-1 RCSS PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
74 2013-03-18 13시 14시 1-3-1 AKEY PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
75 2013-03-18 17시 18시 1-3-1 AKEY PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
76 2013-03-19 17시 18시 7-3-1 M2OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 50,000원
77 2013-03-21 16시 17시 Grating Sample 제작 (1차 Etching) 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 0원
78 2013-03-22 17시 18시 Grating Sample 제작 (2차 Etching) 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 0원
79 2013-03-25 10시 11시 2-3-1 ISO PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
80 2013-03-25 17시 18시 Grating Sample 제작 (3차 Etching) 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 0원
81 2013-03-25 9시 10시 2-3-1 ISO PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
82 2013-03-26 17시 18시 Grating 샘플 제작 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 0원
83 2013-03-27 15시 16시 4-3-1 M1OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
84 2013-03-28 9시 10시 4-3-1 Gate PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 150,000원
85 2013-04-01 14시 15시 5-3-1 MET1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
86 2013-04-10 15시 16시 1-3-1 AKEY PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
87 2013-04-12 10시 11시 2-3-1 ISO PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
88 2013-04-12 9시 10시 3-3-1 RCSS PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
89 2013-04-16 10시 12시 Recess New Chemical Etch Setup LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 100,000원
90 2013-04-18 19시 20시 4-3-1 GATE PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
91 2013-04-18 22시 23시 3-3-1 M1OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
92 2013-04-24 13시 14시 4-3-2 MET1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
93 2013-04-29 15시 16시 1-3-1 AKEY PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 600,000원
94 2013-04-30 14시 15시 2-3-1 ISO PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 600,000원
95 2013-05-07 13시 14시 3-3-1 RCSS PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
96 2013-05-07 9시 10시 5-3-1 M1OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
97 2013-05-08 17시 18시 6-3-2 MET1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
98 2013-05-08 9시 10시 4-3-1 M1OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
99 2013-05-13 11시 12시 4-3-1 Gate PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
100 2013-05-13 13시 14시 7-3-1 M2OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
101 2013-05-14 13시 14시 5-3-2 MET1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
102 2013-05-15 11시 12시 8-3-1 MET2 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
103 2013-05-20 10시 11시 5-3-1 M1OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
104 2013-05-20 16시 17시 6-3-3 MET1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
105 2013-05-20 9시 10시 4-3-1 GATE PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
106 2013-05-22 13시 14시 7-3-1 M2OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
107 2013-05-29 11시 12시 1-3-1 AKEY PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 1,200,000원
108 2013-05-31 14시 16시 2-3-1 ISO PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 1,200,000원
109 2013-06-05 14시 15시 4-3-1 GATE PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 100,000원
110 2013-06-07 14시 15시 3-3-1 RCSS PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
111 2013-06-11 10시 11시 4-3-1 M1OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
112 2013-06-11 10시 11시 5-3-1 M1OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 100,000원
113 2013-06-13 14시 15시 6-3-2 MET1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 100,000원
114 2013-06-13 15시 16시 5-3-2 MET1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
115 2013-06-17 13시 14시 4-3-1 GATE PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 350,000원
116 2013-06-17 15시 16시 7-3-1 M2OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 100,000원
117 2013-06-19 10시 11시 5-3-1 M1OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
118 2013-06-20 10시 11시 8-3-1 MET2 PR Ashing
재료비 : (L25-1 케이스)		 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 160,000원
119 2013-06-24 12시 13시 6-3-3 MET1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
120 2013-06-25 15시 16시 7-3-1M2OP PR Remove LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 200,000원
121 2013-06-27 10시 11시 8-3-1 MET2 PR Ashing
재료비 (L26 케이스)		 LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 260,000원
122 2013-07-03 13시 14시 3-3-1 RCSS PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
123 2013-07-08 14시 15시 3-3-1 M1OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 350,000원
124 2013-07-09 13시 14시 4-3-1 GATE PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
125 2013-07-10 15시 16시 5-3-1 M1OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
126 2013-07-12 10시 11시 6-3-2 MET1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
127 2013-07-12 10시 11시 4-3-2 MET1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 350,000원
128 2013-07-17 17시 18시 7-3-1 M2OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
129 2013-07-18 18시 19시 5-3-1 RCSS PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 350,000원
130 2013-07-23 15시 16시 8-3-1 MET2 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 230,000원
131 2013-07-31 13시 14시 1-3-1 AKEY PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 450,000원
132 2013-08-06 11시 13시 2-3 ISO Imp PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 450,000원
133 2013-08-08 16시 18시 6-2 Gate Etch PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 150,000원
134 2013-08-13 9시 10시 7-3-1 M2OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발 서덕원 350,000원
135 2013-08-20 13시 14시 8-3-1 MET2 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 350,000원
136 2013-08-26 13시 14시 3-3-1 RCSS PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
137 2013-08-28 10시 11시 1-3-1 1st PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 80,000원
138 2013-08-28 12시 13시 2-3-1 2nd PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 80,000원
139 2013-08-28 15시 16시 3-3-1 3rd PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 80,000원
140 2013-08-28 16시 17시 4-3-1 4th PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 80,000원
141 2013-08-29 13시 14시 4-3-1 GATE PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
142 2013-09-02 14시 16시 Si 0.1um Etch PR Ashing 휴비츠 연구소 현미경 그룹 김연중 200,000원
143 2013-09-02 17시 18시 5-3-1 M1OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
144 2013-09-03 10시 12시 Si Deep Etch PR Strip 포항공과대학교 화학공학과 김효정 80,000원
145 2013-09-04 10시 12시 Si Etch - 2, PR Ashing 휴비츠 연구소 현미경 그룹 김연중 200,000원
146 2013-09-05 16시 18시 Si Deep Etch : Micro Post 제작 포항공과대학교 화학공학과 이정한 200,000원
147 2013-09-09 13시 15시 1st Si Etch PR Strip 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 160,000원
148 2013-09-09 15시 16시 6-3-3 MET1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
149 2013-09-10 13시 14시 1-3-1 NW PR Asher (주)아이엠헬스케어 이인제 300,000원
150 2013-09-10 14시 15시 2nd Si Etch PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 160,000원
151 2013-09-10 17시 18시 7-3-1 M2OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
152 2013-09-11 13시 14시 3rd Si Etch PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 160,000원
153 2013-09-12 13시 14시 4th Si Etch PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 160,000원
154 2013-09-12 14시 15시 GaN on Si, A-key Etch PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 0원
155 2013-09-16 13시 14시 8-3-1 MET2 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
156 2013-09-26 15시 16시 2-3-1 SE PR Asher (주)아이엠헬스케어 이인제 300,000원
157 2013-10-07 9시 10시 Metal Remove TE connectivity R&D 박봉현 200,000원
158 2013-10-28 16시 17시 1-3-1 AKEY PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
159 2013-10-29 15시 16시 3-3-1 RCSS PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
160 2013-10-29 9시 10시 2-2-1 ISO PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
161 2013-11-04 14시 15시 Micro pump Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 80,000원
162 2013-11-06 14시 17시 P-Well H/M 공정 Setup 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 120,000원
163 2013-11-07 16시 17시 4-3-1 GATE PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
164 2013-11-11 14시 15시 1-3-1 NW PR Asher (주)아이엠헬스케어 이인제 250,000원
165 2013-11-11 17시 18시 5-3-1 M1OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
166 2013-11-12 15시 16시 2-3-1 SE PR Asher (주)아이엠헬스케어 이인제 250,000원
167 2013-11-14 13시 14시 6-3-3 MET1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
168 2013-11-19 9시 10시 7-3-1 M2OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
169 2013-11-20 15시 16시 1-3-1 AKEY PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
170 2013-11-21 11시 12시 8-3-1 MET2 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 260,000원
171 2013-11-21 16시 17시 2-3-1 ISO PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 300,000원
172 2013-11-26 10시 11시 3-3-1 RCSS PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
173 2013-11-27 17시 18시 Si Deep Etch PR Ashing (강양준 박사) 포항공과대학교 기계공학과 류정은 80,000원
174 2013-11-29 16시 17시 4-3-1 GATE PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
175 2013-12-04 17시 18시 5-3-1 M1OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 250,000원
176 2013-12-09 13시 14시 6-3-3 MET1 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 0원
177 2013-12-10 16시 17시 2-3-1 SE PR Asher (주)아이엠헬스케어 이인제 300,000원
178 2013-12-10 9시 10시 1-3-1 NW PR Asher (주)아이엠헬스케어 이인제 300,000원
179 2013-12-19 14시 15시 7-3-1 M2OP PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 0원
180 2014-01-02 14시 15시 8-3-1 MET2 PR Ashing LG이노텍 차세대소자개발팀 서덕원 0원
181 2014-01-07 16시 17시 식각 공정 후 감광제 제거 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 28,000원
182 2014-01-14 9시 10시 5-3-1 GATE PR Remove 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 400,000원
183 2014-01-20 13시 14시 2-4-1 CONT PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 160,000원
184 2014-01-20 14시 17시 Sample 위 유기 물질 제거
(Hall Effect Measurement 용 Sample 제작)		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 120,000원
185 2014-01-21 13시 14시 3-3-1 SILICI PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 160,000원
186 2014-01-24 17시 18시 BioFET를 제작하기 위하여 50nm 넓이의 패턴을 형성한 후 웨이퍼에 전사하기 위하여 실리콘 100나노를 식각한 후 남은 감광제를 제거하기 위한 클리닝
DAS-2000 장비의 Normal Ashing Condition : O2 & N2 Plasma Ashing		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 56,000원
187 2014-01-27 11시 12시 1-3-1 GATE PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 160,000원
188 2014-01-27 13시 14시 4-3-1 MET1 PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 80,000원
189 2014-01-28 14시 15시 2-3-1 SILICI PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 80,000원
190 2014-02-05 9시 10시 3-3-1 MET1 PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 80,000원
191 2014-02-13 16시 17시 임플란트 공정 후 감광제 제거 포항공과대학교 ITCE 박현진 28,000원
192 2014-02-26 13시 14시 PR제거를 위한 ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
193 2014-03-11 14시 15시 Si Molder Etching : PR Ashing 포항공과대학교 기계공학과(BBRC) 김가영 40,000원
194 2014-03-17 14시 15시 PR 제거를 위한 ashing
: O2 Plasma 고온 처리 - DAS 2000		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
195 2014-03-21 14시 16시 바이오센서 나노와이어 형성을 위한 실리콘 에칭 공정 후 감광제를 제거하기 위한 클리닝 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 112,000원
196 2014-03-26 10시 12시 Si Etch PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 210,000원
197 2014-04-21 12시 13시 1-3-1 Active PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 35,000원
198 2014-04-22 14시 15시 2-3-1 Hard Mask PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 35,000원
199 2014-04-30 15시 16시 3-3-1 NW Etch PR Remove PR Ash 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 35,000원
200 2014-05-01 15시 16시 식각공정 후 포토레지스트 제거 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 28,000원
201 2014-05-07 10시 11시 1-3-1 AKEY PR Remove PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
202 2014-05-09 11시 12시 2-3-1 PWEL PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
203 2014-05-12 18시 19시 감광제 제거를 위한 클리닝 공정 전북대학교 전자공학부 김기현 28,000원
204 2014-05-13 9시 10시 1-3-1 Active PR Asher 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 35,000원
205 2014-05-14 10시 12시 Micropost Si Deep Etch 후 P/R Ashing 포항공과대학교 화학공학과 이정한 400,000원
206 2014-05-14 15시 16시 8인치 SOI 웨이퍼 감광제 제거를 위한 클리닝 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 28,000원
207 2014-05-15 10시 11시 2-3-1 Hard Mask PR Asher 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 35,000원
208 2014-05-19 16시 17시 에칭 공정 진행 후 감광제 제거 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 56,000원
209 2014-05-23 11시 12시 8인치 SOI 웨이퍼 식각 공정 후 감광제 제거 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 28,000원
210 2014-05-27 16시 17시 3-3-1 P+ PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
211 2014-05-29 14시 17시 Etch 후 Photo Resist 제거 한국전기연구원 전력반도체연구단 차세대반도체연구센터 문정현 450,000원
212 2014-06-02 15시 16시 3um etch 후 pr 제거 인제대학교 의용공학과 구서린 150,000원
213 2014-06-03 16시 17시 Si Etch 후 PR Strip 부산대학교 융학학부 하이브리드소재응용 전공 박성모 225,000원
214 2014-06-03 17시 18시 Etch 후 PR Ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 240,000원
215 2014-06-03 18시 19시 SC32 PP Hard Mask Etching PR remove 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
216 2014-06-10 10시 11시 5-3-1 GATE PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 280,000원
217 2014-06-12 12시 13시 6-3-1 CONT PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 280,000원
218 2014-06-16 11시 12시 Si Trench Etch 후 P/R strip 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 35,000원
219 2014-06-16 14시 15시 7-3-1 SILICI PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 240,000원
220 2014-06-17 14시 15시 implant mask 제거 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 140,000원
221 2014-06-17 16시 17시 1-4-1 Cont PR remove 50,000원
222 2014-06-19 15시 16시 2-6-1 Metal PR Asher 50,000원
223 2014-06-19 15시 16시 4-3-1 N+ PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 240,000원
224 2014-06-20 10시 11시 9-3-1 MET1 PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 240,000원
225 2014-06-20 12시 13시 6인치 Test pattern 제작용 P/R Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 280,000원
226 2014-06-20 15시 16시 3-5-1 sensor PR Asher 50,000원
227 2014-06-25 16시 17시 1-4-1 Cont ET PR remove 100,000원
228 2014-06-26 17시 18시 2-6-1 Metal PR Ashing 100,000원
229 2014-06-27 15시 16시 3-5-1 Sensor PR Ashing 100,000원
230 2014-07-03 13시 15시 Dry Etching 후 PR Ashing 처리 부산대학교 융학학부 하이브리드소재응용 전공 박성모 90,000원
231 2014-07-03 15시 16시 Si Etch 후 PR Ashing 포항공과대학교 기계공학과 류정은 40,000원
232 2014-07-07 14시 15시 1-3-1 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 35,000원
233 2014-07-11 16시 17시 감광제 잔여물 제거 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 140,000원
234 2014-07-14 11시 12시 2-3-1 PWEL PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 35,000원
235 2014-07-14 14시 15시 3-3-1 NW PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 35,000원
236 2014-07-14 16시 17시 Si Deep Etch 후 P/R 제거 포항공과대학교 기계공학과 류정은 40,000원
237 2014-07-16 10시 12시 Si Deep Etch P/R 제거 포항공과대학교 융합생명공학부 서은석 80,000원
238 2014-07-21 9시 10시 4-7-1 N+ Carbon Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
239 2014-07-24 14시 15시 Si Etch 후 Photo Resist Ashing 부산테크노파크 MEMS/NANO 부품생산센터 최현진 100,000원
240 2014-07-28 16시 17시 식각 후 감광제 제거 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 105,000원
241 2014-08-05 12시 13시 5-3-1 GATE PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
242 2014-08-06 15시 16시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
243 2014-08-07 13시 14시 1-3-1 1st PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 70,000원
244 2014-08-07 15시 16시 PR remove 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
245 2014-08-11 12시 13시 2-3-1 2st PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 70,000원
246 2014-08-18 13시 14시 6-3-1 CONT PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
247 2014-08-18 15시 16시 SC33_ P+ PR remove 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
248 2014-08-20 13시 14시 SC33_N+ PR remove 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
249 2014-08-21 15시 16시 7-3-1 SILICI PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
250 2014-08-22 9시 10시 Activation Cap PR 제거 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
251 2014-08-27 15시 16시 SC33_ Gate Poly PR remove 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
252 2014-08-28 14시 15시 SC33_CONT PR remove 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
253 2014-08-29 15시 19시 SC33_ Ni Silicide PR remove & Metal PR remove 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
254 2014-09-03 16시 17시 PR Ashing - 2ea 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
255 2014-09-04 13시 14시 SiO2 400nm Etch 후 PR Remove 포항공과대학교 전자전기공학과 김강민 200,000원
256 2014-09-16 11시 12시 10-3-1 MET1 PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
257 2014-09-18 15시 16시 1-3-1 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
258 2014-09-19 16시 17시 2-3-1 PWEL PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
259 2014-09-22 12시 13시 1-4-1 Active PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 35,000원
260 2014-09-22 16시 17시 3-3-1 P+ PR Asing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
261 2014-09-23 11시 12시 Ashing test 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 105,000원
262 2014-09-23 13시 14시 4-7-1 N+ Carbon Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
263 2014-09-23 17시 18시 4-3-1 N+ PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
264 2014-09-24 12시 13시 PR Remove (Ashing) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 210,000원
265 2014-09-24 15시 16시 2-2-1 Cap Remove 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
266 2014-09-25 16시 17시 1-4-1 Cont PR Ashing 200,000원
267 2014-09-26 16시 17시 5-3-1 GATE PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
268 2014-09-29 16시 17시 6-3-1 Cont PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
269 2014-09-29 17시 18시 7-3-1 SILICI PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
270 2014-09-30 13시 14시 10-3-1 MET1 PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
271 2014-10-01 11시 12시 2-5-1 Metal PR Asher 150,000원
272 2014-10-02 11시 12시 3-5-1 Sensor PR Ashing 150,000원
273 2014-10-06 13시 14시 1-3-1 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
274 2014-10-07 11시 12시 3-3-1 NW PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 35,000원
275 2014-10-13 9시 10시 1-4-1 Cont PR Ashing 200,000원
276 2014-10-14 13시 14시 2-6-1 Metal PR Ashing 200,000원
277 2014-10-16 10시 11시 3-5-2 Sonsor PR Ashing 200,000원
278 2014-10-20 11시 12시 2-3-1 PWEL PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
279 2014-10-20 15시 16시 3-3-1 P+ PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
280 2014-10-21 12시 13시 4-3-1 N+ PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
281 2014-10-24 9시 10시 4-7-1 N+ Carbon Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
282 2014-10-28 13시 14시 5-3-1 GATE PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
283 2014-10-29 15시 16시 6-3-1 CONT PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
284 2014-10-30 10시 11시 7-2-1 SILICI PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
285 2014-10-31 10시 11시 10-3-1 MET1 PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
286 2014-11-13 12시 13시 1-3-1 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
287 2014-11-18 11시 12시 2-3-1 PWEL PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
288 2014-11-20 11시 12시 3-3-1 P+ Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
289 2014-11-20 14시 15시 Nitride Dry Etching 후 PR 제거
(접합반도체소자의 비파괴 검사 연구, 4.0011276.02)		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 35,000원
290 2014-11-21 13시 14시 4-3-1 N+ PR Remove PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
291 2014-11-24 13시 14시 2-4-3 Active PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
292 2014-11-24 15시 16시 2-4-3 Active PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 105,000원
293 2014-11-26 13시 14시 5-3-1 GATE PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
294 2014-11-27 14시 15시 2-4-3 Active PR Ashing (추가 w01) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 35,000원
295 2014-11-27 16시 17시 6-3-1 CONT PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
296 2014-11-28 11시 13시 7-3-1 SILICI PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
297 2014-11-28 16시 17시 10-3-1 MET1 PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
298 2014-12-02 14시 15시 5-3-1 GATE PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
299 2014-12-03 13시 15시 Grating Al Wet Etching 후 PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 0원
300 2014-12-04 12시 13시 6-3-1 CONT PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
301 2014-12-05 13시 16시 Si Deep Etching 후 PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 0원
302 2014-12-05 14시 15시 3-3-1 NW PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
303 2014-12-09 13시 14시 7-3-1 SILICI PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
304 2014-12-11 14시 15시 10-3-1 MET1 PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
305 2014-12-12 10시 12시 4-7-1 Carbon Strip 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
306 2014-12-15 12시 13시 1-3-1 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
307 2014-12-15 14시 16시 Grating Back Side Si Etch 후 PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 0원
308 2014-12-15 15시 16시 5-3-1 Gate PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
309 2014-12-16 11시 12시 1-3-1 Cont PR Ashing 200,000원
310 2014-12-16 16시 17시 6-3-1- Cont PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
311 2014-12-17 14시 15시 2-3-1 PWEL PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
312 2014-12-18 10시 12시 Si deep Etch 후 PR 제거 포항공과대학교 화학공학과 이정한 400,000원
313 2014-12-18 11시 12시 7-3-1 Ni Wet Etching PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
314 2014-12-19 14시 15시 3-3-1 P+ PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
315 2014-12-19 15시 16시 10-3-1 MET1 Wet Etching PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
316 2014-12-19 16시 17시 3-4-1 SenSor PR Ashing 200,000원
317 2014-12-19 23시 24시 3-4-1 Passivation PR Remove (주)소로나 관리 (주)소로나 100,000원
318 2014-12-22 12시 13시 3-3-1 NW PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
319 2014-12-22 15시 16시 4-3-1 N+ PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
320 2014-12-29 14시 15시 5-3-1 GATE PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
321 2014-12-29 17시 18시 6-3-1 CONT PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
322 2014-12-29 17시 18시 Si Deep Etch 후 PR Strip 포항공과대학교 융합생명공학부 서은석 80,000원
323 2014-12-30 14시 15시 7-3-1 SILICI PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
324 2014-12-31 14시 15시 10-3-1 MET1 PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
325 2015-01-05 11시 12시 1-3-1 Cont PR Ashing 100,000원
326 2015-01-05 21시 22시 O2 plasma 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 28,000원
327 2015-01-06 13시 14시 2-6-1 Metal PR Ashing 100,000원
328 2015-01-08 14시 15시 잔류 PR 제거 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 56,000원
329 2015-01-13 13시 15시 UE MEMS Sensor 2차 Run_Ashing (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 1,000,000원
330 2015-01-16 15시 15시 잔류 PR 제거 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 56,000원
331 2015-01-19 10시 12시 SiC C-cap Ashing Test
- 1차 Target Test : 5\"/10\"/15\" Ashing (15min cap depo.)		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 105,000원
332 2015-01-20 10시 12시 SiC C-cap Ashing Test
: 2차 - Ashing Margin & Damage Test (10"/20"/30")		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 105,000원
333 2015-01-21 10시 12시 SiC C-cap Ashing Test
: 3차 - Real 조건 Margin Test --> 10\"/20\"/30\"/100\"		 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
334 2015-01-26 16시 17시 잔여 PR 제거 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 56,000원
335 2015-02-05 11시 12시 PR Remove 포항공과대학교 전자전기공학과 이기환 40,000원
336 2015-02-26 13시 15시 PR Asher LG전자 SIC센터 ICS팀 최원석 240,000원
337 2015-03-03 11시 12시 1-4-1 Cont PR Ashing 200,000원
338 2015-03-05 15시 16시 2-6-1 Metal PR Ashing 200,000원
339 2015-03-05 16시 17시 Al & Mo Etch 후 PR Strip 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 70,000원
340 2015-03-06 14시 15시 Implant 후 PR Strip 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
341 2015-03-06 15시 16시 PR strip 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 28,000원
342 2015-03-09 12시 13시 3-5-1 sensor PR Ashing 200,000원
343 2015-03-11 12시 13시 2-3-1 Active PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
344 2015-03-11 12시 13시 2-3-1 Active PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
345 2015-03-24 13시 14시 3-4-1 Implant Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
346 2015-03-24 14시 15시 3-4-1 Implant Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
347 2015-03-24 15시 16시 6-5-2 Pass\'N PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
348 2015-03-24 16시 17시 6-5-1 pass\'n PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
349 2015-03-30 15시 16시 Si deep Etch 후 PR Ashing 부산대학교 인지메카트로닉스공학과 조상욱 90,000원
350 2015-04-03 15시 16시 wafer cleaning 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 56,000원
351 2015-04-07 10시 11시 1-4-1 Contact PR Strip (ashing) 100,000원
352 2015-04-09 16시 17시 Metal Dry Etch 후 PR Strp 100,000원
353 2015-04-13 16시 17시 pR strip 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 84,000원
354 2015-04-14 16시 17시 6-5 Pass\'N PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 0원
355 2015-04-20 18시 19시 SI Deep Etch : PR Remove 포항공과대학교 기계공학과 염은섭 120,000원
356 2015-04-20 19시 20시 Top Si Etch 후 PR Strip 100,000원
357 2015-04-27 16시 17시 Nitride/Oxide Etch Ashing 100,000원
358 2015-05-12 10시 11시 PR Ashing 전북대학교 전자공학부 김기현 0원
359 2015-05-15 10시 11시 PR Ashing (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 150,000원
360 2015-05-18 17시 18시 wafer cleaning 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 56,000원
361 2015-05-19 18시 19시 wafer cleaning(pR strip) 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 28,000원
362 2015-05-27 14시 15시 2-3-1 Active PR Ashing 전북대학교 전자공학부 김기현 210,000원
363 2015-05-28 16시 17시 pR strip 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 28,000원
364 2015-05-29 13시 14시 PR strip 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 28,000원
365 2015-06-03 11시 12시 4-3-1 NW PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 105,000원
366 2015-06-11 15시 16시 3-4-1 NW PR Remove PR Asher 전북대학교 전자공학부 김기현 70,000원
367 2015-06-15 16시 17시 pR strip 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 28,000원
368 2015-06-17 17시 18시 pR strip (8인치 용이면 4,6인치 용으로 바꿔주세요)
6/18 사용 1회		 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 56,000원
369 2015-06-23 13시 14시 2-3-1 Active PR Asher 전북대학교 전자공학부 김기현 70,000원
370 2015-06-24 11시 12시 pR strip 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 28,000원
371 2015-07-02 10시 11시 3-5-1 SD IMP PR Ashing 전북대학교 전자공학부 김기현 70,000원
372 2015-07-13 14시 15시 1-3-1 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
373 2015-07-16 11시 12시 4-3-1 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 35,000원
374 2015-07-16 11시 12시 4-3-1 NW PR Asher 전북대학교 전자공학부 김기현 70,000원
375 2015-07-22 10시 11시 2-3-1 ISO PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
376 2015-07-23 15시 16시 SiC 6인치 caping Layer Ashing 한국전자통신연구원(서강대학교) IT융합부품연구실(전자공학과) 조두형 50,000원
377 2015-07-28 16시 17시 표면 Roughness Etch 후 PR 처리 부산대학교 인지메카트로닉스공학과 조상욱 90,000원
378 2015-08-11 15시 16시 Si Dry Etch 후 PR Ashing (주)니나노 기업부설연구소 박준영 0원
379 2015-08-12 11시 12시 9. Split Gate _ Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 140,000원
380 2015-08-18 15시 16시 4-3-1 GATE PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
381 2015-08-21 18시 19시 Back Side Si Etch 용 Hard Mask PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 105,000원
382 2015-08-25 16시 17시 2-3-1 Acitve PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 105,000원
383 2015-08-26 11시 12시 5-3-1 CNT PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
384 2015-08-27 10시 11시 1-3-1 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
385 2015-08-27 11시 12시 6-3-3 MET1 PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
386 2015-08-28 10시 11시 7-3-1 VIA PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
387 2015-08-31 10시 11시 8-3-1 MET2 PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
388 2015-08-31 16시 17시 9-3-1 PAD PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
389 2015-09-01 12시 13시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 105,000원
390 2015-09-02 10시 11시 Recipe : NCNT25 PR Ash 30Sec
Si on BOX 위에 패턴닝되어있는 상태임.		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 105,000원
391 2015-09-09 9시 10시 40s 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 80,000원
392 2015-09-15 10시 11시 1-4-1 Cont PR Asjing 200,000원
393 2015-09-15 14시 15시 40s 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 50,000원
394 2015-09-15 16시 17시 3-6-1 Metal PR Asher 100,000원
395 2015-09-15 17시 18시 40s 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 50,000원
396 2015-09-21 16시 17시 pr strip 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 28,000원
397 2015-09-22 13시 14시 4-4-1 Sensor PR Ashing 200,000원
398 2015-09-23 14시 15시 UE-lowtemp 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 40,000원
399 2015-09-23 19시 20시 5-3-1 PR Asher 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
400 2015-09-24 10시 11시 5-3-1 CNT PR ASHER 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
401 2015-09-25 12시 13시 6-3-3 MET1 PR ASHER 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
402 2015-09-25 16시 17시 MET 1 PR ASHER 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 35,000원
403 2015-10-06 14시 15시 1-3-1 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
404 2015-10-06 17시 18시 Al Etch 후 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 0원
405 2015-10-07 16시 17시 pR strip 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 28,000원
406 2015-10-08 16시 17시 2-3-1 ISO PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
407 2015-10-14 12시 13시 3-3-1 RCSS PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
408 2015-10-16 18시 19시 4-3-1 Gate PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
409 2015-10-16 18시 19시 Hole PR AShing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 70,000원
410 2015-10-19 14시 15시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 70,000원
411 2015-10-20 19시 19시 RIOC w/f SH etch 후 Descum제거 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 100,000원
412 2015-10-20 21시 22시 5-3-1 CNT PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
413 2015-10-21 10시 11시 Patterned SOI wafer 3ea
PR Ashing 		포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 105,000원
414 2015-10-22 17시 18시 4-3-1 VIA PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 70,000원
415 2015-10-22 20시 21시 6-3-3 M1 PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
416 2015-10-23 16시 17시 PR Ashing 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 105,000원
417 2015-10-26 17시 17시 ROIC w/f SL step 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 100,000원
418 2015-10-29 12시 13시 pr strip 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 28,000원
419 2015-11-09 10시 11시 PR Ashing
(Recipe: NCNT25, Time:30sec)		 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 35,000원
420 2015-11-10 10시 12시 PSS Etch_PR Ashing SSADT 경영지원 지이권 1,000,000원
421 2015-11-10 14시 15시 6inch 2ea
PR Remove		 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 70,000원
422 2015-11-10 15시 16시 Si Deep Etch 후 PR Remove 포항공과대학교 기계공학과 박준홍 40,000원
423 2015-11-11 16시 17시 1-3-2 Back Side PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 450,000원
424 2015-11-12 12시 13시 9-3-1 VIA PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 70,000원
425 2015-11-16 17시 18시 PR Ashing 포항공과대학교 화학공학과 이정한 400,000원
426 2015-11-20 10시 11시 SiC 6inch Wafer Loading Test (주)케이이씨 공정기술G 박선운 50,000원
427 2015-11-23 15시 16시 6inch 1장 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 35,000원
428 2015-11-23 17시 18시 PR Ashing 포항공과대학교 기계공학과 박준홍 40,000원
429 2015-11-24 16시 18시 PSS Etch_PR Ashing SSADT 경영지원 지이권 500,000원
430 2015-12-01 11시 12시 6inch SOI Wafer 2ea 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 56,000원
431 2015-12-02 14시 16시 Metal Etch PR Ashing (주) 이너센서 이너센서 강문식 0원
432 2015-12-03 10시 11시 6inch SOI wafer 1ea 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 28,000원
433 2015-12-08 13시 14시 Polyimide Etch Test 전북대학교 전자공학부 김기현 35,000원
434 2015-12-10 10시 11시 - 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 28,000원
435 2015-12-14 14시 15시 6inch SOI Wafer 1EA 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 28,000원
436 2015-12-16 16시 17시 - 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 28,000원
437 2015-12-18 12시 13시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 35,000원
438 2015-12-21 15시 16시 6inch 1장 포항공과대학교 미래IT융합연구원 김유미 28,000원
439 2015-12-22 17시 18시 Hard Mask Etch PR Ashing 포항공과대학교 기계공학과 윤나리 105,000원
440 2015-12-23 17시 18시 1st Si Etch 후 PR Ashing 포항공과대학교 기계공학과 윤나리 105,000원
441 2015-12-29 10시 15시 Polyimide Etch : 4.0um Target Etchback 전북대학교 전자공학부 김기현 185,000원
442 2016-01-11 11시 12시 PR Ashing (특허과제) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 35,000원
443 2016-01-14 10시 19시 Polyimide Etchback Test.
6.0um Polyimide Etch 후 Remain 2.0um 이하로 Targeting Test		 전북대학교 전자공학부 김기현 385,000원
444 2016-01-19 19시 20시 PR Ashing (SiC - 4, Sample - 1) LG전자 SIC센터 ICS팀 김수진 200,000원
445 2016-01-22 10시 11시 1-4-1 SiN PR Ashing 고려대학교 전기전자공학부 장환준 45,000원
446 2016-02-02 14시 18시 PI Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 385,000원
447 2016-02-03 15시 16시 Top Si Etch 후 PR Ashing 포항공과대학교 물리학과 하창우 40,000원
448 2016-02-04 14시 15시 wafer cleaning 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 28,000원
449 2016-02-15 13시 14시 1-4-1 Ashing 포항공과대학교 기계공학과 윤나리 70,000원
450 2016-02-16 9시 10시 2-3-1 Ashing 포항공과대학교 기계공학과 윤나리 70,000원
451 2016-02-24 13시 14시 B Gate Etching PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 35,000원
452 2016-02-25 15시 16시 gate Etching Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 35,000원
453 2016-02-25 16시 17시 M Gate Etching Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 35,000원
454 2016-03-02 13시 14시 Al2O3 Etching Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 71,000원
455 2016-03-02 15시 16시 Al2O3 Contact Etch Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 71,000원
456 2016-03-02 17시 18시 AL & Oxide Etch Ashing 포항공과대학교 기계공학과 윤나리 71,000원
457 2016-03-03 15시 16시 Al2O3 Via Etching Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 71,000원
458 2016-03-04 11시 11시 AL2O3 Via Etching Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 71,000원
459 2016-03-14 11시 12시 pr strip 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 64,000원
460 2016-03-14 12시 13시 PR Ashing 부산대학교 인지메카트로닉스공학과 조상욱 212,000원
461 2016-03-16 16시 17시 PR Ashing 포항공과대학교 물리학과 하창우 74,000원
462 2016-03-17 11시 12시 1-3-1 Bottom Poly PR Remove PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 64,400원
463 2016-03-17 15시 16시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 71,000원
464 2016-03-17 9시 19시 Polyimide ashing 공정 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 0원
465 2016-03-21 13시 14시 Hard Mask Etch Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 0원
466 2016-03-21 14시 15시 pr strip 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 71,000원
467 2016-03-21 15시 16시 조각 80ea 부산대학교 유기소재시스템공학과 조정형 158,000원
468 2016-03-21 9시 11시 Back Side Etch PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 113,000원
469 2016-03-22 17시 18시 pR strip 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 64,000원
470 2016-03-23 11시 12시 PR 제거 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 110,000원
471 2016-03-23 11시 12시 Back Side Etch PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 113,000원
472 2016-03-23 12시 13시 1-3-1 2nd Oxide PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 155,000원
473 2016-03-29 11시 12시 pr strip 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 64,000원
474 2016-03-29 13시 14시 Front Si Etch 후 PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 113,000원
475 2016-03-29 16시 17시 Cap Poly Etching PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 113,000원
476 2016-04-01 15시 16시 H.M Etch PR Ashing (주)니나노 기업부설연구소 박준영 0원
477 2016-04-07 9시 10시 1-3-3 PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 92,000원
478 2016-04-08 13시 14시 PR Ashing 120s 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 92,000원
479 2016-04-18 11시 12시 1-4-1 Back Side PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 92,000원
480 2016-04-18 16시 17시 에칭배리어로 사용하기 위하여 패터닝된 PR,GXR601 coating, Expose, Develop을, 옥사이드 에칭 후 제거하기 위한 목적 포항공과대학교 고분자연구소 서정탁 74,000원
481 2016-04-18 17시 18시 sample PR Ashing 포항공과대학교 물리학과 하창우 74,000원
482 2016-04-26 19시 20시 PR AShing 포항공과대학교 물리학과 하창우 74,000원
483 2016-04-27 13시 14시 2-4-1 Cap Poly PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 92,000원
484 2016-04-28 10시 11시 Ashing LG 전자 ICS 팀 황의진 98,000원
485 2016-04-28 10시 11시 2-4-1 Front Side PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
486 2016-05-03 13시 14시 PR Ashing (조각) 포항공과대학교 물리학과 하창우 71,000원
487 2016-05-03 14시 15시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 71,000원
488 2016-05-06 9시 10시 Bottom Gate/Middle Gate/Via /Contact PR remove 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 1,000,000원
489 2016-05-18 10시 11시 Pt PZT SiO2 포항공과대학교 기계공학과 윤나리 98,000원
490 2016-05-19 9시 10시 pr제거 포항공과대학교 기계공학과 윤나리 66,000원
491 2016-05-23 12시 13시 1-3-1 1st Bottom Poly PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 113,000원
492 2016-05-23 13시 14시 Ashing. 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 110,000원
493 2016-05-23 13시 14시 1-3-1 Contact PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 92,000원
494 2016-05-24 16시 17시 SiC Decap Process (주)케이이씨 연구소 송재진 140,000원
495 2016-05-26 13시 14시 1-2-2 Metal PR Ashing (주) 이너센서 이너센서 강문식 0원
496 2016-05-27 13시 14시 ashing 포항공과대학교 물리학과 하창우 74,000원
497 2016-06-02 14시 15시 피알 제거 전북대학교 전자공학부 김기현 134,000원
498 2016-06-08 10시 12시 3220 MEMS IR Sensor_2016/06_계약 3-1회 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 650,000원
499 2016-06-09 15시 16시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 71,000원
500 2016-06-09 15시 16시 PR Ashing 한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 50,000원
501 2016-06-09 9시 10시 PR찌꺼기 제거
6인치나 8인치 크기 이면서 4인치로딩할수있는 지그가 있나요		 포항공과대학교 기계공학과 윤나리 71,000원
502 2016-06-13 15시 16시 PR Ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 64,000원
503 2016-06-15 16시 17시 2-3-1 2nd PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 113,000원
504 2016-06-16 10시 11시 NW Etch PR Remove 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 113,000원
505 2016-06-21 13시 14시 Ashing 한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 140,000원
506 2016-06-21 15시 17시 나노융합 전문인력양성 교육 프로그램_Etch 위덕대학교 정보통신공학부 이재성 1,250,000원
507 2016-06-27 13시 14시 Active PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 113,000원
508 2016-06-27 16시 17시 removal of residual PR 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 113,000원
509 2016-06-27 16시 17시 PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 92,000원
510 2016-07-06 15시 16시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 71,000원
511 2016-07-06 9시 10시 잔여 PR 제거 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 92,000원
512 2016-07-07 16시 17시 피알 제거 전북대학교 전자공학부 김기현 134,000원
513 2016-07-08 11시 12시 residual PR remove 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 64,000원
514 2016-07-11 17시 18시 PR Ashing : 90sec 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 71,000원
515 2016-07-13 15시 16시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 113,000원
516 2016-07-15 9시 10시 Si Etch H.M Etch Ashing (Si Sample) 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 92,000원
517 2016-07-26 11시 12시 실리콘 8조각 ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 71,000원
518 2016-07-26 13시 15시 3220 MEMS IR Sensor_2016/07_계약 3-2회 (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 950,000원
519 2016-07-27 10시 11시 Polymer 제거 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 71,000원
520 2016-08-01 16시 17시 B. Si Etch H.M Etch PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 92,000원
521 2016-08-05 14시 17시 polyimide Ashing 전북대학교 전자공학부 김기현 121,000원
522 2016-08-08 10시 11시 Front Si Etch Al PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 92,000원
523 2016-08-09 10시 11시 A-key PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
524 2016-08-09 13시 14시 PR Ashing 포항공과대학교 물리학과 하창우 74,000원
525 2016-08-10 15시 18시 polyimide Ashing
 전북대학교 전자공학부 김기현 320,000원
526 2016-08-16 11시 13시 2매씩 2회 PR remove 엠투테크(주) 운영 엠투테크(주) 242,000원
527 2016-08-16 13시 14시 A-ket Etch PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
528 2016-08-16 20시 21시 B.side Al Etch PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
529 2016-08-17 14시 15시 A-key PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
530 2016-08-18 17시 18시 Si Etch H.M Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
531 2016-08-19 17시 18시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 92,000원
532 2016-08-22 10시 11시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 71,000원
533 2016-08-22 12시 13시 D/L Etch PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
534 2016-08-22 13시 14시 PR Ashing 한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 110,000원
535 2016-08-22 14시 15시 PR Ashing 포항공과대학교 물리학과 하창우 74,000원
536 2016-08-23 11시 12시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 71,000원
537 2016-08-23 12시 13시 SOI H/M PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
538 2016-08-25 10시 11시 Bonding Wafer PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
539 2016-08-25 17시 18시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 71,000원
540 2016-08-26 15시 16시 residual PR remove 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 64,000원
541 2016-08-29 11시 12시 Air Hole H.M PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
542 2016-09-01 10시 11시 A-key Etch PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
543 2016-09-01 11시 12시 A-key etch PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
544 2016-09-01 14시 15시 Air Hole HM Etch Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
545 2016-09-01 16시 17시 SOI H.M Etch PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
546 2016-09-02 13시 14시 PMMA ash 포항공과대학교 물리학과 하창우 74,000원
547 2016-09-05 15시 16시 residual PR remove 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 64,000원
548 2016-09-07 13시 14시 PR Ashing (주)니나노 기업부설연구소 박준영 0원
549 2016-09-13 11시 12시 120도 Ashing 진행 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 70,000원
550 2016-09-26 15시 16시 A-key ETch PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
551 2016-09-27 16시 17시 A-key PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
552 2016-09-27 17시 18시 Air Hole Etch PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
553 2016-09-28 16시 17시 B Si Etch PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
554 2016-09-28 9시 12시 Polyimide Etch 전북대학교 전자공학부 김기현 134,000원
555 2016-10-01 13시 14시 Ashing 한국전자통신연구원 GaN전력소자연구실 박준보 80,000원
556 2016-10-12 18시 19시 pr 지움 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 64,000원
557 2016-10-13 16시 17시 pr 지우기 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 64,000원
558 2016-10-19 13시 14시 A-key PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
559 2016-10-20 13시 14시 A-Key Etch Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
560 2016-10-21 16시 17시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 92,000원
561 2016-10-21 9시 10시 Back Side H.M Al Etch PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
562 2016-10-24 14시 15시 PR develop 포항공과대학교 전자전기공학과 윤솔 64,000원
563 2016-10-24 9시 10시 Back Side H.M Al Etch PR Remove 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
564 2016-10-28 11시 12시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 92,000원
565 2016-11-01 11시 12시 A-key Etch PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 92,000원
566 2016-11-01 12시 13시 잔여 PR 제거 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 64,000원
567 2016-11-01 13시 15시 120도 5매 10분 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 260,000원
568 2016-11-01 14시 15시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 92,000원
569 2016-11-02 13시 14시 Back Si Etch HM Wet 후 PR Remove (Au) 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
570 2016-11-02 14시 15시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 71,000원
571 2016-11-03 13시 14시 1-3-1 AKEY PR Ashing (주) 이너센서 이너센서 강문식 140,000원
572 2016-11-03 14시 15시 1-3-2 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 71,000원
573 2016-11-03 15시 16시 1-3-1 1st PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
574 2016-11-03 9시 10시 Bonding Wafer Si Etch HM Wet PR Remove (Au) 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
575 2016-11-07 13시 14시 1um Etch PR Ashing 포항공과대학교 신소재공학과 김영태 71,000원
576 2016-11-07 16시 17시 Grating 2nd Si Etch PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 92,000원
577 2016-11-07 22시 23시 Sand Glass Etch 평가 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 71,000원
578 2016-11-08 11시 12시 Back Si Etch HM Etch PR Ashing (Ti -> Au) 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
579 2016-11-08 15시 16시 2-3-2 Bevel PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 71,000원
580 2016-11-09 13시 14시 Si 6um PR Ashing 포항공과대학교 신소재공학과 김영태 71,000원
581 2016-11-09 15시 16시 3-3-1 3rd PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 92,000원
582 2016-11-09 15시 16시 4-5-1 4th Seal PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 92,000원
583 2016-11-10 14시 15시 4-3-1 4th PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 92,000원
584 2016-11-14 15시 16시 pr지우기 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 120,000원
585 2016-11-14 16시 18시 Cap Process 19ea_Etch (16/11) 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 900,000원
586 2016-11-15 10시 12시 polyimide ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 92,000원
587 2016-11-15 13시 15시 polyimide ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 78,000원
588 2016-11-15 15시 16시 잔여 PR제거 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 64,000원
589 2016-11-16 19시 21시 Polyimide ashing (120도) 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 64,000원
590 2016-11-17 20시 21시 pr 지우기 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 64,000원
591 2016-11-18 15시 16시 1-3-2 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 113,000원
592 2016-11-18 16시 17시 SiC 6인치 공정 진행
4. ashing 처리		 한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 80,000원
593 2016-11-21 15시 16시 5-3-1 5th Contact PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 92,000원
594 2016-11-21 17시 18시 PR strip 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 64,000원
595 2016-11-22 17시 18시 PR strip 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 64,000원
596 2016-11-23 14시 15시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 71,000원
597 2016-11-24 14시 15시 nanowire 관찰 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 64,000원
598 2016-11-25 16시 17시 잔여 pr 제거 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 64,000원
599 2016-11-28 15시 16시 잔여PR제거 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 64,000원
600 2016-12-05 14시 15시 pr strip 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 64,000원
601 2016-12-09 15시 16시 Ashing 한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 110,000원
602 2016-12-12 13시 14시 1-2-3 Pattern PR Ashing 광운대학교 전자과 김병목 170,000원
603 2016-12-12 15시 16시 SiN PR Ashing (조각 3) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 71,000원
604 2016-12-13 10시 12시 SiC 기술사업화 장비사용 (주)예스파워테크닉스 연구소 강예환 4,900,000원
605 2016-12-14 17시 18시 PR Ashing 부산대학교 인지메카트로닉스공학과 조원경 104,000원
606 2016-12-14 9시 10시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 임태욱 92,000원
607 2016-12-19 13시 14시 조각 SiN Etch PR Remove 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 71,000원
608 2016-12-19 15시 16시 PR Decap 서강대학교 전자공학과 배동우 110,000원
609 2016-12-19 15시 16시 pr strip 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 64,000원
610 2016-12-21 14시 15시 조각 SiN Etch PR Remove 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 71,000원
611 2017-01-02 14시 15시 PR remove 부산대학교 인지메카트로닉스공학과 전민경 77,000원
612 2017-01-12 10시 13시 나노소자공정실습교육_Etch 나노융합기술원 교육홍보팀 김병수 500,000원
613 2017-01-18 11시 12시 PR strip 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 64,000원
614 2017-01-24 10시 15시 MEMS 기술사업화 계약_Etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 1,500,000원
615 2017-01-25 14시 15시 PR AShing 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 71,000원
616 2017-01-31 16시 17시 pr strip 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 71,000원
617 2017-02-01 11시 12시 1-4 KAEY PR Remove 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 92,000원
618 2017-02-01 14시 15시 2-4 Back PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 92,000원
619 2017-02-01 15시 16시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 92,000원
620 2017-02-02 10시 11시 1-4 AKEY PR Remove 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 92,000원
621 2017-02-06 11시 12시 Etch 후 PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 92,000원
622 2017-02-06 11시 12시 PR Ashing 부산대학교 광메카트로닉스공학과 강지숙 77,000원
623 2017-02-08 10시 11시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 92,000원
624 2017-02-09 11시 12시 1-4-1 Akey PR remove 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
625 2017-02-09 14시 15시 17uPFD-PA ash (주)유우일렉트로닉스 부설연구소 김형원 71,000원
626 2017-02-12 11시 12시 2-3-2 Back Side Al Etch PR Remove 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
627 2017-02-13 12시 13시 1-4-1 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
628 2017-02-13 15시 16시 5-1-1 PR Remove 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
629 2017-02-14 10시 11시 2-4-1 Back Side PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
630 2017-02-14 17시 18시 2-4-1 Back Side PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 92,000원
631 2017-02-17 10시 11시 NINT ahsing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 71,000원
632 2017-02-22 11시 12시 2-4-1 Back Side PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
633 2017-02-22 14시 15시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 71,000원
634 2017-02-22 16시 17시 SiC PR Ashing 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 170,000원
635 2017-02-23 12시 13시 SiC PR Ashing 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 170,000원
636 2017-02-24 17시 18시 1-3-1 Ashing (주)니나노 기업부설연구소 박준영 0원
637 2017-02-27 16시 17시 8inch pR strip 포항공과대학교 전기전자공학과 김성지 64,000원
638 2017-02-27 18시 19시 Oxdie Etch PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 71,000원
639 2017-02-28 10시 11시 PR Ashing (120s , 360s) 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 170,000원
640 2017-03-02 10시 12시 PR ashing 한국전기연구원 전력반도체연구센터 나문경 104,000원
641 2017-03-06 11시 12시 A-key Si Etch PR Ashing
(4.0013825) 사물인터넷 나노 실리콘 기반 센서 공정 플랫폼 구축을 위한 신호 검출 회로 개발		 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 92,000원
642 2017-03-07 14시 15시 PR strip 포항공과대학교 전기전자공학과 김성지 64,000원
643 2017-03-09 15시 16시 PR Ashing 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 170,000원
644 2017-03-14 14시 15시 pr strip 포항공과대학교 전기전자공학과 김성지 64,000원
645 2017-03-15 14시 15시 A Key Etch PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
646 2017-03-15 15시 16시 Anneal 후 SiC PR Decap 서강대학교 전자공학과 배동우 80,000원
647 2017-03-17 14시 15시 1-4-1 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 92,000원
648 2017-03-17 17시 18시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 71,000원
649 2017-03-20 13시 14시 2-4-1 Back PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 92,000원
650 2017-03-21 10시 12시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 78,000원
651 2017-03-21 14시 16시 PR asing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 78,000원
652 2017-03-21 16시 17시 Poly Etch PR Ashing 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 170,000원
653 2017-03-22 14시 15시 샘플은 1.5cm*1.5cm 조각 12개로 고온 activation 후 PR을 제거용입니다.
홀더는 8인치 홀더에 한번에 진행하고 싶습니다.		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 77,000원
654 2017-03-23 14시 15시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 71,000원
655 2017-03-23 16시 17시 Poly Si Etch PR Ashing 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 140,000원
656 2017-03-24 13시 14시 1-4-1 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 71,000원
657 2017-03-27 16시 17시 BioFET S/D PR mask removal 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 64,000원
658 2017-04-03 10시 11시 1-3-1 1st Poly PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 72,500원
659 2017-04-03 11시 12시 HM Cr PR Remove 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 72,500원
660 2017-04-04 10시 10시 뒷면 120s
앞면 360s		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 78,500원
661 2017-04-04 11시 12시 HM Al PR Remove 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 72,500원
662 2017-04-04 14시 15시 PR decap 한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 140,000원
663 2017-04-06 16시 17시 PR Ashing 부산대학교 광메카트로닉스공학과 강지숙 212,000원
664 2017-04-10 10시 11시 Ashing (주)네오나노텍 연구개발 김성훈 80,000원
665 2017-04-10 10시 11시 Ashing (주)네오나노텍 연구개발 김성훈 80,000원
666 2017-04-10 11시 12시 3-3-1 3rd PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 72,500원
667 2017-04-10 12시 13시 Ashing (주)네오나노텍 연구개발 김성훈 110,000원
668 2017-04-10 13시 14시 1-3-1 Bottom PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 207,500원
669 2017-04-11 11시 12시 PR removal 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 65,000원
670 2017-04-12 11시 12시 Bevel Etch PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 72,500원
671 2017-04-12 13시 14시 NCNT PR ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 65,000원
672 2017-04-12 14시 15시 PR 제거 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 104,000원
673 2017-04-12 17시 18시 NCNT PR ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 65,000원
674 2017-04-13 14시 15시 Oxide & Si Etch PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 72,500원
675 2017-04-13 17시 18시 PR asher 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 65,000원
676 2017-04-14 16시 17시 NCNT recipe 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 65,000원
677 2017-04-17 12시 13시 뒷면 : 120s
앞면 : 360s		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 104,000원
678 2017-04-18 14시 16시 NCNT PR ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 65,000원
679 2017-05-01 10시 12시 폴리이미드 제거 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 65,000원
680 2017-05-01 13시 15시 폴리이미드 제거 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 65,000원
681 2017-05-02 15시 16시 ZEP 520 ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 65,000원
682 2017-05-10 11시 13시 BioFET pattern 제거 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 80,000원
683 2017-05-10 12시 13시 2-3-1 2nd Oxide PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 207,500원
684 2017-05-15 15시 16시 4.ashing 한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 80,000원
685 2017-05-17 13시 14시 3-3-1 3th Poly PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 117,500원
686 2017-05-18 15시 16시 cleaning (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 70,000원
687 2017-05-22 17시 18시 pr strip (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 90,000원
688 2017-05-25 10시 11시 cleaning (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 90,000원
689 2017-05-26 10시 11시 Micropost PR Remove 포항공과대학교 화학공학과 정용재 305,000원
690 2017-05-29 13시 17시 BioFET S/D implant mask removal 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 65,000원
691 2017-05-29 17시 18시 Si Etch PR Remove LG전자 센서솔루션연구소 이성단 126,500원
692 2017-05-30 10시 11시 Oxide 440nm PR Remove 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 95,000원
693 2017-06-01 15시 16시 cleaning (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 70,000원
694 2017-06-02 13시 16시 BioFET PR asher 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 65,000원
695 2017-06-08 10시 11시 cleaning (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 70,000원
696 2017-06-08 12시 14시 BioFET NW PR ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 65,000원
697 2017-06-09 13시 14시 1-3-1 PIEZO Poly PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 117,500원
698 2017-06-12 14시 16시 PR Ashing 전북대학교 전자공학부 김기현 162,500원
699 2017-06-14 20시 24시 BioFET
PR ashing		 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 65,000원
700 2017-06-15 13시 14시 2-3-1 CNT PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 117,500원
701 2017-06-22 14시 16시 si 100nm etching (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 110,000원
702 2017-06-23 19시 21시 cleaning (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 130,000원
703 2017-06-27 14시 15시 cleaning (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 70,000원
704 2017-06-28 13시 14시 cleaning (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 70,000원
705 2017-06-29 15시 16시 4. Ashing 한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 110,000원
706 2017-07-03 14시 15시 Metal Dry Etch PR Ashing (주) 이너센서 이너센서 강문식 110,000원
707 2017-07-05 14시 15시 PAD Etch PR AShing (주) 이너센서 이너센서 강문식 110,000원
708 2017-07-07 11시 12시 NINIT ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 65,000원
709 2017-07-11 12시 13시 1-3-1 PIEZO PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 95,000원
710 2017-07-13 11시 12시 DRIE PR remove LG전자 센서솔루션연구소 이성단 101,000원
711 2017-07-13 15시 16시 4. Ashing 한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 110,000원
712 2017-07-14 12시 13시 2-3-1 CNT PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 95,000원
713 2017-07-18 13시 14시 1-3-1 PIEZO PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 117,500원
714 2017-07-19 10시 11시 cleaning 포항공과대학교 전기전자공학과 김성지 65,000원
715 2017-07-27 15시 16시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 72,500원
716 2017-07-27 16시 17시 1-3-2 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 72,500원
717 2017-08-01 10시 11시 PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 서명해 95,000원
718 2017-08-01 10시 11시 1-3-2 Hard Mask PR Remove (주)네오나노텍 연구개발 김성훈 110,000원
719 2017-08-03 14시 15시 pR 제거 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 65,000원
720 2017-08-09 13시 14시 ashing 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 131,000원
721 2017-08-10 14시 15시 pr strip 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 65,000원
722 2017-08-21 13시 14시 Oxide Etch PR Ashing 부산대학교 인지메카트로닉스공학과 심영보 104,000원
723 2017-08-25 10시 13시 PR ashing
뒷면:120s, 앞면:360s		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 104,000원
724 2017-08-25 9시 10시 2nd Mask PR Ashing 부산대학교 인지메카트로닉스공학과 심영보 104,000원
725 2017-08-31 10시 12시 PI ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 65,000원
726 2017-08-31 13시 14시 PR Ashing LG전자 센서솔루션연구소 이성단 65,000원
727 2017-08-31 14시 17시 Polyimide ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 65,000원
728 2017-09-01 13시 14시 Oxide Etch PR Ashing (주)니나노 기업부설연구소 박준영 110,000원
729 2017-09-04 13시 14시 1-3-2 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 72,500원
730 2017-09-06 10시 13시 SiC Diode 공정계약_공정완료 잔금_Etch 테크닉스(주) 연구개발 강예환 950,000원
731 2017-09-06 14시 15시 Ashing LG전자 센서솔루션연구소 이성단 101,000원
732 2017-09-07 10시 12시 Pr ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 65,000원
733 2017-09-08 16시 17시 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 95,000원
734 2017-09-11 11시 12시 1-3-1 NW PR Ashing 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 140,000원
735 2017-09-12 11시 12시 PR ashing
back side : 120 sec
front side : 240 sec

1.4*1.4 cm 조각 6EA		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 77,000원
736 2017-09-12 14시 15시 pr 제거 포항공과대학교 전자전기공학과 김동훈 65,000원
737 2017-09-13 11시 12시 SiO2 PR Ashing LG 이노텍 소자개발팀 정지철 140,000원
738 2017-09-13 12시 13시 2-3-2 Bevel PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 72,500원
739 2017-09-15 11시 12시 2-3-1 SE PR Ashing 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 140,000원
740 2017-09-19 10시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 1,550,000원
741 2017-09-20 20시 21시 BioFET PR removal 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 65,000원
742 2017-09-21 10시 11시 ashing 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 77,000원
743 2017-09-26 18시 19시 4.Ashing 한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 80,000원
744 2017-09-27 12시 15시 2-6-2 Back PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 140,000원
745 2017-10-10 12시 13시 2-7-1 Back PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 140,000원
746 2017-10-13 14시 15시 PR Ashing 이코루미 연구소 구가인 80,000원
747 2017-10-16 14시 15시 4. Ashing ETRI RF/전력부품연구그룹 문재경 110,000원
748 2017-10-23 9시 10시 Ashing 공정 진행 (주)피앤테크 기술연구소 고진섭 110,000원
749 2017-10-25 13시 14시 PR Ashing 이코루미 연구소 구가인 110,000원
750 2017-10-25 18시 19시 Ashing (주)엔디디 기술연구 최은아 500,000원
751 2017-10-26 15시 16시 PR Ashing 포항공과대학교 IBB 정민규 75,500원
752 2017-10-26 16시 17시 NW PR removal 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 65,000원
753 2017-10-30 16시 17시 Ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 72,500원
754 2017-10-30 18시 19시 PR remove 템퍼스 개발팀 조재익 300,000원
755 2017-11-03 13시 14시 4. Ashing 한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 80,000원
756 2017-11-07 14시 15시 Cleaning 포항공과대학교 전자전기공학과 최원영 15,000원
757 2017-11-08 16시 17시 PR decap LG전자 SIC센터 ICS팀 김수진 75,500원
758 2017-11-08 16시 17시 Ashing

기본 회당 50000원 * 2회 		(주)알텍 나노공정시스템 개발팀 박준태 220,000원
759 2017-11-09 15시 16시 PR Ashing 이코루미 연구소 구가인 110,000원
760 2017-11-15 12시 13시 PR Ashing 포항공과대학교 전자과 백상원 72,500원
761 2017-11-20 16시 17시 cleaning 포항공과대학교 전기전자공학과 김성지 65,000원
762 2017-11-20 9시 10시 PR Ashing 진행 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 104,000원
763 2017-11-23 18시 19시 Ashing (주)엔디디 기술연구 최은아 2,000,000원
764 2017-11-27 10시 15시 PR Ashing LG전자 SIC센터 ICS팀 김수진 560,000원
765 2017-11-27 15시 16시 PR Cleaning 포항공과대학교 전자전기공학과 최원영 65,000원
766 2017-12-05 9시 11시 1-5-1 Si PR Remove (주)네오나노텍 연구개발 김성훈 110,000원
767 2017-12-06 9시 18시 바이오센서/열전소자 공정 PR,PI Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 900,000원
768 2017-12-08 13시 14시 PR ashing

back side : 120 sec

front side : 360 sec		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 104,000원
769 2017-12-11 13시 14시 Field Plate Pattern Asher LG 이노텍 소자개발팀 정지철 110,000원
770 2017-12-12 13시 15시 Si Etch PR Ashing 포항공과대학교 기계공학 이재현 101,000원
771 2017-12-13 10시 11시 기존 사용하던 레시피(뒷면 120 s, 앞면 360 s)로 ashing 공정 의뢰 드립니다. 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 104,000원
772 2017-12-13 11시 12시 SiC 조각시편 입니다.
chip tray에 보이는 면이 앞면, 바닥이 뒷면 입니다.
뒷면이후 앞면 공정 부탁드립니다.
뒷면 120sec
앞면 360sec		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 104,000원
773 2017-12-26 17시 18시 1-4-2 Si PR Ashing (주)네오나노텍 연구개발 김성훈 110,000원
774 2018-01-03 18시 19시 Ashing (주)엔디디 기술연구 최은아 600,000원
775 2018-01-04 11시 12시 폴리이미드 애싱 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 65,000원
776 2018-01-10 15시 16시 ZEP PR ashing 포항공과대학교 전자과 백상원 72,500원
777 2018-01-11 14시 16시 1-2-3 Bottom Gate PR ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 0원
778 2018-01-16 17시 18시 1-5-1 Si PR Ashing (주)네오나노텍 연구개발 김성훈 110,000원
779 2018-01-23 14시 15시 PR asher 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 65,000원
780 2018-01-24 14시 16시 2-4-2 M.Gate PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 0원
781 2018-01-24 16시 17시 Oxide. Nitride, E-beam 샘플 PR 제거 고려대학교 반도체시스템공학과 김승근 140,000원
782 2018-01-25 17시 18시 cleaning 포항공과대학교 전기전자공학과 김성지 15,000원
783 2018-01-26 11시 12시 pattern 관찰 포항공과대학교 전기전자공학과 김성지 72,500원
784 2018-01-29 13시 14시 1-3-1 Poly PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 117,500원
785 2018-01-30 12시 13시 1-5-1 PENITRIDE PR Ashing (주)네오나노텍 연구개발 김성훈 110,000원
786 2018-01-30 15시 16시 허가받은 선배와 함께 사용하도록 하겠습니다. 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 65,000원
787 2018-02-02 14시 15시 PR Ashing LG전자 센서솔루션연구소 이성단 101,000원
788 2018-02-02 18시 19시 Ashing (주)엔디디 기술연구 최은아 850,000원
789 2018-02-05 17시 18시 1-3-1 PIEZO PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
790 2018-02-07 10시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 900,000원
791 2018-02-12 17시 18시 ETRI SiC 6인치 Wafer 과제 수행
4.ashing		 한국전자통신연구원 IT융합부품연구실 원종일 0원
792 2018-02-12 23시 24시 implant 후 PR asher 진행 (2월 9일 사용) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 15,000원
793 2018-02-13 10시 11시 cleaning 포항공과대학교 전기전자공학과 김성지 65,000원
794 2018-02-19 15시 16시 cleaning 포항공과대학교 전기전자공학과 김성지 65,000원
795 2018-02-23 18시 19시 ashing (주)엔디디 기술연구 최은아 750,000원
796 2018-02-27 13시 14시 PR Ashing (주)네오나노텍 연구개발 김성훈 80,000원
797 2018-02-28 11시 13시 기존에 저희 연구원에서 사용하던 조건(후면 120초, 전면 360초 )
4ea * 2회		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 266,000원
798 2018-02-28 13시 15시 PR Remove 포항공과대학교 화학공학과 백승현 305,000원
799 2018-02-28 16시 17시 PR Remove 한국전기연구원 창의원천연구본부 나노융합기술연구센터 윤민주 104,000원
800 2018-03-05 13시 14시 SPM cleaning 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 65,000원
801 2018-03-06 16시 17시 Akey PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 140,000원
802 2018-03-07 9시 18시 MEMS 기술사업화 계약_Etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 500,000원
803 2018-03-08 15시 16시 PR asher 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 65,000원
804 2018-03-09 17시 18시 PR ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 65,000원
805 2018-03-12 16시 17시 PR ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 65,000원
806 2018-03-13 13시 16시 PR Ashing (주)네오나노텍 연구개발 김성훈 110,000원
807 2018-03-14 15시 16시 HM PR Ashing 부산테크노파크 파워반도체상용화센터 전헌수 0원
808 2018-03-15 12시 13시 SiC 2장 ashing 360sec 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 104,000원
809 2018-03-15 17시 18시 Si Etch PR Strip 한국전기연구원 창의원천연구본부 나노융합기술연구센터 윤민주 104,000원
810 2018-03-16 16시 17시 Si Etch PR Strip 한국전기연구원 창의원천연구본부 나노융합기술연구센터 윤민주 77,000원
811 2018-03-19 16시 17시 Back PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 95,000원
812 2018-03-20 10시 11시 PR cleaning 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 65,000원
813 2018-03-20 14시 15시 Bevel PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 95,000원
814 2018-03-20 17시 18시 Si Etch PR Remove 한국전기연구원 창의원천연구본부 나노융합기술연구센터 윤민주 77,000원
815 2018-03-21 10시 18시 유량 센서 및 후면 배선 연결 공정[과제번호:4.0015206.01]_ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 500,000원
816 2018-03-26 11시 12시 Back PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 72,500원
817 2018-03-26 18시 19시 Ashing (주)엔디디 기술연구 최은아 1,100,000원
818 2018-03-29 11시 12시 PI ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 65,000원
819 2018-03-30 17시 18시 Pr remove 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 65,000원
820 2018-03-30 9시 10시 PR Ashing 한국전기연구원 창의원천연구본부 나노융합기술연구센터 윤민주 104,000원
821 2018-04-03 14시 15시 PR ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 김강현 65,000원
822 2018-04-05 17시 18시 Back Si Etch PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 95,000원
823 2018-04-09 15시 16시 PR Ashing 한국전기연구원 창의원천연구본부 나노융합기술연구센터 윤민주 77,000원
824 2018-04-10 16시 17시 HM PR Remove 부산테크노파크 파워반도체상용화센터 전헌수 0원
825 2018-04-11 16시 17시 HM PR Ashing 부산테크노파크 파워반도체상용화센터 전헌수 0원
826 2018-04-13 10시 12시 Si Mold Etch PR Remove (주)베프스 기획팀 BEFS 350,000원
827 2018-04-16 9시 18시 MEMS 기술사업화 계약-etch 나노융합기술원 기술지원팀 황현주 500,000원
828 2018-04-17 10시 11시 PR ashing 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 185,000원
829 2018-04-17 14시 15시 1-3-1 AKEY PR Ashing 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 230,000원
830 2018-04-18 9시 18시 차세대 실리콘 파워반도체 기술사업화 계약-etch 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 800,000원
831 2018-04-19 14시 15시 PR Ashing LG전자 센서솔루션연구소 이성단 126,500원
832 2018-04-19 16시 18시 A-key Etch PR Strip 주식회사 아이큐랩 공정기술팀 김동현 0원
833 2018-04-24 14시 16시 A Key Etch PR strip 주식회사 아이큐랩 공정기술팀 김동현 0원
834 2018-05-04 10시 11시 O2 Plasma Treatment 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 72,500원
835 2018-05-08 16시 18시 PR Ashing 한국전기연구원 창의원천연구본부 나노융합기술연구센터 윤민주 104,000원
836 2018-05-09 13시 15시 2-3-1 Ring PR Ashing 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 230,000원
837 2018-05-10 16시 17시 1-2-3 Bottom Gate PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 0원
838 2018-05-11 14시 15시 PR Ashing LG전자 SIC센터 ICS팀 김수진 101,000원
839 2018-05-14 13시 18시 PA Ashing 공정 장비 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 500,000원
840 2018-05-18 12시 14시 3-6-1 Active PR Ashing 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 230,000원
841 2018-05-18 17시 18시 PR Ashing (주)베프스 기획팀 BEFS 110,000원
842 2018-05-21 17시 18시 Si Etch PR Remove 중앙대학교 에너지시스템공학부 김동억 350,000원
843 2018-05-23 9시 18시 차세대 실리콘 파워반도체 기술사업화 계약-Etch 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 800,000원
844 2018-05-24 17시 18시 Si Etch PR Remove 한국전기연구원 창의원천연구본부 나노융합기술연구센터 윤민주 158,000원
845 2018-05-29 15시 16시 4-6-1 GATE PR Ashing 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 230,000원
846 2018-05-29 17시 18시 Si Etch PR Remove 중앙대학교 에너지시스템공학부 김동억 320,000원
847 2018-06-01 10시 12시 PI ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 박태훈 65,000원
848 2018-06-01 16시 17시 2-4-2 M.Gate PR Remove 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 0원
849 2018-06-04 17시 18시 1st PR Ashing, 3회 진행 (주)라디안큐바이오 바이오 R&D 센터 라디안큐바이오 240,000원
850 2018-06-05 11시 12시 SiC 조각 샘플 12 EA 앞면, 뒷면 ashing 공정 의뢰 드립니다.
뒷면 240초, 앞면 360초 순서로 진행해주시면 됩니다.
오전 11시까지 김영조 연구원이 샘플을 가지고 갈 예정입니다. 감사합니다.		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 77,000원
851 2018-06-05 16시 17시 2nd PR Ashing, 1회 2매 (주)라디안큐바이오 바이오 R&D 센터 라디안큐바이오 80,000원
852 2018-06-08 15시 18시 Si Deep Etch PR Remove (주)베프스 기획팀 BEFS 350,000원
853 2018-06-12 14시 15시 PR Ashing 광전자주식회사 SF개발1부 조민재 230,000원
854 2018-06-12 15시 17시 Si Deep Etch PR Remove (주)베프스 기획팀 BEFS 200,000원
855 2018-06-14 15시 16시 1-4-1 SiN PR Remove 고려대학교 반도체시스템공학과 김승근 80,000원
856 2018-06-14 16시 17시 3-3-1 CNT PR Remove 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유호천 0원
857 2018-06-18 9시 18시 차세대 실리콘 반도체 기술사업화 계약_etch 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 800,000원
858 2018-06-20 13시 14시 PR Ashing KEC 반도체기술 연구소 송인혁 0원
859 2018-06-20 15시 17시 Si Etch PR Remove (주)베프스 기획팀 BEFS 350,000원
860 2018-06-21 11시 12시 앞면 360초
뒷면 120초 입니다		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 320,000원
861 2018-06-27 10시 11시 HM050N120A1 5매
PR Ashing 60 sec 진행입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 150,000원
862 2018-06-28 11시 14시 Oxide 2um etching후 PR mask ashing 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 77,000원
863 2018-06-29 10시 11시 HM050N120A1 5매
PR Ashing 120sec 진행입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 150,000원
864 2018-06-29 16시 17시 RT020065v1 1매
PR Ashing 60sec 진행입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 70,000원
865 2018-06-29 8시 9시 6월 28일 Ashing 신청의 건
RT020065 3매 Asher 60sec 사용 		powertechnix powertechnix 파워테크닉스 110,000원
866 2018-07-02 10시 11시 RT020065V1 (1매)
PR Ashing 진행입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 70,000원
867 2018-07-05 13시 15시 Flat zone : PR Ashing 평가 파워마스터 반도체 주식회사 제조 & 공정기술팀 조성제 0원
868 2018-07-06 10시 11시 HM050N120A1 5매
PR strip 60sec 진행입니다.		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 150,000원
869 2018-07-06 13시 14시 Si Etch PR Remove 포항공과대학교 기계공학과 변혁준 75,500원
870 2018-07-10 11시 12시 KERI
PR ASHING 1회 (240초) 진행		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 70,000원
871 2018-07-12 11시 12시 ashing 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 77,000원
872 2018-07-12 20시 21시 BioFET PR Ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 65,000원
873 2018-07-13 15시 18시 1st DRIE PR Strip (주)베프스 기획팀 BEFS 350,000원
874 2018-07-17 13시 15시 1st DRIE (New Mask) PR Strip (주)베프스 기획팀 BEFS 110,000원
875 2018-07-18 11시 12시 SiC 4장 ashing 전면 80sec 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 158,000원
876 2018-07-19 9시 18시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Etch 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 800,000원
877 2018-07-20 10시 11시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 146,000원
878 2018-07-20 10시 11시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
879 2018-07-25 15시 16시 pre cleaning 포항공과대학교 전자전기공학과 최원영 110,000원
880 2018-07-26 15시 16시 NINT Recipe 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 65,000원
881 2018-07-27 11시 12시 SiC 4장 ashing 전면 120sec 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 212,000원
882 2018-07-27 16시 18시 PI ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 65,000원
883 2018-08-01 10시 11시 3-3-2 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
884 2018-08-01 11시 12시 5-3-1 MC PR Ashing (7/26) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 146,000원
885 2018-08-01 13시 14시 6-3-1 MD PR Ashing (7/31) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 146,000원
886 2018-08-02 10시 11시 Ashing 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 212,000원
887 2018-08-02 11시 12시 2-3-1 Rx PR Ashing (7/20) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 242,000원
888 2018-08-02 13시 14시 5-3-1 MC PR Ashing (7/19) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
889 2018-08-03 13시 14시 5-3-1 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
890 2018-08-07 11시 12시 7-3-2 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 98,000원
891 2018-08-07 12시 13시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
892 2018-08-07 13시 14시 2-6-2 Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 297,500원
893 2018-08-09 11시 12시 7-3-2 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
894 2018-08-09 17시 18시 PR Ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 72,500원
895 2018-08-09 18시 19시 Nint recipe 포항공과대학교 창의IT융합공학과 조현수 110,000원
896 2018-08-17 15시 16시 4-5-3 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 146,000원
897 2018-08-21 14시 15시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 146,000원
898 2018-08-21 15시 1시 차세대 실리콘 파워반도체 기술사업화 계약_etch 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 800,000원
899 2018-08-22 13시 14시 8-4-1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 98,000원
900 2018-08-22 15시 16시 Photoresist Ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 72,500원
901 2018-08-24 15시 16시 9-3-2 P0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 98,000원
902 2018-08-24 16시 17시 Ashing 진행 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 90,000원
903 2018-08-27 12시 13시 2-3-1 PX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 242,000원
904 2018-08-28 18시 19시 Pr ashing 진행 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 130,000원
905 2018-08-30 10시 11시 장비사용신청입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 130,000원
906 2018-09-01 15시 16시 Ashing LG전자 센서솔루션연구소 이성단 75,500원
907 2018-09-01 17시 18시 1st Layer _Front Ashing LG전자 센서솔루션연구소 이성단 101,000원
908 2018-09-04 14시 15시 PR Ashing LG전자 센서솔루션연구소 이성단 101,000원
909 2018-09-04 16시 17시 Mark ETch 선행 Ashing 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
910 2018-09-04 17시 18시 Mark Etch 선행 Ashing 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
911 2018-09-04 18시 19시 신규 030 120 5매
전기연 100 120 4매		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 230,000원
912 2018-09-05 10시 11시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
913 2018-09-06 10시 12시 MARK ETCH ASHING 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
914 2018-09-06 13시 15시 MARK ETCH ASHING 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
915 2018-09-06 17시 18시 HM050120A1
Ashing		 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 150,000원
916 2018-09-07 13시 14시 4-5-3 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
917 2018-09-07 17시 18시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
918 2018-09-10 21시 22시 4-5-3 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
919 2018-09-11 16시 17시 Ashing 60sec 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 90,000원
920 2018-09-11 17시 18시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
921 2018-09-12 10시 11시 Ashing 2매 60sec 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 90,000원
922 2018-09-13 10시 11시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
923 2018-09-13 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
924 2018-09-13 16시 17시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
925 2018-09-13 9시 10시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
926 2018-09-14 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
927 2018-09-17 13시 14시 5-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
928 2018-09-18 12시 13시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
929 2018-09-18 14시 15시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
930 2018-09-18 16시 17시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
931 2018-09-19 16시 17시 cleaning 포항공과대학교 전기전자공학과 김성지 95,000원
932 2018-09-20 10시 20시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Etch 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 800,000원
933 2018-09-20 9시 10시 Poly Silicon on SiC Etch 후 PR Ashing LG전자 ICS팀 김기민 126,500원
934 2018-09-21 10시 11시 PR Ashing powertechnix powertechnix 파워테크닉스 90,000원
935 2018-09-21 11시 12시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
936 2018-09-27 17시 18시 Ashing 3매 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 110,000원
937 2018-10-01 10시 11시 2-3-1 RX PR Ashing (9/28) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 242,000원
938 2018-10-01 10시 11시 2-3-1 RX PR Ashing (9/28) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 242,000원
939 2018-10-01 13시 14시 PR Ashing 120s 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 131,000원
940 2018-10-01 15시 16시 4-5-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
941 2018-10-01 9시 10시 PR ashing 60sec 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 130,000원
942 2018-10-02 10시 11시 4매 PR ashing 진행입니다 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 90,000원
943 2018-10-02 13시 14시 4-5-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 242,000원
944 2018-10-04 13시 14시 PR Ashing 광전자주식회사 SF개발1부 조민재 230,000원
945 2018-10-04 14시 15시 4-5-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 146,000원
946 2018-10-04 16시 17시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
947 2018-10-04 17시 18시 PR ashing 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 90,000원
948 2018-10-04 18시 19시 4-5-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 242,000원
949 2018-10-05 1시 10시 SiO2 dry etching 후 ashing 공정 의뢰 합니다.
10/4 에 진행한 공정 건을 사후로 의뢰하오니 참고하시기 바랍니다.
 LG전자 센서솔루션연구소 홍정엽 203,000원
950 2018-10-05 13시 14시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 146,000원
951 2018-10-05 14시 15시 PR Ashing 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 150,000원
952 2018-10-05 16시 17시 cleaning 포항공과대학교 전기전자공학과 김성지 80,000원
953 2018-10-08 15시 17시 Polyimide ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 65,000원
954 2018-10-08 9시 10시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 242,000원
955 2018-10-10 12시 13시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 242,000원
956 2018-10-10 13시 14시 4-5-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 146,000원
957 2018-10-10 15시 16시 PR Ashing 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 130,000원
958 2018-10-11 11시 12시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
959 2018-10-11 13시 14시 PR ashing 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 90,000원
960 2018-10-11 14시 15시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 242,000원
961 2018-10-11 16시 17시 GaN 선택비 Test PR Strip 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 122,000원
962 2018-10-11 9시 10시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 146,000원
963 2018-10-12 11시 12시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 242,000원
964 2018-10-12 14시 15시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 146,000원
965 2018-10-12 17시 18시 PR ashing powertechnix powertechnix 파워테크닉스 150,000원
966 2018-10-12 19시 20시 PR Ashing 누락 건 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 130,000원
967 2018-10-15 10시 11시 4매 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 130,000원
968 2018-10-15 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 146,000원
969 2018-10-15 16시 17시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
970 2018-10-15 16시 17시 PR ashing 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 230,000원
971 2018-10-16 11시 12시 1-3-1 Hard Mask PR Ashing 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 95,000원
972 2018-10-16 12시 13시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 146,000원
973 2018-10-16 16시 17시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 146,000원
974 2018-10-16 17시 18시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
975 2018-10-16 17시 18시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
976 2018-10-17 12시 13시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 242,000원
977 2018-10-17 18시 19시 PR Ashing 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 130,000원
978 2018-10-18 13시 15시 7-3-4 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 146,000원
979 2018-10-18 15시 16시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 242,000원
980 2018-10-18 16시 18시 PR Ashing powertechnix powertechnix 파워테크닉스 450,000원
981 2018-10-18 19시 20시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
982 2018-10-19 11시 12시 PR Ashing powertechnix powertechnix 파워테크닉스 90,000원
983 2018-10-19 12시 15시 PR_Ashing (주)엔디디 기술연구 최은아 350,000원
984 2018-10-19 17시 19시 PR Ashing powertechnix powertechnix 파워테크닉스 90,000원
985 2018-10-22 10시 12시 장비 사용입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 450,000원
986 2018-10-22 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
987 2018-10-22 9시 10시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 242,000원
988 2018-10-23 16시 17시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
989 2018-10-23 9시 18시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Etch 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 800,000원
990 2018-10-24 14시 15시 4-5-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
991 2018-10-24 16시 18시 PR AHSHING powertechnix powertechnix 파워테크닉스 150,000원
992 2018-10-25 13시 14시 Ashing powertechnix powertechnix 파워테크닉스 150,000원
993 2018-10-25 14시 15시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 218,000원
994 2018-10-25 16시 17시 SiC 5매 광전자주식회사 SF개발1부 조민재 200,000원
995 2018-10-25 16시 17시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
996 2018-10-26 14시 15시 PR Ahing powertechnix powertechnix 파워테크닉스 130,000원
997 2018-10-29 19시 20시 장비 사용입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 130,000원
998 2018-10-29 9시 11시 Ashing powertechnix powertechnix 파워테크닉스 150,000원
999 2018-10-30 10시 11시 60초 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 90,000원
1000 2018-10-30 13시 14시 장비사용입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 70,000원
1001 2018-10-31 10시 11시 Ashing 60sec powertechnix powertechnix 파워테크닉스 150,000원
1002 2018-11-01 12시 14시 60초 20매 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 250,000원
1003 2018-11-01 14시 15시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
1004 2018-11-01 15시 16시 장비 사용입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 350,000원
1005 2018-11-01 16시 17시 2-3-1 RX PR Ashing (10/31) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 242,000원
1006 2018-11-02 12시 13시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 146,000원
1007 2018-11-03 13시 16시 장비사용입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 250,000원
1008 2018-11-05 10시 11시 장비사용입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 150,000원
1009 2018-11-05 16시 18시 장비사용입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 350,000원
1010 2018-11-06 13시 14시 7-3-1 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 146,000원
1011 2018-11-06 14시 15시 7-3-1 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
1012 2018-11-06 18시 21시 장비 사용입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 550,000원
1013 2018-11-06 9시 12시 장비 사용입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 490,000원
1014 2018-11-08 11시 12시 장비사용입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 150,000원
1015 2018-11-09 11시 12시 PR Ashing 2매입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 130,000원
1016 2018-11-09 11시 12시 1-3-2 AKEY PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
1017 2018-11-09 13시 14시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
1018 2018-11-09 9시 10시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
1019 2018-11-12 10시 11시 1-3-2 AKEY PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
1020 2018-11-12 12시 13시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 98,000원
1021 2018-11-12 13시 14시 2-3-2 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
1022 2018-11-12 16시 17시 PI ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 65,000원
1023 2018-11-12 19시 20시 5매 에싱 신청합니다 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 150,000원
1024 2018-11-13 10시 11시 에싱 3매 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 110,000원
1025 2018-11-13 11시 12시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 122,000원
1026 2018-11-13 11시 13시 1. Poly Etching PR Ashing : 3ea
2. Anneal PR Ashing : 7ea		 LG전자 ICS팀 김기민 483,500원
1027 2018-11-13 11시 12시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 98,000원
1028 2018-11-13 13시 15시 PI ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 65,000원
1029 2018-11-13 15시 18시 장비사용입니다 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 330,000원
1030 2018-11-13 18시 19시 Nega PR Ashing 평가 이코루미 연구소 구가인 80,000원
1031 2018-11-13 19시 20시 4-5-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
1032 2018-11-13 21시 22시 PR 제거 (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 70,000원
1033 2018-11-13 22시 23시 Polyimide ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 65,000원
1034 2018-11-14 10시 12시 front 360s ( 300s 이상 1회 추가)
back 240s		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 374,000원
1035 2018-11-14 12시 14시 Ashing 12매 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 290,000원
1036 2018-11-14 14시 15시 9-3-1 P0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 98,000원
1037 2018-11-14 14시 15시 7-3-1 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 98,000원
1038 2018-11-14 14시 15시 2-3-2 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
1039 2018-11-14 15시 16시 4-5-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
1040 2018-11-15 14시 15시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
1041 2018-11-15 14시 15시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 122,000원
1042 2018-11-15 15시 16시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 74,000원
1043 2018-11-16 14시 16시 10회 (주)엔디디 기술연구 최은아 350,000원
1044 2018-11-16 9시 10시 Ashing powertechnix powertechnix 파워테크닉스 150,000원
1045 2018-11-19 10시 11시 PR strip 포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 95,000원
1046 2018-11-19 12시 13시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
1047 2018-11-19 14시 15시 4-5-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
1048 2018-11-20 11시 12시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 122,000원
1049 2018-11-20 13시 14시 9-3-1 P0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 74,000원
1050 2018-11-20 14시 15시 7-3-1 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
1051 2018-11-20 18시 19시 장비사용입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 70,000원
1052 2018-11-21 13시 14시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
1053 2018-11-21 9시 22시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Etch 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 800,000원
1054 2018-11-22 12시 13시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 122,000원
1055 2018-11-22 13시 14시 4-5-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
1056 2018-11-22 15시 16시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 146,000원
1057 2018-11-23 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
1058 2018-11-23 14시 15시 9-3-1 P0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 122,000원
1059 2018-11-23 21시 22시 PI ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 65,000원
1060 2018-11-26 12시 13시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 242,000원
1061 2018-11-26 14시 15시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 146,000원
1062 2018-11-26 14시 15시 7-3-1 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
1063 2018-11-27 13시 14시 4-5-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
1064 2018-11-27 14시 15시 PI ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 65,000원
1065 2018-11-27 15시 16시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 146,000원
1066 2018-11-28 10시 11시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
1067 2018-11-28 11시 15시 PR 마스크로 SiO2 에칭 후 진행
전면 120초		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 158,000원
1068 2018-11-28 15시 16시 PR Strip (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 70,000원
1069 2018-11-29 11시 12시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 146,000원
1070 2018-11-29 16시 17시 9-3-1 P0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
1071 2018-11-30 17시 18시 SiC Ashing (앞,뒤) 6회씩 광전자주식회사 SF개발1부 조민재 410,000원
1072 2018-12-03 10시 11시 2-3-1 RX PR Ashing (11/29) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
1073 2018-12-03 15시 16시 4-5-1 PC PR Ashing(11/30) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 242,000원
1074 2018-12-04 10시 11시 4-3-2 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
1075 2018-12-04 17시 18시 Metal Etch 후 Corrosion 방지 평가 : PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
1076 2018-12-05 11시 12시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
1077 2018-12-05 12시 13시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 242,000원
1078 2018-12-05 13시 14시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
1079 2018-12-05 17시 18시 Passivation 평가, TiN Etch PR ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
1080 2018-12-05 18시 20시 New Mask 검증 V0 Etch PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
1081 2018-12-06 15시 16시 9-3-1 P0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
1082 2018-12-06 16시 17시 Ceramics Parts 에 대한 Etching 영향성 평가 : Profile Check 용 PR Ashing (주)맥테크 부설기술연구소 정종열 140,000원
1083 2018-12-06 9시 10시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
1084 2018-12-07 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 218,000원
1085 2018-12-07 15시 16시 장비 사용입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 110,000원
1086 2018-12-10 12시 13시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
1087 2018-12-10 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
1088 2018-12-11 12시 13시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 218,000원
1089 2018-12-12 10시 11시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
1090 2018-12-12 11시 13시 Ashing 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 77,000원
1091 2018-12-12 13시 14시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 218,000원
1092 2018-12-12 15시 16시 Pr striiping (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 70,000원
1093 2018-12-12 9시 10시 11-2-4 GC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
1094 2018-12-13 10시 11시 PR ashing 2 min 포항공과대학교 전자전기공학과 윤길상 72,500원
1095 2018-12-13 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
1096 2018-12-13 17시 18시 9-3-1 P0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 218,000원
1097 2018-12-14 11시 12시 4-6-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
1098 2018-12-14 9시 11시 Passivation 평가, MC Etch PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
1099 2018-12-17 11시 12시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
1100 2018-12-17 12시 13시 Passivation 평가, Metal Etch PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
1101 2018-12-17 13시 14시 PR Ashing WORLDEX 소재사업부 이정현 0원
1102 2018-12-17 13시 14시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
1103 2018-12-17 15시 16시 4-5-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
1104 2018-12-17 16시 18시 PR Ashing 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 0원
1105 2018-12-18 16시 18시 FC60 자동화 평가 Metal Etch PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 110,000원
1106 2018-12-19 10시 11시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
1107 2018-12-19 11시 12시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
1108 2018-12-19 12시 16시 FC60 자동화 평가 : PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 110,000원
1109 2018-12-19 14시 15시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
1110 2018-12-19 14시 16시 6매 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 170,000원
1111 2018-12-19 16시 19시 FC60 자동화 평가 2 : PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 110,000원
1112 2018-12-20 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
1113 2018-12-20 14시 15시 아세톤으로 GXR-601 PR strip 후 AZ5214 photo lithography 진행했는데 GXR-601 strip이 제대로 되지 않은 것을 확인하고 이후에 올린 AZ5214도 아세톤으로 strip. 현재 GXR-601잔여물 위에 AZ5214 잔여물이 같이 있는 상태입니다. 경북대학교 전자공학부 설정훈 140,000원
1114 2018-12-21 12시 13시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
1115 2018-12-21 15시 16시 Ahsing powertechnix powertechnix 파워테크닉스 110,000원
1116 2018-12-21 17시 18시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
1117 2018-12-21 9시 10시 4-5-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
1118 2018-12-24 16시 17시 9-3-1 P0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
1119 2018-12-24 9시 16시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Etch 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 800,000원
1120 2018-12-26 11시 12시 8-3-1 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 122,000원
1121 2018-12-27 15시 16시 9-3-1 P0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 122,000원
1122 2018-12-27 17시 18시 PR Ashing powertechnix powertechnix 파워테크닉스 90,000원
1123 2019-01-01 11시 12시 8-3-1 M1 PR Ashing (12/28) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1124 2019-01-01 12시 13시 8-3-1 M1 PR Ashing (12/27) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1125 2019-01-01 13시 14시 9-3-1 P0 PR Ashing (12/28) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1126 2019-01-01 14시 15시 2-3-1 RX PR Ashing (12/27) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1127 2019-01-02 13시 14시 9-3-2 P0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1128 2019-01-02 14시 15시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1129 2019-01-03 10시 11시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1130 2019-01-03 13시 14시 7-3-1 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1131 2019-01-03 16시 17시 4-4-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1132 2019-01-04 11시 12시 Cleaning (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 70,000원
1133 2019-01-07 12시 13시 4-3-3 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1134 2019-01-07 13시 14시 4-4-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1135 2019-01-07 16시 17시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1136 2019-01-08 12시 13시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1137 2019-01-08 14시 15시 6-3-1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1138 2019-01-09 13시 14시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1139 2019-01-09 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1140 2019-01-09 9시 15시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Photo 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 500,000원
1141 2019-01-11 13시 14시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1142 2019-01-11 15시 16시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1143 2019-01-14 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1144 2019-01-14 16시 17시 9-3-1 P0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1145 2019-01-15 13시 14시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1146 2019-01-16 16시 17시 9-3-1 P0 PR ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1147 2019-01-17 12시 13시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1148 2019-01-17 13시 14시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1149 2019-01-17 17시 18시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1150 2019-01-18 10시 11시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1151 2019-01-18 11시 12시 PR 제거 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 104,000원
1152 2019-01-18 12시 13시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1153 2019-01-18 16시 17시 Bio FET PR Strip 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 80,000원
1154 2019-01-18 16시 17시 Nitiride Etch PR Strip 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 72,500원
1155 2019-01-21 13시 14시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1156 2019-01-22 10시 11시 4-4-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1157 2019-01-22 11시 12시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1158 2019-01-22 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1159 2019-01-22 14시 15시 4-4-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1160 2019-01-22 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1161 2019-01-22 16시 17시 Si Etch PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 72,500원
1162 2019-01-23 12시 13시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1163 2019-01-23 17시 18시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1164 2019-01-24 17시 18시 4-4-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1165 2019-01-25 12시 13시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1166 2019-01-25 13시 14시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1167 2019-01-28 14시 15시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1168 2019-01-29 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1169 2019-01-30 16시 17시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1170 2019-01-31 10시 11시 4-4-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1171 2019-01-31 11시 11시 4-5-1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1172 2019-02-01 10시 18시 나노소자 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 482,500원
1173 2019-02-01 11시 12시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1174 2019-02-01 11시 12시 1-3-1 NR PR Ashing 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 170,000원
1175 2019-02-07 12시 13시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1176 2019-02-07 13시 15시 Bevel Etch PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 72,500원
1177 2019-02-07 9시 12시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_etch 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 500,000원
1178 2019-02-07 9시 10시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1179 2019-02-08 10시 11시 지그 Ashing진행 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 110,000원
1180 2019-02-08 12시 13시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1181 2019-02-08 15시 16시 지그 에싱진행 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 70,000원
1182 2019-02-08 17시 18시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1183 2019-02-08 18시 19시 4-5-1 PC PR Ashing - 2 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
1184 2019-02-08 18시 19시 Jig Ashing 입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 110,000원
1185 2019-02-11 11시 12시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1186 2019-02-11 9시 10시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1187 2019-02-12 11시 12시 9-3-2 PO PR remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 110,000원
1188 2019-02-12 12시 13시 4-4-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1189 2019-02-12 14시 15시 11-2-4 GC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1190 2019-02-12 15시 16시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1191 2019-02-13 10시 11시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1192 2019-02-14 10시 11시 4-6-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1193 2019-02-14 11시 12시 Jig Ashing진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 110,000원
1194 2019-02-14 15시 16시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1195 2019-02-14 15시 16시 GaN Etch Test, PR Ashing (2차) 삼성전자 종합기술원 한주헌 152,000원
1196 2019-02-14 16시 18시 Oxide Etch PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
1197 2019-02-14 19시 22시 PI ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 110,000원
1198 2019-02-15 13시 14시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1199 2019-02-18 10시 11시 Jig ashing 60sec powertechnix powertechnix 파워테크닉스 110,000원
1200 2019-02-18 11시 13시 Box Etch PR Ashing 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 170,000원
1201 2019-02-18 14시 15시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1202 2019-02-19 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1203 2019-02-19 15시 16시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1204 2019-02-20 13시 14시 6-3-1 M0 PR ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1205 2019-02-20 14시 15시 4-4-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1206 2019-02-21 11시 12시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1207 2019-02-21 15시 16시 PR Ashing (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 350,000원
1208 2019-02-21 15시 16시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1209 2019-02-21 16시 17시 PR strip 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 95,000원
1210 2019-02-22 10시 11시 Jig ashing powertechnix powertechnix 파워테크닉스 110,000원
1211 2019-02-22 13시 14시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1212 2019-02-22 14시 15시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1213 2019-02-22 9시 10시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1214 2019-02-25 11시 12시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1215 2019-02-25 11시 12시 6-3-1 M0 PR ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1216 2019-02-26 11시 12시 PR ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 500,000원
1217 2019-02-26 13시 14시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1218 2019-02-26 15시 16시 Poly Etch PR Ashing LG전자 ICS팀 김기민 101,000원
1219 2019-02-26 16시 17시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1220 2019-02-26 16시 17시 4-4-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1221 2019-02-26 17시 18시 2-3-1 RX PR Remove 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1222 2019-02-27 10시 12시 Ashing 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 586,000원
1223 2019-02-27 15시 15시 4-5-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
1224 2019-02-27 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1225 2019-02-28 13시 14시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1226 2019-02-28 15시 16시 Jig ashing powertechnix powertechnix 파워테크닉스 110,000원
1227 2019-03-04 14시 15시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1228 2019-03-04 15시 16시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1229 2019-03-04 15시 16시 4-5-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
1230 2019-03-04 16시 17시 2-3-1 Metal PR Ashing 삼성전자 종합기술원 한주헌 170,000원
1231 2019-03-04 20시 21시 4-5-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1232 2019-03-04 6시 7시 Jig1장 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 67,000원
1233 2019-03-05 13시 14시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1234 2019-03-05 15시 16시 4-5-1 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1235 2019-03-05 16시 17시 선택비 평가 : Si Wafer, PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
1236 2019-03-05 9시 10시 2-2-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1237 2019-03-06 12시 13시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1238 2019-03-07 13시 14시 6-3-1 M0 PR Remove 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1239 2019-03-07 14시 15시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1240 2019-03-07 16시 17시 4-5-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
1241 2019-03-07 17시 18시 5-3-2 MC PR remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1242 2019-03-07 17시 18시 Multi Metal Gate Test : PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
1243 2019-03-08 13시 14시 4-5-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1244 2019-03-08 14시 15시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1245 2019-03-11 12시 13시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1246 2019-03-11 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1247 2019-03-12 12시 14시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1248 2019-03-12 12시 13시 PR Ashing (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 175,000원
1249 2019-03-12 17시 18시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1250 2019-03-12 9시 10시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1251 2019-03-13 14시 15시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1252 2019-03-13 15시 16시 pGaN Sel. Etch Test PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
1253 2019-03-13 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1254 2019-03-14 13시 14시 4-5-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1255 2019-03-14 14시 15시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1256 2019-03-14 17시 18시 Metal Etch Corrosion Free 평가 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
1257 2019-03-14 22시 23시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
1258 2019-03-15 14시 15시 Bio FET PR Ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 67,000원
1259 2019-03-15 16시 17시 5-3-2 MC PR ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1260 2019-03-15 17시 18시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1261 2019-03-15 9시 16시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_Etch 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 500,000원
1262 2019-03-18 11시 12시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
1263 2019-03-18 13시 14시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1264 2019-03-18 15시 16시 Multimetal Gate PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
1265 2019-03-18 16시 18시 Poly Etch PR Ashing LG전자 ICS팀 김기민 363,500원
1266 2019-03-19 10시 14시 PR ashing
front side 360s
back side 240s		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 문정현 392,000원
1267 2019-03-19 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1268 2019-03-19 16시 17시 gaN Etch PR Ashing 삼성전자 종합기술원 한주헌 146,000원
1269 2019-03-20 1시 2시 Jig Ashing입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 84,000원
1270 2019-03-20 10시 12시 Ashing 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 249,500원
1271 2019-03-20 12시 13시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
1272 2019-03-20 14시 15시 6매 진행 합니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 152,000원
1273 2019-03-20 16시 17시 9-3-2 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
1274 2019-03-20 16시 17시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1275 2019-03-20 9시 10시 2-3-1 RX PR Remove (PR Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1276 2019-03-21 13시 14시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1277 2019-03-21 14시 15시 Jig Ashing 입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 152,000원
1278 2019-03-21 22시 23시 Jig ashing입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 84,000원
1279 2019-03-22 13시 14시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1280 2019-03-22 16시 17시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
1281 2019-03-22 17시 18시 9-3-2 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1282 2019-03-25 11시 12시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1283 2019-03-26 11시 12시 Ashing 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 192,500원
1284 2019-03-26 12시 13시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
1285 2019-03-26 13시 14시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1286 2019-03-26 15시 16시 GATE PR ASHING 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
1287 2019-03-26 17시 18시 5-3-2 MC PR Remove (asher) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1288 2019-03-27 17시 18시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1289 2019-03-27 17시 18시 4-5-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1290 2019-03-27 18시 19시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1291 2019-03-28 14시 15시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1292 2019-03-28 17시 18시 Multi Metal Gate Test : PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
1293 2019-03-28 9시 10시 2-3-1 RX PR Remove 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1294 2019-03-29 16시 17시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1295 2019-03-29 9시 10시 4-5-1 PC PR remove (PR ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1296 2019-04-01 14시 15시 Multi metal Gate PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
1297 2019-04-01 15시 16시 4-5-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1298 2019-04-01 16시 17시 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
1299 2019-04-01 21시 22시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1300 2019-04-02 10시 11시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1301 2019-04-02 13시 14시 8-3-1 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1302 2019-04-02 15시 16시 전자과 최원영입니다. (주)아이엠헬스케어 바이오센서팀 유재우 70,000원
1303 2019-04-03 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1304 2019-04-03 17시 18시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1305 2019-04-03 9시 10시 4-3-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1306 2019-04-04 10시 11시 Jig Ashing 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 101,000원
1307 2019-04-04 18시 19시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1308 2019-04-04 20시 21시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1309 2019-04-04 9시 10시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1310 2019-04-05 16시 17시 4-5-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1311 2019-04-08 12시 13시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1312 2019-04-08 15시 16시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1313 2019-04-09 10시 11시 Si Deep Etch PR Ashing (주)네오나노텍 연구개발 김성훈 110,000원
1314 2019-04-09 10시 11시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1315 2019-04-09 14시 15시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1316 2019-04-09 15시 16시 4-3-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1317 2019-04-09 17시 19시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1318 2019-04-10 11시 12시 PR ashing 12매 한국전기연구원 전력반도체연구센터 김영조 392,000원
1319 2019-04-10 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1320 2019-04-11 15시 16시 3장에싱하겟습니다 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 101,000원
1321 2019-04-11 16시 17시 5-3-2 MC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1322 2019-04-11 16시 17시 7-3-3 PR PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1323 2019-04-11 9시 12시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_etcher 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 500,000원
1324 2019-04-15 10시 11시 4-5-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1325 2019-04-15 13시 14시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1326 2019-04-15 13시 18시 back Side PR Ashing 파워마스터 반도체 주식회사 제조 & 공정기술팀 조성제 0원
1327 2019-04-16 12시 13시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1328 2019-04-16 13시 14시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1329 2019-04-16 15시 16시 GaN PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
1330 2019-04-16 16시 17시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1331 2019-04-17 13시 14시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1332 2019-04-17 17시 19시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
1333 2019-04-17 9시 10시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1334 2019-04-18 10시 12시 Asking 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 477,500원
1335 2019-04-18 12시 13시 9-3-2 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 72,500원
1336 2019-04-18 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1337 2019-04-19 15시 16시 Jig Ashing 입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 101,000원
1338 2019-04-19 17시 18시 9-3-2 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1339 2019-04-19 21시 22시 4-5-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1340 2019-04-19 22시 23시 Ashing 진행 합니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 152,000원
1341 2019-04-20 1시 2시 Ashing 진행 6매입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 152,000원
1342 2019-04-20 5시 6시 5매 Ashing 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 152,000원
1343 2019-04-22 10시 11시 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
1344 2019-04-22 11시 12시 Jig Ashing 진행 입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 101,000원
1345 2019-04-22 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1346 2019-04-22 15시 16시 4-4-5 PC PR Remove (PR ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
1347 2019-04-22 16시 17시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1348 2019-04-22 9시 10시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1349 2019-04-23 12시 13시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1350 2019-04-23 15시 16시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1351 2019-04-24 16시 17시 11-2-4 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1352 2019-04-24 16시 17시 5-3-2 MC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1353 2019-04-24 19시 21시 9-3-2 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1354 2019-04-25 16시 17시 7-3-3 PC Polymer 제거 (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1355 2019-04-26 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1356 2019-04-26 14시 15시 4-5-1 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1357 2019-04-26 15시 16시 Ashing 5매 진행입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 135,000원
1358 2019-04-29 14시 15시 De capping 서강대학교 전자공학과 김태홍 80,000원
1359 2019-04-30 13시 14시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1360 2019-04-30 9시 10시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1361 2019-05-01 19시 20시 폴리이미드 애싱 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 118,000원
1362 2019-05-02 14시 15시 4-5-1 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
1363 2019-05-02 15시 16시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1364 2019-05-02 16시 18시 폴리이미드 애싱 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 118,000원
1365 2019-05-02 9시 10시 4매 진행 입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 118,000원
1366 2019-05-07 10시 11시 1-3-1 AKEY PR Remove 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 203,000원
1367 2019-05-07 9시 10시 4-4-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1368 2019-05-08 16시 17시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1369 2019-05-08 23시 24시 4매 진행입니다 powertechnix powertechnix 파워테크닉스 118,000원
1370 2019-05-08 9시 10시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1371 2019-05-09 11시 12시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1372 2019-05-09 15시 16시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1373 2019-05-10 13시 14시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1374 2019-05-10 14시 15시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1375 2019-05-10 9시 10시 2-3-1 Ring PR Remove 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 203,000원
1376 2019-05-13 10시 11시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
1377 2019-05-13 11시 12시 3-3-1 PG PR revmove (PR Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1378 2019-05-13 13시 14시 2-2-4 L1 PR Ashing (주)베프스 기획팀 BEFS 0원
1379 2019-05-13 16시 17시 2) PR Ashing
 서울과학기술대학교 MSDE 임형우 80,000원
1380 2019-05-14 11시 12시 5-3-2 MC PR Remove(PR Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1381 2019-05-14 13시 14시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1382 2019-05-14 14시 18시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약_etch 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 500,000원
1383 2019-05-14 20시 21시 polyimide 제거 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 118,000원
1384 2019-05-15 14시 15시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1385 2019-05-15 9시 10시 3-6-1 Acive PR Remove 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 203,000원
1386 2019-05-16 11시 12시 7-3-3 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1387 2019-05-16 13시 14시 GaN Etch PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
1388 2019-05-16 18시 19시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1389 2019-05-20 13시 14시 2-3-1 RX PR Remove 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1390 2019-05-20 13시 14시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1391 2019-05-20 18시 19시 8-inch SOI Wafer PR Strip 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 67,000원
1392 2019-05-21 13시 14시 SNW Si Etch PR Ashing 나노융합기술원 대외협력팀 강민식 0원
1393 2019-05-21 13시 14시 GaN Etching PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
1394 2019-05-21 15시 16시 세정 평가 Split - PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
1395 2019-05-21 17시 18시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1396 2019-05-22 10시 11시 4-4-8 PC PR remove(ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1397 2019-05-22 11시 12시 PR on SiC 3매 Ashing

추가 1회 * 3매
뒷면 추가 1회 * 3매		 한국전기연구원 전력반도체연구센터 김영조 306,500원
1398 2019-05-24 13시 14시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1399 2019-05-24 9시 10시 2-3-1 RX PR Remove 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1400 2019-05-28 10시 11시 4-4-8 PC PR Remove(Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1401 2019-05-28 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1402 2019-05-30 16시 17시 8-3-1 M1 PR Ashing4 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1403 2019-05-31 10시 11시 11-2-4 GC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1404 2019-05-31 13시 14시 2-3-1 SE PR Ashing 전자부품연구원 메디컬IT융합 이국녕 230,000원
1405 2019-06-01 13시 14시 3-2-3 PAD Open PR Ashing (주) 센텍코리아 생산기술연구팀 임채현 125,000원
1406 2019-06-01 9시 10시 1-2-2 Heater Elec PR Ashing (주) 센텍코리아 생산기술연구팀 임채현 125,000원
1407 2019-06-03 13시 14시 3-3-2 PG PR REMOVE (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1408 2019-06-03 21시 22시 8inch Jig ashing 입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
1409 2019-06-03 9시 10시 4-6-1 GATE PR Ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 203,000원
1410 2019-06-04 10시 11시 5-3-1 N+ PR Ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 203,000원
1411 2019-06-04 13시 14시 5-3-2 MC PR remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1412 2019-06-04 15시 16시 3-3-3 PG PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1413 2019-06-04 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1414 2019-06-04 17시 18시 8inch Jig 4매 입니다. powertechnix powertechnix 파워테크닉스 0원
1415 2019-06-04 9시 10시 4-5-7 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1416 2019-06-05 16시 17시 4-6-2 GC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1417 2019-06-10 12시 13시 module M1 PR Remove 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
1418 2019-06-10 15시 16시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1419 2019-06-10 17시 18시 1-3-2 F_mesh_P PR remove (추가애싱) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 146,000원
1420 2019-06-10 20시 21시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
1421 2019-06-10 21시 22시 Bio FET PR Strip 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 67,000원
1422 2019-06-12 15시 16시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1423 2019-06-12 16시 17시 4-6-2 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1424 2019-06-12 16시 17시 8-3-1 M1 PR remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1425 2019-06-13 14시 15시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1426 2019-06-14 17시 18시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
1427 2019-06-17 11시 12시 Polyimide ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 84,000원
1428 2019-06-17 17시 18시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1429 2019-06-17 17시 18시 7-3-3 V0 PR remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1430 2019-06-17 20시 22시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1431 2019-06-19 10시 11시 PR Ashing 삼성전자 종합기술원 한주헌 122,000원
1432 2019-06-19 16시 17시 2-1-1 GaN PR Ashing 삼성전자 종합기술원 한주헌 122,000원
1433 2019-06-20 12시 13시 module M1 PR Remove 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
1434 2019-06-20 17시 18시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1435 2019-06-20 9시 10시 8-3-1 M1 Metal Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1436 2019-06-21 9시 13시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 500,000원
1437 2019-06-24 10시 11시 0-2-0 F_mesh Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
1438 2019-06-24 9시 10시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1439 2019-06-25 12시 13시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1440 2019-06-25 15시 16시 8-3-1 M1 PR remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1441 2019-06-26 12시 13시 module M1 PR Remove 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
1442 2019-06-27 11시 12시 1-3-1 F_mesh_P PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
1443 2019-06-27 17시 18시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1444 2019-06-28 13시 14시 4-4-8 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1445 2019-06-28 17시 18시 1-2-1 F_Via PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 170,000원
1446 2019-07-01 15시 16시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1447 2019-07-02 17시 18시 5-3-2 MC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1448 2019-07-04 12시 13시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1449 2019-07-04 14시 15시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1450 2019-07-05 9시 10시 2-3-1 F_POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 194,000원
1451 2019-07-08 10시 15시 polyimide ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 67,000원
1452 2019-07-08 15시 16시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1453 2019-07-09 12시 13시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1454 2019-07-09 13시 15시 PI ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 135,000원
1455 2019-07-09 19시 20시 residual PR strip
* 이전 사용 건 신청		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 82,000원
1456 2019-07-10 10시 11시 3-2-0 F_mesh Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 170,000원
1457 2019-07-10 13시 14시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1458 2019-07-11 13시 14시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1459 2019-07-11 14시 15시 3-2-3 PG PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1460 2019-07-11 15시 16시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1461 2019-07-11 9시 10시 6-3-1 CONT PR Ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 203,000원
1462 2019-07-12 11시 12시 PI 제거 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 101,000원
1463 2019-07-12 9시 10시 3-3-3 PG PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1464 2019-07-15 11시 12시 11-2-5 GC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1465 2019-07-15 13시 14시 4-4-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1466 2019-07-15 17시 18시 4-4-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1467 2019-07-15 9시 10시 차세대 실리톤 파워반도체 기술사업화 계약 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 500,000원
1468 2019-07-16 12시 13시 4-6-3 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1469 2019-07-17 13시 14시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1470 2019-07-17 14시 15시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1471 2019-07-17 15시 16시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1472 2019-07-17 19시 20시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1473 2019-07-18 10시 11시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1474 2019-07-18 12시 13시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1475 2019-07-18 14시 15시 6-3-1 M0 PR Remove 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1476 2019-07-19 12시 13시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1477 2019-07-22 12시 13시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1478 2019-07-22 13시 14시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1479 2019-07-22 14시 15시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1480 2019-07-22 16시 17시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1481 2019-07-22 17시 18시 4-4-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1482 2019-07-22 18시 19시 4-4-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1483 2019-07-23 10시 11시 4-2-3 F_mesh_P PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
1484 2019-07-23 12시 13시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1485 2019-07-24 13시 14시 Ashing 3EA 한국전기연구원 전력반도체연구센터 석오균 306,500원
1486 2019-07-24 15시 16시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1487 2019-07-24 16시 17시 나노선 열전소자 제작(Pillar Etch_PR ashing) 주식회사 싸이츠 기업부설연구소 백창기 0원
1488 2019-07-25 10시 11시 GaN ETch PR AShing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
1489 2019-07-25 11시 12시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1490 2019-07-25 15시 16시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1491 2019-07-25 20시 21시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1492 2019-07-25 21시 22시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1493 2019-07-26 13시 14시 3-2-4 PG PR Remove(asher) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1494 2019-07-26 14시 15시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1495 2019-07-26 15시 16시 Si Etch PR Ashing LG전자 센서솔루션연구소 이성단 107,000원
1496 2019-07-26 16시 17시 3-3-7 PG PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1497 2019-07-26 17시 18시 나노선 열전소자 제작(P Implant_ashing) 주식회사 싸이츠 기업부설연구소 백창기 0원
1498 2019-07-27 23시 24시 residual PR remove 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 82,000원
1499 2019-07-29 12시 13시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1500 2019-07-29 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1501 2019-07-29 18시 19시 Si ETch PR Ashing - SOI LG전자 센서솔루션연구소 이성단 107,000원
1502 2019-07-29 20시 21시 Residual PR 제거 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 82,000원
1503 2019-07-30 12시 13시 11-2-5 GC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1504 2019-07-30 14시 15시 11-2-5 GC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
1505 2019-07-30 15시 16시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1506 2019-07-30 16시 17시 7-3-3 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1507 2019-07-30 17시 18시 Si Etch PR Ashing LG전자 센서솔루션연구소 이성단 107,000원
1508 2019-07-31 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1509 2019-07-31 14시 15시 3-2-4 PG PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
1510 2019-07-31 14시 15시 4-6-2 PC PR remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1511 2019-07-31 16시 17시 8-3-1 M1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1512 2019-08-05 10시 11시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1513 2019-08-05 13시 14시 8-3-1 M1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1514 2019-08-05 14시 15시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1515 2019-08-05 17시 18시 나노선 열전소자 제작(PR ashing) 주식회사 싸이츠 기업부설연구소 백창기 0원
1516 2019-08-05 9시 10시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1517 2019-08-06 16시 17시 4-4-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1518 2019-08-06 18시 19시 4-4-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1519 2019-08-06 20시 21시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1520 2019-08-07 10시 11시 Al Etch PR Ashing 포스텍 창의IT융합공학과 유호천 77,000원
1521 2019-08-07 13시 14시 나노선 열전소자 제작(Isolation Etch_Pr ashing) 주식회사 싸이츠 기업부설연구소 백창기 0원
1522 2019-08-07 13시 14시 8-3-1 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1523 2019-08-07 14시 15시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1524 2019-08-08 10시 11시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1525 2019-08-08 14시 16시 나노선 열전소자 제작(Passivation_PI Etch) 주식회사 싸이츠 기업부설연구소 백창기 0원
1526 2019-08-08 9시 10시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1527 2019-08-09 11시 12시 4-5-4 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1528 2019-08-09 13시 14시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1529 2019-08-09 20시 21시 3-2-4 PG PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1530 2019-08-12 11시 12시 3-3-3 PG PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1531 2019-08-12 13시 14시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1532 2019-08-12 21시 22시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1533 2019-08-13 10시 11시 Thermopile 2차 PR Asher 알앤에스랩 센서팀 알앤에스랩 110,000원
1534 2019-08-13 16시 17시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1535 2019-08-14 17시 18시 11-2-5 GC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1536 2019-08-14 9시 10시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1537 2019-08-16 10시 11시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1538 2019-08-16 16시 17시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1539 2019-08-16 9시 10시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1540 2019-08-19 12시 13시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1541 2019-08-19 13시 14시 4-4-5 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1542 2019-08-19 15시 16시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1543 2019-08-20 11시 12시 Thermopile 3차 PR Asher 알앤에스랩 센서팀 알앤에스랩 200,000원
1544 2019-08-21 19시 20시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1545 2019-08-22 13시 14시 4-4-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1546 2019-08-22 15시 16시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1547 2019-08-23 11시 12시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1548 2019-08-26 11시 12시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1549 2019-08-26 9시 10시 차세대 실리콘 파워반도체 기술사업화 계약 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 500,000원
1550 2019-08-27 11시 12시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1551 2019-08-27 13시 14시 2-2-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1552 2019-08-27 14시 15시 5-3-2 MC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1553 2019-08-27 15시 16시 3-2-7 PG PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
1554 2019-08-27 15시 16시 2-2-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1555 2019-08-27 16시 17시 3-2-10 PG PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
1556 2019-08-27 20시 21시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1557 2019-08-28 10시 11시 3-2-4 PG PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1558 2019-08-28 11시 12시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1559 2019-08-28 17시 18시 8-3-1 M1 PR Remove 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1560 2019-08-30 13시 14시 2-3-1 RX PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1561 2019-08-30 9시 10시 3-3-3 PG PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1562 2019-09-01 16시 17시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1563 2019-09-02 11시 12시 3-2-4 PG PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1564 2019-09-02 13시 14시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1565 2019-09-02 15시 16시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1566 2019-09-02 16시 17시 1-3-1 Akey PR remove 경남대학교 전자공학과 김성진 110,000원
1567 2019-09-02 17시 18시 3-3-3 PG PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1568 2019-09-02 9시 10시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1569 2019-09-03 13시 14시 11-2-5 GC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1570 2019-09-03 14시 15시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1571 2019-09-06 12시 13시 4-4-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1572 2019-09-06 16시 17시 PR ASHING 알앤에스랩 센서팀 알앤에스랩 80,000원
1573 2019-09-06 17시 18시 PR strip 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 66,000원
1574 2019-09-09 14시 15시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1575 2019-09-09 16시 17시 2-2-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1576 2019-09-09 16시 18시 SiC 공정 Akey Etch PR Ashing 진행 [과제번호:4.0018159.01] (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 356,000원
1577 2019-09-09 17시 18시 4-6-3 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1578 2019-09-10 11시 12시 Residual PR removal 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 66,000원
1579 2019-09-10 12시 13시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1580 2019-09-10 15시 16시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1581 2019-09-12 16시 18시 SiC 공정 oxide Etch PR Ashing 진행 [과제번호:4.0018159.01] (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 356,000원
1582 2019-09-16 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1583 2019-09-16 14시 15시 4-4-7 PC PR Ashing
 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1584 2019-09-16 15시 16시 3-2-5 PG PR Remove(Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1585 2019-09-17 14시 15시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1586 2019-09-17 15시 16시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1587 2019-09-18 10시 11시 4-4-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1588 2019-09-18 11시 12시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1589 2019-09-18 15시 16시 residual PR removal 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 66,000원
1590 2019-09-18 17시 18시 2-3-1 RX PR ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1591 2019-09-19 15시 16시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1592 2019-09-19 16시 17시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1593 2019-09-19 17시 18시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1594 2019-09-19 18시 19시 3-2-4 PG PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1595 2019-09-19 20시 21시 3-2-4 PG PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1596 2019-09-23 13시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1597 2019-09-23 14시 15시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1598 2019-09-23 14시 15시 3-3-3 PG PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1599 2019-09-24 10시 11시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1600 2019-09-24 13시 14시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1601 2019-09-24 15시 16시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1602 2019-09-25 11시 12시 8-3-1 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1603 2019-09-25 14시 15시 11-2-4 GC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1604 2019-09-25 19시 20시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1605 2019-09-26 11시 12시 8-3-1 M1 PR Remove (Ashing)_ 추가진행 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1606 2019-09-27 13시 14시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1607 2019-09-27 16시 17시 4-6-3 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1608 2019-09-30 15시 16시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1609 2019-10-01 17시 18시 3-4-3 PG PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1610 2019-10-01 17시 18시 3-3-7 PG PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1611 2019-10-01 9시 10시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1612 2019-10-02 14시 15시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1613 2019-10-02 15시 16시 4-6-3 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1614 2019-10-03 17시 18시 4-4-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
1615 2019-10-04 9시 10시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1616 2019-10-07 11시 12시 3-2-4 PG PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1617 2019-10-07 12시 14시 Gate PR Ashing 포스텍 창의IT융합공학과 유호천 77,000원
1618 2019-10-07 14시 16시 3-3-3 PG PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1619 2019-10-07 16시 17시 11-2-5 GC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1620 2019-10-08 15시 16시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
1621 2019-10-08 16시 18시 3-2-4 PG PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1622 2019-10-08 17시 18시 pGaN 선택비 Etch 평가 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
1623 2019-10-08 21시 22시 3-3-3 PG PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1624 2019-10-10 11시 12시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1625 2019-10-10 13시 15시 11-2-4 GC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1626 2019-10-10 17시 18시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1627 2019-10-10 17시 18시 4-6-2 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1628 2019-10-11 12시 13시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
1629 2019-10-11 13시 14시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1630 2019-10-11 14시 15시 11-2-4 GC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1631 2019-10-11 17시 18시 7-3-6 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1632 2019-10-14 15시 16시 4-6-3 PC PR Ashing
 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1633 2019-10-14 16시 17시 8-3-3 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1634 2019-10-14 17시 19시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
1635 2019-10-14 18시 20시 3-2-4 PG PR Remove 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1636 2019-10-14 20시 21시 7-3-6 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
1637 2019-10-15 13시 14시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1638 2019-10-15 15시 16시 8-3-3 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
1639 2019-10-15 15시 16시 3-3-3 PG PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1640 2019-10-15 17시 18시 5-3-2 MC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1641 2019-10-15 19시 20시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1642 2019-10-16 12시 13시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1643 2019-10-16 15시 16시 4-6-3 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1644 2019-10-16 17시 18시 pGaN 선택비 Etch 평가 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
1645 2019-10-17 12시 14시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1646 2019-10-17 14시 15시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1647 2019-10-17 21시 22시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1648 2019-10-18 11시 12시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1649 2019-10-18 12시 13시 pGaN Si 기판 두께별 E/R
1.5T, 1.2T, 1.0T		 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
1650 2019-10-18 13시 14시 4-3-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1651 2019-10-18 17시 18시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1652 2019-10-21 12시 13시 8-3-1 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1653 2019-10-21 14시 16시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1654 2019-10-21 15시 17시 GC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
1655 2019-10-21 15시 17시 3-2-4 PG PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1656 2019-10-21 16시 18시 pGaN 선택비 Etch 평가 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
1657 2019-10-21 9시 10시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1658 2019-10-22 14시 15시 3-3-3 PG PR Remove (ashing) _2차 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1659 2019-10-22 15시 17시 8-3-3 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1660 2019-10-23 13시 15시 PR Ashing 포스텍 창의IT융합공학과 유호천 77,000원
1661 2019-10-23 14시 15시 11-2-4 GC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1662 2019-10-23 15시 16시 3-3-4 PG PR Remove (ashing) _2차 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1663 2019-10-23 16시 18시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1664 2019-10-23 9시 11시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1665 2019-10-24 11시 13시 6-3-1 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1666 2019-10-24 13시 14시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1667 2019-10-24 14시 15시 11-2-4 GC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1668 2019-10-24 14시 15시 11-3-3 GC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1669 2019-10-28 15시 16시 4-6-2 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1670 2019-10-28 16시 17시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1671 2019-10-28 17시 18시 6-3-4 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1672 2019-10-29 13시 14시 7-3-3 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1673 2019-10-29 14시 15시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1674 2019-10-29 16시 18시 7-3-3 V0 PR Remove (ashing) _ 2차 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1675 2019-10-29 17시 18시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1676 2019-10-29 19시 21시 7-3-6 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1677 2019-10-29 21시 23시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1678 2019-10-30 15시 16시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1679 2019-10-30 16시 17시 4-6-1 PC PR Remove 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1680 2019-10-31 16시 17시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1681 2019-11-01 16시 17시 6-3-3 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1682 2019-11-04 14시 15시 8-3-3 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1683 2019-11-04 16시 17시 8-3-3 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1684 2019-11-04 17시 18시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1685 2019-11-05 13시 14시 pGaN 선택비 Etch Test 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
1686 2019-11-05 14시 15시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1687 2019-11-05 15시 16시 6-3-3 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1688 2019-11-05 16시 17시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1689 2019-11-06 14시 15시 8-3-3 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1690 2019-11-06 15시 16시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1691 2019-11-07 13시 14시 pGaN 선택비 Etch Test 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
1692 2019-11-07 14시 15시 4-3-3 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1693 2019-11-07 16시 17시 4-3-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1694 2019-11-07 9시 10시 7-3-6 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1695 2019-11-08 15시 16시 8-3-3 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1696 2019-11-08 16시 17시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1697 2019-11-11 13시 14시 pGaN 선택비 Etch Test 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
1698 2019-11-11 15시 16시 1-3-1 AKEY PR Ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 126,500원
1699 2019-11-11 16시 17시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1700 2019-11-11 17시 18시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1701 2019-11-12 11시 12시 2-3-1 Ring PR Ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 126,500원
1702 2019-11-12 13시 14시 pGaN 선택비 Etch Test 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
1703 2019-11-12 16시 17시 6-3-3 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1704 2019-11-12 17시 18시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1705 2019-11-12 17시 18시 6-3-4 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1706 2019-11-12 19시 20시 pGaN 선택비 Etch Test 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
1707 2019-11-13 10시 11시 6-3-4 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1708 2019-11-13 10시 13시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 1,100,000원
1709 2019-11-13 17시 18시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1710 2019-11-13 17시 18시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1711 2019-11-13 21시 22시 7-3-6 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1712 2019-11-14 10시 11시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1713 2019-11-14 10시 13시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 1,100,000원
1714 2019-11-14 11시 12시 3-6-1 Active PR Ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 126,500원
1715 2019-11-14 16시 17시 4-3-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1716 2019-11-15 10시 11시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1717 2019-11-15 10시 12시 KEY PR ASHING 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 126,500원
1718 2019-11-15 16시 17시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1719 2019-11-15 17시 18시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1720 2019-11-18 14시 15시 8-3-3 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1721 2019-11-18 9시 10시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1722 2019-11-19 10시 11시 4-3-3 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1723 2019-11-19 11시 12시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1724 2019-11-19 21시 22시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1725 2019-11-20 11시 12시 4-4-1 GATE PR Ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 126,500원
1726 2019-11-20 13시 14시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1727 2019-11-21 11시 12시 5-3-2 MC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1728 2019-11-21 14시 15시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1729 2019-11-22 14시 16시 4-3-3 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1730 2019-11-25 10시 12시 BEVEL PR ASHING 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 126,500원
1731 2019-11-25 11시 12시 6-3-4 M0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1732 2019-11-25 13시 14시 pGaN Etch PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
1733 2019-11-26 15시 16시 5-3-2 MC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1734 2019-11-26 21시 22시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1735 2019-11-27 13시 14시 7-3-6 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1736 2019-11-27 16시 17시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1737 2019-11-28 15시 16시 6-3-4 M0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1738 2019-11-29 13시 14시 6-3-4 M0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1739 2019-12-02 10시 11시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 110,000원
1740 2019-12-02 14시 15시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1741 2019-12-02 20시 21시 7-3-6 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1742 2019-12-02 9시 10시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1743 2019-12-04 16시 17시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1744 2019-12-05 15시 16시 4-3-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1745 2019-12-05 16시 17시 4-3-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
1746 2019-12-05 19시 20시 8-3-3 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1747 2019-12-06 13시 14시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1748 2019-12-06 15시 16시 8-3-3 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1749 2019-12-09 14시 15시 4-3-3 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 110,000원
1750 2019-12-09 17시 18시 pGaN Etch Sel Test PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
1751 2019-12-10 10시 11시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1752 2019-12-10 15시 16시 4-3-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1753 2019-12-10 16시 17시 pGaN 선택비 Etch 평가 : PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
1754 2019-12-10 9시 10시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1755 2019-12-11 11시 12시 6-3-4 M0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1756 2019-12-11 12시 13시 pGaN Etch 평가 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
1757 2019-12-11 17시 18시 5-3-2 MC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 110,000원
1758 2019-12-12 10시 13시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 1,100,000원
1759 2019-12-12 13시 14시 GaN 선택비 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
1760 2019-12-12 17시 18시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1761 2019-12-12 20시 21시 6-3-4 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1762 2019-12-13 10시 13시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 1,100,000원
1763 2019-12-13 13시 14시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1764 2019-12-13 14시 15시 5-3-2 MC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1765 2019-12-13 15시 16시 6-3-4 M0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 110,000원
1766 2019-12-17 14시 15시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1767 2019-12-17 16시 17시 6-3-1 CONT PR ASHING (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 101,000원
1768 2019-12-17 17시 18시 PR ASHING 포항공과대학교 신소재공학과 임석재 104,000원
1769 2019-12-17 17시 18시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1770 2019-12-17 18시 19시 2-3-1 RX PR ASHING 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1771 2019-12-17 18시 19시 2-3-1 RX PR ASHING 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1772 2019-12-17 19시 20시 11-2-5 GC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
1773 2019-12-17 19시 20시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 110,000원
1774 2019-12-18 10시 12시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1775 2019-12-18 11시 12시 GaN Etch PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 170,000원
1776 2019-12-18 13시 14시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 110,000원
1777 2019-12-18 13시 15시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1778 2019-12-19 10시 11시 8-3-3 M1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1779 2019-12-19 13시 14시 8-3-3 M1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 110,000원
1780 2019-12-19 17시 18시 3-2-4 PG PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1781 2019-12-20 14시 15시 8-3-3 M1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1782 2019-12-20 15시 16시 4-3-3 PR PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1783 2019-12-20 9시 10시 3-3-3 PG PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1784 2019-12-23 10시 11시 11-3-3 GC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1785 2019-12-23 18시 19시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1786 2019-12-24 14시 15시 4-6-2 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1787 2019-12-26 15시 16시 5-3-2 MC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1788 2019-12-27 13시 14시 5-2-1 MC ETCH PR asher 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1789 2020-01-02 14시 15시 6-3-4 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1790 2020-01-02 15시 16시 6-3-4 M0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1791 2020-01-03 10시 11시 2-3-1 RX PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1792 2020-01-03 11시 12시 2-3-1 RX PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1793 2020-01-03 12시 13시 2-3-1 RX PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1794 2020-01-03 14시 15시 11-2-5 GC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
1795 2020-01-03 9시 10시 2-3-1 RX PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
1796 2020-01-06 12시 13시 4-3-3 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1797 2020-01-06 17시 18시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1798 2020-01-06 19시 20시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1799 2020-01-06 21시 22시 7-3-6 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1800 2020-01-06 9시 10시 PC PR ASHING 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
1801 2020-01-07 11시 12시 7-3-6 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1802 2020-01-07 15시 16시 4-3-3 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1803 2020-01-08 15시 16시 8-3-3 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
1804 2020-01-08 16시 17시 8-3-3 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1805 2020-01-08 17시 18시 SiN ER Test, PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
1806 2020-01-09 12시 13시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1807 2020-01-09 20시 21시 6-3-3 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1808 2020-01-10 10시 13시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 1,100,000원
1809 2020-01-10 9시 10시 4-3-3 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1810 2020-01-13 10시 13시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 1,100,000원
1811 2020-01-13 17시 18시 7-3-3 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1812 2020-01-13 9시 10시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1813 2020-01-14 10시 11시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1814 2020-01-14 14시 15시 6-3-4 M0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1815 2020-01-14 15시 16시 8-3-3 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1816 2020-01-14 16시 17시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1817 2020-01-14 9시 10시 7-3-3 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 0원
1818 2020-01-16 10시 11시 M1 ETCH PR ASHING (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 101,000원
1819 2020-01-16 10시 11시 6-3-3 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1820 2020-01-16 13시 14시 pGaN 선택비 Etch 평가 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
1821 2020-01-16 14시 15시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1822 2020-01-16 17시 18시 7-3-3 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1823 2020-01-16 9시 10시 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1824 2020-01-17 10시 11시 3-2-4 PG PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
1825 2020-01-17 14시 15시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1826 2020-01-17 15시 16시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1827 2020-01-21 10시 11시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1828 2020-01-21 13시 14시 8-3-3 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1829 2020-01-21 15시 16시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1830 2020-01-21 16시 17시 8-3-3 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1831 2020-01-22 10시 11시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1832 2020-01-22 10시 11시 pGaN 선택비 Etch 평가 PR ASHING 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
1833 2020-01-22 13시 14시 4-3-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1834 2020-01-22 16시 17시 PR Ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 67,000원
1835 2020-01-23 13시 14시 4-3-3 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
1836 2020-01-28 11시 12시 8-3-3 M1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1837 2020-01-28 13시 14시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1838 2020-01-28 14시 15시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1839 2020-01-29 21시 22시 4-3-3 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1840 2020-01-30 10시 11시 4-3-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1841 2020-01-30 14시 15시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1842 2020-01-30 15시 16시 나노인프라 활용 사업 (주)아이제스트 연구개발팀 김성지 0원
1843 2020-01-30 16시 17시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1844 2020-01-31 13시 14시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1845 2020-02-03 10시 11시 1-2-2 F_Via GaN PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 170,000원
1846 2020-02-03 12시 13시 2-3-1 F_POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 170,000원
1847 2020-02-03 17시 18시 2-3-3 F_POE PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 170,000원
1848 2020-02-03 17시 18시 6-3-3 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1849 2020-02-03 20시 21시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1850 2020-02-04 10시 11시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1851 2020-02-04 11시 12시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1852 2020-02-04 13시 14시 4-3-3 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1853 2020-02-04 15시 16시 4-3-3 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1854 2020-02-04 21시 22시 8-3-3 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
1855 2020-02-05 16시 17시 6-3-4 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1856 2020-02-05 16시 17시 PR Ashing 알앤에스랩 센서팀 알앤에스랩 80,000원
1857 2020-02-05 17시 18시 감광막 제거 (주)아이제스트 연구개발팀 김성지 101,000원
1858 2020-02-06 10시 12시 7-3-3 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
1859 2020-02-06 12시 13시 4-2-2 ISO-1 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
1860 2020-02-06 13시 14시 11-2-5 GC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
1861 2020-02-06 16시 18시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
1862 2020-02-07 11시 12시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1863 2020-02-07 13시 14시 1-2-2 F_Via PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 146,000원
1864 2020-02-07 16시 17시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1865 2020-02-07 9시 10시 4-2-2 ISO-2 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
1866 2020-02-10 10시 13시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 1,100,000원
1867 2020-02-10 10시 11시 1-2-3 Heater Elec PR Ashing (주) 센텍코리아 생산기술연구팀 임채현 254,000원
1868 2020-02-10 14시 15시 1-2-3 Heater Elec PR Ashing (주) 센텍코리아 생산기술연구팀 임채현 254,000원
1869 2020-02-10 15시 17시 8-3-3 M1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
1870 2020-02-10 9시 10시 4-2-2 ISO-1 PR Asher 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
1871 2020-02-11 16시 17시 6-3-4 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1872 2020-02-11 9시 10시 2-3-1 F_POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 146,000원
1873 2020-02-12 10시 11시 1-4-1 GiN PR Asher 고려대학교 전기전자공학과 한규현 200,000원
1874 2020-02-12 12시 13시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1875 2020-02-12 15시 16시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1876 2020-02-12 15시 16시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
1877 2020-02-12 17시 18시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1878 2020-02-12 9시 10시 2-3-3 F_POE PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 146,000원
1879 2020-02-13 10시 13시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 1,100,000원
1880 2020-02-13 14시 15시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1881 2020-02-13 9시 10시 5-3-2 MC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1882 2020-02-14 10시 12시 Silicon Deep Etching, PR Ashing 리노공업 리노공업 곽영대 200,000원
1883 2020-02-14 13시 14시 7-3-3 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1884 2020-02-14 17시 18시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
1885 2020-02-17 13시 14시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1886 2020-02-17 14시 15시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1887 2020-02-17 15시 16시 8-3-3 M1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1888 2020-02-17 16시 17시 1-2-2 F_Via PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 170,000원
1889 2020-02-17 17시 18시 6-3-3 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1890 2020-02-18 10시 11시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1891 2020-02-18 10시 11시 2-2-1 Oxide etch (descum) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 146,000원
1892 2020-02-18 11시 12시 감광막 제거 (주)아이제스트 연구개발팀 김성지 67,000원
1893 2020-02-18 13시 15시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1894 2020-02-18 15시 16시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1895 2020-02-18 15시 16시 1-2 PR Ashing (Si) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 170,000원
1896 2020-02-18 17시 18시 1-2 PR Ashing(Glass) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 146,000원
1897 2020-02-19 15시 16시 12-3-3 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1898 2020-02-19 16시 17시 12-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1899 2020-02-19 17시 18시 12-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1900 2020-02-20 11시 12시 2-3-3 Active PR ashing (주) 센텍코리아 생산기술연구팀 임채현 152,000원
1901 2020-02-20 13시 14시 12-3-6 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1902 2020-02-20 14시 15시 8-3-3 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1903 2020-02-20 15시 16시 2-3-3 F_POE PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 170,000원
1904 2020-02-20 16시 17시 13-3-3 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1905 2020-02-20 16시 17시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1906 2020-02-20 17시 18시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1907 2020-02-20 9시 10시 2-3-1 F_POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 170,000원
1908 2020-02-21 14시 15시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1909 2020-02-21 16시 17시 4-2-3 ISO-1 GaN Etch (ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 146,000원
1910 2020-02-26 11시 12시 3-2-1 T_Metal Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 170,000원
1911 2020-02-26 16시 17시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1912 2020-02-26 17시 18시 13-3-3 M1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1913 2020-02-27 13시 14시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1914 2020-02-27 15시 16시 6-3-4 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1915 2020-02-27 16시 17시 6-3-4 M0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1916 2020-02-27 17시 18시 4-3-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1917 2020-02-28 14시 15시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1918 2020-02-28 9시 10시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1919 2020-03-02 10시 11시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1920 2020-03-02 11시 12시 4-3-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
1921 2020-03-02 12시 13시 2-2-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1922 2020-03-02 15시 16시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1923 2020-03-02 16시 17시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1924 2020-03-03 10시 11시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1925 2020-03-03 13시 14시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1926 2020-03-03 14시 15시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
1927 2020-03-03 14시 15시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1928 2020-03-03 16시 17시 3-2-3 PG PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1929 2020-03-03 17시 18시 2-3-3 P+ PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 170,000원
1930 2020-03-04 10시 11시 4-2-3 ISO-2 PR Remove 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 146,000원
1931 2020-03-04 13시 14시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
1932 2020-03-04 15시 16시 6-3-4 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1933 2020-03-04 16시 17시 2-5-3 Gate Metal PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 170,000원
1934 2020-03-04 17시 18시 M1 Etch 후 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 260,000원
1935 2020-03-04 18시 19시 8-3-3 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1936 2020-03-05 11시 12시 4-3-3 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1937 2020-03-05 13시 14시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1938 2020-03-05 17시 18시 3-3-4 PG PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1939 2020-03-06 13시 14시 4-6-2 PC PR Remove (Alpha step) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 72,500원
1940 2020-03-06 14시 15시 3-3-2 Contact PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 170,000원
1941 2020-03-06 16시 17시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1942 2020-03-09 11시 12시 7-3-6 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1943 2020-03-09 14시 15시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
1944 2020-03-09 15시 16시 7-3-3 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1945 2020-03-09 16시 17시 4-3-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
1946 2020-03-09 18시 19시 PR ASHING 리노공업 리노공업 곽영대 80,000원
1947 2020-03-09 19시 20시 7-3-6 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1948 2020-03-10 10시 13시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 1,100,000원
1949 2020-03-10 15시 16시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1950 2020-03-10 16시 17시 4-3-3 S/D PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 170,000원
1951 2020-03-11 13시 14시 2-3-1 RX PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1952 2020-03-11 13시 14시 6-3-4 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
1953 2020-03-11 14시 15시 8-3-3 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1954 2020-03-11 15시 16시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1955 2020-03-11 16시 17시 5-3-2 Contact Hole PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 170,000원
1956 2020-03-11 17시 18시 12-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1957 2020-03-11 9시 10시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1958 2020-03-12 10시 11시 1-2-2 F_Via PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 170,000원
1959 2020-03-12 13시 14시 4-2-3 ISO-1 GaN PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 146,000원
1960 2020-03-12 15시 16시 4-3-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
1961 2020-03-12 16시 17시 6-3-4 M0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1962 2020-03-12 17시 18시 Metal wet PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
1963 2020-03-13 10시 11시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1964 2020-03-13 11시 12시 2-3-3 F_POE PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 170,000원
1965 2020-03-13 14시 15시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
1966 2020-03-13 15시 16시 13-3-3 M1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1967 2020-03-13 16시 19시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 1,100,000원
1968 2020-03-13 9시 10시 7-3-3 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
1969 2020-03-13 9시 10시 2-3-1 F_POE (Descum) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 170,000원
1970 2020-03-16 10시 11시 4-3-3 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1971 2020-03-16 11시 12시 4-3-3 PC PR Remove 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1972 2020-03-16 14시 15시 8-3-3 M1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
1973 2020-03-16 16시 17시 8-3-1 M1 PR ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
1974 2020-03-16 16시 17시 7-3-3 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1975 2020-03-17 13시 14시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1976 2020-03-17 15시 16시 6-3-1 M0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1977 2020-03-18 12시 13시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1978 2020-03-18 14시 15시 8-3-3 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1979 2020-03-19 15시 16시 6-3-4 M0 PR ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1980 2020-03-19 17시 18시 7-3-3 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1981 2020-03-19 9시 10시 11-2-4 GC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1982 2020-03-20 13시 14시 7-3-6 V0 PR Remove (Alpha step) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1983 2020-03-23 10시 10시 2-3-5 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1984 2020-03-23 13시 14시 11-2-4 GC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
1985 2020-03-23 15시 16시 8-3-3 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1986 2020-03-23 16시 17시 7-3-6 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1987 2020-03-23 9시 10시 7-3-3 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1988 2020-03-24 14시 15시 1-2-3 Active PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
1989 2020-03-24 15시 16시 . (주)아이제스트 연구개발팀 김성지 135,000원
1990 2020-03-24 16시 17시 4-2-3 ISO-1 GaN Etch (ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 170,000원
1991 2020-03-25 9시 10시 1-3-1 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 126,500원
1992 2020-03-26 14시 15시 8-inch SOI wafer 2장
NCNT25 Recipe 로 PR Ashing 부탁 드립니다.
시편은 장비 앞에 두었습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 77,000원
1993 2020-03-26 15시 16시 8-3-3 M1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1994 2020-03-26 15시 16시 1-2-2 F_Via GaN PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
1995 2020-03-26 15시 16시 4-6-2 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1996 2020-03-27 15시 16시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1997 2020-03-27 18시 19시 7-3-6 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
1998 2020-03-27 20시 21시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
1999 2020-03-30 10시 11시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2000 2020-03-30 11시 12시 2-3-4 P+ PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2001 2020-03-30 13시 14시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2002 2020-03-30 16시 17시 4-2-3 ISO-2 GaN Etch (ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 170,000원
2003 2020-03-31 11시 12시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2004 2020-03-31 14시 15시 8-3-3 M1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2005 2020-03-31 15시 16시 4-2-2 ISO-1 GaN Etch (Ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2006 2020-03-31 15시 16시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2007 2020-03-31 16시 17시 4-3-3 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2008 2020-04-01 13시 14시 4-3-3 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2009 2020-04-01 14시 15시 6-3-4 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2010 2020-04-01 14시 15시 2-3-1 RX PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2011 2020-04-01 15시 16시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
2012 2020-04-01 16시 17시 11-2-4 GC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
2013 2020-04-02 11시 12시 1-2-3 PR Ashing 아모센스 개발팀 박종원 170,000원
2014 2020-04-02 15시 16시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2015 2020-04-02 17시 18시 12-3-3 V1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
2016 2020-04-02 18시 19시 11-2-4 GC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
2017 2020-04-02 19시 20시 7-3-6 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2018 2020-04-02 9시 10시 5-2-1 PAD Descum 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 126,500원
2019 2020-04-03 11시 12시 4-3-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2020 2020-04-03 13시 14시 2-3-2 Ashing 아모센스 개발팀 박종원 170,000원
2021 2020-04-03 13시 14시 3-5-3 Gate PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2022 2020-04-03 15시 16시 4-3-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
2023 2020-04-03 15시 16시 12-3-6 V1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
2024 2020-04-03 16시 17시 3-3-1 PG PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
2025 2020-04-03 17시 18시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2026 2020-04-03 9시 10시 4-2-3 ISO-2 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2027 2020-04-06 1시 2시 지난주 사용한 asher 학교 아이디로 재신청합니다. 포항공과대학교 전기전자공학과 김성지 84,000원
2028 2020-04-06 14시 15시 8-3 PR ASHING 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2029 2020-04-06 17시 18시 3-3-4 PG PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
2030 2020-04-07 14시 15시 6-3-4 M0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2031 2020-04-07 16시 17시 5-3-2 MC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2032 2020-04-07 9시 10시 2-2-1 descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2033 2020-04-08 12시 13시 4-3-2 Contact PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2034 2020-04-08 14시 15시 PR Ashing 리노공업 리노공업 곽영대 80,000원
2035 2020-04-08 14시 15시 4-2-4 Ashing 아모센스 개발팀 박종원 170,000원
2036 2020-04-08 15시 16시 7-3-3 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2037 2020-04-08 16시 17시 oxide treatment 메타포어 디바이스개발 이재혁 80,000원
2038 2020-04-08 16시 17시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2039 2020-04-08 17시 18시 4-3-3 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
2040 2020-04-08 18시 19시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2041 2020-04-08 9시 10시 1-2-3 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 126,500원
2042 2020-04-09 13시 14시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2043 2020-04-09 13시 14시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2044 2020-04-09 15시 16시 5-3-3 S/D PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2045 2020-04-09 15시 16시 8-3-3 M1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2046 2020-04-09 15시 16시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2047 2020-04-09 16시 17시 6-3-4 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2048 2020-04-09 16시 17시 1-2-2 Active PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2049 2020-04-09 17시 18시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
2050 2020-04-10 14시 15시 8-3-3 M1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2051 2020-04-10 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
2052 2020-04-13 10시 11시 2-2-4 P+ PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2053 2020-04-13 11시 12시 4-3-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2054 2020-04-13 14시 15시 6-3-1 M0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
2055 2020-04-13 15시 16시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2056 2020-04-13 16시 19시 차세대 실리콘 파워반도체 소자 기술사업화 계약
 파워마스터반도체 주식회사 제조 공정기술팀장 손춘배 1,550,000원
2057 2020-04-13 17시 18시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2058 2020-04-14 11시 12시 7-3-3 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2059 2020-04-14 14시 15시 . 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 박지원 67,000원
2060 2020-04-14 15시 16시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2061 2020-04-14 16시 17시 4-3-3 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2062 2020-04-16 13시 14시 11-2-4 GC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
2063 2020-04-16 15시 16시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2064 2020-04-16 15시 16시 1-2-2 F_Via PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2065 2020-04-16 16시 17시 1-2-2 ACT PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2066 2020-04-16 18시 19시 8-3-3 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2067 2020-04-17 16시 17시 4-3-3 Gate PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2068 2020-04-17 17시 18시 4-6-2 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
2069 2020-04-20 10시 11시 5-3-2 MC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
2070 2020-04-20 14시 15시 2-2-3 N+ PR Remove (ashing) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 126,500원
2071 2020-04-20 20시 21시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2072 2020-04-21 11시 12시 2-3-1 F_POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2073 2020-04-21 13시 14시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2074 2020-04-21 14시 15시 2-3-3 F_POE PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2075 2020-04-21 16시 17시 6-3-4 M0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
2076 2020-04-22 11시 12시 5-3-3 Contact PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2077 2020-04-22 13시 14시 5-3-2 MC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2078 2020-04-22 14시 15시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2079 2020-04-22 16시 17시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
2080 2020-04-22 16시 17시 PR Ashing 리노공업 리노공업 곽영대 200,000원
2081 2020-04-22 17시 18시 7-3-3 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
2082 2020-04-23 11시 12시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2083 2020-04-23 13시 14시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
2084 2020-04-23 14시 15시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2085 2020-04-23 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2086 2020-04-23 18시 19시 6-3-4 S/D PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2087 2020-04-23 9시 10시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
2088 2020-04-23 9시 10시 3-2-2 ISO-1 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2089 2020-04-24 14시 15시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
2090 2020-04-24 16시 17시 6-3-4 M0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2091 2020-04-24 17시 18시 1-2-3 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 101,000원
2092 2020-04-27 10시 11시 4-3-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2093 2020-04-27 10시 11시 2-2-3 P+ Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2094 2020-04-27 11시 12시 7-3-3 Contact PR Remove (Ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2095 2020-04-27 15시 16시 6-3-4 M0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2096 2020-04-27 17시 18시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2097 2020-04-27 9시 10시 2-3-1 RX PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2098 2020-04-28 15시 16시 8-3-3 M1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
2099 2020-04-28 16시 17시 9-3-2 PO Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
2100 2020-04-28 19시 20시 4-3-3 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2101 2020-04-29 13시 14시 7-3-3 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2102 2020-04-29 14시 15시 7-3- V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2103 2020-04-29 16시 17시 5-3-2 MC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2104 2020-04-29 9시 10시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2105 2020-05-04 13시 14시 8-3-3 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2106 2020-05-04 14시 15시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
2107 2020-05-04 17시 18시 Dry-etch 후, NCNT 25 Recipe 공정 부탁 드립니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 77,000원
2108 2020-05-06 13시 14시 12-3-3 V1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
2109 2020-05-06 16시 17시 8-3-3 M1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2110 2020-05-06 17시 18시 4-3-2 Gate PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2111 2020-05-06 17시 18시 12-3-6 V1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
2112 2020-05-06 18시 19시 120sec o2 plasma treatment 메타포어 디바이스개발 이재혁 80,000원
2113 2020-05-07 10시 11시 3-2-2 ISO-2 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2114 2020-05-07 14시 15시 5-3-2 MC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2115 2020-05-07 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2116 2020-05-07 16시 17시 2-3-1 RX PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2117 2020-05-07 17시 18시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2118 2020-05-07 3시 4시 PR 제거 포항공과대학교 물리학과 김형빈 77,000원
2119 2020-05-08 11시 12시 7-3-6 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2120 2020-05-08 13시 14시 1-2-2 F_Via PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2121 2020-05-08 14시 15시 12-3-3 V1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2122 2020-05-08 14시 15시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2123 2020-05-08 14시 15시 6-3-3 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2124 2020-05-08 16시 17시 6-3-3 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
2125 2020-05-08 17시 18시 5-3-2 Contact PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2126 2020-05-11 13시 14시 2-3-1 F_POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2127 2020-05-11 14시 15시 12-3-6 V1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2128 2020-05-11 15시 16시 6-3-4 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2129 2020-05-11 15시 16시 8-3-3 M1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2130 2020-05-11 16시 17시 PR ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 이승호 68,000원
2131 2020-05-12 10시 11시 7-3-3 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
2132 2020-05-12 10시 11시 6-3-3 S/D PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2133 2020-05-12 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 207,500원
2134 2020-05-12 18시 19시 7-3-6 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2135 2020-05-12 19시 20시 7-3-2 Contact Hole PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2136 2020-05-12 21시 22시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2137 2020-05-12 9시 10시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2138 2020-05-13 13시 14시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
2139 2020-05-13 14시 15시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
2140 2020-05-13 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2141 2020-05-13 17시 18시 4-3-3 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2142 2020-05-14 13시 14시 2-3-4 F_POE PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2143 2020-05-14 14시 15시 6-5-7 Gate Poly Si PR Ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 158,000원
2144 2020-05-14 14시 15시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2145 2020-05-14 15시 16시 Ashing 5, 10, 15min
5min - 1회, 10min - 2회, 15min - 3회 => 6회 진행		 메타포어 디바이스개발 이재혁 230,000원
2146 2020-05-14 15시 16시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2147 2020-05-14 9시 10시 2-3-1 F-POE (Descum) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2148 2020-05-18 10시 11시 12-3-3 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2149 2020-05-18 11시 12시 12-3-3 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
2150 2020-05-18 14시 15시 2-3-1 RX PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2151 2020-05-18 15시 16시 2-3-1 RX PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2152 2020-05-18 16시 17시 12-3-6 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2153 2020-05-18 17시 18시 12-3-6 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
2154 2020-05-19 11시 12시 1-2-1 F_Via PR Remove (ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2155 2020-05-19 14시 15시 2-3-1 F_POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2156 2020-05-19 14시 15시 5-3-2 MC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
2157 2020-05-19 15시 16시 5-3-2 MC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2158 2020-05-19 16시 17시 8-3-3 M1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
2159 2020-05-19 16시 17시 3-2-2 ISO-2 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2160 2020-05-19 17시 18시 13-3-3 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2161 2020-05-20 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
2162 2020-05-20 14시 15시 2-3-4 F_POE PR Remove (ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2163 2020-05-20 16시 17시 NCNT25 Recipe로 PR Ashing 부탁 드립니다.
시편은 장비 앞에 두었습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 77,000원
2164 2020-05-20 17시 18시 6-3-4 M0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2165 2020-05-20 20시 21시 4-3-3 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2166 2020-05-21 11시 12시 2-3-1 F_POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2167 2020-05-21 13시 14시 4-3-3 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2168 2020-05-21 15시 16시 2-3-3 F_POE PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2169 2020-05-21 16시 17시 O2 plasma 2ea+1ea 메타포어 디바이스개발 이재혁 140,000원
2170 2020-05-21 16시 17시 4-3-3 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2171 2020-05-21 16시 17시 6-3-4 M0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2172 2020-05-21 19시 20시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2173 2020-05-21 9시 10시 4-2-1 T_Metal Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2174 2020-05-22 14시 15시 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2175 2020-05-25 12시 13시 3-2-2 ISO-1 GaN PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2176 2020-05-25 14시 15시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2177 2020-05-25 15시 16시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2178 2020-05-25 16시 17시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2179 2020-05-25 9시 10시 6-7-5 Gate PolyPlug PR Ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 158,000원
2180 2020-05-26 13시 14시 5-3-2 MC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2181 2020-05-26 14시 15시 PR Ashing (주)센텍코리아 기술연구소 강진현 254,000원
2182 2020-05-26 14시 15시 12-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2183 2020-05-26 15시 16시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2184 2020-05-26 16시 17시 2-3-1 F_POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2185 2020-05-27 10시 11시 5-3-2 MC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2186 2020-05-27 11시 12시 3-2-2 ISO GaN PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 74,000원
2187 2020-05-27 14시 15시 6-3-4 M0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2188 2020-05-27 14시 15시 2-3-4 F_POE PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2189 2020-05-27 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
2190 2020-05-27 9시 10시 3-2-2 ISO-2 ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2191 2020-05-28 10시 11시 4-2-1 T_Metal Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2192 2020-05-28 11시 12시 12-3-3 V1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2193 2020-05-28 13시 14시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2194 2020-05-28 14시 15시 7-2-5 Field Front PR Ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 158,000원
2195 2020-05-28 15시 16시 1-2-2 Active PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2196 2020-05-28 15시 16시 6-3-4 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2197 2020-05-28 16시 17시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2198 2020-05-28 19시 20시 12-3-6 V1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2199 2020-05-28 9시 10시 5-2-1 PAD Metal Descum 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 101,000원
2200 2020-05-29 13시 14시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2201 2020-05-29 16시 17시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2202 2020-05-29 16시 17시 2-2-3 P+ PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2203 2020-05-29 17시 18시 6-2-1 Gate Descum 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 101,000원
2204 2020-06-01 10시 13시 wafer 위에 med 6233이라는 실리콘 고무가 코팅되어 LCP(liquid crystal polymer) 필름이 부착. LCP 필름은 폴리이미드와 비슷한 얇은 폴리머 필름.
목적은 Ti/Au 증착을 위한 플라즈마 처리이고, 가능한한 낮은 온도(150도정도)로 5분정도.
Ashing 공정 후, E-beam Evaporator -II 이어서 진행.

150도 5분 1매- Film 손상 발생, 85도 30초 3매 진행		 부산대학교 기계공학부 이동현 170,000원
2205 2020-06-01 13시 14시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2206 2020-06-01 15시 16시 8-3-3 M1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2207 2020-06-01 16시 17시 12-3-3 V1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2208 2020-06-01 19시 20시 13-3-3 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2209 2020-06-01 20시 21시 12-3-6 V1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2210 2020-06-02 11시 12시 NCNT 25 Recipe 로 PR Ashing 부탁 드립니다.
시편은 장비 앞에 두었습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 77,000원
2211 2020-06-02 17시 18시 1-2-2 HfO2 Etch PR Ashing 충남대학교 전자공학과 송형섭 110,000원
2212 2020-06-03 15시 16시 12-3-3 V1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2213 2020-06-03 16시 17시 12-3-6 V1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2214 2020-06-03 17시 18시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2215 2020-06-03 18시 19시 13-3-3 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2216 2020-06-04 11시 15시 표면 PR (주)예스파워테크니스 공정기술팀 이정훈 0원
2217 2020-06-04 15시 16시 1-2-2 ACT PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2218 2020-06-04 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2219 2020-06-04 17시 18시 12-3-3 V1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2220 2020-06-05 11시 12시 4-3-2 Gate Metal PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2221 2020-06-05 14시 15시 3-2-1 PAD Oxide PR Ashing 충남대학교 전자공학과 송형섭 110,000원
2222 2020-06-05 14시 15시 12-3-6 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2223 2020-06-08 14시 15시 5-3-2 Contact PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2224 2020-06-08 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2225 2020-06-09 15시 16시 9-3-2 PO PR Remove (FC60) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2226 2020-06-09 17시 18시 2-3-4 F_POE PR Remove (Ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2227 2020-06-09 18시 19시 60um( Deep RIE ) Etch 후 PR 제거 울산과학기술원 기계공학과 주장현 170,000원
2228 2020-06-09 9시 10시 2-2-6 P+ Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2229 2020-06-10 12시 13시 6-3-3 S/D PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2230 2020-06-11 14시 15시 7-3-2 Contact PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2231 2020-06-11 16시 17시 4-3-2 Gate Metal PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2232 2020-06-12 11시 12시 1-2-2 F_Via PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2233 2020-06-12 14시 15시 잔류 pr 제거 asher 부탁드립니다. 포스텍 물리학과 신원철 77,000원
2234 2020-06-12 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
2235 2020-06-12 15시 16시 5-3-2 Contact PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2236 2020-06-12 17시 18시 13-3-3 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2237 2020-06-15 14시 15시 8-2 Conact Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2238 2020-06-15 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2239 2020-06-16 14시 15시 9-2 Solder Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2240 2020-06-16 15시 16시 6-3-3 S/D Metal PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2241 2020-06-16 15시 16시 2-3-1 POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2242 2020-06-16 16시 17시 2-3-3 POE PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2243 2020-06-17 11시 12시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2244 2020-06-17 11시 12시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2245 2020-06-17 13시 14시 1-2-2 Oxide PR Ashing 충남대학교 전자공학과 송형섭 80,000원
2246 2020-06-17 16시 17시 3-2-3 ISO-1 PR Remove (ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2247 2020-06-18 10시 11시 RIST과제 처리 포항공과대학교 전자전기공학부 신성환 67,000원
2248 2020-06-18 11시 12시 1-2-1 Metal Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2249 2020-06-18 14시 15시 1-2-1 N_OPEN Etch (ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2250 2020-06-18 14시 15시 1-2-2 Active PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2251 2020-06-19 14시 15시 2-3-1 POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2252 2020-06-19 15시 16시 2-3-3 POE PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2253 2020-06-19 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2254 2020-06-19 16시 17시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2255 2020-06-19 16시 17시 4-3-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2256 2020-06-19 17시 18시 13-3-1 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2257 2020-06-19 17시 18시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2258 2020-06-22 17시 18시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2259 2020-06-23 11시 12시 2-3-4 F_POE PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2260 2020-06-23 16시 17시 3-2-1 Solder Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2261 2020-06-23 9시 10시 3-2-3 ISO-1 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2262 2020-06-24 11시 12시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2263 2020-06-24 13시 14시 3-4-3 ISO-2 GaN PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2264 2020-06-24 14시 15시 5-3-1 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2265 2020-06-24 14시 15시 2-2- P+ PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2266 2020-06-25 10시 11시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
2267 2020-06-25 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
2268 2020-06-26 16시 17시 8-3-3 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
2269 2020-06-26 16시 17시 4-2-6 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
2270 2020-06-29 13시 14시 4-2-1 T_Metal Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2271 2020-06-29 14시 15시 6-3-4 M0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2272 2020-06-29 14시 15시 3-2-1 Active Passi Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2273 2020-07-01 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
2274 2020-07-01 16시 17시 1-2-2 N_OPEN PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2275 2020-07-01 19시 20시 RIST과제처리 포항공과대학교 전자전기공학부 신성환 67,000원
2276 2020-07-02 13시 14시 4-3-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2277 2020-07-02 14시 15시 2-3-1 POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2278 2020-07-02 15시 16시 9-3-1 PO PR ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
2279 2020-07-02 15시 16시 7-3-3 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2280 2020-07-02 15시 16시 4-3-2 Gate Metal PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2281 2020-07-02 16시 17시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2282 2020-07-02 16시 17시 2-3-3 POE PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2283 2020-07-03 13시 14시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2284 2020-07-03 15시 16시 6-3-4 M0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2285 2020-07-03 18시 19시 3-2-2 ISO-1 GaN PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2286 2020-07-06 10시 11시 5-3-2 Contact PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2287 2020-07-06 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2288 2020-07-06 18시 19시 5-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2289 2020-07-07 10시 11시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2290 2020-07-07 14시 17시 SU8 2005 사용 ( 약 5 um 높이 PR mask ) 제거
: 5매 중 4매 진행		 울산과학기술원 기계공학과 주장현 170,000원
2291 2020-07-07 14시 15시 6-3-3 S/D PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2292 2020-07-07 15시 16시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2293 2020-07-07 15시 16시 3-4-3 ISO-2 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2294 2020-07-07 16시 17시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2295 2020-07-07 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2296 2020-07-07 16시 17시 1-2-2 Active PRT Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2297 2020-07-07 17시 18시 1-2-1 Metal Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2298 2020-07-07 17시 18시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2299 2020-07-08 11시 12시 7-3-2 Contact-2 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2300 2020-07-08 11시 12시 1-2-3 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 101,000원
2301 2020-07-08 14시 15시 1-2-3 N_OPEN PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2302 2020-07-08 15시 16시 PR Strip 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 200,000원
2303 2020-07-08 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2304 2020-07-08 17시 18시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2305 2020-07-09 10시 11시 PR strip 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 140,000원
2306 2020-07-09 11시 12시 2-2-5 P+ PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2307 2020-07-09 13시 14시 2-3-1 POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2308 2020-07-09 13시 14시 3-2-1 Active Passi Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2309 2020-07-09 15시 16시 6-3-4 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2310 2020-07-09 16시 17시 12-3-3 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2311 2020-07-09 16시 17시 2-3-3 POE PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2312 2020-07-09 17시 18시 12-3-3 V1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2313 2020-07-09 17시 18시 12-3-6 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2314 2020-07-10 11시 12시 2-3-3 F_POE PR Remove (ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2315 2020-07-10 15시 16시 12-3-6 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2316 2020-07-10 16시 17시 1-2-0 Metal Descum (주)더바이오 연구소 이원영 170,000원
2317 2020-07-10 20시 21시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2318 2020-07-10 9시 10시 4-3-3 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2319 2020-07-13 10시 11시 9-2-1 Solder Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2320 2020-07-13 14시 15시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2321 2020-07-13 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2322 2020-07-13 15시 16시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2323 2020-07-13 16시 17시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2324 2020-07-13 20시 21시 6-3-3 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2325 2020-07-13 9시 10시 3-2-2 ISO-1 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2326 2020-07-13 9시 10시 3-2-1 Solder (Descum) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2327 2020-07-14 13시 14시 4-3-2 Gate Metal PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2328 2020-07-14 17시 18시 8-3-3 M1 Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2329 2020-07-15 11시 12시 RIST과제처리 포항공과대학교 전자전기공학부 신성환 67,000원
2330 2020-07-15 14시 15시 6-3-3 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
2331 2020-07-15 15시 16시 SiO2 + PR (주)예스파워테크니스 공정기술팀 이정훈 0원
2332 2020-07-15 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2333 2020-07-15 17시 18시 13-3-3 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2334 2020-07-15 17시 18시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2335 2020-07-15 9시 10시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2336 2020-07-16 12시 13시 wafer 위에 PDMS가 코팅되어 있고, 그 위에 LCP(liquid crystal polymer) 필름이 부착되어 있습니다. LCP 필름은 폴리이미드와 비슷한 얇은 폴리머 필름이라고 생각하시면 됩니다.

목적은 Ti/Au 증착을 위한 플라즈마 처리이고, 최소 온도 조건(85도?)에서 30초정도 부탁드립니다.

Ashing 공정 후, E-beam Evaporator -II Ti / Au 증착 공정 이어서 부탁드립니다.

감사합니다. 시편이 언제 도착할지 몰라서 일정을 넉넉하게 예약하겠습니다.		 부산대학교 기계공학부 이동현 170,000원
2337 2020-07-16 13시 14시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2338 2020-07-16 14시 15시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2339 2020-07-16 16시 17시 3-4-2 ISO-2 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2340 2020-07-16 16시 17시 9-3-1 PO Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2341 2020-07-16 17시 18시 Dry etch 후 PR strip 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 200,000원
2342 2020-07-16 18시 19시 4-3-3 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2343 2020-07-16 18시 19시 PR Ashing, 6 inch 2매 앞/뒤 진행 (주)예스파워테크니스 공정기술팀 이정훈 0원
2344 2020-07-17 10시 11시 12-3-3 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2345 2020-07-17 13시 13시 5-3-2 Contact-1 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2346 2020-07-17 15시 16시 12-3-6 V1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2347 2020-07-20 10시 11시 150도 / 300초 메타포어 디바이스개발 이재혁 110,000원
2348 2020-07-20 13시 14시 2-3-2 Bevel PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 101,000원
2349 2020-07-20 13시 14시 150도 / 300초 메타포어 디바이스개발 이재혁 80,000원
2350 2020-07-20 13시 14시 4-2-1 T_Metal Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2351 2020-07-20 16시 17시 PR ashing 재료연구소 전기화학실 박광렬 320,000원
2352 2020-07-22 10시 11시 1-2-3 N_OPEN PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2353 2020-07-22 11시 12시 1-2-4 BackSide P_Si PR Remove 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 101,000원
2354 2020-07-22 13시 14시 RIST과제처리 포항공과대학교 전자전기공학부 신성환 75,500원
2355 2020-07-22 14시 15시 pr제거 asher부탁드립니다 포스텍 물리학과 신원철 77,000원
2356 2020-07-22 15시 16시 8-3-3 M1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
2357 2020-07-22 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
2358 2020-07-22 18시 19시 13-3-3 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2359 2020-07-23 10시 11시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2360 2020-07-23 11시 12시 2-3-1 POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2361 2020-07-23 11시 12시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2362 2020-07-23 14시 15시 2-3-3 POE PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2363 2020-07-23 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
2364 2020-07-23 17시 18시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2365 2020-07-24 13시 14시 pr asher부탁드립니다. 포스텍 물리학과 신원철 77,000원
2366 2020-07-24 16시 17시 6-3-3 S/D PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2367 2020-07-24 16시 17시 6-3-4 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2368 2020-07-24 17시 18시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2369 2020-07-27 10시 11시 12-3-3 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2370 2020-07-27 11시 12시 12-3-6 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2371 2020-07-27 14시 15시 6-3-2 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2372 2020-07-27 15시 16시 3-2-2 ISO-1 PR Remove (Ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2373 2020-07-27 16시 17시 7-3-2 Contact-2 PR ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2374 2020-07-28 10시 11시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2375 2020-07-28 11시 12시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2376 2020-07-28 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
2377 2020-07-28 14시 15시 2-3-0 Descum (주)더바이오 연구소 이원영 110,000원
2378 2020-07-28 15시 16시 8-2-1 Contact-2 Metal Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2379 2020-07-29 10시 11시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2380 2020-07-29 11시 12시 RIST과제처리 포항공과대학교 전자전기공학부 신성환 101,000원
2381 2020-07-29 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2382 2020-07-29 13시 14시 1-2-1 Metal Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2383 2020-07-29 14시 15시 1-2-2 F_Via PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2384 2020-07-29 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
2385 2020-07-29 9시 10시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2386 2020-07-30 10시 11시 6-3-4 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2387 2020-07-30 13시 14시 2-3-1 F_POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2388 2020-07-30 14시 15시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2389 2020-07-30 14시 15시 9-2-1 Solber Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2390 2020-07-30 15시 16시 2-3-3 F_POE PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2391 2020-07-30 16시 18시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2392 2020-07-30 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2393 2020-07-30 9시 10시 3-4-2 ISO-2 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2394 2020-07-31 10시 11시 3-2-1 F_POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2395 2020-07-31 11시 12시 4-2-1 T_Metal Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2396 2020-07-31 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2397 2020-07-31 14시 15시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2398 2020-07-31 15시 16시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2399 2020-07-31 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2400 2020-07-31 16시 17시 2-3-4 F_POE PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2401 2020-08-03 11시 12시 7-3-3 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2402 2020-08-03 14시 15시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2403 2020-08-03 15시 16시 silicon wafer PR ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 정진표 75,500원
2404 2020-08-03 16시 17시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2405 2020-08-04 16시 17시 12-3-3 V1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2406 2020-08-04 17시 18시 12-3-3 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2407 2020-08-05 11시 12시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2408 2020-08-05 15시 16시 3-2-2 ISO-1 PR ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2409 2020-08-05 17시 18시 4-3-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2410 2020-08-05 9시 10시 12-3-6 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2411 2020-08-06 15시 16시 13-3-3 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2412 2020-08-06 17시 18시 13-3-3 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2413 2020-08-06 9시 10시 12-3-6 V1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2414 2020-08-07 16시 17시 13-3-3 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2415 2020-08-07 17시 18시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2416 2020-08-07 17시 18시 9-3-1 PO PR ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2417 2020-08-10 10시 11시 12-3-3 V1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2418 2020-08-10 15시 16시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2419 2020-08-10 16시 17시 12-3-6 V1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2420 2020-08-11 10시 11시 3-4-2 ISO-2 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2421 2020-08-11 10시 11시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2422 2020-08-11 13시 14시 3-2-4 Poly Si PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 101,000원
2423 2020-08-12 10시 11시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2424 2020-08-12 10시 11시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2425 2020-08-12 15시 16시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2426 2020-08-12 9시 10시 4-2-1 T_Metal Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2427 2020-08-13 10시 11시 4-3-3 Metal Etch (Ashing) 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 101,000원
2428 2020-08-13 10시 11시 Dry etch 후 PR 제거 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 140,000원
2429 2020-08-13 15시 16시 9-3-1 PO PR ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2430 2020-08-13 17시 18시 1-3-2 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 152,000원
2431 2020-08-18 13시 14시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2432 2020-08-18 15시 16시 5-3-4 PAD PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 101,000원
2433 2020-08-19 15시 16시 8-inch Silicon Wafer 1장
NINT Ashing 120'' Recipe 		포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 77,000원
2434 2020-08-19 16시 17시 6-2-4 Si Release PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 101,000원
2435 2020-08-19 16시 17시 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2436 2020-08-19 18시 19시 1-2-2 N_OPEN PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2437 2020-08-20 11시 12시 13-3-3 M2 PR Remove (PR ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2438 2020-08-20 14시 15시 M1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
2439 2020-08-20 15시 16시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2440 2020-08-20 16시 17시 7-2-3 Baskside PR Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 101,000원
2441 2020-08-21 11시 12시 6-3-4 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2442 2020-08-21 13시 14시 2-3-1 POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2443 2020-08-21 14시 15시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2444 2020-08-21 15시 16시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2445 2020-08-21 16시 17시 6-3-4 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2446 2020-08-21 16시 17시 2-3-3 POE PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2447 2020-08-21 17시 18시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2448 2020-08-21 20시 21시 6-3-8 M0 PR Ashing 추가진행 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2449 2020-08-24 11시 12시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2450 2020-08-24 15시 16시 1-2-2 Act PR ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2451 2020-08-24 17시 18시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2452 2020-08-25 14시 15시 3-2-2 ISO-1 Etch PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 98,000원
2453 2020-08-26 14시 15시 2-4-3 P+ PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2454 2020-08-26 14시 15시 8-3-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2455 2020-08-27 10시 12시 Activation 후 PR 제거 (주)예스파워테크니스 공정기술팀 이정훈 122,000원
2456 2020-08-27 14시 15시 3-2-1 Active Passi Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 122,000원
2457 2020-08-27 14시 15시 3-4-2 ISO-2 Etch PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 74,000원
2458 2020-08-27 21시 22시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2459 2020-08-28 14시 15시 Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2460 2020-08-28 16시 17시 ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2461 2020-08-31 14시 15시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2462 2020-08-31 17시 18시 Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
2463 2020-09-01 14시 15시 4-3-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2464 2020-09-01 14시 15시 잔여 PR 제거 의뢰드립니다. (산화막이 패터닝된 Si 웨이퍼 6장) 포항공과대학교 기계공학과 이훈택 212,000원
2465 2020-09-01 20시 21시 13-3-5 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2466 2020-09-01 21시 22시 4-3-6 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2467 2020-09-02 10시 11시 25um 두께의 LCP라는 폴리머 필름이 플라즈마로 얼만큼 깎이는지를 알아보기 위해 테스트를 하고자 합니다.

웨이퍼 4장에 동일한 LCP 필름이 있으며, 각각 다른 온도와 시간으로 테스트 하고자 합니다.

1. 80도 온도로 3분
2. 130도 온도로 3분 / 1분
3. 180도 온도로 1분

이렇게 4개의 조건으로 진행
 부산대학교 기계공학부 이동현 270,000원
2468 2020-09-02 14시 15시 4.0 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2469 2020-09-02 15시 16시 3 Trench -> 1 Trench, 2Planar로 공정 변경 Photo Rework을 위한 Ashing 2ea 나노융합기술원 프라운호퍼 실용화연구센터 김상조 104,000원
2470 2020-09-03 10시 11시 3 Trench -> 1 Trench, 2Planar로 공정 변경
Photo Rework을 위한 Ashing 2ea		 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 110,000원
2471 2020-09-03 11시 12시 4.0 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2472 2020-09-03 11시 12시 1-2-1 Metal Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2473 2020-09-03 15시 16시 4-5-6 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2474 2020-09-03 16시 17시 12-3-6 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2475 2020-09-03 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2476 2020-09-04 14시 15시 1-2-2 N_OPEN PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2477 2020-09-04 15시 16시 추가 세정 12-3 V1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2478 2020-09-04 18시 19시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2479 2020-09-07 16시 17시 Asher 250도 3분 진행. 포항공과대학교 물리학과 김형빈 77,000원
2480 2020-09-08 13시 14시 5-3-4 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2481 2020-09-08 13시 14시 2-3-1 F_POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2482 2020-09-08 14시 15시 2-3-1 POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2483 2020-09-08 15시 16시 2-3-3 POE PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2484 2020-09-08 16시 17시 0-2-2 AKEY PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2485 2020-09-08 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2486 2020-09-09 10시 11시 4-3-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2487 2020-09-09 11시 12시 2-3-4 F_POE PR Remove (ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2488 2020-09-09 14시 15시 12-3-3 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2489 2020-09-09 15시 16시 12-3-6 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2490 2020-09-09 15시 16시 1-4-9 IMP Pattern PR Ashing (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 140,000원
2491 2020-09-09 17시 18시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2492 2020-09-09 17시 18시 8.0 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
2493 2020-09-10 14시 16시 Activation 후 PR 제거 (주)예스파워테크니스 공정기술팀 이정훈 0원
2494 2020-09-10 15시 16시 3-2-1 Solder Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2495 2020-09-11 11시 12시 PR Strip 2ea 충남대학교 전자공학과 송형섭 110,000원
2496 2020-09-11 11시 12시 1-4-9 IMP Pattern PR Ashing
 나노융합기술원 프라운호퍼 실용화연구센터 김상조 104,000원
2497 2020-09-11 15시 16시 PR Strip Ashing 4ea 충남대학교 전자공학과 송형섭 170,000원
2498 2020-09-11 17시 18시 13-3-5 M2 PR Remove (TP7000) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
2499 2020-09-11 17시 18시 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2500 2020-09-11 9시 10시 4.0 PC PR Remove (ashing 3차) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2501 2020-09-14 13시 14시 4.0 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2502 2020-09-14 15시 16시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
2503 2020-09-14 16시 17시 1-2-2 ACT PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2504 2020-09-14 17시 18시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2505 2020-09-14 9시 10시 Photo Rework 을 위한 PR Strip 나노융합기술원 프라운호퍼 실용화연구센터 김상조 266,000원
2506 2020-09-15 11시 12시 1-2-1 Metal Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2507 2020-09-15 13시 14시 Epi cleaning (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2508 2020-09-15 13시 14시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2509 2020-09-15 14시 15시 250도, 3분 포항공과대학교 물리학과 김형빈 77,000원
2510 2020-09-15 17시 18시 4.0 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2511 2020-09-16 10시 11시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2512 2020-09-16 11시 12시 1-2-1 Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2513 2020-09-16 11시 12시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2514 2020-09-16 15시 16시 2-2-5 P+ PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2515 2020-09-16 16시 17시 9-3-1 PO M Inspect 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
2516 2020-09-17 10시 11시 13-3-5 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2517 2020-09-17 11시 12시 4.0 PC PR Remove (Ashing 6차) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2518 2020-09-17 15시 16시 PR Strip Ashing 충남대학교 전자공학과 송형섭 80,000원
2519 2020-09-17 16시 17시 3-2-1 Active Passi Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2520 2020-09-18 10시 11시 13-3-5 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2521 2020-09-18 14시 15시 4.0 PC PR Remove (Ashing)) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2522 2020-09-18 15시 16시 2-3-1 POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2523 2020-09-18 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2524 2020-09-21 11시 12시 2-3-4 POE PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2525 2020-09-21 14시 15시 SOI 조각 입니다. top에는 silicon만 있습니다.
NINT ashing 레시피로 3분 진행 부탁드립니다.
샘플은 asher 장비 앞에 테이블에 두었습니다.
공정끝나면 연락 부탁드립니다.		 포항공과대학교 물리학과 김형빈 77,000원
2526 2020-09-21 15시 16시 4.0 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2527 2020-09-21 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
2528 2020-09-21 17시 18시 3-2-1 Solder Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2529 2020-09-21 9시 10시 4-5-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2530 2020-09-22 10시 11시 2-2-4 IMP PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 177,500원
2531 2020-09-22 11시 12시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2532 2020-09-22 14시 15시 4-3-2 Gate PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 117,500원
2533 2020-09-23 10시 11시 2-3-1 POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2534 2020-09-23 15시 16시 3-2-2 ISO-1 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2535 2020-09-23 17시 18시 4-3-2 Gate Metal PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2536 2020-09-23 18시 19시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2537 2020-09-24 15시 16시 5-3-2 Contact-1 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 117,500원
2538 2020-09-24 15시 16시 13-3-3 V1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2539 2020-09-24 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
2540 2020-09-24 17시 18시 13-3-6 V1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2541 2020-09-24 17시 18시 5-3-2 Contact-1 PR Ashinjg 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2542 2020-09-24 17시 18시 2-3-4 POE PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2543 2020-09-25 14시 15시 13-3-5 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
2544 2020-09-25 21시 22시 13-3-5 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2545 2020-09-28 13시 15시 25um 두께의 LCP라는 폴리머 필름이 플라즈마로 얼만큼 깎이는지를 알아보기 위해 테스트를 하고자 합니다.

웨이퍼 2장에 동일한 LCP 필름이 있으며, 각각 다른 온도와 시간으로 테스트 하고자 합니다.

1. 150도로 3분
2. 170도로 3분

이렇게 2개의 조건으로 진행하고자 합니다.		 부산대학교 기계공학부 이동현 110,000원
2546 2020-09-28 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
2547 2020-09-28 17시 18시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2548 2020-10-05 14시 15시 3-4-2 ISO-2 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2549 2020-10-05 15시 16시 4-2-1 T_Metal Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2550 2020-10-05 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2551 2020-10-05 16시 17시 7-3-2 Contact-2 PR ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 117,500원
2552 2020-10-05 17시 18시 13-3-6 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2553 2020-10-05 9시 10시 6-3-3 S/D Metal PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 117,500원
2554 2020-10-05 9시 10시 4-4-2 Activation Anneal PR Ashing (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 140,000원
2555 2020-10-06 17시 18시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2556 2020-10-06 9시 14시 SiC Trench MOSFET 단위공정 PR Ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 560,000원
2557 2020-10-07 11시 12시 4-4-2 Activation Anneal PR Ashing
 나노융합기술원 프라운호퍼 실용화연구센터 김상조 104,000원
2558 2020-10-07 13시 14시 6-3-3 S/D PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2559 2020-10-07 14시 15시 1-2-2 F_Via PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2560 2020-10-08 10시 11시 13-3-3 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
2561 2020-10-08 11시 12시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2562 2020-10-08 14시 15시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2563 2020-10-08 14시 15시 1-2-3 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 101,000원
2564 2020-10-08 15시 16시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
2565 2020-10-08 15시 16시 8-3-3 Contact-2 Metal PR Remove 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 117,500원
2566 2020-10-08 16시 17시 13-3-6 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2567 2020-10-12 11시 12시 2-3-1 F_POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2568 2020-10-12 17시 18시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2569 2020-10-12 18시 19시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
2570 2020-10-13 10시 11시 9-2-1 Solder descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 117,500원
2571 2020-10-13 11시 12시 7-3-2 Contact-2 OR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2572 2020-10-13 11시 12시 2-3-3 F_POE PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2573 2020-10-13 14시 16시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2574 2020-10-13 14시 15시 2-3-2 Bevel PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 101,000원
2575 2020-10-13 9시 10시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2576 2020-10-14 10시 11시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2577 2020-10-14 10시 11시 [나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업], 전자과 박지원 (010.5913.1833)
1호기 사용합니다. 예약은 2호기로 하라고해서 2호기로 예약합니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 70,000원
2578 2020-10-14 11시 12시 7-2-7 Contact Step PR Strip (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 140,000원
2579 2020-10-14 15시 16시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2580 2020-10-14 16시 17시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2581 2020-10-15 11시 12시 7-2-7 Contact Step PR Strip
 나노융합기술원 프라운호퍼 실용화연구센터 김상조 104,000원
2582 2020-10-15 15시 16시 8-3-2 Contact-2 Metal PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2583 2020-10-15 9시 13시 SiC Trench MOSFET 단위공정 PR Ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 560,000원
2584 2020-10-16 13시 14시 6-3-4 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2585 2020-10-16 16시 17시 1-2-1 Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2586 2020-10-19 10시 11시 13-3-3 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
2587 2020-10-19 13시 14시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
2588 2020-10-19 14시 15시 9-2-1 Solder Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2589 2020-10-19 16시 17시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2590 2020-10-20 14시 15시 4-5-5 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2591 2020-10-20 15시 16시 2-3-1 POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2592 2020-10-21 17시 18시 4-5-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2593 2020-10-22 10시 11시 13-3-3 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2594 2020-10-22 10시 11시 8-3-1 Schottky Metal Step Descum (선행1매 포함) 나노융합기술원 프라운호퍼 실용화연구센터 김상조 131,000원
2595 2020-10-22 11시 12시 8-3-1 Schottky Metal Step Descum
 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 140,000원
2596 2020-10-22 12시 13시 3-2-2 ISO-1 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2597 2020-10-22 13시 14시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2598 2020-10-22 14시 15시 8-2-1 Schottky Metal Photo PR Strip (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 110,000원
2599 2020-10-22 16시 17시 8-3-3 Schottky Metal Step PR Ashing (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 140,000원
2600 2020-10-22 16시 17시 8-3-3 Schottky Metal Step PR Ashing 나노융합기술원 프라운호퍼 실용화연구센터 김상조 131,000원
2601 2020-10-22 17시 18시 2-3-4 POE PR Remove (ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2602 2020-10-22 21시 22시 12-3-3 V1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2603 2020-10-23 11시 12시 Dry-etcher_20 nm 장비 공정 완료된 SOI Wafer
NINT 120" 조건 PR Ashing 의뢰 드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 77,000원
2604 2020-10-23 13시 14시 12-3-6 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2605 2020-10-23 14시 15시 0-2-2 Align Key PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2606 2020-10-23 17시 18시 2-2-1 Solder Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2607 2020-10-23 19시 20시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2608 2020-10-26 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2609 2020-10-26 16시 17시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2610 2020-10-26 9시 10시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2611 2020-10-27 10시 11시 4.0 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2612 2020-10-27 13시 15시 Si Etch PR Strip 조선대학교 기계공학과 강양준 170,000원
2613 2020-10-27 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2614 2020-10-27 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing 2차) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2615 2020-10-27 16시 17시 1-2-2 Active PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2616 2020-10-28 10시 11시 5-3-4 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2617 2020-10-28 11시 12시 Gen Viro_03차 (나노인프라활용사업)
1-2-1 Metal Depo Descum		 (주)더바이오 연구소 이원영 230,000원
2618 2020-10-28 12시 13시 3-2-3 ISO-2 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2619 2020-10-28 16시 17시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2620 2020-10-28 9시 10시 5-3-2 MC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2621 2020-10-29 11시 12시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2622 2020-10-29 13시 14시 2-2-5 P+ PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2623 2020-10-30 13시 14시 3-2-1 Active Passi Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2624 2020-10-30 15시 16시 4-2-1 T_Metal Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2625 2020-10-30 9시 10시 5-3-4 MC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2626 2020-11-02 13시 14시 1-2-2 F_Via PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 162,500원
2627 2020-11-02 13시 14시 6-3-3 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2628 2020-11-02 14시 15시 6-3-5 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2629 2020-11-02 15시 17시 PR ashing (주)예스파워테크니스 공정기술팀 이정훈 104,000원
2630 2020-11-03 10시 16시 PR Ashiing : 조각 샘플 메타포어 디바이스개발 이재혁 290,000원
2631 2020-11-03 10시 11시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2632 2020-11-03 13시 14시 2-3-1 F_POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 162,500원
2633 2020-11-03 14시 15시 1-2-1 Metal Descum (주)더바이오 연구소 이원영 230,000원
2634 2020-11-03 15시 16시 2-3-3 F_POE PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 162,500원
2635 2020-11-04 13시 14시 residual PR 제거

* 드라이 에치 이후에 버닝된 PR 제거가 되지 않아 asher 진행하려 합니다.
* Ge 기판이라 SPM 공정이 불가하여 아세톤으로 PR 제거를 하고 있는데 잔여 PR이 많이 남아있습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 80,000원
2636 2020-11-04 14시 15시 1-2-1 Metal Descum (주)더바이오 연구소 이원영 230,000원
2637 2020-11-04 15시 16시 6-3-3 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2638 2020-11-04 17시 18시 6-3-5 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2639 2020-11-04 18시 19시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2640 2020-11-05 14시 15시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2641 2020-11-05 17시 18시 1-2-2 Active PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2642 2020-11-06 10시 11시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
2643 2020-11-06 15시 16시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2644 2020-11-06 16시 17시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2645 2020-11-09 10시 11시 PR (주)예스파워테크니스 공정기술팀 이정훈 158,000원
2646 2020-11-09 13시 14시 NINT E-beam evaporator-2 증착 전 클리닝 공정입니다.
180도 에서 60초~120초 진행을 부탁드립니다.		 포항가속기연구소 기업지원팀 김진아 590,000원
2647 2020-11-09 16시 17시 4-3-5 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
2648 2020-11-09 20시 21시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2649 2020-11-10 10시 12시 Graphite 제거 (주)예스파워테크니스 공정기술팀 이정훈 338,000원
2650 2020-11-10 14시 15시 Si Etch PR Strip 조선대학교 기계공학과 강양준 80,000원
2651 2020-11-10 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2652 2020-11-10 15시 16시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2653 2020-11-10 9시 10시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2654 2020-11-10 9시 10시 2-2-5 P+ PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2655 2020-11-11 10시 11시 3-2-1 Active descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2656 2020-11-11 13시 14시 잔류pr asher 부탁드립니다. 포스텍 물리학과 신원철 77,000원
2657 2020-11-11 15시 16시 1-2-1 Metal descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2658 2020-11-11 16시 17시 3-2-1 Active Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2659 2020-11-11 17시 18시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
2660 2020-11-12 14시 15시 1-2-1 Metal Descum (주)더바이오 연구소 이원영 230,000원
2661 2020-11-12 17시 18시 2-2-1 Solder Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2662 2020-11-12 9시 10시 4-5-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
2663 2020-11-13 10시 11시 3-2-2 ISO-1 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 140,000원
2664 2020-11-13 14시 15시 12-3-3 V1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2665 2020-11-13 9시 10시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2666 2020-11-16 11시 12시 1-2-3 PR Strip Ashing 충남대학교 전자공학과 송형섭 80,000원
2667 2020-11-16 12시 13시 12-3-6 V1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2668 2020-11-16 17시 18시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
2669 2020-11-16 17시 18시 1-3-1 Metal Descum (주)더바이오 연구소 이원영 230,000원
2670 2020-11-17 13시 14시 3-2-3 ISO-2 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 140,000원
2671 2020-11-17 14시 15시 2-2-0 M4 Descum 충남대학교 전자공학과 송형섭 80,000원
2672 2020-11-17 15시 16시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2673 2020-11-17 17시 18시 1-2-1 Metal Descum (주)더바이오 연구소 이원영 230,000원
2674 2020-11-18 9시 10시 5-3-4 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
2675 2020-11-19 10시 11시 4-2-1 T_Metal Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 140,000원
2676 2020-11-19 13시 14시 3-2-1 PAD Descum 충남대학교 전자공학과 송형섭 110,000원
2677 2020-11-19 14시 15시 3-2-1 WT Descum (주)유우일렉트로닉스 TIS생산사업부 김도현 590,000원
2678 2020-11-23 14시 15시 6-3-3 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
2679 2020-11-23 15시 16시 6-3-5 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
2680 2020-11-24 14시 15시 8-4-3 M1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2681 2020-11-24 16시 17시 4-3-2 Gate PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2682 2020-11-24 16시 17시 4-3-2 Gate PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2683 2020-11-25 11시 12시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
2684 2020-11-25 9시 10시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
2685 2020-11-26 10시 11시 12-3-6 V1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2686 2020-11-26 15시 16시 2-2-1 Heater Descum (주)이너센서 경영, 연구소 강문식 185,000원
2687 2020-11-26 9시 10시 12-3-3 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2688 2020-11-27 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2689 2020-11-27 16시 17시 13-3-5 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2690 2020-11-27 20시 21시 13-3-3 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2691 2020-11-27 21시 22시 13-3-6 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2692 2020-11-30 14시 15시 5-3-2 Contact-1 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2693 2020-11-30 14시 15시 5-3-2 Contact-1 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2694 2020-12-01 14시 15시 2-2-3 Heater Ashing (주) 이너센서 이너센서 강문식 185,000원
2695 2020-12-01 18시 19시 13-3-3 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2696 2020-12-01 20시 21시 13-3-6 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2697 2020-12-02 12시 13시 6-3-3 S/D Metal PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2698 2020-12-02 13시 14시 6-3-3 S/D Metal PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2699 2020-12-02 14시 15시 13-3-2 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2700 2020-12-02 15시 16시 1-2-2 F_Via PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2701 2020-12-02 15시 16시 13-3-5 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2702 2020-12-07 10시 11시 12-3-3 V1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
2703 2020-12-07 13시 14시 12-3-6 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
2704 2020-12-07 13시 14시 2-3-1 F_POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2705 2020-12-07 14시 15시 7-3-2 Contact-2 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2706 2020-12-07 14시 15시 2-3-3 F_POE PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2707 2020-12-07 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
2708 2020-12-07 16시 17시 7-3-2 Contact-2 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2709 2020-12-08 10시 11시 sample: Ge 2cm * 2cm 조각 샘플
residual PR removal		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 75,500원
2710 2020-12-08 13시 14시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
2711 2020-12-08 14시 15시 8-3-3 TOP PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2712 2020-12-08 15시 16시 8-3-3 TOP PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2713 2020-12-09 11시 12시 3-2-2 ISO-1 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2714 2020-12-09 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
2715 2020-12-09 15시 16시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 230,000원
2716 2020-12-10 13시 14시 9-2-1 Solder Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2717 2020-12-10 14시 15시 13-3-3 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2718 2020-12-10 14시 15시 9-2-1 Solder Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2719 2020-12-10 15시 16시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2720 2020-12-10 16시 17시 13-3-6 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2721 2020-12-10 20시 21시 4-3-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2722 2020-12-11 10시 11시 3-3-3 Pass PR Strip (Ashing) (주) 이너센서 이너센서 강문식 185,000원
2723 2020-12-11 11시 12시 3-2-3 ISO-2 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2724 2020-12-11 13시 14시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2725 2020-12-11 15시 16시 3-3-1 PG PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2726 2020-12-11 16시 17시 3-3-4 PG PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2727 2020-12-14 13시 14시 4-2-1 T_Metal Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2728 2020-12-14 17시 18시 4-2-1 Electrode Descum (주)이너센서 경영, 연구소 강문식 185,000원
2729 2020-12-15 14시 15시 나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업
전자과 최원영 (010 5436 2518)		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 140,000원
2730 2020-12-16 16시 17시 0-2-2 Align Key PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2731 2020-12-16 9시 10시 4-2-5 Electrode Lift off (Ashing) (주) 이너센서 이너센서 강문식 185,000원
2732 2020-12-17 10시 11시 2-3-1 RX PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2733 2020-12-17 11시 12시 1-2-2 Active PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2734 2020-12-17 11시 12시 2-3-1 RX PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2735 2020-12-17 9시 10시 2-3-1 RX PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2736 2020-12-18 11시 12시 Dry Etching 된 SOI Wafer 2 장
NINT Ashing 120\" Recipe 진행 부탁 드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 104,000원
2737 2020-12-18 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2738 2020-12-18 14시 15시 13-3-6 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2739 2020-12-21 11시 12시 3-2-3 PG PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2740 2020-12-21 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2741 2020-12-21 14시 15시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2742 2020-12-21 15시 16시 3-3-4 PG PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2743 2020-12-21 16시 17시 3. Descum 포항공과대학교 IBB 정민규 131,000원
2744 2020-12-22 10시 11시 3-2-1 Active Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2745 2020-12-22 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
2746 2020-12-22 14시 15시 Dry Etching 의뢰 드린 SOI Wafer PR Ashing 공정 의뢰 드립니다.
Recipe: NINT Ashing 120\"		 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 77,000원
2747 2020-12-22 15시 16시 13-3- M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
2748 2020-12-23 14시 15시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2749 2020-12-23 15시 16시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2750 2020-12-24 11시 12시 4-3-5 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2751 2020-12-24 13시 14시 4-3-2 Gate PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2752 2020-12-24 14시 15시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
2753 2020-12-28 14시 15시 4-5-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2754 2020-12-28 15시 17시 PR Ashing 리노공업 리노공업 곽영대 200,000원
2755 2020-12-28 16시 17시 4-3-5 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2756 2020-12-28 9시 10시 4-3-5 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
2757 2020-12-29 13시 14시 5-3-2 Contact-1 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2758 2020-12-29 14시 15시 4-5-5 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2759 2021-01-04 10시 11시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2760 2021-01-04 10시 11시 5-3-4 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2761 2021-01-04 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2762 2021-01-04 14시 15시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2763 2021-01-04 15시 16시 6-3-3 S/D PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2764 2021-01-04 16시 17시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2765 2021-01-05 10시 11시 5-3-4 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2766 2021-01-05 14시 15시 7-3-2 Contact-2 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2767 2021-01-05 9시 10시 5-3-2 MC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2768 2021-01-06 13시 14시 5-3-4 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2769 2021-01-06 14시 15시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2770 2021-01-06 14시 15시 8-3-2 TOP PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2771 2021-01-06 9시 10시 5-3-2 MC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2772 2021-01-07 10시 11시 residual pr removal 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 67,000원
2773 2021-01-08 14시 15시 6-3-2 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2774 2021-01-11 11시 12시 4-5-5 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 218,000원
2775 2021-01-11 13시 14시 9-3-3 OUTPOE PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2776 2021-01-12 15시 16시 6-7-2 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 72,500원
2777 2021-01-13 10시 11시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 72,500원
2778 2021-01-13 14시 15시 8-inch SOI Wafer 4장 PR Asher 공정 의뢰 드립니다.
Recipe 는 NINT Ashing 120\" 조건으로 부탁드리며, 시편은 금일(13일) 오후 2시에 장비 앞에 준비 해두겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 158,000원
2779 2021-01-13 9시 10시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 72,500원
2780 2021-01-14 17시 18시 8-4-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 72,500원
2781 2021-01-15 18시 19시 13-3-3 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2782 2021-01-15 20시 21시 13-3-6 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2783 2021-01-18 10시 11시 4-5-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2784 2021-01-18 14시 15시 6-3-3 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2785 2021-01-18 15시 16시 6-3-5 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2786 2021-01-18 17시 18시 4-3-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2787 2021-01-19 14시 15시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2788 2021-01-19 15시 17시 Nitride Etch PR Ashing 메타포어 디바이스개발 이재혁 320,000원
2789 2021-01-19 19시 20시 7-3-1 V0 PR Remove 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2790 2021-01-19 21시 22시 4-5-3 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2791 2021-01-20 11시 12시 Sample: Ge wf (2cm * 2cm)
공정내용: residual PR removal		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 67,000원
2792 2021-01-20 12시 13시 1-2-2 F_Via PR Remove 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2793 2021-01-20 14시 15시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2794 2021-01-20 16시 17시 10-2-1 Solder Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 72,500원
2795 2021-01-20 17시 18시 7-3-6 V0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2796 2021-01-21 15시 16시 0-2-2 Align PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2797 2021-01-21 16시 17시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2798 2021-01-21 16시 17시 1-2-2 Active PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2799 2021-01-21 17시 18시 5-3-4 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2800 2021-01-22 10시 11시 PR Ashing 포항공과대학교 기계공학과 박수청 140,000원
2801 2021-01-25 13시 14시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2802 2021-01-25 14시 15시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2803 2021-01-25 9시 10시 2-2-5 P+ PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2804 2021-01-26 15시 16시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2805 2021-01-26 20시 21시 . 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
2806 2021-01-26 9시 10시 3-2-4 PG PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2807 2021-01-27 13시 14시 4-5-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2808 2021-01-28 10시 11시 12-3-6 V1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
2809 2021-01-28 11시 12시 12-3-3 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2810 2021-01-28 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2811 2021-01-28 13시 14시 12-3-6 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2812 2021-01-28 14시 15시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2813 2021-01-28 20시 21시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2814 2021-01-28 9시 10시 12-3-3 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
2815 2021-01-29 13시 14시 3-2-1 Active Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2816 2021-01-29 16시 17시 3-3-1 PG PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2817 2021-02-01 11시 12시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2818 2021-02-01 12시 13시 2-2-5 P+ PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2819 2021-02-01 13시 14시 3-2-1 Active Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2820 2021-02-01 14시 15시 5-3-4 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2821 2021-02-01 16시 17시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2822 2021-02-01 17시 18시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2823 2021-02-01 9시 11시 1-2-2 Active PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2824 2021-02-01 9시 10시 3-2-2 ISO-1 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2825 2021-02-02 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2826 2021-02-02 14시 15시 13-3-6 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2827 2021-02-03 11시 12시 3-2-3 ISO-2 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2828 2021-02-03 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2829 2021-02-03 13시 14시 Si Dry Ech PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 75,500원
2830 2021-02-03 14시 15시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2831 2021-02-03 17시 18시 4-5-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2832 2021-02-04 11시 12시 샘플: Ge 2cm * 2cm 조각
공정: residual PR removal		 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 67,000원
2833 2021-02-04 13시 18시 대구가톨릭대학교 LINC사업단 반도체 공정 실습_에칭 나노융합기술원 교육홍보팀 이현규 500,000원
2834 2021-02-04 19시 20시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2835 2021-02-05 10시 11시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2836 2021-02-05 13시 14시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2837 2021-02-05 14시 15시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2838 2021-02-05 16시 17시 1-2-3 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 126,500원
2839 2021-02-05 9시 10시 9-3-2 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
2840 2021-02-08 10시 11시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2841 2021-02-08 11시 12시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2842 2021-02-08 16시 17시 2-2-2 P+ PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 126,500원
2843 2021-02-08 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2844 2021-02-08 17시 18시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2845 2021-02-09 12시 13시 6-3-3 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2846 2021-02-09 13시 14시 6-3-5 M0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2847 2021-02-09 15시 16시 12-3-6 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2848 2021-02-09 21시 22시 Ashing 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
2849 2021-02-09 9시 10시 12-3-3 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2850 2021-02-10 10시 11시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2851 2021-02-10 9시 10시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2852 2021-02-16 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2853 2021-02-16 17시 18시 13-3-6 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2854 2021-02-17 10시 11시 4-3-2 Gate PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2855 2021-02-17 14시 15시 4-2-1 PAD Descum 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 126,500원
2856 2021-02-17 17시 18시 9-3-2 PO PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2857 2021-02-17 19시 20시 residual PR 제거 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 67,000원
2858 2021-02-18 11시 12시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2859 2021-02-18 13시 14시 12-3-3 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2860 2021-02-18 16시 17시 2-3-1 F_POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2861 2021-02-18 17시 18시 12-3-6 V1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2862 2021-02-19 10시 11시 4-2-1 T_Metal descum (재작업) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 140,000원
2863 2021-02-19 13시 15시 PR AShing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2864 2021-02-22 10시 11시 12-3-3 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2865 2021-02-22 11시 12시 12-3-6 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2866 2021-02-22 13시 14시 1-2-1 Metal descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2867 2021-02-22 24시 1시 . 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
2868 2021-02-23 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2869 2021-02-23 14시 15시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2870 2021-02-23 16시 17시 4-3-2 G_Metal Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2871 2021-02-23 17시 18시 6-3-3 S/D PR Remove (Ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2872 2021-02-23 20시 21시 4-3-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2873 2021-02-24 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
2874 2021-02-24 15시 16시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
2875 2021-02-24 16시 17시 9-3-1 PO PR ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2876 2021-02-24 9시 10시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2877 2021-02-25 10시 11시 7-3-2 Contact-2 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2878 2021-02-25 10시 11시 2-3-1 POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2879 2021-02-25 11시 12시 5-3-2 Contact-1 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2880 2021-02-25 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2881 2021-02-25 15시 16시 13-3-6 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2882 2021-02-25 19시 20시 8-3-2 TOP Metal PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2883 2021-02-26 10시 11시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2884 2021-02-26 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2885 2021-02-26 15시 16시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
2886 2021-02-26 16시 17시 6-3-4 S/D PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2887 2021-02-26 17시 18시 2-3-4 POE PR Remove (Ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2888 2021-03-02 11시 12시 3-2-1 Solder Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2889 2021-03-02 17시 18시 4-5-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2890 2021-03-02 17시 18시 7-3-2 Contact-2 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2891 2021-03-03 21시 22시 잔여 PR제거 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 82,000원
2892 2021-03-03 22시 21시 GaN Etch PR Ashing 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 110,000원
2893 2021-03-08 11시 12시 7-2-1 PolySi Descum 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 74,000원
2894 2021-03-09 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2895 2021-03-09 17시 18시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2896 2021-03-10 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2897 2021-03-10 14시 15시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2898 2021-03-10 15시 16시 8-3-3 TOP Metal PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2899 2021-03-10 16시 17시 4-2-1 T_Metal Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2900 2021-03-10 20시 21시 5-3-2 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 95,000원
2901 2021-03-10 21시 22시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2902 2021-03-10 9시 10시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2903 2021-03-11 13시 14시 5-3-4 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2904 2021-03-11 15시 16시 PR Ashing 한양대학교 신소재공학과 한훈희 200,000원
2905 2021-03-11 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2906 2021-03-11 17시 18시 1-2-2 Active PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2907 2021-03-11 17시 18시 GaN Etch PR Ashing 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 110,000원
2908 2021-03-11 17시 18시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2909 2021-03-12 15시 16시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2910 2021-03-12 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2911 2021-03-12 16시 17시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2912 2021-03-12 17시 18시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2913 2021-03-15 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2914 2021-03-15 15시 16시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2915 2021-03-15 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2916 2021-03-15 9시 10시 9-3-3 OUTPOE PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2917 2021-03-16 16시 17시 6-3-5 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2918 2021-03-16 19시 20시 9-3-1 PO TiN Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2919 2021-03-16 9시 10시 2-2-5 P+ Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2920 2021-03-17 13시 14시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2921 2021-03-17 14시 15시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2922 2021-03-17 14시 15시 3-2-1 Active Passi Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2923 2021-03-18 11시 12시 7-2-1 PolySi Descum 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 98,000원
2924 2021-03-18 23시 24시 에싱 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
2925 2021-03-22 16시 17시 GaN Etch PR Ashing 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 110,000원
2926 2021-03-23 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2927 2021-03-23 17시 18시 13-3-6 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2928 2021-03-24 10시 11시 12-3-6 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2929 2021-03-24 13시 14시 P-Si Dummy 1매 PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 74,000원
2930 2021-03-24 14시 15시 PR Ashing 한양대학교 신소재공학과 홍준성 80,000원
2931 2021-03-24 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2932 2021-03-24 9시 10시 12-3-3 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2933 2021-03-25 14시 15시 1-2-2 Active PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2934 2021-03-25 15시 16시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2935 2021-03-26 16시 17시 PR Strip용 ASHING120 (사용완료) 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 84,000원
2936 2021-03-26 9시 10시 ashing 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
2937 2021-03-29 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2938 2021-03-29 16시 17시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2939 2021-03-30 16시 17시 4-3-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2940 2021-03-30 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
2941 2021-03-30 17시 18시 2-2-5 P+ Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2942 2021-03-30 19시 20시 residual PR removal 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 82,000원
2943 2021-03-30 23시 24시 . 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
2944 2021-03-31 15시 16시 4\\\" si wafer o2 ashing for pr strip 4ea 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 이동훈 146,000원
2945 2021-03-31 20시 21시 Residual PR 제거 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 66,000원
2946 2021-03-31 9시 10시 2-2-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2947 2021-04-01 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
2948 2021-04-01 15시 16시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
2949 2021-04-01 16시 17시 residual PR 제거 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 66,000원
2950 2021-04-02 14시 15시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2951 2021-04-02 15시 16시 5-3-4 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2952 2021-04-02 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2953 2021-04-05 14시 15시 4-3-2 Gate PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 72,500원
2954 2021-04-06 14시 15시 1-2-2 Active PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2955 2021-04-06 15시 16시 5-3-2 Contact-1 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 72,500원
2956 2021-04-06 15시 16시 6-3-5 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2957 2021-04-07 14시 15시 6-3-3 S/D PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 72,500원
2958 2021-04-07 15시 16시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2959 2021-04-07 16시 17시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2960 2021-04-08 11시 12시 PR Ashing (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 74,000원
2961 2021-04-08 15시 16시 7-3-2 Contact-2 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 72,500원
2962 2021-04-09 10시 11시 2-2-5 P+ PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2963 2021-04-09 13시 14시 1-3-1 AKEY PR Ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 146,000원
2964 2021-04-09 14시 16시 GaN Etch PR Ashing 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 110,000원
2965 2021-04-13 16시 17시 8-3-3 TOP Metal PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 72,500원
2966 2021-04-13 16시 17시 12-3-3 V1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2967 2021-04-13 17시 18시 12-3-6 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2968 2021-04-13 23시 24시 . 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
2969 2021-04-15 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2970 2021-04-15 15시 16시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2971 2021-04-16 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
2972 2021-04-16 16시 17시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
2973 2021-04-16 16시 17시 4-3-2 Gate PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2974 2021-04-16 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
2975 2021-04-19 13시 14시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
2976 2021-04-20 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2977 2021-04-20 16시 17시 5-3-2 Contact-1 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
2978 2021-04-20 16시 17시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2979 2021-04-21 10시 11시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
2980 2021-04-21 13시 14시 PR Ashing (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 74,000원
2981 2021-04-21 15시 16시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
2982 2021-04-22 14시 15시 O2 ashing for PR strip 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 이동훈 170,000원
2983 2021-04-23 15시 16시 4-2-1 T_Metal Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2984 2021-04-26 13시 14시 GaN Etch PR Ashing 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 80,000원
2985 2021-04-27 14시 15시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
2986 2021-04-29 10시 11시 LOT ID: SKD0691A (ROIC Wafer)
목적: 폴리이미드 제거		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 0원
2987 2021-04-29 21시 22시 Ashing 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
2988 2021-05-03 16시 17시 1-2-1 Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2989 2021-05-04 10시 11시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
2990 2021-05-04 13시 15시 1.0 Align key layer PR Ashing LG 전자 소재/생산기술원 소재기술원 ML Task 조영제 230,000원
2991 2021-05-04 23시 24시 Ashing 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
2992 2021-05-06 10시 11시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
2993 2021-05-06 14시 15시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
2994 2021-05-06 18시 19시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
2995 2021-05-07 13시 14시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
2996 2021-05-07 16시 17시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
2997 2021-05-07 17시 18시 1-2-1 Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
2998 2021-05-10 10시 11시 2.0 Hardmask layer Descum LG 전자 소재/생산기술원 소재기술원 ML Task 조영제 110,000원
2999 2021-05-10 13시 14시 나노융합기반고도화사업
LOT ID: ASTEST01
목적: AS 테스트용 PR 에셔 6장		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 230,000원
3000 2021-05-10 14시 15시 4-5-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3001 2021-05-11 13시 14시 LOT ID: ROIC Wafer
목적: AS공정 Asher 사용 8장 (계약 건)
 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 0원
3002 2021-05-11 14시 15시 4-3-5 PC PR Remove (Asihng) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3003 2021-05-11 21시 22시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3004 2021-05-12 13시 14시 5-3-4 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3005 2021-05-12 15시 16시 GaN Etch Test PR Ashing 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 80,000원
3006 2021-05-12 15시 16시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3007 2021-05-12 9시 10시 4.0 Passi. Etch Ashing LG 전자 소재/생산기술원 소재기술원 ML Task 조영제 80,000원
3008 2021-05-13 14시 15시 Residul PR 제거 포항공과대학교 전자전기공학과 박익수 90,000원
3009 2021-05-13 15시 16시 Si Etch PR Ashing 전북대학교 전자공학부 김기현 110,000원
3010 2021-05-13 15시 16시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3011 2021-05-13 16시 17시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3012 2021-05-13 17시 18시 2-3-4 POE PR Remove (ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
3013 2021-05-13 9시 13시 LOT ID: SH33087E#01#03, SHD0527A #05, SH25919D #14 ,SH18465A #11, SH25919D #17
NDC20Y37W-2 #23#25, NDC19Y02W 4ea
목적: descum 진행 총 12장(계약 건)		 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 서준영 0원
3014 2021-05-15 23시 24시 Ashing 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
3015 2021-05-17 16시 17시 6-3-4 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3016 2021-05-17 17시 18시 4-2-1 Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
3017 2021-05-17 17시 18시 6-3-5 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3018 2021-05-18 13시 14시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3019 2021-05-18 14시 15시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3020 2021-05-24 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
3021 2021-05-24 17시 18시 PR Ashing 리노공업 리노공업 곽영대 350,000원
3022 2021-05-25 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
3023 2021-05-26 14시 15시 8-3-5 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
3024 2021-05-27 13시 14시 12-3-3 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3025 2021-05-27 14시 15시 12-3-6 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3026 2021-05-27 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3027 2021-05-27 20시 21시 13-3-6 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3028 2021-05-28 10시 11시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3029 2021-05-28 14시 15시 9-3-1 PO Etch M Inspect 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3030 2021-05-31 14시 15시 O2 ashing for PR strip 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 이동훈 80,000원
3031 2021-05-31 15시 16시 - 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 75,500원
3032 2021-06-01 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3033 2021-06-01 15시 16시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3034 2021-06-02 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
3035 2021-06-02 17시 18시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3036 2021-06-02 17시 18시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3037 2021-06-03 10시 11시 3-2-1 TMetal descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
3038 2021-06-03 10시 11시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
3039 2021-06-03 14시 15시 2-3-4 POE PR Remove (Ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
3040 2021-06-03 15시 16시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3041 2021-06-03 9시 10시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3042 2021-06-04 14시 15시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3043 2021-06-04 15시 16시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3044 2021-06-04 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3045 2021-06-04 23시 24시 Ashing 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
3046 2021-06-07 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3047 2021-06-07 14시 15시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3048 2021-06-07 21시 22시 4-3-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3049 2021-06-08 15시 16시 4-5-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3050 2021-06-08 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3051 2021-06-09 13시 14시 T_Metal descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
3052 2021-06-10 10시 11시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3053 2021-06-10 11시 12시 5-3-4 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3054 2021-06-10 15시 16시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3055 2021-06-11 10시 11시 6\\\\\\\" Si Wafer 1매
O2 ashing for PR strip
 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 이동훈 74,000원
3056 2021-06-11 14시 15시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3057 2021-06-11 15시 16시 1-3-3 Metal PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 117,500원
3058 2021-06-11 15시 16시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3059 2021-06-14 11시 12시 1-2-2 Trench PR Ashing (주)유우일렉트로닉스 (주)유우일렉트로닉스 박일몽 98,000원
3060 2021-06-14 15시 16시 4-5-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3061 2021-06-16 16시 17시 13-3-3 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3062 2021-06-16 17시 18시 13-3-6 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3063 2021-06-17 14시 15시 5-3-4 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3064 2021-06-17 15시 16시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3065 2021-06-17 15시 16시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3066 2021-06-17 16시 17시 6-3-3 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3067 2021-06-17 17시 18시 6-3-5 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3068 2021-06-18 14시 15시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3069 2021-06-18 15시 16시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3070 2021-06-18 17시 18시 4-2-1 UBIM Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
3071 2021-06-21 13시 14시 F_POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
3072 2021-06-21 15시 16시 GaN Etch PR Ashing 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 80,000원
3073 2021-06-22 16시 17시 1-2-2 F_Via PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 72,500원
3074 2021-06-23 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3075 2021-06-23 16시 17시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3076 2021-06-23 21시 22시 4-3-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3077 2021-06-24 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3078 2021-06-24 16시 17시 9-2-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3079 2021-06-25 10시 11시 12-3-6 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3080 2021-06-25 14시 15시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3081 2021-06-25 15시 16시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3082 2021-06-25 21시 22시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3083 2021-06-25 9시 10시 12-3-3 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3084 2021-06-28 13시 14시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3085 2021-06-28 9시 10시 3-2-1 ISO-2 Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 72,500원
3086 2021-06-29 10시 11시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
3087 2021-06-29 15시 16시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
3088 2021-06-30 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3089 2021-06-30 15시 16시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3090 2021-07-01 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3091 2021-07-01 15시 16시 9-3-1 PO Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3092 2021-07-01 16시 17시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3093 2021-07-02 13시 14시 3-2-2 Iso-3 PR Remove (Ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 72,500원
3094 2021-07-02 15시 16시 9-3 PO ASHING 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3095 2021-07-02 16시 17시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3096 2021-07-02 17시 18시 4-2-1 T_Metal Oxide_Etch Descum PR Asher_FEOL 85C 30s 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 72,500원
3097 2021-07-05 13시 14시 3-3-3 UBM Metal Etch (ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 117,500원
3098 2021-07-05 13시 14시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3099 2021-07-05 14시 15시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3100 2021-07-05 23시 24시 aashing 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
3101 2021-07-05 9시 10시 4-2-1 T_Metal Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 72,500원
3102 2021-07-06 10시 11시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3103 2021-07-06 14시 15시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3104 2021-07-06 16시 17시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3105 2021-07-07 15시 16시 4-5-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3106 2021-07-09 16시 17시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3107 2021-07-09 17시 18시 5-3-4 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3108 2021-07-13 15시 16시 6-3-5 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3109 2021-07-13 21시 22시 12-3-3 V1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3110 2021-07-14 10시 11시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3111 2021-07-14 11시 12시 12-3-6 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3112 2021-07-14 16시 17시 0-2-2 AKey PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 117,500원
3113 2021-07-14 9시 10시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3114 2021-07-15 10시 11시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3115 2021-07-15 11시 12시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3116 2021-07-15 16시 17시 9-3-1 PO PR ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3117 2021-07-16 14시 15시 6-3-3 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3118 2021-07-16 15시 16시 6-3-5 M0 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3119 2021-07-16 17시 18시 1-2-2 Active PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 117,500원
3120 2021-07-19 10시 11시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3121 2021-07-19 14시 15시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3122 2021-07-20 10시 11시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3123 2021-07-22 11시 12시 2-2-5 P+ ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 117,500원
3124 2021-07-22 14시 15시 12-3-3 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3125 2021-07-22 15시 16시 12-3-6 V1 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3126 2021-07-23 15시 16시 9.0 PO ASHING 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3127 2021-07-23 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3128 2021-07-23 17시 18시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3129 2021-07-23 23시 24시 에싱 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
3130 2021-07-26 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3131 2021-07-26 16시 17시 12-3-3 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3132 2021-07-26 17시 18시 12-3-6 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3133 2021-07-27 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
3134 2021-07-27 16시 17시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
3135 2021-07-28 15시 16시 9-3-1 PO PR ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 140,000원
3136 2021-07-28 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3137 2021-07-29 10시 12시 PR Ashing : SiN/Al2O3/GaN Etching 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 80,000원
3138 2021-07-29 10시 11시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3139 2021-07-29 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3140 2021-07-29 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3141 2021-07-29 17시 18시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3142 2021-07-29 17시 18시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3143 2021-07-29 23시 24시 에싱 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
3144 2021-07-30 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3145 2021-07-30 14시 15시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3146 2021-07-30 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3147 2021-08-02 13시 14시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3148 2021-08-02 15시 17시 9-3-1 PO Etch 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3149 2021-08-04 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3150 2021-08-04 16시 17시 1-2-1 F_Via PR Remove (Ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 117,500원
3151 2021-08-04 17시 18시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3152 2021-08-05 15시 16시 9.0 po ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3153 2021-08-05 15시 16시 4-3-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3154 2021-08-06 14시 15시 5-2-5 T_Metal PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
3155 2021-08-06 17시 18시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3156 2021-08-09 11시 12시 0-2-2 AKey PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 117,500원
3157 2021-08-09 13시 14시 5-3-4 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3158 2021-08-10 14시 15시 1-2-2 Active PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 117,500원
3159 2021-08-10 9시 10시 3-2-2 ISO-2 GaN Etch (Ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 117,500원
3160 2021-08-11 14시 16시 Ti/Au 각각 30nm, 200nm sputtering된 산화 알루미나 블레이드 5개의 oxygen plasma를 진행하려고 합니다. 양면 진행을 위해 oxygen plasma 횟수는 2회가 되겠습니다.

감사합니다. 		포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 김명훈 104,000원
3161 2021-08-11 17시 18시 6-3-5 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3162 2021-08-11 9시 10시 1-2-3 Heater Electrode Lift off (Ashing) (주)센텍코리아 기술연구소 강진현 170,000원
3163 2021-08-12 10시 11시 P+ IMP Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 117,500원
3164 2021-08-12 16시 17시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3165 2021-08-12 17시 18시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3166 2021-08-13 16시 17시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3167 2021-08-13 17시 18시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3168 2021-08-14 23시 24시 . 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
3169 2021-08-17 16시 17시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3170 2021-08-18 14시 15시 3-2-3 ISO-2 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 117,500원
3171 2021-08-19 15시 16시 12-3-3 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3172 2021-08-19 16시 17시 12-3-6 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3173 2021-08-20 11시 12시 4-3-2 Gate PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 117,500원
3174 2021-08-23 16시 17시 5-3-2 Contact-1 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 117,500원
3175 2021-08-24 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3176 2021-08-24 15시 16시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3177 2021-08-25 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3178 2021-08-26 12시 13시 2-2-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3179 2021-08-26 15시 16시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3180 2021-08-27 14시 15시 6-3-3 S/D PR Remove (Ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 117,500원
3181 2021-08-27 15시 16시 5-2-4 T_Metal Lift off (Ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
3182 2021-08-30 14시 15시 Descum 진행 8매 충남대학교 전자공학과 송기우 290,000원
3183 2021-08-30 15시 16시 7-3-2 Contact-2 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 117,500원
3184 2021-08-31 15시 16시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3185 2021-09-01 11시 12시 4-5-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3186 2021-09-01 9시 10시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3187 2021-09-02 11시 12시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3188 2021-09-02 21시 22시 PR Ashing 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
3189 2021-09-03 10시 11시 1-2-2 F_Via PR Remove (Ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
3190 2021-09-03 10시 11시 5-3-4 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3191 2021-09-08 15시 16시 6-3-3 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3192 2021-09-08 17시 18시 6-3-6 M0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3193 2021-09-09 14시 15시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3194 2021-09-09 20시 21시 ashing 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
3195 2021-09-10 14시 15시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3196 2021-09-13 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3197 2021-09-13 15시 16시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3198 2021-09-14 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3199 2021-09-15 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3200 2021-09-15 15시 16시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3201 2021-09-15 15시 16시 SD21Y08M-LEG 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 130,000원
3202 2021-09-16 13시 14시 4-5-2 Act PR Remove 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 146,000원
3203 2021-09-16 14시 15시 3-2-2 ISO-2 PR Remove (Ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
3204 2021-09-16 15시 16시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3205 2021-09-16 15시 16시 TE Metal Lift off (Ashing) 충남대학교 전자공학과 송기우 230,000원
3206 2021-09-16 17시 18시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3207 2021-09-16 9시 10시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3208 2021-09-24 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3209 2021-09-24 15시 16시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3210 2021-09-24 16시 17시 3-2-3 ISO-3 PR Remove (Ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 117,500원
3211 2021-09-27 10시 11시 12-3-6 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3212 2021-09-27 17시 18시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3213 2021-09-27 9시 10시 12-3-3 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3214 2021-09-28 11시 12시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3215 2021-09-28 14시 15시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3216 2021-09-29 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3217 2021-09-29 17시 18시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3218 2021-09-30 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3219 2021-09-30 20시 21시 나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원 사업
전자과 이동훈(010-6763-7749)
 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 70,000원
3220 2021-10-01 9시 10시 2-3-1 RX PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3221 2021-10-04 9시 17시 선도연구시설 고도화 지원사업_Etch[4.0021961.01] 나노융합기술원 대외협력팀 한동희 300,000원
3222 2021-10-05 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3223 2021-10-05 16시 17시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3224 2021-10-05 17시 18시 4-3-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3225 2021-10-06 15시 16시 9-3-1 PO PR ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3226 2021-10-06 16시 17시 4-5-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3227 2021-10-07 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3228 2021-10-07 16시 17시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3229 2021-10-08 15시 16시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3230 2021-10-08 15시 16시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3231 2021-10-12 11시 12시 4-4-4 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3232 2021-10-12 14시 15시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3233 2021-10-12 15시 16시 5-3-4 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3234 2021-10-14 15시 16시 6-3-5 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3235 2021-10-14 16시 17시 1-2-1 Akey Etch PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 158,000원
3236 2021-10-14 19시 20시 [나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업], 전자과 이동훈(010.6763.7749)
 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 70,000원
3237 2021-10-14 22시 23시 에싱 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
3238 2021-10-15 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3239 2021-10-15 17시 18시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3240 2021-10-18 10시 11시 Si Deep Etching PR Remove 포항공과대학교 기계공학과 조원희 104,000원
3241 2021-10-18 15시 16시 2-2-2 P+ PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 131,000원
3242 2021-10-18 16시 17시 5-6-7 GATE PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 146,000원
3243 2021-10-19 14시 15시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3244 2021-10-19 17시 18시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3245 2021-10-19 17시 18시 ashing 경북대학교 기계공학부 곽문규 80,000원
3246 2021-10-22 16시 17시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3247 2021-10-25 10시 11시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3248 2021-10-26 13시 14시 4-2-1 Pad Descum 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 158,000원
3249 2021-10-27 10시 11시 4-4-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3250 2021-11-01 10시 11시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3251 2021-11-01 13시 14시 PR Ashing calient Technologies ,Inc MEMS Technology 장호연 410,000원
3252 2021-11-01 17시 18시 4-5-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3253 2021-11-01 9시 10시 PR Ashing calient Technologies ,Inc MEMS Technology 장호연 410,000원
3254 2021-11-02 10시 11시 IDP32017-FLOAT

Ash 진행

180도, 100s x4회 진행		 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 70,000원
3255 2021-11-02 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3256 2021-11-02 15시 16시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3257 2021-11-03 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3258 2021-11-03 15시 16시 13-3-6 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3259 2021-11-03 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3260 2021-11-03 17시 18시 [나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업], 전자과 이동훈(010.6763.7749)
 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 70,000원
3261 2021-11-04 10시 11시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3262 2021-11-04 13시 14시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3263 2021-11-04 14시 15시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3264 2021-11-04 15시 16시 9.2 PO Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3265 2021-11-04 15시 16시 5-3-4 MC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3266 2021-11-05 10시 12시 1st PR Remove 나노콘 나노콘연구소 조윤빈 239,000원
3267 2021-11-09 15시 16시 6-3-5 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3268 2021-11-09 19시 20시 [나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업], 전자과 이동훈(010.6763.7749) 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 66,000원
3269 2021-11-10 15시 17시 Akey PR Ashing 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 110,000원
3270 2021-11-10 9시 10시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3271 2021-11-11 11시 12시 Dry-etcher 20nm 급 의뢰 시편
SOI Wafer 3장
NINT Ashing 120’ 조건 공정 의뢰 드립니다.
 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 126,500원
3272 2021-11-11 13시 14시 7-3-6 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3273 2021-11-12 10시 12시 Oxide 6500A Etch (1차) PR Ashing calient Technologies ,Inc MEMS Technology 장호연 410,000원
3274 2021-11-12 14시 15시 5-2-4 T_Metal PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 117,500원
3275 2021-11-12 16시 17시 PR Remove 나노콘 나노콘연구소 조윤빈 239,000원
3276 2021-11-15 13시 15시 PR Remove 나노콘 나노콘연구소 조윤빈 239,000원
3277 2021-11-15 9시 10시 Oxide 6500A Etch (1차) PR Ashing calient Technologies ,Inc MEMS Technology 장호연 410,000원
3278 2021-11-16 10시 11시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3279 2021-11-18 11시 12시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3280 2021-11-18 13시 14시 12-3-3 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3281 2021-11-18 23시 24시 에싱 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
3282 2021-11-19 10시 11시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3283 2021-11-19 9시 10시 12-3-6 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3284 2021-11-22 16시 17시 PR Remove 나노콘 나노콘연구소 조윤빈 239,000원
3285 2021-11-23 15시 16시 세라믹 기판 lift-off 후, ashing 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 70,000원
3286 2021-11-25 18시 19시 13-3-3 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3287 2021-11-25 20시 21시 13-3-6 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3288 2021-11-26 15시 16시 13-3-3 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3289 2021-11-26 16시 17시 9-3-1 PO PR ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3290 2021-11-26 17시 18시 13-3-6 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3291 2021-11-29 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3292 2021-11-29 14시 15시 13-3-6 M2 PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3293 2021-11-29 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3294 2021-11-29 9시 11시 Oxide 6500A Etch (2차) PR Ashing calient Technologies ,Inc MEMS Technology 장호연 410,000원
3295 2021-11-30 10시 12시 Oxide 6500A Etch (2차) PR Ashing calient Technologies ,Inc MEMS Technology 장호연 410,000원
3296 2021-11-30 15시 16시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3297 2021-11-30 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3298 2021-11-30 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3299 2021-11-30 17시 18시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3300 2021-12-01 10시 11시 picomax pattern test용 wafer ash 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 90,000원
3301 2021-12-01 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 162,500원
3302 2021-12-01 20시 21시 Ashing 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
3303 2021-12-02 14시 15시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3304 2021-12-02 17시 18시 나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업], 전자과 신성환(010.9081.6590) 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 194,000원
3305 2021-12-02 20시 21시 Ashing 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
3306 2021-12-06 13시 14시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3307 2021-12-06 13시 15시 PR Remove 나노콘 나노콘연구소 조윤빈 239,000원
3308 2021-12-07 11시 12시 나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업], 전자과 신성환(010.9081.6590) 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 74,000원
3309 2021-12-07 14시 15시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3310 2021-12-08 14시 15시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3311 2021-12-08 15시 16시 8-2-3 Gate PR Remove (Ashing) 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 146,000원
3312 2021-12-08 21시 22시 나노인프라 활용 중소기업 나노기술 응용제품 제작지원사업], 전자과 신성환(010.9081.6590) 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 66,000원
3313 2021-12-10 10시 12시 PR Remove 나노콘 나노콘연구소 조윤빈 239,000원
3314 2021-12-10 10시 11시 8인치 SOI 웨이퍼 1장
NINT Ashing 120\" 공정 의뢰 드립니다.
시편은 장비 앞에 두었습니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 75,500원
3315 2021-12-10 15시 16시 1.7 um의 PR이 올라간 SOI 웨이퍼입니다.
PR 밑에는 300 nm의 SiN가 올라가 있습니다.

그 외에는 Si이 노출되어 있으나 후공정에서 wet etching으로 제거할 예정입니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김영신 104,000원
3316 2021-12-13 10시 12시 PR Remove 나노콘 나노콘연구소 조윤빈 239,000원
3317 2021-12-13 16시 18시 PR Remove 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 110,000원
3318 2021-12-13 17시 18시 1-2-3 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 158,000원
3319 2021-12-14 14시 15시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3320 2021-12-15 15시 16시 13-3-3 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3321 2021-12-15 17시 18시 13-3-6 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3322 2021-12-16 10시 14시 PR Remove 나노콘 나노콘연구소 조윤빈 239,000원
3323 2021-12-16 11시 12시 13-3-1 M2 Akey Metal Etch PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3324 2021-12-16 15시 16시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3325 2021-12-20 15시 16시 4-3-5 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3326 2021-12-21 14시 15시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3327 2021-12-21 15시 16시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3328 2021-12-21 16시 17시 4-4-4 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3329 2021-12-22 10시 11시 2-2-2 P+ PR Remove (ashing) 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 158,000원
3330 2021-12-22 17시 18시 PR ASHING 경북대학교 기계공학부 곽문규 80,000원
3331 2021-12-22 17시 18시 13-3-3 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3332 2021-12-22 21시 22시 13-3-6 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3333 2021-12-23 15시 16시 4-2-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
3334 2021-12-23 18시 19시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3335 2021-12-24 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3336 2021-12-24 16시 17시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3337 2021-12-27 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3338 2021-12-28 15시 16시 13-3-3 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3339 2021-12-28 17시 18시 13-3-6 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3340 2021-12-30 14시 16시 9-3-2 PO Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3341 2021-12-31 9시 11시 최소 온도 조건 (80~85도)에서 30초간 플라즈마로 표면 활성화가 필요합니다. Ashing 공정 후, E-beam Evaporator -II Ti / Au 증착 공정 이어서 부탁드립니다. 일정은 편하신대로 맞춰서 진행해주시면 됩니다.

웨이퍼 케이스에 A 타입 2장, B 타입 6장이 있습니다.

Ashing 공정은 A타입 1장 (웨이퍼에 갈색 테이프), B타입 6장 부탁드립니다.

A타입 (웨이퍼 가운데에 마이크로 니들 성형) : 1장만 공정해주시면 됩니다. 니들이 부숴질 수 있으니 조심해주시면 감사하겠습니다. (substrate : Si 웨이퍼 / 접착용도 : PDMS (폴리머) / needle : PLA (폴리머), 갈색 테이프 : 폴리이미드 (PI) 테이프)

B타입 : 6장 다 공정 부탁드립니다. (substrate : Si 웨이퍼 / 접착용도 : PDMS (폴리머) / LCP film (폴리머))		 부산대학교 기계공학부 이동현 260,000원
3342 2022-01-04 12시 14시 GaN Etch PR Ashing 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 110,000원
3343 2022-01-06 16시 17시 PR Asher 사용 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 67,000원
3344 2022-01-12 10시 11시 5-2-1 Bridge Discum 삼성전자 Display Innovation Lab. 이근식 140,000원
3345 2022-01-12 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3346 2022-01-12 14시 15시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3347 2022-01-13 14시 15시 1um si 식각 후 Asher를 하고자 합니다. 나노융합기술원 사업지원팀 21년도 전문인력 1조 0원
3348 2022-01-13 21시 22시 . 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
3349 2022-01-17 1시 10시 SOI 칩에 이빔패터닝 및 식각만 하였음 포항공과대학교 물리학과 박세배 77,000원
3350 2022-01-17 11시 12시 dry etch 후 세정 작업하고자 합니다. 나노융합기술원 사업지원팀 21년도 전문인력 1조 0원
3351 2022-01-17 15시 16시 1-2-2 Active PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 95,000원
3352 2022-01-18 10시 12시 [21년도 전문인력양성 1조]
etch 후 ashing 공정 진행하려고 합니다.		 나노융합기술원 사업지원팀 21년도 전문인력 1조 0원
3353 2022-01-18 15시 16시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3354 2022-01-19 14시 15시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3355 2022-01-20 13시 14시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3356 2022-01-21 10시 11시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3357 2022-01-21 13시 14시 PR Strip 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 110,000원
3358 2022-01-21 14시 15시 4-5-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3359 2022-01-22 20시 21시 . 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
3360 2022-01-25 10시 11시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3361 2022-01-25 13시 14시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3362 2022-01-25 15시 16시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3363 2022-01-26 11시 12시 9-3-2 PO PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3364 2022-01-26 11시 12시 4-2-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3365 2022-01-27 10시 11시 전자빔 증착 공정을 진행하기 전, 플라즈마로 표면 활성화를 하고자 합니다.

4인치 Si wafer 위에 PDMS 접착층이 있으며, 그 위에 LCP 폴리머 필름이 붙여져있습니다.

샘플 특성상 고진공에서 접착층과 LCP 폴리머 사이에 기포가 발생합니다.

5x10-2 torr에서는 많이 생기지 않는 것을 확인했으니 참고해주시면 될거 같습니다.

공정은 가장 낮은 온도 조건에서 O2 가스로 1분간 부탁드립니다.		 부산대학교 기계공학부 이동현 170,000원
3366 2022-01-27 11시 12시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3367 2022-01-27 15시 16시 - 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 67,000원
3368 2022-01-27 9시 10시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3369 2022-01-27 9시 10시 P+ Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 72,500원
3370 2022-02-07 11시 16시 전문인력양성사업 나노소자공정 교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 900,000원
3371 2022-02-07 13시 14시 Si 1st Etching PR strip 경북대학교 기계공학부 곽문규 80,000원
3372 2022-02-07 15시 16시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3373 2022-02-07 16시 17시 3-2-3 N-GaN PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 72,500원
3374 2022-02-07 17시 18시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3375 2022-02-08 11시 12시 4-2-3 P-Contact PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 72,500원
3376 2022-02-08 13시 14시 5-3-6 MC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3377 2022-02-08 17시 18시 2-2-3 2nd Si Etch (ashing) 경북대학교 기계공학부 곽문규 80,000원
3378 2022-02-11 11시 12시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3379 2022-02-11 16시 17시 4-4-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3380 2022-02-15 14시 15시 - 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 67,000원
3381 2022-02-15 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3382 2022-02-15 16시 17시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3383 2022-02-15 21시 22시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3384 2022-02-16 11시 12시 5-3-2 Etch Stop PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 72,500원
3385 2022-02-16 14시 15시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3386 2022-02-16 15시 16시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3387 2022-02-18 11시 12시 Si Etch PR Ashing (주)엘란테크놀러지 기술 (주)엘란테크놀러지 140,000원
3388 2022-02-23 10시 11시 4-2-1 PR Ashing (주)엘란테크놀러지 기술 (주)엘란테크놀러지 140,000원
3389 2022-02-23 17시 18시 1-2-2 Active PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
3390 2022-02-24 17시 20시 6inch SiC, graphite ashing 120sec 충남대학교 재료공학과 황규환 338,000원
3391 2022-03-02 14시 15시 2-2-5 P+ PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
3392 2022-03-03 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3393 2022-03-03 16시 17시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3394 2022-03-03 19시 20시 3-2-3 N-GaN PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
3395 2022-03-04 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
3396 2022-03-04 14시 15시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
3397 2022-03-07 1시 1시 Si 650V 파워반도체 제작 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 2,450,000원
3398 2022-03-07 10시 12시 PR Ashing 삼성디스플레이 선행제품연구팀 박후근 350,000원
3399 2022-03-07 14시 15시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3400 2022-03-07 15시 17시 6인치 SiC, carbon graphite 제거, O2 plasma asing, 250℃ 1800W 180초 충남대학교 재료공학과 황규환 446,000원
3401 2022-03-07 17시 18시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
3402 2022-03-07 17시 18시 4-3-6 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3403 2022-03-07 17시 18시 4-2-3 P-Contact PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
3404 2022-03-08 15시 16시 4-4-4 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3405 2022-03-08 16시 17시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3406 2022-03-10 14시 15시 2-2-1 Ashing 한국산업기술대학교 나노반도체공학과 김창규 80,000원
3407 2022-03-10 15시 16시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3408 2022-03-11 10시 11시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3409 2022-03-11 16시 17시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3410 2022-03-14 17시 18시 6-3-2 G-Metal PR Remove (Ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 162,500원
3411 2022-03-17 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3412 2022-03-17 17시 18시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3413 2022-03-18 16시 17시 9-3-2 PO PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3414 2022-03-21 10시 11시 5-2-3 Metal Lift off (Ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 117,500원
3415 2022-03-21 10시 11시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
3416 2022-03-21 11시 12시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
3417 2022-03-21 9시 10시 7-3-2 Contact-1 PR Remove (Ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 162,500원
3418 2022-03-22 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 117,500원
3419 2022-03-22 21시 22시 9-3-2 Contact-2 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 162,500원
3420 2022-03-22 9시 10시 8-3-3 S/D PR Remove (AShing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 162,500원
3421 2022-03-23 13시 14시 10-2-1 TOP Metal Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 162,500원
3422 2022-03-23 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3423 2022-03-23 20시 21시 13-3-6 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3424 2022-03-24 17시 18시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3425 2022-03-24 17시 18시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3426 2022-03-24 21시 22시 . 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
3427 2022-03-24 9시 10시 11-2-3 ISO-1 PR Remove (Ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 162,500원
3428 2022-03-25 16시 17시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3429 2022-03-25 20시 21시 11-4-3 ISO-2 PR Ashing 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 117,500원
3430 2022-03-28 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3431 2022-03-28 19시 20시 13-3-6 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3432 2022-03-29 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3433 2022-03-29 16시 17시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3434 2022-03-31 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3435 2022-03-31 14시 15시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3436 2022-04-04 11시 12시 Gate Stack Etch 조건 평가 :
- Cl2/Ar, 1:3 & 700W 조건 Etching 평가 후 Ashing		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 152,000원
3437 2022-04-04 12시 13시 Gate Stack Etch 조건 평가 :
- Cl2/Ar, 1:3 & 500W 조건 Etching 평가 후 Ashing		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 101,000원
3438 2022-04-04 14시 15시 Gate Stack Etch 조건 평가 :
- Cl2/Ar, 1:3 & 900W 조건 Etching 평가 후 Ashing		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 101,000원
3439 2022-04-04 16시 17시 Gate Stack Etch 조건 평가 :
- Cl2/Ar, 1:1 & 900W 조건 Etching 평가 후 Ashing		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 126,500원
3440 2022-04-04 17시 18시 Gate Stack Etch 조건 평가 :
- Cl2/Ar, 1:1 & 500W 조건 Etching 평가 후 Ashing		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 101,000원
3441 2022-04-05 10시 11시 1-3-1 1st PR Remove (Ashing) 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 104,000원
3442 2022-04-05 12시 13시 Gate Stack Etch 조건 평가 :
- Cl2/Ar, 1:1 & 700W 조건 Etching 평가 후 Ashing		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 152,000원
3443 2022-04-05 15시 16시 Gate Stack Etch 조건 평가 :
- Ar 조건 Etching 평가 후 Ashing		 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 75,500원
3444 2022-04-05 9시 10시 1-3-1 1st PR Remove (Ashing) 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 104,000원
3445 2022-04-06 13시 14시 PR Ashing 삼성디스플레이 선행제품연구팀 박후근 170,000원
3446 2022-04-06 16시 17시 13-3-3 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3447 2022-04-06 17시 18시 13-3-6 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3448 2022-04-07 10시 11시 3-3-1 POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
3449 2022-04-07 17시 18시 9-3-1 PO PR ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3450 2022-04-12 15시 16시 4-3-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3451 2022-04-13 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3452 2022-04-13 14시 15시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3453 2022-04-13 15시 17시 PR Ashing 삼성디스플레이 선행제품연구팀 박후근 220,000원
3454 2022-04-13 16시 17시 4-4-6 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3455 2022-04-14 16시 17시 4-2-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3456 2022-04-14 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3457 2022-04-15 13시 14시 O2 plasma : 조각 4개 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 77,000원
3458 2022-04-15 20시 21시 4-4-4 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3459 2022-04-18 13시 14시 5-2-4 T_Metal Lift off (Ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
3460 2022-04-20 14시 15시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3461 2022-04-21 14시 15시 3-2-1 POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
3462 2022-04-21 16시 17시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3463 2022-04-22 13시 14시 5-2-4 T_Metal Lift off (ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
3464 2022-04-26 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
3465 2022-04-26 14시 15시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
3466 2022-04-27 13시 16시 PR Ashing (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 0원
3467 2022-04-28 14시 15시 2-3-1 SiO2 Descum (주)에스제이컴퍼니 개발팀 박상준 0원
3468 2022-04-28 15시 16시 2-3-3 SiO2 Ashing (주)에스제이컴퍼니 개발팀 박상준 0원
3469 2022-04-29 13시 14시 2-1-3 Si Etch (ashing) 한국산업기술대학교 나노반도체공학과 김창규 110,000원
3470 2022-05-04 10시 11시 5-2-4 T_Metal Lift off (Ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
3471 2022-05-04 14시 15시 2-2-3 2nd Si Etch (ashing) 경북대학교 기계공학부 곽문규 350,000원
3472 2022-05-09 13시 14시 3-2-1 POE Descum 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
3473 2022-05-10 10시 11시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3474 2022-05-10 15시 16시 GaN Etch Target Test, PR Strip 경북대학교 전자전기공학부 이상호 80,000원
3475 2022-05-10 16시 17시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3476 2022-05-11 14시 15시 2-3-3 SiO2 PR Ashing (주)에스제이컴퍼니 개발팀 박상준 140,000원
3477 2022-05-12 9시 10시 1-3-4 SiO2 PR Ashing 주식회사 이엔아이솔루션 공정 임태산북두 230,000원
3478 2022-05-18 10시 12시 플라즈마로 표면 활성화가 필요합니다. 최소 온도 조건 (80~85도)에서 1분간 Ashing 공정으로 표면에 플라즈마 처리 후, E-beam Evaporator -II Ti / Au 증착 공정 이어서 부탁드립니다. 일정은 편하신대로 맞춰서 진행해주시면 됩니다. 부산대학교 기계공학부 이동현 350,000원
3479 2022-05-19 14시 15시 5-2-4 T_Metal Lift off (ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
3480 2022-05-19 15시 16시 04M 잔류 PR Removal 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 77,000원
3481 2022-05-19 16시 17시 05M ash 5EA 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 200,000원
3482 2022-05-24 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3483 2022-05-24 16시 17시 Gate Stack Etch 평가 : PP 제거 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 126,500원
3484 2022-05-24 16시 17시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3485 2022-05-25 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3486 2022-05-30 11시 13시 Gate Stack Etch 평가 : PR Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 203,000원
3487 2022-05-30 13시 14시 5-2-4 T_Metal Lift off (ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 185,000원
3488 2022-05-30 15시 16시 1-3-1 Carbon Strip PR Ashing ( SiC Decap) 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 203,000원
3489 2022-05-31 15시 16시 1-5-1 Backside PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 203,000원
3490 2022-05-31 15시 16시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3491 2022-06-03 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3492 2022-06-03 16시 17시 1-2-2 TEOS PR Ashing (주)마이크로인피니티 (주)마이크로인피니티_ 소자개발팀 이성렬 140,000원
3493 2022-06-03 17시 18시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3494 2022-06-07 15시 16시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3495 2022-06-08 14시 15시 2-3-4 GATE PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 74,000원
3496 2022-06-08 16시 17시 Gate Stack Etch Test-1 Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 152,000원
3497 2022-06-08 16시 17시 5-3-1 Back Si etch PR Ashing
고도화 사업		 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 110,000원
3498 2022-06-08 17시 18시 Gate Stack Etch Test-2 Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 75,500원
3499 2022-06-09 13시 14시 PR Asher-FEOL2 삼성디스플레이 선행제품연구팀 박후근 122,000원
3500 2022-06-13 11시 12시 Si Etch PR Ashing 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 75,500원
3501 2022-06-13 12시 13시 Top Si etch 된 SOI 조각 시편 연달아 PR Ashing 요청 드립니다. 포항공과대학교 전자전기공학과 곽현탁 75,500원
3502 2022-06-15 12시 13시 2-2-1 Si Etch 35um 본장 Ashing
(2022년 나노융합기반 고도화사업)		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 110,000원
3503 2022-06-15 15시 16시 4-2-1 Si Etch 35um 본장 Ashing
(2022년 나노융합기반 고도화사업)		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 110,000원
3504 2022-06-16 10시 11시 2-2-1 Si Etch 2um 본장 Ashing
(2022년 나노융합기반 고도화사업)		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 140,000원
3505 2022-06-16 17시 18시 6-2-1 Si Etch 350um 본장 Ashing
(2022년 나노융합기반 고도화사업)		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 110,000원
3506 2022-06-17 10시 11시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3507 2022-06-17 16시 17시 4-4-6 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3508 2022-06-17 9시 10시 Ashing 주식회사 포셈 개발 이덕진 80,000원
3509 2022-06-20 13시 14시 5-2-4 Metal Lift off (Ashing) 삼성전자 (종합기술원) Nano Electronics Lab. 황경욱 162,500원
3510 2022-06-21 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3511 2022-06-21 14시 15시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3512 2022-06-22 11시 12시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3513 2022-06-22 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3514 2022-06-22 15시 16시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3515 2022-06-22 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3516 2022-06-23 15시 16시 9.0 PO Etch Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
3517 2022-06-24 13시 15시 Gate Stack Etch 평가 : PR Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 177,500원
3518 2022-06-24 14시 15시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3519 2022-06-24 15시 16시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3520 2022-06-24 9시 10시 4-3-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3521 2022-06-27 15시 16시 PR strip
(바우처사용)		 주식회사 아이디피 부설연구소 김형원 0원
3522 2022-06-27 16시 17시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3523 2022-06-28 10시 11시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3524 2022-06-28 10시 11시 2-3-3 SiO2 PR Ashing (주)에스제이컴퍼니 개발팀 박상준 110,000원
3525 2022-06-29 24시 2시 에싱 서울대학교 원자력미래기술정책연구소 조학래 70,000원
3526 2022-06-30 18시 19시 13-3-3 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3527 2022-06-30 21시 22시 13-3-6 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3528 2022-07-01 9시 12시 HM Oxide Etch PR Ashing 리노공업 리노공업 곽영대 500,000원
3529 2022-07-01 9시 10시 SiO2 substrate위에 TiO2 200nm 박막이 있는 칩입니다. 칩위에 BARC 110nm, photoresist 220nm 를 올려 패터닝을 진행했고 엣칭을 한 뒤에 PR을 클리닝해주었습니다. ashing으로 BARC를 날리고자 합니다.

칩이 총 4개이고 각각 11a, 12b, 2c, 3d 라고 표시해두었습니다. 칩이 투명하여 위 아래 구분이 힘드실 수 있어 메모해둡니다. 칩 뚜껑을 열었을때 윗면이(TiO2면이) 보이도록 칩을 넣어두겠습니다. 다만 11a는 클리닝 와중에 뒤집혔는지 위아래가 헷갈려 확실치 않으니 윗면 아랫면 모두 ashing을 부탁드립니다.		 포항공과대학교 물리학과 박세배 104,000원
3530 2022-07-04 11시 12시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3531 2022-07-04 13시 14시 4-3-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3532 2022-07-05 14시 15시 3-2-1 Eletrode descum (주)에스제이컴퍼니 개발팀 박상준 80,000원
3533 2022-07-07 14시 15시 1-2-1 Heater Descum (주)이너센서 경영, 연구소 강문식 98,000원
3534 2022-07-07 14시 15시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
3535 2022-07-08 10시 11시 1-3-1 SiO2 Descum 주식회사 이엔아이솔루션 공정 임태산북두 350,000원
3536 2022-07-08 13시 14시 TiN Etch, PR Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 101,000원
3537 2022-07-08 14시 15시 1-3-3 SiO2 Etch (Ashing) 주식회사 이엔아이솔루션 공정 임태산북두 350,000원
3538 2022-07-08 14시 15시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
3539 2022-07-12 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3540 2022-07-12 17시 18시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3541 2022-07-13 1시 2시 에싱 서울대학교 원자력미래기술정책연구소 조학래 70,000원
3542 2022-07-13 10시 11시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3543 2022-07-13 14시 15시 [나노융합기반 고도화사업], 전자과 신성환 010 9081 6590 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 380,000원
3544 2022-07-13 18시 19시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3545 2022-07-13 21시 22시 4-4-4 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3546 2022-07-14 17시 18시 13-3-3 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3547 2022-07-14 20시 21시 13-3-6 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3548 2022-07-15 13시 14시 3-2-1 PAD Descum (주)이너센서 경영, 연구소 강문식 74,000원
3549 2022-07-15 17시 18시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3550 2022-07-18 15시 16시 9-6-2 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
3551 2022-07-21 10시 11시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
3552 2022-07-21 13시 14시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3553 2022-07-21 14시 15시 1-2-1 Electrode descum (주)에스제이컴퍼니 개발팀 박상준 350,000원
3554 2022-07-21 16시 17시 Gate Stack Etch Test - (Ar:Cl2:BCl3 = 1:3:1) PR Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 75,500원
3555 2022-07-21 17시 18시 Gate Stack Etch Test - (Ar:Cl2:BCl3 = 1:2:2) PR Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 75,500원
3556 2022-07-22 11시 12시 - 포항공과대학교 창의IT융합공학과 유형석 75,500원
3557 2022-07-22 13시 14시 SiC C Decap : 조각 5개 주식회사 엘엑스세미콘 소자팀 김동균 80,000원
3558 2022-07-22 18시 19시 13-3-3 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3559 2022-07-22 20시 21시 13-3-6 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3560 2022-07-22 9시 10시 Gate Stack Etch Test - (Ar:Cl2:BCl3 = 1:1:3) PR Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 75,500원
3561 2022-07-25 20시 21시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3562 2022-07-26 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3563 2022-07-26 17시 18시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3564 2022-07-27 10시 11시 Gate Stack Etch Test PR Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 101,000원
3565 2022-07-27 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 155,000원
3566 2022-07-29 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
3567 2022-07-29 14시 15시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
3568 2022-07-29 15시 16시 Gate Stack Etch 평가 : (1:1:3) Etch 후 Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 황현준 152,000원
3569 2022-07-29 16시 17시 2022년 나노융합기반 고도화사업
3-2-1 I_Etch PR Ashing		 (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 200,000원
3570 2022-08-01 13시 14시 1-3-1 Si02 Descum 주식회사 이엔아이솔루션 공정 임태산북두 410,000원
3571 2022-08-01 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
3572 2022-08-04 16시 17시 13-3-3 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
3573 2022-08-04 17시 18시 13-3-6 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
3574 2022-08-05 10시 11시 1.1 descum 삼성전자 생산기술연구소 구자명 320,000원
3575 2022-08-05 16시 17시 4.0 PC PR REMOVE (ASHING) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3576 2022-08-08 10시 10시 FEM Etch후 Ashing
[나노융합기반 고도화사업]		 주식회사 보다 연구개발 김형원 70,000원
3577 2022-08-08 11시 12시 1.2 Descum 삼성전자 생산기술연구소 구자명 320,000원
3578 2022-08-08 11시 12시 SDC_T01+03 (O2 Plasma) 삼성디스플레이 선행제품연구팀 김태균 148,000원
3579 2022-08-08 14시 15시 4.0 PC PR REMOVE (ASHING) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3580 2022-08-09 9시 10시 FEM Etch후 Ashing
[나노융합기반 고도화사업]		 주식회사 보다 연구개발 김형원 80,000원
3581 2022-08-10 10시 11시 4-2-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3582 2022-08-10 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
3583 2022-08-10 20시 21시 13-3-6 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3584 2022-08-10 9시 10시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3585 2022-08-12 13시 14시 4-2-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
3586 2022-08-12 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
3587 2022-08-12 16시 17시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
3588 2022-08-15 11시 12시 1.2 Descum 삼성전자 생산기술연구소 구자명 320,000원
3589 2022-08-16 19시 20시 9.0 PO ETCH PR ASHING 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3590 2022-08-17 17시 18시 9-3-2 PO Etch (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
3591 2022-08-18 15시 16시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3592 2022-08-18 16시 17시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3593 2022-08-19 13시 14시 4-2-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 71,000원
3594 2022-08-19 20시 21시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3595 2022-08-22 15시 16시 SiO2 substrate위에 TiO2 200nm 박막이 있는 칩입니다. 칩위에 BARC 110nm, photoresist 220nm 를 올려 패터닝을 진행했고 엣칭을 한 뒤에 PR을 클리닝해주었습니다. ashing으로 BARC를 날리고자 합니다.

큰 조각 칩이 2개이고 작은 조각이 4개있는데 조각들이 투명하여 위아래 구분이 되지 않습니다. 혹시 뒤집혔을 가능성이 있으니 윗면,아랫면 모두 ashing 부탁드립니다.		 포항공과대학교 물리학과 박세배 77,000원
3596 2022-08-25 15시 16시 1-2-2 1st Si Etch (Ashing) 경북대학교 기계공학부 곽문규 290,000원
3597 2022-08-26 11시 12시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3598 2022-08-26 13시 14시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
3599 2022-08-29 10시 11시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3600 2022-08-29 14시 14시 플라즈마 처리,
가장 낮은 온도 조건으로 1분간 처리,
전자빔 증착 공정 전 표면 활성화 용도,
플라즈마 후 바로 증착 공정으로 이어질 수 있게 부탁드립니다

시간은 내부 일정에 맞춰서 진행해주세요
플라즈마랑 전자빔 증착만 연속으로 해주세요		 부산대학교 의생명융합전공 서윤 320,000원
3601 2022-08-29 15시 16시 2-2-1 Si Etch (Ashing) 주식회사 엘엠에스 연구기획 김지태 140,000원
3602 2022-08-29 17시 18시 GaN Etch PR Ashing 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 80,000원
3603 2022-08-30 10시 11시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
3604 2022-08-30 9시 10시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
3605 2022-09-02 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3606 2022-09-02 20시 21시 13-3-6 M2 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3607 2022-09-05 11시 12시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.

Silicon에 도포되어 있는 ZEP-520A (EBL용 PR)을 제거하려고 합니다.
전처리는 \\\'EBL 노광 -> develop -> ICP-RIE 에칭 -> lift off(아세톤 이용)\\\'을 하였습니다.
시편 가운데 작은 패턴은 실리콘 기판을 에칭하여 만든 구조체이니 참고부탁드립니다.

시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 74,000원
3608 2022-09-05 14시 15시 안녕하세요,
포항공대 노준석교수님 연구실 오동교입니다.
Si 구조체 상 ZEP 520A PR 제거 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 74,000원
3609 2022-09-05 14시 15시 4-3-5 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3610 2022-09-05 20시 21시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3611 2022-09-06 15시 16시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3612 2022-09-07 13시 14시 포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.

Silicon에 도포되어 있는 ZEP-520A (EBL용 PR)을 제거하려고 합니다.
전처리는 \\\\\\\'EBL 노광 -> develop -> ICP-RIE 에칭 -> lift off(아세톤 이용)\\\\\\\'을 하였습니다.
시편 가운데 작은 패턴은 실리콘 기판을 에칭하여 만든 구조체이니 참고부탁드립니다.

시편은 시편보관함 안에 넣어두겠습니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 양영환 74,000원
3613 2022-09-08 14시 15시 PR Ashing 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 110,000원
3614 2022-09-14 13시 14시 5.3 Descum 나노융합기술원 미래기술팀 이상권 254,000원
3615 2022-09-16 13시 14시 1-2-1 ACT PR Ashing 주식회사 엘엑스세미콘 소자팀 황준하 530,000원
3616 2022-09-16 15시 16시 SiO2 Etch PR Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 권민규 126,500원
3617 2022-09-16 16시 17시 플라즈마 처리,
가장 낮은 온도 조건으로 출력은 가능하다면 80W또는 가장 낮은 조건으로 1분간 처리해주세요
전자빔 증착 공정 전 표면 활성화 용도입니다.
플라즈마 후 바로 증착 공정으로 이어질 수 있게 협조 부탁드립니다.

배송은 웨이퍼 8장이 갈건데 앞에 쪽 부터 4장만 Asher 부탁드립니다
혹시 몰라 웨이퍼 뒷편에 네임펜으로 Asher라고 표시해놓겠습니다. (아무것도 안적힌거는 작업X)

시간을 내부일정에 맞춰서 진행해주시고 플라즈마랑 전자빔 증착만 연속으로 해주세요.
감사합니다.
 부산대학교 의생명융합전공 서윤 170,000원
3618 2022-09-20 11시 12시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3619 2022-09-21 10시 11시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3620 2022-09-21 16시 17시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3621 2022-09-22 11시 12시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3622 2022-09-22 14시 15시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3623 2022-09-22 21시 22시 4-4-4 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3624 2022-09-23 13시 14시 Al2O3 PR Ashing 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 80,000원
3625 2022-09-23 16시 17시 GaN PR Ashing 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 110,000원
3626 2022-09-26 10시 11시 안녕하세요,
포항공대 노준석교수님 연구실 오동교입니다.
Si 나노구조체 상 ZEP 520A PR 제거 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 74,000원
3627 2022-09-26 13시 14시 1.2 Descum 삼성전자 생산기술연구소 구자명 590,000원
3628 2022-09-26 15시 16시 PR Asher-FEOL2 삼성디스플레이 선행제품연구팀 박후근 462,000원
3629 2022-09-26 16시 17시 Descum 삼성디스플레이 선행제품연구팀 박후근 438,000원
3630 2022-09-28 11시 12시 2-2-2 Electrode PR Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 김승모 101,000원
3631 2022-09-28 14시 15시 2.1 Descum 삼성전자 생산기술연구소 구자명 910,000원
3632 2022-10-04 13시 14시 2-1-1 Descum 삼성전자 생산기술연구소 구자명 350,000원
3633 2022-10-04 15시 16시 6-4-1 Active Ashing
N-퍼실리티 우선사용		 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 200,000원
3634 2022-10-04 16시 17시 6-4-1 Active Ashing
N-퍼실리티		 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 200,000원
3635 2022-10-06 10시 11시 1-3-1 ACT Carbon Strip PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 152,000원
3636 2022-10-07 11시 12시 2-2-1 Ashing 광주과학기술원 기계공학부 이예성 140,000원
3637 2022-10-07 14시 15시 2-2-3 Trench PR Ashing 연세대학교 화공생명공학과 이승효 80,000원
3638 2022-10-07 16시 17시 3-2-1 Ashing 광주과학기술원 기계공학부 이예성 140,000원
3639 2022-10-07 17시 18시 7-3-2 Act.AREA Ashing
N-퍼실리티		 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 200,000원
3640 2022-10-11 13시 14시 1-2-1 descum 삼성전자 생산기술연구소 구자명 350,000원
3641 2022-10-12 10시 11시 7-5-2 ACT. AREA PR Ashing 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 200,000원
3642 2022-10-12 11시 12시 ZEP-520A PR 제거 포항공과대학교 기계공학과 오동교 74,000원
3643 2022-10-12 13시 14시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3644 2022-10-13 11시 12시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3645 2022-10-14 11시 12시 2-2-3 2nd ashing 경북대학교 기계공학부 곽문규 290,000원
3646 2022-10-14 17시 18시 PR Ashing 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 110,000원
3647 2022-10-14 9시 10시 1-3-1 Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 126,500원
3648 2022-10-17 13시 14시 PR Asher-FEOL2 삼성디스플레이 선행제품연구팀 박후근 390,000원
3649 2022-10-17 14시 15시 Descum 삼성디스플레이 선행제품연구팀 박후근 366,000원
3650 2022-10-17 9시 17시 공정 05/11 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 1,100,000원
3651 2022-10-18 10시 11시 2-4-1 Active Ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 98,000원
3652 2022-10-18 14시 15시 2-2-1 Ashing 주식회사 엘엠에스 연구기획 김지태 110,000원
3653 2022-10-20 15시 16시 1-2-3 Akey Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 152,000원
3654 2022-10-25 11시 12시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3655 2022-10-25 16시 17시 2-2-1 Ashing 포항공과대학교 기계공학과 이석용 266,000원
3656 2022-10-26 9시 10시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3657 2022-10-27 14시 16시 안녕하세요,
negative PR (AR-N 7520.07) 300nm 애싱 부탁드립니다.
감사합니다.		 포항공과대학교 기계공학과 오동교 74,000원
3658 2022-10-28 14시 15시 PR Strip Process
1500W 180℃, 160 Sec
 싸니코전자(주) 개발팀 최주헌 170,000원
3659 2022-10-28 9시 10시 8-4-3 gate ashing
N-퍼실리티 우선사용		 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 200,000원
3660 2022-10-31 11시 12시 2-2-2 P+ PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 152,000원
3661 2022-11-01 16시 17시 2-2-1 Ashing 주식회사 엘엠에스 연구기획 김지태 110,000원
3662 2022-11-02 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3663 2022-11-02 15시 16시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3664 2022-11-02 16시 17시 Ti5nm, Al140nm dry-etching 후,
ZEP520A ashing 부탁드립니다.

감사합니다.		 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김경태 74,000원
3665 2022-11-02 17시 18시 2.0 PR Asher-FEOL2 삼성디스플레이 SDC硏 LED LAB 원치훈 98,000원
3666 2022-11-03 13시 14시 4-2-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3667 2022-11-03 15시 16시 8-6-7 Gate Ashing
N-퍼실리티 우선사용		 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 200,000원
3668 2022-11-03 16시 17시 9-3-2 PO PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3669 2022-11-04 16시 17시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3670 2022-11-07 11시 12시 Descum 삼성전자 생산기술연구소 구자명 350,000원
3671 2022-11-07 14시 15시 Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 101,000원
3672 2022-11-07 9시 10시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3673 2022-11-09 13시 14시 2.0 PR Asher-FEOL2 삼성전자 생산기술연구소 구자명 350,000원
3674 2022-11-10 15시 16시 2-1-2 PR Ashing
2022년 나노융합기반 고도화 사업		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 140,000원
3675 2022-11-11 11시 12시 O2 Plasma 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 110,000원
3676 2022-11-11 13시 14시 3-5-3 Gate Ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 98,000원
3677 2022-11-11 14시 15시 2-2-1 PR Ashing 주식회사 엘엠에스 연구기획 김지태 110,000원
3678 2022-11-14 13시 14시 PR Asher-FEOL_2 삼성디스플레이 선행제품연구팀 김상조 196,000원
3679 2022-11-15 13시 14시 3-2-1 Ashing
\"2022년 나노융합기반 고도화사업\"		 (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 200,000원
3680 2022-11-15 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3681 2022-11-15 17시 18시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3682 2022-11-16 13시 14시 3.0, 4.0 descum 삼성전자 생산기술연구소 구자명 400,000원
3683 2022-11-16 17시 18시 9-3-2 PO PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3684 2022-11-17 13시 14시 4-2-1 Descum 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 158,000원
3685 2022-11-18 15시 16시 4-3-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
3686 2022-11-21 12시 13시 1.0 2.0 Descum 삼성전자 생산기술연구소 구자명 700,000원
3687 2022-11-21 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3688 2022-11-21 17시 18시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3689 2022-11-22 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3690 2022-11-22 17시 18시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3691 2022-11-23 11시 12시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 134,000원
3692 2022-11-23 21시 22시 4-3-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3693 2022-11-24 10시 11시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3694 2022-11-28 13시 14시 5-3-2 Electrode PR Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 김승모 126,500원
3695 2022-11-28 15시 18시 PR제거 포항공과대학교 전자전기공학부 신성환 356,000원
3696 2022-11-30 10시 11시 1-2-1 Descum 포항가속기 연구소 4세대 빔라인 장치부 김수남 140,000원
3697 2022-11-30 14시 15시 2-1-2 Si Etch 50um (Ashing)
2022년 나노융합기반 고도화사업		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 170,000원
3698 2022-11-30 15시 16시 4-1-2 Si Etch 250um (ashing)
2022년 나노융합기반 고도화사업		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 170,000원
3699 2022-11-30 16시 17시 6-1-2 Si Etch 500um (ashing)
2022년 나노융합기반 고도화사업		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 170,000원
3700 2022-12-02 12시 13시 Ashing 삼성디스플레이 선행제품연구팀 김태균 318,000원
3701 2022-12-02 13시 14시 2-2-1 Ashing (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 110,000원
3702 2022-12-02 14시 15시 4-2-1 Ashing (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 110,000원
3703 2022-12-02 16시 17시 Oxide Dry Etch 1um
-> PR Remove		 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 98,000원
3704 2022-12-06 13시 14시 Descum 삼성전자 생산기술연구소 구자명 650,000원
3705 2022-12-07 14시 15시 Descum 삼성전자 생산기술연구소 구자명 650,000원
3706 2022-12-08 14시 15시 노란색 폴리이미드 테이프가 붙여져있는 \" 부분 샘플 4장 \"에 대해서만
플라즈마로 표면 활성화가 필요합니다.
최소 온도 조건 (80~85도)에서 1분간 Ashing 공정으로 표면에 플라즈마 처리 후, E-beam Evaporator -II Ti / Au 증착 공정 바로 이어지도록 부탁드립니다.		 부산대학교 의생명융합전공 서윤 170,000원
3707 2022-12-08 15시 16시 2-2-1 Ashing (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 110,000원
3708 2022-12-08 16시 17시 4-2-1 Ashing (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 110,000원
3709 2022-12-12 13시 14시 PR Asher-FEOL2 삼성디스플레이 선행제품연구팀 박후근 462,000원
3710 2022-12-12 13시 14시 Descum 삼성전자 생산기술연구소 구자명 350,000원
3711 2022-12-14 11시 12시 Descum 삼성전자 생산기술연구소 구자명 1,400,000원
3712 2022-12-14 17시 18시 Descum 공정직접 사용 주식회사 아이큐랩 공정기술팀 김동현 110,000원
3713 2022-12-15 10시 11시 Ashing 삼성전자 생산기술연구소 구자명 700,000원
3714 2022-12-19 14시 15시 PR Asher-FEOL2 삼성디스플레이 선행제품연구팀 김태균 122,000원
3715 2022-12-19 23시 24시 . 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
3716 2022-12-20 15시 16시 PR Asher-FEOL2 삼성디스플레이 선행제품연구팀 김상조 148,000원
3717 2022-12-26 14시 15시 PR Asher 동우화인캠(주) 반도체소재2팀 윤수빈 800,000원
3718 2022-12-28 10시 11시 2-3-1 RX PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3719 2023-01-02 10시 12시 Mo Etch Test , 분석을 위한 PR 제거 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 104,000원
3720 2023-01-02 17시 18시 4-4-4 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 92,000원
3721 2023-01-03 11시 12시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3722 2023-01-03 15시 16시 5-3-4 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3723 2023-01-04 9시 11시 Ashing - Plasma Strip 진행
 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 110,000원
3724 2023-01-06 16시 17시 6-3-5 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3725 2023-01-09 14시 15시 잔여 PR제거 포항공과대학교 전자전기공학부 신성환 75,500원
3726 2023-01-10 13시 14시 SiO2 etching rate 확인 PR Ashing 포항공과대학교 전자전기공학과 윤주영 104,000원
3727 2023-01-10 15시 16시 7-2-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3728 2023-01-10 16시 17시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3729 2023-01-11 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3730 2023-01-11 17시 18시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
3731 2023-01-11 23시 24시 . 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
3732 2023-01-12 14시 15시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3733 2023-01-12 16시 17시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3734 2023-01-12 19시 20시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3735 2023-01-13 10시 11시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3736 2023-01-16 11시 12시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3737 2023-01-17 1시 2시 Patterning된 SiO2 layer 상에 5 um PR pattern 코팅되어 있습니다.
해당 감광막 strip 진행 부탁드리며, 이후 SPM 세정 진행 부탁드립니다.		 한국생산기술연구원 첨단메카트로닉스연구그룹 노은식 110,000원
3738 2023-01-17 10시 11시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3739 2023-01-18 14시 15시 8-5-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3740 2023-01-18 15시 16시 8-5-3 M1 PR Remove (Ashing) 2회차 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3741 2023-01-18 9시 10시 SiC_Ni Silicide 평가
6-4-1 Active ashing 		포항공과대학교 선행기술팀 박범성 80,000원
3742 2023-01-20 12시 13시 2-2-3 IMP PR Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 158,000원
3743 2023-01-20 13시 14시 4-3-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3744 2023-01-20 14시 15시 12-3-1 V1 PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 185,000원
3745 2023-01-20 15시 16시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3746 2023-01-25 10시 11시 2-2-3 IMP PR Ashing
 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 266,000원
3747 2023-01-25 10시 11시 4-2-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3748 2023-01-25 23시 24시 김도연 010-47150095
최선호 010-5102-9680		 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
3749 2023-01-26 10시 11시 4-2-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3750 2023-01-26 15시 16시 1-1-3 PR Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 권민규 152,000원
3751 2023-01-27 11시 12시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3752 2023-01-27 15시 16시 1-2-2 Mesa PR Ashing 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 77,000원
3753 2023-01-27 16시 17시 3-2-5 Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 158,000원
3754 2023-01-27 17시 18시 4-2-5 Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 266,000원
3755 2023-01-30 11시 12시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 176,000원
3756 2023-01-30 15시 16시 SiO2 substrate위에 TiO2 200nm 박막이 있는 칩입니다. 칩위에 BARC 110nm, photoresist 220nm 를 올려 패터닝을 진행했고 엣칭을 한 뒤에 PR을 클리닝해주었습니다. ashing으로 BARC를 날리고자 합니다.

샘플이 투명하여 위아래 구분이 어렵습니다. 샘플 케이스 뚜껑을 열고 바로보이는 면을 ashing 해주시면 됩니다. ashing된 면이 그대로 위를 향하도록 샘플케이스에 넣어주시면 감사하겠습니다.		 포항공과대학교 물리학과 박세배 77,000원
3757 2023-02-02 13시 14시 1-2-3 PR Remove (ashing 1회차) 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 77,000원
3758 2023-02-02 14시 15시 1-2-3 PR Remove (Ashing 2회차) 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 77,000원
3759 2023-02-03 13시 14시 2-2-3 Cont PR Ashing 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 80,000원
3760 2023-02-03 15시 16시 1-2-2 Etch 평가 PR Ashing LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 110,000원
3761 2023-02-03 16시 17시 1-2-2 SiO2 PR Ashing LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 80,000원
3762 2023-02-06 14시 15시 Plasma Strip 직접 진행 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 140,000원
3763 2023-02-07 16시 17시 PR Asher-FEOL2 삼성디스플레이 SDC硏 LED LAB 원치훈 268,000원
3764 2023-02-13 16시 17시 Ashing 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 77,000원
3765 2023-02-13 22시 23시 최선호/010-5102-9680 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
3766 2023-02-14 14시 15시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
3767 2023-02-14 15시 16시 5-3-4 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 113,000원
3768 2023-02-15 14시 15시 0-2-2 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 374,000원
3769 2023-02-16 10시 11시 10-2-3 Cont PR Ashing 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 110,000원
3770 2023-02-16 14시 15시 Ashing 공정 직접 사용 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 70,000원
3771 2023-02-21 9시 18시 공정 07/11 (주)유우일렉트로닉스 FAB팀 최준석 2,000,000원
3772 2023-02-27 13시 14시 1-2-2 PR Ashing 1회차 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 77,000원
3773 2023-02-27 14시 15시 1-2-3 Ashing 2회차 인하대학교 신소재공학과 박정현 77,000원
3774 2023-02-27 15시 16시 1-3-2 Ashing LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 500,000원
3775 2023-02-27 22시 23시 최선호/010-5102-9680 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
3776 2023-02-28 14시 15시 Ashing 직접 사용 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 110,000원
3777 2023-02-28 9시 10시 1-3-2 PR Remove (Ashing) LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 500,000원
3778 2023-03-03 13시 14시 1-6-1 Ashing LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 290,000원
3779 2023-03-06 10시 11시 1-1-2 Ashing LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 80,000원
3780 2023-03-06 13시 14시 1-2-1 Descum
2022년 나노융합기반 고도화사업		 (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 0원
3781 2023-03-06 14시 15시 11-2-3 Gate PR Remove (Ashing) 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 104,000원
3782 2023-03-07 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 122,000원
3783 2023-03-07 14시 15시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 122,000원
3784 2023-03-07 23시 24시 최선호/010-5102-9680 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
3785 2023-03-08 19시 20시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 122,000원
3786 2023-03-09 14시 15시 12-3-2 Power Metal PR Ashing 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 80,000원
3787 2023-03-09 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
3788 2023-03-09 15시 16시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
3789 2023-03-10 15시 16시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
3790 2023-03-13 10시 11시 Descum(85℃,60sec) 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 74,000원
3791 2023-03-21 13시 14시 Ashing 직접 진행 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 104,000원
3792 2023-03-22 15시 16시 Ashing 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 131,000원
3793 2023-03-23 14시 15시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 98,000원
3794 2023-03-24 14시 15시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 98,000원
3795 2023-03-25 23시 24시 최선호/010-5102-9680 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
3796 2023-03-27 13시 14시 Ashing - Plasma Strip 직접 이용 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 104,000원
3797 2023-03-27 15시 16시 웨이퍼 위 PDMS 접착측이 있고, 흰색 LCP 라는 폴리머가 깔려있습니다.
메탈을 증착하기 위해 플라즈마로 LCP 표면 활성화가 필요합니다.
*** 케이스에 캡톤 테이프로 표시된 3장에 한해 ashing 부탁드립니다. ****
최소 온도 조건 (80~85도)에서 1분간 Ashing 공정으로 표면에 플라즈마 처리 후, E-beam Evaporator -II Ti / Au 증착 공정 이어서 부탁드립니다. 일정은 편하신대로 맞춰서 진행해주시면 됩니다.		 부산대학교 기계공학부 이동현 140,000원
3798 2023-03-27 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
3799 2023-03-27 17시 18시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
3800 2023-03-28 16시 17시 12-3-2 Ashing 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 77,000원
3801 2023-03-28 24시 1시 최선호/010-5102-9680 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
3802 2023-03-29 15시 16시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
3803 2023-03-29 16시 17시 2-2-1 Descum 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 338,000원
3804 2023-03-30 10시 11시 6인치 wafer ashing 2매 (주)예스파워테크닉스 부설연구소 김기현 107,000원
3805 2023-03-30 15시 16시 4-3-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 146,000원
3806 2023-03-30 21시 22시 4-3-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
3807 2023-03-31 16시 17시 4-4-4 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
3808 2023-03-31 16시 17시 4-4-4 PC PR Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 146,000원
3809 2023-04-03 14시 15시 2-3-2 Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 권민규 338,000원
3810 2023-04-03 15시 16시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
3811 2023-04-04 10시 12시 Ashing 직접 진행 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 104,000원
3812 2023-04-04 16시 17시 5-3-1 Descum
2022년 나노융합기반 고도화사업		 (주)엔디디 기업부설연구소 이승헌 350,000원
3813 2023-04-05 11시 12시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
3814 2023-04-06 15시 16시 1-3-3 PR Remove (Ashing) 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 131,000원
3815 2023-04-10 14시 15시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
3816 2023-04-10 16시 17시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 98,000원
3817 2023-04-10 17시 18시 2-2-3 Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 338,000원
3818 2023-04-11 11시 12시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
3819 2023-04-11 9시 10시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
3820 2023-04-12 10시 11시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
3821 2023-04-12 11시 12시 Ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 104,000원
3822 2023-04-12 13시 14시 2-2-1 Descum 싸니코전자(주) 개발팀 최주헌 80,000원
3823 2023-04-12 15시 16시 3-2-2 PR Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 146,000원
3824 2023-04-13 10시 11시 1-2-2 Ashing LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 80,000원
3825 2023-04-17 10시 11시 Ashing 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 86,000원
3826 2023-04-17 11시 12시 2-2-2 Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 김승모 122,000원
3827 2023-04-17 16시 17시 4-2-1 Metal Depo Descum 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 146,000원
3828 2023-04-19 10시 12시 Ashing 60s 직접진행 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 104,000원
3829 2023-04-19 10시 11시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
3830 2023-04-19 11시 12시 1-2-2 SiO2 PR Ashing LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 290,000원
3831 2023-04-19 14시 15시 1-2-2 SiO2 PR Ashing LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 80,000원
3832 2023-04-20 10시 11시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
3833 2023-04-20 13시 14시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
3834 2023-04-20 13시 15시 Ashing 직접이용 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 302,000원
3835 2023-04-20 9시 10시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
3836 2023-04-24 11시 12시 Ashing 직접이용 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 266,000원
3837 2023-05-02 16시 17시 Descum 한국전자통신연구원 ict창의연구소 홍찬화 230,000원
3838 2023-05-03 14시 15시 1-2-2 Ashing
2022년 나노융합기반 고도화사업 		(주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 110,000원
3839 2023-05-08 15시 16시 Ashing 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 140,000원
3840 2023-05-09 15시 16시 Ashing 60s 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 266,000원
3841 2023-05-12 14시 15시 Ashing 60s 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 104,000원
3842 2023-05-15 11시 12시 Ashing 60s 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 158,000원
3843 2023-05-16 14시 15시 1-1-1 PO Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 170,000원
3844 2023-05-16 16시 17시 Ashing 포항공과대학교 대학원 화학공학과 김준 98,000원
3845 2023-05-17 11시 12시 Ashing 60s 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 86,000원
3846 2023-05-17 14시 15시 Ashing 60s 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 212,000원
3847 2023-05-17 15시 16시 1-1-1 V1 Ashing 삼성종합기술원 기반기술랩 황선규 194,000원
3848 2023-05-18 16시 17시 Ashing 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 140,000원
3849 2023-05-19 10시 11시 1-2-3 Ashing
2023년 나노융합기반 고도화사업		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 110,000원
3850 2023-05-19 15시 16시 2-1-2 PR Ashing
2022년 나노융합기반 고도화사업		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 80,000원
3851 2023-05-19 16시 17시 4-1-2 PR Ashing
2022년 나노융합기반 고도화사업		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 80,000원
3852 2023-05-19 17시 18시 6-1-2 PR Ashing
2022년 나노융합기반 고도화사업		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 80,000원
3853 2023-05-22 10시 11시 Ashing 60s 직접이용 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 302,000원
3854 2023-05-22 16시 17시 0-2-2 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 338,000원
3855 2023-05-23 17시 18시 2-2-1 descum 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 권민규 146,000원
3856 2023-05-23 9시 10시 2-2-1 Descum 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 권민규 146,000원
3857 2023-05-24 11시 13시 메탈을 증착하기 위해 \"플라즈마\"로 LCP 표면 활성화가 필요합니다.

\"최소 온도 조건\"에서 150W로 3분간 O2 plasma 처리하고자 합니다.
(최소 power가 150W보다 큰 경우, 최소 power로 2분간 O2 plasma 부탁드립니다.)

플라즈마 처리 후, E-beam Evaporator -II Ti / Au 증착 공정 바로 이어서 부탁드립니다.

일정은 편하신대로 맞춰서 진행해주시면 됩니다.		 부산대학교 기계공학부 이동현 350,000원
3858 2023-05-24 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 김준용 194,000원
3859 2023-05-24 15시 16시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 김준용 194,000원
3860 2023-05-25 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 김준용 194,000원
3861 2023-05-25 15시 16시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 김준용 194,000원
3862 2023-05-30 10시 11시 1-1-1 PR Remove (Ashing) LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 110,000원
3863 2023-05-30 13시 14시 ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 77,000원
3864 2023-05-30 13시 14시 Descum 직접 이용
 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 122,000원
3865 2023-05-31 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 김준용 194,000원
3866 2023-05-31 15시 16시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 김준용 194,000원
3867 2023-06-01 10시 11시 9-3-1 PO PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 김준용 194,000원
3868 2023-06-02 10시 11시 1-1-1 PR Remove (Ashing) LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 140,000원
3869 2023-06-08 10시 11시 2-2-2 Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 권민규 122,000원
3870 2023-06-08 13시 14시 1-2-3 PR Remove 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 77,000원
3871 2023-06-08 16시 17시 2-3-2 Metal PR Ashing LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 170,000원
3872 2023-06-08 9시 10시 2-1-2 Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 권민규 194,000원
3873 2023-06-09 10시 11시 13-3-3 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 김준용 170,000원
3874 2023-06-09 11시 12시 13-3-6 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 김준용 170,000원
3875 2023-06-12 10시 11시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 김준용 194,000원
3876 2023-06-12 11시 12시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 김준용 194,000원
3877 2023-06-12 14시 15시 9-3-1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 김준용 122,000원
3878 2023-06-13 14시 15시 TiN Dry Etch PR Ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 104,000원
3879 2023-06-14 13시 14시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 김준용 98,000원
3880 2023-06-14 16시 17시 Ti-Au 증착을 위해 \"플라즈마\"로 LCP 표면 활성화가 필요합니다.
\'최소 온도 조건\'에서 150W로 3분간 O2 plasma 처리하고자 합니다.
(최소 POWER가 150W보다 큰 경우, 최소 POWER로 2분간 O2 plasma 부탁드립니다.

플라즈마 처리 후, E-beam Evaporator-2 Ti-Au 증착 공정 바로 부탁드립니다.
감사합니다.		 부산대학교 산학협력단 윤지만 350,000원
3881 2023-06-15 10시 11시 Ashing 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 104,000원
3882 2023-06-16 9시 11시 2-3-2 Metal PR Ashing LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 470,000원
3883 2023-06-19 10시 11시 Ashing 직접 이용 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 266,000원
3884 2023-06-20 10시 11시 Ashing
 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 302,000원
3885 2023-06-21 10시 11시 3-3-2 Ashing LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 170,000원
3886 2023-06-22 10시 11시 4-4-4 PC PR Remove (ashing) 삼성종합기술원 기반기술랩 김준용 74,000원
3887 2023-06-22 14시 15시 PR ashing (G05 wafer) 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 80,000원
3888 2023-06-23 10시 11시 2-3-2 Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 김승모 98,000원
3889 2023-06-26 10시 11시 Ashing 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 140,000원
3890 2023-06-29 17시 18시 5-2-2 Oxide PR Ashing LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 80,000원
3891 2023-07-03 14시 15시 Ashing 60s

고도화 사업		 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 170,000원
3892 2023-07-04 15시 16시 4-3-6 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3893 2023-07-05 10시 11시 1-3-2 Active Formation PR Ashing 전북대학교 전자공학부 김기현 140,000원
3894 2023-07-05 9시 10시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3895 2023-07-06 15시 16시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3896 2023-07-07 15시 16시 2-2-2 Ashing LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 80,000원
3897 2023-07-07 17시 18시 4-4-3 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3898 2023-07-11 11시 12시 2-3-2 Metal PR Ashing LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 350,000원
3899 2023-07-12 15시 16시 4-3-2 Electrode PR Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 김승모 98,000원
3900 2023-07-12 16시 17시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3901 2023-07-12 17시 18시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3902 2023-07-13 15시 16시 Ashing
고도화사업비		 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 90,000원
3903 2023-07-17 16시 17시 1-3-2 Ashing 포항공과대학교 대외협력팀 김인철 170,000원
3904 2023-07-18 14시 17시 최선호/010-5102-9680 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
3905 2023-07-18 18시 19시 BD3217-0629-NHOLE
- PR Ashing		 주식회사 보다 연구개발 김형원 101,000원
3906 2023-07-19 10시 11시 BD3217-0629-NHOLE
- PR Ashing		 주식회사 보다 연구개발 김형원 67,000원
3907 2023-07-19 11시 12시 Ashing 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 266,000원
3908 2023-07-20 16시 17시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3909 2023-07-20 16시 17시 Ashing 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 302,000원
3910 2023-07-21 10시 11시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3911 2023-07-21 14시 15시 G/S PR Ashing 포항공과대학교 반도체기술융합센터 김준 98,000원
3912 2023-07-24 21시 22시 2-3-4 Metal PR Ashing LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 350,000원
3913 2023-07-26 14시 15시 2-3-1 RX PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3914 2023-07-27 13시 14시 60sec
고도화사업		 주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 170,000원
3915 2023-07-28 10시 11시 Descum 30s
고도화사업비
주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 250,000원
3916 2023-07-28 14시 15시 Ashing 60s
주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 230,000원
3917 2023-07-28 15시 16시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3918 2023-07-28 16시 17시 5-3-4 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3919 2023-07-31 17시 18시 Descum 30s
주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 266,000원
3920 2023-08-01 10시 11시 Ashing 60s
주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 374,000원
3921 2023-08-01 17시 18시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3922 2023-08-02 17시 18시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3923 2023-08-02 9시 10시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3924 2023-08-03 14시 16시 최선호/010-5102-9680 포항공과대학교 기계공학과 박수청 86,000원
3925 2023-08-03 16시 17시 Ashing 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 466,000원
3926 2023-08-03 9시 10시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3927 2023-08-07 17시 18시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3928 2023-08-08 11시 12시 Descum 2ea 주식회사 보다 연구개발 김형원 84,000원
3929 2023-08-08 17시 18시 Ashing 삼성디스플레이 Micro LED Lab. (Micro Display 팀) 정준석 74,000원
3930 2023-08-08 18시 19시 BD3217-ROIC-OHMIC
- Ashing 2매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 84,000원
3931 2023-08-09 10시 11시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3932 2023-08-09 13시 14시 1-3-2 PR Remove (Ashing) LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 110,000원
3933 2023-08-09 21시 22시 4-3-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3934 2023-08-10 10시 11시 6-3-5 M0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3935 2023-08-10 14시 15시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3936 2023-08-11 9시 10시 2-2-2 PR Remove (Ashing) LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 110,000원
3937 2023-08-14 16시 17시 ashing 삼성디스플레이 Micro LED Lab. (Micro Display 팀) 정준석 318,000원
3938 2023-08-16 14시 15시 Ashing


주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 122,000원
3939 2023-08-16 9시 10시 Descum 한국전자통신연구원 지능형부품센서연구실 윤종세 290,000원
3940 2023-08-17 10시 11시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3941 2023-08-17 11시 12시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3942 2023-08-17 14시 15시 최선호/010-5102-9680 포항공과대학교 기계공학과 박수청 68,000원
3943 2023-08-18 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3944 2023-08-18 14시 15시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3945 2023-08-21 15시 16시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 170,000원
3946 2023-08-21 21시 22시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3947 2023-08-21 9시 13시 PR Asher 나노콘 나노콘연구소 조윤빈 1,800,000원
3948 2023-08-22 13시 14시 Ashing

주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 104,000원
3949 2023-08-22 16시 17시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3950 2023-08-22 18시 20시 BD3217-0629-PA
- PI Ashing		 주식회사 보다 연구개발 김형원 152,000원
3951 2023-08-22 21시 22시 7-3-6 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3952 2023-08-22 9시 10시 Descum


주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 68,000원
3953 2023-08-23 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3954 2023-08-23 14시 15시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3955 2023-08-24 13시 14시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3956 2023-08-24 14시 15시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3957 2023-08-25 11시 12시 BD3217-D-0629 dicing sample Pi ashing 주식회사 보다 연구개발 김형원 152,000원
3958 2023-08-28 10시 11시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3959 2023-08-28 13시 14시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3960 2023-08-28 14시 15시 Ashing

주식회사 아이큐랩 생산기술 김희종 122,000원
3961 2023-08-28 17시 18시 9-3-1 PO Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3962 2023-08-29 20시 21시 1-3-1 AKEY+ISO PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 104,000원
3963 2023-08-29 9시 12시 Descum 삼성전자 VD 사업부 이기원 1,496,000원
3964 2023-08-30 11시 12시 HM Oxide Profile 개선 평가 : Oxide 2um 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
3965 2023-08-30 17시 18시 8-4-3 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3966 2023-08-31 15시 16시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3967 2023-08-31 16시 17시 2-3-1 RX PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3968 2023-09-01 19시 20시 G/S Etch / PR Ashing 포항공과대학교 반도체기술융합센터 김준 74,000원
3969 2023-09-04 16시 17시 PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 74,000원
3970 2023-09-05 11시 12시 DESCUM 30sec 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 98,000원
3971 2023-09-05 17시 18시 4-4- IMP PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
3972 2023-09-05 18시 19시 IMP PR ASHING 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 104,000원
3973 2023-09-08 10시 11시 5-3-4 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3974 2023-09-08 13시 14시 4-1-1 GATE PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 104,000원
3975 2023-09-08 17시 18시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 170,000원
3976 2023-09-08 9시 10시 5-3-2 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
3977 2023-09-11 10시 11시 Descum 60s 한국전자통신연구원 ict창의연구소 홍찬화 290,000원
3978 2023-09-11 16시 17시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 170,000원
3979 2023-09-12 17시 18시 1-2-4 Metal PR Ashing 선행 1매 LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 80,000원
3980 2023-09-12 20시 21시 2-3-3 Metal PR Remove LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 140,000원
3981 2023-09-12 21시 22시 1-2-4 Metal PR Ashing 선행 1매 LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 140,000원
3982 2023-09-13 10시 11시 1-2-1 Line Photo Descum
2023년 나노융합기반고도화사업		 (주)에스제이컴퍼니 개발팀 박상준 110,000원
3983 2023-09-13 10시 11시 1-3-1 AKEY PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
3984 2023-09-14 14시 15시 MPW01 PR Ashing 포항공과대학교 반도체기술융합센터 김준 74,000원
3985 2023-09-14 16시 17시 1-3-1 AKEY+ISO PR Ashing
2023년 나노융합고도화사업		 주식회사 에이프로세미콘 기술연구소 조영우 200,000원
3986 2023-09-15 13시 14시 SDC_C02 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 1,022,000원
3987 2023-09-15 17시 18시 PR Ashing 삼성디스플레이 Micro LED Lab. (Micro Display 팀) 정준석 122,000원
3988 2023-09-18 10시 11시 2-4-1 PWELL_IMP PR Ashing 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 104,000원
3989 2023-09-18 10시 11시 3-4-1 SOURCE_IMP PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
3990 2023-09-18 11시 12시 4-4-1 P+IMP PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
3991 2023-09-18 11시 12시 3-4-1 SOYRCE_IMP PR Ashing 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 104,000원
3992 2023-09-18 12시 13시 4-4-1 P+IMP PR Ashing 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 104,000원
3993 2023-09-18 12시 13시 5-4-2 JFET IMP PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
3994 2023-09-18 13시 14시 1.1t glass wafer
pr remove		 주식회사 보다 연구개발 김형원 84,000원
3995 2023-09-18 13시 14시 5-4-2 JFET IMP PR Ashing 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 104,000원
3996 2023-09-18 14시 15시 1.1t 8inch glass wafer
4ea_PR remove		 주식회사 보다 연구개발 김형원 118,000원
3997 2023-09-18 15시 16시 6-4-2 SiC Decap 삼성전자 DS 김태훈 0원
3998 2023-09-18 16시 17시 6-4-2 SiC Decap 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 104,000원
3999 2023-09-18 9시 10시 1-3-2 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 104,000원
4000 2023-09-18 9시 10시 2-4-1 PWELL_IMP PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4001 2023-09-19 13시 14시 Pr remove 주식회사 보다 연구개발 김형원 75,500원
4002 2023-09-20 16시 17시 4-3-5 PR Remove (Ashing) 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 170,000원
4003 2023-09-21 15시 16시 2-2-4 PWELL PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 122,000원
4004 2023-09-21 21시 22시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4005 2023-09-21 9시 10시 Descum 60sec 한국전자통신연구원 ict창의연구소 홍찬화 290,000원
4006 2023-09-22 13시 14시 2-3-1 ACT.AREA Descum 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 98,000원
4007 2023-09-22 14시 15시 1-3-1 AKEY PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 290,000원
4008 2023-09-22 15시 16시 7-3-6 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4009 2023-09-22 16시 17시 3-1-3 PR Remove (Ashing) 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 194,000원
4010 2023-09-25 15시 16시 1-3-1 ESTOP Descum 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 290,000원
4011 2023-09-26 16시 17시 8-3-5 M1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4012 2023-09-27 14시 15시 1-3-4 ESTOP PR Remove (Ashing) 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 290,000원
4013 2023-09-27 14시 15시 7-3-2 ACT.AREA PR ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4014 2023-09-27 15시 16시 7-3-2 ACT.AREA PR ashing 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 104,000원
4015 2023-10-04 10시 11시 1-3-6 ACT.AREA Field oxide etching PR strip 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 170,000원
4016 2023-10-05 16시 17시 12-3-5 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4017 2023-10-06 11시 12시 12-3-5 V1 PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4018 2023-10-10 15시 16시 3-1-2 PWELL PR strip 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 98,000원
4019 2023-10-10 16시 17시 1-3-2 Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4020 2023-10-10 17시 18시 고분자 PR 재료 코팅 6\\\\\\\\\\\\\\\' bare glass 6장 (A 샘플 3장 / B 샘플 3장)
공정 조건 : O2 3000sccm, 1.5kW, 12sec		 주식회사 동진쎄미켐 사업1부 절연막팀 허기수 170,000원
4021 2023-10-11 10시 11시 2-2-4 PWELL Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 98,000원
4022 2023-10-11 13시 14시 3-2-8 CONT PE-Oxide etch PR strip 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 170,000원
4023 2023-10-12 10시 11시 2-2-2 SPACER PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 74,000원
4024 2023-10-12 13시 14시 3-1-3 Hard Mask PR Ashing 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 290,000원
4025 2023-10-12 14시 15시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4026 2023-10-12 15시 16시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4027 2023-10-12 18시 19시 7-2-3 Common ITO PR Ashing 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 98,000원
4028 2023-10-13 17시 18시 8-2-3 Ashing 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 98,000원
4029 2023-10-17 14시 15시 1-3-2 SiC/A-Si/SiC PR Ashing 코닝정밀소재주식회사 S&C 송창원 80,000원
4030 2023-10-17 15시 16시 1-2-2 PR remove Ashing LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 80,000원
4031 2023-10-17 15시 16시 1-3-2 PR remove Ashing LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 80,000원
4032 2023-10-17 9시 10시 Descum 한국전자통신연구원 ict창의연구소 홍찬화 230,000원
4033 2023-10-18 11시 12시 7-2-3 PR Remove (Ashing) 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 194,000원
4034 2023-10-18 16시 17시 9-2-1 Descum 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 122,000원
4035 2023-10-19 10시 11시 2-2-5 SPACER PR Remove 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 266,000원
4036 2023-10-19 14시 15시 3-1-2 PWELL PR remove 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 74,000원
4037 2023-10-19 15시 16시 1-2-1 METAL DEPO Descum 삼성전자 VD 사업부 이기원 590,000원
4038 2023-10-19 16시 17시 8-2-4 PR strip (Ashing) 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 122,000원
4039 2023-10-23 15시 16시 Descum 동서대학교 산학협력단 동서대학교 기계공학과 김호진 140,000원
4040 2023-10-23 17시 18시 Ashing 동서대학교 산학협력단 동서대학교 기계공학과 김호진 140,000원
4041 2023-10-23 19시 20시 8-4-3 Gate BackSide PR Ashing 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 104,000원
4042 2023-10-23 20시 21시 8-4-3 Gate BackSide PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4043 2023-10-24 13시 14시 1-3-2 PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4044 2023-10-24 14시 15시 1-3-2 PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4045 2023-10-24 16시 16시 4-3-5 PC PR Remove Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4046 2023-10-24 9시 10시 Heating 250℃
O2 3000sccm, 1.5kW, 12sec		 주식회사 동진쎄미켐 사업1부 절연막팀 허기수 290,000원
4047 2023-10-25 10시 11시 3-1-4 Mesa H/M Etch 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 290,000원
4048 2023-10-25 10시 11시 3-1-3 Hard Mask PR Ashing 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 74,000원
4049 2023-10-25 13시 14시 3-1-3 Hard Mask PR Ashing 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 170,000원
4050 2023-10-25 14시 15시 4-3-1 Etch Stop Etch Descum 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 50,000원
4051 2023-10-25 14시 15시 3-1-2 PWELL PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 74,000원
4052 2023-10-25 16시 17시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4053 2023-10-25 16시 17시 4-3-1 Etch Stop Etch 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 266,000원
4054 2023-10-25 17시 18시 5-3-4 ALD open PR Ashing 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 194,000원
4055 2023-10-25 17시 18시 5-2-4 ALD Open Etch Ashing 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 98,000원
4056 2023-10-25 17시 18시 2-6-3 RCSS PR Remove (Ashing)
2023년 나노융합고도화사업		 주식회사 에이프로세미콘 기술연구소 조영우 80,000원
4057 2023-10-26 11시 12시 Ashing 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김영신 77,000원
4058 2023-10-26 13시 14시 5-2-4 ALD Open Etch 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 170,000원
4059 2023-10-26 9시 10시 Plasma PR strip 한국전자통신연구원 ICT창의연구소 유성욱 110,000원
4060 2023-10-27 16시 17시 13-3-3 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4061 2023-10-27 17시 18시 13-3-6 M2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4062 2023-10-27 18시 19시 8-6-1 GATE Poly Si Descum 삼성전자 DS 김태훈 0원
4063 2023-10-27 19시 20시 8-6-1 GATE Poly Si Descum 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 104,000원
4064 2023-10-27 20시 21시 8-6-4 GATE Poly Si PR Ashing 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 104,000원
4065 2023-10-27 20시 21시 8-6-4 GATE Poly Si PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4066 2023-10-30 17시 18시 9-3-1 PO Etch PR Remove 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4067 2023-11-01 13시 14시 7-2-3common ITO 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 290,000원
4068 2023-11-01 13시 14시 10-2-3 Cont PR Ashing 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 104,000원
4069 2023-11-01 13시 14시 2-6-3 RCSS PR Remove (Ashing)
2023년 나노융합고도화사업		 주식회사 에이프로세미콘 기술연구소 조영우 170,000원
4070 2023-11-01 14시 15시 6-3-3 RCSS PR Remove 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 104,000원
4071 2023-11-01 14시 15시 10-2-3 Cont PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4072 2023-11-01 15시 16시 PR remove 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 98,000원
4073 2023-11-01 20시 21시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing)
10/26일 진행 건		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4074 2023-11-01 21시 22시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing)
M448 10/26일 진행 건		 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4075 2023-11-02 14시 15시 1-3-2 SiO2 Etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 110,000원
4076 2023-11-03 11시 12시 1-3-3 Messa 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 박정현 212,000원
4077 2023-11-06 13시 14시 8-2-2 S_D PR remove 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 104,000원
4078 2023-11-06 14시 15시 3-4-5 Metal etch 주식회사 에이프로세미콘 기술연구소 조영우 170,000원
4079 2023-11-06 15시 16시 11-2-3 gate cont 삼성전자 DS 김태훈 0원
4080 2023-11-06 16시 17시 11-2-3 Gate cont 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 77,000원
4081 2023-11-07 13시 14시 13-3-3 M2 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 170,000원
4082 2023-11-07 15시 16시 13-3-6 M2 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 170,000원
4083 2023-11-08 15시 16시 2-2-4 PWELL 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 170,000원
4084 2023-11-08 16시 17시 9-3-1 PO etch 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 170,000원
4085 2023-11-08 9시 10시 descum 한국전자통신연구원 ict창의연구소 홍찬화 170,000원
4086 2023-11-09 10시 11시 9-3-1 PO 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4087 2023-11-14 16시 17시 10-1-1 pSCH 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 104,000원
4088 2023-11-15 15시 16시 1-3-2 Ashing LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 140,000원
4089 2023-11-20 10시 11시 13-3-3 M2 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4090 2023-11-20 11시 12시 13-3-6 M2 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4091 2023-11-20 16시 17시 13-2-10 power metal PR remove 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 77,000원
4092 2023-11-20 16시 17시 13-2-10 power metal PR remove 삼성전자 DS 김태훈 0원
4093 2023-11-21 16시 17시 9-3-1 PO Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4094 2023-11-22 10시 11시 2-3-2 JFET IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4095 2023-11-22 13시 14시 13-3-3 M2 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4096 2023-11-22 14시 15시 13-3-6 M2 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4097 2023-11-22 9시 10시 2-3-2 JFET IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4098 2023-11-23 10시 11시 1-2-3 Gate cont 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 77,000원
4099 2023-11-23 13시 14시 4-3-5 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4100 2023-11-23 15시 16시 PR remove 고려대학교 제어계측공학과 김진혁 110,000원
4101 2023-11-24 15시 16시 4-4-4 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4102 2023-11-28 10시 11시 13-2-2 Power metal 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 77,000원
4103 2023-11-28 11시 12시 PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 158,000원
4104 2023-11-28 16시 17시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4105 2023-11-29 13시 14시 2-3-2 Si Etch 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 158,000원
4106 2023-11-29 15시 16시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4107 2023-11-29 15시 16시 1-2-2 AKEY 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 강보현 122,000원
4108 2023-11-29 16시 17시 4-3-2 Metal etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 80,000원
4109 2023-11-29 16시 17시 6.0 PR remove 삼성디스플레이 Micro LED Lab (Micro Display Team) 유철종 488,000원
4110 2023-11-30 10시 11시 2-3-3 PR Remove 삼성전자 DS 김태훈 0원
4111 2023-11-30 10시 11시 1-3-2 Akey PR remove 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 146,000원
4112 2023-11-30 11시 12시 Power metal PR remove 포항공과대학교 선행기술팀 박범성 77,000원
4113 2023-11-30 13시 14시 13-3-3 M2 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4114 2023-11-30 13시 14시 2-3-3 PR Remove 삼성전자 DS 김태훈 0원
4115 2023-11-30 13시 14시 13-3-6 M2 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4116 2023-11-30 14시 15시 이용자: 손종민 (010-9766-0039) 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 77,000원
4117 2023-11-30 15시 16시 4-3-7 power metal 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 98,000원
4118 2023-12-01 14시 15시 4-3-5 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4119 2023-12-01 15시 16시 이용자: 손종민 (010-9766-0039)

TIPS 과제로 정산 부탁드립니다.		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 77,000원
4120 2023-12-04 11시 12시 9-3-1 PO Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4121 2023-12-04 16시 17시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4122 2023-12-05 14시 15시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4123 2023-12-06 10시 11시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4124 2023-12-08 15시 16시 3-3-7 PWELL Mask PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 98,000원
4125 2023-12-11 10시 11시 6-3-3 JTE_IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4126 2023-12-11 11시 12시 6-3-7 JTE_IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4127 2023-12-11 14시 15시 6-3-3 JTE_IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4128 2023-12-11 15시 16시 6-3-7 JTE_IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4129 2023-12-13 10시 11시 6-3-3 JTE_IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4130 2023-12-13 13시 14시 6-3-7 JTE_IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4131 2023-12-13 14시 15시 6-3-3 JTE_IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4132 2023-12-13 15시 16시 6-3-7 JTE_IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4133 2023-12-14 14시 15시 13-2-2 power metal 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 74,000원
4134 2023-12-14 9시 18시 PR remove 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 7,010,000원
4135 2023-12-18 10시 11시 1-3-1 SiC/A-Si/SiC dry etch 코닝정밀소재주식회사 S&C 송창원 110,000원
4136 2023-12-19 10시 11시 0-1-4 Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 218,000원
4137 2023-12-20 10시 11시 3-3-3 PWELL_IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4138 2023-12-20 13시 14시 3-3-7 PWELL_IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4139 2023-12-20 14시 15시 3-3-7 PWELL_IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4140 2023-12-20 15시 16시 3-3-3- PWELL_IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4141 2023-12-21 10시 11시 2-2-2 metal etch LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 200,000원
4142 2023-12-22 13시 14시 1-3-2- AKEY 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 218,000원
4143 2023-12-22 15시 16시 1-3-4 AKEY 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 218,000원
4144 2023-12-28 10시 11시 1-3-2 AKEY 삼성전자 DS 김태훈 0원
4145 2023-12-29 11시 12시 9-3-1- PO 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4146 2024-01-02 14시 15시 2-3-2 RX PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 218,000원
4147 2024-01-02 15시 16시 2-3-4 RX PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 218,000원
4148 2024-01-04 15시 16시 wf05 Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4149 2024-01-04 9시 10시 2-3-1 RX PR Remove (Ashing)
2023년 나노융합기반 고도화사업		 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
4150 2024-01-05 10시 11시 ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4151 2024-01-05 13시 14시 3-3-3 PWELL_IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4152 2024-01-05 14시 15시 3-3-7 PWELL_IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4153 2024-01-05 15시 16시 3-3-7 PWELL_IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4154 2024-01-05 16시 17시 3-3-3 PWELL_IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4155 2024-01-05 9시 10시 5-3-3 MC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 218,000원
4156 2024-01-08 13시 14시 5-3-4 MC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 218,000원
4157 2024-01-10 14시 15시 PR ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4158 2024-01-10 16시 17시 3-4-1 PR Remove (Ashing) LG전자 차세대디스플레이연구소 장성규 110,000원
4159 2024-01-12 16시 17시 1-3-2 AKEY 삼성전자 DS 김태훈 0원
4160 2024-01-12 19시 20시 1-2-2 Si PR Ashing 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 권민규 146,000원
4161 2024-01-15 13시 14시 1-3-1 AKEY AP시스템(주) 디스플레이 장비사업본부 최동혁 110,000원
4162 2024-01-15 15시 16시 2-2-4 PWELL PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 74,000원
4163 2024-01-15 9시 10시 1-3-1 AKEY AP시스템(주) 디스플레이 장비사업본부 최동혁 80,000원
4164 2024-01-17 11시 12시 5-3-3 P+ IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4165 2024-01-17 13시 14시 5-3-7 P+ IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4166 2024-01-17 14시 15시 4-3-3 PG (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
4167 2024-01-17 16시 17시 5-3-7 P+ IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4168 2024-01-17 17시 18시 5-3-3 P+ IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4169 2024-01-18 15시 16시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing)
2023년 나노융합기반 고도화사업		 (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
4170 2024-01-18 16시 17시 7-3-3 V0 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 218,000원
4171 2024-01-18 16시 17시 2-3-2 JFET Oxide PR Ashing 선행 삼성전자 DS 김태훈 0원
4172 2024-01-18 19시 20시 2-3-7 JFET Oxide Dry Etch PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4173 2024-01-18 20시 21시 2-3-7 JFET Oxide Dry Etch PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4174 2024-01-19 10시 11시 VOx 특성평가(0119)
- Descum_1매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 67,000원
4175 2024-01-19 11시 12시 7-3-6 V0 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 218,000원
4176 2024-01-19 14시 15시 2-3-7 JFET IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4177 2024-01-22 9시 10시 2-2-4 Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 74,000원
4178 2024-01-24 10시 11시 2-2-4 PWELL 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 170,000원
4179 2024-01-24 13시 14시 7-2-5 ACTIVATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
4180 2024-01-24 14시 15시 7-2-5 ACTIVATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
4181 2024-01-24 15시 16시 7-3-3 OC (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
4182 2024-01-24 9시 10시 2-2-4 PWELL 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 170,000원
4183 2024-01-25 10시 11시 2-2-1 PWELL PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 122,000원
4184 2024-01-25 20시 21시 2-2-1 PWELL Oxide PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 290,000원
4185 2024-01-25 9시 10시 2-2-1 PWELL PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 242,000원
4186 2024-01-26 10시 11시 VOx 특성평가
- Descum_5매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 135,000원
4187 2024-01-26 16시 17시 담당 연구원 : 도정현 (010-6370-5281)
8inch wafer 7장 진행		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 176,000원
4188 2024-01-29 13시 14시 4-2-5 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 146,000원
4189 2024-01-29 16시 17시 4-6-5 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 122,000원
4190 2024-01-30 13시 14시 8-4-3 ACT,AREA 삼성전자 DS 김태훈 0원
4191 2024-01-30 14시 15시 8-4-3 ACT,AREA 삼성전자 DS 김태훈 0원
4192 2024-01-30 15시 16시 1-3-2 AKEY 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 170,000원
4193 2024-02-01 13시 14시 4-3-5 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4194 2024-02-01 17시 18시 4-4-4- PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4195 2024-02-01 23시 24시 최선호/010-5102-9680 부경대학교 기계설계공학과 유동인 70,000원
4196 2024-02-02 11시 12시 3-3-3 PWELL IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4197 2024-02-02 14시 15시 3-3-7 PWELL IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4198 2024-02-06 13시 14시 4-3-5 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4199 2024-02-06 15시 16시 2-2-4 PWELL 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 170,000원
4200 2024-02-07 11시 12시 13-3-3 M2 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4201 2024-02-07 13시 14시 1-2-3 MESA 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 98,000원
4202 2024-02-07 14시 15시 13-3-6 M2 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4203 2024-02-08 10시 11시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4204 2024-02-08 11시 12시 Ta Dry Etch PR ashing 나노융합기술원 대외협력팀 양웅석 77,000원
4205 2024-02-08 11시 12시 3-3-3 PWELL IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4206 2024-02-08 14시 15시 3-3-7 PWELL_IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4207 2024-02-08 14시 15시 3-3-7 PWELL IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4208 2024-02-08 16시 17시 3-3-3 PWELL IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4209 2024-02-13 13시 14시 4-3-5 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4210 2024-02-13 15시 16시 2-1-3 Mesa 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 194,000원
4211 2024-02-13 20시 21시 9-3-1 PO PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4212 2024-02-13 21시 22시 4-4-4 PC PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 194,000원
4213 2024-02-14 10시 11시 1-3-1 SiC/A-Si/SiC dry etch 코닝정밀소재주식회사 S&C 송창원 80,000원
4214 2024-02-14 13시 14시 1-3-2 AKEY 삼성전자 DS 김태훈 185,000원
4215 2024-02-14 14시 15시 1-3-2 AKEY 삼성전자 DS 김태훈 185,000원
4216 2024-02-15 10시 11시 2-2-1 PWELL 삼성전자 DS 김태훈 104,000원
4217 2024-02-15 11시 12시 2-3-3 JFET IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4218 2024-02-15 13시 14시 2-3-3 mesa 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 338,000원
4219 2024-02-15 15시 16시 2-3-7 JFET IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4220 2024-02-15 9시 10시 2-2-1 pwell 삼성전자 DS 김태훈 158,000원
4221 2024-02-16 11시 12시 4-3-3 P+ block 삼성전자 DS 김태훈 0원
4222 2024-02-16 15시 16시 4-3-3 P+ block 삼성전자 DS 김태훈 0원
4223 2024-02-19 17시 18시 8-4-3 M1 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 218,000원
4224 2024-02-21 13시 14시 12-3-5 V1 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 218,000원
4225 2024-02-21 16시 17시 8-3-3 OM Metal PR Ashing (주)칩스케이 연구개발팀 임진홍 0원
4226 2024-02-22 13시 14시 1-3-2 AKEY 삼성전자 DS 김태훈 0원
4227 2024-02-22 14시 15시 VOx Test
- Descum_4매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 118,000원
4228 2024-02-26 10시 11시 polyimide 제거 650초 삼성종합기술원 CDTU 김미경 134,000원
4229 2024-02-26 11시 12시 2-2-3 JFET IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4230 2024-02-26 14시 15시 2-2-7 JFET IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4231 2024-02-27 15시 16시 SiC Ashing 앞, 뒷면 포항공과대학교 선행기술팀 한성웅 104,000원
4232 2024-02-29 15시 16시 1-3-2 1st PR Remove (Ashing) 나노콘 나노콘연구소 조윤빈 54,000원
4233 2024-03-04 15시 16시 Ashing 에스케이스페셜티(주) 연구개발실 이지훈 90,000원
4234 2024-03-06 13시 14시 13-3-3 M2 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4235 2024-03-06 15시 16시 ashing 나노융합기술원 대외협력팀 양웅석 80,000원
4236 2024-03-06 16시 17시 13-3-6 M2 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4237 2024-03-06 9시 10시 Ashing 나노융합기술원 대외협력팀 양웅석 120,000원
4238 2024-03-08 15시 16시 SiC Decap 포항공과대학교 선행기술팀 한성웅 80,000원
4239 2024-03-11 23시 24시 . 부경대학교 기계설계공학과 유동인 70,000원
4240 2024-03-12 10시 11시 descum 10매 중 6매 포항가속기연구소 기업지원팀 김진아 194,000원
4241 2024-03-12 11시 12시 descum 5매 포항가속기연구소 기업지원팀 김진아 170,000원
4242 2024-03-12 13시 14시 1-3-1 hard mask (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 0원
4243 2024-03-12 16시 17시 descum 포항가속기연구소 기업지원팀 김진아 290,000원
4244 2024-03-13 16시 17시 4-3-5 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 131,000원
4245 2024-03-13 16시 17시 1-3-2 AKEY 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
4246 2024-03-14 10시 11시 4-4-4 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 131,000원
4247 2024-03-14 10시 11시 1-3-1 SiC/A-Si/SiC dry etch 코닝정밀소재주식회사 S&C 송창원 80,000원
4248 2024-03-14 13시 14시 2-1-3 mesa 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 152,000원
4249 2024-03-14 15시 16시 PR Ashing 조선대학교 기계공학과 강양준 80,000원
4250 2024-03-14 15시 16시 BD3217-240102-SEED
- Descum_2매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 80,000원
4251 2024-03-15 10시 11시 1-3-1 hard mask (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 0원
4252 2024-03-15 13시 14시 4-3-5 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4253 2024-03-15 14시 15시 4-4-4 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4254 2024-03-19 10시 11시 ICT제품화 지원사업 전자과 신성환 010 9081 6590

조각 샘플, 300um 두께, 5cm x 5cm 사이즈 40s 진행		 (주)아이제스트 연구개발팀 길연호 70,000원
4255 2024-03-19 11시 12시 5-3-3 P+IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4256 2024-03-19 15시 16시 5-3-7 P + IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4257 2024-03-19 15시 16시 5-3-3 P+ IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4258 2024-03-19 16시 17시 5-3-7 P+ IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4259 2024-03-21 13시 14시 2-2-4 PWELL 삼성전자 DS 김태훈 350,000원
4260 2024-03-22 13시 14시 2-2-4 PWELL 삼성전자 DS 김태훈 350,000원
4261 2024-03-22 14시 15시 2-5-2 GATE 포항공과대학교 신소재공학과 김성준 146,000원
4262 2024-03-22 15시 16시 담당연구원 : 도정현 (010-6370-5281)

8inch SOI 2ea		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 83,200원
4263 2024-03-22 16시 17시 2-1-3 mesa 삼성디스플레이 Micro Display 류용우 75,500원
4264 2024-03-22 17시 18시 2-5-4 추가 PR ashing 포항공과대학교 신소재공학과 김성준 146,000원
4265 2024-03-26 11시 12시 ICT 제품화 지원사업 전자과 신성환 010 9081 6590

조각 테이블위에 올려두겠습니다. 완료 후 연락 부탁드립니다. 		(주)아이제스트 연구개발팀 길연호 80,000원
4266 2024-03-28 11시 12시 6-3-3 JTE_IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4267 2024-03-28 13시 14시 7-2-5 ACTIVATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
4268 2024-03-28 14시 15시 7-2-5 ACTIVATE 1번 더 진행 삼성전자 DS 김태훈 0원
4269 2024-03-28 15시 16시 6-3-7 JTE_IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4270 2024-03-29 13시 14시 2-1-2 PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 122,000원
4271 2024-03-29 15시 16시 4-3-3 P+ BLOCK 삼성전자 DS 김태훈 0원
4272 2024-04-01 13시 14시 4-3-3 P+ block 삼성전자 DS 김태훈 0원
4273 2024-04-01 14시 15시 4-3-3 P+ block 삼성전자 DS 김태훈 0원
4274 2024-04-02 10시 12시 2-2-2 PR Ashing (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 200,000원
4275 2024-04-02 16시 17시 2-2-2 PR ashing (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 320,000원
4276 2024-04-02 20시 21시 2-4-1 PWELL_PR Ashing 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
4277 2024-04-03 16시 17시 1-2-3 AKEY+ISO 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 110,000원
4278 2024-04-04 9시 10시 2-2-2 Ashing (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 290,000원
4279 2024-04-05 19시 20시 5-3-3 P+IMP H/M Oxide PR Ashing 선행 삼성전자 DS 김태훈 0원
4280 2024-04-05 20시 21시 2-2-2 SiO2 PR Ashing

2024 ICT 제품화사업		 (주)엔디디 연구소 최영환 290,000원
4281 2024-04-05 22시 23시 5-3-7 P+IMP H/M Oxide Etch PR Ashing
 삼성전자 DS 김태훈 0원
4282 2024-04-08 14시 15시 1-3-2 AKEY 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 266,000원
4283 2024-04-08 17시 18시 1-3-4 AKEY 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 266,000원
4284 2024-04-08 19시 20시 7-2-5 ACTIVAE PR Asher 삼성전자 DS 김태훈 0원
4285 2024-04-08 9시 10시 2-2-1 PWELL 삼성전자 DS 김태훈 110,000원
4286 2024-04-09 20시 21시 1-3-2 AKEY PR Ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 98,000원
4287 2024-04-09 9시 10시 7-3 Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4288 2024-04-11 19시 20시 1-3-1 SiC/a-Si/SiC PR ashing 코닝정밀소재주식회사 S&C 송창원 80,000원
4289 2024-04-12 10시 11시 Gate Etch PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 74,000원
4290 2024-04-12 13시 14시 7-2-5 ACTIVATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
4291 2024-04-15 12시 13시 ICT 제품화 지원사업
담당 연구원 : 도정현 (010-6370-5281)
8inch SOI 3ea pr strip		 (주)아이제스트 연구개발팀 길연호 110,000원
4292 2024-04-15 14시 15시 8-4-4 ACT. AREA 삼성전자 DS 김태훈 0원
4293 2024-04-15 9시 10시 8-43- ACT.AREA 삼성전자 DS 김태훈 0원
4294 2024-04-16 13시 14시 2-3-2 RX 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 266,000원
4295 2024-04-16 14시 15시 6-3-3 RCSS 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 74,000원
4296 2024-04-16 15시 16시 2-3-4 RX 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 266,000원
4297 2024-04-16 21시 22시 4-3-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4298 2024-04-17 10시 11시 ICT제품화 지원사업 전자과 신성환 010 9081 6590
O2 ashing 40s
조각3매, 완료 후 연락주시면 바로 찾아가겠습니다.		 (주)아이제스트 연구개발팀 길연호 80,000원
4299 2024-04-17 14시 15시 2-3-3 PWELL_IMP 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 98,000원
4300 2024-04-17 15시 16시 4-4-4 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4301 2024-04-17 19시 20시 4-3-5 PC PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4302 2024-04-18 10시 11시 ICT 제품화 지원사업 전자과 신성환
O2 ashing 40s 의뢰 조각 3매
완료 후 연락주시면 바로 찾으러 오겠습니다.		 (주)아이제스트 연구개발팀 길연호 80,000원
4303 2024-04-18 11시 12시 4-4-4 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4304 2024-04-18 21시 22시 9-3-6 GATE PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4305 2024-04-19 19시 20시 9-5-3 GATE Poly Si PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4306 2024-04-20 16시 17시 11-2-2 CONT PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4307 2024-04-22 15시 16시 5-3-3 P+IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4308 2024-04-22 16시 17시 5-3-7 P+IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4309 2024-04-22 16시 17시 3-2-3 M1 ashing 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
4310 2024-04-22 17시 18시 8-2-2 S_D 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 74,000원
4311 2024-04-22 18시 19시 5-3-3 P+ IMP PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4312 2024-04-22 21시 22시 5-3-7 P+ IMP PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4313 2024-04-22 22시 23시 ICT 제품화 지원사업 전자과 신성환 010 9081 6590
O2 ashing 40s		 (주)아이제스트 연구개발팀 길연호 80,000원
4314 2024-04-23 20시 21시 12-2-2 Gate Cont PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4315 2024-04-24 13시 14시 4-1-0 ACTIVE 포항공과대학교 선행기술팀 한성웅 98,000원
4316 2024-04-24 14시 15시 4-1-0 ACTIVE 포항공과대학교 선행기술팀 한성웅 98,000원
4317 2024-04-24 15시 16시 14-1-8 KEY Open 삼성전자 DS 김태훈 0원
4318 2024-04-24 19시 20시 9-3-6 Gate PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 110,000원
4319 2024-04-24 20시 21시 9-3-6 Gate PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 110,000원
4320 2024-04-25 13시 14시 Descum 포항가속기연구소 기업지원팀 김진아 290,000원
4321 2024-04-25 14시 15시 Descum 포항가속기연구소 기업지원팀 김진아 290,000원
4322 2024-04-25 14시 15시 10-1-1 pSCH 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 74,000원
4323 2024-04-26 10시 11시 15-3-1 Power Metal 삼성전자 DS 김태훈 0원
4324 2024-04-26 10시 11시 PAD SiN Etch Slope 평가
; SiN 1.0um on PAD Metal --> PAD Photo
--> Etch 평가 후 PR Ashing		 삼성전자 DS 김태훈 80,000원
4325 2024-04-26 11시 12시 2-2-2 Ashing
2023년 나노융합기반 고도화사업		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 230,000원
4326 2024-04-26 13시 14시 4-4-1 p+ imp 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
4327 2024-04-29 15시 16시 2-2-2 Si/SiGe PR Ashing 연세대학교 화공생명공학과 이승효 80,000원
4328 2024-04-29 16시 17시 9-5-3 GATE 삼성전자 DS 김태훈 110,000원
4329 2024-04-29 16시 17시 9-5-3 GATE 삼성전자 DS 김태훈 110,000원
4330 2024-04-30 15시 16시 2-2-2 PR Ashing
2023 나노융합기반 고도화사업		 (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 0원
4331 2024-05-02 10시 11시 9-3-6 GATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
4332 2024-05-02 10시 11시 9-3-6 GATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
4333 2024-05-03 15시 16시 1-2-2 PR Ashing 1차 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 131,000원
4334 2024-05-03 16시 17시 1-2-4 PR Ashing 2차 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 131,000원
4335 2024-05-03 8시 9시 9-5-3 GATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
4336 2024-05-03 8시 9시 9-5-3 GATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
4337 2024-05-08 13시 14시 5-4-1 JFET IMP 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
4338 2024-05-09 10시 11시 11-2-6 Gate cont 삼성전자 DS 김태훈 110,000원
4339 2024-05-09 10시 11시 11-2-2 Gate cont 삼성전자 DS 김태훈 110,000원
4340 2024-05-09 13시 14시 6-4-2 ACTIVATE 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
4341 2024-05-09 13시 14시 6-4-1 ACTIVATE 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
4342 2024-05-10 10시 11시 3-1-2 PWELL 삼성전자 Power device팀 박종원 200,000원
4343 2024-05-13 10시 11시 13-1-8 KEY Open 삼성전자 DS 김태훈 110,000원
4344 2024-05-13 10시 11시 13-1-8 KEY Open 삼성전자 DS 김태훈 110,000원
4345 2024-05-13 16시 17시 VOx test
Descum 4ea 		주식회사 보다 연구개발 김형원 116,400원
4346 2024-05-14 10시 11시 7-3-2 ACT. AREA 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
4347 2024-05-14 15시 16시 1-3-2 AKEY 삼성전자 Power device팀 박종원 140,000원
4348 2024-05-14 16시 17시 14-3-1 Power Metal 삼성전자 DS 김태훈 110,000원
4349 2024-05-14 16시 17시 14-3-1 Power Metal 삼성전자 DS 김태훈 110,000원
4350 2024-05-15 10시 11시 6-3-2 JTE_IMP Oxide H/M Etch 선행 PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4351 2024-05-15 12시 13시 6-3-7 JTE_IMP Oxide PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4352 2024-05-15 13시 14시 6-3-3 JTE_IMP Oxide H/M Etch 선행 PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4353 2024-05-15 15시 16시 6-3-7 JTE_IMP Oxide PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4354 2024-05-16 15시 16시 2-3-3 JFET IMP 삼성전자 Power device팀 박종원 110,000원
4355 2024-05-16 18시 19시 PR Ashing
4inch 7ea, 조각 1ㄷㅁ		 포항공과대학교 전자전기공학과 류용우 242,000원
4356 2024-05-17 13시 14시 4-3-5 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4357 2024-05-20 10시 11시 4-4-4 PC PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4358 2024-05-20 11시 12시 17-3-2 Passivation 삼성전자 DS 김태훈 0원
4359 2024-05-20 13시 14시 2-3-3 PR Remove (Front Ashing) 마이크로어낼리시스(주) 마이크로어낼리시스 (주) 안재훈 110,000원
4360 2024-05-20 14시 15시 2-3-4 PR Remove (Back Ashing) 마이크로어낼리시스(주) 마이크로어낼리시스 (주) 안재훈 110,000원
4361 2024-05-21 16시 17시 1-3-1 KEY 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 98,000원
4362 2024-05-21 18시 19시 Backside Poly Etch PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4363 2024-05-21 19시 20시 Backside Poly Etch PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4364 2024-05-21 19시 21시 7-2 HTA Decap 삼성전자 DS 김태훈 0원
4365 2024-05-21 19시 20시 1-2-2 B side A key PR Ashing AP시스템(주) 디스플레이 장비사업본부 최동혁 140,000원
4366 2024-05-21 9시 10시 2-3-3 FrontSide, Metal depo 포항공과대학교 전자전기공학과 류용우 194,000원
4367 2024-05-22 11시 12시 Bonding Photo
- Descum_5매		 주식회사 보다 연구개발 김형원 133,000원
4368 2024-05-23 10시 11시 9-5-3 GATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
4369 2024-05-23 10시 11시 9-5-3 GATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
4370 2024-05-23 20시 21시 2-2 N+ PR Ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 98,000원
4371 2024-05-24 15시 16시 PR Ashing 나노콘 연구소 주종호 104,000원
4372 2024-05-27 13시 14시 8-4-3 GATE 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
4373 2024-05-27 13시 14시 1-3-2 Oxide etch 고려대학교 제어계측공학과 최길영 140,000원
4374 2024-05-27 19시 20시 6-4 PR Ashing 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
4375 2024-05-27 8시 9시 11-2-2 CONT 삼성전자 DS 김태훈 0원
4376 2024-05-27 9시 10시 11-2-2 CONT 삼성전자 DS 김태훈 0원
4377 2024-05-28 10시 11시 1-3-1 1st PR Remove 나노콘 연구소 주종호 77,000원
4378 2024-05-28 14시 15시 2-3-1 ISO 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 98,000원
4379 2024-05-28 21시 22시 5-3-3 P+ PR Ashing 삼성전자 Power device팀 박종원 140,000원
4380 2024-05-29 10시 11시 8-6-4 GATE 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
4381 2024-05-31 13시 14시 12-2-2 Gate Cont 삼성전자 DS 김태훈 0원
4382 2024-05-31 13시 14시 8-4-1 ACT. AREA 삼성전자 DS 김태훈 0원
4383 2024-05-31 14시 15시 12-2-2 gate cont 삼성전자 DS 김태훈 0원
4384 2024-05-31 15시 16시 8-4-3 ACT. AREA 삼성전자 DS 김태훈 0원
4385 2024-05-31 21시 22시 3-3 pr ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 98,000원
4386 2024-06-03 15시 16시 3-4-4 PG 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 98,000원
4387 2024-06-03 17시 18시 14-1-8 KEY Open 삼성전자 DS 김태훈 0원
4388 2024-06-03 17시 18시 14-1-8 KEY Open 삼성전자 DS 김태훈 0원
4389 2024-06-03 20시 21시 Flat zone open etch 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
4390 2024-06-04 14시 15시 WBG 과제 진행용 Oxide Dry Etch 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 170,000원
4391 2024-06-04 19시 20시 15-3-1 Power Metal PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4392 2024-06-05 13시 14시 15-3-1 Power Metal 삼성전자 DS 김태훈 0원
4393 2024-06-05 18시 19시 G/S etch 후 PR 제거 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 박종서 74,000원
4394 2024-06-05 19시 20시 10-2-3 CONT 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
4395 2024-06-07 20시 21시 4-3-3 Ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 98,000원
4396 2024-06-10 19시 20시 11-2-3 Gate Cont 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
4397 2024-06-12 15시 16시 4-3-3 OC 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 98,000원
4398 2024-06-12 16시 17시 13-2-2 Power Metal 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
4399 2024-06-13 14시 15시 1-3-1 ACTIVE 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 242,000원
4400 2024-06-13 8시 9시 3-1-2 PWELL PR Ashing 삼성전자 Power device팀 박종원 200,000원
4401 2024-06-14 16시 17시 5-4-3 OM 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 98,000원
4402 2024-06-14 17시 18시 1~8번 조각 ashing 6min 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 146,000원
4403 2024-06-14 9시 11시 안녕하세요.
포항공대 노준석 교수님 실험실 양영환입니다.
Si wafer에 있는 PR (ZEP-520a)를 제거하고자 신청합니다.
8인치 케리어 (시편보관함)에 넣어두었고, 총 13장 (플랫 5개, 노치 8개)입니다.
캐리어에서 에셔가 필요한 부분은 따로 표시를 해었습니다. (뚜껑을 열면 네임펜으로 상자에 표시가 되어 있습니다.)

일정은 급하지 않아서 천천히 해주셔도 되겠습니다.
감사합니다.
포항공과대학교 기계공학과 양영환 323,000원
4404 2024-06-17 14시 15시 9-3-6 GATE 삼성전자 DS 김태훈 110,000원
4405 2024-06-17 14시 15시 9-3-6 GATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
4406 2024-06-17 17시 18시 13-2-2 Power Metal 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
4407 2024-06-17 9시 10시 5-2-5 Activate PR Ashing 삼성전자 Power device팀 박종원 140,000원
4408 2024-06-18 13시 14시 1-3-1 Descum
ICT 제품화 지원사업		 마이크로어낼리시스(주) 마이크로어낼리시스 (주) 안재훈 110,000원
4409 2024-06-19 14시 15시 3-1-2 PWELL 삼성전자 Power device팀 박종원 200,000원
4410 2024-06-19 15시 16시 3-3-3 PWELL_IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4411 2024-06-20 11시 12시 3-3-7 PWELL PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4412 2024-06-20 18시 19시 9-5-3 GATE 삼성전자 DS 김태훈 110,000원
4413 2024-06-20 19시 20시 9-5-3 GATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
4414 2024-06-21 11시 12시 2-3-5 Ashing
ICT 제품화 지원사업		 마이크로어낼리시스(주) 마이크로어낼리시스 (주) 안재훈 140,000원
4415 2024-06-21 19시 21시 2-4-3 Ashing
ICT 제품화 지원사업		 마이크로어낼리시스(주) 마이크로어낼리시스 (주) 안재훈 140,000원
4416 2024-06-24 8시 17시 포스텍 차세대공유혁신대학 나노 반도체공정 실습교육 나노융합기술원 교육홍보팀 김동기 3,062,500원
4417 2024-06-27 10시 11시 4-3-5 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 77,000원
4418 2024-06-27 20시 21시 4-3-5 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4419 2024-06-28 11시 12시 4-4-4 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4420 2024-06-28 14시 15시 4-3-5 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 104,000원
4421 2024-06-28 14시 15시 4-3-5 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 158,000원
4422 2024-06-28 17시 18시 4-4-6 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 77,000원
4423 2024-06-28 20시 21시 4-4-4 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 158,000원
4424 2024-06-28 20시 21시 4-4-4 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 104,000원
4425 2024-07-01 9시 10시 5-1-1 Power Metal 삼성전자 DS 김태훈 380,000원
4426 2024-07-02 10시 11시 0-1-0 PWELL_IMP 삼성전자 Power device팀 박종원 560,000원
4427 2024-07-05 18시 19시 0-1-4 0 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4428 2024-07-09 14시 15시 7-2-5 ACTIVATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
4429 2024-07-10 20시 21시 1-3-2 AKEY PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4430 2024-07-11 10시 11시 1-3-4 AKEY 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4431 2024-07-11 16시 17시 15-2-1 M2 트리노테크놀로지 경영지원팀 트리노테크놀로지 0원
4432 2024-07-11 23시 24시 최선호/010-5102-9680 부경대학교 기계설계공학과 유동인 0원
4433 2024-07-15 15시 16시 1-2-1 Metal Depo 한국생산기술연구원 극한공정제어그룹 윤성도 200,000원
4434 2024-07-15 16시 17시 13-3-5 M2 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 77,000원
4435 2024-07-15 20시 21시 13-3-5 M2 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 104,000원
4436 2024-07-18 11시 12시 14-3-3 V2 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 131,000원
4437 2024-07-18 14시 15시 14-3-6 V2 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 131,000원
4438 2024-07-18 8시 9시 1-2-1 Metal Depo 그래핀스퀘어주식회사 기획관리팀 권회창 110,000원
4439 2024-07-22 9시 10시 1-2-1 SILICI 포항공과대학교 대학원 반도체대학원 박휘승 74,000원
4440 2024-07-23 13시 14시 3-1-2 PWELL 삼성전자 Power device팀 박종원 170,000원
4441 2024-07-23 15시 16시 4-3-5 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4442 2024-07-23 15시 16시 4-3-5 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4443 2024-07-24 10시 11시 4-4-4 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4444 2024-07-24 11시 12시 4-4-4 PC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4445 2024-07-24 14시 15시 1-3-1 SiC/A-Si/SiC Dry etch 코닝정밀소재주식회사 S&C 송창원 80,000원
4446 2024-07-24 14시 15시 2-3-2 RX 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4447 2024-07-24 19시 20시 2-3-4 RX 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4448 2024-07-25 15시 16시 15-4-3 M3 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 131,000원
4449 2024-07-29 22시 23시 최선호 01051029680 부경대학교 기계설계공학과 유동인 70,000원
4450 2024-07-30 15시 16시 4-3-4 삼성전자 DS 김태훈 0원
4451 2024-07-31 13시 14시 3-1-2 PWELL 삼성전자 Power device팀 박종원 140,000원
4452 2024-08-01 13시 14시 Ashing 전북대학교 전자정보공학부 박선영 110,000원
4453 2024-08-02 10시 10시 3-1-2 PWELL 삼성전자 Power device팀 박종원 198,750원
4454 2024-08-02 15시 16시 3-1-2 PWELL 삼성전자 Power device팀 박종원 451,250원
4455 2024-08-05 14시 15시 11-2-2 CONT 삼성전자 DS 김태훈 0원
4456 2024-08-05 20시 21시 5-3-1 JFET IMP. Oxide Etch PR Ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 98,000원
4457 2024-08-05 21시 22시 최선호 010-5102-9680 부경대학교 기계설계공학과 유동인 0원
4458 2024-08-06 10시 11시 11-2-2 Gate Cont 삼성전자 DS 김태훈 110,000원
4459 2024-08-06 11시 12시 8-4-3 ACT. AREA 삼성전자 DS 김태훈 0원
4460 2024-08-07 10시 11시 13-1-8 KEY Open 삼성전자 DS 김태훈 110,000원
4461 2024-08-07 15시 16시 1-3-1 SiC/A-Si/SiC Dry etch 코닝정밀소재주식회사 S&C 송창원 170,000원
4462 2024-08-07 8시 9시 12-2-2 Gate Cont 삼성전자 DS 김태훈 0원
4463 2024-08-08 13시 14시 0-1-4 0 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4464 2024-08-08 14시 15시 14-1-8 KEY Open 삼성전자 DS 김태훈 0원
4465 2024-08-08 17시 18시 14-3-1 Power Metal Ashing 삼성전자 DS 김태훈 110,000원
4466 2024-08-09 14시 15시 15-3-1 Power Metal 삼성전자 DS 김태훈 0원
4467 2024-08-12 11시 12시 1-3-2 AKEY 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4468 2024-08-12 15시 16시 1-3-4 AKEY 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4469 2024-08-13 10시 11시 5-3-2MC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4470 2024-08-13 16시 17시 1-2-2 HM ET 한국과학기술원 기계공학과 김태영 110,000원
4471 2024-08-13 8시 9시 5-3-2 MC 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4472 2024-08-14 10시 11시 4-3-2 ACTIVATE 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 98,000원
4473 2024-08-14 15시 16시 9-5-3 GATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
4474 2024-08-14 15시 16시 9-3-6 GATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
4475 2024-08-14 16시 17시 9-3-6 GATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
4476 2024-08-14 9시 10시 6-4-1 ACTIVATE 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 98,000원
4477 2024-08-16 14시 15시 2-3-2 RX PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4478 2024-08-16 15시 16시 2-3-4 RX PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4479 2024-08-19 13시 14시 9-5-3 GATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
4480 2024-08-19 15시 16시 7-3-2 ACT. AREA 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 98,000원
4481 2024-08-19 16시 17시 9-5-3 GATE 삼성전자 DS 김태훈 0원
4482 2024-08-19 9시 10시 전북대 공정 교육 (JBNU_02) 포항공과대학교 나노융합기술원 이현규 450,000원
4483 2024-08-20 10시 11시 2-2-2 Trench 연세대학교 화공생명공학과 이승효 80,000원
4484 2024-08-21 10시 11시 11-2-2 CONT 삼성전자 DS 김태훈 0원
4485 2024-08-21 11시 12시 11-2-2 CONT 삼성전자 DS 김태훈 0원
4486 2024-08-21 14시 15시 11-2-2 CONT 삼성전자 DS 김태훈 0원
4487 2024-08-21 15시 16시 2-1-1 Bare 삼성전자 Power device팀 박종원 80,000원
4488 2024-08-21 16시 17시 6-3-5 M0 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4489 2024-08-21 19시 20시 2-2-2 PR ASHING (주)지아이에스 지아이에스 부설연구소 이민재 80,000원
4490 2024-08-22 14시 15시 3-1-2 PWELL 삼성전자 Power device팀 박종원 80,000원
4491 2024-08-23 10시 10시 장비임대차계약 아이큐랩 아이큐랩 아이큐랩(장비임대차 계약) 7,172,157원
4492 2024-08-23 14시 15시 12-2-2 Gate Cont 삼성전자 DS 김태훈 0원
4493 2024-08-23 15시 16시 12-2-2 Gate Cont 삼성전자 DS 김태훈 0원
4494 2024-08-23 17시 18시 5-3-3 MC PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4495 2024-08-23 18시 19시 12-2-2 Gate Cont Etch PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4496 2024-08-23 19시 20시 5-3-6 MC PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4497 2024-08-26 21시 22시 6-3-4 PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4498 2024-08-27 11시 12시 7-3-3 V0 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4499 2024-08-27 14시 15시 14-1-8 KEY Open 삼성전자 DS 김태훈 0원
4500 2024-08-27 14시 15시 15-2 Metal Etch Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 77,000원
4501 2024-08-27 15시 16시 7-3-6 V0 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4502 2024-08-27 16시 17시 14-1-8 KEY Open 삼성전자 DS 김태훈 0원
4503 2024-08-27 21시 22시 7-3-3 V0 PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4504 2024-08-28 10시 11시 7-3-6 V0 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4505 2024-08-28 20시 21시 9-4 M1 PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4506 2024-08-29 13시 14시 1-4 PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4507 2024-08-29 15시 16시 9-3-3 PO PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 77,000원
4508 2024-08-29 16시 17시 1-7 PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4509 2024-08-29 17시 18시 15-1 Al Etch PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4510 2024-08-29 19시 20시 15-1 Al Etch PR Ashing 삼성전자 DS 김태훈 0원
4511 2024-08-30 15시 16시 1-4-2 V2 PR Remove (Ashing) wf06 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 77,000원
4512 2024-09-02 11시 12시 2-2-2 ACTIVE 포항공과대학교 반도체공학과 이지원 170,000원
4513 2024-09-02 11시 12시 PR Ashing 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 185,000원
4514 2024-09-02 13시 13시 장비임대차계약 아이큐랩 아이큐랩 아이큐랩(장비임대차 계약) 7,172,157원
4515 2024-09-02 15시 16시 담당 연구원 : 도정현 (010-6370-5281)
8inch SOI pr strip		 포항공과대학교 전자전기공학과 이정수 95,000원
4516 2024-09-02 16시 17시 1-4-4 V2 PR Remove (Ashing) 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 185,000원
4517 2024-09-02 8시 9시 12-3-5 V1 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4518 2024-09-03 13시 14시 8-4-3 M1 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4519 2024-09-04 13시 14시 14-1-8 KEY Open 삼성전자 DS 김태훈 0원
4520 2024-09-04 14시 15시 8-4-3 GATE 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 98,000원
4521 2024-09-05 13시 14시 6-2-2 GC 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
4522 2024-09-06 13시 14시 5-3-1 P+IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4523 2024-09-06 14시 15시 3-4-1 N-WELL 포항공과대학교 반도체공학과 이지원 140,000원
4524 2024-09-06 8시 9시 12-3-5 V1 삼성종합기술원 V-T/F 양성석 212,000원
4525 2024-09-09 13시 14시 8-6-4 GATE 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 98,000원
4526 2024-09-09 9시 10시 5-3-7 P+IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4527 2024-09-10 13시 15시 2-2-1 PWELL_IMP 삼성전자 Power device팀 박종원 740,000원
4528 2024-09-10 17시 18시 4-3-1 PWEL IMP (PR Ashing) 포항공과대학교 반도체공학과 이지원 140,000원
4529 2024-09-10 9시 10시 2-1-1 PWELL_IMP 삼성전자 Power device팀 박종원 80,000원
4530 2024-09-11 14시 15시 1-2-1 ACTIVATE 삼성전자 Power device팀 박종원 110,000원
4531 2024-09-11 20시 21시 1-3-3 Ashing (주)포플스 - 조성우 80,000원
4532 2024-09-12 10시 11시 1-3-1 PR Ashing 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 98,000원
4533 2024-09-12 14시 15시 3-1-2 PWELL 삼성전자 Power device팀 박종원 80,000원
4534 2024-09-12 9시 10시 3-1-2 PWELL 삼성전자 Power device팀 박종원 80,000원
4535 2024-09-13 10시 11시 1-2-0 M Deposition 포항공과대학교 기술지원팀 김성준 74,000원
4536 2024-09-20 14시 15시 6-2-2 GC 포항공과대학교 반도체공학과 이지원 0원
4537 2024-09-20 16시 17시 6-2-2 GC 포항공과대학교 반도체공학과 이지원 140,000원
4538 2024-09-20 8시 9시 5-4-3 GC Poly 포항공과대학교 반도체공학과 이지원 140,000원
4539 2024-09-20 9시 10시 3-1-2 PWELL 삼성전자 Power device팀 박종원 320,000원
4540 2024-09-23 23시 24시 김도연 010-4715-0095 부경대학교 기계설계공학과 유동인 70,100원
4541 2024-09-23 9시 10시 1-3-1 ACTIVE 포항공과대학교 대학원 반도체대학원 박휘승 242,000원
4542 2024-09-24 15시 16시 10-2-3 CONT 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 98,000원
4543 2024-09-24 9시 10시 2-1-3 SiC Etch 한국과학기술원 기계공학과 김태영 110,000원
4544 2024-09-25 13시 14시 6-3-7 JTE_IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4545 2024-09-25 9시 10시 6-3-3 JTE_IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4546 2024-09-26 15시 16시 11-2-3 Gate Cont 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 98,000원
4547 2024-09-27 10시 11시 2-6-2 Metal PR ashing 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 122,000원
4548 2024-09-27 11시 12시 2-6-4 Metal PR Ashing (잔여 PR 제거) 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 122,000원
4549 2024-09-30 9시 10시 7-4-1 N+ 포항공과대학교 반도체공학과 이지원 140,000원
4550 2024-10-02 16시 16시 장비임대차계약 아이큐랩 아이큐랩 아이큐랩(장비임대차 계약) 7,172,157원
4551 2024-10-02 18시 19시 13-2-2 Power Metal PR Ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 98,000원
4552 2024-10-02 19시 20시 1-2-2 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 선행기술팀 한성웅 74,000원
4553 2024-10-02 9시 10시 3-3-1 P+_IMP 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 98,000원
4554 2024-10-04 11시 12시 1-3-3 PE-oxide etch 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 0원
4555 2024-10-04 20시 21시 1-3-2 AKEY PR Ashing 주식회사 아르케 SIC 생산본부 노병훈 200,000원
4556 2024-10-07 14시 15시 Gate etch 후 PR 제거 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 박종서 98,000원
4557 2024-10-07 9시 10시 4-3-1 N+_IMP 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 98,000원
4558 2024-10-08 20시 21시 1-2-3 AKEY Etch PR Ashing 포항공과대학교 반도체공학과 이지원 140,000원
4559 2024-10-08 9시 10시 8-3-1 P+ 포항공과대학교 반도체공학과 이지원 140,000원
4560 2024-10-10 10시 11시 5-3-1 P wel Imp PR Ashing 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 98,000원
4561 2024-10-10 14시 15시 1-3-3 PE-oxide etch 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 74,000원
4562 2024-10-11 16시 17시 Gateetch 후 PR 제거 포항공과대학교 대학원 전자전기공학과 박종서 242,000원
4563 2024-10-14 17시 18시 10-3-2 CONT PR Ashing 포항공과대학교 반도체공학과 이지원 65,000원
4564 2024-10-15 10시 11시 2-2-5 FOX 현대모비스 전력반도체팀 강민기 140,000원
4565 2024-10-15 11시 12시 17-3-2 Passivation 삼성전자 DS 김태훈 0원
4566 2024-10-15 17시 19시 7-3-5 ACTIVATE Ashing (앞,뒤) 삼성전자 DS 김태훈 0원
4567 2024-10-16 13시 14시 1-3-4 NPLUS 현대모비스 전력반도체팀 강민기 80,000원
4568 2024-10-16 18시 19시 6-3-1 PWELL_IMP PR Ashing 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 98,000원
4569 2024-10-16 9시 10시 11-2-3 M1 Metal 포항공과대학교 반도체공학과 이지원 65,000원
4570 2024-10-17 21시 22시 1-2-2 Oxide PR Ashing (주)모이모션 (주) 모이모션 최정례 110,000원
4571 2024-10-18 11시 12시 2-4-1 PWELL_IMP 주식회사 아르케 SIC 생산본부 노병훈 200,000원
4572 2024-10-21 9시 10시 8-4-1 ACTIVATE 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 98,000원
4573 2024-10-22 9시 10시 8-4-3 ACT. AREA 삼성전자 DS 김태훈 0원
4574 2024-10-24 19시 20시 1-3-1 AKEY PR Ashing 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 98,000원
4575 2024-10-29 15시 16시 9-3-2 ACT. AREA 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 98,000원
4576 2024-10-30 13시 14시 9-5-3 ACT. AREA 나노융합기술원 대외협력팀 박영재 98,000원
4577 2024-10-31 17시 18시 4-1-1 GATE PR Remove 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 98,000원
4578 2024-11-01 22시 23시 김주빈 01039670825 부경대학교 기계설계공학과 유동인 70,100원
4579 2024-11-03 8시 9시 장비임대차계약
 아이큐랩 아이큐랩 아이큐랩(장비임대차 계약) 7,172,157원
4580 2024-11-04 9시 10시 2-3-3 NPLUS 현대모비스 전력반도체팀 강민기 80,000원
4581 2024-11-05 14시 15시 3-4-1 SOURCE_IMP 주식회사 아르케 SIC 생산본부 노병훈 200,000원
4582 2024-11-05 8시 9시 5-3-3 Backside ETCH 현대모비스 전력반도체팀 강민기 170,000원
4583 2024-11-07 13시 14시 4inch wafer PR Ashing 포항공과대학교 대학원 기계공학과 김태일 266,000원
4584 2024-11-07 16시 18시 ICT 제품화 제원사업


저온 SiO2 300 옹스트폼 증착
DRIE SiO2 300 제거 후 PR 제거		 마이크로어낼리시스(주) 기업부설연구소 조경호 110,000원
4585 2024-11-08 11시 12시 6-3-3 RCSS 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 98,000원
4586 2024-11-12 17시 18시 6-2-4 Gate PolySi Etch (Ashing) 현대모비스 전력반도체팀 이정윤 230,000원
4587 2024-11-13 11시 12시 8-2-2 S_D PR Remove 포항공과대학교 기술지원팀 최경근 98,000원
4588 2024-11-13 16시 17시 2-3-2 PR Ashing (주)모이모션 (주) 모이모션 최정례 110,000원
4589 2024-11-13 8시 9시 2-3-1 P+IMP PR ashing 포항공과대학교 선행기술팀 한성웅 122,000원
4590 2024-11-14 15시 16시 2-3-3 Ashing 현대모비스 전력반도체팀 강민기 110,000원
4591 2024-11-14 16시 17시 2-3-4 Ashing 현대모비스 전력반도체팀 강민기 110,000원
4592 2024-11-15 11시 12시 8-2-4 CONT PR ashing 현대모비스 전력반도체팀 강민기 110,000원
4593 2024-11-16 18시 19시 3-4-5 FOX PR Ashing 현대모비스 전력반도체팀 강민기 200,000원
4594 2024-11-19 15시 16시 1-2-4 PR Ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 74,000원
4595 2024-11-19 15시 16시 10-2-2 Gate Cont 현대모비스 전력반도체팀 강민기 350,000원
4596 2024-11-19 9시 10시 SiC decap ashing 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 74,000원
4597 2024-11-25 11시 12시 11-5-3 Power Metal 현대모비스 전력반도체팀 강민기 125,000원
4598 2024-11-25 14시 15시 11-5-6 Power Metal 현대모비스 전력반도체팀 강민기 275,000원
4599 2024-11-26 16시 17시 1-2-3 나노융합기술원 기술지원팀 강민재 74,000원
4600 2024-11-27 15시 16시 6-3-3 Backside PR Ashing 현대모비스 전력반도체팀 강민기 200,000원
4601 2024-11-28 10시 11시 4-4-1 P+IMP 주식회사 아르케 SIC 생산본부 노병훈 200,000원
4602 2024-11-28 11시 12시 6-5-4 GATE 현대모비스 전력반도체팀 강민기 200,000원
4603 2024-11-29 11시 12시 3-3-7 PWELL_IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4604 2024-11-29 13시 14시 김주빈
010-3967-0825
공정장비 직접사용 라이선스 갱신 교육 요청
날짜 : 11/29		 부경대학교 기계설계공학과 김주빈 230,000원
4605 2024-11-29 14시 15시 3-3-7 PWELL_IMP 삼성전자 DS 김태훈 0원
4606 2024-11-29 15시 16시 공정장비 직접사용 라이선스 갱신 교육 요청
부경대학교 김주빈 함께 교육 이수		 부경대학교 기계공학부 기계설계공학전공 김도연 230,000원
4607 2024-11-29 16시 18시 감광성 폴리이미드 3um 코팅 기판
DESCUM 16초		 주식회사 동진쎄미켐 사업1부 절연막팀 이지현 410,000원
4608 2024-11-29 22시 23시 김도연 01047150095
김주빈 01039670825		 부경대학교 기계설계공학과 유동인 70,100원
4609 2024-11-30 20시 21시 8-2-4 CONT PR Ashing 현대모비스 전력반도체팀 강민기 200,000원
4610 2024-12-02 11시 14시 장비임대차계역 아이큐랩 아이큐랩 아이큐랩(장비임대차 계약) 7,172,157원
4611 2025-01-01 15시 15시 장비 임대차 계약 아이큐랩 아이큐랩 아이큐랩(장비임대차 계약) 7,172,115원
4612 2025-02-03 1시 1시 장비 임대차 계약
 아이큐랩 아이큐랩 아이큐랩(장비임대차 계약) 7,172,115원
4613 2025-03-03 10시 10시 아이큐랩 장비임대차 계약 아이큐랩 아이큐랩 아이큐랩(장비임대차 계약) 7,172,100원
4614 2025-04-02 17시 17시 아이큐랩 장비임대차 계약 아이큐랩 아이큐랩 아이큐랩(장비임대차 계약) 7,172,100원
4615 2025-05-19 10시 10시 장비임대차계약 아이큐랩 아이큐랩 아이큐랩(장비임대차 계약) 7,172,100원
4616 2025-06-02 16시 16시 아이큐랩(장비임대차 계약) 아이큐랩 아이큐랩 아이큐랩(장비임대차 계약) 7,172,100원
4617 2025-07-14 16시 16시 아이큐랩(장비임대차 계약)
 아이큐랩 아이큐랩 아이큐랩(장비임대차 계약) 7,172,100원
4618 2025-08-05 11시 11시 아이큐랩(장비임대차 계약)
 아이큐랩 아이큐랩 아이큐랩(장비임대차 계약) 7,172,100원
4619 2025-09-02 10시 10시 아이큐랩 장비임대차 아이큐랩 아이큐랩 아이큐랩(장비임대차 계약) 7,172,100원
4620 2025-10-06 18시 18시 아이큐랩 장비임대차계약 아이큐랩 아이큐랩 아이큐랩(장비임대차 계약) 7,172,100원
4621 2025-11-03 17시 17시 - 아이큐랩 아이큐랩 아이큐랩(장비임대차 계약) 7,172,100원
4622 2026-12-21 16시 16시 - 아이큐랩 아이큐랩 아이큐랩(장비임대차 계약) 7,172,100원