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장비소개

Dry Etcher_20nm급

장비명(영문) :  Dry Etcher_20nm급

장비명(국문) :  플라즈마 유도결합 식각장치

제조사 :  DMS

모델 :  Silicon/metal hybrid etcher

사양 :  2500 W, 13.56 MHz

용도 :  20nm급 식각

키워드 :  

No Items Description
1 Standard Process Oxide Etch : CF4/CHF3 Gas Base (about 70Å/sec)
Nitride Etch : CHF3 Gase Base (about 30Å/sec)
Poly Etch : Cl2/HBr Gas Base (about 40Å/sec)
GaN Etch : Cl2/HBr Gas Base (about 30Å/sec)
2 Plasma Source ICP Plasma (Plasma Density : >5X10_12/cm3)
3 Pressure Control 5 mTorr ~ 100 mTor
4 Power Source Power : 2000W(13.56MHz), Bias Power : 600W(13.56MHz)
Source Power : 3000W(13.56MHz), Bias-1/2 Power : 2000W(13.56MHz)
5 Number of Gas PM#2 (Poly Si) CF4, Cl2, HBr, BCl3, Ar, O2
PM#4 (Oxide) CF4, CHF3, SF6, Ar, O2
6 Chuck Type Elactrostatic Chuck
7 Process Temperature Cathode 60℃(PM#2) / 20℃ (PM#4)
8 Wafer size 8inch
9 Control Fully Automated Control Function
Semi-Auto Function for Wafer Transfer and Manual Process

장비사용료 용도 이용료부과기준 이용수가(원) 비고
기본료 직접사용 서비스
Oxide, Nitride, Poly-Si 20nm급 식각(Etching Time 5분, Etching Thick 1㎛ 기준) 회/매 100,000 40,000 55,000 1. 초과 시 100,000원/기준 추가 2.Standard 이외의 시편은 추가공정비 별도 협의( Compound 공정 비용(1만원/개) 추가)
  • 장비예약 취소를 원할 경우 예약일 전일 까지 장비담당자에게 요청하시기 바랍니다.
  • 예약 당일에 취소할 경우 불이익을 받을 수 있습니다. (특성평가 장비는 장비 예약시간의 50% 취소 수수료 부과 청구)
  • 장비이용 후 청구담당자가 다음 월에 이용료 결제를 요청합니다. (부과세 별도 적용 / 포스텍 비적용)

  • <장비 이용료 할인 안내>
    1) 포항공과대학교 내 이용자(입주기업 포함)는 이용료의 10%를 할인율 적용합니다.
    2) 장비 운영 라이선스 취득 후 심야시간대(당일 18:00 ~ 익일 09:00) 직접이용 이용료의 50% 할인율 적용합니다.
       *특성평가팀 특정장비 심야할인 별도 적용되는 경우 있으니 사전에 담당자에게 문의바랍니다.
    3) 전년도 이용 실적 5천만원 이상 이용자는  5~20% 특별 할인 적용합니다.
        * 포항공과대학교 내 이용자는 특별 할인 추가됩니다.

장비담당자

장비담당자 전화번호 이메일
김수곤 054-279-0227 sukoni@postech.ac.kr
김병욱 054-279-0284 kin0531@postech.ac.kr
이남걸 054-279-0282 leeng@postech.ac.kr

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