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장비소개

High Temperature Pyro Oxidation Furnace

장비명(영문) :  High Temperature Pyro Oxidation Furnace

장비명(국문) :  고온 습식/건식 산화로

제조사 :  Lead Engineering

모델 :  VULCAN-V81RD

사양 :  800℃~1250℃ 에서의 건식/습식 산화 가능 ,4.6.8인치 wafer 가능

용도 :  Pyrogenic 방식의 Oxidation furnace로 고품질의 산화막 성장 가능하며, 1200℃의 고온으로 사용할 수 있다.(SiC Oxidation 가능)

키워드 :  Pyro furnace,Wet,Dry,SiC Oxidation,furnace


장비사용료 용도 이용료부과기준 이용수가(원) 비고
기본료 직접사용 서비스
Si substrate에 SiO2 산화막 성장 회/매 0 0 450,000 SiO2 500nm 기준이며 SiC substrate는 추가 비용 협의, 기본 공정(500nm)외 추가 성장시 50,000원/100nm 추가 청구, 1um 성장은 2회로 청구
SiC Oxidation-1 회/매 0 0 550,000 SiC Dry Oxidation
SiC Oxidation-2 회/매 0 0 650,000 SiC Gate Oxidation (Dry&Wet)
  • 장비예약 취소를 원할 경우 예약일 전일 까지 장비담당자에게 요청하시기 바랍니다.
  • 예약 당일에 취소할 경우 불이익을 받을 수 있습니다. (특성평가 장비는 장비 예약시간의 50% 취소 수수료 부과 청구)
  • 장비이용 후 청구담당자가 다음 월에 이용료 결제를 요청합니다. (부과세 별도 적용 / 포스텍 비적용)

  • <장비 이용료 할인 안내>
    1) 포항공과대학교 내 이용자(입주기업 포함)는 이용료의 10%를 할인율 적용합니다.
    2) 장비 운영 라이선스 취득 후 심야시간대(당일 18:00 ~ 익일 09:00) 직접이용 이용료의 50% 할인율 적용합니다.
       *특성평가팀 특정장비 심야할인 별도 적용되는 경우 있으니 사전에 담당자에게 문의바랍니다.
    3) 전년도 이용 실적 5천만원 이상 이용자는  5~20% 특별 할인 적용합니다.
        * 포항공과대학교 내 이용자는 특별 할인 추가됩니다.

장비담당자

장비담당자 전화번호 이메일
최찬호 054-279-0283 chanho@postech.ac.kr
이원범 054-279-0226 wblee@postech.ac.kr

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