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Deep Reactive Ion Etcher (DRIE)

가동중
기자재관리번호 B0000055-052002-A0008
장비명(영문) Deep Reactive Ion Etcher (DRIE)
장비명(국문) 이온실리콘식각장치
제조사 STS
모델 Multiplex Lite ASE-SR
사양 6 inch
용도 Si 고종횡비 식각
키워드

장비상세설명

No Items Description
1 Standard Process Si Deep Etch : SF6/C4F8 Gas Base (about 0.5um/cycle)
Si Deep Etch 2 : SF6/C4F8 Gas Base (about 0.3um/cycle)
Surface Treatment : Black Silicon, Hydrophobic treatment
2 Plasma Source ICP Plasma
3 Pressure Control 5 mTorr ~ 100 mTor
4 Power Source Power : 1000W(13.56MHz), Bias Power : switchable ENI 30~300W(13.56MHz)
5 Number of Gas SF6, C4F8, Ar, O2
6 Chuck Type Machanical Chuck
7 Process Temperature Cathode 20℃ 
8 Wafer size 4inch / 6inch (4 inch setting)
9 Control Fully Automated Control Function
Single Wafer loadlock System

장비사용료

장비사용료 용도 이용료부과기준 이용수가(원) 비고
직접사용 서비스
Si 고종횡비 식각(50um/깊이) 회/매 120,000 150,000 매 단위, 추가 50um Etching 시 10만원/50um 비용 추가
PPFC Coating(2분/Time) 회/매 40,000 50,000 매 단위
  • 포항공과대학교 및 현금 출자기관 사용자는 장비사용료에서 20% 할인 된 금액으로 청구 됩니다.
  • 이용자협의회 사용자는 장비사용료에서 10% 할인 된 금액으로 청구 됩니다.
  • 장비사용료 청구익월초 일괄 정산합니다. 단, 요청시 당월 발행도 가능합니다.
  • 부가가치세(10%) 별도

장비담당자

장비담당자 전화번호 이메일
김수곤 054-279-0227 sukoni@postech.ac.kr
김병욱 054-279-0284 kin0531@postech.ac.kr
이남걸 054-279-0282 leeng@postech.ac.kr
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