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Dry Etcher_20nm급

가동중
기자재관리번호 B0000055-082002-A0006
장비명(영문) Dry Etcher_20nm급
장비명(국문) 플라즈마 유도결합 식각장치
제조사 DMS
모델 Silicon/metal hybrid etcher
사양 2500 W, 13.56 MHz
용도 20nm급 식각
키워드

장비상세설명

No Items Description
1 Standard Process Oxide Etch : CF4/CHF3 Gas Base (about 70Å/sec)
Nitride Etch : CHF3 Gase Base (about 30Å/sec)
Poly Etch : Cl2/HBr Gas Base (about 40Å/sec)
GaN Etch : Cl2/HBr Gas Base (about 30Å/sec)
2 Plasma Source ICP Plasma (Plasma Density : >5X10_12/cm3)
3 Pressure Control 5 mTorr ~ 100 mTor
4 Power Source Power : 2000W(13.56MHz), Bias Power : 600W(13.56MHz)
Source Power : 3000W(13.56MHz), Bias-1/2 Power : 2000W(13.56MHz)
5 Number of Gas PM#2 (Poly Si) CF4, Cl2, HBr, BCl3, Ar, O2
PM#4 (Oxide) CF4, CHF3, SF6, Ar, O2
6 Chuck Type Elactrostatic Chuck
7 Process Temperature Cathode 60℃(PM#2) / 20℃ (PM#4)
8 Wafer size 8inch
9 Control Fully Automated Control Function
Semi-Auto Function for Wafer Transfer and Manual Process

장비사용료

장비사용료 용도 이용료부과기준 이용수가(원) 비고
직접사용 서비스
Oxide, Nitride, Poly-Si 20nm급 식각(Etching Time 5분, Etching Thick 1㎛ 기준) 회/매 40,000 50,000 기본가 100,000원 및 1㎛ 초과시 비용(10만원) 추가, Standard 이외 시편 추가공정비 별도 협의
  • 포항공과대학교 및 현금 출자기관 사용자는 장비사용료에서 20% 할인 된 금액으로 청구 됩니다.
  • 이용자협의회 사용자는 장비사용료에서 10% 할인 된 금액으로 청구 됩니다.
  • 장비사용료 청구익월초 일괄 정산합니다. 단, 요청시 당월 발행도 가능합니다.
  • 부가가치세(10%) 별도

장비담당자

장비담당자 전화번호 이메일
김수곤 054-279-0227 sukoni@postech.ac.kr
김병욱 054-279-0284 kin0531@postech.ac.kr
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