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Dry Etcher_ICP

가동중
기자재관리번호 B0000055-062005-A0022
장비명(영문) Dry Etcher_ICP
장비명(국문) ICP 식각장치
제조사 Sntek
모델
사양 6
용도 Metal 및 세라믹 건식 식각
키워드

장비상세설명

No Items Description
1 Standard Process Oxide Etch : CF4 Gas Base (about 10Å/sec)
Nitride Etch : SF6 Gase Base (about 10Å/sec)
Metal Etch : Cl2/BCl3 Gas Base (Al - about 70Å/sec)
O2 Plasma Treatment
2 Plasma Source ICP Plasma (Plasma Density : >5X1012/cm3)
3 Pressure Control 5 mTorr ~ 100 mTor
4 Power Source Power : 2000W(13.56MHz), Bias Power : 1000W(13.56MHz)
5 Number of Gas CF4, SF6, Cl2, BCl3, Ar, O2
6 Chuck Type Machanical Chuck
7 Process Temperature Cathode 15℃ 
8 Wafer size 6inch / 8inch (6 inch setting)
9 Control Fully Automated Control Function
Semi-Auto Function for Wafer Transfer and Manual Process

장비사용료

장비사용료 용도 이용료부과기준 이용수가(원) 비고
직접사용 서비스
SiO, SiN, Al, GaN 건식 식각(Etching Time 5분, Etching Thick 1㎛ 기준) 회/매 40,000 55,000 1. 초과 시 100,000원/기준 추가 2. Standard 이외의 시편은 추가공정비 별도 협의( Compound 공정 비용(1만원/개) 추가)
  • 포항공과대학교 및 현금 출자기관 사용자는 장비사용료에서 20% 할인 된 금액으로 청구 됩니다.
  • 이용자협의회 사용자는 장비사용료에서 10% 할인 된 금액으로 청구 됩니다.
  • 장비사용료 청구익월초 일괄 정산합니다. 단, 요청시 당월 발행도 가능합니다.
  • 부가가치세(10%) 별도

장비담당자

장비담당자 전화번호 이메일
김수곤 054-279-0227 sukoni@postech.ac.kr
김병욱 054-279-0284 kin0531@postech.ac.kr
이남걸 054-279-0282 leeng@postech.ac.kr
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