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Deep Reactive Ion Etcher-II(DRIE-II)

가동중
기자재관리번호 0
장비명(영문) Deep Reactive Ion Etcher-II(DRIE-II)
장비명(국문) 실리콘 고종횡비 식각장치 - 2
제조사 SPTS
모델 Pegasus
사양 6 inch
용도 Deep Silicon Etching
키워드

장비상세설명

No Items Description
1 Standard Process Si Deep Etch : SF6/C4F8 Gas Base (about 2um/cycle)
Surface Treatment : Black Silicon, Hydrophobic treatment
2 Plasma Source ICP Plasma
3 Pressure Control 5 mTorr ~ 100 mTor
4 Power Source Power : 2000W(13.56MHz), Bias Power : switchable ENI 100W(13.56MHz)
5 Number of Gas SF6, C4F8, Ar, O2
6 Chuck Type Elactrostatic Chuck
7 Process Temperature Cathode 20℃ 
8 Wafer size 6inch
9 Control Fully Automated Control Function
6inch loadlock System

장비사용료

장비사용료 용도 이용료부과기준 이용수가(원) 비고
직접사용 서비스
Si Etching 회/매 120,000 150,000 50um기준, 추가 50um : \100,000
  • 포항공과대학교 및 현금 출자기관 사용자는 장비사용료에서 20% 할인 된 금액으로 청구 됩니다.
  • 이용자협의회 사용자는 장비사용료에서 10% 할인 된 금액으로 청구 됩니다.
  • 장비사용료 청구익월초 일괄 정산합니다. 단, 요청시 당월 발행도 가능합니다.
  • 부가가치세(10%) 별도

장비담당자

장비담당자 전화번호 이메일
김수곤 279-0227 sukoni@postech.ac.kr
김병욱 054-279-0284 kin0531@nate.com
이남걸 054-279-0282 leeng@postech.ac.kr
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