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Dry Etcher_ICP - II

가동중
기자재관리번호 0
장비명(영문) Dry Etcher_ICP - II
장비명(국문) ICP 식각 장치 - 2
제조사 ULVAC
모델 NE-7800
사양 8 inch
용도 . Metal Dry Etching . Special Material Etching : SiC, Polyimide 등
키워드 Dry Etch, ICP

장비상세설명

No Items Description
1 Standard Process Metal Etch : Cl2/HBr Gas Base 
Nitride Etch : CF4 Gase Base 
Oxide Etch : CF4 Gas Base
Special Etch : SiC, GaN, Polyimide Etc.
2 Plasma Source ICP Plasma (Plasma Density : >5X10_12/cm3)
3 Pressure Control 5 mTorr ~ 100 mTor
4 Power Source Power : 2000W(13.56MHz), Bias Power : 600W(13.56MHz)
5 Number of Gas PM#2,3 (ICP) Cl2, BCl3, CF4, SF6, Ar, O2
PM#6 (Ashing) O2, N2
6 Chuck Type Elactrostatic Chuck
7 Process Temperature Cathode 30℃(PM#2,3) / 200℃ (PM#6)
8 Wafer size 8inch
9 Control Fully Automated Control Function
Semi-Auto Function for Wafer Transfer and Manual Process

장비사용료

장비사용료 용도 이용료부과기준 이용수가(원) 비고
직접사용 서비스
SiO, SiN, Al, GaN 회/매 40,000 55,000 1. 초과 시 100,000원/기준 추가 2. Standard 이외의 시편은 추가공정비 별도 협의( Compound 공정 비용(1만원/개) 추가)
  • 포항공과대학교 및 현금 출자기관 사용자는 장비사용료에서 20% 할인 된 금액으로 청구 됩니다.
  • 이용자협의회 사용자는 장비사용료에서 10% 할인 된 금액으로 청구 됩니다.
  • 장비사용료 청구익월초 일괄 정산합니다. 단, 요청시 당월 발행도 가능합니다.
  • 부가가치세(10%) 별도

장비담당자

장비담당자 전화번호 이메일
김수곤 279-0227 sukoni@postech.ac.kr
김병욱 054-279-0284 kin0531@nate.com
이남걸 054-279-0282 leeng@postech.ac.kr
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