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High Temperature Pyro Oxidation Furnace

가동중
기자재관리번호 -
장비명(영문) High Temperature Pyro Oxidation Furnace
장비명(국문) 고온 습식/건식 산화로
제조사 Lead Engineering
모델 VULCAN-V81RD
사양 800℃~1250℃ 에서의 건식/습식 산화 가능 ,4.6.8인치 wafer 가능
용도 Pyrogenic 방식의 Oxidation furnace로 고품질의 산화막 성장 가능하며, 1200℃의 고온으로 사용할 수 있다.(SiC Oxidation 가능)
키워드 Pyro furnace,Wet,Dry,SiC Oxidation,furnace

장비상세설명

장비사용료

장비사용료 용도 이용료부과기준 이용수가(원) 비고
직접사용 서비스
Si substrate에 SiO2 산화막 성장 회/매 0 450,000 SiO2 500nm 기준이며 SiC substrate는 추가 비용 협의
SiC Oxidation-1 회/매 0 550,000 SiC Dry Oxidation
SiC Oxidation-2 회/매 0 650,000 SiC Gate Oxidation (Dry&Wet)
  • 포항공과대학교 및 현금 출자기관 사용자는 장비사용료에서 20% 할인 된 금액으로 청구 됩니다.
  • 이용자협의회 사용자는 장비사용료에서 10% 할인 된 금액으로 청구 됩니다.
  • 장비사용료 청구익월초 일괄 정산합니다. 단, 요청시 당월 발행도 가능합니다.
  • 부가가치세(10%) 별도

장비담당자

장비담당자 전화번호 이메일
이원범 054-279-0226 wblee@postech.ac.kr
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