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High Temperature Anneal Furnace

가동중
기자재관리번호 000000
장비명(영문) High Temperature Anneal Furnace
장비명(국문) 고온열처리로-II
제조사 ULVAC, Inc.
모델 PFS-6000-25
사양 4/6 Inch Wafer 겸용
용도 850℃ ~ 2000℃ 고온열처리
키워드

장비상세설명

 
Furnace 개요
 
항목
내용
Remark
Maker
ULVAC, Inc.
 
장비명
PFS-6000-25
 
Heating 방식
고주파 유도 가열 방식
50kw Power Source
Anneal Temperature
850~ 2000
850미만 공정 불가
Anneal Time
60분 이내
1800이상은 30분 이내
Chamber 분위기
Ar 분위기
Ar 분위기 Vacuum상태 유지
VacuumPressure
High Vacuum
1.4E-4Pa (1E-6Torr)
Heater WaferTraymaterial
Graphite
Wafer를 각각의 Tray위에 올려놓고
진행
Wafer Size
4/6 Inch Wafer 겸용
조각 시편 가능
ProcessPerformance
(SiC Rs Unif. 1σ)
Within  3%이내
19003분 진행 결과임
WTW : Wafer to Wafer
LTL : Lot To Lot
WTW  3%이내
LTL  3%이내
 
 
 
System특성
 
1. 고온용 (~2000) Anneal FurnaceSiC Implanter Post-Anneal 용으로 사용
 
2. 고 진공 Pump를 이용한 High Vacuum 적용으로 Clean Argon Environment Process 가능 (외부 대기에 의한 오염 없음)
 
3. 각종 Si Anneal Process 에 사용 가능 (~1200)

4. 기본 공정 조건 이외의 조건에 대해서는 담당자 문의  
 
 
 

장비사용료

장비사용료 용도 이용료부과기준 이용수가(원) 비고
직접사용 서비스
850℃ ~ 2000℃ 고온열처리 회/매 0 1,500,000 Lot (5매), 소요시간 6hr
  • 포항공과대학교 및 현금 출자기관 사용자는 장비사용료에서 20% 할인 된 금액으로 청구 됩니다.
  • 이용자협의회 사용자는 장비사용료에서 10% 할인 된 금액으로 청구 됩니다.
  • 장비사용료 청구익월초 일괄 정산합니다. 단, 요청시 당월 발행도 가능합니다.
  • 부가가치세(10%) 별도

장비담당자

장비담당자 전화번호 이메일
박광렬 054-279-0283 pgr0024@postech.ac.kr
이원범 054-279-0226 wblee@postech.ac.kr
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